KR20180083533A - Ultraviolet curing apparatus - Google Patents
Ultraviolet curing apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- KR20180083533A KR20180083533A KR1020170005926A KR20170005926A KR20180083533A KR 20180083533 A KR20180083533 A KR 20180083533A KR 1020170005926 A KR1020170005926 A KR 1020170005926A KR 20170005926 A KR20170005926 A KR 20170005926A KR 20180083533 A KR20180083533 A KR 20180083533A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- matrix
- substrate
- spacing distance
- adjacent
- Prior art date
Links
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 142
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 103
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 52
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 88
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 37
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 20
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 21
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 11
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V23/00—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices
- F21V23/003—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being electronics drivers or controllers for operating the light source, e.g. for a LED array
- F21V23/004—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being electronics drivers or controllers for operating the light source, e.g. for a LED array arranged on a substrate, e.g. a printed circuit board
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
- B05D3/06—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to radiation
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21W—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO USES OR APPLICATIONS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS
- F21W2131/00—Use or application of lighting devices or systems not provided for in codes F21W2102/00-F21W2121/00
- F21W2131/40—Lighting for industrial, commercial, recreational or military use
- F21W2131/403—Lighting for industrial, commercial, recreational or military use for machines
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
- F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Description
실시 예는 자외선 경화 장치에 관한 것이다.An embodiment relates to an ultraviolet curing apparatus.
일반적으로 경화 대상에 자외선을 조사하여 경화 또는 접착시키는 장치를 자외선 경화 장치라 한다. 이때 경화 대상은 자외선에 의하여 경화될 수 있는 도료 또는 접착제이거나, 또는 불투명한 소재일 수 있다.In general, a device for curing or adhering ultraviolet rays to a subject to be cured is called an ultraviolet curing device. In this case, the object to be cured may be a paint or an adhesive which can be cured by ultraviolet rays, or may be an opaque material.
이러한 자외선 경화 장치의 자외선 발생의 광원으로는 수은 자외선 램프, 또는 할로겐 램프 등이 이용될 수 있는데, 이러한 램프들은 효율이 떨어지고, 고가라는 문제점이 있다.A mercury ultraviolet lamp, a halogen lamp, or the like may be used as a light source for ultraviolet ray generation of such an ultraviolet curing apparatus. Such lamps are inefficient and expensive.
자외선 경화 장치의 광원으로 자외선 LED(Light Emitting Diode)가 사용될 수 있는데, 자외선 LED는 효율이 높고, 상대적으로 저가이며, 수명이 긴 장점이 있다.An ultraviolet LED (Light Emitting Diode) can be used as a light source of an ultraviolet curing device. The ultraviolet LED has a high efficiency, a relatively low cost, and a long life.
실시 예는 조도의 균일성을 향상시키고, 발광 소자들의 배치에 따른 온도 구배에 기인하는 조도 균일성 저하를 방지할 수 있는 자외선 경화 장치를 제공한다.The embodiment provides an ultraviolet curing apparatus which improves the uniformity of illumination and can prevent the degradation of illumination uniformity due to the temperature gradient due to the arrangement of the light emitting elements.
실시 예에 따른 자외선 경화 장치는 경화 대상물이 배치되기 위한 스테이지; 및 상기 스테이지 상에 배치되고, 복수의 배치 영역들을 포함하는 기판과 상기 복수의 배치 영역들 각각에 배치되는 발광 소자들을 포함하고, 상기 복수의 배치 영역들은 상기 기판의 꼭지점들에 인접하고, 제1 매트릭스 형태로 상기 발광 소자들이 배치되는 제1 배치 영역들을 포함하고, 상기 제1 매트릭스는 상기 기판의 꼭지점들 중 대응하는 어느 하나의 꼭지점에 가장 인접하는 행 및 열이 제1행 및 제1열로 정의되고, 상기 대응하는 어느 하나의 꼭지점에서 멀어지는 방향으로 행 및 열의 순서가 증가하도록 정의되고, 상기 제1 배치 영역들 각각에 배치되는 인접하는 2개의 발광 소자들 간의 이격 거리는 상기 기판의 꼭지점들 중 대응하는 어느 하나의 꼭지점에 인접할수록 감소한다.An ultraviolet curing apparatus according to an embodiment includes a stage on which a curing object is placed; And a plurality of light emitting elements disposed on each of the plurality of arrangement regions, the plurality of arrangement regions being adjacent to the vertices of the substrate, Wherein the first matrix includes a plurality of first arrangement regions in which the light emitting elements are disposed in a matrix form, and wherein the first matrix is defined by a row and a column closest to a corresponding one of the vertices of the substrate as a first row and a first column And the spacing between adjacent two light emitting elements arranged in each of the first arrangement areas is defined as a corresponding one of the vertexes of the substrate The number of vertexes increases.
상기 복수의 배치 영역들은 상기 기판의 꼭지점들로부터 이격하고, 상기 기판의 변들에 접하고, 제2 매트릭스 형태로 상기 발광 소자들이 배치되는 제2 배치 영역들을 더 포함할 수 있다.The plurality of arrangement regions may further include second arrangement regions spaced apart from the vertices of the substrate, in contact with the sides of the substrate, and in which the light emitting elements are arranged in a second matrix form.
상기 기판의 꼭지점들 중 대응하는 어느 하나에 인접할수록, 상기 제1 매트릭스의 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리는 감소할 수 있다.The closer one of the vertices of the substrate to a corresponding one of the vertices, the smaller the spacing between adjacent two rows of the first matrix.
상기 기판의 꼭지점들 중 대응하는 어느 하나에 인접할수록, 상기 제1 매트릭스의 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리는 감소할 수 있다.The closer one of the vertices of the substrate to a corresponding one of the vertices, the smaller the spacing between adjacent two columns of the first matrix.
상기 제1 매트릭스의 제1행과 제2행 간의 제1 이격 거리는 제2행과 제3행 간의 제2 이격 거리보다 짧고, 상기 제2 이격 거리, 상기 제1 매트릭스의 제3행과 제4행 간의 제3 이격 거리, 및 상기 제1 매트릭스의 제4행과 제5행 간의 제4 이격 거리는 서로 동일하고, 상기 제4 이격 거리는 상기 제1 매트릭스의 제5행과 제6행 간의 제5 이격 거리보다 짧을 수 있다.Wherein a first spacing distance between the first row and the second row of the first matrix is less than a second spacing distance between the second row and the third row and the second spacing distance is less than a second spacing distance between the third row and the fourth row And the fourth spacing distance between the fourth row and the fifth row of the first matrix are equal to each other and the fourth spacing distance is equal to a fifth spacing distance between the fifth row and the sixth row of the first matrix .
상기 제1 매트릭스의 제6행 내지 마지막 행 중에서 선택된 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리들 각각은 상기 제5 이격 거리와 동일할 수 있다.Each of the spacing distances between adjacent two rows selected from the sixth row to the last row of the first matrix may be equal to the fifth spacing distance.
상기 제1 매트릭스의 제1열과 제2열 간의 제6 이격 거리는 상기 제1 매트릭스의 제2열과 제3열 간의 제7 이격 거리보다 짧고, 상기 제7 이격 거리는 상기 제1 매트릭스의 제3열과 제4열 간의 제8 이격 거리와 동일하고, 상기 제8 이격 거리는 상기 제1 매트릭스의 제4열과 제5열 간의 제9 이격 거리보다 짧고, 상기 제1 매트릭스의 제5열 내지 마지막 열 중에서 선택된 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리들 각각은 상기 제9 이격 거리와 동일할 수 있다.Wherein a sixth spacing distance between the first and second columns of the first matrix is less than a seventh spacing distance between the second and third columns of the first matrix and the seventh spacing distance is less than a seventh spacing distance between the third and fourth columns of the first matrix, And the eighth spacing distance is shorter than a ninth separation distance between the fourth and fifth columns of the first matrix and the second spacing distance between the adjacent two columns selected from the fifth column to the last column of the first matrix Each of the spacing distances between the columns may be equal to the ninth spacing distance.
제1 방향으로 제2 배치 영역들 각각의 제2 매트릭스의 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리는 서로 동일하고, 상기 제1 방향은 상기 제2 배치 영역들 각각에 인접하는 상기 기판의 어느 한 변과 평행한 방향일 수 있다.The spacing distance between adjacent two rows of the second matrix of each of the second arrangement regions in the first direction being equal to each other and the first direction being parallel to either side of the substrate adjacent each of the second arrangement regions It can be in one direction.
상기 기판의 변들 중 어느 한 변에 인접하는 제2 배치 영역들 각각의 제2 매트릭스의 열들 또는 행들은 상기 어느 한 변에 인접한 꼭지점을 포함하는 제1 배치 영역의 제1 매트릭스의 열들 또는 행들에 제1 방향으로 정렬되고, 상기 제1 방향은 상기 제2 배치 영역들 각각에 인접하는 상기 기판의 어느 한 변과 평행한 방향일 수 있다.The columns or rows of the second matrix of each of the second arrangement regions adjacent to either side of the sides of the substrate are arranged in rows or columns of the first matrix of the first arrangement region including vertices adjacent to either side And the first direction may be a direction parallel to either side of the substrate adjacent to each of the second arrangement regions.
제2 방향과 평행한 상기 제2 매트릭스의 열들 또는 행들의 배열 거리 및 배열 수는 상기 제2 방향과 평행한 상기 제1 매트릭스의 열들 또는 행들의 배열 거리 및 배열 수와 동일하고, 상기 제2 방향은 상기 제1 방향과 수직인 방향일 수 있다.The array distance and array number of columns or rows of the second matrix parallel to the second direction is equal to the array distance and array number of columns or rows of the first matrix parallel to the second direction, May be a direction perpendicular to the first direction.
상기 제1 매트릭스의 열과 평행한 상기 제1 배치 영역의 어느 한 변의 전체 길이 대비 상기 제1 이격, 상기 제2 이격 거리, 상기 제3 이격 거리, 상기 제4 이격 거리, 및 상기 제5 이격 거리의 비율은 3.18:3.85:3.85:3.85:5.77일 수 있다.The second spacing distance, the fourth spacing distance, and the fifth spacing distance with respect to the total length of any one side of the first arrangement region parallel to the row of the first matrix The ratio may be 3.18: 3.85: 3.85: 3.85: 5.77.
상기 제1 매트릭스의 행과 평행한 상기 제1 배치 영역의 어느 한 변의 전체 길이 대비 상기 상기 제6 이격 거리, 상기 제7 이격 거리, 상기 제8 이격 거리, 및 상기 제9 이격 거리의 비율은 3.81:5.02:5.02:6.58일 수 있다.The ratio of the sixth spacing distance, the seventh spacing distance, the eighth spacing distance, and the ninth spacing distance to the total length of any one side of the first arrangement region parallel to the row of the first matrix is 3.81 : 5.02: 5.02: 6.58.
상기 제1 이격 거리, 상기 제2 이격 거리, 상기 제3 이격 거리, 상기 제4 이격 거리, 및 상기 제5 이격 거리의 비율은 x1:x2:x3:x4:x5이고, x1은 0.55 이상 0.7 미만이고, x2,x3,및x3 각각은 0.7 이상 1미만이고, x5는 1일 수 있다.Wherein the ratio of the first spacing distance, the second spacing distance, the third spacing distance, the fourth spacing distance and the fifth spacing distance is x1: x2: x3: x4: x5 and x1 is 0.55 or more and less than 0.7 , And x2, x3, and x3 are each 0.7 or more and less than 1, and x5 may be 1.
상기 제6 이격 거리, 상기 제7 이격 거리, 상기 제8 이격 거리, 및 상기 제9 이격 거리의 비율은 y1:y2:y3:y4이고, y1은 0.5 이상 0.65 미만이고, y2, 및 y3는 0.65 이상 1미만이고, y4는 1일 수 있다.Y1: y2: y3: y4; y1: not less than 0.5 and not more than 0.65; and y2 and y3: not less than 0.65, wherein the ratio of the sixth spacing distance to the seventh spacing distance, And less than 1, and y4 may be 1.
상기 스테이지의 경화를 위한 타겟 영역의 면적 대비 상기 복수의 배치 영역들 내에 배치되는 발광 소자들의 배치 면적 간의 비율은 1:1.08 ~ 1:1.37일 수 있다.The ratio of the area of the light emitting device disposed in the plurality of arrangement areas to the area of the target area for curing the stage may be 1: 1.08 to 1: 1.37.
다른 실시 예에 따른 자외선 경화 장치는 경화 대상물이 배치되기 위한 스테이지; 및 상기 스테이지 상에 배치되고, 복수의 배치 영역들을 포함하는 기판과 상기 복수의 배치 영역들 각각에 교대로 배치되는 발광 소자들을 포함하는 발광 모듈을 포함하고, 상기 복수의 배치 영역들은 상기 기판의 꼭지점들에 인접하고, 제1 매트릭스 형태로 상기 발광 소자들이 배치되는 제1 배치 영역들; 상기 기판의 꼭지점들로부터 이격하고, 상기 기판의 변들에 접하고, 제2 매트릭스 형태로 상기 발광 소자들이 배치되는 제2 배치 영역들; 및 상기 기판의 꼭지점들 및 상기 기판의 변들과 이격되고, 제3 매트릭스 형태로 상기 발광 소자들이 배치되는 제3 배치 영역들을 포함하고, 상기 제1 매트릭스는 상기 기판의 꼭지점들 중 대응하는 어느 하나의 꼭지점에 가장 인접하는 행 및 열이 제1행 및 제1열로 정의되고, 상기 대응하는 어느 하나의 꼭지점에서 멀어지는 방향으로 순차적으로 행 및 열의 순서가 증가하도록 정의되고, 상기 제1 매트릭스의 행들은 상기 제1행을 포함하는 제1-1 그룹, 제2 내지 제5행을 포함하는 제1-2 그룹, 및 제6행 내지 마지막 행을 포함하는 제1-3 그룹으로 구분되고, 상기 제1-1 그룹과 상기 제1-2 그룹 간의 제1 이격 거리는 상기 제1-2 그룹과 상기 제1-3 그룹 간의 제2 이격 거리보다 짧고, 상기 제1 이격 거리는 상기 제1-2 그룹에 포함되는 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리보다 짧고, 상기 제1-2 그룹에 포함되는 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리는 상기 제2 이격 거리보다 짧다.The ultraviolet curing apparatus according to another embodiment includes a stage for placing a curing object; And a light emitting module disposed on the stage, the light emitting module including a substrate including a plurality of arrangement regions, and light emitting elements alternately arranged in each of the plurality of arrangement regions, wherein the plurality of arrangement regions are vertexes of the substrate First arrangement regions adjacent to the light emitting elements, the first arrangement regions in which the light emitting elements are arranged in a first matrix form; Second placement regions spaced from the apexes of the substrate and in contact with the sides of the substrate and in which the light emitting elements are arranged in a second matrix form; And third arrangement regions spaced apart from the substrate vertices and sides of the substrate and in which the light emitting elements are arranged in a third matrix form, the first matrix comprising at least one of a corresponding one of the vertices of the substrate Wherein a row and a column closest to the vertex are defined as a first row and a first column and the order of rows and columns is sequentially increased in a direction away from the corresponding one of the vertices, A first group including a first row, a first group including a second through a fifth row, and a third group including a sixth through a last row, The first distance between the first group and the first group is shorter than the second distance between the first group and the first group, Spacing between two rows Li is shorter than the separation between the two rows adjoining included in the first-second group, the first distance is shorter than the second distance.
상기 제2 이격 거리는 상기 제1-3 그룹에 포함되는 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리와 동일할 수 있다.The second spacing distance may be the same as the spacing distance between two adjacent rows included in the first-third group.
상기 제1 매트릭스의 열들은 상기 제1열을 포함하는 제2-1 그룹, 제2열 내지 제3열을 포함하는 제2-2 그룹, 및 제4열 내지 마지막 열을 포함하는 제2-3 그룹으로 구분되고, 상기 제2-1 그룹과 상기 제2-2 그룹 간의 제3 이격 거리는 제2-2 그룹과 제2-3 그룹 간의 제4 이격 거리보다 짧고, 상기 제3 이격 거리는 상기 제2-2 그룹에 포함되는 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리보다 짧을 수 있다.The columns of the first matrix are divided into a first group including a first column, a second group including a second column and a third column, a second group including a second column and a third column, Group, the third separation distance between the second-first group and the second-second group is shorter than the fourth separation distance between the second-second group and the second-third group, and the third separation distance is divided into the second -2 group may be shorter than the separation distance between two adjacent columns included in the group.
상기 제2-3 그룹에 포함되는 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리는 상기 제4 이격 거리와 동일할 수 있다.The separation distance between two adjacent columns included in the group 2-3 may be equal to the fourth separation distance.
상기 제2 매트릭스의 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리들은 서로 동일하고, 상기 제1 이격 거리 및 상기 제2 이격 거리는 상기 제2 매트릭스의 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리보다 짧을 수 있다.The spacing distances between adjacent two rows of the second matrix are equal to each other and the first spacing distance and the second spacing distance may be shorter than the spacing distance between adjacent two rows of the second matrix.
상기 제2 매트릭스의 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리들은 서로 동일하고, 상기 제3 이격 거리 및 상기 제2-2 그룹에 포함되는 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리는 상기 제2 매트릭스의 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리보다 짧을 수 있다.Wherein the spacing distances between adjacent two columns of the second matrix are equal to each other and the spacing distance between two adjacent columns included in the third spacing distance and the second group of 2s is equal to the distance between adjacent two columns of the second matrix May be shorter than the separation distance between the columns.
또 다른 실시 예에 따른 자외선 경화 장치는 경화 대상물이 배치되기 위한 스테이지; 상기 스테이지 상에 배치되고, 제1 배치 영역들, 제2 배치 영역들, 및 제3 배치 영역들을 포함하는 기판 및 상기 제1 배치 영역들, 상기 제2 배치 영역들, 및 상기 제3 배치 영역들 각각에 교대로 배치되는 발광 소자들을 포함하는 발광 모듈; 및 상기 발광 모듈 상에 배치되는 냉각부를 포함하고, 상기 제1 배치 영역들 각각은 상기 기판의 제1 꼭지점들 중 대응하는 어느 하나에 인접하고, 상기 제2 배치 영역들은 상기 기판의 제1 꼭지점들로부터 이격하고, 상기 기판의 변들에 접하고, 상기 제3 배치 영역들은 상기 기판의 제1 꼭지점들 및 변들로부터 이격하고, 상기 제1 배치 영역들 각각에 배치되는 발광 소자들의 배치 밀도는 상기 제1 꼭지점들 중 대응하는 어느 하나에 인접할수록 증가하고, 상기 제2 배치 영역들 각각에 배치되는 발광 소자들의 배치 밀도는 상기 변들에 인접할수록 증가하고, 상기 냉각부는 상기 제1 배치 영역들에 대응하고, 상기 제1 꼭지점들에 대응하는 제2 꼭지점들을 갖는 제1 냉각 블록들을 포함하고, 상기 제1 냉각 블록들 각각은 제1 본체, 및 상기 제1 본체에 유체를 투입하기 위한 제1 유입구와 상기 제1 본체로부터 유체를 유출시키기 위한 제1 유출구를 포함하고, 상기 제1 유입구는 상기 제1 유출구보다 상기 제1 냉각 블록들 각각의 제2 꼭지점에 더 인접하여 배치된다.According to another embodiment of the present invention, there is provided an ultraviolet curing apparatus comprising: a stage for placing a curing object; A substrate disposed on the stage and including first placement regions, second placement regions, and third placement regions, and a second substrate having a first and second placement regions, A light emitting module including light emitting elements alternately arranged in each of the light emitting modules; And a cooling portion disposed on the light emitting module, wherein each of the first placement regions is adjacent to a corresponding one of the first vertices of the substrate, and the second placement regions are located on the first vertices of the substrate And the third arrangement regions are spaced apart from the first vertexes and sides of the substrate and the arrangement density of the light emitting elements arranged in each of the first arrangement regions is larger than the arrangement density of the first vertex The arrangement density of the light emitting elements disposed in each of the second arrangement areas increases with the adjacent sides of the first arrangement areas, the cooling part corresponds to the first arrangement areas, And first cooling blocks having second vertices corresponding to the first vertices, wherein each of the first cooling blocks includes a first body, And a first outlet for discharging fluid from the first body, wherein the first inlet is located closer to the second vertex of each of the first cooling blocks than the first outlet do.
상기 냉각부는 상기 제2 배치 영역들에 대응하는 제2 냉각 블록들을 더 포함하고, 상기 제2 냉각 블록들 각각은 제2 본체, 상기 제2 본체에 유체를 투입하기 위한 제2 유입구와 상기 제2 본체로부터 유체를 유출시키기 위한 제2 유출구를 포함하고, 상기 제2 냉각 블록들의 제2 유입구는 상기 제2 유출구보다 상기 기판의 변들에 대응하는 상기 제2 냉각 블록들의 변들에 더 인접할 수 있다.Wherein the cooling unit further includes second cooling blocks corresponding to the second arrangement regions, each of the second cooling blocks includes a second body, a second inlet for introducing fluid into the second body, The second inlet of the second cooling blocks may be further adjacent to the sides of the second cooling blocks corresponding to the sides of the substrate than the second outlet.
상기 발광 소자들은 교대로 배치되는 제1 발광 소자 및 제2 발광 소자를 포함하고, 상기 제1 발광 소자와 상기 제2 발광 소자는 서로 다른 파장의 자외선을 방출할 수 있다.The light emitting devices include a first light emitting device and a second light emitting device that are alternately arranged, and the first light emitting device and the second light emitting device can emit ultraviolet rays of different wavelengths.
실시 예는 조도의 균일성을 향상시키고, 발광 소자들의 배치에 따른 온도 구배에 기인하는 조도 균일성 저하를 방지할 수 있다.The embodiment improves the uniformity of the illuminance and can prevent the degradation of the illuminance uniformity due to the temperature gradient due to the arrangement of the light emitting elements.
도 1은 실시 예에 따른 자외선 경화 장치의 사시도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 냉각부, 발광모듈, 및 스테이지를 나타낸다.
도 3은 도 2에도시된 발광 모듈의 평면도를 나타낸다.
도 4는 도 3에 도시된 제1 배치 영역의 일 영역 내의 제1 발광 소자 및 제2 발광 소자의 배치를 나타낸다.
도 5a는 발광 소자들이 동일한 간격으로 배열되는 발광 모듈의 조도의 시뮬레이션 결과를 나타낸다.
도 5b는 도 5a의 시뮬레이션 결과에 따른 조도의 균일성을 나타낸다.
도 5c는 실시 예에 따른 발광 모듈의 조도 시뮬레이션 결과를 나타낸다.
도 5d는 도 5c의 시뮬레이션 결과에 따른 조도의 균일성을 나타낸다.
도 6a는 도 4에 도시된 발광 모듈의 조도 측정 시뮬레이션을 위한 조도 측정기의 사이즈를 나타낸다.
도 6b는 도 4에 도시된 발광 모듈의 조도 측정 시뮬레이션을 위한 조도 측정기와 발광 모듈 간의 이격 거리를 나타낸다.
도 6c는 도 4에 도시된 발광 모듈의 조도 측정 시뮬레이션을 위한 기판의 반사율을 나타낸다.
도 7a는 도 6a 내지 도 6c의 이격 거리의 변화에 따라 제1 발광 소자 및 제2 발광 소자를 모두 턴 온한 경우의 발광 모듈의 조도 시뮬레이션 결과를 나타낸다.
도 7b는 도 6a 내지 도 6c의 이격 거리의 변화에 따라 제2 발광 소자만을 턴 온한 경우의 발광 모듈의 조도 시뮬레이션 결과를 나타낸다.
도 7c는 도 6a 내지 도 6c의 이격 거리의 변화에 따라 제1 발광 소자만을 턴 온한 경우의 발광 모듈의 조도 시뮬레이션 결과를 나타낸다.
도 8은 도 2에 도시된 냉각부 및 지지 프레임의 분리 사시도를 나타낸다.
도 9는 도 8에 도시된 냉각부의 분리 사시도를 나타낸다.
도 10은 도 9에 도시된 냉각 블록들의 사시도를 나타낸다.
도 11은 도 10에 도시된 냉각 블록들의 저면 사시도를 나타낸다.
도 12는 도 10에 도시된 냉각 블록들에 유체를 공급하기 위한 유체 조절부의모식도를 나타낸다.
도 13은 도 10에 도시된 냉각 블록들의 유입구 및 유출구의 배치를 나타내는 모식도이다.1 is a perspective view of an ultraviolet curing apparatus according to an embodiment.
Fig. 2 shows a cooling section, a light emitting module, and a stage shown in Fig.
Fig. 3 shows a top view of the light emitting module shown in Fig.
Fig. 4 shows the arrangement of the first light emitting element and the second light emitting element in one region of the first arrangement region shown in Fig.
5A shows a simulation result of illuminance of a light emitting module in which light emitting elements are arranged at equal intervals.
FIG. 5B shows the uniformity of illumination according to the simulation result of FIG. 5A.
FIG. 5C shows the illuminance simulation result of the light emitting module according to the embodiment.
FIG. 5D shows the uniformity of illumination according to the simulation result of FIG. 5C.
FIG. 6A shows the size of the illuminance measuring device for illuminance measurement simulation of the light emitting module shown in FIG.
FIG. 6B shows a distance between the illuminance measuring device and the light emitting module for illuminance measurement simulation of the light emitting module shown in FIG.
FIG. 6C shows the reflectance of the substrate for illuminance measurement simulation of the light emitting module shown in FIG.
7A shows a simulation result of illuminance of the light emitting module when both the first light emitting device and the second light emitting device are turned on according to the change of the separation distance in FIGS. 6A to 6C.
FIG. 7B shows a simulation result of illuminance of the light emitting module when only the second light emitting device is turned on according to the change of the separation distance in FIGS. 6A to 6C.
FIG. 7C shows a simulation result of the illuminance of the light emitting module when only the first light emitting device is turned on according to the change of the separation distance of FIGS. 6A to 6C.
Fig. 8 is an exploded perspective view of the cooling section and the support frame shown in Fig. 2;
9 is an exploded perspective view of the cooling section shown in Fig.
Figure 10 shows a perspective view of the cooling blocks shown in Figure 9;
11 shows a bottom perspective view of the cooling blocks shown in Fig.
12 is a schematic diagram of a fluid regulator for supplying fluid to the cooling blocks shown in Fig.
13 is a schematic view showing the arrangement of the inlet and the outlet of the cooling blocks shown in Fig.
이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other objects, features and advantages of the present invention will be more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG.
실시 예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 개의 element 사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In describing an embodiment, when it is described as being formed "on or under" of each element, an upper or lower (on or under) Wherein both elements are in direct contact with each other or one or more other elements are indirectly formed between the two elements. Also, when expressed as "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one element.
또한, 이하에서 이용되는 “제1” 및 “제2”, “상/상부/위” 및 “하/하부/아래” 등과 같은 관계적 용어들은 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용될 수도 있다. 또한 동일한 참조 번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다.Also, the terms "first" and "second", "upper / upper / upper" and "lower / lower / lower" used in the following description are intended to mean any physical or logical relationship or order May be used solely to distinguish one entity or element from another entity or element, without necessarily requiring or implying that such entity or element is a separate entity or element. The same reference numerals denote the same elements throughout the description of the drawings.
또한, 이상에서 기재된 "포함하다", "구성하다", 또는 "가지다" 등의 용어는, 특별히 반대되는 기재가 없는 한, 해당 구성 요소가 내재될 수 있음을 의미하는 것이므로, 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다.It is also to be understood that the terms "comprises", "comprising", or "having" as used herein are meant to imply that a component can be implied unless specifically stated to the contrary, But should be construed to include other elements.
도 1은 실시 예에 따른 자외선 경화 장치(100)의 사시도를 나타내고, 도 2는도 1에 도시된 냉각부(120), 발광 모듈(130), 및 스테이지(stage, 130)를 나타낸다.Fig. 1 shows a perspective view of an
도 1 내지 도 3을 참조하면, 자외선 경화 장치(100)는 케이스(case, 110), 냉각부(120), 투광성 플레이트(125), 지지프레임(127), 발광모듈(130), 스테이지(140), 및 제어부(150)를 포함한다.1 to 3, the
자외선 경화 장치(100)는 제어부(150)와 발광 모듈(130)을 전기적으로 연결하는 배선들, 및 냉각부(120)에 냉각수를 제공하기 위한 냉각수 공급관들(160)이 배치되는 보관부(115)를 더 포함할 수 있다.The
케이스(110)는 냉각부(120), 투광성 플레이트(125), 및 발광 모듈(130), 스테이지(140)를 수용하는 공간을 제공한다.The
예컨대, 케이스(110)는 진공 챔버(chamber)일 수 있다. 케이스(110)는 발광모듈로부터 조사되는 자외선이 외부로 빠져나가지 않도록 차단하는 역할도 할 수 있다.For example, the
투광성 플레이트(125)는 케이스(110)의 내측에 배치되고, 상면과 하면이 스테이지의 상면과 평행하도록 배치될 수 있다.The
투광성 플레이트(125)는 냉각부(120) 및 발광 모듈(130)을 지지하며, 발광 모듈(130)로부터 조사되는 빛을 투과시킨다.The
예컨대, 투광성 플레이트(125)는 투광성 유리(glass) 또는 석영으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the
예컨대, 투광성 플레이트(125)는 90% ~ 99%의 자외선 투과율을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the
냉각부(120)는 발광 모듈(130)로부터 발생되는 열을 흡수하여 발광 모듈(130)의 온도를 낮춘다. 지지 프레임(127)은 냉각부(120)와 발광 모듈(130)을 지지하며, 투광성 플레이트(125) 상에 배치된다. 냉각부(120)에 대해서는 후술한다.The
발광 모듈(130)은 광, 예컨대, 자외선을 스테이지(140)를 향하여 방출한다.The
스테이지(140)는 경화시킬 대상물이 놓여지거나, 배치되는 영역으로, 투광성플레이트(125) 아래에 발광 모듈(130)로부터 이격하여 배치될 수 있다.The
도 3은 도 2에 도시된 발광 모듈(130)의 평면도를 나타낸다.3 is a plan view of the
도 3을 참조하면, 발광 모듈(130)은 기판(131), 및 기판(131) 상에 배치되는복수의 발광 소자들(132)을 포함한다.Referring to FIG. 3, the
복수의 발광 소자들(132) 각각은 발광 다이오드(light emitting diode, LED)일 수 있다.Each of the plurality of light emitting
예컨대, 복수의 발광 소자들(132)은 제1 파장 영역의 빛을 방출하는 제1 발광 소자들(132a), 및 제2 파장 영역의 빛을 방출하는 제2 발광 소자들(132b)을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 발광 소자들(132a)과 제2 발광 소자들(132b)은 서로 다른 파장의 자외선을 방출할 수 있다.For example, the plurality of light emitting
예컨대, 제1 발광 소자들(132a) 각각이 방출하는 빛의 파장은 315nm 이상 375nm 미만의 파장 영역에 포함될 수 있다.For example, the wavelength of the light emitted by each of the first
또한 제2 발광 소자들(132b) 각각이 방출하는 빛의 파장은 375nm 이상 420nm 이하의 파장 영역에 포함될 수 있다.Also, the wavelength of the light emitted by each of the second
예컨대, 제1 발광 소자들(132a) 각각은 365nm의 파장을 갖는 빛을 방출할 수 있고, 제2 발광 소자들(132b) 각각은 385nm의 파장을 갖는 빛을 방출할 수 있다.For example, each of the first
예컨대, 제1 발광 소자들(132a) 각각이 방출하는 빛의 파장은 서로 동일할 수 있고, 제2 발광 소자들(132b) 각각이 방출하는 빛의 파장은 서로 동일할 수 있다.For example, the wavelengths of light emitted by the first
제1 발광 소자들(132a)이 방출하는 빛의 파장과 제2 발광 소자들(132b)이 방출하는 빛의 파장이 서로 다르기 때문에, 발광 모듈(130)은 복합 파장을 구현할 수 있다.Since the wavelength of the light emitted by the first
예컨대, 제1 및 제2 발광 소자들(132a, 132b) 각각은 자외선을 방출하는 LED 칩 또는 LED 패키지로 구현될 수 있으나, 이 에한정되는 것은 아니다.For example, each of the first and second
제1 발광 소자들(132a)과 제2 발광 소자들(132b)은 서로 독립적으로 개별 구동될 수 있다. 예컨대, 제1 발광 소자들(132a)은 턴온되고, 이와 동시에 제2 발광소자들(132b)은 턴 오프될 수 있다. 또는, 예컨대, 제1 발광 소자들(132a)은 턴 오프되고, 이와 동시에 제2 발광 소자들(132b)은 턴 온될 수 있다. 또는 제1 및 제2 발 광소자들(132a, 132b)은 동시에 턴온될 수 있다.The first
기판(131)은 인쇄회로기판(Printed Circuit Board, PCB), 또는 메탈 PCB일수있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The
도 3에 도시된 바와 같이, 기판(131)은 다각형 형상, 예컨대, 사각형 형상일수 있다. 예컨대, 기판(131)의 일면은 복수 개의 변들(301 내지 304)을 포함할 수 있고, 인접하는 2개의 변들 사이에 위치하는 꼭지점들을 포함할 수 있다. 여기서 기판(131)의 일면은 발광 소자들(132a, 132b)이 배치되는 면일 수 있다.As shown in FIG. 3, the
기판(131)은 발광 소자들(132a, 132b)을 배치하기 위한 복수 개의 배치 영역들(P1 내지 P16)을 포함할 수 있다.The
예컨대, 복수의 배치 영역들(P1 내지 P16)은 행과 열로 이루어진 매트릭스 형태로 배열될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the plurality of layout areas P1 to P16 may be arranged in a matrix form of rows and columns, but is not limited thereto.
도 3에서의 기판(131)은 16개로 분할된 배치 영역들을 포함하는 것을 예시하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.The
기판(131)의 배치 영역들(P1 내지 P16)은 후술하는 냉각부(120)의 복수의 냉각 블록들(S1 내지 S16)에 대응할 수 있다.The arrangement regions P1 to P16 of the
기판(131)의 복수 개의 배치 영역들(P1 내지 P16) 각각에는 복수 개의 제1 발광 소자들(132a), 및 복수 개의 제2 발광 소자들(132b)이 배치될 수 있다.The plurality of first
복수의 배치 영역들(P1 내지 P16) 각각은 서로 동일한 형상, 예컨대, 사각형일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Each of the plurality of arrangement areas P1 to P16 may be the same shape, for example, a square, but is not limited thereto.
복수의 배치 영역들(P1 내지 P16) 각각은 서로 동일한 사이즈, 예컨대, 동일한 면적을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Each of the plurality of layout areas P1 to P16 may have the same size, for example, the same area, but is not limited thereto.
예컨대, 복수의 배치 영역들(P1 내지 P16) 각각의 가로 길이는 서로 동일할 수 있고, 복수의 배치 영역들(P1 내지 P16) 각각의 세로 길이는 서로 동일할 수 있다.For example, the horizontal lengths of the plurality of arrangement areas P1 to P16 may be equal to each other, and the vertical lengths of the plurality of arrangement areas P1 to P16 may be equal to each other.
예컨대, 복수의 배치 영역들(P1 내지 P16) 중 인접하는 배치 영역들은 서로 접할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서는 복수의 배치 영역들은 일정한 간격으로 떨어질 수도 있다.For example, contiguous placement regions among the plurality of placement regions P1 to P16 may contact with each other, but the present invention is not limited thereto. In another embodiment, the plurality of placement regions may fall at regular intervals.
복수의 배치 영역들(P1 내지 P16)은 제1 배치 영역들(P1, P4, P13, P16), 제2 배치 영역들(P2, P3, P5, P8, P9, P12, P14, P15), 및 제3 배치 영역들(P6, P7, P10, P11)을 포함할 수 있다.The plurality of layout areas P1 to P16 may include first layout areas P1, P4, P13 and P16, second layout areas P2, P3, P5, P8, P9, P12, P14, And third placement areas P6, P7, P10, and P11.
제1 배치 영역들(P1, P4, P13, P16)은 기판(131)의 어느 한 꼭지점(E1, E2, E3, 또는 E4)을 포함하거나, 어느 한 꼭지점에 인접하는 영역일 수 있다.The first arrangement areas P1, P4, P13, and P16 may include any one of the vertexes E1, E2, E3, or E4 of the
예컨대, 제1 배치 영역들(P1, P4, P13, P16) 각각은 기판(131)의 꼭지점들(E1, E2, E3, 또는 E4) 중 대응하는 어느 하나를 포함하거나 또는 대응하는 어느하나에 인접할 수 있다.For example, each of the first placement areas P1, P4, P13, and P16 may include any one of the vertices E1, E2, E3, or E4 of the
제2 배치 영역들(P2, P3, P5, P8, P9, P12, P14, P15)은 기판(131)의 꼭지점(E1 내지 E4)으로부터 이격되고, 기판(131)의 변들(301 내지 304)과 접하는 영역일 수 있다.The second arrangement regions P2, P3, P5, P8, P9, P12, P14 and P15 are spaced from the vertexes E1 to E4 of the
제3 배치 영역들(P6, P7, P10, P11)은 기판(131)의 꼭지점(E1 내지 E4) 및 기판(131)의 변들(301 내지 304)로부터 이격되는 영역일 수 있다.The third arrangement regions P6, P7, P10, and P11 may be regions that are spaced apart from the vertexes E1 to E4 of the
예컨대, 제3 배치 영역들(P6, P7, P10, P11)의 주위를 감싸도록 제1 배치 영역들(P1, P4, P13, P16) 및 제2 배치 영역들(P2, P3, P5, P8, P9, P12, P14, P15)은 배치될 수 있다.For example, the first layout regions P1, P4, P13, and P16 and the second layout regions P2, P3, P5, P8, and P8 are formed so as to surround the periphery of the third layout regions P6, P7, P9, P12, P14, P15) may be arranged.
제1 배치 영역들(P1, P4, P13, P16) 각각에는 행과 열을 포함하는 제1 매트릭스 형태로 제1 발광 소자들(132a)과 제2 발광 소자들(132b)이 배열될 수 있다.The first
제2 배치 영역들(P2, P3, P5, P8, P9, P12, P14, P15) 각각에는 행과 열을 포함하는 제2 매트릭스 형태로 제1 발광 소자들(132a)과 제2 발광소자들(132b)이 배열될 수 있다.The first
제3 배치 영역들(P6, P7, P10, P11) 각각에는 행과 열을 포함하는 제3 매트릭스 형태로 제1 발광 소자들(132a)과 제2 발광소자들(132b)이 배열될 수 있다.The first
예컨대, 제1 배치 영역들(P1, P4, P13, P16) 각각에는 제1 매트릭스의 행 방향 및 열 방향 각각으로 제1 발광 소자(132a)와 제2 발광 소자(132b)가 교대로 배열될 수 있다.For example, the first
또한 예컨대, 제2 배치 영역들(P2, P3, P5, P8, P9, P12, P14, P15) 각각에는 제2 매트릭스의 행 방향 및 열 방향 각각으로 제1 발광 소자(132a)와 제2 발광 소자(132b)가 교대로 배열될 수 있다.The first
또한 예컨대, 제3 배치 영역들(P6, P7, P10, P11) 각각에는 제3 매트릭스의 행 방향 및 열 방향 각각으로 제1 발광 소자(132a)와 제2 발광 소자(132b)가 교대로 배열될 수 있다.Further, for example, the first
제1 내지 제3 매트릭스들 각각의 행 방향은 제1 내지 제3 매트릭스들 각각의 행들이 배열되는 방향일 수 있고, 제1 내지 제3 매트릭스들 각각의 열 방향은 제1 내지 제3 매트릭스들 각각의 열들이 배열되는 방향일 수 있다.The row direction of each of the first to third matrices may be a direction in which the rows of each of the first to third matrices are arranged and the column direction of each of the first to third matrices may be the direction of the first to third matrices Lt; / RTI > are arranged.
예컨대, 행 방향은 기판(131)의 꼭지점들(E1 내지 E4) 중 제1 꼭지점(E1)에서 제4 꼭지점(E4)로 향하는 방향일 수 있고, 열 방향은 기판(131)의 제1 꼭지점(E1)에서 제2 꼭지점(E2)로 향하는 방향일 수 있고, 행 방향과 열 방향은 서로 수직일수 있다.For example, the row direction may be a direction from the first vertex E1 to the fourth vertex E4 of the vertexes E1 to E4 of the
예컨대, 제1 내지 제3 매트릭스들 각각의 행들의 수는 서로 다를 수 있고, 제1 내지 제3 매트릭스들 각각의 열들의 수는 서로 다를 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the number of rows of each of the first through third matrices may be different, and the number of columns of each of the first through third matrices may be different, but is not limited thereto.
다른 실시 예에서는 제1 내지 제3 매트릭스들 중 선택된 2개의 행들의 수는 서로 동일할 수 있고, 제1 내지 제3 매트릭스들 중 선택된 2개의 열들의 수는 서로 동일할 수 있다.In another embodiment, the number of selected two rows among the first through third matrices may be equal to each other, and the number of selected two columns among the first through third matrices may be equal to each other.
제1 발광 소자(132a)와 제2 발광 소자(132b)가 제1 내지 제3 매트릭스들 각각의 행 방향 및 열 방향 각각으로 서로 교대로 배열되는 이유는 복합 파장을 갖는 발광 모듈(100)의 빛의 균일성(uniformity)를 향상시키기 위함이다.The reason why the first
제1 배치 영역들(P1, P4, P13, P16) 각각에서 제1 발광 소자 및 제2 발광 소자의 배열은 다음과 같다.The arrangement of the first light emitting device and the second light emitting device in each of the first arrangement regions P1, P4, P13, and P16 is as follows.
제1 배치 영역들(P1, P4, P13, P16) 각각에 배치된 제1 발광 소자들과 제2 발광 소자들로 이루어진 제1 매트릭스의 행과 열의 순서는 다음과 같이 정의한다.The order of rows and columns of the first matrix composed of the first light emitting elements and the second light emitting elements disposed in the first arrangement regions P1, P4, P13, and P16 is defined as follows.
기판(131)의 꼭지점들 중 대응하는 어느 하나의 꼭지점에 가장 인접하는 행과 열을 제1행과 제1열로 정의하고, 대응하는 꼭지점에서 멀어지는 방향으로 순차적으로 열 및 행의 순서가 증가하도록 한다.The row and column closest to the corresponding one of the vertexes of the
예컨대, 제1 배치 영역(P1)의 제1행과 제1열은 제1 꼭지점(E1)에 가장 인접하는 행과 열일 수 있고, 행 방향과 평행하고 제1 꼭지점(E1)에서 멀어지는 방향(예컨대, 101a)으로 행의 순서가 증가할 수 있고, 열 방향과 평행하고 제1 꼭지점(E1)에서 멀어지는 방향(예컨대, 101b)으로 열의 순서가 증가할 수 있다.For example, the first row and the first column of the first arrangement region P1 may be rows and columns closest to the first vertex E1 and may be parallel to the row direction and away from the first vertex E1 , 101a, and the order of the rows may be increased in a direction parallel to the column direction and away from the first vertex E1 (e.g., 101b).
또한 예컨대, 제1 배치 영역(P4)의 제1행과 제1열은 제4 꼭지점(E4)에 가장 인접하는 행과 열일 수 있고, 행 방향과 평행하고 제4 꼭지점(E4)에서 멀어지는 방향(예컨대, 104a)으로 행의 순서가 증가할 수 있고, 열 방향과 평행하고 제4 꼭지점(E4)에서 멀어지는 방향(예컨대, 104b)으로 열의 순서가 증가할 수 있다.For example, the first row and the first column of the first arrangement region P4 may be rows and columns closest to the fourth vertex E4 and may be parallel to the row direction and away from the fourth vertex E4 For example, the order of the rows may increase to 104a and the order of the rows may increase in a direction parallel to the column direction and away from the fourth vertex E4 (e.g., 104b).
제1 배치 영역들(P13, P16) 각각에 대해서는 상술한 바와 같이, 제1행과 제1열이 정의될 수 있고, 행 방향과 평행하고 제2 및 제3 꼭지점들(E2, E3) 각각에서 멀어지는 방향(예컨대, 102a, 103a)으로 행의 순서가 증가할 수 있고, 열 방향과 평행하고 제2 및 제3 꼭지점들(E2, E3)에서 멀어지는 방향(예컨대, 102b)으로 열의 순서가 증가할 수 있다.As described above, the first row and the first column can be defined for each of the first arrangement regions P13 and P16, and parallel to the row direction and at each of the second and third vertexes E2 and E3 The order of the rows may be increased in the distancing direction (e.g., 102a, 103a) and the order of the columns may be increased in the direction parallel to the column direction and away from the second and third vertexes E2, E3 (e.g., 102b) .
도 4는 도 3에 도시된 제1 배치 영역(P1)의 일 영역 내의 제1 발광 소자(132a) 및 제2 발광소자(132b)의 배치를 나타낸다.Fig. 4 shows the arrangement of the first
도 4를 참조하면, 복합 파장을 갖는 제1 및 제2 발광 소자들(132a, 132b)로부터 발생된 빛들의 조도의 균일성을 개선하기 위하여, 제1 배치영역(P1, P4, P13, P16)의 제1 매트릭스의 각 열에 포함되는 인접하는 2개의 제1 발광 소자(132a) 및 제2 발광 소자(132b) 간의 이격 거리는 다음과 같다.Referring to FIG. 4, first layout regions P1, P4, P13, and P16 are formed in order to improve the uniformity of light intensity generated from the first and second
제1 배치 영역(P1, P4, P13, P16)의 제1 매트릭스에 따른 제1 및 제2 발광 소자들(132a, 132b)의 배열에 있어서, 제1 매트릭스의 제1행과 제2행 간의 제1 이격 거리(d11)는 제2행과 제3행 간의 제2 이격 거리(d12)보다 짧을 수 있다(d11<d12).In the arrangement of the first and second
또한 제2 이격 거리(d12), 제1 매트릭스의 제3행과 제4행 간의 제3 이격 거리(d13), 제1 매트릭스의 제4행과 제5행 간의 제4 이격 거리(d14)는 서로 동일할 수 있다(d12=d13=d14).The third spacing distance d13 between the third row and the fourth row of the first matrix and the fourth spacing distance d14 between the fourth row and the fifth row of the first matrix are different from each other, (D12 = d13 = d14).
또한 제4 이격 거리(d14)는 제1 매트릭스의 제5행과 제6행 간의 제5 이격 거리(d15)보다 짧을 수 있다(d14<d15).Also, the fourth separation distance d14 may be shorter than the fifth separation distance d15 between the fifth and sixth rows of the first matrix (d14 < d15).
제1 매트릭스의 제6행 내지 마지막 행 중에서 선택된 인접한 2개의 행들 간의 이격 거리들(예컨대, d16, d17 …) 각각은 제5 이격 거리(d15)와 동일할 수 있다(d15=d16=d17=…).Each of the distances (e.g., d16, d17, ...) between adjacent two rows selected from the sixth row to the last row of the first matrix may be equal to the fifth spacing distance d15 (d15 = d16 = d17 = ...). ).
또한 복합 파장을 갖는 제1 및 제2 발광 소자들(132a, 132b)로부터 발생된 빛들의 조도 균일성을 개선하기 위하여, 제1 배치 영역(P1, P4, P13, P16)의 제1 매트릭스의 각 행에 포함되는 인접하는 2개의 제1 발광 소자(132a)와 제2 발광 소자(132b) 간의 이격 거리는 다음과 같다.In order to improve illumination uniformity of light generated from the first and second
제1 매트릭스의 제1열과 제2열 간의 제6 이격 거리(d21)는 제2열과 제3열 간의 제7 이격거리(d22)보다 짧을 수 있다(d21<d22).The sixth spacing distance d21 between the first and second columns of the first matrix may be shorter than the seventh spacing distance d22 between the second and third columns (d21 < d22).
또한 제7 이격 거리(d22)는 제1 매트릭스의 제3열과 제4열 간의 제8 이격 거리(d23)와 동일할 수 있다(d22=d23).The seventh spacing distance d22 may be equal to the eighth spacing distance d23 between the third and fourth columns of the first matrix (d22 = d23).
제8 이격 거리(d23)는 제1 매트릭스의 제4열과 제5열 간의 제9 이격 거리(d24)보다 짧을 수 있다(d23<d24).The eighth spacing distance d23 may be shorter than the ninth separation distance d24 between the fourth and fifth columns of the first matrix (d23 < d24).
제1 매트릭스의 제5열 내지 마지막 열들 중에서 선택된 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리들(예컨대, d25, d26, d27 … ) 각각은 제9 이격 거리(d24)와 동일할 수 있다(d24=d25=d26=d27=…).Each of the distances (e.g., d25, d26, d27, ...) between adjacent two columns selected from the fifth column to the last column of the first matrix may be equal to the ninth separation distance d24 (d24 = d25 = d26 = d27 = ...).
제1 매트릭스의 제1열과 제2열 간의 제6 이격 거리(d21)는 제1행과 제2행 간의 제1 이격 거리(d11)보다 작을 수 있다(d21<d11).The sixth spacing distance d21 between the first row and the second row of the first matrix may be smaller than the first spacing distance d11 between the first row and the second row (d21 < d11).
또한 예컨대, 제1 매트릭스의 제2열과 제3열 간의 제7 이격 거리(d22)는 제2행과 제3행 간의 제2 이격 거리(d12)보다 작을 수 있다(d22<d12).Also, for example, the seventh spacing distance d22 between the second row and the third row of the first matrix may be smaller than the second spacing distance d12 between the second row and the third row (d22 < d12).
예컨대, d11:d12:d13:d14:d15:d16=x1:x2:x3:x4:x5:x6일 수 있고, x1은 0.55 이상 0.7 미만일 수 있고, x2, x3, x4는 0.7 이상 1미만일 수 있고, x5 및 x6는 1일 수 있다. x2, x3, 및 x4는 서로 동일할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서는 서로 다를 수도 있다.For example, d11: d12: d13: d14: d15: d16 = x1: x2: x3: x4: x5: x6, x1 may be 0.55 or more and less than 0.7, x2, x3, x4 may be 0.7 or more and less than 1 , x5 and x6 may be one. x2, x3, and x4 may be equal to each other, but are not limited thereto, and may be different from each other in other embodiments.
또한 예컨대, d21:d22:d23:d24:d25=y1:y2:y3:y4:y5일 수 있고, y1은 0.5 이상 0.65 미만일 수 있고, y2, 및 y3는 0.65 이상 1미만일 수 있고, y4 및 y5는 1일 수 있다. y2, 및 y3는 서로 동일할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서는 서로 다를 수도 있다.Y1: y2: y3: y4: y5, y1 may be 0.5 or more and less than 0.65, y2 and y3 may be 0.65 or more and less than 1, and y4 and y5 Lt; / RTI > y2, and y3 may be equal to each other, but are not limited thereto, and may be different from each other in other embodiments.
예컨대, d11:d12:d15=0.58:0.76:1일 수 있고, d21:d22:d24=0.55:0.67:1일 수 있다.For example, d11: d12: d15 = 0.58: 0.76: 1, and d21: d22: d24 = 0.55: 0.67: 1.
예컨대, 제1 매트릭스의 열과 평행한 제1 배치 영역(P1,P4,P13,P16)의 어느 한 변의 전체 길이 대비 d11, d12, 및 d15의 비율은 3.18%, 3.85%, 및 5.77%일 수 있다.For example, the ratio of d11, d12, and d15 to the total length of either side of the first placement area P1, P4, P13, P16 parallel to the row of the first matrix may be 3.18%, 3.85%, and 5.77% .
또한 예컨대, 제1 매트릭스의 행과 평행한 제1 배치 영역(P1,P4,P13,P16)의 어느 한 변의 전체 길이 대비 d21, d22, d24의 비율은 3.81%, 5.02%, 및 6.58%일 수 있다. d11, d12, d15, d21, d22, d24에 관한 % 비율은 소수점 3째자리에서 반올림한 값일 수 있다.For example, the ratio of d21, d22, and d24 to the total length of any one of the first arrangement regions P1, P4, P13, and P16 parallel to the rows of the first matrix may be 3.81%, 5.02%, and 6.58% have. The percentage of d11, d12, d15, d21, d22, and d24 may be a value rounded to the third decimal place.
또한 제1 매트릭스의 열과 평행한 방향으로 제1 배치 영역(P1,P4,P13,P16)의 제1 비등간격 구간의 거리의 비율은 제1 매트릭스의 열과 평행한 제1 배치 영역(P1,P4,P13,P16)의 한 변의 전체 길이의 16% 내지 17%일 수 있다. 예컨대, 제1 비등간격 구간은 d15보다 작은 이격 거리들을 포함하는 구간일 수 있다.The ratio of the distances of the first non-uniform interval sections of the first arrangement regions P1, P4, P13, and P16 in the direction parallel to the columns of the first matrix is equal to the ratio of the distances of the first arrangement regions P1, P13, P16) of 16% to 17% of the total length of one side. For example, the first boiling interval may be a period that includes spacings less than d15.
또한 제1 매트릭스의 행과 평행한 방향으로 제1 배치 영역의 제2 비등간격 구간의 거리의 비율은 제1 매트릭스의 행과 평행한 제1 배치 영역(P1,P4,P13,P16)의 한 변의 전체 길이의 12% 내지 13%일 수 있다. 예컨대, 제2 비등간격 구간은 d24보다 작은 이격 거리들을 포함하는 구간일 수 있다.The ratio of the distance of the second unequal interval section of the first arrangement region in the direction parallel to the row of the first matrix is equal to the ratio of the distance of the first arrangement region (P1, P4, P13, P16) parallel to the row of the first matrix Can be from 12% to 13% of the total length. For example, the second boiling interval interval may be a period that includes spacing distances less than d24.
제1 배치 영역(P1, P4, P13, P16)의 제1 매트릭스의 행들은 제1-1 그룹(G11), 제1-2 그룹(G12), 및 제1-3 그룹(G13)으로 구분될 수 있고, 제1 배치 영역(P1, P4, P13, P16)의 제1 매트릭스의 열들은 제2-1 그룹(G21), 제2-2 그룹(G22), 및 제2-3 그룹(G23)으로 구분될 수 있다.The rows of the first matrix of the first arrangement areas P1, P4, P13 and P16 are divided into a first group G11, a first group G12, and a first group G13 And the columns of the first matrix of the first arrangement regions P1, P4, P13 and P16 correspond to the second-first group G21, the second-second group G22 and the second-third group G23, .
예컨대, 제1-1그룹(G11)은 제1 매트릭스의 제1행을 포함할 수 있고, 제1-2 그룹(G12)은 제1 매트릭스의 제2행 내지 제5행을 포함할 수 있고, 제1-3 그룹(G13)은 제1 매트릭스의 제6행 내지 마지막 행을 포함할 수 있다.For example, the first group G11 may include a first row of the first matrix, the first group G12 may include a second row through a fifth row of the first matrix, The first to third group G13 may include the sixth to last rows of the first matrix.
또한 예컨대, 제2-1 그룹(G21)은 제1 매트릭스의 제1열을 포함할 수 있고, 제2-2 그룹(G22)은 제1 매트릭스의 제2열 내지 제3열을 포함할 수 있고, 제2-3 그룹(G23)은 제1 매트릭스의 제4열 내지 마지막 열을 포함할 수 있다.Also, for example, the second-first group G21 may comprise the first column of the first matrix and the second-second group G22 may comprise the second column through the third column of the first matrix , And the second to third group G23 may include a fourth column to a last column of the first matrix.
제1 그룹들(예컨대, G11, G12, G13…) 중에서 선택된 인접하는 2개의 제1 그룹들 간의 이격 거리는 제1 배치 영역에 대응하는 기판(131)의 꼭지점에 가까울수록 짧을 수 있다.The distance between the adjacent two first groups selected from the first groups (for example, G11, G12, G13, ...) may be shorter toward the apex of the
예컨대, 인접하는 2개의 제1 그룹들 간의 이격 거리는 행 방향과 평행한 방향으로의 이격 거리일 수 있다.For example, the spacing distance between two adjacent first groups may be a spacing distance in a direction parallel to the row direction.
예컨대, 제1-1 그룹(G11)과 제1-2 그룹(G12) 간의 제1 이격 거리(d11)는 제1-2 그룹(G12)과 제1-3 그룹(G13)간의 제5 이격 거리(d15)보다 짧을 수 있다.For example, the first distance d11 between the first group G11 and the first group G12 is greater than the fifth gap distance d11 between the first group G12 and the first group G13, (d15).
또한 제1 이격 거리(d11)는 제1-2 그룹(G12)에 포함되는 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리(d12, d13,d14)보다 짧을 수 있다.Also, the first distance d11 may be shorter than the distance d12, d13, and d14 between two adjacent rows included in the first-second group G12.
또한 예컨대, 제1-2 그룹(G12)에 포함되는 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리(d12, d13, d14)는 제5 이격 거리(d15)보다 짧을 수 있다.Also, for example, the separation distances d12, d13, and d14 between two adjacent rows included in the first-second group G12 may be shorter than the fifth separation distance d15.
또한 예컨대, 제5 이격 거리(d5)는 제1-3 그룹(G13)에 포함되는 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리와 동일할 수 있다.Also, for example, the fifth separation distance d5 may be equal to the separation distance between two adjacent rows included in the first-third group G13.
제2 그룹들(예컨대, G21, G22, G23…) 중에서 선택된 인접하는 2개의 제2그룹들 간의 이격 거리는 제1 배치 영역에 대응하는 기판의 꼭지점에 가까울수록 짧을 수 있다. 예컨대, 인접하는 2개의 제2 그룹들 간의 이격 거리는 열 방향과 평행한 방향으로의 이격 거리일 수 있다.The distance between the adjacent two second groups selected from the second groups (for example, G21, G22, G23, etc.) may be shorter toward the apex of the substrate corresponding to the first placement area. For example, the distance between two adjacent second groups may be a distance in a direction parallel to the column direction.
예컨대, 제2-1 그룹(G21)과 제2-2 그룹(G22) 간의 제6 이격 거리(d21)는 제2-2 그룹(G22)과 제2-3 그룹(G23) 간의 제9 이격 거리(d24)보다 짧을 수 있다.For example, the sixth separation distance d21 between the second-first group G21 and the second-second group G22 is the seventh separation distance d21 between the second-second group G22 and the second- (d24).
또한 제6 이격 거리(d21)는 제2-2 그룹(G22)에 포함되는 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리(d22, d23)보다 짧을 수 있다.Also, the sixth separation distance d21 may be shorter than the separation distances d22 and d23 between two adjacent columns included in the second-second group G22.
또한 예컨대, 제2-3 그룹(G23)에 포함되는 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리(d25, d26, d27)는 제9 이격 거리(d24)와 동일할 수 있다.Also, for example, the separation distances d25, d26, and d27 between two adjacent columns included in the second and third groups G23 may be equal to the ninth separation distance d24.
제2 배치 영역들(P2, P3, P5, P8, P9, P12, P14, P15) 각각에서 제1 발광 소자와 제2 발광 소자의 배치는 다음과 같다.The arrangement of the first light emitting device and the second light emitting device in each of the second arrangement regions P2, P3, P5, P8, P9, P12, P14, and P15 is as follows.
제1 방향으로 제2 배치 영역들(P2, P3, P14, P15) 각각의 제2 매트릭스의 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리는 서로 동일할 수 있다.The spacing between adjacent two rows of the second matrix of each of the second placement regions P2, P3, P14, P15 in the first direction may be equal to each other.
또한 제1 방향으로 제2 배치 영역들(P5, P8, P9, P12) 각각의 제2 매트릭스의 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리는 서로 동일할 수 있다.Further, the distances between adjacent two columns of the second matrix of each of the second arrangement regions P5, P8, P9 and P12 in the first direction may be equal to each other.
제1 방향은 제2 배치 영역들(P2, P3, P5, P8, P9, P12, P14, P15) 각각에 인접하는 기판(131)의 어느 한 변과 평행한 방향일 수 있다.The first direction may be a direction parallel to either side of the
예컨대, 제2 배치 영역(P2, P3)에 대한 제1 방향은 제2 배치 영역(P2, P3)에 인접한 기판(131)의 제1변(301)과 평행한 방향일 수 있다.For example, the first direction for the second placement regions P2, P3 may be a direction parallel to the
기판(131)의 변들(301 내지 304) 중 어느 한 변에 인접하는 제2 배치 영역들 각각의 제2 매트릭스의 열들 또는 행들은 상기 어느 한 변에 인접한 꼭지점을 포함하는 제1 배치 영역의 제1 매트릭스의 열들 또는 행들에 제1 방향으로 대응 또는 정렬될 수 있다.The columns or rows of the second matrix of each of the second arrangement regions adjacent to either one of the
예컨대, 제1변(301)에 인접하는 제2 배치 영역들(P2, P3) 각각의 제2 매트릭스의 열들은 제1변(301)에 인접한 꼭지점(E1, E4)를 포함하는 제1 배치 영역(P1, P4)의 제1 매트릭스의 열들에 제1 방향으로 정렬될 수 있다.For example, the rows of the second matrix of each of the second arrangement regions P2, P3 adjacent to the
또한 예컨대, 제2변(302)에 인접하는 제2 배치 영역들(P8, P12) 각각의 제2 매트릭스의 행들은 제2변(302)에 인접한 꼭지점(E3, E4)를 포함하는 제1 배치 영역(P4, P16)의 제1 매트릭스의 행들에 제1 방향으로 정렬될 수 있다.Also for example, the rows of the second matrix of each of the second arrangement regions P8, P12 adjacent to the
또한 예컨대, 제2 방향과 평행한 제2 매트릭스의 열들 또는 행들의 배열 거리 및 배열 수는 제2 방향과 평행한 제1 매트릭스의 열들 또는 행들의 배열 거리 및 배열 수와 동일할 수 있다. 제2 방향은 제1 방향과 수직한 방향일 수 있다.Also for example, the array distance and the number of arrays of columns or rows of the second matrix parallel to the second direction may be equal to the array distance and array number of columns or rows of the first matrix parallel to the second direction. The second direction may be a direction perpendicular to the first direction.
예컨대, 기판(131)의 어느 한 변에 인접하는 제2 배치 영역들 각각의 제2 방향과 평행한 제2 매트릭스의 인접하는 2개의 열들 또는 2개의 행들 간의 이격 거리는 상기 어느 한 변에 인접한 꼭지점을 포함하는 제1 배치 영역의 제1 매트릭스의 열들 중 상기 제2 매트릭스의 인접하는 2개의 열들과 대응하는 2개의 열들 간의 이격 거리와 동일할 수 있다.For example, a separation distance between two adjacent rows or two rows of a second matrix, which is parallel to the second direction of each of the second arrangement regions adjacent to one side of the
예컨대, 제2 배치 영역들(P2, P3) 각각의 제2 매트릭스의 제1열과 제2열 간의 이격 거리는 제1 배치 영역(P1)의 제1 매트릭스의 제1열과 제2열 간의 제6 이격 거리(d21)과 동일할 수 있다.For example, the spacing distance between the first row and the second row of the second matrix of each of the second placement regions P2, P3 may be a sixth spacing distance between the first row and the second row of the first matrix of the first placement region P1 (d21).
또한 제2 배치 영역들(P5, P9) 각각의 제2 매트릭스의 제1행과 제2행 간의 이격 거리는 제1 배치 영역(P1)의 제1 매트릭스의 제1행과 제2행 간의 제1 이격 거리(d11)와 동일할 수 있다. 제2 배치 영역들의 나머지 2개의 인접하는 열들 또는 행들 간의 이격 거리도 상술한 바와 같이 대응하는 제1 배치 영역의 인접하는 2개의 열들 또는 행들 간의 이격 거리와 동일할 수 있다.The distance between the first row and the second row of the second matrix of each of the second arrangement regions P5 and P9 is set such that the first spacing between the first row and the second row of the first matrix of the first arrangement region P1 May be the same as the distance d11. The spacing distance between the remaining two adjacent columns or rows of the second deployment areas may be the same as the spacing distance between two adjacent columns or rows of the corresponding first deployment area as described above.
기판(131)의 어느 하나의 변에 인접하는 제2 배치 영역의 제2 매트릭스의 제2 방향과 평행한 인접하는 2개의 행들 또는 열들 간의 이격 거리는 상기 어느 한 변에 가까울수록 작아질 수 있다.The distance between two adjacent rows or columns parallel to the second direction of the second matrix of the second arrangement region adjacent to either one of the sides of the
제3 배치 영역들(P6, P7, P10, P11)에서는 제1 발광 소자(132a)와 제2 발광 소자(132b)가 행 방향과 평행한 방향으로 동일한 간격으로 배치될 수 있고, 열 방향과 평행한 방향으로 동일한 간격으로 배치될 수 있다.In the third arrangement regions P6, P7, P10 and P11, the first
예컨대, 제3 매트릭스의 행들 중에서 선택된 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리는 서로 동일할 수 있다. 또한 예컨대 제3 매트릭스의 열들 중에서 선택된 인접하는 2개의 열들 간의 열 방향과 평행한 방향으로의 이격 거리는 서로 동일할 수 있다.For example, the spacing between adjacent two rows selected from the rows of the third matrix may be equal to each other. Further, for example, the distances in the direction parallel to the column direction between two adjacent columns selected from the columns of the third matrix may be equal to each other.
제2 배치 영역들(P2, P3, P5, P8, P9, P12, P14, P15)의 제2 매트릭스 및 제3 배치 영역들(P6, P7, P10, P11)의 제3 매트릭스의 행의 순서는 좌측에서 우측으로 증가하고, 위에서 아래로 열의 순서가 증가하도록 정의될 수 있다.The order of the rows of the third matrix of the second and third arrangement regions P6, P7, P10 and P11 of the second arrangement regions P2, P3, P5, P8, P9, P12, P14, It can be defined to increase from left to right and increase the order of columns from top to bottom.
서로 인접하는 제1 배치 영역의 제1 매트릭스의 행과 제2 배치 영역의 제2 매트릭스의 행 간의 이격 거리는 제2 배치 영역의 제2 매트릭스의 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리와 동일할 수 있다.The spacing distance between the rows of the first matrix of the first arrangement region adjacent to each other and the rows of the second matrix of the second arrangement region may be the same as the spacing distance between the adjacent two rows of the second matrix of the second arrangement region.
예컨대, 서로 인접하는 제1 배치 영역(P1)의 제1 매트릭스의 마지막 행과 제2 배치 영역(P2)의 제2 매트릭스의 제1행 간의 이격 거리는 제2 배치 영역(P2)의 제2 매트릭스의 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리와 동일할 수 있다.For example, the distance between the last row of the first matrix of the first placement area P1 and the first row of the second matrix of the second placement area P2, which are adjacent to each other, May be equal to the separation distance between two adjacent rows.
서로 인접하는 제1 배치 영역의 제1 매트릭스의 열과 제2 배치 영역의 제2 매트릭스의 열 간의 이격 거리는 제2 배치 영역의 제2 매트릭스의 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리와 동일할 수 있다.The spacing distance between the rows of the first matrix of the first arrangement region adjacent to each other and the rows of the second matrix of the second arrangement region may be the same as the spacing distance between the adjacent two columns of the second matrix of the second arrangement region.
예컨대, 제1 배치 영역(P1)의 제1 매트릭스의 마지막 열과 제2 배치 영역(P5)의 제2 매트릭스의 제1열 간의 이격 거리는 제2 배치 영역(P5)의 제2 매트릭스의 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리와 동일할 수 있다.For example, the distance between the last row of the first matrix of the first placement area P1 and the first row of the second matrix of the second placement area P5 is the distance between the adjacent two of the second matrix of the second placement area P5 May be equal to the separation distance between the columns.
인접하는 2개의 제2 배치 영역들 중 어느 하나의 행과 이와 인접하는 다른 어느 하나의 행 간의 이격 거리는 제2 배치 영역들 각각의 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리와 동일할 수 있다.The spacing distance between any one row of adjacent two second arrangement regions and any other adjacent row may be the same as the spacing distance between two adjacent rows of each of the second placement regions.
예컨대, 제2 배치 영역(P2)의 마지막 행과 제2 배치 영역(P3)의 제1행 간의 이격 거리는 제2 배치 영역들(P2, P3) 각각의 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리와 동일할 수 있다.For example, the distance between the last row of the second placement area P2 and the first row of the second placement area P3 is equal to the distance between two adjacent rows of the second placement areas P2, P3 .
인접하는 2개의 제2 배치 영역들 중 어느 하나의 열과 이와 인접하는 다른 어느 하나의 열 간의 이격 거리는 제2 배치 영역들 각각의 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리와 동일할 수 있다.A separation distance between any one of the two adjacent arrangement regions and any other adjacent column may be the same as a separation distance between adjacent two columns of each of the second placement regions.
예컨대, 제2 배치 영역(P5)의 마지막 열과 제2 배치 영역(P9)의 제1열 간의 이격 거리는 제2 배치 영역들(P5, P9) 각각의 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리와 동일할 수 있다.For example, the distance between the last row of the second placement area P5 and the first row of the second placement area P9 may be the same as the distance between two adjacent rows of the second placement areas P5 and P9 have.
제2 배치 영역의 제2 매트릭스의 행과 이와 인접하는 제3 배치 영역의 제3 매트릭스의 행 간의 이격 거리는 제3 배치 영역의 제3 매트릭스의 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리와 동일할 수 있다.The spacing distance between the row of the second matrix of the second arrangement region and the row of the third matrix of the third arrangement region adjacent thereto may be the same as the spacing distance between the adjacent two rows of the third matrix of the third arrangement region.
예컨대, 제2 배치 영역(P5)의 제2 매트릭스의 마지막 행과 제3 배치 영역(P6)의 제1행 간의 이격 거리는 제3 배치 영역(P6)의 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리와 동일할 수 있다.For example, the spacing distance between the last row of the second matrix of the second placement area P5 and the first row of the third placement area P6 is equal to the spacing distance between two adjacent rows of the third placement area P6 .
제2 배치 영역의 제2 매트릭스의 열과 이와 인접하는 제3 배치 영역의 제3 매트릭스의 열 간의 이격 거리는 제3 배치 영역의 제3 매트릭스의 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리와 동일할 수 있다.The spacing between the rows of the second matrix of the second arrangement region and the rows of the third matrix of the third arrangement region adjacent thereto may be the same as the spacing distance between the adjacent two columns of the third matrix of the third arrangement region.
예컨대, 제2 배치 영역(P2)의 제2 매트릭스의 마지막 열과 제3 배치 영역(P6)의 제1열 간의 이격 거리는 제3 배치 영역(P6)의 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리와 동일할 수 있다.For example, the distance between the last row of the second matrix of the second placement area P2 and the first row of the third placement area P6 may be the same as the distance between the adjacent two rows of the third placement area P6 have.
인접하는 2개의 제3 배치 영역들 중 어느 하나의 열과 이와 인접하는 다른 어느 하나의 열 간의 이격 거리는 제3 배치 영역들 각각의 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리와 동일할 수 있다.The distance between any one of the two adjacent third arrangement regions and another adjacent column may be the same as the distance between adjacent two columns of each of the third arrangement regions.
인접하는 2개의 제3 배치 영역들 중 어느 하나의 행과 이와 인접하는 다른 어느 하나의 행 간의 이격 거리는 제3 배치 영역들 각각의 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리와 동일할 수 있다.The spacing distance between any one of the two adjacent third layout areas and any other adjacent row may be the same as the spacing distance between adjacent two rows of each of the third layout areas.
도 3에서는 기판(131)을 제1 내지 제3 배치 영역들로 구분하였지만, 이에 한정되는 것은 아니다.3, the
다른 실시 예에서는 제2 및 제3 배치 영역들을 생략되고, 기판(131)은 제1 배치 영역을 구비할 수도 있다.In other embodiments, the second and third placement regions are omitted, and the
또 다른 실시 예에서는 제2 배치 영역은 생략되고, 기판(131)은 제1 및 제3 배치 영역들을 구비할 수도 있다.In another embodiment, the second placement area is omitted, and the
또 다른 실시 예에서는 제3 배치 영역은 생략되고, 기판(131)은 제1 및 제2 배치 영역들을 구비할 수도 있다.In yet another embodiment, the third placement area is omitted, and the
상술한 바와 같이 실시 예에 따른 발광 모듈(130)은 기판(131)의 꼭지점 및 변에 인접하는 영역에는 제1 및 제2 발광 소자들(132a, 132b)을 조밀하게 배치하고, 기판(131)의 꼭지점 및 변에서 먼 영역에는 제1 및 제2 발광 소자들(132a, 132b)을 동일한 간격으로 배치시킴으로써, 경화의 대상물이 배치되는 경화 영역 내의 조도의 균일성을 향상시킬 수 있다.The first and second
또한 제1 내지 제3 배치 영역들의 구분없이 기판 상에 제1 및 제2 발광소자들을 동일한 간격으로 배치되는 경우와 비교할 때, 실시 예는 동일한 크기의 경화 영역에 대하여 타겟 균일성을 만족하기 위하여 필요한 발광 소자들의 개수를 줄일 수 있고, 이로 인하여 발광 모듈의 면적을 줄일 수 있다.Further, as compared with the case where the first and second light emitting elements are arranged at equal intervals on the substrate without distinguishing between the first to third arrangement regions, the embodiment is required to satisfy the target uniformity for the same size of the curing region The number of light emitting elements can be reduced, thereby reducing the area of the light emitting module.
도 5a는 발광 소자들이 동일한 간격으로 배열되는 발광 모듈의 조도 시뮬레이션 결과를 나타내고, 도 5b는 도 5a의 시뮬레이션 결과에 따른 조도의 균일성을 나타내고, 도 5c는 실시 예에 따른 발광 모듈의 조도 시뮬레이션 결과를 나타내고, 도 5d는 도 5c의 시뮬레이션 결과에 따른 조도의 균일성을 나타낸다.5A shows the illuminance simulation result of the light emitting module in which the light emitting elements are arranged at equal intervals, FIG. 5B shows the uniformity of the illuminance according to the simulation result of FIG. 5A, FIG. 5C shows the illuminance simulation result And FIG. 5D shows the uniformity of illumination according to the simulation result of FIG. 5C.
도 5a 및 도 5c에서 경화 영역의 면적은 서로 동일하고, 발광 모듈과 경화 영역까지의 이격 거리는 100mm로 동일하고, 경화 영역을 위한 스테이지(140)의 타겟 영역(target area)의 면적은 1300mm × 1100mm로 동일할 수 있다.5A and 5C, the areas of the curing areas are equal to each other, the distance from the light emitting module to the curing area is equal to 100 mm, the area of the target area of the
도 5c에서 제1 발광 소자 및 제2 발광 소자의 배열은 도 4에서 설명한 바에 따른 비율에 따라 배열될 수 있다.In FIG. 5C, the arrangement of the first light emitting device and the second light emitting device may be arranged according to the ratio as described in FIG.
예컨대, d11:d12:d13:d14:d15:d16=0.58:0.76:0.76:0.76:1:1일 수 있다.For example, d11: d12: d13: d14: d15: d16 = 0.58: 0.76: 0.76: 0.76: 1:
예컨대, d21:d22:d23:d24:d25=0.55:0.67:0.67:1:1일 수 있다.For example, d21: d22: d23: d24: d25 = 0.55: 0.67: 0.67: 1:
도 5a에서는 제1 발광 소자와 제2 발광 소자가 68 × 80 매트릭스 형태로 배열될 수 있고, 발광 소자 어레이 영역(LED Array area)의 면적은 1500mm × 1307mm일 수 있다. 여기서 발광 소자 어레이 영역의 면적은 제1 및 제2 발광 소자들(132a, 132b)이 배치되는 기판(131)의 일 영역의 면적일 수 있다.In FIG. 5A, the first light emitting device and the second light emitting device may be arranged in the form of a 68 × 80 matrix, and the area of the LED array area may be 1500 mm × 1307 mm. Here, the area of the light emitting element array region may be an area of one region of the
도 5a에서 발광 소자 어레이 영역은 가로 길이가 세로 길이보다 크지만, 이에 한정되는 것은 아니다.In Fig. 5A, the width of the light emitting element array region is larger than the longitudinal length, but is not limited thereto.
다른 실시 예에서는 발광 소자 어레이 영역은 가로 길이와 세로 길이가 서로 동일할 수 있고, 이 경우에 제1 배치 영역들(P1,P4,P13,P16) 각각의 행 방향으로 인접하는 제1 및 제2 발광 소자들의 배열에 관한 비율은 열 방향으로 인접하는 제1 및 제2 발광 소자들의 배열의 비율과 동일할 수 있다.In another embodiment, the light emitting element array region may have the same lateral length and the same longitudinal length. In this case, the first and second adjacent regions P1, P4, P13, and P16, The ratio of the arrangement of the light emitting elements may be the same as the ratio of the arrangement of the first and second light emitting elements adjacent in the column direction.
발광 소자 어레이 영역의 가로 길이와 세로 길이가 서로 동일한 다른 실시 예에서는 d11 내지 d16의 비율에 관한 설명이 행 방향 및 열 방향 모두에 동일하게 적용될 수 있다. 예컨대, 행 방향 및 열 방향으로 제1 및 제2 발광 소자들의 배열은 d11:d12:d13:d14:d15:d16=x1:x2:x3:x4:x5:x6의 비율을 만족할 수 있고, x1은 0.55 이상 0.7 미만일 수 있고, x2, x3, x4는 0.7 이상 1미만일 수 있고, x5 및 x6는 1일 수 있다. x2, x3, 및 x4는 서로 동일할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서는 서로 다를 수도 있다.In another embodiment in which the width and the length of the light emitting element array region are equal to each other, the description of the ratio of d11 to d16 can be applied equally to both the row direction and the column direction. For example, the arrangement of the first and second light emitting devices in the row direction and the column direction may satisfy a ratio of d11: d12: d13: d14: d15: d16 = x1: x2: x3: x4: x5: x6, 0.55 or more and less than 0.7, x2, x3, x4 may be 0.7 or more and less than 1, and x5 and x6 may be 1. x2, x3, and x4 may be equal to each other, but are not limited thereto, and may be different from each other in other embodiments.
예컨대, 발광 소자 어레이 영역의 가로 길이와 세로 길이가 서로 동일한 경우 제1 배치 영역들(P1, P4, P13, P16)의 행 방향 및 열 방향으로 제1 및 제2 발광 소자들의 배열은 d11:d12:d13:d14:d15:d16=0.58:0.76:0.76:0.76:1:1의 비율을 만족할 수 있다.For example, when the lateral length and the longitudinal length of the light emitting element array region are equal to each other, the arrangement of the first and second light emitting elements in the row direction and column direction of the first arrangement regions P1, P4, P13, : d13: d14: d15: d16 = 0.58: 0.76: 0.76: 0.76: 1: 1 can be satisfied.
또한 다른 실시 예에서는 d21 내지 d25의 비율에 관한 설명이 행 방향 및 열 방향 모두에 동일하게 적용될 수 있다.In another embodiment, the description of the ratio of d21 to d25 can be applied equally to both the row direction and the column direction.
예컨대, 발광 소자 어레이 영역의 가로 길이와 세로 길이가 서로 동일한 또 다른 실시 예에서는 행 방향 및 열 방향으로 제1 및 제2 발광 소자들의 배열은 d21:d22:d23:d24:d25=y1:y2:y3:y4:y5일 수 있다.For example, in another embodiment where the lateral length and the longitudinal length of the light emitting element array region are equal to each other, the arrangement of the first and second light emitting elements in the row direction and the column direction is d21: d22: d23: d24: d25 = y3: y4: y5.
y1은 0.5 이상 0.65 미만일 수 있고, y2, 및 y3는 0.65 이상 1미만일 수 있고, y4 및 y5는 1일 수 있다. y2, 및 y3는 서로 동일할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서는 서로 다를 수도 있다.y1 may be 0.5 or more and less than 0.65, y2 and y3 may be 0.65 or more and less than 1, and y4 and y5 may be 1. y2, and y3 may be equal to each other, but are not limited thereto, and may be different from each other in other embodiments.
예컨대, 발광 소자 어레이 영역의 가로 길이와 세로 길이가 서로 동일한 경우 제1 배치 영역들(P1, P4, P13, P16)의 행 방향 및 열 방향으로 제1 및 제2 발광 소자들의 배열은 d21:d22:d23:d24:d25=0.55:0.67:0.67:1:1의 비율을 만족할 수 있다.For example, when the lateral length and the longitudinal length of the light emitting element array region are equal to each other, the arrangement of the first and second light emitting elements in the row direction and column direction of the first arrangement regions P1, P4, P13 and P16 is d21: d22 : d23: d24: d25 = 0.55: 0.67: 0.67: A ratio of 1: 1 can be satisfied.
반면에, 도 5c에서는 제1 발광 소자와 제2 발광 소자가 62 × 74 매트릭스 형태로 배열될 수 있고, 발광 소자 어레이 영역(LED Array area)의 면적은 1344mm × 1146mm일 수 있다.On the other hand, in FIG. 5C, the first light emitting device and the second light emitting device may be arranged in a matrix of 62 × 74, and the area of the LED array area may be 1344 mm × 1146 mm.
Max는 조도의 최대값을 나타내고, Min은 조도의 최소값을 나타내고, Avg는 조도의 평균값을 나타내고, UNI는 1-{(Max-Min)/(2Avg)} 로 정의된다.Max denotes the maximum value of the illuminance, Min denotes the minimum value of the illuminance, Avg denotes the average value of the illuminance, and UNI denotes 1 - {(Max-Min) / (2Avg)}.
도 5c 및 도 5d를 참조하면, 도 5a의 경우에 비하여 도 5c의 경우는 조도의 균일도가 향상될 수 있다. 따라서 실시 예는 도 5a의 경우에 비하여 균일도가 향상될 수 있다. 그리고 실시 예는 이러한 균일도 향상을 만족하기 위한 발광 모듈의 발광 소자의 개수를 도 5a와 비교할 때, 16% 감소시킬 수 있고, 발광 소자 어레이 면적을 약 20% 감소시킬 수 있다.Referring to FIGS. 5C and 5D, the illuminance uniformity can be improved in the case of FIG. 5C as compared with the case of FIG. 5A. Therefore, the uniformity of the embodiment can be improved as compared with the case of FIG. 5A. In the embodiment, the number of the light emitting elements of the light emitting module for satisfying the uniformity improvement can be reduced by 16% and the area of the light emitting element array can be reduced by about 20% as compared with FIG. 5A.
타겟 영역(target area)의 면적(S1) 대비 실시 예에 따른 발광 소자 어레이 영역의 면적(S2)의 비율(S1:S2)은 1:1.08 ~ 1:1.37일 수 있다.The ratio (S1: S2) of the area S1 of the target area to the area S2 of the light emitting element array area according to the embodiment may be 1: 1.08 to 1: 1.37.
타겟 영역의 면적이 변하더라도 상술한 면적 비율에 따라 발광 소자 어레이 영역의 면적을 자유롭게 설정할 수 있고, 이로 인하여 실시 예는 발광 소자 어레이의 면적을 줄임과 동시에 조도의 균일성을 확보할 수 있다.The area of the light emitting element array region can be freely set according to the above-mentioned area ratio even if the area of the target region is changed. Thus, in the embodiment, the area of the light emitting element array can be reduced and the uniformity of illumination can be ensured.
도 6a는 도 4에 도시된 발광 모듈(130)의 조도 측정 시뮬레이션을 위한 조도 측정기(210)의 사이즈를 나타내고, 도 6b는 도 4에 도시된 발광 모듈(130)의 조도 측정 시뮬레이션을 위한 조도 측정기(210)와 발광 모듈(130) 간의 이격 거리(H)를 나타내고, 도 6c는 도 4에 도시된 발광 모듈(130)의 조도 측정 시뮬레이션을 위한 기판의 반사율을 나타낸다.FIG. 6A shows the size of the
도 4에서 제1 발광 소자(132a)의 전력은 1.90[W]이고, 제2 발광 소자(132b)의 전력은 2.19[W]이고, d11은 11mm이고, d12, d13, 및 d14 각각은 14.50mm이고, d15는 19mm이고, d21은 10.75mm이고, d22 및 d23 각각은 13mm이고, d24는 19.50mm일 수 있다.4, the power of the first
도 6a을 참조하면, 발광 모듈(130)의 기판(131)에 배치된 제1 및 제2 발광 소자들을 포함하는 발광 소자 어레이의 가로 길이는 1355.75mm이고, 세로 길이는 1155.50일 수 있고, 조도 측정기(210)의 가로 길이는 1300mm이고, 세로 길이는 1100mm일 수 있다.6A, the lateral length of the light emitting device array including the first and second light emitting elements disposed on the
도 6b를참조하면, 발광 모듈(130)의 제1 및 제2 발광 소자들(132a, 132b)과 조도 측정기(210)의 감지부까지의 거리(H)를 50mm 에서 100mm까지 10mm씩 변경시키면서 조도를 측정한다.6B, the distance H between the first and second
도 6c를 참조하면, 제1 및 제2 발광 소자들(132a, 132b)이 배치되는 기판(131)의 일면의 반사율은 70%일 수 있다. 그리고 기판(131)은 제1 및 제2 발광 소자들(132a, 132b)의 주위를 감싸도록 기판(131)의 일면으로부터 돌출되는 반사 측벽(220)이 구비될 수 있으며, 반사 측벽(220)의 반사율은 70%일 수 있다.Referring to FIG. 6C, the reflectance of one surface of the
도 7a 내지 도 7c는 도 6a 내지 도 6c에 따른 제1 및 제2 발광 소자들의 조도 시뮬레이션 결과를 나타낸다. 도 7a에 있어서 실시 예에 따른 발광 모듈의 조도의 타겟 평균값은 500[mW/㎠]일 수 있고, 타겟 조도의 균일성(UNI)은 80%, 또는 90%일 수 있다.FIGS. 7A to 7C show illumination simulation results of the first and second light emitting devices according to FIGS. 6A to 6C. FIG. In FIG. 7A, the target average value of the illuminance of the light emitting module according to the embodiment may be 500 [mW / cm 2], and the uniformity of the target illuminance (UNI) may be 80% or 90%.
도 7a는 도 6a 내지 도 6c의 이격 거리(H)의 변화에 따라 제1 발광 소자 및 제2 발광 소자를 모두 턴 온한 경우의 발광 모듈의 조도 시뮬레이션 결과를 나타낸다.FIG. 7A shows a simulation result of illuminance of a light emitting module in a case where both the first light emitting device and the second light emitting device are turned on according to the change of the separation distance H in FIGS. 6A to 6C.
도 7b는 도 6a 내지 도 6c의 이격 거리(H)의 변화에 따라 제2 발광 소자만을 턴 온한 경우의 발광 모듈의 조도 시뮬레이션 결과를 나타낸다.FIG. 7B shows a simulation result of illuminance of the light emitting module when only the second light emitting device is turned on according to the change of the separation distance H in FIGS. 6A to 6C.
도 7c는 도 6a 내지 도 6c의 이격 거리(H)의 변화에 따라 제1 발광 소자만을 턴 온한 경우의 발광 모듈의 조도 시뮬레이션 결과를 나타낸다.FIG. 7C shows a simulation result of the illuminance of the light emitting module when only the first light emitting device is turned on according to the change of the separation distance H in FIGS. 6A to 6C.
도 7a, 도 7b, 도 7c 각각의 경우에 있어서, 이격 거리(H)가 50mm ~ 100mm일 때, 조도의 균일성(UNI)이 80% 이상을 만족하는 것을 알 수 있다.7A, 7B and 7C, it can be seen that the uniformity (UNI) of the illuminance satisfies 80% or more when the separation distance H is 50 mm to 100 mm.
또한 도 7a, 도 7b, 도 7c 각각의 경우에 있어서, 이격 거리(H)가 50mm ~ 70mm일 때, 조도의 균일성(UNI)이 90% 이상을 만족하는 것을 알 수 있다.7A, 7B, and 7C, it can be seen that uniformity (UNI) of 90% or more is satisfied when the separation distance H is 50 mm to 70 mm.
또한 도 7a, 도 7b, 도 7c 각각의 경우에 있어서, 이격 거리(H)가 50mm일 때, 조도의 균일성(UNI)이 95% 이상을 만족하는 것을 알 수 있다.7A, 7B and 7C, it can be seen that the uniformity (UNI) of the illuminance satisfies 95% or more when the separation distance H is 50 mm.
또한 도 7a, 도 7b, 도 7c 각각의 경우에 있어서, 이격 거리(H)가 50mm ~ 100일 때, 조도의 균일성(Avg/Max)이 95% 이상을 만족하는 것을 알 수 있다.7A, 7B and 7C, it can be seen that the uniformity of the illuminance (Avg / Max) satisfies 95% or more when the separation distance H is 50 mm to 100.
또한 도 7a에 있어서, 실시 예에 따른 발광 모듈(130)의 조도의 평균값(Avg)은 500[mW/㎠] 이상임을 알 수 있다.7A, it is understood that the average value (Avg) of the illuminance of the
도 8은 도 2에 도시된 냉각부(120) 및 지지 프레임(127)의 분리 사시도를 나타내고, 도 9는 도 8에 도시된 냉각부(120)의 분리 사시도를 나타내고, 도 10은 도 9에 도시된 냉각 블록들(S1 내지 S16)의 사시도를 나타내고, 도 11은 도 10에 도시된 냉각 블록들(S1 내지 S16)의 저면 사시도를 나타낸다.FIG. 8 is an exploded perspective view of the
도 8 내지 도 11을 참조하면, 지지 프레임(127)은 냉각부(120)를 지지하기 위한 프레임부(127a) 및 프레임부(127a)와 결합되고 투광성 플레이트(125) 상에 프레임부(127a)를 안착시키는 적어도 하나의 지지부(127b)를 포함할 수 있다.8 to 11, the
예컨대, 지지 프레임(127)은 냉각부(120)의 외주면과 동일한 형상, 예컨대, 사각형일 수 있다.For example, the
지지부(127b)의 수는 복수 개일 수 있고, 복수의 지지부들은 서로 이격하여 배치될 수 있다. 예컨대, 지지부들은 다리(leg) 형상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The number of the
냉각부(120)는 히트 싱크(305), 히트 싱크(305) 상에 배치되는 복수의 냉각 블록들(S1 내지 S16), 복수의 냉각 블록들(S1 내지 S16)에 유체, 예컨대, 냉각수 공급을 조절하는 유체 조절부(330), 및 히트 싱크(305)와 결합되고 냉각 블록들(S1 내지 S16) 및 유체 조절부(330)를 덮는 복수의 커버 부재들(121a 내지 121d)을 포함할 수 있다.The
복수의 냉각 블록들(S1 내지 S16) 각각은 기판(131)의 복수의 배치 영역들(P1 내지 P16) 중 어느 하나에 대응할 수 있다.Each of the plurality of cooling blocks S1 to S16 may correspond to any one of a plurality of arrangement regions P1 to P16 of the
히트 싱크(305)는 바닥(305a) 및 바닥(305a)의 측부에 배치되는 복수의 측부판들(305-1 내지 305-8)을 포함할 수 있다.The
히트 싱크(305)의 바닥(305a) 상에는 냉각 블록들(S1 내지 S16)이 배치될 수 있다.On the bottom 305a of the
도 11에 도시된 바와 같이, 히트 싱크(305)의 바닥(305a)은 냉각 블록들(S1 내지 S16)에 대응하여 복수 개로 분할될 수 있다.11, the bottom 305a of the
예컨대, 히트 싱크(305)는 냉각 블록들(S1 내지 S16)에 대응하는 바닥들(305a1)을 포함할 수 있으며, 히트 싱크(305)의 바닥(305a1)은 냉각 블록들(S1 내지 S16) 중 대응하는 어느 하나의 본체(510)의 바닥이 될 수 있다.For example, the
제1 및 제2 발광소자들(132a, 132b)은 발광 모듈(130)의 기판(131)의 제1면에 배치될 수 있고, 기판(131)의 제2면이 히트 싱크(305)의 바닥(305a1)과 접하도록 기판(131)은 히트 싱크(305)의 바닥(305a1) 아래에 배치될 수 있다. 기판(131)의제1면과 제2면은 서로 마주보는 면일 수 있다.The first and second
기판(131)은 복수 개의 배치 영역들(P1 내지 P16)로 분할될 수 있고, 복수 개의 배치 영역들(P1 내지 P16)은 서로 분리 또는 분할될 수 있다.The
복수 개의 배치 영역들(P1 내지 P16) 각각은 히트 싱크(305)의 바닥들 중 어느 하나에 대응할 수 있다. 예컨대, 복수의 배치 영역들(P1 내지 P16) 각각의 제2면은 히트 싱크(305)의 바닥들 중 대응하는 어느 하나와 접할 수 있다.Each of the plurality of arrangement areas P1 to P16 may correspond to any one of the bottoms of the
도 10을 참조하면, 복수의 냉각 블록들(S1 내지 S16) 각각은 본체(510), 유입구(QIN), 및 유출구(QOUT)를 포함한다.Referring to Fig. 10, each of the plurality of cooling blocks S1 to S16 includes a
유입구(QIN)는 본체(510)의 일 영역에 배치되고, 유체를 본체(510) 내부로 유입 또는 투입시키기위한 통로일 수 있다. 유출구(QOUT)는 유입구(QIN)와 이격하여 본체(510)의 다른 일 영역에 배치되고, 본체(510) 내부로부터 유체를 밖으로 유출시키기 위한 통로일 수 있다.The inlet port Q IN is disposed in one area of the
본체(510)는 유입구(QIN)를 통하여 유입된 유체가 흐르는 유로 경로를 제공하며, 본체(510) 내부를 흐르는 유체는 유출구(QOUT)를 통하여 본체(510) 밖으로 유 출될 수 있다.The
도 12는 도 10에 도시된 냉각 블록들(S4, S8, S12, S16)에 유체를 공급하기 위한 유체 조절부(330)의 모식도를 나타낸다.12 is a schematic diagram of a
도 10 내지 도 12를 참조하면, 유체 조절부(330)는 외부로부터 유체가 공급되는 유체 공급관(321), 유체 공급관(321)과 유입구(QIN) 사이를 연결하는 제1 연결관(331), 제1 연결관(331)에 장착되는 유량 센서(341), 유체를 배출하는 유체 배출관(322), 및 유체 배출관(322)과 유출구(QOUT)를 연결하는 제2 연결관(332)을 포함한다.10 to 12, the
유체 조절부(330)는 제1 밸브(351) 및 제2 밸브(352)를 더 포함할 수 있다.The
제1 밸브(351)는 제1 연결관(331)에 장착되고, 유량 센서(341)와 유체 공급관(321) 사이에 위치하고, 제1 연결관(331)을 통하여 유입구(QIN)로 유입되는 유량을 조절할 수 있다.The
제2 밸브(352)는 제2 연결관(332)에 장착되고, 제2 연결관(332)을 통하여 유체 배출관(322)으로 배출되는 유량을 조절할 수 있다.The
배치 영역들(P1 내지 P16)에 대응하는 냉각 블록들(S1 내지 S16)은 행과 열로 이루어진 매트릭스 형태로 배열될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The cooling blocks S1 to S16 corresponding to the layout areas P1 to P16 may be arranged in a matrix form of rows and columns, but are not limited thereto.
예컨대, 유체 조절부(330)는 복수 개의 유체 공급관들과 유체 배출관들을 포함할 수 있으며, 한쌍의 유체 공급관(321)과 유체 배출관(322)은 각 행에 포함되는냉각 블록들에 대응하여 배치될 수 있다.For example, the
도 10에서는 마지막 행에 포함되는 냉각 블록들(S4, S8, S12, S16)을 위한 유체 조절부만을 도시하나, 각행에 포함되는 냉각 블록들을 위한 유체 조절부도 도 10에서 상술한 내용이 동일하게 적용될 수 있다.10 shows only the fluid regulator for the cooling blocks S4, S8, S12 and S16 included in the last row, but the fluid regulator for the cooling blocks included in each row also applies the same contents as in FIG. 10 .
예컨대, 한쌍의 유체 공급관(321)과 유체 배출관(322)은 각 행에 포함되는 냉각 블록들이 공유하지만, 냉각 블록들 각각을 위하여 제1 연결관(331), 제2 연결관(332), 제1 및 제2 밸브들(351, 352), 및 유량 센서(341)가 개별적으로 구비될 수 있다. 그리고, 이러한 독립적이고 개별적인 구성으로 인하여 제1 연결관(331), 제2 연결관(332), 제1 및 제2 밸브들(351,352), 및 유량센서(341)와 같은 부품이 고장 또는 파손 등으로 인한 문제가 발생될 때, 문제가 발생한 부품만 개별적으로 교체할 수 있다.For example, the pair of
도 13은 도 10에 도시된 냉각 블록들(S1 내지 S16)의 유입구(QIN) 및 유출구(QOUT) 의 배치를 나타내는 모식도이다.13 is a schematic diagram showing the arrangement of the inlet Q IN and the outlet Q OUT of the cooling blocks S1 through S16 shown in FIG.
도 13을 참조하면, 냉각 블록들(S1 내지 S16)은 기판(131)의 제1 배치 영역들(P1, P4, P13, P16)에 대응하는 제1 냉각 블록들(S1, S4, S13, S16), 제2 배치 영역들(P2,P3,P5,P8,P9,P12,P14,P15)에 대응하는 제2 냉각 블록(S2,S3,S5, S8,S9,S12,S14,S15), 및 제3 배치 영역들(P6,P7,P10,P11)에 대응하는 제3 냉각 블록들(S6,S7,S10,S11)을 포함할 수 있다.13, the cooling blocks S1 to S16 are connected to the first cooling blocks S1, S4, S13, and S16 corresponding to the first layout areas P1, P4, P13, and P16 of the
제1 냉각 블록들(S1, S4, S13, S16) 각각은 제1 배치 영역들(P1, P4, P13, P16)의 꼭지점들 중 어느 하나에 대응하는 꼭지점(E11 내지 E14)를 포함할 수 있다.Each of the first cooling blocks S1, S4, S13, and S16 may include vertices E11 to E14 corresponding to any one of the vertices of the first deployment areas P1, P4, P13, and P16 .
제1 냉각 블록들(S1, S4, S13, S16) 각각의 유입구(QIN)는 유출구(QOUT)보다 꼭지점들(E11 내지 E14) 중 대응하는 어느 하나의 꼭지점에 더 인접하여 배치될 수 있다.The inlet Q IN of each of the first cooling blocks S1, S4, S13 and S16 may be disposed closer to a corresponding one of the vertexes E11 to E14 than the outlet Q OUT .
예컨대, 제1 냉각 블록들(S1, S4, S13, S16) 각각의 유입구(QIN) 및 유출구(QOUT)는 냉각 블록들(S1 내지 S16)의 행 방향으로 배열될 수 있는데, 유입구(QIN)가 유출구(QOUT)보다 대응하는 꼭지점에 더 인접하여 배치될 수 있다.For example, the inlet Q IN and the outlet Q OUT of each of the first cooling blocks S1, S4, S13, and S16 may be arranged in the row direction of the cooling blocks S1 to S16, IN may be disposed closer to the corresponding vertex than the outlet Q OUT .
도 13에서는 제1 냉각 블록들(S1, S4, S13, S16) 각각의 유입구(QIN) 및 유출구(QOUT)는 행 방향으로 배열되지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시 예에서는 제1 냉각 블록들(S1, S4, S13, S16) 각각의 유입구(QIN) 및 유출구(QOUT)는 냉각 블록들(S1 내지 S16)의 열 방향으로 배열될 수도 있다.In FIG. 13, the inlet Q IN and the outlet Q OUT of each of the first cooling blocks S1, S4, S13, and S16 are arranged in the row direction, but are not limited thereto. In another embodiment, the inlet (Q IN ) and outlet (Q OUT ) of each of the first cooling blocks (S1, S4, S13, S16) may be arranged in the column direction of the cooling blocks (S1 to S16).
또 다른 실시 예에서는 제1 냉각 블록들(S1, S4, S13, S16) 각각의 유입구(QIN) 및 유출구(QOUT)는 대각선 방향으로 배열될 수도 있다. 여기서 대각선 방향은 제1 냉각 블록들(S1, S4, S13, S16)의 꼭지점들(E11 내지 E14) 각각과 이와 마주보는 다른 꼭지점을 연결하는 직선과 평행한 방향일 수 있다.In yet another embodiment, the inlet (Q IN ) and outlet (Q OUT ) of each of the first cooling blocks (S1, S4, S13, S16) may be arranged diagonally. Here, the diagonal direction may be a direction parallel to a straight line connecting each of the vertexes E11 to E14 of the first cooling blocks S1, S4, S13, and S16 and another facing vertex.
유입구(QIN)로 유입되는 냉각수의 온도는 유출구(QOUT)를 통하여 유출되는 냉각수의 온도보다 낮다. 이는 본체(510)를 흐르는 냉각수가 제1 및 제2 발광 소자들(132a, 132b)로부터 발생되는 열을 흡수하기 때문이다.The temperature of the cooling water flowing into the inlet port Q IN is lower than the temperature of the cooling water flowing out through the outlet port Q OUT . This is because the cooling water flowing through the
제1 배치 영역들(P1, P4, P13, P16) 각각에 대해서는, 꼭지점들(E1 내지 E4)에 인접하는 영역의 제1 및 제2 발광 소자들의 배치 밀도가 나머지 다른 영역의 제1 및 제2 발광 소자들의 배치 밀도보다 높기 때문에, 상대적으로 열이 많이 발생될 수 있다.For each of the first arrangement regions P1, P4, P13 and P16, the arrangement density of the first and second light emitting elements in the region adjacent to the vertexes E1 to E4 is different from the arrangement density of the first and second Is higher than the arrangement density of the light emitting elements, a relatively large amount of heat can be generated.
제1 배치 영역들(P1, P4, P13, P16)에 대하여 제1 및 제2 발광 소자들에 의해 발생된 열에 기인하는 온도 구배가 발생될 수 있고, 이로 인하여 조도의 균일성이 떨어질 수 있다. 이는 제1 및 제2 발광 소자들(132a, 132b)은 온도에 따라 발생되는 빛의 조도 값이 달라질 수 있고, 제1 배치 영역들(P1, P4, P13, P16) 내에서 꼭지점에 인접하는 영역에 제1 및 제2 발광 소자들의 배치 밀도가 높기 때문이다.A temperature gradient due to the heat generated by the first and second light emitting elements may be generated with respect to the first layout regions P1, P4, P13, and P16, and the uniformity of the illuminance may be deteriorated. This is because the illuminance values of the first and second
실시 예는 유입구(QIN)의 위치를 상대적으로 열이 많이 발생되는 제1 배치 영역들(P1, P4, P13, P16)의 꼭지점들(E1 내지 E4)에 가깝도록 배치시킴으로써, 배치 영역들(P1 내지 P16) 내의 온도 구배를 낮추고, 이로 인하여 온도 구배에 기인하여 발생될 수 있는 조도의 균일성 저하를 방지할 수 있다. 이는 유입구(QIN)에 인접하는 본체(510)의 내부를 흐르는 냉각수의 온도가 유출구(QOUT)에 인접하는 본체 내부를 흐르는 냉각수의 온도보다 낮기 때문이다.The embodiment is characterized in that the position of the inlet Q IN is arranged close to the
즉 실시 예는 냉각부(120)에 의하여 면광원을 발생하는 발광 모듈의 제1 및제2 발광 소자들의 온도를 일정하게 유지시킴으로써, 경화 대상물의 부위별 광 특성 저하 및 수명 저하를 방지할 수 있다.That is, in the embodiment, the temperature of the first and second light emitting elements of the light emitting module that generates the planar light source by the
또한 제2 배치 영역들(P2,P3,P5,P8,P9,P12,P14,P15) 내의 온도 구배를 낮추기 위하여, 제2 냉각 블록들(S2,S3,S5,S8,S9,S12,S14,S15) 각각에서는, 유입구(QIN)가 유출구(QOUT)보다 기판(131)의 변들에 대응하는 제2 냉각 블록들(S2,S3,S5,S8,S9,S12,S14,S15)의 변들에 더 인접하여 배치될 수 있다.S3, S5, S8, S9, S12, S14, and S15 in order to lower the temperature gradient in the second arrangement regions P2, P3, P5, P8, P9, P12, P14, P15. S15) sides of the inlet (Q iN), an outlet (the second cooling block corresponding to the sides of the
예컨대, 제2 냉각 블록들(S2,S3,S5,S8,S9,S12,S14,S15) 각각의 유입구(QIN) 및 유출구(QOUT)는 냉각 블록들(S1 내지 S16)의 행 방향 또는 열 방향과 평행하도록 배열될 수 있다.For example, the inlet Q IN and the outlet Q OUT of each of the second cooling blocks S2, S3, S5, S8, S9, S12, S14, and S15 are arranged in the row direction of the cooling blocks S1- And may be arranged to be parallel to the column direction.
제3 냉각 블록들(S6, S7, S10, S11) 각각의 유입구(QIN) 및 유출구(QOUT)는 냉각 블록들(S1 내지 S16)의 행 방향 또는 열 방향과 평행한 방향으로 배열될 수 있다.The inlet Q IN and the outlet Q OUT of each of the third cooling blocks S6, S7, S10 and S11 may be arranged in a direction parallel to the row direction or the column direction of the cooling blocks S1 to S16 have.
제어부(150)는 발광 모듈(130)의 제1 발광 소자들(132a) 및 제2 발광 소자들(132b)을 구동하기 구동 신호 또는 전력을 제공한다.The
예컨대, 제어부(150)는 배치 영역들(P1 내지 P16)에 배치되는 제1 및 제2 발광 소자들(132a, 132b)에 대하여 배치 영역별로 개별 구동시킬 수 있다.For example, the
제어부(150)는 냉각부(120)의 유체 공급관(321) 및 유체 배출관(322)과 연결되는 냉각수 배관(160)을 통하여 냉각부(120)에 냉각수를 공급하거나 냉각부(120)로부터 냉각수를 배출시키는 것을 제어할 수 있다.The
자외선 경화 장치(100)는 발광 모듈(130)의 제1 및 제2 발광 소자들(132a, 132b)과 제어부(150)를 전기적으로 연결하는 와이어 또는 케이블을 더 포함할 수 있다.The
예컨대, 도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 자외선 경화 장치(100)는 냉각블록들(S1 내지 S16) 각각의 본체(510)를 관통하여 기판(131)의 배치 영역들(P1 내지 P16) 중 대응하는 어느 하나의 영역에 배치되는 제1 및 제2 발광 소자들(132a 132b)과 전기적으로 연결되는 단자들(520)을 구비할 수 있다.10 and 11, the
단자들(520) 각각에는 와이어(또는 케이블)이 연결되고, 단자들(520)에 연결되는 와이어들(또는 케이블들)은 제어부(150)에 전기적으로 연결될 수 있다.A wire (or cable) is connected to each of the
제어부(150)는 와이어들을 통하여 기판(131)의 배치 영역들(P1 내지 P16)에 배치된 제1 및 제2 발광 소자들(132a, 132b)에 구동 신호 또는 전원을 제공할 수 있다.The
또한 자외선 경화 장치(100)는 냉각 블록들(S1 내지 S16) 각각에 포함되는 유량 센서(341)가 측정한 냉각수의 유량을 표시하는 디스플레이부(170)를 더 포함할 수 있다.The
상술한 바와 같이, 조도의 균일성을 향상시키기 위하여 실시 예는 시뮬레이션을 통하여 배치 영역들(P1 내지 P16)에 배치되는 제1 및 제2 발광 소자들(132a, 132b)의 이격 거리를 최적화시키고, 이로 인하여 경화 대상의 전 영역에 조사되는 빛의 균일도를 향상시킬 수 있다.As described above, in order to improve the uniformity of illumination, the embodiment optimizes the separation distance of the first and second
또한 실시 예는 상술한 배치 영역들(P1 내지 P16) 내의 제1 및 제2 발광 소자들(132a, 132b)의 배치를 고려하여, 냉각부(120)의 냉각 블록들(S1 내지 S16)의 유입구(QIN), 및 유출구(QOUT)를 도 13에서 설명한 바와 같이 배치시킴으로써, 온도 구배를 낮추어 자외선 경화 장치(100)의 조도의 균일성 저하를 방지할 수 있다.In addition, the embodiment can also be applied to the cooling blocks S1 to S16 of the
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons having ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.
110: 케이스 120: 냉각부
125: 투광성 플레이트 130: 발광 모듈
140: 스테이지 150: 제어부.110: Case 120: Cooling section
125: translucent plate 130: light emitting module
140: Stage 150: Control section.
Claims (24)
상기 스테이지 상에 배치되고, 복수의 배치 영역들을 포함하는 기판과 상기 복수의 배치 영역들 각각에 배치되는 발광 소자들을 포함하고,
상기 복수의 배치 영역들은,
상기 기판의 꼭지점들에 인접하고, 제1 매트릭스 형태로 상기 발광 소자들이 배치되는 제1 배치 영역들을 포함하고,
상기 제1 매트릭스는 상기 기판의 꼭지점들 중 대응하는 어느 하나의 꼭지점에 가장 인접하는 행 및 열이 제1행 및 제1열로 정의되고, 상기 대응하는 어느 하나의 꼭지점에서 멀어지는 방향으로 행 및 열의 순서가 증가하도록 정의되고,
상기 제1 배치 영역들 각각에 배치되는 인접하는 2개의 발광 소자들 간의 이격 거리는 상기 기판의 꼭지점들 중 대응하는 어느 하나의 꼭지점에 인접할수록 감소하는 자외선 경화 장치.A stage for placing the object to be cured; And
And a plurality of light emitting elements disposed on each of the plurality of arrangement regions,
Wherein the plurality of arrangement areas include:
And first placement regions adjacent to the vertices of the substrate and in which the light emitting elements are arranged in a first matrix form,
Wherein the first matrix is defined as a first row and a first row closest to a corresponding one of vertexes of the substrate and a row and a column in a direction away from the corresponding one of the vertices Is defined to increase,
Wherein the spacing distance between two adjacent light emitting elements disposed in each of the first arrangement regions decreases as the distance from one of the apexes of the substrate to adjacent ones of the apexes of the substrate.
상기 기판의 꼭지점들로부터 이격하고, 상기 기판의 변들에 접하고, 제2 매트릭스 형태로 상기 발광 소자들이 배치되는 제2 배치 영역들을 더 포함하는 자외선 경화 장치.The apparatus according to claim 1,
Further comprising second placement regions spaced apart from the apexes of the substrate and in contact with sides of the substrate and in which the light emitting elements are arranged in a second matrix form.
상기 기판의 꼭지점들 중 대응하는 어느 하나에 인접할수록, 상기 제1 매트릭스의 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리는 감소하는 자외선 경화장치.3. The method of claim 2,
Wherein a distance between adjacent two rows of the first matrix is reduced as the distance between adjacent ones of the vertices of the substrate is closer to a corresponding one of the vertices of the substrate.
상기 기판의 꼭지점들 중 대응하는 어느 하나에 인접할수록, 상기 제1 매트릭스의 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리는 감소하는 자외선 경화장치.The method of claim 3,
Wherein a distance between two adjacent columns of the first matrix is reduced as the distance between adjacent ones of the vertices of the substrate is closer to a corresponding one of the vertices of the substrate.
상기 제1 매트릭스의 제1행과 제2행 간의 제1 이격 거리는 제2행과 제3행 간의 제2 이격 거리보다 짧고,
상기 제2 이격 거리, 상기 제1 매트릭스의 제3행과 제4행 간의 제3 이격 거리, 및 상기 제1 매트릭스의 제4행과 제5행 간의 제4 이격 거리는 서로 동일하고,
상기 제4 이격 거리는 상기 제1 매트릭스의 제5행과 제6행 간의 제5 이격 거리보다 짧은 자외선 경화 장치.The method of claim 3,
A first spacing distance between the first row and the second row of the first matrix is shorter than a second spacing distance between the second row and the third row,
The third spacing distance between the third row and the fourth row of the first matrix and the fourth spacing distance between the fourth row and the fifth row of the first matrix are equal to each other,
Wherein the fourth spacing distance is shorter than the fifth spacing distance between the fifth row and the sixth row of the first matrix.
상기 제1 매트릭스의 제6행 내지 마지막 행 중에서 선택된 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리들 각각은 상기 제5 이격 거리와 동일한 자외선 경화 장치.6. The method of claim 5,
Wherein each of the spacing distances between two adjacent rows selected from the sixth row to the last row of the first matrix is equal to the fifth spacing distance.
상기 제1 매트릭스의 제1열과 제2열 간의 제6 이격 거리는 상기 제1 매트릭스의 제2열과 제3열 간의 제7 이격 거리보다 짧고,
상기 제7 이격 거리는 상기 제1 매트릭스의 제3열과 제4열 간의 제8 이격 거리와 동일하고.
상기 제8 이격 거리는 상기 제1 매트릭스의 제4열과 제5열 간의 제9 이격 거리보다 짧고,
상기 제1 매트릭스의 제5열 내지 마지막 열 중에서 선택된 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리들 각각은 상기 제9 이격 거리와 동일한 자외선 경화 장치.The method of claim 3,
A sixth spacing distance between the first and second columns of the first matrix is shorter than a seventh spacing distance between the second and third columns of the first matrix,
And the seventh spacing distance is equal to an eighth spacing distance between the third column and the fourth column of the first matrix.
Wherein the eighth spacing distance is shorter than a ninth separation distance between the fourth column and the fifth column of the first matrix,
Wherein each of the spacing distances between two adjacent columns selected from the fifth column to the last column of the first matrix is equal to the ninth spacing distance.
제1 방향으로 제2 배치 영역들 각각의 제2 매트릭스의 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리는 서로 동일하고, 상기 제1 방향은 상기 제2 배치 영역들 각각에 인접하는 상기 기판의 어느 한 변과 평행한 방향인 자외선 경화 장치.The method of claim 3,
The spacing distance between adjacent two rows of the second matrix of each of the second arrangement regions in the first direction being equal to each other and the first direction being parallel to either side of the substrate adjacent each of the second arrangement regions An ultraviolet curing device in one direction.
상기 기판의 변들 중 어느 한 변에 인접하는 제2 배치 영역들 각각의 제2 매트릭스의 열들 또는 행들은 상기 어느 한 변에 인접한 꼭지점을 포함하는 제1 배치 영역의 제1 매트릭스의 열들 또는 행들에 제1 방향으로 정렬되고,
상기 제1 방향은 상기 제2 배치 영역들 각각에 인접하는 상기 기판의 어느 한 변과 평행한 방향인 자외선 경화 장치.The method of claim 3,
The columns or rows of the second matrix of each of the second arrangement regions adjacent to either side of the sides of the substrate are arranged in rows or columns of the first matrix of the first arrangement region including vertices adjacent to either side Aligned in one direction,
Wherein the first direction is parallel to either side of the substrate adjacent to each of the second arrangement regions.
제2 방향과 평행한 상기 제2 매트릭스의 열들 또는 행들의 배열 거리 및 배열 수는 상기 제2 방향과 평행한 상기 제1 매트릭스의 열들 또는 행들의 배열 거리 및 배열 수와 동일하고, 상기 제2 방향은 상기 제1 방향과 수직인 방향인 자외선 경화 장치.The method of claim 3,
The array distance and array number of columns or rows of the second matrix parallel to the second direction is equal to the array distance and array number of columns or rows of the first matrix parallel to the second direction, Is a direction perpendicular to the first direction.
상기 제1 매트릭스의 열과 평행한 상기 제1 배치 영역의 어느 한 변의 전체 길이 대비 상기 제1 이격, 상기 제2 이격 거리, 상기 제3 이격 거리, 상기 제4 이격 거리, 및 상기 제5 이격 거리의 비율은 3.18:3.85:3.85:3.85:5.77인 자외선 경화 장치.6. The method of claim 5,
The second spacing distance, the fourth spacing distance, and the fifth spacing distance with respect to the total length of any one side of the first arrangement region parallel to the row of the first matrix The ratio of the ultraviolet curing device is 3.18: 3.85: 3.85: 3.85: 5.77.
상기 제1 매트릭스의 행과 평행한 상기 제1 배치 영역의 어느 한 변의 전체 길이 대비 상기 상기 제6 이격 거리, 상기 제7 이격 거리, 상기 제8 이격 거리, 및 상기 제9 이격 거리의 비율은 3.81:5.02:5.02:6.58인 자외선 경화 장치.8. The method of claim 7,
The ratio of the sixth spacing distance, the seventh spacing distance, the eighth spacing distance, and the ninth spacing distance to the total length of any one side of the first arrangement region parallel to the row of the first matrix is 3.81 : 5.02: 5.02: 6.58.
상기 제1 이격 거리, 상기 제2 이격 거리, 상기 제3 이격 거리, 상기 제4 이격 거리, 및 상기 제5 이격 거리의 비율은 x1:x2:x3:x4:x5이고, x1은 0.55 이상 0.7 미만이고, x2,x3,및x3 각각은 0.7 이상 1미만이고, x5는 1인 자외선 경화 장치.6. The method of claim 5,
Wherein the ratio of the first spacing distance, the second spacing distance, the third spacing distance, the fourth spacing distance and the fifth spacing distance is x1: x2: x3: x4: x5 and x1 is 0.55 or more and less than 0.7 , X2, x3, and x3 are each 0.7 or more and less than 1, and x5 is 1.
상기 제6 이격 거리, 상기 제7 이격 거리, 상기 제8 이격 거리, 및 상기 제9 이격 거리의 비율은 y1:y2:y3:y4이고, y1은 0.5 이상 0.65 미만이고, y2, 및 y3는 0.65 이상 1미만이고, y4는 1인 자외선 경화 장치.8. The method of claim 7,
Y1: y2: y3: y4; y1: not less than 0.5 and not more than 0.65; and y2 and y3: not less than 0.65, wherein the ratio of the sixth spacing distance to the seventh spacing distance, Or more and less than 1, and y4 is 1.
상기 스테이지의 경화를 위한 타겟 영역의 면적 대비 상기 복수의 배치 영역들 내에 배치되는 발광 소자들의 배치 면적 간의 비율은 1:1.08 ~ 1:1.37인 자외선 경화 장치.The method according to claim 1,
And a ratio of a layout area of light emitting elements disposed in the plurality of layout areas to an area of a target area for curing the stage is 1: 1.08 to 1: 1.37.
상기 스테이지 상에 배치되고, 복수의 배치 영역들을 포함하는 기판과 상기 복수의 배치 영역들 각각에 교대로 배치되는 발광 소자들을 포함하는 발광 모듈을 포함하고,
상기 복수의 배치 영역들은,
상기 기판의 꼭지점들에 인접하고, 제1 매트릭스 형태로 상기 발광 소자들이 배치되는 제1 배치 영역들;
상기 기판의 꼭지점들로부터 이격하고, 상기 기판의 변들에 접하고, 제2 매트릭스 형태로 상기 발광 소자들이 배치되는 제2 배치 영역들; 및
상기 기판의 꼭지점들 및 상기 기판의 변들과 이격되고, 제3 매트릭스 형태로 상기 발광 소자들이 배치되는 제3 배치 영역들을 포함하고,
상기 제1 매트릭스는 상기 기판의 꼭지점들 중 대응하는 어느 하나의 꼭지점에 가장 인접하는 행 및 열이 제1행 및 제1열로 정의되고, 상기 대응하는 어느 하나의 꼭지점에서 멀어지는 방향으로 순차적으로 행 및 열의 순서가 증가하도록 정의되고,
상기 제1 매트릭스의 행들은 상기 제1행을 포함하는 제1-1 그룹, 제2 내지 제5행을 포함하는 제1-2 그룹, 및 제6행 내지 마지막 행을 포함하는 제1-3 그룹으로 구분되고,
상기 제1-1 그룹과 상기 제1-2 그룹 간의 제1 이격 거리는 상기 제1-2 그룹과 상기 제1-3 그룹 간의 제2 이격 거리보다 짧고,
상기 제1 이격 거리는 상기 제1-2 그룹에 포함되는 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리보다 짧고, 상기 제1-2 그룹에 포함되는 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리는 상기 제2 이격 거리보다 짧은 자외선 경화 장치.A stage for placing the object to be cured; And
And a light emitting module disposed on the stage, the light emitting module including a substrate including a plurality of arrangement regions and light emitting elements alternately arranged in each of the plurality of arrangement regions,
Wherein the plurality of arrangement areas include:
First placement regions adjacent to the vertices of the substrate and in which the light emitting elements are arranged in a first matrix form;
Second placement regions spaced from the apexes of the substrate and in contact with the sides of the substrate and in which the light emitting elements are arranged in a second matrix form; And
And third arrangement regions spaced apart from the vertices of the substrate and sides of the substrate and in which the light emitting elements are arranged in a third matrix form,
Wherein the first matrix is defined by rows and columns closest to a corresponding one of the vertices of the substrate as a first row and a first column and sequentially arranged in a row and a direction away from the corresponding one of the vertices, The order of the columns is defined to increase,
Wherein the rows of the first matrix are divided into a first group including the first row, a first group including the second through fifth rows, and a third group including the sixth through the last rows Respectively,
The first separation distance between the group 1-1 and the group 1-2 is shorter than the separation distance between the group 1-2 and the group 1-3,
The first separation distance is shorter than the separation distance between two adjacent rows included in the first and second groups and the separation distance between two adjacent rows included in the first and second groups is shorter than the second separation distance, Curing device.
상기 제2 이격 거리는 상기 제1-3 그룹에 포함되는 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리와 동일한 자외선 경화 장치.17. The method of claim 16,
And the second spacing distance is equal to a spacing distance between two adjacent rows included in the first group of 1-3.
상기 제1 매트릭스의 열들은 상기 제1열을 포함하는 제2-1 그룹, 제2열 내지 제3열을 포함하는 제2-2 그룹, 및 제4열 내지 마지막 열을 포함하는 제2-3 그룹으로 구분되고,
상기 제2-1 그룹과 상기 제2-2 그룹 간의 제3 이격 거리는 제2-2 그룹과 제2-3 그룹 간의 제4 이격 거리보다 짧고,
상기 제3 이격 거리는 상기 제2-2 그룹에 포함되는 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리보다 짧은 자외선 경화 장치.17. The method of claim 16,
The columns of the first matrix are divided into a first group including a first column, a second group including a second column and a third column, a second group including a second column and a third column, Group,
The third separation distance between the second-first group and the second-second group is shorter than the fourth separation distance between the second-second group and the second-third group,
And the third spacing distance is shorter than a distance between adjacent two columns included in the second group.
상기 제2-3 그룹에 포함되는 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리는 상기 제4 이격 거리와 동일한 자외선 경화 장치.19. The method of claim 18,
Wherein a distance between adjacent two columns included in the group 2-3 is equal to the fourth spacing distance.
상기 제2 매트릭스의 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리들은 서로 동일하고,
상기 제1 이격 거리 및 상기 제2 이격 거리는 상기 제2 매트릭스의 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리보다 짧은 자외선 경화 장치.17. The method of claim 16,
The spacing distances between two adjacent rows of the second matrix are equal to each other,
Wherein the first spacing distance and the second spacing distance are shorter than the spacing distance between two adjacent rows of the second matrix.
상기 제2 매트릭스의 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리들은 서로 동일하고,
상기 제3 이격 거리 및 상기 제2-2 그룹에 포함되는 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리는 상기 제2 매트릭스의 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리보다 짧은 자외선 경화 장치.19. The method of claim 18,
The distances between adjacent two columns of the second matrix are equal to each other,
Wherein the third spacing distance and the spacing distance between two adjacent columns included in the second 2-2 group are shorter than the spacing distance between two adjacent columns of the second matrix.
상기 스테이지 상에 배치되고, 제1 배치 영역들, 제2 배치 영역들, 및 제3 배치 영역들을 포함하는 기판 및 상기 제1 배치 영역들, 상기 제2 배치 영역들, 및 상기 제3 배치 영역들 각각에 교대로 배치되는 발광 소자들을 포함하는 발광 모듈; 및
상기 발광 모듈 상에 배치되는 냉각부를 포함하고,
상기 제1 배치 영역들 각각은 상기 기판의 제1 꼭지점들 중 대응하는 어느 하나에 인접하고, 상기 제2 배치 영역들은 상기 기판의 제1 꼭지점들로부터 이격하고, 상기 기판의 변들에 접하고, 상기 제3 배치 영역들은 상기 기판의 제1 꼭지점들 및 변들로부터 이격하고,
상기 제1 배치 영역들 각각에 배치되는 발광 소자들의 배치 밀도는 상기 제1 꼭지점들 중 대응하는 어느 하나에 인접할수록 증가하고, 상기 제2 배치 영역들 각각에 배치되는 발광 소자들의 배치 밀도는 상기 변들에 인접할수록 증가하고,
상기 냉각부는,
상기 제1 배치 영역들에 대응하고, 상기 제1 꼭지점들에 대응하는 제2 꼭지점들을 갖는 제1 냉각 블록들을 포함하고,
상기 제1 냉각 블록들 각각은 제1 본체, 및 상기 제1 본체에 유체를 투입하기 위한 제1 유입구와 상기 제1 본체로부터 유체를 유출시키기 위한 제1 유출구를 포함하고,
상기 제1 유입구는 상기 제1 유출구보다 상기 제1 냉각 블록들 각각의 제2 꼭지점에 더 인접하여 배치되는 자외선 경화 장치.A stage for placing the object to be cured;
A substrate disposed on the stage and including first placement regions, second placement regions, and third placement regions, and a second substrate having a first and second placement regions, A light emitting module including light emitting elements alternately arranged in each of the light emitting modules; And
And a cooling unit disposed on the light emitting module,
Wherein each of the first arrangement regions is adjacent to a corresponding one of the first vertices of the substrate and the second arrangement regions are spaced from the first vertices of the substrate and abut the sides of the substrate, 3 arrangement regions are spaced from the first vertices and sides of the substrate,
Wherein the arrangement density of the light emitting elements disposed in each of the first arrangement areas increases as the arrangement density of the light emitting elements disposed in each of the second arrangement areas increases as the arrangement density of the light emitting elements disposed in each of the first arrangement areas becomes closer to the corresponding one of the first vertices, As shown in FIG.
The cooling unit includes:
First cooling blocks corresponding to the first deployment areas and having second vertices corresponding to the first vertices,
Wherein each of the first cooling blocks includes a first body and a first inlet for introducing fluid to the first body and a first outlet for discharging fluid from the first body,
Wherein the first inlet is disposed closer to the second vertex of each of the first cooling blocks than the first outlet.
상기 냉각부는 상기 제2 배치 영역들에 대응하는 제2 냉각 블록들을 더 포함하고,
상기 제2 냉각 블록들 각각은 제2 본체, 상기 제2 본체에 유체를 투입하기 위한 제2 유입구와 상기 제2 본체로부터 유체를 유출시키기 위한 제2 유출구를 포함하고,
상기 제2 냉각 블록들의 제2 유입구는 상기 제2 유출구보다 상기 기판의 변들에 대응하는 상기 제2 냉각 블록들의 변들에 더 인접하는 자외선 경화 장치.23. The method of claim 22,
The cooling section further comprises second cooling blocks corresponding to the second deployment regions,
Each of the second cooling blocks includes a second body, a second inlet for introducing fluid into the second body, and a second outlet for discharging fluid from the second body,
The second inlet of the second cooling blocks being further adjacent to the sides of the second cooling blocks corresponding to the sides of the substrate than the second outlet.
상기 발광 소자들은 교대로 배치되는 제1 발광 소자 및 제2 발광 소자를 포함하고, 상기 제1 발광 소자와 상기 제2 발광 소자는 서로 다른 파장의 자외선을 방출하는 자외선 경화 장치.The method according to claim 1, 16, or 22,
Wherein the light emitting devices include a first light emitting device and a second light emitting device that are alternately disposed, and the first light emitting device and the second light emitting device emit ultraviolet rays of different wavelengths.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170005926A KR102665570B1 (en) | 2017-01-13 | 2017-01-13 | Ultraviolet curing apparatus |
CN201880007028.4A CN110177668B (en) | 2017-01-13 | 2018-01-12 | Curing device |
US16/477,276 US11897171B2 (en) | 2017-01-13 | 2018-01-12 | Curing-device |
PCT/KR2018/000641 WO2018131948A1 (en) | 2017-01-13 | 2018-01-12 | Curing-device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170005926A KR102665570B1 (en) | 2017-01-13 | 2017-01-13 | Ultraviolet curing apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180083533A true KR20180083533A (en) | 2018-07-23 |
KR102665570B1 KR102665570B1 (en) | 2024-05-14 |
Family
ID=63102784
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020170005926A KR102665570B1 (en) | 2017-01-13 | 2017-01-13 | Ultraviolet curing apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102665570B1 (en) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009226273A (en) * | 2008-03-19 | 2009-10-08 | Toppan Forms Co Ltd | Ultraviolet rays irradiation device |
KR20110117445A (en) * | 2010-04-21 | 2011-10-27 | 엘아이지에이디피 주식회사 | Sealant curing apparatus and method for controling thereof |
KR20110117444A (en) * | 2010-04-21 | 2011-10-27 | 엘아이지에이디피 주식회사 | Sealant curing apparatus |
KR20130035549A (en) * | 2011-09-30 | 2013-04-09 | 원철희 | Vacuum Chamber V-LED Curing Machine |
JP2013094737A (en) * | 2011-11-01 | 2013-05-20 | Harison Toshiba Lighting Corp | Ultraviolet irradiation apparatus |
KR20160021470A (en) * | 2014-08-18 | 2016-02-26 | 강우석 | Ultra violet curing apparatus |
-
2017
- 2017-01-13 KR KR1020170005926A patent/KR102665570B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009226273A (en) * | 2008-03-19 | 2009-10-08 | Toppan Forms Co Ltd | Ultraviolet rays irradiation device |
KR20110117445A (en) * | 2010-04-21 | 2011-10-27 | 엘아이지에이디피 주식회사 | Sealant curing apparatus and method for controling thereof |
KR20110117444A (en) * | 2010-04-21 | 2011-10-27 | 엘아이지에이디피 주식회사 | Sealant curing apparatus |
KR20130035549A (en) * | 2011-09-30 | 2013-04-09 | 원철희 | Vacuum Chamber V-LED Curing Machine |
JP2013094737A (en) * | 2011-11-01 | 2013-05-20 | Harison Toshiba Lighting Corp | Ultraviolet irradiation apparatus |
KR20160021470A (en) * | 2014-08-18 | 2016-02-26 | 강우석 | Ultra violet curing apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102665570B1 (en) | 2024-05-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101389223B1 (en) | Led lamp for homogeneously illuminating hollow bodies | |
JP4950995B2 (en) | Backlight device having semiconductor light source arranged in light emitting group and light emitting device | |
JP4499749B2 (en) | LED surface light source and LCD backlight unit | |
ES2736259T3 (en) | Optoelectronic module with lens system | |
CN109973840B (en) | Luminous body with LED and cylindrical lens | |
KR20180085979A (en) | Ultraviolet curing apparatus | |
US8354686B2 (en) | Light emitting device array | |
EP3120693A1 (en) | A lighting device, for instance for greenhouse lighting, and corresponding method of use | |
JP2010262913A (en) | Lamp | |
JP5017216B2 (en) | Surface light source device and LCD backlight unit including the same | |
US20140345151A1 (en) | METHOD FOR UNIFORM, LARGE AREA FLOOD EXPOSURE WITH LEOs | |
US8740403B2 (en) | Linear light emitting diode (LED) lighting fixture | |
JP7498232B2 (en) | UV LED Radiation Source for Use in Photopolymer Exposure | |
KR102566424B1 (en) | Curing apparatus | |
KR101183919B1 (en) | Light source of cultivation plant and lighting system of cultivation plant having the light source | |
US11897171B2 (en) | Curing-device | |
KR102435394B1 (en) | Curing apparatus | |
KR20180083533A (en) | Ultraviolet curing apparatus | |
US8511857B2 (en) | Planar light source and backlight unit having the same | |
JP2013171874A (en) | Reflection plate array and light-irradiation device equipped with the same | |
CN110177668B (en) | Curing device | |
US20220099260A1 (en) | A light emitting device | |
JP2009123699A (en) | Light-emitting device | |
KR101448389B1 (en) | LED Light Distribution Module Having Controlling Plate of Illuminating Area | |
JP5691726B2 (en) | Reflector for lighting device and lighting device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |