KR102339975B1 - Junction box and solar cell module including the same - Google Patents

Junction box and solar cell module including the same Download PDF

Info

Publication number
KR102339975B1
KR102339975B1 KR1020150044937A KR20150044937A KR102339975B1 KR 102339975 B1 KR102339975 B1 KR 102339975B1 KR 1020150044937 A KR1020150044937 A KR 1020150044937A KR 20150044937 A KR20150044937 A KR 20150044937A KR 102339975 B1 KR102339975 B1 KR 102339975B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
solar cell
junction box
reflective
cell module
housing
Prior art date
Application number
KR1020150044937A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20160116745A (en
Inventor
문세영
김정규
최윤석
김병수
문현록
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to KR1020150044937A priority Critical patent/KR102339975B1/en
Publication of KR20160116745A publication Critical patent/KR20160116745A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102339975B1 publication Critical patent/KR102339975B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02SGENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S40/00Components or accessories in combination with PV modules, not provided for in groups H02S10/00 - H02S30/00
    • H02S40/30Electrical components
    • H02S40/34Electrical components comprising specially adapted electrical connection means to be structurally associated with the PV module, e.g. junction boxes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0232Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02327Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02SGENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S40/00Components or accessories in combination with PV modules, not provided for in groups H02S10/00 - H02S30/00
    • H02S40/20Optical components
    • H02S40/22Light-reflecting or light-concentrating means
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52PV systems with concentrators

Abstract

본 발명의 실시예에 따른 정션 박스는, 태양 전지 패널을 포함하는 태양 전지 모듈에 사용되는 정션 박스에 있어서, 반사부를 구비하는 하우징을 포함한다. 그리고 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 모듈은, 적어도 하나의 태양 전지를 포함하는 태양 전지 패널; 및 상기 태양 전지 패널에 장착되는 정션 박스를 포함한다. 상기 태양 전지의 후면 쪽에서 상기 정션 박스에 대응하는 부분에 반사부를 구비한다. A junction box according to an embodiment of the present invention is a junction box used in a solar cell module including a solar cell panel, and includes a housing having a reflecting unit. And a solar cell module according to an embodiment of the present invention, a solar cell panel including at least one solar cell; and a junction box mounted to the solar panel. A reflector is provided at a portion corresponding to the junction box from the rear side of the solar cell.

Description

정션 박스 및 이를 포함하는 태양 전지 모듈{JUNCTION BOX AND SOLAR CELL MODULE INCLUDING THE SAME}Junction box and solar cell module including same

본 발명은 정션 박스 및 이를 포함하는 태양 전지 모듈에 관한 것으로, 좀더 상세하게는, 양면 수광형 구조를 가지는 태양 전지를 포함하는 태양 전지 모듈 및 이에 포함되는 정션 박스에 관한 것이다. The present invention relates to a junction box and a solar cell module including the same, and more particularly, to a solar cell module including a solar cell having a double-sided light-receiving structure, and a junction box included therein.

최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예상되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중에서도 태양 전지는 태양광 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 차세대 전지로서 각광받고 있다. 이러한 태양 전지는 복수 개가 리본에 의하여 직렬 또는 병렬로 연결되고, 복수의 태양 전지를 보호하기 위한 패키징(packaging) 공정에 의하여 태양 전지 모듈의 형태로 제조된다. Recently, as existing energy resources such as oil and coal are expected to be depleted, interest in alternative energy to replace them is increasing. Among them, a solar cell is spotlighted as a next-generation battery that converts solar energy into electrical energy. A plurality of such solar cells are connected in series or parallel by a ribbon, and are manufactured in the form of a solar cell module by a packaging process for protecting the plurality of solar cells.

태양 전지 모듈은 다양한 환경에서 장기간 동안 발전을 하여야 하므로 장기간 신뢰성이 크게 요구된다. 그런데 태양 전지 모듈의 일부 영역에 광이 입사되지 않는 경우에는 해당 영역에 위치하는 태양 전지에 입사되지 않아 출력량이 저하되거나 핫 스팟이 발생할 수 있다. 태양 전지 모듈의 후면에는 외부와의 연결 등을 위한 다양한 부품 등이 위치할 수 있는데, 양면에서 입사되는 광을 사용하는 양면 수광형 구조를 가지는 태양 전지 모듈에서는 이러한 부품에 의하여 출력량 저하, 핫 스팟 등의 문제가 발생할 수 있다. The solar cell module has to generate electricity for a long time in various environments, so long-term reliability is greatly required. However, when light is not incident on a partial region of the solar cell module, the output amount may decrease or a hot spot may occur because the light is not incident on the solar cell located in the corresponding region. Various parts for connection with the outside may be located on the rear surface of the solar cell module. In a solar cell module having a double-sided light-receiving structure that uses light incident from both sides, these parts cause a decrease in output, hot spots, etc. of problems may arise.

본 발명은 태양 전지 모듈의 출력을 향상하고 열화를 방지할 수 있는 정션 박스 및 이를 포함하는 태양 전지 모듈을 제공하고자 한다. An object of the present invention is to provide a junction box capable of improving the output of a solar cell module and preventing deterioration, and a solar cell module including the same.

본 발명의 실시예에 따른 정션 박스는, 태양 전지 패널을 포함하는 태양 전지 모듈에 사용되는 정션 박스에 있어서, 반사부를 구비하는 하우징을 포함한다. A junction box according to an embodiment of the present invention is a junction box used in a solar cell module including a solar cell panel, and includes a housing having a reflecting unit.

본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 모듈은, 적어도 하나의 태양 전지를 포함하는 태양 전지 패널; 및 상기 태양 전지 패널에 장착되는 정션 박스를 포함한다. 상기 태양 전지의 후면 쪽에서 상기 정션 박스에 대응하는 부분에 반사부를 구비한다. A solar cell module according to an embodiment of the present invention includes: a solar cell panel including at least one solar cell; and a junction box mounted to the solar panel. A reflector is provided at a portion corresponding to the junction box from the rear side of the solar cell.

본 실시예에 의하면, 정션 박스가 반사부를 구비하여 정션 박스에서 전면 광의 반사를 유도할 수 있다. 이와 같은 정션 박스는 양면 수광형 구조를 가지는 태양 전지를 구비하는 태양 전지 모듈에 적용되어, 정션 박스에 의하여 후면 광의 입사가 차단되어 발생할 수 있는 핫 스팟, 출력 저하 등의 문제를 방지할 수 있다. 또한, 정션 박스에 흡수되는 광의 양이 적어져서 정션 박스의 내부 온도 상승을 최소화할 수 있다. According to the present embodiment, the junction box may include a reflector to induce reflection of the front light in the junction box. Such a junction box is applied to a solar cell module including a solar cell having a double-sided light-receiving structure, and problems such as hot spots and output degradation that may occur due to blocking of back light by the junction box can be prevented. In addition, since the amount of light absorbed by the junction box is reduced, an increase in the internal temperature of the junction box may be minimized.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 정션 박스를 포함하는 태양 전지 모듈을 도시한 분해 사시도이다.
도 2는 도 1의 II-II 선을 따라 잘라서 본 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시한 태양 전지 모듈에 포함되는 태양 전지 패널을 도시한 분해 사시도이다.
도 4는 도 3에 도시한 태양 전지 패널에 포함되는 태양 전지를 도시한 단면도이다.
도 5는 도 4에 도시한 태양 전지의 평면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양 전지 모듈을 도시한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양 전지 모듈을 도시한 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양 전지 모듈을 도시한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양 전지 모듈을 도시한 단면도이다.
도 10는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양 전지 모듈을 도시한 단면도이다.
도 11은 도 10에 도시한 태양 전지 모듈의 후면 사시도이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양 전지 모듈을 도시한 단면도이다.
1 is an exploded perspective view illustrating a solar cell module including a junction box according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II of FIG. 1 .
3 is an exploded perspective view illustrating a solar cell panel included in the solar cell module shown in FIG. 1 .
4 is a cross-sectional view illustrating a solar cell included in the solar cell panel shown in FIG. 3 .
FIG. 5 is a plan view of the solar cell shown in FIG. 4 .
6 is a cross-sectional view illustrating a solar cell module according to another embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view illustrating a solar cell module according to another embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view illustrating a solar cell module according to another embodiment of the present invention.
9 is a cross-sectional view illustrating a solar cell module according to another embodiment of the present invention.
10 is a cross-sectional view illustrating a solar cell module according to another embodiment of the present invention.
11 is a rear perspective view of the solar cell module shown in FIG. 10 .
12 is a cross-sectional view illustrating a solar cell module according to another embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명이 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니며 다양한 형태로 변형될 수 있음은 물론이다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, it goes without saying that the present invention is not limited to these embodiments and may be modified in various forms.

도면에서는 본 발명을 명확하고 간략하게 설명하기 위하여 설명과 관계 없는 부분의 도시를 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 극히 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 참조부호를 사용한다. 그리고 도면에서는 설명을 좀더 명확하게 하기 위하여 두께, 넓이 등을 확대 또는 축소하여 도시하였는바, 본 발명의 두께, 넓이 등은 도면에 도시된 바에 한정되지 않는다. In the drawings, in order to clearly and briefly describe the present invention, the illustration of parts irrelevant to the description is omitted, and the same reference numerals are used for the same or extremely similar parts throughout the specification. In addition, in the drawings, the thickness, width, etc. are enlarged or reduced in order to make the description more clear, and the thickness and width of the present invention are not limited to the bars shown in the drawings.

그리고 명세서 전체에서 어떠한 부분이 다른 부분을 "포함"한다고 할 때, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 부분을 배제하는 것이 아니며 다른 부분을 더 포함할 수 있다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 위치하는 경우도 포함한다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 위치하지 않는 것을 의미한다. And, when a certain part "includes" another part throughout the specification, other parts are not excluded unless otherwise stated, and other parts may be further included. Also, when a part such as a layer, film, region, plate, etc. is said to be “on” another part, it includes not only the case where the other part is “directly on” but also the case where another part is located in the middle. When a part, such as a layer, film, region, or plate, is "directly above" another part, it means that no other part is located in the middle.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 정션 박스 및 이를 포함하는 태양 전지 모듈을 상세하게 설명한다. Hereinafter, a junction box and a solar cell module including the same according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 정션 박스를 포함하는 태양 전지 모듈을 도시한 분해 사시도이고, 도 2는 도 1의 II-II 선을 따라 잘라서 본 단면도이다. 1 is an exploded perspective view illustrating a solar cell module including a junction box according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II of FIG. 1 .

도 1 내지 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지 모듈(100)은, 적어도 하나의 태양 전지(150)를 포함하는 태양 전지 패널(10)과, 태양 전지 패널(10)에 장착되는 정션 박스(20)를 포함하고, 태양 전지(150)의 후면에서 정션 박스(20)에 대응하는 부분에 반사부가 형성된다. 본 실시예에서는 정션 박스(20)에 반사부가 형성된 것을 예시하였다. 그리고 태양 전지 모듈(100)은 태양 전지 패널(10)의 외곽부를 감싸는 프레임(30)을 더 포함할 수 있다. 이를 좀더 상세하게 설명한다.1 to 2 , a solar cell module 100 according to an embodiment of the present invention includes a solar cell panel 10 including at least one solar cell 150 , and a solar cell panel 10 . It includes a junction box 20 mounted to the solar cell 150 , and a reflector is formed in a portion corresponding to the junction box 20 on the rear surface of the solar cell 150 . In this embodiment, it is exemplified that the reflective portion is formed in the junction box 20 . In addition, the solar cell module 100 may further include a frame 30 surrounding the outer portion of the solar cell panel 10 . This will be described in more detail.

먼저, 도 3 내지 도 5를 참조하여 태양 전지 패널(10)과 이에 포함되는 태양 전지(150)를 상세하게 설명한 후에 정션 박스(20) 및 프레임(30)을 상세하게 설명한다. 도 3은 도 1에 도시한 태양 전지 모듈에 포함되는 태양 전지 패널을 도시한 분해 사시도이다. 도 4는 도 3에 도시한 태양 전지 패널에 포함되는 태양 전지를 도시한 단면도이고, 도 5는 도 4에 도시한 태양 전지의 평면도이다. 도 5에서는 반도체 기판과 전극을 위주로 하여 도시하였다.First, the junction box 20 and the frame 30 will be described in detail after the solar cell panel 10 and the solar cell 150 included therein will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 5 . 3 is an exploded perspective view illustrating a solar cell panel included in the solar cell module shown in FIG. 1 . 4 is a cross-sectional view illustrating a solar cell included in the solar cell panel illustrated in FIG. 3 , and FIG. 5 is a plan view of the solar cell illustrated in FIG. 4 . In FIG. 5, the semiconductor substrate and the electrode are mainly illustrated.

도 3을 참조하면, 태양 전지 패널(10)은 태양 전지(150), 태양 전지(150)의 전면 상에 위치하는 전면 기판(110) 및 태양 전지(150)의 후면 상에 위치하는 후면 시트(120)을 포함할 수 있다. 또한, 태양 전지 모듈(100)은 태양 전지(150)와 전면 기판(110) 사이의 제1 실링재(131)와, 태양 전지(150)와 후면 시트(120) 사이의 제2 실링재(132)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 3 , the solar cell panel 10 includes a solar cell 150 , a front substrate 110 positioned on the front surface of the solar cell 150 , and a rear sheet positioned on the rear surface of the solar cell 150 . 120) may be included. In addition, the solar cell module 100 includes a first sealing material 131 between the solar cell 150 and the front substrate 110 and a second sealing material 132 between the solar cell 150 and the rear sheet 120 . may include

일례로, 본 실시예에서는 실리콘으로 구성된 반도체 기판에 p형 및/또는 n형의 불순물층을 형성하여 형성된 실리콘 태양 전지를 태양 전지(150)로 사용할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 태양 전지(150)는 화합물 반도체 태양 전지(compound semiconductor solar cell), 탠덤형 태양 전지(tandem solar cell), 염료 감응형 태양 전지, 박막 태양 전지 등 다양한 구조를 가질 수 있다. For example, in the present embodiment, a silicon solar cell formed by forming p-type and/or n-type impurity layers on a semiconductor substrate made of silicon may be used as the solar cell 150 . However, the present invention is not limited thereto. Accordingly, the solar cell 150 may have various structures such as a compound semiconductor solar cell, a tandem solar cell, a dye-sensitized solar cell, and a thin film solar cell.

본 실시예에서는 태양 전지(150)가 실리콘 태양 전지로 구성되어 복수 개의 태양 전지(150)가 리본(142)에 의하여 직렬, 병렬 또는 직병렬로 연결되어 태양 전지 스트링(140)을 이루고, 복수 개의 태양 전지 스트링(140)은 버스 리본(145)에 의하여 연결되는 것을 예시하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 태양 전지(150)의 구조, 방식 등에 따라 태양 전지(150)의 연결 구조, 방식 등은 당연히 달라질 수 있다. 또한, 경우에 따라서는 하나의 태양 전지(150)만을 구비하는 것도 가능하다. In this embodiment, the solar cell 150 is composed of a silicon solar cell, and a plurality of solar cells 150 are connected in series, parallel, or series-parallel by a ribbon 142 to form a solar cell string 140 , The solar cell string 140 is exemplified to be connected by a bus ribbon 145 . However, the present invention is not limited thereto, and the connection structure and method of the solar cell 150 may of course vary depending on the structure and method of the solar cell 150 . In addition, in some cases, it is also possible to include only one solar cell 150 .

