KR20180106191A - Light source module and head lamp having thereof - Google Patents

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사다오 타카노
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

Disclosed are a light source module to compensate a focal position in accordance with a gap between light emitting devices, and a headlamp including the same. According to one embodiment of the present invention, the light source module comprises: a substrate; a resin member having first and second side surfaces disposed on an opposite side to each other, and an upper light exit surface, and disposed on the substrate; and the light emitting device adjacent to the first side surface of the resin member and having a light exit area facing the second side surface. The light exit surface of the resin member comprises: a first area at least partially overlapped with the light emitting device in a vertical direction; a second area recessed towards the substrate between the first area and the second side surface; and a third area disposed between the second area and the second side surface. The first area has a first light extraction structure, the third area has a second light extraction structure, the height of the first area is greater than that of the second and third areas with respect to the upper surface of the substrate, and the second area is more adjacent to a second side surface direction than a straight line perpendicular to the light exit area of the light emitting device. The second area comprises a first reflective surface extended from the first area towards the substrate and a second reflective surface extended from the first reflective surface towards the second side surface. A boundary portion between the first and second reflective surfaces in the second area is higher than the upper surface of the light emitting device, and is spaced apart from the light emitting device.

Description

광원 모듈 및 이를 구비한 헤드 램프{LIGHT SOURCE MODULE AND HEAD LAMP HAVING THEREOF}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a light source module,

실시 예는 발광 소자를 갖는 광원 모듈에 관한 것이다.An embodiment relates to a light source module having a light emitting element.

실시 예는 광원 모듈을 갖는 헤드 램프에 관한 것이다.An embodiment relates to a headlamp having a light source module.

실시 예는 광원 모듈을 갖는 차량용 램프에 관한 것이다.An embodiment relates to a vehicle lamp having a light source module.

통상적인 조명 응용은 차량용 조명(light)뿐만 아니라 디스플레이 및 간판용 백라이트를 포함한다. Typical lighting applications include automotive lights as well as backlights for displays and signs.

발광 소자 예컨대, 발광 다이오드(LED)는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성 등의 장점이 있다. 이러한 발광 다이오드는 각종 표시 장치, 실내등 또는 실외등과 같은 각종 조명장치에 적용되고 있다. A light emitting device such as a light emitting diode (LED) has advantages such as low power consumption, semi-permanent lifetime, quick response speed, safety, and environmental friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps. Such a light emitting diode is applied to various lighting devices such as various display devices, an interior lamp, and an outdoor.

일반적으로, 차량은 야간 주행을 할 때에 차량 주변에 위치한 대상물을 용이 하게 확인할 수 있도록 조명 기능 및 다른 차량이나 기타 도로 이용자에게 자기 차량의 주행 상태를 알리기 위한 신호 기능을 가지는 다양한 차량용 램프를 구비하고 있다.Generally, a vehicle is equipped with a variety of vehicle lamps having a lighting function and a signal function for notifying other vehicle users or other road users of the traveling state of the vehicle so that an object located in the vicinity of the vehicle can be easily identified at night when traveling .

예를 들어, 전방에 빛을 조사하여 운전자의 시야를 확보토록 하는 전조등, 브레이크를 밟을 때 점등되는 브레이크등, 우회전 또는 좌회전 시 사용되는 방향지시등과 같이 램프를 이용하여 직접 발광하는 방식으로 작동하는 장치가 있으며, 이외에도 차량의 전방 및 후방에는 자기 차량이 외부에서 용이하게 인식될 수 있도록 빛을 반사시키는 방식으로 기능을 수행하는 반사기 등이 장착되고 있다.For example, a headlamp that irradiates light forward to secure a driver's view, a brake that lights when the brake is applied, and a device that operates in a manner of directly emitting light by using a lamp, such as a turn signal used when turning right or left And a reflector functioning in a manner of reflecting light so that the vehicle can be easily recognized from the outside is mounted on the front and rear of the vehicle.

이러한 차량용 램프는 일반적으로 할로겐 램프 또는 고전압 방출(High intensity discharge, HID) 등과 같은 광원을 주로 사용한다.Such automotive lamps generally use light sources such as halogen lamps or high intensity discharge (HID) lamps.

최근에는 차량용 광원으로서, 발광 다이오드를 채용하는 램프가 제안되고 있다. 백열등과 비교하면, 발광 다이오드는 소비 전력이 작다는 점에서 유리하다. 그러나, 발광 다이오드로부터 출사되는 광의 출사각이 작기 때문에, 발광 다이오드를 차량용 램프로 사용할 경우에는, 발광 다이오드를 이용한 램프의 발광 면적을 증가시켜 주기 위한 요구가 있다. In recent years, lamps employing light emitting diodes as vehicle light sources have been proposed. Compared with an incandescent lamp, a light emitting diode is advantageous in that power consumption is small. However, since the emission angle of light emitted from the light emitting diode is small, there is a demand for increasing the light emission area of the lamp using the light emitting diode when the light emitting diode is used as a vehicle lamp.

발광 다이오드는 사이즈가 작기 때문에 램프의 디자인 자유도를 높여줄 수 있고 반 영구적인 수명으로 인해 경제성도 있다.Because the size of the light emitting diode is small, it can increase the design freedom of the lamp and it is economical due to the semi-permanent lifetime.

실시 예는 차량용 헤드 램프에서 발광 소자 및 그 위에 렌즈를 갖는 광원 모듈을 제공한다. An embodiment provides a light source module having a light emitting element and a lens thereon in a headlamp for a vehicle.

실시 예는 발광 소자 간의 간격에 따른 초점 위치를 렌즈로 보상하는 광원 모듈을 제공한다.Embodiments provide a light source module that compensates for a focus position according to the distance between light emitting elements with a lens.

실시 예는 서로 반대측 발광 소자 간의 간격에 따른 초점 위치를 렌즈로 보상하는 광원 모듈을 제공한다. Embodiments provide a light source module that compensates for a focus position according to an interval between light emitting devices on opposite sides, with a lens.

실시 예는 광원 모듈 및 이를 구비한 헤드 램프의 광도를 개선시켜 줄 수 있다. Embodiments can improve the light intensity of the light source module and the head lamp having the same.

실시 예는 광원 모듈을 갖는 차량용 램프를 제공할 수 있다. The embodiment can provide a lamp for a vehicle having a light source module.

실시 예에 따른 광원 모듈은, 베이스부 및 상기 베이스부로부터 제1방향으로 돌출되고 서로 다른 영역에 제1,2리세스를 갖는 지지부를 포함하는 본체; 상기 본체의 제1리세스에 배치된 제1발광부; 및 상기 본체의 제2리세스에 배치된 제2발광부를 포함하며, 상기 제1리세스는, 제1바닥부, 상기 제1바닥부의 제1방향 양측에 경사진 제1,2측면, 상기 제1바닥부의 제2방향 양측에 제1,2측벽을 포함하며, 상기 제2리세스는, 제2바닥부, 상기 제2바닥부의 제1방향의 양측에 경사진 제3,4측면, 상기 제1바닥부의 제2방향 양측에 제3,4측벽을 포함하며, 상기 제1발광부는 상기 제1리세스의 제1바닥부에 제1회로 기판, 상기 제1회로 기판에 제1 및 제2발광 소자, 상기 제1,2발광 소자 상에 제1렌즈를 포함하며, 상기 제2발광부는 상기 제2리세스의 제2바닥부에 제2회로 기판, 상기 제2회로 기판 상에 제3,4발광 소자, 상기 제3,4발광 소자 상에 제2렌즈를 포함하며, 상기 제1,2렌즈는 상기 제1 내지 제4발광 소자와 중첩된 센터 영역의 두께가 상기 제1 내지 제4측벽에 인접한 에지 영역의 두께보다 두꺼운 두께를 포함할 수 있다. A light source module according to an embodiment includes a base portion and a body including a base portion and a support portion protruding from the base portion in a first direction and having first and second recesses in different regions; A first light emitting portion disposed in a first recess of the main body; And a second light emitting portion disposed in a second recess of the main body, wherein the first recess has a first bottom portion, first and second side portions inclined to both sides of the first bottom portion in the first direction, The first recess includes a second bottom, third and fourth sides inclined to both sides of the first bottom in the first direction, And first and second sidewalls on both sides of the first bottom portion in a second direction, the first light emitting portion includes a first circuit substrate on a first bottom portion of the first recess, first and second light emitting portions on the first circuit substrate, And a first lens on the first and second light emitting devices, wherein the second light emitting portion includes a second circuit substrate on a second bottom portion of the second recess, and a third and fourth circuit substrate on the second circuit substrate, And a second lens on the third and fourth light emitting elements, wherein the first and second light emitting elements are arranged such that a thickness of a center region overlapping the first to fourth light emitting elements is smaller than a thickness of the first to fourth light emitting elements Adjacent edges And may include a thickness greater than the thickness of the region.

실시 예에 따른 헤드 램프는, 제1방향으로 개방된 캐비티를 갖고 오목한 내부 표면을 갖는 하우징; 상기 하우징의 캐비티 바닥에 베이스부 및 상기 베이스부로부터 제1방향으로 돌출되며 서로 반대측 방향에 제1,2리세스를 갖는 지지부를 포함하는 본체; 상기 본체의 제1리세스에 배치된 제1발광부; 및 상기 본체의 제2리세스에 배치된 제2발광부를 포함하며, 상기 제1리세스는, 제1바닥부, 상기 제1바닥부의 제1방향 양측에 경사진 제1,2측면, 상기 제1바닥부의 제2방향 양측에 제1,2측벽을 포함하며, 상기 제2리세스는, 제2바닥부, 상기 제2바닥부의 제1방향의 양측에 경사진 제3,4측면, 상기 제1바닥부의 제2방향 양측에 제3,4측벽을 포함하며, 상기 제1발광부는 상기 제1리세스의 제1바닥부에 제1회로 기판, 상기 제1회로 기판에 제1 및 제2발광 소자, 상기 제1,2발광 소자 상에 제1렌즈를 포함하며, 상기 제2발광부는 상기 제2리세스의 제2바닥부에 제2회로 기판, 상기 제2회로 기판 상에 제3,4발광 소자, 상기 제3,4발광 소자 상에 제2렌즈를 포함하며, 상기 제1,2렌즈는 상기 제1 내지 제4발광 소자와 중첩된 센터 영역의 두께가 상기 제1 내지 제4측벽에 인접한 에지 영역의 두께보다 두꺼운 두께를 갖고, 상기 제1,2렌즈는 제2방향의 외부 곡면이 볼록한 곡면을 갖고, 제3방향의 내부 곡면이 오목한 곡면을 가질 수 있다.A headlamp according to an embodiment includes: a housing having a cavity opened in a first direction and having a concave inner surface; A main body on the bottom of the cavity of the housing and a support portion protruding in the first direction from the base portion and having first and second recesses in directions opposite to each other; A first light emitting portion disposed in a first recess of the main body; And a second light emitting portion disposed in a second recess of the main body, wherein the first recess has a first bottom portion, first and second side portions inclined to both sides of the first bottom portion in the first direction, The first recess includes a second bottom, third and fourth sides inclined to both sides of the first bottom in the first direction, And first and second sidewalls on both sides of the first bottom portion in a second direction, the first light emitting portion includes a first circuit substrate on a first bottom portion of the first recess, first and second light emitting portions on the first circuit substrate, And a first lens on the first and second light emitting devices, wherein the second light emitting portion includes a second circuit substrate on a second bottom portion of the second recess, and a third and fourth circuit substrate on the second circuit substrate, And a second lens on the third and fourth light emitting elements, wherein the first and second light emitting elements are arranged such that a thickness of a center region overlapping the first to fourth light emitting elements is smaller than a thickness of the first to fourth light emitting elements Adjacent edges And the first and second lenses have curved surfaces whose outer curved surfaces in the second direction are convex, and inner curved surfaces in the third direction have concave curved surfaces.

실시 예에 의하면, 상기 제1,2렌즈는 제2방향의 외부 곡면이 볼록한 곡면을 갖고, 제3방향의 내부 곡면이 오목한 곡면을 가질 수 있다.According to the embodiment, the first and second lenses may have curved surfaces whose outer curved surfaces in the second direction are convex, and inner curved surfaces in the third direction may have concave curved surfaces.

실시 예에 의하면, 상기 제1,2렌즈는 제1방향으로 일정한 두께를 갖고 상기 제1 내지 제4측면 상으로 연장될 수 있다. According to the embodiment, the first and second lenses may have a constant thickness in the first direction and may extend on the first to fourth sides.

실시 예에 의하면, 상기 제1,2바닥부는 상기 제1내지 제4측벽보다 낮은 깊이를 가지며, 상기 제1,2회로 기판이 배치되는 상기 제1,2바닥부 사이의 간격은 상기 제1,2회로 기판의 두께 합보다 작을 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the first and second bottom portions have a lower depth than the first to fourth sidewalls, and the interval between the first and second bottom portions, on which the first and second circuit boards are disposed, 2 circuit board thickness.

실시 예에 의하면, 상기 제1,2발광 소자 중 적어도 하나는 제1방향으로 복수로 배치되며, 상기 제3,4발광 소자 중 적어도 하나는 제1방향으로 복수로 배치되며, 상기 제1발광부는 상기 제2발광 소자의 하부 영역을 감싸는 제1반사 컵을 포함하며, 상기 제2발광부는 상기 제4발광 소자의 하부 영역을 감싸는 제2반사 컵을 포함할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, at least one of the first and second light emitting devices is disposed in a plurality of directions in a first direction, at least one of the third and fourth light emitting devices is disposed in a plurality of directions in a first direction, The first reflective cup may surround the lower region of the second light emitting device, and the second light emitting unit may include a second reflective cup surrounding the lower region of the fourth light emitting device.

실시 예에 의하면, 상기 제1,2바닥부는 제1방향을 기준으로 서로 반대측에 배치될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the first and second bottom portions may be disposed on opposite sides with respect to the first direction.

실시 예에 의하면, 상기 제1,2리세스의 외곽부의 두께는 상기 제1,3발광 소자의 발광 면 간의 간격과 동일하거나 작을 수 있다. According to the embodiment, the thickness of the outer portion of the first and second recesses may be equal to or less than the distance between the light emitting surfaces of the first and third light emitting devices.

실시 예에 의하면, 상기 제1,2렌즈는 내부 곡면 및 외부 곡면 중 적어도 하나는 무반사 재질을 포함할 수 있다. According to the embodiment, at least one of the inner curved surface and the outer curved surface of the first and second lenses may include an anti-reflective material.

실시 예에 의하면, 상기 제1,2렌즈를 통과하는 상기 하우징의 내부 표면의 초점 위치는 서로 다를 수 있다. According to the embodiment, the focal positions of the inner surface of the housing passing through the first and second lenses may be different from each other.

실시 예에 의하면, 발광 소자를 갖는 광원 모듈에서 선 광원 또는 면 광원의 광도를 개선시켜 줄 수 있다.According to the embodiments, it is possible to improve the luminous intensity of the linear light source or the planar light source in the light source module having the light emitting element.

실시 예에 의하면, 광원 모듈에서 렌즈로 초점 위치를 이동시켜 주어 광도 저하를 방지할 수 있다. According to the embodiment, the focus position can be moved from the light source module to the lens, thereby preventing a decrease in luminous intensity.

실시 예에 의하면, 광원 모듈의 서로 반대측 렌즈를 이용하여 초점 위치를 발광 소자의 발광 면에 인접한 위치로 이동시켜 주어, 광도를 개선시켜 줄 수 있다.According to the embodiments, the focal position can be moved to a position adjacent to the light emitting surface of the light emitting device by using the lenses on the opposite sides of the light source module, thereby improving the brightness.

실시 예에 따른 광원 모듈 및 이를 갖는 조명 장치의 광학적인 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다. The optical reliability of the light source module and the illumination device having the same according to the embodiment can be improved.

실시 예에 따른 광원 모듈을 갖는 차량용 헤드 램프의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.The reliability of the headlamp for a vehicle having the light source module according to the embodiment can be improved.

실시 예는 광원 모듈을 갖는 백라이트 유닛, 각 종 표시장치, 면 광원 조명 장치, 또는 차량용 램프에 적용될 수 있다.The embodiment can be applied to a backlight unit having a light source module, various display devices, a surface light source illumination device, or a vehicle lamp.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 차량용 헤드 램프가 장착된 차량을 도시한 도면이다.
도 2는 도 1의 헤드 램프의 사시도이다.
도 3은 실시 예에 따른 광원 모듈을 갖는 헤드 램프의 사시도이다.
도 4는 도 3의 헤드 램프의 정면도이다.
도 5는 도 4의 헤드 램프의 A-A측 단면도이다.
도 6은 실시 예에 따른 광원 모듈의 사시도이다.
도 7은 도 6의 광원 모듈에서 렌즈가 제거된 구조를 나타낸 도면이다.
도 8은 도 7의 광원 모듈의 제1평면도이다.
도 9는 도 7의 광원 모듈의 제2평면도이다.
도 10은 도 6의 광원 모듈의 B-B측 단면도이다.
도 11은 도 6의 광원 모듈의 C-C측 단면도이다.
도 12는 도 6의 광원 모듈의 D-D측 부분 단면도이다.
도 13은 도 6의 광원 모듈의 렌즈의 사시도이다.
도 14는 도 13의 렌즈의 측면도이다.
도 15는 도 6의 광원 모듈이 결합된 헤드 램프의 부분 단면도이다.
도 16은 실시 예에 있어서, 렌즈가 없는 경우의 광원 모듈의 초점 위치를 설명하기 위한 도면이다.
도 17은 실시 예에 있어서, 렌즈를 갖는 광원 모듈의 초점 위치를 설명하기 위한 도면이다.
도 18의 (a)(b)는 실시 예에 있어서, 광원 모듈의 렌즈 유무에 따른 초점 위치의 이동을 설명하기 위한 도면이다.
도 19는 실시 예에 따른 헤드 램프로부터 스크린의 조명 거리를 설명하기 위한 도면이다.
도 20은 도 19의 헤드 램프에 있어서, (a) 하이 빔 및 (b)의 로우 빔의 조도 분포를 설명하기 위한 도면이다.
도 21은 실시 예에 따른 광원 모듈의 발광 소자의 일 예이다.
도 22는 실시 예에 따른 광원 모듈의 발광 소자의 다른 예이다.
도 23은 실시 에에 따른 광원 모듈에 있어서, 렌즈 두께와 초점 위치의 관계를 나타낸 도면이다.
도 24은 실시 에에 따른 광원 모듈에 있어서, 무반사 코팅한 렌즈의 두께와 (a) 하이 빔, (b)의 로우 빔의 광도의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 25는 실시 에에 따른 광원 모듈에 있어서, 무반사 코팅이 없는 렌즈의 두께와 (a) 하이 빔, (b)의 로우 빔의 광도의 관계를 나타낸 그래프이다.
1 is a view showing a vehicle equipped with a vehicle headlamp according to an embodiment of the present invention.
2 is a perspective view of the head lamp of Fig.
3 is a perspective view of a head lamp having a light source module according to an embodiment.
Figure 4 is a front view of the headlamp of Figure 3;
Fig. 5 is a cross-sectional view of the head lamp of Fig. 4 on the AA side. Fig.
6 is a perspective view of a light source module according to an embodiment.
7 is a view illustrating a structure in which a lens is removed from the light source module of FIG.
FIG. 8 is a first plan view of the light source module of FIG. 7; FIG.
9 is a second plan view of the light source module of FIG.
10 is a sectional view of the light source module of Fig. 6 on the BB side.
11 is a CC side sectional view of the light source module of Fig.
12 is a partial sectional view of the light source module of Fig. 6 on the DD side.
13 is a perspective view of the lens of the light source module of Fig.
Figure 14 is a side view of the lens of Figure 13;
15 is a partial cross-sectional view of a headlamp to which the light source module of FIG. 6 is coupled.
16 is a view for explaining the focal position of the light source module in the case where there is no lens in the embodiment.
17 is a view for explaining the focus position of a light source module having a lens in the embodiment.
18 (a) and 18 (b) illustrate movement of a focus position according to the presence or absence of a lens of the light source module in the embodiment.
19 is a view for explaining the illumination distance of the screen from the headlamp according to the embodiment.
Fig. 20 is a view for explaining the illuminance distribution of (a) the high beam and (b) the low beam in the headlamp of Fig.
21 is an example of a light emitting device of the light source module according to the embodiment.
22 is another example of the light emitting device of the light source module according to the embodiment.
23 is a view showing the relationship between the lens thickness and the focus position in the light source module according to the embodiment.
24 is a graph showing the relationship between the thickness of the lens coated with an anti-reflective coating and the luminous intensity of the low beam in (a) high beam and (b) in the light source module according to the embodiment.
Fig. 25 is a graph showing the relationship between the thickness of a lens having no anti-reflective coating and the luminous intensity of a low beam in (a) a high beam and (b) in a light source module according to the embodiment.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있는 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다만 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the embodiments described herein and the configurations shown in the drawings are only a preferred embodiment of the present invention, and that various equivalents and modifications may be made thereto at the time of the present application.

본 발명의 바람직한 실시예에 대한 동작 원리를 상세하게 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서, 각 용어의 의미는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 해석되어야 할 것이다. 도면 전체에 걸쳐 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear. The following terms are defined in consideration of the functions of the present invention, and the meaning of each term should be interpreted based on the contents throughout this specification. The same reference numerals are used for portions having similar functions and functions throughout the drawings.

본 발명에 따른 조명장치는 조명이 필요로 하는 다양한 램프장치, 이를테면 차량용 램프, 가정용 조명장치, 산업용 조명장치에 적용이 가능하다. 예컨대 차량용 램프에 적용되는 경우, 헤드 램프, 차폭등, 사이드 미러등, 안개등, 테일등(Tail lamp), 제동등, 주간 주행등, 차량 실내 조명, 도어 스카프(door scar), 리어 콤비네이션 램프, 백업 램프 등에 적용 가능하다. 본 발명의 조명장치는 실내, 실외의 광고장치, 표시 장치, 및 각 종 전동차 분야에도 적용 가능하며, 이외에도 현재 개발되어 상용화되었거나 향후 기술발전에 따라 구현 가능한 모든 조명관련 분야나 광고관련 분야 등에 적용 가능하다고 할 것이다.The illumination device according to the present invention is applicable to various lamp devices requiring illumination, such as a vehicle lamp, a domestic illumination device, and an industrial illumination device. For example, when the present invention is applied to a vehicle lamp, it can be applied to a headlamp, a car light, a side mirror, a fog lamp, a tail lamp, a brake light, a daylight driving lamp, a vehicle interior light, a door scar, And the like. The lighting device of the present invention can be applied to indoor, outdoor advertisement devices, display devices, and various types of electric trains, and can be applied to all lighting-related fields and advertisement-related fields that are currently being developed, commercialized, .

이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure is formed "on" or "under" a substrate, each layer The terms " on "and " under " encompass both being formed" directly "or" indirectly " In addition, the criteria for above or below each layer will be described with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 차량용 헤드 램프가 장착된 차량을 도시한 도면이다.1 is a view showing a vehicle equipped with a headlamp for a vehicle according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 차량(1)은 전방의 헤드 램프(101)와 후방 램프, 실내 조명, 도어 스카프(door scarf), 리어 콤비네이션 램프 등이 사용되고 있다.Referring to FIG. 1, a vehicle 1 according to an embodiment of the present invention includes a front head lamp 101, a rear lamp, an indoor lighting, a door scarf, and a rear combination lamp.

