KR20180103243A - Quantum Dot, Film and Lighting device - Google Patents
Quantum Dot, Film and Lighting device Download PDFInfo
- Publication number
- KR20180103243A KR20180103243A KR1020170029871A KR20170029871A KR20180103243A KR 20180103243 A KR20180103243 A KR 20180103243A KR 1020170029871 A KR1020170029871 A KR 1020170029871A KR 20170029871 A KR20170029871 A KR 20170029871A KR 20180103243 A KR20180103243 A KR 20180103243A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- fluorescent layer
- light
- reflective
- quantum dot
- fluorescent
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V7/00—Reflectors for light sources
- F21V7/22—Reflectors for light sources characterised by materials, surface treatments or coatings, e.g. dichroic reflectors
- F21V7/28—Reflectors for light sources characterised by materials, surface treatments or coatings, e.g. dichroic reflectors characterised by coatings
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V7/00—Reflectors for light sources
- F21V7/22—Reflectors for light sources characterised by materials, surface treatments or coatings, e.g. dichroic reflectors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
- C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
Abstract
Description
실시 예는 양자점에 관한 것이다.Embodiments relate to quantum dots.
실시 예는 양자점을 포함하는 필름에 관한 것이다.Embodiments relate to films comprising quantum dots.
실시 예는 조명장치에 관한 것이다.An embodiment relates to a lighting device.
양자점(quantum dot)은 수 나노미터 크기의 결정 구조를 갖는 반도체 물질로서 동일한 물질의 벌크 반도체와 불연속 분자 사이의 특성을 나타낸다. 양자 구속 효과(quantum confinement effect)와 큰 표면 대 부피비로 인하여 동일한 물질에서 크기를 변화시킴에 따라 물리적, 화학적, 전기적 특성의 조절이 가능하므로, 양자점은 새로운 물성 조절 방법 및 재료로서 큰 관심을 받아 왔다.A quantum dot is a semiconductor material having a crystal structure of a few nanometers in size and exhibits properties between a bulk semiconductor and a discontinuous molecule of the same material. The quantum confinement effect and the large surface-to-volume ratio allow the physical, chemical and electrical properties to be controlled by changing the size of the same material, so the quantum dot has attracted great interest as a new material control method and material .
종래의 양자점은 코어-쉘 구조로 형성되며, 양자점 표면에 유기 리간드가 결합된다.Conventional quantum dots are formed in a core-shell structure, and organic ligands bind to the surface of the quantum dots.
상기 유기 리간드가 결합된 양자점의 경우 고온에서 양자점의 발광 특성이 저하되는 문제점이 있었다.In the case of the quantum dots to which the organic ligands are bonded, the emission characteristics of the quantum dots are deteriorated at high temperatures.
상기 유기 리간드가 결합된 양자점이 조명장치에 사용되는 경우에는 조명장치의 발열에 의해 양자점의 발광 특성이 저하되어 원하는 색상의 광을 출력하지 못하는 문제점이 있다.When the quantum dots to which the organic ligands are bonded are used in an illumination device, the emission characteristics of the quantum dots are lowered due to heat generation of the illumination device, and thus light of a desired color can not be output.
실시 예는 열 안정성이 향상된 양자점을 제공한다.The examples provide quantum dots with improved thermal stability.
실시 예는 양자효율이 향상된 조명장치를 제공한다. The embodiment provides an illumination device with improved quantum efficiency.
실시 예에 따른 양자점은, 코어-쉘 구조를 가지는 양자점; 및 상기 양자점 표면에 형성되는 무기 리간드 및 비드를 포함한다.A quantum dot according to an embodiment includes a quantum dot having a core-shell structure; And inorganic ligands and beads formed on the surface of the quantum dots.
실시 예에 따른 조명장치는, 광을 조사하는 광원; 상기 광원으로부터의 광을 출광영역으로 반사시키는 반사부재; 및 상기 반사부재의 일부영역상에 형성되는 형광층을 포함하고, 상기 반사부재는 상기 광원과 대향하는 반사상면과 사각형상의 반사측면을 포함하며, 상기 형광층은 상기 반사측면에 형성되며, 상기 형광층은 표면에 무기리간드 및 비드가 도포된 양자점을 포함한다.An illumination apparatus according to an embodiment includes: a light source for emitting light; A reflecting member for reflecting the light from the light source to an outgoing light area; And a fluorescent layer formed on a part of the reflective member, wherein the reflective member includes a reflective upper surface facing the light source and a rectangular reflective side, the fluorescent layer being formed on the reflective side, The layer comprises quantum dots coated with inorganic ligands and beads on the surface.
실시 예에 따른 양자점은 양자점 표면에 무기 리간드가 형성되어 열 안정성이 향상되는 효과가 있다.The quantum dot according to the embodiment has an effect of improving the thermal stability by forming an inorganic ligand on the surface of the quantum dot.
실시 예에 따른 조명장치는 양자점 표면에 비드를 형성한 형광층을 포함함으로써 양자 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.The illumination device according to the embodiment has the effect of improving the quantum efficiency by including the fluorescent layer in which beads are formed on the surface of the quantum dots.
도 1은 제1 실시 예에 따른 양자점을 나타내는 도면이다.
도 2는 제1 실시 예에 따른 양자점을 가열한 경우 발광세기를 나타내는 도면이다.
도 3은 제1 실시 예에 따른 양자점을 포함한 필름을 가열한 경우 발광 세기를 나타내는 도면이다.
도 4는 제2 실시 예에 따른 양자점을 나타내는 도면이다.
도 5는 비교 예와 제2 실시 예에 따른 양자점에서의 광의 세기를 나타내는 도면이다.
도 6은 일 실시 예에 따른 조명장치의 대한 사시도이다.
도 7은 일 실시 예에 따른 조명장치의 분해 사시도이다.
도 8은 일 실시 예에 따른 반사부재의 저면 사시도이다.
도 9은 일 실시 예에 따른 조명장치의 단면도이다.
도 10은 일 실시 예에 따른 지지부재 및 광원을 나타내는 상면도이다.
도 11은 도 10의 A-A`영역을 따라 절단한 단면도이다.
도 12는 실시 예에 따른 조명장치에 의해 출력되는 파장을 나타내는 도면이다.
도 13는 실시 예에 따른 조명장치의 시간에 따른 파장별 강도를 나타내는 도면이다.
도 14는 다른 실시 예에 따른 조명장치를 나타내는 도면이다.
도 15은 또 다른 실시 예에 따른 반사부재의 저면 사시도이다.
도 16는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 조명장치에 대한 단면도이다.FIG. 1 is a diagram showing a quantum dot according to the first embodiment. FIG.
2 is a graph showing the intensity of light emitted when the quantum dot according to the first embodiment is heated.
FIG. 3 is a graph showing the light emission intensity when the film including the quantum dot according to the first embodiment is heated.
FIG. 4 is a diagram showing a quantum dot according to the second embodiment. FIG.
5 is a graph showing the intensity of light in quantum dots according to the comparative example and the second embodiment.
6 is a perspective view of a lighting apparatus according to an embodiment.
7 is an exploded perspective view of a lighting apparatus according to an embodiment.
8 is a bottom perspective view of a reflective member according to one embodiment.
9 is a cross-sectional view of a lighting apparatus according to an embodiment.
10 is a top view showing a support member and a light source according to an embodiment.
11 is a cross-sectional view taken along the line AA 'in Fig.
12 is a diagram showing wavelengths output by a lighting apparatus according to an embodiment.
13 is a graph showing the intensity of a lighting apparatus according to an exemplary embodiment with respect to time.
14 is a view showing a lighting apparatus according to another embodiment.
15 is a bottom perspective view of a reflecting member according to still another embodiment.
16 is a sectional view of a lighting apparatus according to another embodiment of the present invention.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세하게 설명한다. 다만, 본 발명의 사상은 제시되는 실시예에 제한되지 아니하고, 본 발명의 사상을 이해하는 당업자는 동일한 사상의 범위 내에서 다른 구성요소를 추가, 변경, 삭제 등을 통하여, 퇴보적인 다른 발명이나 본 발명 사상의 범위 내에 포함되는 다른 실시예를 용이하게 제안할 수 있을 것이나, 이 또한 본원 발명 사상 범위 내에 포함된다고 할 것이다. Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the inventive concept. Other embodiments falling within the scope of the inventive concept may readily be suggested, but are also considered to be within the scope of the present invention.
또한, 각 실시예의 도면에 나타나는 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성요소는 동일한 참조부호를 사용하여 설명한다.The same reference numerals are used to designate the same components in the same reference numerals in the drawings of the embodiments.
실시 예에 따른 양자점은, 코어-쉘 구조를 가지는 양자점; 및 상기 양자점 표면에 형성되는 무기 리간드 및 비드를 포함한다.A quantum dot according to an embodiment includes a quantum dot having a core-shell structure; And inorganic ligands and beads formed on the surface of the quantum dots.
상기 무기 리간드는 에테르계 화합물, 불포화 탄화수소류 또는 올레산 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The inorganic ligand may include at least one of an ether compound, an unsaturated hydrocarbon, or oleic acid.
상기 에테르계 화합물은 트리옥틸 포스핀 옥사이드(tri-n-octylphosphine oxide, TOPO), 알킬포스핀(alkylphosphine), 옥틸 에티르(octyl ether) 및 벤질 에테르(benzyl ether) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The ether compound may include at least one of tri-n-octylphosphine oxide (TOPO), alkylphosphine, octyl ether, and benzyl ether .
상기 불포화 탄화수소류는 옥테인(octane) 및 옥타데케인(Octadecane) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The unsaturated hydrocarbons may include at least one of octane and octadecane.
상기 유기산은 올레산(oleic acid), 스테아르산(stearic acid), 미리스트산(Myristic acid) 및 헥사데카노익산(hexadecanoic acid) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The organic acid may include at least one of oleic acid, stearic acid, myristic acid, and hexadecanoic acid.
상기 양자점 대비 무기 리간드의 양은 1:1000 내지 1:100일 수 있다.The amount of the inorganic ligand relative to the quantum dot may be from 1: 1000 to 1: 100.
상기 비드는 ZnSt2, SiO2 및 TiO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The beads may comprise at least one of ZnSt2, SiO2 and TiO2.
상기 비드는 상기 양자점 대비 1wt% 내지 100wt%일 수 있다.The beads may be 1 wt% to 100 wt% of the quantum dots.
상기 비드는 제1 비드 및 제2 비드를 포함하고, 상기 제1 비드 및 제2 비드는 서로 다른 물질일 수 있다. The beads include a first bead and a second bead, and the first bead and the second bead may be different materials.
실시 예에 따른 필름은 상기의 양자점을 포함할 수 있다. The film according to an embodiment may include the above quantum dots.
실시 예에 따른 조명장치는, 광을 조사하는 광원; 상기 광원으로부터의 광을 출광영역으로 반사시키는 반사부재; 및 상기 반사부재의 일부영역상에 형성되는 형광층을 포함하고, 상기 반사부재는 상기 광원과 대향하는 반사상면과 사각형상의 반사측면을 포함하며, 상기 형광층은 상기 반사측면에 형성되며, 상기 형광층은 표면에 무기리간드 및 비드가 도포된 양자점을 포함한다.An illumination apparatus according to an embodiment includes: a light source for emitting light; A reflecting member for reflecting the light from the light source to an outgoing light area; And a fluorescent layer formed on a part of the reflective member, wherein the reflective member includes a reflective upper surface facing the light source and a rectangular reflective side, the fluorescent layer being formed on the reflective side, The layer comprises quantum dots coated with inorganic ligands and beads on the surface.
상기 반사부재의 하부에 배치되고, 상기 광원을 지지하는 지지부재를 더 포함하며, 상기 형광층은 상기 지지부재와 인접한 상기 반사측면의 일부영역 상에 형성될 수 있다.And a support member disposed at a lower portion of the reflective member and supporting the light source, wherein the fluorescent layer may be formed on a portion of the reflective side adjacent to the support member.
상기 양자점은 상기 형광층의 일부영역에 형성될 수 있다.The quantum dot may be formed in a part of the fluorescent layer.
상기 양자점은 상기 형광층 중 상기 지지부재와 이격된 영역에만 형성될 수있다.The quantum dot may be formed only in a region of the fluorescent layer that is spaced apart from the support member.
상기 형광층은 서로 이격된 다수의 형광띠를 포함할 수 있다.The fluorescent layer may include a plurality of fluorescent bands spaced apart from each other.
이하에서는 도면과 함께 본 발명의 실시 예를 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
도 1은 제1 실시 예에 따른 양자점을 나타내는 도면이다.FIG. 1 is a diagram showing a quantum dot according to the first embodiment. FIG.
도 1을 참조하면, 제1 실시 예에 따른 양자점(1)은 코어(3)와 쉘(5)을 포함한다.Referring to FIG. 1, a
상기 쉘(5)은 상기 코어(3) 상에 도포될 수 있다. 상기 코어(4) 및 쉘(5) 각각은 단일층 또는 2이상 층으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 양자점(1)은 코어-쉘-쉘 구조를 가질 수 있으며, 예를 들면, CdSe/CdS/ZnS로 구성될 수 있다.The
상기 양자점(1)은 나노크기의 반도체 물질로서 양자제한(quantum confinement) 효과를 나타내는 물질이다. 이러한 양자점(1)은 여기원 (excitation source)으로부터 빛을 흡수하여받아 에너지 여기 상태에 이르면, 자체적으로 해당하는 양자점(1)의 에너지 밴드 갭 (band gap)에 해당하는 에너지를 방출하게 된다. 따라서, 양자점(1)의 크기 또는 물질 조성을 조절하게 되면 해당에너지 밴드 갭(band gap)을 조절할 수 있게 되어 다양한 빛을 발광할 수 있어 전자소자의 발광체로 이용될 수 있다.The
상기 나노크기의 반도체 물질은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 화합물 또는 이들의 혼합물 중에서 선택될 수 있다.The nano-sized semiconductor material may be selected from Group II-VI compounds, Group III-V compounds, Group IV-VI compounds, Group IV compounds, or mixtures thereof.
상기 II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe 등의 이원소 화합물 또는 CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe 등의 삼원소 화합물 또는 HggZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 등의 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.CdSeS, CdSeS, CdSeS, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, HgSe, HgTe, ZnTe, ZnSe, ZnTe, ZnO, A trivalent compound such as CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, or a ternary compound such as HggZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe have.
상기 III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 등의 이원소 화합물 또는 GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 등의 삼원소 화합물 또는 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 등의 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.The group III-V compound may be one of GaN, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, GaN, GaN, GaN, GaN, GaN, AlN, AlN, AlN, InAlPb, InAlPb, InAlPb, InAlPb, InAlPb, InAlPb, InAlPb, InAlPb, InAlPb, InAlPb, InAlPb, InAlPb, InAlPb, InAlPb, , And the like.
상기 IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 등의 이원소 화합물 또는 SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 등의 삼원소 화합물 또는 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 등의 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.The IV-VI compound may be at least one selected from the group consisting of ternary compounds such as SnSeS, SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe and SnPbTe, SnPbSSe, SnPbSeTe , SnPbSTe, and the like.
상기 IV족 화합물은 Si, Ge 등의 단일 원소 화합물 또는 SiC, SiGe 등의 이원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.The Group IV compound may be selected from the group consisting of single element compounds such as Si and Ge, or these element compounds such as SiC and SiGe.
상기 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물의 경우, 그 결정구조는 부분적으로 나누어져 동일 입자 내에 존재하거나 합금 형태로 존재할 수 있다.In the case of the elemental compound, the trivalent compound, or the silane compound, the crystal structure thereof may be partially contained and exist in the same particle or in the form of an alloy.
상기 양자점(1)의 표면에는 무기 리간드(7)가 도포될 수 있다.The surface of the
상기 무기 리간드(5)는 상기 양자점(1)의 표면에 배위결합될 수 있다.The inorganic ligand (5) may be coordinately bonded to the surface of the quantum dot (1).
상기 무기 리간드(5)는 에테르계 화합물, 불포화 탄화수소류 및 유기산 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 무기 리간드(5)로 사용되는 용매는 에테르계 화합물, 불포화 탄화수소류 및 유기산 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The inorganic ligand (5) may include at least one of an ether compound, an unsaturated hydrocarbon, and an organic acid. The solvent used as the inorganic ligand (5) may include at least one of ether compounds, unsaturated hydrocarbons and organic acids.
상기 에테르계 화합물은 트리옥틸 포스핀 옥사이드(tri-n-octylphosphine oxide, TOPO), 알킬포스핀(alkylphosphine), 옥틸 에티르(octyl ether) 및 벤질 에테르(benzyl ether) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The ether compound may include at least one of tri-n-octylphosphine oxide (TOPO), alkylphosphine, octyl ether, and benzyl ether .
상기 불포화 탄화수소류는 옥테인(octane) 및 옥타데케인(Octadecane) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The unsaturated hydrocarbons may include at least one of octane and octadecane.
상기 유기산은 올레산(oleic acid), 스테아르산(stearic acid), 미리스트산(Myristic acid) 및 헥사데카노익산(hexadecanoic acid) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The organic acid may include at least one of oleic acid, stearic acid, myristic acid, and hexadecanoic acid.
상기 양자점(1)의 표면상에 상기 무기 리간드(7)가 도포됨으로써 열안정성이 향상될 수 있다. 즉, 상기 양자점(1)의 표면상에 상기 무기 리간드(7)가 도포됨으로써 상기 양자점(1)에 열이 가해지더라도 발광 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.The inorganic ligand (7) is coated on the surface of the quantum dot (1) to improve the thermal stability. That is, since the
상기 양자점(1) 대비 상기 무기 리간드(7)의 양은 1:1000 내지 1:100일 수 있다. 상기 양자점(1) 대비 상기 무기 리간드(7)의 양이 1:000 내지 1:100 인 경우 효과적인 열안정성 향상효과가 있고, 양자점 효율도 저하되지 않을 수 있다.The amount of the
상기 양자점(1) 대비 상기 무기 리간드(7)의 양이 1:1000보다 작으면, 상기한 열 안정성 효과가 작고, 상기 양자점(1) 대비 상기 무기 리간드(7)의 양이 1:100보다 크면 양자점 효율이 저하되는 문제점이 있다.When the amount of the
도 2는 제1 실시 예에 따른 양자점을 가열한 경우 발광세기를 나타내는 도면이다.2 is a graph showing the intensity of light emitted when the quantum dot according to the first embodiment is heated.
표 1는 비교 예와 제1 실시 예의 양자점의 발광세기, 반치폭 및 양자효율을 나타내는 표이다.Table 1 shows the emission intensity, half band width and quantum efficiency of the quantum dots in the comparative example and the first embodiment.
표 1 및 도 2에서 비교 예는 무기 리간드(7)를 첨가하지 않은 종래의 양자점을 나타내고, 제1 실시 예는 도 1의 무기 리간드(7)가 도포된 양자점(1)을 나타낸다.The comparative examples in Table 1 and Fig. 2 show conventional quantum dots without the addition of the inorganic ligand (7), and the first embodiment shows the quantum dots (1) coated with the inorganic ligand (7) in Fig.
표 1 및 도 2에서 제1 실시 예 및 비교 예의 양자점을 150도의 온도로 가열한 후 특성을 측정하였다.In Table 1 and FIG. 2, the quantum dots of the first and comparative examples were heated to a temperature of 150 degrees and then their properties were measured.
그 결과 제1 실시 예는 비교 예에 비해 발광세기가 12% 크고, 양자효율도 8%가 크다. 또한, 출력되는 광의 파장 범위를 나타내는 반치폭은 거의 변함이 없다.As a result, the luminescence intensity of the first embodiment is 12% larger and the quantum efficiency is 8% larger than that of the comparative example. In addition, the half width of the wavelength range of the output light does not substantially change.
표 1 및 도 2에서 나타난 바와 같이 제1 실시 예의 경우 비교 예에 비해 큰발광 효율 및 양자효율을 가진다. 즉, 무기 리간드(7)를 도포하는 경우 150도로 가열한다고 하더라도, 상기 양자점(1)의 특성 변화가 상기 무기 리간드(7)를 도포하지 않는 경우보다 작다. 따라서, 상기 양자점(1)에 무기 리간드(7)를 도포함으로써 열 안정성이 향상되는 효과가 있다.As shown in Table 1 and FIG. 2, the first embodiment has a larger luminous efficiency and quantum efficiency than the comparative example. That is, even when the
도 3은 제1 실시 예에 따른 양자점을 포함한 필름을 가열한 경우 발광 세기를 나타내는 도면이다.FIG. 3 is a graph showing the light emission intensity when the film including the quantum dot according to the first embodiment is heated.
표 2는 비교 예와 제1 실시 예의 양자점을 포함한 필름의 발광세기, 반치폭 및 양자효율을 나타내는 표이다.Table 2 shows the emission intensity, half band width and quantum efficiency of the film including the quantum dots of the comparative example and the first embodiment.
표 2 및 도 3에서 비교 예는 무기 리간드(7)를 첨가하지 않은 종래의 양자점을 포함하는 필름을 나타내고, 제1 실시 예는 도 1의 무기 리간드(7)가 도포된 양자점(1)을 포함하는 필름을 나타낸다.The comparative example in Table 2 and Fig. 3 shows a conventional quantum dot-containing film without addition of the
표 2 및 도 3에서 제1 실시 예 및 비교 예의 양자점을 포함하는 필름을 150도로 가열한 후 특성을 측정하였다.In Table 2 and FIG. 3, the film including the quantum dots of the first and comparative examples was heated to 150 degrees and then the characteristics were measured.
그 결과 제1 실시 예의 필름은 비교 예의 필름에 비해 발광세기가 306% 크고, 양자효율도 22%가 크다. 또한 출력되는 광의 파장 범위를 나타내는 반치폭은 거의 변함이 없다. As a result, the film of the first embodiment has a light emission intensity as high as 306% and a quantum efficiency as high as 22% as compared with the film of the comparative example. And the half width showing the wavelength range of the outputted light is hardly changed.
표2 및 도 3에서 나타난 바와 같이 제1 실시 예의 필름은 비교 예의 필름에비해 큰 발광효율과 양자효율을 가진다. 즉, 무기 리간드(7)를 도포하는 경우 150도로 가열한다고 하더라도, 상기 양자점(1)의 특성 변화가 상기 무기 리간드(7)를 도포하지 않는 경우보다 작다. 따라서, 상기 양자점(1)에 무기 리간드(7)를 도포함으로써 양자점(1)을 포함하는 필름의 열 안정성이 향상되는 효과가 있다.As shown in Table 2 and Fig. 3, the film of the first embodiment has a larger luminous efficiency and quantum efficiency than the film of the comparative example. That is, even when the
도 4는 제2 실시 예에 따른 양자점을 나타내는 도면이다.FIG. 4 is a diagram showing a quantum dot according to the second embodiment. FIG.
제2 실시 예에 따른 양자점은 제1 실시 예와 비교하여 양자점이 비드를 더 포함하는 것 이외에는 동일하다. 따라서, 제2 실시 예를 설명함에 있어서, 제1 실시 예와 공통되는 구성에 대해서는 동일한 도면번호를 부여하고 상세한 설명을 생략한다.The quantum dot according to the second embodiment is the same as the quantum dot according to the first embodiment except that the quantum dot further includes a bead. Therefore, in describing the second embodiment, the same reference numerals are assigned to the same components as those of the first embodiment, and a detailed description thereof is omitted.
도 4를 참조하면, 제2 실시 예에 따른 양자점(1)은 코어(3) 및 쉘(5)을 포함한다.Referring to FIG. 4, the
상기 양자점(1)의 표면에는 무기 리간드(7)가 도포될 수 있다. 상기 양자점(1)은 비드(8)를 포함할 수 있다. 상기 비드(8)는 상기 무기 리간드(7) 내부에 위치할 수 있다. 상기 비드(8)의 적어도 일부는 상기 무기 리간드(7)의 표면에 위치할 수도 있고, 상기 비드(8)는 상기 무기 리간드(7)와 상기 양자점(1) 사이에 위치할 수 있다.The surface of the
상기 비드(8)는 ZnSt2, ZnAc, ZnCl, ZnO, TiO2, SIO2 및 CuO2 중 적어도 어느하나를 포함할 수 있다.The
상기 양자점(1)이 상기 비드(8)를 포함함으로써 상기 양자점(1)의 양자효율이 상승할 수 있다.The quantum efficiency of the
상기 비드(8)는 상기 양자점(1) 대비 1wt% 내지 100wt%일 수 있다.The
상기 비드(8)를 상기 양자점(1) 대비 1wt% 내지 100wt%로 함으로써 양자효율을 상승시킬 수 있다. 상기 비드(8)와 상기 양자점(1)의 중량비가 1wt% 미만인 경우 또는 100wt%초과인 경우 양자효율 상승 효과가 없거나 작아진다.The quantum efficiency can be increased by making the
상기 비드(8)는 제1 비드 및 제2 비드를 포함할 수 있다. 상기 제1 비드 및 제2 비드는 서로 다른 물질일 수 있다. 상기 제1 비드는 TiO2일 수 있고, 상기 제2 비드는 ZnSt2일 수 있다. 상기와 같이 서로 다른 물질을 가지는 비드를 포함하는 경우 상기 양자점의 양자효율이 보다 더 증가할 수 있다.The
도 5는 비교 예와 제2 실시 예에 따른 양자점에서의 광의 세기를 나타내는 도면이다.5 is a graph showing the intensity of light in quantum dots according to the comparative example and the second embodiment.
표 3은 비교 예와 제2 실시 예에 따른 양자점의 양자효율을 나타내는 표이다.Table 3 is a table showing the quantum efficiency of quantum dots according to the comparative example and the second embodiment.
도 5 및 표 3에서 비교 예는 무기 리간드와 비드가 첨가되지 않은 양자점을 나타내고, 제2 실시 예는 비드가 첨가된 양자점을 나타낸다. 여기서 사용된 비드는 ZnSt2이며, ZnSt2의 중량비를 조절하며 양자효율 및 광의 세기를 측정하였다.5 and Table 3 show quantum dots to which inorganic ligands and beads are not added and quantum dots to which beads are added in the second embodiment. The beads used here were ZnSt2, and the quantum efficiency and light intensity were measured by controlling the weight ratio of ZnSt2.
비교 예에서의 양자효율은 20%이고, 광의 세기의 피크 값은 약 3000이고, 제2 실시 예에서 ZnSt2의 중량비가 0.1wt%인 경우 양자효율은 33%이고, 광의 세기의 피크 값은 약 10000이며, 제2 실시 예에서 ZnSt2의 중량비가 0.5wt%인 경우 양자효율은 45%이고, 광의 세기의 피크 값은 약 29000이며, 제2 실시 예에서 ZnSt2의 중량비가 1.0wt%인 경우 양자효율은 47%이고, 광의 세기의 피크 값은 약 30000이다.The quantum efficiency in the comparative example is 20%, the peak value of the light intensity is about 3000, the quantum efficiency is 33% when the weight ratio of ZnSt2 is 0.1 wt% in the second embodiment, and the peak value of the light intensity is about 10000 , The quantum efficiency is 45% and the peak value of the light intensity is about 29000 when the weight ratio of ZnSt2 is 0.5 wt%. When the weight ratio of ZnSt2 is 1.0 wt% in the second embodiment, 47%, and the peak value of the light intensity is about 30000.
비교 예에 비해, 제2 실시 예의 경우 양자효율이 증가하고 광의 세기가 큰 효과가 있다. 특히, 제2 실시 예에서 ZnSt2 비드의 중량비가 0.5wt% 내지 1.0wt%인 경우 다른 경우에 비해 양자효율이 크게 증가하고, 광의 세기 또한 크게 증가해 양자점의 특성이 향상되는 효과가 있다.Compared to the comparative example, the quantum efficiency increases and the light intensity increases in the second embodiment. In particular, when the weight ratio of ZnSt2 beads is 0.5 wt% to 1.0 wt% in the second embodiment, the quantum efficiency is greatly increased and the light intensity is greatly increased as compared with other cases, thereby improving the characteristics of the quantum dots.
표 4는 실시 예에 따른 양자점 아크릴의 양자효율을 나타내는 표이다.Table 4 is a table showing the quantum efficiency of quantum dot acryl according to the embodiment.
실시 예에 따른 양자점 아크릴은 양자점에 무기 리간드와 비드를 첨가하여 이를 아크릴과 혼합하여 300도 온도에서 가열하여 제작한다.Quantum dot acrylics according to the embodiments are prepared by adding inorganic ligands and beads to quantum dots and mixing them with acryl and heating them at a temperature of 300 ° C.
비교 예의 경우 종래의 무기 리간드와 비드를 첨가하지 않은 상태에서 아크릴과 혼합하여 제작한 양자점 아크릴을 나타내며, 이 경우 양자효율은 17%이다.In the comparative example, the quantum efficiency is 17% in the case of the quantum dot acrylic manufactured by mixing with the acrylic in the state that the conventional inorganic ligand and the bead are not added.
양자점에 무기 리간드를 첨가하여 아크릴과 혼합하여 제작한 양자점 아크릴은 36%의 양자효율을 가지고, 양자점에 무기 리간드와 TiO2의 비드를 첨가하여 아크릴과 혼합하여 제작한 양자점 아크릴은 25%의 양자효율을 가진다. 또한, 양자점에 무기 리간드와 ZnSt2 비드를 첨가하여 아크릴과 혼합하여 제작한 양자점 아크릴은 39%의 양자효율을 가지며, 양자점에 무기 리간드와 TiO2, ZnSt2비드를 첨가하여 아크릴과 혼합하여 제작한 양자점 아크릴은 45%의 양자효율을 가진다.The quantum dot acrylate produced by mixing inorganic ligand with acrylate by adding an inorganic ligand to the quantum dots has a quantum efficiency of 36% and quantum dot efficiency of 25% by adding the inorganic ligand and TiO2 beads to the quantum dots and mixing them with acrylic. I have. Quantum-dot acrylics prepared by mixing inorganic ligands and ZnSt2 beads with quantum dots added to the quantum dots were found to have a quantum efficiency of 39%, and quantum dot acrylics prepared by mixing inorganic ligands, TiO2, and ZnSt2 beads with acryl, And has a quantum efficiency of 45%.
이로써 상기 양자점에 무기 리간드와 TiO2, ZnSt2비드를 첨가하여 아크릴과 혼합하여 제작한 양자점 아크릴이 가장 큰 양자 효율을 가짐을 확인할 수 있다.Thus, it can be confirmed that the quantum dot acrylate prepared by mixing an inorganic ligand, TiO 2, and ZnSt 2 beads with the acrylic ligand to the quantum dot has the highest quantum efficiency.
도 6 내지 도 11은 제1 및 제2 실시 예의 양자점을 포함하는 형광층을 구비하는 조명장치에 대한 도면이다.Figs. 6 to 11 are diagrams for a lighting device having a fluorescent layer including quantum dots of the first and second embodiments. Fig.
도 6은 일 실시 예에 따른 조명장치의 대한 사시도이고, 도 7은 일 실시 예에 따른 조명장치의 분해 사시도이며, 도 8은 일 실시 예에 따른 반사부재의 저면 사시도이고, 도 9은 일 실시 예에 따른 조명장치의 단면도이며, 도 10은 일 실시 예에 따른 지지부재 및 광원을 나타내는 상면도이며, 도 11은 도 10의 A-A`영역을 따라 절단한 단면도이다.FIG. 6 is a perspective view of a lighting apparatus according to an embodiment, FIG. 7 is an exploded perspective view of a lighting apparatus according to an embodiment, FIG. 8 is a bottom perspective view of a reflective member according to an embodiment, 10 is a top view showing a support member and a light source according to an embodiment, and Fig. 11 is a cross-sectional view taken along the line AA 'in Fig.