제1 실링재(131)는 태양 전지(150)의 일면에 위치하고, 제2 실링재(132)는 태양 전지(150)의 타면에 위치할 수 있으며, 제1 실링재(131)와 제2 실링재(132)는 라미네이션에 의해 접착할 수 있다. 제1 및 제2 실링재(131, 132)는 태양 전지(150)에 악영향을 미칠 수 있는 수분이나 산소를 차단하며, 태양 전지의 각 요소들이 화학적으로 결합할 수 있도록 한다. 이러한 제1 실링재(131)와 제2 실링재(132)는 에틸렌초산비닐 공중합체 수지(EVA), 폴리비닐부티랄, 규소 수지, 에스테르계 수지, 올레핀계 수지 등이 사용될 수 있다. The first sealing material 131 may be located on one surface of the solar cell 150 , and the second sealing material 132 may be located on the other surface of the solar cell 150 , and the first sealing material 131 and the second sealing material 132 . can be adhered by lamination. The first and second sealing materials 131 and 132 block moisture or oxygen that may adversely affect the solar cell 150 , and allow each element of the solar cell to be chemically combined. As the first sealing material 131 and the second sealing material 132 , ethylene-vinyl acetate copolymer resin (EVA), polyvinyl butyral, silicon resin, ester-based resin, olefin-based resin, or the like may be used.

그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 제1 및 제2 실링재(131, 132)는 그 외 다양한 물질로 구성될 수 있으며, 라미네이션 이외의 다른 방법에 의하여 태양 전지(150) 상에 위치할 수 있다. However, the present invention is not limited thereto. Accordingly, the first and second sealing materials 131 and 132 may be made of various other materials, and may be positioned on the solar cell 150 by a method other than lamination.

전면 기판(110)은 태양광을 투과하도록 제1 실링재(131) 상에 위치하며, 외부의 충격 등으로부터 태양 전지(150)를 보호하기 위해 강화유리인 것이 바람직하다. 또한, 태양광의 반사를 방지하고 태양광의 투과율을 높이기 위해 철분이 적게 들어간 저철분 강화유리일 수 있다. 또는, 출력 저하 현상을 방지하기 위하여 나트륨을 포함하지 않는 나트륨 무첨가 유리일 수 있다. The front substrate 110 is positioned on the first sealing material 131 to transmit sunlight, and is preferably made of tempered glass to protect the solar cell 150 from external impact. In addition, in order to prevent reflection of sunlight and increase the transmittance of sunlight, it may be a low-iron tempered glass containing less iron. Alternatively, it may be a sodium-free glass that does not contain sodium in order to prevent a decrease in output.

후면 시트(120)는 태양 전지(150)의 후면에서 태양 전지(150)를 보호하는 층으로서, 방수, 절연 및 자외선 차단 기능을 한다. 본 실시예에서는 후면 시트(120)가 투광성을 가지는 투명한 물질일 수 있다. 이에 의하여 태양 전지 모듈(100)의 후면을 통하여 입사되는 광이 후면 시트(120)를 투과하여 태양 전지(150)에 도달할 수 있다. 일 예로, 후면 시트(120)의 투과율이 80% 이상(즉, 80% 내지 100%, 일 예로, 80% 내지 90%)일 수 있다. 일 예로, 후면 시트(120)는 유리와 같은 기판 형태로 구성될 수도 있고, 필름 또는 시트 등의 형태로 구성될 수 있다. 예를 들어, 후면 시트(120)가 TPT(Tedlar/PET/Tedlar) 타입이거나, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)의 적어도 일면에 형성된 폴리불화비닐리덴(poly vinylidene fluoride, PVDF) 수지 등으로 구성될 수 있다. 폴리불화비닐리덴은 (CH2CF2)n의 구조를 지닌 고분자로서, 더블(Double)불소분자 구조를 가지기 때문에, 기계적 성질, 내후성, 내자외선성이 우수하다. 본 발명이 후면 시트(120)의 물질 등에 한정되는 것은 아니다.The back sheet 120 is a layer that protects the solar cell 150 on the rear surface of the solar cell 150 , and functions to waterproof, insulate, and block UV rays. In this embodiment, the back sheet 120 may be a transparent material having light-transmitting properties. Accordingly, light incident through the rear surface of the solar cell module 100 may pass through the rear sheet 120 to reach the solar cell 150 . For example, the transmittance of the back sheet 120 may be 80% or more (ie, 80% to 100%, for example, 80% to 90%). For example, the back sheet 120 may be formed in the form of a substrate such as glass, or may be formed in the form of a film or sheet. For example, the back sheet 120 may be a Tedlar/PET/Tedlar (TPT) type, or may be made of a polyvinylidene fluoride (PVDF) resin formed on at least one surface of polyethylene terephthalate (PET). . Polyvinylidene fluoride is a polymer having a structure of (CH 2 CF 2 )n. Since it has a double fluorine molecular structure, it has excellent mechanical properties, weather resistance, and UV resistance. The present invention is not limited to the material of the back sheet 120 .

도 4을 참조하면, 본 실시예에 따른 태양 전지(150)는, 베이스 영역(162)을 포함하는 반도체 기판(160)과, 제1 도전형을 가지는 제1 도전형 영역(170)과 제2 도전형을 가지는 제2 도전형 영역(180)과, 제1 도전형 영역(170)에 연결되는 제1 전극(176)과, 제2 도전형 영역(180)에 연결되는 제2 전극(186)을 포함한다. 그리고 태양 전지(150)는 제1 패시베이션막(172), 반사 방지막(174), 제2 패시베이션막(182)을 더 포함할 수 있다. 이를 좀더 상세하게 설명한다.Referring to FIG. 4 , the solar cell 150 according to the present exemplary embodiment includes a semiconductor substrate 160 including a base region 162 , a first conductivity type region 170 having a first conductivity type, and a second conductivity type region 170 . A second conductivity type region 180 having a conductivity type, a first electrode 176 connected to the first conductivity type region 170 , and a second electrode 186 connected to the second conductivity type region 180 . includes In addition, the solar cell 150 may further include a first passivation layer 172 , an anti-reflection layer 174 , and a second passivation layer 182 . This will be described in more detail.

반도체 기판(160)은 결정질 반도체로 구성될 수 있다. 일 예로, 반도체 기판(160)은 단결정 또는 다결정 반도체(일 예로, 단결정 또는 다결정 실리콘)로 구성될 수 있다. 특히, 반도체 기판(160)은 단결정 반도체(예를 들어, 단결정 반도체 웨이퍼, 좀더 구체적으로는, 단결정 실리콘 웨이퍼)로 구성될 수 있다. 이와 같이 반도체 기판(160)이 단결정 반도체(예를 들어, 단결정 실리콘)로 구성되면, 태양 전지(150)가 단결정 반도체 태양 전지(예를 들어, 단결정 실리콘 태양 전지)를 구성하게 된다. 이와 같이 결정성이 높아 결함이 적은 결정질 반도체로 구성되는 반도체 기판(160)을 기반으로 하는 태양 전지(150)는 우수한 전기적 특성을 가질 수 있다. The semiconductor substrate 160 may be formed of a crystalline semiconductor. For example, the semiconductor substrate 160 may be formed of a single crystal or polycrystalline semiconductor (eg, single crystal or polycrystalline silicon). In particular, the semiconductor substrate 160 may be formed of a single crystal semiconductor (eg, a single crystal semiconductor wafer, more specifically, a single crystal silicon wafer). As such, when the semiconductor substrate 160 is formed of a single crystal semiconductor (eg, single crystal silicon), the solar cell 150 constitutes a single crystal semiconductor solar cell (eg, a single crystal silicon solar cell). As described above, the solar cell 150 based on the semiconductor substrate 160 made of a crystalline semiconductor with high crystallinity and fewer defects may have excellent electrical characteristics.

반도체 기판(160)의 전면 및/또는 후면은 텍스쳐링(texturing)되어 요철을 가질 수 있다. 요철은, 일 예로, 반도체 기판(160)의 (111)면으로 구성되며 불규칙한 크기를 가지는 피라미드 형상을 가질 수 있다. 이와 같은 텍스쳐링에 의해 반도체 기판(160)의 전면 등에 요철이 형성되어 표면 거칠기가 증가되면, 반도체 기판(160)의 전면 등을 통하여 입사되는 광의 반사율을 낮출 수 있다. 따라서 베이스 영역(162)과 제1 도전형 영역(170)에 의하여 형성된 pn 접합까지 도달하는 광량을 증가시킬 수 있어, 광 손실을 최소화할 수 있다. 본 실시예에서는 반도체 기판(160)의 전면 및 후면 각각에 텍스쳐링에 의한 요철을 구비하여 전면 및 후면으로 입사되는 광을 최대화할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 반도체 기판(160)의 전면 및 후면에 텍스쳐링에 의한 요철이 형성되지 않는 것도 가능하다. The front surface and/or the rear surface of the semiconductor substrate 160 may be textured to have irregularities. The unevenness, for example, may have a pyramid shape that is configured of a (111) surface of the semiconductor substrate 160 and has an irregular size. When unevenness is formed on the front surface of the semiconductor substrate 160 by such texturing and the surface roughness is increased, the reflectance of light incident through the front surface of the semiconductor substrate 160 may be reduced. Accordingly, the amount of light reaching the pn junction formed by the base region 162 and the first conductivity-type region 170 can be increased, thereby minimizing light loss. In the present embodiment, each of the front and rear surfaces of the semiconductor substrate 160 is provided with concavities and convexities by texturing to maximize light incident to the front and rear surfaces. However, the present invention is not limited thereto, and irregularities due to texturing may not be formed on the front and rear surfaces of the semiconductor substrate 160 .

반도체 기판(160)은 제2 도전형 도펀트를 제2 도전형 영역(180)보다 낮은 도핑 농도로 포함하여 제2 도전형을 가지는 베이스 영역(162)을 포함할 수 있다. 일 예로, 베이스 영역(162)은 제1 도전형 영역(170)보다 반도체 기판(160)의 전면으로부터 좀더 멀리, 또는 후면에 좀더 가까이 위치할 수 있다. 그리고 베이스 영역(162)은 제2 도전형 영역(180)보다 반도체 기판(160)의 전면에 좀더 가까이, 후면으로부터 좀더 멀리 위치할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 베이스 영역(162)의 위치가 달라질 수 있음은 물론이다. The semiconductor substrate 160 may include the base region 162 having the second conductivity type by including the second conductivity type dopant at a lower doping concentration than the second conductivity type region 180 . For example, the base region 162 may be located farther from the front surface of the semiconductor substrate 160 or closer to the rear surface of the semiconductor substrate 160 than the first conductivity-type region 170 . In addition, the base region 162 may be located closer to the front surface of the semiconductor substrate 160 and further away from the rear surface of the semiconductor substrate 160 than the second conductivity-type region 180 . However, the present invention is not limited thereto, and it goes without saying that the position of the base region 162 may be changed.

여기서, 베이스 영역(162)은 제2 도전형 도펀트를 포함하는 결정질 반도체로 구성될 수 있다. 일 예로, 베이스 영역(162)은 제2 도전형 도펀트를 포함하는 단결정 또는 다결정 반도체(일 예로, 단결정 또는 다결정 실리콘)로 구성될 수 있다. 특히, 베이스 영역(162)은 제2 도전형 도펀트를 포함하는 단결정 반도체(예를 들어, 단결정 반도체 웨이퍼, 좀더 구체적으로는, 단결정 실리콘 웨이퍼)로 구성될 수 있다. Here, the base region 162 may be formed of a crystalline semiconductor including a second conductivity type dopant. For example, the base region 162 may be formed of a single crystal or polycrystalline semiconductor (eg, single crystal or polycrystalline silicon) including a second conductivity type dopant. In particular, the base region 162 may be formed of a single crystal semiconductor (eg, a single crystal semiconductor wafer, more specifically, a single crystal silicon wafer) including a second conductivity type dopant.

제2 도전형은 n형 또는 p형일 수 있다. 베이스 영역(162)이 n형을 가지는 경우에는 베이스 영역(162)이 5족 원소인 인(P), 비소(As), 비스무스(Bi), 안티몬(Sb) 등이 도핑된 단결정 또는 다결정 반도체로 이루어질 수 있다. 베이스 영역(162)이 p형을 가지는 경우에는 베이스 영역(162)이 3족 원소인 보론(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등이 도핑된 단결정 또는 다결정 반도체로 이루어질 수 있다. The second conductivity type may be n-type or p-type. When the base region 162 has an n-type, the base region 162 is a single crystal or polycrystalline semiconductor doped with Group 5 elements such as phosphorus (P), arsenic (As), bismuth (Bi), antimony (Sb), etc. can be done When the base region 162 has a p-type, the base region 162 is a single crystal or polycrystalline semiconductor doped with group III elements such as boron (B), aluminum (Al), gallium (Ga), indium (In), etc. can be done

그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 베이스 영역(162) 및 제2 도전형 도펀트가 다양한 물질로 구성될 수 있다. However, the present invention is not limited thereto, and the base region 162 and the second conductivity-type dopant may be formed of various materials.

일 예로, 베이스 영역(162)은 n형일 수 있다. 그러면, 베이스 영역(162)과 pn 접합을 이루는 제1 도전형 영역(170)이 p형을 가지게 된다. 이러한 pn 접합에 광이 조사되면 광전 효과에 의해 생성된 전자가 반도체 기판(160)의 제2 부분(이하 "후면") 쪽으로 이동하여 제2 전극(186)에 의하여 수집되고, 정공이 반도체 기판(160)의 전면 쪽으로 이동하여 제1 전극(176)에 의하여 수집된다. 이에 의하여 전기 에너지가 발생한다. 그러면, 전자보다 이동 속도가 느린 정공이 반도체 기판(160)의 후면이 아닌 전면으로 이동하여 변환 효율이 향상될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 베이스 영역(162) 및 제2 도전형 영역(180)이 p형을 가지고 제1 도전형 영역(170)이 n형을 가지는 것도 가능하다. For example, the base region 162 may be n-type. Then, the first conductivity type region 170 forming a pn junction with the base region 162 has a p-type. When light is irradiated to the pn junction, electrons generated by the photoelectric effect move toward the second portion (hereinafter, “rear”) of the semiconductor substrate 160 and are collected by the second electrode 186, and holes are formed in the semiconductor substrate ( It moves toward the front side of 160 and is collected by the first electrode 176 . Thereby, electrical energy is generated. Then, holes having a slower movement speed than electrons move to the front surface of the semiconductor substrate 160 instead of the rear surface, so that conversion efficiency may be improved. However, the present invention is not limited thereto, and the base region 162 and the second conductivity type region 180 may have a p-type and the first conductivity-type region 170 may have an n-type.

반도체 기판(160)의 전면 쪽에는 베이스 영역(162)과 반대되는 제1 도전형을 가지는 제1 도전형 영역(170)이 형성될 수 있다. 제1 도전형 영역(170)은 베이스 영역(162)과 pn 접합을 형성하여 광전 변환에 의하여 캐리어를 생성하는 에미터 영역을 구성한다. A first conductivity type region 170 having a first conductivity type opposite to that of the base region 162 may be formed on the front side of the semiconductor substrate 160 . The first conductivity-type region 170 forms a pn junction with the base region 162 to constitute an emitter region that generates carriers by photoelectric conversion.

