KR20180021488A - 단일 방전 공간을 갖는 플라즈마 챔버 - Google Patents

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KR20180021488A
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Abstract

본 발명은 단일 방전 공간을 갖는 플라즈마 챔버에 관한 것이다. 본 발명의 단일 방전 공간을 갖는 플라즈마 챔버는 플라즈마 방전 공간을 갖는 플라즈마 챔버; 상기 플라즈마 챔버의 외부를 감싸도록 설치되는 제1, 2 페라이트 코어; 상기 제1, 2 페라이트 코어에 권선되는 일차 권선 코일; 상기 일차 권선 코일로 전력을 공급하기 위한 전원 공급원; 및 상기 플라즈마 방전 공간 내에 환형의 플라즈마 방전 채널이 형성되도록 상기 제1, 2 페라이트 코어가 설치된 방향에 대하여 기울기를 갖도록 상기 플라즈마 방전 공간 내에 설치되는 공간 분할 부재를 포함한다. 본 발명의 단일 방전 공간을 갖는 플라즈마 챔버는 단일 방전 공간으로 챔버 바디를 형성할 수 있어 챔버바디를 최소 개수로 분할하여 가공할 수 있다. 그러므로 가공 비용이 절감된다. 또한 단일 방전 공간 내로 공급된 가스는 방전된 플라즈마에 의해 활성화된 가스로 분해되는 비율이 높아진다.

Description

단일 방전 공간을 갖는 플라즈마 챔버{PLASMA CHAMBER HAVING SINGLE DISCHARGE SPACE}
본 발명은 단일 방전 공간을 갖는 플라즈마 챔버에 관한 것으로, 보다 상세하게는 단일 방전 공간 내에서 방전된 플라즈마에 의해 분해된 활성화 가스를 배출하는 단일 방전 공간을 갖는 플라즈마 챔버에 관한 것이다.
플라즈마 방전은 가스를 여기시켜 이온, 자유 라디칼, 원자 및 분자를 함유하는 활성화된 가스를 생성하도록 사용될 수 있다. 활성화된 가스는 반도체 웨이퍼와 같은 고형 물질, 파우더, 및 기타 가스를 처리하는 것을 포함하는 다양한 산업 및 과학 분야에서 사용된다. 플라즈마의 변수 및 처리되는 물질에 대한 플라즈마의 노출에 관한 조건은 기술 분야에 따라 넓게 변화한다. 예를 들면, 몇몇 분야에서는 처리되는 물질이 손상되기 쉬우므로 이온을 낮은 운동 에너지(즉, 몇 전자 볼트)로 사용할 것을 필요로 한다. 이방성 에칭 또는 평탄화된 절연체 증착과 같은 다른 분야에서는 높은 운동 에너지로 이온을 사용할 것을 필요로 한다. 반응성 이온 빔 에칭과 같은 또 다른 분야에서는 이온 에너지의 정밀 제어를 필요로 한다.
몇몇 분야에서는 처리되는 물질을 높은 밀도의 플라즈마에 직접 노출시키는 것을 필요로 한다. 이러한 분야 중 하나는 이온-활성화된 화학 반응을 생성하는 것이다. 다른 이러한 분야는 높은 종횡비 구조의 에칭 및 그 안으로의 물질 증착을 포함한다. 다른 분야는, 처리되는 물질이 플라즈마로부터 차폐되는 동안, 물질이 이온에 의해 손상되기 쉽거나 처리 공정이 높은 선택비 요구 조건을 갖기 때문에, 원자 및 활성화된 분자를 함유하는 중성 활성화된 가스를 필요로 한다.
다양한 플라즈마 공급원은 DC 방전, 고주파(RF) 방전, 및 마이크로웨이브 방전을 포함하는 다양한 방식으로 플라즈마를 생성할 수 있다. DC 방전은 가스 내의 두 개의 전극 사이에 전위를 인가함으로써 달성된다. RF 방전은 전원으로부터 플라즈마 내로 에너지를 정전기 또는 유도 결합시킴으로써 달성된다. 평행 판들은 에너지를 플라즈마 내에 유도 결합시키도록 통상적으로 사용된다. 유도 코일은 전류를 플라즈마 내에 유도하도록 통상적으로 사용된다. 마이크로웨이브 방전은 가스를 수용하는 방전 챔버 내에 마이크로웨이브 통과 윈도우를 통해 마이크로웨이브 에너지를 직접 결합시킴으로써 달성된다. 마이크로웨이브 방전은 높게 이온화된 전자 사이클론공명(ECR) 플라즈마를 포함하는 넓은 범위의 방전 조건을 지원하도록 사용될 수 있다.
마이크로웨이브 또는 다른 타입의 RF 플라즈마 공급원과 비교하여, 토로이달(toroidal) 플라즈마 공급원은 낮은 전기장, 낮은 플라즈마 챔버 부식, 소형화, 및 비용 효과 면에서 장점을 갖는다. 토로이달 플라즈마 공급원은 낮은 전계로 동작하며 전류-종료 전극 및 관련 음극 전위 강하를 내재적으로 제거한다. 낮은 플라즈마 챔버 부식은 토로이달 플라즈마 공급원이 다른 방식의 플라즈마 공급원보다 높은 전력 밀도에서 작동하도록 한다. 또한, 고 투과성 페라이트 코어를 사용하여 전자기 에너지를 플라즈마에 효율적으로 결합시킴으로써, 토로이달 플라즈마 챔버가 상대적으로 낮은 RF 주파수에서 작동하도록 하여 전력 공급 비용을 낮추게 된다. 토로이달 플라즈마 챔버는 반도체 웨이퍼, 평판 디스플레이, 및 다양한 물질의 처리를 위해 불소, 산소, 수소, 질소 등을 포함하는 화학적으로 활성 가스를 생성하도록 사용되어 왔다.
토로이달 플라즈마 챔버의 가스 입구를 통해 공급되는 가스는 챔버 내부의 토로이달 플라즈마 방전 채널을 따라 이동하며 플라즈마와 반응함으로써 활성화된 가스를 생성한다. 플라즈마 챔버는 활성화된 가스를 생성하여 공정챔버로 공급하기 위하여 사용될수도 있고, 공정챔버에서 배출되는 배기가스를 공급받아 공정챔버 내에서 형성된 화학 반을 가스를 저감시키기 위하여 사용될 수도 있다. 플라즈마 챔버는 토로이달 형상의 플라즈마 방전 채널을 형성하기 위하여 다수개의 챔버바디를 결합하여 형성된다. 다수개의 챔버바디를 결합하는 경우 진공상태를 유지하기 어렵다. 또한 다수개의 챔버바디를 가공해야하므로 가공비용이 많이 드는 단점이 있다.
본 발명의 목적은 단일 방전 공간을 갖는 플라즈마 챔버를 이용하므로 최소 개수로 챔버바디를 분할하여 가공할 수 있는 단일 방전 공간을 갖는 플라즈마 챔버를 제공하는데 있다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 단일 방전 공간을 갖는 플라즈마 챔버에 관한 것이다. 본 발명의 단일 방전 공간을 갖는 플라즈마 챔버는 플라즈마 방전 공간을 갖는 플라즈마 챔버; 상기 플라즈마 챔버의 외부를 감싸도록 설치되는 제1, 2 페라이트 코어; 상기 제1, 2 페라이트 코어에 권선되는 일차 권선 코일; 상기 일차 권선 코일로 전력을 공급하기 위한 전원 공급원; 및 상기 플라즈마 방전 공간 내에 환형의 플라즈마 방전 채널이 형성되도록 상기 제1, 2 페라이트 코어가 설치된 방향에 대하여 기울기를 갖도록 상기 플라즈마 방전 공간 내에 설치되는 공간 분할 부재를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 일차 권선 코일은 상기 제1 페라이트 코어에 권선되는 제1 일차 권선 코일; 및 상기 제2 페라이트 코어에 권선되는 제2 일차 권선 코일을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 일차 권선 코일과 상기 제2 일차 권선 코일은 상기 플라즈마 방전 공간을 중심으로 마주 대응되도록 상기 제1, 2 페라이트 코어에 권선된다.
일 실시예에 있어서, 상기 플라즈마 챔버는 상기 제1 일차 권선 코일과 상기 제2 일차 권선 코일로 전력을 분배하기 위한 전류 균형 분배 회로를 더 포함한다.
본 발명의 단일 방전 공간을 갖는 플라즈마 챔버는 단일 방전 공간으로 챔버 바디를 형성할 수 있어 챔버바디를 최소 개수로 분할하여 가공할 수 있다. 그러므로 가공 비용이 절감된다. 또한 단일 방전 공간 내로 공급된 가스는 방전된 플라즈마에 의해 활성화된 가스로 분해되는 비율이 높아진다.
도 1은 공정챔버에서 본 발명의 플라즈마 챔버가 설치되는 위치를 설명하기 위한 간략한 플라즈마 처리 장치의 구성도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 챔버의 부분 분해 사시도이다.
도 3은 도 2의 플라즈마 챔버 단면도이다.
도 4는 전류 분배기 및 제1, 2 일차권선 코일을 포함하는 플라즈마 챔버의 회로도이다.
도 5는 하나의 일차권선 코일을 포함하는 플라즈마 챔버의 회로도이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 챔버의 부분 분해사시도이다.
도 7은 도 6의 플라즈마 챔버 단면도이다.
본 발명을 충분히 이해하기 위해서 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위코일아래에서 상세히 설명하는 실시예로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공 되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어 표현될 수 있다. 각 도면에서 동일한 구성은 동일한 참조부호로 도시한 경우가 있음을 유의하여야 한다. 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.
도 1은 공정챔버에서 본 발명의 플라즈마 챔버가 설치되는 위치를 설명하기 위한 간략한 플라즈마 처리 장치의 구성도이다.
도 1을 참조하면, 플라즈마 처리 시스템은 내부에 서셉터(20)가 구비되는 공정챔버(10)와 플라즈마 공급원으로써 공정챔버(10)로 활성화된 가스를 공급하기 위한 플라즈마 챔버(100)로 구성된다. 플라즈마 챔버(100)의 하나 또는 그 이상의 측면이 공정챔버(10)에 노출되어, 플라즈마에 의해 생성되는 대전된 입자가 처리될 물질(도시하지 않음)과 직접 접촉하도록 한다. 선택적으로, 플라즈마 챔버(100)는 공정챔버(10)로부터 일정 거리에 위치되어, 활성화된 가스가 공정챔버(10) 내로 유동하도록 한다. 서셉터(20)는 공정챔버(10) 내에 위치되어 처리될 물질,예를 들어, 피처리 기판(25)을 지지할 수 있다. 처리될 물질은 플라즈마의 전위에 대해 바이어스될 수 있다. 가스 배기구는 펌프(50)와 연결되어 공정챔버(12) 내에서 생성된 화학 가스를 배출한다.
플라즈마 챔버(100)로부터 공급된 활성화 가스는 공정챔버(10) 내부를 세정하기 위한 세정용으로 사용되거나 서셉터(20)에 안착되는 피처리 기판(25)을 처리하기 위한 공정용으로 사용될 수 있다. 플라즈마 챔버(100)는 활성화된 가스를 배출하기 위하여 유도 결합 플라즈마 , 용량 결합 플라즈마 또는 변압기 플라즈마 를 사용할 수 있다. 이중에서 본 발명에서의 플라즈마 챔버는 변압기 플라즈마를 사용한다.
또 다른 실시예로, 플라즈마 챔버(100)는 공정챔버(12)의 가스 배기구와 연결될 수 있다. 플라즈마 챔버(100)는 공정챔버(12) 내에서 생성된 화학 가스를 공급받아 플라즈마와 반응하여 화학 가스를 저감한다. 공정챔버(12)에는 별도의 플라즈마 공급원(15)이 연결될 수 있다.
하기에서는 플라즈마 챔버(100)를 공정챔버(12)의 상부에 구비하여 활성화된 가스를 공정챔버(12)로 제공하는 실시예를 설명한다. 하기에 설명하는 플라즈마 챔버(100)는 동일한 구성으로 공정챔버(12)의 가스 배기구에 연결될 수 있다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 챔버의 부분 분해 사시도이고, 도 3은 도 2의 플라즈마 챔버 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 플라즈마 챔버(100)는 단일 방전 공간을 갖는 챔버바디(110)와 제1, 2 페라이트 코어(132a, 132b)와 제1, 2 일차권선 코일(134a, 134b) 및 공간 분할 부재(150)를 포함한다.
챔버바디(110)는 원통 형상으로 내부에 플라즈마가 방전되는 단일 방전 공간(118)이 구비된다. 챔버바디(110)의 형상은 원통 형상, 박스 형상 등 다양한 형상으로 변형이 가능하다. 챔버바디(110)는 가스 주입구(114)가 구비된 제1 챔버바디(110a)와 단일 방전 공간(118)이 구비된 제2 챔버바디(110b) 및 가스 배출구(116)가 구비된 제3 챔버바디(110c)를 포함한다. 제1 챔버바디(110a)는 플라즈마 챔버(100)의 상부를 형성하며, 단일 방전 공간(118)으로 가스를 공급하기 위한 가스 주입구(114)가 구비된다. 가스 주입구(114)는 단일 방전 공간(118)으로 가스를 공급하기 위한 가스 공급원(미도시)과 연결된다. 제2 챔버바디(110b)는 내부가 중공으로 형성되어 제1, 3 챔버바디(110a, 110c)와 결합된다. 제3 챔버(110c)는 플라즈마 챔버(100)의 하부를 형성하며, 단일 방전 공간(118)에서 플라즈마와 반응하여 활성화된 활성가스를 배출하기 위한 가스 배출구(116)가 구비된다. 가스 배출구(116)는 어댑터(미도시)를 통해 공정챔버와 연결되어 활성화된 활성가스를 공정챔버로 공급한다. 여기서, 어댑터(미도시)를 통하지 않고 가스 배출구(116)가 바로 공정챔버에 연결될 수도 있다. 플라즈마 챔버(100) 내를 진공상태로 유지하기 위하여 제1, 2, 3 챔버바디(110a, 110b, 110c) 사이에 오링(미도시) 및 세라믹링(미도시)을 포함할수 있다. 챔버바디(110)를 알루미늄과 같은 금속성 물질 또는 다루기 힘든 금속, 양극 산화처리된 알루미늄과 같은 피복된 금속으로 형성될 수도 있고, 석영과 같은 절연 물질로 형성될 수도 있다. 챔버바디(110)는 금속성 물질로 형성되는 경우, 챔버바디(110)에 에디전류(Eddy current)가 형성되는 것을 방지하기 위한 절연 브레이크(미도시)가 구비된다.
플라즈마 챔버(100)는 고온의 플라즈마에 의해 챔버바디(110) 내부가 손상되는 것을 방지하기 위한 냉각채널(미도시)을 포함한다. 냉각채널(미도시)은 플라즈마 방전 채널(112)의 주변에 위치한다. 냉각채널은 냉각수 공급원(미도시)로부터 공급된 냉각수가 순환되며 챔버바디(110)의 온도를 낮춘다.
점화 전극부(미도시)는 플라즈마 방전 채널(112) 내의 플라즈마를 점화하는 초기 이온화 이벤트를 제공하는 자유 전하를 생성할 수 있다. 점화 전극부(미도시)는 전원 공급원(102)으로부터 전력을 공급받거나 별도의 점화 전력을 구비할 수 있다.
제1, 2 페라이트 코어(132a, 132b)는 제2 챔버바디(110b)를 감싸도록 제2 챔버바디(110b)의 외부에 설치된다. 제1, 2 페라이트 코어(132a, 132b)는 서로 간격을 유지하도록 이격되어 설치된다. 제1, 2 페라이트 코어(132a, 132b)에는 일차권선 코일(134)이 권선된다. 일차권선 코일(134)은 하나의 코일을 이용하여 제1 페라이트 코어(132a)에 권선 후 제2 페라이트 코어(132b)에 권선할 수 있다. 또는 제1, 2 일차권선 코일(134a, 134b)을 제1, 2 페라이트 코어(132a, 132b)에 각각 권선할 수도 있다. 두 개의 일차권선 코일(134a, 134b)을 사용하는 경우, 제1, 2 일차권선 코일(134a, 134b)은 각각 제1, 2 전원 공급원(102a, 102b)에 연결될 수 있다.
특히, 제1 페라이트 코어(132a)에 권선되는 제1 일차권선 코일(134a)과 제2 페라이트 코어(132b)에 권선되는 제2 일차권선 코일(134b)는 단일 방전 공간(118)을 사이에 두고 서로 마주하도록 제1, 2 페라이트 코어(132a, 132b)에 권선된다. 전원 공급원(102)으로부터 전력을 공급받아 제1, 2 일차 권선 코일(134a, 134b)이 구동되면, 플라즈마 챔버(100) 내에서 토로이달 형상의 플라즈마 방전 채널(112)이 형성되어 플라즈마가 이차 회로를 형성한다.
공간 분할 부재(150)는 판 형상으로 단일 방전 공간(118) 내에 구비된다. 공간 분할 부재(150)는 제1, 2 페라이트 코어(134a, 134b)가 장착된 방향(가로방향)에 대하여 소정각도(0ㅀ보다 크고, 90ㅀ보다 작거나 같다) 기울어져 설치된다. 기울어지는 각도는 다양한 변형 실시가 가능하다. 공간 분할 부재(150)의 기울어지는 정도에 따라 환형의 플라즈마 방전 채널(112)이 다양하게 형성된다.
공간 분할 부재(150)에 의해 단일 방전 공간(118)은 두 개의 공간(A, B)으로 분리된다. 이때, 두 개의 공간은 완전하게 독립되어 분리되는 것은 아니다. 공간 분할 부재(150)가 기울어져 형성됨으로써 A공간의 상부영역은 하부영역에 비하여 넓은 면적이 형성된다. 반대로 B공간의 하부영역은 상부영역에 비하여 넓은 면적이 형성된다.
공간 분할 부재(150)에 의해 분할된 A공간의 상부(B공간의 상부)로는 제1 일차권선 코일(134a)에 의해 제1 전기장(E1)이 유도될 수 있도록 제1 일차권선 코일(134a)이 권선된다. 분할된 A공간의 하부(B공간의 하부)로는 제2 일차권선 코일(134b)에 의해 제2 전기장(E2)이 유도될 수 있도록 제2 일차권선 코일(134b)이 권선된다. 여기서, A공간의 상부(넓은 영역)에 제1 일차권선 코일(134a)이 권선되고, B공간의 하부(넓은 영역)에 제2 일차권선 코일(134b)이 권선된다. 그러므로 A공간의 상부로 유도되는 제1-1 전기장(E1-1)은 A공간의 하부로 유도되는 제2-2 전기장(E2-2)에 비하여 세기가 세다. 또한 B공간의 상부로 유도되는 제1-2 전기장(E1-2)은 B공간의 하부로 유도되는 제2-1 전기장(E2-1)에 비하여 세기가 세다. 그러므로 제1, 2 일차권선 코일(134a, 134b)에 의해 유도되는 전기장은 공간 분할 부재(150)를 중심으로 환형의 플라즈마 채널(112)을 형성한다. 환형의 플라즈마 채널(112)에 의해 단일 방전 공간(118)에서 플라즈마가 방전된다.
본 발명의 플라즈마 챔버(100)는 단일 방전 공간(118) 내에 공간 분할 부재(150)를 구비하여 환형의 플라즈마 채널(112)을 형성할 수 있으므로 챔버바디를 최소 개수로 분할하여 가공할 수 있다. 플라즈마 챔버바디를 가공하는 비용을 절감할 수 있다. 또한 챔버바디의 개수가 적을수록 플라즈마 챔버(100) 내를 진공으로 유지하기가 용이하다. 또한 단일 방전 공간(118) 내로 공급된 가스는 제1, 2 일차권선 코일(134a, 134b)에 의해 방전되는 플라즈마를 통해 활성화된 가스로 분해되는 비율이 높아진다.
도 4는 전류 분배기 및 제1, 2 일차권선 코일을 포함하는 플라즈마 챔버의 회로도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 플라즈마 챔버는 전류 균형 회로(160)를 포함한다. 전류 균형 회로(160)는 제1 일차 권선 코일(134a)과 제2 일차 권선 코일(134b)에 연결되어 전원 공급원(102)으로부터 제1 일차 권선 코일(134a)과 제2 일차 권선 코일(134b)에 동일한 전류가 흐르도록 조절한다.
도 5는 하나의 일차권선 코일을 포함하는 플라즈마 챔버의 회로도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 플라즈마 챔버는 전원 공급원(102)에 하나의 일차 권선 코일(134)이 연결되고, 일차 권선 코일(134)은 제1 페라이트 코어(132a) 및 제2 페라이트 코어(132b)에 순차적으로 권선될 수 있다. 다시 말해, 제1 페라이트 코어(132a)와 제2 페라이트 코어(134b)는 일차 권선 코일(134)에 의해 직렬로 연결된다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 챔버의 부분 분해사시도이고, 도 7은 도 6의 플라즈마 챔버 단면도이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 플라즈마 챔버(100a)는 단일 방전 공간(118) 내에 공간 분할 부재(170)가 구비된다. 공간 분할 부재(170)는 판 형상으로 상부 및 하부에 연장부(172, 174)가 구비된다. 상부에 구비된 연장부(172)는 공간 분할 부재(170)의 상단에서 플라즈마 챔버(100a)의 상부를 향하여 연장 형성되고, 하부에 구비된 연장부(174)는 공간 분할 부재(170)의 하단에서 플라즈마 챔버(100a)의 하부를 향하여 연장 형성된다. 제2 실시예에서의 공간 분할 부재(170)는 제1 실시예에서의 공간 분할 부재(150)와 마찬가지로 제1, 2 페라이트 코어(134a, 134b)가 장착된 방향(가로방향)에 대하여 소정각도(0ㅀ~ 90ㅀ) 기울어져 설치된다. 그러므로 공간 분할 부재(170)의 연장부(172, 174)에 의해 환형의 플라즈마 방전 채널(112)이 용이하게 형성가능하다.
이상에서 설명된 본 발명의 단일 방전 공간을 갖는 플라즈마 챔버의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다.
그럼으로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 형태로만 한정되는 것은 아님을 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 그 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
100, 100a: 플라즈마 챔버 102: 전원 공급원
102a, 102b: 제1, 2 전원 공급원 110: 챔버바디
110a, 110b, 110c: 제1, 2, 3 챔버바디
112: 플라즈마 방전 채널 114: 가스 주입구
116: 가스 배출구 118: 단일 방전공간
132a, 132b: 제1, 2 페라이트 코어 134: 일차 권선 코일
134a, 134b: 제1, 2 일차 권선 코일 150, 170: 공간 분할 부재
160: 전류 균형 회로 172, 174: 연장부

Claims (4)

  1. 플라즈마 방전 공간을 갖는 플라즈마 챔버;
    상기 플라즈마 챔버의 외부를 감싸도록 설치되는 제1, 2 페라이트 코어;
    상기 제1, 2 페라이트 코어에 권선되는 일차 권선 코일;
    상기 일차 권선 코일로 전력을 공급하기 위한 전원 공급원; 및
    상기 플라즈마 방전 공간 내에 환형의 플라즈마 방전 채널이 형성되도록 상기 제1, 2 페라이트 코어가 설치된 방향에 대하여 기울기를 갖도록 상기 플라즈마 방전 공간 내에 설치되는 공간 분할 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 단일 방전 공간을 갖는 플라즈마 챔버.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 일차 권선 코일은
    상기 제1 페라이트 코어에 권선되는 제1 일차 권선 코일; 및
    상기 제2 페라이트 코어에 권선되는 제2 일차 권선 코일을 포함하는 것을 특징으로 하는 단일 방전 공간을 갖는 플라즈마 챔버.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 일차 권선 코일과 상기 제2 일차 권선 코일은 상기 플라즈마 방전 공간을 중심으로 마주 대응되도록 상기 제1, 2 페라이트 코어에 권선된 것을 특징으로 하는 단일 방전 공간을 갖는 플라즈마 챔버.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 플라즈마 챔버는 상기 제1 일차 권선 코일과 상기 제2 일차 권선 코일로 전력을 분배하기 위한 전류 균형 분배 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단일 방전 공간을 갖는 플라즈마 챔버.
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