KR20180009090A - Chuck of supporting substrate and probe station having the same - Google Patents

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Abstract

Disclosed is a chuck for supporting a substrate. The chuck for supporting a substrate comprises: a top plate having an upper surface on which a wafer is mounted; a heater unit disposed below the top plate and heating the top plate; a cooling unit disposed below the heater unit, formed with a cooling flow path through which a cooling fluid is circulated therein, and cooling the top plate such that the wafer maintains a predetermined eutectic temperature; and a diffusion plate disposed between the heater unit and the cooling unit. The diffusion plate has a plurality of fluid injection holes communicating with the cooling flow path, and the fluid injection holes uniformly inject the cooling fluid supplied from the cooling unit toward the heater unit. Accordingly, the cooling fluid with a uniform temperature distribution can be provided to the top plate, and thus a temperature distribution of the top plate and the wafer can be uniformly formed.

Description

기판을 지지하기 위한 척 및 이를 구비하는 프로브 스테이션{Chuck of supporting substrate and probe station having the same}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a chuck for supporting a substrate,

본 발명의 실시예들은 기판을 지지하기 위한 척 및 이를 구비하는 프로브 스테이션에 관한 것이다. 보다 상세하게는 프로브 카드를 이용하여 반도체 소자들이 형성된 웨이퍼에 대하여 전기적인 검사를 수행하기 위해 웨이퍼를 지지하는 척 및 이를 구비하는 프로브 스테이션에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to a chuck for supporting a substrate and a probe station having the chuck. And more particularly, to a chuck for supporting a wafer in order to perform an electrical inspection on a wafer on which semiconductor elements are formed using a probe card, and a probe station having the chuck.

일반적으로 집적 회로 소자들과 같은 반도체 소자들은 반도체 웨이퍼 상에 일련의 반도체 공정들을 반복적으로 수행함으로써 형성될 수 있다. 예를 들면, 웨이퍼 상에 박막을 형성하는 증착 공정, 박막을 전기적 특성들을 갖는 패턴들로 형성하기 위한 식각 공정, 패턴들에 불순물들을 주입 또는 확산시키기 위한 이온 주입 공정 또는 확산 공정, 패턴들이 형성된 웨이퍼로부터 불순물들을 제거하기 위한 세정 및 린스 공정 등을 반복적으로 수행함으로써 반도체 회로 소자들이 웨이퍼 상에 형성될 수 있다.Generally, semiconductor devices, such as integrated circuit devices, can be formed by repeatedly performing a series of semiconductor processes on a semiconductor wafer. For example, a deposition process for forming a thin film on a wafer, an etching process for forming the thin film into patterns having electrical characteristics, an ion implantation process or diffusion process for implanting or diffusing impurities into the patterns, The semiconductor circuit elements can be formed on the wafer by repeatedly performing a cleaning and rinsing process to remove impurities from the wafer.

이러한 일련의 공정들을 통해 반도체 소자들을 형성한 후 반도체 소자들의 전기적인 특성을 검사하기 위한 검사 공정이 수행될 수 있다. 검사 공정은 복수의 탐침들을 갖는 프로브 카드를 포함하는 프로브 스테이션과 전기적인 신호를 제공하기 위하여 프로브 카드와 연결된 테스터에 의해 수행될 수 있다.An inspection process for inspecting the electrical characteristics of the semiconductor devices after forming the semiconductor devices through such a series of processes can be performed. The inspection process may be performed by a probe station including a probe card having a plurality of probes and a tester connected to the probe card to provide an electrical signal.

검사 공정을 위해 검사 챔버의 상부에는 프로브 카드가 배치될 수 있으며, 프로브 카드 아래에는 웨이퍼를 지지하는 척이 배치될 수 있다. 척의 아래에는 척을 회전시키는 회전 구동부가 배치될 수 있으며, 회전 구동부의 아래에는 척을 수직 방향으로 이동시키는 수직 구동부와 척을 수평 방향으로 이동시키는 수평 구동부가 배치될 수 있다.For the inspection process, a probe card may be disposed on an upper portion of the inspection chamber, and a chuck for supporting the wafer may be disposed below the probe card. A rotation driving unit for rotating the chuck may be disposed under the chuck. A vertical driving unit for moving the chuck in the vertical direction and a horizontal driving unit for moving the chuck in the horizontal direction may be disposed under the rotation driving unit.

검사 공정은 웨이퍼를 고온으로 가열하여 진행할 수 있으며, 이를 위해 척에 내장된 히터를 구동시켜 척을 약 150℃로 가열한다. 이렇게 척을 고온으로 가열할 경우 척의 열이 척의 아래에 구비된 회전 구동부에 전도될 수 있으며, 회전 구동부를 구성하는 부재들 간의 열 팽창률 차이로 인하여 부재들 간에 유격이 발생할 수 있다. 특히, 회전 구동부의 크로스 롤러 베어링과 이와 결합되는 부재들 간에 유격이 발생할 경우 회전 각도를 정확하게 제어할 수 없어 프로브 카드와 웨이퍼의 정렬 불량이 발생할 수 있다.The inspection process can be performed by heating the wafer to a high temperature. To this end, the heater incorporated in the chuck is driven to heat the chuck to about 150 ° C. When the chuck is heated to a high temperature, the heat of the chuck can be conducted to the rotation driving unit provided under the chuck, and clearance may occur between the members due to the difference in thermal expansion coefficient between the members constituting the rotation driving unit. Particularly, if a clearance is generated between the cross roller bearing of the rotation driving part and the members engaged with the cross roller bearing, the rotation angle can not be accurately controlled, so that the alignment error between the probe card and the wafer may occur.

이를 방지하기 위해, 척은 히터의 아래에 척의 냉각 유닛을 구비한다. 냉각 유닛은 내부에 냉각 유체가 흐르는 냉각 유로가 형성되며, 척과 웨이퍼가 적정 온도 이상으로 가열되는 것을 방지하고, 척의 열이 회전 구동부에 전도되는 것을 방지한다. 그러나 냉각 유체의 유입과 배출이 척의 측부측에서 이루어지기 때문에, 척에서 냉각 유체가 유입되는 유입부와 인접하게 위치하는 척의 가장자리 부분이 다른 영역에 비해 온도가 낮다. 특히, 척의 측부측과 거리가 먼 척의 중심 부분의 온도는 다른 영역에 비해 상대적으로 높다. 이와 같이, 냉각 유체가 주입되는 유입부 위치로 인해 척의 온도 분포가 불균일하게 나타나므로, 웨이퍼의 온도 분포 또한 불균일하게 되어 검사 신뢰도가 저하되는 문제점이 있다.To prevent this, the chuck has a cooling unit of the chuck under the heater. The cooling unit has a cooling channel through which a cooling fluid flows, and prevents the chuck and the wafer from being heated to an appropriate temperature or higher and prevents the heat of the chuck from being conducted to the rotation driving unit. However, since the inflow and outflow of the cooling fluid occur on the side of the chuck, the edge portion of the chuck located adjacent to the inflow portion into which the cooling fluid flows in the chuck is lower in temperature than the other regions. In particular, the temperature of the central portion of the chuck, which is distant from the side of the chuck, is relatively high compared to the other regions. As described above, since the temperature distribution of the chuck is uneven due to the position of the inflow portion into which the cooling fluid is injected, the temperature distribution of the wafer also becomes uneven and the inspection reliability is lowered.

