KR20180027715A - Exposure mask and exposure method of using the same - Google Patents

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Abstract

An exposure mask comprises: a general area; a first edge area adjacent to one side of the general area and divided by a plurality of units; and a second edge area adjacent to the other side of the general area, divided by a plurality of units, and having the same area as the first edge region. A pattern for forming an exposure pattern is formed on a substrate which is a member to be exposed in the general area; an A pattern is formed in the first unit in the first edge area; a B pattern is formed in the second unit of the second edge area at a location corresponding to the first unit; and the same exposure pattern as the exposure pattern of the general area is formed when the A pattern and the B pattern are double-exposed.

Description

노광용 마스크 및 이를 이용한 노광 방법{EXPOSURE MASK AND EXPOSURE METHOD OF USING THE SAME}Technical Field [0001] The present invention relates to a mask for exposure and an exposure method using the same,

본 발명은 노광용 마스크 및 상기 노광용 마스크를 이용한 노광 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 마스크 및 상기 마스크 크기 보다 큰 영역에 대해 노광하기 위한 노광 방법에 관한 것이다. The present invention relates to an exposure mask and an exposure method using the exposure mask, and more particularly to an exposure method for exposing a mask and an area larger than the mask size.

최근 들어, 기술의 발전에 힘입어 소형, 경량화 되면서 성능은 더욱 뛰어난 디스플레이 제품들이 생산되고 있다. 지금까지 디스플레이 장치에는 기존 브라운관 텔레비전(cathode ray tube: CRT)이 성능이나 가격 면에서 많은 장점을 가지고 널리 사용되었으나, 소형화 또는 휴대성의 측면에서 CRT의 단점을 극복하고, 소형화, 경량화 및 저전력 소비 등의 장점을 갖는 표시 장치, 예를 들면 플라즈마 표시 장치, 액정 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 등이 주목을 받고 있다. In recent years, with the development of technology, display products that are smaller, lighter, and have better performance are being produced. Conventional cathode ray tube (CRT) displays have many advantages in terms of performance and price, but they have overcome the disadvantages of CRT in terms of miniaturization and portability, and have been widely used for display devices such as miniaturization, light weight and low power consumption. A plasma display device, a liquid crystal display device, and an organic light emitting display device have attracted attention.

한편, 상기 표시 장치에 있어서, 각 기판에 각종 패턴을 형성하기 위하여 감광액 도포(Photo Resist Coating), 정렬(Align) 및 노광(Exposure), 현상(Develop) 등의 일련의 공정으로 진행되는 사진공정(Photo Process)이 진행된다.Meanwhile, in the above-described display device, a photolithography process (hereinafter referred to as a photolithography process) which is performed through a series of processes such as photo resist coating, alignment, exposure, and development, Photo Process).

여기서, 상기 표시 장치의 대형화에 따라, 상기 표시 장치보다 작은 마스크를 대형 기판 위에 상하 이동하면서 노광하는 방식인 스티치 노광 방법이 사용되는데, 상기 샷들 간의 경계인 스티치 라인이 사용자에게 인식되는 문제가 있었다. As the display device becomes larger, a stitch exposure method, which is a method of exposing the mask while moving a mask smaller than the display device on a large substrate, is used. However, there is a problem that a stitch line which is a boundary between the shots is recognized by a user.

이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 본 발명의 목적은 스티치 라인이 시인되지 않는 대면적 표시 장치를 제조 하기 위한 노광용 마스크를 제공하는 것이다. Accordingly, it is an object of the present invention to provide a mask for exposure for manufacturing a large area display device in which a stitch line is not visually recognized.

본 발명의 다른 목적은 상기 노광용 마스크를 이용한 노광 방법을 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide an exposure method using the mask for exposure.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 노광용 마스크는 일반 영역, 상기 일반 영역의 일측에 인접하고, 복수의 유닛들로 구획된 제1 가장자리 영역, 및 상기 일반 영역의 상기 일측에 대향하는 타측에 인접하고, 복수의 유닛들로 구획되고, 상기 제1 가장자리 영역과 동일한 면적을 갖는 제2 가장자리 영역을 포함한다. 상기 일반 영역에는 피노광 부재인 기판에 노광 패턴을 형성하기 위한 패턴이 형성되고, 상기 제1 가장자리 영역에서, 제1 유닛 내에 A 패턴이 형성되고, 상기 제1 유닛과 대응하는 위치의 상기 제2 가장자리 영역의 제2 유닛 내에 B 패턴이 형성되어, 상기 A 패턴과 상기 B 패턴이 이중 노광되면, 상기 일반 영역의 노광 패턴과 동일한 노광 패턴을 형성한다. According to an embodiment of the present invention for realizing the object of the present invention, there is provided an exposure mask comprising a general region, a first edge region adjacent to one side of the general region and partitioned by a plurality of units, And a second edge region adjacent to the other opposite side and being divided into a plurality of units and having the same area as the first edge region. Wherein a pattern for forming an exposure pattern is formed on a substrate which is a member to be exposed in the general area, and in the first edge area, an A pattern is formed in the first unit, A B pattern is formed in the second unit of the edge region, and when the A pattern and the B pattern are double-exposed, the same exposure pattern as the exposure pattern of the general region is formed.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 기 제1 가장자리 영역에서, 제3 유닛 내에 상기 B 패턴이 형성될 수 있다. 상기 제3 유닛과 대응하는 위치의 상기 제2 가장자리 영역의 제4 유닛 내에 상기 A 패턴이 형성될 수 있다. In one embodiment of the present invention, in the first edge region, the B pattern may be formed in the third unit. The A pattern may be formed in a fourth unit of the second edge region at a position corresponding to the third unit.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 가장자리 영역에서, 상기 A 패턴이 형성된 유닛과 상기 B 패턴이 형성된 유닛은 랜덤하게 배열될 수 있다. In an embodiment of the present invention, in the first edge region, the unit in which the A pattern is formed and the unit in which the B pattern are formed may be randomly arranged.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 노광용 마스크는 표시 장치를 제조하기 위한 것으로, 하나의 유닛이 상기 표시 장치의 복수개의 픽셀에 대응될 수 있다. In one embodiment of the present invention, the mask for exposure is for manufacturing a display device, and one unit may correspond to a plurality of pixels of the display device.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 노광용 마스크는 표시 장치를 제조하기 위한 것으로, 하나의 유닛이 상기 표시 장치의 하나의 픽셀에 대응될 수 있다. In one embodiment of the present invention, the mask for exposure is for manufacturing a display device, and one unit may correspond to one pixel of the display device.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 A 패턴과 상기 B 패턴은 슬릿 패턴을 포함할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the A pattern and the B pattern may include a slit pattern.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 A 패턴과 상기 B 패턴은 도트(Dot) 개구 패턴을 포함할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the A pattern and the B pattern may include a dot opening pattern.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 일반 영역의 상기 패턴은 광 투과 정도가 90% 이하 10% 이상인 하프톤 영역을 포함할 수 있다. 상기 하프톤 영역에는 슬릿 패턴이 형성될 수 있다. In one embodiment of the present invention, the pattern of the general region may include a halftone region having a degree of light transmission of 90% or less and 10% or more. A slit pattern may be formed in the halftone region.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 노광용 마스크는 표시 장치의 컬러 필터층 또는 블랙 매트릭스를 제조하기 위한 것일 수 있다. In one embodiment of the present invention, the mask for exposure may be one for producing a color filter layer or a black matrix of a display device.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 컬러 필터층 또는 상기 블랙 매트릭스는 두께가 다른 부분을 포함할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the color filter layer or the black matrix may include portions having different thicknesses.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 노광 방법은 마스크를 이용하여 제1 샷을 노광하는 단계, 및 상기 마스크를 이용하여 상기 제1 샷과 일부 중첩하게 제2 샷을 노광하는 단계를 포함한다. 상기 마스크는 일반 영역, 상기 일반 영역의 일측에 인접하고, 복수의 유닛들로 구획된 제1 가장자리 영역, 및 상기 일반 영역의 상기 일측에 대향하는 타측에 인접하고, 복수의 유닛들로 구획되고, 상기 제1 가장자리 영역과 동일한 면적을 갖는 제2 가장자리 영역을 포함한다. 상기 일반 영역에는 피노광 부재인 기판에 노광 패턴을 형성하기 위한 패턴이 형성된다. 상기 제1 가장자리 영역에서, 제1 유닛 내에 A 패턴이 형성되고, 상기 제1 유닛과 대응하는 위치의 상기 제2 가장자리 영역의 제2 유닛 내에 B 패턴이 형성된다. 상기 제1 샷을 노광하는 단계에서 상기 A 패턴에 의해 상기 기판이 노광되고, 상기 제2 샷을 노광하는 단계에서 상기 B 패턴에 의해 상기 기판이 노광되면, 상기 A 패턴 및 상기 B 패턴이 이중 노광된 부분은 상기 일반 영역의 노광 패턴과 동일한 노광 패턴이 형성된다. According to an aspect of the present invention, there is provided an exposure method including: exposing a first shot using a mask; and exposing a second shot by partially overlapping the first shot using the mask . Wherein the mask is divided into a general area, a first edge area adjacent to one side of the general area and divided by a plurality of units, and a second edge area opposite to the one side of the general area, And a second edge region having the same area as the first edge region. In the general area, a pattern for forming an exposure pattern is formed on a substrate that is a member to be exposed. In the first edge area, the A pattern is formed in the first unit, and the B pattern is formed in the second unit of the second edge area at the position corresponding to the first unit. When the substrate is exposed by the A pattern in the step of exposing the first shot, and when the substrate is exposed by the B pattern in the step of exposing the second shot, the A pattern and the B pattern are exposed by the double exposure The same exposure pattern as the exposure pattern of the general area is formed.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 샷을 노광하는 단계에서는, 상기 제1 샷은 상기 마스크의 상기 제2 가장자리 영역에 대응하는 제2 가장자리 영역을 포함할 수 있다. 상기 제2 샷을 노광하는 단계에서는, 상기 마스크의 상기 제1 가장자리 영역이 상기 제1 샷의 상기 제2 가장자리 영역과 중첩하도록 노광할 수 있다. In one embodiment of the present invention, in the step of exposing the first shot, the first shot may include a second edge region corresponding to the second edge region of the mask. The step of exposing the second shot may expose the first edge region of the mask to overlap the second edge region of the first shot.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 마스크의 상기 제1 가장자리 영역에서, 제3 유닛 내에 상기 B 패턴이 형성되고, 상기 제3 유닛과 대응하는 위치의 상기 제2 가장자리 영역의 제4 유닛 내에 상기 A 패턴이 형성될 수 있다. In one embodiment of the present invention, in the first edge region of the mask, the B pattern is formed in the third unit, and in the fourth unit of the second edge region at the position corresponding to the third unit, A pattern can be formed.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 마스크의 상기 제1 가장자리 영역에서, 상기 A 패턴이 형성된 유닛과 상기 B 패턴이 형성된 유닛은 랜덤하게 배열될 수 있다. In an embodiment of the present invention, in the first edge region of the mask, the unit in which the A pattern is formed and the unit in which the B pattern are formed may be randomly arranged.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 노광 방법은 표시 장치를 제조하기 위한 것으로, 상기 마스크의 하나의 유닛이 상기 표시 장치의 하나의 픽셀에 대응될 수 있다. In one embodiment of the present invention, the exposure method is for producing a display device, and one unit of the mask may correspond to one pixel of the display device.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 마스크의 상기 A 패턴과 상기 B 패턴은 슬릿 패턴을 포함할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the A pattern and the B pattern of the mask may include a slit pattern.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 마스크의 상기 A 패턴과 상기 B 패턴은 도트(Dot) 개구 패턴을 포함할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the A pattern and the B pattern of the mask may include a dot opening pattern.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 노광용 마스크의 상기 일반 영역의 상기 패턴은 광 투과 정도가 90% 이하 10% 이상인 하프톤 영역을 포함할 수 있다. 상기 하프톤 영역에 대응해서 상기 노광용 마스크에는 슬릿 패턴이 형성될 수 있다. In one embodiment of the present invention, the pattern of the general region of the exposure mask may include a halftone region having a degree of light transmission of 90% or less and 10% or more. A slit pattern may be formed in the mask for exposure corresponding to the halftone region.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 노광 방법은 표시 장치의 컬러 필터층 또는 블랙 매트릭스를 제조하기 위한 것일 수 있다. In one embodiment of the present invention, the exposure method may be for producing a color filter layer or a black matrix of a display device.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 컬러 필터층 또는 상기 블랙 매트릭스는 두께가 다른 부분을 포함할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the color filter layer or the black matrix may include portions having different thicknesses.

본 발명의 실시예들에 따르면, 제1 샷과 제2 샷의 경계인 스티치 라인 부분에서의 이중 노광에 의해 노광량의 산포(dispersion)에 의한 편차가 최소화 될 수 있다. 즉, 상기 이중 노광 되는 부분은 상기 제1 샷에서 노광용 마스크의 우측의 제2 가장자리 영역에서 1/2 광량의 노광이 이루어지고, 상기 제2 샷에서 상기 노광용 마스크의 좌측의 제1 가장자리 영역에서 나머지 1/2 광량의 노광이 이루어지므로, 전체적으로 노광량의 분포가 고르게 될 수 있다. 이에 따라 상기 노광 패턴의 품질이 향상될 수 있다. According to the embodiments of the present invention, the deviation due to the dispersion of the exposure dose can be minimized by the double exposure in the stitch line portion which is the boundary between the first shot and the second shot. That is, the half-exposed portion is exposed at a half-light amount in the second edge region on the right side of the exposure mask in the first shot, and the remaining half region is exposed in the first edge region on the left side of the exposure mask in the second shot. Since the exposure is performed with a half light amount, the distribution of the exposure amount as a whole can be made even. Thus, the quality of the exposure pattern can be improved.

또한, 상기 제1 및 제2 가장자리 영역에서, A 패턴과 B 패턴이 랜덤하게 배열됨에 따라, 상기 스티치 라인 부근에서의 노광량 산포에 따른 편차를 분산시킬 수 있으며, 이에 따라 노광 패턴의 품질이 향상될 수 있다. In addition, as the A pattern and the B pattern are randomly arranged in the first and second edge regions, the deviation due to the scattering of the exposure amount in the vicinity of the stitch line can be dispersed, thereby improving the quality of the exposure pattern .

다만, 본 발명의 효과는 상기 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다. However, the effects of the present invention are not limited to the above effects, and may be variously extended without departing from the spirit and scope of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 노광용 마스크의 평면도이다.
도 2는 도 1의 노광용 마스크를 이용하여 기판에 대한 n번째 샷(shot) 및 n+1번째 샷을 나타낸 평면도이다.
도 3a 내지 3c는 도 2의 SA 영역에서의 n번째 샷, n+1번째 샷을 설명하기 위한 도면들이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 노광용 마스크에 의해 형성되는 하나의 유닛 내의 패턴을 나타낸 평면도이다.
도 5a 및 도 5b는 도 4의 상기 패턴을 형성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 노광용 마스크의 A 패턴과 B 패턴을 나타낸 평면도들이다.
도 6a 및 도 6b는 도 4의 상기 패턴을 형성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 노광용 마스크의 A 패턴과 B 패턴을 나타낸 평면도들이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 노광용 마스크에 의해 형성되는 하나의 유닛 내의 패턴을 나타낸 평면도 및 단면도이다.
도 8a 및 도 8b는 도 7a 및 7b의 상기 패턴을 형성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 노광용 마스크의 A 패턴과 B 패턴을 나타낸 평면도들이다.
도 9a 및 도 9b는 도 7a 및 7b의 상기 패턴을 형성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 노광용 마스크의 A 패턴과 B 패턴을 나타낸 평면도들이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 노광용 마스크를 이용한 노광 방법을 사용하여 제조한 표시 장치의 단면도이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 노광용 마스크를 이용한 노광 방법을 사용하여 제조한 표시 장치의 단면도이다.
도 12 및 도 13는 비교예와 본 발명의 실시예에 따른 노광량 산포를 개략적으로 나타낸 도면들이다. 1 is a plan view of an exposure mask according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view showing the n-th shot and the (n + 1) -th shot of the substrate using the mask for exposure shown in FIG.
FIGS. 3A to 3C are views for explaining the n-th shot and the (n + 1) -th shot in the SA region of FIG.
4 is a plan view showing a pattern in one unit formed by a mask for exposure according to an embodiment of the present invention.
5A and 5B are plan views showing an A pattern and a B pattern of the mask for exposure according to an embodiment of the present invention for forming the pattern of FIG.
6A and 6B are plan views showing an A pattern and a B pattern of the mask for exposure according to another embodiment of the present invention for forming the pattern of FIG.
7A and 7B are a plan view and a cross-sectional view showing a pattern in one unit formed by the mask for exposure according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 8A and 8B are plan views showing an A pattern and a B pattern of the mask for exposure according to an embodiment of the present invention for forming the pattern of FIGS. 7A and 7B.
FIGS. 9A and 9B are plan views showing an A pattern and a B pattern of the mask for exposure according to another embodiment of the present invention for forming the pattern of FIGS. 7A and 7B.
10 is a cross-sectional view of a display device manufactured using an exposure method using an exposure mask according to an embodiment of the present invention.
11 is a cross-sectional view of a display device manufactured using an exposure method using an exposure mask according to another embodiment of the present invention.
FIGS. 12 and 13 are views schematically showing an exposure amount distribution according to the comparative example and the embodiment of the present invention.

이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 노광용 마스크의 평면도이다. 1 is a plan view of an exposure mask according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 상기 노광용 마스크(10)는 일반 영역(NA) 및 상기 일반 영역(NA)의 일측에 인접한 제1 가장자리 영역(PA1) 및 상기 일반 영역(NA)의 상기 일측에 대향하는 타측에 인접하고, 상기 제1 가장자리 영역(PA1)과 동일한 면적을 갖는 제2 가장자리 영역(PA2)을 포함한다. 예를 들면, 상기 노광용 마스크(10)는 직사각형 형태를 갖고, 상기 제1 가장자리 영역(PA1)과 상기 제2 가장자리 영역(PA2)은 제1 방향(D1)으로 이격되고 각각 상기 제1 방향(D1)과 실질적으로 수직한 제2 방향(D2)으로 연장되고, 상기 제1 가장자리 영역(PA1)과 상기 제2 가장자리 영역(PA2) 사이에 상기 일반 영역(NA)이 형성될 수 있다. 1, the exposure mask 10 includes a first edge region PA1 adjacent to one side of the general region NA and a first edge region PA1 adjacent to the one side of the general region NA, And a second edge region PA2 adjacent to the first edge region PA1 and having the same area as the first edge region PA1. For example, the mask for exposure 10 has a rectangular shape, and the first edge area PA1 and the second edge area PA2 are spaced apart from each other in the first direction D1, , And the general area NA may be formed between the first edge area PA1 and the second edge area PA2.

상기 일반 영역(NA)에는 피노광 부재인 기판에 노광 패턴을 형성하기 위한 패턴이 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 피노광 부재인 상기 기판은 표시 장치의 기판일 수 있고, 상기 노광 패턴은 포토레지스트 패턴, 컬러 필터 패턴, 또는 블랙 매트릭스 패턴일 수 있다. In the general area NA, a pattern for forming an exposure pattern may be formed on a substrate, which is a member to be exposed. For example, the substrate as the member to be exposed may be a substrate of a display device, and the exposure pattern may be a photoresist pattern, a color filter pattern, or a black matrix pattern.

상기 포토레지스트 패턴은 상기 표시 장치의 회로 패턴을 형성하기 위한 포토레지스트 패턴일 수 있다. 상기 컬러 필터 패턴은 상기 표시 장치의 컬러 필터층을 구성하는 레드(red), 그린(green) 또는 블루(blue) 컬러 필터 패턴일 수 있다. 상기 블랙 매트릭스 패턴은 상기 표시 장치의 블랙 매트릭스 패턴일 수 있다. (자세한 내용은 도 10 및 도 11 참조)The photoresist pattern may be a photoresist pattern for forming a circuit pattern of the display device. The color filter pattern may be a red, green or blue color filter pattern constituting a color filter layer of the display device. The black matrix pattern may be a black matrix pattern of the display device. (See Figures 10 and 11 for further details)

상기 제1 가장자리 영역(PA1)은 복수의 유닛들로 구획될 수 있다. 상기 제2 가장자리 영역(PA2)은 복수의 유닛들로 구획될 수 있다. The first edge area PA1 may be divided into a plurality of units. The second edge area PA2 may be partitioned into a plurality of units.

상기 제1 가장자리 영역(PA1) 및 상기 제2 가장자리 영역(PA2)에는 각각 상기 기판에 상기 노광 패턴을 형성하기 위한 하프 패턴이 형성될 수 있다. 상기 하프 패턴은 상기 일반 영역(NA)의 상기 패턴에 대해 1/2의 광량을 투과시키는 패턴으로, 상기 제1 가장자리 영역(PA1)의 하프 패턴에 의해 노광되고, 상기 제2 가장자리 영역(PA2)의 하프 패턴에 의해 이중으로 노광되면, 상기 일반 영역(NA)의 상기 패턴에 의해 형성되는 상기 노광 패턴과 동일한 노광 패턴을 형성할 수 있다. (자세한 설명은 도 3a 내지 도 3c 참조)In the first edge area PA1 and the second edge area PA2, a half pattern for forming the exposure pattern may be formed on the substrate, respectively. Wherein the half pattern is exposed by a half pattern of the first edge area PA1 in a pattern that transmits a half quantity of light with respect to the pattern of the general area NA, The same exposure pattern as that of the exposure pattern formed by the pattern of the general area NA can be formed. (See FIGS. 3A to 3C for a detailed description)

도 2는 도 1의 노광용 마스크를 이용하여 기판에 대한 n번째 샷(shot) 및 n+1번째 샷을 나타낸 평면도이다. FIG. 2 is a plan view showing the n-th shot and the (n + 1) -th shot of the substrate using the mask for exposure shown in FIG.

도 1 및 2를 참조하면, 상기 노광용 마스크(10)를 이용하여 상기 기판 상에 n번째 샷((n)S)을 노광하고, 다시 상기 노광용 마스크(10)를 이용하여 상기 기판 상의 상기 n번째 샷((n)S)에 인접한 영역에 상기 n+1번째 샷((n)S+1)을 노광한다. 상기 과정을 반복하여, 상기 기판이 상기 노광용 마스크(10)보다 큰 경우에도 상기 기판 전체에 노광하는 것이 가능하다. 이하, 상기 n번째 샷((n)S)은 제1 샷((n)S)으로 나타내고, 상기 n+1번째 샷((n)S+1)은 제2 샷((n+1)S)으로 표현한다. 1 and 2, the n-th shot ((n) S) is exposed on the substrate using the exposure mask 10, and the n-th shot The n + 1th shot ((n) S + 1) is exposed to an area adjacent to the shot ((n) S). By repeating the above process, even if the substrate is larger than the mask for exposure 10, it is possible to expose the entire substrate. Hereinafter, the nth shot ((n) S) is represented by a first shot ((n) S), and the (n + ).

상기 제1 샷((n)S)에서는 상기 노광용 마스크(10)를 이용하여 상기 기판을 노광한다. 상기 제1 샷((n)S)에서는, 상기 노광용 마스크(10)의 상기 제1 가장자리 영역(PA1)에 대응하는 영역, 상기 일반 영역(NA)에 대응하는 영역, 상기 제2 가장자리 영역(PA2)에 대응하는 영역이 노광될 수 있다. In the first shot ((n) S), the substrate is exposed using the mask 10 for exposure. In the first shot ((n) S), a region corresponding to the first edge area PA1 of the exposure mask 10, a region corresponding to the general area NA, a second edge area PA2 ) Can be exposed.

상기 제2 샷((n)S+1)에서는 상기 노광용 마스크(10)를 이용하여 상기 제1 샷((n)S)과 인접하는 영역을 노광한다. 상기 제2 샷((n+1)S)에서는, 상기 노광용 마스크(10)의 상기 제1 가장자리 영역(PA1)에 대응하는 영역, 상기 일반 영역(NA)에 대응하는 영역, 상기 제2 가장자리 영역(PA2)에 대응하는 영역이 노광될 수 있다.  The region adjacent to the first shot ((n) S) is exposed using the mask for exposure 10 in the second shot ((n) S + 1). In the second shot ((n + 1) S), an area corresponding to the first edge area PA1 of the exposure mask 10, an area corresponding to the general area NA, The area corresponding to the light emitting element PA2 can be exposed.

이때, 상기 제1 샷((n)S)의 상기 제2 가장자리 영역(PA2)에 대응하는 영역과, 상기 제2 샷((n+1)S)의 상기 제1 가장자리 영역(PA1)에 대응하는 영역은 서로 중첩한다. 이에 따라, 상기 제1 샷((n)S)의 상기 일반 영역(NA)에 대응하는 영역과, 상기 제2 샷((n+1)S)의 상기 일반 영역(NA)에 대응하는 영역에는 상기 노광 패턴이 형성되고, 상기 제1 샷((n)S)과 상기 제2 샷((n+1)S)이 중첩하는 영역에는 이중 노광에 의해 형성되는 상기 일반 영역(NA)에서의 상기 노광 패턴과 동일한 노광 패턴이 형성될 수 있다. At this time, the area corresponding to the second edge area PA2 of the first shot ((n) S) and the area corresponding to the first edge area PA1 of the second shot ((n + 1) S) Are overlapped with each other. Thereby, an area corresponding to the general area NA of the first shot ((n) S) and an area corresponding to the general area NA of the second shot ((n + 1) S) Wherein the exposure pattern is formed and a region in which the first shot (n) S and the second shot (n + 1) S overlap is formed in the general region NA formed by double exposure, The same exposure pattern as the exposure pattern can be formed.

이때, 상기 제1 샷((n)S) 과 상기 제2 샷((n+1)S)의 경계선을 스티치 라인(SL)으로 정의하면, 상기 스티치 라인(SL) 근처에서 상기 제1 방향(D1)을 따라서 제1 샷에 의해 형성된 노광 패턴, 이중 노광에 의한 노광 패턴 및 제2 샷에 의해 형성된 노광 패턴이 차례로 형성된다. At this time, if the boundary line between the first shot (n) S and the second shot (n + 1) S is defined as the stitch line SL, D1, an exposure pattern formed by the first shot, an exposure pattern by the double exposure, and an exposure pattern formed by the second shot are formed in order.

일반적으로 상기 노광용 마스크(10)를 이용하여 노광 하는 경우, 상기 노광용 마스크(10)의 좌우 편차 등에 따라 노광량의 좌우 편차가 발생할 수 있다. 즉, 상기 제1 가장자리 영역(PA1) 부근에서의 노광량 분포는 상기 제2 가장자리 영역(PA2) 부근에서의 노광량 분포와 상이할 수 있다. 이에 따라 제1 샷과 제2 샷의 경계인 상기 스티치 라인(SL)에서의 노광량의 좌우 편차가 발생할 수 있는데, 본 발명의 실시예에 따르면, 상기 스티치 라인(SL)부분에서의 이중 노광에 의해 좌우 편차가 최소화 될 수 있다. 즉, 상기 이중 노광 되는 부분은 제1 샷에서 상기 노광용 마스크(10)의 우측의 제2 가장자리 영역에서 1/2 광량의 노광이 이루어지고, 제2 샷에서 상기 노광용 마스크(10)의 좌측의 제1 가장자리 영역에서 나머지 1/2 광량의 노광이 이루어지므로, 전체적으로 노광량의 분포가 고르게 될 수 있다. 이에 따라 상기 노광 패턴의 품질이 향상될 수 있다. In general, when exposure is performed using the mask for exposure 10, lateral deviations in the exposure amount may occur depending on the lateral deviation of the mask 10 for exposure. That is, the exposure amount distribution in the vicinity of the first edge area PA1 may be different from the exposure amount distribution in the vicinity of the second edge area PA2. Accordingly, right and left deviation of the exposure amount in the stitch line SL, which is the boundary between the first shot and the second shot, may occur. According to the embodiment of the present invention, Deviations can be minimized. That is, in the second shot, the half-light amount exposure is performed in the second edge region on the right side of the exposure mask 10 in the first shot, and in the second shot, 1 < / RTI > edge area, the distribution of the exposure amount as a whole can be made even. Thus, the quality of the exposure pattern can be improved.

도 3a 내지 3c는 도 2의 SA 영역에서의 n번째 샷(제1 샷), n+1번째 샷(제2 샷)을 설명하기 위한 도면들이다. 3A to 3C are views for explaining an n-th shot (first shot) and an n + 1-th shot (second shot) in the SA region of FIG.

도 3a를 참조하면, 상기 제1 샷((n)S)이 노광된다. 노광용 마스크의 제2 가장자리 영역((n)PA2)은 복수의 유닛(하나의 사각형 칸으로 도시됨)들로 구획될 수 있다. 각각의 유닛들에는 A 패턴(A1) 또는 B 패턴(B1)이 형성된다. 상기 제2 가장자리 영역((n)PA2)에서 상기 A 패턴(A1)과 상기 B 패턴(B1)은 랜덤하게 배치될 수 있다. 예를 들면, 제1 유닛에 상기 A 패턴(A1)이 배치되고, 제3 유닛에 상기 B 패턴(B1)이 배치될 수 있다. 상기 제1 유닛과 상기 제3 유닛은 상기 제2 가장자리 영역((n)PA2) 내의 임의의 위치에 위치할 수 있다. Referring to FIG. 3A, the first shot ((n) S) is exposed. The second edge region ((n) PA2) of the exposure mask can be partitioned into a plurality of units (shown as one rectangular square). An A pattern A1 or a B pattern B1 is formed in each of the units. In the second edge region (n) PA2, the A pattern A1 and the B pattern B1 may be randomly arranged. For example, the A pattern A1 may be arranged in the first unit, and the B pattern B1 may be arranged in the third unit. The first unit and the third unit may be located at any position in the second edge area (n) PA2.

상기 노광용 마스크의 일반 영역((n)NA)에는 피노광 부재인 기판에 노광 패턴을 형성하기 위한 패턴(N1)이 형성된다. In the general region ((n) NA) of the exposure mask, a pattern (N1) for forming an exposure pattern is formed on a substrate which is a member to be exposed.

도 3B를 참조하면, 상기 제2 샷((n+1)S)이 노광된다. 상기 노광용 마스크의 제1 가장자리 영역((n+1)PA1)은 복수의 유닛(하나의 사각형 칸으로 도시됨)들로 구획될 수 있다. 각각의 유닛들에는 B 패턴(B2) 또는 A 패턴(A2)이 형성된다. 상기 제1 가장자리 영역((n+1)PA1)에서 상기 B 패턴(B2)과 상기 A 패턴(A2)은 각각 상기 제1 샷((n)S)의 상기 제2 가장자리 영역((n)PA2)의 상기 A 패턴(A1)과 상기 B 패턴(B1)과 대응하도록 배치될 수 있다. 즉, 상기 제1 샷((n)S)의 상기 제1 유닛에 대응되는 부분에 상기 제2 샷((n+1)S)의 제2 유닛이 배치되고, 상기 제1 샷((n)S)의 상기 제3 유닛에 대응되는 부분에 상기 제2 샷((n+1)S)의 제4 유닛이 배치되는 경우, 상기 제2 유닛에 상기 B 패턴(B2)이 형성되고, 상기 제4 유닛에 상기 A 패턴(A2)이 형성될 수 있다. Referring to FIG. 3B, the second shot ((n + 1) S) is exposed. The first edge region ((n + 1) PA1) of the exposure mask may be partitioned into a plurality of units (shown as one square). A B pattern (B2) or an A pattern (A2) is formed in each of the units. The B pattern B2 and the A pattern A2 in the first edge area ((n + 1) PA1) correspond to the second edge area (n) PA2 of the first shot ((n) (A) and the B pattern (B 1) of the first pattern (B 1). That is, the second unit of the second shot ((n + 1) S) is arranged at a portion corresponding to the first unit of the first shot ((n) (B) is formed in the second unit when a fourth unit of the second shot ((n + 1) S) is disposed at a portion corresponding to the third unit of the first shot The A pattern A2 may be formed on four units.

상기 노광용 마스크의 일반 영역((n+1)NA)에는 상기 기판에 노광 패턴을 형성하기 위한 패턴(N2)이 형성된다. A pattern (N2) for forming an exposure pattern is formed on the substrate in the general area ((n + 1) NA) of the exposure mask.

도 3C를 참조하면, 상기 제1 샷((n)S)과 상기 제2 샷((n+1)S)이 모두 노광되면, 상기 제1 샷((n)S)의 상기 일반 영역((n)NA)에 상기 일반 패턴(N1)에 대응되는 노광 패턴이 형성되고, 상기 제2 샷((n+1)S)의 상기 일반 영역((n+1)NA)에 상기 일반 패턴(N2)에 대응되는 노광 패턴이 형성되고, 상기 제1 샷((n)S)과 상기 제2 샷((n+1)S)이 중첩되는 영역에는, 상기 A 패턴(A1 또는 A2)과 상기 B 패턴(B1 또는 B2)이 이중 노광되어 노광 패턴이 형성된다. 상기 이중 노광된 노광 패턴은 상기 일반 영역((n)NA 또는 (n+1)NA)에 형성된 상기 노광 패턴과 실질적으로 동일할 수 있다. 3C, when both the first shot (n) S and the second shot (n + 1) S are exposed, the normal region ((n) (n + 1) NA) of the second shot ((n + 1) S) is formed in the normal pattern N2 (A) or (B) is formed in a region where the first shot (n) S and the second shot (n + 1) S overlap each other, The pattern B1 or B2 is double-exposed to form an exposure pattern. The double exposed exposure pattern may be substantially the same as the exposure pattern formed in the general area ((n) NA or (n + 1) NA).

도면에서는 상기 제1 샷((n)S)의 제2 가장자리 영역((n)PA2)에 상기 스티치 라인(SL)의 좌우에 각각 상기 유닛들이 3*2 매트릭스 형태로 배치되고, 상기 제2 가장자리 영역((n)PA2)에 인접한 상기 일반 영역(NA)에 상기 유닛들이 3*2 매트릭스 형태로 배치된 예가 도시되어 있다. 그러나 상기 유닛들의 배치 및 구성은 이에 한정되지 않고 다양하게 변형될 수 있다. In the drawing, the units are arranged in a 3 * 2 matrix form on the right and left sides of the stitch line SL in a second edge area (n) PA2 of the first shot ((n) S) An example in which the units are arranged in a 3 * 2 matrix form in the general area NA adjacent to the area ((n) PA2) is shown. However, the arrangement and configuration of the units are not limited thereto and can be variously modified.

또한, 본 실시예에서는 상기 노광용 마스크의 상기 제1 및 제2 가장자리 영역의 각 유닛 내에 A 패턴 또는 B 패턴이 형성된 것으로 설명되었으나, 이중 노광하여 상기 일반 영역의 노광 패턴과 동일한 노광 패턴을 형성할 수 있는 하프 패턴 구조면 무방하다. (도 1의 설명 참조) 이때, 상기 노광 패턴이 필요로 하는 노광량의 1/2씩 상기 제1 및 제2 샷에서 각각 노광되도록 구성되는 것이 바람직하다. Although the A pattern or the B pattern is formed in each unit of the first and second edge regions of the exposure mask in this embodiment, it is possible to form the same exposure pattern as the exposure pattern of the general area Half-pattern structure is acceptable. (Refer to FIG. 1). In this case, it is preferable that the exposure pattern is configured to be exposed in the first and second shots, respectively, by 1/2 of the required exposure amount.

본 실시예에 따르면, 이중 노광 뿐만 아니라 상기 A 패턴과 B 패턴이 랜덤하게 배열됨에 따라, 상기 스티치 라인 부근에서의 노광 편차에 따른 패턴 편차를 분산시킬 수 있으며, 이에 따라 노광 패턴의 품질이 향상될 수 있다. According to the present embodiment, as the A pattern and the B pattern are randomly arranged as well as the double exposure, the pattern deviation according to the exposure deviation in the vicinity of the stitch line can be dispersed, thereby improving the quality of the exposure pattern .

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 노광용 마스크에 의해 형성되는 하나의 유닛 내의 패턴을 나타낸 평면도이다. 4 is a plan view showing a pattern in one unit formed by a mask for exposure according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 기판 상에 하나의 유닛(UNIT) 내에 패턴(PT)이 형성된다. 상기 패턴(PT)은 상기 노광용 마스크를 이용하여 노광(Exposure) 및 현상(Develop)의 공정 등을 통해 형성할 수 있다. 예를 들면, 상기 패턴(PT)은 하나의 픽셀의 컬러 필터 패턴에 대응될 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 상기 패턴(PT)은 블랙 매트릭스일 수 있다. Referring to FIG. 4, a pattern PT is formed in one unit UNIT on a substrate. The pattern PT may be formed through exposure and development using the mask for exposure. For example, the pattern PT may correspond to a color filter pattern of one pixel. According to another embodiment, the pattern PT may be a black matrix.

본 실시예에서는 노광된 부분이 경화되어 패턴으로 형성되는 네거티브 타입이 예시되어 있으나, 포지티브 타입의 경우도 유사하게 구현될 수 있다. In this embodiment, a negative type in which an exposed portion is cured to form a pattern is illustrated, but a positive type can be similarly implemented.

도 5a 및 도 5b는 도 4의 상기 패턴을 형성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 노광용 마스크의 A 패턴과 B 패턴을 나타낸 평면도들이다. 5A and 5B are plan views showing an A pattern and a B pattern of the mask for exposure according to an embodiment of the present invention for forming the pattern of FIG.

도 4, 도 5a 및 도 5b를 참조하면, 상기 A 패턴(A)은 상기 패턴(PT)에 대응하여 형성된 제1 슬릿 패턴(SLT1)을 포함하고, 상기 B 패턴(B)은 상기 패턴(PT)에 대응하여 형성된 제2 슬릿 패턴(SLT2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 슬릿 패턴(SLT1)은 복수의 슬릿들을 포함할 수 있다. 상기 제2 슬릿 패턴(SLT2)은 복수의 슬릿들을 포함할 수 있다. 4A, 5A and 5B, the A pattern A includes a first slit pattern SLT1 formed corresponding to the pattern PT, and the B pattern B includes a first slit pattern SL And a second slit pattern SLT2 formed corresponding to the second slit pattern SLT2. The first slit pattern SLT1 may include a plurality of slits. The second slit pattern SLT2 may include a plurality of slits.

상기 제1 슬릿 패턴(SLT1)의 상기 슬릿과 상기 제2 슬릿 패턴(SLT2)의 상기 슬릿은 상기 유닛 내에서 서로 다른 위치에 형성됨으로써, 이중 노광에 의해 상기 패턴(PT)에 대응하는 노광을 할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 슬릿 패턴(SLT1)은 상기 패턴(PT)을 형성하기 위한 노광량의 1/2의 광량을 투과시키도록 구성되고, 상기 제2 슬릿 패턴(SLT2)은 상기 패턴(PT)을 형성하기 위한 노광량의 1/2의 광량을 투과시키도록 구성될 수 있다. 이에 따라, 상기 이중 노광을 통해, 상기 패턴(PT)을 형성할 수 있다. The slit of the first slit pattern SLT1 and the slit of the second slit pattern SLT2 are formed at different positions in the unit so that exposure corresponding to the pattern PT is performed by double exposure . For example, the first slit pattern SLT1 is configured to transmit a light amount 1/2 of the exposure amount for forming the pattern PT, and the second slit pattern SLT2 is configured to transmit the light amount of the pattern PT. Half of the exposure amount for forming the light beam. Accordingly, the pattern PT can be formed through the double exposure.

도 6a 및 도 6b는 도 4의 상기 패턴을 형성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 노광용 마스크의 A 패턴과 B 패턴을 나타낸 평면도들이다. 6A and 6B are plan views showing an A pattern and a B pattern of the mask for exposure according to another embodiment of the present invention for forming the pattern of FIG.

도 4, 도 6a 및 도 6b를 참조하면, 상기 A 패턴(A)은 상기 패턴(PT)에 대응하여 형성된 제1 도트 패턴(DOT1)을 포함하고, 상기 B 패턴(B)은 상기 패턴(PT)에 대응하여 형성된 제2 도트 패턴(DOT2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도트 패턴(DOT1)은 복수의 도트형 개구들을 포함할 수 있다. 상기 제2 도트 패턴(DOT2)은 복수의 도트형 개구들을 포함할 수 있다. 본 실시예에서는, 상기 도트형 개구들이 사각형 형상을 갖는 것으로 설명되었으나 다양하게 변형될 수 있다. 예를 들면, 상기 도트형 개구는 원형 개구일 수 있다. Referring to FIGS. 4, 6A and 6B, the A pattern A includes a first dot pattern DOT1 formed corresponding to the pattern PT, and the B pattern B includes the pattern PT And a second dot pattern DOT2 formed corresponding to the second dot pattern DOT2. The first dot pattern DOT1 may include a plurality of dot-shaped openings. The second dot pattern DOT2 may include a plurality of dot-shaped openings. In the present embodiment, the dot-shaped openings are described as having a rectangular shape, but they can be variously modified. For example, the dot-shaped opening may be a circular opening.

상기 제1 도트 패턴(DOT1)의 상기 도트형 개구와 상기 제2 도트 패턴(DOT2)의 상기 도트형 개구는 상기 유닛 내에서 서로 다른 위치에 형성됨으로써, 이중 노광에 의해 상기 패턴(PT)에 대응하는 노광을 할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 도트 패턴(DOT1)은 상기 패턴(PT)을 형성하기 위한 노광량의 1/2의 광량을 투과시키도록 구성되고, 상기 제2 도트 패턴(DOT2)은 상기 패턴(PT)을 형성하기 위한 노광량의 1/2의 광량을 투과시키도록 구성될 수 있다. 이에 따라, 상기 이중 노광을 통해, 상기 패턴(PT)을 형성할 수 있다. The dot-shaped opening of the first dot pattern DOT1 and the dot-shaped opening of the second dot pattern DOT2 are formed at different positions in the unit, so that the double exposure exposes the pattern PT Exposure can be performed. For example, the first dot pattern DOT1 is configured to transmit a light amount of 1/2 of the exposure amount for forming the pattern PT, and the second dot pattern DOT2 is configured to transmit the pattern PT. Half of the exposure amount for forming the light beam. Accordingly, the pattern PT can be formed through the double exposure.

도 7a 및 도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 노광용 마스크에 의해 형성되는 하나의 유닛 내의 패턴을 나타낸 평면도 및 단면도이다. 7A and 7B are a plan view and a cross-sectional view showing a pattern in one unit formed by the mask for exposure according to an embodiment of the present invention.

도 7a 및 도 7b를 참조하면, 기판 상에 하나의 유닛(UNIT) 내에 제1 패턴(PT1) 및 제2 패턴(PT2)이 형성된다. 상기 제1 및 제2 패턴들(PT1, PT2)은 상기 노광용 마스크를 이용하여 노광(Exposure) 및 현상(Develop)의 공정 등을 통해 형성할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 및 제2 패턴(PT1, PT2)은 블랙 매트릭스일 수 있다. 상기 제1 패턴(PT1)은 풀 노광(full exposure)에 의해 형성되는 패턴이고, 상기 제2 패턴(PT2)은 하프 노광(half exposure)에 의해 형성되는 패턴으로 상기 제1 패턴(PT1)보다 얇은 두께로 형성될 수 있다. 즉, 상기 노광용 마스크는 서로 다른 두께의 패턴을 한번에 형성할 수 있는 하프톤 마스크 일 수 있다. 예를 들면, 상기 노광용 마스크의 일반 영역(도 1의 NA 참조)에는 광 투과 정도가 90% 이하 10% 이상인 하프톤 영역이 상기 제2 패턴(PT2)에 대응하여 형성될 수 있다. 상기 하프톤 영역은 슬릿 패턴 등으로 구현될 수 있다. Referring to FIGS. 7A and 7B, a first pattern PT1 and a second pattern PT2 are formed in one unit UNIT on a substrate. The first and second patterns PT1 and PT2 may be formed through exposing and developing steps using the mask for exposure. For example, the first and second patterns PT1 and PT2 may be black matrices. The first pattern PT1 is a pattern formed by full exposure and the second pattern PT2 is a pattern formed by half exposure and is thinner than the first pattern PT1. . That is, the mask for exposure may be a halftone mask capable of forming patterns having different thicknesses at a time. For example, a halftone region having a degree of light transmission of 90% or less and 10% or more may be formed in the general region (see the NA in FIG. 1) of the exposure mask corresponding to the second pattern PT2. The halftone region may be implemented as a slit pattern or the like.

다른 실시예에 따르면, 상기 제1 및 제2 패턴(PT)은 서로 다른 두께의 컬러 필터 패턴일 수 있다. According to another embodiment, the first and second patterns PT may be color filter patterns of different thicknesses.

본 실시예에서는 노광된 부분이 경화되어 패턴으로 형성되는 네거티브 타입이 예시되어 있으나, 포지티브 타입의 경우도 유사하게 구현될 수 있다. In this embodiment, a negative type in which an exposed portion is cured to form a pattern is illustrated, but a positive type can be similarly implemented.

도 8a 및 도 8b는 도 7a 및 7b의 상기 패턴을 형성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 노광용 마스크의 A 패턴과 B 패턴을 나타낸 평면도들이다. FIGS. 8A and 8B are plan views showing an A pattern and a B pattern of the mask for exposure according to an embodiment of the present invention for forming the pattern of FIGS. 7A and 7B.

도 7a, 도 8a 및 도 8b를 참조하면, 상기 A 패턴(A)은 상기 제1 패턴(PT1)에 대응하여 형성된 제1 슬릿 패턴(SLT1) 및 상기 제2 패턴(PT2)에 대응하여 형성된 제1' 슬릿 패턴(SLT1')을 포함하고, 상기 B 패턴(B)은 상기 제1 패턴(PT1)에 대응하여 형성된 제2 슬릿 패턴(SLT2) 및 상기 제2 패턴(PT2)에 대응하여 형성된 제2' 슬릿 패턴(SLT2')을 포함할 수 있다. 상기 제1 슬릿 패턴(SLT1)은 복수의 슬릿들을 포함할 수 있다. 상기 제2 슬릿 패턴(SLT2)은 복수의 슬릿들을 포함할 수 있다. 상기 제1' 슬릿 패턴(SLT')은 상기 제1 슬릿 패턴(SLT1)의 슬릿들 보다 낮은 밀도로 형성된 복수의 슬릿들을 포함할 수 있다. 상기 제2' 슬릿 패턴(SLT2')은 상기 제2 슬릿 패턴(SLT2)의 슬릿들 보다 낮은 밀도로 형성된 복수의 슬릿들을 포함할 수 있다. 7A, 8A and 8B, the A pattern A includes a first slit pattern SLT1 formed corresponding to the first pattern PT1 and a second slit pattern SLT1 formed corresponding to the second pattern PT2. And the B pattern B includes a second slit pattern SLT2 formed corresponding to the first pattern PT1 and a second slit pattern SLT2 formed corresponding to the second pattern PT2, 2 'slit pattern SLT2'. The first slit pattern SLT1 may include a plurality of slits. The second slit pattern SLT2 may include a plurality of slits. The first 'slit pattern SLT' may include a plurality of slits formed at a lower density than the slits of the first slit pattern SLT1. The second 'slit pattern SLT2' may include a plurality of slits formed at a lower density than the slits of the second slit pattern SLT2.

상기 제1 슬릿 패턴(SLT1)의 상기 슬릿과 상기 제2 슬릿 패턴(SLT2)의 상기 슬릿은 상기 유닛 내에서 서로 다른 위치에 형성됨으로써, 이중 노광에 의해 상기 제1 패턴(PT1)에 대응하는 노광을 할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 슬릿 패턴(SLT1)은 제1 상기 패턴(PT1)을 형성하기 위한 노광량의 1/2의 광량을 투과시키도록 구성되고, 상기 제2 슬릿 패턴(SLT2)은 상기 제1 패턴(PT1)을 형성하기 위한 노광량의 1/2의 광량을 투과시키도록 구성될 수 있다. 이에 따라, 상기 이중 노광을 통해, 상기 제1 패턴(PT1)을 형성할 수 있다. The slit of the first slit pattern SLT1 and the slit of the second slit pattern SLT2 are formed at different positions in the unit so that exposure by the double exposure to the first pattern PT1 can do. For example, the first slit pattern SLT1 is configured to transmit a light amount of 1/2 of the exposure amount for forming the first pattern PT1, and the second slit pattern SLT2 is configured to transmit the light amount of the first It is possible to transmit the light amount of 1/2 of the exposure amount for forming the pattern PT1. Accordingly, the first pattern PT1 can be formed through the double exposure.

또한, 상기 제1' 슬릿 패턴(SLT1')의 상기 슬릿과 상기 제2' 슬릿 패턴(SLT2')의 상기 슬릿은 상기 유닛 내에서 서로 다른 위치에 형성됨으로써, 이중 노광에 의해 상기 제2 패턴(PT2)에 대응하는 노광을 할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1' 슬릿 패턴(SLT1')은 제2 상기 패턴(PT2)을 형성하기 위한 노광량(하프 노광)의 1/2의 광량을 투과시키도록 구성되고, 상기 제2' 슬릿 패턴(SLT2')은 상기 제2 패턴(PT2)을 형성하기 위한 노광량(하프 노광)의 1/2의 광량을 투과시키도록 구성될 수 있다. 이에 따라, 상기 이중 노광을 통해, 상기 제2 패턴(PT2)을 형성할 수 있다. The slit of the first slit pattern SLT1 'and the slit of the second slit pattern SLT2' are formed at different positions in the unit, PT2) can be performed. For example, the first 'slit pattern SLT1' is configured to transmit a light amount of 1/2 of the exposure amount (half exposure) for forming the second pattern PT2, and the second ' (Half exposure) for forming the second pattern PT2 may be configured to transmit the light amount SLT2 '. Accordingly, the second pattern PT2 can be formed through the double exposure.

도 9a 및 도 9b는 도 7a 및 7b의 상기 패턴을 형성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 노광용 마스크의 A 패턴과 B 패턴을 나타낸 평면도들이다. FIGS. 9A and 9B are plan views showing an A pattern and a B pattern of the mask for exposure according to another embodiment of the present invention for forming the pattern of FIGS. 7A and 7B.

도 7a, 도 9a 및 도 9b를 참조하면, 상기 A 패턴(A)은 상기 제1 패턴(PT1)에 대응하여 형성된 제1 도트 패턴(DOT1) 및 상기 제2 패턴(PT2)에 대응하여 형성된 제1' 도트 패턴(DOT1')을 포함하고, 상기 B 패턴(B)은 상기 제1 패턴(PT1)에 대응하여 형성된 제2 도트 패턴(DOT2) 및 상기 제2 패턴(PT2)에 대응하여 형성된 제2' 도트 패턴(DOT2')을 포함할 수 있다. 상기 제1 도트 패턴(DOT1)은 복수의 도트형 개구들을 포함할 수 있다. 상기 제2 도트 패턴(DOT2)은 복수의 도트형 개구들을 포함할 수 있다. 상기 제1' 도트 패턴(DOT1')은 상기 제1 도트 패턴(DOT1)의 도트형 개구들 보다 낮은 밀도로 형성된 복수의 도트형 개구들을 포함할 수 있다. 상기 제2' 도트 패턴(DOT2')은 상기 제2 도트 패턴(DOT2)의 도트형 개구들 보다 낮은 밀도로 형성된 복수의 도트형 개구들을 포함할 수 있다.7A, 9A and 9B, the A pattern A includes a first dot pattern DOT1 formed corresponding to the first pattern PT1 and a second dot pattern DOT2 formed corresponding to the second pattern PT2. And the B pattern B includes a second dot pattern DOT2 formed corresponding to the first pattern PT1 and a second dot pattern DOT2 formed corresponding to the second pattern PT2, 2 'dot pattern (DOT2'). The first dot pattern DOT1 may include a plurality of dot-shaped openings. The second dot pattern DOT2 may include a plurality of dot-shaped openings. The first dot pattern DOT1 'may include a plurality of dot-shaped openings formed at densities lower than the dotted openings of the first dot pattern DOT1. The second dot pattern DOT2 'may include a plurality of dot-shaped openings formed at densities lower than the dotted openings of the second dot pattern DOT2.

상기 제1 도트 패턴(DOT1)의 상기 도트형 개구와 상기 제2 도트 패턴(DOT2)의 상기 도트형 개구는 상기 유닛 내에서 서로 다른 위치에 형성됨으로써, 이중 노광에 의해 상기 제1 패턴(PT1)에 대응하는 노광을 할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 도트 패턴(DOT1)은 제1 상기 패턴(PT1)을 형성하기 위한 노광량의 1/2의 광량을 투과시키도록 구성되고, 상기 제2 도트 패턴(DOT2)은 상기 제1 패턴(PT1)을 형성하기 위한 노광량의 1/2의 광량을 투과시키도록 구성될 수 있다. 이에 따라, 상기 이중 노광을 통해, 상기 제1 패턴(PT1)을 형성할 수 있다. The dot-shaped opening of the first dot pattern DOT1 and the dot-shaped opening of the second dot pattern DOT2 are formed at different positions in the unit, whereby the first pattern PT1 is formed by double exposure, It is possible to perform exposure corresponding to the exposure. For example, the first dot pattern DOT1 is configured to transmit a light amount of 1/2 of the exposure amount for forming the first pattern PT1, and the second dot pattern DOT2 is configured to transmit the light amount of the first It is possible to transmit the light amount of 1/2 of the exposure amount for forming the pattern PT1. Accordingly, the first pattern PT1 can be formed through the double exposure.

또한, 상기 제1' 도트 패턴(DOT1')의 상기 도트형 개구와 상기 제2' 도트 패턴(DOT2')의 상기 도트형 개구는 상기 유닛 내에서 서로 다른 위치에 형성됨으로써, 이중 노광에 의해 상기 제2 패턴(PT2)에 대응하는 노광을 할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1' 도트 패턴(DOT1')은 제2 상기 패턴(PT2)을 형성하기 위한 노광량(하프 노광)의 1/2의 광량을 투과시키도록 구성되고, 상기 제2' 도트 패턴(DOT2')은 상기 제2 패턴(PT2)을 형성하기 위한 노광량(하프 노광)의 1/2의 광량을 투과시키도록 구성될 수 있다. 이에 따라, 상기 이중 노광을 통해, 상기 제2 패턴(PT2)을 형성할 수 있다. The dot-shaped opening of the first dot pattern DOT1 'and the dot-shaped opening of the second dot pattern DOT2' are formed at different positions in the unit, The exposure corresponding to the second pattern PT2 can be performed. For example, the first 'dot pattern DOT1' is configured to transmit a half of the amount of exposure (half exposure) for forming the second pattern PT2, The second pattern DOT2 'may be configured to transmit a half of the amount of exposure (half exposure) for forming the second pattern PT2. Accordingly, the second pattern PT2 can be formed through the double exposure.

도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 노광용 마스크를 이용한 노광 방법을 사용하여 제조한 표시 장치의 단면도이다. 10 is a cross-sectional view of a display device manufactured using an exposure method using an exposure mask according to an embodiment of the present invention.

도 10을 참조하면, 상기 표시 장치는 기판(100), 상기 기판(100) 상에 배치되는 블랙 매트릭스(BM), 상기 블랙 매트릭스(BM)가 형성된 상기 기판(100) 상에 배치되는 컬러 필터층을 포함한다. 상기 컬러 필터층은 적색 컬러 필터 패턴(R), 녹색 컬러 필터 패턴(G), 청색 컬러 필터 패턴(B)을 포함할 수 있다. 상기 기판(100)은 박막 트랜지스터가 형성된 표시 장치의 TFT 기판일 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 상기 기판(100)은 상기 TFT 기판에 대향하는 대향 기판일 수 있다. 10, the display device includes a substrate 100, a black matrix BM disposed on the substrate 100, a color filter layer disposed on the substrate 100 on which the black matrix BM is formed, . The color filter layer may include a red color filter pattern (R), a green color filter pattern (G), and a blue color filter pattern (B). The substrate 100 may be a TFT substrate of a display in which a thin film transistor is formed. In another embodiment, the substrate 100 may be a counter substrate facing the TFT substrate.

상기 블랙 매트릭스(BM), 상기 적색 컬러 필터 패턴(R), 상기 녹색 컬러 필터 패턴(G) 및 상기 청색 컬러 필터 패턴(B)은 각각 본 발명의 실시예에 따른 노광용 마스크를 이용하여 형성할 수 있다. 상기 청색 컬러 필터(B)의 경우를 예로 들면, 상기 블랙 매트릭스(BM), 상기 적색 컬러 필터 패턴(R) 및 상기 녹색 컬러 필터 패턴(G)이 형성된 상기 기판(100) 상에 청색 컬러 필터를 구성하는 포토레지스트를 도포한 후, 상기 노광용 마스크를 이용하여 제1 샷((n)S) 및 제2 샷(n+1)S)을 노광한 후 현상하여, 상기 청색 컬러 필터 패턴(B)를 형성할 수 있다. The black matrix BM, the red color filter pattern R, the green color filter pattern G and the blue color filter pattern B can be formed using the mask for exposure according to the embodiment of the present invention, respectively have. A blue color filter is formed on the substrate 100 on which the black matrix BM, the red color filter pattern R and the green color filter pattern G are formed by taking the case of the blue color filter B as an example (N) S and the second shot (n + 1) S are exposed and developed by using the exposure mask to form the blue color filter pattern B, Can be formed.

스티치 라인(SL)의 좌측에 위치하는 상기 제1 샷((n)S)의 일반 영역((n)NA)의 상기 청색 컬러 필터 패턴(B)을 제1 샘플(SAMPLE1)로 정의하고, 상기 제1 샷((n)S)의 제2 주변 영역((n)PA2)과 상기 제2 샷((n+1)s)의 제1 주변 영역((n+1)PA1)이 중첩하는 영역의 상기 청색 컬러 필터 패턴(B)들을 제2 샘플(SAMPLE2) 및 제4 샘플(SAMPLE4)로 각각 정의하고, 상기 제2 샷((n+1)s)의 일반 영역((n+1)NA)의 상기 청색 컬러 필터 패턴(B)을 제3 샘플(SAMPLE3)로 정의할 수 있다. 이경우, 상기 제1 샷((n)S)에 의해 형성된 제1 샘플(SAMPLE1)은 상기 노광용 마스크의 우측 부분에 의해 형성된 것이고, 상기 제2 샷((n+1)S)에 의해 형성된 제3 샘플(SAMPLE3)은 상기 노광용 마스크의 좌측 부분에 의해 형성된 것이고, 상기 제2 샘플(SAMPLE2) 및 상기 제4 샘플(SAMPLE4)은 상기 노광용 마스크의 우측 부분 및 좌측 부분의 이중 노광에 의해 형성된 것이다. The blue color filter pattern B of the general area (n) NA of the first shot ((n) S) located on the left side of the stitch line SL is defined as a first sample SAMPLE1, (N + 1) s1) of the second shot ((n + 1) s) overlap with the second peripheral region (n2) PA2 of the first shot (N + 1) n) of the second shot ((n + 1) s) is defined as a second sample SAMPLE2 and a fourth sample SAMPLE4, ) Of the blue color filter pattern (B) of the first color filter pattern (B) can be defined as a third sample (SAMPLE3). In this case, the first sample SAMPLE1 formed by the first shot ((n) S) is formed by the right portion of the mask for exposure, and the third sample SAMPLE2 formed by the second shot ((n + The sample SAMPLE3 is formed by the left portion of the exposure mask and the second sample SAMPLE2 and the fourth sample SAMPLE4 are formed by double exposure of the right and left portions of the exposure mask.

이때, 상기 노광용 마스크의 좌측 부분과 우측 부분의 편차에 의한 노광량의 편차가 발생하더라도, 상기 스티치 라인(SL) 부근의 상기 제2 샘플(SAMPLE2) 및 상기 제4 샘플(SAMPLE4)은 이중 노광에 의해 형성되어, 상기 노광량 편차를 분산시킬 수 있다. 또한, 상기 제2 샘플(SAMPLE2) 및 상기 제4 샘플(SAMPLE4)은 상기 제1 샷((n)S)에서 각각 A 패턴 및 B 패턴에 의해 노광되고, 상기 제2 샷((n+1)S)에서 각각 B 패턴 및 A 패턴에 의해 노광되며, 상기 노광용 마스크의 상기 A 패턴과 B 패턴이 랜덤하게 배치되므로, 상기 제2 샘플(SAMPLE2) 및 상기 제4 샘플(SAMPLE4)간의 노광량 편차도 분산시킬 수 있다. The second sample SAMPLE2 and the fourth sample SAMPLE4 in the vicinity of the stitch line SL are formed by double exposure even if there is a deviation in exposure amount due to a deviation between the left portion and the right portion of the exposure mask So that the exposure amount deviation can be dispersed. The second sample SAMPLE2 and the fourth sample SAMPLE4 are exposed by the A pattern and the B pattern in the first shot ((n) S), and the second shot ((n + 1) S and the pattern A and the pattern B are randomly arranged in the mask for exposure so that the deviation of the exposure amount between the second sample SAMPLE2 and the fourth sample SAMPLE4 is also dispersed .

도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 노광용 마스크를 이용한 노광 방법을 사용하여 제조한 표시 장치의 단면도이다. 11 is a cross-sectional view of a display device manufactured using an exposure method using an exposure mask according to another embodiment of the present invention.

도 11을 참조하면, 상기 표시 장치는 기판(100), 상기 기판(100) 상에 배치되는 블랙 매트릭스(BM), 상기 블랙 매트릭스(BM)가 형성된 상기 기판(100) 상에 배치되는 컬러 필터층을 포함한다. 상기 컬러 필터층은 적색 컬러 필터 패턴(R), 녹색 컬러 필터 패턴(G), 청색 컬러 필터 패턴(B)을 포함할 수 있다. 상기 기판(100)은 박막 트랜지스터가 형성된 표시 장치의 TFT 기판일 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 상기 기판(100)은 상기 TFT 기판에 대향하는 대향 기판일 수 있다. 11, the display device includes a substrate 100, a black matrix BM disposed on the substrate 100, a color filter layer disposed on the substrate 100 on which the black matrix BM is formed, . The color filter layer may include a red color filter pattern (R), a green color filter pattern (G), and a blue color filter pattern (B). The substrate 100 may be a TFT substrate of a display in which a thin film transistor is formed. In another embodiment, the substrate 100 may be a counter substrate facing the TFT substrate.

상기 블랙 매트릭스(BM), 상기 적색 컬러 필터 패턴(R), 상기 녹색 컬러 필터 패턴(G) 및 상기 청색 컬러 필터 패턴(B)은 각각 본 발명의 실시예에 따른 노광용 마스크를 이용하여 형성할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)의 경우를 예로 들면, 상기 기판(100) 상에 블랙 매트릭스를 구성하는 포토레지스트를 도포한 후, 상기 노광용 마스크를 이용하여 제1 샷((n)S) 및 제2 샷(n+1)S)을 노광한 후 현상하여, 상기 블랙 매트릭스(BM)를 형성할 수 있다. The black matrix BM, the red color filter pattern R, the green color filter pattern G and the blue color filter pattern B can be formed using the mask for exposure according to the embodiment of the present invention, respectively have. In the case of the black matrix BM, for example, a photoresist constituting a black matrix is coated on the substrate 100, and then the first shot ((n) S) and the second shot (n + 1) S) and then developing the black matrix BM to form the black matrix BM.

상기 블랙 매트릭스(BM)는 하프톤 영역을 포함하는 마스크를 이용하여 형성되어, 제1 두께(t1) 및 상기 제2 두께(t2)를 갖는 부분을 포함할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)의 상기 제1 두께(t1)를 갖는 부분은 상기 하프톤 영역에 의해 형성되고, 상기 제1 두께(t1)는 상기 제2 두께(t2)보다 작을 수 있다. The black matrix BM may be formed using a mask including a halftone region and may include a portion having a first thickness t1 and a second thickness t2. The portion of the black matrix BM having the first thickness t1 may be formed by the halftone region and the first thickness t1 may be smaller than the second thickness t2.

스티치 라인(SL)의 좌측에 위치하는 상기 제1 샷((n)S)의 일반 영역((n)NA)의 상기 블랙 매트릭스(BM)를 제1 샘플(SAMPLE1)로 정의하고, 상기 제1 샷((n)S)의 제2 주변 영역((n)PA2)과 상기 제2 샷((n+1)s)의 제1 주변 영역((n+1)PA1)이 중첩하는 영역의 상기 블랙 매트릭스(BM)들을 제2 샘플(SAMPLE2) 및 제4 샘플(SAMPLE4)로 각각 정의하고, 상기 제2 샷((n+1)s)의 일반 영역((n+1)NA)의 상기 블랙 매트릭스(BM)를 제3 샘플(SAMPLE3)로 정의할 수 있다. 이 경우, 상기 제1 샷((n)S)에 의해 형성된 제1 샘플(SAMPLE1)은 상기 노광용 마스크의 우측 부분에 의해 형성된 것이고, 상기 제2 샷((n+1)S)에 의해 형성된 제3 샘플(SAMPLE3)은 상기 노광용 마스크의 좌측 부분에 의해 형성된 것이고, 상기 제2 샘플(SAMPLE2) 및 상기 제4 샘플(SAMPLE4)은 상기 노광용 마스크의 우측 부분 및 좌측 부분의 이중 노광에 의해 형성된 것이다. The black matrix BM of the general area ((n) NA) of the first shot ((n) S) located on the left side of the stitch line SL is defined as a first sample SAMPLE1, Of the area where the second peripheral area (n) PA2 of the shot ((n) S) and the first peripheral area (n + 1) PA1 of the second shot (n + (N + 1) NA) of the second shot ((n + 1) s) is defined as a second sample SAMPLE2 and a fourth sample SAMPLE4, The matrix (BM) can be defined as a third sample (SAMPLE3). In this case, the first sample SAMPLE1 formed by the first shot (n) S is formed by the right portion of the mask for exposure, and the first sample SAMPLE1 formed by the second shot ((n + 1) S) The third sample SAMPLE3 is formed by the left portion of the exposure mask and the second sample SAMPLE2 and the fourth sample SAMPLE4 are formed by double exposure of the right and left portions of the exposure mask.

이때, 상기 노광용 마스크의 좌측 부분과 우측 부분의 편차에 의한 노광량의 편차가 발생하더라도, 상기 스티치 라인(SL) 부근의 상기 제2 샘플(SAMPLE2) 및 상기 제4 샘플(SAMPLE4)은 이중 노광에 의해 형성되어, 상기 노광량 편차를 분산시킬 수 있다. 또한, 상기 제2 샘플(SAMPLE2) 및 상기 제4 샘플(SAMPLE4)은 상기 제1 샷((n)S)에서 각각 A 패턴 및 B 패턴에 의해 노광되고, 상기 제2 샷((n+1)S)에서 각각 B 패턴 및 A 패턴에 의해 노광되며, 상기 노광용 마스크의 상기 A 패턴과 B 패턴이 랜덤하게 배치되므로, 상기 제2 샘플(SAMPLE2) 및 상기 제4 샘플(SAMPLE4)간의 노광량 편차도 분산시킬 수 있다. The second sample SAMPLE2 and the fourth sample SAMPLE4 in the vicinity of the stitch line SL are formed by double exposure even if there is a deviation in exposure amount due to a deviation between the left portion and the right portion of the exposure mask So that the exposure amount deviation can be dispersed. The second sample SAMPLE2 and the fourth sample SAMPLE4 are exposed by the A pattern and the B pattern in the first shot ((n) S), and the second shot ((n + 1) S and the pattern A and the pattern B are randomly arranged in the mask for exposure so that the deviation of the exposure amount between the second sample SAMPLE2 and the fourth sample SAMPLE4 is also dispersed .

도 12 및 도 13은 비교예와 본 발명의 실시예에 따른 노광량 산포를 개략적으로 나타낸 도면들이다. FIGS. 12 and 13 are views schematically showing an exposure amount distribution according to the comparative example and the embodiment of the present invention.

도 12를 참하면, 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)으로 매트릭스 형태로 배열되는 네 개의 유닛들을 예로 들어 설명한다. 노광용 마스크의 좌우측의 편차에 따라 우측 부분은 60mW/cm2 의 세기로 노광되고, 좌측 부분은 40mW/cm2 의 세기로 노광되는 경우를 가정한다. Referring to FIG. 12, four units arranged in a matrix form in the first direction D1 and the second direction D2 will be described as an example. It is assumed that the right portion is exposed at an intensity of 60 mW / cm 2 and the left portion is exposed at an intensity of 40 mW / cm 2 according to the deviation of the left and right sides of the exposure mask.

상기 비교예에 따르면, 제1 샷에 의해 노광되는 영역(A1, A2)은 상기 노광용 마스크의 우측 부분을 통해 노광되고, 제2 샷에 의해 노광되는 영역(B1, B2)은 상기 노광용 마스크의 좌측 부분을 통해 노광되어, 노광량의 편차가 발생한다. According to the comparative example, the regions A1 and A2 exposed by the first shot are exposed through the right portion of the exposure mask, and the regions B1 and B2 exposed by the second shot are exposed on the left side of the exposure mask And a variation in exposure amount occurs.

도 13을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따르면, A1. A2. B1, B2 영역이 모두 이중 노광되어, 상기 노광용 마스크의 좌측 부분을 통해 50% 노광되고, 상기 노광용 마스크의 우측 부분을 통해 50% 노광되므로, 전체적으로 상기 노광용 마스크의 좌우측 편차에 의한 노광량 차이가 분산되어 평준화 될 수 있다. 이에 따라 노광 품질이 향상될 수 있다. Referring to Fig. 13, according to an embodiment of the present invention, A1. A2. The areas B1 and B2 are all double-exposed, 50% exposed through the left part of the exposure mask, and 50% exposed through the right part of the exposure mask, so that the exposure amount difference due to the right and left side deviations of the exposure mask as a whole is dispersed Can be leveled. Thus, the exposure quality can be improved.

본 발명의 실시예들에 따르면, 제1 샷과 제2 샷의 경계인 스티치 라인 부분에서의 이중 노광에 의해 노광량의 산포(dispersion)에 의한 편차가 최소화 될 수 있다. 즉, 상기 이중 노광 되는 부분은 상기 제1 샷에서 노광용 마스크의 우측의 제2 가장자리 영역에서 1/2 광량의 노광이 이루어지고, 상기 제2 샷에서 상기 노광용 마스크의 좌측의 제1 가장자리 영역에서 나머지 1/2 광량의 노광이 이루어지므로, 전체적으로 노광량의 분포가 고르게 될 수 있다. 이에 따라 상기 노광 패턴의 품질이 향상될 수 있다. According to the embodiments of the present invention, the deviation due to the dispersion of the exposure dose can be minimized by the double exposure in the portion of the stitch line which is the boundary between the first shot and the second shot. That is, the half-exposed portion is exposed at a half-light amount in the second edge region on the right side of the exposure mask in the first shot, and the remaining half region is exposed in the first edge region on the left side of the exposure mask in the second shot. Since the exposure is performed with a half light amount, the distribution of the exposure amount as a whole can be made even. Thus, the quality of the exposure pattern can be improved.

또한, 상기 제1 및 제2 가장자리 영역에서, A 패턴과 B 패턴이 랜덤하게 배열됨에 따라, 상기 스티치 라인 부근에서의 노광량 산포에 따른 편차를 분산시킬 수 있으며, 이에 따라 노광 패턴의 품질이 향상될 수 있다. In addition, as the A pattern and the B pattern are randomly arranged in the first and second edge regions, the deviation due to scattering of the exposure amount in the vicinity of the stitch line can be dispersed, thereby improving the quality of the exposure pattern .

이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims. It will be possible.

10: 노광용 마스크 100: 기판
R,G,B: 컬러 필터 패턴 BM: 블랙 매트릭스
SL: 스티치 라인 NA: 일반 영역
PA1: 제1 가장자리 영역 PA2: 제2 가장자리 영역10: mask for exposure 100: substrate
R, G, B: Color filter pattern BM: Black matrix
SL: stitch line NA: general area
PA1: first edge area PA2: second edge area

Claims (20)

일반 영역;
상기 일반 영역의 일측에 인접하고, 복수의 유닛들로 구획된 제1 가장자리 영역; 및
상기 일반 영역의 상기 일측에 대향하는 타측에 인접하고, 복수의 유닛들로 구획되고, 상기 제1 가장자리 영역과 동일한 면적을 갖는 제2 가장자리 영역을 포함하고,
상기 일반 영역에는 피노광 부재인 기판에 노광 패턴을 형성하기 위한 패턴이 형성되고,
상기 제1 가장자리 영역에서, 제1 유닛 내에 A 패턴이 형성되고,
상기 제1 유닛과 대응하는 위치의 상기 제2 가장자리 영역의 제2 유닛 내에 B 패턴이 형성되어,
상기 A 패턴과 상기 B 패턴이 이중 노광되면, 상기 일반 영역의 노광 패턴과 동일한 노광 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크.General area;
A first edge region adjacent to one side of the general region, the first edge region being divided into a plurality of units; And
And a second edge region adjacent to the other side opposite to the one side of the general region, the second edge region being divided into a plurality of units and having the same area as the first edge region,
A pattern for forming an exposure pattern is formed on a substrate, which is a member to be exposed,
In the first edge region, an A pattern is formed in the first unit,
A B pattern is formed in a second unit of the second edge region at a position corresponding to the first unit,
Wherein when the A pattern and the B pattern are double-exposed, the same exposure pattern as the exposure pattern of the general area is formed. 제1 항에 있어서,
상기 제1 가장자리 영역에서, 제3 유닛 내에 상기 B 패턴이 형성되고,
상기 제3 유닛과 대응하는 위치의 상기 제2 가장자리 영역의 제4 유닛 내에 상기 A 패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크. The method according to claim 1,
In the first edge region, the B pattern is formed in the third unit,
And the A pattern is formed in the fourth unit of the second edge region at a position corresponding to the third unit. 제2 항에 있어서,
상기 제1 가장자리 영역에서, 상기 A 패턴이 형성된 유닛과 상기 B 패턴이 형성된 유닛은 랜덤하게 배열되는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크. 3. The method of claim 2,
Wherein in the first edge region, the unit in which the A pattern is formed and the unit in which the B pattern are formed are randomly arranged. 제3 항에 있어서,
상기 노광용 마스크는 표시 장치를 제조하기 위한 것으로,
하나의 유닛이 상기 표시 장치의 복수개의 픽셀에 대응되는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크. The method of claim 3,
The mask for exposure is for manufacturing a display device,
Wherein one unit corresponds to a plurality of pixels of the display device. 제3 항에 있어서,
상기 노광용 마스크는 표시 장치를 제조하기 위한 것으로,
하나의 유닛이 상기 표시 장치의 하나의 픽셀에 대응되는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크. The method of claim 3,
The mask for exposure is for manufacturing a display device,
Wherein one unit corresponds to one pixel of the display device. 제3 항에 있어서,
상기 A 패턴과 상기 B 패턴은 슬릿 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크. The method of claim 3,
Wherein the A pattern and the B pattern include a slit pattern. 제3 항에 있어서,
상기 A 패턴과 상기 B 패턴은 도트(Dot) 개구 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크. The method of claim 3,
Wherein the A pattern and the B pattern include a dot opening pattern. 제3 항에 있어서,
상기 일반 영역의 상기 패턴은 광 투과 정도가 90% 이하 10% 이상인 하프톤 영역을 포함하고,
상기 하프톤 영역에는 슬릿 패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 노광용 마스크. The method of claim 3,
Wherein the pattern of the general region includes a halftone region having a degree of light transmission of 90% or less and 10% or more,
And a slit pattern is formed in the halftone region. 제3 항에 있어서,
상기 노광용 마스크는 표시 장치의 컬러 필터층 또는 블랙 매트릭스를 제조하기 위한 것을 특징으로 하는 노광용 마스크. The method of claim 3,
Wherein the mask for exposure is for producing a color filter layer or a black matrix of a display device. 제4 항에 있어서,
상기 컬러 필터층 또는 상기 블랙 매트릭스는 두께가 다른 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크. 5. The method of claim 4,
Wherein the color filter layer or the black matrix includes portions having different thicknesses. 마스크를 이용하여 제1 샷을 노광하는 단계; 및
상기 마스크를 이용하여 상기 제1 샷과 일부 중첩하게 제2 샷을 노광하는 단계를 포함하고,
상기 마스크는
일반 영역;
상기 일반 영역의 일측에 인접하고, 복수의 유닛들로 구획된 제1 가장자리 영역; 및
상기 일반 영역의 상기 일측에 대향하는 타측에 인접하고, 복수의 유닛들로 구획되고, 상기 제1 가장자리 영역과 동일한 면적을 갖는 제2 가장자리 영역을 포함하고,
상기 일반 영역에는 피노광 부재인 기판에 노광 패턴을 형성하기 위한 패턴이 형성되고,
상기 제1 가장자리 영역에서, 제1 유닛 내에 A 패턴이 형성되고,
상기 제1 유닛과 대응하는 위치의 상기 제2 가장자리 영역의 제2 유닛 내에 B 패턴이 형성되고,
상기 제1 샷을 노광하는 단계에서 상기 A 패턴에 의해 상기 기판이 노광되고, 상기 제2 샷을 노광하는 단계에서 상기 B 패턴에 의해 상기 기판이 노광되면,
상기 A 패턴 및 상기 B 패턴이 이중 노광된 부분은 상기 일반 영역의 노광 패턴과 동일한 노광 패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 노광 방법. Exposing a first shot using a mask; And
And exposing a second shot partially overlapping with the first shot using the mask,
The mask
General area;
A first edge region adjacent to one side of the general region, the first edge region being divided into a plurality of units; And
And a second edge region adjacent to the other side opposite to the one side of the general region, the second edge region being divided into a plurality of units and having the same area as the first edge region,
A pattern for forming an exposure pattern is formed on a substrate, which is a member to be exposed,
In the first edge region, an A pattern is formed in the first unit,
A B pattern is formed in a second unit of the second edge region at a position corresponding to the first unit,
When the substrate is exposed by the A pattern in the step of exposing the first shot, and when the substrate is exposed by the B pattern in the step of exposing the second shot,
Wherein the double-exposed portions of the pattern A and the pattern B have the same exposure pattern as the exposure pattern of the general region. 제11 항에 있어서,
상기 제1 샷을 노광하는 단계에서는, 상기 제1 샷은 상기 마스크의 상기 제2 가장자리 영역에 대응하는 제2 가장자리 영역을 포함하고,
상기 제2 샷을 노광하는 단계에서는, 상기 마스크의 상기 제1 가장자리 영역이 상기 제1 샷의 상기 제2 가장자리 영역과 중첩하도록 노광하는 것을 특징으로 하는 노광 방법. 12. The method of claim 11,
In the step of exposing the first shot, the first shot includes a second edge region corresponding to the second edge region of the mask,
Wherein the step of exposing the second shot exposes the first edge region of the mask to overlap the second edge region of the first shot. 제12 항에 있어서,
상기 마스크의 상기 제1 가장자리 영역에서, 제3 유닛 내에 상기 B 패턴이 형성되고, 상기 제3 유닛과 대응하는 위치의 상기 제2 가장자리 영역의 제4 유닛 내에 상기 A 패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 노광 방법. 13. The method of claim 12,
The B pattern is formed in the third unit in the first edge region of the mask and the A pattern is formed in the fourth unit of the second edge region in the position corresponding to the third unit Exposure method. 제12 항에 있어서,
상기 마스크의 상기 제1 가장자리 영역에서, 상기 A 패턴이 형성된 유닛과 상기 B 패턴이 형성된 유닛은 랜덤하게 배열되는 것을 특징으로 하는 노광 방법. 13. The method of claim 12,
Wherein in the first edge region of the mask, the unit in which the A pattern is formed and the unit in which the B pattern are formed are randomly arranged. 제13 항에 있어서,
상기 노광 방법은 표시 장치를 제조하기 위한 것으로,
상기 마스크의 하나의 유닛이 상기 표시 장치의 하나의 픽셀에 대응되는 것을 특징으로 하는 노광 방법. 14. The method of claim 13,
The above exposure method is for manufacturing a display device,
Wherein one unit of the mask corresponds to one pixel of the display device. 제13 항에 있어서,
상기 마스크의 상기 A 패턴과 상기 B 패턴은 슬릿 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.14. The method of claim 13,
Wherein the A pattern and the B pattern of the mask include a slit pattern. 제13 항에 있어서,
상기 마스크의 상기 A 패턴과 상기 B 패턴은 도트(Dot) 개구 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.14. The method of claim 13,
Wherein the A pattern and the B pattern of the mask include a dot opening pattern. 제13 항에 있어서,
상기 노광용 마스크의 상기 일반 영역의 상기 패턴은 광 투과 정도가 90% 이하 10% 이상인 하프톤 영역을 포함하고,
상기 하프톤 영역에 대응해서 상기 노광용 마스크에는 슬릿 패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 노광 방법. 14. The method of claim 13,
Wherein the pattern of the general region of the exposure mask includes a halftone region having a degree of light transmission of 90% or less and 10% or more,
And a slit pattern is formed in the exposure mask corresponding to the halftone region. 제13 항에 있어서,
상기 노광 방법은 표시 장치의 컬러 필터층 또는 블랙 매트릭스를 제조하기 위한 것을 특징으로 하는 노광 방법. 14. The method of claim 13,
Wherein the exposure method is for producing a color filter layer or a black matrix of a display device. 제14 항에 있어서,
상기 컬러 필터층 또는 상기 블랙 매트릭스는 두께가 다른 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.

15. The method of claim 14,
Wherein the color filter layer or the black matrix includes portions having different thicknesses.

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