KR20180093850A - Solar cell panel - Google Patents
Solar cell panel Download PDFInfo
- Publication number
- KR20180093850A KR20180093850A KR1020180093046A KR20180093046A KR20180093850A KR 20180093850 A KR20180093850 A KR 20180093850A KR 1020180093046 A KR1020180093046 A KR 1020180093046A KR 20180093046 A KR20180093046 A KR 20180093046A KR 20180093850 A KR20180093850 A KR 20180093850A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- resin layer
- ultraviolet
- adhesive layer
- base member
- solar cell
- Prior art date
Links
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 38
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 161
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 139
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 139
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 86
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 79
- 239000000326 ultraviolet stabilizing agent Substances 0.000 claims description 79
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 51
- 239000012963 UV stabilizer Substances 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 25
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 23
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 18
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 17
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 15
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 10
- -1 polyethylene Polymers 0.000 claims description 9
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 8
- 238000012216 screening Methods 0.000 claims description 8
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 claims description 7
- 229940116351 sebacate Drugs 0.000 claims description 7
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 claims description 6
- 239000004611 light stabiliser Substances 0.000 claims description 6
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 claims description 5
- XITRBUPOXXBIJN-UHFFFAOYSA-N bis(2,2,6,6-tetramethylpiperidin-4-yl) decanedioate Chemical group C1C(C)(C)NC(C)(C)CC1OC(=O)CCCCCCCCC(=O)OC1CC(C)(C)NC(C)(C)C1 XITRBUPOXXBIJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 4
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 4
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 claims description 4
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 4
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 claims description 4
- 239000000516 sunscreening agent Substances 0.000 claims description 4
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 3
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 claims description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 claims description 2
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 claims description 2
- RSOILICUEWXSLA-UHFFFAOYSA-N bis(1,2,2,6,6-pentamethylpiperidin-4-yl) decanedioate Chemical compound C1C(C)(C)N(C)C(C)(C)CC1OC(=O)CCCCCCCCC(=O)OC1CC(C)(C)N(C)C(C)(C)C1 RSOILICUEWXSLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QHSJIZLJUFMIFP-UHFFFAOYSA-N ethene;1,1,2,2-tetrafluoroethene Chemical group C=C.FC(F)=C(F)F QHSJIZLJUFMIFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 2
- CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-L sebacate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)CCCCCCCCC([O-])=O CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 150000000180 1,2-diols Chemical class 0.000 claims 1
- APARLUYYRFOLNU-UHFFFAOYSA-N CN1CCC(CC1)OC(=O)CCCCCCCCC(=O)O Chemical compound CN1CCC(CC1)OC(=O)CCCCCCCCC(=O)O APARLUYYRFOLNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 87
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 51
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 21
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002981 blocking agent Substances 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 3
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- OTCWVYFQGYOYJO-UHFFFAOYSA-N 1-o-methyl 10-o-(1,2,2,6,6-pentamethylpiperidin-4-yl) decanedioate Chemical compound COC(=O)CCCCCCCCC(=O)OC1CC(C)(C)N(C)C(C)(C)C1 OTCWVYFQGYOYJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 241000208340 Araliaceae Species 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000005035 Panax pseudoginseng ssp. pseudoginseng Nutrition 0.000 description 1
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LULYJMXULQMGSH-UHFFFAOYSA-N bis(1,2,2,6,6-pentamethylpiperidin-4-yl) decanedioate decanedioic acid Chemical compound C(CCCCCCCCC(=O)OC1CC(N(C(C1)(C)C)C)(C)C)(=O)OC1CC(N(C(C1)(C)C)C)(C)C.C(CCCCCCCCC(=O)O)(=O)O LULYJMXULQMGSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000008434 ginseng Nutrition 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 239000012463 white pigment Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
- H01L31/0684—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells double emitter cells, e.g. bifacial solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
- H01L31/0481—Encapsulation of modules characterised by the composition of the encapsulation material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
- H01L31/049—Protective back sheets
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 태양 전지 패널에 관한 것으로서, 좀더 상세하게는, 양면 수광형 태양 전지를 포함하는 태양 전지 패널에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE
최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예상되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중에서도 태양 전지는 태양광 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 차세대 전지로서 각광받고 있다. With the recent depletion of existing energy sources such as oil and coal, interest in alternative energy to replace them is increasing. Among them, solar cells are attracting attention as a next-generation battery that converts solar energy into electric energy.
이러한 태양 전지는 외부 환경에 장기간 노출되어야 하므로, 태양 전지를 보호하기 위한 패키징(packaging) 공정에 의하여 패널 형태로 제조된다. 이렇게 제조된 태양 전지 패널은 다양한 환경에서 발전을 하여야 하므로 다양한 환경에서 오랜 시간 동안 발전을 할 수 있도록 높은 장기 신뢰성을 가져야 한다. Since the solar cell must be exposed to the external environment for a long time, it is manufactured in a panel form by a packaging process for protecting the solar cell. Since the solar cell panel manufactured in this way must be developed in various environments, it must have high long-term reliability so that it can be generated for a long time in various environments.
한편, 태양 전지 패널은 자외선에 의한 열화 등의 문제를 방지하기 위하여 태양 전지 패널의 후면부에 자외선 차단제를 포함시키거나 태양 전지 패널의 후면부를 광 투과성이 거의 없는 물질로 구성하여 광을 반사 또는 차단하는 것이 일반적이었다. 이러한 태양 전지 패널에 양면으로 광이 수광되는 양면 수광형 구조의 태양 전지가 적용되면, 후면으로 입사되는 광 또는 자외선을 광전 변환에 이용하기 어려워 태양 전지 패널의 효율 또는 출력을 향상시키는 데 한계가 있었다. In order to prevent problems such as deterioration due to ultraviolet rays, the solar panel may include an ultraviolet screening agent on the rear surface of the solar panel or a rear surface portion of the solar panel may be formed of a material having little optical transparency to reflect or block the light. It was common. When a solar cell having a double-side light receiving structure in which light is received on both sides of the solar cell panel is applied, it is difficult to utilize light or ultraviolet rays incident on the backside for photoelectric conversion, thereby limiting the efficiency or output of the solar cell panel .
본 발명은 효율 및 출력을 향상할 수 있는 태양 전지 패널을 제공하고자 한다. The present invention provides a solar cell panel capable of improving efficiency and power.
본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 패널은, 양면 수광형 태양 전지; 상기 양면 수광형 태양 전지의 전면에 위치하는 전면부; 및 상기 양면 수광형 태양 전지의 후면에 위치하는 후면부를 포함하고, 상기 후면부가 자외선 투과성을 가진다. A solar cell panel according to an embodiment of the present invention includes a double-side light-receiving solar cell; A front part positioned on a front surface of the double-sided light receiving type solar cell; And a rear portion positioned on a rear surface of the double-sided light receiving type solar cell, wherein the rear portion has ultraviolet transmittance.
본 실시예에서는 후면부가 자외선 투과성을 가져 양면 수광형 구조의 태양 전지가 적용될 경우에 후면으로 입사하는 자외선을 광전 변환에 사용하도록 할 수 있다. 이에 의하여 후면부가 자외선 차단제를 포함하지 않는다. 대신, 후면부를 구성하는 복수의 층 중 적어도 하나가 자외선 안정제를 포함하여 자외선에 의한 문제를 최소화 또는 방지할 수 있다. In this embodiment, when a solar cell having a double-side light receiving structure is used because the rear portion has ultraviolet ray transmittance, ultraviolet rays incident on the rear surface can be used for photoelectric conversion. Thereby, the rear portion does not contain the ultraviolet screening agent. Instead, at least one of the plurality of layers constituting the back surface may include a UV stabilizer to minimize or prevent problems caused by ultraviolet light.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지 패널을 개략적으로 도시한 분해 사시도이다.
도 2는 도 1의 II-II 선을 따라서 잘라서 본 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지를 도시한 단면도이다.
도 4는 도 1에 도시한 태양 전지의 전면 평면도이다.
도 5는 광의 파장에 따른 태양광 스펙트럼에 대한 강도(intensity)의 상대값을 도시한 그래프이다.
도 6은 광의 파장에 따른 태양 전지의 양자 효율을 도시한 그래프이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양 전지 패널의 일부를 도시한 부분 확대도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양 전지 패널의 일부를 도시한 부분 확대도이다.
도 9은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양 전지 패널의 일부를 도시한 부분 확대도이다.
도 10는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양 전지 패널의 일부를 도시한 부분 확대도이다.
도 11은 실시예 1 및 비교예 1에 따른 후면부의 투과율을 측정한 결과를 나타낸 그래프이다. 1 is an exploded perspective view schematically illustrating a solar cell panel according to an embodiment of the present invention.
2 is a sectional view cut along the line II-II in Fig.
3 is a cross-sectional view illustrating a solar cell according to an embodiment of the present invention.
4 is a front plan view of the solar cell shown in FIG.
FIG. 5 is a graph showing the relative value of intensity with respect to the solar spectrum according to the wavelength of light. FIG.
6 is a graph showing the quantum efficiency of a solar cell according to the wavelength of light.
7 is a partial enlarged view of a part of a solar cell panel according to another embodiment of the present invention.
8 is a partial enlarged view of a part of a solar cell panel according to another embodiment of the present invention.
9 is a partial enlarged view of a part of a solar cell panel according to another embodiment of the present invention.
10 is a partial enlarged view of a part of a solar cell panel according to another embodiment of the present invention.
Fig. 11 is a graph showing the results of measurement of the transmittance of the back surface according to Example 1 and Comparative Example 1. Fig.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명이 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니며 다양한 형태로 변형될 수 있음은 물론이다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, it is needless to say that the present invention is not limited to these embodiments and can be modified into various forms.
도면에서는 본 발명을 명확하고 간략하게 설명하기 위하여 설명과 관계 없는 부분의 도시를 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 극히 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 참조부호를 사용한다. 그리고 도면에서는 설명을 좀더 명확하게 하기 위하여 두께, 넓이 등을 확대 또는 축소하여 도시하였는바, 본 발명의 두께, 넓이 등은 도면에 도시된 바에 한정되지 않는다. In the drawings, the same reference numerals are used for the same or similar parts throughout the specification. In the drawings, the thickness, the width, and the like are enlarged or reduced in order to make the description more clear, and the thickness, width, etc. of the present invention are not limited to those shown in the drawings.
그리고 명세서 전체에서 어떠한 부분이 다른 부분을 "포함"한다고 할 때, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 부분을 배제하는 것이 아니며 다른 부분을 더 포함할 수 있다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 위치하는 경우도 포함한다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 위치하지 않는 것을 의미한다. Wherever certain parts of the specification are referred to as "comprising ", the description does not exclude other parts and may include other parts, unless specifically stated otherwise. Also, when a portion of a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it also includes the case where another portion is located in the middle as well as the other portion. When a portion of a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "directly on" another portion, it means that no other portion is located in the middle.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 패널을 상세하게 설명한다. Hereinafter, a solar cell panel according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지 패널을 개략적으로 도시한 분해 사시도이고, 도 2는 도 1의 II-II 선을 따라서 잘라서 본 단면도이다. FIG. 1 is an exploded perspective view schematically showing a solar cell panel according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view cut along a line II-II in FIG.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 태양 전지 패널(100)은, 양면 수광형(bi-facial) 구조를 가지는 태양 전지(150)와, 태양 전지(150)의 전면에 위치하는 전면부(FP)와, 태양 전지(150)의 후면에 위치하는 후면부(RP)를 포함하고, 후면부(RP)가 자외선 투과성을 가진다. 그리고 전면부(FP)도 자외선 투과성을 가질 수 있다. 여기서, 전면부(FP)는, 태양 전지(150)의 전면에 위치하는 전면 부재(110)와, 태양 전지(150)와 전면 부재(110) 사이에 위치한 제1 밀봉재(131)를 포함할 수 있다. 그리고 후면부(RP)는, 태양 전지(150)의 후면에 위치하는 후면 부재(200)와, 태양 전지(150)와 후면 부재(200) 사이에 위치하는 제2 밀봉재(132)를 포함할 수 있다. 이를 좀더 상세하게 설명한다. 1 and 2, the
먼저, 태양 전지(150)는, 태양 전지를 전기 에너지로 변환하는 광전 변환부와, 광전 변환부에 전기적으로 연결되어 전류를 수집하여 전달하는 전극을 포함할 수 있다. 본 실시예에서는 일례로 반도체 기판(일례로, 실리콘 웨이퍼)과 도전형 영역을 포함하는 광전 변환부가 적용될 수 있다. 이때, 태양 전지(150)는 반도체 기판의 양면으로 광이 수광될 수 있는 양면 수광형 구조를 가질 수 있다. 이러한 양면 수광형 구조의 태양 전지(150)의 일 예를 도 3 및 도 4을 참조하여 상세하게 설명한 다음, 다시 도 1 및 도 2를 참조하여 태양 전지 패널(100)에 대하여 상세하게 설명한다.First, the
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지(150)를 도시한 단면도이고, 도 4는 도 1에 도시한 태양 전지(150)의 전면 평면도이다. FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a
본 실시예에서 태양 전지(150)는, 베이스 영역(10)을 포함하는 반도체 기판(152)과, 반도체 기판(152)에 또는 반도체 기판(152) 위에 형성되는 도전형 영역(20, 30)과, 도전형 영역(20, 30)에 연결되는 전극(42, 44)을 포함한다. 여기서, 도전형 영역(20, 30)은 서로 다른 도전형을 가지는 제1 도전형 영역(20)과 제2 도전형 영역(30)을 포함할 수 있고, 전극(42, 44)은 제1 도전형 영역(20)에 연결되는 제1 전극(42)과 제2 도전형 영역(30)에 연결되는 제2 전극(44)을 포함할 수 있다. 이를 좀더 상세하게 설명한다. In this embodiment, the
반도체 기판(152)은 제1 또는 제2 도전형 도펀트를 상대적으로 낮은 도핑 농도로 포함하여 제1 또는 제2 도전형을 가지는 베이스 영역(10)을 포함할 수 있다. 일 예로, 베이스 영역(10)은 제2 도전형을 가질 수 있다. 베이스 영역(10)은 제1 또는 제2 도전형 도펀트를 포함하는 단일 결정질 반도체(예를 들어, 단일 단결정 또는 다결정 반도체, 일 예로, 단결정 또는 다결정 실리콘, 특히 단결정 실리콘)로 구성될 수 있다. 이와 같이 결정성이 높아 결함이 적은 베이스 영역(10) 또는 반도체 기판(152)을 기반으로 한 태양 전지(150)은 전기적 특성이 우수하다. The
그리고 반도체 기판(152)의 전면 및 후면에는 반사를 최소화할 수 있는 반사 방지 구조가 형성될 수 있다. 일 예로, 반사 방지 구조로 피라미드 등의 형태의 요철을 가지는 텍스쳐링(texturing) 구조를 구비할 수 있다. 반도체 기판(152)에 형성된 텍스쳐링 구조는 반도체의 특정한 결정면(예를 들어, (111)면)을 따라 형성된 외면을 가지는 일정한 형상(일 예로, 피라미드 형상))을 가질 수 있다. 이와 같은 텍스쳐링에 의해 반도체 기판(152)의 전면 등에 요철이 형성되어 표면 거칠기가 증가되면, 반도체 기판(152) 내부로 입사되는 광의 반사율을 낮춰 광 손실을 최소화할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 반도체 기판(152)의 일면에만 텍스처링 구조가 형성되거나, 반도체 기판(152)의 전면 및 후면에 텍스처링 구조가 형성되지 않을 수 있다. An anti-reflection structure capable of minimizing reflection can be formed on the front and rear surfaces of the
반도체 기판(152)의 일면(일 예로, 전면) 쪽에는 제1 도전형을 가지는 제1 도전형 영역(20)이 형성될 수 있다. 그리고 반도체 기판(152)의 후면 쪽에는 제2 도전형을 가지는 제2 도전형 영역(30)이 형성될 수 있다. 이때, 제1 및 제2 도전형 영역(20, 30)은 베이스 영역(10)과 다른 도전형을 가지거나, 베이스 영역(10)과 동일한 도전형을 가지면서 베이스 영역(10)보다 높은 도핑 농도를 가진다. A first
본 실시예에서는 제1 및 제2 도전형 영역(20, 30)이 반도체 기판(152)의 일부를 구성하는 도핑 영역으로 구성될 수 있다. 제1 도전형 영역(20)이 제1 도전형 도펀트를 포함하는 결정질 반도체(예를 들어, 단결정 또는 다결정 반도체, 일 예로, 단결정 또는 다결정 실리콘, 특히 단결정 실리콘)로 구성될 수 있다. 그리고 제2 도전형 영역(30)이 제2 도전형 도펀트를 포함하는 결정질 반도체(예를 들어, 단결정 또는 다결정 반도체, 일 예로, 단결정 또는 다결정 실리콘, 특히 단결정 실리콘)로 구성될 수 있다. 이와 같이 제1 및 제2 도전형 영역(20, 30)이 반도체 기판(152)의 일부를 구성하면 베이스 영역(10)과의 접합 특성을 향상할 수 있다. In this embodiment, the first and second
이때, 도면에서는 제1 도전형 영역(20)이 전체적으로 형성되며 균일한 도핑 농도를 가지는 균일한 구조(homogeneous structure)를 가지고, 제2 도전형 영역(30)도 균일한 구조를 가지는 것을 예시하였다. 그러면 제1 및 제2 도전형 영역(20, 30)의 면적을 충분하게 확보할 수 있으며 제1 및 제2 도전형 영역(20, 30)을 간단한 공정에 의하여 형성할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 제1 도전형 영역(20)이 균일한 구조 또는 선택적 구조(selective structure)일 수 있고, 제2 도전형 영역(30)이 균일한 구조, 선택적 구조 또는 국부적 구조(local structure)를 가질 수 있다. 선택적 구조에서는 제1 또는 제2 도전형 영역(20, 30) 중에서 제1 또는 제2 전극(42, 44)과 인접한 부분에서 높은 도핑 농도, 큰 정션 깊이 및 낮은 저항을 가지며, 그 외의 부분에서 낮은 도핑 농도, 작은 정션 깊이 및 높은 저항을 가질 수 있다. 선택적 구조에서는 제1 또는 제2 전극(42, 44)과의 접촉 저항을 줄이면서도 재결합 특성을 향상할 수 있다. 국부적 구조에서는 제2 도전형 영역(30)이 제2 전극(44)에 인접한 부분에서 국부적으로 형성된다. 국부적 구조에서는 제2 도전형 영역(30)의 면적을 최소화하여 재결합을 저감하는 것에 의하여 단락 전류 밀도(short-circuit current, Jsc) 및 개방 전압을 향상할 수 있다. 그 외의 다양한 구조가 적용될 수 있다. At this time, in the drawing, the first
또는, 제1 및 제2 도전형 영역(20, 30) 중 적어도 하나가 반도체 기판(152)의 위에서 반도체 기판(152)과 별개로 형성될 수 있다. 이 경우에 제1 또는 제2 도전형 영역(20, 30)이 반도체 기판(152) 위에 쉽게 형성될 수 있도록 반도체 기판(152)과 다른 결정 구조를 가지는 반도체층(예를 들어, 비정질 반도체층, 미세 결정 반도체층, 또는 다결정 반도체층, 일 예로, 비정질 실리콘층, 미세 결정 실리콘층 또는 다결정 실리콘층)으로 구성될 수 있다. 이때, 제1 및 제2 도전형 영역(20,30)와 반도체 기판(152) 사이에 별도의 층(터널링층, 패시베이션층 등)이 형성될 수 있다. Alternatively, at least one of the first and second
제1 및 제2 도전형 영역(20, 30) 중 베이스 영역(10)과 다른 도전형을 가지는 하나의 영역은 에미터 영역의 적어도 일부를 구성한다. 에미터 영역은 베이스 영역(10)과 pn 접합을 형성하여 광전 변환에 의하여 캐리어를 생성한다. 제1 및 제2 도전형 영역(20, 30) 중 베이스 영역(10)과 동일한 도전형을 가지는 다른 하나는 전계(surface field) 영역의 적어도 일부를 구성한다. 전계 영역은 반도체 기판(152)의 표면에서 재결합에 의하여 캐리어가 손실되는 것을 방지하는 전계를 형성한다. 일 예로, 본 실시예에서는 베이스 영역(10)이 제2 도전형을 가져, 제1 도전형 영역(20)이 에미터 영역을 구성하고, 제2 도전형 영역(30)이 후면 전계 영역을 구성할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. One of the first and second
본 실시예에서는 제1 또는 제2 도전형 도펀트로는 n형 또는 p형을 나타낼 수 있는 다양한 물질을 사용할 수 있다. p형 도펀트로는 보론(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등의 3족 원소를 사용할 수 있다. n형일 경우에는 인(P), 비소(As), 비스무스(Bi), 안티몬(Sb) 등의 5족 원소를 사용할 수 있다. 일 예로, p형 도펀트가 보론(B)이고 n형 도펀트가 인(P)일 수 있다. In the present embodiment, various materials which can represent n-type or p-type can be used as the first or second conductivity type dopant. As the p-type dopant, a group III element such as boron (B), aluminum (Al), gallium (Ga), or indium (In) can be used. In the case of the n-type, Group 5 elements such as phosphorus (P), arsenic (As), bismuth (Bi) and antimony (Sb) can be used. For example, the p-type dopant may be boron (B) and the n-type dopant may be phosphorus (P).
일 예로, 본 실시예에서 베이스 영역(10) 및 제2 도전형 영역(30)이 n형을 가지고, 제1 도전형 영역(20)이 p형을 가질 수 있다. 그러면, 베이스 영역(10)과 제1 도전형 영역(20)이 pn 접합을 이룬다. 이러한 pn 접합에 광이 조사되면 광전 효과에 의해 생성된 전자가 반도체 기판(152)의 후면 쪽으로 이동하여 제2 전극(44)에 의하여 수집되고, 정공이 반도체 기판(152)의 전면 쪽으로 이동하여 제1 전극(42)에 의하여 수집된다. 이에 의하여 전기 에너지가 발생한다. 그러면, 전자보다 이동 속도가 느린 정공이 반도체 기판(152)의 전면으로 이동하여 효율이 향상될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 베이스 영역(10) 및 제2 도전형 영역(30)이 p형을 가지고 제1 도전형 영역(20)이 n형을 가지는 것도 가능하다. For example, in this embodiment, the
그리고 적어도 반도체 기판(152)의 전면 위(좀더 정확하게는, 반도체 기판(152)의 전면에 형성된 제1 도전형 영역(20) 위)에 제1 절연막인 제1 패시베이션막(22) 및/또는 반사 방지막(24)이 위치할 수 있다. 그리고 적어도 반도체 기판(152)의 후면 위(좀더 정확하게는, 반도체 기판(152)의 후면에 형성된 제2 도전형 영역(30) 위)에 제2 절연막인 제2 패시베이션막(32)이 위치할 수 있다. 일 예로, 제1 패시베이션막(22) 및 제2 패시베이션막(32)은 반도체 기판(152)에 접촉하여 형성될 수 있고, 및/또는 반사 방지막(24)은 제1 패시베이션막(22)에 접촉하여 형성될 수 있다. 그러면, 구조를 단순화할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. The first passivation film 22 and / or the second passivation film 22 are formed on at least the front surface of the semiconductor substrate 152 (more precisely, on the first
제1 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24)은 제1 개구부(102)를 제외하고 실질적으로 반도체 기판(152)의 전면 위에 전체적으로 형성될 수 있다. 그리고 제2 패시베이션막(32)은 제2 개구부(104)를 제외하고 반도체 기판(152)의 후면 위에 전체적으로 형성될 수 있다. The first passivation film 22 and the
제1 패시베이션막(22) 또는 제2 패시베이션막(32)은 반도체 기판(152)에 접촉하여 형성되어 반도체 기판(152)의 전면 또는 벌크 내에 존재하는 결함을 부동화 시킨다. 이에 의하여 소수 캐리어의 재결합 사이트를 제거하여 태양 전지(150)의 개방 전압을 증가시킬 수 있다. 반사 방지막(24)은 반도체 기판(152)의 전면으로 입사되는 광의 반사율을 감소시켜 pn 접합까지 도달되는 광량을 증가시킬 수 있다. 이에 따라 태양 전지(150)의 단락 전류(Isc)를 증가시킬 수 있다. The first passivation film 22 or the second passivation film 32 is formed in contact with the
제1 패시베이션막(22), 반사 방지막(24) 및 제2 패시베이션막(32)은 다양한 물질로 형성될 수 있다. 일례로, 제1 패시베이션막(22), 반사 방지막(24) 또는 패시베이션막(32)은 실리콘 질화막, 수소를 포함한 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 산화 질화막, 알루미늄 산화막, 실리콘 탄화막, MgF2, ZnS, TiO2 및 CeO2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 단일막 또는 2개 이상의 막이 조합된 다층막 구조를 가질 수 있다. The first passivation film 22, the
일 예로, 본 실시예에서 제1 패시베이션막(22) 및/또는 반사 방지막(24), 제2 패시베이션막(32)은 우수한 절연 특성, 패시베이션 특성 등을 가질 수 있도록 도펀트 등을 구비하지 않을 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. For example, in the present embodiment, the first passivation film 22 and / or the
제1 전극(42)은 제1 개구부(102)의 적어도 일부를 채우면서 형성되어 제1 도전형 영역(20)에 전기적으로 연결(일 예로, 접촉 형성)되고, 제2 전극(44)은 제2 개구부(104)의 적어도 일부를 채우면서 형성되며 제2 도전형 영역(30)에 전기적으로 연결(일 예로, 접촉 형성)된다. 제1 및 제2 전극(42, 44)은 다양한 도전성 물질(일 예로, 금속)으로 구성되며 다양한 형상을 가질 수 있다. The
도 4를 참조하면, 제1 전극(42)은 일정한 피치를 가지면서 서로 이격되는 복수의 핑거 전극(42a)을 포함할 수 있다. 도면에서는 핑거 전극(42a)이 서로 평행하며 반도체 기판(152)의 가장자리에 평행한 것을 예시하였으나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 그리고 제1 전극(42)은 핑거 전극들(42a)과 교차(일 예로, 직교)하는 방향으로 형성되어 핑거 전극(42a)을 연결하는 버스바 전극(42b)을 포함할 수 있다. 이러한 버스바 전극(42b)은 하나만 구비될 수도 있고, 도 4에 도시된 바와 같이, 핑거 전극(42a)의 피치보다 더 큰 피치를 가지면서 복수 개로 구비될 수도 있다. 이때, 핑거 전극(42a)의 폭보다 버스바 전극(42b)의 폭이 클 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 버스바 전극(42b)의 폭이 핑거 전극(42a)의 폭과 동일하거나 그보다 작은 폭을 가질 수 있다.Referring to FIG. 4, the
단면에서 볼 때, 제1 전극(42)의 핑거 전극(42a) 및 버스바 전극(42b)은 모두 제1 절연막인 제1 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24)을 관통하여 형성될 수도 있다. 즉, 제1 개구부(102)가 제1 전극(42)의 핑거 전극(42a) 및 버스바 전극(42b)에 모두 대응하여 형성될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 예로, 제1 전극(42)의 핑거 전극(42a)이 제1 절연막을 관통하여 형성되고, 버스바 전극(42b)이 제1 절연막 위에 형성될 수 있다. 이 경우에는 제1 개구부(102)가 핑거 전극(42a)에 대응하는 형상으로 형성되고, 버스바 전극(42b)만 위치한 부분에는 형성되지 않을 수 있다.The
제2 전극(44)은 제1 전극(42)의 핑거 전극(42a) 및 버스바 전극(42b)에 각기 대응하는 핑거 전극 및 버스바 전극을 포함할 수 있다. 제2 전극(44)의 핑거 전극 및 버스바 전극에 대해서는 제1 전극(42)의 핑거 전극(42a) 및 버스바 전극(42b)에 대한 내용이 그대로 적용될 수 있다. 이때, 제1 전극(42)에서 제1 절연막인 제1 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24)에 관련된 내용이 제2 전극(44)에서 제2 절연막인 제2 패시베이션막(34)에 그대로 적용될 수 있다. 제1 전극(42)의 핑거 전극(42a) 및 버스바 전극(42b)의 폭, 피치 등은 제2 전극(44)의 핑거 전극 및 버스바 전극의 폭, 피치 등과 서로 동일할 수도 있고 서로 다를 수 있다. The
그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 제1 전극(42)과 제2 전극(44)의 평면 형상이 서로 다른 것도 가능하며, 그 외의 다양한 변형이 가능하다. However, the present invention is not limited thereto, and the
이와 같이 본 실시예에서는 태양 전지(150)의 제1 및 제2 전극(42, 44)이 일정한 패턴을 가져 태양 전지(150)가 반도체 기판(152)의 전면 및 후면으로 광이 입사될 수 있는 양면 수광형 구조를 가진다. 이에 의하여 태양 전지(150)에서 사용되는 광량을 증가시켜 태양 전지(150)의 효율 향상에 기여할 수 있다.As described above, in this embodiment, the first and
상술한 설명에서는 도 3 및 도 4을 참조하여 태양 전지(150)의 일 예를 설명하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 태양 전지(150)의 구조, 방식 등은 다양하게 변형될 수 있다. 일 예로, 태양 전지(150)는 화합물 반도체를 이용하거나, 염료 감응 물질을 이용하는 등의 다양한 구조를 가지는 광전 변환부가 적용될 수 있다.In the above description, an example of the
다시 도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예에서는 태양 전지(150)가 복수 개 구비되며, 복수 개의 태양 전지(150)가 인터커넥터(142)에 의하여 전기적으로 직렬, 병렬 또는 직병렬로 연결될 수 있다. 인커커넥터(142)로는 리본, 와이어 등 태양 전지(150)를 연결할 수 있는 다양한 구조, 형상이 적용될 수 있으며, 본 발명이 각 태양 전지(150)에 사용되는 인터커넥터(142)의 개수 등에 한정되지 않는다. Referring again to FIGS. 1 and 2, a plurality of
구체적으로, 인터커넥터(142)는 태양 전지(150)의 전면에 형성된 제1 전극(도 3 및 도 4의 참조부호 42, 이하 동일)과, 인접한 다른 태양 전지(150)의 후면에 형성된 제2 전극(도 3 및 도 4의 참조부호 44, 이하 동일)을 태빙(tabbing) 공정에 의해 연결할 수 있다. 태빙 공정에서는 솔더 물질을 이용하여 태양 전지(150)의 전극(42, 44)에 인터커넥터(142)를 부착할 수 있다. 3 and 4) formed on the front surface of the
또는, 태양 전지(150)와 인터커넥터(142) 사이에 전도성 필름(미도시)을 부착시킨 다음, 열 압착에 의해 복수의 태양 전지(150)를 직렬 또는 병렬로 연결할 수 있다. 전도성 필름(미도시)은 도전성이 우수한 금, 은, 니켈, 구리 등으로 형성된 도전성 입자가 에폭시 수지, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 폴리카보네이트 수지 등으로 형성된 필름 내에 분산된 것일 수 있다. 이러한 전도성 필름을 열을 가하면서 압착하면 도전성 입자가 필름의 외부로 노출되고, 노출된 도전성 입자에 의해 태양 전지(150)와 인터커넥터(142)이 전기적으로 연결될 수 있다. 이와 같이 전도성 필름(미도시)에 의해 복수의 태양 전지(150)를 연결하여 모듈화하는 경우는, 공정 온도를 저하시킬 수 있어 태양 전지(150)의 휘어짐을 방지할 수 있다.Alternatively, a conductive film (not shown) may be attached between the
또한, 버스 리본(145)은 인터커넥터(142)에 의하여 연결된 하나의 열(列)의 태양 전지(150)(즉, 태양 전지 스트링)의 인터커넥터(142)의 양끝단을 교대로 연결한다. 버스 리본(145)은 하나의 열을 이루는 태양 전지(150)의 단부에서 이와 교차하는 방향으로 배치될 수 있다. 이러한 버스 리본(145)은 태양 전지(150)가 생산한 전기를 모으며 전기가 역류되는 것을 방지하는 정션 박스(미도시)와 연결될 수 있다. The
그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 태양 전지(150) 사이의 연결 구조, 태양 전지(150)와 외부의 연결 구조 등은 다양하게 변형될 수 있다. 또한, 태양 전지 패널(100)이 복수 개의 태양 전지(150)를 구비하지 않고 하나의 태양 전지(150)로 구성되는 것도 가능하다.However, the present invention is not limited thereto, and the connection structure between the
전면 기판(110)은 제1 밀봉재(131) 상에 위치하여 전면부(FP)의 다른 일부로서 태양 전지 패널(100)의 전면을 구성하고, 후면 기판(120)은 제2 밀봉재(132) 상에 위치하여 후면부(RP)의 다른 일부로서 태양 전지(150)의 후면을 구성한다. 이때, 본 실시예에서 태양 전지 패널(100)의 후면부(RP)가 자외선 투과성을 가져 자외선이 투과된다. 그리고 태양 전지 패널(100)의 전면부(FP)가 자외선 투과성을 가져 자외선이 투과되도록 할 수 있다. The
여기서, 자외선 투과성을 가진다 함은 300nm 내지 400nm 파장의 광에 대한 후면부(RP) 또는 전면부(FP)의 투과율이 20% 이상인 것을 의미한다. 여기서, 300nm 내지 400nm 파장의 광에 대한 투과율은 300nm 내지 400nm 파장에 대한 투과율 전체 중에서 가장 낮은 투과율을 기준으로 할 수 있다. 자외선에 해당하는 300nm 내지 400nm 파장의 광을 20% 이상(일 예로, 20% 내지 100%) 투과하면 태양 전지(150)의 광전 변환에 관여하여 태양 전지 패널(100)의 효율 및 출력을 향상할 수 있으므로 이를 기준으로 한 것이다. 일 예로, 300nm 내지 400nm 파장의 광에 대한 후면부(RP) 또는 전면부(FP)의 투과율이 20% 내지 80%일 수 있다. Here, having ultraviolet transmittance means that the transmittance of the rear portion (RP) or the front portion (FP) is 20% or more with respect to light having a wavelength of 300 nm to 400 nm. Here, the transmittance for light having a wavelength of 300 nm to 400 nm may be based on the lowest transmittance among all the transmittances for a wavelength of 300 nm to 400 nm. (For example, 20% to 100%) of light having a wavelength of 300 to 400 nm corresponding to ultraviolet rays is involved in photoelectric conversion of the
이와 같이 후면부(RP)가 자외선 투과성을 가지면, 본 실시예에서와 같이 양면 수광형 구조를 가지는 태양 전지(150)가 적용되는 태양 전지 패널(100)에서 후면으로 입사하는 광, 특히, 그 중에서도 자외선을 사용하여 광전 변환을 추가로 일어나도록 할 수 있다. 광의 파장에 따른 태양광 스펙트럼에 대한 강도(intensity)의 상대값을 도시한 도 5를 참조하면, 300nm 내지 400nm 파장의 광은 전체 태양광 스펙트럼의 총 태양광 스펙트럼 면적에서 일정 수준 이상의 면적을 가지는 것을 알 수 있다. 그리고 광의 파장에 따른 태양 전지의 양자 효율을 도시한 도 6을 참조하면, 300nm 내지 400nm 파장의 광에 의해서도 태양 전지가 광전 변환을 일으킬 수 있음을 알 수 있다. 본 실시예에서는 태양 전지 패널(100)의 후면으로 입사하는 광 중 태양광 스펙트럼에서 일정 수준 이상을 차지하는 자외선을 추가로 사용하는 것에 의하여 태양 전지 패널(100)의 효율 및 출력을 향상할 수 있다. 이와 함께 전면부(FP)도 자외선 투과성을 가지도록 하여 전면으로 입사하는 광의 자외선도 함께 사용하여 광전 변환을 최대화할 수 있다. When the rear portion RP has UV transmittance, the light incident on the rear surface of the
본 실시예에서는 후면부(RP)가 자외선 투과성을 가지므로, 제2 밀봉재(132) 및 후면 부재(200)가 각기 자외선 투과성을 가질 수 있다. 이를 좀더 상세하게 설명한다. In the present embodiment, since the rear portion RP has ultraviolet transmittance, the
본 실시예에서 후면 부재(200)가 수지 시트로 구성될 수 있다. 그러면, 태양 전지 패널(100)의 두께 및 무게를 최소화할 수 있다. 이때, 후면 부재(200)가 투명할 수 있다. 일 예로, 후면 부재(200)가 가시광선 영역의 광에 대하여 80% 이상(일 예로, 80% 내지 100%)의 광 투과율을 가질 수 있다. 예를 들어, 후면 부재(200)가 별도의 안료를 포함하지 않아 투명할 수 있다. 그러면 후면 부재(200)의 자외선 투과성을 더 향상할 수 있다In the present embodiment, the
여기서, 후면 부재(200)가 자외선 안정제(UVS)를 포함하고 자외선 차단제를 포함하지 않을 수 있다. 이에 의하면 후면 부재(200)가 자외선 차단제를 포함하지 않아 자외선이 투과할 수 있도록 하되 자외선 안정제(UVS)를 포함하여 자외선의 투과에 의하여 발생할 수 있는 열화 등의 문제를 방지할 수 있다. Here, the backing
본 실시예에 따른 후면 부재(200)는, 제2 밀봉재(132) 위에 위치하는 제1 수지층(221)과, 제1 수지층(221) 위에 위치하며 제1 수지층(221)과 다른 물질을 가지는 베이스 부재(210)를 포함하고, 베이스 부재(210) 위에 위치하는 제2 수지층(222)을 포함할 수 있다. 그리고 제1 수지층(221)과 베이스 부재(210)를 접착하는 제1 접착층(231)과, 베이스 부재(210)과 제2 수지층(222)을 접착하는 제2 접착층(232)을 더 포함할 수 있다. 그러나 제1 수지층(221) 및 베이스 부재(210)의 물질 및/또는 특성에 따라 제2 수지층(222)은 포함될 수도 있고 포함되지 않을 수도 있다. 그리고 베이스 부재(210), 제1 수지층(221) 및 제2 수지층(222) 중 적어도 하나에 접착 물질을 포함하거나, 제1 수지층(221), 베이스 부재(210)에 제1 및 제2 수지층(221, 222)을 코팅하여 형성할 수도 있다. 이 경우에는 제1 및/또는 제2 접착층(231, 232)이 구비되지 않을 수도 있다. The
먼저, 베이스 부재(210), 제1 수지층(221) 및 제2 수지층(222), 그리고 제1 접착층(231) 및 제2 접착층(232)을 상세하게 설명한 다음, 자외선 안정제(UVS) 및 자외선 차단제에 대하여 상세하게 설명한다. First, the
제2 밀봉재(132) 위에 위치(일 예로, 접촉)하는 제1 수지층(221)은, 제2 밀봉재(132)와의 접착을 위한 층이다. 일 예로, 제2 밀봉재(132)와의 접착력이 베이스 부재(210) 및/또는 제2 수지층(222)(특히, 베이스 부재(210))보다 높다. 이를 고려하여 제1 수지층(221)은 불소계 고분자(fluoro polymer), 또는 폴리올레핀계 물질을 베이스 물질로 포함할 수 있다. 본 명세서에서 베이스 물질이라 함은 각 층 내에서 가장 많은 중량%로 포함된 물질을 의미한다. 불소계 고분자에 대해서는 추후에 제2 수지층(222)에서 상세하게 설명한다. 제1 수지층(221)은 제2 수지층(222)과 동일한 불소계 물질을 사용하여 후면 부재(200)의 내환경성, 신뢰성 등을 향상할 수 있다. 또는, 제1 수지층(221)은 폴리올레핀계 물질을 포함하여 후면 부재(200)의 재료 비용을 절감할 수 있다. 제1 수지층(221)에 포함될 수 있는 폴리올레핀계 물질로는 에틸렌초산비닐(EVA), 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP) 등을 들 수 있다. The
제1 수지층(221) 위에 위치(일 예로, 접촉)하는 베이스 부재(210)는, 제1 수지층(221) 및/또는 제2 수지층(222)을 지지하는 베이스 부재로서의 역할을 할 수 있다. 그리고 베이스 부재(210)는 우수한 절연 특성을 가져 후면 부재(200)의 절연 특성을 향상할 수 있다. 이를 위하여 베이스 부재(210)는 제1 수지층(221) 및/또는 제2 수지층(222)보다 우수한 절연 특성을 가지며 높은 기계적 강도를 가질 수 있다. 예를 들어, 베이스 부재(210)는 수지를 포함할 수 있으며, 일례로, 폴리아미드 또는 폴리에스테르를 베이스 물질로 포함할 수 있다. 폴리에스테르는 기계적 특성, 열적 특성, 전기적 특성, 성형성, 내약품성 등이 우수하여 태양 전지(150)를 보호하는 데 적합하다. The
예를 들어, 폴리에스테르는 일반적인 폴리에스테르 또는 내가수성 폴리에스테르일 수 있다. 일반적인 폴리에스테르는 장기간 사용할 경우에는 가수분해에 의하여 기계적 특성이 저하되는 문제가 발생할 수 있다. 이를 고려하여 내가수성 폴리에스테르를 사용할 수 있다. 내가수성 폴리에스테르는 폴리에스테르에 가수분해성을 줄이기 위한 다양한 물질(일례로, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 인산염, 무기 인삼염 등, 또는 적당한 올리고머)을 첨가하여 제조될 수 있다. 또는, 폴리에스테르의 분자량을 조절하는 것 등에 의하여 제조될 수도 있다. 이 경우 내가수성 폴리에스테르의 분자량은 대략 8,000 내지 10,000일 수 있다. 일반적인 폴리에스테르(분자량이 대략 6,000 내지 8,000) 또는 내가수성 폴리에스테르를 포함하는 베이스 부재(210)로는 알려진 다양한 필름, 시트 등을 사용할 수 있다. For example, the polyester may be a conventional polyester or an aqueous polyester. In general, when the polyester is used for a long period of time, mechanical properties may be deteriorated due to hydrolysis. In view of this, I can use an aqueous polyester. The aqueous polyester can be prepared by adding various materials (for example, phosphates of alkali metals or alkaline earth metals, inorganic ginseng salts, or the like, or suitable oligomers) to the polyester to reduce hydrolysis. Or by controlling the molecular weight of the polyester, or the like. In this case, the molecular weight of the aqueous polyester can be approximately 8,000 to 10,000. Various films, sheets and the like known as a general polyester (having a molecular weight of about 6,000 to 8,000) or a
이때, 폴리에스테르로 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephtalate, PET)를 포함할 수 있다. 폴리에틸렌 테레프탈레이트는 테레프탈산과 에틸렌글리콜의 축합반응에 의해 얻어지는 포화폴리에스테르 수지로서, 내열성, 내후성, 절연성, 기계적 강도 등이 우수하다. 특히, 성형 수축률이 0.1% 내지 0.6% 정도로 작아, 후면 부재(200)가 열에 의해 변형되는 것을 방지할 수 있다.At this time, the polyester may include polyethylene terephthalate (PET). Polyethylene terephthalate is a saturated polyester resin obtained by a condensation reaction of terephthalic acid and ethylene glycol, and is excellent in heat resistance, weather resistance, insulation, and mechanical strength. In particular, the molding shrinkage rate is as small as about 0.1% to 0.6%, and it is possible to prevent the
베이스 부재(210)으로는 상술한 수지를 다양한 방법에 의하여 시트 형태(또는 필름 형태)로 제조된 것을 사용할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 베이스 부재(210)가 다양한 방법에 의하여 제조될 수 있다. As the
베이스 부재(210) 위에 위치(일 예로, 접촉)하는 제2 수지층(222)은, 태양 전지 패널(100)의 외면을 구성하는 층으로서 내환경성(즉, 열 및 수분에 대한 안정성 및 자외선에 대한 내구성)이 우수한 물질로 구성될 수 있다. 즉, 제2 수지층(222)의 열 및 수분에 대한 안정성 및 자외선에 대한 내구성이 제1 수지층(221) 및/또는 베이스 부재(210)(특히, 베이스 부재(210))의 열 및 수분에 대한 안정성 및 자외선에 대한 내구성이 보다 높을 수 있다. The
이를 고려하여 제2 수지층(222)은 불소계 고분자, 폴리에스테르(일 예로, 폴리에틸렌테레프탈레이트) 또는 폴리올레핀계 물질을 베이스 물질로 포함할 수 있다. 특히, 제2 수지층(222)은 폴리불화비닐(poly vinly fluoride, PVF), 폴리불화비닐리덴(poly vinylidene fluoride, PVDF), 에틸렌테트라플루오로에틸렌(ethylene tetrafluoroethylene, ETFE) 등과 같은 불소계 수지를 베이스 수지로 포함할 수 있다. 불소계 수지는 가수 분해의 우려가 있는 결합을 가지고 있지 않기 때문에 내후성, 내약품성 등이 우수하다. 특히, 폴리불화비닐리덴은 (CH2CF2)n의 구조를 지닌 고분자로서, 더블(Double)불소분자 구조를 가지기 때문에, 기계적 성질, 내후성, 내약품성, 내자외선성이 우수하다. 또는, 제2 수지층(222)이 폴리아미드계 물질을 베이스 물질로 포함할 수도 있다. 제2 수지층(222)으로 그 외의 다양한 베이스 물질이 사용될 수 있으며 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. In consideration of this, the
상술한 제1 및 제2 수지층(221, 222) 및 베이스 부재(210)는 각기 투명할 수 있다. 일 예로, 제1 및 제2 수지층(221, 222) 및 베이스 부재(210)는 각기 가시광선 영역의 광에 대하여 80% 이상(일 예로, 80% 내지 100%)의 광 투과율을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 수지층(221, 222) 및 베이스 부재(210)은 각기 별도의 안료를 포함하지 않아 투명할 수 있다. 그러면 제1 및 제2 수지층(221, 222) 및 베이스 부재(210)의 자외선 투과성을 더 향상할 수 있다. 제1 및 제2 수지층(221, 222)은 베이스 부재(210) 위에 코팅 또는 라미네이션에 의하여 형성될 수 있다. The first and second resin layers 221 and 222 and the
제1 수지층(221)과 제2 수지층(222)은 서로 동일한 물질로 구성될 수도 있고, 서로 다른 물질로 구성될 수도 있다. 이때, 원하는 특성에 따라 제1 수지층(221)과 제2 수지층(222)의 물질을 선택하여 사용할 수 있다. 일 예로, 제1 수지층(221)은 비용이 상대적으로 저렴한 폴리올레핀계 물질을 포함하고, 제2 수지층(222)은 내환경성이 우수한 불소계 고분자를 포함할 수 있다. The
일 예로, 제1 수지층(221)의 두께가 5 내지 250um일 수 있다. 제1 수지층(221)의 두께가 5um 미만이면 제1 수지층(221)과 제2 밀봉재(132)의 접착 특성이 우수하지 않을 수 있고, 제1 수지층(221)의 두께가 250um를 초과하면 재료 비용이 증가하고 태양 전지 패널(100)의 두께가 두꺼워질 수 있다. 그리고 베이스 부재(210)의 두께가 30 내지 400um일 수 있다. 베이스 부재(210)의 두께가 30um 미만이면 충분한 절연 특성, 수분 차단성 및 기계적 강도를 가지기 어려울 수 있다. 베이스 부재(210)의 두께가 400um를 초과하면 취급이 불편하고 재료 비용이 증가하며 태양 전지 패널(100)의 두께가 두꺼워질 수 있다. 그리고 제2 수지층(222)의 두께가 0 내지 60um일 수 있다. 제2 수지층(222)은 우수한 자외선 내구성을 가질 수 있는 물질을 사용하여 재료 비용이 비싼 편이므로 60um 이하로 형성하여 비용을 절감할 수 있다. 이러한 제2 수지층(222)은 필수적인 것은 아니므로 제2 수지층(222)을 포함하지 않을 수도 있는데, 이에 대해서는 추후에 상세하게 설명한다. For example, the
또는, 베이스 부재(210)의 두께가 제1 수지층(221) 및 제2 수지층(222)의 두께보다 각기 클 수 있다. 그리고 제2 수지층(222)의 두께가 제1 수지층(221)의 두께와 같거나 이보다 작을 수 있다. 이는 베이스 부재(210)가 후면 부재(200)를 지지하는 역할을 할 수 있도록 충분한 두께를 가지도록 하고, 자외선에 의한 내구성이 높은 제2 수지층(222)은 상대적으로 비싼 물질을 포함하므로 얇게 형성하여 재료 비용을 절감하기 위함이다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 베이스 부재(210), 제1 수지층(221) 및 제2 수지층(222)의 두께는 다양하게 변형될 수 있다. Alternatively, the thickness of the
제1 수지층(221)과 베이스 부재(210) 사이 또는 베이스 부재(210)과 제2 수지층(222) 사이에 위치하여 이들을 접착하는 제1 접착층(231) 및 제2 접착층(232)는 접착 물질을 베이스 물질로 포함할 수 있다. 일 예로, 접착 물질로는 일 예로, 우수한 접착 특성을 가지며 재료 비용도 저렴한 폴리우레탄 계열 또는 아크릴 계열의 접착 물질을 사용할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 접착 물질을 사용할 수 있다. The first
제1 및/또는 제2 접착층(231, 232)의 두께는, 베이스 부재로 기능하는 베이스 부재(210)보다 작을 수 있고, 제1 수지층(221) 및/또는 제2 수지층(222)(특히, 제1 수지층(221))보다 작을 수 있다. 제1 또는 제2 접착층(231, 232)은 접착 특성을 가질 수 있는 정도의 두께만을 가지면 되기 때문이다. 일 예로, 제1 및/또는 제2 접착층(231, 232)의 두께는 3um 내지 30um일 수 있다. 제1 및/또는 제2 접착층(231, 232)의 두께가 3um 미만인 경우에는, 제1 및/또는 제2 접착층(231, 232)의 접착 특성이 저하될 수 있다. 제1 및/또는 제2 접착층(231, 232)의 두께가 30um를 초과하면, 후면 부재(200)의 두께가 두꺼워지고 재료 비용이 증가할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 변형이 가능하다. The thickness of the first and / or second
그러나 앞서 설명한 바와 같이 베이스 부재(210), 제1 및 제2 수지층(221, 222)이 다양한 두께를 가질 수 있으므로, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 제1 및/또는 제2 접착층(231, 232)의 두께가 베이스 부재(210), 제1 및 제2 수지층(221, 222)과 같거나 이보다 클 수도 있다. 일 예로, 수지 시트로 구성되는 후면 부재(200)는 35 내지 1000um(예를 들어, 100um 내지 1000um)의 두께를 가질 수 있다. However, as described above, since the
본 실시예에서는 후면 부재(200)를 구성하는 복수의 층 중 적어도 하나가 자외선 안정제(UVS)를 포함하고, 후면 부재(200)를 구성하는 모든 층이 자외선 차단제를 포함하지 않을 수 있다. 즉, 베이스 부재(210), 제1 수지층(221), 제2 수지층(222), 제1 접착층(231) 및 제2 접착층(232) 중 적어도 하나가 자외선 안정제(UVS)를 포함하고, 후면 부재(200)를 구성하는 베이스 부재(210), 제1 수지층(221), 제2 수지층(222), 제1 접착층(231) 및 제2 접착층(232)이 자외선 차단제를 포함하지 않을 수 있다.In the present embodiment, at least one of the plurality of layers constituting the
예를 들어, 자외선 안정제(UVS)는 힌더드 아민계(hindered amine) 물질을 포함할 수 있다. 힌더드 아민계 물질은 자외선 조사에 의하 발생된 라디칼을 신속하게 안정화할 수 있어 자외선에 의한 후면 부재(200)의 특성 변화, 열화 등의 문제를 효과적으로 방지할 수 있다. For example, UV stabilizers (UVS) may include hindered amine materials. The hindered amine-based material can quickly stabilize the radicals generated by the ultraviolet irradiation, and can effectively prevent problems such as changes in properties and deterioration of the
자외선 안정제(UVS)로는 비스(2,2,6,6-테트라메틸-4-피페리딜)세바케이트(bis(2,2,6,6,-tetramethyl-4-piperidyl)sebacate), 비스-(엔-옥틸옥시-테트라메틸)피페리디닐세바케이트 (bis-(N-octyloxytetramethyl)piperidinyl sebacate), 비스(1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피페리딜)세바케이트(bis(1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl)sebacate), 메틸-1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피페리딜세바케이트(methyl 1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl sebacate) 등을 포함할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 물질로 구성된 자외선 안정제(UVS)를 사용할 수 있다. UV stabilizers (UVS) include bis (2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) sebacate, bis- (N-octyloxytetramethyl) piperidinyl sebacate, bis (1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl) sebacate (N-octyloxytetramethyl) piperidinyl sebacate bis (1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl) sebacate, methyl-1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl sebacate , 6,6-pentamethyl-4-piperidyl sebacate), and the like. However, the present invention is not limited thereto, and ultraviolet stabilizer (UVS) composed of various materials can be used.
이때, 자외선 안정제(UVS)가 포함된 층을 전체 100 중량부라고 할 때 자외선 안정제(UVS)가 0.2 내지 5 중량부로 포함될 수 있다. 즉, 예를 들어, 자외선 안정제(UVS)가 제1 접착층(231)에 포함되면, 제1 접착층(231)의 전체 100 중량부에 대하여 자외선 안정제(UVS)가 0.2 내지 5 중량부로 포함될 수 있다. 이는 자외선 안정제(UVS)가 포함된 층 내에서 고르게 분산시킬 수 있으며 자외선 안정제(UVS)의 효과를 구현하기 위한 함량으로 한정된 것인데, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. At this time, when the total amount of the layer containing the ultraviolet stabilizer (UVS) is 100 parts by weight, ultraviolet stabilizer (UVS) may be included in an amount of 0.2 to 5 parts by weight. That is, for example, when the ultraviolet stabilizer (UVS) is included in the first
자외선 차단제로는 자외선을 차단할 수 있는 다양한 물질로 구성될 수 있다. 일 예로, 본 실시예에 따른 후면 부재(200)(좀더 구체적으로는, 후면 부재(200)를 구성하는 모든 층)가 벤조 페논계 물질 또는 벤조 트리아졸계 물질로 구성된 자외선 차단제를 포함하지 않을 수 있다. The ultraviolet screening agent may be composed of various materials capable of blocking ultraviolet rays. For example, the backing
본 실시예에는 일 예로 제1 접착층(231) 및 제2 접착층(232) 중 적어도 하나가 자외선 안정제(UVS)를 포함할 수 있다. 즉, 베이스 부재(210), 제1 및 제2 수지층(221, 222)은 접착 물질 및 자외선 안정제(UVS)를 포함하지 않고, 제1 및 제2 접착층(231, 232)이 접착 물질 및 자외선 안정제(UVS)를 포함한다. 이에 따라 제1 및 제2 수지층(221, 222)의 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 밀봉재(130)에 인접한 제1 수지층(221)에 자외선 안정제(UVS)가 포함되면 제2 밀봉재(132)와의 접착력이 저하될 수 있고 이에 의하여 태양 전지 패널(100)의 신뢰성이 저하될 수 있다. 외부 쪽으로 위치하는 제2 수지층(222)은 자외선 내구성이 우수한 물질로 구성되므로, 별도로 자외선 안정제(UVS)를 포함하지 않아도 되기 때문이다. In this embodiment, at least one of the first
그리고 제1 및 제2 접착층(231, 232)은 접착 혼합물 상태로 제조되어 베이스 부재(210) 상에 도포될 수 있는데, 접착 혼합물에 자외선 안정제(UVS)를 첨가하는 간단한 공정에 의하여 후면 시트(200) 내에 자외선 안정제(UVS)가 포함되도록 할 수 있다. 그리고 얇은 두께로 형성되는 제1 및 제2 접착층(231, 232)에 자외선 안정제(UVS)가 고르게 분포하여 자외선에 의한 문제를 효과적으로 방지할 수 있다. The first and second
반면, 베이스 부재(210), 제1 및 제2 수지층(221, 222)은 필름 또는 시트 상태로 공급되어 조성을 변화시키기 어려우므로, 이들이 자외선 안정제(UVS)를 포함하면 공정이 복잡해질 수 있다. On the other hand, since the
여기서, 본 실시예에서 제1 접착층(231) 및 제2 접착층(232)은 서로 동일한 조성을 가져 동일한 특성을 가질 수 있다. 그러면 동일한 접착 물질 및 자외선 안정제(UVS)의 혼합물을 이용하여 제1 접착층(231) 및 제2 접착층(232)을 형성하여 공정을 단순화하고 재료 비용을 줄일 수 있다. 그리고 제1 접착층(231)과 제2 접착층(232)의 두께를 실질적으로 동일(예를 들어, 두께 차이가 10% 이내)하게 하여 동일한 설비, 공정 조건 등을 이용하도록 할 수 있다. 그러면, 공정을 좀더 단순화하고 재료 비용을 좀더 줄일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 접착층(231) 및 제2 접착층(232)의 조성, 특성 등을 서로 다르게 하는 것이 가능하다.Here, in this embodiment, the first
또한, 본 실시예에서는 제1 및 제2 접착층(231, 232)이 모두 접착 물질 및 자외선 안정제(UVS)를 포함하여 자외선에 의한 문제를 최소화할 수 있음을 예시하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 제1 및 제2 접착층(231, 232)의 적어도 하나에만 자외선 안정제(UVS)가 포함되면 될 수도 있다. 예를 들어, 제1 접착층(231)이 접착 물질 및 자외선 안정제(UVS)를 포함하고, 제2 접착층(232)이 접착 물질을 포함하되 자외선 안정제(UVS)를 포함하지 않을 수 있다. 다른 예로, 제2 접착층(232)이 접착 물질 및 자외선 안정제(UVS)를 포함하고, 제1 접착층(231)이 접착 물질을 포함하되 자외선 안정제(UVS)를 포함하지 않을 수 있다. 그러면, 후면 부재(200)에서 제2 접착층(232)의 내측으로 위치한 층들이 자외선에 의하여 열화되는 등의 문제를 방지할 수 있다. In addition, in this embodiment, both the first and second
상술한 제1 및/또는 제2 접착층(231, 232)은 다양한 방법에 의하여 제조되어 다양한 방법에 의하여 후면 시트(200)의 제조에 사용될 수 있다. 예를 들어, 제1 및/또는 제2 접착층(231, 232)을 형성하기 위하여 접착 물질, 자외선 안정제(UVS) 및 기타 첨가제 등을 혼합한 접착 혼합물을 제조할 수 있다. 혼합 방법으로는 알려진 다양한 방법을 사용할 수 있다. The first and / or second
이렇게 제조된 접착 혼합물을 베이스 부재(210)의 일면에 도포하여 제1 접착층(231)을 형성하고, 그 위에 필름 또는 시트 상태의 제1 수지층(221)을 위치시킨 상태에서 열과 압력을 가하는 라미네이션 공정에 의하여 베이스 부재(210)과 제1 수지층(221)을 제1 접착층(231)에 의하여 접착시킨다. 접착 혼합물을 도포하는 방법으로는 알려진 다양한 방법이 사용될 수 있는데, 예를 들어, 인쇄법을 이용하게 되면 제1 접착층(231)을 베이스 부재(210)의 일면 위에 고르게 도포할 수 있어 접착 특성을 좀더 향상할 수 있다. The adhesive mixture thus prepared is coated on one side of the
그리고 제조된 접착 혼합물을 베이스 부재(210)의 타면에 도포하여 제2 접착층(232)을 형성하고, 그 위에 필름 또는 시트 상태의 제2 수지층(222)을 위치시킨 상태에서 열과 압력을 가하는 라미네이션 공정에 의하여 베이스 부재(210)과 제2 수지층(222)을 제2 접착층(232)에 의하여 접착시킨다. 접착 혼합물을 도포하는 방법으로는 알려진 다양한 방법이 사용될 수 있는데, 예를 들어, 인쇄법을 이용하게 되면 제2 접착층(232)을 베이스 부재(210)의 타면 위에 고르게 도포할 수 있어 접착 특성을 좀더 향상할 수 있다. The adhesive mixture thus prepared is applied to the other surface of the
이에 의하여 제1 수지층(221), 제1 접착층(231), 베이스 부재(210), 제2 접착층(232) 및 제2 수지층(222)이 서로 접합 및 결합되어 일체의 구조를 후면 시트(200)를 구성하게 된다. 이때, 제1 수지층(221), 제1 접착층(231), 베이스 부재(210), 제2 접착층(232) 및 제2 수지층(222)은 서로 접촉 형성되어 후면 시트(200)의 구조를 단순화할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 두 층들 사이에 별도의 층이 위치하는 등 다양한 변형이 가능하다. The
상술한 설명에서는 제1 접착층(231)을 이용하여 제1 수지층(221)을 베이스 부재(210)에 접착한 후에 제2 접착층(232)을 이용하여 제2 수지층(222)을 베이스 부재(220)에 접착하는 것을 예시하였다. 그러나 본 발명이 이러한 순서에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 제2 접착층(232)을 이용하여 제2 수지층(222)을 베이스 부재(210)에 접착한 후에 제1 접착층(231)을 이용하여 제1 수지층(221)을 베이스 부재(220)에 접착하는 것도 가능하다. The
본 실시예에서는 제1 접착층(231)을 이용하여 베이스 부재(210)의 일면에 제1 수지층(221)을 접착하는 공정과 제2 접착층(232)을 이용하여 베이스 부재(210)의 타면에 제2 수지층(222)을 접착하는 공정을 별개로 진행하여, 제1 및 제2 수지층(221, 222)의 접착 특성을 향상할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 제1 및 제2 접착층(231, 232)을 베이스 부재(210)의 양면에 모두 형성한 후에 제1 및 제2 수지층(221, 222)을 위치시켜 열 및 압력을 가하는 것에 의하여 이들을 한 번에 접착할 수도 있다. 그러면 후면 시트(200)의 제조 공정을 단순화할 수 있다. 그 외의 다양한 변형이 가능하다.The first
그리고 본 실시예에서 후면부(RP)의 다른 일부를 구성하는 제2 밀봉재(132) 또한 자외성 투과성을 가질 수 있다. 이러한 제2 밀봉재(132)는 자외선 차단제를 포함하지 않고 자외선 안정제(UVS)를 포함할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 후면 부재(200)에 자외선 안정제(UVS)가 포함되어 자외선에 의한 문제를 방지할 수 있는 경우에는 제2 밀봉재(132)가 자외선 안정제(UVS)를 포함하지 않을 수 있다. In this embodiment, the
제2 밀봉재(132)는 수분과 산소의 유입되는 것을 방지하며 태양 전지 패널(100)의 각 요소들을 화학적으로 결합한다. 제2 밀봉재(132)는 투광성 및 접착성을 가지는 절연 물질을 베이스 물질로 포함하고, 자외선 안정제(UVS)를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 밀봉재(132)는 에틸렌비닐아세테이트 수지(EVA), 폴리비닐부티랄, 규소 수지, 에스테르계 수지, 올레핀계 수지, 폴리에틸렌계 수지, 아이오노모(ionomer) 등을 베이스 물질로 포함할 수 있다. 자외선 안정제로는 후면 부재(200)에서 설명한 자외선 안정제에 대한 설명이 그대로 적용될 수 있다. The
일 예로, 제2 밀봉재(132)를 전체 100 중량부라고 할 때 자외선 안정제(UVS)가 0.2 내지 5 중량부로 포함될 수 있다. 이는 제2 밀봉재(132) 내에 자외선 안정제(UVS)를 고르게 분산시킬 수 있으며 자외선 안정제(UVS)의 효과를 구현하기 위한 함량으로 한정된 것인데, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. For example, when the
이와 같은 제2 밀봉재(132)가 투명할 수 있다. 일 예로, 제2 밀봉재(132)가 가시광선 영역의 광에 대하여 80% 이상(일 예로, 80% 내지 100%)의 광 투과율을 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 밀봉재(132)는 각기 별도의 안료를 포함하지 않아 투명할 수 있다. 이에 의하여 제2 밀봉재(132)의 자외선 투과성을 더 향상할 수 있다. The
그리고 본 실시예에서 전면부(FP) 또한 자외선 투과성을 가질 수 있다. 즉, 전면부(FP)가 300nm 내지 400nm의 파장의 광에 대한 투과도가 20% 이상일 수 있다. 이를 위하여 전면부(FP)를 구성하는 전면 부재(110) 및 제1 밀봉재(131)가 자외선 투과성을 가질 수 있다. In this embodiment, the front portion FP may also have ultraviolet transmittance. That is, the transmittance of the front part FP to light having a wavelength of 300 nm to 400 nm may be 20% or more. To this end, the
이와 같은 전면 부재(110) 및 제1 밀봉재(131)가 투명할 수 있다. 일 예로, 전면 부재(110) 및 제1 밀봉재(131)가 가시광선 영역의 광에 대하여 80% 이상(일 예로, 80% 내지 100%)의 광 투과율을 가질 수 있다. 예를 들어, 전면 부재(110) 및 제1 밀봉재(131)가 각기 별도의 안료를 포함하지 않아 투명할 수 있다. 이에 의하여 전면부(FP)의 자외선 투과성을 더 향상할 수 있다. The
일 예로, 전면 부재(110)가 유리 기판을 포함할 수 있다. 그러면, 유리 기판의 높은 투광성 또는 투명도에 의하여 전면 부재(110)가 자외선 투광성을 가질 수 있다. 이와 같이 전면 부재(110)가 유리 기판으로 구성되면 우수한 투광성, 내구성, 절연 특성 등을 가져 태양 전지(150)를 매우 안전하게 보호할 수 있다. 유리 기판으로 구성된 전면 부재(110)와 수지 시트로 구성된 후면 부재(200)를 사용하는 것에 의하여 내구성을 향상하면서 두께 및 무게를 절감할 수 있다. In one example, the
제1 밀봉재(131)로는 제2 밀봉재(132)에서 설명한 베이스 물질을 그대로 사용할 수 있으므로 상세한 설명을 생략한다. 제1 밀봉재(131)가 제2 밀봉재(132)와 동일하게 자외선 안정제(UVS)를 포함하고 자외선 차단제를 포함하지 않을 수 있다. 이에 의하여 자외선에 의한 문제를 최소화할 수 있다. 일 예로, 제1 밀봉재(131)와 제2 밀봉재(132)가 동일한 물질로 구성될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 제1 밀봉재(131)가 자외선 안정제(UVS)를 포함하지 않거나 제1 밀봉재(131)가 제2 밀봉재(132)와 다른 물질로 구성될 수 있다. As the
본 실시예에 따른 태양 전지 패널(100)은 라미네이션 공정 등에 의하여 후면 부재(200), 제2 밀봉재(132), 태양 전지(150), 제1 밀봉재(131), 전면 부재(110)를 일체화하는 것에 의하여 형성될 수 있다. The
본 실시예에서는 후면부(FP)가 자외선 투과성을 가져 양면 수광형 구조의 태양 전지(150)가 적용될 경우에 후면으로 입사하는 자외선을 광전 변환에 사용하도록 할 수 있다. 이에 의하여 후면부(FP)가 자외선 차단제를 포함하지 않는다. 대신, 후면부(FP)를 구성하는 복수의 층 중 적어도 하나가 자외선 안정제(UVS)를 포함하여 자외선에 의한 문제를 최소화 또는 방지할 수 있다. In the present embodiment, when the
상술한 실시예에에서는 자외선 안정제(UVS)가 후면 부재(200)의 다양한 층 중에서 제2 밀봉재(132) 및 제1 및 제2 접착층(231, 232)에 포함되는 것을 예시하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 변형이 가능하다. 이하에서는 도 7 내지 도 10를 참조하면 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양 전지 패널을 상세하게 설명한다. 간략하고 명확한 도시를 위하여 도 7 내지 도 10에서는 도 2의 확대원에 대응하는 부분만을 도시하였다. 이하에서 상술한 실시예와 동일 또는 극히 유사한 부분에 대해서는 상술한 설명이 그대로 적용될 수 있으므로 상세한 설명을 생략하고 서로 다른 부분에 대해서만 상세하게 설명한다. 그리고 상술한 실시예 또는 이를 변형한 예와 아래의 실시예 또는 이를 변형한 예들을 서로 결합한 것 또한 본 발명의 범위에 속한다.In the above-described embodiments, UV stabilizers (UVS) are included in the
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양 전지 패널의 일부를 도시한 부분 확대도이다. 7 is a partial enlarged view of a part of a solar cell panel according to another embodiment of the present invention.
도 7을 참조하면, 본 실시예에서는 베이스 부재(210), 그리고 제1 및 제2 수지층(221, 222)이 각기 자외선 안정제(UVS)를 포함한다. 상대적으로 두꺼운 두께를 가지는 층에 자외선 안정제(UVS)가 포함되어 자외선 안정제(UVS)를 충분한 양으로 포함하도록 하여 자외선 투과에 따른 문제를 최소화할 수 있다. 일 변형예로, 이 경우에는 제1 및 제2 접착층(231, 232)을 포함하지 않는 것도 가능하다. 또는, 다른 변형예로, 제1 및 제2 접착층(231, 232) 중 적어도 하나가 자외선 안정제(UVS)를 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 7, in this embodiment, the
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양 전지 패널의 일부를 도시한 부분 확대도이다. 8 is a partial enlarged view of a part of a solar cell panel according to another embodiment of the present invention.
도 8을 참조하면, 본 실시예에서는 베이스 부재(210) 및 제1 수지층(221)이 각기 자외선 안정제(UVS)를 포함하고 제2 수지층(222)을 생략하여 베이스 부재(210)가 후면 부재(200) 또는 태양 전지 패널(100)의 외면을 구성할 수도 있다. 베이스 부재(210) 및 제1 수지층(221)이 우수한 자외선 내구성을 가지므로, 자외선 내구성을 향상하기 위한 제2 수지층(222)을 생략하여 구조를 단순화하고 재료 비용을 절감할 수 있다. 일 변형예로, 이 경우에는 제1 접착층(231)을 포함하지 않는 것도 가능하다. 또는, 다른 변형예로, 도면과 달리 제1 접착층(231)도 자외선 안정제(UVS)를 더 포함할 수 있다.8, in this embodiment, the
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양 전지 패널의 일부를 도시한 부분 확대도이다. 9 is a partial enlarged view of a part of a solar cell panel according to another embodiment of the present invention.
도 9를 참조하면, 본 실시예에서는 베이스 부재(210), 제1 접착층(231) 및 제1 수지층(221)이 각기 자외선 안정제(UVS)를 포함한다. 9, in this embodiment, the
이와 같이 후면 부재(200)를 구성하는 복수의 층 중에서 적어도 하나의 층만이 자외선 안정제(UVS)를 포함할 수 있다. 즉, 본 발명이 후면 부재(200)를 구성하는 복수의 층 중에서 어떠한 층에 자외선 안정제(UVS)가 포함되는지에 한정되지 않는다. 그리고 후면 부재(200)를 구성하는 복수의 층에 각기 자외선 안정제(UVS)가 포함될 경우에, 서로 다른 층은 동일한 자외선 안정제(UVS)를 포함할 수도 있고 서로 다른 자외선 안정제(UVS)를 포함할 수도 있다. In this way, at least one of the plurality of layers constituting the
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양 전지 패널의 일부를 도시한 부분 확대도이다. 10 is a partial enlarged view of a part of a solar cell panel according to another embodiment of the present invention.
도 10을 참조하면, 본 실시예에서는 후면 부재(200)가 유리 기판(일 예로, 단일의 유리 기판)으로 구성될 수 있다. 후면 부재(200)가 유리 기판을 포함하면 유리 기판의 높은 투광성 또는 투명도에 의하여 후면 부재(200)가 자외선 투광성 또한 가질 수 있다. 이와 같이 후면 부재(200)가 유리 기판으로 구성되면 우수한 투광성, 내구성, 절연 특성 등을 가져 태양 전지(150)를 매우 안전하게 보호할 수 있다. 이때, 자외선에 의한 문제를 방지할 수 있도록 제2 밀봉재(132)는 자외선 안정제를 포함하지 않는 것이 바람직하다. Referring to FIG. 10, in the present embodiment, the
이하, 이하, 본 발명의 실험예에 의하여 본 발명을 좀더 상세하게 설명한다. 본 발명의 실험예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to experimental examples of the present invention. The examples of the present invention are for illustrating the present invention, but the present invention is not limited thereto.
실시예 1Example 1
라미네이션 공정에 의하여 후면 부재, 제2 밀봉재, 양면 수광형 태양 전지, 제1 밀봉재, 전면 부재를 일체화하여 태양 전지 패널을 제조하였다. 이때, 제1 및 제2 밀봉재는 에틸렌비닐아세테이트를 베이스 물질로 하며, 1 중량부의 비스(2,2,6,6-테트라메틸-4-피페리딜)세바케이트(bis(2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl)sebacate)를 자외선 안정제를 포함하였다. 그리고 후면 부재는, 폴리에틸렌테레프탈레이트를 베이스 물질로 하는 베이스 부재에, 아크릴 계열 접착 물질을 베이스 물질로 하고 1 중량부의 비스(2,2,6,6-테트라메틸-4-피페리딜)세바케이트(bis(2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl)sebacate)를 자외선 안정제로 포함하는 제1 및 제2 접착층을 이용하여, 폴리아미드를 베이스 물질로 하는 제1 수지층 및 불소계 고분자를 베이스 물질로 하는 제2 수지층을 접착하는 것에 의하여 형성되었다. 이때, 후면 부재는 별도의 안료를 포함하지 않는다. The solar cell panel was manufactured by integrating the rear member, the second sealing member, the double-sided light receiving solar cell, the first sealing member, and the front member by a lamination process. At this time, the first and second sealing materials used were ethylene vinyl acetate as a base material, and 1 part by weight of bis (2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) sebacate (bis , 6-tetramethyl-4-piperidyl) sebacate). The backing member is made of a base material made of polyethylene terephthalate as a base material, and 1 part by weight of bis (2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) sebacate a first resin layer made of polyamide as a base material and a fluorine-based polymer as a base material are formed by using first and second adhesive layers containing bis (2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) sebacate as ultraviolet stabilizers. And a second resin layer made of a base material. At this time, the backing member does not include a separate pigment.
비교예 1Comparative Example 1
제1 및 제2 밀봉재, 그리고 후면 부재가 자외선 안정제를 포함하지 않으며 후면 부재가 자외선 차단제 및 백색 안료를 사용한다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 태양 전지 패널을 제조하였다. A solar cell panel was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the first and second sealing members and the rear member did not contain a UV stabilizer, and the rear member used was a UV blocking agent and a white pigment.
실시예 1 및 비교예 1에 따른 후면부의 투과율을 측정하여 그 결과를 도 11에 나타내었다. 그리고 실시예 1 및 비교예 1에 따른 후면 출력, 후면 발전량, 총 발전량을 측정하여, 표 1에 비교예 1의 값을 100%로 하여 그 상대값을 실시예 1의 값으로 기재하였다. 이때, 실시예 1에 따른 태양 전지 패널을 복수로 제조하여 측정하고, 비교예 1에 따른 태양 전지 패널을 복수로 제조하여 측정하였으며, 비교예 1에는 복수의 태양 전지 패널의 평균값을 기재하였고, 실시예 1에는 복수의 태양 전지의 값을 범위로 기재하였다. 여기서 후면 출력 및 후면 발전량은 전면부에 광이 입사되지 않고 후면부에만 광이 입사되는 상태에서 측정된 것이며, 총 발전량은 전면부 및 후면부에 광이 모두 입사하는 상태에서 측정된 것이다.The transmittance of the back surface according to Example 1 and Comparative Example 1 was measured and the results are shown in Fig. Rear power, rear power and total power generation according to Example 1 and Comparative Example 1 were measured, and the value of Comparative Example 1 was set as 100% in Table 1, and the relative value was described as the value of Example 1. At this time, a plurality of solar cell panels according to Example 1 were manufactured and measured, and a plurality of solar cell panels according to Comparative Example 1 were manufactured and measured. In Comparative Example 1, average values of a plurality of solar cell panels were described. In Example 1, values of a plurality of solar cells are described as ranges. Here, the rear output and the rear power generation amount are measured in a state in which light is not incident on the front portion but only light is incident on the rear portion, and the total power generation amount is measured in a state where light is incident on both the front portion and the rear portion.
도 11을 참조하면, 실시예 1에서는 후면부의 투과율이 80% 이상으로 매우 높은 반면, 비교예 1에서는 후면부의 투과율이 0% 정도로 매우 낮음을 알 수 있다. Referring to FIG. 11, it can be seen that the transmittance of the rear portion of the first embodiment is as high as 80% or more, whereas the transmittance of the rear portion of Comparative Example 1 is as low as about 0%.
표 1을 참조하면, 실시예 1에서는 비교예 1에 비하여 높은 후면 출력, 후면 발전량 및 총 발전량을 가지는 것을 알 수 있다. 이에 따르면 양면 수광형 구조의 태양 전지가 적용되는 태양 전지 패널에 자외선을 투과시킬 수 있는 후면부를 사용하여, 태양 전지 패널의 출력 및 효율을 향상할 수 있음을 알 수 있다. Referring to Table 1, it can be seen that Example 1 has higher rear power, rear power generation and total power generation than Comparative Example 1. According to this, it can be seen that the output and efficiency of the solar cell panel can be improved by using the rear portion which can transmit ultraviolet rays to the solar cell panel to which the solar cell of the double-side light receiving structure is applied.
상술한 바에 따른 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. Features, structures, effects and the like according to the above-described embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and the present invention is not limited to only one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified in other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.
100: 태양 전지 패널
110: 전면 부재
131: 제1 밀봉재
132: 제2 밀봉재
200: 후면 부재
210: 베이스 부재
221: 제1 수지층
222: 제2 수지층
231: 제1 접착층
232: 제2 접착층
UVS: 자외선 안정제100: Solar panel
110: front member
131: first sealing material
132: second sealing material
200: rear member
210: Base member
221: first resin layer
222: second resin layer
231: first adhesive layer
232: second adhesive layer
UVS: UV stabilizer
Claims (18)
상기 양면 수광형 태양 전지의 전면에 위치하는 전면 부재; 및
상기 양면 수광형 태양 전지의 후면에 위치하는 후면 부재
를 포함하고,
상기 후면 부재가, 베이스 부재, 상기 베이스 부재의 일면 위에 위치하는 제1 수지층, 상기 상기 베이스 부재의 타면 위에 위치하는 제2 수지층, 상기 베이스 부재와 상기 제1 수지층 사이에서 상기 베이스 부재와 상기 제1 수지층을 접착하는 제1 접착층, 그리고 상기 베이스 부재와 상기 제2 수지층 사이에서 상기 베이스 부재와 상기 제2 수지층을 접착하는 제2 접착층을 포함하고,
상기 제1 접착층 및 상기 제2 접착층 중 적어도 하나가 자외선 안정제를 포함하는 태양 전지 패널.Double-sided light-receiving solar cells;
A front member positioned on a front surface of the double-sided light receiving type solar cell; And
The back surface member positioned on the rear surface of the double-
Lt; / RTI >
Wherein the rear member comprises a base member, a first resin layer located on one side of the base member, a second resin layer located on the other side of the base member, and a second resin layer located on the other side of the base member, A first adhesive layer for bonding the first resin layer and a second adhesive layer for bonding the base member and the second resin layer between the base member and the second resin layer,
Wherein at least one of the first adhesive layer and the second adhesive layer comprises an ultraviolet stabilizer.
상기 후면 부재가 자외선 차단제를 포함하지 않아 자외선 투과성을 가지는 태양 전지 패널. The method according to claim 1,
Wherein the rear member does not include an ultraviolet screening agent and has ultraviolet transmittance.
300nm 내지 400nm 파장의 광에 대한 상기 후면 부재의 투과율이 20% 이상인 태양 전지 패널. 3. The method of claim 2,
And a transmittance of the rear member to light having a wavelength of 300 nm to 400 nm is 20% or more.
상기 베이스 부재, 상기 제1 수지층, 상기 제2 수지층, 상기 제1 접착층 및 상기 제2 접착층이 각기 자외선 차단제를 포함하지 않는 태양 전지 패널. 3. The method of claim 2,
Wherein the base member, the first resin layer, the second resin layer, the first adhesive layer, and the second adhesive layer each do not include an ultraviolet screening agent.
상기 자외선 안정제를 포함하는 상기 제1 접착층 및 상기 제2 접착층 중 적어도 하나는 자외선 안정제로 힌더드 아민계(hindered amine) 물질을 포함하고, 자외선 차단제로 벤조 페논계 물질 또는 벤조 트리아졸계 물질을 포함하지 않는 태양 전지 패널. The method according to claim 1,
Wherein at least one of the first adhesive layer and the second adhesive layer including the ultraviolet stabilizer comprises a hindered amine material as an ultraviolet stabilizer and a benzophenone based material or a benzotriazole based material as an ultraviolet shielding agent Does not have solar panels.
상기 자외선 안정제를 포함하는 상기 제1 접착층 및 상기 제2 접착층 중 적어도 하나는 자외선 안정제로 비스(2,2,6,6-테트라메틸-4-피페리딜)세바케이트(bis(2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl)sebacate), 비스-(엔-옥틸옥시-테트라메틸)피페리디닐세바케이트 (bis-(N-octyloxytetramethyl)piperidinyl sebacate), 비스(1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피페리딜)세바케이트(bis(1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl)sebacate), 및 메틸-1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피페리딜세바케이트(methyl 1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl sebacate) 중 적어도 하나를 포함하는 태양 전지 패널. 6. The method of claim 5,
Wherein at least one of the first adhesive layer and the second adhesive layer including the ultraviolet stabilizer is bis (2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) sebacate as an ultraviolet stabilizer, 6,6-tetramethyl-4-piperidyl sebacate, bis- (N-octyloxytetramethyl) piperidinyl sebacate, bis (1,2,2,6) , 6-pentamethyl-4-piperidyl sebacate, bis (1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl) sebacate, Methyl-4-piperidyl sebacate (methyl 1,2-diol sebacate).
상기 베이스 부재, 상기 제1 수지층, 및 제2 수지층이 자외선 안정제를 포함하지 않는 태양 전지 패널. The method according to claim 1,
Wherein the base member, the first resin layer, and the second resin layer do not contain a UV stabilizer.
상기 자외선 안정제를 포함하는 상기 제1 접착층 및 상기 제2 접착층 중 적어도 하나에서 자외선 안정제가 포함된 각 층을 전체 100 중량부라고 할 때 해당 층에 상기 자외선 안정제가 0.2 내지 5 중량부로 포함되는 태양 전지 패널. The method according to claim 1,
Wherein at least one of the first adhesive layer including the ultraviolet stabilizer and the second adhesive layer includes 100 parts by weight of the ultraviolet light stabilizer, wherein the ultraviolet light stabilizer is contained in an amount of 0.2 to 5 parts by weight, panel.
상기 베이스 부재는 폴리아미드 또는 폴리에스테르를 베이스 물질로 포함하고,
상기 제1 수지층은 불소계 고분자(fluoro polymer), 또는 폴리올레핀계 물질을 베이스 물질로 포함하며,
상기 제2 수지층은 불소계 고분자, 폴리에스테르 또는 폴리올레핀계 물질을 베이스 물질로 포함하는 태양 전지 패널. The method according to claim 1,
Wherein the base member comprises a polyamide or polyester as a base material,
The first resin layer may include a fluoro polymer or a polyolefin based material as a base material,
Wherein the second resin layer comprises a fluorine-based polymer, a polyester or a polyolefin-based material as a base material.
상기 제1 수지층은 에틸렌초산비닐(EVA), 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP) 중 적어도 하나를 포함하고,
상기 제2 수지층은 폴리불화비닐(poly vinly fluoride, PVF), 폴리불화비닐리덴(poly vinylidene fluoride, PVDF), 애틸렌테트라플루오로에틸렌(ethylene tetrafluoroethylene, ETFE) 중 하나를 포함하는 태양 전지 패널. 10. The method of claim 9,
Wherein the first resin layer comprises at least one of ethylene vinyl acetate (EVA), polyethylene (PE), and polypropylene (PP)
Wherein the second resin layer comprises one of polyvinyl fluoride (PVF), polyvinylidene fluoride (PVDF), and ethylene tetrafluoroethylene (ETFE).
상기 제2 수지층이 상기 베이스 부재의 외면에 위치하고, 상기 제1 수지층이 상기 베이스 부재의 내면에 위치하며,
상기 베이스 부재의 두께가 상기 제1 수지층 및 상기 제2 수지층의 두께보다 각기 크고,
상기 제2 수지층의 두께가 상기 제1 수지층의 두께와 같거나 이보다 작은 태양 전지 패널. The method according to claim 1,
The second resin layer is located on the outer surface of the base member, the first resin layer is located on the inner surface of the base member,
The thickness of the base member is larger than the thickness of the first resin layer and the second resin layer,
Wherein the thickness of the second resin layer is equal to or less than the thickness of the first resin layer.
상기 제1 접착층 또는 상기 제2 접착층은 폴리우레탄 계열 또는 아크릴 계열의 접착 물질을 베이스 물질로 포함하는 태양 전지 패널. The method according to claim 1,
Wherein the first adhesive layer or the second adhesive layer comprises a polyurethane-based or acrylic-based adhesive material as a base material.
상기 제1 및 제2 접착층의 두께는, 상기 베이스 부재, 상기 제1 수지층 및 상기 제2 수지층 각기보다 작은 태양 전지 패널. The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the first and second adhesive layers is smaller than that of each of the base member, the first resin layer, and the second resin layer.
상기 제1 접착층 및 상기 제2 접착층이 각기 자외선 안정제를 포함하는 태양 전지 패널. The method according to claim 1,
Wherein the first adhesive layer and the second adhesive layer each comprise an ultraviolet stabilizer.
상기 양면 수광형 태양 전지와 상기 전면 부재 사이에 위치한 제1 밀봉재; 및
상기 양면 수광형 태양 전지와 상기 후면 부재 사이에 위치한 제2 밀봉재
를 더 포함하며,
상기 전면 부재, 상기 제1 밀봉재, 상기 제2 밀봉재 각각이 자외선 투과성을 가지는 태양 전지 패널. The method according to claim 1,
A first sealing material disposed between the double-side light-receiving solar cell and the front surface member; And
And a second sealing material disposed between the double-side light-receiving solar cell and the rear surface member
Further comprising:
Wherein the front member, the first sealing member, and the second sealing member each have ultraviolet transmittance.
상기 제1 밀봉재 및 상기 제2 밀봉재 중 적어도 하나가 자외선 안정제를 포함하고 자외선 차단제를 포함하지 않는 태양 전지 패널.16. The method of claim 15,
Wherein at least one of the first sealing material and the second sealing material includes an ultraviolet stabilizer and does not include a sunscreen agent.
상기 전면 기판이 유리 기판으로 구성되는 태양 전지 패널. 16. The method of claim 15,
Wherein the front substrate is a glass substrate.
상기 제2 밀봉재가 에틸렌비닐아세테이트를 베이스 물질로 포함하는 태양 전지 패널. 16. The method of claim 15,
Wherein the second sealing material comprises ethylene vinyl acetate as a base material.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180093046A KR102397981B1 (en) | 2016-11-04 | 2018-08-09 | Solar cell panel |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160146729A KR20180050050A (en) | 2016-11-04 | 2016-11-04 | Solar cell panel |
KR1020180093046A KR102397981B1 (en) | 2016-11-04 | 2018-08-09 | Solar cell panel |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020160146729A Division KR20180050050A (en) | 2016-11-04 | 2016-11-04 | Solar cell panel |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180093850A true KR20180093850A (en) | 2018-08-22 |
KR102397981B1 KR102397981B1 (en) | 2022-05-13 |
Family
ID=81583554
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180093046A KR102397981B1 (en) | 2016-11-04 | 2018-08-09 | Solar cell panel |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102397981B1 (en) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20080106761A (en) * | 2007-06-04 | 2008-12-09 | 주식회사 엘지화학 | Pressure-sensitive adhesives composition for solar cell |
KR20130030866A (en) * | 2011-09-20 | 2013-03-28 | 엘지전자 주식회사 | Bifacial solar cell module |
KR20130084516A (en) * | 2012-01-17 | 2013-07-25 | 엘지전자 주식회사 | Solar cell module |
KR20160025220A (en) * | 2014-08-27 | 2016-03-08 | 엘지전자 주식회사 | Solar cell module and back sheet used for the same |
-
2018
- 2018-08-09 KR KR1020180093046A patent/KR102397981B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20080106761A (en) * | 2007-06-04 | 2008-12-09 | 주식회사 엘지화학 | Pressure-sensitive adhesives composition for solar cell |
KR20130030866A (en) * | 2011-09-20 | 2013-03-28 | 엘지전자 주식회사 | Bifacial solar cell module |
KR20130084516A (en) * | 2012-01-17 | 2013-07-25 | 엘지전자 주식회사 | Solar cell module |
KR20160025220A (en) * | 2014-08-27 | 2016-03-08 | 엘지전자 주식회사 | Solar cell module and back sheet used for the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102397981B1 (en) | 2022-05-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101622090B1 (en) | Solar cell | |
KR101890324B1 (en) | Solar cell module and ribbon assembly | |
KR101867855B1 (en) | Solar cell | |
KR102366935B1 (en) | Solar cell and solar cell module including the same | |
KR20140098305A (en) | Solar cell module | |
KR102339975B1 (en) | Junction box and solar cell module including the same | |
CN110313074B (en) | Solar cell module | |
KR102253838B1 (en) | Solar cell module and back sheet used for the same | |
KR102196929B1 (en) | Solar cell module and rear substrate for the same | |
KR101685350B1 (en) | Solar cell module | |
KR102397981B1 (en) | Solar cell panel | |
KR102110528B1 (en) | Ribbon and solar cell module including the same | |
KR102243640B1 (en) | Solar cell module | |
KR102101728B1 (en) | Solar cell module | |
KR20180050050A (en) | Solar cell panel | |
KR20170000338U (en) | Sollar cell module | |
KR20160032616A (en) | Solar cell module and back sheet used for the same | |
KR20160029515A (en) | Solar cell module and ribbon used for the same | |
KR20160041649A (en) | Ribbon for solar cell and solar cell module including the same | |
WO2023127382A1 (en) | Solar cell device and solar cell module | |
KR102266971B1 (en) | Solar cell module and method for manufacuting the same | |
WO2023037885A1 (en) | Solar battery device and solar battery module | |
KR102628295B1 (en) | Manufacturing method of solar cell module | |
KR20180079955A (en) | Photovoltaic power generating apparatus | |
KR20180071857A (en) | Back sheet and solar cell panel including the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A107 | Divisional application of patent | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |