KR20180104649A - A method of manufacturing a light receiving module and a light receiving module - Google Patents

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Abstract

수광 모듈은 기판(20)과, 범프(51)를 통해서 기판(20)의 전극부에 전기적으로 접속되는 반도체 수광 소자(10)와, 기판의 제1 표면(21)측에 마련되어 반도체 수광 소자(10)를 실링하는 제1 수지부(30)와, 기판의 제2 표면(22)측에 마련되어 제2 표면의 전체를 덮는 제2 수지부(40)를 구비한다. 반도체 수광 소자(10)는 광 검출 영역(12a)이 관통 구멍(26)에 대면하도록 배치된다. 기판은 제1 수지부(30)로부터 제1 방향으로 돌출되는 플랜지부(20a, 20b)를 가진다. 제2 수지부는 기판의 관통 구멍(26) 내로 돌출되는 돌출부(46)를 가지고, 돌출부(46)는 반도체 수광 소자(10)의 광 검출 영역(12a)을 피복한다. The light receiving module includes a substrate 20, a semiconductor light receiving element 10 electrically connected to the electrode portion of the substrate 20 through the bump 51, and a semiconductor light receiving element (not shown) provided on the first surface 21 side of the substrate 10 and a second resin part 40 provided on the second surface 22 side of the substrate and covering the entire second surface. The semiconductor photodetector element 10 is arranged so that the photodetection area 12a faces the through hole 26. [ The substrate has flange portions (20a, 20b) projecting from the first resin portion (30) in the first direction. The second resin portion has a protruding portion 46 projecting into the through hole 26 of the substrate and the protruding portion 46 covers the photodetecting region 12a of the semiconductor light receiving element 10.

Description

수광 모듈 및 수광 모듈의 제조 방법A method of manufacturing a light receiving module and a light receiving module

본 개시는 수광 모듈 및 수광 모듈의 제조 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a light receiving module and a method of manufacturing the light receiving module.

종래, 배선 기판상에 수광 소자가 실장된 반도체 장치가 알려져 있다. 특허 문헌 1, 2에 기재된 장치에서는, 수광 소자는 플립 칩 방식에 의해 기판에 실장되어 있다. 즉, 기판과 수광 소자의 사이에는 범프가 마련되고, 이 범프에 의해, 수광 소자가 기판의 전극 단자 또는 배선 패턴에 접속되어 있다. 수광 소자는 수지에 의해서 실링되어 있다. 2. Description of the Related Art A semiconductor device in which a light receiving element is mounted on a wiring board is known. In the devices described in Patent Documents 1 and 2, the light receiving element is mounted on the substrate by the flip chip method. That is, a bump is provided between the substrate and the light receiving element, and the light receiving element is connected to the electrode terminal or the wiring pattern of the substrate by the bump. The light receiving element is sealed by a resin.

특허 문헌 1에 기재된 장치에서는, 기판에 관통공이 마련되어 있고, 이 관통공에 수광 소자의 수광면이 대향(對向)하고 있다. 수광 소자와 기판의 간극부에는 실링 수지가 충전되어, 얇은 실링 수지층이 형성된다. 이 실링 수지층의 경화가 끝난 후, 수광 소자의 수광면 이외의 부분이 수지로 실링되어, 제2 실링 수지층이 형성된다. 장치의 제조에 있어서는, 기판상에 복수의 수광 소자가 마련되고, 그러한 수광 소자에 대해서 실링 수지층이 형성된 후에, 다이싱 라인을 따라서 절단·분리가 행해짐으로써, 복수의 반도체 장치가 얻어진다. In the apparatus described in Patent Document 1, a through hole is provided in the substrate, and the light receiving surface of the light receiving element is opposed to the through hole. A sealing resin is filled in a gap portion between the light receiving element and the substrate to form a thin sealing resin layer. After the curing of the sealing resin layer is completed, a portion other than the light-receiving surface of the light-receiving element is sealed with a resin, and a second sealing resin layer is formed. In manufacturing the apparatus, a plurality of light receiving elements are provided on a substrate, and a sealing resin layer is formed on such a light receiving element, followed by cutting / separating along the dicing line, thereby obtaining a plurality of semiconductor devices.

특허 문헌 2에 기재된 장치에서는, 반도체 소자의 표면의 광 감응부가 기판에 대향하도록 하여, 반도체 소자가 기판상에 장착되어 있다. 반도체 소자는 수지에 의해 몰드되어 있다. 기판의 상기 광 감응부와 대향하는 부분에는, 광 투과성의 창(窓)이 마련되어 있다. 이 투명창으로서는, 석영 유리판이나 수지 등이 이용된다. In the apparatus described in Patent Document 2, a semiconductor element is mounted on a substrate such that the light sensitive portion of the surface of the semiconductor element is opposed to the substrate. The semiconductor element is molded by resin. A light-transmissive window is provided at a portion of the substrate facing the light-sensitive portion. As this transparent window, a quartz glass plate, resin, or the like is used.

특허 문헌 1: 일본 특개 2008-226895호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-226895 특허 문헌 2: 일본 실개 소62-84937호 공보Patent Document 2: Japanese Unexamined Patent Publication No. 62-84937

특허 문헌 1 및 2에 기재된 장치에서는, 수광 소자의 수광면이 기판의 관통공 또는 투명한 창부에 대향하고 있고, 이것에 의해, 관통공 또는 창부를 통해서 광이 입사하도록 되어 있다. 이 경우, 관통공 또는 창부의 크기에 대응하여 광이 입사되기 때문에, 그 결과, 그것들의 크기에 따른 개구율이 얻어지게 된다. 그러나, 추가적인 개구율의 향상은 어렵다. In the apparatuses described in Patent Documents 1 and 2, the light-receiving surface of the light-receiving element is opposed to the through-hole or the transparent window of the substrate, so that light enters through the through-hole or the window. In this case, since the light is incident in accordance with the size of the through hole or the window, as a result, the aperture ratio according to their sizes is obtained. However, further improvement of the aperture ratio is difficult.

본 개시는 개구율을 향상시킴으로써, 수광 감도의 증대를 도모할 수 있는 수광 모듈 및 수광 모듈의 제조 방법을 설명한다. The present disclosure describes a light receiving module and a method of manufacturing a light receiving module capable of increasing the light receiving sensitivity by improving the aperture ratio.

본 개시의 일 양태에 따른 수광 모듈은 제1 표면과, 제1 표면과는 반대측인 제2 표면과, 제1 표면에 마련된 전극부와, 제1 표면 및 제2 표면을 접속시키는 단면(端面)에 마련되고, 전극부에 전기적으로 접속된 단자부를 가지는 기판과, 기판의 제1 표면에 대면(對面)하도록 마련되고, 제1 표면과의 사이에 마련된 범프를 통해서 기판의 전극부에 전기적으로 접속되는 반도체 수광 소자와, 반도체 수광 소자와 기판의 제1 표면의 간극으로서 범프의 주위에 충전되는 언더 필과, 기판의 제1 표면측에 마련되어 반도체 수광 소자를 실링하고, 소정 파장의 광에 대해서 차광성(遮光性)을 가지는 제1 수지부와, 기판의 제2 표면측에 마련되어 제2 표면의 전체를 덮고, 소정 파장의 광에 대해서 광학적으로 투명한 제2 수지부를 구비하고, 기판에는 기판을 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍이 마련되고, 반도체 수광 소자는 반도체 수광 소자의 광 검출 영역이 관통 구멍에 대면하도록 배치되고, 두께 방향에 직교하는 제1 방향에 있어서의 기판의 길이는 제1 방향에 있어서의 제1 수지부의 길이보다도 크고, 기판은 제1 수지부로부터 제1 방향으로 돌출되는 플랜지(flange)부를 가지고, 플랜지부는 제1 표면의 노출 부분과 단자부가 마련된 단면을 포함하고, 제2 수지부는 기판의 관통 구멍 내로 돌출되는 돌출부를 가지고, 돌출부는 반도체 수광 소자의 광 검출 영역을 피복한다. A light receiving module according to an aspect of the present disclosure includes a first surface, a second surface opposite to the first surface, an electrode portion provided on the first surface, and an end surface connecting the first surface and the second surface. And electrically connected to the electrode portion of the substrate through a bump provided between the first surface and the first surface of the substrate, the substrate having a terminal portion electrically connected to the electrode portion, An underfill filled in the periphery of the bump as a gap between the semiconductor light-receiving element and the first surface of the substrate; a semiconductor light-receiving element provided on the first surface side of the substrate to seal the semiconductor light- And a second resin part provided on the second surface side of the substrate and covering the entire second surface and optically transparent to light of a predetermined wavelength, In the thickness direction And the semiconductor light receiving element is arranged so that the light detecting area of the semiconductor light receiving element faces the through hole and the length of the substrate in the first direction orthogonal to the thickness direction is equal to the length of the substrate in the first direction And the flange portion includes a cross section in which the exposed portion and the terminal portion of the first surface are provided, and the second resin portion has a flange portion projecting in the first direction from the first resin portion, And a protrusion protruding into the through-hole of the substrate, the protrusion covering the photodetecting area of the semiconductor photodetector.

이 수광 모듈에 의하면, 반도체 수광 소자는 범프를 통해서 기판의 제1 표면에 마련되어 있다. 이러한 플립 칩 방식에 의한 실장은 와이어를 이용하는 경우에 비하여, 단선 등의 문제를 회피할 수 있기 때문에, 높은 신뢰성을 실현할 수 있다. 기판은 제1 수지부로부터 돌출되는 플랜지부를 가진다. 수광 모듈을 실장할 때, 실장용 기판에 구멍부 등을 마련하고, 이 구멍부 등에 제1 수지부가 들어가게 한다. 그리고 플랜지부를 실장용 기판상에 재치(載置)함으로써, 수광 모듈을 실장용 기판에 용이하게 실장할 수 있다. 기판의 제2 표면측에 마련된 제2 수지부는 소정 파장의 광에 대해서 광학적으로 투명하다. 제2 수지부에 있어서, 기판을 덮는 면과 반대측의 노출면으로부터 광이 입사되면, 제2 수지부의 굴절률은 공기의 굴절률보다도 크기 때문에, 광은 제2 수지부의 내부에서 확산되고, 제2 수지부의 내부에 갇힌다. 즉, 노출면으로부터 기판의 관통 구멍으로 직접 입사된 광은, 반도체 수광 소자의 광 검출 영역으로 입사되지만, 그 이외의 광은, 기판의 제2 표면이나 제2 수지부의 노출면 등에서 반사된 후에, 관통 구멍을 통해서 광 검출 영역으로 입사된다. 제2 수지부는 기판의 제2 표면의 전체를 덮고 있기 때문에, 노출면도 크게 되어 있고, 따라서 수광 범위가 넓다. 제2 수지부는 넓은 범위로 입사된 광을, 관통 구멍을 통해서 광 검출 영역으로 입사시킬 수 있다. 관통 구멍의 크기에 따른 개구율로 한정되어 버리는 종래의 수광 모듈에 비하여, 이 수광 모듈에서는, 개구율이 향상되어 있다. 게다가, 제2 수지부의 돌출부는 관통 구멍 내로 돌출되어, 추가로 광 검출 영역을 피복한다. 이것에 의해, 제2 수지부 내의 광을, 관통 구멍뿐만 아니라 광 검출 영역까지 확실하게 안내할 수 있다. 그 결과로서, 수광 감도의 증대가 도모된다. 또, 반도체 수광 소자는 차광성을 가지는 제1 수지부에 의해서 실링되어 있으므로, 관통 구멍을 경유하는 광 이외의 입사광은, 차단될 수 있다. 따라서, 노이즈가 감소한다. 노이즈의 감소에 의해, 수광 감도에 관한 S/N비가 향상된다. According to this light receiving module, the semiconductor light receiving element is provided on the first surface of the substrate through the bumps. This flip-chip mounting can avoid the problem of disconnection and the like compared with the case of using a wire, so that high reliability can be realized. The substrate has a flange portion projecting from the first resin portion. When the light receiving module is mounted, a hole or the like is provided on the mounting board, and the first resin portion is inserted into the hole portion. By mounting the flange portion on the mounting substrate, the light receiving module can be easily mounted on the mounting substrate. The second resin part provided on the second surface side of the substrate is optically transparent to light of a predetermined wavelength. In the second resin part, when light is incident from the exposed surface on the opposite side of the surface covering the substrate, the refractive index of the second resin part is larger than the refractive index of air, so that light is diffused in the second resin part, It is trapped inside the resin part. That is, the light directly incident on the through hole of the substrate from the exposed surface is incident on the light detecting region of the semiconductor light receiving element, but the other light is reflected on the second surface of the substrate or the exposed surface of the second resin portion , And enters the light detection area through the through hole. Since the second resin part covers the entire second surface of the substrate, the exposed surface is also large, and thus the light receiving range is wide. And the second resin part can make the light entering the wide range enter the light detecting area through the through hole. The aperture ratio is improved in the light receiving module compared to the conventional light receiving module which is limited to the aperture ratio according to the size of the through hole. In addition, the protrusion of the second resin part protrudes into the through-hole, and further covers the light-detecting area. As a result, light in the second resin portion can be reliably guided not only to the through hole but also to the light detection area. As a result, the light receiving sensitivity can be increased. Since the semiconductor light-receiving element is sealed by the first resin part having light-shielding properties, incident light other than light passing through the through-hole can be cut off. Therefore, noise is reduced. By reducing the noise, the S / N ratio with respect to the light receiving sensitivity is improved.

일부 양태에 있어서, 제1 방향에 있어서의 제2 수지부의 길이는, 제1 방향에 있어서의 기판의 길이와 같고, 제1 방향에 있어서의 제2 수지부의 단면은 제1 방향에 있어서의 기판의 단면과 같은 면으로 연속되어 있다. 이 경우, 제1 방향에 있어서의 넓은 범위로 입사된 광을, 광 검출 영역으로 입사시킬 수 있어, 수광 감도를 한층 증대시킬 수 있다. In some aspects, the length of the second resin portion in the first direction is equal to the length of the substrate in the first direction, and the cross section of the second resin portion in the first direction is the length And is continuous on the same plane as the cross section of the substrate. In this case, light incident in a wide range in the first direction can be made incident on the light detecting area, and the light receiving sensitivity can be further increased.

