JP6947346B2 - Substrate processing equipment and substrate processing method - Google Patents

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Description

本発明は、半導体ウェハ等の基板を処理槽に貯留された処理液に浸漬させ、エッチング処理や洗浄処理を行う基板処理装置及び基板処理方法に関し、特に、処理槽における処理液の濃度制御に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method in which a substrate such as a semiconductor wafer is immersed in a processing liquid stored in a processing tank to perform etching processing and cleaning processing, and particularly to control the concentration of the processing liquid in the processing tank.

半導体装置の製造工程には、半導体ウェハ等の基板を処理槽に浸漬させることにより、当該基板にエッチング処理や洗浄処理を施す工程が含まれる。このような工程は、複数の処理槽を含む基板処理装置により実行される。この基板処理装置の各処理槽における処理液の濃度は、時間の経過とともに、処理液構成成分の蒸発、分解等によって変化する場合があるので、処理液の濃度を上記のエッチング処理や洗浄処理に適切な範囲内に維持するための濃度制御が行われている。 The manufacturing process of a semiconductor device includes a step of immersing a substrate such as a semiconductor wafer in a processing tank to perform an etching process or a cleaning process on the substrate. Such a step is performed by a substrate processing apparatus including a plurality of processing tanks. The concentration of the treatment liquid in each treatment tank of this substrate processing apparatus may change with the passage of time due to evaporation, decomposition, etc. of the components of the treatment liquid. Concentration control is performed to maintain within an appropriate range.

このような技術としては以下のようなものが公知である。すなわち、この技術においては、処理液を処理槽に供給するタンクを有している。そして、タンクおよび循環ライン内に存在する処理液の濃度が所定範囲から外れたときに、濃度補正部を用いて、タンクの出口よりも下流側であってかつ液処理ユニットが接続される接続領域よりも上流側に設定された注入位置において、循環ラインに処理液構成成分を注入して循環ラインを流れる処理液に混合する。これにより、循環ラインを流れる処理液の濃度を補正する（例えば、特許文献１を参照）。 The following are known as such techniques. That is, in this technique, a tank for supplying the treatment liquid to the treatment tank is provided. Then, when the concentration of the treatment liquid existing in the tank and the circulation line deviates from the predetermined range, the concentration correction unit is used to connect the connection area downstream of the outlet of the tank and to which the liquid treatment unit is connected. At the injection position set on the upstream side of the circulation line, the treatment liquid constituents are injected into the circulation line and mixed with the treatment liquid flowing through the circulation line. Thereby, the concentration of the processing liquid flowing through the circulation line is corrected (see, for example, Patent Document 1).

上記のような従来技術においては、循環ラインに濃度計を配置し循環ライン内に存在する処理液の濃度を計測しているが、この濃度計で得られる測定値は、循環ラインにおける処理液の状態により影響を受ける場合があり、フィードバック制御等により処理液の見かけ上の濃度を目標値に制御していたとしても、実際の処理液の濃度が時間の経過とともに、見かけ上の濃度から乖離してしまう場合があった。 In the above-mentioned conventional technique, a densitometer is arranged in the circulation line to measure the concentration of the treatment liquid existing in the circulation line, but the measured value obtained by this densitometer is the concentration of the treatment liquid in the circulation line. It may be affected by the condition, and even if the apparent concentration of the treatment liquid is controlled to the target value by feedback control etc., the actual concentration of the treatment liquid deviates from the apparent concentration over time. There was a case that it ended up.

また、処理液が複数の薬剤及び純水で構成されている場合、処理液構成成分には、蒸発し易い成分と蒸発し難い成分が存在するため、各成分の揮発性の相違を考慮せずに濃度の制御を行ったとしても、処理液の濃度を目的とする処理に対して適切な範囲内に維持することが困難な場合があった。 Further, when the treatment liquid is composed of a plurality of chemicals and pure water, the treatment liquid constituent components include components that easily evaporate and components that do not easily evaporate, so that the difference in volatility of each component is not taken into consideration. Even if the concentration is controlled, it may be difficult to maintain the concentration of the treatment liquid within an appropriate range for the target treatment.

特開２０１５−４６４４３号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2015-46443

本発明は、上記のような状況を鑑みて発明されたものであり、その目的は、基板処理装置または基板処理方法において、処理槽における処理液の濃度をより確実に、該処理槽において行われる処理に適した濃度に維持することが可能な技術を提供することである。 The present invention has been invented in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to more reliably adjust the concentration of the treatment liquid in the treatment tank in the substrate treatment apparatus or the substrate treatment method. It is to provide a technique capable of maintaining a concentration suitable for treatment.

上記課題を解決するための本発明は、一種以上の薬液及び純水を含む処理液に基板を浸漬させることで該基板に対して所定の処理を行う基板処理装置であって、
前記基板に前記所定の処理を行うための前記処理液が貯留された処理槽と、
前記処理槽中の前記処理液のライフタイムに合わせて該処理液を交換する処理液交換部
と、
前記処理液における純水または他の所定成分の濃度を検出する検出部と、
前記検出部によって検出された前記濃度に基づいて、前記処理槽中の処理液に純水または前記他の所定成分を供給することで、前記濃度が所定の目標濃度になるように制御する濃度制御部と、
前記目標濃度を変更する目標値変更部と、
を備えることを特徴とする。 The present invention for solving the above problems is a substrate processing apparatus for performing a predetermined treatment on a substrate by immersing the substrate in a treatment liquid containing one or more chemical solutions and pure water.
A treatment tank in which the treatment liquid for performing the predetermined treatment is stored on the substrate, and
A treatment liquid exchange unit that replaces the treatment liquid according to the lifetime of the treatment liquid in the treatment tank, and a treatment liquid exchange unit.
A detection unit that detects the concentration of pure water or other predetermined components in the treatment liquid, and
Concentration control that controls the concentration to reach a predetermined target concentration by supplying pure water or the other predetermined component to the treatment liquid in the treatment tank based on the concentration detected by the detection unit. Department and
The target value changing unit for changing the target concentration and the target value changing unit
It is characterized by having.

これによれば、前記処理液の状態によって検出部の検出値が変化してしまう場合など、見かけ上の前記純水または他の所定成分の濃度と実際の前記純水または他の所定成分の濃度との間の乖離、または、検出された濃度において予想される処理状況（例えばエッチングレート）と実際に得られた処理状況との間の乖離がある場合でも、目標濃度を変更することで、当該乖離をキャンセルし、より確実に、純水または他の所定成分の濃度を処理に応じた適切な値に制御することが可能となる。なお、ここで処理液のライフタイムとは、処理液の状態が変化し継続して当該処理液を使用し続けると処理自体が充分に行われなくなると判断される使用時間であり、予め実験等により定められる。また、「ライフタイムに合わせる」とは、ライフタイムの経過時であっても良いし、ライフタイム経過時に対して若干前後する時点であってもよい。 According to this, when the detection value of the detection unit changes depending on the state of the treatment liquid, the apparent concentration of the pure water or other predetermined component and the actual concentration of the pure water or other predetermined component Even if there is a discrepancy between the two, or the discrepancy between the expected treatment status (for example, etching rate) at the detected concentration and the actually obtained treatment status, the target concentration can be changed. It is possible to cancel the divergence and more reliably control the concentration of pure water or other predetermined components to an appropriate value according to the treatment. Here, the lifetime of the treatment liquid is a usage time in which it is judged that the treatment itself will not be sufficiently performed if the state of the treatment liquid changes and the treatment liquid is continuously used. Is determined by. Further, "adjusting to the lifetime" may be a time when the lifetime has elapsed, or may be a time slightly before or after the elapsed lifetime.

また、本発明においては、前記目標値変更部は、前記処理液のライフタイムの途中で、前記目標濃度を上昇させるようにしてもよい。そうすれば、前記処理液のライフタイムの途中で、純水または他の所定成分をより多く供給することで、当該乖離をキャンセルし、純水または他の所定成分の濃度を処理に応じた適切な値に制御することが可能となる。この場合、前記純水または他の所定成分の濃度を低下させる制御と比較して、より容易に、純水または他の所定成分の濃度を処理に応じた適切な値に制御することが可能となる。 Further, in the present invention, the target value changing unit may increase the target concentration in the middle of the lifetime of the treatment liquid. Then, in the middle of the lifetime of the treatment liquid, by supplying more pure water or other predetermined component, the deviation is canceled and the concentration of pure water or other predetermined component is appropriately adjusted according to the treatment. It is possible to control the value. In this case, it is possible to more easily control the concentration of pure water or other predetermined component to an appropriate value according to the treatment, as compared with the control of lowering the concentration of pure water or other predetermined component. Become.

また、本発明においては、前記目標値変更部は、前記目標濃度に上限値を設けるようにしてもよい。これによれば、前記処理液のライフタイムの途中で、前記目標濃度が過剰に上昇してしまうことを防止できる。
Further, in the present invention, the target value changing unit may set an upper limit value for the target concentration. According to this, it is possible to prevent the target concentration from being excessively increased during the lifetime of the treatment liquid.

また、本発明においては、前記処理液は、リン酸、硝酸、酢酸の少なくとも一つ及び、純水を含む混酸水溶液であり、前記濃度制御部は、前記混酸水溶液に純水を供給することで前記混酸水溶液の純水濃度が所定の目標濃度になるように制御するようにしてもよい。これによれば、純水の供給量や供給タイミングを変更するという簡単な動作によって、純水の濃度を処理に応じた適切な値に制御することが可能となる。 Further, in the present invention, the treatment liquid is a mixed acid aqueous solution containing at least one of phosphoric acid, nitric acid and acetic acid and pure water, and the concentration control unit supplies pure water to the mixed acid aqueous solution. The pure water concentration of the mixed acid aqueous solution may be controlled to be a predetermined target concentration. According to this, it is possible to control the concentration of pure water to an appropriate value according to the treatment by a simple operation of changing the supply amount and supply timing of pure water.

また、本発明においては、前記目標値変更部は、前記処理液のライフタイムの途中で、一定時間毎に前記目標濃度を上昇させるようにしてもよい。これによれば、前記目標濃度の急激な変化を抑制しつつ、より安定的に、純水または他の所定成分の濃度を処理に応じた適切な値に制御することが可能となる。 Further, in the present invention, the target value changing unit may increase the target concentration at regular intervals during the lifetime of the treatment liquid. According to this, it is possible to more stably control the concentration of pure water or another predetermined component to an appropriate value according to the treatment while suppressing a sudden change in the target concentration.

また、本発明においては、前記目標値変更部は、前記処理液のライフタイムの途中で、前記目標濃度を上昇させるタイミングを変更することで、前記目標濃度の変更プロファイルを変更するようにしてもよい。これによれば、より高い自由度で前記処理液の状態に応じて、純水または他の所定成分の濃度を処理に応じた適切な値に制御することが可能となる。 Further, in the present invention, the target value changing unit may change the target concentration change profile by changing the timing of increasing the target concentration in the middle of the lifetime of the treatment liquid. good. According to this, it is possible to control the concentration of pure water or other predetermined components to an appropriate value according to the treatment according to the state of the treatment liquid with a higher degree of freedom.

また、本発明においては、前記目標値変更部は、前記処理液のライフタイムの途中で、前記目標濃度を上昇させる際の上昇幅を変更することで、前記目標濃度の変更プロファイルを変更するようにしてもよい。このことによっても、より高い自由度で前記処理液の状態に応じて、純水または他の所定成分の濃度を処理に応じた適切な値に制御することが可能となる。
Further, in the present invention, the target value changing unit changes the change profile of the target concentration by changing the increase range when increasing the target concentration in the middle of the lifetime of the treatment liquid. It may be. This also makes it possible to control the concentration of pure water or other predetermined components to an appropriate value according to the treatment, with a higher degree of freedom, depending on the state of the treatment liquid.

また、本発明においては、前記目標値変更部は、前記処理液のライフタイムの途中で、前記基板の処理が行われた場合に、前記目標濃度を上昇させるようにしてもよい。ここで、前記基板の処理が行われた場合には、基板から金属イオンが処理液中に溶出する傾向が強い。よって、前記基板の処理が行われた場合に、前記目標濃度を上昇させることで、より確実にまたは適時に、純水または他の所定成分の濃度を処理に応じた適切な値に制御することが可能となる。 Further, in the present invention, the target value changing unit may increase the target concentration when the substrate is processed during the lifetime of the processing liquid. Here, when the substrate is treated, there is a strong tendency for metal ions to elute from the substrate into the treatment liquid. Therefore, when the substrate is processed, by increasing the target concentration, the concentration of pure water or other predetermined components can be controlled to an appropriate value according to the treatment more reliably or in a timely manner. Is possible.

また、本発明においては、前記目標値変更部は、前記処理液のライフタイムの途中で、前記純水の供給が行われた場合に、前記目標濃度を上昇させるようにしてもよい。ここで、前記基板の処理が行われた場合に、純水の供給が行われる確率が高く、基板の処理タイミングと純水の供給タイミングとの間には高い相関が認められるので、純水の供給が行われた場合に、前記目標濃度を上昇させることによっても、より確実にまたは適時に、純水または他の所定成分の濃度を処理に応じた適切な値に制御することが可能となる。 Further, in the present invention, the target value changing unit may increase the target concentration when the pure water is supplied during the lifetime of the treatment liquid. Here, when the substrate is processed, there is a high probability that pure water will be supplied, and a high correlation is observed between the processing timing of the substrate and the supply timing of pure water. By increasing the target concentration when the water is supplied, it is possible to control the concentration of pure water or other predetermined components to an appropriate value according to the treatment more reliably or in a timely manner. ..

また、本発明においては、前記目標値変更部は、前記処理液のライフタイムの途中で、所定枚数の前記基板の処理が行われた場合に、前記目標濃度を上昇させるようにしてもよい。ここで、前記基板の処理が行われた場合に、処理される基板の枚数はいつも同じとは限らない。一方、基板から溶出される金属イオンの量が直接関連しているのは、基板の処理の回数よりも、むしろ、処理された基板の枚数である。よって、所定枚数の前記基板の処理が行われた場合に、前記目標濃度を上昇させることで、より精度よく、純水または他の所定成分の濃度を処理に応じた適切な値に制御することが可能となる。 Further, in the present invention, the target value changing unit may increase the target concentration when a predetermined number of the substrates are processed during the lifetime of the processing liquid. Here, when the substrate is processed, the number of substrates to be processed is not always the same. On the other hand, the amount of metal ions eluted from the substrate is directly related to the number of processed substrates rather than the number of times the substrate is processed. Therefore, when a predetermined number of the substrates are processed, the target concentration is increased to more accurately control the concentration of pure water or other predetermined components to an appropriate value according to the treatment. Is possible.

また、本発明においては、前記目標値変更部は、前記基板の処理における処理の程度を示す重み係数と前記基板の処理枚数とに基づく処理量が所定量となった場合に、前記目標濃度を上昇させるようにしてもよい。ここで、前記基板の処理が行われた場合に、基板の種類によって、１枚の基板を処理する際の処理の程度は異なる。この処理の程度とは、例えば、１枚の基板の処理において反応に用いられる処理液の量または、１枚の基板の処理による処理液の劣化度合いであってもよい。よって、処理液における純水または他の所定成分の濃度の変化は、処理された基板の枚数の他、１枚の基板を処理する際の処理の程度によって決まる。 Further, in the present invention, the target value changing unit sets the target concentration when the processing amount based on the weighting coefficient indicating the degree of processing in the processing of the substrate and the number of processed sheets of the substrate becomes a predetermined amount. You may try to raise it. Here, when the substrate is processed, the degree of processing when processing one substrate differs depending on the type of substrate. The degree of this treatment may be, for example, the amount of the treatment liquid used for the reaction in the treatment of one substrate or the degree of deterioration of the treatment liquid due to the treatment of one substrate. Therefore, the change in the concentration of pure water or other predetermined components in the treatment liquid is determined by the number of treated substrates and the degree of treatment when processing one substrate.

このことより、本発明においては、基板の処理における処理の程度を示す重み係数と基板の処理枚数とに基づく処理量が所定量となった場合に、目標濃度を上昇させることで、さらに精度よく、純水または他の所定成分の濃度を処理に応じた適切な値に制御することが可能となる。なお、重み係数と基板の処理枚数とに基づく処理量とは、例えば、重み係数と基板の処理枚数を乗じることにより算出されるものであってもよいし、基板の処理枚数を（重み係数）乗する等、他の計算式によるものであってもよい。 From this, in the present invention, when the processing amount based on the weighting coefficient indicating the degree of processing in the processing of the substrate and the number of processed substrates becomes a predetermined amount, the target concentration is increased to make it more accurate. , Pure water or other predetermined components can be controlled to an appropriate value according to the treatment. The processing amount based on the weighting coefficient and the number of processed substrates may be calculated by multiplying the weighting coefficient by the number of processed substrates, or the number of processed substrates (weighting coefficient) may be calculated. It may be based on other calculation formulas such as multiplication.

また、本発明においては、前記処理液のライフタイム中に複数種類の基板を処理し、前記目標値変更部は、前記複数種類の基板のうちの各種類の基板についての、前記重み係数と前記基板の処理枚数とに基づく処理量の合計量が所定量となった場合に、前記目標濃度を上昇させるようにしてもよい。ここで、基板処理装置が、処理液のライフタイム中に複数種類の基板を処理する場合には、処理液の純水または他の所定成分の濃度の変化は、各々の種類の基板の処理量の合計量によって決まる。 Further, in the present invention, a plurality of types of substrates are processed during the lifetime of the treatment liquid, and the target value changing unit includes the weighting coefficient and the weighting coefficient for each type of the substrate among the plurality of types of substrates. The target concentration may be increased when the total amount of processing based on the number of processed substrates reaches a predetermined amount. Here, when the substrate processing apparatus processes a plurality of types of substrates during the lifetime of the processing liquid, the change in the concentration of pure water or other predetermined components in the processing liquid is the processing amount of each type of substrate. Depends on the total amount of.

このことより、本発明においては、処理液のライフタイム中に複数種類の基板を処理する際には、複数種類の基板のうちの各種類の基板についての、重み係数と基板の処理枚数
とに基づく処理量の合計量が所定量となった場合に、目標濃度を上昇させることとした。これにより、基板処理装置が、処理液のライフタイム中に複数種類の基板を処理する場合にも、より精度よく、純水または他の所定成分の濃度を処理に応じた適切な値に制御することが可能となる。 From this, in the present invention, when processing a plurality of types of substrates during the lifetime of the processing liquid, the weighting coefficient and the number of processed substrates of each type of the plurality of types of substrates are set. It was decided to increase the target concentration when the total amount of the based processing amount reached a predetermined amount. As a result, even when the substrate processing apparatus processes a plurality of types of substrates during the lifetime of the processing liquid, the concentration of pure water or other predetermined components is controlled to an appropriate value according to the processing with higher accuracy. It becomes possible.

また、本発明においては、前記目標値変更部は、前記処理液のライフタイム中において、所定の待ち時間の間に前記基板の処理が行われない場合に、前記目標濃度を上昇させるようにしてもよい。ここで、処理液のライフタイム中において、長時間に亘って基板の処理が行われない場合には、そのことによっても、処理液における純水または他の所定成分の濃度が蒸発や分解によって変化する場合がある。よって、本発明においては、目標値変更部は、上述の重み係数と基板の処理枚数とに基づく基板の処理量（または、複数種類の基板の処理量の合計量）が所定量となった場合に、目標濃度を上昇させるとともに、所定の待ち時間の間に基板の処理が行われない場合にも、目標濃度を上昇させることとした。これによれば、基板の処理の重み係数と基板の処理枚数とに基づく処理量を処理液の濃度制御の基準にするとともに、基板の処理が長時間に亘り処理されないことも処理液の濃度制御の基準にすることができ、さらに精度よく、処理液における純水または他の所定成分の濃度を処理に応じた適切な値に制御することが可能となる。 Further, in the present invention, the target value changing unit increases the target concentration when the substrate is not processed during a predetermined waiting time during the lifetime of the treatment liquid. May be good. Here, if the substrate is not treated for a long time during the lifetime of the treatment liquid, the concentration of pure water or other predetermined components in the treatment liquid also changes due to evaporation or decomposition. May be done. Therefore, in the present invention, in the target value changing unit, when the processing amount of the substrate based on the above-mentioned weighting coefficient and the number of processed substrates (or the total processing amount of a plurality of types of substrates) becomes a predetermined amount. In addition to increasing the target concentration, it was decided to increase the target concentration even when the substrate is not processed within a predetermined waiting time. According to this, the processing amount based on the weight coefficient of the processing of the substrate and the number of processed substrates is used as the standard for controlling the concentration of the processing liquid, and the concentration control of the processing liquid also means that the processing of the substrate is not processed for a long time. It is possible to more accurately control the concentration of pure water or other predetermined components in the treatment liquid to an appropriate value according to the treatment.

また、本発明は、一種以上の薬液及び純水を含み処理槽に貯留された処理液に基板を浸漬させることで該基板に対して所定の処理を行う基板処理方法であって、
前記処理液のライフタイムに合わせて該処理液を交換する処理液交換工程と、
前記処理液における純水または他の所定成分の濃度を検出する濃度検出工程と、
前記濃度検出工程において検出された前記濃度に基づいて、前記濃度が所定の目標濃度になるように前記処理槽中の前記処理液に純水または前記他の所定成分を供給する濃度制御工程と、
前記処理液のライフタイムの途中で前記目標濃度を変更する目標値変更工程と、
を備えることを特徴とする、基板処理方法であってもよい。 Further, the present invention is a substrate processing method for performing a predetermined treatment on the substrate by immersing the substrate in a treatment liquid containing one or more chemicals and pure water and stored in the treatment tank.
A treatment liquid exchange step of exchanging the treatment liquid according to the lifetime of the treatment liquid, and
A concentration detection step for detecting the concentration of pure water or other predetermined components in the treatment liquid, and
A concentration control step of supplying pure water or the other predetermined component to the treatment liquid in the treatment tank so that the concentration becomes a predetermined target concentration based on the concentration detected in the concentration detection step.
A target value changing step of changing the target concentration in the middle of the lifetime of the treatment liquid, and
It may be a substrate processing method characterized by comprising.

また、本発明は、前記目標値変更工程においては、前記目標濃度を上昇させることを特徴とする、上記の基板処理方法であってもよい。 Further, the present invention may be the above-mentioned substrate processing method characterized in that the target concentration is increased in the target value changing step.

また、本発明は、前記目標値変更工程においては、前記目標濃度に上限値が設けられたことを特徴とする、上記の基板処理方法であってもよい。 Further, the present invention may be the above-mentioned substrate processing method, characterized in that an upper limit value is provided for the target concentration in the target value changing step.

また、本発明は、前記処理液は、リン酸、硝酸、酢酸の少なくとも一つ及び、純水を含む混酸水溶液であり、前記濃度制御工程においては、前記混酸水溶液の純水濃度が所定の目標濃度になるように前記混酸水溶液に純水を供給することを特徴とする、上記の基板処理方法であってもよい。 Further, in the present invention, the treatment liquid is a mixed acid aqueous solution containing at least one of phosphoric acid, nitric acid and acetic acid and pure water, and in the concentration control step, the pure water concentration of the mixed acid aqueous solution is a predetermined target. The above-mentioned substrate processing method may be characterized in that pure water is supplied to the mixed acid aqueous solution so as to have a concentration.

また、本発明は、前記目標値変更工程においては、一定時間毎に前記目標濃度を上昇させることを特徴とする上記の基板処理方法であってもよい。 Further, the present invention may be the above-mentioned substrate processing method characterized in that the target concentration is increased at regular intervals in the target value changing step.

また、本発明は、前記目標値変更工程においては、前記目標濃度を上昇させるタイミングを変更することで、前記目標濃度の変更プロファイルを変更することを特徴とする上記の基板処理方法であってもよい。 Further, the present invention is also the above-mentioned substrate processing method characterized in that, in the target value changing step, the change profile of the target concentration is changed by changing the timing of increasing the target concentration. good.

また、本発明は、前記目標値変更工程においては、前記目標濃度を上昇させる際の上昇幅を変更することで、前記目標濃度の変更プロファイルを変更することを特徴とする上記の基板処理方法であってもよい。
Further, the present invention is the above-mentioned substrate processing method, characterized in that, in the target value changing step, the change profile of the target concentration is changed by changing the amount of increase when the target concentration is increased. There may be.

また、本発明は、前記目標値変更工程においては、前記基板の処理が行われた場合に、前記目標濃度を上昇させることを特徴とする上記の基板処理方法であってもよい。 Further, the present invention may be the above-mentioned substrate processing method characterized in that, in the target value changing step, the target concentration is increased when the substrate is processed.

また、本発明は、前記目標値変更工程においては、前記純水の供給が行われた場合に、前記目標濃度を上昇させることを特徴とする上記の基板処理方法であってもよい。 Further, the present invention may be the above-mentioned substrate processing method characterized in that, in the target value changing step, the target concentration is increased when the pure water is supplied.

また、本発明は、前記目標値変更工程においては、所定枚数の前記基板の処理が行われた場合に、前記目標濃度を上昇させることを特徴とする上記の基板処理方法であってもよい。 Further, the present invention may be the above-mentioned substrate processing method characterized in that the target concentration is increased when a predetermined number of the substrates are processed in the target value changing step.

また、本発明は、前記目標値変更工程においては、前記基板の処理における処理の程度を示す重み係数と前記基板の処理枚数とに基づく処理量が所定量となった場合に、前記目標濃度を上昇させることを特徴とする上記の基板処理方法であってもよい。 Further, in the target value changing step, the present invention sets the target concentration when the processing amount based on the weighting coefficient indicating the degree of processing in the processing of the substrate and the number of processed sheets of the substrate becomes a predetermined amount. The above-mentioned substrate processing method characterized by raising the substrate may be used.

また、本発明は、前記処理液のライフタイム中に、複数種類の基板を処理し、
前記目標値変更工程においては、前記複数種類の基板のうちの各種類の基板についての、前記重み係数と前記基板の処理枚数とに基づく処理量の合計量が所定量となった場合に、前記目標濃度を上昇させることを特徴とする上記の基板処理方法であってもよい。 In addition, the present invention treats a plurality of types of substrates during the lifetime of the treatment liquid.
In the target value changing step, when the total amount of processing amount based on the weighting coefficient and the number of processed sheets of the substrate for each type of the plurality of types of substrates becomes a predetermined amount, the said. The above-mentioned substrate processing method characterized by increasing the target concentration may be used.

また、本発明は、前記目標値変更工程においては、前記処理液のライフタイム中において、所定の待ち時間の間に前記基板の処理が行われない場合に、前記目標濃度を上昇させることを特徴とする上記の基板処理方法であってもよい。 Further, the present invention is characterized in that, in the target value changing step, the target concentration is increased when the substrate is not processed during a predetermined waiting time during the lifetime of the processing liquid. The above-mentioned substrate processing method may be used.

なお、上述した、課題を解決するための手段は適宜組み合わせて使用することが可能である。 The above-mentioned means for solving the problem can be used in combination as appropriate.

本発明によれば、基板処理装置または基板処理方法において、処理槽における処理液の濃度をより確実に、該処理槽において行われる処理に適した濃度に維持することができる。 According to the present invention, in the substrate processing apparatus or the substrate processing method, the concentration of the treatment liquid in the treatment tank can be more reliably maintained at a concentration suitable for the treatment performed in the treatment tank.

実施例１に係る基板処理装置の概略構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the schematic structure of the substrate processing apparatus which concerns on Example 1. FIG. 実施例１に係る基板処理装置の機能ブロック図である。It is a functional block diagram of the substrate processing apparatus which concerns on Example 1. FIG. 実施例１に係る基板処理装置の処理部における各処理槽の処理液の制御に関わる構成を示す図である。It is a figure which shows the structure which concerns the control of the processing liquid of each processing tank in the processing part of the substrate processing apparatus which concerns on Example 1. FIG. 一般的な処理槽における混酸水溶液の濃度制御の態様を示すグラフである。It is a graph which shows the mode of the concentration control of the mixed acid aqueous solution in a general treatment tank. 実施例１に係る基板処理装置の処理槽における混酸水溶液の濃度制御の態様を示すグラフである。It is a graph which shows the mode of the concentration control of the mixed acid aqueous solution in the processing tank of the substrate processing apparatus which concerns on Example 1. FIG. 実施例１に係る混酸水溶液のライフタイムにおける、下側基準値の変化の態様のグラフの例である。It is an example of the graph of the mode of the change of the lower reference value in the lifetime of the mixed acid aqueous solution which concerns on Example 1. 実施例１に係る混酸水溶液のライフタイムにおける、下側基準値の変化の態様のグラフの第２の例である。This is the second example of the graph of the mode of change of the lower reference value in the lifetime of the mixed acid aqueous solution according to Example 1. 実施例１に係る混酸水溶液のライフタイムにおける、下側基準値の変化の態様のグラフの第３の例である。It is a third example of the graph of the mode of change of the lower reference value in the lifetime of the mixed acid aqueous solution which concerns on Example 1. 実施例２に係る混酸水溶液のライフタイムにおける、下側基準値の変化の態様のグラフの例である。It is an example of the graph of the mode of the change of the lower reference value in the lifetime of the mixed acid aqueous solution which concerns on Example 2. 実施例２に係る混酸水溶液のライフタイムにおける、下側基準値の変化の態様のグラフの第２の例である。It is the second example of the graph of the mode of the change of the lower reference value in the lifetime of the mixed acid aqueous solution which concerns on Example 2. 実施例３に係る混酸水溶液のライフタイムにおける、下側基準値の変化の態様のグラフの例である。It is an example of the graph of the mode of the change of the lower reference value in the lifetime of the mixed acid aqueous solution which concerns on Example 3. 実施例３に係る混酸水溶液のライフタイムにおける、下側基準値の変化の態様のグラフの第２の例である。This is the second example of the graph of the mode of change of the lower reference value in the lifetime of the mixed acid aqueous solution according to Example 3. 実施例３に係る混酸水溶液のライフタイムにおける、下側基準値の変化の態様のグラフの第３の例である。This is the third example of the graph of the mode of change of the lower reference value in the lifetime of the mixed acid aqueous solution according to Example 3. 実施例４に係る混酸水溶液のライフタイムにおける、下側基準値の変化の態様のグラフの例である。It is an example of the graph of the mode of the change of the lower reference value in the lifetime of the mixed acid aqueous solution which concerns on Example 4. FIG. 実施例５に係る混酸水溶液のライフタイムにおける、下側基準値の変化の態様のグラフの例である。It is an example of the graph of the mode of the change of the lower reference value in the lifetime of the mixed acid aqueous solution which concerns on Example 5.

＜実施例１＞
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施例は、本願発明の一態様であり、本願発明の技術的範囲を限定するものではない。図１は実施例１に係る基板処理装置１の概略構成を示す斜視図である。この基板処理装置１は、主として基板Ｗに対してエッチング処理や洗浄処理（以下、単に"処理"ともいう）を施すものである。基板処理装置１においては、図１において右奥側に、基板Ｗをストックするバッファ部２が配置され、バッファ部２のさらに右奥側には、基板処理装置１を操作するための正面パネル（不図示）が設けられている。また、バッファ部２における正面パネルと反対側には、基板搬出入口３が設けられている。また、基板処理装置１の長手方向における、バッファ部２の反対側（図１において左手前側）から、基板Ｗに対して処理を行う処理部５、７及び９が並設されている。 <Example 1>
Hereinafter, examples of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The examples shown below are one aspect of the present invention and do not limit the technical scope of the present invention. FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment. The substrate processing apparatus 1 mainly performs an etching treatment and a cleaning treatment (hereinafter, also simply referred to as "treatment") on the substrate W. In the board processing device 1, a buffer unit 2 for stocking the board W is arranged on the right back side in FIG. 1, and a front panel for operating the board processing device 1 is further on the right back side of the buffer unit 2 ( (Not shown) is provided. Further, a substrate carry-in / out port 3 is provided on the side of the buffer portion 2 opposite to the front panel. Further, processing units 5, 7 and 9 for processing the substrate W are arranged side by side from the opposite side (left front side in FIG. 1) of the buffer unit 2 in the longitudinal direction of the substrate processing device 1.

各処理部５、７及び９は、各々二つの処理槽５ａ及び５ｂ、７ａ及び７ｂ、９ａ及び９ｂを有している。また、基板処理装置１には、複数枚の基板Ｗを各処理部５、７及び９における各処理槽の間でのみ図１中の短い矢印の方向及び範囲に対して移動させるための副搬送機構４３が備えられている。また、この副搬送機構４３は、複数枚の基板Ｗを処理槽５ａ及び５ｂ、７ａ及び７ｂ、９ａ及び９ｂに浸漬しまたは、これらの処理槽から引き上げるため、複数枚の基板Ｗを上下にも移動させる。各々の副搬送機構４３には、複数枚の基板Ｗを保持するリフタ１１、１３及び１５が設けられている。さらに基板処理装置１には、複数枚の基板Ｗを各処理部５、７及び９の各々に搬送するために、図１中の長い矢印の方向及び範囲で移動可能な主搬送機構１７が備えられている。 Each processing unit 5, 7 and 9 has two processing tanks 5a and 5b, 7a and 7b, 9a and 9b, respectively. Further, the substrate processing apparatus 1 is provided with an auxiliary transfer for moving a plurality of substrates W only between the processing tanks of the processing units 5, 7 and 9 in the direction and range of the short arrow in FIG. A mechanism 43 is provided. Further, in order to immerse the plurality of substrates W in the processing tanks 5a and 5b, 7a and 7b, 9a and 9b, or to pull up the plurality of substrates W from these processing tanks, the sub-conveyance mechanism 43 also raises and lowers the plurality of substrates W. Move. Each sub-conveying mechanism 43 is provided with lifters 11, 13 and 15 for holding a plurality of substrates W. Further, the substrate processing apparatus 1 is provided with a main transport mechanism 17 that can move in the direction and range of the long arrow in FIG. 1 in order to transport a plurality of substrates W to each of the processing units 5, 7 and 9. Has been done.

主搬送機構１７は、二本の可動式のアーム１７ａを有している。これらのアーム１７ａには、基板Ｗを載置するための複数の溝（図示省略）が設けられており、図１に示す状態で、各基板Ｗを起立姿勢（基板主面の法線が水平方向に沿う姿勢）で保持する。また、主搬送機構１７における二本のアーム１７ａは、図１中の右斜め下方向から見て、「Ｖ」の字状から逆「Ｖ」の字状に揺動することにより、各基板Ｗを開放する。そして、この動作により、基板Ｗは、主搬送機構１７とリフタ１１、１３及び１５との間で授受されることが可能となっている。 The main transport mechanism 17 has two movable arms 17a. These arms 17a are provided with a plurality of grooves (not shown) for mounting the substrate W, and in the state shown in FIG. 1, each substrate W is placed in an upright posture (the normal of the main surface of the substrate is horizontal). Hold in a posture along the direction). Further, the two arms 17a in the main transport mechanism 17 swing from a "V" shape to an inverted "V" shape when viewed from diagonally downward to the right in FIG. 1, so that each substrate W To open. Then, by this operation, the substrate W can be transferred between the main transport mechanism 17 and the lifters 11, 13 and 15.

図２には、基板処理装置１の機能ブロック図を示す。 上述した主搬送機構１７、副搬
送機構４３、処理部５、７、９は、制御部５５によって統括的に制御されている。制御部５５のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部５５は、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えている。本実施例においては、制御部５５のＣＰＵが所定のプログラムを実行することにより、基板Ｗを各処理部５、７、９に搬送し、プログラムに応じた処理を施すように各部を制御する。上記のプログラムは、記憶部５７に記憶されている。 FIG. 2 shows a functional block diagram of the substrate processing device 1. The main transport mechanism 17, the sub transport mechanism 43, and the processing units 5, 7, and 9 described above are collectively controlled by the control unit 55. The configuration of the control unit 55 as hardware is the same as that of a general computer. That is, the control unit 55 stores a CPU that performs various arithmetic processes, a ROM that is a read-only memory that stores basic programs, a RAM that is a read / write memory that stores various information, and control applications and data. It is equipped with a magnetic disk to store. In this embodiment, the CPU of the control unit 55 executes a predetermined program to convey the substrate W to the processing units 5, 7 and 9, and control each unit so as to perform processing according to the program. The above program is stored in the storage unit 57.

図３は、基板処理装置１の処理部５、７、９における各処理槽５ａ、７ａ、９ａの処理液の制御に関わる構成を示す図である。図３においては、処理部５、７、９における各処理槽５ａ、７ａ、９ａのうち、処理槽７ａを例にとって説明する。以下の処理槽７ａの処理液についての制御と同等または類似の制御が、他の処理槽５ａ及び９ａについても適用される。 FIG. 3 is a diagram showing a configuration related to control of the processing liquids of the processing tanks 5a, 7a, 9a in the processing units 5, 7, and 9 of the substrate processing apparatus 1. In FIG. 3, among the processing tanks 5a, 7a, and 9a in the processing units 5, 7, and 9, the processing tank 7a will be described as an example. The same or similar control as for the treatment liquid in the treatment tank 7a below applies to the other treatment tanks 5a and 9a.

ここで、半導体ウェハの製造工程においては、例えばシリコン等の単結晶インゴッドをその棒軸方向にスライスし、得られたものに対して面取り、ラッピング、エッチング処理、ポリッシング等の処理が順次施される。その結果、基板表面の上には異なる材料による複数の層、構造、回路が形成される。そして、処理槽７ａにおいて行われる基板Ｗのエッチング処理は、例えば、基板Ｗに残ったタングステン等のメタルを除去する目的で行われ、基板Ｗを処理液としての混酸（リン酸、硝酸、酢酸、純水）水溶液などに所定時間浸漬することにより行われる。なお、上記のエッチング処理は本発明における所定の処理の一例である。また、混酸におけるリン酸、硝酸、酢酸は、本発明における"他の所定成分"の一例である。 Here, in the semiconductor wafer manufacturing process, for example, a single crystal ingod such as silicon is sliced in the rod axis direction, and the obtained product is sequentially subjected to chamfering, wrapping, etching treatment, polishing, and the like. .. As a result, a plurality of layers, structures, and circuits made of different materials are formed on the surface of the substrate. The etching treatment of the substrate W performed in the treatment tank 7a is performed for the purpose of removing metals such as tungsten remaining on the substrate W, and the mixed acid (phosphoric acid, nitric acid, acetic acid, etc.) using the substrate W as a treatment liquid is used. It is performed by immersing in an aqueous solution (pure water) for a predetermined time. The above etching process is an example of a predetermined process in the present invention. Further, phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid in the mixed acid are examples of "other predetermined components" in the present invention.

図３において、処理槽７ａは、混酸水溶液中に基板Ｗを浸漬させる内槽５０ａおよび内槽５０ａの上部からオーバーフローした混酸水溶液を回収する外槽５０ｂによって構成される二重槽構造を有している。内槽５０ａは、混酸水溶液に対する耐食性に優れた石英またはフッ素樹脂材料にて形成された平面視矩形の箱形形状部材である。外槽５０ｂは、内槽５０ａと同様の材料にて形成されており、内槽５０ａの外周上端部を囲繞するように設けられている。 In FIG. 3, the treatment tank 7a has a double tank structure composed of an inner tank 50a for immersing the substrate W in the mixed acid aqueous solution and an outer tank 50b for recovering the mixed acid aqueous solution overflowing from the upper part of the inner tank 50a. There is. The inner tank 50a is a box-shaped member having a rectangular shape in a plan view and is made of a quartz or fluororesin material having excellent corrosion resistance to a mixed acid aqueous solution. The outer tank 50b is made of the same material as the inner tank 50a, and is provided so as to surround the upper end of the outer circumference of the inner tank 50a.

また、処理槽７ａには、前述のように、貯留された混酸水溶液に基板Ｗを浸漬させるためのリフタ１３が設けられている。リフタ１３は、起立姿勢にて相互に平行に配列された複数（例えば５０枚）の基板Ｗを３本の保持棒によって一括して保持する。リフタ１３は、副搬送機構４３によって上下左右の方向に移動可能に設けられており、保持する複数枚の基板Ｗを内槽５０ａ内の混酸水溶液中に浸漬する処理位置（図３の位置）と混酸水溶液から引き上げた受渡位置との間で昇降させるとともに、隣の処理槽７ｂへ移動させることが可能となっている。 Further, as described above, the treatment tank 7a is provided with a lifter 13 for immersing the substrate W in the stored mixed acid aqueous solution. The lifter 13 collectively holds a plurality of (for example, 50) substrates W arranged in parallel to each other in an upright posture by three holding rods. The lifter 13 is provided so as to be movable in the up, down, left, and right directions by the sub-conveying mechanism 43, and has a processing position (position in FIG. 3) for immersing a plurality of substrates W to be held in the mixed acid aqueous solution in the inner tank 50a. It is possible to move it up and down between the delivery position pulled up from the mixed acid aqueous solution and move it to the adjacent processing tank 7b.

また、基板処理装置１は、混酸水溶液を処理槽７ａに循環させる循環ライン２０を備える。循環ライン２０は、処理槽７ａから排出された混酸水溶液を濾過・加熱して再び処理槽７ａに圧送還流させる配管経路であり、具体的には処理槽７ａの外槽５０ｂと内槽５０ａとを流路接続して構成されている。また、循環ライン２０から分岐して排液ライン３０が分岐しており、混酸水溶液を処理槽７ａに戻さず排液する場合には、排液切換えバルブ２６及び、排液バルブ２７を開閉することにより、外槽５０ｂから排出された混酸水溶液をそのまま排液ライン３０を介して廃棄する。 Further, the substrate processing apparatus 1 includes a circulation line 20 for circulating the mixed acid aqueous solution in the processing tank 7a. The circulation line 20 is a piping path for filtering and heating the mixed acid aqueous solution discharged from the treatment tank 7a and pumping and refluxing the mixed acid aqueous solution back to the treatment tank 7a. Specifically, the outer tank 50b and the inner tank 50a of the treatment tank 7a are connected to each other. It is configured by connecting the flow paths. Further, when the drainage line 30 is branched from the circulation line 20 and the mixed acid aqueous solution is drained without returning to the treatment tank 7a, the drainage switching valve 26 and the drainage valve 27 are opened and closed. As a result, the mixed acid aqueous solution discharged from the outer tank 50b is discarded as it is through the drainage line 30.

循環ライン２０の経路途中には、バルブ類以外では、上流側から循環ポンプ２１、温調器２２、フィルタ２３及び、検出部としての濃度計２４が設けられている。循環ポンプ２１は、循環ライン２０を介して混酸水溶液を外槽５０ｂから吸い込むとともに内槽５０ａに向けて圧送する。温調器２２は、循環ライン２０を流れる混酸水溶液を所定の処理温度にまで再加熱する。なお、処理槽７ａにも図示省略のヒータが設けられており、処理槽７ａに貯留されている混酸水溶液も所定の処理温度を維持するように加熱されている。フィルタ２３は、循環ライン２０を流れる混酸水溶液中の異物を取り除くための濾過フィルタである。 In the middle of the path of the circulation line 20, a circulation pump 21, a temperature controller 22, a filter 23, and a densitometer 24 as a detection unit are provided from the upstream side in addition to the valves. The circulation pump 21 sucks the mixed acid aqueous solution from the outer tank 50b and pumps it toward the inner tank 50a via the circulation line 20. The temperature controller 22 reheats the mixed acid aqueous solution flowing through the circulation line 20 to a predetermined treatment temperature. The treatment tank 7a is also provided with a heater (not shown), and the mixed acid aqueous solution stored in the treatment tank 7a is also heated so as to maintain a predetermined treatment temperature. The filter 23 is a filtration filter for removing foreign substances in the mixed acid aqueous solution flowing through the circulation line 20.

また、濃度計２４は、循環ライン２０によって内槽５０ａに回収される混酸水溶液の成
分のうち、純水濃度を測定する。この濃度計２４によって測定される純水濃度が最適値となるように、処理槽７ａ内の混酸濃度が制御されている。ここで、濃度計２４によって純水濃度が測定される処理は本実発明における濃度検出工程に相当する。また、処理槽７ａ内の混酸濃度が制御される処理は制御部５５によって行われるがこの際の制御部５５は濃度制御部に相当し、処理自体は本発明における濃度制御工程に相当する。より具体的には、制御部５５は、図３に示すように、処理槽内の混酸溶液の全液交換制御や、混酸水溶液の濃度のフィードバック制御等に係る処理の他、後述するように、混酸水溶液の濃度の目標値（下側基準値）の変更制御に関わる処理を行う。 Further, the densitometer 24 measures the concentration of pure water among the components of the mixed acid aqueous solution recovered in the inner tank 50a by the circulation line 20. The mixed acid concentration in the treatment tank 7a is controlled so that the pure water concentration measured by the densitometer 24 becomes an optimum value. Here, the process of measuring the pure water concentration by the densitometer 24 corresponds to the concentration detection step in the present invention. Further, the process of controlling the mixed acid concentration in the treatment tank 7a is performed by the control unit 55, and the control unit 55 at this time corresponds to the concentration control unit, and the process itself corresponds to the concentration control step in the present invention. More specifically, as shown in FIG. 3, the control unit 55 performs processing related to total liquid exchange control of the mixed acid solution in the treatment tank, feedback control of the concentration of the mixed acid aqueous solution, and the like, as described later. Performs processing related to change control of the target value (lower reference value) of the concentration of the mixed acid aqueous solution.

次に、上記構成を有する基板処理装置１の作用についてより詳細に説明する。まず、処理槽７ａに貯留されている混酸水溶液中に基板Ｗが浸漬されているか否かに関わらず、循環ポンプ２１は常時一定流量にて混酸水溶液を圧送している。循環ライン２０によって処理槽７ａに還流された混酸水溶液は内槽５０ａの底部から供給される。これによって、内槽５０ａの内部には底部から上方へと向かう混酸水溶液のアップフローが生じる。底部から供給された混酸水溶液はやがて内槽５０ａの上端部から溢れ出て外槽５０ｂに流入する。外槽５０ｂに流れ込んだ混酸水溶液は外槽５０ｂから循環ライン２０を介して循環ポンプ２１に送られ、再び処理槽７ａに圧送還流されるという循環プロセスが継続して行われる。 Next, the operation of the substrate processing apparatus 1 having the above configuration will be described in more detail. First, regardless of whether or not the substrate W is immersed in the mixed acid aqueous solution stored in the treatment tank 7a, the circulation pump 21 constantly pumps the mixed acid aqueous solution at a constant flow rate. The mixed acid aqueous solution refluxed to the treatment tank 7a by the circulation line 20 is supplied from the bottom of the inner tank 50a. As a result, an upflow of the mixed acid aqueous solution is generated inside the inner tank 50a from the bottom to the upper side. The mixed acid aqueous solution supplied from the bottom eventually overflows from the upper end of the inner tank 50a and flows into the outer tank 50b. The mixed acid aqueous solution that has flowed into the outer tank 50b is sent from the outer tank 50b to the circulation pump 21 via the circulation line 20, and is pumped back to the treatment tank 7a again, so that the circulation process is continuously performed.

このような循環ライン２０による混酸水溶液の循環プロセスを実行しつつ、受渡位置にて複数の基板Ｗを受け取ったリフタ１３が処理位置まで降下して内槽５０ａ内に貯留された混酸水溶液中に基板Ｗを浸漬させる。これにより、所定時間の処理が行われ、処理が終了した後、リフタ１３が再び受渡位置にまで上昇して基板Ｗを混酸水溶液から引き上げる。その後、リフタ１３は水平移動及び降下して基板Ｗを隣の処理槽７ｂに浸漬させ、水洗処理が実施される。 While executing the circulation process of the mixed acid aqueous solution by the circulation line 20, the lifter 13 that received the plurality of substrates W at the delivery position descends to the processing position and the substrate is contained in the mixed acid aqueous solution stored in the inner tank 50a. Immerse W. As a result, the treatment for a predetermined time is performed, and after the treatment is completed, the lifter 13 rises to the delivery position again and pulls the substrate W out of the mixed acid aqueous solution. After that, the lifter 13 moves horizontally and descends to immerse the substrate W in the adjacent treatment tank 7b, and the washing treatment is performed.

上記の他、基板処理装置１には、処理槽７ａの混酸水溶液の濃度を制御するための濃度制御装置４０が備えられている。この濃度制御装置４０は、薬液供給源４１と、薬液供給源４１と処理槽７ａとを結ぶ薬液ライン４２と、純水供給源４６と、純水供給源４６と処理槽７ａとを結ぶ純水ライン４７とを有する。 In addition to the above, the substrate processing device 1 is provided with a concentration control device 40 for controlling the concentration of the mixed acid aqueous solution in the processing tank 7a. The concentration control device 40 includes a chemical solution line 42 connecting the chemical solution supply source 41, the chemical solution supply source 41 and the treatment tank 7a, a pure water supply source 46, and pure water connecting the pure water supply source 46 and the treatment tank 7a. It has a line 47 and.

ここで、図示は省略するが、薬液供給源４１には、混酸を構成するリン酸、硝酸、酢酸の各々を供給する供給源が独立に設けられており、薬液ライン４２には、リン酸、硝酸、酢酸の各々を処理槽７ａに導くラインが独立に設けられている。処理液を最初に生成するときは、供給速度が必要となるので太い配管から内槽５０ａに向けて処理液が投入されるが、処理液を補充するときは外槽５０ｂに向けて補充され場合がある。薬液ライン４２の各々のラインには、通過する薬液（リン酸、硝酸、酢酸）の流量を各々測定可能な薬液流量計４４と、リン酸、硝酸、酢酸の各々の流量を調整可能な薬液補充バルブ４５が備えられている。一方、純水ライン４７には、純水ライン４７を通過する純水の流量を測定する純水流量計４８と、純水の流量を調整する純水補充バルブ４９が備えられている。また、前述の制御部５５が濃度計２４の測定結果に基づいて薬液補充バルブ４５及び、純水補充バルブ４９を制御し、処理槽７ａ内の混酸水溶液の濃度を、処理に最適な濃度となるよう制御する。 Although not shown here, the chemical solution supply source 41 is provided with independent supply sources for supplying each of phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid constituting the mixed acid, and the chemical solution line 42 is provided with phosphoric acid. Lines for guiding each of nitric acid and acetic acid to the treatment tank 7a are independently provided. When the treatment liquid is first generated, the supply speed is required, so the treatment liquid is charged from the thick pipe toward the inner tank 50a, but when the treatment liquid is replenished, it is replenished toward the outer tank 50b. There is. Each line of the chemical solution line 42 has a chemical solution flow meter 44 capable of measuring the flow rate of the passing chemical solution (phosphoric acid, nitric acid, acetic acid), and a chemical solution replenishment capable of adjusting the flow rate of each of the phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid. A valve 45 is provided. On the other hand, the pure water line 47 is provided with a pure water flow meter 48 for measuring the flow rate of pure water passing through the pure water line 47 and a pure water replenishment valve 49 for adjusting the flow rate of pure water. Further, the control unit 55 described above controls the chemical solution replenishment valve 45 and the pure water replenishment valve 49 based on the measurement result of the concentration meter 24, and the concentration of the mixed acid aqueous solution in the treatment tank 7a becomes the optimum concentration for the treatment. To control.

図４は、上記した処理槽７ａにおける混酸水溶液の従来の濃度制御の態様を示すグラフである。より具体的には、内槽５０ａにおける混酸水溶液の濃度（純水濃度）の変化を示している。ここで横軸は時間、縦軸は混酸中の純粋濃度（Ｗ％）を示している。図４のグラフにおいて、下部のパルス状の表示Ａは、内槽５０ａに純水が供給されるタイミングを示している。また、上部における折れ線Ｂが純水濃度の変化を示している。 FIG. 4 is a graph showing a conventional mode of concentration control of the mixed acid aqueous solution in the treatment tank 7a described above. More specifically, it shows the change in the concentration (pure water concentration) of the mixed acid aqueous solution in the inner tank 50a. Here, the horizontal axis represents time, and the vertical axis represents the pure concentration (W%) in the mixed acid. In the graph of FIG. 4, the pulse-shaped display A at the bottom indicates the timing at which pure water is supplied to the inner tank 50a. Further, the polygonal line B at the upper part indicates the change in the pure water concentration.

図４では、時点ｔ１において、混酸水溶液の全液交換が行われている。そして、時点ｔ２において再度混酸水溶液の全液交換が行われている。時点ｔ１と時点ｔ２の間隔は、例えば５〜１０時間程度であってもよい。これは、時点ｔ１から時点ｔ２の間に基板Ｗのエッチング処理が繰り返され、混酸水溶液内に基板Ｗから溶出した金属イオンの濃度が上昇するため、エッチング処理の品質に影響が及ぶ前に混酸水溶液を全部交換するものである。この全液交換の間の期間が、基板処理装置１における混酸水溶液のライフタイムと考えることができる。また、全液交換は制御部５５によって実行されるが、この際の制御部５５は処理液交換部に相当し、この制御は処理液交換工程に相当する。 In FIG. 4, the whole liquid exchange of the mixed acid aqueous solution is performed at the time point t1. Then, at the time point t2, the whole liquid exchange of the mixed acid aqueous solution is performed again. The interval between the time point t1 and the time point t2 may be, for example, about 5 to 10 hours. This is because the etching process of the substrate W is repeated between the time point t1 and the time point t2, and the concentration of the metal ions eluted from the substrate W increases in the mixed acid aqueous solution, so that the mixed acid aqueous solution does not affect the quality of the etching process. Is to replace all of them. The period between the total liquid exchanges can be considered as the lifetime of the mixed acid aqueous solution in the substrate processing apparatus 1. Further, the total liquid exchange is executed by the control unit 55, and the control unit 55 at this time corresponds to the processing liquid exchange unit, and this control corresponds to the processing liquid exchange step.

ここで、図４のグラフ上部における水平の破線は、純水濃度の下側基準値を示している。すなわち、処理槽７ａにおいて水分が時間とともに蒸発し、純水濃度が低下し、下側基準値に達した場合には適量（例えば、１００ｍｌ）の純水を供給し、純水濃度を上昇させ、このような制御を繰り返す。この制御により、処理槽７ａにおける混酸水溶液の濃度が下側基準値以上に維持される。また、一回で供給する純水量を規定しているため、純水濃度が許容範囲内より高くなることもない。 Here, the horizontal broken line at the upper part of the graph in FIG. 4 indicates the lower reference value of the pure water concentration. That is, when the water content evaporates with time in the treatment tank 7a and the pure water concentration decreases and reaches the lower reference value, an appropriate amount (for example, 100 ml) of pure water is supplied to increase the pure water concentration. Such control is repeated. By this control, the concentration of the mixed acid aqueous solution in the treatment tank 7a is maintained above the lower reference value. Further, since the amount of pure water supplied at one time is specified, the pure water concentration does not become higher than the allowable range.

なお、図４においては、混酸水溶液の全液交換のタイミングで、混酸水溶液における純水濃度が一旦、下側基準値より大きく低下しているが、その後、パルス表示Ａの間隔がライフタイムにおける他の期間と比較して短いことからも分かるように、純水の供給が短い間隔で繰り返され、比較的短期間に純水濃度が下側基準値以上に復帰している。これは、全液交換の際には、混酸水溶液における純水濃度が変動し易いので、一旦、純水濃度が目標値より低い状態とし、純水を頻繁に供給することで純水濃度を安定させようとする制御で、混酸水溶液を供給することで濃度制御するよりも制御が容易であるという理由から採用されている。 In FIG. 4, the concentration of pure water in the mixed acid aqueous solution once drops significantly from the lower reference value at the timing of total liquid exchange of the mixed acid aqueous solution, but after that, the interval of the pulse display A is other than that in the lifetime. As can be seen from the fact that the period is shorter than that of the above period, the supply of pure water is repeated at short intervals, and the pure water concentration returns to the lower reference value or higher in a relatively short period of time. This is because the pure water concentration in the mixed acid aqueous solution tends to fluctuate when the whole liquid is replaced, so once the pure water concentration is set to a state lower than the target value, the pure water concentration is stabilized by frequently supplying pure water. This control is adopted because it is easier to control than controlling the concentration by supplying a mixed acid aqueous solution.

ここで、図４に示すように、混酸水溶液の濃度を一定に維持した場合には、混酸水溶液のライフタイムの中においても、時間の経過とともに、徐々に基板Ｗのエッチングレートが低下するという現象が見られる。これは、基板Ｗの処理中に基板Ｗから溶出した金属イオンの濃度が高くなり、これが濃度計２４の測定精度を悪化させ、見かけ上の純水濃度と実際の純水濃度の間に乖離が生じたことにより起こると考えられる。 Here, as shown in FIG. 4, when the concentration of the mixed acid aqueous solution is maintained constant, the etching rate of the substrate W gradually decreases with the passage of time even during the lifetime of the mixed acid aqueous solution. Can be seen. This is because the concentration of metal ions eluted from the substrate W during the processing of the substrate W increases, which deteriorates the measurement accuracy of the densitometer 24, and there is a discrepancy between the apparent pure water concentration and the actual pure water concentration. It is thought that it is caused by what happened.

また、混酸は、リン酸＋硝酸＋酢酸＋純水という、複数の成分を混合することで形成されており、リン酸のように蒸発しづらい酸と、硝酸、酢酸のように蒸発し易い酸とを含んでいるので、硝酸及び酢酸の蒸発分による純水濃度の低下が発生し、見かけ上純水濃度が適正値に維持されていても、実際の純水濃度が低くなることの影響もあると考えられる。 The mixed acid is formed by mixing a plurality of components such as phosphoric acid + nitric acid + acetic acid + pure water, and an acid that is difficult to evaporate like phosphoric acid and an acid that easily evaporates like nitric acid and acetic acid. Because it contains, the pure water concentration decreases due to the evaporation of nitric acid and acetic acid, and even if the pure water concentration is apparently maintained at an appropriate value, the actual pure water concentration is also affected. It is believed that there is.

これに対し、本実施例においては、図５に示すように、混酸水溶液のライフタイムの中で時間の経過とともに、混酸水溶液の濃度制御における下側基準値の値を変化させることにした。これにより、見かけ上の純水濃度と真の純水濃度との乖離をキャンセルし、実質的に処理槽７ａ内の混酸水溶液の濃度を適切な値に維持可能とした。図５の例では、純水濃度の下側基準値を、混酸水溶液のライフタイムの間に、例えば、１５（Ｗ％）から１６（Ｗ％）まで増加させる。ここで純水濃度の下側基準値を増加させる処理は制御部５５によって実行されるが、その際の制御部５５は目標値変更部を構成する。また、純水濃度の下側基準値を増加させる処理は本発明の目標値変更工程に相当する。さらに、下側基準値は本発明における目標濃度に相当する。 On the other hand, in this example, as shown in FIG. 5, it was decided to change the value of the lower reference value in the concentration control of the mixed acid aqueous solution with the passage of time in the lifetime of the mixed acid aqueous solution. As a result, the dissociation between the apparent pure water concentration and the true pure water concentration was canceled, and the concentration of the mixed acid aqueous solution in the treatment tank 7a could be substantially maintained at an appropriate value. In the example of FIG. 5, the lower reference value of the pure water concentration is increased, for example, from 15 (W%) to 16 (W%) during the lifetime of the mixed acid aqueous solution. Here, the process of increasing the lower reference value of the pure water concentration is executed by the control unit 55, and the control unit 55 at that time constitutes a target value changing unit. Further, the process of increasing the lower reference value of the pure water concentration corresponds to the target value changing step of the present invention. Further, the lower reference value corresponds to the target concentration in the present invention.

上記において目標変更部としての制御部５５は、データテーブルに基づいて、下側基準値を変更してもよい。より具体的には、予め定められた変化プロファイルに沿った変化がなされるようなデータをテーブルとして格納しておいてもよい。この変化プロファイルは、時間（例えば、ライフタイムの始期ｔ１からの経過時間）との関係において下側基準値
の変化を定義してもよい。上記のデータテーブルは、記憶部５７に保存されていてもよいし、外部メモリに保存されていてもよい。また、この変化プロファイルに対応するデータテーブルは、操作者によって入力されてもよいし、予め複数の変化プロファイルに対応するデータテーブルが準備されており、操作者が適宜選択するようにしてもよい。操作者による入力や選択は、基板処理装置１の正面パネルからなされるようにしてもよいし、外部コンピュータやモバイル端末から通信により入力されるようにしてもよい。 In the above, the control unit 55 as the target change unit may change the lower reference value based on the data table. More specifically, data that changes according to a predetermined change profile may be stored as a table. This change profile may define a change in the lower reference value in relation to time (eg, the elapsed time from the beginning t1 of the lifetime). The above data table may be stored in the storage unit 57 or may be stored in the external memory. Further, the data table corresponding to this change profile may be input by the operator, or the data table corresponding to a plurality of change profiles may be prepared in advance and may be appropriately selected by the operator. The input and selection by the operator may be made from the front panel of the board processing device 1, or may be input by communication from an external computer or a mobile terminal.

また、目標変更部としての制御部５５は、予め定められた条件が満たされるタイミングで、下側基準値を変更してもよい。上記の条件とは、例えば、基板Ｗの処理が行われるタイミングであること、処理槽７ａに純水が供給されたタイミングであること、処理済の基板Ｗの数が、所定数に達したタイミングであること、等であってもよい。また、上記の条件とは操作者によって下側基準値の変更が許可されたタイミングであることであってもよい。この場合には、装置による下側基準値を変更する旨の通知に対し、操作者がマニュアルで許可指示を出すことで下側基準値が変更されることになる。 Further, the control unit 55 as the target changing unit may change the lower reference value at the timing when a predetermined condition is satisfied. The above conditions are, for example, the timing at which the substrate W is processed, the timing at which pure water is supplied to the processing tank 7a, and the timing at which the number of processed substrates W reaches a predetermined number. And so on. Further, the above condition may be the timing when the operator is permitted to change the lower reference value. In this case, the lower reference value is changed when the operator manually issues a permission instruction in response to the notification from the device that the lower reference value is changed.

図６には、純水濃度の下側基準値を、混酸水溶液のライフタイムである時点ｔ１から時点ｔ２の間に、一定割合で増加させた（例えば、１５％から１６％など）場合の、下側基準値の変化の態様の例を示す。図６の例では、混酸水溶液のライフタイムをｎ段階に等間隔に区分けし、ｎ回に亘り一定のインターバルで下側基準値の値を一定量ずつ増加させている。こうすることで、混酸水溶液の濃度制御の目標値を直線的に増加させることができ、安定的に混酸水溶液の濃度を最適化することが可能となる。なお、図６において下側基準値の変化を示すラインは、本発明における変更プロファイルに相当する。このことは以下に示す各図における下側基準値の変化のラインについても同じである。 In FIG. 6, the lower reference value of the pure water concentration is increased at a constant rate between the time point t1 and the time point t2, which is the lifetime of the mixed acid aqueous solution (for example, 15% to 16%). An example of the mode of change of the lower reference value is shown. In the example of FIG. 6, the lifetime of the mixed acid aqueous solution is divided into n steps at equal intervals, and the value of the lower reference value is increased by a fixed amount at regular intervals over n times. By doing so, the target value for controlling the concentration of the mixed acid aqueous solution can be linearly increased, and the concentration of the mixed acid aqueous solution can be stably optimized. The line showing the change in the lower reference value in FIG. 6 corresponds to the change profile in the present invention. This also applies to the line of change in the lower reference value in each of the figures shown below.

なお、本実施例においては、図７に示すように、下側基準値に上限値を定めてもよい。図７（ａ）及び図７（ｂ）では、下側基準値が基準値変動上限値（Ｗ％）に達した後は、下側基準値の増加を停止している。これによれば、混酸水溶液のライフタイムと、下側基準値の増加インターバルをどのように定めた場合でも、純水濃度の目標値が過剰に高くなってしまうことを防止できる。また、本実施例においては、図７（ｂ）に示したように、混酸水溶液の全液交換した後に、所定の開始遅延時間を設けてもよい。すなわち、混酸水溶液の全液交換後に、直ちに下側基準値を増加させ始める必要はなく、基板Ｗから溶出した金属イオン濃度が高くなってきたり、硝酸や酢酸の蒸発量が多くなってきたりしてから、下側基準値の増加を開始してもよい。これによれば、より高い自由度で、下側基準値を変化させることが可能である。 In this embodiment, as shown in FIG. 7, an upper limit value may be set as the lower reference value. In FIGS. 7 (a) and 7 (b), after the lower reference value reaches the reference value fluctuation upper limit value (W%), the increase of the lower reference value is stopped. According to this, no matter how the lifetime of the mixed acid aqueous solution and the increase interval of the lower reference value are set, it is possible to prevent the target value of the pure water concentration from becoming excessively high. Further, in this embodiment, as shown in FIG. 7B, a predetermined start delay time may be provided after the total exchange of the mixed acid aqueous solution. That is, it is not necessary to start increasing the lower reference value immediately after exchanging the whole mixed acid aqueous solution, and the concentration of metal ions eluted from the substrate W increases or the amount of evaporation of nitric acid or acetic acid increases. From, the lower reference value may be started to increase. According to this, it is possible to change the lower reference value with a higher degree of freedom.

また、本実施例においては、混酸水溶液のライフタイム中に、必ずしも等間隔で濃度制御の下側基準値を増加させる必要はない。図８には、純水濃度の下側基準値を、混酸水溶液のライフタイムの一例である７２０分の間に例えば１５（Ｗ％）から１６（Ｗ％）まで増加させた場合の、下側基準値の変化の態様の例を示す。図８の例では、初回変動開始遅延時間６０分（３６００秒）の経過後、濃度制御の下側基準値を変化させるインターバル時間を９０分（５４００秒）⇒６０分（３６００秒）⇒３０分（１８００秒）と変更し、その後、濃度制御の下側基準値の変化を一旦停止し（インターバル時間３０分（１８００秒）⇒０分（０秒））、さらに、インターバル時間を０分（０秒）⇒６０分（３６００秒）に変化させている。 Further, in this embodiment, it is not always necessary to increase the lower reference value of the concentration control at equal intervals during the lifetime of the mixed acid aqueous solution. FIG. 8 shows the lower reference value when the lower reference value of the pure water concentration is increased from, for example, 15 (W%) to 16 (W%) during 720 minutes, which is an example of the lifetime of the mixed acid aqueous solution. An example of the mode of changing the reference value is shown. In the example of FIG. 8, after the initial fluctuation start delay time of 60 minutes (3600 seconds) elapses, the interval time for changing the lower reference value of the concentration control is 90 minutes (5400 seconds) ⇒ 60 minutes (3600 seconds) ⇒ 30 minutes. Change to (1800 seconds), then temporarily stop the change of the lower reference value of the concentration control (interval time 30 minutes (1800 seconds) ⇒ 0 minutes (0 seconds)), and further set the interval time to 0 minutes (0 seconds). Seconds) ⇒ 60 minutes (3600 seconds).

このように、混酸水溶液のライフタイムの中で、インターバル時間を自由に変更することが可能である。また、混酸水溶液のライフタイムの中で、混酸水溶液中に蓄積された金属イオン濃度が一定値以上に高くなり濃度計の測定精度への影響が顕著に表れるような場合には、混酸水溶液のライフタイムの一例である７２０分の中で、インターバル時間を徐々に短くする等の変化をさせてもよい。 In this way, the interval time can be freely changed within the lifetime of the mixed acid aqueous solution. In addition, when the concentration of metal ions accumulated in the mixed acid aqueous solution becomes higher than a certain value during the lifetime of the mixed acid aqueous solution and the effect on the measurement accuracy of the densitometer becomes significant, the life of the mixed acid aqueous solution is reached. Within 720 minutes, which is an example of the time, changes such as gradually shortening the interval time may be made.

＜実施例２＞
次に、本発明の実施例２について説明する。実施例１においては、混酸水溶液の濃度制御の下側基準値の増加を、変化量は一定とし変化時間に基づいて制御したのに対し、本発明の実施例２においては、混酸水溶液の濃度制御の下側基準値を、その変化幅を変動させつつ制御する点で異なる。 <Example 2>
Next, Example 2 of the present invention will be described. In Example 1, the increase in the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution was controlled based on the change time with the amount of change being constant, whereas in Example 2 of the present invention, the concentration of the mixed acid aqueous solution was controlled. It differs in that the lower reference value is controlled while varying its range of change.

図９においては、初回変動開始遅延時間６０分（３６００秒）の経過後、濃度制御の下側基準値を変化させるインターバル時間を９０分（５４００秒）とし、最初の２回のインターバルに関してはインターバル毎にＤ（Ｗ％）の増加幅（オフセット）とし３度目と４度目のインターバル経過時においては２＊Ｄ（Ｗ％）の増加幅（オフセット）とし、その後、濃度制御の下側基準値の変化を一旦停止し（増加幅（オフセット）＝０）、さらに、Ｄ（Ｗ％）の増加幅（オフセット）に変化させている。 In FIG. 9, after the initial fluctuation start delay time of 60 minutes (3600 seconds) elapses, the interval time for changing the lower reference value of the concentration control is 90 minutes (5400 seconds), and the first two intervals are intervals. The increase range (offset) of D (W%) is set for each time, and the increase range (offset) of 2 * D (W%) is set when the third and fourth intervals elapse, and then the lower reference value of the concentration control is set. The change is temporarily stopped (increase width (offset) = 0), and further changed to the increase width (offset) of D (W%).

また、本実施例においては、濃度制御の下側基準値の増加幅の変化量は一定にしてもよいし、図１０に示すように、インターバルの間の時間に、過去の増加幅の合計値を増加幅として、濃度制御の下側基準値を増加させても構わない。図１０においては、初回変動開始遅延時間６０分（３６００秒）の経過後、濃度制御の下側基準値を変化させるインターバル時間を９０分（５４００秒）とし、基本的にはインターバル毎にＤ（Ｗ％）の増加幅（オフセット）とし、所定のインターバルの間のタイミングで、過去の増加幅の合計値を増加幅として、濃度制御の下側基準値を増加させている。このタイミングは、予めプログラムによって決定するようにしてもよいし、使用者がマニュアルで増加させるようにしてもよい。 Further, in this embodiment, the amount of change in the increase width of the lower reference value of the concentration control may be constant, and as shown in FIG. 10, the total value of the past increase widths during the time between intervals. May be used as the increase range to increase the lower reference value of the concentration control. In FIG. 10, after the initial fluctuation start delay time of 60 minutes (3600 seconds) elapses, the interval time for changing the lower reference value of the concentration control is 90 minutes (5400 seconds), and basically D (5400 seconds) is set for each interval. The increase width (offset) of W%) is set, and the lower reference value of the concentration control is increased by setting the total value of the past increase widths as the increase width at the timing between predetermined intervals. This timing may be determined in advance by a program, or may be manually increased by the user.

＜実施例３＞
次に、本発明の実施例３について説明する。実施例３においては、混酸水溶液の濃度制御の下側基準値の増加を、基板Ｗの処理量と関連付けて制御する例について説明する。 <Example 3>
Next, Example 3 of the present invention will be described. In Example 3, an example in which the increase in the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is controlled in association with the processing amount of the substrate W will be described.

本実施例においては、例えば、図１１に示すように、混酸水溶液の濃度制御の下側基準値を、純水の補充タイミングの度に増加させるようにしてもよい。図１１において、縦軸は純水濃度制御の下側基準値（Ｗ％）、横軸は時間を示す。また、グラフ下部のパルス状の表示は、純水の補充タイミングである。ここで、処理槽７ａで基板Ｗの処理が行われた直後には純水が補充されることが多く、処理槽７ａで基板Ｗの処理が行われるタイミングと、純水が補充されるタイミングの間には高い相関が見られる。 In this embodiment, for example, as shown in FIG. 11, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution may be increased at each replenishment timing of pure water. In FIG. 11, the vertical axis represents the lower reference value (W%) of pure water concentration control, and the horizontal axis represents time. The pulsed display at the bottom of the graph is the timing of replenishment of pure water. Here, pure water is often replenished immediately after the substrate W is treated in the treatment tank 7a, and the timing at which the substrate W is treated in the treatment tank 7a and the timing at which the pure water is replenished are determined. There is a high correlation between them.

よって、図１１に示したように、混酸水溶液の濃度制御の下側基準値を、純水の補充タイミングの度に増加させるようにすれば、処理槽７ａにおいて基板Ｗの処理が行われる事と、高い相関をもって、下側基準値を増加させることができる。これによれば、混酸水溶液の純水濃度をより容易に、適切な値に維持することが可能となる。 Therefore, as shown in FIG. 11, if the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is increased at each replenishment timing of pure water, the substrate W is treated in the treatment tank 7a. , The lower reference value can be increased with a high correlation. According to this, it becomes possible to more easily maintain the pure water concentration of the mixed acid aqueous solution at an appropriate value.

また、本実施例においては、図１２に示すように、混酸水溶液の濃度制御の下側基準値を、基板Ｗの処理（バッチ処理）が行われる度に、増加させるようにしてもよい。ここで、処理槽７ａで基板Ｗの処理が行われた後には混酸水溶液中に蓄積される金属イオン量が増加する傾向がある。よって、図１２に示したように、混酸水溶液の濃度制御の下側基準値を、基板Ｗの処理（バッチ処理）が行われる度に増加させるようにすれば、混酸水溶液中に蓄積される金属イオン量が増加するタイミングに合わせて、混酸水溶液の濃度制御の下側基準値を増加させ、より純水の供給がされ易くなる制御を行うことができる。その結果、混酸水溶液の純水濃度をより確実に、適切な値に維持することが可能となる。 Further, in this embodiment, as shown in FIG. 12, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution may be increased each time the substrate W is processed (batch processing). Here, after the substrate W is treated in the treatment tank 7a, the amount of metal ions accumulated in the mixed acid aqueous solution tends to increase. Therefore, as shown in FIG. 12, if the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is increased each time the substrate W is processed (batch processing), the metal accumulated in the mixed acid aqueous solution is accumulated. It is possible to increase the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution in accordance with the timing when the amount of ions increases, so that the pure water can be more easily supplied. As a result, the pure water concentration of the mixed acid aqueous solution can be more reliably maintained at an appropriate value.

なお、本実施例においては、基板Ｗの処理（バッチ処理）が行われる度に、混酸水溶液
の濃度制御の下側基準値を増加させるインターバルを短くしたり、基板Ｗの処理（バッチ処理）が行われる度に、混酸水溶液の濃度制御の下側基準値を増加させる際の増加幅を大きくする等の制御を行っても構わない。 In this embodiment, each time the substrate W is processed (batch process), the interval for increasing the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is shortened, or the substrate W is processed (batch process). Each time it is performed, control such as increasing the increase range when increasing the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution may be performed.

その他、本実施例においては、例えば、図１３に示すように、混酸水溶液の濃度制御の下側基準値を、処理槽７ａにおいて処理された基板Ｗの枚数に応じて、増加させても構わない。図１３において、横軸は時間であり、縦軸は下側基準値と基板Ｗの処理枚数とを示している。図中破線で示すラインは基板Ｗの処理枚数を示しており、図中実線で示すラインは下側基準値を示している。そして、図１３においては、処理槽７ａにおいて処理された基板Ｗの枚数が所定枚数（例えば、５０枚）増加する度に、混酸水溶液の濃度制御の下側基準値を増加させている。 In addition, in this embodiment, for example, as shown in FIG. 13, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution may be increased according to the number of substrates W treated in the treatment tank 7a. .. In FIG. 13, the horizontal axis represents time, and the vertical axis represents the lower reference value and the number of processed substrates W. The line shown by the broken line in the figure shows the number of processed substrates W, and the line shown by the solid line in the figure shows the lower reference value. Then, in FIG. 13, every time the number of substrates W processed in the processing tank 7a increases by a predetermined number (for example, 50), the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is increased.

これによれば、処理された基板Ｗの数が例えば５０枚増加することによって、混酸水溶液中に蓄積される金属イオン量が増加する事に、より直接的に対応することが可能となる。すなわち、混酸水溶液中に蓄積される金属イオン量は、処理された基板Ｗの数との相関が非常に高いと考えられるので、より確実に、混酸水溶液中に蓄積される金属イオンの増加による、見かけ上の純水濃度と実際の純水濃度の乖離に対応することができる。また、基板Ｗの処理（バッチ処理）毎に処理する半導体ウェハの枚数が異なっていたとしても、より精度よく、各時点において処理に最適な純水濃度の混酸水溶液を得ることが可能である。 According to this, it is possible to more directly cope with the increase in the amount of metal ions accumulated in the mixed acid aqueous solution by increasing the number of the treated substrates W, for example, by 50. That is, the amount of metal ions accumulated in the mixed acid aqueous solution is considered to have a very high correlation with the number of treated substrates W, so that the increase in metal ions accumulated in the mixed acid aqueous solution is more reliable. It is possible to deal with the discrepancy between the apparent pure water concentration and the actual pure water concentration. Further, even if the number of semiconductor wafers to be processed is different for each processing (batch processing) of the substrate W, it is possible to obtain a mixed acid aqueous solution having a pure water concentration optimal for processing at each time point with higher accuracy.

＜実施例４＞
次に、本発明の実施例４について説明する。実施例４においては、混酸水溶液の濃度制御の下側基準値の増加を、基板Ｗの処理量と関連付けて制御する例であって、混酸水溶液の濃度制御の下側基準値を、処理槽におけるエッチング量の累積値に応じて、増加させる例について説明する。 <Example 4>
Next, Example 4 of the present invention will be described. In Example 4, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is controlled in association with the processing amount of the substrate W, and the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is set in the treatment tank. An example of increasing the etching amount according to the cumulative value of the etching amount will be described.

ここで、基板Ｗの種類によって一回の処理におけるエッチング量が異なり、同じ枚数を処理した場合であっても、基板Ｗの種類によって混酸水溶液の濃度変化が異なることが分かっている。よって、本実施例においては、基板Ｗの種類に応じて基板Ｗを１枚処理する毎のエッチング量について重み係数によって重み付けをしておく。そして、各基板Ｗの重み係数と処理枚数とに基づいてエッチング量の累積値を算出し、エッチング量の累積値が所定量に達する毎に混酸水溶液の濃度制御の下側基準値を増加させることにした。 Here, it is known that the etching amount in one treatment differs depending on the type of the substrate W, and the concentration change of the mixed acid aqueous solution differs depending on the type of the substrate W even when the same number of sheets is processed. Therefore, in this embodiment, the etching amount for each processing of one substrate W is weighted by a weighting coefficient according to the type of the substrate W. Then, the cumulative value of the etching amount is calculated based on the weighting coefficient of each substrate W and the number of processed sheets, and the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is increased each time the cumulative value of the etching amount reaches a predetermined amount. I made it.

図１４には、本実施例において３種類の基板Ｗを処理した場合のエッチング量の累積値と、それに応じた混酸水溶液の濃度制御の下側基準値の変化の例を示す。図１４に示すように、本実施例においては、Ａ、Ｂ、Ｃの３種類の基板Ｗについてバッチ処理を行う。そして、Ａ、Ｂ、Ｃ各々の基板Ｗにおけるエッチング量の重み係数は１０、２、３０としている。また、本実施例では各基板Ｗに対して処理枚数×重み係数を計算し、それを全ての基板について合算することでエッチング量の累積値を算出する。そして、各基板Ｗの１回の処理における処理枚数をｎとした場合に、エッチング量の累積値が１２ｎに達する毎に混酸水溶液の濃度制御の下側基準値を１段階増加させることとした。 FIG. 14 shows an example of the cumulative value of the etching amount when the three types of substrates W are treated in this embodiment and the change of the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution accordingly. As shown in FIG. 14, in this embodiment, batch processing is performed on three types of substrates W, A, B, and C. The weighting coefficients of the etching amounts on the substrates W of each of A, B, and C are 10, 2, and 30. Further, in this embodiment, the number of processed sheets × the weighting coefficient is calculated for each substrate W, and the cumulative value of the etching amount is calculated by adding them up for all the substrates. Then, when the number of processed sheets in one treatment of each substrate W is n, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is increased by one step every time the cumulative value of the etching amount reaches 12 n.

図１４に示した例では、処理開始後、先ずｎ枚のＡ基板がバッチ処理される。Ａ基板の重み係数は１０であるので、この時点のエッチング量の累積値は１０ｎである。次に、ｎ枚のＢ基板がバッチ処理される。Ｂ基板の重み係数は２であるので、エッチング量２ｎが加算され、この時点でエッチング量の累積値が１２ｎに達する。よって、この時点で混酸水溶液の濃度制御の下側基準値を１段階増加させる。 In the example shown in FIG. 14, after the processing is started, n A substrates are first batch-processed. Since the weighting coefficient of the A substrate is 10, the cumulative value of the etching amount at this point is 10n. Next, n B substrates are batch processed. Since the weighting coefficient of the B substrate is 2, the etching amount of 2n is added, and at this point, the cumulative value of the etching amount reaches 12n. Therefore, at this point, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is increased by one step.

次に、本実施例ではｎ枚のＣ基板が処理される。Ｃ基板の重み係数は３０であるので、
エッチング量３０ｎが加算され、この時点でエッチング量の累積値が４２ｎに達し、閾値１２ｎの３倍を超える。よって、この時点で混酸水溶液の濃度制御の下側基準値を２段階増加させる。 Next, in this embodiment, n C substrates are processed. Since the weighting coefficient of the C substrate is 30,
The etching amount of 30n is added, and at this point, the cumulative value of the etching amount reaches 42n, which is more than three times the threshold value of 12n. Therefore, at this point, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is increased by two steps.

その後、本実施例ではｎ枚のＢ基板の処理が３回繰り返される。Ｂ基板の重み係数は２であるので、処理の度に、エッチング量２ｎが加算され、エッチング量の累積値が４４ｎ、４６ｎ、４８ｎと増加する。そして、この時点で閾値１２ｎの４倍に達する。よって、この時点で混酸水溶液の濃度制御の下側基準値をさらに１段階増加させる。 After that, in this embodiment, the processing of n B substrates is repeated three times. Since the weighting coefficient of the B substrate is 2, the etching amount of 2n is added each time the treatment is performed, and the cumulative values of the etching amounts increase to 44n, 46n, and 48n. Then, at this point, the threshold value reaches 4 times the threshold value of 12n. Therefore, at this point, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is further increased by one step.

その後、本実施例ではｎ枚のＢ基板の処理が行われ、エッチング量の累積値が５０ｎとなり、続いてｎ枚のＣ基板の処理が行われる。そうすると、エッチング量の累積値が８０ｎとなり、この時点で閾値１２ｎの６倍を超える。よって、この時点で混酸水溶液の濃度制御の下側基準値をさらに２段階増加させる。 After that, in this embodiment, n B substrates are processed, the cumulative value of the etching amount becomes 50 n, and then n C substrates are processed. Then, the cumulative value of the etching amount becomes 80n, which exceeds 6 times the threshold value of 12n at this point. Therefore, at this point, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is further increased by two steps.

さらに、本実施例ではｎ枚のＢ基板の処理が行われ、エッチング量の累積値が８２ｎとなり、続いてｎ枚のＡ基板の処理が行われる。そうすると、エッチング量の累積値が９２ｎとなり、この時点で閾値１２ｎの７倍を超える。よって、この時点で混酸水溶液の濃度制御の下側基準値をさらに１段階増加させる。 Further, in this embodiment, n B substrates are processed, the cumulative value of the etching amount is 82 n, and then n A substrates are processed. Then, the cumulative value of the etching amount becomes 92n, which exceeds 7 times the threshold value of 12n at this point. Therefore, at this point, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is further increased by one step.

以上、説明したように、本実施例においては、処理される基板毎に重み係数によってエッチング量の重み付けをし、各基板の重み係数と処理枚数とに基づいて、複数種類の基板のエッチング量の累積値を算出する。そして、このエッチング量の累積値が所定量に達する度に、混酸水溶液の濃度制御の下側基準値を所定量増加させることとした。これによれば、より精度よく、混酸水溶液の純水または他の所定成分の濃度を適切な値に維持することが可能となる。なお、本実施例においては、処理液のライフタイム中に複数種類の基板が処理される場合について説明したが、処理液のライフタイム中に一種類のみの基板が処理する場合にも、当該基板Ｗのエッチング量の累積値を算出し、エッチング量の累積値が所定量に達する度に、混酸水溶液の濃度制御の下側基準値を所定量増加させるようにしても構わない。 As described above, in the present embodiment, the etching amount is weighted by the weighting coefficient for each substrate to be processed, and the etching amount of a plurality of types of substrates is determined based on the weighting coefficient of each substrate and the number of processed substrates. Calculate the cumulative value. Then, every time the cumulative value of the etching amount reaches a predetermined amount, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is increased by a predetermined amount. According to this, it becomes possible to maintain the concentration of pure water or other predetermined components of the mixed acid aqueous solution at an appropriate value with higher accuracy. In this embodiment, the case where a plurality of types of substrates are processed during the lifetime of the treatment liquid has been described, but the substrate can also be processed when only one type of substrate is processed during the lifetime of the treatment liquid. The cumulative value of the etching amount of W may be calculated, and the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution may be increased by a predetermined amount each time the cumulative value of the etching amount reaches a predetermined amount.

＜実施例５＞
次に、本発明の実施例５について説明する。実施例５においては、実施例４と同じく、混酸水溶液の濃度制御の下側基準値を、処理槽におけるエッチング量の累積値に応じて増加させる例であって、且つ、所定の待ち時間が経過しても基板の処理が行われない場合にも、混酸水溶液の濃度制御の下側基準値を増加させる例について説明する。 <Example 5>
Next, Example 5 of the present invention will be described. In Example 5, as in Example 4, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is increased according to the cumulative value of the etching amount in the treatment tank, and a predetermined waiting time elapses. However, an example of increasing the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution even when the substrate is not processed will be described.

ここで、基板Ｗの処理が全く行われない場合であっても、ある程度の時間が経過すると、蒸発や分解によって、混酸水溶液の濃度が変化してしまうことが分かっている。よって、本実施例においては、処理される各基板の重み係数と処理枚数とに基づくエッチング量の累積値が所定量に達する度に、混酸水溶液の濃度制御の下側基準値を所定量増加させ、且つ、所定の待ち時間が経過しても、いずれの基板Ｗの処理も行われなかった場合にも、混酸水溶液の濃度制御の下側基準値を増加させることにした。 Here, it is known that even when the substrate W is not processed at all, the concentration of the mixed acid aqueous solution changes due to evaporation or decomposition after a certain period of time elapses. Therefore, in this embodiment, each time the cumulative value of the etching amount based on the weighting coefficient of each substrate to be processed and the number of processed substrates reaches a predetermined amount, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is increased by a predetermined amount. Moreover, even if none of the substrates W is processed even after the predetermined waiting time has elapsed, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is increased.

図１５には、本実施例において３種類の基板Ｗを処理した枚数と、それに応じた混酸水溶液の濃度制御の下側基準値の変化の例を示す。図１５に示すように、本実施例においても、Ａ、Ｂ、Ｃの３種類の基板Ｗについてバッチ処理を行い、Ａ、Ｂ、Ｃ各々の基板Ｗにおけるエッチング量の重み係数は１０、２、３０とする。 FIG. 15 shows an example of the number of processed substrates W of the three types of substrates W in this embodiment and the change in the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution accordingly. As shown in FIG. 15, in this embodiment as well, batch processing is performed on the three types of substrates W of A, B, and C, and the weighting coefficients of the etching amounts on the substrates W of each of A, B, and C are 10, 2. It is set to 30.

また、本実施例においても各基板Ｗに対して処理枚数×重み係数を計算し、それを全ての基板について合算することでエッチング量の累積値を算出する。そして、各基板Ｗの１
回の処理における処理枚数をｎとした場合に、エッチング量の累積値が１２ｎに達する毎に混酸水溶液の濃度制御の下側基準値を１段階増加させる。また、所定の待ち時間Ｔの間に、いずれの基板Ｗの処理も行われなかった場合にも、混酸水溶液の濃度制御の下側基準値を増加させる。 Further, also in this embodiment, the number of processed sheets × the weighting coefficient is calculated for each substrate W, and the cumulative value of the etching amount is calculated by adding them up for all the substrates. And 1 of each board W
When the number of processed sheets in one treatment is n, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is increased by one step every time the cumulative value of the etching amount reaches 12 n. Further, even when the treatment of any of the substrates W is not performed during the predetermined waiting time T, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is increased.

図１５に示した例では、処理開始後、先ずｎ枚のＡ基板がバッチ処理される。Ａ基板の重み係数は１０であるので、この時点のエッチング量の累積値は１０ｎである。次に、ｎ枚のＢ基板がバッチ処理される。Ｂ基板の重み係数は２であるので、エッチング量２ｎが加算され、この時点でエッチング量の累積値が１２ｎに達する。よって、この時点で混酸水溶液の濃度制御の下側基準値を１段階増加させる。 In the example shown in FIG. 15, after the processing is started, n A substrates are first batch-processed. Since the weighting coefficient of the A substrate is 10, the cumulative value of the etching amount at this point is 10n. Next, n B substrates are batch processed. Since the weighting coefficient of the B substrate is 2, the etching amount of 2n is added, and at this point, the cumulative value of the etching amount reaches 12n. Therefore, at this point, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is increased by one step.

次に、本実施例ではｎ枚のＣ基板が処理される。Ｃ基板の重み係数は３０であるので、エッチング量３０ｎが加算され、この時点でエッチング量の累積値が４２ｎに達し、閾値１２ｎの３倍を超える。よって、この時点で混酸水溶液の濃度制御の下側基準値を２段階増加させる。 Next, in this embodiment, n C substrates are processed. Since the weighting coefficient of the C substrate is 30, the etching amount of 30n is added, and at this point, the cumulative value of the etching amount reaches 42n, which is more than three times the threshold value of 12n. Therefore, at this point, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is increased by two steps.

その後、本実施例では待ち時間Ｔの間、いずれの基板の処理も行われない。従って、エッチング量の累積値が４２ｎに達した後、待ち時間Ｔが経過した時点で、混酸水溶液の濃度制御の下側基準値を１段階増加させる。 After that, in this embodiment, no substrate processing is performed during the waiting time T. Therefore, when the waiting time T elapses after the cumulative value of the etching amount reaches 42n, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is increased by one step.

さらに、本実施例ではｎ枚のＢ基板の処理が行われ、エッチング量の累積値が４４ｎとなり、続いてｎ枚のＣ基板の処理が行われる。そうすると、エッチング量の累積値が７４ｎとなり、この時点で閾値１２ｎの６倍を超える。よって、この時点で混酸水溶液の濃度制御の下側基準値をさらに３段階増加させる。 Further, in this embodiment, n B substrates are processed, the cumulative value of the etching amount is 44 n, and then n C substrates are processed. Then, the cumulative value of the etching amount becomes 74n, which exceeds 6 times the threshold value of 12n at this point. Therefore, at this point, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is further increased by three steps.

その後、本実施例では待ち時間Ｔの間、いずれの基板の処理も行われない。従って、エッチング量の累積値が７４ｎに達した後、待ち時間Ｔが経過した時点で、混酸水溶液の濃度制御の下側基準値を１段階増加させる。 After that, in this embodiment, no substrate processing is performed during the waiting time T. Therefore, when the waiting time T elapses after the cumulative value of the etching amount reaches 74n, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is increased by one step.

以上、説明したように、本実施例においては、各基板の重み係数と処理枚数とに基づいて、複数種類の基板のエッチング量の累積値を算出し、このエッチング量の累積値が所定量に達する度に、混酸水溶液の濃度制御の下側基準値を所定量増加させる。そして、待ち時間Ｔの間、いずれの基板の処理も行われない場合にも、混酸水溶液の濃度制御の下側基準値を所定量増加させることとした。これによれば、さらに精度よく、混酸水溶液の純水または他の所定成分の濃度を適切な値に維持することが可能となる。なお、本実施例に示した制御についても、処理液のライフタイム中に一種類のみの基板が処理する場合に適用することが可能である。 As described above, in this embodiment, the cumulative value of the etching amount of a plurality of types of substrates is calculated based on the weighting coefficient of each substrate and the number of processed substrates, and the cumulative value of the etching amount becomes a predetermined amount. Each time it reaches, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is increased by a predetermined amount. Then, during the waiting time T, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution was increased by a predetermined amount even when no substrate treatment was performed. According to this, it becomes possible to maintain the concentration of pure water or other predetermined components of the mixed acid aqueous solution at an appropriate value with higher accuracy. The control shown in this embodiment can also be applied when only one type of substrate is processed during the lifetime of the processing liquid.

上記の実施例においては、混酸水溶液の構成成分のうち、純水を供給することで純水濃度を制御する例について説明したが、混酸水溶液の他の所定成分すなわち、リン酸、硝酸、酢酸のうちのいずれかの成分を供給することで混酸の濃度制御を行っても構わない。また、上記の実施例は処理液が混酸水溶液である場合について説明したが、本発明はリン酸など他の処理液にも適用可能である。 In the above examples, among the constituent components of the mixed acid aqueous solution, an example in which the pure water concentration is controlled by supplying pure water has been described, but other predetermined components of the mixed acid aqueous solution, that is, phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid The concentration of the mixed acid may be controlled by supplying any of the components. Moreover, although the above-mentioned example described the case where the treatment liquid is a mixed acid aqueous solution, the present invention can be applied to other treatment liquids such as phosphoric acid.

また、上記の実施例においては、濃度計２４はインライン方式のものであったが、サンプリング方式のものを採用してもよい。また、混酸水溶液の濃度制御のために、純水などの成分の濃度ではなく、ｐｈや導電率など、濃度と相関の高い他のパラメータを検出することにより、濃度に換算してもよい。また、上記の実施例においては純水の補充は処理槽７ａの内槽５０ａに行っていたが、これを外槽５０ｂに行うようにしてもよい。さらに、上記の実施例では純水等の補充量の制御は純水補充バルブ４９の開閉により行っていたが
、これをポンプの制御により適量を補充するようにしても構わない。 Further, in the above embodiment, the densitometer 24 is of the in-line type, but a sampling type may be adopted. Further, in order to control the concentration of the mixed acid aqueous solution, it may be converted into a concentration by detecting other parameters having a high correlation with the concentration, such as pH and conductivity, instead of the concentration of a component such as pure water. Further, in the above embodiment, the replenishment of pure water is performed in the inner tank 50a of the treatment tank 7a, but this may be performed in the outer tank 50b. Further, in the above embodiment, the amount of pure water replenished is controlled by opening and closing the pure water replenishment valve 49, but an appropriate amount may be replenished by controlling the pump.

加えて、上記の実施例においては、目標値変更部は、下側基準値を自動的に変化させたが、操作者（実際の人やオンライン上の操作端末を操作する人）に対して目標値を変更する可否を確認してもよい。具体的には、目標値を変更すべきである旨を正面パネルに表示し、操作者の許可があった場合には目標値を変化させ、不許可の場合は目標値を維持するようにしてもよい。 In addition, in the above embodiment, the target value changing unit automatically changes the lower reference value, but targets the operator (actual person or person who operates the online operation terminal). You may check whether the value can be changed. Specifically, the front panel indicates that the target value should be changed, the target value is changed if the operator permits it, and the target value is maintained if the operator does not permit it. May be good.

１・・・基板処理装置
２・・・バッファ部
３・・・基板搬出入口
５，７，９・・・処理部
５ａ、５ｂ、７ａ、７ｂ、９ａ、９ｂ・・・処理槽
１１、１３、１５・・・リフタ
１７・・・主搬送機構
２０・・・循環ライン
２４・・・濃度計
４０・・・濃度制御装置
４３・・・副搬送機構
５０ａ・・・内槽
５０ｂ・・・外槽
５５・・・制御部
５７・・・記憶部 1 ... Board processing device 2 ... Buffer unit 3 ... Board loading / unloading inlets 5, 7, 9 ... Processing units 5a, 5b, 7a, 7b, 9a, 9b ... Processing tanks 11, 13, 15 ... Lifter 17 ... Main transport mechanism 20 ... Circulation line 24 ... Densitometer 40 ... Concentration control device 43 ... Sub transport mechanism 50a ... Inner tank 50b ... Outer tank 55 ... Control unit 57 ... Storage unit

Claims (26)

一種以上の薬液及び純水を含む処理液に基板を浸漬させることで該基板に対して所定の処理を行う基板処理装置であって、
前記基板に前記所定の処理を行うための前記処理液が貯留された処理槽と、
前記処理槽中の前記処理液のライフタイムに合わせて該処理液を交換する処理液交換部と、
前記処理液における純水または他の所定成分の濃度を検出する検出部と、
前記検出部によって検出された前記濃度に基づいて、前記処理槽中の処理液に純水または前記他の所定成分を供給することで、前記濃度が所定の目標濃度になるように制御する濃度制御部と、
前記目標濃度を変更する目標値変更部と、
を備えることを特徴とする、基板処理装置。 A substrate processing apparatus that performs a predetermined treatment on a substrate by immersing the substrate in a treatment liquid containing one or more chemicals and pure water.
A treatment tank in which the treatment liquid for performing the predetermined treatment is stored on the substrate, and
A treatment liquid exchange unit that replaces the treatment liquid according to the lifetime of the treatment liquid in the treatment tank, and a treatment liquid exchange unit.
A detection unit that detects the concentration of pure water or other predetermined components in the treatment liquid, and
Concentration control that controls the concentration to reach a predetermined target concentration by supplying pure water or the other predetermined component to the treatment liquid in the treatment tank based on the concentration detected by the detection unit. Department and
The target value changing unit for changing the target concentration and the target value changing unit
A substrate processing apparatus comprising the above. 前記目標値変更部は、前記処理液のライフタイムの途中で、前記目標濃度を上昇させることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the target value changing unit increases the target concentration in the middle of the lifetime of the processing liquid. 前記目標値変更部は、前記目標濃度に上限値を設けたことを特徴とする、請求項１または２に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the target value changing unit is provided with an upper limit value for the target concentration. 前記処理液は、リン酸、硝酸、酢酸の少なくとも一つ及び、純水を含む混酸水溶液であり、
前記濃度制御部は、前記混酸水溶液に純水を供給することで前記混酸水溶液の純水濃度が所定の目標濃度になるように制御することを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The treatment liquid is a mixed acid aqueous solution containing at least one of phosphoric acid, nitric acid and acetic acid and pure water.
Any one of claims 1 to 3, wherein the concentration control unit controls the pure water concentration of the mixed acid aqueous solution to a predetermined target concentration by supplying pure water to the mixed acid aqueous solution. The substrate processing apparatus according to the section. 前記目標値変更部は、前記処理液のライフタイムの途中で、一定時間毎に前記目標濃度を上昇させることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the target value changing unit increases the target concentration at regular intervals during the lifetime of the processing liquid. 前記目標値変更部は、前記処理液のライフタイムの途中で、前記目標濃度を上昇させるタイミングを変更することで、前記目標濃度の変更プロファイルを変更することを特徴と
する請求項１から４のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The target value changing unit changes the change profile of the target concentration by changing the timing of increasing the target concentration in the middle of the lifetime of the treatment liquid, according to claims 1 to 4. The substrate processing apparatus according to any one of the following items. 前記目標値変更部は、前記処理液のライフタイムの途中で、前記目標濃度を上昇させる際の上昇幅を変更することで、前記目標濃度の変更プロファイルを変更することを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の基板処理装置。 Claim 1 is characterized in that the target value changing unit changes the change profile of the target concentration by changing the amount of increase when increasing the target concentration in the middle of the lifetime of the treatment liquid. 5. The substrate processing apparatus according to any one of 5. 前記目標値変更部は、前記処理液のライフタイムの途中で、前記基板の処理が行われた場合に、前記目標濃度を上昇させることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The target value changing unit according to any one of claims 1 to 4, characterized in that the target concentration is increased when the substrate is processed during the lifetime of the processing liquid. The substrate processing apparatus described. 前記目標値変更部は、前記処理液のライフタイムの途中で、前記純水の供給が行われた場合に、前記目標濃度を上昇させることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の基板処理装置。 Any one of claims 1 to 4, wherein the target value changing unit raises the target concentration when the pure water is supplied during the lifetime of the treatment liquid. The substrate processing apparatus according to. 前記目標値変更部は、前記処理液のライフタイムの途中で、所定枚数の前記基板の処理が行われた場合に、前記目標濃度を上昇させることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の基板処理装置。 Any of claims 1 to 4, wherein the target value changing unit increases the target concentration when a predetermined number of the substrates are processed in the middle of the lifetime of the processing liquid. The substrate processing apparatus according to paragraph 1. 前記目標値変更部は、前記基板の処理における処理の程度を示す重み係数と前記基板の処理枚数とに基づく処理量が所定量となった場合に、前記目標濃度を上昇させることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The target value changing unit is characterized in that the target concentration is increased when the processing amount based on the weighting coefficient indicating the degree of processing in the processing of the substrate and the number of processed sheets of the substrate becomes a predetermined amount. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4. 前記処理液のライフタイム中に、複数種類の基板を処理し、
前記目標値変更部は、前記複数種類の基板のうちの各種類の基板についての、前記重み係数と前記基板の処理枚数とに基づく処理量の合計量が所定量となった場合に、前記目標濃度を上昇させることを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。 During the lifetime of the treatment liquid, a plurality of types of substrates are treated and
The target value changing unit sets the target value when the total amount of processing amount based on the weighting coefficient and the number of processed sheets of the substrate for each type of the plurality of types of substrates becomes a predetermined amount. The substrate processing apparatus according to claim 11, wherein the concentration is increased. 前記目標値変更部は、前記処理液のライフタイム中において、所定の待ち時間の間に前記基板の処理が行われない場合に、前記目標濃度を上昇させることを特徴とする請求項１１または１２に記載の基板処理装置。 11. The substrate processing apparatus according to. 一種以上の薬液及び純水を含み処理槽に貯留された処理液に基板を浸漬させることで該基板に対して所定の処理を行う基板処理方法であって、
前記処理液のライフタイムに合わせて該処理液を交換する処理液交換工程と、
前記処理液における純水または他の所定成分の濃度を検出する濃度検出工程と、
前記濃度検出工程において検出された前記濃度に基づいて、前記濃度が所定の目標濃度になるように前記処理槽中の前記処理液に純水または前記他の所定成分を供給する濃度制御工程と、
前記処理液のライフタイムの途中で前記目標濃度を変更する目標値変更工程と、
を備えることを特徴とする、基板処理方法。 A substrate treatment method in which a substrate is subjected to a predetermined treatment by immersing the substrate in a treatment liquid containing one or more chemicals and pure water and stored in a treatment tank.
A treatment liquid exchange step of exchanging the treatment liquid according to the lifetime of the treatment liquid, and
A concentration detection step for detecting the concentration of pure water or other predetermined components in the treatment liquid, and
A concentration control step of supplying pure water or the other predetermined component to the treatment liquid in the treatment tank so that the concentration becomes a predetermined target concentration based on the concentration detected in the concentration detection step.
A target value changing step of changing the target concentration in the middle of the lifetime of the treatment liquid, and
A substrate processing method comprising. 前記目標値変更工程においては、前記目標濃度を上昇させることを特徴とする、請求項１４に記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 14, wherein in the target value changing step, the target concentration is increased. 前記目標値変更工程においては、前記目標濃度に上限値が設けられたことを特徴とする、請求項１４または１５に記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 14 or 15, wherein an upper limit value is provided for the target concentration in the target value changing step. 前記処理液は、リン酸、硝酸、酢酸の少なくとも一つ及び、純水を含む混酸水溶液であり、
前記濃度制御工程においては、前記混酸水溶液の純水濃度が所定の目標濃度になるよう
に前記混酸水溶液に純水を供給することを特徴とする、請求項１４から１６のいずれか一項に記載の基板処理方法。 The treatment liquid is a mixed acid aqueous solution containing at least one of phosphoric acid, nitric acid and acetic acid and pure water.
The method according to any one of claims 14 to 16, wherein in the concentration control step, pure water is supplied to the mixed acid aqueous solution so that the pure water concentration of the mixed acid aqueous solution becomes a predetermined target concentration. Substrate processing method. 前記目標値変更工程においては、一定時間毎に前記目標濃度を上昇させることを特徴とする請求項１４から１７のいずれか一項に記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to any one of claims 14 to 17, wherein in the target value changing step, the target concentration is increased at regular intervals. 前記目標値変更工程においては、前記目標濃度を上昇させるタイミングを変更することで、前記目標濃度の変更プロファイルを変更することを特徴とする請求項１４から１７のいずれか一項に記載の基板処理方法。 The substrate treatment according to any one of claims 14 to 17, wherein in the target value changing step, the change profile of the target concentration is changed by changing the timing for increasing the target concentration. Method. 前記目標値変更工程においては、前記目標濃度を上昇させる際の上昇幅を変更することで、前記目標濃度の変更プロファイルを変更することを特徴とする請求項１４から１８のいずれか一項に記載の基板処理方法。 The method according to any one of claims 14 to 18, wherein in the target value changing step, the change profile of the target concentration is changed by changing the amount of increase when the target concentration is increased. Substrate processing method. 前記目標値変更工程においては、前記基板の処理が行われた場合に、前記目標濃度を上昇させることを特徴とする請求項１４から１７のいずれか一項に記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to any one of claims 14 to 17, wherein in the target value changing step, the target concentration is increased when the substrate is processed. 前記目標値変更工程においては、前記純水の供給が行われた場合に、前記目標濃度を上昇させることを特徴とする請求項１４から１７のいずれか一項に記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to any one of claims 14 to 17, wherein in the target value changing step, the target concentration is increased when the pure water is supplied. 前記目標値変更工程においては、所定枚数の前記基板の処理が行われた場合に、前記目標濃度を上昇させることを特徴とする請求項１４から１７のいずれか一項に記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to any one of claims 14 to 17, wherein in the target value changing step, the target concentration is increased when a predetermined number of the substrates are processed. 前記目標値変更工程においては、前記基板の処理における処理の程度を示す重み係数と前記基板の処理枚数とに基づく処理量が所定量となった場合に、前記目標濃度を上昇させることを特徴とする請求項１４から１７のいずれか一項に記載の基板処理方法。 The target value changing step is characterized in that the target concentration is increased when the processing amount based on the weighting coefficient indicating the degree of processing in the processing of the substrate and the number of processed sheets of the substrate reaches a predetermined amount. The substrate processing method according to any one of claims 14 to 17. 前記処理液のライフタイム中に、複数種類の基板を処理し、
前記目標値変更工程においては、前記複数種類の基板のうちの各種類の基板についての、前記重み係数と前記基板の処理枚数とに基づく処理量の合計量が所定量となった場合に、前記目標濃度を上昇させることを特徴とする請求項２４に記載の基板処理方法。 During the lifetime of the treatment liquid, a plurality of types of substrates are treated and
In the target value changing step, when the total amount of processing amount based on the weighting coefficient and the number of processed sheets of the substrate for each type of the plurality of types of substrates becomes a predetermined amount, the said. The substrate processing method according to claim 24, wherein the target concentration is increased. 前記目標値変更工程においては、前記処理液のライフタイム中において、所定の待ち時間の間に前記基板の処理が行われない場合に、前記目標濃度を上昇させることを特徴とする請求項２４または２５に記載の基板処理方法。 24. The target value changing step is characterized in that the target concentration is increased when the substrate is not processed during a predetermined waiting time during the lifetime of the processing liquid. 25. The substrate processing method.
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