KR20180099495A - Flux composition, solder composition, and electronic board - Google Patents

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쇼이치 나카지
히로 에이니시
다이키 아미노
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가부시키가이샤 다무라 세이사쿠쇼
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Abstract

The present invention relates to a flux composition, containing (A) resins and (B) activators. Moreover, the flux composition contains carboxylic acid additives, having a structure where the (B) component is represented by chemical formula (1) of (B1) molecular, and (B2) amines.

Description

플럭스 조성물, 땜납 조성물 및 전자 기판{FLUX COMPOSITION, SOLDER COMPOSITION, AND ELECTRONIC BOARD}FLUX COMPOSITION, SOLDER COMPOSITION, AND ELECTRONIC BOARD Technical Field < RTI ID = 0.0 >

본 발명은 플럭스 조성물, 땜납 조성물 및 전자 기판에 관한 것이다.The present invention relates to flux compositions, solder compositions and electronic substrates.

땜납 조성물은 땜납 분말에 플럭스 조성물(로진계 수지, 활성제 및 용제 등)을 혼련해서 페이스트상으로 한 혼합물이다(문헌 1: 일본 특허 제5887330호 공보 참조). 최근, 땜납으로서는 환경 문제에 배려하여 납(Pb)을 함유하지 않는 납 프리 땜납이 널리 사용되어 있다. 또한, 플럭스 조성물로서는 환경 문제에 배려하여 할로겐을 삭감한 할로겐 프리나 할로겐을 전혀 함유하지 않는 논할로겐이 요구되어 있다.The solder composition is a mixture of a solder powder and a flux composition (rosin-based resin, activator, solvent, etc.) kneaded into a paste form (Reference 1: Japanese Patent No. 5887330). In recent years, lead-free solder that does not contain lead (Pb) has been widely used as a solder in consideration of environmental problems. Further, as a flux composition, a non-halogen which does not contain a halogen-free halogen-free halogen reduced in consideration of environmental problems is required.

종래의 플럭스 조성물 중의 할로겐 화합물은 우수한 성능을 갖는 활성제로서 사용되어 있다. 그러나, 할로겐 프리의 플럭스 조성물에 있어서는 할로겐계 이외의 활성제로 활성 작용을 보충할 필요가 있다. 그래서, 활성제 조성으로서, 예를 들면 유기산과 아민류의 병용 등이 검토되어 있다. 그러나, 이러한 활성제 조성에서는 활성 작용을 보충할 수 있고, 땜납 용융성은 향상되지만, 일부 유기산과 아민류는 상온에서 용이하게 반응해버리기 때문에 보존 안정성의 점에서 문제가 있고, 사용 가능한 재료에 제한이 있었다.Halogen compounds in conventional flux compositions are used as active agents with excellent performance. However, in the halogen-free flux composition, it is necessary to supplement the activity with an activator other than a halogen-based agent. Thus, for example, the combination of an organic acid and an amine is studied as an active agent composition. However, such an activator composition can compensate for the activity and improves the solderability. However, since some organic acids and amines easily react at room temperature, there is a problem in terms of storage stability, and there is a limitation in usable materials.

본 발명은 충분한 땜납 용융성 및 충분한 보존 안정성을 갖는 플럭스 조성물, 및 이것을 사용한 땜납 조성물, 및 이들을 사용한 전자 기판을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention aims to provide a flux composition having sufficient solder melting property and sufficient storage stability, a solder composition using the flux composition, and an electronic substrate using the same.

상기 과제를 해결하기 위해서 본 발명은 이하와 같은 플럭스 조성물, 땜납 조성물 및 전자 기판을 제공하는 것이다.In order to solve the above problems, the present invention provides a flux composition, solder composition and electronic substrate as described below.

본 발명의 플럭스 조성물은 (A) 수지와, (B) 활성제를 함유하고, 상기 (B)성분이 (B1) 분자 중에 하기 구조식(1)으로 나타내어지는 구조를 갖는 카르복실산 부가물 및 (B2) 아민류를 함유하는 것을 특징으로 하는 것이다.The flux composition of the present invention comprises a carboxylic acid adduct having (A) a resin and (B) an activator and the component (B) having a structure represented by the following structural formula (1) in the molecule of (B1) ) Amines. ≪ / RTI >

Figure pat00001
Figure pat00001

본 발명의 땜납 조성물은 상기 플럭스 조성물과, 땜납 분말을 함유하는 것을 특징으로 하는 것이다.The solder composition of the present invention is characterized by containing the above flux composition and solder powder.

본 발명의 전자 기판은 상기 땜납 조성물을 사용한 납땜부를 구비하는 것을 특징으로 하는 것이다.The electronic board of the present invention is characterized by including a soldering portion using the solder composition.

본 발명의 플럭스 조성물이 충분한 땜납 용융성 및 충분한 보존 안정성을 갖는 이유는 반드시 확실하지는 않지만, 본 발명자들은 이하와 같이 추찰한다.The reason why the flux composition of the present invention has sufficient solder melting property and sufficient storage stability is not necessarily sure, but the present inventors contemplate as follows.

즉, 본 발명의 플럭스 조성물은 (B) 활성제로서 (B1) 카르복실산 부가물 및 (B2) 아민류(이미다졸 화합물 등)를 함유하고 있다. (B1)성분은 상온에 있어서는 카르복실기가 블록되어 있기 때문에 (B2)성분이 존재해도 상온에서 용이하게 반응하는 일은 없다. 그 때문에 충분한 보존 안정성을 확보할 수 있다. 반면에 (B1)성분은 리플로우 공정에서 가열을 했을 때에 카르복실기의 블록이 제거됨으로써 금속 표면의 산화막의 제거가 가능해진다. 또한, (B2)성분은 금속 표면의 산화막이 제거된 금속 표면에 착체의 피막을 형성하여 금속 표면의 재산화를 방지할 수 있다. 이러한 메커니즘에 의해 충분한 땜납 용융성을 확보할 수 있다. 이상과 같이 해서 상기 본 발명의 효과가 달성되는 것으로 본 발명자들은 추찰한다.That is, the flux composition of the present invention contains (B) a carboxylic acid adduct (B1) as an active agent and (B2) an amine (an imidazole compound, etc.). Since the carboxyl group is blocked at room temperature, the component (B1) does not readily react at room temperature even when the component (B2) is present. Therefore, sufficient storage stability can be ensured. On the other hand, when the component (B1) is heated in the reflow process, the block of the carboxyl group is removed, so that the oxide film on the metal surface can be removed. Further, the component (B2) can form a coating of a complex on the metal surface from which the oxide film on the metal surface has been removed, thereby preventing the re-oxidation of the metal surface. By such a mechanism, sufficient solder melting property can be ensured. The inventors of the present invention contemplate that the effects of the present invention are achieved as described above.

본 발명에 의하면, 충분한 땜납 용융성 및 충분한 보존 안정성을 갖는 플럭스 조성물 및 이것을 사용한 땜납 조성물, 및 이들을 사용한 전자 기판을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a flux composition having sufficient solder melting property and sufficient storage stability, a solder composition using the flux composition, and an electronic substrate using the same.

이하, 본 발명의 플럭스 조성물, 땜납 조성물 및 전자 기판의 실시형태를 설명한다.Hereinafter, embodiments of the flux composition, solder composition and electronic substrate of the present invention will be described.

[제 1 실시형태][First Embodiment]

[플럭스 조성물][Flux composition]

우선, 본 실시형태의 플럭스 조성물에 대하여 설명한다. 본 실시형태의 플럭스 조성물은 땜납 조성물에 있어서의 땜납 분말 이외의 성분이며, (A) 수지 및 (B) 활성제를 함유하는 것이다.First, the flux composition of the present embodiment will be described. The flux composition of the present embodiment is a component other than the solder powder in the solder composition, and contains the resin (A) and the activator (B).

[(A)성분][Component (A)] [

본 실시형태에 사용하는 (A) 수지로서는 (A1) 로진계 수지 및 (A2) 열경화성 수지를 들 수 있다. 또한, (A1) 로진계 수지를 사용한 플럭스 조성물(소위, 로진계 플럭스)은 열경화성을 갖지 않지만, (A2) 열경화성 수지를 사용한 플럭스 조성물은 열경화성을 갖고 있다.Examples of the resin (A) used in the present embodiment include (A1) a rosin-based resin and (A2) a thermosetting resin. Further, the flux composition (A1) used in the rosin-based resin (so-called rosin-based flux) does not have the thermosetting property, while the flux composition using the thermosetting resin (A2) has the thermosetting property.

또한, 본 실시형태에서는 (A) 수지로서 (A1) 로진계 수지를 사용했을 경우를 예를 들어 설명한다.Further, in the present embodiment, a case where the (A) resin (A1) is used as the resin will be described as an example.

상기 (A1) 로진계 수지로서는 로진류 및 로진계 변성 수지를 들 수 있다. 로진류로서는 검 로진, 우드 로진, 톨오일 로진, 불균화 로진, 중합 로진, 수소 첨가 로진 및 이들의 유도체 등을 들 수 있다. 로진계 변성 수지로서는 딜스-알더 반응의 반응 성분이 될 수 있는 상기 로진류의 불포화 유기산 변성 수지((메타)아크릴산 등의 지방족의 불포화 1염기산, 푸말산, 말레산 등의 α,β-불포화 카르복실산 등의 지방족 불포화 2염기산, 신남산 등의 방향족환을 갖는 불포화 카르복실산 등의 변성 수지) 및 이들의 변성물 등의 아비에트산, 및 이들의 변성물을 주성분으로 하는 것 등을 들 수 있다. 이들의 로진계 수지는 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다.Examples of the rosin-based resin (A1) include rosin and rosin-based modified resins. Examples of the rosin include gum rosin, wood rosin, tall oil rosin, disproportionated rosin, polymerized rosin, hydrogenated rosin, and derivatives thereof. Examples of the rosin-based modified resin include unsaturated organic acid-modified resins of the rosins (such as (meth) acrylic acid, aliphatic unsaturated monobasic acids such as fumaric acid and maleic acid, And modified resins such as unsaturated carboxylic acids having aromatic rings such as aluminosilicate dibasic acids such as carboxylic acid and cinnamic acid) and abietic acid such as modified products thereof, and modified products thereof, etc. . These rosin-based resins may be used singly or in combination of two or more kinds.

상기 (A1)성분의 배합량은 플럭스 조성물 100질량%에 대하여 30질량% 이상 70질량% 이하인 것이 바람직하고, 35질량% 이상 60질량% 이하인 것이 보다 바람직하다. (A1)성분의 배합량이 상기 하한 이상이면, 납땜 랜드의 동박면의 산화를 방지해서 그 표면에 용융 땜납을 접합하기 쉽게 하는, 소위 납땜성을 향상할 수 있고, 땜납 볼을 충분히 억제할 수 있다. 또한, (A1)성분의 배합량이 상기 상한 이하이면, 플럭스 잔사량을 충분히 억제할 수 있다.The blending amount of the component (A1) is preferably 30% by mass or more and 70% by mass or less, more preferably 35% by mass or more and 60% by mass or less based on 100% by mass of the flux composition. If the amount of the component (A1) is less than the lower limit described above, oxidation of the copper foil surface of the solder land is prevented, so that the solderability can be improved and solder balls can be sufficiently restrained . When the blending amount of the component (A1) is not more than the upper limit, the amount of the flux residue can be sufficiently suppressed.

[(B)성분][Component (B)] [

본 실시형태에 사용하는 (B) 활성제는 이하에 설명하는 (B1) 카르복실산 부가물 및 (B2) 아민류를 함유하는 것이 필요하다.The activator (B) used in this embodiment needs to contain the following (B1) carboxylic acid adduct and (B2) amine.

본 실시형태에 사용하는 (B1) 카르복실산 부가물은 분자 중에 하기 구조식(1)으로 나타내어지는 구조를 갖는 카르복실산 부가물이다. 이 (B1)성분으로서는, 예를 들면 하기 일반식(2)으로 나타내어지는 카르복실산 부가물을 들 수 있다.The carboxylic acid adduct (B1) used in the present embodiment is a carboxylic acid adduct having a structure represented by the following structural formula (1) in the molecule. Examples of the component (B1) include a carboxylic acid adduct represented by the following general formula (2).

Figure pat00002
Figure pat00002

Figure pat00003
Figure pat00003

상기 일반식(2)에 있어서, n은 1~6의 정수를 나타낸다. 또한, 땜납 용융성 및 보존 안정성의 관점으로부터 n은 1~4인 것이 바람직하고, 1~3인 것이 보다 바람직하고, 2인 것이 특히 바람직하다.In the general formula (2), n represents an integer of 1 to 6. From the viewpoints of solder melting property and storage stability, n is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 3, and particularly preferably 2.

n이 1인 경우에는 X1은 1가의 탄화수소기이다.When n is 1, X 1 is a monovalent hydrocarbon group.

1가의 탄화수소기로서는 탄소수 1~18개의 알킬기, 탄소수 1~18개의 알케닐기, 및 탄소수 6~18개(바람직하게는 6개)의 아릴기 등을 들 수 있다. 알킬기 및 알케닐기는 직쇄상이어도 좋고, 분기쇄상이어도 좋다.Examples of the monovalent hydrocarbon group include an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alkenyl group having 1 to 18 carbon atoms, and an aryl group having 6 to 18 (preferably 6) carbon atoms. The alkyl group and alkenyl group may be linear or branched.

n이 2인 경우에는 X1은 2가의 탄화수소기 또는 유기기, 또는 단결합이다.When n is 2, X 1 is a divalent hydrocarbon group or an organic group or a single bond.

2가의 탄화수소기로서는 탄소수 1~18개의 알킬렌기, 탄소수 1~18개의 알케닐렌기, 탄소수 6~18개(바람직하게는 6개)의 아릴렌기 및 탄소수 34개의 2량체화한 탄화수소기 등을 들 수 있다. 알킬렌기 및 알케닐렌기는 직쇄상이어도 좋고, 분기쇄상이어도 좋다. 또한, 이들 중에서도 탄소수 1~18개의 알킬렌기가 보다 바람직하다.Examples of the divalent hydrocarbon group include an alkylene group having 1 to 18 carbon atoms, an alkenylene group having 1 to 18 carbon atoms, an arylene group having 6 to 18 carbon atoms (preferably 6), and a dimerized hydrocarbon group having 34 carbon atoms. . The alkylene group and alkenylene group may be linear or branched. Among them, an alkylene group having 1 to 18 carbon atoms is more preferable.

2가의 유기기로서는, 예를 들면 -(CH2)m-O-(CH2)m- 등의 에테르 결합을 갖는 유기기를 들 수 있다. 또한, m은 1~10(바람직하게는 1~3, 보다 바람직하게는 1)의 정수를 나타낸다.Examples of the divalent organic group include an organic group having an ether bond such as - (CH 2 ) m -O- (CH 2 ) m -. M represents an integer of 1 to 10 (preferably 1 to 3, more preferably 1).

n이 3인 경우에는 X1은 3가의 탄화수소기 또는 유기기이다.When n is 3, X 1 is a trivalent hydrocarbon group or organic group.

3가의 탄화수소기로서는 탄소수 1~18개의 지방족 탄화수소기, 탄소수 6~18개(바람직하게는 6개)의 방향족 탄화수소기, 및 탄소수 51개의 3량체화한 탄화수소기 등을 들 수 있다.Examples of the trivalent hydrocarbon group include aliphatic hydrocarbon groups of 1 to 18 carbon atoms, aromatic hydrocarbon groups of 6 to 18 carbon atoms (preferably 6 carbon atoms), and hydrocarbon groups of 51 carbon atoms.

3가의 유기기로서는, 예를 들면 3가의 탄화수소기의 수소의 일부가 수산기 등으로 치환된 기 등을 들 수 있다.Examples of the trivalent organic group include a group in which a part of hydrogen of a trivalent hydrocarbon group is substituted with a hydroxyl group or the like.

n이 4인 경우에는 X1은 4가의 탄화수소기 또는 유기기이다.When n is 4, X 1 is a tetravalent hydrocarbon group or an organic group.

4가의 탄화수소기로서는 탄소수 1~18개의 지방족 탄화수소기 및 탄소수 6~18개(바람직하게는 6개)의 방향족 탄화수소기 등을 들 수 있다.Examples of the tetravalent hydrocarbon group include an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms and an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms (preferably 6).

4가의 유기기로서는, 예를 들면 4가의 탄화수소기의 수소의 일부가 수산기 등으로 치환된 기 등을 들 수 있다.Examples of the tetravalent organic group include a group in which a part of hydrogen of a tetravalent hydrocarbon group is substituted with a hydroxyl group or the like.

n이 5인 경우에는 X1은 5가의 탄화수소기 또는 유기기이다.When n is 5, X 1 is a pentavalent hydrocarbon group or an organic group.

5가의 탄화수소기로서는 탄소수 1~18개의 지방족 탄화수소기 및 탄소수 6~18개(바람직하게는 6개)의 방향족 탄화수소기 등을 들 수 있다.The 5-valent hydrocarbon group includes an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms and an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms (preferably 6).

5가의 유기기로서는, 예를 들면 5가의 탄화수소기의 수소의 일부가 수산기 등으로 치환된 기 등을 들 수 있다.Examples of the five-valent organic group include a group in which a part of hydrogen of a pentavalent hydrocarbon group is substituted with a hydroxyl group or the like.

n이 6인 경우에는 X1은 6가의 탄화수소기 또는 유기기이다.When n is 6, X 1 is a hexavalent hydrocarbon group or organic group.

6가의 탄화수소기로서는 탄소수 1~18개의 지방족 탄화수소기 및 탄소수 6~18개(바람직하게는 6개)의 방향족 탄화수소기 등을 들 수 있다.The hexavalent hydrocarbon group includes an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms and an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms (preferably 6).

6가의 유기기로서는, 예를 들면 6가의 탄화수소기의 수소의 일부가 수산기 등으로 치환된 기 등을 들 수 있다.Examples of the 6-valent organic group include a group in which a part of hydrogen of a hexavalent hydrocarbon group is substituted with a hydroxyl group or the like.

X2는 -R1 또는 -R2-OH를 나타낸다.X 2 represents -R 1 or -R 2 -OH.

R1은 알킬기이다. 알킬기는 직쇄상이어도 좋고, 분기쇄상이어도 좋다. 알킬기의 탄소수는 특별히 한정되지 않지만, 1개 이상 20개 이하인 것이 바람직하고, 3개 이상 18개 이하인 것이 보다 바람직하다.R 1 is an alkyl group. The alkyl group may be straight-chain or branched. The number of carbon atoms of the alkyl group is not particularly limited, but is preferably 1 to 20, more preferably 3 to 18.

R2는 알킬렌기 또는 옥시알킬렌기이다. 알킬렌기 및 옥시알킬렌기는 직쇄상이어도 좋고, 분기쇄상이어도 좋다. 알킬렌기 및 옥시알킬렌기의 탄소수는 특별히 한정되지 않지만, 1개 이상 20개 이하인 것이 바람직하고, 3개 이상 18개 이하인 것이 보다 바람직하다.R 2 is an alkylene group or an oxyalkylene group. The alkylene group and oxyalkylene group may be linear or branched. The number of carbon atoms of the alkylene group and the oxyalkylene group is not particularly limited, but is preferably 1 to 20, and more preferably 3 to 18.

상기 (B1)성분으로서는 상기 일반식(2)으로 나타내어지는 카르복실산 부가물 이외에 하기 일반식(3)으로 나타내어지는 카르복실산 부가물을 들 수 있다.Examples of the component (B1) include a carboxylic acid adduct represented by the following general formula (3) in addition to the carboxylic acid adduct represented by the general formula (2).

Figure pat00004
Figure pat00004

상기 일반식(3)에 있어서, p는 0 이상의 정수를 나타낸다. 또한, 상기 일반식(3)으로 나타내어지는 카르복실산 부가물은 중합체이며, 중합의 정도가 상이한 성분의 혼합물이다. 이 중합체의 중량 평균 분자량은 땜납 용융성 및 보존 안정성의 관점으로부터 1000 이상 15000 이하인 것이 바람직하고, 1000 이상 10000 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 중합체의 중량 평균 분자량은 겔 투과 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정되는 표준 폴리스티렌 환산값이다.In the general formula (3), p represents an integer of 0 or more. In addition, the carboxylic acid adduct represented by the general formula (3) is a polymer and is a mixture of components having different degree of polymerization. The weight average molecular weight of the polymer is preferably from 1000 to 15000, more preferably from 1000 to 10000 from the viewpoints of solder melting and storage stability. The weight average molecular weight of the polymer is a standard polystyrene reduced value measured by a gel permeation chromatography (GPC) method.

Y1은 치환 또는 무치환의 에틸렌기 또는 프로필렌기를 나타낸다. 이들 중에서도 땜납 용융성의 관점으로부터 에틸렌기가 보다 바람직하다.Y 1 represents a substituted or unsubstituted ethylene group or propylene group. Of these, the ethylene group is more preferable from the viewpoint of the solder melting property.

Y2는 -O-L1- 또는 -O-L2-O-L2-를 나타낸다.Y 2 represents -OL 1 - or -OL 2 -OL 2 -.

L1은 알킬렌기이다. 알킬렌기는 직쇄상이어도 좋고, 분기쇄상이어도 좋다. 알킬렌기의 탄소수는 특별히 한정되지 않지만, 1개 이상 5개 이하인 것이 바람직하고, 1개 이상 3개 이하인 것이 보다 바람직하다.L 1 is an alkylene group. The alkylene group may be straight-chain or branched. The number of carbon atoms of the alkylene group is not particularly limited, but is preferably 1 or more and 5 or less, and more preferably 1 or more and 3 or less.

L2는 알킬렌기이다. 알킬렌기로서는 메틸렌기, 에틸렌기, 및 프로필렌기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 에틸렌기가 바람직하다.L 2 is an alkylene group. Examples of the alkylene group include a methylene group, an ethylene group, and a propylene group. Of these, an ethylene group is preferred.

Z는 수소원자, 하기 일반식(3a)으로 나타내어지는 기, 또는 하기 일반식(3b)으로 나타내어지는 기를 나타낸다.Z represents a hydrogen atom, a group represented by the following formula (3a) or a group represented by the following formula (3b).

Figure pat00005
Figure pat00005

Figure pat00006
Figure pat00006

본 실시형태에 사용하는 (B1) 카르복실산 부가물은, 예를 들면 카르복실산 또는 카르복실산 무수물과 비닐에테르 화합물을 반응시켜서 얻어지는 것이다. 보다 구체적으로는 카르복실산과 비닐에테르 화합물을 반응시킴으로써 상기 일반식(2)으로 나타내어지는 카르복실산 부가물이 얻어진다. 또한, 카르복실산 무수물과 비닐에테르 화합물을 반응시킴으로써 상기 일반식(3)으로 나타내어지는 카르복실산 부가물이 얻어진다.The carboxylic acid adduct (B1) used in the present embodiment is obtained, for example, by reacting a carboxylic acid or carboxylic acid anhydride with a vinyl ether compound. More specifically, a carboxylic acid adduct represented by the general formula (2) is obtained by reacting a carboxylic acid with a vinyl ether compound. Further, a carboxylic acid anhydride and a vinyl ether compound are reacted to obtain a carboxylic acid adduct represented by the above general formula (3).

상기 일반식(2)으로 나타내어지는 카르복실산 부가물은, 예를 들면 카르복실산 및 비닐에테르 화합물을 소정 비율로 배합하고, 소정 온도(예를 들면, 20℃ 이상 150℃ 이하)에서 소정 시간(예를 들면, 10분간 이상 36시간 이하) 교반 혼합함으로써 제조할 수 있다. 또한, 얻어지는 카르복실산 부가물의 산가가 10㎎KOH/g 이하가 된 시점에서 반응을 종료시킨다.The carboxylic acid adduct represented by the general formula (2) may be prepared by mixing a carboxylic acid and a vinyl ether compound in a predetermined ratio, and stirring the mixture at a predetermined temperature (for example, 20 ° C or more and 150 ° C or less) (For example, 10 minutes to 36 hours). The reaction is terminated when the acid value of the obtained carboxylic acid adduct becomes 10 mgKOH / g or less.

카르복실산은 직쇄상이어도 좋고, 분기쇄상이어도 좋지만, 직쇄상인 것이 바람직하다. 카르복실산으로서는 모노카르복실산, 디카르복실산, 트리카르복실산, 및 테트라카르복실산을 들 수 있다. 이들 카르복실산의 탄소수는 특별히 한정되지 않지만, 2개 이상 54개 이하인 것이 바람직하고, 3개 이상 54개 이하인 것이 보다 바람직하고, 3개 이상 36개 이하인 것이 특히 바람직하다.The carboxylic acid may be straight-chain, branched-chain or straight-chain. Examples of the carboxylic acid include a monocarboxylic acid, a dicarboxylic acid, a tricarboxylic acid, and a tetracarboxylic acid. The number of carbon atoms of these carboxylic acids is not particularly limited, but is preferably 2 or more and 54 or less, more preferably 3 or more and 54 or less, and particularly preferably 3 or more and 36 or less.

이들 카르복실산으로서는 옥살산, 말론산, 숙신산, 글루타르산, 아디프산, 피멜산, 수베르산, 아젤라산, 세박산, 운데칸 2산, 도데칸 2산, 테트라데칸 2산, 펜타데칸 2산, 헥사데칸 2산, 옥타데칸 2산, 에이코산 2산, 8-에틸옥타데칸 2산, 7,12-디메틸옥타데칸-1,18-디카르복실산, 프로판트리카르복실산, 1,2,3,4-부탄테트라카르복실산, 8,13-디메틸-8,12-에이코사디엔 2산, 디글리콜산, 시트라콘산, 트리멜리트산, 다이머산, 및 트리머산 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다.These carboxylic acids include oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimetic acid, suberic acid, azelaic acid, sebacic acid, undecane diacid, dodecane diacid, tetradecanedioic acid, Octadecanedioic acid, octadecanedioic acid, 8-ethyloctadecanedioic acid, 7,12-dimethyloctadecan-1,18-dicarboxylic acid, propanetricarboxylic acid, 1 , 2,3,4-butanetetracarboxylic acid, 8,13-dimethyl-8,12-eicosadienic acid, diglycolic acid, citraconic acid, trimellitic acid, dimeric acid, . These may be used singly or in combination of two or more kinds.

비닐에테르 화합물은 1분자 중에 비닐기 및 에테르 결합을 갖는 화합물이다. 비닐에테르 화합물로서는 하기 일반식(4)으로 나타내어지는 화합물 및 하기 일반식(5)으로 나타내어지는 화합물을 들 수 있다.The vinyl ether compound is a compound having a vinyl group and an ether bond in one molecule. Examples of the vinyl ether compound include a compound represented by the following formula (4) and a compound represented by the following formula (5).

H2C=CH-O-R1···(4)H 2 C = CH-OR 1 (4)

상기 일반식(4)에 있어서, R1은 알킬기이다. 알킬기는 직쇄상이어도 좋고, 분기쇄상이어도 좋다.In the general formula (4), R 1 is an alkyl group. The alkyl group may be straight-chain or branched.

H2C=CH-O-R2-OH···(5)H 2 C = CH-OR 2 -OH (5)

상기 일반식(5)에 있어서, R2는 알킬렌기 또는 옥시알킬렌기이다. 알킬렌기 및 옥시알킬렌기는 직쇄상이어도 좋고, 분기쇄상이어도 좋다.In the above general formula (5), R 2 is an alkylene group or an oxyalkylene group. The alkylene group and oxyalkylene group may be linear or branched.

이 비닐에테르 화합물의 탄소수는 특별히 한정되지 않지만, 3개 이상 22개 이하인 것이 바람직하고, 3개 이상 20개 이하인 것이 보다 바람직하다.The number of carbon atoms of the vinyl ether compound is not particularly limited, but is preferably 3 or more and 22 or less, more preferably 3 or more and 20 or less.

이 비닐에테르 화합물로서는 n-부틸비닐에테르, 2-에틸헥실비닐에테르, 2-히드록시에틸비닐에테르, 4-히드록시부틸비닐에테르, 및 디에틸렌글리콜모노비닐에테르 등을 들 수 있다.Examples of the vinyl ether compound include n-butyl vinyl ether, 2-ethylhexyl vinyl ether, 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether, and diethylene glycol monovinyl ether.

상기 일반식(3)으로 나타내어지는 카르복실산 부가물은, 예를 들면 용제(예를 들면, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트), 카르복실산 무수물 및 비닐에테르 화합물을 소정 비율로 배합하고, 소정 온도(예를 들면, 20℃ 이상 150℃ 이하)에서 소정 시간(예를 들면, 10분간 이상 36시간 이하) 교반 혼합하고, 그 후 용제를 제거함으로써 제조할 수 있다. 또한, 얻어지는 카르복실산 부가물의 산가가 20㎎KOH/g 이하가 된 시점에서 반응을 종료시킨다.The carboxylic acid adduct represented by the above general formula (3) can be obtained by compounding a solvent (for example, propylene glycol monomethyl ether acetate), a carboxylic acid anhydride and a vinyl ether compound at a predetermined ratio, (For example, 10 minutes to 36 hours) in a solvent (for example, 20 ° C or more and 150 ° C or less), and then removing the solvent. The reaction is terminated when the acid value of the obtained carboxylic acid adduct becomes 20 mgKOH / g or less.

카르복실산 무수물로서는 환상의 카르복실산 무수물을 사용하는 것이 바람직하다. 환상의 카르복실산 무수물로서는 무수 숙신산, 무수 글루타르산, 무수 말레산, 헥사히드로 무수 프탈산, 무수 프탈산, 4-메틸헥사히드로 무수 프탈산, 1,2,3,6-테트라히드로 무수 프탈산, 및 3,4,5,6-테트라히드로 무수 프탈산 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 무수 숙신산이 바람직하다.As the carboxylic acid anhydride, it is preferable to use a cyclic carboxylic acid anhydride. Examples of the cyclic carboxylic acid anhydride include succinic anhydride, maleic anhydride, maleic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, phthalic anhydride, 4-methylhexahydrophthalic anhydride, 1,2,3,6-tetrahydrophthalic anhydride, and 3 , 4,5,6-tetrahydrophthalic anhydride, and the like. Of these, succinic anhydride is preferable.

비닐에테르 화합물로서는 수산기를 갖는 것을 사용하는 것이 바람직하다. 수산기를 갖는 비닐에테르 화합물로서는 하기 일반식(6)으로 나타내어지는 화합물 및 하기 일반식(7)으로 나타내어지는 화합물을 들 수 있다.As the vinyl ether compound, those having a hydroxyl group are preferably used. Examples of the vinyl ether compound having a hydroxyl group include a compound represented by the following formula (6) and a compound represented by the following formula (7).

H2C=CH-O-L1-OH···(6)H 2 C = CH-OL 1 -OH (6)

상기 일반식(6)에 있어서, L1은 알킬렌기이다. 알킬렌기는 직쇄상이어도 좋고, 분기쇄상이어도 좋다. 알킬렌기의 탄소수는 특별히 한정되지 않지만, 1개 이상 5개 이하인 것이 바람직하고, 1개 이상 3개 이하인 것이 보다 바람직하다.In the above general formula (6), L 1 is an alkylene group. The alkylene group may be straight-chain or branched. The number of carbon atoms of the alkylene group is not particularly limited, but is preferably 1 or more and 5 or less, and more preferably 1 or more and 3 or less.

H2C=CH-O-L2-O-L2-OH···(7)H 2 C = CH-OL 2 -OL 2 -OH (7)

상기 일반식(7)에 있어서, L2는 알킬렌기이다. 알킬렌기로서는 메틸렌기, 에틸렌기 및 프로필렌기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 에틸렌기가 바람직하다.In the general formula (7), L 2 is an alkylene group. Examples of the alkylene group include a methylene group, an ethylene group and a propylene group. Of these, an ethylene group is preferred.

수산기를 갖는 비닐에테르 화합물로서는 2-히드록시에틸비닐에테르, 4-히드록시부틸비닐에테르, 및 디에틸렌글리콜모노비닐에테르 등을 들 수 있다.Examples of the vinyl ether compound having a hydroxyl group include 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether, and diethylene glycol monovinyl ether.

(B1)성분의 시차주사 열량측정(DSC)에 의한 분해 개시 온도는 25℃ 이상 270℃ 이하인 것이 바람직하고, 30℃ 이상 260℃ 이하인 것이 보다 바람직하다. 분해 개시 온도가 상기 하한 이상이면 가용 시간을 더 향상할 수 있다. 또한, 분해 개시 온도가 상기 상한 이하이면 땜납 젖음성을 더욱 향상할 수 있다. 여기에서, 시차주사 열량은 적당히 공지의 시차주사 열량계를 사용하여 측정할 수 있고, 예를 들면 Seiko Instruments Inc.제의 시차주사 열량계 「DSC6200」을 사용하여 측정할 수 있다.The decomposition initiating temperature of the component (B1) by differential scanning calorimetry (DSC) is preferably 25 ° C to 270 ° C, more preferably 30 ° C to 260 ° C. If the decomposition starting temperature is lower than the lower limit described above, the usable time can be further improved. If the decomposition starting temperature is not higher than the upper limit, the solder wettability can be further improved. Here, the differential scanning calorie can be measured using a known differential scanning calorimeter, and can be measured using, for example, a differential scanning calorimeter "DSC6200" manufactured by Seiko Instruments Inc.

(B1)성분의 열중량 시차열 분석(TG/DTA)으로 측정한 연화점(용융·분해 개시 온도라고도 함)은 25℃ 이상 270℃ 이하인 것이 바람직하고, 30℃ 이상 260℃ 이하인 것이 보다 바람직하다. 연화점이 상기 하한 이상이면 가용 시간을 더 향상할 수 있다. 또한, 연화점이 상기 상한 이하이면, 땜납 젖음성을 더 향상할 수 있다. 여기에서, 연화점은 이하와 같은 방법으로부터 측정할 수 있다.(Also referred to as melting and decomposition starting temperature) measured by thermogravimetric thermal analysis (TG / DTA) of the component (B1) is preferably 25 ° C or more and 270 ° C or less, and more preferably 30 ° C or more and 260 ° C or less. If the softening point is lower than the lower limit, the usable time can be further improved. If the softening point is not more than the upper limit, the solder wettability can be further improved. Here, the softening point can be measured by the following method.

(B1)성분을 시료로 하여 10㎎±3㎎ 칭량하고, 30℃~250℃까지 가열하면서 하기 조건에서 TG/DTA 측정을 행한다. 또한, 레퍼런스로서는 불활성인 알루미나 분말을 10㎎±3㎎ 칭량하여 사용한다.(B1) is used as a sample, weighing 10 mg ± 3 mg, and TG / DTA measurement is carried out under the following conditions while heating to 30 to 250 ° C. As a reference, 10 mg ± 3 mg of inactive alumina powder is weighed and used.

측정 장치: Seiko Instruments Inc.제의 「TG/DTA6200」Measurement apparatus: "TG / DTA6200" manufactured by Seiko Instruments Inc.

분위기: 대기Atmosphere: Waiting

승온 레이트: 10℃/minHeating rate: 10 ° C / min

(B1)성분의 산가는 보존 안정성의 관점으로부터 20㎎KOH/g 이하인 것이 바람직하고, 10㎎KOH/g 이하인 것이 보다 바람직하고, 5㎎KOH/g 이하인 것이 보다 더 바람직하다.From the viewpoint of storage stability, the acid value of the component (B1) is preferably 20 mgKOH / g or less, more preferably 10 mgKOH / g or less, and still more preferably 5 mgKOH / g or less.

상기 (B1)성분의 배합량은 플럭스 조성물 100질량%에 대하여 0.1질량% 이상 22질량% 이하인 것이 바람직하고, 0.5질량% 이상 20질량% 이하인 것이 보다 바람직하다. 배합량이 상기 하한 이상이면 납땜성을 더 향상할 수 있다. 또한, 상기 상한 이하이면 플럭스 잔사를 충분히 억제할 수 있다.The blending amount of the component (B1) is preferably 0.1% by mass or more and 22% by mass or less, more preferably 0.5% by mass or more and 20% by mass or less based on 100% by mass of the flux composition. If the amount is less than the lower limit described above, the solderability can be further improved. If the upper limit is not exceeded, the flux residue can be sufficiently suppressed.

본 실시형태에 사용하는 (B2) 아민류로서는, 예를 들면 지방족 아민, 방향족 아민, 구아니딘 화합물, 아민 어덕트, 질소 함유 복소환식 화합물(이미다졸 화합물, 피리딘 화합물, 아졸 화합물, 피라졸 화합물, 피롤 화합물, 모르폴린 화합물, 및 피페라진 화합물 등), 및 아민염 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 지방족 아민 또는 이미다졸 화합물이 바람직하다. 이들은 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다.Examples of the (B2) amines used in the present embodiment include aliphatic amines, aromatic amines, guanidine compounds, amine adducts, nitrogen-containing heterocyclic compounds (imidazole compounds, pyridine compounds, azole compounds, pyrazole compounds, , Morpholine compounds, and piperazine compounds), amine salts, and the like. Of these, aliphatic amines or imidazole compounds are preferred. These may be used singly or in combination of two or more kinds.

지방족 아민으로서는 탄소수가 3개 이상 18개 이하인 지방족 아민을 사용하는 것이 바람직하다. 지방족 아민은 1급 아민, 2급 아민 및 3급 아민 중 어느 것이어도 좋지만, 1급 아민인 것이 바람직하다. 또한, 지방족 아민은 모노아민뿐만 아니라, 디아민이어도 좋고, 트리아민이어도 좋다. 또한, 지방족 아민은 알칸올아민이어도 좋고, 에테르아민이어도 좋고, 에스테르아민이어도 좋다.As the aliphatic amine, it is preferable to use an aliphatic amine having 3 to 18 carbon atoms. The aliphatic amine may be any of a primary amine, a secondary amine and a tertiary amine, but is preferably a primary amine. The aliphatic amine may be not only a monoamine, but also a diamine or triamine. The aliphatic amine may be an alkanolamine, an ether amine or an ester amine.

1급 아민으로서는 에틸아민, 프로필아민, 부틸아민, 이소프로필아민, 부틸아민, 이소부틸아민, tert-부틸아민, 헥실아민, 디메틸헥실아민, 아밀아민, 옥틸아민, 2-에틸헥실아민, 노닐아민, 1-아미노데칸, 시클로헥실아민, 디메틸시클로헥실아민, 디에틸시클로헥실아민, 및 알릴아민 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다.As the primary amine, ethylamine, propylamine, butylamine, isopropylamine, butylamine, isobutylamine, tert-butylamine, hexylamine, dimethylhexylamine, amylamine, octylamine, 2-ethylhexylamine, , 1-aminodecane, cyclohexylamine, dimethylcyclohexylamine, diethylcyclohexylamine, and allylamine. These may be used singly or in combination of two or more kinds.

2급 아민으로서는 디에틸아민, 디프로필아민, 디이소프로필아민, 디-n-부틸아민, 디아밀아민, 디헥실아민, 디도데실아민, 디알릴아민, 및 디시클로헥실아민 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다.Examples of secondary amines include diethylamine, dipropylamine, diisopropylamine, di-n-butylamine, diamylamine, dihexylamine, didodecylamine, diallylamine, and dicyclohexylamine . These may be used singly or in combination of two or more kinds.

3급 아민으로서는 트리에틸아민, 트리이소프로필아민, 트리-n-프로필아민, 트리-n-부틸아민, 트리-n-헥실아민, 디시클로헥실메틸아민, 및 N,N-디이소프로필시클로헥실아민 등을 들 수 있다.Examples of tertiary amines include triethylamine, triisopropylamine, tri-n-propylamine, tri-n-butylamine, tri-n-hexylamine, dicyclohexylmethylamine, and N, N-diisopropylcyclohexyl Amine and the like.

디아민으로서는 디에틸에틸렌디아민, 디메틸아미노프로필아민, 디에틸디아미노프로판, 디부틸아미노프로필아민, 테트라메틸에틸렌디아민, 및 테트라메틸트리메틸렌디아민 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다.Examples of the diamine include diethylethylenediamine, dimethylaminopropylamine, diethyldiaminopropane, dibutylaminopropylamine, tetramethylethylenediamine, and tetramethyltrimethylenediamine. These may be used singly or in combination of two or more kinds.

트리아민으로서는 펜타메틸디에틸렌트리아민 등을 들 수 있다.Examples of the triamine include pentamethyldiethylenetriamine and the like.

알칸올아민으로서는 에탄올아민, 글리콜아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 메틸디에탄올아민, 및 아미노프로판올 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다.Examples of the alkanolamine include ethanolamine, glycol amine, diethanolamine, triethanolamine, methyldiethanolamine, and aminopropanol. These may be used singly or in combination of two or more kinds.

에테르아민으로서는 메톡시프로필아민, 에톡시프로필아민, 비스(2-디메틸아미노에틸)에테르, 에틸헥실옥시프로필아민, 폴리옥시에틸렌올레일아민, 폴리옥시에틸렌라우릴아민, 및 폴리옥시에틸렌스테아릴아민 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다.Examples of the ether amine include methoxypropylamine, ethoxypropylamine, bis (2-dimethylaminoethyl) ether, ethylhexyloxypropylamine, polyoxyethylene oleylamine, polyoxyethylene laurylamine, and polyoxyethylene stearylamine And the like. These may be used singly or in combination of two or more kinds.

에스테르아민으로서는 아세트산 2-(디메틸아미노)에틸 등을 들 수 있다.Examples of ester amines include 2- (dimethylamino) ethyl acetate and the like.

방향족 아민으로서는 벤질아민, 아닐린, 로진계 아민, 및 다른 방향족 아민을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다.The aromatic amines include benzylamine, aniline, rosin-based amines, and other aromatic amines. These may be used singly or in combination of two or more kinds.

벤질아민으로서는 페닐프로필아민, 페닐에틸아민, 메톡시벤질아민, 디에틸벤질아민, 벤질아민, 디메틸벤질아민, 에틸나프틸아민, 및 디시클로헥실아민 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다.Examples of the benzylamine include phenylpropylamine, phenylethylamine, methoxybenzylamine, diethylbenzylamine, benzylamine, dimethylbenzylamine, ethylnaphthylamine, and dicyclohexylamine. These may be used singly or in combination of two or more kinds.

아닐린으로서는 아닐린, 메틸아닐린, 에틸아닐린, 디메틸아닐린, 디에틸아닐린, tert-부틸아닐린, 및 트리메틸아닐린 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다.Examples of the aniline include aniline, methyl aniline, ethyl aniline, dimethylaniline, diethylaniline, tert-butyl aniline, and trimethylaniline. These may be used singly or in combination of two or more kinds.

로진계 아민으로서는 로진아민 등을 들 수 있다.Examples of the rosin amines include rosin amines and the like.

다른 방향족 아민으로서는 디히드록시벤질아민 등을 들 수 있다.Other aromatic amines include dihydroxybenzylamine and the like.

구아니딘 화합물로서는 디페닐구아니딘(1.3-디페닐구아니딘 등), 디메틸톨루이딘, 및 트리구아니딘(1,3-디-o-트리구아니딘 등) 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다.Examples of the guanidine compound include diphenyl guanidine (such as 1,3-diphenyl guanidine), dimethyl toluidine, and trivanidine (such as 1,3-di-o -triguanidine). These may be used singly or in combination of two or more kinds.

아민 어덕트로서는 후지 큐어 FXR-1020, FXR-1030, FXR-1050, FXR-1080, 및 FXR-1081(T&K TOKA제, 상품명), 아미 큐어 PN-23, MY-24, VDH, UDH, PN-31, 및 PN-40(Ajinomoto Fine-Techno Co., Inc.제, 상품명), 아데카하드너 EH-2021, EH-4361S, EH-5046S, EH-3636AS(ADEKA CORPORATION제, 상품명), 및 큐어덕트 P0505(SHIKOKU CHEMICALS CORPORATION제, 상품명) 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다.As amine channels, Fuji Cure FXR-1020, FXR-1030, FXR-1050, FXR-1080, and FXR-1081 (trade name, made by T & K TOKA), Amicure PN- 23, MY- 31, and PN-40 (trade names, manufactured by Ajinomoto Fine-Techno Co., Inc.), ADEKA HARDNER EH-2021, EH-4361S, EH-5046S, EH-3636AS (trade name of ADEKA CORPORATION, P0505 (product of SHIKOKU CHEMICALS CORPORATION, trade name). These may be used singly or in combination of two or more kinds.

이미다졸 화합물로서는 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 벤조이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-에틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-헵타데실이미다졸 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다.Examples of imidazole compounds include 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, benzimidazole, 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, , 2-heptadecylimidazole, and the like. These may be used singly or in combination of two or more kinds.

피리딘 화합물로서는 2-히드록시피리딘, 3-히드록시피리딘, 4-히드록시피리딘, 2-아미노피리딘, 3-아미노피리딘, 4-아미노피리딘, 2-아미노-5-메틸피리딘, 2-피리딘카르복시알데히드 및 4-아세틸피리딘 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다.Examples of the pyridine compound include 2-hydroxypyridine, 3-hydroxypyridine, 4-hydroxypyridine, 2-aminopyridine, 3-aminopyridine, 4-aminopyridine, 2-amino-5-methylpyridine, 2-pyridinecarboxyaldehyde And 4-acetylpyridine. These may be used singly or in combination of two or more kinds.

아졸 화합물로서는 3-아미노-1,2,4-트리아졸 등을 들 수 있다.As the azole compound, 3-amino-1,2,4-triazole and the like can be mentioned.

피라졸 화합물로서는 3,5-디메틸피라졸 등을 들 수 있다.As the pyrazole compound, 3,5-dimethylpyrazole and the like can be mentioned.

피롤 화합물로서는 피롤 및 피롤-2-카르복시알데히드 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다.Examples of the pyrrole compound include pyrrole and pyrrole-2-carboxyaldehyde. These may be used singly or in combination of two or more kinds.

모르폴린 화합물로서는 모르폴린, 메틸모르폴린, 에틸모르폴린, 및 비스(2-모르폴린에틸)에테르 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다.Examples of the morpholine compound include morpholine, methylmorpholine, ethylmorpholine, and bis (2-morpholinethyl) ether. These may be used singly or in combination of two or more kinds.

피페라진 화합물로서는 피페리딘, 디메틸피페리딘, 및 1-(2-디메틸아미노에틸)-4-메틸피페라진 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다.Examples of the piperazine compound include piperidine, dimethylpiperidine, and 1- (2-dimethylaminoethyl) -4-methylpiperazine. These may be used singly or in combination of two or more kinds.

아민염으로서는 아민의 유기산염이어도 좋고, 아민의 무기산염이어도 좋지만, 아민의 유기산염인 것이 바람직하다. 이 아민의 유기산염에 있어서의 유기산으로서는 모노카르복실산, 디카르복실산 등의 이외에 기타 유기산을 들 수 있다. 이들 유기산 중에서도 탄소수가 3~8개인 디카르복실산이 바람직하고, 아디프산이 보다 바람직하다. 또한, 아민염에 있어서의 아민으로서는 상술한 지방족 아민, 방향족 아민, 구아니딘 화합물, 아민 어덕트, 및 질소 함유 복소환식 화합물 등을 들 수 있다. 구체적인 아민염으로서는 디페닐구아니딘아디프산염(1.3-디페닐구아니딘 아디프산염 등), 에틸아민아디프산염, 부틸아민아디프산염, 헥실아민아디프산염, 벤질아민아디프산염, 벤질아민글루타르산염, 시클로헥실아민아디프산염, 디메틸아민아디프산염, 트리에탄올아민아디프산염, 시클로헥실아민살리실산염, 디시클로헥실아민숙신산염, 디이소부틸아민말론산염, 디메틸아민살리실산, 디이소프로필아민숙신산염, 및 2-에틸헥실아민아디프산염 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다.The amine salt may be an organic acid salt of an amine, an inorganic acid salt of an amine, or an organic acid salt of an amine. Examples of the organic acid in the organic acid salt of the amine include monocarboxylic acid and dicarboxylic acid, and other organic acids. Of these organic acids, dicarboxylic acids having 3 to 8 carbon atoms are preferable, and adipic acid is more preferable. Examples of the amine in the amine salt include the above-mentioned aliphatic amines, aromatic amines, guanidine compounds, amine adducts, and nitrogen-containing heterocyclic compounds. Specific examples of the amine salt include diphenyl guanidine adipate (such as 1,3-diphenyl guanidine adipate), ethylamine adipate, butylamine adipate, hexylamine adipate, benzylamine adipate, benzylamine glutarate Salts of organic acids such as acetylacetonate, acetylacetonate, cyclohexylamine adipate, dimethylamine adipate, triethanolamine adipate, cyclohexylamine salicylate, dicyclohexylamine succinate, diisobutylamine malonate, dimethylamine salicylic acid, diisopropylamine succinic acid Salts, and 2-ethylhexylamine adipate salts. These may be used singly or in combination of two or more kinds.

상기 (B1)성분의 배합량과 상기 (B2)성분의 배합량의 질량비(B1/B2)는 1/9 이상 9/1 이하인 것이 바람직하고, 5/5 이상 9/1 이하인 것이 보다 바람직하고, 6/4 이상 8/2 이하인 것이 특히 바람직하다. 질량비가 상기 범위 내이면 (B1)성분 및 (B2)성분에 의한 상승 효과를 더 향상시킬 수 있고, 땜납 용융성을 더 향상할 수 있다.The mass ratio (B1 / B2) of the blending amount of the component (B1) to the blending amount of the component (B2) is preferably 1/9 to 9/1, more preferably 5/5 to 9/1, 4 or more and 8/2 or less. If the mass ratio is within the above range, the synergistic effect of the component (B1) and the component (B2) can be further improved and the solderability of the solder can be further improved.

상기 (B2)성분의 배합량은 플럭스 조성물 100질량%에 대하여 0.1질량% 이상 20질량% 이하인 것이 바람직하고, 0.3질량% 이상 16질량% 이하인 것이 보다 바람직하고, 1질량% 이상 15질량% 이하인 것이 보다 더 바람직하고, 2질량% 이상 15질량% 이하인 것이 특히 바람직하다. 배합량이 상기 하한 이상이면, 납땜성을 더욱 향상할 수 있다. 또한, 배합량이 상기 상한 이하이면 절연 신뢰성이 저하되는 일은 없다.The blending amount of the component (B2) is preferably from 0.1 mass% to 20 mass%, more preferably from 0.3 mass% to 16 mass%, and still more preferably from 1 mass% to 15 mass% with respect to 100 mass% And particularly preferably 2% by mass or more and 15% by mass or less. If the blending amount is the above lower limit, solderability can be further improved. If the blending amount is not more than the upper limit, insulation reliability is not lowered.

상기 (B)성분은 본 발명의 과제를 달성할 수 있는 범위에 있어서, 상기 (B1)성분 및 상기 (B2)성분 이외에 기타 활성제(유기산, 할로겐계 활성제)를 더 함유해도 좋다. 단, 할로겐 프리의 관점으로부터는 상기 (B)성분은 상기 (B1)성분 및 상기 (B2)성분만으로 이루어지는 것이 바람직하다. 또한, 상기 (B1)성분 및 상기 (B2)성분의 배합량의 합계는 상기 (B)성분 100질량%에 대하여 85질량% 이상인 것이 바람직하고, 90질량% 이상인 것이 보다 바람직하고, 95질량% 이상인 것이 특히 바람직하다.The component (B) may further contain other activators (organic acid, halogen-based activator) in addition to the components (B1) and (B2) within the range in which the object of the present invention can be achieved. However, from the standpoint of halogen-free, the component (B) is preferably composed only of the component (B1) and the component (B2). The total amount of the components (B1) and (B2) is preferably 85% by mass or more, more preferably 90% by mass or more, and more preferably 95% by mass or more based on 100% Particularly preferred.

상기 (B)성분의 합계 배합량은 플럭스 조성물 100질량%에 대하여 1질량% 이상 40질량% 이하인 것이 바람직하고, 2질량% 이상 36질량% 이하인 것이 보다 바람직하다. 배합량이 상기 하한 이상이면, 땜납 볼을 보다 확실하게 억제할 수 있다. 또한, 배합량이 상기 상한을 초과하면 플럭스 조성물의 절연 신뢰성이 저하되는 경향이 있다.The total amount of the component (B) is preferably 1% by mass or more and 40% by mass or less, more preferably 2% by mass or more and 36% by mass or less based on 100% by mass of the flux composition. If the blending amount is the above lower limit, the solder ball can be more reliably suppressed. If the blending amount exceeds the upper limit, the insulation reliability of the flux composition tends to be lowered.

[(C)성분][Component (C)] [

본 실시형태의 플럭스 조성물에 있어서는 인쇄성 등의 관점으로부터 (C)용제를 더 함유하는 것이 바람직하다. 여기에서 사용하는 (C)용제로서는 공지의 용제를 적당히 사용할 수 있다. 이러한 용제로서는 비점 170℃ 이상의 용제를 사용하는 것이 바람직하다.In the flux composition of the present embodiment, it is preferable to further contain a solvent (C) from the viewpoint of printability and the like. As the solvent (C) used herein, a known solvent may be suitably used. As such a solvent, it is preferable to use a solvent having a boiling point of 170 캜 or higher.

이러한 용제로서는, 예를 들면 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 헥실렌글리콜, 헥실디글리콜, 1,5-펜탄디올, 메틸카르비톨, 부틸카르비톨, 2-에틸헥실디글리콜, 옥탄디올, 페닐글리콜, 디에틸렌글리콜모노헥실에테르, 테트라에틸렌글리콜디메틸에테르, 및 디부틸말레산 등을 들 수 있다. 이들 용제는 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다.Examples of such a solvent include diethylene glycol, dipropylene glycol, triethylene glycol, hexylene glycol, hexyldiglycol, 1,5-pentanediol, methylcarbitol, butylcarbitol, 2-ethylhexyldiglycol, Diol, phenyl glycol, diethylene glycol monohexyl ether, tetraethylene glycol dimethyl ether, and dibutyl maleic acid. These solvents may be used singly or in combination of two or more kinds.

상기 (C)성분을 사용할 경우, 그 배합량은 플럭스 조성물 100질량%에 대하여 10질량% 이상 60질량% 이하인 것이 바람직하고, 20질량% 이상 40질량% 이하인 것이 보다 바람직하다. 용제의 배합량이 상기 범위 내이면 얻어지는 땜납 조성물의 점도를 적정한 범위로 적당히 조정할 수 있다.When the component (C) is used, the blending amount thereof is preferably 10% by mass or more and 60% by mass or less, more preferably 20% by mass or more and 40% by mass or less based on 100% by mass of the flux composition. When the blending amount of the solvent is within the above range, the viscosity of the obtained solder composition can be appropriately adjusted within a suitable range.

[(D)성분][Component (D)] [

본 실시형태의 플럭스 조성물에 있어서는 인쇄성 등의 관점으로부터 (D) 칙소제를 더 함유하고 있어도 좋다. 여기에서 사용하는 (D) 칙소제로서는 경화 피마자유, 폴리아민류, 폴리아미드류, 비스아미드류, 디벤질리덴소르비톨, 카올린, 콜로이달실리카, 유기 벤토나이트, 유리 프릿 등을 들 수 있다. 이들 칙소제는 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다.The flux composition of the present embodiment may further contain (D) a plasticizer from the viewpoint of printability and the like. Examples of the (D) chelating agent used herein include hardened castor oil, polyamines, polyamides, bisamides, dibenzylidene sorbitol, kaolin, colloidal silica, organic bentonite, glass frit and the like. These chelants may be used singly or in combination of two or more kinds.

상기 (D)성분을 사용할 경우, 그 배합량은 플럭스 조성물 100질량%에 대하여 1질량% 이상 15질량% 이하인 것이 바람직하고, 5질량% 이상 12질량% 이하인 것이 보다 바람직하다. 배합량이 상기 하한 이상이면 충분한 칙소성이 얻어져 새깅을 충분히 억제할 수 있다. 또한, 배합량이 상기 상한 이하이면, 칙소성이 지나치게 높아 인쇄 불량이 되는 일은 없다.When the component (D) is used, the blending amount thereof is preferably 1% by mass or more and 15% by mass or less, more preferably 5% by mass or more and 12% by mass or less based on 100% by mass of the flux composition. When the amount is less than the above lower limit, sufficient rigidity is obtained and sagging can be sufficiently suppressed. If the blending amount is less than the upper limit of the above range, the blurring is excessively high and the printing is not defective.

[다른 성분][Other Ingredients]

본 실시형태에 사용하는 플럭스 조성물에는 상기 (A)성분, 상기 (B)성분, 상기 (C)성분 및 상기 (D)성분 이외에, 필요에 따라 기타 첨가제, 또한 기타 수지를 첨가할 수 있다. 기타 첨가제로서는 소포제, 산화 방지제, 개질제, 윤빼기 가공제, 발포제, 경화 촉진제 등을 들 수 있다. 기타 수지로서는 에폭시 수지, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다.In addition to the component (A), the component (B), the component (C) and the component (D), other additives and other resins may be added to the flux composition used in the present embodiment. Other additives include antifoaming agents, antioxidants, modifiers, lubricants, foaming agents, curing accelerators and the like. Other resins include epoxy resins, acrylic resins, urethane resins, and polyimide resins.

본 실시형태의 플럭스 조성물은 충분한 땜납 용융성 및 충분한 보존 안정성을 갖는다. 그리고, 할로겐 프리의 플럭스 조성물이어도 할로겐계 활성제를 사용하는 경우와 동등 이상의 땜납 용융성을 확보할 수 있는 점에서 할로겐 프리의 플럭스 조성물과 특히 적합하게 사용할 수 있다.The flux composition of this embodiment has sufficient solderability and sufficient storage stability. Further, even a halogen-free flux composition can be suitably used with a halogen-free flux composition in that a solder melting property equal to or higher than that in the case of using a halogen-based activator can be ensured.

할로겐 프리의 플럭스 조성물은 염소 농도가 900질량ppm 이하이며, 브롬 농도가 900질량ppm 이하이며, 또한 할로겐 농도가 1500질량ppm 이하인 것이 바람직하다. 또한, 할로겐으로서는 불소, 염소, 브롬, 요오드 및 아스타틴 등을 들 수 있다.The halogen-free flux composition preferably has a chlorine concentration of 900 mass ppm or less, a bromine concentration of 900 mass ppm or less, and a halogen concentration of 1500 mass ppm or less. Examples of the halogen include fluorine, chlorine, bromine, iodine, and astatine.

또한, 환경 대응의 관점으로부터 염소 농도 및 브롬 농도는 각각 500질량ppm 이하인 것이 바람직하고, 300질량ppm 이하인 것이 보다 바람직하고, 100질량ppm 이하인 것이 특히 바람직하다. 할로겐 농도는 800질량ppm 이하인 것이 바람직하고, 500질량ppm 이하인 것이 보다 바람직하고, 300질량ppm 이하인 것이 보다 더 바람직하고, 100질량ppm 이하인 것이 특히 바람직하다. 플럭스 조성물 중에는 불가피적 불순물을 제외하고, 할로겐이 존재하지 않는 것이 바람직하다.From the viewpoint of environmental compatibility, the chlorine concentration and the bromine concentration are preferably 500 mass ppm or less, more preferably 300 mass ppm or less, and particularly preferably 100 mass ppm or less. The halogen concentration is preferably 800 mass ppm or less, more preferably 500 mass ppm or less, even more preferably 300 mass ppm or less, and particularly preferably 100 mass ppm or less. In the flux composition, it is preferable that no halogen exists, except for inevitable impurities.

또한, 플럭스 조성물 중의 염소 농도, 브롬 농도 및 할로겐 농도는 JEITA ET-7304A에 기재된 방법에 준거하여 측정할 수 있다. 또한, 간이적으로는 플럭스 조성물의 배합 성분 및 그 배합량으로부터 산출할 수 있다.The chlorine concentration, the bromine concentration and the halogen concentration in the flux composition can be measured in accordance with the method described in JEITA ET-7304A. Further, it can be calculated simply from the blending component of the flux composition and the blending amount thereof.

[땜납 조성물][Solder composition]

이어서, 본 실시형태의 땜납 조성물에 대하여 설명한다. 본 실시형태의 땜납 조성물은 상기 본 실시형태의 플럭스 조성물과, 이하에 설명하는 (E) 땜납 분말을 함유하는 것이다.Next, the solder composition of the present embodiment will be described. The solder composition of the present embodiment contains the flux composition of the present embodiment and the solder powder (E) described below.

상기 플럭스 조성물의 배합량은 땜납 조성물 100질량%에 대하여 5질량% 이상 40질량% 이하인 것이 바람직하고, 7질량% 이상 15질량% 이하인 것이 보다 바람직하고, 8질량% 이상 12질량% 이하인 것이 특히 바람직하다. 플럭스 조성물의 배합량이 5질량% 이상(땜납 분말의 배합량이 95질량% 이하)이면 바인더로서의 플럭스 조성물이 충분하기 때문에 플럭스 조성물과 땜납 분말을 용이하게 혼합할 수 있다. 또한, 플럭스 조성물의 배합량이 40질량% 이하(땜납 분말의 배합량이 60질량% 이상)이면 얻어지는 땜납 조성물을 사용했을 경우에 충분한 땜납 접합을 형성할 수 있다.The blending amount of the flux composition is preferably 5 mass% or more and 40 mass% or less, more preferably 7 mass% or more and 15 mass% or less, and particularly preferably 8 mass% or more and 12 mass% or less, relative to 100 mass% of the solder composition . If the blending amount of the flux composition is 5 mass% or more (the blending amount of the solder powder is 95 mass% or less), the flux composition as the binder is sufficient, so that the flux composition and the solder powder can be easily mixed. Further, when the blending amount of the flux composition is 40 mass% or less (the blending amount of the solder powder is 60 mass% or more), sufficient solder bonding can be formed when the obtained solder composition is used.

[(E)성분][Component (E)] [

본 발명에 사용하는 (E) 땜납 분말은 납 프리 땜납 분말만으로 이루어지는 것이 바람직하지만, 유연(有鉛)이 땜납 분말이어도 좋다. 이 땜납 분말에 있어서의 땜납 합금으로서는 주석(Sn)을 주성분으로 하는 합금이 바람직하다. 또한, 이 합금의 제 2 원소로서는 은(Ag), 구리(Cu), 아연(Zn), 비스무트(Bi), 인듐(In) 및 안티몬(Sb) 등을 들 수 있다. 또한, 이 합금에는 필요에 따라 다른 원소(제 3 원소 이후)를 첨가해도 좋다. 다른 원소로서는 구리, 은, 비스무트, 인듐, 안티몬, 코발트(Co), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 게르마늄(Ge), 철(Fe) 및 알루미늄(Al) 등을 들 수 있다.The (E) solder powder used in the present invention is preferably made of only the lead-free solder powder, but may be lead-free solder powder. As the solder alloy in the solder powder, an alloy containing tin (Sn) as a main component is preferable. Examples of the second element of the alloy include silver (Ag), copper (Cu), zinc (Zn), bismuth (Bi), indium (In) and antimony (Sb). Further, other elements (after the third element) may be added to the alloy as necessary. Examples of other elements include copper, silver, bismuth, indium, antimony, cobalt, chromium, nickel, germanium, iron and aluminum.

여기에서, 납 프리 땜납 분말이란 납을 첨가하지 않는 땜납 금속 또는 합금의 분말을 말한다. 단, 납 프리 땜납 분말 중에 불가피적 불순물로서 납이 존재하는 것은 허용되지만, 이 경우에 납의 양은 100질량ppm 이하인 것이 바람직하다.Here, the lead-free solder powder refers to a solder metal or an alloy powder to which lead is not added. However, it is permitted that lead is present as an unavoidable impurity in the lead-free solder powder, but in this case, the amount of lead is preferably 100 mass ppm or less.

납 프리의 땜납 분말로서는 구체적으로는 Sn-Ag, Sn-Ag-Cu, Sn-Cu, Sn-Ag-Bi, Sn-Bi, Sn-Ag-Cu-Bi, Sn-Sb, Sn-Zn-Bi, Sn-Zn, Sn-Zn-Al, Sn-Zn-Bi-Al, Sn-Ag-Bi-In, Sn-Ag-Cu-Bi-In-Sb, In-Ag 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 땜납 접합의 강도의 관점으로부터는 Sn-Ag-Cu계의 땜납 합금이 바람직하게 사용되어 있다. 그리고, Sn-Ag-Cu계의 땜납의 융점은 통상 200℃ 이상 250℃ 이하이다. 또한, Sn-Ag-Cu계의 땜납 중에서도 은 함유량이 낮은 계의 땜납의 융점은 210℃ 이상 250℃ 이하이다. 또한, 저융점의 관점으로부터는 Sn-Bi계의 땜납 합금이 바람직하게 사용되어 있다. 그리고, Sn-Bi계의 땜납의 융점은 통상 130℃ 이상 170℃ 이하이다.Specific examples of the lead-free solder powder include Sn-Ag, Sn-Ag-Cu, Sn-Cu, Sn-Ag-Bi, Sn-Bi, Sn- Sn-Zn-Sn-Zn-Al, Sn-Zn-Bi-Al, Sn-Ag-Bi-In, Sn-Ag-Cu-Bi-In-Sb and In-Ag. Among these, a Sn-Ag-Cu-based solder alloy is preferably used from the viewpoint of the strength of the solder joint. The melting point of the Sn-Ag-Cu type solder is usually 200 ° C or more and 250 ° C or less. Among the Sn-Ag-Cu solders, the melting point of the solder having a low silver content is 210 占 폚 or more and 250 占 폚 or less. From the viewpoint of a low melting point, a Sn-Bi based solder alloy is preferably used. The melting point of the Sn-Bi-based solder is usually 130 ° C or more and 170 ° C or less.

상기 (E)성분의 평균 입자 지름은 통상 1㎛ 이상 40㎛ 이하이지만, 납땜 패드의 피치가 좁은 전자 기판에도 대응한다는 관점으로부터 1㎛ 이상 35㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 2㎛ 이상 35㎛ 이하인 것이 보다 더 바람직하고, 3㎛ 이상 32㎛ 이하인 것이 특히 바람직하다. 또한, 평균 입자 지름은 동적 광산란식의 입자 지름 측정 장치에 의해 측정할 수 있다.The average particle diameter of the component (E) is usually not less than 1 탆 and not more than 40 탆, but is more preferably not less than 1 탆 and not more than 35 탆, and more preferably not less than 2 탆 and not more than 35 탆, from the viewpoint that the solder pad has a narrow pitch. And even more preferably from 3 탆 to 32 탆. The average particle diameter can be measured by a dynamic light scattering particle size measuring apparatus.

[땜납 조성물의 제조 방법][Manufacturing method of solder composition]

본 실시형태의 땜납 조성물은 상기 설명한 플럭스 조성물과 상기 설명한 (E) 땜납 분말을 상기 소정 비율로 배합하고, 교반 혼합함으로써 제조할 수 있다.The solder composition of the present embodiment can be produced by mixing the above-described flux composition and the above-mentioned (E) solder powder in the above-mentioned predetermined ratio and stirring and mixing.

[전자 기판][Electronic Substrate]

이어서, 본 실시형태의 전자 기판에 대하여 설명한다. 본 실시형태의 전자 기판은 이상 설명한 땜납 조성물을 사용한 납땜부를 구비하는 것이다. 이 전자 기판(프린트 회로 기판 등)은 전자 부품을 전자 기판(프린트 배선 기판 등)에 실장함으로써 제작할 수 있다.Next, the electronic substrate of the present embodiment will be described. The electronic board of the present embodiment is provided with the soldering portion using the above-described solder composition. This electronic board (printed circuit board or the like) can be manufactured by mounting electronic components on an electronic board (printed wiring board or the like).

여기에서 사용하는 도포 장치로서는 스크린 인쇄기, 메탈 마스크 인쇄기, 디스펜서 등을 들 수 있다.Examples of a coating apparatus used here include a screen printing machine, a metal mask printing machine, and a dispenser.

또한, 상기 도포 장치에서 도포한 땜납 조성물 상에 전자 부품을 배치하고, 리플로우로에 의해 소정 조건에서 가열하고, 상기 전자 부품을 프린트 배선 기판에 실장하는 리플로우 공정에 의해 전자 부품을 전자 기판에 실장할 수 있다. 또한, 리플로우로로서는 에어 리플로우 장치, 진공 리플로우 장치, 포름산 리플로우 장치, 및 플라즈마 리플로우 장치 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 장치 설비의 비용의 관점으로부터는 에어 리플로우 장치가 바람직하고, 리플로우 공정 후의 땜납 중의 보이드 저감의 관점으로부터는 진공 리플로우 장치가 바람직하다.The electronic component is placed on the electronic substrate by a reflow process in which the electronic component is placed on the solder composition applied by the application device, heated under a predetermined condition by reflow, and the electronic component is mounted on the printed wiring board Can be mounted. Examples of the reflow furnace include an air reflow apparatus, a vacuum reflow apparatus, a formic acid reflow apparatus, and a plasma reflow apparatus. Among them, an air reflow apparatus is preferable from the viewpoint of the cost of apparatus equipment, and a vacuum reflow apparatus is preferable from the viewpoint of void reduction in the solder after the reflow process.

리플로우 공정에 있어서는 상기 땜납 조성물 상에 상기 전자 부품을 배치하고, 리플로우로에 의해 소정 조건에서 가열한다. 이 리플로우 공정에 의해 전자 부품 및 프린트 배선판 사이에 충분한 땜납 접합을 행할 수 있다. 그 결과, 상기 전자 부품을 상기 프린트 배선 기판에 실장할 수 있다.In the reflow process, the electronic component is placed on the solder composition and heated under a predetermined condition by reflow. Sufficient solder bonding can be performed between the electronic component and the printed wiring board by this reflow process. As a result, the electronic component can be mounted on the printed wiring board.

리플로우 조건은 땜납의 융점에 따라 적당히 설정하면 좋다. 예를 들면, Sn-Ag-Cu계의 땜납 합금을 사용할 경우에는 프리 히트를 온도 150~200℃에서 60~120초간 행하고, 피크 온도를 230~270℃로 설정하면 좋다.The reflow condition may be suitably set in accordance with the melting point of the solder. For example, when a Sn-Ag-Cu-based solder alloy is used, the preheat may be performed at a temperature of 150 to 200 占 폚 for 60 to 120 seconds and a peak temperature of 230 to 270 占 폚.

[제 2 실시형태][Second Embodiment]

이어서, 본 발명의 제 2 실시형태에 대하여 설명한다.Next, a second embodiment of the present invention will be described.

제 2 실시형태의 구성은 (A) 수지로서 (A2) 열경화성 수지를 사용한 이외에는 제 1 실시형태와 마찬가지의 구성이므로 (A2) 열경화성 수지를 사용했을 경우의 플럭스 조성물을 설명하고, 그 이외의 설명을 생략한다.The constitution of the second embodiment is the same as that of the first embodiment except that (A2) a thermosetting resin is used as the resin (A), and therefore the (A2) flux composition when a thermosetting resin is used will be explained, It is omitted.

본 실시형태의 플럭스 조성물은 (A2) 열경화성 수지 및 (B) 활성제를 함유하는 것이다.The flux composition of the present embodiment contains (A2) a thermosetting resin and (B) an activator.

[(A)성분][Component (A)] [

제 2 실시형태에 사용하는 (A2) 열경화성 수지로서는 공지의 열경화성 수지 를 적당히 사용할 수 있다. 이 열경화성 수지로서는, 예를 들면 에폭시 수지, 아크릴 수지, 우레탄 수지 및 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 플럭스 작용을 갖는다는 관점으로부터는 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 저온 경화성의 관점으로부터는 아크릴 수지를 사용하는 것이 바람직하다.As the thermosetting resin (A2) used in the second embodiment, a known thermosetting resin can be suitably used. Examples of the thermosetting resin include an epoxy resin, an acrylic resin, a urethane resin and a polyimide resin. Among them, it is preferable to use an epoxy resin from the viewpoint of having a flux action. From the viewpoint of low-temperature curability, it is preferable to use an acrylic resin.

또한, 본 발명에 있어서, 플럭스 작용을 갖는다란 통상 로진계 플럭스와 같이 그 도포막은 피납땜체의 금속면을 덮어서 대기를 차단하고, 납땜 시에는 그 금속면의 금속 산화물을 환원하여 이 도포막이 용융 땜납에 밀어내져 그 용융 땜납과 금속면의 접촉이 가능해지고, 그 잔사는 회로 사이를 절연하는 기능을 갖는 것이다.Further, in the present invention, having a flux action generally means that the coated film covers the metal surface of the brazed body to block the atmosphere, and at the time of brazing, the metal oxide on the metal surface is reduced, The solder is pushed out to make contact between the molten solder and the metal surface, and the residue has a function of insulating the circuits.

이러한 에폭시 수지로서는 공지의 에폭시 수지를 적당히 사용할 수 있다. 이러한 에폭시 수지로서는, 예를 들면 비스페놀A형, 비스페놀F형, 비페닐형, 나프탈렌형, 크레졸노볼락형, 페놀노볼락형, 및 디시클로펜타디엔형 등의 에폭시 수지를 들 수 있다. 이들 에폭시 수지는 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다. 또한, 이들 에폭시 수지는 상온(25℃)에서 액상의 것을 함유하는 것이 바람직하고, 상온에서 고형의 것을 사용할 경우에는 상온에서 액상의 것과 병용하는 것이 바람직하다. 또한, 이들 에폭시 수지의 형 중에서도 금속 입자의 분산성 및 페이스트 점도를 조정할 수 있고, 또한 경화물의 낙하 충격에 대한 내성을 향상할 수 있다는 관점이나, 땜납의 젖음 퍼짐성이 양호하게 된다는 관점으로부터 액상 비스페놀A형, 액상 비스페놀F형, 액상 수첨 타입의 비스페놀A형, 나프탈렌형, 디시클로펜타디엔형, 비페닐형이 바람직하고, 액상 비스페놀A형, 액상 비스페놀F형, 비페닐형이 보다 바람직하다.As such an epoxy resin, a known epoxy resin can be appropriately used. Examples of such epoxy resins include epoxy resins such as bisphenol A type, bisphenol F type, biphenyl type, naphthalene type, cresol novolak type, phenol novolak type, and dicyclopentadiene type. These epoxy resins may be used singly or in combination of two or more kinds. These epoxy resins preferably contain liquid ones at room temperature (25 DEG C), and when solid resins are used at room temperature, they are preferably used in combination with liquid resins at room temperature. From the standpoint of being able to adjust the dispersibility and paste viscosity of the metal particles among these epoxy resin molds and to improve resistance to drop impacts of the cured product, from the viewpoint that the wetting spreadability of the solder becomes good, the liquid bisphenol A Liquid bisphenol F type, liquid hydrogenated bisphenol A type, naphthalene type, dicyclopentadiene type and biphenyl type are preferable, and liquid bisphenol A type, liquid bisphenol F type and biphenyl type are more preferable.

이러한 아크릴 수지로서는, 예를 들면 2개 이상의 (메타)아크릴로일기를 갖는 라디칼 중합성 수지와, 1분자 내에 1개의 불포화 2중 결합을 갖는 반응성 희석제를 갖는 중합성 수지를 들 수 있다.Examples of such an acrylic resin include a radically polymerizable resin having two or more (meth) acryloyl groups and a polymerizable resin having a reactive diluent having one unsaturated double bond in one molecule.

라디칼 중합성 수지로서는, 예를 들면 우레탄아크릴레이트 수지, 에폭시아크릴레이트 수지 및 실리콘아크릴레이트 수지 등을 들 수 있다. 이들 라디칼 중합성 수지는 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다.Examples of the radical polymerizable resin include a urethane acrylate resin, an epoxy acrylate resin and a silicone acrylate resin. These radically polymerizable resins may be used singly or in combination of two or more kinds.

반응성 희석제로서는, 예를 들면 2-히드록시-3-페녹시프로필(메타)아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴(메타)아크릴레이트, 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, n-부틸(메타)아크릴레이트, 이소부틸(메타)아크릴레이트, tert-부틸(메타)아크릴레이트, 메톡시디에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 메톡시트리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트, 이소데실(메타)아크릴레이트, n-라우릴(메타)아크릴레이트, 트리데실(메타)아크릴레이트, n-스테아릴(메타)아크릴레이트, 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트, 페녹시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 이소보닐(메타)아크릴레이트, 및 (메타)아크릴로일모르폴린 등을 들 수 있다. 이들 반응성 희석제는 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다.Examples of the reactive diluent include (meth) acrylic acid esters such as 2-hydroxy-3-phenoxypropyl (meth) acrylate, tetrahydrofurfuryl (meth) (Meth) acrylate, methoxyethylene (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, tert-butyl (meth) acrylate, methoxydiethylene glycol (Meth) acrylate, n-lauryl (meth) acrylate, n-lauryl (meth) acrylate, (Meth) acrylate, phenoxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, isobonyl (meth) acrylate and (meth) acryloylmorpholine. These reactive diluents may be used alone or in combination of two or more.

상기 (A2) 열경화성 수지의 배합량은 플럭스 조성물 100질량%에 대하여 50질량% 이상 95질량% 이하인 것이 바람직하고, 80질량% 이상 90질량% 이하인 것이 보다 바람직하다. (A2)성분의 배합량이 상기 하한 이상이면, 전자 부품을 고정시키기 위해서 충분한 강도가 얻어져 낙하 충격에 대한 내성을 향상할 수 있고, 또한 리플로우 후의 잔사 크랙의 발생을 억제할 수 있다. 또한, (A2)성분의 배합량이 상기 상한 이하이면, 플럭스 조성물 중의 경화 성분의 함유량이 충분하게 되어 열경화성 수지를 경화시키는 속도를 향상할 수 있다.The blending amount of the thermosetting resin (A2) is preferably 50% by mass or more and 95% by mass or less, more preferably 80% by mass or more and 90% by mass or less based on 100% by mass of the flux composition. When the blending amount of the component (A2) is not lower than the lower limit described above, sufficient strength for fixing the electronic component can be obtained, resistance to drop impact can be improved, and occurrence of residue cracks after reflow can be suppressed. When the blending amount of the component (A2) is not more than the upper limit, the content of the curing component in the flux composition becomes sufficient, and the speed of curing the thermosetting resin can be improved.

[(B)성분][Component (B)] [

본 실시형태에 사용하는 (B) 활성제는 상기 제 1 실시형태에 있어서의 (B1) 카르복실산 부가물 및 (B2) 아민류와 마찬가지의 것이다. 또한, 본 실시형태에 있어서는 (B2) 아민류에 대해서는 (A2)성분의 경화제로서도 기능한다.The activator (B) used in this embodiment is the same as the (B1) carboxylic acid adduct and (B2) amine in the first embodiment. In the present embodiment, the component (B2) also functions as a curing agent for the component (A2) with respect to amines.

[(D)성분][Component (D)] [

본 실시형태의 플럭스 조성물에 있어서는 인쇄성 등의 관점으로부터 (D) 칙소제를 더 함유하고 있어도 좋다. 여기에서 사용하는 (D) 칙소제는 상기 제 1 실시형태에 있어서의 (D) 칙소제와 마찬가지의 것이다.The flux composition of the present embodiment may further contain (D) a plasticizer from the viewpoint of printability and the like. The (D) chelating agent used here is the same as the chelating agent (D) in the first embodiment.

[다른 성분][Other Ingredients]

본 실시형태에 사용하는 플럭스 조성물에는 상기 (A)성분, 상기 (B)성분 및 상기 (D)성분 이외에 필요에 따라 용제나 기타 첨가제, 또한 기타 수지를 첨가할 수 있다. 기타 첨가제로서는 소포제, 산화 방지제, 개질제, 윤빼기 가공제, 발포제, 경화 촉진제 등을 들 수 있다. 기타 수지로서는 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 폴리이미드계 수지 등을 들 수 있다.In addition to the component (A), the component (B) and the component (D), solvents and other additives and other resins may be added to the flux composition used in the present embodiment, if necessary. Other additives include antifoaming agents, antioxidants, modifiers, lubricants, foaming agents, curing accelerators and the like. Other resins include acrylic resins, urethane resins, polyimide resins, and the like.

[변형예][Modifications]

또한, 본 발명의 플럭스 조성물, 땜납 조성물 및 전자 기판은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 범위에서의 변형, 개량 등은 본 발명에 포함된다.Further, the flux composition, solder composition and electronic substrate of the present invention are not limited to the above-described embodiments, and modifications, improvements and the like within the scope of achieving the object of the present invention are included in the present invention.

[제트 디스펜서용 땜납 조성물][Solder composition for jet dispenser]

상기 실시형태에서는 상기 전자 기판의 제조에 있어서, 도포 장치로서 스크린 인쇄기, 메탈 마스크 인쇄기, 디스펜서 등을 사용하고 있지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 도포 장치로서는 제트 디스펜서를 사용해도 좋다.In the above embodiment, a screen printing machine, a metal mask printing machine, a dispenser, or the like is used as a coating device in the production of the electronic substrate, but the invention is not limited thereto. For example, a jet dispenser may be used as the application device.

또한, 도포 장치로서 제트 디스펜서를 사용할 경우, 플럭스 조성물 중의 용제로서, 디에틸렌글리콜모노헥실에테르 및 α,β,γ-터피네올을 조합해서 사용하는 것이 바람직하다.When a jet dispenser is used as a coating device, it is preferable to use a combination of diethylene glycol monohexyl ether and?,?,? -Terpineol as a solvent in the flux composition.

또한, 땜납 조성물의 35℃에 있어서의 점도는 5㎩·s 이상 30㎩·s 이하인 것이 바람직하다. 또한, 땜납 조성물의 35℃에 있어서의 칙소 지수는 0.2 이상 0.9 이하인 것이 바람직하다.The viscosity of the solder composition at 35 캜 is preferably 5 Pa · s or more and 30 Pas · s or less. It is also preferable that the solder composition has a chimney index of 0.2 to 0.9 at 35 캜.

[레이저 가열용 땜납 조성물][Solder composition for laser heating]

상기 실시형태에서는 상기 전자 기판의 제조에 있어서, 리플로우 공정에 의해 프린트 배선 기판과 전자 부품을 접착하고 있지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 리플로우 공정 대신에 레이저광을 사용하여 땜납 조성물을 가열하는 공정(레이저 가열 공정)에 의해 프린트 배선 기판과 전자 부품을 접착해도 좋다. 이 경우, 레이저광원으로서는 특별히 한정되지 않고 금속의 흡수대에 맞춘 파장에 따라 적당히 채용할 수 있다. 레이저광원으로서는, 예를 들면 고체 레이저(루비, 유리, YAG 등), 반도체 레이저(GaAs, InGaAsP 등), 액체 레이저(색소 등), 기체 레이저(He-Ne, Ar, CO2, 엑시머 등)를 들 수 있다.In the above embodiment, the printed wiring board and the electronic component are bonded by the reflow process in the production of the electronic board, but the invention is not limited thereto. For example, instead of the reflow process, the printed wiring board and the electronic component may be bonded by a process (laser heating process) of heating the solder composition using laser light. In this case, the laser light source is not particularly limited, and can be appropriately adopted in accordance with the wavelength matched to the absorption band of the metal. A as a laser light source, for example a solid-state laser (ruby, glass, YAG and the like), a semiconductor laser (GaAs, InGaAsP and the like), liquid lasers (dye, etc.), a gas laser (He-Ne, Ar, CO 2, excimer, etc.) .

[땜납 인두용 땜납 조성물][Solder composition for soldering iron]

상기 실시형태에서는 상기 전자 기판의 제조에 있어서, 리플로우 공정에 의해 프린트 배선 기판과 전자 부품을 접착하고 있지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 프린트 배선 기판과 전자 부품 사이에서 실형상의 땜납 조성물(레진 플럭스가 내장된 와이어 솔더)을 땜납 인두로 가열함으로써 납땜하여 접착해도 좋다.In the above embodiment, the printed wiring board and the electronic component are bonded by the reflow process in the production of the electronic board, but the invention is not limited thereto. For example, solder may be bonded between the printed wiring board and the electronic component by heating the solder composition in the form of a thread (wire solder having the resin flux embedded therein) with a soldering iron.

[땜납 범프 형성용 땜납 조성물][Solder Bump Forming Solder Composition]

상기 실시형태에서는 상기 땜납 조성물은 전자 부품을 전자 기판에 실장하는 것에 사용하고 있지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 상기 땜납 조성물을 사용하여 패키지 부품의 땜납 범프를 형성할 수도 있다. 구체적으로는 패키지 기판의 전극 상에 땜납 조성물을 인쇄하는 인쇄 공정과, 인쇄 공정 후의 패키지 기판을 가열해서 상기 땜납 조성물 중의 땜납 분말을 용융시킴으로써 상기 전극 상에 땜납 범프를 형성하는 범프 형성 공정과, 범프 형성 공정 후의 패키지 기판 상의 플럭스 잔사를 세정하는 세정 공정과, 상기 땜납 범프의 상단부를 연삭해서 상기 땜납 범프의 높이를 일치시키는 플래트닝 공정을 구비하는 방법에 의해 패키지 부품의 땜납 범프를 형성할 수 있다. 또한, 패키지 부품의 땜납 범프를 형성할 경우, 상기 땜납 조성물 중의 땜납 분말의 평균 입자 지름은 0.5㎛ 이상 10㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.5㎛ 이상 8㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다.In the above embodiment, the solder composition is used for mounting an electronic component on an electronic substrate, but the present invention is not limited to this. For example, the solder composition may be used to form a solder bump of the package component. A bump forming step of forming a solder bump on the electrode by heating the package substrate after the printing process and melting the solder powder in the solder composition; A cleaning step of cleaning the flux residue on the package substrate after the forming process and a flattening step of grinding the upper end of the solder bump to match the heights of the solder bumps to form the solder bumps of the package parts . When the solder bumps of the package parts are formed, the average particle diameter of the solder powder in the solder composition is preferably 0.5 mu m or more and 10 mu m or less, more preferably 0.5 mu m or more and 8 mu m or less.

[프리 코트용 땜납 조성물][Solder composition for precoating]

상기 실시형태에서는 상기 땜납 조성물은 전자 부품을 전자 기판에 실장하는 것에 사용하고 있지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 상기 땜납 조성물을 사용하여 프린트 배선 기판의 전극 상에 땜납 도금(프리 코트)을 형성할 수도 있다. 구체적으로는 프린트 배선 기판의 전극 상에 땜납 조성물을 인쇄하는 인쇄 공정과, 인쇄 공정 후의 프린트 배선 기판을 가열해서 상기 땜납 조성물 중의 땜납 분말을 용융시킴으로써 상기 전극 상에 땜납 도금을 형성하는 도금 형성 공정을 구비하는 방법에 의해 프린트 배선 기판의 전극 상에 땜납 도금을 형성할 수 있다.In the above embodiment, the solder composition is used for mounting an electronic component on an electronic substrate, but the present invention is not limited to this. For example, solder plating (precoat) may be formed on the electrodes of the printed wiring board using the solder composition. Specifically, a printing process for printing a solder composition on an electrode of a printed wiring board, a plating forming process for forming a solder plating on the electrode by heating the printed wiring board after the printing process and melting the solder powder in the solder composition The solder plating can be formed on the electrode of the printed wiring board by the provided method.

실시예Example

이어서, 본 발명을 실시예 및 비교예에 의해 더 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들에 의해 조금도 한정되는 것은 아니다. 또한, 실시예 및 비교예에서 사용한 재료를 이하에 나타낸다.EXAMPLES Next, the present invention will be described in more detail with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited thereto at all. The materials used in Examples and Comparative Examples are shown below.

((A1)성분)(Component (A1))

로진계 수지: 수첨 산 변성 로진, 상품명 「파인 크리스탈 KE-604」, Arakawa Chemical Industries, Ltd.제Rosin resin: hydrogenated modified rosin, trade name " Fine Crystal KE-604 ", manufactured by Arakawa Chemical Industries, Ltd.

((A2)성분)(Component (A2))

에폭시 수지 A: 비스페놀F형 에폭시 수지, 상품명 「EXA-830LVP」, DIC CORPORATION제Epoxy resin A: Bisphenol F type epoxy resin, trade name " EXA-830LVP ", manufactured by DIC CORPORATION

에폭시 수지 B: 에폭시 수지, 상품명 「NC-3000」, Nippon Kayaku Co., Ltd.제Epoxy resin B: Epoxy resin, trade name " NC-3000 ", manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.

((B1)성분)(Component (B1))

카르복실산 부가물 A: 하기 조제예 1에서 얻어진 카르복실산 부가물, 시차주사 열량측정(DSC)에 의한 분해 개시 온도는 약 170℃Carboxylic acid adduct A: The carboxylic acid adduct obtained in the following Preparation Example 1, the decomposition initiating temperature by differential scanning calorimetry (DSC), was about 170 DEG C

카르복실산 부가물 B: 하기 조제예 2에서 얻어진 카르복실산 부가물, 시차주사 열량측정(DSC)에 의한 분해 개시 온도는 약 180℃Carboxylic acid adduct B: The decomposition initiating temperature of the carboxylic acid adduct obtained in Preparation Example 2 described below by differential scanning calorimetry (DSC) was about 180 ° C

((B2)성분)(Component (B2))

아민류 A: 2-페닐-4-메틸이미다졸, 상품명 「2P4MZ」, SHIKOKU CHEMICALS CORPORATION제Amine A: 2-phenyl-4-methylimidazole, trade name "2P4MZ", manufactured by SHIKOKU CHEMICALS CORPORATION

아민류 B: 2-헵타데실이미다졸, 상품명 「C17Z」, SHIKOKU CHEMICALS CORPORATION제Amines B: 2-heptadecylimidazole, trade name " C17Z ", manufactured by SHIKOKU CHEMICALS CORPORATION

아민류 C: 4-아세틸피리딘Amines C: 4-Acetylpyridine

아민류 D: 아민 어덕트, 상품명 「후지큐어 FXR-1081」, T&K TOKA제Amines D: amine adduct, trade name " Fuji Cure FXR-1081 ", manufactured by T & K TOKA

아민류 E: N,N-디에틸아닐린Amines E: N, N-diethylaniline

아민류 F: 옥틸아민Amines F: Octylamine

아민류G: 1.3-디페닐구아니딘아디프산염Amines G: 1.3-diphenylguanidine adipate

((C)성분)(Component (C)) [

용제: 테트라에틸렌글리콜디메틸에테르, 상품명 「하이솔브MTEM」, TOHO Chemical Industry Co., Ltd.제Solvent: tetraethylene glycol dimethyl ether, trade name "HiSolve MTEM", manufactured by TOHO Chemical Industry Co., Ltd.

((D)성분)(Component (D))

칙소제: 상품명 「SLIPACKS ZHH」, Nippon Kasei Chemical Company Limited제Trade name: SLIPACKS ZHH, manufactured by Nippon Kasei Chemical Company Limited

((E)성분)(Component (E))

땜납 분말: 입자 지름 분포 20~38㎛(평균 입자 지름 약 30㎛), 땜납 융점 217~220℃, 땜납 조성 Sn/Ag 3.0/Cu 0.5Solder powder: particle diameter distribution 20 to 38 mu m (average particle diameter about 30 mu m), solder melting point 217 to 220 DEG C, solder composition Sn / Ag 3.0 / Cu 0.5

(다른 성분)(Other components)

유기산: 숙신산할로겐계 활성제: 트랜스-2,3-디브로모-2-부텐-1,4-디올Organic acid: succinic acid Halogen activator: trans-2,3-dibromo-2-butene-1,4-diol

[조제예 1][Preparation Example 1]

카르복실산(숙신산) 41.1g과, 비닐에테르 화합물(n-부틸비닐에테르) 126.9g을 반응 용기 내에 투입한 후, 30분간 걸쳐 상온으로부터 120℃까지 가열함과 아울러 교반했다. 그 후, 반응 용기 내의 온도를 120℃로 유지하면서 4시간 반응시켜 카르복실산 부가물 A를 얻었다.41.1 g of carboxylic acid (succinic acid) and 126.9 g of vinyl ether compound (n-butyl vinyl ether) were charged into a reaction vessel and heated from room temperature to 120 캜 for 30 minutes and stirred. Thereafter, while maintaining the temperature in the reaction vessel at 120 캜, the reaction was carried out for 4 hours to obtain a carboxylic acid adduct A.

얻어진 카르복실산 부가물 A의 산가를 측정한 결과, 산가는 10㎎KOH/g 이하이며, 반응이 완료되어 있는 것을 확인할 수 있었다.The acid value of the obtained carboxylic acid adduct A was measured. As a result, it was confirmed that the acid value was 10 mgKOH / g or less, and the reaction was completed.

[조제예 2][Preparation Example 2]

용제(프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트) 45g과, 카르복실산 무수물(무수 숙신산) 41.2g과, 비닐에테르 화합물(디에틸렌글리콜모노비닐에테르) 108.8g을 반응 용기 내에 투입한 후, 30분간 걸쳐 상온으로부터 80℃까지 가열함과 아울러 교반했다. 그 후, 반응 용기 내의 온도를 80℃로 유지하면서 4시간 반응시키고, 그 후 이배퍼레이터를 사용하여 용제를 제거하여 카르복실산 부가물 B를 얻었다.45 g of a solvent (propylene glycol monomethyl ether acetate), 41.2 g of a carboxylic acid anhydride (succinic anhydride) and 108.8 g of a vinyl ether compound (diethylene glycol monovinyl ether) were charged into a reaction vessel, The mixture was heated to 80 DEG C and stirred. Thereafter, the reaction was allowed to proceed for 4 hours while maintaining the temperature in the reaction vessel at 80 DEG C, and then the solvent was removed using a diverter to obtain carboxylic acid adduct B.

얻어진 카르복실산 부가물 B의 산가를 측정한 결과, 산가는 14㎎KOH/g이었다.The acid value of the obtained carboxylic acid adduct B was measured, and the acid value was found to be 14 mgKOH / g.

[실시예 1][Example 1]

플럭스 조성물로서 로진계 수지 51질량부, 카르복실산 부가물 A 10질량부, 아민류 A 2.5질량부, 칙소제 8.5질량부, 및 용제 29질량부를 배합하고, 또한 플럭스 조성물 11질량% 및 땜납 분말 89질량%(합계 100질량%)의 비율로 배합하여 적당히 혼합함으로써 플럭스 조성물 및 땜납 조성물을 조제했다.51 parts by mass of a rosin resin, 10 parts by mass of a carboxylic acid adduct A, 2.5 parts by mass of an amine A, 8.5 parts by mass of a solvent, and 29 parts by mass of a solvent were mixed as a flux composition and 11 mass% of a flux composition and 89 mass% (100% by mass in total), and the mixture was appropriately mixed to prepare a flux composition and a solder composition.

[실시예 2, 비교예 1~5][Example 2, Comparative Examples 1 to 5]

표 1에 나타내는 조성에 따라 각 재료를 배합한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 플럭스 조성물 및 땜납 조성물을 얻었다.A flux composition and a solder composition were obtained in the same manner as in Example 1 except that each material was blended according to the composition shown in Table 1.

<땜납 조성물의 평가>&Lt; Evaluation of solder composition >

땜납 조성물의 평가(보존 안정성, 미드칩 솔더볼(mid-chip solder ball), 핀간 솔더볼, 땜납 퍼짐(양은)를 이하와 같은 방법으로 행했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다.Evaluation of the solder composition (storage stability, mid-chip solder ball, pinned solder ball, and solder spread (amount)) were carried out in the following manner.

(1) 보존 안정성(1) Storage stability

우선, 땜납 조성물을 시료로 하여 점도를 측정한다. 그 후, 시료를 밀봉 용기에 넣고, 온도 30℃의 항온조에 투입하여 14일간 보관하고, 보관한 시료의 점도를 측정한다. 그리고, 보관 전의 점도값(η1)에 대한 온도 30℃에서 14일간 보관 후의 점도값(η2)과의 차(η2-η1)를 구한다. 또한, 점도 측정은 스파이럴 방식의 점도 측정(측정 온도: 25℃, 회전 속도: 10rpm)에 의해 행한다.First, the viscosity is measured using the solder composition as a sample. Thereafter, the sample is placed in a sealed container, placed in a thermostatic chamber at a temperature of 30 DEG C, stored for 14 days, and the viscosity of the stored sample is measured. Then, a difference (? 2 -? 1) between the viscosity value? 1 before storage and the viscosity value? 2 after storage for 14 days at a temperature of 30 占 폚 is obtained. The viscosity is measured by spiral viscosity measurement (measurement temperature: 25 캜, rotation speed: 10 rpm).

그리고, 점도값의 차의 결과에 의거하여 하기 기준에 따라 보존 안정성을 평가했다.Then, on the basis of the difference in viscosity value, the storage stability was evaluated according to the following criteria.

A: 점도값의 차가 -100㎩·s 초과 100㎩·s 미만이다.A: The difference in viscosity value is greater than -100 Pa · s and less than 100 Pa · s.

C: 점도값의 차가 -100㎩·s 이하, 또는 100㎩·s 이상이다.C: Difference in viscosity value is -100 Pa s or less, or 100 Pa s or more.

(2) 미드칩 솔더볼(2) Midchip Solder Ball

칩 부품(1608칩 및 1005칩)을 탑재할 수 있는 평가용 기판(Tamura Corporation제의 「SP-TDC」)에 120㎛ 두께의 메탈 마스크를 사용하여 땜납 조성물을 인쇄하고, 칩 부품 60개를 탑재하고, 리플로우로(Tamura Corporation제)에서 땜납 조성물을 용해시켜 납땜을 행한 것을 시험판으로 한다. 여기에서의 리플로우 조건은 프리히트 온도가 150~180℃(60초)이며, 온도 220℃ 이상의 시간이 50초간이며, 피크 온도가 245℃이다. 얻어진 시험판을 확대경으로 관찰하여 칩 부품의 근처에 발생한 땜납 볼의 수(개/칩)를 측정했다.A solder composition was printed on a substrate for evaluation ("SP-TDC" manufactured by Tamura Corporation) capable of mounting chip components (1608 chips and 1005 chips) using a metal mask having a thickness of 120 μm, And the solder composition is melted in reflow furnace (made by Tamura Corporation) and soldered, is used as a test board. Here, the reflow condition is a preheat temperature of 150 to 180 ° C (60 seconds), a temperature of 220 ° C or more for 50 seconds, and a peak temperature of 245 ° C. The obtained test plate was observed with a magnifying glass to measure the number of solder balls (chips / chips) generated in the vicinity of the chip components.

그리고, 땜납 볼의 수(개/칩)의 결과에 의거하여 하기 기준에 따라 미드칩 솔더볼을 평가했다. 또한, 1608칩을 사용했을 경우 및 1005칩을 사용했을 경우에 대하여 각각 평가했다.Then, based on the results of the number of solder balls (pieces / chip), the mid-chip solder balls were evaluated according to the following criteria. Further, evaluation was made for the case of using the 1608 chip and the case of using the 1005 chip, respectively.

A: 칩당 땜납 볼의 수가 1개 미만이다.A: The number of solder balls per chip is less than one.

B: 칩당 땜납 볼의 수가 1개 이상 2개 미만이다.B: The number of solder balls per chip is one or more and less than two.

C: 칩당 땜납 볼의 수가 2개 이상 3개 미만이다.C: The number of solder balls per chip is 2 or more and less than 3.

D: 칩당 땜납 볼의 수가 3개 이상이다.D: The number of solder balls per chip is 3 or more.

(3) 핀간 솔더볼(3) Pinned solder balls

0.8㎜ 피치의 QFP(Quad Flat ㎩ckage) 패턴을 갖는 평가용 기판(Tamura Corporation제의 「SP-TDC」)에 120㎛ 두께의 메탈 마스크를 사용하여 땜납 조성물을 인쇄하고, 리플로우로에서 땜납 조성물을 용해시켜 납땜을 행한 것을 시험판으로 한다. 여기에서의 리플로우 조건은 프리히트 온도가 150~180℃(60초)이며, 온도 220℃ 이상의 시간이 50초간이며, 피크 온도가 245℃이다. 얻어진 시험판을 확대경으로 관찰하여 0.8㎜ 피치의 QFP 랜드의 핀의 간격에 발생한 땜납 볼의 수(개/핀)를 측정했다.A solder composition was printed on a substrate (SP-TDC, manufactured by Tamura Corporation) having a QFP (Quad Flat Packing) pattern with a pitch of 0.8 mm by using a metal mask having a thickness of 120 탆 and the solder composition Is melted and soldered, is used as a test board. Here, the reflow condition is a preheat temperature of 150 to 180 ° C (60 seconds), a temperature of 220 ° C or more for 50 seconds, and a peak temperature of 245 ° C. The obtained test plate was observed with a magnifying glass to measure the number (solder / pin) of solder balls generated in the intervals of the pins of the QFP land having a pitch of 0.8 mm.

그리고, 땜납 볼의 수(개/핀)의 결과에 의거하여 하기 기준에 따라 핀간 솔더볼을 평가했다.Then, based on the results of the number of solder balls (pins / pins), the pinned solder balls were evaluated according to the following criteria.

A: 핀당 땜납 볼의 수가 10개 미만이다.A: The number of solder balls per pin is less than 10.

B: 핀당 땜납 볼의 수가 10개 이상 15개 미만이다.B: The number of solder balls per pin is 10 or more and less than 15.

C: 핀당 땜납 볼의 수가 15개 이상 100개 미만이다.C: The number of solder balls per pin is 15 or more and less than 100.

D: 핀당 땜납 볼의 수가 100개 이상이다.D: More than 100 solder balls per pin.

(4) 땜납 퍼짐(양은)(4) Solder Spread (quantity)

양은 기판(30㎜×30㎜×0.3㎜t)에 땜납 조성물을 0.30g±0.03g이 되도록 얹고, 그 후 핫플레이트에서 온도 240℃에서 30초간 가열한다. 마이크로미터로 퍼진 땜납의 높이(H)를 측정하고, 퍼짐률(Sr)을 하기 식(F1)으로부터 구한다. 이 조작을 5매 반복하여 평균값을 시료의 퍼짐률로 한다.An amount of the solder composition was placed on a substrate (30 mm x 30 mm x 0.3 mm t) so that the solder composition was 0.30 g 0.03 g, and then heated on a hot plate at 240 DEG C for 30 seconds. The height H of the solder spread by the micrometer is measured, and the spreading rate Sr is obtained from the following formula (F1). This operation is repeated five times, and the average value is determined as the spreading rate of the sample.

Sr=(D-H)/D×100···(F1)Sr = (D-H) / D x 100 (F1)

D=1.24V1/3···(F2)D = 1.24 V 1/3 (F2)

Sr: 퍼짐률(%)Sr: spread rate (%)

H: 퍼진 땜납의 높이(㎜)H: Height of spread solder (mm)

D: 시험에 사용한 땜납을 구(球)로 간주했을 경우의 직경(㎜)D: Diameter (mm) when the solder used in the test is regarded as a sphere.

V: 시험에 사용한 땜납의 질량/밀도V: mass / density of solder used in test

그리고, 퍼짐률(Sr)의 결과에 의거하여 하기 기준에 따라 땜납 퍼짐을 평가했다.Then, based on the results of the spreading rate (Sr), the solder spread was evaluated according to the following criteria.

A: 퍼짐률이 87% 이상이다.A: The spread rate is more than 87%.

B: 퍼짐률이 80% 이상 87% 미만이다.B: The spreading ratio is 80% or more and less than 87%.

C: 퍼짐률이 70% 이상 80% 미만이다.C: The spreading ratio is 70% or more and less than 80%.

D: 퍼짐률이 70% 미만이다.D: The spreading rate is less than 70%.

Figure pat00007
Figure pat00007

표 1에 나타내는 결과로부터도 명백한 바와 같이 본 발명의 땜납 조성물(실시예 1 및 2)은 보존 안정성, 미드칩 솔더볼, 핀간 솔더볼 및 땜납 퍼짐의 결과가 모두 양호하며, 충분한 땜납 용융성 및 충분한 보존 안정성을 갖는 것이 확인되었다.As apparent from the results shown in Table 1, the solder compositions (Examples 1 and 2) of the present invention had both good storage stability, midchip solder ball, pinned solder ball and solder spreading results, sufficient solder melting property and sufficient storage stability .

이에 대하여 비교예 1~5에서 얻어진 땜납 조성물은 보존 안정성, 미드칩 솔더볼, 핀간 솔더볼 및 땜납 퍼짐의 결과의 적어도 어느 하나가 불충분한 것을 알 수 있었다.In contrast, the solder compositions obtained in Comparative Examples 1 to 5 were found to be insufficient in at least one of the results of storage stability, mid chip solder ball, pinned solder ball and solder spread.

또한, 본 발명의 땜납 조성물(실시예 1 및 2)은 할로겐계 활성제를 함유하지 않고 있으므로 할로겐 프리이다.Further, the solder composition of the present invention (Examples 1 and 2) is halogen-free since it does not contain a halogen-based activator.

[실시예 3~11][Examples 3 to 11]

표 2에 나타내는 조성에 따라 각 재료를 배합한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 플럭스 조성물 및 땜납 조성물을 얻었다.A flux composition and a solder composition were obtained in the same manner as in Example 1 except that each material was blended according to the composition shown in Table 2.

또한, 얻어진 땜납 조성물의 평가(보존 안정성, 미드칩 솔더볼, 핀간 솔더볼, 땜납 퍼짐(양은))를 상술한 방법으로 행했다. 얻어진 결과를 표 2에 나타낸다.Evaluation of the obtained solder composition (storage stability, midchip solder ball, pinned solder ball, solder spread (amount of silver)) was performed by the above-described method. The obtained results are shown in Table 2.

또한, 실시예 11의 보존 안정성의 평가는 보관 시간을 14일간부터 7일간으로 변경하여 행하고 있다. 또한, 실시예 11의 미드칩 솔더볼 및 핀간 솔더볼의 평가에서는 리플로우 조건이 프리히트 온도가 30~120℃(90초)이며, 땜납의 융점 온도(218~220℃)까지 4℃/s로 승온시켜 220℃ 이상의 시간이 30~45초간이며, 피크 온도가 245℃이다.The storage stability of Example 11 was evaluated by changing the storage time from 14 days to 7 days. In the evaluation of the midchip solder ball and the pinned solder ball of Example 11, the reflow conditions were a preheat temperature of 30 to 120 占 폚 (90 seconds), a temperature rise of 4 占 폚 / s to a melting point temperature of solder (218 to 220 占 폚) The time of 220 ° C or more is 30 to 45 seconds, and the peak temperature is 245 ° C.

Figure pat00008
Figure pat00008

표 2에 나타내는 결과로부터도 명백한 바와 같이 본 발명의 땜납 조성물(실시예 3~11)은 보존 안정성, 미드칩 솔더볼, 핀간 솔더볼 및 땜납 퍼짐의 결과가 모두 양호하며, 충분한 땜납 용융성 및 충분한 보존 안정성을 갖는 것이 확인되었다.As apparent from the results shown in Table 2, the solder compositions (Examples 3 to 11) of the present invention had satisfactory storage stability, midchip solder ball, pinned solder ball and solder spreading results, sufficient solder melting property and sufficient storage stability .

Claims (16)

(A) 수지와, (B) 활성제를 함유하고,
상기 (B)성분이 (B1) 분자 중에 하기 구조식(1)으로 나타내어지는 구조를 갖는 카르복실산 부가물 및 (B2) 아민류를 함유하는 것을 특징으로 하는 플럭스 조성물.
Figure pat00009
(A) a resin, and (B) an activator,
Wherein the component (B) contains a carboxylic acid adduct having a structure represented by the following structural formula (1) in the molecule (B1) and an amine (B2).
Figure pat00009
제 1 항에 있어서,
상기 (B1)성분이 하기 일반식(2)으로 나타내어지는 카르복실산 부가물인 것을 특징으로 하는 플럭스 조성물.
Figure pat00010

[일반식(2) 중, n은 1~6의 정수를 나타내고, X1은 1가~6가의 탄화수소기 또는 유기기, 또는 단결합을 나타내고, X2는 -R1 또는 -R2-OH를 나타내고, R1은 알킬기이며, R2는 알킬렌기 또는 옥시알킬렌기이다.]
The method according to claim 1,
Wherein the component (B1) is a carboxylic acid adduct represented by the following general formula (2).
Figure pat00010

Wherein n represents an integer of 1 to 6, X 1 represents a hydrocarbon group of 1 to 6 valency, an organic group or a single bond, X 2 represents -R 1 or -R 2 -OH , R 1 is an alkyl group, and R 2 is an alkylene group or an oxyalkylene group.]
제 1 항에 있어서,
상기 (B1)성분이 하기 일반식(3)으로 나타내어지는 카르복실산 부가물인 것을 특징으로 하는 플럭스 조성물.
Figure pat00011

[일반식(3) 중, p는 0 이상의 정수를 나타내고, Y1은 치환 또는 무치환의 에틸렌기 또는 프로필렌기를 나타내고, Y2는 -O-L1- 또는 -O-L2-O-L2-을 나타내고, L1 및 L2는 각각 알킬렌기이며, Z는 수소원자, 하기 일반식(3a)으로 나타내어지는 기,또는 하기 일반식(3b)으로 나타내어지는 기를 나타낸다.]
Figure pat00012

Figure pat00013
The method according to claim 1,
Wherein the component (B1) is a carboxylic acid adduct represented by the following general formula (3).
Figure pat00011

[In the general formula (3), p represents an integer of 0 or more, Y 1 is a substituted or unsubstituted ethylene group or a propylene group, Y 2 is -OL 1 - represents, L - or -OL 2 -OL 2 1 and L 2 each represent an alkylene group and Z represents a hydrogen atom, a group represented by the following formula (3a) or a group represented by the following formula (3b).
Figure pat00012

Figure pat00013
제 1 항에 있어서,
상기 (B1)성분의 배합량과 상기 (B2)성분의 배합량의 질량비(B1/B2)가 1/9 이상 9/1 이하인 것을 특징으로 하는 플럭스 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the mass ratio (B1 / B2) of the blending amount of the component (B1) to the blending amount of the component (B2) is 1/9 or more and 9/1 or less.
제 1 항에 있어서,
상기 (A)성분이 (A1) 로진계 수지인 것을 특징으로 하는 플럭스 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the component (A) is a rosin resin (A1).
제 1 항에 있어서,
상기 (A)성분이 (A2) 열경화성 수지인 것을 특징으로 하는 플럭스 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the component (A) is a thermosetting resin (A2).
제 1 항에 있어서,
상기 (B2)성분이 지방족 아민, 방향족 아민, 구아니딘 화합물, 아민 어덕트, 질소 함유 복소환식 화합물 및 아민염으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 플럭스 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the component (B2) is at least one member selected from the group consisting of an aliphatic amine, an aromatic amine, a guanidine compound, an amine adduct, a nitrogen-containing heterocyclic compound and an amine salt.
제 1 항에 있어서,
상기 (B2)성분이 지방족 아민 및 질소 함유 복소환식 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 플럭스 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the component (B2) is at least one member selected from the group consisting of an aliphatic amine and a nitrogen-containing heterocyclic compound.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 플럭스 조성물 중에 있어서의 염소 농도가 900질량ppm 이하이며, 브롬 농도가 900질량ppm 이하이며, 또한 할로겐 농도가 1500질량ppm 이하인 것을 특징으로 하는 플럭스 조성물.
9. The method according to any one of claims 1 to 8,
Wherein the flux composition has a chlorine concentration of 900 mass ppm or less, a bromine concentration of 900 mass ppm or less, and a halogen concentration of 1,500 mass ppm or less.
제 1 항에 기재된 플럭스 조성물과, 땜납 분말을 함유하는 것을 특징으로 하는 땜납 조성물.A solder composition comprising the flux composition according to Claim 1 and a solder powder. 제 10 항에 있어서,
제트 디스펜서 또는 디스펜서를 사용하여 도포하는 것을 특징으로 하는 땜납 조성물.
11. The method of claim 10,
Jet dispenser or a dispenser.
제 10 항에 있어서,
레이저광을 사용하여 가열됨으로써 접착하는 것을 특징으로 하는 땜납 조성물.
11. The method of claim 10,
Wherein the solder composition is adhered by heating using laser light.
제 10 항에 있어서,
패키지 부품의 땜납 범프를 형성하는 것을 특징으로 하는 땜납 조성물.
11. The method of claim 10,
To form a solder bump of the package part.
제 10 항에 있어서,
프린트 배선 기판의 전극 상에 땜납 도금을 형성하는 것을 특징으로 하는 땜납 조성물.
11. The method of claim 10,
Wherein the solder plating is formed on the electrode of the printed wiring board.
제 10 항에 있어서,
땜납 인두를 사용하여 납땜 시에 사용하는 것을 특징으로 하는 땜납 조성물.
11. The method of claim 10,
Wherein the solder composition is used for soldering using a soldering iron.
제 10 항에 기재된 땜납 조성물을 사용한 납땜부를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 기판.
An electronic board comprising a soldering portion using the solder composition according to Claim 10.
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