KR20160041649A

KR20160041649A - Ribbon for solar cell and solar cell module including the same

Info

Publication number: KR20160041649A
Application number: KR1020140136028A
Authority: KR
Inventors: 송원두; 조윤희; 박상환
Original assignee: 엘지전자 주식회사
Priority date: 2014-10-08
Filing date: 2014-10-08
Publication date: 2016-04-18

Abstract

According to an embodiment of the present invention, a ribbon for a solar cell comprises: a ribbon main body having a first area corresponding to an area to be attached to a solar cell and a second area except the first area defined in a first surface, and a reflection structure having a prominence part and a depression part through the first and second areas in the first surface; and a solder layer formed through the first and second areas on the first surface. The thickness of the solder layer positioned in the second area is smaller than that of the solder layer in the first area, and the thickness of the solder layer positioned in the second area is smaller than the height of the reflection structure.

Description

RIBBON FOR SOLAR CELL AND SOLAR CELL MODULE INCLUDING THE SAME

본 발명은 태양 전지용 리본 및 이를 포함하는 태양 전지 모듈에 관한 것으로서, 좀더 상세하게는, 구조를 개선한 태양 전지용 리본 및 이를 포함하는 태양 전지 모듈에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a ribbon for a solar cell and a solar cell module including the same. More particularly, the present invention relates to a ribbon for a solar cell and a solar cell module including the same.

최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예상되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중에서도 태양 전지는 태양광 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 차세대 전지로서 각광받고 있다. With the recent depletion of existing energy sources such as oil and coal, interest in alternative energy to replace them is increasing. Among them, solar cells are attracting attention as a next-generation battery that converts solar energy into electric energy.

이러한 태양 전지는 복수 개가 리본에 의하여 직렬 또는 병렬로 연결되고, 복수의 태양 전지를 보호하기 위한 패키징(packaging) 공정에 의하여 모듈 형태로 제조된다. 태양 전지 모듈의 출력을 향상하기 위해서는 리본의 구조 또한 최적화되어야 한다. A plurality of such solar cells are connected in series or in parallel by a ribbon, and are manufactured in a module form by a packaging process for protecting a plurality of solar cells. The structure of the ribbon must also be optimized to improve the output of the solar cell module.

본 발명은 태양 전지 모듈의 출력을 향상할 수 있는 태양 전지용 리본 및 이를 포함하는 태양 전지 모듈을 제공하고자 한다. The present invention provides a ribbon for a solar cell capable of improving the output of the solar cell module and a solar cell module including the same.

본 발명의 실시예에 따른 태양 전지용 리본은, 제1 면에 태양 전지에 부착될 영역에 대응하는 제1 영역 및 상기 제1 영역 이외의 제2 영역이 정의되며, 상기 제1 면에서 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 걸쳐 산부와 골부를 가지는 반사 구조가 형성되는 리본 본체; 및 상기 제1 면 위에서 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 걸쳐 형성되는 솔더층을 포함한다. 상기 제2 영역에 위치한 상기 솔더층의 두께가 상기 제1 영역에 위치한 상기 솔더층의 두께보다 작고, 상기 제2 영역에 위치한 상기 솔더층의 두께가 상기 반사 구조의 높이보다 작다. A ribbon for a solar cell according to an embodiment of the present invention is characterized in that a first region corresponding to a region to be attached to a solar cell on a first surface and a second region other than the first region are defined, A ribbon body having a region and a reflection structure having a crest portion and a valley portion over the second region; And a solder layer formed over the first region and the second region on the first surface. The thickness of the solder layer located in the second region is less than the thickness of the solder layer located in the first region and the thickness of the solder layer located in the second region is less than the height of the reflective structure.

본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 모듈은, 이웃하는 제1 및 제2 태양 전지를 포함하는 복수 개의 태양 전지; 및 상기 제1 및 제2 태양 전지를 연결하는 리본을 포함한다. 상기 리본은, 제1 면에 상기 제1 태양 전지에 부착될 영역에 대응하는 제1 영역 및 상기 제1 영역 이외의 제2 영역이 정의되며, 상기 제1 면에서 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 걸쳐 산부와 골부를 가지는 반사 구조가 형성되는 리본 본체; 및 상기 제1 면 위에서 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 걸쳐 형성되는 솔더층을 포함한다. 상기 제2 영역에 위치한 상기 솔더층의 두께가 상기 제1 영역에 위치한 상기 솔더층의 두께보다 작고, 상기 제2 영역에 위치한 상기 솔더층의 두께가 상기 반사 구조의 높이보다 작다. A solar cell module according to an embodiment of the present invention includes: a plurality of solar cells including neighboring first and second solar cells; And a ribbon connecting the first and second solar cells. Wherein the ribbon has a first region corresponding to a region to be attached to the first solar cell on the first surface and a second region other than the first region are defined, and the first region and the second region A ribbon body in which a reflecting structure having a crest portion and a valley portion is formed in an area; And a solder layer formed over the first region and the second region on the first surface. The thickness of the solder layer located in the second region is less than the thickness of the solder layer located in the first region and the thickness of the solder layer located in the second region is less than the height of the reflective structure.

본 실시예에 따른 태양 전지용 리본은 리본 본체의 제1 면 및/또는 2 면 전체에 반사 구조를 형성하여, 반사 특성을 향상하고 솔더층과의 접착 특성을 향상할 수 있다. 그리고 리본 본체에서 태양 전지와 부착될 영역에서는 솔더층과의 접촉 면적을 넓혀 솔더층과의 접촉 특성을 향상할 수 있고, 그 외의 영역에서는 전체적으로 얇은 두께로 솔더층을 형성하여 리본 본체의 산화를 방지하면서도 반사 구조에 의한 반사 효과는 그대로 유지할 수 있다. 이에 의하여 리본에 의한 태양 전지의 연결 특성을 향상할 수 있고, 이에 의하여 태양 전지 모듈의 출력을 향상할 수 있다. The ribbon for a solar cell according to the present embodiment can form a reflective structure on the first and / or two sides of the ribbon body, thereby improving the reflection characteristic and improving the adhesion property to the solder layer. In addition, it is possible to improve the contact property with the solder layer by widening the contact area with the solder layer in the area where the solar cell is to be attached to the ribbon body. In other areas, the solder layer is formed with a thin thickness as a whole to prevent oxidation The reflection effect due to the reflection structure can be maintained. Thus, the connection characteristics of the solar cell by the ribbon can be improved, and the output of the solar cell module can be improved.

본 실시예에 따른 태양 전지 모듈은 우수한 특성의 리본을 구비하여 우수한 출력을 나타낼 수 있다. The solar cell module according to the present embodiment can exhibit excellent output by having ribbons of excellent characteristics.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 개략적인 분해 사시도이다.
도 2는 도 1의 II-II 선을 따라서 잘라서 본 태양 전지 모듈의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지를 도시한 단면도이다.
도 4는 도 3에 도시한 태양 전지의 평면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지용 리본을 도시한 사시도이다.
도 6의 (a) 및 (b)는 도 5의 A-A 선 및 B-B 선 각각에 따른 단면도이다.
도 7은 본 발명의 변형예에 따른 태양 전지용 리본을 도시한 단면도이다.
도 8은 도 5에 도시한 리본에 의하여 연결되는 제1 및 제2 태양 전지를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 9는 본 발명의 변형예에 따른 태양 전지용 리본을 도시한 사시도이다.1 is a schematic exploded perspective view of a solar cell module according to an embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a schematic cross-sectional view of the solar cell module cut along the line II-II in Fig.
3 is a cross-sectional view illustrating a solar cell according to an embodiment of the present invention.
4 is a plan view of the solar cell shown in Fig.
5 is a perspective view illustrating a ribbon for a solar cell according to an embodiment of the present invention.
6 (a) and 6 (b) are cross-sectional views taken along line AA and line BB in FIG. 5, respectively.
7 is a cross-sectional view showing a ribbon for a solar cell according to a modification of the present invention.
FIG. 8 is a perspective view schematically showing first and second solar cells connected by the ribbon shown in FIG. 5. FIG.
9 is a perspective view illustrating a ribbon for a solar cell according to a modification of the present invention.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명이 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니며 다양한 형태로 변형될 수 있음은 물론이다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, it is needless to say that the present invention is not limited to these embodiments and can be modified into various forms.

도면에서는 본 발명을 명확하고 간략하게 설명하기 위하여 설명과 관계 없는 부분의 도시를 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 극히 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 참조부호를 사용한다. 그리고 도면에서는 설명을 좀더 명확하게 하기 위하여 두께, 넓이 등을 확대 또는 축소하여 도시하였는바, 본 발명의 두께, 넓이 등은 도면에 도시된 바에 한정되지 않는다. In the drawings, the same reference numerals are used for the same or similar parts throughout the specification. In the drawings, the thickness, the width, and the like are enlarged or reduced in order to make the description more clear, and the thickness, width, etc. of the present invention are not limited to those shown in the drawings.

그리고 명세서 전체에서 어떠한 부분이 다른 부분을 "포함"한다고 할 때, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 부분을 배제하는 것이 아니며 다른 부분을 더 포함할 수 있다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 위치하는 경우도 포함한다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 위치하지 않는 것을 의미한다. Wherever certain parts of the specification are referred to as "comprising ", the description does not exclude other parts and may include other parts, unless specifically stated otherwise. Also, when a portion of a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it also includes the case where another portion is located in the middle as well as the other portion. When a portion of a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "directly on" another portion, it means that no other portion is located in the middle.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지용 리본 및 이를 포함하는 태양 전지 모듈을 상세하게 설명한다. Hereinafter, a ribbon for a solar cell and a solar cell module including the same according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 개략적인 분해 사시도이고, 도 2는 도 1의 II-II 선을 따라서 잘라서 본 태양 전지 모듈의 개략적인 단면도이다. FIG. 1 is a schematic exploded perspective view of a solar cell module according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a solar cell module cut along a line II-II in FIG.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지 모듈(100)은 복수 개의 태양 전지(150)와, 이웃한 태양 전지(150)를 전기적으로 연결하는 리본(142)을 포함한다. 그리고 태양 전지 모듈(100)은, 태양 전지(150)의 전면 상에 위치하는 제1 기판(이하 "전면 기판")(110)과, 태양 전지(150)의 후면 상에 위치하는 제2 기판(이하 "후면 시트")(200)와, 태양 전지(150)와 전면 기판(110) 사이의 제1 밀봉재(131)와, 태양 전지(150)와 후면 시트(200) 사이의 제2 밀봉재(132)를 포함할 수 있다. 이를 좀더 상세하게 설명한다. Referring to FIG. 1, a solar cell module 100 according to an embodiment of the present invention includes a plurality of solar cells 150 and a ribbon 142 for electrically connecting neighboring solar cells 150. The solar cell module 100 includes a first substrate 110 disposed on the front surface of the solar cell 150 and a second substrate 110 disposed on the rear surface of the solar cell 150 A first sealing material 131 between the solar cell 150 and the front substrate 110 and a second sealing material 132 between the solar cell 150 and the back sheet 200 ). This will be explained in more detail.

먼저, 태양 전지(150)는 태양 에너지를 전기 에너지로 변환하는 광전 변환부와, 광전 변환부에 전기적으로 연결되는 전극을 포함하여 형성된다. 본 실시예에서는 일례로 반도체 기판(일 예로, 실리콘 웨이퍼)을 포함하는 광전 변환부가 적용될 수 있다. 이러한 구조의 태양 전지(150)의 일 예를 도 3 및 도 4를 참조하여 상세하게 설명한 다음, 다시 도 1을 참조하여 태양 전지 모듈(100)을 상세하게 설명한다. First, the solar cell 150 includes a photoelectric conversion unit for converting solar energy into electric energy, and an electrode electrically connected to the photoelectric conversion unit. In this embodiment, a photoelectric conversion portion including a semiconductor substrate (for example, a silicon wafer) can be applied as an example. An example of the solar cell 150 having such a structure will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4. Next, the solar cell module 100 will be described in detail with reference to FIG.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지를 도시한 단면도이고, 도 4는 도 3에 도시한 태양 전지의 평면도이다. 도 4에서는 반도체 기판(160)과 전극(42, 44)을 위주로 하여 도시하였고, 도 3 및 도 4에서는 태양 전지(150) 위에 위치하는 리본(142)은 도시하지 않았다. FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a solar cell according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a plan view of the solar cell shown in FIG. In FIG. 4, the semiconductor substrate 160 and the electrodes 42 and 44 are mainly shown. In FIGS. 3 and 4, the ribbon 142 located on the solar cell 150 is not shown.

도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 태양 전지(150)는, 베이스 영역(10)을 포함하는 반도체 기판(160)과, 제1 도전형을 가지는 제1 도전형 영역(20)과 제2 도전형을 가지는 제2 도전형 영역(30)과, 제1 도전형 영역(20)에 연결되는 제1 전극(42)과, 제2 도전형 영역(30)에 연결되는 제2 전극(44)을 포함한다. 그리고 태양 전지(150)는 제1 패시베이션막(22), 반사 방지막(24), 제2 패시베이션막(32)을 더 포함할 수 있다. 이를 좀더 상세하게 설명한다.3, a solar cell 150 according to the present embodiment includes a semiconductor substrate 160 including a base region 10, a first conductivity type region 20 having a first conductivity type, A first electrode 42 connected to the first conductive type region 20 and a second electrode 44 connected to the second conductive type region 30. The second conductive type region 30 has a conductive type, . The solar cell 150 may further include a first passivation film 22, an antireflection film 24, and a second passivation film 32. This will be explained in more detail.

반도체 기판(160)은 결정질 반도체로 구성될 수 있다. 일 예로, 반도체 기판(160)은 단결정 또는 다결정 반도체(일 예로, 단결정 또는 다결정 실리콘)로 구성될 수 있다. 특히, 반도체 기판(160)은 단결정 반도체(예를 들어, 단결정 반도체 웨이퍼, 좀더 구체적으로는, 단결정 실리콘 웨이퍼)로 구성될 수 있다. 이와 같이 반도체 기판(160)이 단결정 반도체(예를 들어, 단결정 실리콘)로 구성되면, 태양 전지(150)가 단결정 반도체 태양 전지(예를 들어, 단결정 실리콘 태양 전지)를 구성하게 된다. 이와 같이 결정성이 높아 결함이 적은 결정질 반도체로 구성되는 반도체 기판(160)을 기반으로 하는 태양 전지(150)는 우수한 전기적 특성을 가질 수 있다. The semiconductor substrate 160 may be formed of a crystalline semiconductor. In one example, the semiconductor substrate 160 may be composed of a single crystal or polycrystalline semiconductor (e.g., single crystal or polycrystalline silicon). In particular, the semiconductor substrate 160 may be composed of a single crystal semiconductor (for example, a single crystal semiconductor wafer, more specifically, a single crystal silicon wafer). Thus, when the semiconductor substrate 160 is made of a single crystal semiconductor (for example, a single crystal silicon), the solar cell 150 constitutes a single crystal semiconductor solar cell (for example, a single crystal silicon solar cell). The solar cell 150 based on the semiconductor substrate 160 made of a crystalline semiconductor having a high crystallinity and having few defects can have excellent electrical characteristics.

반도체 기판(160)의 전면 및/또는 후면은 텍스쳐링(texturing)되어 요철을 가질 수 있다. 요철은, 일 예로, 반도체 기판(160)의 (111)면으로 구성되며 불규칙한 크기를 가지는 피라미드 형상을 가질 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 요철이 다른 형상을 가질 수도 있다. 이와 같은 텍스쳐링에 의해 반도체 기판(160)의 전면 등에 요철이 형성되어 표면 거칠기가 증가되면, 반도체 기판(160)의 전면 등을 통하여 입사되는 광의 반사율을 낮출 수 있다. 따라서 베이스 영역(10)과 제1 도전형 영역(20)에 의하여 형성된 pn 접합까지 도달하는 광량을 증가시킬 수 있어, 광 손실을 최소화할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 반도체 기판(160)의 전면 및 후면에 텍스쳐링에 의한 요철이 형성되지 않는 것도 가능하다. The front surface and / or the rear surface of the semiconductor substrate 160 may be textured to have irregularities. The irregularities may be, for example, a (111) plane of the semiconductor substrate 160 and a pyramid shape having an irregular size. However, the present invention is not limited thereto, and the irregularities may have different shapes. When the surface roughness of the semiconductor substrate 160 is increased by forming concavities and convexities on the front surface of the semiconductor substrate 160 by such texturing, the reflectance of light incident through the front surface of the semiconductor substrate 160 can be reduced. Accordingly, the amount of light reaching the pn junction formed by the base region 10 and the first conductivity type region 20 can be increased, so that the optical loss can be minimized. However, the present invention is not limited thereto, and it is also possible that the irregularities due to texturing are not formed on the front surface and the rear surface of the semiconductor substrate 160.

반도체 기판(160)은 제2 도전형 도펀트를 상대적으로 낮은 도핑 농도로 포함하여 제2 도전형을 가지는 베이스 영역(10)을 포함할 수 있다. 일 예로, 베이스 영역(10)은 제1 도전형 영역(20)보다 반도체 기판(160)의 전면으로부터 좀더 멀리, 또는 후면에 좀더 가까이 위치할 수 있다. 그리고 베이스 영역(10)은 제2 도전형 영역(30)보다 반도체 기판(160)의 전면에 좀더 가까이, 후면으로부터 좀더 멀리 위치할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 베이스 영역(10)의 위치가 달라질 수 있음은 물론이다. The semiconductor substrate 160 may include a base region 10 having a second conductivity type including a second conductivity type dopant at a relatively low doping concentration. For example, the base region 10 may be located farther from the front surface of the semiconductor substrate 160 than the first conductivity type region 20, or closer to the rear surface. And the base region 10 may be closer to the front of the semiconductor substrate 160 than the second conductivity type region 30 and further away from the backside. However, the present invention is not limited thereto, and it goes without saying that the position of the base region 10 can be changed.

여기서, 베이스 영역(10)은 제2 도전형 도펀트를 포함하는 결정질 반도체로 구성될 수 있다. 일 예로, 베이스 영역(10)은 제2 도전형 도펀트를 포함하는 단결정 또는 다결정 반도체(일 예로, 단결정 또는 다결정 실리콘)로 구성될 수 있다. 특히, 베이스 영역(10)은 제2 도전형 도펀트를 포함하는 단결정 반도체(예를 들어, 단결정 반도체 웨이퍼, 좀더 구체적으로는, 단결정 실리콘 웨이퍼)로 구성될 수 있다. Here, the base region 10 may be formed of a crystalline semiconductor containing a second conductive dopant. In one example, the base region 10 may be composed of a single crystal or a polycrystalline semiconductor (for example, single crystal or polycrystalline silicon) including a second conductive type dopant. In particular, the base region 10 may be comprised of a single crystal semiconductor (e.g., a single crystal semiconductor wafer, more specifically a single crystal silicon wafer) comprising a second conductive dopant.

제2 도전형은 n형 또는 p형일 수 있다. 베이스 영역(10)이 n형을 가지는 경우에는 베이스 영역(10)이 5족 원소인 인(P), 비소(As), 비스무스(Bi), 안티몬(Sb) 등이 도핑된 단결정 또는 다결정 반도체로 이루어질 수 있다. 베이스 영역(10)이 p형을 가지는 경우에는 베이스 영역(10)이 3족 원소인 보론(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등이 도핑된 단결정 또는 다결정 반도체로 이루어질 수 있다. The second conductivity type may be n-type or p-type. When the base region 10 has an n type, the base region 10 is formed of a single crystal or polycrystalline semiconductor doped with a Group 5 element (P), arsenic (As), bismuth (Bi), antimony (Sb) Lt; / RTI > When the base region 10 has a p-type, the base region 10 is formed of a single crystal or polycrystalline semiconductor doped with boron (B), aluminum (Al), gallium (Ga) Lt; / RTI >

그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 베이스 영역(10) 및 제2 도전형 도펀트가 다양한 물질로 구성될 수 있다. However, the present invention is not limited thereto, and the base region 10 and the second conductive dopant may be composed of various materials.

일 예로, 베이스 영역(10)은 n형일 수 있다. 그러면, 베이스 영역(10)과 pn 접합을 이루는 제1 도전형 영역(20)이 p형을 가지게 된다. 이러한 pn 접합에 광이 조사되면 광전 효과에 의해 생성된 전자가 반도체 기판(160)의 후면 쪽으로 이동하여 제2 전극(44)에 의하여 수집되고, 정공이 반도체 기판(160)의 전면 쪽으로 이동하여 제1 전극(42)에 의하여 수집된다. 이에 의하여 전기 에너지가 발생한다. 그러면, 전자보다 이동 속도가 느린 정공이 반도체 기판(160)의 후면이 아닌 전면으로 이동하여 변환 효율이 향상될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 베이스 영역(10) 및 제2 도전형 영역(30)이 p형을 가지고 제1 도전형 영역(20)이 n형을 가지는 것도 가능하다. As an example, the base region 10 may be n-type. Then, the first conductivity type region 20 forming the pn junction with the base region 10 has p-type conductivity. When the pn junction is irradiated with light, electrons generated by the photoelectric effect move toward the rear surface of the semiconductor substrate 160 and are collected by the second electrode 44, and the holes move toward the front surface of the semiconductor substrate 160, 1 electrode 42. In this case, Thereby, electric energy is generated. Then, holes having a slower moving speed than electrons may move to the front surface of the semiconductor substrate 160 rather than the rear surface thereof, thereby improving the conversion efficiency. However, the present invention is not limited thereto, and it is also possible that the base region 10 and the second conductivity type region 30 have a p-type and the first conductivity type region 20 has an n-type.

반도체 기판(160)의 전면 쪽에는 베이스 영역(10)과 반대되는 제1 도전형을 가지는 제1 도전형 영역(20)이 형성될 수 있다. 제1 도전형 영역(20)은 베이스 영역(10)과 pn 접합을 형성하여 광전 변환에 의하여 캐리어를 생성하는 에미터 영역을 구성한다. A first conductive type region 20 having a first conductivity type opposite to the base region 10 may be formed on the front side of the semiconductor substrate 160. The first conductive type region 20 forms a pn junction with the base region 10 to form an emitter region for generating carriers by photoelectric conversion.

본 실시예에서는 제1 도전형 영역(20)이 반도체 기판(160)의 일부를 구성하는 도핑 영역으로 구성될 수 있다. 이에 의하여 제1 도전형 영역(20)이 제1 도전형 도펀트를 포함하는 결정질 반도체로 구성될 수 있다. 일 예로, 제1 도전형 영역(20)이 제1 도전형 도펀트를 포함하는 단결정 또는 다결정 반도체(일 예로, 단결정 또는 다결정 실리콘)로 구성될 수 있다. 특히, 제1 도전형 영역(20)은 제1 도전형 도펀트를 포함하는 단결정 반도체(예를 들어, 단결정 반도체 웨이퍼, 좀더 구체적으로는, 단결정 실리콘 웨이퍼)로 구성될 수 있다. 이와 같이 제1 도전형 영역(20)이 반도체 기판(160)의 일부를 구성하면 베이스 영역(10)과의 접합 특성을 향상할 수 있다. In this embodiment, the first conductivity type region 20 may be a doped region constituting a part of the semiconductor substrate 160. Accordingly, the first conductive type region 20 may be formed of a crystalline semiconductor including the first conductive type dopant. In one example, the first conductive type region 20 may be composed of a single crystal or a polycrystalline semiconductor (for example, single crystal or polycrystalline silicon) including the first conductive type dopant. In particular, the first conductivity type region 20 may be composed of a single crystal semiconductor (for example, a single crystal semiconductor wafer, more specifically, a single crystal silicon wafer) including a first conductive type dopant. As described above, when the first conductive type region 20 is formed as a part of the semiconductor substrate 160, the junction characteristics with the base region 10 can be improved.

그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 제1 도전형 영역(20)이 반도체 기판(160)의 위에서 반도체 기판(160)과 별개로 형성될 수 있다. 이 경우에 제1 도전형 영역(20)은 반도체 기판(160) 위에 쉽게 형성될 수 있도록 반도체 기판(160)과 다른 결정 구조를 가지는 반도체층으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 제1 도전형 영역(20)은 증착 등의 다양한 방법에 의하여 쉽게 제조될 수 있는 비정질 반도체, 미세 결정 반도체, 또는 다결정 반도체(일 예로, 비정질 실리콘, 미세 결정 실리콘, 또는 다결정 실리콘) 등에 제1 도전형 도펀트를 도핑하여 형성될 수 있다. 그 외의 다양한 변형이 가능하다. However, the present invention is not limited thereto, and the first conductive region 20 may be formed separately from the semiconductor substrate 160 on the semiconductor substrate 160. In this case, the first conductivity type region 20 may be formed of a semiconductor layer having a crystal structure different from that of the semiconductor substrate 160 so as to be easily formed on the semiconductor substrate 160. For example, the first conductivity type region 20 may be an amorphous semiconductor, a microcrystalline semiconductor, or a polycrystalline semiconductor (e.g., amorphous silicon, microcrystalline silicon, or polycrystalline silicon) that can be easily fabricated by various methods, And the first conductive type dopant. Various other variations are possible.

제1 도전형은 p형 또는 n형일 수 있다. 제1 도전형 영역(20)이 p형을 가지는 경우에는 제1 도전형 영역(20)이 3족 원소인 보론(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등이 도핑된 단결정 또는 다결정 반도체로 이루어질 수 있다. 제1 도전형 영역(20)이 n형을 가지는 경우에는 제1 도전형 영역(20)이 5족 원소인 인(P), 비소(As), 비스무스(Bi), 안티몬(Sb) 등이 도핑된 단결정 또는 다결정 반도체로 이루어질 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 물질이 제1 도전형 도펀트로 사용될 수 있다. The first conductivity type may be p-type or n-type. When the first conductive type region 20 has a p-type, the first conductive type region 20 is doped with boron (B), aluminum (Al), gallium (Ga), indium Single crystal or polycrystalline semiconductor. When the first conductive type region 20 has an n type, the first conductive type region 20 is doped with a Group 5 element such as (P), arsenic (As), bismuth (Bi), antimony (Sb) Single crystal or polycrystalline semiconductor. However, the present invention is not limited thereto, and various materials may be used as the first conductivity type dopant.

도면에서는 제1 도전형 영역(20)이 전체적으로 균일한 도핑 농도를 가지는 균일한 구조(homogeneous structure)를 가지는 것을 예시하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 다른 실시예로, 제1 도전형 영역(20)이 선택적 구조(selective structure)를 가질 수 있다. 선택적 구조에서는 제1 도전형 영역(20) 중에서 제1 전극(42)과 인접한 부분에서 높은 도핑 농도, 큰 정션 깊이 및 낮은 저항을 가지며, 그 외의 부분에서 낮은 도핑 농도, 작은 정션 깊이 및 높은 저항을 가질 수 있다. 제1 도전형 영역(20)의 구조로는 이 외에도 다양한 구조가 적용될 수 있다. In the figure, the first conductivity type region 20 has a homogeneous structure having a uniform doping concentration as a whole. However, the present invention is not limited thereto. Thus, in another embodiment, the first conductive region 20 may have a selective structure. The selective structure has a high doping concentration, a large junction depth and a low resistance in the portion of the first conductive type region 20 adjacent to the first electrode 42 and a low doping concentration, a small junction depth and a high resistance Lt; / RTI > As the structure of the first conductivity type region 20, various other structures may be applied.

반도체 기판(160)의 후면 쪽에는 베이스 영역(10)과 동일한 제2 도전형을 가지되, 베이스 영역(10)보다 높은 도핑 농도로 제2 도전형 도펀트를 포함하는 제2 도전형 영역(30)이 형성될 수 있다. 제2 도전형 영역(30)은 후면 전계(back surface field)를 형성하여 반도체 기판(160)의 표면(좀더 정확하게는, 반도체 기판(160)의 후면)에서 재결합에 의하여 캐리어가 손실되는 것을 방지하는 후면 전계 영역을 구성한다. A second conductive type region 30 having a second conductive type identical to the base region 10 and including a second conductive type dopant at a higher doping concentration than the base region 10 is formed on the rear surface of the semiconductor substrate 160, Can be formed. The second conductivity type region 30 forms a back surface field to prevent carriers from being lost by recombination on the surface of the semiconductor substrate 160 (more precisely, the back surface of the semiconductor substrate 160) Thereby constituting a rear electric field area.

본 실시예에서는 제2 도전형 영역(30)이 반도체 기판(160)의 일부를 구성하는 도핑 영역으로 구성될 수 있다. 이에 의하여 제2 도전형 영역(30)이 제2 도전형 도펀트를 포함하는 결정질 반도체로 구성될 수 있다. 일 예로, 제2 도전형 영역(30)이 제2 도전형 도펀트를 포함하는 단결정 또는 다결정 반도체(일 예로, 단결정 또는 다결정 실리콘)로 구성될 수 있다. 특히, 제2 도전형 영역(30)은 제2 도전형 도펀트를 포함하는 단결정 반도체(예를 들어, 단결정 반도체 웨이퍼, 좀더 구체적으로는, 단결정 실리콘 웨이퍼)로 구성될 수 있다. 이와 같이 제2 도전형 영역(30)이 반도체 기판(160)의 일부를 구성하면 베이스 영역(10)과의 접합 특성을 향상할 수 있다. In this embodiment, the second conductivity type region 30 may be a doped region constituting a part of the semiconductor substrate 160. Accordingly, the second conductive type region 30 may be formed of a crystalline semiconductor including the second conductive type dopant. As an example, the second conductivity type region 30 may be composed of a single crystal or a polycrystalline semiconductor (for example, single crystal or polycrystalline silicon) including a second conductivity type dopant. In particular, the second conductivity type region 30 may be composed of a single crystal semiconductor (for example, a single crystal semiconductor wafer, more specifically, a single crystal silicon wafer) including a second conductivity type dopant. When the second conductive type region 30 is formed as a part of the semiconductor substrate 160, the junction characteristics with the base region 10 can be improved.

그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 제2 도전형 영역(30)이 반도체 기판(160)의 위에서 반도체 기판(160)과 별개로 형성될 수 있다. 이 경우에 제2 도전형 영역(30)은 반도체 기판(160) 위에 쉽게 형성될 수 있도록 반도체 기판(160)과 다른 결정 구조를 가지는 반도체층으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 제2 도전형 영역(30)은 증착 등의 다양한 방법에 의하여 쉽게 제조될 수 있는 비정질 반도체, 미세 결정 반도체, 또는 다결정 반도체(일 예로, 비정질 실리콘, 미세 결정 실리콘, 또는 다결정 실리콘) 등에 제2 도전형 도펀트를 도핑하여 형성될 수 있다. 그 외의 다양한 변형이 가능하다. However, the present invention is not limited thereto, and the second conductive type region 30 may be formed separately from the semiconductor substrate 160 on the semiconductor substrate 160. In this case, the second conductivity type region 30 may be formed of a semiconductor layer having a crystal structure different from that of the semiconductor substrate 160 so that the second conductivity type region 30 can be easily formed on the semiconductor substrate 160. For example, the second conductivity type region 30 may be an amorphous semiconductor, a microcrystalline semiconductor, or a polycrystalline semiconductor (e.g., amorphous silicon, microcrystalline silicon, or polycrystalline silicon) that can be easily fabricated by various methods, And the second conductive type dopant. Various other variations are possible.

제2 도전형은 n형 또는 p형일 수 있다. 제2 도전형 영역(30)이 n형을 가지는 경우에는 제2 도전형 영역(30)이 5족 원소인 인(P), 비소(As), 비스무스(Bi), 안티몬(Sb) 등이 도핑된 단결정 또는 다결정 반도체로 이루어질 수 있다. 제2 도전형 영역(30)이 p형을 가지는 경우에는 제2 도전형 영역(30)이 3족 원소인 보론(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등이 도핑된 단결정 또는 다결정 반도체로 이루어질 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 물질이 제2 도전형 도펀트로 사용될 수 있다. 그리고 제2 도전형 영역(30)의 제2 도전형 도펀트는 베이스 영역(10)의 제2 도전형 도펀트와 동일한 물질일 수도 있고, 이와 다른 물질일 수도 있다. The second conductivity type may be n-type or p-type. When the second conductivity type region 30 has an n-type, the second conductivity type region 30 is doped with P, As, bismuth, antimony, or the like, which is a Group 5 element, Single crystal or polycrystalline semiconductor. When the second conductivity type region 30 has a p-type, the second conductivity type region 30 is doped with boron (B), aluminum (Al), gallium (Ga), indium Single crystal or polycrystalline semiconductor. However, the present invention is not limited thereto, and various materials may be used as the second conductivity type dopant. The second conductive dopant of the second conductive type region 30 may be the same as or different from the second conductive type dopant of the base region 10.

본 실시예에서 제2 도전형 영역(30)이 전체적으로 균일한 도핑 농도를 가지는 균일한 구조(homogeneous structure)를 가지는 것을 예시하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 다른 실시예로, 제2 도전형 영역(30)이 선택적 구조(selective structure)를 가질 수 있다. 선택적 구조에서는 제2 도전형 영역(30) 중에서 제2 전극(44)과 인접한 부분에서 높은 도핑 농도, 큰 정션 깊이 및 낮은 저항을 가지며, 그 외의 부분에서 낮은 도핑 농도, 작은 정션 깊이 및 높은 저항을 가질 수 있다. 또 다른 실시예로, 제2 도전형 영역(30)이 국부적 구조(local structure)를 가질 수 있다. 국부적 구조에서는 제2 도전형 영역(30)이 제2 전극(44)이 형성된 부분에 대응하여 국부적으로 형성될 수 있다. 제2 도전형 영역(30)의 구조로는 이 외에도 다양한 구조가 적용될 수 있다. In this embodiment, the second conductivity type region 30 has a homogeneous structure having a uniform doping concentration as a whole. However, the present invention is not limited thereto. Thus, in another embodiment, the second conductivity type region 30 may have a selective structure. The selective structure has a high doping concentration, a large junction depth and a low resistance in the portion of the second conductivity type region 30 adjacent to the second electrode 44, and a low doping concentration, a small junction depth and a high resistance Lt; / RTI > In yet another embodiment, the second conductivity type region 30 may have a local structure. In the local structure, the second conductivity type region 30 may be locally formed corresponding to the portion where the second electrode 44 is formed. As the structure of the second conductivity type region 30, various other structures may be applied.

반도체 기판(160)의 전면 위에, 좀더 정확하게는, 반도체 기판(160)에 또는 이 위에 형성된 제1 도전형 영역(20) 위에 제1 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24)이 차례로 형성되고, 제1 전극(42)이 제1 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24)을 관통하여(즉, 개구부(102)를 통하여) 제1 도전형 영역(20)에 접촉하여 형성된다. The first passivation film 22 and the antireflection film 24 are sequentially formed on the front surface of the semiconductor substrate 160 and more precisely on the first conductive type region 20 formed on or in the semiconductor substrate 160, The first electrode 42 is formed in contact with the first conductivity type region 20 through the first passivation film 22 and the antireflection film 24 (i.e., through the opening 102).

제1 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24)은 제1 전극(42)에 대응하는 개구부(102)를 제외하고 실질적으로 반도체 기판(160)의 전면 전체에 형성될 수 있다. The first passivation film 22 and the antireflection film 24 may be formed substantially entirely on the entire surface of the semiconductor substrate 160 except for the opening portion 102 corresponding to the first electrode 42. [

제1 패시베이션막(22)은 제1 도전형 영역(20)에 접촉하여 형성되어 제1 도전형 영역(20)의 표면 또는 벌크 내에 존재하는 결함을 부동화 시킨다. 이에 의하여 소수 캐리어의 재결합 사이트를 제거하여 태양 전지(150)의 개방 전압(Voc)을 증가시킬 수 있다. 반사 방지막(24)은 반도체 기판(160)의 전면으로 입사되는 광의 반사율을 감소시킨다. 이에 의하여 반도체 기판(160)의 전면을 통해 입사되는 광의 반사율이 낮추는 것에 의하여 베이스 영역(10)과 제1 도전형 영역(20)에 의하여 형성된 pn 접합까지 도달되는 광량을 증가시킬 수 있다. 이에 따라 태양 전지(150)의 단락 전류(Isc)를 증가시킬 수 있다. 이와 같이 제1 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24)에 의해 태양 전지(150)의 개방 전압과 단락 전류를 증가시켜 태양 전지(150)의 효율을 향상할 수 있다.The first passivation film 22 is formed in contact with the first conductive type region 20 to passivate defects present in the surface or bulk of the first conductive type region 20. Accordingly, it is possible to increase the open-circuit voltage (Voc) of the solar cell 150 by removing recombination sites of the minority carriers. The antireflection film 24 reduces the reflectance of light incident on the front surface of the semiconductor substrate 160. Accordingly, the amount of light reaching the pn junction formed by the base region 10 and the first conductivity type region 20 can be increased by lowering the reflectance of light incident through the entire surface of the semiconductor substrate 160. Accordingly, the short circuit current Isc of the solar cell 150 can be increased. As described above, the efficiency of the solar cell 150 can be improved by increasing the open-circuit voltage and short-circuit current of the solar cell 150 by the first passivation film 22 and the anti-reflection film 24.

제1 패시베이션막(22)은 다양한 물질로 형성될 수 있다. 일례로, 패시베이셔막(22)은 실리콘 질화막, 수소를 포함한 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 산화 질화막, 알루미늄 산화막, MgF₂, ZnS, TiO₂ 및 CeO₂로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 단일막 또는 2개 이상의 막이 조합된 다층막 구조를 가질 수 있다. 일 예로, 제1 패시베이션막(22)은, 제1 도전형 영역(20)이 n형을 가지는 경우에는 고정 양전하를 가지는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 등을 포함할 수 있으며, 제1 도전형 영역(20)이 p형을 가지는 경우에는 고정 음전하를 가지는 알루미늄 산화막 등을 포함할 수 있다. The first passivation film 22 may be formed of various materials. For example, the passivation film 22 may be a single film selected from the group consisting of a silicon nitride film, a silicon nitride film including hydrogen, a silicon oxide film, a silicon oxynitride film, an aluminum oxide film, MgF ₂ , ZnS, TiO ₂ and CeO ₂ And may have a multi-layered film structure in which two or more films are combined. For example, the first passivation film 22 may include a silicon oxide film having a fixed positive charge, a silicon nitride film, or the like when the first conductivity type region 20 has an n-type, and the first passivation film 20 ) Has a p-type, it may include an aluminum oxide film having a fixed negative charge.

방사 방지막(24)은 다양한 물질로 형성될 수 있다. 일례로, 반사 방지막(24)은 실리콘 질화막, 수소를 포함한 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 산화 질화막, 알루미늄 산화막, MgF₂, ZnS, TiO₂ 및 CeO₂로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 단일막 또는 2개 이상의 막이 조합된 다층막 구조를 가질 수 있다. 일 예로, 반사 방지막(24)은 실리콘 질화물을 포함할 수 있다. The anti-radiation film 24 may be formed of various materials. For example, the antireflection film 24 may be a single film selected from the group consisting of a silicon nitride film, a silicon nitride film including hydrogen, a silicon oxide film, a silicon oxynitride film, an aluminum oxide film, MgF ₂ , ZnS, TiO _2, and CeO ₂ , Layer structure having a combination of at least two layers. In one example, the antireflective film 24 may comprise silicon nitride.

그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 제1 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24)이 다양한 물질을 포함할 수 있음은 물론이다. 그리고 제1 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24) 중 어느 하나가 반사 방지 역할 및 패시베이션 역할을 함께 수행하여 다른 하나가 구비되지 않는 것도 가능하다. 또는, 제1 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24) 이외의 다양한 막이 반도체 기판(160) 위에 형성될 수도 있다. 그 외에도 다양한 변형이 가능하다. However, the present invention is not limited thereto, and it goes without saying that the first passivation film 22 and the anti-reflection film 24 may include various materials. It is also possible that any one of the first passivation film 22 and the antireflection film 24 performs an antireflection role and a passivation function so that the other is not provided. Alternatively, various films other than the first passivation film 22 and the antireflection film 24 may be formed on the semiconductor substrate 160. Other variations are possible.

제1 전극(42)은 제1 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24)에 형성된 개구부(102)를 통하여(즉, 제1 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24)을 관통하여) 제1 도전형 영역(20)에 전기적으로 연결된다. 이러한 제1 전극(42)은 다양한 물질에 의하여 다양한 형상을 가지도록 형성될 수 있다. 제1 전극(42)의 형상에 대해서는 도 4를 참조하여 추후에 다시 설명한다. The first electrode 42 is electrically connected to the first passivation film 22 through the opening 102 formed in the first passivation film 22 and the antireflection film 24 (that is, through the first passivation film 22 and the antireflection film 24) And is electrically connected to the conductive type region 20. The first electrode 42 may be formed to have various shapes by various materials. The shape of the first electrode 42 will be described later with reference to FIG.

반도체 기판(160)의 후면 위에, 좀더 정확하게는 반도체 기판(160)에 형성된 제2 도전형 영역(30) 위에 제2 패시베이션막(32)이 형성되고, 제2 전극(44)이 제2 패시베이션막(32)을 관통하여(즉, 개구부(104)를 통하여) 제2 도전형 영역(30)에 연결된다. The second passivation film 32 is formed on the rear surface of the semiconductor substrate 160 more precisely on the second conductive type region 30 formed on the semiconductor substrate 160 and the second electrode 44 is formed on the second passivation film 30, (I.e., through the opening 104) to the second conductivity type region 30 through the second conductive type region 32.

제2 패시베이션막(32)은 제2 전극(44)에 대응하는 개구부(104)를 제외하고 실질적으로 반도체 기판(160)의 후면 전체에 형성될 수 있다. The second passivation film 32 may be formed substantially entirely on the rear surface of the semiconductor substrate 160 except for the opening 104 corresponding to the second electrode 44. [

제2 패시베이션막(32)은 제2 도전형 영역(30)에 접촉하여 형성되어 제2 도전형 영역(30)의 표면 또는 벌크 내에 존재하는 결함을 부동화 시킨다. 이에 의하여 소수 캐리어의 재결합 사이트를 제거하여 태양 전지(150)의 개방 전압(Voc)을 증가시킬 수 있다. The second passivation film 32 is formed in contact with the second conductive type region 30 to passivate defects present in the surface or bulk of the second conductive type region 30. Accordingly, it is possible to increase the open-circuit voltage (Voc) of the solar cell 150 by removing recombination sites of the minority carriers.

제2 패시베이션막(32)은 다양한 물질로 형성될 수 있다. 일례로, 제2 패시베이션막(32)은 실리콘 질화막, 수소를 포함한 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 산화 질화막, 알루미늄 산화막, MgF₂, ZnS, TiO₂ 및 CeO₂로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 단일막 또는 2개 이상의 막이 조합된 다층막 구조를 가질 수 있다. 일 예로, 제2 패시베이션막(32)은, 제2 도전형 영역(30)이 n형을 가지는 경우에는 고정 양전하를 가지는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 등을 포함할 수 있으며, 제2 도전형 영역(30)이 p형을 가지는 경우에는 고정 음전하를 가지는 알루미늄 산화막 등을 포함할 수 있다. The second passivation film 32 may be formed of various materials. For example, the second passivation film 32 may be a single passivation film selected from the group consisting of a silicon nitride film, a silicon nitride film including hydrogen, a silicon oxide film, a silicon oxynitride film, an aluminum oxide film, MgF ₂ , ZnS, TiO _2, and CeO ₂ Or may have a multilayered film structure in which two or more films are combined. For example, the second passivation film 32 may include a silicon oxide film, a silicon nitride film, or the like having a fixed positive charge when the second conductive type region 30 has an n-type, and the second conductive type region 30 ) Has a p-type, it may include an aluminum oxide film having a fixed negative charge.

그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 제2 패시베이션막(32)이 다양한 물질을 포함할 수 있음은 물론이다. 또는, 제2 패시베이션막(32) 이외의 다양한 막이 반도체 기판(160)의 후면 위에 형성될 수도 있다. 그 외에도 다양한 변형이 가능하다. However, the present invention is not limited thereto, and it goes without saying that the second passivation film 32 may include various materials. Alternatively, various films other than the second passivation film 32 may be formed on the rear surface of the semiconductor substrate 160. Other variations are possible.

제2 전극(44)은 제2 패시베이션막(32)에 형성된 개구부(104)를 통하여 제2 도전형 영역(30)에 전기적으로 연결된다. 제2 전극(44)은 다양한 물질에 의하여 다양한 형상을 가지도록 형성될 수 있다.The second electrode 44 is electrically connected to the second conductivity type region 30 through the opening 104 formed in the second passivation film 32. The second electrode 44 may be formed to have various shapes by various materials.

도 4를 참조하여 제1 및 제2 전극(42, 44)의 평면 형상을 상세하게 설명한다. The planar shape of the first and second electrodes 42 and 44 will be described in detail with reference to FIG.

도 4를 참조하면, 제1 및 제2 전극(42, 44)은 일정한 피치를 가지면서 서로 이격되는 복수의 핑거 전극(42a, 44a)을 포함할 수 있다. 도면에서는 핑거 전극(42a, 44a)이 서로 평행하며 반도체 기판(160)의 가장자리에 평행한 것을 예시하였으나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 그리고 제1 및 제2 전극(42, 44)은 핑거 전극들(42a, 44a)과 교차하는 방향으로 형성되어 핑거 전극(42a, 44a)을 연결하는 버스바 전극(42b, 44b)을 포함할 수 있다. 이러한 버스바 전극(42b, 44b)은 하나만 구비될 수도 있고, 도 4에 도시된 바와 같이, 핑거 전극(42a, 44a)의 피치보다 더 큰 피치를 가지면서 복수 개로 구비될 수도 있다. 이때, 핑거 전극(42a, 44a)의 폭보다 버스바 전극(42b, 44b)의 폭이 클 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 버스바 전극(42b, 44b)의 폭이 핑거 전극(42a, 44a)의 폭과 동일하거나 그보다 작은 폭을 가질 수 있다.Referring to FIG. 4, the first and second electrodes 42 and 44 may include a plurality of finger electrodes 42a and 44a spaced apart from each other with a predetermined pitch. Although the finger electrodes 42a and 44a are parallel to each other and parallel to the edge of the semiconductor substrate 160, the present invention is not limited thereto. The first and second electrodes 42 and 44 may include bus bar electrodes 42b and 44b formed in a direction crossing the finger electrodes 42a and 44a to connect the finger electrodes 42a and 44a. have. Only one bus bar electrode 42b or 44b may be provided, or a plurality of bus bar electrodes 42b and 44b may be provided with a larger pitch than the pitch of the finger electrodes 42a and 44a as shown in FIG. At this time, the width of the bus bar electrodes 42b and 44b may be larger than the width of the finger electrodes 42a and 44a, but the present invention is not limited thereto. Therefore, the width of the bus bar electrodes 42b and 44b may be equal to or smaller than the width of the finger electrodes 42a and 44a.

단면에서 볼 때, 제1 전극(42)의 핑거 전극(42a) 및 버스바 전극(42b)은 모두 제1 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24)을 관통하여 형성될 수도 있다. 즉, 개구부(102)가 제1 전극(42)의 핑거 전극(42a) 및 버스바 전극(42b)에 모두 대응하여 형성될 수 있다. 그리고 제2 전극(44)의 핑거 전극(44a) 및 버스바 전극(44b)은 모두 제2 패시베이션막(32)을 관통하여 형성될 수도 있다. 즉, 개구부(104)가 제2 전극(44)의 핑거 전극(44a) 및 버스바 전극(44b)에 모두 대응하여 형성될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 예로, 제1 전극(42)의 핑거 전극(42a)이 제1 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24)을 관통하여 형성되고, 버스바 전극(42b)이 제1 패시베이션막(22) 및 반사 방지막(24) 위에 형성될 수 있다. 이 경우에는 개구부(102)가 핑거 전극(42a)에 대응하는 형상으로 형성되고, 버스바 전극(42b)만 위치한 부분에는 형성되지 않을 수 있다. 그리고 제2 전극(44)의 핑거 전극(44a)이 제2 패시베이션막(32)을 관통하여 형성되고, 버스바 전극(44b)은 제2 패시베이션막(32) 위에 형성될 수 있다. 이 경우에는 개구부(104)가 핑거 전극(44a)에 대응하는 형상으로 형성되고, 버스바 전극(44b)만 위치한 부분에는 형성되지 않을 수 있다.The finger electrode 42a and the bus bar electrode 42b of the first electrode 42 may all be formed through the first passivation film 22 and the antireflection film 24 as viewed in cross section. That is, the opening 102 may be formed corresponding to both the finger electrode 42a of the first electrode 42 and the bus bar electrode 42b. The finger electrode 44a and the bus bar electrode 44b of the second electrode 44 may all be formed through the second passivation film 32. [ That is, the opening 104 may be formed corresponding to both the finger electrode 44a and the bus bar electrode 44b of the second electrode 44. [ However, the present invention is not limited thereto. As another example, the finger electrode 42a of the first electrode 42 is formed through the first passivation film 22 and the antireflection film 24, and the bus bar electrode 42b is formed through the first passivation film 22 and the anti- Antireflection film 24 may be formed. In this case, the opening 102 is formed in a shape corresponding to the finger electrode 42a, and may not be formed in a portion where only the bus bar electrode 42b is located. A finger electrode 44a of the second electrode 44 may be formed through the second passivation film 32 and a bus bar electrode 44b may be formed on the second passivation film 32. [ In this case, the opening 104 is formed in a shape corresponding to the finger electrode 44a, and may not be formed in a portion where only the bus bar electrode 44b is located.

도면에서는 제1 전극(42)과 제2 전극(44)이 서로 동일한 평면 형상을 가지는 것을 예시하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 제1 전극(42)의 핑거 전극(42a) 및 버스바 전극(42b)의 폭, 피치 등은 제2 전극(44)의 핑거 전극(44a) 및 버스바 전극(44b)의 폭, 피치 등과 서로 다른 값을 가질 수 있다. 또한, 제1 전극(42)과 제2 전극(44)의 평면 형상이 서로 다른 것도 가능하며, 그 외의 다양한 변형이 가능하다. In the drawing, the first electrode 42 and the second electrode 44 have the same planar shape. The width and the pitch of the finger electrode 42a and the bus bar electrode 42b of the first electrode 42 may be the same as the width and pitch of the finger electrode 44a and the bus bar electrode 42b of the second electrode 44, A width, a pitch, and the like of the first electrode 44b. In addition, the first electrode 42 and the second electrode 44 may have different planar shapes, and various other modifications are possible.

이와 같이 본 실시예에서는 태양 전지(150)의 제1 및 제2 전극(42, 44)이 일정한 패턴을 가져 태양 전지(150)가 반도체 기판(160)의 전면 및 후면으로 광이 입사될 수 있는 양면 수광형(bi-facial) 구조를 가진다. 이에 의하여 태양 전지(150)에서 사용되는 광량을 증가시켜 태양 전지(150)의 효율 향상에 기여할 수 있다. As described above, in this embodiment, the first and second electrodes 42 and 44 of the solar cell 150 have a predetermined pattern, so that the solar cell 150 can receive light from the front and back surfaces of the semiconductor substrate 160 It has a bi-facial structure. Accordingly, the amount of light used in the solar cell 150 can be increased to contribute to the efficiency improvement of the solar cell 150.

그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 및/또는 제2 전극(42, 44)의 형상이 다양하게 변형될 수 있다. 예를 들어, 제2 패시베이션막(32)이 구비되지 않고 제2 전극(44)이 반도체 기판(160)의 후면에 전체적으로 형성되어 반도체 기판(160)에 전체적으로 접촉하는 것도 가능하다. 또는, 제2 전극(44)이 반도체 기판(160)의 후면에 형성된 제2 패시베이션막(32) 위에 전체적으로 형성되며, 제2 패시베이션막(32)을 국부적으로 관통하여 반도체 기판(160)에 국부적으로 접촉하는 것도 가능하다. 그 외의 다양한 변형이 가능하다. However, the present invention is not limited thereto, and the shapes of the first and / or second electrodes 42 and 44 may be variously modified. For example, the second passivation film 32 may not be provided, and the second electrode 44 may be entirely formed on the rear surface of the semiconductor substrate 160 to entirely contact the semiconductor substrate 160. Alternatively, the second electrode 44 may be formed entirely on the second passivation film 32 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 160, locally penetrating the second passivation film 32, locally on the semiconductor substrate 160 It is also possible to contact. Various other variations are possible.

상술한 설명에서는 도 3 및 도 4를 참조하여 태양 전지(150)의 일 예를 설명하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 태양 전지(150)의 구조, 방식 등은 다양하게 변형될 수 있다. 일 예로, 태양 전지(150)는 화합물 반도체를 이용하거나, 염료 감응 물질을 이용하는 등의 다양한 구조를 가지는 광전 변환부가 적용될 수 있다. In the above description, an example of the solar cell 150 has been described with reference to Figs. 3 and 4. Fig. However, the present invention is not limited thereto, and the structure, mode, etc. of the solar cell 150 may be variously modified. For example, the solar cell 150 may be a photoelectric conversion unit having various structures such as using a compound semiconductor or using a dye sensitized material.

다시 도 1 및 도 2를 참조하면, 태양 전지(150)는 리본(142)에 의하여 전기적으로 직렬, 병렬 또는 직병렬로 연결될 수 있다. 구체적으로, 리본(142)은 태양 전지(150)의 전면 상에 형성된 제1 전극(도 3의 참조부호 42, 이하 동일)과, 이에 인접한 다른 태양 전지(150)의 후면 상에 형성된 제2 전극(도 3의 참조부호 44, 이하 동일)을 연결할 수 있다. 이에 대해서는 추후에 도 5 내지 도 8을 참조하여 좀더 상세하게 설명한다. Referring again to FIGS. 1 and 2, the solar cells 150 may be electrically connected in series, in parallel, or in series and parallel by a ribbon 142. Specifically, the ribbon 142 has a first electrode (reference numeral 42 in FIG. 3, hereinafter the same) formed on the front surface of the solar cell 150 and a second electrode formed on the rear surface of another solar cell 150 adjacent thereto (44 in Fig. 3, the same applies hereinafter). This will be described later in more detail with reference to FIGS. 5 to 8. FIG.

또한, 버스 리본(145)은 리본(142)에 의하여 연결된 하나의 열(列)의 태양 전지(150)의 리본(142)의 양끝단을 교대로 연결한다. 버스 리본(145)은 하나의 열을 이루는 태양 전지(150)의 단부에서 이와 교차하는 방향으로 배치될 수 있다. 이러한 버스 리본(145)은 태양 전지(150)가 생산한 전기를 모으며 전기가 역류되는 것을 방지하는 정션 박스(미도시)와 연결된다.The bus ribbon 145 alternately connects both ends of the ribbon 142 of the solar cell 150 in one row connected by the ribbon 142. [ The bus ribbons 145 may be arranged in the direction intersecting the ends of the solar cells 150 forming one row. The bus ribbon 145 is connected to a junction box (not shown) that collects electricity generated by the solar cell 150 and prevents electricity from flowing backward.

제1 밀봉재(131)는 태양 전지(150)의 전면 쪽에 위치하고, 제2 밀봉재(132)는 태양 전지(150)의 후면 쪽에 위치할 수 있다. 제1 밀봉재(131)와 제2 밀봉재(132)는 라미네이션에 의해 태양 전지(150)에 접착되어 태양 전지(150)를 밀봉할 수 있다. 이에 의하여 제1 및 제2 밀봉재(131, 132)가 태양 전지(150)에 악영향을 미칠 수 있는 수분이나 산소를 차단하며, 태양 전지(150)의 각 요소들이 화학적으로 결합할 수 있도록 한다. The first sealing material 131 may be located on the front side of the solar cell 150 and the second sealing material 132 may be located on the rear side of the solar cell 150. The first sealant 131 and the second sealant 132 may be laminated to the solar cell 150 to seal the solar cell 150. Thus, the first and second sealing materials 131 and 132 cut off moisture and oxygen which may adversely affect the solar cell 150, and allow the respective elements of the solar cell 150 to chemically bond.

이러한 제1 밀봉재(131)와 제2 밀봉재(132)는 에틸렌초산비닐 공중합체 수지(EVA), 폴리비닐부티랄, 규소 수지, 에스테르계 수지, 올레핀계 수지 등이 사용될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 제1 및 제2 밀봉재(131, 132)는 그 외 다양한 물질을 이용하여 라미네이션 이외의 다른 방법에 의하여 형성될 수 있다. The first sealing material 131 and the second sealing material 132 may be made of ethylene vinyl acetate copolymer resin (EVA), polyvinyl butyral, silicon resin, ester resin, olefin resin, or the like. However, the present invention is not limited thereto. Accordingly, the first and second sealing materials 131 and 132 may be formed by a method other than lamination using various other materials.

전면 기판(110)은 태양광을 투과하도록 제1 밀봉재(131) 상에 위치하며, 외부의 충격 등으로부터 태양 전지(150)를 보호하기 위해 강화유리인 것이 바람직하다. 또한, 태양광의 반사를 방지하고 태양광의 투과율을 높이기 위해 철분이 적게 들어간 저철분 강화유리인 것이 더욱 바람직하다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 전면 기판(110)이 다른 물질 등으로 이루어질 수 있다. The front substrate 110 is positioned on the first sealing material 131 to transmit sunlight and is preferably made of tempered glass to protect the solar cell 150 from external impacts. Further, it is more preferable to use a low-iron-content tempered glass containing a small amount of iron in order to prevent the reflection of sunlight and increase the transmittance of sunlight. However, the present invention is not limited thereto, and the front substrate 110 may be formed of other materials.

후면 시트(200)는 태양 전지(150)의 이면에서 태양 전지(150)를 보호하는 층으로서, 방수, 절연 및 자외선 차단 기능을 한다. 후면 시트(200)는 필름 또는 시트 등의 형태로 구성될 수 있다. 후면 시트(200)은 TPT(Tedlar/PET/Tedlar) 타입이거나, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)의 적어도 일면에 폴리불화비닐리덴(poly vinylidene fluoride, PVDF) 수지 등이 형성된 구조일 수 있다. 폴리불화비닐리덴은 (CH₂CF₂)n의 구조를 지닌 고분자로서, 더블(Double)불소분자 구조를 가지기 때문에, 기계적 성질, 내후성, 내자외선성이 우수하다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 후면 시트(200)가 다른 물질 등으로 이루어질 수 있다. 이때, 후면 시트(200)는 전면 기판(110) 측으로부터 입사된 태양광을 반사하여 재이용될 수 있도록 반사율이 우수한 재질일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 후면 시트(200)가 태양광이 입사될 수 있는 투명 재질(예를 들어, 유리)로 형성되어 양면 수광형 태양 전지 모듈(100)을 구현할 수도 있다. The rear sheet 200 protects the solar cell 150 from the back surface of the solar cell 150, and functions as a waterproof, insulating, and ultraviolet shielding function. The backsheet 200 may be in the form of a film or sheet. The back sheet 200 may be a TPT (Tedlar / PET / Tedlar) type or a polyvinylidene fluoride (PVDF) resin formed on at least one surface of a polyethylene terephthalate (PET). Poly (vinylidene fluoride) is a polymer having a structure of (CH ₂ CF ₂ ) n and has a double fluorine molecular structure, and therefore has excellent mechanical properties, weather resistance, and ultraviolet ray resistance. However, the present invention is not limited thereto, and the backsheet 200 may be made of other materials. At this time, the rear sheet 200 may be made of a material having excellent reflectance so that sunlight incident from the front substrate 110 can be reflected and reused. However, the present invention is not limited thereto, and the back sheet 200 may be formed of a transparent material (for example, glass) into which solar light can enter, thereby realizing the double-side light receiving solar cell module 100.

상술한 리본(142)을 도 5 내지 도 8을 참조하여 좀더 상세하게 설명한다.The ribbons 142 described above will be described in more detail with reference to Figs. 5 to 8. Fig.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지용 리본(142)을 도시한 사시도이고, 도 6의 (a) 및 (b)는 도 5의 A-A 선 및 B-B 선 각각에 따른 단면도이다. 도 5에서는 태양 전지(150)에 부착되기 전 상태의 리본(142)을 도시하였다. FIG. 5 is a perspective view showing a ribbon 142 for a solar cell according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 6A and 6B are cross-sectional views taken along line A-A and line B-B, respectively, in FIG. FIG. 5 shows the ribbon 142 before it is attached to the solar cell 150. FIG.

도 5 및 도 6을 참조하면, 본 실시예에서 리본(142)은, 전도성 물질(일 예로, 금속)을 포함하여 이웃한 태양 전지(150)를 전기적으로 연결하는 부분인 리본 본체(1420)와, 리본 본체(1420)와 전극(42, 44) 사이에서 리본 본체(1420)와 전극(42, 44)을 전기적 및 물리적으로 연결하기 위한 솔더층(1421, 1422)을 포함한다. Referring to FIGS. 5 and 6, in this embodiment, the ribbon 142 includes a ribbon body 1420 including a conductive material (for example, metal) and electrically connecting neighboring solar cells 150 And solder layers 1421 and 1422 for electrically and physically connecting the ribbon body 1420 and the electrodes 42 and 44 between the ribbon body 1420 and the electrodes 42 and 44.

리본 본체(1420)는 전기 전도성이 우수하며 반사 특성이 우수한 물질(일 예로, 금속)으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 리본 본체(1420)가 구리, 은, 금 등의 다양한 금속으로 구성될 수 있다. 리본(142)이 특히 구리를 주요 금속으로 하여 형성된 경우에는 낮은 재료 비용으로 우수한 전기 전도성, 물리적 특성 및 반사 특성을 가질 수 있다. 그리고 솔더층(1421, 1422)은 리본 본체(1420) 상에 위치하여 태양 전지(150)에 접착되어 리본(142)과 태양 전지(150)의 전극(42, 44)을 전기적으로 연결할 수 있는 물질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 솔더층(1421, 1422)이 주석(Sn)을 포함하고, 추가적으로 그 외 다양한 금속을 포함할 수 있다. 일 예로, 솔더층(1421, 1422)은 30 내지 100wt%의 주석을 포함하고, 0 내지 50 wt%의 납(Pb), 0 내지 20 wt%의 은(Ag), 0 내지 60 wt%의 비스무스(Bi), 0 내지 60 wt%의 아연(Zn), 0 내지 50 wt%의 구리를 포함할 수 있다. 이러한 솔더층(1421, 1422)의 조성은 리본 본체(1420)와 태양 전지(150)의 부착 특성을 향상할 수 있도록 제시된 것이나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 솔더층(1421, 1422)의 조성은 다양하게 변화될 수 있다. The ribbon body 1420 may be made of a material (e.g., metal) having excellent electrical conductivity and excellent in reflection characteristics. For example, the ribbon body 1420 may be composed of various metals such as copper, silver, gold, and the like. The ribbon 142 may have excellent electrical conductivity, physical properties, and reflective properties at low material costs, especially when copper is formed from the primary metal. The solder layers 1421 and 1422 are disposed on the ribbon main body 1420 and bonded to the solar cell 150 to form a material capable of electrically connecting the ribbon 142 and the electrodes 42 and 44 of the solar cell 150 &Lt; / RTI > For example, the solder layers 1421 and 1422 include tin (Sn), and may additionally include various other metals. In one example, the solder layers 1421 and 1422 include 30 to 100 wt% tin and include 0 to 50 wt% lead (Pb), 0 to 20 wt% silver (Ag), 0 to 60 wt% (Bi), 0 to 60 wt% of zinc (Zn), and 0 to 50 wt% of copper. The composition of the solder layers 1421 and 1422 is shown to improve the adhesion characteristics between the ribbon body 1420 and the solar cell 150, but the present invention is not limited thereto. Therefore, the composition of the solder layers 1421 and 1422 can be variously changed.

본 실시예에서 리본 본체(1420)은 경사면 또는 곡면(특히, 경사면)을 구비하여 광을 반사할 수 있는 반사 구조(또는 텍스쳐링 구조)(142a, 142b)를 구비할 수 있다. 그리고 본 실시예에서 솔더층(1421, 1422)은 서로 다른 영역(A1, A2)(A3, A4)에서 서로 다른 두께를 가질 수 있다. 이에 대해서는 추후에 좀더 상세하게 설명한다. In this embodiment, the ribbon main body 1420 may have a reflective structure (or texturing structure) 142a, 142b having an inclined surface or a curved surface (in particular, an inclined surface) to reflect light. In this embodiment, the solder layers 1421 and 1422 may have different thicknesses in different regions A1 and A2 (A3 and A4). This will be described in more detail later.

이러한 구조의 리본(142)은 다양한 방법에 의하여 제조될 수 있다. 예를 들어, 리본 본체(1420)의 반사 구조(142a, 142b)는 압연 방식(예를 들어, 압연 롤(roll) 또는 압연 프레스(press) 등)으로 형성할 수 있다. 솔더층(1421, 1422)은 리본 본체(1420)를 솔더 물질 내에 침지(deeping)하는 침지 공정, 솔더 물질을 리본 본체(1420) 위에 코팅하는 코팅 공정 등에 의하여 형성될 수 있다. 특히, 침지 공정에 의하면 간단한 공정에 의하여 리본 본체(1420)에 위에 솔더층(1421, 1422)을 형성할 수 있다. 이와 같이 솔더층(1421, 1422)을 형성한 후에 솔더층(1421, 1422)의 일부를 제거하여 서로 다른 영역(A1, A1)(A3, A4)에서 서로 다른 두께를 가지는 솔더층(1421, 1422)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 솔더층(1421, 1422)을 전체적으로 형성한 후에 에어 나이프(air knife) 등을 이용하여 원하는 부분에서 솔더층(1421, 1422)을 부분적으로 제거하는 것에 의하여 원하는 두께를 가지는 솔더층(1421, 1422)을 형성할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 방법에 의하여 리본(142)을 형성할 수 있다. The ribbons 142 of this structure can be manufactured by various methods. For example, the reflective structures 142a, 142b of the ribbon body 1420 may be formed by a rolling process (e.g., a rolling roll or a rolling press). The solder layers 1421 and 1422 may be formed by an immersion process for deepening the ribbon body 1420 into the solder material, a coating process for coating the solder material on the ribbon body 1420, and the like. Particularly, according to the immersion process, solder layers 1421 and 1422 can be formed on the ribbon body 1420 by a simple process. After forming the solder layers 1421 and 1422 as described above, a part of the solder layers 1421 and 1422 is removed and solder layers 1421 and 1422 having different thicknesses in the different regions A1 and A1 (A3 and A4) ) Can be formed. For example, after the solder layers 1421 and 1422 are formed as a whole, the solder layers 1421 and 1422 are partially removed at a desired portion using an air knife or the like, 1421, and 1422 can be formed. However, the present invention is not limited thereto, and the ribbon 142 may be formed by various methods.

먼저, 리본 본체(1420)의 제1 면(일 예로, 전면)과 이 위에 위치하는 제1 솔더층(1421)에 대하여 설명한 후에, 제1 면과 반대되는 리본 본체(1420)의 제2 면(일 예로, 후면)과 이 위에 위치하는 제2 솔더층)에 대하여 설명한다. First, a first side (e.g., a front side) of the ribbon body 1420 and a first solder layer 1421 positioned thereon are first described, and then a second side (not shown) of the ribbon body 1420 For example, the rear surface) and the second solder layer disposed thereon) will be described.

본 실시예에서 리본 본체(1420)의 제1 면에는 제1 태양 전지(도 8의 참조부호 151, 이하 동일)에 부착될 영역에 대응하는 제1 영역(A1)과, 제1 영역(A1) 이외의 제2 영역(A2)이 정의될 수 있다. 좀더 구체적으로, 리본 본체(1420)의 제1 면에서 제1 영역(A1)은 제1 태양 전지(151)의 후면(즉, 제1 태양 전지(151)의 제2 전극(44) 위에 부착 또는 고정되는 영역이고, 리본 본체(1420)의 제1 면에서 제2 영역(A2)은 제1 영역(A1)을 제외한 부분을 의미할 수 있다. 제2 영역(A2)은, 제2 태양 전지(제1 태양 전지(151)와 리본(142)으로 연결되는 태양 전지, 도 8의 참조부호 152, 이하 동일)의 제1 전극(42) 위에 부착 또는 고정되는 제3 영역(A3)에 대응하는 제1 영역부(A21)와, 제1 태양 전지(151)의 제2 전극(44)과 제2 태양 전지(152)의 제1 전극(42) 사이에 위치하여 제1 영역(A1)과 제1 영역부(A21)를 연결하는 제2 영역부(A22)를 포함할 수 있다. In the present embodiment, the first surface A1 of the ribbon body 1420 corresponds to the area to be attached to the first solar cell (reference numeral 151 in FIG. 8, hereinafter the same) A second region A2 other than the first region A2 may be defined. More specifically, the first area A1 on the first surface of the ribbon body 1420 is attached to the rear surface of the first solar cell 151 (i.e., on the second electrode 44 of the first solar cell 151) And the second area A2 on the first surface of the ribbon main body 1420 may be a part excluding the first area A1. The second area A2 may be a part of the second solar cell Corresponding to the third region A3 attached or fixed on the first electrode 42 of the solar cell 151 connected to the first solar cell 151 and the ribbon 142, 1 region A21 and the second electrode 44 of the first solar cell 151 and the first electrode 42 of the second solar cell 152 to form the first region A1 and the first region A1, And a second area A22 connecting the area A21.

여기서, 리본 본체(1420)의 제1 면에는 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)에 걸쳐 산부(PA)와 골부(VA)를 가지며 산부(PA)와 골부(VA) 사이가 경사면으로 구성되는 반사 구조(142a)가 형성된다. 좀더 구체적으로, 리본 본체(1420)의 제1 면은 다른 불가피한 영역을 제외하고는 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2)으로 이루어지고, 제1 면에서 반사 구조(142a)가 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)에서 미형성 영역 없이 전체적으로 형성될 수 있다. 일 예로, 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2)의 반사 구조(142a)가 동일한 형상, 배치 등을 가지도록 형성되어, 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2)의 반사 구조(142a)가 단차 없이 연속적으로 형성되고 리본 본체(1420)의 제1 면이 전체적으로 균일한 형상을 가질 수 있다. 그러면, 리본 본체(1420)에 반사 구조(142a)를 전체적으로 형성하여 리본 본체(1420)의 형성 공정을 단순화할 수 있다. 그리고 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2) 사이에 단차가 없으므로, 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2)에서 서로 다른 두께를 가지는 제1 솔더층(1421)에 의한 영향을 최소화할 수 있다. Here, on the first surface of the ribbon main body 1420, a peak portion PA and a valley portion VA are provided over the first region A1 and the second region A2, and between the peak portion PA and the valley portion VA, A reflection structure 142a is formed. More specifically, the first side of the ribbon body 1420 comprises a first area A1 and a second area A2 except for the other unavoidable areas, and the reflective structure 142a on the first side comprises the first area A1 Can be formed entirely in the region A1 and the second region A2 without any unformed regions. For example, the reflective structures 142a of the first area A1 and the second area A2 may be formed to have the same shape, arrangement, and the like so that the reflective structure 142a of the first area A1 and the second area A2 The first surface 142a of the ribbon body 1420 may be continuously formed without a step and the first surface of the ribbon body 1420 may have a uniform uniform shape. Then, the reflective structure 142a may be formed entirely on the ribbon body 1420 to simplify the process of forming the ribbon body 1420. Since there is no step between the first region A1 and the second region A2, the influence of the first solder layer 1421 having a different thickness in the first region A1 and the second region A2 Can be minimized.

이와 같이 반사 구조(142a)가 제1 면에 형성되면, 제2 태양 전지(152)의 전면, 그리고 제1 태양 전지(151)와 제2 태양 전지(152) 사이에 위치한 리본 본체(1420)의 부분(즉, 제2 영역(A2))으로 입사되는 광을 특정 각도로 반사하여 전면 기판(110) 등에서 전반사되도록 하여 태양 전지(150)로 재입사하도록 한다. 또한, 제1 태양 전지(151)에 부착 또는 고정되는 제1 영역(A1)에서는 리본 본체(1420)와 솔더층(1421, 1422)의 접착 면적을 늘려 이들의 접착 특성을 개선하여 저항을 줄일 수 있다. When the reflective structure 142a is formed on the first surface as described above, the surface of the second solar cell 152 and the surface of the ribbon main body 1420 located between the first solar cell 151 and the second solar cell 152 The light incident on the second region A2 is reflected at a specific angle and is totally reflected by the front substrate 110 or the like to enter the solar cell 150 again. In addition, in the first region A1 that is attached or fixed to the first solar cell 151, the bonding area between the ribbon main body 1420 and the solder layers 1421 and 1422 is increased to improve the adhesion properties thereof, have.

도면에서는 반사 구조(142a)가 대략적인 삼각형(또는 V자 형상)의 단면 형상을 가지면서 리본 본체(1420)의 길이 방향을 따라 길게 이어지는 형상을 가지는 것을 예시하였다. 이에 의하면 반사 구조(142a)를 쉽고 안정적으로 형성할 수 있으며 반사 구조(142a)에서 반사되는 광의 양을 최대화할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 반사 구조(142a)가 대략적인 삼각형의 단면 형상을 가지면서 리본 본체(1420)의 폭 방향을 따라 이어지는 형상을 가지거나, 그 외의 다양한 배치를 가질 수 있다. 그리고 반사 구조(142a)가 피라미드 형상과 같은 형상 등 다양한 형상을 가질 수 있다. In the drawing, the reflective structure 142a has a substantially triangular (or V-shaped) cross-sectional shape and has a long shape extending along the longitudinal direction of the ribbon body 1420. FIG. Accordingly, the reflective structure 142a can be easily and stably formed, and the amount of light reflected by the reflective structure 142a can be maximized. However, the present invention is not limited thereto. For example, the reflective structure 142a may have a substantially triangular cross-sectional shape and have a shape extending along the width direction of the ribbon body 1420, or may have various other arrangements. And the reflective structure 142a may have various shapes such as a pyramid shape and the like.

그리고 도면에서는 반사 구조(142a)가 산부(PA)와 골부(VA)를 가지며 산부(PA)와 골부(VA) 사이가 경사면에 의하여 연결되는 것을 예시하였다. 이에 의하면 반사 구조(142a)를 쉽게 형성할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 반사 구조(142a)의 산부(PA)와 골부(VA) 사이가 곡면으로 연결되는 등 다양한 변형이 가능하다. In the drawing, the reflection structure 142a has the peak PA and the valley VA, and the peak PA and the valley VA are connected by the slope. According to this, the reflective structure 142a can be easily formed. However, the present invention is not limited thereto, and various modifications are possible, for example, the peak PA between the reflective structure 142a and the valley VA is curved.

리본 본체(1420)의 제1 면 위에 위치하는 제1 솔더층(1421)은 제1 태양 전지(151)와의 부착을 위한 제1 영역(A1)뿐만 아니라, 그 외의 영역인 제2 영역(A2)에도 형성된다. 좀더 구체적으로는, 제1 솔더층(1421)이 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)에 미형성 영역 없이 전체적으로 형성될 수 있다. The first solder layer 1421 located on the first surface of the ribbon main body 1420 is not only the first region A1 for attachment to the first solar cell 151 but also the second region A2, . More specifically, the first solder layer 1421 may be formed entirely in the first region A1 and the second region A2 without any unformed regions.

이와 같이 제1 솔더층(1421)이 리본 본체(1420)의 제1 면 위에 전체적으로 형성되면, 리본 본체(1420) 위에서 리본 본체(1420)의 산화를 방지하여 리본 본체(1420)의 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 솔더층(1421, 1422)을 간단한 침지 공정에 의하여 형성하여 생산성을 향상할 수 있다. If the first solder layer 1421 is formed entirely on the first surface of the ribbon body 1420 as described above, oxidation of the ribbon body 1420 over the ribbon body 1420 is prevented to deteriorate the characteristics of the ribbon body 1420 Can be prevented. In addition, the solder layers 1421 and 1422 can be formed by a simple immersion process to improve productivity.

다만, 제1 태양 전지(151)와의 부착에 직접 관여하지 않는 제2 영역(A2)에서는 제1 영역(A1)보다 제1 솔더층(1421)의 두께를 얇게 할 수 있다. 여기서, 제1 솔더층(1421)의 두께는 제1 영역(A1)에서 가장 두꺼운 두께(즉, 추후에 설명할 제2 두께(T2))와 제2 영역(A2)에서 가장 두꺼운 두께(즉, 추후에 설명할 제4 두께(T4))를 비교한 것일 수 있다. 이러한 두께 차이에 의하여 제2 영역(A2)에서 반사 구조(142a)에 의한 반사 효과를 최대화할 수 있다. 이때, 제2 영역(A2)에서 제1 솔더층(1421)의 두께는 반사 구조(142a)의 높이(H)보다 작을 수 있다. 이를 좀더 상세하게 설명한다. However, the thickness of the first solder layer 1421 can be made thinner than that of the first region A1 in the second region A2 which is not directly involved in the attachment to the first solar cell 151. [ Here, the first solder layer 1421 has a thickness that is the thickest in the first region A1 (i.e., the second thickness T2 to be described later) and the thickest thickness in the second region A2 (that is, And a fourth thickness T4 to be described later). Such a thickness difference can maximize the reflection effect of the reflecting structure 142a in the second region A2. In this case, the thickness of the first solder layer 1421 in the second region A2 may be smaller than the height H of the reflective structure 142a. This will be explained in more detail.

도 6의 (b)를 참조하면, 제2 영역(A2)에서 제1 솔더층(1421)은 산부(PA) 위에서 제1 두께(T1)을 가지고, 골부(VA) 위에서 제2 두께(T2)를 가는데, 제1 및 제2 두께(T1, T2)는 반사 구조(142a)의 높이(H)보다 작을 수 있다. 이와 같이 제2 영역(A2)에 위치한 제1 솔더층(1421)의 두께(즉, 제1 및 제2 두께(T1, T2))를 작게 하여 제2 영역(A2)에서의 반사 효과를 최대화할 수 있다. 6B, the first solder layer 1421 in the second region A2 has a first thickness T1 on the peak PA and a second thickness T2 on the valley VA. The first and second thicknesses T1 and T2 may be less than the height H of the reflective structure 142a. In this way, the thickness of the first solder layer 1421 (i.e., the first and second thicknesses T1 and T2) located in the second region A2 is reduced to maximize the reflection effect in the second region A2 .

제2 두께(T2)는 제1 두께(T1)와 같거나 이보다 클 수 있다. 특히, 제2 두께(T2)는 제1 두께(T1)보다 클 수 있다. 또한, 골부(VA)에 인접한 부분보다는 산부(PA)에 인접한 부분에 상대적으로 광이 더 많이 도달하므로, 산부(PA)에서는 제1 두께(T1)에 의하여 반사 효과를 극대화하고, 골부(VA)에서는 제1 두께(T1)와 같거나 이보다 큰 제2 두께(T2)에 의하여 제1 솔더층(1421)에 의한 산화 방지 효과 등을 최대화할 수 있다. The second thickness T2 may be equal to or greater than the first thickness T1. In particular, the second thickness T2 may be greater than the first thickness T1. In addition, since light is relatively more incident on the portion adjacent to the peak PA than the portion adjacent to the valley VA, the peak effect is maximized by the first thickness T1 in the peak PA, The effect of preventing oxidation by the first solder layer 1421 can be maximized by the second thickness T2 which is equal to or greater than the first thickness T1.

이러한 제1 솔더층(1421)을 형성하는 공정에서 골부(VA) 내부에 제1 솔더층(1421)이 더 많이 잔류하기 때문에 형성될 수도 있고, 제2 영역(A2)에서 제1 솔더층(1421)을 제거하는 공정에서 골부(VA) 내부의 제1 솔더층(1421)이 잘 제거되지 않아 자연적으로 형성될 수도 있다. 이에 의하여 제2 영역(A2)에서 원하는 구조의 제1 솔더층(1421)을 쉽게 형성할 수 있다. May be formed because the first solder layer 1421 remains in the valley portion VA more in the process of forming the first solder layer 1421 and the first solder layer 1421 The first solder layer 1421 in the valley portion VA may not be removed well and may be formed naturally. As a result, the first solder layer 1421 having a desired structure can be easily formed in the second region A2.

제2 영역(A2)에서 제1 솔더층(1421)은, 도 6의 (b)의 상부 확대원에서와 같이, 산부(PA)로부터 골부(VA)로 향하면서 두께가 점진적으로 커지는 경사면으로 구성될 수 있다. 또는, 도 6의 (b)에서의 하부 확대원에서와 같이 골부(VA)에 인접한 부분에서 편평한 상면을 가지고 그 외에 부분에서 균일한 제1 두께(T1)를 가져서 경사면을 구성할 수 있다. 그 외의 다양한 형상을 가질 수 있다. The first solder layer 1421 in the second region A2 is formed of an inclined surface whose thickness gradually increases from the peak PA toward the valley portion VA as in the upper enlargement circle of Figure 6B . Alternatively, as in the lower enlargement circle in Fig. 6 (b), the inclined plane can be constituted by having a flat upper surface at a portion adjacent to the valley portion VA and having a uniform first thickness T1 at a portion other than that. And may have various other shapes.

이와 같이 본 실시예에서는 제2 영역(A2)에서 제1 솔더층(1421)의 제1 및 제2 두께(T1, T2)가 반사 구조(142a)의 높이(H)보다 작기 때문에, 제2 영역(A2)에서 제1 솔더층(1421)의 표면이 반사 구조(142a)의 산부(PA) 및 골부(VA)에 의하여 형성되는 굴곡을 구비할 수 있다. As described above, in this embodiment, since the first and second thicknesses T1 and T2 of the first solder layer 1421 in the second region A2 are smaller than the height H of the reflective structure 142a, The surface of the first solder layer 1421 may have a curvature formed by the apex PA and the valley VA of the reflective structure 142a.

도 6의 (a)를 참조하면, 제1 영역(A1)에서 제1 솔더층(1421)은 산부(PA) 위에서 제3 두께(T3)을 가지고, 골부(VA) 위에서 제3 두께(T3)보다 큰 제4 두께(T4)를 가지는데, 제4 두께(T4)가 반사 구조(142a)의 높이(H)보다 클 수 있다. 제3 두께(T3)는 반사 구조(142a)의 높이(H)와 같을 수도 있고, 이보다 작거나, 이보다 클 수도 있다. 6A, the first solder layer 1421 in the first region A1 has a third thickness T3 on the apex PA and a third thickness T3 on the valley VA. The fourth thickness T4 may be greater than the height H of the reflective structure 142a. The third thickness T3 may be equal to, less than, or greater than the height H of the reflective structure 142a.

제1 영역(A1)에 위치한 제1 솔더층(1421)의 두꺼운 두께인 제4 두께(T4)는 제1 및 제2 두께(T1, T2)보다 크고, 제1 영역(A1)에 위치한 제1 솔더층(1421)의 얇은 두께인 제3 두께(T3)는 제2 영역(A2)의 두꺼운 두께인 제2 두께(T2)와 같거나 이보다 클 수 있다. 일 예로, 제3 두께(T3)는 제2 두께(T2)보다 클 수 있다. 이에 의하여 제1 영역(A1)에서는 제1 솔더층(1421)의 두께(특히, 제4 두께(T4))를 충분하게 확보하여 제1 태양 전지(151)의 제2 전극(44)과의 부착 특성을 우수하게 유지할 수 있다. The fourth thickness T4 which is the thicker thickness of the first solder layer 1421 located in the first region A1 is larger than the first and second thicknesses T1 and T2, The third thickness T3, which is a thin thickness of the solder layer 1421, may be equal to or greater than the second thickness T2, which is the thick thickness of the second region A2. For example, the third thickness T3 may be greater than the second thickness T2. The thickness of the first solder layer 1421 (in particular, the fourth thickness T4) is sufficiently secured in the first region A1 so that the adhesion of the first solar cell 151 to the second electrode 44 The characteristics can be maintained excellent.

일 예로, 반사 구조(142a)의 높이(H)가 5um 내지 50um일 수 있다. 반사 구조(142a)의 높이(H)가 5um 미만이면, 반사 구조(142a)에 의한 반사 효과가 충분하지 않을 수 있다. 반사 구조(142a)의 높이(H)가 50um를 초과하면, 리본 본체(1420)의 두께가 과도하게 두꺼워지거나 반사 구조(142a)의 안정성이 저하될 수 있다. 리본 본체(1420)의 두께, 반사 구조(142a)의 안정성 등을 좀더 고려하여 반사 구조(142a)의 높이(H)가 5um 내지 40um일 수 있다. In one example, the height H of the reflective structure 142a may be between 5 um and 50 um. If the height H of the reflecting structure 142a is less than 5 탆, the reflecting effect by the reflecting structure 142a may not be sufficient. If the height H of the reflective structure 142a exceeds 50 um, the thickness of the ribbon body 1420 may become excessively thick or the stability of the reflective structure 142a may deteriorate. The height H of the reflective structure 142a may be 5 to 40 탆 considering the thickness of the ribbon body 1420 and the stability of the reflective structure 142a.

그리고 제1 두께(T1)가 1nm 내지 30um(일 예로, 1um 내지 30um, 예를 들어, 1um 내지 10um)이고, 제2 두께(T2)가 1nm 내지 50um(일 예로, 1um 내지 50um)(예를 들어, 1um 내지 20um)일 수 있다. 이러한 제1 두께(T1) 및 제2 두께(T2)는 제2 영역(A2)에서 리본 본체(1420)의 산화를 효과적으로 방지하면서 반사 구조(142a)에 의한 반사 효과를 최대화할 수 있는 범위로 한정된 것이다. And the second thickness T2 is in the range of 1 nm to 50 um (e.g., 1 um to 50 um) (e.g., 1 nm to 50 nm), and the first thickness T1 is in the range of 1 nm to 30 um (e.g., 1 um to 30 um, For example, 1 um to 20 um. The first thickness T1 and the second thickness T2 are limited to a range capable of maximizing the reflection effect of the reflective structure 142a while effectively preventing the oxidation of the ribbon body 1420 in the second region A2 will be.

또한, 제3 두께(T3)가 1um 내지 50um(일 예로, 1um 내지 30um)이고, 제4 두께(T4)가 1um 내지 60um(일 예로, 6um 내지 60um)일 수 있다. 제3 두께(T3) 및 제4 두께(T4)는 반사 구조(142a)의 높이(H)를 고려할 때 제1 영역(A1)에서 제1 솔더층(1421)이 반사 구조(142a)를 전체적으로 덮으면서 편평한 표면을 가질 수 있는 범위로 한정된 것이다. Further, the third thickness T3 may be 1 um to 50 um (for example, 1 um to 30 um) and the fourth thickness T4 may be 1 um to 60 um (e.g., 6 um to 60 um). The third thickness T3 and the fourth thickness T4 may be such that the first solder layer 1421 covers the reflective structure 142a entirely in the first region A1 in consideration of the height H of the reflective structure 142a And a flat surface.

또는, 제1 두께(T1) : 제2 두께(T2)의 비율(T1:T2)이 1:1 내지 1:3의 비율을 가질 수 있다. 이는 산부(PA)와 골부(VA)에서의 광 입사 정도 차이, 공정 상에서 발생할 수 있는 두께 차이 등을 고려한 것이다. 일 예로, 상술한 비율(T1:T2)이 1:1.05 내지 1:3(일 예로, 1:1.1 내지 1:3)으로, 제1 두께(T1)이 제2 두께(T2)보다 작을 수 있다. Alternatively, the ratio (T1: T2) of the first thickness (T1): the second thickness (T2) may have a ratio of 1: 1 to 1: 3. This is in consideration of the difference in the degree of incidence of light between the peak PA and the valley (VA), and the thickness difference that can occur in the process. For example, the above-mentioned ratio T1: T2 may be 1: 1.05 to 1: 3 (for example, 1: 1.1 to 1: 3) and the first thickness T1 may be smaller than the second thickness T2 .

제1 두께(T1) : 제3 두께(T3)의 비율(T1:T3) 또는 제2 두께(T2) : 제3 두께(T3)의 비율(T2:T3)이 1:1 내지 1:10일 수 있다. 이는 제1 영역(A1)에서 제1 태양 전지(151)와의 부착 특성을 향상하면서 솔더층(1421, 1422)의 두께가 지나치게 두꺼워지는 것을 방지할 수 있는 범위로 한정된 것이다. 충분한 솔더층(1421, 1422)의 두께를 위하여, 제1 두께(T1) : 제3 두께(T3)의 비율(T1:T3) 또는 제2 두께(T2) : 제3 두께(T3)의 비율(T2:T3)이 1:3 내지 1:10일 수 있다. 이때, 제1 및 제2 두께(T1, T2) 중에 제2 두께(T2)가 제1 두께(T1)보다 클 수 있음을 고려하면, 제2 두께(T2) : 제3 두께(T3)의 비율(T2:T3)이 1:1 내지 1:9(일 예로, 1:3 내지 1:9)일 수 있다. The ratio (T2: T3) of the first thickness T1 to the third thickness T3 or the second thickness T2 to the third thickness T3 is 1: 1 to 1:10 . This is limited to a range where the thickness of the solder layers 1421 and 1422 can be prevented from being excessively thickened while improving the adhesion property with the first solar cell 151 in the first region A1. The ratio of the first thickness T1 to the third thickness T3 (T1: T3) or the second thickness T2: the third thickness T3 (for the thickness of the solder layers 1421 and 1422) T2: T3) can be from 1: 3 to 1:10. Considering that the second thickness T2 of the first and second thicknesses T1 and T2 may be greater than the first thickness T1, the ratio of the second thickness T2 to the third thickness T3 (T2: T3) of from 1: 1 to 1: 9 (for example, from 1: 3 to 1: 9).

반사 구조(142a)의 높이(H) : 제1 두께(T1)의 비율(H:T1) 또는 반사 구조(142a)의 높이(H) : 제2 두께(T2)의 비율(H:T2)이 1:0.025 내지 1:0.8일 수 있다. 상술한 비율(H:T1)이 0.025 미만이면 제1 솔더층(1421)에 의한 산화 방지 효과가 충분하지 않을 수 있고, 0.8을 초과하면 반사 구조(142a)에 의한 반사 효과가 충분하지 않을 수 있다. The ratio H: T2 of the height H of the reflecting structure 142a: the ratio H of the first thickness T1 to the height H of the reflecting structure 142a: the second thickness T2 1: 0.025 to 1: 0.8. If the above ratio (H: T1) is less than 0.025, the effect of preventing oxidation by the first solder layer 1421 may be insufficient, and if it exceeds 0.8, the effect of reflection by the reflective structure 142a may not be sufficient .

반사 구조(142a)의 높이(H) : 제3 두께(T3)의 비율(H:T3)은 1:0.5 내지 1:10일 수 있다. 상술한 비율(H:T3)이 0.5 미만이면, 제1 영역(A1)에서 제1 솔더층(1421)의 두께가 충분하지 않아 제1 태양 전지(151)와의 부착 특성이 저하될 수 있고 10 초과하면 제1 솔더층(1421)의 두께가 커서 공정 시간 및 비용이 증가할 수 있다. The ratio H: T3 of the height H of the reflective structure 142a to the third thickness T3 may be 1: 0.5 to 1:10. If the above ratio (H: T3) is less than 0.5, the first solder layer 1421 in the first region A1 is insufficient in thickness, so that the adhesion property with the first solar cell 151 may deteriorate, The thickness of the first solder layer 1421 is large, and the process time and cost may increase.

그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 반사 구조(142a)의 높이(H), 그리고 제1 내지 제4 두께(T1, T2, T3, T4)은 다양한 값 또는 비율을 가질 수 있다. However, the present invention is not limited thereto, and the height H of the reflective structure 142a and the first through fourth thicknesses T1, T2, T3, and T4 may have various values or ratios.

본 실시예에서 제1 영역(A1)에서 제1 솔더층(1421)의 표면의 표면 거칠기는 제2 영역(A2)에서 제1 솔더층(1421)의 표면 거칠기보다 작을 수 있다. 제1 영역(A1)이 제1 태양 전지(151)에 부착 또는 고정되는 제1 영역(A1)의 표면 거칠기를 작게 하여, 제1 태양 전지(151)와의 부착력을 향상할 수 있다. In this embodiment, the surface roughness of the surface of the first solder layer 1421 in the first region A1 may be smaller than the surface roughness of the first solder layer 1421 in the second region A2. The surface roughness of the first region A1 in which the first region A1 is attached or fixed to the first solar cell 151 can be reduced and the adhesion with the first solar cell 151 can be improved.

일 예로, 제1 영역(A1)에서 제1 솔더층(1421)의 표면은 편평한 면(평면)으로 형성될 수 있다. 여기서, 편평한 면이라 함은 반사 구조가 형성되지 않았다고 생각될 정도의 표면 거칠기(일 예로, 1 um 이하, 예를 들어, 100nm 이하)의 표면 거칠기를 가지는 면을 의미한다. 이와 같이 제1 영역(A1)의 제1 솔더층(1421)에서 반사 구조(142a) 또는 이에 따른 굴곡을 제거하면, 리본(142)과 제1 태양 전지(151)의 접착 공정에서 리본(142)이 제1 태양 전지(151)(좀더 구체적으로는, 제1 태양 전지(151)의 제2 전극(44))에 국부적인 하중을 주어 제1 태양 전지(151) 또는 제2 전극(44)의 특성을 저하시키는 등의 문제가 발생하는 것을 방지할 수 있다. In one example, the surface of the first solder layer 1421 in the first region A1 may be formed as a flat surface (plane). Here, the flat surface means a surface having a surface roughness (for example, 1 μm or less, for example, 100 nm or less) such that the reflective structure is not formed. When the reflective structure 142a or the bending due to the reflection structure 142a is removed from the first solder layer 1421 of the first region A1 as described above, the ribbons 142 are formed in the process of adhering the ribbon 142 and the first solar cell 151, A local load is applied to the first solar cell 151 (more specifically, the second electrode 44 of the first solar cell 151) to apply a load to the first solar cell 151 or the second electrode 44 It is possible to prevent the occurrence of problems such as degradation of characteristics.

한편, 리본 본체(1420)의 제2 면에는 제2 태양 전지(152)에 부착될 영역에 대응하는 제3 영역(A3)과, 제3 영역(A3) 이외의 제4 영역(A4)이 정의될 수 있다. 좀더 구체적으로, 리본 본체(1420)의 제2 면에서 제3 영역(A3)은 제2 태양 전지(152)의 전면(즉, 제2 태양 전지(152)의 제1 전극(42) 위에 부착 또는 고정되는 영역이고, 리본 본체(1420)의 제2 면에서 제4 영역(A4)은 제3 영역(A3)을 제외한 부분을 의미할 수 있다. 제4 영역(A4)은, 제2 태양 전지(152)의 제1 전극(42) 위에 부착 또는 고정되는 제1 영역(A1)에 대응하는 제3 영역부(A41)와, 제1 태양 전지(151)의 제2 전극(44)과 제2 태양 전지(152)의 제1 전극(42) 사이에 위치하여 제3 영역(A3)과 제3 영역부(A41)를 연결하는 제4 영역부(A42)를 포함할 수 있다. A third area A3 corresponding to the area to be attached to the second solar cell 152 and a fourth area A4 other than the third area A3 are defined on the second surface of the ribbon main body 1420 . More specifically, the third area A3 on the second side of the ribbon body 1420 is attached to the front surface of the second solar cell 152 (i.e., on the first electrode 42 of the second solar cell 152) And the fourth area A4 on the second surface of the ribbon main body 1420 may be a portion excluding the third area A3. The fourth area A4 may be a part of the second solar cell A second region A41 of the first solar cell 151 corresponding to the first region A1 attached or fixed on the first electrode 42 of the second solar cell 152, And a fourth region A42 that is located between the first electrodes 42 of the cell 152 and connects the third region A3 and the third region A41.

이때, 평면으로 볼 때, 제2 면의 제3 영역(A3)은 제1 면의 제1 영역부(A21)에 겹치는 위치에 위치하고, 제2 면의 제3 영역부(A41)는 제1 면의 제1 영역(A1)과 겹치는 위치에 위치하며, 제2 면의 제4 영역부(A42)는 제1 면의 제2 영역부(A22)에 겹치되는 위치에 위치할 수 있다. At this time, in a plan view, the third area A3 of the second surface is located at a position overlapping the first area A21 of the first surface, the third area A41 of the second surface is located on the first surface A21, And the fourth area A42 of the second surface may be located at a position overlapping the second area A22 of the first surface.

그리고 본 실시예에서 제2 면의 제3 영역(A3)에서의 반사 구조(142b) 및 이 위에 위치하는 제2 솔더층(1422)은 제1 면의 제1 영역(A1)에서의 반사 구조(142a) 및 이 위에 위치하는 제1 솔더층(1421)과 동일할 수 있다. 따라서, 상술한 제1 영역(A1)에서의 반사 구조(142a) 및 이 위에 위치하는 제1 솔더층(1421)에 대한 설명은 그대로 제2 면의 제3 영역(A3)에서의 반사 구조(142b) 및 이 위에 위치하는 제2 솔더층(1422)에 그대로 적용될 수 있다. 따라서 상세한 설명을 생략한다. In this embodiment, the reflective structure 142b in the third region A3 of the second surface and the second solder layer 1422 located thereon are formed in a reflective structure in the first region A1 of the first surface 142a and the first solder layer 1421 located thereon. Therefore, the description of the reflective structure 142a and the first solder layer 1421 located thereon in the first area A1 described above is the same as the description of the reflective structure 142b in the third area A3 of the second surface ) And the second solder layer 1422 located thereon. Therefore, detailed description is omitted.

본 실시예에서 제2 면의 제4 영역(A4)에서의 반사 구조(142b) 및 이 위에 위치하는 제2 솔더층(1422)은 제1 면의 제2 영역(A2)에서의 반사 구조(142a) 및 이 위에 위치하는 제1 솔더층(1421)과 동일할 수 있다. 따라서, 상술한 제2 영역(A2)에서의 반사 구조(142a) 및 이 위에 위치하는 제1 솔더층(1421)에 대한 설명은 그대로 제2 면의 제4 영역(A4)에서의 반사 구조(142b) 및 이 위에 위치하는 제2 솔더층(1422)에 그대로 적용될 수 있다. 따라서 상세한 설명을 생략한다. In this embodiment, the reflective structure 142b in the fourth area A4 of the second surface and the second solder layer 1422 disposed thereon are disposed on the reflective structure 142a in the second area A2 of the first surface And the first solder layer 1421 disposed thereon. Therefore, the description of the reflective structure 142a and the first solder layer 1421 located thereon in the second area A2 described above is the same as the description of the reflective structure 142b in the fourth area A4 of the second surface ) And the second solder layer 1422 located thereon. Therefore, detailed description is omitted.

도면에서는 리본 본체(1420)의 측면에는 솔더층이 위치하지 않아 제1 솔더층(1421)과 제2 솔더층(1422)이 서로 이격되어 위치한 것을 예시하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 리본(142)의 제조 공정 등에 따라, 도 7에 도시한 바와 같이, 리본 본체(1420)의 측면에도 솔더층(1421, 1422)이 위치하여 제1 솔더층(1421)과 제2 솔더층(1422)이 연결되어 리본 본체(1420)의 전체를 감싸면서 형성될 수 있다. In the drawing, the solder layer is not disposed on the side of the ribbon main body 1420, so that the first solder layer 1421 and the second solder layer 1422 are located apart from each other. 7, the solder layers 1421 and 1422 are located on the side surfaces of the ribbon main body 1420, and the first solder layer 1420 and the second solder layer 1420 are formed on the side surfaces of the ribbon main body 1420. Therefore, the present invention is not limited thereto, The first solder layer 1421 and the second solder layer 1422 may be connected to each other to surround the entire ribbon body 1420.

상술한 리본(142)에 의하여 서로 이웃한 제1 태양 전지(151)와 제2 태양 전지(152)가 서로 연결되는데 이를 도 8을 참조하여 상세하게 설명한다. 도 8은 도 5에 도시한 리본(142)에 의하여 연결되는 제1 및 제2 태양 전지(151, 152)를 개략적으로 도시한 사시도이다. 도 8에서 태양 전지(150)는 반도체 기판(160)과 제1 및 제2 전극(42, 44)의 버스바 전극(42b, 44b)을 위주로 간략하게 도시하였다. The first solar cell 151 and the second solar cell 152 which are adjacent to each other by the ribbon 142 described above are connected to each other. This will be described in detail with reference to FIG. 8 is a perspective view schematically showing first and second solar cells 151 and 152 connected by the ribbon 142 shown in FIG. In FIG. 8, the solar cell 150 schematically illustrates the semiconductor substrate 160 and the bus bar electrodes 42b and 44b of the first and second electrodes 42 and 44.

본 실시예에서는 리본(142)은 태양 전지(150)의 폭보다 작은 폭을 가지는 스트립 또는 바 형상을 가질 수 있다. 좀더 구체적으로는, 제1 태양 전지(151)의 제2 전극(44)의 버스바 전극(도 4의 참조부호 44b)과 제2 태양 전지(152)의 제1 전극(42)의 버스바 전극(도 4의 참조부호 42b)에 대응하는 폭을 가지도록 길게 이어질 수 있다. 이에 따라 제1 태양 전지(151)의 제2 전극(44)에서 제2 태양 전지(152)와 멀리 위치하는 단부로부터 다른 단부까지 제2 전극(44)의 버스바 전극(44b)에 대응하면서(또는 겹쳐지면서) 이를 따라 길게 이어진 후에, 제2 태양 전지(152)의 제1 전극(42)에서 제1 태양 전지(151)와 멀리 위치하는 단부까지 연장되고, 그 후에 다시 제2 태양 전지(152)의 제1 전극(42)에서 제1 태양 전지(151)와 멀리 위치하는 단부부터 다른 단부까지 제1 전극(42)의 버스바 전극(42b)에 대응하면서(또는 겹쳐지면서) 이를 따라 길게 이어지는 형상을 가질 수 있다. 이에 의하여 리본(142)이 제1 태양 전지(151)의 일부 영역에서 제1 태양 전지(151)를 가로지른 후에 제2 태양 전지(152)의 일부 영역에서 제2 태양 전지(152)를 가로질러 위치할 수 있다. 이와 같이 리본(142)이 제1 및 제2 태양 전지(151, 152)의 제1 및 제2 전극(42, 44)(특히, 버스바 전극(42b, 44b))에 대응하는 부분에서만 형성되어 작은 면적에 의해서도 제1 및 제2 태양 전지(151, 152)를 효과적으로 연결할 수 있다. 제1 및 제2 전극(42, 44)이 버스바 전극(42b, 44b)을 구비하지 않는 경우에는 핑거 전극(도 4의 42a, 44a)를 가로지르면서 위치할 수 있다. In this embodiment, the ribbons 142 may have a strip or bar shape having a width smaller than the width of the solar cell 150. 4) of the second electrode 44 of the first solar cell 151 and the bus bar electrode (second electrode 44b of the first electrode 42 of the second solar cell 152) of the second solar cell 152. More specifically, (Reference numeral 42b in Fig. 4). The second electrode 44 of the first solar cell 151 corresponds to the bus bar electrode 44b of the second electrode 44 from the end farther from the second solar cell 152 to the other end The second solar cell 152 extends to the end far from the first solar cell 151 at the first electrode 42 of the second solar cell 152 and then to the second solar cell 152 (Or overlaps) the bus bar electrode 42b of the first electrode 42 from the end farther from the first solar cell 151 at the first electrode 42 of the first electrode 42 to the other end thereof Shape. As a result, after the ribbon 142 crosses the first solar cell 151 in a partial area of the first solar cell 151, a portion of the second solar cell 152 traverses the second solar cell 152 Can be located. As described above, the ribbons 142 are formed only at the portions corresponding to the first and second electrodes 42 and 44 (particularly, the bus bar electrodes 42b and 44b) of the first and second solar cells 151 and 152 The first and second solar cells 151 and 152 can be effectively connected even by a small area. When the first and second electrodes 42 and 44 are not provided with the bus bar electrodes 42b and 44b, they may be positioned across the finger electrodes 42a and 44a of FIG.

각 태양 전지(150)에서 제1 또는 제2 전극(42, 44)(특히, 버스바 전극(42b, 44b)이 복수 개 구비될 때 각각의 리본(142)은 이에 대응하는 개수로 복수 개로 구비될 수 있다. When a plurality of first or second electrodes 42 and 44 (particularly, bus bar electrodes 42b and 44b) are provided in each solar cell 150, each of the ribbons 142 is provided in a corresponding number .

앞서 설명한 바와 같이, 리본(142)의 제1 면에서 제1 영역(A1)은 제1 태양 전지(151)의 제2 전극(44) 위에서 제1 솔더층(1421)에 의하여 제2 전극(44)에 부착되고, 리본(142)의 제2 면의 제3 영역(A3)에서 제2 태양 전지(152)의 제1 전극(42) 위에서 제2 솔더층(1422)에 의하여 제1 전극(42)에 부착된다. 이때, 제1 태양 전지(151)의 제2 전극(44) 위에 리본(142)의 제1 영역(A1)을 놓은 상태에서 열과 압력을 가하면, 제1 솔더층(1421)에 의하여 제1 태양 전지(151)의 제2 전극(44)과 리본(142)의 제1 영역(A1)이 서로 부착될 수 있다. 이와 유사하게, 제2 태양 전지(152)의 제1 전극(42) 위에 리본(142)의 제3 영역(A3)을 놓은 상태에서 열과 압력을 가하면, 제2 솔더층(1422)에 의하여 제2 태양 전지(152)의 제1 전극(42)과 리본(142)의 제3 영역(A3)이 서로 부착될 수 있다. The first region A1 on the first surface of the ribbon 142 is electrically connected to the second electrode 44 by the first solder layer 1421 on the second electrode 44 of the first solar cell 151, And is electrically connected to the first electrode 42 of the second solar cell 152 by the second solder layer 1422 on the third region A3 of the second surface of the ribbon 142 on the first electrode 42 of the second solar cell 152 . When heat and pressure are applied while the first area A1 of the ribbon 142 is placed on the second electrode 44 of the first solar cell 151, The second electrode 44 of the ribbon 151 and the first area A1 of the ribbon 142 may be attached to each other. Similarly, when heat and pressure are applied while the third area A3 of the ribbon 142 is placed on the first electrode 42 of the second solar cell 152, the second solder layer 1422 causes the second The first electrode 42 of the solar cell 152 and the third region A3 of the ribbon 142 may be attached to each other.

제1 영역(A1)에 위치한 제1 솔더층(1421)은 상대적으로 두꺼운 두께를 가지고 편평한 표면을 가지므로 제1 태양 전지(151)의 제2 전극(44)에 우수한 부착력으로 부착될 수 있다. 그리고 제2 영역(A2)은 제1 태양 전지(151)와 제2 태양 전지(152) 사이, 그리고 제2 태양 전지(152)의 전면 위에 위치할 수 있게 된다. 이러한 제2 영역(A2)은 상대적으로 얇은 두께의 제1 솔더층(1421)에 의하여 덮여 있으므로, 제1 솔더층(1421)에 의하여 산화가 효과적으로 방지되면서도 반사 구조(142a)에 의한 반사 효과는 우수하게 유지될 수 있다. The first solder layer 1421 located in the first region A1 has a relatively thick thickness and has a flat surface so that it can be attached to the second electrode 44 of the first solar cell 151 with excellent adhesion. And the second area A2 can be positioned between the first solar cell 151 and the second solar cell 152 and on the front surface of the second solar cell 152. [ Since the second region A2 is covered with the relatively thin first solder layer 1421, the oxidation effect is effectively prevented by the first solder layer 1421, and the reflection effect by the reflective structure 142a is excellent .

이와 마찬가지로, 제3 영역(A3)에 위치한 제2 솔더층(1422)은 상대적으로 두꺼운 두께를 가지고 편평한 표면을 가지므로 제2 태양 전지(152)의 제1 전극(42)에 우수한 부착력으로 부착될 수 있다. 그리고 제4 영역(A4)은 제1 태양 전지(151)와 제2 태양 전지(152) 사이, 그리고 제1 태양 전지(151)의 후면 위에 위치할 수 있게 된다. 이러한 제4 영역(A4)은 상대적으로 얇은 두께의 제2 솔더층(1422)에 의하여 덮여 있으므로, 제2 솔더층(1422)에 의하여 산화가 효과적으로 방지될 수 있다. 그리고 제1 및 제2 태양 전지(151,152)가 양면 수광형 구조를 가질 경우에는 후면 시트(200) 등에서 반사되어 제1 및 제2 태양 전지(151,152)의 후면으로 입사된 광 또는 후면 시트(200)를 통과하여 입사된 광을 다시 후면 시트(200)로 반사할 수 있다. 그러면 후면 시트(200)에서 반사된 광이 다른 경로로 다시 제1 및 제2 태양 전지(151,152)로 입사하여 재사용될 수 있다. 이때, 제4 영역(A4)의 제2 솔더층(1422)이 상대적으로 얇은 두께를 가지므로 제2 면에 형성된 반사 구조(142a)에 의한 반사 효과는 우수하게 유지될 수 있다. Similarly, since the second solder layer 1422 located in the third region A3 has a relatively thick thickness and a flat surface, the second solder layer 1422 is attached to the first electrode 42 of the second solar cell 152 with excellent adhesion . And the fourth area A4 can be positioned between the first solar cell 151 and the second solar cell 152 and on the rear surface of the first solar cell 151. [ Since the fourth region A4 is covered by the relatively thin second solder layer 1422, the second solder layer 1422 can effectively prevent oxidation. When the first and second solar cells 151 and 152 have a double-sided light receiving structure, the light reflected on the back sheet 200 or the like and incident on the rear surfaces of the first and second solar cells 151 and 152, The light reflected by the back sheet 200 can be reflected again. Then, the light reflected from the back sheet 200 can be incident on the first and second solar cells 151 and 152 again through different paths and reused. At this time, since the second solder layer 1422 of the fourth region A4 has a relatively thin thickness, the reflection effect by the reflective structure 142a formed on the second surface can be maintained excellent.

이와 같이 본 실시예에 따른 리본(142)은 리본 본체(1420)의 제1 면 및/또는 제2 면 전체에 반사 구조(142a, 142b)를 형성하여, 반사 특성을 향상하고 솔더층(1421, 1422)과의 접착 특성을 향상할 수 있다. 그리고 리본 본체(1420)에서 태양 전지(150)와 부착될 영역에서는, 솔더층(1421, 1422)과의 접촉 면적을 증가시켜 솔더층(1421, 1422)과의 접촉 특성을 향상하면서, 충분한 두께로 솔더층(1421, 1422)을 형성하여 태양 전지(150)와의 부착 특성을 향상할 수 있다. 그 외의 영역에서는 전체적으로 얇은 두께로 솔더층(1421, 1422)은 리본 본체(1420)의 산화를 방지하면서도 반사 구조(142a)에 의한 반사 효과는 그대로 유지할 수 있다. 이에 의하여 리본(142)에 의한 태양 전지(150)의 연결 특성을 향상할 수 있고, 이에 의하여 태양 전지 모듈(100)의 출력을 향상할 수 있다. The ribbons 142 according to the present embodiment may have reflective structures 142a and 142b formed on the first and / or the second surface of the ribbon body 1420 to improve the reflective characteristics and improve the solder layers 1421, 1422) can be improved. In the region to be attached to the solar cell 150 in the ribbon body 1420, the contact area with the solder layers 1421 and 1422 is increased to improve contact properties with the solder layers 1421 and 1422, The solder layers 1421 and 1422 can be formed to improve the adhesion characteristics with the solar cell 150. [ In other areas, the solder layers 1421 and 1422 can be made thin as a whole and the reflection effect of the reflection structure 142a can be maintained while preventing the oxidation of the ribbon body 1420. Thus, the connection characteristic of the solar cell 150 by the ribbon 142 can be improved, and the output of the solar cell module 100 can be improved thereby.

상술한 설명에서는 리본 본체(1420)의 제1 면 및 제2 면에 모두 반사 구조(142a, 142b)가 형성된 것을 예시하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 리본 본체(1420)의 제1 면 및 제2 면 중 하나에만 반사 구조(142a, 142b)가 형성될 수 있다. In the above description, the reflection structures 142a and 142b are formed on the first and second surfaces of the ribbon main body 1420, respectively. However, the present invention is not limited thereto, and the reflective structures 142a and 142b may be formed on only one of the first and second surfaces of the ribbon body 1420. [

일 예로, 도 9에 도시한 바와 같이, 광이 상대적으로 많이 입사되는 리본 본체(1420)의 전면에만 반사 구조(142a)가 형성되고, 리본 본체(1420)의 후면은 반사 구조(도 8의 참조부호 142b 참조)가 형성되지 않는 편평한 면일 수 있다. 여기서, 편평한 면이라 함은 반사 구조가 형성되지 않았다고 생각될 정도의 표면 거칠기(예를 들어, 1 um 이하, 일 예로, 100 nm 이하)의 표면 거칠기를 가지는 면을 의미할 수 있다. 9, a reflective structure 142a is formed only on the front surface of the ribbon body 1420 where a relatively large amount of light is incident, and the rear surface of the ribbon body 1420 has a reflective structure 142b) is not formed on the flat surface. Here, the flat surface may mean a surface having a surface roughness (for example, 1 μm or less, for example, 100 nm or less) such that the reflective structure is not formed.

본 실시예에서 리본 본체(1420)의 후면에 위치하는 제2 솔더층(1422)은 제3 영역(A3) 및 제4 영역(A4)에 걸쳐서 균일한 두께를 가지면서 형성될 수 있다. 여기서, 균일한 두께라 함은 공정 오차 등을 고려할 때 균일하다고 판단될 수 있는 두께를 의미할 수 있고, 일 예로, 10% 이내의 편차를 가지는 두께를 의미할 수 있다. 이때, 제2 솔더층(1422)의 두께는 전면의 반사 구조(142a), 제1 두께(T1), 제2 두께(T2) 등과 같은 값을 가질 수도 있고, 이보다 큰 값을 가질 수도 있고, 이보다 작은 값을 가질 수 있다. The second solder layer 1422 located on the rear surface of the ribbon main body 1420 in this embodiment can be formed with a uniform thickness over the third area A3 and the fourth area A4. Here, the uniform thickness may mean a thickness that can be determined to be uniform in consideration of process errors and the like. For example, the uniform thickness may mean a thickness having a deviation of 10% or less. At this time, the thickness of the second solder layer 1422 may have a value such as the front reflective structure 142a, the first thickness T1, the second thickness T2, etc., It can have a small value.

그러면 광의 입사가 많은 전면에서는 반사 특성을 향상할 수 있고, 후면에서는 반사 구조(142a)를 구비하기 위한 공정을 생략하고 제2 솔더층(1422)을 균일한 두께로 형성하여 공정 비용 및 시간을 절감할 수 있으며 리본 본체(1420)의 구조적 안정성을 향상할 수 있다. Thus, the reflection characteristic can be improved at the front surface where the light incidence is large, and the process for providing the reflective structure 142a at the rear surface is omitted and the second solder layer 1422 is formed at a uniform thickness, And the structural stability of the ribbon main body 1420 can be improved.

상술한 도 1 내지 도 8을 참조한 설명, 그리고 다양한 변형예 등은 그대로 도 9를 참조한 실시예에 적용될 수 있다. The above description with reference to Figs. 1 to 8, and various modifications and the like can be applied to the embodiment referring to Fig. 9 as it is.

상술한 바에 따른 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. Features, structures, effects and the like according to the above-described embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and the present invention is not limited to only one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified in other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

100: 태양 전지 모듈
150: 태양 전지
151: 제1 태양 전지
152: 제2 태양 전지
142: 리본
1420: 리본 본체
1421: 제1 솔더층
1422: 제2 솔더층
142a, 142b: 반사 구조 100: solar cell module
150: Solar cell
151: first solar cell
152: Second solar cell
142: Ribbon
1420: Ribbon body
1421: first solder layer
1422: second solder layer
142a, 142b: reflection structure

Claims

A first region corresponding to a region to be adhered to the solar cell on the first surface and a second region other than the first region are defined, and a peak and a valley are formed on the first surface and the second region, A ribbon body having a reflecting structure formed therein; And
A solder layer formed over the first region and the second region on the first surface,
/ RTI >
The thickness of the solder layer located in the second region is less than the thickness of the solder layer located in the first region,
Wherein a thickness of the solder layer located in the second region is smaller than a height of the reflective structure.

The method according to claim 1,
Wherein the solder layer is formed entirely in the first region and the second region.

The method according to claim 1,
Wherein the solder layer in the second region has a first thickness on the ridge portion and a second thickness on the ridge portion that is equal to or greater than the first thickness.

The method of claim 3,
Wherein the first thickness is smaller than the second thickness.

The method according to claim 1,
The reflective structures in the first region and the second region are the same,
Wherein a surface of the solder layer located in the first region has a smaller surface roughness than a surface of the solder layer located in the second region.

The method according to claim 1,
The surface of the solder layer located in the first region is formed flat,
Wherein the surface of the solder layer located at the second region has a curvature formed by the peak and valleys of the reflective structure of the second region.

The method according to claim 1,
Wherein the solder layer in the first region has a third thickness above the peak and a fourth thickness above the third thickness and greater than a height of the reflective structure above the valley.

The method according to claim 1,
Wherein the solder layer in the second region has a first thickness on the apex and a second thickness on the valleys that is equal to or greater than the first thickness,
Wherein the solder layer in the first region has a third thickness on the ridge and a fourth thickness greater than the third thickness and greater than the height of the reflective structure on the valley,
Wherein the fourth thickness is greater than each of the first and second thickness,
Wherein the third thickness is equal to or greater than the first and second thickness, respectively.

The method according to claim 1,
Wherein the solder layer in the second region has a first thickness on the ridge and a second thickness on the ridge,
Wherein the solder layer in the first region has a third thickness on the ridge and a fourth thickness on the ridge,
The height of the reflective structure is 50um or less,
Wherein the first thickness is 1 um to 30 um,
Wherein the second thickness is from 1 [mu] m to 50 [mu] m,
Wherein the third thickness is 1 um to 50 um,
And the fourth thickness is 1 um to 60 um.

The method according to claim 1,
Wherein the solder layer in the second region has a first thickness on the apex and a second thickness on the valleys that is equal to or greater than the first thickness,
Wherein the ratio of the first thickness to the second thickness is from 1: 1 to 1: 3.

The method according to claim 1,
Wherein the solder layer in the second region has a first thickness on the apex and a second thickness on the valleys that is equal to or greater than the first thickness,
Wherein the solder layer in the first region has a third thickness on the apex,
Wherein the ratio of the first thickness: the third thickness or the ratio of the second thickness: the third thickness is 1: 1 to 1:10.

The method according to claim 1,
Wherein the solder layer in the second region has a first thickness on the apex and a second thickness on the valleys that is equal to or greater than the first thickness,
Wherein the height of the reflective structure: the ratio of the first thickness or the height of the reflective structure: the second thickness is 1: 0.025 to 1: 0.8.

The method according to claim 1,
Wherein the solder layer in the first region has a third thickness on the apex,
Wherein the height of the reflective structure: the third thickness ratio is 1: 0.5 to 1:10.

The method according to claim 1,
Wherein the ribbon body has a second surface opposite to the first surface,
A third region that is a region to be attached to another solar cell adjacent to the solar cell and a fourth region other than the third region are defined on a second surface of the ribbon body,
Another reflection structure having a crest and a valley is formed on the second surface in the third region and the fourth region,
And another solder layer formed on the second surface over the third region and the fourth region,
Wherein the thickness of the another solder layer located in the fourth region is less than the thickness of the another solder layer located in the third region,
Wherein the thickness of the another solder layer located in the fourth region is smaller than the height of the another reflective structure.

The method according to claim 1,
Wherein the ribbon body has a second surface opposite to the first surface,
The second surface is constituted by a flat surface having no reflecting structure,
And another solder layer located on the second surface and having a uniform thickness.

A plurality of solar cells including neighboring first and second solar cells; And
A ribbon for connecting the first and second solar cells
/ RTI >
The ribbon
A first region corresponding to a region to be attached to the first solar cell and a second region other than the first region are defined on a first surface, And a rib structure having a valley; And
A solder layer formed over the first region and the second region on the first surface,
/ RTI >
The thickness of the solder layer located in the second region is less than the thickness of the solder layer located in the first region,
Wherein a thickness of the solder layer located in the second region is smaller than a height of the reflective structure.

The method according to claim 16,
And the solder layer is formed entirely in the first region and the second region.

The method according to claim 16,
Wherein the first surface is a front surface.

17. The method of claim 16,
Wherein the ribbon body has a second surface opposite to the first surface,
A third region that is a region to be attached to the second solar cell and a fourth region other than the third region are defined on a second surface of the ribbon body,
Another reflection structure having a crest and a valley is formed on the second surface in the third region and the fourth region,
And another solder layer formed on the second surface over the third region and the fourth region,
Wherein the thickness of the another solder layer located in the fourth region is less than the thickness of the another solder layer located in the third region,
And the thickness of the another solder layer located in the fourth region is smaller than the height of the another reflective structure.

19. The method of claim 18,
Wherein the ribbon body has a second surface opposite to the first surface,
The second surface is constituted by a flat surface having no reflecting structure,
And another solder layer located on the second surface and having a uniform thickness and attached to the second solar cell.