KR20180078092A - Temperature Swing을 이용한 MEG 재생시스템에서의 염 제거 - Google Patents

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KR20180078092A
KR20180078092A KR1020160183110A KR20160183110A KR20180078092A KR 20180078092 A KR20180078092 A KR 20180078092A KR 1020160183110 A KR1020160183110 A KR 1020160183110A KR 20160183110 A KR20160183110 A KR 20160183110A KR 20180078092 A KR20180078092 A KR 20180078092A
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Abstract

MEG 재생시스템에 있어서,
리치 MEG를 공급받아 상기 리치 MEG로부터 물을 제거하여 린 MEG로 체인지하는 증류탑;
상기 증류탑과 연결되어 상기 린 MEG에서 염을 제거하는 플래쉬 세퍼레이터;
상기 증류탑과 연결되어 웰헤드로부터 공급받은 리치 MEG에서 2가염을 변경되는 온도상에서 석출하여 제거하는 프리트리트먼트 베슬;
을 포함하는 MEG 재생시스템이 개시된다.

Description

Temperature Swing을 이용한 MEG 재생시스템에서의 염 제거{Salt Removal Using Temperature Swing in MEG Regeneration System}
본 기술은 MEG 재생시스템에 관한 것이다.
특히 MEG 재생시스템에 포함된 불순물인 염을 온도변화를 통하여 제거하는 Temperature Swing을 이용한 meg 재생시스템에서 염을 제거하는 것에 관한 것이다.
일반적으로, MEG(Mono Ethylene Glycol)는 부동액으로 많이 사용되는데, 해저(Subsea) 시추작업에서 해저 파이프라인에서 발생되는 하이드레이트(Hydrate)의 생성을 근본적으로 차단하는 열역학적 억제제(Thermodynamic Hydrate Inhibitor, THI)로 사용된다.
도 1은 종래의 기술에 따른 MEG 순환 시스템을 도시한 구성도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 MEG 순환 공급 시스템(10)은 해상에 위치하는 탑사이드(Topside)에서 생성된 MEG를 해저에 위치하는 웰헤드(Wellhead; 1)로 주입하여 배관에서 하이드레이트의 생성을 방지하는 기능을 수행한다.
MEG는 웰헤드(1)로부터 생성되는 물과 함께 세퍼레이터(Separator; 11)로 이동하여 물과 가스 등이 1차적으로 분리되도록 한 다음, MEG 재생 패키지(MEG regeneration package; 12)로 공급된다.
세퍼레이터(11)는 웰헤드(1)로부터 이동한 리치 MEG로부터 가스와 컨덴세이트를 분리하여, 가스 트리트먼트(Gas treatment) 및 컨덴세이트 트리트먼트(Condensate treatment)를 위해 보내게 된다.
MEG 재생 패키지(12)는 세퍼레이터(11)로부터 다량의 물, 염 성분을 포함한 리치(Rich) MEG를 공급받아 물과 염성분을 제거하여 최종 생성되는 린(Lean) MEG를 웰헤드(1)로 주입하게 된다.
위와 같이 최종적인 린 MEG를 재생산 하기 위하여 MEG에 포함된 1가염 또는 2가염을 각각 제거하게 되는데, 특히나 2가염의 제거는 화학물질 및 이에 따른 석출 방법이 이용된다.
즉, MEG에 화학물질을 주입하여 염을 석출시킨 후 석출된 염을 제거하는 방식으로 염을 제거한다.
그러나 위와 같은 염 제거 방식은 주입되는 화학물질의 양이 증대되어 OPEX가 절감될 수 없으며, 화학물질 주입을 위한 주입시설이 크게 존재할 수밖에 없는 문제점이 있었다.
1. 국제공개번호 WO2014/036253, "PROCESS, METHOD, AND SYSTEM FOR REMOVING HEAVY METALS FROM FLUIDS" 2. 미국공개번호 2008/0023071, "HYDRATE INHIBITED LATEX FLOW IMPROVER"
본 발명은 전술한 문제점을 해결하고자 하는 목적을 가지는 발명으로, 2가염을 제거할 때 주입되는 화학물질을 감소시켜서 화학물질 주입을 위한 별도의 주입시설의 크기를 감소시켜 OPEX의 절감 및 CAPEX의 절감이 도모되는 MEG 재생시스템을 제공하는데 목적이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 MEG 재생시스템은 리치 MEG를 공급받아 상기 리치 MEG로부터 물을 제거하여 린 MEG로 체인지하는 증류탑; 상기 증류탑과 연결되어 상기 린 MEG에서 염을 제거하는 플래쉬 세퍼레이터; 상기 증류탑과 연결되어 웰헤드로부터 공급받은 리치 MEG에서 2가염을 변경되는 온도상에서 석출하여 제거하는 프리트리트먼트 베슬;을 포함한다.
여기서, 프리트리트먼트 베슬은, 상기 웰헤드로부터 공급받은 리치 MEG를 제1온도에서 염을 제거하는 제1프리트리트먼트 베슬 및 상기 1프리트리트먼트 베슬과 상기 증류탑 사이에 설치되어 상기 제2온도에서 염을 제거하는 제2프리트리트먼트 베슬을 포함한다.
여기서, 제1프리트리트먼트 베슬과 상기 제2프리트리트먼트 베슬 사이에는 제1연결라인으로 연결되고, 상기 제2프리트리트먼트와 상기 증류탑 사이에는 제2연결라인으로 연결되며, 상기 제2연결라인에는 분기되어 상기 제1연결라인과 연결되는 제1순환라인이 설치되며, 상기 순환라인에는 리사이클히터가 설치되는 것을 특징으로 포함한다.
여기서, 제1프리트리트먼트 베슬은 공급라인을 통하여 상기 리치 MEG를 공급받고, 상기 제2연결라인과 상기 공급라인 사이에는 제2순환라인이 설치되고, 상기 제2순환라인에는 리사이클쿨러가 설치되는 것을 포함한다.
여기서, 제1프리트리트먼트 베슬 및 제2프리트리트먼트 베슬은 각각 제1배출라인 및 제2배출라인을 통하여 원심분리기와 연결되어 석출된 염을 제거하는 것을 포함한다.
전술한 구성으로 형성되는 본 발명의 일실시예에 의한 MEG 재생시스템은 2가염을 제거하기 화학물질 주입 전 온도를 이용하여 2가염을 1차로 제거하는 바, 화학물질을 감소시켜서 화학물질 주입을 위한 별도의 주입시설의 크기를 감소시켜 OPEX의 절감 및 CAPEX의 절감이 가능한 효과가 있다.
도 1은 종래의 MEG 순환 시스템을 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 원리가 되는 온도에 따른 각 염의 용해도를 도시한 것이다.
도 3a는 종래의 프리트리트먼트 베슬을 도시한 것이고, 도 3b는 본 발명의 프리트리트먼트 베슬을 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 MEG 재생시스템을 도시한 것이다.
이하, 본 발명의 일실시예를 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 그러나 이는 본 발명의 범위를 한정하려고 의도된 것은 아니다.
각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
또한, 도면에 도시된 구성요소의 크기나 형상 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시될 수 있다. 또한, 본 발명의 구성 및 작용을 고려하여 특별히 정의된 용어들은 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 것일 뿐이고, 본 발명의 범위를 한정하는 것이 아니다.
도 2는 본 발명의 원리가 되는 온도에 따른 각 염의 용해도를 도시한 것이다.
도 3a는 종래의 프리트리트먼트 베슬(110)을 도시한 것이고, 도 3b는 본 발명의 프리트리트먼트 베슬(110)을 도시한 것이다.
도 2에 의하여 확인할 수 있듯이, 일반적으로 온도가 높아질수록 염들은 용액에 잘 녹게 된다. 그러나 각 온도에 따라 염들이 녹을 수 있는 양이 정해져 있는다. 즉, 일정 온도에서 일정량의 용매에 용질이 최대한 녹아, 더 이상 녹을 수 없는 상태의 용액을 포화용액이라고 한다.
종래의 MEG 재생시스템에서 프리트리트먼트 베슬(110)은 리사이클 히터(140) 등을 활용하여 프리트리트먼트 베슬(110)의 온도를 높게 하도록 노력하였다. 이는 염(특히나 2가염)을 제거하기 위함인데, 이는 도 2의 내용과는 상반되는 내용일 수 있으나, 고온에서 리치 MEG에 포함되어 있는 염들과 화학 반응을 하여 슬러리 형태로 석출시키는 화학 물질과 잘 반응하도록 하기 위함이었다.
그러나 위와 같이 동작을 수행함에 있어서, 리치 MEG에 주입되는 화학 물질이 많이 요구되는 문제점이 있었으며, 염과 반응하여 염을 석출 시키는 화학물질 그 자체도 리치 MEG에서 염의 역할을 하여 염이 증가되는 문제점 등이 발생하였다.
또한, 화학물질을 주입하는 별도의 시설의 크기가 증가되는 문제점 등 역시 발생하였다.
위와 같은 문제점 등은 결국 MEG 재생시스템을 운용하는 운영자에게 부담으로 작용하였다.
위와 같은 문제점은 결국 2가염을 제거하기 위하여 주입되는 화학물질의 양을 줄일 수 있으면 해결될 수 있다.
본 발명은 위와 같은 문제점을 해결하고자 프리트리트먼트 베슬(110)에 Temperature Swing을 적용하였다.
도 3b를 통하여 이를 확인하면 본 발명은 프리트리트먼트 베슬(110)을 제1프리트리트먼트 베슬(111) 및 제2프리트리트먼트 베슬(112)로 구성하였다.
제1프리트리트먼트 베슬(111)는 제1온도로 유지되며, 제2프리트리트먼트 베슬(112)은 종래와 동일한 온도인 제2온도로 유지되도록 한다.
여기서, 제1온도는 제2온도보다 낮은 온도이다.
전술하여 설명한 바와 같이 낮은 온도를 가지면 해당 온도에 최대로 녹을 수 있는 염을 제외한 나머지 염들은 자연스럽게 석출된다.
따라서, 화학물질을 주입하여 2가염을 제거하는 제2트리트먼트 베슬은 제1프리트리트먼트 베슬(111)에서 염이 선차적으로 제거된 리치 MEG가 공급되는 바, 화학물질을 적게 주입할 수 있다.
도 4는 본 발명의 MEG 재생시스템을 도시한 것이다.
본 발명의 실시예에 의한 MEG 재생 시스템은 MEG로부터 2가염이온을 석출시키기 위한 전처리부(100)(Pretreatment section), MEG로부터 물을 분리하기 위한 재농축부(200)(200)(Reconcentration section), 그리고 배출되는 MEG의 염 농도를 낮추도록 하는 재생부(300)(Reclamation section)를 포함한다.
여기서, 전처리부(100)는 웰헤드(Wellhead)로부터 세퍼레이터(Separator)를 통과한 리치 MEG가 공급라인(510)을 통해서 프리트리트먼트 베슬(110)로 공급되고, 프리트리트먼트 베슬(110)에서 2가염을 석출시킨다.
재농축부(200)는 상압증류법을 이용하여 물을 MEG로부터 제거하여 리치 MEG에서 물이 제거된 린 MEG를 생성한다.
재생부(300)는 진공증류법을 이용하여 재농축부(200)에서 물이 제거된 린 MEG의 염성분(특히 1가염)을 제거한다.
본 발명의 전처리부(100)는 제1프리트리트먼트 베슬(111), 제2프리트리트먼트 베슬(112), 제1펌프(120), 제2펌프(130), 리사이클 히터(140), 리사이클 쿨러(150), 제1원심분리기(160), 제2원심분리기(170)를 포함한다.
제1프리트리트먼트 베슬(111)는 공급라인(510)을 통하여 세퍼레이트로부터 리치 MEG를 공급받는다.
제1프리트리트먼트 베슬(111)는 제1온도로 유지되도록 한다. 제1프리트리트먼트가 제1온도로 유지됨은 후술할 리사이클 쿨러(150)에 의하여 가능하다.
제1프리트리트먼트 베슬(111)는 제1온도로 유지되어 공급라인(510)을 통하여 공급되는 리치 MEG에서 일정량의 염을 석출한다. 이렇게 석출된 염은 제1프리트리트먼트에 연결된 제1배출라인(570)을 통하여 제1원심분리기(160)로 이동되어 제거된다.
제2프리트리트먼트 베슬(112)는 제1프리트리트먼트 베슬(111)와 제1연결라인(520)으로 연결된다.
제2프리트리트먼트 베슬(112)은 제2온도로 유지된다. 여기서, 제2프리트리트먼트 베슬(112)이 제2온도로 유지됨은 후술할 리사이클 히터(140)에 의하여 가능하다.
제2프리트리트먼트 베슬(112)은 화학물질공급부(180)에 의하여 화학물질이 주입된다. 주입되는 화학물질은 리치 MEG의 2가염과 반응하여 슬러리 형태 또는 그와 유사한 형태로 석출된다.
제2프리트리트먼트 베슬(112)은 제2배출라인(580)을 통하여 제2원심분리기(170)와 연결되어 있다. 위와 같이 화학물질에 의하여 석출되는 2가염은 제2배출라인(580)을 통하여 제2프리트리트먼트 베슬(112)에서 제2원심분리기(170)로 이동되어 제거된다.
여기서, 제2원심분리기(170)에는 기체를 배기하기 위한 제1배기라인(560)과 연결되어 있다.
제2프리트리트먼트 베슬(112)과 증류탑(210)은 제2연결라인(530)에 의하여 연결되어 있다. 여기서, 제2연결라인(530)에서 라인이 분기되어 제1순환라인(560) 및 제2순환라인(550)이 형성될 수 있다.
또한, 제2연결라인(530)에는 MEG의 이동을 보조하기 위한 제1펌프(120)가 설치될 수 있다.
제1순환라인(560)은 제2연결라인(530)에서 분기되어 제1프리트리트먼트 베슬(111)과 제2프리트리트먼트 베슬(112) 사이에 연결된 제1연결라인(520)으로 연결될 수 있다.
제1순환라인(560)에는 리사이클 히터(140)가 설치될 수 있다. 따라서 분기되어 다시 제2프리트리트먼트 베슬(112)로 공급되는 MEG에 열을 공급할 수 있다.
제2순환라인(550)은 제1순환라인(560)에서 다시 분기되어 공급라인(510)과 연결된다. 즉, 제2연결라인(530)에서 분기된 라인이 공급라인(510)과 연결되는 형태로 형성된다.
제2순환라인(550)에는 MEG의 이동을 보조하기 위한 제2펌프(130)가 설치될 수 있다. 제2순환라인(550)에는 리사이클 쿨러(150)가 설치된다. 리사이클 쿨러(150)는 제2프리트리트먼트 베슬(112)을 통과하며 제2온도로 가열된 MEG를 제1온도로 낮추는 역할을 한다. 리사이클 쿨러(150)를 통과한 MEG는 다시 제1프리트리트먼트 베슬(111)로 공급될 수 있다.
여기서, 리사이클 히터(140)는 MEG가 제2온도보다 높은 온도가 되도록 MEG에 열을 가할 수 있다. 이는 제1프리트리트먼트 베슬(111)을 통과하며 제1온도인 MEG와 함께 제2프리트리트먼트 베슬(112)로 이동되기 때문이다.
제2프리트리트먼트 베슬(112)은 제2연결라인(530)을 통하여 증류탑(210)과 연결된다.
재농축부(200)는 증류탑(210), 리플럭스 콘덴서(220), 리플럭스 드럼(230), 리플럭스 펌프(240) 및 리보일러(250)를 포함할 수 있다.
증류탑(210)은 제2연결라인(530)을 통하여 염(특히 2가염)이 제거된 리치 MEG가 이동된다.
증류탑(210)은 폐열을 회수하기 위하여 리보일러(250)가 설치된다.
리보일러(250)는 증류탑(210)에서 물이 제거된 린 MEG가 공급되는 제3연결라인에서 분기되어 다시 증류탑(210)으로 연결되는 회송라인(630)에 설치된다.
즉, 리보일러(250)를 통과한 고온상태의 린 MEG를 증류탑(210)으로 되돌아가도록 하여 리치 MEG와 열교환을 시켜준다.
증류탑(210)은 상압증류법을 활용하여 리치 MEG에서 물을 제거한다.
즉, 상압에서 물의 끓는점이 약 100도이고, MEG의 끓는점이 약 200도인 두 물질간의 차이점을 이용한다.
즉, 증류탑(210)과 리보일러(250)를 이용하여 상압증류법을 통해 물과 MEG를 분리하여 린 MEG를 재생부(300)로 이동되도록 한다.
증류탑(210)은 탑상, 탑하에 각각 별도의 라인이 설치된다.
증류탑(210)의 탑상에는 리플럭스라인(590)을 통하여 리플럭스(Reflux)가 순환되기 위한 리플럭스의 응축 및 이송 등을 위한 리플럭스 콘덴서(220)(Reflux condenser), 리플럭스 드럼(230)(Reflux drum) 및 리플럭스 펌프(240)(Reflux pump)가 각각 설치된다.
리플럭스 드럼(230)에는 기체의 배기를 위한 제2배기라인(600)이 연결될 수 있다.
리플럭스 드럼(230)은 응축수를 배출하기 위한 리플럭스 펌프(240) 및 응축수배출라인(610)과 연결될 수 있다.
여기서, 응축수배출라인(610)은 분기하여 제3배출라인(640)과 연결되는 고온수공급라인(620)이 형성될 수 있다.
재생부(300)는 플래쉬 세퍼레이터(310), 제3펌프(320), 히터(330), 콘덴서(340), 드럼(350), 제3원심분리기(360)를 포함할 수 있다.
플래쉬 세퍼레이터(310)는 증류탑(210)의 탑하에서 제3연결라인을 통하여 증류탑(210)과 연결된다.
플래쉬 세퍼레이터(310)는 증류탑(210)과 마찬가지로, 상부는 드럼연결라인(670)을 통하여 콘덴서(340) 및 베큠 펌프(Vacuum pump) 측으로 연결되는 드럼(350)과 연결되고, 하부는 제3배출라인(640)을 통하여 제3원심분리기(360)와 연결된다.
재생부(300)는 재농축부(200)를 통과한 린 MEG가 여전히 다량의 염 성분을 포함하고 있으므로, 린 MEG를 해저의 웰헤드로 주입하기 전에 린 MEG로부터 염(1가염)을 제거해 주는 공정을 수행하게 된다.
이러한 1가염 제거 공정의 핵심은 진공상태에서 쉽게 증발되는 원리를 이용한 진공증류기법인데, 이는 플래쉬 세퍼레이터(310)의 상부에 진공을 형성시킴으로써 증발이 이루어지도록 하고, 증발되지 못한 염을 슬러리 형태로 플래쉬 세퍼레이터(310)의 하부로 보내어 제3원심분리기(360)를 통해 제거되도록 한다.
여기서, 제3원심분리기(360)는 플래쉬 세퍼레이터(310)와 제3배출라인(640)으로 연결되는데, 제3배출라인(640)에는 전술한 고온수공급라인(620)과 연결되어 슬러리 형태의 염성분에 고온수가 공급되도록 할 수 있다.
제3배출라인(640)에는 플래쉬 세퍼레이터(310)에서 제거되는 슬러리의 이동을 보조하는 제3펌프(320)가 설치될 수 있다.
제3배출라인(640)에는 분기되어 다시 플래쉬 세퍼레이터(310)로 연결되는 분기라인(660)이 형성된다. 제3원심분리기(360)로 이동되어 제거되기 전 다시 한번 플래쉬 세퍼레이터(310)에 의하여 MEG를 염과 분리하기 위함이다.
이렇게 염 및 물이 제거된 린 MEG는 다시 열교환라인(680)을 통하여 열교환부(400)로 공급된다.
열교환부(400)는 리보일러(250)를 통과한 고온상태의 린 MEG를 증류탑(210)으로 들어가는 리치 MEG와 열교환을 시켜줌으로써, 리치 MEG의 온도를 상승시킴으로써 리보일러(250)의 부담을 저감시켜 준다.
이를 통하여 최종적으로 낮은 온도가 된 린 MEG는 최종라인(690)을 통하여 다시 웰헤드로 공급된다.
본 발명은 특정한 실시 예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 이하의 특허청구범위에 의해 제공되는 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 한도 내에서, 본 발명이 다양하게 개량 및 변화될 수 있다는 것은 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명할 것이다.
100 : 전처리부 110 : 프리트리트먼트 베슬
111 : 제1프리트리트먼트 베슬
112 : 제2프리트리트먼트 베슬
120 : 제1펌프 130 : 제2펌프
140 : 리사이클 히터 150 : 리사이클 쿨러
160 : 제1원심분리기 170 : 제2원심분리기
180 : 화학물질공급부
200 : 재농축부 210 : 증류탑
220 : 리플럭스 콘덴서 230 : 리플럭스 드럼
240 : 리플럭스 펌프 250 : 리보일러
300 : 재생부 310 : 플래쉬 세퍼레이터
320 : 제3펌프 330 : 히터
340 : 콘덴서 350 : 드럼
360 : 제3원심분리기 400 : 열교환부
510 : 공급라인 520 : 제1연결라인
530 : 제2연결라인 540 : 제1순환라인
550 : 제2순환라인 560 : 제1배기라인
570 : 제1배출라인 580 : 제2배출라인
590 : 리플럭스라인 600 : 제2배기라인
610 : 응축수배출라인 620 : 고온수공급라인
630 : 회송라인 640 : 제3배출라인
660 : 분기라인 670 : 드럼연결라인
680 : 열교환라인 690 : 최종라인

Claims (5)

  1. MEG 재생시스템에 있어서,
    리치 MEG를 공급받아 상기 리치 MEG로부터 물을 제거하여 린 MEG로 체인지하는 증류탑;
    상기 증류탑과 연결되어 상기 린 MEG에서 염을 제거하는 플래쉬 세퍼레이터;
    상기 증류탑과 연결되어 웰헤드로부터 공급받은 리치 MEG에서 2가염을 변경되는 온도상에서 석출하여 제거하는 프리트리트먼트 베슬;
    을 포함하는 MEG 재생시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 프리트리트먼트 베슬은,
    상기 웰헤드로부터 공급받은 리치 MEG를 제1온도에서 염을 제거하는 제1프리트리트먼트 베슬 및
    상기 1프리트리트먼트 베슬과 상기 증류탑 사이에 설치되어 상기 제2온도에서 염을 제거하는 제2프리트리트먼트 베슬
    을 포함하는 MEG 재생시스템.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1프리트리트먼트 베슬과 상기 제2프리트리트먼트 베슬 사이에는 제1연결라인으로 연결되고,
    상기 제2프리트리트먼트와 상기 증류탑 사이에는 제2연결라인으로 연결되며,
    상기 제2연결라인에는 분기되어 상기 제1연결라인과 연결되는 제1순환라인이 설치되며,
    상기 순환라인에는 리사이클히터가 설치되는 것
    을 특징으로 포함하는 MEG 재생시스템.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1프리트리트먼트 베슬은 공급라인을 통하여 상기 리치 MEG를 공급받고,
    상기 제2연결라인과 상기 공급라인 사이에는 제2순환라인이 설치되고,
    상기 제2순환라인에는 리사이클쿨러가 설치되는 것
    을 포함하는 MEG 재생시스템.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 제1프리트리트먼트 베슬 및 제2프리트리트먼트 베슬은 각각 제1배출라인 및 제2배출라인을 통하여 원심분리기와 연결되어 석출된 염을 제거하는 것
    을 포함하는 MEG 재생시스템.
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