KR101430741B1

KR101430741B1 - Control plate and Apparatus for treating substrate with it

Info

Publication number: KR101430741B1
Application number: KR1020120101619A
Authority: KR
Inventors: 김형준
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2012-04-30
Filing date: 2012-09-13
Publication date: 2014-08-14
Also published as: KR20130122500A

Abstract

본 발명의 실시예는 공정가스를 이용하여 기판을 처리하는 장치 및 이에 사용되는 조절플레이트를 제공한다. 기판처리장치는 공정이 수행되는 공간을 제공하는 챔버, 상기 챔버 내에서 기판을 지지하는 지지부재, 상기 지지부재에 놓인 기판으로 공정가스를 공급하는 가스 공급 부재, 그리고 상기 챔버에 결합되고, 상기 챔버 내 가스를 배기하는 배기 어셈블리를 포함하되, 상기 배기 어셈블리는 상기 챔버에 연결되는 배기관, 상기 배기관에 연결되어 상기 배기관에 진공압을 제공하는 배기부재, 상기 배기관의 개방율을 조절하는 밸브, 그리고 상기 배기관이 일부 개방될 때 그 개방되는 영역과 대응되는 방향의 상기 챔버의 내부 영역에서 공정가스의 흐름을 간섭하도록 상기 챔버 내에 제공되는 가림판을 가지는 조절 플레이트를 포함한다. 이로 인해 공정가스를 기판에 균일하게 공급할 수 있다.Embodiments of the present invention provide an apparatus for processing substrates using process gases and an adjustment plate for use therein. The substrate processing apparatus includes a chamber for providing a space in which the process is performed, a support member for supporting the substrate in the chamber, a gas supply member for supplying a process gas to the substrate placed on the support member, Wherein the exhaust assembly includes an exhaust pipe connected to the chamber, an exhaust member connected to the exhaust pipe and providing vacuum pressure to the exhaust pipe, a valve for controlling the opening ratio of the exhaust pipe, And an adjusting plate having a closure plate provided in the chamber to interfere with the flow of the process gas in an interior region of the chamber in a direction corresponding to the open region when the exhaust pipe is partially opened. As a result, the process gas can be uniformly supplied to the substrate.

Description

BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a control plate,

본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 공정가스를 이용하여 기판을 처리하는 장치 및 이에 사용되는 조절플레이트에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for processing a substrate, and more particularly to an apparatus for processing a substrate using a process gas and an adjustment plate used therein.

반도체 소자의 제조 공정은 식각, 증착, 그리고 세정 등 다양한 공정들을 포함한다. 이들 중 식각 및 증착 공정들은 공정가스를 챔버 내에 공급하여 진행되며, 이때 공정 균일도를 위해 공정가스는 기판의 전체 영역으로 균일하게 공급되어야 한다.The manufacturing process of the semiconductor device includes various processes such as etching, deposition, and cleaning. Of these, etching and deposition processes are carried out by supplying a process gas into the chamber, wherein the process gas must be uniformly supplied to the entire area of the substrate for process uniformity.

이러한 공정들은 챔버 내에 공정가스를 공급하고, 챔버의 내부 압력을 일정하게 유지시킨다. 챔버의 내부 압력을 일정하게 유지시키기 위해서는 챔버 내에 진공압을 제공한다. 진공압은 챔버의 저면에 연결된 배기관을 통해 제공된다. 이때 진공압의 세기 및 이에 따른 공정가스의 배기량은 배기관의 개방율에 따라 조절될 수 있다. 도1은 일반적인 기판처리장치를 보여주는 단면도이고, 도2는 도1의 배기관의 일부가 개방되었을 때, 챔버의 내부에서 기류의 흐름을 보여주는 도면이다. 도1 및 도2를 참조하면, 배기관(10)에는 밸브(20)가 설치된다. 밸브(20)는 가림판(22)이 힌지축(24)을 중심으로 회전이동하여 배기관(22)의 개방율을 조절하는 구조를 가진다. 가림판(22)은 배기관(10)의 길이방향에 수직한 평면 상에서 회전이동된다.These processes supply the process gas into the chamber and keep the chamber's internal pressure constant. It provides vacuum pressure in the chamber to keep the chamber's internal pressure constant. Vacuum pressure is provided through an exhaust line connected to the bottom of the chamber. At this time, the intensity of the vacuum pressure and accordingly the amount of exhaust gas of the process gas can be adjusted according to the opening rate of the exhaust pipe. FIG. 1 is a cross-sectional view showing a general substrate processing apparatus, and FIG. 2 is a view showing the flow of airflow inside a chamber when a part of the exhaust pipe of FIG. 1 is opened. Referring to FIGS. 1 and 2, a valve 20 is installed in the exhaust pipe 10. The valve 20 has a structure in which the closure plate 22 rotates about the hinge shaft 24 to adjust the opening rate of the exhaust pipe 22. [ The shielding plate 22 is rotationally moved on a plane perpendicular to the longitudinal direction of the exhaust pipe 10.

그러나 배기관(10)의 개방영역은 비대칭적으로 제공된다. 이로 인해 챔버 내에는 공정가스의 배기 흐름이 그 개방영역을 향하는 방향으로 기류가 형성된다. 챔버 내에서 발생된 비대칭적인 기류는 도2의 'A' 영역과 같이 특정영역으로 공정가스를 밀집시킨다. 이 결과 공정가스는 기판 상으로 불균일하게 공급된다.However, the open area of the exhaust pipe 10 is provided asymmetrically. As a result, an airflow is formed in the chamber in such a direction that the exhaust flow of the process gas is directed toward the open area. The asymmetric airflow generated in the chamber causes the process gas to be concentrated into a specific region such as the 'A' region of FIG. As a result, the process gas is uniformly supplied onto the substrate.

한국공개특허: 2010-0138687호Korea Published Patent: 2010-0138687

본 발명은 기판 상에 공정가스를 균일하게 공급할 수 있는 기판처리장치 및 방법을 제공한다.The present invention provides a substrate processing apparatus and method capable of uniformly supplying a process gas onto a substrate.

본 발명의 실시예는 공정가스를 이용하여 기판을 처리하는 장치 및 이에 사용되는 조절플레이트를 제공한다. 기판처리장치는 공정이 수행되는 공간을 제공하는 챔버, 상기 챔버 내에서 기판을 지지하는 지지부재, 상기 지지부재에 놓인 기판으로 공정가스를 공급하는 가스 공급 부재, 그리고 상기 챔버에 결합되고, 상기 챔버 내 가스를 배기하는 배기 어셈블리를 포함하되, 상기 배기 어셈블리는 상기 챔버에 연결되는 배기관, 상기 배기관에 연결되어 상기 배기관에 진공압을 제공하는 배기부재, 상기 배기관의 개방율을 조절하는 밸브, 그리고 상기 배기관이 일부 개방될 때 그 개방되는 영역과 대응되는 방향의 상기 챔버의 내부 영역에서 공정가스의 흐름을 간섭하도록 상기 챔버 내에 제공되는 가림판을 가지는 조절 플레이트를 포함한다.Embodiments of the present invention provide an apparatus for processing substrates using process gases and an adjustment plate for use therein. The substrate processing apparatus includes a chamber for providing a space in which the process is performed, a support member for supporting the substrate in the chamber, a gas supply member for supplying a process gas to the substrate placed on the support member, Wherein the exhaust assembly includes an exhaust pipe connected to the chamber, an exhaust member connected to the exhaust pipe and providing vacuum pressure to the exhaust pipe, a valve for controlling the opening ratio of the exhaust pipe, And an adjusting plate having a closure plate provided in the chamber to interfere with the flow of the process gas in an interior region of the chamber in a direction corresponding to the open region when the exhaust pipe is partially opened.

상기 가림판은 상기 지지부재의 일부를 감싸는 호 형상으로 제공될 수 있다. 상기 조절플레이트는 상기 챔버의 내측벽에 접촉되게 결합되는 외측링 및 상기 지지부재의 외측면에 접촉되게 결합되는 내측링을 더 포함하되, 상기 가림판은 상기 외측링과 내측링 사이에 결합될 수 있다. 상기 가림판에는 복수 개의 홀들이 형성되고, 상기 홀들은 각각 상하방향을 따라 경사지도록 형성될 수 있다. 상기 홀들은 각각 슬릿으로 제공될 수 있다. 상기 슬릿은 호 형상으로 제공될 수 있다. 상기 홀들은 상기 지지부재와 멀어지는 방향을 향해 상향경사지도록 형성될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 상기 홀들 중 일부의 홀들은 상기 가림판의 아래 영역이 보이지 않도록 경사지게 형성될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 상기 홀들 중 다른 일부의 홀들은 상기 가림판의 아래 영역이 보이도록 경사지게 형성될 수 있다. 상기 일부의 홀들은 상기 가림판의 외측에 인접하게 위치되고, 상기 다른 일부의 홀들은 상기 가림판의 내측에 인접하게 위치될 수 있다.The shielding plate may be provided in a shape of arc that surrounds a part of the support member. The adjustment plate further includes an outer ring coupled to the inner wall of the chamber and an inner ring in contact with the outer surface of the support member, wherein the closure plate is coupled between the outer ring and the inner ring have. A plurality of holes may be formed in the shielding plate, and the holes may be formed to be inclined along the vertical direction. Each of the holes may be provided with a slit. The slit may be provided in an arc shape. The holes may be formed to be inclined upward toward a direction away from the support member. When viewed from the top, some of the holes may be formed to be sloped so that the lower region of the closure plate is not visible. And the holes of other ones of the holes may be formed to be inclined such that a lower area of the cover plate is visible when viewed from above. The holes may be positioned adjacent to the outside of the closure plate and the holes of the other portions may be located adjacent to the inside of the closure plate.

상기 가림판에는 복수 개의 홀들이 형성되고, 상기 홀들은 상기 지지부재로부터 멀어지는 방향을 따라 그 크기가 상이하게 제공될 수 있다. 상기 가림판에는 복수 개의 홀들이 형성되고, 상기 가림판의 내측과 인접하게 위치된 홀들은 상기 조절플레이트의 외측과 인접하게 위치된 홀들에 비해 그 폭이 크게 제공될 수 있다. A plurality of holes may be formed in the shielding plate, and the holes may be provided in different sizes along a direction away from the support member. The plurality of holes may be formed in the shielding plate and the holes positioned adjacent to the inside of the shielding plate may be provided in a larger width than the holes positioned adjacent to the outside of the adjusting plate.

상기 배기 어셈블리는, 상기 지지부재를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 복수의 관통홀들이 형성되며, 상기 조절 플레이트의 상부에 위치하는 배플을 더 포함할 수 있다. 상기 배기관은 상기 챔버의 저면 중앙에 위치될 수 있다. 상기 밸브는 상기 배기관의 길이방향과 수직한 평면상에서 이동되는 조절판을 포함할 수 있다.The exhaust assembly may further include a baffle provided in an annular ring shape surrounding the support member, wherein a plurality of through holes are formed, and the baffle is positioned on the upper portion of the regulating plate. The exhaust pipe may be located at the center of the bottom of the chamber. The valve may include a throttle plate that is moved in a plane perpendicular to the longitudinal direction of the exhaust pipe.

조절플레이트는 챔버 내에 제공되어 상기 챔버 내의 영역 별 배기량을 조절한다. 조절플레이트는 외측링, 상기 외측링의 내측에 위치하는 내측링, 그리고 상기 외측링과 상기 내측링 사이의 일부 영역에 위치하고, 복수 개의 홀들이 형성되는 가림판을 포함한다.An adjustment plate is provided in the chamber to adjust the amount of exhaust per zone within the chamber. The adjustment plate includes an outer ring, an inner ring positioned inside of the outer ring, and a closure plate located in a partial area between the outer ring and the inner ring, wherein a plurality of holes are formed.

상기 가림판은 호 형상으로 제공될 수 있다. 상기 홀들은 각각 상하방향을 따라 경사지도록 형성될 수 있다. 상기 홀들이 상부에서 바라볼 때 상기 홀들 중 일부는 상기 가림판의 아래 영역이 보이지 않도록 경사지게 형성될 수 있다.The shielding plate may be provided in an arc shape. The holes may be formed to be inclined along the vertical direction. When the holes are viewed from the top, some of the holes may be formed to be sloped so that the lower area of the cover plate is not visible.

본 발명의 실시예에 의하면, 공정가스를 기판에 균일하게 공급할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the process gas can be uniformly supplied to the substrate.

도1은 일반적인 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도2는 도1의 배기관의 개방률에 따라 기류의 흐름을 보여주는 단면도이다.
도3은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도4는 도3의 선 a-a'를 따라 절단한 면을 보여주는 단면도이다.
도5는 도4의 밸브의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
도6은 도3의 배플을 보여주는 평면도이다.
도7은 도3의 조절플레이트를 보여주는 평면도이다.
도8은 도7의 조절플레이트를 선 b-b'를 따라 절단한 단면도이다.
도9은 도8의 조절플레이트의 제2실시예를 보여주는 단면도이다.
도10은 도8의 조절플레이트의 제3실시예를 보여주는 단면도이다.
도11은 도8의 조절플레이트의 제4실시예를 보여주는 단면도이다.
도12은 도3의 조절플레이트의 제5실시예를 보여주는 평면도이다.
도13은 도3의 다른 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.1 is a sectional view showing a general substrate processing apparatus.
2 is a cross-sectional view showing the flow of the airflow according to the opening ratio of the exhaust pipe of FIG.
3 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Fig. 4 is a sectional view showing a plane cut along the line a-a 'in Fig. 3;
5 is a cross-sectional view showing another embodiment of the valve of FIG.
Figure 6 is a top view of the baffle of Figure 3;
7 is a plan view showing the adjustment plate of Fig.
8 is a cross-sectional view taken along line b-b 'of the adjustment plate of Fig. 7;
9 is a cross-sectional view showing a second embodiment of the adjustment plate of FIG.
10 is a cross-sectional view showing a third embodiment of the adjustment plate of FIG.
11 is a cross-sectional view showing a fourth embodiment of the adjustment plate of Fig.
FIG. 12 is a plan view showing a fifth embodiment of the adjustment plate of FIG. 3; FIG.
FIG. 13 is a sectional view showing a substrate processing apparatus according to another embodiment of FIG. 3; FIG.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention can be modified into various forms and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Accordingly, the shapes of the components and the like in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer description.

본 발명의 실시예에서는 공정가스를 이용하여 기판을 식각하는 기판처리장치 에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 챔버 내에 공정가스를 공급하여 공정을 수행하는 다양한 종류의 장치에 적용 가능하다.In the embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus for etching a substrate using a process gas will be described. However, the present invention is not limited thereto, and is applicable to various kinds of apparatuses that perform a process by supplying a process gas into a chamber.

도3은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다. 도3을를 참조하면, 기판처리장치(10)는 챔버(100), 가스공급부재(200), 플라즈마소스(300), 지지부재(400), 그리고 배기어셈블리(500)를 포함한다.3 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 3, the substrate processing apparatus 10 includes a chamber 100, a gas supply member 200, a plasma source 300, a support member 400, and an exhaust assembly 500.

챔버(100)는 공정이 진행되는 공간을 제공한다. 챔버(100)는 원통 형상으로 제공된다. 챔버(100)는 금속 재질로 제공된다. 예컨대, 챔버(100)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(170)이 형성된다. 공정 진행 중에 발생되는 부산물 및 챔버(100) 내에 머무르는 공정가스는 배기홀(170)을 통해 챔버(100)의 외부로 배출된다. 챔버(100)의 일측면에는 개구(130)가 형성된다. 개구(130)는 기판(W)이 반입 또는 반출되는 통로로서 기능한다. 개구(130)에는 도어(150)가 설치되고, 도어(150)는 개구(130)를 개폐할 수 있다.The chamber 100 provides a space in which the process proceeds. The chamber 100 is provided in a cylindrical shape. The chamber 100 is made of a metal material. For example, the chamber 100 may be provided with an aluminum material. An exhaust hole 170 is formed in the bottom surface of the chamber 100. The by-products generated during the process and the process gas staying in the chamber 100 are discharged to the outside of the chamber 100 through the exhaust holes 170. An opening 130 is formed in one side of the chamber 100. The opening 130 functions as a passage through which the substrate W is carried in or out. The door 130 is provided with a door 150, and the door 150 is capable of opening and closing the opening 130.

가스공급부재(200)는 챔버(100)의 내부에 공정가스를 공급한다. 가스공급부재(200)는 가스저장부(250), 가스공급라인(230), 그리고 가스유입포트(210)를 포함한다. 가스공급라인(230)은 가스저장부(250)와 가스유입포트(210)를 연결한다. 가스저장부(250)에 저장된 공정가스는 가스공급라인(230)을 통해 가스유입포트(210)로 공급한다. 가스공급라인(230)에는 밸브(520)가 설치되어 그 통로를 개폐하거나, 그 통로에 흐르는 공정가스의 유량을 조절할 수 있다.The gas supply member 200 supplies a process gas into the chamber 100. The gas supply member 200 includes a gas reservoir 250, a gas supply line 230, and a gas inlet port 210. The gas supply line 230 connects the gas storage part 250 and the gas inlet port 210. The process gas stored in the gas reservoir 250 is supplied to the gas inlet port 210 through the gas supply line 230. A valve 520 is provided in the gas supply line 230 to open or close the passage, or to control the flow rate of the process gas flowing through the passage.

플라즈마소스(300)는 챔버(100) 내에 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 플라즈마소스(300)로는 유도결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라즈마소스(300)는 안테나(310) 및 외부전원(330)을 포함한다. 안테나(310)는 챔버(100)의 외측 상부에 배치된다. 안테나(310)는 복수 회 감기는 나선 형상의 코일로 제공되고, 외부전원(330)과 연결된다. 안테나(310)는 외부전원(330)으로부터 전력을 인가받는다. 전력이 인가된 안테나(310)는 챔버(100)의 내부공간에 전자기장을 형성할 수 있다. 공정가스는 전자기장에 의해 플라즈마 상태로 여기된다.The plasma source 300 excites the process gas into a plasma state within the chamber 100. As the plasma source 300, an inductively coupled plasma (ICP) source may be used. The plasma source 300 includes an antenna 310 and an external power source 330. The antenna 310 is disposed on the outer side of the chamber 100. The antenna 310 is provided in a spirally wound coil having a plurality of turns, and is connected to the external power source 330. The antenna 310 receives power from the external power source 330. The powered antenna 310 may form an electromagnetic field in the interior space of the chamber 100. The process gas is excited into a plasma state by an electromagnetic field.

지지부재(400)는 챔버(100)의 내부에서 기판(W)을 지지한다. 지지부재(400)는 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지하는 정전척(400)으로 제공된다. 선택적으로 지지부재(400)는 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다.The support member (400) supports the substrate (W) inside the chamber (100). The support member 400 is provided with an electrostatic chuck 400 that supports the substrate W using electrostatic force. Optionally, the support member 400 may support the substrate W in a variety of ways, such as mechanical clamping.

정전척(400)은 유전판(410), 포커스링(450), 그리고 베이스(430)를 포함한다. The electrostatic chuck 400 includes a dielectric plate 410, a focus ring 450, and a base 430.

유전판(410)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 유전판(410)은 원판 형상으로 제공된다. 유전판(410)은 기판(W)보다 작은 반경을 가질 수 있다. 유전판(410)의 내부에는 하부전극(412)이 설치된다. 하부전극(412)에는 전원이 연결되고, 전원으로부터 전력을 인가받는다. 하부전극(412)은 인가된 전력으로부터 기판(W)이 유전판(410)에 흡착되도록 정전기력을 제공한다. 유전판(410)의 내부에는 기판(W)을 가열하는 히터(416)가 설치된다. 히터(416)는 하부전극(412)의 아래에 위치될 수 있다. 히터(416)는 나선 형상의 열선으로 제공될 수 있다. A substrate W is placed on the upper surface of the dielectric plate 410. The dielectric plate 410 is provided in a disc shape. The dielectric plate 410 may have a smaller radius than the substrate W. [ A lower electrode 412 is provided inside the dielectric plate 410. A power source is connected to the lower electrode 412, and power is supplied from the power source. The lower electrode 412 provides an electrostatic force such that the substrate W is attracted to the dielectric plate 410 from the applied power. Inside the dielectric plate 410, a heater 416 for heating the substrate W is provided. The heater 416 may be positioned below the lower electrode 412. The heater 416 may be provided as a helical heat line.

포커스링(450)은 플라즈마를 기판(W)으로 집중시킨다. 포커스링(450)은 유전판(410)의 둘레를 감싸도록 제공된다. 포커스링(450)은 환형의 링 형상으로 제공된다. 포커스링(450)은 그 외측부가 내측부에 비해 높게 단차진 형상으로 제공된다. 포커스링(450)의 상면 내측부는 기판(W)의 저면 가장자리영역을 지지한다. 포커스링(450)의 외측부는 기판(W)의 측부 영역을 감싸도록 제공된다. The focus ring 450 focuses the plasma onto the substrate W. [ The focus ring 450 is provided to surround the dielectric plate 410. The focus ring 450 is provided in an annular ring shape. The focus ring 450 is provided in a shape of a stepped portion whose outer portion is higher than that of the inner portion. The upper side inner side portion of the focus ring 450 supports the bottom edge region of the substrate W. [ The outer side of the focus ring 450 is provided so as to surround the side region of the substrate W. [

베이스(430)는 유전판(410)을 지지한다. 베이스(430)는 유전판(410)의 아래에 위치되며, 유전판(410)에 고정결합된다. 베이스(430)의 상면은 그 중앙영역이 가장자리영역에 비해 높도록 단차진 형상을 가진다. 베이스(430)는 그 상면의 중앙영역이 유전판(410)의 저면에 대응하는 면적을 가진다. 베이스(430)의 내부에는 냉각유로(432)가 형성된다. 냉각유로(432)는 냉각유체가 순환하는 통로로 제공된다. 냉각유로(432)는 베이스(430)의 내부에서 나선 형상으로 제공될 수 있다. The base 430 supports the dielectric plate 410. The base 430 is positioned below the dielectric plate 410 and is fixedly coupled to the dielectric plate 410. The upper surface of the base 430 has a stepped shape such that its central region is higher than the edge region. The central portion of the upper surface of the base 430 has an area corresponding to the bottom surface of the dielectric plate 410. A cooling passage 432 is formed in the base 430. The cooling passage 432 is provided as a passage through which the cooling fluid circulates. The cooling channel 432 may be provided in a spiral shape inside the base 430.

배기어셈블리(500)는 챔버(100) 내에 머무르는 공정가스를 외부로 배기한다. 배기어셈블리(500)는 배기관(510), 배기부재(512), 밸브(520), 배플(530), 그리고 조절플레이트(540)를 포함한다.The exhaust assembly 500 exhausts the process gas staying in the chamber 100 to the outside. The exhaust assembly 500 includes an exhaust tube 510, an exhaust member 512, a valve 520, a baffle 530, and an adjustable plate 540.

도4는 도3의 배기관을 선 a-a'를 따라 절단한 면을 보여주는 단면도이다. 도4를 참조하면, 배기관(510)은 챔버(100)의 배기홀(170)과 연통되도록 챔버(100)의 저면에 연결된다. 배기부재(512)는 배기관(510)에 설치된다. 배기부재(512)는 챔버(100)의 내부에 진공압을 제공한다. 예컨대, 배기부재(512)는 펌프일 수 있다. Fig. 4 is a cross-sectional view showing a plane cut along the line a-a 'of the exhaust pipe of Fig. 3; Fig. 4, the exhaust pipe 510 is connected to the bottom surface of the chamber 100 to communicate with the exhaust hole 170 of the chamber 100. The exhaust member 512 is installed in the exhaust pipe 510. The exhaust member 512 provides vacuum pressure inside the chamber 100. For example, the exhaust member 512 may be a pump.

밸브(520)는 배기관(510)의 개방률을 조절한다. 밸브(520)는 배기관(510)에서 챔버(100)와 배기부재(512) 사이에 설치된다. 밸브(520)는 배기관(510)의 통로 면적을 조절하는 조절판(523)을 가진다. 조절판(523)은 배기관(510)의 통로 면적과 대응되거나, 이보다 크게 제공된다. 조절판(523)에는 힌지축(521)이 결합된다. 조절판(523)은 힌지축(521)을 중심축으로 회전 가능하도록 제공된다. 힌지축(521)은 그 길이방향이 배기관(510)과 평행하게 제공된다. 따라서 조절판(523)은 배기관(510)의 길이방향과 수직한 평면 상에서 회전 이동된다. 조절판(523)의 회전이동에 따라 배기관(510)의 개방률은 조절된다. 선택적으로 조절판(523)은 도5와 같이, 배기관(510)의 길이방향과 수직한 평면 상에서 일방향으로 직선 이동하여 배기관(510)의 개방률을 조절할 수 있다. 배기관(510)이 일부 개방될 때, 챔버(100)의 내부에는 배기관(510)의 개방영역과 대응되는 방향을 향해 기류가 밀집되게 형성된다. 여기서 배기관(510)의 개방영역과 대응되는 방향의 챔버(100)의 내부 영역을 가스밀집영역이라 칭한다.The valve 520 regulates the opening ratio of the exhaust pipe 510. A valve 520 is installed in the exhaust pipe 510 between the chamber 100 and the exhaust member 512. The valve 520 has a regulating plate 523 for regulating the passage area of the exhaust pipe 510. The throttle plate 523 corresponds to or is provided larger than the passage area of the exhaust pipe 510. The hinge shaft 521 is coupled to the throttle plate 523. The adjustment plate 523 is provided so as to be rotatable about the hinge axis 521 as a center axis. The hinge shaft 521 is provided in parallel with the exhaust pipe 510 in its longitudinal direction. Thus, the throttle plate 523 is rotationally moved on a plane perpendicular to the longitudinal direction of the exhaust pipe 510. The opening ratio of the exhaust pipe 510 is adjusted in accordance with the rotational movement of the throttle plate 523. 5, the throttle plate 523 may linearly move in one direction on a plane perpendicular to the longitudinal direction of the exhaust pipe 510 to adjust the opening ratio of the exhaust pipe 510. [ When the exhaust pipe 510 is partially opened, airflow is formed in the chamber 100 toward the direction corresponding to the open region of the exhaust pipe 510. Herein, an inner region of the chamber 100 in a direction corresponding to the open region of the exhaust pipe 510 is referred to as a gas dense region.

도6은 도3의 배플을 보여주는 평면도이다. 도6을 참조하면, 배플(530)은 챔버(100)의 내부에 제공된다. 배플(530)은 환형의 링 형상으로 제공된다. 배플(530)은 챔버(100)의 내측벽과 지지부재(400) 사이에 위치된다. 배플(530)에는 복수의 관통홀(531)들이 형성된다. 챔버(100) 내에서 공정가스는 배플(530)의 관통홀(531)들을 통과하여 배기홀(170)로 배기된다. 배기홀(170)은 배플(530)의 전체 영역에서 대체로 균일하게 형성될 수 있다.Figure 6 is a top view of the baffle of Figure 3; Referring to FIG. 6, a baffle 530 is provided inside the chamber 100. The baffle 530 is provided in an annular ring shape. The baffle 530 is positioned between the inner wall of the chamber 100 and the support member 400. A plurality of through holes 531 are formed in the baffle 530. In the chamber 100, the process gas passes through the through holes 531 of the baffle 530 and is exhausted to the exhaust hole 170. The exhaust hole 170 may be formed substantially uniformly in the entire area of the baffle 530. [

조절플레이트(540)는 챔버(100)의 내부 전체 영역에 진공압이 균일하게 작용되도록 조절한다. 조절플레이트(540)는 배플(530)의 아래에 위치된다. 조절플레이트(540)는 챔버(100)의 내측벽과 지지부재(400)의 사이에 위치된다. The adjustment plate 540 adjusts the vacuum pressure to be uniformly applied to the entire interior region of the chamber 100. The adjustment plate 540 is positioned below the baffle 530. The adjustment plate 540 is positioned between the inner wall of the chamber 100 and the support member 400.

도7은 도3의 조절플레이트를 보여주는 평면도이고, 도8은 도7의 조절플레이트를 b-b선을 따라 절단한 단면도이다. 도7 및 도8을 참조하면, 조절플레이트(540)는 외측링(542), 내측링(544), 그리고 가림판(550)을 포함한다. 외측링(542)은 환형의 링 형상을 가진다. 외측링(542)은 챔버(100)의 내측벽과 대응되는 폭을 가진다. 외측링(542)은 챔버(100)의 내측벽에 접촉될 수 있다. 내측링(544)은 외측링(542)의 내측에 위치된다. 지지부재(400)의 외측면과 대응되는 폭을 가진다. 내측링(544)은 지지부재(400)의 외측면과 접촉될 수 있다. FIG. 7 is a plan view showing the adjustment plate of FIG. 3, and FIG. 8 is a sectional view of the adjustment plate of FIG. 7 taken along the line b-b. 7 and 8, the adjustment plate 540 includes an outer ring 542, an inner ring 544, and a closure plate 550. The outer ring 542 has an annular ring shape. The outer ring 542 has a width corresponding to the inner wall of the chamber 100. The outer ring 542 may contact the inner wall of the chamber 100. The inner ring 544 is located inside the outer ring 542. And has a width corresponding to the outer surface of the support member 400. The inner ring 544 may contact the outer surface of the support member 400.

가림판(550)은 외측링(542)과 내측링(544) 사이에 위치된다. 가림판(550)은 챔버(100)의 가스밀집영역에 위치된다. 가림판(550)은 호 형상으로 제공될 수 있다. 가림판(550)의 내측면은 내측링(544)과 결합되고, 외측면은 외측링(542)과 결합된다. 가림판(550)에는 제1홀(551), 제2홀(552), 그리고 제3홀(553)이 형성된다. 제1홀(551), 제2홀(552), 그리고 제3홀(553)은 지지부재(400)로부터 멀어지는 방향을 따라 순차적으로 형성된다. 제1홀(551), 제2홀(552), 그리고 제3홀(553)은 각각 슬릿(551,552,553)으로 제공된다. 각각의 슬릿(551,552,553)은 호 형상으로 제공될 수 있다. 각각의 홀(551,552,553)은 상하방향으로 경사지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 각각의 홀(551,552,553)은 지지부재(400)로부터 멀어지는 방향을 향해 상향 경사지게 제공될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 제1홀(551)은 가림판(550)의 아래 영역이 보이는 각도로 경사질 수 있다. 이와 달리, 제2홀(552) 및 제3홀(553)은 가림판(550)의 아래 영역이 보이지 않는 각도로 경사질 수 있다. 또한 제1홀(551), 제2홀(552), 그리고 제3홀(553)은 일부가 서로 상이한 폭을 가지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 제1홀(551)의 폭(551a)은 제2홀(552) 및 제3홀(553)의 폭(553a)에 비해 크게 제공되고, 제2홀(552)의 폭(552a) 및 제3홀(553)의 폭(553a)은 서로 동일하게 제공될 수 있다. 이는 제1홀(551)을 통해 배기되는 플라즈마의 양이 제2홀(552) 또는 제3홀(553)을 통해 배기되는 양보다 상대적으로 많을 수 있다. 이로 인해 플라즈마의 흐름을 기판(W)으로 집중시킬 수 있다. The shielding plate 550 is positioned between the outer ring 542 and the inner ring 544. The shielding plate 550 is located in the gas confluence region of the chamber 100. The shielding plate 550 may be provided in an arc shape. The inner surface of the shield plate 550 is engaged with the inner ring 544, and the outer surface is coupled with the outer ring 542. A first hole 551, a second hole 552, and a third hole 553 are formed in the blocking plate 550. The first hole 551, the second hole 552, and the third hole 553 are sequentially formed along the direction away from the support member 400. The first hole 551, the second hole 552, and the third hole 553 are provided as slits 551, 552, and 553, respectively. Each of the slits 551, 552, and 553 may be provided in an arc shape. Each of the holes 551, 552, and 553 is provided so as to be inclined in the vertical direction. According to one example, each of the holes 551, 552, and 553 may be provided with an upward slope toward a direction away from the support member 400. The first hole 551 may be inclined at an angle at which the lower region of the shielding plate 550 is visible. Alternatively, the second hole 552 and the third hole 553 may be inclined at an invisible angle to the lower region of the shielding plate 550. Further, the first hole 551, the second hole 552, and the third hole 553 are provided so that some portions have different widths from each other. The width 551a of the first hole 551 is larger than the width 553a of the second hole 552 and the third hole 553 and the width 552a of the second hole 552 And the width 553a of the third hole 553 may be provided to be equal to each other. This is because the amount of plasma exhausted through the first holes 551 may be relatively larger than the amount of exhausted through the second holes 552 or the third holes 553. [ This makes it possible to concentrate the flow of the plasma onto the substrate (W).

또한 공정가스의 흐름은 홀들(551,552,553)의 경사각이 클수록, 그리고 폭이 작을수록 그 간섭이 심해진다. 이로 인해 홀들(551,552,553)의 경사각 및 폭의 크기를 조절하여 플라즈마의 흐름을 제어할 수 있다.Also, the flow of the process gas is increased as the inclination angle of the holes 551, 552, and 553 is larger and the width is smaller. Accordingly, the flow of the plasma can be controlled by adjusting the inclination angle and the width of the holes 551, 552, and 553.

선택적으로, 조절플레이트(540)에서 제1홀(551)의 폭(551b), 제2홀(552)의 폭(552b), 그리고 제3홀(553)의 폭(553b)은 도9와 같이 지지부재(400)로부터 멀어질수록 순차적으로 작아질 수 있다.Alternatively, the width 551b of the first hole 551, the width 552b of the second hole 552, and the width 553b of the third hole 553 in the regulating plate 540 may be as shown in FIG. 9 And can be sequentially decreased as the distance from the support member 400 increases.

또한 선택적으로 조절플레이트(540)에서 제1홀(551)의 폭(551c), 제2홀(552)의 폭(552c), 그리고 제3홀(553)의 폭(553c)은 도10과 같이 모두 동일한 폭을 가지도록 제공될 수 있다.10, the width 551c of the first hole 551, the width 552c of the second hole 552, and the width 553c of the third hole 553 in the regulating plate 540, All of which can be provided with the same width.

또한 선택적으로 조절플레이트(540)에서 제1홀(551), 제2홀(552), 그리고 제3홀(553)은 도11과 같이 조절플레이트(540)의 일면에 대해 수직한 방향을 향하도록 제공될 수 있다.Alternatively, the first hole 551, the second hole 552, and the third hole 553 in the regulating plate 540 may be oriented in a direction perpendicular to one surface of the regulating plate 540 as shown in FIG. 11 Can be provided.

또한 조절플레이트(540)의 제1홀(551), 제2홀(552), 그리고 제3홀(553)은 모두 슬릿으로 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나 도12와 같이 제1홀(551), 제2홀(552), 그리고 제3홀(553)은 원형의 홀 형상으로 제공될 수 있다.The first hole 551, the second hole 552, and the third hole 553 of the adjustment plate 540 are all provided as slits. However, as shown in FIG. 12, the first hole 551, the second hole 552, and the third hole 553 may be provided in a circular hole shape.

또한 도13과 같이, 본 발명의 기판처리장치에는 배플(530)이 제공되지 않고, 조절플레이트(540)만이 제공될 수 있다.13, the substrate processing apparatus of the present invention is not provided with the baffle 530, and only the adjustment plate 540 can be provided.

상술한 실시예들에 따르면, 조절플레이트(540)는 챔버(100)의 집중 영역에서 공정가스의 흐름과 간섭한다. 이로 인해 조절플레이트(540)는 챔버(100)의 집중영역에 형성된 공정가스의 기류를 분산시키고, 공정가스가 챔버(100)의 전체영역에 대해 균일하게 배기되도록 도와준다.According to the embodiments described above, the conditioning plate 540 interferes with the flow of process gas in the concentrated region of the chamber 100. This causes the regulating plate 540 to disperse the flow of process gas formed in the concentrated region of the chamber 100 and to help the process gas to be evenly exhausted over the entire region of the chamber 100.

또한 플라즈마소스(300)는 용량결합형 플라즈마(CCP: capacitively coupled plasma)가 사용될 수 있다. 용량결합형 플라즈마는 공정챔버(100)의 내부에 위치하는 제1전극 및 제2전극을 포함할 수 있다. 제1전극 및 제2전극은 공정챔버(100)의 내부에서 상부와 하부에 각각 배치되고, 각각의 전극은 서로 평행하게 상하로 배치될 수 있다. 양 전극 중 어느 하나의 전극은 고주파전력을 인가하고, 다른 전극은 접지될 수 있다. 양 전극 간의 공간에는 전자기장이 형성되고, 이 공간에 공급되는 공정가스는 여기되어 플라즈마 상태로 여기될 수 있다.The plasma source 300 may be capacitively coupled plasma (CCP). The capacitively coupled plasma may include a first electrode and a second electrode located within the process chamber 100. The first electrode and the second electrode are disposed at the top and the bottom in the interior of the process chamber 100, respectively, and the respective electrodes may be arranged vertically in parallel with each other. Either one of the electrodes can apply high-frequency power and the other electrode can be grounded. An electromagnetic field is formed in the space between both electrodes, and the process gas supplied to this space can be excited and excited into a plasma state.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas falling within the scope of the same shall be construed as falling within the scope of the present invention.

100: 챔버 200: 가스 공급 부재
400: 지지부재 500: 배기 어셈블리
510: 배기관 512: 배기부재
520: 밸브 540: 조절 플레이트
550:가림판100: chamber 200: gas supply member
400: support member 500: exhaust assembly
510: exhaust pipe 512: exhaust member
520: valve 540: regulating plate
550:

Claims

A chamber for providing a space in which the process is performed;
A support member for supporting the substrate in the chamber;
A gas supply member for supplying the process gas to the substrate placed on the support member;
And an exhaust assembly coupled to the chamber and exhausting gas in the chamber,
The exhaust assembly includes:
An exhaust pipe connected to the chamber;
An exhaust member connected to the exhaust pipe and providing vacuum pressure to the exhaust pipe;
A valve for adjusting an opening rate of the exhaust pipe;
Provided in the chamber so as to further interfere with the flow of the process gas in an inner region of the chamber in a direction corresponding to a region open to the inner region of the chamber in a direction corresponding to the closed region when the exhaust pipe is partially opened, And an adjusting plate having an adjusting plate.

The method according to claim 1,
Wherein the shielding plate is provided in a shape of an arc that surrounds a part of the support member.

3. The method of claim 2,
The adjustment plate includes:
An outer ring in contact with the inner wall of the chamber;
Further comprising an inner ring in contact with the outer surface of the support member,
Wherein the shielding plate is coupled between the outer ring and the inner ring.

The method of claim 3,
Wherein a plurality of holes are formed in the cover plate, and each of the holes is formed to be inclined along a vertical direction.

5. The method of claim 4,
Wherein each of the holes is provided as a slit.

A chamber for providing a space in which the process is performed;
A support member for supporting the substrate in the chamber;
A gas supply member for supplying the process gas to the substrate placed on the support member;
And an exhaust assembly coupled to the chamber and exhausting gas in the chamber,
The exhaust assembly includes:
An exhaust pipe connected to the chamber;
An exhaust member connected to the exhaust pipe and providing vacuum pressure to the exhaust pipe;
A valve for adjusting an opening rate of the exhaust pipe;
The chamber being positioned in the chamber so as to interfere with the flow of the process gas in an interior region of the chamber in a direction corresponding to the open region of the exhaust pipe when the exhaust pipe is partially opened, And an adjustment plate having a cover plate having a plurality of holes that are inclined along a predetermined direction,
The adjustment plate includes:
An outer ring in contact with the inner wall of the chamber;
Further comprising an inner ring in contact with the outer surface of the support member,
The shield plate is coupled between the outer ring and the inner ring,
The holes are each provided with a slit,
Wherein the slit is provided in an arc shape.

A chamber for providing a space in which the process is performed;
A support member for supporting the substrate in the chamber;
A gas supply member for supplying the process gas to the substrate placed on the support member;
And an exhaust assembly coupled to the chamber and exhausting gas in the chamber,
The exhaust assembly includes:
An exhaust pipe connected to the chamber;
An exhaust member connected to the exhaust pipe and providing vacuum pressure to the exhaust pipe;
A valve for adjusting an opening rate of the exhaust pipe;
The chamber being positioned in the chamber so as to interfere with the flow of the process gas in an interior region of the chamber in a direction corresponding to the open region of the exhaust pipe when the exhaust pipe is partially opened, And an adjustment plate having a cover plate having a plurality of holes that are inclined along a predetermined direction,
The adjustment plate includes:
An outer ring in contact with the inner wall of the chamber;
Further comprising an inner ring in contact with the outer surface of the support member,
The shield plate is coupled between the outer ring and the inner ring,
Wherein the holes are formed to be inclined upward toward a direction away from the support member.

8. The method of claim 7,
Wherein the holes of the holes are inclined so that a lower region of the shielding plate is not visible when viewed from above.

9. The method of claim 8,
Wherein the holes of the other of the holes are inclined such that a lower area of the cover plate is visible.

10. The method of claim 9,
Said holes being located adjacent to the outside of said closure plate,
And the other part of the holes are located adjacent to the inside of the shielding plate.

A chamber for providing a space in which the process is performed;
A support member for supporting the substrate in the chamber;
A gas supply member for supplying the process gas to the substrate placed on the support member;
And an exhaust assembly coupled to the chamber and exhausting gas in the chamber,
The exhaust assembly includes:
An exhaust pipe connected to the chamber;
An exhaust member connected to the exhaust pipe and providing vacuum pressure to the exhaust pipe;
A valve for adjusting an opening rate of the exhaust pipe;
And an adjustment plate provided in the chamber to interfere with the flow of process gas in an interior region of the chamber in a direction corresponding to the open region when the exhaust pipe is partially open,
Wherein the shielding plate is provided with a plurality of holes, and the holes are provided in different sizes along a direction away from the support member.

12. The method of claim 11,
Wherein the plurality of holes are formed in the shielding plate and the holes positioned adjacent to the inside of the shielding plate are provided in a larger width than the holes positioned adjacent to the outside of the adjusting plate.

A chamber for providing a space in which the process is performed;
A support member for supporting the substrate in the chamber;
A gas supply member for supplying the process gas to the substrate placed on the support member;
And an exhaust assembly coupled to the chamber and exhausting gas in the chamber,
The exhaust assembly includes:
An exhaust pipe connected to the chamber;
An exhaust member connected to the exhaust pipe and providing vacuum pressure to the exhaust pipe;
A valve for adjusting an opening rate of the exhaust pipe;
And an adjustment plate provided in the chamber to interfere with the flow of process gas in an interior region of the chamber in a direction corresponding to the open region when the exhaust pipe is partially open,
The exhaust assembly includes:
Further comprising a baffle provided in the shape of an annular ring surrounding the support member, wherein a plurality of through holes are formed, the baffle located on top of the adjustment plate.

13. The method according to any one of claims 1 to 12,
Wherein the exhaust pipe is located at the center of the bottom surface of the chamber.

15. The method of claim 14,
Wherein the valve comprises:
And a throttle plate which is moved in a plane perpendicular to the longitudinal direction of the exhaust pipe.

An adjustment plate provided in the chamber for adjusting the amount of displacement of each zone in the chamber,
An outer ring;
An inner ring positioned inside the outer ring;
And a shielding plate located in a partial area between the outer ring and the inner ring and having a plurality of holes,
And the other region between the outer ring and the inner ring except for the partial region is opened in the vertical direction.

17. The method of claim 16,
Wherein the shielding plate is provided in an arc shape.

An adjustment plate provided in the chamber for adjusting the amount of displacement of each zone in the chamber,
An outer ring;
An inner ring positioned inside the outer ring;
And a shielding plate located in a partial area between the outer ring and the inner ring and having a plurality of holes,
Wherein the shielding plate is provided in an arc shape,
Wherein each of the holes is formed to be inclined with respect to the vertical direction.

19. The method of claim 18,
Wherein when the holes are viewed from above, some of the holes are formed to be sloped so that the area below the cover plate is not visible.