KR20180103931A - Receiving module and manufacturing method of optical module - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 30
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 111
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 111
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 96
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 63
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 3
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000792 Monel Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H01L31/02164—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers, cold shields for infrared detectors
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
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- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract
수광 모듈은 반도체 수광 소자와, 반도체 수광 소자가 탑재되고, 당해 반도체 수광 소자와 전기적으로 접속되는 단자부를 주면상에 가지는 기판과, 소정 파장의 광에 대해서 광학적으로 투명하고, 반도체 수광 소자 및 기판의 주면을 실링하는 수지부를 구비한다. 수지부는 주면에 교차하는 방향으로 연장되는 제1 단면과, 제1 단면에 대향하고, 주면에 교차하는 방향으로 연장되는 제2 단면과, 제1 단면과 제2 단면을 접속시키고, 기판의 주면에 평행한 제3 단면을 가지고 있다. 제1 단면은 조면이고, 또한 노출되어 있고, 제2 단면은 주면에 대해서 경사져 있고, 제2 단면 및 제3 단면은 소정 파장의 광을 차광하는 차광막으로 피복되어 있다. The light-receiving module includes a semiconductor light-receiving element, a substrate on which a semiconductor light-receiving element is mounted and which has a terminal portion that is electrically connected to the semiconductor light-receiving element on a principal surface, and a semiconductor light- And a resin portion sealing the main surface. The resin part has a first end face extending in a direction intersecting the main face, a second end face opposing the first end face and extending in a direction intersecting the main face, and a second end face connecting the first end face and the second end face, And has a third cross-section parallel to the second cross-section. The second end face is inclined with respect to the main surface, and the second end face and the third end face are covered with a light shielding film which shields light of a predetermined wavelength.
Description
본 개시는 수광 모듈 및 광학 모듈의 제조 방법에 관한 것이다. The present disclosure relates to a light receiving module and a method of manufacturing the optical module.
광학 모듈의 소형화를 실현하기 위해서, 광학 소자의 검출면에 대해서 측면으로부터 광을 입사 또는 출사시키는 광학 모듈이 알려져 있다. 예를 들면, 특허 문헌 1에는, 반사막을 구비한 경사면을 광검출면에 대향하는 영역에 마련한 광학 반도체 장치가 개시되어 있다. 이 광학 반도체 장치는 반사막을 이용하여 측면으로부터 입사된 광을 광검출면으로 반사시킴으로써 광의 검출을 행한다. In order to realize miniaturization of the optical module, an optical module is known which allows light to enter or exit from the side surface with respect to the detection surface of the optical element. For example,
상술한 것 같은 광학 모듈의 성능의 향상을 도모하기 위해서는, 차광성(遮光性)을 가지는 커버 또는 케이스 등을 이용하여, 광의 입사면 또는 출사면 이외의 부분을 덮을 필요가 있다. 그렇지만, 커버 또는 케이스를 마련함으로써, 광학 모듈의 소형화가 저해된다. In order to improve the performance of the optical module as described above, it is necessary to cover a portion other than an incident surface or an outgoing surface of light by using a cover or a case having a light-shielding property. However, by providing a cover or a case, miniaturization of the optical module is hindered.
본 개시는 차광 기능을 실현하면서, 소형화를 도모하는 것이 가능한 수광 모듈 및 광학 모듈의 제조 방법을 설명한다. The present disclosure describes a light receiving module and a manufacturing method of an optical module capable of achieving miniaturization while realizing a light shielding function.
본 개시의 일 양태에 따른 수광 모듈은 반도체 수광 소자와, 반도체 수광 소자가 탑재되고, 당해 반도체 수광 소자와 전기적으로 접속되는 단자부를 주면(主面)상에 가지는 기판과, 소정 파장의 광에 대해서 광학적으로 투명하고, 반도체 수광 소자 및 기판의 주면을 실링(sealing)하는 수지부를 구비한다. 수지부는 주면에 교차하는 방향으로 연장되는 제1 단면과, 제1 단면에 대향하고, 주면에 교차하는 방향으로 연장되는 제2 단면과, 제1 단면과 제2 단면을 접속하고, 기판의 주면에 평행한 제3 단면을 가지고 있다. 제1 단면은 조면(粗面, 거친 면)이고, 또한 노출되어 있고, 제2 단면은 주면에 대해서 경사져 있고, 제2 단면 및 제3 단면은 소정 파장의 광을 차광하는 차광막으로 피복되어 있다. A light receiving module according to an aspect of the present disclosure includes a semiconductor light receiving element, a substrate on which a semiconductor light receiving element is mounted, a substrate having a terminal portion on a main surface thereof electrically connected to the semiconductor light receiving element, And a resin part that is optically transparent and seals the semiconductor light receiving element and the main surface of the substrate. A second end face opposing the first end face and extending in a direction intersecting the main face, and a second end face that connects the first end face and the second end face, And has a third cross-section parallel to the second cross-section. The first end surface is a roughened surface (rough surface, rough surface) and is exposed. The second end surface is inclined with respect to the principal surface. The second end surface and the third end surface are covered with a light shielding film that shields light of a predetermined wavelength.
일 양태에 따른 수광 모듈은 수지부의 제2 단면 및 제3 단면에 차광막이 형성되어 있다. 이러한 구성에 의해, 차광 기능이 실현되어, 수광 모듈 내로의 외란광(外亂光)의 침입이 억제된다. 또, 제1 단면으로부터 수지부의 내부로 입사된 광이 차광막에 의해서 반사되어, 수지부의 내부에 갇힌다. 또한, 제1 단면이 조면인 것에 의해, 당해 제1 단면에 입사된 광은 확산광이 되어 수지부의 내부로 입사된다. 수지부의 굴절률은 공기의 굴절률보다도 크기 때문에, 제1 단면으로부터 입사된 확산광은 수지부의 내부에 갇힌다. 이러한 작용에 의해, 제1 단면으로부터 입사된 광을 고감도로 검출하는 것이 가능하다. 또한, 차광을 위한 커버 또는 케이스 등으로 수광 모듈을 덮을 필요가 없으므로, 수광 모듈의 소형화를 도모할 수 있다. The light-receiving module according to one aspect of the present invention has a light-shielding film formed on the second end face and the third end face of the resin part. With this configuration, the light shielding function is realized, and intrusion of extraneous light into the light receiving module is suppressed. Further, light incident from the first end face into the inside of the resin part is reflected by the light-shielding film and is trapped inside the resin part. Further, since the first end surface is a roughened surface, the light incident on the first end surface becomes diffused light and enters the inside of the resin portion. Since the refractive index of the resin part is larger than the refractive index of air, the diffused light incident from the first end face is trapped inside the resin part. By this action, light incident from the first end face can be detected with high sensitivity. Further, since it is not necessary to cover the light-receiving module with a cover or a case for light-shielding, it is possible to reduce the size of the light-receiving module.
일부 양태에 있어서, 기판은 유리 에폭시 기판이고, 당해 기판은 제2 단면에 연속되는 노치부를 가지고, 노치부는 소정 파장의 광을 차광하는 차광막으로 피복되어 있다. 이 구성에 의해, 외란광이 기판을 통해서 수지부의 내부로 침입하는 것을 억제할 수 있다. In some embodiments, the substrate is a glass epoxy substrate, the substrate has a notch continuous to the second end face, and the notch is covered with a light-shielding film that shields light of a predetermined wavelength. With this configuration, disturbance light can be prevented from entering the inside of the resin portion through the substrate.
일부 양태에 있어서, 제2 단면은 조면이다. 이 구성에 의하면, 수지부의 내부에 입사된 확산광은 제2 단면에서 보다 더 확산된다. 또, 확산광은 제2 단면을 피복하는 차광막에 의해서 반사된다. 따라서, 수지부의 내부에 있어서 휘도의 균일화를 도모할 수 있어, 제1 단면으로부터 입사된 광을 정밀도 좋게 검출하는 것이 가능하다. In some embodiments, the second section is a rough surface. According to this configuration, the diffused light incident on the inside of the resin part is diffused more than in the second end face. The diffused light is reflected by the light shielding film covering the second end face. Therefore, it is possible to uniformize the brightness in the inside of the resin part, and it is possible to detect the light incident from the first end face with high precision.
일부 양태에 있어서, 수지부는 제1 단면과 제2 단면을 접속시키고, 기판의 주면에 교차하는 방향으로 연장되는 제4 단면 및 제5 단면을 추가로 가지고, 제4 단면 및 제5 단면은 소정 파장의 광을 차광하는 차광막으로 피복되어 있다. 제4 단면 및 제5 단면도 차광막으로 피복됨으로써, 수광 모듈 내로의 외란광의 침입이 보다 더 억제된다. 또, 제1 단면으로부터 수지부의 내부로 입사된 광을 보다 효율적으로 수지부의 내부에 가둘 수 있다.In some embodiments, the resin portion further has a fourth end face and a fifth end face which connect the first end face and the second end face and extend in the direction intersecting the main face of the substrate, and the fourth end face and the fifth end face have a predetermined And is covered with a light-shielding film that shields light having a wavelength. The fourth section and the fifth section are covered with the light-shielding film, whereby intrusion of the disturbance light into the light-receiving module is further suppressed. Further, the light incident from the first end face into the inside of the resin part can be more efficiently confined inside the resin part.
일부 양태에 있어서, 제4 단면 및 제5 단면은 조면이고, 또한 기판의 주면에 대해서 경사져 있다. 이 구성에 의하면, 수지부의 내부에 입사된 확산광은, 제4 단면 및 제5 단면에서도, 보다 더 확산된다. 따라서, 수지부의 내부에 있어서, 보다 휘도의 균일화를 도모할 수 있어, 제1 단면으로부터 입사된 광을 보다 더 정밀도 좋게 검출하는 것이 가능하다. In some embodiments, the fourth end face and the fifth end face are roughened, and are inclined with respect to the main surface of the substrate. According to this configuration, the diffused light incident on the inside of the resin part is further diffused even in the fourth end face and the fifth end face. Therefore, in the interior of the resin part, the luminance can be more uniform, and the light incident from the first end face can be detected with higher precision.
본 개시의 일 양태에 따른 광학 모듈의 제조 방법은, 기판의 주면상에 반도체 광학 소자를 고정시키는 공정과, 반도체 광학 소자와, 기판의 주면상에 형성된 단자부를 전기적으로 접속시키는 공정과, 소정의 파장의 광에 대해서 광학적으로 투명한 수지를 이용하여, 반도체 광학 소자 및 기판의 주면을 실링하여, 실링 수지부를 형성하는 공정과, 기판의 주면을 따르는 제1 방향에 있어서 베벨 컷(bevel cut)을 행함으로써, 실링 수지부에, 주면에 대해서 경사져 있는 경사면을 형성하는 공정과, 주면에 평행한 실링 수지부의 평행면 및 경사면을, 소정 파장의 광을 차광하는 차광막으로 피복하는 공정과, 적어도, 제1 방향에 직교하는 제2 방향에 있어서 다이싱(dicing)을 행하여, 기판을 개편화(個片化)하는 공정을 포함한다. A method of manufacturing an optical module according to an aspect of the present disclosure includes the steps of fixing a semiconductor optical element on a main surface of a substrate, electrically connecting the semiconductor optical element to a terminal portion formed on a main surface of the substrate, A step of forming a sealing resin portion by sealing a principal surface of a semiconductor optical element and a substrate using an optically transparent resin with respect to light having a wavelength; and a step of forming a bevel cut in a first direction along the main surface of the substrate A step of forming an inclined surface which is inclined with respect to the main surface on the ceiling resin portion, a step of covering the parallel surfaces and the inclined surface of the ceiling resin portion parallel to the main surface with a light shielding film which shields light of a predetermined wavelength, And dicing the substrate in a second direction orthogonal to one direction to separate the substrate into pieces.
일 양태에 따른 광학 모듈의 제조 방법에서는, 제1 방향에 있어서 베벨 컷을 행함으로써 실링 수지부에 경사면이 형성된다. 이 경사면은 차광막으로 피복된다. 또, 이 경사면에 더하여 기판의 주면에 평행한 실링 수지부의 평행면도 차광막으로 피복된다. 따라서, 차광막이 일체로 된 광학 모듈을 제작할 수 있어, 차광 기능을 실현하면서, 광학 모듈의 소형화를 도모하는 것이 가능하다. In the method of manufacturing an optical module according to an embodiment, a bevel cut is performed in the first direction to form an inclined surface on the sealing resin portion. This inclined surface is covered with a light-shielding film. In addition to this inclined surface, the parallel surface of the sealing resin portion parallel to the main surface of the substrate is also covered with the light-shielding film. Therefore, it is possible to manufacture an optical module in which the light-shielding film is integrated, and it is possible to achieve miniaturization of the optical module while realizing the light-shielding function.
일부 양태에 있어서, 광학 모듈의 제조 방법은 차광막으로 피복하는 공정에 앞서, 제2 방향에 있어서 하프 컷을 행하는 공정을 추가로 포함한다. 이 제조 방법에 의하면, 실링 수지부 중, 광의 입사면 또는 출사면 이외의 단면(제2 방향으로 연장되는 단면)에 차광막을 형성할 수 있다. 따라서, 보다 광학적 성능이 좋은 광학 모듈을 제조하는 것이 가능하다. In some embodiments, the manufacturing method of the optical module further includes a step of performing a half cut in the second direction prior to the step of covering with the light-shielding film. According to this manufacturing method, a light-shielding film can be formed on the end face (the end face extending in the second direction) other than the light incidence face or the light exit face among the sealing resin portions. Therefore, it is possible to manufacture an optical module having better optical performance.
일부 양태에 있어서, 실링 수지부에 경사면을 형성하는 공정에 있어서, 제1 방향으로 베벨 컷을 행함으로써, 경사면에 연속되는 노치부가 기판에 형성된다. 이 제조 방법에 의하면, 기판에 형성된 노치부도 차광막으로 피복할 수 있다. In some embodiments, in the step of forming the inclined surface on the sealing resin portion, the notch portion continuous to the inclined surface is formed on the substrate by performing the bevel cut in the first direction. According to this manufacturing method, the notch portion formed on the substrate can be covered with the light-shielding film.
본 개시에 의하면, 차광 기능을 실현하면서, 소형화를 도모하는 것이 가능하다. According to the present disclosure, it is possible to achieve miniaturization while realizing the light shielding function.
도 1의 (a) 및 도 1의 (b)는 본 개시의 실시 형태에 따른 수광 모듈을 나타내는 사시도이다.
도 2의 (a)는 도 1의 (a)의 IIA―IIA선을 따른 단면도, 도 2의 (b)는 도 1의 (a)의 IIB―IIB선을 따른 단면도이다.
도 3은 광학 모듈의 제조 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 4의 (a)는 도 3에 도시하는 제조 방법의 일 공정에 있어서의 피처리체를 나타내는 사시도, 도 4의 (b)는 도 4의 (a)에 이어지는 공정에 있어서의 피처리체를 나타내는 사시도이다.
도 5의 (a)는 도 4의 (b)에 이어지는 공정에 있어서의 피처리체의 일부를 나타내는 사시도, 도 5의 (b)는 도 5의 (a)의 VB―VB선을 따른 단면도, 도 5의 (c)는 도 5의 (a)의 VC―VC선을 따른 단면도이다.
도 6의 (a)는 도 5의 (a)에 이어지는 공정에 있어서의 피처리체의 일부를 나타내는 사시도, 도 6의 (b)는 도 6의 (a)의 VIB―VIB선을 따른 단면도, 도 6의 (c)는 도 6의 (a)의 일부의 VIC―VIC선을 따른 단면도이다.
도 7의 (a)는 도 6의 (a)에 이어지는 공정에 있어서의 피처리체의 일부를 나타내는 사시도, 도 7의 (b)는 도 7의 (a)의 VIIB―VIIB선을 따른 단면도, 도 7의 (c)는 도 7의 (a)의 VIIC―VIIC선을 따른 단면도이다.
도 8은 도 7의 (a)에 이어지는 공정에 있어서의 피처리체를 나타내는 사시도이다.
도 9는 도 7의 (a)의 VIIB―VIIB선을 따른 단면도로서, 기판을 개편화하는 절단 위치를 나타내는 도면이다.
도 10은 기판을 개편화하는 절단 위치의 다른 예를 나타내는 도면이다.
도 11은 기판을 개편화하는 절단 위치의 또 다른 예를 나타내는 도면이다.
도 12는 도 1에 나타내는 수광 모듈의 작용 효과를 설명하기 위한 도면이다.
도 13의 (a) 및 도 13의 (b)는 노치부에 있어서의 차광막의 유무에 의한 작용 효과의 차이를 설명하기 위한 도면이고, 도 13의 (a)는 비교예의 수광 모듈을 나타내는 단면도, 도 13의 (b)는 도 1에 나타내는 수광 모듈의 단면도이다.
도 14의 (a) 및 도 14의 (b)는 본 개시된 변형예에 따른 수광 모듈을 나타내는 사시도이다.
도 15의 (a)는 도 14의 (a)의 XVA―XVA선을 따른 단면도, 도 15의 (b)는 도 14의 (a)의 XVB―XVB선을 따른 단면도이다.
도 16의 (a)는 도 3에 도시하는 제조 방법의 일 공정에 있어서의 피처리체의 일부를 나타내는 사시도, 도 16의 (b)는 도 16의 (a)의 XVIB―XVIB선을 따른 단면도, 도 16의 (c)는 도 16의 (a)의 XVIC―XVIC선을 따른 단면도이다.
도 17은 도 16의 (a)에 이어지는 공정에 있어서의 피처리체를 나타내는 사시도이다.
도 18의 (a) 및 도 18의 (b)는 본 개시의 실시 형태에 따른 발광 모듈을 나타내는 사시도이다.
도 19는 도 18의 (a) 및 도 18의 (b)에 나타내는 발광 모듈의 작용 효과를 설명하기 위한 도면이다. 1 (a) and 1 (b) are perspective views showing a light receiving module according to an embodiment of the present disclosure.
FIG. 2A is a cross-sectional view taken along line IIA-IIA in FIG. 1A, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line IIB-IIB in FIG.
3 is a flowchart showing a method of manufacturing an optical module.
FIG. 4A is a perspective view showing an object to be processed in one step of the manufacturing method shown in FIG. 3, and FIG. 4B is a perspective view showing an object to be processed in the step following FIG. to be.
FIG. 5A is a perspective view showing a part of the object to be processed in the process subsequent to FIG. 4B, FIG. 5B is a sectional view along the line VB-VB in FIG. 5 (c) is a cross-sectional view along the VC-VC line in Fig. 5 (a).
FIG. 6A is a perspective view showing a part of an object to be processed in the process subsequent to FIG. 5A, FIG. 6B is a cross-sectional view along line VIB-VIB in FIG. 6 (c) is a cross-sectional view taken along the VIC-VIC line of part of FIG. 6 (a).
FIG. 7A is a perspective view showing a part of the object to be processed in the process subsequent to FIG. 6A, FIG. 7B is a cross-sectional view taken along the line VIIB-VIIB in FIG. 7 (c) is a cross-sectional view along line VIIC-VIIC of FIG. 7 (a).
Fig. 8 is a perspective view showing the object to be processed in the process subsequent to Fig. 7 (a). Fig.
Fig. 9 is a cross-sectional view taken along the line VIIB-VIIB in Fig. 7 (a), showing a cutting position for disengaging the substrate.
10 is a view showing another example of a cutting position for disengaging the substrate.
11 is a view showing still another example of a cutting position for disengaging the substrate.
12 is a diagram for explaining the operation and effect of the light receiving module shown in Fig.
Figs. 13A and 13B are diagrams for explaining the difference in the effect of the presence or absence of the light-shielding film in the notched portion. Fig. 13A is a sectional view showing the light- 13 (b) is a cross-sectional view of the light receiving module shown in Fig.
14 (a) and 14 (b) are perspective views showing a light receiving module according to the variation disclosed herein.
FIG. 15A is a cross-sectional view taken along line XVA-XVA in FIG. 14A, and FIG. 15B is a cross-sectional view taken along line XVB-XVB in FIG. 14A.
FIG. 16A is a perspective view showing a part of an object to be processed in a step of the manufacturing method shown in FIG. 3, FIG. 16B is a sectional view taken along line XVIB-XVIB in FIG. 16A, 16 (c) is a cross-sectional view taken along the line XVIC-XVIC in FIG. 16 (a).
Fig. 17 is a perspective view showing an object to be processed in the process subsequent to Fig. 16 (a). Fig.
18 (a) and 18 (b) are perspective views showing a light emitting module according to the embodiment of the present disclosure.
Fig. 19 is a diagram for explaining the operational effects of the light emitting module shown in Figs. 18 (a) and 18 (b).
이하, 도면을 참조하여 다양한 실시 형태에 대해 상세하게 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서 동일 또는 상당한 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하는 것으로 한다. Hereinafter, various embodiments will be described in detail with reference to the drawings. In the drawings, the same or equivalent parts are denoted by the same reference numerals.
도 1 및 도 2를 참조하여, 본 실시 형태에 따른 수광 모듈(100)의 구성에 대해 설명한다. 수광 모듈(100)은, 예를 들면, 휴대 전화 등과 같은 소형 전자기기에 탑재되는, 측면(側面) 입사형의 수광 모듈이다. 도 1에 도시되는 것처럼, 수광 모듈(100)은 전체적으로 사각 뿔대 모양을 나타내고 있다. 수광 모듈(100)은 수광 모듈(100)에 입사된 광을 검출하는 반도체 수광 소자(10)와, 반도체 수광 소자(10)가 탑재된 기판(20)과, 기판(20)상에 마련되고, 소정 파장의 광에 대해서 광학적으로 투명한 수지부(30)를 구비하고 있다. 반도체 수광 소자(10)는 기판(20)의 주면(20M)상에 탑재되어 있다. 기판(20)의 주면(20M)상에는 단자부(21)가 마련되어 있다. 단자부(21)는 반도체 수광 소자(10)와 전기적으로 접속되어 있다. 수지부(30)는 기판(20)의 주면(20M)상에 마련되고, 반도체 수광 소자(10) 및 주면(20M)을 실링하는 패키지이다. 수지부(30)는 제1 단면(31)과, 제2 단면(32)과, 제3 단면(33)과, 제4 단면(34)과, 제5 단면(35)을 가지고 있다. 제1 단면(31)과 제2 단면(32)은 서로 대향하는 한 쌍의 측면이고, 제4 단면(34)과 제5 단면(35)은 서로 대향하는 한 쌍의 측면이다. 제3 단면(33)은 4개의 측면을 접속하는 상면(上面)이다. 수광 모듈(100)의 치수에 관해서는, 예를 들면, 수광 모듈(100)의 한 변이 0.5~2.0mm 정도이다. 수광 모듈(100)의 치수는 용도에 따라 임의로 설정할 수 있다. The configuration of the
반도체 수광 소자(10)는, 예를 들면, 수광면(11)과, 2개의 전극(12a 및 12b)을 가지고 있다. 한쪽 전극(12a)은 수광면(11)상에 형성되고, 다른 쪽 전극(12b)은 수광면(11)의 반대측의 면에 형성되어 있다. 전극(12a 및 12b)은 금 또는 동 등과 같은 도전성 재료로 형성되어 있다. 반도체 수광 소자(10)에는, 예를 들면, pn 접합 구조를 가지는 포토 다이오드 등을 이용할 수 있다. 또한, 반도체 수광 소자(10)는 상기의 구조로 한정되지 않고, 예를 들면, pin 구조를 가지는 포토 다이오드여도 된다. The semiconductor light-receiving
기판(20)은 직육면체 모양을 나타내고 있고, 직사각형 모양의 주면(20M) 및 4개의 측면(20S1~20S4)을 가지고 있다. 각 측면(20S1~20S4)은 주면(20M)에 대해서 대략 수직으로 형성되어 있다. 주면(20M)상에는, 반도체 수광 소자(10)와 기판(20)을 전기적으로 접속시키기 위한 2개의 단자부(21a 및 21b)가 형성되어 있다. 반도체 수광 소자(10)의 전극(12b)은, 단자부(21b)와 대향하도록 당해 단자부(21b)상에 재치된다. 이것에 의해, 전극(12b)과 단자부(21b)는 전기적으로 접속된다. 또, 반도체 수광 소자(10)의 전극(12a)은 본딩 와이어(22)를 통해서, 단자부(21a)와 전기적으로 접속된다. 기판(20)에는, 예를 들면, 유리 에폭시 기판이 이용된다. 단자부(21a, 21b) 및 본딩 와이어(22)는, 예를 들면, 금 또는 동 등과 같은 도전성 재료로 형성되어 있다. The
수지부(30)는 사각 뿔대 모양을 나타내고 있다. 수지부(30)의 제1 단면(31)은 기판(20)의 주면(20M)과 교차하는 방향으로 연장되어 있다. 수광 모듈(100)에서는, 제1 단면(31)은 주면(20M)에 대해서 대략 수직으로 마련되어 있다. 이 제1 단면(31)은 기판(20)의 측면(20S1)과 같은 면에 마련되어 있다. 제1 단면(31)에 대향하는 제2 단면(32)은, 주면(20M)과 교차하는 방향으로 연장되어 있다. 수광 모듈(100)에서는, 제2 단면(32)은 주면(20M)에 대해서 경사져 마련되어 있다. 여기서, 「주면(20M)에 대해서 어느 면이 경사진다」란 주면(20M)에 대해서 그 면이 예각을 이루는 것을 의미한다. 바꾸어 말하면, 그 면은 주면(20M)에 수직인 면에 대해서 소정의 각도를 이룬다. 제3 단면(33)은 기판(20)의 주면(20M)에 평행하다. 제4 단면(34) 및 제5 단면(35)은, 각각, 제1 단면(31)과 제2 단면(32)을 접속하고, 기판(20)의 주면(20M)에 교차하는 방향으로 연장되어 있다. 수광 모듈(100)에서는, 제4 단면(34) 및 제5 단면(35)은 주면(20M)에 대해서 경사져 마련되어 있다. 수지부(30)는 소정 파장의 광에 대해서 광학적으로 투명한 열경화성 수지, 예를 들면, 에폭시 수지 등과 같은 수지 재료로 형성되어 있다. 수지부(30)의 굴절률은 공기의 굴절률보다 크고, 일례에서는, 에폭시 수지로 형성된 수지부(30)의 굴절률 n은 약 1.5이다. 또한, 수지부(30)는 특정의 파장의 광을 조사함으로써 경화하는 광 경화성 수지로 형성되어 있어도 된다. 또, 수지부(30)에는, 광을 확산시키기 위한 필러(filler)가 포함되어 있어도 된다. The
기판(20)에는 3개의 노치부(23, 24, 및 25)가 형성되어 있다. 노치부(23)는 수지부(30)의 제2 단면(32)과 같은 면으로 연속되어, 기판(20)의 측면(20S2)과 제2 단면(32)을 접속하고 있다. 노치부(24)은 수지부(30)의 제4 단면(34)과 같은 면으로 연속되어, 기판(20)의 측면(20S3)과 제4 단면(34)을 접속하고 있다. 또, 노치부(25)는 수지부(30)의 제5 단면(35)과 같은 면으로 연속되어, 기판(20)의 측면(20S4)과 제5 단면(35)을 접속하고 있다. 즉, 노치부(23, 24, 및 25)는 기판(20)의 측면에 마련되어 있다. 노치부(23, 24, 및 25)는 기판(20)의 주면(20M)에 대해서 경사져 있다. 기판(20)으로서 이용되는 유리 에폭시 기판은, 유리 섬유의 층 및 에폭시 수지의 층이 적층된 구조로 되어 있다. 기판(20)은 주면(20M)을 포함하는 최상층인, 유리 섬유층(20a)(도 13의 (a) 참조)을 가진다. 노치부(23, 24, 및 25)는 적어도 유리 섬유층(20a)에 형성되어 있다. 일례에서는, 유리 에폭시 기판의 두께는 0.2~1.6mm 정도이다. Three
수지부(30)의 제1 단면(31)은 노출된 조면으로, 광의 입사면으로서 기능한다. 또, 제2 단면(32), 제4 단면(34) 및 제5 단면(35)도 조면으로, 수지부(30)에 입사된 광을 확산시키는 확산면으로서 기능한다. 한편, 제3 단면(33)은 경면(鏡面)이다. 여기서, 조면이란 후술하는 제조 공정에 있어서 다이싱 브레이드(dicing blade)에 의해서 연삭(硏削)되어 형성되어, 마이크로 미터 오더 이상의 미세한 요철을 다수 개 가지고 있는 면인 것을 말한다. 면조도(面粗度)에 의한 정의에서는, 조면이란 면조도 Ra가 0.2 이하인 경면보다도 큰 면조도를 가지고 있는 면인 것을 말한다. The
수광 모듈(100)은 소정 파장의 광을 차광하는 차광막(40)을 추가로 구비하고 있다. 차광막(40)은 수지부(30)의 제2 단면(32), 제3 단면(33), 제4 단면(34), 및 제5 단면(35), 및 기판(20)에 형성된 노치부(23, 24, 및 25)를 피복하도록 마련되어 있다. 차광막(40)은, 예를 들면, Cr, Ag, Al, Pd 등과 같은 금속, 또는, Ag-Pd, 모넬(monel) 등과 같은 합금으로 형성되어 있다. 차광막(40)의 막 두께는 1μm 이하이다. The
이어서, 도 3~도 8을 참조하여 수광 모듈(100)의 제조 방법에 대해 설명한다. 도 3은 일부 양태에 있어서의 광학 모듈의 제조 방법을 나타내는 흐름도이다. 도 4~도 8은 도 3에 도시하는 제조 방법의 일 공정에 있어서의 피처리체(300)의 일부를 나타내는 도면이다. 여기서, 피처리체(300)란 상기의 제조 방법의 도중 단계에 있는 구조체를 말한다. 또한, 설명의 용이를 위해서, 도 5의 (a), 도 6의 (a), 도 7의 (a), 및 도 8에는, XYZ 직교좌표계가 함께 도시되어 있다. Next, a manufacturing method of the
먼저, 반도체 광학 소자를 기판(20)의 주면(20M)상에 고정시킨다(공정 ST1). 구체적으로는, 반도체 수광 소자(10)의 전극(12b)이 기판(20)의 단자부(21b)와 대향하도록, 반도체 수광 소자(10)를 단자부(21b) 위에 고정시킨다. 반도체 수광 소자(10)의 고정에는, 예를 들면, 은 페이스트 등과 같은, 도전성을 가지는 다이 본딩 페이스트를 이용해도 된다. 도전성을 가지는 다이 본딩 페이스트를 이용함으로써, 반도체 수광 소자(10)를 고정시킴과 아울러, 전극(12b)과 단자부(21b)를 전기적으로 접속시키는 것이 가능하다. 반도체 수광 소자(10)의 고정에는, 다이 본더(die bonder) 장치를 이용할 수 있다. 또한, 반도체 수광 소자(10)의 고정에는, 반드시 도전성을 가지는 다이 본딩 페이스트를 이용할 필요는 없고, 절연성의 접착제 등을 이용해도 된다. First, the semiconductor optical element is fixed on the
다음에, 반도체 수광 소자(10)와 기판(20)상의 단자부(21)를 전기적으로 접속시킨다(공정 ST2). 공정 ST2에서는, 와이어 본딩을 행함으로써, 도 4의 (a)에 도시하는 것처럼, 반도체 수광 소자(10)의 전극(12a)과 단자부(21a)가 본딩 와이어(22)를 통해서 전기적으로 접속된다. 또한, 공정 ST1에 있어서 전극(12b)과 단자부(21b)가 전기적으로 접속되어 있지 않은 경우에는, 와이어 본딩을 행함으로써, 전극(12b)과 단자부(21b)가 전기적으로 접속될 수 있다. 본딩 와이어(22)에는, 예를 들면, Ag, Cu, 및 Al 등이 이용된다. 공정 ST2에 있어서의 와이어 본딩에는, 와이어 본더 장치를 이용할 수 있다. 또한, 본딩 방법으로서 열압착 방식 또는 초음파 열압착 방식 등을 적용할 수 있다. Next, the semiconductor light-receiving
이어서, 실링 수지부(50)를 형성한다(공정 ST3). 구체적으로는, 도 4의 (b)에 도시하는 것처럼, 기판(20)의 주면(20M) 및 반도체 수광 소자(10)를 실링하는 실링 수지부(50)가 형성된다. 실링 수지부(50)는, 예를 들면, 미경화 상태인 열경화성 수지를 금형이나 댐 모양의 프레임 내에 충전한 후, 가열하고 경화시킴으로써 형성된다. 또한, 열경화성 수지가 미경화인 상태에서 유출(流出)되지 않는 것이면, 금형 등을 이용하지 않고, 도포나 포팅(potting) 후, 가열 경화시켜 형성해도 된다. 실링 수지부(50)는 미경화 상태인 광 경화성 수지를 댐 모양의 프레임 내에 충전한 후, 특정의 파장의 광을 조사하여 경화시킴으로써 형성되어도 된다. 광 경화성 수지가 미경화인 상태에서 유출되지 않는 것이면, 도포나 포팅 후, 특정 파장의 광을 조사하여 경화시켜 형성해도 된다. Then, a sealing
다음에, 기판(20)의 주면(20M)을 따른 제1 방향(Y축 방향)에 있어서 베벨 컷을 행함으로써, 실링 수지부(50)에 경사면을 형성한다(공정 ST4). 공정 ST4에서는, 다이싱 장치를 이용하여 베벨 컷이 행해진다. 또, 이 베벨 컷을 행할 때에는, 하프 컷이 행해지도록, 다이싱 브레이드의 높이가 조절된다. 베벨 컷에는, 브레이드부의 단면(斷面)이 테이퍼 모양의 제1 다이싱 브레이드(도시하지 않음)가 사용된다. 제1 다이싱 브레이드의 브레이드부의 두께 방향에 있어서의 한쪽 측면은, 제1 다이싱 브레이드의 회전축에 대해서 대략 수직이며, 다른 쪽 측면은 회전축에 대해서 경사져 있다.Next, a bevel cut is performed in the first direction (Y-axis direction) along the
이러한 제1 다이싱 브레이드를 사용하여 컷을 행함으로써, 도 5의 (a)에 도시하는 것처럼, 주면(20M)에 대해서 대략 수직인 단면(51)(수광 모듈(100)의 제1 단면(31)에 상당하는 단면(端面))과, 주면(20M)에 대해서 경사진 경사면(52)(수광 모듈(100)의 제2 단면(32)에 상당하는 단면)이 실링 수지부(50)에 형성된다. 이 때, 도 5의 (a) 및 도 5의 (b)에 도시하는 것처럼, 측면(20S2)이 일부 깎여, 경사면(52)에 연속되는 노치부(23)가 기판(20)에 형성된다. 피처리체(300)의 제1 방향(Y축 방향)의 단면(斷面)에 있어서는, 도 5의 (c)에 도시하는 것처럼, 실링 수지부(50)는 연속된 채이다. 단면(51) 및 경사면(52)은 제1 다이싱 브레이드로 연삭함으로써 형성되므로, 단면(51) 및 경사면(52)의 표면의 형상은, 제1 다이싱 브레이드의 측면의 입도(粒度)에 의존한 조면이 된다. 제1 다이싱 브레이드에는, 예를 들면, 일반적인 전기 주조 다이싱 브레이드를 이용할 수 있다. 또한, 공정 ST4에서 사용하는 다이싱 브레이드는 브레이드부의 단면이 테이퍼 모양의 제1 다이싱 브레이드로 한정되지 않는다. 예를 들면, 브레이드부의 단면이 V자 모양의 다이싱 브레이드를 사용해도 된다. As shown in Fig. 5 (a), the first dicing blade is used to cut the end face 51 (the
다음에, 제1 방향(Y축 방향)과 직교하는 제2 방향(X축방향)에 있어서 하프 컷을 행한다(공정 ST5). 공정 ST5에서는, 다이싱 장치를 이용하여 컷이 행해진다. 다이싱 브레이드의 높이는, 공정 ST4와 마찬가지로, 하프 컷이 행해지도록 조절된다. 공정 ST5에서는, 브레이드부의 단면이 V자 모양의 제2 다이싱 브레이드(도시하지 않음)가 이용된다. 제2 다이싱 브레이드의 브레이드부의 두께 방향에 있어서의 한쪽 측면 및 다른 쪽 측면은, 제2 다이싱 브레이드의 회전축에 대해서 경사져 있고, 회전축 측에 가까워짐에 따라 두께가 늘어나도록 형성되어 있다. 또한, 한쪽 측면 및 다른 쪽 측면의 회전축에 대한 경사각은, 서로 동일해도 되고, 상이해도 나도 된다. Next, a half cut is performed in a second direction (X-axis direction) orthogonal to the first direction (Y-axis direction) (step ST5). In step ST5, a cut is performed using a dicing apparatus. The height of the dicing blade is adjusted so that the half cut is performed in the same manner as in step ST4. In step ST5, a second dicing blade (not shown) having a V-shaped cross section of the braid part is used. One side surface and the other side surface in the thickness direction of the braid portion of the second dicing blade are inclined with respect to the rotation axis of the second dicing blade and are formed so as to increase in thickness as they approach the rotation axis side. The inclination angles of the one side surface and the other side surface with respect to the rotation axis may be the same or different.
이러한 제2 다이싱 브레이드를 사용하여 컷을 행함으로써, 도 6의 (a) 및 도 6의 (c)에 도시하는 것처럼, 기판(20)의 주면(20M)에 대해서 경사진 경사면(54)(수광 모듈(100)의 제4 단면(34)에 상당하는 단면)과, 경사면(55)(수광 모듈(100)의 제5 단면(35)에 상당)이 실링 수지부(50)에 형성된다. 이 때, 도 6의 (c)에 도시하는 것처럼, 측면(20S3)과 측면(20S4)이 일부 깎여, 경사면(54)에 연속되는 노치부(24)와, 경사면(55)에 연속되는 노치부(25)가 기판(20)에 형성된다. 경사면(54) 및 경사면(55)은 제2 다이싱 브레이드로 연삭함으로써 형성되므로, 경사면(54) 및 경사면(55)의 표면의 형상은, 제2 다이싱 브레이드의 측면의 입도에 의존한 조면이 된다. 제2 다이싱 브레이드에는, 예를 들면, 일반적인 전기 주조 다이싱 브레이드를 이용할 수 있다. 6 (a) and 6 (c), the
이어서, 실링 수지부(50)의 평행면(53)과, 경사면(52, 54, 및 55)을, 소정 파장의 광을 차광하는 차광막(40)으로 피복한다(공정 ST6). 공정 ST6에서는, 스퍼터(sputter) 장치 또는 증착 장치 등과 같은 성막 장치가 이용된다. 피처리체(300)는 성막 장치 내에서 처리된다. 도 7의 (a)~(c)에 도시하는 것처럼, 실링 수지부(50)의 평행면(53), 경사면(52), 경사면(54), 및 경사면(55)은 차광막(40)으로 피복된다. 또한 기판(20)에 형성된 노치부(23, 24, 및 25)도 차광막(40)으로 피복된다. 공정 ST4 및 공정 ST5에 의해 경사진 면(경사면(52, 54, 및 55) 등)을 형성함으로써, 이들 면상에 차광막(40)을 용이하게 형성할 수 있다. 실링 수지부(50)의 단면(端面, 51)은, 기판(20)의 주면(20M)에 대해서 대략 수직이므로 차광막(40)으로 피복되지 않고, 노출된 상태인 채이다. 차광막(40)의 재료에는 Cr, Ag, 또는 Al 등의 금속재료를 이용할 수 있다. 또한, 차광막(40)을 성막하기 위한 방법은, 스퍼터나 증착 등과 같은 드라이(dry) 프로세스로 한정되지 않고, 도금 등과 같은 웨트(wet) 프로세스를 이용해도 된다. Subsequently, the
다음에, 도 3에 도시하는 제조 방법에서는, 기판(20)을 개편화한다(공정 ST7). 공정 ST7에서는, 다이싱 장치를 이용하여, 제1 방향 및 제2 방향에 있어서 컷이 행해진다. 이것에 의해 기판(20)이 개편화되어, 도 8에 나타내는 것처럼 개개의 수광 모듈(100)이 형성된다. 공정 ST7의 컷에서는, 공정 ST4 및 공정 ST5에 있어서 하프 컷이 행해진 지점이 완전하게 절단되도록, 다이싱 브레이드의 높이가 조절된다. 또, 이 컷으로는, 단면이 직사각형 모양의 제3 다이싱 브레이드(도시하지 않음)가 이용된다. 제3 다이싱 브레이드의 브레이드부에 있어서의 두께 방향의 양측면은, 제3 다이싱 브레이드의 회전축에 대해서 대략 수직이다. 제3 다이싱 브레이드에는, 예를 들면, 일반적인 전기 주조 다이싱 브레이드를 이용할 수 있다.Next, in the manufacturing method shown in Fig. 3, the
도 9는 공정 ST7에 있어서의 제1 방향의 절단 위치를 나타내는 도면이다. 도 9 중의 2점 쇄선은, 공정 ST7에 있어서 다이싱 브레이드가 절단하는 지점을 나타내고 있다. 도 9에 나타내는 다이싱 방법에서는, 공정 ST4에서 형성된 단면(51)과 경사면(52) 사이의 지점(단면(51) 및 경사면(52)을 제외한 중간 지점이고, 가장 두께가 얇은 지점)에서 다이싱한다. 이 방법에서는, 다이싱에 의해서 연삭되는 폭을 최소한으로 억제할 수 있으므로, 한 장의 기판으로부터 제조할 수 있는 수광 모듈(100)의 개수(수율)를 많게 할 수 있다. 또한, 공정 ST7에 있어서의 제1 방향의 절단 위치는 이것으로 한정되지 않고, 다양한 변형이 가능하다. Fig. 9 is a view showing a cutting position in the first direction in step ST7. Fig. The two-dot chain line in Fig. 9 indicates a point where the dicing blade is cut in step ST7. The dicing method shown in Fig. 9 differs from the dicing method shown in Fig. 9 in that the dicing is performed at a point between the
이하, 공정 ST7에 있어서의 제1 방향의 절단 위치의 변형예에 대해 설명한다. 도 10은 공정 ST7에 있어서의 제1 방향의 절단 위치의 변형예를 나타내는 도면이다. 도 10 중의 2점 쇄선은, 공정 ST7에 있어서 다이싱 브레이드가 절단하는 지점을 나타내고 있다. 도 10에 나타내는 다이싱 방법에서는, 공정 ST4에서 형성된 단면(51)을 포함하는 지점에서 다이싱한다. 이와 같이 다이싱함으로써, 공정 ST4에서 형성된 단면(51)은 연삭되어, 새로운 단면(51A)이 형성된다. 따라서, 공정 ST6에 있어서, 단면(51)에 다소의 차광막(40)이 형성된 경우에도, 다이싱 후에는 완전하게 노출된 단면(51A)을 얻을 수 있다. 이것에 의해, 수율을 향상시키는 것이 가능하다. 또한, 이와 같이 다이싱을 행하기 위해서, 브레이드부의 단면이 직사각형 모양인 제3 다이싱 브레이드의 폭을 적당히 변경해도 된다. A modified example of the cutting position in the first direction in step ST7 will be described below. 10 is a view showing a modified example of the cutting position in the first direction in step ST7. The two-dot chain line in Fig. 10 indicates a point where the dicing blade is cut in step ST7. In the dicing method shown in Fig. 10, dicing is performed at a point including the
도 11은 공정 ST7에 있어서의 제1 방향의 절단 위치의 또 다른 변형예를 나타내는 도면이다. 도 11 중의 2점 쇄선은, 공정 ST7에 있어서 다이싱 브레이드가 절단하는 지점을 나타내고 있다. 도 11에 나타내는 변형예에서는, 공정 ST4에 있어서의 베벨 컷은, 공정 ST5에서 이용된 다이싱 브레이드와 마찬가지의, 브레이드부의 단면(斷面)이 V자 모양인 제2 다이싱 브레이드를 이용하여 행해지고 있다. 이것에 의해, 단면(端面, 51)은 기판(20)의 주면(20M)에 대해서 경사져 마련된다. 이 경우, 공정 ST7에서는, 경사진 단면(51) 전체를 포함하는 범위가 연삭되도록, 브레이드부의 단면이 직사각형 모양인 제3 다이싱 브레이드를 이용하여 다이싱이 행해진다. 이와 같이 공정 ST7을 실행함으로써, 경사진 단면(51)은 연삭되어, 주면(20M)에 대해서 대략 수직인 새로운 단면(51B)이 형성된다. 따라서, 노출된 단면(51)을 확실히 얻을 수 있어, 수율을 향상시키는 것이 가능하다. 또, 수광 모듈(100)의 제조에 있어서 사용하는 다이싱 브레이드의 종류를 2종류로 한정할 수 있다. 이것들에 의해, 제조 코스트를 억제하는 것이 가능하다. 11 is a view showing still another modified example of the cutting position in the first direction in step ST7. The two-dot chain line in Fig. 11 indicates a point where the dicing blade is cut in step ST7. In the modified example shown in Fig. 11, the bevel cut in step ST4 is performed by using a second dicing blade having a V-shaped cross section of the braid part similar to the dicing blade used in step ST5 have. As a result, the end surface (end surface) 51 is inclined with respect to the
다음에, 도 12 및 도 13을 참조하면서, 상기 제조 방법에 의해서 제조된 수광 모듈(100)의 작용 효과에 대해 설명한다. 도 12 및 도 13은 수광 모듈(100)의 작용 효과를 설명하기 위한 도면이다. Next, the operation and effect of the
수광 모듈(100)에서는, 수지부(30)의 제2 단면(32) 및 제3 단면(33)에 차광막(40)이 형성되어 있다. 이러한 구성에 의해, 차광 기능이 실현되어, 도 12에 나타내는 것처럼, 수광 모듈(100) 내로의 외란광의 침입이 억제된다. 또, 제1 단면(31)으로부터 수지부(30)의 내부로 입사된 광이 차광막(40)에 의해서 반사되어, 수지부(30)의 내부에 갇힌다. 또한, 제1 단면(31)이 조면인 것에 의해, 당해 제1 단면(31)에 입사된 광은 확산광이 되어, 수지부(30)의 내부로 입사된다. 수지부(30)의 굴절률 n은 약 1.5이고, 공기의 굴절률(n=1) 보다도 크다. 이와 같이 굴절률의 차가 있음으로써, 수지부(30)에 입사된 확산광은 전(全)반사되기 쉬워지므로, 수지부(30)는 제1 단면(31)으로부터 입사된 확산광을 가두는 효과를 가진다. 이들 작용에 의해, 제1 단면(31)으로부터 입사된 광을 반도체 수광 소자(10)에 의해서 고감도로 검출하는 것이 가능하다. 또한, 차광막(40)은 수지부(30)와 일체로 성형되어 있으므로, 차광을 위한 커버 또는 케이스 등으로 수광 모듈을 덮을 필요가 없어, 수광 모듈(100)의 소형화를 도모할 수 있다.In the
수광 모듈(100)의 기판(20)은 유리 에폭시 기판이고, 당해 기판(20)은 제2 단면(32)에 연속되는 노치부(23)를 가지고, 노치부(23)는 소정 파장의 광을 차광하는 차광막(40)으로 피복되어 있다. 유리 에폭시 기판은 광을 전반(傳搬)하므로, 노치부(23)가 차광막으로 피복되어 있지 않은 경우에는, 도 13의 (a)에 도시하는 것처럼, 외란광이 유리 에폭시 기판을 통해서 수지부(30)에 침입할 우려가 있다. 외란광이 기판(20)을 통해서 침입하는 경우, 주면(20M)을 포함하는 유리 섬유층(20a)에 의한 영향이 크다고 추측된다. 이에, 적어도 최상층인 유리 섬유층(20a)에 노치부(23)를 형성하고, 차광막(40)으로 피복함으로써, 유리 섬유층(20a)에 외란광이 입사되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 도 13의 (b)에 도시하는 것처럼, 외란광을 차단하여, 외란광이 기판(20)을 통해서 수지부(30)의 내부로 침입하는 것을 방지할 수 있다. 또, 기판(20)을 통한 외란광의 입사를 억제하기 위해서, 세라믹 기판 등과 같은 고가의 기판을 사용할 필요가 없다. 따라서, 저비용을 유지하면서 고성능인 수광 모듈(100)을 실현하는 것이 가능하다. The
수광 모듈(100)의 기판(20)은 노치부(23)에 더하여, 제4 단면(34)에 연속되는 노치부(24)와, 제5 단면(35)에 연속되는 노치부(25)를 가지고 있다. 노치부(24) 및 노치부(25)도, 적어도 유리 섬유층(20a)까지 도달하도록 형성되고, 차광막(40)으로 피복되어 있다. 이 구성에 의해 노치부(24) 및 노치부(25)는, 상기한 것 같은, 차광막(40)으로 피복된 노치부(23)와 마찬가지의 효과를 달성한다. The
수광 모듈(100)에서는, 제2 단면(32)은 조면이기 때문에, 수지부(30)의 내부로 입사된 확산광은, 제2 단면(32)에서 보다 더 확산된다. 또, 확산광은 제2 단면(32)을 피복하는 차광막(40)에 의해서 반사된다. 따라서, 수지부(30)의 내부에 있어서 휘도의 균일화를 도모할 수 있어, 제1 단면(31)으로부터 입사된 광을 정밀도 좋게 검출하는 것이 가능하다. In the
수광 모듈(100)의 수지부(30)에서는, 제4 단면(34) 및 제5 단면(35)은, 소정 파장의 광을 차광하는 차광막(40)으로 피복되어 있다. 제4 단면(34) 및 제5 단면(35)도 차광막(40)으로 피복됨으로써, 수광 모듈(100) 내로의 외란광의 침입이 보다 더 억제된다. 또, 제1 단면(31)으로부터 수지부(30)의 내부로 입사된 광을 보다 효율적으로 수지부(30)의 내부에 가둘 수 있다. In the
수광 모듈(100)에서는, 제4 단면(34) 및 제5 단면(35)은 조면이고, 또한 기판(20)의 주면(20M)에 대해서 경사져 있다. 이 구성에 의하면, 수지부(30)의 내부로 입사된 확산광은, 제4 단면(34) 및 제5 단면(35)에 있어서도, 보다 더 확산된다. 따라서, 수지부(30)의 내부에 있어서, 보다 휘도의 균일화를 도모할 수 있어, 제1 단면(31)으로부터 입사된 광을 보다 더 정밀도 좋게 검출하는 것이 가능하다. In the
다음에, 도 14 및 도 15를 참조하면서, 본 실시 형태에 따른 수광 모듈(100)의 변형예에 대해 설명한다. 도 14의 (a) 및 도 14의 (b)는, 본 변형예에 따른 수광 모듈(200)을 나타내는 사시도이다. 도 15의 (a)는 본 변형예에 따른 수광 모듈(200)의 XVA-XVA선을 따른 단면도이고, 도 15의 (b)는 본 변형예에 따른 수광 모듈(200)의 XVB-XVB선을 따른 단면도이다. 본 변형예에 따른 수광 모듈(200)이 수광 모듈(100)과 상위한 점은, 수지부(30)의 제4 단면(34) 및 제5 단면(35)이 기판(20)의 주면(20M)에 대해서 대략 수직이라는 점과, 그러한 제4 단면(34) 및 제5 단면(35)이 차광막(40)으로 피복되어 있지 않다는 점이다. Next, a modified example of the
수광 모듈(100)에 있어서는, 수지부(30)의 제1 단면(31)만이 노출되어 있다. 이것에 대해서, 수광 모듈(200)에 있어서는, 제1 단면(31), 제4 단면(34), 및 제5 단면(35)이 노출되어 있고, 제2 단면(32) 및 제3 단면(33)만, 차광막(40)으로 피복되어 있다. 제4 단면(34) 및 제5 단면(35)은, 제1 단면(31)과 제2 단면(32)을 접속하고, 주면(20M)에 대해서 대략 수직으로 마련되어 있다. 또, 제4 단면(34) 및 제5 단면(35)은 노출된 조면이다. In the
수광 모듈(200)의 제조 방법에서는, 도 3에 도시하는 제조 방법과 마찬가지로, 공정 ST1에서부터 공정 ST4까지가 실행된다. 이것에 의해, 피처리체(300)는 도 5에 도시하는 피처리체(300)와 같은 상태로 가공된다. In the manufacturing method of the
다음에, 공정 ST5를 실행하지 않고, 공정 ST6을 실행한다. 공정 ST5, 즉, 제2 방향에 있어서 하프 컷이 실행되지 않으므로, 실링 수지부(50)에 경사면(54 및 55)이 형성되어 있지 않은 상태에서, 공정 ST6이 실행된다. 이 때문에, 공정 ST6에서는, 도 16의 (a)~(c)에 도시하는 것처럼, 실링 수지부(50)의 경사면(52), 평행면(53), 및 노치부(23)만이 차광막(40)으로 피복된다. Next, the process ST5 is not executed and the process ST6 is executed. Step ST5, that is, half cut in the second direction is not performed, so that step ST6 is executed in a state where the
이어서, 기판(20)을 개편화한다(공정 ST7). 이를 위해, 공정 ST7에서는, 다이싱 장치를 이용하여 제1 방향(Y축 방향) 및 제2 방향(X축방향)에서 컷이 행해진다. 제1 방향에 있어서는, 공정 ST4에서 하프 컷이 행해진 지점이 완전하게 절단된다. 또, 제2 방향에 있어서는, 기판(20), 실링 수지부(50), 및 차광막(40)이 한 번의 컷에 의해서 절단된다. 이것에 의해, 도 17에 나타내는 것처럼, 피처리체(300)는 개편화되어, 수광 모듈(200)이 형성된다. Subsequently, the
수광 모듈(200)은 수광 모듈(100)과 마찬가지로, 수지부(30)의 제1 단면(31)으로부터 입사되는 광을 검출하기 위한 수광 모듈이다. 수광 모듈(200)의 수지부(30)의 제2 단면(32) 및 제3 단면(33)은, 차광막(40)으로 피복되어 있다. 이것에 의해, 외란광은 차광막(40)에 의해서 반사되어, 수광 모듈(200) 내로의 침입이 억제된다. 입사면으로서 기능하는 제1 단면(31)으로부터 입사된 광은, 수지부(30)의 내부로 침입하여, 반도체 수광 소자(10)에 의해서 검출된다. 또, 차광막(40)은 수광 모듈(200)과 일체로 성형되어 있으므로, 차광 기능을 실현하면서, 소형화를 도모하는 것이 가능하다. 그 외의 점에서도, 수광 모듈(200)은 수광 모듈(100)과 대략 마찬가지의 작용 효과를 얻을 수 있다. The
수광 모듈(200)에서는, 수지부(30)의 제4 단면(34) 및 제5 단면(35)은 차광막(40)으로 피복되어 있지 않기 때문에, 외란광에 대한 차광성, 및 수지부(30)의 내부에 확산광을 가두는 효과에 관해서는, 수광 모듈(100)에 비해 약간 뒤떨어질 수 있다. 그렇지만, 수광 모듈(200)은 수광 모듈(100)에 비해 적은 공정으로 제조할 수 있다. 또, 수광 모듈(200)의 제조에 있어서 사용하는 다이싱 브레이드의 종류를 2종류로 한정할 수 있다. 따라서, 제조 코스트를 억제함과 아울러, 양산성을 향상시키는 것이 가능하다. In the
다음에, 도 18을 참조하면서, 본 개시의 실시 형태에 따른 발광 모듈(400)에 대해 설명한다. 도 18은 본 개시의 실시 형태에 따른 발광 모듈(400)을 나타내는 사시도이다. 도 18에 나타내는 발광 모듈(400)이 수광 모듈(100)과 상위한 점은, 반도체 수광 소자(10)를 대신하여, 반도체 발광 소자(410)가 기판(420)에 탑재되어 있는 점이다. Next, the
발광 모듈(400)은 수광 모듈(100)과 대략 같은 구성을 하고 있으며, 반도체 발광 소자(410)와, 기판(420)과, 수지부(430)와, 차광막(440)을 구비하고 있다. 반도체 발광 소자(410)는 기판(420)의 주면(420M)상에 탑재되어 있다. 기판(420)의 주면(420M)상에는, 단자부(421)가 마련되어 있다. 단자부(421)는 반도체 발광 소자(410)와 전기적으로 접속되어 있다. 수지부(430)는 기판(420)의 주면(420M)상에 마련되어 있고, 반도체 발광 소자(410) 및 주면(420M)을 실링하고 있다. 수지부(430)는 제1 단면(431)과, 제2 단면(432)과, 제3 단면(433)과, 제4 단면(434)과, 제5 단면(435)을 가지고 있다. 제1 단면(431)은 노출되어 있고, 제2 단면(432), 제3 단면(433), 제4 단면(434), 및 제5 단면(435)은, 차광막(440)으로 피복되어 있다. 발광 모듈(400)의 전체의 치수는, 수광 모듈(100)의 전체의 치수와 같은 범위 내에서 임의로 설정할 수 있다. The
상기의 발광 모듈(400)은, 도 3에 도시하는 제조 방법과 마찬가지의 제조 방법에 의해서 제작할 수 있다. 발광 모듈(400)의 제작에서는, 공정 ST1에 있어서, 반도체 수광 소자(10)가 아니고, 반도체 발광 소자(410)가 기판(20)의 주면(20M)상에 고정된다. 반도체 발광 소자(410)에는, 예를 들면, 발광 다이오드 또는 반도체 레이저 등을 이용할 수 있다. 또, 반도체 발광 소자(410)의 고정에는, 반도체 수광 소자(10)의 고정과 마찬가지로, 도전성을 가지는 다이 본딩 페이스트를 이용할 수 있다. 공정 ST2에서부터 공정 ST7까지의 공정에 대해서는, 상술한 수광 모듈(100)의 제조 방법과 같으므로, 그 설명을 생략한다. The above-described light
발광 모듈(400)은 수지부(430)의 제1 단면(431)을 발광면으로 하는 발광 모듈이다. 발광 모듈(400)의 수지부(430)의 제2 단면(432), 제3 단면(433), 제4 단면(434), 및 제5 단면(435)은 차광막(440)으로 피복되어 있다. 이것에 의해, 도 19에 나타내는 것처럼, 반도체 발광 소자(410)로부터 출사된 광은, 제2 단면(432), 제3 단면(433), 제4 단면(434), 및 제5 단면(435)에 있어서는 차광막(440)에 의해서 수지부(430)의 내부로 반사되고, 제1 단면(431)으로부터만 출사된다. 따라서, 반도체 발광 소자(410)로부터 출사된 광의 손실을 억제하고, 제1 단면(431)으로부터 광을 출사시킬 수 있다. 또, 차광막(440)은 발광 모듈(400)과 일체로 성형되어 있으므로, 차광 기능을 실현하면서, 소형화를 도모하는 것이 가능하다. The
발광 모듈(400)에서는, 수지부(430)의 제2 단면(432), 제3 단면(433), 제4 단면(434), 및 제5 단면(435)은 조면이므로, 반도체 발광 소자(410)로부터 출사된 광은, 수지부(430)의 내부에서 확산된다. 고로, 광의 출사면인 제1 단면(431)의 전면을 발광시킬 수 있다. 또, 제1 단면(431)도 조면이므로, 당해 제1 단면(431)으로부터 출사되는 광은 확산광이 된다. In the
이상, 다양한 실시 형태에 대해 설명해 왔지만, 본 발명은 상술한 실시 형태로 한정되는 일 없이 다양한 변형 양태를 채용 가능하다. 예를 들면, 수광 모듈(200)에 있어서, 수지부(30)의 제4 단면(34) 및 제5 단면(35)도 차광막(40)으로 피복되어 있어도 된다. 또, 발광 모듈(400)에 있어서, 수지부(430)의 제4 단면(434) 및 제5 단면(435)은, 기판(420)의 주면(420M)에 대해서 대략 수직으로 형성되어 있어도 된다. 그 경우에, 제4 단면(434) 및 제5 단면(435)은 노출되어 있어도 된다. 또한, 수광 모듈 또는 발광 모듈에 있어서, 경사면(제2 단면(32) 등)과 같은 면으로 연속되는 노치부(노치부(23) 등)는, 기판의 최상층보다 아래에 형성되어 있어도 된다. 노치부는 기판의 바닥면에 도달하도록 형성되어 있어도 된다. Various embodiments have been described above, but the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications may be employed. For example, the
[산업상의 이용 가능성][Industrial Availability]
본 개시에 의하면, 차광 기능을 실현하면서, 소형화를 도모하는 것이 가능하다. According to the present disclosure, it is possible to achieve miniaturization while realizing the light shielding function.
10…반도체 수광 소자
11…수광면
12a, 12b…전극
20…기판
20M…주면
20a…유리 섬유층
21…단자부
22…본딩 와이어
23, 24, 25…노치부
30…수지부
31…제1 단면
32…제2 단면
33…제3 단면
34…제4 단면
35…제5 단면
40…차광막
50…실링 수지부
100…수광 모듈
200…수광 모듈
300…피처리체
400…발광 모듈
410…반도체 발광 소자
420…기판
420M…주면
421…단자부
430…수지부
440…차광막10 ... Semiconductor
12a, 12b ...
20M ...
21 ... The
23, 24, 25 ...
31 ... The
33 ... The
35 ... The
50 ... The sealing
200 ...
400 ... Emitting
420 ...
421 ... The
440 ... Shielding film
Claims (10)
상기 반도체 수광 소자가 탑재되고, 상기 반도체 수광 소자와 전기적으로 접속되는 단자부를 주면(主面)상에 가지는 기판과,
소정 파장의 광에 대해서 광학적으로 투명하고, 상기 반도체 수광 소자 및 상기 기판의 상기 주면을 실링하는 수지부를 구비하고,
상기 수지부는,
상기 주면에 교차하는 방향으로 연장되는 제1 단면과,
상기 제1 단면에 대향(對向)하고, 상기 주면에 교차하는 방향으로 연장되는 제2 단면과,
상기 제1 단면과 상기 제2 단면을 접속시키고, 상기 기판의 상기 주면에 평행한 제3 단면을 가지고,
상기 제1 단면은 조면(粗面)이고, 또한 노출되어 있고,
상기 제2 단면은 상기 주면에 대해서 경사져 있고,
상기 제2 단면 및 상기 제3 단면은, 상기 소정 파장의 광을 차광하는 차광막으로 피복되어 있는 수광 모듈.A semiconductor light receiving element,
A substrate on which the semiconductor light-receiving element is mounted and having a terminal portion on a main surface that is electrically connected to the semiconductor light-
And a resin part optically transparent to light of a predetermined wavelength and sealing the semiconductor light-receiving element and the main surface of the substrate,
The resin part
A first end face extending in a direction intersecting the main face,
A second end face opposing the first end face and extending in a direction crossing the main face,
A first end surface and a second end surface, and a third end surface parallel to the main surface of the substrate,
Wherein the first end face is a rough face and is also exposed,
The second end face is inclined with respect to the main face,
And the second end face and the third end face are covered with a light shielding film that shields light of the predetermined wavelength.
상기 기판은 유리 에폭시 기판이고,
상기 기판은 상기 제2 단면에 연속되는 노치부를 가지고,
상기 노치부는 상기 소정 파장의 광을 차광하는 차광막으로 피복되어 있는 수광 모듈.The method according to claim 1,
Wherein the substrate is a glass epoxy substrate,
Wherein the substrate has a notch portion continuous with the second end face,
Wherein the notch portion is covered with a light-shielding film that shields light of the predetermined wavelength.
상기 제2 단면은 조면인 수광 모듈.The method according to claim 1 or 2,
And the second cross section is a rough surface.
상기 수지부는 상기 제1 단면과 상기 제2 단면을 접속시키고, 상기 기판의 상기 주면에 교차하는 방향으로 연장되는 제4 단면 및 제5 단면을 추가로 가지고,
상기 제4 단면 및 상기 제5 단면은 상기 소정 파장의 광을 차광하는 차광막으로 피복되어 있는 수광 모듈.The method according to any one of claims 1 to 3,
The resin portion further has a fourth end face and a fifth end face which connect the first end face and the second end face and extend in a direction crossing the main face of the substrate,
And the fourth end face and the fifth end face are covered with a light-shielding film that shields light of the predetermined wavelength.
상기 제4 단면 및 상기 제5 단면은 조면이고, 또한 상기 기판의 상기 주면에 대해서 경사져 있는 수광 모듈.The method of claim 4,
Wherein the fourth end face and the fifth end face are rough faces and are inclined with respect to the main face of the substrate.
상기 반도체 광학 소자와, 상기 기판의 상기 주면상에 형성된 단자부를 전기적으로 접속시키는 공정과,
소정 파장의 광에 대해서 광학적으로 투명한 수지를 이용하여, 상기 반도체 광학 소자 및 상기 기판의 상기 주면을 실링하여, 실링 수지부를 형성하는 공정과,
상기 기판의 상기 주면을 따르는 제1 방향에 있어서 베벨 컷(bevel cut)을 행함으로써, 상기 실링 수지부에, 상기 주면에 대해서 경사져 있는 경사면을 형성하는 공정과,
상기 주면에 평행한 상기 실링 수지부의 평행면 및 상기 경사면을, 상기 소정 파장의 광을 차광하는 차광막으로 피복하는 공정과,
적어도, 상기 제1 방향에 직교하는 제2 방향에 있어서 다이싱을 행하여, 상기 기판을 개편화(個片化)하는 공정을 포함하는 광학 모듈의 제조 방법.A step of fixing the semiconductor optical element on the main surface of the substrate,
A step of electrically connecting the semiconductor optical element to a terminal portion formed on the main surface of the substrate,
A step of sealing the main surface of the semiconductor optical element and the substrate using an optically transparent resin with respect to light of a predetermined wavelength to form a sealing resin portion;
A step of forming a bevel cut in a first direction along the main surface of the substrate to form an inclined surface inclined to the main surface in the sealing resin portion;
A step of covering the parallel surface and the inclined surface of the sealing resin portion parallel to the main surface with a light shielding film for shielding light of the predetermined wavelength;
And performing dicing in at least a second direction orthogonal to the first direction to separate the substrate into individual pieces.
상기 차광막으로 피복하는 공정에 앞서, 상기 제2 방향에 있어서 하프 컷을 행하는 공정을 추가로 포함하는 광학 모듈의 제조 방법.The method of claim 6,
Further comprising the step of performing a half cut in the second direction prior to the step of covering the light shielding film with the light shielding film.
상기 실링 수지부에 상기 경사면을 형성하는 상기 공정에 있어서, 상기 제1 방향에 있어서 베벨 컷을 행함으로써, 상기 경사면에 연속되는 노치부를 상기 기판에 형성하는 광학 모듈의 제조 방법.The method according to claim 6 or 7,
Wherein a notch portion continuous to the inclined surface is formed on the substrate by performing a bevel cut in the first direction in the step of forming the inclined surface on the sealing resin portion.
상기 반도체 광학 소자는 반도체 수광 소자인 광학 모듈의 제조 방법.The method according to any one of claims 6 to 8,
Wherein the semiconductor optical element is a semiconductor light receiving element.
상기 반도체 광학 소자는 반도체 발광 소자인 광학 모듈의 제조 방법.The method according to any one of claims 6 to 8,
Wherein the semiconductor optical element is a semiconductor light emitting element.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2016-010078 | 2016-01-21 | ||
JP2016010078A JP6734654B2 (en) | 2016-01-21 | 2016-01-21 | Light receiving module and method of manufacturing light receiving module |
PCT/JP2016/084496 WO2017126214A1 (en) | 2016-01-21 | 2016-11-21 | Light reception module, and method for producing optical module |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180103931A true KR20180103931A (en) | 2018-09-19 |
KR102606362B1 KR102606362B1 (en) | 2023-11-27 |
Family
ID=59361587
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020187021679A KR102606362B1 (en) | 2016-01-21 | 2016-11-21 | Light receiving module and method of manufacturing the light receiving module |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6734654B2 (en) |
KR (1) | KR102606362B1 (en) |
CN (1) | CN108541344B (en) |
TW (1) | TWI714677B (en) |
WO (1) | WO2017126214A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019199037A1 (en) | 2018-04-10 | 2019-10-17 | 주식회사 엘지화학 | Decoration member and method for manufacturing same |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7365124B2 (en) * | 2019-02-12 | 2023-10-19 | ローム株式会社 | Proximity sensor and electronic equipment using it |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08107224A (en) * | 1994-10-04 | 1996-04-23 | Sharp Corp | Electrical/optical transmission system of plug-jack type |
JP2001118865A (en) * | 1999-10-19 | 2001-04-27 | Japan Rec Co Ltd | Manufacturing method of photoelectric part |
JP2001308389A (en) * | 2000-04-24 | 2001-11-02 | Rohm Co Ltd | Semiconductor edge-light-emitting device and manufacturing method thereof |
JP3762545B2 (en) | 1998-06-08 | 2006-04-05 | 三洋電機株式会社 | Optical semiconductor device |
JP2014067781A (en) * | 2012-09-25 | 2014-04-17 | Minebea Co Ltd | Method of manufacturing light source device |
JP2014099468A (en) * | 2012-11-13 | 2014-05-29 | Pioneer Electronic Corp | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0243746A (en) * | 1988-08-04 | 1990-02-14 | Fuji Electric Co Ltd | Manufacture of photoelectric conversion element molded with transparent resin |
JPH04196363A (en) * | 1990-11-28 | 1992-07-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | Light emitting/receiving device |
JP2000031544A (en) * | 1998-07-13 | 2000-01-28 | Rohm Co Ltd | Semiconductor light emitting element |
KR100832956B1 (en) * | 2000-04-24 | 2008-05-27 | 로무 가부시키가이샤 | Edge-emitting light-emitting semiconductor device |
JP2003282954A (en) * | 2002-03-27 | 2003-10-03 | Rohm Co Ltd | Led light-emitting device |
JP2010177569A (en) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Panasonic Corp | Optical device and method of manufacturing the same |
EP2500942A1 (en) * | 2009-11-11 | 2012-09-19 | Panasonic Corporation | Solid-state image pickup device and method for manufacturing same |
US9735198B2 (en) * | 2012-03-30 | 2017-08-15 | Cree, Inc. | Substrate based light emitter devices, components, and related methods |
JP5837456B2 (en) * | 2012-05-28 | 2015-12-24 | 株式会社東芝 | Semiconductor light emitting device and light emitting module |
-
2016
- 2016-01-21 JP JP2016010078A patent/JP6734654B2/en active Active
- 2016-11-21 CN CN201680079415.XA patent/CN108541344B/en active Active
- 2016-11-21 KR KR1020187021679A patent/KR102606362B1/en active IP Right Grant
- 2016-11-21 WO PCT/JP2016/084496 patent/WO2017126214A1/en active Application Filing
- 2016-12-01 TW TW105139630A patent/TWI714677B/en active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08107224A (en) * | 1994-10-04 | 1996-04-23 | Sharp Corp | Electrical/optical transmission system of plug-jack type |
JP3762545B2 (en) | 1998-06-08 | 2006-04-05 | 三洋電機株式会社 | Optical semiconductor device |
JP2001118865A (en) * | 1999-10-19 | 2001-04-27 | Japan Rec Co Ltd | Manufacturing method of photoelectric part |
JP2001308389A (en) * | 2000-04-24 | 2001-11-02 | Rohm Co Ltd | Semiconductor edge-light-emitting device and manufacturing method thereof |
JP2014067781A (en) * | 2012-09-25 | 2014-04-17 | Minebea Co Ltd | Method of manufacturing light source device |
JP2014099468A (en) * | 2012-11-13 | 2014-05-29 | Pioneer Electronic Corp | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019199037A1 (en) | 2018-04-10 | 2019-10-17 | 주식회사 엘지화학 | Decoration member and method for manufacturing same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201733149A (en) | 2017-09-16 |
CN108541344A (en) | 2018-09-14 |
TWI714677B (en) | 2021-01-01 |
JP2017130585A (en) | 2017-07-27 |
JP6734654B2 (en) | 2020-08-05 |
CN108541344B (en) | 2022-04-05 |
KR102606362B1 (en) | 2023-11-27 |
WO2017126214A1 (en) | 2017-07-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
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