일부 양태에 있어서, 두께 방향 및 제1 방향의 양쪽에 직교하는 제2 방향에 있어서의 제2 수지부의 길이는, 제2 방향에 있어서의 기판의 길이와 같고, 제2 방향에 있어서의 제2 수지부의 단면은, 제2 방향에 있어서의 기판의 단면과 같은 면으로 연속되어 있다. 이 경우, 제2 방향에 있어서의 넓은 범위로 입사된 광을, 광 검출 영역으로 입사시킬 수 있어, 수광 감도를 한층 증대시킬 수 있다. In some aspects, the length of the second resin portion in the thickness direction and the second direction orthogonal to both the first direction is the same as the length of the substrate in the second direction, and the length of the second resin portion in the second direction The cross section of the resin section is continuous on the same plane as the cross section of the substrate in the second direction. In this case, light incident in a wide range in the second direction can be made incident on the light detecting area, and the light receiving sensitivity can be further increased.

일부 양태에 있어서, 관통 구멍은 제2 표면측으로부터 제1 표면측을 향함에 따라 가늘어지는 테이퍼 모양이다. 이 경우, 광 검출 영역에 광을 입사시키기 쉬워져, 수광 감도를 한층 증대시킬 수 있다. In some embodiments, the through-hole is tapered to be tapered from the second surface side toward the first surface side. In this case, light is easily incident on the light detecting area, and the light receiving sensitivity can be further increased.

일부 양태에 있어서, 제2 수지부에 있어서, 제2 표면을 덮는 면과 반대측의 노출면은, 프레넬 렌즈(Fresnel lens) 형상을 이루고 있다. 이 경우, 노출면으로부터 입사된 광을 관통 구멍으로 안내하기 쉬워, 집광 효율이 높아진다. 따라서, 수광 감도를 한층 증대시킬 수 있다. In some embodiments, in the second resin portion, the exposed surface on the opposite side of the surface covering the second surface is in the form of a Fresnel lens. In this case, light incident from the exposed surface can easily be guided to the through hole, and the light collection efficiency is enhanced. Therefore, the light receiving sensitivity can be further increased.

일부 양태에 있어서, 기판의 제2 표면은 소정 파장의 광을 반사시키는 반사면이다. 이 경우, 제2 수지부의 내부에서의 광 성분을 증대시킬 수 있고, 또 광의 가둠 효과가 더욱 향상된다. 따라서, 수광 감도를 한층 증대시킬 수 있다. In some embodiments, the second surface of the substrate is a reflective surface that reflects light of a predetermined wavelength. In this case, the light component in the interior of the second resin part can be increased, and the light confinement effect is further improved. Therefore, the light receiving sensitivity can be further increased.

본 개시의 일 양태에 따른 수광 모듈의 제조 방법은, 대향하는 제1 표면과 제2 표면을 가지는 기판으로서, 제1 표면에 복수의 전극부가 마련되고, 전극부에 전기적으로 접속되어 제1 표면으로부터 두께 방향으로 연장되는 복수의 단자부가 마련되고, 두께 방향으로 관통하는 복수의 관통 구멍이 마련된 기판을 준비하는 공정과, 기판의 제1 표면에 대면하고 또한 관통 구멍을 덮도록 복수의 반도체 수광 소자를 배치하고, 제1 표면과 반도체 수광 소자의 사이에 범프를 마련하고, 반도체 수광 소자를 본딩하여 전극부에 반도체 수광 소자를 전기적으로 접속시키는 공정과, 반도체 수광 소자와 기판의 제1 표면의 간극으로서 범프의 주위에 충전된 언더 필을 형성하는 공정과, 기판의 제1 표면측에 있어서, 소정 파장의 광에 대해서 차광성을 가지는 제1 수지를 이용하여 제1 표면 및 반도체 수광 소자를 실링하여, 제1 실링 수지부를 형성하는 공정과, 기판의 제2 표면측에 있어서, 소정 파장의 광에 대해서 광학적으로 투명한 제2 수지를 이용하여 제2 표면의 전체를 실링하여, 제2 실링 수지부를 형성하는 공정과, 제1 실링 수지부의 일부를 제거하여 제1 표면의 일부를 노출시킴과 아울러 복수의 단자부를 노출시키는 공정과, 반도체 수광 소자가 마련되어 있지 않은 영역을 통과하는 제1 라인과, 제1 표면의 노출 부분을 통과하는 제2 라인에 있어서 각각 다이싱을 행하여, 기판을 개편화(個片化)하는 공정을 포함하고, 반도체 수광 소자를 전기적으로 접속시키는 공정에서는, 반도체 수광 소자의 광 검출 영역이 관통 구멍에 대면하도록 반도체 수광 소자를 배치하고, 제2 실링 수지부를 형성하는 공정에서는, 기판의 관통 구멍 내에 제2 수지를 유입(流入)시켜, 추가로 반도체 수광 소자의 광 검출 영역을 제2 수지로 피복한다. A method of manufacturing a light receiving module according to an aspect of the present disclosure is a substrate having opposing first and second surfaces, wherein the first surface has a plurality of electrode portions and is electrically connected to the electrode portions, A step of preparing a substrate provided with a plurality of terminal portions extending in the thickness direction and provided with a plurality of through holes penetrating in the thickness direction, a step of forming a plurality of semiconductor photodetectors facing the first surface of the substrate, A step of providing a bump between the first surface and the semiconductor light receiving element and electrically connecting the semiconductor light receiving element to the electrode portion by bonding the semiconductor light receiving element, a step of forming a gap between the semiconductor light receiving element and the first surface of the substrate A step of forming an underfill filled in the periphery of the bump, a step of forming a first resin having a light shielding property with respect to light of a predetermined wavelength on the first surface side of the substrate A step of forming a first sealing resin portion by sealing the first surface and the semiconductor light receiving element using the first resin and the second sealing resin by using a second resin optically transparent to light of a predetermined wavelength on the second surface side of the substrate, A step of forming a second sealing resin part by sealing the entire surface of the first sealing resin part, a step of exposing a plurality of terminal parts while exposing a part of the first surface by removing a part of the first sealing resin part, And dicing each of the first line passing through the region where the first surface is not provided and the second line passing through the exposed portion of the first surface to separate the substrate, In the step of electrically connecting the elements, the semiconductor light-receiving element is disposed so that the light-detecting area of the semiconductor light-receiving element faces the through hole, and in the step of forming the second sealing resin part, To the inlet (流入) a second resin into the through-hole, and more cover the light detecting region of the semiconductor light-receiving element to the second resin.

이 제조 방법에 의하면, 상기한 수광 모듈의 작용 효과와 마찬가지로 하여, 범프를 이용한 플립 칩 방식의 실장에 의해, 높은 신뢰성을 실현할 수 있다. 제1 표면측에 있어서는, 차광성을 가지는 제1 수지를 이용하여 제1 표면 및 반도체 수광 소자가 실링되고, 그 후, 제1 실링 수지부의 일부가 제거되어 제1 표면이 노출된다. 제1 표면의 노출 부분을 통과하는 제2 라인으로 다이싱을 행함으로써, 기판에, 제1 수지부(제거되지 않고 남은 제1 수지부)로부터 돌출되는 플랜지부가 형성된다. 이 플랜지부에 의하면, 상기한 수광 모듈과 마찬가지로, 수광 모듈을 실장용 기판에 용이하게 실장할 수 있다. 한편, 제2 표면측에 있어서는, 소정 파장의 광에 대해서 광학적으로 투명한 제2 수지를 이용하여 제2 표면의 전체가 실링된다. 관통 구멍 내에 제2 수지가 유입되어, 관통 구멍에 대면하는 광 검출 영역을 제2 수지가 피복하기 때문에, 상기한 수광 모듈과 마찬가지로, 개구율이 향상되어, 수광 감도의 증대가 도모된다. 이 제조 방법에 의하면, 고신뢰이고 또한 수광 감도가 높은 수광 모듈을, 간이 또한 적은 공정을 거쳐 제조할 수 있다. According to this manufacturing method, high reliability can be realized by flip-chip type mounting using bumps in the same manner as the operation effect of the light receiving module. On the first surface side, the first surface and the semiconductor light-receiving element are sealed using a first resin having a light-shielding property, and then a part of the first sealing resin portion is removed to expose the first surface. By dicing into the second line passing through the exposed portion of the first surface, a flange portion protruding from the first resin portion (the first resin portion that is not removed) is formed on the substrate. According to this flange portion, the light receiving module can be easily mounted on the mounting board as in the above-described light receiving module. On the other hand, on the second surface side, the entire second surface is sealed using a second resin that is optically transparent to light of a predetermined wavelength. The second resin flows into the through hole and the second resin covers the light detecting area facing the through hole. Therefore, the aperture ratio is improved and the light receiving sensitivity is increased like the light receiving module described above. According to this manufacturing method, a light receiving module having high reliability and high light receiving sensitivity can be manufactured through a simple process and a small process.

일부 양태에 있어서, 기판을 준비하는 공정에서는, 복수의 기판을 중첩시킨 상태에서 천공을 행함으로써, 1회의 천공에 대해서 동일한 기둥 모양의 관통 구멍을 복수 개 형성한다. 이 경우, 기판의 천공 공정의 효율이 높아진다. In some aspects, in the step of preparing a substrate, a plurality of through holes are formed in a state in which a plurality of substrates are overlapped with each other by performing the same perforation for one perforation. In this case, the efficiency of the boring process of the substrate is enhanced.

본 개시의 일부 양태에 의하면, 개구율이 향상되고, 그 결과, 수광 감도의 증대를 도모할 수 있다. According to some aspects of the present disclosure, the aperture ratio is improved, and as a result, the light receiving sensitivity can be increased.

도 1은 본 개시의 일 실시 형태에 따른 수광 모듈을 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1의 수광 모듈을 바닥면측에서 보고 나타내는 사시도이다.
도 3은 도 1의 III-III를 따른 단면도이다.
도 4는 도 1의 수광 모듈의 제조 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 5의 (a)는 도 4에 나타내는 제조 방법의 일 공정에 있어서의 피처리체를 나타내는 사시도, 도 5의 (b)는 도 5의 (a)에 이어지는 공정에 있어서의 피처리체를 나타내는 사시도이다.
도 6의 (a)는 도 5의 (b)에 이어지는 공정에 있어서의 피처리체를 나타내는 사시도, 도 6의 (b)는 도 6의 (a)의 공정에 있어서의 피처리체의 단면도이다.
도 7의 (a)는 도 6의 (a)에 이어지는 공정에 있어서의 피처리체를 나타내는 사시도, 도 7의 (b)는 도 7의 (a)의 공정에 있어서의 피처리체의 단면도이다.
도 8의 (a)는 도 7의 (a)에 이어지는 공정에 있어서의 피처리체를 나타내는 사시도, 도 8의 (b)는 도 8의 (a)에 이어지는 공정에 있어서의 피처리체를 나타내는 평면도이다.
도 9는 실장용 기판에 실장된 도 1의 수광 모듈을 나타내는 사시도이다.
도 10은 도 1의 수광 모듈의 작용 효과를 설명하기 위한 도면이다.
도 11의 (a)는 제1 변형예에 따른 수광 모듈을 나타내는 사시도, 도 11의 (b)는 제2 변형예에 따른 수광 모듈을 나타내는 사시도이다.
도 12는 도 11의 (b)의 수광 모듈에 의한 작용 효과를 설명하기 위한 도면이다.
1 is a perspective view showing a light receiving module according to an embodiment of the present disclosure;
Fig. 2 is a perspective view showing the light receiving module of Fig. 1 viewed from the bottom side. Fig.
3 is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG.
4 is a flowchart showing a manufacturing method of the light receiving module of Fig.
FIG. 5A is a perspective view showing an object to be processed in a step of the manufacturing method shown in FIG. 4, and FIG. 5B is a perspective view showing an object to be processed in a step following FIG. .
FIG. 6A is a perspective view showing an object to be processed in the process subsequent to FIG. 5B, and FIG. 6B is a cross-sectional view of the object to be processed in the process in FIG.
FIG. 7A is a perspective view showing the object to be processed in the process subsequent to FIG. 6A, and FIG. 7B is a sectional view of the object to be processed in the process in FIG.
Fig. 8A is a perspective view showing an object to be processed in the process subsequent to Fig. 7A, and Fig. 8B is a plan view showing an object to be processed in the process subsequent to Fig. 8A .
Fig. 9 is a perspective view showing the light-receiving module of Fig. 1 mounted on a mounting substrate; Fig.
FIG. 10 is a diagram for explaining an operation effect of the light receiving module of FIG. 1;
11 (a) is a perspective view showing a light receiving module according to a first modification, and Fig. 11 (b) is a perspective view showing a light receiving module according to a second modification.
Fig. 12 is a view for explaining an action effect of the light receiving module of Fig. 11 (b).

이하, 본 개시의 실시 형태에 대해서, 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 도면의 설명에 있어서 동일 요소에는 동일 부호를 부여하고, 중복하는 설명은 생략 한다. Hereinafter, embodiments of the present disclosure will be described with reference to the drawings. In the description of the drawings, the same elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

도 1~도 3을 참조하여, 본 실시 형태에 따른 수광 모듈(1)에 대해 설명한다. 수광 모듈(1)은, 예를 들어, 소형의 전자 기기 등에 탑재되는, 표면 입사형의 수광 모듈이다. 수광 모듈(1)은, 이른바 정면광(正面光)을 입력받아 검출한다. 수광 모듈(1)이 탑재되는 전자 기기는, 특별히 한정되지 않고, 모든 종류의 전자 기기를 들 수 있다. 수광 모듈(1)은, 예를 들어 휴대 전화 등에 탑재되어도 되고, 차량용 전자 기기 등에 탑재되어도 된다. 수광 모듈(1)은, 전체적으로 편평한 직육면체 모양을 나타내고 있다. 수광 모듈(1)의 치수에 관해서는, 예를 들어, 수광 모듈(1)의 한 변이 1~10mm 정도이다. 수광 모듈(1)의 치수는, 그 용도에 따라 임의로 설정할 수 있다. The light receiving module 1 according to the present embodiment will be described with reference to Figs. 1 to 3. Fig. The light receiving module 1 is, for example, a surface incident type light receiving module mounted on a small electronic device or the like. The light receiving module 1 receives and detects so-called front light. The electronic apparatus on which the light receiving module 1 is mounted is not particularly limited, and all kinds of electronic apparatuses can be mentioned. The light receiving module 1 may be mounted on, for example, a cellular phone or mounted on an automobile electronic device or the like. The light receiving module 1 has a generally rectangular parallelepiped shape. Regarding the dimensions of the light receiving module 1, for example, one side of the light receiving module 1 is about 1 to 10 mm. The dimensions of the light receiving module 1 can be arbitrarily set according to the use thereof.

수광 모듈(1)은 수광 모듈(1)에 입사된 광을 검출하는 반도체 수광 소자(10)(도 3 참조)와, 반도체 수광 소자(10)가 탑재된 기판(20)을 구비하고 있다. 도 3에 도시되는 것처럼, 반도체 수광 소자(10)는, 예를 들어 직사각형 모양의 칩이며, 대향하는 제1 면(11) 및 제2 면(12)과, 이들 면을 접속하는 4개의 측면(13)을 가진다. 제2 면(12)에는, 광 검출 영역(12a)이 마련되어 있다. 즉, 제2 면(12)은 반도체 수광 소자(10)의 수광면이다. 반도체 수광 소자(10)에는, 예를 들어, pn 접합 구조를 가지는 포토 다이오드 등을 이용할 수 있다. 반도체 수광 소자(10)는 상기의 구조로 한정되지 않고, 예를 들어, pin 구조를 가지는 포토 다이오드여도 된다. The light receiving module 1 includes a semiconductor light receiving element 10 (see FIG. 3) for detecting light incident on the light receiving module 1 and a substrate 20 on which the semiconductor light receiving element 10 is mounted. 3, the semiconductor light-receiving element 10 is, for example, a rectangular chip and has a first surface 11 and a second surface 12 opposed to each other and four side surfaces 13). On the second surface 12, a photodetection area 12a is provided. That is, the second surface 12 is the light-receiving surface of the semiconductor light-receiving element 10. As the semiconductor photodetector 10, for example, a photodiode having a pn junction structure or the like can be used. The semiconductor light-receiving element 10 is not limited to the above structure, and may be a photodiode having a pin structure, for example.

도 1~도 3에 도시되는 것처럼, 기판(20)은 사각형 판 모양을 이루는 절연 기판이다. 기판(20)은 대향하는 제1 표면(21) 및 제2 표면(22)과, 대향하는 한 쌍의 제1 측면(23a, 23b)과, 대향하는 한 쌍의 제2 측면(24a, 24b)을 가진다. 제1 표면(21)과 그 반대측인 제2 표면(22)은, 평행하다. 제1 측면(23a, 23b)은 제1 표면(21) 및 제2 표면(22)을 접속하고 있고, 기판(20)의 두께 방향에 직교하는 제1 방향에 있어서 대향하고 있다. 제2 측면(24a, 24b)은 제1 표면(21) 및 제2 표면(22)을 접속하고 있고, 기판(20)의 두께 방향 및 제1 방향의 양쪽에 직교하는 제2 방향에 있어서 대향하고 있다. 제1 측면(23a, 23b) 및 제2 측면(24a, 24b)은 모두, 제1 표면(21)에 수직인 방향으로 연장되어 있다. 이하의 설명에서는, 설명의 용이를 위해서, XYZ 직교 좌표계가 이용된다. Z방향은 기판(20)의 두께 방향에 상당하고, X방향은 상기의 제1 방향에 상당하고, Y방향은 상기의 제2 방향에 상당한다. As shown in Figs. 1 to 3, the substrate 20 is an insulating substrate having a rectangular plate shape. The substrate 20 includes a first surface 21 and a second surface 22 facing each other and a pair of first side surfaces 23a and 23b facing each other and a pair of second side surfaces 24a and 24b facing each other. . The first surface 21 and the opposite second surface 22 are parallel. The first side surfaces 23a and 23b connect the first surface 21 and the second surface 22 and oppose each other in the first direction orthogonal to the thickness direction of the substrate 20. [ The second side surfaces 24a and 24b connect the first surface 21 and the second surface 22 and face each other in the thickness direction of the substrate 20 and in the second direction orthogonal to both the first direction and the second direction have. Both the first side surfaces 23a and 23b and the second side surfaces 24a and 24b extend in a direction perpendicular to the first surface 21. In the following description, an XYZ orthogonal coordinate system is used for ease of explanation. The Z direction corresponds to the thickness direction of the substrate 20, the X direction corresponds to the above-mentioned first direction, and the Y direction corresponds to the above-mentioned second direction.

기판(20)은 배선 기판이며, 예를 들어 유리 에폭시 기판이다. 기판(20)의 제1 표면(21)에는, 소정의 배선 패턴이 형성되어 있다. 제1 표면(21)에는 그 배선 패턴에 전기적으로 접속되는 2개의 전극부(28a) 및 2개의 전극부(28b)(도 2 참조)가 마련되어 있다. 전극부(28a) 및 전극부(28b)는 도전성의 금속박(箔)으로 이루어지며, 예를 들어 동박으로 이루어진다. 이 동박은 니켈 및 금에 의해서 도금되어도 된다. 또한, 도 3에 있어서, 전극부(28a) 및 전극부(28b)의 도시는 생략되어 있다. 기판(20)은 제1 표면(21)에만 배선 패턴이 형성된 편면(片面) 기판이어도 되고, 제1 표면(21) 및 제2 표면(22)에 배선 패턴이 형성된 양면 기판이어도 된다. The substrate 20 is a wiring substrate, for example, a glass epoxy substrate. On the first surface 21 of the substrate 20, a predetermined wiring pattern is formed. The first surface 21 is provided with two electrode portions 28a and two electrode portions 28b (see FIG. 2) electrically connected to the wiring pattern. The electrode portion 28a and the electrode portion 28b are made of a conductive metal foil, for example, a copper foil. The copper foil may be plated with nickel and gold. In Fig. 3, the illustration of the electrode portion 28a and the electrode portion 28b is omitted. The substrate 20 may be a single-sided substrate having a wiring pattern formed on only the first surface 21 and a double-sided substrate having wiring patterns formed on the first and second surfaces 21 and 22.

X방향의 한쪽 단면인 제1 측면(23a)에는, 2개의 전극부(28a)에 각각 전기적으로 접속된 2개의 단자부(27a)가 마련되어 있다. 단자부(27a)는 제1 측면(23a)에 있어서, Y방향으로 이격되도록 배치되어 있다. X방향의 다른 쪽 단면인 제1 측면(23b)에는, 2개의 전극부(28b)에 각각 전기적으로 접속된 2개의 단자부(27b)가 마련되어 있다. 단자부(27b)는 제1 측면(23b)에 있어서, Y방향으로 이격되도록 배치되어 있다. Two terminal portions 27a electrically connected to the two electrode portions 28a are provided on the first side surface 23a which is one end surface in the X direction. The terminal portions 27a are arranged so as to be spaced apart from each other in the Y direction on the first side surface 23a. Two terminal portions 27b electrically connected to the two electrode portions 28b are provided on the first side surface 23b which is the other end surface in the X direction. The terminal portions 27b are arranged so as to be spaced apart from each other in the Y direction on the first side surface 23b.

단자부(27a) 및 단자부(27b)는, 각각 기판(20)의 두께 방향 즉 Z방향으로 연장되어 있다. 단자부(27a) 및 단자부(27b)는, 각각 제1 표면(21)으로부터 제2 표면(22)에 도달할 때까지 형성되어도 된다. 단자부(27a) 및 단자부(27b)는, 반원 통 모양의 관통 구멍에, 동에 의해서 반원 통 모양의 스루홀 도금이 실시된 구성을 가진다. 이 동도금층은, 추가로 니켈 및 금에 의해서 도금되어도 된다. 반원 통 모양의 단자부(27a) 및 단자부(27b)의 내부에는, 도전성의 수지 재료가 충전되어도 되고, 그러한 수지 재료는 충전되지 않고 당해 내부가 공동(空洞)인 채여도 된다. 추가로는, 당해 내부가 공동인 경우에, 금속박으로 이루어지는 전극부가 그 공동의 단면을 덮어도 된다. The terminal portion 27a and the terminal portion 27b extend in the thickness direction of the substrate 20, that is, in the Z direction. The terminal portion 27a and the terminal portion 27b may be formed until reaching the second surface 22 from the first surface 21, respectively. The terminal portion 27a and the terminal portion 27b have a structure in which a semicircular tubular through hole is plated on the semicircular tubular through hole. The copper plating layer may be further plated with nickel and gold. A conductive resin material may be filled in the semi-cylindrical tubular terminal portion 27a and the terminal portion 27b, and such a resin material may not be filled, and the inside may be filled with a cavity. Further, in the case where the inside is hollow, an electrode section made of a metal foil may cover the end face of the cavity.

또한, 기판(20)이 양면 기판인 경우에는, 단자부(27a) 및 단자부(27b)는 제1 표면(21) 및 제2 표면(22)을 접속하도록 마련되고, 제2 표면(22)에 복수의 전극부가 마련된다. 그 경우, 제2 표면(22)에는 전극부(28a) 및 전극부(28b)와 마찬가지의 복수의 전극부가 마련되어도 된다. The terminal portion 27a and the terminal portion 27b are provided so as to connect the first surface 21 and the second surface 22 and the second surface 22 is provided with a plurality of Is provided. In this case, a plurality of electrode portions similar to the electrode portion 28a and the electrode portion 28b may be provided on the second surface 22.

상기한 2개의 단자부(27a) 및 2개의 전극부(28a)와, 2개의 단자부(27b) 및 2개의 전극부(28b)는, 제1 측면(23a) 및 제1 측면(23b)에 평행하고 또한 이들 측면의 중간에 위치하는 가상 평면(수직 이등분면)에 관해서, 면대칭을 이루고 있다. 이 경우의 가상 평면은, X방향에 수직인 평면이며, 바꾸어 말하면, YZ평면에 평행한 평면이다. 수광 모듈(1)에서는, 복수의 단자부(즉 복수의 전극부)가 대칭성을 가지고 마련되어 있다. 또한, 복수의 단자부가 가상 평면에 대해서 비대칭으로 마련되어도 된다. The two terminal portions 27a and the two electrode portions 28a and the two terminal portions 27b and the two electrode portions 28b are parallel to the first side surface 23a and the first side surface 23b Also, the plane is symmetrical with respect to the virtual plane (vertical bisector) located at the middle of these sides. The virtual plane in this case is a plane perpendicular to the X direction, that is, a plane parallel to the YZ plane. In the light receiving module 1, a plurality of terminal portions (i.e., a plurality of electrode portions) are provided symmetrically. The plurality of terminal portions may be provided asymmetrically with respect to the virtual plane.

기판(20)의 제2 표면(22)은 소정 파장의 광을 반사시키는 반사면이다. 제2 표면(22)은 예를 들어 적외광을 반사시키는 반사면이어도 된다. 제2 표면(22)을 반사면으로 하기 위해, 광의 반사율이 높은 재질로 이루어지는 기판(20)이 이용되어도 된다. 기판(20)으로서, 고반사형 유리 에폭시 기판이 이용되어도 된다. 기판(20)으로서, 예를 들어, 이른바 백색 기판이나 아이보리(ivory) 기판 등이 이용되어도 된다. 기판(20)의 재질에 의해서 반사면을 형성하는 것 이외에도, 기판(20)의 제2 표면(22)에 광택 도금을 실시해도 된다. 예를 들어, 제2 표면(22)은 금도금면으로 해도 된다. 제2 표면(22)에 백색의 반사막을 형성해도 된다. 이와 같이 제2 표면(22)이 반사면인 것에 의해, 후술하는 제2 수지부(40)의 내부에 있어서의 광 성분의 증대가 도모된다. The second surface 22 of the substrate 20 is a reflecting surface that reflects light of a predetermined wavelength. The second surface 22 may be, for example, a reflecting surface that reflects infrared light. In order to make the second surface 22 a reflective surface, a substrate 20 made of a material having a high reflectance of light may be used. As the substrate 20, a high reflection glass epoxy substrate may be used. As the substrate 20, for example, a so-called white substrate, an ivory substrate, or the like may be used. The second surface 22 of the substrate 20 may be polished in addition to forming the reflective surface by the material of the substrate 20. [ For example, the second surface 22 may be a gold-plated surface. A white reflective film may be formed on the second surface 22. As described above, since the second surface 22 is a reflecting surface, the light component in the second resin part 40 to be described later can be increased.

도 1 및 도 3에 도시되는 것처럼, 기판(20)에는 기판(20)을 두께 방향 즉 Z방향으로 관통하는 관통 구멍(26)이 마련되어 있다. 기판(20)은 원주 모양을 이루고 있고, 기판(20)의 중앙부에 마련되어 있다. 즉, 관통 구멍(26)에 있어서, 제1 표면(21)측의 원형의 개구와, 제2 표면(22)측의 원형의 개구는, 같은 크기(즉 직경)를 가진다. 관통 구멍(26)은 관통 구멍(26)의 중심축선이 Z방향을 따르도록 형성되어 있다. 바꾸어 말하면, 관통 구멍(26)은 제1 표면(21) 및 제2 표면(22)에 수직인 방향으로 연장되어 있다. 이 관통 구멍(26)은 후술하는 제2 수지부(40)와의 협동에 의해, 반도체 수광 소자(10)의 광 검출 영역(12a)에 대한 광의 입사 경로가 된다. As shown in Figs. 1 and 3, the substrate 20 is provided with a through hole 26 penetrating the substrate 20 in the thickness direction, i.e., the Z direction. The substrate 20 has a columnar shape and is provided at the center of the substrate 20. That is, in the through hole 26, the circular opening on the side of the first surface 21 and the circular opening on the side of the second surface 22 have the same size (i.e., diameter). The through hole 26 is formed such that the central axis of the through hole 26 is along the Z direction. In other words, the through hole 26 extends in a direction perpendicular to the first surface 21 and the second surface 22. [ The through hole 26 serves as an incident path of light to the light detection region 12a of the semiconductor photodetector element 10 in cooperation with the second resin portion 40 described later.

도 3에 도시되는 것처럼, 반도체 수광 소자(10)는 복수의 범프(51)를 통해서 기판(20)의 제1 표면(21)에 대해서 실장되어 있다. 보다 자세한 것은, 반도체 수광 소자(10)는 반도체 수광 소자(10)의 제2 면(12)이 제1 표면(21)에 대면하도록 마련된다. 제1 표면(21)과 제2 면(12)의 사이에는, 관통 구멍(26)의 주위에 배열되도록, 복수의 범프(51)가 마련된다. 범프(51)는, 예를 들어 금 등의 도전성 재료로 이루어진다. 범프(51)는 반도체 수광 소자(10)를 기판(20)의 전극부(28a, 28b)에 전기적으로 접속시킨다. 이와 같이, 반도체 수광 소자(10)는 기판(20)상에 플립 칩 실장되어 있다. 바꾸어 말하면, 반도체 수광 소자(10)는 와이어리스로 기판(20)에 접합되어 있다. 이 플립 칩 실장에 의해, 수광 모듈(1)에서는, 박형화와 함께, 고신뢰화 및 내구성의 향상이 실현되어 있다. 3, the semiconductor light-receiving element 10 is mounted on the first surface 21 of the substrate 20 through a plurality of bumps 51. The semiconductor light- More specifically, the semiconductor light-receiving element 10 is provided so that the second surface 12 of the semiconductor light-receiving element 10 faces the first surface 21. A plurality of bumps 51 are provided between the first surface 21 and the second surface 12 so as to be arranged around the through hole 26. The bumps 51 are made of a conductive material such as gold. The bump 51 electrically connects the semiconductor light receiving element 10 to the electrode portions 28a and 28b of the substrate 20. [ As described above, the semiconductor light-receiving element 10 is flip-chip mounted on the substrate 20. In other words, the semiconductor light-receiving element 10 is bonded to the substrate 20 wirelessly. By the flip chip mounting, the light receiving module 1 is thinned, and high reliability and durability are improved.

반도체 수광 소자(10)는 광 검출 영역(12a)이 관통 구멍(26)에 대면하도록 배치된다. Z방향에서 볼 때, 광 검출 영역(12a)과 관통 구멍(26)은 대략 같은 크기 로서, 각각의 영역이 겹쳐도 된다. 관통 구멍(26)은 광 검출 영역(12a)보다 커도 된다.The semiconductor photodetector element 10 is arranged so that the photodetection area 12a faces the through hole 26. [ When viewed in the Z direction, the photodetecting area 12a and the through hole 26 are approximately the same size, and the respective areas may overlap. The through hole 26 may be larger than the light detecting area 12a.

범프(51)가 마련됨으로써, 반도체 수광 소자(10)의 제2 면(12)과 기판(20)의 제1 표면(21)의 사이에는 간극이 형성된다. 이 간극에는, 언더 필(52)이 충전되어 있다. 언더 필(52)은, 예를 들어, 주로 에폭시 수지 등을 포함하는 경화성 수지이다. 언더 필(52)은 범프(51)의 주위에 충전되어, 반도체 수광 소자(10) 및 범프(51)를 실링 및 고정한다. A gap is formed between the second surface 12 of the semiconductor photodetector element 10 and the first surface 21 of the substrate 20 by providing the bumps 51. [ The gap is filled with an underfill 52. The underfill 52 is, for example, a curable resin mainly containing an epoxy resin or the like. The underfill 52 is filled around the bump 51 to seal and fix the semiconductor light-receiving element 10 and the bump 51.

도 6의 (b)에 도시되는 것처럼, 언더 필(52)의 충전시, 언더 필(52)은 제2 면(12)과 제1 표면(21)의 간극에 채워지지만, 언더 필(52)의 외주부(外周部, 52b)는 반도체 수광 소자(10)의 측면(13)으로부터 다소 비어져 나와도 된다(도 5의 (b)도 참조). 한편, 언더 필(52)의 내주부(內周部, 52a)는 관통 구멍(26)의 주벽면(周壁面)(26a)보다도 내측(관통 구멍(26) 내)으로 들어가지 않도록, 언더 필(52)이 충전된다. The underfill 52 fills the gap between the second surface 12 and the first surface 21 at the time of filling the underfill 52 as shown in Figure 6B, The outer peripheral portion 52b of the semiconductor light receiving element 10 may be slightly out of the side surface 13 of the semiconductor light receiving element 10 (see also Fig. On the other hand, the inner peripheral portion 52a of the underfill 52 does not enter the inner side (within the through hole 26) than the main wall surface 26a of the through hole 26, (52) is charged.

도 1~도 3에 도시되는 것처럼, 수광 모듈(1)은 기판(20)의 제1 표면(21)측에 마련된 차광성의 제1 수지부(30)과, 기판(20)의 제2 표면(22)측에 마련된 투명한 제2 수지부(40)를 구비한다. 제1 수지부(30) 및 제2 수지부(40)는, 기판(20)의 양면 측에 마련되고, 반도체 수광 소자(10) 및 기판(20)(기판(20)에 관해서는 일부분)을 실링하는 패키지이다. 이하, 제1 수지부(30) 및 제2 수지부(40)의 각 구성에 대해 설명한다. 1 to 3, the light-receiving module 1 includes a light-shielding first resin portion 30 provided on the first surface 21 side of the substrate 20, And a second transparent resin part 40 provided on the side of the second transparent resin film 22. The first resin part 30 and the second resin part 40 are provided on both sides of the substrate 20 and are provided with a semiconductor light receiving element 10 and a substrate 20 (a part of the substrate 20) It is a sealed package. Hereinafter, each configuration of the first resin part 30 and the second resin part 40 will be described.

제1 수지부(30)는 사각형 판 모양을 이루고 있고, 반도체 수광 소자(10)의 제1 면(11) 및 4개의 측면(13)을 실링한다. 제1 수지부(30)는 소정 파장의 광에 대해서 차광성을 가지고 있다. 제1 수지부(30)는, 예를 들어, 에폭시 수지나 실리콘 등으로 형성되어 있다. 제1 수지부(30)로서, 바람직하게는, 이른바 흑(黑)수지가 이용된다.The first resin part 30 has a rectangular plate shape and seals the first surface 11 and the four side surfaces 13 of the semiconductor light receiving element 10. The first resin part 30 has a light shielding property against light of a predetermined wavelength. The first resin part 30 is formed of, for example, epoxy resin, silicone, or the like. As the first resin part 30, a so-called black resin is preferably used.

제1 수지부(30)는 수광 모듈(1)의 바닥면을 이루는 이면(31)과, 이면(31)과는 반대측인 표면(32)과, 대향하는 한 쌍의 제1 측면(33a, 33b)과, 대향하는 한 쌍의 제2 측면(34a, 34b)을 가진다. 서로 대향하는 이면(31)과 표면(32)은 평행하다. 제1 측면(33a, 33b)은 이면(31) 및 표면(32)을 접속하고 있고, X방향에 있어서 대향하고 있다. 제2 측면(34a, 34b)은 이면(31) 및 표면(32)을 접속하고 있고, Y방향에 있어서 대향하고 있다. 제1 측면(33a, 33b) 및 제2 측면(34a, 34b)은, 모두, 이면(31)에 수직인 방향으로 연장되어 있다. The first resin part 30 has a back surface 31 constituting the bottom surface of the light receiving module 1 and a surface 32 opposite to the back surface 31 and a pair of opposing first side surfaces 33a 33b And a pair of second side surfaces 34a, 34b facing each other. The opposite surfaces 31 and 32 are parallel. The first side surfaces 33a and 33b connect the back surface 31 and the surface 32 and face each other in the X direction. The second side surfaces 34a and 34b connect the back surface 31 and the surface 32 and face each other in the Y direction. The first side surfaces 33a and 33b and the second side surfaces 34a and 34b all extend in a direction perpendicular to the back surface 31. [

제2 수지부(40)는, 전체적으로, 사각형 판 모양을 이루고 있다. 제2 수지부(40)는 기판(20)의 제2 표면(22)의 전체를 덮고 있다. 제2 수지부(40)는 소정 파장의 광에 대해서 광학적으로 투명하다. 제2 수지부(40)는, 예를 들어, 열경화성 수지이며, 에폭시 수지나 실리콘 등으로 형성되어 있다. 제2 수지부(40)의 굴절률은, 공기의 굴절률보다 크다. 예를 들어, 에폭시 수지로 형성된 제2 수지부(40)의 굴절률 n은 약 1.5이다. 또한, 제2 수지부(40)는 특정의 파장의 광을 조사함으로써 경화되는 광경화성 수지로 형성되어도 된다. 제2 수지부(40)에는 광을 확산하기 위한 필러가 포함되어도 된다. The second resin part 40 has a rectangular plate shape as a whole. The second resin portion 40 covers the entire second surface 22 of the substrate 20. The second resin part 40 is optically transparent to light of a predetermined wavelength. The second resin part 40 is, for example, a thermosetting resin, and is formed of epoxy resin, silicon, or the like. The refractive index of the second resin part 40 is larger than the refractive index of air. For example, the refractive index n of the second resin portion 40 formed of an epoxy resin is about 1.5. Further, the second resin part 40 may be formed of a photo-curable resin which is cured by irradiating light of a specific wavelength. The second resin part 40 may include a filler for diffusing light.

제2 수지부(40)는 제2 표면(22)의 전체를 덮는 이면(41)과, 이면(41)과는 반대측인 표면(42)과, 대향하는 한 쌍의 제1 측면(43a, 43b)과, 대향하는 한 쌍의 제2 측면(44a, 44b)을 가진다. 서로 대향하는 이면(41)과 표면(42)은 평행하다. 제1 측면(43a, 43b)은 이면(41) 및 표면(42)을 접속하고 있고, X방향에 있어서 대향하고 있다. 제2 측면(44a, 44b)은 이면(41) 및 표면(42)을 접속하고 있고, Y방향에 있어서 대향하고 있다. 제1 측면(43a, 43b) 및 제2 측면(44a, 44b)은, 모두, 이면(41)에 수직인 방향으로 연장되어 있다. The second resin part 40 includes a back surface 41 covering the entire second surface 22 and a surface 42 opposite to the back surface 41 and a pair of opposed first surfaces 43a and 43b And a pair of opposing second side surfaces 44a, 44b. The opposite surface 41 and surface 42 are parallel. The first side surfaces 43a and 43b connect the back surface 41 and the surface 42 and face each other in the X direction. The second side surfaces 44a and 44b connect the back surface 41 and the surface 42 and face each other in the Y direction. The first side surfaces 43a and 43b and the second side surfaces 44a and 44b all extend in a direction perpendicular to the back surface 41. [

제2 수지부(40)에 있어서, 수광 모듈(1)의 상면(上面)을 이루는 표면(42)은, 노출면이고, 수광 모듈(1)의 광 입사면으로서 기능한다. 특히, 제2 표면(22)의 전체를 덮는 제2 수지부(40)는, 관통 구멍(26)에 비하여 매우 큰 면적의 표면(42)을 가지고 있고, 수광 모듈(1)의 전체적으로의 개구율을 향상시키고 있다. 이하, 제1 수지부(30) 및 제2 수지부(40)에 관해, 기판(20)에 대한 위치 관계 등에 대해서 상세하게 설명한다.In the second resin part 40, the surface 42 constituting the upper surface (upper surface) of the light receiving module 1 is an exposed surface and functions as a light incident surface of the light receiving module 1. Particularly, the second resin portion 40 covering the whole of the second surface 22 has a surface 42 having a very large area as compared with the through hole 26, and the aperture ratio of the light receiving module 1 as a whole . Hereinafter, the positional relationship with respect to the substrate 20 with respect to the first resin part 30 and the second resin part 40 will be described in detail.

도 2 및 도 3에 도시되는 것처럼, X방향에 있어서의 기판(20)의 길이는, X방향에 있어서의 제1 수지부(30)의 길이보다도 크다. 제1 수지부(30)는 X방향에 있어서, 기판(20)보다도 짧게 되어 있고, 기판(20)의 X방향의 양단부를 노출시키고 있다. 보다 자세한 것은, X방향에 있어서의 제1 수지부(30)의 단면인 제1 측면(33a, 33b)은, X방향에 있어서의 기판(20)의 단면인 제1 측면(23a, 23b)보다도 반도체 수광 소자(10)측(측면(13)측)에 위치하고 있다. 이와 같이, 제1 수지부(30)는 기판(20)의 제1 표면(21)의 전체를 덮고 있지 않다. As shown in Figs. 2 and 3, the length of the substrate 20 in the X direction is larger than the length of the first resin portion 30 in the X direction. The first resin portion 30 is shorter than the substrate 20 in the X direction and exposes both ends of the substrate 20 in the X direction. More specifically, the first side faces 33a and 33b, which are the end faces of the first resin portion 30 in the X direction, are located in the X direction with respect to the first side faces 23a and 23b that are the end faces of the substrate 20 in the X direction And is located on the semiconductor light-receiving element 10 side (on the side surface 13 side). Thus, the first resin portion 30 does not cover the entire first surface 21 of the substrate 20.

한편, Y방향에 있어서의 기판(20)의 길이는, Y방향에 있어서의 제1 수지부(30)의 길이와 같다. 제1 수지부(30)는, Y방향에 있어서, 기판(20)의 전체 길이를 덮고 있다. 보다 자세한 것은, Y방향에 있어서의 제1 수지부(30)의 단면인 제2 측면(34a, 34b)은, Y방향에 있어서의 기판(20)의 단면인 제2 측면(24a, 24b)과 같은 면으로 연속되어 있다. On the other hand, the length of the substrate 20 in the Y direction is equal to the length of the first resin portion 30 in the Y direction. The first resin portion 30 covers the entire length of the substrate 20 in the Y direction. More specifically, the second side surfaces 34a and 34b, which are the end surfaces of the first resin portion 30 in the Y direction, are the second side surfaces 24a and 24b, which are the end surfaces of the substrate 20 in the Y direction, And are continuous on the same plane.

상기 구성에 의해, 기판(20)은 제1 수지부(30)로부터 X방향으로 돌출되는 플랜지부(20a, 20b)를 가진다. 이들 플랜지부(20a, 20b)는 상기한 가상 평면에 관해서 면대칭으로 형성되어 있다. 플랜지부(20a)는 제1 표면(21)의 직사각형의 노출 부분(21a)과, 2개의 단자부(27a)가 마련된 상기의 제1 측면(23a)을 포함한다. 평탄한 노출 부분(21a)에는, 2개의 전극부(28a)가 마련되어 있다. 한편, 플랜지부(20b)는 제1 표면(21)의 직사각형의 노출 부분(21b)과, 2개의 단자부(27b)가 마련된 상기의 제1 측면(23b)을 포함한다. 평탄한 노출 부분(21b)에는, 2개의 전극부(28b)가 마련되어 있다. 이들 플랜지부(20a, 20b)는 수광 모듈(1)이 실장용 기판(90)(도 9 참조)에 실장될 때, 리플로우(reflow)면(91)에 맞닿아 스토퍼로서 기능한다. With the above arrangement, the substrate 20 has the flange portions 20a, 20b projecting in the X direction from the first resin portion 30. [ These flange portions 20a and 20b are formed in a plane symmetry with respect to the virtual plane. The flange portion 20a includes a rectangular exposed portion 21a of the first surface 21 and the first side surface 23a provided with the two terminal portions 27a. In the flat exposed portion 21a, two electrode portions 28a are provided. The flange portion 20b includes a rectangular exposed portion 21b of the first surface 21 and the first side surface 23b provided with the two terminal portions 27b. In the flat exposed portion 21b, two electrode portions 28b are provided. These flange portions 20a and 20b abut the reflow surface 91 and function as a stopper when the light receiving module 1 is mounted on the mounting board 90 (see Fig. 9).

도 1 및 도 3에 도시되는 것처럼, X방향에 있어서의 기판(20)의 길이는, X방향에 있어서의 제2 수지부(40)의 길이와 같다. 제2 수지부(40)는, X방향에 있어서, 기판(20)의 전체 길이를 덮고 있다. 보다 자세한 것은, X방향에 있어서의 제2 수지부(40)의 단면인 제2 측면(44a, 44b)은, X방향에 있어서의 기판(20)의 단면인 제2 측면(24a, 24b)과 같은 면으로 연속되어 있다. As shown in Figs. 1 and 3, the length of the substrate 20 in the X direction is equal to the length of the second resin portion 40 in the X direction. The second resin portion 40 covers the entire length of the substrate 20 in the X direction. More specifically, the second side surfaces 44a and 44b, which are the end surfaces of the second resin portion 40 in the X direction, are formed on the second side surfaces 24a and 24b, which are the end surfaces of the substrate 20 in the X direction, And are continuous on the same plane.

Y방향에 있어서의 기판(20)의 길이는, Y방향에 있어서의 40의 길이와 같다. 제2 수지부(40)는, Y방향에 있어서, 기판(20)의 전체 길이를 덮고 있다. 보다 자세한 것은, Y방향에 있어서의 제2 수지부(40)의 단면인 제2 측면(44a, 44b)은, Y방향에 있어서의 기판(20)의 단면인 제2 측면(24a, 24b)과 같은 면으로 연속되어 있다. The length of the substrate 20 in the Y direction is equal to the length of 40 in the Y direction. The second resin part 40 covers the entire length of the substrate 20 in the Y direction. More specifically, the second side surfaces 44a and 44b, which are the end surfaces of the second resin portion 40 in the Y direction, are the second side surfaces 24a and 24b, which are the end surfaces of the substrate 20 in the Y direction, And are continuous on the same plane.

이와 같이, 수광 모듈(1)의 제2 수지부(40)는, 제2 표면(22)의 전체를 덮는 직육면체 모양의 본체부(45)를 가진다. 제2 수지부(40)는 본체부(45)의 중앙에 마련되고, 기판(20)의 관통 구멍(26) 내로 돌출되는 돌출부(46)를 추가로 가진다. 도 3에 도시되는 것처럼, 돌출부(46)는 본체부(45)에 연속해서 마련되고, 원주 모양을 이루고 있다. 돌출부(46)는 관통 구멍(26)으로부터 더 돌출되어 있다. 돌출부(46)는 기판(20)을 관통하고 있고, 반도체 수광 소자(10)의 제2 면(12)에 도달하고 있다. 바꾸어 말하면, 원형의 선단면(46a)은 제2 면(12)에 밀접(密接)하여, 광 검출 영역(12a)을 피복하고 있다. 돌출부(46)의 선단부(하단부)는, 언더 필(52)의 내주부(52a)(도 6의 (b) 참조)에 밀접되어 있다. The second resin portion 40 of the light receiving module 1 has the rectangular main body portion 45 covering the entire second surface 22. The second resin part 40 is provided at the center of the main body part 45 and further has a protruding part 46 protruding into the through hole 26 of the substrate 20. As shown in Fig. 3, the projecting portion 46 is provided continuously to the main body portion 45 and has a columnar shape. The projecting portion (46) projects further from the through hole (26). The protruding portion 46 penetrates the substrate 20 and reaches the second surface 12 of the semiconductor light receiving element 10. [ In other words, the circular distal end face 46a closely contacts the second face 12 to cover the light detecting area 12a. The distal end (lower end) of the protruding portion 46 is in close contact with the inner peripheral portion 52a of the underfill 52 (see Fig. 6 (b)).

이어서, 도 4~도 8을 참조하여, 수광 모듈(1)의 제조 방법에 대해 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 피처리체(100A~100E)란 제조 방법의 도중 단계에 있는 구조체를 말한다. Next, a manufacturing method of the light receiving module 1 will be described with reference to Figs. 4 to 8. Fig. In the following description, the objects to be treated 100A to 100E refer to the structures in the middle of the manufacturing method.

먼저, 도 5의 (a)에 도시되는 것처럼, 유리 에폭시 기판 등의 기판(200)을 준비하고, 이 기판(200)에 관통 구멍(26)을 형성하여, 피처리체(100A)를 얻는다(스텝 S01;기판의 준비 공정). 이 스텝 S01에서는, 예를 들어 소정의 패터닝이 실시된 복수의 유리 에폭시 기판을 준비한다. 그리고, 이들 기판(200)을 중첩시킨 상태에서 천공을 행함으로써, 1회의 천공에 대해서, 동일한 원주 모양의 관통 구멍(26)을 복수 개 형성한다. 천공 공정에는, 예를 들어 드릴 등을 이용한 공지의 방법이 이용될 수 있다. 이때, 기판(200)에는 제1 표면(21)에 복수의 전극부가 마련되어 있고, 제1 표면(21)으로부터 Z방향으로 연장되는 복수의 단자부(201)가 마련되어 있다. 복수의 전극부는 전극부(28a, 28b)에 상당한다. 복수의 단자부(201)는 단자부(27a, 27b)에 상당한다. 복수의 단자부(201)는 제1 표면(21)과 제2 표면(22)을 접속시키고 있다. 단자부(201)는 원주 모양 또는 원통 모양이다. First, as shown in FIG. 5A, a substrate 200 such as a glass epoxy substrate is prepared and a through hole 26 is formed in the substrate 200 to obtain an object to be processed 100A (step S01; substrate preparation process). In this step S01, for example, a plurality of glass epoxy substrates subjected to predetermined patterning are prepared. A plurality of the same circumferential through holes 26 are formed for one drilling by performing drilling in a state in which these substrates 200 are superimposed. For the drilling process, for example, a known method using a drill or the like can be used. At this time, the substrate 200 is provided with a plurality of electrode portions on the first surface 21 and a plurality of terminal portions 201 extending in the Z direction from the first surface 21. The plurality of electrode portions correspond to the electrode portions 28a and 28b. The plural terminal portions 201 correspond to the terminal portions 27a and 27b. The plurality of terminal portions 201 connect the first surface 21 and the second surface 22. The terminal portion 201 has a cylindrical shape or a cylindrical shape.

스텝 S01에서 얻어지는 피처리체(100A)에서는, 복수의 관통 구멍(26)은, 예를 들어, X방향으로 배열됨과 아울러, Y방향으로 배열된다. 복수의 단자부(201)는, 예를 들어, X방향으로 배열됨과 아울러, Y방향으로 배열된다. 관통 구멍(26)이 마련되는 열(관통 구멍(26)의 중심을 통과하는 라인)과, 단자부(201)가 마련되는 열(단자부(201)의 중심을 통과하는 라인)은 겹치지 않고, 어긋나 있다. 관통 구멍(26)과 단자부(201)는, 예를 들어, 이들 개수가 1 대 2의 비율이 되도록 마련되어 있다. 직사각형의 꼭지점에 위치하는 4개의 단자부(201)를 상정한 경우에, 이것들을 잇는 2개의 대각선의 교점(交点)상에, 1개의 관통 구멍(26)이 배치되어 있다. In the workpiece 100A obtained in the step S01, the plurality of through holes 26 are arranged in the X direction and arranged in the Y direction, for example. The plurality of terminal portions 201 are arranged in, for example, the X direction and the Y direction. The line provided with the through hole 26 (the line passing through the center of the through hole 26) and the line provided with the terminal portion 201 (the line passing through the center of the terminal portion 201) do not overlap but are offset . The through hole 26 and the terminal portion 201 are provided so that the number of the through holes 26 and the terminal portion 201 is, for example, 1: 2. In the case of assuming four terminal portions 201 positioned at the vertexes of a rectangle, one through hole 26 is arranged on the intersection of two diagonal lines connecting them.

또한, 복수의 관통 구멍(26)이 미리 형성된 기판(200)을 준비해도 된다. 이 경우, 스텝 S01에 있어서 천공을 행할 필요는 없다. 또, 스텝 S03의 언더 필(52)의 충전 공정에 대비하여, 언더 필재를 필름으로 하여 처음부터 기판(200)에 붙여 두어도 된다. 필름이 붙여진 기판(200)에 대해서, 천공 공정을 실시해도 된다. The substrate 200 on which the plurality of through holes 26 have been formed may be prepared. In this case, it is not necessary to perform drilling in step S01. In addition, in order to prepare for filling the underfill 52 in step S03, the underfill material may be adhered to the substrate 200 from the beginning with a film. A perforation process may be performed on the substrate 200 on which the film is adhered.

이어서, 기판(200)의 제1 표면(21)에 반도체 수광 소자(10)를 본딩한다(스텝 S02;반도체 수광 소자(10)의 본딩 공정). 이 스텝 S02에서는, 반도체 수광 소자(10)의 제2 면(12)을 제1 표면(21)에 대면시켜, 각 관통 구멍(26)을 덮도록 각 반도체 수광 소자(10)를 배치한다(도 5의 (b) 참조). 이때, 반도체 수광 소자(10)의 광 검출 영역(12a)이, 관통 구멍(26)에 대면하도록 반도체 수광 소자(10)를 배치한다. 그리고, 제1 표면(21)과 제2 면(12)의 사이에 복수의 범프(51)를 마련하여, 다이 본드 및 범프 본드(즉 플립 칩 본딩)를 행한다. 이것에 의해, 전극부에 반도체 수광 소자(10)를 전기적으로 접속시킨다. 또한, 도 5~도 8에 도시되는 것처럼, 플립 칩 실장이 적용되는 본 실시 형태의 제조 방법에서는, 기판(200)이 뒤집힌 상태에서, 각 공정이 실시된다. Then, the semiconductor light-receiving element 10 is bonded to the first surface 21 of the substrate 200 (step S02: bonding step of the semiconductor light-receiving element 10). In this step S02, the semiconductor light-receiving elements 10 are arranged so that the second surface 12 of the semiconductor light-receiving element 10 faces the first surface 21 and covers the respective through holes 26 5 (b)). At this time, the semiconductor photodetector element 10 is arranged so that the photodetection area 12a of the semiconductor photodetector element 10 faces the through hole 26. [ A plurality of bumps 51 are provided between the first surface 21 and the second surface 12 to perform die bonding and bump bonding (i.e., flip chip bonding). Thereby, the semiconductor light-receiving element 10 is electrically connected to the electrode portion. 5 to 8, in the manufacturing method of the present embodiment to which the flip chip mounting is applied, each step is performed in a state in which the substrate 200 is turned upside down.

이어서, 피처리체(100)와 기판(200)의 제1 표면(21)의 간극에 언더 필(52)을 충전하여, 피처리체(100B)를 얻는다(스텝 S03;언더 필의 충전 공정). 이 스텝 S03에서는, 제1 표면(21)상으로서, 제1 표면(21)과 제2 면(12)의 간극에, 에폭시 수지 등을 포함하는 액상(液狀)의 경화성 수지를 유입시킨다. 언더 필(52)은 범프(51)의 주위에 충전되어, 반도체 수광 소자(10) 및 범프(51)를 실링 및 고정한다. 상기한 것처럼, 언더 필(52)의 외주부(52b)는 반도체 수광 소자(10)의 전(全) 주위에 있어서, 측면(13)으로부터 다소 비어져 나온다(도 5의 (b) 참조). 그리고, 언더 필(52)의 내주부(52a)는 관통 구멍(26)의 주벽면(26a)보다도 내측(관통 구멍(26) 내)으로 들어가지 않도록, 언더 필(52)이 충전된다. Subsequently, the underfill 52 is filled in the gap between the subject body 100 and the first surface 21 of the substrate 200 to obtain the subject body 100B (step S03: underfill filling step). In this step S03, a liquid curable resin containing an epoxy resin or the like is introduced into the gap between the first surface 21 and the second surface 12 on the first surface 21. The underfill 52 is filled around the bump 51 to seal and fix the semiconductor light-receiving element 10 and the bump 51. As described above, the outer peripheral portion 52b of the underfill 52 is somewhat hollowed out from the side surface 13 all around the semiconductor light-receiving element 10 (see FIG. 5 (b)). The underfill 52 is filled so that the inner peripheral portion 52a of the underfill 52 does not enter the inner side (within the through hole 26) of the main wall surface 26a of the through hole 26.

이 스텝 S03에 있어서 언더 필(52)이 간극에 충전됨으로써, 스텝 S04의 제1 실링 수지부(60)의 형성 공정에 있어서, 제1 수지부(30)가 간극 내 나아가서는 관통 구멍(26)에 침입하는 것이 방지된다. 또, 언더 필(52)의 내주부(52a)가 관통 구멍(26) 내로 들어가지 않음으로써, 스텝 S05의 제2 실링 수지부(80)의 형성 공정에 있어서, 관통 구멍(26)의 전역에 돌출부(46)가 마련되게 된다. When the first resin part 30 is moved in the gap and the through hole 26 is formed in the process of forming the first sealing resin part 60 in step S04 by filling the gap with the underfill 52 in this step S03, Is prevented. Since the inner peripheral portion 52a of the underfill 52 does not enter into the through hole 26 in the step of forming the second sealing resin portion 80 in step S05, The protrusions 46 are provided.