차량용 헤드 램프(101)는 도 2와 같이, 제1 광원 유닛(105), 제2 광원 유닛(107), 제3 광원 유닛(109), 차폭등(Clearance Lamp), 사이드 미러등, 주간 주행등(Daytime running right), 안개등 및 방향 지시등(Turn signal Lamp)이 사용된 경우를 예를 들어 설명하고 있으나, 이에 한정되지 않고 배광 패턴 용도에 따라 사용되는 차량용 헤드 램프(101)의 구성은 추가 또는 삭제될 수 있다. 본 발명에서 차량용 헤드 램프(101)는 전조등을 의미하나 이에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명에서 차량용 헤드 램프(10)는 차량의 좌측 또는 우측에 구비된 램프를 의미하는 것으로서, 본 발명에서 설명하고 있지 않는 다른 차량용 헤드 램프는 본 발명의 차량용 헤드 램프(101)와 동일한 구성을 가지고 있거나 좌우 대칭적인 구성을 가지고 있는 것으로 이해될 수 있다. 차량의 후방 램프는, 테일등(Tail lamp), 후진등(back up lamp), 제동등(stop lamp) 등이 사용되고 있다.2, the headlamp 101 for a vehicle includes a first light source unit 105, a second light source unit 107, a third light source unit 109, a clearance lamp, a side mirror, (Daytime running right), a fog light, and a turn signal lamp are used. However, the present invention is not limited thereto. The configuration of the headlamp 101 for a vehicle, which is used in accordance with the light distribution pattern application, . The headlamp 101 for a vehicle in the present invention means a headlamp, but is not limited thereto. In the present invention, the vehicle headlamp 10 means a lamp provided on the left or right side of the vehicle, and other vehicle headlamps not described in the present invention are the same as those of the headlamp 101 for a vehicle of the present invention Or it may be understood to have a symmetrical configuration. Tail lamps, back-up lamps, and stop lamps are used for the rear lamp of the vehicle.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 차량용 헤드 램프의 사시도이다.2 is a perspective view of a vehicle headlamp according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 상기 제1 광원 유닛(105)의 출사면은 차량의 전방 중심에서 외측을 향해 형성되는 자유 곡면(103)을 따라 연장되고 제2 광원 유닛(107)의 출사면은 제1 광원 유닛(105)에 인정하게 배치되며 자유 곡면(103)을 따라 연장될 수 있다. 상기 제1 광원 유닛(105)은 자유 곡면(103)의 일측을 둘러싸고, 제2 광원 유닛(107)은 자유 곡면(103)의 나머지를 둘러싸는 형상일 수 있다. 따라서, 자유 곡면(103)에 의해 제1 및 제2 광원 유닛(105,107)의 출사면은 자유 곡면 형상을 포함할 수 있다. 여기에서, 자유 곡면(103)이란 일정한 연속성의 조건을 만족하도록 접속한 곡면 분의 모임으로서 표현되는 곡면으로써, 본 발명에서는 도시된 바와 같이 차량의 전방 중심에서 외측 후방을 향해 형성되어 차량의 전방 및/또는 측방에서 보았을 때 사각형 형상일 수 있으나 다각형 타원 등의 모든 형상을 포함하는 3D 곡면을 의미할 수 있다.2, the exit surface of the first light source unit 105 extends along a free-form surface 103 formed outward from the front center of the vehicle, and the exit surface of the second light source unit 107 extends along the free- And may extend along the free-form surface 103 to be recognized by the light source unit 105. The first light source unit 105 may surround one side of the free curved surface 103 and the second light source unit 107 may surround the rest of the free curved surface 103. [ Therefore, the exit surface of the first and second light source units 105 and 107 can include a free-form surface by the free-form surface 103. [ Here, the free-form surface 103 is a curved surface expressed as a group of curved surfaces connected to satisfy the condition of constant continuity. In the present invention, the free-form surface 103 is formed toward the outer rear from the front center of the vehicle, Or may be a rectangular shape when viewed from the side, but may mean a 3D surface including all shapes such as polygonal ellipses.

상기 제1 및 제2 광원 유닛(105,107)은 면 광원 유닛으로, 그 출사면은 적어도 하나의 곡부를 가지는 3차원 자유 곡면일수 있다. 예를 들어, 도 1 및 도 2를 참조하면, 제1 광원 유닛(105)의 출사면은 우측 상단으로 볼록한 곡선 형상을 가지고, 제2 광원 유닛(107)의 출사면은 좌측 하단으로 볼록한 곡선 형상을 가질 수 있다. 따라서, 적어도 하나의 곡부를 가지는 3차원 자유 곡면 형상을 통해 다른 차량과 구별되는 차별성을 구현할 수 있다. 다만, 상기 차별성을 구현할 수 있다면, 상기 곡부의 개수나 3차원 자유 곡면의 형상은 제한되지 않는다.The first and second light source units 105 and 107 may be planar light source units, and the emission surface may be a three-dimensional free curved surface having at least one curved portion. 1 and 2, the exit surface of the first light source unit 105 has a convex curved shape toward the right upper end, and the exit surface of the second light source unit 107 has a convex curved shape toward the left lower end Lt; / RTI > Therefore, it is possible to realize differentiation from other vehicles through a three-dimensional free-form surface shape having at least one curved portion. However, the number of the valley portions and the shape of the three-dimensional free-form surface are not limited as long as the above-described discrimination can be realized.

제3 광원 모듈(109)은 상기 제1 광원 모듈(105)과 제2 광원 모듈(107)과 인접하게 배치될 수 있다. 상기 제3 광원 모듈(109)은 상기 제1,2광원 모듈(105,107) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제3 광원 모듈(109)은 자유 곡면(103) 사이에 배치되어, 자유 곡면을 가질 수 있다. 상기 제1,2,3광원 모듈(103,105,109) 중 적어도 하나 또는 둘 이상은 로우 빔 배광 패턴 및 하이 빔 배광 패턴을 형성할 수 있다. 상기의 로우 빔 배광 패턴과 상기 하이 빔 배광 패턴은 주행 모드 또는 주행 상황에 따라 선택적으로 점등되고 소등될 수 있다. 상기 제1 내지 제3광원 모듈(105,107,109) 중 적어도 하나는 후술되는 헤드 램프를 포함할 수 있다. 상기 헤드 램프는 H4 밸브를 포함할 수 있다.The third light source module 109 may be disposed adjacent to the first light source module 105 and the second light source module 107. The third light source module 109 may be disposed between the first and second light source modules 105 and 107. The third light source module 109 may be disposed between the free curved surfaces 103 and may have a free curved surface. At least one or two or more of the first, second, and third light source modules 103, 105, and 109 may form a low beam distribution pattern and a high beam distribution pattern. The low beam light distribution pattern and the high beam light distribution pattern may be selectively turned on and off according to the driving mode or the driving situation. At least one of the first to third light source modules 105, 107, and 109 may include a head lamp described later. The headlamp may include an H4 valve.

도 3은 실시 예에 따른 광원 모듈을 갖는 헤드 램프의 사시도이고, 도 4는 도 3의 헤드 램프의 정면도이며, 도 5는 도 4의 헤드 램프의 A-A측 단면도이고, 도 6은 실시 예에 따른 광원 모듈의 사시도이며, 도 7은 도 6의 광원 모듈에서 렌즈가 제거된 구조를 나타낸 도면이고, 도 8은 도 7의 광원 모듈의 제1평면도이고, 도 9는 도 7의 광원 모듈의 제2평면도이며, 도 10은 도 6의 광원 모듈의 B-B측 단면도이고, 도 11은 도 6의 광원 모듈의 C-C측 단면도이며, 도 12는 도 6의 광원 모듈의 D-D측 부분 단면도이고, 도 13은 도 6의 광원 모듈의 렌즈의 사시도이며, 도 14는 도 13의 렌즈의 측면도이고, 도 15는 도 6의 광원 모듈이 결합된 헤드 램프의 부분 단면도이다.FIG. 3 is a perspective view of a head lamp having a light source module according to an embodiment, FIG. 4 is a front view of the head lamp of FIG. 3, FIG. 5 is a cross- 7 is a first plan view of the light source module of FIG. 7, FIG. 9 is a plan view of the second light source module of FIG. 7, and FIG. 6 is a cross-sectional side view of the light source module shown in Fig. 6, and Fig. 11 is a cross-sectional side view of the light source module of Fig. 6, Fig. 14 is a side view of the lens of Fig. 13, and Fig. 15 is a partial cross-sectional view of a headlamp to which the light source module of Fig. 6 is coupled.

도 3 내지 도 5를 참조하면, 실시 예에 따른 차량용 헤드 램프(90)는 광원 모듈(10) 및 하우징(92)을 포함하며, 상기 광원 모듈(10)은 상기 하우징(92)의 내부에 배치되어 측 방향으로 광을 조사하며, 상기 조사된 광은 상기 하우징(92)의 내부 표면(92A)을 통해 출사 방향으로 반사될 수 있다. 3 to 5, a vehicle headlamp 90 according to an embodiment includes a light source module 10 and a housing 92, and the light source module 10 is disposed inside the housing 92 And the irradiated light can be reflected in the emitting direction through the inner surface 92A of the housing 92. [

상기 하우징(92)은 금속 또는 비금속 재질을 포함할 수 있으며, 상기 비금속 재질은 플라스틱 재질을 포함할 수 있다. 상기 하우징(92)은 헤드 램프의 리플렉터일 수 있다. 상기 하우징(92)의 내부 표면(92A)은 고반사 재질이 코팅된 면이거나, 무반사(AR: anti-reflection) 재질을 갖는 반사층을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 고반사 재질은 금속 예컨대, Al, Ag, Au 중 적어도 하나를 포함하며, 상기 무반사 재질은 MgF2, Al2O3, SiO, SiO2, TiO2+ZrO2, TiO2, ZrO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 내부 표면(92A)의 반사층은 단층 또는 다층일 수 있다.The housing 92 may include a metal or a non-metal material, and the non-metal material may include a plastic material. The housing 92 may be a reflector of the headlamp. The inner surface 92A of the housing 92 may be a surface coated with a highly reflective material or may include a reflective layer having an anti-reflection (AR) material. For example, the high reflection material may include at least one of metals such as Al, Ag, and Au, and the non-reflective material may be MgF 2 , Al 2 O 3 , SiO, SiO 2 , TiO 2 + ZrO 2 , TiO 2 , ZrO 2 Or the like. The reflective layer of the inner surface 92A may be a single layer or multiple layers.

상기 헤드 램프(90)는 상기 하우징(92)을 통해 출사된 광을 투영시키는 이너 렌즈(Inner lens) 또는/및 아우터 렌즈를 포함할 수 있다. 상기 이너 렌즈의 형상이나 광원 유닛의 개수에 따라 광원 모듈(10)로부터 조사된 광의 배광 패턴을 조절할 수 있다. 상기 광원 모듈(10)은 하이 빔 배광 패턴과 로우 빔 배광 패턴의 광이 선택적으로 조사하며, 상기 하이 빔 배광 패턴 또는 상기 로우 빔 배광 패턴은 주행 모드 또는 주행 상황에 따라 자동적으로 점등되고 소등될 수 있다.The head lamp 90 may include an inner lens and / or an outer lens for projecting the light emitted through the housing 92. The light distribution pattern of the light emitted from the light source module 10 can be adjusted according to the shape of the inner lens and the number of the light source units. The light source module 10 selectively irradiates light of a high beam distribution pattern and a low beam distribution pattern, and the high beam distribution pattern or the low beam distribution pattern may be automatically turned on and off according to the traveling mode or driving situation have.

상기 하우징(92)은 예컨대, 전 방향으로 출사측 영역이 개방된 캐비티(95)를 포함하며, 상기 캐비티(95)는 상기 광원 모듈(10)의 외측 둘레를 따라 곡면을 갖고 배치되며, 반구 형상 또는 상기 반구 형상의 하부가 수평한 면을 갖는 형상을 포함할 수 있다. 상기 반구 형상의 하부가 수평한 면은 차량에 인접한 부분에서 도로 상으로 손실되는 광을 줄여줄 수 있다. 상기 하우징(92)의 캐비티(95)는 배광 패턴에 따라 다양한 형상으로 제공될 수 있으며, 내부 표면(92A)에 곡면을 갖고 입사된 광을 반사하여 광 출사 방향으로 출사시켜 줄 수 있다. 상기 하우징(95)의 내부 표면(92A)은 서로 다른 곡률을 갖는 곡면이 배치되어, 배광 분포 및 광도를 조절할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The housing 92 includes, for example, a cavity 95 in which an emitting side region is opened in all directions, and the cavity 95 is disposed with a curved surface along the outer periphery of the light source module 10, Or the hemispherical lower portion may have a shape having a horizontal surface. The hemispherical lower horizontal surface can reduce light lost on the road at a portion adjacent to the vehicle. The cavity 95 of the housing 92 may be provided in various shapes according to the light distribution pattern. The cavity 95 may have a curved surface on the inner surface 92A and may reflect the incident light and emit the light in the light emitting direction. The inner surface 92A of the housing 95 may be provided with curved surfaces having different curvatures to control the light distribution and the luminous intensity, but the present invention is not limited thereto.

상기 하우징(92)의 내부 표면(92A)은 부분적으로 돔형 또는 부분적인 타원 포물면을 포함할 수 있다. 상기 내부 표면(92A)은 복수의 패싯(Facet)을 가질 수 있다. 상기 패싯은 자유 형상, 평평한, 및/또는 곡선형(예컨대, 오목 또는 볼록) 부재일 수 있다. 몇몇 예에서, 단일 패싯은 자유 형상인 부분, 및/또는 평평한 부분, 및/또는 곡선형 부분(예컨대, 이들의 임의의 조합)을 가질 수 있다. 몇몇 실시 예에서, 패싯(또는 적어도 패싯 상의 안쪽을 향하는 면)은 적어도 근사화되거나, 그렇지 않다면 대수 방정식에 의해 정해질 수 있다. 예를 들어, 패싯의 형상 또는 안쪽으로 향하는 면은 하나 이상의 5차 대수 방정식에 의해 표현될 수 있다(물론, 임의의 차수의 다른 식도 가능하다). 적어도 하나의 예시적인 실시 예에서, 패싯의 표면(또는, 예컨대, 코팅)은 높은 반사율(예컨대, 80% 이상의 반사율)을 가진다. 패싯 및/또는 패싯 상의 코팅의 제한하지 않는 예는 알루미늄 및 은을 포함하지만, 다른 반사 재료가 사용될 수 있다. The inner surface 92A of the housing 92 may include a partially domed or partially oval parabolic surface. The inner surface 92A may have a plurality of facets. The facets can be free-form, flat, and / or curved (e.g., concave or convex) members. In some instances, a single facet may have portions that are free-shaped, and / or flat portions, and / or curved portions (e.g., any combination thereof). In some embodiments, the facet (or at least the facet on the facet) may be at least approximated, or otherwise determined by an algebraic equation. For example, the facets of the facets or inward facing surfaces can be represented by one or more fifth-order algebraic equations (of course, other expressions of any order are possible, of course). In at least one exemplary embodiment, the surface (or, for example, the coating) of the facet has a high reflectance (e.g., 80% or more reflectance). Non-limiting examples of coatings on facets and / or facets include aluminum and silver, but other reflective materials may be used.

상기 하우징(92)의 내부 표면(92A)은 상기 광원 모듈(10)의 측 방향으로 이격되고, 상기 광원 모듈(10)로부터 방출된 광은 상기 내부 표면(92A)에 의해 반사되고 상기 하우징(92)의 출사 측으로 집광될 수 있다. 도 19와 같이, 헤드 램프(90)에 의해 소정 거리(D21)로 이격된 스크린(99)에 광을 조사하면, 스크린(90)의 중심 부근에 가장 높은 광 부포를 가질 수 있다. 예컨대, 도 20의 조도 분포와 같이, (a)에서 하이 빔(HB)은 스크린의 중심 부근에서 가장 높은 광도를 가지며, (b)에서 로우 빔(LB)이 스크린의 중심 부근에서 가장 높은 광도를 가짐을 알 수 있다. The inner surface 92A of the housing 92 is laterally spaced apart from the light source module 10 and the light emitted from the light source module 10 is reflected by the inner surface 92A and the housing 92 To the emission side of the liquid crystal display device. As shown in Fig. 19, when the screen 99 separated by the headlamp 90 at a predetermined distance D21 is irradiated with light, it can have the highest light volume near the center of the screen 90. [ 20, the high beam H B has the highest luminous intensity in the vicinity of the center of the screen, and in (b) the low beam L B has the highest luminous intensity near the center of the screen Light intensity.

상기 하우징(92)의 캐비티(95)는 오목한 수납부 또는 오목하게 함몰된 리세스를 포함하며, 상기 하우징(92)은 내부 표면(92A)과 볼록한 외측면을 가지는 대체로 사발, 파라볼라 안테나 또는 접시 형상의 부재일 수 있다. 상기 캐비티(95)에는 광원 모듈(10) 및 프로세서와 같은 컴포넌트들을 고정 지지하거나 포함하기 위한 다양한 특징부 및 부속품을 포함할 수 있다. 상기 하우징(92)의 외측은 헤드램프(90)를 차량 내부에 장착하거나 연결시키기 위한 다양한 특징부 및 부속품을 포함할 수 있고, 파워 및/또는 신호를 연결하기 위한 전기적 인터페이스 예컨대, 소켓(도 5의 91)를 가질 수 있다. 상기한 하우징(92) 및 캐비티(95)는 일 예이며, 다양한 형상으로 변경될 수 있다. 실시 예에 따른 하우징(92)은 좌/우측 헤드 램프(90)의 리플렉터로 기능할 수 있다.The cavity 95 of the housing 92 includes a recessed recess or a recessed recess which is generally a bowl, a parabolic antenna, or a dish shape having an inner surface 92A and a convex outer surface, . The cavity 95 may include various features and accessories for fixedly supporting or containing components such as the light source module 10 and the processor. The exterior of the housing 92 may include various features and accessories for mounting or connecting the headlamp 90 to the interior of the vehicle and may include an electrical interface for connecting power and / Of 91). The housing 92 and the cavity 95 are merely examples and may be modified into various shapes. The housing 92 according to the embodiment can function as a reflector of the left / right headlamp 90. [

<광원 모듈(10)><Light source module 10>

도 5를 참조하면, 상기 광원 모듈(10)은 본체(20), 상기 본체(20)의 서로 다른 영역에 배치된 발광부(30,40)를 포함할 수 있다. 상기 본체(20)는 상기 하우징(92)의 후방을 통해 캐비티(95) 내부로 돌출되어 결합될 수 있다. Referring to FIG. 5, the light source module 10 may include a main body 20 and light emitting units 30 and 40 disposed in different areas of the main body 20. The main body 20 may protrude into the cavity 95 through the rear of the housing 92.

상기 본체(20)는 원 기둥 또는 다각 기둥 형상을 포함할 수 있다. 상기 본체(20)는 상기 하우징(92)의 후방에 차량과 결합되고 상기 하우징(92)의 내부에 돌출될 수 있다. 상기 본체(20)는 전방에서 볼 때, 원 또는 다각 형상을 가지며, 상기 발광부(30,40)는 상기 본체(20)의 X축 방향을 기준으로 소정 각도로 다른 영역에 배치되어, 서로 다른 방향으로 광을 조사하게 된다. 상기 발광부(30,40)는 상기 본체(20) 내에서 서로 다른 방향으로 광을 조사하게 된다. 상기 발광부(30,40)를 통해 방출된 광은 도 6과 같이, 상기 본체(20)에서 방사 방향으로 광이 조사되고 상기 내부 표면(92A)에 의해 반사되어 출사 방향으로 출사될 수 있다. 도 5에서 X축 방향은 광이 외부로 출사되는 제1방향이 될 수 있으며, 상기 Y축 방향은 상기 X축 방향과 직교하는 제2방향일 수 있으며, Z축 방향은 X축과 Y축 방향과 직교하는 제3방향일 수 있다. 상기 제3방향은 발광부(30,40)가 수직하게 중첩된 방향이거나 발광부(30,40)의 일부 구성들이 중첩된 방향일 수 있다. The main body 20 may include a circular column or a polygonal columnar shape. The body 20 may be coupled to the vehicle at the rear of the housing 92 and protrude into the interior of the housing 92. The main body 20 has a circular or polygonal shape when viewed from the front and the light emitting portions 30 and 40 are arranged at different angles with respect to the X axis direction of the main body 20, Direction. The light emitting units 30 and 40 emit light in different directions in the main body 20. [ As shown in FIG. 6, the light emitted through the light emitting units 30 and 40 may be radiated in the main body 20 in a radial direction, reflected by the inner surface 92A, and emitted in an emitting direction. 5, the X-axis direction may be a first direction in which light is emitted to the outside, the Y-axis direction may be a second direction orthogonal to the X-axis direction, and the Z- And the third direction orthogonal to the first direction. The third direction may be a direction in which the light emitting portions 30 and 40 are vertically overlapped or a direction in which some of the light emitting portions 30 and 40 are overlapped.

상기 본체(20)는 플라스틱 재질이거나 금속 재질일 수 있다. 상기 본체(20)는 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al) 중 복수의 금속을 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 본체(20)는 열 전도성이 높은 금속 예컨대, 알루미늄 또는 알루미늄 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 본체(20)은 방열 플레이트를 포함할 수 있다.The main body 20 may be made of a plastic material or a metal material. The main body 20 is made of a metal such as titanium, copper, nickel, gold, chromium, tantalum, platinum, tin, ), Phosphorus (P), and aluminum (Al), and may be formed as a single layer or multiple layers. The body 20 may include at least one of a highly thermally conductive metal such as aluminum or an aluminum alloy. The main body 20 may include a heat dissipation plate.

도 5 및 도 6과 같이, 상기 본체(20)는 상기 하우징(92)에 결합된 베이스부(21) 및 상기 베이스부(21)로부터 캐비티(95) 내부 또는 광 출사 방향으로 돌출된 지지부(23)를 포함할 수 있다. 상기 베이스부(21)는 상기 하우징(92)의 내부 또는 외부에 결합될 수 있도록, 원형 또는 다각형의 판으로 포함할 수 있다. 상기 지지부(23)는 상기 베이스부(21)의 중심으로부터 상기 하우징(92)의 캐비티(95) 방향으로 돌출될 수 있다. 상기 베이스부(21)는 너비 또는 직경이 상기 지지부(23)의 너비(도 6의 D1) 또는 직경보다 크게 배치되어, 상기 하우징(92)의 캐비티(95)의 바닥과 결합될 수 있다.5 and 6, the main body 20 includes a base portion 21 coupled to the housing 92 and a support portion 23 protruding from the base portion 21 in the cavity 95 or in the light- ). The base portion 21 may be formed as a circular or polygonal plate so as to be coupled to the inside or the outside of the housing 92. The support portion 23 may protrude from the center of the base portion 21 toward the cavity 95 of the housing 92. The base portion 21 may be combined with the bottom of the cavity 95 of the housing 92 such that the width or diameter of the base portion 21 is larger than the width of the support portion 23 (D1 in FIG.

