KR20180119193A - Substrate treating apparatus and substrate treating method - Google Patents

Substrate treating apparatus and substrate treating method Download PDF

Info

Publication number
KR20180119193A
KR20180119193A KR1020170052412A KR20170052412A KR20180119193A KR 20180119193 A KR20180119193 A KR 20180119193A KR 1020170052412 A KR1020170052412 A KR 1020170052412A KR 20170052412 A KR20170052412 A KR 20170052412A KR 20180119193 A KR20180119193 A KR 20180119193A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
substrate
transfer chamber
transfer
connection
Prior art date
Application number
KR1020170052412A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101928008B1 (en
Inventor
김윤기
김영준
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020170052412A priority Critical patent/KR101928008B1/en
Publication of KR20180119193A publication Critical patent/KR20180119193A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101928008B1 publication Critical patent/KR101928008B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/6773—Conveying cassettes, containers or carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

The present invention relates to a substrate treating apparatus and a substrate treating method capable of efficiently treating a substrate. According to one embodiment of the present invention, the substrate treating apparatus comprises: a facility front end module having a load port in which a cassette is positioned; a front transfer chamber having a front substrate transmitter transmitting a substrate; a load lock chamber positioned between the facility front end module and the front transfer chamber and capable of annealing the substrate; a back transfer chamber having a back substrate transmitter transmitting the substrate; a connection chamber positioned between the front transfer chamber and the back transfer chamber and capable of annealing the substrate; and a plurality of process chambers positioned at the circumferences of the front transfer chamber and the back transfer chamber.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate treating apparatus and substrate treating method}[0001] DESCRIPTION [0002] Substrate treating apparatus and substrate treating method [

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

플라즈마는 이온이나 전자, 라디칼(Radical) 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태이다. 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다.Plasma is an ionized gas state composed of ions, electrons, radicals, and the like. Plasma is generated by very high temperatures, strong electric fields, or RF electromagnetic fields.

이러한 플라즈마는 반도체 소자를 제조하기 위한 기판 처리에 사용된다. 예를 들어, 플라즈마는 포토레지스트(photoresist)를 사용하는 리소그래피(lithography) 공정에서 활용될 수 있다. 일 예로, 기판상에 라인(line) 또는 스페이스(space) 패턴 등과 같은 각종의 미세 회로 패턴들을 형성하거나 이온 주입(ion implantation) 공정에서 마스크(mask)로 이용된 포토레지스트막을 제거하는 애싱(ashing) 공정에서 활용될 수 있다.Such a plasma is used for processing a substrate for manufacturing a semiconductor device. For example, the plasma can be utilized in a lithography process using photoresist. For example, an ashing process is performed to form various fine circuit patterns such as a line or a space pattern on a substrate or to remove a photoresist film used as a mask in an ion implantation process. Can be utilized in the process.

한편, 기판에 플라즈마를 이용하여 기판 처리 공정을 수행 한 뒤, 공정 중 생성된 반응부산물을 제거하는 공정으로써 어닐링 공정이 수행된다.On the other hand, an annealing process is performed by performing a substrate processing process using plasma on a substrate and then removing reaction by-products generated during the process.

본 발명은 기판을 효율적으로 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method for efficiently processing a substrate.

또한, 본 발명은 기판을 플라즈마 처리 후 효과적으로 어닐링 처리 할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention also provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of effectively annealing a substrate after plasma processing.

또한, 본 발명은 기판 처리의 공정 효율이 향상되는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.It is still another object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method in which process efficiency of the substrate processing is improved.

본 발명의 일 측면에 따르면, 카세트가 위치되는 로드 포트를 갖는 설비 전방 단부 모듈; 기판을 이송하는 전방 기판 이송기를 갖는 전방 트랜스퍼 챔버; 상기 설비 전방 단부 모듈과 상기 전방 트랜스퍼 챔버 사이에 위치되고 기판을 어닐링 처리 할 수 있는 로드락 챔버; 기판을 이송하는 후방 기판 이송기를 갖는 후방 트랜스퍼 챔버; 상기 전방 트랜스퍼 챔버와 상기 후방 트랜스퍼 챔버 사이에 위치되고 기판을 어닐링 처리 할 수 있는 연결 챔버; 및 상기 전방 트랜스퍼 챔버 및 상기 후방 트랜스퍼 챔버의 둘레에 위치되는 복수의 공정 챔버를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to an aspect of the invention, there is provided an apparatus comprising: a facility front end module having a load port in which a cassette is located; A front transfer chamber having a front substrate transferor for transferring a substrate; A load lock chamber positioned between the plant front end module and the forward transfer chamber and capable of annealing the substrate; A rear transfer chamber having a rear substrate transferor for transferring a substrate; A connection chamber positioned between the front transfer chamber and the rear transfer chamber and capable of annealing the substrate; And a plurality of process chambers located around the front transfer chamber and the rear transfer chamber.

또한, 상기 로드락 챔버는, 기판이 위치되는 반입 지지부를 갖는 이송 챔버; 및 상기 공정 챔버에서 처리된 기판을 어닐링 처리하고, 기판이 상기 전방 트랜스퍼 챔버에서 상기 설비 전방 단부 모듈로 반출되는 경로를 제공하는 반출 챔버를 포함할 수 있다.The load lock chamber may further include: a transfer chamber having a transfer support portion on which the substrate is placed; And an unloading chamber for annealing the substrate processed in the process chamber and providing a path through which the substrate is taken out of the front transfer chamber to the apparatus front end module.

또한, 상기 연결 챔버는, 기판이 위치되는 이송 지지부를 갖는 제1 연결 챔버; 및 상기 공정 챔버에서 처리된 기판을 어닐링 처리하고, 기판이 상기 후방 트랜스퍼 챔버에서 상기 전방 트랜스퍼 챔버로 이동되는 경로를 제공하는 제2 연결 챔버를 포함할 수 있다.The connection chamber may further include: a first connection chamber having a transport support portion on which the substrate is placed; And a second connection chamber for annealing the substrate processed in the process chamber and providing a path through which the substrate is transferred from the rear transfer chamber to the front transfer chamber.

또한, 상기 제1 연결 챔버는 기판의 정렬 방향을 조절하는 얼라이너를 포함할 수 있다.In addition, the first connection chamber may include an aligner for adjusting the alignment direction of the substrate.

또한, 상기 후방 트랜스퍼 챔버의 둘레에 위치되는 상기 공정 챔버의 수는 상기 전방 트랜스퍼 챔버의 둘레에 위치되는 상기 공정 챔버의 수 이상으로 제공될 수 있다.In addition, the number of process chambers located around the rear transfer chamber may be greater than the number of process chambers located around the front transfer chamber.

또한, 상기 공정 챔버는 2개가 쌍을 이루어 상기 전방 트랜스퍼 챔버 및 상기 후방 트랜스퍼 챔버의 일측에 선형으로 배열될 수 있다.In addition, the process chambers may be linearly arranged on one side of the front transfer chamber and the rear transfer chamber in pairs.

또한, 상기 공정 챔버는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리 할 수 있다.In addition, the process chamber can process the substrate using plasma.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 카세트가 위치되는 로드 포트를 갖는 설비 전방 단부 모듈; 기판을 이송하는 전방 기판 이송기를 갖는 전방 트랜스퍼 챔버; 상기 설비 전방 단부 모듈과 상기 전방 트랜스퍼 챔버 사이에 위치되고 기판을 어닐링 처리 할 수 있는 로드락 챔버; 기판을 이송하는 후방 기판 이송기를 갖는 후방 트랜스퍼 챔버; 상기 전방 트랜스퍼 챔버와 상기 후방 트랜스퍼 챔버 사이에 위치되고 기판을 어닐링 처리 할 수 있는 연결 챔버; 및 상기 전방 트랜스퍼 챔버 및 상기 후방 트랜스퍼 챔버의 둘레에 위치되는 복수의 공정 챔버를 포함하는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에 있어서, 상기 후방 트랜스퍼 챔버의 둘레에 위치된 상기 공정 챔버에서 처리된 기판은 상기 연결 챔버에서 어닐링 처리하고, 상기 전방 트랜스퍼 챔버의 둘레에 위치된 상기 공정 챔버에서 처리된 기판은 상기 로드락 챔버에서 어닐링 처리할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided an apparatus comprising: a facility front end module having a load port in which a cassette is located; A front transfer chamber having a front substrate transferor for transferring a substrate; A load lock chamber positioned between the plant front end module and the forward transfer chamber and capable of annealing the substrate; A rear transfer chamber having a rear substrate transferor for transferring a substrate; A connection chamber positioned between the front transfer chamber and the rear transfer chamber and capable of annealing the substrate; And a plurality of process chambers located around the front transfer chamber and the rear transfer chamber, wherein the substrate processed in the process chamber located around the rear transfer chamber comprises: The substrate is annealed in the connection chamber and the substrate processed in the process chamber located around the front transfer chamber can be annealed in the load lock chamber.

또한, 상기 후방 트랜스퍼 챔버의 둘레에 위치된 상기 공정 챔버에서 처리되기 위해, 상기 전방 트랜스퍼 챔버에서 상기 연결 챔버로 전달된 기판은 상기 연결 챔버에서 정렬 방향이 변경될 수 있다.Also, in order to be processed in the process chamber located around the rear transfer chamber, the alignment direction of the substrate transferred from the front transfer chamber to the connection chamber may be changed in the connection chamber.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can efficiently process a substrate can be provided.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 플라즈마 처리 후 효과적으로 어닐링 처리 할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.Further, according to an embodiment of the present invention, there can be provided a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of effectively annealing a substrate after plasma processing.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 처리의 공정 효율이 향상되는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.Further, according to an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and a substrate processing method in which process efficiency of a substrate processing is improved can be provided.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 로드락 챔버를 나타내는 도면이다.
도 3은 연결 챔버를 나타내는 도면이다.
도 4는 공정 챔버를 나타내는 도면이다.1 is a view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing a load lock chamber.
3 is a view showing a connecting chamber.
Figure 4 is a view of a process chamber.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.1 is a view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 설비 전방 단부 모듈(10, equipment front end module, EFEM), 전방 공정 처리부(30) 및 후방 공정 처리부(50)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 includes an equipment front end module 10, a front processing unit 30, and a rear processing unit 50.

설비 전방 단부 모듈(10), 전방 공정 처리부(30) 및 후방 공정 처리부(50)는 일 방향으로 배치된다. 이하, 설비 전방 단부 모듈(10), 전방 공정 처리부(30) 및 후방 공정 처리부(50)가 배열된 방향을 제 1 방향이라 하고, 위쪽에서 바라볼 때 제 1 방향에 수직인 방향을 제 2 방향이라 한다.The facility front end module 10, the front process unit 30 and the rear process unit 50 are arranged in one direction. Hereinafter, the direction in which the facility front end module 10, the front process unit 30 and the rear process unit 50 are arranged is referred to as a first direction, and a direction perpendicular to the first direction as viewed from above is referred to as a second direction Quot;

설비 전방 단부 모듈(10)은 로드 포트(load port, 11) 및 이송프레임(15)을 포함한다. 로드 포트(11)는 제1방향으로 설비 전방 단부 모듈(10)의 전방에 배치된다. 로드 포트(11)는 복수 개가 제 2 방향으로 배치되어, 각각의 로드 포트에는 공정에 제공되거나 공정처리가 완료된 기판을 수용하는 캐리어(C)(예를 틀어, 카세트, FOUP등)가 위치된다. 이송프레임(15)은 로드 포트(11)와 전방 공정 처리부(30) 사이에 배치된다. 이송프레임(15)의 내측공간은 별도의 압력 조절 없이 대기압 또는 대기압에 근접한 압력 상태로 제공될 수 있다. 이송프레임(15)의 내부에는 로드 포트(11)와 전방 공정 처리부(30)간에 기판을 이송하는 이송로봇(16)이 위치된다. 이송로봇(16)은 제 2 방향으로 구비된 이송 레일(17)을 따라 이동하여 캐리어(C)와 전방 공정 처리부(30)간에 기판을 이송한다.The facility front end module 10 includes a load port 11 and a transfer frame 15. The load port 11 is disposed in front of the facility front end module 10 in the first direction. A plurality of load ports 11 are arranged in a second direction, and each load port is provided with a carrier C (for example, a cassette, FOUP, etc.) for receiving a substrate which has been supplied to the process or has been processed. The transfer frame 15 is disposed between the load port 11 and the front processing unit 30. The inner space of the transfer frame 15 can be provided at atmospheric pressure or in a pressure state close to atmospheric pressure without any additional pressure regulation. A transfer robot 16 for transferring the substrate between the load port 11 and the front processing unit 30 is located in the transfer frame 15. The transfer robot 16 moves along the transfer rail 17 provided in the second direction to transfer the substrate between the carrier C and the front processing unit 30. [

전방 공정 처리부(30)는 로드락 챔버(31), 전방 트랜스퍼 챔버(35), 그리고 공정 챔버(80)를 포함한다.The front processing unit 30 includes a load lock chamber 31, a front transfer chamber 35, and a process chamber 80.

로드락 챔버(31)는 이송프레임(15)에 인접하게 배치된다. 일 예로, 로드락 챔버(31)는 전방 트랜스퍼 챔버(35)와 설비 전방 단부 모듈(10)사이에 배치될 수 있다. 로드락 챔버(31)는 기판이 설비 전방 단부 모듈(10)과 전방 트랜스퍼 챔버(35) 사이에 이송되는 동안, 설비 전방 단부 모듈(10)의 기체가 전방 트랜스퍼 챔버(35)로 유입되는 것을 방지하고, 전방 트랜스퍼 챔버(35)의 압력이 상승하는 것을 방지하는 기능을 수행한다.The load lock chamber 31 is disposed adjacent to the transfer frame 15. As an example, the load lock chamber 31 may be disposed between the front transfer chamber 35 and the equipment front end module 10. The load lock chamber 31 prevents the gas of the facility front end module 10 from entering the forward transfer chamber 35 while the substrate is being transported between the facility front end module 10 and the front transfer chamber 35 And functions to prevent the pressure of the front transfer chamber 35 from rising.

전방 트랜스퍼 챔버(35)는 로드락 챔버(31)에 인접하게 배치된다. 전방 트랜스퍼 챔버(35)의 내측 공간은 대기압 보다 낮은 설정 압력 상태로 제공된다. 설정 압력은 진공압 상태일 수 있다. 전방 트랜스퍼 챔버(35)는 상부에서 바라볼 때, 다각형의 몸체를 갖는다. 일 예로, 전방 트랜스퍼 챔버(35)는 상부에서 바라볼 때, 사각형의 몸체를 가질 수 있다.The front transfer chamber 35 is disposed adjacent to the load lock chamber 31. The inner space of the front transfer chamber 35 is provided with a set pressure state lower than the atmospheric pressure. The set pressure may be a vacuum pressure state. The front transfer chamber 35 has a polygonal body when viewed from above. For example, the front transfer chamber 35 may have a rectangular body when viewed from the top.

전방 트랜스퍼 챔버(35)의 둘레에는 로드락 챔버(31)들, 복수개의 공정 챔버(80)들, 후술할 연결 챔버(51)가 배치된다. 전방 트랜스퍼 챔버(35)와 각각의 공정 챔버(80) 사이에는 기판이 이동되는 경로를 개폐하는 도어(81)가 제공된다. 도어(81)는 기판이 공정 챔버(80)로 반입되거나 공정 챔버(80)로 반출될 때 개방되고, 공정 챔버(80)에서 기판이 처리될 때 닫힌다.A load lock chamber 31, a plurality of process chambers 80, and a connection chamber 51 to be described later are disposed around the front transfer chamber 35. Between the front transfer chamber 35 and each of the process chambers 80, there is provided a door 81 for opening / closing a path through which the substrate is moved. The door 81 is opened when the substrate is brought into or out of the process chamber 80 and closed when the substrate is processed in the process chamber 80.

전방 트랜스퍼 챔버(35)의 내부공간에는 기판을 이송하는 전방 기판 이송기(36)가 배치된다. 전방 기판 이송기(36)는 로드락 챔버(31)에서 대기하는 미처리된 기판을 공정 챔버(80)로 이송하거나, 공정 챔버(80)에서 처리된 기판을 로드락 챔버(31)로 이송한다. 또한, 전방 기판 이송기(36)는 공정 챔버(80)들 사이에 기판을 이송할 수 있다. 또한, 전방 기판 이송기(36)는 로드락 챔버(31)에서 대기하는 미처리된 기판을 연결 챔버(51)로 이송할 수 있다. 또한, 기판 이송기는 연결 챔버(51)의 처리된 기판을 로드락 챔버(31)로 이송할 수 있다. 전방 기판 이송기(36)는 2장의 기판을 함께 상술한 일 위치에서 다른 위치로 이송할 수 있다.In the inner space of the front transfer chamber (35), a front substrate transfer unit (36) for transferring the substrate is disposed. The front substrate conveyor 36 transfers the unprocessed substrate waiting in the load lock chamber 31 to the process chamber 80 or the processed substrate in the process chamber 80 to the load lock chamber 31. Further, the front substrate transferor 36 can transfer substrates between the process chambers 80. [ Further, the front substrate transfer machine 36 can transfer the unprocessed substrate waiting in the load lock chamber 31 to the connecting chamber 51. [ In addition, the substrate transfer device can transfer the processed substrate of the connecting chamber 51 to the load lock chamber 31. The front substrate conveyor 36 can transfer the two substrates together from one position to another.

후방 공정 처리부(50)는 연결 챔버(51), 후방 트랜스퍼 챔버(55), 그리고 공정 챔버(80)를 포함한다.The rear processing unit 50 includes a connecting chamber 51, a rear transfer chamber 55, and a process chamber 80.

후방 트랜스퍼 챔버(55)는 전방 트랜스퍼 챔버(35)에 인접하게 배치된다. 후방 트랜스퍼 챔버(55)의 내측 공간은 대기압 보다 낮은 설정 압력 상태로 제공된다. 후방 트랜스퍼 챔버(55)는 전방 트랜스퍼 챔버(35)와 동일 또한 유사한 구조로 제공될 수 있다. 후방 트랜스퍼 챔버(55)는 상부에서 바라볼 때, 다각형의 몸체를 갖는다. 일 예로, 후방 트랜스퍼 챔버(55)는 상부에서 바라볼 때, 사각형의 몸체를 가질 수 있다. The rear transfer chamber 55 is disposed adjacent to the front transfer chamber 35. The inner space of the rear transfer chamber 55 is provided with a set pressure state lower than the atmospheric pressure. The rear transfer chamber 55 may be provided with a structure similar to and similar to the front transfer chamber 35. [ The rear transfer chamber 55 has a polygonal body when viewed from above. As an example, the rear transfer chamber 55 may have a rectangular body when viewed from the top.

후방 트랜스퍼 챔버(55)의 둘레에는 연결 챔버(51), 복수개의 공정 챔버(80) (50) 들이 배치된다. 연결 챔버(51)는 전방 트랜스퍼 챔버(35)와 후방 트랜스퍼 챔버(55) 사이에 위치된다. 후방 트랜스퍼 챔버(55)와 각각의 공정 챔버(80) 사이에는 기판이 이동되는 경로를 개폐하는 도어(81)가 제공된다. 도어(81)는 기판이 공정 챔버(80)로 반입되거나 공정 챔버(80)로 반출될 때 개방되고, 공정 챔버(80)에서 기판이 처리될 때 닫힌다.A connection chamber 51 and a plurality of process chambers 80 and 50 are disposed around the rear transfer chamber 55. The connecting chamber 51 is located between the front transfer chamber 35 and the rear transfer chamber 55. Between the rear transfer chamber 55 and each of the process chambers 80, there is provided a door 81 for opening and closing the path along which the substrate is moved. The door 81 is opened when the substrate is brought into or out of the process chamber 80 and closed when the substrate is processed in the process chamber 80.

