KR20180010192A - Dielectric waveguide filter with direct coupling and alternating cross coupling - Google Patents

Dielectric waveguide filter with direct coupling and alternating cross coupling Download PDF

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KR20180010192A
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알랙산드르 로고지네
레디 반갈라
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시티에스 코포레이션
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    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
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    • H01P1/20Frequency-selective devices, e.g. filters
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    • HELECTRICITY
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Abstract

RF 신호 전송용 도파관 필터는 조합된 병렬의 적층된 관계로 함께 접속되는 복수의 유전체 재료 블록을 포함한다. 각 블록은 공진기를 형성하고 도전 재료의 층으로 덮힌 외부 표면을 포함하며 함께 접속된 블록과 함께 내측 도전 재료의 층을 형성한다. 내측 도전 재료의 층은 병렬의 적층된 블록 내의 공진기 사이에서 RF 신호를 전송하기 위한 내측창을 형성하는 도전 재료가 없는 영역을 포함한다. 내측 도전 재료의 층은 또한 적층 블록 내의 공진기 사이에서 RF 신호를 간접 전송하기 위한 격리된 도전 재료의 패드를 형성하는 도전 재료가 없는 영역을 포함한다.The RF signal transmission waveguide filter includes a plurality of dielectric material blocks connected together in a stacked relationship in a combined parallel. Each block includes an outer surface that forms a resonator and is covered with a layer of conductive material and forms a layer of inner conductive material with the blocks connected together. The layer of inner conductive material comprises a region free of conductive material forming an inner window for transmitting RF signals between the resonators in the stacked blocks of the parallel. The layer of inner conductive material also includes a region free of conductive material forming a pad of isolated conductive material for indirect transmission of RF signals between the resonators in the laminate block.

Description

직접 커플링 및 교호 크로스 커플링을 갖는 유전체 도파관 필터Dielectric waveguide filter with direct coupling and alternating cross coupling

관련 출원 및 동시 계류 중인 출원에 대한 상호 참조Cross-references to Related Applications and Concurrent Applications

본 출원은 2011년 12월 3일에 출원된 미국 특허 출원 제13/373,862호, 현재 2015년 5월 12일자로 발행된 미국 특허 제9,030,279호의 출원일 및 개시의 이익을 청구하는 2015년 5월 11일에 출원한 미국 특허 출원 제14/708,870호의 출원일 및 개시의 이익을 청구하는 일부 계속 출원이며, 이의 개시 내용은 인용된 모든 인용 문헌이 거기에 있는 것처럼 참조로서 본 출원에 통합된다.This application claims the benefit of U.S. Patent Application No. 13 / 373,862, filed December 3, 2011, U.S. Patent No. 9,030,279, issued May 12, 2015, filed on May 11, 2015, Filed on even date herewith, the disclosure of which is incorporated herein by reference as if all the cited documents are incorporated herein by reference.

본 출원은 또한 2013년 11월 25일에 출원된 미국 특허 출원 제14/088,471호, 현재 2015년 9월 8일자로 발행된 미국 특허 제9,130,255호의 출원일 및 개시의 이익을 청구하는 2015년 9월 2일에 출원한 미국 특허 출원 제14/842,920호의 출원일 및 개시의 이익을 청구하는 일부 계속 출원이며, 이의 개시 내용은 인용된 모든 인용 문헌이 거기에 있는 것처럼 참조로서 본 출원에 통합된다.This application is also related to U.S. Patent Application No. 14 / 088,471, filed November 25, 2013, filed September 8, 2015, and U.S. Patent No. 9,130,255, filed September 8, 2015, This application is a continuation-in-part of U.S. Patent Application No. 14 / 842,920, filed on even date herewith, which is incorporated herein by reference as if all cited documents are incorporated herein by reference.

본 출원은 또한 2015년 5월 22일에 출원한 미국 가출원 제 62/165,657호의 출원일 및 개시의 이익을 청구하며, 이의 개시 내용은 인용된 모든 인용 문헌이 거기에 있는 것처럼 참조로서 본 출원에 통합된다.This application also claims the benefit of U.S. Provisional Application No. 62 / 165,657, filed May 22, 2015, the disclosure of which is incorporated herein by reference as if all citations are cited therein .

기술 분야Technical field

본 발명은 전반적으로 유전체 도파관 필터에 관한 것이며, 보다 상세하게는, 직접 커플링 및 교호 크로스 커플링을 갖는 유전체 세라믹 도파관 필터에 관한 것이다.The present invention relates generally to dielectric waveguide filters, and more particularly to dielectric ceramic waveguide filters having direct coupling and alternating cross coupling.

본 발명은 하이네 등(Heine et al.)에게 발행된 미국 특허 제5,926,079호에 개시된 종류의 유전체 도파관 필터에 관한 것으로, 해당 특허에서의 복수의 공진기는 유전체/세라믹 재료 블록의 길이를 따라서 종방향으로 이격되어 있으며 복수의 슬롯/노치는 이들 블록의 길이를 따라서 종방향으로 이격되어 있고 복수의 공진기 사이에서 직접(direct) 유도성(inductive)/용량성(capacitive) 커플링을 제공하는 복수의 RF 신호 유전체 재료 브리지(bridge)를 형성하고 있다.The present invention is directed to a dielectric waveguide filter of the kind disclosed in U.S. Patent No. 5,926,079 issued to Heine et al., Wherein the plurality of resonators in the patent are oriented longitudinally along the length of the dielectric / ceramic material block And a plurality of slots / notches are longitudinally spaced along the length of the blocks and provide a plurality of RF signals that provide direct inductive / capacitive coupling between the plurality of resonators. Thereby forming a dielectric material bridge.

하이네 등에게 발행된 미국 특허 제5,926,079호에 개시된 종류의 도파관 필터의 감쇠 특성은 도파관 필터의 한쪽 또는 양쪽 단부에 추가적인 공진기를 위치시키는 형태로 영점(zero)을 수용하여 증대시킬 수 있다. 그러나 추가적인 공진기를 설치하면 이 때문에 필터의 길이가 증가하게 된다는 단점이 있으며, 일부 경우에 있어서는 바람직하지 못하거나 또는 고객의 장치 본체 상의 공간 제약에 따라서 불가능할 수도 있다.The attenuation characteristic of a waveguide filter of the kind disclosed in U.S. Patent No. 5,926,079 issued to Heine et al. Can be accommodated by accommodating zero in the form of placing an additional resonator at one or both ends of the waveguide filter. However, the installation of additional resonators has the disadvantage of increasing the length of the filter, which may be undesirable in some cases or may not be possible due to space constraints on the customer's device body.

필터의 감쇠 특성은 또한, 예컨대, 방갈라 등(Vangala et al.)에게 발행된 미국 특허 제7,714,680호에 개시된 바와 같이 공진기의 직접 및 크로스 커플링 모두에 의해서 향상될 수 있으며, 해당 특허는 필터의 상면 상에 형성된 각각의 금속 배선 처리 패턴에 의해서 일부 생성되고 공진기 관통홀 중의 선택된 관통홀 사이에서 연장되는 유도성 직접 커플링 및 쿼드라플릿(quadruplet) 크로스 커플링 모두를 갖는 블록 필터를 개시하고 있으며, 이에 의해서 공진기의 직접 및 크로스 커플링을 제공하고 있다.The attenuation characteristics of the filter may also be enhanced by both direct and cross coupling of the resonator, as disclosed, for example, in U.S. Patent No. 7,714,680 issued to Vangala et al. Discloses a block filter having both inductive direct coupling and quadruplet cross coupling partially created by respective metallization patterns formed on the upper surface and extending between selected through holes in the resonator through holes , Thereby providing direct and cross-coupling of the resonator.

방갈라 등(Vangala et al.)에게 발행된 미국 특허 제7,714,680호에 개시되고 상면 금속 배선 처리 패턴을 포함하는 종류의 직접 및 크로스 커플링은 슬롯만을 포함하고 있고 어떠한 상면 금속 배선 처리 패턴도 포함하고 있지 않은 하이네 등(Heine et al.)에게 발행된 미국 특허 제5,926,079호에는 적용할 수 없다.Direct and cross-couplings of the type disclosed in U.S. Patent No. 7,714,680 issued to Vangala et al., Including top metallization patterns, include only slots and include any top metallization pattern It is not applicable to U.S. Patent No. 5,926,079 issued to Heine et al.

따라서 본 발명은 직접(direct) 및 선택적인(optional) 또는 교호(alternative) 크로스 커플드 공진기 모두를 갖는 유전체 도파관 필터에 관한 것이며, 이 필터는 도파관 필터의 길이 증가를 회피하면서 도파관 필터의 감쇠 특성을 향상시킬 수 있다.The present invention therefore relates to a dielectric waveguide filter having both direct and optional or alternative crossed-coupled resonators which avoids increasing the length of the waveguide filter while reducing the attenuation characteristics of the waveguide filter Can be improved.

본 발명은 대략적으로 병렬의 적층된 관계로 함께 접속된 복수의 유전체 재료 블록, 상기 블록들의 각각은 공진기를 형성하고 도전 재료의 층으로 덮힌 외부 표면을 포함하며 병렬의 적층된 복수의 유전체 재료 블록 사이에서 내측 도전 재료의 층을 형성하고, 도전 재료가 없고 병렬의 적층된 복수의 유전체 재료 블록 내의 공진기 사이에서 RF 신호의 직접(direct) 전송을 위한 제 1 내측창을 형성하는 내측 도전 재료의 층 내의 제 1 영역, 및 도전 재료가 없고 적층된 복수의 유전체 재료 블록 내의 공진기 사이에서 RF 신호의 간접(indirect) 전송을 위한 제 2 내측 수단을 형성하는 내측 도전 재료의 층 내의 제 2 영역,을 포함하는 RF 신호 전송용 도파관 필터에 관한 것이다.The present invention relates to a dielectric material block comprising a plurality of dielectric material blocks connected together in a substantially parallel, stacked relationship, each of the blocks comprising an outer surface forming a resonator and covered by a layer of conductive material, And forming a first inner window for direct transmission of the RF signal between the resonators in the plurality of parallel stacked dielectric material blocks in the layer of inner conductive material And a second region in the layer of inner conductive material forming a second inner means for indirect transmission of the RF signal between the resonator in the plurality of laminated dielectric material blocks, To a waveguide filter for transmitting an RF signal.

일 실시예에 있어서, RF 신호의 간접 전송을 위한 제 2 내측 수단은 내측 도전 재료의 층 내의 격리된(isolated) 도전 재료의 패드를 포함한다.In one embodiment, the second inner means for indirect transmission of the RF signal comprises a pad of isolated conductive material in a layer of inner conductive material.

본 발명은 또한 조합된 병렬의 적층된 관계로 함께 접속된 복수의 유전체 재료 블록으로서, 도전 재료의 층으로 덮힌 외부 표면을 포함하고 복수의 공진기를 형성하는 복수의 유전체 재료 블록, 복수의 유전체 재료 블록의 각각의 외부 표면을 덮는 도전 재료의 층에 의해서 병렬의 복수의 유전체 재료 블록 각각의 사이에 형성된 제 1 내측 도전 재료의 층, 복수의 유전체 재료 블록의 각각의 외부 표면을 덮는 도전 재료의 층에 의해서 적층된 복수의 유전체 재료 블록 각각의 사이에 형성된 제 2 내측 도전 재료의 층, 복수의 유전체 재료 블록 중의 제 1 블록에 형성된 RF 신호 입력부, 복수의 유전체 재료 블록 중의 제 2 블록에 형성되는 RF 신호 출력부로서, RF 신호가 RF 신호 입력부와 RF 신호 출력부 사이의 유전체 재료 블록 내의 복수의 공진기를 통해서 전송되는 RF 신호 출력부, 복수의 유전체 재료 블록 중 하나의 블록에 공진기와 복수의 유전체 재료 블록 중 다른 하나의 블록에 공진기 사이에서 RF 신호의 직접 전송을 위해서 제 1 및 제 2 내측 도전 재료의 층의 선택된 영역 내에 형성된 내측 직접 RF 신호 전송 수단, 및 복수의 유전체 재료 블록 중 하나의 블록에 공진기와 복수의 유전체 재료 블록 중 다른 하나의 블록에 공진기 사이에서 RF 신호의 간접 전송을 위해서 제 1 내측 도전 재료의 층의 선택된 영역 내에 형성된 내측 간접 RF 신호 전송 수단,을 포함하는 RF 신호 전송용 도파관 필터에 관한 것이다.The present invention also relates to a plurality of dielectric material blocks connected together in a combined, parallel, stacked relationship, comprising: a plurality of dielectric material blocks comprising an outer surface covered by a layer of conductive material and forming a plurality of resonators, A layer of a first inner conductive material formed between each of the plurality of dielectric material blocks in parallel by a layer of conductive material covering each outer surface of the dielectric material block, a layer of conductive material covering each outer surface of the plurality of dielectric material blocks A second inner conductive material layer formed between each of the plurality of dielectric material blocks stacked by the plurality of dielectric material blocks, an RF signal input section formed in a first block of the plurality of dielectric material blocks, an RF signal input section formed in the second block of the plurality of dielectric material blocks, As an output, an RF signal passes through a plurality of resonators in a dielectric material block between an RF signal input and an RF signal output A plurality of dielectric material blocks, a plurality of dielectric material blocks, a plurality of dielectric material blocks, a plurality of dielectric material blocks, a plurality of dielectric material blocks, a plurality of dielectric material blocks, An inner direct RF signal transmission means formed in a selected region of the dielectric material block and a second inner conductive channel for indirect transmission of the RF signal between the resonator and the resonator in one block of the plurality of dielectric material blocks, And an inner indirect RF signal transmission means formed in a selected region of the layer of material.

일 실시예에 있어서, 내측 직접 RF 신호 전송 수단은 도전 재료가 없는 제 1 및 제 2 내측 도전 재료의 층 내의 창(window)에 의해서 형성되고 내측 간접 RF 신호 전송 수단은 제 1 내측 도전 재료의 층 내에 형성된 격리된 도전 재료의 패드에 의해서 형성된다.In one embodiment, the inner direct RF signal transmission means is formed by a window in a layer of first and second inner conductive material free of conductive material, and an inner indirect RF signal transmission means is formed by a layer of first inner conductive material Is formed by a pad of isolated conductive material formed in the substrate.

일 실시예에 있어서, 복수의 유전체 재료 블록은 병렬 관계로 함께 접속된 제 1 및 제 2 유전체 재료 블록 및 병렬 관계로 함께 접속된 제 3 및 제 4 유전체 재료 블록을 포함하며, 제 1 및 제 2 유전체 재료 블록은 적층 관계로 제 3 및 제 4 블록들에 접속되며, RF 신호 입력부 및 RF 신호 출력부는 각각 제 1 및 제 2 유전체 재료 블록 내에 형성되며, 내측 직접 RF 신호 전송 수단은 제 1 및 제 3 유전체 재료 블록 사이에 형성된 제 1 내부창, 및 제 3 및 제 4 유전체 재료 블록 사이에 형성된 제 2 내부창, 및 제 4 및 제 2 유전체 재료 블록 사이에 형성된 제 3 내부창에 의해서 형성되며, 내측 간접 RF 신호 전송 수단은 제 1 및 제 3 유전체 재료 블록 사이의 제 1 내측 격리된 도전 재료의 패드 및 제 2 및 제 4 유전체 재료 블록 사이의 제 2 내측 격리된 도전 재료의 패드에 의해서 형성된다.In one embodiment, the plurality of dielectric material blocks comprises first and second dielectric material blocks coupled together in a parallel relationship and third and fourth dielectric material blocks coupled together in a parallel relationship, wherein the first and second dielectric material blocks, The dielectric material block is connected to the third and fourth blocks in a stacked relationship and the RF signal input portion and the RF signal output portion are respectively formed in the first and second dielectric material blocks, 3 dielectric material block, and a third inner window formed between the fourth and second dielectric material blocks, the inner window formed between the inner and outer dielectric RF blocks, The signal transmission means is connected to the pad of the first inner isolated conductive material between the first and third dielectric material blocks and to the pad of the second inner isolated conductive material between the second and fourth dielectric material blocks .

일 실시예에 있어서, RF 신호 입력부 및 출력부의 각각은 복수의 유전체 재료 블록 중의 제 1 및 제 2 블록을 각각 관통하여 연장되는 RF 신호 전송 관통홀에 의해서 형성되며, 내측 간접 RF 신호 전송 수단은 내부 도전 재료의 층 내의 격리된 도전 재료의 패드이다.In one embodiment, each of the RF signal input and output portions is formed by RF signal transmission through holes extending through the first and second blocks of the plurality of dielectric material blocks, respectively, A pad of isolated conductive material in a layer of conductive material.

본 발명은 더 나아가 제 1 및 제 2 유전체 재료 블록으로서, 병렬 관계로 함께 접속되고, 각각 복수의 공진기를 형성하며 도전 재료의 층으로 덮힌 외부 표면을 포함하는 제 1 및 제 2 유전체 재료 블록, 제 3 및 제 4 유전체 재료 블록으로서, 병렬 관계로 함께 접속되고, 각각 복수의 공진기를 형성하며 도전 재료의 층으로 덮힌 외부 표면을 포함하며, 제 1 및 제 2 유전체 재료 블록과 서로 적층 관계로 접속되는 제 3 및 제 4 유전체 재료 블록, 제 1, 제 2, 제 3, 및 제 4 유전체 재료 블록을 덮는 도전 재료의 층에 의해서 제 1 및 제 2 유전체 재료 블록 및 제 3 및 제 4 유전체 재료 블록 사이에 형성되는 제 1 내부 도전 재료의 층, 제 1, 제 2, 제 3, 및 제 4 유전체 재료 블록을 덮는 도전 재료의 층에 의해서 제 1 및 제 3 유전체 재료 블록 및 제 2 및 제 4 유전체 재료 블록 사이에 형성되는 제 2 내부 도전 재료의 층, 제 1 유전체 재료 블록 내에 형성되는 RF 신호 입력 전송 관통홀, 제 2 유전체 재료 블록에 형성된 RF 신호 출력 전송 관통홀로서, RF 신호가 RF 신호 입력 전송 관통홀 및 RF 신호 출력 전송 관통홀 사이에서 제 1, 제 2, 제 3, 및 제 4 유전체 재료 블록 내의 복수의 공진기를 관통하여 전달되는 RF 신호 출력 전송 관통홀, 제 1 및 제 3 유전체 재료 블록 사이에 및 제 1 유전체 재료 블록 내의 복수의 공진기 중의 하나와 제 3 유전체 재료 블록 내의 복수의 공진기 중의 하나 사이에서의 RF 신호의 직접 전송을 위해서 도전 재료가 없는 제 1 내부 도전 재료의 층 내의 제 1 영역에 의해서 형성되는 제 1 내측 직접 RF 신호 전송창, 제 2 및 제 4 유전체 재료 블록 사이에 및 제 4 유전체 재료 블록 내의 복수의 공진기 중의 하나와 제 2 유전체 재료 블록 내의 복수의 공진기 중의 하나 사이에서의 RF 신호의 직접 전송을 위해서 도전 재료가 없는 제 1 내부 도전 재료의 층 내의 제 2 영역에 의해서 형성되는 제 2 내측 직접 RF 신호 전송창, 제 3 및 제 4 유전체 재료 블록 사이에 및 제 3 유전체 재료 블록 내의 복수의 공진기 중의 하나와 제 4 유전체 재료 블록 내의 복수의 공진기 중의 하나 사이에서의 RF 신호의 직접 전송을 위해서 제 2 내부 도전 재료의 층 내의 제 1 영역에 의해서 형성되는 제 3 내측 직접 RF 신호 전송창, 제 1 및 제 3 유전체 재료 블록 사이에 및 제 1 유전체 재료 블록 내의 복수의 공진기 중의 다른 공진기와 제 3 유전체 재료 블록 내의 복수의 공진기 중의 다른 공진기 사이에서 RF 신호의 간접 전송을 위해서 도전 재료가 없는 제 1 내부 도전 재료의 층 내의 제 3 영역에 의해서 형성되는 제 1 내측 간접 RF 신호 전송 수단, 및 제 2 및 제 4 유전체 재료 블록 사이에 및 제 4 유전체 재료 블록 내의 복수의 공진기 중의 다른 공진기와 제 2 유전체 재료 블록 내의 복수의 공진기 중의 다른 공진기 사이에서 RF 신호의 간접 전송을 위해서 도전 재료가 없는 제 1 내부 도전 재료의 층 내의 제 4 영역에 의해서 형성되는 제 2 내측 간접 RF 신호 전송 수단,을 포함하는 RF 신호 전송용 도파관 필터에 관한 것이다.The present invention further relates to first and second dielectric material blocks that are connected together in a parallel relationship as first and second dielectric material blocks and each comprise an outer surface that forms a plurality of resonators and is covered with a layer of conductive material, 3 and a fourth dielectric material block that are connected together in a parallel relationship and each comprise an outer surface that forms a plurality of resonators and is covered by a layer of conductive material and that are connected in a stacked relationship to each other with the first and second dielectric material blocks Third and fourth dielectric material blocks, and between the first and second dielectric material blocks and between the third and fourth dielectric material blocks by a layer of conductive material covering the first, second, third, and fourth dielectric material blocks. The first and third dielectric material blocks and the second and fourth dielectric material blocks by a layer of conductive material covering the first, second, third, and fourth dielectric material blocks,An RF signal input transmission through hole formed in the first dielectric material block, and an RF signal output transmission through hole formed in the second dielectric material block, the RF signal is transmitted through the RF signal input transmission An RF signal output transmission through hole that is transmitted through a plurality of resonators in the first, second, third, and fourth dielectric material blocks between the through holes and the RF signal output transmission through holes, the first and third dielectric material blocks For direct transmission of RF signals between one of the plurality of resonators in the first dielectric material block and one of the plurality of resonators in the third dielectric material block, A first inner direct RF signal transmission window formed by the first and second dielectric material blocks, a first inner direct RF signal transmission window formed by the first and second dielectric material blocks, A second inner direct RF signal transmission window formed by a second region in the layer of the first inner conductive material free of conductive material for direct transmission of RF signals between one of the plurality of resonators in the second dielectric material block, For direct transmission of RF signals between the third and fourth dielectric material blocks and between one of the plurality of resonators in the third dielectric material block and one of the plurality of resonators in the fourth dielectric material block, A third inner direct RF signal transmission window formed by a first region within the first dielectric material block and a second inner dielectric layer between the first and third dielectric material blocks and between the other resonator of the plurality of resonators in the first dielectric material block and a plurality For the indirect transmission of the RF signal between the other resonators in the resonator, the third zero in the layer of the first inner conductive material free of conductive material And a second inner indirect RF signal transmitting means formed between the second and fourth dielectric material blocks and between the other resonator in the plurality of resonators in the fourth dielectric material block and the other resonator in the plurality of resonators in the second dielectric material block. And a second inner indirect RF signal transmission means formed by a fourth region in the layer of the first inner conductive material free of conductive material for indirect transmission of the RF signal between the first inner conductive material layer and the second inner conductive RF material transmission portion.

일 실시예에 있어서, 제 1 및 제 2 내측 간접 RF 신호 전송 수단은 제 1 내부 도전 재료의 층 내의 제 3 및 제 4 영역에 의해서 형성된 제 1 및 제 2 격리된 도전 재료의 패드를 포함한다.In one embodiment, the first and second inner indirect RF signal transmission means comprise pads of first and second isolated conductive material formed by third and fourth regions in a layer of a first inner conductive material.

일 실시예에 있어서, 각각의 제 1, 제 2, 제 3, 및 제 4 유전체 재료 블록 내의 복수의 공진기는 슬릿(slit) 및 RF 신호 전송 브리지에 의해서 분리되어 있다.In one embodiment, the plurality of resonators in each of the first, second, third, and fourth dielectric material blocks are separated by a slit and an RF signal transmission bridge.

일 실시예에 있어서, 제 3 유전체 재료 블록 내에 형성된 슬릿은 제 4 유전체 재료 블록 내에 형성된 슬릿을 마주보며(face), 제 1 유전체 재료 블록 내에 형성된 슬릿은 제 2 유전체 재료 블록 내에 형성된 슬릿을 마주하지 않는다(face away).In one embodiment, the slits formed in the third dielectric material block face the slits formed in the fourth dielectric material block, the slits formed in the first dielectric material block face the slits formed in the second dielectric material block (Face away).

본 발명의 다른 장점 및 특징은 이하의 본 발명의 바람직한 실시예의 상세한 설명, 첨부 도면, 및 첨부 청구 범위로부터 더욱 즉각적으로 명확해질 것이다.Other advantages and features of the present invention will become more apparent from the following detailed description of the preferred embodiments of the invention, the accompanying drawings, and the appended claims.

본 발명의 이와 같은 특징 및 기타 특징은 이하 첨부 도면의 설명에 의해서 가장 잘 이해될 수 있다:
도 1은 본 발명에 따른 유전체 도파관 필터의 확대 사시도이다;
도 2는 도 1에 나타낸 유전체 도파관 필터의 확대된 부분 투시 분해 사시도이다;
도 3은 도 1에 도시된 유전체 도파관 필터의 별개의 솔리드 유전체 블록들의 각각의 확대된 부분 투시 분해 사시도이다.
These and other features of the invention are best understood from the following description of the drawings,
1 is an enlarged perspective view of a dielectric waveguide filter according to the present invention;
Figure 2 is an enlarged, partially exploded, perspective view of the dielectric waveguide filter shown in Figure 1;
3 is an enlarged, partially exploded, perspective view of each of the separate solid dielectric blocks of the dielectric waveguide filter shown in FIG.

도 1, 2, 및 3은 직접 커플링 및 교호 크로스 커플링 형상 모두를 수용하는 본 발명에 따른 세라믹 유전체 도파관 필터(100)를 나타낸다.Figures 1, 2, and 3 illustrate a ceramic dielectric waveguide filter 100 in accordance with the present invention that accommodates both direct coupling and alternating cross-coupling configurations.

도시한 실시예에 있어서, 도파관 필터(100)는 네 개의 별도의 대략 평행한 파이프라인 형상의 고체 유전체 재료 블록 또는 블록들(101, 103, 201, 및 203)로 형성되며, 이들은 병렬의 적층된 관계로 함께 조합되어 접속되고 고정되어 이하에서 더욱 상세하게 설명하는 바와 같이 도파관 필터(100)를 형성한다. 구체적으로, 하부 블록(101 및 103)은 병렬 관계로 함께 접속되며 상부 블록(201 및 203)은 하부 블록(101 및 103) 상에 및 위에 적층된 상부 블록(201 및 203)과 병렬 관계로 함께 접속되며, 이때 상부 블록(201)은 하부 블록(101) 상에 및 위에 적층되고 상부 블록(203)은 하부 블록(103) 상에 및 위에 적층된다.In the illustrated embodiment, the waveguide filter 100 is formed of four separate, substantially parallel, pipeline-shaped solid dielectric material blocks or blocks 101, 103, 201, and 203, And are connected and secured together to form a waveguide filter 100 as will be described in more detail below. Specifically, the lower blocks 101 and 103 are connected together in a parallel relationship, and the upper blocks 201 and 203 are connected together in parallel relationship with the upper blocks 201 and 203 stacked on the lower blocks 101 and 103 Wherein the upper block 201 is stacked on and on the lower block 101 and the upper block 203 is stacked on and on the lower block 103.

각각의 하부 블록(101 및 103)은, 예를 들면, 세라믹과 같은 적절한 고체 유전체 재료 블록을 포함하며, 이 블록은 종축(L1)을 형성하고, 종축(L1) 방향과 동일한 종방향으로 연장하는 대향 종방향 수평 외부 하부 및 상부면(102 및 104)을 포함하고, 종축(L1) 방향과 동일한 종방향으로 연장하는 대향 종방향 측면 수직 외부 표면(106 및 108), 및 각 블록(101 및 103)의 종축(L1)에 대해서 대략 수직인 방향으로 연장하는 대향 횡방향 측면 수직 외부 단부면(110 및 112),을 포함한다.Each of the sub-blocks 101 and 103 are, for example, includes a suitable solid dielectric material block such as a ceramic, a block in the same longitudinal direction and forming a longitudinal axis (L 1) and the longitudinal axis (L 1) direction Longitudinally opposite lateral vertical outer surfaces 106 and 108 that extend in the longitudinal direction and extend in the same longitudinal direction as the longitudinal axis L 1 , And opposite opposing lateral side vertical outer end faces 110 and 112 extending in a direction substantially perpendicular to the longitudinal axis L 1 of the first and second end portions 101 and 103.

각 블록(101 및 103)은 복수의 공진부(또한 캐비티 또는 셀 또는 공진기로도 통칭됨)(114, 116, 및 118, 120)를 각각 포함하며, 이들은, 이하에서 더욱 상세하게 설명하는 바와 같이, 각 블록(101 및 103)의 길이 및 종축(L1)을 따라서 종방향으로 이격되고 연장되며 각각의 수직 슬릿 또는 슬롯(124 및 126)에 의해서 서로 분리되어 있으며, 이들 슬릿 또는 슬롯은 각각 각 블록(101 및 103)의 표면(102, 104, 106, 및 108) 및 각각의 유전체 재료 RF 신호 브리지(128 및 130)를 절단한다.Each block 101 and 103 includes a plurality of resonator sections (also collectively referred to as cavities or cells or resonators) 114,116, and 118,201, which, as will be described in greater detail below, , Longitudinally spaced and extended along the length and longitudinal axis L 1 of each block 101 and 103 and separated from one another by respective vertical slits or slots 124 and 126, 104, 106, and 108 of blocks 101 and 103 and their respective dielectric material RF signal bridges 128 and 130. [

슬롯(124 및 126)은 종축(L1)에 대해서 대략 수직인 관계로 각 블록(101 및 103)의 각 측면(106 및 108)의 길이를 따라서 연장된다. 각각의 슬롯(124 및 126)은 각각의 측면(106 및 108) 및 대향 수평면(102 및 104)을 관통 절단하고 본체와 각각의 유전체 재료 블록(101 및 103)을 부분적으로 관통 절단한다. 슬롯(124 및 126)은 대향 횡방향 외부 단부면(110 및 112)의 사이에 및 이들에 대해서 평행한 관계로 각 블록(101 및 103)의 대략 중앙에 위치한다.The slots 124 and 126 extend along the length of each side 106 and 108 of each block 101 and 103 in a generally perpendicular relationship to the longitudinal axis L 1 . Each slot 124 and 126 cuts through each side 106 and 108 and opposite horizontal surfaces 102 and 104 and partially cuts through the body and each dielectric material block 101 and 103. Slots 124 and 126 are located approximately in the center of each block 101 and 103 between and parallel to each other between opposite transverse outer end faces 110 and 112. [

도시한 실시예에 있어서, 슬롯(124 및 126)은 각 블록(101 및 103)의 전체 폭까지 연장되지 않으며 따라서 블록(101 및 103)은 블록(101 및 103) 내의 각각의 대략 중앙에 위치하는 각각의 RF 신호 브리지(128 및 130)를 형성하며, 이들 브리지는 각각 각 블록(101 및 103)의 각 종축(L1)에 대해서 대략 수직인 관계 및 방향으로 연장되고 각 블록(101 및 103) 내의 각각의 공진기(114, 116) 및 공진기(118 및 120)를 전기적으로 상호 접속하는 각 블록(101 및 103) 내의 유전체 재료 브리지 또는 아일랜드를 포함한다.Slots 124 and 126 do not extend to the full width of each block 101 and 103 so that blocks 101 and 103 are located approximately at the center of each of blocks 101 and 103 Which form respective RF signal bridges 128 and 130 which extend in a substantially vertical relationship and direction with respect to each longitudinal axis L 1 of each of the blocks 101 and 103, And a dielectric material bridge or island in each block 101 and 103 that electrically interconnects each resonator 114,116 and resonators 118,120 within the respective resonator.

구체적으로, 블록(101) 상의 유전체 재료 브리지(128)는 공진기(114)의 유전체 재료을 공진기(116)의 유전체 재료에 연결(bridge)하고 상호 접속하고 있으며, 반면에 블록(103) 상의 유전체 재료 브리지(130)는 공진기(118)의 유전체 재료을 공진기(120)의 유전체 재료에 연결하고 상호 접속하고 있다.The dielectric material bridge 128 on the block 101 bridges and interconnects the dielectric material of the resonator 114 to the dielectric material of the resonator 116 while the dielectric material bridge 128 on the block < RTI ID = 0.0 & (130) connects and interconnects the dielectric material of the resonator (118) to the dielectric material of the resonator (120).

도시한 실시예에 있어서, 유전체 재료로 형성된 각각의 RF 신호 브리지 또는 아일랜드(128 및 130)의 폭은 각각의 슬롯(124 및 126)이 각 블록(101 및 103) 내로 연장되는 거리에 따라서 결정된다. 도시한 실시예에 있어서, 각각의 슬롯(124 및 126)은 각 블록(101 및 103)의 폭의 절반을 초과하는 길이를 가지고 있으며 따라서 각각의 RF 신호 전송 브리지(128 및 130)는 각 블록(101 및 103)의 폭의 절반 이하의 길이를 가지고 있다.In the illustrated embodiment, the width of each RF signal bridge or island 128 and 130 formed of a dielectric material is determined by the distance that each slot 124 and 126 extends into each block 101 and 103 . Each of the slots 124 and 126 has a length that is greater than half the width of each of the blocks 101 and 103 so that each of the RF signal transmission bridges 128 and & 101 and 103, respectively.

임의의 도면들에 도시하지 않았지만, 슬롯(124 및 126)의 두께 또는 폭 또는 길이를 특정 용도에 따라서 변동시켜 RF 신호 브리지(128 및 130)의 폭 및 길이가 이에 따라서 변동되도록 하여 도파관 필터(100)의 전기적인 접속 및 밴드폭을 제어할 수 있도록 함으로써 도파관 필터(100)의 성능 특성을 제어할 수 있음을 알아야 한다.Although not shown in any of the figures, the width or length of the RF signal bridges 128 and 130 may be varied accordingly by varying the thickness or width or length of the slots 124 and 126 depending on the particular application, ) Of the waveguide filter 100 can be controlled by controlling the electrical connection and the bandwidth of the waveguide filter 100.

블록(101 및 103)은 추가적으로 각각 대략 그 종축(L1)에 대해서 수직인 관계로 각 블록(101 및 103) 본체를 관통하여 연장하는 각각의 관통홀(146)의 형태로서의 전기적 RF 신호 입/출력 전극을 포함하고 있으며, 더욱 구체적으로는, 각 블록(101 및 103) 내에 형성된 각각의 단부 공진기(114 및 118) 본체를 관통하고 각 블록(101 및 103)의 각각의 대향 수평 상부 및 하부 외부 표면(102 및 104) 내의 각각의 개구 또는 홀(147) 내에서 종단한다. 도시한 실시예에 있어서, 관통홀(146)은 각 블록(101 및 103)의 각각의 횡방향 단부 외부 표면(110)으로부터 이격되고 이들을 따라서 대략 중앙에 위치하는 관계로 각 블록(101 및 103)의 동일한 단부에 위치한다.Blocks 101 and 103 additionally have electrical RF signal input / output in the form of respective through holes 146 extending through the body of each block 101 and 103 in a direction perpendicular to its longitudinal axis L 1 , Output electrodes and, more specifically, through the end resonators 114 and 118 of the respective resonators 114 and 118 formed in each of the blocks 101 and 103 and each of the opposing horizontal upper and lower external sides of each block 101 and 103 And terminates within each opening or hole 147 in surfaces 102 and 104. [ In the illustrated embodiment, the through-holes 146 are spaced from the respective transverse end outer surfaces 110 of each of the blocks 101 and 103 and are positioned substantially centrally therealong, As shown in FIG.

블록(101 및 103)의 외측면(102, 104, 106, 108, 110, 및 112) 및 슬롯(124 및 126)의 내측면, 및 입/출력 관통홀(146)의 내측면 모두는, 이하에서 더욱 상세하게 설명하는 바와 같이, 외부 표면의 일부 영역을 제외하고는, 예컨대 은(silver)과 같은 적절한 도전 재료로 덮혀 있다.The inner surfaces of the outer surfaces 102, 104, 106, 108, 110 and 112 of the blocks 101 and 103 and the inner surfaces of the slots 124 and 126 and the inner surfaces of the input / output through holes 146, Such as silver, except for some areas of the outer surface, as will be described in more detail in FIG.

구체적으로, 도시한 실시예에 있어서, 각 블록(101 및 103)의 외부 상부 수평면(104)은 도전 재료가 없는 각각의 영역(400a 및 402a)을 포함하고 있으며, 따라서 각 블록(101 및 103)의 외부 상부 수평면(104) 상에 유전체 재료 영역(400a 및 402a)을 형성한다.Specifically, in the illustrated embodiment, the outer upper horizontal surface 104 of each block 101 and 103 includes respective regions 400a and 402a without conductive material, and thus each block 101 and 103, The dielectric material regions 400a and 402a are formed on the outer upper horizontal surface 104 of the substrate 100. [

이하에서 더욱 상세하게 설명하는 바와 같이, 영역(400a)은 블록(201)이 블록(101) 상부에 적층되고 이에 접속될 때 블록(101)으로부터 블록(201)으로의 RF 신호의 직접 커플링 및 전송을 위한 수단 또는 창을 형성한다. 도시한 실시예에 있어서, 대략 직사각형 형상인 영역(400a)은 각 블록(101 및 103)의 횡방향 단부 외부 표면(112)에 대해서 인접하고, 이격되고, 평행한 관계로 각각의 공진기(116 및 120) 영역 내에 위치하며, 더욱 더 구체적으로는, 각 블록(101 및 103) 내의 각각의 횡방향 단부 외부 표면(112) 및 각각의 슬롯(124 및 126) 사이에 및 이들로부터 이격되고 이들에 대해서 평행한 관계로 위치한다. 도시한 실시예에 있어서, 영역 또는 창(400a)은 종축(L1)을 교차하고 이에 대해서 대략 수직인 관계로 각 블록(101 및 103)의 대략 중앙에 배치된다.As described in more detail below, region 400a includes direct coupling of the RF signal from block 101 to block 201 when block 201 is stacked and connected to block 101, and Thereby forming a means or window for transmission. In the illustrated embodiment, the substantially rectangular region 400a is adjacent to, spaced from, and parallel to the transverse end outer surface 112 of each block 101 and 103, 120 and more particularly between and between each transverse end outer surface 112 and each slot 124 and 126 in each block 101 and 103, It is located in a parallel relationship. In the illustrated embodiment, the region or window 400a is disposed approximately at the center of each block 101 and 103 in a relationship that intersects the vertical axis L 1 and is approximately perpendicular thereto.

영역(402a)은 대략 고리 형상이며 , 이하에서 더욱 상세하게 설명하는 바와 같이, 블록(201)이 블록(101) 상부에 적층되고 이에 접속될 때 블록(101)으로부터 블록(201)으로의 RF 신호의 크로스 또는 간접 커플링 및 전송을 위한 수단을 형성하는 원형 격리된 도전 재료의 패드(403a)를 형성한다. 영역(402a) 및 패드(403a)는 각 블록(101 및 103) 내의 각각의 관통홀(146) 및 각각의 슬롯(124 및 126) 사이에 및 이들로부터 이격되는 관계로 각각의 공진기(114 및 118) 영역 내에 위치한다. 도시한 실시예에 있어서, 영역 또는 패드(402a)는 종축(L1)을 교차하는 관계로 각 블록(101 및 103)의 대략 중앙에 배치된다.The region 402a is substantially annular and has a substantially annular shape and includes an RF signal from the block 101 to the block 201 when the block 201 is stacked on and connected to the block 101, To form a pad 403a of circularly isolated conductive material that forms a means for cross or indirect coupling and transmission of the conductive material. Region 402a and pad 403a are connected to respective resonators 114 and 118 in a spaced relationship between and spaced from respective through holes 146 and respective slots 124 and 126 in each block 101 and 103. [ ) Region. In the illustrated embodiment, the regions or pads 402a are disposed approximately at the center of each of the blocks 101 and 103 in relation to the longitudinal axis L 1 .

더 나아가, 도시한 일 실시예에 있어서, 각각의 영역(400a 및 402a)은 서로에 대해서 공통 직선에(co-linearly) 배치되고 각 블록(101 및 103) 상의 각각의 슬롯(124 및 126)의 대향 측면 상에 및 이들로부터 이격되어 위치한다.Further, in one illustrated embodiment, each of the regions 400a and 402a are co-linearly arranged with respect to each other and are arranged in the respective slots 124 and 126 on each block 101 and 103 On opposite sides and spaced apart therefrom.

도 1 및 2에 도시되어 있는 바와 같이, 블록(101 및 103)은 이하의 관계로 함께 접속되고 고정된다 : 블록(101)의 수직 종방향 외부 측면(108)은 블록(103)의 수직 종방향 외부 측면(106)에 맞대어지고 고정됨으로써, 접속된 블록(101 및 103)의 종축(L2)과 공선형적인 관계로 각 블록(101 및 103) 사이로 연장하는 내부 도전 재료의 층 또는 도전 재료 스트립(500a)을 형성하며; 각 블록(101 및 103)의 각각의 수평 외부 표면(102 및 104)은 서로 공통 직선에 정렬되며; 각 블록(101 및 103)의 각각의 수직 외부 단부면(106 및 108)은 서로 공통 직선에 정렬되며; 각각의 슬롯(124 및 126)은 서로 공통 직선에 정렬되고 마주 보고 서로 반대 방향으로 개구되며, 내부 도전 재료 스트립(500a) 및 종축(L2)의 대향 측면 상에 및 이들로부터 이격되고 이들에 대해서 대략 수직으로 위치하며; 각각의 영역(400a)은 서로 공통 직선에 정렬되고 내부 도전 재료 스트립(500) 및 종축(L2)의 대향 측면 상에 또한 이들로부터 이격되고 이들에 대해서 대략 수직으로 위치하며; 또한 각각의 영역(402a) 및 패드(403a)는 서로 공통 직선에 정렬되고 내부 도전 재료 스트립(500) 및 종축(L2)의 대향 측면 상에 위치하고 이들로부터 이격되어 위치한다.1 and 2, the blocks 101 and 103 are connected and fixed together in the following relationship: the vertical longitudinal outer side 108 of the block 101 is connected to the vertical longitudinal direction of the block 103 by being butted against each other are fixed to the outer side (106), connected to the block (101 and 103), the longitudinal axis (L 2) and the ball linear relationship to each of the blocks 101 and 103 layer or the conductive material of the internal conductive material extending between the strip of (500a); The horizontal outer surfaces 102 and 104 of each block 101 and 103 are aligned in a common straight line with each other; The respective vertical outer end faces 106 and 108 of each block 101 and 103 are aligned in a common straight line with each other; Each slot 124 and 126 are mutually aligned in a common straight line, and at each other and opening in a direction opposite faces, spaced from and on opposite sides of the inner conductive strips of material (500a) and a longitudinal axis (L 2), and these are with respect to these Approximately vertically positioned; Each zone (400a) it is mutually aligned in a common straight line and also separated from their substantially vertical position with respect to those on the opposite side of the inner conductive material strip 500 and the longitudinal axis (L 2), and; In addition, each of the regions (402a) and a pad (403a) is located at each other and aligned in a common straight line is located on the opposite side of the inner conductive material strip 500 and the longitudinal axis (L 2) spaced from these.

동일한 방식으로, 각각의 상부 블록(201 및 203)은, 예를 들면, 세라믹과 같은 적절한 고체 유전체 재료 블록을 포함하며; 이 블록은 종축(L1)을 형성하고; 종축(L1) 방향과 동일한 종방향으로 연장하는 대향 종방향 수평 외부 하부 및 상부면(202 및 204)을 포함하고; 종축(L1) 방향과 동일한 종방향으로 연장하는 대향 종방향 측면 수직 외부 표면(206 및 208); 및 각 블록(201 및 203)의 종축(L1)에 대해서 대략 수직인 방향으로 연장하는 대향 횡방향 측면 수직 외부 단부면(210 및 212);을 포함한다.In the same manner, each top block 201 and 203 comprises a suitable solid dielectric material block, such as, for example, a ceramic; This block forms a longitudinal axis L 1 ; Includes opposing longitudinal outer horizontal lower and upper surfaces (202 and 204) extending in the same longitudinal direction as the longitudinal axis (L 1 ) direction; Facing longitudinal vertical outer surfaces 206 and 208 extending in the same longitudinal direction as the longitudinal axis L 1 direction; And opposing lateral side vertical outer end faces 210 and 212 extending in a direction substantially perpendicular to the longitudinal axis L 1 of each block 201 and 203.

각 블록(201 및 203)은 복수의 공진부(또한 캐비티 또는 셀 또는 공진기로도 통칭됨)(214, 216, 및 218, 220)를 각각 포함하며, 이들은, 이하에서 더욱 상세하게 설명하는 바와 같이, 각 블록(201 및 203)의 길이 및 종축(L1)을 따라서 종방향으로 이격되고 연장되며 각각의 수직 슬릿 또는 슬롯(224 및 226)에 의해서 서로 분리되어 있으며, 이들 슬릿 또는 슬롯은 각각 각 블록(201 및 203)의 표면(102, 104, 106, 및 108) 및 각각의 유전체 재료 RF 신호 브리지(128 및 132)를 절단한다.Each block 201 and 203 includes a plurality of resonator sections (also collectively referred to as cavities or cells or resonators) 214, 216 and 218 and 220, respectively, which, as will be described in greater detail below, , Longitudinally spaced and extended along the length and longitudinal axis L 1 of each block 201 and 203 and separated from each other by respective vertical slits or slots 224 and 226, The surfaces 102, 104, 106, and 108 of blocks 201 and 203 and respective dielectric material RF signal bridges 128 and 132 are cut.

슬롯(224 및 226)은 대략 종축(L1)에 대해서 수직인 관계로 각 블록(201 및 203)의 각 측면(106 및 108)의 길이를 따라서 연장된다. 각각의 슬롯(224 및 226)은 각각의 측면(106 및 108) 및 대향 수평면(102 및 104)을 관통 절단하고 본체와 각각의 유전체 재료 블록(201 및 203)을 부분적으로 관통 절단한다. 슬롯(224 및 226)은 대향 횡방향 외부 단부면(110 및 112)의 사이에 및 이들에 대해서 평행한 관계로 각 블록(201 및 203)의 대략 중앙에 위치한다.Slots 224 and 226 extend along the length of each side 106 and 108 of each block 201 and 203 in a relationship that is approximately perpendicular to the longitudinal axis L 1 . Each slot 224 and 226 cuts through the respective side surfaces 106 and 108 and the opposing horizontal surfaces 102 and 104 and partially cuts through the body and the respective dielectric material blocks 201 and 203. The slots 224 and 226 are located approximately centrally between each of the blocks 201 and 203 in a parallel relationship between and opposite opposite lateral end faces 110 and 112.

도시한 실시예에 있어서, 슬롯(224 및 226)은 각 블록(201 및 203)의 전체 폭까지 연장되지 않으며 따라서 블록(201 및 203)은 블록(201 및 203) 내의 각각의 대략 중앙에 위치하는 각각의 RF 신호 브리지(228 및 230)를 형성하며, 이들 브리지는 각각 각 블록(201 및 203)의 각 종축(L1)에 대해서 대략 수직인 관계 및 방향으로 연장되고 각 블록(201 및 203) 내의 각각의 공진기(214, 216) 및 공진기(218 및 220)를 전기적으로 상호 접속하는 각 블록(201 및 203) 내의 유전체 재료 브리지 또는 아일랜드를 포함한다.Slots 224 and 226 do not extend to the full width of each block 201 and 203 so that blocks 201 and 203 are positioned approximately at the center of each of blocks 201 and 203 Which form respective RF signal bridges 228 and 230 which extend in a substantially vertical relationship and direction with respect to each longitudinal axis L 1 of each of the blocks 201 and 203, And dielectric material bridges or islands in each of the blocks 201 and 203 that electrically interconnect the respective resonators 214 and 216 and the resonators 218 and 220 therein.

구체적으로, 블록(201) 상의 유전체 재료 브리지(228)는 공진기(214)의 유전체 재료을 공진기(216)의 유전체 재료에 연결(bridge)하고 상호 접속하고 있으며, 반면에 블록(203) 상의 유전체 재료 브리지(230)는 공진기(218)의 유전체 재료을 공진기(220)의 유전체 재료에 연결하고 상호 접속하고 있다.Specifically, dielectric material bridge 228 on block 201 bridges and interconnects the dielectric material of resonator 214 to the dielectric material of resonator 216, while dielectric material bridge 228 on block < RTI ID = 0.0 > (230) connects and interconnects the dielectric material of the resonator (218) to the dielectric material of the resonator (220).

도시한 실시예에 있어서, 유전체 재료로 형성된 각각의 RF 신호 브리지 또는 아일랜드(228 및 230)의 폭은 각각의 슬롯(224 및 226)이 각 블록(201 및 203) 내로 연장되는 거리에 따라서 결정된다. 도시한 실시예에 있어서, 각각의 슬롯(224 및 226)은 각 블록(201 및 203)의 폭의 절반을 초과하는 길이를 가지고 있으며 따라서 각각의 RF 신호 전송 브리지(228 및 230)는 각 블록(201 및 203)의 폭의 절반 이하의 길이를 가지고 있다.In the illustrated embodiment, the width of each RF signal bridge or island 228 and 230 formed of a dielectric material is determined by the distance that each slot 224 and 226 extends into each block 201 and 203 . In the illustrated embodiment, each slot 224 and 226 has a length that is greater than half the width of each block 201 and 203, and thus each RF signal transmission bridge 228 and 230 has a respective block 201 and 203, respectively.

임의의 도면들에는 도시하지 않았지만, 슬롯(224 및 226)의 두께 또는 폭 또는 길이를 특정 용도에 따라서 변동시켜 RF 신호 브리지(228 및 230)의 폭 및 길이가 이에 따라서 변동되도록 하여 도파관 필터(100)의 전기적인 접속 및 밴드폭을 제어할 수 있도록 함으로써 도파관 필터(100)의 성능 특성을 제어할 수 있음을 알아야 한다.Although not shown in any of the figures, the width or length of the RF signal bridges 228 and 230 may be varied accordingly by varying the thickness or width or length of the slots 224 and 226 depending on the particular application, ) Of the waveguide filter 100 can be controlled by controlling the electrical connection and the bandwidth of the waveguide filter 100.

블록(201 및 203)의 외측면(202, 204, 206, 208, 210, 및 212) 및 슬롯(224 및 226)의 내측면 모두는, 이하에서 더욱 상세하게 설명하는 바와 같이, 외부 표면의 일부 영역을 제외하고는, 예컨대 은(silver)과 같은 적절한 도전 재료로 덮혀 있다.Both the outer surfaces 202, 204, 206, 208, 210, and 212 of the blocks 201 and 203 and the inner surfaces of the slots 224 and 226, Except for the area, covered with a suitable conductive material such as silver.

구체적으로, 도시한 실시예에 있어서, 각 블록(201 및 203)의 하부 외부 수평면(202)은 도전 재료가 없는 각각의 영역(400b 및 402b)을 포함하고 있으며, 따라서 각 블록(201 및 203)의 하부 외부 수평면(202) 상에 유전체 재료 영역(400b 및 402b)을 형성한다.Specifically, in the illustrated embodiment, the bottom outer horizontal surface 202 of each block 201 and 203 includes respective areas 400b and 402b without conductive material, The dielectric material regions 400b and 402b are formed on the lower outer horizontal surface 202 of the dielectric layer.

이하에서 더욱 상세하게 설명하는 바와 같이, 영역(400b)은 블록(201)이 블록(101) 상부에 적층되고 이에 접속될 때 블록(101 및 201) 사이에서의 RF 신호의 직접 커플링 및 전송을 위한 수단 또는 창을 형성한다. 도시한 실시예에 있어서, 대략 직사각형 형상인 영역(400b)은 각 블록(201 및 203)의 횡방향 단부 외부 표면(212)에 대해서 인접하고, 이격되고, 평행한 관계로 각각의 공진기(216 및 220) 영역 내에 위치하며, 더욱 더 구체적으로는, 각 블록(201 및 203) 내의 각각의 횡방향 단부 외부 표면(212) 및 각각의 슬롯(224 및 226) 사이에 및 이들로부터 이격되고 이들에 대해서 평행한 관계로 위치한다. 도시한 실시예에 있어서, 영역 또는 창(400b)은 종축(L1)을 교차하고 이에 대해서 대략 수직인 관계로 각 블록(201 및 203)의 대략 중앙에 배치된다.As will be described in greater detail below, region 400b includes direct coupling and transmission of RF signals between blocks 101 and 201 when block 201 is stacked and connected to block 101 Forming means or window. In the illustrated embodiment, the generally rectangular region 400b is adjacent, spaced, and parallel to the transverse end outer surface 212 of each of the blocks 201 and 203, 220 and more particularly between and between each transverse end outer surface 212 and each slot 224 and 226 in each of the blocks 201 and 203, It is located in a parallel relationship. In the illustrated embodiment, the region or window 400b is disposed approximately at the center of each block 201 and 203 in a relationship that intersects the longitudinal axis L 1 and is approximately perpendicular thereto.

영역(402b)은 대략 고리 형상이며 , 이하에서 더욱 상세하게 설명하는 바와 같이, 블록(201)이 블록(101) 상부에 적층되고 이에 접속될 때 블록(101 및 201) 사이에서의 RF 신호의 크로스 또는 간접 커플링 및 전송을 위한 수단을 형성하는 원형 격리된 도전 재료의 패드(403b)를 형성한다. 영역(402b) 및 패드(403b)는 각 블록(201 및 203)의 각 슬롯(224 및 226)과 각 횡방향 외부 단부면(110) 사이에 그리고 이들로부터 이격되는 관계로 각각의 공진기(214 및 218) 영역 내에 위치한다. 도시한 실시예에 있어서, 영역 또는 패드(402b)는 종축(L1)을 교차하는 관계로 각 블록(201 및 203)의 대략 중앙에 배치된다.The region 402b is substantially annular and has a crossing of the RF signal between the blocks 101 and 201 when the block 201 is stacked on top of the block 101 and connected thereto, Or pads 403b of circularly isolated conductive material that form means for indirect coupling and transmission. Region 402b and pad 403b are spaced apart from and spaced from respective slots 224 and 226 and respective transverse outer end face 110 of each block 201 and 203 by respective resonators 214 and & 218) regions. In the illustrated embodiment, the regions or pads 402b are disposed approximately at the center of each of the blocks 201 and 203 in relation to the longitudinal axis L 1 .

더 나아가, 도시한 실시예에 있어서, 각각의 영역(400b 및 402b)은 서로에 대해서 공통 직선에 배치되고 각 블록(201 및 203) 상의 각 슬롯(224 및 226)의 대향 측면 상에 및 이들로부터 이격되어 위치한다.Further, in the illustrated embodiment, each of the regions 400b and 402b are disposed in a common straight line with respect to each other and on opposite sides of each slot 224 and 226 on each block 201 and 203, Are spaced apart.

각 블록(201 및 203)의 측면 수직 외부 표면(208 및 206)은 도전 재료가 없는 각 영역(600a 및 600b)를 포함하므로, 이하에서 설명하는 바와 같이, 블록(201 및 203)이 병렬 관계로 함께 접속될 때 블록(201 및 203) 사이에서의 RF 신호의 직접 커플링 및 전송을 위한 수단 또는 창(600a 및 600b)을 형성하는 각각의 영역(600a 및 600b)을 형성한다.The lateral vertical outer surfaces 208 and 206 of each of the blocks 201 and 203 include respective regions 600a and 600b without conductive material so that the blocks 201 and 203 are in a parallel relationship Thereby forming respective regions 600a and 600b that form the windows or the windows 600a and 600b for direct coupling and transmission of RF signals between the blocks 201 and 203 when connected together.

도시한 실시예에 있어서, 영역 또는 창(600a 및 600b)은 각각의 공진기(214 및 218) 및 각각의 패드(402b)를 형성하는 각각의 블록(201 및 203) 영역 상에 위치하며, 각각의 패드(402)와 공선형 관계로 위치하며, 더 나아가 각각의 대향 공진기(216 및 220) 상에 형성되고 각각의 슬롯(224 및 226)에 의해서 분리되는 각각의 창(400b)에 대향하여 및 이로부터 이격되는 관계로 위치한다.In the illustrated embodiment, regions or windows 600a and 600b are located on each of the blocks 201 and 203 that form respective resonators 214 and 218 and respective pads 402b, And in opposition to and spaced apart from each window 400b that is located in a collinear relationship with the pad 402 and further formed on each of the opposed resonators 216 and 220 and separated by respective slots 224 and 226, From a distance.

도 1 및 2에 도시되어 있는 바와 같이, 블록(201 및 203)은 이하의 관계로 함께 접속되고 고정된다 : 블록(201)의 수직 종방향 외부 측면(208)은 블록(203)의 수직 종방향 외부 측면(206)에 맞대어지고 고정되고, 이에 의해서 접속된 블록(201 및 203)의 종축(L2)과 공선형적인 관계로 각 블록(201 및 203) 사이로 연장하는 내부 도전 재료의 층 또는 도전 재료 스트립(500b)을 형성하며; 각각의 외부 측면(208 및 206) 상의 각각의 영역 또는 창(600a 및 600b)은 서로에 대해서 정렬되고 맞대어지며; 각 블록(201 및 203)의 각각의 외부 수평면(202 및 204)은 서로 공통 직선에 정렬되며; 각 블록(201 및 203)의 각각의 수직 외부 단부면(206 및 208)은 서로 공통 직선에 정렬되며; 각각의 슬롯(224 및 226)은 서로 공통 직선에 정렬되고 마주 보고 서로를 향해서 개구되며, 내부 도전 재료 스트립(500b) 및 종축(L2)의 대향 측면 상에 및 이들에 대해서 대략 수직으로 위치하고 이들 내에서 종단하며; 각각의 영역(400b)은 서로 공통 직선에 정렬되고 내부 도전 재료 스트립(500b) 및 종축(L2)의 대향 측면 상에 또한 이들로부터 이격되고 이들에 대해서 대략 수직으로 위치하며; 또한 각각의 영역(402b) 및 패드(403b)는 서로 공통 직선에 정렬되고 내부 도전 재료 스트립(500b) 및 종축(L2)의 대향 측면 상에 위치하고 이들로부터 이격되어 위치한다.As shown in Figures 1 and 2, the blocks 201 and 203 are connected together and secured together in the following relationship: The vertical longitudinal outer side 208 of the block 201 is connected to the vertical longitudinal direction fixing is abutted to the outer side (206) and, thereby the block (201 and 203), the longitudinal axis (L 2) and the layer or conductivity of the inner conductive material extending to a linear relationship between the ball between each of the blocks 201 and 203 of the connection by Forming a material strip 500b; Each region or window 600a and 600b on each of the outer sides 208 and 206 is aligned and abutted against each other; The respective outer horizontal surfaces 202 and 204 of each of the blocks 201 and 203 are aligned in a common straight line with each other; The respective vertical outer end faces 206 and 208 of each of the blocks 201 and 203 are aligned in a common straight line with each other; Each of the slots (224 and 226) are mutually aligned in a common straight line facing and opening toward one another, on opposite sides of the inner conductive material strip (500b) and the longitudinal axis (L 2) and positioned substantially vertically with respect to these these Ending within; Each region (400b) to each other and are arranged on a common straight line and also separated from their substantially vertical position with respect to those on the opposite side of the inner conductive material strip (500b) and the longitudinal axis (L 2), and; In addition, each of the regions (402b) and the pad (403b) are positioned to each other and aligned in a common straight line is located on the opposite side of the inner conductive material strip (500b) and the longitudinal axis (L 2) spaced from these.

이어서, 하부 블록(101 및 103) 및 상부 블록(201 및 203)은 이하의 관계로 서로 적층된다 : 각 블록(201 및 203)의 하부 외부 수평면(202)은 하부 블록(101 및 103)의 상부 외부 수평면(104)에 맞대어짐으로써 블록(101 및 103) 및 블록(201 및 203) 사이에 위치하고 내부층 또는 스트립(500a 및 500b)에 대해서 수직하고 교차하는 관계로 연장하는 내부 도전 재료 스트립 또는 내부 도전 재료의 층(500c)을 형성하며; 각 블록(201 및 203) 상의 각각의 영역(400b, 402b), 및 패드(403b)는 각 블록(101 및 103) 상의 각각의 영역(400a, 402a), 및 패드(403a)와 정렬되고 이들과 맞대어지며; 또한 각 블록(201 및 203)의 외부 수직 측면 및 단부면(206, 208, 및 212) 각각은 필터(100)의 전체폭까지 연장되는 필터(100)의 단부에서 가늘고 긴 단차를 형성하고 만드는 각 블록(101 및 103)의 외부 수직 측면 및 단부면(106, 108, 및 112) 각각과 공평면적으로 정렬된다.Lower blocks 101 and 103 and upper blocks 201 and 203 are then laminated together in the following relationship: The lower outer horizontal plane 202 of each block 201 and 203 is located at the top of the lower blocks 101 and 103 An inner conductive material strip or interiors extending between the blocks 101 and 103 and the blocks 201 and 203 and in vertical and crossing relation to the inner layers or strips 500a and 500b, Forming a layer 500c of conductive material; Each of the areas 400b and 402b on each block 201 and 203 and the pad 403b are aligned with the respective areas 400a and 402a and the pad 403a on each block 101 and 103, Come in contact; Each of the outer vertical sides and end faces 206,208 and 212 of each of the blocks 201,203 also form an elongated step at the end of the filter 100 extending to the full width of the filter 100 108, and 112 of block 101 and 103, respectively.

도시한 실시예에 있어서, 상부 블록(201 및 203)은 길이가 동일하고 하부 블록(101 및 103) 보다는 길이가 짧으므로, 도시한 실시예에 있어서, 각 블록(201 및 203)의 수직 외부 단부면(210)은 각 블록(101 및 103) 내의 각각의 관통홀(146)과 공평면적으로 정렬되어 배치되고 블록(101 및 103)의 수직 외부 단면(110)으로부터 이격되고 이에 대해서 대략 평행한 관계로 배치된다.In the illustrated embodiment, the upper blocks 201 and 203 are equal in length and shorter in length than the lower blocks 101 and 103, so that in the illustrated embodiment, the vertical outer ends of the blocks 201 and 203 The annular surface 210 is disposed in alignment with the respective through holes 146 in each block 101 and 103 in a planar area and spaced from and spaced from the vertical outer surface 110 of the blocks 101 and 103, .

본 발명에 따르면, 도파관 필터(100)는 도 1 및 2에서 화살표(d)로 대략적으로 지시한 RF 신호용 제 1 자기형(magnetic) 또는 유도형(inductive) 직접 커플링 RF 신호 전송 경로 또는 전송선을 형성하며, 이들 전송 경로 또는 전송선은 계속하여 관통홀(147)이 RF 신호 입력부를 형성하는 하부 블록(101) 내의 관통홀(147)을 내측으로 및 수직 상향으로 관통하며 이후에 블록(101)의 공진기(114)를 수평으로 또한 종축(L2) 방향에 대해서 대략 횡방향으로 관통하며; 이후에 종축(L2) 방향과 동일한 방향으로 및 블록(101)의 후방 외부 단부면(112)을 향해서 블록(101) 내의 RF 신호 브리지(128)를 경유 및 관통하여 블록(101) 내의 공진기(116) 내로 수평으로 및 이를 관통하며; 이후에 수직 상향으로 상부 블록(201)의 공진기(216) 내로 관통하여 하부 블록(101)과 상부 블록(201) 사이에 종축(L2) 방향에 대해 횡방향으로 위치한 내부 도전 재료의 층(500c) 내에 정렬되어 형성된 내측 RF 신호 전송 수단 또는 창(400a 및400b)을 경유 및 관통하며; 이후에 종축(L1)과 동일한 방향으로 공진기(216)를 수평으로 관통하고 블록(201)의 전방 외부 단부면(210)으로 향하며; 이후에 블록(201) 내의 공진기(216)로부터 두 개의 블록(201 및 203) 사이에 종축(L2) 방향에 대해서 횡방향으로 위치한 내부 도전 재료의 층(500b) 내에 형성된 RF 신호 브리지(228)를 경유 및 관통하여 수평으로 블록(201) 내의 공진기(214) 내로 및 이를 관통하며; 이후에 종축(L2) 방향과 동일한 방향으로 수평 후방으로 공진기(218)를 관통하며; 이후에 공진기(218 및 220) 사이에 위치한 RF 신호 브리지(230)를 경유 및 관통하여 블록(201) 내의 공진기(220) 내로 및 이를 수평 후방으로 관통하며; 이후에 상부 블록(203) 및 하부 블록(103) 사이에 위치한 내부 도전 재료의 층(500c) 내에 형성되어 있는 정렬된 내부 직접 RF 신호 전송 수단 또는 창(400a 및 400b)을 경유 및 관통하여 상부 블록(203) 내의 공진기(220)로부터 하부 블록(103) 내의 공진기(120)로 종축(L2) 방향에 대해서 횡방향인 방향으로 수직 하향하며; 이후에 종축(L2) 방향과 동일한 방향으로 및 관통홀(147)을 향해서 하부 블록(103) 내의 공진기(120)를 수평 전방으로 관통하며; 이후에 공진기(120 및 118) 사이의 하부 블록(103) 상에 위치한 RF 신호 전송 브리지(130)를 경유 및 관통하여 하부 블록(103) 내의 공진기(118) 내로 및 이를 수평 전방으로 관통하며; 또한 이후에 하부 블록(103) 내에 형성된 관통홀(147) 내로 수직 하향으로 및 하부 블록(103) 내의 관통홀(147)이 도파관 필터(100)의 RF 신호 출력부를 형성하는 종축(L2) 방향에 대해서 횡방향인 방향으로 관통한다.According to the present invention, the waveguide filter 100 comprises a first magnetic or inductive directly coupled RF signal transmission path or transmission line for RF signals, generally indicated by arrows d in Figures 1 and 2, And these transmission paths or transmission lines continue to penetrate the through holes 147 in the lower block 101 forming the RF signal input portion inwardly and vertically upward, Pass the resonator 114 horizontally and substantially transversely with respect to the longitudinal axis L 2 ; And then through the RF signal bridge 128 in the block 101 in the same direction as the longitudinal axis L 2 and toward the rear outer end face 112 of the block 101 to form a resonator 116 horizontally and through it; After vertically upwards therethrough into the cavity 216 of the upper block 201, lower block 101 and upper block longitudinal axis (L 2) layer (500c inside the conductive material is located transverse to the direction between the 201 Through inner RF signal transmission means or windows (400a and 400b) formed in alignment with each other; Then horizontally through the resonator 216 in the same direction as the longitudinal axis L 1 and toward the front outer end face 210 of the block 201; An RF signal bridge 228 is then formed in the layer of internal conductive material 500b positioned laterally transverse to the longitudinal axis L 2 direction between the two blocks 201 and 203 from the resonator 216 in block 201. [ And horizontally through and through the resonator 214 in the block 201; Then through the resonator 218 horizontally rearward in the same direction as the longitudinal axis (L 2 ) direction; Through the RF signal bridge 230 located between the resonators 218 and 220 and into and through the resonator 220 in the block 201 horizontally rearward; Through the aligned internal direct RF signal transmission means or windows 400a and 400b formed in the layer of internal conductive material 500c located between the upper block 203 and the lower block 103, (L 2 ) direction from the resonator (220) in the lower block (203) to the resonator (120) in the lower block (103); Then horizontally through the resonator 120 in the lower block 103 in the same direction as the longitudinal axis L 2 and toward the through-hole 147; Through the RF signal transmission bridge 130 located on the lower block 103 between the resonators 120 and 118 and into and through the resonator 118 in the lower block 103 horizontally forward; The through hole 147 in the lower block 103 is vertically downwardly inserted into the through hole 147 formed in the lower block 103 in the vertical direction L 2 direction forming the RF signal output portion of the waveguide filter 100 In a transverse direction.

따라서, 도시한 실시예에 있어서, RF 신호는 각 블록(101 및 103) 상의 각각의 입/출력 관통홀(146) 사이의 대략 U 형상 패턴 또는 경로의 도파관 필터(100)를 통해서 이동하며, 더욱 구체적으로는 도파관(100)을 관통하여 대략 꼬이면서 또한 사행하는 U 형상의 삼차원 직접 경로로 이동한다.Thus, in the illustrated embodiment, the RF signal travels through waveguide filter 100 in a substantially U-shaped pattern or path between each input / output through hole 146 on each block 101 and 103, Specifically, it travels through the waveguide 100 to a U-shaped three-dimensional direct path which is approximately twisted and meandered.

도파관 필터(100)는 또한 도 1 및 2에서의 화살표(c)에 의해서 대략적으로 지시되는 RF 신호용의 한 쌍의 교호 또는 간접 또는 크로스 커플링 RF 신호 전송 수단 또는 경로를 형성하고 제공한다.The waveguide filter 100 also forms and provides a pair of alternating or indirect or cross-coupled RF signal transmitting means or paths for the RF signal, roughly indicated by the arrows c in Figures 1 and 2.

크로스 커플링 또는 간접 RF 신호 전송 경로(c) 중의 하나는 내부 도전 재료의 층(500c) 내에 위치하는 한 쌍의 내부 또는 내측 RF 신호 전송 수단 또는 격리된 도전 패드(403a, 403b)에 의해서 형성되고 생성되며, 이에 의해서, 직접 RF 신호의 일부가 하부 블록(101)의 공진기(114)를 관통하여 종축(L2) 방향에 대해서 횡방향인 방향으로 맞대어진 도전 패드(403a 및 403b)를 경유하고 관통하여 상부 블록(201)의 공진기(214) 내로 상향으로 전송되도록 하며; 또한 직접 RF 신호의 일부가 상부 블록(203)의 공진기(218)를 관통하여 종축(L2) 방향에 대해서 횡방향인 방향으로 맞대어진 도전 패드(403a 및 403b)를 경유하고 관통하여 하부 블록(103)의 공진기(118) 내로 하향으로 전송되도록 한다.One of the cross-coupling or indirect RF signal transmission paths c is formed by a pair of inner or inner RF signal transmission means or isolated conductive pads 403a, 403b located in the layer 500c of inner conductive material Whereby a part of the direct RF signal passes through the conductive pads 403a and 403b which are in contact with the resonator 114 of the lower block 101 in the direction transverse to the longitudinal axis L 2 So as to be transmitted upwardly into the resonator 214 of the upper block 201; A part of the direct RF signal passes through the resonator 218 of the upper block 203 and passes through the conductive pads 403a and 403b which are in the transverse direction with respect to the longitudinal axis L 2 direction, 103 into the resonator 118 of the resonator.

본 발명에 따르면, 상술한 바와 같이 설명한 RF 신호의 크로스 커플링은 유리하게는 각각의 제 1 및 제 2 전송 영점(zero)을 생성하며, 이 중에서 제 1 전송 영점은 도파관 필터(100)의 패스 밴드 아래에 위치하게 될 것이고 이 중에서 제 2 전송 영점은 도파관 필터(100)의 패스 밴드의 위에 위치하게 될 것이다.According to the present invention, the cross coupling of the RF signal as described above advantageously produces a respective first and second transmission zeros, of which the first transmission zero is the path of the waveguide filter 100 Band and the second transmission zero point will be located above the passband of the waveguide filter 100. < RTI ID = 0.0 >

도시한 각 실시예를 구체적으로 참조하여 본 발명을 개시하였으나, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 정신 및 범위로부터 벗어나지 않고도 형식 및 상세에 있어서 변경을 가할 수 있음을 잘 알 것이다. 설명한 각 실시예는 모든 측면에서 제한적인 것이 아니라 단지 예시적인 것으로 간주되어야 한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. You will know. The described embodiments are to be considered in all respects only as illustrative and not restrictive.

Claims (10)

RF 신호 전송용 도파관 필터에 있어서,
병렬의 적층된 관계(side-by-side and stacked)로 함께 접속된 복수의 유전체 재료 블록들;
상기 블록들의 각각은 공진기들을 정의하고 도전 재료의 층으로 덮힌 외부 표면을 포함하며 상기 병렬의 적층된 복수의 유전체 재료 블록들 사이에서 내측 도전 재료의 층들을 형성하고;
도전 재료가 없고 병렬의 적층된 복수의 유전체 재료 블록들 내의 공진기들 사이에서 RF 신호의 직접(direct) 전송을 위한 제 1 내측창들을 형성하는 상기 내측 도전 재료의 층들 내의 제 1 영역들; 및
도전 재료가 없고 상기 적층된 복수의 유전체 재료 블록들 내의 공진기들 사이에서 상기 RF 신호의 상기 간접(indirect) 전송을 위한 제 2 내측 수단을 형성하는 상기 내측 도전 재료의 층들 내의 제 2 영역들;을 포함하는, RF 신호 전송용 도파관 필터.
In a waveguide filter for transmitting an RF signal,
A plurality of dielectric material blocks connected together in a side-by-side and stacked relationship;
Each of the blocks including an outer surface defining resonators and covered with a layer of conductive material and forming layers of the inner conductive material between the plurality of stacked layers of dielectric material;
First regions in the layers of inner conductive material forming first inner windows for direct transmission of RF signals between the resonators in the plurality of layers of dielectric material blocks without conductive material; And
Second regions in the layers of inner conductive material forming a second inner means for the indirect transmission of the RF signal between the resonators in the stacked plurality of dielectric material blocks without conductive material; Wherein the waveguide filter comprises:
제 1 항에 있어서,
상기 RF 신호의 상기 간접 전송을 위한 상기 제 2 내측 수단은 상기 내측 도전 재료의 층들 내의 격리된(isolated) 도전 재료의 패드들을 포함하는, RF 신호 전송용 도파관 필터.
The method according to claim 1,
Wherein the second inner means for the indirect transmission of the RF signal comprises pads of isolated conductive material in the layers of inner conductive material.
RF 신호 전송용 도파관 필터에 있어서,
조합된 병렬의 적층된 관계로 함께 접속된 복수의 유전체 재료 블록들로서, 상기 복수의 유전체 재료 블록들의 각각은 도전 재료의 층으로 덮힌 외부 표면을 포함하고 복수의 공진기들을 형성하는, 상기 복수의 유전체 재료 블록들;
상기 복수의 유전체 재료 블록들의 각각의 상기 외부 표면을 덮는 상기 도전 재료의 층에 의해서 상기 병렬의 복수의 유전체 재료 블록들 각각의 사이에 형성된 제 1 내측 도전 재료의 층;
상기 복수의 유전체 재료 블록들의 각각의 상기 외부 표면을 덮는 상기 도전 재료의 층에 의해서 상기 적층된 복수의 유전체 재료 블록들 각각의 사이에 형성된 제 2 내측 도전 재료의 층;
상기 복수의 유전체 재료 블록들 중의 제 1 블록에 형성된 RF 신호 입력부;
상기 복수의 유전체 재료 블록들 중의 제 2 블록에 형성되는 RF 신호 출력부로서, 상기 RF 신호가 상기 RF 신호 입력부와 상기 RF 신호 출력부 사이의 상기 유전체 재료 블록들 내의 상기 복수의 공진기들을 통해서 전송되는, 상기 RF 신호 출력부;
상기 복수의 유전체 재료 블록들 중 하나의 블록에 공진기와 상기 복수의 유전체 재료 블록들 중 다른 하나의 블록에 공진기 사이에서 상기 RF 신호의 상기 직접 전송을 위해서 상기 제 1 및 제 2 내측 도전 재료의 층들의 선택된 영역들 내에 형성된 내측 직접 RF 신호 전송 수단; 및
상기 복수의 유전체 재료 블록들 중 하나의 블록에 공진기와 상기 복수의 유전체 재료 블록들 중 다른 하나의 블록에 공진기 사이에서 상기 RF 신호의 상기 간접 전송을 위해서 상기 제 1 내측 도전 재료의 층의 선택된 영역들 내에 형성된 내측 간접 RF 신호 전송 수단;을 포함하는, RF 신호 전송용 도파관 필터.
In a waveguide filter for transmitting an RF signal,
A plurality of dielectric material blocks coupled together in a stacked relationship in a combined parallel fashion wherein each of the plurality of dielectric material blocks comprises an outer surface covered with a layer of conductive material and forming a plurality of resonators, Blocks;
A first inner conductive material layer formed between each of the plurality of parallel dielectric material blocks by a layer of conductive material covering the outer surface of each of the plurality of dielectric material blocks;
A layer of a second inner conductive material formed between each of the plurality of stacked dielectric material blocks by a layer of the conductive material covering the outer surface of each of the plurality of dielectric material blocks;
An RF signal input unit formed in a first block of the plurality of dielectric material blocks;
An RF signal output formed in a second block of the plurality of dielectric material blocks wherein the RF signal is transmitted through the plurality of resonators in the dielectric material blocks between the RF signal input and the RF signal output The RF signal output unit;
The first and second inner conductive material layers for direct transmission of the RF signal between the resonator and the resonator in one of the plurality of dielectric material blocks and a block of the other of the plurality of dielectric material blocks, An inner direct RF signal transmitting means formed in selected regions of the inner RF signal transmitting means; And
A selected area of the first inner conductive material layer for the indirect transmission of the RF signal between the resonator and the resonator in one of the plurality of dielectric material blocks in the block of the resonator and the other of the plurality of dielectric material blocks, And an inner indirect RF signal transmission means formed in the waveguide filter.
제 3 항에 있어서,
상기 내측 직접 RF 신호 전송 수단은 도전 재료가 없는 상기 제 1 및 제 2 내측 도전 재료의 층들 내의 창에 의해서 형성되고 상기 내측 간접 RF 신호 전송 수단은 상기 제 1 내측 도전 재료의 층 내에 형성된 격리된 도전 재료의 패드에 의해서 형성되는, RF 신호 전송용 도파관 필터.
The method of claim 3,
Wherein the inner direct RF signal transmitting means is formed by a window in the layers of the first and second inner conductive material free of conductive material and the inner indirect RF signal transmitting means comprises an isolated conductive A waveguide filter for RF signal transmission, formed by a pad of material.
제 4 항에 있어서,
상기 복수의 유전체 재료 블록들은 병렬 관계(side-by-side relationship)로 함께 접속된 제 1 및 제 2 유전체 재료 블록들 및 병렬 관계로 함께 접속된 제 3 및 제 4 유전체 재료 블록들을 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 유전체 재료 블록들은 적층 관계로 상기 제 3 및 제 4 블록들에 접속되며, 상기 RF 신호 입력부 및 상기 RF 신호 출력부는 각각 상기 제 1 및 제 2 유전체 재료 블록들 내에 형성되며, 상기 내측 직접 RF 신호 전송 수단은 상기 제 1 유전체 재료 블록과 제 3 유전체 재료 블록 사이에 형성된 제 1 내부창, 상기 제 3 유전체 재료 블록과 제 4 유전체 재료 블록 사이에 형성된 제 2 내부창, 및 상기 제 4 유전체 재료 블록과 제 2 유전체 재료 블록 사이에 형성된 제 3 내부창에 의해서 형성되며, 상기 내측 간접 RF 신호 전송 수단은 상기 제 1 유전체 재료 블록과 제 3 유전체 재료 블록 사이의 제 1 내측 격리된 도전 재료의 패드 및 상기 제 2 유전체 재료 블록과 제 4 유전체 재료 블록 사이의 제 2 내측 격리된 도전 재료의 패드에 의해서 형성되는, RF 신호 전송용 도파관 필터.
5. The method of claim 4,
Wherein the plurality of dielectric material blocks comprise first and second dielectric material blocks connected together in a side-by-side relationship and third and fourth dielectric material blocks joined together in a parallel relationship, Wherein the first and second dielectric material blocks are connected to the third and fourth blocks in a stacked relationship, wherein the RF signal input portion and the RF signal output portion are formed in the first and second dielectric material blocks, respectively, The inner direct RF signal transmitting means includes a first inner window formed between the first dielectric material block and the third dielectric material block, a second inner window formed between the third dielectric material block and the fourth dielectric material block, Wherein the inner indirect RF signal transmitting means is formed by a third inner window formed between the material block and the second dielectric material block, A pad of a first inner isolated conductive material between the dielectric material blocks and a pad of a second inner isolated conductive material between the second dielectric material block and the fourth dielectric material block.
제 3 항에 있어서,
상기 RF 신호 입력부 및 출력부의 각각은 상기 복수의 유전체 재료 블록들 중의 제 1 및 제 2 블록들을 각각 관통하여 연장되는 RF 신호 전송 관통홀에 의해서 형성되며, 상기 내측 간접 RF 신호 전송 수단은 상기 내부 도전 재료의 층 내의 격리된 도전 재료의 패드인, RF 신호 전송용 도파관 필터.
The method of claim 3,
Each of the RF signal input unit and the output unit is formed by an RF signal transmission through hole extending through each of the first and second blocks of the plurality of dielectric material blocks, A waveguide filter for RF signal transmission, the pad of isolated conductive material in a layer of material.
RF 신호 전송용 도파관 필터에 있어서,
병렬 관계로 함께 접속된 제 1 및 제 2 유전체 재료 블록들로서, 상기 제 1 및 제 2 유전체 재료 블록들의 각각은 복수의 공진기들을 형성하며 도전 재료의 층으로 덮힌 외부 표면을 포함하는, 상기 제 1 및 제 2 유전체 재료 블록들;
병렬 관계로 함께 접속된 제 3 및 제 4 유전체 재료 블록들로서, 상기 제 3 및 제 4 유전체 재료 블록들의 각각은 복수의 공진기들을 형성하며 도전 재료의 층으로 덮힌 외부 표면을 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 유전체 재료 블록들 및 상기 제 1 및 제 2 유전체 재료 블록들은 서로 적층 관계로 접속되는, 상기 제 3 및 제 4 유전체 재료 블록들;
상기 제 1, 제 2, 제 3, 및 제 4 유전체 재료 블록들을 덮는 상기 도전 재료의 층에 의해서 상기 제 1 및 제 2 유전체 재료 블록들과 상기 제 3 유전체 재료 블록과 제 4 유전체 재료 블록 사이에 형성되는 제 1 내부 도전 재료의 층;
상기 제 1, 제 2, 제 3, 및 제 4 유전체 재료 블록들을 덮는 상기 도전 재료의 층에 의해서 상기 제 1 및 제 3 유전체 재료 블록들과 상기 제 2 유전체 재료 블록과 제 4 유전체 재료 블록 사이에 형성되는 제 2 내부 도전 재료의 층;
상기 제 1 유전체 재료 블록 내에 형성되는 RF 신호 입력 전송 관통홀;
상기 제 2 유전체 재료 블록에 형성된 RF 신호 출력 전송 관통홀로서, 상기 RF 신호는 상기 RF 신호 입력 전송 관통홀과 상기 RF 신호 출력 전송 관통홀 사이에 상기 제 1, 제 2, 제 3, 및 제 4 유전체 재료 블록들 내의 상기 복수의 공진기들을 관통하여 전달되는, 상기 RF 신호 출력 전송 관통홀;
상기 제 1 유전체 재료 블록과 제 3 유전체 재료 블록 사이에 및 상기 제 1 유전체 재료 블록 내의 상기 복수의 공진기들 중의 하나의 공진기와 상기 제 3 유전체 재료 블록 내의 상기 복수의 공진기들 중의 하나의 공진기 사이에서의 상기 RF 신호의 상기 직접 전송을 위해서 도전 재료가 없는 상기 제 1 내부 도전 재료의 층 내의 제 1 영역에 의해서 형성되는 제 1 내측 직접 RF 신호 전송창;
상기 제 2 유전체 재료 블록과 제 4 유전체 재료 블록 사이에 및 상기 제 4 유전체 재료 블록 내의 상기 복수의 공진기들 중의 하나의 공진기와 상기 제 2 유전체 재료 블록 내의 상기 복수의 공진기들 중의 하나의 공진기 사이에서의 상기 RF 신호의 상기 직접 전송을 위해서 도전 재료가 없는 상기 제 1 내부 도전 재료의 층 내의 제 2 영역에 의해서 형성되는 제 2 내측 직접 RF 신호 전송창;
상기 제 3 유전체 재료 블록과 제 4 유전체 재료 블록 사이에 및 상기 제 3 유전체 재료 블록 내의 상기 복수의 공진기들 중의 하나의 공진기와 상기 제 4 유전체 재료 블록 내의 상기 복수의 공진기들 중의 하나의 공진기 사이에서의 상기 RF 신호의 상기 직접 전송을 위해서 상기 제 2 내부 도전 재료의 층 내의 제 1 영역에 의해서 형성되는 제 3 내측 직접 RF 신호 전송창;
상기 제 1 유전체 재료 블록과 제 3 유전체 재료 블록 사이에 및 상기 제 1 유전체 재료 블록 내의 상기 복수의 공진기들 중의 다른 공진기와 상기 제 3 유전체 재료 블록 내의 상기 복수의 공진기들 중의 다른 공진기 사이에서 상기 RF 신호의 상기 간접 전송을 위해서 도전 재료가 없는 상기 제 1 내부 도전 재료의 층 내의 제 3 영역에 의해서 형성되는 제 1 내측 간접 RF 신호 전송 수단; 및
상기 제 2 유전체 재료 블록과 제 4 유전체 재료 블록 사이에 및 상기 제 4 유전체 재료 블록 내의 상기 복수의 공진기들 중의 다른 공진기와 상기 제 2 유전체 재료 블록 내의 상기 복수의 공진기들 중의 다른 공진기 사이에서 상기 RF 신호의 상기 간접 전송을 위해서 도전 재료가 없는 상기 제 1 내부 도전 재료의 층 내의 제 4 영역에 의해서 형성되는 제 2 내측 간접 RF 신호 전송 수단;을 포함하는, RF 신호 전송용 도파관 필터.
In a waveguide filter for transmitting an RF signal,
First and second dielectric material blocks coupled together in a parallel relationship such that each of the first and second dielectric material blocks comprises an outer surface that forms a plurality of resonators and is covered by a layer of conductive material, Second dielectric material blocks;
Third and fourth dielectric material blocks coupled together in a parallel relationship, wherein each of the third and fourth dielectric material blocks comprises an outer surface forming a plurality of resonators and covered with a layer of conductive material, The second dielectric material blocks and the first and second dielectric material blocks being connected to each other in a stacked relationship;
Wherein the first and second dielectric material blocks are disposed between the third dielectric material block and the fourth dielectric material block by a layer of the conductive material covering the first, second, third, A layer of a first inner conductive material formed;
And a second dielectric material block between the first and third dielectric material blocks and the fourth dielectric material block by a layer of conductive material covering the first, second, third, and fourth dielectric material blocks. A layer of a second internal conductive material to be formed;
An RF signal input transmission through hole formed in the first dielectric material block;
And the RF signal output transmission through hole formed in the second dielectric material block, the RF signal is transmitted between the RF signal input transmission hole and the RF signal output transmission hole, and the first, second, third, and fourth The RF signal output transmission through holes being transmitted through the plurality of resonators in the dielectric material blocks;
Between the first dielectric material block and the third dielectric material block and between the resonator of one of the plurality of resonators in the first dielectric material block and the resonator of one of the plurality of resonators in the third dielectric material block A first inner direct RF signal transmission window formed by a first region in the layer of the first inner conductive material free of conductive material for the direct transmission of the RF signal;
Between the second dielectric material block and the fourth dielectric material block and between the resonator of one of the plurality of resonators in the fourth dielectric material block and the resonator of one of the plurality of resonators in the second dielectric material block A second inner direct RF signal transmission window formed by a second region in the layer of the first inner conductive material free of conductive material for the direct transmission of the RF signal;
Between the third dielectric material block and the fourth dielectric material block and between the resonator of one of the plurality of resonators in the third dielectric material block and the resonator of one of the plurality of resonators in the fourth dielectric material block A third inner direct RF signal transmission window formed by a first region in the layer of the second inner conductive material for the direct transmission of the RF signal of the third inner direct RF signal transmission window;
And a second dielectric material block disposed between the first dielectric material block and the third dielectric material block and between the other of the plurality of resonators in the first dielectric material block and the other resonator in the third dielectric material block. A first inner indirect RF signal transmission means formed by a third region in the layer of the first inner conductive material free of conductive material for the indirect transmission of the signal; And
And a second dielectric material block disposed between the second dielectric material block and the fourth dielectric material block and between the other resonator of the plurality of resonators in the fourth dielectric material block and the other resonator in the second dielectric material block. And a second inner indirect RF signal transmission means formed by a fourth region in the layer of the first inner conductive material free of conductive material for the indirect transmission of the signal.
제 7 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 내측 간접 RF 신호 전송 수단은 상기 제 1 내부 도전 재료의 층 내의 상기 제 3 및 제 4 영역들에 의해서 형성된 제 1 및 제 2 격리된 도전 재료의 패드들을 포함하는, RF 신호 전송용 도파관 필터.
8. The method of claim 7,
Wherein the first and second inner indirect RF signal transmission means comprise pads of first and second isolated conductive material formed by the third and fourth regions in the layer of the first inner conductive material, Waveguide filter for transmission.
제 7 항에 있어서,
상기 각각의 제 1, 제 2, 제 3, 및 제 4 유전체 재료 블록들 내의 상기 복수의 공진기들은 슬릿 및 RF 신호 전송 브리지에 의해서 분리되어 있는, RF 신호 전송용 도파관 필터.
8. The method of claim 7,
Wherein the plurality of resonators in each of the first, second, third, and fourth dielectric material blocks are separated by a slit and an RF signal transmission bridge.
제 9 항에 있어서,
상기 제 3 유전체 재료 블록 내에 형성된 슬릿은 상기 제 4 유전체 재료 블록 내에 형성된 슬릿을 마주보며(face), 상기 제 1 유전체 재료 블록 내에 형성된 슬릿은 상기 제 2 유전체 재료 블록 내에 형성된 슬릿을 마주하지 않는(face away), RF 신호 전송용 도파관 필터.
10. The method of claim 9,
A slit formed in the third dielectric material block faces a slit formed in the fourth dielectric material block and a slit formed in the first dielectric material block does not face a slit formed in the second dielectric material block face away), a waveguide filter for RF signal transmission.
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