본 실시예에서는 제1 도전형 영역(170)이 반도체 기판(160)의 일부를 구성하는 도핑 영역으로 구성될 수 있다. 이에 의하여 제1 도전형 영역(170)이 제1 도전형 도펀트를 포함하는 결정질 반도체로 구성될 수 있다. 일 예로, 제1 도전형 영역(170)이 제1 도전형 도펀트를 포함하는 단결정 또는 다결정 반도체(일 예로, 단결정 또는 다결정 실리콘)로 구성될 수 있다. 특히, 제1 도전형 영역(170)은 제1 도전형 도펀트를 포함하는 단결정 반도체(예를 들어, 단결정 반도체 웨이퍼, 좀더 구체적으로는, 단결정 실리콘 웨이퍼)로 구성될 수 있다. 이와 같이 제1 도전형 영역(170)이 반도체 기판(160)의 일부를 구성하면 베이스 영역(162)과의 접합 특성을 향상할 수 있다. In this embodiment, the first conductivity-type region 170 may be configured as a doped region constituting a part of the semiconductor substrate 160 . Accordingly, the first conductivity-type region 170 may be formed of a crystalline semiconductor including a first conductivity-type dopant. For example, the first conductivity type region 170 may be formed of a single crystal or polycrystalline semiconductor (eg, single crystal or polycrystalline silicon) including a first conductivity type dopant. In particular, the first conductivity type region 170 may be formed of a single crystal semiconductor (eg, a single crystal semiconductor wafer, more specifically, a single crystal silicon wafer) including a first conductivity type dopant. As such, when the first conductivity-type region 170 forms a part of the semiconductor substrate 160 , bonding characteristics with the base region 162 may be improved.

그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 제1 도전형 영역(170)이 반도체 기판(160)의 위에서 반도체 기판(160)과 별개로 형성될 수 있다. 이 경우에 제1 도전형 영역(170)은 반도체 기판(160) 위에 쉽게 형성될 수 있도록 반도체 기판(160)과 다른 결정 구조를 가지는 반도체층으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 제1 도전형 영역(170)은 증착 등의 다양한 방법에 의하여 쉽게 제조될 수 있는 비정질 반도체, 미세 결정 반도체, 또는 다결정 반도체(일 예로, 비정질 실리콘, 미세 결정 실리콘, 또는 다결정 실리콘) 등에 제1 도전형 도펀트를 도핑하여 형성될 수 있다. 그 외의 다양한 변형이 가능하다. However, the present invention is not limited thereto, and the first conductivity-type region 170 may be formed on the semiconductor substrate 160 separately from the semiconductor substrate 160 . In this case, the first conductivity-type region 170 may be formed of a semiconductor layer having a crystal structure different from that of the semiconductor substrate 160 to be easily formed on the semiconductor substrate 160 . For example, the first conductivity type region 170 may be an amorphous semiconductor, a microcrystalline semiconductor, or a polycrystalline semiconductor (eg, amorphous silicon, microcrystalline silicon, or polycrystalline silicon) that can be easily manufactured by various methods such as deposition. It may be formed by doping a first conductivity-type dopant on the back. Various other modifications are possible.

제1 도전형은 p형 또는 n형일 수 있다. 제1 도전형 영역(170)이 p형을 가지는 경우에는 제1 도전형 영역(170)이 3족 원소인 보론(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등이 도핑된 단결정 또는 다결정 반도체로 이루어질 수 있다. 제1 도전형 영역(170)이 n형을 가지는 경우에는 제1 도전형 영역(170)이 5족 원소인 인(P), 비소(As), 비스무스(Bi), 안티몬(Sb) 등이 도핑된 단결정 또는 다결정 반도체로 이루어질 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 물질이 제1 도전형 도펀트로 사용될 수 있다. The first conductivity type may be p-type or n-type. When the first conductivity-type region 170 has a p-type, the first conductivity-type region 170 is doped with group III elements such as boron (B), aluminum (Al), gallium (Ga), indium (In), and the like. It may be made of a single crystal or polycrystalline semiconductor. When the first conductivity-type region 170 has an n-type, the first conductivity-type region 170 is doped with Group 5 elements such as phosphorus (P), arsenic (As), bismuth (Bi), antimony (Sb), etc. It may be made of a single crystal or polycrystalline semiconductor. However, the present invention is not limited thereto, and various materials may be used as the dopant of the first conductivity type.

도면에서는 제1 도전형 영역(170)이 전체적으로 균일한 도핑 농도를 가지는 균일한 구조(homogeneous structure)를 가지는 것을 예시하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 다른 실시예로, 제1 도전형 영역(170)이 선택적 구조(selective structure)를 가질 수 있다. 선택적 구조에서는 제1 도전형 영역(170) 중에서 제1 전극(176)과 인접한 부분에서 높은 도핑 농도, 큰 정션 깊이 및 낮은 저항을 가지며, 그 외의 부분에서 낮은 도핑 농도, 작은 정션 깊이 및 높은 저항을 가질 수 있다. 제1 도전형 영역(170)의 구조로는 이 외에도 다양한 구조가 적용될 수 있다. In the drawings, it is exemplified that the first conductivity type region 170 has a homogeneous structure having a uniform doping concentration as a whole. However, the present invention is not limited thereto. Accordingly, in another embodiment, the first conductivity-type region 170 may have a selective structure. In the selective structure, a high doping concentration, a large junction depth, and a low resistance in a portion adjacent to the first electrode 176 of the first conductivity-type region 170, and a low doping concentration, a small junction depth and a high resistance in other portions can have As the structure of the first conductivity type region 170 , various other structures may be applied.

반도체 기판(160)의 후면 쪽에는 베이스 영역(162)과 동일한 제2 도전형을 가지되, 베이스 영역(162)보다 높은 도핑 농도로 제2 도전형 도펀트를 포함하는 제2 도전형 영역(180)이 형성될 수 있다. 제2 도전형 영역(180)은 후면 전계(back surface field)를 형성하여 반도체 기판(160)의 표면(좀더 정확하게는, 반도체 기판(160)의 후면)에서 재결합에 의하여 캐리어가 손실되는 것을 방지하는 후면 전계 영역을 구성한다. On the back side of the semiconductor substrate 160 , a second conductivity type region 180 having the same second conductivity type as that of the base region 162 , but including a second conductivity type dopant at a higher doping concentration than the base region 162 . can be formed. The second conductivity type region 180 forms a back surface field to prevent loss of carriers due to recombination on the surface of the semiconductor substrate 160 (more precisely, the back surface of the semiconductor substrate 160 ). constituting the rear electric field region.

본 실시예에서는 제2 도전형 영역(180)이 반도체 기판(160)의 일부를 구성하는 도핑 영역으로 구성될 수 있다. 이에 의하여 제2 도전형 영역(180)이 제2 도전형 도펀트를 포함하는 결정질 반도체로 구성될 수 있다. 일 예로, 제2 도전형 영역(180)이 제2 도전형 도펀트를 포함하는 단결정 또는 다결정 반도체(일 예로, 단결정 또는 다결정 실리콘)로 구성될 수 있다. 특히, 제2 도전형 영역(180)은 제2 도전형 도펀트를 포함하는 단결정 반도체(예를 들어, 단결정 반도체 웨이퍼, 좀더 구체적으로는, 단결정 실리콘 웨이퍼)로 구성될 수 있다. 이와 같이 제2 도전형 영역(180)이 반도체 기판(160)의 일부를 구성하면 베이스 영역(162)과의 접합 특성을 향상할 수 있다. In this embodiment, the second conductivity-type region 180 may be configured as a doped region constituting a part of the semiconductor substrate 160 . Accordingly, the second conductivity-type region 180 may be formed of a crystalline semiconductor including a second conductivity-type dopant. As an example, the second conductivity type region 180 may be formed of a single crystal or polycrystalline semiconductor (eg, single crystal or polycrystalline silicon) including a second conductivity type dopant. In particular, the second conductivity type region 180 may be formed of a single crystal semiconductor (eg, a single crystal semiconductor wafer, more specifically, a single crystal silicon wafer) including a second conductivity type dopant. As described above, when the second conductivity-type region 180 forms a part of the semiconductor substrate 160 , bonding characteristics with the base region 162 may be improved.

그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 제2 도전형 영역(180)이 반도체 기판(160)의 위에서 반도체 기판(160)과 별개로 형성될 수 있다. 이 경우에 제2 도전형 영역(180)은 반도체 기판(160) 위에 쉽게 형성될 수 있도록 반도체 기판(160)과 다른 결정 구조를 가지는 반도체층으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 제2 도전형 영역(180)은 증착 등의 다양한 방법에 의하여 쉽게 제조될 수 있는 비정질 반도체, 미세 결정 반도체, 또는 다결정 반도체(일 예로, 비정질 실리콘, 미세 결정 실리콘, 또는 다결정 실리콘) 등에 제2 도전형 도펀트를 도핑하여 형성될 수 있다. 그 외의 다양한 변형이 가능하다. However, the present invention is not limited thereto, and the second conductivity-type region 180 may be formed on the semiconductor substrate 160 separately from the semiconductor substrate 160 . In this case, the second conductivity type region 180 may be formed of a semiconductor layer having a crystal structure different from that of the semiconductor substrate 160 to be easily formed on the semiconductor substrate 160 . For example, the second conductivity type region 180 may be an amorphous semiconductor, a microcrystalline semiconductor, or a polycrystalline semiconductor (eg, amorphous silicon, microcrystalline silicon, or polycrystalline silicon) that can be easily manufactured by various methods such as deposition. It may be formed by doping the back with a second conductivity type dopant. Various other modifications are possible.

제2 도전형은 n형 또는 p형일 수 있다. 제2 도전형 영역(180)이 n형을 가지는 경우에는 제2 도전형 영역(180)이 5족 원소인 인(P), 비소(As), 비스무스(Bi), 안티몬(Sb) 등이 도핑된 단결정 또는 다결정 반도체로 이루어질 수 있다. 제2 도전형 영역(180)이 p형을 가지는 경우에는 제2 도전형 영역(180)이 3족 원소인 보론(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등이 도핑된 단결정 또는 다결정 반도체로 이루어질 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 물질이 제2 도전형 도펀트로 사용될 수 있다. 그리고 제2 도전형 영역(180)의 제2 도전형 도펀트는 베이스 영역(162)의 제2 도전형 도펀트와 동일한 물질일 수도 있고, 이와 다른 물질일 수도 있다. The second conductivity type may be n-type or p-type. When the second conductivity-type region 180 has an n-type, the second conductivity-type region 180 is doped with Group V elements, such as phosphorus (P), arsenic (As), bismuth (Bi), antimony (Sb), and the like. It may be made of a single crystal or polycrystalline semiconductor. When the second conductivity-type region 180 has a p-type, the second conductivity-type region 180 is doped with group III elements such as boron (B), aluminum (Al), gallium (Ga), indium (In), and the like. It may be made of a single crystal or polycrystalline semiconductor. However, the present invention is not limited thereto, and various materials may be used as the second conductivity-type dopant. In addition, the second conductivity-type dopant of the second conductivity-type region 180 may be the same material as the second conductivity-type dopant of the base region 162 or may be a different material.

본 실시예에서 제2 도전형 영역(180)이 전체적으로 균일한 도핑 농도를 가지는 균일한 구조(homogeneous structure)를 가지는 것을 예시하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 다른 실시예로, 제2 도전형 영역(180)이 선택적 구조(selective structure)를 가질 수 있다. 선택적 구조에서는 제2 도전형 영역(180) 중에서 제2 전극(186)과 인접한 부분에서 높은 도핑 농도, 큰 정션 깊이 및 낮은 저항을 가지며, 그 외의 부분에서 낮은 도핑 농도, 작은 정션 깊이 및 높은 저항을 가질 수 있다. 또 다른 실시예로, 제2 도전형 영역(180)이 국부적 구조(local structure)를 가질 수 있다. 국부적 구조에서는 제2 도전형 영역(180)이 제2 전극(186)이 형성된 부분에 대응하여 국부적으로 형성될 수 있다. 제2 도전형 영역(180)의 구조로는 이 외에도 다양한 구조가 적용될 수 있다. In this embodiment, it is exemplified that the second conductivity type region 180 has a homogeneous structure having a uniform doping concentration as a whole. However, the present invention is not limited thereto. Accordingly, in another embodiment, the second conductivity-type region 180 may have a selective structure. In the selective structure, a high doping concentration, a large junction depth, and a low resistance in a portion adjacent to the second electrode 186 of the second conductivity type region 180, and a low doping concentration, a small junction depth and a high resistance in other portions can have In another embodiment, the second conductivity-type region 180 may have a local structure. In the local structure, the second conductivity-type region 180 may be locally formed corresponding to the portion where the second electrode 186 is formed. As the structure of the second conductivity-type region 180 , various other structures may be applied.

반도체 기판(160)의 전면 위에, 좀더 정확하게는, 반도체 기판(160)에 또는 이 위에 형성된 제1 도전형 영역(170) 위에 제1 패시베이션막(172) 및 반사 방지막(174)이 차례로 형성되고, 제1 전극(176)이 제1 패시베이션막(172) 및 반사 방지막(174)을 관통하여(즉, 개구부(178)를 통하여) 제1 도전형 영역(170)에 접촉하여 형성된다. A first passivation film 172 and an antireflection film 174 are sequentially formed on the front surface of the semiconductor substrate 160, more precisely, on the first conductivity-type region 170 formed on or on the semiconductor substrate 160, The first electrode 176 is formed in contact with the first conductivity type region 170 through the first passivation layer 172 and the antireflection layer 174 (ie, through the opening 178 ).

제1 패시베이션막(172) 및 반사 방지막(174)은 제1 전극(176)에 대응하는 개구부(178)를 제외하고 실질적으로 반도체 기판(160)의 전면 전체에 형성될 수 있다. The first passivation layer 172 and the antireflection layer 174 may be formed on substantially the entire entire surface of the semiconductor substrate 160 except for the opening 178 corresponding to the first electrode 176 .

제1 패시베이션막(172)은 제1 도전형 영역(170)에 접촉하여 형성되어 제1 도전형 영역(170)의 표면 또는 벌크 내에 존재하는 결함을 부동화 시킨다. 이에 의하여 소수 캐리어의 재결합 사이트를 제거하여 태양 전지(150)의 개방 전압(Voc)을 증가시킬 수 있다. 반사 방지막(174)은 반도체 기판(160)의 전면으로 입사되는 광의 반사율을 감소시킨다. 이에 의하여 반도체 기판(160)의 전면을 통해 입사되는 광의 반사율이 낮추는 것에 의하여 베이스 영역(162)과 제1 도전형 영역(170)에 의하여 형성된 pn 접합까지 도달되는 광량을 증가시킬 수 있다. 이에 따라 태양 전지(150)의 단락 전류(Isc)를 증가시킬 수 있다. 이와 같이 제1 패시베이션막(172) 및 반사 방지막(174)에 의해 태양 전지(150)의 개방 전압과 단락 전류를 증가시켜 태양 전지(150)의 효율을 향상할 수 있다.The first passivation layer 172 is formed in contact with the first conductivity type region 170 to passivate defects existing on the surface or in the bulk of the first conductivity type region 170 . Accordingly, the open-circuit voltage Voc of the solar cell 150 may be increased by removing the recombination site of minority carriers. The anti-reflection layer 174 reduces the reflectance of light incident on the front surface of the semiconductor substrate 160 . Accordingly, the amount of light reaching the pn junction formed by the base region 162 and the first conductivity-type region 170 may be increased by lowering the reflectance of light incident through the front surface of the semiconductor substrate 160 . Accordingly, the short-circuit current Isc of the solar cell 150 may be increased. As described above, by increasing the open circuit voltage and short circuit current of the solar cell 150 by the first passivation layer 172 and the antireflection layer 174 , the efficiency of the solar cell 150 may be improved.

제1 패시베이션막(172)은 다양한 물질로 형성될 수 있다. 일례로, 제1 패시베이셔막(172)은 실리콘 질화막, 수소를 포함한 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 산화 질화막, 알루미늄 산화막, MgF2, ZnS, TiO2 및 CeO2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 단일막 또는 2개 이상의 막이 조합된 다층막 구조를 가질 수 있다. 일 예로, 제1 패시베이션막(172)은, 제1 도전형 영역(170)이 n형을 가지는 경우에는 고정 양전하를 가지는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 등을 포함할 수 있으며, 제1 도전형 영역(170)이 p형을 가지는 경우에는 고정 음전하를 가지는 알루미늄 산화막 등을 포함할 수 있다. The first passivation layer 172 may be formed of various materials. For example, the first passivation film 172 is a silicon nitride film, a silicon nitride film containing hydrogen, a silicon oxide film, a silicon oxynitride film, an aluminum oxide film, MgF 2 , ZnS, TiO 2 and CeO 2 Any one selected from the group consisting of It may have a multilayer film structure in which a film or two or more films are combined. For example, the first passivation film 172 may include a silicon oxide film or a silicon nitride film having a fixed positive charge when the first conductivity-type region 170 has an n-type, and the first conductivity-type region 170 . ) has a p-type, it may include an aluminum oxide film having a fixed negative charge.

반사 방지막(174)은 다양한 물질로 형성될 수 있다. 일례로, 반사 방지막(174)은 실리콘 질화막, 수소를 포함한 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 산화 질화막, 알루미늄 산화막, MgF2, ZnS, TiO2 및 CeO2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 단일막 또는 2개 이상의 막이 조합된 다층막 구조를 가질 수 있다. 일 예로, 반사 방지막(174)은 실리콘 질화물을 포함할 수 있다. The anti-reflection layer 174 may be formed of various materials. For example, the anti-reflection film 174 is a silicon nitride film, a silicon nitride film containing hydrogen, a silicon oxide film, a silicon oxynitride film, an aluminum oxide film, MgF 2 , ZnS, TiO 2 and CeO 2 Any single film or 2 selected from the group consisting of It may have a multilayer film structure in which two or more films are combined. For example, the anti-reflection layer 174 may include silicon nitride.

그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 제1 패시베이션막(172) 및 반사 방지막(174)이 다양한 물질을 포함할 수 있음은 물론이다. 그리고 제1 패시베이션막(172) 및 반사 방지막(174) 중 어느 하나가 반사 방지 역할 및 패시베이션 역할을 함께 수행하여 다른 하나가 구비되지 않는 것도 가능하다. 또는, 제1 패시베이션막(172) 및 반사 방지막(174) 이외의 다양한 막이 반도체 기판(160) 위에 형성될 수도 있다. 그 외에도 다양한 변형이 가능하다. However, the present invention is not limited thereto, and it goes without saying that the first passivation layer 172 and the antireflection layer 174 may include various materials. In addition, one of the first passivation film 172 and the anti-reflection film 174 performs both the anti-reflection role and the passivation role, so that the other may not be provided. Alternatively, various layers other than the first passivation layer 172 and the antireflection layer 174 may be formed on the semiconductor substrate 160 . In addition, various modifications are possible.

제1 전극(176)은 제1 패시베이션막(172) 및 반사 방지막(174)에 형성된 개구부(178)를 통하여(즉, 제1 패시베이션막(172) 및 반사 방지막(174)을 관통하여) 제1 도전형 영역(170)에 전기적으로 연결된다. 이러한 제1 전극(176)은 다양한 물질에 의하여 다양한 형상을 가지도록 형성될 수 있다. 제1 전극(176)의 형상에 대해서는 도 5를 참조하여 추후에 다시 설명한다. The first electrode 176 is connected to the first electrode 176 through the opening 178 formed in the first passivation film 172 and the antireflection film 174 (ie, through the first passivation film 172 and the antireflection film 174 ). It is electrically connected to the conductive region 170 . The first electrode 176 may be formed to have various shapes by using various materials. The shape of the first electrode 176 will be described later with reference to FIG. 5 .

반도체 기판(160)의 후면 위에, 좀더 정확하게는 반도체 기판(160)에 형성된 제2 도전형 영역(180) 위에 제2 패시베이션막(182)이 형성되고, 제2 전극(186)이 제2 패시베이션막(182)을 관통하여(즉, 개구부(188)를 통하여) 제2 도전형 영역(180)에 연결된다. A second passivation film 182 is formed on the rear surface of the semiconductor substrate 160 , more precisely, on the second conductivity type region 180 formed on the semiconductor substrate 160 , and the second electrode 186 is a second passivation film It connects through 182 (ie, through opening 188 ) to region 180 of the second conductivity type.

제2 패시베이션막(182)은 제2 전극(186)에 대응하는 개구부(188)를 제외하고 실질적으로 반도체 기판(160)의 후면 전체에 형성될 수 있다. The second passivation layer 182 may be formed on substantially the entire rear surface of the semiconductor substrate 160 except for the opening 188 corresponding to the second electrode 186 .

제2 패시베이션막(182)은 제2 도전형 영역(180)에 접촉하여 형성되어 제2 도전형 영역(180)의 표면 또는 벌크 내에 존재하는 결함을 부동화 시킨다. 이에 의하여 소수 캐리어의 재결합 사이트를 제거하여 태양 전지(150)의 개방 전압(Voc)을 증가시킬 수 있다. The second passivation layer 182 is formed in contact with the second conductivity-type region 180 to passivate defects existing on the surface or bulk of the second conductivity-type region 180 . Accordingly, the open-circuit voltage Voc of the solar cell 150 may be increased by removing the recombination site of minority carriers.

제2 패시베이션막(182)은 다양한 물질로 형성될 수 있다. 일례로, 제2 패시베이션막(182)은 실리콘 질화막, 수소를 포함한 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 산화 질화막, 알루미늄 산화막, MgF2, ZnS, TiO2 및 CeO2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 단일막 또는 2개 이상의 막이 조합된 다층막 구조를 가질 수 있다. 일 예로, 제2 패시베이션막(182)은, 제2 도전형 영역(180)이 n형을 가지는 경우에는 고정 양전하를 가지는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 등을 포함할 수 있으며, 제2 도전형 영역(180)이 p형을 가지는 경우에는 고정 음전하를 가지는 알루미늄 산화막 등을 포함할 수 있다. The second passivation layer 182 may be formed of various materials. For example, the second passivation film 182 is a single layer selected from the group consisting of a silicon nitride film, a silicon nitride film including hydrogen, a silicon oxide film, a silicon oxynitride film, an aluminum oxide film, MgF 2 , ZnS, TiO 2 and CeO 2 . Alternatively, it may have a multilayer film structure in which two or more films are combined. For example, the second passivation layer 182 may include a silicon oxide layer or a silicon nitride layer having a fixed positive charge when the second conductivity type region 180 has an n-type, and the second conductivity type region 180 . ) has a p-type, it may include an aluminum oxide film having a fixed negative charge.

그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 제2 패시베이션막(182)이 다양한 물질을 포함할 수 있음은 물론이다. 또는, 제2 패시베이션막(182) 이외의 다양한 막이 반도체 기판(160)의 후면 위에 형성될 수도 있다. 그 외에도 다양한 변형이 가능하다. However, the present invention is not limited thereto, and the second passivation layer 182 may include various materials. Alternatively, various films other than the second passivation film 182 may be formed on the back surface of the semiconductor substrate 160 . In addition, various modifications are possible.

제2 전극(186)은 제2 패시베이션막(182)에 형성된 개구부(188)를 통하여 제2 도전형 영역(180)에 전기적으로 연결된다. 제2 전극(186)은 다양한 물질에 의하여 다양한 형상을 가지도록 형성될 수 있다.The second electrode 186 is electrically connected to the second conductivity-type region 180 through the opening 188 formed in the second passivation layer 182 . The second electrode 186 may be formed of various materials to have various shapes.

도 5를 참조하여 제1 및 제2 전극(176, 186)의 평면 형상을 상세하게 설명한다. The planar shape of the first and second electrodes 176 and 186 will be described in detail with reference to FIG. 5 .

도 5를 참조하면, 제1 및 제2 전극(176, 186)은 일정한 피치를 가지면서 서로 이격되는 복수의 핑거 전극(176a, 186a)을 포함할 수 있다. 도면에서는 핑거 전극(176a, 186a)이 서로 평행하며 반도체 기판(160)의 가장자리에 평행한 것을 예시하였으나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 그리고 제1 및 제2 전극(176, 186)은 핑거 전극들(176a, 186a)과 교차하는 방향으로 형성되어 핑거 전극(176a, 186a)을 연결하는 버스바 전극(176b, 186b)을 포함할 수 있다. 이러한 버스바 전극(176b, 186b)은 하나만 구비될 수도 있고, 도 5에 도시된 바와 같이, 핑거 전극(176a, 186a)의 피치보다 더 큰 피치를 가지면서 복수 개로 구비될 수도 있다. 이때, 핑거 전극(176a, 186a)의 폭보다 버스바 전극(176b, 186b)의 폭이 클 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 버스바 전극(176b, 186b)의 폭이 핑거 전극(176a, 186a)의 폭과 동일하거나 그보다 작은 폭을 가질 수 있다.Referring to FIG. 5 , the first and second electrodes 176 and 186 may include a plurality of finger electrodes 176a and 186a spaced apart from each other while having a constant pitch. Although the drawing illustrates that the finger electrodes 176a and 186a are parallel to each other and parallel to the edge of the semiconductor substrate 160, the present invention is not limited thereto. In addition, the first and second electrodes 176 and 186 are formed in a direction crossing the finger electrodes 176a and 186a and may include bus bar electrodes 176b and 186b connecting the finger electrodes 176a and 186a. have. One such bus bar electrodes 176b and 186b may be provided, or as shown in FIG. 5 , a plurality of bus bar electrodes 176b and 186b may be provided while having a pitch greater than that of the finger electrodes 176a and 186a. In this case, the width of the bus bar electrodes 176b and 186b may be greater than the width of the finger electrodes 176a and 186a, but the present invention is not limited thereto. Accordingly, the widths of the bus bar electrodes 176b and 186b may be equal to or smaller than the widths of the finger electrodes 176a and 186a.

단면에서 볼 때, 제1 전극(176)의 핑거 전극(176a) 및 버스바 전극(176b)은 모두 제1 패시베이션막(172) 및 반사 방지막(174)을 관통하여 형성될 수도 있다. 즉, 개구부(178)가 제1 전극(176)의 핑거 전극(176a) 및 버스바 전극(176b)에 모두 대응하여 형성될 수 있다. 그리고 제2 전극(186)의 핑거 전극(186a) 및 버스바 전극(186b)은 모두 제2 패시베이션막(182)을 관통하여 형성될 수도 있다. 즉, 개구부(188)가 제2 전극(186)의 핑거 전극(186a) 및 버스바 전극(186b)에 모두 대응하여 형성될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 예로, 제1 전극(176)의 핑거 전극(176a)이 제1 패시베이션막(172) 및 반사 방지막(174)을 관통하여 형성되고, 버스바 전극(176b)이 제1 패시베이션막(172) 및 반사 방지막(174) 위에 형성될 수 있다. 이 경우에는 개구부(178)가 핑거 전극(176a)에 대응하는 형상으로 형성되고, 버스바 전극(176b)만 위치한 부분에는 형성되지 않을 수 있다. 그리고 제2 전극(186)의 핑거 전극(186a)이 제2 패시베이션막(182)을 관통하여 형성되고, 버스바 전극(186b)은 제2 패시베이션막(182) 위에 형성될 수 있다. 이 경우에는 개구부(188)가 핑거 전극(186a)에 대응하는 형상으로 형성되고, 버스바 전극(186b)만 위치한 부분에는 형성되지 않을 수 있다.When viewed in cross section, both the finger electrode 176a and the bus bar electrode 176b of the first electrode 176 may be formed to pass through the first passivation layer 172 and the antireflection layer 174 . That is, the opening 178 may be formed to correspond to both the finger electrode 176a and the bus bar electrode 176b of the first electrode 176 . In addition, both the finger electrode 186a and the bus bar electrode 186b of the second electrode 186 may be formed through the second passivation layer 182 . That is, the opening 188 may be formed to correspond to both the finger electrode 186a and the bus bar electrode 186b of the second electrode 186 . However, the present invention is not limited thereto. As another example, the finger electrode 176a of the first electrode 176 is formed to pass through the first passivation layer 172 and the antireflection layer 174 , and the bus bar electrode 176b includes the first passivation layer 172 and It may be formed on the anti-reflection layer 174 . In this case, the opening 178 may be formed in a shape corresponding to the finger electrode 176a, but may not be formed in a portion where only the bus bar electrode 176b is located. In addition, the finger electrode 186a of the second electrode 186 may be formed to pass through the second passivation layer 182 , and the bus bar electrode 186b may be formed on the second passivation layer 182 . In this case, the opening 188 may be formed in a shape corresponding to the finger electrode 186a, but may not be formed in a portion where only the bus bar electrode 186b is located.

도면에서는 제1 전극(176)과 제2 전극(186)이 서로 동일한 평면 형상을 가지는 것을 예시하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 제1 전극(176)의 핑거 전극(176a) 및 버스바 전극(176b)의 폭, 피치 등은 제2 전극(186)의 핑거 전극(186a) 및 버스바 전극(186b)의 폭, 피치 등과 서로 다른 값을 가질 수 있다. 또한, 제1 전극(176)과 제2 전극(186)의 평면 형상이 서로 다른 것도 가능하며, 그 외의 다양한 변형이 가능하다. In the drawings, it is exemplified that the first electrode 176 and the second electrode 186 have the same planar shape. However, the present invention is not limited thereto, and the width, pitch, etc. of the finger electrode 176a and the bus bar electrode 176b of the first electrode 176 are the finger electrode 186a and the bus bar electrode of the second electrode 186 . The width and pitch of 186b may have different values. In addition, it is possible that the first electrode 176 and the second electrode 186 have different planar shapes, and various other modifications are possible.

이와 같이 본 실시예에서는 태양 전지(150)의 제1 및 제2 전극(176, 186)이 일정한 패턴을 가져 태양 전지(150)가 반도체 기판(160)의 전면 및 후면으로 광이 입사될 수 있는 양면 수광형(bi-facial) 구조를 가진다. 이에 의하여 태양 전지(150)에서 사용되는 광량을 증가시켜 태양 전지(150)의 효율 향상에 기여할 수 있다. As described above, in the present embodiment, the first and second electrodes 176 and 186 of the solar cell 150 have a constant pattern, so that the solar cell 150 can allow light to be incident to the front and rear surfaces of the semiconductor substrate 160 . It has a bi-facial structure. Accordingly, the amount of light used in the solar cell 150 may be increased, thereby contributing to the improvement of the efficiency of the solar cell 150 .

일 예로, 본 실시예에서 태양 전지(150)의 면적에 대하여 제1 전극(176)의 면적 비율이 5% 내지 20%이고, 제2 전극(186)의 면적 비율이 5% 내지 20%일 수 있다. 즉, 제1 전극(176) 및 제2 전극(186)이 형성된 부분보다 제1 전극(176) 및 제2 전극(186)이 형성되지 않아 광이 입사되는 수광 부분이 더 넓은 면적을 가지게 된다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. For example, in this embodiment, the area ratio of the first electrode 176 to the area of the solar cell 150 may be 5% to 20%, and the area ratio of the second electrode 186 may be 5% to 20%. have. That is, since the first electrode 176 and the second electrode 186 are not formed, the light receiving portion into which the light is incident has a larger area than the portion in which the first electrode 176 and the second electrode 186 are formed. However, the present invention is not limited thereto.

다시 도 1 및 도 2를 참조하면, 상술한 바와 같이 다양한 층으로 구성된 태양 전지 패널(10)을 안정적으로 고정하고 태양 전지(150)를 보호하기 위하여 태양 전지 패널(10)의 외곽부를 감싸는 프레임(30)이 위치할 수 있다. 도면에서는 프레임(30)이 태양 전지 패널(10)의 외곽부 전체를 감싸는 것으로 도시되어 있으나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 프레임(30)이 태양 전지 패널(10)의 일부만을 감싸는 등 다양한 변형이 가능하다. Referring back to FIGS. 1 and 2 , as described above, a frame ( 30) may be located. In the drawings, the frame 30 is shown to surround the entire outer portion of the solar cell panel 10 , but the present invention is not limited thereto. Accordingly, various modifications such as the frame 30 surrounding only a portion of the solar cell panel 10 are possible.

본 실시예에서 프레임(30)은, 태양 전지 패널(10)의 적어도 일부가 삽입되는 제1 프레임부(310)과, 제1 프레임부(310)로부터 외부를 향해 연장되는 제2 프레임부(320)를 포함할 수 있다. In the present embodiment, the frame 30 includes a first frame portion 310 into which at least a portion of the solar cell panel 10 is inserted, and a second frame portion 320 extending outwardly from the first frame portion 310 . ) may be included.

좀더 구체적으로 제1 프레임부(310)에서는, 태양 전지 패널(10)의 전면에 위치한 제1 부분(311), 태양 전지 패널(10)의 측면에 위치한 제2 부분(312), 태양 전지 패널(10)의 후면에 위치한 제3 부분(313)이 서로 연결되어, 이 내부에 태양 전지 패널(10)의 외곽부가 위치하도록 할 수 있다. 일례로, 제1 프레임부(310)은 "U"자 형상 또는 "ㄷ"자 형상을 가질 수 있다. 제2 프레임부(320)는, 제1 프레임부(310)부터 후면 방향으로 연장되는 수직부(321)과, 수직부(321)로부터 절곡 연장되어 태양 전지 패널(10)의 후면과 일정 간격을 두고 평행하게 형성되는 평행부(322)을 구비할 수 있다. 일례로, 제2 프레임부(320)은 "L"자 형상을 가질 수 있다. 그러나 프레임(30)의 형상은 다양하게 변형될 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.More specifically, in the first frame part 310 , the first part 311 positioned on the front side of the solar cell panel 10 , the second part 312 positioned on the side surface of the solar cell panel 10 , the solar cell panel ( The third portions 313 located on the rear surface of 10) may be connected to each other so that the outer portion of the solar cell panel 10 is located therein. For example, the first frame part 310 may have a “U” shape or a “C” shape. The second frame portion 320 includes a vertical portion 321 extending in the rear direction from the first frame portion 310 , and bending and extending from the vertical portion 321 to provide a predetermined interval with the rear surface of the solar cell panel 10 . It may include parallel portions 322 formed in parallel with each other. For example, the second frame part 320 may have an “L” shape. However, the shape of the frame 30 may be variously modified, and the present invention is not limited thereto.

제2 프레임부(320)(특히 평행부(322))에는 가대 또는 지지 부재 등에 고정되기 위한 체결 부재(도시하지 않음)가 고정되는 영역을 제공할 수 있다. 이와 같이 가대 또는 지지 부재 등과의 결합을 위한 체결 부재를 제2 프레임부(320)에 위치시켜 태양 전지 패널(10)을 보호하면서 가대 또는 지지 부재와의 결합 작업이 쉽게 수행될 수 있도록 한다. A region in which a fastening member (not shown) to be fixed to a mount or a support member is fixed may be provided in the second frame portion 320 (particularly, the parallel portion 322 ). In this way, a fastening member for coupling with a mount or a support member is positioned on the second frame part 320 to protect the solar cell panel 10 and a coupling operation with the mount or support member can be easily performed.

이러한 프레임(30)은 다양한 방법으로 태양 전지 패널(10)에 고정될 수 있다. 일례로, 태양 전지 패널(10)의 외곽부를 이루는 부분을 탄성을 가지는 부분(일례로, 탄성을 가지는 테이프)으로 형성하여, 이 탄성을 가지는 부분을 이용하여 제1 프레임부;(310) 내에 태양 전지 패널(10)를 삽입할 수 있다. 또는, 도면에 도시한 바와 같이, 프레임(30)이 각 가장자리에 대응하도록 길게 이어지는 형상(예를 들어, 일자 형상)을 가지는 복수 개의 부분으로 이루어지고, 각 부분을 대응하는 가장자리에 고정하는 것에 의하여 태양 전지 패널(10)에 고정할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 변형이 가능함은 물론이다. The frame 30 may be fixed to the solar cell panel 10 in various ways. For example, a portion constituting the outer portion of the solar cell panel 10 is formed as a portion having elasticity (eg, a tape having elasticity), and the first frame portion; The battery panel 10 may be inserted. Alternatively, as shown in the figure, the frame 30 is made of a plurality of parts having a shape (eg, a straight shape) extending long to correspond to each edge, and by fixing each part to the corresponding edge It can be fixed to the solar panel 10 . However, the present invention is not limited thereto, and various modifications are possible.

태양 전지 패널(10)의 후면 쪽에 정션 박스(20)가 위치할 수 있다. 정션 박스(20)는 다양한 방법에 의하여 태양 전지 패널(10) 또는 프레임(30)에 고정될 수 있다. 본 실시예에서는, 일 예로, 태양 전지 패널(10)에 인접한 정션 박스(20)의 면(즉, 제1 부분(211)의 면)에 위치한 실링 부재(202)에 의하여 태양 전지 패널(10)과 정션 박스(20)가 고정될 수 있다. 즉, 정션 박스(20)와 태양 전지 패널(10) 사이에서 이들과 접촉하여 위치한 실링 부재(202)가 정션 박스(20)의 가장자리를 따라 폐쇄된 형상(closed shape)을 가지도록 형성될 수 있다. 일 예로, 실링 부재(202)가 정션 박스(20)와 동일 또는 유사한 형상(예를 들어, 사각형 형상)을 가지도록 형성될 수 있다. The junction box 20 may be positioned on the rear side of the solar cell panel 10 . The junction box 20 may be fixed to the solar cell panel 10 or the frame 30 by various methods. In this embodiment, for example, the solar cell panel 10 by the sealing member 202 located on the side of the junction box 20 adjacent to the solar panel 10 (that is, the side of the first part 211). And the junction box 20 can be fixed. That is, the sealing member 202 positioned between the junction box 20 and the solar cell panel 10 in contact with them may be formed to have a closed shape along the edge of the junction box 20 . . For example, the sealing member 202 may be formed to have the same or similar shape as the junction box 20 (eg, a rectangular shape).

본 실시예에서 실링 부재(202)는 다양한 색상 및 특성을 가질 수 있다. 이에 따라 실링 부재(202)는 투명한 색, 백색, 검은색 등의 다양한 색상을 가질 수 있고, 실링 특성을 가지는 다양한 물질을 사용할 수 있다. In this embodiment, the sealing member 202 may have various colors and characteristics. Accordingly, the sealing member 202 may have various colors such as transparent, white, and black, and various materials having sealing characteristics may be used.

일 예로, 본 실시예에서 실링 부재(202)는 정션 박스(20)에서 반사도를 향상하기 위하여 첨가된 반사 물질(예를 들어, 백색 안료, 반사 금속 물질 등)을 포함할 수도 있다. 이와 같이 실링 부재(202)가 반사 물질을 포함하면 실링 부재(202)가 위치한 부분에서도 반사가 이루어지도록 하여 반사 효율을 향상할 수 있다. 일 예로, 실링 부재(202) 내에 포함된 반사 물질의 양은 1 중량% 내지 5 중량%일 수 있다. 반사 물질의 양이 1 중량 % 미만이면 반사 효과가 충분하지 않을 수 있다고, 5 중량%를 초과하면 실링 특성이 저하될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. For example, in this embodiment, the sealing member 202 may include a reflective material (eg, a white pigment, a reflective metal material, etc.) added to improve reflectivity in the junction box 20 . As such, when the sealing member 202 includes a reflective material, reflection is made even at a portion where the sealing member 202 is located, thereby improving reflection efficiency. For example, the amount of the reflective material included in the sealing member 202 may be 1 wt% to 5 wt%. If the amount of the reflective material is less than 1% by weight, the reflective effect may not be sufficient, and if it exceeds 5% by weight, sealing properties may be deteriorated. However, the present invention is not limited thereto.

정션 박스(20)는 바이패스 다이오드 등의 회로 소자 등을 포함할 수 있다. 바이패스 다이오드는 태양 전지 스트링(140)에 연결되며 태양 전지 패널(10)의 후면으로 인출되는 리본(142) 또는 버스 리본(145)에 연결된다. 그리고 태양 전지 패널(10)에 가려지는 부분이 발생하거나 고장 등이 발생하여 발전이 일어나지 않는 영역이 발생하면 바이패스 다이오드가 해당 부분을 우회하여 전류가 흐르도록 하여 해당 영역을 보호하는 역할을 한다. 바이패스 다이오드의 구조, 연결 구조 등으로는 알려진 다양한 구조가 적용될 수 있다. The junction box 20 may include a circuit element such as a bypass diode. The bypass diode is connected to the solar cell string 140 and connected to the ribbon 142 or bus ribbon 145 which is drawn out to the back side of the solar cell panel 10 . In addition, when a portion covered by the solar cell panel 10 occurs or a region in which power generation does not occur due to a failure, etc. occurs, the bypass diode bypasses the portion and allows current to flow to protect the region. Various structures known as a structure of a bypass diode, a connection structure, and the like may be applied.

그리고 정션 박스(20)은 태양 전지(150) 또는 태양 전지 스트링(140)으로부터 전달 받은 전기 에너지를 외부로 전달하거나, 또는 다른 태양 전지 모듈과 전기적으로 연결될 수 있도록 출력 케이블(도시하지 않음)를 구비할 수 있다. 일 예로, 출력 케이블은 (+) 단자 및 (-) 단자에 각기 대응하는 두 개의 케이블을 구비할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 출력 케이블의 형태, 개수 등은 다양하게 변형이 가능하다. In addition, the junction box 20 is provided with an output cable (not shown) to transmit the electric energy received from the solar cell 150 or the solar cell string 140 to the outside, or to be electrically connected to another solar cell module. can do. For example, the output cable may include two cables respectively corresponding to the (+) terminal and the (-) terminal. However, the present invention is not limited thereto, and the shape and number of output cables may be variously modified.

이때, 본 실시예에서는 정션 박스(20)의 하우징(210)은, 적어도 태양 전지 패널(10)에 인접한 제1 부분(211)에 광의 반사를 위한 반사부를 구비한다. 이에 의하여 전면 쪽으로 입사되어 정션 박스(20)에 도달한 광이 반사되어 태양 전지(150)에 다시 입사될 수 있다. 이에 의하여 정션 박스(20)가 위치한 부분에서 후면 광이 입사하지 못하여 발생할 수 있는 문제(예를 들어, 핫 스팟(hot spot) 등)을 방지할 수 있다. At this time, in the present embodiment, the housing 210 of the junction box 20 includes at least a reflection unit for reflecting light in the first portion 211 adjacent to the solar cell panel 10 . Accordingly, the light that is incident toward the front side and reaches the junction box 20 may be reflected and re-entered the solar cell 150 . Accordingly, it is possible to prevent problems (eg, hot spots, etc.) that may occur because the back light is not incident on the portion where the junction box 20 is located.

좀더 구체적으로, 본 실시예에서 태양 전지(150)는 제1 및 제2 전극(176, 186)이 모두 패턴을 가져 태양 전지(150)의 전면뿐만 아니라 후면으로도 광이 입사하는 양면 수광형 구조를 가진다. 이와 같이 후면으로도 광이 입사하는 양면 수광형 구조에서는 태양 전지 패널(10)의 후면에 위치한 정션 박스(20)에 의하여 광이 입사가 차단되거나 감소될 수 있다. 그러면, 정션 박스(20)에 해당하는 부분에서 입사되는 후면광의 양이 다른 부분보다 적어지고, 이 부분에 위치한 태양 전지(150)에서 생성되는 전류의 양이 다른 부분보다 적게 된다. 이와 같은 국부적인 전류 차이에 의하여 핫 스팟 현상이 발생할 수 있다. 그러면, 태양 전지 모듈(100)의 출력이 감소되고 핫 스팟에 의한 지속적인 열이 발생하여 태양 전지 모듈(100)의 출력이 저하될 수 있다. 이에 따라 본 실시예에서는 정션 박스(20)가 반사부를 포함하여 후면 광의 입사가 이루어지지 않는 부분에서 전면 광을 반사시켜 태양 전지(150)에 재입사시켜 광량 저하를 보상할 수 있다. 이에 따라 정션 박스(20)가 위치한 부분에서 발생할 수 있는 핫 스팟, 이에 의하여 발생할 수 있는 태양 전지 모듈(100)의 출력 저하 및 열화를 방지할 수 있다. More specifically, in the present embodiment, in the solar cell 150 , the first and second electrodes 176 and 186 both have a pattern, so that light is incident on both the front and rear surfaces of the solar cell 150 . have As such, in the double-sided light-receiving structure in which light is incident even on the rear surface, the incident light may be blocked or reduced by the junction box 20 located on the rear surface of the solar cell panel 10 . Then, the amount of backlight incident on the portion corresponding to the junction box 20 is less than that of other portions, and the amount of current generated by the solar cell 150 positioned in this portion is less than that of other portions. A hot spot phenomenon may occur due to such a local current difference. Then, the output of the solar cell module 100 may be reduced and continuous heat due to the hot spot may be generated, thereby reducing the output of the solar cell module 100 . Accordingly, in the present embodiment, the junction box 20 reflects the front light in a portion where the rear light is not incident, including the reflector, and re-enters the solar cell 150 to compensate for the decrease in the amount of light. Accordingly, it is possible to prevent a hot spot that may occur in a portion where the junction box 20 is located, thereby preventing a decrease in output and deterioration of the solar cell module 100 that may occur thereby.

그리고 정션 박스(20)에 흡수되는 광의 양이 적어져서 정션 박스(20)의 내부 온도가 상승되는 것을 방지할 수 있다. 특히, 정션 박스(20)는 내부에 많은 열이 발생되는 바이패스 다이오드가 위치하므로 정션 박스(20)에 흡수되는 광을 줄여야 정션 박스(20)의 내부 온도가 급격하게 상승되어 태양 전지 패널(10)에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다. 또한, 본 실시예에 따르면 정션 박스(20)에 의한 문제를 방지할 수 있으므로 정션 박스(20) 때문에 발생할 수 있는 핫 스팟 등의 문제를 위한 설계가 적용되지 않아도 된다. 따라서 정션 박스(20)의 면적을 넓히는 것도 가능하고, 정션 박스(20)의 설치 위치를 변경할 수도 있다. 또한, 정션 박스(20)에 해당하는 만큼 태양 전지 패널(10)의 크기를 증가시키지 않아도 된다. 이에 따라 설계 자유도를 향상하고 태양 전지 패널(10)의 크기를 최소화할 수 있다. In addition, the amount of light absorbed by the junction box 20 is reduced, so that it is possible to prevent the internal temperature of the junction box 20 from rising. In particular, since a bypass diode generating a lot of heat is located inside the junction box 20, the light absorbed by the junction box 20 must be reduced to abruptly increase the internal temperature of the junction box 20, so that the solar cell panel 10 ) can be prevented. In addition, according to the present embodiment, since a problem caused by the junction box 20 can be prevented, a design for a problem such as a hot spot that may occur due to the junction box 20 does not need to be applied. Accordingly, it is possible to increase the area of the junction box 20 and to change the installation position of the junction box 20 . In addition, it is not necessary to increase the size of the solar cell panel 10 by the amount corresponding to the junction box 20 . Accordingly, the degree of design freedom may be improved and the size of the solar cell panel 10 may be minimized.

본 실시예에서 정션 박스(20)의 하우징(210) 자체(특히, 하우징(210)의 제 1면(211) 자체)가 반사를 유도하는 반사부로 구성될 수 있다. 즉, 정션 박스(20)의 하우징(210)(특히, 하우징(210)의 제1 부분(211))이 후면 시트(120)보다 높은 반사도를 가질 수 있다. 일 예로, 가시광선 영역의 광에 대하여, 후면 시트(120)가 20% 이하(좀더 구체적으로는 10% 이하)의 반사도를 가지는 반면 하우징(210)은 70% 이상(즉, 70% 내지 100%)의 반사도를 가질 수 있다. 하우징(210)이 70% 이상의 반사도를 가질 때 광을 효과적으로 반사할 수 있다. 하우징(210)의 반사도를 높이는 데 공정, 비용 등의 한계 등을 고려하면 하우징(210)의 반사도가 70% 내지 90%일 수 있다. In the present embodiment, the housing 210 itself of the junction box 20 (in particular, the first surface 211 of the housing 210 itself) may be configured as a reflector for inducing reflection. That is, the housing 210 of the junction box 20 (in particular, the first portion 211 of the housing 210 ) may have a higher reflectivity than the rear sheet 120 . For example, with respect to light in the visible region, the back sheet 120 has a reflectivity of 20% or less (more specifically, 10% or less) while the housing 210 has a reflectivity of 70% or more (ie, 70% to 100%). ) may have a reflectivity of When the housing 210 has a reflectivity of 70% or more, light may be effectively reflected. In consideration of limitations such as process and cost in increasing the reflectivity of the housing 210 , the reflectivity of the housing 210 may be 70% to 90%.

본 실시예에서는 하우징(210)은 우수한 반사도를 가질 수 있도록 반사 물질을 포함할 수 있다. In this embodiment, the housing 210 may include a reflective material to have excellent reflectivity.

좀더 구체적으로, 하우징(210)은, 수지와, 반사 물질을 포함할 수 있다. More specifically, the housing 210 may include a resin and a reflective material.

수지는 하우징(210)의 강도를 유지하면서 하우징(210)의 형상으로 쉽게 성형될 수 있도록 하는 역할을 한다. 그리고 하우징(210)이 대부분 수지로 이루어져(일 예로, 수지가 90 wt% 이상, 좀더 구체적으로는, 95 wt% 이상으로 포함되어) 절연 특성을 가진다. 하우징(210)에 의한 전기적인 간섭 문제 등이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 수지로는 다양한 물질이 사용될 수 있는데, 일 예로, 폴리 페닐렌 산화물(poly phenylene oxide, PPO), 변성 폴리페닐렌산화물(modified poly phenylene oxide, MPPO), 변성 폴리 페닐렌 에테르(modified poly phenylene ether, MPPE) 등의 물질을 사용할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 The resin serves to be easily molded into the shape of the housing 210 while maintaining the strength of the housing 210 . In addition, the housing 210 is mostly made of resin (for example, the resin is included in 90 wt% or more, more specifically, 95 wt% or more) and has insulating properties. It is possible to prevent an electrical interference problem caused by the housing 210 from occurring. Various materials can be used as the resin, for example, polyphenylene oxide (PPO), modified polyphenylene oxide (MPPO), modified polyphenylene ether (modified polyphenylene ether, MPPE) and the like may be used. However, the present invention is not limited thereto.

반사 물질로는 백색 안료 등을 사용할 수 있다. 예를 들어, 백색 안료로는 산화아연, 산화티타늄, 실버화이트 등의 무기 또는 유기 안료를 사용할 수 있다. 또는, 반사 물질로 금, 백금, 은, 알루미늄 등과 같이 반사율이 높은 금속으로 이루어지는 비드 등을 포함하는 금속 반사 물질을 사용할 수도 있다. 이러한 반사 물질은 1 wt% 내지 5 wt% 정도 포함되고, 나머지 수지로 구성될 수 있다. 즉, 수지가 반사 물질보다 많이 포함될 수 있다. 하우징(210)(특히, 제1 면(211))에 반사 물질이 1 wt% 미만으로 포함되면 반사 효과가 충분하지 않을 수 있고, 반사 물질이 5 wt%를 초과하면 비용이 증가하거나 수지의 함량이 충분하지 않을 수 있다. As the reflective material, a white pigment or the like may be used. For example, an inorganic or organic pigment such as zinc oxide, titanium oxide, or silver white may be used as the white pigment. Alternatively, as the reflective material, a metal reflective material including a bead made of a metal having high reflectivity such as gold, platinum, silver, or aluminum may be used. The reflective material may be included in an amount of 1 wt% to 5 wt%, and the remaining resin may be included. That is, the resin may be included more than the reflective material. If the reflective material is included in the housing 210 (in particular, the first surface 211) in an amount of less than 1 wt%, the reflective effect may not be sufficient, and if the reflective material exceeds 5 wt%, the cost increases or the content of the resin This may not be enough.

그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 수지, 반사 물질의 종류, 함량 등은 다양한 변형이 가능하다. However, the present invention is not limited thereto, and various modifications are possible for the resin and the type and content of the reflective material.

본 실시예에 따르면 정션 박스(20)의 하우징(210)의 조성을 바꾸는 것에 의하여 하우징(210) 자체가 반사부를 구성하도록 한다. 이에 의하여 별도의 공정 추가 없이 쉽게 반사부를 구비하는 정션 박스(20)를 형성할 수 있다. 또한, 백색은 검은색에 비하여 광 흡수도가 낮기 때문에 광에 의하여 온도가 증가하는 문제를 효과적으로 방지할 수 있다. According to the present embodiment, by changing the composition of the housing 210 of the junction box 20, the housing 210 itself constitutes a reflective part. Accordingly, the junction box 20 having the reflector can be easily formed without adding a separate process. In addition, since white has lower light absorption than black, it is possible to effectively prevent the problem of temperature increase due to light.

본 실시예에서는 정션 박스(20)의 하우징(210)이 전체적으로 반사 물질을 포함하거나 백색을 가지는 것을 예시하였다. 즉, 태양 전지 패널(10)의 패널면에 평행하며 태양 전지 패널(10)에 인접하는 제1 부분(211)과, 제1 부분(211)에 평행하도록 제1 부분(211)에 대향하며 외부면을 형성하는 제2 부분(212)이 반사 물질을 포함하거나 또는 백색을 가지고, 제1 부분(211)과 제2 부분(212)을 연결하도록 제1 부분(211) 및 제2 부분(212)에 교차(일 예로, 직교)하는 측면 부분(214)들이 반사 물질을 포함하거나 백색을 가진다. 그러면, 정션 박스(20)에 의한 반사 효과를 최대화할 수 있다. 이에 따라 양면 수광형 구조를 가지는 태양 전지(150)를 포함하는 태양 전지 패널(10)에 정션 박스(20)가 후면에 위치하여 발생하는 문제를 효과적으로 방지할 수 있다. In this embodiment, the housing 210 of the junction box 20 includes a reflective material as a whole or has a white color. That is, the first portion 211 parallel to the panel surface of the solar cell panel 10 and adjacent to the solar cell panel 10 and the first portion 211 opposite to the first portion 211 parallel to the first portion 211 and external The first portion 211 and the second portion 212 are configured such that the second portion 212 forming the surface includes a reflective material or has a white color, and connects the first portion 211 and the second portion 212 . The side portions 214 that intersect (eg, orthogonal to) the reflective material or have a white color. Then, the reflection effect by the junction box 20 can be maximized. Accordingly, it is possible to effectively prevent a problem caused by the junction box 20 being positioned at the rear of the solar cell panel 10 including the solar cell 150 having a double-sided light-receiving structure.

본 실시예에 의하면, 정션 박스(20)가 반사부를 구비하여 정션 박스(20)에서 전면 광의 반사를 유도할 수 있다. 이와 같은 정션 박스(20)는 양면 수광형 구조를 가지는 태양 전지(150)를 구비하는 태양 전지 모듈(100)에 적용되어, 정션 박스(20)에 의하여 후면 광의 입사가 차단되어 발생할 수 있는 다양한 문제를 방지할 수 있다.
According to the present embodiment, the junction box 20 may include a reflector to induce reflection of the front light in the junction box 20 . Such a junction box 20 is applied to a solar cell module 100 having a solar cell 150 having a double-sided light-receiving structure, and various problems that may occur due to blocking of the back light by the junction box 20 can prevent

이하, 도 6 내지 도 12를 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 정션 박스 및 이를 포함하는 태양 전지 모듈을 상세하게 설명한다. 상술한 설명과 동일 또는 극히 유사한 부분에 대해서는 상술한 설명이 그대로 적용될 수 있으므로 상세한 설명을 생략하고 서로 다른 부분에 대해서만 상세하게 설명한다. 그리고 상술한 실시예 또는 이를 변형한 예와 아래의 실시예 또는 이를 변형한 예들을 서로 결합한 것 또한 본 발명의 범위에 속한다. Hereinafter, a junction box and a solar cell module including the same according to another embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 6 to 12 . For parts that are the same as or extremely similar to the above description, since the above description may be applied as it is, detailed descriptions will be omitted and only different parts will be described in detail. In addition, combinations of the above-described embodiment or a modified example thereof and the following embodiment or a modified example thereof are also within the scope of the present invention.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양 전지 모듈을 도시한 단면도이다. 6 is a cross-sectional view illustrating a solar cell module according to another embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 정션 박스(20)의 하우징(210)은 부분적으로 반사부를 가질 수 있다. 예를 들어, 태양 전지 패널(10)의 패널면에 대향하며 태양 전지 패널(10)에 인접한 제1 부분(211)이 후면 시트(120)보다 높은 반사도를 가지면서, 제1 부분(211)의 반대면인 제2 부분(212)과 측면 부분(214)보다 높은 반사도를 가질 수 있다. 제1 부분(211)과 제2 부분(212)이 서로 다른 색을 가질 수도 있고, 제1 부분(211)이 제2 부분(212)보다 높은 함량으로 백색 안료 또는 금속 반사 물질 등의 반사 물질을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 6 , the housing 210 of the junction box 20 according to the present embodiment may partially have a reflective portion. For example, while the first portion 211 opposite to the panel surface of the solar cell panel 10 and adjacent to the solar cell panel 10 has a higher reflectivity than the back sheet 120 , It may have a higher reflectivity than the second portion 212 and the side portion 214 that are opposite surfaces. The first part 211 and the second part 212 may have different colors, and the first part 211 contains a reflective material such as a white pigment or a metallic reflective material in a higher content than the second part 212 . may include

본 실시예에 따르면, 제1 부분(211)의 조성만을 다르게 한 후 하우징(210의 다른 부분(즉, 제2 부분(212)과 측면 부분(214))을 결합하여 하우징(210)을 형성할 수 있다. 이에 의하면 제2 부분(212) 및 측면 부분(214)은 기존의 조성, 공정 등을 그대로 사용하여 비용을 절감하고, 제1 부분(211)의 조성만을 다르게 하여 반사 특성을 향상할 수 있다. According to this embodiment, only the composition of the first part 211 is different, and then other parts of the housing 210 (that is, the second part 212 and the side part 214) are combined to form the housing 210. According to this, the cost of the second part 212 and the side part 214 can be reduced by using the existing composition and process as it is, and the reflection characteristic can be improved by changing only the composition of the first part 211 . have.

본 실시예에서는 태양 전지 패널(10)의 패널면에 대향하여 측면 부분(214)보다 넓은 면적을 가지는 제1 부분(211)의 반사도를 증가시켜 광의 반사가 좀더 효율적으로 이루어지도록 할 수 있다. 그리고 태양 전지 패널(10)에 멀리 위치한 제2 부분(212)보다 제1 부분(211)이 반사도를 높게 하여 광이 제1 부분(211)에서 반사되도록 한다. 그러면, 광의 경로를 줄여 반사되어 태양 전지(150)로 재입사되는 광의 양을 증가시킬 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 부분(211)보다 제2 부분(212)의 반사도를 높게 할 수도 있다. 또는, 제1 부분(211) 및 제2 부분(212)의 반사도를 서로 동일 또는 유사하게 하고 제1 부분(211) 및 제2 부분(212)의 반사도를 측면 부분(214)의 반사도보다 크게 할 수 있다. 그 외의 다양한 변형이 가능하다. In the present embodiment, the reflectivity of the first portion 211 facing the panel surface of the solar cell panel 10 and having a larger area than the side portion 214 may be increased so that light reflection may be performed more efficiently. In addition, the first portion 211 has a higher reflectivity than the second portion 212 located farther away from the solar panel 10 so that light is reflected from the first portion 211 . Then, the amount of light reflected back to the solar cell 150 may be increased by reducing the path of the light. However, the present invention is not limited thereto, and the reflectivity of the second portion 212 may be higher than that of the first portion 211 . Alternatively, the reflectivity of the first part 211 and the second part 212 may be equal to or similar to each other, and the reflectivity of the first part 211 and the second part 212 may be greater than the reflectivity of the side part 214 . can Various other modifications are possible.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양 전지 모듈을 도시한 단면도이다. 7 is a cross-sectional view illustrating a solar cell module according to another embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 정션 박스(20)의 하우징(210)과 별개의 층으로 구성되어 하우징(210)에 전체적으로 또는 부분적으로 부착, 고정, 또는 형성되는 반사층(또는 반사 구조물)(216)이 형성될 수 있다. 이러한 반사층(216)이 반사부를 구성하게 된다. Referring to FIG. 7 , a reflective layer (or reflective structure) 216 is formed as a separate layer from the housing 210 of the junction box 20 and is attached, fixed, or formed in whole or in part to the housing 210 . can be The reflective layer 216 constitutes the reflective part.

일 예로, 도 7에서는 하우징(210)의 제1 부분(211)의 외면(즉, 태양 전지 패널(10)에 대향하는 면)에 전체적으로 반사층(216)이 형성되는 것을 예시하였다. 이와 같이 하우징(210)의 제1 부분(211)에 반사층(216)을 형성하여 광의 경로를 최소화하면서 반사 효과를 최대화할 수 있다. 그리고 반사층(216)의 면적을 줄여 반사층(216)을 부착, 고정 또는 형성하는 시간을 최소화할 수 있고 반사층(216)에 의한 재료 비용을 최소화할 수 있다. 일 예로, 반사층(216)은 하우징(210)의 제1 부분(211)에서 태양 전지 패널(10)에 인접한 면(즉, 외면)에 위치하여 광의 경로를 최소화하고 광에 의하여 하우징(210)의 온도가 올라가는 문제를 최소화할 수 있다. As an example, FIG. 7 illustrates that the reflective layer 216 is formed entirely on the outer surface of the first part 211 of the housing 210 (ie, the surface facing the solar panel 10 ). As described above, by forming the reflective layer 216 on the first portion 211 of the housing 210 , it is possible to maximize the reflective effect while minimizing the path of light. In addition, by reducing the area of the reflective layer 216 , the time for attaching, fixing, or forming the reflective layer 216 can be minimized, and the material cost of the reflective layer 216 can be minimized. For example, the reflective layer 216 is located on the surface (ie, the outer surface) adjacent to the solar cell panel 10 in the first part 211 of the housing 210 to minimize the path of light and reduce the light to the housing 210 by the light. The problem of temperature rise can be minimized.

일 예로, 정션 박스(20)의 전체 면적(즉, 제1 부분(211) 또는 제2 부분(212)의 면적)에 대한 반사층(216)의 면적 비율이 0.9배 이상(일 예로, 0.9배 내지 1배)일 수 있다. 이러한 범위 내에서 정션 박스(20)에서의 반사 효율을 효과적으로 향상할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 반사층(216)의 면적 비율은 다양한 값을 가질 수 있다. For example, the area ratio of the reflective layer 216 to the total area of the junction box 20 (ie, the area of the first part 211 or the second part 212 ) is 0.9 times or more (for example, 0.9 times to 1 times) can be Within this range, the reflection efficiency in the junction box 20 can be effectively improved. However, the present invention is not limited thereto, and the area ratio of the reflective layer 216 may have various values.

도면 및 상술한 설명에서는 반사층(216)이 하우징(210)의 제1 부분(211)에서 외면에 전체적으로 위치한 것을 예시하였으나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 반사층(216)이 하우징(210)의 제2 부분(212) 및/또는 측면 부분(214)에 위치하는 것도 가능하고, 반사층(216)이 하우징(210)의 제1 부분(211), 제2 부분(212) 및 측면 부분(214)의 전체 영역에 형성될 수도 있다. 그리고 반사층(216)이 제1 부분(211)에 부분적으로 형성되고, 및/또는 제2 부분(212)에 부분적으로 위치하고, 및/또는 측면 부분(214)에 부분적으로 형성될 수도 있다. 또한, 반사층(216)이 제1 부분(211), 제2 부분(212) 및 측면 부분(214) 중 적어도 하나에서 부분적으로 형성되고 다른 적어도 하나에서 전체적으로 형성될 수도 있다. 즉, 반사층(216)은 하우징(210)의 제1 부분(211), 제2 부분(212), 및/또는 측면 부분(214) 각각에 전체적으로 또는 부분적으로 형성될 수 있다. 또한, 반사층(216)이 하우징(210)의 제1 부분(211), 제2 부분(212) 및 측면 부분(214)의 내면에 형성될 수도 있다. In the drawings and the above description, it has been exemplified that the reflective layer 216 is entirely located on the outer surface of the first part 211 of the housing 210 , but the present invention is not limited thereto. That is, it is also possible for the reflective layer 216 to be located on the second part 212 and/or the side part 214 of the housing 210 , the reflective layer 216 being the first part 211 of the housing 210 , It may be formed in the entire area of the second part 212 and the side part 214 . And the reflective layer 216 may be partially formed on the first portion 211 , and/or partially located on the second portion 212 , and/or partially formed on the side portion 214 . In addition, the reflective layer 216 may be partially formed on at least one of the first portion 211 , the second portion 212 , and the side portion 214 , and may be formed entirely on the other at least one. That is, the reflective layer 216 may be formed wholly or partially on each of the first portion 211 , the second portion 212 , and/or the side portion 214 of the housing 210 . In addition, the reflective layer 216 may be formed on inner surfaces of the first part 211 , the second part 212 , and the side part 214 of the housing 210 .

일 예로, 반사층(216)은 백색 안료를 포함하는 층일 수 있다. 또는, 반사층(216)이 금속 물질을 주성분으로(예를 들어, 50 wt% 이상, 좀더 구체적으로는, 90 wt%) 포함할 수 있다. 반사층(216)은 하우징(210)에 코팅, 증착 등의 방법에 의하여 형성될 수 있다. 또는, 반사층(216)은 하우징(210)과 별개로 제조된 층, 시트, 필름 등으로 이루어질 수 있다. 이 경우에는 접착체 등을 이용하여 반사층(216)을 하우징(210)에 부착할 수 있다. For example, the reflective layer 216 may be a layer including a white pigment. Alternatively, the reflective layer 216 may include a metal material as a main component (eg, 50 wt% or more, more specifically, 90 wt%). The reflective layer 216 may be formed on the housing 210 by coating, deposition, or the like. Alternatively, the reflective layer 216 may be formed of a layer, sheet, film, etc. manufactured separately from the housing 210 . In this case, the reflective layer 216 may be attached to the housing 210 using an adhesive or the like.

이와 같이 반사층(216)을 하우징(210)에 형성하여 반사부를 구성하면, 기존의 하우징(210)에 반사층(216)을 형성하는 것에 의하여 쉽게 본 실시예에 따른 반사부를 구비하는 정션 박스(20)를 형성할 수 있다. 그리고 반사층(216)은 금속 함량이 높은 층으로 구성되어 얇은 두께로도 반사 효율을 효과적으로 향상할 수 있다. When the reflective layer 216 is formed on the housing 210 in this way to configure the reflective part, the junction box 20 having the reflective part according to the present embodiment is easily formed by forming the reflective layer 216 on the existing housing 210 . can form. In addition, since the reflective layer 216 is formed of a layer having a high metal content, reflection efficiency can be effectively improved even with a thin thickness.

도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양 전지 모듈을 도시한 단면도이다. 8 is a cross-sectional view illustrating a solar cell module according to another embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 본 실시예에 따른 정션 박스(20)의 하우징(210)은 반사 물질을 포함하고, 반사 요철(218)이 더 형성될 수 있다. 즉, 하우징(210)의 물질 및/또는 반사 요철(218)이 반사부를 구성할 수 있다. Referring to FIG. 8 , the housing 210 of the junction box 20 according to the present embodiment may include a reflective material, and reflective irregularities 218 may be further formed. That is, the material of the housing 210 and/or the reflective irregularities 218 may constitute the reflective portion.

반사 요철(218)은 하우징(210)의 다른 부분과 다른 두께를 가지는 부분을 포함하는 돌출부 및/또는 오목부로 구성될 수 있다. 이와 같이 반사 구조를 반사 요철(218)로 형성하면 별도의 층을 부착하거나 형성하는 등의 공정 없이 반사 요철(218)을 가지도록 하우징(210)을 형성하는 것에 의하여 쉽게 반사 요철(218)을 가지는 하우징(210)을 형성할 수 있다. 일 예로, 반사 요철(218)을 가지는 하우징(210)은 사출 성형 등에 의하여 형성될 수 있다. 또는, 반사 요철(218)이 오목부인 경우에는 일반적인 하우징(210)을 형성한 후에 원하는 부분에 요철을 형성하기 위한 표면 가공을 하는 것에 의하여 형성될 수 있다. The reflective concavo-convex 218 may be comprised of protrusions and/or recesses including portions having a thickness different from other portions of the housing 210 . In this way, when the reflective structure is formed with the reflective concavities and convexities 218, the housing 210 is formed to have the reflective concavities and convexities 218 without a process such as attaching or forming a separate layer. A housing 210 may be formed. For example, the housing 210 having the reflective unevenness 218 may be formed by injection molding or the like. Alternatively, when the reflective unevenness 218 is a concave portion, it may be formed by forming the general housing 210 and then surface-processing to form the unevenness in a desired portion.

일 예로, 반사 요철(218)은 경사면을 가질 수 있고, 복수 개의 반사 요철(218)이 촘촘하게 배치되는 것이 가능하다. 반사 요철(218)의 경사면은 태양 전지 패널(10)의 표면과 40도 내지 70도(일 예로, 50도 내지 70도)의 각도를 가질 수 있다. 이러한 각도 범위 내에서 반사 효율을 최대화할 수 있기 때문이다. As an example, the reflective concavo-convex 218 may have an inclined surface, and a plurality of reflective concavo-convex 218 may be densely disposed. The inclined surface of the reflective unevenness 218 may have an angle of 40 degrees to 70 degrees (eg, 50 degrees to 70 degrees) with the surface of the solar cell panel 10 . This is because reflection efficiency can be maximized within this angular range.

일 예로, 반사 요철(218)의 형상은 피라미드 형상일 수 있다. 그러면, 피라미드를 구성하는 외면이 모두 경사면으로 구성되므로 경사면을 늘려 반사 효율을 향상할 수 있다. 반사 요철(218)을 구비하는 면의 표면 거칠기가 실링 부재(204)의 두께보다 작을 수 있다. 이에 의하여 실링 부재(204)의 실링 특성을 저하시키지 않으면서 반사 효율을 향상할 수 있다. 또는, 반사 요철(218)을 구비하는 면의 표면 거칠기가 0.5mm 내지 1.5mm일 수 있다. 이러한 표면 거칠기에서 반사 효율을 최대화할 수 있기 때문이다. 그리고 반사 요철(218)의 간격은 0.5mm 내지 10mm(일 예로, 0.5mm 내지 2mm)일 수 있다. 반사 요철(218)의 간격이 0.5mm 미만이면 반사 요철(218)의 표면 거칠기를 늘리는 데 한계가 있을 수 있고, 10mm를 초과하면 반사 요철(218)의 간격이 커서 반사 효율이 저하될 수 있기 때문이다. 반사 효율을 좀더 고려하면 반사 요철(218)의 간격이 0.5mm 내지 2mm일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 반사 요철(218)의 형상, 표면 거칠기, 간격 등이 다양한 값을 가질 수 있다. For example, the shape of the reflective unevenness 218 may be a pyramid shape. Then, since the outer surfaces constituting the pyramid are all inclined surfaces, the reflective efficiency can be improved by increasing the inclined surfaces. A surface roughness of the surface having the reflective unevenness 218 may be smaller than a thickness of the sealing member 204 . Accordingly, it is possible to improve the reflection efficiency without deteriorating the sealing characteristics of the sealing member 204 . Alternatively, the surface having the reflective unevenness 218 may have a surface roughness of 0.5 mm to 1.5 mm. This is because reflection efficiency can be maximized at such surface roughness. In addition, the interval between the reflective irregularities 218 may be 0.5 mm to 10 mm (eg, 0.5 mm to 2 mm). If the distance between the reflective irregularities 218 is less than 0.5 mm, there may be a limit in increasing the surface roughness of the reflective irregularities 218, and if it exceeds 10 mm, the reflective efficiency may decrease because the distance between the reflective irregularities 218 is large. to be. When reflection efficiency is further considered, the interval between the reflection concavities and convexities 218 may be 0.5 mm to 2 mm. However, the present invention is not limited thereto, and the shape, surface roughness, and spacing of the reflective irregularities 218 may have various values.

도면에서는 제1 부분(211)의 외면 및 내면에 각기 요철을 구비하는 것을 예시하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 반사 요철(218)이 제1 부분(211)의 외면에만 형성되고 반사 요철(218)이 제1 부분(211)의 내면에는 형성되지 않아 제1 부분(211)의 내면이 편평한 면으로 구성될 수 있다. 또는, 반사 요철(218)이 제1 부분(211)의 내면에만 형성되고 외면에는 형성되지 않을 수도 있다. 그리고 도면에서는 제1 부분(211)에만 반사 요철(218)을 구비하는 것을 예시하였으나, 제1 부분(211), 제2 부분(212) 및 측면 부분(213) 중 적어도 하나에 반사 요철(218)이 형성될 수 있다. In the drawings, it is exemplified that the first part 211 has irregularities on the outer surface and the inner surface, respectively. However, the present invention is not limited thereto. Therefore, the reflective unevenness 218 is formed only on the outer surface of the first part 211 and the reflection unevenness 218 is not formed on the inner surface of the first part 211, so that the inner surface of the first part 211 is a flat surface. can Alternatively, the reflective unevenness 218 may be formed only on the inner surface of the first portion 211 and not be formed on the outer surface of the first portion 211 . And in the drawing, only the first portion 211 has been illustrated to include the reflective unevenness 218 , but the reflection unevenness 218 is provided on at least one of the first portion 211 , the second portion 212 and the side portion 213 . can be formed.

이와 같이 반사 요철(218)을 형성하면 반사 효과를 좀더 향상할 수 있다. When the reflection unevenness 218 is formed in this way, the reflection effect can be further improved.

도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양 전지 모듈을 도시한 단면도이다. 9 is a cross-sectional view illustrating a solar cell module according to another embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 본 실시예에서는 하우징(210)에 반사 요철(218)을 가지는 반사층(216)을 부착한다. 반사층(216)의 물질, 위치 등에 대해서는 도 7에 도시한 실시예에서 반사층(216)에 대한 설명이 그대로 적용될 수 있고, 반사 요철(218)의 형상, 표면 거칠기, 간격 등은 도 8에 도시한 실시예에서 반사 요철(218)에 대한 설명이 그대로 적용될 수 있다. Referring to FIG. 9 , in the present embodiment, a reflective layer 216 having reflective irregularities 218 is attached to the housing 210 . For the material, location, etc. of the reflective layer 216, the description of the reflective layer 216 in the embodiment shown in FIG. 7 can be applied as it is, and the shape, surface roughness, spacing, etc. of the reflective unevenness 218 are shown in FIG. In the embodiment, the description of the reflective unevenness 218 may be applied as it is.

이와 같이 하우징(210)에 반사 요철(218)을 형성한 반사층(216)을 부착 또는 고정하여 사용하면, 간단한 방법에 의하여 반사 효과를 좀더 향상할 수 있다. As described above, when the reflective layer 216 having the reflective unevenness 218 formed thereon is attached or fixed to the housing 210 and used, the reflective effect can be further improved by a simple method.

도 10는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양 전지 모듈을 도시한 단면도이고, 도 11은 도 10에 도시한 태양 전지 모듈의 후면 사시도이다. 10 is a cross-sectional view illustrating a solar cell module according to another embodiment of the present invention, and FIG. 11 is a rear perspective view of the solar cell module shown in FIG. 10 .

도 10 및 도 11을 참조하면, 본 실시예에서는 후면 시트(120)의 내면(즉, 제2실링재(132)와 후면 시트(120)의 사이)에 반사층(219)이 형성 또는 부착될 수 있다. 이와 같이 후면 시트(120) 또는 태양 전지 패널(10)에 일체화된 반사층(219)이 반사부를 구성할 수 있다. 10 and 11 , in this embodiment, the reflective layer 219 may be formed or attached to the inner surface of the rear sheet 120 (ie, between the second sealing material 132 and the rear sheet 120 ). . In this way, the reflective layer 219 integrated with the back sheet 120 or the solar cell panel 10 may constitute the reflective part.

반사층(219)은 반사 물질을 포함하는 층일 수 있고, 다양한 방법에 의하여 후면 시트(120)에 형성 또는 부착될 수 있다. 반사층(219)은 백색 안료 등의 반사 물질을 포함하는 층일 수 있다. 반사층(219)은 후면 시트(210)에 인쇄, 코팅 등의 방법에 의하여 형성될 수도 있고, 또는 별도의 공정에서 층, 시트, 필름 등으로 제조되어 접착제 등을 이용하여 후면 시트(120)에 부착될 수도 있다. The reflective layer 219 may be a layer including a reflective material, and may be formed or attached to the back sheet 120 by various methods. The reflective layer 219 may be a layer including a reflective material such as a white pigment. The reflective layer 219 may be formed on the back sheet 210 by a method such as printing or coating, or manufactured as a layer, sheet, or film in a separate process and attached to the back sheet 120 using an adhesive or the like. it might be

그리고 후면 시트(210)에 형성된 반사층(219)은 정션 박스(20)가 형성된 부분에만 대응하여 위치하고, 정션 박스(20)가 위치하지 않는 부분에는 형성되지 않는다. 예를 들어, 반사층(219)이 정션 박스(20)와 일대일 대응하면서 정션 박스(20)의 대부분의 영역에 위치할 수 있다. 일 예로, 반사층(219)의 면적이 정션 박스(20)의 면적의 90% 내지 110%일 수 있다. 이는 공정 오차 등을 고려하여 반사층(219)이 정션 박스(20)의 대부분의 면적에 대응하도록 한정된 것이다. 좀더 구체적으로, 반사층(219)의 면적이 정션 박스(20)의 면적의 90% 내지 100%일 때, 반사층(219)이 전체적으로 정션 박스(20)에 대응할 수 있다. 반사층(219)의 면적이 100% 내지 110%이면, 정션 박스(20)의 전체 부분이 반사층(219)이 형성된 부분에 위치할 수 있다. 이에 의하여 정션 박스(20)에 의하여 가려진 부분에서 발생할 수 있는 출력 저하를 효과적으로 방지할 수 있다. In addition, the reflective layer 219 formed on the rear sheet 210 is located only in the portion where the junction box 20 is formed, and is not formed in the portion where the junction box 20 is not located. For example, the reflective layer 219 may correspond to the junction box 20 one-to-one and may be positioned in most areas of the junction box 20 . For example, the area of the reflective layer 219 may be 90% to 110% of the area of the junction box 20 . In consideration of process errors, the reflective layer 219 is limited to correspond to most of the area of the junction box 20 . More specifically, when the area of the reflective layer 219 is 90% to 100% of the area of the junction box 20 , the reflective layer 219 may entirely correspond to the junction box 20 . When the area of the reflective layer 219 is 100% to 110%, the entire portion of the junction box 20 may be positioned in the portion where the reflective layer 219 is formed. Accordingly, it is possible to effectively prevent a decrease in output that may occur in the portion covered by the junction box 20 .

이와 같이 후면 시트(120)의 내면에 반사층(219)을 위치시키면, 가장 짧은 경로로 광을 반사할 수 있어 반사 효율을 최대화할 수 있다. 그리고 후면 시트(120)을 제조하는 공정, 후면 시트(120)를 라미네이션하는 공정에서 반사층(219)만을 추가로 위치시키는 간단한 공정에 의하여 반사 효율을 향상할 수 있다. When the reflective layer 219 is positioned on the inner surface of the back sheet 120 as described above, light can be reflected through the shortest path, thereby maximizing the reflective efficiency. In addition, reflection efficiency may be improved by a simple process of additionally locating only the reflective layer 219 in the process of manufacturing the back sheet 120 and laminating the back sheet 120 .

도면에서는 반사층(219)에 반사 요철이 없는 것을 예시하였으나, 반사층(219)에 도 9에 도시한 반사 요철(218)이 형성될 수도 있다. Although the drawing illustrates that the reflective layer 219 has no reflective unevenness, the reflection unevenness 218 shown in FIG. 9 may be formed on the reflective layer 219 .

도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양 전지 모듈을 도시한 단면도이다. 12 is a cross-sectional view illustrating a solar cell module according to another embodiment of the present invention.

도 12를 참조하면, 본 실시예에서는 후면 시트(120)의 외면(즉, 태양 전지 패널(10)의 외면)에 반사층(219)이 형성 또는 부착될 수 있다. 이와 같이 후면 시트(120) 또는 태양 전지 패널(10)에 일체화된 반사층(219)이 반사부를 구성할 수 있다. Referring to FIG. 12 , in the present embodiment, the reflective layer 219 may be formed or attached to the outer surface of the back sheet 120 (ie, the outer surface of the solar cell panel 10 ). In this way, the reflective layer 219 integrated with the back sheet 120 or the solar cell panel 10 may constitute the reflective part.

반사층(219)은 반사 물질을 포함하는 층일 수 있고, 다양한 방법에 의하여 후면 시트(120)에 형성 또는 부착될 수 있다. 반사층(219)은 백색 안료 또는 금속 반사 물질 등의 반사 물질을 포함하는 층일 수 있다. 특히, 반사층(219)이 후면 시트(120)의 외면에 위치하므로 태양 전지(150)와 반대면에 위치하므로 태양 전지(150)와의 간섭 등의 문제가 없으므로, 금속 반사 물질을 사용하여 반사 효율을 향상할 수 있다. 반사층(219)은 후면 시트(210)에 인쇄, 코팅 등의 방법에 의하여 형성될 수도 있고, 또는 별도의 공정에서 층, 시트, 필름 등으로 제조되어 접착제 등을 이용하여 후면 시트(219)에 부착될 수도 있다. The reflective layer 219 may be a layer including a reflective material, and may be formed or attached to the back sheet 120 by various methods. The reflective layer 219 may be a layer including a reflective material such as a white pigment or a metal reflective material. In particular, since the reflective layer 219 is located on the outer surface of the back sheet 120 and is located on the opposite side to the solar cell 150, there is no problem such as interference with the solar cell 150, so the reflection efficiency is improved by using a metal reflective material. can be improved The reflective layer 219 may be formed on the rear sheet 210 by a method such as printing, coating, or the like, or manufactured as a layer, sheet, or film in a separate process and attached to the rear sheet 219 using an adhesive or the like. it might be

반사층(219)의 면적 비율 등은 도 10 및 도 11을 참조하여 설명한 반사층(219)의 면적 비율과 동일 또는 유사하므로, 상세한 설명을 생략한다. Since the area ratio of the reflective layer 219 is the same as or similar to the area ratio of the reflective layer 219 described with reference to FIGS. 10 and 11 , a detailed description thereof will be omitted.

그리고 도 10 내지 도 12에서는 반사층(219)이 후면 시트(120)의 내면 또는 외면에 위치한 것을 예시하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 반사층(219)이 후면 시트(120)의 내부에 위치할 수 있다. 일 예로, 후면 시트(120)가 복수 개의 층으로 구성될 때 반사층(219)이 복수 개의 층 사이에 위치할 수 있다. 그 외의 다양한 변형이 가능하다. 10 to 12 illustrate that the reflective layer 219 is positioned on the inner surface or the outer surface of the back sheet 120, but the present invention is not limited thereto. That is, the reflective layer 219 may be located inside the back sheet 120 . For example, when the back sheet 120 is formed of a plurality of layers, the reflective layer 219 may be positioned between the plurality of layers. Various other modifications are possible.

상술한 바에 따른 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The features, structures, effects, etc. as described above are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to one embodiment. Furthermore, features, structures, effects, etc. illustrated in each embodiment can be combined or modified for other embodiments by those of ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents related to such combinations and modifications should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

100: 태양 전지 모듈
10: 태양 전지 패널
20: 정션 박스
30: 프레임
100: solar cell module
10: solar panel
20: junction box
30: frame

Claims (20)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 적어도 하나의 태양 전지를 포함하는 태양 전지 패널;
상기 태양 전지 패널의 후면에 장착되는 정션 박스; 및
상기 태양 전지 패널의 후면과 상기 정션 박스를 부착하기 위한 실링 부재
를 포함하고,
상기 태양 전지의 후면 쪽에서 상기 정션 박스에 대응하는 부분에만 한정하여 반사부를 구비하고,
상기 반사부는 상기 실링 부재의 두께보다 작은 두께를 가지는 태양 전지 모듈.
a solar panel comprising at least one solar cell;
a junction box mounted on a rear surface of the solar panel; and
A sealing member for attaching a rear surface of the solar cell panel and the junction box
including,
and a reflecting unit limited to a portion corresponding to the junction box from the rear side of the solar cell;
The solar cell module having a thickness smaller than a thickness of the reflective part of the sealing member.
제12항에 있어서,
상기 태양 전지 패널이, 상기 적어도 하나의 태양 전지의 전면에 위치하는 전면 기판과 상기 태양 전지의 후면에 위치하는 후면 시트를 포함하고,
상기 반사부가 상기 후면 시트 위에 위치하는 태양 전지 모듈.
13. The method of claim 12,
The solar cell panel includes a front substrate positioned on a front surface of the at least one solar cell and a rear sheet positioned on a rear surface of the solar cell,
The solar cell module in which the reflection part is located on the back sheet.
제13항에 있어서,
상기 반사부가 상기 후면 시트의 내면 또는 외면 위에 위치하는 태양 전지 모듈.
14. The method of claim 13,
The solar cell module in which the reflection part is located on the inner surface or the outer surface of the back sheet.
제14항에 있어서,
상기 반사부가 상기 후면 시트의 내면에 위치하며 백색 안료를 포함하거나,
상기 반사부가 상기 후면 시트의 외면에 위치하며 백색 안료 또는 금속 물질을 포함하는 태양 전지 모듈.
15. The method of claim 14,
The reflective part is located on the inner surface of the back sheet and includes a white pigment,
The reflective part is located on the outer surface of the back sheet, the solar cell module comprising a white pigment or a metal material.
제12항에 있어서,
상기 정션 박스의 하우징의 적어도 일부가 상기 반사부를 구성하고,
상기 하우징이 반사 물질을 포함하는 태양 전지 모듈.
13. The method of claim 12,
At least a part of the housing of the junction box constitutes the reflective part,
A solar cell module wherein the housing includes a reflective material.
제16항에 있어서,
상기 하우징이, 수지와, 상기 반사 물질을 포함하고,
상기 반사 물질이 백색 안료 또는 금속 반사 물질을 포함하는 태양 전지 모듈.
17. The method of claim 16,
The housing includes a resin and the reflective material,
A solar cell module wherein the reflective material includes a white pigment or a metallic reflective material.
제12항에 있어서,
상기 반사부가 상기 정션 박스의 하우징에 부착되는 반사층을 포함하는 태양 전지 모듈.
13. The method of claim 12,
and a reflective layer attached to the housing of the junction box, wherein the reflective part is attached to the housing of the junction box.
제13항에 있어서,
상기 반사부가 상기 정션 박스에 위치하는 반사 요철로 구성되는 태양 전지 모듈.
14. The method of claim 13,
The solar cell module of which the reflective part is configured of a reflective unevenness positioned on the junction box.
제12항에 있어서,
상기 태양 전지가 양면 수광형 구조를 가지는 태양 전지 모듈.
13. The method of claim 12,
A solar cell module in which the solar cell has a double-sided light-receiving structure.
KR1020150044937A 2015-03-31 2015-03-31 Junction box and solar cell module including the same KR102339975B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150044937A KR102339975B1 (en) 2015-03-31 2015-03-31 Junction box and solar cell module including the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150044937A KR102339975B1 (en) 2015-03-31 2015-03-31 Junction box and solar cell module including the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160116745A KR20160116745A (en) 2016-10-10
KR102339975B1 true KR102339975B1 (en) 2021-12-15

Family

ID=57146177

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150044937A KR102339975B1 (en) 2015-03-31 2015-03-31 Junction box and solar cell module including the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102339975B1 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109301010A (en) * 2018-02-10 2019-02-01 隆基绿能科技股份有限公司 Two-sided photovoltaic module
US20190319147A1 (en) * 2018-04-14 2019-10-17 Solaria Corporation Bifacial photovoltaic module
KR102596375B1 (en) * 2018-07-09 2023-11-01 상라오 징코 솔라 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드 Solar power generator
DE102020106189A1 (en) * 2020-03-06 2021-09-09 Hanwha Q Cells Gmbh Bifacial solar module

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014167841A1 (en) * 2013-04-10 2014-10-16 パナソニック株式会社 Solar cell apparatus and method for manufacturing same

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101942047B1 (en) * 2013-02-22 2019-01-24 엘지전자 주식회사 Solar cell module

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014167841A1 (en) * 2013-04-10 2014-10-16 パナソニック株式会社 Solar cell apparatus and method for manufacturing same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160116745A (en) 2016-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101890324B1 (en) Solar cell module and ribbon assembly
KR101923658B1 (en) Solar cell module
KR102339975B1 (en) Junction box and solar cell module including the same
KR20160129670A (en) Solar cell and solar cell panel including the same
KR20180072110A (en) Solar cell and solar cell panel including the same
KR20140098305A (en) Solar cell module
KR102366935B1 (en) Solar cell and solar cell module including the same
KR102196929B1 (en) Solar cell module and rear substrate for the same
KR101911846B1 (en) Curved solar cell module
KR101909143B1 (en) Bifacial solar cell
KR101847054B1 (en) Solar cell panel
KR102101728B1 (en) Solar cell module
KR102243640B1 (en) Solar cell module
KR102298673B1 (en) Solar cell module and ribbon used for the same
KR102110528B1 (en) Ribbon and solar cell module including the same
KR20160041649A (en) Ribbon for solar cell and solar cell module including the same
KR101685350B1 (en) Solar cell module
KR102397981B1 (en) Solar cell panel
KR102266971B1 (en) Solar cell module and method for manufacuting the same
KR20180079955A (en) Photovoltaic power generating apparatus
KR102660795B1 (en) Solar cell module
WO2023127382A1 (en) Solar cell device and solar cell module
KR102599896B1 (en) Photovoltaic module with shock absorbing structure
KR102498482B1 (en) Solar cell panel
US20180130919A1 (en) Solar cell panel and back sheet for the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant