KR20180102008A - 발광 다이오드 칩의 제조 방법 및 발광 다이오드 칩 - Google Patents

발광 다이오드 칩의 제조 방법 및 발광 다이오드 칩 Download PDF

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다카시 오카무라
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Abstract

본 발명은, 충분한 휘도를 얻을 수 있는 발광 다이오드 칩의 제조 방법 및 발광 다이오드 칩을 제공하는 것을 목적으로 한다.
발광 다이오드 칩의 제조 방법으로서, 결정 성장용의 투명 기판 상에 발광층을 포함하는 복수의 반도체층이 형성된 적층체층을 가지며, 상기 적층체층의 표면에 서로 교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 각 영역에 각각 LED 회로가 형성된 웨이퍼를 준비하는 웨이퍼 준비 공정과, 전면에 걸쳐 복수의 관통 구멍이 형성된 제1 투명 기판 또는 전면에 걸쳐 복수의 관통 구멍이 형성된 제2 투명 기판 중 적어도 어느 한쪽의 표면 또는 이면에 LED 회로에 대응하여 복수의 홈을 형성하는 투명 기판 가공 공정과, 상기 투명 기판 가공 공정을 실시한 후, 상기 제1 투명 기판의 표면을 웨이퍼의 이면에 첩착시키고 상기 제2 투명 기판의 표면을 상기 제1 투명 기판의 이면에 첩착시켜 일체화 웨이퍼를 형성하는 투명 기판 첩착 공정과, 상기 투명 기판 첩착 공정을 실시한 후, 상기 웨이퍼를 상기 분할 예정 라인을 따라 상기 제1 및 제2 투명 기판과 함께 절단하여 상기 일체화 웨이퍼를 개개의 발광 다이오드 칩으로 분할하는 분할 공정을 포함한 것을 특징으로 한다.

Description

발광 다이오드 칩의 제조 방법 및 발광 다이오드 칩{METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT EMITTING DIODE CHIP AND LIGHT EMITTING DIODE CHIP}
본 발명은, 발광 다이오드 칩의 제조 방법 및 발광 다이오드 칩에 관한 것이다.
사파이어 기판, GaN 기판, SiC 기판 등의 결정 성장용 기판의 표면에 n형 반도체층, 발광층, p형 반도체층이 복수 적층된 적층체층이 형성되고, 이 적층체층과 교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 영역에 복수의 LED(Light Emitting Diode) 등의 발광 디바이스가 형성된 웨이퍼는, 분할 예정 라인을 따라 절단되어 개개의 발광 디바이스 칩으로 분할되고, 분할된 발광 디바이스 칩은 휴대전화, 퍼스널 컴퓨터, 조명기기 등의 각종 전기기기에 널리 이용되고 있다.
발광 디바이스 칩의 발광층으로부터 출사되는 광은 등방성을 갖고 있기 때문에, 결정 성장용 기판의 내부에도 조사되어 기판의 이면 및 측면으로부터도 광이 출사된다. 그러나, 기판의 내부에 조사된 광 중 공기층과의 계면에서의 입사각이 임계각 이상인 광은 계면에서 전반사되어 기판 내부에 가둬지고, 기판으로부터 외부로 출사되는 일이 없기 때문에 발광 디바이스 칩의 휘도의 저하를 초래한다고 하는 문제가 있다.
이 문제를 해결하기 위해, 발광층으로부터 출사된 광이 기판의 내부에 가둬지는 것을 억제하기 위해서, 기판의 이면에 투명 부재를 첩착(貼着)시켜 휘도의 향상을 도모하도록 한 발광 다이오드(LED)가 일본 특허 공개 제2014-175354호 공보에 기재되어 있다.
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2014-175354호 공보
그러나, 특허문헌 1에 개시된 발광 다이오드에서는, 기판의 이면에 투명 부재를 첩착시킴으로써 휘도가 약간 향상되었지만 충분한 휘도를 얻을 수 없다고 하는 문제가 있다.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 충분한 휘도를 얻을 수 있는 발광 다이오드 칩의 제조 방법 및 발광 다이오드 칩을 제공하는 것이다.
청구항 1에 기재된 발명에 따르면, 발광 다이오드 칩의 제조 방법으로서, 결정 성장용의 투명 기판 상에 발광층을 포함하는 복수의 반도체층이 형성된 적층체층을 가지며, 상기 적층체층의 표면에 서로 교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 각 영역에 각각 LED 회로가 형성된 웨이퍼를 준비하는 웨이퍼 준비 공정과, 전면(全面)에 걸쳐 복수의 관통 구멍이 형성된 제1 투명 기판 또는 전면에 걸쳐 복수의 관통 구멍이 형성된 제2 투명 기판 중 적어도 어느 한쪽의 표면 또는 이면에 LED 회로에 대응하여 복수의 홈을 형성하는 투명 기판 가공 공정과, 상기 투명 기판 가공 공정을 실시한 후, 상기 제1 투명 기판의 표면을 웨이퍼의 이면에 첩착시키고 상기 제2 투명 기판의 표면을 상기 제1 투명 기판의 이면에 첩착시켜 일체화 웨이퍼를 형성하는 투명 기판 첩착 공정과, 상기 투명 기판 첩착 공정을 실시한 후, 상기 웨이퍼를 상기 분할 예정 라인을 따라 상기 제1 및 제2 투명 기판과 함께 절단하여 상기 일체화 웨이퍼를 개개의 발광 다이오드 칩으로 분할하는 분할 공정을 포함한 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 칩의 제조 방법이 제공된다.
바람직하게는, 투명 기판 가공 공정에서 형성되는 홈의 단면 형상은 삼각 형상, 사각 형상, 반원 형상 중 어느 하나이다. 바람직하게는, 투명 기판 가공 공정에서 형성되는 홈은 절삭 블레이드, 에칭, 샌드 블라스트, 레이저 중 어느 하나로 형성된다.
상기 제1 및 제2 투명 기판은, 투명 세라믹스, 광학 유리, 사파이어, 투명 수지 중 어느 하나로 형성되고, 상기 투명 기판 첩착 공정에서, 상기 제1 투명 기판은 투명 접착제에 의해 웨이퍼에 첩착되고, 상기 제2 투명 기판은 투명 접착제에 의해 상기 제1 투명 기판에 첩착된다.
청구항 5에 기재된 발명에 따르면, 발광 다이오드 칩으로서, 표면에 LED 회로가 형성된 발광 다이오드와, 상기 발광 다이오드의 이면에 첩착된 복수의 관통 구멍을 갖는 제1 투명 부재와, 상기 제1 투명 부재의 이면에 첩착된 복수의 관통 구멍을 갖는 제2 투명 부재를 구비하고, 상기 제1 투명 부재 또는 상기 제2 투명 부재 중 적어도 어느 한쪽의 표면 또는 이면에 홈이 형성되어 있는 발광 다이오드 칩이 제공된다.
본 발명의 발광 다이오드 칩은, 적어도 2층의 투명 부재에 형성된 복수의 관통 구멍과 홈에 의해 광이 복잡하게 굴절되어 제1 및 제2 투명 부재 내에 가두어지는 광이 감소되고, 제1 및 제2 투명 부재로부터 출사되는 광의 양이 증대되어 발광 다이오드 칩의 휘도가 향상된다.
도 1은 광 디바이스 웨이퍼의 표면측 사시도이다.
도 2의 (A)는 투명 기판 가공 공정을 도시한 사시도, 도 2의 (B)∼도 2의 (D)는 형성된 홈 형상을 도시한 단면도이다.
도 3의 (A)는 표면에 제1 방향으로 신장되는 복수의 홈을 갖는 제1 투명 기판을 웨이퍼의 이면에 첩착시켜 제1 일체화 웨이퍼를 형성하는 투명 기판 첩착 공정을 도시한 사시도, 도 3의 (B)는 제1 일체화 웨이퍼의 사시도이다.
도 4는 제1 방향 및 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 신장되는 복수의 홈을 표면에 갖는 제1 투명 기판을 웨이퍼의 이면에 첩착시켜 일체화하는 투명 기판 첩착 공정을 도시한 사시도이다.
도 5의 (A)는 제1 일체화 웨이퍼의 이면에 제2 투명 기판의 표면을 첩착시켜 제2 일체화 웨이퍼를 형성하는 모습을 도시한 사시도, 도 5의 (B)는 제2 일체화 웨이퍼의 사시도이다.
