KR20180036272A - Optical lens, light emitting module and light unit having thereof - Google Patents

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Abstract

According to an embodiment of the present invention, disclosed are an optical lens and a light source module having the same. According to the embodiment, the optical lens comprises: a bottom surface; a concave recess in a center region of the bottom surface; a first exit surface having a convex curved surface at an opposite side of the bottom surface and the recess; a second exit surface between the bottom surface and the first exit surface; and a side protrusion disposed along a first axial direction of the second exit surface. The bottom surface has a length D1 in a first axial direction and a length D2 in a second axial direction perpendicular to the first axial direction. The bottom of the recess has a length D3 in the first axial direction and a length D4 in the second axial direction. The length of the bottom surface has a relationship of D1 < D2. The bottom length of the recess has a relationship of D3 > D4. The ratio of the length of the bottom surface to the length of the recess can have a relationship of D2/D1 < D3/D4.

Description

광학 렌즈, 광원 모듈 및 이를 구비한 라이트 유닛{OPTICAL LENS, LIGHT EMITTING MODULE AND LIGHT UNIT HAVING THEREOF} TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an optical lens, a light source module, and a light unit having the optical lens,

본 발명은 광학 렌즈, 광원 모듈 및 이를 구비한 라이트 유닛에 관한 것이다.The present invention relates to an optical lens, a light source module, and a light unit having the same.

발광 소자, 예컨대 발광 다이오드(Light Emitting Diode)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다.BACKGROUND ART Light emitting devices, for example, light emitting diodes (LEDs) are a kind of semiconductor devices that convert electrical energy into light, and have been attracting attention as a next generation light source in place of conventional fluorescent lamps and incandescent lamps.

발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 생성하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다.Since the light emitting diode generates light by using a semiconductor element, the light emitting diode consumes very low power as compared with an incandescent lamp that generates light by heating tungsten, or a fluorescent lamp that generates ultraviolet light by impinging ultraviolet rays generated through high-pressure discharge on a phosphor .

또한, 발광 다이오드는 반도체 소자의 전위 갭을 이용하여 빛을 생성하므로 기존의 광원에 비해 수명이 길고 응답특성이 빠르며, 친환경적 특징을 갖는다.In addition, since the light emitting diode generates light using the potential gap of the semiconductor device, it has a longer lifetime, faster response characteristics, and an environment-friendly characteristic as compared with the conventional light source.

이에 따라, 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가하고 있다. Accordingly, much research has been conducted to replace an existing light source with a light emitting diode, and a light emitting diode has been increasingly used as a light source for various lamps, display devices, display boards, street lamps and the like used in indoor and outdoor.

실시 예는 비등방형 광학 렌즈를 제공한다.An embodiment provides an anisotropic optical lens.

실시 예는 서로 다른 축 방향의 길이가 다른 바닥면을 갖는 광학 렌즈를 제공한다.Embodiments provide an optical lens having a bottom surface with a different axial length.

실시 예는 서로 다른 축 방향의 길이가 다른 출사면을 갖는 광학 렌즈를 제공한다.Embodiments provide an optical lens having exit surfaces with different axially different lengths.

실시 예는 바닥면의 중심부에 배치된 리세스의 두 축 방향으로 길이가 다른 광학 렌즈를 제공한다.The embodiment provides an optical lens of different length in two axial directions of the recess disposed in the center of the bottom surface.

실시 예는 바닥면의 두 축 방향의 길이 비율과 상기 리세스의 두 축 방향의 길이 비율이 다른 광학 렌즈를 제공한다.The embodiment provides an optical lens in which the ratio of the length of the bottom surface in the two axial directions and the ratio of the length in the two axial directions of the recess are different.

실시 예는 리세스의 바닥 중심을 기준으로 비대칭 형상의 리세스 및 바닥면을 갖는 광학 렌즈를 제공한다.The embodiment provides an optical lens having a recess and a bottom surface of an asymmetrical shape with respect to the bottom center of the recess.

실시 예는 출사면의 정점이 플랫하거나 볼록한 광학 렌즈를 제공한다. The embodiment provides an optical lens in which the apex of the emission surface is flat or convex.

실시 예는 입사면의 정점이 입사면의 바닥보다 출사면의 정점에 더 인접한 광학 렌즈를 제공한다.The embodiment provides an optical lens in which the vertex of the incident surface is closer to the apex of the exit surface than the bottom of the incident surface.

실시 예는 경사지거나 곡면을 갖는 바닥면이 배치된 광학 렌즈를 제공한다.The embodiment provides an optical lens in which a bottom surface with an inclined or curved surface is disposed.

실시 예는 발광 소자 상에 광학 렌즈가 배치된 광원 모듈을 제공한다.The embodiment provides a light source module in which an optical lens is disposed on a light emitting element.

실시 예는 광학 렌즈의 서로 다른 출사면으로 출사된 광의 방출 각도를 변화시켜 주어 휘도 분포를 제어할 수 있는 광원 모듈을 제공한다.Embodiments provide a light source module capable of controlling a luminance distribution by changing the emission angle of light emitted to different exit surfaces of an optical lens.

실시 예는 광학 렌즈의 바닥면이 발광 소자의 둘레에 배치되므로 광의 손실을 방지할 수 있는 광원 모듈을 제공한다.Embodiments provide a light source module capable of preventing the loss of light because the bottom surface of the optical lens is disposed around the light emitting element.

실시 예는 광학 렌즈의 바닥면을 경사진 면 또는 곡면으로 배치하여, 중심부의 휘도 분포를 개선한 광원 모듈을 제공한다.Embodiments provide a light source module in which the bottom surface of an optical lens is arranged on an inclined surface or a curved surface to improve the luminance distribution in the center portion.

실시 예는 출사된 광의 휘도 분포를 제어할 수 있는 광학 렌즈 및 이를 구비한 광원 모듈을 제공한다.The embodiment provides an optical lens capable of controlling the luminance distribution of emitted light and a light source module having the optical lens.

실시 예는 광학 렌즈의 측면 돌출부는 상기 광학 렌즈의 출사면보다 외측으로 돌출되는 광원 모듈을 제공한다.The embodiment provides the light source module in which the side projection of the optical lens protrudes outward beyond the exit surface of the optical lens.

실시 예는 바텀 커버의 코너 영역의 암부를 비등방형 광학 렌즈로 제거한 광원 모듈을 갖는 라이트 유닛을 제공한다.An embodiment provides a light unit having a light source module in which an arm portion of a corner region of a bottom cover is removed by an anisotropic optical lens.

실시 예에 따른 광학 렌즈는, 바닥면; 상기 바닥면의 센터 영역에 오목한 리세스; 상기 바닥면 및 상기 리세스의 반대측에 볼록한 곡면을 갖는 제1출사면을 포함하며, 상기 바닥면은 제1축 방향의 길이가 D1이고, 상기 제1축 방향과 직교하는 제2축 방향의 길이가 D2이며, 상기 리세스의 바닥은 상기 제1축 방향의 길이가 D3이고, 상기 제2축 방향의 길이가 D4이며, 상기 바닥면의 길이는 D1<D2의 관계를 가지며, 상기 리세스의 바닥 길이는 D3>D4의 관계를 가지며, 상기 바닥면의 길이 비율과 상기 리세스의 길이 비율은, D2/D1<D3/D4의 관계를 가질 수 있다.  An optical lens according to an embodiment includes: a bottom surface; A concave recess in the center region of the bottom surface; And a first emitting surface having a convex curved surface on the opposite side of the bottom surface and the recess, wherein the bottom surface has a length D1 in a first axis direction and a length in a second axis direction perpendicular to the first axis direction The length of the recess in the first axial direction is D3, the length in the second axial direction is D4, and the length of the recess has a relationship of D1 < D2, The bottom length has a relationship of D3 > D4, and the ratio of the length of the bottom surface and the length of the recess may have a relationship of D2 / D1 < D3 / D4.

실시 예에 따른 광원 모듈은, 회로 기판; 상기 회로 기판 상에 적어도 하나의 발광 소자; 및 상기 발광 소자 상에 적어도 하나의 광학 렌즈를 포함하며, 상기 광학 렌즈는, 상기 회로 기판 상에 바닥면; 상기 바닥면의 센터 영역에 오목한 리세스; 상기 바닥면 및 상기 리세스의 반대측에 볼록한 곡면을 갖는 제1출사면을 포함하며, 상기 바닥면은 제1축 방향의 길이가 D1이고, 상기 제1축 방향과 직교하는 제2축 방향의 길이가 D2이며, 상기 리세스의 바닥은 상기 제1축 방향의 길이가 D3이고, 상기 제2축 방향의 길이가 D4이며, 상기 바닥면의 길이는 D1<D2의 관계를 가지며, 상기 리세스의 바닥 길이는 D3>D4의 관계를 가지며, 상기 바닥면의 길이 비율과 상기 리세스의 길이 비율은, D2/D1<D3/D4의 관계를 가질 수 있다.A light source module according to an embodiment includes a circuit board; At least one light emitting element on the circuit board; And at least one optical lens on the light emitting element, wherein the optical lens has: a bottom surface on the circuit board; A concave recess in the center region of the bottom surface; And a first emitting surface having a convex curved surface on the opposite side of the bottom surface and the recess, wherein the bottom surface has a length D1 in a first axis direction and a length in a second axis direction perpendicular to the first axis direction The length of the recess in the first axial direction is D3, the length in the second axial direction is D4, and the length of the recess has a relationship of D1 < D2, The bottom length has a relationship of D3 > D4, and the ratio of the length of the bottom surface and the length of the recess may have a relationship of D2 / D1 < D3 / D4.

실시 예에 따른 라이트 유닛은, 수납 영역을 갖는 바텀 커버; 상기 바텀 커버 상에 제1축 방향으로 길게 배치된 회로 기판; 상기 회로 기판의 제1축 방향으로 배열된 복수의 발광 소자; 및 상기 각 발광 소자 상에 배치된 복수의 광학 렌즈를 포함하며, 상기 복수의 광학 렌즈는 상기 바텀 커버 내에 제1축 방향으로 1열로 배치되며, 상기 각 광학 렌즈는, 상기 회로 기판 상에 바닥면; 상기 바닥면의 센터 영역에 오목한 리세스; 상기 바닥면 및 상기 리세스의 반대측에 볼록한 곡면을 갖는 제1출사면을 포함하며, 상기 바닥면은 제1축 방향의 길이가 D1이고, 상기 제1축 방향과 직교하는 제2축 방향의 길이가 D2이며, 상기 리세스의 바닥은 상기 제1축 방향의 길이가 D3이고, 상기 제2축 방향의 길이가 D4이며, 상기 바닥면의 길이는 D1<D2의 관계를 가지며, 상기 리세스의 바닥 길이는 D3>D4의 관계를 가지며, 상기 바닥면의 길이 비율과 상기 리세스의 길이 비율은, D2/D1<D3/D4의 관계를 가질 수 있다. A light unit according to an embodiment includes a bottom cover having a storage area; A circuit board disposed on the bottom cover in a first axial direction; A plurality of light emitting elements arranged in a first axis direction of the circuit board; And a plurality of optical lenses disposed on each of the light emitting elements, wherein the plurality of optical lenses are arranged in one row in a first axis direction in the bottom cover, and each of the optical lenses has a bottom surface ; A concave recess in the center region of the bottom surface; And a first emitting surface having a convex curved surface on the opposite side of the bottom surface and the recess, wherein the bottom surface has a length D1 in a first axis direction and a length in a second axis direction perpendicular to the first axis direction The length of the recess in the first axial direction is D3, the length in the second axial direction is D4, and the length of the recess has a relationship of D1 < D2, The bottom length has a relationship of D3 > D4, and the ratio of the length of the bottom surface and the length of the recess may have a relationship of D2 / D1 < D3 / D4.

실시 예에 의하면, 상기 제1출사면과 상기 바닥면 사이에 평면을 갖는 제2출사면을 포함할 수 있다. According to the embodiment, a second emission surface having a plane between the first emission surface and the bottom surface may be included.

실시 예에 의하면, 상기 제2출사면의 영역 중에서 상기 제1축 방향의 외측에 상기 제2출사면으로부터 돌출된 측면 돌출부를 가질 수 있다.According to the embodiment, of the region of the second exit surface, the side surface protruding portion may protrude from the second exit surface on the outer side in the first axial direction.

실시 예에 의하면, 상기 제2출사면의 두께는 상기 측면 돌출부의 두께와 같거나 두꺼울 수 있다. According to the embodiment, the thickness of the second emission surface may be equal to or thicker than the thickness of the side projection.

실시 예에 의하면, 상기 바닥면은 상기 리세스에 인접한 제1에지와 최 외곽의 제2에지의 높이가 다를 수 있다. According to the embodiment, the bottom surface may have different heights of the first edge adjacent to the recess and the second edge of the outermost edge.

실시 예에 의하면, 상기 바닥면은 상기 제1에지로부터 상기 제2에지 사이에 곡면 및 경사진 면 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the bottom surface may comprise at least one of curved and inclined surfaces between the first edge and the second edge.

실시 예에 의하면, 상기 리세스의 높이는 상기 리세스의 제1축 방향의 길이보다 클 수 있다.According to the embodiment, the height of the recess may be greater than the length of the recess in the first axial direction.

실시 예에 의하면, 상기 리세스의 높이는 상기 리세스의 제1축 방향의 길이보다 작고 상기 제2축 방향의 길이보다 클 수 있다. According to the embodiment, the height of the recess may be smaller than the length in the first axial direction of the recess and larger than the length in the second axial direction.

실시 예에 의하면, 상기 제2출사면은 상기 제1축 방향에서의 두께와 상기 제2축 방향에서의 두께가 다를 수 있다. According to the embodiment, the thickness of the second exit surface in the first axial direction may be different from the thickness of the second exit surface in the second axial direction.

실시 예에 의하면, 상기 제2출사면은 상기 제1축 방향에서의 두께가 상기 제2축 방향에서의 두께보다 얇을 수 있다. According to the embodiment, the thickness of the second exit surface in the first axis direction may be thinner than the thickness in the second axis direction.

실시 예에 의하면, 상기 제1출사면의 두께는 상기 제1축 방향에서 상기 제2축 방향에 인접할수록 점차 두꺼워질 수 있다. According to the embodiment, the thickness of the first exit surface may become gradually thicker from the first axis direction toward the second axis direction.

실시 예에 의하면, 상기 바닥면에 복수의 지지 돌기를 가지며, 상기 복수의 지지 돌기 간의 제1축 방향의 길이 또는 제2축 방향의 길이는 상기 리세스의 제1축 방향의 길이 또는 제2축 방향의 길이보다 길게 배치될 수 있다.According to the embodiment, the bottom surface has a plurality of support protrusions, and the length in the first axial direction or the length in the second axial direction between the plurality of support protrusions is the length of the recess in the first axial direction, Direction than the length of the direction.

실시 예에 의하면, 상기 리세스의 바텀 뷰 형상은 타원 형상을 가질 수 있다.According to an embodiment, the bottom view shape of the recess may have an elliptical shape.

실시 예에 의하면, 상기 리세스는 상기 제1 및 제2축 방향에 대해 수렴되는 제1정점을 가지며, 상기 리세스의 제1정점은 상기 리세스의 바닥보다 상기 제1출사면의 제2정점에 인접할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the recess has a first vertex converging with respect to the first and second axial directions, and a first vertex of the recess has a second vertex of the recess, Respectively.

실시 예에 의하면, 상기 제2출사면은 센터 영역이 볼록한 곡면 또는 플랫한 면을 가질 수 있다. According to the embodiment, the second exit surface may have a curved surface or a flat surface having a convex center region.

실시 예에 의하면, 상기 회로 기판은 탑뷰에서 볼 때 제1축 방향의 길이가 제2축 방향의 길이보다 길며, 상기 광학 렌즈의 제2축 방향의 길이는 상기 회로 기판의 제2축 방향의 길이보다 길 수 있다. According to the embodiment, the length of the circuit board in the first axial direction is longer than that of the second axial direction in the top view, and the length of the optical lens in the second axial direction is the length in the second axial direction of the circuit board Can be longer.

실시 예에 의하면, 상기 회로 기판에 결합되며 상기 광학 렌즈의 바닥면에 배치된 복수의 지지 돌기를 가지며, 상기 복수의 지지 돌기 간의 제1축 방향의 길이 또는 제2축 방향의 길이는 상기 리세스의 제1축 방향의 길이 또는 제2축 방향의 길이보다 길게 배치될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, there is provided an optical lens having a plurality of support protrusions coupled to the circuit board and disposed on a bottom surface of the optical lens, wherein a length in the first axial direction or a length in the second axial direction, The length in the first axial direction or the length in the second axial direction.

실시 예에 의하면, 상기 발광 소자는 상면과 다수의 측면을 통해 광을 방출하는 LED 칩을 포함할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the light emitting device may include an LED chip that emits light through an upper surface and a plurality of side surfaces.

실시 예는 서로 다른 축 방향의 휘도 분포가 다른 광학 렌즈를 제공할 수 잇다.The embodiment can provide an optical lens having different luminance distribution in different axial directions.

실시 예는 광학 렌즈의 개수를 줄일 수 있다. Embodiments can reduce the number of optical lenses.

실시 예는 광학 렌즈로부터 추출된 광에 의한 핫 스팟과 같은 노이즈를 줄일 수 있다.The embodiment can reduce noise such as hot spot caused by light extracted from the optical lens.

실시 예는 회로 기판 상에 배치된 광학 렌즈 간의 간섭을 줄여줄 수 있다.Embodiments can reduce interference between optical lenses disposed on a circuit board.

실시 예는 라이트 유닛 내에 배치되는 발광 소자 및 광학 렌즈의 개수를 줄일 수 있다.The embodiment can reduce the number of light emitting elements and optical lenses disposed in the light unit.

실시 예는 하나의 바 형상의 광원 모듈을 갖는 표시 장치용 라이트 유닛을 제공할 수 있다. The embodiment can provide a light unit for a display device having a bar-shaped light source module.

실시 예는 광학 렌즈를 갖는 광원 모듈 및 라이트 유닛의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다. The embodiment can improve the reliability of the light source module having the optical lens and the light unit.

실시 예는 인접한 광학 렌즈 간의 간섭을 최소화하여 화상을 개선할 수 있다.Embodiments can improve the image by minimizing interference between adjacent optical lenses.

실시 예는 광원 모듈을 갖는 조명 시스템의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다. Embodiments can improve the reliability of an illumination system having a light source module.

도 1은 제1실시 예에 따른 광학 렌즈의 평 단면도이다.
도 2는 도 1의 광학 렌즈의 저면도이다.
도 3은 도 1의 광학 렌즈의 X축 방향의 제1측면도이다.
도 4는 도 1의 광학 렌즈의 Y축 방향의 제2측면도이다.
도 5는 도 1의 광학 렌즈의 A-A측 단면도이다.
도 6은 도 1의 광학 렌즈의 B-B측 단면도이다.
도 7은 제2실시 예로서, 광학 렌즈의 Y축 방향의 측단면도이다.
도 8은 제2실시 예로서, 광학 렌즈의 X축 방향의 단면도이다.
도 9는 제3실시 예에 따른 광학 렌즈의 Y축 방향의 측 단면도이다.
도 10은 제3실시 예에 따른 광학 렌즈의 X축 방향의 측 단면도이다.
도 11은 도 5의 광학 렌즈의 변형 예이다.
도 12는 도 6의 광학 렌즈의 변형 예이다.
도 13은 실시 예에 따른 광학 렌즈를 갖는 광원 모듈을 나타낸 도면이다.
도 14는 도 13의 광원 모듈의 G-G측 단면도이다.
도 15은 도 13의 광원 모듈의 H-H측 단면도이다.
도 16은 도 13의 광원 모듈을 갖는 라이트 유닛을 나타낸 평면도이다.
도 17은 도 13의 광원 모듈의 발광 소자의 일 예를 나타낸 도면이다.
도 18은 도 13의 광원 모듈의 발광 소자의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 19는 도 13의 광원 모듈의 발광 소자의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 20은 도 1의 광원 렌즈의 방사 패턴을 나타낸 도면이다.
도 21은 도 1의 광원 렌즈의 휘도 분포를 나타낸 도면이다.
도 22는 도 7 및 도 8의 광학 렌즈의 방사 패턴을 나타낸 도면이다.
도 23은 도 7 및 도 8의 광학 렌즈의 휘도 분포를 나타낸 도면이다.
도 24는 도 1의 광학 렌즈의 리세스의 깊이 변화에 따른 제2축 방향의 휘도 분포를 나타낸 도면이다.
도 25는 도 1의 광학 렌즈의 리세스의 깊이 변화에 따른 제1축 방향의 휘도 분포를 나타낸 도면이다.
도 26은 도 1의 광학 렌즈의 리세스의 깊이 변화에 따른 제2축 방향에서의 색차 분포를 나타낸 도면이다.
1 is a plan sectional view of an optical lens according to the first embodiment.
Fig. 2 is a bottom view of the optical lens of Fig. 1;
Fig. 3 is a first side view of the optical lens of Fig. 1 in the X-axis direction. Fig.
Fig. 4 is a second side view of the optical lens of Fig. 1 in the Y-axis direction. Fig.
5 is a cross-sectional view of the optical lens of Fig. 1 on the AA side.
6 is a cross-sectional view of the optical lens of Fig. 1 on the BB side.
7 is a side sectional view in the Y axis direction of the optical lens as a second embodiment.
8 is a sectional view of the optical lens in the X-axis direction as a second embodiment.
9 is a side sectional view in the Y axis direction of the optical lens according to the third embodiment.
10 is a side sectional view in the X-axis direction of the optical lens according to the third embodiment.
11 is a modification of the optical lens of Fig.
12 is a modification of the optical lens of Fig.
13 is a view showing a light source module having an optical lens according to an embodiment.
14 is a GG side sectional view of the light source module of Fig.
15 is a sectional view on the HH side of the light source module of Fig.
16 is a plan view showing a light unit having the light source module of Fig.
17 is a view showing an example of a light emitting device of the light source module of FIG.
18 is a view showing another example of the light emitting device of the light source module of FIG.
19 is a view showing another example of the light emitting element of the light source module of FIG.
20 is a view showing a radiation pattern of the light source lens of FIG.
FIG. 21 is a diagram showing the luminance distribution of the light source lens of FIG. 1; FIG.
22 is a view showing a radiation pattern of the optical lens of Figs. 7 and 8. Fig.
23 is a diagram showing the luminance distribution of the optical lenses of Figs. 7 and 8. Fig.
Fig. 24 is a diagram showing the luminance distribution in the second axial direction according to the depth variation of the recess of the optical lens of Fig. 1;
25 is a view showing a luminance distribution in the first axial direction in accordance with the depth variation of the recess of the optical lens of FIG.
Fig. 26 is a view showing a color difference distribution in the second axial direction according to the depth variation of the recess of the optical lens of Fig. 1; Fig.

이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), area, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under / under" Quot; on "and" under "as used herein are intended to refer to all that is" directly "or" indirectly " . In addition, the criteria for the top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 광학 렌즈 및 이를 구비한 광원 모듈을 설명한다.Hereinafter, an optical lens and a light source module including the same according to embodiments will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 제1실시 예에 따른 광학 렌즈의 평 단면도이고, 도 2는 도 1의 광학 렌즈의 저면도이며, 도 3은 도 1의 광학 렌즈의 X축 방향의 제1측면도이며, 도 4는 도 1의 광학 렌즈의 Y축 방향의 제2측면도이고, 도 5는 도 1의 광학 렌즈의 A-A측 단면도이며, 도 6은 도 1의 광학 렌즈의 B-B측 단면도이다.1 is a bottom view of the optical lens of Fig. 1, Fig. 3 is a first side view in the X-axis direction of the optical lens of Fig. 1, and Fig. 4 is a cross- FIG. 5 is a cross-sectional view of the optical lens of FIG. 1 taken along the line AA, and FIG. 6 is a cross-sectional view of the optical lens of FIG. 1 taken along the line BB of FIG.

도 1 내지 도 6을 참조하면, 광학 렌즈(300)는, 바닥면(310), 상기 바닥면(310)의 중심부에 오목한 리세스(315), 및 상기 바닥면(310) 및 상기 리세스(315) 상에 곡면을 갖는 제1출사면(330)을 포함한다. 상기 광학 렌즈(300)는 상기 리세스(315)의 표면이 입사면(320)일 수 있다.1 to 6, the optical lens 300 includes a bottom surface 310, a concave recess 315 in the center of the bottom surface 310, and a bottom surface 310, 315 having a curved surface. In the optical lens 300, the surface of the recess 315 may be an incident surface 320.

상기 광학 렌즈(300)는 제1축 방향(X)의 제1길이(D1)와 상기 제2축 방향(Y)의 제2길이(D2)가 다를 수 있다. 상기 제1축 방향은 상기 제2축 방향과 직교하는 방향이며, 상기 제1,2축 방향과 직교하는 수직 방향은 제3축 방향(Z)일 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)에서 제1길이(D1)와 제2길이(D2)는 각 축 방향의 최대 길이일 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)에서 제1길이(D1)와 제2길이(D2)는 바닥면(310)의 각 축 방향의 길이일 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)에서 제1길이(D1)와 제2길이(D2)는 상기 제1출사면(330)의 각 축 방향의 최대 길이일 수 있다. 상기 제1길이(D1)와 제2길이(D2)는 D1<D2의 관계를 가질 수 있다. 상기 길이 D1과 D2의 차이는 1mm 이상 예컨대, 1mm 내지 3.5mm의 범위일 수 있다. 실시 예에 따른 광학 렌즈(300)는 Y축 방향으로 X축 길이보다 긴 길이를 갖고 배치됨으로써, X축 방향으로의 광 출사 면적이 더 넓어질 수 있다. The optical lens 300 may have a first length D1 in the first axial direction X and a second length D2 in the second axial direction Y different from each other. The first axis direction may be a direction orthogonal to the second axis direction, and the vertical direction orthogonal to the first and second axis directions may be a third axis direction (Z). In the optical lens 300, the first length D1 and the second length D2 may be the maximum lengths in the respective axial directions. The first length D1 and the second length D2 of the optical lens 300 may be the lengths of the bottom surface 310 in the respective axial directions. The first length D1 and the second length D2 of the optical lens 300 may be the maximum lengths in the respective axial directions of the first exit surface 330. [ The first length D1 and the second length D2 may have a relationship of D1 < D2. The difference between the lengths D1 and D2 may be in the range of 1 mm or more, for example, 1 mm to 3.5 mm. The optical lens 300 according to the embodiment has a length longer than the X-axis length in the Y-axis direction, so that the light output area in the X-axis direction can be widened.

상기 광학 렌즈(300)는 투광성 재료를 포함할 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)는 폴리카보네이트(PC), 폴리메타크릴산메틸(PMMA), 실리콘 또는 에폭시 수지, 또는 글래스(Glass) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)는 굴절률이 1.4 내지 1.7 범위의 투명 재료를 포함할 수 있다.The optical lens 300 may include a light-transmitting material. The optical lens 300 may include at least one of polycarbonate (PC), polymethyl methacrylate (PMMA), silicon or epoxy resin, or glass. The optical lens 300 may include a transparent material having a refractive index ranging from 1.4 to 1.7.

상기 바닥면(310)은 외곽 형상이 타원 형상일 수 있다. 상기 바닥면(310)은 외곽 라인의 형상이 상기 바닥 중심(P0)을 지나는 X축 방향을 기준으로 대칭된 형상이며, 상기 Y축 방향으로 기준으로 대칭된 형상일 수 있다. 상기 바닥 중심(P0)을 기준으로 제1축(X) 방향으로 수평한 직선은 X0이고, 제2축(Y) 방향으로 수평한 직선은 Y0라 할 수 있다.The bottom surface 310 may have an elliptical outer shape. The bottom surface 310 may have a shape symmetrical with respect to the X-axis direction passing through the bottom center P0, and symmetrical with respect to the Y-axis direction. A straight line horizontal to the first axis X direction is X0 and a straight line horizontal to the second axis Y direction is Y0 with respect to the bottom center P0.

상기 바닥면(310)의 중심 영역에 오목한 리세스(315)를 가지며, 상기 리세스(315)의 표면은 입사면일 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)는 상기 리세스(315)의 바닥 중심(P0)에 대해 수직한 Z축 방향은 중심 축(Z0)으로 정의할 수 있다. 상기 리세스(315)의 바닥 중심(P0)은 광학 렌즈(300)의 하부 중심 또는 상기 바닥면(310)의 중심일 수 있으며, 기준 점으로 정의될 수 있다. 상기 바닥면(310)은 리세스(315)의 둘레에 배치될 수 있다.Has a recessed recess 315 in the central region of the bottom surface 310 and the surface of the recess 315 may be the incident surface. The optical lens 300 may be defined as a central axis Z0 in the Z axis direction perpendicular to the bottom center P0 of the recess 315. [ The bottom center P0 of the recess 315 may be the lower center of the optical lens 300 or the center of the bottom surface 310 and may be defined as a reference point. The bottom surface 310 may be disposed around the recess 315.

상기 바닥면(310)은 상기 바닥 중심(P0)에 대해 X축 방향으로 수평한 직선(X0) 및 Y축 방향으로의 수평한 제2직선(Y0)에 대해 경사진 면을 포함하거나 곡면을 포함하거나 경사진 면과 곡면을 모두 포함할 수 있다. 상기 바닥면(310)은 상기 리세스(315)에 인접한 영역은 플랫하고 외곽 에지에 인접한 영역은 경사진 면일 수 있다. 상기 바닥면(310)은 상기 리세스(315)로부터 외곽 에지로 갈수록 점차 높은 높이를 갖는 경사진 면 또는 곡면을 포함할 수 있다. 상기 리세스(315)는 상기 바닥면(310)의 중심 영역으로부터 위로 오목하거나 함몰된 형태를 갖는다. The bottom surface 310 includes a sloped surface or a curved surface with respect to a horizontal straight line X0 in the X-axis direction and a horizontal second straight line Y0 in the Y-axis direction with respect to the bottom center PO Or both inclined and curved surfaces. The bottom surface 310 may have a flat area adjacent to the recess 315 and a sloped area adjacent to the outer edge. The bottom surface 310 may include an inclined surface or a curved surface having a gradually higher height from the recess 315 toward the outer edge. The recess 315 is recessed or recessed upward from the central region of the bottom surface 310.

상기 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)은 리세스(315)에 인접한 제1에지(23) 및 제2출사면(335)에 인접한 제2에지(25)를 포함한다. 상기 제1에지(23)는 상기 입사면(320)과 상기 바닥면(310) 사이의 경계 영역이며, 광학 렌즈(300)의 저점 영역을 포함할 수 있다. 상기 제1에지(23)는 상기 바닥면(310)의 영역 중에서 가장 낮은 지점을 포함할 수 있다. 상기 제1에지(23)의 위치는 수평한 제1직선(XO) 및 제2직선(Y0)을 기준으로 제2에지(25)의 위치보다 낮게 배치될 수 있다. 상기 제1에지(23)는 상기 입사면(320)의 하부 둘레를 커버할 수 있다. 상기 제2에지(25)는 상기 바닥면(310)의 외곽 영역이거나 상기 제2출사면(335)의 하부 영역이 될 수 있다. 상기 제2에지(25)는 상기 바닥면(310)과 상기 제2출사면(335) 사이의 경계 영역일 수 있다. The bottom surface 310 of the optical lens 300 includes a first edge 23 adjacent the recess 315 and a second edge 25 adjacent the second exit surface 335. The first edge 23 is a boundary region between the incident surface 320 and the bottom surface 310 and may include a low point region of the optical lens 300. The first edge 23 may include the lowest point of the area of the bottom surface 310. The position of the first edge 23 may be disposed lower than the position of the second edge 25 with respect to the first horizontal straight line XO and the second straight line Y0. The first edge 23 may cover a lower circumference of the incident surface 320. The second edge 25 may be an outer area of the bottom surface 310 or a lower area of the second exit surface 335. The second edge 25 may be a boundary region between the bottom surface 310 and the second exit surface 335.

상기 제1에지(23)는 상기 바닥면(310)의 내측 영역이거나 상기 입사면(320)과의 경계 라인일 수 있다. 상기 제2에지(25)는 상기 바닥면(310)의 외측 영역이거나 제2출사면(335)과의 경계 라인일 수 있다. 상기 제1에지(23)는 내측 모서리이거나 곡면을 포함할 수 있다. 상기 제2에지(25)는 외측 모서리이거나 곡면을 포함할 수 있다. 상기 제1에지(23)와 제2에지(25)는 상기 바닥면(310)의 양 단부일 수 있다. 상기 제1에지(23)는 바텀 뷰 형상이 원 형상 또는 타원 형상일 수 있으며, 상기 제2에지(25)는 바텀 뷰 형상이 원 형상 또는 타원 형상일 수 있다.The first edge 23 may be an inner region of the bottom surface 310 or a boundary line with the incident surface 320. The second edge 25 may be an outer region of the bottom surface 310 or a boundary line with the second emission surface 335. The first edge 23 may be an inner edge or a curved surface. The second edge 25 may comprise an outer edge or a curved surface. The first edge 23 and the second edge 25 may be opposite ends of the bottom surface 310. The first edge 23 may have a bottom view shape of a circle or an ellipse, and the second edge 25 may have a bottom view shape of a circle or an ellipse.

상기 바닥면(310)은 상기 제1에지(23)에 가까울수록 상기 수평한 제1직선(X0) 및 제2직선(Y0)과 의 간격이 점차 좁아질 수 있다. 상기 바닥면(310)은 상기 제1에지(23)로부터 멀어질수록 상기 수평한 직선(X0) 및 제2직선(Y0)과의 간격이 점차 커질 수 있다. 상기 바닥면(310)에서 상기 제2에지(25)는 상기 제1직선(X0) 및 제2직선(Y0)과의 간격이 최대이고, 상기 제1에지(23)는 상기 제1직선(X0) 및 제2직선(Y0)사이의 간격이 최소일 수 있다. 상기 바닥면(310)은 상기 제1에지(23)와 상기 제2에지(25) 사이에 경사진 면 또는 곡면을 포함하거나 경사진 면과 곡면을 모두 포함할 수 있다. 상기 바닥면(310)은 상기 제1직선(X0) 및 제2직선(Y0)을 기준으로 외측으로 갈수록 점차 멀어지게 됨으로써, 상기 리세스(315)에서 바라 볼 때는 전 반사면이 될 수 있다. 예를 들면, 상기 리세스(315) 내에서 상기 리세스(315)의 바닥 위에 임의의 광원이 배치된 경우, 상기 바닥면(310)은 경사진 면을 제공할 수 있다. 상기 바닥면(310)은 상기 리세스(315)를 통해 입사되는 광에 대해 반사하게 되므로, 광의 손실을 줄여줄 수 있다. 또한 상기 입사면(320)을 거치지 않고 바닥면(310)으로 직접 입사되는 광들을 제거할 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)는 입사면(320)을 통해 반사면(310)으로 입사된 광의 광량이 증가될 수 있고, 지향각 분포를 개선시켜 줄 수 있다.The distance between the first straight line X0 and the second straight line Y0 may be gradually narrower as the bottom surface 310 is closer to the first edge 23. [ The distance between the horizontal straight line X0 and the second straight line Y0 may gradually increase as the bottom surface 310 is further away from the first edge 23. [ The second edge 25 on the bottom surface 310 has a maximum distance from the first straight line X0 and the second straight line Y0 and the first edge 23 has the first straight line X0 And the second straight line Y0 may be minimum. The bottom surface 310 may include an inclined surface or a curved surface between the first edge 23 and the second edge 25, or may include both inclined surfaces and curved surfaces. The bottom surface 310 may gradually become farther toward the outer side with respect to the first straight line X0 and the second straight line Y0 so that the bottom surface 310 may be an all-reflecting surface when viewed from the recess 315. [ For example, if any light source is disposed on the bottom of the recess 315 in the recess 315, the bottom surface 310 may provide a sloped surface. Since the bottom surface 310 reflects light incident through the recess 315, the loss of light can be reduced. Further, the light incident directly on the bottom surface 310 can be removed without passing through the incident surface 320. The optical lens 300 can increase the amount of light incident on the reflecting surface 310 through the incident surface 320 and improve the directivity angle distribution.

상기 바닥면(310)이 상기 리세스(315)의 제1에지(23)에 인접할수록 더 낮아지게 되므로, 제1직선(X0) 및 제2직선(Y0)에 점차 가까워질 수 있다. 이에 따라 상기 바닥면(310)의 면적은 증가될 수 있다. 상기 리세스(315)의 입사면(320)의 면적은 상기 바닥면(310)이 낮아진 만큼 더 넓어질 수 있다. 상기 리세스(315)의 깊이는 상기 제1에지(23)로부터의 높이가 되므로, 더 깊어질 수 있다. 상기 바닥면(310)의 면적이 증가함으로써, 반사 면적을 증가시켜 줄 수 있다. 상기 리세스(315)의 바닥은 더 낮아지게 되므로, 바닥면적을 증가시켜 줄 수 있다.The bottom surface 310 becomes lower as it is closer to the first edge 23 of the recess 315 so that it can be gradually closer to the first straight line X0 and the second straight line Y0. Thus, the area of the bottom surface 310 can be increased. The area of the incident surface 320 of the recess 315 may be wider as the bottom surface 310 is lowered. The depth of the recess 315 is the height from the first edge 23, so that it can be deeper. By increasing the area of the bottom surface 310, the reflection area can be increased. The bottom of the recess 315 becomes lower, so that the floor area can be increased.

상기 바닥면(310)의 제1에지(23)는 상기 리세스(315)의 바닥과 수평한 제1직선(X0) 및 제2직선(Y0) 상에 배치되며, 상기 제2에지(25)는 상기 제1직선(X0) 및 제2직선(Y0)으로부터 소정 간격으로 이격된다. 상기 제2에지(25)와 상기 제1직선(X0) 또는 제2직선(Y0)간의 간격은 입사 면(320)의 하부 영역(22)으로 입사된 광을 반사하도록 경사진 면을 제공할 수 있는 거리일 수 있다. 상기 입사면(320)의 하부 영역(22)은 상기 제2에지(25)에 수평한 선이 교차되는 입사면(320)의 하부 지점과 제1에지(23) 사이의 영역일 수 있다. The first edge 23 of the bottom surface 310 is disposed on a first straight line X0 and a second straight line Y0 that are horizontal to the bottom of the recess 315, Are spaced apart from the first straight line X0 and the second straight line Y0 by a predetermined distance. The gap between the second edge 25 and the first straight line X0 or second straight line Y0 may provide a sloped surface to reflect light incident on the lower region 22 of the incident surface 320 It can be a distance. The lower region 22 of the incident surface 320 may be a region between the lower edge of the incident surface 320 and the first edge 23 where a horizontal line crosses the second edge 25.

상기 제2에지(25)와 상기 제1직선(X0) 또는 제2직선(Y0) 간의 간격은 500㎛ 이하일 수 있으며, 예컨대 450㎛ 이하일 수 있다. 상기 제2에지(25)와 상기 제1직선(X0) 또는 제2직선(Y0)간의 간격은 200㎛ 내지 450㎛ 범위일 수 있으며, 상기 간격이 상기 범위보다 작은 경우 상기 제2출사면(335)의 저점 위치가 낮아져 상기 제2출사면(335)으로 방출된 광들의 간섭 문제가 발생될 수 있고, 상기 범위보다 큰 경우 상기 제2출사면(335)의 고점 위치가 높아져 제1출사면(330)의 곡률이 변경되는 문제가 발생되고 광학 렌즈(300)의 두께(D5)가 증가되는 문제가 있다.The distance between the second edge 25 and the first straight line X0 or the second straight line Y0 may be 500 탆 or less, for example, 450 탆 or less. The distance between the second edge 25 and the first straight line X0 or the second straight line Y0 may be in the range of 200 to 450 占 퐉. If the distance is smaller than the range, ) May be lowered to cause a problem of interference of the light emitted to the second exit surface 335. When the second exit surface 335 is larger than the above range, the high exit point of the second exit surface 335 becomes higher, There is a problem that the curvature of the optical lens 300 is changed and the thickness D5 of the optical lens 300 is increased.

상기 바닥면(310)은 베지어(Bezier) 곡선을 갖는 곡면으로 형성될 수 있다. 상기 바닥면(310)의 곡선은 스플라인(Spline) 예컨대, 큐빅(cubic), B-스플라인, T-스플라인으로 구현될 수 있다. 상기 바닥면(310)의 곡선은 베지어 곡선(Bezier curve)로 구현될 수 있다.The bottom surface 310 may be a curved surface having a Bezier curve. The curve of the bottom surface 310 may be implemented as a spline, for example cubic, B-spline, or T-spline. The curve of the bottom surface 310 may be implemented as a Bezier curve.

상기 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)에는 복수의 지지 돌기(350)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 지지 돌기(350)는 상기 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)으로부터 하 방향으로 돌출되고 상기 광학 렌즈(300)를 지지하게 된다. 도 2를 참조하면, 복수의 지지 돌기(350)는 바닥 중심(P0)으로부터 동일한 거리에 배치될 수 있다. 다른 예로서, 복수의 지지 돌기(350) 중 적어도 하나는 상기 바닥 중심(P0)으로부터 다른 거리를 가고 배치될 수 있다. 상기 복수의 지지 돌기(350)는 X축 방향으로 배열된 지지 돌기 간의 간격(D13)이 제2축(Y) 방향으로 배열된 지지 돌기 간의 간격(D12)보다 클 수 있다. 상기 D13은 D12의 1.5배 이상 예컨대, 2배 이상일 수 있다. 상기 복수의 지지 돌기(350) 중에서 간격(D12)는 광학 렌즈가 배열되는 회로 기판의 너비가 될 수 있으므로, 회로 기판의 너비를 증가시키지 않고 광학 렌즈(300)를 안정적으로 지지할 수 있다. The bottom surface 310 of the optical lens 300 may include a plurality of support protrusions 350. The plurality of support protrusions 350 protrude downward from the bottom surface 310 of the optical lens 300 and support the optical lens 300. Referring to FIG. 2, the plurality of support protrusions 350 may be disposed at the same distance from the bottom center PO. As another example, at least one of the plurality of support protrusions 350 may be disposed at a different distance from the bottom center PO. The plurality of support protrusions 350 may have a distance D13 between support protrusions arranged in the X-axis direction greater than a distance D12 between support protrusions arranged in the second axis Y direction. D13 may be 1.5 times or more, for example, 2 times or more than D12. The distance D12 among the plurality of support protrusions 350 can be the width of the circuit board on which the optical lenses are arranged and thus the optical lens 300 can be stably supported without increasing the width of the circuit board.

상기 바닥면(310)의 바텀 뷰 형상은 타원 형상을 포함할 수 있다. 상기 바닥면(310)의 길이는 X축 방향의 제1길이(D1)와 Y축 방향의 제2길이(D2)가 다를 수 있다. 상기 제1길이(D1)는 바닥면(310)의 X축 방향의 길이이며, 제2길이(D2)는 바닥면(320)의 Y축 방향의 길이일 수 있다. 상기 제1길이(D1)는 제1출사면(330)의 X축 방향으로의 최대 길이일 수 있고, 제2길이(D2)는 제1출사면(330)의 Y축 방향으로의 최대 길이일 수 있다. 상기 D1는 광학 렌즈의 X축 방향의 최대 길이이고, D2는 Y축 방향의 최대 길이일 수 있다. 상기 제2길이(D2)와 제1길이(D1)는 D2>D1의 관계를 가질 수 있다. 상기 D2/D1의 비율은 101% 이상 예컨대, 101 내지 110%의 범위를 가질 수 있다. 상기 D2는 D1 보다 0.5mm 이상 예컨대, 1mm 이상 클 수 있다. 상기 길이 비율(D1:D2)의 비율은 1:1.01 ~ 1:1.1의 범위일 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)의 제1출사면(330)이 Y축 방향으로 최대 길이를 갖게 됨으로써, Y축 방향을 기준으로 직교하는 X축 방향 또는 대각선 방향으로의 출사 면적을 증가시켜 줄 수 있다.The bottom view shape of the bottom surface 310 may include an elliptical shape. The length of the bottom surface 310 may be different between the first length D1 in the X-axis direction and the second length D2 in the Y-axis direction. The first length D1 may be the length of the bottom surface 310 in the X axis direction and the second length D2 may be the length of the bottom surface 320 in the Y axis direction. The first length D1 may be the maximum length in the X axis direction of the first exit surface 330 and the second length D2 may be the maximum length in the Y axis direction of the first exit surface 330 . D1 is the maximum length in the X-axis direction of the optical lens, and D2 is the maximum length in the Y-axis direction. The second length D2 and the first length D1 may have a relationship of D2 > D1. The ratio of D2 / D1 may be in the range of 101% or more, for example, 101 to 110%. D2 may be 0.5 mm or more, for example, 1 mm or more larger than D1. The ratio of the length ratio (D1: D2) may range from 1: 1.01 to 1: 1.1. Since the first exit surface 330 of the optical lens 300 has the maximum length in the Y-axis direction, the exit area in the X-axis direction or the diagonal direction perpendicular to the Y-axis direction can be increased.

도 2와 같이, 상기 리세스(315)의 바닥 형상은 타원 형상을 포함할 수 있다. 도 3 내지 도 6과 같이, 상기 리세스(315)는 측 단면이 종(bell) 형상, 포탄(shell) 형상 또는 타원 형상을 포함할 수 있다. 상기 리세스(315)는 위로 올라갈수록 너비가 점차 좁아지는 형상을 가질 수 있다. 상기 리세스(315)는 바닥 둘레의 제1에지(23)로부터 상단의 제1정점(21)을 향해 점진적으로 수렴되는 형상을 가질 수 있다. 상기 리세스(315)의 바텀 뷰가 타원 형상인 경우, 상기 제1정점(21)을 향해 직경이 점진적으로 감소될 수 있다. 상기 리세스(315)는 중심 축(Z0)을 기준으로 X축 방향으로 대칭 또는 Y축 방향으로 대칭되는 형상으로 제공될 수 있다. 상기 입사면(320)의 제1정점(21)은 도트 형상 또는 라인 형상으로 제공될 수 있다. 2, the bottom shape of the recess 315 may include an elliptical shape. 3 to 6, the recess 315 may include a bell shape, a shell shape, or an elliptical shape at a side end face. The recess 315 may have a shape in which the width gradually becomes narrower as it goes up. The recess 315 may have a shape gradually converging from the first edge 23 around the bottom toward the first apex 21 at the top. If the bottom view of the recess 315 is elliptical, the diameter may be gradually reduced toward the first vertex 21. The recess 315 may be provided symmetrically with respect to the central axis Z0 in the X-axis direction or in a shape symmetrical in the Y-axis direction. The first vertex 21 of the incident surface 320 may be provided in a dot shape or a line shape.

상기 리세스(315)의 바닥 너비를 보면, X축 방향의 너비(D3)는 Y축 방향의 너비(D4)와 다를 수 있다. 예컨대, X축 방향의 너비(D3)는 Y축 방향의 너비(D4)보다 클 수 있다. 상기 리세스(315)의 바닥 너비는 D3>D4의 관계를 만족하며, 그 차이는 0.5mm 이상 5mm 이하 예컨대, 1mm 이상 2mm 이하의 차이를 가질 수 있다. 상기 너비 D3는 D4의 4배 이하 예컨대, 2배 이하일 수 있다. 상기 리세스(315)의 바닥 너비의 비율(D4:D3)은 1:1.1 내지 1:2의 범위의 차이를 가질 수 있다. 이러한 리세스(315)의 바닥 비율에 따라 Y축 길이에 직교하는 X축 방향 및 대각선 방향으로의 휘도 분포를 개선시켜 줄 수 있다. In view of the bottom width of the recess 315, the width D3 in the X-axis direction may be different from the width D4 in the Y-axis direction. For example, the width D3 in the X-axis direction may be larger than the width D4 in the Y-axis direction. The bottom width of the recess 315 satisfies the relationship of D3 > D4, and the difference may be 0.5 mm or more and 5 mm or less, e.g., 1 mm or more and 2 mm or less. The width D3 may be four times or less, for example, two times or less than D4. The ratio D4: D3 of the bottom width of the recess 315 may have a difference in the range of 1: 1.1 to 1: 2. The luminance distribution in the X-axis direction and the diagonal direction orthogonal to the Y-axis length can be improved according to the bottom ratio of the recesses 315.

상기 리세스(315)의 바닥 너비(D3,D4)는 광원 즉, 후술되는 발광 소자가 삽입될 수 있는 너비를 가질 수 있다. 상기 리세스(315)의 바닥 너비(D3,D4)는 발광 소자의 너비의 3배 이하 예컨대, 2.5배 이하일 수 있다. 상기 리세스(315)의 바닥 너비(D3,D4)는 상기 발광 소자의 너비의 1.2배 내지 2.5배 범위일 수 있으며, 상기 범위보다 작은 경우 발광 소자의 삽입이 용이하지 않고 상기 범위보다 큰 경우 상기 발광 소자와 제1에지(23) 사이의 영역을 통한 광 손실 또는 광 간섭을 줄 수 있다. The bottom widths D3 and D4 of the recess 315 may have a width at which a light source, that is, a light emitting device described later, can be inserted. The bottom widths D3 and D4 of the recess 315 may be three times or less the width of the light emitting device, for example, 2.5 times or less. The bottom width D3 and D4 of the recess 315 may be in the range of 1.2 to 2.5 times the width of the light emitting element. If the light emitting element is smaller than the range, It is possible to provide light loss or optical interference through the region between the light emitting element and the first edge 23.

상기 바닥면(310)에서 지지 돌기(350)는 D12<D13의 관계를 가지는 경우, D12>D4의 관계를 가질 수 있고, D13>D3의 관계를 가질 수 있다. D12/D4의 비율은 g1이고, D13/D3의 비율은 g2인 경우, g1<g2의 관계를 가질 수 있다. 이는 X축 방향으로 배열된 광학 렌즈(300)가 회로 기판 상에 안정적으로 고정 및 지지시키고 광 손실을 줄여줄 수 있다. The supporting protrusions 350 on the bottom surface 310 may have a relationship of D12 &gt; D4 when D12 &lt; D13, and D13 > D3. The ratio of D12 / D4 is g1, and the ratio of D13 / D3 is g2, g1 < g2. This can stably fix and support the optical lens 300 arranged in the X-axis direction on the circuit board and reduce the optical loss.

실시 예에 따른 광학 렌즈(300)는 바닥면(310) 또는 제1광 출사면(330)의 장/단 길이인 D2/D1의 비율은 a이고, 상기 리세스(315)의 장/단 길이인 D3/D4의 비율이 b인 경우, a<b의 관계를 가질 수 있다. 상기 b는 a의 110% 이상 예컨대, 110% 내지 140%의 범위로 제공될 수 있다. 이는 비대칭 광학렌즈에서 상기 리세스(315)의 입사면이 대칭 렌즈보다 넓게 제공되므로, 광을 더 넓은 범위까지 확산시켜 제공할 수 있다. 이에 따라 광학 렌즈(300)는 외형적인 길이 차이로 인해 Y축 방향의 휘도 분포를 확보할 수 있고, 휘도 분포 측면에서 상기 리세스(315)에 의해 X축 방향 및 모서리 영역으로 넓게 확산시켜 줄 수 있다. 이에 따라 상기 광학 렌즈(300)가 배열된 광원 모듈의 바 개수를 2개 이하 예컨대, 1개로 줄여줄 수 있으며, 백라이트 유닛에서의 상/하 코너부의 휘도 분포를 개선시켜 줄 수 있다. The ratio of the length D2 / D1 of the bottom surface 310 or the first light output surface 330 to the length D2 / D1 of the optical lens 300 according to the embodiment is a and the length / length of the recess 315 If the ratio of D3 / D4 is b, then a < b can be satisfied. The b may be provided in a range of 110% or more, such as 110% to 140% of a. This is because the incidence surface of the recess 315 in the asymmetric optical lens is provided wider than the symmetrical lens, so that the light can be diffused and provided to a wider range. Accordingly, the optical lens 300 can secure the luminance distribution in the Y-axis direction due to the difference in external length, and can diffuse widely in the X-axis direction and the edge area by the recess 315 in terms of luminance distribution have. Accordingly, the number of bars of the light source module in which the optical lens 300 is arranged can be reduced to two or less, for example, one, and the luminance distribution of the upper and lower corner portions in the backlight unit can be improved.

상기 입사면(320)은 상기 바닥면(310)의 센터 영역으로부터 위로 볼록한 곡면을 가지며, 상기 리세스(315)의 둘레 면 또는 내부면일 수 있다. 상기 입사면(320)은 상기 리세스(315)의 바닥 중심(P0)과의 거리가 위로 올라갈수록 점차 멀어질 수 있다. 상기 입사면(320)은 볼록한 곡면으로 제공되므로, 전 영역에서 광을 굴절시켜 줄 수 있다. 상기 입사면(320)의 하부 영역(22)은 상기 제2출사면(335)보다 낮은 위치에 배치되어, 직접 또는 간접으로 광을 입사받을 수 있다. 상기 입사면(320)의 하부 영역(22)은 상기 리세스(315)의 바닥에서 반사된 광을 입사받을 수 있다. 상기 입사면(320)은 베지어(Bezier) 곡선을 갖는 회전체로 형성될 수 있다. 상기 입사면(320)의 곡선은 스플라인(Spline) 예컨대, 큐빅(cubic), B-스플라인, T-스플라인으로 구현될 수 있다. 상기 입사면(320)의 곡선은 베지어 곡선(Bezier curve)로 구현될 수 있다. The incident surface 320 has a curved surface convex upward from the center area of the bottom surface 310 and may be a circumferential surface or an inner surface of the recess 315. The incidence plane 320 may gradually move away from the bottom center P0 of the recess 315 as the distance increases. Since the incident surface 320 is provided with a convex curved surface, the light can be refracted in the entire area. The lower region 22 of the incident surface 320 is disposed at a position lower than the second exit surface 335 so that light can be incident directly or indirectly. The lower region 22 of the incident surface 320 may receive light reflected from the bottom of the recess 315. The incident surface 320 may be formed of a rotating body having a Bezier curve. The curved line of the incident surface 320 may be a spline, cubic, B-spline, or T-spline, for example. The curve of the incident surface 320 may be implemented as a Bezier curve.

도 5 및 도 6과 같이, 광학 렌즈(300)는 제1출사면(330)을 포함할 수 있다. 상기 제1출사면(330)은 렌즈 몸체를 기준으로 상기 리세스(315) 및 상기 바닥면(310)의 반대측 면일 수 있다. 상기 제1출사면(330)은 상기 입사면(320) 및 상기 바닥면(310)의 반대측 면일 수 있다. 상기 제1출사면(330)은 곡면을 포함한다. 상기 제1출사면(330)은 중심 축(Z0)에 대응되는 지점이 제2정점(31)이 될 수 있으며, 상기 제2정점(31)은 렌즈 몸체의 정점일 수 있다. 상기 제1출사면(330)은 위로 볼록한 곡면을 포함할 수 있다. 상기 제1출사면(330)은 전 영역이 곡면 예컨대, 서로 다른 양의 곡률을 갖는 곡면으로 형성될 수 있다. 상기 제1출사면(330)은 상기 중심 축(Z0)을 기준으로 축대칭 형상 예컨대, X축 또는 Y축 대칭 형상을 가질 수 있다. 상기 제2출사면(335)에서 상기 제2정점(31)에 인접한 센터측 제1영역(A1,A2)은 음의 곡률을 가지지 않을 수 있다. 상기 제2출사면(335)에서 상기 제2정점(31)에 인접한 제1영역(A1,A2)은 서로 다른 양의 곡률 반경을 가질 수 있다. 상기 제1영역(A1,A2)의 외측 사이드 영역인 제2영역(A3,A4)은 서로 다른 곡률 반경을 갖는 곡면으로 형성될 수 있다. As shown in FIGS. 5 and 6, the optical lens 300 may include a first exit surface 330. The first exit surface 330 may be the opposite side of the recess 315 and the bottom surface 310 with respect to the lens body. The first exit surface 330 may be the opposite side of the incident surface 320 and the bottom surface 310. The first exit surface 330 includes a curved surface. The first exit surface 330 may have a second vertex 31 corresponding to the center axis Z0 and the second vertex 31 may be a vertex of the lens body. The first exit surface 330 may include a convex curved surface. The first exit surface 330 may be formed as a curved surface having a curvature, for example, a curvature having a different positive curvature. The first exit surface 330 may have an axisymmetric shape, for example, an X-axis or a Y-axis symmetrical shape with respect to the central axis Z0. The center side first regions A1 and A2 adjacent to the second vertex 31 on the second exit surface 335 may not have a negative curvature. The first regions A1 and A2 adjacent to the second vertex 31 on the second exit surface 335 may have different radii of curvature. The second regions A3 and A4, which are the outer side regions of the first regions A1 and A2, may be formed as curved surfaces having different radii of curvature.

상기 제1출사면(330)은 상기 리세스(315)의 바닥 중심(P0)과의 거리가 중심 축(Z0)으로부터 멀어질수록 점차 커질 수 있다. 상기 제1출사면(330) 중에서 상기 중심 축(Z0) 즉, 상기 제2정점(31)에 인접할수록 수평한 축에 대해 기울기가 없거나 미세한 기울기 차이를 가질 수 있다. 즉, 상기 제1출사면(330)의 센터측 제1영역(A1,A2)은 완만한 곡선이거나 평탄한 직선을 포함할 수 있다. 상기 제1출사면(330)의 제1영역(A1,A2)은 상기 리세스(315)와 수직하게 오버랩되는 영역을 포함할 수 있다. 상기 제1출사면(330)의 사이드측 제2영역(A3,A4)은 상기 제1영역(A1,A2)보다 급격한 곡면을 가질 수 있다. 상기 제1출사면(330)과 상기 입사면(320)은 볼록한 곡면을 가지므로, 상기 리세스(315)의 바닥 중심(P0)으로부터 방출되는 광에 대해 측 방향으로 확산시켜 줄 수 있다. 상기 제1출사면(330)과 상기 입사면(320)은 상기 중심 축(Z0)으로부터 70±4 이내의 각도 범위에서 상기 중심 축(Z0)으로부터 멀어질수록 광이 굴절되는 각도가 커질 수 있다. The first exit surface 330 may gradually increase as the distance from the bottom center P0 of the recess 315 is further away from the central axis Z0. The center of gravity Z0 of the first exit surface 330 may have a slope or a slight slope difference with respect to a horizontal axis as it is adjacent to the second vertex 31. [ That is, the center-side first areas A1 and A2 of the first exit surface 330 may include a gentle curve or a straight line. The first regions A1 and A2 of the first exit surface 330 may include an area vertically overlapping the recess 315. [ The side second regions A3 and A4 of the first exit surface 330 may have a curved surface that is more abrupt than the first regions A1 and A2. Since the first exit surface 330 and the entrance surface 320 have a convex curved surface, the first exit surface 330 and the entrance surface 320 can be diffused in a lateral direction with respect to the light emitted from the bottom center PO of the recess 315. The angle at which the light is refracted may become larger as the first exit surface 330 and the incident surface 320 are away from the central axis Z0 in an angular range within 70 占 from the central axis Z0 .

상기 제1출사면(330)의 제1영역(A1,A2)의 곡률 반경은 상기 입사면(320)의 곡률 반경 보다는 클 수 있다. 상기 제1출사면(330)의 제1영역(A1,A2)의 곡률 반경은 상기 제2영역(A3,A4)의 곡률 반경보다 클 수 있다. 상기 X축 방향과 Y축 방향의 제1영역(A1,A2)은 서로 동일한 또는 서로 다른 곡률 반경을 가질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 X축 방향과 Y축 방향의 제2영역(A3,A4)은 서로 동일한 또는 서로 다른 곡률 반경을 가질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The radius of curvature of the first regions A1 and A2 of the first exit surface 330 may be greater than the radius of curvature of the incident surface 320. [ The radius of curvature of the first regions A1 and A2 of the first exit surface 330 may be greater than the radius of curvature of the second regions A3 and A4. The first regions A1 and A2 in the X-axis direction and the Y-axis direction may have the same or different radius of curvature, but are not limited thereto. The second regions A3 and A4 in the X-axis direction and the Y-axis direction may have the same or different radius of curvature, but are not limited thereto.

상기 제1출사면(330)의 기울기는 상기 입사면(320)의 기울기보다는 작을 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)의 제1출사면(330)은 지향각 내에서 중심축(Z0)을 기준으로 거리가 멀어짐에 따라 단조가 증가하게 되며, 상기 제2출사면(335)은 광의 지향각 분포를 벗어난 영역을 포함하며, 상기 중심축(Z0)을 기준으로 거리가 멀어짐에 따라 단조가 동일하거나 감소하게 된다. The inclination of the first exit surface 330 may be smaller than the inclination of the incident surface 320. The first exit surface 330 of the optical lens 300 increases in monotonous as the distance from the central axis Z0 is increased in the directing angle and the second exit surface 335 has a light directing angle And the forging is the same or decreases as the distance increases with respect to the central axis Z0.

상기 광학 렌즈(300)는 제1출사면(330)과 바닥면(310) 사이에 제2출사면(335)을 포함할 수 있다. 상기 제2출사면(335)은 상기 리세스(315)의 바닥에 수평한 제1직선(X0) 및 제2직선(Y0)보다 높은 위치에 배치될 수 있다. 상기 제2출사면(335)은 평평한 면이거나 경사진 면일 수 있으며, 플랜지(Flange)로 정의될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제2출사면(335)은 상기 수평한 제1직선(X0) 및 제2직선(Y0)에 대해 수직하거나 경사지게 배치될 수 있다. 상기 제2출사면(335)은 상기 제1출사면(330)의 외곽 라인으로부터 수직하게 연장되거나 경사지게 연장될 수 있다. 상기 제2출사면(335)은 상기 제1출사면(330)에 인접한 제3에지(35)를 포함하며, 상기 제3에지(35)는 상기 제1출사면(330)의 외곽 라인과 동일한 위치이거나 상기 제1출사면(330)의 외곽 라인보다 내부 또는 외부에 위치할 수 있다. The optical lens 300 may include a second exit surface 335 between the first exit surface 330 and the bottom surface 310. The second exit surface 335 may be disposed at a position higher than the first straight line X0 and the second straight line Y0 which are horizontal to the bottom of the recess 315. [ The second exit surface 335 may be a flat surface or a sloped surface, and may be defined as a flange, but is not limited thereto. The second exit surface 335 may be disposed perpendicular or inclined to the first horizontal straight line X0 and the second straight line Y0. The second exit surface 335 may extend vertically or obliquely from the outline of the first exit surface 330. The second exit surface 335 includes a third edge 35 adjacent to the first exit surface 330 and the third edge 35 is substantially identical to the outline of the first exit surface 330 Or may be located inside or outside of the outline line of the first exit surface 330.

상기 제2출사면(335)의 제3에지(35)와 상기 중심축(Z0)을 연결한 직선은 상기 리세스(315)의 바닥 중심(P0)을 기준으로 상기 중심 축(Z0)으로부터 74±2도 이하의 각도에 위치될 수 있다. 상기 제2출사면(335)의 제3에지(35)는 상기 리세스(315)의 바닥 중심(P0)을 기준으로 상기 수평한 제1직선(X0) 및 제2축(YO)에 대해 20도 이하 예컨대, 16±2도의 각도로 위치할 수 있다. 상기 리세스(315)의 바닥 중심(P0)으로 상기 제2출사면(335)의 제2에지(25)와 제3에지(35) 사이의 각도는 16도 이하 예컨대, 13±2도의 각도를 가질 수 있다. 이러한 제2출사면(335)의 제3에지(35)를 지나는 직선에 대한 각도는 상기 광학 렌즈(300)의 외부 각도이다. 상기 제2출사면(335)은 상기 수평한 제1직선(X0) 및 제2직선(YO)으로부터 이격된 영역에서 입사되는 광을 굴절시켜 방사할 수 있다. 상기 제2출사면(335)에 의해 굴절된 광은 중심 축(Z0)을 기준으로 굴절 전의 각도보다 작은 각도로 방사될 수 있다. 이에 따라 제2출사면(335)은 굴절된 광이 수평한 축 또는 수평한 축보다 낮은 방향으로 방사되는 것을 억제할 수 있고 인접한 광학 부재에 간섭을 주거나 광이 손실되는 것을 방지할 수 있다. A straight line connecting the third edge 35 of the second exit surface 335 and the center axis Z0 is formed in a line from the center axis Z0 to the center axis Z0 with respect to the bottom center P0 of the recess 315. [ Can be located at an angle of less than +/- 2 degrees. The third edge 35 of the second exit surface 335 is inclined relative to the horizontal first line X0 and the second axis YO with respect to the bottom center P0 of the recess 315 For example, at an angle of 16 +/- 2 degrees. The angle between the second edge 25 and the third edge 35 of the second exit surface 335 at the bottom center P0 of the recess 315 is not more than 16 degrees, Lt; / RTI &gt; The angle of the second exit surface 335 with respect to a straight line passing through the third edge 35 is an external angle of the optical lens 300. The second exit surface 335 can emit light by refracting light incident in a region spaced from the first straight line X0 and the second straight line YO. The light refracted by the second exit surface 335 may be emitted at an angle smaller than the angle before refraction with respect to the central axis Z0. Thus, the second exit surface 335 can suppress the refracted light from being radiated in a direction lower than the horizontal axis or the horizontal axis, and can prevent interference with adjacent optical members or loss of light.

상기 제1출사면(330)과 상기 제2출사면(335) 사이의 경계 영역에서는 광이 굴절되는 각도가 감소될 수 있으며, 예컨대 2도 이하의 각도 범위로 감소될 수 있다. 이는 상기 제1출사면(330) 중에서 상기 제2출사면(335)에 가까운 면이 접선에 가까워지거나 수직한 면으로 제공될 수 있으므로, 광이 굴절되는 각도가 점차 감소될 수 있다.In the boundary region between the first exit surface 330 and the second exit surface 335, the angle at which the light is refracted can be reduced and can be reduced to, for example, an angle range of 2 degrees or less. This is because the surface of the first exit surface 330 closer to the second exit surface 335 may be provided as a tangential line or a perpendicular plane, so that the angle at which the light is refracted may be gradually reduced.

상기 중심 축(Z0)과 상기 바닥면(310)의 제2에지(25)를 지나는 직선은 상기 제1직선(X0) 또는 제2직선(YO)과의 각도(θ1)가 5도 이하 예컨대, 0.4도 내지 4도 범위에 있을 수 있다. 이러한 각도(θ1)는 상기 중심 축(Z0)과의 거리와 상기 제2에지(25)의 높이에 따라 달라질 수 있으며, 상기 범위를 벗어날 경우 광학 렌즈의 두께가 변경될 수 있으며 광의 손실이 증가될 수 있다. 상기 제2출사면(335)은 상기 리세스(315)의 바닥 중심(P0)을 기준으로 상기 중심축(Z0)으로부터 반치각을 벗어나는 광들을 굴절시켜 주게 되므로, 광 손실을 줄여줄 수 있다. A straight line passing through the center axis Z0 and the second edge 25 of the bottom surface 310 is formed so that the angle? 1 with respect to the first straight line X0 or the second straight line YO is 5 degrees or less, And may be in the range of 0.4 to 4 degrees. The angle? 1 may vary depending on the distance from the central axis Z0 and the height of the second edge 25, and when the distance is out of the range, the thickness of the optical lens may be changed and the loss of light may be increased . The second exit surface 335 refracts light that is out of the half-angle from the center axis Z0 with respect to the bottom center P0 of the recess 315, thereby reducing light loss.

상기 광학 렌즈(300)의 길이(D1,D2)는 두께(D5)보다 크게 배치될 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)의 길이(D1,D2)는 상기 두께(D5)의 2.5배 이상 예컨대, 3배 이상이 될 수 있다. 상기 제1길이(D1)는 15mm 이상 예컨대, 16mm 내지 28mm 범위일 수 있으며, 제2길이(D2)는 16mm 이상 예컨대, 17mm 내지 32mm의 범위일 수 있다. 상기 두께(D5)는 6.5mm 이상 예컨대, 6.5mm 내지 10mm 이하의 범위일 수 있다. 상기 D5/D1의 비율이 c이고, D5/D2의 비율이 d인 경우, 상기 c,d는 0.3이상이며, c>d의 관계를 가질 수 있다. 이러한 광학 렌즈(300)의 길이(D1,D2)가 두께(D5)보다 크게 배치되므로, 조명 장치나 라이트 유닛의 전 영역에 균일한 휘도 분포를 제공할 수 있다. 또한 라이트 유닛 내에서 커버하는 영역이 개선되므로 광학 렌즈의 개수는 줄일 수 있고, 광학 렌즈(300)의 두께는 줄여줄 수 있다.The lengths D1 and D2 of the optical lens 300 may be larger than the thickness D5. The lengths D1 and D2 of the optical lens 300 may be 2.5 times or more, for example, 3 times or more of the thickness D5. The first length D1 may be in a range of 15 mm or more, for example, 16 mm to 28 mm, and the second length D2 may be in a range of 16 mm or more, for example, 17 mm to 32 mm. The thickness D5 may be in the range of 6.5 mm or more, for example, 6.5 mm to 10 mm or less. When the ratio of D5 / D1 is c and the ratio of D5 / D2 is d, c and d are not less than 0.3, and c> d. Since the lengths D1 and D2 of the optical lens 300 are arranged to be larger than the thickness D5, it is possible to provide a uniform luminance distribution over the entire area of the illumination device and the light unit. Further, since the area covered in the light unit is improved, the number of optical lenses can be reduced, and the thickness of the optical lens 300 can be reduced.

상기 리세스(315)의 깊이(D8)는 바닥 중심(P0)부터 제1정점(21)까지의 간격을 가진다. 여기서, 상기 제1정점(21)은 입사면(320)의 정점이거나 리세스(315)의 상단 지점일 수 있다. 상기 리세스(315)의 깊이(D8)는 5mm 이상 예컨대, 6mm 이상일 수 있으며, 광학 렌즈(300)의 두께(D5)의 0.75 이상 예컨대, 0.8 이상의 깊이를 가질 수 있다. 상기 리세스(315)의 깊이(D8)는 상기 제1출사면(330)의 제2정점(31)과 바닥 중심(P0) 또는 제1에지(23) 사이의 거리의 0.8 이상일 수 있다. 상기 리세스(315)는 D3/D8의 비율이 e이고, D4/D8의 비율이 f인 경우, e>f의 관계를 가질 수 있다. 상기 리세스(315)의 깊이(D8)가 깊게 배치됨으로써, 제1출사면(330)의 센터 영역이 전 반사면 또는 음의 곡률을 갖지 않더라도, 입사면(320)의 제1정점(21)의 인접 영역에서도 측 방향으로 광을 확산시켜 줄 수 있다. 상기 리세스(315)이 깊은 깊이(D8)를 가지므로, 상기 입사면(320)은 제2정점(31)에 가까운 영역에서 상기 제1정점(21)의 주변 영역으로 입사된 광을 측 방향으로 굴절시켜 줄 수 있다. The depth D8 of the recess 315 has an interval from the bottom center PO to the first apex 21. Here, the first vertex 21 may be the apex of the incident surface 320 or the upper end of the recess 315. The depth D8 of the recess 315 may be 5 mm or more, for example, 6 mm or more, and may have a depth of 0.75 or more, for example, 0.8 or more of the thickness D5 of the optical lens 300. The depth D8 of the recess 315 may be 0.8 or more of the distance between the second vertex 31 of the first exit surface 330 and the bottom center PO or the first edge 23. The recess 315 may have a relationship of e > f when the ratio of D3 / D8 is e and the ratio of D4 / D8 is f. The depth D8 of the recess 315 is deep so that even though the center area of the first exit surface 330 does not have an antireflection or negative curvature, It is possible to diffuse the light in the lateral direction even in the adjacent region. Since the recess 315 has a deep depth D8, the incidence plane 320 can reflect light incident on the peripheral region of the first vertex 21 in a region close to the second vertex 31, As shown in FIG.

상기 리세스(315)와 상기 제1출사면(330) 사이의 최소 거리(D9)는 상기 입사면(320)의 제1정점(21)과 제1출사면(330)의 제2정점(31) 사이의 간격일 수 있다. 상기 거리(D9)는 3mm 이하일 수 있으며, 예컨대, 0.6mm 내지 3mm 범위 또는 0.6mm 내지 2mm의 범위일 수 있다. 상기 입사면(320)의 제1정점(21)과 제1출사면(330) 제2정점(31) 사이의 거리(D9)가 3mm 이상인 경우 상기 제1출사면(330)의 제1영역(A1,A2)과 제2영역(A3,A4)으로 진행하는 광량 차이가 커질 수 있고, 광 분포가 균일하지 않을 수 있다. 상기 입사면(320)의 제1정점(21)과 제1출사면(330)의 제2정점(31) 사이의 거리(D9)가 0.6mm 미만인 경우 광학 렌즈(300)의 센터 측 강성이 약해지는 문제가 있다. 이러한 리세스(315) 및 제1출사면(330) 사이의 거리(D9)를 상기 범위로 배치함으로써, 제2출사면(335)의 제1영역(A1,A2)이 전 반사면 또는 음의 곡률을 갖지 않더라도, 광의 경로를 외측 방향으로 확산시켜 줄 수 있다. 이는 입사면(320)의 제1정점(21)이 상기 제1출사면(330)의 볼록한 제2정점(31)에 인접할수록 상기 입사면(320)을 통해 제1출사면(330)의 측 방향으로 진행하는 광의 광량이 증가될 수 있다. 따라서, 광학 렌즈(300)의 측 방향으로 확산하는 광량을 증가시켜 줄 수 있다. The minimum distance D9 between the recess 315 and the first exit surface 330 is smaller than the distance between the first vertex 21 of the incident surface 320 and the second vertex 31 of the first exit surface 330 ). &Lt; / RTI &gt; The distance D9 may be 3 mm or less, for example, in the range of 0.6 mm to 3 mm or in the range of 0.6 mm to 2 mm. When the distance D9 between the first vertex 21 of the incident surface 320 and the second vertex 31 of the first exit surface 330 is 3 mm or more, the first area of the first exit surface 330 A1 and A2 and the second areas A3 and A4 may be large, and the light distribution may not be uniform. When the distance D9 between the first vertex 21 of the incident surface 320 and the second vertex 31 of the first exit surface 330 is less than 0.6 mm, There is a problem to be solved. By arranging the distance D9 between the recess 315 and the first exit surface 330 within the above range, the first areas A1 and A2 of the second exit surface 335 can be inclined to the full- The light path can be diffused in the outward direction even if it has no curvature. This is because the first vertex 21 of the incident surface 320 is closer to the convex second vertex 31 of the first exit surface 330 than to the side of the first exit surface 330 through the entrance surface 320 The light amount of the light traveling in the direction of the arrow can be increased. Therefore, the amount of light diffused in the lateral direction of the optical lens 300 can be increased.

상기 입사면(320)의 제1정점(21)은 상기 제2출사면(335)의 제3에지(35)로부터 수평하게 연장한 직선보다는 제1출사면(330)의 센터인 제2정점(31)에 더 인접하게 배치될 수 있다.The first vertex 21 of the incident surface 320 is positioned at a second vertex (center) of the first exit surface 330 rather than a straight line extending horizontally from the third edge 35 of the second exit surface 335 Lt; RTI ID = 0.0 &gt; 31). &Lt; / RTI &gt;

상기 제2출사면(335)의 너비(D7)는 제2에지(25) 및 제3에지(35) 사이의 직선 거리로서, 상기 리세스(315)의 깊이(D8>D7)보다 작을 수 있다. 상기 D8/D7의 비율은 3 이상 예컨대, 4 이상일 수 있다. 상기 D5/D7의 비율은 4이상 예컨대, 4.5 이상일 수 있다. 상기 제2출사면(335)의 너비(D7)는 예컨대, 1.5mm 내지 2.3mm 범위일 수 있다. 상기 제2출사면(335)의 너비(D7)가 상기 범위를 초과할 경우 제2출사면(335)으로 출사되는 광량이 증가되어 광 분포 제어가 어려운 문제가 있으며, 상기 범위보다 작을 경우 렌즈 몸체를 제조할 때, 게이트(Gate) 영역의 확보가 어려울 수 있다. The width D7 of the second exit surface 335 is a straight line distance between the second edge 25 and the third edge 35 and may be less than the depth D8> D7 of the recess 315 . The ratio of D8 / D7 may be 3 or more, for example, 4 or more. The ratio of D5 / D7 may be 4 or more, for example, 4.5 or more. The width D7 of the second exit surface 335 may range, for example, from 1.5 mm to 2.3 mm. When the width D7 of the second exit surface 335 exceeds the above range, the amount of light emitted to the second exit surface 335 is increased to make it difficult to control the light distribution. If the width D7 is smaller than the above range, It may be difficult to secure a gate region.

도 5 및 도 6과 같이, 상기 제1출사면(330)의 제1영역(A1,A2)은 상기 리세스(315)와 수직하게 오버랩되는 영역으로서, 상기 바닥 중심(P0)을 기준으로 상기 중심 축(Z0)으로부터 20도 이하의 각도 예컨대, 14도 내지 18도의 영역에 위치할 수 있다. 상기 제1출사면(330)의 제1영역(A1,A2)이 상기의 각도 범위를 초과할 경우 상기 리세스(315) 내의 반경이 더 커지게 되고, 상기 제1영역(A1,A2)과 상기 제2영역(A3,A4)의 광량 차이가 커지는 문제가 있다. 또한 상기 제1출사면(330)의 제1영역(A1,A2)이 상기 각도 범위보다 작은 경우 상기 리세스(315) 내의 반경이 더 줄어들어 광원의 삽입이 용이하지 않을 수 있으며 제1출사면(330)의 제1영역(A1,A2)과 제2영역(A3,A4)의 광 분포가 균일하지 않을 수 있다. 5 and 6, the first regions A1 and A2 of the first exit surface 330 are regions overlapping the recesses 315 vertically, For example, 14 degrees to 18 degrees from the central axis Z0. The radius of the recess 315 becomes larger when the first regions A1 and A2 of the first exit surface 330 exceed the angular range, There is a problem that the light amount difference between the second regions A3 and A4 becomes large. Further, when the first areas A1 and A2 of the first exit surface 330 are smaller than the angular range, the radius of the recess 315 may be further reduced, so that the insertion of the light source may not be easy, The light distribution of the first areas A1 and A2 and the second areas A3 and A4 may not be uniform.

상기 광학 렌즈(300)에서 제2출사면(335)은 제1출사면(330)의 하부 둘레에 배치되며, 바닥면(310)은 상기 제2출사면(335)의 제2에지(25)보다 아래에 배치될 수 있다. 상기 바닥면(310)은 상기 제2출사면(335)의 제2에지(25)의 수평 선상보다 아래로 돌출될 수 있다. The second exit surface 335 of the optical lens 300 is disposed on the lower periphery of the first exit surface 330 and the bottom surface 310 is located on the second edge 25 of the second exit surface 335, May be disposed below. The bottom surface 310 may protrude below the horizontal line of the second edge 25 of the second exit surface 335.

상기 광학 렌즈(300)는 다른 예로서, 상기 제2출사면(335)에 요철 면을 구비할 수 있다. 상기 요철 면은 표면이 거친 헤이즈(Haze) 면으로 형성될 수 있다. 상기 요철 면은 산란 입자가 형성된 면일 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)는 다른 예로서, 상기 바닥면(310)에 요철 면을 구비할 수 있다. 상기 바닥면(310)의 요철 면은 표면이 거친 헤이즈 면으로 형성되거나, 산란 입자가 형성될 수 있다. As another example of the optical lens 300, the second exit surface 335 may have an uneven surface. The uneven surface may be formed as a rough haze surface. The uneven surface may be a surface on which scattering particles are formed. As another example of the optical lens 300, the bottom surface 310 may have an uneven surface. The uneven surface of the bottom surface 310 may be formed into a rough haze surface, or scattering particles may be formed.

실시 예에 따른 광학 렌즈(300)는 도 13과 같이, 회로 기판(400) 상에서 Y축 방향으로 소정 간격을 갖고 배열될 수 있다. 이러한 광학 렌즈(300)는 도 2, 도 5 및 도 6과 같이, 리세스(315)의 너비(D4<D3)가 넓은 Y축 방향으로 배열되므로, 광학 렌즈(300) 간의 간격은 넓게 하면서 광학 렌즈(300)의 개수를 줄여줄 수 있고, 상기 리세스(315)의 비대칭 구조에 의해 X축 방향 또는 X-Y 대각선 방향으로의 휘도 분포를 개선시켜 줄 수 있다. The optical lens 300 according to the embodiment may be arranged on the circuit board 400 at predetermined intervals in the Y axis direction, as shown in FIG. Since the width (D4 < D3) of the recess 315 is arranged in the wide Y-axis direction, as shown in Figs. 2, 5 and 6, The number of the lenses 300 can be reduced and the luminance distribution in the X-axis direction or the XY diagonal direction can be improved by the asymmetric structure of the recesses 315.

도 5 및 도 6의 광학 렌즈의 하부에 발광 소자가 배치된 경우, 도 14 및 도 15와 같은 광원 모듈이 구현될 수 있다. 이 경우 상기 발광 소자(100)는 광학 렌즈(300)의 리세스(315)에 배치되고 광을 방출하며, 상기 방출된 광은 입사면(320)에서 굴절되고 제1출사면(330)을 통해 방출될 수 있다. 상기 입사면(320)을 통해 방출된 일부 광은 제2출사면(335)을 통해 방출될 수 있다. 이러한 제1실시 예에 따른 광학 렌즈는 제1,2 출사면(330,335)을 통해 굴절된 광들이 광학 렌즈(300)의 상 방향 및 측 방향으로 방출될 수 있다. 즉, 상기 광학 렌즈(300)는 입사된 광이 바닥면에 수평한 직선 보다는 상 방향으로 출사되도록 굴절시켜 줄 수 있다. 이러한 광학 렌즈(300)는 도 20 및 도 21과 같이 X축 방향의 지향각 분포가 Y축 방향의 지향각 분포보다 클 수 있다. 예컨대 X축 방향의 지향각 분포가 Y축 방향의 지향각 분포보다 1도 이상 예컨대, 1도 내지 5도 차이로 높을 수 있다. 또한 Y축 방향의 지향각 분포의 반치 폭(FWHM)은 10도 이하일 수 있으며, 중심 강도는 5% 이하일 수 있다.When the light emitting device is disposed below the optical lens of Figs. 5 and 6, the light source module as shown in Figs. 14 and 15 can be realized. In this case, the light emitting device 100 is disposed at the recess 315 of the optical lens 300 and emits light, and the emitted light is refracted at the incident surface 320 and transmitted through the first exit surface 330 Can be released. Some light emitted through the incidence surface 320 may be emitted through the second exit surface 335. In the optical lens according to the first embodiment, light refracted through the first and second exit surfaces 330 and 335 can be emitted upward and laterally of the optical lens 300. That is, the optical lens 300 may refract the incident light such that the incident light is emitted upward rather than a straight line on the bottom surface. 20 and 21, the directivity angle distribution in the X-axis direction may be larger than the directivity angle distribution in the Y-axis direction. For example, the directivity angle distribution in the X-axis direction may be higher than the directivity angle distribution in the Y-axis direction by at least 1 degree, for example, 1 degree to 5 degrees. The half-value width FWHM of the directivity angle distribution in the Y-axis direction may be 10 degrees or less, and the center intensity may be 5% or less.

제1실시 예에 따른 광학 렌즈는 출사면으로 출사된 광들을 비교하면, 상기 광학 렌즈의 정점에 수평한 직선 위로 진행되는 광량이 상기 정점에 수평한 직선보다 아래로 진행되는 광량보다 클 수 있다. The optical lens according to the first embodiment can compare the light emitted to the exit surface with the amount of light traveling on a straight line that is horizontal to the apex of the optical lens is larger than the amount of light traveling below the straight line that is horizontal to the apex.

한편, 실시 예에 따른 광학 렌즈(300)는 측면 돌출부(360)을 포함할 수 있다. 상기 측면 돌출부(360)는 출사면 예컨대, 제2출사면(335)의 표면 일부에 배치될 수 있다. 상기 측면 돌출부(360)는 사출 시의 게이트로 기능할 수 있다. 상기 측면 돌출부(360)는 X축 방향과 Y축 방향 중 적어도 한 방향에 배치될 수 있다. 상기 측면 돌출부(360)는 X축 방향의 제2출사면(335)으로부터 돌출될 수 있다. 상기 측면 돌출부(360)의 높이(또는 두께)는 상기 제2출사면(335)의 수직 너비(또는 높이)(D7)와 같거나 작을 수 있다. 상기 측면 돌출부(360)는 X축 방향으로 배치됨으로써, 상기 X축 방향으로 긴 바닥 너비(D3)을 갖는 리세스(315)의 구조로 인해 주입되는 액상의 렌즈 몸체가 분산되는 효과가 있다. Meanwhile, the optical lens 300 according to the embodiment may include a side projection 360. [ The side projecting portion 360 may be disposed on a part of the surface of the emitting surface, for example, the second emitting surface 335. The side protrusion 360 can function as a gate at the time of injection. The side protrusions 360 may be disposed in at least one of the X axis direction and the Y axis direction. The side surface protrusion 360 may protrude from the second exit surface 335 in the X-axis direction. The height (or thickness) of the side surface projection 360 may be equal to or less than the vertical width (or height) D7 of the second exit surface 335. [ The side protrusions 360 are arranged in the X-axis direction, so that the liquid lens body to be injected is dispersed due to the structure of the recess 315 having a long bottom width D3 in the X-axis direction.

도 7은 제2실시 예에 따른 광학 렌즈의 Y축 방향의 측 단면도이고, 도 8은 제2실시 예에 따른 광학 렌즈의 X축 방향의 측 단면도이다. 제2실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 부분의 설명은 생략하기로 한다. 도 7 및 도 8의 광학 렌즈는 도 1 및 도 2의 평면도 및 배면도를 참조하기로 하며, 제1실시 예로부터 광학 렌즈의 길이 및 두께, 상기 리세스의 길이 및 깊이를 변경한 구성이다. Fig. 7 is a side sectional view in the Y-axis direction of the optical lens according to the second embodiment, and Fig. 8 is a side sectional view in the X-axis direction of the optical lens according to the second embodiment. In describing the second embodiment, description of the same portions as those of the first embodiment will be omitted. The optical lenses of Figs. 7 and 8 refer to the plan view and the rear view of Fig. 1 and Fig. 2, respectively. In the first embodiment, the length and the thickness of the optical lens, and the length and depth of the recess are changed.

도 7 및 도 8을 참조하면, 제2실시 예에 따른 광학 렌즈는, 바닥면(310), 상기 바닥면(310)의 중심 영역에 상기 바닥면(310)으로부터 위로 오목한 리세스(recess)(315), 상기 바닥면(310) 및 상기 리세스(315)의 반대측에 배치된 제1출사면(330)을 포함한다. 상기 광학 렌즈는 제1출사면(330)과 바닥면(310) 사이에 제2출사면(335)을 포함할 수 있다. 이러한 제2실시 예에 따른 광학 렌즈는 제1실시 예의 광학 렌즈와 다른 부분에 대해 설명하기로 한다. 7 and 8, the optical lens according to the second embodiment includes a bottom surface 310, a recess (not shown) recessed upward from the bottom surface 310 in a central region of the bottom surface 310 315), a bottom surface (310) and a first exit surface (330) disposed on the opposite side of the recess (315). The optical lens may include a second exit surface 335 between the first exit surface 330 and the bottom surface 310. The optical lens according to the second embodiment will be described with respect to parts different from the optical lens according to the first embodiment.

상기 광학 렌즈의 바닥면(310)에는 복수의 지지 돌기(350)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 지지 돌기(350)는 상기 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)으로부터 하 방향으로 돌출되고 상기 광학 렌즈(300)를 지지하게 된다. 이러한 지지 돌기(350)는 제1실시 예를 참조하기로 한다.The bottom surface 310 of the optical lens may include a plurality of support protrusions 350. The plurality of support protrusions 350 protrude downward from the bottom surface 310 of the optical lens 300 and support the optical lens 300. These supporting protrusions 350 will be referred to the first embodiment.

도 7 및 도 8의 광학 렌즈는, 제1,2출사면(330,335)을 통해 상 방향 및 측 방향으로 광을 방출하며, 상기 제1,2출사면(330,335)을 통해 출사된 광은 광학 렌즈의 정점에 수평한 직선을 기준으로 상 방향보다는 하 방향으로 더 많은 광들이 방출될 수 있다. 이는 제1실시 예의 광학 렌즈가 상 방향으로 더 많은 광량을 조사하는 것과 달리, 제2실시 예의 광학 렌즈는 측 방향으로 더 많은 광량을 조사하고 있어, 측 발광 렌즈로 제공될 수 있다. The optical lens of Figs. 7 and 8 emits light upwardly and laterally through the first and second exit planes 330 and 335, and the light emitted through the first and second exit planes 330 and 335 passes through the optical lens &lt; RTI ID = More light can be emitted in the downward direction than in the upward direction with respect to the horizontal straight line at the apex of the vertex. This is because the optical lens of the second embodiment irradiates a larger amount of light laterally and can be provided to the side emission lens, unlike the optical lens of the first embodiment irradiating more light quantity in the upward direction.

상기 바닥면(310)의 바텀 뷰 형상은 타원 형상을 포함할 수 있다. 상기 바닥면(310), 또는 제1출사면(330)의 길이는 X축 방향의 제1길이(D1)와 Y축 방향의 제2길이(D2)가 다를 수 있다. 상기 제1길이(D1)는 광학 렌즈(300)의 X축 방향의 길이이며, 제2길이(D2)는 Y축 방향의 길이일 수 있다. 상기 제1길이(D1)는 제2길이(D2)보다 길게 배치될 수 있으며, 상기 제1길이(D1)가 제2길이(D2) 보다 1mm 이상 예컨대, 2mm 이상 클 수 있다. 상기 길이는 D2>D1의 조건을 만족하며, 상기 길이 비율(D1:D2)의 비율은 1:1.08 ~ 1:1.4의 범위일 수 있다. 실시 예에 따른 광학 렌즈(300)는 제2길이(D2)가 제1길이(D1)보다 길게 배치되므로, X축 방향의 휘도 분포가 감소되지 않도록 할 수 있다. The bottom view shape of the bottom surface 310 may include an elliptical shape. The length of the bottom surface 310 or the first exit surface 330 may be different from the first length D1 in the X-axis direction and the second length D2 in the Y-axis direction. The first length D1 may be a length in the X axis direction of the optical lens 300 and the second length D2 may be a length in the Y axis direction. The first length D1 may be longer than the second length D2 and the first length D1 may be larger than the second length D2 by 1 mm or more, for example, 2 mm or more. The length satisfies the condition of D2 > D1, and the ratio of the length ratio (D1: D2) may be in the range of 1: 1.08 to 1: 1.4. The optical lens 300 according to the embodiment is arranged such that the second length D2 is longer than the first length D1, so that the luminance distribution in the X-axis direction can be prevented from being reduced.

상기 리세스(315)의 바닥 형상은 타원 형상을 포함할 수 있다. 도 8 및 도 도 9와 같이, 상기 리세스(315)는 측 단면이 종(bell) 형상, 포탄(shell) 형상 또는 타원 형상을 포함할 수 있다. 상기 리세스(315)는 위로 올라갈수록 너비가 점차 좁아지는 형상을 가질 수 있다. 상기 리세스(315)는 바닥 둘레의 제1에지(23)로부터 상단의 제1정점(21)을 향해 점진적으로 수렴되는 형상을 가질 수 있다. 상기 리세스(315)의 바텀 뷰가 타원 형상인 경우, 상기 제1정점(21)을 향해 직경이 점진적으로 감소될 수 있다. 상기 리세스(315)는 중심 축(Z0)을 기준으로 축 대칭 형상으로 제공될 수 있다. 상기 입사면(320)의 제1정점(21)은 도트 형상으로 제공될 수 있다. The bottom shape of the recess 315 may include an elliptical shape. As shown in FIGS. 8 and 9, the recess 315 may have a bell shape, a shell shape, or an elliptical shape. The recess 315 may have a shape in which the width gradually becomes narrower as it goes up. The recess 315 may have a shape gradually converging from the first edge 23 around the bottom toward the first apex 21 at the top. If the bottom view of the recess 315 is elliptical, the diameter may be gradually reduced toward the first vertex 21. The recess 315 may be provided axially symmetrically with respect to the center axis Z0. The first vertex 21 of the incident surface 320 may be provided in a dot shape.

상기 리세스(315)의 바닥 너비(D3,D4)는 광원 즉, 후술되는 발광 소자가 삽입될 수 있는 너비를 가질 수 있다. 상기 리세스(315)의 바닥 너비(D3,D4)는 발광 소자의 너비의 3배 이하 예컨대, 2.5배 이하일 수 있다. 상기 리세스(315)의 바닥 너비(D3,D4)는 상기 발광 소자의 너비의 1.2배 내지 2.5배 범위일 수 있으며, 상기 범위보다 작은 경우 발광 소자의 삽입이 용이하지 않고 상기 범위보다 큰 경우 상기 발광 소자와 제1에지(23) 사이의 영역을 통한 광 손실 또는 광 간섭을 줄 수 있다. The bottom widths D3 and D4 of the recess 315 may have a width at which a light source, that is, a light emitting device described later, can be inserted. The bottom widths D3 and D4 of the recess 315 may be three times or less the width of the light emitting device, for example, 2.5 times or less. The bottom width D3 and D4 of the recess 315 may be in the range of 1.2 to 2.5 times the width of the light emitting element. If the light emitting element is smaller than the range, It is possible to provide light loss or optical interference through the region between the light emitting element and the first edge 23.

상기 리세스(315)의 바닥 너비를 보면, X축 방향의 너비(D3)는 Y축 방향의 너비(D4)와 다를 수 있다. 예컨대, X축 방향의 너비(D3)는 Y축 방향의 너비(D4)보다 클 수 있다. 상기 리세스(315)의 바닥 너비는 D3>D4의 조건을 만족하며, 그 차이는 1.5mm 이상 5mm 이하 예컨대, 1.5mm 내지 5mm의 차이를 가질 수 있다. 상기 너비 D3는 D4의 2배 이하일 수 있다. 상기 리세스(315)의 바닥 너비의 비율(D4:D3)은 1:1.3 내지 1:1.8의 범위의 차이를 가질 수 있다. 이러한 Y축 방향의 너비(D4)가 X축 방향의 너비(D3)보다 상기 범위보다 작을 경우, Y축 방향의 휘도 개선이 미미하고 상기 범위보다 큰 경우 X축 방향의 휘도 분포가 상대적으로 작아질 수 있다. 또한 리세스(315)의 바닥 너비(D3,D4) 간의 너비 차이가 크게 됨으로써, 광원 예컨대, 발광 소자로부터 방출된 광이 리세스 너비가 넓은 방향 예컨대, X축 방향으로의 광 추출 효율의 개선을 유도할 수 있다. In view of the bottom width of the recess 315, the width D3 in the X-axis direction may be different from the width D4 in the Y-axis direction. For example, the width D3 in the X-axis direction may be larger than the width D4 in the Y-axis direction. The bottom width of the recess 315 satisfies the condition of D3 > D4, and the difference may have a difference of 1.5 mm or more and 5 mm or less, e.g., 1.5 mm to 5 mm. The width D3 may be less than or equal to twice D4. The ratio D4: D3 of the bottom width of the recess 315 may have a difference in the range of 1: 1.3 to 1: 1.8. When the width D4 in the Y-axis direction is smaller than the width D3 in the X-axis direction, the luminance improvement in the Y-axis direction is insignificant and the luminance distribution in the X-axis direction is relatively small . Also, since the difference in width between the bottom widths D3 and D4 of the recess 315 is large, the light emitted from the light source, for example, the light emitting element, can improve the light extraction efficiency in the direction with a large recess width, .

실시 예에 따른 광학 렌즈(300)는 바닥면(310) 또는 제1광 출사면(330)의 장/단 길이인 D2/D1의 비율은 a이고, 상기 리세스(315)의 장/단 길이인 D3/D4의 비율이 b인 경우, a<b의 관계를 가질 수 있다. 상기 b는 a의 125% 이상 예컨대, 125% 내지 160%의 범위로 제공될 수 있다. 이는 비대칭 광학렌즈에서 상기 리세스(315)의 입사면(310)이 대칭 렌즈보다 넓게 제공되므로, 광을 더 넓은 범위까지 확산시켜 제공할 수 있다. 이에 따라 광학 렌즈(300)는 외형적인 길이 차이로 인해 Y축 방향의 휘도 분포를 확보할 수 있고, 휘도 분포 측면에서 상기 리세스(315)에 의해 X축 방향 및 모서리 영역으로 넓게 확산시켜 줄 수 있다. 이에 따라 상기 광학 렌즈(300)가 배열된 광원 모듈의 바 개수를 2개 이하 예컨대, 1개로 줄여줄 수 있으며, 백라이트 유닛에서의 상/하 코너부의 휘도 분포를 개선시켜 줄 수 있다. The ratio of the length D2 / D1 of the bottom surface 310 or the first light output surface 330 to the length D2 / D1 of the optical lens 300 according to the embodiment is a and the length / length of the recess 315 If the ratio of D3 / D4 is b, then a < b can be satisfied. The b may be provided in a range of 125% or more, such as 125% to 160% of a. This is because the incident surface 310 of the recess 315 in the asymmetric optical lens is provided wider than the symmetrical lens, so that the light can be diffused and provided to a wider range. Accordingly, the optical lens 300 can secure the luminance distribution in the Y-axis direction due to the difference in external length, and can diffuse widely in the X-axis direction and the edge area by the recess 315 in terms of luminance distribution have. Accordingly, the number of bars of the light source module in which the optical lens 300 is arranged can be reduced to two or less, for example, one, and the luminance distribution of the upper and lower corner portions in the backlight unit can be improved.

상기 광학 렌즈(300)의 제2출사면(335)은 상기 리세스(315)의 바닥에 수평한 제1직선(X0) 및 제2직선(Y0)보다 높은 위치에 배치될 수 있다. 상기 제2출사면(335)은 평평한 면이거나 경사진 면일 수 있으며, 플랜지(Flange)로 정의될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The second exit surface 335 of the optical lens 300 may be disposed at a position higher than the first straight line X0 and the second straight line Y0 which are horizontal to the bottom of the recess 315. [ The second exit surface 335 may be a flat surface or a sloped surface, and may be defined as a flange, but is not limited thereto.

상기 제2출사면(335)은 상기 수평한 제1직선(X0) 및 제2직선(Y0)에 대해 수직하거나 경사지게 배치될 수 있다. 상기 제2출사면(335)은 상기 제1출사면(330)의 외곽 라인으로부터 수직하게 연장되거나 경사지게 연장될 수 있다. 상기 제2출사면(335)는 제1출사면(330)에 인접한 제3에지(35)를 포함하며, 상기 제3에지(35)는 상기 제1출사면(330)의 외곽 라인과 동일한 위치이거나 상기 제1출사면(330)의 외곽 라인보다 내부 또는 외부에 위치할 수 있다. The second exit surface 335 may be disposed perpendicular or inclined to the first horizontal straight line X0 and the second straight line Y0. The second exit surface 335 may extend vertically or obliquely from the outline of the first exit surface 330. The second exit surface 335 includes a third edge 35 adjacent to the first exit surface 330 and the third edge 35 has the same position as the outline of the first exit surface 330 Or may be located inside or outside the outline line of the first exit surface 330.

상기 제2출사면(335)의 제3에지(35)와 상기 중심축(Z0)을 연결한 직선는 상기 리세스(315)의 바닥 중심(P0)을 기준으로 상기 중심 축(Z0)으로부터 70±2도 이하의 각도에 위치될 수 있다. 상기 제2출사면(335)의 제3에지(35)는 상기 리세스(315)의 바닥 중심(P0)을 기준으로 상기 수평한 제1직선(X0) 및 제2직선(YO)에 대해 20도 이하 예컨대, 16±2도의 각도로 위치할 수 있다. 상기 리세스(315)의 바닥 중심(P0)으로 상기 제2출사면(335)의 제2에지(25)와 제3에지(35) 사이의 각도는 16도 이하 예컨대, 13±2도의 각도를 가질 수 있다. 이러한 제2출사면(335)의 제3에지(35)를 지나는 직선에 대한 각도는 상기 광학 렌즈(300)의 외부 각도이다. 상기 제2출사면(335)은 상기 수평한 제1직선(X0) 및 제2직선(YO)으로부터 이격된 영역에서 입사되는 광을 굴절시켜 방사할 수 있다. 상기 제2출사면(335)에 의해 굴절된 광은 중심 축(Z0)을 기준으로 굴절 전의 각도보다 작은 각도로 방사될 수 있다. 이에 따라 제2출사면(335)은 굴절된 광이 수평한 직선 보다 낮은 방향으로 방사될 수 있어, 라이트 유닛의 반사 시트에 의해 반사될 수 있다. A straight line connecting the third edge 35 of the second exit surface 335 and the center axis Z0 is defined as 70 占 from the center axis Z0 with respect to the bottom center P0 of the recess 315, Can be located at an angle of less than two degrees. The third edge 35 of the second exit surface 335 is inclined relative to the horizontal first line X0 and the second straight line YO by 20 degrees with respect to the bottom center P0 of the recess 315. [ For example, at an angle of 16 +/- 2 degrees. The angle between the second edge 25 and the third edge 35 of the second exit surface 335 at the bottom center P0 of the recess 315 is not more than 16 degrees, Lt; / RTI &gt; The angle of the second exit surface 335 with respect to a straight line passing through the third edge 35 is an external angle of the optical lens 300. The second exit surface 335 can emit light by refracting light incident in a region spaced from the first straight line X0 and the second straight line YO. The light refracted by the second exit surface 335 may be emitted at an angle smaller than the angle before refraction with respect to the central axis Z0. Accordingly, the second exit surface 335 can emit the refracted light in a direction lower than the horizontal straight line, and can be reflected by the reflecting sheet of the light unit.

상기 중심 축(Z0)과 상기 바닥면(310)의 제2에지(25)를 지나는 직선은 상기 제1직선(X0) 또는 제2축(YO)과의 각도(θ1)가 5도 이하 예컨대, 0.4도 내지 4도 범위에 있을 수 있다. 이러한 각도(θ1)는 상기 중심 축(Z0)과의 거리와 상기 제2에지(25)의 높이에 따라 달라질 수 있으며, 상기 범위를 벗어날 경우 광학 렌즈의 두께가 변경될 수 있으며 광의 손실이 증가될 수 있다. 상기 제2출사면(335)은 상기 리세스(315)의 바닥 중심(P0)을 기준으로 상기 중심축(Z0)으로부터 반치각을 벗어나는 광들을 굴절시켜 주게 되므로, 광 손실을 줄여줄 수 있다. A straight line passing through the center axis Z0 and the second edge 25 of the bottom surface 310 is formed so that the angle? 1 with respect to the first straight line X0 or the second axis YO is 5 degrees or less, And may be in the range of 0.4 to 4 degrees. The angle? 1 may vary depending on the distance from the central axis Z0 and the height of the second edge 25, and when the distance is out of the range, the thickness of the optical lens may be changed and the loss of light may be increased . The second exit surface 335 refracts light that is out of the half-angle from the center axis Z0 with respect to the bottom center P0 of the recess 315, thereby reducing light loss.

상기 광학 렌즈(300)의 길이(D1,D2)는 두께(D5)보다 크게 배치될 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)의 길이(D1,D2)는 상기 두께(D5)의 2.5배 이상 예컨대, 3배 이상이 될 수 있다. 상기 제1길이(D1)는 15mm 이상 예컨대, 16mm 내지 25mm 범위일 수 있으며, 제2길이(D2)는 17mm 이상 예컨대, 17mm 내지 30mm의 범위일 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)의 두께(D5)는 6.5mm 이상 예컨대, 6.5mm 내지 9mm 이하의 범위일 수 있다. 이러한 광학 렌즈(300)의 서로 다른 길이(D1,D2)가 두께(D5)보다 크게 배치되므로, 조명 장치나 라이트 유닛의 전 영역에 균일한 휘도 분포를 제공할 수 있다. 또한 라이트 유닛 내에서 커버하는 영역이 개선되므로 광학 렌즈의 개수는 줄일 수 있고, 광학 렌즈(300)의 두께는 줄여줄 수 있다. The lengths D1 and D2 of the optical lens 300 may be larger than the thickness D5. The lengths D1 and D2 of the optical lens 300 may be 2.5 times or more, for example, 3 times or more of the thickness D5. The first length D1 may be in a range of 15 mm or more, for example, 16 mm to 25 mm, and the second length D2 may be in a range of 17 mm or more, for example, 17 mm to 30 mm. The thickness D5 of the optical lens 300 may be in a range of 6.5 mm or more, for example, 6.5 mm to 9 mm or less. Since the different lengths D1 and D2 of the optical lens 300 are arranged to be larger than the thickness D5, a uniform luminance distribution can be provided over the entire area of the illumination device and the light unit. Further, since the area covered in the light unit is improved, the number of optical lenses can be reduced, and the thickness of the optical lens 300 can be reduced.

상기 D5/D1의 비율이 c이고, D5/D2의 비율이 d인 경우, 상기 c,d는 0.3이상이며, c>d의 관계를 가질 수 있다. 이러한 광학 렌즈(300)의 길이(D1,D2)가 두께(D5)보다 크게 배치되고 D2>D1, D3>D4의 관계를 가지므로, 조명 장치나 라이트 유닛의 전 영역에 균일한 휘도 분포를 제공할 수 있다. 또한 라이트 유닛 내에서 커버하는 영역이 개선되므로 광학 렌즈의 개수는 줄일 수 있고, 광학 렌즈(300)의 두께는 줄여줄 수 있다.When the ratio of D5 / D1 is c and the ratio of D5 / D2 is d, c and d are not less than 0.3, and c> d. Since the lengths D1 and D2 of the optical lens 300 are larger than the thickness D5 and D2 > D1 and D3 > D4 are satisfied, a uniform luminance distribution is provided over the entire area of the lighting apparatus and the light unit can do. Further, since the area covered in the light unit is improved, the number of optical lenses can be reduced, and the thickness of the optical lens 300 can be reduced.

상기 리세스(315)의 깊이(D8)는 바닥 중심(P0)부터 제1정점(21)까지의 간격을 가진다. 여기서, 상기 제1정점(21)은 입사면(320)의 정점이거나 리세스(315)의 상단 지점일 수 있다. 상기 리세스(315)의 깊이(D8)는 4mm 이상 예컨대, 4mm 내지 5.2mm의 범위를 가질 수 있으며, 상기 광학 렌즈(300)의 두께(D5)의 0.6 이상 예컨대, 0.6 내지 0.7의 범위를 가질 수 있다. 상기 리세스(315)의 깊이(D8)는 상기 제1출사면(330)의 제2정점(31)과 바닥 중심(P0) 또는 제1에지(23) 사이의 거리의 60% 이상일 수 있다. 상기 리세스(315)는 D3/D8의 비율이 e이고, D4/D8의 비율이 f인 경우, e>f의 관계를 가질 수 있다. 상기 리세스(315)의 깊이(D8)가 깊게 배치됨으로써, 제1출사면(330)의 센터 영역이 전 반사면 또는 음의 곡률을 갖지 않더라도, 입사면(320)의 제1정점(21)의 인접 영역에서도 측 방향으로 광을 확산시켜 줄 수 있다. 상기 리세스(315)가 깊은 깊이(D8)를 가지므로, 상기 입사면(320)은 제2정점(31)에 가까운 영역에서 상기 제1정점(21)의 주변 영역으로 입사된 광을 측 방향으로 굴절시켜 줄 수 있다. The depth D8 of the recess 315 has an interval from the bottom center PO to the first apex 21. Here, the first vertex 21 may be the apex of the incident surface 320 or the upper end of the recess 315. The depth D8 of the recess 315 may be in a range of 4 mm or more, for example, 4 mm to 5.2 mm, and may have a range of 0.6 or more, for example, 0.6 to 0.7 of the thickness D5 of the optical lens 300 . The depth D8 of the recess 315 may be at least 60% of the distance between the second vertex 31 of the first exit surface 330 and the bottom center PO or the first edge 23. The recess 315 may have a relationship of e > f when the ratio of D3 / D8 is e and the ratio of D4 / D8 is f. The depth D8 of the recess 315 is deep so that even though the center area of the first exit surface 330 does not have an antireflection or negative curvature, It is possible to diffuse the light in the lateral direction even in the adjacent region. Since the recess 315 has a deep depth D8, the incidence plane 320 can reflect the light incident on the peripheral region of the first vertex 21 in a region close to the second vertex 31, As shown in FIG.

상기 리세스(315)와 상기 제1출사면(330) 사이의 최소 거리(D9)는 상기 입사면(320)의 제1정점(21)과 제1출사면(330)의 제2정점(31) 사이의 간격일 수 있다. 상기 거리(D9)는 3mm 이하일 수 있으며, 예컨대, 2mm 내지 3mm 범위일 수 있다. 상기 입사면(320)의 제1정점(21)과 제1출사면(330) 제2정점(31) 사이의 거리(D9)가 3mm 초과인 경우 상기 제1출사면(330)의 센터 영역과 사이드 영역으로 진행하는 광량 차이가 커질 수 있고, 광 분포가 균일하지 않을 수 있다. 상기 입사면(320)의 제1정점(21)과 제1출사면(330)의 제2정점(31) 사이의 거리(D9)가 2mm 미만인 경우 광학 렌즈(300)의 센터 측 강성이 약해지는 문제가 있다. 이러한 리세스(315) 및 제1출사면(330) 사이의 거리(D9)를 상기 범위로 배치함으로써, 제2출사면(335)의 센터 영역이 전 반사면 또는 음의 곡률을 갖지 않더라도, 광의 경로를 외측 방향으로 확산시켜 줄 수 있다. 이는 입사면(320)의 제1정점(21)이 상기 제1출사면(330)의 볼록한 제2정점(31)에 인접할수록 상기 입사면(320)을 통해 제1출사면(330)의 측 방향으로 진행하는 광의 광량이 증가될 수 있다. 따라서, 광학 렌즈(300)의 측 방향 예컨대, Y축 방향으로 확산하는 광량을 증가시켜 줄 수 있다. The minimum distance D9 between the recess 315 and the first exit surface 330 is smaller than the distance between the first vertex 21 of the incident surface 320 and the second vertex 31 of the first exit surface 330 ). &Lt; / RTI &gt; The distance D9 may be less than or equal to 3 mm, and may range, for example, from 2 mm to 3 mm. When the distance D9 between the first vertex 21 of the incident surface 320 and the second vertex 31 of the first exit surface 330 is more than 3 mm, The difference in light quantity traveling to the side region may become large, and the light distribution may not be uniform. When the distance D9 between the first vertex 21 of the incident surface 320 and the second vertex 31 of the first exit surface 330 is less than 2 mm, the center side stiffness of the optical lens 300 becomes weak there is a problem. By arranging the distance D9 between the recess 315 and the first exit surface 330 within the above range, even if the center area of the second exit surface 335 does not have a full reflection surface or a negative curvature, The path can be diffused outwardly. This is because the first vertex 21 of the incident surface 320 is closer to the convex second vertex 31 of the first exit surface 330 than to the side of the first exit surface 330 through the entrance surface 320 The light amount of the light traveling in the direction of the arrow can be increased. Therefore, the amount of light diffused in the lateral direction, for example, the Y-axis direction, of the optical lens 300 can be increased.

상기 입사면(320)의 제1정점(21)은 상기 제2출사면(335)의 제3에지(35)로부터 수평하게 연장한 직선보다는 제1출사면(330)의 센터인 제2정점(31)에 더 인접하게 배치될 수 있다.The first vertex 21 of the incident surface 320 is positioned at a second vertex (center) of the first exit surface 330 rather than a straight line extending horizontally from the third edge 35 of the second exit surface 335 Lt; RTI ID = 0.0 &gt; 31). &Lt; / RTI &gt;

상기 제2출사면(335)의 너비(D7)는 제2에지(25) 및 제3에지(35) 사이의 직선 거리로서, 상기 리세스(315)의 깊이(D8>D7)보다 작을 수 있다. 상기 제2출사면(335)의 너비(D7)는 예컨대, 1.5mm 내지 2.3mm 범위일 수 있다. 상기 제2출사면(335)의 너비(D7)가 상기 범위를 초과할 경우 제2출사면(335)으로 출사되는 광량이 증가되어 광 분포 제어가 어려운 문제가 있으며, 상기 범위보다 작을 경우 렌즈 몸체를 제조할 때, 게이트(Gate) 영역의 확보가 어려울 수 있다. The width D7 of the second exit surface 335 is a straight line distance between the second edge 25 and the third edge 35 and may be less than the depth D8> D7 of the recess 315 . The width D7 of the second exit surface 335 may range, for example, from 1.5 mm to 2.3 mm. When the width D7 of the second exit surface 335 exceeds the above range, the amount of light emitted to the second exit surface 335 is increased to make it difficult to control the light distribution. If the width D7 is smaller than the above range, It may be difficult to secure a gate region.

상기 광학 렌즈(300)에서 제2출사면(335)은 제1출사면(330)의 하부 둘레에 배치되며, 바닥면(310)은 상기 제2출사면(335)의 제2에지(25)보다 아래에 배치될 수 있다. 상기 바닥면(310)은 상기 제2출사면(335)의 제2에지(25)의 수평 선상보다 아래로 돌출될 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)는 다른 예로서, 상기 제2출사면(335)에 요철 면을 구비할 수 있다. 상기 요철 면은 표면이 거친 헤이즈(Haze) 면으로 형성될 수 있다. 상기 요철 면은 산란 입자가 형성된 면일 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)는 다른 예로서, 상기 바닥면(310)에 요철 면을 구비할 수 있다. 상기 바닥면(310)의 요철 면은 표면이 거친 헤이즈 면으로 형성되거나, 산란 입자가 형성될 수 있다. The second exit surface 335 of the optical lens 300 is disposed on the lower periphery of the first exit surface 330 and the bottom surface 310 is located on the second edge 25 of the second exit surface 335, Can be arranged below the lower limit. The bottom surface 310 may protrude below the horizontal line of the second edge 25 of the second exit surface 335. As another example of the optical lens 300, the second exit surface 335 may have an uneven surface. The uneven surface may be formed as a rough haze surface. The uneven surface may be a surface on which scattering particles are formed. As another example of the optical lens 300, the bottom surface 310 may have an uneven surface. The uneven surface of the bottom surface 310 may be formed into a rough haze surface, or scattering particles may be formed.

실시 예에 따른 광학 렌즈는 도 13과 같이, 회로 기판(400) 상에서 Y축 방향으로 소정 간격을 갖고 배열될 수 있다. 이러한 광학 렌즈는 길이(D2>D1) 및 리세스(315)의 너비(D4<D3) 가 넓은 Y축 방향으로 배열되므로, 광학 렌즈(300) 간의 간격은 넓게 하면서 광학 렌즈(300)의 개수를 줄여줄 수 있고, 상기 리세스(315)의 비대칭 구조에 의해 X축 방향으로의 휘도 분포를 개선시켜 줄 수 있다. The optical lenses according to the embodiments may be arranged on the circuit board 400 at predetermined intervals in the Y axis direction, as shown in Fig. Since the optical lens 300 is arranged in a wide Y-axis direction with a length D2> D1 and a width D4 <D3 of the recess 315, the distance between the optical lenses 300 is widened, And the luminance distribution in the X-axis direction can be improved by the asymmetric structure of the recess 315. [

이러한 광학 렌즈는 도 22 및 도 23과 같이 Y축 방향의 지향각 분포가 X축 방향의 지향각 분포보다 클 수 있다. 예컨대 Y축 방향의 지향각 분포가 X축 방향의 지향각 분포보다 10도 이상 예컨대, 10도 내지 25도의 범위로 클 수 있다. 또한 Y축 방향의 지향각 분포의 반치 폭(FWHM)은 10도 이상일 수 있으며, 중심 강도는 4% 이상일 수 있다.Such an optical lens may have a directivity angle distribution in the Y-axis direction larger than a directivity angle distribution in the X-axis direction, as shown in Figs. 22 and 23. Fig. For example, the directivity angle distribution in the Y axis direction may be larger than the directivity angle distribution in the X axis direction by 10 degrees or more, for example, 10 degrees to 25 degrees. Further, the half width (FWHM) of the directivity angle distribution in the Y-axis direction may be 10 degrees or more, and the center intensity may be 4% or more.

도 9는 제3실시 예에 따른 광학 렌즈의 Y축 방향의 측 단면도이며, 도 10은 도 9의 광학 렌즈의 다른 X축 방향의 단면도이다.FIG. 9 is a side sectional view in the Y-axis direction of the optical lens according to the third embodiment, and FIG. 10 is a sectional view in the other X-axis direction of the optical lens in FIG.

도 9 및 도 10을 참조하면, 제3실시 예에 따른 광학 렌즈는, 바닥면(310), 상기 바닥면(310)의 센터 영역에 상기 바닥면(310)으로부터 위로 볼록한 리세스(recess)(315), 상기 바닥면(310) 및 상기 리세스(315)의 반대측에 배치된 제1출사면(330), 및 상기 제1출사면(330)의 하부에 배치된 제2출사면(335)을 포함한다. 이러한 제3실시 예에 따른 광학 렌즈는 제1실시 예의 광학 렌즈에 비해, 제1,2길이(D1,D2)와, 리세스(315)의 너비(D3,D4)와, 리세스(315)의 깊이를 상이하게 한 구조이다. 또한 제3실시 예에 따른 광학 렌즈는 제2출사면(335)의 너비(B1,B2)가 영역에 따라 상이한 구조로 제공될 수 있다.9 and 10, the optical lens according to the third embodiment includes a bottom surface 310, a recess formed in a center region of the bottom surface 310 and convex upward from the bottom surface 310 A first emission surface 330 disposed on the opposite side of the bottom surface 310 and the recess 315 and a second emission surface 335 disposed below the first emission surface 330. [ . The optical lens according to the third embodiment has the first and second lengths D1 and D2 and the widths D3 and D4 of the recess 315 and the recesses 315 in the optical lens of the first embodiment, In the depth direction. In addition, the optical lens according to the third embodiment may be provided with a structure in which the widths B1 and B2 of the second exit surface 335 are different depending on regions.

상기 광학 렌즈의 바닥면(310)의 바텀 뷰 형상은 타원 형상을 포함할 수 있다. 상기 바닥면(310) 또는 제1출사면(330)의 길이를 보면, X축 방향의 제1길이(D1)와 Y축 방향의 제2길이(D2)가 다를 수 있다. 상기 제1길이(D1)는 광학 렌즈(300)의 X축 방향의 길이이며, 제2길이(D2)는 Y축 방향의 길이일 수 있다. 상기 제1길이(D1)는 제2길이(D2)보다 짧게 배치될 수 있으며, 상기 제1길이(D1)가 제2길이(D2) 보다 0.5mm 이상 예컨대, 0.5mm 이상 3mm 이하의 차이를 가질 수 있다. 상기 길이는 D2>D1의 조건을 만족하며, 상기 길이 비율(D1:D2)의 비율은 1:1.06 ~ 1:1.1의 범위일 수 있다. 실시 예에 따른 광학 렌즈(300)는 제1길이(D1)가 제2길이(D2)보다 짧게 배치되므로, X축 방향의 휘도 분포가 감소되지 않도록 할 수 있다. The bottom view shape of the bottom surface 310 of the optical lens may include an elliptical shape. The first length D1 in the X-axis direction may be different from the second length D2 in the Y-axis direction in view of the length of the bottom surface 310 or the first exit surface 330. [ The first length D1 may be a length in the X axis direction of the optical lens 300 and the second length D2 may be a length in the Y axis direction. The first length D1 may be shorter than the second length D2 and the first length D1 may have a difference of 0.5 mm or more, for example, 0.5 mm or more and 3 mm or less, . The length satisfies the condition of D2 > D1, and the ratio of the length ratio (D1: D2) may be in the range of 1: 1.06 to 1: 1.1. The optical lens 300 according to the embodiment is arranged such that the first length D1 is shorter than the second length D2, so that the luminance distribution in the X-axis direction can be prevented from being reduced.

상기 리세스(315)의 바닥 형상은 타원 형상을 포함할 수 있다. 상기 리세스(315)는 측 단면이 종(bell) 형상, 포탄(shell) 형상 또는 타원 형상을 포함할 수 있다. 상기 리세스(315)는 위로 올라갈수록 너비가 점차 좁아지는 형상을 가질 수 있다. 상기 리세스(315)는 바닥 둘레의 제1에지(23)로부터 상단의 제1정점(21)을 향해 점진적으로 수렴되는 형상을 가질 수 있다. 상기 리세스(315)의 바텀 뷰가 타원 형상인 경우, 상기 제1정점(21)을 향해 직경이 점진적으로 감소될 수 있다. 상기 리세스(315)는 중심 축(Z0)을 기준으로 축 대칭 형상으로 제공될 수 있다. 상기 입사면(320)의 제1정점(21)은 도트 형상으로 제공될 수 있다. The bottom shape of the recess 315 may include an elliptical shape. The recess 315 may have a bell shape, a shell shape, or an elliptical shape at its side end face. The recess 315 may have a shape in which the width gradually becomes narrower as it goes up. The recess 315 may have a shape gradually converging from the first edge 23 around the bottom toward the first apex 21 at the top. If the bottom view of the recess 315 is elliptical, the diameter may be gradually reduced toward the first vertex 21. The recess 315 may be provided axially symmetrically with respect to the center axis Z0. The first vertex 21 of the incident surface 320 may be provided in a dot shape.

상기 리세스(315)의 바닥 너비(D3,D4)는 광원 즉, 후술되는 발광 소자가 삽입될 수 있는 너비를 가질 수 있다. 상기 리세스(315)의 바닥 너비(D3,D4)는 발광 소자의 너비의 3배 이하 예컨대, 2.5배 이하일 수 있다. 상기 리세스(315)의 바닥 너비(D3,D4)는 상기 발광 소자의 너비의 1.2배 내지 2.5배 범위일 수 있으며, 상기 범위보다 작은 경우 발광 소자의 삽입이 용이하지 않고 상기 범위보다 큰 경우 상기 발광 소자와 제1에지(23) 사이의 영역을 통한 광 손실 또는 광 간섭을 줄 수 있다. The bottom widths D3 and D4 of the recess 315 may have a width at which a light source, that is, a light emitting device described later, can be inserted. The bottom widths D3 and D4 of the recess 315 may be three times or less the width of the light emitting device, for example, 2.5 times or less. The bottom width D3 and D4 of the recess 315 may be in the range of 1.2 to 2.5 times the width of the light emitting element. If the light emitting element is smaller than the range, It is possible to provide light loss or optical interference through the region between the light emitting element and the first edge 23.

상기 리세스(315)의 바닥 너비를 보면, X축 방향의 너비(D3)는 Y축 방향의 너비(D4)와 다를 수 있다. 예컨대, X축 방향의 너비(D3)는 제2축 방향의 너비(D4)보다 클 수 있다. 상기 리세스(315)의 바닥 너비는 D3>D4의 관계를 가지며, 그 차이는 1.5mm 이상 5mm 이하 예컨대, 1.5mm 이상 3mm 이하의 차이를 가질 수 있다. 상기 너비 D3는 D4의 3배 이하 예컨대, 2배 이하일 수 있다. 상기 리세스(315)의 바닥 너비의 비율(D4:D3)은 1:1.5 내지 1:3의 범위의 차이를 가질 수 있다. 이러한 X축 방향의 리세스(315)의 바닥 너비(D3)가 Y축 방향의 너비(D4)보다 크게 배치되므로, 비대칭 렌즈 형상으로 제공될 수 있다. In view of the bottom width of the recess 315, the width D3 in the X-axis direction may be different from the width D4 in the Y-axis direction. For example, the width D3 in the X-axis direction may be larger than the width D4 in the second axis direction. The bottom width of the recess 315 has a relationship of D3 > D4, and the difference may have a difference of 1.5 mm or more and 5 mm or less, for example, 1.5 mm or more and 3 mm or less. The width D3 may be three times or less, for example, two times or less than D4. The ratio D4: D3 of the bottom width of the recess 315 may have a difference in the range of 1: 1.5 to 1: 3. Since the bottom width D3 of the recess 315 in the X-axis direction is larger than the width D4 in the Y-axis direction, it can be provided in an asymmetric lens shape.

또한 리세스(315)의 바닥 너비(D3,D4) 간의 너비 차이가 크지 않더라도 광원 예컨대, 발광 소자로부터 방출된 광이 리세스 너비가 넓은 방향 예컨대, Y축 방향으로의 광 추출 효율의 개선을 유도할 수 있다.Further, even if the difference in width between the bottom widths D3 and D4 of the recess 315 is not large, the light emitted from the light emitting element, for example, induces an improvement in the light extraction efficiency in the direction of a large recess width, can do.

실시 예에 따른 광학 렌즈는 외형적으로 X축 방향의 제1길이(D1)가 Y축 방향의 제2길이(D2)보다 짧고, 상기 리세스(315)이 바닥 너비는 X축 방향의 너비(D3)가 Y축 방향의 너비(D4)보다 넓게 배치될 수 있다. 이에 따라 광학 렌즈(300)는 외형적인 길이 차이로 인해 Y축 방향의 휘도 분포를 확보할 수 있고, 휘도 분포 측면에서 상기 리세스(315)에 의해 X축 방향 및 모서리 영역으로 넓게 확산시켜 줄 수 있다. In the optical lens according to the embodiment, the first length D1 in the X-axis direction is shorter than the second length D2 in the Y-axis direction, and the bottom width of the recess 315 is the width in the X- D3 may be arranged wider than the width D4 in the Y-axis direction. Accordingly, the optical lens 300 can secure the luminance distribution in the Y-axis direction due to the difference in external length, and can diffuse widely in the X-axis direction and the edge area by the recess 315 in terms of luminance distribution have.

실시 예에 따른 광학 렌즈는 바닥면(310) 또는 제1광 출사면(330)의 장/단 길이인 D2/D1의 비율은 a이고, 상기 리세스(315)의 장/단 길이인 D3/D4의 비율이 b인 경우, a<b의 관계를 가질 수 있다. 상기 b는 a의 120% 이상 예컨대, 120% 내지 145%의 범위로 제공될 수 있다. 이는 비대칭 광학렌즈에서 상기 리세스(315)의 입사면(320)이 대칭 렌즈보다 넓게 제공되므로, 광을 더 넓은 범위까지 확산시켜 제공할 수 있다. 이에 따라 광학 렌즈(300)는 외형적인 길이 차이로 인해 Y축 방향의 휘도 분포를 확보할 수 있고, 휘도 분포 측면에서 상기 리세스(315)에 의해 X축 방향 및 방사 방향으로 넓게 확산시켜 줄 수 있다. 이에 따라 상기 광학 렌즈(300)가 배열된 광원 모듈의 바 개수를 2개 이하 예컨대, 1개로 줄여줄 수 있으며, 백라이트 유닛에서의 상/하 코너부의 휘도 분포를 개선시켜 줄 수 있다. The ratio of the length D2 / D1 of the bottom surface 310 or the first light exit surface 330 to the length D2 / D1 of the optical lens according to the embodiment is a and the length / length D3 / When the ratio of D4 is b, a < b can be satisfied. The above b may be provided in a range of 120% or more, for example, 120% to 145% of a. This is because the incident surface 320 of the recess 315 in the asymmetric optical lens is provided wider than the symmetrical lens, so that the light can be diffused and provided to a wider range. Accordingly, the optical lens 300 can secure the luminance distribution in the Y-axis direction due to the difference in the external length, and can diffuse widely in the X-axis direction and the radiation direction by the recess 315 in terms of luminance distribution have. Accordingly, the number of bars of the light source module in which the optical lens 300 is arranged can be reduced to two or less, for example, one, and the luminance distribution of the upper and lower corner portions in the backlight unit can be improved.

상기 광학 렌즈(300)의 제2출사면(335)은 상기 리세스(315)의 바닥에 수평한 제1직선(X0) 및 제2직선(Y0)보다 높은 위치에 배치될 수 있다. 상기 제2출사면(335)은 평평한 면이거나 경사진 면일 수 있으며, 플랜지(Flange)로 정의될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The second exit surface 335 of the optical lens 300 may be disposed at a position higher than the first straight line X0 and the second straight line Y0 which are horizontal to the bottom of the recess 315. [ The second exit surface 335 may be a flat surface or a sloped surface, and may be defined as a flange, but is not limited thereto.

상기 제2출사면(335)은 상기 수평한 제1직선(X0) 및 제2직선(Y0)에 대해 수직하거나 경사지게 배치될 수 있다. 상기 제2출사면(335)은 상기 제1출사면(330)의 외곽 라인으로부터 수직하게 연장되거나 경사지게 연장될 수 있다. 상기 제2출사면(335)는 제1출사면(330)에 인접한 제3에지(35)를 포함하며, 상기 제3에지(35)는 상기 제1출사면(330)의 외곽 라인과 동일한 위치이거나 상기 제1출사면(330)의 외곽 라인보다 내부 또는 외부에 위치할 수 있다. The second exit surface 335 may be disposed perpendicular or inclined to the first horizontal straight line X0 and the second straight line Y0. The second exit surface 335 may extend vertically or obliquely from the outline of the first exit surface 330. The second exit surface 335 includes a third edge 35 adjacent to the first exit surface 330 and the third edge 35 has the same position as the outline of the first exit surface 330 Or may be located inside or outside the outline line of the first exit surface 330.

상기 제2출사면(335)의 제3에지(35)와 상기 중심축(Z0)을 연결한 직선는 상기 리세스(315)의 바닥 중심(P0)을 기준으로 상기 중심 축(Z0)으로부터 74±2도 이하의 각도에 위치될 수 있다. 상기 제2출사면(335)의 제3에지(35)는 상기 리세스(315)의 바닥 중심(P0)을 기준으로 상기 수평한 제1직선(X0) 및 제2축(YO)에 대해 20도 이하 예컨대, 16±2도의 각도로 위치할 수 있다. 상기 리세스(315)의 바닥 중심(P0)으로 상기 제2출사면(335)의 제2에지(25)와 제3에지(35) 사이의 각도는 16도 이하 예컨대, 13±2도의 각도를 가질 수 있다. 이러한 제2출사면(335)의 제3에지(35)를 지나는 직선에 대한 각도은 상기 광학 렌즈(300)의 외부 각도이다. 상기 제2출사면(335)은 상기 수평한 제1직선(X0) 및 제2축(YO)으로부터 이격된 영역에서 입사되는 광을 굴절시켜 방사할 수 있다. 상기 제2출사면(335)에 의해 굴절된 광은 중심 축(Z0)을 기준으로 굴절 전의 각도보다 작은 각도로 방사될 수 있다. 이에 따라 제2출사면(335)은 굴절된 광이 수평한 축 또는 수평한 축보다 낮은 방향으로 방사되는 것을 억제할 수 있고 인접한 광학 부재에 간섭을 주거나 광이 손실되는 것을 방지할 수 있다. A straight line connecting the third edge 35 of the second exit surface 335 and the center axis Z0 is 74 占 from the center axis Z0 with respect to the bottom center PO of the recess 315. [ Can be located at an angle of less than two degrees. The third edge 35 of the second exit surface 335 is inclined relative to the horizontal first line X0 and the second axis YO with respect to the bottom center P0 of the recess 315 For example, at an angle of 16 +/- 2 degrees. The angle between the second edge 25 and the third edge 35 of the second exit surface 335 at the bottom center P0 of the recess 315 is not more than 16 degrees, Lt; / RTI &gt; The angle of the second emission surface 335 with respect to a straight line passing through the third edge 35 is an external angle of the optical lens 300. [ The second exit surface 335 can emit light by refracting light incident in a region spaced apart from the horizontal first straight line X0 and the second axis YO. The light refracted by the second exit surface 335 may be emitted at an angle smaller than the angle before refraction with respect to the central axis Z0. Thus, the second exit surface 335 can suppress the refracted light from being radiated in a direction lower than the horizontal axis or the horizontal axis, and can prevent interference with adjacent optical members or loss of light.

상기 중심 축(Z0)과 상기 바닥면(310)의 제2에지(25)를 지나는 직선은 상기 제1직선(X0) 또는 제2축(YO)과의 각도(θ1, θ2)가 5도 이하 예컨대, 0.4도 내지 4도 범위에 있을 수 있다. 상기 제1직선(X0) 또는 제2직선(Y0)과의 각도(θ1, θ2)는 서로 동일하거나 1도 이하의 차이를 가질 수 있다. 이러한 각도(θ1, θ2)는 상기 중심 축(Z0)과의 거리와 상기 제2에지(25)의 높이에 따라 달라질 수 있으며, 상기 범위를 벗어날 경우 광학 렌즈의 두께가 변경될 수 있으며 광의 손실이 증가될 수 있다. 상기 제2출사면(335)은 상기 리세스(315)의 바닥 중심(P0)을 기준으로 상기 중심축(Z0)으로부터 반치각을 벗어나는 광들을 굴절시켜 주게 되므로, 광 손실을 줄여줄 수 있다. The straight line passing through the center axis Z0 and the second edge 25 of the bottom surface 310 is formed so that the angles? 1 and? 2 with respect to the first straight line X0 or the second axis YO are 5 degrees or less For example, in the range of 0.4 to 4 degrees. The angles? 1 and? 2 with respect to the first straight line X0 or the second straight line Y0 may be equal to or less than 1 degree. The angles? 1 and? 2 may vary depending on the distance from the center axis Z0 and the height of the second edge 25, and when the distance is out of the range, the thickness of the optical lens may be changed, Can be increased. The second exit surface 335 refracts light that is out of the half-angle from the center axis Z0 with respect to the bottom center P0 of the recess 315, thereby reducing light loss.

상기 광학 렌즈(300)의 길이(D1,D2)는 두께(D5)보다 크게 배치될 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)의 길이(D1,D2)는 상기 두께(D5)의 2.5배 이상 예컨대, 3배 이상이 될 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)의 길이 중 제1길이(D1)는 15mm 이상 예컨대, 16mm 내지 26mm 범위일 수 있으며, 제2길이(D2)는 17mm 이상 예컨대, 17mm 내지 30mm의 범위일 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)의 두께(D5)는 6.5mm 이상 예컨대, 6.5mm 내지 9mm 이하의 범위일 수 있다. 이러한 광학 렌즈(300)의 서로 다른 길이(D1,D2)가 두께(D5)보다 크게 배치되므로, 조명 장치나 라이트 유닛의 전 영역에 균일한 휘도 분포를 제공할 수 있다. 또한 라이트 유닛 내에서 커버하는 영역이 개선되므로 광학 렌즈의 개수는 줄일 수 있고, 광학 렌즈(300)의 두께는 줄여줄 수 있다. The lengths D1 and D2 of the optical lens 300 may be larger than the thickness D5. The lengths D1 and D2 of the optical lens 300 may be 2.5 times or more, for example, 3 times or more of the thickness D5. The first length D1 of the optical lens 300 may be in a range of 15 mm or more, for example, 16 mm to 26 mm, and the second length D2 may be in a range of 17 mm or more, for example, 17 mm to 30 mm. The thickness D5 of the optical lens 300 may be in a range of 6.5 mm or more, for example, 6.5 mm to 9 mm or less. Since the different lengths D1 and D2 of the optical lens 300 are arranged to be larger than the thickness D5, a uniform luminance distribution can be provided over the entire area of the illumination device and the light unit. Further, since the area covered in the light unit is improved, the number of optical lenses can be reduced, and the thickness of the optical lens 300 can be reduced.

상기 리세스(315)의 깊이(D8)는 바닥 중심(P0)부터 제1정점(21)까지의 간격을 가진다. 여기서, 상기 제1정점(21)은 입사면(320)의 정점이거나 리세스(315)의 상단 지점일 수 있다. 상기 리세스(315)의 깊이(D8)는 3mm 이상 예컨대, 4mm 이상일 수 있으며, 상기 광학 렌즈(300)의 두께(D5)의 60% 이상 예컨대, 63% 이상의 깊이를 가질 수 있다. 상기 리세스(315)의 깊이(D8)가 제1실시 예에 비해 깊지 않더라도, 제1출사면(330)의 센터 영역이 전 반사면 또는 음의 곡률을 갖지 않게 된 경우, 입사면(320)의 제1정점(21)의 인접 영역에서도 측 방향으로 광을 확산시켜 줄 수 있다. 상기 리세스(315)가 낮은 깊이(D8)를 가지고, 리세스(315)의 너비 차이에 의해 Y축 방향으로의 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. The depth D8 of the recess 315 has an interval from the bottom center PO to the first apex 21. Here, the first vertex 21 may be the apex of the incident surface 320 or the upper end of the recess 315. The depth D8 of the recess 315 may be 3 mm or more, for example, 4 mm or more, and may have a depth of 60% or more, for example, 63% or more of the thickness D5 of the optical lens 300. If the depth D8 of the recess 315 is not deeper than that of the first embodiment but the center area of the first exit surface 330 has no antireflection or negative curvature, The light can be diffused in the lateral direction even in the adjacent region of the first vertex 21 of the light emitting diode. The recess 315 has a low depth D8 and the light extraction efficiency in the Y axis direction can be improved by the width difference of the recess 315. [

상기 리세스(315)와 상기 제1출사면(330) 사이의 최소 거리(D9)는 상기 입사면(320)의 제1정점(21)과 제1출사면(330)의 제2정점(31) 사이의 간격일 수 있다. 상기 거리(D9)는 5mm 미만일 수 있으며, 예컨대, 1mm 내지 3.5mm의 범위일 수 있다. 상기 입사면(320)의 제1정점(21)과 제1출사면(330) 제2정점(31) 사이의 거리(D9)가 5mm 이상인 경우 리세스(315)의 낮은 깊이로 인해 광 추출 효율이 저하될 수 있다. 상기한 구조를 갖는 리세스(315)에 의해 상기 제1출사면(330)의 X축 방향에 비해 Y축 방향으로의 광 확산을 효과적으로 수행할 수 있다. The minimum distance D9 between the recess 315 and the first exit surface 330 is smaller than the distance between the first vertex 21 of the incident surface 320 and the second vertex 31 of the first exit surface 330 ). &Lt; / RTI &gt; The distance D9 may be less than 5 mm and may range, for example, from 1 mm to 3.5 mm. When the distance D9 between the first vertex 21 of the incident surface 320 and the second vertex 31 of the first exit surface 330 is 5 mm or more, Can be lowered. It is possible to effectively perform light diffusion in the Y-axis direction relative to the X-axis direction of the first exit surface 330 by the recess 315 having the above-described structure.

상기 입사면(320)의 제1정점(21)은 상기 제2출사면(335)의 제3에지(35)로부터 수평하게 연장한 직선보다는 제1출사면(330)의 센터인 제2정점(31)에 더 인접하게 배치될 수 있다.The first vertex 21 of the incident surface 320 is positioned at a second vertex (center) of the first exit surface 330 rather than a straight line extending horizontally from the third edge 35 of the second exit surface 335 Lt; RTI ID = 0.0 &gt; 31). &Lt; / RTI &gt;

상기 제2출사면(335)의 너비(B1, B2)는, 제2에지(25) 및 제3에지(35) 사이의 직선 거리이다. 상기 제2출사면(335)의 너비(B1, B2)를 보면, 수평한 제1직선(X0) 방향의 제2에지(25)에 가까운 영역의 너비(B2)가 가장 넓고 제2직선(Y0) 방향의 제2에지(25)에 가까운 영역의 너비(B1)가 가장 좁을 수 있다. 또한 상기 수평한 제1직선(X0) 방향의 제2에지(25)에 가까울수록 너비(B2)가 점차 넓어지고 제2직선(Y0) 방향의 제2에지(25)에 가까울수록 너비(B1)가 점차 좁아질 수 있다. 상기 제2출사면(335)의 너비 B2>B1의 관계를 가질 수 있으며, B2는 B1보다 0.1mm 이상 클 수 있다. The widths B1 and B2 of the second exit surface 335 are the straight line distances between the second edge 25 and the third edge 35. The width B2 of the region near the second edge 25 in the first horizontal straight line X0 direction is the largest and the width B2 of the second straight line Y0 The width B1 of the region close to the second edge 25 in the direction of the arrow A may be the narrowest. The width B2 becomes gradually wider as the second edge 25 in the horizontal first straight line X0 direction becomes wider and the width B1 becomes closer as the second edge 25 in the second straight line Y0 direction becomes closer. Can be gradually narrowed. The width B2 of the second exit surface 335 may be larger than B1, and B2 may be larger than B1 by 0.1 mm or more.

상기 제2출사면(335)의 너비(B1, B2) 중 최대 너비(B2)는 상기 리세스(315)의 깊이(D8)보다 작을 수 있다. 상기 제2출사면(335)의 너비(B1,B2)는 예컨대, 1.5mm 내지 2.3mm 범위일 수 있다. 상기 제2출사면(335)의 너비(B2)가 상기 범위를 초과할 경우 제2출사면(335)으로 출사되는 광량이 증가되어 광 분포 제어가 어려운 문제가 있다. 여기서, 제2출사면(335)은 너비(B2)를 갖는 영역이 렌즈 몸체를 제조할 때, 게이트(Gate) 영역으로 사용될 수 있다. The maximum width B2 of the widths B1 and B2 of the second exit surface 335 may be smaller than the depth D8 of the recess 315. [ The widths B1 and B2 of the second exit surface 335 may range, for example, from 1.5 mm to 2.3 mm. When the width B2 of the second exit surface 335 is larger than the above range, the amount of light emitted to the second exit surface 335 increases, and light distribution control becomes difficult. Here, the second emitting surface 335 can be used as a gate region when a region having a width B2 is used to manufacture the lens body.

상기 광학 렌즈(300)에서 제2출사면(335)은 제1출사면(330)의 하부 둘레에 배치되며, 바닥면(310)은 상기 제2출사면(335)의 제2에지(25)보다 아래에 배치될 수 있다. 상기 바닥면(310)은 상기 제2출사면(335)의 제2에지(25)의 수평 선상보다 아래로 돌출될 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)는 다른 예로서, 상기 제2출사면(335)에 요철 면을 구비할 수 있다. 상기 요철 면은 표면이 거친 헤이즈(Haze) 면으로 형성될 수 있다. 상기 요철 면은 산란 입자가 형성된 면일 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)는 다른 예로서, 상기 바닥면(310)에 요철 면을 구비할 수 있다. 상기 바닥면(310)의 요철 면은 표면이 거친 헤이즈 면으로 형성되거나, 산란 입자가 형성될 수 있다. The second exit surface 335 of the optical lens 300 is disposed on the lower periphery of the first exit surface 330 and the bottom surface 310 is located on the second edge 25 of the second exit surface 335, May be disposed below. The bottom surface 310 may protrude below the horizontal line of the second edge 25 of the second exit surface 335. As another example of the optical lens 300, the second exit surface 335 may have an uneven surface. The uneven surface may be formed as a rough haze surface. The uneven surface may be a surface on which scattering particles are formed. As another example of the optical lens 300, the bottom surface 310 may have an uneven surface. The uneven surface of the bottom surface 310 may be formed into a rough haze surface, or scattering particles may be formed.

실시 예에 따른 광학 렌즈는 도 13과 같이, 회로 기판(400) 상에서 Y축 방향으로 소정 간격을 갖고 배열될 수 있다. 이러한 광학 렌즈는 리세스(315)의 너비(D4<D3)가 넓은 Y축 방향으로 배열되므로, 광학 렌즈(300) 간의 간격은 넓게 하면서 광학 렌즈(300)의 개수를 줄여줄 수 있고, 상기 리세스(315)의 비대칭 구조에 의해 X축 방향으로의 휘도 분포를 개선시켜 줄 수 있다. The optical lenses according to the embodiments may be arranged on the circuit board 400 at predetermined intervals in the Y axis direction, as shown in Fig. Since the width of the recesses 315 (D4 < D3) is arranged in a wide Y-axis direction, it is possible to reduce the number of the optical lenses 300 while widening the interval between the optical lenses 300, The asymmetric structure of the seth 315 can improve the luminance distribution in the X-axis direction.

도 11 및 도 12는 제4실시 예에 따른 광학 렌즈로서, 제2실시 예의 변형 예로서, 제1축 및 제2축 방향의 단면도이다. 제4실시 예를 설명함에 있어서, 상기에 개시된 실시 예와 동일한 부분은 상기의 실시 예의 설명을 참조하기로 한다.Figs. 11 and 12 are optical lenses according to the fourth embodiment, which are sectional views of the first and second axial directions as a modification of the second embodiment. Fig. In describing the fourth embodiment, the same portions as the above-described embodiments will be described with reference to the description of the above embodiments.

도 11 및 도 12를 참조하면, 광학 렌즈는 광학 렌즈(300)는, 바닥면(310), 상기 바닥면(310)의 센터 영역에 상기 바닥면(310)으로부터 위로 오목한 리세스(recess)(315), 상기 리세스(315)의 둘레에 입사면(320), 상기 바닥면(310) 및 상기 리세스(315)의 반대측에 배치된 제1출사면(330), 및 상기 제1출사면(330)의 하부에 배치된 제2출사면(335)을 포함한다. 11 and 12, the optical lens includes an optical lens 300 having a bottom surface 310, a recess (not shown) recessed upward from the bottom surface 310 in the center area of the bottom surface 310 315), an incidence surface (320) around the recess (315), a first exit surface (330) disposed on the opposite side of the bottom surface (310) and the recess (315) And a second exit surface 335 disposed at a lower portion of the first exit surface 330.

상기 광학 렌즈는 제1출사면(330)의 중심 영역에 오목한 오목부(330A)를 가질 수 있으며, 상기 오목부(330A)는 중심으로 갈수록 점차 깊은 깊이를 가질 수 있다. 이러한 오목부(330A)는 입사되는 광을 측 방향으로 반사시켜 주는 전 반사면으로 제공될 수 있다. 상기 오목부(330A)는 리세스(315)의 정점(21)과 대응되는 지점이 가장 낮은 지점일 수 있으며, 오목한 곡면 또는 서로 다른 곡률을 갖는 곡면을 포함할 수 있다. The optical lens may have a concave portion 330A that is concave in the center region of the first exit surface 330, and the concave portion 330A may have a gradually deeper depth toward the center. The concave portion 330A may be provided as a full reflection surface that reflects incident light in a lateral direction. The recess 330A may be the lowest point corresponding to the apex 21 of the recess 315 and may include a concave curved surface or a curved surface having a different curvature.

도 13은 실시 예에 따른 광학 렌즈를 갖는 광원 모듈을 나타낸 도면이며, 도 14는 도 13의 광원 모듈의 G-G측 단면도이고, 도 15은 도 14의 광원 모듈의 H-H측 단면도이다.FIG. 13 is a view showing a light source module having an optical lens according to the embodiment, FIG. 14 is a G-G side sectional view of the light source module of FIG. 13, and FIG. 15 is a sectional view on the H-H side of the light source module of FIG.

도 13 내지 도 15를 참조하면, 광원 모듈(400A)는 회로 기판(400) 상에 복수의 광학 렌즈(300)이 배치되며, 상기 광학 렌즈(300) 내에는 적어도 하나의 발광 소자(100)가 배치될 수 있다. 13 to 15, a light source module 400A includes a plurality of optical lenses 300 disposed on a circuit board 400, and at least one light emitting device 100 is disposed in the optical lens 300 .

상기 발광 소자(100)는 하나 또는 복수개가 상기 회로 기판(400) 상에 소정의 간격을 갖고 배열될 수 있다. 상기 발광 소자(100)는 상기 광학 렌즈(300)와 상기 회로 기판(400) 사이에 배치되고, 상기 회로 기판(400)으로부터 전원을 공급받아 구동하며 광을 방출하게 된다. One or a plurality of the light emitting devices 100 may be arranged on the circuit board 400 at predetermined intervals. The light emitting device 100 is disposed between the optical lens 300 and the circuit board 400 and receives power from the circuit board 400 to emit light.

상기 회로 기판(400)은 상기 발광 소자(100)와 전기적으로 연결되는 회로 층을 포함할 수 있다. 상기 회로 기판(400)은 수지 재질의 PCB, 금속 코어를 갖는 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 중 적어도 하나를 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The circuit board 400 may include a circuit layer electrically connected to the light emitting device 100. The circuit board 400 may include at least one of a resin-made PCB, a metal core PCB (MCPCB) having a metal core, and a flexible PCB (FPCB), but the present invention is not limited thereto.

상기 광학 렌즈(300)는 상기 발광 소자(100)로부터 방출된 광을 입사면(320)으로 입사받아 제1 및 제2출사면(330,335)으로 방출하게 된다. 상기 입사면(320)으로부터 입사된 일부 광은 소정의 경로를 거쳐 상기 바닥면(310)에 의해 반사되어 제1 또는 제2출사면(330,335)으로 방출될 수 있다. The optical lens 300 receives the light emitted from the light emitting device 100 through the incident surface 320 and emits the light to the first and second exit surfaces 330 and 335. Part of the light incident from the incident surface 320 may be reflected by the bottom surface 310 through a predetermined path and emitted to the first or second exit surface 330 or 335.

여기서, 상기 발광 소자(100)의 지향각은 발광 소자(100)가 가지는 고유한 지향각으로서, 130도 이상 예컨대, 136도 이상으로 방출될 수 있다. 상기 발광 소자(100)는 상면과 복수의 측면을 통해 광을 방출할 수 있다. 즉, 상기 발광 소자(100)는 적어도 5면 이상의 출사면을 가질 수 있다. 이러한 발광 소자(100)로부터 방출된 광은 제1 및 제2출사면(330,335)을 통해 확산된 지향각으로 방사할 수 있다. Here, the directivity angle of the light emitting device 100 is a unique directivity angle of the light emitting device 100, and may be 130 degrees or more, for example, 136 degrees or more. The light emitting device 100 may emit light through the upper surface and the plurality of side surfaces. That is, the light emitting device 100 may have at least five emitting surfaces. The light emitted from the light emitting device 100 may be emitted at a directing angle diffused through the first and second exit surfaces 330 and 335. [

상기 광학 렌즈(300)에서 입사면(320)은 상기 발광 소자(100)의 상면 및 측면의 외측에 배치될 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)의 입사면(320)의 하부 영역(22)은 상기 발광 소자(100)의 다수의 측면과 서로 대면하게 배치될 수 있다. 이에 따라 상기 발광 소자(100)의 각 측면을 통해 방출된 광은 상기 입사면(320)에 누설 없이 입사될 수 있다.In the optical lens 300, the incident surface 320 may be disposed outside the upper surface and the side surface of the light emitting device 100. The lower region 22 of the incident surface 320 of the optical lens 300 may be disposed to face a plurality of side surfaces of the light emitting device 100. Accordingly, the light emitted through the respective side surfaces of the light emitting device 100 can be incident on the incident surface 320 without leakage.

상기 발광 소자(100)는 5면 이상의 발광 면을 제공하므로, 측면을 통해 방출된 광에 의해 발광 소자(100)의 지향각 분포는 넓어질 수 있다. 이러한 발광 소자(100)의 지향각 분포가 넓게 제공됨으로써, 상기 광학 렌즈(300)를 이용한 광 확산이 보다 용이한 효과가 있다. 상기 광학 렌즈(300)로부터 방출된 지향각 분포는 중심 축(P0)으로부터 상기 광학 렌즈(300)의 제2출사면(335)의 제3에지(35)를 지나는 두 직선이 이루는 각도보다 클 수 있다. 이러한 광학 렌즈(300)로부터 방출된 지향각 분포는 상기 제2출사면(335)을 통해 방출된 광의 지향 분포를 포함함으로써, 상기 제2출사면(335)으로부터 방출된 광 분포에 의해 광 손실을 줄이고 휘도 분포를 개선시켜 줄 수 있다.Since the light emitting device 100 provides more than five light emitting surfaces, the directivity distribution of the light emitting device 100 can be broadened by the light emitted through the side surfaces. Since the directivity angle distribution of the light emitting device 100 is widely provided, light diffusion using the optical lens 300 is easier. The directivity angle distribution emitted from the optical lens 300 is greater than the angle formed by the two straight lines passing through the third edge 35 of the second exit surface 335 of the optical lens 300 from the central axis P0 have. The directivity angle distribution emitted from the optical lens 300 includes a directivity distribution of the light emitted through the second exit surface 335 so that the optical loss due to the light distribution emitted from the second exit surface 335 And the luminance distribution can be improved.

여기서, 상기 발광 소자(100)는 사이즈(C0≤C1)가 제1,2축(X,Y) 방향이 동일한 길이를 가지거나 다른 길이를 가질 수 있으며, 예컨대 도 14 및 도 15와 같이 리세스(315) 내에 배치될 수 있다. 다른 예로서, 발광 소자(100)는 리세스(315)보다 아래에 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 이러한 발광 소자(100)는 리세스(315) 내에서 다수의 측면을 통해 발광하므로, 입사면(320)의 전 영역으로 광을 입사시켜 줄 수 있어, 광의 입사 효율을 개선시켜 줄 수 있다. Here, the light emitting device 100 may have the same length or different lengths in the directions of the first and second axes (X, Y), and may have different lengths. For example, as shown in FIGS. 14 and 15, (Not shown). As another example, the light emitting device 100 may be disposed below the recess 315, but is not limited thereto. Since the light emitting device 100 emits light through a plurality of side surfaces in the recess 315, light can be incident on the entire area of the incident surface 320, thereby improving light incidence efficiency.

상기 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)은 상기 회로 기판(400)의 상면에 대해 경사진 면을 제공할 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)은 X축을 기준으로 경사진 면으로 제공될 수 있다. 상기 바닥면(310)은 80% 이상의 영역 예컨대, 전 영역이 상기 회로 기판(400)의 상면에 대해 경사지게 배치될 수 있다. 상기 바닥면(310)은 전 반사면을 포함할 수 있다. 상기 회로 기판(400)의 상면은 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)의 제2에지(25)보다 제1에지(23)에 더 인접하게 배치될 수 있다. 상기 바닥면(310)의 제1에지(23)는 상기 회로 기판(400)의 상면에 접촉될 수 있고, 상기 제2에지(25)는 회로 기판(400)의 상면으로부터 최대 간격으로 이격될 수 있다. 상기 제1에지(23)는 발광 소자(100) 내의 활성층보다 낮은 위치에 배치될 수 있어, 광의 손실을 방지할 수 있다. The bottom surface 310 of the optical lens 300 may provide an inclined surface with respect to the upper surface of the circuit board 400. The bottom surface 310 of the optical lens 300 may be provided as an inclined surface with respect to the X axis. The bottom surface 310 may have an area of 80% or more, for example, an entire area inclined with respect to the upper surface of the circuit board 400. The bottom surface 310 may include a full reflecting surface. The upper surface of the circuit board 400 may be disposed closer to the first edge 23 than the second edge 25 of the bottom surface 310 of the optical lens 300. The first edge 23 of the bottom surface 310 may contact the top surface of the circuit board 400 and the second edge 25 may be spaced apart from the top surface of the circuit board 400 have. The first edge 23 can be disposed at a lower position than the active layer in the light emitting device 100, thereby preventing loss of light.

상기 광학 렌즈(300)의 제1 및 제2출사면(330,335)은 입사된 광을 굴절시켜 방출하게 된다. 상기 제1출사면(330)은 전 영역이 광이 출사되는 곡면으로 형성될 수 있다. 상기 제1출사면(330)은 제2정점(31)으로부터 연속적으로 연결되는 곡면 형상을 포함한다. 상기 제1출사면(330)은 입사되는 광을 반사하거나 굴절시켜 외부로 출사시켜 줄 수 있다. 상기 제1출사면(330)은 중심 축(Z0)을 기준으로, 제1출사면(330)으로 방출된 광의 굴절 후의 방출 각도는 굴절 전에 입사된 입사 각도보다 클 수 있다.The first and second exit surfaces 330 and 335 of the optical lens 300 refract the incident light and emit the light. The first exit surface 330 may be formed as a curved surface on which light is emitted from the entire area. The first exit surface 330 includes a curved surface continuously connected from the second vertex 31. The first exit surface 330 reflects or refracts the incident light and emits it to the outside. The emission angle of the first exit surface 330 after refraction of the light emitted to the first exit surface 330 with respect to the central axis Z0 may be greater than the angle of incidence incident before refraction.

상기 제2출사면(335)은 중심 축(Z0)을 기준으로, 굴절 후의 광의 각도가 굴절 전에 입사된 광의 각도보다 작게 굴절시켜 준다. 이에 따라 인접한 광학 렌즈(300)간의 광 간섭 거리를 길게 제공할 수 있고, 제2출사면(335)을 통해 출사된 일부 광과 제1출사면(330)으로 출사된 광이 광학 렌즈(300)의 주변에서 서로 혼색될 수 있다.The second exit surface 335 refracts the angle of the light after refraction with respect to the center axis Z0 to be smaller than the angle of the light that is incident before the refraction. A part of the light emitted through the second exit surface 335 and the light emitted to the first exit surface 330 are reflected by the optical lens 300, They can be mixed with each other in the vicinity of the periphery.

상기 제2출사면(335)은 제1출사면(330)의 하부 둘레에 배치되어 입사된 광을 굴절시켜 방출하게 된다. 상기 제2출사면(335)은 경사진 면 또는 플랫(flat) 면을 포함한다. 상기 제2출사면(335)은 예컨대 상기 회로 기판(400)의 상면에 대해 수직한 면이거나 경사진 면일 수 있다. 상기 제2출사면(335)이 경사진 면으로 형성될 경우, 사출 성형시 분리가 용이한 효과가 있다. 상기 제2출사면(335)은 발광 소자(100)의 측면으로 방출된 일부 광을 입사받아 굴절시켜 추출하게 된다. 이때 제2출사면(335)은 중심축(Z0)을 기준으로, 방출된 광의 출사 각이 굴절 전의 입사각보다 작을 수 있다. 이에 따라 인접한 광학 렌즈(300) 간의 광 간섭 거리를 길게 제공할 수 있다.The second exit surface 335 is disposed around the lower surface of the first exit surface 330 to refract the incident light. The second exit surface 335 includes a sloped surface or a flat surface. The second emission surface 335 may be, for example, a surface perpendicular to the upper surface of the circuit board 400 or a tilted surface. When the second exit surface 335 is formed as an inclined surface, the second exit surface 335 can be easily separated during injection molding. The second exit surface 335 receives a part of light emitted to the side surface of the light emitting device 100, refracts and extracts the light. At this time, the outgoing angle of the emitted light may be smaller than the incident angle before refraction, with respect to the central axis Z0, on the second exit surface 335. [ Accordingly, the optical interference distance between adjacent optical lenses 300 can be prolonged.

실시 예에 따른 광학 렌즈(300)는 리세스(315)의 바닥 너비가 Y축 방향이 X축 방향보다 더 넓은 구조를 갖고, 회로 기판(400) 상에 Y축 방향으로 배열될 수 있다. 이에 따라 리세스(315) 내로 방출된 발광 소자(100)의 광은 리세스(315) 내에서 Y축 방향으로 확산된 후, X축 방향 및 모서리 영역으로 퍼질 수 있다. 실시 예는 비대칭 구조의 리세스(315)에 의해 특정 축 방향으로의 광을 더 확산시켜 줄 수 있어, 광원 모듈의 바(Bar)이 개수를 줄여줄 수 있다. The optical lens 300 according to the embodiment has a structure in which the bottom width of the recess 315 is larger in the Y axis direction than in the X axis direction and can be arranged on the circuit board 400 in the Y axis direction. The light of the light emitting device 100 emitted into the recess 315 can be diffused in the Y axis direction in the recess 315 and then spread in the X axis direction and the edge area. The embodiment can further diffuse light in a specific axial direction by the asymmetric recess 315, thereby reducing the number of bars of the light source module.

한편, 상기 광학 렌즈(300)의 하부에 배치된 하나 또는 복수의 지지 돌기(350)는 바닥면(310)으로부터 하 방향 즉, 회로 기판(400) 방향으로 돌출된다. 상기 지지 돌기(350)는 복수개가 회로 기판(400) 상에 고정되며, 상기 광학 렌즈(300)가 틸트되는 것을 방지할 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)의 측면 돌출부(360)은 제2출사면(335)의 Y축 방향을 따라 돌출될 수 있다.One or a plurality of support protrusions 350 disposed under the optical lens 300 protrude downward from the bottom surface 310, that is, toward the circuit board 400. A plurality of the support protrusions 350 are fixed on the circuit board 400, and the optical lens 300 can be prevented from being tilted. The side surface protrusion 360 of the optical lens 300 may protrude along the Y axis direction of the second exit surface 335.

도 16은 실시 예에 따른 광학 렌즈를 갖는 라이트 유닛을 나타낸 도면이다.16 is a view showing a light unit having an optical lens according to the embodiment.

도 16을 참조하면, 라이트 유닛은 바텀 커버(510), 상기 바텀 커버(510) 내에 광원 모듈(400A)로서 복수의 회로 기판(400), 발광 소자(100) 및 상기 복수의 회로 기판(400) 상에 배치된 광학 렌즈(300)를 포함한다. 상기 복수의 회로 기판(400)은 바텀 커버(510)의 바닥(511) 내에 배열될 수 있다. 16, the light unit includes a bottom cover 510, a plurality of circuit boards 400 as a light source module 400A, a light emitting device 100, and the plurality of circuit boards 400 in the bottom cover 510. [ And an optical lens 300 disposed on the optical lens 300. The plurality of circuit boards 400 may be arranged in the bottom 511 of the bottom cover 510.

상기 바텀 커버(510)의 측면 커버(512)는 상기 광원 모듈(400A)로부터 방출된 광을 반사시켜 주거나, 표시 패널 방향으로 반사할 수 있다. The side cover 512 of the bottom cover 510 may reflect the light emitted from the light source module 400A or may reflect toward the display panel.

상기 광원 모듈(301)의 회로 기판(400)은 바텀 커버(510) 내에 2개 이하 예컨대, 1개로 배치될 수 있다. 상기 회로 기판(400)은 상기 발광 소자(100)와 전기적으로 연결되는 회로 층을 포함할 수 있다. The circuit board 400 of the light source module 301 may be arranged in two or less, for example, one, in the bottom cover 510. The circuit board 400 may include a circuit layer electrically connected to the light emitting device 100.

상기 바텀 커버(510)는 방열을 위한 금속 또는 열 전도성 수지 재질을 포함할 수 있다. 상기 바텀 커버(510)는 수납부를 구비할 수 있으며, 상기 수납부의 둘레에는 측면 커버를 구비할 수 있다. 실시예에 따른 회로 기판(400) 상에는 반사 시트(미도시)가 배치될 수 있다. 상기 반사 시트는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 510 may include a metal or a thermally conductive resin material for heat dissipation. The bottom cover 510 may include a receiving portion, and a side cover may be provided around the receiving portion. A reflective sheet (not shown) may be disposed on the circuit board 400 according to the embodiment. The reflective sheet may be formed of, for example, PET, PC, PVC resin or the like, but is not limited thereto.

실시 예에 다른 바텀 커버(510) 상에는 광학 시트(미도시)가 배치될 수 있으며, 상기 광학 시트는, 분산된 광을 모으는 프리즘 시트들, 휘도강화시트 및 광을 다시 확산시키는 확산 시트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 광학 시트와 광원 모듈 사이의 영역에는 투명한 재질의 도광층(미도시)이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.An optical sheet (not shown) may be disposed on another bottom cover 510 in the embodiment, and the optical sheet may include at least one of prism sheets for collecting scattered light, a brightness enhancing sheet, . &Lt; / RTI &gt; A light guiding layer (not shown) made of a transparent material may be disposed between the optical sheet and the light source module, but the present invention is not limited thereto.

실시 예에 따른 바텀 커버(510)는 바닥(511)의 사이즈가 X축 방향이 Y축 방향보다 길게 배치되고, 실시 예에 따른 광학 렌즈(300)가 길이(D2>D1)를 갖고 리세스(315)의 바닥 너비(D3>D4)로 제공되므로, 바닥(511)의 코너 영역(511A) 및 코너 방향으로 광이 효과적으로 조사될 수 있다. 이는 1바 광원 모듈에 의해 바닥(511)의 코너 영역(511A)에서의 암부 발생을 줄여줄 수 있다. The bottom cover 510 according to the embodiment has the bottom 511 in which the X axis direction is longer than the Y axis direction and the optical lens 300 according to the embodiment has the length D2 > (D3 > D4) of the bottom portion 511, light can be effectively irradiated to the corner region 511A of the bottom 511 and the corner direction. This can reduce the occurrence of dark portions in the corner area 511A of the bottom 511 by the 1-bar light source module.

상기 바텀 커버(510)의 바닥(511)에는 반사 플레이트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 바닥(511)의 측면에도 반사층이 더 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. A reflecting plate may be disposed on the bottom 511 of the bottom cover 510, but the present invention is not limited thereto. A reflective layer may be further disposed on the side surface of the bottom 511, but the present invention is not limited thereto.

실시 예에 따른 발광 소자(100)는 표면에 형광 필름이 배치될 수 있다. 상기 형광 필름은 청색 형광체, 시안 형광체, 녹색 형광체, 황색 형광체, 및 적색 형광체 중 적어도 하나 또는 복수를 포함하며, 단층 또는 다층으로 배치될 수 있다. 상기 형광 필름은 투광성 수지 재료 내에 형광체가 첨가된다. 상기 투광성 수지 재료는 실리콘 또는 에폭시와 같은 물질을 포함하며, 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 형광 필름은 양자점(quantum dot)과 같은 형광체를 포함할 수 있다. 상기 양자점은 II-VI 화합물, 또는 III-V족 화합물 반도체를 포함할 수 있으며, 적색, 녹색, 황색, 적색 양자점 중 적어도 하나 또는 서로 다른 종류를 포함할 수 있다. 상기 양자점은 양자 구속(quantum confinement)으로부터 발생하는 광학 특성을 가질 수 있는 나노미터 크기의 입자이다. 특정 여기원(excitation source)으로 자극시 원하는 파장의 광이 양자점으로부터 발광되도록 하기 위해 양자점의 특정 조성(들), 구조 및/또는 크기를 선택할 수 있다. 양자점은 크기를 변화시킴으로써, 가시 스펙트럼 전반에 걸쳐 발광하도록 조정될 수 있다. 상기 양자점은 하나 이상의 반도체 재료를 포함할 수 있으며, 상기 반도체 재료의 예는, IV족 원소, II-VI족 화합물, II-V족 화합물, III-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, I-III-VI족 화합물, II-IV-VI족 화합물, II-IV-V족 화합물, 상술한 임의의 것을 포함하는 합금, 및/또는 3원 및 4원 혼합물 또는 합금을 포함하는, 상술한 임의의 것을 포함하는 혼합물을 포함할 수 있다. 상기 양자점은 예컨대, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, InSb, AlS, AlP, AlAs, PbS, PbSe, Ge, Si, CuInS2, CuInSe2, MgS, MgSe, MgTe등과 같은 것들 및 이들의 조합이 될 수 있다. The light emitting device 100 according to the embodiment may have a fluorescent film disposed on its surface. The fluorescent film includes at least one or more of a blue phosphor, a cyan fluorescent material, a green fluorescent material, a yellow fluorescent material, and a red fluorescent material, and may be a single layer or a multilayer. In the fluorescent film, a phosphor is added in the light transmitting resin material. The light transmitting resin material may include a material such as silicon or epoxy, and the phosphor may be selectively formed from YAG, TAG, Silicate, Nitride, and Oxy-nitride materials. The fluorescent film may include a fluorescent material such as a quantum dot. The quantum dot may include an II-VI compound or a III-V compound semiconductor, and may include at least one of red, green, yellow, and red quantum dots or different types. The quantum dot is a nanometer sized particle that can have optical properties resulting from quantum confinement. The specific composition (s), structure and / or size of the quantum dots can be selected so that light of a desired wavelength is emitted from the quantum dots upon excitation with a specific excitation source. By changing the size, the quantum dots can be adjusted to emit light throughout the visible spectrum. The quantum dot may include one or more semiconductor materials, and examples of the semiconductor material include a Group IV element, a Group II-VI compound, a Group II-V compound, a Group III-VI compound, a Group III- VI compound, an I-III-VI compound, a II-IV-VI compound, a II-IV-V compound, an alloy comprising any of the above, and / or a tertiary and quaternary mixture or alloy , And mixtures of any of the foregoing. The quantum dot is, for example, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS , CdSe, CdTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, InSb, AlS, AlP, AlAs, PbS, PbSe, Ge, Si, CuInS 2, CuInSe 2 , MgS, MgSe, MgTe, and the like, and combinations thereof.

실시 예에 따른 발광 소자의 예는 도 17 내지 도 19를 참조하여 설명하기로 한다. 도 17은 실시 예에 따른 발광 소자의 제1예를 나타낸 도면이다. 도 17은 참조하여 발광 소자 및 회로 기판의 일 예를 설명하기로 한다.Examples of the light emitting device according to the embodiment will be described with reference to FIGS. 17 to 19. FIG. 17 is a view showing a first example of the light emitting device according to the embodiment. An example of a light emitting device and a circuit board will be described with reference to Fig.

도 17을 참조하면, 발광 소자(100)는 발광 칩(100A)을 포함한다. 상기 발광 소자(100)는 발광 칩(100A)과 상기 발광 칩(100A) 상에 배치된 형광체층(150)을 포함할 수 있다. 상기 형광체층(150)은 청색, 녹색, 황색, 적색 형광체 중 적어도 하나 또는 복수를 포함하며, 단층 또는 다층으로 배치될 수 있다. 상기 형광체층(150)은 투광성 수지 재료 내에 형광체가 첨가된다. 상기 투광성 수지 재료는 실리콘 또는 에폭시와 같은 물질을 포함하며, 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. Referring to FIG. 17, the light emitting device 100 includes a light emitting chip 100A. The light emitting device 100 may include a light emitting chip 100A and a phosphor layer 150 disposed on the light emitting chip 100A. The phosphor layer 150 includes at least one or more of blue, green, yellow, and red phosphors, and may be a single layer or a multi-layer structure. A phosphor is added to the phosphor layer 150 in the light transmitting resin material. The light transmitting resin material may include a material such as silicon or epoxy, and the phosphor may be selectively formed from YAG, TAG, Silicate, Nitride, and Oxy-nitride materials.

상기 형광체층(150)은 상기 발광 칩(100A)의 상면에 배치되거나, 상기 발광 칩(100A)의 상면 및 측면에 배치될 수 있다. 상기 형광체층(150)은 상기 발광 칩(100A)의 표면 중에서 광이 방출되는 영역 상에 배치되어, 광의 파장을 변환시켜 줄 수 있다.The phosphor layer 150 may be disposed on the upper surface of the light emitting chip 100A or on the upper surface and side surfaces of the light emitting chip 100A. The phosphor layer 150 may be disposed on a surface of the light emitting chip 100A where the light is emitted to change the wavelength of the light.

상기 형광체층(150)은 단층 또는 서로 다른 형광체층을 포함할 수 있으며, 상기 서로 다른 형광체층은 제1층이 적색, 황색, 녹색 형광체 중 적어도 한 종류의 형광체를 가질 수 있고, 제2층이 상기 제1층 위에 형성되며 적색, 황색, 녹색 형광체 중 상기 제1층과 다른 형광체를 가질 수 있다. 다른 예로서, 상기 서로 다른 형광체층은 3층 이상의 형광체층을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The phosphor layer 150 may include a single layer or a different phosphor layer, and the different layers may have at least one phosphor selected from the group consisting of red, yellow and green phosphors, And may have a phosphor different from the first layer of the red, yellow, and green phosphors formed on the first layer. As another example, the different phosphor layers may include three or more phosphor layers, but the present invention is not limited thereto.

다른 예로서, 상기 형광체층(150)은 필름 타입을 포함할 수 있다. 상기 필름 타입의 형광체층은 균일한 두께를 제공함으로써, 파장 변환에 따른 색 분포가 균일할 수 있다.As another example, the phosphor layer 150 may include a film type. Since the film type phosphor layer has a uniform thickness, the color distribution due to the wavelength conversion can be uniform.

상기 발광 칩(100A)에 대해 설명하면, 상기 발광 칩(100A)은 기판(111), 제1반도체층(113), 발광 구조물(120), 전극층(131), 절연층(133), 제1전극(135), 제2전극(137), 제1연결 전극(141), 제2연결 전극(143), 및 지지층(140)을 포함할 수 있다. The light emitting chip 100A includes a substrate 111, a first semiconductor layer 113, a light emitting structure 120, an electrode layer 131, an insulating layer 133, And may include an electrode 135, a second electrode 137, a first connection electrode 141, a second connection electrode 143, and a support layer 140.

상기 기판(111)은 투광성, 절연성 또는 도전성 기판을 이용할 수 있으며, 예컨대, 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga2O3 중 적어도 하나를 이용할 수 있다. 상기 기판(111)의 탑 면 및 바닥면 중 적어도 하나 또는 모두에는 복수의 볼록부(미도시)가 형성되어, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 각 볼록부의 측 단면 형상은 반구형 형상, 반타원 형상, 또는 다각형 형상 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 기판(111)은 발광 칩(100A) 내에서 제거될 수 있으며, 이 경우 상기 제1반도체층(113) 또는 제1도전형 반도체층(115)이 발광 칩(100A)의 탑 층으로 배치될 수 있다. The substrate 111 may use a light-transmitting, insulating or conductive substrate, e.g., sapphire (Al 2 O 3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga 2 O 3 of At least one can be used. At least one or both of the top surface and the bottom surface of the substrate 111 may have a plurality of convex portions (not shown) to improve light extraction efficiency. The side cross-sectional shape of each convex portion may include at least one of hemispherical shape, semi-elliptical shape, or polygonal shape. In this case, the first semiconductor layer 113 or the first conductivity type semiconductor layer 115 may be formed as a top layer of the light emitting chip 100A, .

상기 기판(111) 아래에는 제1반도체층(113)이 형성될 수 있다. 상기 제1반도체층(113)은 II족 내지 V족 원소의 화합물 반도체를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 제1반도체층(113)은 II족 내지 V족 원소의 화합물 반도체를 이용하여 적어도 한 층 또는 복수의 층으로 형성될 수 있다. 상기 제1반도체층(113)은 예컨대, III족-V족 원소의 화합물 반도체를 이용한 반도체층 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, GaP 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1반도체층(113)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖고, 버퍼층 및 언도프드(undoped) 반도체층 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층은 상기 기판과 질화물 반도체층 간의 격자 상수의 차이를 줄여줄 수 있고, 상기 언도프드 반도체층은 반도체의 결정 품질을 개선시켜 줄 수 있다. 여기서, 상기 제1반도체층(113)은 형성하지 않을 수 있다. A first semiconductor layer 113 may be formed under the substrate 111. The first semiconductor layer 113 may be formed using a compound semiconductor of group II to V elements. The first semiconductor layer 113 may be formed of at least one layer or a plurality of layers using compound semiconductors of Group II through Group V elements. The first semiconductor layer 113 may be formed of a semiconductor layer using a compound semiconductor of Group III-V elements, for example, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, GaP. &Lt; / RTI &gt; The first semiconductor layer 113 has a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? 1) and an undoped semiconductor layer. The buffer layer can reduce the difference in lattice constant between the substrate and the nitride semiconductor layer, and the undoped semiconductor layer can improve the crystal quality of the semiconductor. Here, the first semiconductor layer 113 may not be formed.

상기 제1반도체층(113) 아래에는 발광 구조물(120)이 형성될 수 있다. 상기 발광 구조물(120)은 II족 내지 V족 원소 및 III족-V족 원소의 화합물 반도체 중에서 선택적으로 형성되며, 자외선 대역부터 가시 광선 대역의 파장 범위 내에서 소정의 피크 파장을 발광할 수 있다. A light emitting structure 120 may be formed under the first semiconductor layer 113. The light emitting structure 120 is selectively formed from a compound semiconductor of group II to V elements and a group III-V element, and can emit a predetermined peak wavelength within a wavelength range from the ultraviolet band to the visible light band.

상기 발광 구조물(120)은 제1도전형 반도체층(115), 제2도전형 반도체층(119), 상기 제1도전형 반도체층(115)과 상기 제2도전형 반도체층(119) 사이에 형성된 활성층(117)을 포함하며, 상기 각 층(115,117,119)의 위 및 아래 중 적어도 하나에는 다른 반도체층이 더 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting structure 120 includes a first conductive semiconductor layer 115, a second conductive semiconductor layer 119, and a second conductive semiconductor layer 115 between the first conductive semiconductor layer 115 and the second conductive semiconductor layer 119 The active layer 117 may be formed on at least one of the upper and lower layers 115, 117, and 119, but the present invention is not limited thereto.

상기 제1도전형 반도체층(115)은 제1반도체층(113) 아래에 배치되며, 제1도전형 도펀트가 도핑된 반도체 예컨대, n형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(115)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제1도전형 반도체층(115)은 III족-V족 원소의 화합물 반도체 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중에서 선택될 수 있다. 상기 제1도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 도펀트를 포함한다.The first conductive semiconductor layer 115 may be disposed under the first semiconductor layer 113 and may be formed of a semiconductor, for example, an n-type semiconductor layer doped with a first conductive dopant. The first conductive semiconductor layer 115 includes a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? The first conductive semiconductor layer 115 may be a compound semiconductor of Group III-V elements such as GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, . The first conductive dopant is an n-type dopant and includes dopants such as Si, Ge, Sn, Se, and Te.

상기 활성층(117)은 제1도전형 반도체층(115) 아래에 배치되고, 단일 양자 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선(quantum wire) 구조 또는 양자 점(quantum dot) 구조를 선택적으로 포함하며, 우물층과 장벽층의 주기를 포함한다. 상기 우물층/장벽층의 주기는 예컨대, InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaA, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs의 페어 중 적어도 하나를 포함한다.The active layer 117 is disposed under the first conductive semiconductor layer 115 and selectively includes a single quantum well, a multiple quantum well (MQW), a quantum wire structure, or a quantum dot structure. And includes the well layer and the period of the barrier layer. InGaN / AlGaN, InGaN / InGaN, InGaN / InGaN, AlGaAs / GaA, InGaAs / GaAs, InGaP / GaP, AlInGaP / InGaP, InGaN / AlGaN, AlGaN / AlGaN, / RTI &gt; pair of &lt; / RTI &gt;

상기 제2도전형 반도체층(119)은 활성층(117) 아래에 배치된다. 상기 제2도전형 반도체층(119)은 제2도전형 도펀트가 도핑된 반도체 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층(119)은, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(119)이 p형 반도체층이고, 상기 제1도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba을 포함할 수 있다. The second conductive semiconductor layer 119 is disposed under the active layer 117. The second conductive semiconductor layer 119 may be formed of a semiconductor doped with a second conductive dopant such as In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y ? 1, y? 1). The second conductive semiconductor layer 119 may include at least one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP and AlGaInP. The second conductive semiconductor layer 119 may be a p-type semiconductor layer, and the first conductive dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba as p-type dopants.

상기 발광 구조물(120)은 다른 예로서, 상기 제1도전형 반도체층(115)이 p형 반도체층, 상기 제2도전형 반도체층(119)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(119) 위에는 상기 제2도전형과 반대의 극성을 갖는 제3도전형 반도체층이 형성할 수도 있다. 또한 상기 발광 구조물(120)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다. As another example of the light emitting structure 120, the first conductive semiconductor layer 115 may be a p-type semiconductor layer, and the second conductive semiconductor layer 119 may be an n-type semiconductor layer. A third conductive type semiconductor layer having a polarity opposite to the second conductive type may be formed on the second conductive type semiconductor layer 119. Also, the light emitting structure 120 may have any one of an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, and a p-n-p junction structure.

상기 제2도전형 반도체층(119) 아래에는 전극층(131)이 형성된다. 상기 전극층(131)은 반사층을 포함할 수 있다. 상기 전극층(131)은 상기 발광 구조물(120)의 제2도전형 반도체층(119)에 접촉된 오믹 접촉층을 포함할 수 있다. 상기 반사층은 반사율이 70% 이상인 물질 예컨대, Al, Ag, Ru, Pd, Rh, Pt, Ir의 금속과 상기의 금속 중 둘 이상의 합금 중에서 선택될 수 있다. 상기 반사층의 금속은 상기 제2도전형 반도체층(119) 아래에 접촉될 수 있다. 상기 오믹 접촉층은 투광성 재질, 금속 또는 비 금속 재질 중에서 선택될 수 있다.An electrode layer 131 is formed under the second conductive type semiconductor layer 119. The electrode layer 131 may include a reflective layer. The electrode layer 131 may include an ohmic contact layer contacting the second conductive semiconductor layer 119 of the light emitting structure 120. The reflective layer may be selected from a material having a reflectance of 70% or more, for example, a metal of Al, Ag, Ru, Pd, Rh, Pt or Ir, and an alloy of two or more of the above metals. The metal of the reflective layer may contact the second conductive type semiconductor layer 119. The ohmic contact layer may be selected from a light-transmitting material, a metal or a non-metal material.

상기 전극층(131)은 투광성 전극층/반사층의 적층 구조를 포함할 수 있으며, 상기 투광성 전극층은 예컨대 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질 중에서 형성될 수 있다. 상기 투광성 전극층의 아래에는 금속 재질의 반사층이 배치될 수 있으며, 예컨대 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질 중에서 형성될 수 있다. 상기 반사층은 다른 예로서, 서로 다른 굴절률을 갖는 두 층이 교대로 배치된 DBR(distributed bragg reflection) 구조로 형성될 수 있다. The electrode layer 131 may include a laminate structure of a light-transmitting electrode layer / a reflective layer. The light-transmitting electrode layer may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO) zinc oxide (IGTO), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), Ag, Ni, Al, Rh, Pd , Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, and combinations thereof. A reflective layer of a metal material may be disposed under the transparent electrode layer and may be formed of a material selected from Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, . As another example of the reflective layer, a DBR (distributed bragg reflection) structure in which two layers having different refractive indices are alternately arranged may be formed.

상기 제2도전형 반도체층(119) 및 상기 전극층(131) 중 적어도 한 층의 표면에는 러프니스와 같은 광 추출 구조가 형성될 수 있으며, 이러한 광 추출 구조는 입사되는 광의 임계각을 변화시켜 주어, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다.A light extracting structure such as a roughness may be formed on the surface of at least one of the second conductive type semiconductor layer 119 and the electrode layer 131. Such a light extracting structure may change the critical angle of incident light, The light extraction efficiency can be improved.

상기 절연층(133)은 상기 전극층(131) 아래에 배치되며, 상기 제2도전형 반도체층(119)의 하면, 상기 제2도전형 반도체층(119) 및 상기 활성층(117)의 측면, 상기 제1도전형 반도체층(115)의 일부 영역에 배치될 수 있다. 상기 절연층(133)은 상기 발광 구조물(120)의 하부 영역 중에서 상기 전극층(131), 제1전극(135) 및 제2전극(137)을 제외한 영역에 형성되어, 상기 발광 구조물(120)의 하부를 전기적으로 보호하게 된다.The insulating layer 133 is disposed under the electrode layer 131. The lower surface of the second conductive type semiconductor layer 119 and the side surfaces of the second conductive type semiconductor layer 119 and the active layer 117, And may be disposed in a partial region of the first conductivity type semiconductor layer 115. The insulating layer 133 may be formed in a region of the light emitting structure 120 excluding the electrode layer 131, the first electrode 135 and the second electrode 137, So that the lower part is electrically protected.

상기 절연층(133)은 Al, Cr, Si, Ti, Zn, Zr 중 적어도 하나를 갖는 산화물, 질화물, 불화물, 및 황화물 중 적어도 하나로 형성된 절연물질 또는 절연성 수지를 포함한다. 상기 절연층(133)은 예컨대, SiO2, Si3N4, Al2O3, TiO2 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 절연층(133)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 절연층(133)은 발광 구조물(120)의 아래에 플립 본딩을 위한 금속 구조물을 형성할 때, 상기 발광 구조물(120)의 층간 쇼트를 방지하기 위해 형성된다.The insulating layer 133 includes an insulating material or an insulating resin formed of at least one of oxides, nitrides, fluorides, and sulfides having at least one of Al, Cr, Si, Ti, Zn, and Zr. The insulating layer 133 may be selectively formed, for example, of SiO 2 , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , and TiO 2 . The insulating layer 133 may be formed as a single layer or a multilayer, but is not limited thereto. The insulating layer 133 is formed to prevent an interlayer short circuit of the light emitting structure 120 when the metal structure for flip bonding is formed under the light emitting structure 120.

상기 절연층(133)은 서로 다른 굴절률을 갖는 제1층과 제2층이 교대로 배치된 DBR(distributed bragg reflector) 구조로 형성될 수 있으며, 상기 제1층은 SiO2, Si3N4, Al2O3, TiO2 중에서 어느 하나이며, 상기 제2층은 상기 제1층 이외의 물질 중 어느 하나로 형성될 수 있으나 이에 한정하지 않으며, 또는 상기 제1층 및 제2층이 동일한 물질로 형성되거나 3층 이상의 층을 갖는 페어(Pair)로 형성될 수도 있다. 이 경우, 상기 전극층은 형성하지 않을 수 있다.The insulating layer 133 may be a distributed Bragg reflector (DBR) structure in which first and second layers having different refractive indexes are alternately arranged, and the first layer may be formed of SiO 2 , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 and TiO 2 , and the second layer may be formed of any material other than the first layer, but the present invention is not limited thereto, or the first and second layers may be formed of the same material Or may be formed of a pair having three or more layers. In this case, the electrode layer may not be formed.

상기 제1도전형 반도체층(115)의 일부 영역 아래에는 제1전극(135)이 배치되며, 상기 전극층(131)의 일부 아래에는 제2전극(137)이 배치될 수 있다. 상기 제1전극(135) 아래에는 제1연결 전극(141)이 배치되며, 상기 제2전극(137) 아래에는 제2연결 전극(143)이 배치된다. A first electrode 135 may be disposed under a portion of the first conductive semiconductor layer 115 and a second electrode 137 may be disposed under a portion of the electrode layer 131. A first connection electrode 141 is disposed under the first electrode 135 and a second connection electrode 143 is disposed under the second electrode 137.

상기 제1전극(135)은 상기 제1도전형 반도체층(115)과 상기 제1연결 전극(141)에 전기적으로 연결되며, 상기 제2전극(137)은 상기 전극층(131)을 통해 상기 제2도전형 반도체층(119)과 제2연결 전극(143)에 전기적으로 연결될 수 있다. The first electrode 135 is electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer 115 and the first connection electrode 141 and the second electrode 137 is electrically connected to the first electrode 135 through the electrode layer 131. [ 2 conductive type semiconductor layer 119 and the second connection electrode 143, as shown in FIG.

상기 제1전극(135) 및 제2전극(137)은 Cr, Ti, Co, Ni, V, Hf, Ag, Al, Ru, Rh, Pt, Pd, Ta, Mo, W 중 적어도 하나 또는 합금으로 형성될 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(135)과 상기 제2전극(137)은 동일한 적층 구조이거나 다른 적층 구조로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(135) 및 상기 제2전극(137) 중 적어도 하나는 암(arm) 또는 핑거(finger) 구조와 같은 전류 확산 패턴이 더 형성될 수 있다. 또한 상기 제1전극(135) 및 상기 제2전극(137)은 하나 또는 복수로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1 및 제2연결 전극(141,143) 중 적어도 하나는 복수로 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first electrode 135 and the second electrode 137 may be formed of at least one of Cr, Ti, Co, Ni, V, Hf, Ag, Al, Ru, Rh, Pt, Pd, And may be formed as a single layer or multiple layers. The first electrode 135 and the second electrode 137 may have the same or different lamination structures. At least one of the first electrode 135 and the second electrode 137 may have a current diffusion pattern such as an arm or a finger structure. The first electrode 135 and the second electrode 137 may be formed of one or a plurality of electrodes, but the present invention is not limited thereto. At least one of the first and second connection electrodes 141 and 143 may be arranged in plural, but the present invention is not limited thereto.

상기 제1연결 전극(141) 및 상기 제2연결 전극(143)은 전원을 공급하는 리드(lead) 기능과 방열 경로를 제공하게 된다. 상기 제1연결 전극(141) 및 상기 제2연결 전극(143)은 원 형상, 다각 형상, 원 기둥 또는 다각 기둥과 같은 형상 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1연결 전극(141) 및 제2연결 전극(143)은 금속 파우더의 재질 예컨대, Ag, Al, Au, Cr, Co, Cu, Fe, Hf, In, Mo, Ni, Si, Sn, Ta, Ti, W 및 이들 금속의 선택적 합금 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 상기 제1연결 전극(141) 및 제2연결 전극(143)은 상기 제1전극(135) 및 제2전극(137)과의 접착력 향상을 위하여 In, Sn, Ni, Cu 및 이들의 선택적인 합금 중의 어느 한 금속으로 도금될 수 있다. The first connection electrode 141 and the second connection electrode 143 provide a lead function and a heat dissipation path for supplying power. The first connection electrode 141 and the second connection electrode 143 may include at least one of a circular shape, a polygonal shape, a circular column, and a shape such as a polygonal column. The first connection electrode 141 and the second connection electrode 143 may be formed of a metal powder material such as Ag, Al, Au, Cr, Co, Cu, Fe, Hf, In, Mo, Ni, , Ti, W, and a selective alloy of these metals. The first connection electrode 141 and the second connection electrode 143 may be formed of one or more of In, Sn, Ni, Cu, and their alloys Or the like.

상기 지지층(140)은 열 전도성 재질을 포함하며, 상기 제1전극(135), 상기 제2전극(137), 상기 제1연결 전극(141) 및 상기 제2연결 전극(143)의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 지지층(140)의 하면에는 상기 제1 및 제2연결 전극(141,143)의 하면이 노출될 수 있다. The support layer 140 includes a thermally conductive material and is disposed around the first electrode 135, the second electrode 137, the first connection electrode 141, and the second connection electrode 143 . The lower surfaces of the first and second connection electrodes 141 and 143 may be exposed on the lower surface of the support layer 140.

상기 지지층(140)은 발광 소자(100)를 지지하는 층으로 사용된다. 상기 지지층(140)은 절연성 재질로 형성되며, 상기 절연성 재질은 예컨대, 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지층으로 형성된다. 다른 예로서, 상기 절연성 재질은 페이스트 또는 절연성 잉크를 포함할 수 있다. 상기 절연성 재질의 재질은 그 종류는 polyacrylate resin, epoxy resin, phenolic resin, polyamides resin, polyimides rein, unsaturated polyesters resin, polyphenylene ether resin (PPE), polyphenilene oxide resin (PPO), polyphenylenesulfides resin, cyanate ester resin, benzocyclobutene (BCB), Polyamido-amine Dendrimers (PAMAM), 및 Polypropylene-imine, Dendrimers (PPI), 및 PAMAM 내부 구조 및 유기-실리콘 외면을 갖는 PAMAM-OS(organosilicon)를 단독 또는 이들의 조합을 포함한 수지로 구성될 수 있다. 상기 지지층(140)은 상기 절연층(133)과 다른 물질로 형성될 수 있다.The supporting layer 140 is used as a layer for supporting the light emitting device 100. The supporting layer 140 is formed of an insulating material, and the insulating material is formed of a resin layer such as silicon or epoxy. As another example, the insulating material may include a paste or an insulating ink. The insulating material may be selected from the group consisting of polyacrylate resin, epoxy resin, phenolic resin, polyamides resin, polyimides rein, unsaturated polyesters resin, polyphenylene ether resin (PPE), polyphenylene oxide resin (PPO), polyphenylenesulfide resin, cyanate ester resin, benzocyclobutene (BCB), Polyamido-amine Dendrimers (PAMAM), and Polypropylene-imine, Dendrimers (PPI), and PAMAM-internal structures and PAMAM-OS (organosilicon) with organic-silicone outer surfaces alone or combinations thereof . The supporting layer 140 may be formed of a material different from that of the insulating layer 133.

상기 지지층(140) 내에는 Al, Cr, Si, Ti, Zn, Zr 중 적어도 하나를 갖는 산화물, 질화물, 불화물, 황화물과 같은 화합물들 중 적어도 하나가 첨가될 수 있다. 여기서, 상기 지지층(140) 내에 첨가된 화합물은 열 확산제일 수 있으며, 상기 열 확산제는 소정 크기의 분말 입자, 알갱이, 필러(filler), 첨가제로 사용될 수 있다. 상기 열 확산제는 세라믹 재질을 포함하며, 상기 세라믹 재질은 동시 소성되는 저온 소성 세라믹(LTCC: low temperature co-fired ceramic), 고온 소성 세라믹(HTCC: high temperature co-fired ceramic), 알루미나(alumina), 수정(quartz), 칼슘지르코네이트(calcium zirconate), 감람석(forsterite), SiC, 흑연, 용융실리카(fusedsilica), 뮬라이트(mullite), 근청석(cordierite), 지르코니아(zirconia), 베릴리아(beryllia), 및 질화알루미늄(aluminum nitride) 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 세라믹 재질은 질화물 또는 산화물과 같은 절연성 물질 중에서 열 전도도가 질화물이나 산화물보다 높은 금속 질화물로 형성될 수 있으며, 상기 금속 질화물은 예컨대, 열 전도도가 140 W/mK 이상의 물질을 포함할 수 있다. 상기 세라믹 재질은 예컨대, SiO2, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, BN, Si3N4, SiC(SiC-BeO), BeO, CeO, AlN와 같은 세라믹 (Ceramic) 계열일 수 있다. 상기 열 전도성 물질은 C (다이아몬드, CNT)의 성분을 포함할 수 있다.At least one of compounds such as oxides, nitrides, fluorides, and sulfides having at least one of Al, Cr, Si, Ti, Zn, and Zr may be added to the support layer 140. Here, the compound added in the support layer 140 may be a heat spreader, and the heat spreader may be used as a powder particle, a grain, a filler, or an additive of a predetermined size. The heat spreader may include a ceramic material. The ceramic material may include a low temperature co-fired ceramic (LTCC), a high temperature co-fired ceramic (HTCC), an alumina, Quartz, calcium zirconate, forsterite, SiC, graphite, fused silica, mullite, cordierite, zirconia, beryllia, ), And aluminum nitride. The ceramic material may be formed of a metal nitride having thermal conductivity higher than that of nitride or oxide among the insulating materials such as nitride or oxide, and the metal nitride may include a material having a thermal conductivity of, for example, 140 W / mK or more. The ceramic material may be, for example, SiO 2 , Si x O y , Si 3 N 4 , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , BN, Si 3 N 4 , SiC (SiC- CeO 2, AlN, and the like. The thermally conductive material may comprise a component of C (diamond, CNT).

상기 발광 칩(100A)은 상기 회로 기판(400) 상에 플립 방식으로 탑재된다. 상기 회로 기판(400)은 금속층(471), 상기 금속층(471) 위에 절연층(472), 상기 절연층(472) 위에 복수의 리드 전극(473,474)을 갖는 회로 층(미도시) 및 상기 회로 층을 보호하는 보호층(475)을 포함한다. 상기 금속층(471)은 방열 층으로서, 열 전도성이 높은 금속 예컨대, Cu 또는 Cu-합금와 같은 금속을 포함하며, 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.The light emitting chip 100A is mounted on the circuit board 400 in a flip manner. The circuit board 400 includes a circuit layer (not shown) having a metal layer 471, an insulating layer 472 on the metal layer 471, a plurality of lead electrodes 473 and 474 on the insulating layer 472, And a protective layer 475 for protecting the protective layer. The metal layer 471 is a heat dissipation layer, and includes a metal such as Cu or Cu-alloy having high thermal conductivity, and may be formed as a single layer or a multi-layer structure.

상기 절연층(472)은 상기 금속층(471)과 회로 층 사이를 절연시켜 준다. 상기 절연층은 에폭시, 실리콘, 유리섬유, 프리 프레그(prepreg), 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T)와 같은 수지 재질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 상기 절연층(472) 내에는 금속 산화물 예컨대, TiO2, SiO2, Al2O3와 같은 첨가제가 첨가될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 다른 예로서, 상기 절연층(472)은 그라핀과 같은 재질을 실리콘 또는 에폭시와 같은 절연 물질 내에 첨가하여 사용할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The insulating layer 472 insulates the metal layer 471 from the circuit layer. The insulating layer may include at least one of resin materials such as epoxy, silicone, glass fiber, prepreg, polyphthalamide (PPA), liquid crystal polymer (LCP) . In addition, additives such as metal oxides such as TiO 2 , SiO 2 , and Al 2 O 3 may be added to the insulating layer 472, but the present invention is not limited thereto. As another example, the insulating layer 472 may be formed by adding a material such as graphene to an insulating material such as silicon or epoxy, and is not limited thereto.

상기 절연층(472)은 상기 금속층(471)이 양극 산화(anodizing) 과정에 의해 형성된 아노다이징(anodizing)된 영역일 수 있다. 여기서, 상기 금속층(471)은 알루미늄 재질이고, 상기 아노다이징된 영역은 Al2O3와 같은 재질로 배치될 수 있다.The insulating layer 472 may be an anodized region in which the metal layer 471 is formed by an anodizing process. Here, the metal layer 471 may be made of aluminum, and the anodized region may be formed of a material such as Al 2 O 3 .

상기 제1 및 제2리드 전극(473,474)은 발광 칩(100A)의 제1 및 제2연결 전극(141,143)과 전기적으로 연결된다. 상기 제1 및 제2리드 전극(473,474)과 상기 발광 칩(100A)의 연결 전극(141,143) 사이에는 전도성 접착제(461,462)가 배치될 수 있다. 상기 전도성 접착제(461,462)는 솔더 재질과 같은 금속 재질을 포함할 수 있다. 상기 제1리드 전극(473) 및 제2리드 전극(474)은 회로 패턴으로서, 전원을 공급해 주게 된다.The first and second lead electrodes 473 and 474 are electrically connected to the first and second connection electrodes 141 and 143 of the light emitting chip 100A. Conductive adhesives 461 and 462 may be disposed between the first and second lead electrodes 473 and 474 and the connection electrodes 141 and 143 of the light emitting chip 100A. The conductive adhesive 461, 462 may include a metal material such as a solder material. The first lead electrode 473 and the second lead electrode 474 serve as a circuit pattern to supply power.

상기 보호층(475)은 상기 회로층 상에 배치될 수 있다. 상기 보호층(475)은 반사 재질을 포함하며, 예컨대 레지스트 재질 예컨대, 백색의 레지스트 재질로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 보호층(475)은 반사층으로 기능할 수 있으며, 예컨대 흡수율보다 반사율이 더 높은 재질로 형성될 수 있다. 다른 예로서, 상기 보호층(475)은 광을 흡수하는 재질로 배치될 수 있으며, 상기 광 흡수 재질은 흑색 레지스트 재질을 포함할 수 있다.The protective layer 475 may be disposed on the circuit layer. The protective layer 475 includes a reflective material, and may be formed of a resist material such as a white resist material, but is not limited thereto. The protective layer 475 may function as a reflective layer, and may be formed of a material having a reflectance higher than that of the absorptance, for example. As another example, the protective layer 475 may be disposed of a material that absorbs light, and the light absorbing material may include a black resist material.

도 18을 참조하여 발광 소자의 제2예를 설명하기로 한다. A second example of the light emitting device will be described with reference to FIG.

도 18을 참조하면, 발광 소자(100)는 발광 칩(100B)을 포함한다. 상기 발광 소자(100)는 발광 칩(100B)과 상기 발광 칩(100B) 상에 배치된 형광체층(150)을 포함할 수 있다. 상기 형광체층(150)은 청색, 녹색, 황색, 적색 형광체 중 적어도 하나 또는 복수를 포함하며, 단층 또는 다층으로 배치될 수 있다. 상기 형광체층(150)은 투광성 수지 재료 내에 형광체가 첨가된다. 상기 투광성 수지 재료는 실리콘 또는 에폭시와 같은 물질을 포함하며, 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. Referring to FIG. 18, the light emitting device 100 includes a light emitting chip 100B. The light emitting device 100 may include a light emitting chip 100B and a phosphor layer 150 disposed on the light emitting chip 100B. The phosphor layer 150 includes at least one or more of blue, green, yellow, and red phosphors, and may be a single layer or a multi-layer structure. A phosphor is added to the phosphor layer 150 in the light transmitting resin material. The light transmitting resin material may include a material such as silicon or epoxy, and the phosphor may be selectively formed from YAG, TAG, Silicate, Nitride, and Oxy-nitride materials.

상기 형광체층(150)은 상기 발광 칩(100B)의 상면에 배치되거나, 상기 발광 칩(100B)의 상면 및 측면에 배치될 수 있다. 상기 형광체층(150)은 상기 발광 칩(100B)의 표면 중에서 광이 방출되는 영역 상에 배치되어, 광의 파장을 변환시켜 줄 수 있다.The phosphor layer 150 may be disposed on the upper surface of the light emitting chip 100B or on the upper surface and the side surface of the light emitting chip 100B. The phosphor layer 150 may be disposed on a region where light is emitted from the surface of the light emitting chip 100B to change the wavelength of light.

상기 발광 칩(100B)은 기판(111), 제1반도체층(113), 발광 구조물(120), 전극층(131), 절연층(133), 제1전극(135), 제2전극(137), 제1연결 전극(141), 제2연결 전극(143), 및 지지층(140)을 포함할 수 있다. 상기 기판(111) 및 제2반도체층(113)은 제거될 수 있다.The light emitting chip 100B includes a substrate 111, a first semiconductor layer 113, a light emitting structure 120, an electrode layer 131, an insulating layer 133, a first electrode 135, a second electrode 137, A first connection electrode 141, a second connection electrode 143, and a support layer 140. The first connection electrode 141, the second connection electrode 143, The substrate 111 and the second semiconductor layer 113 can be removed.

발광 소자(100)의 발광 칩(100B)과 회로 기판(400)은 연결 전극(161,162)으로 연결될 수 있으며, 상기 연결 전극(161,162)은 전도성 펌프 즉, 솔더 범프를 포함할 수 있다. 상기 전도성 펌프는 각 전극(135,137) 아래에 하나 또는 복수로 배열될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 절연층(133)은 제1 및 제2전극(135,137)을 노출시켜 줄 수 있으며, 상기 제1 및 제2전극(135,137)은 연결 전극(161,162)와 전기적으로 연결될 수 있다. The light emitting chip 100B of the light emitting device 100 and the circuit board 400 may be connected to each other by connection electrodes 161 and 162 and the connection electrodes 161 and 162 may include a conductive pump or a solder bump. The conductive pump may be arranged under one or more electrodes 135 and 137, but the present invention is not limited thereto. The insulating layer 133 may expose the first and second electrodes 135 and 137 and the first and second electrodes 135 and 137 may be electrically connected to the connection electrodes 161 and 162.

도 19를 참조하여, 발광 소자의 제3예를 설명하기로 한다.A third example of the light emitting device will be described with reference to FIG.

도 19를 참조하면, 발광 소자(100)는 회로 기판(400)에 연결된 발광 칩(200A)을 포함한다. 상기 발광 소자(100)는 발광 칩(200A)의 표면에 배치된 형광체층(250)을 포함할 수 있다. 상기 형광체층(250)은 입사되는 광의 파장을 변환하게 된다. 상기 발광 소자(100) 상에는 도 4와 같이 광학 렌즈(도 4의 300)가 배치되어 상기 발광 칩(200A)으로부터 방출된 광의 지향 특성을 조절하게 된다.Referring to FIG. 19, the light emitting device 100 includes a light emitting chip 200A connected to a circuit board 400. FIG. The light emitting device 100 may include a phosphor layer 250 disposed on the surface of the light emitting chip 200A. The phosphor layer 250 converts the wavelength of incident light. As shown in FIG. 4, an optical lens (300 of FIG. 4) is disposed on the light emitting device 100 to control the directivity of light emitted from the light emitting chip 200A.

상기 발광 칩(200A)은 발광 구조물(225), 및 복수의 패드(245,247)를 포함한다. 상기 발광 구조물(225)은 II족 내지 VI족 원소의 화합물 반도체층 예컨대, III족-V족 원소의 화합물 반도체층 또는 II족-VI족 원소의 화합물 반도체층으로 형성될 수 있다. 상기 복수의 패드(245,247)는 상기 발광 구조물(225)의 반도체층에 선택적으로 연결되며, 전원을 공급하게 된다.The light emitting chip 200A includes a light emitting structure 225, and a plurality of pads 245 and 247. The light emitting structure 225 may be formed of a compound semiconductor layer of a group II to VI element, for example, a compound semiconductor layer of a group III-V element, or a compound semiconductor layer of a group II-VII element. The plurality of pads 245 and 247 are selectively connected to the semiconductor layer of the light emitting structure 225 to supply power.

상기 발광 구조물(225)은 제1도전형 반도체층(222), 활성층(223) 및 제2도전형 반도체층(224)을 포함한다. 상기 발광 칩(200A)은 기판(221)을 포함할 수 있다. 상기 기판(221)은 상기 발광 구조물(225) 위에 배치된다. 상기 기판(221)은 예컨대, 투광성, 절연성 기판, 또는 전도성 기판일 수 있다. 이러한 구성은 도 4의 발광 구조물 및 기판에 대한 설명을 참조하기로 한다. The light emitting structure 225 includes a first conductive semiconductor layer 222, an active layer 223, and a second conductive semiconductor layer 224. The light emitting chip 200A may include a substrate 221. The substrate 221 is disposed on the light emitting structure 225. The substrate 221 may be, for example, a light-transmitting substrate, an insulating substrate, or a conductive substrate. This structure will be described with reference to the description of the light emitting structure and the substrate in Fig.

상기 발광 칩(200A)은 하부에 패드(245,247)가 배치되며, 상기 패드(245,247)는 제1 및 제2패드(245,247)를 포함한다. 상기 제1 및 제2패드(245,247)는 상기 발광 칩(200A)의 아래에 서로 이격되어 배치된다. 상기 제1패드(245)는 상기 제1도전형 반도체층(222)과 전기적으로 연결되며, 상기 제2패드(247)는 제2도전형 반도체층(224)과 전기적으로 연결된다. 상기 제1 및 제2패드(245,247)은 바닥 형상이 다각형 또는 원 형상이거나, 회로 기판(400)의 제1 및 제2리드 전극(415,417)의 형상과 대응되도록 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2패드(245,247) 각각의 하면 면적은 예컨대, 제1 및 제2리드 전극(415,417) 각각의 상면 크기와 대응되는 크기로 형성될 수 있다.The light emitting chip 200A has pads 245 and 247 disposed thereunder and the pads 245 and 247 include first and second pads 245 and 247. The first and second pads 245 and 247 are spaced apart from each other below the light emitting chip 200A. The first pad 245 is electrically connected to the first conductive semiconductor layer 222 and the second pad 247 is electrically connected to the second conductive semiconductor layer 224. [ The first and second pads 245 and 247 may have a polygonal or circular bottom shape or may be formed to correspond to the shapes of the first and second lead electrodes 415 and 417 of the circuit board 400. The bottom surface area of each of the first and second pads 245 and 247 may be, for example, a size corresponding to the top surface size of each of the first and second lead electrodes 415 and 417.

상기 발광 칩(200A)은 상기 기판(221)과 상기 발광 구조물(225) 사이에 버퍼층(미도시) 및 언도프드 반도체층(미도시) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 버퍼층은 상기 기판(221)과 반도체층과의 격자 상수 차이를 완화시켜 주기 위한 층으로서, II족 내지 VI족 화합물 반도체 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층 아래에는 언도핑된 III족-V족 화합물 반도체층이 더 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 기판(221)은 제거될 수 있다. 상기 기판(221)이 제거된 경우 형광체층(250)은 상기 제1도전형 반도체층(222)의 상면이나 다른 반도체층의 상면에 접촉될 수 있다.The light emitting chip 200A may include at least one of a buffer layer (not shown) and an undoped semiconductor layer (not shown) between the substrate 221 and the light emitting structure 225. The buffer layer is a layer for relaxing the difference in lattice constant between the substrate 221 and the semiconductor layer, and may be selectively formed from Group II to VI compound semiconductors. An undoped Group III-V compound semiconductor layer may be further formed under the buffer layer, but the present invention is not limited thereto. The substrate 221 can be removed. When the substrate 221 is removed, the phosphor layer 250 may contact the upper surface of the first conductive type semiconductor layer 222 or the upper surface of another semiconductor layer.

상기 발광 칩(200A)은 제1 및 제2전극층(241,242), 제3전극층(243), 절연층(231,233)을 포함한다. 상기 제1 및 제2전극층(241,242) 각각은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 전류 확산층으로 기능할 수 있다. 상기 제1 및 제2전극층(241,242)은 상기 발광 구조물(225)의 아래에 배치된 제1전극층(241); 및 상기 제1전극층(241) 아래에 배치된 제2전극층(242)을 포함할 수 있다. 상기 제1전극층(241)은 전류를 확산시켜 주게 되며, 상기 제2전극층(241)은 입사되는 광을 반사하게 된다.The light emitting chip 200A includes first and second electrode layers 241 and 242, a third electrode layer 243, and insulating layers 231 and 233. Each of the first and second electrode layers 241 and 242 may be formed as a single layer or a multilayer, and may function as a current diffusion layer. The first and second electrode layers 241 and 242 include a first electrode layer 241 disposed under the light emitting structure 225; And a second electrode layer 242 disposed under the first electrode layer 241. The first electrode layer 241 diffuses a current, and the second electrode layer 241 reflects incident light.

상기 제1 및 제2전극층(241,242)은 서로 다른 물질로 형성될 수 있다. 상기 제1전극층(241)은 투광성 재질로 형성될 수 있으며, 예컨대 금속 산화물 또는 금속 질화물로 형성될 수 있다. 상기 제1전극층은 예컨대 ITO(indium tin oxide), ITON(ITO nitride), IZO(indium zinc oxide), IZON(IZO nitride), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide) 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 제2전극층(242)은 상기 제1전극층(241)의 하면과 접촉되며 반사 전극층으로 기능할 수 있다. 상기 제2전극층(242)은 금속 예컨대, Ag, Au 또는 Al를 포함한다. 상기 제2전극층(242)은 상기 제1전극층(241)이 일부 영역이 제거된 경우, 상기 발광 구조물(225)의 하면에 부분적으로 접촉될 수 있다. The first and second electrode layers 241 and 242 may be formed of different materials. The first electrode layer 241 may be formed of a light-transmitting material, for example, a metal oxide or a metal nitride. The first electrode layer may include at least one of indium tin oxide (ITO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc oxide (IZO) indium gallium zinc oxide, indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), and gallium zinc oxide (GZO). The second electrode layer 242 may contact the lower surface of the first electrode layer 241 and function as a reflective electrode layer. The second electrode layer 242 includes a metal such as Ag, Au, or Al. The second electrode layer 242 may partially contact the lower surface of the light emitting structure 225 when the first electrode layer 241 is partially removed.

다른 예로서, 상기 제1 및 제2전극층(241,242)의 구조는 무지향성 반사(ODR: Omni Directional Reflector layer) 구조로 적층될 수 있다. 상기 무지향성 반사 구조는 낮은 굴절률을 갖는 제1전극층(241)과, 상기 제1전극층(241)과 접촉된 고 반사 재질의 금속 재질인 제2전극층(242)의 적층 구조로 형성될 수 있다. 상기 전극층(241,242)은, 예컨대, ITO/Ag의 적층 구조로 이루어질 수 있다. 이러한 상기 제1전극층(241)과 제2전극층(242) 사이의 계면에서 전 방위 반사각을 개선시켜 줄 수 있다. As another example, the structures of the first and second electrode layers 241 and 242 may be stacked in an omni directional reflector layer (ODR) structure. The omnidirectional reflection structure may have a stacked structure of a first electrode layer 241 having a low refractive index and a second electrode layer 242 made of a highly reflective metal material in contact with the first electrode layer 241. The electrode layers 241 and 242 may have a laminated structure of, for example, ITO / Ag. The total reflection angle at the interface between the first electrode layer 241 and the second electrode layer 242 can be improved.

다른 예로서, 상기 제2전극층(242)은 제거될 수 있으며, 다른 재질의 반사층으로 형성될 수 있다. 상기 반사층은 분산형 브래그 반사(distributed bragg reflector: DBR) 구조로 형성될 수 있으며, 상기 분산형 브래그 반사 구조는 서로 다른 굴절률을 갖는 두 유전체층이 교대로 배치된 구조를 포함하며, 예컨대, SiO2층, Si3N4층, TiO2층, Al2O3층, 및 MgO층 중 서로 다른 어느 하나를 각각 포함할 수 있다. 다른 예로서, 상기 전극층(241,242)은 분산형 브래그 반사 구조와 무지향성 반사 구조를 모두 포함할 수 있으며, 이 경우 98% 이상의 광 반사율을 갖는 발광 칩(200A)을 제공할 수 있다. 상기 플립 방식으로 탑재된 발광 칩(200A)은 상기 제2전극층(242)로부터 반사된 광이 기판(221)을 통해 방출하게 되므로, 수직 상 방향으로 대부분의 광을 방출할 수 있다. 또한 상기 발광 칩(200A)의 측면으로 방출된 광은 반사 시트(600)에 의해 광학 렌즈의 입사면 영역으로 반사될 수 있다. As another example, the second electrode layer 242 may be removed and formed of a reflective layer of another material. The reflective layer is a distributed Bragg reflection: can be formed of (distributed bragg reflector DBR) structure, and the distributed Bragg reflection structure to each other comprises a structure du dielectric layers are arranged alternately having different refractive indices, e.g., SiO 2 layer , A Si 3 N 4 layer, a TiO 2 layer, an Al 2 O 3 layer, and a MgO layer, respectively. As another example, the electrode layers 241 and 242 may include both a distributed Bragg reflection structure and an omni-directional reflection structure, and in this case, the light emitting chip 200A having a light reflectance of 98% or more can be provided. Since the light emitted from the second electrode layer 242 is emitted through the substrate 221, the light emitting chip 200A mounted in the flip-type can emit most of the light in the vertical direction. The light emitted to the side of the light emitting chip 200A may be reflected by the reflective sheet 600 to the incident surface area of the optical lens.

상기 제3전극층(243)은 상기 제2전극층(242)의 아래에 배치되며, 상기 제1 및 제2전극층(241,242)과 전기적으로 절연된다. 상기 제3전극층(243)은 금속 예컨대, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 제3전극층(243) 아래에는 제1패드(245) 및 제2패드(247)가 배치된다. 상기 절연층(231,233)은 제1 및 제2전극층(241,242), 제3전극층(243), 제1 및 제2패드(245,247), 발광 구조물(225)의 층 간의 불필요한 접촉을 차단하게 된다. 상기 절연층(231,233)은 제1 및 제2절연층(231,233)을 포함한다. 상기 제1절연층(231)은 상기 제3전극층(243)과 제2전극층(242) 사이에 배치된다. 상기 제2절연층(233)은 상기 제3전극층(243)과 제1/2패드(245,247) 사이에 배치된다. 상기 제1 및 제2패드(245,247)는 상기 제1 및 제2리드 전극(415,417)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.The third electrode layer 243 is disposed under the second electrode layer 242 and is electrically insulated from the first and second electrode layers 241 and 242. The third electrode layer 243 may be formed of a metal such as titanium, copper, nickel, gold, chromium, tantalum, platinum, tin, ), Silver (Ag), and phosphorus (P). A first pad 245 and a second pad 247 are disposed under the third electrode layer 243. The insulating layers 231 and 233 prevent unnecessary contact between the first and second electrode layers 241 and 242, the third electrode layer 243, the first and second pads 245 and 247, and the light emitting structure 225. The insulating layers 231 and 233 include first and second insulating layers 231 and 233. The first insulating layer 231 is disposed between the third electrode layer 243 and the second electrode layer 242. The second insulating layer 233 is disposed between the third electrode layer 243 and the second half pads 245 and 247. The first and second pads 245 and 247 may include the same material as the first and second lead electrodes 415 and 417.

상기 제3전극층(243)은 상기 제1도전형 반도체층(222)과 연결된다. 상기 제3전극층(243)의 연결부(244)는 상기 제1, 2전극층(241, 242) 및 발광 구조물(225)의 하부를 통해 비아 구조로 돌출되며 제1도전형 반도체층(222)과 접촉된다. 상기 연결부(244)는 복수로 배치될 수 있다. 상기 제3전극층(243)의 연결부(244)의 둘레에는 상기 제1절연층(231)의 일부(232)가 연장되어 제3전극층(243과 상기 제1 및 제2전극층(241,242), 제2도전형 반도체층(224) 및 활성층(223) 간의 전기적인 연결을 차단한다. 상기 발광 구조물(225)의 측면에는 측면 보호를 위해 절연 층이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The third electrode layer 243 is connected to the first conductive semiconductor layer 222. The connection part 244 of the third electrode layer 243 protrudes in a via structure through the first and second electrode layers 241 and 242 and the lower part of the light emitting structure 225 and contacts the first conductivity type semiconductor layer 222 do. The connection portions 244 may be arranged in a plurality. A portion 232 of the first insulating layer 231 extends around the connecting portion 244 of the third electrode layer 243 to form the third electrode layer 243 and the first and second electrode layers 241 and 242, Type semiconductor layer 224 and the active layer 223. An insulating layer may be disposed on the side surface of the light emitting structure 225 to protect the side surface of the light emitting structure 225. The present invention is not limited thereto.

상기 제2패드(247)는 상기 제2절연층(233) 아래에 배치되고 상기 제2절연층(233)의 오픈 영역을 통해 상기 제1 및 제2전극층(241, 242) 중 적어도 하나와 접촉되거나 연결된다. 상기 제1패드(245)는 상기 제2절연층(233)의 아래에 배치되며 상기 제2절연층(233)의 오픈 영역을 통해 상기 제3전극층(243)과 연결된다. 이에 따라 상기 제1패드(247)의 돌기(248)는 제1,2전극층(241,242)을 통해 제2도전형 반도체층(224)에 전기적으로 연결되며, 제2패드(245)의 돌기(246)는 제3전극층(243)을 통해 제1도전형 반도체층(222)에 전기적으로 연결된다. The second pad 247 is disposed below the second insulating layer 233 and contacts the at least one of the first and second electrode layers 241 and 242 through an open region of the second insulating layer 233 Or connected. The first pad 245 is disposed below the second insulating layer 233 and is connected to the third electrode layer 243 through an open region of the second insulating layer 233. [ The protrusion 248 of the first pad 247 is electrically connected to the second conductive semiconductor layer 224 through the first and second electrode layers 241 and 242 and the protrusion 246 of the second pad 245 Is electrically connected to the first conductive type semiconductor layer 222 through the third electrode layer 243.

상기 제1 및 제2패드(245,247)는 상기 발광 칩(200A)의 하부에 서로 이격되며, 상기 회로 기판(400)의 제1 및 제2리드 전극(415,417)와 대면하게 된다. 상기 제1 및 제2패드(245,247)에는 다각형 형상의 리세스(271,273)를 포함할 수 있으며, 상기 리세스(271,273)는 상기 발광 구조물(225)의 방향으로 볼록하게 형성된다. 상기 리세스(271,273)는 상기 제1 및 제2패드(245,247)의 두께와 같거나 작은 깊이를 갖고 형성될 수 있으며, 이러한 리세스(271,273)의 깊이는 상기 제1 및 제2패드(245,247)의 표면적을 증가시켜 줄 수 있다. The first and second pads 245 and 247 are spaced apart from each other at a lower portion of the light emitting chip 200A and face the first and second lead electrodes 415 and 417 of the circuit board 400, respectively. The first and second pads 245 and 247 may include polygonal recesses 271 and 273 and the recesses 271 and 273 are formed to be convex in the direction of the light emitting structure 225. The recesses 271 and 273 may be formed to have a depth equal to or smaller than the thickness of the first and second pads 245 and 247. The depths of the recesses 271 and 273 may be different from the depths of the first and second pads 245 and 247, Can be increased.

상기 제1패드(245) 및 제1리드 전극(415) 사이의 영역 및 상기 제2패드(247) 및 제2리드 전극(417) 사이의 영역에는 접합 부재(255,257)가 배치된다. 상기 접합 부재(255,257)는 전기 전도성 물질을 포함할 수 있으며, 일부는 상기 리세스(271,273)에 배치된다. 상기 제1 및 제2패드(215,217)는 상기 접합 부재(255,257)가 리세스(271,273)에 배치되므로, 상기 접합 부재(255,257)와 제1 및 제2패드(245,247) 간의 접착 면적은 증가될 수 있다. 이에 따라 제1 및 제2패드(245,247)와 제1 및 제2리드 전극(415,417)가 접합되므로 발광 칩(200A)의 전기적인 신뢰성 및 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있다.Bonding members 255 and 257 are disposed in a region between the first pad 245 and the first lead electrode 415 and a region between the second pad 247 and the second lead electrode 417. The bonding members 255 and 257 may include an electrically conductive material, and a portion thereof may be disposed in the recesses 271 and 273. The bonding area between the bonding members 255 and 257 and the first and second pads 245 and 247 can be increased because the bonding members 255 and 257 are disposed in the recesses 271 and 273, have. Accordingly, the first and second pads 245 and 247 are bonded to the first and second lead electrodes 415 and 417, thereby improving the electrical reliability and heat dissipation efficiency of the light emitting chip 200A.

상기 접합 부재(255,257)는 솔더 페이스트 재질을 포함할 수 있다. 상기 솔더 페이스트 재질은 금(Au), 주석(Sn), 납(Pb), 구리(Cu), 비스무트(Bi), 인듐(In), 은(Ag) 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 접합 부재(255,257)는 열 전달을 회로 기판(400)에 직접 전도하기 때문에 열 전도 효율이 패키지를 이용한 구조보다는 개선될 수 있다. 또한 상기 접합 부재(255,257)는 발광 칩(200A)의 제1 및 제2패드(245,247)와의 열 팽창계수의 차이가 적은 물질이므로, 열 전도 효율을 개선시켜 줄 수 있다. The joining members 255 and 257 may include a solder paste material. The solder paste material includes at least one of Au, Sn, Pb, Cu, Bi, In, and Ag. Since the bonding members 255 and 257 conduct the heat directly to the circuit board 400, the heat conduction efficiency can be improved rather than the structure using the package. Also, since the bonding members 255 and 257 are materials having a small difference in thermal expansion coefficient from the first and second pads 245 and 247 of the light emitting chip 200A, the thermal conduction efficiency can be improved.

상기 접합 부재(255,257)는 다른 예로서, 전도성 필름을 포함할 수 있으며, 상기 전도성 필름은 절연성 필름 내에 하나 이상의 도전성 입자를 포함한다. 상기 도전성 입자는 예컨대, 금속이나, 금속 합금, 탄소 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도전성 입자는 니켈, 은, 금, 알루미늄, 크롬, 구리 및 탄소 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 전도성 필름은 이방성(Anisotropic) 전도 필름 또는 이방성 도전 접착제를 포함할 수 있다. As another example, the bonding members 255 and 257 may include a conductive film, and the conductive film includes at least one conductive particle in the insulating film. The conductive particles may include at least one of, for example, a metal, a metal alloy, and carbon. The conductive particles may include at least one of nickel, silver, gold, aluminum, chromium, copper, and carbon. The conductive film may include an anisotropic conductive film or an anisotropic conductive adhesive.

상기 발광 칩(200A)과 상기 회로 기판(400) 사이에는 접착 부재 예컨대, 열전도성 필름을 포함할 수 있다. 상기 열전도성 필름은 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부티렌테레프탈레이드, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부티렌나프탈레이트 등의 폴리에스터 수지; 폴리이미드 수지; 아크릴 수지; 폴리스티렌 및 아크릴로니트릴-스티렌 등의 스티렌계 수지; 폴리카보네이트 수지; 폴리락트산 수지; 폴리우레탄 수지; 등을 사용할 수 있다. 또한, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체와 같은 폴리올레핀 수지; 폴리비닐클로라이드, 폴리비닐리덴클로라이드 등의 비닐 수지; 폴리아미드 수지; 설폰계 수지; 폴리에테르-에테르케톤계 수지; 알릴레이트계 수지; 또는 상기 수지들의 블렌드 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. Between the light emitting chip 200A and the circuit board 400, an adhesive member, for example, a thermally conductive film may be included. The thermally conductive film may be a polyester resin such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalide, polyethylene naphthalate and polybutylene naphthalate; Polyimide resin; Acrylic resin; Styrenic resins such as polystyrene and acrylonitrile-styrene; Polycarbonate resin; Polylactic acid resin; Polyurethane resin; Etc. may be used. Further, polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene and ethylene-propylene copolymer; Vinyl resins such as polyvinyl chloride and polyvinylidene chloride; Polyamide resins; Sulfonic resin; Polyether-ether ketone resin; Allylate series resin; Or a blend of the resins.

상기 발광 칩(200A)은 회로 기판(400)의 표면 및 발광 구조물(225)의 측면 및 상면을 통해 광을 방출함으로써, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 이러한 회로 기판(400) 상에 발광 칩(200A)을 직접 본딩할 수 있어 공정이 간소화될 수 있다. 또한 발광 칩(200A)의 방열이 개선됨으로써, 조명 분야 등에 유용하게 활용될 수 있다. The light emitting chip 200A emits light through the surface of the circuit board 400 and the side surfaces and the upper surface of the light emitting structure 225, thereby improving light extraction efficiency. Since the light emitting chip 200A can be directly bonded onto the circuit board 400, the process can be simplified. Further, since the heat dissipation of the light emitting chip 200A is improved, the light emitting chip 200A can be advantageously utilized in an illumination field or the like.

도 24 및 도 25은 제1실시 예에 따른 광학 렌즈에서 리세스의 깊이에 따른 X축 방향과 Y축 방향의 휘도 분포이며, 도 26은 Y축 방향의 색차 분포를 나타낸 것이다.Figs. 24 and 25 show the luminance distribution in the X-axis direction and the Y-axis direction according to the depth of the recess in the optical lens according to the first embodiment, and Fig. 26 shows the color difference distribution in the Y-axis direction.

도 24 내지 도 26에서, 광학 렌즈의 예1, 예2, 예3은 7mm 내지 7.5mm의 범위에서 리세스의 바닥 너비는 D3>D4의 관계를 가지고, 상기 리세스의 깊이를 점차 낮춘 구조이다. 이러한 리세스의 깊이를 낮춤으로써, 반치 폭이 더 좁아짐을 알 수 있으며, 도 26과 같이 측 방향으로 넓게 분포됨을 알 수 있다. In Figs. 24 to 26, in the optical lens example 1, example 2, and example 3, the bottom width of the recess is in the range of D3 > D4 in the range of 7 mm to 7.5 mm, and the depth of the recess is gradually lowered . By reducing the depth of the recesses, it can be seen that the half width becomes narrower, and it can be seen that the half width is widely distributed in the lateral direction as shown in FIG.

실시 예에 따른 광학 렌즈 및 이를 구비한 광원 모듈을 갖는 표시 장치는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다. 실시예에 따른 광원 모듈은 라이트 유닛에 적용될 수 있다. 상기 라이트 유닛은 하나 또는 복수의 광원 모듈을 갖는 구조를 포함하며, 3차원 디스플레이, 각종 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판 등이 포함될 수 있다.The optical lens and the display device having the light source module having the optical lens according to the embodiments can be applied to various portable terminals, monitors of notebook computers, monitors of laptop computers, televisions, and the like. The light source module according to the embodiment can be applied to a light unit. The light unit includes a structure having one or a plurality of light source modules, and may include a three-dimensional display, various illumination lights, a traffic light, a vehicle headlight, an electric sign board, and the like.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of illustration, It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

100: 발광 소자
100A, 110B, 200A: 발광 칩
150,250: 형광체층
300: 광학 렌즈
310: 바닥면
315: 리세스
320: 입사면
330: 제1출사면
335: 제2출사면
350: 지지 돌기
360: 측면 돌출부
400: 회로 기판
400A: 광원 모듈
100: Light emitting element
100A, 110B, 200A: Light emitting chip
150, 250: phosphor layer
300: Optical lens
310: bottom surface
315: recess
320: incidence plane
330: first emission surface
335: second emission surface
350: support projection
360: side projection
400: circuit board
400A: Light source module

Claims (19)

바닥면;
상기 바닥면의 센터 영역에 오목한 리세스;
상기 바닥면과 상기 리세스의 반대측에 볼록한 곡면을 갖는 제1출사면;
상기 바닥면과 제1출사면 사이에 제2출사면; 및
상기 제2출사면 중에서 제1축 방향을 따라 배치된 측면 돌출부를 포함하며,
상기 바닥면은 제1축 방향의 길이가 D1이고, 상기 제1축 방향과 직교하는 제2축 방향의 길이가 D2이며,
상기 리세스의 바닥은 상기 제1축 방향의 길이가 D3이고, 상기 제2축 방향의 길이가 D4이며,
상기 바닥면의 길이는 D1<D2의 관계를 가지며,
상기 리세스의 바닥 길이는 D3>D4의 관계를 가지며,
상기 바닥면의 길이 비율과 상기 리세스의 길이 비율은, D2/D1<D3/D4의 관계를 가지는 광학 렌즈.
Bottom surface;
A concave recess in the center region of the bottom surface;
A first emitting surface having a convex curved surface opposite to the bottom surface and the recess;
A second emitting surface between the bottom surface and the first emitting surface; And
And a side projecting portion disposed along the first axis direction in the second exit surface,
Wherein the bottom surface has a length D1 in a first axis direction and a length D2 in a second axis direction perpendicular to the first axis direction,
The bottom of the recess has a length D3 in the first axial direction and a length D4 in the second axial direction,
The length of the bottom surface has a relationship of D1 < D2,
The bottom length of the recess has a relationship of D3 > D4,
Wherein the ratio of the length of the bottom surface to the length of the recess has a relationship of D2 / D1 < D3 / D4.
제1항에 있어서,
상기 제2출사면은 수직한 평면 또는 경사면을 갖는 광학 렌즈.
The method according to claim 1,
And the second exit surface has a vertical plane or an inclined surface.
제2항에 있어서,
상기 제2출사면의 두께는 상기 측면 돌출부의 두께와 같거나 두꺼운 광학 렌즈.
3. The method of claim 2,
And the thickness of the second exit surface is equal to or thicker than the thickness of the side surface projection.
제1항에 있어서,
상기 바닥면에 복수의 지지 돌기를 가지며,
상기 복수의 지지 돌기 간의 제1축 방향의 길이 또는 제2축 방향의 길이는 상기 리세스의 제1축 방향의 길이 또는 제2축 방향의 길이보다 길게 배치되는 광학 렌즈.
The method according to claim 1,
A plurality of support protrusions on the bottom surface,
Wherein a length in the first axial direction or a length in the second axial direction of the plurality of support protrusions is longer than a length in the first axial direction or a length in the second axial direction of the recess.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 바닥면은 상기 리세스에 인접한 제1에지와 최 외곽의 제2에지의 높이가 다른 광학 렌즈.
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the bottom surface has a different height from a first edge adjacent to the recess and a second edge from the outermost edge.
제5항에 있어서,
상기 바닥면은 상기 제1에지로부터 상기 제2에지 사이에 곡면 및 경사진 면 중 적어도 하나를 포함하는 광학 렌즈.
6. The method of claim 5,
Wherein said bottom surface comprises at least one of a curved surface and an inclined surface between said first edge and said second edge.
제5항에 있어서,
상기 리세스의 높이는 상기 리세스의 제1축 방향의 길이보다 큰 광학 렌즈.
6. The method of claim 5,
And the height of the recess is larger than the length of the recess in the first axial direction.
제5항에 있어서,
상기 리세스의 높이는 상기 리세스의 제1축 방향의 길이보다 작고 상기 제2축 방향의 길이보다 큰 광학 렌즈.
6. The method of claim 5,
And the height of the recess is smaller than the length in the first axial direction of the recess and larger than the length in the second axial direction.
제5항에 있어서,
상기 제2출사면은 상기 제1축 방향에서의 두께와 상기 제2축 방향에서의 두께가 다른 광학 렌즈.
6. The method of claim 5,
And the second exit surface has a thickness in the first axis direction and a thickness in the second axis direction different from each other.
제9항에 있어서,
상기 제2출사면은 상기 제1축 방향에서의 두께가 상기 제2축 방향에서의 두께보다 얇은 광학 렌즈.
10. The method of claim 9,
And the second exit surface is thinner in thickness in the first axis direction than in the second axis direction.
제10항에 있어서,
상기 제1출사면의 두께는 상기 제1축 방향에서 상기 제2축 방향에 인접할수록 점차 두꺼워지는 광학 렌즈.
11. The method of claim 10,
Wherein the thickness of the first exit surface gradually increases from the first axis direction toward the second axis direction.
제5항에 있어서,
상기 리세스의 바텀 뷰 형상은 타원 형상을 갖는 광학 렌즈.
6. The method of claim 5,
Wherein the bottom view shape of the recess has an elliptical shape.
제5항에 있어서,
상기 리세스는 상기 제1 및 제2축 방향에 대해 수렴되는 제1정점을 가지며,
상기 리세스의 제1정점은 상기 리세스의 바닥보다 상기 제1출사면의 제2정점에 인접한 광학 렌즈.
6. The method of claim 5,
The recess having a first vertex converging with respect to the first and second axial directions,
Wherein the first vertex of the recess is adjacent to the second vertex of the first exit surface than the bottom of the recess.
제5항에 있어서,
상기 제2출사면은 센터 영역이 볼록한 곡면 또는 플랫한 면을 갖는 광학 렌즈.
6. The method of claim 5,
And the second exit surface has a curved surface or a flat surface with a convex center area.
회로 기판;
상기 회로 기판 상에 적어도 하나의 발광 소자; 및
상기 발광 소자 상에 적어도 하나의 광학 렌즈를 포함하며,
상기 광학 렌즈는,
상기 회로 기판 상에 바닥면;
상기 바닥면의 센터 영역에 오목한 리세스;
상기 바닥면 및 상기 리세스의 반대측에 볼록한 곡면을 갖는 제1출사면;
상기 바닥면과 제1출사면 사이에 제2출사면; 및
상기 제2출사면 중에서 제1축 방향을 따라 배치된 측면 돌출부를 포함하며,
상기 바닥면은 제1축 방향의 길이가 D1이고, 상기 제1축 방향과 직교하는 제2축 방향의 길이가 D2이며,
상기 리세스의 바닥은 상기 제1축 방향의 길이가 D3이고, 상기 제2축 방향의 길이가 D4이며,
상기 바닥면의 길이는 D1<D2의 관계를 가지며,
상기 리세스의 바닥 길이는 D3>D4의 관계를 가지며,
상기 바닥면의 길이 비율과 상기 리세스의 길이 비율은, D2/D1<D3/D4의 관계를 가지는 광원 모듈.
A circuit board;
At least one light emitting element on the circuit board; And
And at least one optical lens on the light emitting element,
Wherein the optical lens comprises:
A bottom surface on the circuit board;
A concave recess in the center region of the bottom surface;
A first emitting surface having a convex curved surface on a side opposite to the bottom surface and the recess;
A second emitting surface between the bottom surface and the first emitting surface; And
And a side projecting portion disposed along the first axis direction in the second exit surface,
Wherein the bottom surface has a length D1 in a first axis direction and a length D2 in a second axis direction perpendicular to the first axis direction,
The bottom of the recess has a length D3 in the first axial direction and a length D4 in the second axial direction,
The length of the bottom surface has a relationship of D1 < D2,
The bottom length of the recess has a relationship of D3 > D4,
Wherein the ratio of the length of the bottom surface to the length of the recess has a relationship of D2 / D1 < D3 / D4.
제15항에 있어서,
상기 회로 기판은 탑뷰에서 볼 때 제1축 방향의 길이가 제2축 방향의 길이보다 길며,
상기 광학 렌즈의 제2축 방향의 길이는 상기 회로 기판의 제2축 방향의 길이보다 긴 광원 모듈.
16. The method of claim 15,
The length of the circuit board in the first axis direction is longer than the length in the second axis direction in the top view,
Wherein the length of the optical lens in the second axial direction is longer than the length of the circuit board in the second axial direction.
제15항에 있어서,
상기 회로 기판에 결합되며 상기 광학 렌즈의 바닥면에 배치된 복수의 지지 돌기를 가지며,
상기 복수의 지지 돌기 간의 제1축 방향의 길이 또는 제2축 방향의 길이는 상기 리세스의 제1축 방향의 길이 또는 제2축 방향의 길이보다 길게 배치되는 광원 모듈.
16. The method of claim 15,
A plurality of support protrusions coupled to the circuit board and disposed on a bottom surface of the optical lens,
Wherein a length in the first axial direction or a length in the second axial direction of the plurality of support protrusions is longer than a length in the first axial direction or a length in the second axial direction of the recess.
제16항에 있어서,
상기 발광 소자는 상면과 다수의 측면을 통해 광을 방출하는 LED 칩을 포함하는 광원 모듈.
17. The method of claim 16,
Wherein the light emitting device includes an LED chip that emits light through an upper surface and a plurality of side surfaces.
수납 영역을 갖는 바텀 커버;
상기 바텀 커버 상에 제1축 방향으로 길게 배치된 회로 기판;
상기 회로 기판의 제1축 방향으로 배열된 복수의 발광 소자; 및
상기 각 발광 소자 상에 배치된 복수의 광학 렌즈를 포함하며,
상기 복수의 광학 렌즈는 상기 바텀 커버 내에 제1축 방향으로 1열로 배치되며,
상기 각 광학 렌즈는,
상기 회로 기판 상에 바닥면;
상기 바닥면의 센터 영역에 오목한 리세스;
상기 바닥면 및 상기 리세스의 반대측에 볼록한 곡면을 갖는 제1출사면;
상기 바닥면과 제1출사면 사이에 제2출사면; 및
상기 제2출사면 중에서 제1축 방향을 따라 배치된 측면 돌출부를 포함하며,
상기 바닥면은 제1축 방향의 길이가 D1이고, 상기 제1축 방향과 직교하는 제2축 방향의 길이가 D2이며,
상기 리세스의 바닥은 상기 제1축 방향의 길이가 D3이고, 상기 제2축 방향의 길이가 D4이며,
상기 바닥면의 길이는 D1<D2의 관계를 가지며,
상기 리세스의 바닥 길이는 D3>D4의 관계를 가지며,
상기 바닥면의 길이 비율과 상기 리세스의 길이 비율은, D2/D1<D3/D4의 관계를 가지는 라이트 유닛.
A bottom cover having a storage area;
A circuit board disposed on the bottom cover in a first axial direction;
A plurality of light emitting elements arranged in a first axis direction of the circuit board; And
And a plurality of optical lenses arranged on each of the light emitting elements,
Wherein the plurality of optical lenses are arranged in one row in the first axial direction in the bottom cover,
Each of the above-
A bottom surface on the circuit board;
A concave recess in the center region of the bottom surface;
A first emitting surface having a convex curved surface on a side opposite to the bottom surface and the recess;
A second emitting surface between the bottom surface and the first emitting surface; And
And a side projecting portion disposed along the first axis direction in the second exit surface,
Wherein the bottom surface has a length D1 in a first axis direction and a length D2 in a second axis direction perpendicular to the first axis direction,
The bottom of the recess has a length D3 in the first axial direction and a length D4 in the second axial direction,
The length of the bottom surface has a relationship of D1 < D2,
The bottom length of the recess has a relationship of D3 > D4,
Wherein the ratio of the length of the bottom surface to the length of the recess has a relationship of D2 / D1 < D3 / D4.
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WO2023249226A1 (en) * 2022-06-24 2023-12-28 삼성전자주식회사 Display device

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