KR20180079593A - Apparatus and Method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a substrate treating apparatus capable of increasing capacity utilization. The substrate treating apparatus comprises a bowl providing a space in which a process is performed; a chuck supporting a substrate in the housing during the process; an injection nozzle injecting a processing liquid on a processing surface of the substrate supported by the chuck during the process; and a bowl cleaning member installed in the bowl and cleaning the inner surface of the bowl polluted by the processing liquid dispersed from the substrate during the process.

Description

기판처리장치 및 방법{Apparatus and Method for treating substrate}[0001] APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE [0002]

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 기판 처리 장치의 에이징 기판 교체 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a method of replacing an aging substrate in a substrate processing apparatus.

일반적으로, 반도체 제조장치는 증착, 포토리소그래피, 식각, 화학적 기계적 연마, 세정, 건조등과 같은 단위공정들의 반복적인 수행에 의해 제조된다.Generally, a semiconductor manufacturing apparatus is manufactured by repetitive execution of unit processes such as deposition, photolithography, etching, chemical mechanical polishing, cleaning, drying, and the like.

상기 단위 공정들 중 세정 및 건조공정은 각각의 단위공정들을 수행하는 동안 반도체 기판 표면에 잔류하는 이물질 또는 불필요한 막(예를 들면, PR)을 제거하는 공정이다.Among the unit processes, the cleaning and drying process is a process for removing a foreign substance or an unnecessary film (for example, PR) remaining on the surface of the semiconductor substrate during each unit process.

상기 세정 및 건조공정을 수행하는 장치는 다수의 기판을 동시에 세정하는 배치식 세정장치와 낱장단위로 기판을 세정하는 매엽식 세정장치로 구분된다. The apparatus for performing the cleaning and drying process is divided into a batch type cleaning apparatus for simultaneously cleaning a plurality of substrates and a single sheet type cleaning apparatus for cleaning a substrate by a single unit.

여기서, 매엽식 세정장치는 낱장의 기판을 지지하는 척과 기판처리면에 처리유체들을 공급하는 적어도 하나의 노즐을 포함하는 바, 매엽식 세정장치의 공정이시작되면, 척에 기판이 안착되고 노즐은 세정액, 린스액 및 건조가스를 순차적으로 분사하여 기판을 세정 및 건조시키게 된다.Here, the single wafer type cleaning apparatus includes a chuck for supporting a single substrate and at least one nozzle for supplying processing fluids to the substrate processing surface. When the single wafer cleaning apparatus is started, the substrate is placed on the chuck, The cleaning liquid, the rinse liquid and the drying gas are sequentially sprayed to clean and dry the substrate.

이러한 매엽식 기판 세정장치는 회전하는 기판 상으로 약액(세정액)을 공급하여 기판 표면을 처리하는데, 이때 약액은 기판 회전에 의해 비산되면서 척을 둘러싸고 있는 보울(Bowl)을 오염시키게 된다.Such a single wafer type substrate cleaning apparatus treats the substrate surface by supplying a chemical solution (cleaning solution) onto a rotating substrate, where the chemical solution is scattered by the rotation of the substrate to contaminate the bowl surrounding the chuck.

기존에는 이렇게 오염된 보울을 분리하여 세정을 실시하고 있어, 보울 세척기간 동안에는 설비를 가동시킬 수 없었다.Previously, the contaminated bowl was separated and cleaned, and the equipment could not be operated during the bowl cleaning period.

본 발명의 실시예들은 보울의 세정주기를 줄여 설비 가동율을 높일 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하고자 한다.Embodiments of the present invention are intended to provide a substrate processing apparatus and method capable of reducing the cleaning cycle of the bowl and increasing the facility operation rate.

본 발명의 실시예들은 보울의 내측면 오염을 최소화할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하고자 한다.Embodiments of the present invention aim to provide a substrate processing apparatus and method capable of minimizing internal surface contamination of the bowl.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited thereto, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 측면에 따르면, 내부에 공정을 수행하는 공간을 제공하는 보울; 공정시 상기 하우징 내부에서 기판을 지지하는 척; 공정시 상기 척에 의해 지지된 기판의 처리면으로 처리액을 분사하는 분사노즐; 및 상기 보울에 설치되고, 공정시 상기 기판으로부터 비산되는 처리액에 의해 오염된 상기 보울의 내측면을 세척하기 위한 보울 세척 부재를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다. According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a bowl for providing a space for performing a process therein; A chuck supporting the substrate within the housing at the time of the process; A spray nozzle for spraying the treatment liquid onto the treatment surface of the substrate supported by the chuck in the process; And a bowl cleaning member installed on the bowl and for cleaning the inner surface of the bowl contaminated by the treatment liquid scattered from the substrate in the process.

또한, 상기 보울 세척 부재는 세척액 공급부; 상기 보울의 상부벽 상단에 형성되고, 상기 세척액 공급부로부터 제공받은 세척액이 일시적으로 저장되는 세척액 주입공간; 및 상기 상부벽의 내측면 상단에 형성되고, 세척액 주입공간에 채워진 세척액이 흘러나오는 슬롯을 포함할 수 있다.The bowl cleaning member may further include a cleaning liquid supply unit; A cleaning liquid injection space formed at an upper end of the upper wall of the bowl and in which the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply unit is temporarily stored; And a slot formed at the upper end of the inner surface of the upper wall and through which the washing liquid filled in the washing liquid injecting space flows.

또한, 상기 슬롯은 상기 상부벽의 경사진 내측면 상단에 형성될 수 있다.In addition, the slot may be formed at an upper end of an inclined inner surface of the upper wall.

또한, 상기 슬롯은 상기 상부벽의 원주방향을 따라 링 형상으로 제공될 수 있다.Further, the slot may be provided in a ring shape along the circumferential direction of the upper wall.

또한, 상기 슬롯은 상기 상부벽의 원주방향을 따라 일정간격 이격되어 제공될 수 있다.In addition, the slots may be spaced apart from each other along the circumferential direction of the upper wall.

본 발명의 일 측면에 따르면, 척에 지지된 기판을 회전시키고, 상기 기판 상으로 처리액을 공급하여 상기 기판을 처리하는 공정을 수행하되, 상기 공정 중 또는 상기 공정이 완료된 후에 상기 척을 감싸는 보울의 내측벽으로 세척액이 흐르도록 하여 상기 보울의 오염을 방지하는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a process for processing a substrate by rotating a substrate supported on a chuck and supplying a process liquid onto the substrate, wherein, during or after the process is completed, The cleaning liquid may flow to the inner wall of the bowl so as to prevent contamination of the bowl.

본 발명에 의하면, 세척액이 슬롯을 통해 흘러나와 보울의 내측면을 타고 흐름으로써 기판으로부터 비산되는 처리액에 의한 보울 오염을 최소화할 수 있는 각별한 효과를 갖는다. According to the present invention, the cleaning liquid flows through the slot and flows along the inner surface of the bowl, thereby minimizing contamination of the bowl by the treatment liquid scattered from the substrate.

도 1은 본 발명의 기판처리설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판처리장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 보울의 요부 확대 단면도이다.
도 4는 도 2에 도시된 보울의 단면 사시도이다.
도 5는 보울의 세척 과정을 보여주는 도면이다.
도 6은 슬롯의 다른 예를 보여주는 도면이다.
1 is a plan view schematically showing a substrate processing facility of the present invention.
2 is a cross-sectional view schematically showing the substrate processing apparatus of FIG.
Fig. 3 is an enlarged sectional view of the main part of the bowl shown in Fig. 2;
4 is a cross-sectional perspective view of the bowl shown in Fig.
5 is a view showing the washing process of the bowl.
6 is a view showing another example of the slot.

본 발명의 다른 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술 되는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Other advantages and features of the present invention and methods of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

만일 정의되지 않더라도, 여기서 사용되는 모든 용어들(기술 혹은 과학 용어들을 포함)은 이 발명이 속한 종래 기술에서 보편적 기술에 의해 일반적으로 수용되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적인 사전들에 의해 정의된 용어들은 관련된 기술 그리고/혹은 본 출원의 본문에 의미하는 것과 동일한 의미를 갖는 것으로 해석될 수 있고, 그리고 여기서 명확하게 정의된 표현이 아니더라도 개념화되거나 혹은 과도하게 형식적으로 해석되지 않을 것이다.Unless defined otherwise, all terms (including technical or scientific terms) used herein have the same meaning as commonly accepted by the generic art in the prior art to which this invention belongs. Terms defined by generic dictionaries may be interpreted to have the same meaning as in the related art and / or in the text of this application, and may be conceptualized or overly formalized, even if not expressly defined herein I will not.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다' 및/또는 이 동사의 다양한 활용형들 예를 들어, '포함', '포함하는', '포함하고', '포함하며' 등은 언급된 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 본 명세서에서 '및/또는' 이라는 용어는 나열된 구성들 각각 또는 이들의 다양한 조합을 가리킨다.The terminology used herein is for the purpose of illustrating embodiments and is not intended to be limiting of the present invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. As used herein, the terms' comprise 'and / or various forms of use of the verb include, for example,' including, '' including, '' including, '' including, Steps, operations, and / or elements do not preclude the presence or addition of one or more other compositions, components, components, steps, operations, and / or components. The term 'and / or' as used herein refers to each of the listed configurations or various combinations thereof.

도 1은 본 발명의 기판처리설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing facility of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스모듈(10)과 공정처리모듈(20)을 가진다. 인덱스모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 가진다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다. Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 has an index module 10 and a processing module 20. The index module 10 has a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are sequentially arranged in a line. The direction in which the load port 120, the transfer frame 140 and the processing module 20 are arranged is referred to as a first direction 12 and a direction perpendicular to the first direction 12 Direction is referred to as a second direction 14 and a direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16. [

로드포트(140)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드포트(120)의 개수는 공정처리모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(130)로는 전면개방일체형포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. The carrier 130 in which the substrate W is accommodated is seated in the load port 140. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a line along the second direction 14. The number of load ports 120 may increase or decrease depending on the process efficiency and footprint conditions of the process module 20 and the like. A plurality of slots (not shown) are formed in the carrier 130 for accommodating the substrates W horizontally with respect to the paper surface. As the carrier 130, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정처리모듈(20)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정챔버(260)를 가진다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송챔버(240)의 양측에는 각각 공정챔버(260)들이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측 및 타측에서 공정챔버(260)들은 이송챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송챔버(240)의 일측에는 복수 개의 공정챔버(260)들이 제공된다. 공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정챔버(260)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The process module 20 has a buffer unit 220, a transfer chamber 240, and a process chamber 260. The transfer chamber 240 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. Process chambers 260 are disposed on both sides of the transfer chamber 240, respectively. At one side and the other side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 are provided to be symmetrical with respect to the transfer chamber 240. A plurality of process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240. Some of the process chambers 260 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the process chambers 260 are stacked together. That is, at one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of A X B. Where A is the number of process chambers 260 provided in a row along the first direction 12 and B is the number of process chambers 260 provided in a row along the third direction 16. When four or six process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of 2 X 2 or 3 X 2. The number of process chambers 260 may increase or decrease. Unlike the above, the process chamber 260 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. In addition, the process chamber 260 may be provided as a single layer on one side and on both sides of the transfer chamber 240.

버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 마주보는 면 및 이송챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다. The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space for the substrate W to stay before the transfer of the substrate W between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140. [ In the buffer unit 220, a slot (not shown) in which the substrate W is placed is provided. A plurality of slots (not shown) are provided to be spaced along the third direction 16 from each other. The buffer unit 220 is opened on the side facing the transfer frame 140 and on the side facing the transfer chamber 240.

이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정처리모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정처리모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the carrier 130 that is seated on the load port 120. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and is linearly moved along the index rail 142 in the second direction 14. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed so as to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. Also, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and is provided to be movable forward and backward relative to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided and each is provided to be individually driven. The index arms 144c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used to transfer the substrate W from the processing module 20 to the carrier 130 and another portion of the index arms 144c from the carrier 130 to the processing module 20, ). ≪ / RTI > This can prevent the particles generated from the substrate W before the process processing from adhering to the substrate W after the process processing in the process of loading and unloading the substrate W by the index robot 144. [

이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정챔버(260) 간에, 그리고 공정챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. The transfer chamber 240 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the process chamber 260 and between the process chambers 260. The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244. The guide rails 242 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rails 242 and is linearly moved along the first direction 12 on the guide rails 242. The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed so as to be movable along the guide rail 242. The body 244b is coupled to the base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. Body 244b is also provided to be rotatable on base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided for forward and backward movement relative to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided and each is provided to be individually driven. The main arms 244c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16.

공정챔버(260) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판처리장치(100)가 제공된다. 기판처리장치(100)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정챔버(260) 내의 기판 처리 장치(100)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(260) 내에 기판처리장치(100)들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(260) 내에 기판처리장치(100)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다.In the process chamber 260, a substrate processing apparatus 100 for performing a cleaning process on the substrate W is provided. The substrate processing apparatus 100 may have a different structure depending on the type of the cleaning process to be performed. Alternatively, the substrate processing apparatus 100 in each process chamber 260 may have the same structure. Optionally, the process chambers 260 are grouped into a plurality of groups such that the substrate processing apparatuses 100 in the process chambers 260 belonging to the same group are identical to one another, and within the process chambers 260 belonging to different groups, (100) may be provided differently from each other.

아래의 실시예에서는 고온의 황산, 알카리성 약액(오존수 포함), 산성 약액, 린스액, 그리고 건조가스(IPA가 포함된 가스)와 같은 처리유체들을 사용하여 기판을 세정하는 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 식각 공정, 현상 공정 등과 같이 기판을 회전시키면서 공정을 수행하는 다양한 종류의 장치에 모두 적용될 수 있다. In the following examples, an apparatus for cleaning a substrate using processing fluids such as hot sulfuric acid, an alkaline chemical solution (including ozone water), an acidic chemical solution, a rinse solution, and a dry gas (gas containing IPA) is taken as an example. However, the technical idea of the present invention is not limited to this, and can be applied to various types of apparatuses that perform a process while rotating a substrate such as an etching process, a development process, and the like.

도 2는 도 1의 기판처리장치를 개략적으로 보여주는 단면도이고, 도 3은 도 2에 도시된 보울의 요부 확대 단면도이며, 도 4는 도 2에 도시된 보울의 단면 사시도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing the substrate processing apparatus of FIG. 1, FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of the bowl shown in FIG. 2, and FIG. 4 is a cross-sectional perspective view of the bowl shown in FIG.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(100)는 보울(110), 척(chuck)(120), 구동기(driving part)(130), 노즐부(nozzle member)(140), 그리고 보울 세척 부재(200)를 포함한다. 2 to 4, a substrate processing apparatus 100 according to the present invention includes a bowl 110, a chuck 120, a driving part 130, a nozzle member 140 ), And a bowl cleaning member (200).

보울(110)은 내부에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 보울(110)은 대체로 원통형상을 가진다. 보울(110)의 상부는 개방되며, 개방된 상부는 공정시 기판(W)이 상기 공간으로 이동되기 위한 통로로 사용된다. 보울(110)은 상부벽(111a) 및 측벽(111b)을 가진다. 상부벽(111a) 및 측벽(111b)은 환형으로 제공된다. 상부벽(111a)은 측벽(111b)의 상단으로부터 웨이퍼(W)의 중심 방향으로 갈수록 상향경사지도록 연장된다. The bowl 110 provides a space for performing a process of processing the substrate W therein. The bowl 110 has a generally cylindrical shape. The top of the bowl 110 is open and the open top is used as a passageway through which the substrate W is moved into the space during processing. The bowl 110 has an upper wall 111a and a side wall 111b. The upper wall 111a and the side wall 111b are provided in an annular shape. The upper wall 111a extends upward from the upper end of the side wall 111b toward the center of the wafer W. [

상부벽(111a)은 공정시 기판(W)으로부터 비산되는 처리액이 보울(110) 외부로 튀어나가는 것을 방지한다. The upper wall 111a prevents the process liquid that is scattered from the substrate W during the process from protruding out of the bowl 110.

또한, 보울(110) 내 공간에는 통로부(passageway member)(112), 수용부(accommodation member)(114), 그리고 배기부(exhaust member)(116)가 제공된다. 통로부(112)는 공정시 기판(W)으로부터 비산되는 처리액이 수용부(114)로 이동되도록 제공된다. 통로부(112)는 상부벽(111a) 및 측벽(111b)을 따라 환형으로 제공된다. 수용부(114)는 통로부(112)로부터 유입되는 처리액을 수용한다. 수용부(114)는 배수라인(118)과 연결된다. 따라서, 수용부(114)에 수용된 처리액은 배수라인(118)을 통해 보울(110)으로부터 배출된다. 그리고, 배기부(116)는 보울(110) 내 기체를 외부로 배기시킨다. 배기부(116)는 수용부(114)와 통하도록 설치된다. 배기부(116)와 수용부(114)는 격벽(116a)에 의해 구획된다. 따라서, 수용부(114)로 유입된 처리액은 수용부(114)에 저장되고, 수용부(114)에 수용된 처리액으로부터 발생되는 흄(fume)은 배기부(116)로 이동된다. 배기부(116)로 이동된 흄(fume)은 배기라인(119)을 통해 보울(110)으로부터 배기된다.A passageway member 112, a accommodation member 114 and an exhaust member 116 are provided in the space in the bowl 110. [ The passage portion 112 is provided so that the processing liquid which is scattered from the substrate W in the process is moved to the receiving portion 114. The passage portion 112 is provided annularly along the upper wall 111a and the side wall 111b. The accommodating portion 114 accommodates the processing liquid introduced from the passage portion 112. The receiving portion 114 is connected to the drain line 118. Therefore, the processing liquid accommodated in the accommodating portion 114 is discharged from the bowl 110 through the drain line 118. The exhaust unit 116 exhausts the gas in the bowl 110 to the outside. The exhaust part 116 is installed so as to communicate with the accommodating part 114. The exhaust part 116 and the accommodation part 114 are partitioned by the partition 116a. Therefore, the processing liquid introduced into the accommodating portion 114 is stored in the accommodating portion 114, and the fume generated from the processing liquid accommodated in the accommodating portion 114 is transferred to the exhausting portion 116. The fume transferred to the exhaust section 116 is exhausted from the bowl 110 through the exhaust line 119.

척(120)은 공정시 보울(110) 내부에서 기판(W)을 지지한다. 척(120)은 척 플레이트(chuck plate)(122) 및 회전축(rotating shaft)(124)를 포함한다. 척 플레이트(122)는 대체로 원판형상을 가진다. 척 플레이트(122)는 공정시 기판(W)을 안착시키는 상부면을 가진다. 회전축(124)은 일단이 척 플레이트(122)의 중앙 하부에 결합되고, 타단은 구동기(130)에 결합된다. 회전축(124)은 구동기(130)의 회전력을 척 플레이트(122)로 전달한다.The chuck 120 supports the substrate W within the bowl 110 during processing. The chuck 120 includes a chuck plate 122 and a rotating shaft 124. The chuck plate 122 has a generally disc shape. The chuck plate 122 has a top surface that seats the substrate W during processing. One end of the rotation shaft 124 is coupled to the lower center of the chuck plate 122, and the other end is coupled to the driver 130. The rotation shaft 124 transfers the rotational force of the actuator 130 to the chuck plate 122.

구동기(130)는 공정시 척(120)을 구동한다. 즉, 구동기(130)는 회전축(124)을 회전시켜 척 플레이트(122)에 의해 지지된 기판(W)을 기설정된 공정속도로 회전시킨다. 또한, 구동기(130)는 공정시 회전축(124)을 상하로 승강시켜, 척 플레이트(122)에 안착된 기판(W)의 높이를 조절한다. The driver 130 drives the chuck 120 during the process. That is, the actuator 130 rotates the rotation shaft 124 to rotate the substrate W supported by the chuck plate 122 at a predetermined process speed. The actuator 130 moves the rotary shaft 124 upward and downward to adjust the height of the substrate W mounted on the chuck plate 122 during the process.

노즐부(140)는 공정시 척(120)에 의해 지지된 기판(W)의 처리면으로 처리유체를 분사한다. 노즐부(140)는 분사노즐(injection nozzle)(142) 및 이송부재(transfer member)(144)를 포함한다. 분사노즐(142)은 적어도 하나가 구비된다. 분사노즐(142)이 복수개가 구비되는 경우에는 각각의 분사노즐(142)은 서로 다른 처리유체를 분사한다. 이송부재(144)는 분사노즐(142)을 이송시킨다. 여기서, 처리유체로는 처리액 및 처리가스를 포함한다. 처리액으로는 다양한 종류의 약액(chemical)가 사용될 수 있고, 상기 처리가스로는 건조가스가 사용될 수 있다. The nozzle portion 140 ejects the processing fluid to the processing surface of the substrate W supported by the chuck 120 during processing. The nozzle unit 140 includes an injection nozzle 142 and a transfer member 144. At least one injection nozzle 142 is provided. When a plurality of injection nozzles 142 are provided, each of the injection nozzles 142 injects different processing fluids. The transfer member 144 transfers the injection nozzle 142. Here, the processing fluid includes the processing liquid and the processing gas. Various types of chemicals may be used as the treatment liquid, and dry gas may be used as the treatment gas.

계속해서, 본 실시예에 따른 보울 세척 부재(200)는 공정시 기판으로부터 비산되는 처리액에 의해 보울(110)의 상부벽(111a) 내측이 오염되는 것을 방지하기 위한 구성이다.Next, the bowl cleaning member 200 according to the present embodiment is configured to prevent the inside of the upper wall 111a of the bowl 110 from being contaminated by the treatment liquid scattered from the substrate during the process.

보울 세척 부재(200)는 보울(110)의 상부벽(111a) 상단에 형성된 세척액 주입공간(210)과, 세척액 주입공간(210)으로 세척액을 공급하는 세척액 공급부(220) 그리고 보울(110)의 상부벽(111a) 내측면에 형성되어 세척액 주입공간(210)에 채워진 세척액이 흘러나오는 슬롯(230)을 포함한다. The bowl cleaning member 200 includes a cleaning liquid injection space 210 formed at the upper end of the upper wall 111a of the bowl 110, a cleaning liquid supply unit 220 for supplying the cleaning liquid to the cleaning liquid injection space 210, And a slot 230 formed on the inner surface of the upper wall 111a and through which the washing liquid filled in the washing liquid injecting space 210 flows.

슬롯(230)은 상부벽의 경사진 내측면 상단에 형성되는 것이 바람직하다. 만약, 슬롯(230)이 상부벽(111a)의 수평한 내측면에 형성될 경우 세척액이 내측면을 따라 흐르지 않고 바로 떨어질 수 있기 때문이다.The slot 230 is preferably formed at the upper end of the inclined inner surface of the upper wall. If the slot 230 is formed on the horizontal inner surface of the upper wall 111a, the cleaning liquid can be dropped immediately without flowing along the inner surface.

슬롯(230)은 상부벽(111a)의 원주방향을 따라 링 형상으로 제공될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니고, 도 6에서와 같이 슬롯(230a)은 상부벽(111a)의 원주방향을 따라 일정간격 이격되어 제공될 수 있다. The slot 230 may be provided in a ring shape along the circumferential direction of the upper wall 111a. However, the present invention is not limited thereto. As shown in FIG. 6, the slots 230a may be provided at predetermined intervals along the circumferential direction of the upper wall 111a.

도 5에서와 같이, 세척액은 세척액 공급부(220)를 통해 세척액 주입공간(210)으로 공급되고, 세척액 주입공간(210)에 채워진 세척액은 슬롯(230)을 통해 흘러나와 보울(110)의 상부벽(111a) 내측면을 타고 흐르게 된다. 5, the washing liquid is supplied to the washing liquid injecting space 210 through the washing liquid supplying unit 220, and the washing liquid filled in the washing liquid injecting space 210 flows out through the slots 230, (111a).

이와 같이, 보울(110)의 상부벽(111a) 내측면으로 기판으로부터 비산되는 처리액이 묻더라도 세척액에 의해 내측면을 타고 흐르게 되면서 보울(110)의 오염을 최소화할 수 있다.Even if the processing liquid scattered from the substrate is adhered to the inner surface of the upper wall 111a of the bowl 110, contamination of the bowl 110 can be minimized while flowing on the inner surface by the cleaning liquid.

세척액에 의한 보울의 세척 공정은 기판의 처리 공정과 동시에 이루어지거나 또는 기판의 처리 공정이 끝난 후 다음 기판으로 교체하기 위한 동작중에 이루어질 수 있다. The cleaning process of the bowl with the cleaning liquid may be performed simultaneously with the processing of the substrate, or may be performed during operation to replace the substrate after the processing of the substrate is completed.

이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims. It will be possible.

110 : 보울 120 : 척
130 : 구동기 140 : 노즐부
200 : 보울 세척 부재
110: bowl 120: chuck
130: driver 140: nozzle unit
200: Bowl cleaning member

Claims (6)

기판 처리 장치에 있어서,
내부에 공정을 수행하는 공간을 제공하는 보울;
공정시 상기 하우징 내부에서 기판을 지지하는 척;
공정시 상기 척에 의해 지지된 기판의 처리면으로 처리액을 분사하는 분사노즐; 및
상기 보울에 설치되고, 공정시 상기 기판으로부터 비산되는 처리액에 의해 오염된 상기 보울의 내측면을 세척하기 위한 보울 세척 부재를 포함하는 기판 처리 장치.
In the substrate processing apparatus,
A bowl for providing a space for performing a process inside;
A chuck supporting the substrate within the housing at the time of the process;
A spray nozzle for spraying the treatment liquid onto the treatment surface of the substrate supported by the chuck in the process; And
And a bowl cleaning member installed on the bowl and for cleaning the inner surface of the bowl contaminated by the treatment liquid scattered from the substrate in the process.
제 1 항에 있어서,
상기 보울 세척 부재는
세척액 공급부;
상기 보울의 상부벽 상단에 형성되고, 상기 세척액 공급부로부터 제공받은 세척액이 일시적으로 저장되는 세척액 주입공간; 및
상기 상부벽의 내측면 상단에 형성되고, 세척액 주입공간에 채워진 세척액이 흘러나오는 슬롯을 포함하는 기판 처리 장치.
The method according to claim 1,
The bowl cleaning member
A cleaning liquid supply unit;
A cleaning liquid injection space formed at an upper end of the upper wall of the bowl and in which the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply unit is temporarily stored; And
And a slot formed at an upper end of the inner surface of the upper wall and through which the washing liquid filled in the washing liquid injecting space flows.
제 2 항에 있어서,
상기 슬롯은 상기 상부벽의 경사진 내측면 상단에 형성되는 기판 처리 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the slot is formed at an upper end of an inclined inner surface of the upper wall.
제 2 항에 있어서,
상기 슬롯은 상기 상부벽의 원주방향을 따라 링 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the slot is provided in a ring shape along the circumferential direction of the upper wall.
제 2 항에 있어서,
상기 슬롯은
상기 상부벽의 원주방향을 따라 일정간격 이격되어 제공되는 기판 처리 장치.
3. The method of claim 2,
The slot
And is provided at a predetermined interval along the circumferential direction of the upper wall.
척에 지지된 기판을 회전시키고, 상기 기판 상으로 처리액을 공급하여 상기 기판을 처리하는 공정을 수행하되,
상기 공정 중 또는 상기 공정이 완료된 후에 상기 척을 감싸는 보울의 내측벽으로 세척액이 흐르도록 하여 상기 보울의 오염을 방지하는 기판 처리 방법.

Rotating the substrate supported on the chuck, and supplying the processing solution onto the substrate to process the substrate,
Wherein the cleaning liquid flows into the inner wall of the bowl surrounding the chuck during the process or after the process is completed to prevent contamination of the bowl.

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