(0001) 한국공개특허 제10-2001-0075341호(2001.08.09.)(0001) Korean Patent Publication No. 10-2001-0075341 (Aug. 2001).

본 발명의 실시예들은 웨이퍼가 안착되는 면의 온도 분포를 균일하게 유지할 수 있는 기판을 지지하기 위한 척 및 이를 구비하는 프로브 스테이션을 제공하는 것이다.Embodiments of the present invention provide a chuck for supporting a substrate capable of uniformly maintaining a temperature distribution of a surface on which a wafer is mounted, and a probe station having the chuck.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예들에 따르면, 기판을 지지하기 위한 척은, 상면에 웨이퍼가 안착되는 탑 플레이트, 상기 탑 플레이트의 아래에 배치되며 상기 탑 플레이를 가열하는 히터 유닛, 상기 히터 유닛의 아래에 배치되고 내부에 냉각 유체가 순환되는 냉각 유로가 형성되며 상기 웨이퍼가 기 설정된 공정 온도를 유지하도록 상기 탑 플레이트를 냉각시키는 냉각 유닛, 및 상기 히터 유닛과 상기 냉각 유닛 사이에 배치되고 상기 냉각 유로와 연통되는 복수의 유체 분사홀을 가지며 상기 탑 플레이트의 균일한 온도 분포를 위해 상기 냉각 유닛으로부터 공급된 상기 냉각 유체를 상기 히터 유닛 측으로 균일하게 분사하기 위한 확산 플레이트를 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a chuck for supporting a substrate, including: a top plate on which a wafer is placed; a heater unit disposed below the top plate and heating the top plate; A cooling unit disposed below the heater unit and having a cooling flow path through which a cooling fluid is circulated, the cooling unit cooling the top plate so that the wafer maintains a predetermined processing temperature, and a cooling unit disposed between the heater unit and the cooling unit And a diffusion plate having a plurality of fluid injection holes communicating with the cooling flow path and uniformly injecting the cooling fluid supplied from the cooling unit toward the heater unit for a uniform temperature distribution of the top plate .

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 확산 플레이트는, 상기 히터 유닛과의 사이에 형성되고 상기 유체 분사홀들과 연통되며 상기 유체 분사홀들을 통해 유입된 상기 냉각 유체를 균일하게 확산시키기 위한 챔버를 더 구비할 수 있다.According to embodiments of the present invention, the diffusion plate includes a chamber formed between the heater unit and communicating with the fluid ejection holes and uniformly diffusing the cooling fluid introduced through the fluid ejection holes .

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 챔버는 상기 냉각 유로와 대응하는 위치에 구비될 수 있다.According to embodiments of the present invention, the chamber may be provided at a position corresponding to the cooling channel.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 히터 유닛은 상기 탑 플레이트의 온도를 국부적으로 조절하기 위해 상기 탑 플레이트 하부의 서로 다른 영역에 배치되어 개별 구동되는 복수의 히팅부를 포함할 수 있다.According to the embodiments of the present invention, the heater unit may include a plurality of heating units individually disposed in different regions below the top plate to locally control the temperature of the top plate.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 냉각 유닛은 외부로부터 상기 냉각 유체가 상기 냉각 유로로 유입되는 유입부와 상기 냉각 유로 안의 냉각 유체가 외부로 배출되는 배출부를 구비할 수 있다. 여기서, 상기 유입부와 상기 배출부는 상기 냉각 유닛에서 상기 탑 플레이트의 중심 부분과 대응하는 부분에 위치하며, 상기 히팅부들은 각각 상기 히터 유닛의 중심 지점을 둘러쌀 수 있다.According to embodiments of the present invention, the cooling unit may include an inlet portion through which the cooling fluid flows into the cooling channel from the outside, and a discharge portion through which the cooling fluid in the cooling channel is discharged to the outside. Here, the inflow portion and the discharge portion may be located at a portion corresponding to the center portion of the top plate in the cooling unit, and the heating portions may surround the center point of the heater unit, respectively.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 척은, 상기 냉각 유닛의 아래에 배치되며 상기 히터 유닛의 열이 상기 냉각 유닛의 하측으로 전도되는 것을 차단하기 위한 단열 부재를 더 포함할 수 있다.According to embodiments of the present invention, the chuck may further include an insulating member disposed below the cooling unit and for blocking heat of the heater unit from being conducted to the lower side of the cooling unit.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 단열 부재는 상기 냉각 유닛의 가장자리 부분에 배치될 수 있다.According to the embodiments of the present invention, the heat insulating member may be disposed at an edge portion of the cooling unit.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 단열 부재는 복수로 구비될 수 있으며, 복수의 단열 부재는 상기 냉각 유닛의 가장자리 부분을 따라 서로 이격되어 위치할 수 있다.According to the embodiments of the present invention, the heat insulating member may be provided in plural, and the plurality of heat insulating members may be located apart from each other along the edge portion of the cooling unit.

또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예들에 따르면, 프로브 스테이션은, 웨이퍼 상에 형성된 반도체 소자들에 대한 전기적 검사를 위한 프로브 카드, 및 상기 프로브 카드의 아래에 배치되고, 상기 웨이퍼를 지지하는 척을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 척은, 상면에 상기 웨이퍼가 안착되는 탑 플레이트, 상기 탑 플레이트의 아래에 배치되고 상기 탑 플레이를 가열하는 히터 유닛, 상기 히터 유닛의 아래에 배치되고 내부에 냉각 유체가 순환되는 냉각 유로가 형성되며 상기 웨이퍼가 기 설정된 공정 온도를 유지하도록 상기 탑 플레이트를 냉각시키는 냉각 유닛, 및 상기 히터 유닛과 상기 냉각 유닛 사이에 배치되고 상기 냉각 유로와 연통되는 복수의 유체 분사홀을 가지며 상기 탑 플레이트의 균일한 온도 분포를 위해 상기 냉각 유닛으로부터 공급된 상기 냉각 유체를 상기 히터 유닛 측으로 균일하게 분사하기 위한 확산 플레이트를 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a probe station including: a probe card for electrical inspection of semiconductor devices formed on a wafer; and a probe card disposed below the probe card, As shown in FIG. Specifically, the chuck includes: a top plate on which the wafer is placed on an upper surface; a heater unit disposed below the top plate and heating the top plate; a cooling unit disposed below the heater unit, And a plurality of fluid injection holes disposed between the heater unit and the cooling unit and communicating with the cooling flow path, wherein the plurality of fluid injection holes are formed in the top plate, And a diffusion plate for uniformly injecting the cooling fluid supplied from the cooling unit toward the heater unit for a uniform temperature distribution of the plate.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 확산 플레이트는, 상기 히터 유닛과의 사이에 형성되고 상기 유체 분사홀들과 연통되며 상기 유체 분사홀들을 통해 유입된 상기 냉각 유체를 균일하게 확산시키기 위한 챔버를 더 구비할 수 있다.According to embodiments of the present invention, the diffusion plate includes a chamber formed between the heater unit and communicating with the fluid ejection holes and uniformly diffusing the cooling fluid introduced through the fluid ejection holes .

