KR20180048817A - Thermosetting adhesive sheet and method of manufacturing semiconductor device - Google Patents

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Abstract

반도체 웨이퍼의 휨을 저감함과 더불어, 치핑의 발생을 저감할 수 있는 열경화성 접착 시트, 및 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. 열경화성 접착 시트는, (메타)아크릴레이트와, 중합 개시제를 포함하는 수지 성분과, 필러를 함유하는 열경화성 접착제층을 갖고, (메타)아크릴레이트가, 고형 (메타)아크릴레이트와, 3관능 이상의 (메타)아크릴레이트를 포함하고, 수지 성분 중의 고형 (메타)아크릴레이트의 함유율이 55wt% 이상이며, (메타)아크릴레이트의 단위 분자량당 관능기수에, 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율을 곱한 값의 총합이 2.7E-03 이상이고, 필러의 배합량이 수지 성분 100질량부에 대해 80~220질량부인 수지 조성물로 형성된 열경화성 접착층을 갖는다.A thermosetting adhesive sheet capable of reducing warpage of a semiconductor wafer and reducing occurrence of chipping, and a method of manufacturing a semiconductor device. The thermosetting adhesive sheet is characterized in that the thermosetting adhesive sheet has a thermosetting adhesive layer containing a (meth) acrylate, a resin component containing a polymerization initiator and a filler, wherein the (meth) acrylate is a mixture of a solid (meth) (Meth) acrylate, wherein the content of solid (meth) acrylate in the resin component is 55 wt% or more, and the content of (meth) acrylate in the resin component is multiplied by the number of functional groups per unit molecular weight of Value of 2.7E-03 or more and a filler content of 80 to 220 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin component.

Description

열경화성 접착 시트, 및 반도체 장치의 제조 방법Thermosetting adhesive sheet and method of manufacturing semiconductor device

본 발명은, 다이싱 공정시의 크랙을 방지하기 위해서, 반도체 웨이퍼를 보강하는 열경화성 접착 시트, 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 본 출원은, 일본국에 있어서 2015년 12월 14일에 출원된 일본 특허 출원 번호 특허 출원 2015-243651을 기초로 하여 우선권을 주장하는 것이며, 이 출원은 참조됨으로써, 본 출원에 원용된다.The present invention relates to a thermosetting adhesive sheet for reinforcing a semiconductor wafer and a method of manufacturing a semiconductor device in order to prevent cracking during the dicing step. The present application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2015-243651 filed on December 14, 2015, the entirety of which is incorporated herein by reference.

반도체칩 제조 공정에 있어서, 다이싱(개별화) 공정은, 반도체 웨이퍼에 대해 크나큰 스트레스를 준다. 이 때문에, 반도체 웨이퍼에 치핑이라 불리는 크랙이 발생해, 불량률이 높아지는 경우가 있다.In the semiconductor chip fabrication process, the dicing process gives a great deal of stress to the semiconductor wafer. For this reason, a crack called chipping is generated on the semiconductor wafer, and the defect rate may increase.

이러한 문제를 미연에 방지하는 목적으로, 다이싱 공정 직전(백 그라인드 후)에 반도체 웨이퍼를 보강하는 열경화성 접착 시트를 부착하는 것이 제안되어 있다(예를 들면 특허문헌 1 참조.).For the purpose of preventing such a problem in advance, it has been proposed to attach a thermosetting adhesive sheet for reinforcing a semiconductor wafer immediately before the dicing process (after back grinding) (see, for example, Patent Document 1).

그러나, 반도체 웨이퍼의 박형화에 따라, 반도체 웨이퍼의 휨량이 커지고 있기 때문에, 다이싱 테이프의 부착이 곤란해지는 경우가 있었다.However, due to the thinning of the semiconductor wafer, the amount of warpage of the semiconductor wafer is increased, which makes it difficult to attach the dicing tape.

일본국 특허 공개 2002-280329호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-280329

본 발명은, 이러한 종래의 실정을 감안하여 제안된 것이며, 반도체 웨이퍼의 휨을 저감함과 더불어, 치핑의 발생을 저감할 수 있는 열경화성 접착 시트, 및 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such conventional problems, and provides a thermosetting adhesive sheet and a method of manufacturing a semiconductor device that can reduce warpage of a semiconductor wafer and reduce occurrence of chipping.

상술한 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 따른 열경화성 접착 시트는, (메타)아크릴레이트와, 중합 개시제를 포함하는 수지 성분과, 필러를 함유하는 수지 조성물로 형성된 열경화성 접착층을 갖고, 상기 (메타)아크릴레이트가, 고형 (메타)아크릴레이트와, 3관능 이상의 (메타)아크릴레이트를 포함하고, 상기 수지 성분 중의 고형 (메타)아크릴레이트의 함유율이 55wt% 이상이며, 상기 (메타)아크릴레이트의 단위 분자량당 관능기수에, 상기 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율을 곱한 값의 총합이 2.7E-03 이상이며, 상기 필러의 배합량이, 수지 성분 100질량부에 대해 80~220질량부인 것을 특징으로 한다.In order to solve the above problems, the thermosetting adhesive sheet according to the present invention comprises a thermosetting adhesive layer formed of a resin composition containing (meth) acrylate, a polymerization initiator, and a filler, (Meth) acrylate and a trifunctional or more (meth) acrylate, wherein the content of the solid (meth) acrylate in the resin component is 55 wt% or more, Characterized in that the sum of the number of functional groups per molecular weight multiplied by the content of (meth) acrylate in the resin component is 2.7E-03 or more and the amount of the filler is 80 to 220 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin component .

또, 본 발명에 따른 반도체 장치의 제조 방법은, 반도체 웨이퍼를 연마하는 그라인드 공정과, 상기 반도체 웨이퍼의 연마면에 열경화성 접착 시트를 부착하는 열경화성 접착 시트 부착 공정과, 상기 열경화성 시트를 경화시켜, 상기 반도체 웨이퍼의 휨량을 저감시키는 경화 공정과, 상기 반도체 웨이퍼의 열경화성 접착 시트면에 다이싱 테이프를 부착하는 다이싱 테이프 부착 공정과, 다이싱 테이프가 부착된 웨이퍼를 다이싱 처리하여, 개편(個片)의 반도체칩을 얻는 다이싱 처리 공정을 갖고, 상기 열경화성 접착 시트가, (메타)아크릴레이트와, 중합 개시제를 포함하는 수지 성분과, 필러를 함유하는 수지 조성물로 형성된 열경화성 접착층을 갖고, 상기 (메타)아크릴레이트가, 고형 (메타)아크릴레이트와, 3관능 이상의 (메타)아크릴레이트를 포함하고, 상기 수지 성분 중의 고형 (메타)아크릴레이트의 함유율이 55wt% 이상이며, 상기 (메타)아크릴레이트의 단위 분자량당 관능기수에, 상기 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율을 곱한 값의 총합이 2.7E-03 이상이며, 상기 필러의 배합량이 수지 성분 100질량부에 대해 80~220질량부인 것을 특징으로 한다.A method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention is a method for manufacturing a semiconductor device comprising a grinding step of polishing a semiconductor wafer, a step of attaching a thermosetting adhesive sheet for attaching a thermosetting adhesive sheet to a polishing surface of the semiconductor wafer, A dicing tape attaching step of attaching a dicing tape to the surface of the thermosetting adhesive sheet of the semiconductor wafer; a step of dicing the wafer to which the dicing tape is attached, ), Wherein the thermosetting adhesive sheet has a thermosetting adhesive layer formed of a resin composition containing (meth) acrylate, a polymerization initiator, and a filler, wherein the (Meth) acrylate comprises a solid (meth) acrylate and a trifunctional or more (meth) acrylate, Wherein the content of solid (meth) acrylate in the resin component is 55 wt% or more and the total of the number of functional groups per unit molecular weight of the (meth) acrylate multiplied by the content of (meth) acrylate in the resin component is 2.7 E-03 or more, and the amount of the filler is 80 to 220 parts by mass based on 100 parts by mass of the resin component.

본 발명에 의하면, 반도체 웨이퍼의 연마면에 열경화성 접착 시트를 부착하여 경화시킴으로써, 열경화성 접착 시트가 수축되어, 반도체 웨이퍼의 휨을 저감시킬 수 있다. 이 때문에, 웨이퍼를 평탄화시킨 상태에서 다이싱이 가능해지므로, 치핑을 저감시켜, 고품질의 반도체 장치를 얻을 수 있다.According to the present invention, the thermosetting adhesive sheet is attached to the polishing surface of the semiconductor wafer and cured, whereby the thermosetting adhesive sheet is shrunk and the warpage of the semiconductor wafer can be reduced. Therefore, dicing can be performed in a state in which the wafer is planarized, so that chipping can be reduced and a high-quality semiconductor device can be obtained.

도 1은, 열경화성 접착 시트의 개략을 나타내는 단면도이다.
도 2는, BG 테이프 부착 공정의 개략을 나타내는 단면도이다.
도 3은, 그라인드 공정의 개략을 나타내는 단면도이다.
도 4는, 열경화성 접착 시트 부착 공정의 개략을 나타내는 단면도이다.
도 5는, BG 테이프 박리 공정의 개략을 나타내는 단면도이다.
도 6은, 경화 공정의 개략을 나타내는 단면도이다.
도 7은, DC 테이프 부착 공정의 개략을 나타내는 단면도이다.
도 8은, 다이싱 처리 공정의 개략을 나타내는 단면도이다.
도 9는, 익스팬드 공정의 개략을 나타내는 단면도이다.
도 10은, 픽업 공정의 개략을 나타내는 단면도이다.
도 11은, 실장 공정의 개략을 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a thermosetting adhesive sheet.
2 is a cross-sectional view schematically showing a BG tape attaching step.
3 is a cross-sectional view schematically showing the grinding process.
4 is a cross-sectional view schematically showing a step of adhering a thermosetting adhesive sheet.
5 is a cross-sectional view schematically showing the BG tape peeling process.
6 is a cross-sectional view schematically showing a curing process.
7 is a cross-sectional view schematically showing a step of adhering a DC tape.
8 is a cross-sectional view schematically showing the dicing process.
9 is a cross-sectional view schematically showing an expanding process.
10 is a cross-sectional view schematically showing a pickup process.
11 is a cross-sectional view schematically showing a mounting step.

이하, 본 발명의 실시형태에 대해서, 하기 순서로 상세하게 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail in the following order.

1. 열경화성 접착 시트1. Thermosetting adhesive sheet

2. 반도체 장치의 제조 방법2. Manufacturing Method of Semiconductor Device

3. 실시예3. Example

<1. 열경화성 접착 시트><1. Thermosetting adhesive sheet>

본 실시형태에 따른 열경화성 접착 시트는, 반도체 웨이퍼를 다이싱할 때에, 반도체 웨이퍼의 연마면에 부착되는 열경화성 접착층을 갖고, 다이싱 공정시에 웨이퍼를 보강해, 치핑이라 불리는 크랙을 방지하는 보강 시트이다.The thermosetting adhesive sheet according to the present embodiment has a thermosetting adhesive layer adhered to a polishing surface of a semiconductor wafer at the time of dicing the semiconductor wafer and has a reinforcing sheet for reinforcing the wafer at the time of dicing to prevent cracks called chipping to be.

도 1은, 열경화성 접착 시트의 개략을 나타내는 단면도이다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 열경화성 접착 시트는, 기재 필름층(11)과, 열경화성 접착층(12)이 적층되어 있다.1 is a cross-sectional view schematically showing a thermosetting adhesive sheet. As shown in Fig. 1, the thermosetting adhesive sheet has a base film layer 11 and a thermosetting adhesive layer 12 laminated thereon.

기재 필름층(11)으로는, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에스테르 등의 플라스틱 필름이나, 종이, 천, 부직포 등으로 이루어지는 다공질 기재를 이용할 수 있다.As the base film layer 11, a plastic film such as polyethylene terephthalate, polyethylene, polypropylene, and polyester, or a porous substrate made of paper, cloth, nonwoven fabric, or the like can be used.

열경화성 접착층(12)은, (메타)아크릴레이트와, 중합 개시제를 포함하는 수지 성분과, 필러를 함유하는 수지 조성물로 형성된다. 또한, 본 명세서에 있어서, (메타)아크릴레이트란, 아크릴산에스테르(아크릴레이트)와 메타크릴산에스테르(메타크릴레이트)를 포함하는 의미이다.The thermosetting adhesive layer 12 is formed of a resin composition containing a (meth) acrylate, a resin component containing a polymerization initiator, and a filler. In the present specification, (meth) acrylate is meant to include acrylic acid ester (acrylate) and methacrylic acid ester (methacrylate).

(메타)아크릴레이트로는, 단관능 (메타)아크릴레이트, 2관능 (메타)아크릴레이트, 3관능 이상의 (메타)아크릴레이트를 이용할 수 있다.(Meth) acrylate, monofunctional (meth) acrylate, bifunctional (meth) acrylate and trifunctional or more (meth) acrylate can be used.

단관능 (메타)아크릴레이트로는, 예를 들면, 폴리알킬렌글리콜에스테르 단량체, 직쇄 또는 분지쇄 알킬기를 갖는 알킬(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 폴리알킬렌글리콜에스테르 단량체의 구체예로는, 예를 들면, 히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜모노(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜모노(메타)아크릴레이트, 폴리부틸렌글리콜모노(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜폴리프로필렌글리콜모노(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있고, 이들 1종 또는 2종 이상을 이용할 수 있다.Examples of the monofunctional (meth) acrylate include polyalkylene glycol ester monomers and alkyl (meth) acrylates having a linear or branched alkyl group. Specific examples of the polyalkylene glycol ester monomers include, for example, hydroxyethyl (meth) acrylate, hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl acrylate, polyethylene glycol mono , Polypropylene glycol mono (meth) acrylate, polybutylene glycol mono (meth) acrylate, polyethylene glycol polypropylene glycol mono (meth) acrylate, and the like can be used. .

2관능 (메타)아크릴레이트로는, 예를 들면, 트리시클로데칸디메탄올디(메타)아크릴레이트, 디메틸올트리시클로데칸디(메타)아크릴레이트, 비스페놀 AEO 변성디(메타)아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메타)아크릴레이트, 1,10-데칸디올디(메타)아크릴레이트, 2-히드록시-3-아크릴로일옥시프로필(메타)아크릴레이트, 프로폭시화 비스페놀 A 디(메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜(200)디(메타)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜(400)디(메타)아크릴레이트, 시클로헥산디메탄올디(메타)아크릴레이트, 알콕시화 헥산디올디(메타)아크릴레이트, 알콕시화 시클로헥산디메탄올디(메타)아크릴레이트, 에톡시화(4) 비스페놀 A 디(메타)아크릴레이트, 에톡시화(10) 비스페놀 A 디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜(600)디(메타)아크릴레이트, 알콕시화 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 디옥산글리콜디(메타)아크릴레이트, 이소시아눌산 EO 변성 디(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있고, 이들 1종 또는 2종 이상을 이용할 수 있다. 이들 중에서도, 반응성, 가교성 등의 점에서, 트리시클로데칸디메탄올디(메타)아크릴레이트를 바람직하게 사용할 수 있다. 시장에서 입수 가능한 2관능 (메타)아크릴레이트의 구체예로는, Shin-Nakamura Chemical(주)의 상품명 「A-DCP」(트리시클로데칸디메탄올디아크릴레이트) 등을 들 수 있다.Examples of the bifunctional (meth) acrylate include tricyclodecane dimethanol di (meth) acrylate, dimethylol tricyclodecane di (meth) acrylate, bisphenol AEO-modified di (meth) (Meth) acrylate, 1,10-decanediol di (meth) acrylate, 2-hydroxy-3-acryloyloxypropyl (meth) acrylate, propoxylated bisphenol A di Acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, polyethylene glycol (Meth) acrylate, alkoxylated hexanediol di (meth) acrylate, alkoxylated cyclohexanedimethanol di (meth) acrylate, polyethylene glycol (meth) acrylate, polyethylene glycol Methacrylate, ethoxylated (4) (Meth) acrylate, ethoxylated bisphenol A di (meth) acrylate, polyethylene glycol (600) di (meth) acrylate, alkoxylated neopentyl glycol di (meth) acrylate, dioxane glycol Di (meth) acrylate, and isocyanuric acid EO-modified di (meth) acrylate. These may be used alone or in combination of two or more. Of these, tricyclodecane dimethanol di (meth) acrylate is preferably used from the viewpoints of reactivity, crosslinkability and the like. Specific examples of bifunctional (meth) acrylates available on the market include trade name "A-DCP" (tricyclodecane dimethanol diacrylate) from Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.

3관능 이상의 (메타)아크릴레이트로는, 이소시아눌산 EO 변성 트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, EO 변성 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, ε-카프로락톤 변성 트리스-(-2-아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, ε-카프로락톤 변성 트리스(아크릴옥시에틸)(메타)아크릴레이트, 에톡시화(20)트리메틸올프로판트리(메타)크릴레이트, 프로폭시화(3) 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 프로폭시화(6)트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 에톡시화(9)트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 프로폭시화(3)글리세릴트리(메타)아크릴레이트, 에톡시화(4)펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타(메타)아크릴레이트, EO 변성 디펜타에리스리톨펜타(메타)아크릴레이트, 3관능~9관능을 갖는 우레탄(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있고, 이들 1종 또는 2종 이상을 이용할 수 있다. 이들 중에서도, 반응성, 가교성 등의 점에서, 이소시아눌산 EO 변성 트리아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트를 바람직하게 사용할 수 있다. 시장에서 입수 가능한 3관능 이상의 (메타)아크릴레이트의 구체예로는, Toagosei(주)의 상품명 「M-315」(이소시아눌산에틸렌옥사이드 변성 디아크릴레이트와 이소시아눌산에틸렌옥사이드 변성 트리아크릴레이트의 혼합물(이소시아눌산에틸렌옥사이드 변성 디아크릴레이트의 함유율이 3%~13%), Negamikogyo(주)의 상품명 「UN-3320HA」(다관능 우레탄아크릴레이트 올리고머), 「UN-6301」(지방족 우레탄아크릴레이트 올리고머) 등을 들 수 있다.Examples of the (meth) acrylate having three or more functional groups include isocyanuric acid EO-modified tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, EO-modified pentaerythritol tri Acrylate, ε-caprolactone modified tris- (-2-acryloxyethyl) isocyanurate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, ε-caprolactone modified tris (acryloxyethyl) (meth) Ethoxylated (20) trimethylolpropane tri (meth) acrylate, propoxylated (3) trimethylolpropane tri (meth) acrylate, propoxylated (6) trimethylolpropane tri (3) glyceryl tri (meth) acrylate, ethoxylated (4) pentaerythritol tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, Acrylate, urethane (meth) acrylate having trifunctional to 9functional functional groups, and the like, and the like can be used. And one kind or two kinds or more of them can be used. Of these, isocyanuric acid EO-modified triacrylate and dipentaerythritol hexaacrylate are preferably used in view of reactivity, crosslinkability and the like. Specific examples of trifunctional or more (meth) acrylates available on the market include trade name "M-315" (trade name of isocyanuric acid ethylene oxide modified diacrylate and isocyanuric acid ethylene oxide modified triacrylate (Content ratio of isocyanuric acid ethylene oxide-modified diacrylate of 3% to 13%), UN-3320HA (polyfunctional urethane acrylate oligomer), UN-6301 (manufactured by Negamikogyo Co., Lt; / RTI &gt; oligomers) and the like.

본 실시형태에서는, 반도체 웨이퍼의 휨을 저감시켜, 치핑을 저감시키기 위해, (메타)아크릴레이트로서, 적어도, 고형 (메타)아크릴레이트와, 3관능 이상의 (메타)아크릴레이트를 이용한다. 또한, 본 명세서에 있어서, 고형 (메타)아크릴레이트란, 상온(25℃)에 있어서 고체상의 (메타)아크릴레이트이며, 융점의 관점에서 말하자면 50℃를 넘는 것을 의미한다.In the present embodiment, at least a solid (meth) acrylate and a trifunctional or more (meth) acrylate are used as the (meth) acrylate in order to reduce the warping of the semiconductor wafer and reduce the chipping. In the present specification, the term "solid (meth) acrylate" means (meth) acrylate in a solid state at room temperature (25 ° C.) and is in excess of 50 ° C. in terms of melting point.

고형 (메타)아크릴레이트로는, 에폭시(메타)아크릴레이트, 우레탄(메타)아크릴레이트 등의 고분자량인 것을 들 수 있고, 결정성이 높고, 그 융점이 50℃ 이하인 것이 바람직하다. 에폭시(메타)아크릴레이트는, 예를 들면, 에폭시 수지와, 비닐기 함유 모노카르복실산을 반응시킴으로써 얻을 수 있다. 에폭시 수지로는, 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지 등을 들 수 있고, 비닐기 함유 모노카르복실산으로는, 예를 들면, (메타)아크릴산, (메타)아크릴산의 이량체, β-푸르푸릴(메타)아크릴산, β-스티릴(메타)아크릴산, 계피산 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 필름막성의 관점에서, 비스페놀 A형 페녹시 수지 또는 비스페놀 F형 페녹시 수지와, (메타)아크릴산을 반응시켜 얻어지는 비스페놀형 에폭시(메타)아크릴레이트를 바람직하게 이용할 수 있다. 시장에서 입수 가능한 고형상의 비스페놀형 에폭시(메타)아크릴레이트의 구체예로는, Showa Highpolymer(주)의 상품명 「VR-90」, 「VR-60」등을 들 수 있다.Examples of the solid (meth) acrylate include those having a high molecular weight such as epoxy (meth) acrylate and urethane (meth) acrylate, and have a high crystallinity and a melting point of 50 캜 or lower. The epoxy (meth) acrylate can be obtained, for example, by reacting an epoxy resin with a vinyl group-containing monocarboxylic acid. Examples of the epoxy resin include novolak type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin. Examples of the vinyl group-containing monocarboxylic acid include (meth) acrylic acid, (meth) acrylic acid, Dimer of acrylic acid,? -Furfuryl (meth) acrylic acid,? -Styryl (meth) acrylic acid, cinnamic acid and the like. Among them, bisphenol-type epoxy (meth) acrylate obtained by reacting bisphenol A phenoxy resin or bisphenol F phenoxy resin with (meth) acrylic acid can be preferably used from the viewpoint of film film property. Specific examples of the solid bisphenol-type epoxy (meth) acrylate available on the market include trade name "VR-90" and "VR-60" of Showa Highpolymer Co.,

또, 고형 (메타)아크릴레이트의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 500~10000, 보다 바람직하게는 800~3000이다. 중량 평균 분자량이 500 이상이면 필름성이 향상되는 경향이 있고, 10000 이하이면 점착(tack)성이 향상되는 경향이 있다.The weight average molecular weight of the solid (meth) acrylate is preferably 500 to 10000, more preferably 800 to 3000. When the weight average molecular weight is 500 or more, the film property tends to be improved. When the weight average molecular weight is 10,000 or less, the tack property tends to be improved.

또, 수지 성분 중의 고형 (메타)아크릴레이트의 함유율은 55wt% 이상이며, 바람직하게는 60wt% 이상, 보다 바람직하게는 70wt% 이상이다. 수지 성분 중의 고형 (메타)아크릴레이트의 함유율이 높아지면 웨이퍼의 휨 제어성이 향상되는 경향이 있다.The content of the solid (meth) acrylate in the resin component is 55 wt% or more, preferably 60 wt% or more, and more preferably 70 wt% or more. When the content of the solid (meth) acrylate in the resin component is high, the warp controllability of the wafer tends to be improved.

(메타)아크릴레이트는, 형식적으로 2관능 이상의 (메타)아크릴로일기를 가져도, 관능기수에 대해 분자량이 현저하게 큰 경우, 단관능 아크릴레이트와 성질이 근사한 경향이 있고, 웨이퍼의 휨 제어성이 저하된다. 이 때문에, 다관능 (메타)아크릴레이트는, 관능수를 분자량으로 나눈 「단위 분자량당 관능수」를 고려하여 선택하는 것이 바람직하다.(Meth) acrylate has a tendency that properties are close to those of the monofunctional acrylate when the molecular weight is remarkably large with respect to the number of functional groups, even when the (meth) acryloyl group is formally bifunctional or more, . Therefore, the polyfunctional (meth) acrylate is preferably selected in consideration of the &quot; number of functional groups per unit molecular weight &quot; obtained by dividing the number of functional groups by the molecular weight.

본 실시형태에서는, 단위 분자량당 관능기수에, 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율을 곱한 값의 총합인, 평균 가교 밀도가 소정치 이상이어서, 열경화성 접착층의 수축률이 커져, 웨이퍼의 휨을 캔슬시키는 것이 가능해진다.In the present embodiment, the average cross-link density, which is the sum of the number of functional groups per unit molecular weight multiplied by the content of (meth) acrylate in the resin component, is not less than a predetermined value, and the shrinkage percentage of the thermosetting adhesive layer becomes large, Lt; / RTI &gt;

즉, (메타)아크릴레이트의 단위 분자량당 관능기수에, 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율을 곱한 값의 총합은 2.7E-03 이상이다. 또, (메타)아크릴레이트의 단위 분자량당 관능기수에, 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율을 곱한 값의 총합의 상한은, 5.0E-02 이하인 것이 바람직하고, 1.0E-02 이하인 것이 보다 바람직하다. 평균 가교 밀도가 너무 작으면 반도체 웨이퍼의 휨을 캔슬시키는 것이 곤란해지고, 너무 크면 반도체 웨이퍼와의 밀착성 등의 특성이 열화되는 경향이 있다.That is, the total of the number of functional groups per unit molecular weight of (meth) acrylate multiplied by the content of (meth) acrylate in the resin component is 2.7E-03 or more. The upper limit of the total sum of the number of functional groups per unit molecular weight of (meth) acrylate and the content of (meth) acrylate in the resin component is preferably 5.0E-02 or less, more preferably 1.0E-02 or less desirable. If the average cross-link density is too small, it is difficult to cancel the warpage of the semiconductor wafer. If the average cross-link density is too large, the characteristics such as adhesion with the semiconductor wafer tend to deteriorate.

또, 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율은, 바람직하게는 85wt% 이상이며, 보다 바람직하게는 90wt% 이상이다. 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율은 너무 적으면, 반도체 웨이퍼의 휨을 캔슬시키는 것이 곤란해지고, 너무 많으면 시트 특성이 저하되는 경향이 있다.The content of (meth) acrylate in the resin component is preferably 85 wt% or more, and more preferably 90 wt% or more. If the content of (meth) acrylate in the resin component is too small, it is difficult to cancel the warping of the semiconductor wafer, and if too large, the sheet property tends to deteriorate.

또, (메타)아크릴레이트의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 100~100000, 보다 바람직하게는 200~50000이다. 중량 평균 분자량은 너무 작거나 너무 커도 웨이퍼의 휨 제어성이 저하되는 경향이 있다.The weight average molecular weight of the (meth) acrylate is preferably 100 to 100000, more preferably 200 to 50000. If the weight average molecular weight is too small or too large, the warp controllability of the wafer tends to be lowered.

중합 개시제로는, 래디칼 반응의 개시제인 유기 과산화물을 이용할 수 있다. As the polymerization initiator, an organic peroxide, which is a radical initiator, can be used.

유기 과산화물의 1분간 반감기 온도는, 바람직하게는 130℃ 이하, 보다 바람직하게는 80℃ 이상 120℃ 이하이다. 1분간 반감기 온도는 너무 크면 큰 반응 속도를 얻는 것이 곤란해지고, 너무 작으면 상온 보관성이 저하되는 경향이 있다.The one-minute half-life temperature of the organic peroxide is preferably 130 占 폚 or lower, and more preferably 80 占 폚 or higher and 120 占 폚 or lower. If the half-life temperature for one minute is too large, it becomes difficult to obtain a large reaction rate, while if it is too small, the room temperature storage property tends to be lowered.

이러한 유기 과산화물로는, 예를 들면, 디라우로일퍼옥사이드(1분간 반감기 온도:116.4℃), 디벤조일퍼옥사이드(1분간 반감기 온도:130.0℃), 디(4-메틸벤조일)퍼옥사이드(1분간 반감기 온도:128.2℃), 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트(1분간 반감기 온도:124.3℃), 디(3,5,5-트리메틸헥사노일)퍼옥사이드(1분간 반감기 온도:112.6℃), t-부틸퍼옥시피발레이트(1분간 반감기 온도:110.3℃), t-헥실퍼옥시피발레이트(1분간 반감기 온도:109.1℃), t-부틸퍼옥시네오헵타노에이트(1분간 반감기 온도:104.6℃), t-부틸퍼옥시네오데카노에이트(1분간 반감기 온도:103.5℃), t-헥실퍼옥시네오데카노에이트(1분간 반감기 온도:100.9℃), 디(2-에틸헥실)퍼옥시디카보네이트(1분간 반감기 온도:90.6℃), 디(4-t-부틸시클로헥실)퍼옥시디카보네이트(1분간 반감기 온도 92.1℃), 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시네오데카노에이트(1분간 반감기 온도:92.1℃), 디이소부티릴퍼옥사이드(1분간 반감기 온도:85.1℃), 디-sec-부틸퍼옥시디카보네이트(1분간 반감기 온도:85.1℃), 디-n-프로필퍼옥시디카보네이트(1분간 반감기 온도:85.1℃), 쿠밀퍼옥시네오데카노에이트(1분간 반감기 온도:85.1℃) 등을 들 수 있고, 이들 1종 또는 2종 이상을 이용할 수 있다. 이들 중에서도, 반응성, 가교성 등의 점에서, 디라우로일퍼옥사이드, 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트를 바람직하게 사용할 수 있다. 시장에서 입수 가능한 디라우로일퍼옥사이드의 구체예로는, NOF(주)의 상품명 「PEROYL L」등을 들 수 있다.Examples of such organic peroxides include diaryl peroxide (1 minute half life temperature: 116.4 占 폚), dibenzoyl peroxide (1 minute half life temperature: 130.0 占 폚), di (4-methylbenzoyl) peroxide Half-life temperature: 128.2 占 폚), 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxy-2-ethylhexanoate (one minute half life temperature: 124.3 占 폚), di (3,5,5-trimethylhexanoyl) Butyl peroxypivalate (1 minute half-life temperature: 110.1 占 폚), t-hexylperoxy pivalate (1 minute half life temperature: 109.1 占 폚), t-butylper Butyl peroxyneodecanoate (1 minute half-life temperature: 103.5 占 폚), t-hexyl peroxyneodecanoate (1 minute half life temperature: 100.9 占 폚) (Half-life temperature for 1 minute: 90.6 占 폚), di (4-t-butylcyclohexyl) peroxydicarbonate (1 minute half life temperature 92.1 占 폚), 1,1,3 , 3 -Tetramethylbutylperoxyneodecanoate (1 minute half life temperature: 92.1 占 폚), diisobutyryl peroxide (1 minute half life temperature: 85.1 占 폚), di-sec-butyl peroxydicarbonate (One minute half life temperature: 85.1 占 폚), and cumyl peroxyneodecanoate (one minute half life temperature: 85.1 占 폚), and one or more of these Can be used. Of these, diaryl peroxide, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxy-2-ethylhexanoate can be preferably used from the viewpoints of reactivity, crosslinkability and the like. Specific examples of the dilauryl peroxide available on the market include the trade name &quot; PEROYL L &quot; of NOF Corporation.

또, 유기 과산화물의 함유량은, (메타)아크릴레이트 80질량부에 대해 0.1질량부 이상 20질량부 이하인 것이 바람직하고, 1질량부 이상 10질량부 이하인 것이 보다 바람직하다. 유기 과산화물의 함유량은 너무 적으면 반응성이 저하되고, 너무 많으면 제품 수명이 저하되는 경향이 있다.The content of the organic peroxide is preferably 0.1 part by mass or more and 20 parts by mass or less, more preferably 1 part by mass or more and 10 parts by mass or less, based on 80 parts by mass of the (meth) acrylate. If the content of the organic peroxide is too small, the reactivity is deteriorated, while if too large, the product life tends to be lowered.

또, 수지 성분은, 엘라스토머, 페녹시 수지 등의 폴리머를 포함해도 된다. 엘라스토머로는, 예를 들면, 아크릴계 엘라스토머, 부타디엔계 엘라스토머, 에틸렌계 엘라스토머, 프로필렌계 엘라스토머, 스티렌계 엘라스토머 등을 들 수 있고, 이들 1종 또는 2종 이상을 이용할 수 있다. 이들 중에서도, 투명성이 뛰어난 아크릴계 엘라스토머를 이용하는 것이 바람직하다. 시장에서 입수 가능한 아크릴계 엘라스토머의 구체예로는, Nagase ChemteX(주)의 상품명 「SG-P3」 등을 들 수 있다. 또, 페녹시 수지로는, 예를 들면, 플루오렌형 페녹시 수지, 비스페놀형 페녹시 수지, 노볼락형 페녹시 수지, 나프탈렌형 페녹시 수지, 비페닐형 페녹시 수지 등을 들 수 있고, 이들 1종 또는 2종 이상을 이용할 수 있다.The resin component may include a polymer such as an elastomer or a phenoxy resin. Examples of the elastomer include an acrylic elastomer, a butadiene elastomer, an ethylene elastomer, a propylene elastomer, and a styrene elastomer. These elastomers can be used singly or in combination of two or more. Among them, it is preferable to use an acrylic elastomer excellent in transparency. Specific examples of the acrylic elastomer available on the market include the trade name &quot; SG-P3 &quot; of Nagase ChemteX Co., Ltd. and the like. Examples of the phenoxy resin include a fluorene type phenoxy resin, a bisphenol type phenoxy resin, a novolac type phenoxy resin, a naphthalene type phenoxy resin, a biphenyl type phenoxy resin and the like. One or more of these may be used.

또, 폴리머의 중량 평균 분자량(Mw)은, 바람직하게는 5000 이상 150000 이하, 보다 바람직하게는 10000 이상 80000 이하이다. 중량 평균 분자량(Mw)이 너무 작으면 시트 특성이 저하되는 경향이 있고, 너무 많으면 다른 성분과의 상용성이 나빠지는 경향이 있다.The weight average molecular weight (Mw) of the polymer is preferably 5000 or more and 150000 or less, and more preferably 10000 or more and 80000 or less. If the weight average molecular weight (Mw) is too small, the sheet characteristics tend to decrease. If the weight average molecular weight (Mw) is too large, compatibility with other components tends to deteriorate.

또, 수지 성분 중의 폴리머의 함유율은, 바람직하게는 15wt% 이하, 보다 바람직하게는 5% 이하이다. 수지 성분 중의 폴리머의 함유율이 높아지면 웨이퍼의 휨 제어성이 저하되는 경향이 있다.The content of the polymer in the resin component is preferably 15 wt% or less, more preferably 5% or less. If the content of the polymer in the resin component is high, the warp controllability of the wafer tends to decrease.

또, 수지 성분으로서, 실란 커플링제를 첨가하는 것이 바람직하다. 실란 커플링제로는, (메타)아크릴계, 에폭시계, 아미노계, 메르캅토계, 술피드계, 우레이드계 등을 이용할 수 있는데, 본 실시형태에서는, (메타)아크릴계 실란커플링제가 바람직하게 이용된다. 이에 의해, 유기 재료와 무기 재료의 계면에 있어서의 밀착 신뢰성을 향상시킬 수 있다.As the resin component, it is preferable to add a silane coupling agent. As the silane coupling agent, a (meth) acrylic type, an epoxy type, an amino type, a mercapto type, a sulfide type, a ureide type and the like can be used. In the present embodiment, do. As a result, adhesion reliability at the interface between the organic material and the inorganic material can be improved.

필러는, 무기 또는 유기 모두 이용할 수 있고, 얼라이먼트로 사용되는 적외선에 투과성을 갖는 재료를 이용하는 것이 바람직하다. 적외선에 투과성을 갖는 재료로는, 예를 들면, 실리카, 실리콘, 게르마늄, 석영, 사파이어 등을 들 수 있고, 이들 1종 또는 2종 이상을 이용할 수 있다. 이들 중에서도, 레이저 마크 시인성의 관점에서 실리카를 이용하는 것이 바람직하다.The filler can be either inorganic or organic, and it is preferable to use a material having transparency to infrared rays used for alignment. As a material having an infrared ray permeability, for example, silica, silicon, germanium, quartz, sapphire and the like can be given, and one kind or two kinds or more of them can be used. Of these, silica is preferably used from the viewpoint of laser mark visibility.

또, 필러의 배합량은, 수지 성분 100질량부에 대해 80~220질량부이며, 80~180질량부인 것이 바람직하다. 필러의 함유량은 너무 적으면, 웨이퍼의 휨량을 저감하는 효과가 저하되는 경향이 있고, 너무 많으면 밀착 신뢰성이 저하되는 경향이 있다.The amount of the filler to be blended is 80 to 220 parts by mass, preferably 80 to 180 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin component. If the content of the filler is too small, the effect of reducing the amount of warping of the wafer tends to deteriorate, while if too large, the adhesion reliability tends to deteriorate.

또, 다른 필러로서, 흑색 안료 등의 착색제를 첨가하는 것이 바람직하다. 착색제는, 레이저 마킹 부분과 다른 부분에 콘트라스트차를 발생시켜, 레이저 마크 시인성을 향상시킨다. 이러한 착색제로는, 예를 들면, 카본블랙, 티탄블랙, 산화티탄, 산화철 등을 들 수 있고, 이들 1종 또는 2종 이상을 이용할 수 있다. 이들 중에서도, 콘트라스트차의 향상의 관점에서 카본블랙을 이용하는 것이 바람직하다.As another filler, it is preferable to add a coloring agent such as a black pigment. The coloring agent generates a contrast difference in a portion different from the laser marking portion, thereby improving the visibility of the laser mark. Examples of such a colorant include carbon black, titanium black, titanium oxide, iron oxide, and the like, and one or more of these may be used. Of these, it is preferable to use carbon black from the viewpoint of improvement in the contrast difference.

또, 열경화성 접착 시트의 파장 1000nm에 있어서의 투과율은, 30% 이상인 것이 바람직하다. 이 적외선 투과율이 너무 낮으면, 적외선을 이용한 얼라이먼트를 행하는 것이 곤란해진다.The transmittance of the thermosetting adhesive sheet at a wavelength of 1000 nm is preferably 30% or more. If the infrared transmittance is too low, it becomes difficult to carry out alignment using infrared rays.

이러한 열경화성 접착 시트에 의하면, 반도체 웨이퍼의 연마면에 부착하여 경화시킴으로써, 열경화성 접착 시트가 수축되어, 반도체 웨이퍼의 휨을 저감시킬 수 있다. 이 때문에, 웨이퍼를 평탄화시킨 상태에서 다이싱이 가능해지므로, 치핑을 저감시켜, 고품질의 반도체 장치를 얻을 수 있다.According to such a thermosetting adhesive sheet, the thermosetting adhesive sheet is shrunk by being adhered to the polishing surface of the semiconductor wafer and cured, whereby the warpage of the semiconductor wafer can be reduced. Therefore, dicing can be performed in a state in which the wafer is planarized, so that chipping can be reduced and a high-quality semiconductor device can be obtained.

<2. 반도체 장치의 제조 방법><2. Method of Manufacturing Semiconductor Device>

다음에, 상술한 열경화성 접착 시트를 이용한 반도체 장치의 제조 방법에 대해서 설명한다. 본 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법은, 반도체 웨이퍼를 연마하는 그라인드 공정과, 반도체 웨이퍼의 연마면에 열경화성 접착 시트를 부착하여 경화시켜, 반도체 웨이퍼의 휨량을 저감시키는 공정과, 반도체 웨이퍼의 열경화성 접착 시트면에 다이싱 테이프를 부착해, 다이싱하는 다이싱 공정을 갖는다. 반도체 웨이퍼의 휨을 저감시켜, 웨이퍼를 평탄화시킨 상태에서 다이싱이 가능해지므로, 치핑을 저감시켜, 고품질의 반도체 장치를 얻을 수 있다.Next, a method for manufacturing a semiconductor device using the above-described thermosetting adhesive sheet will be described. The method of manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment includes a grinding step of polishing a semiconductor wafer, a step of adhering and curing a thermosetting adhesive sheet to the polishing surface of the semiconductor wafer to reduce the amount of deflection of the semiconductor wafer, And a dicing step of attaching a dicing tape to the adhesive sheet surface and dicing the adhesive sheet. It is possible to reduce the warpage of the semiconductor wafer and enable dicing in a state in which the wafer is planarized, so that chipping can be reduced and a high-quality semiconductor device can be obtained.

이하, 구체적인 반도체 장치의 제조 방법에 대해서 설명한다. 구체예로서 나타낸 반도체 장치의 제조 방법은, 접착제층을 갖는 보호 테이프를 부착하는 보호 테이프 부착 공정 (A)와, 그라인드 공정 (B)와, 열경화성 수지 시트 부착 공정 (C)와, 보호 테이프 박리 공정 (D)와, 경화 공정 (E)와, 점착 테이프 부착 공정 (F)와, 다이싱 처리 공정 (G)와, 익스팬드 공정 (H)와, 픽업 공정 (I)와, 실장 공정 (J)를 갖는다. 또한, 보호 테이프 박리 공정 (D)는, 열경화성 수지 시트 부착 공정 (C) 전에 행해도 된다.Hereinafter, a specific method of manufacturing a semiconductor device will be described. A method of manufacturing a semiconductor device shown as a specific example includes a protective tape attaching step (A) for attaching a protective tape having an adhesive layer, a grinding step (B), a thermosetting resin sheet attaching step (C) (J), the picking step (I), the mounting step (J), the adhesive tape attaching step (F), the dicing step (G) . Further, the protective tape peeling step (D) may be performed before the step (C) for adhering the thermosetting resin sheet.

[(A) 보호 테이프 부착 공정][(A) Protective tape attaching step]

도 2는, 보호 테이프 부착 공정의 개략을 나타내는 단면도이다. 보호 테이프 부착 공정에서는, 돌기 전극(22)이 형성된 웨이퍼(21)면에 보호 테이프(30)를 부착한다. 보호 테이프(30)를 부착하는 부착 온도는, 보이드의 감소, 웨이퍼 밀착성의 향상 및 웨이퍼 연삭 후의 휨 방지의 관점에서, 25℃ 이상 100℃ 이하, 바람직하게는 40℃ 이상 80℃ 이하이다.2 is a cross-sectional view schematically showing a step of attaching a protective tape. In the protective tape attaching step, the protective tape 30 is attached to the surface of the wafer 21 on which the protruding electrodes 22 are formed. The attachment temperature at which the protective tape 30 is adhered is 25 占 폚 or higher and 100 占 폚 or lower, preferably 40 占 폚 or higher and 80 占 폚 or lower, from the viewpoints of reduction of voids, improvement of wafer adhesion and prevention of warping after wafer grinding.

웨이퍼(21)는, 실리콘 등의 반도체 표면에 형성된 집적 회로와, 범프라 불리는 접속용 돌기 전극(22)을 갖는다. 웨이퍼(21)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 200μm 이상 1000μm 이하이다.The wafer 21 has an integrated circuit formed on the surface of a semiconductor such as silicon and a projection electrode 22 for connection called a bump. The thickness of the wafer 21 is not particularly limited, but is preferably 200 占 퐉 or more and 1000 占 퐉 or less.

돌기 전극(22)으로는, 특별히 한정되지는 않지만, 예를 들면, 땜납에 의한 저융점 범프 또는 고융점 범프, 주석 범프, 은-주석 범프, 은-주석-구리 범프, 금 범프, 구리 범프 등을 들 수 있다. 또, 돌기 전극(22)의 높이는, 특별히 제한되지는 않지만, 바람직하게는 10μm 이상 200μm 이하이다.The protruding electrode 22 is not particularly limited and may be a low melting point bump made of solder or a high melting point bump, a tin bump, a silver-tin bump, a silver-tin-copper bump, a gold bump, . The height of the projection electrode 22 is not particularly limited, but is preferably 10 占 퐉 or more and 200 占 퐉 or less.

보호 테이프(30)는, 백 그라인드 테이프(Back Grind Tape)라 불리는 것이며, 다음의 그라인드 처리 공정 (B)에 있어서, 흠, 균열, 오염 등으로부터 웨이퍼를 보호하는 것이다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 보호 테이프(30)는, 열가소성 수지층(31)과 기재 필름층(32)이 적층되고, 돌기 전극(22)의 형성면과 열가소성 수지층(31)이 접하는 상태로 부착되고, 돌기 전극(22)은, 열가소성 수지층(31)에 매설된다.The protective tape 30 is called a back grind tape and protects the wafer from scratches, cracks, dirt, and the like in the next grinding process (B). 2, the protective tape 30 is formed by laminating the thermoplastic resin layer 31 and the base film layer 32, and in a state in which the surface of the protruding electrode 22 is in contact with the thermoplastic resin layer 31 And the protruding electrodes 22 are buried in the thermoplastic resin layer 31.

열가소성 수지층(31)으로는, 에틸렌아세트산비닐 공중합체(EVA:Ethylene Vinyl Acetate), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리아미드, 폴리아세탈, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 불소 수지, 폴리페닐렌술파이드, 폴리스티렌, ABS 수지, 아크릴계 수지, 폴리카보네이트, 폴리우레탄, 폴리염화비닐, 폴리페닐렌옥사이드 등을 들 수 있고, 이들은, 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.Examples of the thermoplastic resin layer 31 include ethylene vinyl acetate (EVA), polyethylene, polypropylene, polyamide, polyacetal, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, fluororesin, polyphenylene sulfide , Polystyrene, ABS resin, acrylic resin, polycarbonate, polyurethane, polyvinyl chloride, polyphenylene oxide, etc. These may be used singly or in combination of two or more kinds.

기재 필름층(32)으로는, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에스테르 등의 플라스틱 필름이나, 종이, 천, 부직포 등으로 이루어지는 다공질 기재를 이용할 수 있다.As the base film layer 32, a plastic substrate such as polyethylene terephthalate, polyethylene, polypropylene, and polyester, or a porous substrate made of paper, cloth, or nonwoven fabric can be used.

또한, 보호 테이프(30)는, 상술한 구성으로 한정되지 않고, 각 층의 표면이나 인접하는 층 사이에 다른 층을 형성해도 된다.Further, the protective tape 30 is not limited to the above-described configuration, and another layer may be formed between the surface of each layer or between adjacent layers.

[(B) 그라인드 공정][(B) Grinding process]

도 3은, 그라인드 공정의 개략을 나타내는 단면도이다. 그라인드 공정에서는, 보호 테이프(30) 부착면의 반대면을 그라인드 처리한다. 보호 테이프(30)를 부착한 웨이퍼(21)의 반대면을 연삭 장치에 고정하여 연마한다. 이 그라인드 공정에 있어서, 연마에 의해 웨이퍼(21)의 두께는, 200μm 이하, 또한 50μm 이하이다. 웨이퍼(21)의 두께를 작게 하면 할수록, 웨이퍼(21)의 휨량이 커진다. 또한, 웨이퍼(21)의 휨량은, 평면 스테이지(X, Y축)에 웨이퍼(21)를 두었을 때의 휨(Z축)의 최대치이다.3 is a cross-sectional view schematically showing the grinding process. In the grinding step, the opposite surface of the surface to which the protective tape 30 is attached is ground. The opposite surface of the wafer 21 to which the protective tape 30 is attached is fixed to the grinding apparatus and polished. In this grinding step, the thickness of the wafer 21 by polishing is 200 μm or less and 50 μm or less. The smaller the thickness of the wafer 21 is, the larger the amount of warpage of the wafer 21 is. The amount of warpage of the wafer 21 is the maximum value of the warp (Z axis) when the wafer 21 is placed on the plane stage (X, Y axis).

[(C) 열경화성 접착 시트 부착 공정][(C) Step of attaching thermosetting adhesive sheet]

도 4는, 열경화성 접착 시트 부착 공정의 개략을 나타내는 단면도이다. 열경화성 접착 시트 부착 공정에서는, 웨이퍼(21)의 그라인드 처리면에 열경화성 접착 시트의 열경화성 접착층(12)을 부착한다.4 is a cross-sectional view schematically showing a step of adhering a thermosetting adhesive sheet. In the step of adhering the thermosetting adhesive sheet, the thermosetting adhesive layer 12 of the thermosetting adhesive sheet is attached to the ground surface of the wafer 21.

[(D) 보호 테이프 박리 공정][(D) Protection tape peeling step]

도 5는, 보호 테이프 박리 공정의 개략을 나타내는 단면도이다. 보호 테이프 박리 공정에서는, 보호 테이프(30)를 박리한다.5 is a cross-sectional view schematically showing the protective tape peeling process. In the protective tape peeling step, the protective tape 30 is peeled off.

[(E) 경화 공정][(E) Curing Process]

도 6은, 경화 공정의 개략을 나타내는 단면도이다. 경화 공정에서는, 열경화성 접착층(12)을 경화시킨다. 경화 방법 및 경화 조건으로는, 열경화형 접착제를 경화시키는 공지의 방법을 이용할 수 있다. 경화 공정에서는, 예를 들면, 80~180℃의 온도, 0.1~5h의 시간 동안 큐어함으로써, 열경화성 접착층(12)을 경화시키는 것이 가능하다. 이에 의해, 열경화성 접착층(12)이 크게 수축되어, 웨이퍼(21)의 휨과 역방향의 응력이 발생하므로, 웨이퍼(21)를 평탄한 상태로 유지시키는 것이 가능해진다.6 is a cross-sectional view schematically showing a curing process. In the curing step, the thermosetting adhesive layer 12 is cured. As the curing method and curing conditions, a known method of curing the thermosetting type adhesive can be used. In the curing process, it is possible to cure the thermosetting adhesive layer 12 by, for example, curing at a temperature of 80 to 180 占 폚 for 0.1 to 5 hours. As a result, the thermosetting adhesive layer 12 is largely contracted and a stress in a direction opposite to the bending of the wafer 21 is generated, so that the wafer 21 can be maintained in a flat state.

[(F) 점착 테이프 부착 공정][(F) Adhesive tape attaching step]

도 7은, 점착 테이프 부착 공정의 개략을 나타내는 단면도이다. 점착 테이프 부착 공정에서는, 그라인드 처리면에 점착 테이프(40)를 부착한다. 점착 테이프(40)는, 다이싱 테이프(Dicing Tape)라 불리는 것이며, 다이싱 공정 (G)에 있어서, 웨이퍼(21)를 보호, 고정하고, 픽업 공정 (I)까지 유지하기 위한 테이프이다.7 is a cross-sectional view schematically showing the step of adhering an adhesive tape. In the adhesive tape attaching step, the adhesive tape 40 is attached to the grind process surface. The adhesive tape 40 is a tape called a dicing tape and is a tape for protecting and fixing the wafer 21 in the dicing step G and holding it until the pickup step I.

점착 테이프(40)로는, 특별히 한정되지 않고, 공지의 것을 사용할 수 있다. 일반적으로, 점착 테이프(40)는, 점착제층과, 기재 필름층을 갖는다. 점착제층으로는, 예를 들면, 폴리에틸렌계, 아크릴계, 고무계, 우레탄계 등의 점착제를 들 수 있다. 또, 기재 필름층으로는, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에스테르 등의 플라스틱 필름이나, 종이, 천, 부직포 등으로 이루어지는 다공질 기재를 이용할 수 있다. 또, 점착 테이프의 부착 장치 및 조건으로는, 특별히 한정되지 않고, 공지의 장치 및 조건이 이용된다.The adhesive tape 40 is not particularly limited and a known adhesive tape 40 can be used. Generally, the adhesive tape 40 has a pressure-sensitive adhesive layer and a base film layer. Examples of the pressure sensitive adhesive layer include pressure sensitive adhesives such as polyethylene, acrylic, rubber, and urethane adhesives. As the substrate film layer, a porous substrate made of a plastic film such as polyethylene terephthalate, polyethylene, polypropylene, polyester, or paper, cloth, or nonwoven fabric can be used. The apparatus and conditions for adhering the adhesive tape are not particularly limited and known apparatuses and conditions are used.

[(G) 다이싱 처리 공정][(G) Dicing treatment step]

도 8은, 다이싱 처리 공정의 개략을 나타내는 단면도이다. 다이싱 처리 공정에서는, 점착 테이프(40)가 부착된 웨이퍼(21)를 다이싱 처리하고, 개편의 반도체칩을 얻는다. 다이싱 방법으로는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 다이싱소(dicing saw)로 웨이퍼(21)를 절삭하여 잘라내는 등의 공지의 방법을 이용할 수 있다. 열경화성 접착 시트가 웨이퍼의 휨을 저감시키고 있으므로, 웨이퍼를 평탄화시킨 상태에서 다이싱할 수 있어, 치핑을 저감시킬 수 있다.8 is a cross-sectional view schematically showing the dicing process. In the dicing process, the wafer 21 with the adhesive tape 40 attached thereto is subjected to a dicing process to obtain a semiconductor chip of a different size. The dicing method is not particularly limited, and a known method such as cutting and cutting the wafer 21 with a dicing saw, for example, can be used. Since the thermosetting adhesive sheet reduces the warpage of the wafer, the wafer can be diced while being flattened, and chipping can be reduced.

[(H) 익스팬드 공정][(H) Expand Process]

도 9는, 익스팬드 공정의 개략을 나타내는 단면도이다. 익스팬드 공정에서는, 예를 들면 분할된 복수개의 반도체칩이 붙여져 있는 점착 테이프(40)를 방사 방향으로 신장시켜, 개개의 반도체칩의 간격을 넓힌다.9 is a cross-sectional view schematically showing an expanding process. In the expanding step, for example, the adhesive tape 40 on which a plurality of divided semiconductor chips are attached is stretched in the radial direction to widen the spacing of the individual semiconductor chips.

[(I) 픽업 공정][(I) Pick-up process]

도 10은, 픽업 공정의 개략을 나타내는 단면도이다. 픽업 공정에서는, 점착 테이프(40) 상에 붙여져 고정된 반도체칩을, 점착 테이프(40)의 하면으로부터 밀어올려 박리시키고, 이 박리된 반도체칩을 콜릿으로 흡착한다. 픽업된 반도체칩은, 칩 트레이에 수납되거나, 또는 플립 칩 본더의 칩 탑재 노즐로 반송된다.10 is a cross-sectional view schematically showing a pickup process. In the pick-up process, the semiconductor chip fixed on the adhesive tape 40 is pushed up from the lower surface of the adhesive tape 40 and is peeled off, and the peeled semiconductor chip is adsorbed by the collet. The picked up semiconductor chips are housed in a chip tray or transferred to a chip mounting nozzle of a flip chip bonder.

[(J) 실장 공정][(J) Mounting step]

도 11은, 실장 공정의 개략을 나타내는 단면도이다. 실장 공정에서는, 예를 들면 반도체칩과 회로 기판을 NCF(Non Conductive Film) 등의 회로 접속 재료를 이용하여 접속한다. 회로 기판으로는, 특별히 한정되지 않지만, 폴리이미드 기판, 유리 에폭시 기판 등의 플라스틱 기판, 세라믹 기판 등을 이용할 수 있다. 또, 접속 방법으로는, 가열 본더, 리플로우로(爐) 등을 이용하는 공지의 방법을 이용할 수 있다.11 is a cross-sectional view schematically showing a mounting step. In the mounting process, for example, a semiconductor chip and a circuit board are connected to each other by using a circuit connecting material such as NCF (Non Conductive Film). The circuit substrate is not particularly limited, but a polyimide substrate, a plastic substrate such as a glass epoxy substrate, a ceramic substrate, or the like can be used. As a connection method, a known method using a heating bonder, a reflow furnace or the like can be used.

이러한 반도체 장치의 제조 방법에 의하면, 열경화성 접착 시트를 반도체 웨이퍼의 연마면에 부착해 경화시켜, 반도체 웨이퍼의 휨량을 저감시키므로, 치핑을 억제하여 용이하게 다이싱을 행할 수 있다.According to such a manufacturing method of a semiconductor device, since the thermosetting adhesive sheet is adhered to a polishing surface of a semiconductor wafer and hardened, the amount of deflection of the semiconductor wafer is reduced, so that chipping can be suppressed and dicing can be performed easily.

실시예Example

<3. 실시예><3. Examples>

이하, 본 발명의 실시예에 대해서 설명한다. 본 실시예에서는, 열경화성 접착 시트를 제작하고, 이것을 휨이 발생한 패턴을 갖는 웨이퍼에 부착하고, 적층체를 제작했다. 그리고, 열경화성 접착 시트의 필름막성, 다이싱시의 치핑 억제, 및 웨이퍼의 휨의 제어성에 대해서 평가했다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described. In the present embodiment, a thermosetting adhesive sheet was prepared and adhered to a wafer having a pattern in which warp occurred, thereby producing a laminate. The film properties of the thermosetting adhesive sheet, suppression of chipping at the time of dicing, and controllability of wafer warping were evaluated.

[열경화성 접착 시트의 제작][Production of thermosetting adhesive sheet]

하기 성분을 배합해, 수지 조성물을 조제했다. 이것을, 박리 처리된 PET(Polyethylene terephthalate)에 바 코터를 이용하여 도포하고, 80℃의 오븐에서 3분간 건조시켜, 두께 20μm인 열경화성 접착층을 갖는 열경화성 접착 시트를 제작했다(커버 박리 PET(25μm)/열경화성 접착층(20μm)/베이스 박리 PET(50μm)).The following components were blended to prepare a resin composition. This was coated on a peeled PET (polyethylene terephthalate) using a bar coater and dried in an oven at 80 캜 for 3 minutes to prepare a thermosetting adhesive sheet having a thermosetting adhesive layer of 20 탆 in thickness (cover peeling PET (25 탆) / Thermosetting adhesive layer (20 m) / base peeling PET (50 m)).

A-DCP:트리시클로데칸디메탄올디아크릴레이트(Shin-Nakamura Chemical(주), 단위 분자량당 관능기수(관능기수/분자량)=0.0065)A-DCP: tricyclodecane dimethanol diacrylate (number of functional groups per functional molecular weight (number of functional groups / molecular weight) = 0.0065 by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.)

M-315:이소시아눌산에틸렌옥사이드 변성 디아크릴레이트와 이소시아눌산에틸렌옥사이드 변성 트리아크릴레이트의 혼합물(이소시아눌산에틸렌옥사이드 변성 디아크릴레이트의 함유율이 3%~13%)(TOAGOSEI(주), 단위 분자량당 관능기수(관능기수/분자량)=0.007)M-315: Mixture of isocyanuric acid ethylene oxide-modified diacrylate and isocyanuric acid ethylene oxide-modified triacrylate (content of isocyanuric acid ethylene oxide-modified diacrylate of 3% to 13%) (TOAGOSEI, Number of functional groups per unit molecular weight (number of functional groups / molecular weight) = 0.007)

UN-3320HA:다관능 우레탄아크릴레이트 올리고머(Negamikogyo(주), 단위 분자량당 관능기수(관능기수/분자량)=0.004)UN-3320HA: polyfunctional urethane acrylate oligomer (number of functional groups per unit molecular weight (number of functional groups / molecular weight) = 0.004 by Negamikogyo Co., Ltd.)

VR-90:비스페놀 A형 에폭시아크릴레이트(Showa Highpolymer(주), 단위 분자량당 관능기수(관능기수/분자량)=0.0018)VR-90: Bisphenol A type epoxy acrylate (Showa Highpolymer, number of functional groups per unit molecular weight (number of functional groups / molecular weight) = 0.0018)

UN-6301:지방족 우레탄아크릴레이트 올리고머(Negamikogyo(주), 단위 분자량당 관능기수(관능기수/분자량)=0.00006)UN-6301: aliphatic urethane acrylate oligomer (number of functional groups per unit molecular weight (number of functional groups / molecular weight) = 0.00006 by Negamikogyo Co., Ltd.)

KBM-503:실란 커플링제(Shin-Etsu Silicones(주))KBM-503: Silane coupling agent (Shin-Etsu Silicones)

PEROYL L:디라우로일퍼옥사이드(NOF(주) 제조, 1분간 반감기 온도:116.4℃)PEROYL L: diarooyl peroxide (manufactured by NOF Corporation, one-minute half life temperature: 116.4 ° C)

SG-P3:엘라스토머(Nagase ChemteX(주) 제조)SG-P3: elastomer (manufactured by Nagase ChemteX Corporation)

AEROSIL R202:실리카(NIPPON AEROSIL(주))AEROSIL R202: Silica (NIPPON AEROSIL CO., LTD.)

＃3050B:카본 블랙(Mitsubishi Chemical(주))# 3050B: Carbon black (manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.)

[적층체의 제작][Production of laminate]

두께 20μm인 열경화성 접착층을 패턴을 갖는 웨이퍼 상에 프레스기로 부착하여, 130℃, 1h의 조건으로 큐어하여 적층체를 얻었다.A thermosetting adhesive layer having a thickness of 20 mu m was attached to a wafer having a pattern by a press machine and cured under conditions of 130 DEG C for 1 hour to obtain a laminate.

패턴을 갖는 웨이퍼는, 두께 200μm의 8인치인 것을 사용했다. 또, 패턴을 갖는 웨이퍼의 평균 휨량(샘플수:10)은 4mm였다. 또한, 패턴을 갖는 웨이퍼의 휨량은, 평면 스테이지(X, Y축)에 패턴을 갖는 웨이퍼를 두었을 때의 휨(Z축)의 최대치로 했다.A wafer having a pattern of 8 inches in thickness of 200 mu m was used. The average warping amount (number of samples: 10) of the wafer having the pattern was 4 mm. The amount of warpage of the wafer having the pattern was determined as the maximum value of the warpage (Z axis) when the wafer having the pattern was placed on the plane stage (X, Y axis).

[필름막성의 평가][Evaluation of Film Film Property]

열경화성 접착 시트의 필름성, 점착성, 및 라미네이트성에 대해서 평가하고, 모든 평가가 양호한 경우를 「○」로 평가하고, 어느 1개의 평가가 불량인 경우를 「×」로 평가했다.The film properties, the tackiness and the lamination property of the thermosetting adhesive sheet were evaluated. A case where all the evaluations were good was evaluated as &quot; &quot;, and a case where any one evaluation was poor was evaluated as &quot; X &quot;.

[다이싱시의 치핑 억제의 평가][Evaluation of suppression of chipping during dicing]

적층체의 열경화성 접착층측에 다이싱 테이프를 라미네이트하고, 다이싱 후의 적층체를 관찰했다. 치핑에 의한 불량률이 5% 미만인 경우를 「○」로 평가하고, 불량률이 5% 이상인 경우를 「×」로 평가했다.A dicing tape was laminated on the thermosetting adhesive layer side of the laminate, and the laminate after dicing was observed. The case where the defective ratio by chipping was less than 5% was evaluated as &quot;? &Quot;, and the case where the defective rate was not less than 5% was evaluated as &quot;

[웨이퍼의 휨의 제어성의 평가][Evaluation of controllability of warp of wafer]

패턴을 갖는 웨이퍼의 휨량의 측정과 마찬가지로, 적층체의 휨량은, 평면 스테이지(X, Y축)에 적층체를 두었을 때의 휨(Z축)의 최대치로 했다. 적층체의 휨량이 1.0mm 미만인 것을 「A」, 적층체의 휨량이 1.0mm 이상 1.5mm 미만의 것을 「B」, 적층체의 휨량이 1.5mm 이상 2.5mm 미만인 것을 「C」, 적층체의 휨량이 2.5mm 이상인 것을 「D」라고 평가했다.Like the measurement of the amount of warpage of the wafer having the pattern, the amount of warping of the laminated body was taken as the maximum value of the warpage (Z axis) when the laminate was placed on the plane stage (X, Y axis). Quot; A &quot;, where the warpage of the laminate is less than 1.0 mm, &quot; B &quot;, the warpage of the laminate is more than 1.0 mm and less than 1.5 mm, Quot; D &quot;.

<실시예 1>&Lt; Example 1 >

표 1에 나타낸 바와 같이, 3관능 아크릴레이트(M-315)를 20질량부, 비스페놀 A형 에폭시아크릴레이트(VR-90)를 60질량부, 커플링제(KBM-503)를 1질량부, 유기 과산화물(PEROYL L)을 3질량부 배합한 수지 성분 84질량부에, 무기 필러(AEROSIL R202) 100질량부를 첨가하여 수지 조성물을 조제했다. 수지 성분 100질량부에 대한 무기 필러의 배합량은 119질량부, 수지 성분 중의 고형 (메타)아크릴레이트의 함유율은 71wt%, 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율은 95wt%, (메타)아크릴레이트의 단위 분자량당 관능기수에, 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율을 곱한 값의 총합은 2.99E-03이었다. 이 수지 조성물을 이용하여 제작한 열경화성 접착 시트의 필름막성의 평가는 ○, 다이싱시의 치핑 억제의 평가는 ○, 박형 웨이퍼 휨 제어성의 평가는 A였다.20 parts by mass of trifunctional acrylate (M-315), 60 parts by mass of bisphenol A type epoxy acrylate (VR-90), 1 part by mass of a coupling agent (KBM-503) And 100 parts by mass of an inorganic filler (AEROSIL R202) was added to 84 parts by mass of a resin component obtained by mixing 3 parts by mass of peroxide (PEROYL L). (Meth) acrylate content in the resin component was 95 wt%, the content of the solid (meth) acrylate in the resin component was 71 wt%, the content of the inorganic filler in the resin component was 119 wt% , The total of the number of functional groups per unit molecular weight multiplied by the content of (meth) acrylate in the resin component was 2.99E-03. Evaluation of the film properties of the thermosetting adhesive sheet produced using this resin composition was evaluated as ○, evaluation of inhibition of chipping during dicing was ○, and evaluation of thin wafer flexure controlability was A.

<실시예 2>&Lt; Example 2 >

표 1에 나타낸 바와 같이, 무기 필러(AEROSIL R202)를 70질량부 첨가한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 수지 조성물을 조제했다. 수지 성분 100질량부에 대한 무기 필러의 배합량은 83질량부, 수지 성분 중의 고형 (메타)아크릴레이트의 함유율은 71wt%, 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율은 95wt%, (메타)아크릴레이트의 단위 분자량당 관능기수에, 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율을 곱한 값의 총합은 2.99E-03이었다. 이 수지 조성물을 이용하여 제작한 열경화성 접착 시트의 필름막성의 평가는 ○, 다이싱시의 치핑 억제의 평가는 ○, 박형 웨이퍼 휨 제어성의 평가는 A였다.As shown in Table 1, a resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that 70 parts by mass of an inorganic filler (AEROSIL R202) was added. (Meth) acrylate content in the resin component is 95 wt%, the content of the solid (meth) acrylate in the resin component is 71 wt%, the content of the inorganic filler in the resin component is 83 wt% , The total of the number of functional groups per unit molecular weight multiplied by the content of (meth) acrylate in the resin component was 2.99E-03. Evaluation of the film properties of the thermosetting adhesive sheet produced using this resin composition was evaluated as ○, evaluation of inhibition of chipping during dicing was ○, and evaluation of thin wafer flexure controlability was A.

<실시예 3>&Lt; Example 3 >

표 1에 나타내는 바와 같이, 무기 필러(AEROSIL R202)를 150질량부 첨가한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 수지 조성물을 조제했다. 수지 성분 100질량부에 대한 무기 필러의 배합량은 179질량부, 수지 성분 중의 고형 (메타)아크릴레이트의 함유율은 71wt%, 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율은 95wt%, (메타)아크릴레이트의 단위 분자량당 관능기수에, 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율을 곱한 값의 총합은 2.99E-03이었다. 이 수지 조성물을 이용하여 제작한 열경화성 접착 시트의 필름막성의 평가는 ○, 다이싱시의 치핑 억제의 평가는 ○, 박형 웨이퍼 휨 제어성의 평가는 A였다.As shown in Table 1, a resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the inorganic filler (AEROSIL R202) was added in an amount of 150 parts by weight. The content of the inorganic filler in the resin component was 179 parts by mass, the content of the solid (meth) acrylate in the resin component was 71% by weight, the content of the (meth) acrylate in the resin component was 95% , The total of the number of functional groups per unit molecular weight multiplied by the content of (meth) acrylate in the resin component was 2.99E-03. Evaluation of the film properties of the thermosetting adhesive sheet produced using this resin composition was evaluated as ○, evaluation of inhibition of chipping during dicing was ○, and evaluation of thin wafer flexure controlability was A.

<실시예 4><Example 4>

표 1에 나타낸 바와 같이, 3관능 아크릴레이트(M-315)를 15질량부, 다관능 우레탄아크릴레이트 올리고머(UN-3320HA)를 5질량부 배합한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 수지 조성물을 조제했다. 수지 성분 100질량부에 대한 무기 필러의 배합량은 119질량부, 수지 성분 중의 고형 (메타)아크릴레이트의 함유율은 71wt%, 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율은 95wt%, (메타)아크릴레이트의 단위 분자량당 관능기수에, 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율을 곱한 값의 총합은 2.80E-03이었다. 이 수지 조성물을 이용하여 제작한 열경화성 접착 시트의 필름막성의 평가는 ○, 다이싱시의 치핑 억제의 평가는 ○, 박형 웨이퍼 휨 제어성의 평가는 A였다.As shown in Table 1, except that 15 parts by mass of trifunctional acrylate (M-315) and 5 parts by mass of a polyfunctional urethane acrylate oligomer (UN-3320HA) were blended, a resin composition It was prepared. (Meth) acrylate content in the resin component was 95 wt%, the content of the solid (meth) acrylate in the resin component was 71 wt%, the content of the inorganic filler in the resin component was 119 wt% , The total of the number of functional groups per unit molecular weight multiplied by the content of (meth) acrylate in the resin component was 2.80E-03. Evaluation of the film properties of the thermosetting adhesive sheet produced using this resin composition was evaluated as ○, evaluation of inhibition of chipping during dicing was ○, and evaluation of thin wafer flexure controlability was A.

<실시예 5>&Lt; Example 5 >

표 1에 나타낸 바와 같이, 3관능 아크릴레이트(M-315)를 17질량부, 지방족 우레탄아크릴레이트 올리고머(UN-6301)를 3질량부 배합한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 수지 조성물을 조제했다. 수지 성분 100질량부에 대한 무기 필러의 배합량은 119질량부, 수지 성분 중의 고형 (메타)아크릴레이트의 함유율은 71wt%, 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율은 95wt%, (메타)아크릴레이트의 단위 분자량당 관능기수에, 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율을 곱한 값의 총합은 2.74E-03이었다. 이 수지 조성물을 이용하여 제작한 열경화성 접착 시트의 필름막성의 평가는 ○, 다이싱시의 치핑 억제의 평가는 ○, 박형 웨이퍼 휨 제어성의 평가는 B였다.As shown in Table 1, a resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that 17 parts by mass of trifunctional acrylate (M-315) and 3 parts by mass of an aliphatic urethane acrylate oligomer (UN-6301) did. (Meth) acrylate content in the resin component was 95 wt%, the content of the solid (meth) acrylate in the resin component was 71 wt%, the content of the inorganic filler in the resin component was 119 wt% , The total of the number of functional groups per unit molecular weight multiplied by the content of (meth) acrylate in the resin component was 2.74E-03. Evaluation of the film properties of the thermosetting adhesive sheet produced using this resin composition was evaluated as ○, evaluation of inhibition of chipping during dicing was ○, and evaluation of bending control property of thin wafer was B.

<실시예 6>&Lt; Example 6 >

표 1에 나타낸 바와 같이, 2관능 아크릴레이트(A-DCP)를 3질량부, 3관능 아크릴레이트(M-315)를 17질량부 배합한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 수지 조성물을 조제했다. 수지 성분 100질량부에 대한 무기 필러의 배합량은 119질량부, 수지 성분 중의 고형 (메타)아크릴레이트의 함유율은 71wt%, 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율은 95wt%, (메타)아크릴레이트의 단위 분자량당 관능기수에, 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율을 곱한 값의 총합은 2.97E-03이었다. 이 수지 조성물을 이용하여 제작한 열경화성 접착 시트의 필름막성의 평가는 ○, 다이싱시의 치핑 억제의 평가는 ○, 박형 웨이퍼 휨 제어성의 평가는 B였다.As shown in Table 1, a resin composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that 3 parts by mass of bifunctional acrylate (A-DCP) and 17 parts by mass of trifunctional acrylate (M-315) . (Meth) acrylate content in the resin component was 95 wt%, the content of the solid (meth) acrylate in the resin component was 71 wt%, the content of the inorganic filler in the resin component was 119 wt% , The total of the number of functional groups per unit molecular weight multiplied by the content of (meth) acrylate in the resin component was 2.97E-03. Evaluation of the film properties of the thermosetting adhesive sheet produced using this resin composition was evaluated as ○, evaluation of inhibition of chipping during dicing was ○, and evaluation of bending control property of thin wafer was B.

<실시예 7>&Lt; Example 7 >

표 1에 나타낸 바와 같이, 카본 블랙을 5질량부 첨가한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 수지 조성물을 조제했다. 수지 성분 100질량부에 대한 무기 필러의 배합량은 125질량부, 수지 성분 중의 고형 (메타)아크릴레이트의 함유율은 71wt%, 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율은 95wt%, (메타)아크릴레이트의 단위 분자량당 관능기수에, 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율을 곱한 값의 총합은 2.99E-03이었다. 이 수지 조성물을 이용하여 제작한 열경화성 접착 시트의 필름막성의 평가는 ○, 다이싱시의 치핑 억제의 평가는 ○, 박형 웨이퍼 휨 제어성의 평가는 A였다.As shown in Table 1, a resin composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that 5 parts by mass of carbon black was added. (Meth) acrylate content in the resin component was 95 wt%, the content of the solid (meth) acrylate in the resin component was 71 wt%, the content of the inorganic filler in the resin component was 125 wt% , The total of the number of functional groups per unit molecular weight multiplied by the content of (meth) acrylate in the resin component was 2.99E-03. Evaluation of the film properties of the thermosetting adhesive sheet produced using this resin composition was evaluated as ○, evaluation of inhibition of chipping during dicing was ○, and evaluation of thin wafer flexure controlability was A.

<실시예 8>&Lt; Example 8 >

표 2에 나타낸 바와 같이, 비스페놀 A형 에폭시아크릴레이트(VR-90)를 55질량부, 엘라스토머(SG-P3)를 5질량부 배합한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 수지 조성물을 조제했다. 수지 성분 100질량부에 대한 무기 필러의 배합량은 119질량부, 수지 성분 중의 고형 (메타)아크릴레이트의 함유율은 65wt%, 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율은 89wt%, (메타)아크릴레이트의 단위 분자량당 관능기수에, 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율을 곱한 값의 총합은 2.88E-03이었다. 이 수지 조성물을 이용하여 제작한 열경화성 접착 시트의 필름막성의 평가는 ○, 다이싱시의 치핑 억제의 평가는 ○, 박형 웨이퍼 휨 제어성의 평가는 B였다.As shown in Table 2, a resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that 55 parts by mass of bisphenol A type epoxy acrylate (VR-90) and 5 parts by mass of an elastomer (SG-P3) were used. (Meth) acrylate content in the resin component was 89 wt%, the content of the solid (meth) acrylate in the resin component was 65 wt%, the content of the inorganic filler in the resin component was 119 wt% , The total of the number of functional groups per unit molecular weight multiplied by the content of (meth) acrylate in the resin component was 2.88E-03. Evaluation of the film properties of the thermosetting adhesive sheet produced using this resin composition was evaluated as ○, evaluation of inhibition of chipping during dicing was ○, and evaluation of bending control property of thin wafer was B.

<실시예 9>&Lt; Example 9 >

표 2에 나타낸 바와 같이, 비스페놀 A형 에폭시아크릴레이트(VR-90)를 50질량부, 엘라스토머(SG-P3)를 10질량부 배합한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 수지 조성물을 조제했다. 수지 성분 100질량부에 대한 무기 필러의 배합량은 119질량부, 수지 성분 중의 고형 (메타)아크릴레이트의 함유율은 60wt%, 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율은 85wt%, (메타)아크릴레이트의 단위 분자량당 관능기수에, 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율을 곱한 값의 총합은 2.77E-03이었다. 이 수지 조성물을 이용하여 제작한 열경화성 접착 시트의 필름막성의 평가는 ○, 다이싱시의 치핑 억제의 평가는 ○, 박형 웨이퍼 휨 제어성의 평가는 B였다.As shown in Table 2, a resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that 50 parts by mass of bisphenol A type epoxy acrylate (VR-90) and 10 parts by mass of an elastomer (SG-P3) were used. (Meth) acrylate content in the resin component is 85 wt%, the content of the solid (meth) acrylate in the resin component is 60 wt%, the content of the inorganic filler in the resin component is 119 wt% , The total of the number of functional groups per unit molecular weight multiplied by the content of (meth) acrylate in the resin component was 2.77E-03. Evaluation of the film properties of the thermosetting adhesive sheet produced using this resin composition was evaluated as ○, evaluation of inhibition of chipping during dicing was ○, and evaluation of bending control property of thin wafer was B.

<비교예 1>&Lt; Comparative Example 1 &

표 2에 나타낸 바와 같이, 무기 필러를 50질량부 첨가한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 수지 조성물을 조제했다. 수지 성분 100질량부에 대한 무기 필러의 배합량은 60질량부, 수지 성분 중의 고형 (메타)아크릴레이트의 함유율은 71wt%, 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율은 95wt%, (메타)아크릴레이트의 단위 분자량당 관능기수에, 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율을 곱한 값의 총합은 2.99E-03이었다. 이 수지 조성물을 이용하여 제작한 열경화성 접착 시트의 필름막성의 평가는 ×, 다이싱시의 치핑 억제의 평가는 ×, 박형 웨이퍼 휨 제어성의 평가는 D였다.As shown in Table 2, a resin composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that 50 parts by mass of the inorganic filler was added. (Meth) acrylate content in the resin component is 95 wt%, the content of the solid (meth) acrylate in the resin component is 71 wt%, the content of the inorganic filler in the resin component is 60 wt% , The total of the number of functional groups per unit molecular weight multiplied by the content of (meth) acrylate in the resin component was 2.99E-03. Evaluation of the film properties of the thermosetting adhesive sheet produced using this resin composition was evaluated as X, evaluation of inhibition of chipping at the time of dicing was evaluated as X,

<비교예 2>&Lt; Comparative Example 2 &

표 2에 나타낸 바와 같이, 무기 필러를 200질량부 첨가한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 수지 조성물을 조제했다. 수지 성분 100질량부에 대한 무기 필러의 배합량은 238질량부, 수지 성분 중의 고형 (메타)아크릴레이트의 함유율은 71wt%, 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율은 95wt%, (메타)아크릴레이트의 단위 분자량당 관능기수에, 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율을 곱한 값의 총합은 2.99E-03이었다. 이 수지 조성물을 이용하여 제작한 열경화성 접착 시트의 필름막성의 평가는 ×, 다이싱시의 치핑 억제의 평가는 ○, 박형 웨이퍼 휨 제어성의 평가는 A였다.As shown in Table 2, a resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that 200 parts by mass of an inorganic filler was added. The content of the inorganic filler in the resin component was 238 parts by mass, the content of the solid (meth) acrylate in the resin component was 71% by weight, the content of the (meth) acrylate in the resin component was 95% , The total of the number of functional groups per unit molecular weight multiplied by the content of (meth) acrylate in the resin component was 2.99E-03. Evaluation of the film properties of the thermosetting adhesive sheet produced using this resin composition was evaluated as X, evaluation of inhibition of chipping during dicing was &amp; cir &amp; and evaluation of deflection of thin wafer was A.

<비교예 3>&Lt; Comparative Example 3 &

표 2에 나타낸 바와 같이, 3관능 아크릴레이트 대신에 지방족 우레탄아크릴레이트 올리고머(UN-6301)를 20질량부 배합한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 수지 조성물을 조제했다. 수지 성분 100질량부에 대한 무기 필러의 배합량은 119질량부, 수지 성분 중의 고형 (메타)아크릴레이트의 함유율은 71wt%, 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율은 95wt%, (메타)아크릴레이트의 단위 분자량당 관능기수에, 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율을 곱한 값의 총합은 1.31E-03이었다. 이 수지 조성물을 이용하여 제작한 열경화성 접착 시트의 필름막성의 평가는 ○, 다이싱시의 치핑 억제의 평가는 ×, 박형 웨이퍼 휨 제어성의 평가는 D였다.As shown in Table 2, a resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that 20 parts by mass of an aliphatic urethane acrylate oligomer (UN-6301) was used instead of trifunctional acrylate. (Meth) acrylate content in the resin component was 95 wt%, the content of the solid (meth) acrylate in the resin component was 71 wt%, the content of the inorganic filler in the resin component was 119 wt% , The total of the number of functional groups per unit molecular weight multiplied by the content of (meth) acrylate in the resin component was 1.31E-03. Evaluation of the film properties of the thermosetting adhesive sheet made using this resin composition was evaluated as?, Evaluation of inhibition of chipping during dicing was evaluated as X, and evaluation of thin wafer flexure controllability was D.

<비교예 4>&Lt; Comparative Example 4 &

표 2에 나타낸 바와 같이, 3관능 아크릴레이트 대신에 2관능 아크릴레이트(A-DCP)를 20질량부 배합한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 수지 조성물을 조제했다. 수지 성분 100질량부에 대한 무기 필러의 배합량은 119질량부, 수지 성분 중의 고형 (메타)아크릴레이트의 함유율은 71wt%, 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율은 95wt%, (메타)아크릴레이트의 단위 분자량당 관능기수에, 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율을 곱한 값의 총합은 2.87E-03이었다. 이 수지 조성물을 이용하여 제작한 열경화성 접착 시트의 필름막성의 평가는 ×, 다이싱시의 치핑 억제의 평가는 ○, 박형 웨이퍼 휨 제어성의 평가는 B였다.As shown in Table 2, a resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that 20 parts by mass of bifunctional acrylate (A-DCP) was used instead of trifunctional acrylate. (Meth) acrylate content in the resin component was 95 wt%, the content of the solid (meth) acrylate in the resin component was 71 wt%, the content of the inorganic filler in the resin component was 119 wt% , The total of the number of functional groups per unit molecular weight multiplied by the content of (meth) acrylate in the resin component was 2.87E-03. Evaluation of the film properties of the thermosetting adhesive sheet made using this resin composition was evaluated as X, evaluation of inhibition of chipping during dicing was evaluated as O, and evaluation of bending property of thin wafer was evaluated as B.

<비교예 5>&Lt; Comparative Example 5 &

표 2에 나타낸 바와 같이, 비스페놀 A형 에폭시아크릴레이트(VR-90)를 45질량부, 엘라스토머(SG-P3)를 15질량부 배합한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 수지 조성물을 조제했다. 수지 성분 100질량부에 대한 무기 필러의 배합량은 119질량부, 수지 성분 중의 고형 (메타)아크릴레이트의 함유율은 54wt%, 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율은 82wt%, (메타)아크릴레이트의 단위 분자량당 관능기수에, 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율을 곱한 값의 총합은 2.66E-03이었다. 이 수지 조성물을 이용하여 제작한 열경화성 접착 시트의 필름막성의 평가는 ○, 다이싱시의 치핑 억제의 평가는 ○, 박형 웨이퍼 휨 제어성의 평가는 C였다.As shown in Table 2, a resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that 45 parts by mass of bisphenol A type epoxy acrylate (VR-90) and 15 parts by mass of an elastomer (SG-P3) were used. (Meth) acrylate content in the resin component was 82 wt%, the content of the (meth) acrylate in the resin component was 54 wt%, the content of the inorganic filler in the resin component was 119 wt% , The total of the number of functional groups per unit molecular weight multiplied by the content of (meth) acrylate in the resin component was 2.66E-03. Evaluation of the film properties of the thermosetting adhesive sheet produced by using the resin composition was evaluated as ○, evaluation of inhibition of chipping during dicing was ○, and evaluation of thin wafer flexure controlability was C.

<비교예 6>&Lt; Comparative Example 6 >

표 2에 나타낸 바와 같이, 비스페놀 A형 에폭시아크릴레이트(VR-90)를 40질량부, 엘라스토머(SG-P3)를 15질량부 배합한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 수지 조성물을 조제했다. 수지 성분 100질량부에 대한 무기 필러의 배합량은 127질량부, 수지 성분 중의 고형 (메타)아크릴레이트의 함유율은 51wt%, 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율은 81wt%, (메타)아크릴레이트의 단위 분자량당 관능기수에, 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율을 곱한 값의 총합은 2.72E-03이었다. 이 수지 조성물을 이용하여 제작한 열경화성 접착 시트의 필름막성의 평가는 ×, 다이싱시의 치핑 억제의 평가는 ○, 박형 웨이퍼 휨 제어성의 평가는 C였다.As shown in Table 2, a resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that 40 parts by mass of bisphenol A type epoxy acrylate (VR-90) and 15 parts by mass of an elastomer (SG-P3) were used. (Meth) acrylate content in the resin component is 81 wt%, the content of the solid (meth) acrylate in the resin component is 51 wt%, the content of the inorganic filler in the resin component is 127 wt% , The total of the number of functional groups per unit molecular weight multiplied by the content of (meth) acrylate in the resin component was 2.72E-03. Evaluation of the film properties of the thermosetting adhesive sheet produced using this resin composition was evaluated as X, evaluation of inhibition of chipping during dicing was &amp; cir &amp; and evaluation of deflection of thin wafer was C.

Figure pct00001
Figure pct00001

Figure pct00002
Figure pct00002

비교예 1과 같이 필러량이 너무 적은 경우, 점착성 및 라미네이트성이 불량해져, 다이싱시의 불량률이 커, 웨이퍼의 휨량을 크게 저감시킬 수 없었다. 또, 비교예 2와 같이 필러량이 너무 많은 경우, 점착성 및 라미네이트성이 불량해졌다. 또, 비교예 3과 같이, (메타)아크릴레이트의 단위 분자량당 관능기수에, 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율을 곱한 값의 총합이 2.7E-03 미만인 경우, 다이싱시의 불량률이 커, 웨이퍼의 휨량을 크게 저감시킬 수 없었다. 또, 비교예 4와 같이, 3관능 이상의 (메타)아크릴레이트를 배합하지 않은 경우, 점착성 및 라미네이트성이 불량해졌다. 또, 비교예 5, 6과 같이, 수지 성분 중의 고형 (메타)아크릴레이트의 함유율이 너무 낮은 경우, 수축 부족으로 인해 웨이퍼의 휨량을 크게 저감시킬 수 없었다.When the filler amount was too small as in Comparative Example 1, the tackiness and the lamination property were poor, and the defective rate at the time of dicing was large, and the warping amount of the wafer could not be greatly reduced. When the filler amount was too large as in Comparative Example 2, the adhesiveness and the lamination property became poor. When the total of the values obtained by multiplying the number of functional groups per unit molecular weight of (meth) acrylate by the content of (meth) acrylate in the resin component is less than 2.7E-03 as in Comparative Example 3, The warping amount of the wafer could not be significantly reduced. In addition, as in Comparative Example 4, when the (meth) acrylate having three or more functional groups was not blended, the tackiness and the lamination property became poor. Also, as in Comparative Examples 5 and 6, when the content of the solid (meth) acrylate in the resin component was too low, the deflection of the wafer could not be significantly reduced due to insufficient shrinkage.

한편, 실시예 1~9와 같이, (메타)아크릴레이트와, 중합 개시제를 포함하는 수지 성분과, 필러를 함유하고, (메타)아크릴레이트가, 고형 (메타)아크릴레이트와, 3관능 이상의 (메타)아크릴레이트를 포함하고, 수지 성분 중의 고형 (메타)아크릴레이트의 함유율이 55wt% 이상이며, (메타)아크릴레이트의 단위 분자량당 관능기수에, 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율을 곱한 값의 총합이 2.7E-03 이상이며, 필러의 배합량이, 수지 성분 100질량부에 대해 80~220질량부이어서, 필름막성이 양호해지고, 다이싱시의 불량률이 저하되어, 웨이퍼의 휨량을 크게 저감시킬 수 있었다.On the other hand, as in Examples 1 to 9, it was confirmed that (meth) acrylates containing a (meth) acrylate, a resin component containing a polymerization initiator and a filler, (Meth) acrylate, wherein the content of solid (meth) acrylate in the resin component is 55 wt% or more, and the content of (meth) acrylate in the resin component is multiplied by the number of functional groups per unit molecular weight of Value is not less than 2.7E-03 and the compounding amount of the filler is 80 to 220 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin component, the film properties are good and the defective rate at the time of dicing is lowered, .

또, 실시예 1~7에서, 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율이 90wt% 이상이어서, 웨이퍼의 휨량을 크게 저감시킬 수 있음을 알았다.Further, in Examples 1 to 7, it was found that the content of (meth) acrylate in the resin component was 90 wt% or more, so that the amount of warping of the wafer could be greatly reduced.

11:기재 필름층,
12:열경화성 접착층,
21:웨이퍼,
22:돌기 전극,
30:보호 테이프,
31:열가소성 수지층,
32:기재 필름층11: base film layer,
12: thermosetting adhesive layer,
21: wafer,
22: projection electrode,
30: Protective tape,
31: thermoplastic resin layer,
32: Base film layer

Claims (10)

(메타)아크릴레이트와, 중합 개시제를 포함하는 수지 성분과, 필러를 함유하는 수지 조성물로 형성된 열경화성 접착층을 갖고,
상기 (메타)아크릴레이트가, 고형 (메타)아크릴레이트와, 3관능 이상의 (메타)아크릴레이트를 포함하고,
상기 수지 성분 중의 고형 (메타)아크릴레이트의 함유율이, 55wt% 이상이며,
상기 (메타)아크릴레이트의 단위 분자량당 관능기수에, 상기 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율을 곱한 값의 총합이 2.7E-03 이상이며,
상기 필러의 배합량이, 수지 성분 100질량부에 대해 80~220질량부인, 열경화성 접착 시트.(Meth) acrylate, a resin component comprising a polymerization initiator, and a thermosetting adhesive layer formed of a resin composition containing a filler,
Wherein the (meth) acrylate comprises a solid (meth) acrylate and a trifunctional or more (meth) acrylate,
The content of the solid (meth) acrylate in the resin component is 55 wt% or more,
The sum total of the number of functional groups per unit molecular weight of the (meth) acrylate multiplied by the content of (meth) acrylate in the resin component is 2.7E-03 or more,
Wherein the amount of the filler is 80 to 220 parts by mass based on 100 parts by mass of the resin component. 청구항 1에 있어서,
상기 (메타)아크릴레이트의 중량 평균 분자량이 200~50000인, 열경화성 접착 시트.The method according to claim 1,
Wherein the (meth) acrylate has a weight average molecular weight of 200 to 50,000. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 고형 (메타)아크릴레이트가 비스페놀형 에폭시(메타)아크릴레이트인, 열경화성 접착 시트.The method according to claim 1 or 2,
Wherein the solid (meth) acrylate is a bisphenol-type epoxy (meth) acrylate. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율이 90wt% 이상인, 열경화성 접착 시트.The method according to claim 1 or 2,
Wherein the content of the (meth) acrylate in the resin component is 90 wt% or more. 청구항 3에 있어서,
상기 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율이 90wt% 이상인, 열경화성 접착 시트.The method of claim 3,
Wherein the content of the (meth) acrylate in the resin component is 90 wt% or more. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 필러가 흑색 안료를 포함하는, 열경화성 접착 시트.The method according to claim 1 or 2,
Wherein the filler comprises a black pigment. 청구항 3에 있어서,
상기 필러가 흑색 안료를 포함하는, 열경화성 접착 시트.The method of claim 3,
Wherein the filler comprises a black pigment. 청구항 4에 있어서,
상기 필러가 흑색 안료를 포함하는, 열경화성 접착 시트.The method of claim 4,
Wherein the filler comprises a black pigment. 반도체 웨이퍼를 연마하는 그라인드 공정과,
상기 반도체 웨이퍼의 연마면에 열경화성 접착 시트를 부착하는 열경화성 접착 시트 부착 공정과,
상기 열경화성 시트를 경화시켜, 상기 반도체 웨이퍼의 휨량을 저감시키는 경화 공정과,
상기 반도체 웨이퍼의 열경화성 접착 시트면에 다이싱 테이프를 부착하는 다이싱 테이프 부착 공정과,
다이싱 테이프가 부착된 웨이퍼를 다이싱 처리하여, 개편(個片)의 반도체칩을 얻는 다이싱 처리 공정을 갖고,
상기 열경화성 접착 시트가, (메타)아크릴레이트와, 중합 개시제를 포함하는 수지 성분과, 필러를 함유하는 수지 조성물로 형성된 열경화성 접착층을 갖고,
상기 (메타)아크릴레이트가, 고형 (메타)아크릴레이트와, 3관능 이상의 (메타)아크릴레이트를 포함하고,
상기 수지 성분 중의 고형 (메타)아크릴레이트의 함유율이 55wt% 이상이며,
상기 (메타)아크릴레이트의 단위 분자량당 관능기수에, 상기 수지 성분 중의 (메타)아크릴레이트의 함유율을 곱한 값의 총합이 2.7E-03 이상이며,
상기 필러의 배합량이 수지 성분 100질량부에 대해 80~220질량부인, 반도체 장치의 제조 방법.A grinding process for polishing a semiconductor wafer,
A step of attaching a thermosetting adhesive sheet to a polishing surface of the semiconductor wafer,
A curing step of curing the thermosetting sheet to reduce a deflection amount of the semiconductor wafer,
A dicing tape attaching step of attaching a dicing tape to the surface of the thermosetting adhesive sheet of the semiconductor wafer;
A dicing process for dicing the wafer with the dicing tape so as to obtain a piece of semiconductor chip,
Wherein the thermosetting adhesive sheet comprises a thermosetting adhesive layer formed from a resin composition containing (meth) acrylate, a resin component containing a polymerization initiator, and a filler,
Wherein the (meth) acrylate comprises a solid (meth) acrylate and a trifunctional or more (meth) acrylate,
The content of the solid (meth) acrylate in the resin component is 55 wt% or more,
The sum total of the number of functional groups per unit molecular weight of the (meth) acrylate multiplied by the content of (meth) acrylate in the resin component is 2.7E-03 or more,
Wherein the amount of the filler to be blended is 80 to 220 parts by mass based on 100 parts by mass of the resin component. 청구항 9에 있어서,
상기 그라인드 공정에서는, 두께가 200μm 이하가 될 때까지 연마하는, 반도체 장치의 제조 방법.The method of claim 9,
In the grinding step, polishing is performed until the thickness becomes 200 탆 or less.
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