KR20180033072A - Substrate treating device and substrate treating method - Google Patents

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신지 스기오카
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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

According to the present invention, a substrate treating device and a substrate treating method can maintain concentration of a treating liquid in a treating tank to be appropriate for treatment performed in the treating tank. The substrate treating device performs etching treatment with respect to a substrate by immersing the substrate into a mixed acid aqueous solution, and comprises: a treating tank in which a mixed acid aqueous solution is stored; a treating liquid exchange unit exchanging the whole of the mixed acid aqueous solution by being fitted to life time of the mixed acid aqueous solution in the treating tank; a detection unit detecting pure concentration in the mixed acid aqueous solution; a concentration control unit controlling the pure concentration to be predetermined target concentration by supplying pure water to the mixed acid aqueous solution in the treating tank based on the pure concentration detected by the detection unit; and a target value change unit changing a lower reference value that is target concentration.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE TREATING DEVICE AND SUBSTRATE TREATING METHOD}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus,

본 발명은, 반도체 웨이퍼 등의 기판을 처리조에 저류된 처리액에 침지시키고, 에칭 처리나 세정 처리를 실시하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 특히, 처리조에 있어서의 처리액의 농도 제어에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for immersing a substrate such as a semiconductor wafer in a processing solution stored in a processing tank and performing an etching process or a cleaning process, .

반도체 장치의 제조 공정에는, 반도체 웨이퍼 등의 기판을 처리조에 침지시킴으로써, 당해 기판에 에칭 처리나 세정 처리를 실시하는 공정이 포함된다. 이와 같은 공정은, 복수의 처리조를 포함하는 기판 처리 장치에 의해 실행된다. 이 기판 처리 장치의 각 처리조에 있어서의 처리액의 농도는, 시간의 경과와 함께, 처리액 구성 성분의 증발, 분해 등에 의해 변화되는 경우가 있으므로, 처리액의 농도를 상기의 에칭 처리나 세정 처리에 적절한 범위 내로 유지하기 위한 농도 제어가 실시되고 있다.A manufacturing process of a semiconductor device includes a step of immersing a substrate such as a semiconductor wafer in a treatment tank to subject the substrate to an etching treatment or a cleaning treatment. Such a process is executed by a substrate processing apparatus including a plurality of processing tanks. The concentration of the treatment liquid in each treatment tank of this substrate processing apparatus may change with evaporation, decomposition or the like of the components of the treatment liquid with the passage of time. Therefore, the concentration of the treatment liquid may be changed by the above- The concentration control is performed so as to maintain the temperature within a suitable range.

이와 같은 기술로는 이하와 같은 것이 공지이다. 즉, 이 기술에 있어서는, 처리액을 처리조에 공급하는 탱크를 갖고 있다. 그리고, 탱크 및 순환 라인 내에 존재하는 처리액의 농도가 소정 범위로부터 벗어났을 때에, 농도 보정부를 사용하여, 탱크의 출구보다 하류측이고 또한 액 처리 유닛이 접속되는 접속 영역보다 상류측에 설정된 주입 위치에 있어서, 순환 라인에 처리액 구성 성분을 주입하여 순환 라인을 흐르는 처리액에 혼합한다. 이에 따라, 순환 라인을 흐르는 처리액의 농도를 보정한다 (예를 들어, 특허문헌 1 을 참조).Such techniques are known as follows. That is, this technique has a tank for supplying the treatment liquid to the treatment tank. Then, when the concentration of the treatment liquid present in the tank and the circulation line deviates from the predetermined range, the concentration correction unit is used to adjust the concentration of the treatment liquid, which is located on the downstream side of the outlet of the tank and upstream of the connection region to which the liquid processing unit is connected, , The processing solution component is injected into the circulation line and mixed with the processing solution flowing through the circulation line. Thereby, the concentration of the treatment liquid flowing through the circulation line is corrected (see, for example, Patent Document 1).

상기와 같은 종래 기술에 있어서는, 순환 라인에 농도계를 배치하고 순환 라인 내에 존재하는 처리액의 농도를 계측하고 있지만, 이 농도계로 얻어지는 측정치는, 순환 라인에 있어서의 처리액의 상태에 의해 영향을 받는 경우가 있어, 피드백 제어 등에 의해 처리액의 겉보기상의 농도를 목표값으로 제어하고 있었다고 해도, 실제 처리액의 농도가 시간의 경과와 함께, 겉보기상의 농도로부터 괴리해 버리는 경우가 있었다.In the above conventional technique, a concentration meter is disposed in the circulation line and the concentration of the treatment solution present in the circulation line is measured. The measurement value obtained by this concentration meter is influenced by the state of the treatment solution in the circulation line The concentration of the actual treatment liquid sometimes deviated from the apparent concentration with the elapse of time even if the apparent concentration of the treatment liquid was controlled to the target value by feedback control or the like.

또, 처리액이 복수의 약제 및 순수로 구성되어 있는 경우, 처리액 구성 성분에는, 증발하기 쉬운 성분과 증발하기 어려운 성분이 존재하기 때문에, 각 성분의 휘발성의 상이를 고려하지 않고 농도의 제어를 실시하였다고 해도, 처리액의 농도를 목적으로 하는 처리에 대하여 적절한 범위 내로 유지하는 것이 곤란한 경우가 있었다.In the case where the treatment liquid is composed of a plurality of medicines and pure water, since the component of the treatment liquid has a component that is easily evaporated and a component that is hardly evaporated, control of the concentration can be performed without considering the volatility of each component It has been difficult to maintain the concentration of the treatment liquid within an appropriate range for the intended treatment.

일본 공개특허공보 2015-46443호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2015-46443

본 발명은, 상기와 같은 상황을 감안하여 발명된 것이며, 그 목적은, 기판 처리 장치 또는 기판 처리 방법에 있어서, 처리조에 있어서의 처리액의 농도를 보다 확실하게, 그 처리조에 있어서 실시되는 처리에 적합한 농도로 유지하는 것이 가능한 기술을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus or a substrate processing method capable of more reliably controlling the concentration of a treatment liquid in a treatment tank, Thereby maintaining a suitable concentration.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명은, 1 종 이상의 약액 및 순수를 포함하는 처리액에 기판을 침지시킴으로써 그 기판에 대하여 소정의 처리를 실시하는 기판 처리 장치로서, According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for performing a predetermined process on a substrate by immersing the substrate in a processing solution containing at least one chemical solution and pure water,

상기 기판에 상기 소정의 처리를 실시하기 위한 상기 처리액이 저류된 처리조와, A treatment tank in which the treatment liquid for holding the predetermined treatment is stored in the substrate,

상기 처리조 중의 상기 처리액의 라이프 타임에 맞추어 그 처리액을 교환하는 처리액 교환부와, A treatment liquid replenishing section for exchanging the treatment liquid in accordance with the lifetime of the treatment liquid in the treatment tank,

상기 처리액에 있어서의 순수 또는 다른 소정 성분의 농도를 검출하는 검출부와, A detection unit for detecting the concentration of pure water or other predetermined components in the treatment liquid;

상기 검출부에 의해 검출된 상기 농도에 기초하여, 상기 처리조 중의 처리액에 순수 또는 상기 다른 소정 성분을 공급함으로써, 상기 농도가 소정의 목표 농도가 되도록 제어하는 농도 제어부와,A concentration control section for controlling the concentration to be a predetermined target concentration by supplying pure water or the other predetermined component to the treatment liquid in the treatment tank based on the concentration detected by the detection section;

상기 목표 농도를 변경하는 목표치 변경부The target value changing unit

를 구비하는 것을 특징으로 한다.And a control unit.

이에 따르면, 상기 처리액의 상태에 의해 검출부의 검출값이 변화되어 버리는 경우 등, 겉보기상의 상기 순수 또는 다른 소정 성분의 농도와 실제의 상기 순수 또는 다른 소정 성분의 농도 사이의 괴리, 또는, 검출된 농도에 있어서 예상되는 처리 상황 (예를 들어, 에칭 레이트) 과 실제로 얻어진 처리 상황 사이의 괴리가 있는 경우에도, 목표 농도를 변경함으로써, 당해 괴리를 캔슬하고, 보다 확실하게, 순수 또는 다른 소정 성분의 농도를 처리에 따른 적절한 값으로 제어하는 것이 가능해진다. 또한, 여기서 처리액의 라이프 타임이란, 처리액의 상태가 계속 변화하여 당해 처리액을 계속 사용하면 처리 자체가 충분히 실시되지 않게 된다고 판단되는 사용 시간이며, 미리 실험 등에 의해 정해진다. 또, 「라이프 타임에 맞춘다」 란, 라이프 타임의 경과시여도 되고, 라이프 타임 경과시에 대하여 약간 전후하는 시점이어도 된다.According to this, a difference between the apparent concentration of the pure water or other predetermined component and the actual concentration of the pure water or another predetermined component, for example, when the detection value of the detection section changes depending on the state of the treatment liquid, Even when there is a gap between the processing condition expected in the concentration (for example, the etching rate) and the actually obtained processing condition, by changing the target concentration, the deviation can be canceled and, It becomes possible to control the concentration to an appropriate value according to the treatment. Here, the lifetime of the treatment liquid means the use time determined by continuously changing the state of the treatment liquid and continuing to use the treatment liquid itself, which is determined by experiment or the like in advance. The term " tailored to the lifetime " may be an elapsed life time or a time point slightly before or after the life time elapsed.

또, 본 발명에 있어서는, 상기 목표치 변경부는, 상기 처리액의 라이프 타임의 도중에, 상기 목표 농도를 상승시키도록 해도 된다. 그렇게 하면, 상기 처리액의 라이프 타임의 도중에, 순수 또는 다른 소정 성분을 보다 많이 공급함으로써, 당해 괴리를 캔슬하고, 순수 또는 다른 소정 성분의 농도를 처리에 따른 적절한 값으로 제어하는 것이 가능해진다. 이 경우, 상기 순수 또는 다른 소정 성분의 농도를 저하시키는 제어와 비교하여, 보다 용이하게, 순수 또는 다른 소정 성분의 농도를 처리에 따른 적절한 값으로 제어하는 것이 가능해진다.In the present invention, the target value changing unit may increase the target concentration in the middle of the lifetime of the treatment liquid. By doing so, it becomes possible to cancel out the dissociation and to control the concentration of the pure water or other predetermined component to an appropriate value according to the treatment, by supplying more pure water or other predetermined components in the middle of the lifetime of the treatment liquid. In this case, it becomes possible to more easily control the concentration of the pure water or other predetermined components to an appropriate value according to the treatment, as compared with the control for lowering the concentration of the pure water or other predetermined components.

또, 본 발명에 있어서는, 상기 목표 변경부는, 상기 목표 농도에 상한값을 형성하도록 해도 된다. 이에 따르면, 상기 처리액의 라이프 타임의 도중에, 상기 목표 농도가 과잉으로 상승해 버리는 것을 방지할 수 있다.Further, in the present invention, the target changing section may form an upper limit value on the target concentration. According to this, it is possible to prevent the target concentration from excessively rising during the lifetime of the treatment liquid.

또, 본 발명에 있어서는, 상기 처리액은, 인산, 질산, 아세트산 중 적어도 1 개 및 순수를 포함하는 혼산 (混酸) 수용액이며, 상기 농도 제어부는, 상기 혼산 수용액에 순수를 공급함으로써 상기 혼산 수용액의 순수 농도가 소정의 목표 농도가 되도록 제어하도록 해도 된다. 이에 따르면, 순수의 공급량이나 공급 타이밍을 변경한다는 간단한 동작에 의해, 순수의 농도를 처리에 따른 적절한 값으로 제어하는 것이 가능해진다.Further, in the present invention, the treatment liquid is a mixed acid aqueous solution containing at least one of phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid and pure water, and the concentration control unit controls the concentration control unit so that pure water is supplied to the mixed acid aqueous solution, And the pure water concentration may be controlled to be a predetermined target concentration. According to this, the concentration of the pure water can be controlled to an appropriate value according to the process by a simple operation of changing the supply amount or the supply timing of the pure water.

또, 본 발명에 있어서는, 상기 목표치 변경부는, 상기 처리액의 라이프 타임의 도중에, 일정 시간마다 상기 목표 농도를 상승시키도록 해도 된다. 이에 따르면, 상기 목표 농도의 급격한 변화를 억제하면서, 보다 안정적으로, 순수 또는 다른 소정 성분의 농도를 처리에 따른 적절한 값으로 제어하는 것이 가능해진다.Further, in the present invention, the target value changing section may increase the target concentration every predetermined time during the lifetime of the treatment liquid. According to this, it becomes possible to more stably control the concentration of the pure water or other predetermined components to an appropriate value according to the treatment while suppressing the abrupt change of the target concentration.

또, 본 발명에 있어서는, 상기 목표치 변경부는, 상기 처리액의 라이프 타임의 도중에, 상기 목표 농도를 상승시키는 타이밍을 변경함으로써, 상기 목표 농도의 변경 프로파일을 변경하도록 해도 된다. 이에 따르면, 보다 높은 자유도로 상기 처리액의 상태에 따라, 순수 또는 다른 소정 성분의 농도를 처리에 따른 적절한 값으로 제어하는 것이 가능해진다.In the present invention, the target value changing unit may change the target concentration changing profile by changing the timing at which the target concentration is raised during the lifetime of the treatment liquid. According to this, it becomes possible to control the concentration of pure water or other predetermined components to an appropriate value according to the treatment, in accordance with the state of the treatment liquid with a higher degree of freedom.

또, 본 발명에 있어서는, 상기 목표치 변경부는, 상기 처리액의 라이프 타임의 도중에, 상기 목표치를 상승시킬 때의 상승 폭을 변경함으로써, 상기 목표 농도의 변경 프로파일을 변경하도록 해도 된다. 이것에 의해서도, 보다 높은 자유도로 상기 처리액의 상태에 따라, 순수 또는 다른 소정 성분의 농도를 처리에 따른 적절한 값으로 제어하는 것이 가능해진다.In the present invention, the target value changing section may change the target concentration changing profile by changing the rising width when the target value is raised during the lifetime of the treatment liquid. This also makes it possible to control the concentration of pure water or other predetermined components to an appropriate value according to the treatment, depending on the state of the treatment liquid with a higher degree of freedom.

또, 본 발명에 있어서는, 상기 목표치 변경부는, 상기 처리액의 라이프 타임의 도중에, 상기 기판의 처리가 실시된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키도록 해도 된다. 여기서, 상기 기판의 처리가 실시된 경우에는, 기판으로부터 금속 이온이 처리액 중에 용출하는 경향이 강하다. 따라서, 상기 기판의 처리가 실시된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시킴으로써, 보다 확실하게 또는 적시에, 순수 또는 다른 소정 성분의 농도를 처리에 따른 적절한 값으로 제어하는 것이 가능해진다.In the present invention, the target value changing section may increase the target concentration when the processing of the substrate is performed in the middle of the lifetime of the processing solution. Here, when the substrate is processed, metal ions tend to elute from the substrate into the treatment liquid. Therefore, when the processing of the substrate is performed, it becomes possible to control the concentration of the pure water or other predetermined components to an appropriate value according to the treatment, more reliably or timely, by raising the target concentration.

또, 본 발명에 있어서는, 상기 목표치 변경부는, 상기 처리액의 라이프 타임의 도중에, 상기 순수의 공급이 실시된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키도록 해도 된다. 여기서, 상기 기판의 처리가 실시된 경우에, 순수의 공급이 실시되는 확률이 높고, 기판의 처리 타이밍과 순수의 공급 타이밍 사이에는 높은 상관이 확인되므로, 순수의 공급이 실시된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키는 것에 의해서도, 보다 확실하게 또는 적시에, 순수 또는 다른 소정 성분의 농도를 처리에 따른 적절한 값으로 제어하는 것이 가능해진다.In the present invention, the target value changing unit may increase the target concentration when the supply of the pure water is performed in the middle of the lifetime of the treatment liquid. Here, when the processing of the substrate is performed, the probability of supplying pure water is high, and a high correlation is confirmed between the processing timing of the substrate and the supply timing of pure water. Therefore, when the pure water is supplied, By increasing the concentration, it becomes possible to more reliably or timely control the concentration of pure water or other predetermined components to an appropriate value according to the treatment.

또, 본 발명에 있어서는, 상기 목표치 변경부는, 상기 처리액의 라이프 타임의 도중에, 소정 매수 (枚數) 의 상기 기판의 처리가 실시된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키도록 해도 된다. 여기서, 상기 기판의 처리가 실시된 경우에, 처리되는 기판의 매수는 언제나 동일하다고는 할 수 없다. 한편, 기판으로부터 용출되는 금속 이온의 양이 직접 관련되어 있는 것은, 기판의 처리의 횟수보다, 오히려, 처리된 기판의 매수이다. 따라서, 소정 매수의 상기 기판의 처리가 실시된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시킴으로써, 보다 양호한 정밀도로, 순수 또는 다른 소정 성분의 농도를 처리에 따른 적절한 값으로 제어하는 것이 가능해진다.In the present invention, the target value changing section may raise the target concentration when processing is performed on the substrate at a predetermined number of sheets in the middle of the lifetime of the processing solution. Here, when the substrate is processed, the number of substrates to be processed is not always the same. On the other hand, the amount of the metal ions eluted from the substrate is directly related to the number of processed substrates rather than the number of processed substrates. Therefore, when the predetermined number of the processing of the substrate is performed, it becomes possible to control the concentration of the pure water or other predetermined components to an appropriate value according to the processing, by raising the target concentration, with better precision.

또, 본 발명에 있어서는, 상기 목표치 변경부는, 상기 기판의 처리에 있어서의 처리의 정도를 나타내는 중량 계수와 상기 기판의 처리 매수에 기초하는 처리량이 소정량이 된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키도록 해도 된다. 여기서, 상기 기판의 처리가 실시된 경우에, 기판의 종류에 따라, 1 매의 기판을 처리할 때의 처리의 정도는 상이하다. 이 처리의 정도란, 예를 들어, 1 매의 기판의 처리에 있어서 반응에 사용되는 처리액의 양 또는, 1 매의 기판의 처리에 의한 처리액의 열화 (劣化) 정도여도 된다. 따라서, 처리액에 있어서의 순수 또는 다른 소정 성분의 농도의 변화는, 처리된 기판의 매수 외에, 1 매의 기판을 처리할 때의 처리의 정도에 의해 정해진다.In the present invention, the target value changing unit may change the target concentration so that the target concentration is increased when the weight coefficient indicating the degree of processing in the processing of the substrate and the throughput based on the number of processed substrates are equal to a predetermined amount You can. Here, in the case where the processing of the substrate is performed, the degree of processing in processing one substrate differs depending on the type of the substrate. The degree of this treatment may be, for example, the amount of the treatment liquid used for the reaction in the treatment of one substrate or the degree of deterioration of the treatment liquid by the treatment of one substrate. Therefore, the change in the concentration of pure water or other predetermined components in the treatment liquid is determined by the degree of treatment at the time of treating one substrate in addition to the number of treated substrates.

이로부터, 본 발명에 있어서는, 기판의 처리에 있어서의 처리의 정도를 나타내는 중량 계수와 기판의 처리 매수에 기초하는 처리량이 소정량이 된 경우에, 목표 농도를 상승시킴으로써, 더욱 양호한 정밀도로, 순수 또는 다른 소정 성분의 농도를 처리에 따른 적절한 값으로 제어하는 것이 가능해진다. 또한, 중량 계수와 기판의 처리 매수에 기초하는 처리량이란, 예를 들어, 중량 계수와 기판의 처리 매수를 곱함으로써 산출되는 것이어도 되고, 기판의 처리 매수를 (중량 계수) 곱하는 등, 다른 계산식에 의한 것이어도 된다.Thus, in the present invention, when the weight coefficient indicating the degree of processing in the processing of the substrate and the throughput based on the number of processed substrates are equal to a predetermined amount, by raising the target concentration, It becomes possible to control the concentration of the other predetermined components to an appropriate value according to the treatment. Further, the weight coefficient and the throughput based on the number of processed substrates may be calculated by multiplying the weight coefficient by the number of processed substrates, or may be calculated by multiplying the number of processed substrates by (weight coefficient) .

또, 본 발명에 있어서는, 상기 처리액의 라이프 타임 중에 복수 종류의 기판을 처리하고, 상기 목표치 변경부는, 상기 복수 종류의 기판 중 각 종류의 기판에 대한, 상기 중량 계수와 상기 기판의 처리 매수에 기초하는 처리량의 합계량이 소정량이 된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키도록 해도 된다. 여기서, 기판 처리 장치가, 처리액의 라이프 타임 중에 복수 종류의 기판을 처리하는 경우에는, 처리액의 순수 또는 다른 소정 성분의 농도의 변화는, 각각의 종류의 기판의 처리량의 합계량에 의해 정해진다.Further, in the present invention, a plurality of kinds of substrates are processed during the lifetime of the treatment liquid, and the target value changing portion sets the weight coefficient and the number of processed substrates on each type of substrate among the plurality of types of substrates And the target concentration may be raised when the total amount of the underlying processing amount becomes a predetermined amount. Here, when the substrate processing apparatus processes a plurality of kinds of substrates during the lifetime of the processing solution, the change in the concentration of pure water or other predetermined components of the processing solution is determined by the total amount of the processing amount of each type of substrate .

이로부터, 본 발명에 있어서는, 처리액의 라이프 타임 중에 복수 종류의 기판을 처리할 때에는, 복수 종류의 기판 중 각 종류의 기판에 대한, 중량 계수와 기판의 처리 매수에 기초하는 처리량의 합계량이 소정량이 된 경우에, 목표 농도를 상승시키는 것으로 하였다. 이에 따라, 기판 처리 장치가, 처리액의 라이프 타임 중에 복수 종류의 기판을 처리하는 경우에도, 보다 양호한 정밀도로, 순수 또는 다른 소정 성분의 농도를 처리에 따른 적절한 값으로 제어하는 것이 가능해진다.Therefore, in the present invention, when a plurality of kinds of substrates are processed during the lifetime of the treatment liquid, the total amount of the processing amount based on the weight coefficient and the number of processed substrates on each type of substrate among the plural kinds of substrates , The target concentration was increased. Thus, even when the substrate processing apparatus processes a plurality of kinds of substrates during the lifetime of the processing solution, it becomes possible to control the concentration of pure water or other predetermined components to an appropriate value according to the processing with better accuracy.

또, 본 발명에 있어서는, 상기 목표치 변경부는, 상기 처리액의 라이프 타임 중에 있어서, 소정의 대기 시간 동안에 상기 기판의 처리가 실시되지 않는 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키도록 해도 된다. 여기서, 처리액의 라이프 타임 중에 있어서, 장시간에 걸쳐 기판의 처리가 실시되지 않는 경우에는, 그것에 의해서도, 처리액에 있어서의 순수 또는 다른 소정 성분의 농도가 증발이나 분해에 의해 변화되는 경우가 있다. 따라서, 본 발명에 있어서는, 목표치 변경부는, 상기 서술한 중량 계수와 기판의 처리 매수에 기초하는 기판의 처리량 (또는, 복수 종류의 기판의 처리량의 합계량) 이 소정량이 된 경우에, 목표 농도를 상승시킴과 함께, 소정의 대기 시간 동안에 기판의 처리가 실시되지 않는 경우에도, 목표 농도를 상승시키는 것으로 하였다. 이에 따르면, 기판의 처리의 중량 계수와 기판의 처리 매수에 기초하는 처리량을 처리액의 농도 제어의 기준으로 함과 함게, 기판의 처리가 장시간에 걸쳐 처리되지 않는 것도 처리액의 농도 제어의 기준으로 할 수 있어, 더욱 양호한 정밀도로, 처리액에 있어서의 순수 또는 다른 소정 성분의 농도를 처리에 따른 적절한 값으로 제어하는 것이 가능해진다.In the present invention, the target value changing section may increase the target concentration when the processing of the substrate is not performed during a predetermined waiting time during the lifetime of the processing solution. Here, when the substrate is not treated for a long time during the lifetime of the treatment solution, the concentration of pure water or other predetermined components in the treatment solution may be changed by evaporation or decomposition. Therefore, in the present invention, the target value changing section changes the target concentration to the target value when the processing amount of the substrate (or the total amount of the processing amount of the plural kinds of substrates) based on the weight coefficient and the number of processed substrates And the target concentration is increased even when the processing of the substrate is not performed during the predetermined waiting time. According to this, it is possible to control the concentration of the treatment liquid based on the weight coefficient of the treatment of the substrate and the treatment amount based on the treatment amount of the substrate as a reference for concentration control of the treatment liquid, It becomes possible to control the concentration of pure water or other predetermined components in the treatment liquid to an appropriate value according to the treatment with better accuracy.

또, 본 발명은, 1 종 이상의 약액 및 순수를 포함하여 처리조에 저류된 처리액에 기판을 침지시킴으로써 그 기판에 대하여 소정의 처리를 실시하는 기판 처리 방법으로서, The present invention also provides a substrate processing method for performing a predetermined process on a substrate by immersing the substrate in a process liquid containing at least one chemical liquid and pure water,

상기 처리액의 라이프 타임에 맞추어 그 처리액을 교환하는 처리액 교환 공정과,A process liquid exchange step of exchanging the process liquid in accordance with a lifetime of the process liquid;

상기 처리액에 있어서의 순수 또는 다른 소정 성분의 농도를 검출하는 농도 검출 공정과,A concentration detecting step of detecting the concentration of pure water or other predetermined components in the treatment liquid;

상기 농도 검출 공정에 있어서 검출된 상기 농도에 기초하여, 상기 농도가 소정의 목표 농도가 되도록 상기 처리조 중의 상기 처리액에 순수 또는 상기 다른 소정 성분을 공급하는 농도 제어 공정과, A concentration control step of supplying pure water or the other predetermined components to the treatment liquid in the treatment tank so that the concentration becomes a predetermined target concentration based on the concentration detected in the concentration detection step;

상기 처리액의 라이프 타임의 도중에 상기 목표 농도를 변경하는 목표치 변경 공정A target value changing step of changing the target concentration in the middle of the lifetime of the treatment liquid

을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법이어도 된다.And a substrate processing method.

또, 본 발명은, 상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 상기의 기판 처리 방법이어도 된다.Further, the present invention may be the substrate processing method described above, wherein the target concentration is raised in the target value changing step.

또, 본 발명은, 상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 상기 목표 농도에 상한값이 형성된 것을 특징으로 하는 상기의 기판 처리 방법이어도 된다.The present invention is also the above-described substrate processing method, wherein an upper limit value is formed on the target concentration in the target value changing step.

또, 본 발명은, 상기 처리액은, 인산, 질산, 아세트산 중 적어도 1 개 및 순수를 포함하는 혼산 수용액이며, 상기 농도 제어 공정에 있어서는, 상기 혼산 수용액의 순수 농도가 소정의 목표 농도가 되도록 상기 혼산 수용액에 순수를 공급하는 것을 특징으로 하는 상기의 기판 처리 방법이어도 된다.The present invention is characterized in that the treatment liquid is a mixed acid aqueous solution containing at least one of phosphoric acid, nitric acid and acetic acid and pure water, and in the concentration control step, the pure water concentration of the mixed acid aqueous solution is adjusted to be a predetermined target concentration And the pure water is supplied to the mixed acid aqueous solution.

또, 본 발명은, 상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 일정 시간마다 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 상기의 기판 처리 방법이어도 된다.Further, the present invention may be the substrate processing method described above, wherein in the target value changing step, the target concentration is raised at predetermined time intervals.

또, 본 발명은, 상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 상기 목표 농도를 상승시키는 타이밍을 변경함으로써, 상기 목표 농도의 변경 프로파일을 변경하는 것을 특징으로 하는 상기의 기판 처리 방법이어도 된다.The present invention is also the substrate processing method described above, wherein in the target value changing step, the changing profile of the target concentration is changed by changing the timing of raising the target concentration.

또, 본 발명은, 상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 상기 목표치를 상승시킬 때의 상승 폭을 변경함으로써, 상기 목표 농도의 변경 프로파일을 변경하는 것을 특징으로 하는 상기의 기판 처리 방법이어도 된다.The present invention is also the substrate processing method described above, wherein in the target value changing step, the changing profile of the target concentration is changed by changing the rising width at the time of raising the target value.

또, 본 발명은, 상기 목표치 변경부에 있어서는, 상기 기판의 처리가 실시된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 상기의 기판 처리 방법이어도 된다.The present invention is also the substrate processing method described above, wherein in the target value changing section, the target concentration is raised when the processing of the substrate is performed.

또, 본 발명은, 상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 상기 순수의 공급이 실시된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 상기의 기판 처리 방법이어도 된다.The present invention is also the above-described substrate processing method, wherein in the target value changing step, the target concentration is raised when the supply of the pure water is performed.

또, 본 발명은, 상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 소정 매수의 상기 기판의 처리가 실시된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 상기의 기판 처리 방법이어도 된다.The present invention is also the substrate processing method described above, wherein in the target value changing step, the target concentration is raised when a predetermined number of the substrates are processed.

또, 본 발명은, 상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 상기 기판의 처리에 있어서의 처리의 정도를 나타내는 중량 계수와 상기 기판의 처리 매수에 기초하는 처리량이 소정량이 된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 상기의 기판 처리 방법이어도 된다.Further, the present invention is characterized in that, in the target value changing step, when the weight coefficient indicating the degree of processing in the processing of the substrate and the processing amount based on the number of processed substrates are equal to a predetermined amount, The above-mentioned substrate processing method.

또, 본 발명은, 상기 처리액의 라이프 타임 중에, 복수 종류의 기판을 처리하고, Further, the present invention is characterized in that a plurality of types of substrates are processed during the lifetime of the treatment liquid,

상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 상기 복수 종류의 기판 중 각 종류의 기판에 대한, 상기 중량 계수와 상기 기판의 처리 매수에 기초하는 처리량의 합계량이 소정량이 된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 상기의 기판 처리 방법이어도 된다.In the target value changing step, when the total amount of the processing amount based on the weight coefficient and the number of processed substrates on each type of substrate among the plurality of types of substrates becomes a predetermined amount, the target concentration is raised The above-mentioned substrate processing method.

또, 본 발명은, 상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 상기 처리액의 라이프 타임 중에 있어서, 소정의 대기 시간 동안에 상기 기판의 처리가 실시되지 않는 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 상기의 기판 처리 방법이어도 된다.The present invention is characterized in that in the target value changing step, when the processing of the substrate is not performed during a predetermined waiting time during the lifetime of the processing solution, the target concentration is raised Substrate processing method.

또한, 상기 서술한, 과제를 해결하기 위한 수단은 적절히 조합하여 사용하는 것이 가능하다.The above-mentioned means for solving the problems can be appropriately combined and used.

본 발명에 의하면, 기판 처리 장치 또는 기판 처리 방법에 있어서, 처리조에 있어서의 처리액의 농도를 보다 확실하게, 그 처리조에 있어서 실시되는 처리에 적합한 농도로 유지할 수 있다.According to the present invention, in the substrate processing apparatus or the substrate processing method, the concentration of the treatment liquid in the treatment tank can be more reliably maintained at a concentration suitable for the treatment performed in the treatment tank.

도 1 은, 실시예 1 에 관련된 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 사시도이다.
도 2 는, 실시예 1 에 관련된 기판 처리 장치의 기능 블록도이다.
도 3 은, 실시예 1 에 관련된 기판 처리 장치의 처리부에 있어서의 각 처리조의 처리액의 제어에 관한 구성을 나타내는 도면이다.
도 4 는, 일반적인 처리조에 있어서의 혼산 수용액의 농도 제어의 양태를 나타내는 그래프이다.
도 5 는, 실시예 1 에 관련된 기판 처리 장치의 처리조에 있어서의 혼산 수용액의 농도 제어의 양태를 나타내는 그래프이다.
도 6 은, 실시예 1 에 관련된 혼산 수용액의 라이프 타임에 있어서의, 하측 기준값의 변화의 양태의 그래프의 예이다.
도 7 은, 실시예 1 에 관련된 혼산 수용액의 라이프 타임에 있어서의, 하측 기준값의 변화의 양태의 그래프의 제 2 예이다.
도 8 은, 실시예 1 에 관련된 혼산 수용액의 라이프 타임에 있어서의, 하측 기준값의 변화의 양태의 그래프의 제 3 예이다.
도 9 는, 실시예 2 에 관련된 혼산 수용액의 라이프 타임에 있어서의, 하측 기준값의 변화의 양태의 그래프의 예이다.
도 10 은, 실시예 2 에 관련된 혼산 수용액의 라이프 타임에 있어서의, 하측 기준값의 변화의 양태의 그래프의 제 2 예이다.
도 11 은, 실시예 3 에 관련된 혼산 수용액의 라이프 타임에 있어서의, 하측 기준값의 변화의 양태의 그래프의 예이다.
도 12 는, 실시예 3 에 관련된 혼산 수용액의 라이프 타임에 있어서의, 하측 기준값의 변화의 양태의 그래프의 제 2 예이다.
도 13 은, 실시예 3 에 관련된 혼산 수용액의 라이프 타임에 있어서의, 하측 기준값의 변화의 양태의 그래프의 제 3 예이다.
도 14 는, 실시예 4 에 관련된 혼산 수용액의 라이프 타임에 있어서의, 하측 기준값의 변화의 양태의 그래프의 예이다.
도 15 는, 실시예 5 에 관련된 혼산 수용액의 라이프 타임에 있어서의, 하측 기준값의 변화의 양태의 그래프의 예이다.1 is a perspective view showing a schematic structure of a substrate processing apparatus according to a first embodiment.
Fig. 2 is a functional block diagram of the substrate processing apparatus according to Embodiment 1. Fig.
Fig. 3 is a diagram showing a configuration relating to control of the treatment liquid in each treatment tank in the treatment section of the substrate processing apparatus according to Embodiment 1. Fig.
Fig. 4 is a graph showing an aspect of the concentration control of the mixed acid aqueous solution in a general treatment tank. Fig.
5 is a graph showing an aspect of the concentration control of the mixed acid aqueous solution in the treatment tank of the substrate processing apparatus according to the first embodiment.
Fig. 6 is an example of a graph of an aspect of the change in the lower reference value in the lifetime of the mixed acid aqueous solution according to Example 1. Fig.
Fig. 7 is a second example of a graph of a change in lower side reference value in the lifetime of the mixed acid aqueous solution according to Example 1. Fig.
8 is a third example of a graph of a change in the lower reference value in the lifetime of the mixed acid aqueous solution according to Example 1. Fig.
9 is an example of a graph of an aspect of the change in the lower reference value in the lifetime of the mixed acid aqueous solution according to the second embodiment.
10 is a second example of a graph of a change in lower side reference value in the lifetime of the mixed acid aqueous solution according to Example 2. Fig.
11 is an example of a graph of an aspect of change in the lower reference value in the lifetime of the mixed acid aqueous solution according to the third embodiment.
12 is a second example of a graph of a change in lower side reference value in the lifetime of the mixed acid aqueous solution according to Example 3. Fig.
Fig. 13 is a third example of a graph of a change in the lower reference value in the lifetime of the mixed acid aqueous solution according to Example 3. Fig.
14 is an example of a graph of an aspect of the change in the lower reference value in the lifetime of the mixed acid aqueous solution according to the fourth embodiment.
15 is an example of a graph of an aspect of the change in the lower reference value in the lifetime of the mixed acid aqueous solution according to the fifth embodiment.

＜실시예 1＞≪ Example 1 >

이하, 본 발명의 실시예에 대해 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시예는, 본원 발명의 일 양태이며, 본원 발명의 기술적 범위를 한정하는 것은 아니다. 도 1 은 실시예 1 에 관련된 기판 처리 장치 (1) 의 개략 구성을 나타내는 사시도이다. 이 기판 처리 장치 (1) 는, 주로 기판 (W) 에 대하여 에칭 처리나 세정 처리 (이하, 간단히“처리” 라고도 한다) 를 실시하는 것이다. 기판 처리 장치 (1) 에 있어서는, 도 1 에 있어서 우측 안측에, 기판 (W) 을 스톡하는 버퍼부 (2) 가 배치되고, 버퍼부 (2) 의 더욱 우측 안측에는, 기판 처리 장치 (1) 를 조작하기 위한 정면 패널 (도시 생략) 이 형성되어 있다. 또, 버퍼부 (2) 에 있어서의 정면 패널과 반대측에는, 기판 반출입구 (3) 가 형성되어 있다. 또, 기판 처리 장치 (1) 의 긴쪽 방향에 있어서의, 버퍼부 (2) 의 반대측 (도 1 에 있어서 왼쪽 앞측) 으로부터, 기판 (W) 에 대하여 처리를 실시하는 처리부 (5, 7 및 9) 가 나란히 형성되어 있다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Further, the embodiments described below are only one aspect of the present invention, and do not limit the technical scope of the present invention. 1 is a perspective view showing a schematic structure of a substrate processing apparatus 1 according to a first embodiment. This substrate processing apparatus 1 mainly performs an etching process and a cleaning process (hereinafter, simply referred to as " process ") on the substrate W. 1, the buffer unit 2 for storing the substrate W is disposed on the right side of the substrate processing apparatus 1 and the substrate processing apparatus 1 is provided on the right side of the buffer unit 2. In the substrate processing apparatus 1, A front panel (not shown) for operating the front panel is formed. In addition, on the side opposite to the front panel of the buffer section 2, a substrate transfer port 3 is formed. 7 and 9 for processing the substrate W from the opposite side (left front side in Fig. 1) of the buffer unit 2 in the longitudinal direction of the substrate processing apparatus 1, Are formed side by side.

각 처리부 (5, 7 및 9) 는, 각각 2 개의 처리조 (5a 및 5b, 7a 및 7b, 9a 및 9b) 를 갖고 있다. 또, 기판 처리 장치 (1) 에는, 복수 매의 기판 (W) 을 각 처리부 (5, 7 및 9) 에 있어서의 각 처리조의 사이에서만 도 1 중의 짧은 화살표의 방향 및 범위에 대하여 이동시키기 위한 부반송 기구 (43) 가 구비되어 있다. 또, 이 부반송 기구 (43) 는, 복수 매의 기판 (W) 을 처리조 (5a 및 5b, 7a 및 7b, 9a 및 9b) 에 침지하고 또는, 이들 처리조로부터 끌어올리기 위해서 복수 매의 기판 (W) 을 상하로도 이동시킨다. 각각의 부반송 기구 (43) 에는, 복수 매의 기판 (W) 을 유지하는 리프터 (11, 13 및 15) 가 형성되어 있다. 또한 기판 처리 장치 (1) 에는, 복수 매의 기판 (W) 을 각 처리부 (5, 7 및 9) 의 각각으로 반송하기 위해서, 도 1 중의 긴 화살표의 방향 및 범위에서 이동 가능한 주반송 기구 (17) 가 구비되어 있다.Each of the processing sections 5, 7, and 9 has two treatment tanks 5a and 5b, 7a and 7b, 9a and 9b, respectively. The substrate processing apparatus 1 is also provided with a plurality of processing units 5, 7, and 9 for moving a plurality of substrates W in a direction and a range of a short arrow in FIG. And a transport mechanism 43 is provided. The sub-transport mechanism 43 is provided with a plurality of substrates W for immersing or lifting a plurality of substrates W into and from the processing tanks 5a and 5b, 7a and 7b, 9a and 9b, (W) is moved up and down. Lifters 11, 13, and 15 for holding a plurality of substrates W are formed in each of the sub-transport mechanisms 43. The substrate processing apparatus 1 is also provided with a main transport mechanism 17 capable of moving in a direction and a range of a long arrow in Fig. 1 for transporting a plurality of substrates W to each of the processing sections 5, 7, .

주반송 기구 (17) 는, 2 개의 가동식 아암 (17a) 을 갖고 있다. 이들 아암 (17a) 에는, 기판 (W) 을 재치 (載置) 하기 위한 복수의 홈 (도시하지 않음) 이 형성되어 있고, 도 1 에 나타내는 상태에서, 각 기판 (W) 을 기립 자세 (기판 주면 (主面) 의 법선이 수평 방향을 따른 자세) 로 유지한다. 또, 주반송 기구 (17) 에 있어서의 2 개의 아암 (17a) 은, 도 1 중의 우측 비스듬한 하방향에서 봐, 「V」 자 형상으로부터 역 「V」 자 형상으로 요동함으로써, 각 기판 (W) 을 개방한다. 그리고, 이 동작에 의해, 기판 (W) 은, 주반송 기구 (17) 와 리프터 (11, 13 및 15) 의 사이에서 수수 (授受) 되는 것이 가능하게 되어 있다.The main transport mechanism 17 has two movable arms 17a. These arms 17a are provided with a plurality of grooves (not shown) for placing the substrate W thereon. In the state shown in Fig. 1, the respective wafers W are placed in a standing posture (The main surface) is in a posture along the horizontal direction). The two arms 17a of the main transport mechanism 17 swing from the "V" shape to the inverted "V" shape as viewed from the right side downward in FIG. 1, Lt; / RTI > This operation makes it possible for the substrate W to be transferred between the main transport mechanism 17 and the lifters 11, 13 and 15.

도 2 에는, 기판 처리 장치 (1) 의 기능 블록도를 나타낸다. 상기 서술한 주반송 기구 (17), 부반송 기구 (43), 처리부 (5, 7, 9) 는, 제어부 (55) 에 의해 통괄적으로 제어되고 있다. 제어부 (55) 의 하드웨어로서의 구성은 일반적인 컴퓨터와 동일하다. 즉, 제어부 (55) 는, 각종 연산 처리를 실시하는 CPU, 기본 프로그램을 기억하는 판독 전용 메모리인 ROM, 각종 정보를 기억하는 자유롭게 읽고 쓸 수 있는 메모리인 RAM 및 제어용 어플리케이션이나 데이터 등을 기억해 두는 자기 디스크 등을 구비하고 있다. 본 실시예에 있어서는, 제어부 (55) 의 CPU 가 소정의 프로그램을 실행함으로써, 기판 (W) 을 각 처리부 (5, 7, 9) 에 반송하고, 프로그램에 따른 처리를 실시하도록 각 부를 제어한다. 상기의 프로그램은, 기억부 (57) 에 기억되어 있다.Fig. 2 shows a functional block diagram of the substrate processing apparatus 1. As shown in Fig. The main transport mechanism 17, the sub transport mechanism 43 and the processing units 5, 7, and 9 described above are collectively controlled by the control unit 55. [ The hardware configuration of the control unit 55 is the same as that of a general computer. That is, the control unit 55 includes a CPU that performs various computations, a ROM that is a read-only memory that stores basic programs, a RAM that is a memory that is freely readable and writable that stores various types of information, Disk, and the like. In this embodiment, the CPU of the control unit 55 executes a predetermined program to transfer the substrate W to the processing units 5, 7, and 9, and controls each unit to perform processing according to the program. The above program is stored in the storage unit 57. [

도 3 은, 기판 처리 장치 (1) 의 처리부 (5, 7, 9) 에 있어서의 각 처리조 (5a, 7a, 9a) 의 처리액의 제어에 관한 구성을 나타내는 도면이다. 도 3 에 있어서는, 처리부 (5, 7, 9) 에 있어서의 각 처리조 (5a, 7a, 9a) 중, 처리조 (7a) 를 예로 들어 설명한다. 이하의 처리조 (7a) 의 처리액에 대한 제어와 동등 또는 유사한 제어가, 다른 처리조 (5a 및 9a) 에 대해서도 적용된다.3 is a diagram showing a configuration relating to control of the treatment liquids in the treatment tanks 5a, 7a and 9a in the treatment sections 5, 7 and 9 of the substrate processing apparatus 1. Fig. 3, among the treatment tanks 5a, 7a, and 9a in the treatment units 5, 7, and 9, the treatment tank 7a will be described as an example. The same or similar control as the control of the treatment liquid in the following treatment tank 7a is applied to the other treatment tanks 5a and 9a.

여기서, 반도체 웨이퍼의 제조 공정에 있어서는, 예를 들어 실리콘 등의 단결정 잉곳을 그 봉축 (棒軸) 방향으로 슬라이스하고, 얻어진 것에 대하여 모따기, 래핑, 에칭 처리, 폴리싱 등의 처리가 순차 실시된다. 그 결과, 기판 표면 상에는 상이한 재료에 의한 복수의 층, 구조, 회로가 형성된다. 그리고, 처리조 (7a) 에 있어서 실시되는 기판 (W) 의 에칭 처리는, 예를 들어, 기판 (W) 에 남은 텅스텐 등의 메탈을 제거할 목적으로 실시되고, 기판 (W) 을 처리액으로서의 혼산 (인산, 질산, 아세트산, 순수) 수용액 등에 소정 시간 침지함으로써 실시된다. 또한, 상기의 에칭 처리는 본 발명에 있어서의 소정의 처리의 일례이다. 또, 혼산에 있어서의 인산, 질산, 아세트산은, 본 발명에 있어서의“다른 소정 성분” 의 일례이다.Here, in the manufacturing process of the semiconductor wafer, for example, a single crystal ingot such as silicon is sliced in the direction of the rod axis, and the chamfering, lapping, etching treatment, polishing and the like are sequentially performed on the obtained wafer. As a result, a plurality of layers, structures, and circuits of different materials are formed on the substrate surface. The etching treatment of the substrate W in the treatment tank 7a is carried out for the purpose of removing metal such as tungsten left on the substrate W and the substrate W is treated as a treatment liquid (Phosphoric acid, nitric acid, acetic acid, pure water) for a predetermined time. The above etching process is an example of a predetermined process in the present invention. In addition, phosphoric acid, nitric acid and acetic acid in mixed acid are examples of " other prescribed components " in the present invention.

도 3 에 있어서, 처리조 (7a) 는, 혼산 수용액 중에 기판 (W) 을 침지시키는 내조 (內槽) (50a) 및 내조 (50a) 의 상부로부터 오버플로우한 혼산 수용액을 회수하는 외조 (外槽) (50b) 에 의해 구성되는 이중 조 구조를 갖고 있다. 내조 (50a) 는, 혼산 수용액에 대한 내식성이 우수한 석영 또는 불소 수지 재료로 형성된 평면에서 보았을 때 사각형의 박스형 형상 부재이다. 외조 (50b) 는, 내조 (50a) 와 동일한 재료로 형성되어 있고, 내조 (50a) 의 외주 상단부를 둘러싸도록 형성되어 있다.3, the treatment tank 7a includes an inner tank 50a for immersing the substrate W in the mixed acid aqueous solution and an outer tank 50a for recovering the overflowed mixed acid solution from the upper portion of the inner tank 50a (50b). The inner tank 50a is a rectangular box-shaped member when viewed from the plane formed of quartz or fluororesin material excellent in corrosion resistance to the mixed acid aqueous solution. The outer tub 50b is formed of the same material as the inner tub 50a and is formed so as to surround the outer peripheral upper end of the inner tub 50a.

또, 처리조 (7a) 에는, 전술한 바와 같이, 저류된 혼산 수용액에 기판 (W) 을 침지시키기 위한 리프터 (13) 가 형성되어 있다. 리프터 (13) 는, 기립 자세로 상호 평행하게 배열된 복수 (예를 들어, 50 매) 의 기판 (W) 을 3 개의 유지봉에 의해 일괄적으로 유지한다. 리프터 (13) 는, 부반송 기구 (43) 에 의해 상하 좌우의 방향으로 이동 가능하게 형성되어 있고, 유지하는 복수 매의 기판 (W) 을 내조 (50a) 내의 혼산 수용액 중에 침지하는 처리 위치 (도 3 의 위치) 와 혼산 수용액으로부터 끌어올린 수수 위치 사이에서 승강시킴과 함께, 옆의 처리조 (7b) 로 이동시키는 것이 가능하게 되어 있다.As described above, the treatment tank 7a is provided with a lifter 13 for immersing the substrate W in the aqueous mixed acid solution. The lifter 13 collectively holds a plurality of (e.g., 50) substrates W arranged in parallel to each other in a standing posture with three holding rods. The lifter 13 is formed so as to be movable in the up, down, left, and right directions by the sub-transport mechanism 43. The lifter 13 has a processing position 3) and the transfer position from the mixed acid aqueous solution, and can move to the side treatment tank 7b.

또, 기판 처리 장치 (1) 는, 혼산 수용액을 처리조 (7a) 에 순환시키는 순환 라인 (20) 을 구비한다. 순환 라인 (20) 은, 처리조 (7a) 로부터 배출된 혼산 수용액을 여과·가열하여 다시 처리조 (7a) 에 압송 (壓送) 환류시키는 배관 경로이며, 구체적으로는 처리조 (7a) 의 외조 (50b) 와 내조 (50a) 를 유로 접속하여 구성되어 있다. 또, 순환 라인 (20) 으로부터 분기되어 배액 라인 (30) 이 분기되어 있고, 혼산 수용액을 처리조 (7a) 로 되돌리지 않고 배액하는 경우에는, 배액 전환 밸브 (26) 및, 배액 밸브 (27) 를 개폐함으로써, 외조 (50b) 로부터 배출된 혼산 수용액을 그대로 배액 라인 (30) 을 통해서 폐기한다.The substrate processing apparatus 1 also includes a circulation line 20 for circulating a mixed acid aqueous solution to the treatment tank 7a. The circulation line 20 is a piping path for feeding the mixed acid solution discharged from the treatment tank 7a by filtration and heating and returning the solution to the treatment tank 7a. (50b) and the inner tank (50a). When the drainage line 30 branches off from the circulation line 20 and the mixed acid solution is drained without returning to the treatment tank 7a, the drainage changeover valve 26 and the drainage valve 27, Whereby the mixed acid aqueous solution discharged from the outer tank 50b is directly discarded through the drain line 30 as it is.

순환 라인 (20) 의 경로 도중에는, 밸브류 이외에는, 상류측으로부터 순환 펌프 (21), 온조기 (22), 필터 (23) 및, 검출부로서의 농도계 (24) 가 형성되어 있다. 순환 펌프 (21) 는, 순환 라인 (20) 을 통해서 혼산 수용액을 외조 (50b) 로부터 흡입함과 함께 내조 (50a) 를 향하여 압송한다. 온조기 (22) 는, 순환 라인 (20) 을 흐르는 혼산 수용액을 소정의 처리 온도로까지 재가열한다. 또한, 처리조 (7a) 에도 도시 생략된 히터가 형성되어 있고, 처리조 (7a) 에 저류되어 있는 혼산 수용액도 소정의 처리 온도를 유지하도록 가열되고 있다. 필터 (23) 는, 순환 라인 (20) 을 흐르는 혼산 수용액 중의 이물질을 없애기 위한 여과 필터이다.The circulating pump 21, the warming-up unit 22, the filter 23, and the concentration meter 24 as the detecting unit are formed from the upstream side in the course of the circulating line 20 other than the valves. The circulation pump 21 sucks the mixed acid aqueous solution from the outer tank 50b through the circulation line 20 and presses it toward the inner tank 50a. The preheater 22 reheats the mixed acid aqueous solution flowing through the circulation line 20 to a predetermined treatment temperature. A heater (not shown) is also formed in the treatment tank 7a, and the mixed acid aqueous solution stored in the treatment tank 7a is also heated to maintain a predetermined treatment temperature. The filter 23 is a filter for eliminating foreign matter in the mixed acid aqueous solution flowing through the circulation line 20.

또, 농도계 (24) 는, 순환 라인 (20) 에 의해 내조 (50a) 에 회수되는 혼산 수용액의 성분 중, 순수 농도를 측정한다. 이 농도계 (24) 에 의해 측정되는 순수 농도가 최적값이 되도록, 처리조 (7a) 내의 혼산 농도가 제어되고 있다. 여기서, 농도계 (24) 에 의해 순수 농도가 측정되는 처리는 본 발명에 있어서의 농도 검출 공정에 상당한다. 또, 처리조 (7a) 내의 혼산 농도가 제어되는 처리는 제어부 (55) 에 의해 실시되지만, 이 때의 제어부 (55) 는 농도 제어부에 상당하고, 처리 자체는 본 발명에 있어서의 농도 제어 공정에 상당한다. 보다 구체적으로는, 제어부 (55) 는, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 처리조 내의 혼산 용액의 전액 교환 제어나, 혼산 수용액의 농도의 피드백 제어 등에 관련된 처리 외에, 후술하는 바와 같이, 혼산 수용액의 농도의 목표치 (하측 기준값) 의 변경 제어에 관련된 처리를 실시한다.The concentration meter 24 measures the pure water concentration among components of the mixed acid aqueous solution recovered in the inner tank 50a by the circulation line 20. The mixed concentration in the treatment tank 7a is controlled so that the concentration of pure water measured by the concentration meter 24 becomes an optimal value. Here, the process in which the concentration of pure water is measured by the concentration meter 24 corresponds to the concentration detecting process in the present invention. Although the control unit 55 controls the concentration of the mixed acid in the treatment tank 7a, the control unit 55 corresponds to the concentration control unit, and the treatment itself corresponds to the concentration control step in the present invention . More specifically, as shown in Fig. 3, in addition to the processing related to the control of full exchange of the mixed acid solution in the treatment tank, the feedback control of the concentration of the mixed acid aqueous solution and the like, the control unit 55 sets the concentration of the mixed acid aqueous solution (Lower side reference value) of the target value.

다음으로, 상기 구성을 갖는 기판 처리 장치 (1) 의 작용에 대해서 보다 상세하게 설명한다. 먼저, 처리조 (7a) 에 저류되어 있는 혼산 수용액 중에 기판 (W) 이 침지되어 있는지 여부에 상관없이, 순환 펌프 (21) 는 항상 일정 유량으로 혼산 수용액을 압송하고 있다. 순환 라인 (20) 에 의해 처리조 (7a) 에 환류된 혼산 수용액은 내조 (50a) 의 저부로부터 공급된다. 이에 따라, 내조 (50a) 의 내부에는 저부로부터 상방으로 향하는 혼산 수용액의 업 플로우가 발생한다. 저부로부터 공급된 혼산 수용액은 곧 내조 (50a) 의 상단부로부터 흘러 넘쳐 외조 (50b) 에 유입된다. 외조 (50b) 에 흘러든 혼산 수용액은 외조 (50b) 로부터 순환 라인 (20) 을 통해서 순환 펌프 (21) 에 보내지고, 다시 처리조 (7a) 에 압송 환류된다는 순환 프로세스가 계속해서 실시된다.Next, the operation of the substrate processing apparatus 1 having the above-described configuration will be described in more detail. First, regardless of whether the substrate W is immersed in the mixed acid aqueous solution stored in the treatment tank 7a, the circulation pump 21 always feeds the mixed acid aqueous solution at a constant flow rate. The mixed acid aqueous solution returned to the treatment tank 7a by the circulation line 20 is supplied from the bottom of the inner tank 50a. As a result, an upflow of the mixed acid aqueous solution from the bottom toward the upward occurs in the inner tank 50a. The mixed acid aqueous solution supplied from the bottom flows over from the upper end of the inner tank 50a and flows into the outer tank 50b. The circulating process of continuously circulating the mixed aqueous solution flowing into the outer tub 50b from the outer tub 50b to the circulating pump 21 through the circulating line 20 and returning to the treatment tank 7a is carried out continuously.

이와 같은 순환 라인 (20) 에 의한 혼산 수용액의 순환 프로세스를 실행하면서, 수수 위치에서 복수의 기판 (W) 을 수취한 리프터 (13) 가 처리 위치까지 강하되어 내조 (50a) 내에 저류된 혼산 수용액 중에 기판 (W) 을 침지시킨다. 이에 따라, 소정 시간의 처리가 실시되고, 처리가 종료한 후, 리프터 (13) 가 다시 수수 위치로까지 상승하여 기판 (W) 을 혼산 수용액으로부터 끌어올린다. 그 후, 리프터 (13) 는 수평 이동 및 강하하여 기판 (W) 을 옆의 처리조 (7b) 에 침지시키고, 수세 처리가 실시된다.The lifter 13 which has received the plurality of substrates W at the transfer position is lowered to the processing position and the aqueous solution of the mixed acid solution stored in the inner tank 50a So that the substrate W is immersed. Thus, after the processing is completed for a predetermined period of time, the lifter 13 is again raised to the delivery position to pull up the substrate W from the mixed acid aqueous solution. Thereafter, the lifter 13 horizontally moves and descends to immerse the substrate W in the side treatment tank 7b, and the water treatment is performed.

상기 외에, 기판 처리 장치 (1) 에는, 처리조 (7a) 의 혼산 수용액의 농도를 제어하기 위한 농도 제어 장치 (40) 가 구비되어 있다. 이 농도 제어 장치 (40) 는, 약액 공급원 (41) 과, 약액 공급원 (41) 과 처리조 (7a) 를 잇는 약액 라인 (42) 과, 순수 공급원 (46) 과, 순수 공급원 (46) 과 처리조 (7a) 를 잇는 순수 라인 (47) 을 갖는다.In addition to the above, the substrate processing apparatus 1 is provided with a concentration control device 40 for controlling the concentration of the mixed aqueous solution of the treatment tank 7a. The concentration control device 40 is provided with a chemical liquid supply source 41, a chemical liquid line 42 connecting the chemical liquid supply source 41 and the treatment tank 7a, a pure water supply source 46, a pure water supply source 46, And a pure line 47 connecting the tank 7a.

여기서, 도시는 생략하지만, 약액 공급원 (41) 에는, 혼산을 구성하는 인산, 질산, 아세트산의 각각을 공급하는 공급원이 독립적으로 형성되어 있고, 약액 라인 (42) 에는, 인산, 질산, 아세트산의 각각을 처리조 (7a) 에 유도하는 라인이 독립적으로 형성되어 있다. 처리액을 최초로 생성할 때에는, 공급 속도가 필요해지므로 굵은 배관으로부터 내조 (50a) 를 향하여 처리액이 투입되지만, 처리액을 보충할 때에는 외조 (50b) 를 향하여 보충되는 경우가 있다. 약액 라인 (42) 의 각각의 라인에는, 통과하는 약액 (인산, 질산, 아세트산) 의 유량을 각각 측정 가능한 약액 유량계 (44) 와, 인산, 질산, 아세트산의 각각의 유량을 조정 가능한 약액 보충 밸브 (45) 가 구비되어 있다. 한편, 순수 라인 (47) 에는, 순수 라인 (47) 을 통과하는 순수의 유량을 측정하는 순수 유량계 (48) 와, 순수의 유량을 조정하는 순수 보충 밸브 (49) 가 구비되어 있다. 또, 전술한 제어부 (55) 가 농도계 (24) 의 측정 결과에 기초하여 약액 보충 밸브 (45) 및, 순수 보충 밸브 (49) 를 제어하고, 처리조 (7a) 내의 혼산 수용액의 농도를, 처리에 최적인 농도가 되도록 제어한다.Although not shown, a supply source for supplying each of the phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid constituting the mixed acid is independently formed in the chemical liquid supply source 41, and the chemical liquid line 42 is provided with a supply source for supplying phosphoric acid, nitric acid, To the treatment tank 7a are independently formed. When the treatment liquid is initially generated, the treatment liquid is injected from the coarse pipe toward the inner tank 50a because a feed rate is required. However, when the treatment liquid is supplemented, the treatment liquid may be supplemented toward the outer tank 50b. Each line of the chemical liquid line 42 is provided with a chemical liquid flow meter 44 capable of measuring the flow rate of the chemical liquid (phosphoric acid, nitric acid, acetic acid) passing therethrough, and a chemical liquid replenishment valve 45 are provided. On the other hand, the pure water line 47 is provided with a pure water flow meter 48 for measuring the flow rate of pure water passing through the pure water line 47 and a pure water replenishment valve 49 for regulating the flow rate of pure water. The control unit 55 controls the chemical liquid replenishment valve 45 and the pure water replenishing valve 49 based on the measurement result of the concentration meter 24 to change the concentration of the mixed acid aqueous solution in the treatment tank 7a So that the concentration becomes optimum.

도 4 는, 상기한 처리조 (7a) 에 있어서의 혼산 수용액의 종래의 농도 제어의 양태를 나타내는 그래프이다. 보다 구체적으로는, 내조 (50a) 에 있어서의 혼산 수용액의 농도 (순수 농도) 의 변화를 나타내고 있다. 여기서 가로축은 시간, 세로축은 혼산 중의 순수 농도 (W％) 를 나타내고 있다. 도 4 의 그래프에 있어서, 하부의 펄스 형상의 표시 (A) 는, 내조 (50a) 에 순수가 공급되는 타이밍을 나타내고 있다. 또, 상부에 있어서의 꺾은선 (B) 이 순수 농도의 변화를 나타내고 있다.Fig. 4 is a graph showing an aspect of conventional concentration control of the mixed acid aqueous solution in the treatment tank 7a. More specifically, the change in the concentration (pure water concentration) of the mixed acid aqueous solution in the inner tank 50a is shown. Here, the horizontal axis represents time and the vertical axis represents the concentration of pure water (W%) in mixed acid. In the graph of Fig. 4, the lower pulse-shaped display (A) shows the timing at which pure water is supplied to the inner tank 50a. The broken line B in the upper part shows a change in the pure water concentration.

도 4 에서는, 시점 t1 에 있어서, 혼산 수용액의 전액 교환이 실시되고 있다. 그리고, 시점 t2 에 있어서 재차 혼산 수용액의 전액 교환이 실시되고 있다. 시점 t1 과 시점 t2 의 간격은, 예를 들어 5 ∼ 10 시간 정도여도 된다. 이것은, 시점 t1 부터 시점 t2 사이에 기판 (W) 의 에칭 처리가 반복되고, 혼산 수용액 내에 기판 (W) 으로부터 용출한 금속 이온의 농도가 상승하기 때문에, 에칭 처리의 품질에 영향이 미치기 전에 혼산 수용액을 전부 교환하는 것이다. 이 전액 교환 동안의 기간이, 기판 처리 장치 (1) 에 있어서의 혼산 수용액의 라이프 타임으로 생각할 수 있다. 또, 전액 교환은 제어부 (55) 에 의해 실행되지만, 이 때의 제어부 (55) 는 처리액 교환부에 상당하고, 이 제어는 처리액 교환 공정에 상당한다.In Fig. 4, a full exchange of the mixed acid aqueous solution is carried out at the time point t1. At the time point t2, a full exchange of the mixed aqueous solution is carried out again. The interval between the time point t1 and the time point t2 may be, for example, about 5 to 10 hours. This is because the etching treatment of the substrate W is repeated between the time point t1 and the time point t2 and the concentration of the metal ions eluted from the substrate W in the mixed acid aqueous solution is raised. Therefore, before the quality of the etching treatment is affected, All exchanged. The period during the full exchange can be considered as the lifetime of the mixed acid aqueous solution in the substrate processing apparatus 1. [ In addition, the full exchange is performed by the control unit 55, but the control unit 55 at this time corresponds to the process liquid exchange unit, and this control corresponds to the process liquid exchange process.

여기서, 도 4 의 그래프 상부에 있어서의 수평한 파선은, 순수 농도의 하측 기준값을 나타내고 있다. 즉, 처리조 (7a) 에 있어서 수분이 시간의 경과와 함께 증발하고, 순수 농도가 저하되고, 하측 기준값에 도달한 경우에는 적당량 (예를 들어, 100 ㎖) 의 순수를 공급하여, 순수 농도를 상승시키고, 이와 같은 제어를 반복한다. 이 제어에 의해, 처리조 (7a) 에 있어서의 혼산 수용액의 농도가 하측 기준값 이상으로 유지된다. 또, 1 회에 공급하는 순수 양을 규정하고 있기 때문에, 순수 농도가 허용 범위 내보다 높아지는 경우도 없다.Here, the horizontal dashed line in the upper part of the graph in Fig. 4 indicates the lower reference value of the pure water concentration. That is, when water has evaporated along with the elapse of time in the treatment tank 7a and the concentration of pure water has been lowered and the lower reference value has been reached, an appropriate amount of pure water (for example, 100 ml) And such control is repeated. By this control, the concentration of the mixed acid aqueous solution in the treatment tank 7a is maintained at the lower reference value or higher. In addition, since the pure water amount to be supplied at one time is specified, the concentration of pure water never exceeds the allowable range.

또한, 도 4 에 있어서는, 혼산 수용액의 전액 교환의 타이밍으로, 혼산 수용액에 있어서의 순수 농도가 일단, 하측 기준값보다 크게 저하되어 있지만, 그 후, 펄스 표시 (A) 의 간격이 라이프 타임에 있어서의 다른 기간과 비교하여 짧은 것으로부터도 알 수 있는 바와 같이, 순수의 공급이 짧은 간격으로 반복되고, 비교적 단기간에 순수 농도가 하측 기준값 이상으로 복귀하고 있다. 이것은, 전액 교환시에는, 혼산 수용액에 있어서의 순수 농도가 변동하기 쉽기 때문에, 일단, 순수 농도가 목표치보다 낮은 상태로 하고, 순수를 빈번하게 공급함으로써 순수 농도를 안정시키고자 하는 제어로, 혼산 수용액을 공급함으로써 농도 제어하는 것보다도 제어가 용이하다는 이유에서 채용되어 있다.4, the pure concentration in the mixed acid aqueous solution is once lower than that of the lower reference value at the timing of the full exchange of the mixed acid aqueous solution. Thereafter, the interval of the pulse display A becomes shorter As can be seen from the short period in comparison with the other periods, the supply of pure water is repeated at a short interval, and the pure water concentration returns to the lower reference value or more in a relatively short period of time. This is because, since the pure water concentration in the mixed acid aqueous solution is likely to fluctuate at the time of full exchange, once the pure water concentration is lower than the target value and the pure water is frequently supplied to stabilize the pure water concentration, Is used for the reason that control is easier than concentration control.

여기서, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 혼산 수용액의 농도를 일정하게 유지한 경우에는, 혼산 수용액의 라이프 타임 중에 있어서도, 시간의 경과와 함께, 서서히 기판 (W) 의 에칭 레이트가 저하된다는 현상이 보인다. 이것은, 기판 (W) 의 처리 중에 기판 (W) 으로부터 용출한 금속 이온의 농도가 높아지고, 이것이 농도계 (24) 의 측정 정밀도를 악화시켜, 겉보기상의 순수 농도와 실제의 순수 농도 사이에 괴리가 발생함으로써 일어나는 것으로 생각된다.Here, as shown in Fig. 4, when the concentration of the mixed acid aqueous solution is kept constant, even during the lifetime of the mixed acid aqueous solution, the phenomenon that the etching rate of the substrate W gradually decreases with the lapse of time. This is because the concentration of the metal ions eluted from the substrate W during the processing of the substrate W becomes high and this deteriorates the measurement accuracy of the concentration meter 24 and causes a gap between the apparent pure concentration and the actual pure concentration .

또, 혼산은, 인산＋질산＋아세트산＋순수라는, 복수의 성분을 혼합함으로써 형성되어 있고, 인산과 같이 잘 증발하지 않는 산과, 질산, 아세트산과 같이 증발하기 쉬운 산을 포함하고 있으므로, 질산 및 아세트산의 증발분에 의한 순수 농도의 저하가 발생하고, 겉보기상 순수 농도가 적정값으로 유지되고 있어도, 실제의 순수 농도가 낮아지는 것의 영향도 있는 것으로 생각된다.In addition, the mixed acid is formed by mixing a plurality of components such as phosphoric acid + nitric acid + acetic acid + pure water, and contains an acid which does not evaporate well like phosphoric acid and an acid which easily evaporates such as nitric acid and acetic acid. It is considered that there is also an effect of lowering the actual pure concentration even if the apparent pure water concentration is maintained at an appropriate value.

이에 대해, 본 실시예에 있어서는, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 혼산 수용액의 라이프 타임 중에서 시간의 경과와 함께, 혼산 수용액의 농도 제어에 있어서의 하측 기준값의 값을 변화시키기로 하였다. 이에 따라, 겉보기상의 순수 농도와 진정한 순수 농도의 괴리를 캔슬하고, 실질적으로 처리조 (7a) 내의 혼산 수용액의 농도를 적절한 값으로 유지 가능하게 하였다. 도 5 의 예에서는, 순수 농도의 하측 기준값을, 혼산 수용액의 라이프 타임 동안에, 예를 들어, 15 (W％) 에서 16 (W％) 까지 증가시킨다. 여기서 순수 농도의 하측 기준값을 증가시키는 처리는 제어부 (55) 에 의해 실행되지만, 그 때의 제어부 (55) 는 목표치 변경부를 구성한다. 또, 순수 농도의 하측 기준값을 증가시키는 처리는 본 발명의 목표치 변경 공정에 상당한다. 또한, 하측 기준값은 본 발명에 있어서의 목표 농도에 상당한다.On the other hand, in the present embodiment, as shown in Fig. 5, the value of the lower reference value in the concentration control of the mixed acid aqueous solution was changed with the lapse of time in the lifetime of the mixed acid aqueous solution. Thereby, the difference between the apparent pure concentration and the true pure concentration is canceled, and the concentration of the mixed acid aqueous solution in the treatment tank 7a can be substantially maintained at an appropriate value. In the example of Fig. 5, the lower reference value of the pure water concentration is increased from 15 (W%) to 16 (W%), for example, during the life time of the mixed acid aqueous solution. Here, the process of increasing the lower reference value of the pure concentration is executed by the control unit 55, but the control unit 55 at that time constitutes the target value changing unit. The process of increasing the lower reference value of the pure concentration corresponds to the target value changing process of the present invention. The lower reference value corresponds to the target concentration in the present invention.

상기에 있어서 목표 변경부로서의 제어부 (55) 는, 데이터 테이블에 기초하여, 하측 기준값을 변경해도 된다. 보다 구체적으로는, 미리 정해진 변화 프로파일을 따른 변화가 이루어지는 데이터를 테이블로서 격납해 두어도 된다. 이 변화 프로파일은, 시간 (예를 들어, 라이프 타임의 초기 (t1) 로부터의 경과 시간) 과의 관계에 있어서 하측 기준값의 변화를 정의해도 된다. 상기의 데이터 테이블은, 기억부 (57) 에 보존되어 있어도 되고, 외부 메모리에 보존되어 있어도 된다. 또, 이 변화 프로파일에 대응하는 데이터 테이블은, 조작자에 의해 입력되어도 되고, 미리 복수의 변화 프로파일에 대응하는 데이터 테이블이 준비되어 있고, 조작자가 적절히 선택하도록 해도 된다. 조작자에 의한 입력이나 선택은, 기판 처리 장치 (1) 의 정면 패널로부터 이루어지도록 해도 되고, 외부 컴퓨터나 모바일 단말로부터 통신에 의해 입력되도록 해도 된다.In this case, the control unit 55 as the target changing unit may change the lower reference value based on the data table. More specifically, data in which a change is made along a predetermined change profile may be stored as a table. The change profile may define a change in the lower reference value in relation to time (e.g., elapsed time from the initial time t1 of the life time). The data table may be stored in the storage unit 57 or may be stored in an external memory. The data table corresponding to this change profile may be input by the operator or the data table corresponding to a plurality of change profiles may be prepared in advance and the operator may appropriately select the data table. The input or selection by the operator may be made from the front panel of the substrate processing apparatus 1, or may be inputted from an external computer or a mobile terminal by communication.

또, 목표 변경부로서의 제어부 (55) 는, 미리 정해진 조건이 충족되는 타이밍으로, 하측 기준값을 변경해도 된다. 상기의 조건이란, 예를 들어, 기판 (W) 의 처리가 실시되는 타이밍일 것, 처리조 (7a) 에 순수가 공급된 타이밍일 것, 처리가 끝난 기판 (W) 의 수가, 소정 수에 도달한 타이밍일 것 등이어도 된다. 또, 상기의 조건이란, 조작자에 의해 하측 기준값의 변경이 허가된 타이밍인 것이어도 된다. 이 경우에는, 장치에 의한 하측 기준값을 변경하는 취지의 통지에 대하여, 조작자가 매뉴얼로 허가 지시를 내림으로써 하측 기준값이 변경되게 된다.The control unit 55 as the target changing unit may change the lower reference value at a timing at which a predetermined condition is satisfied. The above conditions are, for example, the timing at which the processing of the substrate W is performed, the timing at which the pure water is supplied to the processing tank 7a, the number of the processed wafers W reaches a predetermined number It may be one timing. The above condition may be a timing at which the lower reference value is permitted to be changed by the operator. In this case, the lower reference value is changed by manually issuing the permission instruction to the notification that the lower reference value is changed by the apparatus.

도 6 에는, 순수 농도의 하측 기준값을, 혼산 수용액의 라이프 타임인 시점 t1 로부터 시점 t2 사이에, 일정 비율로 증가시켰을 (예를 들어, 15 ％ 에서 16 ％ 등) 경우의, 하측 기준값의 변화의 양태의 예를 나타낸다. 도 6 의 예에서는, 혼산 수용액의 라이프 타임을 n 단계로 등간격으로 구분하고, n 회에 걸쳐 일정한 인터벌로 하측 기준값의 값을 일정량씩 증가시키고 있다. 이렇게 함으로써, 혼산 수용액의 농도 제어의 목표치를 직선적으로 증가시킬 수 있고, 안정적으로 혼산 수용액의 농도를 최적화하는 것이 가능해진다. 또한, 도 6 에 있어서 하측 기준값의 변화를 나타내는 라인은, 본 발명에 있어서의 변경 프로파일에 상당한다. 이것은 이하에 나타내는 각 도면에 있어서의 하측 기준값의 변화의 라인에 대해서도 동일하다.6 shows the change in the lower reference value when the lower reference value of the pure water concentration is increased at a constant rate (for example, from 15% to 16%) between the time t1 and the time t2, which is the lifetime of the mixed acid aqueous solution Fig. In the example of FIG. 6, the lifetime of the mixed acid aqueous solution is divided into n steps at equal intervals, and the value of the lower reference value is increased by a constant amount at a predetermined interval n times. By doing so, the target value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution can be linearly increased, and the concentration of the mixed aqueous solution can be stably optimized. In Fig. 6, the line indicating the change in the lower reference value corresponds to the change profile in the present invention. This also applies to the line of change of the lower reference value in each drawing shown below.

또한, 본 실시예에 있어서는, 도 7 에 나타내는 바와 같이, 하측 기준값에 상한값을 정해도 된다. 도 7(a) 및 도 7(b) 에서는, 하측 기준값이 기준값 변동 상한값 (W％) 에 도달한 후에는, 하측 기준값의 증가를 정지시키고 있다. 이에 따르면, 혼산 수용액의 라이프 타임과, 하측 기준값의 증가 인터벌을 어떻게 정한 경우에도, 순수 농도의 목표치가 과잉으로 높아져 버리는 것을 방지할 수 있다. 또, 본 실시예에 있어서는, 도 7(b) 에 나타낸 바와 같이, 혼산 수용액의 전액 교환한 후에, 소정의 개시 지연 시간을 형성해도 된다. 즉, 혼산 수용액의 전액 교환 후에, 즉시 하측 기준값을 증가시키기 시작할 필요는 없고, 기판 (W) 으로부터 용출한 금속 이온 농도가 높아지거나, 질산이나 아세트산의 증발량이 많아지거나 하고 나서, 하측 기준값의 증가를 개시해도 된다. 이에 따르면, 보다 높은 자유도로, 하측 기준값을 변화시키는 것이 가능하다.In this embodiment, as shown in Fig. 7, an upper limit value may be set to the lower reference value. 7 (a) and 7 (b), after the lower reference value reaches the reference value fluctuation upper limit value W%, the increase of the lower reference value is stopped. According to this, even when the life time of the mixed acid aqueous solution and the increase interval of the lower side reference value are defined, it is possible to prevent the target value of the pure water concentration from excessively increasing. In this embodiment, as shown in Fig. 7 (b), a predetermined start delay time may be formed after the entire amount of the mixed acid aqueous solution has been exchanged. That is, it is not necessary to immediately start to increase the lower reference value after the full exchange of the mixed acid aqueous solution, and when the concentration of the metal ion eluted from the substrate W becomes high or the evaporation amount of nitric acid or acetic acid becomes large, . According to this, it is possible to change the lower reference value with a higher degree of freedom.

또, 본 실시예에 있어서는, 혼산 수용액의 라이프 타임 중에, 반드시 등간격으로 농도 제어의 하측 기준값을 증가시킬 필요는 없다. 도 8 에는, 순수 농도의 하측 기준값을, 혼산 수용액의 라이프 타임의 일례인 720 분 동안에 예를 들어 15 (W％) 에서 16 (W％) 까지 증가시켰을 경우의, 하측 기준값의 변화의 양태의 예를 나타낸다. 도 8 의 예에서는, 첫회 변동 개시 지연 시간 60 분 (3600 초) 의 경과 후, 농도 제어의 하측 기준값을 변화시키는 인터벌 시간을 90 분 (5400 초) ⇒ 60 분 (3600 초) ⇒ 30 분 (1800 초) 으로 변경하고, 그 후, 농도 제어의 하측 기준값의 변화를 일단 정지시키고 (인터벌 시간 30 분 (1800 초) ⇒ 0 분 (0 초)), 또한, 인터벌 시간을 0 분 (0 초) ⇒ 60 분 (3600 초) 으로 변화시키고 있다.In the present embodiment, it is not always necessary to increase the lower reference value of the concentration control at equal intervals during the lifetime of the mixed acid aqueous solution. 8 shows an example of a change in the lower reference value when the lower reference value of the pure water concentration is increased from 15 (W%) to 16 (W%) over 720 minutes, which is an example of the life time of the mixed acid aqueous solution. . In the example of Fig. 8, the interval time for changing the lower reference value of the concentration control is 90 minutes (5400 seconds) ⇒ 60 minutes (3600 seconds) ⇒ 30 minutes (1800 (Interval time: 30 minutes (1800 seconds) ⇒ 0 minutes (0 second)), and the interval time is changed to 0 minute (0 second), and then the change of the lower reference value of the concentration control is temporarily stopped 60 minutes (3600 seconds).

이와 같이, 혼산 수용액의 라이프 타임 중에서, 인터벌 시간을 자유롭게 변경하는 것이 가능하다. 또, 혼산 수용액의 라이프 타임 중에서, 혼산 수용액 중에 축적된 금속 이온 농도가 일정치 이상으로 높아져 농도계의 측정 정밀도에 대한 영향이 현저하게 나타나는 경우에는, 혼산 수용액의 라이프 타임의 일례인 720 분 중에서, 인터벌 시간을 서서히 짧게 하는 등의 변화를 시켜도 된다.Thus, among the lifetime of the mixed acid aqueous solution, the interval time can be freely changed. When the metal ion concentration accumulated in the mixed acid aqueous solution becomes higher than a fixed value in the lifetime of the mixed acid aqueous solution and the influence on the measurement precision of the concentration system becomes conspicuous, among the 720 minutes which is one example of the life time of the mixed acid aqueous solution, The time may be gradually reduced or the like may be performed.

＜실시예 2＞≪ Example 2 >

다음으로, 본 발명의 실시예 2 에 대해 설명한다. 실시예 1 에 있어서는, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값의 증가를, 변화량은 일정하게 하고 변화 시간에 기초하여 제어한 것에 대하여, 본 발명의 실시예 2 에 있어서는, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을, 그 변화폭을 변동시키면서 제어하는 점에서 상이하다.Next, a second embodiment of the present invention will be described. In Example 1, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution was controlled based on the change time while the change amount was kept constant. In Example 2 of the present invention, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution In that the control is performed while varying the variation width.

도 9 에 있어서는, 첫회 변동 개시 지연 시간 60 분 (3600 초) 의 경과 후, 농도 제어의 하측 기준값을 변화시키는 인터벌 시간을 90 분 (5400 초) 으로 하고, 최초 2 회의 인터벌에 관해서는 인터벌마다 D (W％) 의 증가폭 (오프셋) 으로 하고 3 번째와 4 번째의 인터벌 경과시에 있어서는 2*D (W％) 의 증가폭 (오프셋) 으로 하고, 그 후, 농도 제어의 하측 기준값의 변화를 일단 정지시키고 (증가폭 (오프셋) = 0), 또한, D (W％) 의 증가폭 (오프셋) 으로 변화시키고 있다.9, the interval time for changing the lower reference value of the density control is set to 90 minutes (5400 seconds) after the first variation start delay time 60 minutes (3600 seconds), and for the first two intervals, D (Offset) of the density control is set to be an increment (offset) of 2% D (W%) at the third and fourth intervals of elapsed time, (Offset (offset) = 0), and also the increment (offset) of D (W%).

또, 본 실시예에 있어서는, 농도 제어의 하측 기준값의 증가폭의 변화량은 일정하게 해도 되고, 도 10 에 나타내는 바와 같이, 인터벌 사이의 시간에, 과거의 증가폭의 합계치를 증가폭으로 하여, 농도 제어의 하측 기준값을 증가시켜도 상관없다. 도 10 에 있어서는, 첫회 변동 개시 지연 시간 60 분 (3600 초) 의 경과 후, 농도 제어의 하측 기준값을 변화시키는 인터벌 시간을 90 분 (5400 초) 으로 하고, 기본적으로는 인터벌마다 D (W％) 의 증가폭 (오프셋) 으로 하고, 소정의 인터벌 사이의 타이밍으로, 과거의 증가폭의 합계치를 증가폭으로 하여, 농도 제어의 하측 기준값을 증가시키고 있다. 이 타이밍은, 미리 프로그램에 의해 결정하도록 해도 되고, 사용자가 매뉴얼로 증가시키도록 해도 된다.In the present embodiment, the amount of change in the increase of the lower reference value of the concentration control may be constant, and as shown in Fig. 10, the sum of the past increases in the interval between the intervals is used as the increase, The reference value may be increased. 10, the interval time for changing the lower reference value of the density control is 90 minutes (5400 seconds) after elapse of the first variation start delay time of 60 minutes (3600 seconds), basically, D (W% (Offset), and the lower reference value of the density control is increased with the sum of the past increase amounts as an increase at the timing between predetermined intervals. This timing may be determined in advance by a program, or may be manually increased by a user.

＜실시예 3＞≪ Example 3 >

다음으로, 본 발명의 실시예 3 에 대해 설명한다. 실시예 3 에 있어서는, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값의 증가를, 기판 (W) 의 처리량과 관련지어 제어하는 예에 대해 설명한다.Next, a third embodiment of the present invention will be described. In the third embodiment, an example in which the increase of the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is controlled in relation to the throughput of the substrate W will be described.

본 실시예에 있어서는, 예를 들어, 도 11 에 나타내는 바와 같이, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을, 순수의 보충 타이밍마다 증가시키도록 해도 된다. 도 11 에 있어서, 세로축은 순수 농도 제어의 하측 기준값 (W％), 가로축은 시간을 나타낸다. 또, 그래프 하부의 펄스 형상의 표시는, 순수의 보충 타이밍이다. 여기서, 처리조 (7a) 에서 기판 (W) 의 처리가 실시된 직후에는 순수가 보충되는 경우가 많고, 처리조 (7a) 에서 기판 (W) 의 처리가 실시되는 타이밍과, 순수가 보충되는 타이밍 사이에는 높은 상관이 보인다.In the present embodiment, for example, as shown in Fig. 11, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution may be increased at every supplemental timing of pure water. 11, the vertical axis represents the lower reference value (W%) of the pure water concentration control and the horizontal axis represents time. The display of the pulse shape in the lower part of the graph is the complement timing of pure water. Here, pure water is often replenished immediately after the processing of the substrate W is performed in the processing tank 7a, and the timing at which the processing of the substrate W is performed in the processing tank 7a and the timing at which the pure water is replenished There is a high correlation between the two.

따라서, 도 11 에 나타낸 바와 같이, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을, 순수의 보충 타이밍마다 증가시키도록 하면, 처리조 (7a) 에 있어서 기판 (W) 의 처리가 실시되는 것과, 높은 상관을 가져, 하측 기준값을 증가시킬 수 있다. 이에 따르면, 혼산 수용액의 순수 농도를 보다 용이하게, 적절한 값으로 유지하는 것이 가능해진다.Therefore, as shown in Fig. 11, if the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is increased for each replenishment timing of pure water, processing of the substrate W in the treatment tank 7a is performed, So that the lower reference value can be increased. According to this, it becomes possible to more easily maintain the pure concentration of the mixed acid aqueous solution at an appropriate value.

또, 본 실시예에 있어서는, 도 12 에 나타내는 바와 같이, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을, 기판 (W) 의 처리 (배치 처리) 가 실시될 때마다, 증가시키도록 해도 된다. 여기서, 처리조 (7a) 에서 기판 (W) 의 처리가 실시된 후에는 혼산 수용액 중에 축적되는 금속 이온량이 증가하는 경향이 있다. 따라서, 도 12 에 나타낸 바와 같이, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을, 기판 (W) 의 처리 (배치 처리) 가 실시될 때마다 증가시키도록 하면, 혼산 수용액 중에 축적되는 금속 이온량이 증가하는 타이밍에 맞추어, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 증가시키고, 보다 순수의 공급이 이루어지기 쉬워지는 제어를 실시할 수 있다. 그 결과, 혼산 수용액의 순수 농도를 보다 확실하게, 적절한 값으로 유지하는 것이 가능해진다.In this embodiment, as shown in Fig. 12, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution may be increased each time the processing (batch processing) of the substrate W is performed. Here, after the treatment of the substrate W in the treatment tank 7a, the amount of metal ions accumulated in the mixed acid aqueous solution tends to increase. Therefore, as shown in FIG. 12, if the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is increased each time the substrate W is subjected to the treatment (batch treatment), the timing at which the amount of metal ions accumulated in the mixed acid aqueous solution increases It is possible to increase the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution and to control the supply of pure water more easily. As a result, it becomes possible to more reliably maintain the pure concentration of the mixed acid aqueous solution at an appropriate value.

또한, 본 실시예에 있어서는, 기판 (W) 의 처리 (배치 처리) 가 실시될 때마다, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 증가시키는 인터벌을 짧게 하거나, 기판 (W) 의 처리 (배치 처리) 가 실시될 때마다, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 증가시킬 때의 증가폭을 크게 하는 등의 제어를 실시해도 상관없다.In this embodiment, each time the processing (batch processing) of the substrate W is performed, the interval for increasing the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is shortened, or the processing (batch processing) The control may be performed such that the increase in the increase in the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is increased.

그 외, 본 실시예에 있어서는, 예를 들어, 도 13 에 나타내는 바와 같이, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을, 처리조 (7a) 에 있어서 처리된 기판 (W) 의 매수에 따라 증가시켜도 상관없다. 도 13 에 있어서, 가로축은 시간이고, 세로축은 하측 기준값과 기판 (W) 의 처리 매수를 나타내고 있다. 도 중 파선으로 나타내는 라인은 기판 (W) 의 처리 매수를 나타내고 있고, 도 중 실선으로 나타내는 라인은 하측 기준값을 나타내고 있다. 그리고, 도 13 에 있어서는, 처리조 (7a) 에 있어서 처리된 기판 (W) 의 매수가 소정 매수 (예를 들어, 50 매) 증가할 때마다, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 증가시키고 있다.13, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution may be increased in accordance with the number of the processed substrates W in the treatment tank 7a, none. 13, the horizontal axis represents time, and the vertical axis represents the lower reference value and the number of processed substrates W. In FIG. A line indicated by a broken line in the figure indicates the number of processed substrates W, and a line indicated by a solid line in the figure indicates a lower reference value. 13, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is increased each time the number of processed substrates W in the treatment tank 7a increases by a predetermined number (for example, 50 sheets) .

이에 따르면, 처리된 기판 (W) 의 수가 예를 들어 50 매 증가함으로써, 혼산 수용액 중에 축적되는 금속 이온량이 증가하는 것에, 보다 직접적으로 대응하는 것이 가능해진다. 즉, 혼산 수용액 중에 축적되는 금속 이온량은, 처리된 기판 (W) 의 수와의 상관이 매우 높은 것으로 생각되므로, 보다 확실하게, 혼산 수용액 중에 축적되는 금속 이온의 증가에 의한, 겉보기상의 순수 농도와 실제의 순수 농도의 괴리에 대응할 수 있다. 또, 기판 (W) 의 처리 (배치 처리) 마다 처리하는 반도체 웨이퍼의 매수가 상이하였다 하더라도, 보다 양호한 정밀도로, 각 시점에 있어서 처리에 최적인 순수 농도의 혼산 수용액을 얻는 것이 가능하다.According to this, by increasing the number of processed substrates W by, for example, 50, the amount of metal ions accumulated in the mixed acid aqueous solution can be more directly coped with. That is, since the amount of metal ions accumulated in the mixed acid aqueous solution is considered to be highly correlated with the number of processed substrates W, it is more preferable that the apparently pure concentration of the metal ions in the mixed acid aqueous solution It is possible to cope with the deviation of the actual concentration of pure water. Furthermore, even if the number of semiconductor wafers to be processed differs for each treatment (batch treatment) of the substrate W, it is possible to obtain a mixed acid aqueous solution having a pure concentration optimum for treatment at each time point with higher precision.

＜실시예 4＞<Example 4>

다음으로, 본 발명의 실시예 4 에 대해 설명한다. 실시예 4 에 있어서는, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값의 증가를, 기판 (W) 의 처리량과 관련지어 제어하는 예로서, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을, 처리조에 있어서의 에칭량의 누적치에 따라, 증가시키는 예에 대해 설명한다.Next, a fourth embodiment of the present invention will be described. In the fourth embodiment, as an example of controlling the increase of the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution in association with the throughput of the substrate W, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is set as the cumulative value of the etching amount In accordance with the following equation.

여기서, 기판 (W) 의 종류에 따라 1 회의 처리에 있어서의 에칭량이 상이하고, 동일한 매수를 처리한 경우이더라도, 기판 (W) 의 종류에 의해 혼산 수용액의 농도 변화가 상이한 것을 알 수 있다. 따라서, 본 실시예에 있어서는, 기판 (W) 의 종류에 따라 기판 (W) 을 1 매 처리할 때마다의 에칭량에 대하여 중량 계수에 의해 가중치를 부여해 둔다. 그리고, 각 기판 (W) 의 중량 계수와 처리 매수에 기초하여 에칭량의 누적치를 산출하고, 에칭량의 누적치가 소정량에 도달할 때마다 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 증가시키기로 하였다.It can be seen here that the etching amount in one treatment differs depending on the type of the substrate W and the concentration change of the mixed acid aqueous solution differs depending on the type of the substrate W even when the same number of treatments are performed. Therefore, in the present embodiment, the weight is weighted by the weight coefficient with respect to the amount of etching every time one substrate W is processed according to the type of the substrate W. [ The cumulative value of the etching amount is calculated based on the weight coefficient of each substrate W and the number of processed wafers, and the lower reference value of the concentration control of the mixed aqueous solution is increased each time the cumulative value of the etching amount reaches a predetermined amount.

도 14 에는, 본 실시예에 있어서 3 종류의 기판 (W) 을 처리했을 경우의 에칭량의 누적치와, 그에 따른 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값의 변화의 예를 나타낸다. 도 14 에 나타내는 바와 같이, 본 실시예에 있어서는, A, B, C 의 3 종류의 기판 (W) 에 대해 배치 처리를 실시한다. 그리고, A, B, C 각각의 기판 (W) 에 있어서의 에칭량의 중량 계수는 10, 2, 30 으로 하고 있다. 또, 본 실시예에서는 각 기판 (W) 에 대하여 처리 매수 × 중량 계수를 계산하고, 그것을 모든 기판에 대해 합산함으로써 에칭량의 누적치를 산출한다. 그리고, 각 기판 (W) 의 1 회 처리에 있어서의 처리 매수를 n 으로 했을 경우에, 에칭량의 누적치가 12n 에 도달할 때마다 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 1 단계 증가시키는 것으로 하였다.14 shows an example of the cumulative value of the etching amount when the three kinds of substrates W are treated in this embodiment and the change in the lower side reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution. As shown in Fig. 14, in the present embodiment, three kinds of substrates W of A, B, and C are arranged. The weight coefficients of the amounts of etching in the substrates W of A, B, and C are 10, 2, and 30, respectively. In this embodiment, the number of treatments x the weight coefficient is calculated for each substrate W, and the sum is added to all the substrates to calculate the cumulative value of the etching amount. When the number of treatments in one treatment of each substrate W is n, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is increased by one step each time the cumulative value of the etching amount reaches 12n.

도 14 에 나타낸 예에서는, 처리 개시 후, 먼저 n 매의 A 기판이 배치 처리된다. A 기판의 중량 계수는 10 이므로, 이 시점의 에칭량의 누적치는 10n 이다. 다음으로, n 매의 B 기판이 배치 처리된다. B 기판의 중량 계수는 2 이므로, 에칭량 2n 이 가산되고, 이 시점에서 에칭량의 누적치가 12n 에 도달한다. 따라서, 이 시점에서 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 1 단계 증가시킨다.In the example shown in Fig. 14, after the start of the process, n pieces of A substrates are arranged first. Since the weight coefficient of the A substrate is 10, the cumulative value of the etch amount at this point is 10n. Next, n pieces of the B substrates are arranged. Since the weight coefficient of the B substrate is 2, the etching amount 2n is added, and the accumulated value of the etching amount at this point reaches 12n. Therefore, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is increased by one step at this point.

다음으로, 본 실시예에서는 n 매의 C 기판이 처리된다. C 기판의 중량 계수는 30 이므로, 에칭량 30n 이 가산되고, 이 시점에서 에칭량의 누적치가 42n 에 도달하고, 임계치 12n 의 3 배를 초과한다. 따라서, 이 시점에서 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 2 단계 증가시킨다.Next, in this embodiment, n pieces of C substrates are processed. The weight coefficient of the C substrate is 30, so that the etching amount 30n is added, and the cumulative value of the etching amount at this point reaches 42n and exceeds 3 times the threshold value 12n. Therefore, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is increased by two steps at this point.

그 후, 본 실시예에서는 n 매의 B 기판의 처리가 3 회 반복된다. B 기판의 중량 계수는 2 이므로, 처리 때마다, 에칭량 2n 이 가산되고, 에칭량의 누적치가 44n, 46n, 48n 으로 증가한다. 그리고, 이 시점에서 임계치 12n 의 4 배에 도달한다. 따라서, 이 시점에서 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 더 1 단계 증가시킨다.Thereafter, in the present embodiment, the processing of n pieces of the B substrate is repeated three times. Since the weight coefficient of the B substrate is 2, the etching amount 2n is added every processing, and the accumulated value of the etching amount increases to 44n, 46n, and 48n. At this point, it reaches four times the threshold value 12n. Therefore, at this point, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is further increased by one step.

그 후, 본 실시예에서는 n 매의 B 기판의 처리가 실시되고, 에칭량의 누적치가 50n 이 되고, 계속해서 n 매의 C 기판의 처리가 실시된다. 그렇게 하면, 에칭량의 누적치가 80n 이 되고, 이 시점에서 임계치 12n 의 6 배를 초과한다. 따라서, 이 시점에서 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 더 2 단계 증가시킨다.Thereafter, in the present embodiment, n pieces of the B substrate are processed, the cumulative value of the etching amount becomes 50n, and then the n pieces of C substrates are processed. Then, the cumulative value of the etching amount becomes 80n, and exceeds 6 times the threshold value 12n at this point. Therefore, at this point, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is further increased by two steps.

또한, 본 실시예에서는 n 매의 B 기판의 처리가 실시되고, 에칭량의 누적치가 82n 이 되고, 계속해서 n 매의 A 기판의 처리가 실시된다. 그렇게 하면, 에칭량의 누적치가 92n 이 되고, 이 시점에서 임계치 12n 의 7 배를 초과한다. 따라서, 이 시점에서 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 더 1 단계 증가시킨다.In this embodiment, n substrates of B substrate are processed, the cumulative value of the etching amount becomes 82 n, and then the processing of n substrates A substrates is performed. Then, the cumulative value of the etching amount becomes 92n, which exceeds 7 times the threshold value 12n at this point. Therefore, at this point, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is further increased by one step.

이상, 설명한 바와 같이, 본 실시예에 있어서는, 처리되는 기판마다 중량 계수에 의해 에칭량의 가중치를 부여하고, 각 기판의 중량 계수와 처리 매수에 기초하여, 복수 종류의 기판의 에칭량의 누적치를 산출한다. 그리고, 이 에칭량의 누적치가 소정량에 도달할 때마다, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 소정량 증가시키는 것으로 하였다. 이에 따르면, 보다 양호한 정밀도로, 혼산 수용액의 순수 또는 다른 소정 성분의 농도를 적절한 값으로 유지하는 것이 가능해진다. 또한, 본 실시예에 있어서는, 처리액의 라이프 타임 중에 복수 종류의 기판이 처리되는 경우에 대해 설명했지만, 처리액의 라이프 타임 중에 1 종류만의 기판이 처리되는 경우에도, 당해 기판 (W) 의 에칭량의 누적치를 산출하고, 에칭량의 누적치가 소정량에 도달할 때마다, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 소정량 증가시키도록 해도 상관없다.As described above, in the present embodiment, the weight of the etching amount is given to each substrate to be processed by the weight coefficient, and the cumulative value of the etching amounts of the plural types of substrates is calculated based on the weight coefficient and the number of processed substrates . The lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution was increased by a predetermined amount every time the cumulative value of the etching amount reached a predetermined amount. According to this, it becomes possible to maintain the concentration of pure water or other predetermined components of the mixed acid aqueous solution at an appropriate value with better accuracy. In the present embodiment, a case has been described in which a plurality of types of substrates are processed during the lifetime of the process liquid. However, even when only one type of substrate is processed during the lifetime of the process liquid, The cumulative value of the etching amount may be calculated and the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution may be increased by a predetermined amount whenever the cumulative value of the etching amount reaches a predetermined amount.

＜실시예 5＞&Lt; Example 5 &gt;

다음으로, 본 발명의 실시예 5 에 대해 설명한다. 실시예 5 에 있어서는, 실시예 4 와 마찬가지로, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을, 처리조에 있어서의 에칭량의 누적치에 따라 증가시키는 예로서, 또한, 소정의 대기 시간이 경과해도 기판의 처리가 실시되지 않는 경우에도, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 증가시키는 예에 대해 설명한다.Next, a fifth embodiment of the present invention will be described. In Example 5, as in Example 4, as an example of increasing the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution in accordance with the cumulative value of the etching amount in the treatment tank, the treatment of the substrate An example in which the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is increased will be described.

여기서, 기판 (W) 의 처리가 전혀 실시되지 않는 경우이더라도, 어느 정도의 시간이 경과하면, 증발이나 분해에 의해, 혼산 수용액의 농도가 변화되어 버리는 것을 알 수 있다. 따라서, 본 실시예에 있어서는, 처리되는 각 기판의 중량 계수와 처리 매수에 기초하는 에칭량의 누적치가 소정량에 도달할 때마다, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 소정량 증가시키고, 또한, 소정의 대기 시간이 경과해도, 어느 기판 (W) 의 처리도 실시되지 않았던 경우에도, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 증가시키는 것으로 하였다.Here, even if the substrate W is not treated at all, it can be seen that the concentration of the mixed acid aqueous solution is changed by evaporation or decomposition when a certain period of time has elapsed. Therefore, in the present embodiment, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is increased by a predetermined amount every time the accumulated value of the etching amount based on the weight coefficient and the number of processed substrates of each substrate to be processed reaches a predetermined amount, The lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is increased even when a predetermined waiting time has elapsed and no substrate W has been treated.

도 15 에는, 본 실시예에 있어서 3 종류의 기판 (W) 을 처리한 매수와, 그에 따른 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값의 변화의 예를 나타낸다. 도 15 에 나타내는 바와 같이, 본 실시예에 있어서도, A, B, C 의 3 종류의 기판 (W) 에 대해 배치 처리를 실시하고, A, B, C 각각의 기판 (W) 에 있어서의 에칭량의 중량 계수는 10, 2, 30 으로 한다.Fig. 15 shows examples of changes in the number of substrates treated with three kinds of substrates W in the present embodiment and the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution. As shown in Fig. 15, also in the present embodiment, three kinds of substrates W of A, B and C are arranged, and the etching amounts of the substrates W of A, B and C The weighting factors of 10, 2, and 30 are set.

또, 본 실시예에 있어서도 각 기판 (W) 에 대하여 처리 매수 × 중량 계수를 계산하고, 그것을 모든 기판에 대해 합산함으로써 에칭량의 누적치를 산출한다. 그리고, 각 기판 (W) 의 1 회 처리에 있어서의 처리 매수를 n 으로 한 경우에, 에칭량의 누적치가 12n 에 도달할 때마다 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 1 단계 증가시킨다. 또, 소정의 대기 시간 (T) 동안에, 어느 기판 (W) 의 처리도 실시되지 않은 경우에도, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 증가시킨다.Also in this embodiment, the number of treatments x the weight coefficient is calculated for each substrate W, and the sum is added to all the substrates to calculate the cumulative value of the etching amount. When the number of treatments in one treatment of each substrate W is n, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is increased by one step each time the cumulative value of the etching amount reaches 12n. In addition, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is increased even when no substrate W is processed during the predetermined waiting time T.

도 15 에 나타낸 예에서는, 처리 개시 후, 먼저 n 매의 A 기판이 배치 처리된다. A 기판의 중량 계수는 10 이므로, 이 시점의 에칭량의 누적치는 10n 이다. 다음으로, n 매의 B 기판이 배치 처리된다. B 기판의 중량 계수는 2 이므로, 에칭량 2n 이 가산되고, 이 시점에서 에칭량의 누적치가 12n 에 도달한다. 따라서, 이 시점에서 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 1 단계 증가시킨다.In the example shown in Fig. 15, after the start of the process, first, n pieces of A substrates are arranged. Since the weight coefficient of the A substrate is 10, the cumulative value of the etch amount at this point is 10n. Next, n pieces of the B substrates are arranged. Since the weight coefficient of the B substrate is 2, the etching amount 2n is added, and the accumulated value of the etching amount at this point reaches 12n. Therefore, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is increased by one step at this point.

다음으로, 본 실시예에서는 n 매의 C 기판이 처리된다. C 기판의 중량 계수는 30 이므로, 에칭량 30n 이 가산되고, 이 시점에서 에칭량의 누적치가 42n 에 도달하고, 임계치 12n 의 3 배를 초과한다. 따라서, 이 시점에서 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 2 단계 증가시킨다.Next, in this embodiment, n pieces of C substrates are processed. The weight coefficient of the C substrate is 30, so that the etching amount 30n is added, and the cumulative value of the etching amount at this point reaches 42n and exceeds 3 times the threshold value 12n. Therefore, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is increased by two steps at this point.

그 후, 본 실시예에서는 대기 시간 (T) 동안, 어느 기판의 처리도 실시되지 않는다. 따라서, 에칭량의 누적치가 42n 에 도달한 후, 대기 시간 (T) 이 경과한 시점에서, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 1 단계 증가시킨다.Thereafter, in this embodiment, no substrate processing is performed during the standby time T. Therefore, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is increased by one step when the waiting time T elapses after the cumulative value of the etching amount reaches 42n.

또한, 본 실시예에서는 n 매의 B 기판의 처리가 실시되고, 에칭량의 누적치가 44n 이 되고, 계속해서 n 매의 C 기판의 처리가 실시된다. 그렇게 하면, 에칭량의 누적치가 74n 이 되고, 이 시점에서 임계치 12n 의 6 배를 초과한다. 따라서, 이 시점에서 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 더 3 단계 증가시킨다.Further, in this embodiment, n pieces of the B substrate are processed, the cumulative value of the etching amount becomes 44n, and then the processing of n pieces of C substrates is performed. Then, the cumulative value of the etching amount becomes 74n, which exceeds 6 times the threshold value 12n at this point. Therefore, at this point, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is further increased by three steps.

그 후, 본 실시예에서는 대기 시간 (T) 동안, 어느 기판의 처리도 실시되지 않는다. 따라서, 에칭량의 누적치가 74n 에 도달한 후, 대기 시간 (T) 이 경과한 시점에서, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 1 단계 증가시킨다.Thereafter, in this embodiment, no substrate processing is performed during the standby time T. Therefore, when the waiting time T elapses after the cumulative value of the etching amount reaches 74n, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is increased by one step.

이상, 설명한 바와 같이, 본 실시예에 있어서는, 각 기판의 중량 계수와 처리 매수에 기초하여, 복수 종류의 기판의 에칭량의 누적치를 산출하고, 이 에칭량의 누적치가 소정량에 도달할 때마다, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 소정량 증가시킨다. 그리고, 대기 시간 (T) 동안, 어느 기판의 처리도 실시되지 않는 경우에도, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 소정량 증가시키는 것으로 하였다. 이에 따르면, 더욱 양호한 정밀도로, 혼산 수용액의 순수 또는 다른 소정 성분의 농도를 적절한 값으로 유지하는 것이 가능해진다. 또한, 본 실시예에 나타낸 제어에 대해서도, 처리액의 라이프 타임 중에 1 종류만의 기판이 처리되는 경우에 적용하는 것이 가능하다.As described above, in the present embodiment, the cumulative value of the etching amounts of a plurality of types of substrates is calculated based on the weight coefficient and the number of processed substrates of each substrate, and each time the cumulative value of the etching amount reaches a predetermined amount , The lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is increased by a predetermined amount. The lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is increased by a predetermined amount even when the processing of any substrate is not performed during the waiting time (T). According to this, it becomes possible to maintain the concentration of the pure water or other predetermined components of the mixed acid aqueous solution at an appropriate value with better accuracy. The control shown in this embodiment can also be applied to a case where only one type of substrate is processed during the lifetime of the process liquid.

상기 실시예에 있어서는, 혼산 수용액의 구성 성분 중, 순수를 공급함으로써 순수 농도를 제어하는 예에 대해 설명했지만, 혼산 수용액의 다른 소정 성분, 즉, 인산, 질산, 아세트산 중 어느 것의 성분을 공급함으로써 혼산의 농도 제어를 실시해도 상관없다. 또, 상기 실시예는 처리액이 혼산 수용액인 경우에 대해 설명했지만, 본 발명은 인산 등 다른 처리액에도 적용 가능하다.In the above embodiment, the pure water concentration is controlled by supplying the pure water among the constituents of the mixed acid aqueous solution. However, by supplying any other components of the mixed acid aqueous solution, that is, phosphoric acid, nitric acid or acetic acid, May be performed. In the above embodiment, the treatment liquid is a mixed acid aqueous solution. However, the present invention is also applicable to other treatment liquids such as phosphoric acid.

또, 상기 실시예에 있어서는, 농도계 (24) 는 인 라인 방식의 것이었지만, 샘플링 방식의 것을 채용해도 된다. 또, 혼산 수용액의 농도 제어를 위해서, 순수 등의 성분 농도가 아니라, Ph 나 도전율 등, 농도와 상관이 높은 다른 파라미터를 검출함으로써, 농도로 환산해도 된다. 또, 상기 실시예에 있어서는 순수의 보충은 처리조 (7a) 의 내조 (50a) 에 실시하고 있었지만, 이것을 외조 (50b) 에 실시하도록 해도 된다. 또한, 상기 실시예에서는 순수 등의 보충량의 제어는 순수 보충 밸브 (49) 의 개폐에 의해 실시하고 있었지만, 이것을 펌프의 제어에 의해 적당량을 보충하도록 해도 상관없다.In the above embodiment, the density meter 24 is an in-line system, but a sampling system may be employed. Further, for concentration control of the mixed acid aqueous solution, concentration may be converted to concentration by detecting other parameters such as Ph or conductivity, which are highly correlated with the concentration, instead of the component concentration such as pure water. In the above embodiment, the replenishment of pure water is performed in the inner tank 50a of the treatment tank 7a, but this may be performed in the outer tank 50b. In the above embodiment, the replenishment amount of pure water or the like is controlled by opening or closing the pure replenishment valve 49, but it may be supplemented by an appropriate amount by controlling the pump.

게다가, 상기 실시예에 있어서는, 목표치 변경부는, 하측 기준값을 자동적으로 변화시켰지만, 조작자 (실제 사람이나 온라인상의 조작 단말을 조작하는 사람) 에 대하여 목표치를 변경하는 가부 (可否) 를 확인해도 된다. 구체적으로는, 목표치를 변경해야 하는 취지를 정면 패널에 표시하고, 조작자의 허가가 있던 경우에는 목표치를 변화시키고, 불허가인 경우에는 목표치를 유지하도록 해도 된다.In addition, in the above embodiment, the target value changing section automatically changes the lower reference value, but may confirm whether or not the operator (the person who operates the operating terminal on the actual person or on-line) changes the target value. More specifically, it may be displayed on the front panel that the target value should be changed, the target value may be changed when there is permission of the operator, and the target value may be maintained when the operator is not allowed.

1 : 기판 처리 장치
2 : 버퍼부
3 : 기판 반출입구
5, 7, 9 : 처리부
5a, 5b, 7a, 7b, 9a, 9b : 처리조
11, 13, 15 : 리프터
17 : 주반송 기구
20 : 순환 라인
24 : 농도계
40 : 농도 제어 장치
43 : 부반송 기구
50a : 내조
50b : 외조
55 : 제어부
57 : 기억부1: substrate processing apparatus
2: buffer unit
3: Substrate entrance / exit
5, 7, 9: Processor
5a, 5b, 7a, 7b, 9a, 9b:
11, 13, 15: Lifter
17: Main conveying mechanism
20: circulation line
24: Densitometer
40: Concentration control device
43: Sub-
50a:
50b: outer tub
55:
57:

Claims (26)

1 종 이상의 약액 및 순수를 포함하는 처리액에 기판을 침지시킴으로써 그 기판에 대하여 소정의 처리를 실시하는 기판 처리 장치로서,
상기 기판에 상기 소정의 처리를 실시하기 위한 상기 처리액이 저류된 처리조와,
상기 처리조 중의 상기 처리액의 라이프 타임에 맞추어 그 처리액을 교환하는 처리액 교환부와,
상기 처리액에 있어서의 순수 또는 다른 소정 성분의 농도를 검출하는 검출부와,
상기 검출부에 의해 검출된 상기 농도에 기초하여, 상기 처리조 중의 처리액에 순수 또는 상기 다른 소정 성분을 공급함으로써, 상기 농도가 소정의 목표 농도가 되도록 제어하는 농도 제어부와,
상기 목표 농도를 변경하는 목표치 변경부
를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus for performing predetermined processing on a substrate by immersing the substrate in a processing solution containing at least one chemical liquid and pure water,
A treatment tank in which the treatment liquid for holding the predetermined treatment is stored in the substrate,
A treatment liquid replenishing section for exchanging the treatment liquid in accordance with the lifetime of the treatment liquid in the treatment tank,
A detection unit for detecting the concentration of pure water or other predetermined components in the treatment liquid;
A concentration control section for controlling the concentration to be a predetermined target concentration by supplying pure water or the other predetermined component to the treatment liquid in the treatment tank based on the concentration detected by the detection section;
The target value changing unit
And the substrate processing apparatus. 제 1 항에 있어서,
상기 목표치 변경부는, 상기 처리액의 라이프 타임의 도중에, 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the target value changing unit raises the target concentration in the middle of the lifetime of the processing solution. 제 1 항에 있어서,
상기 목표 변경부는, 상기 목표 농도에 상한값을 형성한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the target changing unit forms an upper limit value on the target concentration. 제 1 항에 있어서,
상기 처리액은, 인산, 질산, 아세트산 중 적어도 1 개 및 순수를 포함하는 혼산 (混酸) 수용액이고,
상기 농도 제어부는, 상기 혼산 수용액에 순수를 공급함으로써 상기 혼산 수용액의 순수 농도가 소정의 목표 농도가 되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The treatment liquid is a mixed acid aqueous solution containing at least one of phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid and pure water,
Wherein the concentration control section controls the concentration of pure water in the mixed acid aqueous solution to be a predetermined target concentration by supplying pure water to the mixed acid aqueous solution. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 목표치 변경부는, 상기 처리액의 라이프 타임의 도중에, 일정 시간마다 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the target value changing section raises the target concentration every predetermined time during the lifetime of the processing solution. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 목표치 변경부는, 상기 처리액의 라이프 타임의 도중에, 상기 목표 농도를 상승시키는 타이밍을 변경함으로써, 상기 목표 농도의 변경 프로파일을 변경하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the target value changing unit changes the change profile of the target concentration by changing a timing at which the target concentration is raised in the middle of the lifetime of the processing solution. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 목표치 변경부는, 상기 처리액의 라이프 타임의 도중에, 상기 목표치를 상승시킬 때의 상승 폭을 변경함으로써, 상기 목표 농도의 변경 프로파일을 변경하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the target value changing unit changes the change profile of the target concentration by changing the rising width when raising the target value in the middle of the lifetime of the processing solution. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 목표치 변경부는, 상기 처리액의 라이프 타임의 도중에, 상기 기판의 처리가 실시된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the target value changing section increases the target concentration when processing of the substrate is performed in the middle of the lifetime of the processing solution. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 목표치 변경부는, 상기 처리액의 라이프 타임의 도중에, 상기 순수의 공급이 실시된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the target value changing section raises the target concentration when supply of the pure water is performed in the middle of the lifetime of the processing solution. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 목표치 변경부는, 상기 처리액의 라이프 타임의 도중에, 소정 매수의 상기 기판의 처리가 실시된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the target value changing section raises the target concentration when a predetermined number of the substrates are processed in the middle of the lifetime of the processing solution. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 목표치 변경부는, 상기 기판의 처리에 있어서의 처리의 정도를 나타내는 중량 계수와 상기 기판의 처리 매수에 기초하는 처리량이 소정량이 된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the target value changing section raises the target concentration when a weight coefficient indicating the degree of processing in the processing of the substrate and a processing amount based on the number of processed substrates are equal to a predetermined amount. 제 11 항에 있어서,
상기 처리액의 라이프 타임 중에, 복수 종류의 기판을 처리하고,
상기 목표치 변경부는, 상기 복수 종류의 기판 중 각 종류의 기판에 대한, 상기 중량 계수와 상기 기판의 처리 매수에 기초하는 처리량의 합계량이 소정량이 된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.12. The method of claim 11,
A plurality of kinds of substrates are processed during the lifetime of the treatment liquid,
Wherein the target value changing section raises the target concentration when the total amount of the processing amount based on the weight coefficient and the number of processed substrates for the respective types of substrates among the plurality of types of substrates becomes a predetermined amount / RTI &gt; 제 11 항에 있어서,
상기 목표치 변경부는, 상기 처리액의 라이프 타임 중에 있어서, 소정의 대기 시간 동안에 상기 기판의 처리가 실시되지 않는 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.12. The method of claim 11,
Wherein the target value changing section raises the target concentration when the processing of the substrate is not performed during a predetermined waiting time during the lifetime of the processing solution. 1 종 이상의 약액 및 순수를 포함하여 처리조에 저류된 처리액에 기판을 침지시킴으로써 그 기판에 대하여 소정의 처리를 실시하는 기판 처리 방법으로서,
상기 처리액의 라이프 타임에 맞추어 그 처리액을 교환하는 처리액 교환 공정과,
상기 처리액에 있어서의 순수 또는 다른 소정 성분의 농도를 검출하는 농도 검출 공정과,
상기 농도 검출 공정에 있어서 검출된 상기 농도에 기초하여, 상기 농도가 소정의 목표 농도가 되도록 상기 처리조 중의 상기 처리액에 순수 또는 상기 다른 소정 성분을 공급하는 농도 제어 공정과,
상기 처리액의 라이프 타임의 도중에 상기 목표 농도를 변경하는 목표치 변경 공정
을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.A substrate processing method for performing a predetermined process on a substrate by immersing the substrate in a treatment liquid stored in a treatment tank containing at least one chemical liquid and pure water,
A process liquid exchange step of exchanging the process liquid in accordance with a lifetime of the process liquid;
A concentration detecting step of detecting the concentration of pure water or other predetermined components in the treatment liquid;
A concentration control step of supplying pure water or the other predetermined components to the treatment liquid in the treatment tank so that the concentration becomes a predetermined target concentration based on the concentration detected in the concentration detection step;
A target value changing step of changing the target concentration in the middle of the lifetime of the treatment liquid
Wherein the substrate is a substrate. 제 14 항에 있어서,
상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.15. The method of claim 14,
Wherein in the target value changing step, the target concentration is raised. 제 14 항에 있어서,
상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 상기 목표 농도에 상한값이 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.15. The method of claim 14,
Wherein an upper limit value is formed in the target concentration in the target value changing step. 제 14 항에 있어서,
상기 처리액은, 인산, 질산, 아세트산 중 적어도 1 개 및 순수를 포함하는 혼산 수용액이고,
상기 농도 제어 공정에 있어서는, 상기 혼산 수용액의 순수 농도가 소정의 목표 농도가 되도록 상기 혼산 수용액에 순수를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.15. The method of claim 14,
Wherein the treatment liquid is a mixed acid aqueous solution containing at least one of phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid and pure water,
Wherein the concentration control step supplies pure water to the mixed acid aqueous solution so that the pure water concentration of the mixed acid aqueous solution becomes a predetermined target concentration. 제 14 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 일정 시간마다 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.18. The method according to any one of claims 14 to 17,
Wherein in the target value changing step, the target concentration is raised at a predetermined time. 제 14 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 상기 목표 농도를 상승시키는 타이밍을 변경함으로써, 상기 목표 농도의 변경 프로파일을 변경하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.18. The method according to any one of claims 14 to 17,
Wherein in the target value changing step, the changing profile of the target concentration is changed by changing the timing of raising the target concentration. 제 14 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 상기 목표치를 상승시킬 때의 상승 폭을 변경함으로써, 상기 목표 농도의 변경 프로파일을 변경하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.18. The method according to any one of claims 14 to 17,
Wherein in the target value changing step, the changing profile of the target concentration is changed by changing the rising width at the time of raising the target value. 제 14 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 목표치 변경부에 있어서는, 상기 기판의 처리가 실시된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.18. The method according to any one of claims 14 to 17,
Wherein the target value changing section raises the target concentration when processing of the substrate is performed. 제 14 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 상기 순수의 공급이 실시된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.18. The method according to any one of claims 14 to 17,
Wherein in the target value changing step, the target concentration is raised when the supply of the pure water is performed. 제 14 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 소정 매수의 상기 기판의 처리가 실시된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.18. The method according to any one of claims 14 to 17,
Wherein in the target value changing step, the target concentration is raised when a predetermined number of the substrates are processed. 제 14 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 상기 기판의 처리에 있어서의 처리의 정도를 나타내는 중량 계수와 상기 기판의 처리 매수에 기초하는 처리량이 소정량이 된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.18. The method according to any one of claims 14 to 17,
Wherein in the target value changing step, the target concentration is raised when a weight coefficient indicating the degree of processing in the processing of the substrate and a processing amount based on the number of processed substrates are equal to a predetermined amount Way. 제 24 항에 있어서,
상기 처리액의 라이프 타임 중에, 복수 종류의 기판을 처리하고,
상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 상기 복수 종류의 기판 중 각 종류의 기판에 대한, 상기 중량 계수와 상기 기판의 처리 매수에 기초하는 처리량의 합계량이 소정량이 된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.25. The method of claim 24,
A plurality of kinds of substrates are processed during the lifetime of the treatment liquid,
In the target value changing step, when the total amount of the processing amount based on the weight coefficient and the number of processed substrates on each type of substrate among the plurality of types of substrates becomes a predetermined amount, the target concentration is raised . 제 24 항에 있어서,
상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 상기 처리액의 라이프 타임 중에 있어서, 소정의 대기 시간 동안에 상기 기판의 처리가 실시되지 않는 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.25. The method of claim 24,
Wherein in the target value changing step, the target concentration is raised when the processing of the substrate is not performed during a predetermined waiting time during the lifetime of the processing solution.
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