KR20180043193A - Conductive material and connection structure - Google Patents

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마이 나가따
마사히로 이또우
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히데아끼 이시자와
히로시 나쯔이
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세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤
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Abstract

전극 위에 도전성 입자에 있어서의 땜납을 선택적으로 배치할 수 있으며, 또한 전극 폭 및 전극 사이의 폭이 좁아도, 마이그레이션을 억제하여, 접속 저항을 낮게 유지할 수 있는 도전 재료를 제공한다. 본 발명에 따른 도전 재료는, 도전부의 외표면 부분에, 땜납을 갖는 복수의 도전성 입자와, 열경화성 화합물과, 산 무수물 열경화제를 포함하고, 50℃에서의 점도가 10Pa·s 이상, 200Pa·s 이하이다.Provided is a conductive material capable of selectively disposing solder in conductive particles on an electrode and suppressing migration even when the width of the electrode and the width between the electrodes are small. The conductive material according to the present invention is a conductive material which comprises a plurality of conductive particles having solder on the outer surface portion of a conductive portion, a thermosetting compound and an acid anhydride thermosetting agent and has a viscosity at 50 ° C of not less than 10 Pa · s and not more than 200 Pa · s Or less.

Description

도전 재료 및 접속 구조체Conductive material and connection structure

본 발명은, 땜납을 갖는 도전성 입자를 포함하는 도전 재료에 관한 것이다. 또한, 본 발명은, 상기 도전 재료를 사용한 접속 구조체에 관한 것이다.The present invention relates to a conductive material containing conductive particles having solder. The present invention also relates to a connection structure using the conductive material.

이방성 도전 페이스트 및 이방성 도전 필름 등의 이방성 도전 재료가 널리 알려져 있다. 상기 이방성 도전 재료에서는, 결합제 중에 도전성 입자가 분산되어 있다.Anisotropic conductive paste such as anisotropic conductive paste and anisotropic conductive film are widely known. In the anisotropic conductive material, the conductive particles are dispersed in the binder.

상기 이방성 도전 재료는, 각종 접속 구조체를 얻기 위해서, 예를 들어 플렉시블 프린트 기판과 유리 기판의 접속(FOG(Film on Glass)), 반도체 칩과 플렉시블 프린트 기판의 접속(COF(Chip on Film)), 반도체 칩과 유리 기판의 접속(COG(Chip on Glass)), 및 플렉시블 프린트 기판과 유리 에폭시 기판의 접속(FOB(Film on Board)) 등에 사용되고 있다.The anisotropic conductive material can be used for various connection structures, for example, connection (FOG (Film on Glass)) between a flexible printed board and a glass substrate, connection (COF (Chip on Film)) between a semiconductor chip and a flexible printed board, (COG (Chip on Glass)) between a semiconductor chip and a glass substrate, and connection (FOB (Film on Board)) between a flexible printed substrate and a glass epoxy substrate.

상기 이방성 도전 재료에 의해, 예를 들어 플렉시블 프린트 기판의 전극과 유리 에폭시 기판의 전극을 전기적으로 접속할 때는, 유리 에폭시 기판 위에, 도전성 입자를 포함하는 이방성 도전 재료를 배치한다. 이어서, 플렉시블 프린트 기판을 적층하고, 가열 및 가압한다. 이것에 의해, 이방성 도전 재료를 경화시키고, 도전성 입자를 통해 전극 사이를 전기적으로 접속하여 접속 구조체를 얻는다.For example, when an electrode of a flexible printed substrate and an electrode of a glass epoxy substrate are electrically connected by the anisotropic conductive material, an anisotropic conductive material containing conductive particles is disposed on a glass epoxy substrate. Subsequently, the flexible printed circuit board is laminated and heated and pressed. Thereby, the anisotropic conductive material is cured, and the electrodes are electrically connected through the conductive particles to obtain a connection structure.

상기 이방성 도전 재료의 일례로서, 하기 특허문헌 1에는, 도전성 입자와, 해당 도전성 입자의 융점에서 경화가 완료되지 않는 수지 성분을 포함하는 이방성 도전 재료가 기재되어 있다. 상기 도전성 입자로서는, 구체적으로는, 주석(Sn), 인듐(In), 비스무트(Bi), 은(Ag), 구리(Cu), 아연(Zn), 납(Pb), 카드뮴(Cd), 갈륨(Ga) 및 탈륨(Tl) 등의 금속이나, 이들 금속의 합금이 예시되어 있다.As an example of the anisotropic conductive material, Patent Document 1 below discloses an anisotropic conductive material containing conductive particles and a resin component that is not completely cured at the melting point of the conductive particles. Specific examples of the conductive particles include tin (Sn), indium (In), bismuth (Bi), silver (Ag), copper (Cu), zinc (Zn), lead (Pb), cadmium (Cd) (Ga) and thallium (Tl), and alloys of these metals.

특허문헌 1에서는, 상기 도전성 입자의 융점보다도 높고, 또한 상기 수지 성분의 경화가 완료되지 않는 온도로 이방성 도전 수지를 가열하는 수지 가열 스텝과, 상기 수지 성분을 경화시키는 수지 성분 경화 스텝을 거쳐, 전극 사이를 전기적으로 접속시키는 것이 기재되어 있다. 또한, 특허문헌 1에는, 특허문헌 1의 도 8에 도시된 온도 프로파일로 실장을 행하는 것이 기재되어 있다. 특허문헌 1에서는, 이방성 도전 수지가 가열되는 온도에서 경화가 완료되지 않는 수지 성분 내에서, 도전성 입자가 용융된다.Patent Document 1 discloses a resin heating step of heating an anisotropic conductive resin at a temperature higher than the melting point of the conductive particles and not curing the resin component and a resin component curing step of curing the resin component, Are electrically connected to each other. In addition, Patent Document 1 describes that mounting is performed with the temperature profile shown in Fig. 8 of Patent Document 1. In Patent Document 1, the conductive particles are melted in the resin component in which curing is not completed at the temperature at which the anisotropic conductive resin is heated.

하기 특허문헌 2에는, 열경화성 수지를 포함하는 수지층과, 땜납 분말과, 경화제를 포함하고, 상기 땜납 분말과 상기 경화제가 상기 수지층 중에 존재하는 접착 테이프가 개시되어 있다. 이 접착 테이프는 필름상이며, 페이스트상은 아니다.Patent Document 2 discloses an adhesive tape comprising a resin layer containing a thermosetting resin, solder powder, and a curing agent, wherein the solder powder and the curing agent are present in the resin layer. This adhesive tape is in the form of a film, not a paste.

일본 특허공개 제2004-260131호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-260131 WO 2008/023452 A1WO 2008/023452 A1

종래의 땜납 분말이나, 땜납층을 표면에 갖는 도전성 입자를 포함하는 이방성 도전 재료에서는, 땜납 분말 또는 도전성 입자가 전극(라인) 위에 효율적으로 배치되지 않는 경우가 있다.In an anisotropic conductive material containing conventional solder powder or conductive particles having a solder layer on its surface, solder powder or conductive particles may not be efficiently arranged on the electrode (line).

또한, 특허문헌 1에 기재된 이방성 도전 재료를 사용하여, 특허문헌 1에 기재된 방법에서 전극 사이를 전기적으로 접속하면, 땜납을 포함하는 도전성 입자가 전극(라인) 위에 효율적으로 배치되지 않는 경우가 있다. 또한, 특허문헌 1의 실시예에서는, 땜납의 융점 이상의 온도에서, 땜납을 충분히 이동시키기 위해서, 일정 온도로 유지하고 있어, 접속 구조체의 제조 효율이 낮아진다. 특허문헌 1의 도 8에 도시된 온도 프로파일로 실장을 행하면, 접속 구조체의 제조 효율이 낮아진다.Further, when the anisotropic conductive material described in Patent Document 1 is used to electrically connect the electrodes in the method described in Patent Document 1, the conductive particles including solder may not be efficiently arranged on the electrode (line). Further, in the embodiment of Patent Document 1, at a temperature equal to or higher than the melting point of the solder, the temperature is maintained at a constant temperature for sufficiently moving the solder, and the manufacturing efficiency of the connection structure is lowered. When mounting is performed with the temperature profile shown in Fig. 8 of Patent Document 1, the manufacturing efficiency of the connection structure is lowered.

전극 폭 및 전극 사이의 폭이 좁은 경우에는, 전극 폭이 좁은 전극 위에, 도전성 입자에 있어서의 땜납을 선택적으로 배치하려고 해도, 가로 방향의 전극 사이에 땜납이 잔존하기 쉬워, 마이그레이션이 발생하여, 접속 저항이 높아지는 경우가 있다.In the case where the electrode width and the width between the electrodes are narrow, solder tends to remain between the electrodes in the lateral direction even if the solder in the conductive particles is selectively arranged on the electrode with a narrow electrode width, migration occurs, The resistance may increase.

또한, 특허문헌 2에 기재된 접착 테이프는 필름상이며, 페이스트상은 아니다. 특허문헌 2에 기재와 같은 조성을 갖는 접착 테이프에서는, 땜납 분말을 전극(라인) 위에 효율적으로 배치하는 것은 곤란하다. 예를 들어, 특허문헌 2에 기재된 접착 테이프에서는, 땜납 분말의 일부가, 전극이 형성되지 않은 영역(스페이스)에도 배치되기 쉽다. 전극이 형성되지 않은 영역에 배치된 땜납 분말은, 전극 사이의 도통에 기여하지 않는다.The adhesive tape described in Patent Document 2 is in the form of a film, not a paste. In the adhesive tape having the composition as described in Patent Document 2, it is difficult to efficiently dispose the solder powder on the electrode (line). For example, in the adhesive tape described in Patent Document 2, a part of the solder powder is likely to be disposed in an area (space) where no electrode is formed. The solder powder disposed in the region where no electrode is formed does not contribute to conduction between the electrodes.

본 발명의 목적은, 전극 위에 도전성 입자에 있어서의 땜납을 선택적으로 배치할 수 있으며, 또한 전극 폭 및 전극 사이의 폭이 좁아도, 마이그레이션을 억제하여, 접속 저항을 낮게 유지할 수 있는 도전 재료를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 목적은, 상기 도전 재료를 사용한 접속 구조체를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a conductive material capable of selectively disposing solder in conductive particles on an electrode and suppressing migration even when the electrode width and the width between the electrodes are small and the connection resistance can be kept low . It is also an object of the present invention to provide a connection structure using the conductive material.

본 발명의 넓은 국면에 의하면, 도전부의 외표면 부분에, 땜납을 갖는 복수의 도전성 입자와, 열경화성 화합물과, 산 무수물 열경화제를 포함하고, 50℃에서의 점도가 10Pa·s 이상, 200Pa·s 이하인, 도전 재료가 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, there is provided a conductive part comprising a conductive part, a plurality of conductive particles having solder, a thermosetting compound and an acid anhydride thermosetting agent on the outer surface part of the conductive part and having a viscosity at 50 ° C of not less than 10 Pa · s and not more than 200 Pa · s Or less.

본 발명에 따른 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 도전 재료 100중량% 중, 상기 도전성 입자의 함유량이 1중량% 이상, 80중량% 이하이고, 상기 도전 재료는 이방성 도전 재료이다.In a specific aspect of the conductive material according to the present invention, the content of the conductive particles in 100 wt% of the conductive material is 1 wt% or more and 80 wt% or less, and the conductive material is an anisotropic conductive material.

본 발명에 따른 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 50℃에서의 점도의 100℃에서의 점도에 대한 비가 10 이상, 400 이하이다.In a specific aspect of the conductive material according to the present invention, the ratio of the viscosity at 50 캜 to the viscosity at 100 캜 is 10 or more and 400 or less.

본 발명에 따른 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 도전성 입자는 땜납 입자이다.In a specific aspect of the conductive material according to the present invention, the conductive particles are solder particles.

본 발명에 따른 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 도전 재료는 유기 인 화합물을 포함한다.In a specific aspect of the conductive material according to the present invention, the conductive material includes an organic phosphorus compound.

상기 산 무수물 열경화제는 25℃에서 액상인 것이 바람직하다. 상기 산 무수물 열경화제는 환상 산 무수물 열경화제인 것이 바람직하다.The acid anhydride thermosetting agent is preferably liquid at 25 占 폚. The acid anhydride thermosetting agent is preferably a cyclic acid anhydride thermosetting agent.

본 발명에 따른 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 170℃에서 0.5시간 열경화시켜 제1 경화물을 얻었을 때, 또한 얻어진 제1 경화물을 130℃ 및 습도 85%에서 100시간 방치해서 제2 경화물을 얻었을 때, 상기 제1 경화물의 유리 전이 온도와, 상기 제2 경화물의 유리 전이 온도와의 차의 절댓값이 20℃ 이하이다.In a specific aspect of the conductive material according to the present invention, when the first cured material is obtained by thermosetting at 170 DEG C for 0.5 hour, and the obtained first cured material is allowed to stand at 130 DEG C and 85% humidity for 100 hours, When the cargo is obtained, the absolute value of the difference between the glass transition temperature of the first cured product and the glass transition temperature of the second cured product is 20 DEG C or less.

본 발명에 따른 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 열경화성 화합물이, 질소 원자를 갖는 열경화성 화합물을 포함한다.In a specific aspect of the conductive material according to the present invention, the thermosetting compound includes a thermosetting compound having a nitrogen atom.

본 발명에 따른 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 열경화성 화합물이, 트리아진 골격을 갖는 열경화성 화합물을 포함한다.In a specific aspect of the conductive material according to the present invention, the thermosetting compound includes a thermosetting compound having a triazine skeleton.

본 발명에 따른 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 열경화성 화합물의 전체 100중량부에 대해서, 상기 산 무수물 열경화제의 함유량이 30중량부 이상, 80중량부 이하이다.In a specific aspect of the conductive material according to the present invention, the content of the acid anhydride thermosetting agent is 30 parts by weight or more and 80 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the total amount of the thermosetting compound.

본 발명에 따른 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 도전성 입자의 외표면에 카르복실기가 존재한다.In a specific aspect of the conductive material according to the present invention, a carboxyl group is present on the outer surface of the conductive particle.

본 발명에 따른 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 도전 재료는, 25℃에서 액상이며, 도전 페이스트이다.In a specific aspect of the conductive material according to the present invention, the conductive material is a liquid at 25 占 폚 and is a conductive paste.

본 발명이 넓은 국면에 의하면, 적어도 하나의 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재와, 적어도 하나의 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재와, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비하고, 상기 접속부가, 전술한 도전 재료의 경화물이며, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 상기 접속부 중의 땜납부에 의해 전기적으로 접속되어 있는, 접속 구조체가 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device comprising a first connection target member having at least one first electrode on its surface, a second connection target member having at least one second electrode on its surface, And the connection portion is a cured product of the conductive material, and the first electrode and the second electrode are electrically connected to each other by the solder portion in the connection portion, A connection structure is provided.

본 발명에 따른 접속 구조체의 어느 특정한 국면에서는, 상기 제1 전극과 상기 접속부와 상기 제2 전극과의 적층 방향으로 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 서로 대향하는 부분을 보았을 때, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 서로 대향하는 부분의 면적 100% 중의 50% 이상에, 상기 접속부중의 땜납부가 배치되어 있다.In a specific aspect of the connection structure according to the present invention, when the mutually opposing portions of the first electrode and the second electrode in the lamination direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode are viewed, And a solder portion of the connection portion is disposed at 50% or more of an area of 100% of mutually facing portions of the electrode and the second electrode.

본 발명에 따른 도전 재료는, 도전부의 외표면 부분에, 땜납을 갖는 복수의 도전성 입자와, 열경화성 화합물과, 산 무수물 열경화제를 포함하고, 50℃에서의 점도가 10Pa·s 이상, 200Pa·s 이하이므로, 전극 위에 도전성 입자에 있어서의 땜납을 선택적으로 배치할 수 있고, 또한 전극 폭 및 전극 사이의 폭이 좁아도, 마이그레이션을 억제하여, 접속 저항을 낮게 유지할 수 있다.The conductive material according to the present invention is a conductive material which comprises a plurality of conductive particles having solder on the outer surface portion of a conductive portion, a thermosetting compound and an acid anhydride thermosetting agent and has a viscosity at 50 ° C of not less than 10 Pa · s and not more than 200 Pa · s The solder in the conductive particles can be selectively arranged on the electrode. Even if the electrode width and the width between the electrodes are narrow, the migration can be suppressed and the connection resistance can be kept low.

도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 도전 재료를 사용하여 얻어지는 접속 구조체를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2의 (a) 내지 (c)는, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 도전 재료를 사용하여, 접속 구조체를 제조하는 방법의 일례의 각 공정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은, 접속 구조체의 변형예를 나타내는 단면도이다.
도 4는, 도전 재료에 사용 가능한 도전성 입자의 제1 예를 나타내는 단면도이다.
도 5는, 도전 재료에 사용 가능한 도전성 입자의 제2 예를 나타내는 단면도이다.
도 6은, 도전 재료에 사용 가능한 도전성 입자의 제3 예를 나타내는 단면도이다.
1 is a cross-sectional view schematically showing a connection structure obtained by using a conductive material according to an embodiment of the present invention.
2 (a) to 2 (c) are cross-sectional views for explaining respective steps of an example of a method of manufacturing a connection structure using a conductive material according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view showing a modified example of the connection structure.
4 is a cross-sectional view showing a first example of conductive particles usable for a conductive material.
5 is a cross-sectional view showing a second example of conductive particles usable in a conductive material.
6 is a cross-sectional view showing a third example of conductive particles usable for a conductive material.

이하, 본 발명의 상세를 설명한다.Hereinafter, the details of the present invention will be described.

(도전 재료)(Conductive material)

본 발명에 따른 도전 재료는, 복수의 도전성 입자와, 결합제를 포함한다. 상기 도전성 입자는 도전부를 갖는다. 상기 도전성 입자는, 도전부의 외표면 부분에 땜납을 갖는다. 땜납은 도전부에 포함되고, 도전부의 일부 또는 전부이다.The conductive material according to the present invention includes a plurality of conductive particles and a binder. The conductive particles have conductive portions. The conductive particles have solder on the outer surface portion of the conductive portion. The solder is contained in the conductive portion, and is part or all of the conductive portion.

본 발명에 따른 도전 재료는, 상기 결합제로서, 열경화성 화합물과, 열경화제를 포함한다. 열경화성 화합물과 열경화제는, 열경화성 성분이다. 본 발명에 따른 도전 재료에서는, 상기 열경화제로서, 산 무수물 열경화제를 포함한다.The conductive material according to the present invention includes, as the binder, a thermosetting compound and a thermosetting agent. The thermosetting compound and the thermosetting agent are thermosetting components. In the conductive material according to the present invention, an acid anhydride thermosetting agent is included as the above-mentioned thermosetting agent.

본 발명에서는, 특정한 도전성 입자를 사용하고, 또한 열경화성 화합물을 경화시키기 위해서 특정한 산 무수물 열경화제를 병용하고 있다.In the present invention, specific conductive particles are used and a specific acid anhydride thermosetting agent is used in combination to cure the thermosetting compound.

본 발명에 따른 도전 재료의 50℃에서의 점도는 10Pa·s 이상, 200Pa·s 이하이다.The viscosity of the conductive material according to the present invention at 50 캜 is not less than 10 Pa · s and not more than 200 Pa · s.

본 발명에서는, 상기 구성이 구비되어 있으므로, 전극 위에 도전성 입자에 있어서의 땜납을 선택적으로 배치할 수 있다. 전극 사이를 전기적으로 접속한 경우에, 도전성 입자에 있어서의 땜납이, 상하의 대향한 전극 사이에 모이기 쉬워, 도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극(라인) 위에 효율적으로 배치할 수 있다.In the present invention, solder in the conductive particles can be selectively disposed on the electrode because of the above arrangement. When the electrodes are electrically connected to each other, the solder in the conductive particles tends to collect between the upper and lower opposing electrodes, so that the solder in the conductive particles can be efficiently arranged on the electrode (line).

또한, 도전성 입자에 있어서의 땜납의 일부가, 전극이 형성되지 않은 영역(스페이스)에 배치되기 어려워, 전극이 형성되지 않은 영역에 배치되는 땜납의 양을 상당히 적게 할 수 있다. 본 발명에서는, 대향하는 전극 사이에 위치하지 않는 땜납을, 대향하는 전극 사이에 효율적으로 이동시킬 수 있다. 따라서, 전극 사이의 도통 신뢰성을 높일 수 있다. 게다가, 접속되어서는 안 되는 가로 방향으로 인접하는 전극 사이의 전기적인 접속을 방지할 수 있어, 절연 신뢰성을 높일 수 있다.In addition, a part of the solder in the conductive particles is hardly arranged in a region (space) where no electrode is formed, and the amount of solder disposed in the region where no electrode is formed can be significantly reduced. According to the present invention, solder not located between opposing electrodes can be efficiently moved between opposing electrodes. Therefore, the conduction reliability between the electrodes can be improved. In addition, it is possible to prevent electrical connection between adjacent electrodes in the transverse direction which should not be connected, and the insulation reliability can be improved.

또한, 전극 폭 및 전극 사이의 폭이 좁아도, 마이그레이션을 억제하여, 접속 저항을 낮게 유지할 수 있다.Even if the electrode width and the width between the electrodes are narrow, the migration can be suppressed and the connection resistance can be kept low.

반도체 소자의 실장(특히 1차 실장)에 있어서는, 전극 폭 및 전극 사이의 폭이 좁아져 있다. 이로 인해, 가로 방향에 인접하는 전극 사이에 땜납이 잔존하고 있으면, 마이그레이션이 발생하기 쉬워, 마이그레이션의 발생이 큰 문제로 되어 있다. 본 발명에서는, 전극 폭 및 전극 사이의 폭이 좁은 경우에, 마이그레이션을 효과적으로 억제하여, 접속 저항을 낮게 유지할 수 있다.The electrode width and the width between the electrodes are narrowed in the mounting (particularly, the primary mounting) of the semiconductor element. Therefore, if the solder remains between the electrodes adjacent to each other in the transverse direction, the migration tends to occur, and the occurrence of migration becomes a serious problem. In the present invention, when the electrode width and the width between the electrodes are narrow, the migration can be effectively suppressed and the connection resistance can be kept low.

상기 도전 재료를 170℃에서 0.5시간 열경화시킴으로써, 제1 경화물이 얻어진다. 상기 제1 경화물을 130℃ 및 습도 85%에서 100시간 방치함으로써, 제2 경화물이 얻어진다. 경화물의 열 열화를 한층 더 억제하고, 마이그레이션을 한층 더 억제하는 관점에서는, 상기 제1 경화물의 유리 전이 온도(Tg1)와, 상기 제2 경화물의 유리 전이 온도(Tg2)와의 차의 절댓값은, 바람직하게는 20℃ 이하, 보다 바람직하게는 10℃ 이하이다.By thermally curing the conductive material at 170 DEG C for 0.5 hour, a first cured product is obtained. The first cured product is allowed to stand at 130 DEG C and 85% humidity for 100 hours to obtain a second cured product. From the viewpoint of further suppressing thermal deterioration of the cured product and further suppressing the migration, the absolute value of the difference between the glass transition temperature (Tg1) of the first cured product and the glass transition temperature (Tg2) of the second cured product is preferably 20 DEG C or lower, and more preferably 10 DEG C or lower.

땜납을 전극 위에 한층 더 효율적으로 배치하기 위해서, 상기 도전 재료는, 25℃에서 액상인 것이 바람직하고, 도전 페이스트인 것이 바람직하다.In order to more effectively arrange the solder on the electrode, the conductive material is preferably liquid at 25 DEG C and is preferably a conductive paste.

땜납을 전극 위에 한층 더 효율적으로 배치하기 위해서, 상기 도전 재료의 50℃에서의 점도(η50)는 바람직하게는 10Pa·s 이상, 보다 바람직하게는 30Pa·s 이상이며, 바람직하게는 200Pa·s 이하, 보다 바람직하게는 100Pa·s 이하이다. 상기 도전 재료의 50℃에서의 점도는, 도전성 입자 또는 땜납의 도전 접속 초기의 이동 속도에 영향을 미친다.In order to more effectively arrange the solder on the electrode, the viscosity (? 50) of the conductive material at 50 占 폚 is preferably 10 Pa · s or more, more preferably 30 Pa · s or more, and preferably 200 Pa · s or less , More preferably not more than 100 Pa · s. The viscosity at 50 캜 of the conductive material affects the moving speed of the conductive particles or the solder in the initial stage of conductive connection.

땜납을 전극 위에 한층 더 효율적으로 배치하기 위해서, 상기 도전 재료의 50℃에서의 점도(η50)의 상기 도전 재료의 100℃에서의 점도(η100)에 대한 비는 바람직하게는 10 이상, 보다 바람직하게는 30 이상이며, 바람직하게는 400 이하, 보다 바람직하게는 100 이하이다. 상기 도전 재료의 100℃에서의 점도는, 도전성 입자 또는 땜납의 도전 접속 중기의 이동 속도에 영향을 미친다. 비(η50/η100)가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전 접속 시에, 초기부터 중기에 걸쳐 도전성 입자 또는 땜납이 효율적으로 이동한다.In order to more effectively arrange the solder on the electrode, the ratio of the viscosity (? 50) of the conductive material to the viscosity (? 100) of the conductive material at 100 占 폚 at 50 占 폚 is preferably 10 or more, Is not less than 30, preferably not more than 400, more preferably not more than 100. [ The viscosity at 100 캜 of the conductive material affects the moving speed of the conductive particles or solder in the middle of the conductive connection. When the ratio (? 50 /? 100) is not less than the lower limit and not more than the upper limit, conductive particles or solder move efficiently from the beginning to the middle period at the time of conductive connection.

상기 점도는, 스트레스테크(STRESSTECH)(에올로지카(EOLOGICA)사 제조) 등을 사용하여, 변형 제어 1rad, 주파수 1㎐, 승온 속도 20℃/분, 측정 온도 범위 40 내지 200℃의 조건에서 측정 가능하다.The viscosity was measured under the conditions of a strain control 1 rad, a frequency of 1 Hz, a temperature raising rate of 20 캜 / min, and a measuring temperature range of 40 to 200 캜 using STRESSTECH (manufactured by EOLOGICA) It is possible.

상기 도전 재료는, 도전 페이스트 및 도전 필름 등으로서 사용될 수 있다. 상기 도전 재료는 이방성 도전 재료인 것이 바람직하다. 상기 도전 페이스트는 이방성 도전 페이스트인 것이 바람직하다. 상기 도전 필름은 이방성 도전 필름인 것이 바람직하다. 상기 도전 재료는, 전극의 전기적인 접속에 적합하게 사용된다. 상기 도전 재료는, 회로 접속 재료인 것이 바람직하다.The conductive material can be used as a conductive paste and a conductive film. The conductive material is preferably an anisotropic conductive material. The conductive paste is preferably an anisotropic conductive paste. The conductive film is preferably an anisotropic conductive film. The conductive material is suitably used for electrical connection of electrodes. The conductive material is preferably a circuit connecting material.

본 발명의 효과가 효과적으로 발휘되고, 또한 상하의 전극 사이에 땜납을 효과적으로 배치하는 관점에서는, 상기 도전 재료 100중량% 중, 상기 도전성 입자의 함유량이 1중량% 이상, 80중량% 이하이고, 상기 도전 재료는 이방성 도전 재료인 것이 바람직하다. 이 이방성 도전 재료는, 이방성 도전 페이스트 또는 이방성 도전 필름인 것이 바람직하다.The effect of the present invention is effectively exerted and the content of the conductive particles in the conductive material is 1 wt% or more and 80 wt% or less in the 100 wt% of the conductive material in view of effectively arranging the solder between the upper and lower electrodes. Is preferably an anisotropic conductive material. The anisotropic conductive material is preferably an anisotropic conductive paste or an anisotropic conductive film.

이하, 상기 도전 재료에 포함되는 각 성분을 설명한다.Hereinafter, each component contained in the conductive material will be described.

(도전성 입자)(Conductive particles)

상기 도전성 입자는, 접속 대상 부재의 전극 사이를 전기적으로 접속한다. 상기 도전성 입자는, 도전부의 외표면 부분에 땜납을 갖는다. 상기 도전성 입자는 땜납 입자여도 된다. 상기 땜납 입자는 땜납에 의해 형성되어 있다. 상기 땜납 입자는 땜납을 도전부의 외표면 부분에 갖는다. 상기 땜납 입자는, 상기 땜납 입자의 중심 부분 및 도전부의 외표면 부분 모두가 땜납인 입자이다. 상기 땜납 입자는, 중심 부분 및 도전부의 외표면 부분 모두가 땜납에 의해 형성되어 있다. 상기 도전성 입자는, 기재 입자와, 해당 기재 입자의 표면 위에 배치된 도전부를 갖고 있어도 된다. 이 경우에, 상기 도전성 입자는, 도전부의 외표면 부분에 땜납을 갖는다.The conductive particles electrically connect the electrodes of the member to be connected. The conductive particles have solder on the outer surface portion of the conductive portion. The conductive particles may be solder particles. The solder particles are formed by solder. The solder particles have solder on the outer surface portion of the conductive portion. The solder particle is a solder particle in which both the center portion of the solder particle and the outer surface portion of the conductive portion are solder. In the solder particles, both the central portion and the outer surface portion of the conductive portion are formed by solder. The conductive particles may have a base particle and a conductive portion disposed on the surface of the base particle. In this case, the conductive particles have solder on the outer surface portion of the conductive portion.

또한, 상기 땜납 입자를 사용한 경우에 비하여, 땜납에 의해 형성되지 않은 기재 입자와 기재 입자의 표면 위에 배치된 땜납부를 구비하는 도전성 입자를 사용한 경우에는, 전극 위에 도전성 입자가 모이기 어려워져 도전성 입자끼리의 땜납 접합성이 낮기 때문에, 전극 위로 이동한 도전성 입자가 전극 외부로 이동하기 쉬워지는 경향이 있어, 전극 사이의 위치 어긋남의 억제 효과도 낮아지는 경향이 있다. 따라서, 상기 도전성 입자는 땜납 입자인 것이 바람직하다.In addition, in the case of using the conductive particles having the base particles not formed by solder and the solder portions disposed on the surface of the base particles, as compared with the case of using the solder particles, the conductive particles do not easily gather on the electrodes, The conductive particles moved on the electrode tends to move to the outside of the electrode because the solder bonding property is low and the effect of suppressing the positional deviation between the electrodes tends to be lowered. Therefore, the conductive particles are preferably solder particles.

접속 구조체에 있어서의 접속 저항을 효과적으로 낮추고, 보이드의 발생을 효과적으로 억제하는 관점에서는, 상기 도전성 입자의 외표면(땜납의 외표면)에, 카르복실기 또는 아미노기가 존재하는 것이 바람직하고, 카르복실기가 존재하는 것이 바람직하며, 아미노기가 존재하는 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자의 외표면(땜납의 외표면)에, Si-O 결합, 에테르 결합, 에스테르 결합 또는 하기 식(X)로 표시되는 기를 통해, 카르복실기 또는 아미노기를 포함하는 기가 공유 결합되어 있는 것이 바람직하고, 에테르 결합, 에스테르 결합 또는 하기 식(X)로 표시되는 기를 통해, 카르복실기 또는 아미노기를 포함하는 기가 공유 결합되어 있는 것이 보다 바람직하다. 카르복실기 또는 아미노기를 포함하는 기는, 카르복실기와 아미노기 양쪽을 포함하고 있어도 된다. 또한, 하기 식(X)에 있어서, 우측 단부 및 좌측 단부는 결합 부위를 나타낸다.It is preferable that a carboxyl group or an amino group is present on the outer surface (outer surface of the solder) of the conductive particles, and a carboxyl group is present in the outer surface of the conductive particles effectively from the viewpoint of effectively lowering the connection resistance in the connection structure and effectively suppressing the generation of voids It is preferable that an amino group is present. It is preferable that a carboxyl group or a group containing an amino group is covalently bonded to the outer surface (outer surface of the solder) of the conductive particle through a Si-O bond, an ether bond, an ester bond or a group represented by the following formula (X) , A carboxyl group or a group containing an amino group is covalently bonded through an ether bond, an ester bond or a group represented by the following formula (X). The group containing a carboxyl group or an amino group may contain both a carboxyl group and an amino group. In the following formula (X), the right end and the left end indicate binding sites.

Figure pct00001
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땜납 표면에 수산기가 존재한다. 이 수산기와 카르복실기를 포함하는 기를 공유 결합시킴으로써, 다른 배위 결합(킬레이트 배위) 등으로 결합시키는 경우보다도 강한 결합을 형성할 수 있기 때문에, 전극 사이의 접속 저항을 낮추고, 또한 보이드의 발생을 억제하는 것이 가능한 도전성 입자가 얻어진다.There is a hydroxyl group on the surface of the solder. By covalently bonding the hydroxyl group and the group containing a carboxyl group, it is possible to form a stronger bond than in the case of bonding with another coordination bond (chelate coordination) or the like, so that the connection resistance between the electrodes is lowered and the generation of voids is suppressed Possible conductive particles are obtained.

상기 도전성 입자에서는, 땜납 표면과, 카르복실기를 포함하는 기의 결합 형태에, 배위 결합이 포함되지 않아도 되며, 킬레이트 배위에 의한 결합이 포함되지 않아도 된다.In the conductive particles, a coordination bond is not necessarily included in the solder surface and a bond form of a group containing a carboxyl group, and binding due to the chelate coordination is not required.

접속 구조체에 있어서의 접속 저항을 효과적으로 낮추고, 보이드의 발생을 효과적으로 억제하는 관점에서는, 상기 도전성 입자는, 수산기와 반응 가능한 관능기와 카르복실기 또는 아미노기를 갖는 화합물(이하, 화합물 X라고 기재하는 경우가 있음)을 사용하여, 땜납 표면의 수산기에, 상기 수산기와 반응 가능한 관능기를 반응시킴으로써 얻어지는 것이 바람직하다. 상기 반응에서는, 공유 결합을 형성시킨다. 땜납 표면의 수산기와 상기 화합물 X에 있어서의 상기 수산기와 반응 가능한 관능기를 반응시킴으로써, 땜납 표면에 카르복실기 또는 아미노기를 포함하는 기가 공유 결합되어 있는 도전성 입자를 용이하게 얻을 수 있고, 땜납 표면에 에테르 결합 또는 에스테르 결합을 통해 카르복실기 또는 아미노기를 포함하는 기가 공유 결합되어 있는 도전성 입자를 얻을 수도 있다. 상기 땜납 표면의 수산기에 상기 수산기와 반응 가능한 관능기를 반응시킴으로써, 땜납 표면에, 상기 화합물 X를 공유 결합의 형태로 화학 결합시킬 수 있다.From the viewpoint of effectively lowering the connection resistance in the connection structure and effectively suppressing the generation of voids, the conductive particles are preferably a compound having a functional group capable of reacting with a hydroxyl group and a carboxyl group or an amino group (hereinafter sometimes referred to as a compound X) Is preferably obtained by reacting the hydroxyl group of the solder surface with a functional group capable of reacting with the hydroxyl group. In this reaction, a covalent bond is formed. By reacting the hydroxyl group on the surface of the solder with the functional group capable of reacting with the hydroxyl group in the compound X, it is possible to easily obtain conductive particles having a carboxyl group or a group containing an amino group covalently bonded to the surface of the solder, A conductive particle in which a carboxyl group or a group containing an amino group is covalently bonded through an ester bond can be obtained. The compound X can be chemically bonded to the solder surface in the form of a covalent bond by reacting the hydroxyl group of the surface of the solder with the functional group capable of reacting with the hydroxyl group.

상기 수산기와 반응 가능한 관능기로서는, 수산기, 카르복실기, 에스테르기 및 카르보닐기 등을 들 수 있다. 수산기 또는 카르복실기가 바람직하다. 상기 수산기와 반응 가능한 관능기는, 수산기여도 되고, 카르복실기여도 된다.Examples of the functional group capable of reacting with the hydroxyl group include a hydroxyl group, a carboxyl group, an ester group, and a carbonyl group. A hydroxyl group or a carboxyl group is preferable. The functional group capable of reacting with the hydroxyl group may be a hydroxyl group or a carboxyl group.

수산기와 반응 가능한 관능기를 갖는 화합물로서는, 레불린산, 글루타르산, 글리콜산, 숙신산, 말산, 옥살산, 말론산, 아디프산, 5-케토헥산산, 3-히드록시프로피온산, 4-아미노부티르산, 3-머캅토프로피온산, 3-머캅토이소부틸산, 3-메틸티오프로피온산, 3-페닐프로피온산, 3-페닐이소부틸산, 4-페닐부티르산, 데칸산, 도데칸산, 테트라데칸산, 펜타데칸산, 헥사데칸산, 9-헥사데센산, 헵타데칸산, 스테아르산, 올레산, 박센산, 리놀레산, (9,12,15)-리놀렌산, 노나데칸산, 아라키드산, 데칸디오산 및 도데칸디오산 등을 들 수 있다. 글루타르산 또는 글리콜산이 바람직하다. 상기 수산기와 반응 가능한 관능기를 갖는 화합물은 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다. 상기 수산기와 반응 가능한 관능기를 갖는 화합물은, 카르복실기를 적어도 1개 갖는 화합물인 것이 바람직하다.Examples of the compound having a functional group capable of reacting with a hydroxyl group include compounds having a functional group reactive with a hydroxyl group such as levulic acid, glutaric acid, glycolic acid, succinic acid, malic acid, oxalic acid, malonic acid, adipic acid, , 3-mercaptopropionic acid, 3-mercaptopropionic acid, 3-phenylpropionic acid, 3-phenylisobutyric acid, 4-phenylbutyric acid, decanoic acid, dodecanoic acid, tetradecanoic acid, pentadecane (9,12,15) -linolenic acid, nonadecanoic acid, arachidic acid, decanedioic acid, dodecanedioic acid, and dodecanedioic acid, and mixtures thereof. And Osan. Glutaric acid or glycolic acid is preferred. The compound having a functional group capable of reacting with the hydroxyl group may be used alone, or two or more compounds may be used in combination. The compound having a functional group capable of reacting with the hydroxyl group is preferably a compound having at least one carboxyl group.

상기 화합물 X는, 플럭스 작용을 갖는 것이 바람직하고, 상기 화합물 X는, 땜납 표면에 결합한 상태에서 플럭스 작용을 갖는 것이 바람직하다. 플럭스 작용을 갖는 화합물은, 땜납 표면의 산화막 및 전극 표면의 산화막을 제거 가능하다. 카르복실기는 플럭스 작용을 갖는다.The compound X preferably has a flux action, and the compound X preferably has a flux action in a state bonded to the solder surface. The compound having a flux action can remove the oxide film on the solder surface and the oxide film on the electrode surface. The carboxyl group has a flux action.

플럭스 작용을 갖는 화합물로서는, 레불린산, 글루타르산, 글리콜산, 숙신산, 5-케토헥산산, 3-히드록시프로피온산, 4-아미노부티르산, 3-머캅토프로피온산, 3-머캅토이소부틸산, 3-메틸티오프로피온산, 3-페닐프로피온산, 3-페닐이소부틸산 및 4-페닐부티르산 등을 들 수 있다. 글루타르산 또는 글리콜산이 바람직하다. 상기 플럭스 작용을 갖는 화합물은 1종만이 사용되어도 되며, 2종 이상이 병용되어도 된다.Examples of the compound having a flux action include levulic acid, glutaric acid, glycolic acid, succinic acid, 5-ketohexanoic acid, 3-hydroxypropionic acid, 4-aminobutyric acid, 3- mercaptopropionic acid, 3- , 3-methylthiopropionic acid, 3-phenylpropionic acid, 3-phenylisobutyric acid, and 4-phenylbutyric acid. Glutaric acid or glycolic acid is preferred. The compound having a flux action may be used alone or in combination of two or more.

접속 구조체에 있어서의 접속 저항을 효과적으로 낮추고, 보이드의 발생을 효과적으로 억제하는 관점에서는, 상기 화합물 X에 있어서의 상기 수산기와 반응 가능한 관능기가, 수산기 또는 카르복실기인 것이 바람직하다. 상기 화합물 X에 있어서의 상기 수산기와 반응 가능한 관능기는, 수산기여도 되고, 카르복실기여도 된다. 상기 수산기와 반응 가능한 관능기가 카르복실기인 경우에는, 상기 화합물 X는, 카르복실기를 적어도 2개 갖는 것이 바람직하다. 카르복실기를 적어도 2개 갖는 화합물의 일부의 카르복실기를, 땜납 표면의 수산기에 반응시킴으로써, 땜납 표면에 카르복실기를 포함하는 기가 공유 결합되어 있는 도전성 입자가 얻어진다.From the viewpoint of effectively lowering the connection resistance in the connection structure and suppressing the generation of voids effectively, it is preferable that the functional group capable of reacting with the hydroxyl group in the compound X is a hydroxyl group or a carboxyl group. The functional group capable of reacting with the hydroxyl group in the compound X may be a hydroxyl group or a carboxyl group. When the functional group capable of reacting with the hydroxyl group is a carboxyl group, the compound X preferably has at least two carboxyl groups. By reacting a part of the carboxyl group of the compound having at least two carboxyl groups with the hydroxyl group on the surface of the solder, conductive particles having a carboxyl group-containing group covalently bonded to the surface of the solder are obtained.

상기 도전성 입자의 제조 방법은, 예를 들어 도전성 입자를 사용하여, 해당 도전성 입자, 수산기와 반응 가능한 관능기와 카르복실기를 갖는 화합물, 촉매 및 용매를 혼합하는 공정을 구비한다. 상기 도전성 입자의 제조 방법에서는, 상기 혼합 공정에 의해, 땜납 표면에, 카르복실기를 포함하는 기가 공유 결합되어 있는 도전성 입자를 용이하게 얻을 수 있다.The method for producing the conductive particles includes a step of mixing conductive particles, a compound having a functional group capable of reacting with a hydroxyl group and a carboxyl group, a catalyst and a solvent using conductive particles, for example. In the method for producing conductive particles, conductive particles having a carboxyl group-containing covalent bond on the solder surface can be easily obtained by the mixing step.

또한, 상기 도전성 입자의 제조 방법에서는, 도전성 입자를 사용하여, 해당 도전성 입자, 상기 수산기와 반응 가능한 관능기와 카르복실기를 갖는 화합물, 상기 촉매 및 상기 용매를 혼합하고, 가열하는 것이 바람직하다. 혼합 및 가열 공정에 의해, 땜납 표면에, 카르복실기를 포함하는 기가 공유 결합되어 있는 도전성 입자를 한층 더 용이하게 얻을 수 있다.In the method for producing the conductive particles, it is preferable to use conductive particles to mix the conductive particles, a compound having a functional group capable of reacting with the hydroxyl group and a carboxyl group, the catalyst and the solvent, and then heating. By the mixing and heating process, conductive particles having a carboxyl group-containing covalent bond on the solder surface can be obtained more easily.

상기 용매로서는, 메탄올, 에탄올, 프로판올 및 부탄올 등의 알코올 용매나, 아세톤, 메틸에틸케톤, 아세트산에틸, 톨루엔 및 크실렌 등을 들 수 있다. 상기 용매는 유기 용매인 것이 바람직하고, 톨루엔인 것이 보다 바람직하다. 상기 용매는, 1종만이 사용되어도 되며, 2종 이상이 병용되어도 된다.Examples of the solvent include alcohol solvents such as methanol, ethanol, propanol and butanol, acetone, methyl ethyl ketone, ethyl acetate, toluene and xylene. The solvent is preferably an organic solvent, more preferably toluene. The solvent may be used alone, or two or more solvents may be used in combination.

상기 촉매로서는, p-톨루엔술폰산, 벤젠술폰산 및 10-캄포술폰산 등을 들 수 있다. 상기 촉매는 p-톨루엔술폰산인 것이 바람직하다. 상기 촉매는 1종만이 사용되어도 되며, 2종 이상이 병용되어도 된다.Examples of the catalyst include p-toluenesulfonic acid, benzenesulfonic acid and 10-camphorsulfonic acid. The catalyst is preferably p-toluenesulfonic acid. The catalyst may be used alone or in combination of two or more.

상기 혼합 시에 가열하는 것이 바람직하다. 가열 온도는 바람직하게는 90℃ 이상, 보다 바람직하게는 100℃ 이상이고, 바람직하게는 130℃ 이하, 보다 바람직하게는 110℃ 이하이다.It is preferable to heat at the time of mixing. The heating temperature is preferably 90 占 폚 or higher, more preferably 100 占 폚 or higher, preferably 130 占 폚 or lower, more preferably 110 占 폚 or lower.

접속 구조체에 있어서의 접속 저항을 효과적으로 낮추고, 보이드의 발생을 효과적으로 억제하는 관점에서는, 상기 도전성 입자는, 이소시아네이트 화합물을 사용하여, 땜납 표면의 수산기에, 상기 이소시아네이트 화합물을 반응시키는 공정을 거쳐 얻어지는 것이 바람직하다. 상기 반응에서는, 공유 결합을 형성시킨다. 땜납 표면의 수산기와 상기 이소시아네이트 화합물을 반응시킴으로써, 땜납 표면에, 이소시아네이트기에서 유래하는 기의 질소 원자가 공유 결합하고 있는 도전성 입자를 용이하게 얻을 수 있다. 상기 땜납 표면의 수산기에 상기 이소시아네이트 화합물을 반응시킴으로써, 땜납 표면에, 이소시아네이트기에서 유래하는 기를 공유 결합의 형태로 화학 결합시킬 수 있다.From the viewpoint of effectively lowering the connection resistance in the connection structure and effectively suppressing the generation of voids, it is preferable that the conductive particles are obtained through a step of reacting the isocyanate compound with the hydroxyl group on the surface of the solder using an isocyanate compound Do. In this reaction, a covalent bond is formed. By reacting the hydroxyl group on the surface of the solder with the isocyanate compound, conductive particles in which the nitrogen atom of the group derived from the isocyanate group is covalently bonded to the surface of the solder can be easily obtained. By reacting the hydroxyl group of the surface of the solder with the isocyanate compound, a group derived from an isocyanate group can be chemically bonded to the surface of the solder in the form of a covalent bond.

또한, 이소시아네이트기에서 유래하는 기에는, 실란 커플링제를 용이하게 반응시킬 수 있다. 상기 도전성 입자를 용이하게 얻을 수 있으므로, 상기 카르복실기를 포함하는 기가, 카르복실기를 갖는 실란 커플링제를 사용한 반응에 의해 도입되어 있거나, 또는 실란 커플링제를 사용한 반응 후에, 실란 커플링제에서 유래하는 기에 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물을 반응시킴으로써 도입되어 있는 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자는, 상기 이소시아네이트 화합물을 사용하여, 땜납 표면의 수산기에, 상기 이소시아네이트 화합물을 반응시킨 후, 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물을 반응시킴으로써 얻어지는 것이 바람직하다.In addition, a silane coupling agent can be easily reacted with a group derived from an isocyanate group. The conductive particles can be easily obtained. Therefore, when the group containing a carboxyl group is introduced by a reaction using a silane coupling agent having a carboxyl group, or after a reaction using a silane coupling agent, a carboxyl group is introduced into a group derived from the silane coupling agent It is preferable that the compound is introduced by reacting at least one compound. It is preferable that the conductive particles are obtained by reacting the isocyanate compound with the hydroxyl group on the surface of the solder using the isocyanate compound and then reacting the compound having at least one carboxyl group.

접속 구조체에 있어서의 접속 저항을 효과적으로 낮추고, 보이드의 발생을 효과적으로 억제하는 관점에서는, 상기 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물이, 카르복실기를 복수 갖는 것이 바람직하다.From the viewpoint of effectively lowering the connection resistance in the connection structure and effectively suppressing the generation of voids, it is preferable that the compound having at least one carboxyl group has a plurality of carboxyl groups.

상기 이소시아네이트 화합물로서는, 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트(MDI), 헥사메틸렌디이소시아네이트(HDI), 톨루엔디이소시아네이트(TDI) 및 이소포론디이소시아네이트(IPDI) 등을 들 수 있다. 이들 이외의 이소시아네이트 화합물을 사용해도 된다. 이 화합물을 땜납 표면에 반응시킨 후, 남은 이소시아네이트기와, 그 남은 이소시아네이트기와 반응성을 갖고, 또한 카르복실기를 갖는 화합물을 반응시킴으로써, 땜납 표면에 상기 식(X)로 표시되는 기를 통해 카르복실기를 도입할 수 있다.Examples of the isocyanate compound include diphenylmethane-4,4'-diisocyanate (MDI), hexamethylene diisocyanate (HDI), toluene diisocyanate (TDI) and isophorone diisocyanate (IPDI). Other isocyanate compounds may be used. The carboxyl group can be introduced to the surface of the solder through the group represented by the formula (X) by reacting the compound with the solder surface and then reacting the remaining isocyanate group with a compound having a carboxyl group and reactivity with the remaining isocyanate group .

상기 이소시아네이트 화합물로서는, 불포화 이중 결합을 갖고, 또한 이소시아네이트기를 갖는 화합물을 사용해도 된다. 예를 들어, 2-아크릴로일옥시에틸이소시아네이트 및 2-이소시아네이토에틸메타크릴레이트를 들 수 있다. 이 화합물의 이소시아네이트기를 땜납 표면에 반응시킨 후, 잔존하고 있는 불포화 이중 결합에 대하여 반응성을 갖는 관능기를 갖고, 또한 카르복실기를 갖는 화합물을 반응시킴으로써, 땜납 표면에 상기 식(X)로 표시되는 기를 통해 카르복실기를 도입할 수 있다.As the isocyanate compound, a compound having an unsaturated double bond and having an isocyanate group may be used. For example, 2-acryloyloxyethyl isocyanate and 2-isocyanatoethyl methacrylate. Reacting the isocyanate group of the compound with the surface of the solder and then reacting the compound having a functional group having reactivity with the residual unsaturated double bond and having a carboxyl group to form a carboxyl group on the surface of the solder through the group represented by the formula Can be introduced.

상기 실란 커플링제로서는, 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란(신에츠 실리콘사 제조 「KBE-9007」), 및 3-이소시아네이트프로필트리메톡시실란(모멘티브(MOMENTIVE)사 제조 「Y-5187」) 등을 들 수 있다. 상기 실란 커플링제는, 1종만이 사용되어도 되며, 2종 이상이 병용되어도 된다.Examples of the silane coupling agent include 3-isocyanate propyltriethoxysilane (KBE-9007 manufactured by Shinetsu Silicone Co., Ltd.) and 3-isocyanate propyl trimethoxysilane (Y-5187 manufactured by MOMENTIVE) . The silane coupling agent may be used alone or in combination of two or more.

상기 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물로서는, 레불린산, 글루타르산, 글리콜산, 숙신산, 말산, 옥살산, 말론산, 아디프산, 5-케토헥산산, 3-히드록시프로피온산, 4-아미노부티르산, 3-머캅토프로피온산, 3-머캅토이소부틸산, 3-메틸티오프로피온산, 3-페닐프로피온산, 3-페닐이소부틸산, 4-페닐부티르산, 데칸산, 도데칸산, 테트라데칸산, 펜타데칸산, 헥사데칸산, 9-헥사데센산, 헵타데칸산, 스테아르산, 올레산, 박센산, 리놀레산, (9,12,15)-리놀렌산, 노나데칸산, 아라키드산, 데칸디오산 및 도데칸디오산 등을 들 수 있다. 글루타르산, 아디프산 또는 글리콜산이 바람직하다. 상기 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물은 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.Examples of the compound having at least one carboxyl group include at least one compound selected from the group consisting of levulic acid, glutaric acid, glycolic acid, succinic acid, malic acid, oxalic acid, malonic acid, adipic acid, 5-ketohexanoic acid, 3-hydroxypropionic acid, 3-mercaptopropionic acid, 3-phenylisobutyric acid, 4-phenylbutyric acid, decanoic acid, dodecanoic acid, tetradecanoic acid, pentadecanoic acid, 3-mercaptopropionic acid, 3-mercaptopropionic acid, 3- (9,12,15) -linolenic acid, nonadecanoic acid, arachidic acid, decanedioic acid, and dodecanedioic acid, such as, for example, stearic acid, hexadecanoic acid, 9-hexadecenoic acid, heptadecanoic acid, stearic acid, oleic acid, And the like. Glutaric acid, adipic acid or glycolic acid are preferable. The compound having at least one carboxyl group may be used alone, or two or more compounds may be used in combination.

상기 이소시아네이트 화합물을 사용하여, 땜납 표면의 수산기에, 상기 이소시아네이트 화합물을 반응시킨 후, 카르복실기를 복수 갖는 화합물의 일부의 카르복실기를, 땜납 표면의 수산기와 반응시킴으로써, 카르복실기를 포함하는 기를 잔존시킬 수 있다.A group containing a carboxyl group may be left by reacting a hydroxyl group of the surface of the solder with the isocyanate compound using the isocyanate compound and then reacting a part of the carboxyl group of the compound having a plurality of carboxyl groups with the hydroxyl group on the surface of the solder.

상기 도전성 입자의 제조 방법에서는, 도전성 입자를 사용하고, 또한 이소시아네이트 화합물을 사용하여, 땜납 표면의 수산기에, 상기 이소시아네이트 화합물을 반응시킨 후, 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물을 반응시켜, 땜납 표면에, 상기 식(X)로 표시되는 기를 통해, 카르복실기를 포함하는 기가 결합되어 있는 도전성 입자를 얻는다. 상기 도전성 입자의 제조 방법에서는, 상기 공정에 의해, 땜납 표면에, 카르복실기를 포함하는 기가 도입된 도전성 입자를 용이하게 얻을 수 있다.In the method for producing the conductive particles, the isocyanate compound is reacted with a hydroxyl group on the surface of the solder using conductive particles, and an isocyanate compound is reacted with a compound having at least one carboxyl group, A conductive particle to which a group containing a carboxyl group is bonded is obtained through a group represented by the formula (X). In the method for producing the conductive particles, conductive particles into which a group containing a carboxyl group is introduced on the surface of the solder can be easily obtained by the above process.

상기 도전성 입자의 구체적인 제조 방법으로서는, 이하의 방법을 들 수 있다. 유기 용매에 도전성 입자를 분산시키고, 이소시아네이트기를 갖는 실란 커플링제를 첨가한다. 그 후, 도전성 입자의 땜납 표면의 수산기와 이소시아네이트기와의 반응 촉매를 사용하여, 땜납 표면에 실란 커플링제를 공유 결합시킨다. 이어서, 실란 커플링제의 규소 원자에 결합되어 있는 알콕시기를 가수 분해함으로써, 수산기를 생성시킨다. 생성된 수산기에, 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물의 카르복실기를 반응시킨다.Specific methods for producing the conductive particles include the following methods. Conductive particles are dispersed in an organic solvent, and a silane coupling agent having an isocyanate group is added. Thereafter, a silane coupling agent is covalently bonded to the surface of the solder by using a reaction catalyst of a hydroxyl group and an isocyanate group on the solder surface of the conductive particles. Subsequently, the hydroxyl group is generated by hydrolyzing the alkoxy group bonded to the silicon atom of the silane coupling agent. A carboxyl group of a compound having at least one carboxyl group is reacted with the produced hydroxyl group.

또한, 상기 도전성 입자의 구체적인 제조 방법으로서는, 이하의 방법을 들 수 있다. 유기 용매에 도전성 입자를 분산시키고, 이소시아네이트기와 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 첨가한다. 그 후, 도전성 입자의 땜납 표면의 수산기와 이소시아네이트기와의 반응 촉매를 사용하여, 공유 결합을 형성시킨다. 그 후, 도입된 불포화 이중 결합에 대하여, 불포화 이중 결합 및 카르복실기를 갖는 화합물을 반응시킨다.Specific examples of the method for producing the conductive particles include the following methods. A conductive particle is dispersed in an organic solvent, and a compound having an isocyanate group and an unsaturated double bond is added. Thereafter, a covalent bond is formed using a reaction catalyst of a hydroxyl group and an isocyanate group on the solder surface of the conductive particles. Thereafter, a compound having an unsaturated double bond and a carboxyl group is reacted with the introduced unsaturated double bond.

도전성 입자의 땜납 표면의 수산기와 이소시아네이트기와의 반응 촉매로서는, 주석계 촉매(디부틸주석디라우레이트 등), 아민계 촉매(트리에틸렌디아민 등), 카르복실레이트 촉매(나프텐산납, 아세트산칼륨 등), 및 트리알킬포스핀 촉매(트리에틸포스핀 등) 등을 들 수 있다.Examples of the reaction catalyst between the hydroxyl group and the isocyanate group on the solder surface of the conductive particles include tin catalysts such as dibutyltin dilaurate, amine catalysts such as triethylenediamine, carboxylate catalysts such as naphthenic acid, ), And trialkylphosphine catalysts (such as triethylphosphine).

접속 구조체에 있어서의 접속 저항을 효과적으로 낮추고, 보이드의 발생을 효과적으로 억제하는 관점에서는, 상기 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물은, 하기 식(1)로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다. 하기 식(1)로 표시되는 화합물은, 플럭스 작용을 갖는다. 또한, 하기 식(1)로 표시되는 화합물은, 땜납 표면에 도입된 상태에서 플럭스 작용을 갖는다.From the viewpoint of effectively lowering the connection resistance in the connection structure and effectively suppressing the generation of voids, the compound having at least one carboxyl group is preferably a compound represented by the following formula (1). The compound represented by the following formula (1) has a flux action. Further, the compound represented by the following formula (1) has a flux action in a state of being introduced on the solder surface.

Figure pct00002
Figure pct00002

상기 식(1) 중, X는, 수산기와 반응 가능한 관능기를 나타내고, R은, 탄소수 1 내지 5의 2가의 유기기를 나타낸다. 해당 유기기는, 탄소 원자와 수소 원자와 산소 원자를 포함하고 있어도 된다. 해당 유기기는 탄소수 1 내지 5의 2가의 탄화수소기여도 된다. 상기 유기기의 주쇄는 2가의 탄화수소기인 것이 바람직하다. 해당 유기기에서는, 2가의 탄화수소기에 카르복실기나 수산기가 결합되어 있어도 된다. 상기 식(1)로 표시되는 화합물에는, 예를 들어 시트르산이 포함된다.In the above formula (1), X represents a functional group capable of reacting with a hydroxyl group, and R represents a divalent organic group having 1 to 5 carbon atoms. The organic group may contain a carbon atom, a hydrogen atom and an oxygen atom. The organic group may be a divalent hydrocarbon having 1 to 5 carbon atoms. The main chain of the organic group is preferably a divalent hydrocarbon group. In the corresponding organic group, a carboxyl group or a hydroxyl group may be bonded to a bivalent hydrocarbon group. The compound represented by the above formula (1) includes, for example, citric acid.

상기 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물은, 하기 식(1A) 또는 하기 식(1B)로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다. 상기 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물은, 하기 식(1A)로 표시되는 화합물인 것이 바람직하고, 하기 식(1B)로 표시되는 화합물인 것이 보다 바람직하다.The compound having at least one carboxyl group is preferably a compound represented by the following formula (1A) or (1B). The compound having at least one carboxyl group is preferably a compound represented by the following formula (1A), more preferably a compound represented by the following formula (1B).

Figure pct00003
Figure pct00003

상기 식(1A) 중, R은, 탄소수 1 내지 5의 2가의 유기기를 나타낸다. 상기 식(1A) 중의 R은 상기 식(1) 중의 R과 동일하다.In the above formula (1A), R represents a divalent organic group having 1 to 5 carbon atoms. R in the formula (1A) is the same as R in the formula (1).

Figure pct00004
Figure pct00004

상기 식(1B) 중, R은, 탄소수 1 내지 5의 2가의 유기기를 나타낸다. 상기 식(1B) 중의 R은 상기 식(1) 중의 R과 동일하다.In the above formula (1B), R represents a divalent organic group having 1 to 5 carbon atoms. R in the formula (1B) is the same as R in the formula (1).

땜납 표면에, 하기 식(2A) 또는 하기 식(2B)로 표시되는 기가 결합되어 있는 것이 바람직하다. 땜납 표면에, 하기 식(2A)로 표시되는 기가 결합되어 있는 것이 바람직하고, 하기 식(2B)로 표시되는 기가 결합되어 있는 것이 보다 바람직하다. 또한, 하기 식(2A) 및 하기 식(2B)에 있어서, 좌측 단부는 결합 부위를 나타낸다.It is preferable that a group represented by the following formula (2A) or a group represented by the following formula (2B) is bonded to the surface of the solder. It is preferable that a group represented by the following formula (2A) is bonded to the surface of the solder, and it is more preferable that a group represented by the following formula (2B) is bonded. In the following formulas (2A) and (2B), the left end indicates a bonding site.

Figure pct00005
Figure pct00005

상기 식(2A) 중, R은, 탄소수 1 내지 5의 2가의 유기기를 나타낸다. 상기 식(2A) 중의 R은 상기 식(1) 중의 R과 동일하다.In the formula (2A), R represents a divalent organic group having 1 to 5 carbon atoms. R in the formula (2A) is the same as R in the formula (1).

Figure pct00006
Figure pct00006

상기 식(2B) 중, R은, 탄소수 1 내지 5의 2가의 유기기를 나타낸다. 상기 식(2B) 중의 R은 상기 식(1) 중의 R과 동일하다.In the formula (2B), R represents a divalent organic group having 1 to 5 carbon atoms. R in the formula (2B) is the same as R in the formula (1).

땜납 표면의 습윤성을 높이는 관점에서는, 상기 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물의 분자량은, 바람직하게는 10000 이하, 보다 바람직하게는 1000 이하, 더욱 바람직하게는 500 이하이다.From the viewpoint of enhancing the wettability of the solder surface, the molecular weight of the compound having at least one carboxyl group is preferably 10000 or less, more preferably 1000 or less, still more preferably 500 or less.

상기 분자량은, 상기 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물이 중합체가 아닌 경우, 및 상기 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물의 구조식을 특정할 수 있는 경우에는, 당해 구조식으로부터 산출할 수 있는 분자량을 의미한다. 또한, 상기 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물이 중합체인 경우에는, 중량 평균 분자량을 의미한다.The molecular weight means a molecular weight that can be calculated from the structural formula when the compound having at least one carboxyl group is not a polymer and when the structural formula of the compound having at least one carboxyl group can be specified. When the compound having at least one carboxyl group is a polymer, it means a weight average molecular weight.

도전 접속 시에 도전성 입자의 응집성을 효과적으로 높일 수 있는 점에서, 상기 도전성 입자는, 도전성 입자 본체와, 상기 도전성 입자 본체의 표면 위에 배치된 음이온 중합체를 갖는 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자는, 도전성 입자 본체를 음이온 중합체 또는 음이온 중합체가 되는 화합물로 표면 처리함으로써 얻어지는 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자는, 음이온 중합체 또는 음이온 중합체가 되는 화합물에 의한 표면 처리물인 것이 바람직하다. 상기 음이온 중합체 및 상기 음이온 중합체가 되는 화합물은 각각, 1종만이 사용되어도 되며, 2종 이상이 병용되어도 된다. 상기 음이온 중합체는, 산성기를 갖는 중합체이다.It is preferable that the conductive particles have a conductive particle body and an anionic polymer disposed on the surface of the conductive particle body in that the cohesiveness of the conductive particles can be effectively increased at the time of conductive connection. The conductive particles are preferably obtained by surface-treating the conductive particle body with an anionic polymer or a compound to be an anionic polymer. The conductive particles are preferably surface-treated with an anionic polymer or a compound to be an anionic polymer. The anionic polymer and the anionic polymer may be used singly or in combination of two or more kinds. The anionic polymer is a polymer having an acidic group.

도전성 입자 본체를 음이온 중합체로 표면 처리하는 방법으로서는, 음이온 중합체로서, 예를 들어 (메트)아크릴산을 공중합한 (메트)아크릴 중합체, 디카르복실산과 디올로부터 합성되며 또한 양쪽 말단에 카르복실기를 갖는 폴리에스테르 중합체, 디카르복실산의 분자 간 탈수 축합 반응에 의해 얻어지며 또한 양쪽 말단에 카르복실기를 갖는 중합체, 디카르복실산과 디아민으로부터 합성되며 또한 양쪽 말단에 카르복실기를 갖는 폴리에스테르 중합체, 및 카르복실기를 갖는 변성 폴리비닐알코올(닛폰 가가쿠사 제조 「고세넥스 T」) 등을 사용하여, 음이온 중합체의 카르복실기와, 도전성 입자 본체의 표면의 수산기를 반응시키는 방법을 들 수 있다.Examples of the method of surface-treating the conductive particle body with the anionic polymer include anionic polymers such as (meth) acrylic polymers obtained by copolymerizing (meth) acrylic acid, polyesters synthesized from dicarboxylic acids and diols and having carboxyl groups at both terminals A polymer obtained by an intermolecular dehydration condensation reaction of a polymer and a dicarboxylic acid and having a carboxyl group at both terminals, a polyester polymer synthesized from a dicarboxylic acid and a diamine and having a carboxyl group at both terminals, and a modified polymer having a carboxyl group And a method of reacting the carboxyl group of the anionic polymer with the hydroxyl group on the surface of the conductive particle body using vinyl alcohol ("Gosenel T" manufactured by Nippon Kagaku Co., Ltd.).

상기 음이온 중합체의 음이온 부분으로서는, 상기 카르복실기를 들 수 있고, 그 이외에는, 토실기(p-H3CC6H4S(=O)2-), 술폰산 이온기(-SO3 -) 및 인산 이온기(-PO4 -) 등을 들 수 있다.Examples of the anion moiety of the anionic polymer include the carboxyl groups described above, and other groups include a tosyl group (pH 3 CC 6 H 4 S (═O) 2 -), a sulfonic acid ion group (-SO 3 - ), -PO 4 - ).

또한, 표면 처리의 다른 방법으로서는, 도전성 입자 본체의 표면의 수산기와 반응하는 관능기를 갖고, 추가로 부가, 축합 반응에 의해 중합 가능한 관능기를 갖는 화합물을 사용하여, 이 화합물을 도전성 입자 본체의 표면 위에서 중합체화하는 방법을 들 수 있다. 도전성 입자 본체의 표면의 수산기와 반응하는 관능기로서는, 카르복실기 및 이소시아네이트기 등을 들 수 있고, 부가, 축합 반응에 의해 중합하는 관능기로서는, 수산기, 카르복실기, 아미노기 및 (메트)아크릴로일기를 들 수 있다.Another method of the surface treatment is to use a compound having a functional group reactive with the hydroxyl group on the surface of the conductive particle body and having a functional group capable of being polymerized by addition or condensation reaction, Followed by polymerization. Examples of the functional group that reacts with the hydroxyl group on the surface of the conductive particle body include a carboxyl group and an isocyanate group. Examples of the functional group capable of polymerizing by an addition or condensation reaction include a hydroxyl group, a carboxyl group, an amino group and a (meth) acryloyl group .

상기 음이온 중합체의 중량 평균 분자량은 바람직하게는 2000 이상, 보다 바람직하게는 3000 이상이며, 바람직하게는 10000 이하, 보다 바람직하게는 8000 이하이다. 상기 중량 평균 분자량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전성 입자의 표면에 충분한 양의 전하, 및 플럭스성을 도입할 수 있다. 이에 의해, 도전 접속 시에 도전성 입자의 응집성을 효과적으로 높일 수 있으며, 또한 접속 대상 부재의 접속 시에, 전극 표면의 산화막을 효과적으로 제거할 수 있다.The weight average molecular weight of the anionic polymer is preferably 2000 or more, more preferably 3000 or more, preferably 10000 or less, more preferably 8000 or less. When the weight average molecular weight is not less than the lower limit and not higher than the upper limit, a sufficient amount of charge and fluxability can be introduced into the surface of the conductive particles. Thereby, the cohesiveness of the conductive particles can be effectively increased at the time of conductive connection, and the oxide film on the surface of the electrode can be effectively removed at the time of connection of the member to be connected.

상기 중량 평균 분자량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전성 입자 본체의 표면 위에 음이온 중합체를 배치하는 것이 용이하고, 도전 접속 시에 땜납 입자의 응집성을 효과적으로 높일 수 있으며, 전극 위에 도전성 입자를 한층 더 효율적으로 배치할 수 있다.When the weight average molecular weight is not less than the lower limit and not more than the upper limit, it is easy to dispose the anionic polymer on the surface of the conductive particle body, effectively increase the cohesiveness of the solder particles at the time of conductive connection, It can be arranged efficiently.

상기 중량 평균 분자량은, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정된 폴리스티렌 환산에서의 중량 평균 분자량을 나타낸다.The weight average molecular weight refers to the weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC).

음이온 중합체의 중량 평균 분자량은, 도전성 입자 중의 땜납을 용해시키고, 음이온 중합체의 분해를 일으키지 않는 희염산 등에 의해, 도전성 입자를 제거한 후, 잔존하고 있는 음이온 중합체의 중량 평균 분자량을 측정함으로써 구할 수 있다.The weight average molecular weight of the anionic polymer can be determined by dissolving the solder in the conductive particles and removing the conductive particles with dilute acid or the like which does not cause decomposition of the anionic polymer and then measuring the weight average molecular weight of the remaining anionic polymer.

음이온 중합체의 도전성 입자의 표면에 있어서의 도입량에 관해서는, 도전성 입자 1g당 산가가, 바람직하게는 1㎎KOH 이상, 보다 바람직하게는 2㎎KOH 이상이며, 바람직하게는 10㎎KOH 이하, 보다 바람직하게는 6㎎KOH 이하이다.The amount of the conductive polymer to be introduced into the surface of the conductive particles is preferably 1 mgKOH or more, more preferably 2 mgKOH or more, and more preferably 10 mgKOH or less, per 1 g of the conductive particles Is not more than 6 mgKOH.

상기 산가는 이하와 같이 하여 측정 가능하다. 도전성 입자 1g을 아세톤 36g에 첨가하고, 초음파로 1분간 분산시킨다. 그 후, 지시약으로서 페놀프탈레인을 사용하여, 0.1mol/L의 수산화칼륨에탄올 용액으로 적정한다.The acid value can be measured in the following manner. 1 g of the conductive particles was added to 36 g of acetone and dispersed by ultrasonic wave for 1 minute. Thereafter, phenolphthalein is used as an indicator and titrated with a 0.1 mol / L potassium hydroxide ethanol solution.

다음으로, 도면을 참조하면서, 도전성 입자의 구체예를 설명한다.Next, specific examples of the conductive particles will be described with reference to the drawings.

도 4는, 도전 재료에 사용 가능한 도전성 입자의 제1 예를 나타내는 단면도이다.4 is a cross-sectional view showing a first example of conductive particles usable for a conductive material.

도 4에 도시한 도전성 입자(21)는 땜납 입자이다. 도전성 입자(21)는, 전체가 땜납에 의해 형성되어 있다. 도전성 입자(21)는, 기재 입자를 코어에 갖지 않으며, 코어 셸 입자가 아니다. 도전성 입자(21)는, 중심 부분 및 도전부의 외표면 부분이 모두 땜납에 의해 형성되어 있다.The conductive particles 21 shown in Fig. 4 are solder particles. The conductive particles 21 are entirely formed of solder. The conductive particles 21 do not have the base particles in the core, and are not core shell particles. In the conductive particles 21, both the center portion and the outer surface portion of the conductive portion are formed by solder.

도 5는, 도전 재료에 사용 가능한 도전성 입자의 제2 예를 나타내는 단면도이다.5 is a cross-sectional view showing a second example of conductive particles usable in a conductive material.

도 5에 도시한 도전성 입자(31)는, 기재 입자(32)와, 기재 입자(32)의 표면 위에 배치된 도전부(33)를 구비한다. 도전부(33)는, 기재 입자(32)의 표면을 피복하고 있다. 도전성 입자(31)는, 기재 입자(32)의 표면이 도전부(33)에 의해 피복된 피복 입자이다.The conductive particles 31 shown in Fig. 5 include base particles 32 and conductive portions 33 disposed on the surface of the base particles 32. [ The conductive portion 33 covers the surface of the base particle 32. The conductive particles 31 are coated particles in which the surface of the base particles 32 is covered with the conductive portions 33.

도전부(33)는, 제2 도전부(33A)와 땜납부(33B)(제1 도전부)를 갖는다. 도전성 입자(31)는, 기재 입자(32)와 땜납부(33B)의 사이에, 제2 도전부(33A)를 구비한다. 따라서, 도전성 입자(31)는, 기재 입자(32)와, 기재 입자(32)의 표면 위에 배치된 제2 도전부(33A)와, 제2 도전부(33A)의 외표면 위에 배치된 땜납부(33B)를 구비한다.The conductive portion 33 has the second conductive portion 33A and the solder portion 33B (first conductive portion). The conductive particles 31 include a second conductive portion 33A between the base particles 32 and the solder portion 33B. Therefore, the conductive particles 31 include the base particles 32, the second conductive portions 33A disposed on the surface of the base particles 32, and the second conductive portions 33A disposed on the outer surfaces of the second conductive portions 33A. (33B).

도 6은, 도전 재료에 사용 가능한 도전성 입자의 제3 예를 나타내는 단면도이다.6 is a cross-sectional view showing a third example of conductive particles usable for a conductive material.

상기한 바와 같이 도전성 입자(31)에 있어서의 도전부(33)는 2층 구조를 갖는다. 도 6에 도시한 도전성 입자(41)는, 단층의 도전부로서, 땜납부(42)를 갖는다. 도전성 입자(41)는, 기재 입자(32)와, 기재 입자(32)의 표면 위에 배치된 땜납부(42)를 구비한다.As described above, the conductive portions 33 of the conductive particles 31 have a two-layer structure. The conductive particles 41 shown in Fig. 6 have a soldering portion 42 as a single-layer conductive portion. The conductive particles 41 include base particles 32 and a soldering portion 42 disposed on the surface of the base particles 32.

상기 기재 입자로서는, 수지 입자, 금속 입자를 제외한 무기 입자, 유기 무기 하이브리드 입자 및 금속 입자 등을 들 수 있다. 상기 기재 입자는, 금속을 제외한 기재 입자인 것이 바람직하고, 수지 입자, 금속 입자를 제외한 무기 입자 또는 유기 무기 하이브리드 입자인 것이 바람직하다. 상기 기재 입자는 구리 입자여도 된다. 상기 기재 입자는, 코어와, 해당 코어의 표면 위에 배치된 셸을 갖고 있어도 되고, 코어 셸 입자여도 된다. 상기 코어가 유기 코어여도 되고, 상기 셸이 무기 셸이어도 된다.Examples of the base particles include resin particles, inorganic particles other than metal particles, organic-inorganic hybrid particles and metal particles. The base particles are preferably base particles other than metal, and are preferably resin particles, inorganic particles other than metal particles, or organic-inorganic hybrid particles. The base particles may be copper particles. The base particles may have a core and a shell disposed on the surface of the core, or may be core shell particles. The core may be an organic core, and the shell may be an inorganic shell.

상기 수지 입자를 형성하기 위한 수지로서, 다양한 유기물이 적합하게 사용된다. 상기 수지 입자를 형성하기 위한 수지로서는, 예를 들어 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리이소부틸렌, 폴리부타디엔 등의 폴리올레핀 수지; 폴리메틸메타크릴레이트 및 폴리메틸아크릴레이트 등의 아크릴 수지; 폴리카르보네이트, 폴리아미드, 페놀포름알데히드 수지, 멜라민포름알데히드 수지, 벤조구아나민포름알데히드 수지, 요소포름알데히드 수지, 페놀 수지, 멜라민 수지, 벤조구아나민 수지, 요소 수지, 에폭시 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 포화 폴리에스테르 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리술폰, 폴리페닐렌옥시드, 폴리아세탈, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르술폰, 디비닐벤젠 중합체, 및 디비닐벤젠계 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 디비닐벤젠계 공중합체 등으로서는, 디비닐벤젠-스티렌 공중합체 및 디비닐벤젠-(메트)아크릴산에스테르 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 수지 입자의 경도를 적합한 범위로 용이하게 제어할 수 있으므로, 상기 수지 입자를 형성하기 위한 수지는, 에틸렌성 불포화기를 갖는 중합성 단량체를 1종 또는 2종 이상 중합시킨 중합체인 것이 바람직하다.As the resin for forming the resin particles, various organic materials are suitably used. Examples of the resin for forming the resin particles include polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyisobutylene, and polybutadiene; Acrylic resins such as polymethyl methacrylate and polymethyl acrylate; Polyamide, phenol formaldehyde resin, melamine formaldehyde resin, benzoguanamine formaldehyde resin, urea formaldehyde resin, phenol resin, melamine resin, benzoguanamine resin, urea resin, epoxy resin, unsaturated polyester A resin, a saturated polyester resin, a polyethylene terephthalate, a polysulfone, a polyphenylene oxide, a polyacetal, a polyimide, a polyamideimide, a polyetheretherketone, a polyether sulfone, a divinylbenzene polymer, And the like. Examples of the divinylbenzene-based copolymer and the like include a divinylbenzene-styrene copolymer and a divinylbenzene- (meth) acrylate copolymer. It is preferable that the resin for forming the resin particles is a polymer obtained by polymerizing at least one polymerizable monomer having an ethylenic unsaturated group.

상기 수지 입자를, 에틸렌성 불포화기를 갖는 중합성 단량체를 중합시켜 얻는 경우에는, 해당 에틸렌성 불포화기를 갖는 중합성 단량체로서는, 비가교성의 단량체와 가교성의 단량체를 들 수 있다. When the resin particles are obtained by polymerizing a polymerizable monomer having an ethylenic unsaturated group, examples of the polymerizable monomer having the ethylenic unsaturated group include a monomer that is incompatible with the monomer and a monomer that is crosslinkable.

상기 비가교성의 단량체로서는, 예를 들어 스티렌, α-메틸스티렌 등의 스티렌계 단량체; (메트)아크릴산, 말레산, 무수 말레산 등의 카르복실기 함유 단량체; 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 세틸(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트 등의 알킬(메트)아크릴레이트 화합물; 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 글리세롤(메트)아크릴레이트, 폴리옥시에틸렌(메트)아크릴레이트, 글리시딜(메트)아크릴레이트 등의 산소 원자 함유 (메트)아크릴레이트 화합물; (메트)아크릴로니트릴 등의 니트릴 함유 단량체; 메틸비닐에테르, 에틸비닐에테르, 프로필비닐에테르 등의 비닐에테르 화합물; 아세트산비닐, 부티르산비닐, 라우르산비닐, 스테아르산비닐 등의 산비닐에스테르 화합물; 에틸렌, 프로필렌, 이소프렌, 부타디엔 등의 불포화 탄화수소; 트리플루오로메틸(메트)아크릴레이트, 펜타플루오로에틸(메트)아크릴레이트, 염화비닐, 불화비닐, 클로로스티렌 등의 할로겐 함유 단량체 등을 들 수 있다.Examples of the non-crosslinkable monomer include styrene-based monomers such as styrene and? -Methylstyrene; Carboxyl group-containing monomers such as (meth) acrylic acid, maleic acid, and maleic anhydride; (Meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl Alkyl (meth) acrylate compounds such as acrylate, stearyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate and isobornyl (meth) acrylate; (Meth) acrylate compounds such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, glycerol (meth) acrylate, polyoxyethylene (meth) acrylate and glycidyl (meth) acrylate; Nitrile-containing monomers such as (meth) acrylonitrile; Vinyl ether compounds such as methyl vinyl ether, ethyl vinyl ether and propyl vinyl ether; Acid vinyl ester compounds such as vinyl acetate, vinyl butyrate, vinyl laurate and vinyl stearate; Unsaturated hydrocarbons such as ethylene, propylene, isoprene and butadiene; Halogen-containing monomers such as trifluoromethyl (meth) acrylate, pentafluoroethyl (meth) acrylate, vinyl chloride, vinyl fluoride and chlorostyrene.

상기 가교성의 단량체로서는, 예를 들어 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 글리세롤트리(메트)아크릴레이트, 글리세롤디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)테트라메틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트 등의 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물; 트리알릴(이소)시아누레이트, 트리알릴트리멜리테이트, 디비닐벤젠, 디알릴프탈레이트, 디알릴아크릴아미드, 디알릴에테르, 및 γ-(메트)아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 트리메톡시실릴스티렌, 비닐트리메톡시실란 등의 실란 함유 단량체 등을 들 수 있다.Examples of the crosslinkable monomer include tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, tetramethylol methane tri (meth) acrylate, tetramethylol methane di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) (Meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, glycerol tri (meth) acrylate, glycerol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di Polyfunctional (meth) acrylate compounds such as (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, (poly) tetramethylene glycol di (meth) acrylate and 1,4-butanediol di (meth) acrylate; (Meth) acryloxypropyltrimethoxysilane, trimethoxysilyl (meth) acrylate, trimethylolpropane trimethoxysilane, triallyl trimellitate, divinyl benzene, diallyl phthalate, diallyl acrylamide, diallyl ether, And silane-containing monomers such as styrene and vinyltrimethoxysilane.

상기 에틸렌성 불포화기를 갖는 중합성 단량체를, 공지된 방법에 의해 중합시킴으로써, 상기 수지 입자를 얻을 수 있다. 이 방법으로서는, 예를 들어, 라디칼 중합 개시제의 존재하에서 현탁 중합하는 방법, 및 비가교의 시드 입자를 사용하여 라디칼 중합 개시제와 함께 단량체를 팽윤시켜 중합하는 방법 등을 들 수 있다.The above-mentioned resin particles can be obtained by polymerizing the above-mentioned polymerizable monomer having an ethylenic unsaturated group by a known method. This method includes, for example, suspension polymerization in the presence of a radical polymerization initiator and polymerization in which monomer is swollen together with the radical polymerization initiator using uncrosslinked seed particles.

상기 기재 입자가 금속을 제외한 무기 입자 또는 유기 무기 하이브리드 입자인 경우에는, 기재 입자를 형성하기 위한 무기물로서는, 실리카, 알루미나, 티타늄산바륨, 지르코니아 및 카본 블랙 등을 들 수 있다. 상기 무기물은, 금속이 아닌 것이 바람직하다. 상기 실리카에 의해 형성된 입자로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 가수 분해성 알콕시실릴기를 2개 이상 갖는 규소 화합물을 가수 분해하여 가교 중합체 입자를 형성한 후에, 필요에 따라 소성을 행함으로써 얻어지는 입자를 들 수 있다. 상기 유기 무기 하이브리드 입자로서는, 예를 들어 가교된 알콕시실릴 중합체와 아크릴 수지에 의해 형성된 유기 무기 하이브리드 입자 등을 들 수 있다. When the base particles are inorganic particles other than metals or organic-inorganic hybrid particles, examples of inorganic materials for forming base particles include silica, alumina, barium titanate, zirconia, and carbon black. It is preferable that the inorganic substance is not a metal. The particles formed by the silica are not particularly limited. For example, particles obtained by hydrolyzing a silicon compound having two or more hydrolyzable alkoxysilyl groups to form cross-linked polymer particles, and then firing as needed have. Examples of the organic-inorganic hybrid particles include organic-inorganic hybrid particles formed of a crosslinked alkoxysilyl polymer and an acrylic resin.

상기 기재 입자가 금속 입자인 경우에, 해당 금속 입자를 형성하기 위한 금속으로서는, 은, 구리, 니켈, 규소, 금 및 티타늄 등을 들 수 있다. 상기 기재 입자가 금속 입자인 경우에, 해당 금속 입자는 구리 입자인 것이 바람직하다. 단, 상기 기재 입자는 금속 입자가 아닌 것이 바람직하다.In the case where the base particles are metal particles, silver, copper, nickel, silicon, gold, titanium and the like can be given as metals for forming the metal particles. When the base particles are metal particles, the metal particles are preferably copper particles. However, it is preferable that the base particles are not metal particles.

상기 기재 입자의 입자 직경은, 바람직하게는 0.1㎛ 이상, 보다 바람직하게는 1㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 1.5㎛ 이상, 특히 바람직하게는 2㎛ 이상이며, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 50㎛ 이하, 한층 더 바람직하게는 40㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 20㎛ 이하, 더한층 바람직하게는 10㎛ 이하, 특히 바람직하게는 5㎛ 이하, 가장 바람직하게는 3㎛ 이하이다. 상기 기재 입자의 입자 직경이 상기 하한 이상이면 도전성 입자와 전극과의 접촉 면적이 커지기 때문에, 전극 사이의 도통 신뢰성을 한층 더 높일 수 있고, 도전성 입자를 통해 접속된 전극 사이의 접속 저항을 한층 더 낮출 수 있다. 상기 기재 입자의 입자 직경이 상기 상한 이하이면, 도전성 입자가 충분히 압축되기 쉽고, 전극 사이의 접속 저항을 한층 더 낮출 수 있으며, 또한 전극 사이의 간격을 보다 작게 할 수 있다.The particle diameter of the base particles is preferably 0.1 占 퐉 or more, more preferably 1 占 퐉 or more, further preferably 1.5 占 퐉 or more, particularly preferably 2 占 퐉 or more, preferably 100 占 퐉 or less, Is preferably 50 占 퐉 or less, still more preferably 40 占 퐉 or less, further preferably 20 占 퐉 or less, further preferably 10 占 퐉 or less, particularly preferably 5 占 퐉 or less, and most preferably 3 占 퐉 or less. When the particle diameter of the base particles is not less than the above lower limit, the contact area between the conductive particles and the electrode is increased, so that the reliability of the conduction between the electrodes can be further improved, and the connection resistance between the electrodes connected via the conductive particles is further lowered . When the particle diameter of the base particles is less than the upper limit, the conductive particles are easily compressed sufficiently, the connection resistance between the electrodes can be further lowered, and the interval between the electrodes can be further reduced.

상기 기재 입자의 입자 직경은, 기재 입자가 진구 형상인 경우에는, 직경을 나타내고, 기재 입자가 진구 형상이 아닌 경우에는, 최대 직경을 나타낸다.The particle diameter of the base particles indicates the diameter when the base particles are spherical, and the maximum diameter when the base particles are not spherical.

상기 기재 입자의 입자 직경은 2㎛ 이상, 5㎛ 이하인 것이 특히 바람직하다. 상기 기재 입자의 입자 직경이 2㎛ 이상, 5㎛ 이하의 범위 내이면, 전극 사이의 간격을 보다 작게 할 수 있으며, 또한 도전부의 두께를 두껍게 해도, 작은 도전성 입자를 얻을 수 있다.Particle diameter of the base particles is particularly preferably 2 탆 or more and 5 탆 or less. If the particle diameter of the base particles is within the range of 2 탆 or more and 5 탆 or less, the interval between the electrodes can be made smaller, and even if the thickness of the conductive part is increased, small conductive particles can be obtained.

상기 기재 입자의 표면 위에 도전부를 형성하는 방법, 및 상기 기재 입자의 표면 위 또는 상기 제2 도전부의 표면 위에 땜납부를 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 상기 도전부 및 상기 땜납부를 형성하는 방법으로서는, 예를 들어, 무전해 도금에 의한 방법, 전기 도금에 의한 방법, 물리적인 충돌에 의한 방법, 메카노케미컬 반응에 의한 방법, 물리적 증착 또는 물리적 흡착에 의한 방법, 및 금속 분말 혹은 금속 분말과 결합제를 포함하는 페이스트를 기재 입자의 표면에 코팅하는 방법 등을 들 수 있다. 무전해 도금, 전기 도금 또는 물리적인 충돌에 의한 방법이 적합하다. 상기 물리적 증착에 의한 방법으로서는, 진공 증착, 이온 플레이팅 및 이온 스퍼터링 등의 방법을 들 수 있다. 또한, 상기 물리적인 충돌에 의한 방법에서는, 예를 들어 세타 콤포저(도쿠주 고사쿠쇼사 제조) 등이 사용된다. A method of forming a conductive portion on the surface of the base particle and a method of forming a solder portion on the surface of the base particle or on the surface of the second conductive portion are not particularly limited. Examples of the method of forming the conductive portion and the solder portion include a method of electroless plating, a method of electroplating, a method of physical impact, a method of mechanochemical reaction, a method of physical vapor deposition or physical adsorption And a method of coating the surface of the base particles with a paste containing a metal powder or a metal powder and a binder. Electroless plating, electroplating or physical impacts are suitable. Examples of the physical deposition method include vacuum deposition, ion plating and ion sputtering. Further, in the above-mentioned physical collision method, for example, a settler (manufactured by Tokushu Kousaku Co., Ltd.) or the like is used.

상기 기재 입자의 융점은, 상기 도전부 및 상기 땜납부의 융점보다도 높은 것이 바람직하다. 상기 기재 입자의 융점은, 바람직하게는 160℃를 초과하고, 보다 바람직하게는 300℃를 초과하고, 더욱 바람직하게는 400℃를 초과하며, 특히 바람직하게는 450℃를 초과한다. 또한, 상기 기재 입자의 융점은 400℃ 미만이어도 된다. 상기 기재 입자의 융점은 160℃ 이하여도 된다. 상기 기재 입자의 연화점은 260℃ 이상인 것이 바람직하다. 상기 기재 입자의 연화점은 260℃ 미만이어도 된다.The melting point of the base particles is preferably higher than the melting point of the conductive portion and the soldering portion. The melting point of the base particles preferably exceeds 160 캜, more preferably exceeds 300 캜, more preferably exceeds 400 캜, and particularly preferably exceeds 450 캜. The melting point of the base particles may be lower than 400 占 폚. The melting point of the base particles may be 160 캜 or less. The base particles preferably have a softening point of 260 캜 or higher. The softening point of the base particles may be less than 260 캜.

상기 도전성 입자는, 단층의 땜납부를 갖고 있어도 된다. 상기 도전성 입자는, 복수 층의 도전부(땜납부, 제2 도전부)를 갖고 있어도 된다. 즉, 상기 도전성 입자에서는, 도전부를 2층 이상 적층해도 된다. 상기 도전부가 2층 이상인 경우, 상기 도전성 입자는, 도전부의 외표면 부분에 땜납을 갖는 것이 바람직하다.The conductive particles may have a single-layered solder portion. The conductive particles may have a plurality of conductive portions (solder portions, second conductive portions). That is, in the conductive particles, two or more conductive portions may be laminated. When the conductive portion is two or more layers, it is preferable that the conductive particles have solder on the outer surface portion of the conductive portion.

상기 땜납은, 융점이 450℃ 이하인 금속(저융점 금속)인 것이 바람직하다. 상기 땜납부는, 융점이 450℃ 이하인 금속층(저융점 금속층)인 것이 바람직하다. 상기 저융점 금속층은, 저융점 금속을 포함하는 층이다. 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납은, 융점이 450℃ 이하인 금속 입자(저융점 금속 입자)인 것이 바람직하다. 상기 저융점 금속 입자는, 저융점 금속을 포함하는 입자이다. 해당 저융점 금속이란, 융점이 450℃ 이하인 금속을 나타낸다. 저융점 금속의 융점은 바람직하게는 300℃ 이하, 보다 바람직하게는 160℃ 이하이다. 또한, 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납은 주석을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 땜납부에 포함되는 금속 100중량% 중 및 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납에 포함되는 금속 100중량% 중, 주석의 함유량은 바람직하게는 30중량% 이상, 보다 바람직하게는 40중량% 이상, 더욱 바람직하게는 70중량% 이상, 특히 바람직하게는 90중량% 이상이다. 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납에 포함되는 주석의 함유량이 상기 하한 이상이면 도전성 입자와 전극의 도통 신뢰성이 한층 더 높아진다.The solder is preferably a metal having a melting point of 450 캜 or less (low melting point metal). The solder portion is preferably a metal layer (low-melting-point metal layer) having a melting point of 450 DEG C or lower. The low melting point metal layer is a layer containing a low melting point metal. The solder in the conductive particle is preferably a metal particle (low melting point metal particle) having a melting point of 450 캜 or lower. The low melting point metal particles are particles containing a low melting point metal. The low melting point metal means a metal having a melting point of 450 캜 or lower. The melting point of the low melting point metal is preferably 300 DEG C or lower, more preferably 160 DEG C or lower. It is preferable that the solder in the conductive particle includes tin. The content of tin among the 100 wt% of the metal contained in the soldering portion and the 100 wt% of the metal contained in the solder in the conductive particles is preferably 30 wt% or more, more preferably 40 wt% Preferably not less than 70% by weight, particularly preferably not less than 90% by weight. If the content of tin contained in the solder in the conductive particles is lower than the lower limit described above, the conductivity reliability of the conductive particles and the electrode is further enhanced.

또한, 상기 주석의 함유량은, 고주파 유도 결합 플라스마 발광 분광 분석 장치(호리바 세이사쿠쇼사 제조 「ICP-AES」), 또는 형광 X선 분석 장치(시마즈 세이사쿠쇼사 제조 「EDX-800HS」) 등을 사용하여 측정 가능하다.The content of the tin is determined by using a high frequency inductively coupled plasma emission spectrochemical analyzer ("ICP-AES" manufactured by Horiba Seisakusho Co., Ltd.) or a fluorescent X-ray analyzer ("EDX-800HS" manufactured by Shimadzu Corporation) .

상기 땜납을 도전부의 외표면 부분에 갖는 도전성 입자를 사용함으로써, 땜납이 용융되어 전극에 접합되어, 땜납이 전극 사이를 도통시킨다. 예를 들어, 땜납과 전극이 점 접촉이 아니라 면 접촉되기 쉽기 때문에, 접속 저항이 낮아진다. 또한, 땜납을 도전부의 외표면 부분에 갖는 도전성 입자의 사용에 의해, 땜납과 전극의 접합 강도가 높아지는 결과, 땜납과 전극의 박리가 한층 더 발생하기 어려워져, 도통 신뢰성이 효과적으로 높아진다.By using the conductive particles having the solder on the outer surface portion of the conductive portion, the solder is melted and bonded to the electrode, so that the solder conducts between the electrodes. For example, if the solder and the electrode are not in point contact, they are likely to come into contact, so that the connection resistance is lowered. The use of the conductive particles having the solder on the outer surface portion of the conductive portion increases the bonding strength between the solder and the electrode. As a result, the solder and the electrode are less likely to be peeled off, and the reliability of conduction is effectively increased.

상기 땜납부 및 상기 땜납 입자를 구성하는 저융점 금속은 특별히 한정되지 않는다. 해당 저융점 금속은 주석, 또는 주석을 포함하는 합금인 것이 바람직하다. 해당 합금은 주석-은 합금, 주석-구리 합금, 주석-은-구리 합금, 주석-비스무트 합금, 주석-아연 합금, 주석-인듐 합금 등을 들 수 있다. 전극에 대한 습윤성이 우수한 점에서, 상기 저융점 금속은 주석, 주석-은 합금, 주석-은-구리 합금, 주석-비스무트 합금, 주석-인듐 합금인 것이 바람직하다. 주석-비스무트 합금, 주석-인듐 합금인 것이 보다 바람직하다.The soldering portion and the low melting point metal constituting the solder particle are not particularly limited. The low melting point metal is preferably an alloy containing tin or tin. Examples of the alloy include tin-silver alloy, tin-copper alloy, tin-silver-copper alloy, tin-bismuth alloy, tin-zinc alloy and tin-indium alloy. The low melting point metal is preferably tin, a tin-silver alloy, a tin-silver-copper alloy, a tin-bismuth alloy, and a tin-indium alloy from the viewpoint of excellent wettability to an electrode. Tin-bismuth alloy, and tin-indium alloy.

상기 땜납(땜납부)을 구성하는 재료는, JIS Z3001: 용접 용어에 기초하여, 액상선이 450℃ 이하인 용가재(溶加材)인 것이 바람직하다. 상기 땜납의 조성으로서는, 예를 들어 아연, 금, 은, 납, 구리, 주석, 비스무트, 인듐 등을 포함하는 금속 조성을 들 수 있다. 저융점이고 납 프리인 주석-인듐계(117℃ 공정(共晶)), 또는 주석-비스무트계(139℃ 공정)가 바람직하다. 즉, 상기 땜납은, 납을 포함하지 않는 것이 바람직하고, 주석과 인듐을 포함하는 땜납, 또는 주석과 비스무트를 포함하는 땜납인 것이 바람직하다.The material constituting the solder (soldering portion) is preferably a consumable material (melting additive) having a liquidus line of 450 DEG C or less based on JIS Z3001: welding terminology. Examples of the composition of the solder include a metal composition including zinc, gold, silver, lead, copper, tin, bismuth, indium and the like. Tin-indium based (117 占 폚 eutectic), or tin-bismuth (139 占 폚) process are preferable. That is, the solder preferably does not contain lead, and is preferably a solder containing tin and indium, or a solder containing tin and bismuth.

상기 땜납과 전극의 접합 강도를 한층 더 높이기 위해서, 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납은, 니켈, 구리, 안티몬, 알루미늄, 아연, 철, 금, 티타늄, 인, 게르마늄, 텔루륨, 코발트, 비스무트, 망간, 크롬, 몰리브덴, 팔라듐 등의 금속을 포함하고 있어도 된다. 또한, 땜납과 전극의 접합 강도를 더한층 높이는 관점에서는, 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납은, 니켈, 구리, 안티몬, 알루미늄 또는 아연을 포함하는 것이 바람직하다. 땜납부 또는 도전성 입자에 있어서의 땜납과 전극의 접합 강도를 한층 더 높이는 관점에서는, 접합 강도를 높이기 위한 이들 금속의 함유량은, 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납 100중량% 중, 바람직하게는 0.0001중량% 이상이며, 바람직하게는 1중량% 이하이다.In order to further increase the bonding strength between the solder and the electrode, the solder in the conductive particle is preferably selected from the group consisting of nickel, copper, antimony, aluminum, zinc, iron, gold, titanium, phosphorus, germanium, tellurium, cobalt, , Chromium, molybdenum, palladium, and the like. From the viewpoint of further increasing the bonding strength between the solder and the electrode, it is preferable that the solder in the conductive particle includes nickel, copper, antimony, aluminum or zinc. From the viewpoint of further increasing the bonding strength between the solder and the electrode in the solder portion or the conductive particles, the content of these metals for increasing the bonding strength is preferably 0.0001 wt% Or more, preferably 1 wt% or less.

상기 제2 도전부의 융점은, 상기 땜납부의 융점보다도 높은 것이 바람직하다. 상기 제2 도전부의 융점은 바람직하게는 160℃를 초과하고, 보다 바람직하게는 300℃를 초과하고, 더욱 바람직하게는 400℃를 초과하고, 더한층 바람직하게는 450℃를 초과하고, 특히 바람직하게는 500℃를 초과하며, 가장 바람직하게는 600℃를 초과한다. 상기 땜납부는 융점이 낮기 때문에 도전 접속 시에 용융된다. 상기 제2 도전부는 도전 접속 시에 용융되지 않는 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자는 땜납을 용융시켜 사용되는 것이 바람직하고, 상기 땜납부를 용융시켜 사용되는 것이 바람직하고, 상기 땜납부를 용융시키고 또한 상기 제2 도전부를 용융시키지 않고 사용되는 것이 바람직하다. 상기 제2 도전부의 융점이 상기 땜납부의 융점보다도 높음으로써, 도전 접속 시에, 상기 제2 도전부를 용융시키지 않고 상기 땜납부만을 용융시킬 수 있다.The melting point of the second conductive portion is preferably higher than the melting point of the soldering portion. The melting point of the second conductive portion is preferably more than 160 ° C, more preferably more than 300 ° C, more preferably more than 400 ° C, even more preferably more than 450 ° C, More preferably greater than 500 ° C, and most preferably greater than 600 ° C. Since the solder portion has a low melting point, it is melted at the time of conductive connection. It is preferable that the second conductive portion is not melted at the time of conductive connection. It is preferable that the conductive particles are used by melting the solder. Preferably, the conductive particles are used by melting the solder portion. It is preferable that the conductive particles are used without melting the solder portion and melting the second conductive portion. The melting point of the second conductive portion is higher than the melting point of the soldering portion so that only the soldering portion can be melted without melting the second conductive portion at the time of conductive connection.

상기 땜납부의 융점과 상기 제2 도전부의 융점의 차의 절댓값은, 0℃를 초과하고, 바람직하게는 5℃ 이상, 보다 바람직하게는 10℃ 이상, 더욱 바람직하게는 30℃ 이상, 특히 바람직하게는 50℃ 이상, 가장 바람직하게는 100℃ 이상이다.The maximum value of the difference between the melting point of the soldering portion and the melting point of the second conductive portion is preferably more than 0 ° C, preferably 5 ° C or more, more preferably 10 ° C or more, still more preferably 30 ° C or more, Lt; RTI ID = 0.0 > 50 C, < / RTI >

상기 제2 도전부는 금속을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 제2 도전부를 구성하는 금속은 특별히 한정되지 않는다. 해당 금속으로서는, 예를 들어 금, 은, 구리, 백금, 팔라듐, 아연, 납, 알루미늄, 코발트, 인듐, 니켈, 크롬, 티타늄, 안티몬, 비스무트, 게르마늄 및 카드뮴, 및 이들의 합금 등을 들 수 있다. 또한, 상기 금속으로서, 주석 도프 산화인듐(ITO)을 사용해도 된다. 상기 금속은 1종만이 사용되어도 되며, 2종 이상이 병용되어도 된다. The second conductive part preferably includes a metal. The metal constituting the second conductive portion is not particularly limited. As the metal, for example, gold, silver, copper, platinum, palladium, zinc, lead, aluminum, cobalt, indium, nickel, chromium, titanium, antimony, bismuth, germanium and cadmium, . As the metal, tin-doped indium oxide (ITO) may be used. The metal may be used alone or in combination of two or more.

상기 제2 도전부는, 니켈층, 팔라듐층, 구리층 또는 금층인 것이 바람직하고, 니켈층 또는 금층인 것이 보다 바람직하고, 구리층인 것이 더욱 바람직하다. 도전성 입자는, 니켈층, 팔라듐층, 구리층 또는 금층을 갖는 것이 바람직하고, 니켈층 또는 금층을 갖는 것이 보다 바람직하며, 구리층을 갖는 것이 더욱 바람직하다. 이들 바람직한 도전부를 갖는 도전성 입자를 전극 사이의 접속에 사용함으로써, 전극 사이의 접속 저항이 한층 더 낮아진다. 또한, 이들 바람직한 도전부의 표면에는, 땜납부를 한층 더 용이하게 형성할 수 있다.The second conductive portion is preferably a nickel layer, a palladium layer, a copper layer or a gold layer, more preferably a nickel layer or a gold layer, and more preferably a copper layer. The conductive particles preferably have a nickel layer, a palladium layer, a copper layer or a gold layer, more preferably a nickel layer or a gold layer, and more preferably a copper layer. By using the conductive particles having these preferable conductive portions for connection between the electrodes, the connection resistance between the electrodes is further lowered. In addition, solder portions can be formed more easily on the surfaces of these preferable conductive portions.

상기 땜납부의 두께는, 바람직하게는 0.005㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.01㎛ 이상이며, 바람직하게는 10㎛ 이하, 보다 바람직하게는 1㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 0.3㎛ 이하이다. 땜납부의 두께가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 충분한 도전성이 얻어지고, 또한 도전성 입자가 지나치게 단단해지지 않아 전극 사이의 접속 시에 도전성 입자가 충분히 변형된다. The thickness of the soldering portion is preferably 0.005 占 퐉 or more, more preferably 0.01 占 퐉 or more, preferably 10 占 퐉 or less, more preferably 1 占 퐉 or less, further preferably 0.3 占 퐉 or less. When the thickness of the solder portion is not less than the lower limit and not more than the upper limit, sufficient conductivity is obtained, and the conductive particles are not excessively hardened, so that the conductive particles are sufficiently deformed upon connection between the electrodes.

상기 도전성 입자의 평균 입자 직경은, 바람직하게는 0.5㎛ 이상, 보다 바람직하게는 1㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 3㎛ 이상이며, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 50㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 40㎛ 이하, 특히 바람직하게는 30㎛ 이하이다. 상기 도전성 입자의 평균 입자 직경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극 위에 도전성 입자에 있어서의 땜납을 한층 더 효율적으로 배치할 수 있고, 전극 사이에 도전성 입자에 있어서의 땜납을 많이 배치하는 것이 용이하여, 도통 신뢰성이 한층 더 높아진다. The average particle diameter of the conductive particles is preferably 0.5 占 퐉 or more, more preferably 1 占 퐉 or more, further preferably 3 占 퐉 or more, preferably 100 占 퐉 or less, more preferably 50 占 퐉 or less Or less, and particularly preferably 30 mu m or less. When the average particle diameter of the conductive particles is not less than the lower limit and not more than the upper limit, it is possible to more effectively arrange the solder in the conductive particles on the electrode, and to easily arrange more solder in the conductive particles between the electrodes So that conduction reliability is further enhanced.

상기 도전성 입자의 「평균 입자 직경」은, 수 평균 입자 직경을 나타낸다. 도전성 입자의 평균 입자 직경은, 예를 들어 임의의 도전성 입자 50개를 전자 현미경 또는 광학 현미경으로 관찰하여, 평균값을 산출함으로써 구해진다. The " average particle diameter " of the conductive particles indicates the number average particle diameter. The average particle diameter of the conductive particles can be obtained, for example, by observing 50 of any conductive particles with an electron microscope or an optical microscope and calculating an average value.

상기 도전성 입자의 형상은 특별히 한정되지 않는다. 상기 도전성 입자의 형상은, 구 형상이어도 되고, 편평 형상 등의 구 형상 이외의 형상이어도 된다. The shape of the conductive particles is not particularly limited. The shape of the conductive particles may be a spherical shape or a shape other than a spherical shape such as a flat shape.

상기 도전 재료 100중량% 중, 상기 도전성 입자의 함유량은 바람직하게는 1중량% 이상, 보다 바람직하게는 2중량% 이상, 더욱 바람직하게는 10중량% 이상, 특히 바람직하게는 20중량% 이상, 가장 바람직하게는 30중량% 이상이며, 바람직하게는 80중량% 이하, 보다 바람직하게는 60중량% 이하, 더욱 바람직하게는 50중량% 이하이다. 상기 도전성 입자의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극 위에 도전성 입자에 있어서의 땜납을 한층 더 효율적으로 배치할 수 있고, 전극 사이에 도전성 입자에 있어서의 땜납을 많이 배치하는 것이 용이하여, 도통 신뢰성이 한층 더 높아진다. 도통 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 도전성 입자의 함유량은 많은 편이 바람직하다.The content of the conductive particles in 100 wt% of the conductive material is preferably 1 wt% or more, more preferably 2 wt% or more, still more preferably 10 wt% or more, particularly preferably 20 wt% Preferably 30% by weight or more, preferably 80% by weight or less, more preferably 60% by weight or less, further preferably 50% by weight or less. If the content of the conductive particles is lower than or equal to the lower limit and lower than or equal to the upper limit, it is possible to more effectively arrange the solder in the conductive particles on the electrode, and it is easy to arrange more solder in the conductive particles between the electrodes, The conduction reliability is further increased. From the viewpoint of further enhancing conduction reliability, the content of the conductive particles is preferably large.

(열경화성 화합물)(Thermosetting compound)

상기 열경화성 화합물은, 가열에 의해 경화 가능한 화합물이다. 상기 열경화성 화합물로서는, 옥세탄 화합물, 에폭시 화합물, 에피술피드 화합물, (메트)아크릴 화합물, 페놀 화합물, 아미노 화합물, 불포화 폴리에스테르 화합물, 폴리우레탄 화합물, 실리콘 화합물 및 폴리이미드 화합물 등을 들 수 있다. 도전 재료의 경화성 및 점도를 한층 더 양호하게 하고, 접속 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서, 에폭시 화합물 또는 에피술피드 화합물이 바람직하고, 에폭시 화합물이 보다 바람직하다. 상기 도전 재료는 에폭시 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 열경화성 화합물은, 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.The thermosetting compound is a compound that can be cured by heating. Examples of the thermosetting compound include oxetane compounds, epoxy compounds, episulfide compounds, (meth) acrylic compounds, phenol compounds, amino compounds, unsaturated polyester compounds, polyurethane compounds, silicone compounds and polyimide compounds. An epoxy compound or an episulfide compound is preferable and an epoxy compound is more preferable from the viewpoint of further improving the curability and viscosity of the conductive material and further improving the connection reliability. The conductive material preferably includes an epoxy compound. The thermosetting compound may be used alone or in combination of two or more.

전극의 부식을 한층 더 억제하고, 접속 저항을 한층 더 낮게 유지하는 관점에서는, 상기 열경화성 화합물은, 질소 원자를 갖는 열경화성 화합물을 포함하는 것이 바람직하고, 트리아진 골격을 갖는 열경화성 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.From the viewpoint of further suppressing the corrosion of the electrode and keeping the connection resistance even lower, the thermosetting compound preferably contains a thermosetting compound having a nitrogen atom, and preferably contains a thermosetting compound having a triazine skeleton Do.

특히, 질소 원자를 갖는 열경화성 화합물과 산 무수물 열경화제의 병용에 의해, 마이그레이션의 발생이 상당히 효과적으로 억제된다.Particularly, the combination of the thermosetting compound having a nitrogen atom and the acid anhydride thermosetting agent effectively suppresses the occurrence of migration.

상기 질소 원자를 갖는 열경화성 화합물로서는 트리아진트리글리시딜에테르 등을 들 수 있으며, 닛산 가가쿠 고교사 제조 TEPIC 시리즈(TEPIC-G, TEPIC-S, TEPIC-SS, TEPIC-HP, TEPIC-L, TEPIC-PAS, TEPIC-VL, TEPIC-UC) 등을 들 수 있다.Examples of the thermosetting compound having a nitrogen atom include triazine triglycidyl ether and the like, and TEPIC series (TEPIC-S, TEPIC-SS, TEPIC-HP, TEPIC- -PAS, TEPIC-VL, TEPIC-UC).

상기 에폭시 화합물로서는, 방향족 에폭시 화합물을 들 수 있다. 레조르시놀형 에폭시 화합물, 나프탈렌형 에폭시 화합물, 비페닐형 에폭시 화합물 및 벤조페논형 에폭시 화합물 등의 결정성 에폭시 화합물이 바람직하다. 상온(23℃)에서 고체이며, 또한 용융 온도가 땜납의 융점 이하인 에폭시 화합물이 바람직하다. 용융 온도는 바람직하게는 100℃ 이하, 보다 바람직하게는 80℃ 이하, 바람직하게는 40℃ 이상이다. 상기 바람직한 에폭시 화합물을 사용함으로써 접속 대상 부재를 접합한 단계에서는, 점도가 높고, 반송 등의 충격에 의해 가속도가 부여되었을 때, 제1 접속 대상 부재와 제2 접속 대상 부재의 위치의 어긋남을 억제할 수 있고, 게다가, 경화 시의 열에 의해, 도전 재료의 점도를 크게 저하시킬 수 있어, 땜납의 응집을 효율적으로 진행시킬 수 있다.Examples of the epoxy compound include aromatic epoxy compounds. A crystalline epoxy compound such as a resorcinol type epoxy compound, a naphthalene type epoxy compound, a biphenyl type epoxy compound and a benzophenone type epoxy compound is preferable. An epoxy compound which is solid at normal temperature (23 DEG C) and whose melting temperature is not higher than the melting point of the solder is preferable. The melting temperature is preferably 100 占 폚 or lower, more preferably 80 占 폚 or lower, and preferably 40 占 폚 or higher. In the step of joining the members to be connected by using the above-described preferable epoxy compound, when the viscosity is high and acceleration is imparted by impact such as transportation, misalignment of the positions of the first connection object member and the second connection object member is suppressed In addition, the viscosity of the conductive material can be greatly lowered by the heat at the time of curing, and the agglomeration of the solder can be promoted efficiently.

상기 도전 재료 100중량% 중, 상기 열경화성 화합물의 함유량 및 상기 질소 원자를 갖는 열경화성 화합물은, 바람직하게는 20중량% 이상, 보다 바람직하게는 40중량% 이상, 더욱 바람직하게는 50중량% 이상이며, 바람직하게는 99중량% 이하, 보다 바람직하게는 98중량% 이하, 더욱 바람직하게는 90중량% 이하, 특히 바람직하게는 80중량% 이하이다. 상기 열경화성 화합물 및 상기 질소 원자를 갖는 열경화성 화합물의 함유량이, 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 위에 한층 더 효율적으로 배치하고, 전극 사이의 위치 어긋남을 한층 더 억제하여, 전극 사이의 도통 신뢰성을 한층 더 높일 수 있다. 내충격성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 열경화성 화합물의 함유량은 많은 편이 바람직하다. 도전 재료의 경화성 및 점도를 한층 더 양호하게 하고, 접속 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서, 상기 도전 재료 100중량% 중, 상기 에폭시 화합물의 함유량은, 바람직하게는 10중량% 이상, 보다 바람직하게는 15중량% 이상이며, 바람직하게는 50중량% 이하, 보다 바람직하게는 30중량% 이하이다.The content of the thermosetting compound and the thermosetting compound having the nitrogen atom in 100 wt% of the conductive material are preferably 20 wt% or more, more preferably 40 wt% or more, and even more preferably 50 wt% Preferably 99% by weight or less, more preferably 98% by weight or less, further preferably 90% by weight or less, particularly preferably 80% by weight or less. When the content of the thermosetting compound and the thermosetting compound having the nitrogen atom is not less than the lower limit and not more than the upper limit, solder in the conductive particles is more efficiently arranged on the electrode, and the positional deviation between the electrodes is further suppressed , The conduction reliability between the electrodes can be further enhanced. From the viewpoint of further improving the impact resistance, the content of the above-mentioned thermosetting compound is preferably large. The content of the epoxy compound in 100 wt% of the conductive material is preferably 10 wt% or more, more preferably 15 wt% or more, and still more preferably 15 wt% or less, from the viewpoint of further improving the curability and viscosity of the conductive material and further improving the connection reliability. By weight or more, preferably 50% by weight or less, more preferably 30% by weight or less.

(열경화제)(Thermosetting agent)

상기 열경화제는, 상기 열경화성 화합물을 열경화시킨다. 상기 열경화제로서는, 이미다졸 경화제, 페놀 경화제, 티올 경화제, 아민 경화제, 산 무수물 열경화제, 열 양이온 개시제(열 양이온 경화제) 및 열 라디칼 발생제 등이 있다. 본 발명에서는, 상기 열경화제로서 산 무수물 열경화제를 사용한다. 도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 위에 효율적으로 배치하는 관점, 및 마이그레이션의 발생을 효과적으로 억제하는 관점에서는, 도전부의 외표면 부분에 땜납을 갖는 도전성 입자를 사용하는 경우에, 산 무수물 열경화제를 사용하는 것에는 큰 의미가 있다. 상기 산 무수물 열경화제는, 1종만이 사용되어도 되며, 2종 이상이 병용되어도 된다.The thermosetting agent thermally cures the thermosetting compound. Examples of the heat curing agent include an imidazole curing agent, a phenol curing agent, a thiol curing agent, an amine curing agent, an acid anhydride curing agent, a thermal cationic initiator (thermal cation curing agent), and a thermal radical generator. In the present invention, an acid anhydride thermosetting agent is used as the thermosetting agent. From the viewpoints of efficiently disposing the solder in the conductive particles on the electrode and effectively suppressing the occurrence of migration, in the case of using the conductive particles having the solder on the outer surface portion of the conductive portion, the use of the acid anhydride thermosetting agent Things have a big meaning. The acid anhydride thermosetting agent may be used alone or in combination of two or more.

상기 산 무수물 열경화제로서는, 트리알킬테트라히드로 무수 프탈산, 헥사히드로 무수 프탈산, 프탈산 유도체의 무수물, 무수 말레산, 메틸부테닐테트라히드로 무수 프탈산, 및 트리아크릴테트라히드로 무수 프탈산 등의 2관능의 산 무수물 열경화제, 무수 트리멜리트산 등의 3관능의 산 무수물 열경화제, 무수 피로멜리트산, 무수 벤조페논테트라카르복실산, 메틸시클로헥센테트라카르복실산 무수물 등이나, 폴리아젤라산 무수물 등의 4관능 이상의 산 무수물 열경화제 등을 들 수 있다.Examples of the acid anhydride thermosetting agent include trifunctional acid anhydrides such as trialkyltetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, anhydrides of phthalic acid derivatives, maleic anhydride, methylbutenyltetrahydrophthalic anhydride, and triacryltetrahydrophthalic anhydride Anhydride pyromellitic acid, anhydrous benzophenonetetracarboxylic acid, methylcyclohexene tetracarboxylic acid anhydride and the like, as well as polyfunctional tetracarboxylic acid anhydride such as polyazelaic acid anhydride and the like, Acid anhydride thermosetting agents and the like.

전극 위에, 땜납을 한층 더 효과적으로 배치하는 관점에서는, 상기 산 무수물 열경화제는 25℃에서 액상인 것이 바람직하다. 25℃에서 액상인 산 무수물 열경화제는, 저온에서의 도전 재료의 점도를 낮게 하는 것에 기여하고, 저온에서의 땜납의 이동을 방해하기 어렵다.From the viewpoint of more effectively disposing solder on the electrode, it is preferable that the acid anhydride thermosetting agent is liquid at 25 占 폚. The acid anhydride thermosetting agent which is liquid at 25 占 폚 contributes to lowering the viscosity of the conductive material at a low temperature, and it is difficult to prevent the movement of the solder at a low temperature.

경화물의 열 열화를 효과적으로 억제하는 관점에서는, 상기 산 무수물 열경화제는 환상 산 무수물 열경화제인 것이 바람직하다. 환상 산 무수물 열경화제로서는, 트리알킬테트라히드로 무수 프탈산, 헥사히드로 무수 프탈산 및 트리아크릴 테트라히드로 무수 프탈산 등을 들 수 있다.From the viewpoint of effectively suppressing thermal degradation of the cured product, the acid anhydride thermosetting agent is preferably a cyclic acid anhydride thermosetting agent. Examples of the cyclic acid anhydride thermosetting agent include trialkyltetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride and triacryltetrahydrophthalic anhydride.

상기 열경화성 화합물의 전체 100중량부에 대해서, 상기 산 무수물 열경화제의 함유량은, 바람직하게는 30중량부 이상, 보다 바람직하게는 40중량부 이상이며, 바람직하게는 80중량부 이하, 보다 바람직하게는 60중량부 이하이다. 산 무수물 열경화제의 함유량이 상기 하한 이상이면 도전 재료를 충분히 경화시키는 것이 용이하며, 전극 위에 땜납이 한층 더 효율적으로 배치되어, 마이그레이션의 발생이 한층 더 억제된다. 산 무수물 열경화제의 함유량이 상기 상한 이하이면, 경화 후에 경화에 관여하지 않았던 잉여의 산 무수물 열경화제가 잔존하기 어려워지며, 또한 경화물의 내열성이 한층 더 높아진다.The content of the acid anhydride thermosetting agent is preferably 30 parts by weight or more, more preferably 40 parts by weight or more, and preferably 80 parts by weight or less, more preferably 100 parts by weight or less, 60 parts by weight or less. If the content of the acid anhydride heat curing agent is lower than the lower limit described above, it is easy to sufficiently cure the conductive material, and the solder is more efficiently arranged on the electrode, and the occurrence of migration is further suppressed. If the content of the acid anhydride thermosetting agent is less than the upper limit, the excess acid anhydride thermosetting agent that was not involved in curing after curing is hardly left, and the heat resistance of the cured product is further increased.

(유기 인 화합물 및 경화 촉진제)(Organic phosphorus compound and curing accelerator)

접속 신뢰성을 높이는 관점에서, 상기 도전 재료는 경화 촉진제를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 경화 촉진제는, 1종만이 사용되어도 되며, 2종 이상이 병용되어도 된다.From the viewpoint of improving connection reliability, it is preferable that the conductive material includes a curing accelerator. The curing accelerator may be used alone or in combination of two or more.

상기 경화 촉진제로서는 특별히 한정되지 않지만, 구체적으로는, 이미다졸, 2-메틸이미다졸 및 2-페닐이미다졸 등의 이미다졸 경화 촉진제; 메틸트리부틸포스포늄디메틸포스페이트 및 테트라n-부틸포스포늄테트라플루오로보레이트 등의 유기 인 경화 촉진제를 들 수 있다.The curing accelerator is not particularly limited, but specific examples thereof include imidazole curing accelerators such as imidazole, 2-methylimidazole and 2-phenylimidazole; Methyl tributyl phosphonium dimethyl phosphate, and tetra n-butyl phosphonium tetrafluoroborate.

땜납을 전극 위에 한층 더 효율적으로 배치하는 관점에서는, 상기 도전 재료는 유기 인 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 땜납을 전극 위에 한층 더 효율적으로 배치하는 관점에서는, 상기 유기 인 화합물은, 유기 인 경화 촉진제인 것이 바람직하다. 유기 인 화합물 또는 유기 인 경화 촉진제와 산 무수물 열경화제를 병용함으로써, 땜납 및 전극의 표면에 형성된 산화막을 한층 더 효과적으로 제거할 수 있고, 또한 땜납을 전극 위에 한층 더 효과적으로 배치할 수 있다.From the standpoint of more efficiently placing the solder on the electrode, it is preferable that the conductive material includes an organic phosphorus compound. From the standpoint of more efficiently placing the solder on the electrode, the organic phosphorus compound is preferably an organic phosphorus hardening accelerator. By using the organic phosphorus compound or the organic phosphorus hardening accelerator in combination with the acid anhydride thermal hardener, the oxide film formed on the surface of the solder and the electrode can be removed more effectively, and the solder can be arranged more effectively on the electrode.

상기 도전 재료 100중량% 중, 상기 경화 촉진제의 함유량은 바람직하게는 0.5중량% 이상, 보다 바람직하게는 1중량% 이상, 바람직하게는 15중량% 이하, 보다 바람직하게는 10중량% 이하, 더욱 바람직하게는 5중량% 이하이다. 상기 경화 촉진제의 함유량이 상기 하한 이상이면 땜납의 배치 정밀도가 한층 더 높아진다. 상기 경화 촉진제의 함유량이 상기 상한 이하이면, 마이그레이션이 한층 더 발생하기 어려워진다.The content of the curing accelerator in 100 wt% of the conductive material is preferably 0.5 wt% or more, more preferably 1 wt% or more, preferably 15 wt% or less, more preferably 10 wt% By weight is not more than 5% by weight. If the content of the curing accelerator is lower than the lower limit described above, the placement accuracy of the solder becomes higher. When the content of the curing accelerator is less than the upper limit, migration is further prevented.

상기 도전 재료 100중량% 중, 상기 유기 인 화합물의 함유량 및 상기 유기 인 경화 촉진제의 함유량은 바람직하게는 0.5중량% 이상, 보다 바람직하게는 1중량% 이상, 바람직하게는 15중량% 이하, 보다 바람직하게는 10중량% 이하, 더욱 바람직하게는 5중량% 이하이다. 상기 유기 인 화합물의 함유량 및 상기 유기 인 경화 촉진제의 함유량이 상기 하한 이상이면 땜납의 배치 정밀도가 한층 더 높아진다. 상기 유기 인 화합물의 함유량 및 상기 유기 인 경화 촉진제의 함유량이 상기 상한 이하이면, 땜납의 배치 정밀도가 한층 더 높아지고, 또한 마이그레이션이 한층 더 발생하기 어려워진다.The content of the organic phosphorus compound and the content of the organic phosphorus hardening accelerator in 100 wt% of the conductive material are preferably 0.5 wt% or more, more preferably 1 wt% or more, preferably 15 wt% or less, By weight is 10% by weight or less, more preferably 5% by weight or less. When the content of the organophosphorus compound and the content of the organic phosphorus hardening accelerator are equal to or lower than the lower limit described above, the accuracy of the solder placement is further enhanced. If the content of the organophosphorus compound and the content of the organic phosphorus hardening accelerator are less than the upper limit, the accuracy of placement of the solder is further increased, and migration is further prevented.

(플럭스)(Flux)

상기 도전 재료는 플럭스를 포함하는 것이 바람직하다. 플럭스의 사용에 의해, 땜납을 전극 위에 한층 더 효과적으로 배치할 수 있다. 해당 플럭스는 특별히 한정되지 않는다. 플럭스로서, 땜납 접합 등에 일반적으로 사용되고 있는 플럭스를 사용할 수 있다. 상기 도전 재료는, 플럭스를 포함하지 않아도 된다.The conductive material preferably includes a flux. By using the flux, the solder can be arranged more effectively on the electrode. The flux is not particularly limited. As the flux, a flux generally used for solder bonding or the like can be used. The conductive material may not contain a flux.

상기 플럭스로서는, 예를 들어 염화아연, 염화아연과 무기 할로겐화물의 혼합물, 염화아연과 무기산의 혼합물, 용융염, 인산, 인산의 유도체, 유기 할로겐화물, 히드라진, 유기산 및 송지 등을 들 수 있다. 상기 플럭스는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.Examples of the flux include zinc chloride, a mixture of zinc chloride and an inorganic halide, a mixture of zinc chloride and an inorganic acid, a molten salt, a phosphoric acid, a derivative of phosphoric acid, an organic halide, a hydrazine, an organic acid, The flux may be used alone, or two or more fluxes may be used in combination.

상기 용융염으로서는, 염화암모늄 등을 들 수 있다. 상기 유기산으로서는, 락트산, 시트르산, 스테아르산, 글루탐산 및 글루타르산 등을 들 수 있다. 상기 송지로서는, 활성화 송지 및 비활성화 송지 등을 들 수 있다. 상기 플럭스는, 카르복실기를 2개이상 갖는 유기산 또는 송지인 것이 바람직하다. 상기 플럭스는, 카르복실기를 2개 이상 갖는 유기산이어도 되고, 송지여도 된다. 카르복실기를 2개 이상 갖는 유기산, 송지의 사용에 의해, 전극 사이의 도통 신뢰성이 한층 더 높아진다.Examples of the molten salt include ammonium chloride and the like. Examples of the organic acid include lactic acid, citric acid, stearic acid, glutamic acid and glutaric acid. Examples of the papermaking papers include activated papermaking and inactive papermaking. It is preferable that the flux is an organic acid having two or more carboxyl groups or a transfer paper. The flux may be an organic acid having two or more carboxyl groups, or may be fed. The use of an organic acid having two or more carboxyl groups and a papermaking layer further improves the conductivity reliability between the electrodes.

상기 송지는 아비에트산을 주성분으로 하는 로진류이다. 플럭스는 로진류인 것이 바람직하고, 아비에트산인 것이 보다 바람직하다. 이 바람직한 플럭스의 사용에 의해, 전극 사이의 도통 신뢰성이 한층 더 높아진다.The above paper is a rosin mainly containing abietic acid. The flux is preferably rosin, more preferably abietic acid. By using this preferable flux, the conduction reliability between the electrodes is further increased.

상기 플럭스의 활성 온도(융점)는, 바람직하게는 50℃ 이상, 보다 바람직하게는 70℃ 이상, 더욱 바람직하게는 80℃ 이상이고, 바람직하게는 200℃ 이하, 보다 바람직하게는 190℃ 이하, 한층 더 바람직하게는 160℃ 이하, 더욱 바람직하게는 150℃ 이하, 더한층 바람직하게는 140℃ 이하이다. 상기 플럭스의 활성 온도가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 플럭스 효과가 한층 더 효과적으로 발휘되어, 땜납이 전극 위에 한층 더 효율적으로 배치된다. 상기 플럭스의 활성 온도(융점)는 80℃ 이상, 190℃ 이하인 것이 바람직하다. 상기 플럭스의 활성 온도(융점)는 80℃ 이상, 140℃ 이하인 것이 특히 바람직하다.The active temperature (melting point) of the flux is preferably 50 ° C or more, more preferably 70 ° C or more, further preferably 80 ° C or more, preferably 200 ° C or less, more preferably 190 ° C or less, More preferably 160 ° C or lower, further preferably 150 ° C or lower, further preferably 140 ° C or lower. When the activation temperature of the flux is higher than or equal to the lower limit and lower than or equal to the upper limit, the flux effect is more effectively exerted and the solder is more efficiently disposed on the electrode. The active temperature (melting point) of the flux is preferably 80 ° C or higher and 190 ° C or lower. It is particularly preferable that the activation temperature (melting point) of the flux is 80 캜 or more and 140 캜 or less.

플럭스의 활성 온도(융점)가 80℃ 이상, 190℃ 이하인 상기 플럭스로서는, 숙신산(융점 186℃), 글루타르산(융점 96℃), 아디프산(융점 152℃), 피멜산(융점 104℃), 수베르산(융점 142℃) 등의 디카르복실산, 벤조산(융점 122℃), 말산(융점 130℃) 등을 들 수 있다.(Melting point: 186 占 폚), glutaric acid (melting point: 96 占 폚), adipic acid (melting point: 152 占 폚), pimelic acid (melting point: 104 占 폚 (Melting point: 122 占 폚), malic acid (melting point: 130 占 폚), and the like.

또한, 상기 플럭스의 비점은 200℃ 이하인 것이 바람직하다.The boiling point of the flux is preferably 200 ° C or lower.

땜납을 전극 위에 한층 더 효율적으로 배치하는 관점에서는, 상기 플럭스의 융점은, 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납의 융점보다도 높은 것이 바람직하고, 5℃ 이상 높은 것이 보다 바람직하며, 10℃ 이상 높은 것이 더욱 바람직하다.From the viewpoint of more efficiently placing the solder on the electrode, the melting point of the flux is preferably higher than the melting point of the solder in the conductive particle, more preferably 5 ° C or higher, more preferably 10 ° C or higher Do.

땜납을 전극 위에 한층 더 효율적으로 배치하는 관점에서는, 상기 플럭스의 융점은, 상기 열경화제의 반응 개시 온도보다도 높은 것이 바람직하고, 5℃ 이상 높은 것이 보다 바람직하고, 10℃ 이상 높은 것이 더욱 바람직하다.From the viewpoint of more efficiently placing the solder on the electrode, the melting point of the flux is preferably higher than the reaction initiation temperature of the thermosetting agent, more preferably 5 ° C or higher, and still more preferably 10 ° C or higher.

상기 플럭스는 도전 재료 중에 분산되어 있어도 되고, 도전성 입자의 표면 위에 부착되어 있어도 된다.The flux may be dispersed in the conductive material or attached to the surface of the conductive particle.

플럭스의 융점이 땜납의 융점보다 높음으로써, 전극 부분에 땜납을 효율적으로 응집시킬 수 있다. 이것은, 접합 시에 열을 부여한 경우, 접속 대상 부재 상에 형성된 전극과, 전극 주변의 접속 대상 부재의 부분을 비교하면, 전극 부분의 열전도율이 전극 주변의 접속 대상 부재 부분의 열전도율보다도 높음으로써, 전극 부분의 승온이 빠른 것에 기인한다. 도전성 입자에 있어서의 땜납의 융점을 초과한 단계에서는, 도전성 입자에 있어서의 땜납은 용해되지만, 표면에 형성된 산화 피막은, 플럭스의 융점(활성 온도)에 도달해 있지 않으므로, 제거되지 않는다. 이 상태에서, 전극 부분의 온도가 먼저, 플럭스의 융점(활성 온도)에 도달하기 때문에, 우선적으로 전극 위에 도달한 도전성 입자에 있어서의 땜납 표면의 산화 피막이 제거되는 것이나, 활성화한 플럭스에 의해 도전성 입자에 있어서의 땜납 표면의 전하가 중화되는 것에 의해, 땜납이 전극의 표면 위에 번질 수 있다. 이에 의해, 전극 위에 효율적으로 땜납을 응집시킬 수 있다.When the melting point of the flux is higher than the melting point of the solder, the solder can be agglomerated efficiently on the electrode portion. This is because, when heat is applied at the time of bonding, when the electrode formed on the member to be connected and the portion of the member to be connected in the vicinity of the electrode are compared, the thermal conductivity of the electrode portion is higher than the thermal conductivity of the member to be connected to the periphery of the electrode, The temperature rise of the part is caused by the fast. In the step of exceeding the melting point of the solder in the conductive particle, the solder in the conductive particle dissolves but the oxide film formed on the surface does not reach the melting point (active temperature) of the flux and is not removed. In this state, since the temperature of the electrode portion first reaches the melting point (active temperature) of the flux, the oxide film on the surface of the solder in the conductive particles reaching the electrode preferentially is removed first, The solder can be spread on the surface of the electrode by neutralizing the charge on the surface of the solder. As a result, the solder can be agglomerated efficiently on the electrode.

상기 플럭스는, 가열에 의해 양이온을 방출하는 플럭스인 것이 바람직하다. 가열에 의해 양이온을 방출하는 플럭스의 사용에 의해, 땜납을 전극 위에 한층 더 효율적으로 배치할 수 있다.The flux is preferably a flux that releases cations by heating. The solder can be disposed on the electrode more efficiently by using the flux that releases the positive ions by heating.

상기 가열에 의해 양이온을 방출하는 플럭스로서는, 열 양이온 개시제를 들 수 있다.As the flux that releases the cation by the above heating, a thermal cationic initiator can be mentioned.

상기 도전 재료 100중량% 중, 상기 플럭스의 함유량은 바람직하게는 0.5중량% 이상이며, 바람직하게는 30중량% 이하, 보다 바람직하게는 25중량% 이하이다. 플럭스의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 땜납 및 전극의 표면에 산화 피막이 한층 더 형성되기 어려워지며, 또한 땜납 및 전극의 표면에 형성된 산화 피막을 한층 더 효과적으로 제거할 수 있다.The content of the flux in 100 wt% of the conductive material is preferably 0.5 wt% or more, preferably 30 wt% or less, more preferably 25 wt% or less. If the content of the flux is lower than or equal to the lower limit and lower than or equal to the upper limit, it is difficult to further form an oxide film on the surface of the solder and the electrode, and furthermore, the oxide film formed on the surface of the solder and the electrode can be removed more effectively.

(다른 성분)(Other components)

상기 도전 재료는, 필요에 따라서, 예를 들어 충전제, 증량제, 연화제, 가소제, 중합 촉매, 경화 촉매, 착색제, 산화 방지제, 열 안정제, 광 안정제, 자외선 흡수제, 활제, 대전 방지제 및 난연제 등의 각종 첨가제를 포함하고 있어도 된다.The conductive material may contain various additives such as fillers, extenders, softeners, plasticizers, polymerization catalysts, curing catalysts, colorants, antioxidants, heat stabilizers, light stabilizers, ultraviolet absorbers, lubricants, antistatic agents and flame retardants .

(접속 구조체 및 접속 구조체의 제조 방법)(Connection structure and manufacturing method of connection structure)

본 발명에 따른 접속 구조체는, 적어도 하나의 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재와, 적어도 하나의 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재와, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비한다. 본 발명에 따른 접속 구조체에서는, 상기 접속부의 재료가 전술한 도전 재료이며, 상기 접속부가, 전술한 도전 재료의 경화물이다. 본 발명에 따른 접속 구조체에서는, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이, 상기 접속부 중의 땜납부에 의해 전기적으로 접속되어 있다.A connection structure according to the present invention includes a first connection target member having at least one first electrode on its surface, a second connection target member having at least one second electrode on its surface, And a connecting portion connecting the second connection target member. In the connection structure according to the present invention, the material of the connecting portion is the above-described conductive material, and the connecting portion is a cured product of the above-described conductive material. In the connection structure according to the present invention, the first electrode and the second electrode are electrically connected by a soldering portion in the connection portion.

상기 접속 구조체의 제조 방법은, 전술한 도전 재료를 사용하여, 적어도 하나의 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재의 표면 위에, 상기 도전 재료를 배치하는 공정과, 상기 도전 재료의 상기 제1 접속 대상 부재측과는 반대의 표면 위에, 적어도 하나의 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재를, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 대향하도록 배치하는 공정과, 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납의 융점 이상으로 상기 도전 재료를 가열함으로써, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를, 상기 도전 재료에 의해 형성하고, 또한 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을, 상기 접속부 중의 땜납부에 의해 전기적으로 접속하는 공정을 구비한다. 바람직하게는, 상기 열경화성 성분, 열경화성 화합물의 경화 온도 이상으로 상기 도전 재료를 가열한다.The manufacturing method of the connection structure includes the steps of disposing the conductive material on a surface of a first connection target member having at least one first electrode on a surface thereof using the conductive material described above, A step of disposing a second connection target member having at least one second electrode on a surface thereof on a surface opposite to the connection target member side so that the first electrode and the second electrode face each other, The connecting member connecting the first connection target member and the second connection target member is formed by the conductive material and the first electrode and the second connection target member are connected to each other by heating the conductive material at a temperature equal to or higher than the melting point of the solder, And electrically connecting the two electrodes to each other by a soldering portion in the connecting portion. Preferably, the conductive material is heated above the curing temperature of the thermosetting component, the thermosetting compound.

본 발명에 따른 접속 구조체 및 상기 접속 구조체의 제조 방법에서는, 특정한 도전 재료를 사용하고 있으므로, 복수의 도전성 입자에 있어서의 땜납이 제1 전극과 제2 전극의 사이에 모이기 쉬워, 땜납을 전극(라인) 위에 효율적으로 배치할 수 있다. 또한, 땜납의 일부가, 전극이 형성되지 않은 영역(스페이스)에 배치되기 어려워, 전극이 형성되지 않은 영역에 배치되는 땜납의 양을 상당히 적게 할 수 있다. 따라서, 제1 전극과 제2 전극 사이의 도통 신뢰성을 높일 수 있다. 게다가, 접속되어서는 안 되는 가로 방향으로 인접하는 전극 사이의 전기적인 접속을 방지할 수 있어, 절연 신뢰성을 높일 수 있다.In the connection structure according to the present invention and the method for manufacturing the connection structure, since a specific conductive material is used, solder in a plurality of conductive particles is likely to gather between the first electrode and the second electrode, ). ≪ / RTI > Further, a part of the solder is hardly arranged in a region where no electrode is formed (space), and the amount of solder disposed in an area where no electrode is formed can be significantly reduced. Therefore, the conduction reliability between the first electrode and the second electrode can be improved. In addition, it is possible to prevent electrical connection between adjacent electrodes in the transverse direction which should not be connected, and the insulation reliability can be improved.

또한, 복수의 도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 위에 효율적으로 배치하고, 또한 전극이 형성되지 않은 영역에 배치되는 땜납의 양을 상당히 적게 하기 위해서는, 도전 필름이 아니라, 도전 페이스트를 사용하는 것이 바람직하다.Further, in order to efficiently dispose the solder in the plurality of conductive particles on the electrode and considerably reduce the amount of the solder disposed in the region where no electrode is formed, it is preferable to use a conductive paste instead of a conductive film .

전극 사이에서의 땜납부의 두께는, 바람직하게는 10㎛ 이상, 보다 바람직하게는 20㎛ 이상이며, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 80㎛ 이하이다. 전극의 표면 위의 땜납 습윤 면적(전극이 노출된 면적 100% 중 땜납이 접하고 있는 면적)은, 바람직하게는 50% 이상, 보다 바람직하게는 60% 이상, 더욱 바람직하게는 70% 이상이며, 바람직하게는 100% 이하이다.The thickness of the solder portion between the electrodes is preferably 10 占 퐉 or more, more preferably 20 占 퐉 or more, preferably 100 占 퐉 or less, and more preferably 80 占 퐉 or less. The area of the solder wetting on the surface of the electrode is preferably 50% or more, more preferably 60% or more, still more preferably 70% or more, and preferably 100% or more Is less than 100%.

본 발명에 따른 접속 구조체의 제조 방법에서는, 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정 및 상기 접속부를 형성하는 공정에 있어서, 가압을 행하지 않고, 상기 도전 재료에는, 상기 제2 접속 대상 부재의 중량이 가해지는 것이 바람직하고, 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정 및 상기 접속부를 형성하는 공정에 있어서, 상기 도전 재료에는, 상기 제2 접속 대상 부재의 중량의 힘을 초과하는 가압 압력은 가해지지 않는 것이 바람직하다. 이들 경우에는, 복수의 땜납부에 있어서, 땜납량의 균일성을 한층 더 높일 수 있다. 또한, 땜납부의 두께를 한층 더 효과적으로 두껍게 할 수 있고, 복수의 도전성 입자에 있어서의 땜납이 전극 사이에 많이 모이기 쉬워져, 복수의 도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극(라인) 위에 한층 더 효율적으로 배치할 수 있다. 또한, 복수의 도전성 입자에 있어서의 땜납의 일부가, 전극이 형성되지 않은 영역(스페이스)에 배치되기 어려워, 전극이 형성되지 않은 영역에 배치되는 도전성 입자에 있어서의 땜납의 양을 한층 더 적게 할 수 있다. 따라서, 전극 사이의 도통 신뢰성을 한층 더 높일 수 있다. 게다가, 접속되어서는 안 되는 가로 방향으로 인접하는 전극 사이의 전기적인 접속을 한층 더 방지할 수 있어, 절연 신뢰성을 한층 더 높일 수 있다.In the method of manufacturing a connection structure according to the present invention, in the step of disposing the second connection target member and the step of forming the connection portion, the weight of the second connection target member is In the step of disposing the second connection target member and the step of forming the connecting portion, the conductive material is not subjected to a pressing force exceeding the force of the weight of the second connection object member . In these cases, the uniformity of the amount of solder can be further increased in a plurality of solder portions. In addition, the thickness of the solder portion can be made even thicker, and the solder in the plurality of conductive particles can be easily gathered between the electrodes, so that the solder in the plurality of conductive particles can be formed more efficiently Can be deployed. In addition, a part of the solder in the plurality of conductive particles is hardly arranged in a region (space) where no electrode is formed, and the amount of solder in the conductive particles disposed in the region where no electrode is formed is further reduced . Therefore, the conduction reliability between the electrodes can be further enhanced. In addition, electrical connection between adjacent electrodes in the transverse direction which should not be connected can be further prevented, and the insulation reliability can be further enhanced.

또한, 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정 및 상기 접속부를 형성하는 공정에 있어서, 가압을 행하지 않고, 상기 도전 재료에, 상기 제2 접속 대상 부재의 중량이 가해지면, 접속부가 형성되기 전에 전극이 형성되지 않은 영역(스페이스)에 배치되어 있던 땜납이 제1 전극과 제2 전극의 사이에 한층 더 모이기 쉬워져, 복수의 도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극(라인) 위에 한층 더 효율적으로 배치할 수 있다는 사실도 알아내었다. 본 발명에서는, 도전 필름이 아니라, 도전 페이스트를 사용한다는 구성과, 가압을 행하지 않고, 상기 도전 페이스트에는, 상기 제2 접속 대상 부재의 중량이 가해지도록 한다는 구성을 조합하여 채용하는 것에는, 본 발명의 효과를 한층 더 높은 레벨로 얻기 위해 큰 의미가 있다.In the step of disposing the second connection target member and the step of forming the connection portion, if the weight of the second connection target member is applied to the conductive material without applying pressure, The solder disposed in the region (space) where the first electrode and the second electrode are not formed is more likely to be gathered between the first electrode and the second electrode, so that the solder in the plurality of conductive particles is arranged more efficiently on the electrode I also found out that I could. In the present invention, a configuration in which a conductive paste is used instead of a conductive film and a configuration in which the weight of the second connection target member is added to the conductive paste without applying pressure is employed in combination, It is meaningful to get the effect of a higher level.

또한, WO 2008/023452 A1에서는, 땜납 분말을 전극 표면에 흘러가게 하여 효율적으로 이동시키는 관점에서는, 접착 시에 소정의 압력으로 가압하면 되는 것이 기재되어 있으며, 가압 압력은, 땜납의 영역을 더욱 확실하게 형성하는 관점에서는, 예를 들어 0MPa 이상, 바람직하게는 1MPa 이상으로 하는 것이 기재되어 있고, 또한 접착 테이프에 의도적으로 가하는 압력이 0MPa이어도, 접착 테이프 위에 배치된 부재의 자중에 의해, 접착 테이프에 소정의 압력이 가해져도 되는 것이 기재되어 있다. WO 2008/023452 A1에서는, 접착 테이프에 의도적으로 가하는 압력이 0MPa이어도 되는 것은 기재되어 있지만, 0MPa을 초과하는 압력을 부여한 경우와 0MPa로 한 경우의 효과의 차이에 대해서는, 전혀 기재되어 있지 않다. 또한, WO 2008/023452 A1에서는, 필름상이 아니라, 페이스트상의 도전 페이스트를 사용하는 것의 중요성에 대해서도 전혀 인식되어 있지 않다.Further, in WO 2008/023452 A1, it is described that the solder powder should be pressed at a predetermined pressure at the time of bonding in order to flow the solder powder efficiently on the electrode surface, For example, 0 MPa or more, preferably 1 MPa or more, and even if the pressure to be intentionally applied to the adhesive tape is 0 MPa, the self-weight of the member disposed on the adhesive tape causes It is described that a predetermined pressure may be applied. In WO 2008/023452 A1, it is described that the pressure to be intentionally applied to the adhesive tape may be 0 MPa, but there is no description about the difference in the effect when the pressure exceeding 0 MPa is applied and the case where the pressure is 0 MPa. Further, in WO 2008/023452 A1, the importance of using paste pastes instead of films is not recognized at all.

또한, 도전 필름이 아니라, 도전 페이스트를 사용하면, 도전 페이스트의 도포량에 의해, 접속부 및 땜납부의 두께를 조정하는 것이 용이해진다. 한편, 도전 필름에서는, 접속부의 두께를 변경하거나, 조정하거나 하기 위해서는, 다른 두께의 도전 필름을 준비하거나, 소정 두께의 도전 필름을 준비하거나 해야 한다는 문제가 있다. 또한, 도전 필름에서는, 도전 페이스트와 비교하여, 땜납의 용융 온도에서, 도전 필름의 용융 점도를 충분히 낮출 수 없어, 땜납의 응집이 저해되기 쉬운 경향이 있다.When a conductive paste is used instead of a conductive film, it is easy to adjust the thickness of the connecting portion and the solder portion by the amount of application of the conductive paste. On the other hand, in the case of the conductive film, in order to change or adjust the thickness of the connection portion, there is a problem that a conductive film having a different thickness or a conductive film having a predetermined thickness must be prepared. Further, in the conductive film, the melt viscosity of the conductive film can not be sufficiently lowered at the melting temperature of the solder, as compared with the conductive paste, so that the agglomeration of the solder tends to be inhibited.

이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명한다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 도전 재료를 사용하여 얻어지는 접속 구조체를 모식적으로 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a connection structure obtained by using a conductive material according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시한 접속 구조체(1)는, 제1 접속 대상 부재(2)와, 제2 접속 대상 부재(3)와, 제1 접속 대상 부재(2)와 제2 접속 대상 부재(3)를 접속하고 있는 접속부(4)를 구비한다. 접속부(4)는, 전술한 도전 재료에 의해 형성되어 있다. 본 실시 형태에서는, 도전 재료는 도전성 입자로서 땜납 입자를 포함한다.1 includes a first connection target member 2, a second connection target member 3, a first connection target member 2 and a second connection target member 3, And a connecting portion 4 connected thereto. The connecting portion 4 is formed of the above-described conductive material. In the present embodiment, the conductive material includes solder particles as conductive particles.

접속부(4)는, 복수의 땜납 입자가 모여 서로 접합된 땜납부(4A)와, 열경화성 성분이 열경화된 경화물부(4B)를 갖는다.The connecting portion 4 has a soldering portion 4A in which a plurality of solder particles are gathered and joined together and a cured portion 4B in which a thermosetting component is thermally cured.

제1 접속 대상 부재(2)는 표면(상면)에, 복수의 제1 전극(2a)을 갖는다. 제2 접속 대상 부재(3)는 표면(하면)에, 복수의 제2 전극(3a)을 갖는다. 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)이, 땜납부(4A)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 따라서, 제1 접속 대상 부재(2)와 제2 접속 대상 부재(3)가, 땜납부(4A)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 접속부(4)에 있어서, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)의 사이에 모인 땜납부(4A)와는 상이한 영역(경화물부(4B) 부분)에는, 땜납은 존재하지 않는다. 땜납부(4A)와는 상이한 영역(경화물부(4B) 부분)에서는, 땜납부(4A)와 이격된 땜납은 존재하지 않는다. 또한, 소량이라면, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)의 사이에 모인 땜납부(4A)와는 상이한 영역(경화물부(4B) 부분)에, 땜납이 존재하고 있어도 된다.The first connection target member 2 has a plurality of first electrodes 2a on its surface (upper surface). The second connection target member 3 has a plurality of second electrodes 3a on its surface (lower surface). The first electrode 2a and the second electrode 3a are electrically connected by the solder portion 4A. Therefore, the first connection target member 2 and the second connection target member 3 are electrically connected by the soldering portion 4A. There is no solder in the region (cured portion 4B) different from the soldering portion 4A gathered between the first electrode 2a and the second electrode 3a in the connecting portion 4 . There is no solder spaced apart from the soldering portion 4A in the region different from the soldering portion 4A (portion of the cured portion 4B). In the case of a small amount, solder may be present in a region (cured portion 4B) different from the soldering portion 4A gathered between the first electrode 2a and the second electrode 3a.

도 1에 도시한 바와 같이, 접속 구조체(1)에서는, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)의 사이에, 복수의 땜납 입자가 모이고, 복수의 땜납 입자가 용융된 후, 땜납 입자의 용융물이 전극의 표면에서 번진 후에 고화되어, 땜납부(4A)가 형성되어 있다. 이로 인해, 땜납부(4A)와 제1 전극(2a), 및 땜납부(4A)와 제2 전극(3a)의 접속 면적이 커진다. 즉, 땜납 입자를 사용함으로써, 도전부의 외표면 부분이 니켈, 금 또는 구리 등의 금속인 도전성 입자를 사용한 경우와 비교하여, 땜납부(4A)와 제1 전극(2a), 및 땜납부(4A)와 제2 전극(3a)의 접촉 면적이 커진다. 이로 인해, 접속 구조체(1)에 있어서의 도통 신뢰성 및 접속 신뢰성이 높아진다.As shown in Fig. 1, in the connection structure 1, a plurality of solder particles are collected between the first electrode 2a and the second electrode 3a, and a plurality of solder particles are melted, Melts on the surface of the electrode and then solidifies to form the soldering portion 4A. This increases the connection area between the solder portion 4A and the first electrode 2a and between the solder portion 4A and the second electrode 3a. That is, by using the solder particles, the solder portion 4A and the first electrode 2a, and the solder portion 4A (solder paste) are used as compared with the case where the outer surface portion of the conductive portion is made of metal such as nickel, gold, And the second electrode 3a is increased. As a result, conduction reliability and connection reliability in the connection structure 1 are enhanced.

또한, 도전 재료는 플럭스를 포함하고 있어도 된다. 플럭스를 사용한 경우에는, 가열에 의해, 일반적으로 플럭스는 점차 실활한다.In addition, the conductive material may include a flux. When flux is used, the flux generally gradually deactivates by heating.

또한, 도 1에 도시한 접속 구조체(1)에서는, 땜납부(4A)가 모두, 제1, 제2 전극(2a, 3a) 사이의 대향하고 있는 영역에 위치하고 있다. 도 3에 도시한 변형예의 접속 구조체(1X)는, 접속부(4X)만이, 도 1에 도시한 접속 구조체(1)와 상이하다. 접속부(4X)는, 땜납부(4XA)와 경화물부(4XB)를 갖는다. 접속 구조체(1X)와 같이, 땜납부(4XA)의 대부분이, 제1, 제2 전극(2a, 3a)의 대향하고 있는 영역에 위치하고 있으며, 땜납부(4XA)의 일부가 제1, 제2 전극(2a, 3a)의 대향하고 있는 영역으로부터 측방으로 비어져 나와 있어도 된다. 제1, 제2 전극(2a, 3a)의 대향하고 있는 영역으로부터 측방으로 비어져 나와 있는 땜납부(4XA)는, 땜납부(4XA)의 일부이며, 땜납부(4XA)로부터 이격된 땜납이 아니다. 또한, 본 실시 형태에서는, 땜납부로부터 이격된 땜납의 양을 적게 할 수 있는데, 땜납부로부터 이격된 땜납이 경화물부 중에 존재하고 있어도 된다.In the connection structure 1 shown in Fig. 1, all of the soldering portions 4A are located in areas facing each other between the first and second electrodes 2a, 3a. In the connection structure 1X of the modification shown in Fig. 3, only the connection portion 4X is different from the connection structure 1 shown in Fig. The connecting portion 4X has a soldering portion 4XA and a cured portion 4XB. Most of the soldering portion 4XA is located in the region where the first and second electrodes 2a and 3a face each other and the soldering portion 4XA is part of the first and second electrodes 2a and 3a, But may be sideways from the opposed regions of the electrodes 2a and 3a. The soldering portion 4XA that is sideways away from the opposing region of the first and second electrodes 2a and 3a is part of the soldering portion 4XA and is not solder spaced apart from the soldering portion 4XA . Further, in the present embodiment, the amount of solder spaced from the solder portion can be reduced, but solder spaced from the solder portion may be present in the hardened portion.

땜납 입자의 사용량을 적게 하면, 접속 구조체(1)를 얻는 것이 용이해진다. 땜납 입자의 사용량을 많게 하면, 접속 구조체(1X)를 얻는 것이 용이해진다.When the usage amount of the solder particles is reduced, it is easy to obtain the connection structure 1. If the amount of solder particles used is increased, it is easy to obtain the connection structure 1X.

도통 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 제1 전극과 상기 접속부와 상기 제2 전극과의 적층 방향으로 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 서로 대향하는 부분을 보았을 때, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 서로 대향하는 부분의 면적 100% 중의 50% 이상(바람직하게는 60% 이상, 보다 바람직하게는 70% 이상, 더욱 바람직하게는 80% 이상, 특히 바람직하게는 90% 이상)에, 상기 접속부 중의 땜납부가 배치되어 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the first electrode and the second electrode are arranged such that when the first electrode and the second electrode are opposed to each other in the stacking direction of the first electrode and the connection portion and the second electrode, (Preferably 60% or more, more preferably 70% or more, more preferably 80% or more, particularly preferably 90% or more) of 100% of the areas of mutually opposing portions of the second electrode, It is preferable that a solder portion in the connecting portion is disposed.

다음으로, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 도전 재료를 사용하여, 접속 구조체(1)를 제조하는 방법의 일례를 설명한다.Next, an example of a method of manufacturing the connection structure 1 using the conductive material according to one embodiment of the present invention will be described.

우선, 제1 전극(2a)을 표면(상면)에 갖는 제1 접속 대상 부재(2)를 준비한다. 이어서, 도 2의 (a)에 도시한 바와 같이, 제1 접속 대상 부재(2)의 표면 위에, 열경화성 성분(11B)과, 복수의 땜납 입자(11A)를 포함하는 도전 재료(11)를 배치한다(제1 공정). 사용한 도전 재료(11)는, 열경화성 성분(11B)으로서, 열경화성 화합물과 산 무수물 열경화제를 포함한다.First, a first connection target member 2 having a first electrode 2a on its surface (upper surface) is prepared. Next, as shown in Fig. 2A, a thermosetting component 11B and a conductive material 11 including a plurality of solder particles 11A are placed on the surface of the first connection target member 2 (First step). The conductive material 11 used includes a thermosetting compound and an acid anhydride thermosetting agent as the thermosetting component 11B.

제1 접속 대상 부재(2)의 제1 전극(2a)이 설치된 표면 위에, 도전 재료(11)를 배치한다. 도전 재료(11)의 배치 후에, 땜납 입자(11A)는, 제1 전극(2a)(라인) 위와, 제1 전극(2a)이 형성되지 않은 영역(스페이스) 위의 양쪽에 배치되어 있다.The conductive material 11 is disposed on the surface of the first connection target member 2 on which the first electrode 2a is provided. After the conductive material 11 is disposed, the solder particles 11A are disposed on both the first electrode 2a (line) and on the region (space) where the first electrode 2a is not formed.

도전 재료(11)의 배치 방법으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 디스펜서에 의한 도포, 스크린 인쇄 및 잉크젯 장치에 의한 토출 등을 들 수 있다.The method for disposing the conductive material 11 is not particularly limited, and examples thereof include coating with a dispenser, screen printing, and ejection with an inkjet apparatus.

또한, 제2 전극(3a)을 표면(하면)에 갖는 제2 접속 대상 부재(3)를 준비한다. 이어서, 도 2의 (b)에 도시한 바와 같이, 제1 접속 대상 부재(2)의 표면 위의 도전 재료(11)에 있어서, 도전 재료(11)의 제1 접속 대상 부재(2)측과는 반대측의 표면 위에, 제2 접속 대상 부재(3)를 배치한다(제2 공정). 도전 재료(11)의 표면 위에, 제2 전극(3a)측으로부터, 제2 접속 대상 부재(3)를 배치한다. 이때, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)을 대향시킨다.Furthermore, a second connection target member 3 having a second electrode 3a on its surface (lower surface) is prepared. Next, as shown in Fig. 2 (b), the conductive material 11 on the surface of the first connection target member 2 is bonded to the side of the first connection target member 2 of the conductive material 11 The second connection target member 3 is disposed on the surface on the opposite side (second step). The second connection target member 3 is disposed on the surface of the conductive material 11 from the second electrode 3a side. At this time, the first electrode 2a and the second electrode 3a are opposed to each other.

다음으로, 땜납 입자(11A)의 융점 이상으로 도전 재료(11)를 가열한다(제3 공정). 바람직하게는, 열경화성 성분(11B)(결합제)의 경화 온도 이상으로 도전 재료(11)를 가열한다. 이 가열 시에는, 전극이 형성되지 않은 영역에 존재하고 있던 땜납 입자(11A)는, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)의 사이에 모인다(자기 응집 효과). 도전 필름이 아니라, 도전 페이스트를 사용한 경우에는, 땜납 입자(11A)가, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)의 사이에 효과적으로 모인다. 또한, 땜납 입자(11A)는 용융되어, 서로 접합된다. 또한, 열경화성 성분(11B)은 열경화된다. 이 결과, 도 2의 (c)에 도시한 바와 같이, 제1 접속 대상 부재(2)와 제2 접속 대상 부재(3)를 접속하고 있는 접속부(4)를, 도전 재료(11)에 의해 형성한다. 도전 재료(11)에 의해 접속부(4)가 형성되고, 복수의 땜납 입자(11A)가 접합됨으로써 땜납부(4A)가 형성되고, 열경화성 성분(11B)이 열경화됨으로써 경화물부(4B)가 형성된다.Next, the conductive material 11 is heated to a temperature equal to or higher than the melting point of the solder particles 11A (third step). Preferably, the conductive material 11 is heated above the curing temperature of the thermosetting component 11B (binder). During this heating, the solder particles 11A existing in the regions where the electrodes are not formed are gathered between the first electrodes 2a and the second electrodes 3a (magnetic cohesion effect). When conductive paste is used instead of a conductive film, solder particles 11A effectively gather between the first electrode 2a and the second electrode 3a. Further, the solder particles 11A are melted and bonded to each other. Further, the thermosetting component 11B is thermally cured. As a result, as shown in Fig. 2 (c), the connecting portion 4 connecting the first connection target member 2 and the second connection target member 3 is formed by the conductive material 11 do. The connecting portion 4 is formed by the conductive material 11 and the solder portion 4A is formed by bonding a plurality of solder particles 11A to thermally cure the thermosetting component 11B, .

본 실시 형태에서는, 상기 제2 공정 및 상기 제3 공정에 있어서, 가압을 행하지 않는 편이 바람직하다. 이 경우에는, 도전 재료(11)에는, 제2 접속 대상 부재(3)의 중량이 가해진다. 이로 인해, 접속부(4)의 형성 시에, 땜납 입자(11A)와, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)의 사이에 효과적으로 모인다. 또한, 상기 제2 공정 및 상기 제3 공정 중 적어도 한쪽에 있어서, 가압을 행하면, 땜납 입자가 제1 전극과 제2 전극의 사이에 모이려고 하는 작용이 저해되는 경향이 높아진다.In the present embodiment, it is preferable that no pressure is applied in the second step and the third step. In this case, the weight of the second connection target member 3 is applied to the conductive material 11. As a result, at the time of forming the connecting portion 4, the solder particles 11A effectively gather between the first electrode 2a and the second electrode 3a. In addition, when the pressing is performed in at least one of the second step and the third step, the tendency that the action of the solder particles to gather between the first electrode and the second electrode is hindered.

또한, 본 실시 형태에서는, 가압을 행하지 않기 때문에, 도전 재료를 도포한 제1 접속 대상 부재에, 제2 접속 대상 부재를 중첩시킬 때, 제1 접속 대상 부재의 전극과 제2 접속 대상 부재의 전극의 얼라인먼트가 어긋난 상태에서, 제1 접속 대상 부재와 제2 접속 대상 부재가 중첩된 경우에도, 그 어긋남을 보정하여, 제1 접속 대상 부재의 전극과 제2 접속 대상 부재의 전극을 접속시킬 수 있다(셀프 얼라인먼트 효과). 이것은, 제1 접속 대상 부재의 전극과 제2 접속 대상 부재의 전극의 사이에 자기 응집된 용융된 땜납이, 제1 접속 대상 부재의 전극과 제2 접속 대상 부재의 전극 사이의 땜납과 도전 재료의 기타 성분이 접하는 면적이 최소가 되는 쪽이 에너지적으로 안정해지므로, 그 최소 면적이 되는 접속 구조인 얼라인먼트였던 접속 구조로 하는 힘이 작용하기 때문이다. 이때, 도전 재료가 경화되지 않은 것, 및 그 온도, 시간에서, 도전 재료의 도전성 입자 이외의 성분의 점도가 충분히 낮은 것이 바람직하다.In addition, in the present embodiment, since the pressing is not performed, when the second connection target member is overlapped with the first connection target member coated with the conductive material, the electrode of the first connection target member and the electrode The electrode of the first connection target member and the electrode of the second connection target member can be connected by correcting the shift even when the first connection target member and the second connection target member overlap each other (Self-alignment effect). This is because the molten solder magnetically agglomerated between the electrode of the first connection target member and the electrode of the second connection target member is made of solder between the electrode of the first connection target member and the electrode of the second connection target member, This is because the minimum contact area of the other components is energetically stable, so that a connecting structure that is the minimum connection area structure is formed. At this time, it is preferable that the conductive material is not cured, and the viscosity of the components other than the conductive particles of the conductive material is sufficiently low at the temperature and time.

이와 같이 하여, 도 1에 도시한 접속 구조체(1)가 얻어진다. 또한, 상기 제2 공정과 상기 제3 공정은 연속해서 행해져도 된다. 또한, 상기 제2 공정을 행한 후에, 얻어지는 제1 접속 대상 부재(2)와 도전 재료(11)와 제2 접속 대상 부재(3)의 적층체를, 가열부로 이동시켜, 상기 제3 공정을 행해도 된다. 상기 가열을 행하기 위해서, 가열 부재 위에 상기 적층체를 배치해도 되고, 가열된 공간 내에 상기 적층체를 배치해도 된다.In this manner, the connection structure 1 shown in Fig. 1 is obtained. Further, the second step and the third step may be performed continuously. After the second step is performed, the resulting laminate of the first connection target member 2, the conductive material 11, and the second connection target member 3 is moved to the heating portion, and the third step is performed . In order to perform the heating, the laminate may be disposed on the heating member, or the laminate may be disposed in the heated space.

상기 제3 공정에서의 상기 가열 온도는, 바람직하게는 140℃ 이상, 보다 바람직하게는 160℃ 이상이고, 바람직하게는 450℃ 이하, 보다 바람직하게는 250℃ 이하, 더욱 바람직하게는 200℃ 이하이다.The heating temperature in the third step is preferably 140 ° C or higher, more preferably 160 ° C or higher, preferably 450 ° C or lower, more preferably 250 ° C or lower, still more preferably 200 ° C or lower .

상기 제3 공정에서의 가열 방법으로서는, 땜납의 융점 이상 및 열경화성 성분의 경화 온도 이상으로, 접속 구조체 전체를, 리플로우로를 사용하여 또는 오븐을 사용하여 가열하는 방법이나, 접속 구조체의 접속부만을 국소적으로 가열하는 방법을 들 수 있다.As the heating method in the third step, the entire connection structure may be heated by using a reflow furnace or an oven at a temperature equal to or higher than the melting point of the solder and the curing temperature of the thermosetting component, And then heating the mixture.

상기 제1, 제2 접속 대상 부재는, 특별히 한정되지 않는다. 상기 제1, 제2 접속 대상 부재로서는, 구체적으로는, 반도체 칩, 반도체 패키지, LED 칩, LED 패키지, 콘덴서 및 다이오드 등의 전자 부품, 및 수지 필름, 프린트 기판, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블, 리지드 플렉시블 기판, 유리 에폭시 기판 및 유리 기판 등의 회로 기판 등의 전자 부품 등을 들 수 있다. 상기 제1, 제2 접속 대상 부재는, 전자 부품인 것이 바람직하다.The first and second connection target members are not particularly limited. Specific examples of the first and second connection target members include semiconductor chips, semiconductor packages, LED chips, LED packages, electronic components such as capacitors and diodes, resin films, printed boards, flexible printed boards, flexible flat cables, An electronic component such as a rigid flexible substrate, a glass epoxy substrate, and a circuit substrate such as a glass substrate. It is preferable that the first and second connection target members are electronic parts.

상기 제1 접속 대상 부재 및 상기 제2 접속 대상 부재 중 적어도 한쪽이, 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판인 것이 바람직하다. 상기 제2 접속 대상 부재가, 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판인 것이 바람직하다. 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 및 리지드 플렉시블 기판은, 유연성이 높고, 비교적 경량이라는 성질을 갖는다. 이러한 접속 대상 부재의 접속에 도전 필름을 사용한 경우에는, 땜납이 전극 위에 모이기 어려운 경향이 있다. 이에 반하여, 도전 페이스트를 사용함으로써 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판을 사용했다고 해도, 땜납을 전극 위에 효율적으로 모음으로써, 전극 사이의 도통 신뢰성을 충분히 높일 수 있다. 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판을 사용하는 경우에, 반도체 칩 등의 다른 접속 대상 부재를 사용한 경우에 비하여, 가압을 행하지 않음으로써 전극 사이의 도통 신뢰성의 향상 효과가 한층 더 효과적으로 얻어진다.It is preferable that at least one of the first connection target member and the second connection target member is a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible substrate. It is preferable that the second connection target member is a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible substrate. The resin film, the flexible printed circuit board, the flexible flat cable, and the rigid flexible substrate have high flexibility and relatively light weight properties. When the conductive film is used for connecting the connection target member, the solder tends to be difficult to collect on the electrode. On the other hand, even if a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible substrate is used by using the conductive paste, the reliability of conduction between the electrodes can be sufficiently improved by collecting the solder efficiently on the electrode. In the case of using a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable or a rigid flexible substrate, the effect of improving the conduction reliability between the electrodes is further improved by not performing the pressing compared with the case of using other members to be connected such as a semiconductor chip .

상기 접속 대상 부재의 형태에는 주변이나 에어리어 어레이(area array) 등이 존재한다. 각 부재의 특징으로서, 주변 기판에서는, 전극이 기판의 외주부에만 존재한다. 에어리어 어레이 기판에서는, 면 내에 전극이 존재한다.The shape of the member to be connected includes a periphery, an area array, and the like. As a feature of each member, in the peripheral substrate, the electrode exists only on the outer peripheral portion of the substrate. In the area array substrate, electrodes are present on the surface.

상기 접속 대상 부재에 설치되어 있는 전극으로서는, 금 전극, 니켈 전극, 주석 전극, 알루미늄 전극, 구리 전극, 몰리브덴 전극, 은 전극, SUS 전극 및 텅스텐 전극 등의 금속 전극을 들 수 있다. 상기 접속 대상 부재가 플렉시블 프린트 기판인 경우에는, 상기 전극은 금 전극, 니켈 전극, 주석 전극, 은 전극 또는 구리 전극인 것이 바람직하다. 상기 접속 대상 부재가 유리 기판인 경우에는, 상기 전극은 알루미늄 전극, 구리 전극, 몰리브덴 전극, 은 전극 또는 텅스텐 전극인 것이 바람직하다. 또한, 상기 전극이 알루미늄 전극인 경우에는, 알루미늄만으로 형성된 전극이어도 되고, 금속 산화물층의 표면에 알루미늄층이 적층된 전극이어도 된다. 상기 금속 산화물층의 재료로서는, 3가의 금속 원소가 도프된 산화인듐 및 3가의 금속 원소가 도프된 산화아연 등을 들 수 있다. 상기 3가의 금속 원소로서는, Sn, Al 및 Ga 등을 들 수 있다.Examples of the electrode provided on the member to be connected include metal electrodes such as gold electrodes, nickel electrodes, tin electrodes, aluminum electrodes, copper electrodes, molybdenum electrodes, silver electrodes, SUS electrodes and tungsten electrodes. When the connection target member is a flexible printed circuit board, the electrode is preferably a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, a silver electrode, or a copper electrode. When the connection target member is a glass substrate, it is preferable that the electrode is an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, a silver electrode, or a tungsten electrode. When the electrode is an aluminum electrode, it may be an electrode formed only of aluminum, or an electrode in which an aluminum layer is laminated on the surface of the metal oxide layer. Examples of the material of the metal oxide layer include indium oxide doped with a trivalent metal element and zinc oxide doped with a trivalent metal element. Examples of the trivalent metal element include Sn, Al, and Ga.

이하, 실시예 및 비교예를 들어, 본 발명을 구체적으로 설명한다. 본 발명은, 이하의 실시예만으로 한정되지 않는다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples and comparative examples. The present invention is not limited to the following embodiments.

열경화성 화합물 1: 미츠비시 가가쿠사 제조 「YL980」, 비스페놀 A형 에폭시 수지Thermosetting compound 1: "YL980" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, bisphenol A type epoxy resin

열경화성 화합물 2: DIC사 제조 「HP-7200HH」, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지Thermosetting compound 2: " HP-7200HH " manufactured by DIC Corporation, dicyclopentadiene type epoxy resin

열경화성 화합물 3: 닛산 가가쿠 고교사 제조 「TEPIC-HP」, 트리아진형 에폭시 수지Thermosetting compound 3: "TEPIC-HP" manufactured by Nissan Kagakugo Co., Ltd., triazine type epoxy resin

열경화제 1: 환상 산 무수물 열경화제, 25℃에서 액상, 미츠비시 가가쿠사 「YH306」Thermal curing agent 1: cyclic acid anhydride thermosetting agent, liquid at 25 占 폚, Mitsubishi Kagakusha "YH306"

열경화제 2: 환상 산 무수물 열경화제 이외의 산 무수물 열경화제, 테트라 프로페닐 무수 숙신산, 25℃에서 액상, 신니혼리카사 제조 「DDSA」Thermal curing agent 2: acid anhydride thermosetting agent other than cyclic acid anhydride thermosetting agent, tetrapropenylsuccinic anhydride, liquid at 25 占 폚, "DDSA" manufactured by Shinnihon Rika Co.,

열경화제 3: 산 무수물 열경화제, 25℃에서 고형, 와코 준야쿠사 제조 「피로멜리트산 무수물」Thermal curing agent 3: acid anhydride thermosetting agent, solid at 25 占 폚, "pyromellitic anhydride" manufactured by Wako Pure Chemical Industries,

열경화제 4: 아민 경화제, 미츠비시 가가쿠사 제조 「DICY」Thermal curing agent 4: amine curing agent, "DICY" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation

플럭스 1: 글루타르산Flux 1: Glutaric acid

경화 촉진제 1: T&K TOKA사 제조 「후지큐어 7000」Curing accelerator 1: "Fuji Cure 7000" manufactured by T & K TOKA

경화 촉진제 2: 닛폰 가가쿠사 제조 「PX-4MP」 유기 인 경화 촉진제Curing accelerator 2: "PX-4MP" manufactured by Nippon Kagaku Co., Ltd. Organic phosphorus hardening accelerator

경화 촉진제 3: 닛폰 가가쿠사 제조 「PX-4FB」 유기 인 경화 촉진제Curing accelerator 3: " PX-4FB " manufactured by Nippon Kagaku KK Organic phosphorus hardening accelerator

경화 촉진제 4: 닛폰 가가쿠사 제조 「PX-4B」 유기 인 경화 촉진제Curing accelerator 4: " PX-4B " manufactured by Nippon Kagaku KK Organic phosphorus hardening accelerator

땜납 입자 1:Solder Particle 1:

땜납 입자 1의 제작 방법:Manufacturing Method of Solder Particle 1:

SnBi 땜납 입자(미츠이 긴조쿠사 제조 「ST-5」, 평균 입자 직경(메디안 직경) 5㎛)과, 글루타르산(2개의 카르복실기를 갖는 화합물, 와코 준야쿠 고교사 제조 「글루타르산」)을, 촉매인 p-톨루엔술폰산을 사용하여, 톨루엔 용매 중 90℃에서 탈수하면서 8시간 교반함으로써, 땜납의 표면에 카르복실기를 포함하는 기가 공유 결합하고 있는 땜납 입자 1을 얻었다.SnBi solder particles ("ST-5" manufactured by Mitsui Kinzoku KK, average particle diameter (median diameter) 5 μm) and glutaric acid (a compound having two carboxyl groups, "Glutaric acid" manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) Toluenesulfonic acid as a catalyst was stirred in a toluene solvent at 90 DEG C for dehydration for 8 hours to obtain a solder particle 1 in which a group containing a carboxyl group was covalently bonded to the surface of the solder.

얻어진 땜납 입자 1에서는, CV값 20%, 표면을 구성하고 있는 중합체의 분자량 Mw=2000이었다.In the obtained solder particle 1, the CV value was 20%, and the molecular weight Mw of the polymer constituting the surface was 2000. [

(실시예 1 내지 12 및 비교예 1 내지 3)(Examples 1 to 12 and Comparative Examples 1 to 3)

(1) 이방성 도전 페이스트의 제작(1) Fabrication of anisotropic conductive paste

하기의 표 1, 2에 나타내는 성분을 하기의 표 1, 2에 나타내는 배합량으로 배합하여, 이방성 도전 페이스트를 얻었다.The components shown in the following Tables 1 and 2 were compounded in amounts shown in Tables 1 and 2 below to obtain an anisotropic conductive paste.

(2) 접속 구조체(L/S=50㎛/50㎛)의 제작(2) Fabrication of connection structure (L / S = 50 탆 / 50 탆)

L/S가 50㎛/50㎛, 전극 길이 3㎜의 구리 전극 패턴(구리 전극의 두께 12㎛)을 상면에 갖는 유리 에폭시 기판(FR-4 기판, 두께 0.6㎜)(제1 접속 대상 부재)을 준비하였다. 또한, L/S가 50㎛/50㎛, 전극 길이 3㎜의 구리 전극 패턴(구리 전극의 두께 12㎛)을 하면에 갖는 플렉시블 프린트 기판(폴리이미드에 의해 형성되어 있는, 제2 접속 대상 부재, 두께 0.1㎜)을 준비하였다.A glass epoxy substrate (FR-4 substrate, thickness 0.6 mm) (first connection target member) having a copper electrode pattern (copper electrode thickness of 12 占 퐉) having an L / S of 50 占 퐉 / Were prepared. Further, a flexible printed circuit board having a copper electrode pattern (copper electrode having a thickness of 12 占 퐉) having an L / S of 50 占 퐉 / 50 占 퐉 and an electrode length of 3 mm on a lower surface (a second connection target member formed by polyimide, Thickness: 0.1 mm) was prepared.

유리 에폭시 기판과 플렉시블 프린트 기판의 중첩 면적은, 1.5cm×3㎜로 하고, 접속한 전극 수는 75쌍으로 하였다.The overlapping area of the glass epoxy substrate and the flexible printed substrate was 1.5 cm x 3 mm and the number of connected electrodes was 75 pairs.

상기 유리 에폭시 기판의 상면에, 제작 직후의 이방성 도전 페이스트를, 유리 에폭시 기판의 전극 위에서 두께 100㎛가 되도록 도공하여, 이방성 도전 페이스트층을 형성하였다. 이어서, 이방성 도전 페이스트층의 상면에 상기 플렉시블 프린트 기판을, 전극끼리 대향하도록 적층하였다. 이때, 가압을 행하지 않았다. 이방성 도전 페이스트층에는, 상기 플렉시블 프린트 기판의 중량은 가해진다.An anisotropic conductive paste immediately after the preparation was coated on the upper surface of the glass epoxy substrate so as to have a thickness of 100 mu m on the electrode of the glass epoxy substrate to form an anisotropic conductive paste layer. Subsequently, the flexible printed circuit board was laminated on the upper surface of the anisotropic conductive paste layer such that the electrodes were opposed to each other. At this time, no pressure was applied. The weight of the flexible printed circuit board is applied to the anisotropic conductive paste layer.

그 후, 이방성 도전 페이스트층의 온도가, 승온 개시로부터 5초 후에 139℃(땜납의 융점)가 되도록 가열하였다. 또한, 승온 개시로부터 15초 후에, 이방성 도전 페이스트층의 온도가 160℃가 되도록 가열하여, 이방성 도전 페이스트를 경화시켜, 접속 구조체를 얻었다.Thereafter, the temperature of the anisotropic conductive paste layer was heated to 139 占 폚 (melting point of solder) after 5 seconds from the start of raising the temperature. Further, after 15 seconds from the start of the temperature rise, the anisotropic conductive paste layer was heated so that the temperature of the anisotropic conductive paste layer became 160 占 폚 to cure the anisotropic conductive paste to obtain a connection structure.

(평가)(evaluation)

(1) 점도(1) Viscosity

이방성 도전 페이스트의 50℃에서 점도(η50) 및 100℃에서의 점도(η100)를, 스트레스테크(STRESSTECH)(에올로지카(EOLOGICA)사 제조)를 사용하여, 변형 제어 1rad, 주파수 1㎐, 승온 속도 20℃/분, 측정 온도 범위 40 내지 200℃의 조건에서 측정하였다.The viscosity (? 50) of the anisotropic conductive paste at 50 占 폚 and the viscosity (? 100) at 100 占 폚 were measured with a strain control (manufactured by EOLOGICA) A rate of 20 占 폚 / min, and a measurement temperature range of 40 to 200 占 폚.

(2) 열 열화 특성(2) Thermal degradation characteristics

이방성 도전 페이스트를 170℃에서 0.5시간 열경화시켜 제1 경화물을 얻었다. 얻어진 제1 경화물을 130℃ 및 습도 85%에서 100시간 방치하여 제2 경화물을 얻었다. 점탄성 장치를 사용하여, 상기 제1 경화물의 유리 전이 온도(Tg1)와, 상기 제2 경화물의 유리 전이 온도(Tg2)를 평가하였다. Tg1과 Tg2와의 차의 절댓값을 구하였다.The anisotropic conductive paste was thermally cured at 170 DEG C for 0.5 hour to obtain a first cured product. The obtained first cured product was allowed to stand at 130 캜 and 85% humidity for 100 hours to obtain a second cured product. The glass transition temperature (Tg1) of the first cured product and the glass transition temperature (Tg2) of the second cured product were evaluated using a viscoelastic device. The absolute value of the difference between Tg1 and Tg2 was obtained.

(3) 전극 위의 땜납의 배치 정밀도 1(3) Arrangement accuracy of solder on electrode 1

얻어진 접속 구조체에 있어서, 제1 전극과 접속부와 제2 전극과의 적층 방향으로 제1 전극과 제2 전극의 서로 대향하는 부분을 보았을 때, 제1 전극과 제2 전극의 서로 대향하는 부분의 면적 100% 중의, 접속부 중의 땜납부가 배치되어 있는 면적의 비율 X를 평가하였다. 전극 위의 땜납의 배치 정밀도 1을 하기의 기준으로 판정하였다.In the obtained connecting structure, when the mutually facing portions of the first electrode and the second electrode in the stacking direction of the first electrode, the connecting portion, and the second electrode are observed, the area of the portions facing each other between the first electrode and the second electrode The ratio X of the area where the solder portion is arranged in the connection portion in 100% was evaluated. The placement accuracy 1 of the solder on the electrode was determined based on the following criteria.

[전극 위의 땜납의 배치 정밀도 1의 판정 기준][Criteria for Arrangement Accuracy 1 of Solder on Electrode]

○○○: 비율 X가 80% 이상XX: The ratio X is 80% or more

○○: 비율 X가 70% 이상, 80% 미만○○: ratio X is 70% or more and less than 80%

○: 비율 X가 60% 이상, 70% 미만○: the ratio X is 60% or more and less than 70%

△: 비율 X가 50% 이상, 60% 미만DELTA: ratio X is 50% or more and less than 60%

×: 비율 X가 50% 미만X: ratio X is less than 50%

(4) 전극 위의 땜납의 배치 정밀도 2(4) Arrangement accuracy of solder on electrode 2

얻어진 접속 구조체에 있어서, 제1 전극과 접속부와 제2 전극과의 적층 방향과 직교하는 방향으로 제1 전극과 제2 전극의 서로 대향하는 부분을 보았을 때에, 접속부 중의 땜납부 100% 중, 제1 전극과 제2 전극의 서로 대향하는 부분에 배치되어 있는 접속부 중의 땜납부의 비율 Y를 평가하였다. 전극 위의 땜납의 배치 정밀도 2를 하기의 기준으로 판정하였다.In the obtained connecting structure, when the portions of the first electrode and the second electrode facing each other in the direction perpendicular to the stacking direction of the first electrode, the connecting portion and the second electrode are observed, The ratio Y of the solder portion in the connection portion disposed in the mutually opposing portion between the electrode and the second electrode was evaluated. The placement accuracy 2 of the solder on the electrode was determined based on the following criteria.

[전극 위의 땜납의 배치 정밀도 2의 판정 기준][Criteria for Arrangement Accuracy 2 of Solder on Electrode]

○○: 비율 Y가 99% 이상○○: 99% or more of ratio Y

○: 비율 Y가 90% 이상, 99% 미만○: The ratio Y is 90% or more and less than 99%

△: 비율 Y가 70% 이상, 90% 미만?: The ratio Y is 70% or more and less than 90%

×: 비율 Y가 70% 미만X: ratio Y is less than 70%

(5) 마이그레이션(5) Migration

얻어진 접속 구조체를 110℃, 습도 85%에서 100시간 방치한 후, 상하의 전극 사이의 절연 저항을 각각, 4단자법에 의해 측정하였다. 절연 저항의 평균값을 산출하였다. 또한, 전압=전류×저항의 관계로부터, 일정한 전류를 흘렸을 때의 전압을 측정함으로써 절연 저항을 구할 수 있다. 마이그레이션을 하기의 기준으로 판정하였다.After the obtained connecting structure was left for 100 hours at 110 DEG C and a humidity of 85%, the insulation resistance between the upper and lower electrodes was measured by the four-terminal method. And an average value of the insulation resistance was calculated. From the relationship of voltage = current x resistance, the insulation resistance can be obtained by measuring the voltage when a constant current is passed. Migration was judged based on the following criteria.

[마이그레이션의 판정 기준][Criteria for Migration]

○○: 방치 후에, 절연 저항의 평균값이 10×1014Ω 이상○○: After leaving, the average value of insulation resistance is 10 × 10 14 Ω or more

○: 방치 후에, 절연 저항의 평균값이 10×1012Ω 이상, 10×1014Ω 미만○: After leaving, the average value of insulation resistance is 10 × 10 12 Ω or more, less than 10 × 10 14 Ω

△: 방치 후에, 절연 저항의 평균값이 10×1010Ω 이상, 10×1012Ω 미만?: After leaving, the average value of insulation resistance was 10 10 10 ? Or more and less than 10 10 12 ?

×: 방치 후에, 절연 저항의 평균값이 10×1010 미만이며, 도통이라 간주됨×: After leaving, the average value of insulation resistance is less than 10 × 10 10 , and is regarded as continuity

결과를 하기의 표 1, 2에 나타낸다.The results are shown in Tables 1 and 2 below.

Figure pct00007
Figure pct00007

Figure pct00008
Figure pct00008

또한, 상기 (3)의 평가 항목에 대하여, 실시예 10, 11의 배치 정밀도 1의 비율 X는, 실시예 9의 배치 정밀도 1의 비율 X보다도 높았다. 상기 (3)의 평가 항목에 대해서, 실시예 12의 배치 정밀도 1의 비율 X는, 실시예 1 내지 5의 배치 정밀도 1의 비율 X보다도 높았다. 상기 (5)의 평가 항목에 대하여, 실시예 9 내지 11의 방치 후의 절연 저항의 평균값은, 실시예 12의 절연 저항 평균값보다도 높았다.With respect to the evaluation item (3), the ratio X of the batch precision 1 of Examples 10 and 11 was higher than the ratio X of the batch precision 1 of Example 9. Regarding the evaluation item (3), the ratio X of the batch precision 1 of Example 12 was higher than the ratio X of the batch precision 1 of Examples 1 to 5. With respect to the evaluation item (5), the average value of the insulation resistance after being left in Examples 9 to 11 was higher than the insulation resistance average value in Example 12.

플렉시블 프린트 기판을 대신하여, 수지 필름, 플렉시블 플랫 케이블 및 리지드 플렉시블 기판을 사용한 경우에도, 마찬가지의 경향이 보였다.The same tendency was seen in the case of using a resin film, a flexible flat cable and a rigid flexible substrate instead of the flexible printed substrate.

1, 1X: 접속 구조체
2: 제1 접속 대상 부재
2a: 제1 전극
3: 제2 접속 대상 부재
3a: 제2 전극
4, 4X: 접속부
4A, 4XA: 땜납부
4B, 4XB: 경화물부
11: 도전 재료
11A: 땜납 입자(도전성 입자)
11B: 열경화성 성분
21: 도전성 입자(땜납 입자)
31: 도전성 입자
32: 기재 입자
33: 도전부(땜납을 갖는 도전부)
33A: 제2 도전부
33B: 땜납부
41: 도전성 입자
42: 땜납부
1, 1X: connection structure
2: first connection object member
2a: first electrode
3: second connection object member
3a: second electrode
4, 4X: connection
4A, 4XA: soldering portion
4B and 4XB:
11: Conductive material
11A: Solder particles (conductive particles)
11B: Thermosetting component
21: Conductive particles (solder particles)
31: conductive particles
32: Base particles
33: conductive part (conductive part having solder)
33A: second conductive part
33B: soldering portion
41: conductive particles
42: soldering portion

Claims (15)

도전부의 외표면 부분에, 땜납을 갖는 복수의 도전성 입자와,
열경화성 화합물과,
산 무수물 열경화제를 포함하고,
50℃에서의 점도가 10Pa·s 이상, 200Pa·s 이하인, 도전 재료.
A plurality of conductive particles having solder on the outer surface portion of the conductive portion,
Thermosetting compounds,
An acid anhydride thermosetting agent,
And a viscosity at 50 占 폚 of 10 Pa · s or more and 200 Pa · s or less.
제1항에 있어서, 도전 재료 100중량% 중, 상기 도전성 입자의 함유량이 1중량% 이상, 80중량% 이하이며,
이방성 도전 재료인, 도전 재료.
The conductive particle according to claim 1, wherein the content of the conductive particles in the conductive material is from 1% by weight to 80% by weight,
The conductive material is an anisotropic conductive material.
제1항 또는 제2항에 있어서, 50℃에서의 점도의 100℃에서의 점도에 대한 비가 10 이상, 400 이하인, 도전 재료.3. The conductive material according to claim 1 or 2, wherein the ratio of the viscosity at 50 DEG C to the viscosity at 100 DEG C is 10 or more and 400 or less. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도전성 입자는 땜납 입자인, 도전 재료.The conductive material according to any one of claims 1 to 3, wherein the conductive particles are solder particles. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 유기 인 화합물을 포함하는, 도전 재료.5. The conductive material according to any one of claims 1 to 4, comprising an organic phosphorus compound. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 산 무수물 열경화제가 25℃에서 액상인, 도전 재료.The conductive material according to any one of claims 1 to 5, wherein the acid anhydride thermosetting agent is liquid at 25 占 폚. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 산 무수물 열경화제는 환상 산 무수물 열경화제인, 도전 재료.The conductive material according to any one of claims 1 to 6, wherein the acid anhydride thermosetting agent is a cyclic acid anhydride thermosetting agent. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 170℃에서 0.5시간 열경화시켜서 제1 경화물을 얻었을 때, 또한 얻어진 제1 경화물을 130℃ 및 습도 85%에서 100시간 방치해서 제2 경화물을 얻었을 때,
상기 제1 경화물의 유리 전이 온도와, 상기 제2 경화물의 유리 전이 온도와의 차의 절댓값이 20℃ 이하인, 도전 재료.
The method according to any one of claims 1 to 7, wherein when the first cured product is obtained by thermosetting at 170 캜 for 0.5 hour, the first obtained cured product is allowed to stand at 130 캜 and 85% When two cured products were obtained,
Wherein the absolute value of the difference between the glass transition temperature of the first cured product and the glass transition temperature of the second cured product is 20 占 폚 or less.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열경화성 화합물이, 질소 원자를 갖는 열경화성 화합물을 포함하는, 도전 재료.9. The conductive material according to any one of claims 1 to 8, wherein the thermosetting compound comprises a thermosetting compound having a nitrogen atom. 제9항에 있어서, 상기 열경화성 화합물이, 트리아진 골격을 갖는 열경화성 화합물을 포함하는, 도전 재료.10. The conductive material of claim 9, wherein the thermosetting compound comprises a thermosetting compound having a triazine backbone. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열경화성 화합물의 전체 100중량부에 대해서, 상기 산 무수물 열경화제의 함유량이 30중량부 이상, 80중량부 이하인, 도전 재료.11. The conductive material according to any one of claims 1 to 10, wherein the content of the acid anhydride thermosetting agent is 30 parts by weight or more and 80 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the total amount of the thermosetting compound. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도전성 입자의 외표면에 카르복실기가 존재하는, 도전 재료.The conductive material according to any one of claims 1 to 11, wherein a carboxyl group is present on the outer surface of the conductive particles. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 25℃에서 액상이며, 도전 페이스트인, 도전 재료.13. The conductive material according to any one of claims 1 to 12, which is liquid at 25 DEG C and is a conductive paste. 적어도 하나의 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재와,
적어도 하나의 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재와,
상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비하고,
상기 접속부가, 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 기재된 도전 재료의 경화물이며,
상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 상기 접속부 중의 땜납부에 의해 전기적으로 접속되어 있는, 접속 구조체.
A first connection target member having at least one first electrode on its surface,
A second connection object member having at least one second electrode on its surface,
And a connecting portion connecting the first connection target member and the second connection target member,
Wherein the connecting portion is a cured product of the conductive material according to any one of claims 1 to 13,
And the first electrode and the second electrode are electrically connected to each other by the solder portion in the connection portion.
제14항에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 접속부와 상기 제2 전극과의 적층 방향으로 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 서로 대향하는 부분을 보았을 때, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 서로 대향하는 부분의 면적 100% 중의 50% 이상에, 상기 접속부 중의 땜납부가 배치되어 있는, 접속 구조체.15. The method of claim 14, wherein when viewing the mutually opposing portions of the first electrode and the second electrode in the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode, Wherein at least 50% of an area of 100% of the mutually facing portions of the connecting portion is provided with a solder portion in the connecting portion.
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