상기 지지부(23)는 상기 발광부(30,40)가 배치된 리세스(25,26)를 포함할 수 있다. 상기 리세스(25,26)는 상기 지지부(23)의 표면으로부터 오목하게 함몰되며, 하우징(92)의 출사측 방향을 기준으로 서로 소정 각도 예컨대, 90도 내지 270도의 범위 내에서 배치될 수 있다. 상기 리세스(25,26)는 상기 지지부(23)의 제1영역에 배치된 제1리세스(25)와, 상기 지지부(23)의 제2영역에 배치된 제2리세스(26)를 포함할 수 있다. 상기 제1,2리세스(25,26)는 상기 지지부(23)가 돌출되는 방향을 기준으로 서로 소정 각도 예컨대, 90도 내지 270도의 범위 내에서 배치될 수 있다. 상기 제1리세스(25)는 예컨대, 상기 지지부(23)가 돌출되는 방향을 기준으로 상기 제2리세스(26)와 180도의 각도로 배치될 수 있다. 상기 제1,2리세스(25,26)은 서로 반대측 방향에 배치되거나, 서로 둔각의 범위로 이격될 수 있다. 상기 제1,2리세스(25,26)의 형상은 서로 대칭되는 형상을 포함할 수 있다. 실시 예에 따른 지지부(24)에서의 리세스(25,26)는 2개 또는 3개 이상을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 지지부(24)는 방열 플레이트로 기능할 수 있다.The support portion 23 may include recesses 25 and 26 in which the light emitting portions 30 and 40 are disposed. The recesses 25 and 26 are recessed from the surface of the support portion 23 and can be disposed at a predetermined angle, for example, in the range of 90 to 270 degrees with respect to the direction of the exit side of the housing 92 . The recesses 25 and 26 may include a first recess 25 disposed in a first region of the support portion 23 and a second recess 26 disposed in a second region of the support portion 23 . The first and second recesses 25 and 26 may be disposed at a predetermined angle, for example, in a range of 90 to 270 degrees with respect to a direction in which the support portion 23 protrudes. The first recess 25 may be disposed at an angle of 180 degrees with respect to the second recess 26 with respect to a direction in which the support portion 23 protrudes. The first and second recesses 25 and 26 may be disposed in opposite directions, or may be spaced apart from each other by an obtuse angle. The shapes of the first and second recesses 25 and 26 may be symmetrical with respect to each other. The recesses 25, 26 in the support 24 according to the embodiment may include two or three or more recesses, but are not limited thereto. The support portion 24 may function as a heat dissipation plate.

상기 발광부(30,40)는 예컨대, 상기 제1리세스(25)에 배치된 제1발광부(30) 및 상기 제2리세스(26)에 배치된 제2발광부(40)를 포함할 수 있다. 상기 제1발광부(30)는 자외선, 녹색, 청색, 적색, 백색의 광 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 예컨대 백색 광을 발광할 수 있다. 상기 제2발광부(40)는 자외선, 녹색, 청색, 적색, 백색의 광 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 예컨대 백색 광을 발광할 수 있다. 상기 제1,2발광부(30,40)은 하이 빔 및 로우 빔 중 적어도 하나 또는 모두를 발광할 수 있다. 예컨대, 상기 제1발광부(30)는 상기 제1리세스(25)에서 하이 빔과 로우 빔의 광을 발광하게 되며, 상기 제2발광부(40)는 상기 제2리세스(26)에서 하이 빔과 로우 빔의 광을 발광하게 된다. 상기 제1,2발광부(30,40)로부터 방출된 하이 빔과 로우 빔은 주행 모드 또는 주행 상황에 따라 선택적으로 점등 또는 소등될 수 있다. 상기 제1,2발광부(30,40)의 로우 빔은 동시에 점등 또는 소등되거나, 주행 상황에 따라 시간 차를 갖고 점등 또는 소등될 수 있다. 상기 제1,2발광부(30,40)의 하이 빔은 동시에 점등 또는 소등되거나, 주행 상황에 따라 시간 차를 갖고 점등 또는 소등될 수 있다. 상기 제1,2발광부(30,40)은 발광 칩 예컨대, 발광 다이오드(LED) 칩(이하, 발광 칩이라 함)을 포함할 수 있다. The light emitting portions 30 and 40 include a first light emitting portion 30 disposed in the first recess 25 and a second light emitting portion 40 disposed in the second recess 26, can do. The first light emitting unit 30 may include at least one of ultraviolet light, green light, blue light, red light, and white light, and may emit white light, for example. The second light emitting unit 40 may include at least one of ultraviolet light, green light, blue light, red light, and white light, and may emit white light, for example. The first and second light emitting units 30 and 40 may emit at least one or both of a high beam and a low beam. For example, the first light emitting unit 30 emits light of a high beam and a low beam at the first recess 25, and the second light emitting unit 40 emits light of a high beam and a low beam at the second recess 26 Thereby emitting light of a high beam and a low beam. The high beam and the low beam emitted from the first and second light emitting units 30 and 40 may be selectively turned on or off according to the driving mode or the driving condition. The low beams of the first and second light emitting units 30 and 40 may be turned on or off at the same time or may be turned on or off with a time difference depending on the driving situation. The high beams of the first and second light emitting units 30 and 40 may be turned on or off at the same time or turned on or off with a time difference depending on the driving situation. The first and second light emitting units 30 and 40 may include light emitting chips, for example, light emitting diode (LED) chips (hereinafter referred to as light emitting chips).

도 7 및 도 8을 참조하면, 상기 지지부(23)에서 제1리세스(25)는 상기 제1리세스(25)의 제1바닥부(5)로부터 X축 방향으로 서로 대면하는 제1,2측면(5A,5B)을 포함한다. 상기 제1리세스(25)에서 X축 방향은 전방 방향 또는 본체(20)의 길이 방향이며 상기 제1,2측면(5A,5B)은 X축 방향의 양측에서 서로 대응될 수 있다. 상기 제1,2측면(5A,5B)은 X축 방향으로 양측에 배치되어, 반사면으로 제공될 수 있다. 상기 제1,2측면(5A,5B)은 평평한 면을 포함하며, Z축 방향에 대해 경사진 면으로 배치될 수 있다. 상기 제1,2측면(5A,5B)의 경사진 방향으로 연장된 직선의 각도는 둔각의 범위로 배치될 수 있다. 상기 제1,2측면(5A,5B)은 반구 형상을 갖고 상기 제1바닥부(5)으로부터 상기 지지부(21)의 표면까지 경사지게 배치될 수 있다. 상기 제1,2측면(5A,5B)은 단차진 구조로 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1,2측면(5A,5B)는 오목한 곡면을 포함할 수 있어, 이러한 오목한 곡면은 입사된 광의 지향 분포를 조절할 수 있다. 상기 제1,2측면(5A,5B) 간의 간격은 상기 제1바닥부(5)에 인접할수록 점차 가까울 수 있다. 상기 제1,2측면(5A,5B) 간의 하부 간격은 상기 제1바닥부(5)의 X축 방향의 길이(D3)와 동일할 수 있다. 상기 제1바닥부(5)의 Y축 방향의 너비는 상기 길이(D3)와 같거나 작을 수 있으며, 상기 지지부(23)의 너비(D1) 또는 직경과 같을 수 있다. 여기서, 상기 Z축 방향은 X축 및 Y축 방향과 직교하는 방향이며, 상기 Z축 방향이 전 방향 또는 주행 방향이며, Y축 방향은 X축 방향과 직교하는 방향일 수 있다. 상기 지지부(23)의 너비(D1)는 15mm 이상 예컨대, 15mm 내지 35mm의 범위일 수 있으며, 헤드 램프에 따라 선택적으로 적용될 수 있다. 7 and 8, the first recess 25 of the support portion 23 is connected to the first and second recesses 25 and 25 of the first and second recesses 25 and 25, Two side surfaces 5A and 5B. The X-axis direction of the first recess 25 may be a forward direction or a longitudinal direction of the main body 20, and the first and second side surfaces 5A and 5B may correspond to each other on both sides in the X-axis direction. The first and second side surfaces 5A and 5B may be disposed on both sides in the X-axis direction, and may be provided as reflective surfaces. The first and second side surfaces 5A and 5B include a flat surface and may be disposed at an inclined surface with respect to the Z-axis direction. An angle of a straight line extending in an inclined direction of the first and second side surfaces 5A and 5B may be arranged in a range of an obtuse angle. The first and second side surfaces 5A and 5B may have a hemispherical shape and be inclined from the first bottom portion 5 to the surface of the support portion 21. [ The first and second side surfaces 5A and 5B may be arranged in a stepped structure, but the present invention is not limited thereto. The first and second side surfaces 5A and 5B may include concave curved surfaces so that the concave curved surfaces can control the directional distribution of the incident light. The gap between the first and second sides 5A and 5B may be gradually closer to the first bottom 5. The lower interval between the first and second sides 5A and 5B may be equal to the length D3 in the X-axis direction of the first bottom 5. The width of the first bottom part 5 in the Y axis direction may be equal to or less than the length D3 and may be equal to the width D1 or diameter of the support part 23. [ Here, the Z-axis direction may be a direction orthogonal to the X-axis and Y-axis directions, the Z-axis direction may be a forward direction or a traveling direction, and the Y-axis direction may be orthogonal to the X-axis direction. The width D1 of the support portion 23 may be in the range of 15 mm or more, for example, 15 mm to 35 mm, and may be selectively applied to the head lamp.

상기 제1리세스(25)의 제1바닥부(5)는 외측에 제1,2측벽(5C,5D)을 포함할 수 있다. 상기 제1측벽(5C)은 상기 제1,2측면(5A,5B)의 상부에 연결될 수 있으며, 상기 제2측벽(5D)은 상기 제1,2측면(5A,5B)의 하부에 연결될 수 있다. 상기 제1,2측벽(5C,5D)은 Y축 방향으로 서로 이격되고 X축 방향으로 긴 길이(예: D3)를 가질 수 있다. 상기 제1,2측벽(5C,5D)은 상기 제1바닥부(5)로부터 단차진 구조로 돌출될 수 있다. 상기 제1,2측벽(5C,5D) 사이의 거리(D11)는 상기 지지부(23)의 너비(D1)보다 작을 수 있으며, 내부의 제1회로 기판(31)의 Y축 방향의 너비보다 클 수 있다. 상기 제1,2측벽(5C,5D)은 서로 평행하게 배치되거나, 비평행하게 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1,2측벽(5C,5D)의 상면은 평탄한 면이거나 요철 면일 수 있다. 상기 제1,2측벽(5C,5D)의 외부 면은 서로 반대측 면으로서, 곡면이거나 평탄한 면일 수 있다. 상기 제1,2측벽(5C,5D)의 내부 면은 서로 대응되는 면으로서, 평탄한 면이거나 요철 면일 수 있다. 상기 제1,2측벽(5C,5D)은 상기 제1,2측면(5A,5B)보다 낮은 높이로 돌출되므로, 제1방향 또는 X축 방향을 개방시켜 줄 수 있다.The first bottom portion 5 of the first recess 25 may include first and second side walls 5C and 5D on the outer side. The first sidewall 5C may be connected to an upper portion of the first and second side surfaces 5A and 5B and the second side wall 5D may be connected to a lower portion of the first and second side surfaces 5A and 5B. have. The first and second sidewalls 5C and 5D may be separated from each other in the Y-axis direction and have a long length in the X-axis direction (e.g., D3). The first and second side walls 5C and 5D may protrude from the first bottom 5 in a stepped structure. The distance D11 between the first and second side walls 5C and 5D may be smaller than the width D1 of the support portion 23 and larger than the width of the first circuit board 31 in the Y- . The first and second sidewalls 5C and 5D may be disposed parallel to each other or non-parallel to each other, but the present invention is not limited thereto. The upper surfaces of the first and second side walls 5C and 5D may be planar or irregular. The outer surfaces of the first and second sidewalls 5C and 5D may be curved or flat. The inner surfaces of the first and second sidewalls 5C and 5D correspond to each other and may be flat or irregular. The first and second side walls 5C and 5D protrude to a lower height than the first and second side surfaces 5A and 5B so that the first and second side walls 5C and 5D can be opened in the first direction or the X axis direction.

도 9를 참조하면, 상기 제2리세스(26)는 상기 제2리세스(26)의 제2바닥부(6)로부터 X축 방향으로 서로 대면하는 제3,4측면(6A,6B)을 포함한다. 상기 제2리세스(26)에서 X축 방향은 전방 방향 또는 본체(20)의 길이 방향이며 상기 제3,4측면(6A,6B)은 X축 방향의 양측에서 서로 대응될 수 있다. 상기 제3,4측면(6A,6B)은 X축 방향으로 양측에 배치되어, 반사면으로 제공될 수 있다. 상기 제3,4측면(6A,6B)은 평평한 면을 포함하며, 제3방향 또는 Z축 방향에 대해 경사진 면으로 배치될 수 있다. 상기 제3,4측면(6A,6B)의 경사진 방향으로 연장된 직선의 각도는 둔각의 범위로 배치될 수 있다. 상기 제3,4측면(6A,6B)은 반구 형상을 갖고 상기 제2바닥부(6)으로부터 상기 지지부(23)의 표면까지 경사지게 배치될 수 있다. 상기 제3,4측면(6A,6B)은 단차진 구조로 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제3,4측면(6A,6B)는 오목한 곡면을 포함할 수 있어, 이러한 오목한 곡면은 입사된 광의 지향 분포를 조절할 수 있다. 상기 제3,4측면(6A,6B) 간의 간격은 상기 제2바닥부(6)에 인접할수록 점차 가까울 수 있다. 상기 제3,4측면(6A,6B) 간의 하부 간격은 상기 제2바닥부(6)의 X축 방향의 길이(D3)와 동일할 수 있다. 상기 제2바닥부(6)의 Y축 방향의 너비는 상기 길이(D3)와 같거나 작을 수 있으며, 상기 지지부(23)의 너비(D1)보다 작을 수 있다. 9, the second recess 26 has third and fourth side surfaces 6A and 6B facing each other in the X-axis direction from the second bottom portion 6 of the second recess 26 . The X axis direction in the second recess 26 may be a forward direction or a longitudinal direction of the main body 20 and the third and fourth side surfaces 6A and 6B may correspond to each other on both sides in the X axis direction. The third and fourth side surfaces 6A and 6B are disposed on both sides in the X-axis direction, and can be provided as reflecting surfaces. The third and fourth side surfaces 6A and 6B include flat surfaces and may be disposed in a plane inclined with respect to the third direction or the Z axis direction. The angle of the straight line extending in the oblique direction of the third and fourth side surfaces 6A and 6B may be arranged in a range of an obtuse angle. The third and fourth side surfaces 6A and 6B may have a hemispherical shape and be inclined from the second bottom portion 6 to the surface of the support portion 23. [ The third and fourth side surfaces 6A and 6B may be arranged in a stepped structure, but the present invention is not limited thereto. The third and fourth sides 6A and 6B can include concave curved surfaces, which can control the directional distribution of the incident light. The gap between the third and fourth side surfaces 6A and 6B may be gradually closer to the second bottom portion 6. The lower interval between the third and fourth sides 6A and 6B may be the same as the length D3 in the X-axis direction of the second bottom 6. The width of the second bottom portion 6 in the Y-axis direction may be equal to or less than the length D3 and may be smaller than the width D1 of the support portion 23. [

상기 제2리세스(26)의 제2바닥부(6)는 외측에 제3,4측벽(6C,6D)을 포함할 수 있다. 상기 제3측벽(6C)은 상기 제3,4측면(6A,6B)의 상부에 연결될 수 있으며, 상기 제4측벽(6D)은 상기 제3,4측면(6A,6B)의 하부에 연결될 수 있다. 상기 제3,4측벽(6C,6D)은 Y축 방향으로 서로 이격되고 X축 방향으로 긴 길이(예: D3)를 가질 수 있다. 상기 제3,4측벽(6C,6D)은 상기 제2바닥부(6)로부터 단차진 구조로 돌출될 수 있다. 상기 제3,4측벽(6C,6D) 사이의 거리(D11)는 상기 지지부(23)의 너비(D1)보다 작을 수 있으며, 내부의 제2회로 기판(41)의 Y축 방향의 너비보다 클 수 있다. 상기 제3,4측벽(6C,6D)은 서로 평행하게 배치되거나, 비평행하게 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제3,4측벽(6C,6D)의 상면은 평탄한 면이거나 요철 면일 수 있다. 상기 제3,4측벽(6C,6D)의 외부 면은 서로 반대측 면으로서, 곡면이거나 평탄한 면일 수 있다. 상기 제3,4측벽(6C,6D)의 내부 면은 서로 대응되는 면으로서, 평탄한 면이거나 요철 면일 수 있다. 상기 제3,4측벽(6C,6D)은 상기 제3,4측면(6A,6B)보다 낮은 높이로 돌출되므로, 제1방향 또는 X축 방향을 개방시켜 줄 수 있다.The second bottom portion 6 of the second recess 26 may include third and fourth side walls 6C and 6D on the outer side. The third side wall 6C may be connected to the upper portions of the third and fourth side surfaces 6A and 6B and the fourth side wall 6D may be connected to the lower side of the third and fourth side surfaces 6A and 6B. have. The third and fourth side walls 6C and 6D may be spaced from each other in the Y-axis direction and have a long length in the X-axis direction (e.g., D3). The third and fourth side walls 6C and 6D may protrude from the second bottom portion 6 in a stepped structure. The distance D11 between the third and fourth side walls 6C and 6D may be smaller than the width D1 of the support portion 23 and may be larger than the width of the second circuit board 41 in the Y- . The third and fourth sidewalls 6C and 6D may be disposed parallel to each other or non-parallel to each other, but the present invention is not limited thereto. The upper surfaces of the third and fourth side walls 6C and 6D may be flat or irregular. The outer surfaces of the third and fourth sidewalls 6C and 6D are opposite to each other and may be curved or flat. The inner surfaces of the third and fourth side walls 6C and 6D correspond to each other, and may be flat or irregular. The third and fourth side walls 6C and 6D protrude to a lower height than the third and fourth side surfaces 6A and 6B so that the first direction or the X-axis direction can be opened.

도 9, 도 10 및 도 11과 같이, 상기 지지부(23)에서 제1,2리세스(25,26)의 외곽부(23A,23B)는 상기 제1,2리세스(25,26)의 바닥부(5,6) 간의 간격보다 큰 두께(D6)를 가질 수 있다. 상기 제1,2리세스(25,26)의 바닥부(5,6) 사이의 영역은 내부(23C)로서, 상기 외곽부(23A,23B)의 두께(T1)보다 얇은 두께(D6)를 가질 수 있다. 상기 두께(D6)는 두께(T1)의 40% 이하일 수 있으며, 예컨대 15% 내지 40%의 범위일 수 있다. 상기 두께(D6)가 상기 범위보다 얇으면 내부 강성이 저하되고 방열 효율이 저하될 수 있고 상기 범위보다 두꺼우면 발광 면(A1,A2) 간의 간격(D8)이 커지게 되어, 광도 저하의 원인이 될 수 있다. 상기 외곽부(23A,23B)의 두께(T1)는 Z축 방향의 두께로서, 상기 발광 면(A1,A2) 간의 간격(D8)과 동일하거나 더 작을 수 있다. 상기 외곽부(23A,23B)의 두께(T1)는 상기 내부(23C)의 두께(D6)의 5배 이하로 배치될 수 있다. 이는 외곽부(23A,23B)의 측벽(5C,5D,6C,6D)에 의해 제2방향 또는 Y축 방향으로 차단되는 광 손실을 줄여줄 수 있다. 상기 외곽부(23A,23B)의 두께(T1)는 3mm 이상 예컨대, 3mm 내지 6mm의 범위일 수 있다. 상기 지지부(23)에서 제1,2바닥부(5,6)의 깊이(D5)는 Z축 방향으로 함몰된 깊이로서, 상기 제1,2바닥부(5,6) 사이의 간격 또는 내부(23C)의 두께(D6)보다 클 수 다. 이에 따라 상기 제1,2바닥부(5,6) 상에 광원 모듈의 회로 기판(31,41) 및 발광 소자(32,33,42,43)가 배치될 수 있다. 상기 제1,2바닥부(5,6) 사이의 간격 또는 내부(23C)의 두께(D6)는 제1,2회로기판(31,41)의 두께 합보다 작을 수 있다. The outer portions 23A and 23B of the first and second recesses 25 and 26 in the support portion 23 are formed in the first and second recesses 25 and 26 as shown in FIGS. 9, 10 and 11, And may have a thickness D6 greater than the spacing between the bottoms 5,6. An area between the bottom portions 5 and 6 of the first and second recesses 25 and 26 is an inner portion 23C and a thickness D6 that is thinner than the thickness T1 of the outer frame portions 23A and 23B Lt; / RTI &gt; The thickness D6 may be less than or equal to 40% of the thickness T1 and may range, for example, from 15% to 40%. If the thickness D6 is smaller than the above range, the internal stiffness may be lowered and the heat radiation efficiency may be lowered. If the thickness D6 is larger than the above range, the gap D8 between the light-emitting surfaces A1 and A2 becomes large, . The thickness T1 of the outer frame portions 23A and 23B is the thickness in the Z axis direction and may be equal to or smaller than the spacing D8 between the light emitting surfaces A1 and A2. The thickness T1 of the outer frame portions 23A and 23B may be set to be not more than five times the thickness D6 of the inner portion 23C. This can reduce the light loss blocked in the second direction or the Y-axis direction by the side walls 5C, 5D, 6C, 6D of the outer frame portions 23A, 23B. The thickness T1 of the outer frame portions 23A and 23B may be in a range of 3 mm or more, for example, 3 mm to 6 mm. The depth D5 of the first and second bottom portions 5 and 6 in the support portion 23 is a depth depressed in the Z axis direction and is a distance between the first and second bottom portions 5 and 6, 23C). Accordingly, the circuit boards 31 and 41 and the light emitting devices 32, 33, 42 and 43 of the light source module can be disposed on the first and second bottom portions 5 and 6. The distance between the first and second bottom portions 5 and 6 or the thickness D6 of the inner portion 23C may be smaller than the sum of the thicknesses of the first and second circuit boards 31 and 41.

<제1,2발광부(30,40)>(First and second light emitting portions 30 and 40)

상기 제1리세스(25)에는 제1발광부(30)가 배치되며, 상기 제2리세스(26)에는 제2발광부(40)가 배치될 수 있다. 상기 제1,2발광부(30,40)는 서로 다른 리세스(25,26)에 배치되지만, 각 구성은 동일할 수 있어, 상기 제1발광부(30)의 구성을 설명하며, 상기 제2발광부(40)의 구성은 제1발광부(30)의 구성 및 동작을 참조하며 간략하게 설명하기로 한다.The first light emitting portion 30 may be disposed in the first recess 25 and the second light emitting portion 40 may be disposed in the second recess 26. Although the first and second light emitting units 30 and 40 are disposed in different recesses 25 and 26, the first light emitting unit 30 and the second light emitting unit 30 may have the same configuration, 2 Configuration of the light emitting unit 40 will be briefly described with reference to the configuration and operation of the first light emitting unit 30. FIG.

도 6 내지 도 8, 및 도 10을 참조하면, 상기 제1발광부(30)는 상기 제1리세스(25) 상에서 제1측 방향으로 광을 조사하며, 상기 제2발광부(40)는 상기 제2리세스(26) 상에서 제2측 방향으로 광을 조사한다. 상기 제1발광부(30)는 상기 제1리세스(25)에서 하이 빔과 로우 빔의 광을 발광하게 되며, 상기 제2발광부(40)는 상기 제2리세스(26)에서 하이 빔과 로우 빔의 광을 발광하게 된다. 상기 제1,2발광부(30,40)로부터 방출된 광은 자외선, 청색, 녹색, 적색 및 백색의 광 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 예컨대 백색의 광을 포함할 수 있다. 6 to 8 and 10, the first light emitting portion 30 emits light in a first lateral direction on the first recess 25, and the second light emitting portion 40 emits light in a first lateral direction And irradiates light on the second recess 26 in the second lateral direction. The first light emitting portion 30 emits light of a high beam and a low beam at the first recess 25 and the second light emitting portion 40 emits light of a high beam and a low beam at the second recess 26, And the light of the low beam is emitted. The light emitted from the first and second light emitting units 30 and 40 may include at least one of ultraviolet light, blue light, green light, red light, and white light, for example, white light.

상기 제1발광부(30)는, 제1회로 기판(31), 상기 제1회로 기판(31)에 제1,2 발광 소자(32,33), 및 상기 제1회로 기판(31) 상에 제1렌즈(39)를 포함할 수 있다. 상기 제1회로 기판(31)은 상기 제1리세스(25)의 제1바닥부(5)에 배치되며, 상기 제1바닥부(5)에 접착제 또는 체결부재로 고정될 수 있다. 상기 접착제는 열 전도성 접착제를 포함할 수 있으며, 상기 체결 부재는 나사 또는 리벳을 포함할 수 있다.The first light emitting portion 30 includes a first circuit substrate 31, first and second light emitting devices 32 and 33 on the first circuit substrate 31, And may include a first lens 39. The first circuit board 31 is disposed on the first bottom portion 5 of the first recess 25 and may be fixed to the first bottom portion 5 with an adhesive or a fastening member. The adhesive may comprise a thermally conductive adhesive, and the fastening member may comprise a screw or a rivet.

상기 제1회로 기판(31)은 상기 제1,2측벽(5C,5D)의 상면보다 낮게 배치될 수 있다. 상기 제1회로 기판(31)의 두께는 상기 제1,2측벽(5C,5D)의 높이 또는 제1바닥부(5)의 깊이보다 작을 수 있다. 상기 제1발광부(30)의 제1발광 소자(32)는 하이 빔용 광을 발생하는 LED를 포함하며, 상기 제2발광 소자(33)는 로우 빔용 광을 발생하는 LED를 포함할 수 있다. 상기 제1,2발광 소자(32,33)은 동일한 컬러의 광을 발광하거나 서로 다른 컬러의 광을 발광할 수 있다. 상기 제1,2발광 소자(32,33)는 백색 광의 발광을 발광할 수 있으며, 서로 동일한 색 온도 또는 서로 다른 색 온도의 광을 발광할 수 있다. 상기 제1,2발광 소자(32,33)의 색 온도는 2500K 내지 12000K의 색 온도 범위를 가질 수 있다.The first circuit board 31 may be disposed lower than the upper surfaces of the first and second side walls 5C and 5D. The thickness of the first circuit board 31 may be smaller than the height of the first and second sidewalls 5C and 5D or the depth of the first bottom 5. The first light emitting device 32 of the first light emitting unit 30 includes an LED that emits light for high beam and the second light emitting device 33 may include an LED that emits light for low beam. The first and second light emitting devices 32 and 33 emit light of the same color or light of different colors. The first and second light emitting devices 32 and 33 emit light of white light and emit light of the same color temperature or different color temperature. The color temperature of the first and second light emitting devices 32 and 33 may have a color temperature range of 2500K to 12000K.

도 6, 도 9 및 도 10을 참조하면, 상기 제2발광부(40)는, 제2회로 기판(41), 상기 제2회로 기판(41)에 제3,4 발광 소자(42,43), 및 상기 제2회로 기판(41) 상에 제2렌즈(49)를 포함할 수 있다. 6, 9, and 10, the second light emitting unit 40 includes a second circuit substrate 41, a third and fourth light emitting devices 42 and 43 on the second circuit substrate 41, , And a second lens (49) on the second circuit board (41).

상기 제2회로 기판(41)은 상기 제2리세스(35)의 제2바닥부(6)에 배치되며, 상기 제2바닥부(6)에 접착제 또는 체결부재로 고정될 수 있다. 상기 제2회로 기판(41)은 상기 제3,4측벽(6C,6D)의 상면보다 낮게 배치될 수 있다. 상기 제2회로 기판(41)의 두께는 상기 제3,4측벽(6C,6D)의 높이 또는 제2바닥부(6)의 깊이보다 작을 수 있다. 상기 제1발광부(40)의 제3발광 소자(42)는 하이 빔용 광을 발생하는 LED를 포함하며, 상기 제4발광 소자(43)는 로우 빔용 광을 발생하는 LED를 포함할 수 있다. 상기 제3,4발광 소자(42,43)은 동일한 컬러의 광을 발광하거나 서로 다른 컬러의 광을 발광할 수 있다. 상기 제3,4발광 소자(42,43)는 백색 광의 발광을 발광할 수 있으며, 서로 동일한 색 온도 또는 서로 다른 색 온도의 광을 발광할 수 있다. 상기 제3,4발광 소자(42,43)의 색 온도는 2500K 내지 12000K의 색 온도 범위를 가질 수 있다.The second circuit board 41 is disposed on the second bottom portion 6 of the second recess 35 and may be fixed to the second bottom portion 6 with an adhesive or a fastening member. The second circuit board 41 may be disposed lower than the upper surfaces of the third and fourth side walls 6C and 6D. The thickness of the second circuit board 41 may be smaller than the height of the third and fourth side walls 6C and 6D or the depth of the second bottom portion 6. The third light emitting device 42 of the first light emitting unit 40 may include an LED for generating high beam light and the fourth light emitting device 43 may include an LED for generating low beam light. The third and fourth light emitting devices 42 and 43 may emit light of the same color or emit light of different colors. The third and fourth light emitting devices 42 and 43 may emit light of white light and emit light of the same color temperature or different color temperature. The color temperature of the third and fourth light emitting devices 42 and 43 may have a color temperature range of 2500K to 12000K.

상기 제1,2회로 기판(31,41)은 회로 패턴이 인쇄된 보드를 포함하며, 예를 들어, 수지 계열의 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, FR-4 기판을 포함할 수 있다. 상기 제1,2회로 기판(31,41)은 연성 또는 비연성 기판을 포함할 수 있다. 상기 제1,2회로 기판(31,41)은 방열을 위해 하부에 방열 플레이트 또는 방열 패드를 갖는 보드일 수 있다. 상기 제1,2회로 기판(31,41)의 두께는 0.7mm 이하 예컨대, 0.6mm±0.1mm의 범위일 수 있다. 상기 제1,2회로 기판(31,41)의 두께가 상기 범위보다 작은 경우, 방열 효율이 저하될 수 있고 상기 범위보다 두껍게 배치된 경우, 상기 발광 소자(32,33,42,43)의 발광 면 간의 간격이 더 멀어지게 되어 광도를 저하시킬 수 있고, 초점 위치가 달라지는 문제가 있다. The first and second circuit boards 31 and 41 include boards on which circuit patterns are printed. For example, the first and second circuit boards 31 and 41 may be resin-based printed circuit boards (PCBs), metal core PCBs, A flexible PCB, a ceramic PCB, and an FR-4 substrate. The first and second circuit boards 31 and 41 may include a flexible or non-flexible board. The first and second circuit boards 31 and 41 may be a board having a heat dissipation plate or a heat dissipation pad at the bottom for dissipating heat. The thickness of the first and second circuit boards 31 and 41 may be 0.7 mm or less, for example, 0.6 mm ± 0.1 mm. If the thickness of the first and second circuit boards 31 and 41 is smaller than the above range, heat radiation efficiency may be lowered. If the first and second circuit boards 31 and 41 are thicker than the above range, There is a problem that the distance between the surfaces becomes farther away, the lightness can be lowered, and the focus position changes.

도 10에서, 제1,2발광부(30,40)의 회로 기판(31,41) 사이의 간격(D7)은 상기 외곽부(23A,23B)의 두께(T1)보다 작게 배치될 수 있으며, 예컨대 3mm 이하 또는 1.8mm 내지 3mm의 범위로 배치될 수 있다. 이에 따라 리세스(25,26)의 내부 두께(D6)와 회로 기판(31,41)의 방열 두께를 확보할 수 있다.10, the distance D7 between the circuit boards 31 and 41 of the first and second light emitting units 30 and 40 may be smaller than the thickness T1 of the outer frame units 23A and 23B, For example, 3 mm or less or 1.8 mm to 3 mm. The inner thickness D6 of the recesses 25 and 26 and the heat dissipation thickness of the circuit boards 31 and 41 can be secured.

상기 발광 소자(32,33,42,43)는 발광 칩 예컨대, 발광 다이오드(LED) 칩(이하, 발광 칩이라 함)이거나, 상기 발광 칩이 패키징된 패키지를 포함할 수 있다. 상기 발광 칩은 자외선, 청색, 적색, 녹색, 자외선(UV), 적외선 중 적어도 하나를 발광할 수 있다. 상기 발광 소자(32,33,42,43)는 탑뷰 또는 사이드 뷰 타입일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 다른 예로서, 상기 발광 소자(32,33,42,43)는 발광 칩이 예컨대, COB(chip on board) 타입으로 구현될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(32,33,42,43)는 발광 칩에 접촉되거나 이격되는 형광체를 포함할 수 있다. 상기 형광체는 수지 부재이거나 필름 형태로 제공되어, 상기 발광 칩으로부터 방출된 일부 광의 파장을 변환하게 된다. 상기 형광체는 황색, 녹색, 적색 및 청색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The light emitting devices 32, 33, 42 and 43 may be light emitting chips, for example, light emitting diode (LED) chips (hereinafter referred to as light emitting chips), or packages in which the light emitting chips are packaged. The light emitting chip may emit at least one of ultraviolet light, blue light, red light, green light, ultraviolet light (UV), and infrared light. The light emitting devices 32, 33, 42, and 43 may be of a top view type or a side view type, but the present invention is not limited thereto. As another example, the light emitting devices 32, 33, 42, and 43 may be implemented as a chip on board (COB) type of light emitting chip, but the present invention is not limited thereto. The light emitting devices 32, 33, 42, and 43 may include a phosphor that is in contact with or spaced from the light emitting chip. The phosphor may be a resin member or provided in the form of a film to convert the wavelength of some light emitted from the light emitting chip. The phosphor may include at least one of yellow, green, red and blue phosphors.

상기 제1발광 소자(32)는 하나 이상의 LED를 포함하며, m×n 어레이될 수 있으며, 상기 m, n은 1이상일 수 있으며, m≥n일 수 있다. 상기 제2발광 소자(33)는 하나 이상의 LED를 포함하며, o×p 어레이될 수 있으며, 상기 o,p는 1이상일 수 있으며, o≥p의 관계를 가질 수 있다. 상기 제3발광 소자(42)는 하나 이상의 LED를 포함하며, q×r 어레이될 수 있으며, 상기 q, r은 1이상일 수 있으며, q≥r의 관계를 가질 수 있다. 상기 제4발광 소자(44)는 하나 이상의 LED를 포함하며, v×w 어레이될 수 있으며, 상기 v, w은 1이상일 수 있으며, v≥w의 관계를 가질 수 있다. 상기 m,o,q,v이 2이상인 경우, 이들의 어레이 방향은 수평 방향, 상기 본체의 길이 방향, 또는 상기 하우징(92)의 개구부 방향일 수 있다. 상기 n,p,r,w이 2이상인 경우, 이들의 어레이 방향은 수직 방향, 상기 본체의 너비 방향, 또는 상기 하우징(90)의 내측면 방향일 수 있다.The first light emitting device 32 may include one or more LEDs and may be arrayed m × n, where m, n may be one or more, and m≥n. The second light emitting device 33 may include one or more LEDs, and may be arrayed by o x p, where o, p may be one or more, and may have a relationship o o p. The third light emitting device 42 may include one or more LEDs and may be arrayed by q × r, where q, r may be one or more, and may have a relationship of q≥r. The fourth light emitting device 44 may include one or more LEDs and may be arrayed v x w, where v, w may be one or more, and may have a relationship of v? W. When m, o, q, v are two or more, the array direction thereof may be a horizontal direction, a longitudinal direction of the main body, or an opening direction of the housing 92. When n, p, r, w are two or more, the array direction thereof may be a vertical direction, a width direction of the main body, or an inner side direction of the housing 90.

상기 제1,3발광 소자(32,42)의 개수는 서로 동일할 수 있다. 상기 제2,4발광 소자(33,43)의 개수는 서로 동일할 수 있다. 상기 제1,2발광 소자(32,42)의 개수는 서로 동일하거나 다를 수 있다. 상기 제3,4발광 소자(33,43)의 개수는 서로 동일하거나 다를 수 있다. 상기 제1,3발광 소자(32,42)는 상기 제2,4발광 소자(33,43)보다 상기 베이스부(21)에 더 인접하게 배치될 수 있다. 상기 제2,4발광 소자(33,43)는 상기 제1,3발광 소자(32,42)보다 지지부(23)의 출사측 단부(23E)에 더 인접하게 배치될 수 있다. 반대로, 상기 제2,4발광 소자는 상기 제1,3발광 소자보다 상기 베이스부(21)에 더 인접하게 배치될 수 있다. 상기 제1,3발광 소자(32,42)는 상기 제2,4발광 소자(33,43)보다 베이스부(21)에 더 인접하게 배치될 수 있다. The number of the first and third light emitting devices 32 and 42 may be equal to each other. The number of the second and fourth light emitting devices 33 and 43 may be equal to each other. The number of the first and second light emitting devices 32 and 42 may be the same or different from each other. The number of the third and fourth light emitting devices 33 and 43 may be equal to or different from each other. The first and third light emitting devices 32 and 42 may be disposed closer to the base unit 21 than the second and fourth light emitting devices 33 and 43. The second and fourth light emitting devices 33 and 43 may be disposed closer to the emission side end 23E of the support 23 than the first and third light emitting devices 32 and 42. On the contrary, the second and fourth light emitting devices may be disposed closer to the base unit 21 than the first and third light emitting devices. The first and third light emitting devices 32 and 42 may be disposed closer to the base 21 than the second and fourth light emitting devices 33 and 43.

상기 제1발광 소자(32)의 어레이 중심을 연결한 직선은 상기 제2발광 소자(33)의 어레이의 중심을 연결한 직선과 다른 선상에 배치될 수 있으며, 예컨대 상기 제1발광 소자(32)의 어레이 중심을 연결한 직선이 상기 상기 제2발광 소자(33)의 어레이 중심을 연결한 직선보다 하부에 배치될 수 있다. 상기 제3발광 소자(42)의 어레이 중심을 연결한 직선은 상기 제4발광 소자(43)의 어레이의 중심을 연결한 직선과 다른 선상에 배치될 수 있으며, 예컨대 상기 제3발광 소자(42)의 어레이 중심을 연결한 직선이 상기 상기 제4발광 소자(43)의 어레이 중심을 연결한 직선보다 하부에 배치될 수 있다. The straight line connecting the center of the array of the first light emitting devices 32 may be disposed on a line different from a straight line connecting the centers of the arrays of the second light emitting devices 33. For example, A straight line connecting the centers of the arrays of the second light emitting devices 33 may be disposed below the straight line connecting the center of the array of the second light emitting devices 33. The straight line connecting the center of the array of the third light emitting devices 42 may be disposed on a line different from a straight line connecting the centers of the arrays of the fourth light emitting devices 43. For example, May be arranged below the straight line connecting the center of the array of the fourth light emitting device (43).

도 8, 도 9 및 도 11과 같이, 상기 제1발광부(30)는 제1반사 컵(36)을 포함하며, 상기 제1반사 컵(36)은 상부가 개방되며 상기 제2발광 소자(33)의 하부 외측을 감싸게 배치될 수 있다. 상기 제1반사 컵(36)은 상기 제2발광 소자(33)의 하부 영역을 감싸고 상부 영역을 개방하여, 상기 제2발광 소자(33)로부터 방출된 광이 하 방향으로 진행되는 것을 방지하도록 반사할 수 있다. 상기 제2발광부(40)는 제2반사 컵(46)을 포함하며, 상기 제2반사 컵(46)은 상부가 개방되며 상기 제4발광 소자(43)의 하부 외측을 감싸게 배치될 수 있다. 상기 제2반사 컵(46)은 상기 제4발광 소자(43)의 하부 영역을 감싸는 형태로 개방되며, 상기 제4발광 소자(43)로부터 방출된 광이 하 방향으로 진행되는 것을 방지하도록 반사할 수 있다. 상기 제1,2반사 컵(36,46)은 내측은 오목한 곡면이거나 각면 및 곡면이 혼합된 면을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 여기서, 상기 제1,2반사 컵(36,46)은 상기 제2,4발광 소자(33,43)의 광축 예컨대, Z축 방향의 직선보다 아래에 배치되고, 상기 제2,4발광 소자(33,43)의 방출 광 중에서 하 방향으로 진행하는 광을 반사시켜 줄 수 있다. 이러한 제1,2반사 컵(36,46)은 상기 제2,4발광 소자(33,43)로부터 방출된 광이 로우 빔용 광으로 조사될 수 있도록 하부 영역을 커버하게 된다. 상기 제1,2반사 컵(36,36)은 상기 제1,2회로 기판(31,41)로부터 일체로 연장되거나 별도로 부착될 수 있다. 8, 9 and 11, the first light emitting portion 30 includes a first reflective cup 36, the first reflective cup 36 is open at the top, 33, respectively. The first reflective cup 36 surrounds the lower region of the second light emitting device 33 and opens the upper region to prevent the light emitted from the second light emitting device 33 from traveling in the downward direction. can do. The second light emitting part 40 may include a second reflective cup 46 and the second reflective cup 46 may be disposed such that the upper part thereof is opened and the lower outer side of the fourth light emitting device 43 is surrounded . The second reflective cup 46 is opened to surround the lower region of the fourth light emitting device 43 and is reflected to prevent the light emitted from the fourth light emitting device 43 from traveling downward . The first and second reflective cups 36 and 46 may have a concave curved surface on the inner side or a surface having mixed curved surfaces, but the present invention is not limited thereto. The first and second reflecting cups 36 and 46 are disposed below the optical axis of the second and fourth light emitting devices 33 and 43, for example, below the straight line in the Z axis direction, 33, and 43, the light can be reflected in the downward direction. The first and second reflective cups 36 and 46 cover the lower region so that the light emitted from the second and fourth light emitting devices 33 and 43 can be irradiated with the light for low beam. The first and second reflective cups 36 and 36 may be integrally extended from the first and second circuit boards 31 and 41 or separately attached thereto.

도 11을 참조하면, 상기 제1,2반사 컵(36,46)은 제1,2렌즈(39,49)의 내부 곡면(R2)으로부터 소정 간격(G1)으로 이격될 수 있다. 상기 제1,2반사 컵(36,46)의 높이 예컨대, Z축 방향의 높이(G2)는 상기 회로 기판(31,41)의 표면으로부터 6mm 이하 예컨대, 3mm 내지 6mm의 범위를 포함할 수 있다. 상기 제1,2반사 컵(36,36)의 높이(G2)가 상기 범위보다 크면 렌즈(39,49)에 접촉되어, 광의 균일한 분포 제어가 어렵고 상기 범위보다 작으면 로우 빔의 광도가 저하될 수 있다. 상기 제1,2반사 컵(36,46)은 상기 지지부(21)의 재질과 같은 재질이거나 다른 재질일 수 있으며, 예컨대 금속 재질을 포함할 수 있다. 상기 제1,2반사 컵(36,46)은 수지 또는 플라스틱과 같은 비 금속 재질을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 11, the first and second reflective cups 36 and 46 may be separated from the inner curved surface R2 of the first and second lenses 39 and 49 by a predetermined gap G1. The height G2 of the first and second reflective cups 36 and 46, for example, in the Z-axis direction may include a range of 6 mm or less, for example, 3 mm to 6 mm from the surface of the circuit boards 31 and 41 . If the height G2 of the first and second reflective cups 36 and 36 is larger than the above range, it is difficult to control the uniform distribution of light by contacting the lenses 39 and 49. If the height G2 is smaller than the above range, . The first and second reflective cups 36 and 46 may be made of the same material as that of the support part 21 or may be made of another material such as a metal material. The first and second reflective cups 36 and 46 may include a non-metallic material such as resin or plastic.

실시 예에 따른 광원 모듈은 렌즈(39,49)를 포함할 수 있다. 실시 예에 따른 발광부(30,40)는 상기 렌즈(39,49)를 포함할 수 있다. 상기 렌즈(39,49)는 상기 제1발광부(30)의 출사 측에 배치된 제1렌즈(39)와, 상기 제2발광부(40)의 출사 측에 배치된 제2렌즈(49)를 포함할 수 있다. 상기 제1렌즈(39)의 초점 위치와 상기 제2렌즈(49)의 초점 위치는 서로 이격되어, LED 광원을 갖는 헤드 램프에 최적화시켜 줄 수 있다. 실시 예에 따른 렌즈(39,49)는 도 10 및 도 11과 같이, 상기 제1,2렌즈(39,49)는 상기 제1,2리세스(25,26)의 상부를 커버하고 상기 발광 소자(32,33,42,43)로부터 방출된 광을 굴절시켜 출사할 수 있다. 상기 제1,2렌즈(39,49)는 Y축 방향으로 기준으로 Z축 방향으로 볼록한 곡면을 포함할 수 있다. 상기 제1,2렌즈(39,49)는 Z축 방향으로 오목한 내부 곡면(R2) 및 Z축 방향으로 볼록한 외부 곡면(R1)을 포함할 수 있다. 상기 렌즈(39,49)는 유리 재질이거나, 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질이거나, 투명한 플라스틱 재질을 포함할 수 있다. 상기 렌즈(39,49)는 굴절률이 1.5±0.2의 범위를 포함할 수 있다. 상기 제1,2렌즈(39,49)는 볼록 메니커즈(Meniscus) 렌즈 형상을 포함할 수 있다. The light source module according to the embodiment may include lenses 39 and 49. [ The light emitting units 30 and 40 according to the embodiment may include the lenses 39 and 49. The lenses 39 and 49 include a first lens 39 disposed on the emission side of the first light emitting unit 30 and a second lens 49 disposed on the emission side of the second light emitting unit 40. [ . &Lt; / RTI &gt; The focus position of the first lens 39 and the focus position of the second lens 49 may be spaced apart from each other and optimized for a head lamp having an LED light source. 10 and 11, the first and second lenses 39 and 49 cover the upper portions of the first and second recesses 25 and 26, The light emitted from the elements 32, 33, 42, and 43 can be refracted and emitted. The first and second lenses 39 and 49 may include curved surfaces convex in the Z-axis direction with reference to the Y-axis direction. The first and second lenses 39 and 49 may include an inner curved surface R2 concave in the Z-axis direction and an outer curved surface R1 convex in the Z-axis direction. The lenses 39 and 49 may be made of a glass material, a resin material such as silicone or epoxy, or a transparent plastic material. The lenses 39 and 49 may have a refractive index in the range of 1.5 + - 0.2. The first and second lenses 39 and 49 may include a convex meniscus lens shape.

