KR20180078899A - 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 있어서 지지판에 기판을 밀착시키고 다시 리프팅하는 과정을 용이하게 수행할 수 있도록 하기 위한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 지지 유닛은, 기판을 지지하도록 제공되며, 상부면과 기판 사이에 공간이 형성되도록 복수 개의 돌출부가 형성된 지지판; 상기 공간 내부를 배기하여 진공으로 형성할 수 있도록 제공되는 진공 형성부; 상기 공간 내부에 공기를 주입할 수 있도록 제공되는 공기 주입부; 및 기판에 수행되는 공정 진행 과정에 따라 상기 진공 형성부 및 상기 공기 주입부를 제어하는 제어부를 포함할 수 있다.

Description

기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치{SUBSTRATE SUPPORT UNIT AND APPARATUS TO TREAT SUBSTRATE INCLUDING SAME}
본 발명은 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 제조 공정 중 사진 공정(photo-lithography process)은 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 형성시키는 공정이다. 사진 공정은 보통 노광 설비가 연결되어 도포공정, 노광 공정, 그리고 현상 공정을 연속적으로 처리하는 스피너(spinner local) 설비에서 진행된다. 이러한 스피너 설비는 헥사메틸다이사이레인(Hexamethyl disilazane, 이하, HMDS라 한다) 처리 공정, 도포공정, 베이크 공정, 그리고 현상 공정을 순차적 또는 선택적으로 수행한다. 여기서, HMDS 처리 공정은 감광액(PR:Photo-resist)의 밀착 효율을 상승시키기 위해 감광액 도포 전에 웨이퍼 상에 HMDS를 공급하는 공정이고, 베이크 공정은 웨이퍼 상에 형성된 감광액 막을 강화시키기 위해, 또는 웨이퍼의 온도가 기설정된 온도로 조절되기 위해 웨이퍼를 가열 및 냉각시키는 공정이다.
도 1은 HMDS 처리 공정을 처리하는 일반적인 장치(2)를 보여주는 도면이다. 장치(2)는 상부 하우징(3), 하부 하우징(4), 실링부재(5), 지지 유닛(6) 그리고 가스 공급 유닛(7)을 가진다. 가스 공급 유닛(7)은 HMDS 가스를 공급한다. HMDS는 기판(W)의 성질을 친수성에서 소수성으로 바꾸어준다. 다만, 공정 중에는 상부 하우징(3)과 하부 하우징(4)이 밀폐된 상태에서 공정이 진행된다. 밀폐된 상태를 유지하기 위해 실링부재(5)가 제공된다.
상기 장치에서 베이크 공정을 수행할 때, 휨(warpage)가 발생한 상태의 기판은 기판 전면적에 열 전달이 균일하게 이루어지지 않아 공정 불량이 발생하게 된다. 이를 해결하기 위해 진공을 사용하여 기판을 밀착시키는 방법을 사용하고 있으나, 진공 사용으로 인한 음압 발생으로 기판에 진동이 생겨 또 다른 공정 불량을 야기하게 된다.
본 발명은 기판 처리 장치에 있어서 지지판에 기판을 밀착시키고 다시 리프팅하는 과정을 용이하게 수행할 수 있도록 하기 위한 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 지지 유닛은, 기판을 지지하도록 제공되며, 상부면과 기판 사이에 공간이 형성되도록 복수 개의 돌출부가 형성된 지지판; 상기 공간 내부를 배기하여 진공으로 형성할 수 있도록 제공되는 진공 형성부; 상기 공간 내부에 공기를 주입할 수 있도록 제공되는 공기 주입부; 및 기판에 수행되는 공정 진행 과정에 따라 상기 진공 형성부 및 상기 공기 주입부를 제어하는 제어부를 포함할 수 있다.
상기 제어부는, 기판에 열처리 공정이 수행될 때, 기판이 상기 지지판에 밀착되도록 상기 진공 형성부를 제어하여 상기 공간 내부를 진공으로 형성할 수 있다.
상기 제어부는, 상기 열처리 공정이 완료된 후, 상기 공기 주입부를 제어하여 상기 공간 내부에 공기를 주입할 수 있다.
상기 지지판은, 상기 진공 형성부의 제어를 통해 기판이 상기 지지판에 밀착될 때, 기판의 전면이 상기 지지판에 밀착되도록 기판과 닿는 전면에 걸쳐 복수 개의 돌출부가 형성될 수 있다.
상기 복수 개의 돌출부는 모두 동일한 높이로 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 서로 조합되어 내부에 기판을 처리하는 처리공간을 제공하는 상부챔버와 하부챔버를 가지는 공정 챔버; 상기 처리공간 내에 위치하여, 기판을 지지하는 지지 유닛; 상기 처리공간 또는 상기 처리공간의 주위를 배기하는 배기부재; 및 상기 상부챔버와 상기 하부챔버의 접촉면에 설치되는 실링부재를 포함하며, 상기 지지 유닛은: 기판을 지지하도록 제공되며, 상부면과 기판 사이에 공간이 형성되도록 복수 개의 돌출부가 형성된 지지판; 상기 공간 내부를 진공으로 형성할 수 있도록 제공되는 진공 형성부; 상기 공간 내부에 공기를 주입할 수 있도록 제공되는 공기 주입부; 및 기판에 수행되는 공정 진행 과정에 따라 상기 진공 형성부 및 상기 공기 주입부를 제어하는 제어부를 포함할 수 있다.
상기 제어부는, 기판에 열처리 공정이 수행될 때, 기판이 상기 지지판에 밀착되도록 상기 진공 형성부를 제어하여 상기 공간 내부를 진공으로 형성할 수 있다.
상기 제어부는, 상기 열처리 공정이 완료된 후, 상기 공기 주입부를 제어하여 상기 공간 내부에 공기를 주입할 수 있다.
상기 지지판은, 상기 진공 형성부의 제어를 통해 기판이 상기 지지판에 밀착될 때, 기판의 전면이 상기 지지판에 밀착되도록 기판과 닿는 전면에 걸쳐 복수 개의 돌출부가 형성될 수 있다.
상기 복수 개의 돌출부는 모두 동일한 높이로 제공될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면 기판을 지지판에 밀착시키고 다시 리프팅하는 과정을 용이하게 수행할 수 있는 기판 처리 장치가 제공된다.
본 발명의 효과가 상술한 효과로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 HMDS 공정을 처리하는 일반적인 장치를 보여주는 도면이다.
도 2는 기판 처리 설비의 일 실시예를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 기판 처리 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 4는 도 2의 기판 처리 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 지지 유닛에 제공되는 지지판의 상면도이다.
도 6은 도 5의 A부분에 대한 확대도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 지지 유닛의 개략적인 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치 제어 방법의 예시적인 흐름도이다.
본 발명의 다른 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술 되는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
만일 정의되지 않더라도, 여기서 사용되는 모든 용어들(기술 혹은 과학 용어들을 포함)은 이 발명이 속한 종래 기술에서 보편적 기술에 의해 일반적으로 수용되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적인 사전들에 의해 정의된 용어들은 관련된 기술 그리고/혹은 본 출원의 본문에 의미하는 것과 동일한 의미를 갖는 것으로 해석될 수 있고, 그리고 여기서 명확하게 정의된 표현이 아니더라도 개념화되거나 혹은 과도하게 형식적으로 해석되지 않을 것이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다' 및/또는 이 동사의 다양한 활용형들 예를 들어, '포함', '포함하는', '포함하고', '포함하며' 등은 언급된 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 본 명세서에서 '및/또는' 이라는 용어는 나열된 구성들 각각 또는 이들의 다양한 조합을 가리킨다.
본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용된다. 특히 본 실시예의 설비는 기판에 대해 도포 공정 또는 현상 공정을 수행하는 데 사용된다.
도 2 내지 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2는 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 3는 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 2의 기판 처리 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 그리고 퍼지 모듈(800)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 내에 제공될 수 있다. 이와 달리 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 후단의 노광 장치가 연결되는 위치 또는 인터페이스 모듈(700)의 측부 등 다양한 위치에 제공될 수 있다.
이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 한다. 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 한다.
기판(W)는 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 일 예로 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다.
이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 인터페이스 모듈(700) 그리고 퍼지 모듈(800)에 대해 상세히 설명한다.
로드 포트(100)는 웨이퍼들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(120)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공된 예가 도시되었다.
인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)를 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 포함한다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)를 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 제공된다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 포함한다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.
버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 포함한다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 제공된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다.
제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 웨이퍼들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)가 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220)과 제 1 버퍼 로봇(360)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향과 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다.
제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)를 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 포함한다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 상부 또는 하부 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다.
냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)를 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 포함한다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)가 놓이는 상면 및 기판(W)를 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)를 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇이 제공된 방향에 개구를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들이 제공될 수 있다.
도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 도포 챔버(410), 열처리챔버(500), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 도포 챔버(410), 열처리챔버(500), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다.
반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 도포 챔버들(410), 그리고 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)간에 기판(W)를 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.
도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 도포 챔버(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 기판(W)를 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 기판(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 도포 챔버(410)에는 포토 레지스트가 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다.
열처리챔버(500)에 제공되는 기판 처리 장치(500)는 기판(W)의 상면에 밀착용 가스를 공급한다. 일 예로 밀착용 가스는 헥사메틸다이사이레인 (Hexamethyldisilazane, HMDS) 가스일 수 있다.
도 5는 도 2의 열처리 챔버에 제공되는 기판 처리 장치(500)를 보여주는 단면도이다. 이하, 도 5를 참고하면, 기판 처리 장치(500)는 공정챔버(510), 실링부재(520), 지지유닛(530), 가열 유닛(540), 가스 공급유닛, 배기부재(570), 그리고 제어기(590)를 포함한다.
공정챔버(510)는 내부에 처리 공간(501)을 제공한다. 공정챔버(510)는 원통 형상으로 제공될 수 있다. 이와는 달리, 직육면체 형상으로 제공될 수 있다. 공정챔버(510)는 상부챔버(511)와 하부챔버(513)를 포함한다. 상부챔버(511)와 하부챔버(513)는 서로 조합되어 내부에 처리 공간(501)을 가진다.
상부챔버(511)는 상부에서 바라 볼 때, 원형의 형상으로 제공된다. 하부챔버(513)는 상부챔부 하부에 위치한다. 하부챔버(513)는 상부에서 바라 볼 때, 원형의 형상으로 제공된다.
구동기(515)는 상부챔버(511)와 연결된다. 구동기(515)는 상부챔버(511)를 상하로 승하강시킬 수 있다. 구동기(515)는 공정챔버(510) 내부로 기판(W)을 반입 시 상부챔버(511)를 상부로 이동시켜 공정챔버(510) 내부를 개방한다. 구동기(515)는 기판(W)을 처리하는 공정 시 상부챔버(511)를 하부챔버(513)와 접촉시켜 공정챔버(510) 내부를 밀폐시긴다. 본 실시 예에서는 구동기(515)가 상부챔버(511)와 연결되어 제공되는 것을 예로 들었으나, 이와는 달리 구동기(515)는 하부챔버(513)와 연결되어 하부챔버(513)를 승하강시킬 수 있다.
실링부재(520)는 처리 공간(501)의 외부로부터 밀폐시킨다. 실링부재(520)는 상부챔버(511)와 하부챔버(513)의 접촉면에서 설치된다. 일 예로 실링부재(520)는 하부챔버(513)에 접촉면에서 설치될 수 있다.
지지유닛(530)은 기판(W)을 지지한다. 지지유닛(530)은 처리 공간(501) 내 위치한다. 지지유닛(530)은 상부에서 바라 볼 때, 원형의 형상으로 제공된다. 지지유닛(530)의 상면은 기판(W)보다 큰 단면적을 가질 수 있다. 지지유닛(530)은 열전도성이 좋은 재질로 제공될 수 있다. 지지유닛(530)은 내열성이 우수한 재질로 제공될 수 있다.
가열유닛(540)은 지지유닛(530)에 놓인 기판(W)을 가열한다. 가열유닛(540)은 지지유닛(530)의 내부에 위치할 수 있다. 일 예로 가열유닛(540)은 히터로 제공될 수 있다. 히터는 지지유닛(530) 내부에 복수개 제공될 수 있다.
가스 공급 유닛(550)은 처리 공간(501) 내에 위치한 기판(W)으로 가스를 공급한다. 가스는 밀착용 가스 일 수 있다. 일 예로 가스는 헥사메틸다이사이레인으로 제공될 수 있다. 가스는 기판(W)의 성질은 친수성에서 소수성으로 변화시킬 수 있다. 가스는 캐리어 가스와 혼합되어 제공될 수 있다. 캐리어 가스는 불황성 가스로 제공될 수 있다. 일 예로 불황성 가는 질소가스 일 수 다.
가스 공급 유닛(550)은 가스 공급관(551)과 가스 공급 라인(553)을 포함한다. 가스 공급관(551)의 상부챔버(511)의 중앙영역에 연결된다. 가스 공급관(551)은 가스 공급 라인(553)에서 전달된 가스를 기판(W)으로 공급한다. 가스 공급관(551)에 가스 공급 위치는 기판(W)의 중앙 상부 영역과 대향되게 위치한다.
배기부재(570)는 처리 공간(501) 또는 처리 공간(501)의 주변을 배기한다. 여기서 처리 공간(501)의 주변부는 상부챔버(511)와 하부챔버(513)과 접촉되는 접촉면의 공간으로 정의한다.
배기부재(570)는 외측 배기라인(571), 내측 배기라인(573), 통합 라인(575) 그리고 감압부재(577)를 포함한다.
외측 배기라인(571)은 외측 배기홀(572)과 연결된다. 외측 배기홀(572)은 상부챔버(511) 또는 하부챔버(513)에 형성된다. 일 예로 외측 배기홀(572)은 도 5와 같이 하부챔버(513)에 형성될 수 있다. 이와는 달리, 도 6과 같이 외측 배기홀(572)은 상부챔버(511)에 형성될 수 있다. 외측 배기홀(572)은 지지유닛(530)을 기준으로 실링부재(520)보다 외측에 위치한다. 외측 배기홀(572)은 상부챔버(511)에 링형상으로 제공될 수 있다. 이와는 달리 외측 배기홀(572)은 복수개의 홀로 제공될 수 있다. 외측 배기라인(571)은 외측 배기홀(572)과 연결되어 지지유닛(530)을 기준으로 처리 공간(501)의 주변인 실링부재(520)의 외측 영역을 배기할 수 있다. 외측 배기라인(571)은 외측 배기홀(572)과 대응되는 개수로 제공될 수 있다.
내측 배기라인(573)은 처리 공간(501)을 배기한다. 내측 배기라인(573)은 내측 배기홀(574)과 연결된다. 내측 배기홀(574)은 상부챔버(511) 또는 하부챔버(513)에 제공된다. 일 예로 도 5와 같이 내측 배기홀(574)은 하부챔버(513)에 형성될 수 있다. 이와는 달리, 도 6과 같이 내측 배기홀(574)은 상부챔버(511)에 형성될 수 있다. 내측 배기홀(574)은 처리 공간(501)에 위치한다. 내측 배기홀(574)은 지지유닛(530)의 외측에 위치한다. 내측 배기홀(574)은 복수개 제공될 수 있다. 내측 배기라인(573)은 내측 배기홀(574)과 대응되는 개수로 제공될 수 있다.
통합 라인(575)은 내측 배기라인(573) 및 외측 배기라인(571)에 각각 연결된다. 통합 라인(575)은 내측 배기라인(573)과 외측 배기라인(571)에 배기물이 외부로 배출되로록 제공된다.
감압부재(577)는 처리 공간(501) 및 처리 공간(501) 주변의 배기 시 감압을 제공한다. 감압부재(577)는 통합 라인(575)에 설치되어 제공될 수 있다. 이와는 달리 감압부재(577)는 복수개로 제공되어 내측 배기라인(573)과 외측 배기라인(571)에 각각 설치될 수 있다. 일 예로 감압부재(577)는 펌프로 제공될 수 있다. 이와는 달리 감압을 제공하는 공지의 장치로 제공될 수 있다.
제어기(590)는 감압부재(577)와 가스 공급 유닛(550)을 제어한다. 제어기(590)는 기판(W)을 처리하는 공정 중 처리 공간(501)의 압력을 미압으로 유지하도록 가스 공급 유닛(550) 및 감압부재(577)을 제어할 수 있다. 예컨대, 미압은 압력이 50 내지 500 파스칼(SP)인 압력일 수 있다. 일 예로 제어기(590) 기판(W)을 처리하는 공정 중 처리 공간(501)의 압력을 50 내지 500 파스칼(SP)로 유지하도록 가스 공급 유닛(550) 및 감압부재(577)를 제어할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(500)로 기판(W)을 처리하는 방법을 설명한다.
외부에서 이송된 기판(W)을 지지유닛(530)에 안착한다. 기판(W)의 이송 후 공정챔버(510)는 상부챔버(511)의 하강으로 밀폐된다. 처리 공간(501)이 밀폐된 후 가스 공급 유닛(550)에서는 가스를 공급한다. 공급되는 밀착용 가스는 헥사메틸다이사이레인 가스 또는 헥사메틸다이사이레인과 캐리어가스가 혼합되어 공급될 수 있다. 처리 공간(501)에 가스가 공급되면, 배기부재(570)는 처리 공간(501) 또는 처리 공간(501) 주변을 배기한다. 이 때, 제어기(590)를 통하여 감압부재(577)와 가스 공급 유닛(550)을 제어하여 내부에 압력을 50 내지 500 파스칼로 유지한다.
또한, 공정 진행 시 가열 유닛(540)을 통해서 기판(W)을 가열 할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법은 기판(W)에 밀착용 가스를 공급하는 공정에서 진공압이 아닌 미압(50~500Pa)로 유지하여 내부에 고진공을 유지할 필요가 없다. 이에 따라, 처리 공간 내부를 고진공으로 유지할 필요가 없어 고가의 고진공부품을 사용할 필요가 없다. 또한, 실링부재(520)의 주변의 틈이나 기판(W)의 반입 반출로 인한 고진공 유지가 어려운 문제점이 없다.
또한, 배기부재(570)를 통한 처리 공간(501) 및 처리 공간(501) 주변을 배기하여 기판(W) 처리 공정 중 발생되는 흄이 기판(W)에 영향을 주는 것을 방지 또는 최소화 할 수 있다. 또한, 공정 중 미압(50~500Pa) 유지 및 배기로 인하여 밀착용 가스를 공급하는 기판(W) 처리 공정에 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 처리 공간(501) 내부를 미압(50~500Pa)으로 유지하여, 외부에 기류가 침입하는 것을 방지 또는 최소화할 수 있다. 내부에 가스가 외부로 배출되어 외부 환경을 오염시키는 것을 방지 또는 최소화할 수 있다.
이하 도 2 내지 도 4를 참조하면, 베이크 챔버(420)는 기판(W)를 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)를 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한, 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 도금 열선을 이용한 가열 수단(424)이 제공될 수 있다. 이와는 달리 가열 플레이트(422)에는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공될 수 있다. 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다. 선택적으로 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다.
현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다.
반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 그리고 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350) 간에 기판(W)를 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.
현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다.
현상 챔버(460)는 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 기판(W)를 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다.
베이크 챔버(470)는 기판(W)를 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)를 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)를 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 웨이퍼를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다. 선택적으로 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다.
상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다.
인터페이스 모듈(700)은 기판(W)를 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 포함한다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다.
인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)를 운반한다.
제 1 버퍼(720)는 공정이 수행된 기판(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)가 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 유사한 구조를 가진다. 인터페이스 모듈에는 웨이퍼에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.
퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 내에 배치될 수 있다. 구체적으로, 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 로봇(740)을 중심으로 제 1 버퍼(720)와 마주보는 위치에 배치될 수 있다. 이와 달리 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 후단의 노광 장치(900)가 연결되는 위치 또는 인터페이스 모듈(700)의 측부 등 다양한 위치에 제공될 수 있다. 퍼지 모듈(800)은 노광 전후 처리 모듈(600)에서 포토레지스트의 보호를 위한 보호막이 도포된 웨이퍼에 대해 가스 퍼지 공정과 린스 공정을 수행한다.
이하, 도 5 내지 8을 참조하여 본 발명의 일 실시 예 따른 기판 지지 유닛에 대해서 구체적으로 설명한다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 지지 유닛에 제공되는 지지판의 상면도이며, 도 6은 도 5의 A부분에 대한 확대도이다.
도 5 및 6에 도시된 바와 같이, 상기 지지판은 기판을 지지하도록 제공되며, 상부면과 기판 사이에 공간이 형성되도록 복수 개의 돌출부가 형성되어있을 수 있다.
일 실시 예에 따라, 지지판의 상부면의 면적의 약 12%를 차지하도록 돌출부가 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 일 실시 예에 따라, 기판이 동일한 높이로 지지되도록 하기 위해, 상기 복수 개의 돌출부는 모두 동일한 높이로 제공될 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 지지 유닛의 개략적인 도면이다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 지지 유닛은 지지판, 진공 형성부, 공기 주입부, 및 제어부를 포함한다.
상술한 바와 같이, 상기 지지판은 기판(W)을 지지하도록 제공된다. 도 7에 도시된 바와 같이, 지지판에는 복수 개의 돌출부가 형성되고 기판(W)은 돌출부들에 의해 지지될 수 있다.
진공 형성부는 지지판의 상부면과 기판, 돌출부 사이의 공간 내부를 배기하여 진공으로 형성할 수 있다. 공기 주입부는 상기 공간 내부에 공기를 주입할 수 있도록 제공된다. 제어부는 상기 진공 형성부 및 상기 공기 주입부를 공정 진행 과정에 따라 제어할 수 있다.
제어부는 기판에 열처리 공정이 수행될 때, 기판이 지지판에 밀착되어 기판 전면에 고르게 열처리가 수행되도록 할 수 있다. 상기 내부 공간을 진공으로 형성함으로써, 기판이 지지판에 밀착될 수 있다. 이로써 휨(warpage)이 발생한 기판이라도 지지판에 밀착시켜 전면에 고르게 열처리가 수행되도록 할 수 있다.
그러나 상기와 같은 진공 형성 방법으로 인해, 열처리 공정이 완료된 후 기판을 리프팅할 때 돌출부 사이의 공간 내부에 음압 발생으로 인해 기판 튕김 및 진동이 발생한다. 이를 방지하게 위해, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 지지 유닛은 공기 주입부를 더 포함한다.
제어부는 열처리 공정이 완료된 후, 공기 주입부를 제어하여 상기 공간 내부에 공기를 주입한다. 이로써, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 지지 유닛은 기판을 밀착시키기 위해 사용되는 진공 형성 방법으로 인해 발생하는 기판 튕김 및 진동 발생 현상을 억제할 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치 제어 방법(1000)의 예시적인 흐름도이다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치 제어 방법(1000)은, 진공 형성부를 제어하여 기판이 지지판에 밀착되도록 하는 단계(S1100), 열처리 등 기판 상에 공정을 수행하는 단계(S1200), 및 공정 완료 후 기판 리프팅 시 공기 주입부를 제어하여 내부 공간의 음압 발생을 억제하는 단계(S1300)를 포함할 수 있다.
이상의 실시 예들은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 제시된 것으로, 본 발명의 범위를 제한하지 않으며, 이로부터 다양한 변형 가능한 실시 예들도 본 발명의 범위에 속할 수 있음을 이해하여야 한다. 예를 들어, 본 발명의 실시 예에 도시된 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 반대로 여러 개로 분산된 구성 요소들은 결합 되어 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이며, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 문언적 기재 그 자체로 한정되는 것이 아니라 실질적으로는 기술적 가치가 균등한 범주의 발명에 대하여까지 미치는 것임을 이해하여야 한다.
500: 기판 처리 장치 510: 공정챔버
511: 상부챔버 513: 하부챔버
520: 실링부재 530: 지지유닛
540: 가열 유닛 550: 가스 공급 유닛
570: 배기부재 571: 외측 배기라인
572: 외측 배기홀 573: 내측 배기라인
574: 내측 배기홀 575: 통합 라인
577: 감압 부재 590: 제어기

Claims (10)

  1. 기판을 지지하도록 제공되며, 상부면과 기판 사이에 공간이 형성되도록 복수 개의 돌출부가 형성된 지지판;
    상기 공간 내부를 배기하여 진공으로 형성할 수 있도록 제공되는 진공 형성부;
    상기 공간 내부에 공기를 주입할 수 있도록 제공되는 공기 주입부; 및
    기판에 수행되는 공정 진행 과정에 따라 상기 진공 형성부 및 상기 공기 주입부를 제어하는 제어부를 포함하는 기판 지지 유닛.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제어부는,
    기판에 열처리 공정이 수행될 때, 기판이 상기 지지판에 밀착되도록 상기 진공 형성부를 제어하여 상기 공간 내부를 진공으로 형성하는 기판 지지 유닛.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 열처리 공정이 완료된 후, 상기 공기 주입부를 제어하여 상기 공간 내부에 공기를 주입하는 기판 지지 유닛.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 지지판은,
    상기 진공 형성부의 제어를 통해 기판이 상기 지지판에 밀착될 때, 기판의 전면이 상기 지지판에 밀착되도록 기판과 닿는 전면에 걸쳐 복수 개의 돌출부가 형성된 기판 지지 유닛.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 복수 개의 돌출부는 모두 동일한 높이로 제공되는 기판 지지 유닛.
  6. 서로 조합되어 내부에 기판을 처리하는 처리공간을 제공하는 상부챔버와 하부챔버를 가지는 공정 챔버;
    상기 처리공간 내에 위치하여, 기판을 지지하는 지지 유닛;
    상기 처리공간 또는 상기 처리공간의 주위를 배기하는 배기부재; 및
    상기 상부챔버와 상기 하부챔버의 접촉면에 설치되는 실링부재를 포함하며,
    상기 지지 유닛은:
    기판을 지지하도록 제공되며, 상부면과 기판 사이에 공간이 형성되도록 복수 개의 돌출부가 형성된 지지판;
    상기 공간 내부를 진공으로 형성할 수 있도록 제공되는 진공 형성부;
    상기 공간 내부에 공기를 주입할 수 있도록 제공되는 공기 주입부; 및
    기판에 수행되는 공정 진행 과정에 따라 상기 진공 형성부 및 상기 공기 주입부를 제어하는 제어부를 포함하는 기판 처리 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제어부는,
    기판에 열처리 공정이 수행될 때, 기판이 상기 지지판에 밀착되도록 상기 진공 형성부를 제어하여 상기 공간 내부를 진공으로 형성하는 기판 처리 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 열처리 공정이 완료된 후, 상기 공기 주입부를 제어하여 상기 공간 내부에 공기를 주입하는 기판 처리 장치.
  9. 제7 항에 있어서,
    상기 지지판은,
    상기 진공 형성부의 제어를 통해 기판이 상기 지지판에 밀착될 때, 기판의 전면이 상기 지지판에 밀착되도록 기판과 닿는 전면에 걸쳐 복수 개의 돌출부가 형성된 기판 처리 장치.
  10. 제6 항에 있어서,
    상기 복수 개의 돌출부는 모두 동일한 높이로 제공되는 기판 처리 장치.
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