JP6606033B2 - LAMINATE AND METHOD FOR PRODUCING LAMINATE - Google Patents

LAMINATE AND METHOD FOR PRODUCING LAMINATE Download PDF

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Description

本発明は、積層体および積層体の製造方法に関する。   The present invention relates to a laminate and a method for producing the laminate.

従来から、基板と基板との接着に際し、2つの基板の一方に接着剤を、スピンコート法を利用して接着層を形成して、接着することが行われている。
具体的には、特許文献1には、外周縁を有する物体の面に液状被膜を形成する被膜形成方法であって、上記物体を上記面の中心軸線の周りで回転させ、上記面に液体材料を供給して、上記液体材料を、少なくとも上記物体の上記外周縁に沿った環状の面領域を覆うように流動させるステップと、回転面を有する回転体を用意するステップと、上記物体の上記面領域の一部に、上記回転体の上記回転面を接触させるステップと、上記物体を上記中心軸線の周りで回転させると同時に、上記回転体をそれ自体の回転軸線の周りで回転させて、上記液体材料の一部分を上記面領域から上記回転面に転移させるステップと、上記回転面に転移した上記液体材料を、上記面領域から離れた場所に、上記回転面から除去するステップと、を含む被膜形成方法が開示されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, when bonding substrates, the adhesive is formed on one of the two substrates, and an adhesive layer is formed using a spin coating method to bond them.
Specifically, Patent Document 1 discloses a film forming method for forming a liquid film on a surface of an object having an outer peripheral edge, the object being rotated around a central axis of the surface, and a liquid material on the surface. And flowing the liquid material so as to cover at least the annular surface region along the outer peripheral edge of the object, preparing a rotating body having a rotating surface, and the surface of the object Contacting a part of the area with the rotating surface of the rotating body, rotating the object about the central axis, and simultaneously rotating the rotating body about its own rotating axis; A coating comprising: transferring a portion of the liquid material from the surface region to the rotating surface; and removing the liquid material transferred to the rotating surface from the rotating surface at a location away from the surface region. How to form There has been disclosed.

また、特許文献2には、半導体基板の主表面上に、所定の加工が施される被加工膜を形成する工程と、上記被加工膜を覆うように、上記被加工膜に加工を施す際にマスク材となる第1レジスト膜を形成する工程と、上記第1レジスト膜を覆うように、上記第1レジスト膜を上記マスク材としてパターニングするための第2レジスト膜を形成する工程と、上記第2レジスト膜に所定の写真製版処理および現像処理を施すことにより、所定のレジストパターンを形成する工程と、上記レジストパターンをマスクとして、上記第1レジスト膜にエッチングを施すことにより上記マスク材を形成する工程と、上記マスク材をマスクとして上記被加工膜に所定の加工を施す工程とを有し、上記第1レジスト膜を形成する工程は、上記被加工膜の加工に対してエッチング耐性を有する所定のレジスト材料を上記被加工膜の表面上に塗布してレジスト材料膜を形成する工程と、上記半導体基板を回転させながら、上記半導体基板の外周部に有機溶剤を噴き付けることにより、上記外周部に位置する上記レジスト材料膜の部分を除去する工程と、上記外周部に位置する上記レジスト材料の部分が除去された上記半導体基板を乾燥させる工程と、上記半導体基板を回転させながら、上記半導体基板に残された上記レジスト材料膜の外周部に、上記レジスト材料膜を押し潰すための所定の液体および気体の少なくともいずれかの流体を噴き付ける工程と、上記レジスト材料膜に熱処理を施す工程とを備えた、半導体装置の製造方法が開示されている。
さらに、特許文献3には、第一基部の接着面全面に接着材を付着させる接着材付着工程と、上記接着材付着工程で第一基部に付着させた接着材の一部を除去して開口を形成する開口形成工程と、上記開口形成工程で開口が形成された接着材を介して第一基部の接着面に第二基部を接着させる基板接着工程と、を行い、上記接着材付着工程は、接着材の表面が盛り上がる凸部が形成され、上記開口形成工程は、凸部に部分的に重なる開口を設け、上記基板接着工程は、凸部に重ねて第二基部が接着される、接着基板の製造方法が開示されている。
Patent Document 2 discloses a step of forming a film to be processed on a main surface of a semiconductor substrate and a process for processing the film to cover the film to be processed. Forming a first resist film to be a mask material, forming a second resist film for patterning the first resist film as the mask material so as to cover the first resist film, The second resist film is subjected to a predetermined photolithography process and a developing process to form a predetermined resist pattern, and the mask material is etched by etching the first resist film using the resist pattern as a mask. Forming the first resist film using the mask material as a mask, and forming the first resist film is suitable for processing the film to be processed. Applying a predetermined resist material having etching resistance onto the surface of the film to be processed to form a resist material film, and spraying an organic solvent on the outer periphery of the semiconductor substrate while rotating the semiconductor substrate Thereby removing the resist material film portion located on the outer peripheral portion, drying the semiconductor substrate from which the resist material portion located on the outer peripheral portion has been removed, and rotating the semiconductor substrate. And spraying at least one of a predetermined liquid and gas for crushing the resist material film onto the outer periphery of the resist material film left on the semiconductor substrate, and the resist material film A method for manufacturing a semiconductor device is disclosed that includes a step of performing a heat treatment.
Further, in Patent Document 3, an adhesive material attaching step for attaching an adhesive material to the entire adhesive surface of the first base portion, and a part of the adhesive material attached to the first base portion in the adhesive material attaching step are removed and opened. Forming an opening, and a substrate bonding step for bonding the second base to the bonding surface of the first base via the adhesive in which the opening is formed in the opening forming step. A convex portion where the surface of the adhesive is raised is formed, the opening forming step provides an opening that partially overlaps the convex portion, and the substrate bonding step is an adhesion in which the second base is bonded to the convex portion. A method for manufacturing a substrate is disclosed.

特開2014−124626号公報JP 2014-124626 A 特開2012−156454号公報JP 2012-156454 A 特開2015−065354号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2015-0665354

ここで、基板上に、熱可塑性樹脂を含む接着剤を、スピンコート法等の塗布方法で塗布して熱可塑性樹脂を含む接着層を形成した場合、熱可塑性樹脂を含む接着層の端部に盛り上がり部(エッジビード)ができてしまう。さらに、盛り上がり部がある接着層の上に、基板を適用し、2つの基板を接着剤で接着(ボンディング)しようとすると、接着適性に劣る場合があることが分かった。すなわち、2つの基板とその間の接着層からなる積層体に厚みムラが生じたり、接着した界面に空隙(ボイド)が生じたりする場合があることが分かった。また、このような盛り上がり部が生じた際、2つの基板の一方について、バックグラインド加工等の加工を行った場合に、加工後の基板にチッピングが発生しやすい場合もあることが分かった。また、上記特許文献には、盛り上がり部を除去する方法が記載されているが、プロセスが煩雑であったり、熱可塑性樹脂を含む接着層に適した方法ではなかった。
本発明はかかる課題を解決することを目的とするものであって、2つの基板を接着剤で接着する際に、厚みムラが生じず、かつ、加工時にチッピングが発生しにくい積層体および上記積層体の製造方法を提供することを目的とする。
Here, when an adhesive layer containing a thermoplastic resin is applied on the substrate by a coating method such as a spin coat method to form an adhesive layer containing a thermoplastic resin, the adhesive layer containing the thermoplastic resin is formed at the end of the adhesive layer. A raised part (edge bead) is formed. Furthermore, it has been found that when a substrate is applied on an adhesive layer having a raised portion and the two substrates are bonded (bonded) with an adhesive, the bonding ability may be inferior. That is, it has been found that there are cases in which thickness unevenness occurs in a laminate composed of two substrates and an adhesive layer between them, and voids (voids) occur in the bonded interface. Further, it has been found that when such a raised portion occurs, chipping is likely to occur on the processed substrate when processing such as back grinding is performed on one of the two substrates. Moreover, although the method of removing the bulging part is described in the said patent document, the process was complicated and it was not a method suitable for the contact bonding layer containing a thermoplastic resin.
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and a laminated body in which thickness unevenness does not occur when chipping two substrates with an adhesive, and chipping is unlikely to occur during processing, and the above-described laminated body It aims at providing the manufacturing method of a body.

上記課題のもと、本発明者が鋭意検討を行った結果、接着層の端部の盛り上がり部が2つ以上のピークを有するようにすることにより、積層体の厚みムラを抑制し、加工時にチッピングを発生しにくくすることが可能であることを見出した。
具体的には、下記<1>により、好ましくは<2>〜<9>により、上記課題は解決された。
<1>基板と、端部に盛り上がり部を有する熱可塑性樹脂を含む接着層を有し、上記接着層の端部の盛り上がり部が、2つ以上のピークを有する、積層体。
<2>上記基板が、円盤状である、<1>に記載の積層体。
<3>上記基板の端部から中心に向かって数えたn番目のピークの高さHと、n+1番目のピークの高さHn+1と、上記接着層の平均膜厚tが、t < Hn+1 < H < t+40/nを満たす、<2>に記載の積層体;但し、上記平均膜厚の単位はμmであり、上記ピーク高さの単位はμmである。
<4>上記基板の端部と、上記基板の端部から中心に向かって数えたn番目のピークに対応する基板上の位置との最短距離Rと、上記接着層の平均膜厚tが、n・t/40 < R < n・t/8を満たす、<2>または<3>に記載の積層体;但し、上記平均膜厚の単位はμmであり、上記最短距離の単位はmmである。
<5>上記盛り上がり部が、2つのピークを有する、<1>〜<4>のいずれか1つに記載の積層体。
<6>上記熱可塑性樹脂を含む接着層が、ポリスチレン系エラストマーを含む、<1>〜<5>のいずれか1つに記載の積層体。
<7>上記熱可塑性樹脂を含む接着層が、ポリエーテル変性シリコーンを含む、<1>〜<6>のいずれか1つに記載の積層体。
<8>上記ポリエーテル変性シリコーンは、式(A)で表される比率が80%以上である、<7に記載の積層体;
式(A) {(MO+EO)/AO}×100
上記式(A)中、MOは、ポリエーテル変性シリコーン中のポリエーテル構造に含まれるメチレンオキシドのモル%であり、EOは、ポリエーテル変性シリコーン中のポリエーテル構造に含まれるエチレンオキシドのモル%であり、AOは、ポリエーテル変性シリコーン中のポリエーテル構造に含まれるアルキレンオキシドのモル%をいう。
<9>基板上に、溶剤を含む接着剤をスピンコート法により塗布して、接着層を形成する工程と、上記接着層の端部の盛り上がり部が、2つ以上のピークとなるように調整する工程を含む、<1>〜<8>のいずれか1つに記載の積層体の製造方法。
As a result of intensive studies by the inventor under the above-mentioned problems, it is possible to suppress unevenness in the thickness of the laminate by causing the raised portion at the end of the adhesive layer to have two or more peaks. It was found that chipping can be made difficult to occur.
Specifically, the above problem has been solved by the following <1>, preferably by <2> to <9>.
<1> A laminate having a substrate and an adhesive layer containing a thermoplastic resin having a raised portion at the end, and the raised portion at the end of the adhesive layer has two or more peaks.
<2> The laminate according to <1>, wherein the substrate has a disk shape.
<3> and the height H n of the peak from the end of the n-th counted toward the center of the substrate, the height H n + 1 of the (n + 1) th peak, average thickness t of the adhesive layer is, t <H The laminated body according to <2>, wherein n + 1 <H n <t + 40 / n is satisfied; provided that the average film thickness unit is μm, and the peak height unit is μm.
<4> and an end portion of the substrate, the shortest distance R n between the position on the substrate corresponding to n-th peak counted toward the center from the edge of the substrate, the average thickness t of the adhesive layer N · t / 40 <R n <n · t / 8 satisfying the laminate according to <2> or <3>; provided that the average film thickness unit is μm, and the shortest distance unit is mm.
<5> The laminate according to any one of <1> to <4>, wherein the raised portion has two peaks.
The laminated body as described in any one of <1>-<5> in which the contact bonding layer containing the <6> above-mentioned thermoplastic resin contains a polystyrene-type elastomer.
<7> The laminate according to any one of <1> to <6>, wherein the adhesive layer containing the thermoplastic resin includes a polyether-modified silicone.
<8> The laminate according to <7, wherein the polyether-modified silicone has a ratio represented by the formula (A) of 80% or more;
Formula (A) {(MO + EO) / AO} × 100
In the above formula (A), MO is the mol% of methylene oxide contained in the polyether structure in the polyether-modified silicone, and EO is the mol% of ethylene oxide contained in the polyether structure in the polyether-modified silicone. Yes, AO refers to the mole percent of alkylene oxide contained in the polyether structure in the polyether-modified silicone.
<9> A step of applying an adhesive containing a solvent on the substrate by spin coating to form an adhesive layer, and adjusting so that the rising portion at the end of the adhesive layer has two or more peaks. The manufacturing method of the laminated body as described in any one of <1>-<8> including the process to do.

本発明により、2つの基板と基板とを接着剤で接着する際に、厚みムラが生じず、かつ、加工時にチッピングが発生しにくい積層体および上記積層体の製造方法を提供可能になった。   According to the present invention, it is possible to provide a laminated body in which thickness unevenness does not occur and chipping hardly occurs during processing when the two substrates are bonded to each other with an adhesive, and a method for manufacturing the laminated body.

基板の上に接着剤をスピンコート法で塗布して、接着層を製造した場合の、基板と接着剤(または接着層)の端部の様子の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the mode of the edge part of a board | substrate and an adhesive agent (or adhesive layer) at the time of apply | coating an adhesive agent on a board | substrate with a spin coat method, and manufacturing an adhesive layer. 本発明における接着層の盛り上がり部の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the swelling part of the contact bonding layer in this invention. 半導体素子の製造方法を示す第一の実施形態の概略図である。It is the schematic of 1st embodiment which shows the manufacturing method of a semiconductor element. 半導体素子の製造方法を示す第二の実施形態の概略図である。It is the schematic of 2nd embodiment which shows the manufacturing method of a semiconductor element. 実施例1および比較例1の接着層のプロファイルを示す。The profile of the contact bonding layer of Example 1 and Comparative Example 1 is shown.

以下において、本発明の内容について詳細に説明する。尚、本明細書において「〜」とはその前後に記載される数値を下限値および上限値として含む意味で使用される。
本明細書における基(原子団)の表記において、置換および無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有するアルキル基(置換アルキル基)をも包含するものである。
本明細書中における「活性光線」または「放射線」は、例えば、可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線、X線等を含むものを意味する。
本明細書において「露光」とは、特に断らない限り、光を用いた露光のみならず、電子線、イオンビーム等の粒子線を用いた描画も露光に含める。また、露光に用いられる光としては、一般的に、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線(EUV光)、X線、電子線等の活性光線または放射線が挙げられる。
本明細書において、「(メタ)アクリレート」は、アクリレートおよびメタクリレートを表し、「(メタ)アクリル」は、アクリルおよびメタクリルを表し、「(メタ)アクリロイル」は、「アクリロイル」および「メタクリロイル」を表す。
本明細書において、重量平均分子量および数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)測定に従ったポリスチレン換算値として定義される。本明細書において、重量平均分子量(Mw)および数平均分子量(Mn)は、例えば、HLC−8220(東ソー(株)製)を用い、カラムとしてTSKgel Super AWM―H(東ソー(株)製、内径(ID)6.0mm×15.0cm)を用い、溶離液として10mmol/L リチウムブロミドNMP(N−メチルピロリドン)溶液を用いることによって求めることができる。
なお、以下に説明する実施の形態において、既に参照した図面において説明した部材等については、図中に同一符号あるいは相当符号を付すことにより説明を簡略化あるいは省略化する。
Hereinafter, the contents of the present invention will be described in detail. In the present specification, “to” is used to mean that the numerical values described before and after it are included as a lower limit value and an upper limit value.
In the description of a group (atomic group) in this specification, the description which does not describe substitution and non-substitution includes what does not have a substituent and what has a substituent. For example, the “alkyl group” includes not only an alkyl group having no substituent (unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group).
“Actinic light” or “radiation” in the present specification means, for example, those including visible light, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, electron beams, X-rays and the like.
In this specification, “exposure” includes not only exposure using light but also drawing using particle beams such as an electron beam and an ion beam, unless otherwise specified. The light used for the exposure generally includes an active ray or radiation such as an emission line spectrum of a mercury lamp, far ultraviolet rays represented by an excimer laser, extreme ultraviolet rays (EUV light), X-rays, or electron beams.
In the present specification, “(meth) acrylate” represents acrylate and methacrylate, “(meth) acryl” represents acrylic and methacryl, and “(meth) acryloyl” represents “acryloyl” and “methacryloyl”. .
In this specification, a weight average molecular weight and a number average molecular weight are defined as a polystyrene conversion value according to a gel permeation chromatography (GPC) measurement. In this specification, the weight average molecular weight (Mw) and the number average molecular weight (Mn) are, for example, using HLC-8220 (manufactured by Tosoh Corporation), and TSKgel Super AWM-H (manufactured by Tosoh Corporation, inner diameter) as a column. (ID) 6.0 mm × 15.0 cm) and a 10 mmol / L lithium bromide NMP (N-methylpyrrolidone) solution as an eluent.
In the embodiments described below, members and the like described in the drawings already referred to are denoted by the same or corresponding reference numerals in the drawings to simplify or omit the description.

本発明の積層体は、基板と、端部に盛り上がり部を有する熱可塑性樹脂を含む接着層を有し、接着層の端部の盛り上がり部が、2つ以上のピークを有することを特徴とする。このような構成とすることにより、積層体の厚みムラを抑制し、加工時にチッピングを発生しにくくすることができる。この点について、図1を参照して説明する。
図1は、基板の上に接着剤をスピンコート法で塗布して、接着層を製造した場合の、基板と接着剤(または接着層)の端部の断面の様子の一例を示した図である。図1中、1は基板を、2は接着剤または接着層を、3は第2の基板を、4はボイドを、5は盛り上がり部のピークを、それぞれ示している。図1の(1)〜(4)の実施形態において、それぞれ、左から順に、乾燥初期、乾燥中期、乾燥終了期、接着剤の上にさらに第2の基板を接着した後の、接着剤(または接着層)の断面の形状の変化を示している。また、(1)の実施形態は、接着剤を、比較的低温(例えば、60〜100℃)でベークし、従来のホットプレートを用いて、排気して、乾燥させて製造した例である。(2)の実施形態は、接着剤を比較的低温でベークし、接着剤に含まれる溶剤がホットプレート内に充満し、比較的ゆっくりとより効果的にレベリングが機能するように調整して、乾燥させて製造した例であり、本発明の実施形態の一例である。(3)の実施形態は、接着剤を比較的高温(例えば、110〜150℃)でベークし、従来のホットプレートを用いて、排気して乾燥させて製造した例である。(4)の実施形態は、接着剤を比較的高温でベークし、接着剤に含まれる溶剤がホットプレート内に充満し、より効果的にレベリングが機能するように調整して乾燥させて製造した例である。
乾燥初期では、(1)〜(4)のいずれの実施形態においても、接着層2の端部に盛り上がり部が形成されてしまう。(1)の実施形態では、乾燥中期において、盛り上がり部がある程度レベリングされるが、完全にはレベリングされないまま乾燥が終了し、第2の基板を接着する際に、接着層2と第2の基板3の間に、一部隙間が生じる。本発明者が検討したところ、この隙間が、厚みムラを生じさせたり、加工時にチッピングを発生させたりしていることが分かった。一方、(3)および(4)の実施形態では、乾燥中期から乾燥終了期において、盛り上がり部がレベリングされる度合いが低い。そのため、接着剤(接着層)の上に第2の基板3を設けた時に、接着層2と第2の基板3の間にボイド4ができてしまう。
これに対し、本発明では、(2)の実施形態に示すように、乾燥中期において、接着層の端部の盛り上がり部が2つ以上のピーク5を有するように調整している。この結果、ボンディング時における厚みムラを抑制し、かつ、加工時にチッピングが発生しにくい積層体を提供可能にしたものである。
なお、基板と接着層と第2の基板は、上記順に、通常互いに隣接するように設けられるが、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、基板と接着層の間、接着層と第2の基板の間に他の層を有していてもよい。
The laminate of the present invention has a substrate and an adhesive layer containing a thermoplastic resin having a raised portion at the end, and the raised portion at the end of the adhesive layer has two or more peaks. . By setting it as such a structure, the thickness nonuniformity of a laminated body can be suppressed and it can become difficult to generate | occur | produce chipping at the time of a process. This point will be described with reference to FIG.
FIG. 1 is a diagram showing an example of a state of a cross section of an end portion of a substrate and an adhesive (or adhesive layer) when an adhesive layer is manufactured by applying an adhesive onto the substrate by a spin coat method. is there. In FIG. 1, 1 is a substrate, 2 is an adhesive or adhesive layer, 3 is a second substrate, 4 is a void, and 5 is a peak of a raised portion. In the embodiments of (1) to (4) in FIG. 1, the adhesive after the second substrate is further bonded onto the adhesive in the drying initial stage, the middle drying stage, the drying end stage, and the adhesive, respectively, from the left. Or the change of the shape of the cross section of the adhesive layer) is shown. In addition, the embodiment (1) is an example in which the adhesive is baked at a relatively low temperature (for example, 60 to 100 ° C.), evacuated and dried using a conventional hot plate. In the embodiment of (2), the adhesive is baked at a relatively low temperature, the solvent contained in the adhesive is filled in the hot plate, and the leveling functions relatively slowly and more effectively. It is the example manufactured by making it dry and is an example of the embodiment of the present invention. The embodiment (3) is an example in which the adhesive is baked at a relatively high temperature (for example, 110 to 150 ° C.), and exhausted and dried using a conventional hot plate. The embodiment of (4) was manufactured by baking the adhesive at a relatively high temperature, filling the hot plate with the solvent contained in the adhesive, and adjusting and drying so that the leveling functions more effectively. It is an example.
In the initial stage of drying, a swelled portion is formed at the end of the adhesive layer 2 in any of the embodiments (1) to (4). In the embodiment of (1), the raised portion is leveled to some extent in the middle of drying, but drying is completed without being completely leveled, and when the second substrate is bonded, the adhesive layer 2 and the second substrate A part of the gap is generated between the three. As a result of studies by the present inventor, it has been found that this gap causes unevenness in thickness or causes chipping during processing. On the other hand, in the embodiments of (3) and (4), the degree to which the swelled part is leveled is low from the middle of drying to the end of drying. For this reason, when the second substrate 3 is provided on the adhesive (adhesive layer), a void 4 is formed between the adhesive layer 2 and the second substrate 3.
On the other hand, in the present invention, as shown in the embodiment (2), the rising portion at the end of the adhesive layer is adjusted to have two or more peaks 5 in the middle of drying. As a result, it is possible to provide a laminate that suppresses uneven thickness during bonding and is less likely to cause chipping during processing.
The substrate, the adhesive layer, and the second substrate are usually provided in the above order so as to be adjacent to each other. However, the adhesive layer and the second substrate are provided between the substrate and the adhesive layer without departing from the gist of the present invention. You may have another layer between.

次に、本発明における盛り上がり部のピークについて、図2を例に説明する。しかしながら、本発明の構成が、図2に記載の構成に限定されるものではないことは言うまでもない。図2は、円盤状の基板1の表面に、接着層2を設けた積層体であって、積層体を基板面に垂直な方向で、かつ、円盤状の基板の中心を通るように切断した断面図を示している。直径方向が基板面に平行な方向であり、Z方向が基板面に垂直な方向である。
本発明における接着層の端部とは、基板の中心よりも相対的に外側にある部位をいう。例えば、基板が円盤状の場合、円盤の円の中心と円周の間の距離(円の半径)の、円周に近い側1/4以内、好ましくは1/8以内、さらに好ましくは1/10以内の部位をいう。尚、ここでいう円盤状とは、数学的な意味での円である必要はなく、本発明の技術分野の当業者にとって、円盤状と解釈されるものを含む趣旨である。例えば、市販されている一般的な概ね円形の半導体基板は、円盤状の基板といえるであろう。
本発明における盛り上がり部とは、接着層の平均膜厚の1.1倍以上の高さを有する部位をいう。例えば、エッジビードは本発明における盛り上がり部に相当する。
本発明における接着層の平均膜厚t(単位:μm)は、用途等に応じて適宜定めることができるが、0.1〜200μmであることが好ましく、1〜100μmであることがより好ましい。接着層の平均膜厚tは、後述する実施例に記載の方法に従って測定される。
Next, the peak of the rising portion in the present invention will be described with reference to FIG. However, it goes without saying that the configuration of the present invention is not limited to the configuration shown in FIG. FIG. 2 shows a laminated body in which an adhesive layer 2 is provided on the surface of a disk-shaped substrate 1, and the laminated body is cut in a direction perpendicular to the substrate surface and passing through the center of the disk-shaped substrate. A cross-sectional view is shown. The diameter direction is a direction parallel to the substrate surface, and the Z direction is a direction perpendicular to the substrate surface.
In the present invention, the end portion of the adhesive layer refers to a portion relatively outside the center of the substrate. For example, when the substrate is disk-shaped, the distance between the center of the circle of the disk and the circumference (the radius of the circle) is within 1/4, preferably within 1/8, more preferably 1 / Refers to 10 or less sites. The disc shape here does not have to be a circle in a mathematical sense, but includes a meaning that is understood by those skilled in the art of the present invention as a disc shape. For example, a commercially available general circular semiconductor substrate can be said to be a disk-shaped substrate.
The raised part in the present invention refers to a part having a height of 1.1 times or more the average film thickness of the adhesive layer. For example, the edge bead corresponds to a raised portion in the present invention.
The average film thickness t (unit: μm) of the adhesive layer in the present invention can be appropriately determined according to the application and the like, but is preferably 0.1 to 200 μm, and more preferably 1 to 100 μm. The average film thickness t of the adhesive layer is measured according to the method described in Examples described later.

本発明における盛り上がり部のピークとは、盛り上がり部における凸部をいう。図2における5がそれぞれピークである。本発明では、ピークは2つ以上あればよいが、2〜5つが好ましく、2〜4つがより好ましく、2または3つがさらに好ましく、2つが一層好ましい。ピークは、基板が円盤状の場合、基板面の上方から見ると、通常、同心円状に存在する。
ピークの高さは、基板の端部から中心に向かって数えたn番目のピークの高さをH(単位:μm)とする。そして、図2に示すように、基板の最も端部に近いピークの高さをH、次に端部に近いピークの高さをHとし、3番目に端部に近いピークの高さをHとする。H以降も同様である。本発明では、同心円状にピークが存在する場合、1つの円におけるピークの高さは、いずれの箇所でも通常同じ高さであるが、誤差がある場合、最も高い点をピークの高さHとする。
本発明では、基板の端部から中心に向かって数えたn番目のピークの高さHと、n+1番目のピークの高さHn+1と、接着層の平均膜厚tが、t < Hn+1 < H < t+40/nを満たすことが好ましく、t+5 < Hn+1 < H < t+40/n−5を満たすことがより好ましい。
The peak of the raised portion in the present invention refers to a convex portion in the raised portion. 2 in FIG. 2 is a peak. In the present invention, two or more peaks may be used, but 2 to 5 are preferable, 2 to 4 are more preferable, 2 or 3 are further preferable, and 2 is more preferable. When the substrate is disk-shaped, the peaks usually exist concentrically when viewed from above the substrate surface.
The height of the peak is defined as H n (unit: μm), which is the height of the n-th peak counted from the edge of the substrate toward the center. Then, as shown in FIG. 2, the height of the peak closest to the edge of the substrate is H 1 , the height of the peak next to the edge is H 2, and the height of the peak closest to the edge is third. Is H 3 . H 4 or later is also similar. In the present invention, when there are peaks concentrically, the peak height in one circle is usually the same at any point, but if there is an error, the highest point is the peak height H. To do.
In the present invention, the height H n of the n th peak counted toward the center from the edge of the substrate, the height H n + 1 of the (n + 1) th peak, average thickness t of the adhesive layer is, t <H n + 1 <it is preferable to satisfy H n <t + 40 / n , and more preferably satisfies the t + 5 <H n + 1 <H n <t + 40 / n-5.

本発明では、基板の端部と、基板の端部から中心に向かって数えたn番目のピークに対応する基板上の位置との最短距離R(単位:mm)と接着層の平均膜厚tがn・t/40 < R < n・t/8を満たすことが好ましく、n・t/30 < R < n・t/12を満たすことがより好ましい。
基板の端部から中心に向かって数えたn番目のピークに対応する基板上の位置とは、ピークの最も高さの高い点から基板に対し垂線を引いたときに、基板と接触する点をいう。図2に、基板の端部と、基板の端部から中心に向かって数えた1番目、2番目、3番目のピークに対応する基板上の位置との距離R、R、Rの例を示す。
の値は、後述する実施例に記載の方法に従って測定される。
In the present invention, the shortest distance R n (unit: mm) between the edge of the substrate and the position on the substrate corresponding to the n-th peak counted from the edge of the substrate toward the center, and the average film thickness of the adhesive layer t preferably satisfies n · t / 40 <R n <n · t / 8, and more preferably satisfies n · t / 30 <R n <n · t / 12.
The position on the substrate corresponding to the nth peak counted from the edge of the substrate toward the center is the point that contacts the substrate when a perpendicular is drawn to the substrate from the highest point of the peak. Say. FIG. 2 shows the distances R 1 , R 2 , R 3 between the edge of the substrate and the positions on the substrate corresponding to the first, second, and third peaks counted from the edge of the substrate toward the center. An example is shown.
The value of R n is measured according to the method described in the examples below.

上述のとおり、接着剤を用いて、2つの基板を接着する場合において、接着剤をスピンコート法で塗布すると、接着層の端部に、盛り上がり部ができる。この盛り上がり部は、基板を接着して得られる積層体の厚みムラを引き起こし、平坦性(TTV(Total Thickness Variation))が悪くなる。かかる状況のもと、本発明では、盛り上がり部について、2つ以上のピークを有する構成とし、t < Hn+1 < H < t+40/nを満たすようにすることが好ましい。このような構成とすることにより、最端部のピークは、細く長いピークとなり、基板を接着する際に効果的に押しつぶされる。また、n・t/40 < R < n・t/8を満たすようにすることにより、中心に近いピークは、幅広く低いピークとなり、ピークがより平坦化されやすくなる。
さらに、基板の端部は、基板が本来的に有する反りや、加工時の接着剤の応力によって変形が生じやすいが、本発明では、中心に近い側のピークで基板の外周を、最も端部のピークで、基板の端面を保持し、その後の加工安定性を向上させることができる。
As described above, when two substrates are bonded using an adhesive, when the adhesive is applied by a spin coat method, a raised portion is formed at the end of the adhesive layer. The raised portion causes unevenness in the thickness of the laminate obtained by bonding the substrates, resulting in poor flatness (TTV (Total Thickness Variation)). Under such circumstances, in the present invention, it is preferable that the rising portion has two or more peaks and satisfies t <H n + 1 <H n <t + 40 / n. By adopting such a configuration, the peak at the extreme end becomes a thin and long peak and is effectively crushed when the substrates are bonded. Further, by satisfying n · t / 40 <R n <n · t / 8, the peak close to the center becomes a wide and low peak, and the peak is more easily flattened.
Further, the end of the substrate is likely to be deformed due to the inherent warpage of the substrate or the stress of the adhesive during processing, but in the present invention, the outer periphery of the substrate is the end most at the peak near the center. At this peak, the end face of the substrate can be held, and the subsequent processing stability can be improved.

本発明の積層体は、基板上に、溶剤を含む接着剤をスピンコートして、層状にする工程と、上記層状の接着剤の端部の盛り上がり部が、2つ以上のピークとなるように調整する工程を含む製造方法によって製造できる。しかしながら、上記以外の方法で得られた積層体であってもよいことは言うまでもない。
本発明において、接着層の盛り上がり部が2つ以上のピークとなるように調整する方法としては、以下の方法が例示される。
1)溶剤を含んだ接着剤を層状にした状態で、室温以上の温度(例えば、20〜40℃)で、溶剤が十分に充満しながらも結露が生じないよう排気を行いながら、効率的にレベリングすること
2)基板の上に、溶剤を含んだ接着剤を層状にした状態で、基板を回転させながら液体または気体(好ましくは溶剤)を、層状の接着剤の表面の盛り上がり部に接触させること(EBR処理等)
3)溶剤を含んだ接着剤を層状にした状態で、機械的に層状の接着剤の盛り上がり部の一部を除去すること(治具処理等)
上記のいずれの方法も、溶剤を含む接着剤を層状にし、溶剤を乾燥させる工程中で行うことが好ましい。より具体的には、ホットプレートの内部における溶剤の蒸気圧が、用いる溶剤の飽和蒸気圧に近い状態を維持するとともに、ホットプレートの側面に溶剤が結露しホットプレート内の温度が低下したり、結露が接着剤上に落下したりすることの無いよう、装置内に均一に配置された排気孔より適切な風量で排気を行っている態様が好ましい。ホットプレートのヒーターは、基板に対して上下に設けてあることが、装置内の温度分布を少なく抑えることができ、ひいては接着剤のレベリングをより均一に行うことができるためより好ましい。
さらに、本発明では、基板上に、スピンコートにより、接着剤を用いて接着層を形成した後、さらに、接着層の上に、第2の基板を接着させた後、の少なくともどちらかの状態の積層体に対し、バックリンスを用いて、基板の裏面およびベベル部を洗浄することが好ましい。このような手段を採用することにより、装置の搬送アームの汚染を防ぐ共に、より安定的に剥離が行えるという利点がある。
尚、接着剤を層状に適用したあと、接着層を形成するまでの工程において、層状の接着剤と接着層は明確に区別されるものではない。従って、接着層を形成してから、接着層の盛り上がり部に2つ以上のピークを形成する場合も、本発明の積層体の製造方法に含まれることは言うまでもない。
In the laminate of the present invention, a step of spin-coating an adhesive containing a solvent on a substrate to form a layer, and a raised portion at the end of the layered adhesive have two or more peaks. It can manufacture by the manufacturing method including the process to adjust. However, it goes without saying that it may be a laminate obtained by a method other than the above.
In the present invention, the following method is exemplified as a method for adjusting the rising portion of the adhesive layer to have two or more peaks.
1) In a state where the adhesive containing the solvent is layered, at a temperature of room temperature or higher (for example, 20 to 40 ° C.), while exhausting so as not to cause condensation while the solvent is sufficiently filled, Leveling 2) With the adhesive containing the solvent layered on the substrate, the liquid or gas (preferably solvent) is brought into contact with the raised portion of the surface of the layered adhesive while rotating the substrate. (EBR processing, etc.)
3) Mechanically removing a part of the raised portion of the layered adhesive in a state where the solvent-containing adhesive is layered (jig processing, etc.)
Any of the above methods is preferably performed in a step of laminating an adhesive containing a solvent and drying the solvent. More specifically, the vapor pressure of the solvent in the hot plate maintains a state close to the saturated vapor pressure of the solvent to be used, and the solvent condenses on the side of the hot plate and the temperature in the hot plate decreases, In order to prevent condensation from falling on the adhesive, it is preferable that the air is exhausted with an appropriate air volume from the exhaust holes uniformly disposed in the apparatus. It is more preferable that the heater of the hot plate is provided above and below the substrate because the temperature distribution in the apparatus can be suppressed to a small level, and as a result, the adhesive can be leveled more uniformly.
Furthermore, in the present invention, after the adhesive layer is formed on the substrate by spin coating using an adhesive, at least one of the states after the second substrate is adhered on the adhesive layer It is preferable to clean the back surface and the bevel portion of the substrate using a back rinse. By adopting such a means, there is an advantage that the transport arm of the apparatus can be prevented from being contaminated and more stable peeling can be performed.
It should be noted that the layered adhesive and the adhesive layer are not clearly distinguished from each other in the process from application of the adhesive in layers to formation of the adhesive layer. Therefore, it is needless to say that the method for producing a laminate according to the present invention also includes a case where two or more peaks are formed in the raised portion of the adhesive layer after the adhesive layer is formed.

本発明で用いる基板は、用途に応じて適宜定めることができる。本発明における基板には、支持体も含む。基板の形状としては、円盤状が好ましい。円盤状とすることにより、加工した際に、割れなどを生じにくくすることができる。また、基板は、接着剤として仮接着剤を用いる場合、被加工基板およびキャリア基板を用いることが好ましい。この場合、仮接着剤を被加工基板側に設けてもよいし、キャリア基板側に設けてもよいし、両方に設けてもよい。
基板としては、シリコン(Si)基板、ゲルマニウム(Ge)基板、窒化ガリウム(GaN)基板、ガリウム砒素(GaAs)基板、インジウムリン(InP)基板および炭化珪素(SiC)基板から選択される半導体基板が例示され、シリコン基板が好ましい。また、上記の他、基板としては、ガラス基板、石英基板およびセラミック基板などの無機基板、ならびに、モールド樹脂およびエポキシ樹脂などの有機基板も好ましく用いられる。
The board | substrate used by this invention can be suitably determined according to a use. The substrate in the present invention includes a support. The shape of the substrate is preferably a disc shape. By making it into a disk shape, it is possible to make it difficult to generate cracks when processed. Further, when a temporary adhesive is used as the adhesive, it is preferable to use a substrate to be processed and a carrier substrate. In this case, the temporary adhesive may be provided on the substrate to be processed, may be provided on the carrier substrate side, or may be provided on both.
The substrate is a semiconductor substrate selected from a silicon (Si) substrate, a germanium (Ge) substrate, a gallium nitride (GaN) substrate, a gallium arsenide (GaAs) substrate, an indium phosphide (InP) substrate, and a silicon carbide (SiC) substrate. Illustratively, a silicon substrate is preferred. In addition to the above, inorganic substrates such as glass substrates, quartz substrates and ceramic substrates, and organic substrates such as mold resins and epoxy resins are also preferably used as the substrates.

本発明における接着層は、熱可塑性樹脂を含む接着剤を用いて形成される。本発明で用いる接着剤は、通常、溶剤を含む接着剤である。接着剤が溶剤を含む場合、スピンコート法等の塗布方法で塗布して層状にするため、端部に盛り上がり部が形成されやすい。本発明で用いる接着剤は、樹脂と溶剤を含むことが好ましい。
接着剤は、上述のとおり、基板と基板とを一時的に固定する仮接着剤であってもよいし、基板と基板を半永久的に固定する永久接着剤であってもよい。本発明では、仮接着剤を用いる場合に特に適している。
以下、本発明で用いることができる接着剤について説明する。
The adhesive layer in the present invention is formed using an adhesive containing a thermoplastic resin. The adhesive used in the present invention is usually an adhesive containing a solvent. In the case where the adhesive contains a solvent, it is applied by a coating method such as a spin coating method to form a layer, so that a raised portion is easily formed at the end. The adhesive used in the present invention preferably contains a resin and a solvent.
As described above, the adhesive may be a temporary adhesive that temporarily fixes the substrate and the substrate, or may be a permanent adhesive that fixes the substrate and the substrate semi-permanently. The present invention is particularly suitable when a temporary adhesive is used.
Hereinafter, the adhesive that can be used in the present invention will be described.

<仮接着剤>
<<熱可塑性樹脂>>
本発明で用いる仮接着剤は、熱可塑性樹脂(以下、単に、「樹脂」ということがある)を少なくとも1種含む。
樹脂は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、グラフト共重合体が挙げられ、ブロック共重合体が好ましい。ブロック共重合体であれば、加熱プロセス時の仮接着剤の流動を抑えることができるため、加熱プロセス時においても接着を維持でき、また加熱プロセス後でも剥離性が変化しないという効果が期待できる。
<Temporary adhesive>
<< Thermoplastic resin >>
The temporary adhesive used in the present invention contains at least one thermoplastic resin (hereinafter sometimes simply referred to as “resin”).
Examples of the resin include a block copolymer, a random copolymer, and a graft copolymer, and a block copolymer is preferable. Since the block copolymer can suppress the flow of the temporary adhesive during the heating process, the adhesion can be maintained even during the heating process, and the effect that the peelability does not change even after the heating process can be expected.

本発明で用いる仮接着剤において、樹脂はエラストマーが好ましい。樹脂としてエラストマーを使用することで、基板(キャリア基板やデバイスウェハ等の被加工基板)の微細な凹凸にも追従し、適度なアンカー効果により、接着性に優れた仮接着剤を形成できる。エラストマーは、1種または2種以上を併用することができる。
なお、本明細書において、エラストマーとは、弾性変形を示す高分子化合物を表す。すなわち外力を加えたときに、その外力に応じて瞬時に変形し、かつ外力を除いたときには、短時間に元の形状を回復する性質を有する高分子化合物と定義する。
In the temporary adhesive used in the present invention, the resin is preferably an elastomer. By using an elastomer as the resin, it is possible to follow a fine unevenness of a substrate (a substrate to be processed such as a carrier substrate or a device wafer) and to form a temporary adhesive having excellent adhesiveness by an appropriate anchor effect. One or more types of elastomers can be used in combination.
In addition, in this specification, an elastomer represents the high molecular compound which shows elastic deformation. That is, when an external force is applied, it is defined as a polymer compound having a property of instantly deforming according to the external force and recovering the original shape in a short time when the external force is removed.

<<<エラストマー>>>
本発明において、エラストマーの重量平均分子量は、2,000〜200,000が好ましく、10,000〜200,000がより好ましく、50,000〜100,000がさらに好ましい。重量平均分子量がこの範囲にあるエラストマーは、溶剤への溶解性が優れるため、キャリア基板を被加工基板から剥離した後、溶剤を用いて、被加工基板やキャリア基板の上に残存するエラストマー由来の残渣を除去する際、残渣が容易に溶剤に溶解して除去される。このため、被加工基板やキャリア基板などに残渣が残らないなどの利点がある。
<<< Elastomer >>>>
In the present invention, the weight average molecular weight of the elastomer is preferably from 2,000 to 200,000, more preferably from 10,000 to 200,000, and even more preferably from 50,000 to 100,000. An elastomer having a weight average molecular weight in this range is excellent in solubility in a solvent. Therefore, after peeling the carrier substrate from the substrate to be processed, the solvent is used to derive from the elastomer remaining on the substrate to be processed or the carrier substrate. When removing the residue, the residue is easily dissolved in the solvent and removed. For this reason, there exists an advantage that a residue does not remain in a to-be-processed substrate, a carrier substrate, etc.

本発明において、エラストマーとしては、特に限定されず、スチレン由来の繰り返し単位を含むエラストマー(ポリスチレン系エラストマー)、ポリエステル系エラストマー、ポリオレフィン系エラストマー、ポリウレタン系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリアクリル系エラストマー、シリコーン系エラストマー、ポリイミド系エラストマーなどが使用できる。特に、ポリスチレン系エラストマー、ポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマーが好ましく、耐熱性と剥離性の観点からポリスチレン系エラストマーがさらに好ましい。   In the present invention, the elastomer is not particularly limited, and an elastomer (polystyrene elastomer) containing a repeating unit derived from styrene, a polyester elastomer, a polyolefin elastomer, a polyurethane elastomer, a polyamide elastomer, a polyacryl elastomer, a silicone elastomer Elastomers, polyimide elastomers, etc. can be used. In particular, a polystyrene-based elastomer, a polyester-based elastomer, and a polyamide-based elastomer are preferable, and a polystyrene-based elastomer is more preferable from the viewpoint of heat resistance and peelability.

本発明において、エラストマーは、水添物であることが好ましい。特に、ポリスチレン系エラストマーの水添物が好ましい。エラストマーが水添物であると、熱安定性や保存安定性が向上する。さらには、剥離性および剥離後の仮接着剤の除去性が向上する。ポリスチレン系エラストマーの水添物を使用した場合、上記効果が顕著である。なお、水添物とは、エラストマーが水添された構造の重合体を意味する。   In the present invention, the elastomer is preferably a hydrogenated product. In particular, a hydrogenated product of a polystyrene-based elastomer is preferable. When the elastomer is a hydrogenated product, thermal stability and storage stability are improved. Furthermore, the releasability and the removability of the temporary adhesive after peeling are improved. When a hydrogenated product of polystyrene elastomer is used, the above effect is remarkable. The hydrogenated product means a polymer having a structure in which an elastomer is hydrogenated.

本発明において、エラストマーは、25℃から、20℃/分の昇温速度で昇温した際の5%熱質量減少温度が、250℃以上であることが好ましく、300℃以上であることがより好ましく、350℃以上であることがさらに好ましく、400℃以上であることが一層好ましい。また、上限値は特に限定はないが、例えば1000℃以下が好ましく、800℃以下がより好ましい。この態様によれば、耐熱性に優れた仮接着剤とすることができる。
本発明におけるエラストマーは、元の大きさを100%としたときに、室温(20℃)において小さな外力で200%まで変形させることができ、かつ外力を除いたときに、短時間で130%以下に戻る性質を有することが好ましい。
In the present invention, the elastomer preferably has a 5% thermal mass reduction temperature of 250 ° C. or higher when the temperature is increased from 25 ° C. at a temperature increase rate of 20 ° C./min, more preferably 300 ° C. or higher. Preferably, it is 350 degreeC or more, More preferably, it is 400 degreeC or more. Moreover, although an upper limit does not have limitation in particular, For example, 1000 degrees C or less is preferable and 800 degrees C or less is more preferable. According to this aspect, a temporary adhesive having excellent heat resistance can be obtained.
The elastomer in the present invention can be deformed to 200% with a small external force at room temperature (20 ° C.) when the original size is 100%, and 130% or less in a short time when the external force is removed. It is preferable to have the property of returning to

<<<<ポリスチレン系エラストマー>>>>
ポリスチレン系エラストマーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体(SBS)、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体(SIS)、ポリスチレン−ポリ(エチレン−プロピレン)ジブロック共重合体(SEP)、ポリスチレン−ポリ(エチレン−プロピレン)−ポリスチレントリブロック共重合体(SEPS)、ポリスチレン−ポリ(エチレン−ブチレン)−ポリスチレントリブロック共重合体(SEBS)、ポリスチレン−ポリ(エチレン/エチレン−プロピレン)−ポリスチレントリブロック共重合体(SEEPS)からなる群から選択される少なくとも1種であることが好ましい。
<<<<< Polystyrene Elastomer >>>>
There is no restriction | limiting in particular as a polystyrene-type elastomer, According to the objective, it can select suitably. For example, styrene-butadiene-styrene block copolymer (SBS), styrene-isoprene-styrene block copolymer (SIS), polystyrene-poly (ethylene-propylene) diblock copolymer (SEP), polystyrene-poly (ethylene -Propylene) -polystyrene triblock copolymer (SEPS), polystyrene-poly (ethylene-butylene) -polystyrene triblock copolymer (SEBS), polystyrene-poly (ethylene / ethylene-propylene) -polystyrene triblock copolymer. It is preferably at least one selected from the group consisting of (SEEPS).

ポリスチレン系エラストマーにおける、スチレン由来の繰り返し単位の割合は90質量%以下が好ましく、55質量%以下がより好ましく、48質量%以下がさらに好ましく、35質量%以下が一層好ましく、33質量%以下がより一層好ましい。上記スチレン由来の繰り返し単位の割合の下限は、0質量%であってもよいが、10質量%以上とすることもできる。このような範囲とすることにより、基板同士を仮接着剤で貼り合わせてなる積層体の反りをより効果的に抑制することができる。   The proportion of the repeating unit derived from styrene in the polystyrene elastomer is preferably 90% by mass or less, more preferably 55% by mass or less, further preferably 48% by mass or less, still more preferably 35% by mass or less, and more preferably 33% by mass or less. Even more preferred. The lower limit of the ratio of the repeating unit derived from styrene may be 0% by mass, but may be 10% by mass or more. By setting it as such a range, the curvature of the laminated body which bonds substrates together with a temporary adhesive can be suppressed more effectively.

本発明におけるポリスチレン系エラストマーの一実施形態として、スチレン由来の繰り返し単位を全繰り返し単位中に10質量%以上55質量%以下の割合で含有するエラストマーAと、スチレン由来の繰り返し単位を全繰り返し単位中に55質量%を超えて95質量%以下の割合で含有するエラストマーBとを組み合わせて用いることが挙げられる。エラストマーAとエラストマーBとを併用することで、反りの発生を効果的に抑制できる。このような効果が得られるメカニズムは、以下によるものと推測できる。すなわち、エラストマーAは、比較的柔らかい材料であるため、弾性を有する層状の仮接着剤(仮接着層)を形成しやすい。このため、仮接着剤を用いて基板とキャリア基板との積層体を製造し、基板を研磨して薄膜化する際に、研磨時の圧力が局所的に加わっても、仮接着剤(仮接着層)が弾性変形して元の形状に戻り易い。その結果、優れた平坦研磨性が得られる。また、研磨後の、キャリア基板と被加工基板と仮接着剤の積層体を、加熱処理し、その後冷却しても、冷却時に発生する内部応力を仮接着剤(仮接着層)によって、緩和でき、反りの発生を効果的に抑制できる。
また、上記エラストマーBは、比較的硬い材料であるため、エラストマーBを含むことで、剥離性に優れた仮接着剤とすることができる。
As an embodiment of the polystyrene-based elastomer in the present invention, an elastomer A containing a repeating unit derived from styrene in a proportion of 10% by mass or more and 55% by mass or less in all repeating units, and a repeating unit derived from styrene in all repeating units. And an elastomer B contained in a proportion of more than 55% by mass and 95% by mass or less. By using the elastomer A and the elastomer B in combination, the occurrence of warpage can be effectively suppressed. It can be presumed that the mechanism for obtaining such an effect is as follows. That is, since the elastomer A is a relatively soft material, it is easy to form a layered temporary adhesive (temporary adhesive layer) having elasticity. For this reason, even when a laminated body of a substrate and a carrier substrate is manufactured using a temporary adhesive and the substrate is polished to form a thin film, the temporary adhesive (temporary bonding) Layer) is elastically deformed and easily returns to its original shape. As a result, excellent flat polishing properties can be obtained. In addition, even if the laminate of the carrier substrate, workpiece substrate, and temporary adhesive after polishing is heat-treated and then cooled, the internal stress generated during cooling can be alleviated by the temporary adhesive (temporary adhesive layer). The occurrence of warpage can be effectively suppressed.
Moreover, since the said elastomer B is a comparatively hard material, it can be set as the temporary adhesive excellent in peelability by including the elastomer B.

上記エラストマーAと上記エラストマーBを配合する場合の質量比は、エラストマーA:エラストマーB=1:99〜99:1が好ましく、3:97〜97:3がより好ましく、5:95〜95:5がさらに好ましく、10:90〜90:10が一層好ましい。上記範囲であれば、上述した効果がより効果的に得られる。   The mass ratio when blending the elastomer A and the elastomer B is preferably Elastomer A: Elastomer B = 1: 99 to 99: 1, more preferably 3:97 to 97: 3, and 5:95 to 95: 5. Is more preferable, and 10:90 to 90:10 is more preferable. If it is the said range, the effect mentioned above will be acquired more effectively.

ポリスチレン系エラストマーは、スチレンと他のモノマーとのブロック共重合体であることが好ましく、片末端または両末端がスチレンブロックであるブロック共重合体であることがより好ましく、両末端がスチレンブロックであることが特に好ましい。ポリスチレン系エラストマーの両端を、スチレンブロック(スチレン由来の繰り返し単位)とすると、耐熱性がより向上する傾向にある。これは、耐熱性の高いスチレン由来の繰り返し単位が末端に存在することとなるためである。特に、スチレン由来の繰り返し単位のブロック部位が反応性のポリスチレン系ハードブロックであることにより、耐熱性、耐薬品性により優れる傾向にあり好ましい。加えて、このようなエラストマーは、溶剤への溶解性およびレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。
また、ポリスチレン系エラストマーは水添物であると、熱に対する安定性が向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。さらに、溶剤への溶解性およびレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。
ポリスチレン系エラストマーの不飽和二重結合量としては、剥離性の観点から、ポリスチレン系エラストマー1gあたり、15mmol未満であることが好ましく、5mmol未満であることがより好ましく、0.5mmol未満であることがさらに好ましい。なお、ここでいう不飽和二重結合量は、スチレン由来のベンゼン環内の不飽和二重結合を含まない。不飽和二重結合量は、NMR(核磁気共鳴)測定により算出することができる。
The polystyrene-based elastomer is preferably a block copolymer of styrene and another monomer, more preferably a block copolymer in which one end or both ends are styrene blocks, and both ends are styrene blocks. It is particularly preferred. When both ends of the polystyrene-based elastomer are styrene blocks (repeating units derived from styrene), the heat resistance tends to be further improved. This is because a repeating unit derived from styrene having high heat resistance is present at the terminal. In particular, the block part of the repeating unit derived from styrene is preferably a reactive polystyrene hard block, which tends to be more excellent in heat resistance and chemical resistance. In addition, such an elastomer is more preferable from the viewpoint of solubility in a solvent and resistance to a resist solvent.
In addition, when the polystyrene elastomer is a hydrogenated product, the stability to heat is improved, and degradation such as decomposition and polymerization hardly occurs. Furthermore, it is more preferable from the viewpoint of solubility in a solvent and resistance to a resist solvent.
The unsaturated double bond amount of the polystyrene elastomer is preferably less than 15 mmol, more preferably less than 5 mmol, and less than 0.5 mmol per 1 g of the polystyrene elastomer from the viewpoint of peelability. Further preferred. In addition, the amount of unsaturated double bonds here does not include the unsaturated double bond in the benzene ring derived from styrene. The amount of unsaturated double bonds can be calculated by NMR (nuclear magnetic resonance) measurement.

なお、本明細書において「スチレン由来の繰り返し単位」とは、スチレンまたはスチレン誘導体を重合した際に重合体に含まれるスチレン由来の構造単位であり、置換基を有していてもよい。スチレン誘導体としては、例えば、α−メチルスチレン、3−メチルスチレン、4−プロピルスチレン、4−シクロヘキシルスチレン等が挙げられる。置換基としては、例えば、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のアルコキシ基、炭素数2〜5のアルコキシアルキル基、アセトキシ基、カルボキシル基等が挙げられる。   In the present specification, “a repeating unit derived from styrene” is a structural unit derived from styrene contained in a polymer when styrene or a styrene derivative is polymerized, and may have a substituent. Examples of the styrene derivative include α-methyl styrene, 3-methyl styrene, 4-propyl styrene, 4-cyclohexyl styrene, and the like. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxyalkyl group having 2 to 5 carbon atoms, an acetoxy group, and a carboxyl group.

ポリスチレン系エラストマーの市販品としては、例えば、タフプレンA、タフプレン125、タフプレン126S、ソルプレンT、アサプレンT−411、アサプレンT−432、アサプレンT−437、アサプレンT−438、アサプレンT−439、タフテックH1272、タフテックP1500、タフテックH1052、タフテックH1062、タフテックM1943、タフテックM1911、タフテックH1041、タフテックMP10、タフテックM1913、タフテックH1051、タフテックH1053、タフテックP2000、タフテックH1043(以上、旭化成ケミカルズ(株)製)、エラストマーAR−850C、エラストマーAR−815C、エラストマーAR−840C、エラストマーAR−830C、エラストマーAR−860C、エラストマーAR−875C、エラストマーAR−885C、エラストマーAR−SC−15、エラストマーAR−SC−0、エラストマーAR−SC−5、エラストマーAR−710、エラストマーAR−SC−65、エラストマーAR−SC−30、エラストマーAR−SC−75、エラストマーAR−SC−45、エラストマーAR−720、エラストマーAR−741、エラストマーAR−731、エラストマーAR−750、エラストマーAR−760、エラストマーAR−770、エラストマーAR−781、エラストマーAR−791、エラストマーAR−FL−75N、エラストマーAR−FL−85N、エラストマーAR−FL−60N、エラストマーAR−1050、エラストマーAR−1060、エラストマーAR−1040(以上、アロン化成(株)製)、クレイトンD1111、クレイトンD1113、クレイトンD1114、クレイトンD1117、クレイトンD1119、クレイトンD1124、クレイトンD1126、クレイトンD1161、クレイトンD1162、クレイトンD1163、クレイトンD1164、クレイトンD1165、クレイトンD1183、クレイトンD1193、クレイトンDX406、クレイトンD4141、クレイトンD4150、クレイトンD4153、クレイトンD4158、クレイトンD4270、クレイトンD 4271、クレイトンD 4433、クレイトンD 1170、クレイトンD 1171、クレイトンD 1173、カリフレックスIR0307、カリフレックスIR 0310、カリフレックスIR 0401、クレイトンD0242、クレイトンD1101、クレイトンD1102、クレイトンD1116、クレイトンD1118、クレイトンD1133、クレイトンD1152、クレイトンD1153、クレイトンD1155、クレイトンD1184、クレイトンD1186、クレイトンD1189、クレイトンD1191、クレイトンD1192、クレイトンDX405、クレイトンDX408、クレイトンDX410、クレイトンDX414、クレイトンDX415、クレイトンA1535、クレイトンA1536、クレイトンFG1901、クレイトンFG1924、クレイトンG1640、クレイトンG1641、クレイトンG1642、クレイトンG1643、クレイトンG1645、クレイトンG1633、クレイトンG1650、クレイトンG1651、クレイトンG1652(G1652MU−1000)、クレイトンG1654、クレイトンG1657、クレイトンG1660、クレイトンG1726、クレイトンG1701、クレイトンG1702、クレイトンG1730、クレイトンG1750、クレイトンG1765、クレイトンG4609、クレイトンG4610(以上、クレイトンポリマージャパン(株)製)、TR2000、TR2001、TR2003、TR2250、TR2500、TR2601、TR2630、TR2787、TR2827、TR1086、TR1600、SIS5002、SIS5200、SIS5250、SIS5405、SIS5505、ダイナロン6100P、ダイナロン4600P、ダイナロン6200P、ダイナロン4630P、ダイナロン8601P、ダイナロン8630P、ダイナロン8600P、ダイナロン8903P、ダイナロン6201B、ダイナロン1321P、ダイナロン1320P、ダイナロン2324P、ダイナロン9901P(以上、JSR(株)製)、デンカSTRシリーズ(電気化学工業(株)製)、クインタック3520、クインタック3433N、クインタック3421、クインタック3620、クインタック3450、クインタック3460(以上、日本ゼオン製)、TPE−SBシリーズ(住友化学(株)製)、ラバロンシリーズ(三菱化学(株)製)、セプトン1001、セプトン1020、セプトン2002、セプトン2004、セプトン2005、セプトン2006、セプトン2007、セプトン2063、セプトン2104、セプトン4033、セプトン4044、セプトン4055、セプトン4077、セプトン4099、セプトンHG252、セプトン8004、セプトン8006、セプトン8007、セプトン8076、セプトン8104、セプトンV9461、セプトンV9475、セプトンV9827、ハイブラー7311、ハイブラー7125、ハイブラー5127、ハイブラー5125(以上、(株)クラレ製)、スミフレックス(住友ベークライト(株)製)、レオストマー、アクティマー(以上、リケンテクノス(株)製)などが挙げられる。   Examples of commercially available polystyrene elastomers include Tufprene A, Tufprene 125, Tufprene 126S, Solprene T, Asaprene T-411, Asaprene T-432, Asaprene T-437, Asaprene T-438, Asaprene T-439, and Tuftec H1272. , Tuftec P1500, Tuftec H1052, Tuftec H1062, Tuftech M1943, Tuftec M1911, Tuftec H1041, Tuftec MP10, Tuftec M1913, Tuftec H1051, Tuftec H1053, Tuftec P2000, Tuftec H1043 (above, Asahi Kasei Chemicals AR) 850C, Elastomer AR-815C, Elastomer AR-840C, Elastomer AR-830C, Elasto -AR-860C, Elastomer AR-875C, Elastomer AR-885C, Elastomer AR-SC-15, Elastomer AR-SC-0, Elastomer AR-SC-5, Elastomer AR-710, Elastomer AR-SC-65, Elastomer AR SC-30, Elastomer AR-SC-75, Elastomer AR-SC-45, Elastomer AR-720, Elastomer AR-741, Elastomer AR-731, Elastomer AR-750, Elastomer AR-760, Elastomer AR-770, Elastomer AR-781, Elastomer AR-791, Elastomer AR-FL-75N, Elastomer AR-FL-85N, Elastomer AR-FL-60N, Elastomer AR-1050, Elastomer AR-1060 Elastomer AR-1040 (manufactured by Aron Kasei Co., Ltd.), Clayton D1111, Clayton D1113, Clayton D1114, Clayton D1117, Clayton D1119, Clayton D1124, Clayton D1126, Clayton D1161, Clayton D1162, Clayton D1163, Clayton D1164, Clayton D1165 Clayton D1183, Clayton D1193, Clayton DX406, Clayton D4141, Clayton D4150, Clayton D4153, Clayton D4158, Clayton D4270, Clayton D 4433, Clayton D 1170, Clayton D 1171, Clayton D 1173, Califlex IR0307 Flex IR 031 0, Califlex IR 0401, Clayton D0242, Clayton D1101, Clayton D1102, Clayton D1116, Clayton D1118, Clayton D1133, Clayton D1152, Clayton D1153, Clayton D1155, Clayton D1184, Clayton D1186, Clayton D1189, Clayton D1192 DX405, Clayton DX408, Clayton DX410, Clayton DX414, Clayton DX415, Clayton A1535, Clayton A1536, Clayton FG1901, Clayton FG1924, Clayton G1640, Clayton G1641, Clayton G1642, Clayton G1643, Clayton G1645, Clayton G 633, Clayton G1650, Clayton G1651, Clayton G1652 (G1652MU-1000), Clayton G1654, Clayton G1657, Clayton G1660, Clayton G1726, Clayton G1701, Clayton G1702, Clayton G1730, Clayton G1750, Clayton G1765, Clayton G4609 and Clayton G4610 TR2000, TR2001, TR2003, TR2250, TR2500, TR2601, TR2630, TR2787, TR2827, TR1086, TR1600, SIS5002, SIS5200, SIS5250, SIS5405, SIS5505, Dynalon 6100P, Dynalon 4600P, manufactured by Kraton Polymer Japan Co., Ltd. Dynalon 6200P, Dynalon 4630P, Dynalon 8601P, Dynalon 8630P, Dynalon 8600P, Dynalon 8903P, Dynalon 6201B, Dynalon 1321P, Dynalon 1320P, Dynalon 2324P (manufactured by JSR Corporation), Denka STR series (Electrochemical Industry) Co., Ltd.), Quintac 3520, Quintac 3433N, Quintac 3421, Quintac 3620, Quintac 3450, Quintac 3460 (manufactured by Nippon Zeon), TPE-SB series (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.), Lavalon Series (Mitsubishi Chemical Corporation), Septon 1001, Septon 1020, Septon 2002, Septon 2004, Septon 2005, Septon 2006, Septon 2 07, septon 2063, septon 2104, septon 4033, septon 4044, septon 4055, septon 4077, septon 4099, septon HG252, septon 8004, septon 8006, septon 8007, septon 8076, septon 8104, septon V9461, septon V9475, septon V9827, Examples include Hibler 7311, Hibler 7125, Hibler 5127, Hibler 5125 (manufactured by Kuraray Co., Ltd.), Sumiflex (manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.), Rheostomer, Actimer (manufactured by Riken Technos Co., Ltd.), and the like.

<<<<ポリエステル系エラストマー>>>>
ポリエステル系エラストマーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、ジカルボン酸またはその誘導体と、ジオール化合物またはその誘導体とを重縮合して得られるものが挙げられる。
ジカルボン酸としては、例えば、テレフタル酸、イソフタル酸、ナフタレンジカルボン酸等の芳香族ジカルボン酸およびこれらの芳香環の水素原子がメチル基、エチル基、フェニル基等で置換された芳香族ジカルボン酸、アジピン酸、セバシン酸、ドデカンジカルボン酸等の炭素数2〜20の脂肪族ジカルボン酸、およびシクロヘキサンジカルボン酸などの脂環式ジカルボン酸などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよく、2種以上併用してもよい。
ジオール化合物としては、例えば、エチレングリコール、1,3−プロパンジオール、1,4−ブタンジオール、1,6−ヘキサンジオール、1,10−デカンジオール、1,4−シクロヘキサンジオールなどの脂肪族ジオール、脂環式ジオール、下記構造式で表される2価のフェノールなどが挙げられる。
<<<<< Polyester elastomer >>>>
There is no restriction | limiting in particular as a polyester-type elastomer, According to the objective, it can select suitably. Examples thereof include those obtained by polycondensation of a dicarboxylic acid or a derivative thereof and a diol compound or a derivative thereof.
Examples of the dicarboxylic acid include aromatic dicarboxylic acids such as terephthalic acid, isophthalic acid, and naphthalenedicarboxylic acid, and aromatic dicarboxylic acids in which the hydrogen atoms of these aromatic rings are substituted with a methyl group, an ethyl group, a phenyl group, and the like. Examples thereof include aliphatic dicarboxylic acids having 2 to 20 carbon atoms such as acid, sebacic acid and dodecanedicarboxylic acid, and alicyclic dicarboxylic acids such as cyclohexanedicarboxylic acid. These may be used alone or in combination of two or more.
Examples of the diol compound include aliphatic diols such as ethylene glycol, 1,3-propanediol, 1,4-butanediol, 1,6-hexanediol, 1,10-decanediol, and 1,4-cyclohexanediol. Examples thereof include alicyclic diols and divalent phenols represented by the following structural formulas.

上記式中、YDOは、炭素数2〜10のアルキレン基、炭素数4〜8のシクロアルキレン基、−O−、−S−、および−SO−のいずれかを表すか、単結合を表す。RDO1およびRDO2は各々独立に、ハロゲン原子または炭素数1〜12のアルキル基を表す。pdo1およびpdo2はそれぞれ独立に、0〜4の整数を表し、ndo1は、0または1を表す。 In the above formula, Y DO represents any of an alkylene group having 2 to 10 carbon atoms, a cycloalkylene group having 4 to 8 carbon atoms, —O—, —S—, and —SO 2 —, or a single bond. To express. R DO1 and R DO2 each independently represent a halogen atom or an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms. p do1 and p do2 each independently represent an integer of 0 to 4, and n do1 represents 0 or 1.

2価のフェノールの具体例としては、ビスフェノールA、ビス−(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス−(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)プロパン、レゾルシンなどが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよく、2種以上併用して用いてもよい。
また、ポリエステル系エラストマーとして、芳香族ポリエステル(例えば、ポリブチレンテレフタレート)部分をハードセグメント成分に、脂肪族ポリエステル(例えば、ポリテトラメチレングリコール)部分をソフトセグメント成分にしたマルチブロック共重合体を用いることもできる。マルチブロック共重合体としては、ハードセグメントとソフトセグメントとの種類、比率、および分子量の違いによりさまざまなグレードのものが挙げられる。具体例としては、ハイトレル(東レ・デュポン(株)製)、ペルプレン(東洋紡(株)製)、プリマロイ(三菱化学(株)製)、ヌーベラン(帝人(株)製)、エスペル1612、1620(以上、日立化成工業(株)製)などが挙げられる。
Specific examples of the divalent phenol include bisphenol A, bis- (4-hydroxyphenyl) methane, bis- (4-hydroxy-3-methylphenyl) propane, and resorcin. These may be used alone or in combination of two or more.
Also, as the polyester elastomer, a multi-block copolymer having an aromatic polyester (for example, polybutylene terephthalate) portion as a hard segment component and an aliphatic polyester (for example, polytetramethylene glycol) portion as a soft segment component should be used. You can also. Examples of the multi-block copolymer include various grades depending on the kind, ratio, and molecular weight of the hard segment and the soft segment. Specific examples include Hytrel (manufactured by Toray DuPont Co., Ltd.), Perprene (manufactured by Toyobo Co., Ltd.), Primalloy (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), Nouvelan (manufactured by Teijin Limited), Espel 1612 and 1620 (and above). And Hitachi Chemical Co., Ltd.).

<<<<ポリオレフィン系エラストマー>>>>
ポリオレフィン系エラストマーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、エチレン、プロピレン、1−ブテン、1−ヘキセン、4−メチル−1−ペンテン等の炭素数2〜20のα−オレフィンの共重合体などが挙げられる。例えば、エチレン−プロピレン共重合体(EPR)、エチレン−プロピレン−ジエン共重合体(EPDM)等が挙げられる。また、ジシクロペンタジエン、1,4−ヘキサジエン、シクロオクタジエン、メチレンノルボルネン、エチリデンノルボルネン、ブタジエン、イソプレンなどの炭素数2〜20の非共役ジエンとα−オレフィンの共重合体などが挙げられる。また、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体にメタクリル酸を共重合したカルボキシ変性ニトリルゴムが挙げられる。具体的には、エチレン・α−オレフィンの共重合体ゴム、エチレン・α−オレフィン・非共役ジエン共重合体ゴム、プロピレン・α−オレフィンの共重合体ゴム、ブテン・α−オレフィンの共重合体ゴムなどが挙げられる。
市販品として、ミラストマー(三井化学(株)製)、サーモラン(三菱化学(株)製)EXACT(エクソンモービル製)、ENGAGE(ダウ・ケミカル日本(株)製)、エスポレックス(住友化学(株)製)、Sarlink(東洋紡(株)製)、ニューコン(日本ポリプロ(株)製)、EXCELINK(JSR(株)製)などが挙げられる。
<<<<< Polyolefin Elastomer >>>>
There is no restriction | limiting in particular as a polyolefin-type elastomer, According to the objective, it can select suitably. Examples thereof include copolymers of α-olefins having 2 to 20 carbon atoms such as ethylene, propylene, 1-butene, 1-hexene and 4-methyl-1-pentene. Examples thereof include an ethylene-propylene copolymer (EPR) and an ethylene-propylene-diene copolymer (EPDM). Moreover, the copolymer of a C2-C20 nonconjugated diene, such as dicyclopentadiene, 1,4-hexadiene, cyclooctadiene, methylene norbornene, ethylidene norbornene, butadiene and isoprene, and an α-olefin are exemplified. Moreover, the carboxy modified nitrile rubber which copolymerized methacrylic acid to the butadiene-acrylonitrile copolymer is mentioned. Specifically, ethylene / α-olefin copolymer rubber, ethylene / α-olefin / non-conjugated diene copolymer rubber, propylene / α-olefin copolymer rubber, butene / α-olefin copolymer Examples include rubber.
Commercially available products include Miralastomer (Mitsui Chemicals), Thermoran (Mitsubishi Chemical) EXACT (ExxonMobil), ENGAGE (Dow Chemical Japan), Espolex (Sumitomo Chemical) ), Sarlink (manufactured by Toyobo Co., Ltd.), Newcon (manufactured by Nippon Polypro Co., Ltd.), EXCELLINK (manufactured by JSR Corporation), and the like.

<<<<ポリウレタン系エラストマー>>>>
ポリウレタン系エラストマーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、低分子のグリコールおよびジイソシアネートからなるハードセグメントと、高分子(長鎖)ジオールおよびジイソシアネートからなるソフトセグメントとの構造単位を含むエラストマーなどが挙げられる。
高分子(長鎖)ジオールとしては、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレンオキサイド、ポリ(1,4−ブチレンアジペート)、ポリ(エチレン・1,4−ブチレンアジペート)、ポリカプロラクトン、ポリ(1,6−ヘキシレンカーボネート)、ポリ(1,6−ヘキシレン・ネオペンチレンアジペート)などが挙げられる。高分子(長鎖)ジオールの数平均分子量は、500〜10,000が好ましい。
低分子のグリコールとしては、エチレングリコール、プロピレングリコール、1,4−ブタンジオール、ビスフェノールA等の短鎖ジオールを用いることができる。短鎖ジオールの数平均分子量は、48〜500が好ましい。
ポリウレタン系エラストマーの市販品としては、PANDEX T−2185、T−2983N(以上、DIC(株)製)、ミラクトラン(日本ミラクトラン(株)製)、エラストラン(BASFジャパン(株)製)、レザミン(大日精化工業(株)製)、ペレセン(ダウ・ケミカル日本(株)製)、アイアンラバー(NOK(株)製)、モビロン(日清紡ケミカル(株)製)などが挙げられる。
<<<<< Polyurethane Elastomer >>>>
There is no restriction | limiting in particular as a polyurethane-type elastomer, According to the objective, it can select suitably. For example, an elastomer containing structural units of a hard segment composed of a low molecular weight glycol and diisocyanate and a soft segment composed of a polymer (long chain) diol and diisocyanate can be used.
Examples of the polymer (long chain) diol include polypropylene glycol, polytetramethylene oxide, poly (1,4-butylene adipate), poly (ethylene / 1,4-butylene adipate), polycaprolactone, and poly (1,6-hexene). Xylene carbonate), poly (1,6-hexylene neopentylene adipate) and the like. The number average molecular weight of the polymer (long chain) diol is preferably 500 to 10,000.
As the low molecular weight glycol, short chain diols such as ethylene glycol, propylene glycol, 1,4-butanediol, and bisphenol A can be used. The number average molecular weight of the short chain diol is preferably 48 to 500.
Examples of commercially available polyurethane-based elastomers include PANDEX T-2185, T-2983N (manufactured by DIC Corporation), milactolan (manufactured by Japan Miractoran Corporation), elastollan (manufactured by BASF Japan Ltd.), resamine ( Dainichi Seika Kogyo Co., Ltd.), Peresen (Dow Chemical Japan Co., Ltd.), Iron Rubber (NOK Co., Ltd.), Mobilon (Nisshinbo Chemical Co., Ltd.), and the like.

<<<<ポリアミド系エラストマー>>>>
ポリアミド系エラストマーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、ポリアミド6、11、12などのポリアミドをハードセグメントに用い、ポリオキシエチレン、ポリオキシプロピレン、ポリテトラメチレングリコールなどのポリエーテルおよびポリエステルのうちの少なくとも一方をソフトセグメントに用いたエラストマーなどが挙げられる。このエラストマーは、ポリエーテルブロックアミド型、ポリエーテルエステルブロックアミド型の2種に大別される。
市販品として、UBEポリアミドエラストマー、UBESTA XPA(宇部興産(株)製)、ダイアミド(ダイセルエボニック(株)製)、PEBAX(ARKEMA社製)、グリロンELX(エムスケミージャパン(株)製)、ノパミッド(三菱化学(株)製)、グリラックス(東洋紡製)、ポリエーテルエステルアミドPA−200、PA−201、TPAE−12、TPAE−32、ポリエステルアミドTPAE−617、TPAE−617C(以上、(株)T&K TOKA製)などが挙げられる。
<<<<< Polyamide elastomer >>>>
There is no restriction | limiting in particular as a polyamide-type elastomer, According to the objective, it can select suitably. For example, an elastomer using a polyamide such as polyamide 6, 11, or 12 as a hard segment and a polyether or polyester such as polyoxyethylene, polyoxypropylene, or polytetramethylene glycol as a soft segment. It is done. This elastomer is roughly classified into two types, a polyether block amide type and a polyether ester block amide type.
Commercially available products include UBE polyamide elastomer, UBESTA XPA (manufactured by Ube Industries), Daiamide (manufactured by Daicel Evonik), PEBAX (manufactured by ARKEMA), Grilon ELX (manufactured by Emschemy Japan Co., Ltd.), Nopamid ( (Mitsubishi Chemical Co., Ltd.), Relax (Toyobo), polyether ester amide PA-200, PA-201, TPAE-12, TPAE-32, polyesteramide TPAE-617, TPAE-617C (above, Inc.) T & K TOKA).

<<<<ポリアクリル系エラストマー>>>>
ポリアクリル系エラストマーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、エチルアクリレート、ブチルアクリレート、メトキシエチルアクリレート、エトキシエチルアクリレートなどのアクリル酸エステルをモノマー材料の主成分としたものや、アクリル酸エステルと、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテルなどを共重合した共重合体が挙げられる。さらに、アクリル酸エステルと、アクリロニトリルやエチレンなどの架橋点モノマーとを共重合してなるものなどが挙げられる。具体的には、アクリロニトリル−ブチルアクリレート共重合体、アクリロニトリル−ブチルアクリレート−エチルアクリレート共重合体、アクリロニトリル−ブチルアクリレート−グリシジルメタクリレート共重合体などが挙げられる。
<<<<< Polyacrylic elastomer >>>>
There is no restriction | limiting in particular as a polyacrylic-type elastomer, According to the objective, it can select suitably. For example, copolymers containing acrylic acid esters such as ethyl acrylate, butyl acrylate, methoxyethyl acrylate, ethoxyethyl acrylate, etc. as the main component of the monomer material, or copolymers of acrylic acid esters with glycidyl methacrylate, allyl glycidyl ether, etc. Is mentioned. Furthermore, the thing etc. which copolymerize acrylic acid ester and crosslinking point monomers, such as acrylonitrile and ethylene, etc. are mentioned. Specific examples include acrylonitrile-butyl acrylate copolymer, acrylonitrile-butyl acrylate-ethyl acrylate copolymer, and acrylonitrile-butyl acrylate-glycidyl methacrylate copolymer.

<<<<その他エラストマー>>>>
本発明では、エラストマーとして、ゴム変性したエポキシ樹脂(エポキシ系エラストマー)を用いることができる。エポキシ系エラストマーは、例えば、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、サリチルアルデヒド型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂あるいはクレゾールノボラック型エポキシ樹脂の一部または全部のエポキシ基を、両末端カルボン酸変性型ブタジエン−アクリロニトリルゴム、末端アミノ変性シリコーンゴム等で変性することによって得られる。
<<<<< Other elastomers >>>>
In the present invention, a rubber-modified epoxy resin (epoxy elastomer) can be used as the elastomer. Epoxy elastomers include, for example, bisphenol F-type epoxy resins, bisphenol A-type epoxy resins, salicylaldehyde-type epoxy resins, phenol novolac-type epoxy resins or cresol novolac-type epoxy resins with a part or all of the epoxy groups at both terminal carboxylic acids. It can be obtained by modification with modified butadiene-acrylonitrile rubber, terminal amino-modified silicone rubber or the like.

<<<他の高分子化合物>>>
本発明では、熱可塑性樹脂として、上述した熱可塑性樹脂以外の他の高分子化合物(他の高分子化合物ともいう)を用いることができる。他の高分子化合物は、1種または2種以上を併用することができる。
他の高分子化合物の具体例としては、例えば、炭化水素樹脂、ノボラック樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリアリレート樹脂、シロキサン共重合体などが挙げられる。なかでも、炭化水素樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂が好ましく、炭化水素樹脂がより好ましい。
また、本発明では、樹脂として後述するフッ素原子を含むものを用いることができるが、フッ素原子を含む樹脂(以下、フッ素樹脂ともいう)は、実質的に含まないことが好ましい。フッ素樹脂を実質的に含まないとは、フッ素樹脂の含有量が、樹脂の全質量に対し、例えば、0.1質量%以下のことをいい、0.05質量%以下が好ましく、全く含有しないことがより好ましい。
<<< other polymer compounds >>>
In the present invention, as the thermoplastic resin, other polymer compounds (also referred to as other polymer compounds) other than the above-described thermoplastic resins can be used. Other polymer compounds can be used alone or in combination of two or more.
Specific examples of other polymer compounds include, for example, hydrocarbon resins, novolac resins, phenol resins, unsaturated polyester resins, thermoplastic polyimide resins, polyvinyl chloride resins, polyvinyl acetate resins, polyacetal resins, polycarbonate resins, polyphenylenes. Examples include ether resins, polybutylene terephthalate resins, polyethylene terephthalate resins, polyphenylene sulfide resins, polysulfone resins, polyether sulfone resins, polyarylate resins, and siloxane copolymers. Among these, hydrocarbon resins, thermoplastic polyimide resins, and polycarbonate resins are preferable, and hydrocarbon resins are more preferable.
In the present invention, a resin containing a fluorine atom, which will be described later, can be used as the resin, but a resin containing a fluorine atom (hereinafter also referred to as a fluororesin) is preferably substantially not contained. “Substantially free of fluororesin” means that the content of fluororesin is, for example, 0.1% by mass or less, preferably 0.05% by mass or less, and not contained at all with respect to the total mass of the resin. It is more preferable.

本発明において、炭化水素樹脂として任意のものを使用できる。
炭化水素樹脂は、基本的には炭素原子と水素原子のみからなる樹脂を意味するが、基本となる骨格が炭化水素樹脂であれば、側鎖としてその他の原子を含んでいてもよい。すなわち、炭素原子と水素原子のみからなる炭化水素樹脂に、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂のように、主鎖に炭化水素基以外の官能基が直接結合する場合も本発明における炭化水素樹脂に包含されるものであり、この場合、主鎖に炭化水素基が直接結合されてなる繰り返し単位の含有量が、樹脂の全繰り返し単位に対して30モル%以上であることが好ましい。
上記条件に合致する炭化水素樹脂としては例えば、テルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂、変性テルペン樹脂、水添テルペン樹脂、水添テルペンフェノール樹脂、ロジン、ロジンエステル、水添ロジン、水添ロジンエステル、重合ロジン、重合ロジンエステル、変性ロジン、ロジン変性フェノール樹脂、アルキルフェノール樹脂、脂肪族石油樹脂、芳香族石油樹脂、水添石油樹脂、変性石油樹脂、脂環族石油樹脂、クマロン石油樹脂、インデン石油樹脂、ポリスチレン−ポリオレフィン共重合体、オレフィンポリマー(例えば、メチルペンテン共重合体)、およびシクロオレフィンポリマー(例えば、ノルボルネン系共重合体、ジシクロペンタジエン共重合体、テトラシクロドデセン共重合体)などが挙げられる。
In the present invention, any hydrocarbon resin can be used.
The hydrocarbon resin basically means a resin composed of only carbon atoms and hydrogen atoms, but if the basic skeleton is a hydrocarbon resin, it may contain other atoms as side chains. That is, when a functional group other than a hydrocarbon group is directly bonded to the main chain, such as an acrylic resin, a polyvinyl alcohol resin, a polyvinyl acetal resin, or a polyvinylpyrrolidone resin, to a hydrocarbon resin consisting of only carbon atoms and hydrogen atoms. It is included in the hydrocarbon resin in the invention, and in this case, the content of the repeating unit in which the hydrocarbon group is directly bonded to the main chain is 30 mol% or more based on the total repeating unit of the resin. Is preferred.
Examples of the hydrocarbon resin meeting the above conditions include terpene resin, terpene phenol resin, modified terpene resin, hydrogenated terpene resin, hydrogenated terpene phenol resin, rosin, rosin ester, hydrogenated rosin, hydrogenated rosin ester, and polymerized rosin. , Polymerized rosin ester, modified rosin, rosin modified phenolic resin, alkylphenol resin, aliphatic petroleum resin, aromatic petroleum resin, hydrogenated petroleum resin, modified petroleum resin, alicyclic petroleum resin, coumarone petroleum resin, indene petroleum resin, polystyrene -Polyolefin copolymers, olefin polymers (for example, methylpentene copolymers), and cycloolefin polymers (for example, norbornene copolymers, dicyclopentadiene copolymers, tetracyclododecene copolymers), etc. .

本発明におけるアクリル樹脂は、(メタ)アクリレートモノマーを重合して得られる樹脂である。
(メタ)アクリレートモノマーとしては、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、メチル(メタ)アクリレート、n−プロピル(メタ)アクリレート、イソプロピル(メタ)アクリレート、ペンチル(メタ)アクリレート、n−オクチル(メタ)アクリレート、イソオクチル(メタ)アクリレート、イソノニル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、ヘキシル(メタ)アクリレート、n−ノニル(メタ)アクリレート、イソアミル(メタ)アクリレート、n−デシル(メタ)アクリレート、イソデシル(メタ)アクリレート、ドデシル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、フェニルメタ(アクリレート)、ベンジルメタ(アクリレート)、および2−メチルブチル(メタ)アクリレートが例示される。
また、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、他のモノマーを共重合してもよい。他のモノマーを共重合する場合、他のモノマーの量は、全モノマーの10モル%以下が好ましい。
また、上記の他、三菱レイヨン(株)製、アクリペット MF 001、スリーエム ジャパン(株)製、LC−5320 F1035などが例示される。
The acrylic resin in the present invention is a resin obtained by polymerizing a (meth) acrylate monomer.
(Meth) acrylate monomers include 2-ethylhexyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, methyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, n- Octyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, isononyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, n-nonyl (meth) acrylate, isoamyl (meth) Acrylate, n-decyl (meth) acrylate, isodecyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, phenylmeta Acrylate), Benjirumeta (acrylate), and 2-methylbutyl (meth) acrylate.
Further, other monomers may be copolymerized without departing from the spirit of the present invention. When other monomers are copolymerized, the amount of the other monomers is preferably 10 mol% or less of the total monomers.
In addition to the above, Mitsubishi Rayon Co., Ltd., Acripet MF 001, 3M Japan Co., Ltd., LC-5320 F1035 and the like are exemplified.

本発明では、また、オルガノポリシロキサンを側鎖に有するアクリル樹脂も好ましい。オルガノポリシロキサンを側鎖に有するアクリル樹脂としては、下記式(3)で表されるアクリル樹脂が挙げられる。
式(3)
上記式(3)中、Rは複数ある場合は同じでも異なっていてもよく、−CH、−C、−CH(CHまたは−CH(CHを示す。Rは複数ある場合は同じでも異なっていてもよく、−H、−CH、−C、−CH(CHまたは−CH(CHを示す。Rは複数ある場合は同じでも異なっていてもよく、−Hまたは−CHを示す。Rは複数ある場合は同じでも異なっていてもよく、−H、−CH、−C、−CH(CH、−CH(CH、またはエポキシ基、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、アルコキシ基、ビニル基、シラノール基およびイソシアネート基からなる群より選ばれた少なくとも1種の官能基で置換された炭素数1〜6のアルキル基を示す。 aは50〜150であり、bは50〜150であり、cは80〜600である。また、mは1〜10である。
オルガノポリシロキサンを側鎖に有するアクリル樹脂の具体例としては、信越化学工業(株)製、シリコーングラフトアクリル樹脂、商品名:X−24−798A、X−22−8004(R:COH、官能基当量:3250(g/mol))、X−22−8009(R:Si(OCH含有アルキル基、官能基当量:6200(g/mol))、X−22−8053(R:H、官能基当量:900(g/mol))、X−22−8084、X−22−8084EM、X−22−8195(R:H、官能基当量:2700(g/mol))、東亞合成(株)製サイマックシリーズ(US−270、US−350、US−352、US−380、US−413、US−450等)、レゼタGS−1000シリーズ(GS−1015、GS−1302等)等が挙げられる。
In the present invention, an acrylic resin having an organopolysiloxane in the side chain is also preferable. Examples of the acrylic resin having an organopolysiloxane in the side chain include acrylic resins represented by the following formula (3).
Formula (3)
In the formula (3), when there are a plurality of R 1 s , they may be the same or different, and —CH 3 , —C 2 H 5 , —CH 3 (CH 2 ) 2 or —CH 3 (CH 2 ) 3 is substituted. Show. When there are a plurality of R 2 s , they may be the same or different and each represents —H, —CH 3 , —C 2 H 5 , —CH 3 (CH 2 ) 2 or —CH 3 (CH 2 ) 3 . When there are a plurality of R 3 s , they may be the same or different and represent —H or —CH 3 . When there are a plurality of R 4 s , they may be the same or different, and —H, —CH 3 , —C 2 H 5 , —CH 3 (CH 2 ) 2 , —CH 3 (CH 2 ) 3 , or an epoxy group, An alkyl group having 1 to 6 carbon atoms substituted with at least one functional group selected from the group consisting of a hydroxyl group, a carboxyl group, an amino group, an alkoxy group, a vinyl group, a silanol group and an isocyanate group is shown. a is 50 to 150, b is 50 to 150, and c is 80 to 600. Moreover, m is 1-10.
Specific examples of the acrylic resin having an organopolysiloxane in the side chain include silicone graft acrylic resins manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., trade names: X-24-798A, X-22-8004 (R 4 : C 2 H 4 OH, the functional group equivalent: 3250 (g / mol)) , X-22-8009 (R 4: Si (OCH 3) 3 containing an alkyl group, the functional group equivalent: 6200 (g / mol)) , X-22- 8053 (R 4 : H, functional group equivalent: 900 (g / mol)), X-22-8084, X-22-8084EM, X-22-8195 (R 4 : H, functional group equivalent: 2700 (g / mol)), Toagosei Co., Ltd. Cymac series (US-270, US-350, US-352, US-380, US-413, US-450, etc.), Reseta GS-1000 series ( S-1015, GS-1302, etc.) and the like.

シクロオレフィンポリマーとしては、ノルボルネン系重合体、単環の環状オレフィンの重合体、環状共役ジエンの重合体、ビニル脂環式炭化水素重合体、およびこれら重合体の水素化物などが挙げられる。シクロオレフィンポリマーの好ましい例としては、下記式(II)で表される繰り返し単位を少なくとも1種以上含む付加(共)重合体、および、式(I)で表される繰り返し単位の少なくとも1種以上をさらに含んでなる付加(共)重合体が挙げられる。また、シクロオレフィンポリマーの他の好ましい例としては、式(III)で表される環状繰り返し単位を少なくとも1種含む開環(共)重合体が挙げられる。   Examples of cycloolefin polymers include norbornene polymers, monocyclic olefin polymers, cyclic conjugated diene polymers, vinyl alicyclic hydrocarbon polymers, and hydrides of these polymers. Preferred examples of the cycloolefin polymer include addition (co) polymers containing at least one repeating unit represented by the following formula (II), and at least one repeating unit represented by the formula (I) And addition (co) polymers further comprising Another preferred example of the cycloolefin polymer is a ring-opening (co) polymer containing at least one cyclic repeating unit represented by the formula (III).

式中、mは0〜4の整数を表す。R〜Rは、それぞれ、水素原子または炭素数1〜10の炭化水素基を表し、X〜X、および、Y〜Yは、それぞれ、水素原子、炭素数1〜10の炭化水素基、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換された炭素数1〜10の炭化水素基、−(CHCOOR11、−(CHOCOR12、−(CHNCO、−(CHNO、−(CHCN、−(CHCONR1314、−(CHNR1516、−(CHOZ、−(CHW、または、XとY、XとY、若しくはXとYから構成された(−CO)O、(−CO)NR17を表す。R11、R12、R13、R14、R15、R16およびR17は、それぞれ、水素原子、または、炭化水素基(好ましくは炭素数1〜20の炭化水素基)、Zは、炭化水素基、または、ハロゲンで置換された炭化水素基を表し、Wは、SiR18 3−p(R18は炭素数1〜10の炭化水素基を表し、Dはハロゲン原子を表し、−OCOR18または−OR18を表し、pは0〜3の整数を示す)を表す。nは0〜10の整数を表す。 In formula, m represents the integer of 0-4. R 1 to R 6 each represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, and X 1 to X 3 and Y 1 to Y 3 are respectively a hydrogen atom and 1 to 10 carbon atoms. hydrocarbon group, a halogen atom, a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms substituted with a halogen atom, - (CH 2) n COOR 11, - (CH 2) n OCOR 12, - (CH 2) n NCO, - (CH 2) n NO 2, - (CH 2) n CN, - (CH 2) n CONR 13 R 14, - (CH 2) n NR 15 R 16, - (CH 2) n OZ, - (CH 2 ) N W, or (—CO) 2 O, (—CO) 2 NR 17 composed of X 1 and Y 1 , X 2 and Y 2 , or X 3 and Y 3 . R 11 , R 12 , R 13 , R 14 , R 15 , R 16 and R 17 are each a hydrogen atom or a hydrocarbon group (preferably a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms), Z is a carbon Represents a hydrogen group or a hydrocarbon group substituted with halogen, W represents SiR 18 p D 3-p (R 18 represents a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, D represents a halogen atom, Represents OCOR 18 or —OR 18 , and p represents an integer of 0 to 3. n represents an integer of 0 to 10.

ノルボルネン系重合体は、特開平10−7732号公報、特表2002−504184号公報、US2004/229157A1号公報あるいはWO2004/070463A1号公報等に開示されている。ノルボルネン系重合体は、ノルボルネン系多環状不飽和化合物同士を付加重合することによって得ることができる。また、必要に応じ、ノルボルネン系多環状不飽和化合物と、エチレン、プロピレン、ブテン;ブタジエン、イソプレンのような共役ジエン;エチリデンノルボルネンのような非共役ジエンとを付加重合することもできる。ノルボルネン系重合体は、三井化学(株)よりアペルの商品名で発売されており、ガラス転移温度(Tg)の異なる例えばAPL8008T(Tg70℃)、APL6013T(Tg125℃)あるいはAPL6015T(Tg145℃)などのグレードがある。ポリプラスチック(株)よりTOPAS8007、同5013、同6013、同6015などのペレットが発売されている。さらに、Ferrania社よりAppear3000が発売されている。   The norbornene-based polymer is disclosed in JP-A-10-7732, JP-T 2002-504184, US2004 / 229157A1, WO2004 / 070463A1, and the like. The norbornene-based polymer can be obtained by addition polymerization of norbornene-based polycyclic unsaturated compounds. If necessary, a norbornene-based polycyclic unsaturated compound and ethylene, propylene, butene; conjugated dienes such as butadiene and isoprene; non-conjugated dienes such as ethylidene norbornene can also be subjected to addition polymerization. The norbornene-based polymer is marketed by Mitsui Chemicals, Inc. under the name of Apel, such as APL8008T (Tg 70 ° C.), APL 6013T (Tg 125 ° C.) or APL 6015T (Tg 145 ° C.) having a different glass transition temperature (Tg). There is a grade. Pellets such as TOPAS 8007, 5013, 6013, 6015, etc. are available from Polyplastics. Further, Appear 3000 is sold by Ferrania.

ノルボルネン系重合体の水素化物は、特開平1−240517号公報、特開平7−196736号公報、特開昭60−26024号公報、特開昭62−19801号公報、特開2003−1159767号公報あるいは特開2004−309979号公報等に開示されているように、多環状不飽和化合物を付加重合あるいはメタセシス開環重合した後、水素添加することにより製造できる。
式(III)中、RおよびRは、水素原子またはメチル基であることが好ましく、XおよびYは水素原子であることがより好ましく、その他の基は適宜選択される。ノルボルネン系重合体は、JSR(株)からアートン(Arton)GあるいはアートンFという商品名で発売されており、また日本ゼオン(株)からゼオノア(Zeonor)ZF14、ZF16、ゼオネックス(ZEONEX)250、同280、同480Rという商品名で市販されており、これらを使用することができる。
The hydrides of norbornene polymers are disclosed in JP-A-1-240517, JP-A-7-196736, JP-A-60-26024, JP-A-62-19801, and JP-A-2003-1159767. Alternatively, as disclosed in JP-A-2004-309979, etc., it can be produced by subjecting a polycyclic unsaturated compound to addition polymerization or metathesis ring-opening polymerization and then hydrogenation.
In the formula (III), R 5 and R 6 are preferably hydrogen atoms or methyl groups, X 3 and Y 3 are more preferably hydrogen atoms, and other groups are appropriately selected. The norbornene-based polymer is marketed under the trade name of Arton G or Arton F by JSR Corporation, and from Zeon Corporation Zeonor ZF14, ZF16, ZEONEX 250, and the like. These are commercially available under the trade names 280 and 480R, and these can be used.

シロキサン重合体としては、下記式(1)で示される繰り返し単位を有するシロキサン重合体が好ましい。   As the siloxane polymer, a siloxane polymer having a repeating unit represented by the following formula (1) is preferable.

式(1)中、R〜Rは同一でも異なっていてもよい炭素数1〜8のアルキル基等の1価炭化水素基を示す。mは1〜100の整数であり、Bは正の整数、Aは0または正の整数である。Xは下記式(2)で示される2価の有機基である。
式(2)中、Zは、以下のいずれかの構造単位から選ばれる2価の有機基であり、nは0または1である。R、Rは、それぞれ独立に、炭素数1〜4のアルキル基または炭素数2〜4のアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。kは、それぞれ独立に、0、1、2のいずれかである。
In formula (1), R < 1 > -R < 4 > shows monovalent hydrocarbon groups, such as a C1-C8 alkyl group which may be same or different. m is an integer of 1 to 100, B is a positive integer, and A is 0 or a positive integer. X is a divalent organic group represented by the following formula (2).
In formula (2), Z is a divalent organic group selected from any of the following structural units, and n is 0 or 1. R 5 and R 6 are each independently an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or an alkoxy group having 2 to 4 carbon atoms, and may be the same or different from each other. k is independently 0, 1, or 2, respectively.

式(1)において、R〜Rの具体例としては、メチル基、エチル基、フェニル基等が挙げられ、mは、好ましくは3〜60、より好ましくは8〜40の整数である。また、B/Aは0〜20、特に0.5〜5である。 In the formula (1), specific examples of R 1 to R 4 include a methyl group, an ethyl group, a phenyl group, and the like, and m is preferably an integer of 3 to 60, more preferably 8 to 40. Moreover, B / A is 0-20, especially 0.5-5.

上記シロキサン重合体の詳細については、特開2013−243350号公報の段落番号0038〜0044の記載を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。   Details of the siloxane polymer can be referred to the descriptions in paragraph numbers 0038 to 0044 of JP2013-243350A, the contents of which are incorporated herein.

また、シロキサン重合体として、熱可塑性シロキサン重合体を用いることができる。
熱可塑性シロキサン重合体は、R212223SiO1/2単位(R21、R22、R23はそれぞれ、非置換または置換の炭素数1〜10の1価炭化水素基または水酸基である。)およびSiO4/2単位を含有し、上記R212223SiO1/2単位/SiO4/2単位のモル比が0.6〜1.7であるオルガノポリシロキサンと、下記式(4)で表わされるオルガノポリシロキサンとが、部分的に脱水縮合したものであって、上記脱水縮合させるオルガノポリシロキサンと上記オルガノポリシロキサンとの比率が、99:1〜50:50であり、重量平均分子量が200,000〜1,500,000であることが好ましい。
式(4)
(式(4)中、R11およびR12はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数1〜10の1価の炭化水素基を示し、nは5000〜10000である。)
A thermoplastic siloxane polymer can be used as the siloxane polymer.
The thermoplastic siloxane polymer is an R 21 R 22 R 23 SiO 1/2 unit (R 21 , R 22 and R 23 are each an unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or a hydroxyl group. And an organopolysiloxane containing a SiO 4/2 unit, wherein the R 21 R 22 R 23 SiO 1/2 unit / SiO 4/2 unit molar ratio is 0.6 to 1.7, and The organopolysiloxane represented by (4) is partially dehydrated and condensed, and the ratio of the organopolysiloxane to be dehydrated and condensed to the organopolysiloxane is 99: 1 to 50:50, The weight average molecular weight is preferably 200,000 to 1,500,000.
Formula (4)
(In formula (4), R 11 and R 12 each independently represent a monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms which may have a substituent, and n is 5000 to 10,000.)

上記式(4)において、R11およびR12は、具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、シクロペンチル基、n−ヘキシル基等のアルキル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、トリル基等のアリール基などの炭化水素基、これら炭化水素基の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基が好ましく、より好ましくはメチル基およびフェニル基である。 In the above formula (4), R 11 and R 12 are specifically methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, and cyclopentyl group. , Hydrocarbon groups such as alkyl groups such as n-hexyl groups, cycloalkyl groups such as cyclohexyl groups, aryl groups such as phenyl groups and tolyl groups, and some or all of the hydrogen atoms of these hydrocarbon groups are substituted with halogen atoms Group, more preferably a methyl group and a phenyl group.

熱可塑性オルガノポリシロキサンの重量平均分子量は、好ましくは200,000以上、より好ましくは350,000以上、かつ、好ましくは1,500,000以下、さらに好ましくは1,000,000以下である。また、分子量が740以下の低分子量成分含有量が好ましくは0.5質量%以下、より好ましくは0.1質量%以下である。
市販品としては、SILRES 604(旭化成ワッカーシリコーン社製)が例示される。
The weight average molecular weight of the thermoplastic organopolysiloxane is preferably 200,000 or more, more preferably 350,000 or more, and preferably 1,500,000 or less, more preferably 1,000,000 or less. Further, the content of low molecular weight components having a molecular weight of 740 or less is preferably 0.5% by mass or less, more preferably 0.1% by mass or less.
As a commercial item, SILRES 604 (Asahi Kasei Wacker silicone company make) is illustrated.

熱可塑性ポリイミド樹脂は、テトラカルボン酸二無水物とジアミンを公知の方法で縮合反応させて得られるものを用いることができる。
公知の方法としては、例えば、有機溶剤中で、テトラカルボン酸二無水物とジアミンを略等モル混合し、反応温度80℃以下で反応させて得られたポリアミック酸を脱水閉環させる方法などが挙げられる。ここで、略等モルとは、テトラカルボン酸二無水物とジアミンのモル比が1:1近傍であることを言う。なお、必要に応じて、テトラカルボン酸二無水物とジアミンの組成比が、テトラカルボン酸二無水物の合計1.0モルに対して、ジアミンの合計が0.5〜2.0モルとなるように調整してもよい。テトラカルボン酸二無水物とジアミンの組成比を上記の範囲内で調整することによって、熱可塑性ポリイミド樹脂の重量平均分子量を調整することができる。
As the thermoplastic polyimide resin, one obtained by subjecting tetracarboxylic dianhydride and diamine to a condensation reaction by a known method can be used.
Known methods include, for example, a method of dehydrating and ring-closing polyamic acid obtained by mixing tetracarboxylic dianhydride and diamine in an organic solvent in an approximately equimolar amount and reacting at a reaction temperature of 80 ° C. or lower. It is done. Here, “substantially equimolar” means that the molar ratio of tetracarboxylic dianhydride to diamine is close to 1: 1. If necessary, the composition ratio of tetracarboxylic dianhydride and diamine is 0.5 to 2.0 mol of diamine with respect to 1.0 mol of tetracarboxylic dianhydride. You may adjust as follows. By adjusting the composition ratio of tetracarboxylic dianhydride and diamine within the above range, the weight average molecular weight of the thermoplastic polyimide resin can be adjusted.

テトラカルボン酸二無水物としては、特に限定されるものではないが、例えば、ピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、1,1−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,1−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、ベンゼン−1,2,3,4−テトラカルボン酸二無水物、3,4,3’,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,2’,3’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,4,5−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,6−ジクロロナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、2,7−ジクロロナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−テトラクロロナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、フェナントレン−1,8,9,10−テトラカルボン酸二無水物、ピラジン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、チオフェン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,4,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,2’,3’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ジメチルシラン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)メチルフェニルシラン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ジフェニルシラン二無水物、1,4−ビス(3,4−ジカルボキシフェニルジメチルシリル)ベンゼン二無水物、1,3−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)−1,1,3,3−テトラメチルジシクロヘキサン二無水物、p−フェニレンビス(トリメリテート無水物)、エチレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−ブタンテトラカルボン酸二無水物、デカヒドロナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、4,8−ジメチル−1,2,3,5,6,7−ヘキサヒドロナフタレン−1,2,5,6−テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン−1,2,3,4−テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン−2,3,4,5−テトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、ビス(オキサビシクロ〔2,2,1〕ヘプタン−2,3−ジカルボン酸二無水物、ビシクロ−〔2,2,2〕−オクト−7−エン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、2,2’−ビス〔4−(3,4−ジカルボキシフェニル)フェニル〕プロパン二無水物、2,2’−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物、2,2’−ビス〔4−(3,4−ジカルボキシフェニル)フェニル〕ヘキサフルオロプロパン二無水物、4,4’−ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ジフェニルスルフィド二無水物、1,4−ビス(2−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル)ベンゼンビス(トリメリット酸無水物)、1,3−ビス(2−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル)ベンゼンビス(トリメリット酸無水物)、5−(2,5−ジオキソテトラヒドロフリル)−3−メチル−3−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸二無水物、テトラヒドロフラン−2,3,4,5−テトラカルボン酸二無水物、4,4’,−オキシジフタル酸二無水物、1,2−(エチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,3−(トリメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,4−(テトラメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,5−(ペンタメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,6−(ヘキサメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,7−(ヘプタメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,8−(オクタメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,9−(ノナメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,10−(デカメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,12−(ドデカメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,16−(ヘキサデカメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,18−(オクタデカメチレン)ビス(トリメリテート無水物)等を挙げることができ、これらを1種単独でまたは2種以上を組合せて用いることができる。これらの中でも、3,4,3’,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,2’,3’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物が好ましく、3,4,3’,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物がより好ましい。   The tetracarboxylic dianhydride is not particularly limited, and examples thereof include pyromellitic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2 ′, 3,3′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 2,2-bis (2,3-dicarboxyphenyl) propane dianhydride 1,1-bis (2,3-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, 1,1-bis (3,4-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, bis (2,3-dicarboxyphenyl) methane Dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride, Screw 3,4-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, benzene-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, 3,4,3 ′, 4′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 2, 3,2 ′, 3′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 2,3,3 ′, 4′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 1,2,5,6-naphthalene tetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,4,5-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2, 6-dichloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, 2,7-dichloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7- Tetrachloronaphthalene -1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene-1,8,9,10-tetracarboxylic dianhydride, pyrazine-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, Thiophene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, 2,3,3 ′, 4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,4,3 ′, 4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride Anhydride, 2,3,2 ′, 3′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) dimethylsilane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) methylphenylsilane Dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) diphenylsilane dianhydride, 1,4-bis (3,4-dicarboxyphenyldimethylsilyl) benzene dianhydride, 1,3-bis (3,4 - Carboxyphenyl) -1,1,3,3-tetramethyldicyclohexane dianhydride, p-phenylenebis (trimellitic anhydride), ethylenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-butanetetracarboxylic acid Dianhydride, decahydronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, 4,8-dimethyl-1,2,3,5,6,7-hexahydronaphthalene-1,2,5 , 6-tetracarboxylic dianhydride, cyclopentane-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, pyrrolidine-2,3,4,5-tetracarboxylic dianhydride, 1,2,3 , 4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, bis (oxabicyclo [2,2,1] heptane-2,3-dicarboxylic dianhydride, bicyclo- [2,2,2] -oct-7-ene- 2, 3, , 6-tetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 2,2'-bis [4- (3,4-dicarboxyphenyl) phenyl] propane Dianhydride, 2,2′-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride, 2,2′-bis [4- (3,4-dicarboxyphenyl) phenyl] hexafluoropropane Anhydride, 4,4′-bis (3,4-dicarboxyphenoxy) diphenyl sulfide dianhydride, 1,4-bis (2-hydroxyhexafluoroisopropyl) benzenebis (trimellitic anhydride), 1,3 -Bis (2-hydroxyhexafluoroisopropyl) benzenebis (trimellitic anhydride), 5- (2,5-dioxotetrahydrofuryl) -3-methyl -3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic dianhydride, tetrahydrofuran-2,3,4,5-tetracarboxylic dianhydride, 4,4 ',-oxydiphthalic dianhydride, 1,2- (ethylene ) Bis (trimellitic anhydride), 1,3- (trimethylene) bis (trimellitic anhydride), 1,4- (tetramethylene) bis (trimellitic anhydride), 1,5- (pentamethylene) bis (trimellitic anhydride) ), 1,6- (hexamethylene) bis (trimellitic anhydride), 1,7- (heptamethylene) bis (trimellitic anhydride), 1,8- (octamethylene) bis (trimellitic anhydride), 1,9 -(Nonamethylene) bis (trimellitate anhydride), 1,10- (decamethylene) bis (trimellitate anhydride), 1,12- (dodecame) Tylene) bis (trimellitate anhydride), 1,16- (hexadecamethylene) bis (trimellitate anhydride), 1,18- (octadecamethylene) bis (trimellitate anhydride) and the like. One species can be used alone, or two or more species can be used in combination. Among these, 3,4,3 ′, 4′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 2,3,2 ′, 3′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 2,3,3 ′, 4′- Benzophenone tetracarboxylic dianhydride is preferred, and 3,4,3 ′, 4′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride is more preferred.

ジアミンとしては特に制限はなく、例えば、o−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、3,3’−ジアミノジフェニルエーテル、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ジアミノジフェニルメタン、3,4’−ジアミノジフェニルメタン、ビス(4−アミノ−3,5−ジメチルフェニル)メタン、ビス(4−アミノ−3,5−ジイソプロピルフェニル)メタン、3,3’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、3,4’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、4,4’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン、3,4’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,3’−ジアミノジフェニルスルフィド、3,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’−ジアミノジフェニルケトン、3,4’−ジアミノジフェニルケトン、4,4’−ジアミノジフェニルケトン、3−(4−アミノフェニル)−1,1,3−トリメチル−5−アミノインダン、2,2−ビス(3−アミノフェニル)プロパン、2,2’−(3,4’−ジアミノジフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−(3,4’−ジアミノジフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、3,3’−(1,4−フェニレンビス(1−メチルエチリデン))ビスアニリン、3,4’−(1,4−フェニレンビス(1−メチルエチリデン))ビスアニリン、4,4’−(1,4−フェニレンビス(1−メチルエチリデン))ビスアニリン、2,2−ビス(4−(3−アミノフェノキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−(3−アミノフェノキシ)フェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(4−(3−アミノエトキシ)フェニル)スルフィド、ビス(4−(4−アミノエトキシ)フェニル)スルフィド、ビス(4−(3−アミノエトキシ)フェニル)スルホン、ビス(4−(4−アミノエトキシ)フェニル)スルホン、3,3’−ジヒドロキシ−4,4’−ジアミノビフェニル、3,5−ジアミノ安息香酸等の芳香族ジアミン、1,3−ビス(アミノメチル)シクロヘキサン、2,2−ビス(4−アミノフェノキシフェニル)プロパン、ポリオキシプロピレンジアミン、4,9−ジオキサドデカン−1,12−ジアミン、4,9,14−トリオキサへプタデカン−1,17−ジアミン、1,2−ジアミノエタン、1,3−ジアミノプロパン、1,4−ジアミノブタン、1,5−ジアミノペンタン、1,6−ジアミノヘキサン、1,7−ジアミノヘプタン、1,8−ジアミノオクタン、1,9−ジアミノノナン、1,10−ジアミノデカン、1,11−ジアミノウンデカン、1,12−ジアミノドデカン、1,2−ジアミノシクロヘキサン、1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン等を挙げることができる。
これらのジアミンの中でも、3−(4−アミノフェニル)−1,1,3−トリメチル−5−アミノインダン、1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン、ポリオキシプロピレンジアミン、2,2−ビス(4−アミノフェノキシフェニル)プロパン、4,9−ジオキサドデカン−1,12−ジアミン、1,6−ジアミノヘキサン、および、4,9,14−トリオキサへプタデカン−1,17−ジアミンからなる群から選択される1種以上が好ましく、3−(4−アミノフェニル)−1,1,3−トリメチル−5−アミノインダンがより好ましい。
There is no restriction | limiting in particular as diamine, For example, o-phenylenediamine, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 3,3'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3 , 3′-diaminodiphenylmethane, 3,4′-diaminodiphenylmethane, bis (4-amino-3,5-dimethylphenyl) methane, bis (4-amino-3,5-diisopropylphenyl) methane, 3,3′- Diaminodiphenyldifluoromethane, 3,4'-diaminodiphenyldifluoromethane, 4,4'-diaminodiphenyldifluoromethane, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, 3,4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenyl Sulfone, 3,3'-diaminodiph Nyl sulfide, 3,4'-diaminodiphenyl sulfide, 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3'-diaminodiphenyl ketone, 3,4'-diaminodiphenyl ketone, 4,4'-diaminodiphenyl ketone, 3- (4-aminophenyl) -1,1,3-trimethyl-5-aminoindane, 2,2-bis (3-aminophenyl) propane, 2,2 ′-(3,4′-diaminodiphenyl) propane, 2 , 2-bis (4-aminophenyl) propane, 2,2-bis (3-aminophenyl) hexafluoropropane, 2,2- (3,4'-diaminodiphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis ( 4-aminophenyl) hexafluoropropane, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (3-aminophenoxy) ) Benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 3,3 ′-(1,4-phenylenebis (1-methylethylidene)) bisaniline, 3,4 ′-(1,4-phenylenebis ( 1-methylethylidene)) bisaniline, 4,4 ′-(1,4-phenylenebis (1-methylethylidene)) bisaniline, 2,2-bis (4- (3-aminophenoxy) phenyl) propane, 2,2 -Bis (4- (3-aminophenoxy) phenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) hexafluoropropane, bis (4- (3-aminoethoxy) phenyl) sulfide Bis (4- (4-aminoethoxy) phenyl) sulfide, bis (4- (3-aminoethoxy) phenyl) sulfone, bis (4- (4- Minoethoxy) phenyl) sulfone, 3,3′-dihydroxy-4,4′-diaminobiphenyl, aromatic diamines such as 3,5-diaminobenzoic acid, 1,3-bis (aminomethyl) cyclohexane, 2,2-bis (4-aminophenoxyphenyl) propane, polyoxypropylenediamine, 4,9-dioxadodecane-1,12-diamine, 4,9,14-trioxaheptadecane-1,17-diamine, 1,2-diaminoethane 1,3-diaminopropane, 1,4-diaminobutane, 1,5-diaminopentane, 1,6-diaminohexane, 1,7-diaminoheptane, 1,8-diaminooctane, 1,9-diaminononane, , 10-diaminodecane, 1,11-diaminoundecane, 1,12-diaminododecane, 1,2-diaminosi Examples include chlorohexane and 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane.
Among these diamines, 3- (4-aminophenyl) -1,1,3-trimethyl-5-aminoindane, 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane, polyoxypropylene diamine, 2 , 2-bis (4-aminophenoxyphenyl) propane, 4,9-dioxadodecane-1,12-diamine, 1,6-diaminohexane, and 4,9,14-trioxaheptadecane-1,17- One or more selected from the group consisting of diamines are preferred, and 3- (4-aminophenyl) -1,1,3-trimethyl-5-aminoindane is more preferred.

上記テトラカルボン酸二無水物とジアミンとの反応に用いられる溶剤としては、例えば、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミドが挙げられる。原材料等の溶解性を調整するために、非極性溶剤(例えば、トルエンや、キシレン)を併用してもよい。
上記テトラカルボン酸二無水物とジアミンとの反応温度は、好ましくは100℃未満、さらに好ましくは90℃未満である。また、ポリアミック酸のイミド化は、代表的には不活性雰囲気(代表的には、真空または窒素雰囲気)下で加熱処理することにより行われる。加熱処理温度は、好ましくは150℃以上、さらに好ましくは180〜450℃である。
Examples of the solvent used in the reaction of the tetracarboxylic dianhydride and diamine include N, N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, and N, N-dimethylformamide. In order to adjust the solubility of raw materials and the like, a nonpolar solvent (for example, toluene or xylene) may be used in combination.
The reaction temperature between the tetracarboxylic dianhydride and the diamine is preferably less than 100 ° C, more preferably less than 90 ° C. The imidation of polyamic acid is typically performed by heat treatment under an inert atmosphere (typically vacuum or nitrogen atmosphere). The heat treatment temperature is preferably 150 ° C. or higher, more preferably 180 to 450 ° C.

熱可塑性ポリイミド樹脂の重量平均分子量(Mw)は、10,000〜1000,000が好ましく、20,000〜100,000がより好ましい。   The weight average molecular weight (Mw) of the thermoplastic polyimide resin is preferably 10,000 to 1,000,000, and more preferably 20,000 to 100,000.

本発明において、熱可塑性ポリイミド樹脂は、γ−ブチロラクトン、シクロペンタノン、N−メチルピロリドン、N−エチル−2−ピロリドン、シクロヘキサノン、グリコールエーテル、ジメチルスルホキシドおよびテトラメチルウレアから選ばれる少なくとも1種の溶剤に対する25℃での溶解度が10質量%以上の熱可塑性ポリイミド樹脂が好ましい。
このような溶解度を有する熱可塑性ポリイミド樹脂としては、例えば、3,4,3’,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物と、3−(4−アミノフェニル)−1,1,3−トリメチル−5−アミノインダンとを反応させて得られる熱可塑性ポリイミド樹脂などが挙げられる。この熱可塑性ポリイミド樹脂は、耐熱性が特に優れる。
In the present invention, the thermoplastic polyimide resin is at least one solvent selected from γ-butyrolactone, cyclopentanone, N-methylpyrrolidone, N-ethyl-2-pyrrolidone, cyclohexanone, glycol ether, dimethyl sulfoxide and tetramethylurea. A thermoplastic polyimide resin having a solubility at 25 ° C. of 10% by mass or more is preferable.
Examples of the thermoplastic polyimide resin having such solubility include 3,4,3 ′, 4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride and 3- (4-aminophenyl) -1,1,3-trimethyl. Examples thereof include thermoplastic polyimide resins obtained by reacting with -5-aminoindane. This thermoplastic polyimide resin is particularly excellent in heat resistance.

熱可塑性ポリイミド樹脂は、市販品を用いてもよい。例えば、Durimide(登録商標) 200、208A、284(以上、富士フイルム(株)製)、GPT−LT(群栄化学工業(株)製)、SOXR−S、SOXR−M、SOXR−U、SOXR−C(以上、ニッポン高度紙工業(株)製)、EXTEM VH1003、VH1003F、VH1003M、XH1015(以上、SABICジャパン合同会社製)などが挙げられる。   A commercially available product may be used as the thermoplastic polyimide resin. For example, Durimide (registered trademark) 200, 208A, 284 (manufactured by FUJIFILM Corporation), GPT-LT (manufactured by Gunei Chemical Industry Co., Ltd.), SOXR-S, SOXR-M, SOXR-U, SOXR -C (Nippon Advanced Paper Industries Co., Ltd.), EXTEM VH1003, VH1003F, VH1003M, XH1015 (above, SABIC Japan GK) are included.

本発明において、ポリカーボネート樹脂は、式(11)で表される繰り返し単位を有することが好ましい。   In the present invention, the polycarbonate resin preferably has a repeating unit represented by the formula (11).

式(11)
式(11)中、ArおよびArは、それぞれ独立に芳香族基を表し、Lは、単結合または2価の連結基を表す。
Formula (11)
In Formula (11), Ar 1 and Ar 2 each independently represent an aromatic group, and L represents a single bond or a divalent linking group.

式(11)におけるArおよびArは、それぞれ独立に芳香族基を表す。芳香族基としては、ベンゼン環、ナフタレン環、ペンタレン環、インデン環、アズレン環、ヘプタレン環、インダセン環、ペリレン環、ペンタセン環、アセナフテン環、フェナントレン環、アントラセン環、ナフタセン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオレン環、ビフェニル環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、インドリジン環、インドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、イソベンゾフラン環、キノリジン環、キノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キノキサゾリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、フェナントリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、チアントレン環、クロメン環、キサンテン環、フェノキサチイン環、フェノチアジン環、および、フェナジン環が挙げられる。なかでも、ベンゼン環が好ましい。
これらの芳香族基は、置換基を有していてもよいが、有していない方が好ましい。
芳香族基が有していてもよい置換基の例としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基などが挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
アルキル基としては、炭素数1〜30のアルキル基が挙げられる。アルキル基の炭素数は、1〜20がより好ましく、1〜10がさらに好ましい。アルキル基は、直鎖、分岐のいずれであってもよい。また、アルキル基の水素原子の一部または全部は、ハロゲン原子で置換されていてもよい。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
アルコキシ基としては、炭素数1〜30のアルコキシ基が好ましい。アルコキシ基の炭素数は、1〜20がより好ましく、1〜10がさらに好ましい。アルコキシ基は、直鎖、分岐、環状のいずれでもよい。
アリール基としては、炭素数6〜30のアリール基が好ましく、炭素数6〜20のアリール基がより好ましい。
Ar 1 and Ar 2 in formula (11) each independently represent an aromatic group. Aromatic groups include benzene ring, naphthalene ring, pentalene ring, indene ring, azulene ring, heptalene ring, indacene ring, perylene ring, pentacene ring, acenaphthene ring, phenanthrene ring, anthracene ring, naphthacene ring, chrysene ring, triphenylene ring , Fluorene ring, biphenyl ring, pyrrole ring, furan ring, thiophene ring, imidazole ring, oxazole ring, thiazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyrimidine ring, pyridazine ring, indolizine ring, indole ring, benzofuran ring, benzothiophene ring , Isobenzofuran ring, quinolidine ring, quinoline ring, phthalazine ring, naphthyridine ring, quinoxaline ring, quinoxazoline ring, isoquinoline ring, carbazole ring, phenanthridine ring, acridine ring, phenanthroline ring, thianthrene , Chromene ring, xanthene ring, phenoxathiin ring, a phenothiazine ring, and a phenazine ring. Of these, a benzene ring is preferred.
These aromatic groups may have a substituent, but preferably do not have a substituent.
Examples of the substituent that the aromatic group may have include a halogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, and an aryl group.
Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
As an alkyl group, a C1-C30 alkyl group is mentioned. 1-20 are more preferable and, as for carbon number of an alkyl group, 1-10 are more preferable. The alkyl group may be linear or branched. In addition, some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group may be substituted with halogen atoms. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.
As an alkoxy group, a C1-C30 alkoxy group is preferable. 1-20 are more preferable and, as for carbon number of an alkoxy group, 1-10 are more preferable. The alkoxy group may be linear, branched or cyclic.
As the aryl group, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms is preferable, and an aryl group having 6 to 20 carbon atoms is more preferable.

ポリカーボネート樹脂の、重量平均分子量(Mw)は、1,000〜1,000,000であることが好ましく、10,000〜80,000であることがより好ましい。上記範囲であれば、溶剤への溶解性、耐熱性が良好である。   The weight average molecular weight (Mw) of the polycarbonate resin is preferably 1,000 to 1,000,000, and more preferably 10,000 to 80,000. If it is the said range, the solubility to a solvent and heat resistance are favorable.

ポリカーボネート樹脂の市販品としては、例えば、PCZ−200、PCZ−300、PCZ−500、PCZ−800(以上、三菱ガス化学(株)製)、APEC9379(バイエル製)、パンライトL−1225LM(帝人(株)製)などが挙げられる。   Examples of commercially available polycarbonate resins include PCZ-200, PCZ-300, PCZ-500, PCZ-800 (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.), APEC 9379 (manufactured by Bayer), Panlite L-1225LM (Teijin). Etc.).

<<<熱可塑性樹脂樹脂の引張弾性率E>>>
上記樹脂は、25℃における、JIS(日本工業規格) K 7161:1994に準拠した、引張弾性率Eが1MPa以上4000MPa以下であることが好ましく、1MPa以上100MPa以下であることがより好ましく、1MPa以上60MPa以下であることがさらに好ましく、1MPa以上35MPa以下であることが一層好ましく、1MPa以上20MPa以下であることがより一層好ましく、1MPa以上15MPa以下であることがさらに一層好ましく、3MPa以上10MPa以下であることが特に一層好ましい。このような範囲にすることにより、反りをより効果的に抑制することが可能になる。
<<< Tension modulus E of thermoplastic resin >>>
The resin preferably has a tensile elastic modulus E of 1 MPa or more and 4000 MPa or less, more preferably 1 MPa or more and 100 MPa or less, more preferably 1 MPa or more, at 25 ° C., in accordance with JIS (Japanese Industrial Standard) K 7161: 1994. More preferably, it is 60 MPa or less, more preferably 1 MPa or more and 35 MPa or less, still more preferably 1 MPa or more and 20 MPa or less, still more preferably 1 MPa or more and 15 MPa or less, and 3 MPa or more and 10 MPa or less. It is even more preferable. By setting it as such a range, it becomes possible to suppress curvature more effectively.

<<<熱可塑性樹脂の配合量>>>
本発明で用いる仮接着剤は、熱可塑性樹脂を、仮接着剤の全固形分(溶剤を除いた全成分)中に50.00〜99.99質量%の割合で含むことが好ましく、70.00〜99.99質量%がより好ましく、88.00〜99.99質量%が特に好ましい。熱可塑性樹脂の含有量が上記範囲であれば、接着性および剥離性に優れる。
熱可塑性樹脂としてエラストマーを用いる場合、エラストマーは、仮接着剤の全固形分中に50.00〜99.99質量%の割合で含むことが好ましく、70.00〜99.99質量%がより好ましく、88.00〜99.99質量%が特に好ましい。エラストマーの含有量が上記範囲であれば、接着性および剥離性に優れる。エラストマーを2種以上使用した場合は、合計が上記範囲であることが好ましい。
また、樹脂としてエラストマーを用いる場合、樹脂全質量におけるエラストマーの含有量は、50〜100質量%が好ましく、70〜100質量%がより好ましく、80〜100質量%がさらに好ましく、90〜100質量%が一層好ましい。また、樹脂は、実質的にエラストマーのみであってもよい。なお、樹脂が、実質的にエラストマーのみである場合、樹脂全質量におけるエラストマーの含有量が、99質量%以上が好ましく、99.9質量%以上がより好ましく、エラストマーのみからなることが一層好ましい。
<<< Amount of thermoplastic resin blended >>>
The temporary adhesive used in the present invention preferably contains a thermoplastic resin in a total solid content of the temporary adhesive (all components excluding the solvent) at a ratio of 50.00 to 99.99% by mass. 00 to 99.99 mass% is more preferable, and 88.00 to 99.99 mass% is particularly preferable. If content of a thermoplastic resin is the said range, it will be excellent in adhesiveness and peelability.
When using an elastomer as the thermoplastic resin, the elastomer is preferably included in the total solid content of the temporary adhesive in a proportion of 50.00 to 99.99% by mass, more preferably 70.00 to 99.99% by mass. 88.00 to 99.99% by mass is particularly preferable. If the content of the elastomer is in the above range, the adhesiveness and peelability are excellent. When two or more types of elastomer are used, the total is preferably in the above range.
Moreover, when using an elastomer as resin, 50-100 mass% is preferable, as for content of the elastomer in resin total mass, 70-100 mass% is more preferable, 80-100 mass% is more preferable, 90-100 mass% Is more preferable. Further, the resin may be substantially only an elastomer. In addition, when resin is substantially only an elastomer, 99 mass% or more is preferable, as for content of the elastomer in resin total mass, 99.9 mass% or more is more preferable, and it is still more preferable to consist only of an elastomer.

<<離型剤>>
本発明で用いる仮接着剤は、離型剤を含むことが好ましい。離型剤としては、フッ素原子を含む化合物およびシリコン原子を含む化合物が例示され、シリコン原子を含む化合物が好ましく、シリコーン化合物がさらに好ましい。
シリコーン化合物としては、Si−O結合を含む化合物であり、ポリエーテル変性シリコーン、シランカップリング剤、シリコーン樹脂、シリコーンゴム、環状シロキサンなどの低分子量シリコーンが例示され、ポリエーテル変性シリコーンであることが好ましい。
シリコーン化合物の屈折率は、1.350〜1.480が好ましく、1.390〜1.440がより好ましく、1.400〜1.430がさらに好ましい。
シリコーン化合物を280℃、N気流下で30分加熱した際の重量減少率は、0〜70%が好ましく、5〜50%がより好ましく、10〜30%がさらに好ましい。
<< Releasing agent >>
The temporary adhesive used in the present invention preferably contains a release agent. Examples of the release agent include a compound containing a fluorine atom and a compound containing a silicon atom, a compound containing a silicon atom is preferable, and a silicone compound is more preferable.
The silicone compound is a compound containing a Si—O bond, and examples thereof include low molecular weight silicones such as polyether-modified silicone, silane coupling agent, silicone resin, silicone rubber, and cyclic siloxane, and may be polyether-modified silicone. preferable.
The refractive index of the silicone compound is preferably 1.350 to 1.480, more preferably 1.390 to 1.440, and still more preferably 1.400 to 1.430.
The weight reduction rate when the silicone compound is heated at 280 ° C. for 30 minutes under a N 2 stream is preferably 0 to 70%, more preferably 5 to 50%, and even more preferably 10 to 30%.

本発明で用いるポリエーテル変性シリコーンは、式(A)で表される比率が80%以上であることが好ましい。
式(A) {(MO+EO)/AO}×100
上記式(A)中、MOは、ポリエーテル変性シリコーン中のポリエーテル構造に含まれるメチレンオキシドのモル%であり、EOは、ポリエーテル変性シリコーン中のポリエーテル構造に含まれるエチレンオキシドのモル%であり、AOは、ポリエーテル変性シリコーン中のポリエーテル構造に含まれるアルキレンオキシドのモル%をいう。
上記式(A)で表される比率は、90%以上であることが好ましく、95%以上であることがより好ましく、98%以上であることがさらに好ましく、99%以上であることが一層好ましく、100%がより一層好ましい。
The polyether-modified silicone used in the present invention preferably has a ratio represented by the formula (A) of 80% or more.
Formula (A) {(MO + EO) / AO} × 100
In the above formula (A), MO is the mol% of methylene oxide contained in the polyether structure in the polyether-modified silicone, and EO is the mol% of ethylene oxide contained in the polyether structure in the polyether-modified silicone. Yes, AO refers to the mole percent of alkylene oxide contained in the polyether structure in the polyether-modified silicone.
The ratio represented by the above formula (A) is preferably 90% or more, more preferably 95% or more, further preferably 98% or more, and further preferably 99% or more. 100% is even more preferable.

ポリエーテル変性シリコーンの重量平均分子量は、500〜100000が好ましく、1000〜50000がより好ましく、2000〜40000がさらに好ましい。   500-100000 are preferable, as for the weight average molecular weight of polyether modified silicone, 1000-50000 are more preferable, and 2000-40000 are further more preferable.

本発明において、ポリエーテル変性シリコーンは、ポリエーテル変性シリコーンを窒素気流60mL/分のもと、20℃から280℃まで20℃/分の昇温速度で昇温し、280℃の温度で30分間保持したときの質量減少率が50質量%以下であることが好ましい。このような化合物を用いることにより、加熱を伴う基板の加工後の面状がより向上する傾向にある。上記ポリエーテル変性シリコーンの質量減少率は、45質量%以下が好ましく、40質量%以下がより好ましく、35質量%以下がさらに好ましく、30質量%以下が一層好ましい。上記ポリエーテル変性シリコーンの質量減少率の下限値は0質量%であってもよいが、15質量%以上、さらには20質量%以上でも十分に実用レベルである。   In the present invention, the polyether-modified silicone is heated at a temperature increase rate of 20 ° C./min from 20 ° C. to 280 ° C. under a nitrogen stream of 60 mL / min for 30 minutes at a temperature of 280 ° C. It is preferable that the mass reduction rate when held is 50% by mass or less. By using such a compound, the surface shape of the substrate after heating tends to be further improved. The mass reduction rate of the polyether-modified silicone is preferably 45% by mass or less, more preferably 40% by mass or less, further preferably 35% by mass or less, and further preferably 30% by mass or less. The lower limit of the mass reduction rate of the polyether-modified silicone may be 0% by mass, but 15% by mass or more, and even 20% by mass or more is sufficiently practical.

本発明において、ポリエーテル変性シリコーンの光の屈折率は、1.440以下であることが好ましい。下限値については、特に定めるものではないが、1.400以上であっても十分実用レベルである。   In the present invention, the refractive index of light of the polyether-modified silicone is preferably 1.440 or less. The lower limit is not particularly defined, but even if it is 1.400 or more, it is sufficiently practical.

本発明で用いるポリエーテル変性シリコーンは、下記式(101)〜式(104)のいずれかで表されるポリエーテル変性シリコーンが好ましい。
式(101)
上記式(101)中、R11およびR16は、それぞれ独立に、置換基であり、R12およびR14は、それぞれ独立に、2価の連結基であり、R13およびR15は、水素原子または炭素数1〜5のアルキル基であり、m11、m12、n1およびp1は、それぞれ独立に0〜20の数であり、x1およびy1は、それぞれ独立に2〜100の数である。
式(102)
上記式(102)中、R21、R25およびR26は、それぞれ独立に、置換基であり、R22は、2価の連結基であり、R23は、水素原子または炭素数1〜5のアルキル基であり、m2およびn2は、それぞれ独立に0〜20の数であり、x2は、2〜100の数である。
式(103)
上記式(103)中、R31およびR36は、それぞれ独立に、置換基であり、R32およびR34は、それぞれ独立に、2価の連結基であり、R33およびR35は、水素原子または炭素数1〜5のアルキル基であり、m31、m32、n3およびp3は、それぞれ独立に0〜20の数であり、x3は、2〜100の数である。
式(104)
上記式(104)中、R41、R42、R43、R44、R45およびR46は、それぞれ独立に、置換基であり、R47は、2価の連結基であり、R48は、水素原子または炭素数1〜5のアルキル基であり、m4およびn4は、それぞれ独立に0〜20の数であり、x4およびy4は、それぞれ独立に2〜100の数である。
The polyether-modified silicone used in the present invention is preferably a polyether-modified silicone represented by any of the following formulas (101) to (104).
Formula (101)
In the above formula (101), R 11 and R 16 are each independently a substituent, R 12 and R 14 are each independently a divalent linking group, and R 13 and R 15 are hydrogen It is an atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, m11, m12, n1 and p1 are each independently a number from 0 to 20, and x1 and y1 are each independently a number from 2 to 100.
Formula (102)
In the above formula (102), R 21 , R 25 and R 26 are each independently a substituent, R 22 is a divalent linking group, and R 23 is a hydrogen atom or a carbon number of 1 to 5 M2 and n2 are each independently a number of 0 to 20, and x2 is a number of 2 to 100.
Formula (103)
In the above formula (103), R 31 and R 36 are each independently a substituent, R 32 and R 34 are each independently a divalent linking group, and R 33 and R 35 are hydrogen. It is an atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, m31, m32, n3 and p3 are each independently a number from 0 to 20, and x3 is a number from 2 to 100.
Formula (104)
In the above formula (104), R 41 , R 42 , R 43 , R 44 , R 45 and R 46 are each independently a substituent, R 47 is a divalent linking group, and R 48 is , A hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, m4 and n4 are each independently a number from 0 to 20, and x4 and y4 are each independently a number from 2 to 100.

上記式(101)中、R11およびR16は、それぞれ独立に、置換基であり、炭素数1〜5のアルキル基またはフェニル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
上記式(101)中、R12およびR14は、それぞれ独立に、2価の連結基であり、カルボニル基、酸素原子、炭素数1〜6のアルキレン基、炭素数6〜16のシクロアルキレン基、炭素数2〜8のアルケニレン基、炭素数2〜5のアルキニレン基、および炭素数6〜10のアリーレン基が好ましく、酸素原子がより好ましい。
式(101)中、R13およびR15は、水素原子または炭素数1〜5のアルキル基であり、水素原子または炭素数1〜4のアルキル基が好ましく、水素原子または炭素数1〜3のアルキル基がより好ましい。
In the formula (101), R 11 and R 16 are each independently a substituent, preferably an alkyl group or a phenyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methyl group.
In the above formula (101), R 12 and R 14 are each independently a divalent linking group, and are a carbonyl group, an oxygen atom, an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, or a cycloalkylene group having 6 to 16 carbon atoms. , An alkenylene group having 2 to 8 carbon atoms, an alkynylene group having 2 to 5 carbon atoms, and an arylene group having 6 to 10 carbon atoms are preferable, and an oxygen atom is more preferable.
In formula (101), R 13 and R 15 are a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms. An alkyl group is more preferred.

上記式(102)中、R21、R25およびR26は、それぞれ独立に、置換基であり、式(101)におけるR11およびR16と同義であり、好ましい範囲も同様である。
上記式(102)中、R22は、2価の連結基であり、式(101)におけるR12と同義であり、好ましい範囲も同様である。
上記式(102)中、R23は、水素原子または炭素数1〜5のアルキル基であり、式(101)におけるR13およびR15と同義であり、好ましい範囲も同様である。
In the above formula (102), R 21 , R 25 and R 26 are each independently a substituent, which has the same meaning as R 11 and R 16 in formula (101), and the preferred range is also the same.
In the above formula (102), R 22 is a divalent linking group, has the same meaning as R 12 in formula (101), and the preferred range is also the same.
In the above formula (102), R 23 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and is synonymous with R 13 and R 15 in the formula (101), and the preferred range is also the same.

上記式(103)中、R31およびR36は、それぞれ独立に、置換基であり、式(101)におけるR11およびR16と同義であり、好ましい範囲も同様である。
上記式(103)中、R32およびR34は、それぞれ独立に、2価の連結基であり、式(101)におけるR12と同義であり、好ましい範囲も同様である。
上記式(103)中、R33およびR35は、水素原子または炭素数1〜5のアルキル基であり、式(101)におけるR13およびR15と同義であり、好ましい範囲も同様である。
In the above formula (103), R 31 and R 36 are each independently a substituent, which has the same meaning as R 11 and R 16 in formula (101), and the preferred range is also the same.
In the formula (103), R 32 and R 34 are each independently a divalent linking group, and have the same meaning as R 12 in the formula (101), and the preferred range is also the same.
In the above formula (103), R 33 and R 35 are a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and are synonymous with R 13 and R 15 in the formula (101), and their preferred ranges are also the same.

上記式(104)中、R41、R42、R43、R44、R45およびR46は、それぞれ独立に、置換基であり、式(101)におけるR11およびR16と同義であり、好ましい範囲も同様である。
上記式(104)中、R47は、2価の連結基であり、式(101)におけるR12と同義であり、好ましい範囲も同様である。
上記式(104)中、R48は、水素原子または炭素数1〜5のアルキル基であり、式(101)におけるR13およびR15と同義であり、好ましい範囲も同様である。
In the formula (104), R 41 , R 42 , R 43 , R 44 , R 45 and R 46 are each independently a substituent, and have the same meaning as R 11 and R 16 in the formula (101), The preferable range is also the same.
In the above formula (104), R 47 is a divalent linking group and has the same meaning as R 12 in the formula (101), and the preferred range is also the same.
In the above formula (104), R 48 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and has the same meaning as R 13 and R 15 in formula (101), and the preferred range is also the same.

式(101)〜式(104)中、式(103)または式(104)が好ましく、式(104)がより好ましい。   Of formula (101) to formula (104), formula (103) or formula (104) is preferable, and formula (104) is more preferable.

本発明で用いるポリエーテル変性シリコーンにおいて、ポリオキシアルキレン基の分子中での含有量は特に限定されないが、ポリオキシアルキレン基の含有量が全分子量中1質量%を超えるものが望ましい。
ポリオキシアルキレン基の含有率は、「{(1分子中のポリオキシアルキレン基の式量)/1分子の分子量}×100」で定義される。
In the polyether-modified silicone used in the present invention, the content of polyoxyalkylene groups in the molecule is not particularly limited, but it is desirable that the content of polyoxyalkylene groups exceeds 1% by mass in the total molecular weight.
The content of the polyoxyalkylene group is defined by “{(formula weight of polyoxyalkylene group in one molecule) / molecular weight of one molecule} × 100”.

シランカップリング剤の例としては、フッ素原子含有シランカップリング剤が挙げられ、クロロジメチル[3−(2,3,4,5,6−ペンタフルオロフェニル)プロピル]シラン、ペンタフルオロフェニルジメチルクロロシラン、ペンタフルオロフェニルエトキシジメチルシラン、ペンタフルオロフェニルエトキシジメチルシラン、トリクロロ(1H,1H,2H,2H−トリデカフルオロ−n−オクチル)シラン、トリクロロ(1H,1H,2H,2H−ヘプタデカフルオロデシル)シラン、トリメトキシ(3,3,3−トリフルオロプロピル)シラン、トリエトキシ(1H,1H,2H,2H−ノナフルオロヘキシル)シラン、トリエトキシ−1H,1H,2H,2H−ヘプタデカフルオロデシルシラン、トリメトキシ(1H,1H,2H,2H−ヘプタデカフルオロデシル)シラン、トリメトキシ(1H,1H,2H,2H−ノナフルオロヘキシル)シラン、トリクロロ[3−(ペンタフルオロフェニル)プロピル]シラン、トリメトキシ(11−ペンタフルオロフェノキシウンデシル)シラン、トリエトキシ[5,5,6,6,7,7,7−ヘプタフルオロ−4,4−ビス(トリフルオロメチル)ヘプチル]シラン、トリメトキシ(ペンタフルオロフェニル)シラン、トリエトキシ(1H,1H,2H,2H−ノナフルオロヘキシル)シランが好ましい。
さらに、特開昭62−36663号、特開昭61−226746号、特開昭61−226745号、特開昭62−170950号、特開昭63−34540号、特開平7−230165号、特開平8−62834号、特開平9−54432号、特開平9−5988号、特開2001−330953号各公報に記載の界面活性剤も本発明で使用可能なものとして、挙げられる。
Examples of silane coupling agents include fluorine atom-containing silane coupling agents, such as chlorodimethyl [3- (2,3,4,5,6-pentafluorophenyl) propyl] silane, pentafluorophenyldimethylchlorosilane, Pentafluorophenylethoxydimethylsilane, pentafluorophenylethoxydimethylsilane, trichloro (1H, 1H, 2H, 2H-tridecafluoro-n-octyl) silane, trichloro (1H, 1H, 2H, 2H-heptadecafluorodecyl) silane , Trimethoxy (3,3,3-trifluoropropyl) silane, triethoxy (1H, 1H, 2H, 2H-nonafluorohexyl) silane, triethoxy-1H, 1H, 2H, 2H-heptadecafluorodecylsilane, trimethoxy (1H , 1H, H, 2H-heptadecafluorodecyl) silane, trimethoxy (1H, 1H, 2H, 2H-nonafluorohexyl) silane, trichloro [3- (pentafluorophenyl) propyl] silane, trimethoxy (11-pentafluorophenoxyundecyl) Silane, triethoxy [5,5,6,6,7,7,7-heptafluoro-4,4-bis (trifluoromethyl) heptyl] silane, trimethoxy (pentafluorophenyl) silane, triethoxy (1H, 1H, 2H , 2H-nonafluorohexyl) silane is preferred.
Furthermore, JP-A-62-36663, JP-A-61-226746, JP-A-61-226745, JP-A-62-170950, JP-A-63-34540, JP-A-7-230165, The surfactants described in Kaihei 8-62834, JP-A-9-54432, JP-A-9-5988, and JP-A-2001-330953 are also exemplified as those usable in the present invention.

本発明で用いるシリコーン化合物は、市販品を用いることもできる。
例えば、ADVALON FA33、FLUID L03、FLUID L033、FLUID L051、FLUID L053、FLUID L060、FLUID L066、IM22、WACKER−Belsil DMC 6038(以上、旭化成ワッカーシリコーン(株)製)、KF−352A、KF−353、KF−615A、KP−112、KP−341、X−22−4515、KF−354L、KF−355A、KF−6004、KF−6011、KF−6011P、KF−6012、KF−6013、KF−6015、KF−6016、KF−6017、KF−6017P、KF−6020、KF−6028、KF−6028P、KF−6038、KF−6043、KF−6048、KF−6123、KF−6204、KF−640、KF−642、KF−643、KF−644、KF−945、KP−110、KP−355、KP−369、KS−604、Polon SR−Conc、X−22−4272、X−22−4952(以上、信越化学工業(株)製)、8526 ADDITIVE、FZ−2203、FZ−5609、L−7001、SF 8410、2501 COSMETIC WAX、5200 FORMULATION AID、57 ADDITIVE、8019 ADDITIVE、8029 ADDITIVE、8054 ADDITIVE、BY16−036、BY16−201、ES−5612 FORMULATION AID、FZ−2104、FZ−2108、FZ−2123、FZ−2162、FZ−2164、FZ−2191、FZ−2207、FZ−2208、FZ−2222、FZ−7001、FZ−77、L−7002、L−7604、SF8427、SF8428、SH 28 PAINR ADDITIVE、SH3749、SH3773M、SH8400、SH8700(以上、東レ・ダウコーニング(株)製)、BYK−378、BYK−302、BYK−307、BYK−331、BYK−345、BYK−B、BYK−347、BYK−348、BYK−349、BYK−377(以上、ビックケミー・ジャパン(株)製)、Silwet L−7001、Silwet L−7002、Silwet L−720、Silwet L−7200、Silwet L−7210、Silwet L−7220、Silwet L−7230、Silwet L−7605、TSF4445、TSF4446、TSF4452、Silwet Hydrostable 68、Silwet L−722、Silwet L−7280、Silwet L−7500、Silwet L−7550、Silwet L−7600、Silwet L−7602、Silwet L−7604、Silwet L−7607、Silwet L−7608、Silwet L−7622、Silwet L−7650、Silwet L−7657、Silwet L−77、Silwet L−8500、Silwet L−8610、TSF4440、TSF4441、TSF4450、TSF4460(以上、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製)が例示される。
市販品としては、また、商品名「BYK−300」、「BYK−306」、「BYK−310」、「BYK−315」、「BYK−313」、「BYK−320」、「BYK−322」、「BYK−323」、「BYK−325」、「BYK−330」、「BYK−333」、「BYK−337」、「BYK−341」、「BYK−344」、「BYK−370」、「BYK−375」、「BYK−UV3500」、「BYK−UV3510」、「BYK−UV3570」、「BYK−3550」、「BYK−SILCLEAN3700」、「BYK−SILCLEAN3720」(以上、ビックケミー・ジャパン(株)製)、商品名「AC FS 180」、「AC FS 360」、「AC S 20」(以上、Algin Chemie製)、商品名「ポリフローKL−400X」、「ポリフローKL−400HF」、「ポリフローKL−401」、「ポリフローKL−402」、「ポリフローKL−403」、「ポリフローKL−404」、「ポリフローKL−700」(以上、共栄社化学(株)製)、商品名「KP−301」、「KP−306」、「KP−109」、「KP−310」、「KP−310B」、「KP−323」、「KP−326」、「KP−341」、「KP−104」、「KP−110」、「KP−112」、「KP−360A」、「KP−361」、「KP−354」、「KP−357」、「KP−358」、「KP−359」、「KP−362」、「KP−365」、「KP−366」、「KP−368」、「KP−330」、「KP−650」、「KP−651」、「KP−390」、「KP−391」、「KP−392」(以上、信越化学工業(株)製)、商品名「LP−7001」、「LP−7002」、「8032 ADDITIVE」、「FZ−2110」、「FZ−2105」、「67 ADDITIVE」、「8618 ADDITIVE」、「3 ADDITIVE」、「56 ADDITIVE」(以上、東レ・ダウコーニング(株)製)、「TEGO WET 270」(エボニック・デグサ・ジャパン(株)製)、「NBX−15」(ネオス(株)製)なども使用することができる。
A commercial item can also be used for the silicone compound used by this invention.
For example, ADVALON FA33, FLUID L03, FLUID L033, FLUID L051, FLUID L053, FLUID L060, FLUID L066, IM22, WACKER-Belsil DMC 6038 (above, manufactured by Asahi Kasei Silicone Co., Ltd.), KF-352A, KF-352A, KF-352A KF-615A, KP-112, KP-341, X-22-4515, KF-354L, KF-355A, KF-6004, KF-6011, KF-6011P, KF-6012, KF-6013, KF-6015, KF-6016, KF-6017, KF-6017P, KF-6020, KF-6028, KF-6028P, KF-6038, KF-6043, KF-6048, KF-6123, KF-6204, KF-640 KF-642, KF-643, KF-644, KF-945, KP-110, KP-355, KP-369, KS-604, Polon SR-Conc, X-22-4272, X-22-4492 (above , Manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), 8526 ADDITIVE, FZ-2203, FZ-5609, L-7001, SF 8410, 2501 COSMETIC WAX, 5200 FORMULATION AID, 57 ADDITIVE, 8019 ADDITIVE, 8029 ADDITIVE, 8029 036, BY16-201, ES-5612 FORMULATION AID, FZ-2104, FZ-2108, FZ-2123, FZ-2162, FZ-2164, FZ-2191, FZ-2207, Z-2208, FZ-2222, FZ-7001, FZ-77, L-7002, L-7604, SF8427, SF8428, SH 28 PAINR ADDITION, SH3749, SH3773M, SH8400, SH8700 (above, Toray Dow Corning Co., Ltd.) Manufactured by), BYK-378, BYK-302, BYK-307, BYK-331, BYK-345, BYK-B, BYK-347, BYK-348, BYK-349, BYK-377 (above, BYK Chemie Japan, Inc. )), Silwet L-7001, Silwet L-7002, Silwet L-720, Silwet L-7200, Silwet L-7210, Silwet L-7220, Silwet L-7230, Silwet L-7605, TSF44 45, TSF4446, TSF4452, Silwet Hydrostable 68, Silwet L-722, Silwet L-7280, Silwet L-7500, Silwet L-7550, Silwet L-7600, Silwet L-7602, Silwet L-7604, Silwet L-7604, Silwet L-7608, Silwet L-7622, Silwet L-7650, Silwet L-7657, Silwet L-77, Silwet L-8500, Silwet L-8610, TSF4440, TSF4441, TSF4450, TSF4460 The product is manufactured by
Commercially available products are also trade names “BYK-300”, “BYK-306”, “BYK-310”, “BYK-315”, “BYK-313”, “BYK-320”, “BYK-322”. , “BYK-323”, “BYK-325”, “BYK-330”, “BYK-333”, “BYK-337”, “BYK-341”, “BYK-344”, “BYK-370”, “ “BYK-375”, “BYK-UV3500”, “BYK-UV3510”, “BYK-UV3570”, “BYK-3550”, “BYK-SILCLEAN3700”, “BYK-SILCLEAN3720” (above, manufactured by Big Chemie Japan Co., Ltd.) ), Trade names “AC FS 180”, “AC FS 360”, “AC S 20” (above, made by Algin Chemie), quotient Product names “Polyflow KL-400X”, “Polyflow KL-400HF”, “Polyflow KL-401”, “Polyflow KL-402”, “Polyflow KL-403”, “Polyflow KL-404”, “Polyflow KL-700” ( Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), trade names “KP-301”, “KP-306”, “KP-109”, “KP-310”, “KP-310B”, “KP-323”, “KP” -326 "," KP-341 "," KP-104 "," KP-110 "," KP-112 "," KP-360A "," KP-361 "," KP-354 "," KP-357 ”,“ KP-358 ”,“ KP-359 ”,“ KP-362 ”,“ KP-365 ”,“ KP-366 ”,“ KP-368 ”,“ KP-330 ”,“ KP-650 ”, "KP- 51 ”,“ KP-390 ”,“ KP-391 ”,“ KP-392 ”(manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), trade names“ LP-7001 ”,“ LP-7002 ”,“ 8032 ADDIIVE ” "FZ-2110", "FZ-2105", "67 ADDITIVE", "8618 ADDITIVE", "3 ADDITIVE", "56 ADDITIVE" (manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd.), "TEGO WET 270" (Evonik Degussa Japan Co., Ltd.), “NBX-15” (Neos Co., Ltd.) and the like can also be used.

フッ素原子を含む化合物としては、フッ素系液体状化合物が例示される。フッ素系液体状化合物としては、国際公開WO2015/190477号公報の段落番号0025〜0035を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。市販品では、DIC(株)製、メガファックシリーズのうち、フッ素系液体状化合物に該当するもの、例えば、メガファックF−557などが例示される。   Examples of the compound containing a fluorine atom include a fluorine-based liquid compound. As the fluorinated liquid compound, paragraph numbers 0025 to 0035 of International Publication No. WO2015 / 190477 can be referred to, the contents of which are incorporated herein. Examples of commercially available products include those corresponding to the fluorinated liquid compound, for example, MegaFuck F-557, among the MegaFac series manufactured by DIC Corporation.

仮接着剤が、離型剤を含有する場合、その含有量は、接着剤の全固形分の0.001〜1.0質量%の範囲が好ましい。これらの他の離型剤は、1種のみ含んでいてもよいし、2種以上含んでいてもよい。2種以上含む場合、合計量が上記範囲となることが好ましい。
特に、本発明で用いる仮接着剤がシリコーン化合物を含む場合、その含有量は、仮接着剤の固形分の0.001〜1.0質量%であることが好ましい。上記シリコーン化合物の含有量の下限は、0.004質量%以上がより好ましく、0.006質量%以上がさらに好ましく、0.008質量%以上が一層好ましく、0.009質量%以上がより一層好ましい。上記シリコーン化合物の含有量の上限は、0.8質量%以下が好ましく、0.6質量%以下がより好ましく、0.3質量%以下がさらに好ましく、0.15質量%以下がより一層好ましく、0.09質量%以下がさらに一層好ましい。
本発明で用いる仮接着剤は、シリコーン化合物を1種のみ含んでいてもよく、2種以上含んでいてもよい。2種以上含む場合、合計量が上記範囲となることが好ましい。
When a temporary adhesive contains a mold release agent, the content has the preferable range of 0.001-1.0 mass% of the total solid of an adhesive agent. These other mold release agents may contain only 1 type and may contain 2 or more types. When 2 or more types are included, the total amount is preferably within the above range.
In particular, when the temporary adhesive used in the present invention contains a silicone compound, the content is preferably 0.001 to 1.0 mass% of the solid content of the temporary adhesive. The lower limit of the content of the silicone compound is more preferably 0.004% by mass or more, further preferably 0.006% by mass or more, further preferably 0.008% by mass or more, and further preferably 0.009% by mass or more. . The upper limit of the content of the silicone compound is preferably 0.8% by mass or less, more preferably 0.6% by mass or less, still more preferably 0.3% by mass or less, and even more preferably 0.15% by mass or less. 0.09 mass% or less is still more preferable.
The temporary adhesive used in the present invention may contain only one kind of silicone compound or may contain two or more kinds. When 2 or more types are included, the total amount is preferably within the above range.

<<可塑剤>>
本発明で用いる仮接着剤は、必要に応じて可塑剤を含んでいてもよい。可塑剤を配合することにより、上記諸性能を満たす仮接着層とすることができる。
可塑剤としては、フタル酸エステル、脂肪酸エステル、芳香族多価カルボン酸エステル、ポリエステルなどが使用できる。
<< Plasticizer >>
The temporary adhesive used in the present invention may contain a plasticizer as necessary. By blending a plasticizer, a temporary adhesive layer that satisfies the above-mentioned various performances can be obtained.
As the plasticizer, phthalic acid esters, fatty acid esters, aromatic polycarboxylic acid esters, polyesters, and the like can be used.

フタル酸エステルとしては例えば、DMP、DEP、DBP、#10、BBP、DOP、DINP、DIDP(以上、大八化学工業(株)製)、PL−200、DOIP(以上、シージーエスター(株)製)、サンソサイザーDUP(新日本理化(株)製)などが挙げられる。
脂肪酸エステルとしては例えば、ブチルステアレート、ユニスターM−9676、ユニスターM−2222SL、ユニスターH−476、ユニスターH−476D、パナセート800B、パナセート875、パナセート810(以上、日油(株)製)、DBA、DIBA、DBS、DOA、DINA、DIDA、DOS、BXA、DOZ、DESU(以上、大八化学製)などが挙げられる。
芳香族多価カルボン酸エステルとしては、TOTM(大八化学工業(株)製)、モノサイザーW−705(大八化学工業(株)製)、UL−80、UL−100((株)ADEKA製)などが挙げられる。
ポリエステルとしては、ポリサイザーTD−1720、ポリサイザーS−2002、ポリサイザーS−2010(以上、DIC(株)製)、BAA−15(大八化学工業(株)製)などが挙げられる。
上記可塑剤の中では、DIDP、DIDA、TOTM、ユニスターM−2222SL、ポリサイザーTD−1720が好ましく、DIDA、TOTMがより好ましく、TOTMが特に好ましい。
可塑剤は1種のみを用いてもよいし、2種以上を組み合わせてもよい。
Examples of the phthalate ester include DMP, DEP, DBP, # 10, BBP, DOP, DINP, DIDP (above, manufactured by Daihachi Chemical Industry Co., Ltd.), PL-200, DOIP (above, manufactured by CG Esther Co., Ltd.) ), Sansosizer DUP (manufactured by Shin Nippon Rika Co., Ltd.) and the like.
Examples of fatty acid esters include butyl stearate, Unistar M-9676, Unistar M-2222SL, Unistar H-476, Unistar H-476D, Panaceto 800B, Panaceto 875, Panaceto 810 (above, NOF Corporation), DBA , DIBA, DBS, DOA, DINA, DIDA, DOS, BXA, DOZ, DESU (above, manufactured by Daihachi Chemical) and the like.
As aromatic polycarboxylic acid ester, TOTM (made by Daihachi Chemical Industry Co., Ltd.), Monosizer W-705 (made by Daihachi Chemical Industry Co., Ltd.), UL-80, UL-100 (ADEKA Corporation) Manufactured).
Examples of the polyester include Polycizer TD-1720, Polycizer S-2002, Polycizer S-2010 (manufactured by DIC Corporation), BAA-15 (Daihachi Chemical Industry Co., Ltd.), and the like.
Among the plasticizers, DIDP, DIDA, TOTM, Unistar M-2222SL, and Polycizer TD-1720 are preferable, DIDA and TOTM are more preferable, and TOTM is particularly preferable.
Only one type of plasticizer may be used, or two or more types may be combined.

可塑剤は、加熱中の昇華防止の観点から、窒素気流下、20℃/分の一定速度の昇温条件のもとで重量変化を測定したとき、その重量が1質量%減少する温度が、250℃以上であることが好ましく、270℃以上がより好ましく、300℃以上が特に好ましい。上限は特に定めるものではないが、例えば、500℃以下とすることができる。   From the viewpoint of preventing sublimation during heating, the plasticizer has a temperature at which the weight is reduced by 1% by mass under a nitrogen stream under a temperature rising condition at a constant rate of 20 ° C./min. It is preferably 250 ° C or higher, more preferably 270 ° C or higher, and particularly preferably 300 ° C or higher. The upper limit is not particularly defined, but can be, for example, 500 ° C. or less.

可塑剤の添加量は、仮接着剤の全固形分に対して、0.01質量%〜5.0質量%が好ましく、より好ましくは0.1質量%〜2.0質量%である。   The addition amount of the plasticizer is preferably 0.01% by mass to 5.0% by mass and more preferably 0.1% by mass to 2.0% by mass with respect to the total solid content of the temporary adhesive.

<<溶剤>>
本発明で用いる仮接着剤は、溶剤を含有する。溶剤は、公知のものを制限なく使用でき、有機溶剤が好ましい。
有機溶剤としては、酢酸エチル、酢酸−n−ブチル、酢酸イソブチル、ギ酸アミル、酢酸イソアミル、酢酸イソブチル、プロピオン酸ブチル、酪酸イソプロピル、酪酸エチル、酪酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、アルキルオキシ酢酸アルキル(例:アルキルオキシ酢酸メチル、アルキルオキシ酢酸エチル、アルキルオキシ酢酸ブチル(例えば、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル等))、3−オキシプロピオン酸アルキルエステル類(例:3−オキシプロピオン酸メチル、3−アルキルオキシプロピオン酸エチル等(例えば、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル等))、2−オキシプロピオン酸アルキルエステル類(例:2−オキシプロピオン酸メチル、2−オキシプロピオン酸エチル、2−アルキルオキシプロピオン酸プロピル等(例えば、2−メトキシプロピオン酸メチル、2−メトキシプロピオン酸エチル、2−メトキシプロピオン酸プロピル、2−エトキシプロピオン酸メチル、2−エトキシプロピオン酸エチル))、2−アルキルオキシ−2−メチルプロピオン酸メチルおよび2−オキシ−2−メチルプロピオン酸エチル(例えば、2−メトキシ−2−メチルプロピオン酸メチル、2−エトキシ−2−メチルプロピオン酸エチル等)、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、2−オキソブタン酸メチル、2−オキソブタン酸エチル、1−メトキシ−2−プロピルアセテート等のエステル類;
ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート等のエーテル類;
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、N−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチロラクトン等のケトン類;
トルエン、キシレン、アニソール、メシチレン、エチルベンゼン、プロピルベンゼン、クメン、n−ブチルベンゼン、sec−ブチルベンゼン、イソブチルベンゼン、t−ブチルベンゼン、アミルベンゼン、イソアミルベンゼン、(2,2−ジメチルプロピル)ベンゼン、1−フェニルへキサン、1−フェニルヘプタン、1−フェニルオクタン、1−フェニルノナン、1−フェニルデカン、シクロプロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、2−エチルトルエン、1,2−ジエチルベンゼン、o−シメン、インダン、1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン、3−エチルトルエン、m−シメン、1,3−ジイソプロピルベンゼン、4−エチルトルエン、1,4−ジエチルベンゼン、p−シメン、1,4−ジイソプロピルベンゼン、4−t−ブチルトルエン、1,4−ジ−t−ブチルベンゼン、1,3−ジエチルベンゼン、1,2,3−トリメチルベンゼン、1,2,4−トリメチルベンゼン、4−t−ブチル−o−キシレン、1,2,4−トリエチルベンゼン、1,3,5−トリエチルベンゼン、1,3,5−トリイソプロピルベンゼン、5−t−ブチル−m−キシレン、3,5−ジ−t−ブチルトルエン、1,2,3,5−テトラメチルベンゼン、1,2,4,5−テトラメチルベンゼン、ペンタメチルベンゼン等の芳香族炭化水素類;
リモネン、p−メンタン、ノナン、デカン、ドデカン、デカリン等の炭化水素類などが好適に挙げられる。
これらの中でも、メシチレン、t−ブチルベンゼン、1,2,4−トリメチルベンゼン、p−メンタン、γ−ブチロラクトン、アニソール、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、エチルセロソルブアセテート、乳酸エチル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、酢酸ブチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、2−ヘプタノン、シクロヘキサノン、エチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、プロピレングリコールメチルエーテル、およびプロピレングリコールメチルエーテルアセテートが好ましい。
<< Solvent >>
The temporary adhesive used in the present invention contains a solvent. Any known solvent can be used without limitation, and an organic solvent is preferred.
Examples of organic solvents include ethyl acetate, n-butyl acetate, isobutyl acetate, amyl formate, isoamyl acetate, isobutyl acetate, butyl propionate, isopropyl butyrate, ethyl butyrate, butyl butyrate, methyl lactate, ethyl lactate, alkyloxyoxyacetate ( Examples: methyl alkyloxyacetate, ethyl alkyloxyacetate, butyl alkyloxyacetate (eg, methyl methoxyacetate, ethyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, methyl ethoxyacetate, ethyl ethoxyacetate)), 3-oxypropionic acid alkyl esters (Example: methyl 3-oxypropionate, ethyl 3-alkyloxypropionate, etc. (for example, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate) Etc.), 2-oxypropionic acid alkyl esters (eg, methyl 2-oxypropionate, ethyl 2-oxypropionate, propyl 2-alkyloxypropionate, etc. (eg, methyl 2-methoxypropionate, 2-methoxy) Ethyl propionate, propyl 2-methoxypropionate, methyl 2-ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate)), methyl 2-alkyloxy-2-methylpropionate and ethyl 2-oxy-2-methylpropionate ( For example, methyl 2-methoxy-2-methylpropionate, ethyl 2-ethoxy-2-methylpropionate, etc.), methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, 2-oxobutanoic acid Methyl, 2-oxobutanoic acid Le, esters such as 1-methoxy-2-propyl acetate;
Diethylene glycol dimethyl ether, tetrahydrofuran, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol Ethers such as monoethyl ether acetate and propylene glycol monopropyl ether acetate;
Ketones such as methyl ethyl ketone, cyclohexanone, 2-heptanone, 3-heptanone, N-methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone;
Toluene, xylene, anisole, mesitylene, ethylbenzene, propylbenzene, cumene, n-butylbenzene, sec-butylbenzene, isobutylbenzene, t-butylbenzene, amylbenzene, isoamylbenzene, (2,2-dimethylpropyl) benzene, 1 -Phenylhexane, 1-phenylheptane, 1-phenyloctane, 1-phenylnonane, 1-phenyldecane, cyclopropylbenzene, cyclohexylbenzene, 2-ethyltoluene, 1,2-diethylbenzene, o-cymene, indane, 1 , 2,3,4-tetrahydronaphthalene, 3-ethyltoluene, m-cymene, 1,3-diisopropylbenzene, 4-ethyltoluene, 1,4-diethylbenzene, p-cymene, 1,4-diisopropylbenzene, 4- t Butyltoluene, 1,4-di-t-butylbenzene, 1,3-diethylbenzene, 1,2,3-trimethylbenzene, 1,2,4-trimethylbenzene, 4-t-butyl-o-xylene, 1, 2,4-triethylbenzene, 1,3,5-triethylbenzene, 1,3,5-triisopropylbenzene, 5-t-butyl-m-xylene, 3,5-di-t-butyltoluene, 1,2, , 3,5-tetramethylbenzene, 1,2,4,5-tetramethylbenzene, pentamethylbenzene and other aromatic hydrocarbons;
Preferable examples include hydrocarbons such as limonene, p-menthane, nonane, decane, dodecane and decalin.
Among these, mesitylene, t-butylbenzene, 1,2,4-trimethylbenzene, p-menthane, γ-butyrolactone, anisole, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, ethyl cellosolve acetate, ethyl lactate Diethylene glycol dimethyl ether, butyl acetate, methyl 3-methoxypropionate, 2-heptanone, cyclohexanone, ethyl carbitol acetate, butyl carbitol acetate, propylene glycol methyl ether, and propylene glycol methyl ether acetate are preferred.

これらの溶剤は、塗布面状の改良などの観点から、2種以上を混合する形態も好ましい。この場合、特に好ましくは、メシチレン、t−ブチルベンゼン、1,2,4−トリメチルベンゼン、p−メンタン、γ−ブチロラクトン、アニソール、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、エチルセロソルブアセテート、乳酸エチル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、酢酸ブチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、2−ヘプタノン、シクロヘキサノン、エチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、プロピレングリコールメチルエーテル、およびプロピレングリコールメチルエーテルアセテートから選択される2種以上で構成される混合溶液である。   These solvents are also preferably in a form of mixing two or more kinds from the viewpoint of improving the coated surface. In this case, particularly preferably, mesitylene, t-butylbenzene, 1,2,4-trimethylbenzene, p-menthane, γ-butyrolactone, anisole, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, ethyl cellosolve acetate , Ethyl lactate, diethylene glycol dimethyl ether, butyl acetate, methyl 3-methoxypropionate, 2-heptanone, cyclohexanone, ethyl carbitol acetate, butyl carbitol acetate, propylene glycol methyl ether, and propylene glycol methyl ether acetate It is a mixed solution comprised by the above.

仮接着剤の溶剤の含有量は、塗布性の観点から、仮接着剤の全固形分濃度が5〜80質量%になる量が好ましく、10〜50質量%がさらに好ましく、15〜40質量%が特に好ましい。
溶剤は1種のみでもよいし、2種以上であってもよい。溶剤が2種以上の場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。
尚、仮接着剤を層状に適用し、乾燥させて得られる仮接着層における溶剤の含有率は、1質量%以下が好ましく、0.1質量%以下がより好ましく、含有しないことが特に好ましい。
The amount of the solvent of the temporary adhesive is preferably such that the total solid content concentration of the temporary adhesive is 5 to 80% by mass, more preferably 10 to 50% by mass, from the viewpoint of applicability, and 15 to 40% by mass. Is particularly preferred.
One type of solvent may be sufficient and 2 or more types may be sufficient as it. When two or more solvents are used, the total is preferably in the above range.
In addition, as for the content rate of the solvent in the temporary adhesive layer obtained by applying and drying a temporary adhesive in a layer form, 1 mass% or less is preferable, 0.1 mass% or less is more preferable, and it is especially preferable not to contain.

<<酸化防止剤>>
本発明で用いる仮接着剤は、酸化防止剤を含有してもよい。酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、キノン系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤などが使用できる。
フェノール系酸化防止剤としては例えば、p−メトキシフェノール、2,6−ジ−tert−ブチル−4−メチルフェノール、Irganox1010、Irganox1330、Irganox3114、Irganox1035(以上、BASFジャパン(株)製)、Sumilizer MDP−S、Sumilizer GA−80(以上、住友化学(株)製)などが挙げられる。
硫黄系酸化防止剤としては例えば、3,3’−チオジプロピオネートジステアリル、Sumilizer TPM、Sumilizer TPS、Sumilizer TP−D(以上、住友化学(株)製)などが挙げられる。
リン系酸化防止剤としては例えば、トリス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)ホスフィト、ビス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)ペンタエリスリトールジホスフィト、ポリ(ジプロピレングリコール)フェニルホスフィト、ジフェニルイソデシルホスフィト、2−エチルヘキシルジフェニルホスフィト、トリフェニルホスフィト、Irgafos168、Irgafos38(以上、BASFジャパン(株)製)などが挙げられる。
キノン系酸化防止剤としては例えば、p−ベンゾキノン、2−tert−ブチル−1,4−ベンゾキノンなどが挙げられる。
アミン系酸化防止剤としては例えば、ジメチルアニリンやフェノチアジンなどが挙げられる。
酸化防止剤は、Irganox1010、Irganox1330、3,3’−チオジプロピオネートジステアリル、Sumilizer TP−Dが好ましく、Irganox1010、Irganox1330がより好ましく、Irganox1010が特に好ましい。
また、上記酸化防止剤のうち、フェノール系酸化防止剤と、硫黄系酸化防止剤またはリン系酸化防止剤とを併用することが好ましく、フェノール系酸化防止剤と硫黄系酸化防止剤とを併用することが最も好ましい。特に、エラストマーとして、ポリスチレン系エラストマーを使用した場合において、フェノール系酸化防止剤と硫黄系酸化防止剤とを併用することが好ましい。このような組み合わせにすることにより、酸化反応による仮接着剤の劣化を、効率よく抑制できる効果が期待できる。フェノール系酸化防止剤と硫黄系酸化防止剤とを併用する場合、フェノール系酸化防止剤と硫黄系酸化防止剤との質量比は、フェノール系酸化防止剤:硫黄系酸化防止剤=95:5〜5:95が好ましく、25:75〜75:25がより好ましい。
酸化防止剤の組み合わせとしては、Irganox1010とSumilizer TP−D、Irganox1330とSumilizer TP−D、および、Sumilizer GA−80とSumilizer TP−Dが好ましく、Irganox1010とSumilizer TP−D、Irganox1330とSumilizer TP−Dがより好ましく、Irganox1010とSumilizer TP−Dが特に好ましい。
<< Antioxidant >>
The temporary adhesive used in the present invention may contain an antioxidant. As the antioxidant, a phenol-based antioxidant, a sulfur-based antioxidant, a phosphorus-based antioxidant, a quinone-based antioxidant, an amine-based antioxidant, and the like can be used.
Examples of the phenol-based antioxidant include p-methoxyphenol, 2,6-di-tert-butyl-4-methylphenol, Irganox 1010, Irganox 1330, Irganox 3114, Irganox 1035 (above, manufactured by BASF Japan Ltd.), Sumilizer MDP- S, Sumilizer GA-80 (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.).
Examples of the sulfur-based antioxidant include 3,3′-thiodipropionate distearyl, Sumilizer TPM, Sumilizer TPS, and Sumilizer TP-D (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.).
Examples of phosphorus antioxidants include tris (2,4-di-tert-butylphenyl) phosphite, bis (2,4-di-tert-butylphenyl) pentaerythritol diphosphite, and poly (dipropylene glycol) phenyl. Examples thereof include phosphite, diphenylisodecyl phosphite, 2-ethylhexyl diphenyl phosphite, triphenyl phosphite, Irgafos 168, Irgafos 38 (above, manufactured by BASF Japan Ltd.).
Examples of the quinone antioxidant include p-benzoquinone and 2-tert-butyl-1,4-benzoquinone.
Examples of amine-based antioxidants include dimethylaniline and phenothiazine.
As the antioxidant, Irganox 1010, Irganox 1330, 3,3′-thiodipropionate distearyl and Sumilizer TP-D are preferable, Irganox 1010 and Irganox 1330 are more preferable, and Irganox 1010 is particularly preferable.
Of the above antioxidants, it is preferable to use a phenol-based antioxidant and a sulfur-based antioxidant or a phosphorus-based antioxidant in combination, and a phenol-based antioxidant and a sulfur-based antioxidant are used in combination. Most preferred. In particular, when a polystyrene-based elastomer is used as the elastomer, it is preferable to use a phenol-based antioxidant and a sulfur-based antioxidant in combination. By using such a combination, it can be expected that the deterioration of the temporary adhesive due to the oxidation reaction can be efficiently suppressed. When a phenolic antioxidant and a sulfurous antioxidant are used in combination, the mass ratio of the phenolic antioxidant to the sulfurous antioxidant is: phenolic antioxidant: sulfurous antioxidant = 95: 5 5:95 is preferable, and 25:75 to 75:25 is more preferable.
As the combination of antioxidants, Irganox 1010 and Sumilizer TP-D, Irganox 1330 and Sumilizer TP-D, and Sumilizer GA-80 and Sumilizer TP-D are preferable, Irganox 1010 and Sumilizer TP-o, Ir30x TP-D, 13g More preferred are Irganox 1010 and Sumilizer TP-D.

酸化防止剤の分子量は加熱中の昇華防止の観点から、400以上が好ましく、600以上がさらに好ましく、750以上が特に好ましい。   The molecular weight of the antioxidant is preferably 400 or more, more preferably 600 or more, and particularly preferably 750 or more from the viewpoint of preventing sublimation during heating.

仮接着剤が酸化防止剤を含有する場合、酸化防止剤の含有量は、仮接着剤の全固形分に対して、0.001〜20.0質量%が好ましく、0.005〜10.0質量%がより好ましい。
酸化防止剤は1種のみでもよいし、2種以上であってもよい。酸化防止剤が2種以上の場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。
When the temporary adhesive contains an antioxidant, the content of the antioxidant is preferably 0.001 to 20.0% by mass with respect to the total solid content of the temporary adhesive, and 0.005 to 10.0. The mass% is more preferable.
Only one type of antioxidant may be used, or two or more types may be used. When there are two or more antioxidants, the total is preferably in the above range.

<<その他の添加剤>>
本発明で用いる仮接着剤は、本発明の効果を損なわない範囲で、上述した添加剤に加え、必要に応じて、各種添加物、例えば、硬化剤、硬化触媒、充填剤、密着促進剤、紫外線吸収剤、凝集防止剤等を配合することができる。これらの添加剤を配合する場合、その合計配合量は仮接着剤の全固形分の3質量%以下が好ましい。
<< Other additives >>
In the range which does not impair the effect of this invention, the temporary adhesive used by this invention is various additives, for example, a hardening | curing agent, a hardening catalyst, a filler, an adhesion promoter, as needed in addition to the additive mentioned above, An ultraviolet absorber, an aggregation inhibitor, etc. can be mix | blended. When these additives are blended, the total blending amount is preferably 3% by mass or less based on the total solid content of the temporary adhesive.

本発明で用いる仮接着剤は、金属等の不純物を含まないことが好ましい。不純物の含有量としては、1質量ppm(parts per million)以下が好ましく、100質量ppt(parts per trillion)以下がより好ましく、10質量ppt以下がさらに好ましく、実質的に含まないこと(測定装置の検出限界以下であること)が特に好ましい。
仮接着剤から金属等の不純物を除去する方法としては、例えば、フィルタを用いたろ過を挙げることができる。フィルタ孔径としては、ポアサイズ10nm以下が好ましく、5nm以下がより好ましく、3nm以下がさらに好ましい。フィルタの材質としては、ポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のフィルタが好ましい。フィルタは、有機溶剤であらかじめ洗浄したものを用いてもよい。フィルタろ過工程では、複数種類のフィルタを直列または並列に接続して用いてもよい。複数種類のフィルタを使用する場合は、孔径および/または材質が異なるフィルタを組み合わせて使用してもよい。また、各種フィルタ材料を複数回ろ過してもよく、複数回ろ過する工程が循環ろ過工程であってもよい。
また、仮接着剤に含まれる金属等の不純物を低減する方法としては、仮接着剤を構成する原料として金属含有量が少ない原料を選択する、仮接着剤を構成する原料に対してフィルタろ過を行う、装置内をテフロン(登録商標)でライニングする等してコンタミネーションを可能な限り抑制した条件下で蒸留を行う等の方法を挙げることができる。仮接着剤を構成する原料に対して行うフィルタろ過における好ましい条件は、上記した条件と同様である。
フィルタろ過の他、吸着材による不純物の除去を行っても良く、フィルタろ過と吸着材を組み合わせて使用してもよい。吸着材としては、公知の吸着材を用いることができ、例えば、シリカゲル、ゼオライトなどの無機系吸着材、活性炭などの有機系吸着材を使用することができる。
The temporary adhesive used in the present invention preferably does not contain impurities such as metals. The content of impurities is preferably 1 mass ppm (parts per million) or less, more preferably 100 mass ppt (parts per trigger) or less, still more preferably 10 mass ppt or less, and substantially free (of the measuring device) It is particularly preferred that it is below the detection limit.
Examples of a method for removing impurities such as metals from the temporary adhesive include filtration using a filter. The pore size of the filter is preferably a pore size of 10 nm or less, more preferably 5 nm or less, and further preferably 3 nm or less. The filter material is preferably a polytetrafluoroethylene, polyethylene, or nylon filter. You may use the filter previously wash | cleaned with the organic solvent. In the filter filtration step, a plurality of types of filters may be connected in series or in parallel. When a plurality of types of filters are used, filters having different hole diameters and / or materials may be used in combination. Moreover, various filter materials may be filtered a plurality of times, and the step of filtering a plurality of times may be a circulation filtration step.
Moreover, as a method of reducing impurities such as metals contained in the temporary adhesive, a raw material having a low metal content is selected as a raw material constituting the temporary adhesive, and filter filtration is performed on the raw material constituting the temporary adhesive. Examples thereof include a method of performing distillation under a condition in which contamination is suppressed as much as possible by lining the inside of the apparatus with Teflon (registered trademark). The preferable conditions for filter filtration performed on the raw materials constituting the temporary adhesive are the same as those described above.
In addition to filter filtration, impurities may be removed by an adsorbent, or a combination of filter filtration and adsorbent may be used. As the adsorbent, known adsorbents can be used. For example, inorganic adsorbents such as silica gel and zeolite, and organic adsorbents such as activated carbon can be used.

<永久接着剤>
本発明における永久接着剤は、仮接着剤のような一時固定のためではなく、2つの基板を接着した状態で素子等に組み込む等、2つの基板を半永久的に固定することを目的とした態様をいう。2つの基板を永久接着剤で接着する場合、センサー、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)、異なる機能を持ったチップ同士の復号化などの用途に好ましく用いることができる。
永久接着剤としては、特開2015−212316号公報に記載のホットメルト接着剤、特開2013−227458号公報に記載のホットメルト接着剤、特開平8−92543号公報に記載のホットメルト接着剤、WO06/118033号公報の段落0052〜0055の記載を参酌でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。 また、永久接着剤に配合してもよい溶剤は、上記仮接着剤に関して述べた溶剤が好ましく用いられる。また、永久接着剤における溶剤の含有量も、仮接着剤に関して述べた含有量と同様であることが好ましい。
<Permanent adhesive>
The permanent adhesive in the present invention is not for temporary fixing like a temporary adhesive, but for the purpose of semi-permanently fixing two substrates, such as incorporating two substrates in a bonded state in an element or the like. Say. When two substrates are bonded with a permanent adhesive, it can be preferably used for applications such as sensors, MEMS (Micro Electro Mechanical Systems), and decoding between chips having different functions.
Examples of permanent adhesives include hot melt adhesives described in JP-A-2015-212316, hot-melt adhesives described in JP-A-2013-227458, and hot-melt adhesives described in JP-A-8-92543. The description of paragraphs 0052 to 0055 of WO06 / 118033 can be referred to, and the contents thereof are incorporated in the present specification. Moreover, the solvent described regarding the said temporary adhesive agent is used preferably as a solvent which may be mix | blended with a permanent adhesive. Further, the content of the solvent in the permanent adhesive is preferably the same as the content described for the temporary adhesive.

<接着層の形成>
接着層は、上述のとおり、接着剤を、スピンコート法、スプレー法、スリットコート法、ローラーコート法、フローコート法、ドクターコート法、浸漬法などによって、基板の上に適用することによって、形成することができる。
接着層は、上述のとおり、接着する2つの基板の少なくとも一方の基板の表面に形成する。基板の一方のみに接着層を形成して他方の基板と貼り合わせてもよいし、両方の基板に接着層を設けて両者を貼り合わせてもよい。
次いで、接着剤は、上述の通り、通常、溶剤を含むため、加熱を行って溶剤を揮発させる(乾燥工程)。この際の加熱温度としては、溶剤の沸点よりも高い温度であることが好ましく、110℃以上であることがより好ましく、130℃〜200℃がさらに好ましく、160℃〜190℃が特に好ましい。
<Formation of adhesive layer>
As described above, the adhesive layer is formed by applying an adhesive on the substrate by spin coating, spraying, slit coating, roller coating, flow coating, doctor coating, dipping, or the like. can do.
As described above, the adhesive layer is formed on the surface of at least one of the two substrates to be bonded. An adhesive layer may be formed on only one of the substrates and bonded to the other substrate, or both may be bonded to each other by providing an adhesive layer.
Next, since the adhesive usually contains a solvent as described above, the adhesive is heated to volatilize the solvent (drying step). The heating temperature at this time is preferably higher than the boiling point of the solvent, more preferably 110 ° C. or more, further preferably 130 ° C. to 200 ° C., and particularly preferably 160 ° C. to 190 ° C.

<<接着剤の調製>>
本発明で用いる接着剤は、上述の各成分を混合して調製することができる。各成分の混合は、通常、0℃〜100℃の範囲で行われる。また、各成分を混合した後、例えば、フィルタでろ過することが好ましい。ろ過は、多段階で行ってもよいし、多数回繰り返してもよい。また、ろ過した液を再ろ過することもできる。
フィルタとしては、従来からろ過用途等に用いられているものであれば特に限定されることなく用いることができる。例えば、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)等のフッ素樹脂、ナイロン6、ナイロン6,6等のポリアミド系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン(PP)等のポリオレフィン樹脂等によるフィルタが挙げられる。これら素材の中でもポリプロピレンおよびナイロンが好ましい。
フィルタの孔径は、例えば、0.003〜5.0μm程度が適している。この範囲とすることにより、ろ過詰まりを抑えつつ、接着剤に含まれる不純物や凝集物など、微細な異物を確実に除去することが可能となる。
フィルタを使用する際、異なるフィルタを組み合わせてもよい。その際、第1のフィルタでのフィルタリングは、1回のみでもよいし、2回以上行ってもよい。異なるフィルタを組み合わせて2回以上フィルタリングを行う場合は、1回目のフィルタリングの孔径に対して、2回目以降の孔径が同じか、もしくは小さい方が好ましい。また、上述した範囲内で異なる孔径の第1のフィルタを複数組み合わせてもよい。ここでの孔径は、フィルタメーカーの公称値を参照することができる。市販のフィルタとしては、例えば、日本ポール(株)、アドバンテック東洋(株)、日本インテグリス(株)または(株)キッツマイクロフィルタ等が提供する各種フィルタの中から選択することができる。
<< Preparation of adhesive >>
The adhesive used in the present invention can be prepared by mixing the above-described components. Mixing of each component is normally performed in the range of 0 degreeC-100 degreeC. Moreover, after mixing each component, it is preferable to filter with a filter, for example. Filtration may be performed in multiple stages or repeated many times. Moreover, the filtered liquid can also be refiltered.
As a filter, if it is conventionally used for the filtration use etc., it can be used without being specifically limited. Examples thereof include a filter made of a fluororesin such as PTFE (polytetrafluoroethylene), a polyamide resin such as nylon 6, nylon 6, 6, or the like, or a polyolefin resin such as polyethylene or polypropylene (PP). Among these materials, polypropylene and nylon are preferable.
The pore size of the filter is suitably about 0.003 to 5.0 μm, for example. By setting it within this range, it becomes possible to reliably remove fine foreign matters such as impurities and aggregates contained in the adhesive while suppressing filtration clogging.
When using filters, different filters may be combined. At that time, the filtering by the first filter may be performed only once or may be performed twice or more. When filtering two or more times by combining different filters, it is preferable that the second and subsequent hole diameters are the same or smaller than the first filtering hole diameter. A plurality of first filters having different pore diameters within the above-described range may be combined. The pore diameter here can refer to the nominal value of the filter manufacturer. The commercially available filter can be selected from various filters provided by Nippon Pole Co., Ltd., Advantech Toyo Co., Ltd., Japan Entegris Co., Ltd., or Kitz Micro Filter Co., Ltd., for example.

<半導体素子の製造方法>
以下、仮接着剤を用いる場合の、半導体素子の製造方法の一実施形態について、図3をあわせて参照しながら説明する。なお、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
図3(A)〜(E)は、それぞれ、キャリア基板とデバイスウェハとの仮接着を説明する概略断面図(図3(A)、(B))、キャリア基板に仮接着されたデバイスウェハが薄型化された状態(図3(C))、キャリア基板とデバイスウェハを剥離した状態(図3(D))、デバイスウェハから仮接着剤を除去した後の状態(図3(E))を示す概略断面図である。
<Method for Manufacturing Semiconductor Device>
Hereinafter, an embodiment of a method for manufacturing a semiconductor element using a temporary adhesive will be described with reference to FIG. In addition, this invention is not limited to the following embodiment.
3A to 3E are schematic cross-sectional views (FIGS. 3A and 3B) for explaining the temporary bonding between the carrier substrate and the device wafer, and the device wafer temporarily bonded to the carrier substrate. The thinned state (FIG. 3C), the carrier substrate and the device wafer are peeled off (FIG. 3D), and the state after the temporary adhesive is removed from the device wafer (FIG. 3E). It is a schematic sectional drawing shown.

この実施形態では、図3(A)に示すように、先ず、キャリア基板12に仮接着層11が設けられてなる接着性キャリア基板100が準備される。
仮接着層11は、仮接着剤を用いて形成されるものであり、実質的に溶剤を含まない態様であることが好ましい。
デバイスウェハ60は、シリコン基板61の表面61aに複数のデバイスチップ62が設けられてなる。
シリコン基板61の厚さは、例えば、200〜1200μmが好ましい。デバイスチップ62は例えば金属構造体であることが好ましく、高さは10〜100μmが好ましい。
仮接着層を形成させる過程で、キャリア基板およびデバイスウェハの裏面を、剥離液を用いて洗浄する工程を設けてもよい。具体的には、キャリア基板やデバイスウェハの端面または裏面に付着した仮接着層の残渣を、剥離液を用いて除去することで、装置の汚染を防ぐことができ、薄型化デバイスウェハのTTV(Total Thickness Variation)を低下させることができる。
In this embodiment, as shown in FIG. 3A, first, an adhesive carrier substrate 100 in which a temporary adhesive layer 11 is provided on a carrier substrate 12 is prepared.
The temporary adhesive layer 11 is formed using a temporary adhesive, and it is preferable that the temporary adhesive layer 11 is substantially free of a solvent.
The device wafer 60 is formed by providing a plurality of device chips 62 on a surface 61 a of a silicon substrate 61.
The thickness of the silicon substrate 61 is preferably 200 to 1200 μm, for example. The device chip 62 is preferably a metal structure, for example, and the height is preferably 10 to 100 μm.
In the process of forming the temporary adhesive layer, a process of cleaning the back surface of the carrier substrate and the device wafer using a peeling solution may be provided. Specifically, by removing the residue of the temporary adhesive layer adhering to the end surface or back surface of the carrier substrate or the device wafer using a peeling solution, the contamination of the apparatus can be prevented, and the TTV ( (Total Thickness Variation) can be reduced.

次いで、図3(B)に示す通り、接着性キャリア基板100とデバイスウェハ60とを圧着させ、キャリア基板12とデバイスウェハ60とを仮接着させる。
仮接着層11は、デバイスチップ62を完全に覆っていることが好ましい。また、デバイスチップの高さがXμm、仮接着層の厚みがYμmの場合、「X+100≧Y>X」の関係を満たすことが好ましい。
仮接着層11がデバイスチップ62を完全に被覆していることは、薄型化デバイスウェハのTTVをより低下したい場合(すなわち、薄型化デバイスウェハの平坦性をより向上させたい場合)に有効である。
すなわち、デバイスウェハを薄型化する際において、複数のデバイスチップ62を仮接着層11によって保護することにより、キャリア基板12との接触面において、凹凸形状をほとんど無くすことが可能である。よって、このように支持した状態で薄型化しても、複数のデバイスチップ62に由来する形状が、薄型化デバイスウェハの裏面61b1に転写されるおそれは低減され、その結果、最終的に得られる薄型化デバイスウェハのTTVをより低下することができる。
Next, as shown in FIG. 3B, the adhesive carrier substrate 100 and the device wafer 60 are pressure-bonded, and the carrier substrate 12 and the device wafer 60 are temporarily bonded.
The temporary adhesive layer 11 preferably completely covers the device chip 62. Further, when the height of the device chip is X μm and the thickness of the temporary adhesive layer is Y μm, it is preferable to satisfy the relationship of “X + 100 ≧ Y> X”.
The provisional adhesive layer 11 completely covering the device chip 62 is effective when it is desired to further reduce the TTV of the thinned device wafer (that is, when the flatness of the thinned device wafer is to be further improved). .
That is, when the device wafer is thinned, the plurality of device chips 62 are protected by the temporary adhesive layer 11, so that it is possible to almost eliminate the uneven shape on the contact surface with the carrier substrate 12. Therefore, even if the thickness is reduced in such a supported state, the possibility that the shape derived from the plurality of device chips 62 is transferred to the back surface 61b1 of the reduced thickness device wafer is reduced. The TTV of the integrated device wafer can be further reduced.

次いで、図3(C)に示すように、シリコン基板61の裏面61bに対して、機械的または化学的な処理(特に限定されないが、例えば、グライディングや化学機械研磨(CMP)等の薄膜化処理、化学気相成長(CVD)や物理気相成長(PVD)などの高温および真空下での処理、有機溶剤、酸性処理液や塩基性処理液などの薬品を用いた処理、めっき処理、活性光線の照射、加熱処理ならびに冷却処理など)を施す。図3(C)では、シリコン基板61の厚さを薄くし(例えば、上述の厚さとなるように薄型化し)、薄型化デバイスウェハ60aを得ている。   Next, as shown in FIG. 3C, the back surface 61b of the silicon substrate 61 is subjected to mechanical or chemical treatment (though not particularly limited, for example, thinning treatment such as grinding or chemical mechanical polishing (CMP)). , Chemical vapor deposition (CVD), physical vapor deposition (PVD) and other high-temperature and vacuum treatments, treatments using chemicals such as organic solvents, acidic treatment solutions and basic treatment solutions, plating treatments, actinic rays Irradiation, heat treatment, cooling treatment, etc.). In FIG. 3C, the silicon substrate 61 is thinned (for example, thinned so as to have the above-described thickness) to obtain a thinned device wafer 60a.

デバイスウェハを薄型化した後、高温および真空下での処理を行う前の段階で、デバイスウェハの基板面の面積よりも外側にはみ出した仮接着層を剥離液で洗浄する工程を設けてもよい。具体的には、デバイスウェハを薄型化した後、はみ出した仮接着層を、剥離液を用いて除去することで、高温および真空下での処理が仮接着層に直接施されることによる仮接着層の変形、変質を防ぐことができる。
本発明では、仮接着層の膜面の面積は、キャリア基板の基板面の面積よりも小さいことが好ましい。また、本発明では、キャリア基板の基板面の直径をCμm、デバイスウェハの基板面の直径をDμm、仮接着層の膜面の直径をTμmとしたとき、(C−200)≧T≧Dを満たすことがより好ましい。さらに、キャリア基板の基板面の直径をCμm、デバイスウェハの基板面の直径をDμm、仮接着層のキャリア基板と接している側の膜面の直径をTμm、仮接着層のデバイスウェハと接している側の膜面の直径をTμmとしたとき、(C−200)≧T>T≧Dを満たすことが好ましい。このような構成とすることにより、高温および真空下での処理が仮接着層に直接施されることによる仮接着層の変形、変質をより抑制することができる。
尚、仮接着層の膜面の面積とは、キャリア基板に対し垂直な方向から見たときの面積をいい、膜面の凹凸は考えないものとする。デバイスウェハの基板面についても同様である。すなわち、ここでいう、デバイスウェハの基板面とは、例えば、図3の61a面に対応する面であり、デバイスチップが設けられている側の面であろう。仮接着層の膜面等の直径についても、同様に考える。
また、仮接着層の膜面の直径Tとは、仮接着層のキャリア基板と接している側の膜面の直径をTμm、仮接着層のデバイスウェハと接している側の膜面の直径をTμmとしたとき、T=(T+T)/2とする。キャリア基板の基板面の直径およびデバイスウェハの基板面の直径は、仮接着層と接している側の表面の直径をいう。
また、機械的または化学的な処理として、薄膜化処理の後に、薄型化デバイスウェハ60aの裏面61b1からシリコン基板を貫通する貫通孔(図示せず)を形成し、この貫通孔内にシリコン貫通電極(図示せず)を形成する処理を行ってもよい。
また、キャリア基板12とデバイスウェハ60とを仮接着した後、剥離するまでの間に加熱処理を行ってもよい。加熱処理の一例として、機械的または化学的な処理を行う際に、加熱を行うことが挙げられる。
加熱処理における最高到達温度は80〜400℃が好ましく、130℃〜400℃がより好ましく、180℃〜350℃がさらに好ましい。加熱処理における最高到達温度は仮接着層の分解温度よりも低い温度とすることが好ましい。加熱処理は、最高到達温度での30秒〜30分間の加熱であることが好ましく、最高到達温度での1分〜10分の加熱であることがより好ましい。
After the device wafer is thinned, it may be provided with a step of cleaning the temporary adhesive layer protruding outside the area of the substrate surface of the device wafer with a peeling solution before performing the processing under high temperature and vacuum. . Specifically, after thinning the device wafer, the temporary bonding layer that protrudes is removed using a stripping solution, whereby temporary bonding is performed by directly applying the treatment under high temperature and vacuum to the temporary bonding layer. Layer deformation and alteration can be prevented.
In the present invention, the area of the film surface of the temporary adhesive layer is preferably smaller than the area of the substrate surface of the carrier substrate. Further, in the present invention, when the diameter of the substrate surface of the carrier substrate is C μm, the diameter of the substrate surface of the device wafer is D μm, and the diameter of the film surface of the temporary adhesive layer is T μm, (C−200) ≧ T ≧ D It is more preferable to satisfy. Furthermore, the diameter of the substrate surface of the carrier substrate is C μm, the diameter of the substrate surface of the device wafer is D μm, the diameter of the film surface of the temporary adhesive layer on the side in contact with the carrier substrate is TC μm, and the device wafer of the temporary adhesive layer It is preferable that (C−200) ≧ T C > T D ≧ D is satisfied when the diameter of the film surface on the side in contact is T D μm. By setting it as such a structure, the deformation | transformation and the quality change of the temporary adhesion layer by the process under high temperature and a vacuum being directly performed to a temporary adhesion layer can be suppressed more.
In addition, the area of the film surface of the temporary adhesive layer means an area when viewed from a direction perpendicular to the carrier substrate, and the unevenness of the film surface is not considered. The same applies to the substrate surface of the device wafer. That is, the substrate surface of the device wafer referred to here is, for example, a surface corresponding to the 61a surface in FIG. 3 and the surface on which the device chip is provided. The same applies to the diameter of the temporary adhesive layer such as the film surface.
The diameter T of the film surface of the temporary adhesive layer is the diameter of the film surface on the side of the temporary adhesive layer in contact with the carrier substrate, T C μm, and the film surface on the side of the temporary adhesive layer in contact with the device wafer. When the diameter is T D μm, T = (T C + T D ) / 2. The diameter of the substrate surface of the carrier substrate and the diameter of the substrate surface of the device wafer refer to the diameter of the surface in contact with the temporary adhesive layer.
Further, as a mechanical or chemical treatment, a through hole (not shown) penetrating the silicon substrate is formed from the back surface 61b1 of the thinned device wafer 60a after the thinning process, and the silicon through electrode is formed in the through hole. You may perform the process which forms (not shown).
In addition, the heat treatment may be performed after the carrier substrate 12 and the device wafer 60 are temporarily bonded to each other before being peeled off. As an example of the heat treatment, heating is performed when performing a mechanical or chemical treatment.
80 to 400 degreeC is preferable, as for the highest reached temperature in heat processing, 130 to 400 degreeC is more preferable, and 180 to 350 degreeC is further more preferable. The highest temperature reached in the heat treatment is preferably lower than the decomposition temperature of the temporary adhesive layer. The heat treatment is preferably heating for 30 seconds to 30 minutes at the highest temperature, and more preferably heating for 1 minute to 10 minutes at the highest temperature.

次いで、図3(D)に示すように、キャリア基板12を、薄型化デバイスウェハ60a(機械的または化学的な処理を施したデバイスウェハ)から剥離させる。剥離の際の温度は、40℃以下であることが好ましく、30℃以下とすることもできる。剥離の際の温度の下限値としては、例えば、0℃以上であり、好ましくは、10℃以上である。本発明における剥離は、15〜35℃程度の常温で行える点で価値が高い。
剥離の方法は特に限定されるものではないが、薄型化デバイスウェハ60aを固定し、キャリア基板12を、端部から薄型化デバイスウェハ60aに対して垂直方向に引き上げて剥離することが好ましい。このとき、剥離界面は、キャリア基板12と仮接着層11の界面であることが好ましい。剥離の際の引き上げ速度は、30〜100mm/分の速さであることが好ましく、40〜80mm/分の速さであることがより好ましい。この場合、キャリア基板12と仮接着層11の界面の密着強度A、デバイスウェハ表面61aと仮接着層11の密着強度Bは、以下の式(A1)を満たすことが好ましい。
A<B ・・・・式(A1)
また、剥離の際の端部を引き上げる際の力は、0.33N/mm以下であることが好ましく、0.2N/mm以下とすることもできる。下限値としては、好ましくは0.07N/mm以上である。この際の力は、フォースゲージを用いて測定することができる。
Next, as shown in FIG. 3D, the carrier substrate 12 is peeled from the thinned device wafer 60a (device wafer subjected to mechanical or chemical treatment). The temperature at the time of peeling is preferably 40 ° C. or lower, and can also be 30 ° C. or lower. The lower limit of the temperature at the time of peeling is, for example, 0 ° C. or higher, and preferably 10 ° C. or higher. The peeling in the present invention is highly valuable in that it can be performed at a room temperature of about 15 to 35 ° C.
The peeling method is not particularly limited, but it is preferable that the thinned device wafer 60a is fixed and the carrier substrate 12 is pulled up from the end in the direction perpendicular to the thinned device wafer 60a for peeling. At this time, the peeling interface is preferably the interface between the carrier substrate 12 and the temporary adhesive layer 11. The pulling speed during peeling is preferably 30 to 100 mm / min, and more preferably 40 to 80 mm / min. In this case, the adhesive strength A at the interface between the carrier substrate 12 and the temporary adhesive layer 11 and the adhesive strength B between the device wafer surface 61a and the temporary adhesive layer 11 preferably satisfy the following formula (A1).
A <B Formula (A1)
The force for pulling up the edge during peeling is preferably 0.33 N / mm or less, and can also be 0.2 N / mm or less. The lower limit is preferably 0.07 N / mm or more. The force at this time can be measured using a force gauge.

そして、図3(E)に示すように、薄型化デバイスウェハ60aから仮接着層11を除去することにより、薄型化デバイスウェハを得ることができる。
仮接着層11の除去方法は、例えば、剥離液を用いて除去する方法(仮接着層を剥離液で膨潤させた後に剥離除去する方法、仮接着層に剥離液を噴射して破壊除去する方法、仮接着層を剥離液に溶解させて溶解除去する方法等)、仮接着層を活性光線、放射線または熱の照射により分解、または、気化して除去する方法などが挙げられる。
溶剤の使用量削減の観点からは、仮接着層をフィルム状の状態のまま剥離除去(ピールオフ)することが好ましい。仮接着層をフィルム状の状態のまま剥離除去する方法とは、剥離液を用いる等の化学的処理を行うことなく、仮接着層をフィルム状のまま物理的な力を加えて剥離除去(ピールオフ)する方法をいう。仮接着層をフィルム状の状態のままで剥離除去する場合、手での剥離または機械剥離が好ましい。仮接着層をフィルム状の状態のまま剥離除去するためには、デバイスウェハ表面61aと仮接着層11の密着強度Bが以下の式(B1)を満たすことが好ましい。
B≦4N/cm ・・・・式(B1)
Then, as shown in FIG. 3E, the thinned device wafer can be obtained by removing the temporary adhesive layer 11 from the thinned device wafer 60a.
The removal method of the temporary adhesive layer 11 is, for example, a method of removing using a peeling liquid (a method of peeling and removing the temporary adhesive layer after swelling with the peeling liquid, a method of destroying and removing the temporary adhesive layer by spraying the peeling liquid) And a method of dissolving and removing the temporary adhesive layer by dissolving it in a stripping solution), a method of decomposing or evaporating the temporary adhesive layer by irradiation with actinic rays, radiation or heat.
From the viewpoint of reducing the amount of solvent used, it is preferable to peel and remove (peel off) the temporary adhesive layer in a film state. The method of peeling and removing the temporary adhesive layer in a film state means that the temporary adhesive layer is peeled and removed by applying a physical force without performing chemical treatment such as using a peeling solution (peel off). ). When the temporary adhesive layer is peeled and removed in the film state, peeling by hand or mechanical peeling is preferable. In order to peel and remove the temporary adhesive layer in a film state, it is preferable that the adhesion strength B between the device wafer surface 61a and the temporary adhesive layer 11 satisfies the following formula (B1).
B ≦ 4N / cm ・ ・ ・ ・ Formula (B1)

また、剥離液としては、仮接着層11を溶解する有機溶剤が好ましい。有機溶剤としては、例えば、脂肪族炭化水素類(ヘキサン、ヘプタン、アイソパーE、H、G(エッソ化学(株)製)、リモネン、p−メンタン、ノナン、デカン、ドデカン、デカリン等)、芳香族炭化水素類(トルエン、キシレン、アニソール、メシチレン、プソイドクメン、エチルベンゼン、プロピルベンゼン、クメン、n−ブチルベンゼン、sec−ブチルベンゼン、イソブチルベンゼン、tert−ブチルベンゼン、アミルベンゼン、イソアミルベンゼン、(2,2−ジメチルプロピル)ベンゼン、1−フェニルへキサン、1−フェニルヘプタン、1−フェニルオクタン、1−フェニルノナン、1−フェニルデカン、シクロプロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、2−エチルトルエン、1,2−ジエチルベンゼン、o−シメン、インダン、1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン、3−エチルトルエン、m−シメン、1,3−ジイソプロピルベンゼン、4−エチルトルエン、1,4−ジエチルベンゼン、p−シメン、1,4−ジイソプロピルベンゼン、4−tert−ブチルトルエン、1,4−ジ−tert−ブチルベンゼン、1,3−ジエチルベンゼン、1,2,3−トリメチルベンゼン、1,2,4−トリメチルベンゼン、4−tert−ブチル−o−キシレン、1,2,4−トリエチルベンゼン、1,3,5−トリエチルベンゼン、1,3,5−トリイソプロピルベンゼン、5−tert−ブチル−m−キシレン、3,5−ジ−tert−ブチルトルエン、1,2,3,5−テトラメチルベンゼン、1,2,4,5−テトラメチルベンゼン、ペンタメチルベンゼン、等)、ハロゲン化炭化水素(メチレンジクロライド、エチレンジクロライド、トリクレン、モノクロルベンゼン等)、極性溶剤が挙げられる。極性溶剤としては、アルコール類(メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、1−ブタノール、1−ペンタノール、1−ヘキサノール、1−ヘプタノール、1−オクタノール、2−オクタノール、2−エチル−1−ヘキサノール、1−ノナノール、1−デカノール、ベンジルアルコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、2−エトキシエタノール、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ポリエチレングリコールモノメチルエーテル、ポリプロピレングリコール、テトラエチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノベンジルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、プロピレングリコールモノフェニルエーテル、メチルフェニルカルビノール、n−アミルアルコール、メチルアミルアルコール等)、ケトン類(アセトン、メチルエチルケトン、エチルブチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等)、エステル類(酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸アミル、酢酸ベンジル、乳酸メチル、乳酸ブチル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールアセテート、ジエチルフタレート、レブリン酸ブチル等)、その他(トリエチルフォスフェート、トリクレジルフォスフェート、N−フェニルエタノールアミン、N−フェニルジエタノールアミン、N−メチルジエタノールアミン、N−エチルジエタノールアミン、4−(2−ヒドロキシエチル)モルホリン、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、N−エチル−2−ピロリドン等)等が挙げられる。   Moreover, as a peeling liquid, the organic solvent which melt | dissolves the temporary adhesion layer 11 is preferable. Examples of the organic solvent include aliphatic hydrocarbons (hexane, heptane, isoper E, H, G (manufactured by Esso Chemical Co., Ltd.), limonene, p-menthane, nonane, decane, dodecane, decalin, etc.), aromatic Hydrocarbons (toluene, xylene, anisole, mesitylene, pseudocumene, ethylbenzene, propylbenzene, cumene, n-butylbenzene, sec-butylbenzene, isobutylbenzene, tert-butylbenzene, amylbenzene, isoamylbenzene, (2,2- Dimethylpropyl) benzene, 1-phenylhexane, 1-phenylheptane, 1-phenyloctane, 1-phenylnonane, 1-phenyldecane, cyclopropylbenzene, cyclohexylbenzene, 2-ethyltoluene, 1,2-diethylbenzene, o -Cymene Indane, 1,2,3,4-tetrahydronaphthalene, 3-ethyltoluene, m-cymene, 1,3-diisopropylbenzene, 4-ethyltoluene, 1,4-diethylbenzene, p-cymene, 1,4-diisopropylbenzene 4-tert-butyltoluene, 1,4-di-tert-butylbenzene, 1,3-diethylbenzene, 1,2,3-trimethylbenzene, 1,2,4-trimethylbenzene, 4-tert-butyl-o -Xylene, 1,2,4-triethylbenzene, 1,3,5-triethylbenzene, 1,3,5-triisopropylbenzene, 5-tert-butyl-m-xylene, 3,5-di-tert-butyl Toluene, 1,2,3,5-tetramethylbenzene, 1,2,4,5-tetramethylbenzene, pentamethylbenzene Zen, etc.), halogenated hydrocarbons (methylene dichloride, ethylene dichloride, trichlorethylene, monochlorobenzene, etc.), polar solvents. Examples of polar solvents include alcohols (methanol, ethanol, propanol, isopropanol, 1-butanol, 1-pentanol, 1-hexanol, 1-heptanol, 1-octanol, 2-octanol, 2-ethyl-1-hexanol, 1 -Nonanol, 1-decanol, benzyl alcohol, ethylene glycol monomethyl ether, 2-ethoxyethanol, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monohexyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, polyethylene glycol monomethyl Ether, polypropylene glycol, tetraethylene glycol, ethylene glycol monobutyl ether Ter, ethylene glycol monobenzyl ether, ethylene glycol monophenyl ether, propylene glycol monophenyl ether, methylphenyl carbinol, n-amyl alcohol, methyl amyl alcohol, etc.), ketones (acetone, methyl ethyl ketone, ethyl butyl ketone, methyl isobutyl ketone) , Cyclohexanone, etc.), esters (ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, amyl acetate, benzyl acetate, methyl lactate, butyl lactate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol acetate, diethyl phthalate, butyl levulinate Etc.), others (triethyl phosphate, tricresyl phosphate, N-phenylethanol) Ruamine, N-phenyldiethanolamine, N-methyldiethanolamine, N-ethyldiethanolamine, 4- (2-hydroxyethyl) morpholine, N, N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, N-ethyl-2-pyrrolidone, etc.) Can be mentioned.

さらに、剥離性の観点から、剥離液は、アルカリ、酸、および界面活性剤を含んでいてもよい。これらの成分を配合する場合、配合量は、それぞれ、剥離液の0.1〜5.0質量%であることが好ましい。
さらに剥離性の観点から、2種以上の有機溶剤および水、2種以上のアルカリ、酸および界面活性剤を混合する形態も好ましい。
Furthermore, from the viewpoint of peelability, the stripping solution may contain an alkali, an acid, and a surfactant. When mix | blending these components, it is preferable that a compounding quantity is 0.1-5.0 mass% of stripping solution, respectively.
Furthermore, from the viewpoint of peelability, a form in which two or more organic solvents and water, two or more alkalis, an acid, and a surfactant are mixed is also preferable.

アルカリとしては、例えば、第三リン酸ナトリウム、第三リン酸カリウム、第三リン酸アンモニウム、第二リン酸ナトリウム、第二リン酸カリウム、第二リン酸アンモニウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素アンモニウム、ホウ酸ナトリウム、ホウ酸カリウム、ホウ酸アンモニウム、水酸化ナトリウム、水酸化アンモニウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウムなどの無機アルカリ剤や、モノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノイソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、トリイソプロピルアミン、n−ブチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、エチレンイミン、エチレンジアミン、ピリジン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドなどの有機アルカリ剤を使用することができる。これらのアルカリ剤は、単独で、若しくは2種以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the alkali include tribasic sodium phosphate, tribasic potassium phosphate, tribasic ammonium phosphate, dibasic sodium phosphate, dibasic potassium phosphate, dibasic ammonium phosphate, sodium carbonate, potassium carbonate, and ammonium carbonate. , Inorganic alkali agents such as sodium bicarbonate, potassium bicarbonate, ammonium bicarbonate, sodium borate, potassium borate, ammonium borate, sodium hydroxide, ammonium hydroxide, potassium hydroxide and lithium hydroxide, monomethylamine, Dimethylamine, trimethylamine, monoethylamine, diethylamine, triethylamine, monoisopropylamine, diisopropylamine, triisopropylamine, n-butylamine, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine Emissions, monoisopropanolamine, diisopropanolamine, ethyleneimine, ethylenediamine, pyridine, may be used an organic alkali agent such as tetramethylammonium hydroxide. These alkali agents can be used alone or in combination of two or more.

酸としては、ハロゲン化水素、硫酸、硝酸、リン酸、ホウ酸などの無機酸や、アルキルスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、酢酸、クエン酸、ギ酸、グルコン酸、乳酸、シュウ酸、酒石酸などの有機酸を使用することができる。   Examples of the acid include inorganic acids such as hydrogen halide, sulfuric acid, nitric acid, phosphoric acid and boric acid, alkylsulfonic acid, benzenesulfonic acid, alkylbenzenesulfonic acid, p-toluenesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid, acetic acid and citric acid. Organic acids such as formic acid, gluconic acid, lactic acid, oxalic acid and tartaric acid can be used.

界面活性剤としては、アニオン系、カチオン系、ノニオン系、両性イオン系の界面活性剤を使用することができる。この場合、界面活性剤の含有量は、アルカリ水溶液の全量に対して1〜20質量%であることが好ましく、1〜10質量%であることがより好ましい。
界面活性剤の含有量を上記した範囲内とすることにより、仮接着層11と薄型化デバイスウェハ60aとの剥離性をより向上できる傾向となる。
As the surfactant, an anionic, cationic, nonionic or zwitterionic surfactant can be used. In this case, the content of the surfactant is preferably 1 to 20% by mass, and more preferably 1 to 10% by mass with respect to the total amount of the alkaline aqueous solution.
By setting the content of the surfactant within the above-described range, the peelability between the temporary adhesive layer 11 and the thinned device wafer 60a tends to be further improved.

アニオン系界面活性剤としては、特に限定されないが、脂肪酸塩類、アビエチン酸塩類、ヒドロキシアルカンスルホン酸塩類、アルカンスルホン酸塩類、ジアルキルスルホコハク酸塩類、直鎖アルキルベンゼンスルホン酸塩類、分岐鎖アルキルベンゼンスルホン酸塩類、アルキルナフタレンスルホン酸塩類、アルキルジフェニルエーテル(ジ)スルホン酸塩類、アルキルフェノキシポリオキシエチレンアルキルスルホン酸塩類、ポリオキシエチレンアルキルスルホフェニルエーテル塩類、N−アルキル−N−オレイルタウリンナトリウム類、N−アルキルスルホコハク酸モノアミド二ナトリウム塩類、石油スルホン酸塩類、硫酸化ヒマシ油、硫酸化牛脂油、脂肪酸アルキルエステルの硫酸エステル塩類、アルキル硫酸エステル塩類、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸エステル塩類、脂肪酸モノグリセリド硫酸エステル塩類、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸エステル塩類、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテル硫酸エステル塩類、アルキルリン酸エステル塩類、ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸エステル塩類、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテルリン酸エステル塩類、スチレン−無水マレイン酸共重合物の部分けん化物類、オレフィン−無水マレイン酸共重合物の部分けん化物類、ナフタレンスルホン酸塩ホルマリン縮合物類等が挙げられる。この中で、アルキルベンゼンスルホン酸塩類、アルキルナフタレンスルホン酸塩類、アルキルジフェニルエーテル(ジ)スルホン酸塩類が特に好ましく用いられる。   Examples of the anionic surfactant include, but are not limited to, fatty acid salts, abietic acid salts, hydroxyalkane sulfonic acid salts, alkane sulfonic acid salts, dialkyl sulfosuccinic acid salts, linear alkyl benzene sulfonic acid salts, branched alkyl benzene sulfonic acid salts, Alkyl naphthalene sulfonates, alkyl diphenyl ether (di) sulfonates, alkylphenoxy polyoxyethylene alkyl sulfonates, polyoxyethylene alkyl sulfophenyl ether salts, N-alkyl-N-oleyl taurine sodium, N-alkyl sulfosuccinic acid Monoamide disodium salts, petroleum sulfonates, sulfated castor oil, sulfated beef oil, sulfates of fatty acid alkyl esters, alkyl sulfates, polyoxy Ethylene alkyl ether sulfates, fatty acid monoglyceride sulfates, polyoxyethylene alkylphenyl ether sulfates, polyoxyethylene styryl phenyl ether sulfates, alkyl phosphates, polyoxyethylene alkyl ether phosphates, poly Examples thereof include oxyethylene alkylphenyl ether phosphate esters, saponified saponification of styrene-maleic anhydride copolymer, saponified olefin-maleic anhydride copolymer, and naphthalene sulfonate formalin condensate. . Of these, alkylbenzene sulfonates, alkylnaphthalene sulfonates, and alkyl diphenyl ether (di) sulfonates are particularly preferably used.

カチオン系界面活性剤としては、特に限定されないが、従来公知のものを用いることができる。例えば、アルキルアミン塩類、第四級アンモニウム塩類、アルキルイミダゾリニウム塩、ポリオキシエチレンアルキルアミン塩類、ポリエチレンポリアミン誘導体が挙げられる。   Although it does not specifically limit as a cationic surfactant, A conventionally well-known thing can be used. Examples thereof include alkylamine salts, quaternary ammonium salts, alkyl imidazolinium salts, polyoxyethylene alkylamine salts, and polyethylene polyamine derivatives.

ノニオン系界面活性剤としては、特に限定されないが、ポリエチレングリコール型の高級アルコールエチレンオキサイド付加物、アルキルフェノールエチレンオキサイド付加物、アルキルナフトールエチレンオキサイド付加物、フェノールエチレンオキサイド付加物、ナフトールエチレンオキサイド付加物、脂肪酸エチレンオキサイド付加物、多価アルコール脂肪酸エステルエチレンオキサイド付加物、高級アルキルアミンエチレンオキサイド付加物、脂肪酸アミドエチレンオキサイド付加物、油脂のエチレンオキサイド付加物、ポリプロピレングリコールエチレンオキサイド付加物、ジメチルシロキサン−エチレンオキサイドブロックコポリマー、ジメチルシロキサン−(プロピレンオキサイド−エチレンオキサイド)ブロックコポリマー、多価アルコール型のグリセロールの脂肪酸エステル、ペンタエリスリトールの脂肪酸エステル、ソルビトールおよびソルビタンの脂肪酸エステル、ショ糖の脂肪酸エステル、多価アルコールのアルキルエーテル、アルカノールアミン類の脂肪酸アミド等が挙げられる。この中で、芳香環とエチレンオキサイド鎖を有するものが好ましく、アルキル置換または無置換のフェノールエチレンオキサイド付加物またはアルキル置換または無置換のナフトールエチレンオキサイド付加物がより好ましい。   The nonionic surfactant is not particularly limited, but is a polyethylene glycol type higher alcohol ethylene oxide adduct, alkylphenol ethylene oxide adduct, alkyl naphthol ethylene oxide adduct, phenol ethylene oxide adduct, naphthol ethylene oxide adduct, fatty acid. Ethylene oxide adduct, polyhydric alcohol fatty acid ester ethylene oxide adduct, higher alkylamine ethylene oxide adduct, fatty acid amide ethylene oxide adduct, fat and oil ethylene oxide adduct, polypropylene glycol ethylene oxide adduct, dimethylsiloxane-ethylene oxide block Copolymer, dimethylsiloxane- (propylene oxide-ethylene oxide) block copolymer Fatty acid esters of polyhydric alcohol type glycerol, fatty acid esters of pentaerythritol, fatty acid esters of sorbitol and sorbitan, fatty acid esters of sucrose, alkyl ethers of polyhydric alcohols, fatty acid amides of alkanolamines. Among these, those having an aromatic ring and an ethylene oxide chain are preferable, and an alkyl-substituted or unsubstituted phenol ethylene oxide adduct or an alkyl-substituted or unsubstituted naphthol ethylene oxide adduct is more preferable.

両性イオン系界面活性剤としては、特に限定されないが、アルキルジメチルアミンオキシドなどのアミンオキシド系、アルキルベタインなどのベタイン系、アルキルアミノ脂肪酸ナトリウムなどのアミノ酸系が挙げられる。特に、置換基を有してもよいアルキルジメチルアミンオキシド、置換基を有してもよいアルキルカルボキシベタイン、置換基を有してもよいアルキルスルホベタインが好ましく用いられる。具体的には、特開2008−203359号公報の段落番号〔0256〕の式(2)で示される化合物、特開2008−276166号公報の段落番号〔0028〕の式(I)、式(II)、式(VI)で示される化合物、特開2009−47927号公報の段落番号〔0022〕〜〔0029〕で示される化合物を用いることができる。   Examples of the zwitterionic surfactant include, but are not limited to, amine oxides such as alkyldimethylamine oxide, betaines such as alkyl betaines, and amino acids such as alkylamino fatty acid sodium. In particular, alkyldimethylamine oxide which may have a substituent, alkylcarboxybetaine which may have a substituent, and alkylsulfobetaine which may have a substituent are preferably used. Specifically, the compound represented by the formula (2) in paragraph [0256] of JP-A-2008-203359, the formula (I) and the formula (II) in paragraph [0028] of JP-A-2008-276166 are disclosed. ), A compound represented by the formula (VI), and compounds represented by paragraph numbers [0022] to [0029] of JP-A-2009-47927 can be used.

さらに必要に応じ、剥離液は、消泡剤および硬水軟化剤のような添加剤を含有することもできる。   Further, if necessary, the stripping solution may contain additives such as an antifoaming agent and a water softening agent.

キャリア基板12を薄型化デバイスウェハ60aから剥離した後、薄型化デバイスウェハ60aに対して、種々の公知の処理を施し、薄型化デバイスウェハ60aを有する半導体素子を製造する。   After peeling the carrier substrate 12 from the thinned device wafer 60a, various known processes are performed on the thinned device wafer 60a to manufacture a semiconductor element having the thinned device wafer 60a.

また、キャリア基板に仮接着層が付着している場合は、仮接着層を除去することにより、キャリア基板を再生することができる。仮接着層を除去する方法としては、フィルム状のままで、ブラシ、超音波、氷粒子、エアロゾルの吹付けにより物理的に除去する方法、水溶液または有機溶剤に溶解させて溶解除去する方法、活性光線、放射線、熱の照射により分解、または気化させる方法などの化学的に除去する方法が挙げられるが、キャリア基板に応じて、従来既知の洗浄方法を利用することができる。
例えば、キャリア基板としてシリコン基板を使用した場合、従来既知のシリコンウェハの洗浄方法を使用することができ、例えば化学的に除去する場合に使用できる水溶液または有機溶剤としては、強酸、強塩基、強酸化剤、またはそれらの混合物が上げられ、具体的には、硫酸、塩酸、フッ酸、硝酸、有機酸などの酸類、テトラメチルアンモニウム、アンモニア、有機塩基などの塩基類、過酸化水素などの酸化剤、またはアンモニアと過酸化水素の混合物、塩酸と過酸化水素水の混合物、硫酸と過酸化水素水の混合物、フッ酸と過酸化水素水の混合物、フッ酸とフッ化アンモニウムとの混合物などが挙げられる。
When the temporary adhesive layer is attached to the carrier substrate, the carrier substrate can be regenerated by removing the temporary adhesive layer. As a method for removing the temporary adhesive layer, a method of physically removing the temporary adhesive layer by spraying with a brush, ultrasonic waves, ice particles or aerosol, a method of dissolving and removing by dissolving in an aqueous solution or an organic solvent, activity A chemical removal method such as a method of decomposing or vaporizing by irradiation with light, radiation, or heat can be mentioned, and conventionally known cleaning methods can be used depending on the carrier substrate.
For example, when a silicon substrate is used as the carrier substrate, a conventionally known silicon wafer cleaning method can be used. For example, as an aqueous solution or organic solvent that can be used for chemical removal, strong acid, strong base, strong The oxidizing agent or a mixture thereof is raised. Specifically, acids such as sulfuric acid, hydrochloric acid, hydrofluoric acid, nitric acid and organic acids, bases such as tetramethylammonium, ammonia and organic bases, oxidation of hydrogen peroxide and the like Or a mixture of ammonia and hydrogen peroxide, a mixture of hydrochloric acid and hydrogen peroxide, a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide, a mixture of hydrofluoric acid and hydrogen peroxide, a mixture of hydrofluoric acid and ammonium fluoride, etc. Can be mentioned.

再生したキャリア基板を使った場合の接着性の観点から、キャリア基板洗浄液を用いることが好ましい。キャリア基板洗浄液は、pKaが0未満の酸(強酸)と過酸化水素を含んでいることが好ましい。pKaが0未満の酸としては、ヨウ化水素、過塩素酸、臭化水素、塩化水素、硝酸、硫酸などの無機酸、またはアルキルスルホン酸、アリールスルホン酸などの有機酸から選択される。キャリア基板上の仮接着層の洗浄性の観点から無機酸であることが好ましく、硫酸が最も好ましい。   From the viewpoint of adhesiveness when the regenerated carrier substrate is used, it is preferable to use a carrier substrate cleaning solution. The carrier substrate cleaning liquid preferably contains an acid (strong acid) having a pKa of less than 0 and hydrogen peroxide. The acid having a pKa of less than 0 is selected from inorganic acids such as hydrogen iodide, perchloric acid, hydrogen bromide, hydrogen chloride, nitric acid and sulfuric acid, or organic acids such as alkylsulfonic acid and arylsulfonic acid. From the viewpoint of detergency of the temporary adhesive layer on the carrier substrate, an inorganic acid is preferable, and sulfuric acid is most preferable.

過酸化水素としては、30質量%過酸化水素水が好ましく使用でき、上記強酸と30質量%過酸化水素水との混合比は、質量比で1:100〜100:1が好ましく、1:1〜10:1がより好ましく、3:1〜5:1が最も好ましい。   As hydrogen peroxide, 30% by mass hydrogen peroxide water can be preferably used, and the mixing ratio of the strong acid and 30% by mass hydrogen peroxide water is preferably 1: 100 to 100: 1 by mass ratio, and 1: 1. -10: 1 is more preferable, and 3: 1 to 5: 1 is most preferable.

半導体の製造方法の第二の実施形態について、図4をあわせて参照しながら説明する。上述した第一の実施形態と同一箇所は、同一符号を付してその説明を省略する。
図4(A)〜(E)は、それぞれ、キャリア基板とデバイスウェハとの仮接着を説明する概略断面図(図4(A)、(B))、キャリア基板に仮接着されたデバイスウェハが薄型化された状態(図4(C))、キャリア基板とデバイスウェハを剥離した状態(図4(D))、デバイスウェハから仮接着層を除去した後の状態(図4(E))を示す概略断面図である。
この実施形態では、図4(A)に示すように、デバイスウェハの表面61a上に仮接着層を形成する点が上記第一の実施形態と相違する。
デバイスウェハ60の表面61a上に、仮接着層11aを設ける場合は、デバイスウェハ60の表面61aの表面に仮接着剤を適用(好ましくは塗布)し、次いで、乾燥(ベーク)することにより形成することができる。乾燥は、例えば、60〜150℃で、10秒〜2分行うことができる。
次いで、図4(B)に示す通り、キャリア基板12とデバイスウェハ60とを圧着させ、キャリア基板12とデバイスウェハ60とを仮接着させる。次いで、図4(C)に示すように、シリコン基板61の裏面61bに対して、機械的または化学的な処理を施して、シリコン基板61の厚さを薄くし、薄型化デバイスウェハ60aを得る。次いで、図4(D)に示すように、キャリア基板12を、薄型化デバイスウェハ60aから剥離させる。そして、図4(E)に示すように、薄型化デバイスウェハ60aから仮接着層11aを除去する。
A second embodiment of the semiconductor manufacturing method will be described with reference to FIG. The same parts as those of the first embodiment described above are denoted by the same reference numerals and the description thereof is omitted.
4A to 4E are schematic cross-sectional views (FIGS. 4A and 4B) for explaining the temporary bonding between the carrier substrate and the device wafer, and the device wafer temporarily bonded to the carrier substrate. The thinned state (FIG. 4C), the carrier substrate and the device wafer are peeled off (FIG. 4D), and the state after the temporary adhesive layer is removed from the device wafer (FIG. 4E). It is a schematic sectional drawing shown.
As shown in FIG. 4A, this embodiment is different from the first embodiment in that a temporary adhesive layer is formed on the surface 61a of the device wafer.
When the temporary adhesive layer 11a is provided on the surface 61a of the device wafer 60, the temporary adhesive is applied (preferably applied) to the surface 61a of the device wafer 60, and then dried (baked). be able to. Drying can be performed, for example, at 60 to 150 ° C. for 10 seconds to 2 minutes.
Next, as shown in FIG. 4B, the carrier substrate 12 and the device wafer 60 are pressure-bonded, and the carrier substrate 12 and the device wafer 60 are temporarily bonded. Next, as shown in FIG. 4C, the back surface 61b of the silicon substrate 61 is subjected to mechanical or chemical treatment to reduce the thickness of the silicon substrate 61, thereby obtaining a thinned device wafer 60a. . Next, as shown in FIG. 4D, the carrier substrate 12 is peeled from the thinned device wafer 60a. Then, as shown in FIG. 4E, the temporary adhesive layer 11a is removed from the thinned device wafer 60a.

本発明の半導体素子の製造方法は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、適宜な変形、改良等が可能である。
また、上述した実施形態においては、デバイスウェハとして、シリコン基板を挙げたが、これに限定されるものではなく、半導体素子の製造方法において、機械的または化学的な処理に供され得るいずれの被処理部材であってもよい。
また、上述した実施形態においては、デバイスウェハ(シリコン基板)に対する機械的または化学的な処理として、デバイスウェハの薄膜化処理、および、シリコン貫通電極の形成処理を挙げたが、これらに限定されるものではなく、半導体素子の製造方法において必要ないずれの処理も挙げられる。
その他、上述した実施形態において例示した、デバイスウェハにおけるデバイスチップの形状、寸法、数、配置箇所等は任意であり、限定されない。
The method for manufacturing a semiconductor element of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and appropriate modifications and improvements can be made.
In the above-described embodiments, the silicon substrate is used as the device wafer. However, the present invention is not limited to this, and any device that can be subjected to mechanical or chemical treatment in the method of manufacturing a semiconductor element is used. It may be a processing member.
In the above-described embodiment, the device wafer (silicon substrate) is mechanically or chemically treated as a device wafer thinning process and a through silicon via formation process, but is not limited thereto. It is not a thing, and any process required in the manufacturing method of a semiconductor element is mentioned.
In addition, the shape, dimension, number, arrangement location, and the like of the device chip in the device wafer exemplified in the above-described embodiment are arbitrary and are not limited.

以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが、本発明はその主旨を越えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。尚、特に断りのない限り、「部」、「%」は質量基準である。   EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples. However, the present invention is not limited to the following examples unless it exceeds the gist thereof. Unless otherwise specified, “part” and “%” are based on mass.

<接着剤の調製>
下記に示す通り、接着剤の各成分を混合して均一な溶液とした後、5μmの孔径を有するポリテトラフルオロエチレン製フィルタを用いてろ過して、接着剤を調製した。
<Preparation of adhesive>
As shown below, each component of the adhesive was mixed to make a uniform solution, and then filtered using a polytetrafluoroethylene filter having a pore size of 5 μm to prepare an adhesive.

<<接着剤の組成>>
・表1に記載の熱可塑性樹脂:表1に記載の量
・表1に記載の添加剤:表1に記載の量
・表1に記載の溶剤:表1に記載の量
<<<全ての接着剤に配合した成分>>>
・Irganox1010(BASFジャパン(株)製):1質量部
・Sumilizer TP−D(住友化学(株)製):1質量部
<< Adhesive composition >>
-Thermoplastic resins listed in Table 1: amounts listed in Table 1-Additives listed in Table 1: amounts listed in Table 1-Solvents listed in Table 1: amounts listed in Table 1 <<<< Ingredients blended in adhesive >>>
・ Irganox 1010 (manufactured by BASF Japan): 1 part by mass ・ Sumilizer TP-D (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.): 1 part by mass

表1に記載の樹脂は以下の通りである。
上記表2において、COPは、シクロオレフィンポリマーをいう。
The resins listed in Table 1 are as follows.
In Table 2 above, COP refers to a cycloolefin polymer.

表1における、添加剤および溶剤は下記のとおりである。
A−1:KF−6017(信越化学工業(株)製)
A−2:メガファックF−557(DIC(株)製)
S−1:メシチレン(東洋合成工業(株)製)
S−2:1,4−ジエチルベンゼン(東レ(株)製)
The additives and solvents in Table 1 are as follows.
A-1: KF-6017 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)
A-2: Megafuck F-557 (manufactured by DIC Corporation)
S-1: Mesitylene (manufactured by Toyo Gosei Co., Ltd.)
S-2: 1,4-diethylbenzene (manufactured by Toray Industries, Inc.)

上記表1において、EBR(Edge Bead Removal)とは、エッジビード処理を意味し、成膜後の接着層に対するエッジビード形状を調整する処理である。
治具とは、治具処理を意味し、成膜後の接着層を設けた基板を700rpmの速度で回転させながら、接着剤の表面に先端を丸めた直径5mmのポリテトラフルオロエチレン(PTFE)製の棒を押し当てることによって行った。
In Table 1 above, EBR (Edge Bead Removal) means edge bead processing, and is processing for adjusting the edge bead shape with respect to the adhesive layer after film formation.
The jig means jig processing. Polytetrafluoroethylene (PTFE) having a diameter of 5 mm with the tip rounded on the surface of the adhesive while rotating the substrate provided with the adhesive layer after film formation at a speed of 700 rpm. This was done by pressing a metal rod.

<積層体の形成>
<<積層体の形成(実施例1〜3、6、8〜16)>>
基板として、直径12インチの円盤状のシリコン基板(1インチは、2.54cmである)を用い、その表面に、上記接着剤をコーティング装置(イーヴィグループジャパン(株)製、EVG 101)を用いて成膜した。ホットプレート(イーヴィグループジャパン(株)製、EVG 105)を用いて、表1に記載のベーク温度で3分間加熱し、さらに、180℃で3分間加熱することで、溶剤を乾燥させ、シリコン基板の表面に接着層を形成した。得られた積層体を、積層体Aとする。
上記において、ホットプレートは、背面排気から天面排気に変更し、天板に形成されている排気口の数を増やすことで効率的に排気ができるよう改造を行った。その結果、接着剤の塗布膜を加熱してレベリングをしながら、接着剤の塗布膜表面で対流を起こす溶剤成分を効率よく系外へ排出することができ、端部の盛り上がり部のピークを2つにできた。
得られた積層体Aを、シリコン基板を下側にしてコーティング装置(イーヴィグループジャパン(株)製、EVG 101)にセットし、1250rpmから2000rpmまで、50rpm/sの加速度で回転数を上昇させながら、流量20mL/分で、メシチレンを用いて、BSR(Back Side Rince)処理を行うことで、ベベル部に付着した接着層を除去した。
<Formation of laminate>
<< Formation of Laminate (Examples 1 to 3, 6, 8 to 16) >>
As a substrate, a disc-shaped silicon substrate having a diameter of 12 inches (1 inch is 2.54 cm) is used, and the adhesive is coated on the surface thereof using a coating apparatus (EVG 101, manufactured by Evi Group Japan Co., Ltd.). To form a film. Using a hot plate (EVG 105, manufactured by Evi Group Japan Co., Ltd.), heat at the baking temperature shown in Table 1 for 3 minutes, and further heat at 180 ° C. for 3 minutes to dry the solvent, and the silicon substrate An adhesive layer was formed on the surface. Let the obtained laminated body be the laminated body A. FIG.
In the above, the hot plate was modified from the rear exhaust to the top exhaust so that the exhaust can be efficiently performed by increasing the number of exhaust ports formed in the top plate. As a result, the solvent component that causes convection on the surface of the adhesive coating film can be efficiently discharged out of the system while heating and leveling the adhesive coating film, and the peak of the bulge at the end is 2 I made it.
The obtained laminate A is set in a coating apparatus (EVG 101, manufactured by Evi Group Japan Co., Ltd.) with the silicon substrate facing down, while increasing the rotational speed from 1250 rpm to 2000 rpm at an acceleration of 50 rpm / s. The adhesive layer attached to the bevel portion was removed by performing BSR (Back Side Rinse) treatment using mesitylene at a flow rate of 20 mL / min.

<<積層体の形成(実施例4)>>
積層体Aに対し、接着層を設けた基板を700rpmの速度で回転させながら、接着層上であって、基板の端部から20mmの距離に対応する位置に15秒間、メシチレンを流量20mL/分で供給することによりEBRを行ったこと以外は、実施例1と同様にして積層体Aを形成した。
<< Formation of Laminate (Example 4) >>
While rotating the substrate provided with the adhesive layer to the layered product A at a speed of 700 rpm, the mesitylene was flowed at a flow rate of 20 mL / min on the adhesive layer at a position corresponding to a distance of 20 mm from the edge of the substrate for 15 seconds. A layered product A was formed in the same manner as in Example 1 except that EBR was performed by supplying the product.

<<積層体の形成(実施例5)>>
積層体Aに対し、接着層を設けた基板を700rpmの速度で回転させながら、接着剤の表面であって、基板の端部から6mmの距離に対応する位置に20秒間、先端を丸めた直径5mmのポリテトラフルオロエチレン(PTFE)製の棒を押し当てることによって治具処理を行ったこと以外は、実施例1と同様にして積層体Aを形成した。
<< Formation of Laminate (Example 5) >>
While rotating the substrate provided with the adhesive layer to the layered product A at a speed of 700 rpm, the diameter of the surface of the adhesive is rounded for 20 seconds at a position corresponding to a distance of 6 mm from the edge of the substrate. A laminate A was formed in the same manner as in Example 1 except that the jig treatment was performed by pressing a 5 mm polytetrafluoroethylene (PTFE) rod.

<<積層体の形成(実施例7)>>
積層体Aに対し、接着層を設けた基板を700rpmの速度で回転させながら、接着層上であって、基板の端部から20mmの距離に対応する位置に10秒間、基板の端部から10mmの距離に対応する位置に10秒間、メシチレンを流量20mL/分で供給することによりEBRを行ったこと以外は、実施例4と同様にして積層体Aを形成した。
<< Formation of Laminate (Example 7) >>
While rotating the substrate provided with the adhesive layer to the layered product A at a speed of 700 rpm, the substrate is placed on the adhesive layer at a position corresponding to a distance of 20 mm from the edge of the substrate for 10 seconds and 10 mm from the edge of the substrate. A laminate A was formed in the same manner as in Example 4 except that EBR was performed by supplying mesitylene at a flow rate of 20 mL / min for 10 seconds to a position corresponding to the distance of.

<<積層体の形成(実施例17)>>
積層体Aに対し、接着層を設けた基板を700rpmの速度で回転させながら、接着層上であって、基板の端部から20mmの距離に対応する位置に10秒間、基板の端部から10mmの距離に対応する位置に30秒間、メシチレンを流量20mL/分で供給することによりEBRを行ったこと以外は、実施例4と同様にして積層体Aを形成した。
<< Formation of Laminate (Example 17) >>
While rotating the substrate provided with the adhesive layer to the layered product A at a speed of 700 rpm, the substrate is placed on the adhesive layer at a position corresponding to a distance of 20 mm from the edge of the substrate for 10 seconds and 10 mm from the edge of the substrate. A laminate A was formed in the same manner as in Example 4 except that EBR was performed by supplying mesitylene at a flow rate of 20 mL / min for 30 seconds to a position corresponding to the distance.

<<積層体の形成(実施例18)>>
積層体Aに対し、接着層を設けた基板を700rpmの速度で回転させながら、接着剤の表面であって、基板の端部から10mmの距離に対応する位置に20秒間、先端を丸めた直径5mmのポリテトラフルオロエチレン(PTFE)製の棒を押し当てることによって治具処理を行ったこと以外は、実施例1と同様にして積層体Aを形成した。
<< Formation of Laminate (Example 18) >>
While rotating the substrate provided with the adhesive layer to the layered product A at a speed of 700 rpm, the diameter of the surface of the adhesive is rounded for 20 seconds at a position corresponding to a distance of 10 mm from the edge of the substrate A laminate A was formed in the same manner as in Example 1 except that the jig treatment was performed by pressing a 5 mm polytetrafluoroethylene (PTFE) rod.

<<膜厚評価>>
上記で得られた積層体Aのシリコン基板を、膜厚センサーをX−Yステージに固定して測定した。シリコン基板の中央部から、シリコン基板の端部に対応する位置の接着層の形状を測定した。接着層の端部の盛り上がり部(エッジビード)の形状(盛り上がり部の基板面に垂直な断面の形状)と、膜厚を測定した。測定においては、図2に示すように、基板面の直径方向およびZ方向(基板面の直径方向と直行する方向)を定め、基板面の直径方向は0.1mmおきに、Z方向は1mmおきに測定した。
接着層の平均膜厚tは、接着層の厚さの平均値である(単位:μm)。
直径方向のピークの高さ(H)は、接着層の端部に近い方から順に、H、H、Hと示した(図2参照、但し、Hの存在しない実施例もある)。また、H、H、Hについて、同心円状の各円のピークの高さは、いずれの箇所でも通常同じ高さであるが、誤差があった場合は、最も高い点の高さをH、H、Hとした。
直径方向の、基板の端部と、基板の端部から中心に向かって数えたn番目のピークに対応する基板上の位置との最短距離(R)は、基板(シリコン基板)の端部から近い順に、R、R、Rと示した(図2参照、但し、Rの存在しない実施例もある)。
さらに、Rの値と、nの数より、n・t/40の値と、n・t/8の値を算出した。
測定に際し、膜厚センサーとして、(株)キーエンス製、ST−T80を用いた。
実施例1と比較例1について、プロファイルを図5に示す。図5において、直径方向(Radius)は、シリコン基板の中央に対応する接着層の位置からの距離を示しており、単位はmmである。Z方向(FT)は、接着層の膜厚を示しており、単位はμmである(図5では便宜上、umと表記している)。図5(1)が実施例1のプロファイルであり、ピークが2つ形成されていることが確認できた。図5(2)が比較例1のプロファイルであり、ピークが1つ形成されていることが確認できた。
<< Film thickness evaluation >>
The silicon substrate of the laminate A obtained above was measured with a film thickness sensor fixed to an XY stage. From the central part of the silicon substrate, the shape of the adhesive layer at a position corresponding to the end of the silicon substrate was measured. The shape of the raised portion (edge bead) at the end of the adhesive layer (cross-sectional shape perpendicular to the substrate surface of the raised portion) and the film thickness were measured. In the measurement, as shown in FIG. 2, the diameter direction of the substrate surface and the Z direction (direction perpendicular to the diameter direction of the substrate surface) are determined. The diameter direction of the substrate surface is every 0.1 mm, and the Z direction is every 1 mm. Measured.
The average film thickness t of the adhesive layer is an average value of the thickness of the adhesive layer (unit: μm).
The height (H n ) of the peak in the diameter direction is indicated as H 1 , H 2 , H 3 in order from the end closer to the end of the adhesive layer (see FIG. 2, but there are also examples in which H 3 does not exist is there). For H 1 , H 2 , and H 3 , the height of the peak of each concentric circle is usually the same at any point, but if there is an error, the height of the highest point is set. and the H 1, H 2, H 3 .
The shortest distance (R n ) between the end of the substrate in the diametric direction and the position on the substrate corresponding to the n-th peak counted from the end of the substrate toward the center is the end of the substrate (silicon substrate) R 1 , R 2 , and R 3 are shown in order from the nearest (see FIG. 2, but there are examples in which R 3 does not exist).
Furthermore, a value of n · t / 40 and a value of n · t / 8 were calculated from the value of R n and the number of n.
In the measurement, ST-T80 manufactured by Keyence Corporation was used as a film thickness sensor.
The profiles of Example 1 and Comparative Example 1 are shown in FIG. In FIG. 5, the diameter direction (Radius) indicates the distance from the position of the adhesive layer corresponding to the center of the silicon substrate, and the unit is mm. The Z direction (FT) indicates the film thickness of the adhesive layer, and its unit is μm (in FIG. 5, it is expressed as um for convenience). FIG. 5 (1) is the profile of Example 1, and it was confirmed that two peaks were formed. FIG. 5B is the profile of Comparative Example 1, and it was confirmed that one peak was formed.

<<ボンディング処理>>
上記で得られた積層体Aと、直径12インチの第2のシリコン基板とを、接着層が内側となるように、ウェハボンディング装置(イーヴィグループジャパン(株)製、EVG 540)により気圧1Paの下、温度200℃、0.3MPaの圧力を加えて1分間熱圧着し、積層体Bを得た。
<< Bonding process >>
The laminated body A obtained above and the second silicon substrate having a diameter of 12 inches were subjected to a pressure of 1 Pa with a wafer bonding apparatus (EVG 540, manufactured by Evi Group Japan Co., Ltd.) so that the adhesive layer is on the inside. Then, a temperature of 200 ° C. and a pressure of 0.3 MPa were applied and thermocompression bonded for 1 minute to obtain a laminate B.

<<TTV評価>>
上記ボンディング処理して得られた積層体Bを、膜厚センサー(大塚電子(株)製、SF−3/BB)をX−Yステージに固定したものを用いて、積層体の厚みムラ(TTV: Total Thickness Variation)を測定した。測定においては、上記膜厚の評価にならい、基板面の直径方向およびZ方向(基板面の直径方向と直行する方向)を定め、基板面の直径方向は0.1mmおきに、Z方向は1mmおきに測定した。
以下の基準に基づいて評価した。評価C以上が実用レベルである。
A: TTVが4μm未満
B: TTVが4μm以上8μm未満
C: TTVが8μm以上12μm未満
D: TTVが12μm以上
<< TTV evaluation >>
Using the laminate B obtained by the above bonding treatment with a film thickness sensor (manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd., SF-3 / BB) fixed to an XY stage, the thickness unevenness of the laminate (TTV) : Total Thickness Variation). In the measurement, following the evaluation of the film thickness, the diameter direction of the substrate surface and the Z direction (direction perpendicular to the diameter direction of the substrate surface) are determined. The diameter direction of the substrate surface is every 0.1 mm and the Z direction is 1 mm. Measured every other time.
Evaluation was based on the following criteria. Evaluation C or higher is a practical level.
A: TTV is less than 4 μm B: TTV is not less than 4 μm and less than 8 μm C: TTV is not less than 8 μm and less than 12 μm D: TTV is not less than 12 μm

<<バックグラインド(薄型化)加工>>
上記積層体Bの第2のシリコン基板の裏面(接着層と接していない側の面)を、バックグラインダー((株)ディスコ製、DFG8540)を用いて40μmの厚さまで研磨し、薄型化した積層体Cを得た。
<< Back grinding (thinning) processing >>
The back surface of the second silicon substrate of the laminate B (the surface that is not in contact with the adhesive layer) is polished to a thickness of 40 μm using a back grinder (manufactured by DISCO Corporation, DFG8540) to reduce the thickness. Body C was obtained.

<<チッピング評価>>
積層体Cの、薄型化した基板である第2のシリコン基板の端面を、円盤状の周囲方向について、光学顕微鏡(オリンパス(株)製、MX51)で観察した。1mm以上の長さのチッピング(第2のシリコン基板の端面のクラック)が生じている個数を計測し、以下の基準に基づいて評価した。評価C以上が実用レベルである。
A: チッピングの個数が0個
B: チッピングの個数が1個以上5個以下
C: チッピングの個数が6個以上10個以下
D: チッピングの個数が11個以上
<< Chipping evaluation >>
The end surface of the second silicon substrate, which is a thinned substrate, of the laminate C was observed with a light microscope (MX51, manufactured by Olympus Corporation) in the circumferential direction of the disk. The number of occurrences of chipping with a length of 1 mm or more (cracks on the end face of the second silicon substrate) was measured and evaluated based on the following criteria. Evaluation C or higher is a practical level.
A: The number of chipping is 0 B: The number of chipping is 1 or more and 5 or less C: The number of chipping is 6 or more and 10 or less D: The number of chipping is 11 or more

<<剥離評価>>
積層体Cの、薄型化した第2のシリコン基板を下側にし、下側の第2のシリコン基板を、ダイシングテープマウンターを用いてダイシングテープ中央にダイシングフレームと共に固定した。その後、ウェハデボンダー装置(東京エレクトロン(株)製、Synapse Z)を用いて、25℃で、上側のシリコン基板を下側のシリコン基板に対して垂直方向に、3mm/分の速さで引き上げて、上側または下側のシリコン基板が割れずに、剥離できるかどうかを確認し、以下の基準で評価を行った。
A: 基板が割れずに、剥離が可能であった。
B: 接着力が弱くウェハの周辺が一部浮いていたが、基板が割れずに、剥離が可能、もしくは、引き上げ速度が3mm/分では基板が割れたが引き上げ速度2mm/分では、基板が割れずに、剥離可能であった。
C: 引き上げ速度が2mm/分では基板が割れたが引き上げ速度1mm/分では、基板が割れずに、剥離可能であった。
D: 上記A、BおよびC以外であった。
<< Peeling evaluation >>
The thinned second silicon substrate of the laminate C was placed on the lower side, and the lower second silicon substrate was fixed together with the dicing frame at the center of the dicing tape using a dicing tape mounter. Then, using a wafer debonder device (Synapse Z, manufactured by Tokyo Electron Ltd.), at 25 ° C., the upper silicon substrate is pulled up at a speed of 3 mm / min in a direction perpendicular to the lower silicon substrate. Then, it was confirmed whether the upper or lower silicon substrate could be peeled without cracking, and evaluation was performed according to the following criteria.
A: The substrate could be peeled without cracking.
B: Adhesive strength was weak and the periphery of the wafer was partially floating, but the substrate could be peeled off without being cracked, or the substrate was cracked at a lifting speed of 3 mm / min, but the substrate was It was possible to peel without cracking.
C: The substrate was cracked at a pulling speed of 2 mm / min, but was peelable without being cracked at a pulling speed of 1 mm / min.
D: Other than A, B and C above.

上記結果から明らかなとおり、本発明の積層体を用いた場合、2つの基板を厚みムラが少なく接着することができ、かつ、ダメージの少ない薄型化加工が可能である積層体を提供可能であった(実施例1〜18)。これに対し、ピークが1つの場合(比較例1)、厚みムラが大きかった。   As is clear from the above results, when the laminate of the present invention is used, it is possible to provide a laminate that can adhere two substrates with little thickness unevenness and can be thinned with little damage. (Examples 1-18). On the other hand, when there was one peak (Comparative Example 1), the thickness unevenness was large.

1:基板
2:接着剤または接着層
3:第2の基板
4:ボイド
5:ピーク
11、11a:仮接着層
12:キャリア基板
60:デバイスウェハ
60a:薄型化デバイスウェハ
61:シリコン基板
61a:表面
61b、61b1:裏面
62:デバイスチップ
100:接着性キャリア基板
1: Substrate 2: Adhesive or adhesive layer 3: Second substrate 4: Void 5: Peak 11, 11a: Temporary adhesive layer 12: Carrier substrate 60: Device wafer 60a: Thinned device wafer 61: Silicon substrate 61a: Surface 61b, 61b1: back surface 62: device chip 100: adhesive carrier substrate

Claims (8)

円盤状の基板と、接着剤を塗布する場合に生じる端部の盛り上がり部を有しかつ熱可塑性樹脂を含む接着層を有し、前記接着層の端部の盛り上がり部が、2つ以上のピークを有する、積層体であって、
前記基板の端部から中心に向かって数えたn番目のピークの高さHと、n+1番目のピークの高さHn+1と、前記接着層の平均膜厚tが、t < Hn+1 < H < t+40/nを満たす、積層体;但し、前記平均膜厚の単位はμmであり、前記ピーク高さの単位はμmである。
A disk-shaped substrate and an adhesive layer including a thermoplastic resin having an end raised portion generated when an adhesive is applied, and the raised portion at the end of the adhesive layer has two or more peaks. A laminate comprising:
The height H n of the n th peak counted toward the center from the edge of the substrate, the height H n + 1 of the (n + 1) th peak, average thickness t of the adhesive layer is, t <H n + 1 <H n satisfy <t + 40 / n, the product Sotai; however, the unit of the average thickness is [mu] m, a unit of the peak height of [mu] m.
円盤状の基板と、接着剤を塗布する場合に生じる端部の盛り上がり部を有しかつ熱可塑性樹脂を含む接着層を有し、前記接着層の端部の盛り上がり部が、2つ以上のピークを有する、積層体であって、
前記基板の端部と、前記基板の端部から中心に向かって数えたn番目のピークに対応する基板上の位置との最短距離Rと、前記接着層の平均膜厚tが、n・t/40 < R < n・t/8を満たす、積層体;但し、前記平均膜厚の単位はμmであり、前記最短距離の単位はmmである。
A disk-shaped substrate and an adhesive layer including a thermoplastic resin having an end raised portion generated when an adhesive is applied, and the raised portion at the end of the adhesive layer has two or more peaks. A laminate comprising:
The shortest distance R n between the edge of the substrate and the position on the substrate corresponding to the n-th peak counted from the edge of the substrate toward the center, and the average film thickness t of the adhesive layer are n · t / 40 <satisfy R n <n · t / 8 , the product Sotai; however, the unit of the average thickness is [mu] m, a unit of the minimum distance is in mm.
前記熱可塑性樹脂を含む接着層が、ポリエーテル変性シリコーンを含む、請求項1または2に記載の積層体。 The laminate according to claim 1 or 2 , wherein the adhesive layer containing the thermoplastic resin contains polyether-modified silicone. 基板と、接着剤を塗布する場合に生じる端部の盛り上がり部を有しかつ熱可塑性樹脂を含む接着層を有し、前記接着層の端部の盛り上がり部が、2つ以上のピークを有する、積層体であって、A substrate and an adhesive layer including a thermoplastic resin having an end raised portion that occurs when an adhesive is applied, and the raised portion at the end of the adhesive layer has two or more peaks, A laminate,
前記熱可塑性樹脂を含む接着層が、ポリエーテル変性シリコーンを含む、積層体。The laminated body in which the contact bonding layer containing the said thermoplastic resin contains polyether modified silicone.
前記ポリエーテル変性シリコーンは、式(A)で表される比率が80%以上である、請求項3または4に記載の積層体;
式(A) {(MO+EO)/AO}×100
上記式(A)中、MOは、ポリエーテル変性シリコーン中のポリエーテル構造に含まれるメチレンオキシドのモル%であり、EOは、ポリエーテル変性シリコーン中のポリエーテル構造に含まれるエチレンオキシドのモル%であり、AOは、ポリエーテル変性シリコーン中のポリエーテル構造に含まれるアルキレンオキシドのモル%をいう。
The laminate according to claim 3 or 4, wherein the polyether-modified silicone has a ratio represented by the formula (A) of 80% or more;
Formula (A) {(MO + EO) / AO} × 100
In the above formula (A), MO is the mol% of methylene oxide contained in the polyether structure in the polyether-modified silicone, and EO is the mol% of ethylene oxide contained in the polyether structure in the polyether-modified silicone. Yes, AO refers to the mole percent of alkylene oxide contained in the polyether structure in the polyether-modified silicone.
前記盛り上がり部が、2つのピークを有する、請求項1〜5のいずれか1項に記載の積層体。 The laminate according to any one of claims 1 to 5 , wherein the raised portion has two peaks. 前記熱可塑性樹脂を含む接着層が、前記熱可塑性樹脂としてポリスチレン系エラストマーを含む、請求項1〜6のいずれか1項に記載の積層体。 The laminated body of any one of Claims 1-6 in which the contact bonding layer containing the said thermoplastic resin contains a polystyrene-type elastomer as the said thermoplastic resin. 基板上に、溶剤を含む接着剤をスピンコート法により塗布して、接着層を形成する工程と、前記接着層の端部の盛り上がり部が、2つ以上のピークとなるように調整する工程を含む、請求項1〜7のいずれか1項に記載の積層体の製造方法。 A step of applying an adhesive containing a solvent on a substrate by a spin coating method to form an adhesive layer, and a step of adjusting so that the raised portion at the end of the adhesive layer has two or more peaks. The manufacturing method of the laminated body of any one of Claims 1-7 containing.
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