KR20170137334A - Substrate supporting member and probe station having the same - Google Patents

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Abstract

Disclosed is a substrate support module capable of supporting a wafer. The substrate support module comprises: a chuck having a wafer mounted on an upper surface thereof and having a heater embedded therein; a cooling unit disposed under the chuck, having a cooling flow path formed therein through which a cooling fluid is circulated, and cooling the chuck and wafer such that the chuck and wafer maintain a preset process temperature; and a buffer plate disposed between the chuck and the cooling unit, partially having an air layer formed between the buffer plate and the chuck to partially correct a temperature of the chuck, and making temperature distribution of the chuck and wafer become uniform. Accordingly, the substrate support module is capable of partially correcting a temperature of cool air provided to the chuck from the cooling unit by the buffer plate, thereby enabling temperature distribution of the chuck and wafer to be uniform, and improving test reliability.

Description

기판 지지 모듈 및 이를 구비하는 프로브 스테이션{Substrate supporting member and probe station having the same}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate supporting module and a probe station having the substrate supporting module,

본 발명의 실시예들은 기판 지지 모듈 및 이를 구비하는 프로브 스테이션에 관한 것이다. 보다 상세하게는 프로브 카드를 이용하여 반도체 소자들이 형성된 웨이퍼에 대하여 전기적인 검사를 수행하기 위해 웨이퍼를 지지하는 기판 지지 모듈 및 이를 구비하는 프로브 스테이션에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to a substrate support module and a probe station having the same. And more particularly, to a substrate supporting module for supporting a wafer in order to perform an electrical inspection on a wafer on which semiconductor elements are formed using a probe card, and a probe station having the same.

일반적으로 집적 회로 소자들과 같은 반도체 소자들은 반도체 웨이퍼 상에 일련의 반도체 공정들을 반복적으로 수행함으로써 형성될 수 있다. 예를 들면, 웨이퍼 상에 박막을 형성하는 증착 공정, 박막을 전기적 특성들을 갖는 패턴들로 형성하기 위한 식각 공정, 패턴들에 불순물들을 주입 또는 확산시키기 위한 이온 주입 공정 또는 확산 공정, 패턴들이 형성된 웨이퍼로부터 불순물들을 제거하기 위한 세정 및 린스 공정 등을 반복적으로 수행함으로써 반도체 회로 소자들이 웨이퍼 상에 형성될 수 있다.Generally, semiconductor devices, such as integrated circuit devices, can be formed by repeatedly performing a series of semiconductor processes on a semiconductor wafer. For example, a deposition process for forming a thin film on a wafer, an etching process for forming the thin film into patterns having electrical characteristics, an ion implantation process or diffusion process for implanting or diffusing impurities into the patterns, The semiconductor circuit elements can be formed on the wafer by repeatedly performing a cleaning and rinsing process to remove impurities from the wafer.

이러한 일련의 공정들을 통해 반도체 소자들을 형성한 후 반도체 소자들의 전기적인 특성을 검사하기 위한 검사 공정이 수행될 수 있다. 검사 공정은 복수의 탐침들을 갖는 프로브 카드를 포함하는 프로브 스테이션과 전기적인 신호를 제공하기 위하여 프로브 카드와 연결된 테스터에 의해 수행될 수 있다.An inspection process for inspecting the electrical characteristics of the semiconductor devices after forming the semiconductor devices through such a series of processes can be performed. The inspection process may be performed by a probe station including a probe card having a plurality of probes and a tester connected to the probe card to provide an electrical signal.

검사 공정을 위해 검사 챔버의 상부에는 프로브 카드가 장착될 수 있으며, 프로브 카드 아래에는 웨이퍼를 지지하는 척이 배치될 수 있다. 척의 아래에는 척을 회전시키는 회전 구동부가 배치될 수 있으며, 회전 구동부의 아래에는 척을 수직 방향으로 이동시키는 수직 구동부와 척을 수평 방향으로 이동시키는 수평 구동부가 배치될 수 있다.For the inspection process, a probe card may be mounted on the upper part of the inspection chamber, and a chuck for supporting the wafer may be disposed below the probe card. A rotation driving unit for rotating the chuck may be disposed under the chuck. A vertical driving unit for moving the chuck in the vertical direction and a horizontal driving unit for moving the chuck in the horizontal direction may be disposed under the rotation driving unit.

검사 공정은 웨이퍼를 고온으로 가열하여 진행할 수 있으며, 이를 위해 척에 내장된 히터를 구동시켜 척을 약 150℃의 고온으로 가열한다. 이렇게 척을 고온으로 가열할 경우 척의 열이 척의 아래에 구비된 회전 구동부에 전도될 수 있으며, 회전 구동부를 구성하는 부재들 간의 열 팽창률 차이로 인하여 부재들 간에 유격이 발생할 수 있다. 특히, 회전 구동부의 크로스 롤러 베어링과 이와 결합되는 부재들 간에 유격이 발생할 경우 회전 각도를 정확하게 제어할 수 없어 프로브 카드와 웨이퍼의 정렬 불량이 발생할 수 있다.The inspection process can be performed by heating the wafer to a high temperature. To this end, the heater incorporated in the chuck is driven to heat the chuck to a high temperature of about 150 ° C. When the chuck is heated to a high temperature, the heat of the chuck can be conducted to the rotation driving unit provided under the chuck, and clearance may occur between the members due to the difference in thermal expansion coefficient between the members constituting the rotation driving unit. Particularly, if a clearance is generated between the cross roller bearing of the rotation driving part and the members engaged with the cross roller bearing, the rotation angle can not be accurately controlled, so that the alignment error between the probe card and the wafer may occur.

이를 방지하기 위해, 척은 히터의 아래에 척의 냉각 유닛을 구비한다. 냉각 유닛은 내부에 냉각 유체가 흐르는 냉각 유로가 형성되며, 척과 웨이퍼가 적정 온도 이상으로 가열되는 것을 방지하고, 척의 열이 회전 구동부에 전도되는 것을 방지한다. 그러나 냉각 유체의 유입과 배출이 척의 측면측에서 이루어지기 때문에, 척에서 냉각 유체가 유입되는 입구부측에 위치하는 부분의 온도가 다른 영역에 비해 낮아진다. 특히, 척의 측면측과 먼 척의 중심 부분의 온도는 다른 영역에 비해 상대적으로 높아진다. 이와 같이, 냉각 유체의 유입구 위치에 따라 척의 온도 분포가 불균일하게 되므로, 웨이퍼의 온도 분포 또한 불균일하게 되어 검사 신뢰도가 저하되는 문제점이 있다.To prevent this, the chuck has a cooling unit of the chuck under the heater. The cooling unit has a cooling channel through which a cooling fluid flows, and prevents the chuck and the wafer from being heated to an appropriate temperature or higher and prevents the heat of the chuck from being conducted to the rotary driving unit. However, since the inflow and outflow of the cooling fluid are performed on the side of the chuck, the temperature of the portion of the chuck located on the inlet side where the cooling fluid flows is lower than that of the other regions. In particular, the temperature of the side of the chuck and the center of the chuck are relatively higher than those of the other regions. As described above, since the temperature distribution of the chuck is uneven according to the position of the inlet of the cooling fluid, the temperature distribution of the wafer is also uneven and the inspection reliability is lowered.

본 발명의 실시예들은 웨이퍼와 척의 온도 분포를 균일하게 할 수 있는 기판 지지 모듈 및 이를 구비하는 프로브 스테이션을 제공하는 것이다.Embodiments of the present invention provide a substrate supporting module and a probe station having the same that can make the temperature distribution of a wafer and a chuck uniform.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예들에 따르면, 기판 지지 모듈은, 상면에 웨이퍼가 안착되고 히터를 내장하는 척, 상기 척의 아래에 배치되고 내부에 냉각 유체가 순환되는 냉각 유로가 형성되며 상기 척과 상기 웨이퍼가 기 설정된 공정 온도를 유지하도록 상기 척과 상기 웨이퍼를 냉각시키는 냉각 유닛, 및 상기 척과 상기 냉각 유닛 사이에 배치되고 상기 척의 온도를 국부적으로 보정하기 위해 상기 척과의 사이에 국부적으로 공기층을 형성하며 상기 척과 상기 웨이퍼의 온도 분포를 균일하게 하기 위한 버퍼 플레이트를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a substrate supporting module includes a chuck having a wafer on which a heater is mounted, a cooling channel disposed below the chuck and having a cooling fluid circulated therein, A cooling unit for cooling the chuck and the wafer such that the chuck and the wafer maintain a predetermined process temperature and a cooling unit disposed between the chuck and the cooling unit for locally correcting the temperature of the chuck, And a buffer plate for uniformizing the temperature distribution of the chuck and the wafer.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 버퍼 플레이트는 상기 공기층을 형성하기 위한 복수의 보정홈이 상면에 형성될 수 있다.According to embodiments of the present invention, a plurality of correction grooves for forming the air layer may be formed on the upper surface of the buffer plate.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 보정홈들은 상기 냉각 유체가 상기 냉각 유로로 유입되는 상기 냉각 유닛의 유입부와 상기 냉각 유로 안의 냉각 유체가 외부로 배출되는 배출부의 위치에 근거하여 배치될 수 있다.According to the embodiments of the present invention, the correction grooves can be arranged based on the position of the inlet portion of the cooling unit into which the cooling fluid flows into the cooling channel and the position of the outlet portion through which the cooling fluid in the cooling channel is discharged to the outside have.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 냉각 유닛은 외부로부터 상기 냉각 유체가 상기 냉각 유로로 유입되는 유입부와 상기 냉각 유로 안의 냉각 유체가 외부로 배출되는 배출부가 중심 부분에 구비될 수 있다.According to embodiments of the present invention, the cooling unit may include an inlet portion through which the cooling fluid flows into the cooling channel from the outside, and a discharge portion through which the cooling fluid in the cooling channel is discharged to the outside.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 보정홈들은 상기 버퍼 플레이트의 중심점과 인접하게 위치할 수 있다.According to embodiments of the present invention, the correction grooves may be located adjacent to the center point of the buffer plate.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 보정홈들은 상기 버퍼 플레이트의 중심점을 둘러싸도록 각각 링 형상으로 구비되며, 서로 이격되어 구비될 수 있다.According to the embodiments of the present invention, the correction grooves are provided in a ring shape so as to surround the center point of the buffer plate, and may be spaced apart from each other.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 히터는 상기 척의 온도를 국부적으로 조절하기 위해 상기 척에서 서로 다른 영역에 배치되어 개별 구동되는 복수의 히팅부를 포함할 수 있다.According to embodiments of the present invention, the heater may include a plurality of heating portions individually disposed in different regions in the chuck to locally control the temperature of the chuck.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 히팅부들은 상기 냉각 유체가 상기 냉각 유로로 유입되는 상기 냉각 유닛의 유입부와 상기 냉각 유로 안의 냉각 유체가 외부로 배출되는 배출부의 위치에 따라 서로 다르게 구동되도록 배치될 수 있다.According to the embodiments of the present invention, the heating units may be arranged such that the cooling fluid is driven differently according to the position of the inlet portion of the cooling unit into which the cooling fluid flows into the cooling channel and the outlet of the cooling fluid in the cooling channel, .

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 복수의 히팅부는, 상기 척의 중심 부분에 위치하는 제1 히팅부, 상기 제1 히팅부를 둘러싼 제2 히팅부, 및 상기 척의 가장자리 부분에 위치하고 상기 제2 히팅부를 둘러싼 제3 히팅부를 구비할 수 있다.According to embodiments of the present invention, the plurality of heating portions may include a first heating portion positioned at a center portion of the chuck, a second heating portion surrounding the first heating portion, and a second heating portion located at an edge portion of the chuck, And a third heating portion surrounding the second heating portion.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 기판 지지 모듈은, 상기 냉각 유닛의 아래에 배치되며, 상기 척의 열이 상기 냉각 유닛의 하측으로 전도되는 것을 차단하기 위한 단열 부재를 더 포함할 수 있다.According to embodiments of the present invention, the substrate supporting module may further include an insulating member disposed below the cooling unit, for blocking the heat of the chuck from being conducted to the lower side of the cooling unit.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 단열 부재는 상기 냉각 유닛의 가장자리 부분에 배치될 수 있다.According to the embodiments of the present invention, the heat insulating member may be disposed at an edge portion of the cooling unit.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 단열 부재를 복수로 구비될 수 있으며, 복수의 단열 부재는 상기 냉각 유닛의 가장자리 부분을 따라 서로 이격되어 배치될 수 있다.According to the embodiments of the present invention, a plurality of the heat insulating members may be provided, and the plurality of heat insulating members may be disposed apart from each other along the edge portion of the cooling unit.

또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예들에 따르면, 프로브 스테이션은, 웨이퍼 상에 형성된 반도체 소자들에 대한 전기적 검사를 위한 프로브 카드, 및 상기 프로브 카드의 아래에 배치되고, 상기 웨이퍼를 지지하는 기판 지지 모듈을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 기판 지지 모듈은, 상면에 상기 웨이퍼가 안착되고 히터를 내장하는 척, 상기 척의 아래에 배치되고 내부에 냉각 유체가 순환되는 냉각 유로가 형성되며 상기 척과 상기 웨이퍼가 기 설정된 공정 온도를 유지하도록 상기 척과 상기 웨이퍼를 냉각시키는 냉각 유닛, 및 상기 척과 상기 냉각 유닛 사이에 배치되고 상기 척의 온도를 국부적으로 보정하기 위해 상기 척과의 사이에 국부적으로 공기층을 형성하며, 상기 척과 상기 웨이퍼의 온도 분포를 균일하게 하기 위한 버퍼 플레이트를 구비할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a probe station including: a probe card for electrical inspection of semiconductor devices formed on a wafer; and a probe card disposed below the probe card, And a substrate support module for supporting the substrate support module. Here, the substrate supporting module may include a chuck having the wafer mounted thereon and having a heater therein, a cooling channel disposed below the chuck and having a cooling fluid circulated therein, and the chuck and the wafer are maintained at a predetermined processing temperature And a cooling unit disposed between the chuck and the cooling unit and locally forming an air layer between the chuck and the chuck for locally correcting the temperature of the chuck, It is possible to provide a buffer plate for uniformity.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 버퍼 플레이트는 상기 공기층을 형성하기 위한 복수의 보정홈이 상면에 형성될 수 있다.According to embodiments of the present invention, a plurality of correction grooves for forming the air layer may be formed on the upper surface of the buffer plate.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 보정홈들은 상기 냉각 유체가 상기 냉각 유로로 유입되는 상기 냉각 유닛의 유입부와 상기 냉각 유로 안의 냉각 유체가 외부로 배출되는 배출부의 위치에 근거하여 배치될 수 있다.According to the embodiments of the present invention, the correction grooves can be arranged based on the position of the inlet portion of the cooling unit into which the cooling fluid flows into the cooling channel and the position of the outlet portion through which the cooling fluid in the cooling channel is discharged to the outside have.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 냉각 유닛은 외부로부터 상기 냉각 유체가 상기 냉각 유로로 유입되는 유입부와 상기 냉각 유로 안의 냉각 유체가 외부로 배출되는 배출부가 중심 부분에 구비될 수 있다.According to embodiments of the present invention, the cooling unit may include an inlet portion through which the cooling fluid flows into the cooling channel from the outside, and a discharge portion through which the cooling fluid in the cooling channel is discharged to the outside.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 히터는 상기 척의 온도를 국부적으로 조절하기 위해 상기 척에서 서로 다른 영역에 배치되어 개별 구동되는 복수의 히팅부를 구비할 수 있다. 또한, 상기 히팅부들은 상기 냉각 유체가 상기 냉각 유로로 유입되는 상기 냉각 유닛의 유입부와 상기 냉각 유로 안의 냉각 유체가 외부로 배출되는 배출부의 위치에 따라 서로 다르게 구동되도록 배치될 수 있다.According to embodiments of the present invention, the heater may include a plurality of heating portions disposed in different regions of the chuck and individually driven to locally control the temperature of the chuck. The heating units may be arranged to be driven differently depending on the positions of the inlet of the cooling unit into which the cooling fluid flows into the cooling channel and the outlet of the cooling fluid in the cooling channel.

상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 기판 지지 모듈 및 이를 구비하는 프로브 스테이션은 국부적으로 공기층을 형성하여 국부적으로 온도를 보정할 수 있는 버퍼 플레이트를 구비함으로써, 냉각 유닛으로부터 척의 중심 부분에 제공되는 냉기와 척의 가장자리 부분에 제공되는 냉기의 온도차를 줄일 수 있다. 이에 따라, 척의 중심 부분과 가장자리 부분 간의 온도 편차를 줄일 수 있으므로, 척과 웨이퍼의 온도 분포를 균일하게 할 수 있고 검사 신뢰도를 향상시킬 수 있다.According to the embodiments of the present invention as described above, the substrate supporting module and the probe station including the substrate supporting unit may include a buffer plate capable of locally forming an air layer and correcting temperature locally, It is possible to reduce the temperature difference between the supplied cold air and the cold air provided at the edge of the chuck. Accordingly, the temperature deviation between the central portion and the edge portion of the chuck can be reduced, so that the temperature distribution of the chuck and the wafer can be made uniform, and the inspection reliability can be improved.

또한, 기판 지지 모듈은 척을 국부적으로 가열할 수 있는 히터를 구비함으로써, 척의 온도 분포에 따라 히팅부별로 가열 온도를 다르게 할 수 있다. 이에 따라, 기판 지지 모듈은 척과 웨이퍼의 온도 분포를 더욱 균일하게 유지할 수 있다.Further, the substrate supporting module includes a heater capable of locally heating the chuck, so that the heating temperature can be made different depending on the temperature distribution of the chuck. Thus, the substrate support module can maintain the temperature distribution of the chuck and the wafer more uniform.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 스테이션을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 기판 지지 모듈을 설명하기 위한 개략적인 부분 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 히터를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 4는 도 2에 도시된 버퍼 플레이트를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 5는 도 2에 도시된 단열 부재들을 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.1 is a schematic block diagram illustrating a probe station according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic partial sectional view for explaining the substrate supporting module shown in Fig.
Fig. 3 is a schematic plan view for explaining the heater shown in Fig. 2. Fig.
Fig. 4 is a schematic plan view for explaining the buffer plate shown in Fig. 2. Fig.
5 is a schematic plan view for explaining the heat insulating members shown in Fig.

이하, 본 발명의 실시예들은 첨부 도면들을 참조하여 상세하게 설명된다. 그러나, 본 발명은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다. 하기의 실시예들은 본 발명이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 발명의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 발명의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention should not be construed as limited to the embodiments described below, but may be embodied in various other forms. The following examples are provided so that those skilled in the art can fully understand the scope of the present invention, rather than being provided so as to enable the present invention to be fully completed.

본 발명의 실시예들에서 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 배치되는 또는 연결되는 것으로 설명되는 경우 상기 요소는 상기 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결될 수도 있으며, 다른 요소들이 이들 사이에 개재될 수도 있다. 이와 다르게, 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결되는 것으로 설명되는 경우 그들 사이에는 또 다른 요소가 있을 수 없다. 다양한 요소들, 조성들, 영역들, 층들 및/또는 부분들과 같은 다양한 항목들을 설명하기 위하여 제1, 제2, 제3 등의 용어들이 사용될 수 있으나, 상기 항목들은 이들 용어들에 의하여 한정되지는 않을 것이다.In the embodiments of the present invention, when one element is described as being placed on or connected to another element, the element may be disposed or connected directly to the other element, . Alternatively, if one element is described as being placed directly on another element or connected, there can be no other element between them. The terms first, second, third, etc. may be used to describe various items such as various elements, compositions, regions, layers and / or portions, but the items are not limited by these terms .

본 발명의 실시예들에서 사용된 전문 용어는 단지 특정 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 사용되는 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 또한, 달리 한정되지 않는 이상, 기술 및 과학 용어들을 포함하는 모든 용어들은 본 발명의 기술 분야에서 통상적인 지식을 갖는 당업자에게 이해될 수 있는 동일한 의미를 갖는다. 통상적인 사전들에서 한정되는 것들과 같은 상기 용어들은 관련 기술과 본 발명의 설명의 문맥에서 그들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석될 것이며, 명확히 한정되지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 외형적인 직감으로 해석되지는 않을 것이다.The terminology used in the embodiments of the present invention is used for the purpose of describing specific embodiments only, and is not intended to be limiting of the present invention. Furthermore, all terms including technical and scientific terms have the same meaning as will be understood by those skilled in the art having ordinary skill in the art, unless otherwise specified. These terms, such as those defined in conventional dictionaries, shall be construed to have meanings consistent with their meanings in the context of the related art and the description of the present invention, and are to be interpreted as being ideally or externally grossly intuitive It will not be interpreted.

본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해들을 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해들의 형상들로부터의 변화들, 예를 들면, 제조 방법들 및/또는 허용 오차들의 변화는 충분히 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것은 아니라 형상들에서의 편차를 포함하는 것이며, 도면들에 설명된 요소들은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상은 요소들의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.Embodiments of the present invention are described with reference to schematic illustrations of ideal embodiments of the present invention. Thus, changes from the shapes of the illustrations, e.g., changes in manufacturing methods and / or tolerances, are those that can be reasonably expected. Accordingly, the embodiments of the present invention should not be construed as being limited to the specific shapes of the regions described in the drawings, but include deviations in the shapes, and the elements described in the drawings are entirely schematic and their shapes Is not intended to describe the exact shape of the elements and is not intended to limit the scope of the invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 스테이션을 설명하기 위한 개략적인 구성도이고, 도 2는 도 1에 도시된 기판 지지 모듈을 설명하기 위한 개략적인 부분 단면도이다.FIG. 1 is a schematic structural view for explaining a probe station according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic partial cross-sectional view for explaining a substrate supporting module shown in FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 스테이션(400)은 반도체 소자들이 형성된 웨이퍼(10)에 대하여 프로브 카드(20)를 이용해 전기적인 특성 검사를 수행할 수 있다. 상기 프로브 스테이션(400)은 검사 챔버(110), 및 상기 웨이퍼(10)를 지지하는 기판 지지 모듈(200)을 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 1 and 2, a probe station 400 according to an embodiment of the present invention can perform an electrical characteristic inspection using a probe card 20 with respect to a wafer 10 on which semiconductor elements are formed. The probe station 400 may include an inspection chamber 110 and a substrate support module 200 for supporting the wafer 10.

구체적으로, 상기 검사 챔버(110)는 상기 웨이퍼(10)에 대하여 전기적 검사를 수행하기 위한 공정 공간을 제공하며, 상기 공정 공간에는 상기 프로브 카드(20)와 상기 기판 지지 모듈(200)이 배치될 수 있다.Specifically, the inspection chamber 110 provides a process space for performing an electrical inspection of the wafer 10, and the probe card 20 and the substrate supporting module 200 are disposed in the process space .

상기 기판 지지 모듈(200)은 상면에 상기 웨이퍼(10)가 안착되는 척(210), 상기 척(10)과 상기 웨이퍼(10)를 냉각시키기 위한 냉각 유닛(220), 상기 척(210)의 온도를 국부적으로 보정하기 위한 버퍼 플레이트(230), 및 상기 척(210)을 회전시키기 위한 회전 구동부(250)를 포함할 수 있다.The substrate supporting module 200 includes a chuck 210 on which the wafer 10 is mounted, a cooling unit 220 for cooling the chuck 10 and the wafer 10, A buffer plate 230 for locally correcting the temperature, and a rotation driving unit 250 for rotating the chuck 210. [

상기 척(210)은 상기 프로브 카드(20)의 아래에 배치되고, 대체로 원 기둥 형상을 가지며, 상기 웨이퍼(10)를 지지할 수 있다. 상기 척(210)은 상기 웨이퍼(10)를 기 설정된 공정 온도로 가열하기 위한 히터(212)를 내장할 수 있다. 상기 히터(212)가 구동되면 상기 척(210)의 온도가 상승하여 상기 척(210)에 안착된 상기 웨이퍼(10)가 가열된다.The chuck 210 is disposed under the probe card 20 and has a generally columnar shape and can support the wafer 10. [ The chuck 210 may contain a heater 212 for heating the wafer 10 to a predetermined process temperature. When the heater 212 is driven, the temperature of the chuck 210 rises and the wafer 10 mounted on the chuck 210 is heated.

상기 척(210)의 아래에는 상기 냉각 유닛(220)이 배치될 수 있다. 상기 냉각 유닛(220)은 내부에 냉각 유체가 순환되는 냉각 유로(222)가 형성되며, 상기 척(210)과 상기 척(210)에 로딩된 웨이퍼(10)가 적정 공정 온도를 유지하도록 상기 척(210)을 냉각시킨다.The cooling unit 220 may be disposed under the chuck 210. The cooling unit 220 includes a cooling channel 222 through which a cooling fluid is circulated and the chuck 210 and the wafer 10 loaded on the chuck 210 are maintained at a proper process temperature. (210).

특히, 상기 냉각 유닛(220)은 외부로부터 상기 냉각 유체가 상기 냉각 유로(222)로 유입되는 유입부(224)와 상기 냉각 유로(222) 안의 냉각 유체가 외부로 배출되는 배출부(226)가 상기 냉각 유닛(220)의 중심 부분에 구비된다. 이에 따라, 상기 냉각 유닛(220)의 측면측으로 냉각 유체가 유입 및 배출되는 종래와 달리 상기 척(210)의 중심 부분의 온도가 다른 영역에 비해 너무 높아지는 것을 방지할 수 있다.Particularly, the cooling unit 220 includes an inlet 224 through which the cooling fluid flows into the cooling channel 222, and a discharge unit 226 through which the cooling fluid in the cooling channel 222 is discharged to the outside And is provided at a central portion of the cooling unit 220. Accordingly, the temperature of the central portion of the chuck 210 can be prevented from becoming too high compared with other regions, unlike the conventional case where the cooling fluid is introduced into and discharged from the side of the cooling unit 220.

그러나 상기 냉각 유체가 상기 냉각 유닛(220)의 중심 부분측으로 유입 및 배출되기 때문에, 상기 척(210)의 가장자리 부분의 온도가 상대적으로 너무 높아질 수 있다. 이를 보완하기 위해 상기 히터(212)는 상기 척(210)의 온도를 국부적으로 조절할 수 있다.However, since the cooling fluid flows into and out of the central portion of the cooling unit 220, the temperature of the edge portion of the chuck 210 can be relatively excessively high. In order to compensate for this, the heater 212 can locally adjust the temperature of the chuck 210.

도 3은 도 2에 도시된 히터를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.Fig. 3 is a schematic plan view for explaining the heater shown in Fig. 2. Fig.

도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 히터(212)는 상기 척(210)의 온도를 국부적으로 조절하기 위해 개별 구동이 가능한 복수의 히팅부(212A, 212B, 212C)를 구비할 수 있다.2 and 3, the heater 212 may include a plurality of heating units 212A, 212B, and 212C that can be individually driven to locally control the temperature of the chuck 210. As shown in FIG.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 히터(212)는 3개의 히팅부들(212A, 212B, 212C)을 구비하나, 히팅부(212A, 212B, 212C)의 개수는 이에 제한되지 않는다.In an embodiment of the present invention, the heater 212 includes three heating units 212A, 212B and 212C, but the number of the heating units 212A, 212B and 212C is not limited thereto.

상기 히팅부들(212A, 212B, 212C)은 상기 척(210)에서 서로 다른 영역에 배치되며, 이에 따라, 상기 척(210)은 각 히팅부(212A, 212B, 212C)에 대응하는 영역별로 온도 조절이 가능하다.The chuck 210 is disposed in a different region of the chuck 210 so that the temperature of the chuck 210 can be adjusted by the temperature corresponding to each of the heating portions 212A, 212B, This is possible.

구체적으로, 상기 히팅부들(212A, 212B, 212C)은 상기 척(210)의 중심 부분에 위치하는 제1 히팅부(212A), 상기 제1 히팅부(212A)를 둘러싼 제2 히팅부(212B), 및 상기 척(210)의 가장자리 부분에 위치하여 상기 제2 히팅부(212B)를 둘러싼 제3 히팅부(212C)를 구비할 수 있다.Specifically, the heating units 212A, 212B and 212C include a first heating unit 212A positioned at a central portion of the chuck 210, a second heating unit 212B surrounding the first heating unit 212A, And a third heating portion 212C positioned at an edge portion of the chuck 210 and surrounding the second heating portion 212B.

상기 제1 내지 제3 히팅부들(212A, 212B, 212C) 각각은 나선형으로 배치된 열선(40)을 구비할 수 있으며, 상기 열선(40)으로부터 발생된 열에 의해 상기 척(210)과 상기 웨이퍼(10)가 가열된다.Each of the first to third heating units 212A, 212B and 212C may include a helical heat ray 40. The heat generated from the heat ray 40 may cause the chuck 210 and the wafer 10 are heated.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 히팅부들(212A, 212B, 212C)은 상기 척(210)의 중심 부분측과 가장자리 부분측이 서로 다르게 구동될 수 있도록 배치되나. 상기 히팅부들(212A, 212B, 212C)의 배치 위치와 그 형상은 상기 냉각 유닛(220)의 유입부(224)와 배출부(226)의 위치에 따라 달라질 수 있다.In one embodiment of the present invention, the heating units 212A, 212B, and 212C are disposed such that the center portion side and the edge portion side of the chuck 210 can be driven differently. The positions and shapes of the heating units 212A, 212B and 212C may vary depending on the positions of the inflow unit 224 and the discharge unit 226 of the cooling unit 220.

이와 같이, 상기 히터(212)는 상기 척(210)을 국부적으로 가열할 수 있으므로, 상기 척(210)과 상기 웨이퍼(10)의 중심 부분의 온도와 가장자리 부분의 온도에 따라 상기 척(210)의 중심 부분측과 가장자리 부분측을 서로 다르게 가열할 수 있다. 이에 따라, 상기 기판 지지 모듈(200)은 상기 척(210)과 상기 웨이퍼(10)의 온도 분포를 균일하게 유지할 수 있다.Since the heater 212 can locally heat the chuck 210, the temperature of the chuck 210 and the center portion of the wafer 10 and the temperature of the edge portion of the chuck 210 can be increased, It is possible to heat the center portion side and the edge portion side differently from each other. Accordingly, the substrate supporting module 200 can uniformly maintain the temperature distribution of the chuck 210 and the wafer 10.

다시, 도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 척(210)과 상기 냉각 유닛(220)의 사이에는 상기 버퍼 플레이트(230)가 배치될 수 있다. 상기 버퍼 플레이트(230)는 상기 척(210)과 상기 웨이퍼(10)의 온도를 국부적으로 보정하기 위해 공기층을 형성한다. Referring again to FIGS. 1 and 2, the buffer plate 230 may be disposed between the chuck 210 and the cooling unit 220. The buffer plate 230 forms an air layer to locally correct the temperature of the chuck 210 and the wafer 10. [

도 4는 도 2에 도시된 버퍼 플레이트를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.Fig. 4 is a schematic plan view for explaining the buffer plate shown in Fig. 2. Fig.

도 2 및 도 4를 참조하면, 상기 버퍼 플레이트(230)는 도 4에 도시된 것처럼 대체로 원판 형상을 가질 수 있으며, 상기 척(210)의 상면과 비슷한 크기를 가질 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 4, the buffer plate 230 may have a substantially disc shape as shown in FIG. 4, and may have a size similar to that of the upper surface of the chuck 210.

상기 버퍼 플레이트(230)의 상면에는 상기 공기층을 형성하기 위한 복수의 보정홈(232)이 형성될 수 있다. 특히, 상기 보정홈들(232)은 상기 냉각 유닛(220)의 유입부(224)와 배출부(226)의 위치에 근거하여 그 위치가 결정될 수 있다.A plurality of correction grooves 232 for forming the air layer may be formed on the upper surface of the buffer plate 230. In particular, the positions of the correction grooves 232 may be determined based on the positions of the inlet 224 and the outlet 226 of the cooling unit 220.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 유입부(224)와 상기 배출부(226)는 상기 척(210)의 중심 부분과 대응하는 부분인 상기 냉각 유닛(220)의 중심 부분에 위치한다. 이에 따라, 상기 보정홈들(232)은 상기 버퍼 플레이트(230)의 중심점과 인접하게 배치되며, 상기 버퍼 플레이트(230)에서 상기 척(210)의 중심 부분과 대응하는 부분에 위치한다.The inlet 224 and the outlet 226 are located at a central portion of the cooling unit 220 that is a portion corresponding to the center portion of the chuck 210. In this embodiment, Accordingly, the correction grooves 232 are disposed adjacent to the center point of the buffer plate 230 and are located at a portion corresponding to the central portion of the chuck 210 in the buffer plate 230.

도 4에 도시된 바와 같이, 상기 보정홈들(232)은 대체로 원형의 링 형상을 가질수 있으며, 서로 이격되어 배치된다. As shown in FIG. 4, the correction grooves 232 may have a generally circular ring shape and are spaced apart from one another.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 버퍼 플레이트(230)는 두 개의 보정홈들(232)을 구비하나, 상기 보정홈(232)의 개수는 이에 제한되지 않는다.In an embodiment of the present invention, the buffer plate 230 has two correction grooves 232, but the number of the correction grooves 232 is not limited thereto.

상기 보정홈들(232)은 상기 척(210)과 상기 버퍼 플레이트(230) 사이에 공기층을 형성하여 상기 냉각 유닛(220)으로부터 제공되는 냉기의 온도를 상기 척(210)으로부터 전도된 열로 보정하여 상기 척(210)에 제공한다.The correction grooves 232 form an air layer between the chuck 210 and the buffer plate 230 to correct the temperature of cool air supplied from the cooling unit 220 to the heat transferred from the chuck 210 To the chuck 210.

즉, 상기 냉각 유닛(220)의 유입부(224)와 배출부(226)가 상기 냉각 유닛(220)의 중심 부분에 위치하기 때문에, 상기 냉각 유닛(220)으로부터 상기 척(210)의 중심 부분에 제공되는 냉기의 온도가 상기 척(210)의 가장자리 부분에 제공되는 냉기보다 현저히 낮다. 상기 버퍼 플레이트(230)는 상기 보정홈들(232)에 의해 형성된 상기 공기층을 이용하여 상기 척(210)의 중심 부분으로 제공되는 냉기의 온도를 높여 제공함으로써, 상기 냉각 유닛(220)으로부터 상기 척(210)의 중심 부분으로 제공되는 냉기와 상기 척(210)의 가장자리 부분으로 제공되는 냉기의 온도차를 줄일 수 있다. 이에 따라, 상기 버퍼 플레이트(230)는 상기 척(210)의 중심 부분과 가장자리 부분 간의 온도 편차를 줄일 수 있으므로, 상기 척(210)과 상기 웨이퍼(10)의 온도 분포를 균일하게 할 수 있다.That is, since the inflow portion 224 and the discharge portion 226 of the cooling unit 220 are located at the central portion of the cooling unit 220, the center portion of the chuck 210 from the cooling unit 220 The temperature of the cool air provided to the chuck 210 is significantly lower than the cool air provided at the edge portion of the chuck 210. [ The buffer plate 230 may be provided to increase the temperature of the cool air provided to the center portion of the chuck 210 by using the air layer formed by the correction grooves 232, The temperature difference between the cool air provided to the center portion of the chuck 210 and the cool air provided to the edge portion of the chuck 210 can be reduced. Accordingly, the buffer plate 230 can reduce the temperature deviation between the center portion and the edge portion of the chuck 210, and thus the temperature distribution of the chuck 210 and the wafer 10 can be made uniform.

한편, 상기 기판 지지 모듈(200)은 상기 냉각 유닛(220)의 아래에 배치되는 단열 부재(240)를 더 포함할 수 있다. 상기 단열 부재(240)는 상기 척(210)의 열이 상기 냉각 유닛(220)의 하측, 즉, 상기 회전 구동부(260; 도 1 참조)로 전도되는 것을 차단한다.Meanwhile, the substrate supporting module 200 may further include a heat insulating member 240 disposed under the cooling unit 220. The heat insulating member 240 blocks the heat of the chuck 210 from being conducted to the lower side of the cooling unit 220, that is, the rotation driving unit 260 (see FIG. 1).

도 5는 도 2에 도시된 단열 부재들을 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.5 is a schematic plan view for explaining the heat insulating members shown in Fig.

도 2 및 도 5를 참조하면, 상기 단열 부재(240)는 복수로 구비될 수 있으며, 도 2에 도시된 바와 같이 복수의 단열 부재(240)는 상기 냉각 유닛(220)의 가장자리 부분에 배치될 수 있다.2 and 5, a plurality of the heat insulating members 240 may be provided. As shown in FIG. 2, a plurality of heat insulating members 240 may be disposed at the edge portions of the cooling unit 220 .

도 5에 도시된 바와 같이, 상기 단열 부재들(240)은 원형의 링 형태로 배치될 수 있으며, 서로 이격되어 배치된다.As shown in FIG. 5, the heat insulating members 240 may be arranged in a circular ring shape, and are disposed apart from each other.

이와 같이, 상기 기판 지지 모듈(200)은 상기 냉각 유닛(220)의 가장자리 부분에 서로 이격되어 배치된 상기 복수의 단열 부재(240)를 구비함으로써, 종래의 원판 형상의 단열 부재보다 그 가공이 용이하며, 상기 냉각 유닛(220)의 유입부(224)와 배출부(226)를 상기 냉각 유닛(220)의 중심 부분에 배치시키기 용이하다. 또한, 상기 단열 부재들(240)이 상기 냉각 유닛(220)의 가장자리 부분에 위치하므로, 상기 척(210)의 수평 조절이 용이하다.As described above, since the substrate supporting module 200 includes the plurality of heat insulating members 240 disposed at the edge of the cooling unit 220 so as to be spaced apart from each other, the substrate supporting module 200 can be more easily processed than a conventional disk- And it is easy to dispose the inflow portion 224 and the discharge portion 226 of the cooling unit 220 in the central portion of the cooling unit 220. [ Further, since the heat insulating members 240 are located at the edge portions of the cooling unit 220, horizontal adjustment of the chuck 210 is easy.

다시, 도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 냉각 유닛(220)과 상기 단열 부재들(240)의 아래에는 상기 회전 구동부(250)가 배치되며, 상기 회전 구동부(250)는 상기 척(210)을 회전시킬 수 있다. 도면에는 상세히 도시하지 않았으나, 상기 회전 구동부는 모터와 상기 모터에 의해 회전하는 크로스 롤러 베어링 등으로 구성될 수 있다.1 and 2, the rotation driving unit 250 is disposed below the cooling unit 220 and the heat insulating members 240. The rotation driving unit 250 rotates the chuck 210, . Although not shown in detail in the drawings, the rotary drive unit may include a motor and a cross roller bearing rotated by the motor.

상기 회전 구동부(250)의 아래에는 상기 척(210)을 수직 방향으로 이동시키는 수직 구동부(260)가 배치될 수 있다. 상기 수직 구동부(260)는 척 스테이지(270) 상에 배치될 수 있으며, 상기 척 스테이지(270)의 아래에는 상기 척(210)을 수평 방향으로 이동시키는 수평 구동부(280)가 배치될 수 있다. 상기 회전 구동부(250)와 상기 수직 구동부(260) 및 상기 수평 구동부(270)는 상기 프로브 카드(20)의 탐침들(22)에 대한 상기 웨이퍼(10) 상의 패드들의 위치와 상기 척(210)의 수직 및 수평 위치를 조절하여 상기 프로브 카드(20)와 상기 웨이퍼(10)를 정렬할 수 있다.A vertical driving unit 260 for moving the chuck 210 in the vertical direction may be disposed below the rotation driving unit 250. The vertical driving unit 260 may be disposed on the chuck stage 270 and a horizontal driving unit 280 may be disposed under the chuck stage 270 to move the chuck 210 in a horizontal direction. The rotation driving unit 250, the vertical driving unit 260 and the horizontal driving unit 270 are connected to the probes 22 of the probe card 20 and the position of the pads on the wafer 10, The probe card 20 can be aligned with the wafer 10 by adjusting the vertical and horizontal positions of the probe card 20 and the wafer 10.

상기 기판 지지 모듈(200)의 상측에는 상기 프로브 카드(20)가 배치될 수 있다. 상기 웨이퍼(10)와 상기 프로브 카드(20)의 정렬이 완료되면, 상기 프로브 카드(20)의 탐침들(22)이 상기 웨이퍼(10) 상의 검사 패드들에 접촉되어 검사 신호를 인가한다. 여기서, 상기 프로브 스테이션(400)은 상기 웨이퍼(10)의 전기적 특성을 검사하기 위한 테스터(30)와 연결될 수 있다. 상기 테스터(30)는 상기 프로브 카드(20)를 통해 상기 검사 신호를 상기 반도체 소자들에 인가하고, 상기 반도체 소자들로부터 출력되는 신호들을 통해 상기 웨이퍼(10)의 전기적인 특성을 검사한다.The probe card 20 may be disposed on the substrate supporting module 200. When the alignment of the wafer 10 and the probe card 20 is completed, the probes 22 of the probe card 20 contact the test pads on the wafer 10 to apply an inspection signal. Here, the probe station 400 may be connected to a tester 30 for checking electrical characteristics of the wafer 10. The tester 30 applies the inspection signal to the semiconductor devices through the probe card 20 and inspects the electrical characteristics of the wafer 10 through signals output from the semiconductor devices.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 프로브 스테이션(400)은 상기 척(210)의 일측에 배치된 하부 정렬 카메라(120)와 상기 프로브 카드(20)의 일측에 배치된 상부 정렬 카메라(130)를 더 구비할 수 있다.The probe station 400 according to an embodiment of the present invention includes a lower alignment camera 120 disposed at one side of the chuck 210 and an upper alignment camera 130 disposed at one side of the probe card 20 .

상기 하부 정렬 카메라(120)는 상기 척 스테이지(270) 상에 배치되어 상기 척(210)과 함께 이동 가능하며, 상기 프로브 카드(20)의 탐침들(22)에 대한 이미지를 획득할 수 있다. 상기 하부 정렬 카메라(120)는 상기 척(210)의 상측에 배치되어 상기 웨이퍼(10) 상의 패턴들에 대한 이미지를 획득할 수 있다. 도면에는 상세히 도시하지 않았으나, 상기 상부 정렬 카메라(130)는 브릿지 형태를 갖는 구동부에 의해 수평 방향으로 이동될 수 있다. 특히, 상기 하부 및 상부 정렬 카메라들(120, 130)은 상기 웨이퍼(10)와 상기 프로브 카드(20) 사이의 정렬을 위해 사용될 수 있다.The lower alignment camera 120 is disposed on the chuck stage 270 and is movable with the chuck 210 to obtain an image of the probes 22 of the probe card 20. The lower alignment camera 120 may be disposed above the chuck 210 to obtain an image of the patterns on the wafer 10. Although not shown in detail in the drawings, the upper alignment camera 130 can be moved in the horizontal direction by a driving unit having a bridge shape. In particular, the lower and upper alignment cameras 120, 130 may be used for alignment between the wafer 10 and the probe card 20.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the following claims. It will be understood.

10 : 챔버 120, 130 : 정렬 카메라
200 : 기판 지지 모듈 210 : 척
220 : 냉각 유닛 230 : 버퍼 플레이트
240 : 단열 부재 250 : 회전 구동부
260 : 수직 구동부 270 : 척 스테이지
280 : 수평 구동부10: chamber 120, 130: alignment camera
200: substrate supporting module 210: chuck
220: cooling unit 230: buffer plate
240: Heat insulating member 250:
260: vertical driver 270: chuck stage
280:

Claims (17)

상면에 웨이퍼가 안착되고, 히터를 내장하는 척;
상기 척의 아래에 배치되고, 내부에 냉각 유체가 순환되는 냉각 유로가 형성되며, 상기 척과 상기 웨이퍼가 기 설정된 공정 온도를 유지하도록 상기 척과 상기 웨이퍼를 냉각시키는 냉각 유닛; 및
상기 척과 상기 냉각 유닛 사이에 배치되고, 상기 척의 온도를 국부적으로 보정하기 위해 상기 척과의 사이에 국부적으로 공기층을 형성하며, 상기 척과 상기 웨이퍼의 온도 분포를 균일하게 하기 위한 버퍼 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 모듈.A chuck on which a wafer is placed on an upper surface and a heater is embedded;
A cooling unit disposed below the chuck and having a cooling flow path through which a cooling fluid is circulated, the cooling unit cooling the chuck and the wafer such that the chuck and the wafer maintain a predetermined processing temperature; And
And a buffer plate disposed between the chuck and the cooling unit for locally forming an air layer between the chuck to locally correct the temperature of the chuck and for uniformizing the temperature distribution of the chuck and the wafer . 제1항에 있어서,
상기 버퍼 플레이트는 상기 공기층을 형성하기 위한 복수의 보정홈이 상면에 형성된 것을 특징으로 하는 기판 지지 모듈.The method according to claim 1,
Wherein a plurality of correction grooves for forming the air layer are formed on the upper surface of the buffer plate. 제2항에 있어서,
상기 보정홈들은 상기 냉각 유체가 상기 냉각 유로로 유입되는 상기 냉각 유닛의 유입부와 상기 냉각 유로 안의 냉각 유체가 외부로 배출되는 배출부의 위치에 근거하여 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 지지 모듈.3. The method of claim 2,
Wherein the correction grooves are disposed on the basis of an inlet portion of the cooling unit into which the cooling fluid flows into the cooling channel and a discharge portion where the cooling fluid in the cooling channel is discharged to the outside. 제2항에 있어서,
상기 냉각 유닛은 외부로부터 상기 냉각 유체가 상기 냉각 유로로 유입되는 유입부와 상기 냉각 유로 안의 냉각 유체가 외부로 배출되는 배출부가 중심 부분에 구비된 것을 특징으로 하는 기판 지지 모듈.3. The method of claim 2,
Wherein the cooling unit includes an inlet portion through which the cooling fluid flows into the cooling channel from the outside and a discharge portion through which the cooling fluid in the cooling channel is discharged to the outside. 제4항에 있어서,
상기 보정홈들은 상기 버퍼 플레이트의 중심점과 인접하게 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 모듈.5. The method of claim 4,
Wherein the correction grooves are located adjacent to the center point of the buffer plate. 제5항에 있어서,
상기 보정홈들은 상기 버퍼 플레이트의 중심점을 둘러싸도록 각각 링 형상으로 구비되며, 서로 이격되어 구비된 것을 특징으로 하는 기판 지지 모듈.6. The method of claim 5,
Wherein the correction grooves are formed in a ring shape so as to surround the center point of the buffer plate and are spaced apart from each other. 제2항에 있어서,
상기 히터는 상기 척의 온도를 국부적으로 조절하기 위해 상기 척에서 서로 다른 영역에 배치되어 개별 구동되는 복수의 히팅부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 모듈.3. The method of claim 2,
Wherein the heater comprises a plurality of heating portions disposed in different regions of the chuck to be individually driven to locally control the temperature of the chuck. 제7항에 있어서,
상기 히팅부들은 상기 냉각 유체가 상기 냉각 유로로 유입되는 상기 냉각 유닛의 유입부와 상기 냉각 유로 안의 냉각 유체가 외부로 배출되는 배출부의 위치에 따라 서로 다르게 구동되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 지지 모듈.8. The method of claim 7,
Wherein the heating units are arranged to be driven differently according to the positions of the inlet of the cooling unit into which the cooling fluid flows into the cooling channel and the outlet of the cooling fluid in the cooling channel to the outside. . 제8항에 있어서,
상기 복수의 히팅부는,
상기 척의 중심 부분에 위치하는 제1 히팅부;
상기 제1 히팅부를 둘러싼 제2 히팅부; 및
상기 척의 가장자리 부분에 위치하고, 상기 제2 히팅부를 둘러싼 제3 히팅부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 모듈.9. The method of claim 8,
The plurality of heating units
A first heating unit positioned at a center portion of the chuck;
A second heating unit surrounding the first heating unit; And
And a third heating portion located at an edge portion of the chuck and surrounding the second heating portion. 제1항에 있어서,
상기 냉각 유닛의 아래에 배치되며, 상기 척의 열이 상기 냉각 유닛의 하측으로 전도되는 것을 차단하기 위한 단열 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 모듈.The method according to claim 1,
Further comprising a thermal insulating member disposed below the cooling unit and for blocking the heat of the chuck from being conducted to the lower side of the cooling unit. 제10항에 있어서,
상기 단열 부재는 상기 냉각 유닛의 가장자리 부분에 배치되는 것을 특징을 하는 기판 지지 모듈.11. The method of claim 10,
Wherein the heat insulating member is disposed at an edge portion of the cooling unit. 제10항에 있어서,
상기 단열 부재를 복수로 구비될 수 있으며,
복수의 단열 부재는 상기 냉각 유닛의 가장자리 부분을 따라 서로 이격되어 배치된 것을 특징으로 하는 기판 지지 모듈.11. The method of claim 10,
A plurality of the heat insulating members may be provided,
Wherein the plurality of heat insulating members are disposed apart from each other along an edge portion of the cooling unit. 웨이퍼 상에 형성된 반도체 소자들에 대한 전기적 검사를 위한 프로브 카드; 및
상기 프로브 카드의 아래에 배치되고, 상기 웨이퍼를 지지하는 기판 지지 모듈을 포함하고,
상기 기판 지지 모듈은,
상면에 상기 웨이퍼가 안착되고, 히터를 내장하는 척;
상기 척의 아래에 배치되고, 내부에 냉각 유체가 순환되는 냉각 유로가 형성되며, 상기 척과 상기 웨이퍼가 기 설정된 공정 온도를 유지하도록 상기 척과 상기 웨이퍼를 냉각시키는 냉각 유닛; 및
상기 척과 상기 냉각 유닛 사이에 배치되고, 상기 척의 온도를 국부적으로 보정하기 위해 상기 척과의 사이에 국부적으로 공기층을 형성하며, 상기 척과 상기 웨이퍼의 온도 분포를 균일하게 하기 위한 버퍼 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 스테이션.A probe card for electrical inspection of semiconductor elements formed on a wafer; And
And a substrate support module disposed below the probe card and supporting the wafer,
The substrate supporting module includes:
A chuck on which the wafer is placed on an upper surface and which houses a heater;
A cooling unit disposed below the chuck and having a cooling flow path through which a cooling fluid is circulated, the cooling unit cooling the chuck and the wafer such that the chuck and the wafer maintain a predetermined processing temperature; And
And a buffer plate disposed between the chuck and the cooling unit for locally forming an air layer between the chuck to locally correct the temperature of the chuck and for uniformizing the temperature distribution of the chuck and the wafer . 제13항에 있어서,
상기 버퍼 플레이트는 상기 공기층을 형성하기 위한 복수의 보정홈이 상면에 형성된 것을 특징으로 하는 프로브 스테이션.14. The method of claim 13,
Wherein a plurality of correction grooves for forming the air layer are formed on the upper surface of the buffer plate. 제14항에 있어서,
상기 보정홈들은 상기 냉각 유체가 상기 냉각 유로로 유입되는 상기 냉각 유닛의 유입부와 상기 냉각 유로 안의 냉각 유체가 외부로 배출되는 배출부의 위치에 근거하여 배치되는 것을 특징으로 하는 프로브 스테이션.15. The method of claim 14,
Wherein the correction grooves are disposed on the basis of an inlet portion of the cooling unit into which the cooling fluid flows into the cooling channel and a position of a discharge portion through which the cooling fluid in the cooling channel is discharged to the outside. 제14항에 있어서,
상기 냉각 유닛은 외부로부터 상기 냉각 유체가 상기 냉각 유로로 유입되는 유입부와 상기 냉각 유로 안의 냉각 유체가 외부로 배출되는 배출부가 중심 부분에 구비된 것을 특징으로 하는 프로브 스테이션.15. The method of claim 14,
Wherein the cooling unit includes an inlet portion through which the cooling fluid flows into the cooling channel from the outside and a discharge portion through which a cooling fluid in the cooling channel is discharged to the outside. 제13항에 있어서,
상기 히터는 상기 척의 온도를 국부적으로 조절하기 위해 상기 척에서 서로 다른 영역에 배치되어 개별 구동되는 복수의 히팅부를 구비하며,
상기 히팅부들은 상기 냉각 유체가 상기 냉각 유로로 유입되는 상기 냉각 유닛의 유입부와 상기 냉각 유로 안의 냉각 유체가 외부로 배출되는 배출부의 위치에 따라 서로 다르게 구동되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 프로브 스테이션.14. The method of claim 13,
Wherein the heater has a plurality of heating portions separately disposed in different regions of the chuck for locally controlling the temperature of the chuck,
Wherein the heating units are arranged to be driven differently according to the positions of the inlet of the cooling unit into which the cooling fluid flows into the cooling channel and the outlet of the cooling fluid in the cooling channel to the outside.
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KR20200005771A (en) * 2018-07-09 2020-01-17 주식회사 테스 Cooling module and Substrate supporting unit having the same
KR20200051078A (en) * 2018-11-02 2020-05-13 세메스 주식회사 Method of controlling a temperature of a wafer supporting module

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