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 척은, 상기 냉각 유닛의 아래에 배치되며 상기 히터 유닛의 열이 상기 냉각 유닛의 하측으로 전도되는 것을 차단하기 위한 단열 부재를 더 포함할 수 있다.According to embodiments of the present invention, the chuck may further include an insulating member disposed below the cooling unit and for blocking heat of the heater unit from being conducted to the lower side of the cooling unit.

상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 기판을 지지하기 위한 척 및 이를 구비하는 프로브 스테이션은 냉각 유닛의 냉각 유체를 보다 균일하게 분산 및 확산시켜 탑 플레이트 측에 공급하기 위한 확산 플레이트를 구비함으로써, 종래 대비 냉각 유체의 온도 분포를 보다 균일하게 하여 탑 플레이트에 제공할 수 있다. 이에 따라, 프로브 스테이션은 탑 플레이트와 웨이퍼의 온도 분포를 균일하게 형성할 수 있으므로, 검사 신뢰도를 향상시킬 수 있다.According to the embodiments of the present invention as described above, the chuck for supporting the substrate and the probe station including the chuck include a diffusion plate for more uniformly dispersing and diffusing the cooling fluid of the cooling unit to supply the cooling fluid to the top plate side The temperature distribution of the cooling fluid can be more uniformly provided to the top plate compared to the conventional one. Accordingly, the probe station can uniformly form the temperature distribution of the top plate and the wafer, thereby improving the inspection reliability.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 스테이션을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 척을 설명하기 위한 개략적인 부분 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 척을 설명하기 위한 개략적인 분해 사시도이다.
도 4는 도 3에 도시된 히터 유닛을 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 5는 도 3에 도시된 확산 플레이트를 설명하기 위한 개략적인 부분 평면도이다.
도 6은 도 3에 도시된 단열 부재들을 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.1 is a schematic block diagram illustrating a probe station according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic partial sectional view for explaining the chuck shown in Fig.
3 is a schematic exploded perspective view for explaining the chuck shown in Fig.
Fig. 4 is a schematic plan view for explaining the heater unit shown in Fig. 3. Fig.
5 is a schematic partial plan view for explaining the diffusion plate shown in Fig.
6 is a schematic plan view for explaining the heat insulating members shown in Fig.

이하, 본 발명의 실시예들은 첨부 도면들을 참조하여 상세하게 설명된다. 그러나, 본 발명은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다. 하기의 실시예들은 본 발명이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 발명의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 발명의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention should not be construed as limited to the embodiments described below, but may be embodied in various other forms. The following examples are provided so that those skilled in the art can fully understand the scope of the present invention, rather than being provided so as to enable the present invention to be fully completed.

본 발명의 실시예들에서 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 배치되는 또는 연결되는 것으로 설명되는 경우 상기 요소는 상기 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결될 수도 있으며, 다른 요소들이 이들 사이에 개재될 수도 있다. 이와 다르게, 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결되는 것으로 설명되는 경우 그들 사이에는 또 다른 요소가 있을 수 없다. 다양한 요소들, 조성들, 영역들, 층들 및/또는 부분들과 같은 다양한 항목들을 설명하기 위하여 제1, 제2, 제3 등의 용어들이 사용될 수 있으나, 상기 항목들은 이들 용어들에 의하여 한정되지는 않을 것이다.In the embodiments of the present invention, when one element is described as being placed on or connected to another element, the element may be disposed or connected directly to the other element, . Alternatively, if one element is described as being placed directly on another element or connected, there can be no other element between them. The terms first, second, third, etc. may be used to describe various items such as various elements, compositions, regions, layers and / or portions, but the items are not limited by these terms .

본 발명의 실시예들에서 사용된 전문 용어는 단지 특정 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 사용되는 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 또한, 달리 한정되지 않는 이상, 기술 및 과학 용어들을 포함하는 모든 용어들은 본 발명의 기술 분야에서 통상적인 지식을 갖는 당업자에게 이해될 수 있는 동일한 의미를 갖는다. 통상적인 사전들에서 한정되는 것들과 같은 상기 용어들은 관련 기술과 본 발명의 설명의 문맥에서 그들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석될 것이며, 명확히 한정되지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 외형적인 직감으로 해석되지는 않을 것이다.The terminology used in the embodiments of the present invention is used for the purpose of describing specific embodiments only, and is not intended to be limiting of the present invention. Furthermore, all terms including technical and scientific terms have the same meaning as will be understood by those skilled in the art having ordinary skill in the art, unless otherwise specified. These terms, such as those defined in conventional dictionaries, shall be construed to have meanings consistent with their meanings in the context of the related art and the description of the present invention, and are to be interpreted as being ideally or externally grossly intuitive It will not be interpreted.

본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해들을 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해들의 형상들로부터의 변화들, 예를 들면, 제조 방법들 및/또는 허용 오차들의 변화는 충분히 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것은 아니라 형상들에서의 편차를 포함하는 것이며, 도면들에 설명된 요소들은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상은 요소들의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.Embodiments of the present invention are described with reference to schematic illustrations of ideal embodiments of the present invention. Accordingly, changes from the shapes of the illustrations, e.g., changes in manufacturing methods and / or tolerances, are those that can be reasonably expected. Accordingly, the embodiments of the present invention should not be construed as being limited to the specific shapes of the regions described in the drawings, but include deviations in the shapes, and the elements described in the drawings are entirely schematic and their shapes Is not intended to describe the exact shape of the elements and is not intended to limit the scope of the invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 스테이션을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.1 is a schematic block diagram illustrating a probe station according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 스테이션(400)은 반도체 소자들이 형성된 웨이퍼(10)에 대하여 프로브 카드(20)를 이용해 전기적인 특성 검사를 수행할 수 있다. 상기 프로브 스테이션(400)은 검사 챔버(110), 및 상기 웨이퍼(200)를 지지하는 기판 지지 모듈(200)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, a probe station 400 according to an exemplary embodiment of the present invention can perform an electrical property test using a probe card 20 with respect to a wafer 10 on which semiconductor devices are formed. The probe station 400 may include an inspection chamber 110 and a substrate support module 200 for supporting the wafer 200.

구체적으로, 상기 검사 챔버(110)는 상기 웨이퍼(10)에 대하여 전기적인 특성 검사를 수행하기 위한 공정 공간을 제공하며, 상기 공정 공간에는 상기 프로브 카드(20)와 상기 기판 지지 모듈(200)이 배치될 수 있다.Specifically, the inspection chamber 110 provides a processing space for performing an electrical characteristic inspection on the wafer 10, and the probe card 20 and the substrate supporting module 200 are provided in the processing space. .

상기 기판 지지 모듈(200)은 상기 웨이퍼(10)를 지지하는 척(300), 상기 척(300)을 회전시키기 위한 회전 구동부(210), 상기 척(300)을 수직 방향으로 이동시키는 수직 구동부(220), 척 스테이지(230), 및 상기 척(300)을 수평 방향으로 이동시키는 수평 구동부(240)를 포함할 수 있다.The substrate supporting module 200 includes a chuck 300 for supporting the wafer 10, a rotation driving part 210 for rotating the chuck 300, a vertical driving part for moving the chuck 300 in a vertical direction 220, a chuck stage 230, and a horizontal driving unit 240 for moving the chuck 300 in a horizontal direction.

상기 척(300)은 상기 프로브 카드(20)와 마주하여 배치되며, 상기 전기적인 특성 검사를 위해 상기 웨이퍼(10)를 기 설정된 공정 온도로 가열할 수 있다.The chuck 300 is disposed opposite the probe card 20 and can heat the wafer 10 to a predetermined process temperature for the electrical property inspection.

도 2는 도 1에 도시된 척을 설명하기 위한 개략적인 부분 단면도이고, 도 3은 도 2에 도시된 척을 설명하기 위한 개략적인 분해 사시도이다.FIG. 2 is a schematic partial cross-sectional view for explaining the chuck shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a schematic exploded perspective view for explaining the chuck shown in FIG.

도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 척(300)은 상면에 상기 웨이퍼(10)가 안착되는 탑 플레이트(310), 상기 탑 플레이트(310)를 가열하기 위한 히터 유닛(320), 상기 탑 플레이트(31)를 냉각시키기 위한 냉각 유닛(330), 및 상기 히터 유닛(320)과 상기 냉각 유닛(330) 사이에 배치된 확산 플레이트(340)를 포함할 수 있다.2 and 3, the chuck 300 includes a top plate 310 on which the wafer 10 is placed, a heater unit 320 for heating the top plate 310, A cooling unit 330 for cooling the heater unit 320 and a diffusion plate 340 disposed between the heater unit 320 and the cooling unit 330. [

도 3에 도시된 바와 같이, 상기 탑 플레이트(310)는 상기 웨이퍼(10)와 같이 대체로 원판 형상을 가지며, 상기 검사 공정이 진행되는 동안 상기 웨이퍼(10)를 고정시킨다. 도면에는 구체적으로 도시하지는 않았으나, 상기 탑 플레이트(310)에는 진공압을 이용하여 상기 웨이퍼(10)를 고정시키며 이를 위해 복수의 진공홀이 형성될 수 있다.As shown in FIG. 3, the top plate 310 has a disk shape like the wafer 10, and fixes the wafer 10 during the inspection process. Although not shown in detail in the figure, the wafer 10 is fixed to the top plate 310 using a vacuum pressure, and a plurality of vacuum holes may be formed therein.

상기 히터 유닛(320)은 상기 탑 플레이트(310)의 하부에 결합되며, 상기 웨이퍼(10)를 가열하기 위해 상기 탑 플레이트(310)를 기 설정된 공정 온도로 가열한다.The heater unit 320 is coupled to the bottom of the top plate 310 and heats the top plate 310 to a predetermined process temperature to heat the wafer 10.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 히터 유닛(320)은 도 3에 도시된 것처럼 대체로 원판 형상을 가질 수 있으며, 상기 탑 플레이트(310)와 유사한 크기를 가질 수 있다.In an embodiment of the present invention, the heater unit 320 may have a substantially disc shape as shown in FIG. 3, and may have a size similar to that of the top plate 310.

도 4는 도 3에 도시된 히터 유닛을 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.Fig. 4 is a schematic plan view for explaining the heater unit shown in Fig. 3. Fig.

도 2 및 도 4를 참조하면, 상기 히터 유닛(320)은 상기 탑 플레이트(310)의 온도를 국부적으로 조절하기 위해 개별 구동이 가능한 복수의 히팅부(322)를 구비할 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 4, the heater unit 320 may include a plurality of heating units 322 that can be individually driven to locally control the temperature of the top plate 310.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 히터 유닛(320)은 3개의 히팅부들(322A, 322B, 322C)을 구비하나, 상기 히팅부(322A, 322B, 322C)의 개수는 공정 조건에 따라 변경 가능하다.In an embodiment of the present invention, the heater unit 320 includes three heating units 322A, 322B, and 322C, but the number of the heating units 322A, 322B, and 322C can be changed according to process conditions. Do.

상기 히팅부들(322A, 322B, 322C)은 상기 탑 플레이트(310)의 서로 다른 영역에 대응하여 배치되며, 이에 따라, 상기 탑 플레이트(310)는 각 히팅부(322A, 322B, 322C)에 대응하는 영역별로 온도가 조절될 수 있다.The heating units 322A, 322B and 322C are arranged corresponding to different areas of the top plate 310 so that the top plate 310 is positioned at a position corresponding to each of the heating units 322A, 322B and 322C The temperature can be controlled for each region.

구체적으로, 상기 히팅부들(322)은 상기 탑 플레이트(310)의 중심 부분에 대응하여 위치하는 제1 히팅부(322A)와, 상기 제1 히팅부(322A)를 둘러싼 제2 히팅부(322B)와, 상기 제2 히팅부(322B)를 둘러싼 제3 히팅부(322C)를 포함할 수 있다. 상기 제3 히팅부(322C)는 상기 탑 플레이트(310)의 가장자리 부분에 대응하여 위치하며, 상기 제1 내지 제3 히팅부들(322A, 322B, 322C) 각각은 상기 히터 유닛(320)의 중심 지점을 둘러싸도록 배치될 수 있다.Specifically, the heating units 322 include a first heating unit 322A positioned corresponding to a central portion of the top plate 310, a second heating unit 322B surrounding the first heating unit 322A, And a third heating portion 322C surrounding the second heating portion 322B. The third heating portion 322C is positioned corresponding to an edge portion of the top plate 310 and each of the first to third heating portions 322A, 322B, and 322C is positioned at a center point of the heater unit 320 As shown in FIG.

도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제1 내지 제3 히팅부들(322A, 322B, 322C) 각각은 나선형으로 배치된 열선(40)을 구비할 수 있으며, 상기 열선(40)으로부터 발생된 열에 의해 상기 탑 플레이트(310)가 가열된다.4, each of the first to third heating units 322A, 322B, and 322C may include a heat ray 40 arranged in a helical manner, and the heat generated from the heat ray 40 The top plate 310 is heated.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 히팅부들(322)은 상기 탑 플레이트(310)의 중심 부분측의 온도 조절과 가장자리 부분의 온도 조절이 각각 가능하도록 배치되나, 각 히팅부(322A, 322B, 322C)의 배치 위치와 그 형상 및 상기 히팅부(322A, 322B, 322C)의 개수는 상기 탑 플레이트(310)의 온도 분포도에 따라 변경될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the heating units 322 are disposed to control the temperature of the center portion of the top plate 310 and the temperature of the edge portions, respectively. However, the heating units 322A, 322B, And the number of the heating units 322A, 322B, and 322C may be changed according to the temperature distribution diagram of the top plate 310. In addition,

도면에는 상세하게 도시하지 않았으나, 상기 척(300)은 상기 탑 플레이트(310)의 온도를 센싱하기 위한 복수의 온도 센서를 구비할 수 있다. 상기 온도 센서들은 상기 히팅부들(322)에 대응하여 배치될 수 있으며, 각 히팅부(322A, 322B, 322C)는 대응하는 온도 센서에 의해 센싱된 상기 탑 플레이트(310)의 온도에 따라 가열 온도가 조절될 수 있다.The chuck 300 may include a plurality of temperature sensors for sensing the temperature of the top plate 310, although not shown in detail. The temperature sensors may be disposed corresponding to the heating units 322. Each heating unit 322A, 322B, and 322C may have a heating temperature corresponding to the temperature of the top plate 310 sensed by the corresponding temperature sensor Lt; / RTI >

이와 같이, 상기 히터 유닛(320)은 상기 탑 플레이트(310)를 국부적으로 가열할 수 있으므로, 상기 탑 플레이트(310)의 중심 부분과 가장자리 부분의 온도차에 따라 상기 탑 플레이트(310)의 중심 부분측과 가장자리 부분측을 서로 다르게 가열할 수 있다. 이에 따라, 상기 척(300)은 상기 탑 플레이트(310)와 상기 웨이퍼(10)의 온도 분포를 보다 균일하게 유지할 수 있다.Since the heater unit 320 can locally heat the top plate 310, the heater unit 320 can be heated to the center portion side of the top plate 310 according to the temperature difference between the central portion and the edge portion of the top plate 310 And the edge portion side can be heated differently. Accordingly, the chuck 300 can maintain the temperature distribution of the top plate 310 and the wafer 10 more uniform.

다시, 도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 히터 유닛(320)의 아래에는 상기 냉각 유닛(330)이 배치된다. 상기 냉각 유닛(330)은 상면에 냉각 유체가 순환되는 냉각 유로(332)가 형성되며, 도 3에 도시된 것처럼 대체로 원판 형상을 가질 수 있다. 상기 냉각 유닛(330)은 상기 히터 유닛(320)에 의해 가열된 웨이퍼(10)가 상기 검사 공정을 위한 적정 온도를 유지하도록 상기 탑 플레이트(310)를 냉각시킨다. 즉, 상기 냉각 유닛(330)은 상기 탑 플레이트(310)가 상기 히터 유닛(320)으로부터 제공되는 열에 의해 적정 공정 온도 이상으로 가열되지 않도록 상기 탑 플레이트(310)를 냉각시킨다.Referring again to FIGS. 2 and 3, the cooling unit 330 is disposed under the heater unit 320. The cooling unit 330 has a cooling passage 332 through which a cooling fluid is circulated on the upper surface, and may have a generally disk shape as shown in FIG. The cooling unit 330 cools the top plate 310 so that the wafer 10 heated by the heater unit 320 maintains an appropriate temperature for the inspection process. That is, the cooling unit 330 cools the top plate 310 so that the top plate 310 is not heated above the proper process temperature by the heat provided from the heater unit 320.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 냉각 유닛(330)은 외부로부터 상기 냉각 유체가 주입되는 유입구(334)와 상기 냉각 유로(332) 안의 냉각 유체가 외부로 배출되는 배출구(336)가 상기 냉각 유닛(330)의 중심 부분에 구비될 수 있다. 이에 따라, 상기 냉각 유닛(230)의 측면측으로 냉각 유체가 유입 및 배출되는 종래와 달리 상기 탑 플레이트(310)의 중심 부분의 온도가 다른 영역에 비해 너무 높아지는 것을 방지할 수 있다. 여기서, 상기 유입구(334)는 상기 냉각 유닛(330)에 상기 냉각 유체를 공급하기 위한 유체 공급관(362)과 연통되고, 상기 배출구(336)는 상기 냉각 유닛(330)로부터 배출된 냉각 유체를 외부로 배출하기 위한 유체 배출관(364)과 연통된다. 또한, 상기 냉각 유체로는 냉각 가스가 이용될 수 있다.The cooling unit 330 may include an inlet 334 through which the cooling fluid is injected from the outside and an outlet 336 through which the cooling fluid in the cooling channel 332 is discharged to the outside, Unit 330, as shown in FIG. The temperature of the central portion of the top plate 310 can be prevented from being excessively increased compared to other regions, unlike the conventional case where the cooling fluid is introduced into and discharged from the side of the cooling unit 230. The inlet 334 communicates with the fluid supply pipe 362 for supplying the cooling fluid to the cooling unit 330. The outlet 336 connects the cooling fluid discharged from the cooling unit 330 to the outside And a fluid discharge pipe 364 for discharging the fluid. As the cooling fluid, a cooling gas may be used.

그러나 상기 냉각 유닛(330)은 상기 냉각 유체의 주입이 상기 냉각 유닛(330)의 전 영역에서 이루어지지 않고 어느 특정 지점에서 이루어지기 때문에, 상기 냉각 유체의 주입이 이루어지는 부분의 온도가 다른 부분에 비해 낮을 수 있다. 이를 보완하기 위해, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 척(300)은 상기 냉각 유닛(320)으로부터 제공된 상기 냉각 유체를 균일하게 분산시키기 위한 상기 확산 플레이트(340)를 구비한다.However, since the cooling unit 330 does not perform the injection of the cooling fluid at a specific point rather than the entire area of the cooling unit 330, the temperature of the portion where the cooling fluid is injected is different Can be low. In order to compensate for this, the chuck 300 according to an embodiment of the present invention includes the diffusion plate 340 for uniformly dispersing the cooling fluid provided from the cooling unit 320.

도 5는 도 3에 도시된 확산 플레이트를 설명하기 위한 개략적인 부분 평면도이다.5 is a schematic partial plan view for explaining the diffusion plate shown in Fig.

도 2, 도 3 및 도 5를 참조하면, 상기 확산 플레이트(340)는 상기 히터 유닛(320)과 상기 냉각 유닛(330) 사이에 배치되고, 도 3에 도시된 것처럼 대체로 원판 형상을 가질 수 있다. 상기 확산 플레이트(340)는 상기 냉각 유로(332)와 연통되는 복수의 유체 분사홀(342)을 구비한다. 상기 유체 분사홀들(342)은 상기 확산 플레이트(340)를 관통하여 형성되며, 상기 확산 플레이트(340)의 전 영역에 고르게 형성될 수 있다. 상기 냉각 유로(332)를 흐르는 상기 냉각 유체는 상기 유체 분사홀들(342)을 통해 상기 히터 유닛(320) 측으로 분사되며, 그 결과, 상기 냉각 유체가 상기 탑 플레이트(310)의 특정 영역 측에 집중되어 분사되지 않고 혼합되어 균일하게 분사될 수 있다.2, 3 and 5, the diffusion plate 340 is disposed between the heater unit 320 and the cooling unit 330, and may have a generally disc shape as shown in FIG. 3 . The diffusion plate 340 has a plurality of fluid injection holes 342 communicating with the cooling flow path 332. The fluid injection holes 342 are formed through the diffusion plate 340 and may be uniformly formed over the entire area of the diffusion plate 340. The cooling fluid flowing through the cooling channel 332 is injected toward the heater unit 320 through the fluid injection holes 342 so that the cooling fluid is supplied to the specific region side of the top plate 310 They can be mixed and sprayed uniformly without being injected.

또한, 상기 확산 플레이트(340)는 상기 냉각 유체를 보다 균일하게 확산시키기 위한 챔버(344)가 형성될 수 있다. 상기 챔버(344)는 상기 확산 플레이트(340)의 상면에 형성되어 상기 히터 유닛(320)과의 사이에 형성되며, 상기 유체 분사홀들(342)과 연통된다. 상기 냉각 유체는 상기 유체 분사홀들(342)을 통해 상기 챔버(344)로 유입되며, 상기 챔버(344) 안에서 온도가 보정되어 상기 탑 플레이트(310)을 냉각시킬 수 있다.In addition, the diffusion plate 340 may be formed with a chamber 344 for more uniformly diffusing the cooling fluid. The chamber 344 is formed on the upper surface of the diffusion plate 340 and is formed between the heater unit 320 and the fluid injection holes 342. The cooling fluid flows into the chamber 344 through the fluid injection holes 342 and the temperature in the chamber 344 is corrected to cool the top plate 310.

특히, 상기 냉각 유로(332) 안의 냉각 유체는 상기 유입구(344)로부터 멀어질수록 온도가 높아지기 때문에, 온도 분포가 불균일하다. 상기 확산 플레이트(340)는 이러한 냉각 유체의 불균일한 온도 분포를 보정하여 상기 탑 플레이트(310) 측으로 분사할 수 있다.Particularly, since the temperature of the cooling fluid in the cooling channel 332 increases as the distance from the inlet 344 increases, the temperature distribution is uneven. The diffusion plate 340 can correct the uneven temperature distribution of the cooling fluid and inject it toward the top plate 310 side.

즉, 상기 냉각 유체는 상기 유체 공급관(362)으로부터 상기 냉각 유닛(330)의 상기 유입구(334)를 통해 상기 냉각 유로(332)에 주입된다. 이어, 상기 냉각 유체는 상기 냉각 유로(332)를 따라 흐르면서 상기 확산 플레이트(340)의 상기 유체 분사홀들(342)을 통해 상기 챔버(344) 안으로 유입된다. 상기 유체 분사홀들(342)에 의해 1차 분산된 상기 냉각 유체는 상기 챔버(344) 안에서 2차 분산된다. 이때, 상기 챔버(344) 안에서 상기 냉각 유닛(330)의 서로 다른 영역으로부터 유입된 냉각 유체가 서로 혼합될 수 있다. 이에 따라, 상기 탑 플레이트(310)의 중심 부분측으로 공급되는 냉각 유체와 가장자리 부분측으로 공급되는 냉각 유체 간의 온도 편차가 감소될 수 있다. 참고로, 도 2에서 도면 부호 CI는 상기 탑 플레이트(310) 측으로 공급되는 냉각 유체의 흐름을 나타내며, 도면 부호 CO는 상기 척(310)으로부터 배출되는 냉각 유체의 흐름을 나타낸다.That is, the cooling fluid is injected from the fluid supply pipe 362 into the cooling channel 332 through the inlet 334 of the cooling unit 330. The cooling fluid flows into the chamber 344 through the fluid injection holes 342 of the diffusion plate 340 while flowing along the cooling flow path 332. The cooling fluid primarily dispersed by the fluid ejection holes 342 is secondarily dispersed in the chamber 344. At this time, the cooling fluids introduced from different regions of the cooling unit 330 in the chamber 344 may be mixed with each other. Accordingly, the temperature deviation between the cooling fluid supplied to the center portion side of the top plate 310 and the cooling fluid supplied to the edge portion side can be reduced. 2, reference symbol CI denotes the flow of the cooling fluid supplied to the top plate 310, and reference symbol CO denotes the flow of the cooling fluid discharged from the chuck 310. As shown in FIG.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 챔버(344)는 상기 확산 플레이트(340)에서 상기 냉각 유로(332)와 대응하는 부분에 형성될 수 있다.2, the chamber 344 may be formed at a portion of the diffusion plate 340 corresponding to the cooling channel 332. In this case,

상술한 바와 같이, 상기 척(300)은 상기 냉각 유닛(330)의 냉각 유체를 보다 균일하게 분산 및 확산시켜 상기 탑 플레이트(310) 측으로 공급하기 위한 상기 확산 플레이트(340)를 구비함으로써, 종래 대비 상기 냉각 유체의 온도 분포를 균일하게 하여 상기 탑 플레이트(310)에 제공할 수 있다. 이에 따라, 상기 탑 플레이트(310)와 상기 웨이퍼(10)의 온도 분포가 균일하게 형성될 수 있으므로, 상기 프로브 스테이션(400)은 검사 신뢰도를 향상시킬 수 있다.As described above, the chuck 300 includes the diffusion plate 340 for more uniformly dispersing and diffusing the cooling fluid of the cooling unit 330 to supply the cooling fluid to the top plate 310 side, The temperature distribution of the cooling fluid can be uniformly provided to the top plate 310. Accordingly, since the temperature distribution of the top plate 310 and the wafer 10 can be uniformly formed, the probe station 400 can improve the inspection reliability.

한편, 상기 척(300)은 상기 가열 유닛(320)의 열이 상기 척(300)의 하측, 즉 상기 회전 구동부(210; 도 1 참조) 측으로 전도되는 것을 차단하기 위한 단열 부재(350)를 더 구비할 수 있다.The chuck 300 further includes a heat insulating member 350 for preventing the heat of the heating unit 320 from being conducted to the lower side of the chuck 300, that is, the rotation driving unit 210 .

도 6은 도 3에 도시된 단열 부재들을 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.6 is a schematic plan view for explaining the heat insulating members shown in Fig.

도 2 및 도 6을 참조하면, 상기 단열 부재(350)는 상기 냉각 유닛(330)의 아래에 배치될 수 있으며, 도 1에 도시된 바와 같이 상기 냉각 유닛(330)의 가장자리 부분에 위치할 수 있다.2 and 6, the heat insulating member 350 may be disposed under the cooling unit 330 and may be located at an edge portion of the cooling unit 330 as shown in FIG. 1 have.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 단열 부재(350)는 복수로 구비될 수 있으며, 도 6에 도시된 바와 같이 서로 이격되어 원형의 링 형태로 배치될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the plurality of heat insulating members 350 may be provided, and the heat insulating members 350 may be spaced apart from each other and arranged in a circular ring shape as shown in FIG.

이와 같이, 상기 단열 부재(350)는 상기 냉각 유닛(330) 보다 작은 크기로 제조되어 복수로 구비됨으로써, 하나의 커다란 판 형상으로 제조되는 종래의 단열 부재보다 그 가공 및 조립이 용이하다. 또한, 상기 단열 부재들(350)이 상기 냉각 유닛(330)의 가장자리 부분에 위치하므로, 상기 척(300)의 수평 조절이 용이하다.Since the heat insulating member 350 is manufactured in a smaller size than the cooling unit 330 and is provided in a plurality of the heat insulating members 350, it is easier to process and assemble than a conventional heat insulating member manufactured in one large plate shape. Further, since the heat insulating members 350 are located at the edge portions of the cooling unit 330, horizontal adjustment of the chuck 300 is easy.

다시, 도 1을 참조하면, 상기 척(300)의 아래에는 상기 척(300)을 회전시키기 위한 상기 회전 구동부(210)가 배치될 수 있다. 도면에는 상세히 도시하지 않았으나, 상기 회전 구동부(210)는 모터와 상기 모터에 의해 회전하는 크로스 롤러 베어링 등으로 구성될 수 있다.Referring again to FIG. 1, the rotation driving unit 210 for rotating the chuck 300 may be disposed under the chuck 300. Although not shown in detail in the drawings, the rotation driving unit 210 may include a motor and a cross roller bearing rotated by the motor.

상기 회전 구동부(210)의 아래에는 상기 척(300)을 수직 방향으로 이동시키기 위한 상기 수직 구동부(220)가 배치되며, 상기 수직 구동부(220)는 상기 척 스테이지(230) 상에 배치될 수 있다. 상기 척 스테이지(230)의 아래에는 상기 척(300)을 수평 방향으로 이동시키기 위한 상기 수평 구동부(240)가 배치될 수 있다. 상기 회전 구동부(210)와 상기 수직 구동부(220) 및 상기 수평 구동부(240)는 상기 프로브 카드(20)의 탐침들(22)에 대한 상기 웨이퍼(10)의 검사 패드들의 위치와 상기 척(300)의 수직 및 수평 위치를 조절하며, 이로써, 상기 프로브 카드(20)와 상기 웨이퍼(10)가 정렬될 수 있다.The vertical driving unit 220 for moving the chuck 300 in the vertical direction may be disposed under the rotation driving unit 210 and the vertical driving unit 220 may be disposed on the chuck stage 230 . The horizontal driving unit 240 for horizontally moving the chuck 300 may be disposed under the chuck stage 230. The rotation driving part 210, the vertical driving part 220 and the horizontal driving part 240 are positioned between the test pads of the wafer 10 with respect to the probes 22 of the probe card 20, So that the probe card 20 and the wafer 10 can be aligned with each other.

한편, 상기 기판 지지 모듈(200)의 상측에는 상기 프로브 카드(20)가 배치될 수 있다. 상기 웨이퍼(10)와 상기 프로브 카드(20)의 정렬이 완료되면, 상기 프로브 카드(20)의 탐침들(22)이 상기 웨이퍼(10) 상의 검사 패드들에 접촉되어 검사 신호를 인가한다. 여기서, 상기 프로브 스테이션(400)는 상기 웨이퍼(10)의 전기적 특성을 검사하기 위한 테스터(30)와 연결될 수 있다. 상기 테스터(30)는 상기 프로브 카드(20)를 통해 상기 검사 신호를 상기 웨이퍼(10)에 형성된 상기 반도체 소자들에 인가하고, 상기 반도체 소자들로부터 출력되는 신호들을 통해 상기 웨이퍼(10)의 전기적인 특성을 검사한다.Meanwhile, the probe card 20 may be disposed on the substrate supporting module 200. When the alignment of the wafer 10 and the probe card 20 is completed, the probes 22 of the probe card 20 contact the test pads on the wafer 10 to apply an inspection signal. Here, the probe station 400 may be connected to a tester 30 for checking the electrical characteristics of the wafer 10. The tester 30 applies the inspection signal to the semiconductor devices formed on the wafer 10 through the probe card 20 and transmits the inspection signals to the semiconductor device via electrical signals Check the characteristics.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 프로브 스테이션(400)은 상기 척(300)의 일측에 배치된 하부 정렬 카메라(120)와 상기 프로브 카드(20)의 일측에 배치된 상부 정렬 카메라(130)를 더 포함할 수 있다.The probe station 400 according to an embodiment of the present invention includes a lower alignment camera 120 disposed at one side of the chuck 300 and an upper alignment camera 130 disposed at one side of the probe card 20 .

상기 하부 정렬 카메라(120)는 상기 척 스테이지(230) 상에 배치되어 상기 척(300)과 함께 이동 가능하며, 상기 프로브 카드(20)의 탐침들에 대한 이미지를 획득할 수 있다. 상기 상부 정렬 카메라(130)는 상기 척(300)의 상측에 배치되어 상기 웨이퍼(10) 상의 패턴들에 대한 이미지를 획득할 수 있다. 도면에는 상세히 도시하지 않았으나, 상기 상부 정렬 카메라(130)는 브릿지 형태를 갖는 구동부에 의해 수평 방향으로 이동될 수 있다. 특히, 상기 하부 및 상부 정렬 카메라들(120, 130)은 상기 웨이퍼(10)와 상기 프로브 카드(20) 사이에 정렬을 위해 사용될 수 있다.The lower alignment camera 120 is disposed on the chuck stage 230 and is movable together with the chuck 300 and can acquire an image of the probes of the probe card 20. The upper alignment camera 130 may be disposed above the chuck 300 to obtain an image of the patterns on the wafer 10. Although not shown in detail in the drawings, the upper alignment camera 130 can be moved in the horizontal direction by a driving unit having a bridge shape. In particular, the lower and upper alignment cameras 120, 130 may be used for alignment between the wafer 10 and the probe card 20.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the following claims. It can be understood that.

110 : 챔버 120, 130 : 정렬 카메라
200 : 기판 지지 모듈 300 : 척
310 : 탑 플레이트 320 : 히터 유닛
330 : 냉각 유닛 340 : 확산 플레이트
350 : 단열 부재 210 : 회전 구동부
220 : 수직 구동부 230 : 척 스테이지
240 : 수평 구동부110: chamber 120, 130: alignment camera
200: substrate supporting module 300: chuck
310: top plate 320: heater unit
330: cooling unit 340: diffusion plate
350: heat insulating member 210: rotation driving part
220: vertical driving part 230: chuck stage
240:

Claims (11)

상면에 웨이퍼가 안착되는 탑 플레이트;
상기 탑 플레이트의 아래에 배치되고, 상기 탑 플레이를 가열하는 히터 유닛;
상기 히터 유닛의 아래에 배치되고, 내부에 냉각 유체가 순환되는 냉각 유로가 형성되며, 상기 웨이퍼가 기 설정된 공정 온도를 유지하도록 상기 탑 플레이트를 냉각시키는 냉각 유닛; 및
상기 히터 유닛과 상기 냉각 유닛 사이에 배치되고, 상기 냉각 유로와 연통되는 복수의 유체 분사홀을 가지며, 상기 탑 플레이트의 균일한 온도 분포를 위해 상기 냉각 유닛으로부터 공급된 상기 냉각 유체를 상기 히터 유닛 측으로 균일하게 분사하기 위한 확산 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판을 지지하기 위한 척.A top plate on which an upper surface of the wafer is placed;
A heater unit disposed below the top plate and heating the top plate;
A cooling unit disposed below the heater unit and having a cooling flow path through which a cooling fluid is circulated, the cooling unit cooling the top plate so that the wafer maintains a predetermined processing temperature; And
And a plurality of fluid ejection holes disposed between the heater unit and the cooling unit and communicating with the cooling passage, wherein the cooling fluid supplied from the cooling unit for uniform temperature distribution of the top plate is directed toward the heater unit Characterized in that it comprises a diffusion plate for uniform injection. 제2항에 있어서,
상기 확산 플레이트는,
상기 히터 유닛과의 사이에 형성되고 상기 유체 분사홀들과 연통되며 상기 유체 분사홀들을 통해 유입된 상기 냉각 유체를 균일하게 확산시키기 위한 챔버를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판을 지지하기 위한 척.3. The method of claim 2,
Wherein the diffusion plate comprises:
Further comprising a chamber formed between the heater unit and the chamber and communicating with the fluid ejection holes and uniformly diffusing the cooling fluid introduced through the fluid ejection holes. 제2항에 있어서,
상기 챔버는 상기 냉각 유로와 대응하는 위치에 구비된 것을 특징으로 하는 기판을 지지하기 위한 척.3. The method of claim 2,
Wherein the chamber is provided at a position corresponding to the cooling passage. 제1항에 있어서,
상기 히터 유닛은 상기 탑 플레이트의 온도를 국부적으로 조절하기 위해 상기 탑 플레이트 하부의 서로 다른 영역에 배치되어 개별 구동되는 복수의 히팅부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판을 지지하기 위한 척.The method according to claim 1,
Wherein the heater unit includes a plurality of heating portions disposed in different regions below the top plate for locally controlling the temperature of the top plate and being individually driven. 제4항에 있어서,
상기 냉각 유닛은 외부로부터 상기 냉각 유체가 상기 냉각 유로로 유입되는 유입부와 상기 냉각 유로 안의 냉각 유체가 외부로 배출되는 배출부를 구비하고,
상기 유입부와 상기 배출부는 상기 냉각 유닛에서 상기 탑 플레이트의 중심 부분과 대응하는 부분에 위치하며,
상기 히팅부들은 각각 상기 히터 유닛의 중심 지점을 둘러싸는 것을 특징으로 하는 기판을 지지하기 위한 척.5. The method of claim 4,
Wherein the cooling unit includes an inlet portion through which the cooling fluid flows into the cooling channel from the outside and a discharge portion through which the cooling fluid in the cooling channel is discharged to the outside,
Wherein the inlet and the outlet are located at a portion of the cooling unit corresponding to a central portion of the top plate,
Wherein each of the heating portions surrounds a center point of the heater unit. 제1항에 있어서,
상기 냉각 유닛의 아래에 배치되며, 상기 히터 유닛의 열이 상기 냉각 유닛의 하측으로 전도되는 것을 차단하기 위한 단열 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판을 지지하기 위한 척.The method according to claim 1,
Further comprising: a heat insulating member disposed below the cooling unit and for blocking heat of the heater unit from being conducted to a lower side of the cooling unit. 제6항에 있어서,
상기 단열 부재는 상기 냉각 유닛의 가장자리 부분에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판을 지지하기 위한 척.The method according to claim 6,
Wherein the heat insulating member is disposed at an edge portion of the cooling unit. 제7항에 있어서,
상기 단열 부재는 복수로 구비될 수 있으며,
복수의 단열 부재는 상기 냉각 유닛의 가장자리 부분을 따라 서로 이격되어 위치하는 것을 특징으로 하는 기판을 지지하기 위한 척.8. The method of claim 7,
The heat insulating member may be provided in plurality,
Wherein the plurality of heat insulating members are located apart from each other along an edge portion of the cooling unit. 웨이퍼 상에 형성된 반도체 소자들에 대한 전기적 검사를 위한 프로브 카드; 및
상기 프로브 카드의 아래에 배치되고, 상기 웨이퍼를 지지하는 척을 포함하고,
상기 척은,
상면에 상기 웨이퍼가 안착되는 탑 플레이트;
상기 탑 플레이트의 아래에 배치되고, 상기 탑 플레이를 가열하는 히터 유닛;
상기 히터 유닛의 아래에 배치되고, 내부에 냉각 유체가 순환되는 냉각 유로가 형성되며, 상기 웨이퍼가 기 설정된 공정 온도를 유지하도록 상기 탑 플레이트를 냉각시키는 냉각 유닛; 및
상기 히터 유닛과 상기 냉각 유닛 사이에 배치되고, 상기 냉각 유로와 연통되는 복수의 유체 분사홀을 가지며, 상기 탑 플레이트의 균일한 온도 분포를 위해 상기 냉각 유닛으로부터 공급된 상기 냉각 유체를 상기 히터 유닛 측으로 균일하게 분사하기 위한 확산 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 스테이션.A probe card for electrical inspection of semiconductor elements formed on a wafer; And
And a chuck disposed below the probe card and supporting the wafer,
The chuck may include:
A top plate on which the wafer is placed;
A heater unit disposed below the top plate and heating the top plate;
A cooling unit disposed below the heater unit and having a cooling flow path through which a cooling fluid is circulated, the cooling unit cooling the top plate so that the wafer maintains a predetermined processing temperature; And
And a plurality of fluid ejection holes disposed between the heater unit and the cooling unit and communicating with the cooling passage, wherein the cooling fluid supplied from the cooling unit for uniform temperature distribution of the top plate is directed toward the heater unit And a diffusion plate for uniformly spraying the probe. 제9항에 있어서,
상기 확산 플레이트는,
상기 히터 유닛과의 사이에 형성되고 상기 유체 분사홀들과 연통되며 상기 유체 분사홀들을 통해 유입된 상기 냉각 유체를 균일하게 확산시키기 위한 챔버를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 프로브 스테이션.10. The method of claim 9,
Wherein the diffusion plate comprises:
Further comprising a chamber formed between the heater unit and the chamber for communicating with the fluid ejection holes and uniformly diffusing the cooling fluid introduced through the fluid ejection holes. 제9항에 있어서,
상기 척은,
상기 냉각 유닛의 아래에 배치되며 상기 히터 유닛의 열이 상기 냉각 유닛의 하측으로 전도되는 것을 차단하기 위한 단열 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 스테이션.
10. The method of claim 9,
The chuck may include:
Further comprising: a heat insulating member disposed below the cooling unit and for blocking the heat of the heater unit from being conducted to the lower side of the cooling unit.
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