KR20040023943A - A Wafer Cleaning Device - Google Patents

A Wafer Cleaning Device Download PDF

Info

Publication number
KR20040023943A
KR20040023943A KR1020020055396A KR20020055396A KR20040023943A KR 20040023943 A KR20040023943 A KR 20040023943A KR 1020020055396 A KR1020020055396 A KR 1020020055396A KR 20020055396 A KR20020055396 A KR 20020055396A KR 20040023943 A KR20040023943 A KR 20040023943A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
chemical liquid
chuck
chemical
cleaning
Prior art date
Application number
KR1020020055396A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김범용
Original Assignee
주식회사 라셈텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 라셈텍 filed Critical 주식회사 라셈텍
Priority to KR1020020055396A priority Critical patent/KR20040023943A/en
Publication of KR20040023943A publication Critical patent/KR20040023943A/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft

Abstract

PURPOSE: A single processor capable of simultaneously cleaning double sides of a wafer is provided to precisely control the rotation speed of the wafer by directly delivering the rotation force of a motor to a wafer chuck and by preventing a chemical supply pipe and a lower spray nozzle from being affected by the rotation during a cleaning process. CONSTITUTION: The wafer chuck fixes the circumference of the wafer(10). The wafer chuck is directly connected to a chuck drive motor(21) by a rotation axis(22) to transfer the rotation force from the lower part. Upper and lower spray nozzles(27,33) are located on and under the wafer to spray chemicals or deionized water. A chemical liquid exhaust cup is installed in the periphery of the wafer to collect and exhaust the chemicals or the deionized water that is induced according to the rotation.

Description

양면 동시 세정이 가능한 매엽식 웨이퍼 세정장치 {A Wafer Cleaning Device}Single wafer cleaning device capable of simultaneous cleaning on both sides {A Wafer Cleaning Device}

본 발명은 웨이퍼의 상하부에 설치형성된 분사노즐에 의해 웨이퍼의 상,하부가 동시에 세정/건조될 수 있는 매엽식 웨이퍼 세정장치에 관한 것으로 보다 상세하게는 공동이 형성된 회전축에 의해 직접 구동모터와 웨이퍼척이 연결됨으로써 회전력을 직접 전달시키면서 공동을 통해 약액배액관이 관통설치될 수 있는 양면 동시 세정이 가능한 매엽식 웨이퍼 세정장치에 관한 것이다.The present invention relates to a single wafer cleaning apparatus that can be cleaned and dried at the same time the upper and lower portions of the wafer by the injection nozzles formed on the upper and lower portions of the wafer. More specifically, the direct drive motor and the wafer chuck by the rotating shaft formed with a cavity The present invention relates to a single wafer cleaning apparatus capable of simultaneously cleaning both sides through which a chemical liquid drainage tube can be installed through a cavity while directly transmitting rotational force.

일반적으로 반도체 제조공정에서는 절연막 및 금속물질의 증착(Deposition), 식각(Etching), 감광제(Photo Resist)의 도포(Coating), 현상(Develop), 애셔(Asher) 제거 등이 수회 반복되어 미세한 패터닝(Patterning)의 배열을 만들어나가게 되는데, 이러한 공정의 진행에 따라 웨이퍼 내에는 식각이나 애셔의 제거공정으로 완전제거가 되지 않은 이물질이 남게 된다. 이러한 이물질의 제거를 위한 공정으로는 순수(Deionized Water) 또는 약액(Chemical)을 이용한 세정공정(Wet Cleaning)이 있다.Generally, in the semiconductor manufacturing process, deposition, etching, coating of photoresist, developing, removing asher, and the like of the insulating material and the metal material are repeated several times. Patterning) is made, and as the process progresses, foreign matters that are not completely removed by etching or removing the asher remain in the wafer. A process for removing such foreign matters is a cleaning process using deionized water or chemical.

한편, 웨이퍼(Wafer) 세정장치는 크게 배치식 세정장치(Batch Processor)와 매엽식 세정장치(Single Processor)로 구분되며, 배치식 세정장치는 도 4a 및 도 4b에서 보는 바와 같이 한번에 25매 또는 50매를 처리할 수 있는 크기의 약액조(102)(Chemical Bath), 린스조(103)(Rinse Bath), 건조조(104)(Dry Bath) 등을 직렬로 배열하여 각각의 조(Bath)에서 일정시간동안 머물면서 이물이 제거되도록 하고 있으며, 웨이퍼(10)의 상부 및 하부가 동시에 세정되고 동시에 대용량을 처리할 수 있는 이점이 있다.Meanwhile, the wafer cleaning apparatus is largely divided into a batch processor and a single processor, and the batch cleaning apparatus is 25 sheets or 50 pieces at a time as shown in FIGS. 4A and 4B. A chemical bath 102, a rinse bath 103, a dry bath 104, and a dry bath of a size capable of processing a hawk are arranged in series to form a bath. The foreign material is removed while staying for a predetermined time, and the upper and lower portions of the wafer 10 are simultaneously cleaned, and at the same time, there is an advantage of processing a large capacity.

특히 매엽식 세정장치는 도 5a 및 도 5b에서 보는 바와 같이, 한 장의 웨이퍼(10)를 처리할 수 있는 작은 크기의 챔버(113)(Chamber)에서 웨이퍼(10)를 웨이퍼척(117)(Chuck)으로 고정시킨 후 모터(Motor)에 의해 웨이퍼(10)를 회전시키면서, 웨이퍼(10) 상부에서 노즐(119)(Nozzle)을 통해 약액 또는 순수를 흘려주어 웨이퍼(10)의 회전력에 의해 약액 또는 순수 등이 웨이퍼(10) 상부로 퍼지게 하여 이물이 제거되도록 하고 있으며, 별도의 웨이퍼방향 반전장치(116)가 있어 웨이퍼(10)의 상부 또는 하부를 선택적으로 세정할 수 있고, 이는 배치식 세정장치에 비해 장치의 크기가 작고 균질의 세정효과를 갖는 것이 장점이다.In particular, the single wafer cleaning apparatus, as shown in FIGS. 5A and 5B, moves the wafer 10 to a wafer chuck 117 (Chuck) in a small chamber 113 (Chamber) capable of processing a single wafer 10. After the fixation is performed, the chemical liquid or pure water flows through the nozzle 119 (Nozzle) from the upper portion of the wafer 10 by rotating the wafer 10 by a motor. Pure water or the like is diffused to the upper portion of the wafer 10 to remove foreign substances.There is a separate wafer direction reversing device 116 to selectively clean the upper or lower portion of the wafer 10, which is a batch cleaning device. Compared with the small size of the device and the homogeneous cleaning effect is an advantage.

이와 같이 종래의 배치식 세정장치는 25매 또는 50매를 동시에 수용할 수 있는 크기의 다수의 조(102)(103)(104)(Bath)를 구성하고 있어 장치의 크기가 매우 크며, 웨이퍼(10)의 대구경화가 진행될수록 조의 크기가 커져 장치의 크기 및 약액의 사용량이 많아질 뿐만 아니라, 동시에 약액조(102) 내에서 세정이 진행중인 웨이퍼(10)에서는 인접한 웨이퍼(10)로부터 떨어져 나온 이물이 재부착되는 문제가 있다.In this manner, the conventional batch cleaning device is composed of a plurality of tubs 102, 103, 104, (Bath) of a size that can accommodate 25 or 50 sheets at the same time, the size of the device is very large, and the wafer ( As the large diameter of 10) increases, the size of the tank increases, and thus the size of the apparatus and the amount of the chemical liquid are increased, and at the same time, the foreign matter that is separated from the adjacent wafer 10 in the wafer 10 being cleaned in the chemical liquid tank 102 is in progress. There is a problem of reattaching.

그리고 종래의 매엽식 세정장치는 약액 분사(Chemical dispense)위치가 한 쪽 방향에 국한되어 있어 양면을 동시에 세정할 수 없으며, 웨이퍼(10)의 방향을 바꿔 2회 세정작업을 하는 경우에는 세정에 필요한 시간이 2배가 되어 작업성이 떨어진다.In the conventional single wafer cleaning apparatus, the chemical dispense position is limited to one direction, so that both surfaces cannot be cleaned at the same time. When the wafer 10 is changed twice, the cleaning is necessary for cleaning. Time is doubled and workability is inferior.

한편, 양면을 동시에 세정할 수 있는 방법으로 웨이퍼(10)의 하부에 웨이퍼(10)와 웨이퍼척(117) 사이의 공간으로 수평방향으로 약액을 분사하는 방법이 고려될 수 있으나, 이 경우는 약액이 회전하는 웨이퍼(10)의 중심부까지 전달되기 위해서는 높은 분사압력이 요구되며, 분사된 약액이 웨이퍼핀과 충돌하게 되어 약액이 웨이퍼(10)의 하부에 균일하게 분사되기 어렵게 되며, 약액의 튐으로 인한 공정상의 불량이 발생하기 쉽다.Meanwhile, a method of spraying a chemical liquid in a horizontal direction to the space between the wafer 10 and the wafer chuck 117 in the lower portion of the wafer 10 may be considered as a method of simultaneously cleaning both sides, but in this case, the chemical liquid In order to be delivered to the center of the rotating wafer 10, a high injection pressure is required, and the injected chemical liquid collides with the wafer pin so that the chemical liquid is difficult to be uniformly sprayed on the lower portion of the wafer 10. It is easy to produce process defects.

따라서 양면 세정을 하기 위해서는 웨이퍼(10)의 하부에 직접 약액이 분사되어야 각종 공정상의 불량을 최소화 할 수 있고 웨이퍼(10) 하부의 세정효율을 높일 수 있다.Therefore, in order to perform double-sided cleaning, chemical liquids must be directly injected to the lower part of the wafer 10 to minimize defects in various processes and to increase the cleaning efficiency of the lower part of the wafer 10.

그러나 세정시 회전축(118)에 연결되어 회전되는 웨이퍼척(117)을 통과하여 하부에서 약액을 분사하는 것은 매우 어려운 일이 아닐 수 없어 이러한 문제점을해결한 것으로, 한국공개특허 제2000-77317호에 개시된 기술을 들 수 있다.However, the injection of the chemical liquid from the bottom through the wafer chuck 117 that is connected to the rotating shaft 118 and rotated during cleaning can be very difficult to solve this problem, the Korean Patent Publication No. 2000-77317 The disclosed technology.

여기에는 양면 세정을 위한 장치로 웨이퍼(10)의 상부와 하부에 각각 세척용 약액을 분무하는 세정노즐(Nozzle)들을 구비한 세정장치가 기재되어 있으며, 하부 세정노즐은 파이프 형태의 통공을 통하여 웨이퍼의 하부를 향하고 있고, 원통형 파이프는 웨이퍼척과 연결됨과 동시에, 벨트(Belt)에 의해 웨이퍼척(Wafer Chuck)은 모터(Motor)와 연결되어 회전되도록 구성되어 있다.It describes a cleaning device having cleaning nozzles (spray nozzles) for spraying the cleaning liquid to the upper and lower portions of the wafer 10 as a device for cleaning both sides, the lower cleaning nozzle is a wafer through a pipe-shaped through hole The cylindrical pipe is connected to the wafer chuck while the wafer chuck is connected to the motor by the belt and rotates.

이 기술에 의하여 웨이퍼는 양면이 동시에 세척되는 것이 가능해 졌으나, 이 기술은 백래시(Back Lash,덜거덕거림)에 의한 축의 흔들림과 토크의 변동과 회전수의 변동이 있고, 부식성이 있는 약액의 사용 시에는 모터를 비롯한 각종 기계 부품의 부식 방지를 위한 대응 구조가 매우 복잡해지는 단점이 있다.This technology makes it possible to clean both sides of the wafer at the same time.However, this technology has the fluctuation of the shaft and the torque and the rotational speed due to the backlash, and the corrosive chemicals are used. There is a disadvantage that the corresponding structure for preventing corrosion of various mechanical parts including a motor becomes very complicated.

따라서 이로 인하여 정밀함을 요구하는 장비에 사용하기 위해서는 부적합하다고 할 수 있으며, 또한 계속적인 사용에 의해 벨트가 마모됨에 따라 세척되는 웨이퍼의 회전속도가 더욱 열화되어 공정의 정확도를 기할 수 없다는 문제점과, 벨트를 일정기간 사용 후 교체해야 하는 문제점이 있다.Therefore, it can be said to be inadequate for use in equipment requiring precision, and the rotation speed of the cleaned wafer is further deteriorated as the belt is worn out due to continuous use, and the accuracy of the process cannot be reached. There is a problem that must be replaced after a certain period of use.

그러나 이 기술은 상,하부 웨이퍼척의 단부에 서로 대응되는 영구자석에 의해 모터의 회전력이 전달되고 있어, 모터의 고속 회전의 경우 급작스런 가속 및 감속을 하게되면, 상,하부 웨이퍼척 간의 이탈의 우려가 있어, 고속 회전에서 정밀함을 요구하는 장비에는 사용 할 수 없게 되는 문제점이 있다.However, in this technology, the rotational force of the motor is transmitted by the permanent magnets corresponding to the ends of the upper and lower wafer chucks. When the motor is rotated at a high speed, sudden acceleration and deceleration may occur. There is a problem that can not be used in equipment that requires precision at high speed.

본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 모터의 회전력을 웨이퍼척에 직접 전달시켜 웨이퍼의 세정이 안정되도록 하면서 웨이퍼척과 회전축의 연결된 공동을 통해 약액공급관을 관통시켜 세정중 약액공급관과 하부분사노즐이 회전에 영향을 받지않게 되어 웨이퍼의 회전 속도를 정밀하게 조절할 수 있는 양면 동시 세정이 가능한 매엽식 웨이퍼 세정장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention is to solve the problems as described above, while transmitting the rotational force of the motor directly to the wafer chuck to stabilize the cleaning of the wafer while passing through the chemical supply pipe through the cavities of the wafer chuck and the rotating shaft through the chemical solution supply pipe and the lower portion during cleaning It is an object of the present invention to provide a single wafer cleaning apparatus capable of simultaneously cleaning both sides of the nozzle which is not affected by the rotation so that the rotational speed of the wafer can be precisely controlled.

도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 세정장치의 전체적인 개념도.1 is a general conceptual view of a wafer cleaning apparatus according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 세정장치의 정면도.2 is a front view of a wafer cleaning apparatus according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼 세정장치의 웨이퍼척 부분의 정면도.3 is a front view of a wafer chuck portion of the wafer cleaning apparatus according to the present invention.

도 4a 및 도 4b는 종래 기술에 따른 배치식 세정장치의 사시도 및 A-A선 단면도.4a and 4b are a perspective view and a cross-sectional view taken along line A-A of the batch cleaning device according to the prior art.

도 5a 및 도 5b는 종래 기술에 따른 매엽식 세정장치의 사시도 및 B-B선 단면도.5A and 5B are a perspective view and a cross-sectional view taken along line B-B of the sheet cleaning apparatus according to the prior art.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10 : 웨이퍼 21 : 척구동모터10: wafer 21: chuck drive motor

22 : 회전축 23 : 웨이퍼척22: axis of rotation 23: wafer chuck

24 : 축공동 25 : 웨이퍼암24: shaft cavity 25: wafer arm

26 : 척공동 27 : 상부분사노즐26: chuck cavity 27: upper injection nozzle

28 : 상부노즐암 29 : 상부노즐구동부28: upper nozzle arm 29: upper nozzle driving portion

30 : 약액배액컵 31 : 약액배액관30: chemical liquid drainage cup 31: chemical liquid drainage tube

32 : 약액배기관 33 : 하부분사노즐32: chemical liquid exhaust pipe 33: lower part four nozzle

34 : 약액공급관 35 : 약액배출통로34: chemical liquid supply pipe 35: chemical liquid discharge passage

36 : 컵승강기 37,38 : 내,외부약액분사구36: cup lift 37,38: internal and external drug injection sphere

39 : 약액분사구 40 : 그립퍼39: chemical liquid injection hole 40: gripper

41 : 그립퍼홈 42 : 그립퍼추41: gripper groove 42: gripper

43 : 그립퍼턱 44 : 웨이퍼안착부43: gripper jaw 44: wafer seat

45 : 제어기 47 : 약액관45 controller 47 chemical liquid tube

48 : 순수관 49 : 건조가스관48: pure water pipe 49: dry gas pipe

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 웨이퍼의 원주를 고정시키는 웨이퍼척과, 하측의 회전력을 전달시키도록 웨이퍼척과 척구동모터를 직접 연결시키는 회전축과, 약액 또는 순수가 분사될 수 있도록 웨이퍼의 상하부에 위치형성된 상,하부분사노즐과, 회전에 따라 유입된 약액 또는 순수가 수집배출되도록 웨이퍼의 주위에 형성된 약액배액컵으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object, the wafer chuck to fix the circumference of the wafer, the rotary shaft directly connecting the wafer chuck and the chuck drive motor to transmit the rotational force of the lower side, and the upper and lower parts of the wafer so that the chemical or pure water can be injected The upper and lower partial nozzles formed at the position, and the chemical liquid drainage cup formed around the wafer to collect and discharge the chemical liquid or pure water introduced in accordance with the rotation is characterized in that it is made.

또한 회전축과 웨이퍼척의 중심부는 약액공급관이 관통되어 하부분사노즐과 연결되어 척구동모터의 회전에 관계없이 약액이 분사되도록 축공동과 척공동이 각각 관통형성되어 서로 직접 연결되는 것을 특징으로 한다.In addition, the shaft and the center of the wafer chuck is characterized in that the axial cavity and the chuck cavity are penetrated directly to each other so that the chemical liquid supply pipe is penetrated and connected to the lower part four nozzles so that the chemical is injected regardless of the rotation of the chuck drive motor.

이하, 본 발명을 첨부 도면에 의거 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1 및 도 2에서 보는 바와 같이, 본 발명의 매엽식 웨이퍼 세정장치는 척구동모터(21)의 회전력을 웨이퍼(10)에 전달시키도록 상기 웨이퍼(10)를 지지하기 위한 그립퍼(40)의 하부에 웨이퍼암(25)을 통해 웨이퍼척(23)이 연결형성되고, 세정용 약액 및 순수를 분사시키기 위한 상,하부분사노즐(27)(33)이 상기 웨이퍼(10)의 상,하측에 위치형성되며, 사용된 약액의 배액 및 배기를 할 수 있도록 상기 웨이퍼척(23)의 주변에 약액배액컵(30)이 형성된다.As shown in FIGS. 1 and 2, the single wafer cleaning apparatus of the present invention includes a gripper 40 for supporting the wafer 10 to transmit the rotational force of the chuck drive motor 21 to the wafer 10. The wafer chuck 23 is connected to the lower portion through the wafer arm 25, and the upper and lower partial nozzles 27 and 33 for spraying the cleaning chemical and the pure water are disposed on the upper and lower sides of the wafer 10. The chemical liquid drainage cup 30 is formed around the wafer chuck 23 so as to be positioned and discharge and exhaust the used chemical liquid.

따라서 척구동모터(21)의 회전에 의해 회전축(22)에 전달된 회전력이 웨이퍼척(23)에 바로 전달되어 회전될 수 있도록 상기 웨이퍼척(23)의 하단에 상기 회전축(22)이 연결형성된다.Therefore, the rotary shaft 22 is connected to the lower end of the wafer chuck 23 so that the rotational force transmitted to the rotary shaft 22 by the rotation of the chuck driving motor 21 is directly transmitted to the wafer chuck 23 and rotated. do.

아울러 하부분사노즐(33) 하측에 웨이퍼척(23)을 관통하여 1개 이상의 약액공급관(34)이 연결형성되도록 상기 웨이퍼척(23)의 중심부에는 상하로 척공동(26)이 관통형성되고, 척구동모터(21)와 연결된 회전축(22) 중심부에는 축공동(24)이 관통형성되면서 상기 척공동(26)이 축공동(24)과 연결관통된다.In addition, the chuck cavity 26 is vertically formed in the center of the wafer chuck 23 so as to penetrate the wafer chuck 23 below the lower part yarn nozzle 33 so that at least one chemical liquid supply pipe 34 is connected thereto. The shaft cavity 24 is formed in the center of the rotation shaft 22 connected to the chuck driving motor 21, and the chuck cavity 26 is connected to the shaft cavity 24.

또한 웨이퍼척(23)의 상부에는 웨이퍼(10)를 지지할 수 있는 다수의 웨이퍼암(25)이 연결형성되고, 상기 웨이퍼암(25)의 웨이퍼안착부(44)에는 웨이퍼(10)와 접촉면적을 최소화하면서 세정작업시 약액이 흘러내릴 수 있도록 그립퍼홈(41)이 형성된다.In addition, a plurality of wafer arms 25 capable of supporting the wafer 10 are connected to the upper portion of the wafer chuck 23, and the wafer seating portions 44 of the wafer arms 25 contact the wafer 10. The gripper groove 41 is formed to allow the chemical liquid to flow down during the cleaning operation while minimizing the area.

그리고 웨이퍼암(25)의 각 단부에는 그립퍼(40)가 위치형성되고, 상기 그립퍼(40)의 단부에는 그립퍼추(42)가 달린 그립퍼턱(43)이 형성된다.A gripper 40 is positioned at each end of the wafer arm 25, and a gripper jaw 43 having a gripper weight 42 is formed at an end of the gripper 40.

아울러 웨이퍼척(23)의 회전이 정지된 상태, 즉 웨이퍼(10)가 반송중일 때는 그립퍼추(42)가 아래방향으로 향하면서 그립퍼턱(43)이 열리고, 웨이퍼척(23)이 회전중일 때, 즉 세정작업중일 때는 원심력에 의해 상기 그립퍼추(42)가 웨이퍼척(23)의 외측방향으로 향하면서 그립퍼턱(43)이 아래로 눌리게 되어 별도의 기계적인 장치 없이 웨이퍼(10)가 지지고정된다.In addition, when the rotation of the wafer chuck 23 is stopped, that is, when the wafer 10 is being conveyed, the gripper jaw 43 is opened while the gripper weight 42 is directed downward, and the wafer chuck 23 is being rotated. That is, during the cleaning operation, the gripper jaw 43 is pushed down by the centrifugal force toward the outside of the wafer chuck 23 so that the wafer 10 is supported without any mechanical device. It is fixed.

한편, 하부분사노즐(33)과 약액공급관(34)은 웨이퍼척(23) 및 회전축(22)과 분리되어 상기 웨이퍼척(23)이 척구동모터(21)에 의해 회전되더라도 하부분사노즐(33)은 고정된 위치에서 약액의 분사가 가능하다.Meanwhile, the lower partial nozzle 33 and the chemical liquid supply pipe 34 are separated from the wafer chuck 23 and the rotating shaft 22 so that the lower chuck 23 is rotated by the chuck driving motor 21. ) Can be injected in a fixed position.

아울러 하부분사노즐(33)에 연결된 약액공급관(34)은 약액, 순수 및 건조가스관(도면도시 생략)으로 구분되며, 건조가스는 온도조절이 가능한 고온의 질소가스를 사용하게 된다.In addition, the chemical liquid supply pipe 34 connected to the lower part nozzle (33) is divided into chemical liquid, pure water and dry gas pipe (not shown), the dry gas is to use a high temperature nitrogen gas capable of temperature control.

또한 하부분사노즐(33)은 도 5에서 보는 바와 같이, 웨이퍼(10)의 하부에서 중심부로 약액이 분사되는 내부약액분사구(37)와 상기 웨이퍼의 중심부와 외각의 사이로 약액이 분사되는 외부약액분사구(38)가 연결형성된다.In addition, as shown in FIG. 5, the lower partial nozzle 33 has an internal chemical liquid injection port 37 in which the chemical liquid is injected from the lower part of the wafer 10 to the center, and an external chemical liquid injection port in which the chemical liquid is injected between the center and the outer shell of the wafer. 38 is connected.

그리고 상부분사노즐(27)은 도 1에서 보는 바와 같이, 웨이퍼(10)의 상부에 위치하고, 상기 상부분사노즐(27)에 연결형성된 상부노즐암(28)(Nozzle Arm)은 상부노즐구동부(29)에 연결형성되며, 상기 상부노즐암(28)을 따라 상부분사노즐(27)에 약액을 공급하는 약액공급관(34)이 상기 상부분사노즐(27)까지 연결된다.As shown in FIG. 1, the upper injection nozzle 27 is positioned on the upper portion of the wafer 10, and the upper nozzle arm 28 connected to the upper injection nozzle 27 is an upper nozzle driving part 29. It is connected to the upper nozzle arm 28, the chemical liquid supply pipe 34 for supplying the chemical liquid to the upper injection nozzle 27 is connected to the upper injection nozzle (27).

또한 상부분사노즐(27)의 약액공급관(34)은 약액관(47), 순수관(48) 및 건조가스관(49)으로 구분되며, 건조가스는 온도 조절이 가능한 고온의 질소가스 또는 질소가스와 알콜(IPA)을 혼합한 가스를 사용한다.In addition, the chemical liquid supply pipe 34 of the upper injection nozzle 27 is divided into a chemical liquid pipe 47, a pure water pipe 48 and a dry gas pipe 49, the dry gas is a high temperature nitrogen gas or nitrogen gas and temperature control Use a gas mixed with alcohol (IPA).

그리고 상부노즐구동부(29)는 선형왕복운동과 상하이동이 가능하게 구성되어 있어 상부분사노즐(27)을 웨이퍼(10)의 중심부에서 웨이퍼(10)의 외부까지 이동시킬 수 있고, 척구동모터(21)에 의해 회전하는 상기 웨이퍼(10)에 전체적으로 고르게 약액, 순수 또는 건조가스를 뿌려줄 수 있다.In addition, the upper nozzle driving unit 29 is configured to be capable of linear reciprocating motion and shanghai movement, thereby moving the upper injection nozzle 27 from the center of the wafer 10 to the outside of the wafer 10, and the chuck driving motor 21. Chemical liquid, pure water, or dry gas may be sprayed on the wafer 10 rotated by the whole evenly.

또한 약액배액컵(30)은 도 1에서 보는 바와 같이, 웨이퍼(10) 주위의 불균일한 배기압력에 의한 공정불량의 가능성을 줄일 수 있도록 웨이퍼(10)의 외부를 감싸는 환형의 약액배출통로(35)가 상하로 적재되어 있고, 각각의 상기 약액배출통로(35)는 웨이퍼(10)의 외곽에 인접한 부위는 열려 있으나 나머지부위는 모두 닫혀있게 된다.In addition, as shown in FIG. 1, the chemical liquid draining cup 30 has an annular chemical liquid discharge passage 35 surrounding the outside of the wafer 10 so as to reduce the possibility of a process failure caused by uneven exhaust pressure around the wafer 10. ) Is loaded up and down, and each of the chemical liquid discharge passage 35 is open to the area adjacent to the outer periphery of the wafer 10, but all the remaining parts are closed.

그리고 약액배액컵(30)은 약액이 배출되는 약액배액관(31) 및 기화된 약액이 배출되는 약액배기관(32)이 각각 일측에 연결되고, 약액이 혼합되어 발생할 수 있는 오염의 가능성을 줄이면서 배출된 약액을 수집정제하여 재사용할 수 있도록 상하이동이 가능한 컵승강기(36)에 연결되어 웨이퍼(10)에 뿌려주는 약액의 종류에 따라 배출경로를 다르게 설정할 수 있음은 물론이다.In addition, the chemical liquid drainage cup 30 is connected to one side of the chemical liquid drainage pipe 31 in which the chemical liquid is discharged and the chemical liquid exhaust pipe 32 in which the vaporized chemical liquid is discharged, respectively, while reducing the possibility of contamination that may occur due to the mixing of the chemical liquids. Of course, the discharge path may be set differently according to the kind of the chemical liquid sprayed on the wafer 10 to be connected to the cup elevator 36 capable of reusing and collecting and reusing the chemical liquid.

상기와 같은 본 발명의 매엽식 웨이퍼 세정장치의 작동과정을 보면 도 1 및 도 2에서 보는 바와 같이, 웨이퍼(10)가 그립퍼(40) 위에 올려진 후 컵리니어모터(도면도시 생략)가 제어기(45)에 의해 구동되면 약액배액컵(30)이 수직으로 이동하여 사용할 약액에 적합한 약액배액구(39)의 높이에 맞춰져 웨이퍼척(23)의 외부를 감싸게 된다.Referring to the operation of the single wafer cleaning apparatus of the present invention as shown in Figure 1 and 2, after the wafer 10 is mounted on the gripper 40, the cup linear motor (not shown) is the controller ( When driven by 45), the chemical liquid drainage cup 30 moves vertically to fit the height of the chemical liquid drainage port 39 suitable for the chemical liquid to be used to surround the outside of the wafer chuck 23.

또한 척구동모터(21)의 구동에 의해 회전축(22)에 연결된 웨이퍼척(23)이 회전하게 되고, 그립퍼(40)의 그립퍼추(42)가 원심력에 의해 상기 웨이퍼척(23)의 외측방향으로 향하게 되면서 그립퍼턱(43)의 단부가 아래로 눌리게 되어 웨이퍼(10)는 상기 웨이퍼척(23)에 고정된 상태로 회전하게 된다.In addition, the wafer chuck 23 connected to the rotating shaft 22 is rotated by the driving of the chuck driving motor 21, and the gripper weight 42 of the gripper 40 moves outwardly of the wafer chuck 23 by centrifugal force. The end of the gripper jaw 43 is pressed down while being directed toward the wafer 10 so that the wafer 10 rotates while being fixed to the wafer chuck 23.

또한 웨이퍼(10)의 회전이 원하는 회전수에 도달하면 상부노즐리니어모터(도면 도시생략)가 제어기(45)에 의해 구동되고, 상부노즐암(28)이 수평이동하여 상부분사노즐(27)은 웨이퍼(10)의 중심부에 위치하면 약액이 상기 상부분사노즐(27)을 통해 웨이퍼(10) 위로 분사되게 된다.In addition, when the rotation of the wafer 10 reaches the desired rotational speed, the upper nozzle linear motor (not shown) is driven by the controller 45, and the upper nozzle arm 28 is horizontally moved so that the upper injection nozzle 27 is moved. When positioned at the center of the wafer 10, the chemical liquid is injected onto the wafer 10 through the upper injection nozzle 27.

그리고 상부분사노즐(27)은 상부노즐리니어모터(도면 도시생략)의 조정에 의해 상부노즐암(28)을 따라 웨이퍼(10)의 중심부에서 외부까지 수평왕복운동하면서 상기 웨이퍼(10) 위에 약액을 고르게 분사시킨다.In addition, the upper injection nozzle 27 moves the chemical liquid on the wafer 10 while horizontally reciprocating from the center of the wafer 10 to the outside along the upper nozzle arm 28 by adjusting the upper nozzle linear motor (not shown). Spray it evenly.

이때, 하부분사노즐(33)의 약액공급관(34)도 열려 하부분사노즐(33)에 의해 약액이 웨이퍼(10) 하부에 분사되며, 상기 웨이퍼(10)의 회전력에 의해 약액이 상기 웨이퍼(10)의 하부 전체에 고르게 퍼진다.At this time, the chemical liquid supply pipe 34 of the lower part four nozzle 33 is also opened, and the chemical liquid is injected into the lower part of the wafer 10 by the lower part four nozzle 33, and the chemical liquid is injected by the rotational force of the wafer 10. Spread evenly across the bottom of the).

또한 분사된 약액은 웨이퍼(10)의 표면에서 화학 반응을 일으켜 상기 웨이퍼(10)가 세정되며, 세정작업이 완료되면 상부노즐약액관(43)과 하부분사노즐약액공급관(34)이 닫혀 약액의 공급이 중단된다.In addition, the ejected chemical liquid causes a chemical reaction on the surface of the wafer 10 to clean the wafer 10. When the cleaning operation is completed, the upper nozzle chemical liquid pipe 43 and the lower part nozzle nozzle supply pipe 34 are closed to remove the chemical liquid. Supply is interrupted.

아울러 상부노즐암(28)의 이동시 불필요한 약액의 떨어짐을 방지하도록 상부분사노즐(27)의 석백밸브(Suck-Back Valve)(도면 도시생략)가 작동되어 상기 상부분사노즐(27) 단부에 남은 약액이 제거된다.In addition, a suck-back valve (not shown in the drawing) of the upper injection nozzle 27 is operated to prevent unnecessary chemicals from falling during the movement of the upper nozzle arm 28, thereby remaining the chemical liquid at the end of the upper injection nozzle 27. Is removed.

그리고 웨이퍼척(23)이 고속회전하여 웨이퍼(10) 위에 있는 약액은 상기 웨이퍼(10) 외곽으로 밀려나면서 상기 웨이퍼(10) 외부의 약액배액구(39)를 통해 배출된다.Then, the wafer chuck 23 rotates at a high speed, and the chemical liquid on the wafer 10 is pushed out of the wafer 10 and discharged through the chemical liquid drain port 39 outside the wafer 10.

또한 세정작업이 완료되면 약액배액컵(30)의 순수용 약액배액구(39)는 웨이퍼(10)의 높이에 맞춰 이동하고, 상,하부분사노즐(27)(33)에서는 순수관(48)이 열리면서 상기 웨이퍼(10)의 상하부에 순수가 분사되어 상기 웨이퍼(10)로부터 세정작업에 사용된 약액이 모두 제거되는 린스작업이 이루어지며, 린스작업에 사용된 순수는 순수용 약액배액구(39)를 통해 배출된다.In addition, when the cleaning operation is completed, the pure liquid liquid drainage port 39 of the chemical liquid drainage cup 30 moves to match the height of the wafer 10, and the upper and lower partial nozzles 27 and 33 have a pure water pipe 48. While the water is opened, pure water is injected into upper and lower portions of the wafer 10, and a rinsing operation is performed to remove all the chemical liquid used for the cleaning operation from the wafer 10, and the pure water used for the rinsing operation is a chemical liquid drain hole 39 Is discharged through).

한편, 린스작업이 완료되면 순수의 공급이 중단되면서 건조가스용 약액배액구(39)가 웨이퍼(10)의 높이에 맞춰 이동한 후, 수평이동된 상부노즐건조가스관(도면도시 생략)이 열려 상기 웨이퍼(10) 위로 건조가스가 분사된다.On the other hand, when the rinse operation is completed, the supply of pure water is stopped and the chemical liquid drain port 39 for the dry gas moves to the height of the wafer 10, and then the horizontally moved upper nozzle dry gas pipe (not shown) is opened. Dry gas is injected onto the wafer 10.

또한 웨이퍼(10) 표면의 순수는 분사된 건조가스에 의해 밀려나고 상부분사노즐(27)이 상기 웨이퍼(10) 중심부에서 외곽으로 서서히 이동하게 되면 상기 웨이퍼(10) 표면으로부터 순수가 제거되는 상기 웨이퍼(10)의 상부 건조공정이 완료된다.In addition, the pure water on the surface of the wafer 10 is pushed by the sprayed dry gas, and the pure water is removed from the surface of the wafer 10 when the upper injection nozzle 27 is gradually moved outward from the center of the wafer 10. The top drying process (10) is completed.

한편, 건조공정이 완료되면 웨이퍼척(23)은 회전을 멈추고, 그립퍼(40)의 그립퍼추(42)가 중력에 의해 아래로 향하게 되면 그립퍼턱(43)은 웨이퍼(10) 밖으로 벗어나게 된 후, 약액배액컵(30)은 아래로 내려감으로써 세척작업은 완료된다.On the other hand, when the drying process is completed, the wafer chuck 23 stops rotating, and when the gripper weight 42 of the gripper 40 is directed downward by gravity, the gripper jaw 43 is out of the wafer 10, The chemical liquid drainage cup 30 is lowered to complete the washing operation.

상기와 같은 본 발명의 매엽식 웨이퍼 세정장치는, 모터에 의해 직접 구동되는 웨이퍼척이 회전함으로써 웨이퍼는 전면과 배면이 동시에 세척되므로 공정을 크게 단축할 수 있으며, 모터의 회전력이 손실 없이 웨이퍼에 전달되므로 정밀한 세정작업이 이루어 질 수 있고, 특히 벨트(Belt)를 이용하여 회전력을 전달하는 종래의 기술과는 달리 마모에 의한 부품교체가 불필요하므로 장치의 유지비를 절감할수 있다.In the wafer type wafer cleaning apparatus of the present invention as described above, since the wafer is directly driven by the motor and the wafer is washed at the front and the back, the process can be greatly shortened, and the rotational force of the motor is transmitted to the wafer without loss. Therefore, a precise cleaning operation can be made, and in particular, unlike the conventional technology of transmitting rotational force by using a belt (Belt) it is unnecessary to replace parts by wear, thereby reducing the maintenance cost of the device.

또한 상부노즐구동부는 선형 왕복 운동과 상하 이동이 가능하게 구성되어 있어 상부 노즐을 웨이퍼의 중심부에서 웨이퍼의 외부까지 이동시킬 수 있고, 모터에 위해 회전하는 웨이퍼에 대해 적은 량의 세정용 약액으로 웨이퍼의 전체 영역에 고르게 약액, 순수 또는 건조가스를 뿌려줄 수 있어 적은 량의 세정용 약액으로 충분한 세정 효과를 얻을 수 있어 약액사용에 따른 제조 경비를 절감할 수 있다.In addition, the upper nozzle drive unit is configured to linearly reciprocate and move up and down to move the upper nozzle from the center of the wafer to the outside of the wafer, and with a small amount of cleaning chemicals for the wafer rotating for the motor, Chemical liquid, pure water or dry gas can be sprayed evenly over the entire area, so a small amount of cleaning liquid can provide sufficient cleaning effect, thereby reducing the manufacturing cost of using the chemical liquid.

또한 약액배액컵의 배출 통로는 나선형 구조로 구성되어 웨이퍼 주위의 배기 압력의 불균일에 의한 공정 불량의 가능성을 줄일 수 있으며, 배출 통로가 상하로 적재되어 있고, 상하 이동이 가능한 승강기에 연결되어 웨이퍼에 뿌려주는 약액의 종류에 따라 배출 경로를 다르게 설정할 수 있게되어, 약액이 혼합되어 발생할 수 있는 오염의 가능성을 줄이고, 배출된 약액을 수집, 정제하여 재사용 하는 것이 가능하다.In addition, the discharge passage of the chemical liquid drainage cup has a spiral structure to reduce the possibility of process failure due to the fluctuations in the exhaust pressure around the wafer, and the discharge passage is loaded up and down, and connected to an elevator that can move up and down to the wafer. The discharge route can be set differently according to the type of chemicals to be sprayed, so that it is possible to reduce the possibility of contamination caused by mixing the chemicals, and to collect, purify and reuse the discharged chemicals.

Claims (5)

웨이퍼(10)의 원주를 고정시키는 웨이퍼척(23)과, 하측의 회전력을 전달시키도록 상기 웨이퍼척(23)과 척구동모터(21)를 직접 연결시키는 회전축(22)과, 약액 또는 순수가 분사될 수 있도록 상기 웨이퍼(10)의 상하부에 위치형성된 상,하부분사노즐(27)(33)과, 회전에 따라 유입된 약액 또는 순수가 수집배출되도록 상기 웨이퍼(10)의 주위에 형성된 약액배액컵(30)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 양면 동시 세정이 가능한 매엽식 웨이퍼 세정장치.The wafer chuck 23 fixing the circumference of the wafer 10, the rotating shaft 22 directly connecting the wafer chuck 23 and the chuck driving motor 21 to transmit the lower rotational force, and the chemical or pure water Upper and lower partial nozzles 27 and 33 positioned on the upper and lower portions of the wafer 10 to be sprayed, and a chemical liquid drainage formed around the wafer 10 to collect and discharge the chemical or pure water introduced by rotation. Single wafer cleaning apparatus capable of simultaneous cleaning on both sides, comprising a cup (30). 제 1항에 있어서, 상기 회전축(22)과 웨이퍼척(23)의 중심부는 약액공급관(34)이 관통되어 하부분사노즐(33)과 연결되어 척구동모터(21)의 회전에 관계없이 약액이 분사되도록 축공동(24)과 척공동(26)이 각각 관통형성되어 서로 직접 연결되는 것을 특징으로 하는 양면 동시 세정이 가능한 매엽식 웨이퍼 세정장치.According to claim 1, wherein the rotating shaft 22 and the center of the wafer chuck 23, the chemical supply pipe 34 is penetrated and connected to the lower part nozzle 33, the chemical solution is irrespective of the rotation of the chuck drive motor 21 Single-sided wafer cleaning apparatus capable of simultaneous cleaning on both sides, characterized in that the axial cavity (24) and the chuck cavity (26) to be penetrated so that the injection is directly connected to each other. 제 1항에 있어서, 상기 하부분사노즐(33)은 웨이퍼(10)의 하부에서 중심부로 분사되는 내부약액분사구(37)와 상기 웨이퍼(10)의 중심부와 외측 사이에 분사되는 외부약액분사구(38)로 구분형성되는 것을 특징으로 하는 양면 동시 세정이 가능한매엽식 웨이퍼 세정장치.The lower chemical injection nozzle (37) of claim 1, wherein the lower partial injection nozzle (33) is injected from the lower portion of the wafer (10) to the center portion, and the outer chemical liquid injection hole (38) is injected between the center and the outside of the wafer (10). Single-sided wafer cleaning apparatus capable of simultaneous cleaning on both sides, characterized in that formed separately. 제 1항에 있어서, 상기 약액배액컵(30)은 나선형 구조의 약액배출통로(35)가 상하로 적재되면서 약액이 배출되는 약액배액관(32)과 기화된 약액이 배출되는 약액배기관(31)이 연결형성되는 것을 특징으로 하는 양면 동시 세정이 가능한 매엽식 웨이퍼 세정장치.According to claim 1, wherein the chemical liquid drainage cup 30 is a chemical liquid discharge passage 35 of the spiral structure is loaded up and down, the chemical liquid drainage pipe 32 and the chemical liquid exhaust pipe 31 for discharging the vaporized chemical liquid Single wafer cleaning apparatus capable of simultaneous cleaning on both sides characterized in that the connection is formed. 제 1항에 있어서, 상기 약액배액컵(30)은 웨이퍼(10)의 세정에 사용된 약액, 린스액, 건조가스에 따라 각각 해당되는 높이에 맞출 수 있도록 상하로 이동이 가능한 컵승강기(36)에 연결되는 것을 특징으로 하는 양면 동시 세정이 가능한 매엽식 웨이퍼 세정장치.The cup lift 36 of claim 1, wherein the chemical liquid draining cup 30 is movable up and down so as to match a corresponding height according to the chemical liquid, the rinse liquid, and the dry gas used to clean the wafer 10. Single wafer cleaning apparatus capable of simultaneous cleaning on both sides, characterized in that connected to.
KR1020020055396A 2002-09-12 2002-09-12 A Wafer Cleaning Device KR20040023943A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020055396A KR20040023943A (en) 2002-09-12 2002-09-12 A Wafer Cleaning Device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020055396A KR20040023943A (en) 2002-09-12 2002-09-12 A Wafer Cleaning Device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20040023943A true KR20040023943A (en) 2004-03-20

Family

ID=37327233

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020055396A KR20040023943A (en) 2002-09-12 2002-09-12 A Wafer Cleaning Device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20040023943A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100912703B1 (en) * 2007-10-11 2009-08-19 세메스 주식회사 Appartus for treating substrate and method for treating substrate using the same
KR100923268B1 (en) * 2007-08-29 2009-10-23 세메스 주식회사 Single type substrate treating apparatus and cleaning method thereof
KR100930826B1 (en) * 2008-05-21 2009-12-10 주식회사 케이씨텍 Single Sheet Washing Equipment
KR101445680B1 (en) * 2008-06-17 2014-10-01 주식회사 케이씨텍 Batch type cleaning apparatus for circumvolve wafer and method for cleaning
CN112201593A (en) * 2020-09-23 2021-01-08 北京北方华创微电子装备有限公司 Wafer cleaning equipment

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09260331A (en) * 1996-03-26 1997-10-03 Nippon Steel Corp Cleaner
KR20000077317A (en) * 1999-05-19 2000-12-26 마에다 시게루 Wafer cleaning apparatus and method for cleaning wafer
US6357457B1 (en) * 1998-03-16 2002-03-19 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning apparatus and method
JP2002164316A (en) * 2000-11-27 2002-06-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate-cleaning method and apparatus
KR20020064552A (en) * 2001-02-02 2002-08-09 삼성전자 주식회사 Apparatus and method of cleaning a bottom surface of semiconductor wafer
KR20020065943A (en) * 2001-02-08 2002-08-14 주식회사 코삼 A Wafer Cleaning Device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09260331A (en) * 1996-03-26 1997-10-03 Nippon Steel Corp Cleaner
US6357457B1 (en) * 1998-03-16 2002-03-19 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning apparatus and method
KR20000077317A (en) * 1999-05-19 2000-12-26 마에다 시게루 Wafer cleaning apparatus and method for cleaning wafer
JP2002164316A (en) * 2000-11-27 2002-06-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate-cleaning method and apparatus
KR20020064552A (en) * 2001-02-02 2002-08-09 삼성전자 주식회사 Apparatus and method of cleaning a bottom surface of semiconductor wafer
KR20020065943A (en) * 2001-02-08 2002-08-14 주식회사 코삼 A Wafer Cleaning Device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100923268B1 (en) * 2007-08-29 2009-10-23 세메스 주식회사 Single type substrate treating apparatus and cleaning method thereof
KR100912703B1 (en) * 2007-10-11 2009-08-19 세메스 주식회사 Appartus for treating substrate and method for treating substrate using the same
KR100930826B1 (en) * 2008-05-21 2009-12-10 주식회사 케이씨텍 Single Sheet Washing Equipment
KR101445680B1 (en) * 2008-06-17 2014-10-01 주식회사 케이씨텍 Batch type cleaning apparatus for circumvolve wafer and method for cleaning
CN112201593A (en) * 2020-09-23 2021-01-08 北京北方华创微电子装备有限公司 Wafer cleaning equipment

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100855129B1 (en) Single peace type substrate cleaning method
US5829156A (en) Spin dryer apparatus
KR100935280B1 (en) Process liquid supply nozzle and process liquid supply apparatus
KR101925173B1 (en) Substrate processing apparatus and heater cleaning method
KR100271772B1 (en) Semiconductor Wet Etching Equipment
KR100800204B1 (en) Single peace type substrate cleaning method and cleaning apparatus of the same
TWI547984B (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
KR19980018735A (en) DEVELOPING METHOD
JP5762925B2 (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
KR20100000266A (en) Substrate treating apparatus and method for selectively etching a substrate surfaces
JP2012151439A5 (en)
KR100271764B1 (en) Developer for semiconductor device fabrication and its controling method
CN114823430B (en) Equipment and method for cleaning wafer
JP5512508B2 (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
CN112242328A (en) Substrate processing apparatus and rotating assembly
KR101017102B1 (en) Wet type washing device of wafer and thereof method
JP6983602B2 (en) Board processing equipment and board processing method
KR20040023943A (en) A Wafer Cleaning Device
US7578887B2 (en) Apparatus for and method of processing substrate
KR20120015926A (en) Nozzle and apparatus for treating a substrate with the nozzle
KR100710805B1 (en) Apparatus and method for cleaning substrates used in manufacturing semiconductor devices
KR101958639B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR100871821B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR100412318B1 (en) A Wafer Cleaning Device
KR20180013327A (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application