KR20180053031A - 압전 미소 기계식 공진기 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 11
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
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- H03H9/02—Details
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/173—Air-gaps
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01H—MEASUREMENT OF MECHANICAL VIBRATIONS OR ULTRASONIC, SONIC OR INFRASONIC WAVES
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01H—MEASUREMENT OF MECHANICAL VIBRATIONS OR ULTRASONIC, SONIC OR INFRASONIC WAVES
- G01H11/00—Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by detecting changes in electric or magnetic properties
- G01H11/06—Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by detecting changes in electric or magnetic properties by electric means
- G01H11/08—Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by detecting changes in electric or magnetic properties by electric means using piezoelectric devices
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/56—Monolithic crystal filters
- H03H9/562—Monolithic crystal filters comprising a ceramic piezoelectric layer
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/56—Monolithic crystal filters
- H03H9/564—Monolithic crystal filters implemented with thin-film techniques
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/58—Multiple crystal filters
- H03H9/582—Multiple crystal filters implemented with thin-film techniques
- H03H9/583—Multiple crystal filters implemented with thin-film techniques comprising a plurality of piezoelectric layers acoustically coupled
- H03H9/585—Stacked Crystal Filters [SCF]
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/30—Piezoelectric or electrostrictive devices with mechanical input and electrical output, e.g. functioning as generators or sensors
- H10N30/304—Beam type
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
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- H10N30/877—Conductive materials
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H2009/155—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material using MEMS techniques
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
개시된 압전 미소 기계식 공진기는, 지지부재에 일단이 고정되며 타단이 자유단인 지지빔과, 상기 지지빔의 제1면 상에서 그 일측이 상기 지지부재에 부착되며 순차적으로 배치된 하부전극, 압전부, 상부전극을 포함하는 압전 센서부와, 상기 지지빔의 제1면 상에서 상기 지지빔의 자유단 측 상에 배치된 집중 질량을 포함한다. 상기 상부전극의 영률이 상기 하부전극의 영률 보다 작다.
Description
실시예는 센싱 감도가 개선된 압전 미소 기계식 공진기에 관한 것이다.
음향 특성 또는 진동 특성을 분석하기 위한 미소 기계식 공진기는 주로 캔티레버 구조의 빔을 이용한다. 상기 캔티레버 구조는 일 측이 고정된 상태에서 타측이 진동하게 된다.
이러한 미소 기계식 공진기는 모바일 전자소자, 자동차 등에서 음향 또는 음성 정보의 분석을 위해 사용될 수 있다.
또한, 인간의 피부 등에 부착되어서 심박 등의 생체 정보를 측정하거나, 자동차, 가전에 탑재되어 진동 정보를 측정할 수 있다.
정확한 정보를 취득하기 위해 음향 특성 또는 진동 특성을 분석하기 위한 미소 기계식 공진기의 센싱 감도를 향상시키는 방법이 계속적으로 요구된다
센싱 감도를 향상시킨 압전 미소 기계식 공진기를 제공한다.
실시예에 따른 압전 미소 기계식 공진기는:
지지부재에 일단이 고정되며 타단이 자유단인 지지빔;
상기 지지빔의 제1면 상에서 그 일측이 상기 지지부재에 부착되며 순차적으로 배치된 하부전극, 압전부, 상부전극을 포함하는 압전 센서부; 및
상기 지지빔의 제1면 상에서 상기 지지빔의 자유단 측 상에 배치된 집중 질량;을 포함하며,
상기 상부전극의 영률이 상기 하부전극의 영률 보다 작다.
상기 하부전극은 몰리브덴을 포함하며, 상기 상부전극은 알루미늄을 포함할 수 있다.
상기 상부전극의 두께는 상기 하부전극의 두께 보다 얇을 수 있다.
상기 압전 센서부 하부의 상기 지지빔의 센싱 영역의 두께는 나머지 비센싱 영역의 상기 지지빔의 두께 보다 얇을 수 있다.
상기 지지빔의 비센싱 영역에서 상기 지지빔 및 상기 집중 질량 사이에 배치된 질량부를 더 포함할 수 있다.
상기 질량부는 상기 압전 센서부와 동일한 조성을 가지는 층들의 스택일 수 있다.
상기 질량부는 상기 압전 센서부와 동일한 하부전극 층 또는 상기 압전 센서부와 동일한 하부전극층 및 압전부 층으로 이루어진 스택을 포함할 수 있다.
상기 압전부는 알루미늄 나이트라이드를 포함할 수 있다.
실시예에 따른 압전 미소 기계식 공진기는:
지지부재에 일단이 고정되며, 순차적으로 배치된 하부전극, 압전부, 상부전극을 포함하는 압전 센서부;
상기 압전 센서부의 일면에서 상기 지지부재로부터 이격된 상기 압전 센서부의 일측에 부착된 지지빔; 및
상기 지지빔 상에서 상기 압전 센서부와 마주보게 상기 지지빔의 일측 상에 배치된 집중 질량;을 포함할 수 있다.
실시예에 따른 압전 미소 기계식 공진기는 압전 센서부를 지지하는 지지빔의 구조 또는 상부전극의 영률 등을 변경하여 진동의 센싱 감도를 향상시킬 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 압전 미소 기계식 공진기의 구조를 개략적으로 보여주는 단면도다.
도 2는 도 1의 센싱 영역의 일부인 센싱 스택의 단면도다.
도 3은 다른 실시예에 따른 압전 미소 기계식 공진기의 구조를 개략적으로 보여주는 단면도다.
도 4는 다른 실시예에 따른 압전 미소 기계식 공진기의 구조를 개략적으로 보여주는 단면도다.
도 5는 다른 실시예에 따른 압전 미소 기계식 공진기의 구조를 개략적으로 보여주는 단면도다.
도 2는 도 1의 센싱 영역의 일부인 센싱 스택의 단면도다.
도 3은 다른 실시예에 따른 압전 미소 기계식 공진기의 구조를 개략적으로 보여주는 단면도다.
도 4는 다른 실시예에 따른 압전 미소 기계식 공진기의 구조를 개략적으로 보여주는 단면도다.
도 5는 다른 실시예에 따른 압전 미소 기계식 공진기의 구조를 개략적으로 보여주는 단면도다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예들을 상세하게 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다. 이하에 설명되는 실시예는 단지 예시적인 것에 불과하며, 이러한 실시예들로부터 다양한 변형이 가능하다.
이하에서, "상부" 나 "상"이라고 기재된 것은 접촉하여 바로 위에 있는 것뿐만 아니라 비접촉으로 위에 있는 것도 포함할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 압전 미소 기계식 공진기(100)의 구조를 개략적으로 보여주는 단면도다.
도 1을 참조하면, 압전 미소 기계식 공진기(100)는 캔티레버 구조일 수 있다. 압전 미소 기계식 공진기(100)는 일단(고정단(121))이 지지부재(110)에 고정되며 타단이 자유단(122)인 지지빔(120)을 포함한다.
지지부재(110)는 모바일 전자소자, 예컨대 모바일 폰 또는 자동차 등에 형성된 부재일 수 있다.
지지빔(120)은 플레이트 타입일 수 있다. 예컨대, 그 폭이 높이 보다 크다. 지지빔(120)은 대략 1 ㎛ 두께로 이루어질 수 있다. 또한, 그 길이는 상기 높이 보다 클 수 있다. 지지빔(120)의 폭은 대략 수 십 ㎛ 내지 수 백 ㎛ 일 수 있다. 지지빔(120)은 반도체 공정에서 주로 사용되는 실리콘으로 이루어질 수 있다. 실시예는 이에 한정되지 않는다. 지지빔(120)은 글래스, 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드 등으로도 형성될 수 있다.
지지빔(120)의 제1면(120a) 상에서 일측에는 압전 센서부(130)가 설치되며 지지빔(120)의 제1면(120a) 상에서 타측에는 집중 질량(150)(lumped mass)(150)이 배치될 수 있다. 지지빔(120)은 압전 압전 센서부(130)가 배치된 센싱 영역(A1)과 나머지 영역의 비센싱 영역(A2)을 포함한다.
