KR20180063939A - 코팅용 조성물 및 코팅 기판 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 실시예는, 전체 중량에 대하여 75 내지 80 중량%의 에폭시 수지, 10 내지 15 중량%의 이소시아네이트계 화합물 및 5 내지 10 중량%의 멜라민계 화합물을 포함하는 코팅용 조성물을 제공한다.
Description
본 발명은 코팅용 조성물 및 코팅용 조성물로 이루어진 코팅막을 갖는 코팅 기판에 대한 것이다.
표시장치는 표시패널을 보호하기 위한 섀시를 포함한다. 섀시는 금속 또는 비금속 소재로 만들어질 수 있으며, 섀시의 내구성 향상을 위해 금속 또는 비금속 소재의 표면에 코팅막이 형성되기도 한다.
특히, 옥외용 표시장치의 경우 극한 환경에 노출되기 때문에, 섀시 역시 극한 환경에서 손상되지 않을 정도의 내구성을 가져야 한다. 이를 위해, 코팅막이 우수한 부착력과 강도 및 낮은 취성(brittleness)을 갖는 것이 필요하다.
본 발명의 일 실시예는, 우수한 강도와 부착력 및 낮은 취성을 갖는 코팅막 형성할 수 있는 코팅용 조성물 및 도료 조성물을 제공하고자 한다.
본 발명의 또 다른 일 실시예는, 우수한 강도와 부착력 및 낮은 취성을 갖는 코팅막 포함하는 코팅 기판을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예는, 전체 중량에 대하여 75 내지 80 중량%의 에폭시 수지; 10 내지 15 중량%의 이소시아네이트계 화합물; 및 5 내지 10 중량%의 멜라민계 화합물;을 포함하는 코팅용 조성물을 제공한다.
상기 에폭시 수지와 상기 이소시아네이트계 화합물은 우레탄 결합을 형성한다.
상기 에폭시 수지는 비스페놀계 에폭시 수지를 포함한다.
상기 에폭시 수지는 하기 화학식 1로 표현되는 화합물을 포함한다.
[화학식 1]
여기서, n은 1 내지 100의 정수이다.
상기 이소시아네이트계 화합물은 톨루엔 디이소시아네이트(Toluene Diisocyanate, TDI), 디페닐메탄 4,4'-디이소시아네이트(Diphenylmethane 4,4'-Diisocyanate, MDI), 디페닐메탄 2,4'-디이소시아네이트(Diphenylmethane 2,4'-Diisocyanate), 헥사메틸렌 디이소시아네이트(Hexamethylene Diisocyanate, HDI), 비스(4-이소시아나토시클로헥실)메탄[Bis(4-Isocyanatocyclohexyl)Methane] 및 이소포론 디이소시아네이트(Isophorone Diisocyanate, IPDI) 중에서 선택된 적어도 하나를 포함한다.
상기 이소시아네이트계 화합물은 이소시아네이트의 어덕트(adduct)를 포함한다.
상기 이소시아네이트의 어덕트(adduct)는 하기 화학식 2로 표현되는 화합물, 하기 화학식 3으로 표현되는 화합물 및 하기 화학식 4로 표현되는 화합물 중 적어도 하나를 포함한다.
[화학식 2]
[화학식 3]
[화학식 4]
여기서, R21, R22, R23, R31, R32, R33, R41 및 R42는 각각 독립적으로 C1 내지 C30의 치환되거나 치환되지 않은 직쇄형 또는 고리형 탄화수소기이다.
상기 이소시아네이트계 화합물은 하기 화학식 5로 표현되는 화합물을 포함한다.
[화학식 5]
여기서, R51, R52, R53, R54, R55 및 R56은 각각 독립적으로 C1 내지 C30의 치환되거나 치환되지 않은 직쇄형 또는 고리형 탄화수소기이다.
상기 이소시아네이트계 화합물은 하기 화학식 6으로 표현되는 화합물을 포함한다.
[화학식 6]
여기서, BL은 페놀기, ε-카프로락탐(ε-caprolactam)기 및 부타논옥심(buatnoe oxime)기 중 어느 하나이다.
상기 멜라민계 화합물은 하기 화학식 7로 표현되는 멜라민 수지를 포함한다.
[화학식 7]
여기서 m은 1 내지 100의 정수이다.
상기 멜라민계 화합물은 하기 화학식 8로 표현되는 화합물을 포함한다.
[화학식 8]
여기서, R81, R82, R83, R84, R85 및 R86은 각각 독립적으로 C1 내지 C30의 치환되거나 치환되지 않은 직쇄형 또는 고리형 탄화수소기이다.
본 발명의 다른 일 실시예는, 100 중량부의 코팅용 조성물; 및 상기 코팅용 조성물 100 중량부에 대하여 5 내지 10 중량부의 도료;를 포함하며, 상기 코팅용 조성물은, 코팅용 조성물 전체 중량에 대하여, 75 내지 80 중량%의 에폭시 수지; 10 내지 15 중량%의 이소시아네이트계 화합물; 및 5 내지 10 중량% 멜라민계 화합물;을 포함하는 도료 조성물을 제공한다.
본 발명의 또 다른 일 실시예는, 베이스 기판; 상기 베이스 기판 상에 배치되며, 제1 코팅용 조성물에 의하여 형성된 제1 코팅막; 및 상기 제1 코팅막 상에 배치되며 제2 코팅용 조성물에 의하여 형성된 제2 코팅막;을 포함하며, 상기 제1 코팅용 조성물은, 코팅용 조성물 전체 중량에 대하여, 75 내지 80 중량%의 에폭시 수지; 10 내지 15 중량%의 이소시아네이트계 화합물; 및 5 내지 10 중량% 멜라민계 화합물;을 포함하는 코팅 기판을 제공한다.
상기 베이스 기판은 스테인리스 스틸(Steel Use Stainless, SUS)을 포함한다.
상기 제2 코팅용 조성물은 상기 제1 코팅용 조성물과 동일하다.
상기 제2 코팅용 조성물은, 100 중량부의 상기 제1 코팅용 조성물; 및 상기 제1 코팅용 조성물 100 중량부에 대하여 5 내지 10 중량부의 도료;를 포함한다.
본 발명의 또 다른 일 실시예는, 표시패널; 및 상기 표시패널을 보호하며, 코팅 기판으로 이루어진 섀시;를 포함하며, 상기 코팅 기판은, 베이스 기판; 상기 베이스 기판 상에 배치되며, 제1 코팅용 조성물에 의하여 형성된 제1 코팅막; 및 상기 제1 코팅막 상에 배치되며 제2 코팅용 조성물에 의하여 형성된 제2 코팅막;을 포함하며, 상기 제1 코팅용 조성물은, 코팅용 조성물 전체 중량에 대하여, 75 내지 80 중량%의 에폭시 수지; 10 내지 15 중량%의 이소시아네이트계 화합물; 및 5 내지 10 중량% 멜라민계 화합물;을 포함하는 표시장치를 제공한다.
상기 표시패널은 액정 표시패널이다.
상기 표시패널은 유기발광 표시패널이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 코팅용 조성물은 에폭시 수지 및 상대적으로 적은 량의 멜라민계 화합물과 상대적으로 많은 양의 이소시아네이트계 화합물을 포함한다. 그에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 코팅용 조성물은 우수한 부착력과 강도 및 낮은 취성을 갖는 코팅막을 형성할 수 있다.
도 1은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 코팅 기판의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 코팅 기판의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 표시장치의 사시도이다.
도 4는 도 3의 I-I'를 따라 자른 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 표시패널의 화소 배치에 대한 평면도이다.
도 6은 도 5의 II-II'를 따라 자른 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 표시패널의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 표시패널의 화소 배치에 대한 평면도이다.
도 9는 도 8의 III-III'를 따라 자른 단면도이다.
도 2는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 코팅 기판의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 표시장치의 사시도이다.
도 4는 도 3의 I-I'를 따라 자른 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 표시패널의 화소 배치에 대한 평면도이다.
도 6은 도 5의 II-II'를 따라 자른 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 표시패널의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 표시패널의 화소 배치에 대한 평면도이다.
도 9는 도 8의 III-III'를 따라 자른 단면도이다.
본 발명은 다양한 변경이 가능하고, 여러 가지 형태로 실시될 수 있는 바, 특정의 실시예만을 예시하고 이를 주로 설명한다. 그렇다고 하여 본 발명의 범위가 이러한 특정한 실시예로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 또는 대체물은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 이해되어야 한다.
도면에서, 각 구성 요소와 그 형상 등이 간략하게 그려지거나 또는 과장되어 그려지기도 하며, 실제 제품에 있는 구성 요소가 표현되지 않고 생략되기도 한다. 따라서, 도면은 발명의 이해를 돕기 위한 것으로 해석되어야 한다. 또한, 동일한 기능을 하는 구성 요소는 동일한 부호로 표시된다.
어떤 층이나 구성 요소가 다른 층이나 구성 요소의 '상'에 있다 라고 기재되는 것은 어떤 층이나 구성 요소가 다른 층이나 구성 요소와 직접 접촉하여 배치된 경우뿐만 아니라, 그 사이에 제3의 층이 개재되어 배치된 경우까지 모두 포함하는 의미이다.
본 명세서에서 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 구성 요소를 두고 전기적으로 연결되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 포함한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에서 제1, 제2, 제3 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소들로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 벗어나지 않고, 제1 구성 요소가 제2 또는 제3 구성 요소 등으로 명명될 수 있으며, 유사하게 제2 또는 제3 구성 요소도 교호적으로 명명될 수 있다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해 설명과 관계없는 부분은 도면에서 생략되었으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 부호가 붙여진다.
본 발명의 일 실시예는 코팅용 조성물을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 코팅용 조성물은 금속 또는 비금속으로 이루어진 기판의 코팅에 사용될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 코팅용 조성물에 의하여 형성된 코팅막은 우수한 접착성 및 내구성을 가지며, 낮은 취성을 갖는다.
본 발명의 일 실시예에 따른 코팅용 조성물은, 전체 중량에 대하여, 75 내지 80 중량%의 에폭시 수지, 10 내지 15 중량%의 이소시아네이트계 화합물 및 5 내지 10 중량%의 멜라민계 화합물을 포함한다.
에폭시 수지는 본 발명의 일 실시예에 따른 코팅용 조성물의 주성분으로 바인더 수지의 역할을 한다.
에폭시 수지의 함량이 적은 경우, 경화제로 작용하는 이소시아네이트계의 화합물과 멜라민계 화합물의 양이 많아져 코팅용 조성물의 경화도가 증가하지만, 코팅용 조성물에 의하여 형성된 코팅막의 취성(brittleness)이 증가한다. 그에 따라, 코팅막이 용이하게 깨지거나 부서질 수 있다. 반면, 에폭시 수지의 함량이 많은 경우, 경화제로 작용하는 이소시아네이트계의 화합물과 멜라민계 화합물의 양이 적어져 코팅용 조성물의 경화도가 감소될 수 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 에폭시 수지는 코팅용 조성물 전체 중량에 대하여 75 내지 80 중량%의 함량을 갖는다.
에폭시 수지의 종류에 특별한 제한이 있는 것은 아니다. 에폭시 수지로, 비스페놀계 에폭시 수지가 사용될 수 있으며, 특히 비스페놀 A계의 에폭시 수지가 사용될 수 있다. 예를 들어, 에폭시 수지는 하기 화학식 1로 표현되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 1]
여기서, n은 1 내지 100의 정수이다.
그러나, 본 발명의 일 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 에폭시 수지로 실란 변성 에폭시 수지가 사용될 수도 있다.
실란 변성 에폭시 수지는 에폭시기를 포함하는 단량체와 알콕시실란을 반응시켜 제조될 수 있다. 에폭시기를 포함하는 단량체의 예로, 에피클로로히드린, 에피브로모히드린, 에피요도히드린, 1-클로로-3,4-에폭시부탄, 에틸렌 옥사이드, 프로필렌 옥사이드, 이소부틸렌 옥사이드, 메틸 글리시틸 에테르, 에틸 글리시딜 에테르, 이소프로필 글리시틸 에테르 등이 있다. 알콕시실란의 예로, 메톡시실란, 에톡시실란, 이소프로폭시실란 등이 있다.
실란 변성 에폭시 수지로, 예를 들어, 에피클로로히드린과 메톡시실란을 반응시켜 제조된 실란 변성 에폭시 수지가 사용될 수 있다.
구체적으로, 중량 평균 분자량이 약 200 내지 약 20,000의 범위이고, 중합도가 약 0.1 내지 약 5.5 정도인 실란 변성 에폭시 수지가 사용될 수 있다. 실란 변성 에폭시 수지의 중량 평균 분자량이 약 200 미만이면, 조성물의 점도가 지나치게 낮고 도막의 기계적 강도가 낮은 문제가 발생한다. 또한, 실란 변성 에폭시 수지의 중량 평균 분자량이 약 20,000을 초과하면, 조성물의 점도가 너무 커서 도막이 균일하게 도포되지 않는다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 약 200 내지 약 20,000의 중량 평균 분자량을 갖는 실란 변성 에폭시 수지가 사용될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 에폭시 수지는 수산화기(OH)를 가지며, 이소시아네이트계 화합물과 반응하여 우레탄 결합을 형성한다.
우레탄 결합의 형성은 다음 반응식 1로 표현될 수 있다.
[반응식 1]
여기서, R-NCO는 이소시아네이트계 화합물을 표시하고, R'-OH는 에폭시 수지를 표시한다.
이러한 우레탄 결합에 의하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 코팅용 조성물은 우수한 유연성과 탄성을 가지며 피착체와 강한 결합력을 가질 수 있다. 예를 들어, 에폭시 수지와 이소시아네이트계 화합물에 의해 형성된 우레탄기는 피착체인 스테인리스 스틸(Steel Use Stainless, SUS) 기판과 강한 결합력을 가질 수 있다. 또한, 코팅용 조성물에 의하여 형성된 코팅막이 우레탄 결합을 가지기 때문에, 코팅막의 취성(brittleness)이 감소되어 코팅막의 깨짐이나 부서짐이 방지된다.
이소시아네이트계 화합물은 코팅용 조성물에 의해 형성된 코팅막의 탄성을 향상시키고, 코팅용 조성물과 피착체와의 결합력을 증가시킨다. 이소시아네이트계 화합물은 멜라민계 화합물과 함께 경화제 역할을 할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 이소시아네이트계 화합물의 함량에 특별한 제한이 있는 것은 아니다. 다만, 이소시아네이트계 화합물의 함량이 적은 경우 코팅용 조성물에 의하여 형성된 코팅막의 유연성과 탄성이 저하되고 취성이 증가할 수 있다. 이소시아네이트계 화합물의 함량이 많은 경우 코팅용 조성물에 의하여 형성된 코팅막의 강도 및 경도가 저하될 수 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 이소시아네이트계 화합물은 코팅용 조성물 전체 중량에 대하여 10 내지 15 중량%의 함량을 갖는다.
이소시아네이트계 화합물의 종류에 특별한 제한이 있는 것은 아니다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 이소시아네이트계 화합물로, 예를 들어, 톨루엔 디이소시아네이트(Toluene Diisocyanate, TDI), 디페닐메탄 4,4'-디이소시아네이트(Diphenylmethane 4,4'-Diisocyanate, MDI), 디페닐메탄 2,4'-디이소시아네이트(Diphenylmethane 2,4'-Diisocyanate), 헥사메틸렌 디이소시아네이트(Hexamethylene Diisocyanate, HDI), 비스(4-이소시아나토시클로헥실)메탄[Bis(4- Isocyanatocyclohexyl)Methane] 및 이소포론 디이소시아네이트(Isophorone Diisocyanate, IPDI) 중에서 선택된 적어도 하나가 사용될 수 있다.
또한, 이소시아네이트계 화합물이 부가되어 이루어진 이소시아네이트의 어덕트(adduct)가 사용될 수도 있다. 이소시아네이트의 어덕트(adduct)로 화학식 2로 표현되는 화합물, 화학식 3으로 표현되는 화합물 및 화학식 4로 표현되는 화합물 중 적어도 하나가 사용될 수 있다.
[화학식 2]
[화학식 3]
[화학식 4]
화학식 2, 3, 및 4에서, R21, R22, R23, R31, R32, R33, R41 및 R42는 각각 독립적으로 C1 내지 C30의 치환되거나 치환되지 않은 직쇄형 또는 고리형 탄화수소기이다.
화학식 2의 화합물은 트라이머(trimer) 형태의 이소시아네이트 어덕트로, 이소시아누레이트(isocyanurate)라고도 한다.
화학식 3의 화합물은 뷰렛(biuret)라고도 한다.
화학식 4의 화합물은 다이머(dimer) 형태의 이소시아네이트 어덕트로, 우레트디온(uretdione)라고도 한다.
또한, 이소시아네이트계 화합물로, 화학식 5로 표현되는 화합물이 사용될 수도 있다.
[화학식 5]
여기서, R51, R52, R53, R54, R55 및 R56은 각각 독립적으로 C1 내지 C30의 치환되거나 치환되지 않은 직쇄형 또는 고리형 탄화수소기이다.
또한, 이소시아네이트계 화합물로 화학식 6으로 표현되는 화합물이 사용될 수도 있다.
[화학식 6]
여기서, BL은 페놀기, ε-카프로락탐(ε-caprolactam)기 및 부타논옥심(buatnoe oxime)기 중 어느 하나이다.
멜라민계 화합물은 코팅용 조성물에 의해 형성된 코팅막의 경도 및 기계적 강도를 향상시킨다. 멜라민계 화합물은 이소시아네이트계 화합물과 함께 경화제 역할을 할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 멜라민계 화합물의 함량에 특별한 제한이 있는 것은 아니다. 다만, 멜라민계 화합물의 함량이 적은 경우 코팅용 조성물에 의하여 형성된 코팅막의 강도 및 경도가 저하될 수 있다. 반면, 멜라민계 화합물의 함량이 많은 경우 코팅용 조성물에 의하여 형성된 코팅막의 유연성과 탄성이 저하되고 취성이 증가할 수 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 멜라민계 화합물은 코팅용 조성물 전체 중량에 대하여 5 내지 10 중량%의 함량을 갖는다.
멜라민계 화합물의 종류에 특별한 제한이 있는 것은 아니다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 멜라민계 화합물로 화학식 7로 표현되는 멜라민 수지가 사용될 수 있다.
[화학식 7]
여기서 m은 1 내지 100의 정수이다.
또한, 멜라민계 화합물은 화학식 8로 표현되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 8]
여기서, R81, R82, R83, R84, R85 및 R86은 각각 독립적으로 C1 내지 C30의 치환되거나 치환되지 않은 직쇄형 또는 고리형 탄화수소기이다.
본 발명의 다른 일 실시예는 도료 조성물을 제공한다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따른 도료 조성물은 코팅용 조성물 및 도료를 포함한다. 보다 구체적으로, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 도료 조성물은, 100 중량부의 코팅용 조성물 및 코팅용 조성물 100 중량부에 대하여 5 내지 10 중량부의 도료를 포함한다.
여기서, 코팅용 조성물은, 전체 중량에 대하여 75 내지 80 중량%의 에폭시 수지, 10 내지 15 중량%의 이소시아네이트계 화합물 및 5 내지 10 중량% 멜라민계 화합물을 포함한다. 코팅용 조성물은 이미 설명되었기 때문에, 이하, 중복을 피하기 위해 코팅용 조성물에 대한 상세한 설명은 생략된다.
도료의 종류에 특별한 제한이 있는 것은 아니다. 도료는 코팅막에 색상, 톤, 심미감 등을 부여한다. 도료의 종류는 사용자의 선택에 따라 결정될 수 있다.
예를 들어, 상업적으로 시판되는 안료, 염료 등이 제한없이 도료로 사용될 수 있다.
본 발명의 또 다른 일 실시예는 코팅 기판(101)을 제공한다.
도 1은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 코팅 기판(101)의 단면도이다.
본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 코팅 기판(101)은 베이스 기판(110), 베이스 기판(110) 상에 배치되며 제1 코팅용 조성물에 의하여 형성된 제1 코팅막(120) 및 제1 코팅막(120) 상에 배치되며 제2 코팅용 조성물에 의하여 형성된 제2 코팅막(130)을 포함한다.
베이스 기판(110)은 금속 또는 비금속으로 만들어질 수 있다. 또한, 베이스 기판(110) 철금속으로 만들어질 수도 있고 비철 금속으로 만들어질 수도 있다. 또한, 베이스 기판(110)은 유리 또는 플라스틱 등으로 만들어질 수도 있다.
본 발명의 또 다른 일 실시예에 따르면, 베이스 기판(110)은 스테인리스 스틸(SUS)로 만들어질 수 있다.
제1 코팅막(120)은 베이스 기판(110)과 접촉하는 막으로, 프라이머층이라고도 한다. 제2 코팅막(130)은 제1 코팅막(120) 상에 형성되는 층으로 컬러층이라고도 한다. 제2 코팅막(130)이 도료를 포함하고 있지 않더라도, 프라이머층 상에 형성되는 코팅막을 통상적으로 컬러층이라고 한다.
제1 코팅막(120)과 제2 코팅막(130)은 동일한 두께를 가질 수도 있고, 다른 두께를 가질 수도 있다. 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따르면, 제1 코팅막(120)과 제2 코팅막(130)은 각각 10㎛ 내지 15㎛의 두께를 가질 수 있다. 그러나, 제1 코팅막(120)의 두께와 제2 코팅막(130)의 두께가 이에 한정되는 것은 아니다.
일반적으로 제1 코팅막(120)은 방청(corrosion resistance), 표면 평활도 향상 및 수분 침투 방지 기능을 한다. 제2 코팅막(130)은 제1 코팅막(120)을 보호하며, 광택도를 향상시키고 미감을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 코팅 기판(101)은 외부 환경에 대하여 우수한 내구성 및 신뢰성을 갖는다. 예를 들어, 코팅 기판(101)이 온도 85℃, 습도 85%의 조건에 96시간 동안 방치되었을 때, 코팅막(120, 130)의 벗겨짐이나 깨짐이 발생하지 않는다. 이와 같이, 제1 코팅막(120)과 제2 코팅막(130)은 베이스 기판(110)에 대해 우수한 접착성 및 내구성을 갖는다.
제1 코팅막(120)을 형성하는 제1 코팅용 조성물과 제2 코팅막(130)을 형성하는 제2 코팅용 조성물은 서로 동일할 수도 있고 다를 수도 있다. 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따르면, 제1 코팅용 조성물과 제2 코팅용 조성물은 서로 동일하다.
제1 코팅용 조성물은, 전체 중량에 대하여, 75 내지 80 중량%의 에폭시 수지, 10 내지 15 중량%의 이소시아네이트계 화합물 및 5 내지 10 중량% 멜라민계 화합물을 포함한다.
제2 코팅용 조성물 역시, 전체 중량에 대하여, 75 내지 80 중량%의 에폭시 수지, 10 내지 15 중량%의 이소시아네이트계 화합물 및 5 내지 10 중량% 멜라민계 화합물을 포함한다.
제1 코팅막(120) 형성에 사용된 에폭시 수지와 이소시아네이트계 화합물은 우레탄 결합을 형성할 수 있다. 이러한 우레탄 결합에 의해, 제1 코팅막(120)이 베이스 기판(110)과 강한 결합력을 가질 수 있다. 그 결과, 제1 코팅막(120)이 낮은 취성(brittleness)을 가지며, 제1 코팅막(120)의 깨짐이나 부서짐이 방지된다.
본 발명의 또 다른 일 실시예에 따르면, 에폭시 수지는 수산화기(OH)를 가지며, 이소시아네이트계 화합물과 반응하여 우레탄 결합을 형성한다.
에폭시 수지는 비스페놀계 에폭시 수지를 포함할 수 있다. 예를 들어, 에폭시 수지는 화학식 1로 표현되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 1]
여기서, n은 1 내지 100의 정수이다.
또한, 에폭시 수지로 실란 변성 에폭시 수지가 사용될 수도 있다.
이소시아네이트계 화합물은 톨루엔 디이소시아네이트(Toluene Diisocyanate, TDI), 디페닐메탄 4,4'-디이소시아네이트(Diphenylmethane 4,4'-Diisocyanate, MDI), 디페닐메탄 2,4'-디이소시아네이트(Diphenylmethane 2,4'-Diisocyanate), 헥사메틸렌 디이소시아네이트(Hexamethylene Diisocyanate, HDI), 비스(4-이소시아나토시클로헥실)메탄[Bis(4-Isocyanatocyclohexyl)Methane] 및 이소포론 디이소시아네이트(Isophorone Diisocyanate, IPDI) 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 이소시아네이트계 화합물은 이소시아네이트의 어덕트(adduct)를 포함할 수 있다. 이러한 이소시아네이트의 어덕트(adduct)는 화학식 2로 표현되는 화합물, 화학식 3으로 표현되는 화합물 및 화학식 4로 표현되는 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
[화학식 2]
[화학식 3]
[화학식 4]
여기서, R21, R22, R23, R31, R32, R33, R41 및 R42는 각각 독립적으로 C1 내지 C30의 치환되거나 치환되지 않은 직쇄형 또는 고리형 탄화수소기이다.
이소시아네이트계 화합물은 화학식 5로 표현되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 5]
여기서, R51, R52, R53, R54, R55 및 R56은 각각 독립적으로 C1 내지 C30의 치환되거나 치환되지 않은 직쇄형 또는 고리형 탄화수소기이다.
또한, 이소시아네이트계 화합물은 화학식 6으로 표현되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 6]
여기서, BL은 페놀기, ε-카프로락탐(ε-caprolactam)기 및 부타논옥심(buatnoe oxime)기 중 어느 하나이다.
멜라민계 화합물은 화학식 7로 표현되는 멜라민 수지를 포함할 수 있다.
[화학식 7]
여기서 n은 1 내지 100의 정수이다.
또한, 멜라민계 화합물은 화학식 8로 표현되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 8]
여기서, R81, R82, R83, R84, R85 및 R86은 각각 독립적으로 C1 내지 C30의 치환되거나 치환되지 않은 직쇄형 또는 고리형 탄화수소기이다.
도 2는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 코팅 기판(102)의 단면도이다.
도 2에 도시된 코팅 기판(102)의 제2 코팅막(131)은 도료를 포함하며 색상을 가진다. 제2 코팅막(131)은 제2 코팅용 조성물에 의해 형성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 일 실시예에 따르면, 제2 코팅용 조성물은 100 중량부의 제1 코팅용 조성물 및 제1 코팅용 조성물 100 중량부에 대하여 5 내지 10 중량부의 도료를 포함한다. 도료로, 상업적으로 시판되는 안료, 염료 등이 제한없이 사용될 수 있다.
본 발명의 또 다른 일 실시예는 표시장치(103)를 제공한다.
도 3은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 표시장치(103)의 사시도이고, 도 4는 도 3의 I-I'를 따라 자른 단면도이다.
본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 표시장치(103)는 표시패널(510) 및 표시패널(510)을 보호하는 섀시(chassis)(530, 540)를 포함한다. 섀시(530, 540)는 코팅 기판으로 이루어진다. 섀시(530, 540)는 배면 패널(530)과 측면 패널(540)을 포함한다. 배면 패널(530)을 바텀 섀시라고 하고, 측면 패널(540)을 탑 섀시라고 할 수도 있다.
섀시(530, 540)를 형성하는 코팅 기판은, 도 1 및 2에 도시된 바와 같이, 베이스 기판(110), 베이스 기판 상에 배치되며 제1 코팅용 조성물에 의하여 형성된 제1 코팅막(120) 및 제1 코팅막(120) 상에 배치되며 제2 코팅용 조성물에 의하여 형성된 제2 코팅막(130, 131)을 포함한다.
제1 코팅용 조성물은, 전체 중량에 대하여 75 내지 80 중량%의 에폭시 수지, 10 내지 15 중량%의 이소시아네이트계 화합물 및 5 내지 10 중량% 멜라민계 화합물을 포함한다. 제2 코팅용 조성물은 제1 코팅용 조성물과 동일할 수도 있고 다를 수도 있다.
표시패널(510)은 표시부(DA)와 비표시부(NDA)를 갖는다. 표시부(DA)는 화상이 표시되는 부분이다. 비표시부(NDA)는, 예를 들어, 표시부(DA)를 둘러싸는 형태를 가질 수 있다. 표시패널(510)로, 예를 들어, 액정 표시패널, 유기발광 표시패널 등이 있다.
또한, 표시장치(103)는 윈도우 패널(520)을 포함할 수 있다.
윈도우 패널(520)은 베이스 기재(521) 및 베이스 기재(521)의 적어도 일부에 배치된 베젤부(522)를 포함한다.
베이스 기재(521)는 유리, 플라스틱 등의 광투과성 부재로 만들어질 수 있다. 베젤부(522)는 표시패널(510)의 비표시부(NDA)와 중첩하여 배치된다. 베젤부(522)는 불투명층으로 광을 차단한다.
또한, 표시장치(103)는 지지부재(550)를 포함할 수 있다. 지지부재(550)는 예를 들어, 쿠션부재일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 지지부재(550)에 표시패널(510)의 구동을 위한 소재들, 예를 들어, 배터리 등이 배치될 수도 있다.
한편, 표시패널(510)과 윈도우 패널(520) 사이에 터치 패널(570)과 점착층(560)이 배치될 수도 있다.
도 5는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 표시패널(510)의 화소 배치에 대한 평면도이고, 도 6은 도 5의 II-II'를 따라 자른 단면도이다.
도 5 및 도 6에 도시된 표시패널(510)은 유기발광 표시패널이다. 유기발광 표시패널은 제1 기판(211), 구동 회로부(230) 및 유기 발광 소자(310)를 포함한다.
제1 기판(211)은 유리, 석영, 세라믹, 및 플라스틱 등으로 이루어진 군에서 선택된 절연성 재료로 만들어질 수 있다. 제1 기판(211)으로 고분자 필름이 사용될 수도 있다.
제1 기판(211) 상에 버퍼층(220)이 배치된다. 버퍼층(220)은 다양한 무기막들 및 유기막들 중에서 선택된 하나 이상의 막을 포함할 수 있다. 버퍼층(220)은 생략될 수도 있다.
구동 회로부(230)는 버퍼층(220) 상에 배치된다. 구동 회로부(230)는 복수의 박막트랜지스터들(10, 20)을 포함하며, 유기 발광 소자(310)를 구동한다. 즉, 유기 발광 소자(310)는 구동 회로부(230)로부터 전달받은 구동 신호에 따라 빛을 방출하여 화상을 표시한다.
도 5 및 도 6에, 하나의 화소에 두 개의 박막트랜지스터(TFT)(10, 20)와 하나의 축전 소자(capacitor)(80)가 구비된 2Tr-1Cap 구조의 능동 구동(active matrix, AM)형 유기발광 표시패널이 도시되어 있다. 그러나, 본 발명의 또 다른 일 실시예가 이러한 구조로 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 유기발광 표시패널은 하나의 화소에 셋 이상의 박막트랜지스터와 둘 이상의 축전 소자를 포함할 수 있으며, 별도의 배선을 더 포함할 수 있다. 여기서, 화소는 화상을 표시하는 최소 단위를 말하며, 유기발광 표시패널은 복수의 화소들을 통해 화상을 표시한다.
하나의 화소는 스위칭 박막트랜지스터(10), 구동 박막트랜지스터(20), 축전 소자(80), 및 유기 발광 소자(organic light emitting diode, OLED)(310)를 포함한다. 또한, 일 방향을 따라 연장되는 게이트 라인(251)과, 게이트 라인(251)과 절연 교차되는 데이터 라인(271) 및 공통 전원 라인(272)도 구동 회로부(230)에 배치된다. 하나의 화소는 게이트 라인(251), 데이터 라인(271) 및 공통 전원 라인(272)을 경계로 정의될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 화소 정의막(290) 또는 블랙 매트릭스에 의하여 화소가 정의될 수도 있다.
유기 발광 소자(310)는 제1 전극(311), 제1 전극(311) 상에 배치된 유기 발광층(312), 및 유기 발광층(312) 상에 배치된 제2 전극(313)을 포함한다. 유기 발광층(312)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물로 이루어진다. 제1 전극(311) 및 제2 전극(313)으로부터 각각 정공과 전자가 유기 발광층(312) 내부로 주입되고, 이와 같이 주입된 정공과 전자가 결합되어 형성된 엑시톤(exiton)이 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광이 이루어진다.
축전 소자(80)는 층간 절연막(260)을 사이에 두고 배치된 한 쌍의 축전판(258, 278)을 포함한다. 여기서, 층간 절연막(260)은 유전체가 된다. 축전 소자(80)에서 축전된 전하와 양 축전판(258, 278) 사이의 전압에 의해 축전용량이 결정된다.
스위칭 박막트랜지스터(10)는 스위칭 반도체층(231), 스위칭 게이트 전극(252), 스위칭 소스 전극(273), 및 스위칭 드레인 전극(274)을 포함한다. 구동 박막트랜지스터(20)는 구동 반도체층(232), 구동 게이트 전극(255), 구동 소스 전극(276), 및 구동 드레인 전극(277)을 포함한다. 반도체층(231, 232)과 게이트 전극(252, 255)은 게이트 절연막(240)에 의하여 절연된다.
스위칭 박막트랜지스터(10)는 발광시키고자 하는 화소를 선택하는 스위칭 소자로 사용된다. 스위칭 게이트 전극(252)은 게이트 라인(251)에 연결된다. 스위칭 소스 전극(273)은 데이터 라인(271)에 연결된다. 스위칭 드레인 전극(274)은 스위칭 소스 전극(273)으로부터 이격 배치되며 어느 한 축전판(258)과 연결된다.
구동 박막트랜지스터(20)는 선택된 화소 내의 유기 발광 소자(310)의 유기 발광층(312)을 발광시키기 위한 구동 전원을 화소 전극인 제1 전극(311)에 인가한다. 구동 게이트 전극(255)은 스위칭 드레인 전극(274)과 연결된 축전판(258)과 연결된다. 구동 소스 전극(276) 및 다른 한 축전판(278)은 각각 공통 전원 라인(272)과 연결된다. 구동 드레인 전극(277)은 평탄화막(265)에 구비된 컨택홀(contact hole)을 통해 유기 발광 소자(310)의 제1 전극(311)과 연결된다.
이와 같은 구조에 의하여, 스위칭 박막트랜지스터(10)는 게이트 라인(251)에 인가되는 게이트 전압에 의해 작동되어 데이터 라인(271)에 인가되는 데이터 전압을 구동 박막트랜지스터(20)로 전달하는 역할을 한다. 공통 전원 라인(272)으로부터 구동 박막트랜지스터(20)에 인가되는 공통 전압과 스위칭 박막트랜지스터(10)로부터 전달된 데이터 전압의 차에 해당하는 전압이 축전 소자(80)에 저장되고, 축전 소자(80)에 저장된 전압에 대응하는 전류가 구동 박막트랜지스터(20)를 통해 유기 발광 소자(310)로 흘러 유기 발광 소자(310)가 발광한다.
제1 전극(311)은 광투과성을 갖는 투광성 전극일 수도 있으며, 광반사성을 갖는 반사 전극일 수도 있다. 제2 전극(313)은 반투과막으로 형성될 수도 있고, 반사막으로 형성될 수도 있다.
도 6을 참조하면, 제1 전극(311)은 반사 전극이며, 제2 전극(313)은 반투과 전극이다. 유기 발광층(312)에서 발생된 빛은 제2 전극(313)을 통과해 방출된다. 그러나, 본 발명의 일 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 전극(311)은 광투과성 전극이고, 제2 전극(313)은 반사 전극이며, 유기 발광층(312)에서 발생된 빛은 제1 전극(311)을 통과해 방출될 수도 있다.
제1 전극(311)과 유기 발광층(312) 사이에 정공 주입층(hole injection layer; HIL) 및 정공 수송층(hole transporting layer; HTL) 중 적어도 하나가 더 배치될 수 있으며, 유기 발광층(312)과 제2 전극(313) 사이에 전자 수송층(electron transporting layer; ETL) 및 전자 주입층(electron injection layer; EIL) 중 적어도 하나가 더 배치될 수 있다. 유기 발광층(312), 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL)은 유기 물질로 만들어질 수 있기 때문에, 이들을 유기층이라고도 한다.
화소 정의막(290)은 개구부를 갖는다. 화소 정의막(290)의 개구부는 제1 전극(311)의 일부를 드러낸다. 화소 정의막(290)으로부터 노출된 제1 전극(311) 상에 유기 발광층(312) 및 제2 전극(313)이 차례로 적층된다. 여기서, 상기 제2 전극(313)은 유기 발광층(312) 뿐만 아니라 화소 정의막(290) 위에도 형성된다. 유기 발광 소자(310)는 화소 정의막(290)의 개구부 내에 위치한 유기 발광층(312)에서 빛을 발생시킨다. 이와 같이, 화소 정의막(290)은 발광 영역을 정의할 수도 있다.
외부 환경으로부터 유기 발광 소자(310)를 보호하기 위해 제2 전극(313)상에 캡핑층(미도시)이 배치될 수도 있다.
도 6을 참조하면, 제2 전극(313) 상에 박막 봉지층(350)이 배치된다.
박막 봉지층(350)은 하나 이상의 무기막(351, 353) 및 하나 이상의 유기막(352)을 포함하며, 수분이나 산소와 같은 외기가 유기 발광 소자(310)로 침투하는 것을 방지한다.
박막 봉지층(350)은 무기막(351, 353)과 유기막(352)이 교호적으로 적층된 구조를 갖는다. 도 6에 도시된 박막 봉지층(350)은 2개의 무기막(351, 353)과 1개의 유기막(352)을 포함하고 있으나, 박막 봉지층(350)의 구조가 이에 한정되는 것은 아니다.
무기막(351, 353)은 Al2O3, TiO2, ZrO, SiO2, AlON, AlN, SiON, Si3N4, ZnO, 및 Ta2O5 중 하나 이상의 무기물을 포함할 수 있다. 무기막(351, 353)은 화학증착(chemical vapor deposition, CVD)법 또는 원자층 증착(atomic layer depostion, ALD)법을 통해 형성된다. 무기막(351, 353)은 해당 기술 분야의 종사자에게 공지된 다양한 방법을 통해 형성될 수 있다.
유기막(352)은 고분자(polymer) 계열의 소재로 만들어진다. 여기서, 고분자 계열의 소재는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드, 및 폴리에틸렌 등을 포함한다. 또한, 유기막(352)은 열증착 공정을 통해 형성된다. 유기막(352)을 형성하기 위한 열증착 공정은 유기 발광 소자(310)를 손상시키지 않는 온도 범위 내에서 진행된다. 유기막(352)은 해당 기술 분야의 종사자에게 공지된 다양한 방법을 통해 형성될 수 있다.
박막의 밀도가 치밀하게 형성된 무기막(351, 353)이 주로 수분 또는 산소의 침투를 억제한다. 대부분의 수분 및 산소는 무기막(351, 353)에 의해 유기 발광 소자(310)로의 침투가 차단된다.
무기막(351, 353)을 통과한 수분 및 산소는 유기막(352)에 의해 다시 차단된다. 유기막(352)은 투습 억제 외에, 무기막(351, 353)들 사이에서 각층들 간의 응력을 줄여주는 완충층의 역할도 수행한다. 또한, 유기막(352)은 평탄화 특성을 가지므로, 박막 봉지층(350)의 최상부면이 평탄해질 수 있다.
박막 봉지층(350)은 얇은 두께를 가질 수 있다. 따라서, 유기발광 표시패널 역시 얇은 두께를 가질 수 있다. 이러한 박막 봉지층(350)이 적용됨으로써, 유기발광 표시패널이 플렉서블 특성을 가질 수 있다.
도 7은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 표시패널의 단면도이다.
도 7을 참조하면, 유기 발광 소자(310)를 보호하기 위해 제2 전극(313) 상에 제2 기판(212)이 배치된다. 제2 기판(212)은 제1 기판(211)과 함께 유기 발광 소자(310)를 밀봉하는 역할을 한다. 제2 기판(212)은 제1 기판(211)과 마찬가지로 유리, 석영, 세라믹, 및 플라스틱 등으로 이루어진 군에서 선택된 절연성 재료로 만들어질 수 있다. 또한, 유기 발광 소자(310)와 제2 기판(212) 사이에 충진제(360)가 배치될 수도 있다.
도 8은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 표시패널의 화소 배치에 대한 평면도이고, 도 9는 도 8의 III-III'를 따라 자른 단면도이다. 구체적으로, 도 8과 도 9는 액정 표시패널을 도시하고 있다.
도 8 및 도 9에 도시된 액정 표시패널은 표시기판(410), 대향기판(420) 및 표시기판(410)과 대향기판(420) 사이에 배치된 액정층(LC)을 포함한다.
표시기판(410)은 제1 기판(411), 박막트랜지스터(TFT), 화소 전극(PE), 게이트 절연막(431) 및 보호층(432)을 포함한다. 박막트랜지스터(TFT)는 반도체층(SM), 저항성 접촉층(OC), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함한다.
제1 기판(411)은 투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 이루어진다.
제1 기판(411) 상에 복수의 게이트 라인(GL) 및 게이트 전극(GE)이 배치된다. 게이트 전극(GE)은 게이트 라인(GL)과 연결된다. 게이트 라인(GL) 및 게이트 전극(GE)은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금과 같은 알루미늄 계열의 금속, 은(Ag)이나 은 합금과 같은 은 계열의 금속, 구리(Cu)나 구리 합금과 같은 구리 계열의 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금과 같은 몰리브덴 계열의 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 중 어느 하나로 만들어질 수 있다. 게이트 라인(GL) 및 게이트 전극(GE) 중 적어도 하나는 물리적 성질이 다른 적어도 두 개의 도전막을 포함하는 다중막 구조를 가질 수도 있다.
게이트 절연막(431)은 게이트 라인(GL) 및 게이트 전극(GE)을 포함한 제1 기판(411)의 전면(全面)에 배치된다. 게이트 절연막(431)은 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiOx) 등으로 만들어질 수 있다. 또는, 게이트 절연막(431)은 물리적 성질이 다른 적어도 두 개의 절연층들을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다.
반도체층(SM)은 게이트 절연막(431) 상에 배치된다. 이 때, 반도체층(SM)은 게이트 절연막(431)의 하부에 위치한 게이트 전극(GE)과 중첩한다. 반도체층(SM)은 비정질 규소 또는 다결정 규소 등으로 만들어질 수 있다. 반도체층(SM)은 산화물 반도체로 이루어질 수도 있다.
저항성 접촉층(OC)은 반도체층(SM) 상에 배치된다. 예를 들어, 저항성 접촉층(OC)은 채널 부분 이외의 반도체층(SM) 상에 배치된다. 저항성 접촉층(OC)은 생략될 수 있다.
또한, 게이트 절연막(431) 상에 복수의 데이터 라인(DL)이 배치된다. 데이터 라인(DL)은 게이트 라인(GL)과 교차한다. 소스 전극(SE)은 데이터 라인(DL)과 연결되며, 저항성 접촉층(OC) 상에 배치된다. 드레인 전극(DE)은 소스 전극(SE)과 이격되어 저항성 접촉층(OC) 상에 배치되며, 화소 전극(PE)에 연결된다.
데이터 라인(DL), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE) 중 적어도 하나는 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속(refractory metal) 또는 이들의 합금으로 만들어질 수 있다. 또는, 데이터 라인(DL), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE) 중 적어도 하나는 내화성 금속막과 저저항 도전막을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다.
게이트 절연막(431), 반도체층(SM), 데이터 라인(DL), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함한 제1 기판(411)의 전면에 층간 절연막(469)이 배치된다. 층간 절연막(469)은 절연성 재료로 만들어질 수 있으며, 특히, 반도체층(SM)의 노출 부위인 채널 영역을 보호한다.
층간 절연막(469) 상에 보호층(432)이 배치된다. 보호층(432)은 박막트랜지스터(TFT)의 상부를 평탄화하는 역할을 한다. 따라서, 보호층(432)은 평탄화막이라고도 불려진다.
보호층(432)은 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiOx)와 같은 무기 절연물로 만들어질 수 있다. 이와 달리, 보호층(432)은 유기막으로 만들어질 수도 있다. 보호층(432)은 하부 무기막과 상부 유기막으로 된 이중막 구조를 가질 수도 있다.
화소 전극(PE)은 보호층(432) 상에 배치된다. 이때, 화소 전극(PE)은 보호층(432) 및 층간 절연막(469)을 관통하여 형성된 콘택홀(CH)을 통해 드레인 전극(DE)과 연결된다. 화소 전극(PE)은 ITO(Indium tin oxide) 또는 IZO(Indium zinc oxide) 등의 투명한 도전성 물질로 만들어질 수 있다.
대향기판(420)은 제2 기판(421), 컬러필터층(470) 및 공통 전극(CE)을 포함한다.
제2 기판(421)은 투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 이루어진다.
제2 기판(421) 상에 차광부(BM)가 배치된다. 차광부(BM)는 복수의 개구부들을 갖는다. 개구부는 제1, 제2 및 제3 화소(PX1, PX2, PX3)의 각 화소 전극(PE)에 대응하여 배치된다. 차광부(BM)는 개구부들을 제외한 부분에서의 광을 차단한다. 예를 들어, 차광부(BM)는 박막트랜지스터(TFT), 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL) 상에 위치하여 이들을 통과한 광이 외부로 방출되는 것을 차단한다. 차광부(BM)는 반드시 필요한 것은 아니며, 생략될 수도 있다.
컬러필터층(470)은 제2 기판(421) 상에 배치되며, 백라이트부(미도시)로부터 입사된 광의 파장을 선택적으로 차단한다.
컬러필터층(470)은 제1 컬러필터(CF1), 제2 컬러필터(CF2) 및 제3 컬러필터(CF3)를 포함할 수 있다.
제1, 제2 및 제3 컬러필터(CF1, CF2, CF3)는 차광부(BM)에 의하여 서로 구분될 수 있다. 도 8 및 9를 참조하면, 제1, 제2 및 제3 컬러필터(CF1, CF2, CF3)는 각각 화소(PX1, PX2, PX3)와 중첩하여 배치된다. 제1, 제2 및 제3 컬러필터(CF1, CF2, CF3)는 각각 적색, 녹색, 청색 중 어느 하나의 색을 표현할 수 있다. 컬러필터층(470)은 백색 컬러필터(미도시)를 포함할 수도 있으며, 적색, 녹색, 청색 이외의 다른 색을 갖는 컬러필터를 포함할 수도 있다.
컬러필터층(470)과 공통 전극(CE) 사이에 패시베이션막(450)이 배치될 수 있다. 패시베이션막(450)은 생략될 수 있다.
공통 전극(CE)은 패시베이션막(450) 상에 배치된다. 예를 들어, 공통 전극(CE)은 제2 기판(421)의 전면에 위치할 수 있다. 공통 전극(CE)은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전물질로 이루어질 수 있다.
그러나 본 발명이 또 다른 일 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 공통 전극(CE)이 제1 기판(411) 상에 배치되어 표시기판(410)의 구성요소가 될 수도 있다.
공통 전극(CE)은 화소 전극(PE)과 함께 액정층(LC)에 전계를 인가한다.
도시되지 않았지만, 화소 전극(PE) 상에 하부 배향막이 배치될 수 있다. 하부 배향막은 수직 배향막일 수 있고, 광반응 물질을 포함할 수 있다. 마찬가지로 도시되지 않았지만, 공통 전극(CE) 상에 상부 배향막이 배치될 수 있다. 상부 배향막은 하부 배향막과 동일한 물질로 만들어질 수 있다.
제1 기판(411)과 제2 기판(421) 사이의 마주보는 면들을 각각 해당 기판의 상부면으로 정의하고, 그 상부면들의 반대편에 위치한 면들을 각각 해당 기판의 하부면으로 정의할 때, 제1 기판(411)의 하부면과 제2 기판(421)의 하부면에 각각 편광판이 배치될 수 있다.
이상에서 도면 및 실시예를 중심으로 본 발명을 설명하였다. 상기 설명된 도면과 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능할 것이다. 따라서, 본 발명의 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
DA: 표시부
NDA: 비표시부
GL: 게이트 라인 DL: 데이터 라인
SM: 반도체층 TFT: 박막 트랜지스터
101, 102: 코팅 기판 110: 베이스 기판
120: 제1 코팅막 130, 131: 제2 코팅막
510: 표시패널 520: 윈도우 패널
530, 540: 섀시 550: 지지부재
GL: 게이트 라인 DL: 데이터 라인
SM: 반도체층 TFT: 박막 트랜지스터
101, 102: 코팅 기판 110: 베이스 기판
120: 제1 코팅막 130, 131: 제2 코팅막
510: 표시패널 520: 윈도우 패널
530, 540: 섀시 550: 지지부재
Claims (29)
- 전체 중량에 대하여,
75 내지 80 중량%의 에폭시 수지;
10 내지 15 중량%의 이소시아네이트계 화합물; 및
5 내지 10 중량%의 멜라민계 화합물;
을 포함하는 코팅용 조성물. - 제1항에 있어서, 상기 에폭시 수지와 상기 이소시아네이트계 화합물은 우레탄 결합을 형성하는 코팅용 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 에폭시 수지는 비스페놀계 에폭시 수지를 포함하는 코팅용 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 이소시아네이트계 화합물은 톨루엔 디이소시아네이트(Toluene Diisocyanate, TDI), 디페닐메탄 4,4'-디이소시아네이트(Diphenylmethane 4,4'-Diisocyanate, MDI), 디페닐메탄 2,4'-디이소시아네이트(Diphenylmethane 2,4'-Diisocyanate), 헥사메틸렌 디이소시아네이트(Hexamethylene Diisocyanate, HDI), 비스(4-이소시아나토시클로헥실)메탄[Bis(4-Isocyanatocyclohexyl)Methane] 및 이소포론 디이소시아네이트(Isophorone Diisocyanate, IPDI) 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 코팅용 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 이소시아네이트계 화합물은 이소시아네이트의 어덕트(adduct)를 포함하는 코팅용 조성물.
- 100 중량부의 코팅용 조성물; 및
상기 코팅용 조성물 100 중량부에 대하여 5 내지 10 중량부의 도료;를 포함하며,
상기 코팅용 조성물은, 코팅용 조성물 전체 중량에 대하여, 75 내지 80 중량%의 에폭시 수지; 10 내지 15 중량%의 이소시아네이트계 화합물; 및 5 내지 10 중량% 멜라민계 화합물;을 포함하는 도료 조성물. - 베이스 기판;
상기 베이스 기판 상에 배치되며, 제1 코팅용 조성물에 의하여 형성된 제1 코팅막; 및
상기 제1 코팅막 상에 배치되며 제2 코팅용 조성물에 의하여 형성된 제2 코팅막;을 포함하며,
상기 제1 코팅용 조성물은, 코팅용 조성물 전체 중량에 대하여,
75 내지 80 중량%의 에폭시 수지;
10 내지 15 중량%의 이소시아네이트계 화합물; 및
5 내지 10 중량% 멜라민계 화합물;
을 포함하는 코팅 기판. - 제13항에 있어서,
상기 베이스 기판은 스테인리스 스틸(Steel Use Stainless, SUS)을 포함하는 코팅 기판. - 제13항에 있어서,
상기 제2 코팅용 조성물은 상기 제1 코팅용 조성물과 동일한 코팅 기판. - 제13항에 있어서,
상기 제2 코팅용 조성물은,
100 중량부의 상기 제1 코팅용 조성물; 및
상기 제1 코팅용 조성물 100 중량부에 대하여 5 내지 10 중량부의 도료;
를 포함하는 코팅 기판. - 제13항에 있어서,
상기 에폭시 수지와 상기 이소시아네이트계 화합물은 우레탄 결합을 형성하는 코팅 기판. - 제13항에 있어서, 상기 에폭시 수지는 비스페놀계 에폭시 수지를 포함하는 코팅 기판.
- 제13항에 있어서, 상기 이소시아네이트계 화합물은 톨루엔 디이소시아네이트(Toluene Diisocyanate, TDI), 디페닐메탄 4,4'-디이소시아네이트(Diphenylmethane 4,4'-Diisocyanate, MDI), 디페닐메탄 2,4'-디이소시아네이트(Diphenylmethane 2,4'-Diisocyanate), 헥사메틸렌 디이소시아네이트(Hexamethylene Diisocyanate, HDI), 비스(4-이소시아나토시클로헥실)메탄[Bis(4-Isocyanatocyclohexyl)Methane] 및 이소포론 디이소시아네이트(Isophorone Diisocyanate, IPDI) 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 코팅 기판.
- 제13항에 있어서, 상기 이소시아네이트계 화합물은 이소시아네이트의 어덕트(adduct)를 포함하는 코팅 기판.
- 표시패널; 및
상기 표시패널을 보호하며, 코팅 기판으로 이루어진 섀시;를 포함하며,
상기 코팅 기판은,
베이스 기판;
상기 베이스 기판 상에 배치되며, 제1 코팅용 조성물에 의하여 형성된 제1 코팅막; 및
상기 제1 코팅막 상에 배치되며 제2 코팅용 조성물에 의하여 형성된 제2 코팅막;을 포함하며,
상기 제1 코팅용 조성물은, 코팅용 조성물 전체 중량에 대하여,
75 내지 80 중량%의 에폭시 수지;
10 내지 15 중량%의 이소시아네이트계 화합물; 및
5 내지 10 중량% 멜라민계 화합물;
을 포함하는 표시장치. - 제27항에 있어서, 상기 표시패널은 액정 표시패널인 표시장치.
- 제27항에 있어서, 상기 표시패널은 유기발광 표시패널인 표시장치.
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E902 | Notification of reason for refusal | ||
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