도 10, 도 11 및 도 13과 같이, 상기 렌즈(39,49)의 외부 곡면(R1)은 양의 곡률을 갖고 상기 내부 곡면(R2)은 음의 곡률을 가질 수 있다. 상기 외부 곡면(R1)의 곡률 반경은 8.6mm 이상 예컨대, 8.6mm 내지 10.30mm의 범위를 포함할 수 있다. 상기 내부 곡면(R2)의 곡률 반경은 8mm 이상 예컨대, 8.6mm 내지 10.30mm의 범위를 가질 수 있다. 상기 렌즈(39,49)의 외부 곡면(R1)과 내부 곡면(R2)은 서로 동일한 곡률 반경 또는 서로 다른 곡률 반경을 가질 수 있으며, 예컨대 R1≥R2의 관계를 가질 수 있다. 상기 렌즈(39,49)의 외부 곡면(R1)과 내부 곡면(R2)은 센터 영역의 두께(d)와 초점 위치에 따라 상기 곡률 반경 내에서 선택될 수 있다. 상기 렌즈(39,49)의 외부 곡면(R1)은 상기 지지부(23)의 외부 표면보다 돌출되지 않을 수 있다. As shown in FIGS. 10, 11 and 13, the outer curved surface R1 of the lenses 39 and 49 may have a positive curvature and the inner curved surface R2 may have a negative curvature. The radius of curvature of the outer curved surface R1 may range from 8.6 mm or more, for example, 8.6 mm to 10.30 mm. The radius of curvature of the inner curved surface R2 may have a range of 8 mm or more, for example, 8.6 mm to 10.30 mm. The outer curved surface R1 and the inner curved surface R2 of the lenses 39 and 49 may have the same radius of curvature or different radii of curvature and may have a relationship of R1? R2, for example. The outer curved surface R1 and the inner curved surface R2 of the lenses 39 and 49 can be selected within the radius of curvature according to the thickness d of the center area and the focal position. The outer curved surface R1 of the lenses 39 and 49 may not protrude from the outer surface of the support portion 23. [

상기 제1,2렌즈(39,49)는 센터 영역의 두께(d)가 Y축 방향의 주변 가장 자리에 비해 더 두꺼운 형태를 포함할 수 있다. 상기 제1,2렌즈(39,49)는 센터 영역의 두께(d)가 X,Y축 방향의 주변 가장 자리에 비해 더 두꺼운 형태를 포함할 수 있다. 상기 제1,2렌즈(39,49)는 센터 영역은 상기 발광 소자(32,33,42,43)과 Z축 방향으로 중첩된 영역일 수 있다. 상기 제1,2렌즈(39,49)는 센터 영역의 두께(d)가 가장 두껍고, 상기 제1,2리세스(25,26)의 측벽(5C,5D,6C,6D)에 인접할수록 점차 얇은 두께(예: B4)로 형성될 수 있다. 도 12와 같이, 제1,2렌즈(39,49)는 X축 방향으로 일정한 두께로 배치될 수 있다. 상기 X축 방향의 렌즈(39,49)의 에지 부분이 지지부(23)의 오목부(미도시) 상으로 돌출되어, 접착제나 나사와 같은 부재로 고정될 수 있다.The first and second lenses 39 and 49 may have a shape in which the thickness d of the center region is thicker than the peripheral edge in the Y-axis direction. The first and second lenses 39 and 49 may include a shape in which the thickness d of the center region is thicker than the peripheral edge in the X and Y axis directions. The center area of the first and second lenses 39 and 49 may be an area overlapped with the light emitting devices 32, 33, 42, and 43 in the Z axis direction. The first and second lenses 39 and 49 have the largest thickness d of the center region and gradually become closer to the side walls 5C, 5D, 6C and 6D of the first and second recesses 25 and 26 And may be formed to have a thin thickness (e.g., B4). As shown in FIG. 12, the first and second lenses 39 and 49 may be arranged to have a constant thickness in the X-axis direction. The edge portions of the lenses 39 and 49 in the X-axis direction protrude above the recesses (not shown) of the support portion 23 and can be fixed with a member such as an adhesive or a screw.

도 10 내지 도 12와 같이, 상기 제1,2렌즈(39,49)의 내부 곡면(R2)은 상기 제1,2리세스(25,26)의 측벽(5C,5D,6C,6D)과 측면(5A,5B,6A,6B)으로 연장되며, 그 외측면(도 13의 R3,R4,R5,R6)이 접착제(69) 또는 다른 고정 부재로 고정될 수 있다. 상기 접착제(69)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질을 포함할 수 있다. 상기 제1,2렌즈(39,49)의 적어도 외곽부는 지지부(23) 상에 나사와 같은 체결 부재로 체결될 수 있다. 10 to 12, the inner curved surface R2 of the first and second lenses 39 and 49 is curved along the side walls 5C, 5D, 6C and 6D of the first and second recesses 25 and 26, R3, R4, R5, and R6 of Fig. 13) may be fixed with the adhesive 69 or other fixing member. In this case, the side surfaces 5A, 5B, 6A, The adhesive 69 may comprise a resin material such as silicone or epoxy. At least an outer portion of the first and second lenses 39 and 49 may be fastened with a fastening member such as a screw on the support portion 23.

상기 제1,2렌즈(39,49)의 바닥면(R3,R4)은 상기 측벽(5C,5D,6C,6D) 상에 접착되는 데, 이 경우 상기 제1,2렌즈(39,49)의 바닥면(R3,R4)의 너비 예컨대, Y축 방향의 두께(B4)는 상기 측벽(5C,5D,6C,6D)의 너비(D4)보다 작을 수 있다. 상기 제1,2렌즈(39,49)의 바닥면(R3,R4)에서 상기 Y축 방향의 두께(B4)는 최소 두께로서, 상기 너비(D4)의 1/2 이하일 수 있으며, 예컨대 1/2 내지 1/4 범위로 배치될 수 있다. 상기 최소 두께(B4)는 1.5mm 이하 예컨대, 0.8mm 내지 1.5mm 범위일 수 있다. The bottom surfaces R3 and R4 of the first and second lenses 39 and 49 are adhered to the side walls 5C and 5D and 6C and 6D. The width B4 of the bottom faces R3 and R4 in the Y axis direction may be smaller than the width D4 of the side walls 5C, 5D, 6C and 6D. The thickness B4 in the Y axis direction on the bottom surfaces R3 and R4 of the first and second lenses 39 and 49 may be a minimum thickness and may be 1/2 or less of the width D4, 2 to 1/4. The minimum thickness B4 may be in the range of 1.5 mm or less, for example, 0.8 mm to 1.5 mm.

상기 제1,2렌즈(39,49)는 바닥면(R3,R4) 방향에 인접할수록 두께를 점차 얇게 제공하여, 출사 광량의 편차를 줄여줄 수 있다. 상기 제1,2렌즈(39,49)의 바닥면(R3,R4)은 상기 측벽(5C,5D,6C,6D)의 외측 즉, 상측 또는 하측에 배치되어, 상기 측벽(5C,5D,6C,6D)의 내측이 노출될 수 있다. 상기 제1,2렌즈(39,49)의 외부 곡면(R2)은 상기 지지부(23)의 외곽부(23A)의 곡면으로부터 연장될 수 있다. 상기 제1,2렌즈(39,49)의 외부 곡면(R2)은 상기 지지부(23)의 표면과 동일한 면이거나 상기 지지부(23)의 표면보다 외측으로 돌출되지 않게 배치될 수 있다. The first and second lenses 39 and 49 may be provided with a gradually thinner thickness in a direction closer to the bottom surfaces R3 and R4 so that the deviation of the amount of emitted light can be reduced. The bottom surfaces R3 and R4 of the first and second lenses 39 and 49 are disposed on the outer sides of the side walls 5C and 5D and the side walls 5C and 6D, , 6D can be exposed. The outer curved surface R2 of the first and second lenses 39 and 49 may extend from the curved surface of the outer frame portion 23A of the support portion 23. [ The outer curved surface R2 of the first and second lenses 39 and 49 may be disposed on the same surface as the surface of the support portion 23 or may not protrude outward beyond the surface of the support portion 23. [

도 10 및 도 14와 같이, 상기 제1,2렌즈(39,49)에서 Z축 방향의 높이(B2)는 Y축 방향의 길이(B1)의 1/2 이하 예컨대, 9mm 이하이거나 7mm 내지 9mm의 범위를 가질 수 있다. 상기 제1,2렌즈(39,49)의 Y축 방향의 길이(B1)는 지지부(23)의 너비(D1) 또는 직경과 같거나 작을 수 있으며, B1은 D1의 0.90 내지 0.99의 범위로 배치될 수 있다. 상기 제1,2렌즈(39,49)의 Y축 방향의 길이(B1)는 17mm 이상 예컨대, 17mm 내지 19mm의 범위 또는 17mm 내지 32mm의 범위일 수 있다. 도 14와 같이, 상기 제1,2렌즈(39,49)는 X축 방향의 최대 길이(B3)는 바닥면(R3,R4)의 길이(B11) 또는 최소 길이보다 클 수 있다. 상기 제1,2렌즈(39,49)는 상기 X축 방향의 최대 길이(B3)가 길이(B11)의 1.5배 이상 예컨대, 1.5내지 1.9배의 범위로 배치될 수 있으며, 30mm 이상 예컨대, 30mm 내지 40mm의 범위일 수 있다. 이러한 제1,2렌즈(39,49)의 X축 방향의 길이(B3,B11)는 상기 제1,2리세스(25,26)의 사이즈에 따라 달라질 수 있다. 10 and 14, the height B2 of the first and second lenses 39 and 49 in the Z-axis direction is 1/2 or less of the length B1 in the Y-axis direction, for example, 9 mm or less, . &Lt; / RTI &gt; The length B1 in the Y axis direction of the first and second lenses 39 and 49 may be equal to or less than the width D1 or diameter of the support portion 23 and B1 may be arranged in a range of 0.90 to 0.99 of D1 . The length B1 in the Y-axis direction of the first and second lenses 39 and 49 may be in a range of 17 mm or more, for example, 17 mm to 19 mm, or 17 mm to 32 mm. As shown in FIG. 14, the maximum length B3 of the first and second lenses 39 and 49 in the X-axis direction may be greater than the length B11 of the bottom surfaces R3 and R4 or the minimum length. The maximum length B3 of the first and second lenses 39 and 49 in the X-axis direction may be set to be 1.5 times or more, for example, 1.5 to 1.9 times the length B11, and may be 30 mm or more, To 40 mm. The lengths B3 and B11 of the first and second lenses 39 and 49 in the X-axis direction may vary depending on the sizes of the first and second recesses 25 and 26. [

이러한 광원 모듈(10)은 도 15와 같이, 본체(20) 및 발광부(30,40)를 포함하여 구현될 수 있으며, 수직한 축 방향에 대해 소정 각도(θ1)로 틸트되어 배치될 수 있으며, 이러한 각도(θ1)는 30도 이하일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 이러한 광원 모듈(10)을 통해 방출된 광은 하우징(92)의 내부 표면(92A)에 의해 반사되어, 전 방향 또는 차량 주행 방향으로 조사될 수 있다. 15, the light source module 10 may include the main body 20 and the light emitting units 30 and 40. The light source module 10 may be tilted at a predetermined angle? 1 with respect to the vertical axis direction , This angle [theta] 1 may be 30 degrees or less and is not limited thereto. The light emitted through the light source module 10 can be reflected by the inner surface 92A of the housing 92 and irradiated in the forward or vehicle running direction.

실시 예에 따른 헤드 램프는 LED 광원을 비교 예의 헤드 램프의 필라멘트 광원의 대체하여 적용할 수 있다. 여기서, 비교 예의 헤드 램프는 필라멘트 광원로부터 조사되는 선 광원에 최적화되고 있으나, 필라멘트의 지름 또는 직경은 약 1mm 정도로서, 비교 예의 헤드 램프의 초점은 필라멘트 광원의 위치 또는 필라멘트의 부근에 위치하게 된다. 여기서, 헤드 램프는 H4 밸브를 포함할 수 있다. 이러한 비교 예의 헤드 램프에 LED 광원 즉, 발광 소자(예: 32,33,42,43)을 대체한 경우, 도 16과 같이 렌즈를 사용하지 않으면 하우징의 초점 위치(P1)는 본체의 지지부(23)의 중심 위치에 맺히게 된다. 그러나, 도 16의 LED 광원를 사용한 경우, LED 광원 즉, 발광 소자 (32,33,42,43)의 발광 면(A1,A2) 간의 간격(도 10의 D8)은 1.5mm를 초과하게 되며, 예컨대 3mm 이상 또는 3mm 내지 4mm의 범위일 수 있다. 이러한 발광 소자(32,33,42,43)의 발광 면(A1,A2)의 간격이 더 넓어질 경우 발광 소자(32,33,42,43)으로부터 방출된 광이 상기 하우징(92)의 내부 표면(92A)에 의해 반사되고 전방향으로 출사되더라도, 광도가 저하되는 문제가 발생될 수 있다. 즉, 서로 반대측 발광 소자(32,33)(42,43) 간의 초점 위치가 멀어짐으로써, 광의 분산 범위가 커지게 되어 광도 저하가 발생된다. 이를 위해, 서로 반대측 발광 소자(32,33,42,43)의 발광 면(A1,A2) 간의 간격을 더 좁게 하기 위해, 발광 면(A1,A2) 사이의 구성 요소들의 두께를 줄여야 하는 문제가 발생될 수 있다. 예컨대 상기 발광 소자(32,33,42,43)의 발광 면 간의 간격을 줄이기 위해, 회로 기판(31,41)의 두께를 얇게 할 경우, 상기 회로 기판의 방열 능력이 저하되어, 발광 소자의 광도 편차가 발생되거나, 방열 신뢰성이 저하될 수 있다. 또한 지지부(23)의 내부(23C) 두께(D6)를 더 줄일 경우, 지지부(23)의 내부(23C) 강성이 저하될 수 있고 방열 측면에서 효율이 저하될 수 있다. 따라서, 발광 면 간의 간격이 좁아지면 필라멘트의 직경과 유사하여 헤드 램프의 광도는 올라갈 수 있으나, 회로 기판의 두께나 지지부의 내부 두께의 줄임에 따른 냉각 성능의 문제나 광도 저하의 문제가 야기될 수 있다.The head lamp according to the embodiment can be applied by replacing the LED light source with the filament light source of the head lamp of the comparative example. Here, the head lamp of the comparative example is optimized for the linear light source irradiated from the filament light source, but the diameter or diameter of the filament is about 1 mm, so that the focus of the head lamp of the comparative example is located near the filament light source or the filament. Here, the headlamp may include an H4 valve. In the case of replacing the LED light source, that is, the light emitting element (for example, 32, 33, 42, 43) with the head lamp of this comparative example, the focus position P1 of the housing is set to the support portion 23 As shown in FIG. However, when the LED light source of Fig. 16 is used, the interval (D8 in Fig. 10) between the light emitting surfaces A1 and A2 of the LED light sources, i.e., the light emitting elements 32, 33, 3 mm or 3 mm to 4 mm. The light emitted from the light emitting elements 32, 33, 42, and 43 is emitted to the inside of the housing 92 when the distance between the light emitting surfaces A1 and A2 of the light emitting elements 32, 33, Even if the light is reflected by the surface 92A and emitted in all directions, there may be a problem that the light intensity is lowered. That is, as the focus position between the light emitting elements 32, 33 (42, 43) on the opposite sides is distant from each other, the range of dispersion of light becomes large, and the light intensity decreases. To this end, the problem of reducing the thickness of the components between the light-emitting surfaces A1 and A2 in order to narrow the gap between the light-emitting surfaces A1 and A2 of the light-emitting elements 32, 33, Lt; / RTI &gt; For example, when the thickness of the circuit boards 31 and 41 is reduced in order to reduce the distance between the light emitting surfaces of the light emitting devices 32, 33, 42 and 43, the heat radiation capability of the circuit board is lowered, A deviation may be generated, or the heat radiation reliability may be deteriorated. Further, if the thickness D6 of the inner portion 23C of the support portion 23 is further reduced, the rigidity of the inner portion 23C of the support portion 23 may be lowered and the efficiency may be lowered on the heat radiation side. Therefore, if the distance between the light-emitting surfaces is narrowed, the light intensity of the head lamp can be increased, which is similar to the diameter of the filament. However, the thickness of the circuit board and the internal thickness of the support portion may be reduced, have.

실시 예는 발광 소자(32,33,42,43) 상에 렌즈(39,49)를 배치하여, 하우징(92)의 초점 위치를 이동시켜 주어, 광학적으로 발광 면간의 간격을 좁혀 줄 수 있고 회로 기판(31,41)의 방열 저하를 방지할 수 있으며 광도를 개선시켜 줄 수 있다. 실시 예는 도 16과 같이 렌즈가 없는 경우 서로 동일한 하우징의 초점(P1)이 도 17과 같이 서로 다른 하우징(92)의 초점(P2,P3)으로 이동시켜 줄 수 있다. 도 18의 (a)는 렌즈가 없는 경우 하우징(92)의 초점(P1)이 렌즈(39,49)가 있는 경우 하우징의 초점(P2)이 소정 거리로 이동됨을 알 수 있다. In the embodiment, the lenses 39 and 49 are disposed on the light emitting devices 32, 33, 42 and 43 to move the focus position of the housing 92 to optically narrow the gap between the light emitting surfaces, The heat dissipation of the substrates 31 and 41 can be prevented from lowering and the brightness can be improved. 16, the focus P1 of the same housing can be moved to the focal points P2 and P3 of the different housings 92 as shown in FIG. 18A shows that the focus P2 of the housing is moved by a predetermined distance when the focus P1 of the housing 92 is in the absence of the lens when the lenses 39 and 49 are present.

상기 렌즈(39,49)의 센터 영역의 두께를 d라 하고, 내부 곡률 반경은 R2라 하고, 초점 이동 거리를 f(단위 mm)로 할 때, 상기 렌즈의 굴절률은 1.5이고, 외부 곡률 반경은 9.50으로 하여, 센터 영역의 두께(d)와 초점 이동 거리(f)의 관계는 표 1 및 도 23의 그래프와 같다. 여기서의 초점 이동 거리(f)는 한쪽 발광부에서의 이동 거리로서, 하우징(92) 내에서의 초점 이동 거리는 f×2로 계산될 수 있다. The refractive index of the lens is 1.5 and the outer radius of curvature is 1.5 mm when the thickness of the center region of the lenses 39 and 49 is d, the inner radius of curvature is R2, 9.50, and the relationship between the thickness d of the center region and the focus moving distance f is shown in the graphs of Table 1 and Fig. Here, the focal length moving distance f is a moving distance in one light emitting portion, and the focal length moving distance in the housing 92 can be calculated as f x 2.

표 1 및 도 23의 그래프와 같이, 상기 두께(d)가 1mm부터 4.5mm로 두꺼워지고 내부 곡면의 곡률 반경(R2)이 8.52mm부터 12.32mm로 커질 때, 상기 초점 이동 거리(f)는 0.01mm부터 1.15mm로 이동될 수 있다. When the thickness d is increased from 1 mm to 4.5 mm and the curvature radius R2 of the inner curved surface is increased from 8.52 mm to 12.32 mm as shown in Table 1 and Fig. 23, the focal distance f is 0.01 mm to 1.15 mm.

d(mm)d (mm) R2(mm)R2 (mm) f(mm)f (mm) 1.01.0 8.528.52 0.010.01 1.51.5 8.698.69 0.300.30 2.02.0 8.928.92 0.550.55 2.52.5 9.259.25 0.760.76 3.03.0 9.699.69 0.920.92 3.53.5 10.3010.30 1.041.04 4.04.0 11.1411.14 1.111.11 4.54.5 12.3212.32 1.151.15

여기서, 상기 본체(20)의 지지부(23)의 내부(23C) 두께(도 10의 D6)가 0.7mm 내지 0.9mm의 범위일 수 있다. 상기 회로 기판(31,41)의 두께는 0.5mm 내지 0.7mm의 범위일 수 있다. 상기 지지부(23)의 내부(23C) 두께는 상기 회로 기판(31,41)의 두께에 비해 0.1mm 이상 예컨대, 0.1mm 내지 0.3mm의 범위로 두꺼울 수 있다. 상기 발광 소자(32,33,42,43)의 두께는 0.6mm 이상 예컨대, 0.6mm 내지 1mm의 범위를 포함할 수 있다. 상기 헤드 램프에서 발광 소자(32,33,42,43)들의 발광 면(A1,A2) 간의 간격(도 10의 D8)은 3mm 이상 예컨대, 3mm 내지 4mm의 범위 또는 3.2mm 내지 3.8mm의 범위일 수 있다. 이에 따라 상기 렌즈(39,49)에 의한 초점 이동 거리(f)는 0.5mm 이상 예컨대, 0.5mm 내지 1.1mm 이하일 수 있으며, 전체 초점 이동 거리(2×f)는 1mm 내지 2.2mm로 이동될 수 있다. Here, the thickness (D6 in FIG. 10) of the inside 23C of the support portion 23 of the main body 20 may be in the range of 0.7 mm to 0.9 mm. The thickness of the circuit boards 31 and 41 may range from 0.5 mm to 0.7 mm. The thickness of the inner portion 23C of the support portion 23 may be thicker than the thickness of the circuit boards 31 and 41 in the range of 0.1 mm or more, for example, 0.1 mm to 0.3 mm. The thickness of the light emitting devices 32, 33, 42, and 43 may be in a range of 0.6 mm or more, for example, 0.6 mm to 1 mm. The distance (D8 in FIG. 10) between the light emitting surfaces A1 and A2 of the light emitting elements 32, 33, 42 and 43 in the headlamp is in a range of 3 mm or more, for example, 3 mm to 4 mm, or 3.2 mm to 3.8 mm . Accordingly, the focal length f of the lenses 39 and 49 may be 0.5 mm or more, for example, 0.5 mm to 1.1 mm or less, and the total focal length 2 x f can be moved from 1 mm to 2.2 mm. have.

도 17과 같이, 상기 하우징(92)의 초점 위치(P2,P3)는 상기 지지부(23)의 내부 중심보다는 상기 회로 기판(31,41)의 바닥 또는 이에 인접하게 배치될 수 있다. 실시 예는 하우징의 초점 거리를 비교 예의 하우징의 초점 거리보다 더 짧게 제공할 수 있다. 따라서, 렌즈의 초점 이동 거리에 따라 상기 하우징의 초점 위치를 보상하여, LED 광원을 사용하는 하우징의 초점 위치를 변경에 따른 광도 저하를 방지할 수 있다. 예컨대, 발광 소자의 발광 면 간의 물리적인 간격을 100%라 할 때, 광학적인 간격으로 90% 이하 예컨대, 70% 내지 90%의 범위로 초점 위치를 이동시켜 줄 수 있다. 이는 LED 광원의 초점 이동으로 인해 광의 분산 효과를 줄일 수 있고 표 2 및 표 3과 같이, 헤드 램프의 광도를 3% 이상 개선시켜 줄 수 있다.17, the focus positions P2 and P3 of the housing 92 may be disposed at the bottom or the bottom of the circuit board 31 or 41 rather than the inner center of the support 23. Embodiments can provide the focal length of the housing to be shorter than the focal length of the housing of the comparative example. Therefore, it is possible to compensate the focus position of the housing according to the focus shift distance of the lens, thereby preventing a decrease in luminous intensity according to the change of the focus position of the housing using the LED light source. For example, when the physical distance between the light emitting surfaces of the light emitting elements is 100%, the focus position can be shifted to 90% or less, for example, 70% to 90% at an optical interval. This can reduce the dispersion effect of the light due to the focus shift of the LED light source and improve the luminous intensity of the headlamp by more than 3% as shown in Table 2 and Table 3. [

실시 예에 따른 발광부(30,40)에서 렌즈(31,41)의 내부 곡면(R2) 및 외부 곡면(R1) 중 적어도 하나 또는 모두는 무반사(AR: Anti-reflection) 코팅 또는 무반사 코팅 없은 면으로 제공될 수 있다. 상기 무반사 코팅은 반사를 줄이며 광의 투과 효율을 높여줄 수 있으며, 투과하는 파장 예컨대, 400nm 내지 800nm의 파장을 투과율을 증가시켜 주거나, 특정 파장 대역 예컨대, 400nm 내지 600nm의 투과율을 증가시켜 줄 수 있다. 상기 무반사 코팅 재료는, MgF2, SiO2, ZrO2, Al2O3 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. At least one or both of the inner curved surface R2 and the outer curved surface R1 of the lenses 31 and 41 in the light emitting portions 30 and 40 according to the embodiment may be a surface without anti-reflection coating or anti- . &Lt; / RTI &gt; The anti-reflective coating can reduce the reflection and increase the light transmission efficiency, and can increase the transmittance of a transmitted wavelength, for example, a wavelength of 400 nm to 800 nm, or increase the transmittance of a specific wavelength band, for example, 400 nm to 600 nm. The anti-reflective coating material may include at least one of MgF 2 , SiO 2 , ZrO 2 , and Al 2 O 3 .

표 2는 실시 예에 따른 렌즈의 내부 및 외부 곡면에 무반사 코팅을 한 경우의 광도를 비교한 표이며, 표 3은 실시 에에 따른 렌즈의 내부 및 외부 곡면에 무반사 코팅 없이 광도를 비교한 표이다.Table 2 is a table comparing the luminous intensities of the inner and outer curved surfaces of the lens according to the embodiment, and Table 3 compares the luminous intensities of the inner and outer curved surfaces of the lens without anti-reflective coating.

d(mm)d (mm) Hi-BeamHi-Beam Low-BeamLow-Beam 광도(MAX cd)Brightness (MAX cd) 비율(%)ratio(%) 광도(MAX cd)Brightness (MAX cd) 비율(%)ratio(%) (Lens 무)(No lens) 4561145611 100.0100.0 6304063040 100.0100.0 1.01.0 4426544265 97.097.0 6165761657 97.897.8 1.51.5 4684746847 102.7102.7 6365763657 101.0101.0 2.02.0 4828048280 105.9105.9 6588365883 104.5104.5 2.52.5 5044850448 110.6110.6 6715367153 106.5106.5 3.03.0 5161651616 113.2113.2 6798567985 107.8107.8 3.53.5 5301053010 116.2116.2 6830368303 108.3108.3

표 2에서 렌즈가 없는 경우를 100%로 할 때, 무반사 코팅을 갖는 렌즈의 두께 d가 1mm인 경우는 하이 빔 및 로우 빔의 광도가 렌즈가 없는 경우보다 낮으며, 렌즈 두께가 1.5mm 내지 3.5mm까지는 하이 빔 및 로우 빔의 광도가 증가함을 알 수 있다. When the thickness d of the lens having the anti-reflective coating is 1 mm, the luminous intensity of the high beam and the low beam is lower than that of the case without the lens, and the lens thickness is 1.5 mm to 3.5 mm, the luminous intensity of the high beam and the low beam increases.

도 24는 본 발명에서 무반사 코팅 렌즈를 적용할 때, (a) 하이 빔 모드에서의 렌즈 두께(d)와 광도의 비율 관계를 나타낸 그래프이며, (b)는 로우 빔 모드에서의 렌즈 두께(d)와 광도의 비율 관계를 나타낸 그래프이다. FIG. 24 is a graph showing the relation between the lens thickness d and the luminous intensity in the high beam mode when the anti-reflection coating lens is applied in the present invention. FIG. 24 (b) ) And the light intensity.

표 3은 렌즈의 내부 및 외부 곡면에 무반사 코팅이 없는 경우이다. Table 3 shows the case where there is no anti-reflective coating on the inner and outer curved surfaces of the lens.

d(mm)d (mm) Hi-BeamHi-Beam Low-BeamLow-Beam 광도(MAX cd)Brightness (MAX cd) 비율(%)ratio(%) 광도(MAX cd)Brightness (MAX cd) 비율(%)ratio(%) (Lens무)(No lens) 4561145611 100.0100.0 6304063040 100.0100.0 1.01.0 4237042370 92.992.9 5884658846 93.393.3 1.51.5 4486344863 98.498.4 6066460664 96.296.2 2.02.0 4615346153 101.2101.2 6285662856 99.799.7 2.52.5 4814448144 105.6105.6 6404864048 101.6101.6 3.03.0 4936449364 108.2108.2 6473864738 102.7102.7 3.53.5 5069650696 111.1111.1 6505365053 103.2103.2

표 3 및 도 25와 같이, 렌즈가 없는 경우를 광도를 100%로 할 때, 무반사 코팅이 없는 렌즈의 두께 d가 1mm, 1.5mm인 경우는 하이 빔 및 로우 빔의 광도가 렌즈가 없는 경우보다 낮으며, 렌즈 두께가 1.5mm 내지 3.5mm까지는 하이 빔 또는 로우 빔의 광도가 증가함을 알 수 있다. 이는 렌즈의 센터 영역의 두께(d)를 2mm 내지 3.5mm로 한 경우, 하이 빔 및 로우 빔의 광도가 모두 증가됨을 알 수 있다. 도 25는 본 발명에서, 무반사 코팅이 없는 렌즈를 적용할 때, (a) 하이 빔 모드에서의 렌즈 두께(d)와 광도의 비율 관계를 나타낸 그래프이며, (b)는 로우 빔 모드에서의 렌즈 두께(d)와 광도의 비율 관계를 나타낸 그래프이다. As shown in Table 3 and FIG. 25, when the light intensity is 100% in the case of no lens, and the thickness d of the lens having no anti-reflective coating is 1 mm and 1.5 mm, the luminous intensity of the high beam and the low beam And the luminous intensity of the high beam or the low beam is increased up to the lens thickness of 1.5 mm to 3.5 mm. It can be seen that when the thickness d of the center region of the lens is set to 2 mm to 3.5 mm, the luminosity of both the high beam and the low beam is increased. FIG. 25 is a graph showing the relationship between the lens thickness d and the luminous intensity in the high beam mode when a lens having no anti-reflective coating is applied in the present invention. FIG. 25 (b) And the ratio of the thickness (d) to the luminous intensity.

따라서, 상기 렌즈의 센터 영역의 두께(d)는 무반사 코팅이 있는 경우 1.5mm 이상, 무반사 코팅이 없는 경우 2.0mm 이상에서 광도 개선 효과가 있음을 알 수 있다. 또한 하이 빔의 광도가 로우 빔의 광도보다는 더 높게 개선됨을 알 수 있다. Therefore, it can be seen that the thickness d of the center region of the lens has a brightness improvement effect of 1.5 mm or more in the case of the anti-reflective coating and 2.0 mm or more in the absence of the anti-reflection coating. It can also be seen that the brightness of the high beam is improved to be higher than that of the low beam.

실시 예에 따른 광원 모듈을 갖는 유닛은, 헤드 램프, 차폭등, 사이드 미러등, 안개등, 테일등(Tail lamp), 방향 지시등(turn signal lamp), 후진등(back up lamp), 제동등(stop lamp), 주간 주행등(Daytime running right), 차량 실내 조명, 도어 스카프(door scarf), 리어 콤비네이션 램프 등에 적용 가능하다. 예컨대, 도 34의 차량 상에서, 광원 유닛이 주간 주행등, 후진등, 방향 지시등과 같은 램프에 적용되어 중심 광도를 증가시켜 줄 수 있다. A unit having a light source module according to an embodiment may include a head lamp, a car light, a side mirror, a fog lamp, a tail lamp, a turn signal lamp, a back up lamp, a stop lamp Daytime running right, vehicle interior light, door scarf, rear combination lamp, and the like. For example, on the vehicle shown in Fig. 34, the light source unit can be applied to a lamp such as a turn signal lamp, such as a daytime running light, a back light, etc., to increase the center luminance.

실시 예에 따른 차량용 헤드 램프는 하우징 내의 LED 광원을 위한 지지부를 배치하고 발광 면간의 간격에 따른 초점 위치를 광원 모듈의 렌즈를 이용하여 보상해 줄 수 있다. 이에 따라 필라멘트의 위치에 있는 초점을 렌즈로 의도적으로 이동시켜 LED 발광 면에 인접하게 이동시켜 줌으로써, 광도를 저하를 방지할 수 있다. 실시 예는 광원 모듈의 발광부를 서로 반대측 예컨대, 180도 방향으로 배치된 예로 설명하였으나, 90도 내지 270도의 범위 내에서 렌즈 및 LED 광원을 갖는 발광부에 적용할 수 있다. The headlamp for a vehicle according to the embodiment may be provided with a support portion for the LED light source in the housing and may compensate the focus position according to the distance between the light emitting surfaces by using the lens of the light source module. Accordingly, the focal point at the filament position is intentionally moved to the lens so as to be moved adjacent to the LED light-emitting surface, thereby preventing a decrease in luminous intensity. For example, the light emitting unit of the light source module is disposed on the opposite side, for example, in the direction of 180 degrees. However, the present invention is applicable to the light emitting unit having the lens and the LED light source within the range of 90 to 270 degrees.

도 21은 실시 예에 따른 발광 소자의 일 예를 나타낸 측 단면도이다. 21 is a side sectional view showing an example of a light emitting device according to the embodiment.

도 21을 참조하면, 발광 소자는 지지 기판(310), 상기 지지 기판(310) 위에 배치된 발광 칩(340), 상기 발광 칩(340) 위에 배치된 형광체층(360), 상기 발광 칩(340) 및 형광체층(360)의 둘레에 배치된 반사 부재(370), 및 상기 발광 칩(340)의 상면(S31) 및 측면(S32)에 배치된 접착 부재(350)를 포함한다. 21, a light emitting device includes a support substrate 310, a light emitting chip 340 disposed on the support substrate 310, a phosphor layer 360 disposed on the light emitting chip 340, And a bonding member 350 disposed on the upper surface S31 and the side surface S32 of the light emitting chip 340. The reflecting member 370 is disposed around the phosphor layer 360,

상기 지지 기판(310)은 절연 재질을 포함하며, 예컨대 세라믹 소재를 포함한다. 상기 세라믹 소재는 동시 소성되는 저온 소성 세라믹(LTCC: low temperature co-fired ceramic) 또는 고온 소성 세라믹(HTCC: high temperature co-fired ceramic)을 포함한다. 상기 지지 기판(10)의 재질은 금속 화합물 예컨대, Al2O3, 또는 AlN일 수 있으며, 바람직하게는 질화알루미늄(AlN) 또는 알루미나(Al2O3)를 포함할 수 있으며, 또는 열 전도도가 140 W/mK 이상인 금속 산화물을 포함할 수 있다. The supporting substrate 310 includes an insulating material, for example, a ceramic material. The ceramic material includes a low temperature co-fired ceramic (LTCC) or a high temperature co-fired ceramic (HTCC) which is co-fired. The material of the support substrate 10 may be a metal compound such as Al 2 O 3 or AlN and preferably may include aluminum nitride (AlN) or alumina (Al 2 O 3 ) Lt; RTI ID = 0.0 &gt; W / mK. &Lt; / RTI &gt;

상기 지지 기판(310)의 재질은 다른 예로서, 수지 계열의 절연 물질 예컨대, 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질로 형성될 수 있다. 상기 지지 기판(310)은 실리콘, 변성 실리콘 수지, 에폭시 수지, 변성 에폭시 수지, 또는 플라스틱 재질을 포함하는 열 경화성 수지, 또는 고내열성, 고 내광성 재질로 형성될 수 있다. 다른 예로서, 상기 지지 기판(310) 내에는 산무수물, 산화 방지제, 이형재, 광 반사재, 무기 충전재, 경화 촉매, 광 안정제, 윤활제, 이산화티탄 중에서 선택적으로 첨가될 수 있다. 상기 지지 기판(310)의 재질은 예를 들면, 트리글리시딜이소시아누레이트, 수소화 비스페놀 A 디글리시딜에테르 등으로 이루어지는 에폭시 수지와, 헥사히드로 무수 프탈산, 3-메틸헥사히드로 무수 프탈산4-메틸헥사히드로 무수프탈산 등으로 이루어지는 산무수물을, 에폭시 수지에 경화 촉진제로서 DBU(1,8-Diazabicyclo(5,4,0)undecene-7), 조촉매로서 에틸렌 그리콜, 산화티탄 안료, 글래스 섬유를 첨가하고, 가열에 의해 부분적으로 경화 반응시켜 B 스테이지화한 고형상 에폭시 수지 조성물을 사용할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. As another example, the support substrate 310 may be made of a resin material such as a resin-based insulating material such as polyphthalamide (PPA). The support substrate 310 may be formed of a thermosetting resin including silicon, a modified silicone resin, an epoxy resin, a modified epoxy resin, or a plastic material, or a high heat-resistant, high-light-resistant material. As another example, the support substrate 310 may be optionally doped with an acid anhydride, an antioxidant, a release agent, a light reflector, an inorganic filler, a curing catalyst, a light stabilizer, a lubricant, and titanium dioxide. The support substrate 310 may be made of, for example, an epoxy resin composed of triglycidyl isocyanurate, hydrogenated bisphenol A diglycidyl ether, etc., and an epoxy resin such as hexahydrophthalic anhydride, 3-methylhexahydrophthalic anhydride 4- (1,8-Diazabicyclo (5,4,0) undecene-7) as a curing accelerator in an epoxy resin, an ethylene glycol, a titanium oxide pigment, a glass fiber And a partially solidified curing reaction by heating to form a B-staged solid epoxy resin composition. However, the present invention is not limited thereto.

상기 지지 기판(310)은 상면에 복수의 리드 전극(313,315)을 포함하며, 상기 복수의 리드 전극(313,315)은 예컨대, 제1리드 전극(313) 및 제2리드 전극(315)을 포함한다. 상기 제1리드 전극(313)과 상기 제2리드 전극(315)은 전기적으로 분리되며 상기 발광 칩(340)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예컨대, 상기 발광 칩(340)은 제1,2리드 전극(313,315) 위에 접합부재(331,333)로 접착되어 전기적으로 연결될 수 있다. 여기서, 상기 접합부재(331,333)는 상기 발광 칩(340)과 상기 제1,2리드 전극(313,315) 사이를 전기적으로 연결해 주는 전도성 재질 예컨대, 솔더 재질을 포함할 수 있다. 상기 제1리드 전극(313)과 상기 제2리드 전극(315)의 측면은 상기 지지 기판(310)의 상면 에지(edge)로부터 이격될 수 있다. The supporting substrate 310 includes a plurality of lead electrodes 313 and 315 on an upper surface thereof and the plurality of lead electrodes 313 and 315 includes a first lead electrode 313 and a second lead electrode 315, for example. The first lead electrode 313 and the second lead electrode 315 may be electrically separated from each other and electrically connected to the light emitting chip 340. For example, the light emitting chip 340 may be electrically connected to the first and second lead electrodes 313 and 315 through bonding members 331 and 333. The bonding members 331 and 333 may include a conductive material such as a solder material for electrically connecting the light emitting chip 340 and the first and second lead electrodes 313 and 315. The side surfaces of the first lead electrode 313 and the second lead electrode 315 may be spaced apart from the upper surface of the supporting substrate 310.

상기 지지 기판(10)은 내부에 복수의 연결 전극(317,319) 및 하면에 복수의 리드 프레임(314,316)을 포함할 수 있다. 상기 복수의 연결 전극(317,319)은 상기 제1리드 전극(313)에 연결된 적어도 하나의 제1연결 전극(317), 상기 제2리드 전극(315)에 연결된 적어도 하나의 제2연결 전극(319)을 포함하며, 상기 복수의 리드 프레임(314,316)은 상기 제1연결 전극(317)에 연결된 제1리드 프레임(314), 상기 제2연결 전극(319)에 연결된 제2리드 프레임(316)을 포함할 수 있다. 상기 제1연결 전극(317)은 상기 제1리드 전극(313)과 상기 제1리드 프레임(314)을 서로 연결해 주며, 상기 제2연결 전극(319)은 상기 제2리드 전극(315)과 상기 제2리드 프레임(316)을 서로 연결해 준다. The supporting substrate 10 may include a plurality of connection electrodes 317 and 319 and a plurality of lead frames 314 and 316 on a bottom surface thereof. The plurality of connection electrodes 317 and 319 may include at least one first connection electrode 317 connected to the first lead electrode 313 and at least one second connection electrode 319 connected to the second lead electrode 315, And the plurality of lead frames 314 and 316 include a first lead frame 314 connected to the first connection electrode 317 and a second lead frame 316 connected to the second connection electrode 319 can do. The first connection electrode 317 connects the first lead electrode 313 and the first lead frame 314 to each other and the second connection electrode 319 connects the second lead electrode 315 and the second lead electrode 314. [ And connects the second lead frame 316 to each other.

상기 제1리드 전극(313), 제2리드 전극(315), 상기 제1리드 프레임(314) 및 제2리드 프레임(316)은 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 복수의 금속을 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2리드 전극(313,315)의 표면에는 은(Ag) 또는 알루미늄(Ag)이 형성되어, 입사되는 광 반사 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 제1리드 프레임(314)과 제2리드 프레임(316)에는 금(Au)층이 형성되어, 습기에 의한 부식을 방지할 수 있고, 전기적인 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다. The first lead electrode 313, the second lead electrode 315, the first lead frame 314 and the second lead frame 316 may be formed of titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum (Ta), platinum (Pt), tin (Sn), silver . Ag or aluminum (Ag) is formed on the surfaces of the first and second lead electrodes 313 and 315 to improve incident light reflection efficiency. A gold (Au) layer is formed on the first lead frame 314 and the second lead frame 316 to prevent corrosion by moisture and improve electrical reliability.

상기 제1연결 전극(317)과 상기 제2연결 전극(319)은 상기 제1리드 전극(313)과 동일한 물질로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1리드 전극(313), 제2리드 전극(315), 상기 제1리드 프레임(314) 및 제2리드 프레임(316)은 50㎛ 내지 100㎛ 범위의 두께로 형성될 수 있으며, 상기 범위를 벗어날 경우 전기적인 특성 및 열 전도 특성이 저하될 수 있다. The first connection electrode 317 and the second connection electrode 319 may be formed of the same material as the first lead electrode 313, but the present invention is not limited thereto. The first lead electrode 313, the second lead electrode 315, the first lead frame 314 and the second lead frame 316 may be formed to have a thickness ranging from 50 μm to 100 μm, The electrical characteristics and thermal conduction characteristics may be deteriorated.

상기 발광 칩(340)은 상기 제1리드 전극(313)과 제2리드 전극(315)의 위에 플립 칩 방식으로 배치될 수 있다. 상기 발광 칩(340)은 전도성 재질의 접합 부재(331,333)에 의해 제1,2리드 전극(313,315)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 발광 칩(340)은 기판(341), 반도체층을 갖는 발광 구조물(343), 및 복수의 전극(331,333)을 포함한다. 상기 기판(341)은 절연성 재질, 반도체 재질, 또는 전도성 재질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 기판(341)은 예컨대, 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga2O3 중 적어도 하나를 이용할 수 있다. 상기 기판(341)은 상기 발광 칩(340)의 대부분의 두께를 차지하게 되므로, 예컨대 30㎛ 이상의 두께로 형성될 수 있다. The light emitting chip 340 may be disposed on the first lead electrode 313 and the second lead electrode 315 in a flip chip manner. The light emitting chip 340 may be electrically connected to the first and second lead electrodes 313 and 315 by bonding members 331 and 333 made of a conductive material. The light emitting chip 340 includes a substrate 341, a light emitting structure 343 having a semiconductor layer, and a plurality of electrodes 331 and 333. The substrate 341 may include at least one of an insulating material, a semiconductor material, and a conductive material. At least one of sapphire (Al 2 O 3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge and Ga 2 O 3 can be used as the substrate 341. Since the substrate 341 occupies most of the thickness of the light emitting chip 340, the substrate 341 may have a thickness of, for example, 30 탆 or more.

상기 발광 구조물(343)은 기판(341)의 아래에 배치되며, n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함하며, 자외선부터 가시광선까지의 파장 범위 내에서 소정 피크 파장을 발광하게 된다. 상기 복수의 전극(331,333)은 상기 지지 기판(310)의 제1,2리드 전극(313,315)과 대응되거나 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 복수의 전극(331,333) 중 어느 하나(331)는 n형 반도체층과 전기적으로 연결되고 제1리드 전극(313)과 접합 부재(331)로 연결될 수 있고, 다른 하나(333)는 p형 반도체층과 전기적으로 연결되고 제2리드 전극(315)과 접합 부재(333)로 연결될 수 있다. The light emitting structure 343 is disposed under the substrate 341 and includes an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer. The light emitting structure 343 emits a predetermined peak wavelength within a wavelength range from ultraviolet rays to visible rays. The plurality of electrodes 331 and 333 may correspond to or be electrically connected to the first and second lead electrodes 313 and 315 of the support substrate 310. One of the plurality of electrodes 331 and 333 may be electrically connected to the n-type semiconductor layer and may be connected to the first lead electrode 313 through a bonding member 331 and the other electrode 333 may be connected to the p- Layer and may be connected to the second lead electrode 315 by a bonding member 333. [

상기 발광 칩(340)은 광원으로서, 자외선부터 가시광선까지의 파장 대역 중에서 선택적으로 발광하게 된다. 상기 발광 칩(340)은 UV LED 칩, 그린 LED 칩, 블록 LED 칩, 레드 LED 칩, 또는 백색 LED 칩 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 발광 칩(340)은 30㎛ 이상의 두께를 가질 수 있으며, 예컨대 30㎛ 내지 180㎛ 범위일 수 있다. 상기 발광 칩(340)은 탑뷰 형상이 다각형 형상 예컨대, 정 사각형 또는 직사각형 형상일 수 있다. The light emitting chip 340 is a light source and selectively emits light in a wavelength band from ultraviolet to visible light. The light emitting chip 340 may include at least one of a UV LED chip, a green LED chip, a block LED chip, a red LED chip, or a white LED chip. The light emitting chip 340 may have a thickness of 30 탆 or more, for example, 30 탆 to 180 탆. The light-emitting chip 340 may have a top-view shape of a polygonal shape, for example, a regular square or a rectangular shape.

상기 발광 칩(340) 위에는 형광체층(360)이 배치될 수 있다. 상기 형광체층(360)은 상기 발광 칩(340)의 상면 면적보다 큰 면적 즉, 하면 면적을 가질 수 있다. 상기 형광체층(360)의 외 측면은 상기 발광 칩(340)의 측면(S32)보다 외측으로 돌출될 수 있다. 상기 형광체층(360)의 외측 면는 상기 발광 칩(340)의 상면(S31)보다 더 외측으로 돌출되므로, 상기 발광 칩(340)의 상부 영역을 벗어난 광에 대해서도 입사 받을 수 있다. 상기 형광체층(360)은 상기 발광 칩(340)의 상면(S31) 및 측면(S32)으로부터 방출된 일부 광을 흡수하여 다른 파장의 광으로 파장 변환하게 된다. 상기 형광체층(360)은 접착 부재(350)를 통해 입사된 광의 파장을 변환하게 된다. 상기 형광체층(360)은 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 수지 재질에 형광체가 첨가되며, 상기 형광체는 황색 형광체, 녹색 형광체, 청색 형광체, 적색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 예를 들면, Eu, Ce 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 활성화되는 질화물계 형광체·산질화물계 형광체·사이어론계 형광체, Eu 등의 란타노이드계, Mn 등의 천이금속계의 원소에 의해 주로 활성화되는 알칼리 토류 할로겐 아파타이트 형광체, 알칼리 토류 금속 붕산 할로겐 형광체, 알칼리 토류 금속 알루민산염 형광체, 알칼리 토류 규산염, 알칼리 토류 황화물, 알칼리 토류 티오갈레이트, 알칼리 토류 질화규소, 게르마늄산염, 또는, Ce 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 활성화되는 희토류 알루민산염, 희토류 규산염 또는 Eu 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 활성화되는 유기 및 유기 착체 등으로부터 선택되는 적어도 어느 하나 이상일 수 있다. 구체적인 예로서, 상기의 형광체를 사용할 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다.A phosphor layer 360 may be disposed on the light emitting chip 340. The phosphor layer 360 may have a larger area than a top surface area of the light emitting chip 340, that is, a bottom surface area. The outer surface of the phosphor layer 360 may protrude outward beyond the side surface S32 of the light emitting chip 340. [ Since the outer surface of the phosphor layer 360 protrudes outward beyond the upper surface S31 of the light emitting chip 340, the light emitted from the upper region of the light emitting chip 340 can also be received. The phosphor layer 360 absorbs a part of the light emitted from the upper surface S31 and the side surface S32 of the light emitting chip 340 and converts the light into light having a different wavelength. The phosphor layer 360 converts the wavelength of light incident through the bonding member 350. The phosphor layer 360 may include at least one of a yellow phosphor, a green phosphor, a blue phosphor, and a red phosphor. For example, the phosphor may be at least one selected from the group consisting of Eu, Based phosphor, an oxynitride-based phosphor, a cyanogen-based phosphor mainly activated by a lanthanoid element such as Ce, a lanthanide-based phosphor such as Eu, an alkaline earth halide apatite phosphor mainly activated by a transition metal- , Alkaline earth metal borate halogen phosphors, alkaline earth metal aluminate phosphors, alkaline earth silicates, alkaline earth sulfides, alkaline earth thiogallates, alkaline earth silicon nitrides, germanium salts or lanthanoids such as Ce Of rare earth aluminates, rare earth silicates or lanthanoids such as Eu It may be equal to or greater than at least any one selected from organic and organic complexes mainly activated and the like. As a specific example, the above-mentioned phosphors can be used, but the present invention is not limited thereto.

상기 형광체층(360)으로부터 방출된 광과 상기 발광 칩(340)으로부터 방출된 광은 백색 광으로 혼합될 수 있다. 상기 백색 광은 웜 화이트(Warm white), 쿨 화이트(Cool white) 또는 뉴트럴 화이트(Neutral white) 중 적어도 하나의 색 온도를 가질 수 있다. The light emitted from the phosphor layer 360 and the light emitted from the light emitting chip 340 may be mixed with white light. The white light may have a color temperature of at least one of Warm white, Cool white, or Neutral white.

상기 반사 부재(370)는 상기 지지 기판(310) 상에 배치되며, 상기 발광 칩(340)의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(370)는 상기 지지 기판(310)의 상면, 상기 복수의 리드 전극(313,315)의 표면에 접촉될 수 있다. The reflective member 370 may be disposed on the support substrate 310 and may be disposed around the light emitting chip 340. The reflective member 370 may be in contact with the upper surface of the support substrate 310 and the surface of the plurality of lead electrodes 313 and 315.

상기 반사 부재(370)는 상기 발광 칩(340)의 측면(S32)의 일부 또는 전 영역과 비접촉될 수 있다. 상기 반사 부재(370)와 상기 발광 칩(340)의 측면(S32) 사이에는 접착 부재(350)가 배치될 수 있다. 이러한 반사 부재(370)는 상기 발광 칩(340)의 측면(S32)으로 방출된 광을 반사하게 되며, 예컨대 형광체층(360) 방향으로 반사하게 된다. 상기 반사 부재(370)와 상기 접착 부재(350) 사이의 계면은 곡면 또는 경사진 면일 수 있다. 이러한 곡면 또는 경사진 면을 갖는 계면으로 입사된 광은 전 반사될 수 있다. The reflective member 370 may be in non-contact with a part or the entire area of the side surface S32 of the light emitting chip 340. [ An adhesive member 350 may be disposed between the reflective member 370 and the side surface S32 of the light emitting chip 340. [ The reflective member 370 reflects light emitted to the side surface S32 of the light emitting chip 340 and is reflected toward the phosphor layer 360, for example. The interface between the reflective member 370 and the adhesive member 350 may be curved or inclined. The light incident on the interface having such a curved surface or an inclined surface can be pre-reflected.

상기 반사 부재(370)는 상기 발광 칩(340) 및 상기 형광체층(360)의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(370)는 상기 형광체층(360)의 외 측면과 접촉 또는 비 접촉될 수 있으며, 예컨대 접착 부재(350)가 상기 형광체층(360)의 외 측면에 배치된 경우 반사 부재(370)는 형광체층(360)의 외 측면과 비 접촉될 수 있다. 상기 반사 부재(370)는 상기 형광체층(360)의 외 측면을 통해 방출된 광을 반사시켜 줄 수 있다. The reflective member 370 may be disposed around the light emitting chip 340 and the phosphor layer 360. The reflective member 370 may be in contact with or not in contact with the outer surface of the phosphor layer 360. For example, when the adhesive member 350 is disposed on the outer surface of the phosphor layer 360, May be in non-contact with the outer surface of the phosphor layer 360. The reflective member 370 may reflect light emitted through the outer surface of the phosphor layer 360.

상기 반사 부재(370)의 상면 높이는 상기 형광체층(360)의 상면 높이보다 낮게 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(370)의 상면이 상기 형광체층(360)의 상면과 같거나 높게 배치된 경우, 제조 공정 상에서 상기 반사 부재(370)의 일부가 상기 형광체층(360)의 상면으로 침투하는 문제가 발생될 수 있다. 상기 반사 부재(370)가 상기 형광체층(360)의 상면과 같거나 높게 배치된 경우, 지향각의 좁아질 수 있다. The height of the upper surface of the reflective member 370 may be lower than the height of the upper surface of the phosphor layer 360. A problem that a part of the reflective member 370 penetrates into the upper surface of the phosphor layer 360 in the manufacturing process when the upper surface of the reflective member 370 is arranged to be equal to or higher than the upper surface of the phosphor layer 360 Lt; / RTI &gt; When the reflective member 370 is disposed at the same height as or higher than the upper surface of the phosphor layer 360, the directivity angle may be narrowed.

상기 반사 부재(370)는 수지 재질 내에 금속 산화물이 첨가된다. 상기 수지 재질은 실리콘 또는 에폭시를 포함하며, 상기 금속 산화물은 수지 재질보다 굴절률이 높은 물질로서, 예컨대 Al2O3, TIO2 또는 SiO2 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 금속 산화물은 상기 반사 부재(70) 내에 5wt% 이상 예컨대, 5~30wt% 범위로 형성된다. 상기 반사 부재(370)는 상기 발광 칩(340)으로부터 방출된 광에 대해 90% 이상의 반사율을 가질 수 있다. The reflective member 370 is doped with a metal oxide in a resin material. The resin material includes silicon or epoxy, and the metal oxide is a material having a refractive index higher than that of the resin material, and includes at least one of Al2O3, TIO2, and SiO2. The metal oxide is formed in the reflective member 70 in a range of 5 wt% or more, for example, 5 to 30 wt%. The reflective member 370 may have a reflectance of 90% or more with respect to the light emitted from the light emitting chip 340.

상기 접착 부재(350)는 발광 칩(340)의 표면에 배치될 수 있다. 상기 접착 부재(350)는 상기 발광 칩(340)의 상면(S31)에 배치된 제1접착부(351) 및 상기 발광 칩(340)의 측면(S32)에 배치된 제2접착부(353)를 포함하며, 상기 제1,2접착부(351,353)는 서로 연결될 수 있다. 상기 제1접착부(351)는 상기 발광 칩(340)과 상기 형광체층(360) 사이에 배치되며 상기 형광체층(360)을 발광 칩(340)의 기판(341)의 상면(S31)에 접착시켜 준다. The adhesive member 350 may be disposed on the surface of the light emitting chip 340. The bonding member 350 includes a first bonding portion 351 disposed on the upper surface S31 of the light emitting chip 340 and a second bonding portion 353 disposed on the side surface S32 of the light emitting chip 340 And the first and second adhesive portions 351 and 353 may be connected to each other. The first bonding portion 351 is disposed between the light emitting chip 340 and the phosphor layer 360 and the phosphor layer 360 is bonded to the upper surface S31 of the substrate 341 of the light emitting chip 340 give.

상기 접착 부재(350)의 제2접착부(353)는 외 측면 또는 상기 반사 부재(370)와의 경계 면이 소정의 곡률을 갖는 곡면(R21)으로 형성되어, 입사되는 광을 전 반사시켜 줄 수 있다. The second adhesive portion 353 of the adhesive member 350 may be formed of a curved surface R21 having an outer surface or a boundary surface with the reflective member 370 having a predetermined curvature so as to pre- .

실시 예에 따른 발광 소자의 다른 예는 도 22를 참조하여 설명하기로 한다. Another example of the light emitting device according to the embodiment will be described with reference to FIG.

도 22를 참조하면, 발광 소자(200)는 발광 칩(200A)을 포함한다. 상기 발광 소자(200)는 발광 칩(200A)과 상기 발광 칩(200A) 상에 배치된 형광체층(250)을 포함할 수 있다. 상기 형광체층(250)은 청색, 녹색, 황색, 적색 형광체 중 적어도 하나 또는 복수를 포함하며, 단층 또는 다층으로 배치될 수 있다. 상기 형광체층(250)은 투광성 수지 재료 내에 형광체가 첨가된다. 상기 투광성 수지 재료는 실리콘 또는 에폭시와 같은 물질을 포함하며, 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. Referring to FIG. 22, the light emitting device 200 includes a light emitting chip 200A. The light emitting device 200 may include a light emitting chip 200A and a phosphor layer 250 disposed on the light emitting chip 200A. The phosphor layer 250 includes at least one or more of blue, green, yellow, and red phosphors, and may be a single layer or a multi-layer structure. A phosphor is added to the phosphor layer 250 in the light transmitting resin material. The light transmitting resin material may include a material such as silicon or epoxy, and the phosphor may be selectively formed from YAG, TAG, Silicate, Nitride, and Oxy-nitride materials.

상기 형광체층(250)은 상기 발광 칩(200A)의 상면에 배치되거나, 상기 발광 칩(200A)의 상면 및 측면에 배치될 수 있다. 상기 형광체층(250)은 상기 발광 칩(200A)의 표면 중에서 광이 방출되는 영역 상에 배치되어, 광의 파장을 변환시켜 줄 수 있다. 상기 형광체층(250)은 단층 또는 서로 다른 형광체층을 포함할 수 있으며, 상기 서로 다른 형광체층은 제1층이 적색, 황색, 녹색 형광체 중 적어도 한 종류의 형광체를 가질 수 있고, 제2층이 상기 제1층 위에 형성되며 적색, 황색, 녹색 형광체 중 상기 제1층과 다른 형광체를 가질 수 있다. 다른 예로서, 상기 서로 다른 형광체층은 3층 이상의 형광체층을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 다른 예로서, 상기 형광체층(250)은 필름 타입을 포함할 수 있다. 상기 필름 타입의 형광체층은 균일한 두께를 제공함으로써, 파장 변환에 따른 색 분포가 균일할 수 있다.The phosphor layer 250 may be disposed on the upper surface of the light emitting chip 200A or on the upper surface and the side surface of the light emitting chip 200A. The phosphor layer 250 may be disposed on a surface of the light emitting chip 200A where the light is emitted to change the wavelength of the light. The phosphor layer 250 may include a single layer or a different phosphor layer, and the different layers may have at least one phosphor selected from the group consisting of red, yellow and green phosphors, And may have a phosphor different from the first layer of the red, yellow, and green phosphors formed on the first layer. As another example, the different phosphor layers may include three or more phosphor layers, but the present invention is not limited thereto. As another example, the phosphor layer 250 may include a film type. Since the film type phosphor layer has a uniform thickness, the color distribution due to the wavelength conversion can be uniform.

상기 발광 칩(200A)에 대해 설명하면, 발광 칩(200A)은 발광 구조물(225), 및 복수의 패드(245,247)를 포함한다. 상기 발광 구조물(225)은 II족 내지 VI족 원소의 화합물 반도체층 예컨대, III족-V족 원소의 화합물 반도체층 또는 II족-VI족 원소의 화합물 반도체층으로 형성될 수 있다. 상기 복수의 패드(245,247)는 상기 발광 구조물(225)의 반도체층에 선택적으로 연결되며, 전원을 공급하게 된다.In the light emitting chip 200A, the light emitting chip 200A includes a light emitting structure 225 and a plurality of pads 245 and 247. The light emitting structure 225 may be formed of a compound semiconductor layer of a group II to VI element, for example, a compound semiconductor layer of a group III-V element, or a compound semiconductor layer of a group II-VII element. The plurality of pads 245 and 247 are selectively connected to the semiconductor layer of the light emitting structure 225 to supply power.

상기 발광 구조물(225)은 제1도전형 반도체층(222), 활성층(223) 및 제2도전형 반도체층(224)을 포함한다. 상기 발광 칩(200A)은 기판(221)을 포함할 수 있다. 상기 기판(221)은 상기 발광 구조물(225) 위에 배치된다. 상기 기판(221)은 예컨대, 투광성, 절연성 기판, 또는 전도성 기판일 수 있다. The light emitting structure 225 includes a first conductive semiconductor layer 222, an active layer 223, and a second conductive semiconductor layer 224. The light emitting chip 200A may include a substrate 221. The substrate 221 is disposed on the light emitting structure 225. The substrate 221 may be, for example, a light-transmitting substrate, an insulating substrate, or a conductive substrate.

상기 제1도전형 반도체층(222)은 제1도전형 도펀트가 도핑된 반도체 예컨대, n형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(222)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제1도전형 반도체층(115)은 III족-V족 원소의 화합물 반도체 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중에서 선택될 수 있다. 상기 제1도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 도펀트를 포함한다. 상기 활성층(223)은 제1도전형 반도체층(222) 아래에 배치되고, 단일 양자 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선(quantum wire) 구조 또는 양자 점(quantum dot) 구조를 선택적으로 포함하며, 우물층과 장벽층의 주기를 포함한다. 상기 우물층/장벽층의 주기는 예컨대, InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaA, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs의 페어 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층(224)은 활성층(223) 아래에 배치된다. 상기 제2도전형 반도체층(119)은 제2도전형 도펀트가 도핑된 반도체 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층(119)은, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(119)이 p형 반도체층이고, 상기 제1도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba을 포함할 수 있다. 상기 발광 구조물(225)은 다른 예로서, 상기 제1도전형 반도체층(222)이 p형 반도체층, 상기 제2도전형 반도체층(224)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(224) 위에는 상기 제2도전형과 반대의 극성을 갖는 제3도전형 반도체층이 형성할 수도 있다. 또한 상기 발광 구조물(225)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다. The first conductive semiconductor layer 222 may be formed of a semiconductor doped with a first conductive dopant, for example, an n-type semiconductor layer. The first conductive semiconductor layer 222 includes a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? The first conductive semiconductor layer 115 may be a compound semiconductor of Group III-V elements such as GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, . The first conductive dopant is an n-type dopant and includes dopants such as Si, Ge, Sn, Se, and Te. The active layer 223 is disposed below the first conductive semiconductor layer 222 and selectively includes a single quantum well, a multiple quantum well (MQW), a quantum wire structure, or a quantum dot structure. And includes the well layer and the period of the barrier layer. InGaN / AlGaN, InGaN / InGaN, InGaN / InGaN, AlGaAs / GaA, InGaAs / GaAs, InGaP / GaP, AlInGaP / InGaP, InGaN / AlGaN, AlGaN / AlGaN, / RTI &gt; pair of &lt; / RTI &gt; The second conductive semiconductor layer 224 is disposed under the active layer 223. The second conductive semiconductor layer 119 may be formed of a semiconductor doped with a second conductive dopant such as In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y ? 1, y? 1). The second conductive semiconductor layer 119 may include at least one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP and AlGaInP. The second conductive semiconductor layer 119 may be a p-type semiconductor layer, and the first conductive dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba as p-type dopants. The first conductive semiconductor layer 222 may be a p-type semiconductor layer, and the second conductive semiconductor layer 224 may be an n-type semiconductor layer. A third conductive type semiconductor layer having a polarity opposite to the second conductive type may be formed on the second conductive type semiconductor layer 224. Also, the light emitting structure 225 may have any one of an np junction structure, a pn junction structure, an npn junction structure, and a pnp junction structure.

상기 발광 칩(200A)은 하부에 패드(245,247)가 배치되며, 상기 패드(245,247)는 제1 및 제2패드(245,247)를 포함한다. 상기 제1 및 제2패드(245,247)는 상기 발광 칩(200A)의 아래에 서로 이격되어 배치된다. 상기 제1패드(245)는 상기 제1도전형 반도체층(222)과 전기적으로 연결되며, 상기 제2패드(247)는 제2도전형 반도체층(224)과 전기적으로 연결된다. 상기 제1 및 제2패드(245,247)은 바닥 형상이 다각형 또는 원 형상이거나, 회로 기판(200)의 제1 및 제2리드 전극(215,217)의 형상과 대응되도록 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2패드(245,247) 각각의 하면 면적은 예컨대, 제1 및 제2리드 전극(215,217) 각각의 상면 크기와 대응되는 크기로 형성될 수 있다.The light emitting chip 200A has pads 245 and 247 disposed thereunder and the pads 245 and 247 include first and second pads 245 and 247. The first and second pads 245 and 247 are spaced apart from each other below the light emitting chip 200A. The first pad 245 is electrically connected to the first conductive semiconductor layer 222 and the second pad 247 is electrically connected to the second conductive semiconductor layer 224. [ The first and second pads 245 and 247 may have a polygonal or circular bottom shape or correspond to the shapes of the first and second lead electrodes 215 and 217 of the circuit board 200. The bottom surface area of each of the first and second pads 245 and 247 may be, for example, a size corresponding to the top surface size of each of the first and second lead electrodes 215 and 217.

상기 발광 칩(200A)은 상기 기판(221)과 상기 발광 구조물(225) 사이에 버퍼층(미도시) 및 언도프드 반도체층(미도시) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 버퍼층은 상기 기판(221)과 반도체층과의 격자 상수 차이를 완화시켜 주기 위한 층으로서, II족 내지 VI족 화합물 반도체 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층 아래에는 언도핑된 III족-V족 화합물 반도체층이 더 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 기판(221)은 제거될 수 있다. 상기 기판(221)이 제거된 경우 형광체층(250)은 상기 제1도전형 반도체층(222)의 상면이나 다른 반도체층의 상면에 접촉될 수 있다.The light emitting chip 200A may include at least one of a buffer layer (not shown) and an undoped semiconductor layer (not shown) between the substrate 221 and the light emitting structure 225. The buffer layer is a layer for relaxing the difference in lattice constant between the substrate 221 and the semiconductor layer, and may be selectively formed from Group II to VI compound semiconductors. An undoped Group III-V compound semiconductor layer may be further formed under the buffer layer, but the present invention is not limited thereto. The substrate 221 can be removed. When the substrate 221 is removed, the phosphor layer 250 may contact the upper surface of the first conductive type semiconductor layer 222 or the upper surface of another semiconductor layer.

상기 발광 칩(200A)은 제1 및 제2전극층(241,242), 제3전극층(243), 절연층(231,233)을 포함한다. 상기 제1 및 제2전극층(241,242) 각각은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 전류 확산층으로 기능할 수 있다. 상기 제1 및 제2전극층(241,242)은 상기 발광 구조물(225)의 아래에 배치된 제1전극층(241); 및 상기 제1전극층(241) 아래에 배치된 제2전극층(242)을 포함할 수 있다. 상기 제1전극층(241)은 전류를 확산시켜 주게 되며, 상기 제2전극층(241)은 입사되는 광을 반사하게 된다.The light emitting chip 200A includes first and second electrode layers 241 and 242, a third electrode layer 243, and insulating layers 231 and 233. Each of the first and second electrode layers 241 and 242 may be formed as a single layer or a multilayer, and may function as a current diffusion layer. The first and second electrode layers 241 and 242 include a first electrode layer 241 disposed under the light emitting structure 225; And a second electrode layer 242 disposed under the first electrode layer 241. The first electrode layer 241 diffuses a current, and the second electrode layer 241 reflects incident light.

상기 제1 및 제2전극층(241,242)은 서로 다른 물질로 형성될 수 있다. 상기 제1전극층(241)은 투광성 재질로 형성될 수 있으며, 예컨대 금속 산화물 또는 금속 질화물로 형성될 수 있다. 상기 제1전극층은 예컨대 ITO(indium tin oxide), ITON(ITO nitride), IZO(indium zinc oxide), IZON(IZO nitride), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide) 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 제2전극층(242)은 상기 제1전극층(241)의 하면과 접촉되며 반사 전극층으로 기능할 수 있다. 상기 제2전극층(242)은 금속 예컨대, Ag, Au 또는 Al를 포함한다. 상기 제2전극층(242)은 상기 제1전극층(241)이 일부 영역이 제거된 경우, 상기 발광 구조물(225)의 하면에 부분적으로 접촉될 수 있다. 다른 예로서, 상기 제1 및 제2전극층(241,242)의 구조는 무지향성 반사(ODR: Omni Directional Reflector layer) 구조로 적층될 수 있다. 상기 무지향성 반사 구조는 낮은 굴절률을 갖는 제1전극층(241)과, 상기 제1전극층(241)과 접촉된 고 반사 재질의 금속 재질인 제2전극층(242)의 적층 구조로 형성될 수 있다. 상기 전극층(241,242)은, 예컨대, ITO/Ag의 적층 구조로 이루어질 수 있다. 이러한 상기 제1전극층(241)과 제2전극층(242) 사이의 계면에서 전 방위 반사각을 개선시켜 줄 수 있다. The first and second electrode layers 241 and 242 may be formed of different materials. The first electrode layer 241 may be formed of a light-transmitting material, for example, a metal oxide or a metal nitride. The first electrode layer may include at least one of indium tin oxide (ITO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc oxide (IZO) indium gallium zinc oxide, indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), and gallium zinc oxide (GZO). The second electrode layer 242 may contact the lower surface of the first electrode layer 241 and function as a reflective electrode layer. The second electrode layer 242 includes a metal such as Ag, Au, or Al. The second electrode layer 242 may partially contact the lower surface of the light emitting structure 225 when the first electrode layer 241 is partially removed. As another example, the structures of the first and second electrode layers 241 and 242 may be stacked in an omni directional reflector layer (ODR) structure. The omnidirectional reflection structure may have a stacked structure of a first electrode layer 241 having a low refractive index and a second electrode layer 242 made of a highly reflective metal material in contact with the first electrode layer 241. The electrode layers 241 and 242 may have a laminated structure of, for example, ITO / Ag. The total reflection angle at the interface between the first electrode layer 241 and the second electrode layer 242 can be improved.

다른 예로서, 상기 제2전극층(242)은 제거될 수 있으며, 다른 재질의 반사층으로 형성될 수 있다. 상기 반사층은 분산형 브래그 반사(distributed bragg reflector: DBR) 구조로 형성될 수 있으며, 상기 분산형 브래그 반사 구조는 서로 다른 굴절률을 갖는 두 유전체층이 교대로 배치된 구조를 포함하며, 예컨대, SiO2층, Si3N4층, TiO2층, Al2O3층, 및 MgO층 중 서로 다른 어느 하나를 각각 포함할 수 있다. 다른 예로서, 상기 전극층(241,242)은 분산형 브래그 반사 구조와 무지향성 반사 구조를 모두 포함할 수 있으며, 이 경우 98% 이상의 광 반사율을 갖는 발광 칩(200A)을 제공할 수 있다. 상기 플립 방식으로 탑재된 발광 칩(200A)은 상기 제2전극층(242)로부터 반사된 광이 기판(221)을 통해 방출하게 되므로, 수직 상 방향으로 대부분의 광을 방출할 수 있다. 또한 상기 발광 칩(200A)의 측면으로 방출된 광은 반사 시트(600)에 의해 광학 렌즈의 입사면 영역으로 반사될 수 있다. As another example, the second electrode layer 242 may be removed and formed of a reflective layer of another material. The reflective layer is a distributed Bragg reflection: can be formed of (distributed bragg reflector DBR) structure, and the distributed Bragg reflection structure to each other comprises a structure du dielectric layers are arranged alternately having different refractive indices, e.g., SiO 2 layer , A Si 3 N 4 layer, a TiO 2 layer, an Al 2 O 3 layer, and a MgO layer, respectively. As another example, the electrode layers 241 and 242 may include both a distributed Bragg reflection structure and an omni-directional reflection structure, and in this case, the light emitting chip 200A having a light reflectance of 98% or more can be provided. Since the light emitted from the second electrode layer 242 is emitted through the substrate 221, the light emitting chip 200A mounted in the flip-type can emit most of the light in the vertical direction. The light emitted to the side of the light emitting chip 200A may be reflected by the reflective sheet 600 to the incident surface area of the optical lens.

상기 제3전극층(243)은 상기 제2전극층(242)의 아래에 배치되며, 상기 제1 및 제2전극층(241,242)과 전기적으로 절연된다. 상기 제3전극층(243)은 금속 예컨대, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 제3전극층(243) 아래에는 제1패드(245) 및 제2패드(247)가 배치된다. 상기 절연층(231,233)은 제1 및 제2전극층(241,242), 제3전극층(243), 제1 및 제2패드(245,247), 발광 구조물(225)의 층 간의 불필요한 접촉을 차단하게 된다. 상기 절연층(231,233)은 제1 및 제2절연층(231,233)을 포함한다. 상기 제1절연층(231)은 상기 제3전극층(243)과 제2전극층(242) 사이에 배치된다. 상기 제2절연층(233)은 상기 제3전극층(243)과 제1/2패드(245,247) 사이에 배치된다. 상기 제1 및 제2패드(245,247)는 상기 제1 및 제2리드 전극(215,217)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.The third electrode layer 243 is disposed under the second electrode layer 242 and is electrically insulated from the first and second electrode layers 241 and 242. The third electrode layer 243 may be formed of a metal such as titanium, copper, nickel, gold, chromium, tantalum, platinum, tin, ), Silver (Ag), and phosphorus (P). A first pad 245 and a second pad 247 are disposed under the third electrode layer 243. The insulating layers 231 and 233 prevent unnecessary contact between the first and second electrode layers 241 and 242, the third electrode layer 243, the first and second pads 245 and 247, and the light emitting structure 225. The insulating layers 231 and 233 include first and second insulating layers 231 and 233. The first insulating layer 231 is disposed between the third electrode layer 243 and the second electrode layer 242. The second insulating layer 233 is disposed between the third electrode layer 243 and the second half pads 245 and 247. The first and second pads 245 and 247 may include the same material as the first and second lead electrodes 215 and 217.

상기 제3전극층(243)은 상기 제1도전형 반도체층(222)과 연결된다. 상기 제3전극층(243)의 연결부(244)는 상기 제1, 2전극층(241, 242) 및 발광 구조물(225)의 하부를 통해 비아 구조로 돌출되며 제1도전형 반도체층(222)과 접촉된다. 상기 연결부(244)는 복수로 배치될 수 있다. 상기 제3전극층(243)의 연결부(244)의 둘레에는 상기 제1절연층(231)의 일부(232)가 연장되어 제3전극층(243과 상기 제1 및 제2전극층(241,242), 제2도전형 반도체층(224) 및 활성층(223) 간의 전기적인 연결을 차단한다. 상기 발광 구조물(225)의 측면에는 측면 보호를 위해 절연 층이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The third electrode layer 243 is connected to the first conductive semiconductor layer 222. The connection part 244 of the third electrode layer 243 protrudes in a via structure through the first and second electrode layers 241 and 242 and the lower part of the light emitting structure 225 and contacts the first conductivity type semiconductor layer 222 do. The connection portions 244 may be arranged in a plurality. A portion 232 of the first insulating layer 231 extends around the connecting portion 244 of the third electrode layer 243 to form the third electrode layer 243 and the first and second electrode layers 241 and 242, Type semiconductor layer 224 and the active layer 223. An insulating layer may be disposed on the side surface of the light emitting structure 225 to protect the side surface of the light emitting structure 225. The present invention is not limited thereto.

상기 제2패드(247)는 상기 제2절연층(233) 아래에 배치되고 상기 제2절연층(233)의 오픈 영역을 통해 상기 제1 및 제2전극층(241, 242) 중 적어도 하나와 접촉되거나 연결된다. 상기 제1패드(245)는 상기 제2절연층(233)의 아래에 배치되며 상기 제2절연층(233)의 오픈 영역을 통해 상기 제3전극층(243)과 연결된다. 이에 따라 상기 제1패드(247)의 돌기(248)는 제1,2전극층(241,242)을 통해 제2도전형 반도체층(224)에 전기적으로 연결되며, 제2패드(245)의 돌기(246)는 제3전극층(243)을 통해 제1도전형 반도체층(222)에 전기적으로 연결된다. The second pad 247 is disposed below the second insulating layer 233 and contacts the at least one of the first and second electrode layers 241 and 242 through an open region of the second insulating layer 233 Or connected. The first pad 245 is disposed below the second insulating layer 233 and is connected to the third electrode layer 243 through an open region of the second insulating layer 233. [ The protrusion 248 of the first pad 247 is electrically connected to the second conductive semiconductor layer 224 through the first and second electrode layers 241 and 242 and the protrusion 246 of the second pad 245 Is electrically connected to the first conductive type semiconductor layer 222 through the third electrode layer 243.

상기 제1 및 제2패드(245,247)는 상기 발광 칩(200A)의 하부에 서로 이격되며, 상기 회로 기판(200)의 제1 및 제2리드 전극(215,217)와 대면하게 된다. 상기 제1 및 제2패드(245,247)에는 다각형 형상의 리세스(271,273)를 포함할 수 있으며, 상기 리세스(271,273)는 상기 발광 구조물(225)의 방향으로 볼록하게 형성된다. 상기 리세스(271,273)는 상기 제1 및 제2패드(245,247)의 두께와 같거나 작은 깊이를 갖고 형성될 수 있으며, 이러한 리세스(271,273)의 깊이는 상기 제1 및 제2패드(245,247)의 표면적을 증가시켜 줄 수 있다. The first and second pads 245 and 247 are spaced apart from each other at a lower portion of the light emitting chip 200A and face the first and second lead electrodes 215 and 217 of the circuit board 200, respectively. The first and second pads 245 and 247 may include polygonal recesses 271 and 273 and the recesses 271 and 273 are formed to be convex in the direction of the light emitting structure 225. The recesses 271 and 273 may be formed to have a depth equal to or smaller than the thickness of the first and second pads 245 and 247. The depths of the recesses 271 and 273 may be different from the depths of the first and second pads 245 and 247, Can be increased.

상기 제1패드(245) 및 제1리드 전극(215) 사이의 영역 및 상기 제2패드(247) 및 제2리드 전극(217) 사이의 영역에는 접합 부재(255,257)가 배치된다. 상기 접합 부재(255,257)는 전기 전도성 물질을 포함할 수 있으며, 일부는 상기 리세스(271,273)에 배치된다. 상기 제1 및 제2패드(215,217)는 상기 접합 부재(255,257)가 리세스(271,273)에 배치되므로, 상기 접합 부재(255,257)와 제1 및 제2패드(245,247) 간의 접착 면적은 증가될 수 있다. 이에 따라 제1 및 제2패드(245,247)와 제1 및 제2리드 전극(215,217)가 접합되므로 발광 칩(200A)의 전기적인 신뢰성 및 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있다.The bonding members 255 and 257 are disposed in a region between the first pad 245 and the first lead electrode 215 and a region between the second pad 247 and the second lead electrode 217. The bonding members 255 and 257 may include an electrically conductive material, and a portion thereof may be disposed in the recesses 271 and 273. The bonding area between the bonding members 255 and 257 and the first and second pads 245 and 247 can be increased because the bonding members 255 and 257 are disposed in the recesses 271 and 273, have. Accordingly, the first and second pads 245 and 247 are bonded to the first and second lead electrodes 215 and 217, thereby improving the electrical reliability and heat dissipation efficiency of the light emitting chip 200A.

상기 접합 부재(255,257)는 솔더 페이스트 재질을 포함할 수 있다. 상기 솔더 페이스트 재질은 금(Au), 주석(Sn), 납(Pb), 구리(Cu), 비스무트(Bi), 인듐(In), 은(Ag) 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 접합 부재(255,257)는 열 전달을 회로 기판(200)에 직접 전도하기 때문에 열 전도 효율이 패키지를 이용한 구조보다는 개선될 수 있다. 또한 상기 접합 부재(255,257)는 발광 칩(200A)의 제1 및 제2패드(245,247)와의 열 팽창계수의 차이가 적은 물질이므로, 열 전도 효율을 개선시켜 줄 수 있다. The joining members 255 and 257 may include a solder paste material. The solder paste material includes at least one of Au, Sn, Pb, Cu, Bi, In, and Ag. Since the bonding members 255 and 257 conduct the heat directly to the circuit board 200, the heat conduction efficiency can be improved as compared with the structure using the package. Also, since the bonding members 255 and 257 are materials having a small difference in thermal expansion coefficient from the first and second pads 245 and 247 of the light emitting chip 200A, the thermal conduction efficiency can be improved.

상기 접합 부재(255,257)는 다른 예로서, 전도성 필름을 포함할 수 있으며, 상기 전도성 필름은 절연성 필름 내에 하나 이상의 도전성 입자를 포함한다. 상기 도전성 입자는 예컨대, 금속이나, 금속 합금, 탄소 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도전성 입자는 니켈, 은, 금, 알루미늄, 크롬, 구리 및 탄소 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 전도성 필름은 이방성(Anisotropic) 전도 필름 또는 이방성 도전 접착제를 포함할 수 있다. As another example, the bonding members 255 and 257 may include a conductive film, and the conductive film includes at least one conductive particle in the insulating film. The conductive particles may include at least one of, for example, a metal, a metal alloy, and carbon. The conductive particles may include at least one of nickel, silver, gold, aluminum, chromium, copper, and carbon. The conductive film may include an anisotropic conductive film or an anisotropic conductive adhesive.

상기 발광 칩(200A)과 상기 회로 기판(200) 사이에는 접착 부재 예컨대, 열전도성 필름을 포함할 수 있다. 상기 열전도성 필름은 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부티렌테레프탈레이드, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부티렌나프탈레이트 등의 폴리에스터 수지; 폴리이미드 수지; 아크릴 수지; 폴리스티렌 및 아크릴로니트릴-스티렌 등의 스티렌계 수지; 폴리카보네이트 수지; 폴리락트산 수지; 폴리우레탄 수지; 등을 사용할 수 있다. 또한, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체와 같은 폴리올레핀 수지; 폴리비닐클로라이드, 폴리비닐리덴클로라이드 등의 비닐 수지; 폴리아미드 수지; 설폰계 수지; 폴리에테르-에테르케톤계 수지; 알릴레이트계 수지; 또는 상기 수지들의 블렌드 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. Between the light emitting chip 200A and the circuit board 200, an adhesive member, for example, a thermally conductive film may be included. The thermally conductive film may be a polyester resin such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalide, polyethylene naphthalate and polybutylene naphthalate; Polyimide resin; Acrylic resin; Styrenic resins such as polystyrene and acrylonitrile-styrene; Polycarbonate resin; Polylactic acid resin; Polyurethane resin; Etc. may be used. Further, polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene and ethylene-propylene copolymer; Vinyl resins such as polyvinyl chloride and polyvinylidene chloride; Polyamide resins; Sulfonic resin; Polyether-ether ketone resin; Allylate series resin; Or a blend of the resins.

상기 발광 칩(200A)은 회로 기판의 표면 및 발광 구조물(225)의 측면 및 상면을 통해 광을 방출함으로써, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 이러한 회로 기판 상에 발광 칩(200A)을 직접 본딩할 수 있어 공정이 간소화될 수 있다. 또한 발광 칩(200A)의 방열이 개선됨으로써, 조명 분야 등에 유용하게 활용될 수 있다. The light emitting chip 200A emits light through the surface of the circuit board and the side surface and the upper surface of the light emitting structure 225, thereby improving light extraction efficiency. The light emitting chip 200A can be directly bonded onto such a circuit board, so that the process can be simplified. Further, since the heat dissipation of the light emitting chip 200A is improved, the light emitting chip 200A can be advantageously utilized in an illumination field or the like.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of illustration, It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

10: 광원 모듈
20: 본체
21: 베이스부
23: 지지부
25,26: 리세스
30,40: 발광부
31,41: 회로 기판
32,33,42,43: 발광 소자
36,46: 반사 컵
39,49: 렌즈
92: 하우징
95: 캐비티
101,90: 헤드 램프
10: Light source module
20:
21: Base portion
23:
25,26: recess
30, 40:
31, 41: circuit board
32, 33, 42,
36,46: reflective cup
39, 49: Lens
92: Housing
95: Cavity
101,90: Head lamp

Claims (11)

베이스부 및 상기 베이스부로부터 제1방향으로 돌출되고 서로 다른 영역에 제1,2리세스를 갖는 지지부를 포함하는 본체;
상기 본체의 제1리세스에 배치된 제1발광부; 및
상기 본체의 제2리세스에 배치된 제2발광부를 포함하며,
상기 제1리세스는, 제1바닥부, 상기 제1바닥부의 제1방향 양측에 경사진 제1,2측면, 상기 제1바닥부의 제2방향 양측에 제1,2측벽을 포함하며,
상기 제2리세스는, 제2바닥부, 상기 제2바닥부의 제1방향의 양측에 경사진 제3,4측면, 상기 제1바닥부의 제2방향 양측에 제3,4측벽을 포함하며,
상기 제1발광부는 상기 제1리세스의 제1바닥부에 제1회로 기판, 상기 제1회로 기판에 제1 및 제2발광 소자, 상기 제1,2발광 소자 상에 제1렌즈를 포함하며,
상기 제2발광부는 상기 제2리세스의 제2바닥부에 제2회로 기판, 상기 제2회로 기판 상에 제3,4발광 소자, 상기 제3,4발광 소자 상에 제2렌즈를 포함하며,
상기 제1,2렌즈는 상기 제1 내지 제4발광 소자와 중첩된 센터 영역의 두께가 상기 제1 내지 제4측벽에 인접한 에지 영역의 두께보다 두꺼운 두께를 갖는 광원 모듈.
A main body including a base portion and a support portion protruding from the base portion in a first direction and having first and second recesses in different regions;
A first light emitting portion disposed in a first recess of the main body; And
And a second light emitting portion disposed in a second recess of the body,
The first recess includes a first bottom portion, first and second side surfaces inclined to both sides of the first bottom portion in the first direction, and first and second side walls on both sides of the first bottom portion in the second direction,
The second recess includes a second bottom portion, third and fourth side surfaces inclined to both sides in the first direction of the second bottom portion, and third and fourth side walls on both sides of the first bottom portion in the second direction,
The first light emitting portion includes a first circuit substrate on a first bottom portion of the first recess, first and second light emitting elements on the first circuit substrate, and a first lens on the first and second light emitting elements, ,
The second light emitting portion includes a second circuit substrate on a second bottom portion of the second recess, a third and fourth light emitting elements on the second circuit substrate, and a second lens on the third and fourth light emitting elements, ,
Wherein the first and second lenses have a thickness of a center region overlapped with the first to fourth light emitting elements, the thickness of which is thicker than the thickness of the edge region adjacent to the first to fourth sidewalls.
제1항에 있어서, 상기 제1,2렌즈는 제2방향의 외부 곡면이 볼록한 곡면을 갖고, 제3방향의 내부 곡면이 오목한 곡면을 갖는 광원 모듈.The light source module according to claim 1, wherein the first and second lenses have a curved surface with an outer curved surface in a second direction and a curved inner surface with a concave surface in a third direction. 제2항에 있어서, 상기 제1,2렌즈는 제1방향으로 일정한 두께를 갖고 상기 제1 내지 제4측면 상으로 연장되는 광원 모듈.The light source module according to claim 2, wherein the first and second lenses have a constant thickness in a first direction and extend on the first to fourth sides. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1,2바닥부는 상기 제1내지 제4측벽보다 낮은 깊이를 가지며,
상기 제1,2회로 기판이 배치되는 상기 제1,2바닥부 사이의 간격은 상기 제1,2회로 기판의 두께 합보다 작은 광원 모듈.
4. The apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the first and second bottom portions have a lower depth than the first to fourth side walls,
Wherein a distance between the first and second bottom portions of the first and second circuit boards is smaller than a sum of thicknesses of the first and second circuit boards.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1,2발광 소자 중 적어도 하나는 제1방향으로 복수로 배치되며,
상기 제3,4발광 소자 중 적어도 하나는 제1방향으로 복수로 배치되며,
상기 제1발광부는 상기 제2발광 소자의 하부 영역을 감싸는 제1반사 컵을 포함하며,
상기 제2발광부는 상기 제4발광 소자의 하부 영역을 감싸는 제2반사 컵을 포함하는 광원 모듈.
The light emitting device according to any one of claims 1 to 3, wherein at least one of the first and second light emitting devices is disposed in a plurality of directions in the first direction,
At least one of the third and fourth light emitting devices is disposed in a plurality of directions in the first direction,
Wherein the first light emitting portion includes a first reflective cup surrounding a lower region of the second light emitting element,
And the second light emitting portion includes a second reflective cup surrounding the lower region of the fourth light emitting element.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1,2바닥부는 제1방향을 기준으로 서로 반대측에 배치되는 광원 모듈. The light source module according to any one of claims 1 to 3, wherein the first and second bottom portions are disposed on opposite sides with respect to a first direction. 제6항에 있어서, 상기 제1,2리세스의 외곽부의 두께는 상기 제1,3발광 소자의 발광 면 간의 간격과 동일하거나 작은 광원 모듈. The light source module according to claim 6, wherein a thickness of an outer portion of the first and second recesses is equal to or smaller than an interval between the light emitting surfaces of the first and third light emitting devices. 제2항에 있어서, 상기 제1,2렌즈는 내부 곡면 및 외부 곡면 중 적어도 하나는 무반사 재질을 포함하는 광원 모듈.[3] The light source module of claim 2, wherein at least one of the inner curved surface and the outer curved surface comprises an anti-reflective material. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1,2렌즈의 외부 곡면은 상기 본체의 지지부의 표면과 동일한 면 또는 상기 지지부의 표면보다 돌출되지 않게 배치되는 광원 모듈.The light source module according to any one of claims 1 to 3, wherein the outer curved surface of the first and second lenses is disposed on the same surface as the surface of the support portion of the main body or on the surface of the support portion. 제1방향으로 개방된 캐비티를 갖고 오목한 내부 표면을 갖는 하우징;
상기 하우징의 캐비티 바닥에 베이스부 및 상기 베이스부로부터 제1방향으로 돌출되며 서로 반대측 방향에 제1,2리세스를 갖는 지지부를 포함하는 본체;
상기 본체의 제1리세스에 배치된 제1발광부; 및
상기 본체의 제2리세스에 배치된 제2발광부를 포함하며,
상기 제1리세스는, 제1바닥부, 상기 제1바닥부의 제1방향 양측에 경사진 제1,2측면, 상기 제1바닥부의 제2방향 양측에 제1,2측벽을 포함하며,
상기 제2리세스는, 제2바닥부, 상기 제2바닥부의 제1방향의 양측에 경사진 제3,4측면, 상기 제1바닥부의 제2방향 양측에 제3,4측벽을 포함하며,
상기 제1발광부는 상기 제1리세스의 제1바닥부에 제1회로 기판, 상기 제1회로 기판에 제1 및 제2발광 소자, 상기 제1,2발광 소자 상에 제1렌즈를 포함하며,
상기 제2발광부는 상기 제2리세스의 제2바닥부에 제2회로 기판, 상기 제2회로 기판 상에 제3,4발광 소자, 상기 제3,4발광 소자 상에 제2렌즈를 포함하며,
상기 제1,2렌즈는 상기 제1 내지 제4발광 소자와 중첩된 센터 영역의 두께가 상기 제1 내지 제4측벽에 인접한 에지 영역의 두께보다 두꺼운 두께를 갖고,
상기 제1,2렌즈는 제2방향의 외부 곡면이 볼록한 곡면을 갖고, 제3방향의 내부 곡면이 오목한 곡면을 갖는 헤드 램프.
A housing having a cavity open in a first direction and having a concave inner surface;
A main body on the bottom of the cavity of the housing and a support portion protruding in the first direction from the base portion and having first and second recesses in directions opposite to each other;
A first light emitting portion disposed in a first recess of the main body; And
And a second light emitting portion disposed in a second recess of the body,
The first recess includes a first bottom portion, first and second side surfaces inclined to both sides of the first bottom portion in the first direction, and first and second side walls on both sides of the first bottom portion in the second direction,
The second recess includes a second bottom portion, third and fourth side surfaces inclined to both sides in the first direction of the second bottom portion, and third and fourth side walls on both sides of the first bottom portion in the second direction,
The first light emitting portion includes a first circuit substrate on a first bottom portion of the first recess, first and second light emitting elements on the first circuit substrate, and a first lens on the first and second light emitting elements, ,
The second light emitting portion includes a second circuit substrate on a second bottom portion of the second recess, a third and fourth light emitting elements on the second circuit substrate, and a second lens on the third and fourth light emitting elements, ,
Wherein the first and second lenses have a thickness of a center region overlapped with the first to fourth light emitting elements to be thicker than a thickness of an edge region adjacent to the first to fourth sidewalls,
Wherein the first and second lenses have curved surfaces whose outer curved surfaces are convex in the second direction and curved surfaces whose inner curved surfaces in the third direction are concave.
제10항에 있어서, 상기 제1,2렌즈는 제1방향으로 일정한 두께를 갖고 상기 제1 내지 제4측면 상으로 연장되며,
상기 제1,2바닥부는 상기 제1내지 제4측벽보다 낮은 깊이를 가지며,
상기 제1,2회로 기판이 배치되는 상기 제1,2바닥부 사이의 간격은 상기 제1,2회로 기판의 두께 합보다 작으며,
상기 제1,2렌즈를 통과하는 상기 하우징의 내부 표면의 초점 위치는 서로 다른 헤드 램프.
11. The lens of claim 10, wherein the first and second lenses have a constant thickness in the first direction and extend on the first to fourth sides,
The first and second bottom portions have lower depths than the first to fourth sidewalls,
Wherein a distance between the first and second bottom portions of the first and second circuit boards is smaller than a sum of thicknesses of the first and second circuit boards,
Wherein the focus position of the inner surface of the housing passing through the first and second lenses is different.
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