도 6 내지 도 11을 참조하면, 실시 예에 따른 조명장치(9)는 프레임(10), 반사부재(20) 및 지지부재(30)를 포함할 수 있다.6 to 11, a
상기 프레임(10)은 상기 조명장치(9)의 몸체를 형성하는 틀 또는 뼈대일 수 있다. 상기 프레임(10)은 내부가 비어있는 원기둥 형상으로 형성될 수 있다. 상기 프레임(10)은 하면이 개구된 원기둥 형상으로 형성될 수 있다. 상기 프레임(10)은 상면 및 하면이 개구된 원기둥 형상으로 형성될 수 있다.The
도시하지 않았지만 상기 프레임(10)은 방열부재를 더 포함할 수 있다. 또는 상기 프레임(10)은 방열이 용이하도록 열전도도가 높은 물질로 구성될 수 있다. 상기 프레임(10)의 방열능력이 향상됨으로써 상기 조명장치(9) 내의 열을 외부로 배출할 수 있어, 열에 의한 내부 구성의 손상을 방지할 수 있다.Although not shown, the
도시하지 않았지만, 상기 방열부재는 상기 프레임(10)의 외측면에 형성될 수도 있고, 상기 방열부재는 상기 프레임(10)의 내측면에 형성될 수도 있다. 상기 방열부재가 상기 프레임(10)의 내측면에 형성되는 경우 상기 방열부재는 상기 프레임(10)과 상기 반사부재(20)의 사이에 형성될 수 있다.Although not shown, the heat dissipating member may be formed on the outer surface of the
상기 반사부재(20)는 상기 프레임(10)의 내측에 삽입될 수 있다. 상기 반사부재(20)는 시트형태로 상기 프레임(10)의 내측에 고정될 수 있다. 상기 반사부재(20)는 일부가 상기 프레임(10)의 내측에 부착되어 전체가 상기 프레임(10)에 고정될 수 있다.The
상기 반사부재(20)는 상기 프레임(10)과 대응되는 형상으로 형성될 수 있다. 상기 반사부재(20)는 일단이 개구된 원기둥 형상으로 형성될 수 있다.The
상기 반사부재(20)는 반사상면(21) 및 반사측면(23)을 포함할 수 있다. 상기 반사상면(21)은 원형상을 가질 수 있다. 상기 반사상면(21)은 원형상의 출광영역(50)과 동일한 중심을 가질 수 있다. 즉, 상기 반사상면(21)은 상기 출광영역(50)과 동심원 형상을 가질 수 있다. 상기 반사상면(21)은 상기 출광영역(50)과 대응되는 크기로 형성될 수 있다. 상기 반사상면(21)은 상기 출광영역(50)과 평행하는 면일 수 있다.The
상기 반사측면(23)은 사각형상의 전개도를 가질 수 있다. 상기 반사측면(23)은 직사각형상을 가질 수 있다. 상기 반사측면(23)의 밑면은 상기 반사상면(21)의 원주와 대응되는 길이를 가질 수 있다. 상기 반사측면(23)의 밑면은 평면형상을 가질 수 있다. 상기 반사측면(23)의 밑면이 평면 형상을 가짐으로써 제조가 용이하고, 원뿔형에 비해 조립이 용이한 효과가 있다.The
상기 반사상면(21) 및 반사측면(23)은 일체로 형성될 수 있다. 상기 반사상면(21) 및 반사측면(23)은 동일한 물질을 포함할 수 있다.The reflective
상기 반사부재(20)가 시트형태로 형성되는 경우 상기 반사부재(20)는 수지층, 발포 또는 충전제(확산제), 금속층 및 보호층을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 수지층은 PET, PC, PV, PP 등과 같은 물질로 형성되며, 황산바륨 또는 탄산칼륨과 같은 발포 또는 유/무기계 충전제를 그 내부에 포함할 수 있다. 상기 수지층의 일면에 알루미늄 또는 은과 같은 금속층이 형성되고, 금속층의 일면에 상기 반사부재(20)를 보호하기 위한 보호층이 형성된다.When the
상기 반사부재(20)의 반사율 증대를 위한 무기계 충전제로는 황산바륨(BaSO4), 황산칼슘(CaSO4), 황산마그네슘(MgSO4), 탄산바륨(BaCO3), 탄산칼슘(CaCO3), 탄산칼륨(K2CO3), 염화마그네슘(MgCl2), 수산화알루미늄(Al(OH)3), 수산화마그네슘(Mg(OH)2), 수산화칼슘(Ca(OH)2), 이산화티탄(TiO2), 알루미나(Al2O3), 실리카(SiO2), 탈크(H2Mg3(SiO3)4 또는 Mg3Si4O10(OH)2), 제올라이트(Zeolite) 등이 있다. 또한, 반사 부재(20)는 금속층을 포함하지 않을 수도 있으며, 또한, 자외선 흡수 층(열화 방지층)이 추가로 수지층 일면에 포함되거나 수지층 내부에 포함될 수도 있다.Examples of the inorganic filler for increasing the reflectance of the
상기 반사부재(20)의 두께는 0.015mm 내지 15mm일 수 있다. 상기 반사부재(20)의 반사도는 60% 내지 99.8%가 될 수 있다. 또한, 다른 실시 예에 따르면, 상기 반사부재(20)는 확산 패턴 또는 충전제를 포함하지 않으며, 반사도가 매우 높은 시트가 될 수 있다. 이 경우 상기 반사부재(20)의 반사도가 높아서 손실되는 광이 적어 결과적으로 출사되는 광의 조사량이 커질 수 있는 효과가 있다.The thickness of the
상기 반사부재(20)의 광을 반사하는 표면에는 먼지 흡착을 방지하기 위한 광촉매제가 도포될 수 있다.A photocatalyst can be applied to the surface of the
상기 광촉매는 TiOx:D로 표현되는 티타늄 화합물을 포함할 수 있다. 여기서 D는 도펀트(dopant)를 의미하며, 상기 도펀트는 N, C, -OH, Fe, Cr, Co 또는 V를 포함할 수 있다. 상기 티타늄화합물은 이산화티타늄(TiO2) 또는 질산화티타늄(TiON)이 될 수 있으며, 미립자를 사용하여 친수성으로 코팅될 수 있다. 광촉매의 입자 직경은 수 nm 내지 수백 nm가 될 수 있다. 예를 들면, 광촉매의 입자 직경은 5nm 내지 900nm가 될 수 있다.The photocatalyst may include a titanium compound represented by TiOx: D. Here, D means a dopant, and the dopant may include N, C, -OH, Fe, Cr, Co or V. The titanium compound may be titanium dioxide (TiO2) or titanium nitrate (TiON), and may be coated with hydrophilic particles using fine particles. The particle diameter of the photocatalyst may be several nm to several hundred nm. For example, the particle diameter of the photocatalyst may be from 5 nm to 900 nm.
또한, 상기 광촉매는 광촉매를 포함한 바인더 또는 용액이 반사부재(20)의 표면에 도포되어 건조됨으로써 상기 반사 부재(20)에 도포되며, 광촉매를 포함한 바인더 또는 용액은 건조 후 두께가 0.05㎛ 내지 20㎛ 가 될 수 있다.The photocatalyst is coated on the
상기 티타늄 화합물의 전기적 성질은 반도체 성질을 나타내며, 단파장(380nm) 이하의 자외선 또는 380nm 내지 780nm의 가시광선이 조사되면 여기상태가 되어 강력한 산화력을 나타내고, 화학적으로도 안정된 물질이다. 즉, 상기 티타늄 화합물은 자외선 또는 가시광선을 흡수하면 표면에서 전자와 정공이 생성되고, 생성된 전자와 정공은 대부분의 유해물질을 분해하는 역할을 수행한다.The electrical properties of the titanium compound exhibit a semiconducting property. The titanium compound exhibits a strong oxidizing power and is chemically stable when exposed to ultraviolet light having a short wavelength (380 nm) or less or visible light having a wavelength of 380 nm to 780 nm. That is, when the titanium compound absorbs ultraviolet rays or visible rays, electrons and holes are generated on the surface, and generated electrons and holes serve to decompose most harmful substances.
상기 광촉매는 친수성 효과를 가지고 있으며, 이에 따라 방진 효과가 있다. 즉, 광촉매 코팅 표면에 물을 뿌렸을 때 뿌려진 물방울과 기재 표면 사이의 접촉각이 작아져서 표면의 친수 효과가 나타나며, 이러한 성질에 따라 표면에 먼지 흡착을 방지하는 효과가 있다. The photocatalyst has a hydrophilic effect and thus has a dust-proof effect. That is, when the water is sprayed on the surface of the photocatalyst coating, the angle of contact between the droplet sprayed on the surface of the substrate and the surface of the substrate is reduced, and the hydrophilic effect of the surface is exhibited.
또한, 상기 광촉매는 각종 유기물질(탄소화합물)을 산화 및 분해력을 가지고 있으며, 이러한 기능에 의해 암모니아, 황화수소, 아세트알데히드, 트리메틸아민, 메틸메르캅산, 황화메틸, 이황화메틸, 스틸렌 등의 악취유발 물질을 분해함으로써 냄새 제거, 공기 정화, 살균/항균 등의 효과도 있다.The photocatalyst has the ability to oxidize and decompose various organic substances (carbon compounds). By virtue of this function, the photocatalyst is capable of oxidizing and decomposing various organic substances (carbon compounds), such as ammonia, hydrogen sulfide, acetaldehyde, trimethylamine, methylmercapthalene, methyl sulfide, It is possible to remove odors, purify air, and sterilize / antibacterial effects.
상기 광촉매는 상기 반사부재(20)의 표면에 액상으로 분사되어 도포될 수 있다. 즉, 사용자는 분사기구를 이용하여 액상의 광촉매를 상기 반사부재(20)의 표면에 뿌림으로써 간편하게 상기 반사부재(20)의 표면에 광촉매를 도포할 수 있다.The photocatalyst may be sprayed on the surface of the
또한, 상기 광촉매는 상기 반사부재(20)의 표면에 스크린 프린팅 방식, 그라비아 프린팅 방식, 분사 방식, 분사 후 롤브러쉬 방식으로 도포될 수 있다.The photocatalyst may be applied to the surface of the
상기 스크린 프린팅은 인쇄용 스크린에 형성되어 있는 미세한 메시를 통해 광촉매가 포함되어 있는 액상이 균일하게 도포되는 프린팅 방식이며, 상기 그라비아 프린팅은 오목한 롤러에 묻어 있는 광촉매를 포함한 액체를 반사부재(20)의 표면에 도포하는 프린팅 방식이고, 상기 분사 방식은 광촉매가 포함된 액상을 표면에 분사하는 방식이며, 상기 분사 후 롤브러쉬 방식은 광촉매가 포함된 액상을 표면에 분사한 후 롤브러쉬로 균일하게 문질러 도포하는 방식이다. The screen printing is a printing method in which a liquid phase containing a photocatalyst is uniformly applied through a fine mesh formed on a screen for printing. The gravure printing is a method in which a liquid containing a photocatalyst buried in a concave roller is applied to the surface The spraying method is a method in which a liquid phase containing a photocatalyst is sprayed onto a surface, and the post-spraying roll brushing method is a method in which a liquid phase containing a photocatalyst is sprayed onto a surface thereof and then rubbed uniformly with a roll brush Method.
본 실시예에 따르면, 상기 프린팅 방식에 의해 대량의 반사부재(20)에 효율적으로 광촉매를 도포할 수 있는 장점이 있다.According to this embodiment, there is an advantage that the photocatalyst can be efficiently applied to a large amount of the
또한, 상기 광촉매를 도포하기 전에 유기 또는 무기용제를 전처리할 수도 있다. 즉, 상기 반사부재(20) 의 표면에 유기 또는 무기용제로 유무기 오염물을 세정한 후 그 위에 광촉매를 도포할 수 있다. 여기서, 유기 또는 무기용제는 아세톤 또는 알코올 등과 같은 알칼리 약액과 중성세제 등이 될 수 있다.The organic or inorganic solvent may be pretreated before the photocatalyst is applied. That is, a photocatalyst can be coated on the surface of the
또한, 상기 반사부재(20)의 표면에 은나노 또는 알루미늄 나노로 형성된 코팅층을 형성한 후 그 위에 광촉매를 도포할 수도 있다. 은나노 또는 알루미늄 코팅층은 반사 보조 기구의 반사 효율을 높일 수 있는 장점이 있다.Also, a coating layer formed of silver nano or aluminum nano may be formed on the surface of the
또한, 상기 광촉매는 점성(viscosity)을 조절하는 첨가제를 더 포함할 수 있다.In addition, the photocatalyst may further include an additive for controlling the viscosity.
상기 반사부재(20)는 상기 프레임(10)의 내측에 도포되는 방법으로 형성될 수 있다. 상기 프레임(10)의 내측에 높은 반사율을 가지는 물질이 도포됨으로써 상기 높은 반사율을 가지는 물질이 상기 반사부재(20)를 구성할 수 있다.The
상기 반사부재(20)의 일부영역에는 형광층(25)이 형성될 수 있다. 상기 형광층(25)은 띠형상으로 형성될 수 있다. 상기 반사측면(23)의 일부영역에는 형광층(25)이 형성될 수 있다. 상기 형광층(25)은 상기 반사측면(23)의 내측면의 일부영역에 형성될 수 있다.A
상기 형광층(25)은 상기 반사측면(23)에 부착될 수도 있고, 형광물질이 상기 반사측면(23)에 도포됨으로써 형성될 수도 있다.The
상기 형광층(25)은 상기 반사측면(23)의 하부영역에 형성될 수 있다. 상기 형광층(25)은 광원(40)과 인접하는 반사측면(23)의 일부영역에 형성될 수 있다. 상기 형광층(25)은 상기 반사상면(21)으로부터 이격된 상기 반사측면(23)의 하부영역에 형성될 수 있다. 상기 형광층(25)은 상기 광원(40)과 인접하는 상기 반사측면(23)의 일단부에 접하여 형성될 수 있고, 상기 광원(40)과 인접하는 반사측면(23)의 일단부와 일정간격 이격되어 형성될 수도 있다.The
상기 형광층(25)은 일정한 높이(h)를 가지며 형성될 수 있다. 상기 형광층(25)은 8mm 내지 16mm의 높이(h)를 가지고 형성될 수 있다. 바람직하게는 상기 형광층(25)은 16mm의 높이(h)를 가지고 형성될 수 있다.The
상기 형광층(25)이 상기 광원(40)과 인접하는 상기 반사측면(23)의 일단부와 접하여 형성되며, 일정한 높이범위를 가짐으로써 상기 조명장치 하부에서 상기 형광층(25)이 시인되는 것을 방지할 수 있다. 다시 말해, 상기 형광층(25)이 상기 반사측면(23)의 일단부와 접하며, 일정한 높이범위를 가지도록 형성됨으로써 상기 지지부재(30)에 의해 상기 형광층(25)이 가려질 수 있어 상기 조명장치(9)의 하부에서 상기 형광층(25)이 시인되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 상기 지지부재(30)의 제1 돌출영역(31)에 의해 상기 형광층(25)이 시인되는 것이 방지될 수 있다.The
상기 형광층(25)은 무기 형광체 또는 유기 형광체를 포함할 수 있다. 상기 형광층(25)은 양자점(Quantum dot)을 포함할 수도 있다.The
상기 형광층(25)의 형광체의 농도는 10% 내지 50%일 수 있다. 바람직하게는 상기 형광층(25)의 형광체의 농도는 20%일 수 있다.The concentration of the phosphor of the
상기 형광층(25)의 높이는 상기 형광체의 농도에 따라 변화할 수 있다. 예를 들어, 상기 형광층(25)의 농도가 상승하면, 상기 형광층(25)의 높이는 작아질 수 있다. 상기 형광층(25)의 높이가 크면 상기 반사부재(20)에 의해 반사되는 광이 줄어들어 광효율이 작아질 수 있으므로, 상기 형광층(25)의 농도가 원하는 색온도를 낼 수 있을 정도로 조절되면, 상기 형광층(25)의 높이를 작게 형성할 수 있다.The height of the
또한, 상기 형광층(25)의 높이는 상기 형광체의 크기에 따라 결정될 수 있다. 예를 들어, 상기 형광체의 크기가 큰 경우 작은 높이의 형광층(25)을 이용하더라도 원하는 색온도를 낼 수 있고, 이에 따라, 상기 형광층(25)의 높이를 작게 형성하여 광효율을 높일 수 있다.The height of the
상기 형광체는 상기 광원(40)에서 발생되는 가시광 영역 이외의 다른 파장의 여기광을 생성할 수 있다.The phosphor may generate excitation light having a wavelength other than the visible light region generated by the
상기 형광층(25)은 YBO3:Ce3+,Tb3+; BaMgAl10O17:Eu2+,Mn2+; (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu2+; ZnS:Cu,Al; Ca8Mg(SiO4)4Cl2: Eu2+,Mn2+; Ba2SiO4: Eu2+; (Ba,Sr)2SiO4:Eu2+; Ba2(Mg, Zn)Si2O7:Eu2+; (Ba,Sr)Al2O4: Eu2+; Sr2Si3O8.2SrCl2:Eu2+; (Sr,Mg,Ca)10(PO4)6Cl2:Eu2+; BaMgAl10O17:Eu2+ ; BaMg2Al16O27:Eu2+ ; Sr,Ca,Ba,Mg) P2O7:Eu2+,Mn2+,; (CaLa2S4:Ce3+; SrY2S4: Eu2+ ; (Ca,Sr)S: Eu2+; SrS:Eu2+ ; Y2O3: Eu3+,Bi3+; YVO4: Eu3+,Bi3+;Y2O2S:Eu3+,Bi3+; Y2O2S:Eu3+등으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나의 형광체로 이루어진 군에서 선택되는 물질일 수 있다.The
상기 형광층(25)이 양자점을 포함하는 경우 상기 양자점은 제1 실시 예 및 제2 실시 예의 양자점일 수 있다.When the
상기 형광층(25)은 적색 계열의 형광물질을 포함할 수 있다. 상기 형광층(25)이 적색 계열의 형광물질을 포함함으로써 상기 광원(40)으로부터의 광은 상기 형광층(25)에 반사되어 CRI(Color Rendering Index)를 상승시켜 외부로 출력될 수 있다. 또한, 상기 형광층(25)이 형광체 및/또는 양자점을 포함함으로써 원하는 색온도(CCT, Correlated Color Temperature)를 얻을 수 있는 효과가 있다.The
상기 CRI는 같은 색온도를 가지는 자연광(black body radiation과 유사)과 인공적으로 제작한 조명을 동일한 사물에 조사한 경우, 상기 사물의 색상이 달라지는 정도를 나타내며, 자연광, 즉 흑체복사의 경우를 100으로 하여 인공적인 조명이 이에 얼마나 가까운지를 표시한다. CRI가 100에 근접할수록 발광 장치는 자연광에 근접한 백색광을 구현한다.The CRI represents the degree of change of the color of the object when the natural light (similar to black body radiation) having the same color temperature and the artificially produced illumination are irradiated to the same object, and the natural light, that is, the black body radiation, Indicating how close the illumination is to this. As the CRI approaches 100, the light emitting device implements white light close to natural light.
상기 형광층(25)에 의해 조명기구에서 출력되는 광의 CRI가 상승함으로써 자연광에 가까운 백색광을 출력할 수 있는 효과가 있다. 상기 형광층(25)과 같은 간이한 구조로 높은 CRI의 광을 출력할 수 있어, 패키지 구조에 따른 높은 CRI광 구현에 비해 제조단가가 절감되고, 패키징 공정에서 발생할 수 있는 불량을 줄일 수 있어, 제조수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.The CRI of the light output from the lighting device is increased by the
또한, 상기 형광층(25)의 형광체 및 양자점의 밀도와 종류를 조절하여 색온도를 제어할 수 있어, 간이한 방법으로 원하는 색온도의 광을 얻을 수 있는 효과가 있다.Further, the density and type of the fluorescent material and quantum dots of the
또한, 상기 형광층(25)의 형광체 및 양자점의 밀도와 종류를 조절하여 원하는 파장의 광을 출력할 수 있다. 예를 들어, 상기 형광층(25)에 포함된 양자점의 밀도와 종류를 조절하여 특정 파장의 광을 출력할 수 있다. 또는, 상기 형광층(25)에 포함된 양자점의 물성비를 조절하여 특정파장의 광을 출력할 수 있다. In addition, light of a desired wavelength can be output by controlling the density and type of the fluorescent material and quantum dots of the
상기 형광층(25)에 포함된 양자점을 조절함으로써 상기 조명장치에서 출력되는 광의 파장 폭을 변경시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 형광층(25)에 포함된 양자점을 조절함으로써 상기 조명장치에서 출력되는 적색광의 폭을 조절함으로써 식물을 효과적으로 생장시킬 수 있는 식물생장 조명으로 이용될 수 있다. 도 12a의 종래의 일반 식물생장 조명에 비해, 도 12a의 실시 예에 따른 조명장치의 경우 양자점을 조절하여 적색광의 파장 폭을 넓힐 수 있고 이에 따라 동일한 전력으로 식물 생장에 이용되는 파장 폭이 큰 광을 출력할 수 있어 고효율의 식물생장 조명으로 이용될 수 있다.By adjusting the quantum dots included in the
상기 프레임(10) 및 상기 반사부재(20)의 일단에는 상기 지지부재(30)가 위치할 수 있다. 상기 지지부재(30)는 상기 반사부재(20)의 일단과 대응되는 형상으로 형성될 수 있다. 상기 지지부재(30)는 상기 프레임(10)의 일단과 대응되는 형상으로 형성될 수 있다. 상기 프레임(10) 및 상기 반사부재(20)의 일단은 원형의 띠 형상으로 형성되므로, 상기 지지부재(30)는 원형의 띠 형상으로 형성될 수 있다.The
상기 지지부재(30)의 중앙영역은 개구될 수 있다. 상기 지지부재(30)의 중앙영역은 개구되어 출광영역(50)을 가질 수 있다. 즉, 상기 원형의 띠 형상의 지지부재(30)에 의해 상기 출광영역(50)이 정의될 수 있다. 상기 출광영역(50)의 둘레는 상기 지지부재(30)의 개구에 의해 한정될 수 있다.The central region of the
상기 출광영역(50)은 원형상으로 형성될 수 있다. 도시하지 않았지만, 상기 출광영역(50)에는 출광시트가 부착될 수 있다. 상기 출광시트는 상기 출광영역(50)으로 향하는 모든 광을 투과시킬 수 있다. 상기 출광시트는 상기 조명장치(9) 내부로 유입되는 이물을 차단시킬 수 있다. 상기 출광시트가 상기 조명장치(9) 내부로 유입되는 이물을 차단하여 상기 이물에 의해 상기 반사부재(20)의 반사율이 저하되는 것을 방지할 수 있다. The outgoing
도시하지 않았지만, 상기 지지부재(30)의 상면에는 반사시트가 부착될 수 있다. 상기 지지부재(30)의 상면에 부착되는 반사시트는 상기 반사부재(20)와 동일한 시트일 수 있다. 또는, 상기 지지부재(30)의 상면에는 반사물질이 도포될 수 있다.Although not shown, a reflective sheet may be attached to the upper surface of the
상기 지지부재(30)의 상면에 반사시트가 부착되거나 반사물질이 도포됨으로써 상기 지지부재(30)로 향하는 광을 상기 반사부재(20) 방향으로 반사시켜, 상기 출광영역(50)을 통해 방출할 수 있다. 이로써 상기 조명장치(10)의 광량이 증가하고, 동일 광량대비 소비전력을 절감할 수 있다.The reflection sheet is attached to the upper surface of the
