KR20180114368A - 광학용 기판, 유기전자장치, 광원 및 광학용 기판의 제조방법 - Google Patents

광학용 기판, 유기전자장치, 광원 및 광학용 기판의 제조방법 Download PDF

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KR20180114368A
KR20180114368A KR1020170046002A KR20170046002A KR20180114368A KR 20180114368 A KR20180114368 A KR 20180114368A KR 1020170046002 A KR1020170046002 A KR 1020170046002A KR 20170046002 A KR20170046002 A KR 20170046002A KR 20180114368 A KR20180114368 A KR 20180114368A
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포항공과대학교 산학협력단
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Abstract

본 발명은 광학용 기판, 유기전자장치, 광원 및 광학용 기판의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 표면에 제1 산란부가 형성된 가요성 기판, 상기 가요성 기판의 표면 상에 배치되는 평탄층, 및 상기 제1 산란부와 상기 평탄층 사이에 배치되는 제2 산란부를 포함하며, 상기 제1 산란부 및 상기 제2 산란부는 투과되는 광을 이중으로 산란시켜 헤이즈를 증가시키는, 광학용 기판을 제공한다.

Description

광학용 기판, 유기전자장치, 광원 및 광학용 기판의 제조방법{SUBSTRATE FOR OPTICAL DEVICE, ORGANIC ELECTRONIC DEVICE, LIGHTING SOURCE AND MANUFACTURING METOHD OF SUBSTRATE FOR OPTICAL DEVICE}
본 발명은 광학용 기판, 유기전자장치, 광원 및 광학용 기판의 제조방법에 관한 것이다.
유기전자장치(OED; Organic Electronic Device)는, 예를 들면, 특허문헌 1에 개시된 바와 같이 전류를 전도할 수 있는 유기재료의 층을 하나 이상 포함하는 소자이다. 유기전자장치의 종류에는 유기전자장치(OLED), 유기태양전지(OPV), 유기감광체(OPC) 또는 유기 트랜지스터 등이 포함된다.
대표적인 유기전자장치인 유기발광소자(OLED)는, 통상적으로 기판, 제1전극층, 유기층 및 제2 전극층을 순차로 포함한다. 이때, 하부 발광형 유기발광소자(bottom emission OLED)는 기판 및 제 1전극층이 투명하며, 제2 전극층이 반사전극층으로 형성될 수 있다. 이 경우 유기층에서 발생한 광자가 기판을 통과하여 공기 중으로 빠져 나오는 과정에서 대부분이 유기층 및 기판 내부에 갇히는 문제점이 발생한다.
통상적으로 사용되는 유리기판 및 제1 전극층으로 사용되는 ITO(Indium Tin Oxide)의 경우, 물질 간의 광 굴절률 차이 및 전반사에 의해 80% 정도의 광자가 유기발광소자 내부에 갇히게 된다. 이러한 문제에 의해 유기발광소자의 발광 효율이 저하된다.
특허문헌 1: 일본 공개특허공보 제1996-17623호
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 광 경로 변경으로 전반사되는 광을 줄이고 투과되는 광을 산란시켜 투과율 증가 및 헤이즈를 조절하는 광학용 기판 및 이를 포함하는 광학용 기판, 유기전자장치, 광원 및 광학용 기판의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 표면에 제1 산란부가 형성된 가요성 기판, 상기 가요성 기판의 표면 상에 배치되는 평탄층, 및 상기 제1 산란부와 상기 평탄층 사이에 배치되는 제2 산란부를 포함하며, 상기 제1 산란부 및 상기 제2 산란부는 투과되는 광을 이중으로 산란시켜 헤이즈를 증가시키는, 광학용 기판을 제공한다.
본 발명은 광 경로 변경으로 전반사되는 광을 줄이고 방출되는 광을 산란시켜 투과율을 증가시키고 헤이즈를 조절할 수 있다.
또한, 본 발명은 광학용 기판의 투과율 증가에 의해 유기전자장치의 광 추출 효율을 높일 수 있다.
또한, 본 발명은 광학용 기판의 표면에 형성된 나노구조체 상에 평탄층을 도포하는 것만으로 높은 광 추출 효율의 기판을 제조할 수 있으므로, 공정비용을 절감할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 유기전자장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 제1 실시예에 따른 광학용 기판의 제조 방법을 나타내는 도면이다.
