KR20180101585A - 글레이징 기판 상에 층 또는 층의 스택을 선택적으로 패턴화하는 방법 - Google Patents

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바르바라 브뤼디외
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쌩-고벵 글래스 프랑스
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Abstract

본 발명은 글레이징 기판 상에 무기질 장식용 층(들)을 퇴적시키는 방법으로서, 기판 표면의 전부가 아닌 일부에 본질적으로 유기질 코팅을 패턴으로 퇴적시키고, 이렇게 코팅된 기판 상에 하나 이상의 무기질 장식용 층들을 퇴적시키고, 그 결과물을 열처리하여 유기질 코팅을 연소시키고, 이어서, 상기 코팅 및 이를 피복하는 무기질 장식용 층(들)을 천으로 및/또는 기체 흐름 하에서 닦아내고/거나 세척함으로써, 유기질 코팅된 패턴의 네가티브에 대응하는 패턴을 가지는 (하나 이상의) 무기질 장식용 층(들)을 얻는 것으로 구성되는 단계들을 포함하는 방법, 이 방법의 중간 생성물, 및 이 방법에 의해 얻어진 글레이징의, 패턴으로 배열된 투명 영역을 포함하는 장식용 미러로서의 용도에 관한 것이다.

Description

글레이징 기판 상에 층 또는 층의 스택을 선택적으로 패턴화하는 방법
본 발명은 가능하게는 수 센티미터에서 10 ㎛ 미만까지 변할 수 있는 스케일의 공간 구조를 가지는 하나 이상의 박층이 진공 물리 증착(PVD) 공정, 주요하게는 마그네트론 음극 스퍼터링, 플라즈마-강화 화학 증착(PECVD) 또는 증발, 또는 습식 퇴적 공정에 의해 퇴적된 글레이징에 관한 것이다.
대상 제품은 장식용이다: 가시광선의 반사 정도와 같은 광학적 특성을 변경하는 층(미러 또는 반사 방지 층등), 심미적 목적으로 가시적인 투과율을 변경하기 위한 착색 또는 흡수, 전기변색 층, 발광 층, 변색 방지 층(anti-iridescence layers)임.
특히, 본 발명은 이 층들에서 투명 영역, 즉 특정 경우에 가능하게는 수 ㎛ 또는 심지어 수십 ㎚의 정도의 매우 높은 해상도를 필요로 하는 패턴으로 이 층들이 제거(ablate)될 수 있는 영역의 산업적 생산에 관한 것이다.
장식 효과는 건물, 실내 장식, 도시 가구 및 심지어 (지상, 항공, 수상) 운반 수단에서 유리를 포함하는 분야에서 추구된다.
대상 제품은 특히 마그네트론 스퍼터링에 의해 퇴적되는 스택이다. 본 발명은 특히 문헌 EP 0 962 429 A1호에 특히 기술된 바와 같은 반사 층(미러)에 관한 것이다.
현재 불연속 층들, 즉 제거 영역을 포함하는 패턴화된 층들을 글레이징에 일체화시키기 위한 수많은 해결 방안이 있다. 첫 번째 해결 방안으로, 열 제어 기능을 전도성 박층에 의해 제공하는 것이 아니라 특히 예를 들어 주석 도핑된 인듐 산화물(인듐 주석 산화물, ITO)과 같은 전도성 화합물의 나노입자를 함유하는 폴리비닐 부티랄(PVB)로 제조된 중간 층에 의해 제공할 수 있다. 이 경우, 열 제어는 스펙트럼의 에너지 부분의 반사가 아니라 흡수에 의해 보장된다. 이 해결 방안은 태양광 제어에만 적용가능할 뿐 아니라, 반사형 해결 방안으로서는 별로 효과적이지 않고 글레이징이 라미네이팅된 글레이징이어야 한다.
두 번째 해결 방안은 퇴적 후 은-함유 층을 패턴화하여 촉진시킬 전송 파장에 따라, 육안으로 거의 인지할 수 없을 정도로 충분히 얇고(100 ㎛) 서로 수 밀리미터로 분리된 스트립으로 은을 선택적으로 제거하는 것으로 구성된다. 복잡한 전체-면 패턴이 이 분야에 사용될 수 있다. 이 기술의 대표적인 예는 특히 문헌 WO9954961　A1호 및 WO2014033007 A1호에서 찾을 수 있다.
또한, 전도성 층의 가열 효율은 시트 저항(R2), 전극들 사이의 전압뿐만 아니라 전극들 사이의 거리에 의존한다. 건축 분야에서, 이러한 의존성은 문제가 되며, 이는 주어진 전원에 대해 글레이징은 가열 영역의 각각의 크기마다 하나의 전기 저항을 가져야 하기 때문이다. 하나의 해결 방안은 예를 들어 Ag-기반 층을 재패턴화하여 전극 간 거리 및 추구하는 가열 파워와 양립할 수 있도록 그의 전체 시트 저항을 바꾸는 것으로 구성될 수 있다.
또한, 은-기반 글레이징은 층이 예를 들어 차체로부터 전자기적으로 분리되는 경우 안테나를 형성하도록 기능화될 수도 있다. 이 작업은 패턴화 작업이기도 하다.
대안적인 선택적 패턴화 방법은 본질적으로 마이크로전자 산업에서 사용되는 것들로부터 파생된 것이다. 어떤 것들은 임시 층을 사용하는 반면 다른 것들은 직접 패턴화로 구성된다.
마이크로전자 산업에서는, 포토리소그래피가 사용된다: 임시 층은 선택적인 산 에칭을 위한 마스크의 역할을 한다. 포토리소그래피는 매우 미세한 패턴(현재 산업적으로 45-90 nm임)의 제조를 허용하지만, 현재 렌즈 크기에 의해 제한되는 마스크 크기로 제한된다.
전도성 층의 레이저 패턴화는 박층 스택 위로 스캔되고 박층 스택을 승화시키는 불연속 패턴화 레이저에 의해 보장된다. 이 작업은 대형 글레이징에 적용될 경우 생산성이 낮고 처리되는 면적에 대하여 상당한 투자를 필요로 한다.
집속 이온 또는 전자 빔 패턴화는 생산성 측면에서 레이저 패턴화와 동일한 한계를 가진다.
다른 패턴화 방법은 통상적인 인쇄에서 파생된 것이다.
현재, 잉크젯 인쇄 기술은, 크기가 10 m2 초과인 경우 1분보다 긴 인쇄 시간으로 여전히 제한된다.
스크린 인쇄의 경우, 50 ㎛보다 더 작은 해상도 스케일이 필요한 경우 다른 기술이 선호될 수 있으며, 특히 이 방법은 이들 작은 스케일에서 상대적으로 평범한 에지 품질을 제공한다.
따라서 본 발명의 목적은 위에서 정의된 바와 같이, 수 ㎛ 또는 심지어 수십 ㎚로 매우 미세할 수 있는 해상도의 패턴으로 배열된 제거-투명 영역을 포함하는 장식용 글레이징을 제공하는 것이다.
이를 위해, 본 발명의 하나의 주제는 글레이징 기판 상에 본질적으로 무기질 장식용 층 또는 본질적으로 무기질 장식용 층들의 스택을 퇴적시키는 방법으로서,
- 기판 표면의 전부가 아닌 일부 상에 본질적으로 유기질 코팅을 패턴으로 퇴적시키고,
- 이렇게 코팅된 기판 상에 본질적으로 무기질 장식용 층 또는 본질적으로 무기질 장식용 층의 스택을 퇴적시키고,
- 그 결과물을 열처리하며 본질적으로 유기질 코팅을 연소시키고, 이어서,
- 상기 코팅 및 이를 피복하는 본질적으로 무기질 장식용 층 또는 본질적으로 무기질 장식용 층의 스택을 천으로 및/또는 기체 흐름 하에서 닦아내고/거나 세척함으로써, 본질적으로 유기질 코팅에 의해 생성된 패턴의 네가티브에 대응하는 패턴을 가지는 본질적으로 무기질 장식용 층 또는 본질적으로 무기질 장식용 층의 스택을 얻는 것으로 구성되는 단계들을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법이다.
유기질 코팅의 연소 생성물은 기판에 부착되지 않는 분말이기 때문에, 기판 및 유기질 코팅으로 인쇄되지 않고 특히 무기질 층(들)으로 피복된 영역의 모든 에지 품질(선명도, 해상도)을 악화시킬 수 있는 임의의 유형의 마모, 러빙, 또는 브러싱과 같은 기계적 작용을 가하지 않고 그를 피복하는 무기질 층(들)과 함께 제거될 수 있다.
이 방법은, 산업 생산 라인에서, 대면적 기판상에 본질적으로 유기질 코팅 패턴이 1 m 내지 10 ㎛ 또는 그 미만의 범위의 치수 영역에 걸쳐 제조되는 것을 가능하게 한다. 짧은 사이클 시간은 그의 산업상 이용 가능한 특성을 입증한다.
본 발명의 방법은 상기 층(들)이 반사성일 경우, 장식용 층 또는 하나 이상의 장식용 층들의 스택 상에, 또는 이 무기질 장식용 층(들)을 덮는 또 다른 반사 층 상에 페인트 코트를 퇴적시킴으로써 종료될 수 있다. 이 방법은 미러 생산에 있어 일반적이다.
본 발명의 방법은 또한 문헌 WO 2015177474A1호에 기술된 바와 같이, 하나 이상의 유전체 층과 관련된 불연속 금속 층을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 이 층들의 기능은 미러의 가시광선의 흡수 스펙트럼을 변경하여 컬러가 변경된 반사 이미지를 생성하는 것이다.
바람직하게는, 본질적으로 유기질 코팅은 직접 습식 조각 롤러(engraved-roller) 공정 또는 오프셋 인쇄, 플렉소그래픽 인쇄, 잉크젯 인쇄, 마스킹, 리소그래피 또는 스크린 인쇄와 같은 간접 습식 공정에 의해 패턴으로 퇴적된다. 적어도 3210 mm (풀-플로트 폭 - FFW) 폭의 롤러가 사용될 수 있으며, 그의 조각(engraving)은 추구하는 패턴을 재현할 것이다. 이것은 이 경우 반복 패턴의 정확성과 관련되지만, 이것은 예를 들어 전자기 전송의 향상과의 양립성을 유지한다.
바람직하게는, 본질적으로 유기질 코팅은 아크릴레이트 단량체 및/또는 올리고머, 에폭시 아크릴레이트 단량체 및/또는 올리고머, 폴리에스테르 아크릴레이트 단량체 및/또는 올리고머, 폴리우레탄 아크릴레이트 단량체 및/또는 올리고머, 폴리비닐피롤리돈 + EDTA 조성물, 폴리아미드, 폴리비닐 부티랄, 디아조나프토퀴논-노볼락 포지티브 포토레지스트 및 적외선 또는 자외선 하에서 경화된 임의의 유기 물질 중 하나 또는 복수의 혼합물로부터 제조된다.
바람직하게는, 본질적으로 유기질 코팅은 30 ㎛ 이하, 및 선호도가 증가하는 순서대로, 20 ㎛ 이하 및 10 ㎛ 이하, 특히 바람직하게는 약 5 ㎛의 두께를 가진다. 그러나 1 ㎛ 또는 심지어 수백 ㎚의 두께도 본 발명에서 배제되지 않는다. 1 m 내지 10 ㎛ 또는 그 이하의 면적 치수 범위의 패턴에 대응하는 유기질 코팅으로 인쇄된 구역 외에서는, 템퍼링 후 손상되지 않은 무기질 스택을 갖도록 의도된 구역에서 무기질 장식용 스택이 분해되지 않도록 임시적인 유기질 코팅을 가져서는 안된다.
바람직하게는, 본질적으로 무기질 장식용 층 또는 본질적으로 무기질 장식용 층의 스택의 퇴적 이전에, 본질적으로 유기질 코팅의 제조는 열처리에 의해 및/또는 자외선(UV)과 같은 복사선 하에서 및/또는 건조에 의해 코팅을 경화한 후, 그 결과물을 세척하는 것을 포함한다. 본질적으로 유기질 코팅은 건조에 필요한 공간을 제한하기 위해 가능하게는 UV 하에서 경화되는 것이 유리하다. 그럼에도, 패턴 정밀도의 손실을 피하기 위해 경화 전에 본질적으로 유기질 코팅(바니쉬, 레지스트 등)의 유동이 제한되도록 해야 할 것이다.
바니쉬 또는 레지스트는 코팅 기계의 통상적인 세척기 아래를 통과하기 전에 적절하게 건조될 것이고, 이후 하나 이상의 (얇은) 본질적으로 무기질 장식용 층이 퇴적된다. 또한 유기질 코팅의 부분 퇴적(인쇄) 전에 유리를 세척하는 것을 고려한 후 인쇄 및 선택적인 후속 경화를 수행하는 것도 가능하며, 이 경우 기판은 (사전에 코팅을 세척하지 않고) 코팅 기계 안으로 직접 들어간다.
바람직하게는, 본질적으로 무기질 장식용 층 또는 본질적으로 무기질 장식용 층의 스택은 음극 스퍼터링 및 특히 마그네트론 음극 스퍼터링과 같은 진공 물리 증착 공정(PVD), 증발 또는 플라즈마-강화 화학 증착(PECVD), 또는 습식 공정에 의해 형성된다.
바람직하게는, 본질적으로 무기질 장식용 층 또는 본질적으로 무기질 장식용 층의 스택은, Ag, Cr, Ti, Al, Nb, Cu, Au, Ga 또는 유사한 금속, Ti, Si, Sn, Zn 등의 금속 산화물, 주석-도핑된 인듐 산화물(ITO), 아연-도핑된 인듐 산화물(IZO)과 같은 투명 전도성 산화물(TCO), ZnO:Al, 카드뮴 주석산염, 도핑되지 않은 Si3N4 또는 Al 등으로 도핑된 Si3N4 같은 Si와 N의 화합물, 적절한 유전체 스택 중의 하나 또는 복수의 조합으로 이루어진다.
유리는 일단 템퍼링되면 절단할 수 없기 때문에, 건축 분야와 같은 특정 분야에서는 템퍼링 전에 보관된 후 절단, 트리밍 등을 행할 수 있다. 이 글레이징은 가능하게는 그대로 판매되며, 이 경우 층은 보통 이후에 처리 기계에 의해 템퍼링과 함께 제거될 것이다.
바람직하게는, 열처리는 글레이징 기판의 열 템퍼링의 일부를 형성한다. 템퍼링 동안, 패턴화된 바니쉬 또는 레지스트가 연소에 의해 없어지고, 따라서 본질적으로 무기질 장식용 층 또는 본질적으로 무기질 장식용 층의 스택이 바니쉬 또는 레지스트가 있던 위치로부터 제거됨으로써 추구하는 선택적인 패턴화가 달성된다.
하나의 특정 실시예에서, 열처리는 글레이징 기판을 벤딩하기 위한 작업, 특히 압착에 의해 글레이징 기판을 벤딩하는 작업의 일부를 형성한다. 이 경우, 예비 열처리는 바니쉬 또는 레지스트를 없앤다. 압착 도구가 기판을 벤딩하기 위해 사용되는 경우, 이 압착 단계 전에 본질적으로 유기질 코팅의 연소가 일어나는 것을 보장할 것이다.
본 방법의 하나의 변형에 따르면, 본질적으로 무기질 장식용 층 또는 본질적으로 무기질 장식용 층의 스택이 퇴적된 후에, 본질적으로 유기질 코팅과 본질적으로 무기질 장식용 층 또는 본질적으로 무기질 장식용 층의 스택의 적어도 하나의 추가적인 시퀀스가 퇴적된다. 이 퇴적은 바람직하게는 기판에 가장 근접한 본질적으로 유기질 코팅을 연소시키기 위한 열처리 전에 수행되고, 후속 열처리는 복수의 중첩된 본질적으로 유기질 코팅의 연소 및 그들을 덮는 복수의 본질적으로 무기질 장식용 층 또는 본질적으로 무기질 장식용 층의 스택의 후속 제거를 달성하기 위해 사용된다. 그러나, 첫 번째 시퀀스를 제외하고, 첫 번째 본질적으로 유기질 코팅의 연소를 위한 열처리가 수행되고 그들을 덮는 그것의 유기성 잔류물과 무기성 잔류물이 기체 흐름 하에서 씻겨지거나 제거된 후에 본질적으로 유기질 코팅 및 본질적으로 무기질 장식용 층 또는 하나 이상의 본질적으로 무기질 장식용 층의 스택의 퇴적 시퀀스를 퇴적하는 것도 본 발명의 일부를 형성한다. 따라서 다양한 패턴의 투명 영역을 주어진 미러에 결합하거나 또는 이러한 투명 영역을 다른 컬러 영역과 결합할 수 있다.
본 발명의 방법에 의해 얻어진 글레이징 기판은 또한 라미네이팅된 글레이징 또는 또 다른 라미네이팅된 복합 제품 및/또는 다중 글레이징으로 통합될 수도 있다.
본 발명의 다른 주제는 다음으로 이루어진다.
- 표면의 전부가 아닌 적어도 일부가 (선택적으로 산성화 또는 염기성화된) 물 또는 유기 용매에서의 세척에 의해서는 용이하게 제거할 수 없는 본질적으로 유기질 코팅으로 이루어진 적어도 하나의 시퀀스로 패턴으로 코팅되고, 상기 코팅은 본질적으로 무기질 장식용 층 또는 본질적으로 무기질 장식용 층의 스택으로 피복되는 글레이징 기판으로서 이것은 본 발명의 방법의 (시장에 판매될 의도를 가진) 중간 생성물과 관련되고,
- 위에서 설명한 것과 같은 방법으로 얻은 글레이징의, 패턴으로 배열된 투명 영역을 포함하는 장식용 미러로서의 용도로서, 건축 분야, 실내 장식, 도시 가구 및 심지어 (지상, 항공, 수상) 운반 수단에서, 가시광선의 반사 정도과 같은 광학적 특성을 변경하는 층(미러 또는 반사 방지 층 등), 심미적 목적으로 가시광선의 투과율을 변경하기 위한 착색 또는 흡수 층, 전기변색 층, 발광 층 및/또는 변색 방지 층을 포함하는 글레이징과 관련된다.
본 발명은 하기 실시예에 비추어 보다 더 잘 이해될 것이다.
실시예 1
도 1을 참조하면, 본 발명의 방법은 도면의 좌측에서 우측으로 3 개의 연속적인 주요 단계에 대응하는 4 개의 그림으로 설명될 수 있다.
중량 기준 비율로 다음의 조성을 갖는 UV-경화성 아크릴 바니쉬를 사용하였다: 57%의 지방족 우레탄 헥사-아크릴레이트 올리고머 (사토머에 의해 제조된 CN9276임), 38%의 단량체, 더욱 정확하게는 19%의 트리시클로데칸 디메탄올 디아크릴레이트 (사토머로부터 TCDDMDA 또는 SR833S임) 및 19%의 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트 (사토머로부터 TMPTA 또는 SR351임) 및 마지막으로 5%의 케톤형 광개시제 즉 더욱 정확하게는 벤조페논과 메탄온의 혼합물(BASF로부터 스피드큐어(Speedcure) 500 또는 이르가큐어(Irgacure) 500임). 이 바니쉬는 블레이드 교반기를 사용하여 기계적으로 모든 화합물(레지스트 및 광개시제)을 혼합함으로써 제조했다. 몇 시간 동안 교반한 후, 광선과 온도 변화를 피하면 바니쉬는 몇 개월 동안 보관될 수 있다.
퇴적을 위해, 소정 양의 바니쉬는 도 1의 단계 1에 도시된 것 간접 롤러 패턴화 방법을 이용하여 실제 유리에 예리한 에지 패턴으로 도포했다. 롤러 아래로 통과한 후, 기판 + 퇴적된 바니쉬를 UV(수은 램프)에 노출시켰다. 패턴화된 바니쉬 코팅의 두께는 5 ㎛였다.
얇은 추종성(conformal) 층의 스택을 유리+아크릴레이트 바니쉬 시스템 상의 단계 2에서 음극 스퍼터링에 의해 퇴적시켰다. 이 박층의 스택은 나노미터 두께로 (유리 기판으로부터 시작하여) 다음의 구성을 가졌다: SnO2 20 / Cr 27 / Si3N4:Al 11.7 / TiOx 2.3. 가시광선을 반사하는 이 스택은 템퍼링이 가능하였다.
일반적으로 730℃의 대류 오븐에서 유리의 밀리미터 당 35초(4 mm 두께의 유리의 경우 140초)동안 지속되는 템퍼링 단계(도 1의 3)에서, 유기질 층을 분해시킴으로써 마그네트론-스퍼터링된 층을 그것이 존재하는 영역에서 분리시켰다. 최종 시스템은 레지스트에 의해 생성된 패턴의 네가티브에 대응하는 패턴으로 구조화된 상술한 박층 스택으로 구성되었다.
스크린 인쇄로 바니쉬를 도포함으로써 우수한 결과가 얻어졌으며, 이는 10 ㎛ 두께 층이 형성되는 것을 허용하였다.
실시예 2
이 실시예는 본질적으로 유기질 코팅에서 앞선 예와 다르다. 여기서는, 마라부가 판매하는 울트라-젯 DUV A 범위, 특히 시안 또는 마젠타 컬러의 잉크를 잉크젯 퇴적시켰다. 수 백 ㎚ 내지 수 ㎛의 두께가 얻어졌다. 잉크(패턴)를 UV 하에서 경화시켰다.
본 발명의 방법에 의해 획득한 해상도는 오로지 유기질 코팅을 인쇄하기 위해 사용된 방법에 의존하였다. 템퍼링 동안 해상도는 변경되지 않거나 거의 변경되지 않는다. 25 ㎛의 폭을 가지는 인쇄 선은 25 ㎛ 폭의 투명 선(가시광선을 반사하는 스택의 제거 선)이 되었다.

Claims (13)

  1. 글레이징 기판 상에 본질적으로 무기질 장식용 층 또는 본질적으로 무기질 장식용 층들의 스택을 퇴적시키는 방법으로서,
    - 기판 표면의 전부가 아닌 일부에 본질적으로 유기질 코팅을 패턴으로 퇴적시키고,
    - 이렇게 코팅된 기판 상에 본질적으로 무기질 장식용 층 또는 본질적으로 무기질 장식용 층의 스택을 퇴적시키고,
    - 그 결과물을 열처리하여 본질적으로 유기질 코팅을 연소시키고, 이어서,
    - 상기 코팅 및 이를 피복하는 본질적으로 무기질 장식용 층 또는 본질적으로 무기질 장식용 층의 스택을 천으로 및/또는 기체 흐름 하에서 닦아내고/거나 세척함으로써, 본질적으로 유기질 코팅에 의해 생성된 패턴의 네가티브에 대응하는 패턴을 가지는 본질적으로 무기질 장식용 층 또는 본질적으로 무기질 장식용 층의 스택을 얻는 것으로 구성되는 단계들을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 본질적으로 유기질 코팅은 직접 습식 조각 롤러(engraved-roller) 공정 또는 오프셋 인쇄, 플렉소그래픽 인쇄, 잉크젯 인쇄, 마스킹, 리소그래피 또는 스크린 인쇄와 같은 간접 습식 공정에 의해 패턴으로 퇴적되는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제2항에 있어서, 본질적으로 유기질 코팅은 아크릴레이트 단량체 및/또는 올리고머, 에폭시 아크릴레이트 단량체 및/또는 올리고머, 폴리에스테르 아크릴레이트 단량체 및/또는 올리고머, 폴리우레탄 아크릴레이트 단량체 및/또는 올리고머, 폴리비닐피롤리돈 + EDTA 조성물, 폴리아미드, 폴리비닐 부티랄, 디아조나프토퀴논-노볼락 포지티브 포토레지스트 및 적외선 또는 자외선 하에서 경화된 임의의 유기 물질 중 하나 또는 복수의 혼합물로부터 제조되는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 본질적으로 유기질 코팅은 30 ㎛이하, 및 선호도가 증가하는 순서대로, 20 ㎛ 이하 및 10 ㎛이하, 및 특히 바람직하게는 약 5 ㎛의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 본질적으로 무기질 장식용 층 또는 본질적으로 무기질 장식용 층의 스택의 퇴적 이전에, 본질적으로 유기질 코팅의 제조는 열처리에 의해 및/또는 자외선과 같은 복사선 하에서 및/또는 건조에 의해 코팅을 경화시킨 후, 그 결과물을 세척하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 본질적으로 무기질 장식용 층 또는 본질적으로 무기질 장식용 층의 스택은, 음극 스퍼터링, 및 특히 마그네트론 음극 스퍼터링과 같은 진공 물리 증착 공정(PVD), 증발 또는 플라즈마-강화 화학 증착(PECVD), 또는 습식 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제6항에 있어서, 본질적으로 무기질 장식용 층 또는 본질적으로 무기질 장식용 층의 스택은, Ag, Cr, Ti, Al, Nb, Cu, Au, Ga 또는 유사한 금속, Ti, Si, Sn, Zn 등의 금속 산화물, 주석-도핑된 인듐 산화물(ITO), 아연-도핑된 인듐 산화물(IZO)과 같은 투명 전도성 산화물(TCO), ZnO:Al, 카드뮴 주석산염, 도핑되지 않은 Si3N4 또는 Al 등으로 도핑된 Si3N4 같은 Si와 N의 화합물, 적절한 유전체 스택 중의 하나 또는 복수의 조합으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 열처리는 글레이징 기판의 열 템퍼링의 일부를 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 열처리는 글레이징 기판을 벤딩하기 위한 작업의 일부를 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제9항에 있어서, 글레이징 기판은 압착에 의해 벤딩되는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 본질적으로 무기질 장식용 층 또는 본질적으로 무기질 장식용 층의 스택이 퇴적된 후에, 본질적으로 유기질 코팅과 본질적으로 무기질 장식용 층 또는 본질적으로 무기질 장식용 층의 스택의 적어도 하나의 추가적인 시퀀스가 퇴적되는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 글레이징 기판으로서, 그의 표면의 전부가 아닌 적어도 일부가 물 또는 유기 용매에서의 세척에 의해서는 용이하게 제거할 수 없는 본질적으로 유기질 코팅으로 이루어진 적어도 하나의 시퀸스로 패턴으로 코팅되고, 상기 코팅은 본질적으로 무기질 장식용 층 또는 본질적으로 무기질 장식용 층의 스택으로 피복되는 글레이징 기판.
  13. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항의 방법에 의해 얻어진 글레이징의, 패턴으로 배열된 투명 영역을 포함하는 장식용 미러로서의 용도.
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