도시하지 않았지만 상기 지지부재(30)는 방열부재를 더 포함할 수 있다. 또는 상기 지지부재(30)는 방열이 용이하도록 열전도도가 높은 물질로 구성될 수 있다. 상기 지지부재(30)는 열전도도가 높은 금속물질로 형성될 수 있다. 상기 지지부재(30) 의 방열능력이 향상됨으로써 상기 조명장치(9) 내의 열을 외부로 배출할 수 있어, 열에 의한 내부 구성의 손상을 방지할 수 있다.Although not shown, the
상기 지지부재(30)는 제1 돌출영역(31), 제2 돌출영역(33) 및 지지영역(35)을 포함할 수 있다. 상기 제1 돌출영역(31)은 상기 지지부재(30)의 내측에서 상기 반사상면(21) 방향으로 돌출될 수 있다. 상기 제2 돌출영역(33)은 상기 지지부재(30)의 외측에서 상기 반사상면(21) 방향으로 돌출될 수 있다. The
상기 지지영역(35)은 상기 제1 돌출영역(31)과 제2 돌출영역(33)을 연결할 수 있다. 즉, 상기 제1 돌출영역(31) 및 제2 돌출영역(33)은 상기 지지영역(35)의 양측영역에서 상기 반사상면(21) 방향으로 돌출되어 형성될 수 있다. 상기 제1 돌출영역(31), 제2 돌출영역(33) 및 상기 지지영역(35)은 일체로 형성될 수 있다. 상기 지지영역(35)은 광원(40)을 지지할 수 있다.The
상기 제1 돌출영역(31)은 상기 지지영역(35)과 상기 출광영역(50) 사이에 형성될 수 있다. 상기 제1 돌출영역(31)은 상기 지지영역(35)과 출광영역(50) 사이에 형성됨으로써 상기 광원(40)으로부터 상기 출광영역(50)으로 직접 조사되는 광을 차단할 수 있다. 즉, 상기 제1 돌출영역(31)은 상기 광원(40)으로부터의 광이 상기 반사부재(20)에 의한 반사과정없이 상기 출광영역(50)으로 방출되는 것을 방지하여, 특정 각도에서의 눈부심을 방지할 수 있다.The first
상기 제1 돌출영역(31) 및 상기 제2 돌출영역(33)은 상기 지지영역(35)의 양측영역에 돌출되어 형성됨으로써 상기 프레임(10) 및 상기 반사부재(20)의 수평방향의 유동을 방지할 수 있다. 상기 제1 돌출영역(31) 및 제2 돌출영역(33)은 상기 프레임(10) 및 상기 반사부재(20)의 수평방향으로의 유동을 방지함으로써 상기 조명장치(9)의 안정성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 돌출영역(31, 33)은 상기 광원(40)의 수평방향의 유동을 방지할 수 있어 상기 조명장치(9)의 안정성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.The first
상기 광원(40)은 상기 지지부재(30) 상에 배치될 수 있다. 상기 광원(40)은 상기 지지부재(30)의 지지영역(35) 상에 배치될 수 있다. 상기 광원(40)은 상기 지지부재(30)의 형상에 대응되도록 배치될 수 있다. 상기 광원(40)은 상기 반사부재(20)의 일단과 대응되는 형상으로 배치될 수 있다. 상기 광원(40)은 원형의 띠 형상으로 배치될 수 있다. 상기 광원(40)은 상기 출광영역(50)을 감싸는 형상으로 배치될 수 있다. 상기 광원(40)은 상기 출광영역(50)을 감싸는 폐루프 형상으로 배치될 수 있다. 상기 광원(40)은 상기 출광영역(50)의 둘레를 따라 배치될 수 있다.The light source (40) may be disposed on the support member (30). The
상기 광원(40)은 다수의 발광 다이오드(41) 및 다수의 인쇄회로기판(43)을 포함할 수 있다.The
상기 발광 다이오드(41)는 LED(Light emitting diode) 또는 유기발광 다이오드(OLED, Organic light emitting diode)일 수 있다.The
상기 발광 다이오드(41)는 상기 인쇄회로기판(43) 상에 형성될 수 있다. 상기 발광 다이오드(41)는 상기 인쇄회로기판(43)의 일면에 부착될 수 있다. 상기 발광 다이오드(41)는 상기 인쇄회로기판(43)에 실장될 수 있다. 상기 발광 다이오드(41)는 패키지 형태로 상기 인쇄회로기판(43)에 실장될 수도 있고, 상기 발광 다이오드는 COB(Chip on board)형태로 상기 인쇄회로기판(43)에 실장될 수도 있다.The
상기 다수의 발광 다이오드(41)는 상기 지지부재(30)의 형상에 대응되도록 배치될 수 있다. 상기 다수의 발광 다이오드(41)는 상기 반사부재(20)의 일단과 대응되는 형상으로 배치될 수 있다. 상기 다수의 발광 다이오드(41)는 원형의 띠 형상으로 배치될 수 있다. 상기 다수의 발광 다이오드(41)는 상기 출광영역(50)을 감싸는 형태로 배치될 수 있다, 상기 다수의 발광 다이오드(41)는 상기 출광영역(50)을 감싸는 폐루프 형상으로 배치될 수 있다. 상기 다수의 발광 다이오드(41)는 상기 출광영역(50)의 둘레를 따라 배치될 수 있다.The plurality of
상기 다수의 발광 다이오드(41)는 상기 다수의 인쇄회로기판(43) 상에 형성될 수 있다. 하나의 인쇄회로기판(43)에 다수의 발광 다이오드(41)가 실장될 수 있다. 상기 다수의 발광 다이오드(41)가 실장된 각각의 인쇄회로기판(43)은 연결배선(45)을 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.The plurality of
상기 다수의 발광 다이오드(41)는 전원부(60)를 통해 상기 발광 다이오드(41)의 구동에 필요한 전원을 인가받을 수 있다. 상기 전원부(60)는 전원배선(61)을 통해 상기 인쇄회로기판(43)과 연결되어 상기 인쇄회로기판(43)으로 전원을 전달한다. 상기 전원부(60)로부터 전원을 인가받은 인쇄회로기판(43)은 실장된 발광 다이오드(41)에 전원을 공급함과 동시에 상기 연결배선(45)을 통해 인접하는 인쇄회로기판(43)으로 전원을 전달한다. 인접하는 인쇄회로기판(43) 또한 실장된 발광 다이오드(41)에 전원을 공급함과 동시에 연결배선(45)을 통해 다른 인쇄회로기판(43)으로 전원을 전달한다. 이를 반복하여, 상기 다수의 발광 다이오드(41)에 전원이 인가되어 모든 발광 다이오드(41)가 발광한다.The plurality of
상기 전원부(60)는 교류를 직류로 변환하는 ADC(AC to DC convertor)를 포함할 수 있다. 상기 전원부(60)는 외부로부터의 교류전원을 직류전원으로 변환하여 상기 인쇄회로기판(43)으로 전달할 수 있다. 상기 전원부(60)는 변환된 직류전원을 감압하여 상기 인쇄회로기판(43)으로 전달할 수도 있다.The
상기 전원부(60)는 상기 조명장치(9)의 외부에 위치할 수 있다. 또는 상기 전원부(60)는 상기 조명장치(9)의 내부에 위치할 수 있다. 상기 전원부(60)가 상기 조명장치(9)의 내부에 위치하는 경우 도시하지 않았지만 상기 전원부(60)는 상기 다수의 인쇄회로기판(43) 중 적어도 어느 하나에 칩형태로 실장될 수 있다. The
상기 전원부(60)가 ADC기능만을 포함하는 경우 상기 인쇄회로기판(43)에는 별도의 DC-DC convertor가 실장될 수 있다. 상기 DC-DC convertor는 상기 전원부(60)로부터 전달받은 전원전압을 상기 발광 다이오드(41)의 구동전압에 대응되도록 변환하여 상기 발광 다이오드(41) 및 인접하는 인쇄회로기판(43)으로 전달할 수 있다.If the
상기 전원부(60)가 상기 인쇄회로기판(43) 상에 실장됨으로써 별개의 전원부(60)없이 일체로 상기 조명장치(9)를 작동 및 설치할 수 있어, 설치와 이송이 용이한 장점이 있다.Since the
상기 인쇄회로기판(43)은 금속물질을 포함할 수 있다. 상기 인쇄회로기판(43)은 Al, Cu 등의 물질을 포함하는 메탈 PCB일 수 있다. 상기 인쇄회로기판(43)은 FR1, FR4, CEM1 PCB일 수 있다. 상기 인쇄회로기판은 에폭시 또는 페놀을 포함할 수 있다.The printed
또한, 상기 인쇄회로기판(43)은 외력에 의해 휠 수 있는 연성 인쇄회로기판일 수 있다.Also, the printed
상기 인쇄회로기판(43)은 충진부(47) 및 방열부(49)를 포함할 수 있다. The printed
상기 충진부(47)는 상기 인쇄회로기판(43)의 뼈대 또는 틀이 되는 영역으로 상기 금속물질이 충진된 영역일 수 있다. 상기 방열부(49)는 상기 금속물질이 충진되지 않은 영역일 수 있다.The
상기 방열부(49)는 상기 금속물질이 충진되지 않은 빈 공간일 수 있다. 상기 방열부(49)는 상기 인쇄회로기판(43)의 내부에 형성될 수 있다. 상기 방열부(49)는 상기 인쇄회로기판(43)의 측면을 따라 형성될 수도 있다. 상기 방열부(49)를 통해 상기 충진부(47)는 외부와의 접촉면적이 넓어지고, 이에 따라 상기 발광 다이오드(41) 및 인쇄회로기판(43)에서 발생한 열이 용이하게 외부로 빠져나갈 수 있다. 이에 따라, 열에 의한 상기 발광 다이오드(41) 및 인쇄회로기판(43)의 불량을 줄일 수 있는 효과가 있다.The
또한, 상기 발광 다이오드(41)로부터의 열은 상기 인쇄회로기판(43)을 통해 상기 지지부재(30)로 전달되고, 열전도도가 높은 상기 지지부재(30)는 외부로 열을 배출하여 열에 의한 상기 발광 다이오드(41) 및 인쇄회로기판(43)의 손상을 줄일 수 있다.The heat from the
상기 반사상면(21)은 일정한 폭(d)을 가질 수 있고, 상기 반사측면(23)은 일정한 높이(l)를 가질 수 있다. The reflective
상기 반사측면(23)의 높이(l) 대비 상기 반사상면(21)의 폭(d)의 비율은 1:1.9 내지 1:4.3일 수 있다.The ratio of the height d of the reflective
바람직하게는 상기 반사측면(23)의 높이(l) 대비 상기 반사상면(21)의 폭(d)의 비율은 1:2 내지 1:4일 수 있다. 상기 반사측면(23)의 높이(l)와 상기 반사상면(21)의 폭(d)이 상기와 같은 비율을 가질 때, 광효율이 상승하고 감소율이 작아지는 효과가 있다.Preferably, the ratio of the height d of the reflective
더욱 바람직하게는, 상기 반사측면(23)의 높이(l) 대비 상기 반사상면(21)의 폭(d) 비율이 1:2.2 내지 1:3.3인 경우 1:2.2 미만 및 1:3.3 초과인 경우 대비 높은 광효율을 가지고, 상대적으로 낮은 감소율을 가진다.More preferably, when the ratio of the width d of the reflective
상기 반사측면(23)의 높이(l) 대비 상기 반사상면(21)의 폭(d) 비율이 1:2.2 내지 1:3.3의 비율로 상기 반사측면(23) 및 상기 반사상면(21)을 형성하여 광효율을 향상시켜 조명장치의 소비전력을 줄일 수 있는 효과가 있다.The
또한, 상기 반사측면(23)의 높이(l)을 3cm 내지 7cm로 형성하여 광효율을 향상시킬 수 있다. 바람직하게는, 상기 반사측면(23)의 높이(l)를 4cm 내지 6cm로 형성하여 조명장치의 소비전력을 줄일 수 있다.In addition, the height (1) of the reflecting
또한, 상기 반사측면(23)을 밑변 대비 높이를 10:1 내지 20:3 비율을 가지는 사각형상으로 형성할 수 있다. 상기 반사측면(23)의 밑변 대비 높이를 10:1 내지 20:3 비율로 형성함으로써 광효율을 향상시킬 수 있다.In addition, the
상기 반사부재(20)를 원통형상으로 형성함으로써 원뿔형 대비 광원(40)으로부터 출광되는 광의 반사횟수를 줄일 수 있어 원뿔형의 반사부재에 비해 광효율을 향상시킬 수 있다.By forming the reflecting
도 13는 실시 예에 따른 조명장치의 시간에 따른 파장별 강도를 나타내는 도면이다.13 is a graph showing the intensity of a lighting apparatus according to an exemplary embodiment with respect to time.
도 13a는 종래의 양자점을 포함하는 형광층이 도포된 조명장치의 시간에 따른 파장별 강도를 나타내는 도면이고, 도 13b는 제2 실시 예에 따른 양자점을 포함하는 형광층이 도포된 조명장치의 시간에 따른 파장별 강도를 나타내는 도면이다.FIG. 13A is a graph showing intensity with time of an illumination device coated with a fluorescent layer including a quantum dot according to the related art, FIG. 13B is a graph showing intensity with time of a lighting device coated with a fluorescent layer containing a quantum dot according to the second embodiment And FIG.
표 5는 종래의 양자점을 포함하는 형광층이 도포된 조명장치와 제2 실시 예에 따른 양자점을 포함하는 형광층이 도포된 조명장치의 작동시간에 따른 출력광의 파장별 강도를 나타내는 표이다.Table 5 shows the intensity of the output light according to the operating time of the illumination device coated with the fluorescent layer including the conventional quantum dots and the illumination device coated with the fluorescent layer containing the quantum dots according to the second embodiment.
도 13a 및 표 5를 참조하면, 종래의 양자점을 포함하는 형광층이 도포된 조명장치의 경우에는 초기상태에 비해 발광 후 500시간이 경과한 후기 상태에서 광도와 광효율 및 CRI가 큰폭으로 감소한다.Referring to FIGS. 13A and 5B, in the case of a conventional illumination device coated with a fluorescent layer containing a quantum dot, luminous efficiency, light efficiency, and CRI are greatly reduced in a state of 500 hours after light emission compared with the initial state.
이에 반해, 도 13b 및 도 5의 제2 실시 예에 따른 양자점을 포함하는 형광층이 도포된 조명장치의 경우에는 초기상태에 비해 발광 후 500시간이 경과한 후기상태에서도 광도, 광효율 및 CRI의 변화가 작다.On the other hand, in the case of the illuminating device coated with the fluorescent layer including the quantum dot according to the second embodiment of FIG. 13B and FIG. 5, the luminous efficiency, the light efficiency and the change of the CRI even after the lapse of 500 hours Is small.
즉, 상기 제2 실시 예에 따른 양자점을 포함하는 형광층이 도포된 조명장치의 경우 양자점의 열 안정성이 확보되어 장시간 발광이 되더라도 온도에 따라 양자점의 효율에 변화가 없어 제품의 안정성이 향상될 수 있는 효과가 있다.That is, in the case of the illumination device coated with the fluorescent layer including the quantum dot according to the second embodiment, the thermal stability of the quantum dots is ensured, and even if the light is emitted for a long time, the efficiency of the quantum dots does not change according to the temperature, There is an effect.
도 14는 다른 실시 예에 따른 조명장치를 나타내는 도면이다.14 is a view showing a lighting apparatus according to another embodiment.
도 14의 다른 실시 예에 따른 조명장치는 도 6 내지 도 11의 일 실시 예에 비해 형광층(25)의 형성영역이 상이하고, 나머지 구성은 동일하다. 따라서, 다른 실시 예를 설명함에 있어서, 일 실시 예와 공통되는 구성에 대해서는 상세한 설명을 생략한다.The illumination device according to another embodiment of Fig. 14 differs from the embodiment of Figs. 6 to 11 in the formation region of the
도 14를 참조하면, 다른 실시 예에 따른 조명장치(109)는 프레임(110), 반사부재(120) 및 지지부재(130)를 포함할 수 있다.14, the
상기 프레임(110)은 원기둥 형상으로 형성될 수 있다. 상기 반사부재(120)는 원기둥 형상으로 형성될 수 있다.The
상기 반사부재(120)는 반사상면(121) 및 반사측면(123)을 포함할 수 있다. 상기 반사상면(121)은 원형상을 가질 수 있다. 상기 반사측면(123)은 사각형상의 전개도를 가질 수 있다. 상기 반사측면(123)은 직사각형 형상을 가질 수 있다.The reflective member 120 may include a reflective
상기 반사부재(120)의 일부영역에는 형광층(125)이 형성될 수 있다. 상기 형광층(125)은 상기 반사측면(123) 상에 형성될 수 있다. 상기 형광층(125)은 상기 반사측면(123)의 내면에 형성될 수 있다. 상기 형광층(125)은 상기 반사측면(123)의 전면에 형성될 수 있다. 상기 형광층(125)은 상기 반사측면(123)에 대응되는 형상으로 형성될 수 있다.A
상기 형광층(125)을 상기 반사측면(123)의 전영역에 형성함으로써 상기 광원(140)으로부터 출력되는 광 중 형광층(125)에 입사되는 광의 비율이 상승하여 상기 조명장치(109)가 비교적 균질한 파장대의 광을 출력할 수 있다.By forming the
도 15는 또 다른 실시 예에 따른 반사부재의 저면 사시도이다.15 is a bottom perspective view of a reflective member according to another embodiment.
도 15의 또 다른 실시 예에 따른 반사부재는 도 6 내지 도 11의 일 실시 예와 비교하여 형광층의 형상이 상이하고, 나머지 구성은 동일하다. 따라서, 도 15의 또 다른 실시 예를 설명함에 있어서, 일 실시 예와 공통되는 구성에 대해서는 상세한 설명을 생략한다.The reflective member according to another embodiment of FIG. 15 differs from that of the embodiment of FIGS. 6 to 11 in the shape of the fluorescent layer, and the remaining components are the same. Therefore, in explaining another embodiment shown in FIG. 15, detailed description of the same configuration as that of the embodiment will be omitted.
도 15를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 반사부재(220)는 반사상면(221) 및 반사측면(223)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 15, the
상기 반사측면(223)에는 다수의 형광띠(225)가 형성될 수 있다. 상기 다수의 형광띠(225)는 띠 형상을 가질 수 있다. 상기 형광띠(225)는 상기 반사측면(223)에 부착될 수도 있고, 형광물질이 상기 반사측면(223)에 도포됨으로써 형성될 수 있다.A plurality of
상기 형광띠(225)는 상기 반사측면(223)의 하부영역에 형성될 수 있다. 상기 형광띠(225)는 상기 광원(40)이 인접하는 상기 반사측면(223)의 일부영역에 형성될 수 있다. 상기 형광띠(225)는 상기 반사상면(221)으로부터 이격된 상기 반사측면(223)의 하부영역에 형성될 수 있다. 상기 형광띠(225)는 상기 광원(40)과 인접하는 상기 반사측면(223)의 일단부와 일정간격 이격되어 형성될 수 있다.The
상기 형광띠(225)는 사각형상으로 형성될 수 있다. 상기 형광띠(225)는 직사각형상으로 형성될 수 있다. 상기 형광띠(225)는 인접하는 형광띠와 일정한 이격거리를 가지도록 형성될 수 있다. 상기 형광띠(225)는 일정한 높이를 가지고, 일정한 폭을 가지도록 형성될 수 있다.The
상기 형광띠(225)는 8mm 내지 16mm의 높이를 가지도록 형성될 수 있다. 상기 형광띠(225)는 50mm 내지 100mm의 폭을 가질 수 있다. 상기 형광띠(225)의 폭과 높이는 일정비율을 가지도록 형성될 수 있다. 상기 형광띠(225)의 폭과 높이의 비율은 8:25 내지 2:25일 수 있다. 인접하는 형광띠(225)는 10mm 내지 15mm의 이격거리를 가질 수 있다.The
상기 형광띠(225)는 무기 형광체 또는 유기 형광체를 포함할 수 있다. 상기 형광띠(225)는 양자점을 포함할 수 있다.The
상기 형광층이 다수의 형광띠(225)로 형성됨으로써 높은 CRI의 광을 출력할 수 있는 효과가 있고, 균질한 파장의 광을 출력할 수 있는 효과가 있다.Since the fluorescent layer is formed of a plurality of
도 16는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 조명장치에 대한 단면도이다.16 is a sectional view of a lighting apparatus according to another embodiment of the present invention.
도 16의 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 조명장치는 도 6 내지 도 11의 본 발명의 일 실시 예와 비교하여 보조 형광층이 더 형성된 것 이외에는 동일하다. 따라서, 본 발명의 또 다른 실시 예를 설명함에 있어서, 본 발명의 일 실시 예와 공통되는 구성에 대해서는 상세한 설명을 생략한다The illumination device according to another embodiment of the present invention shown in FIG. 16 is the same as the illumination device according to the present invention shown in FIGS. 6 to 11 except that the auxiliary fluorescent layer is further formed. Therefore, in describing still another embodiment of the present invention, detailed description of the configuration common to the embodiment of the present invention will be omitted
도 16를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 조명장치(309)는 반사부재(320)를 포함한다. 상기 반사부재(320)는 반사상면(321) 및 반사측면(323)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 16, a
상기 반사측면(323)의 일부영역에는 형광층(325)이 형성될 수 있다. 상기 형광층(325)은 상기 반사측면(323)에 부착될 수도 있고, 형광물질이 상기 반사측면(323)에 도포됨으로써 형성될 수 있다.A
상기 조명장치(9)는 보조 형광층(327)을 더 포함할 수 있다. 상기 보조 형광층(327)은 상기 광원(340)과 인접한 영역에 형성될 수 있다. 상기 보조 형광층(327)은 상기 광원(340)을 기준으로 상기 형광층(325)의 반대 영역에 형성될 수 있다. 상기 보조 형광층(327)은 상기 광원(340)을 사이에 두고 상기 형광층(325)과 대면하며 형성될 수 있다. 즉, 상기 형광층(325)과 보조 형광층(327) 사이에 상기 광원(340)이 위치할 수 있다.The
상기 보조 형광층(327)은 상기 형광층(325)과 동일한 형상으로 형성될 수 있다. 상기 보조 형광층(327)은 상기 형광층(325)과 대응되는 크기로 형성될 수 있다. 상기 보조 형광층(327)은 상기 형광층(325)과 동일한 높이를 가질 수 있다. The auxiliary fluorescent layer 327 may have the same shape as the
상기 형광층(325)이 다수의 형광띠를 포함하는 경우 상기 보조 형광층(327) 또한 다수의 보조 형광띠를 포함할 수 있다. 상기 보조 형광층(327)의 폭 및 이격거리는 상기 다수의 형광띠와 대응되도록 형성될 수 있다. 즉, 상기 다수의 형광띠(325)는 출광영역(50)의 중심점을 기준으로 원형상으로 배열되며, 상기 다수의 보조 형광띠 또한 상기 출광영역(50)의 중심점을 기준으로 원형상으로 배열된다. 상기 다수의 형광띠(325)는 일정한 원주를 따라 배열되며, 상기 보조 형광띠 또한 일정한 원주를 따라 배열되는데, 상기 중심점으로부터의 상기 다수의 형광띠(325)까지의 거리가 상기 보조 형광띠까지의 거리와 달라진다. 이로써 상기 다수의 형광띠(325)가 배열되는 원주가 상기 다수의 보조 형광띠가 배열되는 원주가 달라지고, 달라지는 원주의 비율에 따라 이와 대응되도록 상기 보조 형광띠의 폭 및 이격거리가 결정될 수 있다.When the
상기 보조 형광층(327)은 상기 형광층(325)과 동일한 물질로 형성될 수 있다.The auxiliary fluorescent layer 327 may be formed of the same material as the
상기 광원(340)으로부터 출력되는 광은 상기 형광층(325) 및 보조 형광층(327)에 의해 반사되어 출력됨으로써 CRI가 상승하고, 균질한 파장영역대 광으로 출력될 수 있다.The light output from the
상기와 같이 보조 형광층(327)을 구비함으로써 별도의 패키지 공정을 생략하더라도 원하는 색온도의 광을 출력할 수 있고, CRI를 상승시킬 수 있으며, 균질한 파장영역대 광을 출력할 수 있는 효과가 있다. 이를 통해 제조단가가 절감되고, 패키징 공정에서의 불량을 방지할 수 있어 제조수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.By providing the auxiliary fluorescent layer 327 as described above, even if a separate packaging process is omitted, light with a desired color temperature can be output, CRI can be increased, and uniform wavelength range light can be output . As a result, the manufacturing cost can be reduced, defects in the packaging process can be prevented, and the manufacturing yield can be improved.
상기 보조 형광층(327)은 상기 지지부재(330) 상에 형성될 수 있다. 상기 보조 형광층(327)은 상기 지지부재(330)의 제1 돌출영역(331) 상에 형성될 수 있다. 상기 보조 형광층(327)은 상기 제1 돌출영역(331)에 부착되어 형성될 수도 있고, 상기 제1 돌출영역(31)에 형광물질을 코팅함으로써 형성될 수도 있다.The auxiliary phosphor layer 327 may be formed on the support member 330. The auxiliary phosphor layer 327 may be formed on the first protruding region 331 of the support member 330. The auxiliary fluorescent layer 327 may be attached to the first protruding region 331 or may be formed by coating the first
상기에서는 본 발명에 따른 실시예를 기준으로 본 발명의 구성과 특징을 설명하였으나 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 사상과 범위 내에서 다양하게 변경 또는 변형할 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자에게 명백한 것이며, 따라서 이와 같은 변경 또는 변형은 첨부된 특허청구범위에 속함을 밝혀둔다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be apparent to those skilled in the art that changes or modifications may fall within the scope of the appended claims.
1: 양자점
3: 코어
5: 쉘
7: 무기 리간드
9: 비드1: Quantum dot
3: Core
5: Shell
7: Inorganic ligand
9: Bead
Claims (15)
상기 광원으로부터의 광을 출광영역으로 반사시키는 반사부재; 및
상기 반사부재의 일부영역상에 형성되는 형광층을 포함하고,
상기 반사부재는 상기 광원과 대향하는 반사상면과 사각형상의 반사측면을 포함하며,
상기 형광층은 상기 반사측면에 형성되며,
상기 형광층은 표면에 무기리간드 및 비드가 도포된 양자점을 포함하는 조명장치.
A light source for emitting light;
A reflecting member for reflecting the light from the light source to an outgoing light area; And
And a fluorescent layer formed on a part of the reflective member,
Wherein the reflective member includes a reflective upper side facing the light source and a rectangular reflective side,
Wherein the fluorescent layer is formed on the reflective side,
Wherein the fluorescent layer comprises a quantum dot on which an inorganic ligand and a bead are coated.
상기 반사부재의 하부에 배치되고, 상기 광원을 지지하는 지지부재를 더 포함하며,
상기 형광층은 상기 지지부재와 인접한 상기 반사측면의 일부영역 상에 형성되는 조명장치.
The method according to claim 1,
Further comprising a support member disposed below the reflection member and supporting the light source,
Wherein the fluorescent layer is formed on a portion of the reflective side adjacent to the support member.
상기 양자점은 상기 형광층의 일부영역에 형성되는 조명장치.
3. The method of claim 2,
And the quantum dot is formed in a part of the fluorescent layer.
상기 양자점은 상기 형광층 중 상기 지지부재와 이격된 영역에만 형성되는 조명장치.
The method of claim 3,
Wherein the quantum dot is formed only in a region of the fluorescent layer that is spaced apart from the support member.
상기 형광층은 서로 이격된 다수의 형광띠를 포함하는 조명장치.
The method according to claim 1,
Wherein the fluorescent layer comprises a plurality of fluorescent strips spaced apart from each other.
상기 양자점 표면에 형성되는 무기 리간드 및 비드를 포함하는 양자점.
A quantum dot having a core-shell structure; And
And quantum dots including inorganic ligands and beads formed on the surfaces of the quantum dots.
상기 무기 리간드는 에테르계 화합물, 불포화 탄화수소류 또는 올레산 중 적어도 하나를 포함하는 양자점.
The method according to claim 6,
Wherein the inorganic ligand comprises at least one of an ether compound, an unsaturated hydrocarbon, or oleic acid.
상기 에테르계 화합물은 트리옥틸 포스핀 옥사이드(tri-n-octylphosphine oxide, TOPO), 알킬포스핀(alkylphosphine), 옥틸 에티르(octyl ether) 및 벤질 에테르(benzyl ether) 중 적어도 하나를 포함하는 양자점.
8. The method of claim 7,
Wherein the ether compound comprises at least one of tri-n-octylphosphine oxide (TOPO), alkylphosphine, octyl ether, and benzyl ether.
상기 불포화 탄화수소류는 옥테인(octane) 및 옥타데케인(Octadecane) 중 적어도 하나를 포함하는 양자점.
8. The method of claim 7,
Wherein the unsaturated hydrocarbons include at least one of octane and octadecane.
상기 유기산은 올레산(oleic acid), 스테아르산(stearic acid), 미리스트산(Myristic acid) 및 헥사데카노익산(hexadecanoic acid) 중 적어도 하나를 포함하는 양자점.
8. The method of claim 7,
Wherein the organic acid comprises at least one of oleic acid, stearic acid, Myristic acid, and hexadecanoic acid.
상기 양자점 대비 무기 리간드의 양은 1:1000 내지 1:100인 양자점.
The method according to claim 6,
Wherein the amount of the inorganic ligand relative to the quantum dot is 1: 1000 to 1: 100.
상기 비드는 ZnSt2, SiO2 및 TiO2 중 적어도 하나를 포함하는 양자점.
The method according to claim 6,
Wherein the bead comprises at least one of ZnSt2, SiO2 and TiO2.
상기 비드는 상기 양자점 대비 1wt% 내지 100wt%인 양자점.
The method according to claim 6,
Wherein the bead is 1 wt% to 100 wt% of the quantum dot.
상기 비드는 제1 비드 및 제2 비드를 포함하고,
상기 제1 비드 및 제2 비드는 서로 다른 물질인 양자점.
The method according to claim 6,
Wherein the bead comprises a first bead and a second bead,
Wherein the first bead and the second bead are different materials.
A film comprising the quantum dot of any one of claims 6 to 14.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170029871A KR101975989B1 (en) | 2017-03-09 | 2017-03-09 | Quantum Dot, Film and Lighting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170029871A KR101975989B1 (en) | 2017-03-09 | 2017-03-09 | Quantum Dot, Film and Lighting device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180103243A true KR20180103243A (en) | 2018-09-19 |
KR101975989B1 KR101975989B1 (en) | 2019-08-28 |
Family
ID=63718806
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020170029871A KR101975989B1 (en) | 2017-03-09 | 2017-03-09 | Quantum Dot, Film and Lighting device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101975989B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220096454A (en) * | 2020-12-31 | 2022-07-07 | 이대영 | Quantum dot titanium dioxide fusion lighting fixture and manufacturing method thereof |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20100040959A (en) * | 2007-08-06 | 2010-04-21 | 에이전시 포 사이언스, 테크놀로지 앤드 리서치 | Process of forming a cadmium and selenium containing nanocrystalline composite and nanocrystalline composite obtained therefrom |
KR20120135736A (en) * | 2011-06-07 | 2012-12-17 | 엘지이노텍 주식회사 | Wavelength transforming complex, light emitting device and display device having the same and method of fabricating the same |
KR20130042372A (en) * | 2011-10-18 | 2013-04-26 | 삼성전자주식회사 | Method for producing quantum dot |
KR20160132158A (en) * | 2015-05-06 | 2016-11-17 | 주식회사 지엘비젼 | Lighting Device |
-
2017
- 2017-03-09 KR KR1020170029871A patent/KR101975989B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20100040959A (en) * | 2007-08-06 | 2010-04-21 | 에이전시 포 사이언스, 테크놀로지 앤드 리서치 | Process of forming a cadmium and selenium containing nanocrystalline composite and nanocrystalline composite obtained therefrom |
KR20120135736A (en) * | 2011-06-07 | 2012-12-17 | 엘지이노텍 주식회사 | Wavelength transforming complex, light emitting device and display device having the same and method of fabricating the same |
KR20130042372A (en) * | 2011-10-18 | 2013-04-26 | 삼성전자주식회사 | Method for producing quantum dot |
KR20160132158A (en) * | 2015-05-06 | 2016-11-17 | 주식회사 지엘비젼 | Lighting Device |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220096454A (en) * | 2020-12-31 | 2022-07-07 | 이대영 | Quantum dot titanium dioxide fusion lighting fixture and manufacturing method thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101975989B1 (en) | 2019-08-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8251528B2 (en) | Wavelength conversion plate and light emitting device using the same | |
KR101726807B1 (en) | Light Emitting Device | |
RU2639733C2 (en) | Device with wide colour palette based on led | |
EP2660885B1 (en) | Optical device, light emitting diode package using the same, and backlight apparatus | |
EP2988165A1 (en) | Strip, backlight unit and liquid crystal display including the same | |
WO2013022215A2 (en) | Light-emitting device, backlight unit, display device, and manufacturing method thereof | |
JP2014082416A (en) | Light-emitting device | |
JP2013172041A (en) | Light-emitting device | |
KR20180119539A (en) | lighting apparatus using Quantum Dot integrated type diffusion plate | |
KR101908239B1 (en) | Lighting Device | |
US9720320B2 (en) | Optical sheet, method for manufacturing the same, light emitting diodes module and display using the same | |
KR101975989B1 (en) | Quantum Dot, Film and Lighting device | |
KR101726079B1 (en) | Light Emitting Diode Package and Lighting Device | |
KR101668965B1 (en) | Light Emitting Diode Package and Lighting Device | |
KR101908235B1 (en) | Quantumdot powder and optical memberusing the same | |
KR101727381B1 (en) | Lighting Device | |
KR20160055048A (en) | Lighting Device | |
KR101601531B1 (en) | Lighting Device | |
KR102263850B1 (en) | White led package for preventing insect | |
KR102218345B1 (en) | Lighting devicee | |
KR101937825B1 (en) | Converting Structure of Wavelength, Light Emitting Diode Package And Lighting device | |
KR101972026B1 (en) | Light emitting element | |
US20200127174A1 (en) | Light emitting diode package with enhanced quantum dot reliability | |
KR102338707B1 (en) | Light source and Lighting device | |
KR102461403B1 (en) | Quantum Dot LED Lighting Improving Color Rendering and Light Efficiency |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |