KR20180077174A - Film for forming protective film and composite sheet for forming protective film - Google Patents

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Abstract

에너지선 경화성 화합물 (B)을 포함하고, 이하의 특성을 갖는 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩의 이면에 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 필름: 에너지선의 조사에 의해 이 보호막 형성용 필름을 경화시켜 경화물로 했을 때, 이 경화물의 영률이 500MPa 이상이며, 또한 파단 신도가 8% 이상이다.A film for forming a protective film for forming a protective film on the back surface of a semiconductor wafer or a semiconductor chip which contains the energy ray curable compound (B) and has the following characteristics: the film for forming a protective film is cured by irradiation of an energy ray, , The Young's modulus of the cured product is 500 MPa or more, and the elongation at break is 8% or more.

Description

보호막 형성용 필름 및 보호막 형성용 복합 시트Film for forming protective film and composite sheet for forming protective film

본 발명은 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩의 이면에 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 필름, 및 상기 보호막 형성용 필름을 구비한 보호막 형성용 복합 시트에 관한 것이다.The present invention relates to a protective film forming film for forming a protective film on the back surface of a semiconductor wafer or semiconductor chip, and a protective film forming composite sheet provided with the protective film forming film.

본원은 2015년 10월 29일에 일본에 출원된 일본 특허출원 2015-212845호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.The present application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2015-212845 filed on October 29, 2015, the contents of which are incorporated herein by reference.

근래, 이른바 페이스 다운 방식으로 불리는 실장법을 적용한 반도체 장치의 제조가 행해지고 있다. 페이스 다운 방식에 있어서는, 회로면 상에 범프 등의 전극을 갖는 반도체 칩이 사용되고, 상기 전극이 기판과 접합된다. 이 때문에, 반도체 칩의 회로면과는 반대측의 이면은 노출되는 경우가 있다.2. Description of the Related Art In recent years, a semiconductor device using a mounting method called a face-down method has been manufactured. In the face-down method, a semiconductor chip having an electrode such as a bump is used on a circuit surface, and the electrode is bonded to the substrate. Therefore, the back surface opposite to the circuit surface of the semiconductor chip may be exposed.

이 노출된 반도체 칩의 이면에는 유기 재료로 이루어지는 수지막이 보호막으로서 형성되고, 보호막 부착 반도체 칩으로서 반도체 장치에 장착되는 경우가 있다. 보호막은 다이싱 공정이나 패키징 후에, 반도체 칩에 있어서 크랙이 발생하는 것을 방지하기 위해 이용된다.A resin film made of an organic material is formed as a protective film on the back surface of the exposed semiconductor chip and may be mounted on a semiconductor device as a semiconductor chip with a protective film. The protective film is used to prevent cracks from occurring in the semiconductor chip after the dicing process or packaging.

이러한 보호막을 형성하기 위해서는, 예를 들면 지지 시트 상에 보호막 형성용 필름을 구비하여 이루어지는 보호막 형성용 복합 시트가 사용된다. 보호막 형성용 복합 시트에 있어서는, 보호막 형성용 필름이 보호막 형성능을 갖고 있고, 또한 지지 시트를 다이싱 시트로서 이용 가능하고, 보호막 형성용 필름과 다이싱 시트가 일체화된 것으로 하는 것이 가능하다.In order to form such a protective film, for example, a protective sheet-forming composite sheet comprising a protective film-forming film on a support sheet is used. In the composite sheet for forming a protective film, the protective film forming film has a protective film forming ability, and the supporting sheet can be used as a dicing sheet, and the protective film forming film and the dicing sheet can be integrated.

이러한 보호막 형성용 복합 시트로는, 예를 들면 가열에 의해 경화함으로써 보호막을 형성하는 보호막 형성용 필름을 구비한 것이 지금까지 주로 이용되고 있다. 반도체 웨이퍼는 예를 들면, 그 이면(전극 형성면과는 반대측의 면)에 보호막 형성용 필름에 의해 보호막 형성용 복합 시트가 첩부된 후, 다이싱에 의해 반도체 칩이 된다. 그리고, 가열에 의해 보호막 형성용 필름을 경화시켜 보호막으로 한 후에, 이 반도체 칩을 이 보호막이 첩부된 상태인 채 픽업하거나, 또는 보호막 형성용 필름이 첩부된 상태의 반도체 칩을 픽업한 후, 가열에 의해 보호막 형성용 필름을 경화시켜 보호막으로 한다.As such a composite sheet for forming a protective film, for example, those having a protective film-forming film for forming a protective film by curing by heating have been mainly used so far. The semiconductor wafer is, for example, a semiconductor chip formed by dicing after a protective film forming composite sheet is attached to the back surface (the surface opposite to the electrode forming surface) with a protective film forming film. Then, after the film for forming a protective film is cured by heating to form a protective film, this semiconductor chip is picked up with the protective film attached thereto, or after picking up the semiconductor chip in a state where the protective film forming film is pasted, To form a protective film.

그러나, 보호막 형성용 필름의 가열 경화에는, 통상 수시간 정도의 장시간을 필요로 하기 때문에, 경화 시간의 단축이 요구되고 있다. 이에 대해, 자외선 등의 에너지선의 조사에 의해 경화 가능한 보호막 형성용 필름이 검토되고 있고, 경화 후의 연필 경도가 5H 이상으로, 반도체 웨이퍼의 다이싱 시에 치핑의 발생을 억제할 수 있는 보호용 필름(특허문헌 1 참조), 레이저 마크 인식성, 경도, 실장 신뢰성이 우수한 보호막을 형성할 수 있는 보호용 필름(특허문헌 2 참조), 고경도이며 반도체 칩에 대한 밀착성이 우수한 보호막을 형성할 수 있는 보호용 필름(특허문헌 3 참조)이 개시되어 있다.However, since heating and curing of the film for forming a protective film usually requires a long time of about several hours, shortening of the curing time is required. On the contrary, a film for forming a protective film that can be cured by irradiation of an energy ray such as ultraviolet rays is being studied, and a protective film (a film for preventing the occurrence of chipping during dicing of a semiconductor wafer (Refer to Patent Document 2), which can form a protective film excellent in laser mark recognizability, hardness and mounting reliability (see Patent Document 2), a protective film capable of forming a protective film having high hardness and excellent adhesion to a semiconductor chip See Patent Document 3).

일본 공개특허공보 2009-147277호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2009-147277 일본 공개특허공보 2009-138026호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2009-138026 일본 공개특허공보 2010-031183호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2010-031183

그러나, 보호막 형성용 필름에는 예를 들면, 반도체 칩의 바깥 가장자리부에 결함이 발생하는 것, 소위 치핑을 억제하는 등, 균열이나 결함의 발생을 억제하도록 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩에 대해 보호 작용이 높고, 또한 큰 온도 변화에 노출되어도 높은 보호 작용을 유지할 수 있고, 또한 고신뢰성을 갖는 보호막을 형성할 수 있는 것이 요구되고 있다. 이 때문에, 에너지선의 조사에 의해 경화 가능한 종래의 보호막 형성용 필름에는 이러한 관점에서 아직 개선의 여지가 있다.However, for the protective film forming film, for example, defects are generated in the outer edge portion of the semiconductor chip, so-called chipping is suppressed, and the protective action is high with respect to the semiconductor wafer or the semiconductor chip so as to suppress cracks and defects , And it is required to be able to form a protective film having a high reliability that can maintain a high protective effect even when exposed to a large temperature change. Therefore, there is still room for improvement in the conventional film for forming a protective film which can be cured by irradiation of energy rays.

본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩의 이면에 대해, 보호 작용이 높고 또한 고신뢰성을 갖는 보호막을 형성 가능한 보호막 형성용 필름, 및 상기 보호막 형성용 필름을 구비한 보호막 형성용 복합 시트를 제공하는 것을 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances and has an object of providing a protective film forming film capable of forming a protective film having a high protecting effect and high reliability against a back surface of a semiconductor wafer or a semiconductor chip, And a composite sheet for use in the present invention.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 에너지선 경화성 화합물(B)을 함유하고, 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩의 이면에 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 필름으로서, 상기 보호막 형성용 필름에 에너지선을 조사하여 얻어지는 경화물의 영률이 500MPa 이상이며, 파단 신도가 8% 이상인 보호막 형성용 필름을 제공한다.In order to solve the above problems, the present invention provides a protective film forming film for forming a protective film on a back surface of a semiconductor wafer or a semiconductor chip containing an energy ray curable compound (B) , A Young's modulus of the cured product obtained by the above process is 500 MPa or more, and a elongation at break of 8% or more.

본 발명의 보호막 형성용 필름에 있어서는, 상기 에너지선 경화성 화합물(B)의 총 함유량에 대한 1분자 중에 에너지선 중합성기를 2∼4개 갖는 에너지선 경화성 화합물(B1)의 총 함유량의 비율이 90질량% 이상인 것이 바람직하다.In the protective film forming film of the present invention, the ratio of the total content of the energy ray curable compound (B1) having 2 to 4 energy linear polymerizable groups in one molecule to the total content of the energy ray curable compounds (B) is 90 By mass or more.

또한, 본 발명은 상기 보호막 형성용 필름을 지지 시트의 한쪽의 표면 상에 구비한 보호막 형성용 복합 시트를 제공한다.Further, the present invention provides a protective sheet-forming composite sheet comprising the protective film-forming film on one surface of a support sheet.

즉, 본 발명은 이하의 양태를 포함한다.That is, the present invention includes the following aspects.

[1] 에너지선 경화성 화합물(B)을 포함하고, 이하의 특성을 갖는 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩의 이면에 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 필름: 에너지선의 조사에 의해 상기 보호막 형성용 필름을 경화시켜 경화물로 했을 때, 상기 경화물의 영률이 500MPa 이상이며, 또한 파단 신도가 8% 이상이다.[1] A film for forming a protective film for forming a protective film on the back surface of a semiconductor wafer or semiconductor chip containing the energy ray curable compound (B) and having the following characteristics: the protective film forming film is cured by irradiation of energy rays When a cured product is used, the Young's modulus of the cured product is 500 MPa or more and the elongation at break is 8% or more.

[2] 상기 보호막 형성용 필름에 있어서, 1분자 중에 에너지선 중합성기를 2∼4개 갖는 에너지선 경화성 화합물(B1)의 함유량은 상기 에너지선 경화성 화합물(B)의 총 질량에 대해, 90질량% 이상인 [1]에 기재된 보호막 형성용 필름.[2] In the protective film-forming film, the content of the energy ray-curable compound (B1) having 2 to 4 energy linear polymerizable groups in one molecule is preferably 90 mass% % Or more.

[3] [1] 또는 [2]에 기재된 보호막 형성용 필름을 지지 시트의 한쪽의 표면 상에 구비한 보호막 형성용 복합 시트.[3] A composite sheet for forming a protective film, comprising the protective film-forming film according to [1] or [2] on one surface of a support sheet.

본 발명에 의하면, 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩의 이면에 대해, 보호 작용이 높고, 또한 고신뢰성을 갖는 보호막을 형성 가능한 보호막 형성용 필름, 및 상기 보호막 형성용 필름을 구비한 보호막 형성용 복합 시트가 제공된다.According to the present invention, there is provided a protective film forming film capable of forming a protective film having a high protective effect and high reliability against a back surface of a semiconductor wafer or a semiconductor chip, and a protective sheet forming complex sheet provided with the protective film forming film do.

도 1은 본 발명에 따른 보호막 형성용 복합 시트의 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 보호막 형성용 복합 시트의 다른 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 보호막 형성용 복합 시트의 또 다른 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 보호막 형성용 복합 시트의 또 다른 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 보호막 형성용 복합 시트의 또 다른 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
1 is a cross-sectional view schematically showing an embodiment of a protective film-forming composite sheet according to the present invention.
2 is a cross-sectional view schematically showing another embodiment of a composite sheet for forming a protective film according to the present invention.
3 is a cross-sectional view schematically showing still another embodiment of a protective film-forming composite sheet according to the present invention.
4 is a cross-sectional view schematically showing still another embodiment of a protective film-forming composite sheet according to the present invention.
5 is a cross-sectional view schematically showing still another embodiment of a protective film-forming composite sheet according to the present invention.

《보호막 형성용 필름》&Quot; Film for forming a protective film &

본 발명에 따른 보호막 형성용 필름은 에너지선 경화성 화합물(B)을 함유하고, 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩의 이면에 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 필름으로서, 상기 보호막 형성용 필름에 에너지선을 조사하여 얻어지는 경화물(즉, 보호막)의 영률이 500MPa 이상이며, 파단 신도가 8% 이상인 보호막 형성용 필름이다. 즉, 본 발명에 따른 보호막 형성용 필름의 다른 측면은 에너지선 경화성 화합물(B)을 포함하고, 또한 이하의 특성을 갖는다:The film for forming a protective film according to the present invention is a film for forming a protective film for forming a protective film on the back surface of a semiconductor wafer or a semiconductor chip containing the energy ray curable compound (B) The Young's modulus of the obtained cured product (i.e., protective film) is 500 MPa or more, and the elongation at break is 8% or more. That is, another aspect of the protective film-forming film according to the present invention includes the energy ray-curable compound (B) and also has the following characteristics:

에너지선의 조사에 의해 상기 보호막 형성용 필름을 경화시켜 경화물(보호막)로 했을 때, 상기 경화물의 영률이 500MPa 이상이며, 또한 파단 신도가 8% 이상이다.And the Young's modulus of the cured product is 500 MPa or more and the elongation at break is 8% or more when the protective film forming film is cured to form a cured product (protective film) by irradiation of an energy ray.

상기 경화물, 즉 보호막은 영률 및 파단 신도가 상기 하한값 이상임으로써, 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩에 대해, 충분히 높은 보호 작용을 갖는다. 예를 들면, 이면에 상기 보호막 형성용 필름 또는 보호막을 구비한 반도체 웨이퍼를 다이싱한 경우, 최종적으로 얻어지는 반도체 칩은 그 바깥 가장자리에 결함이 발생하는 것, 소위 치핑이 억제되는 등, 균열이나 결함의 발생이 억제된다. 또한, 상기 보호막은 영률 및 파단 신도가 상기 하한값 이상임으로써, 큰 온도 변화에 노출되어도, 상술한 바와 같은 높은 보호 작용을 유지할 수 있고, 고신뢰성을 갖는다. 예를 들면, 보호막 부착 반도체 칩은 그 실장 시에 큰 온도 변화에 노출되지만, 이러한 조건하에서도 상기 보호막은 높은 보호 작용을 유지할 수 있다.The cured product, that is, the protective film has a sufficiently high protective effect on the semiconductor wafer or the semiconductor chip, because the Young's modulus and the elongation at break are the lower limit value or more. For example, in the case of dicing a semiconductor wafer having the protective film forming film or protective film on the back surface thereof, the semiconductor chip finally obtained has cracks or defects such as occurrence of defects on its outer edge, Is suppressed. Further, since the Young's modulus and the elongation at break of the protective film are equal to or more than the lower limit value, the protective film can maintain a high protective action as described above, even when exposed to a large temperature change, and has high reliability. For example, although the semiconductor chip with a protective film is exposed to a large temperature change during its mounting, the protective film can maintain a high protective function even under such a condition.

이와 같이, 본 발명에 따른 보호막 형성용 필름은 에너지선의 조사에 의해서도, 보호 작용 및 신뢰성이 높은 보호막을 형성할 수 있다.As described above, the protective film forming film according to the present invention can form a protective film having high protective effect and reliability even by irradiation of energy rays.

상기 보호막 형성용 필름은 에너지선 경화성 화합물(B)을 함유함으로써, 에너지선의 조사에 의해 경화하고 보호막을 형성한다.The film for forming a protective film contains an energy ray-curable compound (B), thereby curing it by irradiation of an energy ray to form a protective film.

본 명세서에 있어서, 「에너지선」이란, 전자파 또는 전하 입자선 중에서 에너지 양자를 갖는 것을 의미하고, 그 예로서 자외선, 전자선 등을 들 수 있다.As used herein, the term " energy ray " means having both energy in an electromagnetic wave or a charged particle beam, and examples thereof include ultraviolet rays, electron beams, and the like.

자외선은 예를 들면, 자외선 공급원으로서 고압 수은 램프, 퓨전 H 램프, 크세논 램프 또는 LED 등을 사용함으로써 조사할 수 있다. 전자선은 전자선 가속기 등에 의해 발생시킨 것을 조사할 수 있다.The ultraviolet rays can be irradiated by using, for example, a high-pressure mercury lamp, a fusion H lamp, a xenon lamp, an LED, or the like as an ultraviolet ray source. The electron beam can be irradiated by an electron beam accelerator or the like.

에너지선의 조사량은 에너지선의 종류에 따라 상이하지만, 예를 들면 자외선의 경우에는, 조도는 50∼500㎽/㎠가 바람직하고, 광량은 200∼800mJ/㎠가 바람직하다.The irradiation dose of the energy ray differs depending on the kind of the energy ray. For example, in the case of ultraviolet rays, the irradiance is preferably 50 to 500 mW / cm 2, and the light quantity is preferably 200 to 800 mJ / cm 2.

상기 보호막 형성용 필름은 이를 구성하기 위한 성분을 함유하는 보호막 형성용 조성물을 사용하여 형성할 수 있고, 예를 들면 상기 보호막 형성용 조성물을 지지체의 표면에 도공하고 건조시킴으로써 형성할 수 있다. 보호막 형성용 조성물 중의 상온에서 기화되지 않는 성분끼리의 함유량의 비율은 통상, 보호막 형성용 필름의 상기 성분끼리의 함유량의 비율과 동일하다. 한편, 본 명세서에 있어서, 「상온」이란, 특별히 냉각하거나 가열하지 않은 온도, 즉 평상의 온도를 의미하고, 예를 들면 15∼25℃의 온도 등을 들 수 있다.The film for forming a protective film may be formed using a composition for forming a protective film containing a component for constituting the protective film, and may be formed, for example, by coating the surface of the substrate with the protective film forming composition and drying the film. The ratio of the content of the components that are not vaporized at room temperature in the composition for forming a protective film is generally the same as the content of the components in the film for forming a protective film. In the present specification, the term " normal temperature " means a temperature that is not particularly cooled or heated, that is, a normal temperature, for example, a temperature of 15 to 25 캜.

상기 지지체는 보호막 형성용 필름의 형상을 유지할 수 있는 것이면, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 보호막 형성용 필름의 형성에만 사용되는 것이어도 되고, 보호막 형성용 필름의 형성에 사용한 후에, 추가로 이 보호막 형성용 필름과 적층된 상태인 채, 목적으로 하는 별도의 용도에 사용하는 것이어도 된다. 상술한 보호막 형성용 필름의 형성에만 사용되는 지지체로는, 예를 들면 박리 처리면을 갖는 박리 필름 등을 들 수 있다. 또한, 보호막 형성용 필름의 형성 후에, 추가로 별도의 용도에 사용되는 지지체로는, 예를 들면 후술하는 다이싱 시트 등의 지지 시트나 기재를 들 수 있다.The support is not particularly limited as long as it can maintain the shape of the protective film forming film. For example, the support may be used only for forming the protective film forming film, and after the protective film forming film is formed, Or may be used in a separate intended use while being laminated with a film for forming a protective film. As the support used for forming the above-mentioned protective film forming film, for example, a peelable film having a peeled surface can be cited. After the formation of the film for forming a protective film, the support which is further used for another application includes, for example, a support sheet or substrate such as a dicing sheet described later.

보호막 형성용 필름의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 1∼100㎛인 것이 바람직하고, 5∼75㎛인 것이 보다 바람직하고, 5∼50㎛인 것이 특히 바람직하다. 보호막 형성용 필름의 두께가 상기 하한값 이상임으로써, 피착체인 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩에 대한 접착력이 보다 커진다. 또한, 보호막 형성용 필름의 두께가 상기 상한값 이하임으로써, 반도체 칩의 픽업 시에 전단력을 이용하여 경화물인 보호막을 보다 용이하게 절단할 수 있다.The thickness of the film for forming a protective film is not particularly limited, but is preferably 1 to 100 占 퐉, more preferably 5 to 75 占 퐉, and particularly preferably 5 to 50 占 퐉. When the thickness of the protective film forming film is equal to or more than the above lower limit value, the adhesive force to the semiconductor wafer or the semiconductor chip as the adhesion becomes greater. Further, since the thickness of the protective film-forming film is equal to or less than the upper limit value, the protective film as the cured product can be more easily cut by using the shearing force at the time of picking up the semiconductor chip.

본 명세서에 있어서, 「두께」란, 임의의 5개소에서 접촉식 두께계로 두께를 측정한 평균으로 나타내는 값을 의미한다.In the present specification, the term " thickness " means a value expressed by an average obtained by measuring the thickness of the contact type thickness meter at any five positions.

<보호막 형성용 조성물><Composition for forming protective film>

상기 보호막 형성용 조성물은 에너지선 경화성 화합물(B)을 함유하고, 바람직하게는 예를 들면, 중합체 성분(A) 및 에너지선 경화성 화합물(B)을 함유하고, 보다 바람직하게는 예를 들면, 중합체 성분(A), 에너지선 경화성 화합물(B) 및 광중합 개시제(C)를 함유한다.The composition for forming a protective film contains an energy ray-curable compound (B), and preferably contains, for example, a polymer component (A) and an energy ray-curable compound (B) (A), an energy ray-curable compound (B) and a photopolymerization initiator (C).

다음으로, 상기 보호막 형성용 조성물 및 보호막 형성용 필름의 함유 성분에 대해 설명한다.Next, the components contained in the composition for forming a protective film and the film for forming a protective film will be explained.

[중합체 성분(A)][Polymer component (A)]

중합체 성분(A)은 중합성 화합물이 중합 반응하여 형성되었다고 간주할 수 있는 성분이고, 보호막 형성용 필름에 조막성이나, 가요성 등을 부여하기 위한 중합체 화합물이다. 또한, 본 발명에 있어서, 중합 반응에는 중축합 반응도 포함된다.The polymer component (A) is a component that can be regarded as being formed by the polymerization reaction of the polymerizable compound, and is a polymer compound for imparting film forming property, flexibility, etc. to the protective film forming film. In the present invention, the polymerization reaction also includes a polycondensation reaction.

또한, 보호막 형성용 조성물이 함유하는 성분에 중합체 성분(A) 및 에너지선 경화성 화합물(B) 양쪽에 해당하는 것이 있는 경우에는, 이러한 성분은 에너지선 경화성 화합물(B)로서 취급한다. 이러한 성분으로는, 예를 들면 수산기를 갖고, 또한 우레탄 결합을 개재하여 중합성기를 측쇄에 갖는 아크릴 중합체를 들 수 있다.When the component contained in the protective film forming composition corresponds to both of the polymer component (A) and the energy ray-curable compound (B), these components are treated as the energy ray-curable compound (B). Examples of such a component include an acrylic polymer having a hydroxyl group and having a polymerizable group on the side chain via a urethane bond.

중합체 성분(A)은 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.One kind of polymer component (A) may be used alone, or two or more kinds may be used in combination.

중합체 성분(A)으로는, 예를 들면 아크릴계 수지, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 아크릴우레탄 수지, 실리콘 수지, 고무계 폴리머, 페녹시 수지 등을 들 수 있고, 아크릴계 수지가 바람직하다.Examples of the polymer component (A) include an acrylic resin, a polyester, a polyurethane, an acryl urethane resin, a silicone resin, a rubber-based polymer, a phenoxy resin and the like, and an acrylic resin is preferable.

상기 아크릴계 수지로는, 공지의 아크릴 중합체를 사용할 수 있다. As the acrylic resin, a known acrylic polymer can be used.

아크릴계 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은 10000∼2000000인 것이 바람직하고, 100000∼1500000인 것이 보다 바람직하다. 아크릴계 수지의 중량 평균 분자량이 상기 하한값 이상임으로써, 후술하는 지지 시트와 보호막의 접착력이 억제되어, 보호막 부착 반도체 칩의 픽업성이 보다 향상된다. 또한, 아크릴계 수지의 중량 평균 분자량이 상기 상한값 이하임으로써, 피착체(반도체 웨이퍼, 반도체 칩)의 요철면에 보호막 형성용 필름이 추종되기 쉬워져, 피착체와 보호막 형성용 필름 사이에 보이드 등의 발생이 보다 억제된다.The weight average molecular weight (Mw) of the acrylic resin is preferably 10,000 to 200,000, more preferably 100,000 to 1,500,000. When the weight average molecular weight of the acrylic resin is equal to or more than the lower limit value described above, the adhesive force between the support sheet and the protective film to be described later is suppressed, and the pickup property of the semiconductor chip with a protective film is further improved. When the weight average molecular weight of the acrylic resin is not more than the upper limit value, the film for forming the protective film tends to follow the uneven surface of the adherend (semiconductor wafer or semiconductor chip), and voids, etc. between the adherend and the protective film- Occurrence is further suppressed.

또한, 본 명세서에 있어서, 「중량 평균 분자량」이란, 특별히 언급이 없는 한, 겔 투과 크로마토그래피(GPC) 법에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산값을 의미한다.In the present specification, the "weight average molecular weight" means a polystyrene reduced value measured by a gel permeation chromatography (GPC) method, unless otherwise specified.

아크릴계 수지의 유리 전이 온도(Tg)는 -60∼70℃인 것이 바람직하고, -30∼50℃인 것이 보다 바람직하다. 아크릴계 수지의 Tg가 상기 하한값 이상임으로써, 지지 시트와 보호막의 접착력이 억제되어, 보호막 부착 반도체 칩의 픽업성이 보다 향상된다. 또한, 아크릴계 수지의 Tg가 상기 상한값 이하임으로써, 피착체와 보호막 형성용 필름의 접착력이 보다 커진다.The glass transition temperature (Tg) of the acrylic resin is preferably -60 to 70 占 폚, and more preferably -30 to 50 占 폚. Since the Tg of the acrylic resin is equal to or more than the above lower limit value, the adhesive force between the support sheet and the protective film is suppressed, and the pickup property of the semiconductor chip with the protective film is further improved. Further, when the Tg of the acrylic resin is not more than the upper limit value, the adhesive force between the adherend and the protective film forming film becomes greater.

아크릴계 수지를 구성하는 모노머로는, 예를 들면 (메타)아크릴산메틸, (메타)아크릴산에틸, (메타)아크릴산프로필, (메타)아크릴산부틸, (메타)아크릴산2-에틸헥실, (메타)아크릴산이소옥틸, (메타)아크릴산n-옥틸, (메타)아크릴산n-노닐, (메타)아크릴산이소노닐, (메타)아크릴산데실, (메타)아크릴산운데실, (메타)아크릴산도데실((메타)아크릴산라우릴이라고도 한다), (메타)아크릴산트리데실, (메타)아크릴산테트라데실((메타)아크릴산미리스틸이라고도 한다), (메타)아크릴산펜타데실, (메타)아크릴산헥사데실((메타)아크릴산팔미틸이라고도 한다), (메타)아크릴산헵타데실, (메타)아크릴산옥타데실((메타)아크릴산스테아릴이라고도 한다) 등의 알킬에스테르를 구성하는 알킬기가 사슬형이고, 탄소수가 1∼18인 (메타)아크릴산알킬에스테르;Examples of the monomers constituting the acrylic resin include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, (Meth) acrylate, n-octyl (meth) acrylate, n-nonyl acrylate, isononyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, undecyl (Also referred to as "myristyl (meth) acrylate"), pentadecyl (meth) acrylate, hexadecyl (meth) acrylate (Meth) acrylate having 1 to 18 carbon atoms and an alkyl group constituting an alkyl ester such as octadecyl (meth) acrylate, heptadecyl (meth) acrylate and octadecyl Alkyl esters;

(메타)아크릴산시클로알킬, (메타)아크릴산벤질, (메타)아크릴산이소보르닐, (메타)아크릴산디시클로펜타닐, (메타)아크릴산디시클로펜테닐, (메타)아크릴산디시클로펜테닐옥시에틸, (메타)아크릴산이미드 등의 고리형 골격을 갖는 (메타)아크릴산에스테르;(Meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, dicyclopentenyloxyethyl (Meta) acrylic acid ester having a cyclic skeleton such as methacrylic acid imide;

(메타)아크릴산히드록시메틸, (메타)아크릴산2-히드록시에틸, (메타)아크릴산2-히드록시프로필 등의 수산기 함유(메타)아크릴산에스테르;(Meth) acrylic acid esters such as hydroxymethyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate and 2-hydroxypropyl (meth) acrylate;

(메타)아크릴산글리시딜 등의 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산에스테르 등을 들 수 있다.(Meth) acrylate and glycidyl group-containing (meth) acrylate such as glycidyl (meth) acrylate.

상기 중에서도, 아크릴계 수지를 구성하는 모노머로는, (메타)아크릴산메틸, (메타)아크릴산부틸, (메타)아크릴산2-히드록시에틸, (메타)아크릴산글리시딜 등이 바람직하다.Among these, as the monomer constituting the acrylic resin, methyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate and glycidyl (meth) acrylate are preferable.

한편, 본 명세서에 있어서, 「(메타)아크릴산」이란, 「아크릴산」 및 「메타크릴산」 양쪽을 포함하는 개념으로 한다. (메타)아크릴산과 유사한 용어에 대해서도 동일하고, 예를 들면, 「(메타)아크릴레이트」란 「아크릴레이트」 및 「메타크릴레이트」 양쪽을 포함하는 개념이며, 「(메타)아크릴로일기」란 「아크릴로일기」 및 「메타크릴로일기」 양쪽을 포함하는 개념이다.On the other hand, in the present specification, the term "(meth) acrylic acid" includes both "acrylic acid" and "methacrylic acid". The term "(meth) acrylate" is a concept including both "acrylate" and "methacrylate", and the term "(meth) acryloyl group" Acryloyl group &quot; and &quot; methacryloyl group &quot;.

아크릴계 수지를 구성하는 모노머로는, 예를 들면 (메타)아크릴산, 이타콘산, 초산비닐, 아크릴로니트릴, 스티렌, N-메틸올아크릴아미드 등의 (메타)아크릴산에스테르 이외의 모노머도 들 수 있다.Examples of the monomer constituting the acrylic resin include monomers other than (meth) acrylic acid esters such as (meth) acrylic acid, itaconic acid, vinyl acetate, acrylonitrile, styrene and N-methylol acrylamide.

아크릴계 수지를 구성하는 모노머는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다.The monomers constituting the acrylic resin may be one kind or two or more kinds.

아크릴계 수지는 비닐기, (메타)아크릴로일기, 아미노기, 수산기, 카르복시기, 이소시아네이트기 등의 다른 화합물과 결합 가능한 관능기를 갖고 있어도 된다. 상기 관능기는 후술하는 가교제(G)를 개재하여 다른 화합물과 결합되어 있어도 되고, 가교제(G)를 개재하지 않고 다른 화합물과 직접 결합되어 있어도 된다. 아크릴계 수지가 상기 관능기에 의해 다른 화합물과 결합함으로써, 보호막 형성용 필름을 사용하여 얻어진 반도체 장치의 패키지 신뢰성이 향상되는 경향이 있다.The acrylic resin may have a functional group capable of binding with other compounds such as a vinyl group, a (meth) acryloyl group, an amino group, a hydroxyl group, a carboxyl group, and an isocyanate group. The functional group may be bonded to another compound via a cross-linking agent (G) described below, or may be bonded directly to another compound without interposing the cross-linking agent (G). The acrylic resin tends to bond with another compound by the functional group, and thus the package reliability of the semiconductor device obtained using the protective film forming film tends to be improved.

보호막 형성용 조성물이 중합체 성분(A)으로서 아크릴계 수지를 함유하는 경우, 보호막 형성용 조성물 중의 아크릴계 수지의 함유량은 보호막 형성용 조성물 중의 용매 이외의 모든 성분의 총 질량에 대해 5∼50질량%인 것이 바람직하고, 10∼45질량%인 것이 보다 바람직하다. 아크릴계 수지의 상기 함유량이 이러한 범위임으로써, 지지 시트와 보호막의 접착력이 억제되어, 보호막 부착 반도체 칩의 픽업성이 보다 향상된다.When the composition for forming a protective film contains an acrylic resin as the polymer component (A), the content of the acrylic resin in the protective film forming composition is preferably 5 to 50 mass% with respect to the total mass of all components other than the solvent in the protective film forming composition , More preferably from 10 to 45 mass%. When the content of the acrylic resin is in this range, the adhesive force between the support sheet and the protective film is suppressed, and the pickup property of the semiconductor chip with a protective film is further improved.

보호막 형성용 필름이 중합체 성분(A)으로서 아크릴계 수지를 함유하는 경우, 보호막 형성용 필름 중의 아크릴계 수지의 함유량은 보호막 형성용 필름의 총 질량에 대해, 5∼50질량%인 것이 바람직하고, 10∼45질량%인 것이 보다 바람직하다.When the protective film-forming film contains an acrylic resin as the polymer component (A), the content of the acrylic resin in the protective film-forming film is preferably from 5 to 50 mass%, more preferably from 10 to 50 mass% And more preferably 45% by mass.

본 발명에 있어서는, 지지 시트와 보호막의 접착력(박리력)을 저감함으로써, 보호막 부착 반도체 칩의 픽업성을 보다 향상시키거나, 피착체의 요철면에 보호막 형성용 필름이 추종되기 쉽게 함으로써, 피착체와 보호막 형성용 필름 사이에 있어서의 보이드 등의 발생을 보다 억제하는 점에서, 중합체 성분(A)으로서 아크릴계 수지 이외의 열가소성 수지(이하, 간단히 「열가소성 수지」라고 약기하는 경우가 있다)를 단독으로 사용해도 되고, 아크릴계 수지와 병용해도 된다.In the present invention, by reducing the adhesive force (peeling force) between the support sheet and the protective film, the pickup property of the semiconductor chip with a protective film is further improved, or the film for forming the protective film is easily followed on the uneven surface of the adherend, (Hereinafter sometimes simply referred to as &quot; thermoplastic resin &quot;) may be used alone as the polymer component (A) in order to further suppress generation of voids and the like between the protective film forming film Or may be used in combination with an acrylic resin.

상기 열가소성 수지의 중량 평균 분자량은 1000∼100000인 것이 바람직하고, 3000∼80000인 것이 보다 바람직하다.The weight average molecular weight of the thermoplastic resin is preferably 1000 to 100000, more preferably 3000 to 80000.

상기 열가소성 수지의 유리 전이 온도(Tg)는 -30∼150℃인 것이 바람직하고, -20∼120℃인 것이 보다 바람직하다.The glass transition temperature (Tg) of the thermoplastic resin is preferably -30 to 150 캜, more preferably -20 to 120 캜.

상기 열가소성 수지로는, 예를 들면 폴리에스테르, 폴리우레탄, 페녹시 수지, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리스티렌 등을 들 수 있다.Examples of the thermoplastic resin include polyester, polyurethane, phenoxy resin, polybutene, polybutadiene, and polystyrene.

상기 열가소성 수지는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.The thermoplastic resin may be used singly or in combination of two or more.

[에너지선 경화성 화합물(B)][Energy ray-curable compound (B)]

에너지선 경화성 화합물(B)은 에너지선의 조사에 의해 경화(중합) 반응할 수 있는 성분이다. 또한, 에너지선 경화성 화합물(B)은 보호막 형성용 필름을 경화시키고, 경질의 보호막(즉, 보호막 형성용 필름에 에너지선을 조사하여 얻어지는 경화물)을 형성하기 위한 성분이고, 모노머 및 올리고머 중 어느 것이어도 된다.The energy ray curable compound (B) is a component which can be cured (polymerized) by irradiation of an energy ray. The energy ray curable compound (B) is a component for curing the protective film forming film and forming a hard protective film (that is, a cured product obtained by irradiating the energy ray to the protective film forming film), and either of the monomer and oligomer .

에너지선 경화성 화합물(B)은 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.The energy ray curable compound (B) may be used singly or in combination of two or more kinds.

보호막 형성용 조성물 중의 에너지선 경화성 화합물(B)의 함유량은 보호막 형성용 조성물 중의 용매 이외의 모든 성분의 총 질량에 대해 3∼30질량%인 것이 바람직하고, 5∼25질량%인 것이 보다 바람직하다.The content of the energy ray curable compound (B) in the protective film forming composition is preferably 3 to 30 mass%, more preferably 5 to 25 mass%, with respect to the total mass of all components other than the solvent in the protective film forming composition .

보호막 형성용 필름 중의 에너지선 경화성 화합물(B)의 함유량은 보호막 형성용 필름의 총 질량에 대해, 3∼30질량%인 것이 바람직하고, 5∼25질량%인 것이 보다 바람직하다.The content of the energy ray curable compound (B) in the film for forming a protective film is preferably 3 to 30 mass%, more preferably 5 to 25 mass%, based on the total mass of the protective film forming film.

에너지선 경화성 화합물(B)로는, 예를 들면 1분자 중에 에너지선 중합성기를 1개 또는 2개 이상 갖는 화합물을 들 수 있다.Examples of the energy ray curable compound (B) include compounds having one or more energy linear polymerizable groups in one molecule.

상기 에너지선 중합성기는 에너지선의 조사에 의해 중합 반응하는 기이면 특별히 한정되지 않고, 1분자의 에너지선 경화성 화합물(B)이 2개 이상의 에너지선 중합성기를 갖는 경우, 이들 에너지선 중합성기는 서로 동일해도 상이해도 된다. 즉, 1분자의 에너지선 경화성 화합물(B)이 갖는 2개 이상의 에너지선 중합성기는 모두 동일해도 되고, 모두 상이해도 되고, 일부만 동일해도 된다.The energy ray polymerizable group is not particularly limited as long as it is a group that undergoes a polymerization reaction by irradiation of an energy ray. When one molecule of the energy ray-curable compound (B) has two or more energy ray polymerizable groups, They may be the same or different. That is, the two or more energy ray polymerizable groups of one molecule of the energy ray-curable compound (B) may be all the same, all of the same or a part of them may be the same.

상기 에너지선 중합성기로는, 예를 들면 비닐기, (메타)아크릴로일기 등을 들 수 있고, (메타)아크릴로일기가 바람직하다.Examples of the energy ray polymerizable group include a vinyl group and a (meth) acryloyl group, and a (meth) acryloyl group is preferable.

에너지선 경화성 화합물(B)은 1분자 중에 갖는 에너지선 중합성기의 수가 2개 이상인 다관능 화합물인 것이 바람직하다. 그리고, 보호막 형성용 조성물 및 보호막 형성용 필름 중, 상기 다관능 화합물의 함유량은 상기 에너지선 경화성 화합물(B)의 총 질량에 대해, 90질량% 이상, 100질량% 이하인 것이 바람직하고, 95질량% 이상, 100질량% 이하인 것이 보다 바람직하고, 98질량% 이상, 100질량% 이하인 것이 더욱 바람직하고, 100질량%, 즉, 보호막 형성용 조성물 및 보호막 형성용 필름이 함유하는 에너지선 경화성 화합물(B)은 모두 상기 다관능 화합물이어도 된다.The energy ray curable compound (B) is preferably a polyfunctional compound having two or more energy ray polymerizable groups in one molecule. The content of the polyfunctional compound in the composition for forming a protective film and the film for forming a protective film is preferably 90% by mass or more and 100% by mass or less, more preferably 95% by mass or less based on the total mass of the energy ray curable compound (B) (B) contained in the composition for forming a protective film and the film for forming a protective film may be 100 mass% or less, more preferably 100 mass% or less, and even more preferably 98 mass% or more and 100 mass% May be all the above-mentioned polyfunctional compounds.

에너지선 경화성 화합물(B)의 분자량은 1000 이하인 것이 바람직하고, 100∼1000인 것이 보다 바람직하고, 150∼800인 것이 더욱 바람직하고, 200∼550인 것이 특히 바람직하다. 에너지선 경화성 화합물(B)의 분자량이 이러한 범위임으로써, 형성되는 보호막은 보호 작용 및 신뢰성이 보다 높아진다.The molecular weight of the energy ray curable compound (B) is preferably 1000 or less, more preferably 100 to 1000, further preferably 150 to 800, particularly preferably 200 to 550. When the molecular weight of the energy ray curable compound (B) is in this range, the protective film formed has a higher protective effect and reliability.

에너지선 경화성 화합물(B)은 (메타)아크릴레이트 화합물인 것이 바람직하고, 1분자 중에 에너지선 중합성기를 2개 이상 갖는 다관능 (메타)아크릴레이트 화합물인 것이 보다 바람직하고, 1분자 중에 (메타)아크릴로일기를 2개 이상 갖는 다관능 (메타)아크릴레이트 화합물인 것이 특히 바람직하다. 한편, 여기에서 「(메타)아크릴레이트 화합물」이란, (메타)아크릴산에스테르 또는 그 유도체를 의미한다. 그리고, 본 명세서에 있어서 「유도체」란, 원래의 화합물 중 적어도 1개의 수소 원자가 수소 원자 이외의 기(치환기)로 치환된 화합물을 의미한다.The energy ray curable compound (B) is preferably a (meth) acrylate compound, more preferably a polyfunctional (meth) acrylate compound having two or more energy ray polymerizable groups in one molecule, (Meth) acrylate compound having two or more acryloyl groups is particularly preferable. On the other hand, the term "(meth) acrylate compound" means a (meth) acrylic acid ester or a derivative thereof. In the present specification, the term "derivative" means a compound in which at least one hydrogen atom in the original compound is substituted with a group (substituent) other than a hydrogen atom.

상술한 (메타)아크릴로일기를 2개 이상 갖는 다관능 (메타)아크릴레이트 화합물로는, 예를 들면 1,4-부탄디올디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜아디페이트디(메타)아크릴레이트, 히드록시피발산네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐디(메타)아크릴레이트(트리시클로데칸디메틸올디아크릴레이트라고도 한다), 카프로락톤 변성 디시클로펜테닐디(메타)아크릴레이트, 에틸렌옥사이드 변성 인산디(메타)아크릴레이트, 디(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 알릴화 시클로헥실디(메타)아크릴레이트 등의 2관능 (메타)아크릴레이트 화합물;Examples of the polyfunctional (meth) acrylate compound having two or more of the above (meth) acryloyl groups include 1,4-butanediol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) Acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol adipate di Acrylate, di (meth) acrylate (also referred to as tricyclodecane dimethylol diacrylate), caprolactone modified dicyclopentenyl (meth) acrylate, ethylene oxide modified di (meth) Bifunctional (meth) acrylate compounds such as maleic anhydride, maleic anhydride, maleic anhydride, and maleic anhydride;

트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 프로피온산 변성 디펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 프로필렌옥사이드 변성 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 비스(아크릴옥시에틸)히드록시에틸이소시아누레이트, 이소시아눌산에틸렌옥사이드 변성 디아크릴레이트, 이소시아눌산에틸렌옥사이드 변성 트리아크릴레이트, ε-카프로락톤 변성 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트 등의 3관능 (메타)아크릴레이트 화합물;(Meth) acrylate, propylene oxide-modified dipentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, propylene oxide-modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, dipentaerythritol tri ) Acrylate, tris (acryloxyethyl) isocyanurate, bis (acryloxyethyl) hydroxyethyl isocyanurate, isocyanuric acid ethylene oxide modified diacrylate, isocyanuric acid ethylene oxide modified triacrylate, - trifunctional (meth) acrylate compounds such as caprolactone modified tris (acryloxyethyl) isocyanurate;

디글리세린테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트 등의 4관능 (메타)아크릴레이트 화합물;Tetrafunctional (meth) acrylate compounds such as diglycerin tetra (meth) acrylate and pentaerythritol tetra (meth) acrylate;

디펜타에리스리톨펜타(메타)아크릴레이트, 프로피온산 변성 디펜타에리스리톨펜타(메타)아크릴레이트 등의 5관능 (메타)아크릴레이트 화합물;(Meth) acrylate compounds such as dipentaerythritol penta (meth) acrylate and propionic acid-modified dipentaerythritol penta (meth) acrylate;

디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트 등의 6관능 (메타)아크릴레이트 화합물 등을 들 수 있다.(Meth) acrylate compounds such as dipentaerythritol hexa (meth) acrylate and caprolactone modified dipentaerythritol hexa (meth) acrylate.

상기 중에서도, 트리시클로데칸디메틸올디아크릴레이트, ε-카프로락톤 변성 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트 등이 바람직하다.Of these, tricyclodecane dimethylol diacrylate and? -Caprolactone modified tris (acryloxyethyl) isocyanurate are preferred.

에너지선 경화성 화합물(B)은 1분자 중에 갖는 에너지선 중합성기의 수가 2∼4개인 것이 바람직하고, 2∼3개인 것이 보다 바람직하다. 이러한 에너지선 경화성 화합물(B)을 사용함으로써, 형성되는 보호막은 보호 작용 및 신뢰성이 보다 높아진다. 본 명세서에 있어서는, 에너지선 경화성 화합물(B) 중, 1분자 중에 에너지선 중합성기를 2∼4개 갖는 것을 「에너지선 경화성 화합물(B1)」, 1분자 중에 에너지선 중합성기를 적어도 5개 갖는 것을 「에너지선 경화성 화합물(B2)」이라고, 각각 포괄하여 칭하는 경우가 있다.The energy ray curable compound (B) preferably has 2 to 4 energy ray polymerizable groups in one molecule, more preferably 2 to 3 energy ray polymerizable groups. By using such an energy ray-curable compound (B), the protective film to be formed has higher protection effect and reliability. In the present specification, among the energy ray curable compounds (B), those having 2 to 4 energy linear polymerizable groups in one molecule are defined as &quot; energy ray curable compound (B1) &quot;, and those having at least 5 energy linear polymerizable groups May be collectively referred to as &quot; energy ray curable compound (B2) &quot;.

에너지선 경화성 화합물(B1)로는, 1분자 중에 갖는 에너지선 중합성기의 수가 2∼3개인 것이 바람직하고, 예를 들면 트리시클로데칸디메틸올디아크릴레이트, ε-카프로락톤 변성 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트 등을 들 수 있다.As the energy ray curable compound (B1), it is preferable that the number of energy ray polymerizable groups contained in one molecule is 2 to 3, and for example, tricyclodecane dimethylol diacrylate,? -Caprolactone modified tris (acryloxyethyl) iso And cyanurate.

보호막 형성용 조성물 및 보호막 형성용 필름에 있어서, 1분자 중에 에너지선 중합성기를 2∼4개 갖는 에너지선 경화성 화합물(B)(즉, 에너지선 경화성 화합물(B1))의 함유량은 에너지선 경화성 화합물(B)의 총 질량에 대해, 90질량% 이상 100질량% 이하인 것이 바람직하고, 95질량% 이상 100질량% 이하인 것이 보다 바람직하고, 98질량% 이상 100질량% 이하인 것이 특히 바람직하고, 100질량%, 즉, 상기 보호막 형성용 조성물 및 보호막 형성용 필름이 함유하는 에너지선 경화성 화합물(B)이 모두 에너지선 경화성 화합물(B1)이어도 된다.The content of the energy ray-curable compound (B) (i.e., the energy ray-curable compound (B1)) having 2 to 4 energy linear polymerizable groups in one molecule in the protective film forming composition and the protective film- More preferably not less than 95% by mass and not more than 100% by mass, particularly preferably not less than 98% by mass and not more than 100% by mass, particularly preferably not less than 100% by mass, based on the total mass of the resin (B) , That is, the energy ray-curable compound (B) contained in the protective film forming composition and the protective film forming film may all be the energy ray curable compound (B1).

또한, 보호막 형성용 조성물 및 보호막 형성용 필름에 있어서, 1분자 중에 에너지선 중합성기를 2∼3개 갖는 에너지선 경화성 화합물의 함유량은 에너지선 경화성 화합물(B)의 총 질량에 대해, 80질량% 이상 100질량% 이하인 것이 바람직하고, 85질량% 이상 100질량% 이하인 것이 보다 바람직하고, 90질량% 이상 100질량% 이하인 것이 더욱 바람직하고, 95질량% 이상 100질량% 이하인 것이 특히 바람직하고, 100질량%, 즉, 상기 보호막 형성용 조성물 및 보호막 형성용 필름이 함유하는 에너지선 경화성 화합물(B)이 모두 1분자 중에 에너지선 중합성기를 2∼3개 갖는 에너지선 경화성 화합물이어도 된다.In the composition for forming a protective film and the film for forming a protective film, the content of the energy ray-curable compound having 2 to 3 energy linear polymerizable groups in one molecule is preferably 80 mass% or less, More preferably 90% by mass or more and 100% by mass or less, particularly preferably 95% by mass or more and 100% by mass or less, particularly preferably 100% by mass or less %, That is, the energy ray-curable compound (B) contained in the composition for forming a protective film and the film for forming a protective film may all be energy ray-curable compounds having 2 to 3 energy linear polymerizable groups in one molecule.

보호막 형성용 조성물 및 보호막 형성용 필름 중의 에너지선 경화성 화합물(B)의 함유량은 중합체 성분(A)의 함유량을 100질량부로 했을 때, 1∼150질량부인 것이 바람직하고, 5∼130질량부인 것이 보다 바람직하고, 10∼110질량부인 것이 특히 바람직하다. 에너지선 경화성 화합물(B)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 형성되는 보호막은 큰 온도 변화에 노출되어도 높은 보호 작용을 유지하고, 신뢰성이 보다 높아진다. 또한, 에너지선 경화성 화합물(B)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 지지 시트와 보호막의 접착력이 억제되어, 보호막 부착 반도체 칩의 픽업성이 보다 향상된다.The content of the energy ray-curable compound (B) in the composition for forming a protective film and the film for forming a protective film is preferably 1 to 150 parts by mass, more preferably 5 to 130 parts by mass based on 100 parts by mass of the polymer component (A) And particularly preferably from 10 to 110 parts by mass. When the content of the energy ray-curable compound (B) is not less than the above lower limit value, the protective film to be formed maintains a high protective effect even when exposed to a large temperature change, and reliability is further enhanced. When the above content of the energy ray curable compound (B) is not more than the upper limit value, the adhesive force between the support sheet and the protective film is suppressed, and the pickup property of the semiconductor chip with the protective film is further improved.

[광중합 개시제(C)][Photopolymerization initiator (C)]

광중합 개시제(C)는 에너지선의 조사에 의해 라디칼을 발생시키고, 에너지선 경화성 화합물(B)의 라디칼 중합에 의한 경화 반응을 개시시키기 위한 성분이다.The photopolymerization initiator (C) is a component for generating a radical by irradiation of an energy ray and initiating a curing reaction by radical polymerization of the energy ray curable compound (B).

광중합 개시제(C)는 공지의 것이어도 되고, 구체적으로는, 예를 들면 4-(2-히드록시에톡시)페닐-2-(히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-히드록시-1-{4-[4-(2-히드록시-2-메틸-프로피오닐)-벤질]페닐}-2-메틸-프로판-1-온 등의 α-케톨계 화합물; 아세토페논, 디메틸아미노아세토페논, 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2,2-디에톡시-2-페닐아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄온-1 등의 아세토페논계 화합물; 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인-n-부틸에테르, 벤조인이소부틸에테르, 아니소인메틸에테르 등의 벤조인에테르계 화합물; 벤질디메틸케탈, 아세토페논디메틸케탈 등의 케탈계 화합물; 2-나프탈렌술포닐클로라이드 등의 방향족 술포닐클로라이드계 화합물; 1-페논-1,1-프로판디온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심, 에타논,1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-,1-(O-아세틸옥심) 등의 광 활성 옥심계 화합물; 벤조페논, p-페닐벤조페논, 벤조일벤조산, 디클로로벤조페논, 4,4'-디에틸아미노벤조페논, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물; 2-메틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2-tert-부틸안트라퀴논, 2-아미노안트라퀴논 등의 안트라퀴논계 화합물; 티옥산톤, 2-클로로티옥산톤, 2-메틸티옥산톤, 2-에틸티옥산톤, 이소프로필티옥산톤, 2,4-디메틸티옥산톤, 2,4-디에틸티옥산톤, 2,4-디클로로티옥산톤, 2,4-디에틸티옥산톤, 2,4-디이소프로필티옥산톤 등의 티옥산톤계 화합물; p-디메틸아미노벤조산에스테르; 캄퍼퀴논; 할로겐화케톤; 디페닐(2,4,6-트리메틸벤조일)포스핀옥사이드 등의 아실포스핀옥사이드; 아실포스포네이트, 올리고[2-히드록시-2-메틸-1-[4-(1-메틸비닐)페닐]프로판온] 등을 들 수 있다. The photopolymerization initiator (C) may be a known one, and specific examples thereof include 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl-2- (hydroxy-2-propyl) ketone, hydroxy-1- {4- [4- (2-hydroxy-2-methylpyridin-2- ylmethyl) -Propionyl) -benzyl] phenyl} -2-methyl-propan-1-one; Acetophenone, dimethylaminoacetophenone, methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2,2-diethoxy- Hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, Acetophenone-based compounds such as 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1; Benzoin ether compounds such as benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin-n-butyl ether, benzoin isobutyl ether and anisoin methyl ether; Ketal compounds such as benzyl dimethyl ketal and acetophenone dimethyl ketal; Aromatic sulfonyl chloride-based compounds such as 2-naphthalenesulfonyl chloride; Ethanone, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl ] -, 1- (O-acetyloxime); Benzophenone compounds such as benzophenone, p-phenylbenzophenone, benzoylbenzoic acid, dichlorobenzophenone, 4,4'-diethylaminobenzophenone and 3,3'-dimethyl-4-methoxybenzophenone; Anthraquinone compounds such as 2-methyl anthraquinone, 2-ethyl anthraquinone, 2-tert-butyl anthraquinone, and 2-amino anthraquinone; Thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2-ethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, 2,4- Thioxanthone compounds such as 2,4-dichlorothioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone and 2,4-diisopropylthioxanthone; p-dimethylaminobenzoic acid ester; Camphorquinone; Halogenated ketones; Acylphosphine oxides such as diphenyl (2,4,6-trimethylbenzoyl) phosphine oxide; Acylphosphonate and oligo [2-hydroxy-2-methyl-1- [4- (1-methylvinyl) phenyl] propanone].

상기 중에서도, 에타논,1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-,1-(O-아세틸옥심) 등이 바람직하다.Of these, ethanone, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] - and 1- (O-acetyloxime) are preferred.

보호막 형성용 조성물 중의 광중합 개시제(C)의 함유량은 중합체 성분(A)의 함유량을 100질량부로 했을 때, 0.01∼10질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼7질량부인 것이 보다 바람직하고, 0.2∼5질량부인 것이 특히 바람직하다. 광중합 개시제(C)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 에너지선 경화성 화합물(B)의 경화 반응이 보다 효율적으로 진행된다. 또한, 광중합 개시제(C)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 형성되는 보호막은 보호 작용 및 신뢰성이 보다 높아진다.The content of the photopolymerization initiator (C) in the composition for forming a protective film is preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.1 to 7 parts by mass, more preferably 0.2 to 5 parts by mass based on 100 parts by mass of the polymer component (A) Particularly desirable. When the content of the photopolymerization initiator (C) is not less than the lower limit value, the curing reaction of the energy ray curable compound (B) proceeds more efficiently. Further, when the above content of the photopolymerization initiator (C) is not more than the upper limit value, the protective film to be formed has higher protection effect and reliability.

또한, 보호막 형성용 조성물 중의 광중합 개시제(C)의 함유량은 보호막 형성용 조성물 또는 보호막 형성용 필름의 총 질량에 대해, 0.1∼3질량%인 것이 바람직하다.The content of the photopolymerization initiator (C) in the protective film forming composition is preferably 0.1 to 3% by mass based on the total mass of the protective film forming composition or protective film forming film.

[충전재(D)][Filler (D)]

보호막 형성용 조성물 및 보호막 형성용 필름은 충전재(D)를 함유하고 있어도 된다. 보호막 형성용 필름은 충전재(D)를 함유함으로써, 열팽창 계수의 조정이 용이해진다. 따라서, 이러한 보호막 형성용 필름의 경화 후의 보호막의 열팽창 계수를 반도체 칩에 대해 최적화함으로써, 패키지 신뢰성을 향상시킬 수 있다.The composition for forming a protective film and the film for forming a protective film may contain a filler (D). The protective film forming film contains the filler (D), so that the coefficient of thermal expansion can be easily adjusted. Therefore, the package reliability can be improved by optimizing the thermal expansion coefficient of the protective film after curing of the protective film forming film to the semiconductor chip.

또한, 통상, 충전재(D)를 함유하는 보호막 형성용 조성물을 사용함으로써, 경화 후의 보호막의 흡습률을 저감하거나 경화 후의 보호막의 열전도성을 향상시킬 수도 있다.In addition, by using a composition for forming a protective film containing the filler (D), the moisture absorption rate of the protective film after curing can be reduced or the thermal conductivity of the protective film after curing can be improved.

충전재(D)는 유기 충전재 및 무기 충전재 중 어느 것이어도 되지만, 무기 충전재인 것이 바람직하다.The filler (D) may be either an organic filler or an inorganic filler, but is preferably an inorganic filler.

바람직한 무기 충전재로는, 예를 들면 실리카, 알루미나, 탤크, 탄산칼슘, 티탄화이트, 벵가라, 탄화규소, 질화붕소 등의 분말; 이들 실리카 등을 구형화한 비즈; 이들 실리카 등의 단결정 섬유; 유리 섬유 등을 들 수 있다.Preferred examples of the inorganic filler include powders of silica, alumina, talc, calcium carbonate, titanium white, bengale, silicon carbide, boron nitride and the like; Beads sphericalized with silica or the like; Single crystal fibers such as silica; Glass fibers and the like.

이들 중에서도, 무기 충전재는 실리카 필러 또는 알루미나 필러인 것이 바람직하다.Among these, the inorganic filler is preferably a silica filler or an alumina filler.

충전재(D)는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.The filler (D) may be used singly or in combination of two or more kinds.

충전재(D)를 사용하는 경우, 보호막 형성용 조성물의 용매 이외의 성분의 총 질량에 대한 충전재(D)의 함유량(즉, 보호막 형성용 필름의 총 질량에 대한 충전재(D)의 함유량)은 5∼80질량%인 것이 바람직하고, 7∼65질량%인 것이 보다 바람직하다. 충전재(D)의 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 충전재(D)를 사용함에 따른 효과가 보다 현저히 얻어진다. 또한, 충전재(D)의 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 형성되는 보호막은 보호 작용 및 신뢰성이 보다 높아진다.When the filler (D) is used, the content of the filler (D) relative to the total mass of components other than the solvent of the composition for forming a protective film (i.e., the content of the filler (D) relative to the total mass of the film for forming a protective film) By mass to 80% by mass, and more preferably 7% by mass to 65% by mass. Since the content of the filler (D) is equal to or more than the above lower limit value, the effect of using the filler (D) is more remarkably obtained. Further, when the content of the filler (D) is not more than the upper limit value, the protective film to be formed has higher protection effect and reliability.

[착색제(E)][Colorant (E)]

보호막 형성용 조성물 및 보호막 형성용 필름은 착색제(E)를 함유하고 있어도 된다. The composition for forming a protective film and the film for forming a protective film may contain a colorant (E).

착색제(E)로는, 예를 들면 무기계 안료, 유기계 안료, 유기계 염료 등 공지의 것을 들 수 있다.Examples of the colorant (E) include known pigments such as an inorganic pigment, an organic pigment, and an organic dye.

상기 유기계 안료 및 유기계 염료로는, 예를 들면 아미늄계 색소, 시아닌계 색소, 메로시아닌계 색소, 크로코늄계 색소, 스쿠아릴륨계 색소, 아즈레늄계 색소, 폴리메틴계 색소, 나프토퀴논계 색소, 피릴륨계 색소, 프탈로시아닌계 색소, 나프탈로시아닌계 색소, 나프토락탐계 색소, 아조계 색소, 축합 아조계 색소, 인디고계 색소, 페리논계 색소, 페릴렌계 색소, 디옥사진계 색소, 퀴나크리돈계 색소, 이소인돌리논계 색소, 퀴노프탈론계 색소, 피롤계 색소, 티오인디고계 색소, 금속 착체계 색소(금속 착염 염료), 디티올 금속 착체계 색소, 인돌페놀계 색소, 트리아릴메탄계 색소, 안트라퀴논계 색소, 디옥사진계 색소, 나프톨계 색소, 아조메틴계 색소, 벤즈이미다졸론계 색소, 피란트론계 색소 및 스렌계 색소 등을 들 수 있다.Examples of the organic pigments and organic dyes include organic pigments such as an aminium type dye, a cyanine type dye, a merocyanine type dye, a chromium type dye, a squarylium type dye, an azulene type dye, a polymethine type dye, Based dye, a perylene-based dye, a dioxazine-based dye, a quinacridone-based dye, a quinacridone-based dye, a quinacridone-based dye, (Metal complex dyes), dithiol metal complex system pigments, indole phenol based pigments, triarylmethane based pigments, anthraquinone based pigments, isoindolinone based pigments, quinophthalone based pigments, pyrrole based pigments, thioindigo based pigments, Based dye, a quinone-based dye, a dioxazine-based dye, a naphthol-based dye, an azomethine-based dye, a benzimidazolone-based dye, a pyranthrone-based dye and a threne-based dye.

상기 무기계 안료로는, 예를 들면 카본 블랙, 코발트계 색소, 철계 색소, 크롬계 색소, 티탄계 색소, 바나듐계 색소, 지르코늄계 색소, 몰리브덴계 색소, 루테늄계 색소, 백금계 색소, ITO(인듐주석옥사이드)계 색소, ATO(안티몬주석옥사이드)계 색소 등을 들 수 있다.Examples of the inorganic pigment include carbon black, a cobalt dye, an iron dye, a chromium dye, a titanium dye, a vanadium dye, a zirconium dye, a molybdenum dye, a ruthenium dye, a platinum dye, Tin oxide) -based dye, ATO (antimony tin oxide) -based dye, and the like.

상기 중에서도, 프탈로시아닌계 색소, 이소인돌리논계 색소, 안트라퀴논계 색소 등이 바람직하다.Of these, phthalocyanine-based pigments, isoindolinone-based pigments, and anthraquinone-based pigments are preferred.

착색제(E)는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.The colorant (E) may be used alone or in combination of two or more.

착색제(E)를 사용하는 경우, 보호막 형성용 필름 중의 착색제(E)의 함유량은 목적에 따라 적절히 조절하면 된다. 예를 들면, 보호막은 레이저 조사에 의해 인자가 실시되는 경우가 있고, 보호막 형성용 필름 중의 착색제(E)의 함유량을 조절하여 보호막의 광투과성을 조절함으로써, 인자 시인성을 조절할 수 있다. 이 경우, 보호막 형성용 조성물의 용매 이외의 성분의 총 질량에 대한 착색제(E)의 함유량(즉, 보호막 형성용 필름의 총 질량에 대한 착색제(E)의 함유량)은 0.1∼10질량%인 것이 바람직하고, 0.4∼7.5질량%인 것이 보다 바람직하고, 0.8∼5질량%인 것이 특히 바람직하다. 착색제(E)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 착색제(E)를 사용함에 따른 효과가 보다 현저히 얻어진다. 또한, 착색제(E)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 착색제(E)의 과잉 사용이 억제된다.When the colorant (E) is used, the content of the colorant (E) in the protective film-forming film may be appropriately adjusted depending on the purpose. For example, the protective film may be printed by laser irradiation, and the visible visibility can be controlled by controlling the light transmittance of the protective film by controlling the content of the colorant (E) in the protective film forming film. In this case, the content of the colorant (E) relative to the total mass of the components other than the solvent of the composition for forming the protective film (that is, the content of the colorant (E) relative to the total mass of the protective film forming film) is 0.1 to 10 mass% More preferably from 0.4 to 7.5% by mass, and particularly preferably from 0.8 to 5% by mass. Since the content of the coloring agent (E) is the lower limit value or more, the effect of using the coloring agent (E) is more remarkably obtained. Further, since the content of the coloring agent (E) is not more than the upper limit value, excessive use of the coloring agent (E) is suppressed.

[커플링제(F)][Coupling agent (F)]

보호막 형성용 조성물 및 보호막 형성용 필름은 커플링제(F)를 함유하고 있어도 된다. 보호막 형성용 필름은 커플링제(F)로서 무기 화합물 또는 유기 화합물과 반응 가능한 관능기를 갖는 것을 함유함으로써, 피착체에 대한 접착성 및 밀착성을 향상시킬 수 있다. 또한, 커플링제(F)를 함유하는 보호막 형성용 필름으로 형성된 보호막은 내열성을 저해하지 않고 내수성이 향상된다.The composition for forming a protective film and the film for forming a protective film may contain a coupling agent (F). The film for forming a protective film contains a compound having a functional group capable of reacting with an inorganic compound or an organic compound as the coupling agent (F), so that adhesion and adhesion to an adherend can be improved. Further, the protective film formed of a film for forming a protective film containing the coupling agent (F) does not inhibit heat resistance, and water resistance is improved.

커플링제(F)는 중합체 성분(A), 에너지선 경화성 화합물(B) 등이 갖는 관능기와 반응 가능한 관능기를 갖는 화합물이 바람직하고, 실란 커플링제인 것이 보다 바람직하다.The coupling agent (F) is preferably a compound having a functional group capable of reacting with a functional group contained in the polymer component (A), the energy ray-curable compound (B) and the like, more preferably a silane coupling agent.

바람직한 상기 실란 커플링제로는, 예를 들면 3-글리시딜옥시프로필트리메톡시실란, 3-글리시딜옥시메틸디에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-(2-아미노에틸아미노)프로필트리메톡시실란, 3-(2-아미노에틸아미노)프로필메틸디에톡시실란, 3-(페닐아미노)프로필트리메톡시실란, (3-우레이드프로필)트리에톡시실란, 3-메르캅토프로필트리메톡시실란, 3-메르캅토프로필메틸디메톡시실란, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)테트라술판, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 이미다졸실란 등을 들 수 있다.Preferred examples of the silane coupling agent include 3-glycidyloxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidyloxymethyldiethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane , 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3- (2-aminoethylamino) propyltrimethoxysilane, 3- (2-aminoethylamino) propylmethyldiethoxysilane , 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, bis (3-tributylaminopropyl) trimethoxysilane, Ethoxysilylpropyl) tetrasulfane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, imidazolylsilane and the like.

상기 중에서도, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 등이 바람직하다.Of these, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane and the like are preferable.

커플링제(F)는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.The coupling agent (F) may be used alone or in combination of two or more.

커플링제(F)를 사용하는 경우, 보호막 형성용 조성물 및 보호막 형성용 필름 중의 커플링제(F)의 함유량은 중합체 성분(A) 및 에너지선 경화성 화합물(B)의 합계 함유량을 100질량부로 했을 때, 0.03∼20질량부인 것이 바람직하고, 0.05∼10질량부인 것이 보다 바람직하고, 0.1∼5질량부인 것이 특히 바람직하다. 커플링제(F)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 커플링제(F)를 사용함에 따른 효과가 보다 현저히 얻어진다. 또한, 커플링제(F)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 아웃 가스의 발생이 보다 억제된다.When the coupling agent (F) is used, the content of the coupling agent (F) in the composition for forming a protective film and the film for forming a protective film is preferably such that when the total content of the polymer component (A) and the energy ray- , Preferably 0.03 to 20 mass parts, more preferably 0.05 to 10 mass parts, particularly preferably 0.1 to 5 mass parts. Since the content of the coupling agent (F) is not less than the lower limit value, the effect of using the coupling agent (F) is more remarkably obtained. Further, since the above content of the coupling agent (F) is not more than the upper limit value, generation of outgas is further suppressed.

[가교제(G)][Crosslinking agent (G)]

중합체 성분(A)으로서 다른 화합물과 결합 가능한 비닐기, (메타)아크릴로일기, 아미노기, 수산기, 카르복시기, 이소시아네이트기 등의 관능기를 갖는 상술한 아크릴계 수지를 사용하는 경우, 이 관능기를 다른 화합물과 결합시켜 가교하기 위해, 가교제(G)를 사용할 수 있다. 가교제(G)를 사용하여 가교함으로써, 보호막 형성용 필름의 초기 접착력 및 응집력을 조절할 수 있다.When the above-mentioned acrylic resin having a functional group such as vinyl group, (meth) acryloyl group, amino group, hydroxyl group, carboxyl group or isocyanate group capable of bonding with other compound as the polymer component (A) is used, For crosslinking, a crosslinking agent (G) can be used. By using the cross-linking agent (G) for crosslinking, the initial adhesive force and cohesive force of the protective film forming film can be controlled.

가교제(G)로는, 예를 들면 유기 다가 이소시아네이트 화합물, 유기 다가 이민 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the crosslinking agent (G) include organic polyvalent isocyanate compounds and organic polyvalent organic compounds.

상기 유기 다가 이소시아네이트 화합물로는, 예를 들면 방향족 다가 이소시아네이트 화합물, 지방족 다가 이소시아네이트 화합물, 지환족 다가 이소시아네이트 화합물 및 이들 화합물의 삼량체, 이소시아누레이트체 및 어덕트체(에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 네오펜틸글리콜, 트리메틸올프로판 또는 피마자유 등의 저분자 활성 수소 함유 화합물과의 반응물, 예를 들면, 트리메틸올프로판의 자일릴렌디이소시아네이트 부가물 등)나, 유기 다가 이소시아네이트 화합물과 폴리올 화합물을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트 우레탄 프리폴리머 등을 들 수 있다.Examples of the organic polyisocyanate compounds include aromatic polyisocyanate compounds, aliphatic polyisocyanate compounds, alicyclic polyisocyanate compounds, and trimer compounds, isocyanurate compounds and adducts thereof (such as ethylene glycol, propylene glycol, neo Such as trimethylolpropane, xylene diisocyanate adduct of trimethylolpropane, etc.), a terminal obtained by reacting an organic polyisocyanate compound with a polyol compound (for example, a reaction product with a low-molecular active hydrogen-containing compound such as trimethylolpropane, Isocyanate urethane prepolymer and the like.

상기 유기 다가 이소시아네이트 화합물로서 보다 구체적으로는, 예를 들면 2,4-톨릴렌디이소시아네이트; 2,6-톨릴렌디이소시아네이트; 1,3-자일릴렌디이소시아네이트; 1,4-자일렌디이소시아네이트; 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트; 디페닐메탄-2,4'-디이소시아네이트; 3-메틸디페닐메탄디이소시아네이트; 헥사메틸렌디이소시아네이트; 이소포론디이소시아네이트; 디시클로헥실메탄-4,4'-디이소시아네이트; 디시클로헥실메탄-2,4'-디이소시아네이트; 트리메틸올프로판 등의 폴리올 중 모두 혹은 일부의 수산기에 톨릴렌디이소시아네이트 및 헥사메틸렌디이소시아네이트 중 어느 한쪽 또는 양쪽이 부가된 화합물; 리신디이소시아네이트 등을 들 수 있다.More specific examples of the organic polyisocyanate compound include 2,4-tolylene diisocyanate; 2,6-tolylene diisocyanate; 1,3-xylylene diisocyanate; 1,4-xylene diisocyanate; Diphenylmethane-4,4'-diisocyanate; Diphenylmethane-2,4'-diisocyanate; 3-methyldiphenylmethane diisocyanate; Hexamethylene diisocyanate; Isophorone diisocyanate; Dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate; Dicyclohexylmethane-2,4'-diisocyanate; A compound in which either or both of tolylene diisocyanate and hexamethylene diisocyanate are added to all or part of the hydroxyl groups in polyols such as trimethylolpropane; And lysine diisocyanate.

상기 유기 다가 이민 화합물로는, 예를 들면 N,N'-디페닐메탄-4,4'-비스(1-아지리딘카르복시아미드), 트리메틸올프로판-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, 테트라메틸올메탄-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, N,N'-톨루엔-2,4-비스(1-아지리딘카르복시아미드)트리에틸렌멜라민 등을 들 수 있다.Examples of the organic polyvalent amine compound include N, N'-diphenylmethane-4,4'-bis (1-aziridine carboxamide), trimethylolpropane-tri- Tetramethylolmethane-tri-? -Aziridinylpropionate, and N, N'-toluene-2,4-bis (1-aziridine carboxamide) triethylene melamine.

가교제(G)로는 상기 중에서도 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트가 바람직하다.As the crosslinking agent (G), 2,4-tolylene diisocyanate and 2,6-tolylene diisocyanate are particularly preferred.

가교제(G)로서 이소시아네이트계 가교제를 사용하는 경우, 중합체 성분(A)인 상기 아크릴계 수지로는 수산기 함유 중합체를 사용하는 것이 바람직하다. 가교제(G)가 이소시아네이트기를 갖고, 아크릴계 수지가 수산기를 갖는 경우, 가교제(G)와 아크릴계 수지의 반응에 의해, 보호막 형성용 필름에 가교 구조를 간편히 도입할 수 있다.When an isocyanate crosslinking agent is used as the crosslinking agent (G), a hydroxyl group-containing polymer is preferably used as the acrylic resin as the polymer component (A). When the crosslinking agent (G) has an isocyanate group and the acrylic resin has a hydroxyl group, the crosslinking structure can be easily introduced into the protective film forming film by the reaction of the crosslinking agent (G) and the acrylic resin.

가교제(G)를 사용하는 경우, 보호막 형성용 조성물 중 또는 보호막 형성용 필름 중의 가교제(G)의 함유량은 중합체 성분(A)의 함유량을 100질량부로 했을 때, 0.01∼20질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼10질량부인 것이 보다 바람직하고, 0.5∼5질량부인 것이 특히 바람직하다.When the crosslinking agent (G) is used, the content of the crosslinking agent (G) in the protective film forming composition or in the protective film forming film is preferably 0.01 to 20 parts by mass based on 100 parts by mass of the polymer component (A) More preferably from 0.1 to 10 parts by mass, and particularly preferably from 0.5 to 5 parts by mass.

[범용 첨가제(H)][General purpose additive (H)]

보호막 형성용 조성물 및 보호막 형성용 필름은 상술한 성분 이외에, 범용 첨가제(H)를 함유하고 있어도 된다.The composition for forming a protective film and the film for forming a protective film may contain the general-purpose additive (H) in addition to the above-described components.

범용 첨가제(H)로는, 예를 들면 공지의 가소제, 대전 방지제, 산화 방지제, 게터링제, 증감제 등을 들 수 있다.Examples of the general-purpose additive (H) include known plasticizers, antistatic agents, antioxidants, gettering agents, and sensitizers.

[용매][menstruum]

보호막 형성용 조성물은 희석에 의해 그 취급성이 향상되는 점에서, 추가로 용매를 함유하는 것이 바람직하다.It is preferable that the composition for forming a protective film further contains a solvent since the handling property is improved by dilution.

보호막 형성용 조성물이 함유하는 용매는 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 것으로는, 예를 들면 톨루엔, 자일렌 등의 탄화수소; 메탄올, 에탄올, 2-프로판올, 이소부틸알코올(2-메틸프로판-1-올), 1-부탄올 등의 알코올; 초산에틸 등의 에스테르; 아세톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤; 테트라히드로푸란 등의 에테르; 디메틸포름아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드(아미드 결합을 갖는 화합물) 등을 들 수 있다.The solvent contained in the protective film forming composition is not particularly limited, but preferable examples thereof include hydrocarbons such as toluene and xylene; Alcohols such as methanol, ethanol, 2-propanol, isobutyl alcohol (2-methylpropan-1-ol) and 1-butanol; Esters such as ethyl acetate; Ketones such as acetone and methyl ethyl ketone; Ethers such as tetrahydrofuran; Amides such as dimethylformamide and N-methylpyrrolidone (compounds having an amide bond), and the like.

보호막 형성용 조성물이 함유하는 용매는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다.The protective film forming composition may contain only one kind of solvent or two or more kinds of solvents.

보호막 형성용 조성물이 용매를 함유하는 경우의 용매의 함유량은 상기 조성물의 고형분 농도가 상기 조성물의 총 질량에 대해 35∼75질량%가 되는 양인 것이 바람직하다.When the composition for forming a protective film contains a solvent, the content of the solvent is preferably such that the solid content of the composition is from 35 to 75 mass% with respect to the total mass of the composition.

보호막 형성용 조성물은 이를 구성하기 위한 상술한 각 성분을 배합함으로써 얻어진다. The composition for forming a protective film is obtained by blending the respective components described above for constituting the protective film.

각 성분의 배합 시에 있어서의 첨가 순서는 특별히 한정되지 않고, 2종 이상의 성분을 동시에 첨가해도 된다.The order of addition in the mixing of each component is not particularly limited, and two or more components may be added at the same time.

용매를 사용하는 경우에는, 용매를 용매 이외의 어느 배합 성분과 혼합함에 있어서 이 배합 성분을 미리 희석해 둔 것으로 사용해도 되고, 용매 이외의 어느 배합 성분을 미리 희석해 두지 않고 용매를 이들 배합 성분과 혼합함으로써 사용해도 된다.In the case of using a solvent, the solvent may be used by previously mixing the solvent with any of the ingredients other than the solvent. Alternatively, the solvent may be used beforehand without diluting any of the ingredients other than the solvent. And may be used by mixing.

배합 시에 각 성분을 혼합하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 교반자 또는 교반 날개 등을 회전시켜 혼합하는 방법; 믹서를 사용하여 혼합하는 방법; 초음파를 가하여 혼합하는 방법 등 공지의 방법에서 적절히 선택하면 된다.A method of mixing the respective components at the time of mixing is not particularly limited, and a method of mixing and stirring an agitator or an agitating blade; A method of mixing using a mixer; And a method in which ultrasonic waves are added and mixed.

본 발명에 따른 보호막 형성용 필름은 상술한 바와 같이, 예를 들면 보호막 형성용 조성물을 지지체의 표면에 도공하고 건조시킴으로써 형성할 수 있다.As described above, the protective film forming film according to the present invention can be formed, for example, by coating a surface of a support with a protective film forming composition and drying the film.

보호막 형성용 조성물의 지지체의 표면에 대한 도공은 공지의 방법으로 행하면 되고, 예를 들면, 에어 나이프 코터, 블레이드 코터, 바 코터, 그라비아 코터, 롤 코터, 롤 나이프 코터, 커텐 코터, 다이 코터, 나이프 코터, 스크린 코터, 마이어 바 코터, 키스 코터 등의 각종 코터를 사용하는 방법을 들 수 있다.The application of the composition for forming a protective film to the surface of the support may be carried out by a known method and may be carried out by a known method such as an air knife coater, a blade coater, a bar coater, a gravure coater, a roll coater, a roll knife coater, And a method of using various coaters such as a coater, a screen coater, a Meyer bar coater, and a kiss coater.

보호막 형성용 조성물을 건조시킬 때, 건조 온도는 80∼130℃인 것이 바람직하고, 건조 시간은 10초간∼10분간인 것이 바람직하다.When the protective film forming composition is dried, the drying temperature is preferably 80 to 130 ° C, and the drying time is preferably 10 seconds to 10 minutes.

본 발명에 따른 보호막 형성용 필름을 에너지선의 조사에 의해 경화시킴으로써 형성된 보호막은 영률이 500MPa 이상이며, 또한 파단 신도가 8% 이상이다.The protective film formed by curing the protective film forming film according to the present invention by irradiation of energy rays has a Young's modulus of 500 MPa or more and a breaking elongation of 8% or more.

상기 보호막의 영률은 에너지선 경화성 화합물 (B) 등의 보호막 형성용 필름의 함유 성분을 조절함으로써, 바람직하게는 550MPa 이상으로 하는 것이 가능하고, 예를 들면, 1000MPa 이상, 1400MPa 이상, 1800MPa 이상 등으로 하는 것도 가능하다.The Young's modulus of the protective film can be preferably 550 MPa or more, for example, by adjusting the content of the protective film forming film such as the energy ray curable compound (B), and may be 1000 MPa or more, 1400 MPa or more, 1800 MPa or more It is also possible to do.

한편, 상기 보호막의 영률의 상한값은 특별히 한정되지 않지만, 다이싱성이나 패키지 신뢰성 면에서, 10000MPa인 것이 바람직하고, 5000MPa인 것이 보다 바람직하다.On the other hand, the upper limit value of the Young's modulus of the protective film is not particularly limited, but is preferably 10000 MPa and more preferably 5000 MPa in terms of dicing property and package reliability.

즉, 상기 보호막의 영률은 500MPa 이상 10000MPa 이하이며, 550MPa 이상 5000MPa 이하인 것이 바람직하고, 1000MPa 이상 5000MPa 이하인 것이 보다 바람직하고, 1400MPa 이상 5000MPa 이하인 것이 더욱 바람직하고, 1800MPa 이상 5000MPa 이하인 것이 특히 바람직하다.That is, the Young's modulus of the protective film is preferably 500 MPa or more and 10000 MPa or less, more preferably 550 MPa or more and 5000 MPa or less, more preferably 1000 MPa or more and 5,000 MPa or less, still more preferably 1400 MPa or more and 5,000 MPa or less, and particularly preferably 1800 MPa or more and 5,000 MPa or less.

한편, 본 발명에 있어서, 「영률」이란, 시험편을 인장 속도 200㎜/분으로 인장하는 시험(인장 시험)을 행했을 때의 시험 초기에 있어서의 응력 변형 곡선의 기울기로부터 구해지는 것을 의미한다. 영률은 이하에서 설명하는 「파단 신도」의 측정 시에 동시에 측정할 수 있다.On the other hand, in the present invention, "Young's modulus" means that the Young's modulus is obtained from the slope of the stress deformation curve at the initial stage of the test when the test piece is subjected to a tensile test at a tensile speed of 200 mm / min. The Young's modulus can be measured simultaneously at the time of measurement of the &quot; elongation at break &quot;

상기 보호막의 파단 신도는 에너지선 경화성 화합물 (B) 등의 보호막 형성용 필름의 함유 성분을 조절함으로써, 바람직하게는 10% 이상으로 하는 것이 가능하고, 예를 들면, 15% 이상, 20% 이상, 30% 이상, 40%, 50% 이상 등으로 하는 것도 가능하다.The elongation at break of the protective film can be preferably 10% or more, for example, 15% or more, 20% or more, and 20% or more, for example, by adjusting the content of the protective film- 30% or more, 40% or 50% or more.

한편, 상기 보호막의 파단 신도의 상한값은 특별히 한정되지 않지만, 다이싱 시에 할단성이 얻어지기 쉬운 점에서, 100%인 것이 바람직하다.On the other hand, the upper limit value of the elongation at break of the protective film is not particularly limited, but it is preferably 100% from the viewpoint of easiness of obtaining a durability at the time of dicing.

즉, 상기 보호막의 파단 신도는 8% 이상 100% 이하이며, 10% 이상 100% 이하, 15% 이상 100% 이하, 20% 이상 100% 이하, 30% 이상 100% 이하, 40% 이상 100% 이하, 50% 이상 100% 이하로 할 수 있고, 100%로 하는 것이 특히 바람직하다.That is, the elongation at break of the protective film is 8% to 100%, 10% to 100%, 15% to 100%, 20% to 100%, 30% to 100%, 40% to 100% , 50% or more and 100% or less, and particularly preferably 100%.

또한, 본 발명에 있어서는, JIS K7161:1994 및 JIS K7127:1999에 준거한 시험편이 항복점을 갖지 않는 경우의 인장 파괴 변형, 또는 항복점을 갖는 경우의 인장 파괴 변형을 「파단 신도」로 하고 있다.In the present invention, the tensile fracture strain in the case where the test piece according to JIS K7161: 1994 and JIS K7127: 1999 does not have a yield point, or the tensile fracture strain in the case where the test piece has a yield point is referred to as &quot; fracture elongation &quot;.

파단 신도는 시험편으로서 폭 15㎜, 길이 140㎜인 것을 사용하고, 이 시험편을 파지구 사이의 거리를 100㎜로 하고, 인장 속도 200㎜/분으로 인장했을 때의시험편의 신장량을 측정하고, 그 측정값을 사용하여 구하고 있다.The elongation at break was measured using a specimen having a width of 15 mm and a length of 140 mm and measuring the elongation of the specimen when the specimen was stretched at a tensile speed of 200 mm / Measured values.

본 발명에 따른 보호막 형성용 필름의 다른 측면은 영률이 590MPa 이상 1960MPa 이하이며, 또한 파단 신도가 10.7% 이상 56.0% 이하인 보호막이 에너지선의 조사에 의해 형성되는 보호막 형성용 필름이다.Another aspect of the film for forming a protective film according to the present invention is a protective film-forming film in which a protective film having a Young's modulus of 590 MPa or more and 1960 MPa or less and a breaking elongation of 10.7% or more and 56.0% or less is formed by irradiation of energy rays.

《보호막 형성용 복합 시트》"Composite sheet for forming a protective film"

본 발명에 따른 보호막 형성용 복합 시트는 상술한 본 발명에 따른 보호막 형성용 필름을 지지 시트의 한쪽의 표면 상에 구비한 것이다.The composite sheet for forming a protective film according to the present invention is provided with a film for forming a protective film according to the present invention on one surface of a support sheet.

본 발명에 따른 보호막 형성용 복합 시트는 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩의 이면에 보호막을 형성하기 위한 것이다.The composite sheet for forming a protective film according to the present invention is for forming a protective film on the back surface of a semiconductor wafer or a semiconductor chip.

상기 지지 시트로는, 예를 들면, 기재만으로 이루어지는 것과, 기재 상에 그 밖의 층이 적층되어 이루어지는 것을 들 수 있다.The support sheet includes, for example, one made of only a base material and another layer formed by laminating another layer on a base material.

이하, 본 발명에 따른 보호막 형성용 복합 시트에 대해, 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, the composite sheet for forming a protective film according to the present invention will be described in more detail.

도 1은 본 발명에 따른 보호막 형성용 복합 시트의 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 한편, 이하의 설명에서 사용되는 도는 본 발명의 특징을 알기 쉽게 하기 위해, 편의상, 주요부가 되는 부분을 확대하여 나타내고 있는 경우가 있고, 각 구성 요소의 치수 비율 등이 실제와 동일한 것으로 한정되지 않는다.1 is a cross-sectional view schematically showing an embodiment of a protective film-forming composite sheet according to the present invention. In order to facilitate understanding of the features of the present invention, the parts used in the following description may be enlarged for the sake of convenience, and the dimensional ratios and the like of the respective components are not limited to the actual dimensions.

여기에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1A)는 기재(11) 상에 점착제층(12)을 구비하고, 점착제층(12) 상에 보호막 형성용 필름(13)을 구비하여 이루어지는 것이다. 지지 시트(10)는 기재(11) 및 점착제층(12)의 적층체이며, 보호막 형성용 복합 시트(1A)는 다시 말하자면, 지지 시트(10)의 한쪽의 표면(10a) 상에 보호막 형성용 필름(13)이 적층된 구성을 갖는다. 또한, 보호막 형성용 복합 시트(1A)는 추가로 보호막 형성용 필름(13) 상에 박리 필름(15)을 구비하고 있다. 보호막 형성용 필름(13)은 상술한 본 발명에 따른 보호막 형성용 필름이다.The composite sheet 1A for forming a protective film shown here comprises a pressure-sensitive adhesive layer 12 on a base material 11 and a protective film forming film 13 on the pressure-sensitive adhesive layer 12. [ The support sheet 10 is a laminate of the base material 11 and the pressure-sensitive adhesive layer 12. The composite sheet 1A for forming a protective film is formed on one surface 10a of the support sheet 10, Film 13 is laminated. In addition, the protective sheet film-forming composite sheet 1A further comprises a peeling film 15 on the protective film-forming film 13. The protective film forming film 13 is the protective film forming film according to the present invention described above.

보호막 형성용 복합 시트(1A)에 있어서는, 기재(11)의 한쪽의 표면(11a)에 점착제층(12)이 적층되고, 점착제층(12)의 표면(12a)(즉, 점착제층(12)에 있어서의 기재(11)와 접하는 면과는 반대측의 면)의 전면에 보호막 형성용 필름(13)이 적층되고, 보호막 형성용 필름(13)의 표면(13a)(즉, 보호막 형성용 필름(13)에 있어서의 점착제층(12)과 접하는 면과는 반대측의 면)의 일부에 지그용 접착제층(16)이 적층되고, 보호막 형성용 필름(13)의 표면(13a) 중, 지그용 접착제층(16)이 적층되어 있지 않은 면과 지그용 접착제층(16)의 표면(16a)(즉, 상면: 지그용 접착제층(16)에 있어서의 보호막 형성용 필름(13)과 접하는 면과 반대측의 면, 및 측면: 보호막 형성용 복합 시트(1A)의 중앙측에 위치하는 지그용 접착제층(16)에 있어서의 측면)에 박리 필름(15)이 적층되어 있다.The pressure-sensitive adhesive layer 12 is laminated on one surface 11a of the substrate 11 and the surface 12a of the pressure-sensitive adhesive layer 12 (that is, the pressure-sensitive adhesive layer 12) The surface 13a of the protective film forming film 13 (that is, the protective film forming film (that is, the surface of the protective film forming film 13) An adhesive agent layer 16 for a jig is laminated on a part of the surface 13a of the protective film forming film 13 opposite to the surface in contact with the pressure sensitive adhesive layer 12, And the surface 16a of the adhesive layer 16 for jig (that is, the upper surface: the surface opposite to the surface in contact with the protective film forming film 13 in the adhesive layer for jig 16) (Side surface in the adhesive layer 16 for the jig located on the center side of the composite sheet 1A for forming the protective film).

지그용 접착제층(16)은 예를 들면, 접착제 성분을 함유하는 단층 구조인 것이어도 되고, 심재가 되는 시트의 양면에 접착제 성분을 함유하는 층이 적층된 복수층 구조인 것이어도 된다.The adhesive layer 16 for a jig may be, for example, a single-layer structure containing an adhesive component or a multi-layer structure in which layers containing an adhesive component are laminated on both sides of a sheet as a core.

도 1에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1A)는 박리 필름(15)이 제거된 상태로, 보호막 형성용 필름(13)의 표면(13a)에 반도체 웨이퍼(도시 생략)의 이면이 첩부되고, 추가로 지그용 접착제층(16)의 표면(16a) 중 상면이 링 프레임 등의 지그에 첩부되어 사용된다.In the composite sheet 1A for forming a protective film shown in Fig. 1, the back surface of a semiconductor wafer (not shown) is attached to the front surface 13a of the protective film forming film 13 with the peeling film 15 removed, The upper surface of the surface 16a of the adhesive layer 16 for jig is affixed to a jig such as a ring frame.

도 2는 본 발명에 따른 보호막 형성용 복합 시트의 다른 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 또한, 도 2에 있어서, 도 1에 나타내는 것과 동일한 구성 요소에는 도 1의 경우와 동일한 부호를 부여하고, 그 상세한 설명은 생략한다. 이는 도 3 이후의 도에 있어서도 동일하다.2 is a cross-sectional view schematically showing another embodiment of a composite sheet for forming a protective film according to the present invention. In Fig. 2, the same components as those shown in Fig. 1 are given the same reference numerals as those in Fig. 1, and a detailed description thereof will be omitted. This is also true in the diagrams after FIG.

여기에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1B)는 지그용 접착제층(16)을 구비하지 않은 점 이외에는, 도 1에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1A)와 동일한 것이다. 즉, 보호막 형성용 복합 시트(1B)에 있어서는, 기재(11)의 한쪽의 표면(11a)에 점착제층(12)이 적층되고, 점착제층(12)의 표면(12a)(즉, 점착제층(12)에 있어서의 기재(11)와 접하는 면과는 반대측의 면)의 전면에 보호막 형성용 필름(13)이 적층되고, 보호막 형성용 필름(13)의 표면(13a)(즉, 보호막 형성용 필름(13)에 있어서의 점착제층(12)과 접하는 면과는 반대측의 면)의 전면에 박리 필름(15)이 적층되어 있다. 보호막 형성용 필름(13)은 상술한 본 발명에 따른 보호막 형성용 필름이다.The composite sheet 1B for forming a protective film shown here is the same as the composite sheet 1A for forming a protective film shown in Fig. 1, except that the adhesive layer 16 for jig is not provided. That is, in the case of the protective sheet-forming composite sheet 1B, the pressure-sensitive adhesive layer 12 is laminated on one surface 11a of the substrate 11 and the surface 12a of the pressure-sensitive adhesive layer 12 The surface 13a of the protective film forming film 13 (that is, the surface for forming a protective film 13) is laminated on the entire surface of the protective film forming film 13 And a release film 15 is laminated on the entire surface of the film 13 opposite to the surface in contact with the pressure-sensitive adhesive layer 12. The protective film forming film 13 is the protective film forming film according to the present invention described above.

도 2에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1B)는 박리 필름(15)이 제거된 상태로, 보호막 형성용 필름(13)의 표면(13a) 중, 중앙측의 일부의 영역에 반도체 웨이퍼(도시 생략)의 이면이 첩부되고, 추가로 보호막 형성용 필름(13)의 바깥 가장자리부 근방의 영역이 링 프레임 등의 지그에 첩부되어 사용된다.The composite sheet 1B for forming a protective film shown in Fig. 2 is a semiconductor wafer (not shown) formed on a part of the surface 13a of the protective film forming film 13 at a central portion in a state that the peeling film 15 is removed. And the area near the outer edge portion of the protective film forming film 13 is used by being attached to a jig such as a ring frame.

도 3은 본 발명에 따른 보호막 형성용 복합 시트의 또 다른 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.3 is a cross-sectional view schematically showing still another embodiment of a protective film-forming composite sheet according to the present invention.

여기에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1C)는 점착제층(12)을 구비하지 않은 점 이외에는, 도 1에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1A)와 동일한 것이다. 즉, 보호막 형성용 복합 시트(1C)에 있어서는, 지지 시트가 기재(11)만으로 이루어진다. 그리고, 기재(11)의 한쪽의 표면(11a)에 보호막 형성용 필름(13)이 적층되고, 보호막 형성용 필름(13)의 표면(13a)(보호막 형성용 필름(13)에 있어서의 기재(11)와 접하는 면과는 반대측의 면)의 일부에 지그용 접착제층(16)이 적층되고, 보호막 형성용 필름(13)의 표면(13a) 중, 지그용 접착제층(16)이 적층되어 있지 않은 면과 지그용 접착제층(16)의 표면(16a)(즉, 상면: 지그용 접착제층(16)에 있어서의 보호막 형성용 필름(13)과 접하는 면과 반대측의 면, 및 측면: 즉, 보호막 형성용 복합 시트(1C)의 중앙측에 위치하는 지그용 접착제층(16)에 있어서의 측면)에 박리 필름(15)이 적층되어 있다. 보호막 형성용 필름(13)은 상술한 본 발명에 따른 보호막 형성용 필름이다.The composite sheet 1C for forming a protective film shown here is the same as the composite sheet 1A for forming a protective film shown in Fig. 1 except that the pressure-sensitive adhesive layer 12 is not provided. That is, in the case of the protective sheet-forming composite sheet 1C, the supporting sheet is composed of the substrate 11 alone. The protective film forming film 13 is laminated on one surface 11a of the substrate 11 and the surface 13a of the protective film forming film 13 (the substrate 13 in the protective film forming film 13 The adhesive layer 16 for the jig is laminated on a part of the surface 13a of the protective film forming film 13 and the adhesive layer 16 for the jig is laminated on the surface 13a of the protective film forming film 13 The surface of the adhesive layer 16 for the jig and the surface 16a of the adhesive layer 16 for the jig (that is, the upper surface: the surface opposite to the surface in contact with the protective film forming film 13 in the adhesive layer 16 for jig, And a release film 15 is laminated on the side of the adhesive layer 16 for jig located on the center side of the composite sheet 1C for forming a protective film. The protective film forming film 13 is the protective film forming film according to the present invention described above.

도 3에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1C)는 도 1에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1A)와 동일하게 박리 필름(15)이 제거된 상태로, 보호막 형성용 필름(13)의 표면(13a)에 반도체 웨이퍼(도시 생략)의 이면이 첩부되고, 추가로 지그용 접착제층(16)의 표면(16a) 중, 상면이 링 프레임 등의 지그에 첩부되어 사용된다.The composite sheet 1C for forming a protective film shown in Fig. 3 has a structure in which the surface 13a (13a) of the protective film forming film 13 is formed in a state in which the peeling film 15 is removed in the same manner as the composite sheet 1A for forming a protective film, And the upper surface of the surface 16a of the adhesive layer 16 for jig is attached to a jig such as a ring frame.

도 4는 본 발명에 따른 보호막 형성용 복합 시트의 또 다른 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.4 is a cross-sectional view schematically showing still another embodiment of a protective film-forming composite sheet according to the present invention.

여기에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1D)는 지그용 접착제층(16)을 구비하지 않은 점 이외에는, 도 3에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1C)와 동일한 것이다. 즉, 보호막 형성용 복합 시트(1D)에 있어서는, 기재(11)의 한쪽의 표면(11a)에 보호막 형성용 필름(13)이 적층되고, 보호막 형성용 필름(13)의 표면(13a)(보호막 형성용 필름(13)에 있어서의 기재(11)와 접하는 면과는 반대측의 면)의 전면에 박리 필름(15)이 적층되어 있다. 보호막 형성용 필름(13)은 상술한 본 발명에 따른 보호막 형성용 필름이다.The composite sheet 1D for forming a protective film shown here is the same as the composite sheet 1C for forming a protective film shown in Fig. 3 except that the adhesive layer 16 for jig is not provided. That is, in the composite sheet 1D for forming a protective film, the protective film forming film 13 is laminated on one surface 11a of the substrate 11, and the surface 13a of the protective film forming film 13 (The surface opposite to the surface in contact with the base material 11 in the forming film 13). The protective film forming film 13 is the protective film forming film according to the present invention described above.

도 4에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1D)는 도 2에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1B)와 동일하게 박리 필름(15)이 제거된 상태로, 보호막 형성용 필름(13)의 표면(13a) 중, 중앙측의 일부의 영역에 반도체 웨이퍼(도시 생략)의 이면이 첩부되고, 추가로 보호막 형성용 필름(13)의 바깥 가장자리부 근방의 영역이 링 프레임 등의 지그에 첩부되어 사용된다.The composite sheet 1D for forming a protective film shown in Fig. 4 has a structure in which the surface 13a (13a) of the protective film forming film 13 is removed in a state in which the peeling film 15 is removed in the same manner as the protective film- (Not shown) is attached to a part of the center side of the protective film forming film 13, and a region near the outer edge portion of the protective film forming film 13 is attached to a jig such as a ring frame.

도 5는 본 발명에 따른 보호막 형성용 복합 시트의 또 다른 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.5 is a cross-sectional view schematically showing still another embodiment of a protective film-forming composite sheet according to the present invention.

여기에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1E)는 보호막 형성용 필름의 형상이 상이한 점 이외에는, 도 1에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1A)와 동일한 것이다. 즉, 보호막 형성용 복합 시트(1E)는 기재(11) 상에 점착제층(12)을 구비하고 점착제층(12) 상에 보호막 형성용 필름(23)을 구비하여 이루어지는 것이다. 지지 시트(10)는 기재(11) 및 점착제층(12)의 적층체이며, 보호막 형성용 복합 시트(1E)는 다시 말하자면, 지지 시트(10)의 한쪽의 표면(10a)(즉, 점착제층(12)측의 표면) 상에 보호막 형성용 필름(23)이 적층된 구성을 갖는다. 또한, 보호막 형성용 복합 시트(1E)는 추가로 보호막 형성용 필름(23) 상에 박리 필름(15)을 구비하고 있다. 보호막 형성용 필름(23)은 상술한 본 발명에 따른 보호막 형성용 필름이고, 형상이 상이한 점 이외에는, 보호막 형성용 필름(13)과 동일한 것이다.The composite sheet 1E for protective film formation shown here is the same as the composite sheet 1A for protective film formation shown in Fig. 1 except that the shape of the protective film-forming film is different. That is, the composite sheet 1E for forming a protective film has a pressure-sensitive adhesive layer 12 provided on a substrate 11 and a protective film forming film 23 provided on the pressure-sensitive adhesive layer 12. [ The support sheet 10 is a laminate of the substrate 11 and the pressure-sensitive adhesive layer 12 and the composite sheet 1E for protecting film is formed on one surface 10a of the support sheet 10 (The surface on the side of the protective film forming layer 12). Further, the protective sheet film-forming composite sheet 1E further comprises a peeling film 15 on the protective film-forming film 23. The protective film forming film 23 is the protective film forming film according to the present invention described above, and is the same as the protective film forming film 13 except that the shape is different.

보호막 형성용 복합 시트(1E)에 있어서는, 기재(11)의 한쪽의 표면(11a)에 점착제층(12)이 적층되고, 점착제층(12)의 표면(12a)(즉, 기재(11a)와 접하는 면과는 반대측의 면)의 일부에 보호막 형성용 필름(23)이 적층되어 있다. 그리고, 점착제층(12)의 표면(12a) 중, 보호막 형성용 필름(23)이 적층되어 있지 않은 면과 보호막 형성용 필름(23)의 표면(23a)(상면 및 측면: 즉, 보호막 형성용 필름(23)에 있어서의, 점착제층(12)과 접하지 않은 면) 상에 박리 필름(15)이 적층되어 있다.In the composite sheet 1E for protecting film formation, the pressure-sensitive adhesive layer 12 is laminated on one surface 11a of the base material 11 and the surface 12a of the pressure-sensitive adhesive layer 12 And a protective film forming film 23 is laminated on a part of the surface (the surface opposite to the contacting surface). A surface 23a of the surface 22a of the pressure-sensitive adhesive layer 12 on which the protective film forming film 23 is not laminated and the surface 23a of the protective film forming film 23 The surface of the film 23 that is not in contact with the pressure-sensitive adhesive layer 12).

보호막 형성용 복합 시트(1E)를 상방으로부터 내려다보며 평면으로 보았을 때, 보호막 형성용 필름(23)은 점착제층(12)보다 표면적이 작고, 예를 들면, 원 형상 등의 형상을 갖는다.The protective film forming film 23 has a surface area smaller than that of the pressure sensitive adhesive layer 12 and has, for example, a circular shape, when viewed from the top and looking down on the protective sheet film forming composite sheet 1E.

도 5에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(1E)는 박리 필름(15)이 제거된 상태로, 보호막 형성용 필름(23)의 표면(23a)에 반도체 웨이퍼(도시 생략)의 이면이 첩부되고, 추가로 점착제층(12)의 표면(12a) 중, 보호막 형성용 필름(23)이 적층되어 있지 않은 면이 링 프레임 등의 지그에 첩부되어 사용된다.5, the back surface of the semiconductor wafer (not shown) is attached to the front surface 23a of the protective film forming film 23 in the state that the peeling film 15 is removed, A surface of the surface 12a of the pressure-sensitive adhesive layer 12 on which the protective film forming film 23 is not laminated is used by being attached to a jig such as a ring frame.

본 발명에 따른 보호막 형성용 복합 시트는 도 1∼5에 나타내는 것으로 한정되지 않고, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 도 1∼5에 나타내는 것의 일부의 구성이 변경 또는 삭제된 것이나, 지금까지 설명한 것에 또 다른 구성이 추가된 것이어도 된다.The composite sheet for forming a protective film according to the present invention is not limited to those shown in Figs. 1 to 5, and may be modified or deleted in some of the configurations shown in Figs. 1 to 5 within the range not hindering the effects of the present invention, Another configuration may be added to what has been described so far.

예를 들면, 도 3 및 도 4에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트에 있어서는, 기재(11)와 보호막 형성용 필름(13) 또는 보호막 형성용 필름(23) 사이에 중간층이 형성되어 있어도 된다.For example, in the composite sheet for forming a protective film shown in Figs. 3 and 4, an intermediate layer may be formed between the substrate 11 and the protective film forming film 13 or the protective film forming film 23.

중간층으로는 목적에 따라 임의의 것을 선택할 수 있다.As the intermediate layer, any one can be selected depending on the purpose.

또한, 도 1, 도 2 및 도 5에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트에 있어서는, 기재(11)와 점착제층(12) 사이에 중간층이 형성되어 있어도 된다. 즉, 본 발명에 따른 보호막 형성용 복합 시트에 있어서, 지지 시트는 기재, 중간층 및 점착제층이 이 순서대로 적층되어 이루어지는 것이어도 된다. 여기에서 중간층이란, 도 3 및 도 4에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트에 있어서의 중간층과 동일한 것이다.In the composite sheet for forming a protective film shown in Figs. 1, 2 and 5, an intermediate layer may be formed between the substrate 11 and the pressure-sensitive adhesive layer 12. That is, in the composite sheet for forming a protective film according to the present invention, the support sheet may be a laminate of a substrate, an intermediate layer and a pressure-sensitive adhesive layer in this order. Here, the intermediate layer is the same as the intermediate layer in the protective sheet-forming composite sheet shown in Figs. 3 and 4.

또한, 도 1∼5에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트는 상기 중간층 이외의 층이 임의의 지점에 형성되어 있어도 된다.In the composite sheet for forming a protective film shown in Figs. 1 to 5, the layers other than the intermediate layer may be formed at arbitrary points.

다음으로, 보호막 형성용 복합 시트를 구성하는 보호막 형성용 필름 이외의 것에 대해, 더욱 상세하게 설명한다.Next, the protective film forming film other than the protective film forming film constituting the protective film forming composite sheet will be described in more detail.

<기재><Description>

기재의 재질은 각종 수지인 것이 바람직하고, 그 구체적인 예로는, 폴리에틸렌(저밀도 폴리에틸렌(LDPE라고 약기하는 경우가 있다), 직쇄 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE라고 약기하는 경우가 있다), 고밀도 폴리에틸렌(HDPE라고 약기하는 경우가 있다 등)), 폴리프로필렌, 에틸렌·프로필렌 공중합체, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리메틸펜텐, 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리우레탄, 폴리우레탄아크릴레이트, 폴리이미드, 에틸렌·초산비닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌·(메타)아크릴산에스테르 공중합체, 폴리스티렌, 폴리카보네이트, 불소 수지, 이들 중 어느 수지의 수첨가물, 변성물, 가교물 또는 공중합물 등을 들 수 있다.The material of the substrate is preferably various resins, and specific examples thereof include polyethylene (low density polyethylene (sometimes abbreviated as LDPE), linear low density polyethylene (sometimes abbreviated as LLDPE), high density polyethylene (abbreviated as HDPE Polypropylene, an ethylene / propylene copolymer, a polybutene, a polybutadiene, a polymethylpentene, a polyvinyl chloride film, a vinyl chloride copolymer, a polyethylene terephthalate, a polyethylene naphthalate, a polybutylene terephthalate, (Meth) acrylic acid copolymers, ethylene / (meth) acrylic acid ester copolymers, polystyrene, polycarbonate, fluorine resins, and the like. A modified product, a crosslinked product, or a copolymer.

기재의 두께는 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 50∼300㎛인 것이 바람직하고, 60∼100㎛인 것이 보다 바람직하다. 기재의 두께가 이러한 범위임으로써, 상기 보호막 형성용 복합 시트의 가요성과 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩에 대한 첩부성이 보다 향상된다.The thickness of the base material can be appropriately selected according to the purpose, but is preferably 50 to 300 占 퐉, more preferably 60 to 100 占 퐉. When the thickness of the substrate is within this range, the flexibility of the composite sheet for forming a protective film and the adhesiveness to a semiconductor wafer or semiconductor chip are further improved.

기재는 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층(예를 들면, 2∼4층)으로 이루어지는 것이어도 된다. 기재가 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 된다. 즉, 모든 층이 동일해도 되고, 모든 층이 상이해도 되고, 일부의 층만이 동일해도 된다. 그리고, 복수층이 서로 상이한 경우, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다. 여기서, 복수층이 서로 상이하다는 것은 각 층의 재질 및 두께 중 적어도 한쪽이 서로 상이한 것을 의미한다.The base material may be composed of one layer (single layer), or may be composed of a plurality of layers (for example, two to four layers) of two or more layers. When the base material is composed of a plurality of layers, these layers may be the same or different from each other. That is, all layers may be the same, all layers may be different, or only some layers may be the same. When the plural layers are different from each other, the combination of the plural layers is not particularly limited. Here, the fact that the plural layers are different from each other means that at least one of the material and the thickness of each layer is different from each other.

한편, 기재가 복수층으로 이루어지는 경우에는, 각 층의 합계의 두께가 상기의 바람직한 기재의 두께가 되도록 하면 된다.On the other hand, when the base material is composed of a plurality of layers, the total thickness of the respective layers may be set to the thickness of the preferable base material.

기재는 그 위에 형성되는 점착제층 등의 그 밖의 층과의 밀착성을 향상시키기 위해, 샌드 블라스트 처리, 용제 처리 등에 의한 요철화 처리나, 코로나 방전 처리, 전자선 조사 처리, 플라즈마 처리, 오존·자외선 조사 처리, 화염 처리, 크롬산 처리, 열풍 처리 등의 산화 처리 등이 표면에 실시된 것이어도 된다. 또한, 기재는 표면이 프라이머 처리가 실시된 것이어도 된다.In order to improve the adhesion with other layers such as a pressure-sensitive adhesive layer formed thereon, the substrate may be subjected to a surface treatment such as a sand blast treatment, a solvent treatment, a corona discharge treatment, an electron beam irradiation treatment, a plasma treatment, , A flame treatment, a chromic acid treatment, an oxidation treatment such as a hot air treatment, or the like. Further, the surface of the substrate may be subjected to a primer treatment.

<점착제층><Pressure-sensitive adhesive layer>

상기 점착제층은 공지의 것으로 적절히 구성할 수 있다.The above-mentioned pressure-sensitive adhesive layer may be appropriately constructed and known.

점착제층은 이를 구성하기 위한 각종 성분을 함유하는 점착제 조성물을 사용하여 형성할 수 있다. 점착제 조성물 중의 상온에서 기화되지 않는 성분끼리의 함유량의 비율은 통상, 점착제층의 상기 성분끼리의 함유량의 비율과 동일해진다.The pressure-sensitive adhesive layer can be formed using a pressure-sensitive adhesive composition containing various components for constituting the pressure-sensitive adhesive layer. The ratio of the content of components which are not vaporized at room temperature in the pressure-sensitive adhesive composition is generally the same as the content of the components in the pressure-sensitive adhesive layer.

점착제층이 에너지선의 조사에 의해 중합하는 성분을 포함하고 있는 경우에는, 에너지선을 조사하여 그 점착성을 저하시킴으로써, 반도체 칩을 용이하게 픽업할 수 있다. 이러한 점착제층은 예를 들면, 에너지선 중합성의 아크릴 중합체 등의 에너지선의 조사에 의해 중합하는 성분을 함유하는 각종 점착제 조성물을 사용하여 형성할 수 있다.In the case where the pressure-sensitive adhesive layer contains a component which is polymerized by irradiation of energy rays, the semiconductor chip can be easily picked up by irradiating the energy ray to decrease the adhesiveness. Such a pressure-sensitive adhesive layer can be formed by using various pressure-sensitive adhesive compositions containing a component which is polymerized by irradiation of energy rays such as, for example, an energy ray-polymerizable acrylic polymer.

점착제 조성물로 바람직한 것으로는, 예를 들면 에너지선의 조사에 의해 중합하는 성분을 함유하는 것(에너지선 경화성 점착제 조성물)이면, 상기 아크릴 중합체와 에너지선 중합성 화합물을 함유하는 것(점착제 조성물(i)이라고 하는 경우가 있다), 수산기를 갖고, 또한 중합성기를 측쇄에 갖는 아크릴 중합체(예를 들면, 수산기를 갖고, 또한 우레탄 결합을 개재하여 중합성기를 측쇄에 갖는 것)와 이소시아네이트계 가교제를 함유하는 것(점착제 조성물(ii)이라고 하는 경우가 있다)을 들 수 있고, 추가로 용매를 함유하는 것이 바람직하다.Preferable examples of the pressure-sensitive adhesive composition include those containing an acrylic polymer and an energy ray-polymerizable compound (pressure-sensitive adhesive composition (i)) as long as they contain a component that is polymerized by irradiation of energy rays (energy ray- ), An acrylic polymer having a hydroxyl group and having a polymerizable group in its side chain (for example, having a hydroxyl group and having a polymerizable group on its side chain via a urethane bond) and an isocyanate crosslinking agent (Sometimes referred to as pressure-sensitive adhesive composition (ii)), and further preferably contains a solvent.

상기 점착제 조성물은 상술한 성분 이외에, 추가로 광중합 개시제나, 염료, 안료, 열화 방지제, 대전 방지제, 난연제, 실리콘 화합물, 연쇄 이동제 등의 각종 첨가제 중 어느 것을 함유하고 있어도 된다.The pressure-sensitive adhesive composition may further contain any of various additives such as a photopolymerization initiator, a dye, a pigment, an anti-deterioration agent, an antistatic agent, a flame retardant, a silicone compound and a chain transfer agent in addition to the above-

또한, 점착제 조성물로 바람직한 것으로는, 예를 들면 에너지선의 조사에 의해 중합하는 성분을 함유하지 않는 것(비에너지선 경화성 점착제 조성물)이면, 아크릴계 수지 및 가교제를 함유하는 것(점착제 조성물(iii)이라고 하는 경우가 있다) 등을 들 수 있고, 용매, 용매에 해당하지 않는 그 밖의 성분 등의 임의 성분을 함유하고 있어도 된다.Preferable examples of the pressure-sensitive adhesive composition include those containing an acrylic resin and a crosslinking agent (a pressure-sensitive adhesive composition (iii)), a pressure-sensitive adhesive composition ), And the like, and may contain an optional component such as a solvent and other components not corresponding to a solvent.

점착제층의 두께는 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 1∼100㎛인 것이 바람직하고, 1∼60㎛인 것이 보다 바람직하고, 1∼30㎛인 것이 특히 바람직하다.The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer can be appropriately selected according to the purpose, but is preferably 1 to 100 占 퐉, more preferably 1 to 60 占 퐉, and particularly preferably 1 to 30 占 퐉.

점착제 조성물은 예를 들면, 아크릴 중합체 등의 점착제층을 구성하기 위한 각 성분을 배합함으로써 얻어지고, 예를 들면, 배합 성분이 상이한 점 이외에는, 상술한 보호막 형성용 조성물의 경우와 동일한 방법으로 얻어진다.The pressure-sensitive adhesive composition is obtained, for example, by blending each component for constituting a pressure-sensitive adhesive layer such as an acrylic polymer, and is obtained, for example, in the same manner as in the case of the composition for forming a protective film, .

점착제층은 목적으로 하는 지점에 점착제 조성물을 도공하고 건조시킴으로써 형성할 수 있다.The pressure-sensitive adhesive layer can be formed by applying a pressure-sensitive adhesive composition to a desired spot and drying it.

이 때 필요에 따라, 도공한 점착제 조성물을 가열함으로써 가교해도 된다. 가열 조건은 예를 들면, 100℃∼130℃에서 1분간∼5분간으로 할 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.At this time, if necessary, the applied pressure-sensitive adhesive composition may be crosslinked by heating. The heating conditions can be, for example, 100 占 폚 to 130 占 폚 for 1 minute to 5 minutes, but the present invention is not limited thereto.

여기서, 목적으로 하는 지점에 지지 시트를 개재하여 에너지선을 조사하는 경우에는, 지지 시트를 구성하는 기재, 점착제층 등의 각 층은 에너지선의 투과율이 높은 것이 바람직하다.Here, in the case of irradiating the energy ray through the support sheet at the target point, it is preferable that each layer such as the substrate, the pressure-sensitive adhesive layer, etc. constituting the support sheet has a high transmittance of energy rays.

이하, 보호막 형성용 복합 시트의 제조 방법으로 대해, 상세하게 설명한다.Hereinafter, a method for producing a composite sheet for forming a protective film will be described in detail.

<보호막 형성용 복합 시트의 제조 방법>&Lt; Method for producing a composite sheet for forming a protective film &

본 발명에 따른 보호막 형성용 복합 시트는 상술한 본 발명에 따른 보호막 형성용 필름을 지지 시트의 한쪽의 표면 상에 형성함으로써 제조할 수 있다.The composite sheet for forming a protective film according to the present invention can be produced by forming a film for forming a protective film according to the present invention on one surface of a support sheet.

예를 들면, 기재만으로 이루어지는 지지 시트를 구비한 보호막 형성용 복합 시트는 보호막 형성용 조성물을 기재의 표면에 도공하고 건조시킴으로써 보호막 형성용 필름을 형성하고, 필요에 따라, 지그용 접착제층이나 박리 필름 등의 그 밖의 층(필름)을 보호막 형성용 필름 상에 형성함으로써 제조할 수 있다. 이 경우의 보호막 형성용 필름의 형성 조건은 상술한 방법과 동일하다.For example, a composite sheet for forming a protective film having a support sheet made of only a substrate can be produced by coating a surface of a substrate with a composition for forming a protective film and drying the film to form a protective film forming film, (Film) on a film for forming a protective film. The formation conditions of the protective film forming film in this case are the same as those described above.

이러한 제조 방법은 예를 들면, 도 3 및 도 4에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트의 제조 방법으로서 바람직하다.Such a production method is preferable, for example, as a production method of a composite sheet for forming a protective film shown in Figs.

또한, 예를 들면, 기재 상에 점착제층이 적층되어 이루어지는 지지 시트를 구비한 보호막 형성용 복합 시트는 점착제 조성물을 기재의 표면에 도공하고 건조시킴으로써 점착제층을 형성하고, 추가로 보호막 형성용 조성물을 사용하여 점착제층 상에 보호막 형성용 필름을 형성하고, 필요에 따라, 지그용 접착제층이나 박리 필름 등의 그 밖의 층(필름)을 보호막 형성용 필름 상에 형성함으로써 제조할 수 있다.For example, a protective sheet-forming composite sheet comprising a support sheet comprising a substrate and a pressure-sensitive adhesive layer laminated on the substrate is obtained by coating the surface of a substrate with a pressure-sensitive adhesive composition and drying the pressure-sensitive adhesive layer to form a pressure- For example, by forming a film for forming a protective film on the pressure-sensitive adhesive layer using a pressure-sensitive adhesive, and optionally forming another layer (film) such as an adhesive layer for jig or a release film on the protective film forming film.

이 경우, 예를 들면, 점착제층 상에 보호막 형성용 조성물을 도공하여, 보호막 형성용 필름을 형성할 수 있다. 단, 통상은 기재, 점착제층 및 보호막 형성용 필름의 적층 구조는 예를 들면, 박리 필름의 박리층 표면에 보호막 형성용 조성물을 도공하고 건조시킴으로써 형성된 보호막 형성용 필름을 점착제층의 표면에 첩합하고, 필요에 따라 상기 박리 필름을 제거하는 등, 보호막 형성용 필름을 별도 형성해 두고, 이를 점착제층의 표면에 첩합함으로써 형성하는 것이 바람직하다.In this case, for example, a film for forming a protective film can be formed by coating a composition for forming a protective film on the pressure-sensitive adhesive layer. However, in general, the laminated structure of the substrate, the pressure-sensitive adhesive layer and the film for forming a protective film can be obtained by, for example, applying a film for forming a protective film formed by coating a composition for forming a protective film on the surface of the release layer of the release film and drying, , And the protective film forming film is formed separately such as by removing the above-mentioned release film, if necessary, and the resultant is adhered to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer.

또한, 기재, 점착제층 및 보호막 형성용 필름의 적층 구조는 상술한 방법 이외에도, 예를 들면, 점착제 조성물을 사용하여 박리 필름 상에 점착제층을 형성하고, 보호막 형성용 조성물을 사용하여 다른 박리 필름 상에 보호막 형성용 필름을 형성한 후, 이들 박리 필름 상의 점착제층 및 보호막 형성용 필름을 중첩시키고, 점착제층에 적층되어 있는 박리 필름을 제거하고, 노출된 점착제층의 표면(점착제층의 보호막 형성용 필름이 형성되지 않은 면)에 기재를 첩합함으로써도 형성할 수 있다.The laminated structure of the base material, the pressure-sensitive adhesive layer and the film for forming a protective film may be formed by forming a pressure-sensitive adhesive layer on a release film by using, for example, a pressure-sensitive adhesive composition, Sensitive adhesive layer on the release film and the protective film forming film on the release film are superimposed on each other, the release film laminated on the pressure-sensitive adhesive layer is removed, and the surface of the exposed pressure-sensitive adhesive layer The surface on which the film is not formed).

상기 중 어느 방법에서도, 기재, 점착제층 및 보호막 형성용 필름의 적층 구조를 형성한 후, 필요에 따라, 지그용 접착제층이나 박리 필름 등의 그 밖의 층(필름)을 보호막 형성용 필름 상에 형성함으로써, 기재 상에 점착제층이 적층되어 이루어지는 지지 시트를 구비한 보호막 형성용 복합 시트를 제조할 수 있다. 어느 경우도, 점착제층 및 보호막 형성용 필름의 형성 조건은 상술한 방법과 동일하다.In any of the above methods, after forming a laminated structure of a substrate, a pressure-sensitive adhesive layer and a film for forming a protective film, another layer (film) such as an adhesive layer for a jig or a peeling film is formed , A protective sheet-forming composite sheet comprising a support sheet in which a pressure-sensitive adhesive layer is laminated on a substrate can be produced. In any case, the forming conditions of the pressure-sensitive adhesive layer and the protective film-forming film are the same as those described above.

이러한 제조 방법은 예를 들면, 도 1, 도 2 및 도 5에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트의 제조 방법으로서 바람직하다.Such a production method is preferable, for example, as a production method of a composite sheet for forming a protective film shown in Figs. 1, 2 and 5.

예를 들면, 도 5에 나타내는 바와 같은 보호막 형성용 복합 시트를 상방으로부터 내려다보며 평면으로 보았을 때, 보호막 형성용 필름이 점착제층보다 표면적이 작은 보호막 형성용 복합 시트를 제조하는 경우에는, 상술한 제조 방법에 있어서, 미리 소정의 크기 및 형상으로 잘라내어 둔 보호막 형성용 필름을 점착제층 상에 형성하도록 하면 된다.For example, in the case of producing a composite sheet for forming a protective film having a surface area smaller than that of the pressure-sensitive adhesive layer in the protective film forming film when viewed from the top and looking down on the composite sheet for protecting film formation as shown in Fig. 5, In the method, a protective film-forming film cut out in advance into a predetermined size and shape may be formed on the pressure-sensitive adhesive layer.

<보호막 형성용 필름 또는 보호막 형성용 복합 시트의 사용 방법><Method of using a protective film-forming film or a protective film-forming composite sheet>

본 발명에 따른 보호막 형성용 필름 또는 보호막 형성용 복합 시트의 사용 방법으로는, 예를 들면 이하에 나타내는 사용 방법 1∼4를 들 수 있다.As a method for using the protective film-forming film or the protective film-forming composite sheet according to the present invention, for example, use methods 1 to 4 described below can be mentioned.

[사용 방법 1][How to use 1]

사용 방법 1에서는, 우선 보호막 형성용 복합 시트의 보호막 형성용 필름을 반도체 웨이퍼의 이면에 첩부함과 함께, 보호막 형성용 복합 시트를 다이싱 장치에 고정한다.In the use method 1, the protective film forming film of the composite sheet for forming a protective film is first attached to the back surface of the semiconductor wafer, and the protective sheet forming complex sheet is fixed to the dicing apparatus.

이어서, 보호막 형성용 필름을 에너지선의 조사에 의해 경화시켜 보호막으로 한다. 종래의 보호막 형성용 필름을 사용한 경우에는, 이를 가열에 의해 경화시키는 것에, 예를 들면, 수시간 정도의 장시간을 필요로 하는 것에 비해, 본 발명에 따른 보호막 형성용 필름은 에너지선의 조사에 의해, 예를 들면, 몇 초 정도 등의 1분간 미만의 단시간이어도 경화시키는 것이 가능하고, 종래보다 대폭적으로 단시간에 보호막 부착 반도체 칩이 얻어진다.Subsequently, the film for forming a protective film is cured by irradiation of energy rays to form a protective film. When a conventional film for forming a protective film is used, it takes a long time of several hours, for example, to cure the film by heating. Compared with a film for forming a protective film according to the present invention, For example, even a short time of less than one minute such as several seconds can be hardened, and a semiconductor chip with a protective film can be obtained in a remarkably shorter time than in the prior art.

또한, 반도체 웨이퍼의 표면(전극 형성면)에 백 그라인드 테이프가 첩부되어 있는 경우에는 통상, 이 백 그라인드 테이프를 반도체 웨이퍼로부터 제거한 후, 보호막 형성용 필름의 경화를 행한다.When the back grind tape is attached to the surface (electrode forming surface) of the semiconductor wafer, the back grind tape is usually removed from the semiconductor wafer, and then the protective film forming film is cured.

이어서, 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 반도체 칩으로 한다.Subsequently, the semiconductor wafer is diced into a semiconductor chip.

이어서, 지지 시트로부터 반도체 칩을 그 이면에 첩부되어 있는 보호막과 함께 박리시켜 픽업함으로써, 보호막 부착 반도체 칩을 얻는다. 지지 시트가 기재 상에 점착제층이 적층되어 이루어지는 것인 경우에는, 점착제층으로는 에너지선의 조사에 의해 중합하는 성분을 함유하지 않는 비에너지선 경화성인 것을 사용한다.Then, the semiconductor chip is peeled off from the support sheet together with the protective film adhered to the back surface thereof to pick up the semiconductor chip, thereby obtaining a semiconductor chip with a protective film. In the case where the support sheet is formed by laminating a pressure-sensitive adhesive layer on a substrate, the pressure-sensitive adhesive layer is one having a non-energy ray curable property which does not contain a component that is polymerized by irradiation of energy rays.

사용 방법 1에서는, 보호막 형성용 필름을 반도체 웨이퍼에 첩부한 후 다이싱을 행할 때까지의 어느 타이밍에서, 지지 시트를 개재하고 보호막 형성용 필름 또는 보호막에 레이저 광을 조사하여 보호막 형성용 필름 또는 보호막에 인자를 행할 수도 있다. 보호막 형성용 필름에 인자한 경우에는, 이 필름을 경화시킴으로써 인자된 보호막이 얻어진다.In the use method 1, the protective film forming film or the protective film is irradiated with a laser beam through the supporting sheet at any timing from when the protective film forming film is attached to the semiconductor wafer to dicing, Quot ;. &lt; / RTI &gt; In the case of printing on a film for forming a protective film, a protective film printed by curing the film is obtained.

여기서, 인자를 행한 경우에는 가스가 발생하고, 이 가스가 원인이 되어 최종적으로 지지 시트와 보호막 사이에 박리가 보이는 경우가 있지만, 보호막 형성용 필름에 인자를 행한 경우에는 보호막에 인자를 행한 경우보다 이 박리의 빈도나 정도를 저감시킬 수 있다.In this case, when printing is performed, gas is generated, and this gas is the cause, and peeling may finally appear between the support sheet and the protective film. However, when the protective film forming film is printed, The frequency and degree of peeling can be reduced.

이는 보호막 형성용 필름과 지지 시트의 밀착성이 보호막과 지지 시트의 밀착성보다 높기 때문으로 추측된다.This is presumably because the adhesion between the protective film-forming film and the support sheet is higher than the adhesion between the protective film and the support sheet.

[사용 방법 2][How to use 2]

사용 방법 2에서는, 우선 보호막 형성용 필름을 반도체 웨이퍼의 이면에 첩부한다.In use method 2, the film for forming a protective film is attached to the back surface of a semiconductor wafer.

이어서, 보호막 형성용 필름을 에너지선의 조사에 의해 경화시켜 보호막으로 한다. 이로써, 상기의 사용 방법 1의 경우와 동일하게, 종래보다 대폭적으로 단시간에 보호막 부착 반도체 칩이 얻어진다. 반도체 웨이퍼의 표면(전극 형성면)에 백 그라인드 테이프가 첩부되어 있는 경우에는, 통상, 이 백 그라인드 테이프를 반도체 웨이퍼로부터 제거한 후, 보호막 형성용 필름의 경화를 행한다.Subsequently, the film for forming a protective film is cured by irradiation of energy rays to form a protective film. As a result, as in the case of the above-mentioned use method 1, a semiconductor chip with a protective film can be obtained in a significantly shorter time than in the prior art. When the back grind tape is pasted on the surface (electrode forming surface) of the semiconductor wafer, the back grind tape is usually removed from the semiconductor wafer, and then the protective film forming film is cured.

이어서, 보호막의 노출면에 지지 시트를 첩부한다. 지지 시트가 기재 상에 점착제층이 적층되어 이루어지는 것인 경우에는, 점착제층으로는 에너지선의 조사에 의해 중합하는 성분을 함유하는 에너지선 경화성인 것 및 상술한 비에너지선 경화성인 것 모두 사용할 수 있다.Then, the support sheet is attached to the exposed surface of the protective film. In the case where the support sheet is formed by laminating a pressure-sensitive adhesive layer on a substrate, the pressure-sensitive adhesive layer can be any of those having energy ray curable properties containing a component polymerized by irradiation of energy rays and those having a specific energy ray curable property as described above .

이어서, 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 반도체 칩으로 한다.Subsequently, the semiconductor wafer is diced into a semiconductor chip.

이어서, 지지 시트로부터 반도체 칩을 그 이면에 첩부되어 있는 보호막과 함께 박리시켜 픽업함으로써, 보호막 부착 반도체 칩을 얻는다. 지지 시트가 기재 상에 점착제층이 적층되어 이루어지는 것인 경우에는, 점착제층을 경화시킴으로써 보호막 부착 반도체 칩을 보다 용이하게 픽업할 수 있다.Then, the semiconductor chip is peeled off from the support sheet together with the protective film adhered to the back surface thereof to pick up the semiconductor chip, thereby obtaining a semiconductor chip with a protective film. In the case where the support sheet is formed by laminating a pressure-sensitive adhesive layer on a substrate, the semiconductor chip with a protective film can be more easily picked up by curing the pressure-sensitive adhesive layer.

사용 방법 2에서는, 보호막 형성용 필름을 반도체 웨이퍼에 첩부한 후 다이싱을 행할 때까지의 어느 타이밍에서, 직접 보호막 형성용 필름에, 또는 지지 시트를 개재하고 보호막에 레이저 광을 조사하여 보호막 형성용 필름 또는 보호막에 인자를 행할 수도 있다. 보호막 형성용 필름에 인자한 경우에는, 이 필름을 경화시킴으로써 인자된 보호막이 얻어진다.In the use method 2, laser light is irradiated to the protective film directly on the protective film-forming film or to the protective film through the support sheet at any timing from when the protective film forming film is attached to the semiconductor wafer to dicing, The film or the protective film may be printed. In the case of printing on a film for forming a protective film, a protective film printed by curing the film is obtained.

[사용 방법 3][How to use 3]

사용 방법 3에서는, 우선 보호막 형성용 필름을 반도체 웨이퍼의 이면에 첩부한다.In the use method 3, the protective film forming film is attached to the back surface of the semiconductor wafer.

이어서, 보호막 형성용 필름의 노출면에 지지 시트를 첩부한다. 지지 시트가 기재 상에 점착제층이 적층되어 이루어지는 것인 경우에는, 점착제층으로는 비에너지선 경화성인 것을 사용한다.Then, the support sheet is attached to the exposed surface of the protective film forming film. In the case where the support sheet is formed by laminating a pressure-sensitive adhesive layer on a substrate, the pressure-sensitive adhesive layer is one having a non-energy radiation curable property.

이어서, 보호막 형성용 필름을 에너지선의 조사에 의해 경화시켜 보호막으로 한다. 이로써, 상기의 사용 방법 1의 경우와 동일하게, 종래보다 대폭적으로 단시간에 보호막 부착 반도체 칩이 얻어진다. 반도체 웨이퍼의 표면(전극 형성면)에 백 그라인드 테이프가 첩부되어 있는 경우에는 통상, 이 백 그라인드 테이프를 반도체 웨이퍼로부터 제거한 후, 보호막 형성용 필름의 경화를 행한다.Subsequently, the film for forming a protective film is cured by irradiation of energy rays to form a protective film. As a result, as in the case of the above-mentioned use method 1, a semiconductor chip with a protective film can be obtained in a significantly shorter time than in the prior art. When the back grind tape is pasted on the surface (electrode forming surface) of the semiconductor wafer, the back grind tape is usually removed from the semiconductor wafer, and then the protective film forming film is cured.

이어서, 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 반도체 칩으로 한다.Subsequently, the semiconductor wafer is diced into a semiconductor chip.

이어서, 지지 시트로부터 반도체 칩을 그 이면에 첩부되어 있는 보호막과 함께 박리시켜 픽업함으로써, 보호막 부착 반도체 칩을 얻는다.Then, the semiconductor chip is peeled off from the support sheet together with the protective film adhered to the back surface thereof to pick up the semiconductor chip, thereby obtaining a semiconductor chip with a protective film.

사용 방법 3에서는, 보호막 형성용 필름을 반도체 웨이퍼에 첩부한 후 다이싱을 행할 때까지의 어느 타이밍에서, 직접 또는 지지 시트를 개재하고 보호막 형성용 필름에 레이저 광을 조사하여 보호막 형성용 필름에 인자를 행할 수도 있고, 혹은 지지 시트를 개재하고 보호막에 레이저 광을 조사하여 보호막에 인자를 행할 수도 있다. 보호막 형성용 필름에 인자한 경우에는, 이 필름을 경화시킴으로써 인자된 보호막이 얻어진다.In the use method 3, laser light is irradiated to the protective film forming film directly or through the support sheet at any timing from when the protective film forming film is attached to the semiconductor wafer to dicing, Alternatively, laser light may be irradiated to the protective film through the support sheet to perform printing on the protective film. In the case of printing on a film for forming a protective film, a protective film printed by curing the film is obtained.

또한, 지지 시트의 첩부 후에 있어서는, 보호막 형성용 필름에 인자를 행한 경우에는, 보호막에 인자를 행한 경우보다 상기 사용 방법 1의 경우와 동일하게, 지지 시트와 보호막 사이에 박리의 빈도나 정도를 저감시킬 수 있다.Further, in the case of printing on the protective film forming film after the application of the supporting sheet, the frequency and degree of peeling between the supporting sheet and the protective film are reduced as in the case of the above-mentioned use method 1, .

[사용 방법 4][How to use 4]

사용 방법 4에서는, 우선 보호막 형성용 필름을 반도체 웨이퍼의 이면에 첩부한다.In the use method 4, the protective film forming film is attached to the back surface of the semiconductor wafer.

이어서, 보호막 형성용 필름의 노출면에 지지 시트를 첩부한다. 지지 시트가 기재 상에 점착제층이 적층되어 이루어지는 것인 경우에는, 점착제층으로는 비에너지선 경화성인 것을 사용한다. Then, the support sheet is attached to the exposed surface of the protective film forming film. In the case where the support sheet is formed by laminating a pressure-sensitive adhesive layer on a substrate, the pressure-sensitive adhesive layer is one having a non-energy radiation curable property.

이어서, 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 반도체 칩으로 한다.Subsequently, the semiconductor wafer is diced into a semiconductor chip.

이어서, 보호막 형성용 필름을 에너지선의 조사에 의해 경화시켜 보호막으로 한다. 이로써, 상기의 사용 방법 1의 경우와 동일하게, 종래보다 대폭적으로 단시간에 보호막 부착 반도체 칩이 얻어진다.Subsequently, the film for forming a protective film is cured by irradiation of energy rays to form a protective film. As a result, as in the case of the above-mentioned use method 1, a semiconductor chip with a protective film can be obtained in a significantly shorter time than in the prior art.

이어서, 지지 시트로부터 반도체 칩을 그 이면에 첩부되어 있는 보호막과 함께 박리시켜 픽업함으로써, 보호막 부착 반도체 칩을 얻는다.Then, the semiconductor chip is peeled off from the support sheet together with the protective film adhered to the back surface thereof to pick up the semiconductor chip, thereby obtaining a semiconductor chip with a protective film.

사용 방법 4에서는, 보호막 형성용 필름을 반도체 웨이퍼에 첩부한 후 다이싱을 행할 때까지의 어느 타이밍에서, 직접 또는 지지 시트를 개재하고 보호막 형성용 필름에 레이저 광을 조사하여 보호막 형성용 필름에 인자를 행할 수도 있다. 인자된 보호막 형성용 필름을 경화시킴으로써, 인자된 보호막이 얻어진다.In the use method 4, laser light is irradiated to the protective film forming film directly or through the support sheet at any timing from when the protective film forming film is attached to the semiconductor wafer to dicing, . By curing the printed film for forming a protective film, a protective film to be printed is obtained.

또한, 사용 방법 4에서는 지지 시트의 첩부 후에 있어서, 보호막 형성용 필름에 인자를 행한 경우에는 상기의 사용 방법 1의 경우와 동일하게, 다른 사용 방법에 있어서 보호막에 인자를 행한 경우보다 지지 시트와 보호막 사이에 박리의 빈도나 정도를 저감시킬 수 있다.In the use method 4, in the case of printing on the protective film forming film after the application of the supporting sheet, as in the case of the above-mentioned use method 1, The frequency and degree of peeling can be reduced.

본 발명에 따른 보호막 형성용 필름 또는 보호막 형성용 복합 시트를 사용함으로써, 보호막 부착 반도체 칩을 얻을 때까지의 동안, 상기 보호막은 충분히 높은 보호 작용을 갖는다. 이 때문에, 반도체 칩에 있어서 치핑이 억제되는 등, 균열이나 결함의 발생이 억제된다. 또한, 상기 보호막은 큰 온도 변화에 노출되어도 이러한 높은 보호 작용을 유지할 수 있어 고신뢰성을 갖는다.By using the film for forming a protective film or the composite sheet for forming a protective film according to the present invention, the protective film has a sufficiently high protective function until a semiconductor chip with a protective film is obtained. For this reason, occurrence of cracks and defects such as suppression of chipping in the semiconductor chip is suppressed. In addition, the protective film can maintain such a high protective effect even when exposed to a large temperature change, and has high reliability.

본 발명의 일 실시형태인 보호막 형성용 필름의 하나의 측면은, One aspect of the protective film forming film, which is one embodiment of the present invention,

반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩의 이면에 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 필름으로서;1. A protective film forming film for forming a protective film on a back surface of a semiconductor wafer or a semiconductor chip;

보호막 형성용 필름은, The protective film-

에너지선 경화성 화합물(B)과,An energy ray curable compound (B)

필요에 따라, 중합체 성분(A), 광중합 개시제(C), 충전재(D), 착색제(E), 커플링제(F), 가교제(G) 및 범용 첨가제(H)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 성분을 포함하고;At least one member selected from the group consisting of a polymer component (A), a photopolymerization initiator (C), a filler (D), a colorant (E), a coupling agent (F), a crosslinking agent (G) &Lt; / RTI &gt;

상기 (B) 성분은 (메타)아크릴레이트 화합물이며, 또한 1분자 중에 에너지선 중합성기를 2∼4개 갖는 에너지선 경화성 화합물 (B1)을 포함하고, The component (B) is a (meth) acrylate compound, and further contains an energy ray curable compound (B1) having 2 to 4 energy linear polymerizable groups in one molecule,

상기 (A) 성분은 중량 평균 분자량(Mw)이 10000∼2000000, 유리 전이 온도가 -60∼70℃인 아크릴계 수지이고, The component (A) is an acrylic resin having a weight average molecular weight (Mw) of 10000 to 2000000 and a glass transition temperature of -60 to 70 ° C,

상기 (C) 성분은 에타논,1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-,1-(0-아세틸옥심)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개이며;The component (C) is selected from the group consisting of ethanone, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol- At least one;

상기 (B) 성분의 함유량은 상기 보호막 형성용 필름의 총 질량에 대해, 3질량% 이상 30질량% 이하이며;The content of the component (B) is 3% by mass or more and 30% by mass or less based on the total mass of the protective film-forming film;

상기 (B) 성분 중, 상기 (B1) 성분의 함유량은 상기 (B) 성분의 총 질량에 대해, 90질량% 이상 100질량% 이하, 바람직하게는 95질량% 이상 100질량% 이하, 보다 바람직하게는 98질량% 이상 100질량% 이하, 특히 바람직하게는 100질량%이며;The content of the component (B1) in the component (B) is preferably 90% by mass or more and 100% by mass or less, more preferably 95% by mass or more and 100% by mass or less relative to the total mass of the component (B) Is not less than 98 mass% and not more than 100 mass%, particularly preferably not more than 100 mass%;

상기 (A) 성분을 포함한 경우, 상기 (A) 성분의 함유량은 상기 보호막 형성용 필름의 총 질량에 대해, 5∼50질량%, 바람직하게는 10∼45질량%이며, When the component (A) is contained, the content of the component (A) is 5 to 50% by mass, preferably 10 to 45% by mass, based on the total mass of the protective film-

상기 (C) 성분을 포함한 경우, 상기 (C) 성분의 함유량은 상기 보호막 형성용 필름의 총 질량에 대해, 0.1∼3질량%이며;When the component (C) is included, the content of the component (C) is 0.1 to 3 mass% with respect to the total mass of the protective film-forming film;

상기 보호막 형성용 필름을 구성하는 각 성분의 합계 함유량은 100질량%를 초과하지 않고;The total content of each component constituting the protective film forming film is not more than 100% by mass;

추가로, 이하의 특성을 갖는 보호막 형성용 필름을 들 수 있다.In addition, a film for forming a protective film having the following characteristics can be mentioned.

에너지선의 조사에 의해 상기 보호막 형성용 필름을 경화시켜 경화물(보호막)로 했을 때, 상기 경화물의 영률이 500MPa 이상 1000MPa 이하, 바람직하게는 550MPa 이상 5000MPa 이하이며, 또한 파단 신도가 8% 이상 100% 이하, 바람직하게는 10% 이상 100% 이하이다.And the Young's modulus of the cured product is 500 MPa or more and 1000 MPa or less, preferably 550 MPa or more and 5,000 MPa or less, and the elongation at break is 8% or more and 100% or less, when the film for forming a protective film is cured to form a cured product (protective film) Or less, preferably 10% or more and 100% or less.

상기 경화물의 영률은 590MPa 이상 1960MPa 이하여도 되고, 또한 파단 신도는 10.7% 이상 56% 이하여도 된다.The Young's modulus of the cured product may be 590 MPa or more and 1960 MPa or less, and the elongation at break may be 10.7% or more and 56% or less.

본 발명의 일 실시형태인 보호막 형성용 필름의 다른 측면은,Another aspect of the film for forming a protective film, which is one embodiment of the present invention,

반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩의 이면에 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 필름으로서;1. A protective film forming film for forming a protective film on a back surface of a semiconductor wafer or a semiconductor chip;

보호막 형성용 필름은,The protective film-

트리시클로데칸디메틸올디아크릴레이트 및 ε-카프로락톤 변성 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 에너지선 경화성 화합물(B)과;At least one energy ray curable compound (B) selected from the group consisting of tricyclodecane dimethylol diacrylate and? -Caprolactone modified tris (acryloxyethyl) isocyanurate;

(메타)아크릴산메틸, (메타)아크릴산부틸, (메타)아크릴산2-히드록시에틸 및 (메타)아크릴산글리시딜로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 모노머가 중합한 중합체 성분(A)과;(A) polymerized with at least one monomer selected from the group consisting of methyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate and glycidyl (meth) acrylate;

에타논,1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-,1-(O-아세틸옥심)(C)과;Ethanone, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] -, 1- (O-acetyloxime) (C);

충전재(D), 착색제(E), 커플링제(F), 가교제(G) 및 범용 첨가제(H)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 성분을 포함하고;At least one component selected from the group consisting of a filler (D), a colorant (E), a coupling agent (F), a crosslinking agent (G) and a general purpose additive (H);

상기 보호막 형성용 필름의 총 질량에 대해, With respect to the total mass of the protective film forming film,

상기 (B) 성분의 함유량은 10질량% 이상 20질량% 이하이며, The content of the component (B) is 10% by mass or more and 20% by mass or less,

상기 (A) 성분의 함유량은 20∼32질량%이며, The content of the component (A) is 20 to 32 mass%

상기 (C) 성분의 함유량은 0.6질량% 이상이며;The content of the component (C) is 0.6 mass% or more;

에너지선의 조사에 의해 상기 보호막 형성용 필름을 경화시켜 경화물(보호막)로 했을 때, When the protective film forming film is cured by irradiating with an energy ray to obtain a cured product (protective film)

상기 경화물의 영률이 590MPa 이상 1960MPa 이하이며, 또한 The Young's modulus of the cured product is 590 MPa or more and 1960 MPa or less,

파단 신도가 10.7% 이상 56.0% 이하인 The breaking elongation is 10.7% or more and 56.0% or less

보호막 형성용 필름을 들 수 있다.And a film for forming a protective film.

실시예Example

이하, 구체적 실시예에 따라, 본 발명에 대해 보다 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하에 나타내는 실시예에 전혀 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to specific examples. However, the present invention is not limited to the following examples.

보호막 형성용 조성물의 제조에 사용된 원료를 이하에 나타낸다.The raw materials used in the preparation of the protective film forming composition are shown below.

· 중합체 성분(A)The polymer component (A)

(A)-1: 아크릴산부틸 10질량부, 아크릴산메틸 70질량부, 아크릴산2-히드록시에틸 15질량부, 및 메타크릴산글리시딜 5질량부를 공중합하여 이루어지는 아크릴계 수지(중량 평균 분자량 800000), 유리 전이 온도 -1℃).(A) -1: an acrylic resin (weight average molecular weight: 800,000) obtained by copolymerizing 10 parts by mass of butyl acrylate, 70 parts by mass of methyl acrylate, 15 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate, and 5 parts by mass of glycidyl methacrylate, Glass transition temperature-1 [deg.] C).

· 에너지선 경화성 화합물(B)Energy ray-curable compound (B)

(B1)-1: 트리시클로데칸디메틸올디아크릴레이트(닛폰 화약사 제조 「KAYARAD R-684」, 2관능 자외선 경화성 화합물, 분자량 304)(B1) -1: tricyclodecane dimethylol diacrylate (KAYARAD R-684, bifunctional ultraviolet curable compound, molecular weight 304, manufactured by Nippon Yaku Chemical Co., Ltd.)

(B1)-2: ε-카프로락톤 변성 트리스(2-아크릴옥시에틸)이소시아누레이트(신나카무라 화학 공업사 제조 「A-9300-1CL」, 3관능 자외선 경화성 화합물, 분자량 537)(A-9300-1CL, Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., trifunctional ultraviolet ray curable compound, molecular weight 537) modified with? -Caprolactone modified tris (2-acryloxyethyl) isocyanurate

(B2)-1: 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트(6관능 자외선 경화성 화합물, 분자량 578) 및 디펜타에리스리톨펜타아크릴레이트(5관능 자외선 경화성 화합물, 분자량 525)의 혼합물(닛폰 화약사 제조 「KAYARAD DPHA」)(B2) -1: A mixture of dipentaerythritol hexaacrylate (hexafunctional ultraviolet ray curable compound, molecular weight 578) and dipentaerythritol pentaacrylate (pentafunctional ultraviolet ray curable compound, molecular weight 525) (KAYARAD DPHA, )

· 광중합 개시제(C)Photopolymerization initiator (C)

(C)-1: 에타논,1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-,1-(O-아세틸옥심)(BASF사 제조 「이르가큐어(등록상표) OXE02」)(C) -1: ethanone, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol- GACURE (registered trademark) OXE02 &quot;

· 충전재(D)· Filler (D)

(D)-1: 실리카 필러(용융 석영 필러, 평균 입경 8㎛)(D) -1: silica filler (fused quartz filler, average particle diameter 8 占 퐉)

· 착색제(E)· Colorant (E)

(E)-1: 프탈로시아닌계 청색 색소(Pigment Blue 15:3) 32질량부와, 이소인돌리논계 황색 색소(Pigment Yellow 139) 18질량부와, 안트라퀴논계 적색 색소(Pigment Red 177) 50질량부를 혼합하고, 상기 3종의 색소의 합계량/스티렌 아크릴 수지량=1/3(질량비)이 되도록 안료화하여 얻어진 안료.(E) -1: 32 parts by mass of a phthalocyanine blue pigment (Pigment Blue 15: 3), 18 parts by mass of an isoindolinone yellow pigment (Pigment Yellow 139) and 50 parts by mass of an anthraquinone red pigment (Pigment Red 177) , And the pigment is obtained so that the total amount of the three kinds of pigments and the styrene acrylic resin amount is 1/3 (mass ratio).

· 커플링제(F)· Coupling agent (F)

(F)-1: 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란(신에츠 화학 공업사 제조 「KBM-503」, 실란 커플링제) (F) -1: 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane (KBM-503, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., silane coupling agent)

[실시예 1][Example 1]

<보호막 형성용 필름의 제조>&Lt; Preparation of protective film-forming film &

(보호막 형성용 조성물의 제조)(Preparation of protective film forming composition)

중합체 성분(A)-1(32질량부), 에너지선 경화성 화합물(B)-1(10질량부), 광중합 개시제(C)-1(0.3질량부), 광중합 개시제(C)-2(0.3질량부), 충전재(D)-1(56질량부), 착색제(E)-1(2질량부) 및 커플링제(F)-1(0.4질량부)를 혼합하여 보호막 형성용 조성물을 얻었다. 배합 성분의 종류와 그 배합량을 표 1에 나타낸다. 여기서, 표 1에 나타내는 배합량은 모두 고형분량이다. 또한, 표 1에 있어서는, 중합체 성분(A)을 간단히 「(A)」라고 표기하는 등, 각 성분을 그 말미의 부호만으로 나타내고 있다.(B) -1 (10 parts by mass), a photopolymerization initiator (C) -1 (0.3 parts by mass), a photopolymerization initiator (C) -2 (D) -1 (56 parts by mass), the colorant (E) -1 (2 parts by mass) and the coupling agent (F) -1 (0.4 part by mass) were mixed to obtain a composition for forming a protective film. Table 1 shows the kinds of the blending components and blending amounts thereof. Here, the compounding amounts shown in Table 1 are all solid contents. In Table 1, the polymer component (A) is simply referred to as &quot; (A) &quot;, and each component is represented only by its sign.

(보호막 형성용 필름의 제조)(Production of protective film forming film)

폴리에틸렌테레프탈레이트제 필름의 한쪽 면이 실리콘 처리에 의해 박리 처리된 박리 필름(린텍사 제조 「SP-PET381031」, 두께 38㎛)의 상기 박리 처리면에 나이프 코터를 사용하고, 상기에서 얻어진 보호막 형성용 조성물을 도공하고 120℃에서 건조시킴으로써, 보호막 형성용 필름(두께 25㎛)을 얻었다. 얻어진 보호막 형성용 필름의 노출면에는, 추가로 상기와 같은 박리 필름을 그 박리 처리면이 보호막 형성용 필름과 접촉하도록 첩합하고, 보호막 형성용 필름의 양면에 상기 박리 필름이 형성된 적층체를 얻었다. 얻어진 상기 적층체는 롤 상으로 권취하여 보존했다.A knife coater was used for the exfoliated surface of a release film ("SP-PET381031" manufactured by Linftec Co., Ltd., thickness 38 μm) having one surface of the polyethylene terephthalate film peeled off by silicone treatment, The composition was coated and dried at 120 占 폚 to obtain a protective film forming film (thickness: 25 占 퐉). The above-mentioned peeling film was further adhered to the exposed surface of the resulting protective film-forming film so that the peeling-treated surface thereof was in contact with the protective film-forming film to obtain a laminate having the peeling film formed on both surfaces of the protective film-forming film. The obtained laminate was rolled up and stored.

<보호막 형성용 필름의 평가>&Lt; Evaluation of protective film forming film &gt;

(보호막의 영률 및 파단 신도의 평가)(Evaluation of Young's modulus and elongation at break of protective film)

상기에서 얻어진 적층체를 풀어내고, 조도 230㎽/㎠, 광량 170mJ/㎠의 조건에서 자외선을 조사함으로써, 이 보호막 형성용 필름을 경화시켜 보호막을 형성했다.The laminate thus obtained was loosened and irradiated with ultraviolet rays under conditions of an illumination of 230 mW / cm 2 and a light quantity of 170 mJ / cm 2 to cure the protective film forming film to form a protective film.

이어서, 이 박리 필름 부착 보호막을 폭 15㎜, 길이 140㎜의 크기로 잘라내고, 양면으로부터 박리 필름을 제거하여 시험편으로 했다. JIS K7161:1994 및 JIS K7127:1999에 준거하여, 이 시험편의 양단부로부터 길이 방향에 있어서의 20㎜의 부분까지 시험용의 인접판(라벨)을 첩부하고, 만능 시험기(시마즈 제작소 제조 「오토 그래프 AG-IS 500N」)를 사용하여, 이 부분을 파지구 사이의 거리가 100㎜가 되도록 파지구로 고정하고, 인장 속도 200㎜/분으로 인장 시험을 행하였다.Subsequently, the protective film with the peeling film was cut to a size of 15 mm in width and 140 mm in length, and the peeling film was removed from both surfaces to obtain a test piece. (Label) for testing was stuck from both ends of the test piece to a portion of 20 mm in the longitudinal direction according to JIS K7161: 1994 and JIS K7127: 1999, Quot; IS 500N &quot;), this portion was fixed with a gripping tool so that the distance between the earths was 100 mm, and a tensile test was conducted at a tensile speed of 200 mm / min.

그리고, 이 때의 응력 변형 곡선을 작성하고, 시험 초기의 응력 변형 곡선의 기울기로부터 영률을 산출하고, 또한 파단했을 때의 시험편의 신장량으로부터 파단 신도를 구했다. 결과를 표 1에 나타낸다.Then, the stress strain curve at this time was prepared, the Young's modulus was calculated from the slope of the stress strain curve at the beginning of the test, and the elongation at break was calculated from the elongation of the test piece at the time of breaking. The results are shown in Table 1.

(보호막의 신뢰성의 평가)(Evaluation of reliability of protective film)

상기에서 얻어진 적층체를 풀어내고, 보호막 형성용 필름의 한쪽 면으로부터 한쪽의 상기 박리 필름을 제거하고, #2000 연마한 실리콘 웨이퍼(200㎜ 지름, 두께 280㎛)의 연마면에 테이프 마운터(린텍사 제조 「Adwill RAD-3600F/12)를 사용하여, 한쪽 면에 상기 박리 필름을 구비한 보호막 형성용 필름의 노출면을 70℃로 가열하면서 첩부했다. 이어서, 조도 230㎽/㎠, 광량 170mJ/㎠의 조건에서 자외선을 조사함으로써, 보호막 형성용 필름을 경화시켜, 실리콘 웨이퍼의 연마면에 보호막을 형성했다.The laminate thus obtained was loosened and one of the peeling films was removed from one side of the protective film forming film. The peeling film was peeled off from the surface of the protective film by using a tape mounter (Lintel Co., Ltd.) on the polished surface of a silicon wafer (200 mm diameter, Manufactured by Adwill RAD-3600F / 12), the exposed surface of the protective film-forming film provided with the above-mentioned release film was attached to one side while heating to 70 ° C. Subsequently, ultraviolet rays were irradiated under conditions of an illumination of 230 mW / cm 2 and a light quantity of 170 mJ / cm 2 to cure the protective film forming film to form a protective film on the polished surface of the silicon wafer.

이어서, 상기 보호막으로부터, 다른 한쪽의 박리 필름을 제거한 후, 다이싱 시트(린텍사 제조 「Adwill G-562」)를 첩부하고, 다이싱 장치(디스코사 제조 「DFD651」)를 사용하고, 상기의 보호막이 형성된 실리콘 웨이퍼를 3㎜×3㎜의 크기로 다이싱하여 보호막 부착 반도체 칩을 얻었다.Subsequently, a dicing sheet ("Adwill G-562" manufactured by Lin Tec Co., Ltd.) was pasted from the protective film and another dicing sheet was removed and a dicing machine ("DFD651" The silicon wafer having the protective film formed thereon was diced into a size of 3 mm x 3 mm to obtain a semiconductor chip with a protective film.

이어서, 반도체 칩이 실장될 때의 프로세스를 모방한 이하에 나타내는 프리컨디셔닝에 상기에서 얻어진 보호막 부착 반도체 칩을 재치했다. 즉, 보호막 부착 반도체 칩을 125℃로 20시간 베이킹한 후, 85℃, 상대습도 85%의 조건하에서 168시간 흡습시키고, 이어서 이 흡습 환경으로부터 취출한 직후의 보호막 부착 반도체 칩을 프리히트 160℃, 피크 온도 260℃의 조건의 IR 리플로우 오븐에 3회 통과시켰다. 그리고, 여기까지의 조작을 행한 25개의 보호막 부착 반도체 칩을 냉열 충격 장치(ESPEC사 제조 「TSE-11-A」)에 넣고, -65℃에서 10분간 유지한 후, 150℃에서 10분간 유지하는 냉열 사이클을 1000회 반복했다.Next, a semiconductor chip with a protective film obtained as described above was placed on the pre-conditioning shown below, which mimics the process when the semiconductor chip is mounted. That is, after the semiconductor chip with the protective film was baked at 125 占 폚 for 20 hours, moisture was absorbed for 168 hours under the condition of 85 占 폚 and relative humidity 85%, and then the semiconductor chip with the protective film immediately after being taken out from this moisture- Lt; RTI ID = 0.0 &gt; 260 C &lt; / RTI &gt; Then, 25 semiconductor chips with the protective film thus obtained were placed in a cold / heat shock apparatus ("TSE-11-A" manufactured by ESPEC), held at -65 ° C for 10 minutes, held at 150 ° C for 10 minutes The cooling / heating cycle was repeated 1000 times.

이어서, 냉열 충격 장치로부터 모든 보호막 부착 반도체 칩을 취출하고, 반도체 칩과 보호막의 접합부에 있어서의 들뜸·박리의 유무, 반도체 칩에 있어서의 크랙의 유무에 대해, 주사형 초음파 심상 장치(Sonoscan사 제조 「D9600TM CSAM」)를 사용하고, 보호막 부착 반도체 칩의 단면을 관찰함으로써 확인했다. 그리고, 상술한 들뜸·박리 및 크랙 중 적어도 하나가 발생되어 있는 보호막 부착 반도체 칩의 개수를 세고, 그 수(NG수)가 2개 이하인 경우를 신뢰성 합격(A)으로 판정하고, 3개 이상인 경우를 신뢰성 불합격(B)으로 판정했다. 결과를 표 1에 나타낸다.Subsequently, all the semiconductor chips with a protective film were taken out from the heat and shock apparatus, and the presence or absence of lifting and peeling at the junction between the semiconductor chip and the protective film and the presence or absence of cracks in the semiconductor chip were measured using a scanning ultrasonic imaging apparatus Quot; D9600 TM CSAM &quot;) was used and the cross-section of the semiconductor chip with a protective film was observed. The number of semiconductor chips with a protective film on which at least one of the above-mentioned lifting, peeling, and cracking has occurred is counted. When the number of semiconductor chips is two or less, the reliability is determined as A (B). &Lt; / RTI &gt; The results are shown in Table 1.

<보호막 형성용 필름의 제조 및 평가>&Lt; Preparation and evaluation of protective film-forming film &gt;

[실시예 2∼4, 비교예 1∼6][Examples 2 to 4, Comparative Examples 1 to 6]

보호막 형성용 조성물의 제조 시에 있어서의 배합 성분의 종류와 그 배합량을 표 1에 나타내는 바와 같이 한 점 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 보호막 형성용 필름을 제조 및 평가했다.A film for forming a protective film was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1, except that the kind of the blending component and the blending amount thereof in the production of the protective film forming composition were changed as shown in Table 1.

결과를 표 1에 나타낸다.The results are shown in Table 1.

Figure pct00001
Figure pct00001

상기 결과로부터 분명한 바와 같이, 실시예 1∼4의 보호막 형성용 필름으로부터 형성된 보호막은 영률 및 파단 신도가 높고, 충분한 보호 작용을 갖고 있고, 또한 신뢰성도 높았다.As is apparent from the above results, the protective films formed from the protective film forming films of Examples 1 to 4 had a high Young's modulus and elongation at break, a sufficient protective effect, and high reliability.

이에 비해, 비교예 1∼2, 4 및 6의 보호막 형성용 필름으로부터 형성된 보호막은 파단 신도가 낮고 보호 작용이 불충분하고, 신뢰성도 낮았다. 이는 비교예 1∼2에서는 에너지선 경화성 화합물(B2)-1을 사용하고 있는 것이, 비교예 4에서는 에너지선 경화성 화합물(B1)-1의 사용량이 지나치게 많은 것이 각각 원인으로 추측된다. 비교예 6에서는 이 양쪽의 원인이 적용된다.In contrast, the protective films formed from the protective film forming films of Comparative Examples 1 to 2, 4, and 6 had low breaking elongation, insufficient protective effect, and low reliability. It is presumed that the energy ray-curable compound (B2) -1 is used in Comparative Examples 1 and 2, and the amount of the energy ray-curable compound (B1) -1 used in Comparative Example 4 is excessively large. In Comparative Example 6, both of these causes are applied.

또한, 비교예 3 및 5의 보호막 형성용 필름으로부터 형성된 보호막은 영률이 낮고, 다이싱 시에는 치핑이 발생하여, 보호막 부착 반도체 칩이 얻어지지 않고, 보호막의 신뢰성을 평가할 수 없었다. 이는 비교예 3에서는, 에너지선 경화성 화합물(B1)-1의 사용량이 비교예 5에서는, 에너지선 경화성 화합물(B2)-1의 사용량이 각각 지나치게 적은 것이 원인으로 추측된다.In addition, the protective films formed from the protective film forming films of Comparative Examples 3 and 5 had a low Young's modulus and chipping occurred during dicing, so that a semiconductor chip with a protective film could not be obtained and the reliability of the protective film could not be evaluated. This is presumably because the amount of the energy ray curable compound (B1) -1 used in Comparative Example 3 was too small in Comparative Example 5, and the amount of the energy ray curable compound (B2) -1 used was too small.

본 발명은 이면이 보호막으로 보호된 반도체 칩 등의 제조에 이용 가능하기 때문에, 산업상 매우 유용하다.INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is industrially very useful because it can be used for manufacturing a semiconductor chip or the like whose back surface is protected by a protective film.

1A, 1B, 1C, 1D, 1E···보호막 형성용 복합 시트, 10···지지 시트, 10a···지지 시트의 표면, 11···기재, 11a···기재의 표면, 12···점착제층, 12a···점착제층의 표면, 13, 23···보호막 형성용 필름, 13a, 23a···보호막 형성용 필름의 표면, 15···박리 필름, 16···지그용 접착제층, 16a···지그용 접착제층의 표면 A composite sheet for forming a protective film, 10: supporting sheet, 10a: surface of a supporting sheet, 11: base material, 11a: surface of a base material, 12: The surface of the pressure-sensitive adhesive layer, 13, 23: The protective film-forming film, 13a, 23a: The surface of the protective film-forming film, 15: Adhesive agent layer 16a ... surface of the adhesive layer for jig

Claims (3)

에너지선 경화성 화합물(B)을 포함하고, 이하의 특성을 갖는 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩의 이면에 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 필름:
에너지선의 조사에 의해 상기 보호막 형성용 필름을 경화시켜 경화물로 했을 때, 상기 경화물의 영률이 500MPa 이상이며, 또한 파단 신도가 8% 이상이다.
A film for forming a protective film for forming a protective film on the back surface of a semiconductor wafer or a semiconductor chip containing an energy ray curable compound (B) and having the following characteristics:
When the protective film forming film is cured by irradiating with an energy ray to obtain a cured product, the Young's modulus of the cured product is 500 MPa or more and the elongation at break is 8% or more.
제 1 항에 있어서,
상기 보호막 형성용 필름에 있어서, 1분자 중에 에너지선 중합성기를 2∼4개 갖는 에너지선 경화성 화합물(B1)의 함유량은 상기 에너지선 경화성 화합물(B)의 총 질량에 대해, 90질량% 이상인 보호막 형성용 필름.
The method according to claim 1,
In the film for forming a protective film, the content of the energy ray curable compound (B1) having 2 to 4 energy linear polymerizable groups in one molecule is preferably not less than 90% by mass with respect to the total mass of the energy ray curable compound (B) Forming film.
제 1 항 또는 제 2 항의 보호막 형성용 필름을 지지 시트의 한쪽의 표면 상에 구비한 보호막 형성용 복합 시트.A composite sheet for forming a protective film, comprising the protective film forming film according to claim 1 or 2 on one surface of a support sheet.
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