도 3은 제2 실시예에 따른 광학용 기판의 제조 방법을 나타내는 도면이다.
도 4는 제3 실시예에 따른 광학용 기판의 제조 방법을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 광학용 기판의 제조 방법에서 플라즈마 처리 시간에 따른 나노구조체의 표면 거칠기의 변경을 도식화한 것이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따라 광학용 기판의 제조 방법에서 플라즈마 처리 시간에 따른 나노구조체의 형상을 전자현미경으로 관측한 사진이다.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따라 광학용 기판의 제조 방법에서 플라즈마 처리 시간에 따른 광학용 기판의 헤이즈 변화 및 평균 전체 투과율 변화를 도식화한 것이다.
도 8은 본 발명의 제1 실시예에 따라 광학용 기판의 제조 방법에서 플라즈마 처리 시간에 따른 광학용 기판의 사진이다.
도 9는 본 발명의 제1 실시예에 따라 광학용 기판의 제조 방법에서 자외선 경화 시의 경화 압력이 낮아짐에 따라 형성된 에어 트랩의 부피가 증가하는 사진이다.
도 10은 본 발명에 따른 광학용 기판(비교군 1)과, 나노구조체가 포함되지 않은 기판(비교군 2) 각각이 적용된 유기전자장치의 효율 변화를 도식화한 것이다.
도 11은 본 발명에 따른 유기전자장치에서 나노구조체에 의한 에어 트랩이 발생한 경우에 헤이즈가 발생하는 수치를 계산한 시뮬레이션값과 실험값을 비교한 결과를 나타낸 것이다.
도 12는 나노구조체가 없는 기판(a)과 본 발명에 따른 광학용 기판(b)에서 나노구조체에 의한 에어 트랩이 포함된 경우 각각의 광 경로 변화를 광학 시뮬레이션으로 나타낸 것이다.
이하에서는, 본 발명의 바람직한 실시예에 기초하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 그러나, 하기 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 일 예에 불과한 것으로 이에 의해 본 발명의 권리범위가 축소되거나 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명에 따른 유기전자장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 유기전자장치는 하부 발광형 소자로서, 광학용 기판(50), 제1 전극층(310), 유기층(320) 및 제2 전극층(330)을 포함할 수 있다.
광학용 기판(50)은 제1 전극층(310), 유기층(320) 및 제2 전극층(330)을 지지하며, 우수한 광 투과율을 갖는 구조 및 물질로 이루어질 수 있다.
예를 들면, 광학용 기판(50)은 파장대가 약 400 nm부터 약 700 nm 사이의 가시광 영역에서 평균 전체 투과율이 85% 이상인 구조 및 물질로 이루어 질 수 있다. 이때, 평균 전체 투과율이 85% 미만이면 유기전자장치 및 광원의 광 추출 효율을 저하시킬 수 있다.
이러한 광학용 기판(50)은 광 투과율이 우수하므로 하부 발광형 유기전자장치의 기판으로 적합할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 전극층(310)은 광이 투과하는 전도성 물질로 이루어지며, 광학용 기판(50) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극층(310)은 유기층(320)에 정공을 공급하는 정공 주입 전극층일 수 있다.
유기층(320)은 광을 생성하여 방출하는 발광층을 포함할 수 있다. 예를 들면, 유기층(320)은 제1 전극층(310)으로부터 정공을 공급받고, 제2 전극층(330)으로부터 전자를 공급받아 광을 생성할 수 있다.
제2 전극층(330)은 광을 반사하는 전도성 물질로 이루어지며, 유기층(320) 상에 배치될 수 있다. 제2 전극층(330)은 유기층(320)에 전자를 공급하는 전자 주입 전극층일 수 있다.
이하에서는 광학용 기판(50)에 대하여 상세하게 설명한다.
광학용 기판(50)은 표면에 제1 산란부(110)가 형성된 가요성(Flexible) 기판(100), 가요성 기판(100)의 표면 상에 배치되는 평탄층(200) 및 제1 산란부(110)와 평탄층(200) 사이에 배치된 제2 산란부(250)를 포함할 수 있다.
가요성 기판(100)은 플라스틱 필름으로서, 고분자 화합물로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다. 구체적으로, 플라스틱 필름은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리디메틸실록산(PDMS), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리우레아(PUA), 폴리이미드(Polyimide), SU-8(에폭시 계열의 광경화수지), Ormoclear(유무기 혼합 광경화수지)와 같이 C-H-O의 결합으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.
제1 산란부(110)는 투과되는 광의 경로를 변경하여 광의 전반사를 감소시키고 출사광을 산란시키는 복수의 나노구조체를 포함할 수 있다.
복수의 나노구조체(110) 각각은, 가요성 기판(100)의 상기 평탄층 측의 면에 돌출된 구조체로 형성될 수 있다. 예를 들면, 복수의 나노구조체(110)는 원뿔, 타원뿔 및 다각뿔 형태의 구조체 중 어느 하나, 또는 원기둥, 타원기둥 및 다각기둥 형태의 구조체 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
또한, 복수의 나노구조체(110) 각각은 그 크기에 따라 제2 산란부(250)의 크기(부피)를 조절함으로써 광학용 기판(50)의 헤이즈(Haze)를 조절할 수 있다. 예를 들면, 복수의 나노구조체(110) 각각은 이웃한 나노구조체 사이 공간의 깊이가 깊어지기 때문에 평탄층(200)에 의해 생성되는 에어 트랩(250)의 크기(부피)가 커지므로 제2 산란부(250)에 의한 산란이 증가하여 헤이즈를 증가시킬 수 있다.
여기서, 광학용 기판(50)의 헤이즈는 이미 공지된 헤이즈 측정 방식을 이용하여 측정할 수 있으며, 일 예로, 확산투과율을 전체투과율로 나눈 값으로 정의할 수 있으며, 확산투과율 및 전체투과율은 자외선/가시광선 분광기를 통해 측정할 수 있다.
또한, 광학용 기판(50)은 약 50% 이상의 헤이즈를 가질 수 있다. 만약, 헤이즈가 약 50% 미만일 경우 원하는 헤이즈 효과를 구현하기 어렵다.
평탄층(200)은 제1 산란부(110)의 복수의 나노구조체(110)를 코팅하여 가요성 기판(100)의 표면을 평탄화할 수 있다. 이러한 평탄층(200)은 유무기 혼합 광경화성수지로 이루어질 수 있다.
여기서, 평탄층(200)은 광학용 기판(50)의 표면 거칠기 특성을 개선할 수 있다. 예를 들면, 복수의 나노구조체(110)가 형성된 가요성 기판(100)에서 약 5 um x 약 5 um 이상의 영역에서 측정된 표면 거칠기(Ra)가 약 250 nm 내지 약 350 nm일 경우, 평탄층(200)은 복수의 나노구조체(110)를 매립하여 약 5 um x 약 5 um 이상의 영역에서 측정된 표면 거칠기(Ra)를 약 0.1 nm 내지 약 4.0 nm로 개선할 수 있다.
여기서, 광학용 기판(50)의 표면 거칠기는 이미 공지된 표면 거칠기 측정 방식을 이용하여 측정할 수 있으며, 일 예로, 당 업계에 널리 알려진 AFM (atomic force microscope) 장비, 예를 들면, Veeco사의 nanoscope III 장비를 사용하여 컨택(contact) 방식으로 측정할 수 있다.
제2 산란부(250)는 제1 산란부(110) 및 평탄층(200) 사이에 배치되고, 입사된 광의 경로를 변경하여 출력함으로써 광을 이중으로 산란시킬 수 있다.
예를 들면, 제2 산란부(250)는 제1 산란부(110)로부터 출사된 광의 경로를 변경하여 산란시킬 수 있다.
이러한 제2 산란부(250)는 평탄층(200)과 복수의 나노구조체 사이에 형성된 공기 매질의 복수의 에어 트랩(air trap)으로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 제2 산란부(250)는 제1 산란부(110)를 코팅하는 평탄층(200)에 의해 매립된 에어 트랩으로 이루어질 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 광원은 상술한 유기전자장치를 포함하여 디스플레이 장치에 이용되는 디스플레이용 광원일 수 있다. 이러한 디스플레이용 광원으로는 액정표시장치(LCD; Liquid Crystal Display)의 백라이트, 조명, 각종 센서, 프린터, 복사기 등의 광원, 차량용 계기 광원, 신호등, 표시등, 표시장치, 면상발광체의 광원, 디스플레이, 장식 또는 각종 라이트 등을 예시할 수 있다.
이하에서는 도 2 내지 도 4를 참조하여, 본 발명에 따른 광학용 기판의 제조 방법을 설명한다.
도 2는 제1 실시예에 따른 광학용 기판의 제조 방법을 나타내는 도면이다.
도 2를 참조하면, 플라즈마 처리를 이용하여 가요성 기판(100)의 표면에 복수의 나노구조체(110)를 형성한 후 가요성 기판(100) 및 복수의 나노구조체(110) 상에 평탄층(200)을 형성할 수 있다.
여기서, 플라즈마 처리에 사용되는 기체는 O2, N2, He, Ar, SiH4, NF3, CF4, N2O, Cl2, BCl4, NH3로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함할 수 있다.
또한, 플라즈마 처리를 하는 시간을 변경함을 통해 나노구조체의 크기를 조절할 수 있다.
예를 들면, 플라즈마 처리 공정은 산소 플라즈마를 이용하여 약 250 W의 파워, 약 100 mTorr의 압력, 약 20 sccm의 기체공급유량의 조건으로 약 75분 동안 플라스틱 필름의 표면에서 수행할 수 있다.
다음, 평탄층(200)은 나노구조체(110) 상에 스핀코팅 방식을 통해 Ormoclear(유무기 혼합 광경화수지) 용액을 도포하여 형성할 수 있다. 예를 들면, Ormoclear는 약 3000 rpm 의 속도로 약 30초간 도포할 수 있다. 도포된 Ormoclear는 자외선 경화장치를 사용하여 약 10 분간 경화 후, 약 120도의 진공오븐에서 약 10-3 Torr의 조건으로 약 3시간 열경화를 진행함을 통해 제조할 수 있다. 이때, 형성된 평탄층(200)은 미리 설정된 두께로 형성되며, 예컨대, 약 20 um 내지 약 30 um 의 두께로 형성될 수 있다.
도 3은 제2 실시예에 따른 광학용 기판의 제조 방법을 나타내는 도면이다.
도 를 참조하면, 나노임프린트(Nanoimprint) 방식을 이용하여 가요성 기판(100)의 표면에 복수의 나노구조체(110)를 형성한 후 가요성 기판(100) 및 복수의 나노구조체(110) 상에 평탄층(200)을 형성할 수 있다.
여기서, 나노임프린트 방식은 가열원(500)으로 핫 프레스(hot press) 등의 장치를 이용하여 마스터 몰드(Master mold)(400)의 형상을 가요성 기판(100)의 표면에 전사하여 복수의 나노구조체(110)를 형성할 수 있다. 이때, 마스터 몰드(Master mold)(400)의 형상을 변경하여 가요성 기판(100)의 표면에 형성된 나노구조체(110)의 크기 및 간격을 조절할 수 있다.
평탄층(200)을 형성하는 방법은 본 발명의 제1 실시예에서 상술한 바와 동일하므로 생략한다.
도 4는 제3 실시예에 따른 광학용 기판의 제조 방법을 나타내는 도면이다.
도 4를 참조하면, 자외선(UV) 경화 방식을 이용하여 표면에 복수의 나노구조체(110)를 형성한 후 가요성 기판(100) 및 복수의 나노구조체(110) 상에 평탄층(200)을 형성할 수 있다.
여기서, 자외선 경화 방식은 마스터 몰드(Master mold)(400)과 가요성 기판(100)을 접촉시켜 가요성 기판(100)에 마스터 몰드(Master mold)(400)의 형상을 전사하고, 자외선을 조사하여 가요성 기판(100)을 경화시켜 가요성 기판(100)의 표면에 복수의 나노구조체(110)를 형성할 수 있다.
또한, 자외선 경화시 외부 압력 변화에 따라 광학용 기판에 형성되는 에어 트랩의 크기(부피)를 변화시킬 수 있다. 예를 들면, 자외선 경화시 외부 압력을 낮추면 광학용 기판에 형성되는 에어 트랩의 크기(부피)를 증가시킬 수 있다.
평탄층(200)을 형성하는 방법은 본 발명의 제1 실시예에서 상술한 바와 동일하므로 생략한다.
한편, 본 발명에 따른 광학용 기판의 제조방법에서는 나노구조체의 크기를 조절함에 따라 광학용 기판의 헤이즈를 조절할 수 있다.
여기서, 도 5를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 광학용 기판의 제조방법에서 플라즈마 처리 시간을 변경함에 따라 가요성 기판의 표면에 형성되는 나노구조체의 크기(표면 거칠기)가 변경되는 것을 확인할 수 있다.
도 5에서는 플라즈마 처리시간에 따라 Rmax 와 Ra 의 변화경향을 확인할 수 있으며, 이 경향은 도 7에서 나타나는 헤이즈 경향과 일치함을 알 수 있습니다. 이를 통해 플라즈마 처리 시간을 조절하여 광학용 기판의 헤이즈를 조절할 수 있습니다.
도 5에서 Rmax 및 Ra는 표면 거칠기(조도) 단위로 나타내며, 특히, Ra는 중심선평균조도를 나타내고, Rmax 는 나노구조체의 최대높이를 나타낸다.
또한, 도 6을 참조하면, 플라즈마 처리시간을 변화함에 따라 표면에 형성되는 나노구조체의 크기 변화를 확인할 수 있으며, 도 5에서 수치로 표현한 부분을 정성적으로 표현한 것이다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 광학용 기판의 제조 방법에서 플라즈마 처리 시간에 따른 플라스틱 기판의 사진을 확인할 수 있다.
도 8에서는 본 발명의 제1 실시예에 따른 광학용 기판의 제조 방법에서 플라즈마 처리 시간이 증가함에 따라 헤이즈가 증가하여 뿌옇게 보이는 것을 확인할 수 있다.
도 9에서는 본 발명의 제3 실시예에 따라 광학용 기판의 제조 방법에서 자외선 경화 시의 경화 압력이 낮아짐에 따라 형성된 에어 트랩의 부피가 증가하는 것을 확인할 수 있다.
도 10에서는 본 발명에 따른 광학용 기판(비교군 1)과, 나노구조체가 포함되지 않은 기판(비교군 2) 각각이 적용된 유기전자장치의 효율 변화를 확인할 수 있다. 도 10에서는 비교군 1이 적용된 유기전자장치가 비교군 2가 적용된 유기전자장치보다 더 높은 효율을 보이는 것을 확인할 수 있다.
도 11에서는 본 발명에 따른 유기전자장치에서 나노구조체에 의한 에어 트랩이 발생한 경우에 헤이즈가 발생하는 수치를 계산한 시뮬레이션값과 실험값을 비교한 결과를 확인할 수 있다. 도 11에서 점선은 시뮬레이션값이고, 실선은 실험값이며, 시뮬레이션값과 실험값이 유사한 것을 확인할 수 있다.
도 12에서는 나노구조체가 없는 기판(a)과 본 발명에 따른 광학용 기판(b)에서 나노구조체에 의한 에어 트랩이 포함된 경우 각각의 광 경로 변화를 광학 시뮬레이션으로 확인할 수 있다.
도 12에서는 나노구조체가 없는 기판(a) 보다 본 발명에 따른 광학용 기판(b)에서 외부(Air side)에 더 많은 전자기파가 발생하는 것도 확인할 수 있다.
특히, 도 12에서는 나노구조체에 의한 에어 트랩이 적용될 경우 내부전반사에 의해 기판에 갇혀있던 빛의 반사경로가 변화하여 외부(Air side)로 더 많이 나오게 되는 것을 확인할 수 있다.
이하에서는 본 발명에 따른 구체적 실시예를 살펴본다.
[실시예]
광학용 기판의 제조
폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)를 플라스틱가요성 기판으로 사용하여 광학용 기판을 제조하였다. 구체적으로 폴리에틸렌테레프탈레이트를 산소 플라즈마를 이용하여 약 250W의 파워, 약 100mTorr의 압력, 약 20 sccm의 기체공급유량의 조건으로 약 75분 동안 처리하여 플라스틱 필름 표면에 높이 1um, 직경 2um인 삼각뿔 형태의 나노구조체를 형성하였다.
이어서 상기 나노구조체 상에 Ormoclear 용액을 스핀코팅 방식을 통해 3000 rpm 의 속도로 30초간 도포한 후 자외선 경화장치를 사용하여 10 분간 경화, 120도의 진공오븐에서 10-3 Torr의 조건으로 3시간 열경화하여 20um 내지 30 um의 두께를 갖는 평탄층을 형성하여 플라스틱 기판을 제조하였다.
상기 제조된 플라스틱 기판의 평균 전체 투과율은 약 90% 정도이고, 헤이즈는 약 70% 정도였다.
유기전자장치의 제조
상기 제조된 플라스틱 기판 상에 공지의 스핀코팅 방식으로 PEDOT:PSS 를 포함하는 정공 주입성 전극층을 형성하였다. 계속하여, 공지의 소재 및 방식을 사용하여 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 전자 수송층, 전자 주입층 및 전자 주입성 전극층을 형성하여 유기전자장치를 제작하였다.
이상에서 본 발명에 대한 기술 사상을 첨부 도면과 함께 서술하였지만, 이는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한, 이 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 본 발명의 기술 사상의 범주를 이탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변형 및 모방이 가능함은 명백한 사실이다.
50: 광학용 기판
100: 가요성 기판
110: 제1 산란부
200: 평탄층
250: 제2 산란부
310: 제1 전극층
320: 유기층
330: 제2 전극층

Claims (19)

  1. 표면에 제1 산란부가 형성된 가요성 기판;
    상기 가요성 기판의 표면 상에 배치되는 평탄층; 및
    상기 제1 산란부와 상기 평탄층 사이에 배치되는 제2 산란부를 포함하며,
    상기 제1 산란부 및 상기 제2 산란부는 투과되는 광을 이중으로 산란시켜 헤이즈를 증가시키는, 광학용 기판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 산란부는, 투과되는 광을 산란시키는 복수의 나노구조체를 포함하는, 광학용 기판.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 복수의 나노구조체 각각은, 상기 가요성 기판의 상기 평탄층 측의 면에 돌출된 구조체인, 광학용 기판.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제2 산란부는, 상기 평탄층과 상기 복수의 나노구조체 사이에 형성된 복수의 에어 트랩인, 광학용 기판.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제2 산란부는, 상기 복수의 나노구조체의 크기에 상응하는 크기를 갖는, 광학용 기판.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 가요성 기판은, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리디메틸실록산(PDMS), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리우레아(PUA), 폴리이미드(Polyimide), 에폭시 계열의 광경화수지, 유무기 혼합 광경화수지로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는, 광학용 기판.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 광학용 기판은, 50% 이상의 헤이즈를 갖는, 광학용 기판.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 광학용 기판은, 400 nm ~ 700 nm 파장의 가시광 영역에서 평균 전체 투과율이 85% 이상인, 광학용 기판.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 광학용 기판;
    광이 투과하는 전도성 물질로 이루어지며, 상기 광학용 기판 상에 배치되는 제1 전극층;
    광을 반사하는 전도성 물질로 이루어지며, 상기 제1 전극층에 대향하여 배치되는 제2 전극층; 및
    상기 제1 전극층과 상기 제2 전극층 사이에 배치되는 유기층;
    을 포함하는, 유기전자장치.
  10. 제9항의 유기전자장치를 포함하는, 광원.
  11. (a) 가요성 기판의 표면에 제1 산란부를 형성하는 단계; 및
    (b) 상기 가요성 기판 상에 평탄층을 형성하는 단계;를 포함하되,
    상기 (b)에서는 상기 제1 산란부를 코팅하면서 상기 제1 산란부와의 사이에 제2 산란부를 형성하는, 광학용 기판의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 (a)에서는, 상기 가요성 기판의 표면에 플라즈마 처리를 수행하여 상기 제1 산란부를 형성하는, 광학용 기판의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 (a)에서는, 상기 플라즈마 처리 시간을 제어하여 상기 제1 산란부의 크기를 조절하는, 광학용 기판의 제조 방법.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 (a)에서는, 상기 가요성 기판의 표면에 마스터 몰드를 이용한 나노 임프린트 공정을 수행하여 상기 제1 산란부를 형성하는, 광학용 기판의 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 (a)에서는, 상기 마스터 몰드의 형상을 변경하여 상기 제1 산란부의 크기 및 간격을 조절하는, 광학용 기판의 제조 방법.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 (a)에서는, 상기 가요성 기판의 표면에 자외선 경화 공정을 수행하여 상기 제1 산란부를 형성하는, 광학용 기판의 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 (a)에서는, 자외선 경화시 외부 압력을 조절하여 상기 제1 산란부의 크기 및 간격을 조절하는, 광학용 기판의 제조 방법.
  18. 제11항에 있어서,
    상기 제1 산란부는, 투과되는 광을 산란시키는 복수의 나노구조체를 포함하는, 광학용 기판의 제조 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제2 산란부는, 상기 평탄층과 상기 복수의 나노구조체 사이에 형성된 복수의 에어 트랩인, 광학용 기판의 제조 방법.
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