KR20180059901A - METHOD FOR PRODUCING LAMINATE, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND LAMINATE - Google Patents

METHOD FOR PRODUCING LAMINATE, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND LAMINATE Download PDF

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Abstract

캐리어 기판을 상온에서 기계 박리 가능한 적층체로서, 보이드가 저감되어, 박리력 안정성이 우수한 적층체의 제조 방법, 반도체 디바이스의 제조 방법 및 적층체를 제공한다. 캐리어 기판을 갖는 제1 부재와, 가공 기판을 갖는 제2 부재를 갖는 적층체의 제조 방법으로서, 제1 부재와 제2 부재 중 적어도 한쪽의 표면에, 가접착제층을 갖고, 제1 부재와 제2 부재를 기압 P1하에서 압착하며, 또한 기압 P2하, 40℃를 초과하는 온도 T2에서가열한 후, 가공 기판을 가공하여 적층체로 하는 것을 포함하고, 가접착제층은, 온도 T1에 있어서의 저장 탄성률 G'1이 1,000,000Pa 이하이며, 온도 T2에 있어서의 저장 탄성률 G'2가 1,000,000Pa 이하이고, Log(P2/P1)≥2.1을 충족시키며, 기계 박리 가능한 적층체의 제조 방법이다.A method for producing a laminated body, a method of manufacturing a semiconductor device, and a laminated body, which can be mechanically peeled off from a carrier substrate at room temperature, wherein the voids are reduced and the peeling force stability is excellent. A method of manufacturing a laminated body having a first member having a carrier substrate and a second member having a processed substrate, the method comprising the steps of: providing an adhesive layer on at least one surface of the first member and the second member, Pressing the two members under the air pressure P1 and further heating at a temperature T2 exceeding 40 deg. C under the air pressure P2, and then processing the processed substrate to form a laminate; and the adhesive layer has a storage elastic modulus G'1 of not more than 1,000,000 Pa, a storage elastic modulus G'2 at a temperature T2 of not more than 1,000,000 Pa, Log (P2 / P1)? 2.1, and a machine-peelable laminate.

Description

적층체의 제조 방법, 반도체 디바이스의 제조 방법, 및 적층체METHOD FOR PRODUCING LAMINATE, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND LAMINATE

본 발명은, 적층체의 제조 방법, 반도체 디바이스의 제조 방법, 및 적층체에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a laminate, a method of manufacturing a semiconductor device, and a laminate.

IC(집적 회로)나 LSI(대규모 집적 회로) 등의 반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서는, 디바이스 웨이퍼 상에 다수의 IC칩이 형성되고, 다이싱에 의하여 개편화된다.BACKGROUND ART [0002] In a manufacturing process of a semiconductor device such as an IC (integrated circuit) or an LSI (large-scale integrated circuit), a plurality of IC chips are formed on a device wafer and are separated by dicing.

전자 기기의 추가적인 소형화 및 고성능화의 요구에 따라, 전자 기기에 탑재되는 IC칩에 대해서도 추가적인 소형화 및 고집적화가 요구되고 있지만, 디바이스 웨이퍼의 면방향에 있어서의 집적 회로의 고집적화는 한계에 가까워지고 있다.Further miniaturization and high integration of IC chips mounted on electronic devices are required due to the demand for further miniaturization and high performance of electronic devices, but the integration of integrated circuits in the plane direction of device wafers is approaching the limit.

IC칩 내의 집적 회로로부터, IC칩의 외부 단자로의 전기적인 접속 방법으로서는, 종래부터, 와이어 본딩법이 널리 알려져 있지만, IC칩의 소형화를 도모하기 위하여, 최근 디바이스 웨이퍼에 관통 구멍을 마련하여, 외부 단자로서의 금속 플러그를 관통 구멍 내를 관통하도록 집적 회로에 접속하는 방법(이른바, 실리콘 관통 전극(TSV)을 형성하는 방법)이 알려져 있다. 그러나, 실리콘 관통 전극을 형성하는 방법만으로는, 상기한 최근의 IC칩에 대한 추가적인 고집적화의 요구에 충분히 응할 수 있는 것은 아니다.Conventionally, a wire bonding method has been widely known as an electrical connection method from an integrated circuit in an IC chip to an external terminal of an IC chip. However, in order to miniaturize an IC chip, a through hole is recently formed in a device wafer, (A method of forming a so-called silicon penetration electrode (TSV)) is known in which a metal plug as an external terminal is connected to an integrated circuit so as to penetrate through the through hole. However, the method of forming the silicon through electrode alone can not sufficiently meet the recent demand for higher integration of the IC chip.

이상을 감안하여, IC칩 내의 집적 회로를 다층화함으로써, 디바이스 웨이퍼의 단위면적당 집적도를 향상시키는 기술이 알려져 있다. 그러나, 집적 회로의 다층화는, IC칩의 두께를 증대시키기 위하여, IC칩을 구성하는 부재의 박형화가 필요하다. 이와 같은 부재의 박형화로서는, 예를 들면 디바이스 웨이퍼의 박형화가 검토되고 있어, IC칩의 소형화로 이어질 뿐만 아니라, 실리콘 관통 전극의 제조에 있어서의 디바이스 웨이퍼의 관통 구멍 제조 공정을 생력화(省力化)할 수 있는 점에서, 유망시되고 있다. 또, 파워 디바이스·이미지 센서 등의 반도체 디바이스에 있어서도, 상기 집적도의 향상이나 디바이스 구조의 자유도 향상의 관점에서, 박형화가 시도되고 있다.In view of the above, there is known a technique for improving the degree of integration per unit area of a device wafer by making the integrated circuit in the IC chip multilayered. However, in order to increase the thickness of the IC chip, it is necessary to reduce the thickness of the member constituting the IC chip. As for thinning of such a member, for example, the thinning of the device wafer is studied, leading to miniaturization of the IC chip, and the manufacturing process of the through-hole of the device wafer in the production of the silicon through- In terms of being able, it is becoming promising. In addition, in semiconductor devices such as power devices and image sensors, thinning has been attempted from the viewpoints of improvement of the degree of integration and freedom of device structure.

디바이스 웨이퍼로서는, 약 700~900μm의 두께를 갖는 것이 널리 알려져 있지만, 최근 IC칩의 소형화 등을 목적으로, 디바이스 웨이퍼의 두께를 200μm 이하가 될 때까지 얇게 하는 것이 시도되고 있다.As device wafers, those having a thickness of about 700 to 900 mu m are widely known. However, in recent years, it has been attempted to reduce the thickness of device wafers to 200 mu m or less for the purpose of miniaturization of IC chips.

그러나, 두께 200μm 이하의 디바이스 웨이퍼는 매우 얇고, 이것을 가공 기판으로 하는 반도체 디바이스 제조용 부재도 매우 얇기 때문에, 이와 같은 부재에 대하여 추가적인 처리를 실시하거나, 혹은 이와 같은 부재를 단순히 이동하거나 하는 경우 등에 있어서, 부재를 안정적으로, 또한 손상을 주지 않고 지지하는 것은 곤란하다.However, since a device wafer having a thickness of 200 占 퐉 or less is extremely thin and a semiconductor device manufacturing member using the same as a processed substrate is extremely thin, additional processing is performed on such a member, or when such a member is simply moved, It is difficult to stably support the member without damaging it.

상기와 같은 문제를 해결하기 위하여, 표면에 디바이스가 마련된 박형화 전의 가공 기판과 캐리어 기판을 가접착제에 의하여 가접착하고, 가공 기판의 이면을 연삭하여 박형화한 후에, 캐리어 기판을 박리하는 기술이 알려져 있다.In order to solve the above problems, there is known a technique of peeling a carrier substrate after adhering a processed substrate and a carrier substrate before thinning provided with a device on a surface thereof with an adhesive, grinding the back surface of the processed substrate to make it thinner .

여기에서, 캐리어 기판과 가공 기판의 첩합을 행하기 위하여, 다양한 방법이 검토되고 있다. 예를 들면, 특허문헌 1에는, 양면 점착 시트를 통하여 2개의 피착체를 첩합하는 양면 점착 시트의 첩합 방법으로서, 2개의 피착체를 양면 점착 시트에 가첩합한 후, 가압 또는 가열 가압 환경하에 유지하는 것을 특징으로 하는 양면 점착 시트의 첩합 방법이 개시되어 있다.Here, various methods have been studied to bond the carrier substrate and the processed substrate. For example, Patent Document 1 discloses a double-sided pressure-sensitive adhesive sheet for bonding two adherends to each other through a double-sided pressure-sensitive adhesive sheet, in which two adherends are bonded to a pressure-sensitive or heat-pressurized environment Sensitive adhesive sheet.

또, 특허문헌 2에는, 기판과 상기 기판을 지지하는 지지체를 접착제층을 통하여 첩합하고, 압압 수단을 이용하여 압압하는 압압 공정과, 상기 압압 공정 후, 상기 접착제층을 통하여 첩합한 상기 기판 및 상기 지지체를, 상기 압압 공정을 행하는 환경의 기압보다 높은 기압의 환경하에 두는 기압 조정 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 첩부 방법이 개시되어 있다.Patent Document 2 discloses a method of manufacturing a semiconductor device, which includes a pressing step of pressing a substrate and a support supporting the substrate through an adhesive layer and pressing the substrate with a pressing means, And a pressure adjusting step of placing the support under an environment of atmospheric pressure higher than the pressure of the environment in which the pressing process is performed.

특허문헌 1: 일본 공개특허공보 2002-332458호Patent Document 1: JP-A-2002-332458 특허문헌 2: 일본 공개특허공보 2015-133465호Patent Document 2: JP-A-2015-133465

상술한 바와 같이, 가공 기판에 가공을 실시할 때, 가접착제를 이용하여 가공 기판을 캐리어 기판에 가접착한 적층체로 하는 공정이 행해지고 있다. 그러나, 가공 기판은, 통상 표면에 회로면 등의 오목부나 볼록부를 갖기 때문에, 진공 중에서 캐리어 기판과 가접착제층과 가공 기판을 압착하면 보이드가 발생해 버리는 경우가 있는 것을 알 수 있었다. 여기에서, 특허문헌 1 및 특허문헌 2에는, 소정의 가열 및 가압을 행함으로써, 보이드를 줄이는 것이 기재되어 있다. 그러나, 본 발명자가 검토를 행한바, 특허문헌 1 및 특허문헌 2에 기재된 방법으로는, 반드시 보이드를 효과적으로 줄일 수 있다고는 할 수 없고, 또한 적층체로부터 캐리어 기판을 상온에서 기계 박리할 수 없는 경우나, 상온에서 박리할 수 있어도, 박리력 안정성이 뒤떨어지는 경우가 있는 것을 알 수 있었다.As described above, when the processed substrate is processed, a step of forming a laminated body in which the processed substrate is adhered to the carrier substrate by using an adhesive is performed. However, since the processed substrate usually has a concave portion or a convex portion such as a circuit surface on its surface, voids may be generated when the carrier substrate, the adhesive layer and the processed substrate are squeezed in vacuum. Here, Patent Document 1 and Patent Document 2 disclose that voids are reduced by performing predetermined heating and pressurization. However, as a result of the inventors' study, it has been found that the voids can not necessarily be effectively reduced by the methods described in Patent Documents 1 and 2. In addition, when the carrier substrate can not be mechanically peeled from the laminate at room temperature Or peeled off at room temperature, it was found that the peel strength stability was inferior in some cases.

본 발명은, 이러한 과제를 해결하는 것을 목적으로 한 것이며, 캐리어 기판을 상온에서 기계 박리 가능한 적층체로서, 보이드가 저감되고, 박리력 안정성이 우수한 적층체의 제조 방법과, 반도체 디바이스의 제조 방법 및 적층체를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve these problems, and it is an object of the present invention to provide a method for producing a laminate, which is capable of mechanically peeling a carrier substrate at room temperature with voids reduced and excellent in peel strength stability, And to provide a laminate.

상기 과제하, 본 발명자는, 캐리어 기판과 가접착제와 가공 기판을 진공 압착한 후, 대기압하에서 40℃를 초과하는 온도에서 가열함으로써, 적층체 중의 보이드의 발생을 억제할 수 있고, 또한 박리력 안정성이 우수한 적층체가 얻어지는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 구체적으로는, 하기 <1>에 의하여, 바람직하게는 <2> 내지 <17>에 의하여, 상기 과제는 해결되었다.In view of the above-described problems, the inventors of the present invention have found that, by vacuum-bonding a carrier substrate and an adhesive agent and a processed substrate, heating at a temperature exceeding 40 캜 under atmospheric pressure can suppress generation of voids in the laminate, The present inventors have found that this excellent laminate can be obtained, and the present invention has been accomplished. Specifically, the above problem is solved by the following <1>, preferably by <2> to <17>.

<1> 캐리어 기판을 갖는 제1 부재와, 가공 기판을 갖는 제2 부재를 갖는 적층체의 제조 방법으로서,&Lt; 1 > A manufacturing method of a laminate having a first member having a carrier substrate and a second member having a processed substrate,

상기 제1 부재와 상기 제2 부재 중 적어도 한쪽의 표면에, 가접착제층을 갖고,Wherein at least one surface of the first member and the second member has an adhesive layer,

상기 제1 부재와 상기 제2 부재를, 상기 가접착제층이 내측이 되도록, 기압 P1하에서 압착하며, 또한 기압 P2하, 40℃를 초과하는 온도 T2에서 가열한 후, 상기 가공 기판을 가공하여 적층체로 하는 것을 포함하고,The first member and the second member are pressed together under the atmospheric pressure P1 so that the adhesive layer is inward and heated at a temperature T2 exceeding 40 占 폚 under the air pressure P2, Including sieving,

상기 가접착제층은, 상기 압착 시의 온도 T1에 있어서의, 측정 주파수 10Hz에서의 저장 탄성률 G'1이 1,000,000Pa 이하이며, 상기 온도 T2에 있어서의, 측정 주파수 10Hz에서의 저장 탄성률 G'2가 1,000,000Pa 이하이고,Wherein the adhesive layer has a storage elastic modulus G'1 at a measurement frequency of 10 Hz and a storage modulus G'2 at a measurement frequency of 10 Hz at a temperature T1 Lt; / RTI &gt;

상기 기압 P1과 기압 P2가 Log(P2/P1)≥2.1을 충족시키며,When the atmospheric pressure P1 and the atmospheric pressure P2 satisfy Log (P2 / P1) &gt; = 2.1,

상기 캐리어 기판과 가공 기판은 10~80N의 힘으로 박리 가능한,Wherein the carrier substrate and the processed substrate are peelable by a force of 10 to 80 N,

적층체의 제조 방법;A method of producing a laminate;

여기에서, 상기 박리 시의 힘은, 상기 적층체의 가공 기판 측을 아래로 하여 수평면에 고정하고, 상기 캐리어 기판을 상기 가공 기판에 대하여, 수직 방향으로, 25℃에서, 50mm/분의 속도로 끌어올렸을 때의 힘이다.Here, the force at the time of peeling was fixed on the horizontal plane with the processed substrate side of the laminate down, and the carrier substrate was moved vertically to the processed substrate at 25 DEG C at a speed of 50 mm / min It is the force when it is raised.

<2> 상기 가접착제층이 불소 원자 및 실리콘 원자 중 적어도 한쪽을 포함하는 화합물을 포함하는, <1>에 기재된 적층체의 제조 방법.&Lt; 2 > The method for producing a laminate according to < 1 >, wherein the adhesive layer comprises a compound containing at least one of a fluorine atom and a silicon atom.

<3> 상기 기압 P1이 1013Pa 미만인, <1> 또는 <2>에 기재된 적층체의 제조 방법.&Lt; 3 > The method for producing a laminate according to <1> or <2>, wherein the pressure P1 is less than 1013 Pa.

<4> 상기 기압 P2가 10,000Pa 이상인, <1> 내지 <3> 중 어느 하나에 기재된 적층체의 제조 방법.&Lt; 4 > The method for producing a laminated body according to any one of < 1 > to < 3 >, wherein the atmospheric pressure P2 is 10,000 Pa or more.

<5> 상기 온도 T1과 상기 온도 T2가 T1<T2를 충족시키는, <1> 내지 <4> 중 어느 하나에 기재된 적층체의 제조 방법.<5> The method for producing a laminated body according to any one of <1> to <4>, wherein the temperature T1 and the temperature T2 satisfy T1 <T2.

<6> 상기 온도 T1과 상기 온도 T2가 T1+20≤T2를 충족시키는, <1> 내지 <4> 중 어느 하나에 기재된 적층체의 제조 방법.<6> The method for producing a laminated body according to any one of <1> to <4>, wherein the temperature T1 and the temperature T2 satisfy T1 + 20? T2.

<7> 상기 제1 부재 및 제2 부재는, 각각 독립적으로 가접착제층을 갖는, <1> 내지 <6> 중 어느 하나에 기재된 적층체의 제조 방법.<7> The method for producing a laminated body according to any one of <1> to <6>, wherein the first member and the second member each independently have an adhesive layer.

<8> 상기 기압 P1하에서 압착 시에 가열을 행하고, 또한 상기 가열 온도 T1이 110℃ 이상인, <1> 내지 <7> 중 어느 하나에 기재된 적층체의 제조 방법.<8> The method for producing a laminated body according to any one of <1> to <7>, wherein heating is performed at the time of compression under the air pressure P1 and the heating temperature T1 is 110 ° C. or more.

<9> 상기 온도 T2가 130℃ 이상인, <1> 내지 <8> 중 어느 하나에 기재된 적층체의 제조 방법.<9> The method for producing a laminated body according to any one of <1> to <8>, wherein the temperature T2 is 130 ° C. or higher.

<10> 상기 가접착제층이, 스타이렌 구조를 포함하는 열가소성 엘라스토머, 열가소성 실록세인 중합체, 사이클로올레핀계 중합체 및 아크릴 수지 중 적어도 1종을 포함하는, <1> 내지 <9> 중 어느 하나에 기재된 적층체의 제조 방법.<10> The method according to any one of <1> to <9>, wherein the adhesive layer comprises at least one of a thermoplastic elastomer containing a styrene structure, a thermoplastic siloxane polymer, a cycloolefin polymer and an acrylic resin (2).

<11> 상기 가공은, 160℃ 이상 300℃ 이하의 온도에서 가열하는 공정인, <1> 내지 <10> 중 어느 하나에 기재된 적층체의 제조 방법.<11> The method for producing a laminated body according to any one of <1> to <10>, wherein the processing is a step of heating at a temperature of 160 ° C. to 300 ° C.

<12> 상기 가공은, 상기 가공 기판의 가접착제층에서 먼 측의 면을 박형화하는 공정인, <1> 내지 <10> 중 어느 하나에 기재된 적층체의 제조 방법.<12> The method for producing a laminate according to any one of <1> to <10>, wherein the processing is a step of thinning a surface of the processed substrate farther from the adhesive layer.

<13> 상기 박형화 가공에 의하여, 가공 기판의 두께를 100μm 이하로 하는, <12>에 기재된 적층체의 제조 방법.<13> A method for producing a laminate according to <12>, wherein the thickness of the processed substrate is made to be 100 μm or less by the thinning process.

<14> <1> 내지 <13> 중 어느 하나에 기재된 적층체의 제조 방법을 포함하고, 또한 상기 적층체로부터, 40℃ 이하의 온도에서 적어도 캐리어 기판을 박리하는 공정을 포함하는, 반도체 디바이스의 제조 방법.&Lt; 14 > A method for manufacturing a laminated body according to any one of < 1 > to < 13 >, comprising a step of peeling at least a carrier substrate from the laminate at a temperature of 40 DEG C or lower. Gt;

<15> 캐리어 기판과, 가접착제층과, 가공 기판을 갖는 적층체로서,<15> A laminate having a carrier substrate, an adhesive layer, and a processed substrate,

주파수 140MHz의 초음파 현미경으로 관찰했을 때의, 직경 1mm 이상의 보이드가 150개/m2 미만이며,A void of not less than 1 mm in diameter and less than 150 pieces / m 2 when observed under an ultrasonic microscope at a frequency of 140 MHz,

상기 캐리어 기판과 가공 기판은 10~80N의 힘으로 박리 가능한 적층체;Wherein the carrier substrate and the processed substrate are peelable by a force of 10 to 80 N;

여기에서, 상기 박리 시의 힘은, 상기 적층체의 가공 기판 측을 아래로 하여 수평면에 고정하고, 상기 캐리어 기판을 상기 가공 기판에 대하여, 수직 방향으로, 25℃에서, 50mm/분의 속도로 끌어올렸을 때의 힘이다.Here, the force at the time of peeling was fixed on the horizontal plane with the processed substrate side of the laminate down, and the carrier substrate was moved vertically to the processed substrate at 25 DEG C at a speed of 50 mm / min It is the force when it is raised.

<16> 상기 가접착제층의 두께가 10~150μm인, <15>에 기재된 적층체.<16> The laminate according to <15>, wherein the adhesive layer has a thickness of 10 to 150 μm.

<17> 상기 가접착제층이, 스타이렌 구조를 포함하는 열가소성 엘라스토머, 열가소성 실록세인 중합체, 사이클로올레핀계 중합체 및 아크릴 수지 중 적어도 1종을 포함하는, <15> 또는 <16>에 기재된 적층체.<17> The laminate according to <15> or <16>, wherein the adhesive layer comprises at least one of a thermoplastic elastomer containing a styrene structure, a thermoplastic siloxane polymer, a cycloolefin polymer and an acrylic resin.

본 발명에 의하여, 캐리어 기판을 상온에서 기계 박리 가능한 적층체로서, 보이드가 저감되어, 박리력 안정성이 우수한 적층체의 제조 방법과, 반도체 디바이스의 제조 방법 및 적층체를 제공 가능하게 되었다.According to the present invention, it is possible to provide a method for producing a laminated body, a method for manufacturing a semiconductor device, and a laminated body, wherein the carrier substrate is mechanically peelable at room temperature and voids are reduced and the peel strength is excellent.

도 1은, 본 발명의 적층체의 제조 방법의 제1 실시형태를 나타내는 개략도이다.
도 2는, 본 발명의 적층체의 제조 방법의 제3 실시형태를 나타내는 개략도이다.
1 is a schematic view showing a first embodiment of a method for producing a laminate of the present invention.
Fig. 2 is a schematic view showing a third embodiment of the method for producing a laminate of the present invention. Fig.

이하에 있어서, 본 발명의 내용에 대하여 상세하게 설명한다. 또한, 본 명세서에 있어서 "~"란 그 전후에 기재되는 수치를 하한값 및 상한값으로서 포함하는 의미로 사용된다.Hereinafter, the contents of the present invention will be described in detail. In the present specification, "~" is used to mean that the numerical values described before and after the numerical value are included as the lower limit value and the upper limit value.

본 명세서에 있어서의 기(원자단)의 표기에 있어서, 치환 및 무치환을 기재하지 않은 표기는, 치환기를 갖지 않는 것과 함께 치환기를 갖는 것도 포함하는 것이다. 예를 들면, "알킬기"란, 치환기를 갖지 않는 알킬기(무치환 알킬기)뿐만 아니라, 치환기를 갖는 알킬기(치환 알킬기)도 포함하는 것이다.In the notation of the group (atomic group) in the present specification, the notation in which substitution and non-substitution are not described includes those having a substituent and having a substituent. For example, the "alkyl group" includes not only an alkyl group having no substituent (an unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group).

본 명세서 중에 있어서의 "활성광선" 또는 "방사선"은, 예를 들면 가시광 선, 자외선, 원자외선, 전자선, X선 등을 포함하는 것을 의미한다.The term "active ray" or "radiation" in the present specification means, for example, visible ray, ultraviolet ray, far ultraviolet ray, electron ray, X ray and the like.

본 명세서에 있어서, "광"이란, 활성광선 또는 방사선을 의미하고 있다.In the present specification, the term "light" means an actinic ray or radiation.

본 명세서에 있어서, "노광"이란, 특별히 설명하지 않는 한, 수은등, 자외선, 엑시머 레이저로 대표되는 원자외선, X선, EUV광(Extreme Ultra-Violet) 등에 의한 노광뿐만 아니라, 전자선 및 이온빔 등의 입자선에 의한 묘화도 의미하고 있다.As used herein, the term "exposure" means not only exposure by deep ultraviolet rays such as mercury lamps, ultraviolet rays and excimer lasers, exposure by X-rays and EUV light (Extreme Ultra-Violet) It also means drawing by particle lines.

본 명세서에 있어서, "(메트)아크릴레이트"는, 아크릴레이트 및 메타크릴레이트를 나타내고, "(메트)아크릴"은, 아크릴 및 메타크릴을 나타내며, "(메트)아크릴로일"은, "아크릴로일" 및 "메타크릴로일"을 나타낸다.As used herein, "(meth) acrylate" refers to acrylate and methacrylate, "(meth) acryl" refers to acrylic and methacryl, "(meth) acryloyl" Quot; and "methacryloyl ".

본 명세서에 있어서, 중량 평균 분자량 및 수평균 분자량은, 젤 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC) 측정에 의한 폴리스타이렌 환산값으로서 정의된다. 본 명세서에 있어서, 중량 평균 분자량(Mw) 및 수평균 분자량(Mn)은, 예를 들면 HLC-8220(도소(주)제)을 이용하여, 칼럼으로서 TSKgel Super AWM-H(도소(주)제, 6.0mm(내경)×15.0cm)를, 용리액으로서 10mmol/L 리튬 브로마이드 NMP(N-메틸피롤리딘온) 용액을 이용함으로써 구할 수 있다.In the present specification, the weight average molecular weight and the number average molecular weight are defined as polystyrene reduced values by Gel Permeation Chromatography (GPC) measurement. In this specification, the weight average molecular weight (Mw) and the number average molecular weight (Mn) can be measured by using, for example, HLC-8220 (manufactured by TOSOH CORPORATION) as a column, TSKgel Super AWM- , 6.0 mm (inner diameter) × 15.0 cm) can be obtained by using a 10 mmol / L lithium bromide NMP (N-methylpyrrolidinone) solution as an eluent.

올리고머란, 중량 평균 분자량이 500 이상 2000 미만인 화합물이라고 정의한다. 또, 폴리머란, 중량 평균 분자량이 2000 이상인 화합물이라고 정의한다.An oligomer is defined as a compound having a weight average molecular weight of 500 or more and less than 2000. The polymer is defined as a compound having a weight average molecular weight of 2000 or more.

본 발명에 있어서의 두께 등은 특별히 설명하지 않는 한, 평균 두께를 의미하는 것으로 한다.The thickness and the like in the present invention mean the average thickness unless otherwise specified.

본 발명의 적층체의 제조 방법은, 캐리어 기판을 갖는 제1 부재와, 가공 기판을 갖는 제2 부재를 갖는 적층체의 제조 방법으로서, 상기 제1 부재와 상기 제2 부재 중 적어도 한쪽의 표면에, 가접착제층을 갖고, 상기 제1 부재와 상기 제2 부재를, 상기 가접착제층이 내측이 되도록, 기압 P1하에서 압착하며, 또한 기압 P2하, 40℃를 초과하는 온도 T2에서 가열한 후, 상기 가공 기판을 가공하여 적층체로 하는 것을 포함하고,A method for producing a laminate according to the present invention is a method for producing a laminate having a first member having a carrier substrate and a second member having a processed substrate, characterized in that the surface of at least one of the first member and the second member , The first member and the second member are pressed together under the atmospheric pressure P1 so that the adhesive layer is inward and heated at a temperature T2 exceeding 40 占 폚 under the air pressure P2, And processing the processed substrate to form a laminate,

상기 가접착제층은, 상기 압착 시의 온도 T1에 있어서의, 측정 주파수 10Hz에서의 저장 탄성률 G'1이 1,000,000Pa 이하이며, 상기 온도 T2에 있어서의, 측정 주파수 10Hz에서의 저장 탄성률 G'2가 1,000,000Pa 이하이고, 상기 기압 P1과 기압 P2가 Log(P2/P1)≥2.1을 충족시키며, 상기 캐리어 기판과 가공 기판은 10~80N의 힘으로 박리 가능한, 적층체의 제조 방법인 것을 특징으로 한다.Wherein the adhesive layer has a storage elastic modulus G'1 at a measurement frequency of 10 Hz and a storage modulus G'2 at a measurement frequency of 10 Hz at a temperature T1 (P2 / P1) &gt; = 2.1, and the carrier substrate and the processed substrate can be peeled off with a force of 10 to 80 N. .

여기에서, 상기 박리 시의 힘(박리력)은, 상기 적층체의 가공 기판 측을 아래로 하여 수평면에 고정하고, 상기 캐리어 기판을 상기 가공 기판에 대하여, 수직 방향으로, 25℃에서, 50mm/분의 속도로 끌어올렸을 때의 힘이다. 박리력은, 10N 이상 50N 미만으로 박리 가능한 것이 바람직하고, 10N 이상 30N 미만으로 박리 가능한 것이 보다 바람직하다.Here, the force (peeling force) at the time of peeling is fixed on a horizontal plane with the side of the processed substrate of the laminated body facing downward, and the carrier substrate is moved at a rate of 50 mm / It is the force when it is pulled up at the speed of the minute. The peel force is preferably 10 N or more and less than 50 N, and more preferably 10 N or less and 30 N or less.

이와 같은 구성으로 함으로써, 40℃ 이하에서 박리 가능한 적층체에 있어서, 적층체 중의 보이드의 발생을 효과적으로 억제할 수 있어, 박리력 안정성을 향상시킬 수 있다. 즉, 종래의 적층체의 제조 방법에서는, 표면에 배선, 범프, 필러, 패드 등의 볼록부, 혹은 스크라이브 라인, 컨포멀 바이어 등의 오목부(이하, 이들을 통틀어 "요철부"라고 하는 경우가 있음)가 많은 가공 기판과 캐리어 기판을, 가접착제층을 통하여 압착하면, 얻어지는 적층체 중에 보이드가 발생하기 쉬운 것을 알 수 있었다. 본 발명에서는, 본딩 후에, 본딩 시보다 높은 기압하, 가열함으로써, 본딩 후에 확인된 보이드를 저감·소실시키는 것이 가능한 것을 발견했다. 이 메커니즘은 추정이기는 하지만, 진공 등의 낮은 기압하에서도 다 메워지지 않은 미소한 보이드가, 상기보다 높은 기압하에서 가열함으로써, 보이드 내외에서 차압이 발생하여, 보이드가 소실된다고 추정된다.With such a constitution, the generation of voids in the laminate can be effectively suppressed in the laminate which can be peeled off at 40 캜 or less, and the peel strength stability can be improved. That is, in the conventional method of producing a laminate, convex portions such as wirings, bumps, fillers, and pads, or concave portions such as scribe lines and conformer vias (hereinafter sometimes referred to as "convex portions" ) And the carrier substrate are pressed together through the adhesive layer, voids are likely to be generated in the obtained laminate. In the present invention, it has been found that voids confirmed after bonding can be reduced or eliminated by heating at a higher pressure than that at the time of bonding, after bonding. Although this mechanism is presumed, it is presumed that minute voids that are not filled even under a low atmospheric pressure such as a vacuum are heated under the above atmospheric pressure to generate a differential pressure inside and outside the voids, and voids are lost.

또한, 본 발명에서는, 이와 같이 보이드를 줄이고, 또한 적층체 제조 시의 가열 압착 조건을 상기와 같이 함으로써, 적층체로부터 캐리어 기판을 박리할 때의 박리력 안정성을 효과적으로 향상시키는 것이 가능해진다. 또한, 40℃ 이하에서 기계 박리가 가능하다.Further, in the present invention, it is possible to effectively improve the peel strength stability when the carrier substrate is peeled from the laminate by reducing the voids and by subjecting the heat pressing conditions at the time of producing the laminate as described above. It is also possible to peel off the machine at 40 ° C or lower.

여기에서, 상술한 바와 같이, 상기 특허문헌 1에는, 가열 및 가압에 의하여 기포의 탈기를 할 수 있는 것이 기재되어 있다. 그러나, 가공 기판과 캐리어 기판의 접착에 이용하는 가접착제층의 저장 탄성률에 대해서는 기재가 없다. 본 발명자가 검토를 행한바, 압착 시 및 압착 후의 가열 시의 저장 탄성률이 박리력 안정성에 큰 영향을 주는 것을 알 수 있었다. 즉, 본 발명에서는, 압착 시 및 압착 후의 가열 시의 저장 탄성률을 상기 범위로 함으로써, 박리력 안정성을 큰 폭으로 향상시키고 있다. 또한, 상기 저장 탄성률로 함으로써, 박리성도 우수한 것으로 할 수 있다.Here, as described above, Patent Document 1 discloses that bubbles can be degassed by heating and pressurization. However, the storage elastic modulus of the adhesive layer used for bonding the processed substrate and the carrier substrate is not described. As a result of the present inventors' study, it has been found that the storage modulus at the time of pressing and at the time of heating after pressing greatly influences the peel strength stability. That is, in the present invention, the peel strength stability is greatly improved by setting the storage modulus at the time of pressing and heating after pressing to within the above range. By setting the storage elastic modulus, the peelability can also be improved.

한편, 특허문헌 2에도, 가열 및 가압에 의하여 기포의 탈기를 할 수 있는 것이 기재되어 있다. 그러나, 특허문헌 2에서 이용되고 있는 접착제를 40℃ 이하의 온도에서 기계 박리할 수는 없다. 이에 대하여, 본 발명에서는, 상기 구성으로 하면서, 40℃ 이하에서의 기계 박리가 가능한 조건으로 첩합함으로써, 박리력 안정성이 우수한 적층체의 제조 방법의 제공에 성공한 것이다.On the other hand, Patent Document 2 also discloses that bubbles can be degassed by heating and pressurization. However, the adhesive used in Patent Document 2 can not be mechanically peeled off at a temperature of 40 占 폚 or lower. On the other hand, the present invention has succeeded in providing a method for producing a laminated body excellent in peel strength stability by bonding in the above-described configuration under a condition capable of mechanical peeling at 40 DEG C or lower.

또한, 기계 박리란, 광이나 열의 조사, 약제 등에 의한 화학적 처리를 행하지 않고, 적층체로부터 캐리어 기판을 박리할 수 있는 것을 말하며, 반드시 기계를 사용하여 박리할 필요는 없고, 손으로 박리하는 경우도 포함되는 취지이다.The term "peeling off" refers to peeling of the carrier substrate from the laminate without chemical treatment by irradiation with light or heat, chemical treatment or the like. It is not always necessary to peel off the carrier substrate with a machine, It is intended to be included.

본 발명의 적층체의 제조 방법에서는, 캐리어 기판을 갖는 제1 부재와, 가공 기판을 갖는 제2 부재 중 적어도 한쪽의 표면에 가접착제층을 갖고, 제1 부재와 제2 부재를, 상기 가접착제층이 내측이 되도록 압착한다(본딩 공정).In the method of producing a laminate of the present invention, the adhesive layer is provided on at least one surface of a first member having a carrier substrate and a second member having a processed substrate, and the first member and the second member are bonded to the adhesive So that the layer is inward (bonding step).

본 발명의 적층체의 제조 방법의 제1 실시형태는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 제1 부재로서의 캐리어 기판(1)과, 제2 부재로서의 가공 기판(2)과, 상기 가공 기판의 표면에 마련된 가접착제층(3)을, 가접착제층이 내측이 되도록 압착하는 양태이다. 가공 기판(2)은 통상, 범프, 필러 등의 요철부(4)를 갖는다. 가접착제층(3)은 1층뿐이어도 되고, 2층 이상이어도 되는데, 통상은 1층이다. 가접착제층이 2층 이상인 경우는, 각각의 층의 조성은 동일해도 되고, 달라도 된다.As shown in Fig. 1, the first embodiment of the method for producing a laminate of the present invention comprises a carrier substrate 1 as a first member, a processed substrate 2 as a second member, And the adhesive layer 3 is pressed so that the adhesive layer is inward. The processed substrate 2 usually has a concavo-convex portion 4 such as a bump or a filler. The adhesive layer 3 may be a single layer or two or more layers, usually one layer. When the adhesive layer has two or more layers, the composition of each layer may be the same or different.

본 발명의 적층체의 제2 실시형태는, 제1 부재로서의 캐리어 기판(1)과 상기 캐리어 기판의 표면에 마련된 가접착제층(3)과, 제2 부재로서의 가공 기판(2)을, 가접착제층이 내측이 되도록 압착하는 양태이다. 가접착제층(3)은 1층뿐이어도 되고, 2층 이상이어도 되는데, 통상은 1층이다. 가접착제층이 2층 이상인 경우는, 각각의 층의 조성은 동일해도 되고, 달라도 되는데, 접착하는 기판의 접착력에 의하여 조성을 조절하는 것이 바람직하다.The second embodiment of the laminate of the present invention is characterized in that the carrier substrate 1 as the first member, the adhesive layer 3 provided on the surface of the carrier substrate and the processed substrate 2 as the second member So that the layer is inwardly pressed. The adhesive layer 3 may be a single layer or two or more layers, usually one layer. When the adhesive layer has two or more layers, the composition of each layer may be the same or different, and it is preferable to control the composition by the adhesive force of the substrate to be bonded.

본 발명의 적층체의 제3 실시형태는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 제1 부재로서의 캐리어 기판(1)과 상기 캐리어 기판의 표면에 마련된 가접착제층(3)과, 제2 부재로서의, 가공 기판(2)과 상기 가공 기판의 표면에 마련된 가접착제층(3)을, 가접착제층이 내측이 되도록 압착하는 양태이다. 제1 부재에 있어서의 가접착제층(3)과, 제2 부재에 있어서의 가접착제층(3)은, 각각 동일한 조성으로 되어 있어도 되고, 달라도 된다.As shown in Fig. 2, the third embodiment of the laminate according to the present invention comprises a carrier substrate 1 as a first member, an adhesive layer 3 provided on the surface of the carrier substrate, The substrate 2 and the adhesive layer 3 provided on the surface of the processed substrate are pressed so that the adhesive layer is inward. The adhesive layer (3) in the first member and the adhesive layer (3) in the second member may be the same composition or different from each other.

본 발명의 방법은, 제3 실시형태가 바람직하다. 이것은, 가접착제층을, 캐리어 기판과 가공 기판의 쌍방의 표면에 마련한 경우인 편이, 가공 기판의 요철을 미리 어느 정도 평탄화해 둘 수 있기 때문에, 결과적으로, 압착 시의 보이드가 발생하기 어려워지기 때문이다.The method of the present invention is preferably the third embodiment. This is because in the case where the adhesive layer is provided on both surfaces of the carrier substrate and the processed substrate, the unevenness of the processed substrate can be flattened to some extent in advance, and as a result, to be.

가접착제층의 조성이나 제조 방법 등의 상세는, 후술한다.Details of the composition of the adhesive layer, the manufacturing method and the like will be described later.

상기 제1~제3 실시형태에 있어서, 제1 부재 및 제2 부재에는, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위 내에서 다른 층을 갖고 있어도 된다. 다른 층으로서는, 이형층, 박리층, 분리층이라고 불리는 층이 예시된다. 박리층으로서는, 예를 들면 일본 공개특허공보 2014-212292호의 단락 0025~0055의 기재를 참조할 수 있으며, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다. 또, 분리층으로서는, WO2013-065417호 팸플릿의 단락 0069~0124의 기재를 참조할 수 있으며, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다.In the first to third embodiments, the first member and the second member may have other layers within a range not deviating from the spirit of the present invention. As another layer, a layer called a release layer, a release layer, and a separation layer is exemplified. As the release layer, reference may be made, for example, to paragraphs 0025 to 0055 of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2014-212292, the contents of which are incorporated herein by reference. As the separation layer, reference may be made to paragraphs 0069 to 0124 of the pamphlet of WO2013-065417, which contents are incorporated herein by reference.

본 발명에서는, 제1 부재와 제2 부재를, 가접착제층이 내측이 되도록, 기압 P1하에서 압착한다. 기압 P1은, 1013Pa 미만인 것이 바람직하고, 1000Pa 이하인 것이 바람직하며, 500Pa 이하인 것이 보다 바람직하고, 300Pa 이하인 것이 더 바람직하며, 200Pa 이하인 것이 한층 바람직하고, 150Pa 이하인 것이 보다 한층 바람직하며, 50Pa 이하로 할 수도 있고, 특히 20Pa 이하로 할 수도 있으며, 보다 특히 15Pa 이하로 할 수도 있다. 기압 P1의 하한값은 0Pa여도 되는데, 5Pa 이상에서도 본 발명의 효과를 충분히 발휘할 수 있다.In the present invention, the first member and the second member are pressed together under the atmospheric pressure P1 so that the adhesive layer is inward. The atmospheric pressure P1 is preferably less than 1013 Pa, more preferably 1000 Pa or less, more preferably 500 Pa or less, further preferably 300 Pa or less, more preferably 200 Pa or less, even more preferably 150 Pa or less, Especially 20 Pa or less, and more particularly 15 Pa or less. The lower limit value of the air pressure P1 may be 0 Pa, but the effect of the present invention can be sufficiently exhibited even when the pressure is 5 Pa or more.

압착 시의 압력은, 0.01~1MPa가 바람직하다.The pressure at the time of pressing is preferably 0.01 to 1 MPa.

또, 압착 시의 온도 T1은, 특별히 정하는 것은 아니지만, 110℃ 이상이 바람직하고, 130℃ 이상이 보다 바람직하며, 145℃ 이상이 더 바람직하고, 155℃ 이상이 한층 바람직하며, 170℃ 이상이 보다 한층 바람직하고, 190℃ 이상이 한층 더 바람직하다. 또, 상한값으로서는, 240℃ 이하가 바람직하고, 220℃ 이하가 보다 바람직하다.The temperature T1 at the time of compression is not particularly limited but is preferably 110 DEG C or higher, more preferably 130 DEG C or higher, more preferably 145 DEG C or higher, more preferably 155 DEG C or higher, And still more preferably 190 deg. C or higher. The upper limit value is preferably 240 占 폚 or lower, and more preferably 220 占 폚 or lower.

상기 기압 P1에서의 압착 시의 가열은 다단계 가열이어도 되고, 예를 들면 T11의 온도(℃)에서 Y11의 시간 가열하고, 추가로 T12의 온도(℃)에서 Y12의 시간 가열한 경우, 온도 T1은 이하와 같이 한다.The heating at the time of pressing under the atmospheric pressure P1 may be multistage heating. For example, in the case of heating for a time of Y11 at a temperature (T11) of T11 and for a time of Y12 at a temperature of T12 (C) We will do as follows.

T1=T11×Y11/(Y11+Y12)+T12×Y12/(Y11+Y12)T1 = T11 x Y11 / (Y11 + Y12) + T12 x Y12 / (Y11 + Y12)

3번째 단계 이후의 가열에 대해서도, 동일하게 생각한다. 또, 후술하는 온도 T2, T0에 대해서도, 동일하게 생각한다.The same is applied to the heating after the third step. The same holds true for the temperatures T2 and T0 described later.

또, 가접착제층은, 압착 시의 온도 T1에 있어서의, 측정 주파수 10Hz에서의 저장 탄성률 G'1이 1,000,000Pa 이하이며, 800,000Pa 이하인 것이 바람직하고, 600,000Pa 이하인 것이 보다 바람직하며, 400,000Pa 이하로 할 수도 있다. 하한값에 대해서는 특별히 정하는 것은 아니지만, 예를 들면 100,000Pa 이상, 나아가서는 200,000Pa 이상으로 할 수 있다. 이와 같은 범위로 함으로써, 가접착제가 액화하여 부재의 단면(端面)으로부터 흘러나오지 않고, 또 용이하게 변형되어, 가접착제층이 평활한 적층체를 제작할 수 있다.The storage elastic modulus G'1 at a measurement frequency of 10 Hz at a temperature T1 at the time of compression bonding is preferably 1,000,000 Pa or less, preferably 800,000 Pa or less, more preferably 600,000 Pa or less, and 400,000 Pa or less . The lower limit value is not specifically defined, but may be, for example, 100,000 Pa or more, and further 200,000 Pa or more. With such a range, it is possible to manufacture a laminate in which the adhesive is liquefied and does not flow out from the end face of the member and is easily deformed to smooth the adhesive layer.

기압 P1에서의 압착 시간은 특별히 정하는 것은 아니지만, 예를 들면 1~15분으로 할 수 있다.The compression time at the atmospheric pressure P1 is not specifically defined, but may be, for example, 1 to 15 minutes.

본 발명에 있어서의 측정 주파수 10Hz에서의 저장 탄성률은, 후술하는 실시예에 기재된 방법으로 측정된다. 실시예에서 이용하는 측정 기기가 폐판 등인 경우, 다른 동등한 성능을 갖는 기기를 채용할 수 있다. 이하, 측정 방법에 대해서도, 동일하다.The storage elastic modulus at a measurement frequency of 10 Hz in the present invention is measured by the method described in Examples to be described later. In the case where the measuring instrument used in the embodiment is a waste plate or the like, a device having another equivalent performance can be employed. Hereinafter, the measurement method is the same.

본 발명의 적층체의 제조 방법에서는, 기압 P2하, 40℃를 초과하는 온도 T2에서 가열한 후, 가공하는 공정을 더 포함한다(포스트베이크 공정). 이와 같이, 본딩(접합)한 적층체를 가열함으로써, 적층체 중의 보이드를 줄일 수 있다.The method for producing a laminate of the present invention further includes a step of processing after heating at a temperature T2 exceeding 40 占 폚 under atmospheric pressure P2 (post-baking step). By heating the laminated body thus bonded (bonded), voids in the laminated body can be reduced.

기압 P2는, 10,000Pa 이상인 것이 바람직하고, 15,000Pa 이상인 것이 바람직하며, 100,000Pa 이상이 보다 바람직하다. 기압 2의 상한값은, 특별히 정하는 것은 아니지만, 예를 들면 200,000Pa 이하로 할 수 있고 130,000Pa 이하가 바람직하다.The atmospheric pressure P2 is preferably 10,000 Pa or more, more preferably 15,000 Pa or more, and more preferably 100,000 Pa or more. The upper limit value of the atmospheric pressure 2 is not particularly limited, but may be 200,000 Pa or lower, for example, and is preferably 130,000 Pa or lower.

또, 기압 P2에서의 압착(가열) 시의 온도 T2는, 40℃를 초과하는 온도이며, 130℃ 이상이 바람직하고, 150℃ 이상이 보다 바람직하며, 160℃ 이상이 더 바람직하고, 175℃ 이상이 한층 바람직하며, 185℃ 이상이 보다 한층 바람직하고, 195℃ 이상이 한층 더 바람직하며, 210℃ 이상이 특히 한층 바람직하다. 또, 상한값으로서는, 특별히 정하는 것은 아니지만, 260℃ 이하, 나아가서는 240℃ 이하로 할 수 있다.The temperature T2 at the time of pressing (heating) at the air pressure P2 is a temperature exceeding 40 占 폚, preferably 130 占 폚 or higher, more preferably 150 占 폚 or higher, more preferably 160 占 폚 or higher, More preferably at least 185 ° C, even more preferably at least 195 ° C, even more preferably at least 210 ° C. The upper limit value is not specifically defined, but may be 260 占 폚 or lower, and further 240 占 폚 or lower.

또, 가접착제층은, 기압 P2에서의 압착(가열) 시의 온도 T2에 있어서의, 측정 주파수 10Hz에서의 저장 탄성률 G'2가 1,000,000Pa 이하이며, 800,000Pa 이하인 것이 바람직하고, 600,000Pa 이하인 것이 보다 바람직하며, 400,000Pa 이하로 할 수도 있다. 하한값에 대해서는 특별히 정하는 것은 아니지만, 예를 들면 100,000Pa 이상, 나아가서는 200,000Pa 이상으로 할 수 있다.The storage elastic modulus G'2 at a measurement frequency of 10 Hz at a temperature T2 during compression (heating) at the atmospheric pressure P2 is preferably 1,000,000 Pa or less, preferably 800,000 Pa or less, and 600,000 Pa or less And more preferably 400,000 Pa or less. The lower limit value is not specifically defined, but may be, for example, 100,000 Pa or more, and further 200,000 Pa or more.

기압 P2에서의 압착(가열) 시간은 특별히 정하는 것은 아니지만, 예를 들면 1~15분으로 할 수 있다.The pressing (heating) time at the atmospheric pressure P2 is not particularly defined, but may be, for example, 1 to 15 minutes.

본 발명에 있어서, 기압 P1과 기압 P2는 Log(P2/P1)≥2.1을 충족시킨다. 이와 같이 기압 차를 마련함으로써, 본딩 공정 등으로 형성된 보이드를 효과적으로 감소시키는 것이 가능해진다. Log(P2/P1)은, 2.2 이상, 2.3 이상, 2.5 이상, 2.8 이상, 2.9 이상, 3.1 이상, 3.4 이상, 3.6 이상, 3.8 이상의 순서로 바람직하다. Log(P2/P1)의 상한값은 특별히 정하는 것은 아니지만, 예를 들면 10 이하, 나아가서는 6 이하, 특히 5 이하로 할 수 있다.In the present invention, the atmospheric pressure P1 and the atmospheric pressure P2 satisfy Log (P2 / P1)? 2.1. By providing the air pressure difference as described above, voids formed by the bonding process and the like can be effectively reduced. Log (P2 / P1) is preferably in the order of 2.2 or more, 2.3 or more, 2.5 or more, 2.8 or more, 2.9 or more, 3.1 or more, 3.4 or more, 3.6 or more, or 3.8 or more. The upper limit value of Log (P2 / P1) is not specifically defined, but may be 10 or less, for example, 6 or less, particularly 5 or less.

본 발명에서는, 온도 T1과 온도 T2가, T1<T2를 충족시키는 것이 바람직하고, T1+10≤T2를 충족시키는 것이 보다 바람직하며, T1+15≤T2를 충족시키는 것이 더 바람직하고, T1+19≤T2를 충족시키는 것이 특히 바람직하며, T1+20≤T2를 충족시키는 것이 한층 바람직하다. 온도 T1과 온도 T2의 온도 차의 상한은 특별히 정하는 것은 아니지만, 예를 들면 80℃ 이하, 나아가서는 40℃ 이하로 할 수도 있다.In the present invention, the temperature T1 and the temperature T2 preferably satisfy T1 < T2, more preferably satisfy T1 + 10? T2, more preferably satisfy T1 + 15? T2, T2 &lt; / RTI &gt; is satisfied, and it is more preferable that T1 + 20? T2 is satisfied. The upper limit of the temperature difference between the temperature T1 and the temperature T2 is not specifically defined, but may be set at, for example, 80 DEG C or less, and further, 40 DEG C or less.

본 발명의 적층체의 제조 방법의 바람직한 제1 실시형태로서, Log(P2/P1)≥2.3이고, T1+15≤T2이며, 압착 시의 온도 T1은, 180℃ 이상, 바람직하게는 190℃ 이상인 양태가 예시된다.As a preferable first embodiment of the method for producing a laminate of the present invention, Log (P2 / P1) &gt; = 2.3 and T1 + 15? T2, and the temperature T1 at the time of compression is 180 ° C or higher, preferably 190 ° C or higher Embodiments are exemplified.

본 발명의 적층체의 제조 방법의 바람직한 제2 실시형태로서, Log(P2/P1)≥2.5이고, T1+15≤T2이며, 압착 시의 온도 T1은, 150℃ 이상, 바람직하게는 170℃ 이상인 양태가 예시된다.As a second preferred embodiment of the method of producing the laminate of the present invention, Log (P2 / P1)? 2.5 and T1 + 15? T2, and the temperature T1 at the time of compression is 150 ° C or higher, preferably 170 ° C or higher Embodiments are exemplified.

본 발명의 적층체의 제조 방법의 바람직한 제3 실시형태로서, Log(P2/P1)≥3.5이고, T1+10≤T2, 바람직하게는 T1+15≤T2이며, 압착 시의 온도 T1은, 140℃ 이상, 바람직하게는 150℃ 이상인 양태가 예시된다.As a third preferred embodiment of the method for producing a laminate of the present invention, Log (P2 / P1) ≥3.5, T1 + 10? T2, preferably T1 + 15? T2, Lt; 0 &gt; C or more, preferably 150 [deg.] C or more.

본 발명의 적층체의 제조 방법의 특히 바람직한 실시형태로서, 가접착제층이 스타이렌 구조를 포함하는 열가소성 엘라스토머이고, Log(P2/P1)≥3.5이며, T1+15≤T2이고, 압착 시의 온도 T1은, 170℃ 이상인 양태가 예시된다.As a particularly preferable embodiment of the method for producing a laminated body of the present invention, it is preferable that the adhesive layer is a thermoplastic elastomer including a styrene structure, Log (P2 / P1)? 3.5, T1 + 15? T2, T1 is at least 170 DEG C as an example.

본 발명의 적층체의 제조 방법은, 상기 압착 후, 가공 기판이 가공된다. 가공이란, 가공 기판에 대하여, 어떠한 작업을 실시하는 것을 말하고, 기계 처리, 화학적 처리는 물론, 가열 등의 처리도 포함하는 취지이다.In the method of manufacturing a laminate of the present invention, the processed substrate is processed after the pressing. The term &quot; processing &quot; means performing a certain operation on a processed substrate, and includes processing such as heating as well as mechanical processing and chemical processing.

상기 가공의 제1 실시형태로서는, 상기 가공이 160℃ 이상 300℃ 이하의 온도에서 가열하는 것인 양태가 예시된다.As a first embodiment of the above-mentioned processing, there is exemplified an embodiment in which the above processing is performed at a temperature of 160 캜 or more and 300 캜 or less.

상기 가공의 제2 실시형태로서는, 상기 가공이, 가공 기판의 가접착제층에서 먼 측의 면을 박형화하는 것인 양태가 예시된다.In the second embodiment of the processing, the processing is such that the surface of the processed substrate farther from the adhesive layer is thinned.

박형화는, 기계적으로, 예를 들면 연마 등에 의하여 행해도 되고, 화학적인 처리에 의하여 박형화해도 된다. 기계적 또는 화학적인 처리는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 글라이딩이나 화학 기계 연마(CMP) 등의 박형화 처리, 화학 기상 성장(CVD)이나 물리 기상 성장(PVD) 등의 고온·진공하에서의 처리, 유기 용제, 산성 처리액이나 염기성 처리액 등의 약품을 이용한 처리, 도금 처리, 활성광선의 조사, 가열·냉각 처리 등을 들 수 있다.The thinning may be performed mechanically, for example, by polishing or the like, or may be made thin by chemical treatment. The mechanical or chemical treatment is not particularly limited. For example, the mechanical treatment or the chemical treatment includes a thinning treatment such as gliding or chemical mechanical polishing (CMP), a treatment under high temperature and vacuum such as chemical vapor deposition (CVD) A treatment using a chemical such as a solvent, an acidic treatment solution or a basic treatment solution, a plating treatment, an irradiation with an actinic ray, and a heating and cooling treatment.

기계적 또는 화학적인 처리를 실시하여 박형화한 후의 가공 기판의 두께는, 예를 들면 500μm 미만이 바람직하고, 400μm 이하가 보다 바람직하며, 300μm 이하가 더 바람직하고, 100μm 이하가 한층 바람직하며, 50μm 이하가 보다 한층 바람직하다. 하한은, 예를 들면 1μm 이상이 바람직하고, 5μm 이상이 보다 바람직하다. 여기에서의 가공 기판의 두께란, 요철부의 두께를 제외한 기판면의 두께를 말한다.The thickness of the processed substrate after thinning by mechanical or chemical treatment is preferably, for example, less than 500 탆, more preferably 400 탆 or less, more preferably 300 탆 or less, more preferably 100 탆 or less, Is more preferable. The lower limit is preferably 1 m or more, for example, and more preferably 5 m or more. Here, the thickness of the processed substrate refers to the thickness of the substrate surface excluding the thickness of the concave-convex portion.

또, 기계적 또는 화학적인 처리에 있어서, 가열 처리에 있어서의 최고 도달 온도는 130℃~400℃가 바람직하고, 180℃~350℃가 보다 바람직하다. 가열 처리에 있어서의 최고 도달 온도는 가접착제층의 분해 온도보다 낮은 온도로 하는 것이 바람직하다. 가열 처리는, 최고 도달 온도에서의 30초~30분의 가열인 것이 바람직하고, 최고 도달 온도에서의 1분~10분의 가열인 것이 보다 바람직하다.In the mechanical or chemical treatment, the maximum attainable temperature in the heat treatment is preferably 130 ° C to 400 ° C, more preferably 180 ° C to 350 ° C. It is preferable that the maximum attained temperature in the heat treatment is lower than the decomposition temperature of the adhesive layer. The heat treatment is preferably heating for 30 seconds to 30 minutes at the maximum attained temperature, and more preferably for 1 minute to 10 minutes at the maximum attained temperature.

또, 박형화 처리 후에, 박형화한 가공 기판의 이면으로부터 실리콘 기판을 관통하는 관통 구멍을 형성하고, 이 관통 구멍 내에 실리콘 관통 전극을 형성하는 처리를 행해도 된다.After the thinning process, a process may be performed in which a through hole penetrating the silicon substrate is formed from the back surface of the thinned substrate to form a silicon through electrode in the through hole.

또, 본 발명에서는, 상기 방법에 의하여 제조된 적층체로부터, 캐리어 기판을 박리하여 반도체 디바이스를 제조하는 것이 바람직하다. 즉, 본 발명에서는, 상기 적층체의 제조 방법을 포함하고, 상기 적층체로부터, 40℃ 이하의 온도에서 적어도 캐리어 기판을 박리하는 공정을 더 포함하는, 반도체 디바이스의 제조 방법을 개시한다. 이때의 박리는, 바람직하게는, 기계 박리인 것이 바람직하다. 박리 시에, 적층체로부터, 캐리어 기판만을 박리해도 되고, 캐리어 기판과 함께, 1층 또는 2층 이상의 가접착제층을 박리해도 된다. 박리 위치는, 1층 또는 2층 이상의 가접착제층에 배합하는 이형성이 높은 성분의 배합량을 조절함으로써, 조정할 수 있다. 예를 들면, 캐리어 기판과 캐리어 기판에 접하는 가접착제층의 사이에서 박리하고자 하는 경우, 상기 캐리어 기판에 접하는 가접착제층에 이형성이 높은 성분을 많이 배합하면 된다. 특히, 이형성이 높은 성분이 편재성을 가지면, 소량의 이형성이 높은 성분의 배합에 의하여, 박리 위치를 조정할 수 있어 바람직하다. 적층체의 어느 위치에서 박리할지는, 용도 등에 따라 적절히 정할 수 있다. 이형성이 높은 성분이며 편재성을 갖는 성분으로서는, 후술하는 불소 원자 및 실리콘 원자 중 적어도 한쪽을 포함하는 화합물이 예시된다.Further, in the present invention, it is preferable to manufacture the semiconductor device from the laminate produced by the above method by peeling the carrier substrate. That is, in the present invention, a method for manufacturing a semiconductor device is provided, which further comprises a step of peeling at least the carrier substrate from the laminate at a temperature of 40 ° C or lower. The peeling at this time is preferably a mechanical peeling. Upon peeling, only the carrier substrate may be peeled off from the laminate, or one or more adhesive layers may be peeled off together with the carrier substrate. The peeling position can be adjusted by controlling the compounding amount of one or more layers of the highly releasable component to be mixed in the adhesive layer. For example, when peeling is desired between the carrier substrate and the adhesive layer adjacent to the carrier substrate, a large amount of a highly releasable component may be added to the adhesive layer in contact with the carrier substrate. Particularly, when the component having a high releasability has a ubiquitous property, it is preferable to adjust the peeling position by blending a small amount of highly releasable components. The peeling at which position of the laminate can be appropriately determined depending on the use or the like. As the component having a high releasability and having a ubiquitous property, a compound containing at least one of a fluorine atom and a silicon atom to be described later is exemplified.

박리는, 예를 들면 어떠한 처리도 하지 않고 캐리어 기판의 단부로부터 가공 기판에 대하여 수직 방향으로 끌어올려 박리하는 것이 바람직하다. 보다 구체적으로는, 적층체의 가공 기판 측을 아래로 하여 수평면에 고정하고, 캐리어 기판을 가공 기판에 대하여, 수직 방향으로, 10~80N의 힘으로 끌어올리는 것이 바람직하며, 10N 이상 50N 미만으로 끌어올리는 것이 보다 바람직하고, 10N 이상 30N 미만으로 끌어올리는 것이 더 바람직하다. 이때, 캐리어 기판과 가접착제층의 간극에 나이프 등으로 노치를 넣은 후 박리하는 것도 바람직하다. 상기 분리 시의 속도는, 30~70mm/분인 것이 바람직하고, 40~60mm/분인 것이 보다 바람직하다.The peeling is preferably carried out by, for example, pulling up the end portion of the carrier substrate in a direction perpendicular to the processed substrate without performing any treatment. More specifically, it is preferable to fix the carrier substrate on the horizontal plane with the processed substrate side of the stacked body down and to pull the carrier substrate in the vertical direction with a force of 10 to 80 N, More preferably 10 N or more and 30 N or less. At this time, it is also preferable to insert a notch into the gap between the carrier substrate and the adhesive layer with a knife or the like, and peel off. The separation speed is preferably 30 to 70 mm / minute, more preferably 40 to 60 mm / minute.

박리 시의 온도는, 바람직하게는 40℃ 이하, 보다 바람직하게는 10~40℃, 더 바람직하게는 20~30℃이다.The temperature at the time of peeling is preferably 40 占 폚 or less, more preferably 10 to 40 占 폚, and still more preferably 20 to 30 占 폚.

상술 외에, 박리액을 이용하여, 가접착제층을 용해하고, 캐리어 기판과 가공 기판으로 분리해도 된다. 이 경우의 박리액으로서는, 후술하는 가접착제층의 제거에 이용하는 박리액을 이용할 수 있다.In addition to the above, the peeling liquid may be used to dissolve the adhesive layer, and the carrier substrate and the processed substrate may be separated. As the release liquid in this case, a release liquid used for removing the adhesive layer described later can be used.

캐리어 기판을 박리한 적층체에, 가공 기판과 함께, 1층 또는 2층 이상의 가접착제층이 남아 있는 경우, 통상 가접착제층을 제거한다.When one or more adhesive layers remain in the layered product in which the carrier substrate is peeled together with the processed substrate, the adhesive layer is usually removed.

가접착제층의 제거 수단으로서는, 특별히 정하는 것은 아니지만, 이하의 방법이 바람직하다.Is not particularly limited as a means for removing the adhesive layer, but the following method is preferable.

본 발명의 적층체의 제조 방법에 있어서의 가접착제층의 제거 수단의 제1 실시형태로서는, 캐리어 기판을 박리한 적층체에 있어서 가접착제층을 40℃ 이하의 온도에서 기계적으로 제거하는 것을 들 수 있다. 가접착제층의 제거 시의 온도는, 바람직하게는 40℃ 이하, 보다 바람직하게는 10~40℃, 더 바람직하게는 20~30℃이다.As a first embodiment of the adhesive layer removing means in the production method of the laminate of the present invention, in the laminate obtained by removing the carrier substrate, the adhesive layer is mechanically removed at a temperature of 40 DEG C or lower have. The temperature at which the adhesive layer is removed is preferably 40 占 폚 or less, more preferably 10 to 40 占 폚, and still more preferably 20 to 30 占 폚.

제거는, 가접착제층을 박형화한 가공 기판의 기판면에 대하여 60°~180°의 각도를 이루도록 끌어올려 박리하는 것이 바람직하다. 이와 같은 각도로 박리함으로써, 작은 힘으로 양호하게 박리할 수 있다. 또, 가접착제층을 층 형상의 상태인 채로 박리하기 쉬워진다. 박리의 수단으로서는, 손으로 박리하거나, 기기를 이용하여 박리하는 등의 수단이 예시된다. 박리력은, 접착 조건 등에 따라서도 다르지만, 예를 들면 10~135N으로 할 수 있다. 상기 박리 시의 박형화한 가공 기판의 기판면에 대하여 이루는 각의 하한값은, 90° 이상이 바람직하다. 또, 상기 각도의 상한값은, 150° 이하가 바람직하다.It is preferable that the removal is carried out by pulling up the adhesive layer so as to form an angle of 60 ° to 180 ° with respect to the substrate surface of the thinned substrate. By peeling at such an angle, it is possible to excellently peel off with a small force. In addition, it becomes easy to peel off the adhesive layer with the layer-like state. Examples of means for peeling include peeling by hand, peeling by means of a device, and the like. The peeling force varies depending on the bonding conditions and the like, but may be 10 to 135N, for example. It is preferable that the lower limit of the angle formed with respect to the substrate surface of the thinned processed substrate at the time of peeling is 90 DEG or more. The upper limit value of the angle is preferably 150 DEG or less.

본 발명의 적층체의 제조 방법에 있어서의 가접착제층의 제거 수단의 제2 실시형태로서는, 가접착제층에 용제(박리액)를 접촉시킴으로써 가접착제층을 제거하는 방법이 예시된다.As a second embodiment of the adhesive layer removing means in the production method of the laminate of the present invention, a method of removing the adhesive layer by contacting a solvent (release liquid) with the adhesive layer is exemplified.

박리액으로서는, 지방족 탄화 수소류(헥세인, 헵테인, 아이소파 E, H, G(에쏘 화학(주)제) 등), 방향족 탄화 수소류(톨루엔, 자일렌 등), 할로젠화 탄화 수소(메틸렌 다이클로라이드, 에틸렌 다이클로라이드, 트라이클로로에틸렌, 모노클로로벤젠 등), 극성 용제를 들 수 있다. 극성 용제로서는, 알코올류(메탄올, 에탄올, 프로판올, 아이소프로판올, 1-뷰탄올, 1-펜탄올, 1-헥산올, 1-헵탄올, 1-옥탄올, 2-옥탄올, 2-에틸-1-헥산올, 1-노난올, 1-데칸올, 벤질알코올, 에틸렌글라이콜모노메틸에터, 2-에톡시에탄올, 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노헥실에터, 트라이에틸렌글라이콜모노메틸에터, 프로필렌글라이콜모노에틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터, 폴리에틸렌글라이콜모노메틸에터, 폴리프로필렌글라이콜, 테트라에틸렌글라이콜, 에틸렌글라이콜모노뷰틸에터, 에틸렌글라이콜모노벤질에터, 에틸렌글라이콜모노페닐에터, 프로필렌글라이콜모노페닐에터, 메틸페닐카비놀, n-아밀알코올, 메틸아밀알코올 등), 케톤류(아세톤, 메틸에틸케톤, 에틸뷰틸케톤, 메틸아이소뷰틸케톤, 사이클로헥산온 등), 에스터류(아세트산 에틸, 아세트산 프로필, 아세트산 뷰틸, 아세트산 아밀, 아세트산 벤질, 락트산 메틸, 락트산 뷰틸, 에틸렌글라이콜모노뷰틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트, 다이에틸렌글라이콜아세테이트, 다이에틸프탈레이트, 레불린산 뷰틸 등), 그 외(트라이에틸포스페이트, 트라이크레실포스페이트, N-페닐에탄올아민, N-페닐다이에탄올아민, N-메틸다이에탄올아민, N-에틸다이에탄올아민, 4-(2-하이드록시에틸)모폴린, N,N-다이메틸아세트아마이드, N-메틸피롤리돈 등) 등을 들 수 있다.Examples of the exfoliating solution include aliphatic hydrocarbons (such as hexane, heptane, isophora E, H and G (manufactured by Esso Chemical Co., Ltd.)), aromatic hydrocarbon (toluene, xylene and the like), halogenated hydrocarbons (Methylene dichloride, ethylene dichloride, trichlorethylene, monochlorobenzene, etc.) and polar solvents. Examples of the polar solvent include alcohols (such as methanol, ethanol, propanol, isopropanol, 1-butanol, 1-pentanol, 1-hexanol, 1-heptanol, But are not limited to, 1-hexanol, 1-nonanol, 1-decanol, benzyl alcohol, ethylene glycol monomethyl ether, 2-ethoxy ethanol, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monohexyl Ether, triethylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, polyethylene glycol monomethyl ether, polypropylene glycol, tetraethylene glycol Ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monophenyl ether, propylene glycol monophenyl ether, methylphenyl carbinol, n-amyl alcohol, methyl amyl alcohol Etc.), ketones (acetone, methyl ethyl ketone, ethyl butyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, etc.) And the like, such as esters (ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, amyl acetate, benzyl acetate, methyl lactate, butyl lactate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol acetate , Triethylphosphate, tricityl phosphate, N-phenylethanolamine, N-phenyldiethanolamine, N-methyldiethanolamine, N-ethyldiethanolamine , 4- (2-hydroxyethyl) morpholine, N, N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone and the like.

또한, 박리성의 관점에서, 박리액은, 알칼리, 산, 및 계면활성제를 포함하고 있어도 된다. 이들 성분을 배합하는 경우, 배합량은, 각각 박리액의 0.1~5.0질량%인 것이 바람직하다.Further, from the viewpoint of releasability, the release liquid may contain an alkali, an acid, and a surfactant. When these components are blended, the blending amount is preferably 0.1 to 5.0 mass% of the peeling solution.

또한 박리성의 관점에서, 2종 이상의 유기 용제 및 물, 2종 이상의 알칼리, 산 및 계면활성제를 혼합하는 형태도 바람직하다. 또한 필요에 따라, 소포제 및 경수연화제와 같은 첨가제를 함유할 수도 있다.From the viewpoint of releasability, a mode of mixing two or more kinds of organic solvents and water, two or more kinds of alkali, acid and surfactant is also preferable. If necessary, additives such as a defoaming agent and a water softening agent may also be contained.

알칼리, 산 및 계면활성제로서는, 일본 공개특허공보 2014-189696호의 단락 번호 0170~0176의 기재를 참조할 수 있으며, 이 내용은 본 명세서에 원용된다.As the alkali, acid and surfactant, reference can be made to the disclosure of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2014-189696, paragraphs 0170 to 0176, which is incorporated herein by reference.

또, 캐리어 기판에 가접착제층의 잔사 등이 부착되어 있는 경우는, 잔사를 제거함으로써, 캐리어 기판을 재생할 수 있다. 잔사를 제거하는 방법으로서는, 브러시, 초음파, 얼음 입자, 에어로졸의 분사에 의하여 물리적으로 제거하는 방법, 상기 박리액 등에 용해시켜 용해 제거하는 방법, 활성광선, 방사선, 열의 조사에 의하여 분해, 기화시키는 방법 등의 화학적으로 제거하는 방법을 들 수 있는데, 캐리어 기판에 따라, 종래 이미 알려진 세정 방법을 이용할 수 있다.When the residue of the adhesive layer is adhered to the carrier substrate, the carrier substrate can be regenerated by removing the residue. Examples of the method for removing the residue include a method of physically removing the residue by spraying a brush, an ultrasonic wave, an ice particle, and an aerosol, a method of dissolving and removing the dissolution in the dissolution liquid, a method of decomposing and vaporizing by irradiation with actinic rays, And the like. Depending on the carrier substrate, conventionally known cleaning methods can be used.

예를 들면, 캐리어 기판으로서 실리콘 기판을 사용한 경우, 종래 이미 알려진 실리콘 웨이퍼의 세정 방법을 사용할 수 있으며, 예를 들면 화학적으로 제거하는 경우에 사용할 수 있는 수용액 또는 유기 용제로서는, 강산, 강염기, 강산화제, 또는 그들의 혼합물을 들 수 있고, 구체적으로는, 황산, 염산, 불산, 질산, 유기산 등의 산류, 테트라메틸암모늄, 암모니아, 유기 염기 등의 염기류, 과산화 수소 등의 산화제, 또는 암모니아와 과산화 수소의 혼합물, 염산과 과산화 수소수의 혼합물, 황산과 과산화 수소수의 혼합물, 불산과 과산화 수소수의 혼합물, 불산과 불화 암모늄의 혼합물 등을 들 수 있다.For example, when a silicon substrate is used as the carrier substrate, conventionally known cleaning methods for silicon wafers can be used. For example, aqueous solutions or organic solvents that can be used for chemical removal include strong acids, strong bases, strong oxidizing agents And specific examples thereof include acids such as sulfuric acid, hydrochloric acid, hydrofluoric acid, nitric acid and organic acids, bases such as tetramethylammonium, ammonia and organic bases, oxidizing agents such as hydrogen peroxide, A mixture of hydrochloric acid and hydrogen peroxide, a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide, a mixture of hydrofluoric acid and hydrogen peroxide, and a mixture of hydrofluoric acid and ammonium fluoride.

재생한 캐리어 기판을 사용한 경우의 접착성의 관점에서, 세정액을 이용하는 것이 바람직하다.From the viewpoint of adhesiveness when a regenerated carrier substrate is used, it is preferable to use a cleaning liquid.

세정액은, pKa가 0 미만인 산(강산)과 과산화 수소를 포함하고 있는 것이 바람직하다. pKa가 0 미만인 산으로서는, 아이오딘화 수소, 과염소산, 브로민화 수소, 염화 수소, 질산, 황산 등의 무기산, 또는 알킬설폰산, 아릴설폰산 등의 유기산으로부터 선택된다. 캐리어 기판 상의 가접착제층의 세정성의 관점에서 무기산인 것이 바람직하고, 황산이 가장 바람직하다.It is preferable that the cleaning liquid contains an acid (strong acid) having a pKa of less than 0 and hydrogen peroxide. The acid having a pKa of less than 0 is selected from an inorganic acid such as hydrogen iodide, perchloric acid, hydrogen bromide, hydrogen chloride, nitric acid, sulfuric acid, or an organic acid such as alkylsulfonic acid or arylsulfonic acid. From the viewpoint of the cleaning property of the adhesive layer on the carrier substrate, it is preferably an inorganic acid, and sulfuric acid is most preferable.

과산화 수소로서는, 30질량% 과산화 수소수를 바람직하게 사용할 수 있으며, 상기 강산과 30질량% 과산화 수소수의 혼합비는, 질량비로 0.1:1~100:1이 바람직하고, 1:1~10:1이 보다 바람직하며, 3:1~5:1이 가장 바람직하다.As the hydrogen peroxide, 30 mass% hydrogen peroxide can be preferably used. The mixing ratio of the strong acid to the 30 mass% hydrogen peroxide is preferably 0.1: 1 to 100: 1, more preferably 1: 1 to 10: And most preferably from 3: 1 to 5: 1.

<가접착제층>&Lt; Adhesive layer >

본 발명에서 이용하는 가접착제층은, 통상 가접착제 조성물을 이용하여 형성된다.The adhesive layer used in the present invention is usually formed using an adhesive composition.

본 발명에서 이용하는 가접착제 조성물은, 수지를 포함하는 것이 바람직하고, 수지와 용제를 포함하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 본 발명에서 이용하는 가접착제 조성물은, 불소 원자 및 실리콘 원자 중 적어도 한쪽을 포함하는 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.The adhesive composition used in the present invention preferably contains a resin, and more preferably includes a resin and a solvent. The adhesive composition used in the present invention preferably contains a compound containing at least one of a fluorine atom and a silicon atom.

<<수지>><< Resin >>

본 발명에서 이용하는 수지는, 상술한 가접착제층의 저장 탄성률을 달성하는 수지가 바람직하고, 통상은 엘라스토머이다. 엘라스토머를 사용함으로써, 캐리어 기판이나 가공 기판의 미세한 요철에도 추종하여 적절한 앵커 효과에 의하여, 접착성이 우수한 가접착제층을 형성할 수 있다. 또, 가공 기판으로부터 캐리어 기판을 박리할 때에, 가공 기판 등에 응력을 가하지 않고, 캐리어 기판을 가공 기판으로부터 박리할 수 있어, 가공 기판 상의 디바이스 등의 파손이나 박리를 방지할 수 있다.The resin used in the present invention is preferably a resin which achieves the storage elastic modulus of the above-mentioned pressure-sensitive adhesive layer, and is usually an elastomer. By using an elastomer, it is possible to form an adhesive layer having excellent adhesiveness by an appropriate anchor effect following the fine unevenness of the carrier substrate and the processed substrate. Further, when peeling the carrier substrate from the processed substrate, the carrier substrate can be peeled off from the processed substrate without stress on the processed substrate, and breakage or peeling of devices on the processed substrate can be prevented.

또한, 본 명세서에 있어서, 엘라스토머란, 탄성 변형을 나타내는 고분자 화합물을 나타낸다. 즉 외력을 가했을 때에, 그 외력에 따라 즉시 변형되고, 또한 외력을 제거했을 때에는, 단시간에 원래의 형상을 회복하는 성질을 갖는 고분자 화합물이라고 정의한다.In the present specification, the elastomer refers to a polymer compound exhibiting elastic deformation. That is, when an external force is applied, it is defined as a polymer compound that has a property of being instantly deformed according to its external force and recovering its original shape in a short time when an external force is removed.

가접착제층에 포함되는 수지로서는, 스타이렌 구조를 포함하는 열가소성 엘라스토머, 올레핀계 엘라스토머, 염화 바이닐계 엘라스토머, 유레테인계 엘라스토머, 아마이드계 엘라스토머, 열가소성 실록세인 중합체, 사이클로올레핀계 중합체, 아크릴 수지, 각종 블록 공중합체가 예시되며, 스타이렌 구조를 포함하는 열가소성 엘라스토머, 열가소성 실록세인 중합체, 사이클로올레핀계 중합체 및 아크릴 수지 중 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하고, 스타이렌 구조를 포함하는 열가소성 엘라스토머, 열가소성 실록세인 중합체 및 사이클로올레핀계 중합체 중 적어도 1종을 포함하는 것이 보다 바람직하며, 스타이렌 구조를 포함하는 열가소성 엘라스토머를 포함하는 것이 더 바람직하다.Examples of the resin included in the adhesive layer include thermoplastic elastomers including styrene structure, olefin elastomer, vinyl chloride elastomer, urethane elastomer, amide elastomer, thermoplastic siloxane polymer, cycloolefin polymer, Block copolymers are exemplified and it is preferable to include at least one of a thermoplastic elastomer containing a styrene structure, a thermoplastic siloxane polymer, a cycloolefin-based polymer and an acrylic resin, and it is preferable to use a thermoplastic elastomer containing a styrene structure, More preferably a thermoplastic elastomer containing a styrene structure, and still more preferably a thermoplastic elastomer containing at least one of a styrene polymer and a cycloolefin polymer.

<<<스타이렌 구조를 포함하는 열가소성 엘라스토머>>><<< Thermoplastic Elastomer Containing Styrene Structure >>>

가접착제 조성물은, 스타이렌 구조를 포함하는 열가소성 엘라스토머를 함유하는 것이 바람직하다. 스타이렌 구조를 포함하는 열가소성 엘라스토머는, 스타이렌 유래의 반복 단위를 전체 반복 단위 중에 함유하는 엘라스토머이다.The adhesive composition preferably contains a thermoplastic elastomer containing a styrene structure. The thermoplastic elastomer containing a styrene structure is an elastomer containing repeating units derived from styrene in the total repeating units.

스타이렌 구조를 포함하는 열가소성 엘라스토머로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 스타이렌-뷰타다이엔-스타이렌 블록 공중합체(SBS), 스타이렌-아이소프렌-스타이렌 블록 공중합체(SIS), 스타이렌-에틸렌-뷰틸렌-스타이렌 블록 공중합체(SEBS), 스타이렌-뷰타다이엔-뷰틸렌-스타이렌 공중합체(SBBS) 및 이들의 수소 첨가물, 스타이렌-에틸렌-프로필렌-스타이렌 블록 공중합체(SEPS), 스타이렌-에틸렌-에틸렌-프로필렌-스타이렌 블록 공중합체(SEEPS) 등을 들 수 있다.The thermoplastic elastomer containing a styrene structure is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose. For example, styrene-butadiene-styrene block copolymer (SBS), styrene-isoprene-styrene block copolymer (SIS), styrene-ethylene-butylene-styrene block copolymer ), Styrene-butadiene-butylene-styrene copolymer (SBBS) and hydrogenated products thereof, styrene-ethylene-propylene-styrene block copolymer (SEPS), styrene- Styrene block copolymer (SEEPS), and the like.

스타이렌 구조를 포함하는 열가소성 엘라스토머의 중량 평균 분자량은, 2,000~200,000이 바람직하고, 10,000~200,000이 보다 바람직하며, 50,000~100,000이 더 바람직하다. 이 범위에 있음으로써, 스타이렌 구조를 포함하는 열가소성 엘라스토머의, 용제에 대한 용해성이 우수해져, 도포성이 향상된다. 또, 가공 기판을 캐리어 기판으로부터 박리 후, 잔존하는 가접착제층을 제거할 때에도, 용제에 대한 용해성이 우수하기 때문에, 가공 기판이나 캐리어 기판에 잔사가 남지 않는 이점이 있다.The weight average molecular weight of the thermoplastic elastomer including the styrene structure is preferably 2,000 to 200,000, more preferably 10,000 to 200,000, and still more preferably 50,000 to 100,000. Within this range, the solubility of the thermoplastic elastomer containing the styrene structure to the solvent is improved, and the coating property is improved. Further, even when the processed substrate is peeled off from the carrier substrate and the remaining tacky adhesive layer is removed, there is an advantage that the residue is not left on the processed substrate or the carrier substrate because the solvent is excellent in solubility.

본 발명에 있어서, 스타이렌 구조를 포함하는 열가소성 엘라스토머로서는, 블록 공중합체, 랜덤 공중합체, 그래프트 공중합체를 들 수 있으며, 블록 공중합체가 바람직하고, 편말단 또는 양 말단이 스타이렌의 블록 공중합체인 것이 보다 바람직하며, 양 말단이 스타이렌의 블록 공중합체인 것이 특히 바람직하다. 스타이렌 구조를 포함하는 열가소성 엘라스토머의 양단을, 스타이렌의 블록 공중합체(스타이렌 유래의 반복 단위)로 하면, 열안정성이 보다 향상되는 경향이 있다. 이것은, 내열성이 높은 스타이렌 유래의 반복 단위가 말단에 존재하게 되기 때문이다. 특히, 스타이렌 유래의 반복 단위의 블록 부위가 반응성의 폴리스타이렌계 하드 블록인 것에 의하여, 내열성, 내약품성이 보다 우수한 경향이 있어 바람직하다. 또, 이들을 블록 공중합체로 하면, 200℃ 이상에 있어서 하드 블록과 소프트 블록에서의 상분리를 행한다고 생각된다. 그 상분리는 디바이스 웨이퍼의 가공 기판 표면의 요철의 발생의 억제에 기여한다고 생각된다. 또한, 이와 같은 수지는, 용제에 대한 용해성 및 레지스트 용제에 대한 내성의 관점에서도 보다 바람직하다.In the present invention, examples of the thermoplastic elastomer containing a styrene structure include a block copolymer, a random copolymer and a graft copolymer, and a block copolymer is preferable, and a styrene block copolymer And it is particularly preferable that both ends are block copolymers of styrene. When the both ends of a thermoplastic elastomer containing a styrene structure is a block copolymer of styrene (a repeating unit derived from styrene), the thermal stability tends to be further improved. This is because the repeating unit derived from styrene having high heat resistance is present at the terminal. Particularly, since the block portion of the repeating unit derived from styrene is a reactive polystyrene-based hard block, it is preferable because heat resistance and chemical resistance tend to be better. When these are used as a block copolymer, it is considered that phase separation is performed between the hard block and the soft block at 200 캜 or higher. It is believed that the phase separation contributes to suppression of the generation of irregularities on the surface of the processed substrate of the device wafer. Such a resin is more preferable from the viewpoint of solubility in a solvent and resistance to a resist solvent.

본 발명에 있어서, 스타이렌 구조를 포함하는 열가소성 엘라스토머는, 수소 첨가물인 것이 바람직하다. 스타이렌 구조를 포함하는 열가소성 엘라스토머가 수소 첨가물이면, 열안정성이나 보존 안정성이 향상된다. 나아가서는, 박리성 및 박리 후의 가접착제층의 세정 제거성이 향상된다. 또한, 수소 첨가물이란, 엘라스토머가 수소 첨가된 구조의 중합체를 의미한다.In the present invention, the thermoplastic elastomer containing a styrene structure is preferably a hydrogenated product. If the thermoplastic elastomer containing the styrene structure is a hydrogenated material, the thermal stability and the storage stability are improved. Further, the peelability and the removability of the adhesive layer after peeling can be improved. Further, the hydrogenated substance means a polymer in which the elastomer is hydrogenated.

스타이렌 구조를 포함하는 열가소성 엘라스토머는, 25℃로부터, 20℃/분으로 승온한 5% 열질량 감소 온도가, 250℃ 이상인 것이 바람직하고, 300℃ 이상인 것이 보다 바람직하며, 350℃ 이상인 것이 더 바람직하고, 400℃ 이상인 것이 특히 바람직하다. 또, 상한값은 특별히 한정은 없지만, 예를 들면 1000℃ 이하가 바람직하고, 800℃ 이하가 보다 바람직하다. 이 양태에 의하면, 내열성이 우수한 가접착제층을 형성하기 쉽다.The thermoplastic elastomer having a styrene structure preferably has a 5% thermal mass reduction temperature at 25 ° C or higher at 20 ° C / min, preferably 250 ° C or higher, more preferably 300 ° C or higher, still more preferably 350 ° C or higher , And particularly preferably at least 400 ° C. The upper limit value is not particularly limited, but is preferably 1000 占 폚 or lower, for example, and more preferably 800 占 폚 or lower. According to this embodiment, it is easy to form an adhesive layer having excellent heat resistance.

스타이렌 구조를 포함하는 열가소성 엘라스토머는, 원래의 크기를 100%로 했을 때에, 실온(25℃)에 있어서 작은 외력으로 200%까지 변형시킬 수 있고, 또한 외력을 제거했을 때에, 단시간에 130% 이하로 되돌아오는 성질을 갖는 것이 바람직하다.The thermoplastic elastomer containing a styrene structure can be deformed to 200% at a room temperature (25 DEG C) at a room temperature (25 DEG C) at an original size of 100%. When the external force is removed, the thermoplastic elastomer It is preferable to have the property of returning to

스타이렌 구조를 포함하는 열가소성 엘라스토머의 불포화 이중 결합량으로서는, 가열 공정 후의 박리성의 관점에서, 15mmol/g 미만인 것이 바람직하고, 7mmol/g 이하인 것이 보다 바람직하며, 5mmol/g 미만인 것이 더 바람직하고, 0.5mmol/g 미만인 것이 한층 바람직하다. 하한값에 대해서는, 특별히 정하는 것은 아니지만, 예를 들면 0.001mmol/g 이상으로 할 수 있다.The amount of the unsaturated double bond of the thermoplastic elastomer containing a styrene structure is preferably less than 15 mmol / g, more preferably 7 mmol / g or less, still more preferably less than 5 mmol / g, more preferably 0.5 mmol / mmol / g. The lower limit value is not specifically defined, but may be 0.001 mmol / g or more, for example.

또한, 여기에서 말하는 불포화 이중 결합량은, 스타이렌 유래의 벤젠환 내의 불포화 이중 결합의 양을 포함하지 않는다. 불포화 이중 결합량은, 핵 자기 공명(NMR) 측정에 의하여 산출할 수 있다.The amount of the unsaturated double bond referred to herein does not include the amount of the unsaturated double bond in the benzene ring derived from styrene. The amount of unsaturated double bond can be calculated by nuclear magnetic resonance (NMR) measurement.

또한, 본 명세서에 있어서 "스타이렌 유래의 반복 단위"란, 스타이렌 또는 스타이렌 유도체를 중합했을 때에 중합체에 포함되는 스타이렌 유래의 구성 단위이며, 치환기를 갖고 있어도 된다. 스타이렌 유도체로서는, 예를 들면 α-메틸스타이렌, 3-메틸스타이렌, 4-프로필스타이렌, 4-사이클로헥실스타이렌 등을 들 수 있다. 치환기로서는, 예를 들면 탄소수 1~5의 알킬기, 탄소수 1~5의 알콕시기, 탄소수 1~5의 알콕시알킬기, 아세톡시기, 카복실기 등을 들 수 있다.In the present specification, the "repeating unit derived from styrene" is a structural unit derived from styrene contained in the polymer when the styrene or styrene derivative is polymerized, and may have a substituent. Examples of the styrene derivative include? -Methylstyrene, 3-methylstyrene, 4-propylstyrene and 4-cyclohexylstyrene. Examples of the substituent include an alkyl group of 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group of 1 to 5 carbon atoms, an alkoxyalkyl group of 1 to 5 carbon atoms, an acetoxy group, and a carboxyl group.

스타이렌 구조를 포함하는 열가소성 엘라스토머의 시판품으로서는, 예를 들면 터프프렌 A, 터프프렌 125, 터프프렌 126S, 솔프렌 T, 아사프렌 T-411, 아사프렌 T-432, 아사프렌 T-437, 아사프렌 T-438, 아사프렌 T-439, 터프텍 H1272, 터프텍 P1500, 터프텍 H1052, 터프텍 H1062, 터프텍 M1943, 터프텍 M1911, 터프텍 H1041, 터프텍 MP10, 터프텍 M1913, 터프텍 H1051, 터프텍 H1053, 터프텍 P2000, 터프텍 H1043(이상, 상품명, 아사히 가세이(주)제), 엘라스토머 AR-850C, 엘라스토머 AR-815C, 엘라스토머 AR-840C, 엘라스토머 AR-830C, 엘라스토머 AR-860C, 엘라스토머 AR-875C, 엘라스토머 AR-885C, 엘라스토머 AR-SC-15, 엘라스토머 AR-SC-0, 엘라스토머 AR-SC-5, 엘라스토머 AR-710, 엘라스토머 AR-SC-65, 엘라스토머 AR-SC-30, 엘라스토머 AR-SC-75, 엘라스토머 AR-SC-45, 엘라스토머 AR-720, 엘라스토머 AR-741, 엘라스토머 AR-731, 엘라스토머 AR-750, 엘라스토머 AR-760, 엘라스토머 AR-770, 엘라스토머 AR-781, 엘라스토머 AR-791, 엘라스토머 AR-FL-75N, 엘라스토머 AR-FL-85N, 엘라스토머 AR-FL-60N, 엘라스토머 AR-1050, 엘라스토머 AR-1060, 엘라스토머 AR-1040(이상, 상품명, 아론 가세이제), 크레이튼 D1111, 크레이튼 D1113, 크레이튼 D1114, 크레이튼 D1117, 크레이튼 D1119, 크레이튼 D1124, 크레이튼 D1126, 크레이튼 D1161, 크레이튼 D1162, 크레이튼 D1163, 크레이튼 D1164, 크레이튼 D1165, 크레이튼 D1183, 크레이튼 D1193, 크레이튼 DX406, 크레이튼 D4141, 크레이튼 D4150, 크레이튼 D4153, 크레이튼 D4158, 크레이튼 D4270, 크레이튼 D4271, 크레이튼 D4433, 크레이튼 D1170, 크레이튼 D1171, 크레이튼 D1173, 카리플렉스 IR0307, 카리플렉스 IR0310, 카리플렉스 IR0401, 크레이튼 D0242, 크레이튼 D1101, 크레이튼 D1102, 크레이튼 D1116, 크레이튼 D1118, 크레이튼 D1133, 크레이튼 D1152,Examples of commercially available thermoplastic elastomers containing a styrene structure include toughprene A, toughprene 125, toughprene 126S, solfrene T, asaprene T-411, asaprene T-432, asaprene T- Toughtech H1052, Tuftec H1052, Tuftec H1062, Tuftec M1943, Tuftec M1911, Tuftec H1041, Tuftec MP10, Tuftec M1913, Tuftec H1051 Elastomer AR-860C, elastomer AR-840C, elastomer AR-830C, elastomer AR-860C, elastomer AR-850C, elastomer AR- Elastomer AR-SC-0, elastomer AR-SC-5, elastomer AR-710, elastomer AR-SC-65, elastomer AR-SC-30, elastomer AR- Elastomer AR-SC-75, elastomer AR-SC-45, elastomer AR-720, elastomer AR-741, elastomer AR- Elastomer AR-FL-85N, elastomer AR-FL-60N, elastomer AR-750, elastomer AR-760, elastomer AR-760, elastomer AR- , Kraton D1113, Kraton D1114, Kraton D1117, Kraton D1119, Kraton D1124, Kraton D1126, Kraton &lt; (R) &gt; D1161, Craton D1162, Craton D1163, Craton D1163, Craton D1164, Craton D1165, Craton D1183, Craton D1193, Craton DX406, Craton D4141, Kraton D4271, Kraton D4433, Kraton D1170, Kraton D1171, Kraton D1173, Cariflex IR0307, Cariflex IR0310, Cariflex IR0401, Kraton D0242, Kraton D1101, Kraton D1102, Kraton D1116, Kraton D1118, Kraton D1133, Leighton D1152,

크레이튼 D1153, 크레이튼 D1155, 크레이튼 D1184, 크레이튼 D1186, 크레이튼 D1189, 크레이튼 D1191, 크레이튼 D1192, 크레이튼 DX405, 크레이튼 DX408, 크레이튼 DX410, 크레이튼 DX414, 크레이튼 DX415, 크레이튼 A1535, 크레이튼 A1536, 크레이튼 FG1901, 크레이튼 FG1924, 크레이튼 G1640, 크레이튼 G1641, 크레이튼 G1642, 크레이튼 G1643, 크레이튼 G1645, 크레이튼 G1633, 크레이튼 G1650, 크레이튼 G1651, 크레이튼 G1652, 크레이튼 G1654, 크레이튼 G1657, 크레이튼 G1660, 크레이튼 G1726, 크레이튼 G1701, 크레이튼 G1702, 크레이튼 G1730, 크레이튼 G1750, 크레이튼 G1765, 크레이튼 G4609, 크레이튼 G4610(이상, 상품명, Kraton사제), TR2000, TR2001, TR2003, TR2250, TR2500, TR2601, TR2630, TR2787, TR2827, TR1086, TR1600, SIS5002, SIS5200, SIS5250, SIS5405, SIS5505, 다이나론 6100P, 다이나론 4600P, 다이나론 6200P, 다이나론 4630P, 다이나론 8601P, 다이나론 8630P, 다이나론 8600P, 다이나론 8903P, 다이나론 6201B, 다이나론 1321P, 다이나론 1320P, 다이나론 2324P, 다이나론 9901P(이상, 상품명, JSR(주)제), 덴카 STR 시리즈(상품명, 덴키 가가쿠 고교(주)제), 퀸택 3520, 퀸택 3433N, 퀸택 3421, 퀸택 3620, 퀸택 3450, 퀸택 3460(닛폰 제온제), TPE-SB 시리즈(상품명, 스미토모 가가쿠(주)제), 라발론 시리즈(상품명, 미쓰비시 가가쿠(주)제), 셉톤 1001, 셉톤 1020, 셉톤 2002, 셉톤 2004, 셉톤 2005, 셉톤 2006, 셉톤 2007, 셉톤 2063, 셉톤 2104, 셉톤 4033, 셉톤 4044, 셉톤 4055, 셉톤 4077, 셉톤 4099, 셉톤 HG252, 셉톤 8004, 셉톤 8006, 셉톤 8007, 셉톤 8076, 셉톤 8104, 셉톤 V9461, 셉톤 V9475, 셉톤 V9827, 하이브라 7311, 하이브라 7125, 하이브라 5127, 하이브라 5125(이상, 상품명, 구라레제), 스미플렉스(상품명, 스미토모 베이클라이트(주)제), 레오스토머, 액티머(상품명, 리켄 바이닐 고교제) 등을 들 수 있다.Kraton D1153, Kraton D1155, Kraton D1184, Kraton D1186, Kraton D1189, Kraton D1191, Kraton D1192, Kraton DX405, Kraton DX408, Kraton DX410, Kraton DX414, Kraton DX415, Kraton Kleiton G1650, Craton G1651, Craton G1652, Craton G1643, Craton G1643, Craton G1645, Craton G1633, Craton G1650, Craton G1651, Craton G1652, Craton G1641, Craton G1510, Craton A1536, Craton FG1901, Craton FG1924, Kraton G1654, Kraton G1657, Kraton G1660, Kraton G1726, Kraton G1701, Kraton G1702, Kraton G1730, Kraton G1750, Kraton G1765, Kraton G4609, Kraton G4610 ), TR2000, TR2001, TR2003, TR2250, TR2500, TR2601, TR2630, TR2787, TR2827, TR1086, TR1600, SIS5002, SIS5200, SIS5250, SIS5405, SIS5505, Dynalon 6100P, Dynalon 4600P, Dynalon 6200P, Dynalon 4630P, Dynalon 8601P, Dynalon (Trade name, manufactured by JSR Corporation), Denka STR series (trade name, Denki Kagaku Co., Ltd., trade name, manufactured by JSR Corporation), DENARON 8600P, DYNARON 8903P, DYNARON 6201B, DYNARON 1321P, DYNARON 1320P, DYNARON 2324P, (Manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.), Quaternary 3520, Quintex 3433N, Quintax 3421, Quintax 3620, Quintax 3450, Quintax 3460 (manufactured by Nippon Zeon), TPE- (Manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd.), Septon 1001, Septon 1020, Septon 2002, Septon 2004, Septon 2005, Septon 2006, Septon 2007, Septon 2063, Septon 2104, Septon 4033, Septon 4044, Septon 4055, (Trade names, trade names, trade names, trade names, trade names, trade names, trade names, trade names, trade names, (Trade name, manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.), rheostomer, Manufactured by Nihon Kohyo Co., Ltd.).

본 발명에서는, 스타이렌 구조를 포함하는 열가소성 엘라스토머로서, 스타이렌 유래의 반복 단위를 전체 반복 단위 중에 50질량% 이상 95질량% 이하의 비율로 함유하는 엘라스토머 X와, 스타이렌 유래의 반복 단위를 전체 반복 단위 중에 10질량% 이상 50질량% 미만의 비율로 함유하는 엘라스토머 Y를 포함하는 양태도 바람직하다.In the present invention, a thermoplastic elastomer containing a styrene structure, which comprises an elastomer X containing repeating units derived from styrene at a ratio of 50% by mass or more and 95% by mass or less in the total repeating units, An embodiment in which the elastomer Y is contained in the repeating units in a proportion of 10% by mass or more and less than 50% by mass is also preferable.

엘라스토머 X와 엘라스토머 Y를 병용함으로써, 우수한 박리성을 가지면서, 기판의 연마면의 평탄성(이하, 평탄 연마성이라고도 함)이 양호하여, 연마 후의 기판의 휨의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다. 이와 같은 효과가 얻어지는 메커니즘은, 이하에 의한 것이라고 추측할 수 있다.When the elastomer X and the elastomer Y are used in combination, the flatness of the polished surface of the substrate (hereinafter also referred to as flat polishability) is good and the occurrence of warpage of the polished substrate can be effectively suppressed while having excellent releasability. The mechanism by which such an effect can be obtained is presumed to be as follows.

즉, 상기 엘라스토머 X는, 비교적 단단한 재료이기 때문에, 엘라스토머 X를 포함함으로써, 박리성이 우수한 가접착제층을 제조할 수 있다. 또, 엘라스토머 Y는, 비교적 부드러운 재료이기 때문에, 탄성을 갖는 가접착제층을 형성하기 쉽다. 이로 인하여, 상기 가접착제 조성물을 이용하여 가공 기판과 캐리어 기판의 적층체를 제조하여, 가공 기판을 연마하여 박형화할 때에, 연마 시의 압력이 국소적으로 가해져도, 가접착제층이 탄성 변형하여 원래의 형상으로 되돌아오기 쉽다. 그 결과, 우수한 평탄 연마성이 얻어진다. 또, 연마 후의 적층체를, 가열 처리하고, 그 후 냉각해도, 가접착제층에 의하여, 냉각 시에 발생하는 내부 응력을 완화할 수 있어, 휨의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다.That is, since the elastomer X is a comparatively hard material, by including the elastomer X, a tacky adhesive layer having excellent peelability can be produced. Further, since the elastomer Y is a relatively soft material, it is easy to form an adhesive layer having elasticity. Therefore, when the laminated body of the processed substrate and the carrier substrate is manufactured by using the above adhesive composition and the processed substrate is polished to be thinned, even if the pressure at the time of polishing is locally applied, It is easy to return to the shape of. As a result, excellent flat polishing performance can be obtained. Also, even if the laminated body after the polishing is subjected to heat treatment and then cooled, the internal stress generated at the time of cooling can be alleviated by the adhesive layer, and occurrence of warpage can be effectively suppressed.

또, 엘라스토머 X에 엘라스토머 Y를 배합해도, 엘라스토머 X가 상분리하는 영역이 존재하는 것 등에 의하여, 엘라스토머 X에 의한 우수한 박리성은 충분히 달성된다.Further, even when the elastomer Y is blended with the elastomer X, the region where the elastomer X is phase-separated exists, and the like, and the excellent releasability by the elastomer X is sufficiently achieved.

엘라스토머 X는, 스타이렌 유래의 반복 단위를 전체 반복 단위 중에 50질량% 이상 95질량% 이하의 비율로 함유하는 엘라스토머이며, 스타이렌 유래의 반복 단위의 함유량은, 50~90질량%가 보다 바람직하고, 50~80질량%가 더 바람직하며, 55~75질량%가 특히 바람직하고, 56~70질량%가 한층 바람직하다.The elastomer X is an elastomer containing repeating units derived from styrene in a proportion of 50% by mass or more and 95% by mass or less in the total repeating units. The content of the repeating unit derived from styrene is more preferably 50 to 90% by mass , More preferably from 50 to 80 mass%, still more preferably from 55 to 75 mass%, still more preferably from 56 to 70 mass%.

엘라스토머 X의 경도는, 83 이상이 바람직하고, 85 이상이 보다 바람직하며, 90 이상이 더 바람직하다. 상한값은, 특별히 정하는 것은 아니지만, 예를 들면 99 이하이다. 또한, 경도는, JIS(일본 공업 규격) K6253의 방법에 따라, 타입 A 듀로미터로 측정한 값이다.The hardness of the elastomer X is preferably 83 or more, more preferably 85 or more, and even more preferably 90 or more. The upper limit value is not particularly limited, but is, for example, 99 or less. The hardness is a value measured by a Type A durometer according to the method of JIS (Japanese Industrial Standard) K6253.

엘라스토머 Y는, 스타이렌 유래의 반복 단위를 전체 반복 단위 중에 10질량% 이상 50질량% 미만의 비율로 함유하는 엘라스토머이며, 스타이렌 유래의 반복 단위의 함유량은, 10~45질량%가 바람직하고, 10~40질량%가 보다 바람직하며, 12~35질량%가 더 바람직하고, 13~33질량%가 특히 바람직하다.The elastomer Y is an elastomer containing repeating units derived from styrene in a proportion of 10% by mass or more and less than 50% by mass in the total repeating units, and the content of the repeating unit derived from styrene is preferably 10 to 45% by mass, More preferably 10 to 40% by mass, still more preferably 12 to 35% by mass, and particularly preferably 13 to 33% by mass.

엘라스토머 Y의 경도는, 82 이하인 것이 바람직하고, 80 이하인 것이 보다 바람직하며, 78 이하인 것이 더 바람직하다. 하한값은, 특별히 정하는 것은 아니지만, 1 이상이다.The hardness of the elastomer Y is preferably 82 or less, more preferably 80 or less, and even more preferably 78 or less. The lower limit value is not particularly limited but is 1 or more.

또, 엘라스토머 X의 경도와 엘라스토머 Y의 경도의 차는, 5~40인 것이 바람직하고, 10~35인 것이 보다 바람직하며, 15~33인 것이 바람직하고, 17~29인 것이 더 바람직하다. 이와 같은 범위로 함으로써, 본 발명의 효과가 보다 효과적으로 발휘된다.The difference between the hardness of the elastomer X and the hardness of the elastomer Y is preferably 5 to 40, more preferably 10 to 35, more preferably 15 to 33, and most preferably 17 to 29. By setting this range, the effect of the present invention can be exerted more effectively.

본 발명에서는, 엘라스토머 X 및 엘라스토머 Y 이외의 다른 엘라스토머를 배합해도 된다. 다른 엘라스토머로서는, 폴리에스터계 엘라스토머, 폴리올레핀계 엘라스토머, 폴리유레테인계 엘라스토머, 폴리아마이드계 엘라스토머, 폴리아크릴계 엘라스토머, 실리콘계 엘라스토머, 폴리이미드계 엘라스토머, 고무 변성한 에폭시 수지 등을 사용할 수 있다.In the present invention, elastomers other than the elastomer X and the elastomer Y may be blended. As the other elastomer, a polyester elastomer, a polyolefin elastomer, a polyurethane elastomer, a polyamide elastomer, a polyacrylic elastomer, a silicone elastomer, a polyimide elastomer, a rubber-modified epoxy resin and the like can be used.

상기 양태에 있어서, 엘라스토머 X, 엘라스토머 Y 및 다른 엘라스토머의 합계량에 대하여, 엘라스토머 X와 엘라스토머 Y의 합계량이 전체의 90질량% 이상을 차지하는 것이 바람직하고, 95질량% 이상을 차지하는 것이 보다 바람직하며, 98질량% 이상을 차지하는 것이 특히 바람직하다.In the above embodiment, the total amount of the elastomer X and the elastomer Y preferably accounts for 90 mass% or more, more preferably 95 mass% or more, of the total amount of the elastomer X, the elastomer Y and the other elastomer % Or more by mass.

또, 상기 엘라스토머 X와 상기 엘라스토머 Y의 질량비는, 엘라스토머 X:엘라스토머 Y=5:95~95:5가 바람직하고, 20:80~90:10이 보다 바람직하며, 40:60~85:15가 특히 바람직하다. 상기 범위이면, 휨 억제와 박리성이 보다 효과적으로 달성된다.The mass ratio of the elastomer X to the elastomer Y is preferably 5:95 to 95: 5, more preferably 20:80 to 90:10, and even more preferably 40:60 to 85:15, in terms of the mass ratio of the elastomer X to the elastomer Y. Particularly preferred. Within the above range, warpage suppression and peelability are more effectively achieved.

<<<열가소성 실록세인 중합체>>><<< Thermoplastic Siloxane Polymers >>>

본 발명의 가접착제 조성물은, 수지 성분으로서, 열가소성 실록세인 중합체를 이용할 수 있다.In the adhesive composition of the present invention, a thermoplastic siloxane polymer can be used as the resin component.

열가소성 실록세인 중합체는, R21R22R23SiO1 /2 단위(R21, R22, R23은 각각, 비치환 또는 치환의 탄소 원자수 1~10의 1가 탄화 수소기 또는 수산기임) 및 SiO4 / 2 단위를 함유하고, 상기 R21R22R23SiO1 / 2 단위/SiO4 / 2 단위의 몰비가 0.6~1.7인 오가노폴리실록세인과, 하기 일반식 (1)로 나타나는 오가노폴리실록세인이, 부분적으로 탈수축합한 것이며, 상기 탈수축합시키는 오가노폴리실록세인과 상기 오가노폴리실록세인의 비율이, 99:1~50:50이며, 중량 평균 분자량이 200,000~1,500,000인 것이 바람직하다.Thermoplastic siloxane polymers, R 21 R 22 R 23 SiO 1/2 unit (R 21, R 22, R 23 is Im, respectively, unsubstituted or monovalent hydrocarbon group or hydroxyl group of carbon atoms of the substituted 1-10) and SiO 4/2 containing units, wherein R 21 R 22 R 23 SiO 1 /2 units / SiO 4 / a molar ratio of 2 units of 0.6 ~ 1.7 in the organo polysiloxane-to-old and, organosilane represented by the general formula (1) The proportion of the organopolysiloxane to be subjected to the dehydration condensation and the organopolysiloxane is from 99: 1 to 50:50 and the weight average molecular weight is preferably from 200,000 to 1,500,000 .

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure pct00001
Figure pct00001

(식 중, R11 및 R12는 각각 비치환 또는 치환의 탄소 원자수 1~10의 1가 탄화 수소기를 나타내고, n은 5000~10000이다.)(Wherein R 11 and R 12 each represent an unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group of 1 to 10 carbon atoms, and n is 5000 to 10000)

이와 같은 열가소성 실록세인이면, 접착성, 내열성이 우수하기 때문에 바람직하다.Such a thermoplastic siloxane is preferable because it is excellent in adhesiveness and heat resistance.

상기 일반식 (1)에 있어서, 유기 치환기 R11, R12는, 비치환 또는 치환의 탄소 원자수 1~10의 1가 탄화 수소기이며, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, t-뷰틸기, n-펜틸기, 사이클로펜틸기, n-헥실기 등의 알킬기, 사이클로헥실기 등의 사이클로알킬기, 페닐기, 톨릴기 등의 아릴기 등의 탄화 수소기, 이들 탄화 수소기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로젠 원자로 치환된 기, 바람직하게는 메틸기 및 페닐기이다.In the general formula (1), the organic substituent groups R 11 and R 12 are each an unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group of 1 to 10 carbon atoms, specifically, a methyl group, ethyl group, n-propyl group, An alkyl group such as an isopropyl group, an n-butyl group, a t-butyl group, an n-pentyl group, a cyclopentyl group and an n- hexyl group, a cycloalkyl group such as a cyclohexyl group, an aryl group such as a phenyl group, A hydrogen group, a group in which a part or all of the hydrogen atoms of these hydrocarbon groups are substituted with a halogen atom, preferably a methyl group and a phenyl group.

열가소성 오가노폴리실록세인의 중량 평균 분자량은, 200,000 이상, 보다 바람직하게는 350,000 이상, 또한 1,500,000 이하, 보다 바람직하게는 1,000,000 이하이다. 나아가서는 분자량이 740 이하인 저분자량 성분의 함유량이 0.5질량% 이하, 보다 바람직하게는 0.1질량% 이하인 것이 바람직하다.The weight average molecular weight of the thermoplastic organopolysiloxane is 200,000 or more, more preferably 350,000 or more, and 1,500,000 or less, and more preferably 1,000,000 or less. Further, the content of the low molecular weight component having a molecular weight of 740 or less is preferably 0.5% by mass or less, more preferably 0.1% by mass or less.

시판품으로서는, SILRES 604(아사히 가세이 바커 실리콘)가 예시된다.As a commercially available product, SILRES 604 (Asahi Kasei Barker Silicon) is exemplified.

<<<사이클로올레핀계 중합체>>><<< Cycloolefin Polymer >>>

사이클로올레핀계 중합체로서는, 노보넨계 중합체, 단환의 환상 올레핀의 중합체, 환상 공액 다이엔의 중합체, 바이닐 지환식 탄화 수소 중합체, 및 이들 중합체의 수소화물 등을 들 수 있다. 사이클로올레핀계 중합체의 바람직한 예로서는, 하기 일반식 (II)로 나타나는 반복 단위를 적어도 1종 이상 포함하는 부가 (공)중합체, 및 일반식 (I)로 나타나는 반복 단위 중 적어도 1종 이상을 더 포함하여 이루어지는 부가 (공)중합체를 들 수 있다. 또, 사이클로올레핀계 중합체의 다른 바람직한 예로서는, 일반식 (III)으로 나타나는 환상 반복 단위를 적어도 1종 포함하는 개환 (공)중합체를 들 수 있다.Examples of the cycloolefin-based polymer include norbornene-based polymers, monocyclic cycloolefin polymers, cyclic conjugated diene polymers, vinyl alicyclic hydrocarbon polymers, and hydrides of these polymers. Preferred examples of the cycloolefin-based polymer include an addition (co) polymer containing at least one repeating unit represented by the following general formula (II) and at least one repeating unit represented by the general formula (I) (Co) polymers obtained by copolymerization. Another preferred example of the cycloolefin-based polymer is a ring-opened (co) polymer containing at least one cyclic repeating unit represented by the general formula (III).

[화학식 2](2)

Figure pct00002
Figure pct00002

일반식 (I)~(III) 중, m은 0~4의 정수를 나타낸다. R1~R6은, 각각 수소 원자 또는 탄소수 1~10의 탄화 수소기를 나타내고, X1~X3, 및 Y1~Y3은, 각각 수소 원자, 탄소수 1~10의 탄화 수소기, 할로젠 원자, 할로젠 원자로 치환된 탄소수 1~10의 탄화 수소기, -(CH2)nCOOR11, -(CH2)nOCOR12, -(CH2)nNCO, -(CH2)nNO2, -(CH2)nCN, -(CH2)nCONR13R14, -(CH2)nNR15R16, -(CH2)nOZ, -(CH2)nW, 또는 X1과 Y1, X2와 Y2, 혹은 X3과 Y3으로 구성된 (-CO)2O, (-CO)2NR17을 나타낸다. R11, R12, R13, R14, R15, R16 및 R17은, 각각 수소 원자, 또는 탄화 수소기(바람직하게는 탄소수 1~20의 탄화 수소기), Z는, 탄화 수소기, 또는 할로젠으로 치환된 탄화 수소기를 나타내고, W는, SiR18pD3-p(R18은 탄소수 1~10의 탄화 수소기를 나타내고, D는 할로젠 원자를 나타내며, -OCOR18 또는 -OR18을 나타내고, p는 0~3의 정수를 나타냄)를 나타낸다. n은 0~10의 정수를 나타낸다.In the general formulas (I) to (III), m represents an integer of 0 to 4. R 1 to R 6 each represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms; X 1 to X 3 and Y 1 to Y 3 each represent a hydrogen atom, a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, (CH 2 ) n COOR 11 , - (CH 2 ) n OCOR 12 , - (CH 2 ) n NCO, - (CH 2 ) n NO 2 , - (CH 2) n CN , - (CH 2) n CONR 13 R 14, - (CH 2) n NR 15 R 16, - (CH 2) n OZ, - (CH 2) n W, or X 1 (-CO) 2 O, (-CO) 2 NR 17 which is composed of Y 1 , X 2 and Y 2 or X 3 and Y 3 . Each of R 11 , R 12 , R 13 , R 14 , R 15 , R 16 and R 17 is a hydrogen atom or a hydrocarbon group (preferably a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms), Z is a hydrocarbon group W represents SiR 18 pD3-p (wherein R 18 represents a hydrocarbon group of 1 to 10 carbon atoms, D represents a halogen atom, -OCOR 18 or -OR 18) , or a halogen atom substituted by halogen, And p represents an integer of 0 to 3). n represents an integer of 0 to 10;

노보넨계 중합체는, 일본 공개특허공보 평10-7732호, 일본 공표특허공보 2002-504184호, US2004/229157A1호 공보 혹은 WO2004/070463A1호 공보 등에 개시되어 있다. 노보넨계 중합체는, 노보넨계 다환상 불포화 화합물끼리를 부가 중합함으로써 얻을 수 있다. 또, 필요에 따라, 노보넨계 다환상 불포화 화합물과, 에틸렌, 프로필렌, 뷰텐; 뷰타다이엔, 아이소프렌과 같은 공액 다이엔; 에틸리덴노보넨과 같은 비공액 다이엔을 부가 중합할 수도 있다. 이 노보넨계 중합체는, 미쓰이 가가쿠(주)로부터 아펠의 상품명으로 판매되고 있으며, 유리 전이 온도(Tg)가 다른 예를 들면 APL8008T(Tg 70℃), APL6013T(Tg 125℃) 혹은 APL6015T(Tg 145℃) 등의 그레이드가 있다. 폴리플라스틱(주)로부터 TOPAS8007, 동 5013, 동 6013, 동 6015 등의 펠릿이 판매되고 있다.The norbornene polymer is disclosed in, for example, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 10-7732, Japanese Unexamined Patent Publication No. 2002-504184, US2004 / 229157A1, and WO2004 / 070463A1. The norbornene polymer can be obtained by addition polymerization of norbornene polycyclic unsaturated compounds. If necessary, norbornene polycyclic unsaturated compounds and ethylene, propylene, butene; Conjugated dienes such as butadiene, isoprene; And non-conjugated dienes such as ethylidene norbornene may be addition polymerized. The norbornene polymer is commercially available from Mitsui Chemicals, Inc. under the trade name of APEL, and APL8008T (Tg 70 DEG C), APL6013T (Tg 125 DEG C) or APL6015T (Tg 145 DEG C) having different glass transition temperatures ° C) and the like. Pellets such as TOPAS8007, 5013, 6013 and 6015 are commercially available from Polyplastics.

또한, Ferrania사로부터 Appear3000이 판매되고 있다.Appear3000 is also available from Ferrania.

노보넨계 중합체의 수소화물은, 일본 공개특허공보 평1-240517호, 일본 공개특허공보 평7-196736호, 일본 공개특허공보 소60-26024호, 일본 공개특허공보 소62-19801호, 일본 공개특허공보 2003-1159767호 혹은 일본 공개특허공보 2004-309979호 등에 개시되어 있는 바와 같이, 다환상 불포화 화합물을 부가 중합 혹은 메타세시스 개환 중합한 후, 수소 첨가함으로써 제조할 수 있다.The hydrides of the norbornene-based polymers are disclosed in JP-A-1-240517, JP-A-7-196736, JP-A-60-26024, JP-A-62-19801, As disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-1159767 or Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-309979, by subjecting a polycyclic unsaturated compound to addition polymerization or metathesis ring-opening polymerization, followed by hydrogenation.

상기 일반식 (III) 중, R5 및 R6은, 수소 원자 또는 메틸기인 것이 바람직하고, X3 및 Y3은 수소 원자인 것이 바람직하며, 그 외의 기는 적절히 선택된다. 이 노보넨계 중합체는, JSR(주)로부터 아톤(Arton) G 혹은 아톤 F라는 상품명으로 발매되고 있으며, 또 닛폰 제온(주)로부터 제오노아(Zeonor) ZF14, ZF16, 제오넥스(Zeonex) 250, 동 280, 동 480R이라는 상품명으로 시판되고 있어, 이들을 사용할 수 있다.In the general formula (III), R 5 and R 6 are preferably a hydrogen atom or a methyl group, and X 3 and Y 3 are preferably a hydrogen atom, and other groups are appropriately selected. This norbornene polymer is commercially available under the trade name of Arton G or Aton F from JSR Corporation and Zeonor ZF14, ZF16, Zeonex 250, 280, and 480R, and these can be used.

사이클로올레핀계 중합체의 젤 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)법에 따른 폴리스타이렌 환산의 중량 평균 분자량은, 10,000~1,000,000인 것이 바람직하고, 50,000~500,000인 것이 바람직하며, 100,000~300,000인 것이 보다 바람직하다.The weight average molecular weight of the cycloolefin-based polymer in terms of polystyrene according to gel permeation chromatography (GPC) is preferably 10,000 to 1,000,000, more preferably 50,000 to 500,000, and even more preferably 100,000 to 300,000.

또, 본 발명에서 이용되는 사이클로올레핀계 중합체로서, 일본 공개특허공보 2013-241568호의 단락 0039~0052에 기재된 사이클로올레핀계 중합체도 예시되며, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다.As the cycloolefin-based polymer used in the present invention, the cycloolefin-based polymers described in paragraphs 0039 to 0052 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2013-241568 are also exemplified.

<<<아크릴 수지>>><<< Acrylic resin >>>

본 발명에 있어서의 아크릴 수지는, (메트)아크릴레이트 모노머를 중합하여 얻어지는 수지인 것이 바람직하다.The acrylic resin in the present invention is preferably a resin obtained by polymerizing a (meth) acrylate monomer.

(메트)아크릴레이트 모노머로서는, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 메틸(메트)아크릴레이트, n-프로필(메트)아크릴레이트, 아이소프로필(메트)아크릴레이트, 펜틸(메트)아크릴레이트, n-옥틸(메트)아크릴레이트, 아이소옥틸(메트)아크릴레이트, 아이소노닐(메트)아크릴레이트, n-뷰틸(메트)아크릴레이트, 아이소뷰틸(메트)아크릴레이트, 헥실(메트)아크릴레이트, n-노닐(메트)아크릴레이트, 아이소아밀(메트)아크릴레이트, n-데실(메트)아크릴레이트, 아이소데실(메트)아크릴레이트, 도데실(메트)아크릴레이트, 아이소보닐(메트)아크릴레이트, 사이클로헥실(메트)아크릴레이트, 페닐(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 및 2-메틸뷰틸(메트)아크릴레이트가 예시된다.Examples of the (meth) acrylate monomer include 2-ethylhexyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, methyl (meth) acrylate, n- (Meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, isononyl (Meth) acrylate, n-nonyl (meth) acrylate, isoamyl (meth) acrylate, n-decyl Benzyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, phenyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate and 2-methylbutyl (meth) acrylate.

또, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서, 다른 모노머를 공중합해도 된다. 다른 모노머를 공중합하는 경우, 전체 모노머의 10몰% 이하가 바람직하다.Further, other monomers may be copolymerized within the range not departing from the gist of the present invention. When other monomers are copolymerized, 10 mol% or less of the total monomers is preferable.

본 발명에서는, 또 수지 성분으로서, 오가노폴리실록세인을 측쇄에 갖는 아크릴 수지도 바람직하다. 오가노폴리실록세인을 측쇄에 갖는 아크릴 수지로서는, 하기 일반식 (2)로 나타나는 것을 들 수 있다.In the present invention, an acrylic resin having an organopolysiloxane as a side chain of the resin component is also preferable. Examples of the acrylic resin having an organopolysiloxane in the side chain include those represented by the following general formula (2).

일반식 (2)In general formula (2)

[화학식 3](3)

Figure pct00003
Figure pct00003

상기 일반식 (2) 중, R1은 복수 존재하는 경우는 동일해도 되고 달라도 되며, CH3, C2H5, CH3(CH2)2 또는 CH3(CH2)3을 나타낸다. R2는 복수 존재하는 경우는 동일해도 되고 달라도 되며, H, CH3, C2H5, CH3(CH2)2 또는 CH3(CH2)3을 나타낸다. R3은 복수 존재하는 경우는 동일해도 되고 달라도 되며, H 또는 CH3을 나타낸다. R4는 복수 존재하는 경우는 동일해도 되고 달라도 되며, H, CH3, C2H5, CH3(CH2)2, CH3(CH2)3, 또는 에폭시기, 수산기, 카복실기, 아미노기, 알콕시기, 바이닐기, 실란올기 및 아이소사이아네이트기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 관능기로 치환된 탄소수 1~6의 알킬기를 나타낸다.In the formula (2), R 1 may be the same or different when a plurality of R 1 s exist, and represent CH 3 , C 2 H 5 , CH 3 (CH 2 ) 2 or CH 3 (CH 2 ) 3 . When a plurality of R 2 s exist, they may be the same or different and represent H, CH 3 , C 2 H 5 , CH 3 (CH 2 ) 2 or CH 3 (CH 2 ) 3 . When a plurality of R 3 s exist, they may be the same or different and represent H or CH 3 . R 4 may be the same or different when a plurality of R 4 are present and may be H, CH 3 , C 2 H 5 , CH 3 (CH 2 ) 2 , CH 3 (CH 2 ) 3 or an epoxy group, a hydroxyl group, Represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms substituted with at least one functional group selected from the group consisting of an alkoxy group, a vinyl group, a silanol group and an isocyanate group.

a는 50~150이고, b는 50~150이며, c는 80~600이다. 또, m은 1~10이다.a is from 50 to 150, b is from 50 to 150, and c is from 80 to 600. M is from 1 to 10;

오가노폴리실록세인을 측쇄에 갖는 아크릴 수지의 구체예로서는, 신에쓰 가가쿠 고교(주)제, 실리콘 그래프트 아크릴 수지, 상품명: X-24-798A, X-22-8004(R4: C2H4OH, 관능기 당량: 3250(g/mol)), X-22-8009(R4: Si(OCH3)3 함유 알킬기, 관능기 당량: 6200(g/mol)), X-22-8053(R4: H, 관능기 당량: 900(g/mol)), X-22-8084, X-22-8084EM, X-22-8195(R4: H, 관능기 당량: 2700(g/mol)), 도아 고세이(주)제 사이맥 시리즈(US-270, US-350, US-352, US-380, US-413, US-450 등), 레제다 GS-1000 시리즈(GS-1015, GS-1302 등) 등을 들 수 있다.Organo Specific examples of the acrylic resin having a polysiloxane side chain, Shin-Etsu Kagaku Kogyo (Co., Ltd.), a silicone graft acrylic resin, product name: X-24-798A, X-22-8004 (R 4: C 2 H 4 OH, functional group equivalent weight: 3250 (g / mol)) , X-22-8009 (R 4: Si (OCH 3) 3 containing an alkyl group, a functional group equivalent weight: 6200 (g / mol)) , X-22-8053 (R 4 : H, a functional group equivalent weight: 900 (g / mol)) , X-22-8084, X-22-8084EM, X-22-8195 (R 4: H, a functional group equivalent weight: 2700 (g / mol)) , doah Gosei GS-1000 series (GS-1015, GS-1302, and the like), GS-1000 series (US-270, US-350, US-352, US- And the like.

또, 상기 외에, 미쓰비시 레이온(주)제, 아크리펫 MF 001 등이 예시된다.In addition to the above, acrylate MF 001 manufactured by Mitsubishi Rayon Co., Ltd. and the like are exemplified.

본 발명에서 이용하는 가접착제 조성물은, 고형분의 50~100질량%가 수지인 것이 바람직하고, 70~100질량%가 수지인 것이 보다 바람직하다.The adhesive composition used in the present invention is preferably a resin in an amount of 50 to 100% by mass of the solid content, more preferably 70 to 100% by mass of the resin.

본 발명에서 이용하는 가접착제 조성물은, 수지를 1종만 포함하고 있어도 되고, 2종 이상 포함하고 있어도 된다. 2종 이상 포함하는 경우는, 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.The adhesive composition used in the present invention may contain only one kind of resin, or two or more kinds of resins. When two or more of them are contained, it is preferable that the total amount is in the above range.

<<용제>><< Solvent >>

본 발명에서 이용하는 가접착제 조성물은, 용제를 함유하는 것이 바람직하다. 본 발명에서 이용하는 가접착제 조성물을 도포함으로써 가접착제층을 형성하는 경우에 있어서는, 용제를 배합하는 것이 바람직하다. 용제는, 공지의 것을 제한없이 사용할 수 있으며, 유기 용제가 바람직하다.The adhesive composition used in the present invention preferably contains a solvent. In the case of forming the adhesive layer by applying the adhesive composition used in the present invention, it is preferable to add a solvent. As the solvent, any of known solvents can be used without limitation, and organic solvents are preferable.

유기 용제로서는, 아세트산 에틸, 아세트산-n-뷰틸, 아세트산 아이소뷰틸, 폼산 아밀, 아세트산 아이소아밀, 프로피온산 뷰틸, 뷰티르산 아이소프로필, 뷰티르산 에틸, 뷰티르산 뷰틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, 옥시아세트산 알킬(예: 옥시아세트산 메틸, 옥시아세트산 에틸, 알킬옥시아세트산 뷰틸(예를 들면, 메톡시아세트산 메틸, 메톡시아세트산 에틸, 메톡시아세트산 뷰틸, 에톡시아세트산 메틸, 에톡시아세트산 에틸 등)), 3-옥시프로피온산 알킬에스터류(예: 3-옥시프로피온산 메틸, 3-알킬옥시프로피온산 에틸 등(예를 들면, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸 등)), 2-옥시프로피온산 알킬에스터류(예: 2-옥시프로피온산 메틸, 2-옥시프로피온산 에틸, 2-옥시프로피온산 프로필 등(예를 들면, 2-메톡시프로피온산 메틸, 2-메톡시프로피온산 에틸, 2-메톡시프로피온산 프로필, 2-에톡시프로피온산 메틸, 2-에톡시프로피온산 에틸)), 2-알킬옥시-2-메틸프로피온산 메틸 및 2-옥시-2-메틸프로피온산 에틸(예를 들면, 2-메톡시-2-메틸프로피온산 메틸, 2-에톡시-2-메틸프로피온산 에틸 등), 피루브산 메틸, 피루브산 에틸, 피루브산 프로필, 아세토아세트산 메틸, 아세토아세트산 에틸, 2-옥소뷰탄산 메틸, 2-옥소뷰탄산 에틸, 1-메톡시-2-프로필아세테이트 등의 에스터류;Examples of the organic solvent include ethyl acetate, n-butyl acetate, isobutyl acetate, amyl formate, isoamyl acetate, butyl propionate, isopropyl butyrate, ethyl butyrate, butyl butyrate, methyl lactate, ethyl lactate Examples thereof include methyl oxyacetate, ethyl oxyacetate, alkyloxyacetate (for example, methyl methoxyacetate, ethyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, methyl ethoxyacetate, ethoxyacetate, etc.) Propionic acid alkyl esters such as methyl 3-oxypropionate and ethyl 3-alkyloxypropionate (for example, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, Ethyl propionate), 2-oxypropionic acid alkyl esters (e.g., methyl 2-oxypropionate, ethyl 2-oxypropionate, propyl 2-oxypropionate Methoxypropionate, methyl 2-ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate), methyl 2-alkyloxy-2-methylpropionate (for example, methyl 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, And ethyl 2-oxy-2-methylpropionate (for example, methyl 2-methoxy-2-methylpropionate, ethyl 2-ethoxy-2-methylpropionate and the like), methyl pyruvate, ethyl pyruvate, Esters such as methyl, ethyl acetoacetate, methyl 2-oxobutanoate, ethyl 2-oxobutanoate, and 1-methoxy-2-propyl acetate;

다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 테트라하이드로퓨란, 에틸렌글라이콜모노메틸에터, 에틸렌글라이콜모노에틸에터, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 다이에틸렌글라이콜모노메틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노뷰틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노에틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노프로필에터아세테이트 등의 에터류;Diethylene glycol dimethyl ether, tetrahydrofuran, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, diethylene glycol mono Diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether, Ethers such as acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate;

메틸에틸케톤, 사이클로헥산온, 2-헵탄온, 3-헵탄온, N-메틸-2-피롤리돈, γ-뷰티로락톤 등의 케톤류;Ketones such as methyl ethyl ketone, cyclohexanone, 2-heptanone, 3-heptanone, N-methyl-2-pyrrolidone and? -Butyrolactone;

톨루엔, 자일렌, 아니솔, 메시틸렌, 에틸벤젠, 프로필벤젠, 큐멘, n-뷰틸벤젠, sec-뷰틸벤젠, 아이소뷰틸벤젠, tert-뷰틸벤젠, 아밀벤젠, 아이소아밀벤젠, (2,2-다이메틸프로필)벤젠, 1-페닐헥세인, 1-페닐헵테인, 1-페닐옥테인, 1-페닐노네인, 1-페닐데케인, 사이클로프로필벤젠, 사이클로헥실벤젠, 2-에틸톨루엔, 1,2-다이에틸벤젠, o-사이멘, 인데인, 1,2,3,4-테트라하이드로나프탈렌, 3-에틸톨루엔, m-사이멘, 1,3-다이아이소프로필벤젠, 4-에틸톨루엔, 1,4-다이에틸벤젠, p-사이멘, 1,4-다이아이소프로필벤젠, 4-tert-뷰틸톨루엔, 1,4-다이-tert-뷰틸벤젠, 1,3-다이에틸벤젠, 1,2,3-트라이메틸벤젠, 1,2,4-트라이메틸벤젠, 4-tert-뷰틸-o-자일렌, 1,2,4-트라이에틸벤젠, 1,3,5-트라이에틸벤젠, 1,3,5-트라이아이소프로필벤젠, 5-tert-뷰틸-m-자일렌, 3,5-다이-tert-뷰틸톨루엔, 1,2,3,5-테트라메틸벤젠, 1,2,4,5-테트라메틸벤젠, 펜타메틸벤젠 등의 방향족 탄화 수소류;Butylbenzene, isobutylbenzene, tert-butylbenzene, amylbenzene, isoamylbenzene, (2,2-dimethylbenzyl) benzene, toluene, xylene, anisole, mesitylene, ethylbenzene, propylbenzene, cumene, 1-phenyloctane, 1-phenylnonane, 1-phenyldecane, cyclopropylbenzene, cyclohexylbenzene, 2-ethyltoluene, 1 , 2-diethylbenzene, o-cymene, indene, 1,2,3,4-tetrahydronaphthalene, 3-ethyltoluene, m-cymene, 1,3-diisopropylbenzene, , 1,4-diethylbenzene, p-cymene, 1,4-diisopropylbenzene, 4-tert-butyltoluene, 1,4-di-tert-butylbenzene, , 2,3-trimethylbenzene, 1,2,4-trimethylbenzene, 4-tert-butyl-ozylene, 1,2,4-triethylbenzene, 1,3,5- 1,3,5-triisopropylbenzene, 5-tert-butyl-m-xylene, 3,5-di-tert-butyltoluene, 1,2,3,5-tetramethyl Zhen, 1,2,4,5-tetramethyl benzene, be an aromatic hydrocarbon such as benzene pentamethyl soryu;

리모넨, p-멘테인, 노네인, 데케인, 도데케인, 데칼린 등의 탄화 수소류 등을 적합하게 들 수 있다.And hydrocarbons such as limonene, p-mentine, nonene, decane, dodecane and decalin, and the like.

이들 중에서도, 메시틸렌, tert-뷰틸벤젠, 1,2,4-트라이메틸벤젠, p-멘테인, γ-뷰티로락톤, 아니솔, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸, 에틸셀로솔브아세테이트, 락트산 에틸, 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 아세트산 뷰틸, 3-메톡시프로피온산 메틸, 2-헵탄온, 사이클로헥산온, 에틸카비톨아세테이트, 뷰틸카비톨아세테이트, 프로필렌글라이콜메틸에터, 및 프로필렌글라이콜메틸에터아세테이트가 바람직하고, tert-뷰틸벤젠, 메시틸렌이 보다 바람직하다.Of these, methylethylene, tert-butylbenzene, 1,2,4-trimethylbenzene, p-menthane,? -Butyrolactone, anisole, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, ethyl But are not limited to, cellosolve acetate, ethyl lactate, diethylene glycol dimethyl ether, butyl acetate, methyl 3-methoxypropionate, 2-heptanone, cyclohexanone, ethylcarbitol acetate, butylcarbitol acetate, propylene glycol And propylene glycol methyl ether acetate are preferable, and tert-butylbenzene and mesitylene are more preferable.

이들 용제는, 도포면 형상의 개량 등의 관점에서, 2종 이상을 혼합하는 형태도 바람직하다. 이 경우, 특히 바람직하게는, 메시틸렌, tert-뷰틸벤젠, 1,2,4-트라이메틸벤젠, p-멘테인, γ-뷰티로락톤, 아니솔, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸, 에틸셀로솔브아세테이트, 락트산 에틸, 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 아세트산 뷰틸, 3-메톡시프로피온산 메틸, 2-헵탄온, 사이클로헥산온, 에틸카비톨아세테이트, 뷰틸카비톨아세테이트, 프로필렌글라이콜메틸에터, 및 프로필렌글라이콜메틸에터아세테이트로부터 선택되는 2종 이상으로 구성되는 혼합 용액이다.These solvents are also preferably mixed with two or more kinds in view of improving the application surface shape and the like. In this case, particularly preferable examples include mesitylene, tert-butylbenzene, 1,2,4-trimethylbenzene, p-mentine, y-butyrolactone, anisole, methyl 3-ethoxypropionate, 3- Ethyl propionate, ethyl cellosolve acetate, ethyl lactate, diethylene glycol dimethyl ether, butyl acetate, methyl 3-methoxypropionate, 2-heptanone, cyclohexanone, ethylcarbitol acetate, butyl carbitol Acetate, propylene glycol methyl ether, and propylene glycol methyl ether acetate.

가접착제 조성물에 포함되는 용제의 1013.25hPa에 있어서의 비점은, 110~250℃가 바람직하고, 140~190℃가 보다 바람직하다. 이와 같은 용제를 이용함으로써, 보다 면내 균일성이 우수한 가접착제층이 얻어진다. 용제를 2종 이상 이용하는 경우는, 가장 비점이 높은 용제의 비점을 갖고 상기 비점으로 한다.The boiling point of the solvent contained in the adhesive composition at 1013.25 hPa is preferably from 110 to 250 캜, more preferably from 140 to 190 캜. By using such a solvent, it is possible to obtain an adhesive layer having better in-plane uniformity. When two or more kinds of solvents are used, the boiling point of the solvent having the highest boiling point is set to the boiling point.

가접착제 조성물이 용제를 갖는 경우, 가접착제 조성물의 용제의 함유량은, 도포성의 관점에서, 가접착제 조성물의 전체 고형분 농도가 5~80질량%가 되는 양이 바람직하고, 10~50질량%가 더 바람직하며, 15~40질량%가 특히 바람직하다.When the adhesive composition has a solvent, the content of the solvent in the adhesive composition is preferably such that the total solid content of the adhesive composition is 5 to 80% by mass, more preferably 10 to 50% by mass , And particularly preferably from 15 to 40 mass%.

용제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 용제가 2종 이상인 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.The solvent may be one kind or two or more kinds. When two or more kinds of solvents are used, the total amount is preferably in the above range.

가접착제층에 있어서의 용제 함유율은, 1질량% 이하가 바람직하고, 0.1질량% 이하가 보다 바람직하며, 함유하지 않는 것이 특히 바람직하다.The content of the solvent in the adhesive layer is preferably 1% by mass or less, more preferably 0.1% by mass or less, and particularly preferably not contained.

<<불소 원자 및 실리콘 원자 중 적어도 한쪽을 포함하는 화합물>>&Lt; Compound containing at least one of fluorine atom and silicon atom &gt; >

본 발명에서 이용하는 가접착제 조성물은, 불소 원자 및 실리콘 원자 중 적어도 한쪽을 포함하는 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 이와 같은 화합물은, 통상 이형제로서 작용하여, 적층체의 가공 기판 측을 아래로 하여 수평면에 고정하고, 상기 캐리어 기판을 상기 가공 기판에 대하여, 수직 방향으로, 25℃에서, 50mm/분의 속도로 끌어올렸을 때, 10~80N의 힘으로 박리 가능한 적층체로 할 수 있다. 또한, 불소 원자 및 실리콘 원자 중 적어도 한쪽을 포함하는 화합물은, 실리콘 원자나 불소 원자가, 가접착제층 표층, 및 기판과 가접착제층과의 계면에 편재하기 쉽기 때문에, 이들 화합물의 양이 가접착제 조성물의 수지 등에 대하여 비교적 적어도, 가공 기판이나 캐리어 기판에 대한 박리성이 우수한 가접착제층을 형성할 수 있다.The adhesive composition used in the present invention preferably contains a compound containing at least one of a fluorine atom and a silicon atom. Such a compound usually functions as a release agent and is fixed on a horizontal plane with the side of the processed substrate of the laminate facing downward. The carrier substrate is moved vertically to the processed substrate at 25 DEG C at a rate of 50 mm / min The laminate can be peeled off with a force of 10 to 80 N when pulled up. The compound containing at least one of the fluorine atom and the silicon atom is a compound in which the amount of the silicon atom or the fluorine atom is such that the amount of the silicon atom or the fluorine atom is unevenly distributed in the surface layer of the adhesive layer and in the interface between the substrate and the adhesive layer, It is possible to form at least the adhesive layer having excellent releasability to the processed substrate or the carrier substrate.

<<<불소 원자를 갖는 화합물>>><<< Compounds Having Fluorine Atoms >>>

불소 원자를 갖는 화합물의 제1 실시형태로서는, 액체 형상의 화합물이 예시된다. 액체 형상의 화합물이란, 25℃에서 유동성을 갖는 화합물이며, 예를 들면 25℃에서의 점도가, 1~100,000mPa·s인 화합물을 의미한다.As a first embodiment of the compound having a fluorine atom, a liquid form compound is exemplified. The liquid-like compound means a compound having fluidity at 25 ° C, for example, a compound having a viscosity at 25 ° C of 1 to 100,000 mPa · s.

불소 원자를 갖는 화합물의 25℃에서의 점도는, 예를 들면 10~20,000mPa·s가 보다 바람직하고, 100~15,000mPa·s가 한층 바람직하다. 불소 원자를 갖는 화합물의 점도가 상기 범위이면, 가접착제층의 표면에 불소 원자를 갖는 화합물이 편재하기 쉽다.The viscosity of the fluorine atom-containing compound at 25 占 폚 is more preferably 10 to 20,000 mPa 占 퐏, and more preferably 100 to 15,000 mPa 占 퐏. When the viscosity of the fluorine atom-containing compound is within the above range, the compound having a fluorine atom is prone to localization on the surface of the adhesive layer.

본 발명에 있어서, 불소 원자를 갖는 화합물은, 모노머, 올리고머, 폴리머 중 어느 형태의 화합물이더라도 바람직하게 이용할 수 있다. 또, 올리고머와 폴리머의 혼합물이어도 된다. 또, 올리고머 및/또는 폴리머와, 모노머의 혼합물이어도 된다.In the present invention, the fluorine atom-containing compound can be preferably used in any form of monomer, oligomer or polymer. It may also be a mixture of an oligomer and a polymer. Also, a mixture of an oligomer and / or a polymer and a monomer may be used.

불소 원자를 갖는 화합물은, 내열성 등의 관점에서, 올리고머, 폴리머 및 이들의 혼합물이 바람직하다.The fluorine atom-containing compound is preferably an oligomer, a polymer and a mixture thereof in terms of heat resistance and the like.

올리고머, 폴리머로서는, 예를 들면 라디칼 중합체, 양이온 중합체, 음이온 중합체 등을 들 수 있으며, 모두 바람직하게 이용할 수 있다. 그 중에서도, (메트)아크릴계 중합체가 특히 바람직하다. 불소 원자를 갖는 화합물로서, (메트)아크릴계 중합체를 이용함으로써, 가접착제층의 표면에 불소 원자를 갖는 화합물이 편재화하기 쉽고, 박리성이 우수하다는 효과를 기대할 수 있다.Examples of the oligomer and the polymer include a radical polymer, a cationic polymer, and an anionic polymer, all of which can be preferably used. Among them, a (meth) acrylic polymer is particularly preferable. By using a (meth) acryl-based polymer as the compound having a fluorine atom, the effect of the compound having a fluorine atom on the surface of the adhesive layer is liable to be uniformalized and excellent in peelability.

불소 원자를 갖는 화합물의 중량 평균 분자량은, 500~100000이 바람직하고, 1000~50000이 보다 바람직하며, 2000~20000이 더 바람직하다.The weight average molecular weight of the fluorine atom-containing compound is preferably 500 to 100,000, more preferably 1,000 to 50,000, and still more preferably 2,000 to 20,000.

본 발명에 있어서, 불소 원자를 갖는 화합물은, 가접착에 제공하는 가공 기판의 처리 시에 변성하지 않는 화합물이 바람직하다. 예를 들면, 250℃ 이상에서의 가열이나, 다양한 약액으로 가공 기판을 처리한 후에도 액체 형상으로서 존재할 수 있는 화합물이 바람직하다. 구체적인 일례로서는, 25℃의 상태로부터 10℃/분의 승온 조건으로 250℃까지 가열한 후, 25℃로 냉각한 후의 25℃에서의 점도가 1~100,000mPa·s인 것이 바람직하고, 10~20,000mPa·s가 보다 바람직하며, 100~15,000mPa·s가 한층 바람직하다.In the present invention, the fluorine atom-containing compound is preferably a compound which is not denatured during the treatment of the substrate to be provided for adhesion. For example, a compound which can be present in liquid form even after heating at 250 DEG C or higher or after processing the processed substrate with various chemical solutions is preferable. As a specific example, it is preferable that the viscosity at 25 ° C after heating from 250 ° C to 25 ° C at a temperature elevation condition of 10 ° C / min from 25 ° C and then at 25 ° C is 1 to 100,000 mPa · s, mPa · s is more preferable, and 100 to 15,000 mPa · s is more preferable.

이와 같은 특성을 갖는 불소 원자를 갖는 화합물로서는, 반응성기를 갖지 않는, 비열경화성 화합물인 것이 바람직하다. 여기에서 말하는 반응성기란, 250℃의 가열로 반응하는 기 전반을 가리키고, 중합성기, 가수분해성기 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면 (메트)아크릴기, 에폭시기, 아이소사이아네이트기 등을 들 수 있다.The fluorine atom-containing compound having such characteristics is preferably a non-thermosetting compound having no reactive group. The term reactive group as used herein refers to the whole period of the reaction in the heating at 250 ° C, and includes a polymerizable group and a hydrolyzable group. Specific examples thereof include a (meth) acryl group, an epoxy group, and an isocyanate group.

비열경화성 화합물로서는, 1종 또는 2종 이상의 함불소 단관능 모노머로 이루어지는 중합체를 바람직하게 사용할 수 있다. 보다 구체적으로는, 테트라플루오로에틸렌, 헥사플루오로프로펜, 테트라플루오로에틸렌옥사이드, 헥사플루오로프로펜옥사이드, 퍼플루오로알킬바이닐에터, 클로로트라이플루오로에틸렌, 바이닐리덴플루오라이드, 퍼플루오로알킬기 함유 (메트)아크릴산 에스터로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 함불소 단관능 모노머의 단독 중합체 또는 이들 모노머의 공중합체, 함불소 단관능 모노머의 1종 또는 2종 이상과 에틸렌의 공중합체, 함불소 단관능 모노머의 1종 또는 2종 이상과 클로로트라이플루오로에틸렌의 공중합체로부터 선택되는 적어도 1종의 함불소 수지 등을 들 수 있다.As the non-thermosetting compound, a polymer comprising one kind or two or more kinds of fluorine-containing monofunctional monomers can be preferably used. More specifically, there may be mentioned tetrafluoroethylene, hexafluoropropene, tetrafluoroethylene oxide, hexafluoropropene oxide, perfluoroalkyl vinyl ether, chlorotrifluoroethylene, vinylidene fluoride, purple (Meth) acrylic acid ester containing at least one fluoroalkyl group, a fluoroalkyl group-containing (meth) acrylic acid ester, and a fluoroalkyl group-containing (meth) acrylate ester, or copolymers of these monomers, , At least one fluorinated resin selected from a copolymer of one or more fluorinated monofunctional monomers and chlorotrifluoroethylene, and the like.

비열경화성 화합물로서는, 퍼플루오로알킬기 함유 (메트)아크릴산 에스터로부터 합성할 수 있는 퍼플루오로알킬기 함유의 (메트)아크릴 공중합체가 바람직하다.As the non-thermosetting compound, a (meth) acrylic copolymer containing a perfluoroalkyl group which can be synthesized from a perfluoroalkyl group-containing (meth) acrylic acid ester is preferable.

퍼플루오로알킬기 함유 (메트)아크릴 공중합체는, 박리성의 관점에서 임의로 퍼플루오로알킬기 함유 (메트)아크릴산 에스터에 더하여, 공중합 성분을 선택할 수 있다. 공중합 성분을 형성할 수 있는 라디칼 중합성 화합물로서는, 예를 들면 아크릴산 에스터류, 메타크릴산 에스터류, N,N-2치환 아크릴아마이드류, N,N-2치환 메타크릴아마이드류, 스타이렌류, 아크릴로나이트릴류, 메타크릴로나이트릴류 등으로부터 선택되는 라디칼 중합성 화합물을 들 수 있다.The (meth) acrylic copolymer having a perfluoroalkyl group may optionally be selected from a copolymerizable component in addition to the (meth) acrylic acid ester containing a perfluoroalkyl group, in view of releasability. Examples of the radical polymerizable compound capable of forming a copolymerization component include acrylic acid esters, methacrylic acid esters, N, N-2 substituted acrylamides, N, N-2 substituted methacrylamides, styrene, Acrylonitrile, acrylonitrile, methacrylonitrile, and the like.

보다 구체적으로는, 예를 들면 알킬아크릴레이트(알킬기의 탄소 원자수는 1~20인 것이 바람직함) 등의 아크릴산 에스터류(예를 들면, 아크릴산 메틸, 아크릴산 에틸, 아크릴산 프로필, 아크릴산 뷰틸, 아크릴산 아밀, 아크릴산 에틸헥실, 아크릴산 옥틸, 아크릴산-t-옥틸, 클로로에틸아크릴레이트, 2,2-다이메틸하이드록시프로필아크릴레이트, 5-하이드록시펜틸아크릴레이트, 트라이메틸올프로페인모노아크릴레이트, 펜타에리트리톨모노아크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 메톡시벤질아크릴레이트, 퓨퓨릴아크릴레이트, 테트라하이드로퓨퓨릴아크릴레이트 등), 아릴아크릴레이트(예를 들면, 페닐아크릴레이트 등), 알킬메타크릴레이트(알킬기의 탄소 원자수는 1~20인 것이 바람직함) 등의 메타크릴산 에스터류(예를 들면, 메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, 프로필메타크릴레이트, 아이소프로필메타크릴레이트, 아밀메타크릴레이트, 헥실메타크릴레이트, 사이클로헥실메타크릴레이트, 벤질메타크릴레이트, 클로로벤질메타크릴레이트, 옥틸메타크릴레이트, 4-하이드록시뷰틸메타크릴레이트, 5-하이드록시펜틸메타크릴레이트, 2,2-다이메틸-3-하이드록시프로필메타크릴레이트, 트라이메틸올프로페인모노메타크릴레이트, 펜타에리트리톨모노메타크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트, 퓨퓨릴메타크릴레이트, 테트라하이드로퓨퓨릴메타크릴레이트 등), 아릴메타크릴레이트(예를 들면, 페닐메타크릴레이트, 크레실메타크릴레이트, 나프틸메타크릴레이트 등), 스타이렌, 알킬스타이렌 등의 스타이렌(예를 들면, 메틸스타이렌, 다이메틸스타이렌, 트라이메틸스타이렌, 에틸스타이렌, 다이에틸스타이렌, 아이소프로필스타이렌, 뷰틸스타이렌, 헥실스타이렌, 사이클로헥실스타이렌, 데실스타이렌, 벤질스타이렌, 클로로메틸스타이렌, 트라이플루오로메틸스타이렌, 에톡시메틸스타이렌, 아세톡시메틸스타이렌 등), 알콕시스타이렌(예를 들면, 메톡시스타이렌, 4-메톡시-3-메틸스타이렌, 다이메톡시스타이렌 등), 할로젠스타이렌(예를 들면, 클로로스타이렌, 다이클로로스타이렌, 트라이클로로스타이렌, 테트라클로로스타이렌, 펜타클로로스타이렌, 브로모스타이렌, 다이브로모스타이렌, 아이오도스타이렌, 플루오로스타이렌, 트라이플루오로스타이렌, 2-브로모-4-트라이플루오로메틸스타이렌, 4-플루오로 3-트라이플루오로메틸스타이렌 등), 아크릴로나이트릴, 메타크릴로나이트릴아크릴산, 카복실산을 함유하는 라디칼 중합성 화합물(아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 크로톤산, 아이소크로톤산, 말레산, p-카복실스타이렌, 및 이들 산기의 금속염, 암모늄염 화합물 등)을 들 수 있다. 박리성의 관점에서 특히, 탄소수 1~24의 탄화 수소기를 갖는 (메트)아크릴산 에스터가 바람직하고, 예를 들면 (메트)아크릴산의 메틸, 뷰틸, 2-에틸헥실, 라우릴, 스테아릴, 글리시딜에스터 등을 들 수 있으며, 2-에틸헥실, 라우릴, 스테아릴 등의 고급 알코올의 (메트)아크릴레이트, 특히 아크릴레이트가 바람직하다.More specifically, acrylic acid esters such as alkyl acrylate (the number of carbon atoms of the alkyl group is preferably 1 to 20) (e.g., methyl acrylate, ethyl acrylate, propyl acrylate, butyl acrylate, , Ethylhexyl acrylate, octyl acrylate, t-octyl acrylate, chloroethyl acrylate, 2,2-dimethylhydroxypropyl acrylate, 5-hydroxypentyl acrylate, trimethylolpropane monoacrylate, (For example, phenyl acrylate), alkyl (meth) acrylates such as methyl acrylate, ethyl acrylate, butyl acrylate, Methacrylic acid esters such as methacrylate (the number of carbon atoms of the alkyl group is preferably 1 to 20) (for example, methyl methacrylate Acrylate, isobutyl methacrylate, ethyl methacrylate, ethyl methacrylate, propyl methacrylate, isopropyl methacrylate, amyl methacrylate, hexyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, benzyl methacrylate, chlorobenzyl methacrylate, , 4-hydroxybutyl methacrylate, 5-hydroxypentyl methacrylate, 2,2-dimethyl-3-hydroxypropyl methacrylate, trimethylolpropane monomethacrylate, pentaerythritol monomethacrylate (Methacrylic acid, methacrylic acid, methacrylic acid, methacrylic acid, methacrylic acid, methacrylic acid, methacrylic acid, And the like), styrenes such as styrene and alkylstyrene (e.g., methylstyrene, dimethylstyrene, trimethylstyrene, ethylstyrene, Butylene styrene, isoprene styrene, isoprene, styrene, butylene, diene, styrene, isobutylene, styrene, , Acetoxymethylstyrene, etc.), alkoxystyrene (e.g., methoxystyrene, 4-methoxy-3-methylstyrene, dimethoxystyrene and the like), halogensilane (e.g., But are not limited to, chlorostyrene, chlorostyrene, dichlorostyrene, dichlorostyrene, trichlorostyrene, tetrachlorostyrene, pentachlorostyrene, bromostyrene, dibromostyrene, iodostyrene, fluorostyrene, 2-bromo-4-trifluoromethylstyrene, 4-fluoro-3-trifluoromethylstyrene, etc.), acrylonitrile, methacrylonitrile acrylic acid, and carboxylic acid There may be mentioned water (acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, isocrotonic acid, maleic acid, p- carboxyl styrene, and the metal salt, ammonium salt compounds of these acid groups, etc.). (Meth) acrylic acid esters having a hydrocarbon group of 1 to 24 carbon atoms are particularly preferred from the viewpoint of releasability, and examples thereof include methyl, butyl, 2-ethylhexyl, lauryl, stearyl, glycidyl And (meth) acrylates of higher alcohols such as 2-ethylhexyl, lauryl, stearyl and the like, especially acrylates, are preferred.

본 발명에 있어서, 불소 원자를 갖는 화합물은, 25℃로부터, 20℃/분으로 승온한 10% 열질량 감소 온도가, 250℃ 이상인 것이 바람직하고, 280℃ 이상이 보다 바람직하다. 또, 상한값은, 특별히 한정은 없지만, 예를 들면 1000℃ 이하가 바람직하고, 800℃ 이하가 보다 바람직하다. 이 양태에 의하면, 내열성이 우수한 가접착제층을 형성하기 쉽다. 또한, 10% 열질량 감소 온도란, 열중량 측정 장치에 의하여, 질소 기류하에 있어서, 상기 승온 조건으로 측정하여, 측정 전의 중량의 10%의 감소가 보이는 온도이다.In the present invention, the fluorine atom-containing compound preferably has a 10% thermal mass reduction temperature at 25 ° C to 20 ° C / minute, preferably 250 ° C or more, more preferably 280 ° C or more. The upper limit value is not particularly limited, but is preferably 1000 占 폚 or lower, for example, and more preferably 800 占 폚 or lower. According to this embodiment, it is easy to form an adhesive layer having excellent heat resistance. The 10% heat mass reduction temperature is a temperature at which a 10% reduction in the weight before measurement is measured by the thermogravimetric analyzer under the temperature increase condition under a nitrogen gas stream.

본 발명에 있어서, 불소 원자를 갖는 화합물은, 친유기를 함유하는 화합물인 것이 바람직하다. 친유기로서는, 알킬기, 방향족기 등을 들 수 있다.In the present invention, the compound having a fluorine atom is preferably a compound containing a mineral oil. Examples of the organic group include an alkyl group and an aromatic group.

알킬기는, 직쇄 알킬기, 분기 알킬기, 환상 알킬기를 들 수 있다.The alkyl group includes a straight chain alkyl group, a branched alkyl group and a cyclic alkyl group.

직쇄 알킬기의 탄소수는, 2~30이 바람직하고, 4~30이 보다 바람직하며, 6~30이 더 바람직하고, 12~20이 특히 바람직하다.The number of carbon atoms of the straight chain alkyl group is preferably from 2 to 30, more preferably from 4 to 30, still more preferably from 6 to 30, and particularly preferably from 12 to 20.

분기 알킬기의 탄소수는, 3~30이 바람직하고, 4~30이 보다 바람직하며, 6~30이 더 바람직하고, 12~20이 특히 바람직하다.The number of carbon atoms of the branched alkyl group is preferably from 3 to 30, more preferably from 4 to 30, still more preferably from 6 to 30, and particularly preferably from 12 to 20.

환상 알킬기는, 단환이어도 되고, 다환이어도 된다. 환상 알킬기의 탄소수는, 3~30이 바람직하고, 4~30이 보다 바람직하며, 6~30이 더 바람직하고, 12~20이 가장 바람직하다.The cyclic alkyl group may be monocyclic or polycyclic. The number of carbon atoms of the cyclic alkyl group is preferably from 3 to 30, more preferably from 4 to 30, still more preferably from 6 to 30, and most preferably from 12 to 20.

직쇄 또는 분기 알킬기의 구체예로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 뷰틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 도데실기, 테트라데실기, 옥타데실기, 아이소프로필기, 아이소뷰틸기, sec-뷰틸기, tert-뷰틸기, 1-에틸펜틸기, 2-에틸헥실기를 들 수 있다.Specific examples of the straight chain or branched alkyl group include straight or branched chain alkyl groups such as methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl, nonyl, decyl, An isopropyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, a 1-ethylpentyl group and a 2-ethylhexyl group.

환상 알킬기의 구체예로서는, 예를 들면 사이클로프로필기, 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기, 사이클로옥틸기, 아다만틸기, 노보닐기, 보닐기, 캄펜일기, 데카하이드로나프틸기, 트라이사이클로데칸일기, 테트라사이클로데칸일기, 캄포로일기, 다이사이클로헥실기, 피넨일기를 들 수 있다.Specific examples of the cyclic alkyl group include cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, cyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, adamantyl, norbornyl, , A tricyclodecanyl group, a tetracyclodecanyl group, a camphoryl group, a dicyclohexyl group, and a pinenyl group.

알킬기는, 치환기를 갖고 있어도 된다. 치환기로서는, 할로젠 원자, 알콕시기, 방향족기 등을 들 수 있다.The alkyl group may have a substituent. Examples of the substituent include a halogen atom, an alkoxy group, and an aromatic group.

할로젠 원자로서는, 염소 원자, 불소 원자, 브로민 원자, 아이오딘 원자 등을 들 수 있으며, 불소 원자가 바람직하다.Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a fluorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.

알콕시기의 탄소수는, 1~30이 바람직하고, 1~20이 보다 바람직하며, 1~10이 더 바람직하다. 알콕시기는, 직쇄 또는 분기가 바람직하다.The carbon number of the alkoxy group is preferably from 1 to 30, more preferably from 1 to 20, and even more preferably from 1 to 10. The alkoxy group is preferably straight-chain or branched.

방향족기는, 단환이어도 되고, 다환이어도 된다. 방향족기의 탄소수는, 6~20이 바람직하고, 6~14가 보다 바람직하며, 6~10이 가장 바람직하다. 방향족기는, 환을 구성하는 원소에, 헤테로 원자(예를 들면, 질소 원자, 산소 원자, 황 원자 등)를 포함하지 않는 것이 바람직하다. 방향족기의 구체예로서는, 벤젠환, 나프탈렌환, 펜탈렌환, 인덴환, 아줄렌환, 헵탈렌환, 인다센환, 페릴렌환, 펜타센환, 아세나프텐환, 페난트렌환, 안트라센환, 나프타센환, 크리센환, 트라이페닐렌환, 플루오렌환, 바이페닐환, 피롤환, 퓨란환, 싸이오펜환, 이미다졸환, 옥사졸환, 싸이아졸환, 피리딘환, 피라진환, 피리미딘환, 피리다진환, 인돌리진환, 인돌환, 벤조퓨란환, 벤조싸이오펜환, 아이소벤조퓨란환, 퀴놀리진환, 퀴놀린환, 프탈라진환, 나프티리딘환, 퀴녹살린환, 퀴녹사졸린환, 아이소퀴놀린환, 카바졸환, 페난트리딘환, 아크리딘환, 페난트롤린환, 싸이안트렌환, 크로멘환, 잔텐환, 페녹사싸이인환, 페노싸이아진환, 및 페나진환을 들 수 있다.The aromatic group may be monocyclic or polycyclic. The carbon number of the aromatic group is preferably from 6 to 20, more preferably from 6 to 14, and most preferably from 6 to 10. It is preferable that the aromatic group does not contain a hetero atom (for example, a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, etc.) in the element constituting the ring. Specific examples of the aromatic group include a benzene ring, a naphthalene ring, a pentane ring, an indane ring, an azole ring, a heptane ring, an indane ring, a perylene ring, a pentacene ring, an acenaphthene ring, a phenanthrene ring, an anthracene ring, a naphthacene ring, A thiophene ring, an imidazole ring, an oxazole ring, a thiazole ring, a pyridine ring, a pyrazine ring, a pyrimidine ring, a pyridazin ring, an indolizine ring, A benzofuran ring, an isobenzofuran ring, a quinoline ring, a quinoline ring, a phthalazine ring, a naphthyridine ring, a quinoxaline ring, a quinoxazoline ring, an isoquinoline ring, a carbazole ring, a phenanthrene ring, Pyran, acridine, phenanthroline, thianthrene, chroman, zenthene, phenoxathiine, phenothiazine, and phenanthrene.

방향족기는, 상술한 치환기를 갖고 있어도 된다.The aromatic group may have the substituent described above.

불소 원자를 갖는 화합물은, 친유기를 1종만 포함하는 화합물이어도 되고, 2종 이상을 포함하고 있어도 된다. 또, 친유기는, 불소 원자를 포함하고 있어도 된다. 즉, 불소 원자를 갖는 화합물은, 친유기만이 불소 원자를 포함하는 화합물이어도 된다. 또, 친유기 외에, 불소 원소를 포함하는 기(불소기라고도 함)를 더 갖는 화합물이어도 된다. 바람직하게는, 친유기와 불소기를 포함하는 화합물이다.The fluorine atom-containing compound may be a compound containing only one kind of oil-reducing group, or may contain two or more kinds. The organic group may contain a fluorine atom. That is, the compound having a fluorine atom may be a compound in which only a hydrophilic group contains a fluorine atom. Further, in addition to a hydrophilic group, a compound having a fluorine atom-containing group (also referred to as a fluorine group) may be used. Preferably, it is a compound containing a mineral oil and a fluorine group.

불소 원자를 갖는 화합물이 친유기와 불소기를 갖는 화합물인 경우, 친유기는 불소 원자를 포함하고 있어도 되고, 포함하지 않아도 되는데, 친유기는 불소 원자를 포함하지 않는 것이 바람직하다.When the compound having a fluorine atom is a compound having a hydrophilic group and a fluorine group, the hydrophilic group may or may not contain a fluorine atom, and it is preferable that the hydrophilic group does not contain a fluorine atom.

불소 원자를 갖는 화합물은, 1분자 중에 친유기를 1개 이상 갖고, 2~100개 갖는 것이 바람직하며, 6~80개 갖는 것이 특히 바람직하다.The fluorine atom-containing compound preferably has 2 to 100, more preferably 6 to 80, groups having at least one hydrophilic group in one molecule.

불소기로서는, 이미 알려진 불소기를 사용할 수 있다. 예를 들면, 함불소 알킬기, 함불소 알킬렌기 등을 들 수 있다. 또한, 불소기 중, 친유기로서 기능하는 것은, 친유기에 포함되는 것으로 한다.As the fluorine group, a known fluorine group can be used. For example, fluorinated alkyl groups, fluorinated alkylene groups and the like. Among the fluorine groups, those functioning as a lipophilic group are assumed to be included in lipophilic groups.

함불소 알킬기의 탄소수는, 1~30이 바람직하고, 1~20이 보다 바람직하며, 1~15가 보다 바람직하다. 함불소 알킬기는, 직쇄, 분기, 환상 중 어느 것이어도 된다. 또, 에터 결합을 갖고 있어도 된다. 또, 함불소 알킬기는, 수소 원자 전부가 불소 원자로 치환된 퍼플루오로알킬기여도 된다.The carbon number of the fluorinated alkyl group is preferably from 1 to 30, more preferably from 1 to 20, and still more preferably from 1 to 15. The fluorine alkyl group may be linear, branched or cyclic. It may also have an ether bond. The fluorinated alkyl group may be a perfluoroalkyl group in which all the hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms.

함불소 알킬렌기의 탄소수는, 2~30이 바람직하고, 2~20이 보다 바람직하며, 2~15가 보다 바람직하다. 함불소 알킬렌기는, 직쇄, 분기, 환상 중 어느 것이어도 된다. 또, 에터 결합을 갖고 있어도 된다. 또, 함불소 알킬렌기는, 수소 원자 전부가 불소 원자로 치환된 퍼플루오로알킬렌기여도 된다.The fluorine-containing alkylene group preferably has 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, and more preferably 2 to 15 carbon atoms. The fluorine-containing alkylene group may be linear, branched or cyclic. It may also have an ether bond. The fluorinated alkylene group may be a perfluoroalkylene group in which all the hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms.

불소 원자를 갖는 화합물은, 불소 원자의 함유율이 1~90질량%인 것이 바람직하고, 2~80질량%인 것이 보다 바람직하며, 5~70질량%인 것이 더 바람직하다. 불소 함유율이 상기 범위이면, 박리성이 우수하다.The fluorine atom-containing compound preferably has a fluorine atom content of 1 to 90% by mass, more preferably 2 to 80% by mass, and further preferably 5 to 70% by mass. When the fluorine content is in the above range, the releasability is excellent.

불소 원자의 함유율은, "{(1분자 중의 불소 원자수×불소 원자의 질량)/1분자 중의 전체 원자의 질량}×100"으로 정의된다.The content of fluorine atoms is defined as "{(the number of fluorine atoms in one molecule x the mass of fluorine atoms) / the mass of all atoms in one molecule} x 100".

불소 원자를 갖는 화합물은, 시판품을 이용할 수도 있다. 비열경화성 화합물로서, 시판되고 있는 것으로서는, 테프론(등록 상표)(듀폰사), 테프젤(듀폰사), 플루온(아사히 글라스사), 헤일러(SolvaySolexis사), 하일러(SolvaySolexis사), 루미플론(아사히 글라스사), 아플라스(아사히 글라스사), 세프럴 소프트(센트럴 글라스사), 세프럴 코트(센트럴 글라스사) 등의 불소 수지, 바이톤(듀폰사), 칼레츠(듀폰사), SIFEL(신에쓰 가가쿠 고교(주)제) 등의 상표명의 불소 고무, 크라이톡스(듀폰사), 폼블린(다이토쿠 테크사), 뎀넘(다이킨 고교사), 서프론(예를 들면, 서프론 S243 등, AGC 세이미 케미컬사제) 등의 퍼플루오로폴리에터 오일을 비롯한 각종 불소 오일이나, 다이프리 FB-962 등의 다이프리 FB 시리즈(다이킨 고교사), 메가팍 시리즈(DIC사) 등의 상표명의 불소 함유 이형제 등을 들 수 있다.As the compound having a fluorine atom, a commercially available product may be used. Examples of commercially available non-thermosetting compounds include Teflon (registered trademark) (DuPont), Teflon (DuPont), Fluon (Asahi Glass), Hyler (SolvaySolexis), Haier (SolvaySolexis) Fluorine resins such as Flon (Asahi Glass Co.), Aplas (Asahi Glass Co., Ltd.), Sephrase Soft (Central Glass Co., Ltd.), and Cefalcoat (Central Glass Co., Ltd.), Viton (DuPont), Caleth (Manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), SIFEL (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), etc., chlorotox (DuPont Company), Pombuline (Daitoku Tech Co., Ltd.) , Surfron S243 and the like, manufactured by AGC SEIYAKU CHEMICAL Co., Ltd.), and various fluorine oils including perfluoropolyether oils such as DAFREE FB-962 (Daikin Kogyo Co., Ltd., Daikin Kogyo Co., DIC), and the like.

또, 친유기를 갖는 불소 원자를 갖는 화합물로서 시판되고 있는 것으로서는, 예를 들면 DIC사제 메가팍 시리즈의 F-251, F-281, F-477, F-553, F-554, F-555, F-556, F-557, F-558, F-559, F-560, F-561, F-563, F-565, F-567, F-568, F-571, R-40, R-41, R-43, R-94나, 네오스사제 프터젠트 시리즈의 710F, 710FM, 710FS, 710FL, 730FL, 730LM을 들 수 있다.F-251, F-281, F-477, F-553, F-554 and F-555 of Megapark series manufactured by DIC Co. are commercially available as a compound having a fluorine atom having a hydrophilic group. F-556, F-557, F-558, F-559, F-560, F-561, F-563, F- 710F, 710FS, 710FL, 730FL, and 730LM of the Fotogen series manufactured by NEOS.

본 발명에서는, 불소 원자를 갖는 화합물로서, 불소 함유 실레인 커플링제를 이용할 수도 있다. 불소 함유 실레인 커플링제는, 비할로젠계 실레인 커플링제가 바람직하고, 특히 불소 함유 알콕시실레인이 바람직하다. 시판품으로서는, 다이킨 고교 가부시키가이샤제의 옵툴 DAC-HP, 옵툴 DSX를 들 수 있다.In the present invention, as the fluorine atom-containing compound, a fluorine-containing silane coupling agent may also be used. As the fluorine-containing silane coupling agent, a non-halogeno-silane coupling agent is preferable, and a fluorine-containing alkoxysilane is particularly preferable. Commercially available products include OptuT DAC-HP and Optun DSX manufactured by Daikin Industries, Ltd.

<<<실리콘 원자를 함유하는 화합물>>><<< Compound Containing Silicon Atoms >>>

본 발명에 있어서, 실리콘 원자를 함유하는 화합물은, 올리고머, 폴리머 중 어느 형태의 화합물이더라도 바람직하게 이용할 수 있다. 또, 올리고머와 폴리머의 혼합물이어도 된다. 이러한 혼합물에는, 모노머를 더 포함하고 있어도 된다. 또, 실리콘 원자를 함유하는 화합물은, 모노머여도 된다.In the present invention, the compound containing a silicon atom may be preferably used in any form of oligomer or polymer. It may also be a mixture of an oligomer and a polymer. Such a mixture may further contain a monomer. The compound containing a silicon atom may be a monomer.

실리콘 원자를 함유하는 화합물은, 내열성 등의 관점에서, 올리고머, 폴리머 및 이들의 혼합물이 바람직하다.From the viewpoint of heat resistance and the like, a compound containing a silicon atom is preferably an oligomer, a polymer and a mixture thereof.

올리고머, 폴리머로서는, 예를 들면 부가 중합물, 중축합물, 부가 축합물 등, 특별히 한정없이 사용할 수 있지만, 중축합물이 특히 바람직하다.As the oligomer and polymer, for example, an addition polymer, a polycondensation product, an addition condensation product and the like can be used without particular limitation, but polycondensation is particularly preferable.

실리콘 원자를 함유하는 화합물의 중량 평균 분자량은, 500~100000이 바람직하고, 1000~50000이 보다 바람직하며, 2000~20000이 더 바람직하다.The weight average molecular weight of the compound containing a silicon atom is preferably 500 to 100,000, more preferably 1,000 to 50,000, and still more preferably 2,000 to 20,000.

본 발명에 있어서, 실리콘 원자를 함유하는 화합물은, 가접착에 제공하는 가공 기판의 처리 시에 변성하지 않는 화합물이 바람직하다. 예를 들면, 250℃ 이상에서의 가열이나, 다양한 약액으로 가공 기판을 처리한 후에도 액체 형상으로서 존재할 수 있는 화합물이 바람직하다. 구체적인 일례로서는, 25℃의 상태로부터 10℃/분의 승온 조건으로 250℃까지 가열한 후, 25℃로 냉각한 후의 25℃에서의 점도가 1~100,000mPa·s인 것이 바람직하고, 10~20,000mPa·s가 보다 바람직하며, 100~15,000mPa·s가 한층 바람직하다.In the present invention, the compound containing a silicon atom is preferably a compound which does not denature at the time of processing of a processed substrate provided for adhesion. For example, a compound which can be present in liquid form even after heating at 250 DEG C or higher or after processing the processed substrate with various chemical solutions is preferable. As a specific example, it is preferable that the viscosity at 25 ° C after heating from 250 ° C to 25 ° C at a temperature elevation condition of 10 ° C / min from 25 ° C and then at 25 ° C is 1 to 100,000 mPa · s, mPa · s is more preferable, and 100 to 15,000 mPa · s is more preferable.

이와 같은 특성을 갖는 실리콘 원자를 함유하는 액체 형상 화합물로서는, 반응성기를 갖지 않는, 비경화성 화합물인 것이 바람직하다. 여기에서 말하는 반응성기란, 가열 혹은 방사선의 조사로 반응하는 기 전반을 가리키며, 에틸렌성 불포화 결합에 더하여, 다른 중합성기, 가수분해성기 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면 (메트)아크릴기, 에폭시기, 아이소사이아네이트기 등을 들 수 있다.The liquid compound containing silicon atoms having such characteristics is preferably an uncured compound having no reactive group. The term "reactive group" as used herein refers to a group which reacts by heating or irradiation with radiation, and includes other polymerizable groups and hydrolyzable groups in addition to ethylenically unsaturated bonds. Specific examples thereof include a (meth) acryl group, an epoxy group, and an isocyanate group.

또, 실리콘 원자를 함유하는 화합물은, 25℃로부터, 20℃/분으로 승온한 10% 열질량 감소 온도가, 250℃ 이상인 것이 바람직하고, 280℃ 이상이 보다 바람직하다. 또, 상한값은, 특별히 한정은 없지만, 예를 들면 1000℃ 이하가 바람직하고, 800℃ 이하가 보다 바람직하다. 이 양태에 의하면, 내열성이 우수한 가접착제층을 형성하기 쉽다. 또한, 열질량 감소 온도란, 열중량 측정 장치(TGA)에 의하여, 질소 기류하에 있어서, 상기 승온 조건으로 측정한 값이다.It is preferable that the 10% thermal mass reduction temperature of the compound containing a silicon atom which is raised from 25 占 폚 to 20 占 폚 / min is 250 占 폚 or higher, more preferably 280 占 폚 or higher. The upper limit value is not particularly limited, but is preferably 1000 占 폚 or lower, for example, and more preferably 800 占 폚 or lower. According to this embodiment, it is easy to form an adhesive layer having excellent heat resistance. The thermal mass reduction temperature is a value measured under the above-mentioned temperature increasing condition under a nitrogen stream by a thermogravimetric analyzer (TGA).

본 발명에서 이용하는 실리콘 원자를 함유하는 화합물은, 친유기를 함유하는 것이 바람직하다. 친유기로서는, 직쇄 또는 분기의 알킬기, 사이클로알킬기, 방향족기 등을 들 수 있다.The compound containing a silicon atom used in the present invention preferably contains a mineral oil. Examples of the lipophilic group include a linear or branched alkyl group, a cycloalkyl group, and an aromatic group.

알킬기의 탄소수는, 1~30이 바람직하고, 1~10이 보다 바람직하며, 1~3이 더 바람직하다. 알킬기의 구체예로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 뷰틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 도데실기, 테트라데실기, 옥타데실기, 아이소프로필기, 아이소뷰틸기, sec-뷰틸기, tert-뷰틸기, 1-에틸펜틸기, 2-에틸헥실기를 들 수 있다.The number of carbon atoms in the alkyl group is preferably from 1 to 30, more preferably from 1 to 10, and still more preferably from 1 to 3. Specific examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, a nonyl group, a decyl group, a dodecyl group, a tetradecyl group, , Isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, 1-ethylpentyl group and 2-ethylhexyl group.

알킬기는, 치환기를 갖고 있어도 된다. 치환기로서는, 할로젠 원자, 알콕시기, 방향족기 등을 들 수 있다. 할로젠 원자로서는, 염소 원자, 불소 원자, 브로민 원자, 아이오딘 원자 등을 들 수 있으며, 불소 원자가 바람직하다.The alkyl group may have a substituent. Examples of the substituent include a halogen atom, an alkoxy group, and an aromatic group. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a fluorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.

알콕시기의 탄소수는, 1~30이 바람직하고, 1~20이 보다 바람직하며, 1~10이 더 바람직하다. 알콕시기는, 직쇄 또는 분기가 바람직하다.The carbon number of the alkoxy group is preferably from 1 to 30, more preferably from 1 to 20, and even more preferably from 1 to 10. The alkoxy group is preferably straight-chain or branched.

사이클로알킬기는, 단환이어도 되고, 다환이어도 된다. 사이클로알킬기의 탄소수는, 3~30이 바람직하고, 4~30이 보다 바람직하며, 6~30이 더 바람직하고, 6~20이 특히 바람직하다. 단환의 사이클로알킬기로서는, 예를 들면 사이클로프로필기, 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기 및 사이클로옥틸기를 들 수 있다. 다환의 사이클로알킬기로서는, 예를 들면 아다만틸기, 노보닐기, 보닐기, 캄펜일기, 데카하이드로나프틸기, 트라이사이클로데칸일기, 테트라사이클로데칸일기, 캄포로일기, 다이사이클로헥실기 및 피넨일기를 들 수 있다.The cycloalkyl group may be monocyclic or polycyclic. The number of carbon atoms of the cycloalkyl group is preferably from 3 to 30, more preferably from 4 to 30, still more preferably from 6 to 30, and particularly preferably from 6 to 20. Examples of the monocyclic cycloalkyl group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group and a cyclooctyl group. Examples of the polycyclic cycloalkyl group include an adamantyl group, a norbornyl group, a vinyl group, a camphanyl group, a decahydronaphthyl group, a tricyclodecanyl group, a tetracyclodecanyl group, a camphoryl group, a dicyclohexyl group, .

사이클로알킬기는, 상술한 치환기를 갖고 있어도 된다.The cycloalkyl group may have the substituent described above.

방향족기는, 단환이어도 되고, 다환이어도 된다. 방향족기의 탄소수는, 6~20이 바람직하고, 6~14가 보다 바람직하며, 6~10이 특히 바람직하다. 방향족기는, 환을 구성하는 원소에, 헤테로 원자(예를 들면, 질소 원자, 산소 원자, 황 원자 등)를 포함하지 않는 것이 바람직하다. 방향족기의 구체예로서는, 벤젠환, 나프탈렌환, 펜탈렌환, 인덴환, 아줄렌환, 헵탈렌환, 인다센환, 페릴렌환, 펜타센환, 아세나프텐환, 페난트렌환, 안트라센환, 나프타센환, 크리센환, 트라이페닐렌환, 플루오렌환, 바이페닐환, 피롤환, 퓨란환, 싸이오펜환, 이미다졸환, 옥사졸환, 싸이아졸환, 피리딘환, 피라진환, 피리미딘환, 피리다진환, 인돌리진환, 인돌환, 벤조퓨란환, 벤조싸이오펜환, 아이소벤조퓨란환, 퀴놀리진환, 퀴놀린환, 프탈라진환, 나프티리딘환, 퀴녹살린환, 퀴녹사졸린환, 아이소퀴놀린환, 카바졸환, 페난트리딘환, 아크리딘환, 페난트롤린환, 싸이안트렌환, 크로멘환, 잔텐환, 페녹사싸이인환, 페노싸이아진환, 및 페나진환을 들 수 있으며, 벤젠환이 바람직하다.The aromatic group may be monocyclic or polycyclic. The carbon number of the aromatic group is preferably from 6 to 20, more preferably from 6 to 14, and particularly preferably from 6 to 10. It is preferable that the aromatic group does not contain a hetero atom (for example, a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, etc.) in the element constituting the ring. Specific examples of the aromatic group include a benzene ring, a naphthalene ring, a pentane ring, an indane ring, an azole ring, a heptane ring, an indane ring, a perylene ring, a pentacene ring, an acenaphthene ring, a phenanthrene ring, an anthracene ring, a naphthacene ring, A thiophene ring, an imidazole ring, an oxazole ring, a thiazole ring, a pyridine ring, a pyrazine ring, a pyrimidine ring, a pyridazin ring, an indolizine ring, A benzofuran ring, an isobenzofuran ring, a quinoline ring, a quinoline ring, a phthalazine ring, a naphthyridine ring, a quinoxaline ring, a quinoxazoline ring, an isoquinoline ring, a carbazole ring, a phenanthrene ring, A thiophene ring, a phenanthrene ring, a phenanthrene ring, a phenanthroline ring, a phenanthroline ring, a thianthrene ring, a chroman ring, a zenthene ring, a phenoxathiine ring, a phenothiazine ring and a phenanthrene ring.

방향족기는, 상술한 치환기를 갖고 있어도 된다. 치환기로서는, 직쇄 알킬기가 바람직하다.The aromatic group may have the substituent described above. As the substituent, a straight-chain alkyl group is preferable.

실리콘 원자를 함유하는 화합물은, 하기 일반식 (4)로 나타나는 화합물인 것이 바람직하다.The compound containing a silicon atom is preferably a compound represented by the following general formula (4).

일반식 (4)In general formula (4)

[화학식 4][Chemical Formula 4]

Figure pct00004
Figure pct00004

상기 일반식 (4) 중의 R1 및 R2는, 각각 독립적으로 직쇄 혹은 분기의 알킬기, 사이클로알킬기 또는 방향족기이며, R1 및 R2 중 한쪽은, 폴리에터쇄를 포함하는 유기기여도 된다.R 1 and R 2 in the general formula (4) are each independently a linear or branched alkyl group, cycloalkyl group or aromatic group, and one of R 1 and R 2 may be an organic group containing a polyether chain.

또, L1은, -O-, 또는 폴리에터쇄를 포함하는 연결기를 나타낸다.L 1 represents -O- or a linking group containing a polyether chain.

상기 일반식 중의 R1 및 R2로서의, 직쇄 혹은 분기의 알킬기, 사이클로알킬기 또는 방향족기의 바람직한 범위는, 상기 친유기의 개소에서 설명한, 직쇄 혹은 분기의 알킬기, 사이클로알킬기 또는 방향족기와 동의이며, 바람직한 범위도 동일하다.The preferable range of the linear or branched alkyl group, cycloalkyl group or aromatic group as R 1 and R 2 in the above general formula is the same as that of the alkyl group, cycloalkyl group or aromatic group of a straight chain or branched chain described in the section of the above-mentioned organic group, .

또, 상기 일반식에 있어서, R1 및 R2 중 한쪽은, 폴리에터쇄를 포함하는 유기기인 것도 바람직한 형태로서 들 수 있다. 상기 폴리에터쇄를 포함하는 유기기에 있어서의 폴리에터 구조로서는, 에터 결합을 복수 갖는 구조이면 되고, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 폴리에틸렌글라이콜 구조(폴리에틸렌옥사이드 구조), 폴리프로필렌글라이콜 구조(폴리프로필렌옥사이드 구조), 폴리뷰틸렌글라이콜 구조(폴리테트라메틸렌글라이콜 구조), 복수 종의 알킬렌글라이콜(또는 알킬렌옥사이드)에서 유래하는 폴리에터 구조(예를 들면, 폴리(프로필렌글라이콜/에틸렌글라이콜) 구조 등) 등의 폴리옥시알킬렌 구조를 들 수 있다. 또한, 복수 종의 알킬렌글라이콜에서 유래하는 폴리에터 구조에 있어서의, 각각의 알킬렌글라이콜의 부가 형태는, 블록형(블록 공중합형)이어도 되고, 랜덤형(랜덤 공중합형)이어도 된다.In the above general formulas, one of R 1 and R 2 is preferably an organic group containing a polyether chain. The polyether structure in the organic group including the polyether chain may be any structure having a plurality of ether bonds and is not particularly limited. Examples of the polyether structure include a polyethylene glycol structure (polyethylene oxide structure), polypropylene glycol (Polypropylene oxide structure), a polybutylene glycol structure (polytetramethylene glycol structure), a polyether structure derived from plural kinds of alkylene glycol (or alkylene oxide) (for example, Poly (propylene glycol / ethylene glycol) structure), and other polyoxyalkylene structures. The addition form of each alkylene glycol in the polyether structure derived from plural kinds of alkylene glycol may be a block type (block copolymerization type) or a random type (random copolymerization type) .

상기 폴리에터쇄를 포함하는 유기기는, 상기 폴리에터 구조만으로 이루어지는 유기기여도 되고, 상기 폴리에터 구조의 1 또는 2 이상과, 1 또는 2 이상의 연결기(1 이상의 원자를 갖는 2가의 기)가 연결된 구조를 갖는 유기기여도 된다. 상기 폴리에터쇄를 포함하는 유기기에 있어서의 연결기로서는, 예를 들면 2가의 탄화 수소기(특히, 직쇄 또는 분기쇄상의 알킬렌기), 싸이오에터기(-S-), 에스터기(-COO-), 아마이드기(-CONH-), 카보닐기(-CO-), 카보네이트기(-OCOO-), 이들이 2 이상 결합한 기 등을 들 수 있다.The organic group containing the polyether chain may be an organic group composed of only the polyether structure, and one or more of the polyether structure and one or more linking groups (a bivalent group having one or more atoms) are connected Organic &lt; / RTI &gt; Examples of the linking group in the organic group containing a polyether chain include a divalent hydrocarbon group (particularly, a linear or branched alkylene group), a thioether group (-S-), an ester group (-COO-) , An amide group (-CONH-), a carbonyl group (-CO-), a carbonate group (-OCOO-), and groups in which two or more thereof are bonded.

또, 상기 일반식 중의 L1의 폴리에터쇄로서는, 상술한 에터 결합을 복수 갖는 구조를 가지면 되고, 특별히 한정은 없지만, 상술한 에터 결합을 복수 갖는 구조를 바람직하게 사용할 수 있다. 또, 폴리에터쇄는, 폴리에터 구조만으로 이루어지는 유기기여도 되고, 상기 폴리에터 구조의 1 또는 2 이상과, 1 또는 2 이상의 연결기(1 이상의 원자를 갖는 2가의 기)가 연결된 구조를 갖는 유기기여도 된다. 상기 폴리에터쇄를 포함하는 유기기에 있어서의 연결기로서는, 예를 들면 2가의 탄화 수소기(특히, 직쇄 또는 분기쇄상의 알킬렌기), 싸이오에터기(-S-), 에스터기(-COO-), 아마이드기(-CONH-), 카보닐기(-CO-), 카보네이트기(-OCOO-), 이들이 2 이상 결합한 기 등을 들 수 있다.The polyether chain of L &lt; 1 &gt; in the above general formula is not particularly limited as long as it has a structure having a plurality of the above-described ether bonds, but a structure having a plurality of the above-described ether bonds can be preferably used. The polyether chain may be an organic group composed of only a polyether structure, an organic group having a structure in which one or more of the polyether structures and one or more linking groups (a bivalent group having at least one atom) Contributing. Examples of the linking group in the organic group containing a polyether chain include a divalent hydrocarbon group (particularly, a linear or branched alkylene group), a thioether group (-S-), an ester group (-COO-) , An amide group (-CONH-), a carbonyl group (-CO-), a carbonate group (-OCOO-), and groups in which two or more thereof are bonded.

본 발명에 있어서의 실리콘 원자를 함유하는 화합물은, 다이메틸폴리실록세인, 메틸페닐폴리실록세인, 다이페닐폴리실록세인 및 폴리에터 변성 폴리실록세인으로부터 선택되는 적어도 1종이 보다 바람직하다.The compound containing silicon atoms in the present invention is more preferably at least one selected from dimethyl polysiloxane, methylphenyl polysiloxane, diphenyl polysiloxane and polyether modified polysiloxane.

실리콘 원자를 함유하는 화합물은, 예를 들면 일본 공개특허공보 소62-36663호, 일본 공개특허공보 소61-226746호, 일본 공개특허공보 소61-226745호, 일본 공개특허공보 소62-170950호, 일본 공개특허공보 소63-34540호, 일본 공개특허공보 평7-230165호, 일본 공개특허공보 평8-62834호, 일본 공개특허공보 평9-54432호, 일본 공개특허공보 평9-5988호, 일본 공개특허공보 2001-330953호 각 공보에 기재된 계면활성제 중, 25℃에서 액체 형상인 것을 들 수 있다.Compounds containing silicon atoms are disclosed, for example, in JP-A-62-36663, JP-A-61-226746, JP-A-61-226745, JP-A-62-170950 , Japanese Unexamined Patent Publications Nos. 63-34540, 7-230165, 8-62834, 9-54432, 9-5988 , And JP-A-2001-330953, liquid form at 25 占 폚.

시판품으로서는, 상품명 "BYK-300", "BYK-301/302", "BYK-306", "BYK-307", "BYK-310", "BYK-315", "BYK-313", "BYK-320", "BYK-322", "BYK-323", "BYK-325", "BYK-330", "BYK-331", "BYK-333", "BYK-337", "BYK-341", "BYK-344", "BYK-345", "BYK-346", "BYK-347", "BYK-348", "BYK-349", "BYK-370", "BYK-375", "BYK-377", "BYK-378", "BYK-UV3500", "BYK-UV3510", "BYK-UV3570", "BYK-3550", "BYK-SILCLEAN3700", "BYK-SILCLEAN3720"(이상, 빅케미·재팬(주)제), 상품명 "AC FS 180", "AC FS 360", "AC S 20"(이상, Algin Chemie제), 상품명 "폴리플로 KL-400X", "폴리플로 KL-400HF", "폴리플로 KL-401", "폴리플로 KL-402", "폴리플로 KL-403", "폴리플로 KL-404", "폴리플로 KL-700"(이상, 교에이샤 가가쿠(주)제), 상품명 "KP-301", "KP-306", "KP-109", "KP-310", "KP-310B", "KP-323", "KP-326", "KP-341", "KP-104", "KP-110", "KP-112", "KP-360A", "KP-361", "KP-354", "KP-355", "KP-356", "KP-357", "KP-358", "KP-359", "KP-362", "KP-365", "KP-366", "KP-368", "KP-369", "KP-330", "KP-650", "KP-651", "KP-390", "KP-391", "KP-392"(이상, 신에쓰 가가쿠 고교(주)제), 상품명 "LP-7001", "LP-7002", "SH28PA", "8032 ADDITIVE", "57 ADDITIVE", "L-7604", "FZ-2110", "FZ-2105", "67 ADDITIVE", "8618 ADDITIVE", "3 ADDITIVE", "56 ADDITIVE"(이상, 도레이·다우코닝(주)제), "TEGO WET 270"(에보닉·데구사·재팬(주)제), "NBX-15"(네오스(주)제), ADVALON FA33, FLUID L03, FLUID L033, FLUID L051, FLUID L053, FLUID L060, FLUID L066, IM22, WACKER-Belsil DMC 6038(이상, 아사히 가세이 바커 실리콘(주)제), KF-352A, KF-353, KF-615A, KP-112, KP-341, X-22-4515, KF-354L, KF-355A, KF-6004, KF-6011, KF-6011P, KF-6012, KF-6013, KF-6015, KF-6016, KF-6017, KF-6017P, KF-6020, KF-6028, KF-6028P, KF-6038, KF-6043, KF-6048, KF-6123, KF-6204, KF-640, KF-642, KF-643, KF-644, KF-945, KP-110, KP-355, KP-369, KS-604, Polon SR-Conc, X-22-4272, X-22-4952(이상, 신에쓰 가가쿠 고교(주)제), 8526 ADDITIVE, FZ-2203, FZ-5609, L-7001, SF 8410, 2501 COSMETIC WAX, 5200 FORMULATION AID, 57 ADDITIVE, 8019 ADDITIVE, 8029 ADDITIVE, 8054 ADDITIVE, BY16-036, BY16-201, ES-5612 FORMULATION AID, FZ-2104, FZ-2108, FZ-2123, FZ-2162, FZ-2164, FZ-2191, FZ-2207, FZ-2208, FZ-2222, FZ-7001, FZ-77, L-7002, L-7604, SF8427, SF8428, SH 28 PAINR ADDITIVE, SH3749, SH3773M, SH8400, SH8700(이상, 도레이·다우코닝(주)제), Silwet L-7001, Silwet L-7002, Silwet L-720, Silwet L-7200, Silwet L-7210, Silwet L-7220, Silwet L-7230, Silwet L-7605, TSF4445, TSF4446, TSF4452, Silwet Hydrostable 68, Silwet L-722, Silwet L-7280, Silwet L-7500, Silwet L-7550, Silwet L-7600, Silwet L-7602, Silwet L-7604, Silwet L-7607, Silwet L-7608, Silwet L-7622, Silwet L-7650, Silwet L-7657, Silwet L-77, Silwet L-8500, Silwet L-8610, TSF4440, TSF4441, TSF4450, TSF4460(이상, 모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈·재팬 고도가이샤제)이 예시된다.BYK-315, BYK-313, BYK-313, BYK-307, BYK-310, BYK- BYK-331 "," BYK-332 "," BYK-323 "," BYK-325 "," BYK- BYK-345 "," BYK-345 "," BYK-346 "," BYK-348 "," BYK- BYK-SILCLEAN 3720 "," BYK-UV3500 "," BYK-UV3510 "," BYK-UV3570 "," BYK- (Trade name, manufactured by Big Chemical Japan Co., Ltd.), "AC FS 180", "AC FS 360", "AC S 20" (manufactured by Algin Chemie), "POLYFLOW KL- Quot; Polyflow KL-404 ", "Polyflow KL-400 ", Kyoeisha Gagaku Co., KP-310 "," KP-323 "," KP-326 "," KP-301 "," KP- KP-351 "," KP-355 "," KP-341 "," KP-104 "," KP- KP-369 "," KP-368 "," KP-369 "," KP- , "KP-330 ", " "KP-650", "KP-651", "KP-390", "KP-391" and "KP-392" (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., "FZ-2105", "67 ADDITIVE", "8618 ADDITIVE", "3 ADDITIVE", "57 ADDITIVE", "L-7604" ADDITIVE ", "56 ADDITIVE" (manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd.), TEGO WET 270 (manufactured by Evonik Degussa Japan), and NBX- ), ADVALON FA33, FLUID L03, FLUID L033, FLUID L051, FLUID L053, FLUID L060, FLUID L066, IM22, WACKER-Belsil DMC 6038 (manufactured by Asahi Kasei Barker Silicone Co., Ltd.), KF- , KF-615A, KP-112, KP-341, X-22-4515, KF-354L, KF-355A, KF-6004, KF-6011, KF-6011P, KF-6012, , KF-6016, KF-6017, KF-6017P, KF-6020, KF-6028, KF-6028P, KF-6038, KF-6043, KF-6048, KF-6123, KF- K-642, KF-643, KF-644, KF-945, KP-110, KP-355, KP-369, KS-604, Polon SR-Conc, X-22-4272, (Manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), 8526 ADDITIVE, FZ-2203, FZ-5609, L-7001, SF 8410, 2501 COSMETIC WA FZ-2123, FZ-2162, FZ-2162, FZ-2106, FZ-2108, FZ-2112, FZ- 2164, FZ-2191, FZ-2207, FZ-2208, FZ-2222, FZ-7001, FZ-77, L-7002, L-7604, SF8427, SF8428, SH 28 PAINR ADDITIVE, SH3749, SH3773M, SH8400, SH8700 Silwet L-7220, Silwet L-7230, Silwet L-7220, Silwet L-7210, Silwet L-7210, Silwet L-7220, Silwet L-7604, Silwet L-7604, Silwet L-7260, Silwet L-7500, Silwet L-7550, Silwet L-7600, Silwet L-7602, Silwet L-7604, Silwet L-722, Silwet L-722, TSW4445, TSF4446, TSF4452, Silwet Hydrostable 68 Silwet L-7607, Silwet L-7608, Silwet L-7622, Silwet L-7650, Silwet L-7657, Silwet L-77, Silwet L-8500, Silwet L-8610, TSF4440, TSF4441, TSF4450, TSF4460 Performance Materials ", manufactured by Japan Advanced Technology Co., Ltd.).

본 발명에서 이용하는 가접착제 조성물(또는, 가접착제층)에 있어서의, 불소 원자 및 실리콘 원자 중 적어도 한쪽을 포함하는 화합물의 합계 함유량은, 가접착제 조성물(또는, 가접착제층) 중에 포함되는 수지의 합계량에 대하여, 0.001질량% 이상이 바람직하고, 0.005질량% 이상이 보다 바람직하며, 0.01질량% 이상이 더 바람직하고, 0.1질량% 이상인 것이 특히 바람직하며, 0.2질량% 이상인 것이 보다 한층 바람직하다. 또, 상한값으로서는, 10질량% 이하인 것이 바람직하고, 5질량% 이하인 것이 더 바람직하며, 2.5질량% 미만인 것이 보다 바람직하고, 1질량% 이하가 더 바람직하다.The total content of the compound containing at least one of the fluorine atom and the silicon atom in the adhesive composition (or the adhesive layer) used in the present invention is preferably such that the total content of the compounds contained in the adhesive composition (or the adhesive layer) Is preferably 0.001 mass% or more, more preferably 0.005 mass% or more, further preferably 0.01 mass% or more, particularly preferably 0.1 mass% or more, and still more preferably 0.2 mass% or more. The upper limit value is preferably 10 mass% or less, more preferably 5 mass% or less, more preferably less than 2.5 mass%, and most preferably 1 mass% or less.

불소 원자 및 실리콘 원자 중 적어도 한쪽을 포함하는 화합물의 합계 함유량이 상기 범위이면, 도포성 및 박리성이 보다 우수하다. 특히 본 발명에서는, 가접착제 조성물(또는, 가접착제층) 중의 불소 원자 및 실리콘 원자 중 적어도 한쪽을 포함하는 화합물의 양이 적어도, 본 발명의 효과를 달성할 수 있는 점에서 가치가 높다.When the total content of the compound containing at least one of the fluorine atom and the silicon atom is within the above range, the coating property and the peeling property are more excellent. In particular, in the present invention, the amount of the compound containing at least one of fluorine atoms and silicon atoms in the adhesive composition (or the adhesive layer) is at least high in that the effect of the present invention can be achieved.

불소 원자 및 실리콘 원자 중 적어도 한쪽을 포함하는 화합물은, 1종 단독이어도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 2종 이상을 병용하는 경우는, 합계의 함유량이 상기 범위인 것이 바람직하다.The compound containing at least one of a fluorine atom and a silicon atom may be used singly or in combination of two or more. When two or more kinds are used in combination, it is preferable that the total content is in the above range.

본 발명의 가접착제층이 다층인 경우에는, 불소 원자 및 실리콘 원자 중 적어도 한쪽을 포함하는 화합물은 양쪽 모두에 포함되어도 되고 한쪽에만 포함되어 있어도 된다. 각각의 층의 함유량의 바람직한 범위는 상술한 범위와 동일하다. 또, 층끼리 다른 양을 함유시켜도 되고, 특히 박리력을 높이고자 하는 가접착제층에 많이 함유시키는 것이 바람직하다.In the case where the adhesive layer of the present invention has multiple layers, the compound containing at least one of the fluorine atom and the silicon atom may be included in either or both of them. The preferable range of the content of each layer is the same as the above-mentioned range. In addition, it is preferable to contain different amounts of the layers, and particularly to increase the peeling force in the adhesive layer.

<<산화 방지제>><< Antioxidants >>

본 발명에서 이용하는 가접착제 조성물은, 가열 시의 산화에 의한 엘라스토머의 저분자화나 젤화를 방지하는 관점에서, 산화 방지제를 함유해도 된다. 산화 방지제로서는, 페놀계 산화 방지제, 황계 산화 방지제, 인계 산화 방지제, 퀴논계 산화 방지제, 아민계 산화 방지제 등을 사용할 수 있다.The adhesive composition used in the present invention may contain an antioxidant from the viewpoint of preventing the elastomer from becoming low in molecular weight or gelation due to oxidation at the time of heating. As the antioxidant, phenol antioxidants, sulfur antioxidants, phosphorus antioxidants, quinone antioxidants, amine antioxidants and the like can be used.

페놀계 산화 방지제로서는 예를 들면, 파라-메톡시페놀, 2,6-다이-tert-뷰틸-4-메틸페놀, BASF(주)제 "Irganox1010", "Irganox1330", "Irganox3114", "Irganox1035", 스미토모 가가쿠(주)제 "Sumilizer MDP-S", "Sumilizer GA-80" 등을 들 수 있다.Examples of the phenolic antioxidant include para-methoxyphenol, 2,6-di-tert-butyl-4-methylphenol, Irganox1010, Irganox1330, Irganox3114, Irganox1035, Sumilizer MDP-S "and" Sumilizer GA-80 "manufactured by Sumitomo Chemical Co.,

황계 산화 방지제로서는 예를 들면, 3,3'-싸이오다이프로피오네이트다이스테아릴, 스미토모 가가쿠(주)제 "Sumilizer TPM", "Sumilizer TPS", "Sumilizer TP-D" 등을 들 수 있다.Examples of the sulfur-based antioxidant include 3,3'-thiodipropionate di-stearyl, Sumilizer TPM, Sumilizer TPS, Sumilizer TP-D and the like available from Sumitomo Chemical Co., .

인계 산화 방지제로서는 예를 들면, 트리스(2,4-다이-tert-뷰틸페닐)포스파이트, 비스(2,4-다이-tert-뷰틸페닐)펜타에리트리톨다이포스파이트, 폴리(다이프로필렌글라이콜)페닐포스파이트, 다이페닐아이소데실포스파이트, 2-에틸헥실다이페닐포스파이트, 트라이페닐포스파이트, BASF(주)제 "Irgafos168", "Irgafos38" 등을 들 수 있다.Examples of the phosphorus antioxidant include tris (2,4-di-tert-butylphenyl) phosphite, bis (2,4-di-tert-butylphenyl) pentaerythritol diphosphite, poly Dialkyldiphenylphosphite, triphenylphosphite, "Irgafos 168", "Irgafos 38" manufactured by BASF Co., Ltd., and the like.

퀴논계 산화 방지제로서는 예를 들면, 파라-벤조퀴논, 2-tert-뷰틸-1,4-벤조퀴논 등을 들 수 있다.Examples of the quinone antioxidant include para-benzoquinone, 2-tert-butyl-1,4-benzoquinone, and the like.

아민계 산화 방지제로서는 예를 들면, 다이메틸아닐린이나 페노싸이아진 등을 들 수 있다.Examples of the amine-based antioxidant include dimethyl aniline and phenothiazine.

산화 방지제는, Irganox1010, Irganox1330, 3,3'-싸이오다이프로피오네이트다이스테아릴, Sumilizer TP-D가 바람직하고, Irganox1010, Irganox1330이 보다 바람직하며, Irganox1010이 특히 바람직하다.The antioxidant is preferably Irganox 1010, Irganox 1330, 3,3'-thiodipropionate distearyl, Sumilizer TP-D, Irganox 1010 and Irganox 1330 are more preferable, and Irganox 1010 is particularly preferable.

또, 상기 산화 방지제 중, 페놀계 산화 방지제와, 황계 산화 방지제 또는 인계 산화 방지제를 병용하는 것이 바람직하고, 페놀계 산화 방지제와 황계 산화 방지제를 병용하는 것이 특히 바람직하다. 특히, 엘라스토머로서 스타이렌 구조를 포함하는 열가소성 엘라스토머를 사용한 경우에 있어서, 페놀계 산화 방지제와 황계 산화 방지제를 병용하는 것이 바람직하다. 이와 같은 조합으로 함으로써, 산화 반응에 의한 엘라스토머의 열화를, 효율적으로 억제할 수 있는 효과를 기대할 수 있다. 페놀계 산화 방지제와 황계 산화 방지제를 병용하는 경우, 페놀계 산화 방지제와 황계 산화 방지제의 질량비는, 페놀계 산화 방지제:황계 산화 방지제=95:5~5:95가 바람직하고, 25:75~75:25가 보다 바람직하다.Among the above-mentioned antioxidants, it is preferable to use a phenolic antioxidant in combination with a sulfur-based antioxidant or a phosphorus-based antioxidant, and it is particularly preferable to use a phenolic antioxidant in combination with a sulfur-based antioxidant. Particularly when a thermoplastic elastomer containing a styrene structure is used as the elastomer, it is preferable to use a phenolic antioxidant and a sulfur-based antioxidant in combination. By using such a combination, it is expected that the deterioration of the elastomer by the oxidation reaction can be effectively suppressed. When the phenolic antioxidant and the sulfur antioxidant are used in combination, the mass ratio of the phenol antioxidant to the sulfur antioxidant is preferably 95: 5 to 5:95, : 25 is more preferable.

산화 방지제의 조합으로서는, Irganox1010과 Sumilizer TP-D, Irganox1330과 Sumilizer TP-D, 및 Sumilizer GA-80과 Sumilizer TP-D가 바람직하고, Irganox1010과 Sumilizer TP-D, Irganox1330과 Sumilizer TP-D가 보다 바람직하며, Irganox1010과 Sumilizer TP-D가 특히 바람직하다.As the combination of the antioxidants, Irganox 1010, Sumilizer TP-D, Irganox 1330 and Sumilizer TP-D, Sumilizer GA-80 and Sumilizer TP-D are preferable, Irganox 1010 and Sumilizer TP-D, Irganox 1330 and Sumilizer TP- Irganox 1010 and Sumilizer TP-D are particularly preferred.

산화 방지제의 분자량은, 가열 중의 승화 방지의 관점에서, 400 이상이 바람직하고, 600 이상이 더 바람직하며, 750 이상이 특히 바람직하다.From the viewpoint of preventing sublimation during heating, the molecular weight of the antioxidant is preferably 400 or more, more preferably 600 or more, and particularly preferably 750 or more.

가접착제 조성물이 산화 방지제를 갖는 경우, 산화 방지제의 함유량은, 가접착제 조성물의 전체 고형분에 대하여, 0.001~20.0질량%가 바람직하고, 0.005~10.0질량%가 보다 바람직하다.When the adhesive composition has an antioxidant, the content of the antioxidant is preferably 0.001 to 20.0% by mass, more preferably 0.005 to 10.0% by mass, based on the total solid content of the adhesive composition.

산화 방지제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 산화 방지제가 2종 이상인 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.The antioxidant may be one kind or two or more kinds. When the amount of the antioxidant is two or more, the total amount is preferably in the above range.

<<라디칼 중합성 화합물>><< Radical Polymerizable Compound >>

본 발명에서 이용하는 가접착제 조성물은, 라디칼 중합성 화합물을 포함하는 것도 바람직하다. 라디칼 중합성 화합물을 포함하는 가접착제 조성물을 이용함으로써, 가열 시에 있어서의 가접착제층의 유동 변형을 억제하기 쉽다. 이로 인하여, 예를 들면 가공 기판을 연마한 후의 적층체를 가열 처리하는 경우 등에 있어서, 가열 시에 있어서의 가접착제층의 유동 변형을 억제할 수 있어, 휨의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다. 또, 경도가 있는 가접착제층을 형성할 수 있으므로, 가공 기판의 연마 시에 압력이 국소적으로 가해져도, 가접착제층이 변형되기 어려워, 평탄 연마성이 우수하다.The adhesive composition used in the present invention preferably contains a radically polymerizable compound. By using the adhesive composition containing a radical polymerizable compound, it is easy to suppress the flow deformation of the adhesive layer during heating. This makes it possible to suppress the flow deformation of the adhesive layer during heating, for example, when the laminate after polishing the processed substrate is heat-treated, and the occurrence of warpage can be effectively suppressed. Further, since the hardened adhesive layer can be formed, the adhesive layer is hardly deformed even when the pressure is locally applied at the time of polishing the processed substrate, and the flat polishing property is excellent.

본 발명에 있어서, 라디칼 중합성 화합물은, 라디칼 중합성기를 갖는 화합물이며, 라디칼에 의하여 중합 가능한 공지의 라디칼 중합성 화합물을 이용할 수 있다. 이와 같은 화합물은 본 발명의 기술 분야에 있어서 널리 알려져 있는 것이며, 본 발명에 있어서는 이들을 특별히 한정없이 이용할 수 있다. 이들은, 예를 들면 모노머, 프리폴리머, 올리고머 또는 그들의 혼합물과 그들의 다량체 등의 화학적 형태 중 어느 것이어도 된다. 라디칼 중합성 화합물로서는, 일본 공개특허공보 2015-087611호의 단락 0099~0180의 기재를 참조할 수 있으며, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다.In the present invention, the radical polymerizable compound is a compound having a radical polymerizable group, and a known radical polymerizable compound capable of being polymerized by a radical can be used. Such compounds are widely known in the technical field of the present invention, and they can be used without any particular limitation in the present invention. These may be, for example, monomers, prepolymers, oligomers or mixtures thereof and chemical forms thereof such as their multimers. As the radical polymerizing compound, reference can be made to the description in paragraphs 0099 to 0180 of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2015-087611, the contents of which are incorporated herein by reference.

또, 라디칼 중합성 화합물로서는, 일본 공고특허공보 소48-41708호, 일본 공개특허공보 소51-37193호, 일본 공고특허공보 평2-32293호, 일본 공고특허공보 평2-16765호에 기재되어 있는 바와 같은 유레테인아크릴레이트류나, 일본 공고특허공보 소58-49860호, 일본 공고특허공보 소56-17654호, 일본 공고특허공보 소62-39417호, 일본 공고특허공보 소62-39418호에 기재된 에틸렌옥사이드계 골격을 갖는 유레테인 화합물류도 적합하다. 또한, 라디칼 중합성 화합물로서 일본 공개특허공보 소63-277653호, 일본 공개특허공보 소63-260909호, 일본 공개특허공보 평1-105238호에 기재되는, 분자 내에 아미노 구조나 설파이드 구조를 갖는 부가 중합성 모노머류를 이용할 수도 있다.The radically polymerizable compounds are described in Japanese Patent Publication Nos. 48-41708, 51-37193, 2-32293, and 2-16765, Such as urethane acrylates as described in JP-A-58-49860, JP-A-56-17654, JP-A-62-39417, and JP-A-62-39418 Also suitable are urethane compounds having the ethylene oxide skeleton described therein. As radically polymerizable compounds described in JP-A-63-277653, JP-A-63-260909, and JP-A-1-105238, a compound having an amino or sulfide structure in the molecule Polymerizable monomers may also be used.

라디칼 중합성 화합물의 시판품으로서는, 유레테인 올리고머 UAS-10, UAB-140(산요 고쿠사쿠 펄프사제), NK에스터 M-40G, NK에스터 4G, NK에스터 A-9300, NK에스터 M-9300, NK에스터 A-TMMT, NK에스터 A-DPH, NK에스터 A-BPE-4, UA-7200(신나카무라 가가쿠사제), DPHA-40H(닛폰 가야쿠사제), UA-306H, UA-306T, UA-306I, AH-600, T-600, AI-600(교에이샤 가가쿠(주)제), 블렘머 PME400(니치유(주)제) 등을 들 수 있다.Examples of commercially available radically polymerizable compounds include urethane oligomers UAS-10, UAB-140 (manufactured by Sanyo Kogaku Pulp), NK Ester M-40G, NK Ester 4G, NK Ester A-9300, NK Ester M- NK Ester A-BPE-4, UA-7200 (manufactured by Shin Nakamura Kagaku), DPHA-40H (manufactured by Nippon Kayaku), UA-306H, UA-306T, UA- 306I, AH-600, T-600, AI-600 (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.) and Blemmer PME400 (manufactured by Nichiyu Corporation).

본 발명에 있어서, 라디칼 중합성 화합물은, 내열성의 관점에서, 하기 (P-1)~(P-4)로 나타나는 부분 구조 중 적어도 1종을 갖는 것이 바람직하고, 하기 (P-3)으로 나타나는 부분 구조를 갖는 것이 더 바람직하다. 식 중의 *는 연결손이다.In the present invention, the radical polymerizing compound preferably has at least one of the partial structures represented by the following (P-1) to (P-4) from the viewpoint of heat resistance, It is more preferable to have a partial structure. * In the equation is the connecting hand.

[화학식 5][Chemical Formula 5]

Figure pct00005
Figure pct00005

상기 부분 구조를 갖는 라디칼 중합성 화합물의 구체예로서는, 예를 들면 트라이메틸올프로페인트라이(메트)아크릴레이트, 아이소사이아누르산 에틸렌옥사이드 변성 다이(메트)아크릴레이트, 아이소사이아누르산 에틸렌옥사이드 변성 트라이(메트)아크릴레이트, 아이소사이아누르산 트라이알릴, 펜타에리트리톨트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 다이메틸올프로페인테트라(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메테인테트라(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있으며, 본 발명에 있어서는 이들 라디칼 중합성 화합물을 특히 바람직하게 이용할 수 있다.Specific examples of the radical polymerizable compound having the partial structure include trimethylolpropane tri (meth) acrylate, isocyanuric acid ethylene oxide modified di (meth) acrylate, isocyanuric acid ethylene oxide (Meth) acrylate, dipentaerythritol tetra (meth) acrylate, dimethylol propane tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol tri (meth) acrylate, (Meth) acrylate, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, and the like. In the present invention, these radically polymerizable compounds are particularly preferably used Can be used.

본 발명에서 이용하는 가접착제 조성물에 있어서, 라디칼 중합성 화합물을 첨가하는 경우의 함유량은, 양호한 접착성, 평탄 연마성, 박리성, 휨의 억제의 관점에서, 용제를 제외한 가접착제 조성물의 질량에 대하여, 1~50질량%가 바람직하고, 1~30질량%가 보다 바람직하며, 5~30질량%가 더 바람직하다. 라디칼 중합성 화합물은 1종을 단독으로 이용해도 되는데, 2종 이상을 혼합하여 이용해도 된다.In the adhesive composition used in the present invention, the content of the radical polymerizable compound in the adhesive composition is preferably in the range of from 0.1 to 5 parts by mass, , Preferably 1 to 50 mass%, more preferably 1 to 30 mass%, and still more preferably 5 to 30 mass%. The radical polymerizing compound may be used singly or in combination of two or more kinds.

또, 본 발명에서 이용하는 가접착제 조성물에 있어서, 라디칼 중합성 화합물을 첨가하는 경우의 엘라스토머와 라디칼 중합성 화합물의 질량 비율은, 엘라스토머:라디칼 중합성 화합물=98:2~10:90이 바람직하고, 95:5~30:70이 보다 바람직하며, 90:10~50:50이 특히 바람직하다. 엘라스토머와 라디칼 중합성 화합물의 질량 비율이 상기 범위이면, 접착성, 평탄 연마성, 박리성 및 휨 억제가 우수한 가접착제층을 형성할 수 있다.In the adhesive composition used in the present invention, the mass ratio of the elastomer and the radically polymerizable compound in the case of adding the radically polymerizable compound is preferably from 98: 2 to 10:90 as the ratio of the elastomer to the radically polymerizable compound, More preferably from 95: 5 to 30:70, and particularly preferably from 90:10 to 50:50. When the mass ratio of the elastomer to the radical polymerizable compound is within the above range, the adhesive layer having excellent adhesion, flat abrasion resistance, peelability and flexural restraint can be formed.

<<그 외의 성분>><< Other Ingredients >>

본 발명에서 이용하는 가접착제 조성물은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 필요에 따라서, 각종 첨가물, 예를 들면 계면활성제, 가소제, 경화제, 상기 이외의 촉매, 충전제, 밀착 촉진제, 자외선 흡수제, 응집 방지제, 엘라스토머나 다른 고분자 화합물 등을 배합할 수 있다. 이들 첨가제를 배합하는 경우, 그 배합량은, 각각 가접착제 조성물의 전체 고형분의 3질량% 이하가 바람직하고, 1질량% 이하가 보다 바람직하다. 배합하는 경우의 하한값은, 각각 0.0001질량% 이상이 바람직하다. 또, 이들 첨가제의 합계 배합량은, 가접착제 조성물의 전체 고형분의 10질량% 이하인 것이 바람직하고, 3질량% 이하인 것이 보다 바람직하다. 이들 성분을 배합하는 경우의 합계 배합량의 하한값은, 0.0001질량% 이상이 바람직하다.The adhesive composition used in the present invention may contain various additives such as a surfactant, a plasticizer, a curing agent, a catalyst other than the above, a filler, an adhesion promoter, an ultraviolet absorber, An anti-aggregation agent, an elastomer or other polymer compound. When these additives are blended, the blending amount thereof is preferably 3% by mass or less, more preferably 1% by mass or less, of the total solid content of the adhesive composition. The lower limit value in the case of blending is preferably 0.0001 mass% or more. The total amount of these additives is preferably 10 mass% or less, more preferably 3 mass% or less, of the total solid content of the adhesive composition. The lower limit of the total amount of these components to be blended is preferably 0.0001 mass% or more.

본 발명에서 이용하는 가접착제 조성물은, 금속 등의 불순물을 포함하지 않는 것이 바람직하다. 이들 재료에 포함되는 불순물의 함유량으로서는, 1ppm 이하가 바람직하고, 1ppb 이하가 보다 바람직하며, 100ppt 이하가 더 바람직하고, 10ppt 이하가 보다 더 바람직하며, 실질적으로 포함하지 않는 것(측정 장치의 검출 한계 이하인 것)이 특히 바람직하다.The adhesive composition used in the present invention preferably does not contain impurities such as metals. The content of the impurities contained in these materials is preferably 1 ppm or less, more preferably 1 ppb or less, more preferably 100 ppt or less, even more preferably 10 ppt or less, Or less) is particularly preferable.

가접착제 조성물로부터 금속 등의 불순물을 제거하는 방법으로서는, 예를 들면 필터를 이용한 여과를 들 수 있다. 필터 구멍 직경으로서는, 포어 사이즈 10nm 이하가 바람직하고, 5nm 이하가 보다 바람직하며, 3nm 이하가 더 바람직하다. 필터의 재질로서는, 폴리테트라플루오로에틸렌제, 폴리에틸렌제, 나일론제의 필터가 바람직하다. 필터는, 유기 용제로 미리 세정한 것을 이용해도 된다. 필터 여과 공정에서는, 복수 종의 필터를 직렬 또는 병렬로 접속하여 이용해도 된다. 복수 종의 필터를 사용하는 경우는, 구멍 직경 및/또는 재질이 다른 필터를 조합하여 사용해도 된다. 또, 각종 재료를 복수 회 여과해도 되고, 복수 회 여과하는 공정이 순환 여과 공정이어도 된다.Examples of a method for removing impurities such as metals from the adhesive composition include filtration using a filter. The filter hole diameter is preferably 10 nm or less in pore size, more preferably 5 nm or less, and further preferably 3 nm or less. As the material of the filter, a filter made of polytetrafluoroethylene, polyethylene or nylon is preferable. The filter may be previously washed with an organic solvent. In the filter filtering step, a plurality of kinds of filters may be connected in series or in parallel. When plural kinds of filters are used, filters having different hole diameters and / or different materials may be used in combination. In addition, the various materials may be filtered a plurality of times, and the step of filtering a plurality of times may be a circulating filtration step.

또, 가접착제 조성물에 포함되는 금속 등의 불순물을 저감시키는 방법으로서는, 가접착제 조성물을 구성하는 원료로서 금속 함유량이 적은 원료를 선택하거나, 가접착제 조성물을 구성하는 원료에 대하여 필터 여과를 행하거나, 장치 내를 폴리테트라플루오로에틸렌 등으로 라이닝하여 컨테미네이션을 가능한 한 억제한 조건하에서 증류를 행하는 등의 방법을 들 수 있다. 가접착제 조성물을 구성하는 원료에 대하여 행하는 필터 여과에 있어서의 바람직한 조건은, 상술한 조건과 동일하다.As a method for reducing the impurities such as metals contained in the adhesive composition, it is possible to select a raw material having a small metal content as a raw material constituting the adhesive composition, filter the raw materials constituting the adhesive composition, And lining the inside of the device with polytetrafluoroethylene or the like to perform distillation under the condition that contemination is suppressed as much as possible. Is the same as the above-mentioned conditions in the filter filtration performed on the raw material constituting the adhesive composition.

필터 여과 외에, 흡착재에 의한 불순물의 제거를 행해도 되고, 필터 여과와 흡착재를 조합하여 사용해도 된다. 흡착재로서는, 공지의 흡착재를 이용할 수 있으며, 예를 들면 실리카젤, 제올라이트 등의 무기계 흡착재, 활성탄 등의 유기계 흡착재를 사용할 수 있다.In addition to filter filtration, impurities may be removed by the adsorbent, or a combination of filter filtration and adsorbent may be used. As the adsorbent, known adsorbents can be used. For example, inorganic adsorbents such as silica gel and zeolite, and organic adsorbents such as activated carbon can be used.

<<가접착제 조성물의 조제>><< Preparation of Adhesive Composition >>

본 발명에서 이용하는 가접착제 조성물은, 상술한 각 성분을 혼합하여 조제할 수 있다. 각 성분의 혼합은, 통상 0℃~100℃의 범위에서 행해진다. 또, 각 성분을 혼합한 후, 예를 들면 필터로 여과하는 것이 바람직하다. 여과는, 다단계로 행해도 되고, 다수 회 반복해도 된다. 또, 여과한 액을 재여과할 수도 있다.The adhesive composition used in the present invention can be prepared by mixing the respective components described above. The mixing of the respective components is usually carried out in the range of 0 ° C to 100 ° C. It is also preferable to mix the respective components and then filter them with a filter, for example. The filtration may be performed in multiple steps or repeated a plurality of times. In addition, the filtrate may be re-filtered.

필터로서는, 종래부터 여과 용도 등에 이용되고 있는 것이면 특별히 한정되는 일 없이 이용할 수 있다. 예를 들면, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE) 등의 불소 수지, 나일론-6, 나일론-6,6 등의 폴리아마이드계 수지, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌(PP) 등의 폴리올레핀 수지(고밀도, 초고분자량의 것을 포함함) 등에 의한 필터를 들 수 있다. 이들 소재 중에서도 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE)이 바람직하다.The filter can be used without particular limitation as far as it is conventionally used for filtration applications and the like. Examples of the resin include fluororesins such as polytetrafluoroethylene (PTFE), polyamide resins such as nylon-6 and nylon-6,6, polyolefin resins such as polyethylene and polypropylene (PP) And the like). Among these materials, polytetrafluoroethylene (PTFE) is preferable.

필터의 구멍 직경은, 예를 들면 0.003~5.0μm 정도가 적합하다. 이 범위로 함으로써, 여과 막힘을 억제하면서, 조성물에 포함되는 불순물이나 응집물 등, 미세한 이물을 확실히 제거하는 것이 가능해진다.The pore diameter of the filter is suitably about 0.003 to 5.0 mu m, for example. By setting this range, it becomes possible to reliably remove fine foreign matters such as impurities and aggregates contained in the composition while suppressing filtration clogging.

필터를 사용할 때, 다른 필터를 조합해도 된다. 그때, 제1 필터에 의한 필터링은, 1회만이어도 되고, 2회 이상 행해도 된다. 다른 필터를 조합하여 2회 이상 필터링을 행하는 경우는 1회째의 필터링의 구멍 직경보다 2회째 이후의 구멍 직경이 동일하거나, 혹은 작은 것이 바람직하다. 또, 상술한 범위 내에서 다른 구멍 직경의 제1 필터를 조합해도 된다. 여기에서의 구멍 직경은, 필터 제조 회사의 공칭값을 참조할 수 있다. 시판 중인 필터로서는, 예를 들면 니혼 폴 가부시키가이샤, 어드밴텍 도요 가부시키가이샤, 니혼 인테그리스 가부시키가이샤(구 니혼 마이크롤리스 가부시키가이샤) 또는 가부시키가이샤 키츠 마이크로 필터 등이 제공하는 각종 필터 중에서 선택할 수 있다.When using a filter, other filters may be combined. At this time, the filtering by the first filter may be performed once, or may be performed twice or more. When filtering is performed two or more times in combination with other filters, it is preferable that the pore diameters of the second and subsequent pores are equal to or smaller than the pore diameters of the first filtering. The first filter having different pore diameters may be combined within the above-described range. The hole diameter here can refer to the nominal value of the filter manufacturer. As a commercially available filter, there may be selected, for example, various filters provided by Nippon Oil Corporation, Advantech Toyokawa Co., Ltd., Nippon Integrity Corporation (formerly Nihon Micro-Roller Corporation) or Kitsch Microfilter .

<<가접착제층의 형성>><< Formation of Adhesive Layer >>

가접착제층은, 상술한 바와 같이, 캐리어 기판 및 가공 기판 중 적어도 한쪽의 표면에 형성된다. 캐리어 기판에만 가접착제층을 형성하여 가공 기판과 첩합해도 되고, 가공 기판에만 가접착제층을 형성하여 캐리어 기판과 첩합해도 된다. 캐리어 기판과 가공 기판의 양쪽 모두에 가접착제층을 마련하여 양자를 첩합하는 양태가 바람직하다. 가접착제층의 형성은, 종래 공지의 스핀 코트법, 스프레이법, 슬릿 코트법, 롤러 코트법, 플로 코트법, 닥터 코트법, 침지법 등을 이용하여 행할 수 있다. 이어서, 통상 가접착제 조성물은 용제를 포함하기 때문에, 가열을 행하여 용제를 휘발시킨다. 이 가열 온도 T0으로서는, 용제의 비점보다 높은 온도인 것이 바람직하고, 110℃ 이상인 것이 더 바람직하며, 130℃~200℃가 보다 바람직하고, 160℃~190℃가 특히 바람직하다.The adhesive layer is formed on at least one surface of the carrier substrate and the processing substrate, as described above. An adhesive layer may be formed only on the carrier substrate and then bonded to the processed substrate. Alternatively, an adhesive layer may be formed only on the processed substrate, and may be laminated with the carrier substrate. It is preferable that an adhesive layer is provided on both the carrier substrate and the processed substrate so that both are adhered to each other. The adhesive layer can be formed by a conventionally known spin coating method, a spraying method, a slit coating method, a roller coating method, a float coating method, a doctor coating method, a dipping method, or the like. Subsequently, since the adhesive composition usually contains a solvent, heating is performed to volatilize the solvent. The heating temperature T0 is preferably higher than the boiling point of the solvent, more preferably 110 deg. C or higher, more preferably 130 deg. C to 200 deg. C, and particularly preferably 160 deg.

본 발명에 있어서의 가접착제층은, 가접착제 조성물에 포함되는 용제의 비점 X1(단위: ℃)과, 가접착제층의 두께 X2(단위: μm)와, 상기 온도 T0(가접착제 조성물의 건조 공정에 있어서의 가열, 단위: ℃)이, 이하의 관계를 충족시키는 것이 바람직하다.The adhesive agent layer in the present invention is a layer in which the adhesive agent composition has a boiling point X1 (unit: 캜) of the solvent contained in the adhesive composition, a thickness X2 (unit: (Unit: 占 폚), preferably satisfies the following relationship.

(X1-X2)≤T0≤(X1-X2+55)(X1-X2)? T0? (X1-X2 + 55)

또, 이하의 관계를 충족시키는 것이 보다 바람직하다.It is more preferable to satisfy the following relationship.

(X1-X2+5)≤T1≤(X1-X2+45)(X1-X2 + 5)? T1? (X1-X2 + 45)

이와 같은 범위로 함으로써, 가접착제층의 양호한 평탄성을 달성하고, 또한 보이드의 발생을 보다 효과적으로 억제할 수 있다. 특히, 가접착제층에 포함되는 수지가 스타이렌 구조를 포함하는 열가소성 엘라스토머인 경우에, 효과가 현저하다.With such a range, it is possible to achieve a good flatness of the adhesive layer and further suppress the occurrence of voids. Particularly, when the resin contained in the adhesive layer is a thermoplastic elastomer containing a styrene structure, the effect is remarkable.

특히, 가접착제층의 이하의 식으로 나타나는 면내 균일성을 33% 미만으로 할 수 있다.In particular, the in-plane uniformity of the adhesive layer as expressed by the following formula can be made less than 33%.

가접착제층의 면내 균일성=가접착제층의 두께의 최댓값/가접착제층의 두께의 평균값×100(단위: %)Of the thickness of the adhesive layer = (average value of the thickness of the adhesive layer) x 100 (unit:%)

가접착제층을 압착 전에 열경화하는 경우는, 예를 들면 온도 110~250℃, 시간 1~120분의 조건으로 행하는 것이 바람직하다.It is preferable that the adhesive layer is thermally cured before press bonding, for example, under the conditions of a temperature of 110 to 250 DEG C and a time of 1 to 120 minutes.

가접착제층을 압착 전에 광경화하는 경우는, 노광 시에 이용할 수 있는 방사선(광)으로서는, g선, i선 등의 자외선이 바람직하게(특히 바람직하게는 i선) 이용된다. 조사량(노광량)은, 중합성 화합물의 종류에 따라 적절히 설정할 수 있으며, 예를 들면 30~1500mJ/cm2가 바람직하고, 50~1000mJ/cm2가 보다 바람직하며, 80~500mJ/cm2가 더 바람직하다.The ultraviolet rays such as the g line and i line are preferably used (particularly preferably i line) as the radiation (light) usable at the time of exposure. Irradiation dose (exposure dose) is appropriate can be set according to the kind of the polymerizable compound, for example, 30 ~ 1500mJ / cm 2 are preferred, and 50 ~ 1000mJ / cm 2 is more preferably, 80 ~ 500mJ / cm 2 is more desirable.

가접착제층은, 가공 기판 상의 디바이스 칩을 완전히 덮도록 형성되어 있는 것이 바람직하고, 디바이스 칩의 높이가 Xμm, 가접착제층의 두께가 Yμm인 경우, "X+100≥Y>X"의 관계를 충족시키는 것이 바람직하다.The adhesive layer is preferably formed so as to completely cover the device chip on the processed substrate, and when the height of the device chip is X m, and the thickness of the adhesive layer is Y m, the relationship of "X + 100 & .

본 발명에 있어서의 가접착제층의 두께는, 1~150μm가 바람직하고, 10~100μm가 보다 바람직하며, 10~60μm가 더 바람직하고, 10~50μm가 한층 바람직하며, 15~45μm가 보다 한층 바람직하다. 가접착제층을 복수 층 마련하는 경우는, 각각의 층이 상기 두께가 되는 것이 바람직하다.The thickness of the adhesive layer in the present invention is preferably 1 to 150 탆, more preferably 10 to 100 탆, more preferably 10 to 60 탆, even more preferably 10 to 50 탆, more preferably 15 to 45 탆 Do. In the case where a plurality of adhesive layers are provided, it is preferable that each layer has the above thickness.

<가공 기판>&Lt; Process substrate &

본 발명에서는, 가공 기판은, 디바이스 웨이퍼가 바람직하게 이용된다. 디바이스 웨이퍼는, 공지의 것을 제한없이 사용할 수 있으며, 예를 들면 실리콘 기판, 화합물 반도체 기판, 유리 기판 등을 들 수 있다. 화합물 반도체 기판의 구체예로서는, SiC 기판, SiGe 기판, ZnS 기판, ZnSe 기판, GaAs 기판, InP 기판, GaN 기판 등을 들 수 있다.In the present invention, the processed substrate is preferably a device wafer. The device wafer can be a known one without limitation, and examples thereof include a silicon substrate, a compound semiconductor substrate, and a glass substrate. Specific examples of the compound semiconductor substrate include SiC substrate, SiGe substrate, ZnS substrate, ZnSe substrate, GaAs substrate, InP substrate, GaN substrate and the like.

디바이스 웨이퍼의 표면에는, 기계 구조나 회로가 형성되어 있어도 된다. 기계 구조나 회로가 형성된 디바이스 웨이퍼로서는, 예를 들면 메모리, 로직 등의 반도체, MEMS(Micro Electro Mechanical Systems), 파워 디바이스, 이미지 센서, 마이크로 센서, 발광 다이오드(LED), 광학 디바이스, 인터포저, 매립형 디바이스, 마이크로 디바이스 등을 들 수 있다.A mechanical structure or a circuit may be formed on the surface of the device wafer. Examples of the device wafer on which a mechanical structure and a circuit are formed include semiconductors such as memories and logic devices, microelectromechanical systems (MEMS), power devices, image sensors, micro sensors, light emitting diodes (LEDs) Devices, micro devices, and the like.

디바이스 웨이퍼는, 요철부를 갖고 있는 것이 바람직하다. 본 발명에 의하면, 표면에 구조물을 갖고 있는 디바이스 웨이퍼에 대해서도, 안정적으로 가접착할 수 있음과 함께, 디바이스 웨이퍼에 대한 가접착을 용이하게 해제할 수 있다. 구조의 높이는, 특별히 한정은 없지만, 예를 들면 0.1~150μm가 바람직하고, 0.5~100μm가 보다 바람직하다.It is preferable that the device wafer has a concave-convex portion. According to the present invention, it is possible to stably adhere to a device wafer having a structure on its surface, and to easily release adherence to a device wafer. The height of the structure is not particularly limited, but is preferably 0.1 to 150 占 퐉, more preferably 0.5 to 100 占 퐉, for example.

가공 기판의 두께는, 500μm 이상이 바람직하고, 600μm 이상이 보다 바람직하며, 700μm 이상이 더 바람직하다. 상한은, 예를 들면 2000μm 이하가 바람직하고, 1500μm 이하가 보다 바람직하다.The thickness of the processed substrate is preferably 500 占 퐉 or more, more preferably 600 占 퐉 or more, and more preferably 700 占 퐉 or more. The upper limit is preferably, for example, 2000 占 퐉 or less, more preferably 1500 占 퐉 or less.

<캐리어 기판><Carrier Substrate>

캐리어 기판은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 실리콘 기판, 유리 기판, 금속 기판, 화합물 반도체 기판 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 반도체 장치의 기판으로서 대표적으로 이용되는 실리콘 기판을 오염시키기 어려운 점이나, 반도체 장치의 제조 공정에 있어서 범용되고 있는 정전 척을 사용할 수 있는 점 등을 감안하면, 실리콘 기판인 것이 바람직하다.The carrier substrate is not particularly limited, and examples thereof include a silicon substrate, a glass substrate, a metal substrate, and a compound semiconductor substrate. Among them, a silicon substrate is preferable in view of the fact that it is difficult to contaminate a silicon substrate which is typically used as a substrate of a semiconductor device, and an electrostatic chuck generally used in a semiconductor device manufacturing process can be used.

캐리어 기판의 두께는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 300μm~100mm가 바람직하고, 300μm~10mm가 보다 바람직하다.The thickness of the carrier substrate is not particularly limited, but is preferably 300 占 퐉 to 100 mm, more preferably 300 占 퐉 to 10 mm, for example.

<적층체><Laminate>

본 발명의 적층체의 일례는, 캐리어 기판과, 가접착제층과, 가공 기판을 갖는 적층체로서, 주파수 140MHz의 초음파 현미경으로 관찰했을 때의, 직경 1mm 이상의 보이드가 150개/m2 미만이며, 캐리어 기판과 가공 기판은 10~80N의 힘으로 박리 가능한 적층체이다.An example of the laminate of the present invention is a laminate having a carrier substrate, an adhesive layer, and a processed substrate, wherein the voids having a diameter of 1 mm or more and less than 150 pieces / m 2 when observed under an ultrasonic microscope at a frequency of 140 MHz, The carrier substrate and the processed substrate are laminated bodies which can be peeled off with a force of 10 to 80 N.

본 발명의 적층체의 가접착제층의 두께는, 상술한 가접착제층의 두께의 설명을 참조할 수 있으며, 바람직한 범위와 동일하다. 본 발명의 적층체의 가접착제층은, 스타이렌 구조를 포함하는 열가소성 엘라스토머, 열가소성 실록세인 중합체 및 사이클로올레핀계 중합체 중 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하다. 이들의 상세는, 상술한 가접착제층에 이용하는 수지의 설명을 참조할 수 있으며, 바람직한 범위도 동일하다.The thickness of the adhesive layer of the laminate of the present invention can be referred to the description of the thickness of the adhesive layer described above, and is the same as the preferred range. The adhesive layer of the laminate of the present invention preferably comprises at least one of a thermoplastic elastomer, a thermoplastic siloxane polymer and a cycloolefin polymer containing a styrene structure. The details of these can be referred to the description of the resin used for the above-mentioned adhesive layer, and the preferable range is also the same.

상기 적층체는, 통상 가공 기판에 어떠한 가공을 실시한 후, 캐리어 기판을 박리하여, 가접착제층을 제거한다. 얻어진 가공이 끝난 가공 기판은, 예를 들면 반도체 칩별로 다이싱되어 반도체 디바이스에 삽입된다. 즉, 본 발명은, 상기 적층체의 제조 방법, 또는 상기 적층체의 제조 방법을 포함하는, 반도체 디바이스의 제조 방법을 개시한다. 또한, 상기 적층체를 포함하는 반도체 디바이스를 개시한다.In the laminate, after the processed substrate is usually subjected to any processing, the carrier substrate is peeled off to remove the adhesive layer. The obtained processed substrate is diced for each semiconductor chip, for example, and inserted into the semiconductor device. That is, the present invention discloses a method of manufacturing a semiconductor device, which includes the above-described method for producing a laminate or the above-mentioned method for producing a laminate. Further, a semiconductor device including the above-described laminate is disclosed.

<그 외의 구성><Other configurations>

상기 캐리어 기판, 가공 기판의 가공, 첩부, 반송, 박리할 때의 지그로서는 어떤 것을 이용해도 되고, 일반적인 엠보스 캐리어 테이프나 다이싱 프레임이 이용된다. 특히 얇은 웨이퍼의 취급 시에는 TWSS 디스크 타입, 링 타입(신에쓰 폴리머사제) 등을 이용하는 것이 바람직하다.As the jig for processing, attaching, carrying, and peeling the carrier substrate and the processed substrate, any emboss carrier tape or dicing frame may be used. In particular, when handling thin wafers, it is preferable to use TWSS disk type, ring type (manufactured by Shin-Etsu Polymer Co., Ltd.) or the like.

그 외에, 본 발명에서는, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서, 일본 공개특허공보 2014-189731호, 일본 공개특허공보 2014-189696호의 내용을 참조할 수 있으며, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다.In addition, in the present invention, reference may be made to the contents of Japanese Laid-Open Patent Publication Nos. 2014-189731 and 2014-189696, the contents of which are incorporated herein by reference, without departing from the spirit of the present invention .

실시예Example

이하, 본 발명을 실시예에 의하여 더 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 그 주지를 넘지 않는 이상 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 특별히 설명이 없는 한, "부", "%"는 질량 기준이다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples, but the present invention is not limited to the following examples unless it is beyond the ordinary knowledge. Unless otherwise stated, "part" and "%" are based on mass.

[실시예 1][Example 1]

이하의 성분을 혼합하여 균일한 용액으로 한 후, 5μm의 포어 사이즈를 갖는 폴리테트라플루오로에틸렌제 필터를 이용하여 여과하여, 실시예 및 비교예의 조성물을 각각 조제했다.The following components were mixed to prepare a homogeneous solution, which was then filtered using a polytetrafluoroethylene filter having a pore size of 5 mu m to prepare compositions of Examples and Comparative Examples.

<가접착제 조성물의 조성>&Lt; Composition of Adhesive Composition >

·표 1에 기재된 수지: 표 1에 기재된 질량부Resins listed in Table 1: The mass parts shown in Table 1

·표 1에 기재된 첨가제: 표 1에 기재된 질량부The additives shown in Table 1: the mass parts shown in Table 1

·Irganox 1010(BASF제): 2질량부Irganox 1010 (made by BASF): 2 parts by mass

·Sumilizer TP-D(스미토모 가가쿠(주)제): 2질량부Sumilizer TP-D (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.): 2 parts by mass

·용제(tert-뷰틸벤젠, 비점 169℃, 도요 고세이 고교(주)제): 표 1에 기재된 고형분 농도가 되는 양Solvent (tert-butylbenzene, boiling point 169 ° C, manufactured by Toyo Kosei Kogyo Co., Ltd.): The amount to be the solid content concentration shown in Table 1

[표 1][Table 1]

Figure pct00006
Figure pct00006

표 1 중에 기재된 화합물은 이하와 같다.The compounds listed in Table 1 are as follows.

[표 2][Table 2]

Figure pct00007
Figure pct00007

<화합물><Compound>

A-5: TSF4445(모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈·재팬 고도가이샤제)A-5: TSF4445 (Momentive Performance Materials, Japan Kogyo Co., Ltd.)

A-6: KF-6017(신에쓰 가가쿠 고교(주)제)A-6: KF-6017 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)

<적층체의 형성(실시예 1~10, 12~21, 비교예 1~3, 5, 6, 8)>&Lt; Formation of laminate (Examples 1 to 10, 12 to 21 and Comparative Examples 1 to 3, 5, 6 and 8)

캐리어 기판으로서 직경 12인치의 실리콘 웨이퍼(1인치는, 2.54cm임)를 이용하고, 그 표면에, 표 1에 기재된 가접착제 조성물을, 웨이퍼 본딩 장치(도쿄 일렉트론제, Synapse V)를 이용하여 성막했다. 핫플레이트를 이용하여 열원으로부터 캐리어 기판까지의 거리 0.2mm에서, 160℃에서 3분간 가열하고, 추가로 190℃에서 3분간 가열함으로써, 캐리어 기판의 표면에 가접착제층을 형성했다. 이때의 가접착제층의 두께는 40μm였다.A silicon wafer having a diameter of 12 inches (1 inch is 2.54 cm) was used as a carrier substrate, and the adhesive composition shown in Table 1 was applied to the surface of the carrier substrate using a wafer bonding apparatus (Synapse V, Tokyo Electron) did. A hot plate was used to heat at a distance of 0.2 mm from the heat source to the carrier substrate at 160 캜 for 3 minutes and further heated at 190 캜 for 3 minutes to form an adhesive layer on the surface of the carrier substrate. At this time, the thickness of the adhesive layer was 40 탆.

상기 캐리어 기판과, 가공 기판(직경 12인치의 실리콘 웨이퍼)을, 웨이퍼 본딩 장치(EVG 805, EVG제)에 의하여 표 3에 기재된 기압 P1하, 온도 T1, 0.11MPa의 압력으로 3분간 열압착하여, 적층체를 얻었다(본딩).The carrier substrate and the processed substrate (silicon wafer having a diameter of 12 inches) were thermocompression bonded by a wafer bonding apparatus (manufactured by EVG 805, manufactured by EVG) for 3 minutes under the atmospheric pressure P1 shown in Table 3 at a temperature of T1 and a pressure of 0.11 MPa , Thereby obtaining a laminate (bonding).

본딩한 적층체를, 웨이퍼 본딩 장치(EVG 805, EVG제)를 이용하여 표 3에 기재된 기압 P2하, 온도 T2에서 5분간 가열했다(포스트베이크).The bonded laminated body was heated for 5 minutes under the atmospheric pressure P2 shown in Table 3, using a wafer bonding apparatus (EVG 805, manufactured by EVG) for 5 minutes (post-baking).

<적층체의 형성(실시예 11, 비교예 4)>&Lt; Formation of laminate (Example 11, Comparative Example 4)

캐리어 기판으로서 직경 12인치의 실리콘 웨이퍼(1인치는, 2.54cm임)를 이용하고, 그 표면에, 표 1에 기재된 가접착제 조성물을, 웨이퍼 본딩 장치(도쿄 일렉트론제, Synapse V)를 이용하여 성막했다. 핫플레이트를 이용하여 열원으로부터 캐리어 기판까지의 거리 0.2mm에서, 160℃에서 3분간 가열하고, 추가로 190℃에서 3분간 가열함으로써, 캐리어 기판의 표면에 가접착제층을 형성했다. 이때의 가접착제층의 두께는 20μm였다.A silicon wafer having a diameter of 12 inches (1 inch is 2.54 cm) was used as a carrier substrate, and the adhesive composition shown in Table 1 was applied to the surface of the carrier substrate using a wafer bonding apparatus (Synapse V, Tokyo Electron) did. A hot plate was used to heat at a distance of 0.2 mm from the heat source to the carrier substrate at 160 캜 for 3 minutes and further heated at 190 캜 for 3 minutes to form an adhesive layer on the surface of the carrier substrate. At this time, the thickness of the adhesive layer was 20 탆.

가공 기판으로서, 직경 12인치의 실리콘 웨이퍼 상에, 높이 10μm, 직경 50μm의 구리 필러를 다수 갖는 가공 기판을 이용하고, 그 표면에, 표 1에 기재된 가접착제 조성물을 웨이퍼 본딩 장치(도쿄 일렉트론제, Synapse V)를 이용하여 성막했다. 핫플레이트를 이용하여 열원으로부터 가공 기판까지의 거리 0.2mm에서, 160℃에서 3분간 가열하고, 추가로 190℃에서 3분간 가열함으로써, 가공 기판의 표면에 가접착제층을 형성했다. 이때의 가접착제의 두께는 20μm였다.As a processed substrate, a processed substrate having a plurality of copper fillers each having a height of 10 占 퐉 and a diameter of 50 占 퐉 was used on a silicon wafer having a diameter of 12 inches. The adhesive composition shown in Table 1 was applied onto the surface of the processed substrate by a wafer bonding apparatus (Tokyo Electron, Synapse V). A hot plate was used to heat at a distance of 0.2 mm from the heat source to the processed substrate at 160 캜 for 3 minutes and further heated at 190 캜 for 3 minutes to form an adhesive layer on the surface of the processed substrate. At this time, the thickness of the adhesive was 20 탆.

상기 가접착제층을 형성한 캐리어 기판과, 가접착제층을 형성한 가공 기판을, 웨이퍼 본딩 장치(EVG 805, EVG제)에 의하여 표 3에 기재된 기압 P1하, 온도 T1, 0.11MPa의 압력으로 3분간 열압착하여, 적층체를 얻었다.The carrier substrate on which the adhesive layer was formed and the processed substrate on which the adhesive layer was formed were bonded by a wafer bonding apparatus (made by EVG 805, manufactured by EVG) at a pressure T1 of 0.11 MPa and a pressure T1 of 3 Followed by thermocompression for a minute to obtain a laminate.

본딩한 적층체를, 웨이퍼 본딩 장치(EVG 805, EVG제)를 이용하여 표 3에 기재된 기압 P2하, 온도 T2에서 5분간 가열(포스트베이크)했다.The bonded laminate was heated (post-baked) for 5 minutes at a temperature T2 under the atmospheric pressure P2 shown in Table 3 using a wafer bonding apparatus (EVG 805, manufactured by EVG).

<비교예 7>&Lt; Comparative Example 7 &

실시예 2에 있어서, 본딩한 적층체를, 포스트베이크하지 않았던 것 이외에는, 동일하게 행하여 적층체를 제작했다.In Example 2, the bonded laminated body was formed in the same manner as above except that the laminated body was not post-baked.

<저장 탄성률의 측정>&Lt; Measurement of storage elastic modulus &

실시예 1에 기재된 방법으로, 단, 가접착제층의 두께가 100μm가 되도록 가접착제층을 제작했다. 얻어진 가접착제층을 직경 10mm의 패럴렐 플레이트 사이에 끼워 넣고, 동적 점탄성 측정 장치((주)유비엠제, Rheosol-G3000)를 이용하여, 주파수 10Hz, 승온 속도 5℃/분으로 50℃~250℃의 범위에서 측정하여 구했다. 온도 T1에 있어서의, 측정 주파수 10Hz에서의 저장 탄성률을 G'1로 하고, 온도 T2에 있어서의, 측정 주파수 10Hz에서의 저장 탄성률을 G'2로 하여 하기 표에 나타냈다.By the method described in Example 1, an adhesive layer was prepared so that the thickness of the adhesive layer became 100 m. The resultant adhesive layer was sandwiched between parallel plates having a diameter of 10 mm and measured with a dynamic viscoelasticity measuring apparatus (Rheosol-G3000, UBM, Co., Ltd.) at a frequency of 10 Hz and a temperature raising rate of 5 deg. . &Lt; / RTI &gt; The storage elastic modulus at a measurement frequency of 10 Hz at a temperature T1 is G'1 and the storage elastic modulus at a measurement frequency of 10 Hz at a temperature T2 is G'2.

[표 3][Table 3]

Figure pct00008
Figure pct00008

<본딩 후의 적층체의 보이드 평가>&Lt; void evaluation of laminated body after bonding >

본딩한 적층체 중의 보이드를, 각각 초음파 영상 장치(FineSAT II, (주)히타치 파워 솔루션즈)를 이용하고, 주파수 140MHz의 프로브를 이용하여 관찰하여, 이하의 기준을 따라 평가를 행했다.The voids in the bonded laminate were observed using a probe having a frequency of 140 MHz using an ultrasound imaging apparatus (FineSAT II, Hitachi Power Solutions Co., Ltd.), and evaluated according to the following criteria.

A: 직경 1mm 이상의 보이드가 관찰되지 않았다.A: voids having a diameter of 1 mm or more were not observed.

B: 직경 1mm 이상의 보이드가 150개/m2 미만 관찰되었다.B: Less than 150 voids / m 2 of voids having a diameter of at least 1 mm were observed.

C: 직경 1mm 이상의 보이드가 150개/m2 이상 300개/m2 미만 관찰되었다.C: voids having a diameter of 1 mm or more were observed at 150 pieces / m 2 and less than 300 pieces / m 2 .

D: 직경 1mm 이상의 보이드가 300개/m2 이상 관찰되었다.D: More than 300 voids / m &lt; 2 &gt;

<포스트베이크 후의 적층체의 보이드 평가>&Lt; Evaluation of voids in laminated body after post-baking &

포스트베이크한 적층체의 보이드를, 초음파 영상 장치(FineSAT II, (주)히타치 파워 솔루션즈)를 이용하고, 주파수 140MHz의 프로브를 이용하여 관찰하여, 이하의 기준을 따라 평가를 행했다.The voids of the post-baked laminate were observed using a probe with a frequency of 140 MHz using an ultrasound imaging apparatus (FineSAT II, Hitachi Power Solutions Co., Ltd.) and evaluated according to the following criteria.

A: 직경 1mm 이상의 보이드가 관찰되지 않았다.A: voids having a diameter of 1 mm or more were not observed.

B: 직경 1mm 이상의 보이드가 150개/m2 미만 관찰되었다.B: Less than 150 voids / m 2 of voids having a diameter of at least 1 mm were observed.

C: 직경 1mm 이상의 보이드가 150개/m2 이상 300개/m2 미만 관찰되었다.C: voids having a diameter of 1 mm or more were observed at 150 pieces / m 2 and less than 300 pieces / m 2 .

D: 직경 1mm 이상의 보이드가 300개/m2 이상 관찰되었다.D: More than 300 voids / m &lt; 2 &gt;

<박리성 평가><Evaluation of peelability>

상기 적층체의 가공 기판의 이면을, 백 그라인더 DFG8540(디스코제)을 이용하여 20μm의 두께까지 연마하여, 박형화한 적층체를 얻었다.The back surface of the processed substrate of the laminate was polished to a thickness of 20 mu m using a back grinder DFG8540 (Disco) to obtain a thin laminated product.

박형화한 적층체의 연마한 면을 하측으로 하고, 하측의 실리콘 웨이퍼(가공 기판)를, 다이싱 테이프 마운터를 이용하여 다이싱 테이프 중앙에 다이싱 프레임과 함께 고정했다. 그 후, 웨이퍼 디본딩 장치(도쿄 일렉트론제, Synapse Z)를 이용하여, 25℃에서, 상측의 실리콘 웨이퍼(캐리어 기판)를 하측의 실리콘 웨이퍼에 대하여 수직 방향으로, 50mm/분의 속도로 끌어올려, 하측의 실리콘 웨이퍼가 균열되거나 하지 않고, 박리할 수 있는지 여부를 확인하여, 이하의 기준으로 평가를 행했다. 또한, 힘의 측정은, 포스 게이지(이마다제, ZTS-100N)로 행했다.The polished surface of the thinned laminate was placed on the lower side and the lower silicon wafer (processed substrate) was fixed together with the dicing frame in the center of the dicing tape using a dicing tape mounter. Subsequently, the upper silicon wafer (carrier substrate) was pulled up at a rate of 50 mm / min in a direction perpendicular to the lower silicon wafer at 25 占 폚 using a wafer debonding device (Synapse Z manufactured by Tokyo Electron Co., Ltd.) , It was confirmed whether or not the lower silicon wafer could be peeled without being cracked, and the evaluation was made based on the following criteria. In addition, the force was measured with a force gauge (ZTS-100N manufactured by Imada Co., Ltd.).

A: 10N 이상 30N 미만으로 박리가 가능A: Peelable from 10N to less than 30N

B: 30N 이상 50N 미만으로 박리가 가능B: Peelable from 30N to less than 50N

C: 50N 이상 80N 미만으로 박리가 가능C: Peelable from 50N to less than 80N

D: 80N 이상으로 박리가 가능D: Can be peeled off at 80N or more

E: 박리 도중에 실리콘 웨이퍼(가공 기판)가 균열E: During the peeling, the silicon wafer (processed substrate)

F: 10N 미만으로 박리가 가능F: Peelable under 10N

<박리력 안정성 평가><Peel strength stability evaluation>

상기 박리 시에, 가공 기판을, 끌어올리기 시작한 단면을 0mm로 하여, 단면 0mm 지점으로부터, 가공 기판의 중심을 통과하는 선 상에 있어서, 50mm~250mm까지의 박리력의 변동을 이하의 기준으로 평가했다.At the time of peeling off, the machining substrate was evaluated by evaluating the fluctuation of the peeling force from 50 mm to 250 mm on the line passing through the center of the processed substrate from the point of 0 mm on the cross section, did.

A: 박리력의 평균값에 대하여 최댓값과 최솟값의 값이 각각 ±25% 미만A: The maximum value and the minimum value of the peeling force are within ± 25%

B: 박리력의 평균값에 대하여 최댓값과 최솟값의 값이 각각 ±25% 이상 ±35% 미만B: The maximum value and the minimum value of the peeling force are ± 25% or more and less than ± 35%

C: 박리력의 평균값에 대하여 최댓값과 최솟값의 값이 각각 ±35% 이상 ±45% 미만C: The maximum value and the minimum value of the peeling force are ± 35% or more and less than ± 45%

D: 박리력의 평균값에 대하여 최댓값과 최솟값의 값이 각각 ±45% 이상D: The maximum value and the minimum value of the peeling force are ± 45% or more

[표 4][Table 4]

Figure pct00009
Figure pct00009

상기 결과로부터 명확한 바와 같이, 모든 실시예 및 비교예에 대하여, 본딩 후의 적층체에는 보이드가 발생하고 있었지만, 본 발명의 제조 방법으로 제조한 적층체에는, 포스트베이크 후에는, 적층체 중의 보이드를 경감할 수 있었다. 또, 본 발명의 제조 방법으로 제조한 적층체는, 실리콘 웨이퍼의 박리 시에, 10N 이상의 박리력이 필요하여, 적절히 가접착되고 있는 것을 알 수 있었다.As apparent from the above results, voids were generated in the laminated body after bonding in all the examples and comparative examples. However, in the laminated body manufactured by the manufacturing method of the present invention, after post-baking, Could. Further, it was found that the laminate produced by the production method of the present invention required a peeling force of 10 N or more at the time of peeling off the silicon wafer, so that it was properly adhered.

이에 대하여, 압착 시 및 압착 후의 가열 시의 저장 탄성률 중 적어도 한쪽이 1,000,000Pa를 초과하는 경우(비교예 1, 2, 4, 6), 포스트베이크 후에도 보이드가 감소하지 않아, 박리력 안정성도 뒤떨어져 있었다. 또, 기압 P1과 P2가 Log(P2/P1)≥2.1을 충족시키지 않는 경우도(비교예 3, 5, 6), 포스트베이크 후에도 보이드가 감소하지 않아, 박리력 안정성도 뒤떨어져 있었다.On the other hand, when at least one of the storage elastic moduli at the time of compression and heating after compression was over 1,000,000 Pa (Comparative Examples 1, 2, 4 and 6), the voids did not decrease even after post-baking and the peel strength stability was inferior . Also, in the case where the pressures P1 and P2 did not satisfy Log (P2 / P1) &gt; = 2.1 (Comparative Examples 3, 5 and 6), voids did not decrease even after post-baking, and the peel strength stability was also inferior.

또한, 포스트베이크를 행하지 않았던 경우(비교예 7), 보이드의 경감은 불가능하여, 또한 박리력 안정성도 뒤떨어져 있었다.Further, in the case where the post-baking was not performed (Comparative Example 7), void reduction was not possible, and the peel strength stability was also inferior.

또, 상기 저장 탄성률 및 기압 P1과 P2의 관계를 충족시키고 있어도, 25℃에서, 50mm/분의 속도로 끌어올렸을 때, 10~80N의 힘으로 박리할 수 없는 경우(비교예 8), 박리 시에 실리콘 웨이퍼가 균열되어 버렸다.Even when the relationship between the storage elastic modulus and the atmospheric pressure P1 and P2 was satisfied, when peeling was not possible with a force of 10 to 80 N (Comparative Example 8) when pulled up at a rate of 50 mm / min at 25 ° C, The silicon wafer is cracked.

또한, 실시예 1~21에 대하여, 내열 시험 후의 제거성의 시험 후의, 하측의 실리콘 웨이퍼(가공 기판)와 가접착제층의 적층체로부터, 25℃에서 천천히 가접착제층을 박리한바, 어느 실시예에 대해서도, 가접착제층이 깔끔하게 박리되었다.In Examples 1 to 21, the adhesive layer was slowly peeled from the laminate of the lower silicon wafer (processed substrate) and the backing adhesive layer at 25 占 폚 after the removal test after the heat resistance test, Also, the adhesive layer was peeled off neatly.

1 캐리어 기판
2 가공 기판
3 가접착제층
4 요철부
1 carrier substrate
2 processed substrate
The trivalent adhesive layer
4 uneven portion

Claims (17)

캐리어 기판을 갖는 제1 부재와, 가공 기판을 갖는 제2 부재를 갖는 적층체의 제조 방법으로서,
상기 제1 부재와 상기 제2 부재 중 적어도 한쪽의 표면에, 가접착제층을 갖고,
상기 제1 부재와 상기 제2 부재를, 상기 가접착제층이 내측이 되도록, 기압 P1하에서 압착하며, 또한 기압 P2하, 40℃를 초과하는 온도 T2에서 가열한 후, 상기 가공 기판을 가공하여 적층체로 하는 것을 포함하고,
상기 가접착제층은, 상기 압착 시의 온도 T1에 있어서의, 측정 주파수 10Hz에서의 저장 탄성률 G'1이 1,000,000Pa 이하이며, 상기 온도 T2에 있어서의, 측정 주파수 10Hz에서의 저장 탄성률 G'2가 1,000,000Pa 이하이고,
상기 기압 P1과 기압 P2가 Log(P2/P1)≥2.1을 충족시키며,
상기 캐리어 기판과 가공 기판은 10~80N의 힘으로 박리 가능한,
적층체의 제조 방법;
여기에서, 상기 박리 시의 힘은, 상기 적층체의 가공 기판 측을 아래로 하여 수평면에 고정하고, 상기 캐리어 기판을 상기 가공 기판에 대하여, 수직 방향으로, 25℃에서, 50mm/분의 속도로 끌어올렸을 때의 힘이다.
A method of manufacturing a laminate having a first member having a carrier substrate and a second member having a processed substrate,
Wherein at least one surface of the first member and the second member has an adhesive layer,
The first member and the second member are pressed together under the atmospheric pressure P1 so that the adhesive layer is inward and heated at a temperature T2 exceeding 40 占 폚 under the air pressure P2, Including sieving,
Wherein the adhesive layer has a storage elastic modulus G'1 at a measurement frequency of 10 Hz and a storage modulus G'2 at a measurement frequency of 10 Hz at a temperature T1 Lt; / RTI &gt;
When the atmospheric pressure P1 and the atmospheric pressure P2 satisfy Log (P2 / P1) &gt; = 2.1,
Wherein the carrier substrate and the processed substrate are peelable by a force of 10 to 80 N,
A method of producing a laminate;
Here, the force at the time of peeling was fixed on the horizontal plane with the processed substrate side of the laminate down, and the carrier substrate was moved vertically to the processed substrate at 25 DEG C at a speed of 50 mm / min It is the force when it is raised.
청구항 1에 있어서,
상기 가접착제층이 불소 원자 및 실리콘 원자 중 적어도 한쪽을 포함하는 화합물을 포함하는, 적층체의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the adhesive layer comprises a compound containing at least one of a fluorine atom and a silicon atom.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 기압 P1이 1013Pa 미만인, 적층체의 제조 방법.
The method according to claim 1 or 2,
Wherein the atmospheric pressure P1 is less than 1013 Pa.
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기압 P2가 10,000Pa 이상인, 적층체의 제조 방법.
The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the atmospheric pressure P2 is 10,000 Pa or more.
청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
상기 온도 T1과 상기 온도 T2가 T1<T2를 충족시키는, 적층체의 제조 방법.
The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the temperature T1 and the temperature T2 satisfy T1 < T2.
청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
상기 온도 T1과 상기 온도 T2가 T1+20≤T2를 충족시키는, 적층체의 제조 방법.
The method according to any one of claims 1 to 4,
And the temperature T1 and the temperature T2 satisfy T1 + 20? T2.
청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 부재 및 제2 부재는, 각각 독립적으로 가접착제층을 갖는, 적층체의 제조 방법.
The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the first member and the second member each independently have a backing adhesive layer.
청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기압 P1하에서 압착 시에 가열을 행하고, 또한 상기 가열 온도 T1이 110℃ 이상인, 적층체의 제조 방법.
The method according to any one of claims 1 to 7,
Wherein the heating is performed at the time of compression under the air pressure P1, and the heating temperature T1 is 110 DEG C or more.
청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서,
상기 온도 T2가 130℃ 이상인, 적층체의 제조 방법.
The method according to any one of claims 1 to 8,
And the temperature T2 is 130 DEG C or higher.
청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가접착제층이, 스타이렌 구조를 포함하는 열가소성 엘라스토머, 열가소성 실록세인 중합체, 사이클로올레핀계 중합체 및 아크릴 수지 중 적어도 1종을 포함하는, 적층체의 제조 방법.
The method according to any one of claims 1 to 9,
Wherein the adhesive layer comprises at least one of a thermoplastic elastomer containing a styrene structure, a thermoplastic siloxane polymer, a cycloolefin polymer and an acrylic resin.
청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가공은, 160℃ 이상 300℃ 이하의 온도에서 가열하는 공정인, 적층체의 제조 방법.
The method according to any one of claims 1 to 10,
Wherein the processing is a step of heating at a temperature of 160 ° C or higher and 300 ° C or lower.
청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가공은, 상기 가공 기판의 가접착제층에서 먼 측의 면을 박형화하는 공정인, 적층체의 제조 방법.
The method according to any one of claims 1 to 10,
Wherein the processing is a step of thinning the surface of the processed substrate farther from the adhesive layer.
청구항 12에 있어서,
상기 박형화 가공에 의하여, 가공 기판의 두께를 100μm 이하로 하는, 적층체의 제조 방법.
The method of claim 12,
And the thickness of the processed substrate is made to be 100 占 퐉 or less by the thinning processing.
청구항 1 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 기재된 적층체의 제조 방법을 포함하고, 또한 상기 적층체로부터, 40℃ 이하의 온도에서 적어도 캐리어 기판을 박리하는 공정을 포함하는, 반도체 디바이스의 제조 방법.A manufacturing method of a semiconductor device, comprising the method of manufacturing a laminate according to any one of claims 1 to 13, and further comprising a step of peeling at least the carrier substrate from the laminate at a temperature of 40 ° C or lower. 캐리어 기판과, 가접착제층과, 가공 기판을 갖는 적층체로서,
주파수 140MHz의 초음파 현미경으로 관찰했을 때의, 직경 1mm 이상의 보이드가 150개/m2 미만이며,
상기 캐리어 기판과 가공 기판은 10~80N의 힘으로 박리 가능한 적층체;
여기에서, 상기 박리 시의 힘은, 상기 적층체의 가공 기판 측을 아래로 하여 수평면에 고정하고, 상기 캐리어 기판을 상기 가공 기판에 대하여, 수직 방향으로, 25℃에서, 50mm/분의 속도로 끌어올렸을 때의 힘이다.
1. A laminate having a carrier substrate, an adhesive layer, and a processed substrate,
A void of not less than 1 mm in diameter and less than 150 pieces / m 2 when observed under an ultrasonic microscope at a frequency of 140 MHz,
Wherein the carrier substrate and the processed substrate are peelable by a force of 10 to 80 N;
Here, the force at the time of peeling was fixed on the horizontal plane with the processed substrate side of the laminate down, and the carrier substrate was moved vertically to the processed substrate at 25 DEG C at a speed of 50 mm / min It is the force when it is raised.
청구항 15에 있어서,
상기 가접착제층의 두께가 10~150μm인, 적층체.
16. The method of claim 15,
Wherein the adhesive layer has a thickness of 10 to 150 占 퐉.
청구항 15 또는 청구항 16에 있어서,
상기 가접착제층이, 스타이렌 구조를 포함하는 열가소성 엘라스토머, 열가소성 실록세인 중합체, 사이클로올레핀계 중합체 및 아크릴 수지 중 적어도 1종을 포함하는, 적층체.
The method according to claim 15 or 16,
Wherein the adhesive layer comprises at least one of a thermoplastic elastomer containing a styrene structure, a thermoplastic siloxane polymer, a cycloolefin-based polymer and an acrylic resin.
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