KR101908239B1

KR101908239B1 - Lighting Device

Info

Publication number: KR101908239B1
Application number: KR1020170145267A
Authority: KR
Inventors: 이우식
Original assignee: 주식회사 지엘비젼
Priority date: 2017-11-02
Filing date: 2017-11-02
Publication date: 2018-12-28

Abstract

The present invention relates to a lighting device used for plant growth, comprising: a light source for outputting light; and a light output region for outputting the output light to the outside based on the light from the light source. A peak of the wavelength of the output light output from the light output region includes a first peak, a second peak, and a third peak, wherein the first peak is in a wavelength range of blue light, and the second peak and the third peak are in the wavelength range of red light.

Description

[0001]

실시 예는 식물생장에 이용되는 조명장치에 관한 것이다.An embodiment relates to a lighting device used for plant growth.

식물생장에 조명장치가 이용되고 있다. 식물은 광합성을 통해 생장하며, 광합성에 이용되는 빛을 조명장치를 통해 제공하는 방법이 광범위하게 사용되고 있다.Lighting devices are used for plant growth. Plants grow through photosynthesis, and methods for providing light used for photosynthesis through lighting devices are widely used.

종래에는 청색, 적색 및 녹색파장을 포함하는 광을 제공하여 식물을 생장하는데 이용하였으며, 청색파장은 개화유도에 이용되고, 적색 및 적외선 계열의 광은 생육을 촉진시키고, 줄기를 생장하는데 이용된다. 다만, 녹색파장의 경우 식물의 잎과 줄기로부터 반사되므로 생장에 큰 영향이 없어 녹색파장을 포함하는 광을 제공하는 경우 에너지 낭비의 문제가 있다.Conventionally, blue, red and green wavelengths are used to grow plants. Blue wavelengths are used to induce flowering, and red and infrared light are used to promote growth and stem growth. However, green wavelengths are reflected from the leaves and stems of plants, so there is no significant effect on growth and there is a problem of energy waste when providing light including green wavelengths.

종래의 식물생장등은 백열등, 형광등 및 일반 LED 등이 사용되었으나, 백열등은 에너지 효율이 낮은 문제가 있으며, 형광등은 적색 및 청색 파장의 광이 적고 녹색파장의 광이 많아 에너지 효율이 낮은 한계가 있다. 따라서, 최근에는 식물생장등으로 단색파장, 저소비전력, 우수한 응답성 및 장수명을 가지는 LED 조명이 이용되고 있다.Conventionally, incandescent lamps, fluorescent lamps, and general LEDs have been used for the plant growth, but incandescent lamps have a problem of low energy efficiency. Fluorescent lamps have low energy of red and blue wavelengths and light of green wavelengths, . Accordingly, recently, LED lighting having monochromatic wavelength, low power consumption, excellent response and long life has been used for plant growth.

상기 LED 조명의 경우 적색파장 및 청색파장의 높은 파장영역을 출력하는 단색 LED를 사용함으로써 광합성 효율이 낮고, 적색 파장영역의 단색 LED를 사용하는 경우 LED단가가 높아 생산단가가 상승하는 문제점이 있다.In the case of the LED illumination, the use of a monochromatic LED that outputs a high wavelength region of a red wavelength and a blue wavelength results in a low photosynthesis efficiency. In the case of using a monochromatic LED in a red wavelength region,

실시 예는 식물 생장을 촉진시킬 수 있는 조명장치에 관한 것이다. An embodiment relates to a lighting device capable of promoting plant growth.

식물 생장에 이용되는 조명장치에 있어서, 광을 출력하는 광원; 및 상기 광원으로부터의 광을 기초로 출력광을 외부로 출력하는 출광영역을 포함하고, 상기 출광영역으로부터 출력되는 출력광의 파장의 피크는 제1 피크, 제2 피크 및 제3 피크를 포함하며, 상기 제1 피크는 청색광의 파장대이고, 상기 제2 피크 및 제3 피크는 적색광의 파장대이다.A lighting device for use in growing a plant, comprising: a light source for outputting light; And an outgoing light area for outputting the output light to the outside based on light from the light source, wherein a peak of a wavelength of output light output from the outgoing light area includes a first peak, a second peak and a third peak, The first peak is a wavelength range of blue light, and the second and third peaks are wavelength ranges of red light.

실시 예에 따른 조명장치는 2개의 피크를 가지는 적색파장의 광을 이용하여 식물의 생장을 촉진시킬 수 있다.The illumination device according to the embodiment can promote the growth of plants by using light of a red wavelength having two peaks.

도 1은 제1 실시 예에 따른 조명장치의 사시도이다.
도 2는 제1 실시 예에 따른 조명장치의 분해 사시도이다.
도 3은 제1 실시 예에 따른 조명장치의 단면도이다.
도 4는 제1 실시 예에 따른 지지부재 및 광원을 나타내는 상면도이다.
도 5는 도 4의 A-A`영역을 따라 절단한 단면도이다.
도 6은 제1 실시 예에 따른 조명장치의 광의 경로를 나타내는 도면이다.
도 7은 제1 실시 예에 따른 조명장치의 출광영역을 통해 출력되는 광의 파장을 나타내는 도면이다.
도 8은 에머슨 상승효과를 나타내는 도면이다.
도 9는 제1 실시 예에 따른 조명장치를 이용하여 생장시킨 식물을 나타내는 도면이다.
도 10은 제1 실시 예에 따른 조명장치를 이용하여 생장시킨 식물을 나타내는 도면이다.
도 11은 제2 실시 예에 따른 조명장치를 나타내는 분해사시도이다.
도 12는 제2 실시 예에 따른 조명장치의 반사부재의 저면사시도이다.
도 13은 제3 실시 예에 따른 조명장치의 반사부재의 저면사시도이다.
도 14는 제4 실시 예에 따른 조명장치의 반사부재의 저면사시도이다.1 is a perspective view of a lighting apparatus according to a first embodiment.
2 is an exploded perspective view of a lighting apparatus according to the first embodiment.
3 is a cross-sectional view of the illumination device according to the first embodiment.
4 is a top view showing a support member and a light source according to the first embodiment.
5 is a cross-sectional view taken along the line AA 'in FIG.
6 is a view showing the path of light of the illumination device according to the first embodiment.
7 is a diagram showing the wavelength of light output through the light-exiting area of the illumination device according to the first embodiment.
8 is a diagram showing the Emerson synergistic effect.
Fig. 9 is a view showing a plant grown using the lighting apparatus according to the first embodiment. Fig.
10 is a view showing a plant grown by using the lighting apparatus according to the first embodiment.
11 is an exploded perspective view showing a lighting apparatus according to the second embodiment.
12 is a bottom perspective view of the reflecting member of the illumination apparatus according to the second embodiment.
13 is a bottom perspective view of a reflecting member of the illumination apparatus according to the third embodiment.
14 is a bottom perspective view of a reflecting member of the illumination device according to the fourth embodiment.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세하게 설명한다. 다만, 본 발명의 사상은 제시되는 실시예에 제한되지 아니하고, 본 발명의 사상을 이해하는 당업자는 동일한 사상의 범위 내에서 다른 구성요소를 추가, 변경, 삭제 등을 통하여, 퇴보적인 다른 발명이나 본 발명 사상의 범위 내에 포함되는 다른 실시예를 용이하게 제안할 수 있을 것이나, 이 또한 본원 발명 사상 범위 내에 포함된다고 할 것이다. Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the inventive concept. Other embodiments falling within the scope of the inventive concept may readily be suggested, but are also considered to be within the scope of the present invention.

또한, 각 실시예의 도면에 나타나는 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성요소는 동일한 참조부호를 사용하여 설명한다.The same reference numerals are used to designate the same components in the same reference numerals in the drawings of the embodiments.

상기 청색광의 반치폭은 상기 적색광의 반치폭보다 작을 수 있다.The half width of the blue light may be smaller than the half width of the red light.

상기 제1 피크의 강도는 상기 제2 피크의 강도 또는 상기 제3 피크의 강도보다 클 수 있다.The intensity of the first peak may be greater than the intensity of the second peak or the intensity of the third peak.

상기 광원은, 상기 제1 피크의 광을 출력하는 제1 광원, 상기 제2 피크의 광을 출력하는 제2 광원, 및 상기 제3 피크의 광을 출력하는 제3 광원을 포함할 수 있다.The light source may include a first light source that outputs light of the first peak, a second light source that outputs light of the second peak, and a third light source that outputs light of the third peak.

상기 광원은 제4 피크를 가지는 광을 출력하는 제4 광원을 포함하고, 상기 제4 피크의 파장은 상기 제2 피크의 파장과 상기 제3 피크의 파장의 사이의 파장일 수 있다.The light source may include a fourth light source that outputs light having a fourth peak, and the wavelength of the fourth peak may be a wavelength between the wavelength of the second peak and the wavelength of the third peak.

상기 제4 광원이 출력하는 광의 반치폭은 상기 제2 광원이 출력하는 광의 반치폭 또는 상기 제3 광원이 출력하는 광의 반치폭보다 클 수 있다.The half width of the light output by the fourth light source may be greater than the half width of the light output by the second light source or the half width of the light output by the third light source.

상기 제4 광원이 출력하는 광의 반치폭은 상기 제1 광원이 출력하는 광의 반치폭 보다 클 수 있다.The half width of the light output by the fourth light source may be greater than the half width of the light output by the first light source.

상기 제2 광원은 제2 발광 다이오드 패키지 및 제2 파장변환물질로 구성되는 제2 파장변환층을 포함하고, 상기 제3 광원은 제3 발광 다이오드 패키지 및 제3 파장변환물질로 구성되는 제3 파장변환층을 포함하고, 상기 제4 광원은 제4 발광 다이오드 패키지 및 제4 파장변환층을 포함할 수 있다.The second light source includes a second wavelength conversion layer composed of a second light emitting diode package and a second wavelength conversion material, and the third light source is a third wavelength conversion material composed of the third light emitting diode package and the third wavelength conversion material. Conversion layer, and the fourth light source may include a fourth light emitting diode package and a fourth wavelength conversion layer.

상기 제4 파장변환층은 상기 제2 파장변환물질 및 상기 제3 파장변환물질로 구성될 수 있다.And the fourth wavelength conversion layer may be formed of the second wavelength conversion material and the third wavelength conversion material.

상기 제4 파장변환층에는 상기 제2 파장변환물질과 상기 제3 파장변환물질이 혼합된 형태로 구성될 수 있다.The fourth wavelength conversion layer may be formed by mixing the second wavelength conversion material and the third wavelength conversion material.

상기 제4 파장변환층은 제4 파장변환물질을 더 포함하고, 상기 제4 파장변환층은 입력받은 광을 제5 피크를 가지는 광으로 변환하여 출력하고, 상기 제5 피크는 상기 제2 피크와 제3 피크의 사이 값을 가질 수 있다.Wherein the fourth wavelength conversion layer further comprises a fourth wavelength conversion material, wherein the fourth wavelength conversion layer converts the input light into light having a fifth peak and outputs the fifth peak, And may have a value between the third peaks.

상기 광원으로부터의 광을 상기 출광영역으로 반사시키는 반사부재; 및 상기 반사부재의 적어도 일부영역 상에 형성되는 형광층을 포함하고, 상기 반사부재는 상기 광원과 대향하는 반사상면과 사각형상의 반사측면을 포함하며, 상기 형광층은 상기 반사측면에 형성될 수 있다.A reflecting member for reflecting the light from the light source to the outgoing light area; And a fluorescent layer formed on at least a part of the reflective member, wherein the reflective member includes a reflective upper surface opposite to the light source and a rectangular reflective side, and the fluorescent layer can be formed on the reflective side .

상기 광원은, 상기 제1 피크의 광을 출력하는 제1 광원, 및 상기 제2 피크의 광을 출력하는 제2 광원을 포함하며, 상기 형광층은 제2 광원으로부터 조사된 광의 적어도 일부의 광을 변환하여 제3 피크의 광을 출력할 수 있다.Wherein the light source includes a first light source for outputting light of the first peak and a second light source for outputting light of the second peak, and the fluorescent layer is arranged to emit light of at least part of the light irradiated from the second light source And output the light of the third peak.

상기 형광층은 제1 형광영역 및 제2 형광영역을 포함하고, 상기 제1 형광영역으로 조사된 제2 광원으로부터의 광은 상기 제3 피크의 광으로 변환되어 출력되고, 상기 제2 형광영역으로 조사된 제2 광원으로부터의 광은 제4 피크의 광으로 변환하여 출력될 수 있다.Wherein the fluorescent layer includes a first fluorescent region and a second fluorescent region, the light from the second light source irradiated to the first fluorescent region is converted into light of the third peak and is output, And the light from the irradiated second light source can be converted into the light of the fourth peak and output.

상기 제4 피크는 상기 제2 피크 및 제3 피크의 사이의 파장 값일 수 있다.The fourth peak may be a wavelength value between the second peak and the third peak.

상기 제4 피크를 가지는 광의 반치폭은 상기 제2 피크를 가지는 광 또는 상기 제3 피크를 가지는 광의 반치폭보다 클 수 있다.The half width of the light having the fourth peak may be larger than the half width of the light having the second peak or having the third peak.

상기 제1 형광영역과 제2 형광영역의 경계는 상기 광원으로부터 상기 반사상면 방향으로 연장될 수 있다.The boundary between the first fluorescent region and the second fluorescent region may extend from the light source toward the reflective upper surface.

상기 제1 형광영역과 제2 형광영역의 경계는 상기 광원으로부터 상기 반사상면 방향의 수직방향으로 연장될 수 있다.The boundary between the first fluorescent region and the second fluorescent region may extend in a direction perpendicular to the direction of the reflective upper surface from the light source.

상기 형광층은 제3 파장변환물질을 포함하고, 상기 제3 파장변환물질에 입사된 광은 제3 피크를 가지는 광으로 변환되어 출력될 수 있다.The fluorescent layer includes a third wavelength converting material, and the light incident on the third wavelength converting material may be converted into light having a third peak and output.

상기 형광층은 제4 파장변환물질을 더 포함하고, 상기 제4 파장변환물질에 입사된 광은 제4 피크를 가지는 광으로 변화되어 출력될 수 있다.The fluorescent layer may further include a fourth wavelength conversion material, and the light incident on the fourth wavelength conversion material may be converted into light having a fourth peak and output.

상기 형광층에는 상기 제3 파장변환물질과 제2 파장변환물질이 혼입될 수 있다.The third wavelength converting material and the second wavelength converting material may be mixed into the fluorescent layer.

이하에서는 도면을 참조하여 실시 예에 따른 조명장치를 설명한다.Hereinafter, a lighting apparatus according to an embodiment will be described with reference to the drawings.

도 1은 제1 실시 예에 따른 조명장치의 사시도이고, 도 2는 제1 실시 예에 따른 조명장치의 분해 사시도이며, 도 3은 제1 실시 예에 따른 조명장치의 단면도이며, 도 4는 제1 실시 예에 따른 지지부재 및 광원을 나타내는 상면도이며, 도 5는 도 4의 A-A`영역을 따라 절단한 단면도이다.FIG. 1 is a perspective view of a lighting apparatus according to a first embodiment, FIG. 2 is an exploded perspective view of a lighting apparatus according to a first embodiment, FIG. 3 is a sectional view of the lighting apparatus according to the first embodiment, FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA 'in FIG. 4. FIG.

도 1 내지 도 5를 참조하면, 제1 실시 예에 따른 조명장치(1)는 프레임(10), 반사부재(20) 및 지지부재(30)를 포함할 수 있다.1 to 5, the illumination device 1 according to the first embodiment may include a frame 10, a reflection member 20, and a support member 30. [

상기 프레임(10)은 상기 조명장치(1)의 몸체를 형성하는 틀 또는 뼈대일 수 있다. 상기 프레임(10)은 내부가 비어있는 원기둥 형상으로 형성될 수 있다. 상기 프레임(10)은 하면이 개구된 원기둥 형상으로 형성될 수 있다. 상기 프레임(10)은 상면 및 하면이 개구된 원기둥 형상으로 형성될 수 있다.The frame 10 may be a frame or a frame forming the body of the lighting device 1. [ The frame 10 may have a cylindrical shape with an empty interior. The frame 10 may have a cylindrical shape with a bottom surface opened. The frame 10 may have a cylindrical shape with an upper surface and a lower surface opened.

도시하지 않았지만 상기 프레임(10)은 방열부재를 더 포함할 수 있다. 또는 상기 프레임(10)은 방열이 용이하도록 열전도도가 높은 물질로 구성될 수 있다. 상기 프레임(10)의 방열능력이 향상됨으로써 상기 조명장치(1) 내의 열을 외부로 배출할 수 있어, 열에 의한 내부 구성의 손상을 방지할 수 있다.Although not shown, the frame 10 may further include a heat dissipating member. Alternatively, the frame 10 may be made of a material having high thermal conductivity to facilitate heat dissipation. The heat dissipation capability of the frame 10 is improved, so that the heat in the lighting apparatus 1 can be discharged to the outside, and damage to the internal structure due to heat can be prevented.

도시하지 않았지만, 상기 방열부재는 상기 프레임(10)의 외측면에 형성될 수도 있고, 상기 방열부재는 상기 프레임(10)의 내측면에 형성될 수도 있다. 상기 방열부재가 상기 프레임(10)의 내측면에 형성되는 경우 상기 방열부재는 상기 프레임(10)과 상기 반사부재(20)의 사이에 형성될 수 있다.Although not shown, the heat dissipating member may be formed on the outer surface of the frame 10, and the heat dissipating member may be formed on the inner surface of the frame 10. When the radiation member is formed on the inner surface of the frame 10, the radiation member may be formed between the frame 10 and the reflection member 20.

상기 반사부재(20)는 상기 프레임(10)의 내측에 삽입될 수 있다. 상기 반사부재(20)는 시트형태로 상기 프레임(10)의 내측에 고정될 수 있다. 상기 반사부재(20)는 일부가 상기 프레임(10)의 내측에 부착되어 전체가 상기 프레임(10)에 고정될 수 있다.The reflective member 20 may be inserted into the frame 10. The reflective member 20 may be fixed to the inside of the frame 10 in a sheet form. A part of the reflection member 20 may be attached to the inside of the frame 10 so that the whole of the reflection member 20 is fixed to the frame 10. [

상기 반사부재(20)는 상기 프레임(10)과 대응되는 형상으로 형성될 수 있다. 상기 반사부재(20)는 일단이 개구된 원기둥 형상으로 형성될 수 있다.The reflective member 20 may be formed in a shape corresponding to the frame 10. The reflective member 20 may be formed in a columnar shape having an open end.

상기 반사부재(20)는 반사상면(21) 및 반사측면(23)을 포함할 수 있다. 상기 반사상면(21)은 원형상을 가질 수 있다. 상기 반사상면(21)은 원형상의 출광영역(50)과 동일한 중심을 가질 수 있다. 즉, 상기 반사상면(21)은 상기 출광영역(50)과 동심원 형상을 가질 수 있다. 상기 반사상면(21)은 상기 출광영역(50)과 대응되는 크기로 형성될 수 있다. 상기 반사상면(21)은 상기 출광영역(50)과 평행하는 면일 수 있다.The reflective member 20 may include a reflective upper surface 21 and reflective side 23. The reflective upper surface 21 may have a circular shape. The reflective upper surface 21 may have the same center as the circular light exit area 50. That is, the reflective upper surface 21 may have a concentric circular shape with respect to the outgoing light region 50. The reflective upper surface 21 may have a size corresponding to the outgoing area 50. The reflective upper surface 21 may be a surface parallel to the outgoing light area 50.

상기 반사측면(23)은 사각형상의 전개도를 가질 수 있다. 상기 반사측면(23)은 직사각형상을 가질 수 있다. 상기 반사측면(23)의 밑면은 상기 반사상면(21)의 원주와 대응되는 길이를 가질 수 있다. 상기 반사측면(23)의 밑면은 평면형상을 가질 수 있다. 상기 반사측면(23)의 밑면이 평면 형상을 가짐으로써 제조가 용이하고, 원뿔형에 비해 조립이 용이한 효과가 있다.The reflective side 23 may have a square developed view. The reflective side 23 may have a rectangular shape. The bottom surface of the reflective side 23 may have a length corresponding to the circumference of the reflective top surface 21. [ The bottom surface of the reflective side surface 23 may have a planar shape. Since the bottom surface of the reflective side surface 23 has a planar shape, it is easy to manufacture, and the assembly is easier than the conical shape.

상기 반사상면(21) 및 반사측면(23)은 일체로 형성될 수 있다. 상기 반사상면(21) 및 반사측면(23)은 동일한 물질을 포함할 수 있다.The reflective upper surface 21 and the reflective side surface 23 may be integrally formed. The reflective upper surface 21 and reflective side 23 may comprise the same material.

상기 반사부재(20)가 시트형태로 형성되는 경우 상기 반사부재(20)는 수지층, 발포 또는 충전제(확산제), 금속층 및 보호층을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 수지층은 PET, PC, PV, PP 등과 같은 물질로 형성되며, 황산바륨 또는 탄산칼륨과 같은 발포 또는 유/무기계 충전제를 그 내부에 포함할 수 있다. 상기 수지층의 일면에 알루미늄 또는 은과 같은 금속층이 형성되고, 금속층의 일면에 상기 반사부재(20)를 보호하기 위한 보호층이 형성된다.When the reflective member 20 is formed in the form of a sheet, the reflective member 20 may include a resin layer, a foam or a filler (a diffuser), a metal layer, and a protective layer. For example, the resin layer is formed of a material such as PET, PC, PV, PP and the like, and may contain therein a foaming or oil / inorganic filler such as barium sulfate or potassium carbonate. A metal layer such as aluminum or silver is formed on one surface of the resin layer and a protective layer for protecting the reflective member 20 is formed on one surface of the metal layer.

상기 반사부재(20)의 반사율 증대를 위한 무기계 충전제로는 황산바륨(BaSO4), 황산칼슘(CaSO4), 황산마그네슘(MgSO4), 탄산바륨(BaCO3), 탄산칼슘(CaCO3), 탄산칼륨(K2CO3), 염화마그네슘(MgCl2), 수산화알루미늄(Al(OH)3), 수산화마그네슘(Mg(OH)2), 수산화칼슘(Ca(OH)2), 이산화티탄(TiO2), 알루미나(Al2O3), 실리카(SiO2), 탈크(H2Mg3(SiO3)4 또는 Mg3Si4O10(OH)2), 제올라이트(Zeolite) 등이 있다. 또한, 반사 부재(20)는 금속층을 포함하지 않을 수도 있으며, 또한, 자외선 흡수 층(열화 방지층)이 추가로 수지층 일면에 포함되거나 수지층 내부에 포함될 수도 있다.Examples of the inorganic filler for increasing the reflectance of the reflective member 20 include barium sulfate (BaSO4), calcium sulfate (CaSO4), magnesium sulfate (MgSO4), barium carbonate (BaCO3), calcium carbonate (CaCO3) , Magnesium hydroxide (MgCl2), aluminum hydroxide (Al (OH) 3), magnesium hydroxide (Mg (OH) 2), calcium hydroxide (Ca (OH) 2), titanium dioxide (TiO2), alumina (Al2O3) ), Talc (H2Mg3 (SiO3) 4 or Mg3Si4O10 (OH) 2), and zeolite. In addition, the reflective member 20 may not include a metal layer, and an ultraviolet absorbing layer (deterioration preventing layer) may be further included on one surface of the resin layer or may be included in the resin layer.

상기 반사부재(20)의 두께는 0.015mm 내지 15mm일 수 있다. 상기 반사부재(20)의 반사도는 60% 내지 99.8%가 될 수 있다. 또한, 다른 실시 예에 따르면, 상기 반사부재(20)는 확산 패턴 또는 충전제를 포함하지 않으며, 반사도가 매우 높은 시트가 될 수 있다. 이 경우 상기 반사부재(20)의 반사도가 높아서 손실되는 광이 적어 결과적으로 출사되는 광의 조사량이 커질 수 있는 효과가 있다.The thickness of the reflective member 20 may be 0.015 mm to 15 mm. The reflectivity of the reflective member 20 may be 60% to 99.8%. Further, according to another embodiment, the reflective member 20 does not include a diffusion pattern or a filler, and can be a highly reflective sheet. In this case, since the reflectivity of the reflective member 20 is high, the amount of light to be lost is small, and as a result, the amount of light to be emitted can be increased.

상기 반사부재(20)의 광을 반사하는 표면에는 먼지 흡착을 방지하기 위한 광촉매제가 도포될 수 있다.A photocatalyst can be applied to the surface of the reflective member 20, which reflects light, to prevent the adsorption of dust.

상기 광촉매는 TiOx:D로 표현되는 티타늄 화합물을 포함할 수 있다. 여기서 D는 도펀트(dopant)를 의미하며, 상기 도펀트는 N, C, -OH, Fe, Cr, Co 또는 V를 포함할 수 있다. 상기 티타늄화합물은 이산화티타늄(TiO2) 또는 질산화티타늄(TiON)이 될 수 있으며, 미립자를 사용하여 친수성으로 코팅될 수 있다. 광촉매의 입자 직경은 수 nm 내지 수백 nm가 될 수 있다. 예를 들면, 광촉매의 입자 직경은 5nm 내지 900nm가 될 수 있다.The photocatalyst may include a titanium compound represented by TiOx: D. Here, D means a dopant, and the dopant may include N, C, -OH, Fe, Cr, Co or V. The titanium compound may be titanium dioxide (TiO2) or titanium nitrate (TiON), and may be coated with hydrophilic particles using fine particles. The particle diameter of the photocatalyst may be several nm to several hundred nm. For example, the particle diameter of the photocatalyst may be from 5 nm to 900 nm.

또한, 상기 광촉매는 광촉매를 포함한 바인더 또는 용액이 반사부재(20)의 표면에 도포되어 건조됨으로써 상기 반사 부재(20)에 도포되며, 광촉매를 포함한 바인더 또는 용액은 건조 후 두께가 0.05㎛ 내지 20㎛ 가 될 수 있다.The photocatalyst is coated on the reflective member 20 by applying a binder or a solution including a photocatalyst on the surface of the reflective member 20 and drying the binder or the solution. The binder or the solution containing the photocatalyst is dried to a thickness of 0.05 to 20 탆 .

상기 티타늄 화합물의 전기적 성질은 반도체 성질을 나타내며, 단파장(380nm) 이하의 자외선 또는 380nm 내지 780nm의 가시광선이 조사되면 여기상태가 되어 강력한 산화력을 나타내고, 화학적으로도 안정된 물질이다. 즉, 상기 티타늄 화합물은 자외선 또는 가시광선을 흡수하면 표면에서 전자와 정공이 생성되고, 생성된 전자와 정공은 대부분의 유해물질을 분해하는 역할을 수행한다.The electrical properties of the titanium compound exhibit a semiconducting property. The titanium compound exhibits a strong oxidizing power and is chemically stable when exposed to ultraviolet light having a short wavelength (380 nm) or less or visible light having a wavelength of 380 nm to 780 nm. That is, when the titanium compound absorbs ultraviolet rays or visible rays, electrons and holes are generated on the surface, and generated electrons and holes serve to decompose most harmful substances.

상기 광촉매는 친수성 효과를 가지고 있으며, 이에 따라 방진 효과가 있다. 즉, 광촉매 코팅 표면에 물을 뿌렸을 때 뿌려진 물방울과 기재 표면 사이의 접촉각이 작아져서 표면의 친수 효과가 나타나며, 이러한 성질에 따라 표면에 먼지 흡착을 방지하는 효과가 있다. The photocatalyst has a hydrophilic effect and thus has a dust-proof effect. That is, when the water is sprayed on the surface of the photocatalyst coating, the angle of contact between the droplet sprayed on the surface of the substrate and the surface of the substrate is reduced, and the hydrophilic effect of the surface is exhibited.

또한, 상기 광촉매는 각종 유기물질(탄소화합물)을 산화 및 분해력을 가지고 있으며, 이러한 기능에 의해 암모니아, 황화수소, 아세트알데히드, 트리메틸아민, 메틸메르캅산, 황화메틸, 이황화메틸, 스틸렌 등의 악취유발 물질을 분해함으로써 냄새 제거, 공기 정화, 살균/항균 등의 효과도 있다.The photocatalyst has the ability to oxidize and decompose various organic substances (carbon compounds). By virtue of this function, the photocatalyst is capable of oxidizing and decomposing various organic substances (carbon compounds), such as ammonia, hydrogen sulfide, acetaldehyde, trimethylamine, methylmercapthalene, methyl sulfide, It is possible to remove odors, purify air, and sterilize / antibacterial effects.

상기 광촉매는 상기 반사부재(20)의 표면에 액상으로 분사되어 도포될 수 있다. 즉, 사용자는 분사기구를 이용하여 액상의 광촉매를 상기 반사부재(20)의 표면에 뿌림으로써 간편하게 상기 반사부재(20)의 표면에 광촉매를 도포할 수 있다.The photocatalyst may be sprayed on the surface of the reflective member 20 in a liquid phase. That is, the user can easily apply the photocatalyst to the surface of the reflecting member 20 by spraying the liquid photocatalyst on the surface of the reflecting member 20 using the injection mechanism.

또한, 상기 광촉매는 상기 반사부재(20)의 표면에 스크린 프린팅 방식, 그라비아 프린팅 방식, 분사 방식, 분사 후 롤브러쉬 방식으로 도포될 수 있다.The photocatalyst may be applied to the surface of the reflective member 20 by a screen printing method, a gravure printing method, a spraying method, or a post-spraying roll brush method.

상기 스크린 프린팅은 인쇄용 스크린에 형성되어 있는 미세한 메시를 통해 광촉매가 포함되어 있는 액상이 균일하게 도포되는 프린팅 방식이며, 상기 그라비아 프린팅은 오목한 롤러에 묻어 있는 광촉매를 포함한 액체를 반사부재(20)의 표면에 도포하는 프린팅 방식이고, 상기 분사 방식은 광촉매가 포함된 액상을 표면에 분사하는 방식이며, 상기 분사 후 롤브러쉬 방식은 광촉매가 포함된 액상을 표면에 분사한 후 롤브러쉬로 균일하게 문질러 도포하는 방식이다. The screen printing is a printing method in which a liquid phase containing a photocatalyst is uniformly applied through a fine mesh formed on a screen for printing. The gravure printing is a method in which a liquid containing a photocatalyst buried in a concave roller is applied to the surface The spraying method is a method in which a liquid phase containing a photocatalyst is sprayed onto a surface, and the post-spraying roll brushing method is a method in which a liquid phase containing a photocatalyst is sprayed onto a surface thereof and then rubbed uniformly with a roll brush Method.

본 실시예에 따르면, 상기 프린팅 방식에 의해 대량의 반사부재(20)에 효율적으로 광촉매를 도포할 수 있는 장점이 있다.According to this embodiment, there is an advantage that the photocatalyst can be efficiently applied to a large amount of the reflective member 20 by the printing method.

또한, 상기 광촉매를 도포하기 전에 유기 또는 무기용제를 전처리할 수도 있다. 즉, 상기 반사부재(20) 의 표면에 유기 또는 무기용제로 유무기 오염물을 세정한 후 그 위에 광촉매를 도포할 수 있다. 여기서, 유기 또는 무기용제는 아세톤 또는 알코올 등과 같은 알칼리 약액과 중성세제 등이 될 수 있다.The organic or inorganic solvent may be pretreated before the photocatalyst is applied. That is, a photocatalyst can be coated on the surface of the reflective member 20 after the organic contaminants are washed with an organic or inorganic solvent. Here, the organic or inorganic solvent may be an alkaline chemical such as acetone or alcohol, a neutral detergent, or the like.

또한, 상기 반사부재(20)의 표면에 은나노 또는 알루미늄 나노로 형성된 코팅층을 형성한 후 그 위에 광촉매를 도포할 수도 있다. 은나노 또는 알루미늄 코팅층은 반사 보조 기구의 반사 효율을 높일 수 있는 장점이 있다.Also, a coating layer formed of silver nano or aluminum nano may be formed on the surface of the reflective member 20, and then a photocatalyst may be coated thereon. The silver nano or aluminum coating layer has an advantage of enhancing the reflection efficiency of the reflection auxiliary device.

또한, 상기 광촉매는 점성(viscosity)을 조절하는 첨가제를 더 포함할 수 있다.In addition, the photocatalyst may further include an additive for controlling the viscosity.

상기 반사부재(20)는 상기 프레임(10)의 내측에 도포되는 방법으로 형성될 수 있다. 상기 프레임(10)의 내측에 높은 반사율을 가지는 물질이 도포됨으로써 상기 높은 반사율을 가지는 물질이 상기 반사부재(20)를 구성할 수 있다.The reflective member 20 may be formed by a method of being applied to the inner side of the frame 10. A material having a high reflectance is applied to the inside of the frame 10, so that the reflective member 20 can be formed of a material having a high reflectance.

상기 프레임(10) 및 상기 반사부재(20)의 일단에는 상기 지지부재(30)가 위치할 수 있다. 상기 지지부재(30)는 상기 반사부재(20)의 일단과 대응되는 형상으로 형성될 수 있다. 상기 지지부재(30)는 상기 프레임(10)의 일단과 대응되는 형상으로 형성될 수 있다. 상기 프레임(10) 및 상기 반사부재(20)의 일단은 원형의 띠 형상으로 형성되므로, 상기 지지부재(30)는 원형의 띠 형상으로 형성될 수 있다.The support member 30 may be positioned at one end of the frame 10 and the reflective member 20. The support member 30 may be formed in a shape corresponding to one end of the reflective member 20. The support member 30 may be formed in a shape corresponding to one end of the frame 10. Since one end of the frame 10 and one end of the reflection member 20 are formed in a circular strip shape, the support member 30 may be formed in a circular strip shape.

상기 지지부재(30)의 중앙영역은 개구될 수 있다. 상기 지지부재(30)의 중앙영역은 개구되어 출광영역(50)을 가질 수 있다. 즉, 상기 원형의 띠 형상의 지지부재(30)에 의해 상기 출광영역(50)이 정의될 수 있다. 상기 출광영역(50)의 둘레는 상기 지지부재(30)의 개구에 의해 한정될 수 있다.The central region of the support member 30 may be open. The central region of the support member 30 may be open to have an outgoing area 50. That is, the light-outgoing region 50 can be defined by the circular band-like support member 30. [ The periphery of the light outgoing area 50 may be defined by the opening of the support member 30. [

상기 출광영역(50)은 원형상으로 형성될 수 있다. 도시하지 않았지만, 상기 출광영역(50)에는 출광시트가 부착될 수 있다. 상기 출광시트는 상기 출광영역(50)으로 향하는 모든 광을 투과시킬 수 있다. 상기 출광시트는 상기 조명장치(1) 내부로 유입되는 이물을 차단시킬 수 있다. 상기 출광시트가 상기 조명장치(1) 내부로 유입되는 이물을 차단하여 상기 이물에 의해 상기 반사부재(20)의 반사율이 저하되는 것을 방지할 수 있다. The outgoing light region 50 may be formed in a circular shape. Although not shown, a light output sheet may be attached to the light outgoing area 50. The outgoing sheet can transmit all the light directed to the outgoing light area (50). The light-outgoing sheet can block foreign matter flowing into the interior of the lighting apparatus 1. [ It is possible to prevent the foreign matter introduced into the illumination device 1 from being blocked by the outgoing sheet so that the reflectance of the reflection member 20 is prevented from being lowered by the foreign matter.

도시하지 않았지만, 상기 지지부재(30)의 상면에는 반사시트가 부착될 수 있다. 상기 지지부재(30)의 상면에 부착되는 반사시트는 상기 반사부재(20)와 동일한 시트일 수 있다. 또는, 상기 지지부재(30)의 상면에는 반사물질이 도포될 수 있다.Although not shown, a reflective sheet may be attached to the upper surface of the support member 30. [ The reflective sheet attached to the upper surface of the support member 30 may be the same sheet as the reflective member 20. [ Alternatively, the upper surface of the support member 30 may be coated with a reflective material.

상기 지지부재(30)의 상면에 반사시트가 부착되거나 반사물질이 도포됨으로써 상기 지지부재(30)로 향하는 광을 상기 반사부재(20) 방향으로 반사시켜, 상기 출광영역(50)을 통해 방출할 수 있다. 이로써 상기 조명장치(10)의 광량이 증가하고, 동일 광량대비 소비전력을 절감할 수 있다.The reflection sheet is attached to the upper surface of the support member 30 or the reflection material is applied to reflect the light directed toward the support member 30 toward the reflection member 20 so as to be emitted through the outgoing area 50 . As a result, the amount of light of the lighting device 10 increases, and the power consumption of the same amount of light can be reduced.

도시하지 않았지만 상기 지지부재(30)는 방열부재를 더 포함할 수 있다. 또는 상기 지지부재(30)는 방열이 용이하도록 열전도도가 높은 물질로 구성될 수 있다. 상기 지지부재(30)는 열전도도가 높은 금속물질로 형성될 수 있다. 상기 지지부재(30) 의 방열능력이 향상됨으로써 상기 조명장치(1) 내의 열을 외부로 배출할 수 있어, 열에 의한 내부 구성의 손상을 방지할 수 있다.Although not shown, the support member 30 may further include a heat radiation member. Alternatively, the support member 30 may be formed of a material having high thermal conductivity to facilitate heat dissipation. The support member 30 may be formed of a metal material having high thermal conductivity. The heat dissipation capability of the support member 30 is improved, so that the heat in the illumination device 1 can be discharged to the outside, and damage to the internal structure due to heat can be prevented.

상기 지지부재(30)는 제1 돌출영역(31), 제2 돌출영역(33) 및 지지영역(35)을 포함할 수 있다. 상기 제1 돌출영역(31)은 상기 지지부재(30)의 내측에서 상기 반사상면(21) 방향으로 돌출될 수 있다. 상기 제2 돌출영역(33)은 상기 지지부재(30)의 외측에서 상기 반사상면(21) 방향으로 돌출될 수 있다. The support member 30 may include a first protruding region 31, a second protruding region 33, and a support region 35. The first protruding region 31 may protrude from the inside of the support member 30 toward the reflective upper surface 21. The second protruding region 33 may protrude from the outer side of the support member 30 toward the reflective upper surface 21.

상기 지지영역(35)은 상기 제1 돌출영역(31)과 제2 돌출영역(33)을 연결할 수 있다. 즉, 상기 제1 돌출영역(31) 및 제2 돌출영역(33)은 상기 지지영역(35)의 양측영역에서 상기 반사상면(21) 방향으로 돌출되어 형성될 수 있다. 상기 제1 돌출영역(31), 제2 돌출영역(33) 및 상기 지지영역(35)은 일체로 형성될 수 있다. 상기 지지영역(35)은 광원(40)을 지지할 수 있다.The support region 35 may connect the first protruding region 31 and the second protruding region 33 with each other. That is, the first protruding region 31 and the second protruding region 33 may protrude from both sides of the support region 35 toward the reflective upper surface 21. The first protruding region 31, the second protruding region 33, and the supporting region 35 may be integrally formed. The support region 35 may support the light source 40.

상기 제1 돌출영역(31)은 상기 지지영역(35)과 상기 출광영역(50) 사이에 형성될 수 있다. 상기 제1 돌출영역(31)은 상기 지지영역(35)과 출광영역(50) 사이에 형성됨으로써 상기 광원(40)으로부터 상기 출광영역(50)으로 직접 조사되는 광을 차단할 수 있다. 즉, 상기 제1 돌출영역(31)은 상기 광원(40)으로부터의 광이 상기 반사부재(20)에 의한 반사과정없이 상기 출광영역(50)으로 방출되는 것을 방지하여, 특정 각도에서의 눈부심을 방지할 수 있다.The first protruding region 31 may be formed between the support region 35 and the outgoing region 50. The first protruding region 31 may be formed between the support region 35 and the outgoing region 50 to block light directly irradiated from the light source 40 to the outgoing region 50. That is, the first protruding area 31 prevents the light from the light source 40 from being emitted to the outgoing area 50 without reflection process by the reflective member 20, .

상기 제1 돌출영역(31) 및 상기 제2 돌출영역(33)은 상기 지지영역(35)의 양측영역에 돌출되어 형성됨으로써 상기 프레임(10) 및 상기 반사부재(20)의 수평방향의 유동을 방지할 수 있다. 상기 제1 돌출영역(31) 및 제2 돌출영역(33)은 상기 프레임(10) 및 상기 반사부재(20)의 수평방향으로의 유동을 방지함으로써 상기 조명장치(1)의 안정성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 돌출영역(31, 33)은 상기 광원(40)의 수평방향의 유동을 방지할 수 있어 상기 조명장치(1)의 안정성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.The first protruding region 31 and the second protruding region 33 are protruded from both sides of the support region 35 so that the flow of the frame 10 and the reflection member 20 in the horizontal direction . The first projecting region 31 and the second projecting region 33 can prevent the horizontal movement of the frame 10 and the reflecting member 20 to improve the stability of the lighting apparatus 1. [ There is an effect. In addition, the first and second protruding regions 31 and 33 can prevent the light source 40 from flowing in the horizontal direction, thereby improving the stability of the lighting apparatus 1. [

상기 광원(40)은 상기 지지부재(30) 상에 배치될 수 있다. 상기 광원(40)은 상기 지지부재(30)의 지지영역(35) 상에 배치될 수 있다. 상기 광원(40)은 상기 지지부재(30)의 형상에 대응되도록 배치될 수 있다. 상기 광원(40)은 상기 반사부재(20)의 일단과 대응되는 형상으로 배치될 수 있다. 상기 광원(40)은 원형의 띠 형상으로 배치될 수 있다. 상기 광원(40)은 상기 출광영역(50)을 감싸는 형상으로 배치될 수 있다. 상기 광원(40)은 상기 출광영역(50)을 감싸는 폐루프 형상으로 배치될 수 있다. 상기 광원(40)은 상기 출광영역(50)의 둘레를 따라 배치될 수 있다.The light source (40) may be disposed on the support member (30). The light source 40 may be disposed on a support region 35 of the support member 30. The light source 40 may be arranged so as to correspond to the shape of the support member 30. The light source 40 may be disposed in a shape corresponding to one end of the reflective member 20. The light source 40 may be arranged in a circular band shape. The light source 40 may be arranged to surround the light-outgoing region 50. The light source 40 may be disposed in a closed loop shape surrounding the light outgoing area 50. The light source 40 may be disposed along the periphery of the outgoing light region 50.

상기 광원(40)은 제1 광원(42), 제2 광원(44), 제3 광원(46) 및 제4 광원(48)을 포함할 수 있다. 도면에서는 상기 광원(40)이 제1 광원(42), 제2 광원(44), 제3 광원(46) 및 제4 광원(48)을 포함하는 것으로 도시하였으나, 상기 광원(40)은 제1 광원(42), 제2 광원(44) 및 제3 광원(46)만을 포함할 수도 있다.The light source 40 may include a first light source 42, a second light source 44, a third light source 46, and a fourth light source 48. Although the light source 40 includes the first light source 42, the second light source 44, the third light source 46, and the fourth light source 48, the light source 40 may include a first And may include only the light source 42, the second light source 44, and the third light source 46.

상기 제1 광원(42), 제2 광원(44), 제3 광원(46) 및 제4 광원(48)은 서로 다른 파장의 광을 출력할 수 있다. 상기 제1 광원(42), 제2 광원(44), 제3 광원(46) 및 제4 광원(48)은 서로 다른 피크 값을 가지는 광을 출력할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 광원(42)은 청색의 광을 출력할 수 있고, 상기 제2 광원(44), 제3 광원(46) 및 제4 광원(48)은 적색의 광을 출력할 수 있다. 상기 제2 광원(44), 제3 광원(46) 및 제4 광원(48) 중 적어도 하나의 광원은 근적외선 광을 출력할 수 있다.The first light source 42, the second light source 44, the third light source 46, and the fourth light source 48 may output light of different wavelengths. The first light source 42, the second light source 44, the third light source 46, and the fourth light source 48 may output light having different peak values. For example, the first light source 42 may output blue light, and the second light source 44, the third light source 46, and the fourth light source 48 may output red light. have. At least one light source of the second light source 44, the third light source 46, and the fourth light source 48 may output near-infrared light.

상기 제1 광원(42)은 제1 피크를 가지는 광을 출력할 수 있다. 상기 제2 광원(44)은 제2 피크를 가지는 광을 출력할 수 있다. 상기 제3 광원(46)은 제3 피크를 가지는 광을 출력할 수 있다. 상기 제4 광원(48)은 제4 피크를 가지는 광을 출력할 수 있다.The first light source 42 may output light having a first peak. The second light source 44 may output light having a second peak. The third light source 46 may output light having a third peak. The fourth light source 48 may output light having a fourth peak.

상기 제1 피크는 청색파장 영역일 수 있다. 상기 제1 피크는 380nm 내지 495nm의 파장영역에 포함될 수 있다. 상기 제2 피크, 제3 피크 및 제4 피크는 적색파장 영역일 수 있다. 상기 제2 피크, 제3 피크 및 제4 피크는 570nm 내지 750nm의 파장영역에 포함될 수 있다. 또는, 상기 제2 피크, 제3 피크 및 제4 피크는 적색파장 영역 및 근적외선 파장영역일 수 있다. 상기 제2 피크, 제3 피크 및 제4 피크는 570nm 내지 3um의 파장영역에 포함될 수 있다.The first peak may be a blue wavelength region. The first peak may be included in a wavelength range of 380 nm to 495 nm. The second, third, and fourth peaks may be red wavelength regions. The second, third and fourth peaks may be included in a wavelength range of 570 nm to 750 nm. Alternatively, the second, third and fourth peaks may be a red wavelength region and a near-infrared wavelength region. The second, third and fourth peaks may be included in a wavelength range of 570 nm to 3 um.

상기 제2 피크는 상기 제3 피크보다 짧은 파장일 수 있다. 상기 제4 피크는 상기 제2 피크와 제3 피크의 사이의 파장일 수 있다. 상기 제4 광원(48)으로부터 출력되는 광의 파장은 상기 제2 광원(44) 또는 상기 제3 광원(46)으로부터 출력되는 광의 파장보다 큰 반치폭(Full Width Half Maximum)을 가질 수 있다. 상기 제4 광원(48)으로부터 출력되는 광의 파장은 상기 제2 광원(44) 및 상기 제3 광원(46)으로부터 출력되는 광의 파장보다 큰 반치폭을 가질 수 있다. 상기 제4 광원(48)으로부터 출력되는 광의 파장은 상기 제1 광원(42)으로부터 출력되는 광의 파장보다 큰 반치폭을 가질 수 있다.The second peak may be shorter than the third peak. The fourth peak may be a wavelength between the second peak and the third peak. The wavelength of the light output from the fourth light source 48 may have a full width half maximum that is greater than the wavelength of the light output from the second light source 44 or the third light source 46. The wavelength of the light output from the fourth light source 48 may have a half width larger than the wavelength of the light output from the second light source 44 and the third light source 46. The wavelength of the light output from the fourth light source 48 may be greater than the wavelength of the light output from the first light source 42.

도시하지 않았지만, 상기 제4 광원(48)은 2개 이상의 피크를 가지는 광을 출력할 수 있다. 상기 제4 광원(48)은 상기 제4 피크 및 상기 제5 피크를 가지는 광을 출력할 수 있다. 상기 제5 피크는 적색파장 영역 또는 근적외선 파장 영역일 수 있다. 상기 제5 피크는 상기 제2 피크와 상기 제3 피크의 사이 값일 수 있다.Although not shown, the fourth light source 48 can output light having two or more peaks. The fourth light source 48 may output light having the fourth peak and the fifth peak. The fifth peak may be a red wavelength region or a near-infrared wavelength region. The fifth peak may be a value between the second peak and the third peak.

상기 광원(40)은 인쇄회로기판(41) 상에 위치할 수 있다.The light source 40 may be positioned on the printed circuit board 41.

각각의 광원은 발광 다이오드 및 파장 변환층을 포함할 수 있다. 상기 제1 광원(42)은 제1 발광 다이오드(42a) 및 제1 파장 변환층(42b)을 포함할 수 있다. 상기 제2 광원(44)은 제2 발광 다이오드(44a) 및 제2 파장 변환층(44b)을 포함할 수 있다. 상기 제3 광원(46)은 제3 발광 다이오드(46a) 및 제3 파장 변환층(46b)을 포함할 수 있다. 상기 제4 광원(48)은 제4 발광 다이오드(48a) 및 제4 파장 변환층(48b)을 포함할 수 있다.Each light source may include a light emitting diode and a wavelength conversion layer. The first light source 42 may include a first light emitting diode 42a and a first wavelength conversion layer 42b. The second light source 44 may include a second light emitting diode 44a and a second wavelength conversion layer 44b. The third light source 46 may include a third light emitting diode 46a and a third wavelength conversion layer 46b. The fourth light source 48 may include a fourth light emitting diode 48a and a fourth wavelength conversion layer 48b.

상기 발광 다이오드는 LED(Light emitting diode) 또는 유기발광 다이오드(OLED, Organic light emitting diode)일 수 있다.The light emitting diode may be a light emitting diode (LED) or an organic light emitting diode (OLED).

상기 발광 다이오드는 인쇄회로기판(41) 상에 형성될 수 있다. 상기 발광 다이오드는 상기 인쇄회로기판(41)의 일면에 부착될 수 있다. 상기 발광 다이오드는 상기 인쇄회로기판(41)에 실장될 수 있다. 상기 발광 다이오드는 패키지 형태로 상기 인쇄회로기판(41)에 실장될 수도 있고, 상기 발광 다이오드는 COB(Chip on board)형태로 상기 인쇄회로기판(41)에 실장될 수도 있다.The light emitting diode may be formed on the printed circuit board 41. The light emitting diode may be attached to one surface of the printed circuit board 41. The light emitting diode may be mounted on the printed circuit board 41. The light emitting diode may be mounted on the printed circuit board 41 in the form of a package, and the light emitting diode may be mounted on the printed circuit board 41 in the form of a chip on board (COB).

상기 다수의 발광 다이오드는 상기 지지부재(30)의 형상에 대응되도록 배치될 수 있다. 상기 다수의 발광 다이오드는 상기 반사부재(20)의 일단과 대응되는 형상으로 배치될 수 있다. 상기 다수의 발광 다이오드는 원형의 띠 형상으로 배치될 수 있다. 상기 다수의 발광 다이오드는 상기 출광영역(50)을 감싸는 형태로 배치될 수 있다, 상기 다수의 발광 다이오드는 상기 출광영역(50)을 감싸는 폐루프 형상으로 배치될 수 있다. 상기 다수의 발광 다이오드는 상기 출광영역(50)의 둘레를 따라 배치될 수 있다.The plurality of light emitting diodes may be arranged to correspond to the shape of the support member 30. The plurality of light emitting diodes may be disposed in a shape corresponding to one end of the reflective member 20. The plurality of light emitting diodes may be arranged in a circular band shape. The plurality of light emitting diodes may be arranged to surround the light outgoing area 50. The plurality of light emitting diodes may be arranged in a closed loop shape surrounding the outgoing light area 50. [ The plurality of light emitting diodes may be disposed along the periphery of the light outgoing region 50.

상기 다수의 발광 다이오드는 다수의 인쇄회로기판(41) 상에 형성될 수도 있다. 하나의 인쇄회로기판(41)에 다수의 발광 다이오드가 실장될 수 있다. 이 경우 상기 다수의 발광 다이오드가 실장된 각각의 인쇄회로기판(41)은 연결배선을 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.The plurality of light emitting diodes may be formed on a plurality of printed circuit boards 41. A plurality of light emitting diodes can be mounted on one printed circuit board (41). In this case, the printed circuit boards 41 on which the plurality of light emitting diodes are mounted may be electrically connected to each other through connection wirings.

상기 제1 파장 변환층(42b)은 상기 제1 발광 다이오드(42a) 상에 형성될 수 있다. 상기 제1 파장 변환층(42b)은 상기 제1 발광 다이오드(42a)의 상면을 덮는 형태로 형성될 수 있다. 상기 제1 파장 변환층(42b)은 상기 제1 발광 다이오드(42a)의 상면 및 측면을 덮는 형태로 형성될 수 있다.The first wavelength conversion layer 42b may be formed on the first light emitting diode 42a. The first wavelength conversion layer 42b may be formed to cover the upper surface of the first light emitting diode 42a. The first wavelength conversion layer 42b may cover the upper surface and the side surface of the first light emitting diode 42a.

상기 제1 발광 다이오드(42a) 및 상기 제1 파장 변환층(42b)을 통해 출력되는 광은 제1 피크를 가질 수 있다. 상기 제1 발광 다이오드(42a)로부터 출력되는 광의 파장이 상기 제1 파장 변환층(42b)을 통해 변환되어 제1 피크를 가지는 광의 형태로 출력될 수 있다. 상기 제1 파장 변환층(42b)은 제1 파장변환물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 파장변환물질은 상기 제1 파장 변환층(42b)에 입사된 광의 파장을 제1 피크를 가지는 광으로 변환하여 외부로 출력할 수 있다.The light output through the first light emitting diode 42a and the first wavelength conversion layer 42b may have a first peak. The wavelength of the light output from the first light emitting diode 42a may be converted through the first wavelength conversion layer 42b and output in the form of light having the first peak. The first wavelength conversion layer 42b may include a first wavelength conversion material. The first wavelength conversion material may convert the wavelength of light incident on the first wavelength conversion layer 42b into light having a first peak and output the light to the outside.

또는, 상기 제1 발광 다이오드(42a)가 제1 피크를 가지는 광을 출력하며, 상기 제1 파장 변환층(42b)은 파장 변환 없이 외부로 상기 제1 피크를 가지는 광을 출력할 수 있다. 이 경우 상기 제2 광원(44), 제3 광원(46) 및 제4 광원(48)으로부터 출력되는 광과 상기 제1 광원(42)으로부터 출력되는 광의 강도의 편차를 줄이기 위해 상기 제1 파장 변환층(42b)이 위치할 수 있다. 이 때, 상기 제1 파장 변환층(42b)은 제1 파장변환물질을 포함하지 않을 수도 있다. 또는, 상기 제1 발광 다이오드(42a)가 제1 피크를 가지는 광을 출력하는 경우 상기 제1 파장 변환층(42b)은 생략될 수 있다.Alternatively, the first light emitting diode 42a outputs light having a first peak, and the first wavelength conversion layer 42b can output light having the first peak to the outside without wavelength conversion. In this case, in order to reduce the deviation of the intensity of the light output from the second light source 44, the third light source 46, and the fourth light source 48 and the light output from the first light source 42, Layer 42b may be located. In this case, the first wavelength conversion layer 42b may not include the first wavelength conversion material. Alternatively, when the first light emitting diode 42a outputs light having the first peak, the first wavelength conversion layer 42b may be omitted.

상기 제2 파장 변환층(44b)은 상기 제2 발광 다이오드(44a) 상에 형성될 수 있다. 상기 제2 파장 변환층(44b)은 상기 제1 발광 다이오드(44a)의 상면을 덮는 형태로 형성될 수 있다. 상기 제2 파장 변환층(44b)은 상기 제2 발광 다이오드(44a)의 상면 및 측면을 덮는 형태로 형성될 수 있다.The second wavelength conversion layer 44b may be formed on the second light emitting diode 44a. The second wavelength conversion layer 44b may be formed to cover the upper surface of the first light emitting diode 44a. The second wavelength conversion layer 44b may cover the upper surface and the side surface of the second light emitting diode 44a.

상기 제2 발광 다이오드(44a) 및 상기 제2 파장 변환층(44b)을 통해 출력되는 광은 제2 피크를 가질 수 있다. 상기 제2 발광 다이오드(44a)로부터 출력되는 광의 파장이 상기 제2 파장 변환층(44b)을 통해 변환되어 제2 피크를 가지는 광의 형태로 출력될 수 있다. 상기 제2 파장 변환층(44b)은 제2 파장변환물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 파장변환물질은 상기 제2 파장 변환층(44b)에 입사된 광의 파장을 제2 피크를 가지는 광으로 변환하여 외부로 출력할 수 있다.The light output through the second light emitting diode 44a and the second wavelength conversion layer 44b may have a second peak. The wavelength of light output from the second light emitting diode 44a may be converted through the second wavelength conversion layer 44b and output in the form of light having a second peak. The second wavelength conversion layer 44b may include a second wavelength conversion material. The second wavelength conversion material may convert the wavelength of light incident on the second wavelength conversion layer 44b into light having a second peak and output the light to the outside.

또는, 상기 제2 발광 다이오드(44a)가 제2 피크를 가지는 광을 출력하며, 상기 제2 파장 변환층(44b)은 파장 변환 없이 외부로 상기 제2 피크를 가지는 광을 출력할 수 있다. 이 경우 상기 제1 광원(42), 제3 광원(46) 및 제4 광원(48)으로부터 출력되는 광과 상기 제2 광원(44)으로부터 출력되는 광의 강도의 편차를 줄이기 위해 상기 제2 파장 변환층(44b)이 위치할 수 있다. 이 때, 상기 제2 파장 변환층(44b)은 제2 파장변환물질을 포함하지 않을 수도 있다. 또는, 상기 제2 발광 다이오드(44a)가 제2 피크를 가지는 광을 출력하는 경우 상기 제2 파장 변환층(44b)은 생략될 수 있다.Alternatively, the second light emitting diode 44a may output light having a second peak, and the second wavelength conversion layer 44b may output light having the second peak to the outside without wavelength conversion. In this case, in order to reduce the deviation of the intensity of the light output from the first light source 42, the third light source 46, and the fourth light source 48 and the light output from the second light source 44, Layer 44b may be located. At this time, the second wavelength conversion layer 44b may not include the second wavelength conversion material. Alternatively, when the second light emitting diode 44a outputs light having a second peak, the second wavelength conversion layer 44b may be omitted.

상기 제3 파장 변환층(46b)은 상기 제3 발광 다이오드(46a) 상에 형성될 수 있다. 상기 제3 파장 변환층(46b)은 상기 제3 발광 다이오드(46a)의 상면을 덮는 형태로 형성될 수 있다. 상기 제3 파장 변환층(46b)은 상기 제3 발광 다이오드(46a)의 상면 및 측면을 덮는 형태로 형성될 수 있다.The third wavelength conversion layer 46b may be formed on the third light emitting diode 46a. The third wavelength conversion layer 46b may be formed to cover the upper surface of the third light emitting diode 46a. The third wavelength conversion layer 46b may cover the upper surface and the side surface of the third light emitting diode 46a.

상기 제3 발광 다이오드(46a) 및 상기 제3 파장 변환층(46b)을 통해 출력되는 광은 제3 피크를 가질 수 있다. 상기 제3 발광 다이오드(46a)로부터 출력되는 광의 파장이 상기 제3 파장 변환층(46b)을 통해 변환되어 제3 피크를 가지는 광의 형태로 출력될 수 있다. 상기 제3 파장 변환층(46b)은 제3 파장변환물질을 포함할 수 있다. 상기 제3 파장변환물질은 상기 제3 파장 변환층(46b)에 입사된 광의 파장을 제6 피크를 가지는 광으로 변환하여 외부로 출력할 수 있다.The light output through the third light emitting diode 46a and the third wavelength conversion layer 46b may have a third peak. The wavelength of light output from the third light emitting diode 46a may be converted through the third wavelength conversion layer 46b and output in the form of light having a third peak. The third wavelength conversion layer 46b may include a third wavelength conversion material. The third wavelength conversion material may convert the wavelength of light incident on the third wavelength conversion layer 46b to light having a sixth peak and output the light to the outside.

또는, 상기 제3 발광 다이오드(46a)가 제3 피크를 가지는 광을 출력하며, 상기 제3 파장 변환층(46b)은 파장 변환 없이 외부로 상기 제3 피크를 가지는 광을 출력할 수 있다. 이 경우 상기 제1 광원(42), 제2 광원(44) 및 제4 광원(48)으로부터 출력되는 광과 상기 제3 광원(46)으로부터 출력되는 광의 강도의 편차를 줄이기 위해 상기 제3 파장 변환층(46b)이 위치할 수 있다. 이 때, 상기 제3 파장 변환층(46b)은 제3 파장변환물질을 포함하지 않을 수도 있다. 또는, 상기 제3 발광 다이오드(46a)가 제3 피크를 가지는 광을 출력하는 경우 상기 제3 파장 변환층(46b)은 생략될 수 있다.Alternatively, the third light emitting diode 46a outputs light having a third peak, and the third wavelength conversion layer 46b can output light having the third peak to the outside without wavelength conversion. In this case, in order to reduce a deviation in the intensity of the light output from the first light source 42, the second light source 44, and the fourth light source 48 and the light output from the third light source 46, Layer 46b may be located. At this time, the third wavelength conversion layer 46b may not include the third wavelength conversion material. Alternatively, when the third light emitting diode 46a outputs light having a third peak, the third wavelength conversion layer 46b may be omitted.

상기 제4 파장 변환층(48b)은 상기 제4 발광 다이오드(48a) 상에 형성될 수 있다. 상기 제4 파장 변환층(48b)은 상기 제4 발광 다이오드(48a)의 상면을 덮는 형태로 형성될 수 있다. 상기 제4 파장 변환층(48b)은 상기 제4 발광 다이오드(48a)의 상면 및 측면을 덮는 형태로 형성될 수 있다.The fourth wavelength conversion layer 48b may be formed on the fourth light emitting diode 48a. The fourth wavelength conversion layer 48b may cover the upper surface of the fourth light emitting diode 48a. The fourth wavelength conversion layer 48b may cover the upper surface and the side surface of the fourth light emitting diode 48a.

상기 제4 발광 다이오드(48a) 및 상기 제4 파장 변환층(48b)을 통해 출력되는 광은 제4 피크를 가질 수 있다. 상기 제4 발광 다이오드(48a)로부터 출력되는 광의 파장이 상기 제4 파장 변환층(48b)을 통해 변환되어 제4 피크를 가지는 광의 형태로 출력될 수 있다. 상기 제4 파장 변환층(48b)은 베이스(49a)와 상기 베이스(49a) 내부에 혼입되는 제2 파장변환물질(49b) 및 제3 파장변환물질(49c)을 포함할 수 있다. 상기 제2 파장변환물질(49b) 및 제3 파장변환물질(49c)은 상기 베이스(49a) 내부에 랜덤하게 혼입될 수 있다. 상기 제2 파장변환물질(49b)과 상기 제3 파장변환물질(49c)은 입사된 광을 서로 다른 파장으로 변환하여 출력하는 성질을 가지는 물질일 수 있다. 즉, 상기 제2 파장변환물질(49b)과 상기 제3 파장변환물질(49c)이 독립적으로 사용되는 경우 상기 제2 파장변환물질(49b)은 입사된 광을 제2 피크의 광으로 변환하여 출력할 수 있고, 상기 제3 파장변환물질(49c)은 입사된 광을 제3 피크의 광으로 변환하여 출력할 수 있다.The light output through the fourth light emitting diode 48a and the fourth wavelength conversion layer 48b may have a fourth peak. The wavelength of the light output from the fourth light emitting diode 48a may be converted through the fourth wavelength conversion layer 48b and output in the form of light having a fourth peak. The fourth wavelength conversion layer 48b may include a base 49a and a second wavelength conversion material 49b and a third wavelength conversion material 49c mixed into the base 49a. The second wavelength conversion material 49b and the third wavelength conversion material 49c may be randomly incorporated into the base 49a. The second wavelength conversion material 49b and the third wavelength conversion material 49c may be materials that convert incident light into different wavelengths and output the converted wavelengths. That is, when the second wavelength conversion material 49b and the third wavelength conversion material 49c are used independently, the second wavelength conversion material 49b converts the incident light into light of the second peak, And the third wavelength conversion material 49c can convert the incident light into the light of the third peak and output it.

상기 제4 파장 변환층(48b)이 상기 제2 파장변환물질(49b) 및 제3 파장변환물질(49c)을 포함함으로써 상기 제4 파장 변환층(48b)으로부터 출력되는 광의 피크는 제2 피크와 제3 피크의 사이 파장일 수 있다. 또한, 상기 제4 파장 변환층(48b)을 통해 출력되는 광의 반치폭이 커질 수 있다. 즉, 상기 제4 파장 변환층(48b)이 상기 제2 파장변환물질(49b) 및 제3 파장변환물질(49c)을 포함함으로써 상기 제4 파장 변환층(48b)이 출력하는 파장의 제4 피크는 상기 제2 파장변환물질(49b)에 의해 변환되는 파장의 피크와 상기 제3 파장변환물질(49c)에 의해 변환되는 파장의 피크의 사이 값을 가진다. 또한, 상기 제4 파장 변환층(48b)이 상기 제2 파장변환물질(49b) 및 제3 파장변환물질(49c)을 포함함으로써 상기 제4 파장 변환층(48b)이 출력하는 파장의 반치폭은 상기 제2 피크와 상기 제3 피크의 차이 값에 기초하여 커진다.Since the fourth wavelength conversion layer 48b includes the second wavelength conversion material 49b and the third wavelength conversion material 49c, the peak of the light output from the fourth wavelength conversion layer 48b is the second peak And may be the wavelength of the third peak. In addition, the half width of light output through the fourth wavelength conversion layer 48b can be increased. That is, since the fourth wavelength conversion layer 48b includes the second wavelength conversion material 49b and the third wavelength conversion material 49c, the fourth peak of the wavelength output from the fourth wavelength conversion layer 48b Has a value between a peak of a wavelength converted by the second wavelength converting material (49b) and a peak of a wavelength converted by the third wavelength converting material (49c). In addition, since the fourth wavelength conversion layer 48b includes the second wavelength conversion material 49b and the third wavelength conversion material 49c, the half width of the wavelength output from the fourth wavelength conversion layer 48b is the Based on the difference value between the second peak and the third peak.

도시하지 않았지만, 상기 제4 파장 변환층(48b)은 제4 파장변환물질을 더 포함할 수 있다. 상기 제4 파장변환물질은 독립적으로 사용되는 경우 상기 제2 피크와 제3 피크의 사이 값의 피크를 가지는 광으로 파장을 변환하는 물질일 수 있다. 상기 제4 파장 변환층(48b)이 제4 파장변환물질을 더 포함하는 경우 상기 제4 파장 변환층(48b)은 제5 피크를 가지는 광을 출력할 수 있다. 상기 제4 파장변환물질이 독립적으로 사용되는 경우 상기 제4 피크보다 긴 파장의 피크로 변환하는 파장변환물질인 경우 상기 제5 피크는 상기 제4 피크보다 커질 수 있다. 또한, 상기 제4 파장변환물질이 독립적으로 사용되는 경우 상기 제4 피크보다 짧은 파장의 피크로 변환하는 파장변환물질인 경우 상기 제5 피크는 상기 제4 피크보다 작아질 수 있다. 상기 제4 파장 변환층(48b)이 상기 제4 파장변환물질을 더 포함하는 경우 상기 제4 파장 변환층(48b)으로부터 출력되는 광의 반치폭은 더 커질 수 있다.Although not shown, the fourth wavelength conversion layer 48b may further include a fourth wavelength conversion material. When the fourth wavelength converting material is used independently, the fourth wavelength converting material may be a material that converts a wavelength to light having a peak of a value between the second peak and the third peak. When the fourth wavelength conversion layer 48b further includes a fourth wavelength conversion material, the fourth wavelength conversion layer 48b may output light having a fifth peak. When the fourth wavelength converting material is used independently, the fifth peak may be larger than the fourth peak when the wavelength converting material is converted into a peak having a longer wavelength than the fourth peak. When the fourth wavelength converting material is used independently, the fifth peak may be smaller than the fourth peak when the wavelength converting material is converted into a peak having a shorter wavelength than the fourth peak. When the fourth wavelength conversion layer 48b further includes the fourth wavelength conversion material, the half width of the light output from the fourth wavelength conversion layer 48b may be larger.

상기 제1 내지 제4 발광 다이오드(42a, 44a, 46a, 48a)는 청색 파장을 출력할 수 있다. 상기 제1 내지 제4 발광 다이오드(42a, 44a, 46a, 48a)가 청색파장을 출력하는 경우 상기 제2 파장 변환층(44b), 제3 파장 변환층(46b) 및 제4 파장 변환층(48b)에 의해 입사된 청색파장의 광의 파장이 변경되어 출력될 수 있다. 상기 제2 파장 변환층(44b), 제3 파장 변환층(46b) 및 제4 파장 변환층(48b)에 의해 상기 제2 광원(44), 제3 광원(46) 및 제4 광원(48)은 적색파장 또는 근적외선파장의 광을 출력할 수 있다.The first to fourth light emitting diodes 42a, 44a, 46a and 48a may output blue wavelengths. When the first to fourth light emitting diodes 42a, 44a, 46a and 48a output blue wavelengths, the second wavelength conversion layer 44b, the third wavelength conversion layer 46b, and the fourth wavelength conversion layer 48b The wavelength of the light having the blue wavelength incident thereon can be changed and output. The third light source 46, and the fourth light source 48 by the second wavelength conversion layer 44b, the third wavelength conversion layer 46b, and the fourth wavelength conversion layer 48b, Can output light having a red wavelength or a near-infrared wavelength.

상기 제1 내지 제4 발광 다이오드(42a, 44a, 46a, 48a)를 청색 파장을 출력하는 발광 다이오드로 구성하여 다수의 파장 변환층을 통해 파장을 변환하여 출력시킴으로써 적색파장을 가지는 발광 다이오드를 별도로 구성하는 것을 방지할 수 있어 제조단가 절감의 효과가 있다.The first to fourth light emitting diodes 42a, 44a, 46a and 48a are composed of light emitting diodes for outputting blue wavelengths, and the wavelengths are converted and outputted through a plurality of wavelength conversion layers to separately form light emitting diodes having a red wavelength It is possible to reduce manufacturing cost.

상기 파장변환물질은 무기 형광체 또는 유기 형광체를 포함할 수 있다. 상기 파장변환물질은 양자점(Quantum dot)을 포함할 수도 있다.The wavelength converting material may include an inorganic phosphor or an organic phosphor. The wavelength converting material may include a quantum dot.

상기 파장변환물질은 YBO3:Ce3+,Tb3+; BaMgAl10O17:Eu2+,Mn2+; (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu2+; ZnS:Cu,Al; Ca8Mg(SiO4)4Cl2: Eu2+,Mn2+; Ba2SiO4: Eu2+; (Ba,Sr)2SiO4:Eu2+; Ba2(Mg, Zn)Si2O7:Eu2+; (Ba,Sr)Al2O4: Eu2+; Sr2Si3O8.2SrCl2:Eu2+; (Sr,Mg,Ca)10(PO4)6Cl2:Eu2+; BaMgAl10O17:Eu2+ ; BaMg2Al16O27:Eu2+ ; Sr,Ca,Ba,Mg) P2O7:Eu2+,Mn2+,; (CaLa2S4:Ce3+; SrY2S4: Eu2+ ; (Ca,Sr)S: Eu2+; SrS:Eu2+ ; Y2O3: Eu3+,Bi3+; YVO4: Eu3+,Bi3+;Y2O2S:Eu3+,Bi3+; Y2O2S:Eu3+등으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나의 형광체로 이루어진 군에서 선택되는 물질일 수 있다.The wavelength converting material is YBO3: Ce3 +, Tb3 +; BaMgAl10O17: Eu2 +, Mn2 +; (Sr, Ca, Ba) (Al, Ga) 2S4: Eu2 +; ZnS: Cu, Al; Ca8Mg (SiO4) 4Cl2: Eu2 +, Mn2 +; Ba2SiO4: Eu < 2 + >; (Ba, Sr) 2SiO4: Eu < 2 + >; Ba2 (Mg, Zn) Si2O7: Eu2 +; (Ba, Sr) Al 2 O 4: Eu 2+; Sr2Si3O8.2SrCl2: Eu2 +; (Sr, Mg, Ca) 10 (PO4) 6Cl2: Eu2 +; BaMgAl10O17: Eu < 2 + >; BaMg2Al16O27: Eu < 2 + >; Sr, Ca, Ba, Mg) P2O7: Eu < 2 + >, Mn < 2 + >; (CaLa2S4: Ce3 +, SrY2S4: Eu2 +, (Ca, Sr) S: Eu2 +, SrS: Eu2 +, Y2O3: Eu3 +, Bi3 +, YVO4: Eu3 +, Bi3 +, Y2O2S: Eu3 +, Bi3 +, Y2O2S: Eu3 + And may be a material selected from the group consisting of any one of phosphors.

상기 양자점은 나노크기의 반도체 물질로서 양자제한(quantum confinement) 효과를 나타내는 물질이다. 이러한 양자점은 여기원 (excitation source)으로부터 빛을 흡수하여받아 에너지 여기 상태에 이르면, 자체적으로 해당하는 양자점의 에너지 밴드 갭 (band gap)에 해당하는따른 에너지를 방출하게 된다. 따라서, 양자점의 크기 또는 물질 조성을를 조절하게 되면 해당에너지 밴드 갭(band gap)을 조절할 수 있게 되어 다양한 빛을 발광할 수 있어 전자소자의 발광체로 이용될 수 있다.The quantum dot is a nano-sized semiconductor material and exhibits a quantum confinement effect. Such a quantum dot absorbs light from an excitation source, and upon reaching an energy-excited state, emits energy corresponding to an energy band gap of the corresponding quantum dot. Therefore, when the size or the material composition of the quantum dots is controlled, the corresponding energy band gap can be controlled, and various light can be emitted to be used as a light emitting device of an electronic device.

상기 나노크기의 반도체 물질은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 화합물 또는 이들의 혼합물 중에서 선택될 수 있다.The nano-sized semiconductor material may be selected from Group II-VI compounds, Group III-V compounds, Group IV-VI compounds, Group IV compounds, or mixtures thereof.

상기 II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe 등의 이원소 화합물 또는 CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe 등의 삼원소 화합물 또는 HggZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 등의 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.CdSeS, CdSeS, CdSeS, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, HgSe, HgTe, ZnTe, ZnSe, ZnTe, ZnO, A trivalent compound such as CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, or a ternary compound such as HggZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe have.

상기 III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 등의 이원소 화합물 또는 GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 등의 삼원소 화합물 또는 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 등의 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.The group III-V compound may be one of GaN, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, GaN, GaN, GaN, GaN, GaN, AlN, AlN, AlN, InAlPb, InAlPb, InAlPb, InAlPb, InAlPb, InAlPb, InAlPb, InAlPb, InAlPb, InAlPb, InAlPb, InAlPb, InAlPb, InAlPb, , And the like.

상기 IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 등의 이원소 화합물 또는 SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 등의 삼원소 화합물 또는 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 등의 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.The IV-VI compound may be at least one selected from the group consisting of ternary compounds such as SnSeS, SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe and SnPbTe, SnPbSSe, SnPbSeTe , SnPbSTe, and the like.

상기 IV족 화합물은 Si, Ge 등의 단일 원소 화합물 또는 SiC, SiGe 등의 이원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.The Group IV compound may be selected from the group consisting of single element compounds such as Si and Ge, or these element compounds such as SiC and SiGe.

상기 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물의 경우, 그 결정구조는 부분적으로 나누어져 동일 입자 내에 존재하거나 합금 형태로 존재할 수 있다.In the case of the elemental compound, the trivalent compound, or the silane compound, the crystal structure thereof may be partially contained and exist in the same particle or in the form of an alloy.

상기 다수의 발광 다이오드는 전원부(60)를 통해 상기 발광 다이오드의 구동에 필요한 전원을 인가받을 수 있다. 상기 전원부(60)는 전원배선(61)을 통해 상기 인쇄회로기판(41)과 연결되어 상기 인쇄회로기판(41)으로 전원을 전달한다. 상기 전원부(60)로부터 전원을 인가받은 인쇄회로기판(41)은 실장된 발광 다이오드에 전원을 공급함과 동시에 상기 연결배선을 통해 인접하는 인쇄회로기판(41)으로 전원을 전달한다. 인접하는 인쇄회로기판(41) 또한 실장된 발광 다이오드에 전원을 공급함과 동시에 연결배선을 통해 다른 인쇄회로기판(41)으로 전원을 전달한다. 이를 반복하여, 상기 다수의 발광 다이오드에 전원이 인가되어 모든 발광 다이오드가 발광한다.The plurality of light emitting diodes may receive power required for driving the light emitting diodes through a power supply unit 60. The power supply unit 60 is connected to the printed circuit board 41 through a power supply line 61 to transmit power to the printed circuit board 41. The printed circuit board 41, which receives power from the power supply unit 60, supplies power to the mounted LEDs and transmits power to the adjacent printed circuit board 41 through the connection wiring. The adjacent printed circuit board 41 also supplies power to the mounted LED and at the same time transfers power to the other printed circuit board 41 through the connection wiring. This is repeated, and all the light emitting diodes emit light by applying power to the plurality of light emitting diodes.

상기 전원부(60)는 교류를 직류로 변환하는 ADC(AC to DC convertor)를 포함할 수 있다. 상기 전원부(60)는 외부로부터의 교류전원을 직류전원으로 변환하여 상기 인쇄회로기판(41)으로 전달할 수 있다. 상기 전원부(60)는 변환된 직류전원을 감압하여 상기 인쇄회로기판(41)으로 전달할 수도 있다.The power supply unit 60 may include an AC to DC converter (ADC) that converts AC to DC. The power supply unit 60 may convert AC power from the outside into DC power and transmit the DC power to the printed circuit board 41. The power supply unit 60 may reduce the converted direct current power and transmit the reduced direct current power to the printed circuit board 41.

상기 전원부(60)는 상기 조명장치(1)의 외부에 위치할 수 있다. 또는 상기 전원부(60)는 상기 조명장치(1)의 내부에 위치할 수 있다. 상기 전원부(60)가 상기 조명장치(1)의 내부에 위치하는 경우 도시하지 않았지만 상기 전원부(60)는 상기 다수의 인쇄회로기판(41) 중 적어도 어느 하나에 칩형태로 실장될 수 있다. The power supply unit 60 may be located outside the lighting apparatus 1. [ Or the power supply unit 60 may be located inside the lighting apparatus 1. [ Although not shown, when the power supply unit 60 is located inside the lighting device 1, the power supply unit 60 may be mounted on at least one of the plurality of printed circuit boards 41 in a chip form.

상기 전원부(60)가 ADC기능만을 포함하는 경우 상기 인쇄회로기판(41)에는 별도의 DC-DC convertor가 실장될 수 있다. 상기 DC-DC convertor는 상기 전원부(60)로부터 전달받은 전원전압을 상기 발광 다이오드의 구동전압에 대응되도록 변환하여 상기 발광 다이오드 및 인접하는 인쇄회로기판(41)으로 전달할 수 있다.If the power supply unit 60 includes only an ADC function, a separate DC-DC converter may be mounted on the printed circuit board 41. The DC-DC converter may convert the power supply voltage received from the power supply unit 60 to correspond to the driving voltage of the light emitting diode, and may transmit the converted power supply voltage to the light emitting diode and the adjacent printed circuit board 41.

상기 전원부(60)가 상기 인쇄회로기판(41) 상에 실장됨으로써 별개의 전원부(60)없이 일체로 상기 조명장치(1)를 작동 및 설치할 수 있어, 설치와 이송이 용이한 장점이 있다.Since the power supply unit 60 is mounted on the printed circuit board 41, the lighting apparatus 1 can be operated and installed integrally without a separate power supply unit 60, which facilitates installation and transportation.

상기 인쇄회로기판(41)은 금속물질을 포함할 수 있다. 상기 인쇄회로기판(41)은 Al, Cu 등의 물질을 포함하는 메탈 PCB일 수 있다. 상기 인쇄회로기판(41)은 FR1, FR4, CEM1 PCB일 수 있다. 상기 인쇄회로기판은 에폭시 또는 페놀을 포함할 수 있다.The printed circuit board 41 may include a metal material. The printed circuit board 41 may be a metal PCB including a material such as Al and Cu. The printed circuit board 41 may be a FR1, FR4, or CEM1 PCB. The printed circuit board may include epoxy or phenol.

또한, 상기 인쇄회로기판(41)은 외력에 의해 휠 수 있는 연성 인쇄회로기판일 수 있다.In addition, the printed circuit board 41 may be a flexible printed circuit board which can be rotated by an external force.

상기 인쇄회로기판(41)은 충진부(43) 및 방열부(45)를 포함할 수 있다. The printed circuit board 41 may include a filling part 43 and a heat radiating part 45.

상기 충진부(43)는 상기 인쇄회로기판(41)의 뼈대 또는 틀이 되는 영역으로 상기 금속물질이 충진된 영역일 수 있다. 상기 방열부(45)는 상기 금속물질이 충진되지 않은 영역일 수 있다.The filling part 43 may be a region of the frame or frame of the printed circuit board 41 and filled with the metallic material. The heat dissipation unit 45 may be a region where the metal material is not filled.

상기 방열부(45)는 상기 금속물질이 충진되지 않은 빈 공간일 수 있다. 상기 방열부(45)는 상기 인쇄회로기판(41)의 내부에 형성될 수 있다. 상기 방열부(45)는 상기 인쇄회로기판(41)의 측면을 따라 형성될 수도 있다. 상기 방열부(45)를 통해 상기 충진부(43)는 외부와의 접촉면적이 넓어지고, 이에 따라 상기 발광 다이오드 및 인쇄회로기판(41)에서 발생한 열이 용이하게 외부로 빠져나갈 수 있다. 이에 따라, 열에 의한 상기 발광 다이오드 및 인쇄회로기판(41)의 불량을 줄일 수 있는 효과가 있다.The heat dissipating unit 45 may be an empty space in which the metal material is not filled. The heat dissipating unit 45 may be formed inside the printed circuit board 41. The heat radiating portion 45 may be formed along the side surface of the printed circuit board 41. The area of contact with the outside of the filling part 43 is widened through the heat dissipating part 45 so that the heat generated from the light emitting diode and the printed circuit board 41 can easily escape to the outside. Accordingly, defects of the light emitting diode and the printed circuit board 41 due to heat can be reduced.

또한, 상기 발광 다이오드로부터의 열은 상기 인쇄회로기판(41)을 통해 상기 지지부재(30)로 전달되고, 열전도도가 높은 상기 지지부재(30)는 외부로 열을 배출하여 열에 의한 상기 발광 다이오드 및 인쇄회로기판(41)의 손상을 줄일 수 있다.The heat from the light emitting diode is transmitted to the support member 30 through the printed circuit board 41 and the support member 30 having a high thermal conductivity discharges heat to the outside, And the printed circuit board 41 can be reduced.

상기 반사상면(21)은 일정한 폭(d)을 가질 수 있고, 상기 반사측면(23)은 일정한 높이(l)를 가질 수 있다. 표 1은 반사상면(21)의 폭(d)에 대한 반사측면(23)의 높이(l)의 비율에 따른 광효율 및 감소율을 나타내는 표이다.The reflective upper surface 21 may have a constant width d and the reflective side 23 may have a constant height l. Table 1 is a table showing the light efficiency and the reduction rate according to the ratio of the height 1 of the reflective side 23 to the width d of the reflective upper surface 21.

높이(l, cm)Height (l, cm) 높이(l)에 대한 폭(d)비율The ratio of the width (d) to the height (l) 광효율(lm/W)Luminous efficiency (lm / W) 감소율(%)Decrease (%) 33 4.34.3 96.4496.44 1717 44 3.33.3 97.3397.33 1616 55 2.62.6 98.1098.10 1515 66 2.22.2 97.5797.57 1616 77 1.91.9 95.8895.88 1717

표 1의 광효율은 인가되는 전력대비 광속을 나타내고, 감소율은 광원(40)에 의해 발광하는 광속 대비 상기 출광영역(50)으로 출력되는 광속의 감소율을 나타낸다.The light efficiency shown in Table 1 represents the light flux relative to the applied power, and the reduction ratio represents the reduction rate of the light flux output to the light outgoing region 50 with respect to the light flux emitted by the light source 40.

상기 반사측면(23)이 3cm의 높이(l)를 가지고, 상기 반사측면(23)의 높이(l) 대비 상기 반사상면(21)의 폭(d)이 1:4.3일 때, 광효율은 96.44lm/W이고, 감소율은 17%이다.When the reflective side 23 has a height l of 3 cm and the width d of the reflective upper side 21 is 1: 4.3 with respect to the height l of the reflective side 23, the light efficiency is 96.44 lm / W, and the reduction rate is 17%.

상기 반사측면(23)이 4cm의 높이(l)를 가지고, 상기 반사측면(23)의 높이(l) 대비 상기 반사상면(21)의 폭(d)이 1:3.3일 때, 광효율은 97.33lm/W이고, 감소율은 16%이다.When the reflective side 23 has a height l of 4 cm and the width d of the reflective upper side 21 is 1: 3.3 with respect to the height l of the reflective side 23, the light efficiency is 97.33 lm / W, and the reduction rate is 16%.

상기 반사측면(23)이 5cm의 높이(l)를 가지고, 상기 반사측면(23)의 높이(l) 대비 상기 반사상면(21)의 폭(d)이 1:2.6일 때, 광효율은 98.10lm/W이고, 감소율은 15%이다.When the reflective side 23 has a height l of 5 cm and the width d of the reflective upper side 21 is 1: 2.6 with respect to the height l of the reflective side 23, the light efficiency is 98.10 lm / W, and the reduction rate is 15%.

상기 반사측면(23)이 6cm의 높이(l)를 가지고, 상기 반사측면(23)의 높이(l) 대비 상기 반사상면(21)의 폭(d)이 1:2.2일 때, 광효율은 97.57lm/W이고, 감소율은 16%이다.When the reflective side 23 has a height l of 6 cm and the width d of the reflective upper side 21 is 1: 2.2 relative to the height l of the reflective side 23, the light efficiency is 97.57 lm / W, and the reduction rate is 16%.

상기 반사측면(23)이 7cm의 높이(l)를 가지고, 상기 반사측면(23)의 높이(l) 대비 상기 반사상면(21)의 폭(d)이 1:1.9일 때, 광효율은 95.88lm/W이고, 감소율은 17%이다.When the reflective side surface 23 has a height l of 7 cm and the width d of the reflective top surface 21 is 1: 1.9 with respect to the height l of the reflective side surface 23, the light efficiency is 95.88 lm / W, and the reduction rate is 17%.

상기 반사측면(23)의 높이(l) 대비 상기 반사상면(21)의 폭(d)의 비율은 1:1.9 내지 1:4.3일 수 있다.The ratio of the height d of the reflective upper surface 21 to the height l of the reflective side 23 may be 1: 1.9 to 1: 4.3.

바람직하게는 상기 반사측면(23)의 높이(l) 대비 상기 반사상면(21)의 폭(d)의 비율은 1:2 내지 1:4일 수 있다. 상기 반사측면(23)의 높이(l)와 상기 반사상면(21)의 폭(d)이 상기와 같은 비율을 가질 때, 광효율이 상승하고 감소율이 작아지는 효과가 있다.Preferably, the ratio of the height d of the reflective upper surface 21 to the height l of the reflective side 23 may be 1: 2 to 1: 4. When the height l of the reflecting side surface 23 and the width d of the reflecting top surface 21 have the above ratios, the light efficiency increases and the reduction rate decreases.

더욱 바람직하게는, 상기 반사측면(23)의 높이(l) 대비 상기 반사상면(21)의 폭(d) 비율이 1:2.2 내지 1:3.3인 경우 1:2.2 미만 및 1:3.3 초과인 경우 대비 높은 광효율을 가지고, 상대적으로 낮은 감소율을 가진다.More preferably, when the ratio of the width d of the reflective upper surface 21 to the height l of the reflective side surface 23 is 1: 2.2 to 1: 3.3, the ratio is less than 1: 2.2 and more than 1: 3.3 Has a relatively high light efficiency, and has a relatively low reduction rate.

상기 반사측면(23)의 높이(l) 대비 상기 반사상면(21)의 폭(d) 비율이 1:2.2 내지 1:3.3의 비율로 상기 반사측면(23) 및 상기 반사상면(21)을 형성하여 광효율을 향상시켜 조명장치의 소비전력을 줄일 수 있는 효과가 있다.The reflective side 23 and the reflective upper side 21 are formed at a ratio of 1: 2.2 to 1: 3.3 in the ratio of the height d of the reflective side 23 to the width d of the reflective upper side 21 Thereby improving the light efficiency and reducing the power consumption of the lighting apparatus.

또한, 상기 반사측면(23)의 높이(l)을 3cm 내지 7cm로 형성하여 광효율을 향상시킬 수 있다. 바람직하게는, 상기 반사측면(23)의 높이(l)를 4cm 내지 6cm로 형성하여 조명장치의 소비전력을 줄일 수 있다.In addition, the height (1) of the reflecting side surface 23 may be 3 cm to 7 cm to improve the light efficiency. Preferably, the height (1) of the reflecting side surface 23 is set to 4 cm to 6 cm, so that the power consumption of the lighting apparatus can be reduced.

또한, 상기 반사측면(23)을 밑변 대비 높이를 10:1 내지 20:3 비율을 가지는 사각형상으로 형성할 수 있다. 상기 반사측면(23)의 밑변 대비 높이를 10:1 내지 20:3 비율로 형성함으로써 광효율을 향상시킬 수 있다.In addition, the reflective side surface 23 may be formed in a rectangular shape having a base-to-base contrast ratio of 10: 1 to 20: 3. The light efficiency can be improved by forming the height of the bottom side of the reflective side surface 23 at a ratio of 10: 1 to 20: 3.

상기 반사부재(20)를 원통형상으로 형성함으로써 원뿔형 대비 광원(40)으로부터 출광되는 광의 반사횟수를 줄일 수 있어 원뿔형의 반사부재에 비해 광효율을 향상시킬 수 있다.By forming the reflecting member 20 in a cylindrical shape, the number of times of reflection of the light emitted from the light source 40 with respect to the conical shape can be reduced, so that the light efficiency can be improved as compared with the conical reflecting member.

도 6은 제1 실시 예에 따른 조명장치의 광의 경로를 나타내는 도면이다. 도 6a는 비교 예에 따른 조명장치의 광의 경로를 나타내는 도면이고, 도 6b는 제1 실시 예에 따른 조명장치의 광의 경로를 나타내는 도면이다.6 is a view showing the path of light of the illumination device according to the first embodiment. FIG. 6A is a view showing the path of light of the illuminating device according to the comparative example, and FIG. 6B is a view showing the path of light of the illuminating device according to the first embodiment.

도 6a 에서의 비교 예에 따른 조명장치는 반사부재가 원뿔대 형상을 가질 때를 나타내고, 도 6b의 제1 실시 예에 따른 조명장치는 반사부재가 원통형상을 가질 때를 나타낸다.The illuminating device according to the comparative example in Fig. 6A shows when the reflecting member has a truncated cone shape, and the illuminating device according to the first embodiment in Fig. 6B shows when the reflecting member has a cylindrical shape.

제1 실시 예에 따른 조명장치는 비교 예와 비교하여 보다 작은 반사횟수를 가질 수 있다. 비교 예에 따른 조명장치의 경우에는 반사부재가 원뿔대 형상을 가짐으로써 광원으로부터의 광이 원뿔대의 경사를 가지는 측면에 수회 반사되어 출광영역을 통해 출력된다. 이에 반해, 제1 실시 예에 따른 조명장치의 경우에는 반사부재가 원기둥 형상을 가짐으로써, 상기 광원에 수직되는 측면을 가져, 상기 비교 예에 비해 작은 횟수의 반사를 통해 상기 출광영역으로 출력된다.The illumination device according to the first embodiment can have a smaller number of reflection times as compared with the comparative example. In the case of the illumination device according to the comparative example, the light from the light source is reflected several times on the side of the truncated cone having a truncated cone shape, and is output through the light exiting area by having the truncated cone shape. On the contrary, in the case of the illumination device according to the first embodiment, the reflecting member has a cylindrical shape, and has a side surface perpendicular to the light source, and is output to the outgoing light area through a small number of reflections compared to the comparative example.

표 2는 비교 예에 따른 조명장치의 반사부재의 크기에 따른 광효율 및 감소율을 나타내는 표이다.Table 2 is a table showing the light efficiency and the reduction rate according to the size of the reflective member of the illumination device according to the comparative example.

높이(cm)Height (cm) 높이에 대한 폭비율Width ratio to height 광효율(lm/W)Luminous efficiency (lm / W) 감소율(%)Decrease (%) 33 4.34.3 80.1780.17 3131 44 3.33.3 81.0881.08 3131 55 2.62.6 80.0480.04 3131 77 1.91.9 77.7277.72 3333

표 2에서의 높이는 반사부재의 높이를 의미하고, 비교 예에 따른 조명장치의 반사부재는 하면 대비 측면이 45도의 경사각을 가지는 원뿔대 형상을 가진다.The height in Table 2 means the height of the reflecting member, and the reflecting member of the illuminating device according to the comparative example has a truncated cone shape with a side surface contrast ratio of 45 degrees.

비교 예의 반사부재가 3cm의 높이를 가지고, 상기 반사부재의 높이 대비 하면의 폭이 1:4.3일 때, 광효율은 96.44lm/W이고, 감소율은 31%이다.When the reflective member of the comparative example has a height of 3 cm and the width of the lower surface of the reflective member is 1: 4.3, the light efficiency is 96.44 lm / W and the reduction rate is 31%.

비교 예의 반사부재가 4cm의 높이를 가지고, 상기 반사부재의 높이 대비 하면의 폭이 1:3.3일 때, 광효율은 81.08lm/W이고, 감소율은 31%이다.When the reflective member of the comparative example has a height of 4 cm and the width of the lower surface of the reflective member is 1: 3.3, the light efficiency is 81.08 lm / W and the reduction rate is 31%.

비교 예의 반사부재가 5cm의 높이를 가지고, 상기 반사부재의 높이 대비 하면의 폭이 1:2.6일 때, 광효율은 80.04lm/W이고, 감소율은 31%이다.When the reflective member of the comparative example has a height of 5 cm and the width of the lower surface of the reflective member is 1: 2.6, the light efficiency is 80.04 lm / W and the reduction rate is 31%.

비교 예의 반사부재가 7cm의 높이를 가지고, 상기 반사부재의 높이 대비 하면의 폭이 1:1.9일 때, 광효율은 77.72lm/W이고, 감소율은 33%이다.When the reflective member of the comparative example has a height of 7 cm and the width of the lower surface of the reflective member is 1: 1.9, the light efficiency is 77.72 lm / W and the reduction rate is 33%.

표 1과 표 2를 비교하면, 반사부재가 동일한 크기와 높이에 대한 폭의 비율을 가지도록 구성하더라도, 비교 예에 비해 제1 실시 예의 광효율이 높고 감소율이 작아지는 효과가 있다. 상기한 바와 같이 제1 실시 예에 따른 조명장치는 광원으로부터 출광되는 광의 반사횟수가 비교 예보다 작아 상기 반사부재에 반사시 발생하는 광소비를 줄일 수 있어 광효율을 향상시킬 수 있다.Comparing Table 1 and Table 2, there is an effect that the light efficiency of the first embodiment is higher and the reduction rate is smaller than that of the comparative example, even if the reflective members are configured so as to have a ratio of the width to the same size and height. As described above, in the lighting apparatus according to the first embodiment, the number of times of reflection of the light emitted from the light source is smaller than that of the comparative example, so that the light consumption occurring upon reflection on the reflection member can be reduced, and the light efficiency can be improved.

도 7은 제1 실시 예에 따른 조명장치의 출광영역을 통해 출력되는 광의 파장을 나타내는 도면이다.7 is a diagram showing the wavelength of light output through the light-exiting area of the illumination device according to the first embodiment.

도 7a는 비교 예에 따른 조명장치로부터 출력되는 광의 파장을 나타내며, 도 7b는 제1 실시 예에 다른 조명장치의 출광영역을 통해 출력되는 파장을 나타낸다.FIG. 7A shows the wavelength of light output from the illumination device according to the comparative example, and FIG. 7B shows the wavelength output through the light exiting area of the illumination device according to the first embodiment.

도 7a를 참조하면, 비교 예에 따른 조명장치는 청색 발광 다이오드와 적색 발광 다이오드를 이용하여 2개의 피크를 가지는 광을 출력한다.Referring to FIG. 7A, the illumination device according to the comparative example outputs light having two peaks using a blue light emitting diode and a red light emitting diode.

도 7b 를 참조하면, 제1 실시 예에 다른 조명장치의 출광영역을 통해 출력되는 광의 파장은 적어도 3개의 피크를 가질 수 있다.Referring to FIG. 7B, the wavelength of the light output through the light emission area of the illumination device according to the first embodiment may have at least three peaks.

도면의 청색 파장의 광은 제1 광원(42)에 의해 출력되는 광이며, 적색 파장의 광은 제2 광원(44), 제3 광원(46) 및 제4 광원(48)을 통해 출력되는 광일 수 있다.The blue wavelength light in the drawing is light output by the first light source 42 and the light of the red wavelength is emitted through the second light source 44, the third light source 46 and the fourth light source 48 .

상기 출광영역(50)으로 출력되는 광은 상기 제1 광원(42)에 의해 제1 피크를 가질 수 있다. 상기 출광영역(50)으로 출력되는 광은 상기 제2 광원(44)에 의해 제2 피크를 가질 수 있고, 상기 제3 광원(46)에 의해 제3 피크를 가질 수 있다. 상기 제2 피크를 가지는 광과 상기 제3 피크를 가지는 광에 의해 적색광의 반치폭이 청색광의 반치폭보다 커질 수 있다. 또한, 제4 광원(48)에 의해 출력되는 반치폭이 큰 광에 의해 적색광의 반치폭이 더욱 커질 수 있다.The light output to the light outgoing region 50 may have a first peak by the first light source 42. Light output to the outgoing light region 50 may have a second peak by the second light source 44 and may have a third peak by the third light source 46. The half width of the red light may be larger than the half width of the blue light by the light having the second peak and the light having the third peak. Further, the half width of the red light can be further increased by the half-width wide light outputted by the fourth light source 48. [

상기 제1 피크의 강도는 상기 제2 피크의 강도 또는 제3 피크의 강도보다 클 수 있다.The intensity of the first peak may be greater than the intensity of the second peak or the intensity of the third peak.

이 때, 상기 청색 파장의 광에 의해 개화가 유도되며, 적색 또는 근적외선 파장의 광에 의해 식물의 생육이 촉진될 수 있다.At this time, flowering is induced by the light of the blue wavelength, and the growth of the plant can be promoted by the light of the wavelength of red or near infrared rays.

상기 적색 또는 근적외선 파장의 광이 2개의 피크를 가지는 형태로 식물에 동시에 조사되는 경우 도 8과 같이 에머슨 상승효과를 가진다.When the light of the red or near-infrared wavelength is irradiated to a plant simultaneously with two peaks, it has an Emerson synergistic effect as shown in FIG.

도 8은 에머슨 상승효과를 나타내는 도면이다.8 is a diagram showing the Emerson synergistic effect.

도 8을 참조하면, 700nm의 상대적으로 긴 파장의 적색광과 상대적으로 짧은 파장의 적색광을 독립적으로 조사하여 얻는 광합성율의 합보다 2개의 피크를 가지는 광을 동시에 조사하여 얻는 광합성율의 합이 더 크다.Referring to FIG. 8, the sum of photosynthetic rates obtained by simultaneously irradiating light having two peaks to the sum of photosynthetic rates obtained by independently irradiating red light of a relatively long wavelength of 700 nm and red light of a relatively short wavelength is larger.

즉, 서로 다른 조명을 이용하여 시간간격을 두고 서로 다른 적색광을 조사하여 식물을 생장시키는 것 보다 하나의 조명장치를 통해 동시에 서로 다른 파장을 가지는 적색광을 조사하는 경우 식물의 생장율이 향상될 수 있다.That is, the plant growth rate can be improved by irradiating red light having different wavelengths at the same time through one illumination device, rather than growing plants by irradiating different red light at different intervals using different illumination.

도 9는 제1 실시 예에 따른 조명장치를 이용하여 생장시킨 식물을 나타내는 도면이다.Fig. 9 is a view showing a plant grown using the lighting apparatus according to the first embodiment. Fig.

도 9a는 종래의 식물 생장등을 조사하는 경우 생장된 식물을 나타내는 도면이고, 도 9b는 제1 실시 예의 조명장치를 조사하는 경우 생장된 식물을 나타내는 도면이다.FIG. 9A is a view showing a plant grown when a conventional plant growth or the like is irradiated, and FIG. 9B is a view showing a plant grown when the illumination device of the first embodiment is irradiated.

표 1은 종래의 식물생장등을 이용하여 생장시킨 식물의 길이와 제1 실시 예에 따른 조명장치를 이용하여 생장시킨 식물의 길이를 나타낸다. Table 1 shows the length of a plant grown using conventional plant growth and the like and the length of a plant grown using the lighting apparatus according to the first embodiment.

항목Item 제1 실험대상First experimental subject 제2 실험대상Second Experiment Subject 제3 실험대상Subject 3 평균Average 종래의 식물생장등Conventional plant growth 1.71.7 3.33.3 1.91.9 2.32.3 제1 실시 예First Embodiment 4.74.7 5.25.2 5.15.1 5.05.0

도 9 및 표 1에서의 식물은 바젤이며, 7일간 암실에서 실험을 진행하였다. 또한, 종래의 식물생장등과 제1 실시 예에 따른 조명장치는 모두 10W 조명으로 실험하였으며, 조명과 식물 사이의 거리는 30cm이다. 또한, 실험대상인 바젤을 3개의 화분을 두고 실험하였으며, 3개의 화분을 제1 실험대상, 제2 실험대상 및 제3 실험대상으로 정의하였다. The plants in Fig. 9 and Table 1 are basel, and the experiment was conducted in a dark room for 7 days. In addition, the conventional plant growth apparatuses and the lighting apparatus according to the first embodiment were all experimented with 10 W light, and the distance between the light and the plant was 30 cm. In addition, three basins were tested with three pots, and three basins were defined as first, second, and third test objects.

도 9 및 표 1을 참조하면, 종래의 식물생장등을 7일간 조사한 대상식물은 평균적으로 2.3cm 생장하였으며, 제1 실시 예의 조명장치를 이용한 조명을 7일간 조사한 대상식물은 평균적으로 5.0cm생장하였다. 제1 실시 예에 따른 조명장치를 사용하는 경우 종래의 식물생장등에 비해 217.4%의 생장율을 나타내었다.Referring to FIG. 9 and Table 1, plants cultivated on a conventional plant growth field for 7 days were grown 2.3 cm on average, and plants cultivated for 7 days with illumination using the illumination device of Example 1 averaged 5.0 cm . When the lighting apparatus according to the first embodiment was used, the growth rate was 217.4% as compared with the conventional plant growth.

따라서, 종래의 식물생장등에 비해 제1 실시 예에 따른 조명장치는 에머슨 효과에 의해 식물의 생장율을 향상시킬 수 있다.Therefore, the lighting apparatus according to the first embodiment can improve the plant growth rate by the Emerson effect compared to the conventional plant growth.

도 10은 제1 실시 예에 따른 조명장치를 이용하여 생장시킨 식물을 나타내는 도면이다.10 is a view showing a plant grown by using the lighting apparatus according to the first embodiment.

도 10a는 종래의 식물 생장등을 조사하는 경우 생장된 식물을 나타내는 도면이고, 도 10b는 제1 실시 예의 조명장치를 조사하는 경우 생장된 식물을 나타내는 도면이다.FIG. 10A is a view showing a plant grown when a conventional plant growth or the like is irradiated, and FIG. 10B is a view showing a plant grown when the illumination apparatus of the first embodiment is irradiated.

표 2는 종래의 식물생장등을 이용하여 생장시킨 식물의 엽장, 엽폭 및 엽수와 제1 실시 예에 따른 조명장치를 이용하여 생장시킨 식물의 엽장, 엽폭 및 엽수를 나타낸다.Table 2 shows the leaf length, leaf width and leaf number of the plants grown using conventional plant growth and the leaf length, leaf width and leaf number of the plants grown using the illumination apparatus according to the first embodiment.

항목Item 엽장(cm)Leaf length (cm) 엽폭(cm)Leaf width (cm) 엽수(개)Number of leaves () 종래의 식물생장등Conventional plant growth 5.6±2.75.6 ± 2.7 3.8±2.23.8 ± 2.2 7.8±3.17.8 ± 3.1 제1 실시 예First Embodiment 10.1±1.510.1 ± 1.5 5.4±2.05.4 ± 2.0 9.9±1.69.9 ± 1.6

도 10 및 표 2에서의 식물은 양상추이며, 1개월동안 식물공장에서 실험을 진행하였다. 또한, 종래의 식물생장등과 제1 실시 예에 따른 조명장치는 모두 10W 조명으로 실험하였으며, 조명과 식물사이의 거리는 40cm이다. 또한, 생장시킨 식물의 생장은 잎의 길이, 잎의 폭 및 잎의 개수를 이용하여 측정하였다.The plants in Fig. 10 and Table 2 were lettuce, and the experiment was carried out in the plant for one month. In addition, the conventional plant growth apparatus and the illumination apparatus according to the first embodiment were all experimented with 10W illumination, and the distance between the illumination and the plant was 40cm. In addition, the growth of the grown plants was measured using the length of the leaves, the width of the leaves and the number of leaves.

도 10 및 표 2를 참조하면, 종래의 식물 생장등을 이용한 대상식물의 엽장, 엽폭, 엽수에 비해 제1 실시 예에 따른 조명장치를 사용하는 경우 평균적으로 20% 내지 80% 더 성장한 결과를 얻었다.10 and Table 2, when the lighting apparatus according to the first embodiment was used, the average growth rate was 20% to 80% greater than the leaf length, leaf width and leaf number of the target plant using conventional plant growth or the like .

따라서, 종래의 식물생장등에 비해 제1 실시 예에 따른 조명장치는 보다 더 식물의 생장에 적합한 조명으로 사용될 수 있다.Therefore, the illumination device according to the first embodiment can be used as illumination suitable for plant growth even more than the conventional plant growth.

도 11은 제2 실시 예에 따른 조명장치를 나타내는 분해사시도이고, 도 12는 제2 실시 예에 따른 조명장치의 반사부재의 저면사시도이다.FIG. 11 is an exploded perspective view showing a lighting apparatus according to a second embodiment, and FIG. 12 is a bottom perspective view of a reflecting member of a lighting apparatus according to the second embodiment.

제2 실시 예에 따른 조명장치는 제1 실시 예의 조명장치와 비교하여 광원이 출력하는 광의 파장이 상이하고, 반사부재가 형광층을 포함하는 것 이외에는 동일하다. 따라서, 제2 실시 예를 설명함에 있어서, 제1 실시 예와 공통되는 구성에 대해서는 동일한 도면번호를 부여하고 상세한 설명을 생략한다.The illuminating device according to the second embodiment is the same as the illuminating device according to the first embodiment except that the wavelength of the light output by the light source is different and the reflecting member includes the fluorescent layer. Therefore, in describing the second embodiment, the same reference numerals are assigned to the same components as those of the first embodiment, and a detailed description thereof is omitted.

도 11 및 도 12를 참조하면, 제2 실시 예에 따른 조명장치(1)는 프레임(10), 반사부재(20) 및 지지부재(30)를 포함할 수 있다.11 and 12, the illumination device 1 according to the second embodiment may include a frame 10, a reflection member 20, and a support member 30. [

상기 지지부재(30) 상에는 다수의 광원(40)이 배치될 수 있다. 상기 광원(40)은 제1 광원(42) 및 제2 광원(44)을 포함할 수 있다. 상기 제1 광원(42)은 청색파장의 광을 출력할 수 있다. 상기 제2 광원(44)은 적색파장의 광을 출력할 수 있다. 상기 광원(42)은 제1 피크를 가지는 광을 출력할 수 있고, 상기 제2 광원(44)은 제2 피크를 가지는 광을 출력할 수 있다. 상기 제1 피크는 청색 파장영역의 파장일 수 있고, 상기 제2 피크는 적색 파장영역 또는 근적외선 파장영역의 파장일 수 있다.A plurality of light sources 40 may be disposed on the support member 30. The light source 40 may include a first light source 42 and a second light source 44. The first light source 42 can output light having a blue wavelength. The second light source 44 can output light having a red wavelength. The light source 42 may output light having a first peak, and the second light source 44 may output light having a second peak. The first peak may be a wavelength of a blue wavelength region, and the second peak may be a wavelength of a red wavelength region or a near-infrared wavelength region.

상기 제1 광원(42)은 청색광을 출력하는 발광 다이오드를 포함할 수 있다. The first light source 42 may include a light emitting diode that outputs blue light.

상기 제2 광원(42)은 적색광을 출력하는 발광 다이오드를 포함할 수 있다. 또는 앞서 설명한바와 같이 상기 제2 광원(42)은 청색광을 출력하는 발광 다이오드와 광의 파장을 변환하는 파장 변환층을 포함할 수 있다. 상기 파장 변환층에 청색광이 입사되는 경우 상기 파장 변환층은 입사된 청색광의 파장을 변환하여 적색광을 출력할 수 있다.The second light source 42 may include a light emitting diode that outputs red light. Alternatively, as described above, the second light source 42 may include a light emitting diode that outputs blue light and a wavelength conversion layer that converts the wavelength of light. When the blue light is incident on the wavelength conversion layer, the wavelength conversion layer may convert the wavelength of the incident blue light to output red light.

상기 반사부재(20)의 일부영역에는 형광층(25)이 형성될 수 있다. 상기 형광층(25)은 띠형상으로 형성될 수 있다. 상기 반사측면(23)의 일부영역에는 형광층(25)이 형성될 수 있다. 상기 형광층(25)은 상기 반사측면(23)의 내측면의 일부영역에 형성될 수 있다.A fluorescent layer 25 may be formed on a part of the reflective member 20. The fluorescent layer 25 may be formed in a strip shape. A fluorescent layer 25 may be formed on a part of the reflective side 23. The fluorescent layer 25 may be formed on a part of the inner side surface of the reflective side 23.

상기 형광층(25)은 상기 반사측면(23)에 부착될 수도 있고, 형광물질이 상기 반사측면(23)에 도포됨으로써 형성될 수도 있다.The fluorescent layer 25 may be attached to the reflective side 23 or may be formed by applying a fluorescent material to the reflective side 23.

상기 형광층(25)은 상기 반사측면(23)의 하부영역에 형성될 수 있다. 상기 형광층(25)은 광원(40)과 인접하는 반사측면(23)의 일부영역에 형성될 수 있다. 상기 형광층(25)은 상기 반사상면(21)으로부터 이격된 상기 반사측면(23)의 하부영역에 형성될 수 있다. 상기 형광층(25)은 상기 광원(40)과 인접하는 상기 반사측면(23)의 일단부에 접하여 형성될 수 있고, 상기 광원(40)과 인접하는 반사측면(23)의 일단부와 일정간격 이격되어 형성될 수도 있다. 도시하지 않았지만 상기 형광층(25)은 서로 이격된 띠 형상으로 형성될 수 있다.The fluorescent layer 25 may be formed in a lower region of the reflective side 23. The fluorescent layer 25 may be formed on a part of the reflective side 23 adjacent to the light source 40. The fluorescent layer 25 may be formed in a lower region of the reflective side 23 spaced from the reflective upper side 21. The fluorescent layer 25 may be formed in contact with one end of the reflective side 23 adjacent to the light source 40 and may be spaced apart from one end of the reflective side 23 adjacent to the light source 40, Or may be formed spaced apart. Although not shown, the fluorescent layer 25 may be formed in a strip shape spaced apart from each other.

상기 형광층(25)은 무기 형광체 또는 유기 형광체를 포함할 수 있다. 상기 형광층(25)은 양자점(Quantum dot)을 포함할 수도 있다. 상기 형광층(25)에 포함되는 무기 형광체, 유기 형광체 또는 양자점에 대한 설명은 앞서 설명한 파장변환물질에 대한 설명과 같다.The fluorescent layer 25 may include an inorganic fluorescent material or an organic fluorescent material. The fluorescent layer 25 may include a quantum dot. The description of the inorganic fluorescent material, the organic fluorescent material or the quantum dot included in the fluorescent layer 25 is the same as the description of the wavelength converting material described above.

상기 형광층(25)은 기재(26)와 상기 기재(26)에 혼입된 제3 파장변환물질(27)을 포함할 수 있다. 여기서 제3 파장변환물질(27)은 제1 실시 예에서 설명한 제3 파장변환물질과 동일하다.The fluorescent layer 25 may include a substrate 26 and a third wavelength converting material 27 incorporated in the substrate 26. Here, the third wavelength converting material 27 is the same as the third wavelength converting material described in the first embodiment.

상기 제2 광원(44)으로부터 출력된 광 중 일부는 상기 형광층(25)에 입사되고, 나머지는 상기 반사측면(23)에 입사된다. 상기 제2 광원(44)으로부터 출력된 광 중 상기 형광층(25)에 입사된 광은 상기 제3 파장변환물질(27)에 의해 파장이 변경되어 출력된다. 또한, 상기 제2 광원(44)으로부터 출력되어 상기 반사측면(23)에 입사된 광은 파장이 변경되지 않은 상태로 반사를 통해 상기 출광영역(50)을 통해 출력된다.Some of the light output from the second light source 44 is incident on the fluorescent layer 25 and the rest is incident on the reflective side 23. Among the light output from the second light source 44, the light incident on the fluorescent layer 25 is changed in wavelength by the third wavelength converting material 27 and is output. The light output from the second light source 44 and incident on the reflective side surface 23 is output through the outgoing light area 50 through the reflection without changing the wavelength.

상기 반사측면(23) 내부에서 광은 수회 반사되므로, 상기 출광영역(50)을 통해 출력되는 광의 일부는 적어도 한번 상기 형광층(25)에 입사되어 파장이 변환된 상태로 출력되고, 나머지는 상기 형광층(25)에 입사되지 않은 상태로 출력될 수 있다. 즉, 상기 출광영역(50)을 통해 출력되는 광은 제2 광원(44)의 파장과 제3 파장변환물질(27)에 의해 변경된 파장을 포함할 수 있다. 다시 말해, 상기 출광영역(50)을 통해 출력되는 광은 제2 피크와 제3 피크를 가질 수 있다. 즉, 상기 출광영역(50)을 통해 출력되는 광은 제1 피크, 제2 피크 및 제3 피크를 가질 수 있다.A part of the light output through the outgoing light area 50 is incident on the fluorescent layer 25 at least once and is output in a state in which the wavelength is converted, And can be output without being incident on the fluorescent layer 25. [ That is, the light output through the outgoing light area 50 may include the wavelength of the second light source 44 and the wavelength changed by the third wavelength conversion material 27. In other words, the light output through the outgoing light area 50 may have a second peak and a third peak. That is, the light output through the light outgoing region 50 may have a first peak, a second peak, and a third peak.

상기 제1 피크는 청색파장 영역이며, 상기 제2 피크 및 제3 피크는 적색파장 영역이다. 따라서, 상기 청색파장 영역의 광의 반치폭은 상기 적색파장 영역 광의 반치폭보다 작을 수 있다.The first peak is a blue wavelength region, and the second and third peaks are a red wavelength region. Accordingly, the half width of the light in the blue wavelength region may be smaller than the half width of the red wavelength region light.

상기 형광층(26)은 제4 파장변환물질(28)을 더 포함할 수 있다. 여기서 제4 파장변환물질(27)은 제1 실시 예에서 설명한 제4 파장변환물질과 동일하다.The fluorescent layer 26 may further include a fourth wavelength conversion material 28. Here, the fourth wavelength conversion material 27 is the same as the fourth wavelength conversion material described in the first embodiment.

상기 형광층(26)이 상기 제3 파장변환물질(27)에 더하여 상기 제4 파장변환물질(28)을 포함함으로써 상기 출광영역(50)으로 제1 피크, 제2 피크, 제3 피크 및 제4 피크의 광이 출력될 수 있다. 또는, 상기 형광층(26)이 상기 제3 파장변환물질(27)에 더하여 상기 제4 파장변환물질(28)을 포함함으로써 상기 출광영역(50)으로 제1 피크, 제2 피크 및 제3 피크의 광이 출력되며, 적색파장대의 제2 피크 및 제3 피크의 광의 반치폭이 상기 제1 피크의 반치폭에 비해 보다 더 큰 상태로 출력될 수 있다.The fluorescent layer 26 includes the fourth wavelength converting material 28 in addition to the third wavelength converting material 27 so that the first peak, the second peak, the third peak, Four peaks of light can be output. Alternatively, the fluorescent layer 26 includes the fourth wavelength conversion material 28 in addition to the third wavelength conversion material 27 to form the first peak, the second peak, and the third peak And the half width of the light of the second and third peaks of the red wavelength band is larger than the half width of the first peak.

상기 제2 광원(44)으로부터 출력된 광의 일부는 상기 형광층(25)에 입사되고, 형광층(25)에 입사된 광의 일부는 제3 파장변환물질(27)에 의해 파장이 변경되고, 다른 일부는 제4 파장변환물질(28)에 의해 파장이 변경되어 출력된다. 이로써, 상기 출광영역(50)을 통해 출력되는 광은 제1 피크, 제2 피크, 제3 피크 및 제4 피크를 가질 수 있고, 상기 제4 파장변환물질(28 변환할 수 있는 파장영역을 조정하는 경우 제4 피크 없이 제2 피크 및 제3 피크를 가지는 적색파장대의 광의 반치폭이 더 커진 상태로 출력될 수 있다.A part of the light output from the second light source 44 is incident on the fluorescent layer 25 and a part of the light incident on the fluorescent layer 25 is changed in wavelength by the third wavelength converting material 27, A part of which is changed in wavelength by the fourth wavelength converting material 28 and outputted. Accordingly, the light output through the outgoing region 50 can have a first peak, a second peak, a third peak, and a fourth peak, and the fourth wavelength conversion material The half width of the light of the red wavelength band having the second peak and the third peak without the fourth peak can be outputted in a state where the half width of the light is larger.

또한, 도시하지는 않았지만, 제4 파장변환물질(28) 대신 제2 광원(44)에 포함되는 제2 파장변환물질과 제3 파장변환물질(27)을 혼입하여 제공하여 상기 제4 파장변환물질(28)을 혼입하는 것과 유사한 결과를 얻을 수 있다.Also, although not shown, the second wavelength conversion material included in the second light source 44 may be mixed with the third wavelength conversion material 27 in place of the fourth wavelength conversion material 28 to provide the fourth wavelength conversion material 28) can be obtained.

여기서 상기 형광층(26)은 제3 파장변환물질(26)과 제4 파장변환물질(27)이 랜덤하게 혼입된 상태로 구성될 수 있다.Here, the fluorescent layer 26 may be configured such that the third wavelength conversion material 26 and the fourth wavelength conversion material 27 are randomly mixed.

제2 실시 예에 따른 조명장치는 제1 실시 예에 비해 각각의 광원에 파장변환층을 도포하는 대신 형광띠를 통해 2개이상의 피크를 가지는 적색파장을 출력할 수 있어 제조가 간이하고 제조단가를 절감할 수 있는 효과가 있다.The illumination device according to the second embodiment can output a red wavelength having two or more peaks through a fluorescent band instead of applying the wavelength conversion layer to each light source as compared with the first embodiment, There is an effect that can be saved.

도 13은 제3 실시 예에 따른 조명장치의 반사부재의 저면사시도이고, 도 14는 제4 실시 예에 따른 조명장치의 반사부재의 저면사시도이다.FIG. 13 is a bottom perspective view of a reflecting member of a lighting apparatus according to a third embodiment, and FIG. 14 is a bottom perspective view of a reflecting member of the lighting apparatus according to the fourth embodiment.

제3 실시 예 및 제4 실시 예에 따른 조명장치는 제2 실시 예의 조명장치와 비교하여 파장변환물질이 영역별로 구분되어 형성된 것 이외에는 동일하다. 따라서, 제3 실시 예 및 제4 실시 예를 설명함에 있어서, 제2 실시 예와 공통되는 구성에 대해서는 동일한 도면번호를 부여하고 상세한 설명을 생략한다.The illumination device according to the third embodiment and the fourth embodiment is the same as the illumination device according to the second embodiment except that the wavelength conversion material is divided into regions. Therefore, in describing the third embodiment and the fourth embodiment, the same reference numerals are assigned to the components common to the second embodiment, and the detailed description is omitted.

도 13을 참조하면, 제3 실시 예의 조명장치의 반사부재(20)의 일부영역에는 형광층(25)이 형성될 수 있다.Referring to Fig. 13, a fluorescent layer 25 may be formed in a part of the reflection member 20 of the illumination apparatus of the third embodiment.

상기 형광층(25)은 제1 형광영역(25a)과 제2 형광영역(25b)을 포함할 수 있다. 상기 제1 형광영역(25a)과 제2 형광영역(25b)의 경계는 상기 광원(40)으로부터 상기 반사상면 방향과 평행한 방향일 수 있다. 즉, 상기 제1 형광영역(25a)과 제2 형광영역(25b)은 상기 반사측면의 높이 방향과 평행한 방향으로 연장된 형태일 수 있다. 상기 제1 형광영역(25a)과 상기 제2 형광영역(25b)은 상기 반사측면의 높이 방향으로 연장되어 상기 출광영역(50)의 외경을 따라 교번하여 형성된 형태를 가질 수 있다. 상기 제2 광원(44)으로부터 상기 제1 형광영역(25a)으로 조사된 광은 제3 피크의 광으로 변환되어 출력되고, 상기 제2 광원(44)으로부터 상기 제2 형광영역(25b)으로 조사된 광은 제4 피크의 광으로 변환되어 출력될 수 있다.The fluorescent layer 25 may include a first fluorescent region 25a and a second fluorescent region 25b. The boundary between the first fluorescent region 25a and the second fluorescent region 25b may be a direction parallel to the reflective top surface from the light source 40. [ That is, the first fluorescent region 25a and the second fluorescent region 25b may extend in a direction parallel to the height direction of the reflective side. The first fluorescent region 25a and the second fluorescent region 25b may have a shape extending in the height direction of the reflective side and alternately formed along the outer diameter of the outgoing region 50. [ The light irradiated from the second light source 44 to the first fluorescent region 25a is converted into the light of the third peak and is output and is irradiated from the second light source 44 to the second fluorescent region 25b. And the converted light can be converted into light of the fourth peak and output.

상기 제4 피크는 상기 제2 피크 및 제3 피크의 사이의 파장 값일 수 있다. 상기 제2 피크, 제3 피크 및 제4 피크는 적색파장 또는 근적외선 파장영역일 수 있다.The fourth peak may be a wavelength value between the second peak and the third peak. The second peak, the third peak and the fourth peak may be a red wavelength or a near-infrared wavelength region.

상기 제1 형광영역(25a)은 제3 파장변환물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 형광영역(25a)이 상기 제3 파장변환물질을 포함함으로써 상기 제2 형광영역(25a)으로 입사된 광이 제3 피크를 가지는 형태로 출력될 수 있다.The first fluorescent region 25a may include a third wavelength conversion material. The first fluorescent region 25a may include the third wavelength converting material so that light incident on the second fluorescent region 25a may be output in a form having a third peak.

상기 제2 형광영역(25b)은 제4 파장변환물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 형광영역(25b)이 상기 제4 파장변환물질을 포함함으로써 상기 제2 형광영역(25b)으로 입사된 광이 제4 피크를 가지는 형태로 출력될 수 있다.The second fluorescent region 25b may include a fourth wavelength conversion material. And the second fluorescent region 25b includes the fourth wavelength converting material so that the light incident on the second fluorescent region 25b can be output in a form having a fourth peak.

또는 상기 제2 형광영역(25b)은 제2 파장변환물질 및 제3 파장변환물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 파장변환물질 및 제3 파장변환물질은 상기 제2 형광영역(25b)에 랜덤하게 혼입된 형태로 형성될 수 있다. 이 경우 상기 제2 형광영역(25b)으로부터 출력되는 제4 피크를 가지는 광은 상기 제2 피크를 가지는 광 또는 제3 피크를 가지는 광의 반치폭보다 클 수 있다.Or the second fluorescent region 25b may include a second wavelength conversion material and a third wavelength conversion material. The second wavelength converting material and the third wavelength converting material may be randomly mixed in the second fluorescent region 25b. In this case, the light having the fourth peak outputted from the second fluorescent region 25b may be larger than the half width of the light having the second peak or having the third peak.

도 14를 참조하면, 상기 형광층(25)은 제1 형광영역(25a)과 제2 형광영역(25b)을 포함할 수 있다. 상기 제1 형광영역(25a)과 제2 형광영역(25b)의 경계는 상기 광원(40)으로부터 상기 반사상면 방향과 수직한 방향일 수 있다. 즉, 상기 제1 형광영역(25a)과 제2 형광영역(25b)은 상기 반사측면의 높이 방향과 수직한 방향으로 연장된 형태일 수 있다. 상기 제1 형광영역(25a)과 상기 제2 형광영역(25b)은 상기 출광영역(50)의 외경을 따라 연장되어 상기 반사측면(23)의 높이 방향으로 교번하여 형성된 형태를 가질 수 있다.Referring to FIG. 14, the fluorescent layer 25 may include a first fluorescent region 25a and a second fluorescent region 25b. The boundary between the first fluorescent region 25a and the second fluorescent region 25b may be a direction perpendicular to the reflective upper surface direction from the light source 40. [ That is, the first fluorescent region 25a and the second fluorescent region 25b may extend in a direction perpendicular to the height direction of the reflective side. The first fluorescent region 25a and the second fluorescent region 25b may have a shape extending along the outer diameter of the light outgoing region 50 and alternately formed in the height direction of the reflective side 23.

제3 실시 예 및 제4 실시 예의 경우 서로 다른 파장변환물질을 포함하는 형광층을 만들어 이를 교번하여 부착하는 방법으로 제작할 수 있어, 제조단가가 절감되는 효과가 있다.In the third and fourth embodiments, a fluorescent layer containing different wavelength conversion materials can be fabricated, and the fluorescent layer can be formed by alternately adhering the fluorescent layers, thereby reducing manufacturing cost.

상기에서는 본 발명에 따른 실시예를 기준으로 본 발명의 구성과 특징을 설명하였으나 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 사상과 범위 내에서 다양하게 변경 또는 변형할 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자에게 명백한 것이며, 따라서 이와 같은 변경 또는 변형은 첨부된 특허청구범위에 속함을 밝혀둔다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be apparent to those skilled in the art that changes or modifications may fall within the scope of the appended claims.

1: 조명장치
10: 프레임
20: 반사부재
30: 지지부재1: Lighting device
10: frame
20: reflective member
30: Support member

Claims

In a lighting device used for plant growth,
A light source for outputting light;
An output light region for outputting output light to the outside on the basis of light from the light source;
A reflecting member for reflecting light from the light source to the outgoing light area; And
And a fluorescent layer formed on at least a part of the reflective member,
The peak of the wavelength of the output light output from the outgoing light area includes a first peak, a second peak and a third peak,
The first peak is a wavelength range of blue light,
The second peak and the third peak are wavelengths of red light,
Wherein the reflective member includes a reflective upper surface opposite to the light source and a rectangular reflective side,
The light from the light source is output in the first direction,
The light output from the light source is reflected from the reflective member in a second direction that is different from the first direction and is output to the outgoing light area,
Wherein the fluorescent layer is formed adjacent to the light source on the reflective side,
The boundary between the fluorescent layer and the reflective member on which the fluorescent layer is not formed is parallel to the outgoing light region,
Wherein the fluorescent layer includes a first fluorescent region and a second fluorescent region,
The boundary between the first fluorescent region and the second fluorescent region extends in a direction perpendicular to the direction of the reflection upper surface from the light source,
Wherein the first fluorescent region and the second fluorescent region each convert light of at least part of the light emitted from the light source to output light,
Wherein the first fluorescent region and the second fluorescent region are different from each other.

The method according to claim 1,
Wherein the half width of the blue light is smaller than the half width of the red light.

The method according to claim 1,
Wherein the intensity of the first peak is greater than the intensity of the second peak or the intensity of the third peak.

The method according to claim 1,
The light source includes:
A first light source for outputting light of the first peak,
A second light source for outputting light of the second peak, and
And a third light source that outputs light of the third peak.

5. The method of claim 4,
Wherein the light source includes a fourth light source that outputs light having a fourth peak,
And the wavelength of the fourth peak is a wavelength between the wavelength of the second peak and the wavelength of the third peak.

6. The method of claim 5,
The half width of the light output by the fourth light source is larger than the half width of the light output by the second light source or the half width of the light output by the third light source.

6. The method of claim 5,
Wherein the half width of the light output by the fourth light source is larger than the half width of the light output by the first light source.

6. The method of claim 5,
Wherein the second light source comprises a second wavelength conversion layer comprising a second light emitting diode package and a second wavelength conversion material,
Wherein the third light source includes a third wavelength conversion layer composed of a third light emitting diode package and a third wavelength conversion material,
Wherein the fourth light source comprises a fourth light emitting diode package and a fourth wavelength conversion layer.

9. The method of claim 8,
And the fourth wavelength conversion layer is composed of the second wavelength conversion material and the third wavelength conversion material.

10. The method of claim 9,
Wherein the second wavelength conversion material and the third wavelength conversion material are mixed in the fourth wavelength conversion layer.

10. The method of claim 9,
Wherein the fourth wavelength conversion layer further comprises a fourth wavelength conversion material,
The fourth wavelength conversion layer converts the input light into light having a fifth peak and outputs the converted light,
And the fifth peak has a value between the second peak and the third peak.

delete

The method according to claim 1,
The light source includes:
A first light source for outputting light of the first peak, and
And a second light source for outputting light of the second peak,
Wherein the fluorescent layer converts light of at least part of the light irradiated from the second light source to output light of the third peak.

14. The method of claim 13,
Light from the second light source irradiated to the first fluorescent region is converted into light of the third peak and output,
And the light from the second light source irradiated to the second fluorescent region is converted into light of the fourth peak and output.

15. The method of claim 14,
And the fourth peak is a wavelength value between the second peak and the third peak.

15. The method of claim 14,
Wherein the half width of the light having the fourth peak is larger than the half width of the light having the second peak or having the third peak.

delete

14. The method of claim 13,
Wherein the fluorescent layer comprises a third wavelength converting material,
And the light incident on the third wavelength converting material is converted into light having a third peak and is output.

20. The method of claim 19,
Wherein the fluorescent layer further comprises a fourth wavelength converting material,
Wherein the light incident on the fourth wavelength conversion material is converted into light having a fourth peak and is output.

20. The method of claim 19,
And the third wavelength converting material and the second wavelength converting material are mixed in the fluorescent layer.