KR20180103243A - Quantum Dot, Film and Lighting device - Google Patents

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KR20180103243A
KR20180103243A KR1020170029871A KR20170029871A KR20180103243A KR 20180103243 A KR20180103243 A KR 20180103243A KR 1020170029871 A KR1020170029871 A KR 1020170029871A KR 20170029871 A KR20170029871 A KR 20170029871A KR 20180103243 A KR20180103243 A KR 20180103243A
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이은미
고영욱
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주식회사 지엘비젼
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    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V7/00Reflectors for light sources
    • F21V7/22Reflectors for light sources characterised by materials, surface treatments or coatings, e.g. dichroic reflectors
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    • C09K11/02Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media

Abstract

A lighting device according to an embodiment of the present invention includes: a light source for emitting light; a reflecting member for reflecting the light from the light source to a light emission area; and a fluorescent layer formed on a partial area of the reflecting member. The reflecting member includes a reflective top side facing the light source and a reflective lateral side with a rectangular shape. The fluorescent layer is formed on the reflective lateral side. The fluorescent layer includes a quantum dot with inorganic ligands and beads coated on a surface. Accordingly, the present invention can improve thermal stability.

Description

양자점, 필름 및 조명장치{Quantum Dot, Film and Lighting device}[0001] The present invention relates to quantum dots, films and lighting devices,

실시 예는 양자점에 관한 것이다.Embodiments relate to quantum dots.

실시 예는 양자점을 포함하는 필름에 관한 것이다.Embodiments relate to films comprising quantum dots.

실시 예는 조명장치에 관한 것이다.An embodiment relates to a lighting device.

양자점(quantum dot)은 수 나노미터 크기의 결정 구조를 갖는 반도체 물질로서 동일한 물질의 벌크 반도체와 불연속 분자 사이의 특성을 나타낸다. 양자 구속 효과(quantum confinement effect)와 큰 표면 대 부피비로 인하여 동일한 물질에서 크기를 변화시킴에 따라 물리적, 화학적, 전기적 특성의 조절이 가능하므로, 양자점은 새로운 물성 조절 방법 및 재료로서 큰 관심을 받아 왔다.A quantum dot is a semiconductor material having a crystal structure of a few nanometers in size and exhibits properties between a bulk semiconductor and a discontinuous molecule of the same material. The quantum confinement effect and the large surface-to-volume ratio allow the physical, chemical and electrical properties to be controlled by changing the size of the same material, so the quantum dot has attracted great interest as a new material control method and material .

종래의 양자점은 코어-쉘 구조로 형성되며, 양자점 표면에 유기 리간드가 결합된다.Conventional quantum dots are formed in a core-shell structure, and organic ligands bind to the surface of the quantum dots.

상기 유기 리간드가 결합된 양자점의 경우 고온에서 양자점의 발광 특성이 저하되는 문제점이 있었다.In the case of the quantum dots to which the organic ligands are bonded, the emission characteristics of the quantum dots are deteriorated at high temperatures.

상기 유기 리간드가 결합된 양자점이 조명장치에 사용되는 경우에는 조명장치의 발열에 의해 양자점의 발광 특성이 저하되어 원하는 색상의 광을 출력하지 못하는 문제점이 있다.When the quantum dots to which the organic ligands are bonded are used in an illumination device, the emission characteristics of the quantum dots are lowered due to heat generation of the illumination device, and thus light of a desired color can not be output.

실시 예는 열 안정성이 향상된 양자점을 제공한다.The examples provide quantum dots with improved thermal stability.

실시 예는 양자효율이 향상된 조명장치를 제공한다. The embodiment provides an illumination device with improved quantum efficiency.

실시 예에 따른 양자점은, 코어-쉘 구조를 가지는 양자점; 및 상기 양자점 표면에 형성되는 무기 리간드 및 비드를 포함한다.A quantum dot according to an embodiment includes a quantum dot having a core-shell structure; And inorganic ligands and beads formed on the surface of the quantum dots.

실시 예에 따른 조명장치는, 광을 조사하는 광원; 상기 광원으로부터의 광을 출광영역으로 반사시키는 반사부재; 및 상기 반사부재의 일부영역상에 형성되는 형광층을 포함하고, 상기 반사부재는 상기 광원과 대향하는 반사상면과 사각형상의 반사측면을 포함하며, 상기 형광층은 상기 반사측면에 형성되며, 상기 형광층은 표면에 무기리간드 및 비드가 도포된 양자점을 포함한다.An illumination apparatus according to an embodiment includes: a light source for emitting light; A reflecting member for reflecting the light from the light source to an outgoing light area; And a fluorescent layer formed on a part of the reflective member, wherein the reflective member includes a reflective upper surface facing the light source and a rectangular reflective side, the fluorescent layer being formed on the reflective side, The layer comprises quantum dots coated with inorganic ligands and beads on the surface.

실시 예에 따른 양자점은 양자점 표면에 무기 리간드가 형성되어 열 안정성이 향상되는 효과가 있다.The quantum dot according to the embodiment has an effect of improving the thermal stability by forming an inorganic ligand on the surface of the quantum dot.

실시 예에 따른 조명장치는 양자점 표면에 비드를 형성한 형광층을 포함함으로써 양자 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.The illumination device according to the embodiment has the effect of improving the quantum efficiency by including the fluorescent layer in which beads are formed on the surface of the quantum dots.

도 1은 제1 실시 예에 따른 양자점을 나타내는 도면이다.
도 2는 제1 실시 예에 따른 양자점을 가열한 경우 발광세기를 나타내는 도면이다.
도 3은 제1 실시 예에 따른 양자점을 포함한 필름을 가열한 경우 발광 세기를 나타내는 도면이다.
도 4는 제2 실시 예에 따른 양자점을 나타내는 도면이다.
도 5는 비교 예와 제2 실시 예에 따른 양자점에서의 광의 세기를 나타내는 도면이다.
도 6은 일 실시 예에 따른 조명장치의 대한 사시도이다.
도 7은 일 실시 예에 따른 조명장치의 분해 사시도이다.
도 8은 일 실시 예에 따른 반사부재의 저면 사시도이다.
도 9은 일 실시 예에 따른 조명장치의 단면도이다.
도 10은 일 실시 예에 따른 지지부재 및 광원을 나타내는 상면도이다.
도 11은 도 10의 A-A`영역을 따라 절단한 단면도이다.
도 12는 실시 예에 따른 조명장치에 의해 출력되는 파장을 나타내는 도면이다.
도 13는 실시 예에 따른 조명장치의 시간에 따른 파장별 강도를 나타내는 도면이다.
도 14는 다른 실시 예에 따른 조명장치를 나타내는 도면이다.
도 15은 또 다른 실시 예에 따른 반사부재의 저면 사시도이다.
도 16는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 조명장치에 대한 단면도이다.
FIG. 1 is a diagram showing a quantum dot according to the first embodiment. FIG.
2 is a graph showing the intensity of light emitted when the quantum dot according to the first embodiment is heated.
FIG. 3 is a graph showing the light emission intensity when the film including the quantum dot according to the first embodiment is heated.
FIG. 4 is a diagram showing a quantum dot according to the second embodiment. FIG.
5 is a graph showing the intensity of light in quantum dots according to the comparative example and the second embodiment.
6 is a perspective view of a lighting apparatus according to an embodiment.
7 is an exploded perspective view of a lighting apparatus according to an embodiment.
8 is a bottom perspective view of a reflective member according to one embodiment.
9 is a cross-sectional view of a lighting apparatus according to an embodiment.
10 is a top view showing a support member and a light source according to an embodiment.
11 is a cross-sectional view taken along the line AA 'in Fig.
12 is a diagram showing wavelengths output by a lighting apparatus according to an embodiment.
13 is a graph showing the intensity of a lighting apparatus according to an exemplary embodiment with respect to time.
14 is a view showing a lighting apparatus according to another embodiment.
15 is a bottom perspective view of a reflecting member according to still another embodiment.
16 is a sectional view of a lighting apparatus according to another embodiment of the present invention.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세하게 설명한다. 다만, 본 발명의 사상은 제시되는 실시예에 제한되지 아니하고, 본 발명의 사상을 이해하는 당업자는 동일한 사상의 범위 내에서 다른 구성요소를 추가, 변경, 삭제 등을 통하여, 퇴보적인 다른 발명이나 본 발명 사상의 범위 내에 포함되는 다른 실시예를 용이하게 제안할 수 있을 것이나, 이 또한 본원 발명 사상 범위 내에 포함된다고 할 것이다. Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the inventive concept. Other embodiments falling within the scope of the inventive concept may readily be suggested, but are also considered to be within the scope of the present invention.

또한, 각 실시예의 도면에 나타나는 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성요소는 동일한 참조부호를 사용하여 설명한다.The same reference numerals are used to designate the same components in the same reference numerals in the drawings of the embodiments.

실시 예에 따른 양자점은, 코어-쉘 구조를 가지는 양자점; 및 상기 양자점 표면에 형성되는 무기 리간드 및 비드를 포함한다.A quantum dot according to an embodiment includes a quantum dot having a core-shell structure; And inorganic ligands and beads formed on the surface of the quantum dots.

상기 무기 리간드는 에테르계 화합물, 불포화 탄화수소류 또는 올레산 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The inorganic ligand may include at least one of an ether compound, an unsaturated hydrocarbon, or oleic acid.

상기 에테르계 화합물은 트리옥틸 포스핀 옥사이드(tri-n-octylphosphine oxide, TOPO), 알킬포스핀(alkylphosphine), 옥틸 에티르(octyl ether) 및 벤질 에테르(benzyl ether) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The ether compound may include at least one of tri-n-octylphosphine oxide (TOPO), alkylphosphine, octyl ether, and benzyl ether .

상기 불포화 탄화수소류는 옥테인(octane) 및 옥타데케인(Octadecane) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The unsaturated hydrocarbons may include at least one of octane and octadecane.

상기 유기산은 올레산(oleic acid), 스테아르산(stearic acid), 미리스트산(Myristic acid) 및 헥사데카노익산(hexadecanoic acid) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The organic acid may include at least one of oleic acid, stearic acid, myristic acid, and hexadecanoic acid.

상기 양자점 대비 무기 리간드의 양은 1:1000 내지 1:100일 수 있다.The amount of the inorganic ligand relative to the quantum dot may be from 1: 1000 to 1: 100.

상기 비드는 ZnSt2, SiO2 및 TiO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The beads may comprise at least one of ZnSt2, SiO2 and TiO2.

상기 비드는 상기 양자점 대비 1wt% 내지 100wt%일 수 있다.The beads may be 1 wt% to 100 wt% of the quantum dots.

상기 비드는 제1 비드 및 제2 비드를 포함하고, 상기 제1 비드 및 제2 비드는 서로 다른 물질일 수 있다. The beads include a first bead and a second bead, and the first bead and the second bead may be different materials.

실시 예에 따른 필름은 상기의 양자점을 포함할 수 있다. The film according to an embodiment may include the above quantum dots.

실시 예에 따른 조명장치는, 광을 조사하는 광원; 상기 광원으로부터의 광을 출광영역으로 반사시키는 반사부재; 및 상기 반사부재의 일부영역상에 형성되는 형광층을 포함하고, 상기 반사부재는 상기 광원과 대향하는 반사상면과 사각형상의 반사측면을 포함하며, 상기 형광층은 상기 반사측면에 형성되며, 상기 형광층은 표면에 무기리간드 및 비드가 도포된 양자점을 포함한다.An illumination apparatus according to an embodiment includes: a light source for emitting light; A reflecting member for reflecting the light from the light source to an outgoing light area; And a fluorescent layer formed on a part of the reflective member, wherein the reflective member includes a reflective upper surface facing the light source and a rectangular reflective side, the fluorescent layer being formed on the reflective side, The layer comprises quantum dots coated with inorganic ligands and beads on the surface.

상기 반사부재의 하부에 배치되고, 상기 광원을 지지하는 지지부재를 더 포함하며, 상기 형광층은 상기 지지부재와 인접한 상기 반사측면의 일부영역 상에 형성될 수 있다.And a support member disposed at a lower portion of the reflective member and supporting the light source, wherein the fluorescent layer may be formed on a portion of the reflective side adjacent to the support member.

상기 양자점은 상기 형광층의 일부영역에 형성될 수 있다.The quantum dot may be formed in a part of the fluorescent layer.

상기 양자점은 상기 형광층 중 상기 지지부재와 이격된 영역에만 형성될 수있다.The quantum dot may be formed only in a region of the fluorescent layer that is spaced apart from the support member.

상기 형광층은 서로 이격된 다수의 형광띠를 포함할 수 있다.The fluorescent layer may include a plurality of fluorescent bands spaced apart from each other.

이하에서는 도면과 함께 본 발명의 실시 예를 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1은 제1 실시 예에 따른 양자점을 나타내는 도면이다.FIG. 1 is a diagram showing a quantum dot according to the first embodiment. FIG.

도 1을 참조하면, 제1 실시 예에 따른 양자점(1)은 코어(3)와 쉘(5)을 포함한다.Referring to FIG. 1, a quantum dot 1 according to the first embodiment includes a core 3 and a shell 5.

상기 쉘(5)은 상기 코어(3) 상에 도포될 수 있다. 상기 코어(4) 및 쉘(5) 각각은 단일층 또는 2이상 층으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 양자점(1)은 코어-쉘-쉘 구조를 가질 수 있으며, 예를 들면, CdSe/CdS/ZnS로 구성될 수 있다.The shell 5 may be applied on the core 3. Each of the core 4 and the shell 5 may be composed of a single layer or two or more layers. For example, the quantum dot 1 may have a core-shell-shell structure, and may be composed of, for example, CdSe / CdS / ZnS.

상기 양자점(1)은 나노크기의 반도체 물질로서 양자제한(quantum confinement) 효과를 나타내는 물질이다. 이러한 양자점(1)은 여기원 (excitation source)으로부터 빛을 흡수하여받아 에너지 여기 상태에 이르면, 자체적으로 해당하는 양자점(1)의 에너지 밴드 갭 (band gap)에 해당하는 에너지를 방출하게 된다. 따라서, 양자점(1)의 크기 또는 물질 조성을 조절하게 되면 해당에너지 밴드 갭(band gap)을 조절할 수 있게 되어 다양한 빛을 발광할 수 있어 전자소자의 발광체로 이용될 수 있다.The quantum dot 1 is a nano-sized semiconductor material and exhibits a quantum confinement effect. The quantum dot 1 absorbs light from an excitation source and emits energy corresponding to an energy band gap of the corresponding quantum dot 1 when it reaches an energy excited state. Therefore, if the size or the material composition of the quantum dot 1 is controlled, the corresponding energy band gap can be controlled to emit various kinds of light, which can be used as an emitter of an electronic device.

상기 나노크기의 반도체 물질은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 화합물 또는 이들의 혼합물 중에서 선택될 수 있다.The nano-sized semiconductor material may be selected from Group II-VI compounds, Group III-V compounds, Group IV-VI compounds, Group IV compounds, or mixtures thereof.

상기 II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe 등의 이원소 화합물 또는 CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe 등의 삼원소 화합물 또는 HggZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 등의 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.CdSeS, CdSeS, CdSeS, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, HgSe, HgTe, ZnTe, ZnSe, ZnTe, ZnO, A trivalent compound such as CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, or a ternary compound such as HggZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe have.

상기 III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 등의 이원소 화합물 또는 GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 등의 삼원소 화합물 또는 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 등의 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.The group III-V compound may be one of GaN, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, GaN, GaN, GaN, GaN, GaN, AlN, AlN, AlN, InAlPb, InAlPb, InAlPb, InAlPb, InAlPb, InAlPb, InAlPb, InAlPb, InAlPb, InAlPb, InAlPb, InAlPb, InAlPb, InAlPb, , And the like.

상기 IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 등의 이원소 화합물 또는 SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 등의 삼원소 화합물 또는 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 등의 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.The IV-VI compound may be at least one selected from the group consisting of ternary compounds such as SnSeS, SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe and SnPbTe, SnPbSSe, SnPbSeTe , SnPbSTe, and the like.

상기 IV족 화합물은 Si, Ge 등의 단일 원소 화합물 또는 SiC, SiGe 등의 이원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.The Group IV compound may be selected from the group consisting of single element compounds such as Si and Ge, or these element compounds such as SiC and SiGe.

상기 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물의 경우, 그 결정구조는 부분적으로 나누어져 동일 입자 내에 존재하거나 합금 형태로 존재할 수 있다.In the case of the elemental compound, the trivalent compound, or the silane compound, the crystal structure thereof may be partially contained and exist in the same particle or in the form of an alloy.

상기 양자점(1)의 표면에는 무기 리간드(7)가 도포될 수 있다.The surface of the quantum dot 1 may be coated with an inorganic ligand 7.

상기 무기 리간드(5)는 상기 양자점(1)의 표면에 배위결합될 수 있다.The inorganic ligand (5) may be coordinately bonded to the surface of the quantum dot (1).

상기 무기 리간드(5)는 에테르계 화합물, 불포화 탄화수소류 및 유기산 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 무기 리간드(5)로 사용되는 용매는 에테르계 화합물, 불포화 탄화수소류 및 유기산 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The inorganic ligand (5) may include at least one of an ether compound, an unsaturated hydrocarbon, and an organic acid. The solvent used as the inorganic ligand (5) may include at least one of ether compounds, unsaturated hydrocarbons and organic acids.

상기 에테르계 화합물은 트리옥틸 포스핀 옥사이드(tri-n-octylphosphine oxide, TOPO), 알킬포스핀(alkylphosphine), 옥틸 에티르(octyl ether) 및 벤질 에테르(benzyl ether) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The ether compound may include at least one of tri-n-octylphosphine oxide (TOPO), alkylphosphine, octyl ether, and benzyl ether .

상기 불포화 탄화수소류는 옥테인(octane) 및 옥타데케인(Octadecane) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The unsaturated hydrocarbons may include at least one of octane and octadecane.

상기 유기산은 올레산(oleic acid), 스테아르산(stearic acid), 미리스트산(Myristic acid) 및 헥사데카노익산(hexadecanoic acid) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The organic acid may include at least one of oleic acid, stearic acid, myristic acid, and hexadecanoic acid.

상기 양자점(1)의 표면상에 상기 무기 리간드(7)가 도포됨으로써 열안정성이 향상될 수 있다. 즉, 상기 양자점(1)의 표면상에 상기 무기 리간드(7)가 도포됨으로써 상기 양자점(1)에 열이 가해지더라도 발광 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.The inorganic ligand (7) is coated on the surface of the quantum dot (1) to improve the thermal stability. That is, since the inorganic ligand 7 is coated on the surface of the quantum dot 1, it is possible to prevent the emission characteristic from being degraded even if heat is applied to the quantum dot 1. [

상기 양자점(1) 대비 상기 무기 리간드(7)의 양은 1:1000 내지 1:100일 수 있다. 상기 양자점(1) 대비 상기 무기 리간드(7)의 양이 1:000 내지 1:100 인 경우 효과적인 열안정성 향상효과가 있고, 양자점 효율도 저하되지 않을 수 있다.The amount of the inorganic ligand 7 relative to the quantum dot 1 may be from 1: 1000 to 1: 100. When the amount of the inorganic ligand 7 relative to the quantum dot 1 is 1: 000 to 1: 100, there is an effect of improving the thermal stability effectively and the quantum dot efficiency may not be lowered.

상기 양자점(1) 대비 상기 무기 리간드(7)의 양이 1:1000보다 작으면, 상기한 열 안정성 효과가 작고, 상기 양자점(1) 대비 상기 무기 리간드(7)의 양이 1:100보다 크면 양자점 효율이 저하되는 문제점이 있다.When the amount of the inorganic ligand 7 relative to the quantum dot 1 is less than 1: 1000, the effect of thermal stability is small. When the amount of the inorganic ligand 7 is larger than 1: 100 relative to the quantum dot 1, The efficiency of the quantum dot is deteriorated.

도 2는 제1 실시 예에 따른 양자점을 가열한 경우 발광세기를 나타내는 도면이다.2 is a graph showing the intensity of light emitted when the quantum dot according to the first embodiment is heated.

표 1는 비교 예와 제1 실시 예의 양자점의 발광세기, 반치폭 및 양자효율을 나타내는 표이다.Table 1 shows the emission intensity, half band width and quantum efficiency of the quantum dots in the comparative example and the first embodiment.

구분division 발광세기(a.u.)Luminescence intensity (a.u.) 반치폭(nm)Half width (nm) 양자효율(%)Quantum efficiency (%) 비교 예Comparative Example 2650026500 3232 7777 제1 실시 예First Embodiment 2970029700 3131 8585

표 1 및 도 2에서 비교 예는 무기 리간드(7)를 첨가하지 않은 종래의 양자점을 나타내고, 제1 실시 예는 도 1의 무기 리간드(7)가 도포된 양자점(1)을 나타낸다.The comparative examples in Table 1 and Fig. 2 show conventional quantum dots without the addition of the inorganic ligand (7), and the first embodiment shows the quantum dots (1) coated with the inorganic ligand (7) in Fig.

표 1 및 도 2에서 제1 실시 예 및 비교 예의 양자점을 150도의 온도로 가열한 후 특성을 측정하였다.In Table 1 and FIG. 2, the quantum dots of the first and comparative examples were heated to a temperature of 150 degrees and then their properties were measured.

그 결과 제1 실시 예는 비교 예에 비해 발광세기가 12% 크고, 양자효율도 8%가 크다. 또한, 출력되는 광의 파장 범위를 나타내는 반치폭은 거의 변함이 없다.As a result, the luminescence intensity of the first embodiment is 12% larger and the quantum efficiency is 8% larger than that of the comparative example. In addition, the half width of the wavelength range of the output light does not substantially change.

표 1 및 도 2에서 나타난 바와 같이 제1 실시 예의 경우 비교 예에 비해 큰발광 효율 및 양자효율을 가진다. 즉, 무기 리간드(7)를 도포하는 경우 150도로 가열한다고 하더라도, 상기 양자점(1)의 특성 변화가 상기 무기 리간드(7)를 도포하지 않는 경우보다 작다. 따라서, 상기 양자점(1)에 무기 리간드(7)를 도포함으로써 열 안정성이 향상되는 효과가 있다.As shown in Table 1 and FIG. 2, the first embodiment has a larger luminous efficiency and quantum efficiency than the comparative example. That is, even when the inorganic ligand 7 is applied, the characteristic change of the quantum dot 1 is smaller than that in the case where the inorganic ligand 7 is not applied, even if it is heated to 150 degrees. Therefore, there is an effect that the thermal stability is improved by applying the inorganic ligand 7 to the quantum dot 1.

도 3은 제1 실시 예에 따른 양자점을 포함한 필름을 가열한 경우 발광 세기를 나타내는 도면이다.FIG. 3 is a graph showing the light emission intensity when the film including the quantum dot according to the first embodiment is heated.

표 2는 비교 예와 제1 실시 예의 양자점을 포함한 필름의 발광세기, 반치폭 및 양자효율을 나타내는 표이다.Table 2 shows the emission intensity, half band width and quantum efficiency of the film including the quantum dots of the comparative example and the first embodiment.

구분division 발광세기(a.u.)Luminescence intensity (a.u.) 반치폭(nm)Half width (nm) 양자효율(%)Quantum efficiency (%) 비교 예Comparative Example 98009800 4242 2020 제1 실시 예First Embodiment 3000030000 4141 4242

표 2 및 도 3에서 비교 예는 무기 리간드(7)를 첨가하지 않은 종래의 양자점을 포함하는 필름을 나타내고, 제1 실시 예는 도 1의 무기 리간드(7)가 도포된 양자점(1)을 포함하는 필름을 나타낸다.The comparative example in Table 2 and Fig. 3 shows a conventional quantum dot-containing film without addition of the inorganic ligand 7, and the first embodiment includes the quantum dot 1 to which the inorganic ligand 7 of Fig. 1 is applied Lt; / RTI >

표 2 및 도 3에서 제1 실시 예 및 비교 예의 양자점을 포함하는 필름을 150도로 가열한 후 특성을 측정하였다.In Table 2 and FIG. 3, the film including the quantum dots of the first and comparative examples was heated to 150 degrees and then the characteristics were measured.

그 결과 제1 실시 예의 필름은 비교 예의 필름에 비해 발광세기가 306% 크고, 양자효율도 22%가 크다. 또한 출력되는 광의 파장 범위를 나타내는 반치폭은 거의 변함이 없다. As a result, the film of the first embodiment has a light emission intensity as high as 306% and a quantum efficiency as high as 22% as compared with the film of the comparative example. And the half width showing the wavelength range of the outputted light is hardly changed.

표2 및 도 3에서 나타난 바와 같이 제1 실시 예의 필름은 비교 예의 필름에비해 큰 발광효율과 양자효율을 가진다. 즉, 무기 리간드(7)를 도포하는 경우 150도로 가열한다고 하더라도, 상기 양자점(1)의 특성 변화가 상기 무기 리간드(7)를 도포하지 않는 경우보다 작다. 따라서, 상기 양자점(1)에 무기 리간드(7)를 도포함으로써 양자점(1)을 포함하는 필름의 열 안정성이 향상되는 효과가 있다.As shown in Table 2 and Fig. 3, the film of the first embodiment has a larger luminous efficiency and quantum efficiency than the film of the comparative example. That is, even when the inorganic ligand 7 is applied, the characteristic change of the quantum dot 1 is smaller than that in the case where the inorganic ligand 7 is not applied, even if it is heated to 150 degrees. Therefore, by applying the inorganic ligand 7 to the quantum dot 1, the thermal stability of the film including the quantum dot 1 is improved.

도 4는 제2 실시 예에 따른 양자점을 나타내는 도면이다.FIG. 4 is a diagram showing a quantum dot according to the second embodiment. FIG.

제2 실시 예에 따른 양자점은 제1 실시 예와 비교하여 양자점이 비드를 더 포함하는 것 이외에는 동일하다. 따라서, 제2 실시 예를 설명함에 있어서, 제1 실시 예와 공통되는 구성에 대해서는 동일한 도면번호를 부여하고 상세한 설명을 생략한다.The quantum dot according to the second embodiment is the same as the quantum dot according to the first embodiment except that the quantum dot further includes a bead. Therefore, in describing the second embodiment, the same reference numerals are assigned to the same components as those of the first embodiment, and a detailed description thereof is omitted.

도 4를 참조하면, 제2 실시 예에 따른 양자점(1)은 코어(3) 및 쉘(5)을 포함한다.Referring to FIG. 4, the quantum dot 1 according to the second embodiment includes a core 3 and a shell 5.

상기 양자점(1)의 표면에는 무기 리간드(7)가 도포될 수 있다. 상기 양자점(1)은 비드(8)를 포함할 수 있다. 상기 비드(8)는 상기 무기 리간드(7) 내부에 위치할 수 있다. 상기 비드(8)의 적어도 일부는 상기 무기 리간드(7)의 표면에 위치할 수도 있고, 상기 비드(8)는 상기 무기 리간드(7)와 상기 양자점(1) 사이에 위치할 수 있다.The surface of the quantum dot 1 may be coated with an inorganic ligand 7. The quantum dot 1 may include a bead 8. The beads 8 may be located inside the inorganic ligand 7. At least a part of the beads 8 may be located on the surface of the inorganic ligand 7 and the beads 8 may be located between the inorganic ligand 7 and the quantum dots 1.

상기 비드(8)는 ZnSt2, ZnAc, ZnCl, ZnO, TiO2, SIO2 및 CuO2 중 적어도 어느하나를 포함할 수 있다.The beads 8 may include at least one of ZnSt2, ZnAc, ZnCl, ZnO, TiO2, SIO2, and CuO2.

상기 양자점(1)이 상기 비드(8)를 포함함으로써 상기 양자점(1)의 양자효율이 상승할 수 있다.The quantum efficiency of the quantum dot 1 can be increased by including the bead 8 in the quantum dot 1.

상기 비드(8)는 상기 양자점(1) 대비 1wt% 내지 100wt%일 수 있다.The beads 8 may be 1 wt% to 100 wt% of the quantum dot (1).

상기 비드(8)를 상기 양자점(1) 대비 1wt% 내지 100wt%로 함으로써 양자효율을 상승시킬 수 있다. 상기 비드(8)와 상기 양자점(1)의 중량비가 1wt% 미만인 경우 또는 100wt%초과인 경우 양자효율 상승 효과가 없거나 작아진다.The quantum efficiency can be increased by making the beads 8 1 wt% to 100 wt% with respect to the quantum dot (1). When the weight ratio of the beads 8 to the quantum dots 1 is less than 1 wt% or exceeds 100 wt%, the effect of increasing the quantum efficiency is reduced or decreased.

상기 비드(8)는 제1 비드 및 제2 비드를 포함할 수 있다. 상기 제1 비드 및 제2 비드는 서로 다른 물질일 수 있다. 상기 제1 비드는 TiO2일 수 있고, 상기 제2 비드는 ZnSt2일 수 있다. 상기와 같이 서로 다른 물질을 가지는 비드를 포함하는 경우 상기 양자점의 양자효율이 보다 더 증가할 수 있다.The beads 8 may comprise a first bead and a second bead. The first bead and the second bead may be different materials. The first bead may be TiO2, and the second bead may be ZnSt2. The quantum efficiency of the quantum dots can be further increased when the beads include different materials as described above.

도 5는 비교 예와 제2 실시 예에 따른 양자점에서의 광의 세기를 나타내는 도면이다.5 is a graph showing the intensity of light in quantum dots according to the comparative example and the second embodiment.

표 3은 비교 예와 제2 실시 예에 따른 양자점의 양자효율을 나타내는 표이다.Table 3 is a table showing the quantum efficiency of quantum dots according to the comparative example and the second embodiment.

구분division 양자효율(%)Quantum efficiency (%) 비교 예Comparative Example 2020 제2 실시 예+ ZnSt2 0.1wt%Example 2 + ZnSt2 0.1 wt% 3333 제2 실시 예+ ZnSt2 0.5wt%Example 2 + ZnSt2 0.5 wt% 4545 제2 실시 예+ ZnSt2 1.0wt%Example 2 + ZnSt2 1.0 wt% 4747

도 5 및 표 3에서 비교 예는 무기 리간드와 비드가 첨가되지 않은 양자점을 나타내고, 제2 실시 예는 비드가 첨가된 양자점을 나타낸다. 여기서 사용된 비드는 ZnSt2이며, ZnSt2의 중량비를 조절하며 양자효율 및 광의 세기를 측정하였다.5 and Table 3 show quantum dots to which inorganic ligands and beads are not added and quantum dots to which beads are added in the second embodiment. The beads used here were ZnSt2, and the quantum efficiency and light intensity were measured by controlling the weight ratio of ZnSt2.

비교 예에서의 양자효율은 20%이고, 광의 세기의 피크 값은 약 3000이고, 제2 실시 예에서 ZnSt2의 중량비가 0.1wt%인 경우 양자효율은 33%이고, 광의 세기의 피크 값은 약 10000이며, 제2 실시 예에서 ZnSt2의 중량비가 0.5wt%인 경우 양자효율은 45%이고, 광의 세기의 피크 값은 약 29000이며, 제2 실시 예에서 ZnSt2의 중량비가 1.0wt%인 경우 양자효율은 47%이고, 광의 세기의 피크 값은 약 30000이다.The quantum efficiency in the comparative example is 20%, the peak value of the light intensity is about 3000, the quantum efficiency is 33% when the weight ratio of ZnSt2 is 0.1 wt% in the second embodiment, and the peak value of the light intensity is about 10000 , The quantum efficiency is 45% and the peak value of the light intensity is about 29000 when the weight ratio of ZnSt2 is 0.5 wt%. When the weight ratio of ZnSt2 is 1.0 wt% in the second embodiment, 47%, and the peak value of the light intensity is about 30000.

비교 예에 비해, 제2 실시 예의 경우 양자효율이 증가하고 광의 세기가 큰 효과가 있다. 특히, 제2 실시 예에서 ZnSt2 비드의 중량비가 0.5wt% 내지 1.0wt%인 경우 다른 경우에 비해 양자효율이 크게 증가하고, 광의 세기 또한 크게 증가해 양자점의 특성이 향상되는 효과가 있다.Compared to the comparative example, the quantum efficiency increases and the light intensity increases in the second embodiment. In particular, when the weight ratio of ZnSt2 beads is 0.5 wt% to 1.0 wt% in the second embodiment, the quantum efficiency is greatly increased and the light intensity is greatly increased as compared with other cases, thereby improving the characteristics of the quantum dots.

표 4는 실시 예에 따른 양자점 아크릴의 양자효율을 나타내는 표이다.Table 4 is a table showing the quantum efficiency of quantum dot acryl according to the embodiment.

구분division 양자효율Quantum efficiency 비교 예Comparative Example 1717 QD+무기 리간드QD + inorganic ligand 3636 QD+무기 리간드+TiO2QD + inorganic ligand + TiO2 2525 QD+무기 리간드+ZnSt2QD + inorganic ligand + ZnSt2 3939 QD+무기 리간드+TiO2+ZnSt2QD + inorganic ligand + TiO2 + ZnSt2 4545

실시 예에 따른 양자점 아크릴은 양자점에 무기 리간드와 비드를 첨가하여 이를 아크릴과 혼합하여 300도 온도에서 가열하여 제작한다.Quantum dot acrylics according to the embodiments are prepared by adding inorganic ligands and beads to quantum dots and mixing them with acryl and heating them at a temperature of 300 ° C.

비교 예의 경우 종래의 무기 리간드와 비드를 첨가하지 않은 상태에서 아크릴과 혼합하여 제작한 양자점 아크릴을 나타내며, 이 경우 양자효율은 17%이다.In the comparative example, the quantum efficiency is 17% in the case of the quantum dot acrylic manufactured by mixing with the acrylic in the state that the conventional inorganic ligand and the bead are not added.

양자점에 무기 리간드를 첨가하여 아크릴과 혼합하여 제작한 양자점 아크릴은 36%의 양자효율을 가지고, 양자점에 무기 리간드와 TiO2의 비드를 첨가하여 아크릴과 혼합하여 제작한 양자점 아크릴은 25%의 양자효율을 가진다. 또한, 양자점에 무기 리간드와 ZnSt2 비드를 첨가하여 아크릴과 혼합하여 제작한 양자점 아크릴은 39%의 양자효율을 가지며, 양자점에 무기 리간드와 TiO2, ZnSt2비드를 첨가하여 아크릴과 혼합하여 제작한 양자점 아크릴은 45%의 양자효율을 가진다.The quantum dot acrylate produced by mixing inorganic ligand with acrylate by adding an inorganic ligand to the quantum dots has a quantum efficiency of 36% and quantum dot efficiency of 25% by adding the inorganic ligand and TiO2 beads to the quantum dots and mixing them with acrylic. I have. Quantum-dot acrylics prepared by mixing inorganic ligands and ZnSt2 beads with quantum dots added to the quantum dots were found to have a quantum efficiency of 39%, and quantum dot acrylics prepared by mixing inorganic ligands, TiO2, and ZnSt2 beads with acryl, And has a quantum efficiency of 45%.

이로써 상기 양자점에 무기 리간드와 TiO2, ZnSt2비드를 첨가하여 아크릴과 혼합하여 제작한 양자점 아크릴이 가장 큰 양자 효율을 가짐을 확인할 수 있다.Thus, it can be confirmed that the quantum dot acrylate prepared by mixing an inorganic ligand, TiO 2, and ZnSt 2 beads with the acrylic ligand to the quantum dot has the highest quantum efficiency.

도 6 내지 도 11은 제1 및 제2 실시 예의 양자점을 포함하는 형광층을 구비하는 조명장치에 대한 도면이다.Figs. 6 to 11 are diagrams for a lighting device having a fluorescent layer including quantum dots of the first and second embodiments. Fig.

도 6은 일 실시 예에 따른 조명장치의 대한 사시도이고, 도 7은 일 실시 예에 따른 조명장치의 분해 사시도이며, 도 8은 일 실시 예에 따른 반사부재의 저면 사시도이고, 도 9은 일 실시 예에 따른 조명장치의 단면도이며, 도 10은 일 실시 예에 따른 지지부재 및 광원을 나타내는 상면도이며, 도 11은 도 10의 A-A`영역을 따라 절단한 단면도이다.FIG. 6 is a perspective view of a lighting apparatus according to an embodiment, FIG. 7 is an exploded perspective view of a lighting apparatus according to an embodiment, FIG. 8 is a bottom perspective view of a reflective member according to an embodiment, 10 is a top view showing a support member and a light source according to an embodiment, and Fig. 11 is a cross-sectional view taken along the line AA 'in Fig.

도 6 내지 도 11을 참조하면, 실시 예에 따른 조명장치(9)는 프레임(10), 반사부재(20) 및 지지부재(30)를 포함할 수 있다.6 to 11, a lighting apparatus 9 according to an embodiment may include a frame 10, a reflecting member 20, and a supporting member 30. As shown in Fig.

상기 프레임(10)은 상기 조명장치(9)의 몸체를 형성하는 틀 또는 뼈대일 수 있다. 상기 프레임(10)은 내부가 비어있는 원기둥 형상으로 형성될 수 있다. 상기 프레임(10)은 하면이 개구된 원기둥 형상으로 형성될 수 있다. 상기 프레임(10)은 상면 및 하면이 개구된 원기둥 형상으로 형성될 수 있다.The frame 10 may be a frame or a frame forming the body of the lighting device 9. [ The frame 10 may have a cylindrical shape with an empty interior. The frame 10 may have a cylindrical shape with a bottom surface opened. The frame 10 may have a cylindrical shape with an upper surface and a lower surface opened.

도시하지 않았지만 상기 프레임(10)은 방열부재를 더 포함할 수 있다. 또는 상기 프레임(10)은 방열이 용이하도록 열전도도가 높은 물질로 구성될 수 있다. 상기 프레임(10)의 방열능력이 향상됨으로써 상기 조명장치(9) 내의 열을 외부로 배출할 수 있어, 열에 의한 내부 구성의 손상을 방지할 수 있다.Although not shown, the frame 10 may further include a heat dissipating member. Alternatively, the frame 10 may be made of a material having high thermal conductivity to facilitate heat dissipation. The heat dissipation capability of the frame 10 is improved, so that the heat in the illumination device 9 can be discharged to the outside, and damage to the internal structure due to heat can be prevented.

도시하지 않았지만, 상기 방열부재는 상기 프레임(10)의 외측면에 형성될 수도 있고, 상기 방열부재는 상기 프레임(10)의 내측면에 형성될 수도 있다. 상기 방열부재가 상기 프레임(10)의 내측면에 형성되는 경우 상기 방열부재는 상기 프레임(10)과 상기 반사부재(20)의 사이에 형성될 수 있다.Although not shown, the heat dissipating member may be formed on the outer surface of the frame 10, and the heat dissipating member may be formed on the inner surface of the frame 10. When the radiation member is formed on the inner surface of the frame 10, the radiation member may be formed between the frame 10 and the reflection member 20.

상기 반사부재(20)는 상기 프레임(10)의 내측에 삽입될 수 있다. 상기 반사부재(20)는 시트형태로 상기 프레임(10)의 내측에 고정될 수 있다. 상기 반사부재(20)는 일부가 상기 프레임(10)의 내측에 부착되어 전체가 상기 프레임(10)에 고정될 수 있다.The reflective member 20 may be inserted into the frame 10. The reflective member 20 may be fixed to the inside of the frame 10 in a sheet form. A part of the reflection member 20 may be attached to the inside of the frame 10 so that the whole of the reflection member 20 is fixed to the frame 10. [

상기 반사부재(20)는 상기 프레임(10)과 대응되는 형상으로 형성될 수 있다. 상기 반사부재(20)는 일단이 개구된 원기둥 형상으로 형성될 수 있다.The reflective member 20 may be formed in a shape corresponding to the frame 10. The reflective member 20 may be formed in a columnar shape having an open end.

상기 반사부재(20)는 반사상면(21) 및 반사측면(23)을 포함할 수 있다. 상기 반사상면(21)은 원형상을 가질 수 있다. 상기 반사상면(21)은 원형상의 출광영역(50)과 동일한 중심을 가질 수 있다. 즉, 상기 반사상면(21)은 상기 출광영역(50)과 동심원 형상을 가질 수 있다. 상기 반사상면(21)은 상기 출광영역(50)과 대응되는 크기로 형성될 수 있다. 상기 반사상면(21)은 상기 출광영역(50)과 평행하는 면일 수 있다.The reflective member 20 may include a reflective upper surface 21 and reflective side 23. The reflective upper surface 21 may have a circular shape. The reflective upper surface 21 may have the same center as the circular light exit area 50. That is, the reflective upper surface 21 may have a concentric circular shape with respect to the outgoing light region 50. The reflective upper surface 21 may have a size corresponding to the outgoing area 50. The reflective upper surface 21 may be a surface parallel to the outgoing light area 50.

상기 반사측면(23)은 사각형상의 전개도를 가질 수 있다. 상기 반사측면(23)은 직사각형상을 가질 수 있다. 상기 반사측면(23)의 밑면은 상기 반사상면(21)의 원주와 대응되는 길이를 가질 수 있다. 상기 반사측면(23)의 밑면은 평면형상을 가질 수 있다. 상기 반사측면(23)의 밑면이 평면 형상을 가짐으로써 제조가 용이하고, 원뿔형에 비해 조립이 용이한 효과가 있다.The reflective side 23 may have a square developed view. The reflective side 23 may have a rectangular shape. The bottom surface of the reflective side 23 may have a length corresponding to the circumference of the reflective top surface 21. [ The bottom surface of the reflective side surface 23 may have a planar shape. Since the bottom surface of the reflective side surface 23 has a planar shape, it is easy to manufacture, and the assembly is easier than the conical shape.

상기 반사상면(21) 및 반사측면(23)은 일체로 형성될 수 있다. 상기 반사상면(21) 및 반사측면(23)은 동일한 물질을 포함할 수 있다.The reflective upper surface 21 and the reflective side surface 23 may be integrally formed. The reflective upper surface 21 and reflective side 23 may comprise the same material.

상기 반사부재(20)가 시트형태로 형성되는 경우 상기 반사부재(20)는 수지층, 발포 또는 충전제(확산제), 금속층 및 보호층을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 수지층은 PET, PC, PV, PP 등과 같은 물질로 형성되며, 황산바륨 또는 탄산칼륨과 같은 발포 또는 유/무기계 충전제를 그 내부에 포함할 수 있다. 상기 수지층의 일면에 알루미늄 또는 은과 같은 금속층이 형성되고, 금속층의 일면에 상기 반사부재(20)를 보호하기 위한 보호층이 형성된다.When the reflective member 20 is formed in the form of a sheet, the reflective member 20 may include a resin layer, a foam or a filler (a diffuser), a metal layer, and a protective layer. For example, the resin layer is formed of a material such as PET, PC, PV, PP and the like, and may contain therein a foaming or oil / inorganic filler such as barium sulfate or potassium carbonate. A metal layer such as aluminum or silver is formed on one surface of the resin layer and a protective layer for protecting the reflective member 20 is formed on one surface of the metal layer.

상기 반사부재(20)의 반사율 증대를 위한 무기계 충전제로는 황산바륨(BaSO4), 황산칼슘(CaSO4), 황산마그네슘(MgSO4), 탄산바륨(BaCO3), 탄산칼슘(CaCO3), 탄산칼륨(K2CO3), 염화마그네슘(MgCl2), 수산화알루미늄(Al(OH)3), 수산화마그네슘(Mg(OH)2), 수산화칼슘(Ca(OH)2), 이산화티탄(TiO2), 알루미나(Al2O3), 실리카(SiO2), 탈크(H2Mg3(SiO3)4 또는 Mg3Si4O10(OH)2), 제올라이트(Zeolite) 등이 있다. 또한, 반사 부재(20)는 금속층을 포함하지 않을 수도 있으며, 또한, 자외선 흡수 층(열화 방지층)이 추가로 수지층 일면에 포함되거나 수지층 내부에 포함될 수도 있다.Examples of the inorganic filler for increasing the reflectance of the reflective member 20 include barium sulfate (BaSO4), calcium sulfate (CaSO4), magnesium sulfate (MgSO4), barium carbonate (BaCO3), calcium carbonate (CaCO3) , Magnesium hydroxide (MgCl2), aluminum hydroxide (Al (OH) 3), magnesium hydroxide (Mg (OH) 2), calcium hydroxide (Ca (OH) 2), titanium dioxide (TiO2), alumina (Al2O3) ), Talc (H2Mg3 (SiO3) 4 or Mg3Si4O10 (OH) 2), and zeolite. In addition, the reflective member 20 may not include a metal layer, and an ultraviolet absorbing layer (deterioration preventing layer) may be further included on one surface of the resin layer or may be included in the resin layer.

상기 반사부재(20)의 두께는 0.015mm 내지 15mm일 수 있다. 상기 반사부재(20)의 반사도는 60% 내지 99.8%가 될 수 있다. 또한, 다른 실시 예에 따르면, 상기 반사부재(20)는 확산 패턴 또는 충전제를 포함하지 않으며, 반사도가 매우 높은 시트가 될 수 있다. 이 경우 상기 반사부재(20)의 반사도가 높아서 손실되는 광이 적어 결과적으로 출사되는 광의 조사량이 커질 수 있는 효과가 있다.The thickness of the reflective member 20 may be 0.015 mm to 15 mm. The reflectivity of the reflective member 20 may be 60% to 99.8%. Further, according to another embodiment, the reflective member 20 does not include a diffusion pattern or a filler, and can be a highly reflective sheet. In this case, since the reflectivity of the reflective member 20 is high, the amount of light to be lost is small, and as a result, the amount of light to be emitted can be increased.

상기 반사부재(20)의 광을 반사하는 표면에는 먼지 흡착을 방지하기 위한 광촉매제가 도포될 수 있다.A photocatalyst can be applied to the surface of the reflective member 20, which reflects light, to prevent the adsorption of dust.

상기 광촉매는 TiOx:D로 표현되는 티타늄 화합물을 포함할 수 있다. 여기서 D는 도펀트(dopant)를 의미하며, 상기 도펀트는 N, C, -OH, Fe, Cr, Co 또는 V를 포함할 수 있다. 상기 티타늄화합물은 이산화티타늄(TiO2) 또는 질산화티타늄(TiON)이 될 수 있으며, 미립자를 사용하여 친수성으로 코팅될 수 있다. 광촉매의 입자 직경은 수 nm 내지 수백 nm가 될 수 있다. 예를 들면, 광촉매의 입자 직경은 5nm 내지 900nm가 될 수 있다.The photocatalyst may include a titanium compound represented by TiOx: D. Here, D means a dopant, and the dopant may include N, C, -OH, Fe, Cr, Co or V. The titanium compound may be titanium dioxide (TiO2) or titanium nitrate (TiON), and may be coated with hydrophilic particles using fine particles. The particle diameter of the photocatalyst may be several nm to several hundred nm. For example, the particle diameter of the photocatalyst may be from 5 nm to 900 nm.

또한, 상기 광촉매는 광촉매를 포함한 바인더 또는 용액이 반사부재(20)의 표면에 도포되어 건조됨으로써 상기 반사 부재(20)에 도포되며, 광촉매를 포함한 바인더 또는 용액은 건조 후 두께가 0.05㎛ 내지 20㎛ 가 될 수 있다.The photocatalyst is coated on the reflective member 20 by applying a binder or a solution including a photocatalyst on the surface of the reflective member 20 and drying the binder or the solution. The binder or the solution containing the photocatalyst is dried to a thickness of 0.05 to 20 탆 .

상기 티타늄 화합물의 전기적 성질은 반도체 성질을 나타내며, 단파장(380nm) 이하의 자외선 또는 380nm 내지 780nm의 가시광선이 조사되면 여기상태가 되어 강력한 산화력을 나타내고, 화학적으로도 안정된 물질이다. 즉, 상기 티타늄 화합물은 자외선 또는 가시광선을 흡수하면 표면에서 전자와 정공이 생성되고, 생성된 전자와 정공은 대부분의 유해물질을 분해하는 역할을 수행한다.The electrical properties of the titanium compound exhibit a semiconducting property. The titanium compound exhibits a strong oxidizing power and is chemically stable when exposed to ultraviolet light having a short wavelength (380 nm) or less or visible light having a wavelength of 380 nm to 780 nm. That is, when the titanium compound absorbs ultraviolet rays or visible rays, electrons and holes are generated on the surface, and generated electrons and holes serve to decompose most harmful substances.

상기 광촉매는 친수성 효과를 가지고 있으며, 이에 따라 방진 효과가 있다. 즉, 광촉매 코팅 표면에 물을 뿌렸을 때 뿌려진 물방울과 기재 표면 사이의 접촉각이 작아져서 표면의 친수 효과가 나타나며, 이러한 성질에 따라 표면에 먼지 흡착을 방지하는 효과가 있다. The photocatalyst has a hydrophilic effect and thus has a dust-proof effect. That is, when the water is sprayed on the surface of the photocatalyst coating, the angle of contact between the droplet sprayed on the surface of the substrate and the surface of the substrate is reduced, and the hydrophilic effect of the surface is exhibited.

또한, 상기 광촉매는 각종 유기물질(탄소화합물)을 산화 및 분해력을 가지고 있으며, 이러한 기능에 의해 암모니아, 황화수소, 아세트알데히드, 트리메틸아민, 메틸메르캅산, 황화메틸, 이황화메틸, 스틸렌 등의 악취유발 물질을 분해함으로써 냄새 제거, 공기 정화, 살균/항균 등의 효과도 있다.The photocatalyst has the ability to oxidize and decompose various organic substances (carbon compounds). By virtue of this function, the photocatalyst is capable of oxidizing and decomposing various organic substances (carbon compounds), such as ammonia, hydrogen sulfide, acetaldehyde, trimethylamine, methylmercapthalene, methyl sulfide, It is possible to remove odors, purify air, and sterilize / antibacterial effects.

상기 광촉매는 상기 반사부재(20)의 표면에 액상으로 분사되어 도포될 수 있다. 즉, 사용자는 분사기구를 이용하여 액상의 광촉매를 상기 반사부재(20)의 표면에 뿌림으로써 간편하게 상기 반사부재(20)의 표면에 광촉매를 도포할 수 있다.The photocatalyst may be sprayed on the surface of the reflective member 20 in a liquid phase. That is, the user can easily apply the photocatalyst to the surface of the reflecting member 20 by spraying the liquid photocatalyst on the surface of the reflecting member 20 using the injection mechanism.

또한, 상기 광촉매는 상기 반사부재(20)의 표면에 스크린 프린팅 방식, 그라비아 프린팅 방식, 분사 방식, 분사 후 롤브러쉬 방식으로 도포될 수 있다.The photocatalyst may be applied to the surface of the reflective member 20 by a screen printing method, a gravure printing method, a spraying method, or a post-spraying roll brush method.

상기 스크린 프린팅은 인쇄용 스크린에 형성되어 있는 미세한 메시를 통해 광촉매가 포함되어 있는 액상이 균일하게 도포되는 프린팅 방식이며, 상기 그라비아 프린팅은 오목한 롤러에 묻어 있는 광촉매를 포함한 액체를 반사부재(20)의 표면에 도포하는 프린팅 방식이고, 상기 분사 방식은 광촉매가 포함된 액상을 표면에 분사하는 방식이며, 상기 분사 후 롤브러쉬 방식은 광촉매가 포함된 액상을 표면에 분사한 후 롤브러쉬로 균일하게 문질러 도포하는 방식이다. The screen printing is a printing method in which a liquid phase containing a photocatalyst is uniformly applied through a fine mesh formed on a screen for printing. The gravure printing is a method in which a liquid containing a photocatalyst buried in a concave roller is applied to the surface The spraying method is a method in which a liquid phase containing a photocatalyst is sprayed onto a surface, and the post-spraying roll brushing method is a method in which a liquid phase containing a photocatalyst is sprayed onto a surface thereof and then rubbed uniformly with a roll brush Method.

본 실시예에 따르면, 상기 프린팅 방식에 의해 대량의 반사부재(20)에 효율적으로 광촉매를 도포할 수 있는 장점이 있다.According to this embodiment, there is an advantage that the photocatalyst can be efficiently applied to a large amount of the reflective member 20 by the printing method.

또한, 상기 광촉매를 도포하기 전에 유기 또는 무기용제를 전처리할 수도 있다. 즉, 상기 반사부재(20) 의 표면에 유기 또는 무기용제로 유무기 오염물을 세정한 후 그 위에 광촉매를 도포할 수 있다. 여기서, 유기 또는 무기용제는 아세톤 또는 알코올 등과 같은 알칼리 약액과 중성세제 등이 될 수 있다.The organic or inorganic solvent may be pretreated before the photocatalyst is applied. That is, a photocatalyst can be coated on the surface of the reflective member 20 after the organic contaminants are washed with an organic or inorganic solvent. Here, the organic or inorganic solvent may be an alkaline chemical such as acetone or alcohol, a neutral detergent, or the like.

또한, 상기 반사부재(20)의 표면에 은나노 또는 알루미늄 나노로 형성된 코팅층을 형성한 후 그 위에 광촉매를 도포할 수도 있다. 은나노 또는 알루미늄 코팅층은 반사 보조 기구의 반사 효율을 높일 수 있는 장점이 있다.Also, a coating layer formed of silver nano or aluminum nano may be formed on the surface of the reflective member 20, and then a photocatalyst may be coated thereon. The silver nano or aluminum coating layer has an advantage of enhancing the reflection efficiency of the reflection auxiliary device.

또한, 상기 광촉매는 점성(viscosity)을 조절하는 첨가제를 더 포함할 수 있다.In addition, the photocatalyst may further include an additive for controlling the viscosity.

상기 반사부재(20)는 상기 프레임(10)의 내측에 도포되는 방법으로 형성될 수 있다. 상기 프레임(10)의 내측에 높은 반사율을 가지는 물질이 도포됨으로써 상기 높은 반사율을 가지는 물질이 상기 반사부재(20)를 구성할 수 있다.The reflective member 20 may be formed by a method of being applied to the inner side of the frame 10. A material having a high reflectance is applied to the inside of the frame 10, so that the reflective member 20 can be formed of a material having a high reflectance.

상기 반사부재(20)의 일부영역에는 형광층(25)이 형성될 수 있다. 상기 형광층(25)은 띠형상으로 형성될 수 있다. 상기 반사측면(23)의 일부영역에는 형광층(25)이 형성될 수 있다. 상기 형광층(25)은 상기 반사측면(23)의 내측면의 일부영역에 형성될 수 있다.A fluorescent layer 25 may be formed on a part of the reflective member 20. The fluorescent layer 25 may be formed in a strip shape. A fluorescent layer 25 may be formed on a part of the reflective side 23. The fluorescent layer 25 may be formed on a part of the inner side surface of the reflective side 23.

상기 형광층(25)은 상기 반사측면(23)에 부착될 수도 있고, 형광물질이 상기 반사측면(23)에 도포됨으로써 형성될 수도 있다.The fluorescent layer 25 may be attached to the reflective side 23 or may be formed by applying a fluorescent material to the reflective side 23.

상기 형광층(25)은 상기 반사측면(23)의 하부영역에 형성될 수 있다. 상기 형광층(25)은 광원(40)과 인접하는 반사측면(23)의 일부영역에 형성될 수 있다. 상기 형광층(25)은 상기 반사상면(21)으로부터 이격된 상기 반사측면(23)의 하부영역에 형성될 수 있다. 상기 형광층(25)은 상기 광원(40)과 인접하는 상기 반사측면(23)의 일단부에 접하여 형성될 수 있고, 상기 광원(40)과 인접하는 반사측면(23)의 일단부와 일정간격 이격되어 형성될 수도 있다.The fluorescent layer 25 may be formed in a lower region of the reflective side 23. The fluorescent layer 25 may be formed on a part of the reflective side 23 adjacent to the light source 40. The fluorescent layer 25 may be formed in a lower region of the reflective side 23 spaced from the reflective upper side 21. The fluorescent layer 25 may be formed in contact with one end of the reflective side 23 adjacent to the light source 40 and may be spaced apart from one end of the reflective side 23 adjacent to the light source 40, Or may be formed spaced apart.

상기 형광층(25)은 일정한 높이(h)를 가지며 형성될 수 있다. 상기 형광층(25)은 8mm 내지 16mm의 높이(h)를 가지고 형성될 수 있다. 바람직하게는 상기 형광층(25)은 16mm의 높이(h)를 가지고 형성될 수 있다.The fluorescent layer 25 may have a constant height h. The fluorescent layer 25 may have a height h of 8 mm to 16 mm. Preferably, the fluorescent layer 25 may have a height h of 16 mm.

상기 형광층(25)이 상기 광원(40)과 인접하는 상기 반사측면(23)의 일단부와 접하여 형성되며, 일정한 높이범위를 가짐으로써 상기 조명장치 하부에서 상기 형광층(25)이 시인되는 것을 방지할 수 있다. 다시 말해, 상기 형광층(25)이 상기 반사측면(23)의 일단부와 접하며, 일정한 높이범위를 가지도록 형성됨으로써 상기 지지부재(30)에 의해 상기 형광층(25)이 가려질 수 있어 상기 조명장치(9)의 하부에서 상기 형광층(25)이 시인되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 상기 지지부재(30)의 제1 돌출영역(31)에 의해 상기 형광층(25)이 시인되는 것이 방지될 수 있다.The fluorescent layer 25 is formed in contact with one end of the reflective side 23 adjacent to the light source 40 and has a constant height range so that the fluorescent layer 25 is visible under the illuminating device . In other words, since the fluorescent layer 25 is in contact with one end of the reflective side surface 23 and has a predetermined height range, the fluorescent layer 25 can be covered by the supporting member 30, It is possible to prevent the fluorescent layer 25 from being visible at the lower portion of the lighting apparatus 9. [ That is, the phosphor layer 25 can be prevented from being visually recognized by the first projecting region 31 of the support member 30. [

상기 형광층(25)은 무기 형광체 또는 유기 형광체를 포함할 수 있다. 상기 형광층(25)은 양자점(Quantum dot)을 포함할 수도 있다.The fluorescent layer 25 may include an inorganic fluorescent material or an organic fluorescent material. The fluorescent layer 25 may include a quantum dot.

상기 형광층(25)의 형광체의 농도는 10% 내지 50%일 수 있다. 바람직하게는 상기 형광층(25)의 형광체의 농도는 20%일 수 있다.The concentration of the phosphor of the fluorescent layer 25 may be 10% to 50%. Preferably, the concentration of the phosphor of the fluorescent layer 25 may be 20%.

상기 형광층(25)의 높이는 상기 형광체의 농도에 따라 변화할 수 있다. 예를 들어, 상기 형광층(25)의 농도가 상승하면, 상기 형광층(25)의 높이는 작아질 수 있다. 상기 형광층(25)의 높이가 크면 상기 반사부재(20)에 의해 반사되는 광이 줄어들어 광효율이 작아질 수 있으므로, 상기 형광층(25)의 농도가 원하는 색온도를 낼 수 있을 정도로 조절되면, 상기 형광층(25)의 높이를 작게 형성할 수 있다.The height of the fluorescent layer 25 may vary depending on the concentration of the fluorescent material. For example, when the concentration of the fluorescent layer 25 is increased, the height of the fluorescent layer 25 can be reduced. If the height of the fluorescent layer 25 is large, the light reflected by the reflecting member 20 may be reduced and the light efficiency may be reduced. Therefore, if the concentration of the fluorescent layer 25 is adjusted to a desired color temperature, The height of the fluorescent layer 25 can be reduced.

또한, 상기 형광층(25)의 높이는 상기 형광체의 크기에 따라 결정될 수 있다. 예를 들어, 상기 형광체의 크기가 큰 경우 작은 높이의 형광층(25)을 이용하더라도 원하는 색온도를 낼 수 있고, 이에 따라, 상기 형광층(25)의 높이를 작게 형성하여 광효율을 높일 수 있다.The height of the fluorescent layer 25 may be determined according to the size of the phosphor. For example, when the size of the phosphor is large, a desired color temperature can be obtained even if the phosphor layer 25 having a small height is used. Accordingly, the height of the phosphor layer 25 can be reduced to increase the light efficiency.

상기 형광체는 상기 광원(40)에서 발생되는 가시광 영역 이외의 다른 파장의 여기광을 생성할 수 있다.The phosphor may generate excitation light having a wavelength other than the visible light region generated by the light source 40.

상기 형광층(25)은 YBO3:Ce3+,Tb3+; BaMgAl10O17:Eu2+,Mn2+; (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu2+; ZnS:Cu,Al; Ca8Mg(SiO4)4Cl2: Eu2+,Mn2+; Ba2SiO4: Eu2+; (Ba,Sr)2SiO4:Eu2+; Ba2(Mg, Zn)Si2O7:Eu2+; (Ba,Sr)Al2O4: Eu2+; Sr2Si3O8.2SrCl2:Eu2+; (Sr,Mg,Ca)10(PO4)6Cl2:Eu2+; BaMgAl10O17:Eu2+ ; BaMg2Al16O27:Eu2+ ; Sr,Ca,Ba,Mg) P2O7:Eu2+,Mn2+,; (CaLa2S4:Ce3+; SrY2S4: Eu2+ ; (Ca,Sr)S: Eu2+; SrS:Eu2+ ; Y2O3: Eu3+,Bi3+; YVO4: Eu3+,Bi3+;Y2O2S:Eu3+,Bi3+; Y2O2S:Eu3+등으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나의 형광체로 이루어진 군에서 선택되는 물질일 수 있다.The fluorescent layer 25 is made of YBO3: Ce3 +, Tb3 +; BaMgAl10O17: Eu2 +, Mn2 +; (Sr, Ca, Ba) (Al, Ga) 2S4: Eu2 +; ZnS: Cu, Al; Ca8Mg (SiO4) 4Cl2: Eu2 +, Mn2 +; Ba2SiO4: Eu < 2 + >; (Ba, Sr) 2SiO4: Eu < 2 + >; Ba2 (Mg, Zn) Si2O7: Eu2 +; (Ba, Sr) Al 2 O 4: Eu 2+; Sr2Si3O8.2SrCl2: Eu2 +; (Sr, Mg, Ca) 10 (PO4) 6Cl2: Eu2 +; BaMgAl10O17: Eu < 2 + >; BaMg2Al16O27: Eu < 2 + >; Sr, Ca, Ba, Mg) P2O7: Eu < 2 + >, Mn < 2 + >; (CaLa2S4: Ce3 +, SrY2S4: Eu2 +, (Ca, Sr) S: Eu2 +, SrS: Eu2 +, Y2O3: Eu3 +, Bi3 +, YVO4: Eu3 +, Bi3 +, Y2O2S: Eu3 +, Bi3 +, Y2O2S: Eu3 + And may be a material selected from the group consisting of any one of phosphors.

상기 형광층(25)이 양자점을 포함하는 경우 상기 양자점은 제1 실시 예 및 제2 실시 예의 양자점일 수 있다.When the fluorescent layer 25 includes quantum dots, the quantum dots may be quantum dots of the first and second embodiments.

상기 형광층(25)은 적색 계열의 형광물질을 포함할 수 있다. 상기 형광층(25)이 적색 계열의 형광물질을 포함함으로써 상기 광원(40)으로부터의 광은 상기 형광층(25)에 반사되어 CRI(Color Rendering Index)를 상승시켜 외부로 출력될 수 있다. 또한, 상기 형광층(25)이 형광체 및/또는 양자점을 포함함으로써 원하는 색온도(CCT, Correlated Color Temperature)를 얻을 수 있는 효과가 있다.The fluorescent layer 25 may include a red fluorescent material. Since the fluorescent layer 25 includes a red fluorescent material, the light from the light source 40 may be reflected to the fluorescent layer 25 to increase the color rendering index (CRI) and be output to the outside. In addition, the fluorescent layer 25 includes a phosphor and / or a quantum dot, thereby achieving a desired color temperature (CCT).

상기 CRI는 같은 색온도를 가지는 자연광(black body radiation과 유사)과 인공적으로 제작한 조명을 동일한 사물에 조사한 경우, 상기 사물의 색상이 달라지는 정도를 나타내며, 자연광, 즉 흑체복사의 경우를 100으로 하여 인공적인 조명이 이에 얼마나 가까운지를 표시한다. CRI가 100에 근접할수록 발광 장치는 자연광에 근접한 백색광을 구현한다.The CRI represents the degree of change of the color of the object when the natural light (similar to black body radiation) having the same color temperature and the artificially produced illumination are irradiated to the same object, and the natural light, that is, the black body radiation, Indicating how close the illumination is to this. As the CRI approaches 100, the light emitting device implements white light close to natural light.

상기 형광층(25)에 의해 조명기구에서 출력되는 광의 CRI가 상승함으로써 자연광에 가까운 백색광을 출력할 수 있는 효과가 있다. 상기 형광층(25)과 같은 간이한 구조로 높은 CRI의 광을 출력할 수 있어, 패키지 구조에 따른 높은 CRI광 구현에 비해 제조단가가 절감되고, 패키징 공정에서 발생할 수 있는 불량을 줄일 수 있어, 제조수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.The CRI of the light output from the lighting device is increased by the fluorescent layer 25 so that white light close to natural light can be output. It is possible to output a high CRI light with a simple structure like the fluorescent layer 25, to reduce manufacturing cost compared with a high CRI light according to the package structure, to reduce defects that may occur in a packaging process, The manufacturing yield can be improved.

또한, 상기 형광층(25)의 형광체 및 양자점의 밀도와 종류를 조절하여 색온도를 제어할 수 있어, 간이한 방법으로 원하는 색온도의 광을 얻을 수 있는 효과가 있다.Further, the density and type of the fluorescent material and quantum dots of the fluorescent layer 25 can be controlled to control the color temperature, and light with a desired color temperature can be obtained with a simple method.

또한, 상기 형광층(25)의 형광체 및 양자점의 밀도와 종류를 조절하여 원하는 파장의 광을 출력할 수 있다. 예를 들어, 상기 형광층(25)에 포함된 양자점의 밀도와 종류를 조절하여 특정 파장의 광을 출력할 수 있다. 또는, 상기 형광층(25)에 포함된 양자점의 물성비를 조절하여 특정파장의 광을 출력할 수 있다. In addition, light of a desired wavelength can be output by controlling the density and type of the fluorescent material and quantum dots of the fluorescent layer 25. For example, the density and type of the quantum dots included in the fluorescent layer 25 can be controlled to output light of a specific wavelength. Alternatively, light of a specific wavelength can be output by adjusting the physical property of the quantum dot included in the fluorescent layer 25.

상기 형광층(25)에 포함된 양자점을 조절함으로써 상기 조명장치에서 출력되는 광의 파장 폭을 변경시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 형광층(25)에 포함된 양자점을 조절함으로써 상기 조명장치에서 출력되는 적색광의 폭을 조절함으로써 식물을 효과적으로 생장시킬 수 있는 식물생장 조명으로 이용될 수 있다. 도 12a의 종래의 일반 식물생장 조명에 비해, 도 12a의 실시 예에 따른 조명장치의 경우 양자점을 조절하여 적색광의 파장 폭을 넓힐 수 있고 이에 따라 동일한 전력으로 식물 생장에 이용되는 파장 폭이 큰 광을 출력할 수 있어 고효율의 식물생장 조명으로 이용될 수 있다.By adjusting the quantum dots included in the fluorescent layer 25, the wavelength width of the light output from the illumination device can be changed. For example, by controlling the quantum dots included in the fluorescent layer 25, the width of the red light output from the illumination device can be adjusted to effectively utilize the plant growth illumination. 12A, the wavelength of the red light can be widened by adjusting the quantum dots of the illumination device according to the embodiment of FIG. 12A, and accordingly, the light having a wide wavelength range It can be used as high-efficiency plant growth illumination.

상기 프레임(10) 및 상기 반사부재(20)의 일단에는 상기 지지부재(30)가 위치할 수 있다. 상기 지지부재(30)는 상기 반사부재(20)의 일단과 대응되는 형상으로 형성될 수 있다. 상기 지지부재(30)는 상기 프레임(10)의 일단과 대응되는 형상으로 형성될 수 있다. 상기 프레임(10) 및 상기 반사부재(20)의 일단은 원형의 띠 형상으로 형성되므로, 상기 지지부재(30)는 원형의 띠 형상으로 형성될 수 있다.The support member 30 may be positioned at one end of the frame 10 and the reflective member 20. The support member 30 may be formed in a shape corresponding to one end of the reflective member 20. The support member 30 may be formed in a shape corresponding to one end of the frame 10. Since one end of the frame 10 and one end of the reflection member 20 are formed in a circular strip shape, the support member 30 may be formed in a circular strip shape.

상기 지지부재(30)의 중앙영역은 개구될 수 있다. 상기 지지부재(30)의 중앙영역은 개구되어 출광영역(50)을 가질 수 있다. 즉, 상기 원형의 띠 형상의 지지부재(30)에 의해 상기 출광영역(50)이 정의될 수 있다. 상기 출광영역(50)의 둘레는 상기 지지부재(30)의 개구에 의해 한정될 수 있다.The central region of the support member 30 may be open. The central region of the support member 30 may be open to have an outgoing area 50. That is, the light-outgoing region 50 can be defined by the circular band-like support member 30. [ The periphery of the light outgoing area 50 may be defined by the opening of the support member 30. [

상기 출광영역(50)은 원형상으로 형성될 수 있다. 도시하지 않았지만, 상기 출광영역(50)에는 출광시트가 부착될 수 있다. 상기 출광시트는 상기 출광영역(50)으로 향하는 모든 광을 투과시킬 수 있다. 상기 출광시트는 상기 조명장치(9) 내부로 유입되는 이물을 차단시킬 수 있다. 상기 출광시트가 상기 조명장치(9) 내부로 유입되는 이물을 차단하여 상기 이물에 의해 상기 반사부재(20)의 반사율이 저하되는 것을 방지할 수 있다. The outgoing light region 50 may be formed in a circular shape. Although not shown, a light output sheet may be attached to the light outgoing area 50. The outgoing sheet can transmit all the light directed to the outgoing light area (50). The light-outgoing sheet can block foreign matter flowing into the lighting device 9. [ It is possible to prevent the foreign matter introduced into the illumination device 9 from being blocked by the outgoing sheet so that the reflectance of the reflection member 20 can be prevented from being lowered by the foreign matter.

도시하지 않았지만, 상기 지지부재(30)의 상면에는 반사시트가 부착될 수 있다. 상기 지지부재(30)의 상면에 부착되는 반사시트는 상기 반사부재(20)와 동일한 시트일 수 있다. 또는, 상기 지지부재(30)의 상면에는 반사물질이 도포될 수 있다.Although not shown, a reflective sheet may be attached to the upper surface of the support member 30. [ The reflective sheet attached to the upper surface of the support member 30 may be the same sheet as the reflective member 20. [ Alternatively, the upper surface of the support member 30 may be coated with a reflective material.

상기 지지부재(30)의 상면에 반사시트가 부착되거나 반사물질이 도포됨으로써 상기 지지부재(30)로 향하는 광을 상기 반사부재(20) 방향으로 반사시켜, 상기 출광영역(50)을 통해 방출할 수 있다. 이로써 상기 조명장치(10)의 광량이 증가하고, 동일 광량대비 소비전력을 절감할 수 있다.The reflection sheet is attached to the upper surface of the support member 30 or the reflection material is applied to reflect the light directed toward the support member 30 toward the reflection member 20 so as to be emitted through the outgoing area 50 . As a result, the amount of light of the lighting device 10 increases, and the power consumption of the same amount of light can be reduced.

도시하지 않았지만 상기 지지부재(30)는 방열부재를 더 포함할 수 있다. 또는 상기 지지부재(30)는 방열이 용이하도록 열전도도가 높은 물질로 구성될 수 있다. 상기 지지부재(30)는 열전도도가 높은 금속물질로 형성될 수 있다. 상기 지지부재(30) 의 방열능력이 향상됨으로써 상기 조명장치(9) 내의 열을 외부로 배출할 수 있어, 열에 의한 내부 구성의 손상을 방지할 수 있다.Although not shown, the support member 30 may further include a heat radiation member. Alternatively, the support member 30 may be formed of a material having high thermal conductivity to facilitate heat dissipation. The support member 30 may be formed of a metal material having high thermal conductivity. The heat dissipation capability of the support member 30 is improved, so that the heat in the illumination device 9 can be discharged to the outside, and damage to the internal structure due to heat can be prevented.

상기 지지부재(30)는 제1 돌출영역(31), 제2 돌출영역(33) 및 지지영역(35)을 포함할 수 있다. 상기 제1 돌출영역(31)은 상기 지지부재(30)의 내측에서 상기 반사상면(21) 방향으로 돌출될 수 있다. 상기 제2 돌출영역(33)은 상기 지지부재(30)의 외측에서 상기 반사상면(21) 방향으로 돌출될 수 있다. The support member 30 may include a first protruding region 31, a second protruding region 33, and a support region 35. The first protruding region 31 may protrude from the inside of the support member 30 toward the reflective upper surface 21. The second protruding region 33 may protrude from the outer side of the support member 30 toward the reflective upper surface 21.

상기 지지영역(35)은 상기 제1 돌출영역(31)과 제2 돌출영역(33)을 연결할 수 있다. 즉, 상기 제1 돌출영역(31) 및 제2 돌출영역(33)은 상기 지지영역(35)의 양측영역에서 상기 반사상면(21) 방향으로 돌출되어 형성될 수 있다. 상기 제1 돌출영역(31), 제2 돌출영역(33) 및 상기 지지영역(35)은 일체로 형성될 수 있다. 상기 지지영역(35)은 광원(40)을 지지할 수 있다.The support region 35 may connect the first protruding region 31 and the second protruding region 33 with each other. That is, the first protruding region 31 and the second protruding region 33 may protrude from both sides of the support region 35 toward the reflective upper surface 21. The first protruding region 31, the second protruding region 33, and the supporting region 35 may be integrally formed. The support region 35 may support the light source 40.

상기 제1 돌출영역(31)은 상기 지지영역(35)과 상기 출광영역(50) 사이에 형성될 수 있다. 상기 제1 돌출영역(31)은 상기 지지영역(35)과 출광영역(50) 사이에 형성됨으로써 상기 광원(40)으로부터 상기 출광영역(50)으로 직접 조사되는 광을 차단할 수 있다. 즉, 상기 제1 돌출영역(31)은 상기 광원(40)으로부터의 광이 상기 반사부재(20)에 의한 반사과정없이 상기 출광영역(50)으로 방출되는 것을 방지하여, 특정 각도에서의 눈부심을 방지할 수 있다.The first protruding region 31 may be formed between the support region 35 and the outgoing region 50. The first protruding region 31 may be formed between the support region 35 and the outgoing region 50 to block light directly irradiated from the light source 40 to the outgoing region 50. That is, the first protruding area 31 prevents the light from the light source 40 from being emitted to the outgoing area 50 without reflection process by the reflective member 20, .

상기 제1 돌출영역(31) 및 상기 제2 돌출영역(33)은 상기 지지영역(35)의 양측영역에 돌출되어 형성됨으로써 상기 프레임(10) 및 상기 반사부재(20)의 수평방향의 유동을 방지할 수 있다. 상기 제1 돌출영역(31) 및 제2 돌출영역(33)은 상기 프레임(10) 및 상기 반사부재(20)의 수평방향으로의 유동을 방지함으로써 상기 조명장치(9)의 안정성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 돌출영역(31, 33)은 상기 광원(40)의 수평방향의 유동을 방지할 수 있어 상기 조명장치(9)의 안정성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.The first protruding region 31 and the second protruding region 33 are protruded from both sides of the support region 35 so that the flow of the frame 10 and the reflection member 20 in the horizontal direction . The first projecting region 31 and the second projecting region 33 can improve the stability of the lighting apparatus 9 by preventing the horizontal movement of the frame 10 and the reflecting member 20 There is an effect. In addition, the first and second protruding regions 31 and 33 can prevent the light source 40 from flowing in the horizontal direction, thereby improving the stability of the illumination device 9.

상기 광원(40)은 상기 지지부재(30) 상에 배치될 수 있다. 상기 광원(40)은 상기 지지부재(30)의 지지영역(35) 상에 배치될 수 있다. 상기 광원(40)은 상기 지지부재(30)의 형상에 대응되도록 배치될 수 있다. 상기 광원(40)은 상기 반사부재(20)의 일단과 대응되는 형상으로 배치될 수 있다. 상기 광원(40)은 원형의 띠 형상으로 배치될 수 있다. 상기 광원(40)은 상기 출광영역(50)을 감싸는 형상으로 배치될 수 있다. 상기 광원(40)은 상기 출광영역(50)을 감싸는 폐루프 형상으로 배치될 수 있다. 상기 광원(40)은 상기 출광영역(50)의 둘레를 따라 배치될 수 있다.The light source (40) may be disposed on the support member (30). The light source 40 may be disposed on a support region 35 of the support member 30. The light source 40 may be arranged so as to correspond to the shape of the support member 30. The light source 40 may be disposed in a shape corresponding to one end of the reflective member 20. The light source 40 may be arranged in a circular band shape. The light source 40 may be arranged to surround the light-outgoing region 50. The light source 40 may be disposed in a closed loop shape surrounding the light outgoing area 50. The light source 40 may be disposed along the periphery of the outgoing light region 50.

상기 광원(40)은 다수의 발광 다이오드(41) 및 다수의 인쇄회로기판(43)을 포함할 수 있다.The light source 40 may include a plurality of light emitting diodes 41 and a plurality of printed circuit boards 43.

상기 발광 다이오드(41)는 LED(Light emitting diode) 또는 유기발광 다이오드(OLED, Organic light emitting diode)일 수 있다.The light emitting diode 41 may be a light emitting diode (LED) or an organic light emitting diode (OLED).

상기 발광 다이오드(41)는 상기 인쇄회로기판(43) 상에 형성될 수 있다. 상기 발광 다이오드(41)는 상기 인쇄회로기판(43)의 일면에 부착될 수 있다. 상기 발광 다이오드(41)는 상기 인쇄회로기판(43)에 실장될 수 있다. 상기 발광 다이오드(41)는 패키지 형태로 상기 인쇄회로기판(43)에 실장될 수도 있고, 상기 발광 다이오드는 COB(Chip on board)형태로 상기 인쇄회로기판(43)에 실장될 수도 있다.The light emitting diode 41 may be formed on the printed circuit board 43. The light emitting diode 41 may be attached to one surface of the printed circuit board 43. The light emitting diode 41 may be mounted on the printed circuit board 43. The light emitting diode 41 may be mounted on the printed circuit board 43 in the form of a package and the light emitting diode may be mounted on the printed circuit board 43 in the form of a chip on board (COB).

상기 다수의 발광 다이오드(41)는 상기 지지부재(30)의 형상에 대응되도록 배치될 수 있다. 상기 다수의 발광 다이오드(41)는 상기 반사부재(20)의 일단과 대응되는 형상으로 배치될 수 있다. 상기 다수의 발광 다이오드(41)는 원형의 띠 형상으로 배치될 수 있다. 상기 다수의 발광 다이오드(41)는 상기 출광영역(50)을 감싸는 형태로 배치될 수 있다, 상기 다수의 발광 다이오드(41)는 상기 출광영역(50)을 감싸는 폐루프 형상으로 배치될 수 있다. 상기 다수의 발광 다이오드(41)는 상기 출광영역(50)의 둘레를 따라 배치될 수 있다.The plurality of light emitting diodes 41 may be arranged to correspond to the shape of the support member 30. The plurality of light emitting diodes 41 may be disposed in a shape corresponding to one end of the reflective member 20. The plurality of light emitting diodes 41 may be arranged in a circular band shape. The plurality of light emitting diodes 41 may be arranged to surround the light outgoing area 50. The plurality of light emitting diodes 41 may be disposed in a closed loop shape surrounding the outgoing light area 50. [ The plurality of light emitting diodes 41 may be disposed along the periphery of the light output region 50.

상기 다수의 발광 다이오드(41)는 상기 다수의 인쇄회로기판(43) 상에 형성될 수 있다. 하나의 인쇄회로기판(43)에 다수의 발광 다이오드(41)가 실장될 수 있다. 상기 다수의 발광 다이오드(41)가 실장된 각각의 인쇄회로기판(43)은 연결배선(45)을 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.The plurality of light emitting diodes 41 may be formed on the plurality of printed circuit boards 43. A plurality of light emitting diodes 41 can be mounted on one printed circuit board 43. Each printed circuit board 43 on which the plurality of light emitting diodes 41 are mounted may be electrically connected to each other through a connection wiring 45.

상기 다수의 발광 다이오드(41)는 전원부(60)를 통해 상기 발광 다이오드(41)의 구동에 필요한 전원을 인가받을 수 있다. 상기 전원부(60)는 전원배선(61)을 통해 상기 인쇄회로기판(43)과 연결되어 상기 인쇄회로기판(43)으로 전원을 전달한다. 상기 전원부(60)로부터 전원을 인가받은 인쇄회로기판(43)은 실장된 발광 다이오드(41)에 전원을 공급함과 동시에 상기 연결배선(45)을 통해 인접하는 인쇄회로기판(43)으로 전원을 전달한다. 인접하는 인쇄회로기판(43) 또한 실장된 발광 다이오드(41)에 전원을 공급함과 동시에 연결배선(45)을 통해 다른 인쇄회로기판(43)으로 전원을 전달한다. 이를 반복하여, 상기 다수의 발광 다이오드(41)에 전원이 인가되어 모든 발광 다이오드(41)가 발광한다.The plurality of light emitting diodes 41 may receive power required for driving the light emitting diodes 41 through a power supply unit 60. The power supply unit 60 is connected to the printed circuit board 43 through a power supply line 61 to transmit power to the printed circuit board 43. The printed circuit board 43 receiving the power from the power supply unit 60 supplies power to the mounted LEDs 41 and supplies power to the adjacent printed circuit board 43 through the connection wiring 45. [ do. The adjacent printed circuit board 43 also supplies power to the mounted light emitting diode 41 and transfers power to the other printed circuit board 43 through the connection wiring 45. Then, power is applied to the plurality of light emitting diodes 41 so that all the light emitting diodes 41 emit light.

상기 전원부(60)는 교류를 직류로 변환하는 ADC(AC to DC convertor)를 포함할 수 있다. 상기 전원부(60)는 외부로부터의 교류전원을 직류전원으로 변환하여 상기 인쇄회로기판(43)으로 전달할 수 있다. 상기 전원부(60)는 변환된 직류전원을 감압하여 상기 인쇄회로기판(43)으로 전달할 수도 있다.The power supply unit 60 may include an AC to DC converter (ADC) that converts AC to DC. The power supply unit 60 converts AC power from the outside into DC power and transmits the DC power to the printed circuit board 43. The power supply unit 60 may reduce the converted direct current power and transmit the reduced direct current power to the printed circuit board 43.

상기 전원부(60)는 상기 조명장치(9)의 외부에 위치할 수 있다. 또는 상기 전원부(60)는 상기 조명장치(9)의 내부에 위치할 수 있다. 상기 전원부(60)가 상기 조명장치(9)의 내부에 위치하는 경우 도시하지 않았지만 상기 전원부(60)는 상기 다수의 인쇄회로기판(43) 중 적어도 어느 하나에 칩형태로 실장될 수 있다. The power supply unit 60 may be located outside the lighting device 9. [ Or the power supply unit 60 may be located inside the lighting device 9. [ Although not shown, the power supply unit 60 may be mounted on at least one of the plurality of printed circuit boards 43 in the form of a chip.

상기 전원부(60)가 ADC기능만을 포함하는 경우 상기 인쇄회로기판(43)에는 별도의 DC-DC convertor가 실장될 수 있다. 상기 DC-DC convertor는 상기 전원부(60)로부터 전달받은 전원전압을 상기 발광 다이오드(41)의 구동전압에 대응되도록 변환하여 상기 발광 다이오드(41) 및 인접하는 인쇄회로기판(43)으로 전달할 수 있다.If the power supply unit 60 includes only the ADC function, a separate DC-DC converter may be mounted on the printed circuit board 43. The DC-DC converter may convert the power supply voltage received from the power supply unit 60 to correspond to the driving voltage of the light emitting diode 41 and transmit the converted power supply voltage to the light emitting diode 41 and the adjacent printed circuit board 43 .

상기 전원부(60)가 상기 인쇄회로기판(43) 상에 실장됨으로써 별개의 전원부(60)없이 일체로 상기 조명장치(9)를 작동 및 설치할 수 있어, 설치와 이송이 용이한 장점이 있다.Since the power supply unit 60 is mounted on the printed circuit board 43, the lighting unit 9 can be operated and installed integrally without a separate power supply unit 60, which facilitates installation and transportation.

상기 인쇄회로기판(43)은 금속물질을 포함할 수 있다. 상기 인쇄회로기판(43)은 Al, Cu 등의 물질을 포함하는 메탈 PCB일 수 있다. 상기 인쇄회로기판(43)은 FR1, FR4, CEM1 PCB일 수 있다. 상기 인쇄회로기판은 에폭시 또는 페놀을 포함할 수 있다.The printed circuit board 43 may include a metallic material. The printed circuit board 43 may be a metal PCB including a material such as Al and Cu. The printed circuit board 43 may be a FR1, FR4, or CEM1 PCB. The printed circuit board may include epoxy or phenol.

또한, 상기 인쇄회로기판(43)은 외력에 의해 휠 수 있는 연성 인쇄회로기판일 수 있다.Also, the printed circuit board 43 may be a flexible printed circuit board that can be rotated by an external force.

상기 인쇄회로기판(43)은 충진부(47) 및 방열부(49)를 포함할 수 있다. The printed circuit board 43 may include a filling part 47 and a heat radiating part 49.

상기 충진부(47)는 상기 인쇄회로기판(43)의 뼈대 또는 틀이 되는 영역으로 상기 금속물질이 충진된 영역일 수 있다. 상기 방열부(49)는 상기 금속물질이 충진되지 않은 영역일 수 있다.The filler 47 may be a region where the metal material is filled into a skeleton or a frame of the printed circuit board 43. The heat dissipation unit 49 may be a region where the metal material is not filled.

상기 방열부(49)는 상기 금속물질이 충진되지 않은 빈 공간일 수 있다. 상기 방열부(49)는 상기 인쇄회로기판(43)의 내부에 형성될 수 있다. 상기 방열부(49)는 상기 인쇄회로기판(43)의 측면을 따라 형성될 수도 있다. 상기 방열부(49)를 통해 상기 충진부(47)는 외부와의 접촉면적이 넓어지고, 이에 따라 상기 발광 다이오드(41) 및 인쇄회로기판(43)에서 발생한 열이 용이하게 외부로 빠져나갈 수 있다. 이에 따라, 열에 의한 상기 발광 다이오드(41) 및 인쇄회로기판(43)의 불량을 줄일 수 있는 효과가 있다.The heat dissipation unit 49 may be an empty space in which the metal material is not filled. The heat radiating portion 49 may be formed inside the printed circuit board 43. The heat radiating portion 49 may be formed along the side surface of the printed circuit board 43. The area of contact with the outside of the filling part 47 is widened through the heat dissipating part 49 so that the heat generated in the light emitting diode 41 and the printed circuit board 43 can easily escape to the outside have. Accordingly, there is an effect that the defects of the light emitting diode 41 and the printed circuit board 43 due to heat can be reduced.

또한, 상기 발광 다이오드(41)로부터의 열은 상기 인쇄회로기판(43)을 통해 상기 지지부재(30)로 전달되고, 열전도도가 높은 상기 지지부재(30)는 외부로 열을 배출하여 열에 의한 상기 발광 다이오드(41) 및 인쇄회로기판(43)의 손상을 줄일 수 있다.The heat from the light emitting diode 41 is transmitted to the support member 30 through the printed circuit board 43 and the support member 30 having a high thermal conductivity discharges heat to the outside, The damage of the light emitting diode 41 and the printed circuit board 43 can be reduced.

상기 반사상면(21)은 일정한 폭(d)을 가질 수 있고, 상기 반사측면(23)은 일정한 높이(l)를 가질 수 있다. The reflective upper surface 21 may have a constant width d and the reflective side 23 may have a constant height l.

상기 반사측면(23)의 높이(l) 대비 상기 반사상면(21)의 폭(d)의 비율은 1:1.9 내지 1:4.3일 수 있다.The ratio of the height d of the reflective upper surface 21 to the height l of the reflective side 23 may be 1: 1.9 to 1: 4.3.

바람직하게는 상기 반사측면(23)의 높이(l) 대비 상기 반사상면(21)의 폭(d)의 비율은 1:2 내지 1:4일 수 있다. 상기 반사측면(23)의 높이(l)와 상기 반사상면(21)의 폭(d)이 상기와 같은 비율을 가질 때, 광효율이 상승하고 감소율이 작아지는 효과가 있다.Preferably, the ratio of the height d of the reflective upper surface 21 to the height l of the reflective side 23 may be 1: 2 to 1: 4. When the height l of the reflecting side surface 23 and the width d of the reflecting top surface 21 have the above ratios, the light efficiency increases and the reduction rate decreases.

더욱 바람직하게는, 상기 반사측면(23)의 높이(l) 대비 상기 반사상면(21)의 폭(d) 비율이 1:2.2 내지 1:3.3인 경우 1:2.2 미만 및 1:3.3 초과인 경우 대비 높은 광효율을 가지고, 상대적으로 낮은 감소율을 가진다.More preferably, when the ratio of the width d of the reflective upper surface 21 to the height l of the reflective side surface 23 is 1: 2.2 to 1: 3.3, the ratio is less than 1: 2.2 and more than 1: 3.3 Has a relatively high light efficiency, and has a relatively low reduction rate.

상기 반사측면(23)의 높이(l) 대비 상기 반사상면(21)의 폭(d) 비율이 1:2.2 내지 1:3.3의 비율로 상기 반사측면(23) 및 상기 반사상면(21)을 형성하여 광효율을 향상시켜 조명장치의 소비전력을 줄일 수 있는 효과가 있다.The reflective side 23 and the reflective upper side 21 are formed at a ratio of 1: 2.2 to 1: 3.3 in the ratio of the height d of the reflective side 23 to the width d of the reflective upper side 21 Thereby improving the light efficiency and reducing the power consumption of the lighting apparatus.

또한, 상기 반사측면(23)의 높이(l)을 3cm 내지 7cm로 형성하여 광효율을 향상시킬 수 있다. 바람직하게는, 상기 반사측면(23)의 높이(l)를 4cm 내지 6cm로 형성하여 조명장치의 소비전력을 줄일 수 있다.In addition, the height (1) of the reflecting side surface 23 may be 3 cm to 7 cm to improve the light efficiency. Preferably, the height (1) of the reflecting side surface 23 is set to 4 cm to 6 cm, so that the power consumption of the lighting apparatus can be reduced.

또한, 상기 반사측면(23)을 밑변 대비 높이를 10:1 내지 20:3 비율을 가지는 사각형상으로 형성할 수 있다. 상기 반사측면(23)의 밑변 대비 높이를 10:1 내지 20:3 비율로 형성함으로써 광효율을 향상시킬 수 있다.In addition, the reflective side surface 23 may be formed in a rectangular shape having a base-to-base contrast ratio of 10: 1 to 20: 3. The light efficiency can be improved by forming the height of the bottom side of the reflective side surface 23 at a ratio of 10: 1 to 20: 3.

상기 반사부재(20)를 원통형상으로 형성함으로써 원뿔형 대비 광원(40)으로부터 출광되는 광의 반사횟수를 줄일 수 있어 원뿔형의 반사부재에 비해 광효율을 향상시킬 수 있다.By forming the reflecting member 20 in a cylindrical shape, the number of times of reflection of the light emitted from the light source 40 with respect to the conical shape can be reduced, so that the light efficiency can be improved as compared with the conical reflecting member.

도 13는 실시 예에 따른 조명장치의 시간에 따른 파장별 강도를 나타내는 도면이다.13 is a graph showing the intensity of a lighting apparatus according to an exemplary embodiment with respect to time.

도 13a는 종래의 양자점을 포함하는 형광층이 도포된 조명장치의 시간에 따른 파장별 강도를 나타내는 도면이고, 도 13b는 제2 실시 예에 따른 양자점을 포함하는 형광층이 도포된 조명장치의 시간에 따른 파장별 강도를 나타내는 도면이다.FIG. 13A is a graph showing intensity with time of an illumination device coated with a fluorescent layer including a quantum dot according to the related art, FIG. 13B is a graph showing intensity with time of a lighting device coated with a fluorescent layer containing a quantum dot according to the second embodiment And FIG.

표 5는 종래의 양자점을 포함하는 형광층이 도포된 조명장치와 제2 실시 예에 따른 양자점을 포함하는 형광층이 도포된 조명장치의 작동시간에 따른 출력광의 파장별 강도를 나타내는 표이다.Table 5 shows the intensity of the output light according to the operating time of the illumination device coated with the fluorescent layer including the conventional quantum dots and the illumination device coated with the fluorescent layer containing the quantum dots according to the second embodiment.

구분division 특성characteristic 초기상태Initial state 후기상태Late state 종래의 양자점을 포함하는 형광층이 도포된 조명장치Conventional lighting apparatuses coated with fluorescent layers containing quantum dots lmlm 661661 536536 lm/Wlm / W 64.664.6 53.753.7 CRICRI 94.394.3 86.886.8 제2 실시 예에 따른 양자점을 포함하는 형광층이 도포된 조명장치The illuminating device coated with the fluorescent layer containing the quantum dots according to the second embodiment lmlm 661661 659659 lm/Wlm / W 64.664.6 65.065.0 CRICRI 94.394.3 93.693.6

도 13a 및 표 5를 참조하면, 종래의 양자점을 포함하는 형광층이 도포된 조명장치의 경우에는 초기상태에 비해 발광 후 500시간이 경과한 후기 상태에서 광도와 광효율 및 CRI가 큰폭으로 감소한다.Referring to FIGS. 13A and 5B, in the case of a conventional illumination device coated with a fluorescent layer containing a quantum dot, luminous efficiency, light efficiency, and CRI are greatly reduced in a state of 500 hours after light emission compared with the initial state.

이에 반해, 도 13b 및 도 5의 제2 실시 예에 따른 양자점을 포함하는 형광층이 도포된 조명장치의 경우에는 초기상태에 비해 발광 후 500시간이 경과한 후기상태에서도 광도, 광효율 및 CRI의 변화가 작다.On the other hand, in the case of the illuminating device coated with the fluorescent layer including the quantum dot according to the second embodiment of FIG. 13B and FIG. 5, the luminous efficiency, the light efficiency and the change of the CRI even after the lapse of 500 hours Is small.

즉, 상기 제2 실시 예에 따른 양자점을 포함하는 형광층이 도포된 조명장치의 경우 양자점의 열 안정성이 확보되어 장시간 발광이 되더라도 온도에 따라 양자점의 효율에 변화가 없어 제품의 안정성이 향상될 수 있는 효과가 있다.That is, in the case of the illumination device coated with the fluorescent layer including the quantum dot according to the second embodiment, the thermal stability of the quantum dots is ensured, and even if the light is emitted for a long time, the efficiency of the quantum dots does not change according to the temperature, There is an effect.

도 14는 다른 실시 예에 따른 조명장치를 나타내는 도면이다.14 is a view showing a lighting apparatus according to another embodiment.

도 14의 다른 실시 예에 따른 조명장치는 도 6 내지 도 11의 일 실시 예에 비해 형광층(25)의 형성영역이 상이하고, 나머지 구성은 동일하다. 따라서, 다른 실시 예를 설명함에 있어서, 일 실시 예와 공통되는 구성에 대해서는 상세한 설명을 생략한다.The illumination device according to another embodiment of Fig. 14 differs from the embodiment of Figs. 6 to 11 in the formation region of the fluorescent layer 25, and the remaining components are the same. Therefore, in explaining another embodiment, a detailed description is omitted for the configuration common to the embodiment.

도 14를 참조하면, 다른 실시 예에 따른 조명장치(109)는 프레임(110), 반사부재(120) 및 지지부재(130)를 포함할 수 있다.14, the illumination device 109 according to another embodiment may include a frame 110, a reflection member 120, and a support member 130. [

상기 프레임(110)은 원기둥 형상으로 형성될 수 있다. 상기 반사부재(120)는 원기둥 형상으로 형성될 수 있다.The frame 110 may be formed in a cylindrical shape. The reflective member 120 may have a cylindrical shape.

상기 반사부재(120)는 반사상면(121) 및 반사측면(123)을 포함할 수 있다. 상기 반사상면(121)은 원형상을 가질 수 있다. 상기 반사측면(123)은 사각형상의 전개도를 가질 수 있다. 상기 반사측면(123)은 직사각형 형상을 가질 수 있다.The reflective member 120 may include a reflective upper surface 121 and reflective side surfaces 123. The reflective upper surface 121 may have a circular shape. The reflective side 123 may have a developed view in a rectangular shape. The reflective side surface 123 may have a rectangular shape.

상기 반사부재(120)의 일부영역에는 형광층(125)이 형성될 수 있다. 상기 형광층(125)은 상기 반사측면(123) 상에 형성될 수 있다. 상기 형광층(125)은 상기 반사측면(123)의 내면에 형성될 수 있다. 상기 형광층(125)은 상기 반사측면(123)의 전면에 형성될 수 있다. 상기 형광층(125)은 상기 반사측면(123)에 대응되는 형상으로 형성될 수 있다.A fluorescent layer 125 may be formed on a part of the reflective member 120. The fluorescent layer 125 may be formed on the reflective side 123. The fluorescent layer 125 may be formed on the inner surface of the reflective side 123. The fluorescent layer 125 may be formed on the front surface of the reflective side 123. The fluorescent layer 125 may have a shape corresponding to the reflecting side 123.

상기 형광층(125)을 상기 반사측면(123)의 전영역에 형성함으로써 상기 광원(140)으로부터 출력되는 광 중 형광층(125)에 입사되는 광의 비율이 상승하여 상기 조명장치(109)가 비교적 균질한 파장대의 광을 출력할 수 있다.By forming the fluorescent layer 125 in the entire area of the reflective side surface 123, the ratio of the light incident on the fluorescent layer 125 of the light output from the light source 140 increases, It is possible to output light of a uniform wavelength band.

도 15는 또 다른 실시 예에 따른 반사부재의 저면 사시도이다.15 is a bottom perspective view of a reflective member according to another embodiment.

도 15의 또 다른 실시 예에 따른 반사부재는 도 6 내지 도 11의 일 실시 예와 비교하여 형광층의 형상이 상이하고, 나머지 구성은 동일하다. 따라서, 도 15의 또 다른 실시 예를 설명함에 있어서, 일 실시 예와 공통되는 구성에 대해서는 상세한 설명을 생략한다.The reflective member according to another embodiment of FIG. 15 differs from that of the embodiment of FIGS. 6 to 11 in the shape of the fluorescent layer, and the remaining components are the same. Therefore, in explaining another embodiment shown in FIG. 15, detailed description of the same configuration as that of the embodiment will be omitted.

도 15를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 반사부재(220)는 반사상면(221) 및 반사측면(223)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 15, the reflective member 220 according to another embodiment of the present invention may include a reflective upper surface 221 and a reflective side surface 223.

상기 반사측면(223)에는 다수의 형광띠(225)가 형성될 수 있다. 상기 다수의 형광띠(225)는 띠 형상을 가질 수 있다. 상기 형광띠(225)는 상기 반사측면(223)에 부착될 수도 있고, 형광물질이 상기 반사측면(223)에 도포됨으로써 형성될 수 있다.A plurality of fluorescent bands 225 may be formed on the reflective side 223. The plurality of fluorescent strips 225 may have a band shape. The fluorescent band 225 may be attached to the reflective side 223 or may be formed by applying a fluorescent material to the reflective side 223.

상기 형광띠(225)는 상기 반사측면(223)의 하부영역에 형성될 수 있다. 상기 형광띠(225)는 상기 광원(40)이 인접하는 상기 반사측면(223)의 일부영역에 형성될 수 있다. 상기 형광띠(225)는 상기 반사상면(221)으로부터 이격된 상기 반사측면(223)의 하부영역에 형성될 수 있다. 상기 형광띠(225)는 상기 광원(40)과 인접하는 상기 반사측면(223)의 일단부와 일정간격 이격되어 형성될 수 있다.The fluorescent band 225 may be formed in a lower region of the reflective side 223. The fluorescent band 225 may be formed in a part of the reflective side surface 223 adjacent to the light source 40. The fluorescent band 225 may be formed in a lower region of the reflective side 223 spaced apart from the reflective upper side 221. The fluorescent band 225 may be spaced apart from the one end of the reflective side 223 adjacent to the light source 40 by a predetermined distance.

상기 형광띠(225)는 사각형상으로 형성될 수 있다. 상기 형광띠(225)는 직사각형상으로 형성될 수 있다. 상기 형광띠(225)는 인접하는 형광띠와 일정한 이격거리를 가지도록 형성될 수 있다. 상기 형광띠(225)는 일정한 높이를 가지고, 일정한 폭을 가지도록 형성될 수 있다.The fluorescent band 225 may be formed in a rectangular shape. The fluorescent band 225 may be formed in a rectangular shape. The fluorescent band 225 may be formed to have a predetermined distance from the adjacent fluorescent band. The fluorescent band 225 may have a constant height and a constant width.

상기 형광띠(225)는 8mm 내지 16mm의 높이를 가지도록 형성될 수 있다. 상기 형광띠(225)는 50mm 내지 100mm의 폭을 가질 수 있다. 상기 형광띠(225)의 폭과 높이는 일정비율을 가지도록 형성될 수 있다. 상기 형광띠(225)의 폭과 높이의 비율은 8:25 내지 2:25일 수 있다. 인접하는 형광띠(225)는 10mm 내지 15mm의 이격거리를 가질 수 있다.The fluorescent band 225 may be formed to have a height of 8 mm to 16 mm. The fluorescent band 225 may have a width of 50 mm to 100 mm. The width and the height of the fluorescent band 225 may be formed to have a predetermined ratio. The ratio of the width to the height of the fluorescent band 225 may be 8:25 to 2:25. The adjacent fluorescent band 225 may have a separation distance of 10 mm to 15 mm.

상기 형광띠(225)는 무기 형광체 또는 유기 형광체를 포함할 수 있다. 상기 형광띠(225)는 양자점을 포함할 수 있다.The fluorescent band 225 may include an inorganic fluorescent material or an organic fluorescent material. The fluorescent band 225 may include a quantum dot.

상기 형광층이 다수의 형광띠(225)로 형성됨으로써 높은 CRI의 광을 출력할 수 있는 효과가 있고, 균질한 파장의 광을 출력할 수 있는 효과가 있다.Since the fluorescent layer is formed of a plurality of fluorescent bands 225, it is possible to output light with a high CRI, and it is possible to output light having a uniform wavelength.

도 16는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 조명장치에 대한 단면도이다.16 is a sectional view of a lighting apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 16의 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 조명장치는 도 6 내지 도 11의 본 발명의 일 실시 예와 비교하여 보조 형광층이 더 형성된 것 이외에는 동일하다. 따라서, 본 발명의 또 다른 실시 예를 설명함에 있어서, 본 발명의 일 실시 예와 공통되는 구성에 대해서는 상세한 설명을 생략한다The illumination device according to another embodiment of the present invention shown in FIG. 16 is the same as the illumination device according to the present invention shown in FIGS. 6 to 11 except that the auxiliary fluorescent layer is further formed. Therefore, in describing still another embodiment of the present invention, detailed description of the configuration common to the embodiment of the present invention will be omitted

도 16를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 조명장치(309)는 반사부재(320)를 포함한다. 상기 반사부재(320)는 반사상면(321) 및 반사측면(323)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 16, a lighting apparatus 309 according to another embodiment of the present invention includes a reflective member 320. The reflective member 320 may include a reflective upper surface 321 and a reflective side surface 323.

상기 반사측면(323)의 일부영역에는 형광층(325)이 형성될 수 있다. 상기 형광층(325)은 상기 반사측면(323)에 부착될 수도 있고, 형광물질이 상기 반사측면(323)에 도포됨으로써 형성될 수 있다.A fluorescent layer 325 may be formed on a part of the reflective side 323. The fluorescent layer 325 may be attached to the reflective side 323 and the fluorescent material may be applied to the reflective side 323.

상기 조명장치(9)는 보조 형광층(327)을 더 포함할 수 있다. 상기 보조 형광층(327)은 상기 광원(340)과 인접한 영역에 형성될 수 있다. 상기 보조 형광층(327)은 상기 광원(340)을 기준으로 상기 형광층(325)의 반대 영역에 형성될 수 있다. 상기 보조 형광층(327)은 상기 광원(340)을 사이에 두고 상기 형광층(325)과 대면하며 형성될 수 있다. 즉, 상기 형광층(325)과 보조 형광층(327) 사이에 상기 광원(340)이 위치할 수 있다.The illumination device 9 may further include an auxiliary fluorescent layer 327. [ The auxiliary fluorescent layer 327 may be formed in a region adjacent to the light source 340. The auxiliary fluorescent layer 327 may be formed on the opposite side of the fluorescent layer 325 with respect to the light source 340. The auxiliary fluorescent layer 327 may be formed to face the fluorescent layer 325 with the light source 340 interposed therebetween. That is, the light source 340 may be positioned between the fluorescent layer 325 and the auxiliary fluorescent layer 327.

상기 보조 형광층(327)은 상기 형광층(325)과 동일한 형상으로 형성될 수 있다. 상기 보조 형광층(327)은 상기 형광층(325)과 대응되는 크기로 형성될 수 있다. 상기 보조 형광층(327)은 상기 형광층(325)과 동일한 높이를 가질 수 있다. The auxiliary fluorescent layer 327 may have the same shape as the fluorescent layer 325. The auxiliary fluorescent layer 327 may have a size corresponding to the fluorescent layer 325. The auxiliary fluorescent layer 327 may have the same height as the fluorescent layer 325.

상기 형광층(325)이 다수의 형광띠를 포함하는 경우 상기 보조 형광층(327) 또한 다수의 보조 형광띠를 포함할 수 있다. 상기 보조 형광층(327)의 폭 및 이격거리는 상기 다수의 형광띠와 대응되도록 형성될 수 있다. 즉, 상기 다수의 형광띠(325)는 출광영역(50)의 중심점을 기준으로 원형상으로 배열되며, 상기 다수의 보조 형광띠 또한 상기 출광영역(50)의 중심점을 기준으로 원형상으로 배열된다. 상기 다수의 형광띠(325)는 일정한 원주를 따라 배열되며, 상기 보조 형광띠 또한 일정한 원주를 따라 배열되는데, 상기 중심점으로부터의 상기 다수의 형광띠(325)까지의 거리가 상기 보조 형광띠까지의 거리와 달라진다. 이로써 상기 다수의 형광띠(325)가 배열되는 원주가 상기 다수의 보조 형광띠가 배열되는 원주가 달라지고, 달라지는 원주의 비율에 따라 이와 대응되도록 상기 보조 형광띠의 폭 및 이격거리가 결정될 수 있다.When the fluorescent layer 325 includes a plurality of fluorescent bands, the auxiliary fluorescent layer 327 may include a plurality of auxiliary fluorescent bands. The width and the separation distance of the auxiliary fluorescent layer 327 may correspond to the plurality of fluorescent bands. That is, the plurality of fluorescent bands 325 are arranged in a circular shape with respect to the center point of the outgoing region 50, and the plurality of auxiliary fluorescent bands are arranged in a circular shape with respect to the center point of the outgoing region 50 . The plurality of fluorescent bands (325) are arranged along a constant circumference, and the auxiliary fluorescent bands are also arranged along a certain circumference. The distance from the center point to the plurality of fluorescent bands (325) It is different from the distance. As a result, the circumferences where the plurality of fluorescent bands 325 are arranged vary in the circumferential direction in which the plurality of auxiliary fluorescent bands are arranged, and the width and the separation distance of the auxiliary fluorescent bands are determined so as to correspond to the ratio of the circumferential .

상기 보조 형광층(327)은 상기 형광층(325)과 동일한 물질로 형성될 수 있다.The auxiliary fluorescent layer 327 may be formed of the same material as the fluorescent layer 325.

상기 광원(340)으로부터 출력되는 광은 상기 형광층(325) 및 보조 형광층(327)에 의해 반사되어 출력됨으로써 CRI가 상승하고, 균질한 파장영역대 광으로 출력될 수 있다.The light output from the light source 340 is reflected by the fluorescent layer 325 and the auxiliary fluorescent layer 327 and is output, so that the CRI can be raised and output as homogeneous wavelength band light.

상기와 같이 보조 형광층(327)을 구비함으로써 별도의 패키지 공정을 생략하더라도 원하는 색온도의 광을 출력할 수 있고, CRI를 상승시킬 수 있으며, 균질한 파장영역대 광을 출력할 수 있는 효과가 있다. 이를 통해 제조단가가 절감되고, 패키징 공정에서의 불량을 방지할 수 있어 제조수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.By providing the auxiliary fluorescent layer 327 as described above, even if a separate packaging process is omitted, light with a desired color temperature can be output, CRI can be increased, and uniform wavelength range light can be output . As a result, the manufacturing cost can be reduced, defects in the packaging process can be prevented, and the manufacturing yield can be improved.

상기 보조 형광층(327)은 상기 지지부재(330) 상에 형성될 수 있다. 상기 보조 형광층(327)은 상기 지지부재(330)의 제1 돌출영역(331) 상에 형성될 수 있다. 상기 보조 형광층(327)은 상기 제1 돌출영역(331)에 부착되어 형성될 수도 있고, 상기 제1 돌출영역(31)에 형광물질을 코팅함으로써 형성될 수도 있다.The auxiliary phosphor layer 327 may be formed on the support member 330. The auxiliary phosphor layer 327 may be formed on the first protruding region 331 of the support member 330. The auxiliary fluorescent layer 327 may be attached to the first protruding region 331 or may be formed by coating the first protruding region 31 with a fluorescent material.

상기에서는 본 발명에 따른 실시예를 기준으로 본 발명의 구성과 특징을 설명하였으나 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 사상과 범위 내에서 다양하게 변경 또는 변형할 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자에게 명백한 것이며, 따라서 이와 같은 변경 또는 변형은 첨부된 특허청구범위에 속함을 밝혀둔다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be apparent to those skilled in the art that changes or modifications may fall within the scope of the appended claims.

1: 양자점
3: 코어
5: 쉘
7: 무기 리간드
9: 비드
1: Quantum dot
3: Core
5: Shell
7: Inorganic ligand
9: Bead

Claims (15)

광을 조사하는 광원;
상기 광원으로부터의 광을 출광영역으로 반사시키는 반사부재; 및
상기 반사부재의 일부영역상에 형성되는 형광층을 포함하고,
상기 반사부재는 상기 광원과 대향하는 반사상면과 사각형상의 반사측면을 포함하며,
상기 형광층은 상기 반사측면에 형성되며,
상기 형광층은 표면에 무기리간드 및 비드가 도포된 양자점을 포함하는 조명장치.
A light source for emitting light;
A reflecting member for reflecting the light from the light source to an outgoing light area; And
And a fluorescent layer formed on a part of the reflective member,
Wherein the reflective member includes a reflective upper side facing the light source and a rectangular reflective side,
Wherein the fluorescent layer is formed on the reflective side,
Wherein the fluorescent layer comprises a quantum dot on which an inorganic ligand and a bead are coated.
제1항에 있어서,
상기 반사부재의 하부에 배치되고, 상기 광원을 지지하는 지지부재를 더 포함하며,
상기 형광층은 상기 지지부재와 인접한 상기 반사측면의 일부영역 상에 형성되는 조명장치.
The method according to claim 1,
Further comprising a support member disposed below the reflection member and supporting the light source,
Wherein the fluorescent layer is formed on a portion of the reflective side adjacent to the support member.
제2항에 있어서,
상기 양자점은 상기 형광층의 일부영역에 형성되는 조명장치.
3. The method of claim 2,
And the quantum dot is formed in a part of the fluorescent layer.
제3항에 있어서,
상기 양자점은 상기 형광층 중 상기 지지부재와 이격된 영역에만 형성되는 조명장치.
The method of claim 3,
Wherein the quantum dot is formed only in a region of the fluorescent layer that is spaced apart from the support member.
제1항에 있어서,
상기 형광층은 서로 이격된 다수의 형광띠를 포함하는 조명장치.
The method according to claim 1,
Wherein the fluorescent layer comprises a plurality of fluorescent strips spaced apart from each other.
코어-쉘 구조를 가지는 양자점; 및
상기 양자점 표면에 형성되는 무기 리간드 및 비드를 포함하는 양자점.
A quantum dot having a core-shell structure; And
And quantum dots including inorganic ligands and beads formed on the surfaces of the quantum dots.
제6항에 있어서,
상기 무기 리간드는 에테르계 화합물, 불포화 탄화수소류 또는 올레산 중 적어도 하나를 포함하는 양자점.
The method according to claim 6,
Wherein the inorganic ligand comprises at least one of an ether compound, an unsaturated hydrocarbon, or oleic acid.
제7항에 있어서,
상기 에테르계 화합물은 트리옥틸 포스핀 옥사이드(tri-n-octylphosphine oxide, TOPO), 알킬포스핀(alkylphosphine), 옥틸 에티르(octyl ether) 및 벤질 에테르(benzyl ether) 중 적어도 하나를 포함하는 양자점.
8. The method of claim 7,
Wherein the ether compound comprises at least one of tri-n-octylphosphine oxide (TOPO), alkylphosphine, octyl ether, and benzyl ether.
제7항에 있어서,
상기 불포화 탄화수소류는 옥테인(octane) 및 옥타데케인(Octadecane) 중 적어도 하나를 포함하는 양자점.
8. The method of claim 7,
Wherein the unsaturated hydrocarbons include at least one of octane and octadecane.
제7항에 있어서,
상기 유기산은 올레산(oleic acid), 스테아르산(stearic acid), 미리스트산(Myristic acid) 및 헥사데카노익산(hexadecanoic acid) 중 적어도 하나를 포함하는 양자점.
8. The method of claim 7,
Wherein the organic acid comprises at least one of oleic acid, stearic acid, Myristic acid, and hexadecanoic acid.
제6항에 있어서,
상기 양자점 대비 무기 리간드의 양은 1:1000 내지 1:100인 양자점.
The method according to claim 6,
Wherein the amount of the inorganic ligand relative to the quantum dot is 1: 1000 to 1: 100.
제6항에 있어서,
상기 비드는 ZnSt2, SiO2 및 TiO2 중 적어도 하나를 포함하는 양자점.
The method according to claim 6,
Wherein the bead comprises at least one of ZnSt2, SiO2 and TiO2.
제6항에 있어서,
상기 비드는 상기 양자점 대비 1wt% 내지 100wt%인 양자점.
The method according to claim 6,
Wherein the bead is 1 wt% to 100 wt% of the quantum dot.
제6항에 있어서,
상기 비드는 제1 비드 및 제2 비드를 포함하고,
상기 제1 비드 및 제2 비드는 서로 다른 물질인 양자점.
The method according to claim 6,
Wherein the bead comprises a first bead and a second bead,
Wherein the first bead and the second bead are different materials.
제6항 내지 제14항 중 어느 한 항의 양자점을 포함하는 필름.
A film comprising the quantum dot of any one of claims 6 to 14.
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