KR20180001320A - Apparatus for treating substrate - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for processing a substrate.
반도체 소자를 제조하는 공정에 있어서 사진, 식각, 박막 증착, 이온주입, 그리고 세정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 식각, 박막 증착, 그리고 세정 공정에는 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치가 사용된다.In the process of manufacturing a semiconductor device, various processes such as photolithography, etching, thin film deposition, ion implantation, and cleaning are performed. Among these processes, a substrate processing apparatus using plasma is used for etching, thin film deposition, and cleaning processes.
일반적으로 플라즈마 처리 공정은 챔버 내에 공정 가스를 공급하고, 공급된 공정 가스를 여기시켜 기판을 처리한다. 이러한 챔버의 내부 공간은 배기 유닛에 의해 배기되어 진공 분위기를 유지한다. 이때 배기 유닛으로부터 제공되는 배기압은 챔버 내에 균일하게 제공되어야 하며, 이는 기판을 균일하게 처리하기 위한 것과 연관된다.Generally, a plasma processing process supplies a process gas into a chamber and excites the supplied process gas to process the substrate. The inner space of this chamber is exhausted by the exhaust unit to maintain a vacuum atmosphere. At this time, the exhaust pressure provided from the exhaust unit must be uniformly provided in the chamber, which is related to uniformly treating the substrate.
도 1 및 도 2를 참조하면, 챔버(2)와 배기 유닛(4) 사이에는 배기압을 조절하는 압력 조절 유닛(6)이 제공되며, 압력 조절 유닛(6)은 하우징(7) 및 개폐 플레이트(8)를 포함한다. 하우징(7) 내에는 챔버(2)의 내부 분위기가 배기되는 배기 통로(9)가 형성되며, 개폐 플레이트(8)는 배기 통로(9)의 일부를 가리도록 위치되어 그 배기압을 조절한다. 1 and 2, a
그러나 배기 통로(9)의 개구율은 개폐 플레이트(8)에 의해 비대칭적으로 조절된다. 이에 따라 챔버(2) 내에는 가스의 흐름이 비대칭적인 발생되며, 이는 기판(W)을 불균일하게 처리한다.However, the opening ratio of the
본 발명은 기판을 균일하게 처리할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.The present invention seeks to provide an apparatus capable of uniformly treating a substrate.
또한 본 발명은 챔버 내에 가스 흐름을 균일하게 조절할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.The present invention also provides an apparatus capable of uniformly regulating the gas flow in the chamber.
본 발명의 실시예는 기판을 가스 처리하는 장치에 관한 것이다. 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 처리 공간에 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 상기 처리 공간의 분위기를 배기하는 배기 유닛, 그리고 상기 챔버와 상기 배기 유닛 사이에 위치되며, 상기 배기 유닛으로부터 배기되는 배기압을 조절하는 압력 조절 유닛을 포함하되, 상기 압력 조절 유닛은 상기 챔버와 상기 배기 유닛을 연결하며, 내부에 배기 통로가 형성되는 하우징 및 상기 배기 통로의 개구율을 조절하는 제1개폐 부재를 포함하되, 상기 제1개폐 부재는 상기 배기 통로의 개방 영역이 중심축을 중심으로 커지거나 작아지는 조리개를 포함한다. An embodiment of the invention relates to an apparatus for gas processing a substrate. The substrate processing apparatus includes a chamber having a processing space therein, a substrate supporting unit for supporting the substrate in the processing space, a gas supply unit for supplying the processing gas to the processing space, an exhaust unit for exhausting the atmosphere of the processing space, And a pressure regulating unit disposed between the chamber and the exhaust unit for regulating the exhaust pressure exhausted from the exhaust unit, wherein the pressure regulating unit connects the chamber and the exhaust unit, and an exhaust passage is formed therein And a first opening and closing member for adjusting the opening ratio of the exhaust passage and the housing, wherein the first opening and closing member includes a diaphragm in which an opening area of the exhaust passage is enlarged or decreased about a central axis.
상기 압력 조절 유닛은 상기 배기 통로를 완전 차단 또는 완전 개방하는 제2개폐 부재를 포함하되, 상기 제2개폐 부재는 상기 배기 통로를 완전 차단하는 차단 위치와 완전 개방하는 개방 위치로 이동 가능한 개폐 플레이트를 포함할 수 있다. 상기 제1개폐 부재는 상기 제2개폐 부재보다 상기 챔버에 가깝게 위치될 수 있다. 상기 배기 유닛은 상기 챔버의 아래에 위치되며, 상기 제1개폐 부재는 상기 챔버와 상기 제2개폐 부재 사이에 위치될 수 있다. 상기 제1개폐 부재는 상기 배기 통로를 일부 개방 또는 완전 개방할 수 있다.Wherein the pressure regulating unit includes a second opening and closing member that completely closes or completely opens the exhaust passage, and the second opening and closing member has an opening / closing plate movable to a shutoff position for completely shutting off the exhaust passage, . And the first opening and closing member may be positioned closer to the chamber than the second opening and closing member. The exhaust unit may be located below the chamber, and the first opening and closing member may be positioned between the chamber and the second opening and closing member. The first opening and closing member may partially open or completely open the exhaust passage.
또한 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 처리 공간에 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 상기 처리 공간의 분위기를 배기하는 배기 유닛, 그리고 상기 챔버와 상기 배기 유닛 사이에 위치되며, 상기 배기 유닛으로부터 배기되는 배기압을 조절하는 압력 조절 유닛을 포함하되, 상기 압력 조절 유닛은 상기 챔버와 상기 배기 유닛을 연결하며, 내부에 배기 통로가 형성되는 하우징, 상기 배기 통로를 일부 개방 또는 완전 개방하는 제1개폐 부재, 그리고 상기 배기 통로를 완전 차단 또는 완전 개방하는 제2개폐 부재를 포함한다. The substrate processing apparatus further includes a chamber having a processing space therein, a substrate supporting unit for supporting the substrate in the processing space, a gas supply unit for supplying the processing gas to the processing space, an exhaust unit for exhausting the atmosphere of the processing space, And a pressure regulating unit disposed between the chamber and the exhaust unit and regulating the exhaust pressure exhausted from the exhaust unit, wherein the pressure regulating unit connects the chamber and the exhaust unit, and an exhaust passage is formed therein A first opening and closing member that partially opens or closes the exhaust passage, and a second opening and closing member that completely or completely opens the exhaust passage.
상기 제1개폐 부재는 상기 배기 통로의 개구율을 중심축과 수직한 반경 방향으로 커지거나, 상기 반경 방향과 반대 방향으로 작아지도록 조절하는 조리개를 포함하고, 상기 제2개폐 부재는 상기 배기 통로를 완전 차단하는 차단 위치와 완전 개방하는 개방 위치로 이동 가능한 상기 개폐 플레이트를 포함할 수 있다. 상기 장치는 상기 압력 조절 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되, 상기 배기 통로를 일부 개방하고자 하는 경우에 상기 제어기는 상기 제1개폐 부재가 상기 배기 통로를 일부 개방하고 상기 제2개폐 부재가 상기 배기 통로를 완전 개방하도록 상기 제1개폐 부재 및 상기 제2개폐 부재를 제어할 수 있다. 상기 배기 통로를 완전 차단 또는 완전 개방하고자 하는 경우에 상기 제어기는 상기 제1개폐 부재가 상기 배기 통로를 완전 개방하도록 상기 제1개폐 부재를 제어할 수 있다. Wherein the first opening and closing member includes a diaphragm that increases the opening ratio of the exhaust passage in a radial direction perpendicular to the central axis or decreases in a direction opposite to the radial direction, Closing plate which can be moved to a blocking position for blocking and an open position for fully opening. The apparatus according to claim 1, further comprising a controller for controlling the pressure regulating unit, wherein when the exhaust passage is to be partially opened, the controller opens the exhaust passage partially by the first opening / closing member, The first opening and closing member and the second opening and closing member can be controlled to completely open the passage. The controller can control the first opening and closing member so that the first opening and closing member fully opens the exhaust passage when the exhaust passage is to be completely blocked or completely opened.
본 발명의 실시예에 의하면, 배기압을 조절하는 압력 조절 유닛은 배기 통로의 중심축을 중심으로 이와 수직한 반경 방향으로 커지는 조리개를 포함한다. 이로 인해 챔버 내부에 영역 별로 균일한 배기압이 제공될 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the pressure regulating unit for regulating the exhaust pressure includes a radially increasing diaphragm perpendicular to the central axis of the exhaust passage. As a result, a uniform evacuation pressure can be provided in each chamber within the chamber.
도 1은 일반적인 챔버 내에서 가스의 흐름을 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 압력 조절 유닛을 보여주는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 간략하게 보여주는 도면이다.
도 4는 도 3의 공정 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 4의 배플을 보여주는 평면도이다.
도 6은 도 3의 압력 조절 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 7은 도 6의 제1개폐 부재를 보여주는 평면도이다.
도 8은 도 6의 압력 조절 유닛에서 배기 통로를 완전 개방한 상태를 보여주는 단면도이다.
도 9는 도 6의 압력 조절 유닛에서 배기 통로를 완전 차단한 상태를 보여주는 단면도이다.
도 10은 도 6의 압력 조절 유닛에서 배기 통로를 일부 개방한 상태를 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing the flow of gas in a general chamber.
Fig. 2 is a plan view showing the pressure regulating unit of Fig. 1; Fig.
3 is a schematic view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view showing the process unit of Fig.
Figure 5 is a top view of the baffle of Figure 4;
6 is a sectional view showing the pressure regulating unit of Fig.
7 is a plan view showing the first opening and closing member of Fig.
8 is a cross-sectional view showing a state in which the exhaust passage is fully opened in the pressure regulating unit of FIG.
FIG. 9 is a sectional view showing a state in which the exhaust passage is completely blocked in the pressure regulating unit of FIG. 6;
10 is a sectional view showing a state in which the exhaust passage is partially opened in the pressure regulating unit of Fig.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention can be modified into various forms and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Accordingly, the shapes of the components and the like in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer description.
본 실시예에서는 챔버 내에서 플라즈마를 이용하여 기판을 식각 처리하는 기판 처리 장치를 일 예로 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 공정 가스를 이용하여 기판을 처리하는 장치라면 다양한 공정에 적용 가능하다. In this embodiment, a substrate processing apparatus for etching a substrate by using a plasma in a chamber will be described as an example. However, the present invention is not limited to this and can be applied to various processes as long as it is an apparatus for processing a substrate using a process gas.
이하, 도 3 내지 도 10을 참조하여 본 발명을 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to Figs. 3 to 10. Fig.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 간략하게 보여주는 도면이다. 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치는 공정 유닛(10), 배기 유닛(20), 그리고 압력 조절 유닛(30)을 포함한다. 공정 유닛(10)은 기판(W)을 플라즈마 처리한다. 배기 유닛(20)은 공정 유닛(10)의 내부를 감압한다. 공정 유닛(10)의 내부는 배기 유닛(20)에 의해 진공 분위기가 형성된다. 압력 조절 유닛(30)은 배기 유닛(20)의 감압력을 조절한다.3 is a schematic view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3, the substrate processing apparatus includes a
다음은 공정 유닛(10)에 대해 보다 상세히 설명한다. 도 4는 도 3의 공정 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 4를 참조하면, 공정 유닛(10)은 챔버(100), 기판 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 소스(400), 그리고 배플(500)을 포함한다.The following describes the
챔버(100)은 내부에 기판(W)이 처리되는 처리 공간(106)을 제공한다. 챔버(100)는 원형의 통 형상으로 제공된다. 하우징(100)은 금속 재질로 제공된다. 예컨대, 챔버(100)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(150)이 형성된다. 배기홀(150)에는 배기 유닛(30)에 연결된다. 처리 공간은 배기 유닛에 의해 배기되며, 진공 분위기가 형성될 수 있다.The
기판 지지 유닛(200)은 처리 공간(106)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지하는 정전척(200)으로 제공될 수 있다. 선택적으로 기판 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다.The
정전척(200)은 지지판(210), 베이스(230), 그리고 포커스링(250)를 포함한다. 지지판(210)은 유전체 재질을 포함하는 유전판(210)으로 제공된다. 유전판(210)의 상면에는 기판(W)이 직접 놓인다. 유전판(210)은 원판 형상으로 제공된다. 유전판(210)은 기판(W)보다 작은 반경을 가질 수 있다. 유전판(210)의 내부에는 내부 전극(212)이 설치된다. 내부 전극(212)에는 전원(미도시)이 연결되고, 전원(미도시)으로부터 전력을 인가받는다. 내부 전극(212)은 인가된 전력(미도시)으로부터 기판(W)이 유전판(210)에 흡착되도록 정전기력을 제공한다. 유전판(210)의 내부에는 기판(W)을 가열하는 히터(214)가 설치된다. 히터(214)는 내부 전극(212)의 아래에 위치될 수 있다. 히터(214)는 나선 형상의 코일로 제공될 수 있다. 예컨대, 유전판(210)은 세라믹 재질로 제공될 수 있다. The
베이스(230)는 유전판(210)을 지지한다. 베이스(230)는 유전판(210)의 아래에 위치되며, 유전판(210)과 고정결합된다. 베이스(230)의 상면은 그 중앙영역이 가장자리영역에 비해 높도록 단차진 형상을 가진다. 베이스(230)는 그 상면의 중앙영역이 유전판(210)의 저면에 대응하는 면적을 가진다. 베이스(230)의 내부에는 냉각 유로(232)가 형성된다. 냉각유로(232)는 냉각유체가 순환하는 통로로 제공된다. 냉각 유로(232)는 베이스(230)의 내부에서 나선 형상으로 제공될 수 있다. 베이스에는 외부에 위치된 고주파 전원(234)과 연결된다. 고주파 전원(234)은 베이스(230)에 전력을 인가한다. 베이스(230)에 인가된 전력은 챔버(100) 내에 발생된 플라즈마가 베이스(230)를 향해 이동되도록 안내한다. 베이스(230)는 금속 재질로 제공될 수 있다.The
포커스링(250)은 플라즈마를 기판(W)으로 집중시킨다. 포커스링(250)은 내측링(252) 및 외측링(254)을 포함한다. 내측링(252)은 유전판(210)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내측링(252)을 베이스(230)의 가장자리영역에 위치된다. 내측링(252)의 상면은 유전판(210)의 상면과 동일한 높이를 가지도록 제공된다. 내측링(252)의 상면 내측부는 기판(W)의 저면 가장자리영역을 지지한다. 예컨대, 내측링(252)은 도전성 재질로 제공될 수 있다. 외측링(254)은 내측링(252)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외측링(254)은 베이스(230)의 가장자리영역에서 내측링(252)과 인접하게 위치된다. 외측링(254)은 내측링(252)에 비해 그 높은 상단을 가진다. 외측링(254)은 절연 물질로 제공될 수 있다.The
가스 공급 유닛(300)은 기판 지지 유닛(200)에 지지된 기판(W) 상으로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 저장부(350), 가스 공급 라인(330), 그리고 가스 유입 포트(310)를 포함한다. 가스 공급 라인(330)은 가스 저장부(350) 및 가스 유입 포트(310)를 연결한다. 가스 저장부(350)에 저장된 공정 가스는 가스 공급 라인(330)을 통해 가스 유입 포트(310)으로 공급한다. 가스 유입 포트(310)는 챔버(100)의 상부벽에 설치된다. 가스 유입 포트(310)는 기판 지지 유닛(200)과 대향되게 위치된다. 일 예에 의하면, 가스 유입 포트(310)는 챔버(100) 상부벽의 중심에 설치될 수 있다. 가스 공급 라인(330)에는 밸브가 설치되어 그 내부 통로를 개폐하거나, 그 내부 통로에 흐르는 가스의 유량을 조절할 수 있다. 예컨대, 공정 가스는 식각 가스일 수 있다.The
플라즈마 소스(400)는 챔버(100) 내에 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 플라즈마 소스(400)로는 유도 결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라즈마 소스(400)는 안테나(410) 및 외부전원(430)을 포함한다. 안테나(410)는 챔버(100)의 외측 상부에 배치된다. 안테나(410)는 복수 회 감기는 나선 형상으로 제공되고, 외부전원(430)과 연결된다. 안테나(410)는 외부전원(430)으로부터 전력을 인가받는다. 전력이 인가된 안테나(410)는 챔버(100)의 처리 공간에 방전 공간을 형성한다. 방전 공간 내에 머무르는 공정 가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다.The
배플(500)은 처리 공간에서 플라즈마를 영역 별로 균일하게 배기시킨다. 도 5는 도 4의 배플을 보여주는 평면도이다. 도 5를 참조하면, 배플(500)은 처리 공간(106)에서 챔버(100)의 내측벽과 기판 지지 유닛(400)의 사이에 위치된다. 배플(500)은 환형의 링 형상으로 제공된다. 배플(500)에는 복수의 관통홀들(502)이 형성된다. 관통홀들(502)은 상하방향을 향하도록 제공된다. 관통홀들(502)은 배플(500)의 원주방향을 따라 배열된다. 관통홀들(502)은 슬릿 형상을 가지며, 배플(500)의 반경방향을 향하는 길이 방향을 가진다.The
배기 유닛(30)은 처리 공간(106)의 분위기를 배기한다. 배기 유닛(30)은 처리 공간(106)을 진공 분위기로 형성할 수 있다. 공정 진행 중에 발생되는 부산물 및 챔버(100) 내에 머무르는 플라즈마는 배기 유닛(30)을 통해 외부로 배출된다. 배기 유닛(30)은 배기 라인(22) 및 감압 부재(24)를 포함한다. 배기 라인(22)은 챔버(100)의 바닥벽에 형성된 배기홀(150)에 연결된다. 감압 부재(24)는 배기 라인(22)에 설치되며, 배기 라인(22)을 감압한다.The
압력 조절 유닛(30)은 감압 부재(24)로부터 제공되는 배기압을 조절한다. 도 6은 도 3의 압력 조절 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 6을 참조하면, 압력 조절 유닛(30)은 공정 유닛과 배기 유닛(30) 사이에 위치된다. 압력 조절 유닛(30)은 하우징(610), 제1개폐 부재(630), 그리고 제2개폐 부재(650)를 포함한다. 하우징(610)은 챔버(100)와 배기 라인(22)에 각각 결합된다. 하우징(610)은 상면이 챔버에 고정 결합되고, 저면에는 배기 라인(22)이 결합된다. 하우징(610)은 내부에 중공을 가지는 통 형상을 가지도록 제공된다. 상기 중공은 배기 통로(615)로 기능한다. 배기 통로(615)는 배기홀(150)과 배기 라인(22)이 서로 연통되는 통로로 제공된다. 이에 따라 처리 공간(106)에 발생된 공정 부산물 및 플라즈마는 배기홀(150), 배기 통로(615), 그리고 배기 라인(22)을 순차적으로 통해 배출된다.The pressure regulating unit (30) regulates the exhaust pressure supplied from the pressure reducing member (24). 6 is a sectional view showing the pressure regulating unit of Fig. Referring to Fig. 6, the
제1개폐 부재(630)는 배기 통로(615)를 완전 개방하거나, 일부를 차단한다. 제1개폐 부재(630)는 배기 통로(615)의 개구율을 중심축과 수직한 반경 방향으로 커지거나, 반경 방향과 반대 방향으로 작아지도록 조절 가능하다. 이에 따라 배기 통로(615)의 개방 영역은 제1개폐 부재(630)에 의해 중심축을 중심으로 커지거나 작아질 수 있다. 제1개폐 부재(630)는 제2개폐 부재(650)에 비해 챔버에 가깝게 위치된다. 제1개폐 부재(630)는 챔버와 제2개폐 부재(650) 사이에 위치된다. The first opening and closing
도 7은 도 6의 제1개폐 부재를 보여주는 평면도이다. 도 7을 참조하면, 제1개폐 부재(630)는 회전링(632) 및 복수 개의 조절 날개(634)들을 포함한다. 회전링(632)은 환형의 링 형상을 가진다. 회전링(632)은 그 내부가 배기 통로(615)와 공유되도록 하우징(610)에 제공된다. 회전링(632)은 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 회전링(632)은 구동 부재(미도시)에 의해 회전될 수 있다 조절 날개(634)들은 회전링(632)의 내측면에 위치된다. 각각의 조절 날개(634)는 회전링(632)의 원주 방향을 따라 배열된다. 조절 날개(634)들은 회전링(632)의 회전에 의해 그 위치가 조절될 수 있다. 조절 날개(634)들은 회전링(632)의 회전에 의해 서로 겹치거나 이와 반대로 이동되어 배기 통로(615)의 개구율을 조절한다. 제1개폐 부재(630)는 배기 통로(615)를 완전 개방하는 완전 개방 모드 및 일부를 개방하는 일부 개방 모드를 전환된다. 일부 개방 모드는 작업자에 의해 개구율이 조절 가능하다. 일 예에 의하면, 제1개폐 부재(630)는 조리개(630)를 포함할 수 있다. 7 is a plan view showing the first opening and closing member of Fig. Referring to FIG. 7, the first opening and closing
제2개폐 부재(650)는 배기 통로(615)를 완전 개방하거나, 완전 차단한다. 제2개폐 부재(650)는 직선 이동이 가능한 개폐 플레이트(652)를 포함한다. 개폐 플레이트(652)는 배기 통로(615)의 길이 방향과 수직한 방향으로 이동 가능하다. 개폐 플레이트(652)는 모터(미도시)에 의해 이동 가능하다. 개폐 플레이트(652)는 배기 통로(615)보다 큰 직경을 가진다. 개폐 플레이트(652)는 차단 위치 또는 개방 위치로 이동된다. 여기서 차단 위치는 배기 통로(615) 전체가 개폐 플레이트(652)에 의해 가려지는 위치이고, 개방 위치는 배기 통로(615)가 개폐 플레이트(652)에 의해 가려지는 영역이 없는 위치이다. 즉 개폐 플레이트(652)가 차단 위치로 이동되면, 처리 공간(106)에는 배기압의 전달이 중지된다.The second opening and closing
제어기(670)는 배기 통로(615)가 완전 개방, 일부 개방, 그리고 완전 차단되도록 압력 조절 유닛(30)을 제어한다. 제어기(670)는 배기 통로(615)를 완전 개방하고자 하는 경우에, 도 8과 같이 제1개폐 부재(630)를 완전 개방 모드로 전환하고, 개폐 플레이트(652)를 개방 위치로 이동시킨다. 또한 제어기(670)는 배기 통로(615)를 완전 차단하고자 하는 경우에, 도 9와 같이 제1개폐 부재(630)를 완전 개방 모드로 전환하고, 개폐 플레이트(652)를 차단 위치로 이동시킨다. 챔버(100)의 내부를 메인터넌스 하고자 하는 경우에는 배기 통로(615)를 완전 개방하거나 완전 차단할 수 있다.The
이와 달리 제어기(670)는 배기 통로(615)를 일부 개방하고자 하는 경우에, 도 10과 같이 제1개폐 부재(630)를 일부 개방 모드로 전환하고, 개폐 플레이트(652)를 개방 위치로 이동시킨다. 이에 따라 배기 통로(615)의 개구율은 제1개폐 부재(630)에 의해 조절된다. 기판(W)을 플라즈마 처리하는 공정 진행 중에는 배기 통로(615)를 일부 개방할 수 있다.The
10: 공정 유닛
20: 배기 유닛
30: 압력 조절 유닛
100: 챔버
200: 기판 지지 유닛
300: 가스 공급 유닛
400: 플라즈마 소스
610: 하우징
615: 배기 통로
630: 제1개폐 부재
650: 제2개폐 부재10: Process unit 20: Exhaust unit
30: pressure regulating unit 100: chamber
200: substrate holding unit 300: gas supply unit
400: plasma source 610: housing
615: exhaust passage 630: first opening / closing member
650: second opening / closing member
Claims (9)
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 처리 공간에 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과;
상기 처리 공간의 분위기를 배기하는 배기 유닛과;
상기 챔버와 상기 배기 유닛 사이에 위치되며, 상기 배기 유닛으로부터 배기되는 배기압을 조절하는 압력 조절 유닛을 포함하되,
상기 압력 조절 유닛은,
상기 챔버와 상기 배기 유닛을 연결하며, 내부에 배기 통로가 형성되는 하우징과;
상기 배기 통로의 개구율을 조절하는 제1개폐 부재를 포함하되,
상기 제1개폐 부재는 상기 배기 통로의 개방 영역이 중심축을 중심으로 커지거나 작아지는 조리개를 포함하는 기판 처리 장치.A chamber having a processing space therein;
A substrate supporting unit for supporting the substrate in the processing space;
A gas supply unit for supplying a process gas to the process space;
An exhaust unit for exhausting the atmosphere of the processing space;
And a pressure regulating unit disposed between the chamber and the exhaust unit and regulating the exhaust pressure exhausted from the exhaust unit,
The pressure regulating unit includes:
A housing connecting the chamber and the exhaust unit and having an exhaust passage formed therein;
And a first opening / closing member for adjusting an opening ratio of the exhaust passage,
Wherein the first opening and closing member includes a diaphragm in which an open region of the exhaust passage is enlarged or reduced about a central axis.
상기 압력 조절 유닛은,
상기 배기 통로를 완전 차단 또는 완전 개방하는 제2개폐 부재를 포함하되,
상기 제2개폐 부재는,
상기 배기 통로를 완전 차단하는 차단 위치와 완전 개방하는 개방 위치로 이동 가능한 개폐 플레이트를 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The pressure regulating unit includes:
And a second opening / closing member for completely or completely opening the exhaust passage,
The second opening /
And an open / close plate movable to a shutoff position for completely shutting off the exhaust passage and an open position for fully opening the exhaust passage.
상기 제1개폐 부재는 상기 제2개폐 부재보다 상기 챔버에 가깝게 위치되는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the first opening and closing member is positioned closer to the chamber than the second opening and closing member.
상기 배기 유닛은 상기 챔버의 아래에 위치되며,
상기 제1개폐 부재는 상기 챔버와 상기 제2개폐 부재 사이에 위치되는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
Wherein the exhaust unit is located below the chamber,
Wherein the first opening and closing member is located between the chamber and the second opening and closing member.
상기 제1개폐 부재는 상기 배기 통로를 일부 개방 또는 완전 개방하는 기판 처리 장치.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the first opening and closing member partially opens or completely opens the exhaust passage.
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 처리 공간에 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과;
상기 처리 공간의 분위기를 배기하는 배기 유닛과;
상기 챔버와 상기 배기 유닛 사이에 위치되며, 상기 배기 유닛으로부터 배기되는 배기압을 조절하는 압력 조절 유닛을 포함하되,
상기 압력 조절 유닛은,
상기 챔버와 상기 배기 유닛을 연결하며, 내부에 배기 통로가 형성되는 하우징과;
상기 배기 통로를 일부 개방 또는 완전 개방하는 제1개폐 부재와;
상기 배기 통로를 완전 차단 또는 완전 개방하는 제2개폐 부재를 포함하는 기판 처리 장치.A chamber having a processing space therein;
A substrate supporting unit for supporting the substrate in the processing space;
A gas supply unit for supplying a process gas to the process space;
An exhaust unit for exhausting the atmosphere of the processing space;
And a pressure regulating unit disposed between the chamber and the exhaust unit and regulating the exhaust pressure exhausted from the exhaust unit,
The pressure regulating unit includes:
A housing connecting the chamber and the exhaust unit and having an exhaust passage formed therein;
A first opening and closing member partially or entirely opening the exhaust passage;
And a second opening / closing member that completely closes or completely opens the exhaust passage.
상기 제1개폐 부재는,
상기 배기 통로의 개구율을 중심축과 수직한 반경 방향으로 커지거나, 상기 반경 방향과 반대 방향으로 작아지도록 조절하는 조리개를 포함하고,
상기 제2개폐 부재는,
상기 배기 통로를 완전 차단하는 차단 위치와 완전 개방하는 개방 위치로 이동 가능한 상기 개폐 플레이트를 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 6,
The first opening /
And an aperture for adjusting the aperture ratio of the exhaust passage so as to increase in a radial direction perpendicular to the central axis or to decrease in a direction opposite to the radial direction,
The second opening /
And the opening / closing plate movable to a shutoff position for completely shutting off the exhaust passage and an open position for fully opening the exhaust passage.
상기 장치는 상기 압력 조절 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되,
상기 배기 통로를 일부 개방하고자 하는 경우에 상기 제어기는 상기 제1개폐 부재가 상기 배기 통로를 일부 개방하고 상기 제2개폐 부재가 상기 배기 통로를 완전 개방하도록 상기 제1개폐 부재 및 상기 제2개폐 부재를 제어하는 기판 처리 장치.8. The method according to claim 6 or 7,
The apparatus further comprises a controller for controlling the pressure regulating unit,
Wherein when the exhaust passage is to be partially opened, the controller controls the first opening and closing member and the second opening and closing member such that the first opening and closing member partly opens the exhaust passage and the second opening and closing member completely opens the exhaust passage, .
상기 배기 통로를 완전 차단 또는 완전 개방하고자 하는 경우에 상기 제어기는 상기 제1개폐 부재가 상기 배기 통로를 완전 개방하도록 상기 제1개폐 부재를 제어하는 기판 처리 장치.
9. The method of claim 8,
Wherein the controller controls the first opening and closing member such that the first opening and closing member fully opens the exhaust passage when the exhaust passage is to be completely blocked or completely opened.
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KR20070101450A (en) * | 2006-04-10 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | Flow control member and semiconductor manufacturing facility with it |
KR20130007393A (en) * | 2011-06-30 | 2013-01-18 | 세메스 주식회사 | Apparatus and method for treating substrate |
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