또한, 상기한 것처럼, 스텝 S01에 있어서, 언더 필재를 필름으로 하여 기판(200)에 붙여 두어도 된다. 이 방법을 채용하면, 스텝 S03의 충전 공정은 생략 가능하다. 또, 언더 필(52)로서, 이방성(異方性) 도전 수지를 이용해도 된다. As described above, in step S01, the underfill material may be adhered to the substrate 200 as a film. If this method is employed, the filling step of step S03 can be omitted. As the underfill 52, an anisotropic conductive resin may be used.

이어서, 도 6의 (a) 및 도 6의 (b)에 도시되는 것처럼, 기판(20)의 제1 표면(21)측에 있어서, 차광성의 제1 수지를 이용하여 제1 표면(21) 및 반도체 수광 소자(10)를 실링하여 제1 실링 수지부(60)를 형성하여, 피처리체(100C)를 얻는다(스텝 S04;제1 실링 수지부의 형성 공정). 이 스텝 S04에서는, 제1 표면(21)의 전면에 걸쳐서, 판 모양의 제1 실링 수지부(60)를 형성한다. 제1 실링 수지부(60)의 제1 표면(61)은, 제1 표면(21)에 평행한 평탄면에 형성된다. 제1 실링 수지부(60)의 제2 표면(62)은, 반도체 수광 소자(10)의 제1 면(11) 및 측면(13)과, 기판(20)의 제1 표면(21)을 피복하여, 이들 면에 밀착된다. 제1 실링 수지부(60)는, 예를 들어, 미경화 상태의 열경화성 수지를 금형이나 댐 모양의 프레임 내에 충전한 후, 가열하여 경화시킴으로써, 형성된다. 또한, 열경화성 수지가 미경화 상태로 흘러 나오지 않는 것이면, 금형 등을 이용하지 않고, 도포나 포팅 후, 가열 경화시켜 형성해도 된다. 제1 수지부(30)는 미경화 상태의 광경화성 수지를 금형이나 댐 모양의 프레임 내에 충전한 후, 특정 파장의 광을 조사하여 경화시킴으로써, 형성되어도 된다. 또한, 광경화성 수지가 미경화 상태로 흘러 나오지 않는 것이면, 금형 등을 이용하지 않고, 도포나 포팅(potting) 후, 특정 파장의 광을 조사하여 경화시켜 형성해도 된다. Next, as shown in Figs. 6A and 6B, the first surface 21 of the substrate 20 is covered with the first resin having a light shielding property, And the semiconductor light-receiving element 10 are sealed to form a first sealing resin portion 60 to obtain a workpiece 100C (step S04; a step of forming the first sealing resin portion). In this step S04, a plate-like first sealing resin portion 60 is formed over the entire surface of the first surface 21. [ The first surface 61 of the first sealing resin portion 60 is formed on a flat surface parallel to the first surface 21. [ The second surface 62 of the first sealing resin portion 60 is formed by covering the first surface 11 and the side surface 13 of the semiconductor light receiving element 10 and the first surface 21 of the substrate 20 And is brought into close contact with these surfaces. The first sealing resin portion 60 is formed, for example, by filling a thermosetting resin in an uncured state in a mold or a dam frame, and then heating and curing the resin. Further, if the thermosetting resin does not flow out in an uncured state, it may be formed by applying and potting and then heating and curing without using a mold or the like. The first resin part 30 may be formed by filling a photocurable resin in an uncured state in a mold or a dam-shaped frame, and then irradiating light of a specific wavelength to cure it. If the photo-curable resin does not flow out in an uncured state, it may be formed by applying light or irradiating light of a specific wavelength after curing without application of a mold or the like.

상기 스텝 S03에 있어서, 언더 필(52)의 외주부(52b)가 반도체 수광 소자(10)의 전 주위에 채워져 있음으로써, 제1 실링 수지부(60)는 반도체 수광 소자(10)와 기판(20)의 간극에 침입할 수 없도록 되어 있다(도 6의 (b) 참조). The outer peripheral portion 52b of the underfill 52 is filled in the front periphery of the semiconductor light receiving element 10 in the step S03 so that the first sealing resin portion 60 is disposed between the semiconductor light receiving element 10 and the substrate 20 (See Fig. 6 (b)).

이어서, 도 7의 (a) 및 도 7의 (b)에 도시되는 것처럼, 기판(20)의 제2 표면(22)측에 있어서, 소정 파장의 광에 대해서 광학적으로 투명한 제2 수지를 이용하여 제2 표면(22)의 전체를 실링하여 제2 실링 수지부(80)를 형성하여, 피처리체(100D)를 얻는다(스텝 S05;제2 실링 수지부의 형성 공정). 이 스텝 S05에서는, 제2 표면(22)의 전면에 걸쳐서, 제2 실링 수지부(80)를 형성한다. 이때, 기판(200)의 관통 구멍(26) 내로 제2 수지를 유입시켜, 반도체 수광 소자(10)의 광 검출 영역(12a)을 제2 수지로 피복한다. 이것에 의해, 모든 관통 구멍(26) 내로 들어간 돌출부(46)를 형성하여, 돌출부(46)의 선단면(46a)을 광 검출 영역(12a)에 도달시킨다. 제2 실링 수지부(80)의 제2 표면(82)은, 제2 표면(22)에 평행한 평탄면에 형성된다. 제2 실링 수지부(80)의 제1 표면(81)은 기판(200)의 제2 표면(22)과, 반도체 수광 소자(10)의 광 검출 영역(12a)을 피복하여, 이들 면에 밀착된다. 제2 실링 수지부(80)의 형성 방법에 대해서는, 상기한 제1 실링 수지부(60)의 형성 방법과 마찬가지의 방법이 이용될 수 있다. Subsequently, as shown in Figs. 7A and 7B, a second resin optically transparent to light of a predetermined wavelength is used on the second surface 22 side of the substrate 20 The entire surface of the second surface 22 is sealed to form the second sealing resin portion 80 to obtain the object to be treated 100D (step S05: step of forming the second sealing resin portion). In this step S05, the second sealing resin portion 80 is formed over the entire surface of the second surface 22. At this time, the second resin flows into the through hole 26 of the substrate 200, and the photodetecting area 12a of the semiconductor photodetector 10 is covered with the second resin. As a result, the protruding portions 46 that have entered all of the through holes 26 are formed so that the distal end face 46a of the protruding portion 46 reaches the photodetection region 12a. The second surface 82 of the second sealing resin portion 80 is formed on a flat surface parallel to the second surface 22. The first surface 81 of the second sealing resin part 80 covers the second surface 22 of the substrate 200 and the photodetection area 12a of the semiconductor photodetector element 10, do. As a method of forming the second sealing resin portion 80, a method similar to the method of forming the first sealing resin portion 60 described above can be used.

상기 스텝 S03에 있어서, 언더 필(52)의 내주부(52a)가 관통 구멍(26) 내에 들어가지 않음으로써, 제2 실링 수지부(80)의 돌출부(46)는, 관통 구멍(26)의 전역에 마련되고, 선단면(46a)은 확실히 광 검출 영역(12a)에 도달한다(도 7의 (b) 참조). The inner peripheral portion 52a of the underfill 52 does not enter the through hole 26 in step S03 so that the protruding portion 46 of the second sealing resin portion 80 can be prevented from coming into contact with the through hole 26 And the front end face 46a surely reaches the light detection area 12a (see Fig. 7 (b)).

이어서, 도 8의 (a)에 도시되는 것처럼, 제1 실링 수지부(60)의 일부를 제거하여 제1 표면(21)의 일부를 노출시키고, 복수의 단자부(201)를 노출시켜서, 피처리체(100E)를 얻는다(스텝 S06;전극의 노출 공정). 이 스텝 S06에서는, Y방향으로 일렬로 늘어선 단자부(201)에 대응하는 범위에 있어서, 제1 실링 수지부(60)를 제거하여, 복수의 노출 부분 A를 형성한다. 노출 부분 A의 사이에는, 직육면체 모양의 잔존 부분(65)이 형성된다. 잔존 부분(65)은 수광 모듈(1)의 제1 수지부(30)에 상당한다. 8A, a part of the first sealing resin portion 60 is removed to expose a part of the first surface 21, and the plurality of terminal portions 201 are exposed, (Step S06: electrode exposing step). In this step S06, the first sealing resin portion 60 is removed in a range corresponding to the terminal portions 201 arranged in a line in the Y direction to form a plurality of exposed portions A. [ A rectangular parallelepiped residual portion 65 is formed between the exposed portions A. The remaining portion 65 corresponds to the first resin portion 30 of the light receiving module 1. [

스텝 S06에서는, 구체적으로는, 예를 들어 단면이 직사각형 모양의 다이싱 브레이드를 이용하여, 제1 실링 수지부(60)의 두께에 대응하는 부분이 연삭(硏削)되도록, 다이싱 브레이드의 높이를 조절한다. 그리고, 제1 실링 수지부(60)에 대해서, Y방향으로 복수 회 컷을 행한다. 이때, 단자부(201)가 마련된 범위만을 따라서 컷을 행하여, 반도체 수광 소자(10)가 마련된 영역을 피한다. 다이싱 브레이드의 폭은, 적당히 변경 가능하다. 또한, 다이싱을 행하는 경우로 한정되지 않는다. 예를 들어 케미컬 에칭에 의해서 제1 실링 수지부(60)의 일부를 제거하여, 복수의 노출 부분 A를 형성해도 된다. Specifically, in step S06, the height of the dicing blade is adjusted so that the portion corresponding to the thickness of the first sealing resin portion 60 is ground using, for example, a dicing blade having a rectangular cross- . Then, the first sealing resin portion 60 is cut a plurality of times in the Y direction. At this time, the region where the semiconductor light-receiving element 10 is provided is avoided by performing the cut only in the range where the terminal portion 201 is provided. The width of the dicing blade can be appropriately changed. Further, the present invention is not limited to the case of performing dicing. For example, a part of the first sealing resin portion 60 may be removed by chemical etching to form a plurality of exposed portions A.

이어서, 도 8의 (b)에 도시되는 것처럼, 반도체 수광 소자(10)가 마련되어 있지 않은 X방향의 제1 라인 L1과, 노출 부분 A의 단자부(201)를 통과하는 Y방향의 제2 라인 L2에 있어서 각각 다이싱을 행하여, 기판(20)을 개편화하여 각 수광 모듈(1)을 얻는다(스텝 S07;개편화 공정). 이 스텝 S07에서는, 제1 라인 L1에 있어서의 다이싱에 의해, 잔존 부분(65) 및 제2 실링 수지부(80)가 분할되어, 제1 수지부(30) 및 제2 수지부(40)가 형성된다. 이때, 같은 면인 제2 측면(24a), 제2 측면(34a), 및 제2 측면(44a)이 형성되고, 같은 면인 제2 측면(24b), 제2 측면(34b), 및 제2 측면(44b)이 형성된다(도 1 참조). 또, 제2 라인 L2에 있어서의 다이싱에 의해, 노출 부분 A가 대략 절반으로 분할되어, 수광 모듈(1)의 플랜지부(20a) 또는 플랜지부(20b)가 형성된다. 이때, 같은 면인 제1 측면(23a) 및 제1 측면(43a)이 형성되고, 같은 면인 제1 측면(23b) 및 제1 측면(43b)이 형성된다. 원주 모양(또는 원통 모양)의 각 단자부(201)는 분할되어, 반원 기둥 모양(또는 반원 통 모양)의 단자부(27a, 27b)가 된다. Next, as shown in Fig. 8B, the first line L1 in the X direction where the semiconductor light-receiving element 10 is not provided and the second line L2 in the Y direction passing through the terminal portion 201 of the exposed portion A And each of the light receiving modules 1 is obtained by dividing the substrate 20 (step S07: disengaging step). In this step S07, the remaining portion 65 and the second sealing resin portion 80 are divided by dicing in the first line L1 so that the first resin portion 30 and the second resin portion 40 are separated, . At this time, the second side surface 24a, the second side surface 34a, and the second side surface 44a, which are the same surface, are formed, and the second side surface 24b, the second side surface 34b, 44b are formed (see Fig. 1). The exposed portion A is divided into approximately halves by the dicing in the second line L2 so that the flange portion 20a or the flange portion 20b of the light receiving module 1 is formed. At this time, the first side surface 23a and the first side surface 43a which are the same plane are formed, and the first side surface 23b and the first side surface 43b which are the same plane are formed. Each of the terminal portions 201 in a cylindrical shape (or a cylindrical shape) is divided into a semicircular (or semicircular) semicircular terminal portion 27a, 27b.

스텝 S07에서는, 스텝 S06에서 이용한 것과 마찬가지의, 단면이 직사각형 모양의 다이싱 브레이드를 이용한다. 다만, 브레이드부의 두께를 상이하게 하여, 보다 얇은 브레이드부로 한다. 따라서, 플랜지부(20a) 또는 플랜지부(20b)는, 브레이드부의 두께가 상이한 2회의 다이싱에 의해 형성된다. In step S07, a dicing blade having a rectangular cross section similar to that used in step S06 is used. However, the thickness of the braid portion is made different to make the braid portion thinner. Therefore, the flange portion 20a or the flange portion 20b is formed by dicing twice in which the thickness of the braid portion is different.

이상 설명한 본 실시 형태의 수광 모듈(1)에 의하면, 반도체 수광 소자(10)는 범프(51)를 통해서 기판(20)의 제1 표면(21)에 마련되어 있다. 이러한 플립 칩 방식에 의한 실장은, 와이어를 이용하는 경우에 비하여, 단선 등의 문제를 회피할 수 있기 때문에, 높은 신뢰성이 실현되고 있다. 기판(20)은 제1 수지부(30)로부터 돌출되는 플랜지부(20a, 20b)를 가진다. 도 9에 도시되는 것처럼, 수광 모듈(1)을 실장할 때에는, 실장용 기판(90)에, 구멍부(92) 등을 마련한다. 구멍부(92)는 제1 수지부(30)를 수용 가능한 크기로 설정되어 있다. 이 구멍부(92) 등에 제1 수지부(30)를 들어가게 하여, 제1 수지부(30)를 안으로 넣을 수 있다. 그리고 플랜지부(20a, 20b)를 실장용 기판(90)의 리플로우면(91)상에 재치함으로써, 수광 모듈(1)을 실장용 기판(90)에 용이하게 실장할 수 있다. 기판(20)의 단자부(27a, 27b)는 제1 측면(23a, 23b)에 노출되어 있으므로, 접속부(93)를 이용한 접속도 용이하다. According to the light receiving module 1 of the present embodiment described above, the semiconductor light receiving element 10 is provided on the first surface 21 of the substrate 20 through the bumps 51. [ Such a flip chip mounting can avoid the problem of disconnection and the like compared with the case of using a wire, so that high reliability is realized. The substrate 20 has flange portions 20a, 20b protruding from the first resin portion 30. The flange portions 20a, 9, when the light receiving module 1 is mounted, the mounting board 90 is provided with a hole 92 or the like. The hole portion 92 is set to be large enough to accommodate the first resin portion 30. The first resin portion 30 can be inserted into the hole portion 92 and the like so that the first resin portion 30 can be inserted therein. The light receiving module 1 can be easily mounted on the mounting board 90 by mounting the flange portions 20a and 20b on the reflow surface 91 of the mounting board 90. [ Since the terminal portions 27a and 27b of the substrate 20 are exposed to the first side surfaces 23a and 23b, connection using the connection portion 93 is also easy.

도 10에 도시되는 것처럼, 기판(20)의 제2 표면(22)측에 마련된 제2 수지부(40)는, 소정 파장의 광에 대해서 광학적으로 투명하다. 제2 수지부(40)에 있어서, 기판(20)을 덮는 면과 반대측의 노출면(표면(42))으로부터 광이 입사되면, 제2 수지부(40)의 굴절률은 공기의 굴절률보다도 크기 때문에, 광은 제2 수지부(40)의 내부에서 확산되어, 제2 수지부(40)의 내부에 갇힌다. 즉, 노출면(표면(42))으로부터 기판(20)의 관통 구멍(26)으로 직접 입사된 광은, 반도체 수광 소자(10)의 광 검출 영역(12a)으로 입사되지만, 그 이외의 광은, 기판(20)의 제2 표면(22)이나 제2 수지부(40)의 표면(42) 등에서 반사된 후에, 관통 구멍(26)을 통해서 광 검출 영역(12a)으로 입사된다. 제2 수지부(40)는 기판(20)의 제2 표면(22)의 전체를 덮고 있기 때문에, 노출면(표면(42))도 크게 되어 있고, 따라서 수광 범위가 매우 넓다. 제2 수지부(40)는 노출면(표면(42)) 전면의 넓은 범위로 입사된 광을, 관통 구멍(16)을 통해서 광 검출 영역(12a)으로 입사시킬 수 있다. 관통 구멍의 크기에 따른 개구율로 한정되어 버리는 종래의 수광 모듈에 비하여, 이 수광 모듈(1)에서는, 개구율이 향상되어 있다. 게다가, 제2 수지부(40)의 돌출부(46)는 관통 구멍(26) 내로 돌출되어, 추가로 광 검출 영역(12a)을 피복한다. 이것에 의해, 제2 수지부(40) 내의 광을, 관통 구멍(26)뿐만 아니라 광 검출 영역(12a)까지 확실하게 안내할 수 있다. 그 결과로서, 수광 감도의 증대가 도모된다. 또, 반도체 수광 소자(10)는 차광성을 가지는 제1 수지부(30)에 의해서 실링되어 있으므로, 관통 구멍(26)을 경유하는 광 이외의 입사광은, 차단된다. 따라서, 노이즈가 감소된다. 노이즈의 감소에 의해, 수광 감도에 관한 S/N비가 향상된다. 또, 제2 수지부(40)가 제2 표면(22)의 전체를 덮고, 또한 돌출부(46)가 광 검출 영역(12a)을 피복하고 있기 때문에, 반도체 수광 소자(10)에 대한 수분(水分)의 침입이 방지되고 있다. As shown in Fig. 10, the second resin part 40 provided on the second surface 22 side of the substrate 20 is optically transparent to light of a predetermined wavelength. When light is incident on the second resin portion 40 from the exposed surface (surface 42) opposite to the surface covering the substrate 20, the refractive index of the second resin portion 40 is larger than the refractive index of the air , The light is diffused inside the second resin part (40) and is trapped inside the second resin part (40). That is, light directly incident from the exposed surface (surface 42) to the through hole 26 of the substrate 20 is incident on the photodetection region 12a of the semiconductor photodetector element 10, Is reflected by the second surface 22 of the substrate 20 or the surface 42 of the second resin part 40 and then enters the light detection area 12a through the through hole 26. [ Since the second resin portion 40 covers the entire second surface 22 of the substrate 20, the exposed surface (the surface 42) is also large, and thus the light receiving range is very wide. The second resin part 40 can make the light incident on the entire surface of the exposed surface (surface 42) enter the photodetection area 12a through the through hole 16. The aperture ratio is improved in this light receiving module 1 as compared with the conventional light receiving module which is limited to the aperture ratio according to the size of the through hole. In addition, the protruding portion 46 of the second resin portion 40 protrudes into the through hole 26, and further covers the photodetection region 12a. This makes it possible to reliably guide the light in the second resin portion 40 to the photodetection region 12a as well as the through hole 26. [ As a result, the light receiving sensitivity can be increased. Since the semiconductor light-receiving element 10 is sealed by the first resin part 30 having a light-shielding property, incident light other than light passing through the through-hole 26 is blocked. Thus, the noise is reduced. By reducing the noise, the S / N ratio with respect to the light receiving sensitivity is improved. Since the second resin part 40 covers the entire second surface 22 and the protruding part 46 covers the light detecting area 12a, Is prevented.

X방향에 있어서의 제2 수지부(40)의 단면인 제1 측면(43a, 43b)은, X방향에 있어서의 기판(20)의 단면인 제1 측면(23a, 23b)과 같은 면으로 연속되어 있다. 따라서, X방향에 있어서의 넓은 범위로 입사된 광을, 광 검출 영역(12a)으로 입사시킬 수 있어, 수광 모듈(1)에 있어서의 수광 감도가 한층 증대되어 있다. The first side faces 43a and 43b which are the end faces of the second resin portion 40 in the X direction are continuous in the same plane as the first side faces 23a and 23b of the substrate 20 in the X direction . Therefore, the light incident on the wide range in the X direction can be made incident on the light detecting area 12a, and the light receiving sensitivity of the light receiving module 1 is further increased.

Y방향에 있어서의 제2 수지부(40)의 단면인 제2 측면(44a, 44b)은, Y방향에 있어서의 기판(20)의 단면인 제2 측면(24a, 24b)과 같은 면으로 연속되어 있다. 따라서, Y방향에 있어서의 넓은 범위로 입사된 광을, 광 검출 영역(12a)으로 입사시킬 수 있어, 수광 모듈(1)에 있어서의 수광 감도가 한층 증대되어 있다. The second side faces 44a and 44b which are the end faces of the second resin portion 40 in the Y direction are continuous in the same plane as the second side faces 24a and 24b which are the end faces of the substrate 20 in the Y direction . Therefore, light incident in a wide range in the Y direction can be incident on the light detection area 12a, and the light receiving sensitivity of the light receiving module 1 is further increased.

기판(20)의 제2 표면(22)은 소정 파장의 광을 반사시키는 반사면이기 때문에, 제2 수지부(40)의 내부에서의 광 성분을 증대시킬 수 있고, 또 광의 가둠 효과가 더욱 향상된다. 따라서, 수광 모듈(1)에 있어서의 수광 감도가 한층 증대되어 있다. Since the second surface 22 of the substrate 20 is a reflecting surface that reflects light of a predetermined wavelength, it is possible to increase the light component inside the second resin portion 40, do. Therefore, the light receiving sensitivity of the light receiving module 1 is further increased.

상기한 수광 모듈(1)의 제조 방법에 의하면, 기판(20)의 제1 표면(21)측에 있어서는, 차광성을 가지는 제1 수지를 이용하여 제1 표면(21) 및 반도체 수광 소자(10)가 실링되고, 그 후, 제1 실링 수지부(60)의 일부가 제거되어 제1 표면(21)이 노출된다. 제1 표면의 노출 부분 A를 통과하는 제2 라인 L2에서 다이싱을 행함으로써, 기판(20)에, 제1 실링 수지부(60)의 잔존 부분(65)(제1 수지부(30))으로부터 돌출되는 플랜지부가 형성된다. 이 플랜지부에 의하면, 수광 모듈(1)을 실장용 기판에 용이하게 실장할 수 있다. 한편, 제2 표면(22)측에 있어서는, 소정 파장의 광에 대해서 광학적으로 투명한 제2 수지를 이용하여 제2 표면(22)의 전체가 실링된다. 관통 구멍(26) 내에 제2 수지가 유입되어, 관통 구멍(26)에 대면하는 광 검출 영역(12a)을 제2 수지가 피복하기 때문에, 개구율이 향상되어, 수광 감도의 증대가 도모된다. 이 제조 방법에 의하면, 고신뢰이고 또한 수광 감도가 높은 수광 모듈을, 간이 또한 적은 공정을 거쳐 제조할 수 있다. The first surface 21 of the substrate 20 and the first surface 21 of the semiconductor light receiving element 10 are made of a first resin having a light shielding property, And then a part of the first sealing resin part 60 is removed to expose the first surface 21. The remaining portion 65 (first resin portion 30) of the first sealing resin portion 60 is formed on the substrate 20 by dicing in the second line L2 passing through the exposed portion A of the first surface, A flange portion protruding from the flange portion is formed. According to this flange portion, the light receiving module 1 can be easily mounted on the mounting board. On the other hand, on the second surface 22 side, the entire second surface 22 is sealed by using a second resin optically transparent to light of a predetermined wavelength. The second resin flows into the through hole 26 and the second resin covers the light detecting area 12a facing the through hole 26. This improves the aperture ratio and increases the light receiving sensitivity. According to this manufacturing method, a light receiving module having high reliability and high light receiving sensitivity can be manufactured through a simple process and a small process.

복수의 기판(200)을 중첩시킨 상태에서 천공을 행함으로써, 1회의 천공에 대해서 동일한 기둥 모양의 관통 구멍(26)을 복수 개 형성하므로, 기판(200)의 천공 공정의 효율이 높아진다. By performing the perforations in a state in which the plurality of substrates 200 are overlapped, a plurality of the same columnar through holes 26 are formed for one perforation, so that the efficiency of the perforating process of the substrate 200 is enhanced.

상기한 실시 형태 이외에도, 본 발명은 다양한 변형 양태를 포함하고 있다. 예를 들어, 도 11의 (a)에 도시되는 것처럼, 수광 모듈(1A)은 수광 모듈(1)의 제2 수지부(40)를 대신하여, 표면(42)상에 형성된 프레넬 렌즈부(47)를 포함하는 제2 수지부(40A)를 구비하고 있다. 노출면이 프레넬 렌즈 형상을 이루고 있음으로써, 노출면으로부터 입사된 광을 관통 구멍(26)으로 안내하기 쉽고, 집광 효율이 높여져 있다. 따라서, 수광 감도가 한층 증대되어 있다. In addition to the above-described embodiments, the present invention includes various modifications. 11A, the light receiving module 1A may be replaced with a Fresnel lens portion (not shown) formed on the surface 42 in place of the second resin portion 40 of the light receiving module 1. For example, And a second resin portion 40A including the first and second resin portions 47A and 47B. Since the exposed surface forms a Fresnel lens shape, the light incident from the exposed surface can easily be guided to the through hole 26, and the light collection efficiency is improved. Therefore, the light receiving sensitivity is further increased.

또, 도 11의 (b) 및 도 12에 도시되는 것처럼, 수광 모듈(1b)은 수광 모듈(1A)의 프레넬 렌즈부(47)에 더하여, 기판(20)에 형성된 관통 구멍(26B)이 제2 표면(22)측으로부터 제1 표면(21)측을 향함에 따라 가늘어지는 테이퍼 모양이다. 관통 구멍(26B)은 제2 표면(22)측으로부터 제1 표면(21)측을 향하여 일정한 경사로 끝이 가늘어지는 테이퍼 형상이다. 이 구성에 의하면, 수광 모듈(1A)과 마찬가지의 효과에 더하여, 관통 구멍(26B)에 광을 입사시키기 쉬워져, 수광 감도가 한층 증대된다. 11B and 12, in the light receiving module 1b, a through hole 26B formed in the substrate 20 is formed in addition to the Fresnel lens portion 47 of the light receiving module 1A And tapered toward the first surface 21 side from the second surface 22 side. The through hole 26B has a tapered shape that tapers at a constant inclination from the second surface 22 side toward the first surface 21 side. According to this configuration, in addition to the same effect as that of the light receiving module 1A, light is easily incident on the through hole 26B, and the light receiving sensitivity is further increased.

이상의 실시 형태로 한정되지 않고, 예를 들어, 이하의 변형 양태를 채택할 수 있다. X방향으로만 플랜지부(20a, 20b)가 마련되는 경우로 한정되지 않고, Y방향으로도 플랜지부가 마련되어도 된다. 이 경우, 스텝 S06에 있어서 제1 실링 수지부(60)를 제거하는 부분을 늘려, Y방향뿐만 아니라 X방향으로 제1 실링 수지부(60)를 제거해도 된다. 제1 수지부(30)의 사방으로 돌출되는 플랜지부가 마련되는 경우, 예를 들어 단자부는 기판(20)의 각 변에 마련되어도 된다(예를 들어 4변의 각각에 2개 마련되어, 전체로 8개 등). For example, the following modifications can be adopted. The present invention is not limited to the case where the flange portions 20a and 20b are provided only in the X direction, and a flange portion may also be provided in the Y direction. In this case, the portion for removing the first sealing resin portion 60 may be increased in Step S06 to remove the first sealing resin portion 60 in the X direction as well as in the Y direction. In the case where a flange portion protruding in all directions of the first resin portion 30 is provided, for example, the terminal portions may be provided on each side of the substrate 20 (for example, two on each of the four sides, Etc).

플랜지부(20a, 20b)는 단자부(27a, 27b)가 마련된 단면을 포함하지만, 단면은 X방향(제1 방향)의 단면으로 한정되지 않고, Y방향의 단면이어도 된다. 즉, 플랜지부(20a, 20b)의 측면(제2 측면(24a, 24b)의 양단(兩端) 부분)에 단자부가 마련되어도 된다. 바꾸어 말하면, 상기 실시 형태에서는, 제1 측면(23a, 23b)에 단자부(27a, 27b)가 마련되는 경우에 대해 설명했지만, 이 양태로 한정되지 않는다. 전극부 및 단자부에 관해, 개수 및 배치는 적당히 변경 가능하다. 다만, 단자부는 플랜지부에 마련될 수 있다. The flange portions 20a and 20b include a cross section provided with the terminal portions 27a and 27b, but the cross section is not limited to the cross section in the X direction (first direction) but may be the cross section in the Y direction. That is, the terminal portions may be provided on the side surfaces of the flange portions 20a, 20b (both end portions of the second side surfaces 24a, 24b). In other words, although the terminal portions 27a and 27b are provided on the first side surfaces 23a and 23b in the above embodiment, the present invention is not limited to this embodiment. The number and arrangement of the electrode portion and the terminal portion can be appropriately changed. However, the terminal portion may be provided in the flange portion.

제2 수지부(40)의 단면과 기판(20)의 단면은 같은 면으로 연속되어 있은 경우로 한정되지 않는다. 제2 수지부(40)의 단면과 기판(20)의 단면은 같은 면으로 연속되어 있지 않아도 된다. 예를 들어, 제2 수지부(40)의 단면은 기판(20)의 단면에 대해서 경사져 있어도 된다. The cross section of the second resin part 40 and the cross section of the substrate 20 are not limited to the case where they are continuous on the same plane. The cross section of the second resin portion 40 and the cross section of the substrate 20 may not be continuous on the same plane. For example, the cross section of the second resin section 40 may be inclined with respect to the cross section of the substrate 20. [

기판(20)에 마련되는 관통 구멍은, 원주 모양으로 한정되지 않고, 사각 기둥 모양이이도 된다. 관통 구멍은 다각형 기둥 모양이어도 된다. 기판(20)에 마련되는 테이퍼 모양의 관통 구멍은, 원 뿔대 모양으로 한정되지 않고, 사각 뿔대 모양이어도 된다. 관통 구멍은 다각 뿔대 모양이어도 된다. 테이퍼 모양의 관통 구멍은 제2 표면(22)측으로부터 제1 표면(21)측을 향하여 경사 각도가 복수 단계로 바뀌는 것 같은 테이퍼 형상이어도 된다. 테이퍼 모양의 관통 구멍이, (프레넬 렌즈부(47)를 구비하지 않는) 수광 모듈(1)에 채용되어도 된다. 관통 구멍은 중심축선이 Z방향을 따르도록 형성되는 경우로 한정되지 않고, 중심축선이 Z방향에 대해서 다소 경사지도록 형성되어도 된다. The through hole provided in the substrate 20 is not limited to a columnar shape but may be a square columnar shape. The through hole may be a polygonal columnar shape. The tapered through-hole provided in the substrate 20 is not limited to a circular truncated cone, but may be a square truncated cone. The through hole may have a polygonal truncated cone shape. The tapered through-hole may have a tapered shape such that the inclination angle changes from the second surface 22 side toward the first surface 21 side in a plurality of steps. A tapered through hole may be employed for the light receiving module 1 (which does not include the Fresnel lens portion 47). The through hole is not limited to the case where the center axis is formed so as to follow the Z direction, and the center axis may be formed to be slightly inclined with respect to the Z direction.

[산업상의 이용 가능성][Industrial Availability]

본 개시의 일부 양태에 의하면, 개구율이 향상되고, 그 결과, 수광 감도의 증대를 도모할 수 있다. According to some aspects of the present disclosure, the aperture ratio is improved, and as a result, the light receiving sensitivity can be increased.

1…수광 모듈 10…반도체 수광 소자
12a…광 검출 영역 20…기판
21…제1 표면 22…제2 표면
26, 26B…관통 구멍 27a, 27b…단자부
28a, 28b…전극부 30…제1 수지부
40…제2 수지부 51…범프
52…언더 필 A…노출 부분
L1…제1 라인 L2…제2 라인
One… Receiver module 10 ... Semiconductor light receiving element
12a ... The photodetection area 20 ... Board
21 ... The first surface 22 ... The second surface
26, 26B ... Through holes 27a, 27b ... Terminal portion
28a, 28b ... The electrode part 30 ... The first resin part
40 ... The second resin part 51 ... Bump
52 ... Under Fill A ... Exposed portion
L1 ... The first line L2 ... The second line

Claims (8)

제1 표면과, 상기 제1 표면과는 반대측인 제2 표면과, 상기 제1 표면에 마련된 전극부와, 상기 제1 표면 및 상기 제2 표면을 접속하는 단면에 마련되고, 상기 전극부에 전기적으로 접속된 단자부를 가지는 기판과,
상기 기판의 상기 제1 표면에 대면(對面)하도록 마련되고, 상기 제1 표면과의 사이에 마련된 범프를 통해서 상기 기판의 상기 전극부에 전기적으로 접속되는 반도체 수광 소자와,
상기 반도체 수광 소자와 상기 기판의 상기 제1 표면의 간극으로서 상기 범프의 주위에 충전되는 언더 필과,
상기 기판의 상기 제1 표면측에 마련되어 상기 반도체 수광 소자를 실링하고, 소정 파장의 광에 대해서 차광성을 가지는 제1 수지부와,
상기 기판의 상기 제2 표면측에 마련되어 상기 제2 표면의 전체를 덮고, 상기 소정 파장의 광에 대해서 광학적으로 투명한 제2 수지부를 구비하고,
상기 기판에는 상기 기판을 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍이 마련되고,
상기 반도체 수광 소자는 상기 반도체 수광 소자의 광 검출 영역이 상기 관통 구멍에 대면하도록 배치되고,
상기 두께 방향에 직교하는 제1 방향에 있어서의 상기 기판의 길이는, 상기 제1 방향에 있어서의 상기 제1 수지부의 길이보다도 크고, 상기 기판은 상기 제1 수지부로부터 상기 제1 방향으로 돌출되는 플랜지부를 가지고, 상기 플랜지부는 상기 제1 표면의 노출 부분과 상기 단자부가 마련된 상기 단면을 포함하고,
상기 제2 수지부는 상기 기판의 상기 관통 구멍 내로 돌출되는 돌출부를 가지고, 상기 돌출부는 상기 반도체 수광 소자의 상기 광 검출 영역을 피복하는 수광 모듈.
A first surface, a second surface opposite to the first surface, an electrode portion provided on the first surface, and an electrode portion provided on an end surface connecting the first surface and the second surface, A substrate having a terminal portion connected to the substrate,
A semiconductor light receiving element which is provided so as to face the first surface of the substrate and is electrically connected to the electrode portion of the substrate through a bump provided between the semiconductor surface and the first surface,
An underfill which is filled around the bump as a gap between the semiconductor light receiving element and the first surface of the substrate,
A first resin part provided on the first surface side of the substrate and sealing the semiconductor light-receiving element and having a light-shielding property with respect to light having a predetermined wavelength,
And a second resin part provided on the second surface side of the substrate and covering the entirety of the second surface and optically transparent to light of the predetermined wavelength,
Wherein the substrate is provided with a through hole penetrating the substrate in the thickness direction,
The semiconductor photodetector element is arranged so that the photodetecting area of the semiconductor photodetector faces the through hole,
Wherein a length of the substrate in a first direction orthogonal to the thickness direction is larger than a length of the first resin portion in the first direction and the substrate is projected from the first resin portion in the first direction Wherein the flange portion includes the exposed portion of the first surface and the cross-section provided with the terminal portion,
And the second resin portion has a protrusion protruding into the through hole of the substrate, and the protrusion covers the light detecting area of the semiconductor photodetector.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 방향에 있어서의 상기 제2 수지부의 길이는, 상기 제1 방향에 있어서의 상기 기판의 길이와 같고, 상기 제1 방향에 있어서의 상기 제2 수지부의 단면은, 상기 제1 방향에 있어서의 상기 기판의 단면과 같은 면으로 연속되어 있은 수광 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein a length of the second resin portion in the first direction is equal to a length of the substrate in the first direction and a cross section of the second resin portion in the first direction is the same as the length in the first direction Is continuous on the same plane as the end face of the substrate in the light receiving module.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 두께 방향 및 상기 제1 방향의 양쪽에 직교하는 제2 방향에 있어서의 상기 제2 수지부의 길이는, 상기 제2 방향에 있어서의 상기 기판의 길이와 같고, 상기 제2 방향에 있어서의 상기 제2 수지부의 단면은, 상기 제2 방향에 있어서의 상기 기판의 단면과 같은 면으로 연속되어 있은 수광 모듈.
The method according to claim 1 or 2,
The length of the second resin portion in the thickness direction and the second direction orthogonal to both the first direction is the same as the length of the substrate in the second direction, And the cross section of the second resin section is continuous on the same plane as the cross section of the substrate in the second direction.
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 관통 구멍은 상기 제2 표면측으로부터 상기 제1 표면측을 향함에 따라 가늘어지는 테이퍼 모양인 수광 모듈.
The method according to any one of claims 1 to 3,
And the through-hole is tapered to be tapered from the second surface side toward the first surface side.
청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 수지부에 있어서, 상기 제2 표면을 덮는 면과 반대측인 노출면은, 프레넬 렌즈 형상을 이루고 있는 수광 모듈.
The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the exposed surface of the second resin portion opposite to the surface covering the second surface has a Fresnel lens shape.
청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판의 상기 제2 표면은 상기 소정 파장의 광을 반사시키는 반사면인 수광 모듈.
The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the second surface of the substrate is a reflective surface reflecting light of the predetermined wavelength.
대향하는 제1 표면과 제2 표면을 가지는 기판으로서, 상기 제1 표면에 복수의 전극부가 마련되고, 상기 전극부에 전기적으로 접속되어 상기 제1 표면으로부터 두께 방향으로 연장되는 복수의 단자부가 마련되고, 상기 두께 방향으로 관통하는 복수의 관통 구멍이 마련된 상기 기판을 준비하는 공정과,
상기 기판의 상기 제1 표면에 대면하고 또한 상기 관통 구멍을 덮도록 복수의 반도체 수광 소자를 배치하고, 상기 제1 표면과 상기 반도체 수광 소자의 사이에 범프를 마련하고, 상기 반도체 수광 소자를 본딩하여 상기 전극부에 상기 반도체 수광 소자를 전기적으로 접속시키는 공정과,
상기 반도체 수광 소자와 상기 기판의 상기 제1 표면의 간극으로서 상기 범프의 주위에 충전된 언더 필을 형성하는 공정과,
상기 기판의 상기 제1 표면측에 있어서, 소정 파장의 광에 대해서 차광성을 가지는 제1 수지를 이용하여 상기 제1 표면 및 상기 반도체 수광 소자를 실링하여, 제1 실링 수지부를 형성하는 공정과,
상기 기판의 상기 제2 표면측에 있어서, 상기 소정 파장의 광에 대해서 광학적으로 투명한 제2 수지를 이용하여 상기 제2 표면의 전체를 실링하여, 제2 실링 수지부를 형성하는 공정과,
상기 제1 실링 수지부의 일부를 제거하여 상기 제1 표면의 일부를 노출시킴과 아울러 상기 복수의 단자부를 노출시키는 공정과,
상기 반도체 수광 소자가 마련되어 있지 않은 영역을 통과하는 제1 라인과, 상기 제1 표면의 노출 부분을 통과하는 제2 라인에 있어서 각각 다이싱을 행하여, 상기 기판을 개편화하는 공정을 포함하고,
상기 반도체 수광 소자를 전기적으로 접속시키는 공정에서는, 반도체 수광 소자의 광 검출 영역이 상기 관통 구멍에 대면하도록 상기 반도체 수광 소자를 배치하고,
상기 제2 실링 수지부를 형성하는 공정에서는, 상기 기판의 상기 관통 구멍 내로 상기 제2 수지를 유입시켜, 추가로 상기 반도체 수광 소자의 상기 광 검출 영역을 상기 제2 수지로 피복하는 수광 모듈의 제조 방법.
A substrate having opposing first and second surfaces, wherein a plurality of electrode portions are provided on the first surface, a plurality of terminal portions electrically connected to the electrode portion and extending in the thickness direction from the first surface are provided A step of preparing the substrate provided with a plurality of through holes penetrating in the thickness direction,
Wherein a plurality of semiconductor light receiving elements are arranged to face the first surface of the substrate and to cover the through holes, bumps are provided between the first surface and the semiconductor light receiving element, and the semiconductor light receiving element is bonded A step of electrically connecting the semiconductor light-receiving element to the electrode portion,
Forming an underfill filled in the periphery of the bump as a gap between the semiconductor light-receiving element and the first surface of the substrate;
A step of forming a first sealing resin part on the first surface side of the substrate by sealing the first surface and the semiconductor light-receiving element using a first resin having a light-shielding property with respect to light of a predetermined wavelength; ,
A step of forming a second sealing resin portion on the second surface side of the substrate by sealing the entire second surface with a second resin optically transparent to the light of the predetermined wavelength,
Removing a portion of the first sealing resin portion to expose a portion of the first surface and exposing the plurality of terminal portions;
And dicing each of the first line passing through the region where the semiconductor light-receiving element is not provided and the second line passing through the exposed portion of the first surface to separate the substrate,
In the step of electrically connecting the semiconductor light-receiving element, the semiconductor light-receiving element is disposed such that the light-detecting area of the semiconductor light-receiving element faces the through-hole,
In the step of forming the second sealing resin part, the second resin is introduced into the through hole of the substrate, and further the manufacturing of the light receiving module for covering the light detecting area of the semiconductor light receiving element with the second resin Way.
청구항 7에 있어서,
상기 기판을 준비하는 공정에서는, 복수의 상기 기판을 중첩시킨 상태에서 천공을 행함으로써, 1회의 천공에 대해서 동일한 기둥 모양의 상기 관통 구멍을 복수 개 형성하는 수광 모듈의 제조 방법.
The method of claim 7,
Wherein the step of preparing the substrate includes the step of perforating a plurality of the substrates in a superimposed state so as to form a plurality of the through holes of the same column shape per one perforation.
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