도 6은 제2 일체화 웨이퍼를 다이싱 테이프를 통해 환형 프레임으로 지지하는 지지 공정을 도시한 사시도이다.
도 7은 제2 일체화 웨이퍼를 발광 다이오드 칩으로 분할하는 분할 공정을 도시한 사시도이다.
도 8은 분할 공정 종료 후의 제2 일체화 웨이퍼의 사시도이다.
도 9의 (A)∼도 9의 (D)는 본 발명 실시형태에 따른 발광 다이오드 칩의 사시도이다.
이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도 1을 참조하면, 광 디바이스 웨이퍼(이하, 단순히 웨이퍼라고 약칭하는 경우가 있음)(11)의 표면측 사시도가 도시되어 있다.
광 디바이스 웨이퍼(11)는, 사파이어 기판(13) 상에 질화갈륨(GaN) 등의 에피택셜층(적층체층)(15)이 적층되어 구성되어 있다. 광 디바이스 웨이퍼(11)는, 에피택셜층(15)이 적층된 표면(11a)과, 사파이어 기판(13)이 노출된 이면(11b)을 갖고 있다.
여기서, 본 실시형태의 광 디바이스 웨이퍼(11)에서는, 결정 성장용 기판으로서 사파이어 기판(13)을 채용하고 있지만, 사파이어 기판(13) 대신에 GaN 기판 또는 SiC 기판 등을 채용하도록 하여도 좋다.
적층체층(에피택셜층)(15)은, 전자가 다수 캐리어가 되는 n형 반도체층(예컨대, n형 GaN층), 발광층이 되는 반도체층(예컨대, InGaN층), 정공이 다수 캐리어가 되는 p형 반도체층(예컨대, p형 GaN층)을 차례로 에피택셜 성장시킴으로써 형성된다.
사파이어 기판(13)은 예컨대 100 ㎛의 두께를 갖고 있고, 적층체층(15)은 예컨대 5 ㎛의 두께를 갖고 있다. 적층체층(15)에 복수의 LED 회로(19)가 격자형으로 형성된 복수의 분할 예정 라인(17)에 의해 구획되어 형성되어 있다. 웨이퍼(11)는, LED 회로(19)가 형성된 표면(11a)과, 사파이어 기판(13)이 노출된 이면(11b)을 갖고 있다.
본 발명 실시형태의 발광 다이오드 칩의 제조 방법에 따르면, 우선 도 1에 도시된 바와 같은 광 디바이스 웨이퍼(11)를 준비하는 웨이퍼 준비 공정을 실시한다. 또한, 도 2의 (A) 및 도 5에 도시된 바와 같은 전면에 걸쳐 복수의 관통 구멍이 형성된 제1 투명 기판(21)과 전면에 걸쳐 복수의 관통 구멍이 형성된 제2 투명 기판(21A)을 준비하는 투명 기판 준비 공정을 실시한다.
웨이퍼 및 투명 기판 준비 공정을 실시한 후, 웨이퍼(11)의 이면(11b)에 첩착시키는 제1 투명 기판(21)의 표면 또는 이면, 혹은 제1 투명 기판(21)의 이면에 첩착시키는 제2 투명 기판(21A)의 표면 또는 이면에 LED 회로(19)에 대응하여 복수의 홈을 형성하는 투명 기판 가공 공정을 실시한다. 이 투명 기판 가공 공정은, 예컨대, 잘 알려진 절삭 장치를 이용하여 실시한다.
도 2의 (A)에 도시된 바와 같이, 절삭 장치의 절삭 유닛(10)은, 스핀들 하우징(12)과, 스핀들 하우징(12) 내에 회전 가능하게 삽입된 도시하지 않은 스핀들과, 스핀들의 선단에 장착된 절삭 블레이드(14)를 포함하고 있다.
절삭 블레이드(14)의 절삭날은, 예컨대 다이아몬드 지립을 니켈 도금으로 고정시킨 전주(電鑄) 지석으로 형성되어 있고, 그 선단 형상은 삼각 형상, 사각 형상, 또는 반원 형상을 하고 있다.
절삭 블레이드(14)의 대략 상반부는 블레이드 커버(휠 커버)(16)로 덮여 있고, 블레이드 커버(16)에는 절삭 블레이드(14)의 깊이측 및 전방측에 수평으로 신장되는 한 쌍의(1개만 도시) 쿨러 노즐(18)이 배치되어 있다.
제1 투명 기판(21)의 표면(21a)에 복수의 홈(23)을 형성하는 투명 기판 가공 공정에서는, 제1 투명 기판(21)을 도시하지 않은 절삭 장치의 척 테이블로 흡인 유지한다. 그리고, 절삭 블레이드(14)를 화살표(R) 방향으로 고속 회전시키면서 제1 투명 기판(21)의 표면(21a)에 미리 정해진 깊이 절입하고, 도시하지 않은 척 테이블에 유지된 제1 투명 기판(21)을 화살표(X1) 방향으로 가공 이송함으로써, 제1 방향으로 신장되는 홈(23)을 절삭에 의해 형성한다.
제1 투명 기판(21)을 화살표(X1) 방향에 직교하는 방향으로 웨이퍼(11)의 분할 예정 라인(17)의 피치씩 인덱싱 이송하면서, 제1 투명 기판(21)의 표면(21a)을 절삭하여, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 방향으로 신장되는 복수의 홈(23)을 차례차례로 형성한다.
도 3의 (A)에 도시된 바와 같이, 제1 투명 기판(21)의 표면(21a)에 형성하는 복수의 홈(23)은 한 방향으로만 신장되는 형태여도 좋고, 혹은, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 방향 및 상기 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 신장되는 복수의 홈(23)을 제1 투명 기판(21)의 표면(21a)에 형성하도록 하여도 좋다.
제1 투명 기판(21)의 표면(21a)에 형성하는 홈은, 도 2의 (B)에 도시된 바와 같은 단면 삼각 형상의 홈(23), 또는 도 2의 (C)에 도시된 바와 같은 단면 사각 형상의 홈(23A), 또는 도 2의 (D)에 도시된 바와 같은 단면 반원 형상의 홈(23B) 중 어느 하나여도 좋다.
제1 투명 기판(21) 및 제2 투명 기판(21A)은, 투명 수지, 광학 유리, 사파이어, 투명 세라믹스 중 어느 하나로 형성된다. 본 실시형태에서는, 광학 유리에 비해 내구성이 있는 폴리카보네이트, 아크릴 등의 투명 수지로 제1 투명 기판(21) 및 제2 투명 기판(21A)을 형성하였다. 또한, 홈을 형성하는 방법으로서, 샌드 블라스트, 에칭, 레이저를 이용하여도 좋다.
전술한 실시형태에서는, 제1 투명 기판(21)의 표면(21a)에 복수의 홈(23, 23A, 23B)을 형성하고 있지만, 이 실시형태 대신에, 제1 투명 기판(21)의 이면(21b)에 복수의 홈(23, 23A, 23B)을 형성하도록 하여도 좋다.
혹은, 제1 투명 기판(21)의 표면 및 이면에는 아무런 가공을 행하지 않고, 제2 투명 기판(21A)의 표면(21a) 또는 이면(21b)에 웨이퍼(11)의 각 LED 회로(19)에 대응하여 복수의 홈(23, 23A, 23B)을 형성하도록 하여도 좋다.
투명 기판 가공 공정을 실시한 후, 웨이퍼(11)의 이면(11b)에 제1 투명 기판(21)의 표면(21a)을 첩착시키고 제1 투명 기판(21)의 이면(21b)에 제2 투명 기판(21A)의 표면(21a)을 첩착시키는 투명 기판 첩착 공정을 실시한다.
이 투명 기판 첩착 공정에서는, 도 3의 (A)에 도시된 바와 같이, 표면(21a)에 제1 방향으로 신장되는 복수의 홈(23)이 형성된 제1 투명 기판(21)의 표면에, 웨이퍼(11)의 이면(11b)을 투명 접착제에 의해 첩착하여, 도 3의 (B)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(11)와 제1 투명 기판(21)을 일체화하여 제1 일체화 웨이퍼(25)를 형성한다.
대체 실시형태로서, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 투명 기판(21)의 표면(21a)에 제1 방향 및 이 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 신장되는 복수의 홈(23)을 갖는 제1 투명 기판(21)의 표면(21a)에, 웨이퍼(11)의 이면(11b)을 투명 접착제에 의해 첩착하여, 웨이퍼(11)와 제1 투명 기판(21)을 일체화하도록 하여도 좋다. 여기서, 제1 투명 기판(21)의 표면(21a)에 형성한 홈(23)의 피치는 웨이퍼(11)의 분할 예정 라인(17)의 피치에 대응한다.
계속해서, 도 5의 (A)에 도시된 바와 같이, 제1 일체화 웨이퍼(25)의 제1 투명 기판(21)의 이면(21b)에 제2 투명 기판(21A)의 표면(21a)을 첩착시켜, 도 5의 (B)에 도시된 바와 같은 제2 일체화 웨이퍼(25A)를 형성한다.
이 투명 기판 첩착 공정은, 전술한 순서에 한정되지 않고, 제1 투명 기판(21)의 이면(21b)에 제2 투명 기판(21A)의 표면(21a)을 첩착시킨 후, 제1 투명 기판(21)의 표면(21a)을 웨이퍼(11)의 이면(11b)에 첩착시켜 제2 일체화 웨이퍼(25A)를 형성하도록 하여도 좋다.
투명 기판 첩착 공정을 실시한 후, 도 6에 도시된 바와 같이, 제2 일체화 웨이퍼(25A)의 제2 투명 기판(21A)을 외주부가 환형 프레임(F)에 첩착된 다이싱 테이프(T)에 첩착시켜 프레임 유닛을 형성하고, 제2 일체화 웨이퍼(25A)를 다이싱 테이프(T)를 통해 환형 프레임(F)으로 지지하는 지지 공정을 실시한다.
지지 공정을 실시한 후, 프레임 유닛을 절삭 장치에 투입하고, 절삭 장치로 제2 일체화 웨이퍼(25A)를 절삭하여 개개의 발광 다이오드 칩으로 분할하는 분할 공정을 실시한다. 이 분할 공정에 대해서, 도 7을 참조하여 설명한다.
분할 공정에서는, 제2 일체화 웨이퍼(25A)를 프레임 유닛의 다이싱 테이프(T)를 통해 절삭 장치의 척 테이블(20)로 흡인 유지하고, 환형 프레임(F)은 도시하지 않은 클램프로 클램프하여 고정한다.
그리고, 절삭 블레이드(14)를 화살표(R) 방향으로 고속 회전시키면서 절삭 블레이드(14)의 선단이 다이싱 테이프(T)에 닿을 때까지 웨이퍼(11)의 분할 예정 라인(17)에 절입하고, 쿨러 노즐(18)로부터 절삭 블레이드(14) 및 웨이퍼(11)의 가공점을 향해 절삭액을 공급하면서, 제2 일체화 웨이퍼(25A)를 화살표(X1) 방향으로 가공 이송함으로써, 웨이퍼(11)의 분할 예정 라인(17)을 따라 웨이퍼(11) 및 제1, 제2 투명 기판(21, 21A)을 절단하는 절단홈(27)을 형성한다.
절삭 유닛(10)을 Y축 방향으로 인덱싱 이송하면서, 제1 방향으로 신장되는 분할 예정 라인(17)을 따라 동일한 절단홈(27)을 차례차례로 형성한다. 계속해서, 척 테이블(20)을 90° 회전하고 나서, 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 신장되는 모든 분할 예정 라인(17)을 따라 동일한 절단홈(27)을 형성하여, 도 8에 도시된 상태로 함으로써, 제2 일체화 웨이퍼(25A)를 도 9에 도시된 바와 같은 발광 다이오드 칩(31)으로 분할한다.
전술한 실시형태에서는, 제2 일체화 웨이퍼(25A)를 개개의 발광 다이오드 칩(31)으로 분할하는 데 절삭 장치를 사용하고 있지만, 웨이퍼(11) 및 투명 기판(21, 21A)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔을 분할 예정 라인(13)을 따라 웨이퍼(11)에 조사하여, 웨이퍼(11) 및 투명 기판(21, 21A)의 내부에 두께 방향으로 복수 층의 개질층을 형성하고, 계속해서 제2 일체화 웨이퍼(25A)에 외력을 부여하여, 개질층을 분할 기점으로 제2 일체화 웨이퍼(25A)를 개개의 발광 다이오드 칩(31)으로 분할하도록 하여도 좋다.
도 9의 (A)에 도시된 발광 다이오드 칩(31)은, 표면에 LED 회로(19)를 갖는 LED(13A)의 이면에 복수의 관통 구멍(29)이 형성된 제1 투명 부재(21')가 첩착되어 있다. 또한, 제1 투명 부재(21')의 표면에 홈(23B)이 형성되어 있다. 제1 투명 부재(21')의 이면에 복수의 관통 구멍이 형성된 제2 투명 부재(21A')가 더 첩착되어 있다.
도 9의 (B)에 도시된 발광 다이오드 칩(31A)은, 표면에 LED 회로(19)를 갖는 LED(13A)의 이면에 복수의 관통 구멍이 형성된 제1 투명 부재(21')가 첩착되어 있다. 또한, 제1 투명 부재(21')의 이면에 홈(23B)이 형성되어 있다. 제1 투명 부재(21')의 이면에 제2 투명 부재(21A')의 표면이 더 첩착되어 있다.
도 9의 (C)에 도시된 발광 다이오드 칩(31B)은, 표면에 LED 회로(19)를 갖는 LED(13A)의 이면에 복수의 관통 구멍이 형성된 제1 투명 부재(21')가 첩착되어 있다. 제1 투명 부재(21')의 이면에 제2 투명 부재(21A')가 더 첩착되어 있다. 또한, 제2 투명 부재(21A')의 표면에 홈(23B)이 형성되어 있다.
도 9의 (D)에 도시된 발광 다이오드 칩(31C)은, 표면에 LED 회로(19)를 갖는 LED(13A)의 이면에 복수의 관통 구멍이 형성된 제1 투명 부재(21')가 첩착되어 있다. 제1 투명 부재(21')의 이면에 제2 투명 부재(21A')의 표면이 더 첩착되어 있다. 또한, 제2 투명 부재(21A')의 이면에 홈(23B)이 형성되어 있다.
따라서, 도 9의 (A)에 도시된 발광 다이오드 칩(31)에서는, 제1 투명 부재(21')의 표면에 홈(23B)이 형성되어 있기 때문에, 제1 투명 부재(21')의 표면적이 증대된다. 또한, 발광 다이오드 칩(31)의 LED 회로(19)로부터 출사되어 제1 투명 부재(21')에 입사되는 광의 일부는 홈(23B) 부분에서 굴절되고 나서 제1 투명 부재(21') 내로 진입한다.
따라서, 제1 투명 부재(21') 및 제2 투명 부재(21A')로부터 외부로 굴절되어 광이 출사될 때, 제1 및 제2 투명 부재(21', 21A')와 공기층과의 계면에서의 입사각이 임계각 이상이 되는 광의 비율이 감소되고, 제1, 제2 투명 부재(21', 21A')로부터 출사되는 광의 양이 증대되어, 발광 다이오드 칩(31)의 휘도가 향상된다.
도 9의 (B)∼도 9의 (D)에 도시된 발광 다이오드 칩(31A, 31B, 31C)에 대해서도, 도 9의 (A)에 도시된 발광 다이오드 칩(31)과 동일한 작용 효과를 발휘한다.
10 : 절삭 유닛 11 : 광 디바이스 웨이퍼(웨이퍼)
13 : 사파이어 기판 14 : 절삭 블레이드
15 : 적층체층 17 : 분할 예정 라인
19 : LED 회로 21 : 제1 투명 기판
21' : 제1 투명 부재 21A : 제2 투명 기판
21A' : 제2 투명 부재 23, 23A, 23B : 홈
25 : 제1 일체화 웨이퍼 25A : 제2 일체화 웨이퍼
27 : 절단홈 29 : 관통 구멍
31, 31A, 31B, 31C : 발광 다이오드 칩

Claims (5)

  1. 발광 다이오드 칩의 제조 방법으로서,
    결정 성장용의 투명 기판 상에 발광층을 포함하는 복수의 반도체층이 형성된 적층체층을 포함하며, 상기 적층체층의 표면에 서로 교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 각 영역에 각각 LED 회로가 형성된 웨이퍼를 준비하는 웨이퍼 준비 공정과,
    전면(全面)에 걸쳐 복수의 관통 구멍이 형성된 제1 투명 기판 또는 전면에 걸쳐 복수의 관통 구멍이 형성된 제2 투명 기판 중 적어도 어느 한쪽의 표면 또는 이면에 LED 회로에 대응하여 복수의 홈을 형성하는 투명 기판 가공 공정과,
    상기 투명 기판 가공 공정을 실시한 후, 상기 제1 투명 기판의 표면을 웨이퍼의 이면에 첩착(貼着)시키고 상기 제2 투명 기판의 표면을 상기 제1 투명 기판의 이면에 첩착시켜 일체화 웨이퍼를 형성하는 투명 기판 첩착 공정과,
    상기 투명 기판 첩착 공정을 실시한 후, 상기 웨이퍼를 상기 분할 예정 라인을 따라 상기 제1 투명 기판 및 상기 제2 투명 기판과 함께 절단하여 상기 일체화 웨이퍼를 개개의 발광 다이오드 칩으로 분할하는 분할 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 칩의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 투명 기판 가공 공정에서 형성되는 상기 홈의 단면 형상은 삼각 형상, 사각 형상, 반원 형상 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 칩의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 투명 기판 가공 공정에서, 상기 홈은 절삭 블레이드, 에칭, 샌드 블라스트, 레이저 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 칩의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 투명 기판 및 상기 제2 투명 기판은, 투명 세라믹스, 광학 유리, 사파이어, 투명 수지 중 어느 하나로 형성되고, 상기 투명 기판 첩착 공정에서 상기 제1 투명 기판은 투명 접착제를 사용하여 웨이퍼에 첩착되고, 상기 제2 투명 기판은 투명 접착제를 사용하여 상기 제1 투명 기판에 첩착되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 칩의 제조 방법.
  5. 발광 다이오드 칩으로서,
    표면에 LED 회로가 형성된 발광 다이오드와,
    상기 발광 다이오드의 이면에 첩착된 복수의 관통 구멍을 갖는 제1 투명 부재와,
    상기 제1 투명 부재의 이면에 첩착된 복수의 관통 구멍을 갖는 제2 투명 부재
    를 포함하고,
    상기 제1 투명 부재 또는 상기 제2 투명 부재 중 적어도 어느 한쪽의 표면 또는 이면에 홈이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 칩.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114695606A (zh) * 2022-04-18 2022-07-01 东莞市中麒光电技术有限公司 发光芯片制作方法及发光芯片

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014175354A (ja) 2013-03-06 2014-09-22 Disco Abrasive Syst Ltd 発光ダイオード

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4122739B2 (ja) * 2001-07-26 2008-07-23 松下電工株式会社 発光素子及びその製造方法
JP4766966B2 (ja) * 2005-09-07 2011-09-07 京セラ株式会社 発光素子
KR100856282B1 (ko) * 2007-03-05 2008-09-03 삼성전기주식회사 광자 리사이클링을 이용한 광자결정 발광소자
KR101081062B1 (ko) * 2010-03-09 2011-11-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR101726807B1 (ko) * 2010-11-01 2017-04-14 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
CN104160520A (zh) * 2012-02-01 2014-11-19 松下电器产业株式会社 半导体发光元件、其制造方法和光源装置
JP5941306B2 (ja) * 2012-03-19 2016-06-29 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
CN108198918B (zh) * 2013-05-15 2020-10-02 皇家飞利浦有限公司 具有衬底中的散射特征的led
JP2014239123A (ja) * 2013-06-06 2014-12-18 株式会社ディスコ 加工方法
JP2015018953A (ja) * 2013-07-11 2015-01-29 株式会社ディスコ 発光チップ
JP6255235B2 (ja) * 2013-12-20 2017-12-27 株式会社ディスコ 発光チップ
JP2015192100A (ja) * 2014-03-28 2015-11-02 豊田合成株式会社 発光素子および発光素子の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014175354A (ja) 2013-03-06 2014-09-22 Disco Abrasive Syst Ltd 発光ダイオード

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