지지빔(120)의 제1면(120a) 상에서 압전 센서부(130)와 집중 질량(150)은 서로 마주보도록 이격되게 배치될 수 있다. 실시예에서는 압전 센서부(130)와 집중 질량(150)이 지지빔(120)의 제1면(120a) 상에 각각 배치되어 있으나, 실시예는 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 압전 센서부(130)는 지지빔(120)의 제1면(120a) 상에 배치되고, 집중 질량(150)은 지지빔(120)의 제2면(120b) 상에 배치될 수도 있다.
압전 센서부(130)는 지지빔(120) 상으로 순차적으로 배치된 하부전극(131), 압전부(132), 및 상부전극(133)을 포함할 수 있다. 압전 센서부(130)의 일측은 지지부재(110)에 고정될 수 있다. 하부전극(131) 및 상부전극(133), 압전부(132)는 각각 대략 0.1 ㎛ ~ 0.3 ㎛ 두께로 형성될 수 있다.
압전부(132)는 알루미늄 나이트라이드 또는 PZT로 이루어질 수 있다.
하부전극(131)은 그 위에 압전부(132), 예컨대 알루미늄 나이트라이드를 증착시 알루미늄 나이트라이드의 결정성을 양호하게 하도록 몰리브덴으로 이루어질 수 있다. 실시예는 이에 한정되지 않는다. 하부전극(131)은 백금으로 이루어질 수도 있다.
상부전극(133)은 몰리브덴 보다 영률(young's modulus)이 작은 도전 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 상부전극(133)은 알루미늄, 구리, 티타늄 등으로 이루어질 수 있다. 또한, 상부전극(133)의 두께는 하부 전극의 두께 보다 얇게 형성될 수 있다.
집중 질량(150)은 캔티레버 구조의 동적 거동에서 소리, 진동 등의 외력이 작용할 때 집중 질량(150)의 관성력을 증가시킨다. 집중 질량(150)은 스틸 또는 텅스텐을 포함할 수 있다.
이하에서는 실시예에 따른 공진기(100)의 작용을 설명한다.
도 2는 도 1의 센싱 영역(A1)의 일부인 센싱 스택의 단면도다. 센싱 스택은 지지빔층(120'), 하부전극층(131'), 압전부층(132'), 상부전극층(133')을 포함한다. 두께 t1은 neutral axis로부터 하부전극(131) 상부면 까지의 높이, 두께 t2는 neutral axis로부터 상부전극(133) 상부면 까지의 높이를 가리킨다. Neutral axis는 지지빔(120)이 벤딩될 때 스트레인이 제로가 되는 영역이다. Neutral axis 에서는 스트레인 또는 스트레스가 없다. 도 1에서 고정단(121)이 고정되고 자유단(122)에 아래 방향으로 힘이 가해지면, neutral axis 위쪽에서는 인장 스트레인이 발생되며, neutral axis 아래쪽에서는 압축 스트레인이 발생된다. 한편, 도 1에서 고정단(121)이 고정되고 자유단(122)에 위 방향으로 힘이 가해지면, neutral axis 위쪽에서는 압축 스트레인이 발생되며, neutral axis 아래쪽에서는 인장 스트레인이 발생된다. 이때, neutal axis에서는 strain 이 발생되지 않는다.
도 1에서와 같이, 외팔보 형태의 집중 질량(150)을 갖는 빔 구조에서 외력(사운드 또는 진동 등 시간에 따라 변하는 힘)이 작용할 때 집중 질량(150)의 거동에 따라서 관성력(Mx")이 발생한다. 지지빔(120)의 공진주파수와 외력의 주파수가 같게 되면 공진이 일어나고, 이 때 관성력이 가장 크게 발생한다. 상기 관성력은 압전 센서부(130)와 집중 질량(150) 사이의 거리에 비례하여 압전 센서부(130)에 굽힘 모멘트를 발생시키고, 이 모멘트는 압전 센서부(130)를 구성하는 각각의 층(하부전극(131), 압전부(132), 상부전극(133))에 스트레스를 유발하게 된다. 센싱 스택의 neutral axis를 중심으로 하여 한 쪽은 인장 스트레스, 다른 쪽은 압축 스트레스를 받는다. 이 때, 압전부(132)에서 발생하는 스트레스는 그 크기에 따라 전하를 발생시키고, 아래 식 1에 따라, 압전부(132) 위/아래에 형성된 상부전극/하부전극 사이의 정전용량에 반비례하여 전압을 발생시킨다.
[식 1] V = Q/C
여기서 Q는 전하량, C는 정전용량, V는 생성된 전압을 나타낸다.
식 1을 압전 센서부(130)에 작용하는 집중 질량(150)의 관성력과 압전 센서부(130)의 각 층들의 mechanical property와 physical dimension의 함수로 표시하면 식 2와 같다.
[식 2] 
여기서, M은 집중 질량의 무게, x"는 집중질량의 가속도, d31은 압전부의 압전 상수, ε는 유전율, Ei는 i번째 층의 영률, Ii는 i번째 층의 moment of inertia of area, t1은 압전 센서부의 스택의 neutral axis로부터 하부전극 까지의 높이, t2는 압전 센서부의 스택의 neutral axis로부터 압전부 까지의 높이를 가리킨다. V는 측정된 전압을 가리킨다. Lb는 집중질량부 및 압전 센서부 사이의 길이를 가리킨다.
E3는 압전부의 영률이며, (EI)overall= E1I1 + E2I2 + E3I3 + E4I4이다. 여기서, i번째 층은 지지빔(120), 하부전극(131), 압전부(132), 상부전극(133) 순으로 1~4 이다.
압전 센서부의 감도를 향상시키려면 발생되는 전압(V)을 증가시켜야 하며, 이를 위해서 식 2로부터 (EI)overall을 감소시키거나 집중 질량의 가속도를 증가시켜야 함을 알 수 있다.
(EI)overall을 감소시키기 위해 상부 전극을 하부 전극의 영률 보다 작은 도전물질을 사용하거나(E4가 E2 보다 작게 된다), 상부전극의 두께를 하부전극의 두께보다 작게 한다(I4가 I2보다 작아짐).
도 3은 다른 실시예에 따른 압전 미소 기계식 공진기(200)의 구조를 개략적으로 보여주는 단면도다. 도 1의 구성요소와 실질적으로 동일한 구성요소에는 동일한 참조번호를 사용하고 상세한 설명은 생략한다.
도 3을 참조하면, 압전 미소 기계식 공진기(200)는 캔티레버 구조일 수 있다. 압전 미소 기계식 공진기(200)는 일단(고정단(221))이 지지부재(110)에 고정되며 타단이 자유단(222)인 지지빔(220)을 포함한다.
지지부재(110)는 모바일 전자소자, 예컨대 모바일 폰 또는 자동차 등의 부재일 수 있다.
지지빔(220)은 플레이트 타입일 수 있다. 예컨대, 그 폭이 높이 보다 크다. 지지빔(220)은 대략 1 ㎛ 두께로 이루어질 수 있다. 또한, 그 길이는 상기 높이 보다 클 수 있다. 지지빔(220)은 반도체 공정에서 주로 사용되는 실리콘으로 이루어질 수 있다. 실시예는 이에 한정되지 않는다. 지지빔(220)은 글래스, 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드 등으로도 형성될 수 있다.
지지빔(220)의 제1면(220a) 상에서 일측에는 압전 센서부(130)가 설치되며 지지빔(220)의 제1면(120a) 상에서 타측에는 집중 질량(150)(lumped mass)이 배치될 수 있다. 지지빔(220)은 압전 센서부(130)가 배치된 센싱 영역(A1)과 나머지 영역의 비센싱 영역(A2)을 포함한다.
센싱 영역(A1)의 지지빔(120)의 두께는 비센싱 영역(A2)의 지지빔(120) 두께 보다 얇게 형성될 수 있다. 예컨대, 비 센싱 영역(A2)의 지지빔(220) 두께가 1 ㎛ 이고, 센싱 영역(A1)의 지지빔(220) 두께는 0.1㎛ ~ 0.6㎛ 두께를 가질 수 있다. 센싱 영역(A1)의 지지빔(220) 두께가 상대적으로 얇으면, 식 2에서 E1I1 의 값이 감소하며, 따라서, 압전 센서부(130)의 검출 감도가 향상된다.
실시예에서는 지지빔(220)의 제2면(220b)으로부터 센싱 영역(A1)이 식각되어서 센싱 영역(A1)의 지지빔(220)의 두께가 얇으나, 실시예는 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 지지빔(220)의 제1면(220a)으로부터 센싱 영역(A1)이 식각되어서 센싱 영역(A1)의 지지빔(220)의 두께가 얇게 되거나, 지지빔(220)의 센싱영역의 제1면(220a) 및 제2면(220b)을 함께 식각하여 센싱 영역(A1)의 지지빔(220)의 두께를 얇게 할 수도 있다.
도 4는 다른 실시예에 따른 압전 미소 기계식 공진기(300)의 구조를 개략적으로 보여주는 단면도다. 도 1의 구성요소와 실질적으로 동일한 구성요소에는 동일한 참조번호를 사용하고 상세한 설명은 생략한다.
도 4를 참조하면, 압전 미소 기계식 공진기(300)는 캔티레버 구조일 수 있다. 압전 미소 기계식 공진기(300)는 일단이 지지부재(110)에 고정된 압전 센서부(130)를 포함한다. 압전 센서부(130)의 타단의 하부에는 지지빔(320)의 일단의 상부면(320a)이 고정된다. 지지빔(320)의 타단은 고정되어 있지 않다.
지지부재(110)는 모바일 전자소자, 예컨대 모바일 폰 또는 자동차 등의 부재일 수 있다.
지지빔(320)은 플레이트 타입일 수 있다. 예컨대, 그 폭이 높이 보다 크다. 지지빔(320)은 대략 1 ㎛ 두께로 이루어질 수 있다. 또한, 그 길이는 상기 높이 보다 클 수 있다. 지지빔(320)은 반도체 공정에서 주로 사용되는 실리콘으로 이루어질 수 있다. 실시예는 이에 한정되지 않는다. 지지빔(320)은 글래스, 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드 등으로도 형성될 수 있다.
지지빔(320)의 제1면(320a) 상에서 일측에는 압전 센서부(130)의 일부가 연결되며 지지빔(320)의 제1면(320a) 상에서 타측에는 집중 질량(150)(lumped mass)이 배치될 수 있다. 압전 미소 기계식 공진기(300)는 압전 센서부(130)가 배치된 센싱 영역(A1)과 나머지 영역의 비센싱 영역(A2)을 포함한다. 센싱 영역(A1)은 압전 센서부(130)의 영역과 같을 수 있다. 센싱 영역(A1)에서의 지지빔(320)의 길이(d1)는 센싱 영역(A1)에서의 지지빔(320)을 에칭하여 제거함으로써 형성될 수 있다. 따라서, 센싱 영역(A1)에서의 지지빔(320)은 대부분이 제거되며, 센싱 영역(A1)에서의 지지빔(320)은 지지빔(320)을 압전 센서부(130)에 고정되게 한다. 센싱 영역(A1)의 지지빔(320)의 길이가 거의 존재하지 않으므로, 식 2에서 E1I1 의 값이 감소하며, 따라서, 압전 센서부(130)의 검출 감도가 향상될 수 있다.
도 5는 다른 실시예에 따른 압전 미소 기계식 공진기(400)의 구조를 개략적으로 보여주는 단면도다. 도 1의 구성요소와 실질적으로 동일한 구성요소에는 동일한 참조번호를 사용하고 상세한 설명은 생략한다.
도 5를 참조하면, 압전 미소 기계식 공진기(400)는 캔티레버 구조로 형성된다. 압전 미소 기계식 공진기(400)는 일단(고정단(121))이 지지부재(110)에 고정되며 타단이 자유단(122)인 지지빔(120)을 포함한다.
지지부재(110)는 모바일 전자소자, 예컨대 모바일 폰 또는 자동차 등의 부재일 수 있다.
지지빔(120)은 플레이트 타입일 수 있다. 예컨대, 그 폭이 높이 보다 크다. 지지빔(120)은 대략 1 ㎛ 두께로 이루어질 수 있다. 또한, 그 길이는 상기 높이 보다 클 수 있다. 지지빔(120)은 반도체 공정에서 주로 사용되는 실리콘으로 이루어질 수 있다. 실시예는 이에 한정되지 않는다. 지지빔(120)은 글래스, 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드 등으로도 형성될 수 있다.
지지빔(120)의 제1면(120a) 상에서 일측에는 압전 센서부(130)가 설치되며, 지지빔(120)의 타측에는 질량부 및 집중 질량(450)(lumped mass)이 순차적으로 배치될 수 있다. 상기 질량부는 하부전극층(431), 압전부층(432), 상부전극층(433)을 포함하는 압전 스택(460)일 수 있다. 압전 센서부(130)와 압전 스택(460)은 소정 간격으로 이격되게 형성될 수 있다. 압전 스택(460)과 압전 센서부(130)는 함께 동일층으로 형성된 후, 압전 센서부(130)와 압전 스택(460) 사이를 식각하여 이격되게 형성될 수 있다.
지지빔(120)은 압전 센서부(130)가 배치된 센싱 영역(A1)과 나머지 영역의 비센싱 영역(A2)을 포함한다.
압전 스택(460)은 지지빔(120)의 제1면(120a) 상으로 압전 센서부(130)의 층들을 형성시 지지빔(120) 상으로 함께 형성될 수 있다. 압전 스택(460)의 하부전극층(431), 압전부층(432), 상부전극층(433) 각각은 압전 센서부(130)의 하부전극(131), 압전부(132), 상부전극(133)과 실질적으로 동일한 물질 및 높이로 형성될 수 있다.
집중 질량을 가지는 외팔보의 운동방정식은 식 3과 같이 나타낼 수 있다.
[식 3] 
여기서, c는 댐핑 계수, k는 지지빔의 강성, Feq는 외력을 가리킨다.
식 3에서 보면, 지지빔의 강성(k)이 증가함에 따라 집중 질량의 가속도(x")는 증가한다. 지지빔의 두께를 증가시키면 지지빔의 강성은 증가하므로, 지지빔의 비센싱부의 구조를 압전 센서부의 스택 구조와 동일하게 하여 센싱 감도를 향상시킬 수 있다.
압전 스택(460)은 비센싱부의 지지빔(120)의 강성을 증가시키며, 이에 따라 식 2의 가속도(x")를 증가시킨다. 결과적으로 검출 전압(V)이 증가하며 공진기(400)의 센싱 감도가 향상된다.
도 5에서는 압전 스택(460)이 압전 센서부(130)와 같은 구성으로 되어 있지만, 실시예는 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 압전 스택(460)에서 상부전극층 (433) 또는 상부전극층(433) 및 압전부층(432)를 형성하지 않을 수도 있다. 또한, 압전 센서부(130)의 물질과 다른 물질로도 형성될 수 있다.
도 5에서는 집중 질량(150)이 압전 스택 상에 배치되나 실시예는 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 집중 질량(150)이 지지빔(120)의 제2면(120b) 상에 배치될 수도 있다.
실시예에 따른 압전 미소 기계식 공진기는 압전 센서부를 지지하는 지지빔의 구조 또는 상부전극의 영률 등을 변경하여 진동의 센싱 감도를 향상시킬 수 있다.
이상에서 첨부된 도면을 참조하여 설명된 실시예들은 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 사상의 진정한 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.
100: 압전 미소 기계식 공진기 110: 지지부재
120: 지지빔 120a: 제1면
120b: 제2 면 121: 고정단
122: 자유단 130: 압전 센서부
131: 하부전극 132: 압전부
133: 상부전극 150: 집중 질량
A1: 센싱 영역 A2: 비센싱 영역
120: 지지빔 120a: 제1면
120b: 제2 면 121: 고정단
122: 자유단 130: 압전 센서부
131: 하부전극 132: 압전부
133: 상부전극 150: 집중 질량
A1: 센싱 영역 A2: 비센싱 영역
Claims (16)
- 지지부재에 일단이 고정되며 타단이 자유단인 지지빔;
상기 지지빔의 제1면 상에서 그 일측이 상기 지지부재에 부착되며 순차적으로 배치된 하부전극, 압전부, 상부전극을 포함하는 압전 센서부; 및
상기 지지빔의 제1면 상에서 상기 지지빔의 자유단 측 상에 배치된 집중 질량;을 포함하며,
상기 상부전극의 영률이 상기 하부전극의 영률 보다 작은 압전 미소 기계식 공진기. - 제 1 항에 있어서,
상기 하부전극은 몰리브덴을 포함하며, 상기 상부전극은 알루미늄을 포함하는 압전 미소 기계식 공진기. - 제 1 항에 있어서,
상기 상부전극의 두께는 상기 하부전극의 두께 보다 얇은 압전 미소 기계식 공진기. - 제 1 항에 있어서,
상기 압전 센서부 하부의 상기 지지빔의 센싱 영역의 두께는 나머지 비센싱 영역의 상기 지지빔의 두께 보다 얇은 압전 미소 기계식 공진기. - 제 1 항에 있어서,
상기 지지빔의 비센싱 영역에서 상기 지지빔 및 상기 집중 질량 사이에 배치된 질량부를 더 포함하는 압전 미소 기계식 공진기. - 제 5 항에 있어서,
상기 질량부는 상기 압전 센서부와 동일한 조성을 가지는 층들의 스택인 압전 미소 기계식 공진기. - 제 5 항에 있어서,
상기 질량부는 상기 압전 센서부와 동일한 하부전극 층 또는 상기 압전 센서부와 동일한 하부전극층 및 압전부 층으로 이루어진 스택을 포함하는 압전 미소 기계식 공진기. - 제 1 항에 있어서,
상기 압전부는 알루미늄 나이트라이드를 포함하는 압전 미소 기계식 공진기. - 지지부재에 일단이 고정되며, 순차적으로 배치된 하부전극, 압전부, 상부전극을 포함하는 압전 센서부;
상기 압전 센서부의 일면에서 상기 지지부재로부터 이격된 상기 압전 센서부의 일측에 부착된 지지빔; 및
상기 지지빔 상에서 상기 압전 센서부와 마주보게 상기 지지빔의 일측 상에 배치된 집중 질량;을 포함하는 압전 미소 기계식 공진기. - 제 9 항에 있어서,
상기 상부전극의 영률이 상기 하부전극의 영률 보다 작은 압전 미소 기계식 공진기. - 제 10 항에 있어서,
상기 하부전극은 몰리브덴을 포함하며, 상기 상부전극은 알루미늄을 포함하는 압전 미소 기계식 공진기. - 제 9 항에 있어서,
상기 상부전극의 두께는 상기 하부전극의 두께 보다 얇은 압전 미소 기계식 공진기. - 제 9 항에 있어서,
상기 지지빔의 비센싱 영역에서 상기 지지빔 및 상기 집중 질량 사이에 배치된 질량부를 더 포함하는 압전 미소 기계식 공진기. - 제 13 항에 있어서,
상기 질량부는 상기 압전 센서부와 동일한 조성을 가지는 층들의 스택인 압전 미소 기계식 공진기. - 제 13 항에 있어서,
상기 질량부는 상기 압전 센서부와 동일한 하부전극 층 또는 상기 압전 센서부와 동일한 하부전극층 및 압전부 층으로 이루어진 스택을 포함하는 압전 미소 기계식 공진기. - 제 9 항에 있어서,
상기 압전부는 알루미늄 나이트라이드를 포함하는 압전 미소 기계식 공진기.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160150337A KR20180053031A (ko) | 2016-11-11 | 2016-11-11 | 압전 미소 기계식 공진기 |
| US15/477,203 US10742190B2 (en) | 2016-11-11 | 2017-04-03 | Piezoelectric micromechanical resonator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160150337A KR20180053031A (ko) | 2016-11-11 | 2016-11-11 | 압전 미소 기계식 공진기 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20180053031A true KR20180053031A (ko) | 2018-05-21 |
Family
ID=62108132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020160150337A KR20180053031A (ko) | 2016-11-11 | 2016-11-11 | 압전 미소 기계식 공진기 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10742190B2 (ko) |
| KR (1) | KR20180053031A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US11973485B2 (en) | 2020-11-03 | 2024-04-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Micromechanical resonator and resonator system including the same |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102452948B1 (ko) | 2017-07-18 | 2022-10-11 | 삼성전자주식회사 | 미소 기계식 공진기 및 이를 포함하는 공진기 시스템 |
| KR20200059379A (ko) | 2018-11-20 | 2020-05-29 | 삼성전자주식회사 | 공진기, 이를 포함하는 공진기 시스템 및 공진기 제조 방법 |
| JP2022532365A (ja) * | 2019-05-15 | 2022-07-14 | ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフト | 強誘電体センサ |
| KR102626924B1 (ko) | 2019-06-20 | 2024-01-19 | 삼성전자주식회사 | 지향성 음향 센서와, 이를 이용한 지향 특성의 조절 방법 및 특정 방향의 음향 신호 감쇄 방법 |
| KR20210050323A (ko) | 2019-10-28 | 2021-05-07 | 삼성전자주식회사 | 미소 기계식 공진기 및 이를 포함하는 공진기 시스템 |
| CN111337119B (zh) * | 2020-01-10 | 2021-01-15 | 武汉敏声新技术有限公司 | 一种高灵敏度的振动传感器 |
| US11152024B1 (en) * | 2020-03-30 | 2021-10-19 | Western Digital Technologies, Inc. | Piezoelectric-based microactuator arrangement for mitigating out-of-plane force and phase variation of flexure vibration |
| US12000740B2 (en) * | 2020-11-17 | 2024-06-04 | Board Of Trustees Of Michigan State University | Sensor apparatus |
| US20220190231A1 (en) * | 2020-12-15 | 2022-06-16 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Self-adaptive flexural wave absorbing system and related method |
| KR20230086877A (ko) | 2021-12-08 | 2023-06-16 | 삼성전자주식회사 | 지향성 음향 센서 |
| KR20230095689A (ko) | 2021-12-22 | 2023-06-29 | 삼성전자주식회사 | 마이크로폰 패키지 및 이를 포함하는 전자 장치 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4259458B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2009-04-30 | パナソニック電工株式会社 | 圧電型発電機構 |
| JP2007221189A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Toshiba Corp | 薄膜圧電共振器及び薄膜圧電共振器フィルタ |
| JP5123532B2 (ja) * | 2007-01-30 | 2013-01-23 | 太陽誘電株式会社 | マイクロカンチレバー |
| KR100975010B1 (ko) | 2008-02-29 | 2010-08-09 | 성균관대학교산학협력단 | 다중 크기 압전 마이크로 칸티레버 공진자 어레이를 이용한 물리센서 및 그 제작방법 |
| EP2109217A3 (en) * | 2008-04-07 | 2013-05-15 | Stichting IMEC Nederland | System and method for resonance frequency tuning of resonant devices |
| JP5888486B2 (ja) * | 2011-10-03 | 2016-03-22 | セイコーエプソン株式会社 | 発電装置、発電装置の制御方法、電子機器、および移動手段 |
| JP6059875B2 (ja) | 2012-02-24 | 2017-01-11 | 株式会社アルバック | 圧電素子の製造方法 |
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| SG10201408210UA (en) * | 2013-11-22 | 2015-06-29 | Agency Science Tech & Res | Energy harvesting device and method for forming the same |
| US9455681B2 (en) | 2014-02-27 | 2016-09-27 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave resonator having doped piezoelectric layer |
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-
2016
- 2016-11-11 KR KR1020160150337A patent/KR20180053031A/ko not_active Application Discontinuation
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2017
- 2017-04-03 US US15/477,203 patent/US10742190B2/en active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20180138886A1 (en) | 2018-05-17 |
| US10742190B2 (en) | 2020-08-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal |