KR20180129106A - Reticle cleaner using plasma - Google Patents

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KR20180129106A KR1020170064623A KR20170064623A KR20180129106A KR 20180129106 A KR20180129106 A KR 20180129106A KR 1020170064623 A KR1020170064623 A KR 1020170064623A KR 20170064623 A KR20170064623 A KR 20170064623A KR 20180129106 A KR20180129106 A KR 20180129106A
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Abstract

The present invention relates to a reticle cleaning apparatus using plasma, including: a reticle in which a circuit pattern to be transferred onto a wafer is formed in a semiconductor exposure apparatus; a cleaning chamber that accommodates the reticle; a plasma generation unit that operates by control of a controller to supply plasma radicals to the cleaning chamber; and a dry pump for discharging the reactant generated by the reaction of the plasma radical in the cleaning chamber and the foreign matter made of the organic compound to the outside. Therefore, cleaning of the reticle is possible in a short time.

Description

플라즈마를 이용한 레티클 세정장치{RETICLE CLEANER USING PLASMA}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a reticle cleaning apparatus using a plasma,

본 발명은 플라즈마를 이용한 레티클 세정장치에 관한 것이다. The present invention relates to a reticle cleaning apparatus using plasma.

도 1은 일반적인 노광장비를 도시한 도면이고, 도 2는 종래의 레티클 세정장치의 예를 간략도시한 도면이다. FIG. 1 is a view showing a general exposure apparatus, and FIG. 2 is a schematic view showing an example of a conventional reticle cleaning apparatus.

도 1 및 도 2를 참조하면, 일반적으로 노광장비는 반도체 또는 디스플레이 제조공정에 사용되는 노광장비중 반도체 노광장비를 예로 들어 설명하자면, 종래의 반도체 노광장비는 광원(1)의 하측에 레티클(RETICLE)(2)을 장착하기 위한 레티클 스테이지(3)와, 하측에 웨이퍼(6)를 안착시킬 수 있도록 설치되는 웨이퍼 스테이지(WAFER STAGE)(5)와, 레티클 스테이지(RETICLE STAGE)(3)와 웨이퍼 스테이지(5) 사이에 설치되어 레티클(RETICLE)(2)의 패턴을 웨이퍼(WAFER)(6)에 이식하기 위한 투영렌즈(6)로 구성된다. Referring to FIGS. 1 and 2, in general, an exposure apparatus is a semiconductor exposure apparatus used in a semiconductor or a display manufacturing process. The conventional semiconductor exposure apparatus includes a reticle (reticle) A reticle stage 3 for mounting the wafer 2 on the lower side and a wafer stage 5 provided for placing the wafer 6 on the lower side and a reticle stage 3, And a projection lens 6 provided between the stage 5 and for transferring the pattern of the reticle 2 to the wafer 6.

반도체 제조 공정에서 포토공정은 레티클(RETICLE)(2) 상에 이물이 있는 경우 이물에 의해 패턴이 형성되고 이로 인해 불량이 발생하게 된다. 따라서 레티클(RETICLE)(2)의 이물 제거는 반드시 필요하고, 더욱 빠른 시간내에 제거할 수 있는 장치가 필요하다. In the photolithography process in the semiconductor manufacturing process, when a foreign object is present on the reticle 2, a pattern is formed by the foreign material, thereby causing a defect. Therefore, it is necessary to remove the foreign matter of the reticle 2, and a device which can be removed in a shorter time is needed.

따라서 종래의 레티클(RETICLE) 세정 장치는 습식(WET) 방식과 건식(DRY)등 두 가지 방식이 제안되었다. 이중 습식 방식은, 도 2의 (a)에 도시된 바와 같이, 회전되는 스테이지(8)의 상면에 분사장치(7)를 설치하여 화학 약품과 초순수를 레티클(RETICLE)(2) 표면으로 분사하여 이물과 함께 레티클(RETICLE)에 부착된 페리클(PELLICLE)을 제거하였다. Therefore, in the conventional reticle cleaning apparatus, two methods such as a wet (WET) method and a dry (DRY) method have been proposed. 2 (a), the spraying device 7 is provided on the upper surface of the stage 8 to be rotated, and the chemicals and ultrapure water are sprayed onto the surface of the reticle 2 The pellicle attached to the reticle along with the foreign object was removed.

하지만 이와 같은 습식 방식은 이물 제거 효과는 높지만 많은 시간이 소요되며 페리클(PELLICLE)을 다시 부착해야 하기 때문에 세정 비용이 매우 높다. However, such a wet method has high removal efficiency, but it takes a long time and the cleaning cost is very high because the pellicle must be attached again.

또한 반도체 공정 중에 레티클(RETICLE) 표면에 이물이 있을 경우 즉시 제거해야 하는데 레티클(RETICLE) 제작업체에 보내서 세정 및 페리클(Pellicle)을 재 부착해야 하기 때문에 생산 중단이 발생한다. Also, if there is any foreign material on the reticle surface during the semiconductor process, it must be removed immediately, which causes the production interruption due to the need to re-attach the cleaning and pellicle to the manufacturer of the reticle.

건식 방식은, 도 2의 (b)를 참조하면, 현재 대부분의 반도체 제조 회사에서 적용하는 방식으로 분사기(9)에서 질소(N2)를 일정한 압력으로 가하여 레티클(RETICLE) 표면에 이물을 제거하지만, 이물이 뜸상태일경우에만 제거되고, 레티클 표면에 완전히 부착되어 있을 경우 제거되지 않는 문제점이 있어 레티클(RETICLE) 세정 업체에 의뢰하여 습식 방식으로 세정 의뢰를 실시함에 따라 비용과 시간이 추가되는 문제점이 있었다. 즉, 건식 방식은 현장에서 바로 이물을 제거할 수 있는 반면 고정된 이물을 제거하는데 한계가 있다. Referring to FIG. 2B, in the dry method, foreign matter is removed from the surface of the reticle by applying nitrogen (N2) at a constant pressure in the injector 9 in a manner that is applied by most semiconductor manufacturers at present, There is a problem that the foreign object is removed only when it is moxified, and it is not removed when it is completely attached to the reticle surface. Therefore, there is a problem that cost and time are added due to the request of the reticle cleaning company and the wet cleaning method there was. In other words, the dry method can remove foreign matter directly from the site, but there is a limit to removing fixed foreign matter.

한국 등록특허공보 제10-0989071호(2010.10.14)Korean Patent Registration No. 10-0989071 (Oct. 14, 2010)

그러므로 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 본 발명의 목적은 반도체 또는 디스플레이 제조공정에 적용되는 노광장비에 사용되는 레티클의 세정시에 페리클(PELLICLE)의 제거 및 손상없이 종래에 비하여 단축된 시간내에 레티클(RETICLE)의 이물을 제거할 수 있는 플라즈마를 이용한 레티클 세정장치를 제공함에 있다. SUMMARY OF THE INVENTION It is therefore an object of the present invention, which is devised to solve the conventional problems, to provide a method of manufacturing a semiconductor or a display, And to provide a reticle cleaning apparatus using plasma capable of removing foreign substances from a reticle.

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 하기와 같은 실시예를 포함한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems occurring in the prior art.

본 발명의 바람직한 실시예는 반도체 노광장비에서 웨이퍼에 전사되는 회로패턴이 형성된 레티클(RETICLE)과, 레티클(RETICLE)을 수용하는 세정챔버와, 컨트롤러의 제어에 의하여 작동되어 세정챔버에 플라즈마 라디칼을 공급하는 플라즈마 발생부 및 세정챔버에 플라즈마 라디칼과 유기화합물로 이루어진 이물이 반응하여 생성된 반응물을 외부로 배출시키는 드라이펌프를 포함하는 플라즈마를 이용한 레티클 세정장치를 제공할 수 있다. In a preferred embodiment of the present invention, a reticle (RETICLE) in which a circuit pattern to be transferred to a wafer is formed in a semiconductor exposure equipment, a cleaning chamber for accommodating a reticle (RETICLE), and a plasma chamber And a dry pump for discharging a reactant generated by a reaction between a plasma radical and an organic compound in a cleaning chamber to the outside.

그러므로, 본 발명은 플라즈마를 이용하여 레티클(RETICLE)의 수용된 세정챔버(CLEANING CHAMBER)의 내측으로 플라즈마 라디칼을 공급하여 이물과 반응시켜 빠른 시간내에 이물을 제거할 수 있는 효과가 있다. Therefore, the present invention has an effect that plasma can be supplied to the inside of a cleaning chamber accommodated in a reticle by using plasma, and reacted with foreign matter to remove foreign matter in a short time.

또한, 본 발명은 플라즈마 라디칼을 이용하여 이물을 제거함에 따라 레티클(RETICLE)의 페리클(PELLICLE)의 손상이나 제거 없이 세정이 가능하여 비용을 절감시킬 수 있는 효과가 있다. Further, according to the present invention, since foreign matter is removed by using a plasma radical, the cleaning can be performed without damaging or removing the pellicle of the reticle, thereby reducing the cost.

또한, 본 발명은 반도체, 디스플레이 및/또는 기타 레티클을 사용하는 전체 분야에 걸쳐 적용 가능함에 따라 다양한 분야에서 세정에 필요한 시간과 비용을 절감시킬 수 있는 효과가 있다. In addition, since the present invention can be applied to all fields using semiconductors, displays, and / or other reticles, it is possible to reduce the time and cost required for cleaning in various fields.

도 1은 일반적인 반도체 노광장비를 도시한 도면이다.
도 2는 종래의 레티클 세정장치의 예를 간략 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 플라즈마를 이용한 레티클 세정장치를 도시한 블럭도이다.
도 4는 본 발명의 실시예를 도시한 도면이다. 1 is a diagram illustrating a typical semiconductor exposure apparatus.
2 is a schematic view showing an example of a conventional reticle cleaning apparatus.
3 is a block diagram showing a reticle cleaning apparatus using plasma according to the present invention.
4 is a view showing an embodiment of the present invention.

이하, 본원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 구현 예 및 실시 예를 들어 상세히 설명한다. 그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현 예 및 실시 예에 한정되지 않는다.Hereinafter, embodiments and examples of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. It should be understood, however, that the present invention may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments and examples described herein.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서에 기재된 "..부", "..부재", "..수단"의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 구성의 단위를 의미하며, 하드웨어 및/또는 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다.Throughout the specification, when an element is referred to as "comprising ", it means that it can include other elements as well, without excluding other elements unless specifically stated otherwise. Also, the terms " part, " " absent, "and " means" in the specification mean units of a configuration for processing at least one function or operation and may be implemented by a combination of hardware and / .

이하에서는 본 발명에 따른 플라즈마를 이용한 레티클(RETICLE) 세정장치의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments of a reticle cleaning apparatus using plasma according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 따른 플라즈마를 이용한 레티클 세정장치를 도시한 블럭도, 도 4는 본 발명의 실시예를 도시한 도면이다. FIG. 3 is a block diagram showing a reticle cleaning apparatus using plasma according to the present invention, and FIG. 4 is a view showing an embodiment of the present invention.

도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 플라즈마를 이용한 레티클 세정장치는 세정챔버(300)와, 세정챔버(300)에 레티클(RETICLE)(700)을 이송시키는 이송암(600)과, 제어명령을 출력하는 컨트롤러(100)와, 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부(200)와, 세정 챔버(300) 내측의 반응물을 배출시키는 드라이펌프(DRY PUMP)(500)와, 챔버 커버(310)를 승하강시키는 에어실린더(400)와, 드라이펌프(500)를 구동시키는 펌프구동부(140)와, 에어실린더(400)를 작동시키는 실린더 작동부와, 작동상태 및 이상경보를 표시하는 디스플레이(110)와, 조작명령을 출력하는 조작부(120)를 포함한다. 3 and 4, a reticle cleaning apparatus using plasma according to the present invention includes a cleaning chamber 300, a transfer arm 600 for transferring a reticle 700 to the cleaning chamber 300, (DRY PUMP) 500 for discharging reactants inside the cleaning chamber 300, a chamber cover 310, and a control unit 300. The controller 100 outputs a control command, a plasma generating unit 200 that generates plasma, A pump operating section 140 for driving the dry pump 500, a cylinder operating section for operating the air cylinder 400, a display 110 for displaying an operating state and an abnormal alarm, And an operation unit 120 for outputting an operation command.

디스플레이(110)는 작동상태(예를 들면, 온 또는 오프 상태, 고장여부)를 출력하거나 기타 수치를 표시할 수 있다. 여기서 디스플레이(110)는 터치형 디스플레이(110)로서 조작부(120)와 일체로 형성됨도 가능하다. The display 110 may output an operational state (e.g., an on or off state, a failure), or may display other values. Here, the display 110 may be formed integrally with the operation unit 120 as the touch-type display 110.

조작부(120)는 복 수개의 입력키를 구성되며 선택된 스위치(또는 터치패드)에 설정된 조작명령을 컨트롤러(100)에 출력한다. 마찬가지로 조작부(120)는 터치형 디스플레이(110)로서 디스플레이(110)와 일체형으로 형성될 수 있다. The operation unit 120 outputs a plurality of input keys and an operation command set to the selected switch (or touch pad) to the controller 100. [ Similarly, the operation unit 120 may be formed integrally with the display 110 as the touch-type display 110.

컨트롤러(100)는 조작부(120)에서 출력된 조작명령에 따라 제어명령을 출력한다. 예를 들면, 컨트롤러(100)는 플라즈마 발생부(200)의 작동명령과, 실린더 구동부(130)에 실린더 작동명령, 펌프구동부(140)에 펌프구동명령, 이송암(600)에 이송명령을 각각 출력할 수 있다. The controller 100 outputs a control command in accordance with the operation command output from the operation unit 120. [ For example, the controller 100 controls the operation of the plasma generator 200, the cylinder operation command to the cylinder drive unit 130, the pump drive command to the pump drive unit 140, and the transfer command to the transfer arm 600, respectively Can be output.

또는 드라이펌프(500)와 에어실린더(400)는 컨트롤러(100)의 제어가 아닌 조작부(120)의 조작명령에 의해 즉시 작동됨도 가능하다. Alternatively, the dry pump 500 and the air cylinder 400 may be immediately operated by an operation command of the operation unit 120, not by the controller 100.

세정챔버(300)는 이송암(600)에 의해 이송되는 레티클(RETICLE)(700)을 수용하도록 내측이 빈공간을 이루는 본체(320)와, 본체(320)의 상부를 밀폐시키는 챔버커버(310)로 이루어다 본체(320)는 플라즈마 발생부(200)와 드라이펌프(500)로 각각 연결되는 배관(330)이 고정된다. The cleaning chamber 300 includes a main body 320 having an inner space for receiving a reticle 700 transferred by the transfer arm 600 and a chamber cover 310 for sealing the upper portion of the main body 320 The main body 320 is fixed with a pipe 330 connected to the plasma generator 200 and the dry pump 500, respectively.

플라즈마 발생부(200)는 컨트롤러(100)의 제어에 의하여 플라즈마 라디칼(예를 들면, O, O2+)을 발생시켜 챔버의 내측으로 공급한다. 플라즈마 라디칼은 레티클(RETICLE)(700)에 묻은 이물과 반응을 일으켜 반응물을 발생시킨다. 즉, 레티클(RETICLE)(700)에 묻은 이물질은 대체로 유기 화합물(예를 들면, CmHn)임에 따라 플라즈마 라디칼과의 반응에 의하여 H2O, Co2, CO와 같은 반응물로 변환된다. The plasma generating unit 200 generates plasma radicals (for example, O, O 2 +) under the control of the controller 100 and supplies the generated plasma radicals to the inside of the chamber. The plasma radical reacts with the foreign matter on the reticle 700 to generate a reactant. In other words, the foreign substances on the reticle 700 are converted into reactants such as H2O, Co2, and CO by reaction with the plasma radicals according to the organic compounds (for example, CmHn).

펌프구동부(140)는 컨트롤러(100)의 제어에 의하여 드라이펌프(500)를 구동시킨다. 예를 들면, 펌프구동부(140)는 챔버커버(310)가 체결된 후 내측에 플라즈마 라디칼과 이물이 반응하여 반응물이 발생되면, 드라이펌프(500)를 구동시킨다. The pump driving unit 140 drives the dry pump 500 under the control of the controller 100. For example, the pump driving unit 140 drives the dry pump 500 when a reaction occurs between the plasma radical and the foreign substance on the inside after the chamber cover 310 is fastened.

드라이펌프(500)는 세정챔버(300) 내부의 가스를 외부로 배출시킨다. The dry pump 500 discharges the gas inside the cleaning chamber 300 to the outside.

실린더 구동부(130)는 에어실린더(400)를 작동시킨다. 여기서, 에어실린더(400)는 신장 또는 수축되는 실린더축(410)을 구비하여 세정챔버(300)를 상하로 이동시킨다. The cylinder drive unit 130 actuates the air cylinder 400. [ Here, the air cylinder 400 has a cylinder axis 410 to be extended or retracted to move the cleaning chamber 300 up and down.

따라서, 에어실린더(400)는 컨트롤러(100)의 제어에 의해 작동된 실린더 구동부(130)에 의하여 작동되어 세정챔버(300)를 상하로 이동시켜 세정챔버(300)의 상부를 밀폐 또는 개방시킨다. The air cylinder 400 is operated by the cylinder driving part 130 operated under the control of the controller 100 to move the cleaning chamber 300 up and down to seal or open the upper part of the cleaning chamber 300. [

본 발명은 상기와 같은 구성을 포함하며, 이하에서는 본 발명에 따른 작용 효과를 설명한다. The present invention includes the above-described configuration, and the operational effects according to the present invention will be described below.

먼저, 작업자는 조작부(120)를 조작하여 구동명령을 입력한다. 따라서 레티클(RETICLE)(700)은 컨트롤러(100)의 제어에 의해 작동되는 이송암(600)에 의하여 세정챔버(300)의 내측으로 이송된다. 이때 세정챔버(300)는 상부가 개방된 상태이다. First, the operator operates the operation unit 120 to input a drive command. Therefore, the reticle 700 is transferred to the inside of the cleaning chamber 300 by the transfer arm 600 which is operated under the control of the controller 100. At this time, the upper part of the cleaning chamber 300 is open.

따라서, 작업자가 조작부(120)를 작동하여 실린더 구동명령을 입력하면, 컨트롤러(100)는 조작부(120)에서 출력된 실린더 작동명령을 실린더 구동부(130)로 출력한다. 그러므로 실린더 구동부(130)는 에어실린더(400)를 작동시켜 챔버커버(310)를 하강시켜 본체(320)의 상부를 밀폐시킨다. Accordingly, when the operator operates the operation unit 120 to input a cylinder drive command, the controller 100 outputs the cylinder operation command output from the operation unit 120 to the cylinder drive unit 130. [ Therefore, the cylinder driving unit 130 actuates the air cylinder 400 to lower the chamber cover 310, thereby sealing the upper portion of the main body 320.

바람직하게로는 세정챔버(300)는 챔버커버(310)의 탈착여부를 감지하기 위한 센서를 더 포함한다. 이와 같은 센서의 감지신호는 컨트롤러(100)에 출력되고, 컨트롤러(100)는 디스플레이(110)를 통하여 챔버커버(310)의 탈착여부를 표시하도록 제어한다. Preferably, the cleaning chamber 300 further includes a sensor for detecting whether or not the chamber cover 310 is detachable. The sensing signal of the sensor is output to the controller 100 and the controller 100 controls the display 110 to display whether the chamber cover 310 is detached or not.

상술한 바와 같이, 챔버커버(310)가 본체(320)의 상부를 밀폐시키면, 작업자는 조작부(120)를 조작하여 플라즈마 발생명령을 입력하고, 컨트롤러(100)는 플라즈마 발생부(200)를 작동하도록 제어한다. As described above, when the chamber cover 310 closes the upper portion of the main body 320, the operator operates the operation unit 120 to input a plasma generation command, and the controller 100 operates the plasma generation unit 200 .

그러므로, 플라즈마 발생부(200)는 작동되어 세정챔버(300) 내측으로 플라즈마 라디칼을 공급한다. 이때 레티클(RETICLE)(700)은 CmHn의 유기화합물의 이물로 오염된 상태이다. 따라서 이물은 O, O2+와 같은 플라즈마 라디칼과 반응하여 H2O, CO2, CO중 적어도 어느 하나로 변환되면서 레티클(RETICLE)(700)의 표면에서 제거된다. Therefore, the plasma generating part 200 is operated to supply the plasma radicals into the cleaning chamber 300. At this time, the reticle 700 is contaminated with foreign matters of CmHn organic compounds. Accordingly, the foreign matter is removed from the surface of the reticle 700 while being converted into at least one of H 2 O, CO 2 and CO by reacting with a plasma radical such as O, O 2 +.

아울러, 컨트롤러(100)는 펌프구동부(140)에 펌프 작동명령을 출력하고, 펌프구동부(140)는 드라이펌프(500)를 작동시킨다. 여기서 바람직하게로는 세정챔버(300)의 내측에 감지센서(예를 들면, H2O, CO2 또는 CO 감지센서중 적어도 하나)를 구비함이 바람직하다. In addition, the controller 100 outputs a pump operation command to the pump driving unit 140, and the pump driving unit 140 operates the dry pump 500. Preferably, a sensing sensor (for example, at least one of H 2 O, CO 2, or CO sensors) is provided inside the cleaning chamber 300.

즉, 컨트롤러(100)는 감지센서의 감지결과, 설정된 기준값 이상이 감지되면, 펌프구동부(140)를 제어할 수 있다. 그러므로 펌프 구동부는 드라이펌프(500)를 구동시키고, 드라이펌프(500)는 세정챔버(300) 내측의 반응물을 외부로 배출시킨다. That is, the controller 100 can control the pump driving unit 140 when an abnormality is detected as a result of detection of the detection sensor. Therefore, the pump driving unit drives the dry pump 500, and the dry pump 500 discharges the reactant inside the cleaning chamber 300 to the outside.

따라서, 본 발명은 플라즈마 라디칼에 의한 화학 반응으로 이물을 제거함에 따라 레티클(RETICLE)(700)의 페리클의 제거나 손상 없이 이물을 제거할 수 있고, 종래이 습식 또는 건식 방식에 비하여 빠른 시간 동안 세정이 진행될 수 있다. Therefore, according to the present invention, since the foreign substance is removed by the chemical reaction by the plasma radical, it is possible to remove the foreign material without removing or damaging the pellicle of the reticle 700. As compared with the conventional wet or dry method, Can proceed.

이상에서 설명된 본 발명의 실시예는 예시적인 것에 불과하며 레티클을 사용하는 전체 산업분야에 모두 적용이 가능한 것으로서, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다.The embodiments of the present invention described above are merely illustrative and are applicable to the entire industrial field using a reticle. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and equivalent It will be appreciated that other embodiments are possible.

그러므로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 형태로만 한정되는 것 은 아님을 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 그 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.It is therefore to be understood that the invention is not limited to the form set forth in the foregoing description. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims. It is also to be understood that the invention includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

100 : 컨트롤러 110 : 디스플레이
120 : 조작부 130 : 실린더 구동부
140 : 펌프구동부 200 : 플라즈마 발생부
300 : 세정챔버 310 : 챔버커버
320 : 본체 330 : 배관
400 : 에어실린더 410 : 실린더축
500 : 드라이펌프 600 : 이송암
700 : 레티클(RETICLE)
100: Controller 110: Display
120: operating part 130: cylinder driving part
140: pump driving part 200: plasma generating part
300: Cleaning chamber 310: Chamber cover
320: main body 330: piping
400: Air cylinder 410: Cylinder shaft
500: Dry pump 600: Transfer arm
700: Reticle (Reticle)

Claims (3)

웨이퍼(WAFER)에 전사되는 회로패턴이 형성된 레티클(RETICLE);
레티클(RETICLE)을 수용하는 세정챔버;
컨트롤러의 제어에 의하여 작동되어 세정챔버에 플라즈마 라디칼을 공급하는 플라즈마 발생부; 및
세정챔버에 플라즈마 라디칼과 유기화합물로 이루어진 이물이 반응하여 생성된 반응물을 외부로 배출시키는 드라이펌프;를 포함하는 플라즈마를 이용한 레티클 세정장치.
A reticle RETICLE having a circuit pattern transferred to the wafer WAFER;
A cleaning chamber for receiving a reticle;
A plasma generator operated by control of the controller to supply a plasma radical to the cleaning chamber; And
And a dry pump for discharging the reactant generated by the reaction of the plasma radical and the foreign substance made of the organic compound to the outside of the cleaning chamber.
제1항에 있어서, 세정챔버는
내측에 레티클을 수용하는 본체; 및
본체을 상면을 개폐하는 챔버커버를 포함하고,
챔버커버는 에어실린더에 의하여 상하로 이동되는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 레티클 세정장치.
The cleaning apparatus according to claim 1, wherein the cleaning chamber
A body accommodating a reticle inward; And
And a chamber cover for opening / closing an upper surface of the main body,
Wherein the chamber cover is moved up and down by an air cylinder.
제1항에 있어서, 컨트롤러의 제어에 의하여 레티클을 세정챔버 내부로 이송시키는 이송암을 더 포함하는 플라즈마를 이용한 레티클 세정장치.

The apparatus of claim 1, further comprising a transfer arm for transferring the reticle into the cleaning chamber under the control of the controller.

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