KR20180024913A - 반도체 패턴 계측을 위한 영상 처리장치 및 방법과, 이를 이용한 계측 시스템 - Google Patents

반도체 패턴 계측을 위한 영상 처리장치 및 방법과, 이를 이용한 계측 시스템 Download PDF

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Abstract

본 기술의 일 실시예에 의한 반도체 패턴 계측을 위한 영상 처리장치는 반도체 패턴으로부터 촬상된 원본 이미지에 포함된 패턴들을 닫힌 형태로 특정하는 패턴 특정부, 닫힌 형태로 특정된 패턴들을 기 설정된 기준에 따라 구분하는 패턴 구분부, 기 설정된 초기 위치로부터, 패턴 구분부에서 구분한 패턴들과의 거리를 산출하도록 구성되는 패턴 위치 계산부 및 초기 위치로부터 패턴들과의 거리 산출 결과에 기초하여 원점을 결정하고, 원점으로부터 패턴들과의 거리를 산출하여 보정 이미지를 생성하도록 구성되는 거리 계산부를 포함하도록 구성될 수 있다.

Description

반도체 패턴 계측을 위한 영상 처리장치 및 방법과, 이를 이용한 계측 시스템{Image Processing Apparatus and Method for Instrumentation of Semiconductor Pattern, and Instrumentation System Using the Same}
본 발명은 반도체 패턴 계측 기술에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 반도체 패턴 계측을 위한 영상 처리장치 및 방법과, 이를 이용한 계측 시스템에 관한 것이다.
반도체 장치는 웨이퍼 등과 같은 반도체 기판에 하나 이상의 층들을 패터닝함으로써 제조될 수 있다.
반도체 장치의 각 제조 공정별로 반도체 패턴이 제조되면 후속하는 제조 공정에서 불량을 유발할 가능성을 줄이기 위해 해당 공정의 결과로 형성된 패턴의 임계 치수를 측정하는 공정이 수행될 수 있다.
반도체 패턴의 치수를 계측하여 분석 및 평가하기 위한 시스템으로 임계치수 주사전자현미경(Critical Dimension Scanning Electron Microscope; CD-SEM)을 들 수 있다.
반도체 패턴은 계속해서 미세화 및 복잡화되고 있으며, 하부층과 상부층 간의 오버레이는 패턴 평가시 잡음 요소로 작용할 수 있다. 따라서 계측 대상 패턴을 명확하게 특정하고 이로부터 원하는 분석 결과를 도출하는 것이 점차 어려워 지고 있다.
본 기술의 실시예는 계측하고자 하는 대상을 명확하게 특정할 수 있는 반도체 패턴 계측을 위한 영상 처리장치 및 방법과, 이를 이용한 계측 시스템을 제공할 수 있다.
본 기술의 일 실시예에 의한 반도체 패턴 계측을 위한 영상 처리장치는 반도체 패턴으로부터 촬상된 원본 이미지에 포함된 패턴들을 닫힌 형태로 특정하는 패턴 특정부; 상기 닫힌 형태로 특정된 상기 패턴들을 기 설정된 기준에 따라 구분하는 패턴 구분부; 기 설정된 초기 위치로부터, 상기 패턴 구분부에서 구분한 상기 패턴들과의 거리를 산출하도록 구성되는 패턴 위치 계산부; 및 상기 초기 위치로부터 상기 패턴들과의 거리 산출 결과에 기초하여 원점을 결정하고, 상기 원점으로부터 상기 패턴들과의 거리를 산출하여 보정 이미지를 생성하도록 구성되는 거리 계산부;를 포함하도록 구성될 수 있다.
본 기술의 일 실시예에 의한 반도체 패턴 계측 시스템은 반도체 웨이퍼 상에 형성된 패턴을 촬상하여 원본 이미지를 제공하도록 구성되는 촬상 장치; 상기 원본 이미지에 포함된 패턴들을 닫힌 형태로 특정하여 기 설정된 기준에 따라 구분하고, 기 설정된 초기 위치로부터 상기 구분한 패턴들과의 거리를 산출하며, 상기 초기 위치로부터 상기 패턴들과의 거리 산출 결과에 기초하여 원점을 결정하고, 상기 원점으로부터 상기 패턴들과의 거리를 산출하여 보정 이미지를 생성하도록 구성되는 영상 처리장치; 및 상기 영상 처리장치로부터 상기 보정 이미지를 제공받아 분석하도록 구성되는 영상 분석장치;를 포함하도록 구성될 수 있다.
본 기술의 일 실시예에 의한 반도체 패턴 계측을 위한 영상 처리방법은 반도체 패턴으로부터 촬상된 원본 이미지에 포함된 패턴들을 닫힌 형태로 특정하는 단계; 상기 닫힌 형태로 특정된 상기 패턴들을 기 설정된 기준에 따라 구분하는 단계; 기 설정된 초기 위치로부터, 상기 구분한 패턴들과의 거리를 산출하는 단계; 및 상기 초기 위치로부터 상기 패턴들과의 거리 산출 결과에 기초하여 원점을 결정하고, 상기 원점으로부터 상기 패턴들과의 거리를 산출하여 보정 이미지를 생성하는 단계;를 포함하도록 구성될 수 있다.
본 기술에 의하면 계측 대상 패턴을 명확히 특정함에 따라 패턴 계측의 정확도를 향상시킬 수 있다.
도 1은 일 실시예에 의한 반도체 패턴 계측을 위한 영상 처리장치의 구성도이다.
도 2는 일 실시예에 의한 반도체 패턴 계측을 위한 영상 처리방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 3은 일 실시예에 의한 패턴 특정 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 4는 일 실시예에 의한 패턴 구분 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 5는 일 실시예에 의한 초기 위치로부터 패턴 간의 거리 계산 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 6은 일 실시예에 의한 원점으로부터 패턴 간의 거리 계산 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 7은 일 실시예에 의한 반도체 패턴 계측 시스템의 구성도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 기술의 실시예를 보다 구체적으로 설명한다.
도 1은 일 실시예에 의한 반도체 패턴 계측을 위한 영상 처리장치의 구성도이다.
도 1을 참조하면, 일 실시예에 의한 반도체 패턴 계측을 위한 영상 처리장치(10)는 컨트롤러(110), 메모리(120), 사용자 인터페이스(UI, 130), 이미지 획득부(140), 패턴 특정부(150), 패턴 구분부(160), 패턴 위치 계산부(170), 거리 계산부(180) 및 데이터베이스(190)를 포함할 수 있다.
컨트롤러(110)는 예를 들어 중앙처리장치일 수 있으며, 영상 처리장치(10)의 동작 전반을 제어하도록 구성될 수 있다.
메모리(120)는 영상 처리장치(10)가 동작하는 데 필요한 프로그램, 응용 프로그램, 제어 데이터, 동작 파라미터, 처리 결과 등을 저장할 수 있다. 메모리(120)는 주기억장치 및 보조기억장치를 포함할 수 있다.
사용자 인터페이스(130)는 사용자가 영상 처리장치(10)에 접근할 수 있는 환경을 제공할 수 있다. 사용자 인터페이스(130)는 키보드, 마우스, 터치패드, 터치 스크린 등과 같은 입력장치를 위한 인터페이스와, 디스플레이, 스피커 등과 같은 출력장치를 위한 인터페이스를 포함할 수 있다.
이미지 획득부(140)는 외부장치, 예를 들어 CD-SEM과 같은 이미지 촬상 장치로부터 반도체 패턴에 대한 촬상 이미지 즉, 원본 이미지를 수신하도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, CD-SEM과 같은 장치로부터 촬상된 이미지는 파서(Parser)를 통해 유효한 영역이 추출된 후 이미지 획득부(140)로 제공될 수 있다.
패턴 특정부(150)는 이미지 획득부(140)에서 수신한 원본 이미지에 포함된 패턴들을 닫힌 형태(Closed-form)로 특정하도록 구성될 수 있다.
일 실시예에서, 패턴 특정부(150)는 이미지 획득부(140)에서 수신된 원본 이미지에 대하여 전처리 과정, 예를 들어 잡음제거 및 화질개선 알고리즘을 수행할 수 있다. 이에 따라 불분명한 에지(edge) 영역에 대한 신호가 증폭되고 전체 이미지의 대비가 향상될 수 있다.
패턴 특정부(150)는 또한 전처리된 이미지에 대한 이진화를 수행하여 패턴의 에지들을 추출하며, 추출된 에지들을 연결할 수 있다. 이에 따라 전처리된 이미지에 포함된 패턴들을 닫힌 형태로 특정할 수 있다.
패턴 구분부(160)는 닫힌 형태로 특정된 각 패턴들을 기 설정된 기준에 따라 구분하도록 구성될 수 있다.
일 실시예에서, 패턴 구분부(160)는 닫힌 형태로 특정된 각 패턴들에 대한 면적을 기초로 패턴들을 구분할 수 있다. 일 실시예에서, 패턴 구분부(160)는 닫힌 형태로 특정된 패턴들의 면적을 산출하고 산출된 면적의 비율을 이용하여 패턴을 구분할 수 있다.
패턴 위치 계산부(170)는 이미지에 대하여 기 설정된 초기 위치를 기점으로 하여, 패턴 구분부(160)에서 구분한 각 패턴과의 거리를 계산하도록 구성될 수 있다.
일 실시예에서, 패턴 위치 계산부(170)는 패턴 구분부(160)에 의해 구분된 각 패턴의 무게중심 좌표를 인덱스 테이블로 생성할 수 있다. 그리고, 원본 이미지의 중심점을 초기 위치로 하여, 초기 위치로부터 각 패턴의 무게중심 좌표와의 거리, 예를 들어 유클리디안(Euclidean) 거리를 계산하고 정렬할 수 있다. 패턴 위치 계산부(170)에서 생성한 인덱스 테이블은 데이터베이스(190)에 저장될 수 있다.
거리 계산부(180)는 패턴 위치 계산부에서 계산한 거리 및 초기 위치에 기초하여 원점을 결정하고, 결정된 원점으로부터 각 패턴의 무게중심 좌표와의 거리를 계산할 수 있다. 그리고, 그 계산 결과에 따라 수신된 이미지를 보정한 보정 이미지를 생성하도록 구성될 수 있다.
일 실시예에서, 거리 계산부(180)는 패턴 위치 계산부(170)에서 계산한 거리에 기초하여 초기 위치, 예를 들어 이미지의 중심점으로부터 최근접한 무게중심 좌표를 해당 이미지의 원점으로 결정할 수 있다. 그리고, 결정된 원점으로부터 각 패턴의 무게중심 좌표 간의 거리를 계산하여 계측 대상 이미지에 포함된 패턴 간의 거리를 특정하고, 이에 기초하여 보정 이미지를 생성할 수 있다. 거리 계산부(180)에서 생성한 계산 결과 및 보정 이미지는 원본 이미지와 함께 데이터베이스(190)에 저장될 수 있다.
계측 대상 이미지를 촬상하는 과정에서 촬상 장치와 계측 대상 이미지 간의 원점이 정확히 정렬되지 않은 채로 촬상이 이루어지는 경우가 발생할 수 있다. 특히 반도체 패턴이 미세 선폭을 갖는 경우 이러한 정렬 오차는 더욱 심화될 수 있고, 이에 따라 촬상 장치에 의해 촬상된 원본 이미지는 불명확할 수 있다.
본 기술에서는 촬상 장치에서 촬상된 원본 이미지에 포함된 패턴들을 닫힌 형태로 특정할 수 있다. 또한, 닫힌 형태로 특정된 패턴들을 구분하고, 초기 위치로부터 각 구분된 패턴들의 거리에 기초하여 이미지의 원점을 결정할 수 있다. 아울러, 결정된 원점에 대한 각 패턴들의 거리를 계산할 수 있다. 이에 따라 계측 대상 이미지의 원점을 자동으로 계산할 수 있고, 이미지에 포함된 패턴들 간의 거리를 정확하게 특정하여, 계측에 활용할 보정 이미지를 생성할 수 있다.
도 2는 일 실시예에 의한 반도체 패턴 계측을 위한 영상 처리방법을 설명하기 위한 흐름도이고, 도 3 내지 도 6은 도 2에 도시한 영상 처리방법에서의 각 과정에 대한 예시적인 처리도이다.
영상 처리장치(10)는 외부장치, 예를 들어 CD-SEM과 같은 이미지 촬상 장치로부터 반도체 패턴에 대한 촬상 이미지를 원본 이미지로서 수신할 수 있다(S10).
이에 따라, 영상 처리장치(10)는 단계 S101에서 수신한 원본 이미지에 포함된 패턴들을 닫힌 형태로 특정할 수 있다(S20).
도 3은 일 실시예에 의한 패턴 특정 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
영상 처리장치(10)는 수신한 이미지에 대하여 잡음제거 및 화질개선 알고리즘을 수행하는 전처리 프로세스를 수행할 수 있다(S201). 이에 따라 불분명한 에지 영역에 대한 신호가 증폭되어 이미지의 대비가 향상될 수 있다.
이후, 영상 처리장치(10)는 전처리된 이미지를 이진화할 수 있다(S203).
영상 처리장치(10)는 이진화의 결과로부터 이미지에 포함된 각 패턴들의 에지들을 추출하고 연결할 수 있다(S205). 이에 따라 수신된 원본 이미지에 포함된 패턴들을 닫힌 형태로 특정할 수 있다.
다시 도 2를 참조하면, 영상 처리장치(10)는 수신된 원본 이미지에 포함된 패턴들이 닫힌 형태로 특정됨에 따라, 닫힌 형태로 특정된 패턴들을 기 설정된 기준에 의거하여 구분할 수 있다(S30).
도 4는 일 실시예에 의한 패턴 구분 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 4를 참조하면, 영상 처리장치(10)는 닫힌 형태로 특정된 각 패턴들에 대한 면적을 산출할 수 있다(S301). 이후, 산출된 면적의 비율에 기초하여 패턴을 구분할 수 있다(S303).
각 패턴들에 대한 구분이 완료되면, 영상 처리장치는 기 설정된 초기 위치를 기점으로 하여, 단계 S30에서 구분한 각 패턴과의 거리를 계산할 수 있다(S40).
도 5는 일 실시예에 의한 초기 위치로부터 패턴 간의 거리 계산 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
일 실시예에서, 영상 처리장치(10)는 단계 S30에서 구분된 각 패턴의 무게중심 좌표를 산출하고, 이를 인덱스 테이블로 생성할 수 있다(S401).
그리고, 영상 처리장치(10)는 기 설정된 초기 위치, 예를 들어 원본 이미지의 중심점을 기점으로 하여, 초기 위치로부터 각 패턴의 무게중심 좌표와의 거리, 예를 들어 유클리디안(Euclidean) 거리를 계산하고(S403). 정렬할 수 있다(S405).
다시 도 2를 참조하면, 단계 S40에서 초기 위치로부터 각 패턴들 간의 거리가 계산됨에 따라, 영상 처리장치(10)는 해당 이미지에 대한 원점을 결정하고, 결정된 원점으로부터 각 패턴의 무게중심 좌표와의 거리를 계산할 수 있다(S50). 이에 의해 해당 이미지에 대해 결정된 원점을 기준으로 각 패턴들 간의 거리가 특정된 보정 이미지가 생성될 수 있다.
도 6은 일 실시예에 의한 원점으로부터 패턴 간의 거리 계산 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
영상 처리장치(10)는 단계 S40에서 계산한 거리의 정렬 결과에 기초하여 초기 위치 즉, 원본 이미지의 중심점으로부터 최근접한 무게중심 좌표를 해당 이미지의 원점으로 결정할 수 있다(S501). 그리고, 결정된 원점으로부터 각 패턴의 무게중심 좌표 간의 거리를 계산하여 계측 대상 이미지에 포함된 패턴 간의 거리를 특정하고 저정할 수 있다(S503).
이에 따라, 본 실시예에 의한 영상 처리방법에 의하면, 촬상 장치에서 촬상된 원본 이미지에 포함된 패턴들을 닫힌 형태로 특정할 수 있다. 또한, 닫힌 형태로 특정된 패턴들을 구분하고, 초기 위치로부터 각 구분된 패턴들의 거리에 기초하여 이미지의 원점을 결정할 수 있다. 아울러, 결정된 원점에 대한 각 패턴들의 거리를 계산할 수 있다. 이에 따라 계측 대상 이미지의 원점을 자동으로 계산할 수 있고, 이미지에 포함된 패턴들 간의 거리를 정확하게 특정하여 보정 이미지를 생성할 수 있다.
일 실시예에서, 도 2 내지 도 6에 도시한 영상 분석방법은 각각의 단계를 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 매체 형태로 구현될 수 있다.
일 실시예에서, 도 2 내지 도 6에 도시한 영상 분석 방법은 각각의 단계를 실행시키기 위하여 매체에 저장된 컴퓨터 프로그램 또는 애플리케이션의 형태로 구현될 수 있다.
도 7은 일 실시예에 의한 반도체 패턴 계측 시스템의 구성도이다.
도 7을 참조하면, 일 실시예에 의한 반도체 패턴 계측 시스템(20)은 촬상 장치(210), 영상 처리장치(220), 영상 분석장치(230) 및 데이터 서버(240)를 포함할 수 있다.
촬상 장치(210)는 반도체 웨이퍼 상에 형성된 패턴을 촬상하여 유효한 이미지 영역만을 추출하도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 촬상 장치(210)는 CD-SEM 및 이미지 파서(Parser)를 포함할 수 있다.
영상 처리장치(220)는 촬상 장치(210)로부터 원본 이미지를 획득하고, 획득된 원본 이미지에 포함된 패턴들을 닫힌 형태로 특정할 수 있다. 또한, 영상 처리장치(220)는 닫힌 형태로 특정된 패턴들을 구분하고, 초기 위치로부터 각 구분된 패턴들의 거리에 기초하여 이미지의 원점을 결정할 수 있다. 아울러, 영상 처리장치(220)는 결정된 원점에 대한 각 패턴들의 거리를 계산할 수 있다. 이에 따라 계측 대상 이미지의 원점을 자동으로 계산할 수 있고, 이미지에 포함된 패턴들 간의 거리를 정확하게 특정하여 보정 이미지를 생성할 수 있다.
영상 처리장치(220)는 예를 들어 도 1에 도시한 영상 처리장치(10)를 적용하여 구현할 수 있다.
영상 분석장치(230)는 영상 처리장치(220)로부터 원본 이미지 및 보정 이미지를 수신하고, 보정 이미지에 기초하여 해당 계측 대상에 대한 분석 프로세스를 수행할 수 있다. 분석 프로세스의 수행 결과로 얻어지는 계측 데이터는 원본 이미지, 보정 이미지와 함께 데이터 서버(240)로 제공될 수 있다.
일 실시예에서, 영상 분석장치(230)는 이미지에 포함되는 패턴의 양상 별로 계측 레시피를 저장하고 있을 수 있다. 그리고, 영상 처리장치(220)로부터 원본 이미지 및 보정 이미지가 제공됨에 따라, 계측 대상의 패턴 양상에 대응하는 계측 레시피를 호출하여 분석 프로세스를 수행할 수 있다. 영상 분석장치(230)의 분석 프로세스는 다양한 방법 중에서 채택될 수 있다.
데이터 서버(240)는 영상 분석장치(230)로부터 원본 이미지, 보정 이미지 및 계측 결과를 수신하여 저장 및 관리할 수 있다.
본 기술에 따라, 불분명한 계측 대상 이미지로부터 원점을 자동으로 계산하고, 원점으로부터 각 패턴 간의 거리를 특정하여 보정 이미지를 생성함으로써, 계측의 정확성을 향상시킬 수 있다.
이와 같이, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
10 : 반도체 패턴 계측을 위한 영상 처리장치
20 : 반도체 패턴 계측 시스템

Claims (22)

  1. 반도체 패턴으로부터 촬상된 원본 이미지에 포함된 패턴들을 닫힌 형태로 특정하는 패턴 특정부;
    상기 닫힌 형태로 특정된 상기 패턴들을 기 설정된 기준에 따라 구분하는 패턴 구분부;
    기 설정된 초기 위치로부터, 상기 패턴 구분부에서 구분한 상기 패턴들과의 거리를 산출하도록 구성되는 패턴 위치 계산부; 및
    상기 초기 위치로부터 상기 패턴들과의 거리 산출 결과에 기초하여 원점을 결정하고, 상기 원점으로부터 상기 패턴들과의 거리를 산출하여 보정 이미지를 생성하도록 구성되는 거리 계산부;
    를 포함하도록 구성되는 반도체 패턴 계측을 위한 영상 처리장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 패턴 특정부는, 상기 원본 이미지를 전처리하고 이진화하여 상기 패턴들 각각에 대한 에지들을 추출하고, 상기 추출된 에지들을 연결하도록 구성되는 반도체 패턴 계측을 위한 영상 처리장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 패턴 구분부는, 상기 닫힌 형태로 특정된 상기 패턴들 각각의 면적 비율에 기초하여 상기 패턴들을 구분하도록 구성되는 반도체 패턴 계측을 위한 영상 처리장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 패턴 위치 계산부는, 상기 패턴 구분부에서 구분한 상기 패턴들 각각의 무게중심 좌표를 산출하고, 상기 초기 위치로부터 상기 패턴들 각각의 무게중심 좌표 간의 거리를 계산하고 정렬하도록 구성되는 반도체 패턴 계측을 위한 영상 처리장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 초기 위치는 상기 원본 이미지의 중심점으로 설정되는 반도체 패턴 계측을 위한 영상 처리장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 패턴 위치 계산부는, 상기 패턴 구분부에서 구분한 상기 패턴들 각각의 무게중심 좌표를 산출하도록 구성되고,
    상기 거리 계산부는 상기 초기 위치로부터 최근접한 무게중심 좌표를 상기 원점으로 결정하도록 구성되는 반도체 패턴 계측을 위한 영상 처리장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 거리 계산부는 상기 원점으로부터 상기 패턴들 각각의 상기 무게중심 좌표 간의 거리를 계산하여 계측 대상 이미지에 포함된 패턴 간의 거리를 산출하여 상기 보정 이미지를 생성하도록 구성되는 반도체 패턴 계측을 위한 영상 처리장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 원본 이미지는 임계치수 주사전자현미경으로부터 촬상되도록 구성되는 반도체 패턴 계측을 위한 영상 처리장치.
  9. 반도체 웨이퍼 상에 형성된 패턴을 촬상하여 원본 이미지를 제공하도록 구성되는 촬상 장치;
    상기 원본 이미지에 포함된 패턴들을 닫힌 형태로 특정하여 기 설정된 기준에 따라 구분하고, 기 설정된 초기 위치로부터 상기 구분한 패턴들과의 거리를 산출하며, 상기 초기 위치로부터 상기 패턴들과의 거리 산출 결과에 기초하여 원점을 결정하고, 상기 원점으로부터 상기 패턴들과의 거리를 산출하여 보정 이미지를 생성하도록 구성되는 영상 처리장치; 및
    상기 영상 처리장치로부터 상기 보정 이미지를 제공받아 분석하도록 구성되는 영상 분석장치;
    를 포함하도록 구성되는 반도체 패턴 계측 시스템.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 영상 처리장치는, 상기 원본 이미지를 전처리하고 이진화하여 상기 패턴들 각각에 대한 에지들을 추출하고, 상기 추출된 에지들을 연결하여 상기 닫힌 형태로 특정하도록 구성되는 반도체 패턴 계측 시스템.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 영상 처리장치는, 상기 닫힌 형태로 특정된 상기 패턴들 각각의 면적 비율에 기초하여 상기 패턴들을 구분하도록 구성되는 반도체 패턴 계측 시스템.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 영상 처리장치는, 상기 구분한 패턴들 각각의 무게중심 좌표를 산출하고, 상기 초기 위치로부터 상기 패턴들 각각의 무게중심 좌표 간의 거리를 계산하고 정렬하도록 구성되는 반도체 패턴 계측 시스템.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 초기 위치는 상기 원본 이미지의 중심점으로 설정되는 반도체 패턴 계측 시스템.
  14. 제 9 항에 있어서,
    상기 영상 처리장치는, 상기 구분한 패턴들 각각의 무게중심 좌표를 산출하고, 상기 초기 위치로부터 최근접한 무게중심 좌표를 상기 원점으로 결정하도록 구성되는 반도체 패턴 계측 시스템.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 영상 처리장치는 상기 원점으로부터 상기 패턴들 각각의 상기 무게중심 좌표 간의 거리를 계산하여 계측 대상 이미지에 포함된 패턴 간의 거리를 산출하여 상기 보정 이미지를 생성하도록 구성되는 반도체 패턴 계측 시스템.
  16. 제 9 항에 있어서,
    상기 촬상 장치는 임계치수 주사전자현미경을 포함하도록 구성되는 반도체 패턴 계측 시스템.
  17. 반도체 패턴으로부터 촬상된 원본 이미지에 포함된 패턴들을 닫힌 형태로 특정하는 단계;
    상기 닫힌 형태로 특정된 상기 패턴들을 기 설정된 기준에 따라 구분하는 단계;
    기 설정된 초기 위치로부터, 상기 구분한 패턴들과의 거리를 산출하는 단계; 및
    상기 초기 위치로부터 상기 패턴들과의 거리 산출 결과에 기초하여 원점을 결정하고, 상기 원점으로부터 상기 패턴들과의 거리를 산출하여 보정 이미지를 생성하는 단계;
    를 포함하도록 구성되는 반도체 패턴 계측을 위한 영상 처리방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 특정하는 단계는, 상기 원본 이미지를 전처리하고 이진화하는 단계;
    상기 이진화 결과로부터 상기 패턴들 각각에 대한 에지들을 추출하는 단계;
    상기 추출된 에지들을 연결하는 단계;
    를 포함하도록 구성되는 반도체 패턴 계측을 위한 영상 처리방법.
  19. 제 17 항에 있어서,
    상기 구분하는 단계는, 상기 닫힌 형태로 특정된 상기 패턴들 각각의 면적 비율에 기초하여 상기 패턴들을 구분하는 단계인 반도체 패턴 계측을 위한 영상 처리방법.
  20. 제 17 항에 있어서,
    상기 초기 위치로부터 상기 구분한 패턴들과의 거리를 산출하는 단계는, 상기 구분한 패턴들 각각의 무게중심 좌표를 산출하는 단계;
    상기 상기 초기 위치로부터 상기 패턴들 각각의 무게중심 좌표 간의 거리를 계산하고 정렬하는 단계;
    를 포함하도록 구성되는 반도체 패턴 계측을 위한 영상 처리방법.
  21. 제 17 항에 있어서,
    상기 초기 위치로부터 상기 구분한 패턴들과의 거리를 산출하는 단계는, 상기 구분한 패턴들 각각의 무게중심 좌표를 산출하는 단계를 포함하고,
    상기 초기 위치로부터 최근접한 무게중심 좌표를 상기 원점으로 결정하도록 구성되는 반도체 패턴 계측을 위한 영상 처리방법.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 원점으로부터 상기 패턴들 각각의 상기 무게중심 좌표 간의 거리를 계산하여 계측 대상 이미지에 포함된 패턴 간의 거리를 산출하여 상기 보정 이미지를 생성하도록 구성되는 반도체 패턴 계측을 위한 영상 처리방법.
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