KR20180068244A - 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로, 반응성 금속 함유 전구체를 배기하는 배기 라인 내 상기 반응성 금속 함유 전구체가 증착하는 것을 제어할 수 있는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것이다.

Description

기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 {Substrate deposition equipment and substrate deposition method using the same}
본 발명은 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로, 배기 라인 내에 반응성 금속 함유 전구체가 증착하는 것을 제어할 수 있는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조 공정에서 박막은 일반적으로 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD) 공정 또는 물리 기상 증착(Physical Vapor Deposition; PVD) 공정으로 형성된다.
반도체 소자의 집적도가 증가함에 따라 단차 도포율(step coverage) 특성이 우수한 증착 방법이 요구되는데 CVD 공정 및 PVD 공정은 이러한 요구를 충족시키기 어렵다. 이에 CVD 공정과 PVD 공정의 대안으로 원자층 증착 공정이 제안되었다.
그러나, 상기 원자층 증착 공정에서 소스 가스, 예를 들면 반응성 금속 함유 전구체를 포함하는 제 1 공정 가스가 퍼지 및/또는 펌핑되는 과정에서 배기 라인에 상기 반응성 금속 함유 전구체 등의 소스 가스가 증착되는 문제가 발생하고, 이로 인해, 펌프의 과부하 및 잦은 펌핑 라인의 교체 등의 문제가 야기된다.
따라서, 원자층 증착 공정에서 소스 가스가 배기 라인에 증착되는 문제로 인한 펌프 라인의 과부하 및 펌핑 라인의 잦은 교체 등의 문제를 해결하기 위한 기술적 노력이 필요한 실정이다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 반응성 금속 함유 전구체를 포함하는 제 1 공정 가스가 배기 라인 상에 증착되어 발생할 수 있는 제반 문제를 개선할 수 있는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다.
상기 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간이 구비되며, 기판을 안착하기 위한 서셉터를 포함하는 공정 챔버; 상기 기판 상에, 반응성 금속 함유 전구체를 포함하는 제 1 공정 가스 및 상기제 1 공정 가스와 반응하는 반응성 가스를 포함하는 제 2 공정 가스를 제공하는 공정 가스 분사부; 상기 공정 챔버의 내부에 잔류하는 상기 제 1 및 제 2 공정 가스를 배기하기 위해, 상기 공정 챔버의 외부에 구비된 배기 펌프와 연결되는 적어도 하나의 배기 라인을 포함하는 배기부; 및 상기 공정 가스 분사부로 상기 제 2 공정 가스를 공급하고, 상기 적어도 하나의 배기 라인 상에 상기 제 1 공정 가스가 증착되는 것을 방지하기 위해 상기 적어도 하나의 배기 라인의 적어도 일부에 상기 제 2 공정 가스를 공급하는, 반응 가스 생성부를 포함한다.
상기 기판 처리 장치에 있어서, 상기 서셉터는 복수의 기판을 안착할 수 있으며 상기 공정 가스 분사부에 대하여 상대적으로 회전 가능하고, 상기 공정 가스 분사부는 상기 복수의 기판 상에 상기 제 1 공정 가스를 제공하기 위한 제 1 공정 가스 분사부 및 상기 제 2 공정 가스를 제공하기 위한 제 2 공정 가스 분사부를 포함하는 공정 가스 분사 조립체로 제공되며, 상기 배기부는, 상기 제 1 공정 가스의 분사 영역 하부에 구비되고 상기 제 1 공정 가스를 배기하기 위해 상기 공정 챔버의 외부에 구비된 제 1 배기 펌프와 연결되는 제 1 배기 라인 및 상기 제 2 공정 가스의 분사 영역 하부에 구비되고 상기 제 2 공정 가스를 배기하기 위해 상기 공정 챔버의 외부에 구비된 제 2 배기 펌프와 연결되는 제 2 배기 라인을 포함하고, 상기 반응 가스 생성부는 상기 제 2 공정 가스 분사부에 상기 제 2 공정 가스를 공급하고, 상기 제 1 배기 라인 상에 상기 제 1 공정 가스가 증착되는 것을 방지하기 위해, 상기 제 1 배기 라인에 상기 제 2 공정 가스를 공급할 수 있다.
하나의 예시에서, 상기 제 1 공정 가스는 Hf, Zr, Ti 및 Ta로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 가스를 포함할 수 있다.
하나의 예시에서, 상기 제 2 공정 가스는 오존(O3) 가스를 포함할 수 있다.
상기 반응 가스 생성부는, 예를 들면 상기 공정 가스 분사부로 제 2 공정 가스를 공급하기 위한 제 1 공급 라인; 및 상기 배기 라인으로 제 2 공정 가스를 공급하기 위한 제 2 공급 라인을 포함할 수 있다.
상기 반응 가스 생성부는, 예를 들면 상기 공정 가스 분사부로 제 2 공정 가스를 공급하기 위한 제 1 반응 가스 생성부; 및 상기 배기 라인으로 제 2 공정 가스를 공급하기 위한 제 2 반응 가스 생성부를 포함할 수 있다.
상기 기판 처리 장치는, 공정 조건에 따라, 상기 반응 가스 생성부에서 공급되는 제 2 공정 가스가 배기 라인으로 유입되는 시기 및 유입되는 함량을 포함하는 공급 조건을 제어하는 제어부를 포함할 수 있다.
본 발명은 또한, 기판 처리 방법에 대한 것이다.
상기 기판 처리 방법은, 상기 기판 처리 장치를 이용하고, 반응성 금속 함유 전구체를 포함하는 제 1 공정 가스 및 제 2 공정 가스를 이용하여 기판 상에 박막을 형성하는 단계; 및 상기 기판 처리 장치의 배기 라인의 적어도 일부에 제 2 공정 가스를 공급하는 단계를 포함한다.
상기 기판 처리 방법에 있어서, 상기 박막을 형성하는 단계는 공정 조건을 안정화시키는 단계를 포함하고, 상기 제 2 공정 가스를 공급하는 단계는 상기 공정 조건을 안정화시키는 단계 동안에 상기 배기 라인의 일부에 상기 제 2 공정 가스를 공급하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 기판 처리 방법에 있어서, 상기 박막을 형성하는 단계는 상기 기판에 제 1 공정 가스를 제공하는 제 1 단계; 및 상기 기판에 제 2 공정 가스를 제공하는 제 2 단계를 포함하는 단위 싸이클을 적어도 1회 이상 포함할 수 있다.
하나의 예시에서, 상기 단위 싸이클은 상기 공정 챔버의 내부에 잔류하는 제 1 공정 가스 및 제 2 공정 가스를 제거하기 위한 퍼지 및/또는 펌핑하는 단계를 포함하고, 상기 제 2 공정 가스를 공급하는 단계는 상기 퍼지 및/또는 펌핑하는 단계 동안에 상기 배기 라인의 적어도 일부에 상기 제 2 공정 가스를 제공하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 기판 처리 방법에 있어서, 상기 제 2 공정 가스를 공급하는 단계는 상기 박막을 형성하는 단계 이외의 단계에서 수행될 수 있다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법은 반응성 금속 함유 전구체를 포함하는 제 1 공정 가스가 상기 제 1 공정 가스를 배기하는 배기 라인 상에 증착되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 상기 제 1 공정 가스의 증착 방지를 통해, 궁극적으로 펌프의 과부하 및 펌핑 라인의 잦은 교체 등 배기 라인의 폐쇄로 인해 발생할 수 있는 제반 문제를 미연에 방지할 수 있다.
물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1 내지 3는 본 발명에 따른 기판 처리 장치에 대한 일 모식도이다.
도 4(a) 내지 (c)는 본 발명에 따른 기판 처리 방법에 있어서, 시 분할 방식에 대한 내용을 도식화한 것이다.
도 5는 본 발명에 따른 기판 처리 방법에 있어서, 공간 분할 방식에 대한 내용을 도식화한 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 여러 실시예들을 예시적으로 설명하기로 한다.
명세서 전체에 걸쳐서, 막, 영역 또는 기판 등과 같은 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "상에" 위치한다고 언급할 때는, 상기 하나의 구성요소가 직접적으로 상기 다른 구성요소 "상에" 접촉하거나, 그 사이에 개재되는 또 다른 구성요소들이 존재할 수 있다고 해석될 수 있다. 반면에, 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "직접적으로 상에" 위치한다고 언급할 때는, 그 사이에 개재되는 다른 구성요소들이 존재하지 않는다고 해석된다. 예를 들어, 기판 상에 박막을 형성한다고 언급할 때는 상기 기판과 박막 사이에 기저막이 존재하는 경우를 포함할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것일 수 있다. 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)에 대한 일 모식도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 내부에 처리 공간이 구비되며, 적어도 하나의 기판(102)을 안착하기 위한 서셉터(101)를 포함하는 공정 챔버(100); 상기 기판 상에, 반응성 금속 함유 전구체를 포함하는 제 1 공정 가스(201) 및 제 1 공정 가스(201)와 반응하는 반응성 가스를 포함하는 제 2 공정 가스(202)를 제공하는 공정 가스 분사부(200); 상기 공정 챔버(100)의 내부에 잔류하는 상기 제 1 및 제 2 공정 가스(201,202)를 배기하기 위해, 상기 공정 챔버(100)의 외부에 구비된 배기 펌프(301)와 연결되는 적어도 하나의 배기 라인(302)을 포함하는 배기부(300); 및 상기 공정 가스 분사부(200)로 상기 제 2 공정 가스(202)를 공급하고, 상기 배기 라인(302) 상에 상기 제 1 공정 가스(201)가 증착되는 것을 방지하기 위해, 상기 배기 라인(302)의 적어도 일부에 제 2 공정 가스(202)를 공급하는 반응 가스 생성부(400)를 포함한다.
한편, 상기 공정 가스 분사부(200)는 단일 샤워 헤드에서 전술한 제 1 및 제 2 공정 가스(201,202)가 기판 상에 제공되는 구조를 가질 수도 있고, 또한, 도 2에 구체적으로 도시된 바와 같이, 제 1 및 제 2 공정 가스 분사부(200a, 200b)에서 제 1 및 제 2 공정 가스(201,202)가 기판 상에 제공되는 구조를 가질 수도 있는데, 도 1에서 도시된 상기 공정 가스 분사부(200)는 상기 두 구조를 모두 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
또한, 도 1에서는 기판 처리 장치(1)의 배기부(300)가 두개의 배기 라인 및 배기 펌프를 포함하는 것으로 도시되어 있으나, 상기 배기부에 포함되는 배기 라인 및 배기 펌프는 공정 조건에 따라 변경 가능한 것으로써, 도 1에 따른 기판 처리 장치(1)는 배기 라인 및 배기 펌프가 하나 이상인 구조를 모두 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
더욱이, 도 1에서는 기판 처리 장치(1)의 반응 가스 생성부(400)가 하나인 것처럼 도시되어 있으나, 본 발명의 반응 가스 생성부는 제 1 반응 가스 생성부로 이루어지거나 또는 제 1 및 제 2 반응 가스 생성부를 포함하는 구조일 수 있으므로, 도 1에 도시된 기판 처리 장치의 구조는 상기 두 구조를 모두 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 발명의 도 1에 도시된 것과 같은 구성을 포함하는 기판 처리 장치(1)는, 공정 챔버의 내부에 잔류하는 제 1 공정 가스를 배기하는 배기 라인 상에 제 1 공정 가스가 증착되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 또한 이러한 효과로 인해, 궁극적으로 펌프의 과부하를 예방할 수 있으며, 펌핑 라인의 잦은 교체에 따른 공정상의 제약을 극복할 수 있다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 공정 챔버(100)를 포함한다. 상기 공정 챔버(100)는 반응이 일어나는 반응기의 역할을 수행하며, 기판(102)을 안착하기 위한 서셉터(101)를 포함한다.
상기 서셉터는 기판 증착 공정 중 기판을 안정적으로 지지하는 테이블의 역할을 수행할 수 있다. 또한, 상기 서셉터는 그 내부 혹은 하단에 발열 히터를 포함하여, 기판상에 적정 두께의 박막 형성을 위한 온도 조절 장치로서의 역할도 수행할 수 있다.
상기 기판 상에는 반응성 금속 함유 전구체를 포함하는 제 1 공정 가스 및 제 1 공정 가스와 반응하여 박막을 형성하기 위한 제 2 공정 가스가 제공된다. 따라서, 기판의 종류는 특별한 제한이 없으며, 기판 처리 장치에서 공지된 다양한 기판이 본 발명에서 제한 없이 이용될 수 있다.
하나의 예시에서, 기판은 단차 구조물로서 비아(via), 홀(hole) 또는 트렌치(trench) 구조를 포함하는 구조물일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
서셉터 및 기판은, 예를 들면 기판 지지부에 포함될 수 있는데, 상기 기판 지지부에 포함되는 서셉터 및 기판은 단수 또는 복수개로 존재할 수 있다.
특히, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 시 분할 방식 및 공간 분할 방식에 따른 증착 방법에 모두 적용 가능하기 때문에, 공정 챔버 내 기판의 개수가 단수인 경우는 물론 복수인 경우도 가능하다.
하나의 예시에서, 기판이 서셉터 상에 단수개로 존재할 수 있고, 이 경우 기판 처리 장치는 시 분할 방식에 의한 증착 방법에 이용되거나, 공간 분할 방식에 의한 증착 방법에 이용될 수 있다.
다른 예시에서, 기판이 서셉터 상에 복수개로 존재할 수 있고, 이 경우 상기 서셉터를 포함하는 기판 지지부에 상기 서셉터 및 상기 기판이 소정의 영역을 형성한 상태로 위치할 수 있다.
보다 구체적으로, 기판 지지부를 일정하게 분할하고 있는 세부 영역들 중 어느 한 영역에 서셉터 및 상기 서셉터 상에 안착된 기판이 복수개 존재할 수 있다.
이 경우, 도 2에 구체적으로 도시된 구조와 같은 증착 장비를 이용한 증착 방법, 구체적으로 기판 상에 제 1 공정 가스 및 제 2 공정 가스를 제공하는 공정 가스 분사부와 상기 서셉터에 대해서 공정 가스 분사부가 상대 회전함으로써 기판 상에 박막을 형성하는 공간 분할 방식에 의한 증착 방법이 채택될 수 있다.
또한, 도 1 에 도시된 바와 같이, 공정 챔버(100)는 바닥부(103), 외벽부(104) 및 상층 플레이트(105)에 의해 외부 공기 등의 유입을 폐쇄할 수 있는 구조를 가질 수 있다.
따라서, 공정 챔버(100)에서의 박막 형성은 상층 플레이트(105) 쪽에 위치한 공정 가스 공급부(200)와 기판(102) 사이의 박막 증착 공간을 통해서 진행될 수 있다.
한편, 상기 외벽부(104)에는 기판이 출입할 수 있는 기판 이송도(미도시)가 형성되어 있을 수 있다.
또한 상기 바닥부(103)의 하면에는 공정 챔버 내 잔류하는 공정 가스들을 배기하는 배기 라인(301)과 배기 펌프(302)가 위치할 수 있다.
도 1에 따른 본 발명의 기판 처리 장치(1)는 공정 가스 분사부(200)를 포함한다. 상기 공정 가스 분사부(200)는 반응성 금속 함유 전구체를 포함하는 제 1 공정 가스(201) 및 반응성 가스를 포함하는 제 2 공정 가스(202)를 기판 상에 제공한다.
상기 공정 가스 분사부는 기판 상에 박막을 형성하기 위한 공정 가스, 구체적으로 원료 가스인 반응성 금속 함유 전구체를 포함하는 제 1 공정 가스 및 반응 가스인 제 2 공정 가스를 제공하는 역할을 수행하며, 공정 챔버의 상측 플레이트 부근에 위치하여, 공정 챔버 내로 상기 가스들을 공급할 수 있다.
상기 반응성 금속 함유 전구체를 포함하는 제 1 공정 가스는, 반응 가스인 제 2 공정 가스와의 반응을 통해, 기판 상에 원자층 또는 소정 두께의 박막을 형성할 수 있는 가스를 의미할 수 있다.
하나의 예시에서, 상기 반응성 금속 함유 전구체를 포함하는 제 1 공정 가스는 Hf, Zr, Ti 및 Ta로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 가스를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 제 2 공정 가스는, 전술한 제 1 공정 가스와 반응을 하여, 기판 상에 원자층 또는 박막을 형성할 수 있는 가스를 의미할 수 있으며, 예를 들면 오존(O3) 가스일 수 있다.
상기 공정 가스 분사부는, 또한 반응 챔버의 내부에 잔류하는 제 1 및 제 2 공정 가스를 퍼지하는 퍼지 가스를 제공할 수 있다.
상기 퍼지 가스는, 예를 들면 질소 또는 아르곤 가스 등과 같이 제 1 및 제 2 공정 가스와 반응성이 없는 비활성 가스 일 수 있다.
상기 공정 가스 분사부는, 예를 들면 제 1 공정 가스 분사부만으로 이루어지는 단일 샤워 헤드 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 제 1 공정 가스 공급 라인 및 제 2 공정 가스 공급 라인은 상기 제 1 공정 가스 분사부와 연결될 수 있다.
또한, 공정 가스 분사부는 도 2에 구체적으로 도시된 바와 같이, 제 1 공정 가스 분사부(200a) 및 제 2 공정 가스 분사부(200b)를 포함할 수도 있다. 이 경우, 제 1 공정 가스 및 제 2 공정 가스가 각각 개별적으로 해당 분사부에 유입될 수 있도록, 제 1 공정 가스 공급 라인(201a)은 제 1 공정 가스 분사부(200a)에 연결되고, 제 2 공정 가스 공급 라인(202a)은 제 2 공정 가스 분사부(200b)에 연결될 수 있다.
도 1을 다시 살펴보면, 기판 처리 장치(1)는 배기부(300)를 포함한다. 상기 배기부(300)는 상기 공정 챔버(100)의 외부에 구비된 배기 펌프(302)와 연결되는 배기 라인(301)을 포함한다.
상기 배기 라인은 공정 챔버에 연결되어, 상기 공정 챔버의 내부에 잔류하는 제 1공정 가스 및 제 2 공정 가스를 배기할 수 있다.
상기 배기부는, 예를 들면 하나 또는 둘 이상의 배기 라인 및 배기 펌프를 포함하여, 상기 배기 라인으로 제 1 공정 가스 및 제 2 공정 가스를 동시에 또는 시차를 두고 배기할 수 있다. 이 경우, 후술하는 반응 가스 생성부는 상기 하나 또는 둘 이상의 배기 라인에 제 2 공정 가스를 공급하여, 제 1 공정 가스가 배기 라인 상에 증착되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 배기부는, 도 2에 구체적으로 도시된 것과 같이, 제 1 및 제 2 배기 라인(301a,b)를 포함할 수도 있다. 이 경우, 반응 챔버의 내부에 잔류하는 제 1 공정 가스는 제 1 배기 라인(301a)으로 배기되고, 제 2 공정 가스는 제 2 배기 라인(301b)으로 배기될 수 있다. 이 경우, 후술하는 반응 가스 생성부는 제 1 배기 라인(301a)에 제 2 공정 가스를 공급하여, 제 1 공정 가스가 제 1 배기 라인(301a) 상에 증착되는 것을 방지할 수 있다.
도 1을 다시 살펴보면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 반응 가스 생성부(400)를 포함한다. 상기 반응 가스 생성부(400)는 공정 가스 분사부에 제 2 공정 가스를 공급하고, 제 1 공정 가스가 배기 라인 상에 증착되는 것을 방지하기 위해 배기 라인에 제 2 공정 가스를 제공한다. 이와 같이, 상기 반응 가스 생성부(400)에서 생성되는 제 2 공정 가스를 배기 라인에 공급함으로써, 반응성 금속 함유 전구체를 포함하는 제 1 공정 가스가 배기 라인 상에 증착되는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.
한편, 상기에서 「반응성 금속 함유 전구체를 포함하는 제 1 공정 가스가 배기 라인 상에 증착된다」는 것은, 배기 라인의 내부에 반응성 금속 함유 전구체 및 이를 포함하는 이물질이 소정 두께를 형성한 상태로 존재한다는 것을 의미할 수 있으며, 예를 들면 배기 라인이 원통형인 경우, 상기 원통형 배기 라인 내경의 내측에 반응성 금속 함유 전구체 및 이를 포함하는 이물질이 끼어있어, 상기 배기 라인의 내경을 축소시키고 있는 상태를 의미할 수 있다.
상기 반응 가스 생성부(400)는 하나의 반응 가스 생성부로 이루어지거나 또는 둘 이상의 반응 가스 생성부를 포함할 수 있다.
보다 구체적으로, 기판 처리 장치가 제 1 및 제 2 반응 가스 생성부를 포함할 경우, 제 1 반응 가스 생성부는 반응 가스 분사부에 제 2 공정 가스를 공급하고, 제 2 반응 가스 생성부는 배기 라인에 제 2 공정 가스를 공급할 수 있다.
즉, 상기 반응 가스 생성부는, 예를 들면 공정 가스 분사부로 제 2 공정 가스를 공급하기 위한 제 1 반응 가스 생성부; 및 배기 라인으로 제 2 공정 가스를 공급하기 위한 제 2 반응 가스 생성부를 포함할 수 있다.
상기와 같이, 기판 처리 장치가 적어도 2개의 반응 가스 생성부를 포함하는 경우, 공정 조건에 제약 없이 배기 라인에 지속적으로 제 2 공정 가스를 공급할 수 있는 이점이 있다. 또한 이를 통해, 제 1 공정 가스가 배기 라인 상에 증착되는 것을 더 효과적으로 제어할 수 있다.
다른 예시에서, 기판 처리 장치가 제 1 반응 가스 생성부로 이루어질 경우, 상기 반응 가스 생성부는 제 1 공급 라인을 통해 공정 가스 분사부에 제 2 공정 가스를 공급하고, 제 2 공급 라인을 통해 배기 라인에 제 2 공정 가스를 공급할 수 있다.
즉, 상기 반응 가스 생성부는, 예를 들면 공정 가스 분사부로 제 2 반응 가스를 공급하기 위한 제 1 공급 라인; 및 배기 라인으로 제 2 반응 가스를 공급하기 위한 제 2 공급 라인을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공간 분할 방식 및 시 분할 방식에 의한 증착 공정에 모두 적용이 가능하며, 이하에서, 도 2에 도시된 공간 분할 방식의 기판 처리 장치에 대해 구체적으로 설명한다.
도 2에는, 도 1에 따른 기판 처리 장치의 일 구체예인 공간 분할 방식의 기판 처리 장치(1)가 도시되어 있다.
도 2를 구체적으로 살펴보면, 본 발명의 기판 처리 장치(1)는 복수의 기판(102)을 안착하기 위한 서셉터(101)를 포함하는 공정 챔버(100); 상기 서셉터(101)와 상대 회전하며, 상기 복수의 기판(102) 상에 상기 제 1 공정 가스(201)를 제공하기 위한 제 1 공정 가스 분사부(200a) 및 상기 제 2 공정 가스(202)를 제공하기 위한 제 2 공정 가스 분사부(200b)를 포함하는 공정 가스 분사 조립체(203)로 이루어지는 공정 가스 분사부(200); 상기 제 1 공정 가스(201)의 분사 영역 하부에 구비되고, 상기 제 1 공정 가스(201)를 배기하기 위해 상기 공정 챔버(100)의 외부에 구비된 제 1 배기 펌프(302a)와 연결되는 제 1 배기 라인(301a) 및 상기 제 2 공정 가스(202)의 분사 영역 하부에 구비되고, 상기 제 2 공정 가스(202)를 배기하기 위해 상기 공정 챔버(100)의 외부에 구비된 제 2 배기 펌프(302b)와 연결되는 제 2 배기 라인(301b)을 포함하는 배기부(300); 및 상기 제 2 공정 가스 분사부(200b)에 상기 제 2 공정 가스(202)를 공급하고, 상기 제 1 배기 라인(301a) 상에 상기 제 1 공정 가스(201)가 증착되는 것을 방지하기 위해, 상기 제 1 배기 라인(301a)에 제 2 공정 가스를 공급하는 공정 가스 생성부(400)를 포함한다.
도 2에 도시되어 있는 공간 분할 방식의 기판 처리 장치는, 복수의 기판이 안착되어 있는 서셉터가 공정 가스 분사부와 상대 회전함으로써, 기판 상에 박막을 형성할 수 있다.
상기에서 용어 「상대 회전」이란 서셉터 상에 존재하는 복수의 기판 중 어느 한기판 상에 공정 가스 분사부에서 분사되는 제 1 공정 가스 및 제 2 공정 가스가 순차 혹은 동시에 제공될 수 있도록, 서셉터와 공정 가스 분사부 중 적어도 하나가 서로 상대적으로 회전하는 것을 의미한다.
구체적으로, 상기 서셉터와 공정 가스 분사부의 상대 회전은 서셉터 상에 존재하는 복수의 기판 중 어느 한 기판 상에 순차적으로 제 1 공정 가스, 퍼지 가스, 제 2 공정 가스 및 퍼지 가스가 제공될 수 있도록, 서셉터를 포함하는 기판 지지부가 회전하거나, 또는 공정 가스 분사부가 회전하는 것을 의미할 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 공간 분할 방식의 기판 처리 장치의 공정 가스 분사부(200)는 공정 가스 분사 조립체(203)로 이루어지고, 상기 공정 가스 분사 조립체(203)는 적어도 2개의 샤워 헤드를 포함한다.
구체적으로, 공정 가스 분사 조립체(203)는 상기 서셉터(101)와 상대 회전하며 상기 복수의 기판(102) 상에 상기 제 1 공정 가스(201)를 제공하기 위한 제 1 공정 가스 분사부(200a) 및 상기 제 2 공정 가스(202)를 제공하기 위한 제 2 공정 가스 분사부(200b)를 포함한다.
상기 제 1 공정 가스 분사부(200a) 및 제 2 공정 가스 분사부(200b)는, 예를 들면 공정 가스 분사부(200)의 둘레 방향을 따라 방사형으로 배치될 수 있고, 상기 제 1 및 제 2 공정 가스 분사부의 사이에 퍼지 가스를 제공하는 퍼지 가스 분사부(미도시)가 위치할 수 있다. 또한, 공정 가스 분사부(200)는 중앙 부근에 중앙 퍼지 가스 공급장치(200c)를 더 포함할 수 있다.
전술한 바와 같이, 공정 가스 분사부가 제 1 및 제 2 공정 가스 분사부를 포함하는 공정 가스 분사 조립체인 경우, 제 1 공정 가스 및 제 2 공정 가스가 각각 개별적으로 해당 분사부에 유입될 수 있도록, 제 1 공정 가스 공급 라인은 제 1 공정 가스 분사부에 연결되고, 제 2 공정 가스 공급 라인은 제 2 공정 가스 분사부에 연결될 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 공간 분할 방식의 기판 처리 장치의 배기부(300)는, 제 1 및 제 2 배기 라인(301a,b)를 포함한다. 상기 제 1 및 제 2 배기 라인(301a,b)는 각각 제 1 및 제 2 공정 가스 공급 영역의 하부에 존재하여, 반응 챔버의 내부 잔류하는 제 1 공정 가스 및 제 2 공정 가스를 배기한다. 이 때, 공정 가스 생성부(400)는 상기 제 1 배기 라인(301a)과 제 2 공정 가스 분사부(200b)에 제 2 공정 가스를 공급하여, 기판 상에 박막을 형성하는 제 2 공정 가스를 공정 챔버 내로 제공함은 물론이고, 제 1 배기 라인 상에 제 1 공정 가스가 증착되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
본 발명에 따른 공간 분할 방식의 기판 처리 장치는, 제 1 및 제 2 반응 가스 생성부를 포함할 수도 있고, 제 1 반응 가스 생성부만을 포함할 수도 있으며, 각각의 경우에 제 2 공정 가스를 공정 가스 분사부 및 배기 라인에 공급하는 방식은 전술한 바와 같다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 배기 라인에 제 2 공정 가스를 공급하는 시기 및 순서 등은 시 분할 또는 공간 분할 방식과 같은 증착 방식; 및 반응가스 생성부의 개수에 따라 달라 질 수 있다.
다시 말해, 반응 가스 생성부가 제 1 반응 가스 생성부로 이루어진 경우, 단일 반응 가스 생성부에서 제 2 공정 가스가 각각 반응 가스 분사부 및 배기 라인에 공급되기 때문에, 공급 유량의 안정성의 저해에 따른 박막 형성의 불균일성의 방지를 위한 안정화 방안이 강구되어야 할 수 있다.
본 발명의 기판 처리 장치는 또한, 도 3에 도시된 바와 같이 공정 조건에 따라 상기 반응 가스 생성부(400)에서 생성되는 제 2 공정 가스가 배기라인(301)으로 유입되는 시기 및 유입되는 함량을 포함하는 공급 조건을 제어하는 제어부(500)를 더 포함할 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 처리 장치에 포함되는 공정 조건에 따라 배기 라인으로 제 2 공정 가스가 공급되는지 여부, 함량 및 순서 등이 달라질 수 있으므로, 제어부는 이들을 제어함으로써, 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 목적을 효과적으로 달성하게 하는데 도움을 줄 수 있다.
즉, 상기 제어부에서는 기 프로그래밍된 장치를 통해 제 1 공정 가스를 배기하는 배기 라인을 포함하는 기판 처리 장치의 전반적인 운전 프로세스를 설정할 수 있다.
보다 구체적인 예시에서, 상기 제어부는 시 분할 방식의 증착 공정인지 또는 공간 분할 방식의 증착 공정인지 여부; 또는 반응 가스 생성부의 개수 등과 같은 공정 조건을 기반으로, 반응 가스 생성부에서 생성되는 제 2 공정 가스가 배기 라인으로 유입되는 시기 및 유입되는 함량을 포함하는 공급 조건을 제어하는 프로세스를 수행할 수 있다.
본 발명은 상기와 같은 기판 처리 장치의 구성을 통해, 반응성 금속 함유 전구체를 포함하는 제 1 공정 가스가 배기 라인 내에 증착되는 현상을 억제 할 수 있다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD) 장치 또는 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition, ALD)에 이용되는 장치일 수 있다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 또한, 시 분할 또는 공간 분할 방식의 기판 처리 방법이 모두 적용 가능할 수 있다.
본 명세서에서 용어 「시 분할 방식」이란, 도 4(a) 내지 (c)에 도시된 바와 같이, 원료 가스와 반응 가스의 공급; 및 퍼지 및/또는 펌핑 등의 공정을 시계열적으로 제어함으로써, 기판 상에 증착을 유도하는 방법을 의미한다.
본 명세서에서 용어 「공간 분할 방식」은, 도 5에 도시된 바와 같이, 박막 형성 공정의 시작과 동시에, 제 1 공정 가스, 제 2 공정 가스 및 퍼지 가스 등을 공급하고, 서셉터 상에 안착되어 있는 기판을 움직임이면서 증착 공정을 수행하는 방식을 의미한다.
상기 공간 분할 증착 방식에는, 공정 챔버 내 공간분할 퍼지 가스로 원료 가스 및 반응 가스의 공급부 영역을 분리하고 동시에 기판이 움직임으로써, 원료 가스 및 반응 가스의 증착을 도모하는 방식이 예시될 수 있고, 또한 복수의 기판이 안착되어 있는 서셉터가 기판 지지부의 가속으로 공정 가스 분사부와 상대 회전 운동을 하면서, 공정 가스 분사부에서 공급되는 제 1 및 제 2 공정 가스의 증착, 및 퍼지 가스에 의한 퍼지 공정을 수행하는 방식 등이 예시될 수 있다.
본 발명에 따른 기판 처리 방법은 상기 기판 처리 장치를 이용하고, 반응성 금속 함유 전구체를 포함하는 제 1 공정 가스 및 제 2 공정 가스를 이용하여 박막을 형성하는 단계; 및 상기 기판 처리 장치의 상기 배기 라인의 적어도 일부에 제 2 공정 가스를 공급하는 단계를 포함한다.
구체적으로, 본 발명의 일 예시에 따른 기판 처리 방법은 전술한 기판 처리 장치를 이용하고, 상기 기판 처리 장치의 상기 배기 라인에 제 2 공정 가스를 공급하는 단계를 포함함으로써, 배기 라인 상에 제 1 공정 가스가 증착되는 것을 제어할 수 있다.
상기 기판 처리 방법은 상기 박막 형성 단계 이전에, 공정 조건 안정화 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 공정 안정화 단계는, 예를 들면 본격적인 박막 형성 공정의 시작 전에, 제 1 및 제 2 공정 가스의 유량, 속도, 압력 등을 안정화시키거나 또는 기판의 온도를 안정화시킴으로써, 기판 상에 형성되는 박막 두께의 균일성 및 박막 형성의 안정성과 같은 공정 안정성을 도모하는 역할을 수행하는 단계이다.
상기 공정 조건 안정화 단계가 지나면, 메인 공정인 박막을 형성하는 단계가 수행될 수 있다. 상기 박막을 형성하는 단계는 제 1 및 제 2 공정 가스를 이용하여 박막을 형성하는 공정을 포함한다. 본 발명의 일 실시예에서, 상기 배기 라인의 적어도 일부에 제 2 공정 가스를 공급하는 단계는 이러한 공정 조건 안정화 단계 동안에 배가 라인의 적어도 일부에 제 2 공정 가스를 공급하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 기판 처리 방법은, 전술한 화학 기상 증착법 또는 원자층 증착법 일 수 있고, 구체적으로 원자층 증착법 일 수 있다.
따라서, 상기 박막을 형성하는 단계는, 예를 들면 기판에 반응성 금속 함유 전구체를 포함하는 제 1 공정 가스를 제공하는 제 1 단계; 및 상기 기판에 제 2 공정 가스를 제공하는 제 2 단계를 포함하는 단위 싸이클을 적어도 1회 이상 포함할 수 있다. 상기 단위 싸이클은, 예를 들면 목적하는 두께의 박막이 형성되기 전까지 수행될 수 있다.
상기 제 1 단계는, 반응 가스 분사부로부터의 제 1 공정 가스를 기판 상에 제공함으로써 수행될 수 있으며, 상기 제 2 단계는 반응 가스 분사부로부터의 제 2 공정 가스를 상기 기판 상에 제공함으로써 수행될 수 있다.
상기 단위 싸이클은 또한, 상기 공정 챔버에 잔류하는 제 1 공정 가스 및 제 2 공정 가스를 제거하기 위한 퍼지 및/또는 펌핑하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 퍼지 및/또는 펌핑 하는 단계의 시기나 횟수 등은 박막을 형성하는 방식, 구체적으로 공간 분할 방식인지 또는 시 분할 방식인지 여부 등에 따라 달라질 수 있다.
하나의 예시에서, 상기 퍼지 및/또는 펌핑하는 단계는 상기 박막 형성 단계의 상기 제 1 단계와 동시; 상기 제 1 단계 및 상기 제 2 단계 사이; 또는 상기 제 2 단계 이후에 수행될 수 있다.
구체적인 예시에서, 상기 퍼지 및/또는 펌핑하는 단계는, 상기 제 1 단계 이후 및 상기 제 2 단계 이전에 반응 챔버의 내부에 잔류하는 제 1 공정 가스를 제거하는 제 1 퍼지 및/또는 펌핑 단계; 및 상기 제 2 단계 이후에 상기 공정 챔버의 내부에 잔류하는 제 2 공정 가스를 제거하는 제 2 퍼지 및/또는 펌핑 단계를 포함할 수 있다.
다른 예시에서, 상기 퍼지/및 또는 펌핑하는 단계는, 상기 제 1 단계와 동시에 수행되어, 박막 형성 공정이 진행되는 내내 수행 될 수도 있다.
또한, 상기 퍼지 및/또는 펌핑 하는 단계는 상기 박막 형성 단계가 완료되어, 제 1 및 제 2 공정 가스의 공급이 중단된 후, 공정 챔버의 내부에 잔류하고 있는 상기 제 1 및 제 2 공정 가스의 제거를 위해 수행될 수도 있다.
상기 퍼지 및/또는 펌핑 하는 단계는, 기판 처리 장치에서 언급한 퍼지 가스 분사부 및 배기 펌프의 동작에 의해 수행될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 시분할 방식의 원자층 박막 증착의 경우에 상기 배기 라인에 제 2 공정 가스를 공급하는 단계는 상기 퍼지 및/또는 펌핑하는 단계가 진행되는 동안에 수행될 수 있다.
본 발명의 기판 처리 방법은, 원자층 증착 방법 중 플라즈마를 이용한 원자층 증착 방법일 수 있다.
따라서, 상기 단위 싸이클은, 제 2 공정 가스의 플라즈마를 생성하는 제 3 단계를 더 포함할 수 있다.
하나의 예시에서, 상기 단위 싸이클은, 제 2 공정 가스의 플라즈마를 생성하는 제 3 단계를 더 포함하고, 상기 제 3 단계는 상기 제 2 단계와 동시에 또는 순차적으로 수행될 수 있다. 이 경우, 생성되는 플라즈마는, 펄스형 플라즈마 일 수도 있고, 다이렉트 플라즈마 일 수도 있다.
상기에서 「펄스형 플라즈마」라는 것은 플라즈마를 생성하는 제 3 단계 동안 소정의 휴지기를 두며, 서브 펄스 파워가 반복인가되는 플라즈마 구현 방식을 의미할 수 있고, 상기에서 「다이렉트 플라즈마」라는 것은 플라즈마를 생성하는 제 3 단계 동안 휴지기 없이 플라즈마가 인가되는 플라즈마 구현 방식을 의미할 수 있다. 상기 플라즈마는, 예를 들면 플라즈마 생성장치에 의해 생성될 수 있으며, 이러한 플라즈마 생성 장치의 구체적인 구성 및 구조는 대한민국 공개 특허공보 2016-0062487 등에 의해 공지되어 있다. 상기 플라즈마 생성 장치는, 예를 들면 반응 챔버 내부, 반응 챔버 외부 또는 반응 챔버에 결합되어 있는 상태, 예를 들면 반응 가스가 공급되는 반응 가스 공급기와 함께 존재할 수 있다.
한편, 상기 박막을 형성하는 단계는 공간 분할 방식 또는 시 분할 방식에 의해 수행될 수 있는데, 상기 박막을 형성하는 방식에 따라, 상기 배기 라인에 제 2 공정 가스를 공급하는 시기 등이 달라질 수 있다.
예를 들어, 상기 제 2 공정 가스를 공급하는 단계는 상기 박막 형성 단계 이외의 단계에서 수행될 수 있다.
하나의 예시에서, 상기 박막을 형성하는 단계가 상기 공간 분할 방식에 의해 수행되고, 상기 기판 처리 장치의 상기 반응 가스 생성부가 제 1 반응 가스 생성부로 이루어진 경우, 상기 제 2 공정 가스를 공급하는 단계는 상기 박막 형성 단계 이외의 단계에서 수행될 수 있다.
보다 구체적으로, 제 1 반응 가스 생성부만을 포함하는 공간 분할 방식의 기판 처리 장치를 이용하여 증착 공정을 수행하는 경우, 상기 배기 라인, 구체적으로 제 1 배기 라인에 제 2 공정 가스를 공급하는 단계는 상기 박막 형성 단계 이외의 단계, 구체적으로 공정 안정화 단계나, 기판을 안착 및 탈착하는 단계 등에서 수행될 수 있다.
이와 같이, 배기 라인으로 공급되는 제 2 공정 가스의 공급 시기를 조절하는 이유는, 제 1 반응 가스 생성부에서 각각 제 1 배기 라인 및 제 2 반응 가스 분사부로 분기되어 공급되는 제 2 공정 가스의 불안정한 유입으로 인한 공정 챔버 내 제 2 공정 가스 공급의 불균일성 및 그에 따른 박막 형성의 불균일성 등의 문제를 예방하기 위함이다. 상기 배기 라인으로 공급되는 제 2 공정 가스의 시기를 조절하는 것은, 예를 들면 기판 처리 장치의 제어부에서 수행할 수 있다.
한편, 반응 가스 생성부가 적어도 2개의 반응 가스 생성부를 포함하는 경우, 상기 배기 라인에 제 2 공정 가스를 공급하는 단계는, 각 단계들이 진행되는 내내 함께 수행될 수 있다. 이 경우 전술한 바와 같이, 제 1 반응 가스 생성부는 제 1 공급 라인을 통해 제 1 배기 라인에 제 2 공정 가스를 공급하고, 제 2 반응 가스 생성부는 제 2 공급 라인을 통해 제 2 반응 가스 분사부에 제 2 공정 가스를 공급하는 등의 방식을 채택할 수 있다.
한편, 시 분할 방식에 의한 기판 처리 방법의 경우, 배기 라인에 제 2 공정 가스를 공급하는 단계가 각 공정이 진행되는 동안 지속적으로 수행될 수 있는데, 하나의 반응 가스 생성부에 의해 제 2 공정 가스를 분기하여 공급하는 시 분할 방식의 경우, 공정 챔버 내로 공급되는 제 2 공정 가스 공급의 불안정성 및 그에 따른 박막 두께의 불균일성이 야기될 수 있기 때문이다.
즉, 상기 박막을 형성하는 단계가 상기 시 분할 방식에 의해 수행되는 경우, 상기 기판 처리 장치의 배기 라인에 제 2 공정 가스를 공급하는 단계는 상기 단계들이 진행되는 동안 지속적으로 수행될 수 있다. 이 때, 기판 처리 장치의 반응 가스 생성부는 적어도 2개인 것이 바람직할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
1 : 기판 처리 장치
100 : 공정 챔버
101 : 서셉터
102 : 기판
103 : 바닥부
104 : 외벽부
105 : 상측 플레이트
200 : 공정 가스 분사부
200a,b : 제 1, 제 2 공정 가스 분사부
200c : 중앙 퍼지 가스 공급 장치
201 : 제 1 공정 가스
201a : 제 1 공정 가스 공급 라인
202 : 제 2 공정 가스
202a : 제 2 공정 가스 공급 라인
300 : 배기부
301 : 배기 펌프
301a,b : 제 1, 제 2 배기 펌프
302 : 배기 라인
302a,b : 제 1, 제 2 배기 라인
400 : 반응 가스 생성부
500 : 제어부

Claims (12)

  1. 내부에 처리 공간이 구비되며, 적어도 하나의 기판을 안착하기 위한 서셉터를 포함하는 공정 챔버;
    상기 기판 상에, 반응성 금속 함유 전구체를 포함하는 제 1 공정 가스 및 상기제 1 공정 가스와 반응하는 반응성 가스를 포함하는 제 2 공정 가스를 제공하는 공정 가스 분사부;
    상기 공정 챔버의 내부에 잔류하는 상기 제 1 및 제 2 공정 가스를 배기하기 위해, 상기 공정 챔버의 외부에 구비된 배기 펌프와 연결되는 적어도 하나의 배기 라인을 포함하는 배기부; 및
    상기 공정 가스 분사부로 상기 제 2 공정 가스를 공급하고, 상기 적어도 하나의 배기 라인 상에 상기 제 1 공정 가스가 증착되는 것을 방지하기 위해 상기 적어도 하나의 배기 라인의 적어도 일부에 상기 제 2 공정 가스를 공급하는, 반응 가스 생성부를 포함하는, 기판 처리 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 서셉터는 복수의 기판을 안착할 수 있으며 상기 공정 가스 분사부에 대하여 상대적으로 회전 가능하고,
    상기 공정 가스 분사부는 상기 복수의 기판 상에 상기 제 1 공정 가스를 제공하기 위한 제 1 공정 가스 분사부 및 상기 제 2 공정 가스를 제공하기 위한 제 2 공정 가스 분사부를 포함하는 공정 가스 분사 조립체로 제공되며,
    상기 배기부는, 상기 제 1 공정 가스의 분사 영역 하부에 구비되고 상기 제 1 공정 가스를 배기하기 위해 상기 공정 챔버의 외부에 구비된 제 1 배기 펌프와 연결되는 제 1 배기 라인 및 상기 제 2 공정 가스의 분사 영역 하부에 구비되고 상기 제 2 공정 가스를 배기하기 위해 상기 공정 챔버의 외부에 구비된 제 2 배기 펌프와 연결되는 제 2 배기 라인을 포함하고,
    상기 반응 가스 생성부는 상기 제 2 공정 가스 분사부에 상기 제 2 공정 가스를 공급하고, 상기 제 1 배기 라인 상에 상기 제 1 공정 가스가 증착되는 것을 방지하기 위해, 상기 제 1 배기 라인에 상기 제 2 공정 가스를 공급하는, 기판 처리 장치.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 제 1 공정 가스는 Hf, Zr, Ti 및 Ta로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 가스를 포함하는, 기판 처리 장치.
  4. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 제 2 공정 가스는 오존(O3) 가스를 포함하는, 기판 처리 장치.
  5. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 반응 가스 생성부는,
    상기 공정 가스 분사부로 상기 제 2 공정 가스를 공급하기 위한 제 1 공급 라인; 및
    상기 배기 라인으로 상기 제 2 공정 가스를 공급하기 위한 제 2 공급 라인을 포함하는, 기판 처리 장치.
  6. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 반응 가스 생성부는,
    상기 공정 가스 분사부로 상기 제 2 공정 가스를 공급하기 위한 제 1 반응 가스 생성부; 및
    상기 배기 라인으로 상기 제 2 공정 가스를 공급하기 위한 제 2 반응 가스 생성부를 포함하는, 기판 처리 장치.
  7. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    공정 조건에 따라, 상기 반응 가스 생성부에서 공급되는 상기 제 2 공정 가스가 상기 배기 라인으로 유입되는 시기 및 유입되는 함량을 포함하는 공급 조건을 제어하는 제어부를 포함하는, 기판 처리 장치.
  8. 제 1항 또는 제 2항에 따른 기판 처리 장치를 이용하고,
    반응성 금속 함유 전구체를 포함하는 제 1 공정 가스 및 상기 제 1 공정 가스와 반응하는 반응성 가스를 포함하는 제 2 공정 가스를 이용하여 기판 상에 박막을 형성하는 단계; 및
    상기 기판 처리 장치의 배기 라인의 적어도 일부에 제 2 공정 가스를 공급하는 단계를 포함하는, 기판 처리 방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 박막을 형성하는 단계는 공정 조건을 안정화시키는 단계를 포함하고,
    상기 제 2 공정 가스를 공급하는 단계는 상기 공정 조건을 안정화시키는 단계 동안에 상기 배기 라인의 일부에 상기 제 2 공정 가스를 공급하는 단계를 포함하는, 기판 처리 방법.
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 박막을 형성하는 단계는 상기 기판에 상기 제 1 공정 가스를 제공하는 제 1 단계; 및
    상기 기판에 상기 제 2 공정 가스를 제공하는 제 2 단계를 포함하는 단위 싸이클을 적어도 1회 이상 포함하는, 기판 처리 방법.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 단위 싸이클은 상기 공정 챔버의 내부에 잔류하는 제 1 공정 가스 및 제 2 공정 가스를 제거하기 위한 퍼지 및/또는 펌핑하는 단계를 포함하고,
    상기 제 2 공정 가스를 공급하는 단계는 상기 퍼지 및/또는 펌핑하는 단계 동안에 상기 배기 라인의 적어도 일부에 상기 제 2 공정 가스를 제공하는 단계를 포함하는, 기판 처리 방법.
  12. 제 8항에 있어서,
    상기 제 2 공정 가스를 공급하는 단계는 상기 박막을 형성하는 단계 이외의 단계에서 수행되는, 기판 처리 방법.
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