후방 트랜스퍼 챔버(55)의 내부공간에는 기판을 이송하는 후방 기판 이송기(56)가 배치된다. 후방 기판 이송기(56)는 연결 챔버(51)에서 대기하는 미처리된 기판을 공정 챔버(80)로 이송하거나, 공정 챔버(80)에서 처리된 기판을 연결 챔버(51)로 이송한다. 또한, 후방 기판 이송기(56)는 공정 챔버(80)들 사이에 기판을 이송할 수 있다. 후방 기판 이송기(56)는 2장의 기판을 함께 상술한 일 위치에서 다른 위치로 이송할 수 있다.In the inner space of the rear transfer chamber 55, a rear substrate transfer unit 56 for transferring the substrate is disposed. The rear substrate conveyor 56 transfers the unprocessed substrate waiting in the connection chamber 51 to the process chamber 80 or the processed substrate in the process chamber 80 to the connection chamber 51. Further, the rear substrate conveyor 56 can transfer the substrate between the process chambers 80. [ The rear substrate transfer unit 56 can transfer the two substrates together from one position to another.

공정 챔버(80)을 플라즈마를 이용하여 기판을 처리한다. 공정 챔버(80)은 2개가 쌍을 이루어 전방 트랜스퍼 챔버(35) 및 후방 트랜스퍼 챔버(55)의 일측에 선형으로 배열될 수 있다. 도 1에 도시 된 바와 같이 전방 트랜스퍼 챔버(35)의 평면상 모양이 4각형인 경우, 공정 챔버(80)은 전방 트랜스퍼 챔버(35)의 제2 방향 양측에 각각 2개씩 위치될 수 있다. 또한, 후방 트랜스퍼 챔버(55)의 평면상 모양이 4각형인 경우, 공정 챔버(80)은 연결 챔버(51)가 위치된 측면을 제외한 3 측면에 각각 2개씩 6개가 위치될 수 있다. 또한, 후방 트랜스퍼 챔버(55)의 평면상 모양이 4각형인 경우, 공정 챔버(80)은 전방 트랜스퍼 챔버(35)와 유사하게 후방 트랜스퍼 챔버(55)의 제2 방향 양측에 각각 2개씩 4개가 위치될 수 도 있다.The process chamber 80 is processed with plasma. The process chambers 80 can be linearly arranged on one side of the front transfer chamber 35 and the rear transfer chamber 55 in pairs. As shown in FIG. 1, when the planar shape of the front transfer chamber 35 is tetragonal, the process chambers 80 may be positioned on both sides of the front transfer chamber 35 in the second direction. In addition, when the rear transfer chamber 55 has a quadrangular shape, the process chamber 80 may be provided with six, two on each of the three sides except the side where the connection chamber 51 is located. In the case where the rear transfer chamber 55 has a quadrangular shape in the plan view, the process chamber 80 is divided into four, two on each side in the second direction of the rear transfer chamber 55, similar to the front transfer chamber 35 May be located.

도 2는 로드락 챔버를 나타내는 도면이다.2 is a view showing a load lock chamber.

도 2를 참조하면, 로드락 챔버(31)는 이송 챔버(300) 및 반출 챔버(320)를 포함한다. 이송 챔버(300)는 공정에 제공될 기판이 공정 챔버(80)로 이송되는 경로를 제공한다. 또한, 이송 챔버(300)는 공정 처리가 완료된 기판이 설비 전방 단부 모듈(10)로 반출되는 경로를 제공할 수 있다. 반출 챔버(320)는 공정 챔버(80)에서 처리된 기판이 반출되는 경로를 제공한다. 또한, 반출 챔버(320)는 공정 처리가 완료된 기판이 설비 전방 단부 모듈(10)로 반출되는 경로를 제공할 수 있다.Referring to FIG. 2, the load lock chamber 31 includes a transfer chamber 300 and an exit chamber 320. The transfer chamber 300 provides a path through which the substrate to be provided to the process is transferred to the process chamber 80. In addition, the transfer chamber 300 can provide a path through which the processed substrate is transported to the facility front end module 10. The take-out chamber 320 provides a path through which the processed substrate in the process chamber 80 is taken out. In addition, the carry-out chamber 320 can provide a path through which the processed substrate is transported to the equipment front end module 10. [

각각의 로드락 챔버(31)에는 전방 도어(32) 및 후방 도어(33)가 제공된다. 전방 도어(32)는 설비 전방 단부 모듈(10)과 로드락 챔버(31)의 내측 공간을 연결하는 경로를 개폐한다. 후방 도어(33)는 전방 트랜스퍼 챔버(35)와 로드락 챔버(31)의 내측 공간을 연결하는 경로를 개폐한다.Each load lock chamber 31 is provided with a front door 32 and a rear door 33. The front door 32 opens and closes a path connecting the facility front end module 10 and the inner space of the load lock chamber 31. The rear door (33) opens and closes a path connecting the front transfer chamber (35) and the inner space of the load lock chamber (31).

이송 챔버(300)에는 기판이 위치되는 반입 지지부(311)가 제공된다. 반입 지지부(311)는 2개가 제공될 수 있다. 반입 지지부(311)들은 상하로 배열될 수 있다. 전방 기판 이송기(36)는 동시에 또는 순차적으로 반입 지지부(311)들에서 2장의 기판을 반출할 수 있다.The transfer chamber 300 is provided with a carry support 311 in which the substrate is placed. Two carry support portions 311 may be provided. The carry support portions 311 can be arranged vertically. The front substrate transfer machine 36 can simultaneously carry out two substrates from the transfer supports 311 at the same time or sequentially.

이송 챔버(300)는 복수로 제공된다. 일 예로, 이송 챔버(300)는 2개가 제공될 수 있다. 2개의 이송 챔버(300)는 동일 높이에 제2 방향을 따라 좌우로 위치될 수 있다.The transfer chamber 300 is provided in plural. In one example, two transfer chambers 300 may be provided. The two transfer chambers 300 can be positioned laterally along the second direction at the same height.

반출 챔버(320)에는 기판이 위치되는 반출 지지부(321)가 제공된다. 반출 챔버(320)는 기판을 가열하여 기판을 어닐링 처리 가능하게 제공된다. 일 예로, 반출 지지부(321)는 기판을 가열 가능하게 제공되어, 기판을 어닐링 처리 할 수 있다. 반출 챔버(320)는 복수개가 제공될 수 있다. 일 예로, 반출 챔버(320)는 이송 챔버(300)와 동일하게 2개가 제공될 수 있다. 반출 챔버(320)는 이송 챔버(300)와 상하 방향으로 배열되도록, 이송 챔버(300)의 위쪽 또는 아래쪽에 위치될 수 있다. 다른 실시 예로, 반출 챔버(320)는 이송 챔버(300)보다 많은 수가 제공될 수 있다. 예를 들어, 반출 챔버(320)는 4개가 제공될 수 있다. 2개의 반출 챔버(320)는 각각의 이송 챔버(300)와 상하로 배열되게 될 수 있다. 2개의 반출 챔버(320)는 이송 챔버(300)의 위쪽 또는 아래쪽에 위치될 수 있다. 또한, 2개의 반출 챔버(320)는 이송 챔버(300)의 위쪽 및 아래쪽에 하나씩 위치될 수 도 있다.The carry-out chamber 320 is provided with a carry-out support portion 321 where the substrate is placed. The carry-out chamber 320 is provided so that the substrate can be heated to anneal the substrate. In one example, the carry-out support portion 321 is provided so as to be capable of heating the substrate so as to anneal the substrate. A plurality of take-out chambers 320 may be provided. As an example, two of the carry-out chambers 320 may be provided in the same manner as the transfer chamber 300. The dispensing chamber 320 may be positioned above or below the transfer chamber 300 so as to be vertically aligned with the transfer chamber 300. In another embodiment, the take-out chamber 320 can be provided with more than the transfer chamber 300. For example, four take-out chambers 320 may be provided. The two transfer chambers 320 can be arranged vertically with the respective transfer chambers 300. [ The two transfer chambers 320 may be located above or below the transfer chamber 300. Further, the two carry-out chambers 320 may be positioned one above the transfer chamber 300 and one below the transfer chamber 300.

또 다른 예로, 복수의 이송 챔버(300)는 제2 방향 일측에 상하 방향으로 배열 되도록 위치되고, 복수의 반출 챔버(320)는 이송 챔버(300)의 제2 방향 측면에 상하 방향으로 배열되어 위치될 수 도 있다.In another example, the plurality of transfer chambers 300 are arranged to be vertically arranged on one side of the second direction, and the plurality of take-out chambers 320 are arranged on the side of the transfer chamber 300 in the second direction in the vertical direction, It can be.

도 3은 연결 챔버를 나타내는 도면이다.3 is a view showing a connecting chamber.

도 3을 참조하면 연결 챔버(51)는 제1 연결 챔버(500) 및 제2 연결 챔버(520)를 포함한다.Referring to FIG. 3, the connection chamber 51 includes a first connection chamber 500 and a second connection chamber 520.

연결 챔버(51)에는 전방 도어(52) 및 후방 도어(53)가 제공될 수 있다. 전방 도어(52)는 전방 트랜스퍼 챔버(35)와 연결 챔버(51)의 내측 공간을 연결하는 경로를 개폐한다. 후방 도어(53)는 후방 트랜스퍼 챔버(55)와 연결 챔버(51)의 내측 공간을 연결하는 경로를 개폐한다.The connecting chamber 51 may be provided with a front door 52 and a rear door 53. The front door 52 opens and closes a path connecting the front transfer chamber 35 and the inner space of the connection chamber 51. The rear door 53 opens and closes a path connecting the rear transfer chamber 55 and the inner space of the connection chamber 51.

제1 연결 챔버(500)는 기판이 전방 트랜스퍼 챔버(35)에서 후방 트랜스퍼 챔버(55)로 이동되는 경로를 제공한다. 또한, 제1 연결 챔버(500)는 기판이 후방 트랜스퍼 챔버(55)에서 전방 트랜스퍼 챔버(35)로 이동되는 경로를 제공할 수 도 있다.The first connecting chamber 500 provides a path through which the substrate is transferred from the front transfer chamber 35 to the rear transfer chamber 55. In addition, the first connection chamber 500 may provide a path through which the substrate is transferred from the rear transfer chamber 55 to the front transfer chamber 35.

제1 연결 챔버(500)에는 기판이 위치되는 이송 지지부(511)가 제공된다. 이송 지지부(511)는 2개가 제공될 수 있다. 이송 지지부(511)들은 상하로 배열될 수 있다. 후방 기판 이송기(56)는 동시에 또는 순차적으로 이송 지지부(511)들에서 2장의 기판을 반출할 수 있다. The first connecting chamber 500 is provided with a conveying support portion 511 where the substrate is placed. Two feed supports 511 may be provided. The conveyance supporting portions 511 can be arranged vertically. The rear substrate conveyor 56 can simultaneously carry out two substrates from the conveying supports 511 at the same time or sequentially.

제1 연결 챔버(500)는 복수가 제공된다. 일 예로, 제1 연결 챔버(500)는 2개가 제공될 수 있다. 2개의 제1 연결 챔버(500)는 동일 높이에 제2 방향을 따라 좌우로 위치될 수 있다.A plurality of first connection chambers 500 are provided. For example, two first connection chambers 500 may be provided. The two first connection chambers 500 may be positioned laterally along the second direction at the same height.

제1 연결 챔버(500)에는 얼라이너(512)가 제공될 수 있다. 얼라이너(512)는 기판을 회전시켜 기판의 정렬 방향을 바꾼다. 기판에는 방향 설정을 위해 노치가 형성된 상태일 수 있다. 기판은 노치가 설정 방향을 향하도록 공정 챔버(80)로 반입된 후 처리된다. 기판은 노치가 설정 방향을 향하도록 이송 챔버(300)로 반입된다. 이후, 이송 챔버(300)의 기판은 전방 기판 이송기(36)에 의해 전방 트랜스퍼 챔버(35) 둘레의 공정 챔버(80)로 반입되어 처리될 수 있다. 또한, 이송 챔버(300)의 기판은 전방 기판 이송기(36)에 의해 제1 연결 챔버(500)로 이동되고, 후방 기판 이송기(56)에 의해 후방 트랜스퍼 챔버(55) 둘에의 공정 챔버(80)로 반입되어 처리될 수 도 있다. 이송 챔버(300)의 기판이 전방 기판 이송기(36)에 의해 제1 연결 챔버(500)로 이동되면, 제1 연결 챔버(500)에서의 노치 방향은 이송 챔버(300)에서의 노치 방향과 반대가 된다. 따라서, 후방 트랜스퍼 챔버(55) 둘레의 공정 챔버(80)로 반입되는 기판의 정렬 방향이 전방 트랜스퍼 챔버(35) 둘레의 공정 챔버(80)로 반입되는 기판의 정렬 방향과 동일하게 되도록 하기 위해, 얼라이너(512)는 기판의 정렬 방향을 바꿀 수 있다. 일 예로, 얼라이너(512)는 제1 연결 챔버(500)로 반입된 기판을 180°회전 시킬 수 있다.The first connection chamber 500 may be provided with an aligner 512. The aligner 512 rotates the substrate to change the alignment direction of the substrate. The substrate may be formed with a notch for direction setting. The substrate is transferred into the process chamber 80 so that the notch faces the set direction and then processed. The substrate is carried into the transfer chamber 300 so that the notch faces the set direction. The substrate of the transfer chamber 300 may then be transferred and processed into the process chamber 80 around the front transfer chamber 35 by the front substrate transfer machine 36. The substrate of the transfer chamber 300 is also transferred to the first connecting chamber 500 by the front substrate transfer machine 36 and transferred to the rear transfer chamber 55 by the rear substrate transferor 56. [ (80) and processed. When the substrate of the transfer chamber 300 is moved to the first connection chamber 500 by the front substrate transfer machine 36, the notch direction in the first connection chamber 500 is the direction of the notch in the transfer chamber 300 It is the opposite. Thus, in order for the alignment direction of the substrate to be brought into the process chamber 80 around the rear transfer chamber 55 to be the same as the alignment direction of the substrate to be carried into the process chamber 80 around the front transfer chamber 35, The aligner 512 can change the alignment direction of the substrate. As an example, the aligner 512 may rotate the substrate carried in the first connection chamber 500 by 180 °.

제2 연결 챔버(520)는 후방 트랜스퍼 챔버(55) 둘레의 공정 챔버(80)에서 처리된 기판이 전방 트랜스퍼 챔버(35)로 이동되는 경로를 제공한다.The second connection chamber 520 provides a path through which the processed substrate in the process chamber 80 around the rear transfer chamber 55 is moved to the front transfer chamber 35.

제2 연결 챔버(520)에는 기판이 위치되는 반송 지지부(521)가 제공된다. 제2 연결 챔버(520)는 기판을 가열하여 기판을 어닐링 처리 가능하게 제공된다. 일 예로, 반송 지지부(521)는 기판을 가열 가능하게 제공되어, 기판을 어닐링 처리 할 수 있다. 제2 연결 챔버(520)는 복수개가 제공될 수 있다. 일 예로, 제2 연결 챔버(520)는 제1 연결 챔버(500)와 동일하게 2개가 제공될 수 있다. 제2 연결 챔버(520)는 제1 연결 챔버(500)와 상하 방향으로 배열되도록, 제1 연결 챔버(500)의 위쪽 또는 아래쪽에 위치될 수 있다. 다른 실시 예로, 제2 연결 챔버(520)는 제1 연결 챔버(500)보다 많은 수가 제공될 수 있다. 예를 들어, 제2 연결 챔버(520)는 4개가 제공될 수 있다. 2개의 제2 연결 챔버(520)는 각각의 제1 연결 챔버(500)와 상하로 배열되게 될 수 있다. 2개의 제2 연결 챔버(520)는 제1 연결 챔버(500)의 위쪽 또는 아래쪽에 위치될 수 있다. 또한, 2개의 제1 연결 챔버(500)는 제1 연결 챔버(500)의 위쪽 및 아래쪽에 하나씩 위치될 수 도 있다.The second connecting chamber 520 is provided with a conveying support portion 521 on which the substrate is placed. The second connection chamber 520 is provided to enable the substrate to be annealed by heating the substrate. In one example, the transfer support portion 521 is provided so as to be capable of heating the substrate so as to anneal the substrate. A plurality of second connection chambers 520 may be provided. For example, the second connection chamber 520 may be provided in the same manner as the first connection chamber 500. The second connection chamber 520 may be positioned above or below the first connection chamber 500 so as to be vertically aligned with the first connection chamber 500. In another embodiment, the second connection chamber 520 may be provided in a greater number than the first connection chamber 500. For example, four second connection chambers 520 may be provided. The two second connection chambers 520 may be arranged vertically with the respective first connection chambers 500. The two second connection chambers 520 may be located above or below the first connection chamber 500. In addition, the two first connection chambers 500 may be positioned one above and below the first connection chamber 500.

또 다른 예로, 복수의 제1 연결 챔버(500)는 제2 방향 일측에 상하 방향으로 배열 되도록 위치되고, 복수의 제2 연결 챔버(520)는 제1 연결 챔버(500)의 제2 방향 측면에 상하 방향으로 배열되도록 위치될 수 도 있다.In another example, the plurality of first connection chambers 500 are arranged to be vertically arranged on one side of the second direction, and the plurality of second connection chambers 520 are arranged on the side of the second direction of the first connection chamber 500 And may be positioned so as to be arranged in the vertical direction.

도 4는 공정 챔버를 나타내는 도면이다.Figure 4 is a view of a process chamber.

도 4를 참조하면, 공정 챔버(80)은 하우징(810), 기판 지지 부재(820) 및 플라즈마 여기부(830)를 포함한다.Referring to FIG. 4, the process chamber 80 includes a housing 810, a substrate support member 820, and a plasma excitation portion 830.

하우징(810)는 공정 처리가 수행되는 내측 공간을 제공한다. 하우징(810)의 측벽의 하부 또는 하부벽에는 배기홀(811)이 형성된다. 배기홀(811)은 배기 라인(812)과 연결된다. 배기 라인(812)을 통해 하우징(810)의 내부 압력이 조절되거나, 공정에서 발생된 반응 부산물이 하우징(810) 외부로 배출될 수 있다.Housing 810 provides an interior space in which process processing is performed. An exhaust hole 811 is formed in the lower or lower wall of the side wall of the housing 810. The exhaust hole 811 is connected to the exhaust line 812. The inner pressure of the housing 810 may be controlled through the exhaust line 812 or the reaction byproducts generated in the process may be discharged to the outside of the housing 810.

기판 지지 부재(820)는 하우징(810) 내부에 위치된다. 기판 지지 부재(820)의 상면에는 처리될 기판이 놓여진다. 기판 지지 부재(820)의 내부에는 냉각 유체가 순환하는 냉각 유로(미도시)가 형성될 수 있다. 냉각 유체는 냉각 유로를 따라 순환하며 기판 지지 부재(820)를 냉각한다. 기판 지지 부재(820)에는 리프트 핀(821)이 제공된다. 리프트 핀(821)을 기판을 지지한 상태로 상하로 이동될 수 있다.The substrate support member 820 is positioned within the housing 810. On the upper surface of the substrate supporting member 820, a substrate to be processed is placed. A cooling passage (not shown) through which the cooling fluid circulates may be formed inside the substrate support member 820. The cooling fluid circulates along the cooling flow path and cools the substrate support member 820. The substrate support member 820 is provided with a lift pin 821. The lift pins 821 can be moved up and down while supporting the substrate.

기판 지지 부재(820)와 하우징(810)의 내측벽 사이에는 배플(840)이 제공될 수 있다. 배플(840)에 의해 하우징(810)의 내부는 상부 공간(811) 및 하부 공간(812)으로 구획될 수 있다. 배플(840)은 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 배플(840)에는 복수의 관통홀들이 형성된다. 하우징(810) 내에 제공된 공정 가스는 배플(840)의 관통홀들을 통과하여 하부 공간(812)으로 공급된다.A baffle 840 may be provided between the substrate support member 820 and the inner wall of the housing 810. The interior of the housing 810 by the baffle 840 can be partitioned into an upper space 811 and a lower space 812. The baffle 840 may be provided in an annular ring shape. A plurality of through holes are formed in the baffle 840. The process gas provided in the housing 810 passes through the through holes of the baffle 840 and is supplied to the lower space 812.

플라즈마 여기부(830)는 하우징(810)의 내측 공간에 기판의 처리에 이용되는 플라즈마를 제공한다. 플라즈마 여기부(830)는 하우징(810)의 상부에 제공될 수 있다. 플라즈마 여기부(830)는 리모트 타입 플라즈마 여기부, 용량결합 플라즈마 여기부, 유도결합 플라즈마 여기부 등으로 제공될 수 있다. 도 4에는 리모트 타입 플라즈마 여기부(830)를 일 예로 도시 하였다.Plasma-excited portion 830 provides a plasma used in the processing of the substrate in the inner space of housing 810. The plasma excitation portion 830 may be provided on the upper portion of the housing 810. The plasma excitation section 830 may be provided as a remote type plasma excitation section, a capacitively coupled plasma excitation section, an inductively coupled plasma excitation section, and the like. 4 shows a remote type plasma excitation unit 830 as an example.

이하, 기판이 처리되는 과정을 설명한다. 처리되지 않은 기판은 전방 트랜스퍼 챔버(35) 둘레의 공정 챔버(80)들 또는 후방 트랜스퍼 챔버(55) 둘레의 공정 챔버(80)들 중 하나로 반입되어 플라즈마를 통해 처리된다. 기판이 플라즈마를 통해 처리되면, 기판에는 반응 부산물이 발생된다. 반응 부산물의 제거를 위해 기판은 반출 챔버(320)들 또는 제2 연결 챔버(520)들 가운데 하나에서 어닐링 처리된다.Hereinafter, a process of processing the substrate will be described. Unprocessed substrates are brought into one of the process chambers 80 around the forward transfer chamber 35 or one of the process chambers 80 around the rear transfer chamber 55 and processed through the plasma. When the substrate is processed through a plasma, reaction by-products are generated on the substrate. To remove reaction byproducts, the substrate is annealed in one of the exit chambers 320 or the second connection chamber 520.

일 예로, 이송 챔버(300)를 통해 반입된 미처리 기판들 중 일부는 전방 기판 이송기(36)를 통해 전방 트랜스퍼 챔버(35)의 둘레에 위치된 공정 챔버(80)로 반입되어 처리된다. 이송 챔버(300)를 통해 반입된 미처리 기판들 중 일부는 제1 연결 챔버(500)를 통해 후방 트랜스퍼 챔버(55)의 둘레에 위치된 공정 챔버(80)로 이동되어 처리된다.In one example, some of the unprocessed substrates carried through the transfer chamber 300 are transferred into the process chamber 80 located around the front transfer chamber 35 through the front substrate transfer machine 36 and processed. Some of the unprocessed substrates carried through the transfer chamber 300 are transferred to the process chamber 80 located around the rear transfer chamber 55 through the first connection chamber 500 and processed.

전방 트랜스퍼 챔버(35)의 둘레에 위치된 공정 챔버(80)에서 1차적으로 처리된 기판은 반출 챔버(320)들 가운데 하나로 이동되어 어닐링 처리된 후 설비 전방 단부 모듈(10)로 반출된다. 후방 트랜스퍼 챔버(55)의 둘레에 위치된 공정 챔버(80)에서 1차적으로 처리된 기판은 제2 연결 챔버(520)에서 어닐링 처리된 후 전방 트랜스퍼 챔버(35)로 전달 된 후, 로드락 챔버(31)를 통해 반출된다. 이 때, 제2 연결 챔버(520)에서 어닐링된 기판은 이송 챔버(300)를 통해 반출되거나, 반출 챔버(320)를 통해 어닐링은 생략되고 반출 작업이 이루어 질 수 있다. 반출 챔버(320)는 전방 트랜스퍼 챔버(35) 둘레의 공정 챔버(80)에서 처리된 기판에 대해 어닐링 공정을 수행한다. 또한, 반출 챔버(320)는 기판의 반출 시 외기가 유입되는 방지하기 위한 압력 조절을 수행한다. 제2 연결 챔버(520)는 후방 트랜스퍼 챔버(55) 둘레의 공정 챔버(80)에서 처리된 기판에 대해 어닐링 공정을 수행한다. 이때, 기판은 압력이 조절된 상태의 전방 트랜스퍼 챔버(35)로 이동되므로, 제2 연결 챔버(520)는 압력 조절을 수행하지 않아, 단위 시간당 제2 연결 챔버(520)는 반출 챔버(320) 보다 많은 수의 기판에 대해 어닐링 공정을 수행할 수 있다. 따라서, 후방 트렌스퍼 챔버의 둘레에 상대적으로 많은 수의 공정 챔버(80)가 위치되어도 효율적으로 어닐링 처리되고, 반출 챔버(320)가 어닝링 처리 및 압력 조절을 수행하는 시간과 반출 챔버(320)가 어닐링 처리 하는 시간이 균형을 이룰 수 있다.The substrate that has been primarily processed in the process chamber 80 located around the front transfer chamber 35 is moved to one of the take-out chambers 320 and is annealed and taken out to the apparatus front end module 10. [ The substrate that has been primarily processed in the process chamber 80 located around the rear transfer chamber 55 is annealed in the second connection chamber 520 and then transferred to the front transfer chamber 35, (31). At this time, the substrate annealed in the second connecting chamber 520 may be carried out through the transfer chamber 300, or the annealing may be omitted through the transfer chamber 320, and the unloading operation may be performed. The carry-out chamber 320 performs an annealing process on the processed substrate in the process chamber 80 around the front transfer chamber 35. In addition, the carry-out chamber 320 performs pressure control to prevent the outside air from being introduced when the substrate is taken out. The second connection chamber 520 performs an annealing process on the processed substrate in the process chamber 80 around the rear transfer chamber 55. At this time, since the substrate is moved to the front transfer chamber 35 in the pressure-controlled state, the second connection chamber 520 does not perform the pressure control, and the second connection chamber 520 per unit time, An annealing process can be performed on a larger number of substrates. Therefore, even when a relatively large number of process chambers 80 are positioned around the rear transfer chamber, the process is effectively annealed, and the time for the carry-out chamber 320 to perform the annealing process and the pressure adjustment, The time for annealing processing can be balanced.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover such other embodiments.

10: 설비 전방 단부 모듈 11: 로드 포트
15: 이송프레임 30: 전방 공정 처리부
50: 후방 공정 처리부 80: 공정 챔버10: Facility front end module 11: Load port
15: transfer frame 30: forward process unit
50: rear processing part 80: process chamber

Claims (9)

카세트가 위치되는 로드 포트를 갖는 설비 전방 단부 모듈;
기판을 이송하는 전방 기판 이송기를 갖는 전방 트랜스퍼 챔버;
상기 설비 전방 단부 모듈과 상기 전방 트랜스퍼 챔버 사이에 위치되고 기판을 어닐링 처리 할 수 있는 로드락 챔버;
기판을 이송하는 후방 기판 이송기를 갖는 후방 트랜스퍼 챔버;
상기 전방 트랜스퍼 챔버와 상기 후방 트랜스퍼 챔버 사이에 위치되고 기판을 어닐링 처리 할 수 있는 연결 챔버; 및
상기 전방 트랜스퍼 챔버 및 상기 후방 트랜스퍼 챔버의 둘레에 위치되는 복수의 공정 챔버를 포함하는 기판 처리 장치.A facility front end module having a load port in which the cassette is located;
A front transfer chamber having a front substrate transferor for transferring a substrate;
A load lock chamber positioned between the plant front end module and the forward transfer chamber and capable of annealing the substrate;
A rear transfer chamber having a rear substrate transferor for transferring a substrate;
A connection chamber positioned between the front transfer chamber and the rear transfer chamber and capable of annealing the substrate; And
And a plurality of process chambers located around the front transfer chamber and the rear transfer chamber. 제1항에 있어서,
상기 로드락 챔버는,
기판이 위치되는 반입 지지부를 갖는 이송 챔버; 및
상기 공정 챔버에서 처리된 기판을 어닐링 처리하고, 기판이 상기 전방 트랜스퍼 챔버에서 상기 설비 전방 단부 모듈로 반출되는 경로를 제공하는 반출 챔버를 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the load lock chamber comprises:
A transfer chamber having a transfer support on which the substrate is positioned; And
And an exit chamber for annealing the substrate processed in the process chamber and providing a path through which the substrate is taken out of the front transfer chamber to the apparatus front end module. 제1항에 있어서,
상기 연결 챔버는,
기판이 위치되는 이송 지지부를 갖는 제1 연결 챔버; 및
상기 공정 챔버에서 처리된 기판을 어닐링 처리하고, 기판이 상기 후방 트랜스퍼 챔버에서 상기 전방 트랜스퍼 챔버로 이동되는 경로를 제공하는 제2 연결 챔버를 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the connection chamber comprises:
A first connection chamber having a transfer support on which the substrate is placed; And
A second connection chamber for annealing the substrate processed in the process chamber and providing a path through which the substrate is moved from the rear transfer chamber to the front transfer chamber. 제3항에 있어서,
상기 제1 연결 챔버는 기판의 정렬 방향을 조절하는 얼라이너를 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
Wherein the first connection chamber includes an aligner for adjusting an alignment direction of the substrate. 제1항에 있어서,
상기 후방 트랜스퍼 챔버의 둘레에 위치되는 상기 공정 챔버의 수는 상기 전방 트랜스퍼 챔버의 둘레에 위치되는 상기 공정 챔버의 수 이상으로 제공되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the number of process chambers located about the rear transfer chamber is greater than the number of process chambers located around the front transfer chamber. 제1항에 있어서,
상기 공정 챔버는 2개가 쌍을 이루어 상기 전방 트랜스퍼 챔버 및 상기 후방 트랜스퍼 챔버의 일측에 선형으로 배열되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the process chambers are linearly arranged on one side of the front transfer chamber and the rear transfer chamber in pairs. 제1항에 있어서,
상기 공정 챔버는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the process chamber processes the substrate using plasma. 제1항의 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에 있어서,
상기 후방 트랜스퍼 챔버의 둘레에 위치된 상기 공정 챔버에서 처리된 기판은 상기 연결 챔버에서 어닐링 처리하고, 상기 전방 트랜스퍼 챔버의 둘레에 위치된 상기 공정 챔버에서 처리된 기판은 상기 로드락 챔버에서 어닐링 처리하는 기판 처리 방법.A substrate processing method using the substrate processing apparatus according to claim 1,
Wherein the substrate processed in the process chamber located around the rear transfer chamber is annealed in the connecting chamber and the substrate processed in the process chamber located around the forward transfer chamber is annealed in the load lock chamber / RTI > 제8항에 있어서,
상기 후방 트랜스퍼 챔버의 둘레에 위치된 상기 공정 챔버에서 처리되기 위해, 상기 전방 트랜스퍼 챔버에서 상기 연결 챔버로 전달된 기판은 상기 연결 챔버에서 정렬 방향이 변경되는 기판 처리 방법.9. The method of claim 8,
Wherein a substrate transferred from the front transfer chamber to the connection chamber is changed in the alignment direction in the connection chamber to be processed in the process chamber located around the rear transfer chamber.
KR1020170052412A 2017-04-24 2017-04-24 Substrate treating apparatus and substrate treating method KR101928008B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170052412A KR101928008B1 (en) 2017-04-24 2017-04-24 Substrate treating apparatus and substrate treating method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170052412A KR101928008B1 (en) 2017-04-24 2017-04-24 Substrate treating apparatus and substrate treating method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180119193A true KR20180119193A (en) 2018-11-02
KR101928008B1 KR101928008B1 (en) 2018-12-11

Family

ID=64328724

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170052412A KR101928008B1 (en) 2017-04-24 2017-04-24 Substrate treating apparatus and substrate treating method

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101928008B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210077089A (en) * 2019-12-16 2021-06-25 에이피시스템 주식회사 Loadlock apparatus and method for aligning a substrate

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012118897A2 (en) * 2011-03-01 2012-09-07 Applied Materials, Inc. Abatement and strip process chamber in a dual loadlock configuration
KR102135740B1 (en) 2014-02-27 2020-07-20 주식회사 원익아이피에스 Substrate process apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210077089A (en) * 2019-12-16 2021-06-25 에이피시스템 주식회사 Loadlock apparatus and method for aligning a substrate

Also Published As

Publication number Publication date
KR101928008B1 (en) 2018-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2013033965A (en) Substrate processing apparatus, substrate processing facility, and substrate processing method
KR101400157B1 (en) Apparatus, system and method for treating substrate
JP2022100339A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
TWI631642B (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
CN110176427B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method using the same
KR20040045361A (en) Atmospheric robot handling equipment
KR101928008B1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
JP2014216644A (en) Exhaust ring assembly and substrate processing apparatus with the same
US11139152B2 (en) Substrate processing apparatus
KR102212996B1 (en) Liquid supply unit and substrate processing apparatus
US20180130681A1 (en) Processing system
KR102032617B1 (en) Substrate processing apparatus and heat shield plate
KR102047894B1 (en) Buffer unit and Apparatus for treating a substrate with the unit
KR20130020203A (en) Apparatus and mothod for treating substrate
KR102363678B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN112768334B (en) Substrate processing apparatus
KR102202463B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
CN112349620A (en) Substrate processing system
KR20210008549A (en) Buffer unit, Apparatus and Method for treating substrate with the unit
KR20210048901A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR101603972B1 (en) Substrate treating apparatus
KR101929872B1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR102622984B1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR100781081B1 (en) Substrate transfer equipment and substrate processing system using the same
KR102202464B1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant