KR20170138388A - Organic light emitting display apparatus - Google Patents

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Abstract

According to an embodiment of the present invention, an organic light emitting display apparatus comprises: a pixel region defined by a plurality of pixels of a flexible substrate; a non-pixel region around the pixel region; a gate driver positioned in the non-pixel region; a structure positioned in the non-pixel region, and covering the pixel region; a first encapsulation layer for covering the plurality of pixels, the gate driver, and the structure; and a foreign material compensation layer covering the pixel region, and having reduced overcoating by the structure.

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY APPARATUS}ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY APPARATUS [0001]

본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 이물보상층의 과도포 현상이 최소화된 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an organic light emitting diode display, and more particularly, to an organic light emitting diode display in which overcoating of a foreign material compensation layer is minimized.

본격적인 정보화 시대로 접어듦에 따라, 전기적 정보신호를 시각적으로 표시하는 표시 장치 분야가 급속도로 발전하고 있다. 이에, 여러 가지 다양한 평판 표시 장치에 대해 박형화, 경량화 및 저소비 전력화 등의 성능을 개발시키기 위한 연구가 계속되고 있다. 이 같은 평판 표시 장치의 대표적인 예로는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 플라즈마 표시 장치(Plasma Display Panel device: PDP), 전계방출 표시 장치(Field Emission Display device: FED), 전기습윤 표시 장치(Electro-Wetting Display device: EWD) 및 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display device: OLED) 등을 들 수 있다. As the era of informationization becomes full-scale, the field of display devices for visually displaying electrical information signals is rapidly developing. Accordingly, studies are being continued to develop performance such as thinning, lightening, and low power consumption for various types of flat panel display devices. Typical examples of such flat panel display devices include a liquid crystal display device (LCD), a plasma display panel (PDP), a field emission display (FED) An electro-wetting display device (EWD), and an organic light emitting display device (OLED).

특히, 유기 발광 표시 장치는 자체 발광형 표시 장치로서, 액정 표시 장치와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조 가능하다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 저전압 구동에 따라 소비 전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 응답 속도, 시야각 및 명암비(Contrast Ratio)도 우수하여, 차세대 디스플레이로서 연구되고 있다. 하지만 이러한 장점에도 불구하고, 유기 발광 표시 장치는 수분 및 산소에 특히 취약한 단점이 존재하기 때문에, 다른 평판 표시 장치들에 비해서 신뢰성 확보가 어려운 문제점이 존재했다.In particular, the organic light emitting display device is a self light emitting display device, and unlike a liquid crystal display device, a separate light source is not required, and thus it can be manufactured in a light and thin shape. Further, the organic light emitting display device is advantageous not only in power consumption in accordance with low voltage driving but also in response speed, viewing angle, and contrast ratio, and is being studied as a next generation display. However, in spite of this advantage, since the organic light emitting display device has a disadvantage that it is particularly vulnerable to moisture and oxygen, there is a problem that it is difficult to secure reliability compared with other flat panel display devices.

유기 발광 표시 장치는 자체 발광형 소자인 유기 발광 소자를 이용하여, 영상을 표시한다. 유기 발광 표시 장치는 유기 발광 소자로 구성된 복수의 화소를 포함한다. 유기 발광 소자는 서로 대향하는 제 1 전극 및 제 2 전극을 포함한다. 그리고 제 1 전극 및 제 2 전극 사이에 유기물로 형성되고, 제 1 전극 및 제 2 전극 사이의 인가되는 전기신호에 기초하여 일렉트로루미네선스(Electro Luminescence)를 발생시키는 발광층을 포함한다.The organic light emitting display uses an organic light emitting element, which is a self light emitting type element, to display an image. The organic light emitting display includes a plurality of pixels constituted by organic light emitting elements. The organic light emitting device includes first and second electrodes facing each other. And a light emitting layer formed of an organic material between the first electrode and the second electrode and generating electroluminescence based on an electrical signal applied between the first electrode and the second electrode.

탑 에미션(Top-Emission) 방식의 유기 발광 표시 장치의 경우, 유기 발광층에서 발광된 빛을 상부로 발광시키기 위해 제 1 전극이 투명 또는 반투명 특성을 가지고, 제 2 전극이 반사 특성을 갖는다. 또한, 유기 발광 표시 장치의 신뢰성을 확보하기 위해, 유기 발광 소자 상에는 산소 및 수분으로부터 유기 발광 소자를 보호하기 위한 투명한 봉지부가 형성된다. 종래의 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치에서, 봉지부는 유리 봉지부가 일반적으로 사용되었다.In the case of the top emission type organic light emitting display, the first electrode has a transparent or semi-transparent characteristic and the second electrode has a reflective characteristic in order to emit light emitted from the organic light emitting layer. Further, in order to ensure the reliability of the organic light emitting display, a transparent sealing portion for protecting the organic light emitting element from oxygen and moisture is formed on the organic light emitting element. In the conventional top emission type organic light emitting display, the glass encapsulation part is generally used as the encapsulation part.

최근에는 휘지 않는 평판 표시 장치들을 대체할 플라스틱(Plastic)과 같은 연성재료의 플렉서블 기판(Flexible Substrate)을 이용하여, 종이처럼 휘어져도 표시 성능을 그대로 유지할 수 있는 플렉서블 유기 발광 표시 장치(Flexible Organic Light Emitting Display Device; F-OLED)가 개발되고 있다. In recent years, a flexible organic light emitting display device (Flexible Organic Light Emitting Display) capable of maintaining the display performance even if bent like paper is used by using a flexible substrate of a flexible material such as a plastic to replace flat display devices that do not bend, Display Device (F-OLED) are being developed.

이에, 본 발명의 발명자들은, 플렉서블 유기 발광 표시 장치를 상용화하기 위한 연구 및 개발을 계속하여 왔다. 그리고 본 발명의 발명자들은, 유리 기판은, 플렉서블 하지 않기 때문에 플렉서블 봉지부로 사용하기 어렵다고 판단하였다. 따라서, 본 발명의 발명자들은 대량 생산이 가능하면서, 상용화 가능한 새로운 투명 플렉서블 봉지층의 재료 및 구조를 연구하였다. Accordingly, the inventors of the present invention have continued to research and develop flexible organic light emitting display devices for commercialization. The inventors of the present invention have determined that the glass substrate is difficult to use as a flexible encapsulant because it is not flexible. Therefore, the inventors of the present invention have studied the material and structure of a new transparent flexible sealing layer that can be mass-produced and commercialized.

구체적으로 설명하면, 단일층의 무기물로 형성된 플렉서블 봉지층을 사용하여 얇은 두께로 플렉서블 유기 발광 표시 장치의 봉지부를 구현하는 시도를 하였다. 그러나, 이러한 플렉서블 봉지층은 흐름성이 부족하고, 먼지 또는 입자들과 같은 이물을 충분히 커버하기에 얇은 두께를 가지므로, 이물에 의한 크랙(Crack)이 쉽게 발생하여, 수분 침투에 의한 플렉서블 유기 발광 표시 장치의 불량으로 이어지는 문제가 있었다. 특히 불량이 발생하면 수율이 낮아지기 때문에, 대량 생산의 걸림돌이 된다.Specifically, an attempt has been made to fabricate a sealing portion of a flexible organic light emitting display device with a thin thickness by using a flexible sealing layer formed of a single layer of inorganic material. However, such a flexible sealing layer has insufficient flowability and has a thin thickness enough to cover foreign matter such as dust or particles, so that cracks due to foreign matter are easily generated, and flexible organic light emission There has been a problem of leading to defective display devices. In particular, when defects occur, the yield is lowered, which is an obstacle to mass production.

이에, 본 발명의 발명자들은, 이물을 보상하기 위해서 플렉서블 봉지층 상에 흐름성이 좋은 유기물로 이물보상층을 형성하여 이물을 덮어서 이물을 보상한 다음, 평탄화된 이물보상층 상에 또 하나의 단일층의 무기물로 형성된 플랙서블 봉지층을 구현하여, 이물에 대한 문제를 개선할 수 있는 플렉서블 봉지부를 개발하였다.Accordingly, the inventors of the present invention have found that, in order to compensate for foreign matter, a foreign matter compensation layer is formed of an organic material having good flowability on the flexible sealing layer to cover the foreign matter to compensate the foreign matter, Layer flexible layer formed of an inorganic material of the layer to improve the problem of foreign matter.

하지만 이물보상층의 흐름성이 좋을 경우, 이물보상층의 이물보상 능력은 우수하나, 이물보상층이 도포되는 영역을 제어하는 것이 어려워진다. 즉 이물보상층을 구성하는 유기물이 의도하지 않는 방향으로 쉽게 흘러가버리게 된다. 또한 내로우 배젤(Narrow Bezel) 등의 디자인 요구때문에 충분한 비화소 영역 확보가 어렵게 되어, 이물보상층의 도포 영역 제어 난이도가 가중된다. 따라서 이물보상층이 설계치보다 더 넓게 도포되는 현상이 발생하였다. 이러한 현상을 “과도포 현상”이라고 부른다. 과도포 현상이 발생된 이물보상층은 육안상 얼룩으로 인지되며, 플렉서블 유기 발광 표시 장치의 외관 불량을 야기할 수 있다. 또한 이물보상층은 수분 침투 지연 성능이 나쁘기 때문에, 과도포된 영역을 통해서 수분 침투 문제가 발생하였다.However, when the flowability of the foreign material compensation layer is good, the foreign material compensation ability of the foreign material compensation layer is excellent, but it becomes difficult to control the region to which the foreign material compensation layer is applied. That is, the organic matter constituting the foreign material compensation layer easily flows in an unintended direction. Furthermore, it is difficult to secure a sufficient non-pixel area due to the design requirement of a narrow bezel or the like, and the control difficulty of the coating area of the foreign material compensation layer is increased. Therefore, the foreign material compensation layer is spread more widely than the design value. This phenomenon is called " overspray phenomenon ". The foreign matter compensation layer in which the overspray phenomenon is generated is recognized as a naked eye stain, which may lead to defective appearance of the flexible organic light emitting display device. In addition, since the foreign material compensation layer has poor water permeation delay performance, moisture penetration problem occurred in the overflowed region.

따라서 제 1 봉지층이 형성되고, 제 1 봉지층 상의 일부 영역에 이물보상층이 도포되고, 이물보상층 및 제 1 봉지층 상에 제 2 봉지층이 형성된, 플렉서블 봉지부를 포함하는 플렉서블 유기 발광 표시 장치에 있어서, 이물보상층의 과도포 현상은 대량 생산을 위해서 반드시 해결되어야 하는 중요한 이슈들 중 하나이다.A flexible organic light emitting display including a flexible encapsulation portion including a first encapsulation layer and a second encapsulation layer formed on a foreign matter compensation layer and a first encapsulation layer on a part of the first encapsulation layer, In the device, over-deposition of the foreign material compensation layer is one of the important issues that must be solved for mass production.

본 발명의 발명자들은, 이물보상층이 과도포되지 않도록, 비화소 영역에 유기물의 과도포를 막을 수 있는 구조물을 형성하면, 과도포 현상을 효과적으로 저감할 수 있다고 생각하였다. 또한 과도포 현상이 저감됨으로써, 이물보상층의 평탄화 정도를 향상할 수 있다고 생각하였다.The inventors of the present invention have thought that over-deposition can be effectively reduced if a structure capable of preventing over-deposition of organic matter in the non-pixel region is formed so as not to overflow the foreign material compensation layer. Further, it was thought that the degree of planarization of the foreign material compensation layer can be improved by reducing the over-coating phenomenon.

이에, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 비화소 영역에 다양한 구조 및 물질의 구조물을 형성하여 이물보상층을 구성하는 유기물의 과도포 현상을 저감할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide an organic light emitting display device capable of reducing the over-deposition of organic materials constituting a foreign material compensation layer by forming structures of various structures and materials in a non-pixel region.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 비화소 영역에 유기물의 과도포를 저감할 수 있는 구조물을 복층 구조로 형성하고 복층 구조의 최상층은 복수의 서브 구조물을 포함하고, 서브 구조물 내에 형성된 저장 공간을 따라서, 유기물이 주변영역으로 분산될 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.Another object to be solved by the present invention is to provide a method of forming a structure capable of reducing over-deposition of organic matter in a non-pixel region in a multi-layered structure and an uppermost layer of the multi-layered structure including a plurality of sub- And an organic light emitting display device in which organic materials can be dispersed in a peripheral region.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 비화소 영역에 유기물의 과도포를 저감할 수 있는 계단형 댐을 복수개 형성하여, 각각의 계단형 댐에 의하여 유기물이 주변영역으로 분산될 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.Another problem to be solved by the present invention is to provide an organic light emitting diode display device in which a plurality of stepped dams capable of reducing the overflow of organic matter in a non-pixel area are formed, Device.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 비화소 영역에 유기물의 과도포를 저감할 수 있는 금속구조물을 복수의 서브 금속구조물로 형성하고, 복수의 서브 금속구조물 사이에 형성된 저장 공간을 따라서, 유기물이 주변영역으로 분산될 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a metal structure capable of reducing over-deposition of organic substances in a non-pixel region by forming a plurality of sub-metal structures, And an organic light emitting display device capable of being dispersed in a peripheral region.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치는 제1 전극, 발광층 및 제2 전극을 각각 포함하는 복수의 발광소자에 의해 정의되는 화소 영역이 배치된 기판, 화소 영역을 둘러싸고, 제2 전극이 연장되는 비 화소 영역, 비 화소 영역에 배치된 게이트 드라이버, 게이트 드라이버와 중첩되는 연결부, 게이트 드라이버의 외곽에 위치하는 공통전압라인, 비 화소영역에서 화소 영역을 둘러싸도록 배치되고, 공통전압라인의 적어도 일부 위에 배치되는 벽구조, 화소 영역과 비 화소영역의 적어도 일부를 덮는 제1 봉지층과 제2 봉지층 및 제1 봉지층과 제2 봉지층의 사이에 배치된 이물보상층을 포함한다. According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting diode (OLED) display device including a substrate having pixel regions defined by a plurality of light emitting devices each including a first electrode, a light emitting layer, Pixel region surrounding the pixel region, a gate driver arranged in the non-pixel region, a connecting portion overlapping with the gate driver, a common voltage line located in the periphery of the gate driver, and a pixel region in the non-pixel region A first encapsulation layer and a second encapsulation layer covering at least a part of the pixel region and the non-pixel region, and a second encapsulation layer disposed between the first encapsulation layer and the second encapsulation layer And a foreign material compensation layer.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 벽구조는 게이트 드라이버의 외곽에 배치된 제1 벽과 제2 벽을 포함하고, 제1 벽은 제2 벽보다 게이트 드라이버에 더 가깝게 배치될 수 있다.According to another aspect of the present invention, the wall structure includes a first wall and a second wall disposed at the periphery of the gate driver, and the first wall may be disposed closer to the gate driver than the second wall.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제2 벽의 상부 면에서 제1 봉지층과 제2 봉지층이 접촉할 수 있다.According to another aspect of the present invention, the first sealing layer and the second sealing layer can be in contact with each other on the upper surface of the second wall.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 이물보상층의 과도포로 인한 넘침을 방지하기 위해 제2 벽은 복층구조일 수 있다.According to another aspect of the present invention, the second wall may be a multi-layer structure to prevent overfilling of the foreign material compensation layer due to over-deposition.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복층구조는 화소영역에 배치된 뱅크, 스페이서 그리고 평탄화막 중 적어도 2개와 동일 물질로 이루어질 수 있다According to another aspect of the present invention, the multilayer structure may be made of the same material as at least two of the banks, spacers, and planarization films disposed in the pixel region

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 연결부는 제1 전극과 동일 물질로 이루어질 수 있다.According to another aspect of the present invention, the connection portion may be formed of the same material as the first electrode.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 연결부는 공통전압라인까지 연장되어 공통전압라인과 상호 전기적으로 연결될 수 있다.According to another aspect of the present invention, the connection portion may extend to the common voltage line and be electrically connected to the common voltage line.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 화소영역은 박막트랜지스터와 연결된 게이트라인 및 데이터 라인을 더 포함하고, 공통전압라인은 게이트라인 혹은 데이터 라인과 동일 물질로 이루어질 수 있다.According to another aspect of the present invention, the pixel region further includes a gate line and a data line connected to the thin film transistor, and the common voltage line may be formed of the same material as the gate line or the data line.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제2 전극은 게이트 드라이버까지 연장되고 연결부와 연결될 수 있다.According to another aspect of the present invention, the second electrode may extend to the gate driver and be connected to the connection portion.

전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광표시장치는 복수의 픽셀이 배치된 기판, 복수의 픽셀의 외곽에 배치된 게이트 드라이버, 게이트 드라이버와 중첩되고, 복수의 픽셀 외곽에 위치하며 픽셀의 캐소드와 전기적으로 연결되는 연결부, 연결부와 중첩되고, 게이트 드라이버와 복수의 픽셀의 외곽에 위치하는 공통전압라인, 공통전압라인의 적어도 일부분과 중첩되고, 상호 이격되어 배치된 적어도 두개의 서브 벽을 포함하는 벽구조, 복수의 픽셀, 게이트 드라이버, 연결부 및 벽구조를 덮는 제1 봉지층 및 제1 봉지층 위에 배치된 이물보상층을 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting display including a substrate on which a plurality of pixels are arranged, a gate driver disposed on the periphery of the plurality of pixels, A connection portion electrically connected to the cathode of the pixel, the connection portion being overlapped with the connection portion and overlapped with at least a portion of the gate driver and the plurality of pixels, a common voltage line located at the periphery of the plurality of pixels, A wall structure including two sub walls, a first encapsulation layer covering a plurality of pixels, a gate driver, a connection and a wall structure, and a foreign matter compensation layer disposed on the first encapsulation layer.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 유기발광표시장치는 이물보상층과 벽구조를 덮는 제2 봉지층을 더 포함하는 유기발광표시장치.According to another aspect of the present invention, an OLED display further includes a second encapsulation layer covering a foreign material compensation layer and a wall structure.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 유기발광표시장치는 벽구조의 일부영역에서 제1 봉지층과 접촉하는 제2 봉지층을 더 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, the organic light emitting display may further include a second encapsulation layer in contact with the first encapsulation layer in a part of the wall structure.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 벽구조는 게이트 드라이버의 외곽에 배치된 제1 벽과 제2 벽을 포함하고, 제1 벽은 제2 벽보다 게이트 드라이버에 더 가깝게 배치될 수 있다.According to another aspect of the present invention, the wall structure includes a first wall and a second wall disposed at the periphery of the gate driver, and the first wall may be disposed closer to the gate driver than the second wall.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 이물보상층의 과도포로 인한 넘침을 방지하기 위해 제2 벽은 복층구조일 수 있다.According to another aspect of the present invention, the second wall may be a multi-layer structure to prevent overfilling of the foreign material compensation layer due to over-deposition.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복층구조는 화소영역에 배치된 뱅크, 스페이서 및 평탄화층과 적어도 두개의 동일 물질로 배치될 수 있다.According to another aspect of the present invention, the multilayer structure may be disposed of at least two identical materials with the banks, spacers, and planarization layers disposed in the pixel regions.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 연결부는 복수의 픽셀에 배치된 애노드와 동일 물질로 이루어진 것을 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, the connection portion may include the same material as the anode disposed in the plurality of pixels.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 연결부는 공통전극라인까지 연장되어 공통전압라인과 상호 전기적으로 연결되는 것을 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, the connection portion may include extending to the common electrode line and electrically connecting to the common voltage line.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 픽셀이 배치된 화소영역은 박막트랜지스터에 연결된 게이트라인과 데이터라인을 더 포함하고, 공통전극라인은 게이트 라인 혹은 데이터 라인과 동일물질로 이루어질 수 있다.According to still another aspect of the present invention, a pixel region in which a plurality of pixels are disposed may further include a gate line and a data line connected to the thin film transistor, and the common electrode line may be formed of the same material as the gate line or the data line.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 벽구조는 복수의 픽셀을 둘러쌀 수 있다.According to another aspect of the present invention, a wall structure may surround a plurality of pixels.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명은 추가 공정 없이 비화소 영역에 이물보상층의 과도포를 효과적으로 저감할 수 있는 다양한 구조 및 물질의 구조물이 형성되어, 플렉서블 봉지부의 이물보상층의 원하지 않는 과도포 현상을 개선할 수 있는 효과가 있다. The present invention provides various structures and materials structures capable of effectively reducing over-deposition of a foreign-compensating layer in a non-pixel region without further processing, thereby improving undesirable over-deposition of the foreign-compensating layer of the flexible encapsulating portion .

또한 본 발명은 화소 영역에 형성된 이물보상층의 평탄화 정도가 향상될 수 있는 효과가 있다.Further, the present invention has an effect that the degree of planarization of the foreign material compensation layer formed in the pixel region can be improved.

또한 본 발명은 서브 구조물을 포함하는 구조물, 복수의 서브 금속구조물을 포함하는 금속구조물 또는 복수의 서브 계단형 댐에 의해서 유기물이 저장 공간을 따라 주변으로 분산되어, 유기 발광 표시 장치의 불량을 저감할 수 있고, 유기 발광 표시 장치의 육안 불량을 개선할 수 있는, 유기 발광 표시 장치를 제공할 수 있다.In addition, the present invention can reduce the defects of the organic light emitting display device by dispersing organic materials around the storage space by a structure including a sub structure, a metal structure including a plurality of sub metal structures, or a plurality of sub step dams And it is possible to provide an organic light emitting display device capable of improving visual defects of the organic light emitting display device.

본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.The effects according to the present invention are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the specification.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 복수의 화소 중 하나의 서브 화소의 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 1의 선 III-III'에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 4는 도 3의 X 영역에 대한 개략적인 확대도이다.
도 5a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 확대도이다.
도 5b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구조물의 효과를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 6a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 확대도이다.
도 6b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구조물의 효과를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 7a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 계단형 댐을 설명하기 위한 개략적인 확대도이다.
도 7b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 계단형 댐의 효과를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 8a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 계단형 댐을 설명하기 위한 개략적인 확대도이다.
도 8b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 계단형 댐의 효과를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 급속구조물을 설명하기 위한 개략적인 확대도이다.
도 10a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 금속구조물을 설명하기 위한 개략적인 확대도이다.
도 10b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 금속구조물의 효과를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.1 is a schematic plan view of an OLED display according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic cross-sectional view of one of the plurality of pixels of FIG.
3 is a schematic cross-sectional view of the organic light emitting diode display according to the line III-III 'of FIG.
4 is a schematic enlarged view of the X region in Fig.
5A is a schematic enlarged view of an OLED display according to another embodiment of the present invention.
5B is a schematic plan view illustrating an effect of a structure of an OLED display according to another embodiment of the present invention.
6A is a schematic enlarged view of an organic light emitting display according to another embodiment of the present invention.
6B is a schematic plan view illustrating an effect of a structure of an OLED display according to another embodiment of the present invention.
7A is a schematic enlarged view for explaining a stepped dam of an OLED display according to another embodiment of the present invention.
7B is a schematic plan view for explaining an effect of a stepped dam of an OLED display according to another embodiment of the present invention.
8A is a schematic enlarged view for explaining a stepped dam of an OLED display according to another embodiment of the present invention.
8B is a schematic plan view for explaining the effect of the stepped dam of the OLED display according to another embodiment of the present invention.
9 is a schematic enlarged view for explaining a rapid structure of an organic light emitting display according to another embodiment of the present invention.
10A is a schematic enlarged view for explaining a metal structure of an OLED display according to another embodiment of the present invention.
10B is a schematic plan view for explaining the effect of the metal structure of the OLED display according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but is capable of many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, To fully disclose the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, and the like disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present invention are illustrative, and thus the present invention is not limited thereto. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail. Where the terms "comprises", "having", "done", and the like are used in this specification, other portions may be added unless "only" is used. Unless the context clearly dictates otherwise, including the plural unless the context clearly dictates otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the constituent elements, it is construed to include the error range even if there is no separate description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 ‘직접’이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다. In the case of a description of the positional relationship, for example, if the positional relationship between two parts is described as 'on', 'on top', 'under', and 'next to' Or " direct " is not used, one or more other portions may be located between the two portions.

소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. An element or layer is referred to as being another element or layer "on ", including both intervening layers or other elements directly on or in between.

비록 제 1, 제 2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제 2 구성요소일 수도 있다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present invention.

명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

명세서 전체에 걸쳐 구성 요소의 단면의 폭은 그 단면의 중간 높이의 단면의 폭을 의미한다.The width of the section of the component throughout the specification means the width of the section of the middle height of the section.

명세서 전체에 걸쳐 구성 요소의 각도는 평면을 기준으로 그 단면의 중간 높이 지점의 경사면의 각도를 의미한다.The angle of the component throughout the specification means the angle of the slope at the mid-height point of the section with respect to the plane.

도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.The sizes and thicknesses of the individual components shown in the figures are shown for convenience of explanation and the present invention is not necessarily limited to the size and thickness of the components shown.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.It is to be understood that each of the features of the various embodiments of the present invention may be combined or combined with each other partially or wholly and technically various interlocking and driving are possible and that the embodiments may be practiced independently of each other, It is possible.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다. 도 2는 도 1의 복수의 화소 중 하나의 서브 화소의 개략적인 단면도이다. 도 3은 도 1의 선 III-III’에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다. 도 4는 도 3의 X 영역에 대한 개략적인 확대도이다.1 is a schematic plan view of an OLED display according to an embodiment of the present invention. 2 is a schematic cross-sectional view of one of the plurality of pixels of FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the organic light emitting diode display according to the line III-III 'of FIG. 4 is a schematic enlarged view of the X region in Fig.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 복수의 화소로 구성된 화소 영역, 화소 영역을 보호하는 플렉서블 봉지부 및 플렉서블 봉지부를 덮는 배리어 필름를 포함한다. 플렉서블 봉지부는 화소 영역 및 비화소 영역에 형성된 제 1 봉지층, 비화소 영역에 있으며 화소 영역을 둘러싸도록 형성된 구조물, 구조물의 내측에 형성된 이물보상층, 제 1 봉지층 및 이물보상층 상에 형성된 제 2 봉지층을 포함한다. 플렉서블 봉지부 상에는 배리어 필름이 가압접착층에 의해서 접착된다. An OLED display according to an embodiment of the present invention includes a pixel region composed of a plurality of pixels, a flexible encapsulant for protecting the pixel region, and a barrier film covering the flexible encapsulant. The flexible encapsulant comprises a first encapsulant layer formed in the pixel region and the non-pixel region, a structure formed in the non-pixel region and surrounding the pixel region, a foreign matter compensation layer formed on the inner side of the structure, a first encapsulant layer, 2 encapsulation layer. On the flexible sealing portion, a barrier film is bonded by a pressure bonding layer.

이하 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 이물보상층의 과도포 현상을 저감할 수 있는 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치를 간략히 설명한다. Hereinafter, a top emission type organic light emitting diode display capable of reducing the overspray phenomenon of the foreign material compensation layer according to an embodiment of the present invention will be briefly described with reference to FIGS. 1 to 4. FIG.

먼저, 도 1을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 플렉서블 기판(101) 에 포함된 복수의 화소(111), 복수의 게이트 라인(112)을 구동하도록 구성된 게이트 드라이버(113), 복수의 데이터 라인(114)에 영상 신호를 인가하도록 구성된 데이터 드라이버(115), 게이트 드라이버(113) 외곽에 형성되어 복수의 화소(111)에 공통 전압(Vss)을 공급하는 공통 전압 라인(116)및 플렉서블 봉지부(130)를 포함한다.1, an OLED display 100 includes a plurality of pixels 111 included in a flexible substrate 101, a gate driver 113 configured to drive a plurality of gate lines 112, A data driver 115 configured to apply a video signal to the data line 114, a common voltage line 116 formed outside the gate driver 113 and supplying a common voltage Vss to the plurality of pixels 111, And an encapsulant 130.

복수의 화소(111)는 적어도 적색, 녹색, 청색 (Red, Green, Blue; RGB)색상의 빛을 발광하는 서브 화소들로 구성된다. 복수의 화소(111)는 백색(White) 색상의 빛을 발광하는 서브 화소를 더 포함할 수 있고, 각각의 서브 화소는 칼라 필터(Color Filter)를 더 포함할 수 있다. 복수의 화소(111) 각각은 서로 교차하도록 형성된 복수의 게이트 라인(112)과 복수의 데이터 라인(114)에 연결된 복수의 박막트랜지스터에 의해 구동되도록 구성된다. 그리고 복수의 화소(111)가 형성된 영역은 화소 영역(110)으로 정의될 수 있다. The plurality of pixels 111 are composed of sub-pixels emitting light of at least red, green, and blue (RGB) colors. The plurality of pixels 111 may further include a sub-pixel emitting light of a white color, and each sub-pixel may further include a color filter. Each of the plurality of pixels 111 is configured to be driven by a plurality of gate lines 112 formed to cross each other and a plurality of thin film transistors connected to the plurality of data lines 114. An area where the plurality of pixels 111 are formed may be defined as the pixel area 110. [

데이터 드라이버(115)는 게이트 드라이버(113)를 구동하는 게이트 스타트 펄스 및 복수의 클럭 신호를 생성한다. 그리고 데이터 드라이버(115)는 외부로부터 입력받은 디지털(Digital) 영상 신호를 감마 전압 생성부에서 생성된 감마 전압을 이용하여 아날로그(Analogue) 영상 신호로 변환하여, 복수의 데이터 라인(114)을 통해 복수의 화소(111)에 인가한다. 데이터 드라이버(115)는 기판(101) 상에 형성된 복수의 패드(Pad)에 도포된 이방성 도전 필름(Anisotropic Conductive Film; ACF)에 의해서 기판(101)에 합착될 수 있다. 그리고 외부로부터 영상 신호 및 제어 신호를 입력받기 위한 또 다른 복수의 패드에 연성인쇄회로(Flexible Printed Citcuit; FPC) 또는 케이블(Cable) 등이 이방성 도전 필름에 의해서 합착될 수 있다. 그리고 데이터 드라이버(115) 및 연성인쇄회로 배선 등이 합착될 수 있는 복수의 패드가 형성된 영역이 패드 영역(120)으로 정의될 수 있다. 이방성 도전 필름은 도전성 접착제 또는 도전성 페이스트(paste)로 대체될 수 있으나, 도전성 접착 수단의 종류는 이에 제한되지 않는다.The data driver 115 generates a gate start pulse for driving the gate driver 113 and a plurality of clock signals. The data driver 115 converts the digital video signal input from the outside into an analog video signal using the gamma voltage generated by the gamma voltage generator to generate a plurality To the pixel 111 of FIG. The data driver 115 may be attached to the substrate 101 by an anisotropic conductive film (ACF) applied to a plurality of pads Pad formed on the substrate 101. [ Further, a flexible printed circuit (Flexible Printed Circuit) (FPC), a cable, or the like may be attached to another plurality of pads for receiving video signals and control signals from the outside by an anisotropic conductive film. An area where a plurality of pads to which the data driver 115 and the flexible printed circuit wiring or the like can be attached may be defined as the pad area 120. The anisotropic conductive film may be replaced with a conductive adhesive or a conductive paste, but the type of conductive adhesive means is not limited thereto.

게이트 드라이버(113)는 복수의 쉬프트 레지스터(Shift Register)로 구성되며 각각의 쉬프트 레지스터는 각각의 게이트 라인(112)에 연결된다. 게이트 드라이버(113)는 데이터 드라이버(115)로부터 게이트 스타트 펄스(Gate Start Pulse; GSP) 및 복수의 클럭(Clock) 신호를 인가받고, 게이트 드라이버(113)의 쉬프트 레지스터가 순차적으로 게이트 스타트 펄스를 쉬프트 시키면서 각각의 게이트 라인(112)에 연결된 복수의 화소(111)를 활성화한다. 그리고 패드 영역(120)을 제외한 게이트 드라이버(113)가 형성된 영역을 포함하는 화소 영역(110)의 주변부가 비화소 영역으로 정의될 수 있다.The gate driver 113 is composed of a plurality of shift registers, and each of the shift registers is connected to each gate line 112. The gate driver 113 receives a gate start pulse (GSP) and a plurality of clock signals from the data driver 115 and shifts the gate start pulse sequentially in the shift register of the gate driver 113 A plurality of pixels 111 connected to the gate lines 112 are activated. The periphery of the pixel region 110 including the region where the gate driver 113 is formed excluding the pad region 120 may be defined as a non-pixel region.

공통 전압 라인(116)은 게이트 라인(112) 및/또는 데이터 라인(114)과 동일한 금속으로 단일층 또는 복층으로 형성될 수 있으며, 공통 전압 라인(116) 상에 절연층이 형성될 수 있다. 공통 전압 라인(116)은 복수의 화소(111)의 제 2 전극에 공통 전압을 공급한다. 공통 전압 라인(116)은 도 1에 도시된 것과 같이 화소 영역(110) 및 게이트 드라이버(113)의 외측에 형성되어 화소 영역(110) 및 게이트 드라이버(113)를 둘러싸도록 형성된다. 특히 유기 발광 표시 장치(100)가 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치인 경우, 화소 영역(110)의 제 2 전극은 전기적으로 저항이 높아서, 공통 전압 라인(116)으로부터 멀어질수록 제 2 전극의 거리에 따른 저항 증가가 발생한다. 이러한 문제를 완화하기 위해서 공통 전압 라인(116)은 화소 영역(110)을 둘러싸도록 형성된다. 단 이에 제한되는 것은 아니며, 공통 전압 라인(116)은 화소 영역(110)의 적어도 일 측에 형성되는 것도 가능하다. 복수의 화소(111)의 제 2 전극이 공통 전압 라인(116)에 전기적으로 연결되도록, 제 2 전극은 게이트 드라이버(113) 상에 형성되어 게이트 드라이버(113)의 일부 영역까지 연장되어 형성될 수 있다. 그리고 제 2 전극은 게이트 드라이버(113) 상에 형성된 제 1 전극과 동일한 재료로 형성된 연결부에 연결될 수 있다. 제 1 전극과 동일한 재료로 형성된 연결부는 게이트 드라이버(113) 위에 형성되고, 게이트 드라이버(113)를 따라서 공통 전압 라인(116)에 연결될 수 있다. 그리고 연결부와 공통 전압 라인(116) 사이에 절연층이 존재할 경우 컨택홀에 의해서 서로 연결될 수 있다. The common voltage line 116 may be formed as a single layer or a multilayer with the same metal as the gate line 112 and / or the data line 114, and an insulating layer may be formed on the common voltage line 116. The common voltage line 116 supplies a common voltage to the second electrodes of the plurality of pixels 111. The common voltage line 116 is formed outside the pixel region 110 and the gate driver 113 as shown in FIG. 1 and is formed to surround the pixel region 110 and the gate driver 113. Particularly, when the organic light emitting display 100 is a top emission type organic light emitting display, the second electrode of the pixel region 110 has a high electrical resistance, and as the distance from the common voltage line 116 increases, The resistance increases depending on the distance between the electrodes. In order to alleviate this problem, the common voltage line 116 is formed so as to surround the pixel region 110. But the common voltage line 116 may be formed on at least one side of the pixel region 110. The second electrode may be formed on the gate driver 113 and extended to a portion of the gate driver 113 so that the second electrode of the plurality of pixels 111 is electrically connected to the common voltage line 116 have. And the second electrode may be connected to a connection portion formed of the same material as the first electrode formed on the gate driver 113. A connection portion formed of the same material as the first electrode is formed on the gate driver 113 and may be connected to the common voltage line 116 along the gate driver 113. And may be connected to each other by a contact hole when an insulating layer exists between the connection portion and the common voltage line 116. [

플렉서블 봉지부(130)는 화소 영역(110) 및 비화소 영역을 덮도록 형성된다. 그리고 플렉서블 봉지부(130)는 패드 영역(120)을 덮지 않도록 형성된다. 구체적으로 설명하면, 플렉서블 봉지부(130)는 수분 투습 지연 능력이 우수할 뿐만 아니라 전기적 절연성 또한 우수하기 때문에, 플렉서블 봉지부(130)가 패드 영역(120)을 덮도록 형성되는 경우 패드 영역(120)에 형성된 복수의 패드가 절연되는 문제가 발생할 수 있다. 따라서 플렉서블 봉지부(130)는 패드 영역(120)에 형성되지 않는 것이 바람직하다.The flexible encapsulant 130 is formed to cover the pixel region 110 and the non-pixel region. The flexible sealing part 130 is formed so as not to cover the pad area 120. Specifically, when the flexible sealing part 130 is formed so as to cover the pad area 120, the flexible sealing part 130 is excellent in moisture permeation / May be insulated from each other. Therefore, it is preferable that the flexible sealing portion 130 is not formed in the pad region 120.

플렉서블 봉지부(130)는 제 1 봉지층(131), 제 2 봉지층(133), 구조물(140) 및 이물보상층(132)을 포함한다. 특히 구조물(140)은 이물보상층(132)의 과도포 현상을 저감하기 위해 비화소 영역에 형성되어 화소 영역(110)을 둘러싸도록 형성된다. 본 발명의 실시예에서, 과도포 현상을 저감한다는 것은 이물보상층(132)이 구조물(140)을 범람하는 것을 막거나 감소시키는 것을 의미한다. 즉, 구조물(140)은 이물보상층(132)을 수용하거나 제한하도록 배열된다. 구조물(140)은 화소 영역(110) 및 게이트 드라이버(113)를 둘러싸도록 형성된다. 구조물(140)은 공통 전압 라인(116) 상에 일부 중첩되어 형성되나, 공통 전압 라인(116) 상이 아닌 공통 전압 라인(116)의 외측 또는 내측에 형성되는 것도 가능하다. 구조물(140)이 형성되는 위치는 공통 전압 라인(116)에 제한되지 않으며, 게이트 드라이버(113) 상에 형성되는 것도 가능하다. 즉, 구조물(140)은 화소 영역(110)을 둘러싸도록 비화소 영역에서 임의의 위치에 형성될 수 있다. 플렉서블 봉지부(130)에 대한 자세한 내용은 도 3을 참조하여 후술한다. 본 발명의 실시예에서, 구조물(140)은 이물보상층(132)을 수용하거나 제한할 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에서, 구조물(140)의 용도는 이물보상층과 같은 물질을 사용하는 경우에 적용될 수 있다.The flexible encapsulant 130 includes a first encapsulation layer 131, a second encapsulation layer 133, a structure 140, and a foreign material compensation layer 132. In particular, the structure 140 is formed in the non-pixel region to surround the pixel region 110 to reduce over-deposition of the foreign material compensation layer 132. In an embodiment of the present invention, reducing overspray phenomenon means preventing or reducing the foreign material compensation layer 132 from overflowing the structure 140. That is, the structure 140 is arranged to receive or confine the foreign material compensation layer 132. The structure 140 is formed to surround the pixel region 110 and the gate driver 113. The structure 140 may be partially overlapped on the common voltage line 116, but it may be formed on the outside or inside of the common voltage line 116 rather than on the common voltage line 116. The position at which the structure 140 is formed is not limited to the common voltage line 116, but may be formed on the gate driver 113. That is, the structure 140 may be formed at an arbitrary position in the non-pixel region so as to surround the pixel region 110. The details of the flexible encapsulant 130 will be described later with reference to Fig. In an embodiment of the present invention, the structure 140 may accommodate or restrict the foreign material compensation layer 132. In another embodiment of the present invention, the use of the structure 140 may be applied when using a material such as a foreign material compensation layer.

도 2를 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 플렉서블한 재료로 형성되는 기판(101), 기판(101) 상에 형성되는 박막트랜지스터(220), 박막트랜지스터(220)에 의해 구동되는 유기 발광 소자(240) 및 유기 발광 소자(240)를 밀봉하는 플렉서블 봉지부(130)을 포함한다. 2, the OLED display 100 includes a substrate 101 formed of a flexible material, a thin film transistor 220 formed on the substrate 101, an organic light emitting diode (OLED) 220 driven by the thin film transistor 220, And a flexible encapsulant 130 for encapsulating the device 240 and the organic light emitting device 240. [

기판(101)은 폴리이미드(Polyimide) 계열의 재료로 이루어진 플렉서블 필름으로 형성될 수 있다. 그리고 기판(101)의 하면에는 유기 발광 표시 장치(100)가 지나치게 흔들리는 것을 억제하도록 유기 발광 표시 장치(100)를 지지하는 백플레이트(Back-plate)를 더 구성하는 것도 가능하다. 그리고 기판(101)과 박막트랜지스터(220) 사이에 질화실리콘(SiNx) 및 산화실리콘(SiOx)으로 형성된 멀티버퍼층을 더 구성하여 기판(101)을 통해 수분 및/또는 산소가 침투되는 것을 지연시키는 것도 가능하다.The substrate 101 may be formed of a flexible film made of a polyimide-based material. In addition, a back-plate supporting the organic light emitting display 100 may be further provided on the lower surface of the substrate 101 to prevent the organic light emitting display 100 from being excessively shaken. Further, a multi-buffer layer formed of silicon nitride (SiNx) and silicon oxide (SiOx) may be additionally provided between the substrate 101 and the thin film transistor 220 to delay the penetration of moisture and / or oxygen through the substrate 101 It is possible.

박막트랜지스터(220)는 액티브층(221), 게이트전극(222), 소스전극(223) 및 드레인전극(224)을 포함한다. 액티브층(221)은 기판(101) 상의 전면에 형성되는 게이트절연막(225)으로 덮인다. 게이트전극(222)은 게이트 라인(112)과 동일한 재료로, 게이트절연막(225) 상에 적어도 액티브층(221)의 일부 영역과 중첩하도록 형성된다. 이러한 게이트전극(222)은 게이트절연막(225) 상의 전면에 형성되는 층간절연막(226)으로 덮인다. 층간절연막(226)은 질화실리콘 및 산화실리콘으로 형성된 복층 구조로 형성될 수 있다. 그리고 질화실리콘의 두께는 0.2μm 내지 0.4μm이고, 산화실리콘의 두께는 0.15μm 내지 0.3μm인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 질화실리콘의 두께를 0.3μm 그리고 산화실리콘의 두께를 0.2μm로 형성하여, 층간절연막(226)의 두께가 0.5μm가 되도록 형성한다. 소스전극(223) 및 드레인전극(224)은 데이터 라인(114)과 동일한 재료로, 층간절연막(226) 상에 상호 이격하여 형성된다. 이때, 소스전극(223)은 액티브층(221)의 일단과 연결되고, 게이트절연막(225)과 층간절연막(226)을 관통하는 제 1 콘택홀(228)을 통해 액티브층(221)과 연결된다. 그리고, 드레인전극(224)은 적어도 액티브층(221)의 타단과 중첩하고, 게이트절연막(225)과 층간절연막(226)을 관통하는 콘택홀을 통해 액티브층(221)과 연결된다. 이러한 액티브층(221)을 포함한 박막트랜지스터(220)는 층간절연막(226) 상의 전면에 형성되는 평탄화층(227)으로 덮인다. 그리고 층간절역만(226)과 평탄화층(227) 사이에는 박막트랜지스터(220)를 오염으로부터 보호하기 위한 질화실리콘으로 형성된 절연층이 추가적으로 형성될 수 있다. 박막트랜지스터(220)는 이 구조에 제한되지 않고 다양한 구조의 박막트랜지스터(220)가 사용될 수 있다. The thin film transistor 220 includes an active layer 221, a gate electrode 222, a source electrode 223 and a drain electrode 224. The active layer 221 is covered with a gate insulating film 225 formed on the entire surface of the substrate 101. The gate electrode 222 is formed of the same material as the gate line 112 and overlaps at least a portion of the active layer 221 on the gate insulating film 225. The gate electrode 222 is covered with an interlayer insulating film 226 formed on the entire surface of the gate insulating film 225. The interlayer insulating film 226 may be formed in a multi-layer structure formed of silicon nitride and silicon oxide. It is preferable that the thickness of the silicon nitride is 0.2 mu m to 0.4 mu m and the thickness of the silicon oxide is 0.15 mu m to 0.3 mu m. More preferably, the thickness of silicon nitride is 0.3 mu m and the thickness of silicon oxide is 0.2 mu m, and the thickness of the interlayer insulating film 226 is 0.5 mu m. The source electrode 223 and the drain electrode 224 are formed of the same material as the data line 114 and spaced apart from each other on the interlayer insulating film 226. The source electrode 223 is connected to one end of the active layer 221 and is connected to the active layer 221 through a first contact hole 228 penetrating the gate insulating film 225 and the interlayer insulating film 226 . The drain electrode 224 overlaps at least the other end of the active layer 221 and is connected to the active layer 221 through a contact hole penetrating the gate insulating film 225 and the interlayer insulating film 226. The thin film transistor 220 including the active layer 221 is covered with a planarizing layer 227 formed on the entire surface of the interlayer insulating film 226. In addition, an insulating layer formed of silicon nitride may be additionally formed between the interlayer insulating layer 226 and the planarization layer 227 to protect the thin film transistor 220 from contamination. The thin film transistor 220 is not limited to this structure and a thin film transistor 220 having various structures may be used.

유기 발광 소자(240)는 서로 대향하는 제 1 전극(241) 및 제 2 전극(243) 및 이들 사이에 개재되는 유기 발광층(242)를 포함한다. 유기 발광층(242)의 발광 영역은 뱅크(244)에 의해 정의될 수 있다.The organic light emitting diode 240 includes a first electrode 241 and a second electrode 243 facing each other and an organic light emitting layer 242 interposed therebetween. The light emitting region of the organic light emitting layer 242 may be defined by the bank 244. [

제 1 전극(241)은 평탄화층(227) 상에 각 화소(111)의 발광 영역에 대응하도록 형성되고, 평탄화층(227)을 관통하는 제 2 콘택홀(229)을 통해 박막트랜지스터(220)의 드레인전극(224)과 연결된다. 평탄화층(227)은 유전율이 낮은 포토 아크릴(Photo Acryl)로 형성될 수 있다. 평탄화층(227)의 두께는 2μm 내지 3.5μm인 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 2.3μm로 형성된다. 평탄화층(227)의 재료 및 두께에 의해서 제 1 전극(241)은 박막트랜지스터(220), 게이트 라인(112) 또는 데이터 라인(115)에 의해 발생되는 기생정전용량(Parasitic-Capacitance)의 영향을 적게 받을수 있고, 제 1 전극(241)의 평탄도가 향상될 수 있다.The first electrode 241 is formed on the planarization layer 227 to correspond to the emission region of each pixel 111 and is electrically connected to the thin film transistor 220 through the second contact hole 229 passing through the planarization layer 227. [ The drain electrode 224 is connected to the drain electrode 224. The planarization layer 227 may be formed of a photoacid having a low dielectric constant. The thickness of the planarization layer 227 is preferably 2 탆 to 3.5 탆, and more preferably 2.3 탆. Depending on the material and thickness of the planarization layer 227, the first electrode 241 may affect the parasitic capacitance caused by the thin film transistor 220, the gate line 112, or the data line 115 And the flatness of the first electrode 241 can be improved.

뱅크(244)는 평탄화층(227) 상에, 각 화소(111)의 비발광 영역에 대응하도록 형성되고, 테이퍼(Taper) 형상으로 형성되며, 제 1 전극(241)의 테두리에 적어도 일부를 오버랩하도록 형성된다. 뱅크(244)의 높이는 1μm 내지 2μm인 것이 바람직하며, 보다 바람직하게 1.3μm로 형성한다. 뱅크(244) 상에는 스페이서(245)가 형성된다. 스페이서(245)는 뱅크(244)와 동일한 물질로 형성될 수 있다. 뱅크(244) 및 스페이서(245)는 폴리이미드로 형성될 수 있다. 스페이서(245)는 유기 발광층(242)을 패터닝할 때 사용되는 미세 금속 마스크(Fine Metal Mask; FMM)에 의해서 발생될 수 있는 유기 발광 소자(240)의 손상을 보호하는 기능을 수행한다. 스페이서(245)의 높이는 1.5μm 내지 2.5μm로 형성하는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게 2μm로 형성한다. 이렇게 하면 마스크에 의한 손상을 효과적으로 보호할 수 있다. 미세 금속 마스크 패터닝을 사용하지 않고 스페이서(245)는 형성될 수 있다. The banks 244 are formed on the planarization layer 227 to correspond to the non-emission regions of the respective pixels 111 and are formed in a tapered shape. The banks 244 overlap at least a part of the edges of the first electrodes 241, . The height of the bank 244 is preferably 1 占 퐉 to 2 占 퐉, and more preferably 1.3 占 퐉. On the bank 244, a spacer 245 is formed. The spacer 245 may be formed of the same material as the bank 244. The bank 244 and the spacers 245 may be formed of polyimide. The spacer 245 functions to protect the organic light emitting diode 240 from being damaged by a fine metal mask (FMM) used when patterning the organic light emitting layer 242. The height of the spacer 245 is preferably 1.5 to 2.5 탆, and more preferably 2 탆. This can effectively protect the mask from damage. The spacers 245 can be formed without using a fine metal mask patterning.

또한, 평탄화층(227), 뱅크(244) 및 스페이서(245)의 높이는 후술될 구조물(140)의 높이와도 관련이 있기 때문에, 이물보상층(132)의 도포 두께를 고려하여 구조물(140)의 높이를 대응되게 형성할 수 있다.The height of the planarization layer 227, the bank 244 and the spacer 245 is also related to the height of the structure 140 to be described later, so that the structure 140, considering the coating thickness of the foreign material compensation layer 132, Can be formed to correspond to each other.

유기 발광층(242)은 제 1 전극(241) 상에 형성된다. 제 2 전극(243)은 유기 발광층(242)을 사이에 두고 제 1 전극(241)과 대향하도록 형성된다. 유기 발광층(242)은 인광 또는 형광물질로 구성될 수 있으며, 전자 수송층, 정공 수송층, 전하 생성층 등을 더 포함할 수 있다.An organic light emitting layer 242 is formed on the first electrode 241. The second electrode 243 is formed to face the first electrode 241 with the organic light emitting layer 242 therebetween. The organic light emitting layer 242 may be formed of a phosphorescent or fluorescent material, and may further include an electron transporting layer, a hole transporting layer, a charge generating layer, and the like.

제 1 전극(241)은 일함수가 높은 금속성 물질로 형성된다. 제 1 전극(241)이 반사 특성을 가지도록 제 1 전극(241)이 반사성 물질로 형성되거나 또는 제 1 전극(241) 하부에 반사판이 추가로 형성될 수도 있다. 제 1 전극(241)에는 영상 신호를 표시하기 위한 아날로그 영상 신호가 인가된다.The first electrode 241 is formed of a metallic material having a high work function. The first electrode 241 may be formed of a reflective material so that the first electrode 241 has a reflection characteristic or a reflection plate may be further formed below the first electrode 241. [ An analog video signal for displaying a video signal is applied to the first electrode 241.

제 2 전극(243)은 매우 얇은 두께의 일함수가 낮은 금속성 물질 또는 투명 도전성 산화물(Transparent Conductive Oxide; TCO)로 형성된다. 제 2 전극(243)이 금속성 물질로 형성되는 경우, 제 2 전극(243)은 400Å 이하의 두께로 형성되며, 제 2 전극(243)이 이러한 두께로 형성된 경우, 제 2 전극(243)은 실질적으로 반투과층이 되어, 실질적으로 투명한 층이 된다. 제 2 전극(243)에는 공통 전압(Vss)이 인가된다. The second electrode 243 is formed of a very thin work function metal material or a transparent conductive oxide (TCO). When the second electrode 243 is formed of a metallic material, the second electrode 243 is formed to a thickness of 400 Å or less. When the second electrode 243 is formed to have such a thickness, the second electrode 243 is substantially To form a semi-transparent layer, resulting in a substantially transparent layer. A common voltage Vss is applied to the second electrode 243.

제 2 전극(243)상에는 제 1 봉지층(131), 이물보상층(132) 및 제 2 봉지층(133)을 포함하는 플렉서블 봉지부(130)가 형성된다. 플렉서블 봉지부(130)에 관해서는 도 3을 참조하여 후술한다.A flexible encapsulant 130 including a first encapsulation layer 131, a foreign material compensation layer 132 and a second encapsulation layer 133 is formed on the second electrode 243. The flexible sealing portion 130 will be described later with reference to Fig.

도 3을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)의 일부 화소 영역(110)부터 일 단부까지 도시된다. 구체적으로 기판(101), 기판(101) 상에 형성된 화소 영역(110), 비화소 영역에 형성된 게이트 드라이버(113), 비화소 영역에 형성된 공통 전압 라인(116), 화소 영역(110) 및 비화소 영역을 덮도록 형성된 플렉서블 봉지부(130) 및 배리어 필름(350)이 도시된다.Referring to FIG. 3, some pixel regions 110 to one end of the OLED display 100 are shown. More specifically, the pixel region 110 formed on the substrate 101, the gate driver 113 formed on the non-pixel region, the common voltage line 116 formed on the non-pixel region, the pixel region 110, A flexible encapsulant 130 and a barrier film 350 formed to cover the pixel area are shown.

게이트 드라이버(113)는 복수의 화소(111)에 형성된 박막트랜지스터(220)와 동일한 공정으로 형성된 박막트랜지스터들로 구성된다. 따라서 게이트 드라이버(113)의 적층 구조에 대한 중복 설명은 생략한다. The gate driver 113 is composed of thin film transistors formed in the same process as that of the thin film transistor 220 formed in the plurality of pixels 111. Therefore, redundant description of the lamination structure of the gate driver 113 is omitted.

공통 전압 라인(116) 상에는 구조물(140)이 형성될 수 있다. 따라서 구조물(140)의 높이는 공통 전압 라인(116)의 두께만큼 증가하게 된다. 이하 도 1에서 이미 설명한 내용의 중복 설명은 생략한다.The structure 140 may be formed on the common voltage line 116. Thus, the height of the structure 140 is increased by the thickness of the common voltage line 116. Hereinafter, duplicate descriptions of the contents already described in FIG. 1 will be omitted.

플렉서블 봉지부(130)는 제 1 봉지층(131), 이물보상층(132), 제 2 봉지층(133) 및 구조물(140)을 포함한다. 제 1 봉지층(131)은 복수의 화소(111), 게이트 드라이버(113) 및 구조물(140)을 덮도록 구성된다. 이물보상층(132)은 화소 영역(110)을 덮으면서 구조물(140)에 의해 과도포가 저감된다. 따라서, 이물보상층(132)은 구조물(140)에 인접한다. 제 2 봉지층(133)은 제 1 봉지층(131) 및 이물보상층(132)을 덮도록 구성된다. 구조물(140)은 소정의 높이를 가지면서 비화소 영역에서 이물보상층(132)을 둘러싸도록 구성되고, 구조물(140)의 높이는 이물보상층(132)의 과도포를 대비하고 배리어 필름(350)의 접착력이 증가되도록 설정된다.The flexible encapsulant 130 includes a first encapsulation layer 131, a foreign material compensation layer 132, a second encapsulation layer 133, and a structure 140. The first encapsulation layer 131 is configured to cover the plurality of pixels 111, the gate driver 113, and the structure 140. The foreign material compensation layer 132 covers the pixel region 110, and the excess charge is reduced by the structure 140. Thus, the foreign material compensation layer 132 is adjacent to the structure 140. The second encapsulation layer 133 is configured to cover the first encapsulation layer 131 and the foreign material compensation layer 132. The structure 140 is configured to surround the foreign material compensation layer 132 in the non-pixel area with a predetermined height and the height of the structure 140 is set to be greater than the height of the barrier film 350, Is increased.

제 1 봉지층(131)은 무기물 계열로 형성된다. 제 1 봉지층(131)은 질화실리콘(SiNx) 또는 산화알루미늄(AlyOz) 중 하나를 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition; CVD) 또는 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition; ALD) 등의 진공성막법을 사용하여 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. The first sealing layer 131 is formed of an inorganic material. The first encapsulation layer 131 may be formed using a vacuum deposition method such as chemical vapor deposition (CVD) or atomic layer deposition (ALD) using one of silicon nitride (SiNx) and aluminum oxide However, the present invention is not limited thereto.

제 1 봉지층(131)을 질화실리콘으로 형성할 경우, 제 1 봉지층(310)의 두께를 5000Å 내지 15000Å으로 형성하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10000Å으로 형성한다. 측정 결과 10000Å 두께로 형성된 제 1 봉지층(131)의 수분 침투율(Water Vapor Transmission Rate; WVTR)은 5.0×10-2[g/m2-day]으로 측정되었다.When the first encapsulation layer 131 is formed of silicon nitride, the first encapsulation layer 310 is preferably formed to a thickness of 5000 ANGSTROM to 15000 ANGSTROM, more preferably 10,000 ANGSTROM. The water permeation rate (WVTR) of the first encapsulating layer 131 formed to a thickness of 10,000 Å was measured as 5.0 × 10 -2 [g / m 2 -day].

제 1 봉지층(131)을 산화알루미늄으로 형성할 경우, 제 1 봉지층(131)의 두께를 200Å 내지 1500Å으로 형성하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 Å으로 형성한다. 측정 결과 500Å 두께로 형성된 제 1 봉지층(131)의 수분 침투율은 1.3×10-3[g/m2-day]으로 측정되었다.When the first encapsulation layer 131 is formed of aluminum oxide, the thickness of the first encapsulation layer 131 is preferably 200 Å to 1500 Å, and more preferably, Å. As a result, the moisture permeability of the first encapsulation layer 131 formed to a thickness of 500 Å was measured to be 1.3 × 10 -3 [g / m 2 -day].

이물보상층(132)은 유기물 계열로 형성된다. 이물보상층(132)은 실리콘옥시카본(SiOCz)이 사용되거나, 아크릴(Acryl) 또는 에폭시(Epoxy) 계열의 레진(Resin)이 사용될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 이물보상층(132)이 이물을 효과적으로 보상하기 위해서는 이물보상층(132)의 점도가 500(센티 프와즈; cp) 내지 30000cp 가 되는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 2000cp 내지 4000cp가 되게 한다.The foreign material compensation layer 132 is formed of an organic material. As the foreign material compensation layer 132, silicon oxy carbon (SiOCz) may be used, or acrylic resin or epoxy resin may be used, but the present invention is not limited thereto. In order for the foreign material compensation layer 132 to effectively compensate the foreign object, the viscosity of the foreign material compensation layer 132 is preferably from 500 (centipoise; cp) to 30000 cp, more preferably from 2000 cp to 4000 cp.

예를 들어, 이물보상층(132)이 SiOCz로 형성되는 경우, CVD 공정으로 이물보상층(132)이 형성될 수 있다. SiOCz는 무기물이나, 특정 조건하에서 유기물로 분류될 수 있다. 구체적으로 설명하면, SiOCz는 실리콘과 탄소의 원자 비율(C/Si) 비율에 따라 흐름성이 달라지게 된다. 예를 들어, SiOCz의 흐름성이 나빠지면 무기물에 가까운 특성을 가지게 되므로 이물을 보상하는 성능이 저하되고 흐름성이 좋아지면 유기물에 가까운 특성을 가지게 되므로 이물을 보상하는 성능이 향상된다. 원소 비율 측정 결과에 따르면, C/Si 비율이 대략 1.05 이상이면 흐름성이 나빠지고, C/Si비가 1.0 이하이면 흐름성이 좋아져서 이물을 용이하게 보상할 수 있다. 따라서 C/Si 비율이 1.0 이하인 것이 이물보상층(132)을 구현함에 있어서 바람직하다. 그리고 증착 공정 온도를 섭씨 60°C 이하로 제어함에 의해, 흐름성이 보다 향상되어, 이물보상층(132)의 평탄도가 좋아지고, 이물보상층(132)이 이물을 용이하게 덮을 수 있다. 따라서 이물보상층(132) 상면에 제 2 봉지층(133)이 평탄하게 형성될 수 있다. For example, when the foreign material compensation layer 132 is formed of SiOCz, the foreign material compensation layer 132 may be formed by a CVD process. SiOCz is an inorganic substance, but can be classified as organic under certain conditions. Specifically, the flowability of SiOCz varies depending on the atomic ratio (C / Si) ratio between silicon and carbon. For example, when the flowability of SiOCz is deteriorated, it has a property close to that of an inorganic substance. Therefore, when the performance of compensating foreign substances is deteriorated and the flowability is improved, the characteristics of organic substances are improved. According to the element ratio measurement result, the flowability is deteriorated when the C / Si ratio is about 1.05 or more, and the flowability is improved when the C / Si ratio is 1.0 or less, so that foreign matter can be easily compensated. Therefore, it is preferable that the C / Si ratio is 1.0 or less in realizing the foreign material compensation layer 132. By controlling the deposition process temperature to 60 ° C or lower, the flowability is further improved, the flatness of the foreign material compensation layer 132 is improved, and the foreign material compensation layer 132 can easily cover the foreign object. Therefore, the second encapsulation layer 133 may be formed flat on the upper surface of the foreign material compensation layer 132.

SiOCz의 C/Si 비율은 CVD 공정 중 산소(O2)와 헥사메틸다이실록산(Hexamethyldisiloxane; HMDSO)의 비율을 조절하여 제어될 수 있다. SiOCz로 형성된 이물보상층(132)의 두께는 2μm 내지 4μm의 범위인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게 3μm일 수 있다. 특히 SiOCz로 이물보상층(132)을 형성하면 플렉서블 봉지부(130)의 두께가 매우 얇게 구현될 수 있고, 유기 발광 표시 장치(100)의 두께가 저감될 수 있다. The C / Si ratio of SiOCz can be controlled by adjusting the ratio of oxygen (O 2) to hexamethyldisiloxane (HMDSO) during the CVD process. The thickness of the foreign material compensation layer 132 formed of SiOCz is preferably in the range of 2 탆 to 4 탆, more preferably 3 탆. In particular, when the foreign material compensation layer 132 is formed of SiOCz, the thickness of the flexible encapsulant 130 can be very thin and the thickness of the organic light emitting display 100 can be reduced.

예를 들어, 이물보상층(132)이 아크릴 또는 에폭시 계열의 레진으로 형성되는 경우, 슬릿 코팅(Slit Coating) 또는 스크린 프린팅(Screen Printing) 공정으로 이물보상층(132)이 형성될 수 있다. 이 때, 에폭시 계열의 레진은 고점도의 비스페놀-A-에폭시(Bisphenol-A-Epoxy) 또는 저점도의 비스페놀-F-에폭시(Bisphenol-F-Epoxy) 등이 사용 가능하다. 이물보상층(132)은 첨가제를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 레진의 균일도를 개선하기 위해서 레진의 표면장력을 감소시키는 습윤제(Wetting agent), 레진의 표면 평탄성을 개선하기 위한 레벨링제(Leveling agent), 레진에 포함된 기포를 제거하기 위한 소포제(Defoaming agent)가 첨가제로서 더 추가될 수 있다. 이물보상층(132)은 개시제를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 열에 의해서 연쇄 반응을 개시시킴에 의해 액상 레진을 경화시키는 안티몬(Antimony) 계열의 개시제 또는 무수물(Anhydride)계열의 개시제를 사용하는 것이 가능하다. For example, in the case where the foreign material compensation layer 132 is formed of acrylic or epoxy resin, the foreign material compensation layer 132 may be formed by a slit coating or a screen printing process. At this time, high-viscosity bisphenol-A-epoxy or low viscosity bisphenol-F-epoxy can be used as the epoxy resin. The foreign material compensation layer 132 may further include an additive. For example, in order to improve the uniformity of the resin, a wetting agent for reducing the surface tension of the resin, a leveling agent for improving the surface flatness of the resin, a defoaming agent for removing the bubbles contained in the resin ( Defoaming agent can be added as an additive. The foreign material compensation layer 132 may further include an initiator. For example, it is possible to use an antimony series initiator or an anhydride series initiator which cures the liquid resin by initiating a chain reaction by heat.

특히 레진을 열경화하는 경우, 공정 온도는 110°C 이하로 제어하는 것이 중요하다. 120°C 이상의 공정 온도에서 레진을 열경화하면, 이미 형성된 유기 발광층(242)이 손상될 수 있다. 따라서 110°C 이하에서 경화되는 특성을 갖는 레진이 사용된다.In particular, when the resin is thermoset, it is important to control the process temperature to 110 ° C or less. If the resin is thermally cured at a process temperature of 120 ° C or higher, the already formed organic light emitting layer 242 may be damaged. Therefore, a resin having properties of setting at 110 ° C or less is used.

추가적으로, 레진의 온도가 상승하면, 액상 레진의 점도가 급속도로 낮아지다가, 일정 시간이 지나면 경화가 시작되면서 점도가 급상승하여 경화가 완료된다. 하지만 점도가 낮아지는 일정 시간 동안에는 레진은 유동성이 높기 때문에, 이 때 과도포 현상이 발생할 가능성이 특히 증가하게 된다.In addition, when the temperature of the resin increases, the viscosity of the liquid resin rapidly decreases. After a certain period of time, the curing starts and the viscosity rises rapidly to complete the curing. However, since the resin has a high fluidity during a certain period of time when the viscosity is lowered, the possibility of over-deposition is particularly increased at this time.

레진으로 형성된 이물보상층(132)의 두께는 15μm 내지 25μm의 범위일 수 있으며 바람직하게 20μm일 수 있다. The thickness of the foreign material compensation layer 132 formed of resin may be in the range of 15 mu m to 25 mu m and preferably 20 mu m.

도 3에 도시된 것과 같이, 이물보상층(132)의 단면은 화소 영역(110)에서는 평탄한 상면을 갖고, 비화소 영역에서는 이물보상층(132)의 두께가 점진적으로 얇아진다. 이물보상층(132)이 점진적으로 얇아지는 부분은 슬로프(Slope)를 가지게 되고, 빛의 굴절을 발생시켜 영상의 품질이 저하될 수 있으므로, 비화소 영역에 형성되는 것이 바람직하다.As shown in Fig. 3, the cross section of the foreign material compensation layer 132 has a flat upper surface in the pixel region 110, and the thickness of the foreign material compensation layer 132 gradually decreases in the non-pixel region. The portion where the foreign material compensation layer 132 gradually becomes thinner has a slope, and refraction of light may be generated to deteriorate the quality of the image, so that it is preferable that the foreign matter compensation layer 132 is formed in the non-pixel region.

이물보상층(132)은 공정 상 발생할 수 있는 이물 또는 파티클(Particle)을 커버하도록 기능한다. 예를 들어, 제 1 봉지층(131)에는 이물 또는 파티클에 의해서 발생된 크랙에 의한 불량이 존재할 수 있다. 하지만 이물보상층(132)에 의해서 이러한 굴곡 및 이물이 덮힐 수 있고 이물보상층(132)의 상면은 평탄화 된다. 즉, 이물보상층(132)은 이물을 보상하고 화소 영역(110)을 평탄화시켜, 복수의 화소(111)를 평탄화시킨다. 그 결과, 이물보상층(132)은 보상층으로 지칭될 수도 있다. 또한, 복수의 화소(111)의 외곽에서 구조물(140) 쪽으로 높이가 점진적으로 감소되는 구조를 갖는다.The foreign material compensation layer 132 functions to cover foreign matter or particles that may occur in the process. For example, the first sealing layer 131 may have a defect due to a crack generated by foreign matter or particles. However, such curvature and foreign matter can be covered by the foreign material compensation layer 132 and the upper surface of the foreign material compensation layer 132 is planarized. That is, the foreign material compensation layer 132 compensates the foreign object and flattens the pixel region 110, thereby flattening the plurality of pixels 111. As a result, the foreign material compensation layer 132 may be referred to as a compensation layer. In addition, the structure has a structure in which the height gradually decreases toward the structure 140 from the outside of the plurality of pixels 111.

하지만 이물보상층(132)은 수분으로부터 유기 발광 소자(240)를 보호하기에 적합하지 않다. 그리고 흐름성이 우수하기 때문에 이물보상층(132)은 실제 설계치를 벗어나게 되는 경우가 자주 발생한다. However, the foreign material compensation layer 132 is not suitable for protecting the organic light emitting element 240 from moisture. Since the flowability is excellent, the foreign material compensation layer 132 often deviates from the actual design value.

본 발명의 일 실시예에 따른 구조물(140)은 유기 발광 표시 장치(100)의 비화소 영역에 형성된다, 구조물(140)은 화소 영역(110)으로부터 이격되어 형성되고, 기판(101)의 최외곽부로부터 이격되어 형성된다. 도 3에 도시된 것과 같이, 이물보상층(132)은 구조물(140)에 의해 억제된다. A structure 140 according to an exemplary embodiment of the present invention is formed in a non-pixel region of the OLED display 100. The structure 140 is formed apart from the pixel region 110, And is formed apart from the outer frame portion. As shown in FIG. 3, the foreign material compensation layer 132 is suppressed by the structure 140.

도 4를 참조하면, 구조물(140)은 제 1 층(141) 및 제 2 층(142)을 포함하는 이물보상층(132)의 과도포 대비용 복층 구조로 형성된다. 제 1 층(141) 및 제 2 층(142)은 뱅크(244) 및 스페이서(245)와 동일한 공정 동안 형성된다. 즉, 추가 공정 없이 마스크 설계 변경을 통해 구조물(140)은 2.5μm 내지 4.5μm의 높이의 복층 구조로 형성될 수 있다. 즉, 구조물(140)의 높이는 뱅크(244) 및 스페이서(245)의 설계에 따라서 가변될 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 뱅크(244) 및 스페이서(245)가 1.3μm 및 2μm의 높이로 형성되면, 복층 구조인 구조물(140)의 높이는 3.3μm가 된다. 특히 이러한 높이로 구성된 구조는 복수의 화소(111)에 최적화된 높이이기 때문에 복수의 화소(111)가 최적화될 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 구조물(140)은 유기물 및 무기물 중 적어도 하나를 포함할 수 있고, 구조물(140)을 커버하는 제 1 봉지층(131)은 구조물(140)을 통한 수분 침투를 억제시킬 수 있다.4, the structure 140 is formed in an overcoat-cost multi-layer structure of a foreign material compensation layer 132 comprising a first layer 141 and a second layer 142. The first layer 141 and the second layer 142 are formed during the same process as the bank 244 and the spacer 245. That is, the structure 140 can be formed in a multi-layer structure having a height of 2.5 μm to 4.5 μm through mask design modification without any additional process. That is, the height of the structure 140 may vary depending on the design of the bank 244 and the spacers 245. As described above, when the banks 244 and the spacers 245 are formed to have heights of 1.3 占 퐉 and 2 占 퐉, the height of the structure 140 as a multilayer structure becomes 3.3 占 퐉. In particular, since the height structure is optimized for the plurality of pixels 111, the plurality of pixels 111 can be optimized. In an embodiment of the present invention, the structure 140 may include at least one of organic and inorganic materials, and the first encapsulant layer 131 covering the structure 140 may inhibit moisture penetration through the structure 140 .

제 1 봉지층(131)은 구조물(140)의 형상을 따라서 구조물(140) 상에 형성된다. 구조물(140) 상에 형성된 제 1 봉지층(131)의 벽면의 경사(θ)는 제 1 층(141) 및 제 2 층(142)의 단면의 경사에 대응된다. 뱅크(244) 및 스페이서(245)의 단면의 경사의 기울기는 기판(101)을 기준으로 30° 내지 90°로 형성될 수 있다. 뱅크(244) 및 스페이서(245)의 각각의 경사는 서로 동일하거나, 서로 상이할 수 있다. The first seal layer 131 is formed on the structure 140 along the shape of the structure 140. The inclination of the wall surface of the first encapsulation layer 131 formed on the structure 140 corresponds to the inclination of the cross section of the first layer 141 and the second layer 142. [ The inclination of the inclination of the cross section of the bank 244 and the spacer 245 may be formed at 30 to 90 degrees with respect to the substrate 101. [ The slope of each of the bank 244 and the spacer 245 may be the same or different from each other.

이물보상층(132)이 SiOCz로 형성될 경우, 구조물(140)은 이물보상층(132)의 높이와 유사해지기 때문에 이물보상층(132)의 과도포 현상을 효과적으로 저감시킬 수 있다. 이물보상층(132)은 구조물(140) 상에 형성된 제 1 봉지층(131)의 벽면에 대응되도록 형성된다. 즉, 이물보상층(132)은 제 1 봉지층(131)의 벽면의 형상에 따른 대응하는 형상을 갖도록 형성된다.When the foreign material compensation layer 132 is formed of SiOCz, the structure 140 is similar to the height of the foreign material compensation layer 132, so that the overspray phenomenon of the foreign material compensation layer 132 can be effectively reduced. The foreign material compensation layer 132 is formed to correspond to the wall surface of the first sealing layer 131 formed on the structure 140. That is, the foreign material compensation layer 132 is formed to have a corresponding shape corresponding to the shape of the wall surface of the first sealing layer 131.

또한 구조물(140)의 높이를 구조물(140)에 인접한 이물보상층(132)보다 높게 형성하면, 이물보상층(132)이 구조물(140)을 범람할 가능성이 적기 때문에 구조물(140)은 화소 영역(110)에 최대한 근접하게 형성하될 수 있다. 이러한 경우, 구조물(140)은 화소 영역(110)으로부터 1000μm 이하의 이격거리(L2)로 이격하여 형성하는 것이 바람직하다. Since the structure 140 has a height higher than that of the foreign body compensation layer 132 adjacent to the structure 140, the foreign body compensation layer 132 is less likely to overflow the structure 140, (110). ≪ / RTI > In this case, it is preferable that the structure 140 is formed spaced apart from the pixel region 110 by a distance L 2 of 1000 μm or less.

이물보상층(132)이 아크릴 또는 에폭시 계열의 레진으로 형성될 경우, 이물보상층(132)의 높이는 15μm 내지 25μm의 범위일 수 있다. 따라서 이물보상층(132)의 높이는 구조물(140)의 높이보다 상당히 높게 형성된다. 앞에서 설명하였듯이, 이물보상층(132)의 상면은 화소 영역(110)내에서는 평탄하게 형성되고, 이물보상층(132)의 높이는 비화소 영역에서는 점진적으로 감소되는 형상을 가지도록 형성된다. 따라서 이러한 경우, 구조물(140)은 이물보상층(132)이 비화소 영역에서 점진적으로 얇아져서, 구조물(140)의 높이가 이물보상층(132)을 효과적으로 억제할 수 있는 지점에 형성하는 것이 바람직하다. When the foreign material compensation layer 132 is formed of an acrylic or epoxy resin, the height of the foreign material compensation layer 132 may be in the range of 15 to 25 mu m. Therefore, the height of the foreign material compensation layer 132 is formed to be significantly higher than the height of the structure 140. As described above, the upper surface of the foreign material compensation layer 132 is formed flat in the pixel region 110, and the height of the foreign material compensation layer 132 is formed so as to gradually decrease in the non-pixel region. Therefore, in such a case, it is preferable that the structure 140 is formed such that the foreign material compensation layer 132 gradually becomes thinner in the non-pixel area so that the height of the structure 140 can effectively suppress the foreign material compensation layer 132 Do.

예를 들면, 본 발명의 일 실시예에서 사용된 20μm의 에폭시 계열의 레진이 3000cp의 점도를 가질 경우, 구조물(140)을 본 실시예에서 최적의 이격 거리로 여겨지는 화소 영역(110)에서 1000μm 내지 2500μm로 이격하여 형성하는 것이 바람직하다. 즉, 최적의 이격 거리로 여겨지는 특정 거리(L2)에서, 구조물(140)이 이물보상층(132)이 범람하는 것을 효과적으로 억제할 수 있다. 따라서, 본 실시예에서 이러한 이격 거리(L2)를 유지하는 것이 중요하다. 그러나, 이러한 이격 거리는 구조물(140)의 높이, 이물보상층(132)의 두께, 점도 및 도포 영역에 따라서 최적화된 값이 달라지기 때문에, 이에 한정되는 것은 아니다. For example, if the 20-micron epoxy-based resin used in one embodiment of the present invention has a viscosity of 3000 cp, then the structure 140 may have a thickness of 1000 [mu] m in the pixel region 110, To 2500 mu m. That is, at the specific distance L2 considered as the optimum separation distance, it is possible to effectively suppress flooding of the structure 140 with the foreign material compensation layer 132. Therefore, in this embodiment, it is important to maintain such a separation distance L2. However, the spacing distance is not limited to this because the optimized distance varies depending on the height of the structure 140, the thickness of the foreign material compensation layer 132, the viscosity, and the application region.

또한 이물보상층(132)은 표면 장력을 가지고 있기 때문에 구조물(140)의 높이가 이물보상층(132)의 높이보다 약간 낮아도 이물보상층(132)이 구조물(140)을 범람하지 않을 수 있다. Also, since the foreign material compensation layer 132 has a surface tension, the foreign material compensation layer 132 may not flood the structure 140 even if the height of the structure 140 is slightly lower than the height of the foreign material compensation layer 132.

제 2 봉지층(133)은 이물보상층(132) 및 제 1 봉지층(131) 상에 형성된다. 따라서 제 1 봉지층(131)과 제 2 봉지층(133)은 구조물(140)의 외측부에서 서로 접촉하도록 형성된다. 구조물(140)의 외측부에서 제 1 봉지층(131)과 제 2 봉지층(133)가 접촉하는 접촉 영역(L1)은 50μm 이상인 것이 바람직하다. 즉, 제 1 봉지층(131)과 제 2 봉지층(133)가 접촉하는 접촉 영역은 이물보상층(132)을 밀봉하기 위해 구조물의 외곽으로부터 소정의 거리 이상 연장되도록 구성된다. 특히 제 1 봉치증(131) 및 제 2 봉지층(133)이 50μm 이상 서로 접촉하도록 구성되면, 이물보상층(132)이 구조물(140)을 일부 범람하더라도, 제 1 봉지층(131)과 제 2 봉지층(133)에 의해서 이물보상층(132)이 밀봉될 수 있다. 이러한 구조에 따르면 이물보상층(132)은 제 1 봉지층(131) 및 제 2 봉지층(133)에 의해서 밀봉되게 되어 이물보상층(132)을 통한 직접적인 수분 침투 경로가 억제된다. 이러한 경우, 제 1 봉지층(131)의 면적은 제 2 봉지층(133)의 면적보다 넓게 형성된다. 따라서 제 2 봉지층(133)은 제 1 봉지층(131)에 비해서 작은 면적으로 형성될 수 있다. 그러나, 접촉 영역(L1), 제 1 봉지층(131)의 면적 및 제 2 봉지층(132)의 면적은 이에 제한되는 것은 아니다.The second encapsulation layer 133 is formed on the foreign material compensation layer 132 and the first encapsulation layer 131. Accordingly, the first encapsulation layer 131 and the second encapsulation layer 133 are formed to contact each other at the outer side of the structure 140. It is preferable that the contact area L1 where the first encapsulation layer 131 and the second encapsulation layer 133 are in contact with each other at the outer side of the structure 140 is 50 탆 or more. That is, the contact area where the first sealing layer 131 and the second sealing layer 133 are in contact with each other is configured to extend a predetermined distance or more from the outside of the structure to seal the foreign material compensation layer 132. The first seal layer 131 and the second seal layer 133 contact each other by 50 μm or more so that even if the foreign matter compensation layer 132 overflows the structure 140, The foreign substance compensation layer 132 can be sealed by the two-seal layer 133. [ According to this structure, the foreign material compensation layer 132 is sealed by the first encapsulation layer 131 and the second encapsulation layer 133, so that the direct moisture permeation path through the foreign material compensation layer 132 is suppressed. In this case, the area of the first sealing layer 131 is formed to be wider than the area of the second sealing layer 133. Accordingly, the second encapsulation layer 133 may be formed in a smaller area than the first encapsulation layer 131. However, the contact area L1, the area of the first sealing layer 131, and the area of the second sealing layer 132 are not limited thereto.

그리고 제 2 봉지층(133)은 평탄화된 이물보상층(132)의 상면 상에 형성되기 때문에, 이물 및 굴곡에 따른 크랙 또는 심(seam)의 발생 가능성이 현저히 저감될 수 있다. 구체적으로 설명하면, 제 2 전극(243)은 뱅크(244) 및 스페이서(245)의 형상을 따라 형성된다. 따라서 제 2 전극(243)은 평탄하지 않게 형성된다. 제 1 봉지층(131)은 제 2 전극(243)의 굴곡을 따라 형성되므로, 제 1 봉지층(131)은 이러한 굴곡에 의해 발생된 크랙을 가지고 있을 수 있다. 하지만 제 2 봉지층(133)은 평평하게 형성된다. 따라서 제 2 봉지층(133)은 제 1 봉지층(131)보다 크랙 발생 정도가 더 적을 수 있다. Since the second encapsulation layer 133 is formed on the upper surface of the planarized foreign material compensation layer 132, the possibility of occurrence of cracks or seams due to foreign objects and curvature can be remarkably reduced. More specifically, the second electrode 243 is formed along the shape of the bank 244 and the spacer 245. Therefore, the second electrode 243 is formed unevenly. Since the first encapsulation layer 131 is formed along the curvature of the second electrode 243, the first encapsulation layer 131 may have a crack generated by such curvature. However, the second encapsulation layer 133 is formed flat. Therefore, the degree of cracking of the second sealing layer 133 may be smaller than that of the first sealing layer 131.

도 3에 도시한 바와 같이, 배리어 필름(350)은 제 2 봉지층(133)이 형성된 후 제 2 봉지층(133)에 접착된다. 배리어 필름(350)에 의해서 유기 발광 표시 장치(100)는 산소 및 수분의 침투를 더욱 지연시킬 수 있다. 특히 배리어 필름(350) 접착 공정은 CVD 공정 또는 ALD 공정처럼 까다로운 진공 상태에서 반드시 진행될 필요가 없고, 배리어 필름(350)은 간단한 롤-투-롤 합착 공정으로 접착될 수 있으므로, 플렉서블 봉지부(130)에 의해 우수한 산소 및 수분 침투 지연 성능을 달성할 수 있다. 따라서, 수분 및 산소에 의한 유기 발광 소자(240)의 손상을 억제하기 위해 진공 상태에서 다수의 유기 절연층 및 무기 절연층을 반복적으로 증착해야 하는 공정 상의 번거로움이 개선되어, 공정 시간 단축 및 비용 절감이 획기적으로 달성될 수 있다. 그리고 롤-투-롤 공정에 의해 부착된 배리어 필름을 사용하지 않으면, 보다 많은 무기물을 이용한 봉지층이 요구될 수 있다. 따라서, 무기물이 벤딩에 의해 쉽게 깨지는(brittle) 경향이 있음에 따라 플렉서블 봉지부에 쉽게 크랙이 발생할 수 있다. 하지만, 배리어 필름(350)을 이용하면 CVD로 증착한 무기물 층의 개수를 저감시키면서 우수한 수분 침투율을 달성할 수 있기 때문에, 우수한 플렉서블 봉지부(130)가 구현 가능하다. 그러나, 본 개시는 배리어 필름에 제한되는 것은 아니다.3, the barrier film 350 is bonded to the second sealing layer 133 after the second sealing layer 133 is formed. The barrier film 350 allows the organic light emitting diode display 100 to further delay the penetration of oxygen and moisture. In particular, the barrier film 350 adhering process does not have to necessarily proceed in a severe vacuum such as the CVD process or the ALD process, and the barrier film 350 can be adhered by a simple roll-to-roll adhesion process, ) Can achieve excellent oxygen and moisture permeation delay performance. Therefore, in order to suppress the damage of the organic light emitting diode 240 due to moisture and oxygen, troubles in the process of repeatedly depositing a plurality of organic insulating layers and inorganic insulating layers in a vacuum state are improved, Savings can be achieved dramatically. And, if a barrier film attached by a roll-to-roll process is not used, a sealing layer using more inorganic material may be required. Therefore, since the inorganic material tends to brittle easily by bending, a crack can easily occur in the flexible sealing part. However, when the barrier film 350 is used, excellent moisture permeability can be achieved while reducing the number of inorganic layers deposited by CVD, so that an excellent flexible sealing part 130 can be realized. However, the disclosure is not limited to a barrier film.

상기 배리어 필름(350)은 배리어 필름 바디(351) 및 가압접착층(352)으로 구성된다. 배리어 필름 바디(351)는 COP(Copolyester Thermoplastic Elastomer), COC(Cycoolefin Copolymer) 및 PC(Polycarbonate) 중 어느 하나의 재료로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 배리어 필름(350)은 화소 영역(110)의 영상을 투과시켜야 하기 때문에, 표시 영상의 품질을 유지하기 위해서 광학적으로 등방성인 특성을 가지는 것이 바람직하다. The barrier film 350 is composed of a barrier film body 351 and a pressure bonding layer 352. The barrier film body 351 may be formed of any one of COP (Copolyester Thermoplastic Elastomer), COC (Cycoolefin Copolymer), and PC (Polycarbonate), but is not limited thereto. Since the barrier film 350 must transmit the image of the pixel region 110, it is preferable that the barrier film 350 has optically isotropic properties in order to maintain the quality of the display image.

배리어 필름 바디(351)의 두께는 35μm 내지 60μm인 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 50μm일 수 있다. 이러한 두께일 때 수분 침투율 측정 결과 배리어 필름(350)의 수분 침투율은 5×10-3[g/m2-day]으로 측정되었다. The thickness of the barrier film body 351 is preferably 35 to 60 占 퐉, and more preferably 50 占 퐉. At this thickness, the moisture permeation rate of the barrier film 350 was measured to be 5 x 10-3 [g / m2-day].

유기 발광 표시 장치(100)의 수분 침투 지연 성능은 제 1 봉지층(131), 제 2 봉지층(133) 및 배리어 필름(350)의 수분 침투율을 복합적으로 고려한, 전체적인 수분 침투율에 의해서 결정된다. 따라서, 유기 발광 표시 장치(100)의 수분 침투율 성능을 향상시키기 위해 제 1 봉지층(131) 및 제 2 봉지층(133)뿐만 아니라 배리어 필름(350)의 유기적 관계가 중요하다.The water permeation delay performance of the organic light emitting diode display device 100 is determined by the overall moisture permeability ratio taking into account the moisture permeability of the first sealing layer 131, the second sealing layer 133 and the barrier film 350 in combination. Therefore, in order to improve the moisture permeability performance of the OLED display 100, the organic relationship of the barrier film 350 as well as the first encapsulation layer 131 and the second encapsulation layer 133 is important.

구체적으로 설명하면, 배리어 필름(350)의 두께는 제 1 봉지층(131) 및 제 2 봉지층(133)의 수분 침투율 성능을 고려하여 결정될 수도 있다. 예를 들어, 제 1 봉지층(131) 및 제 2 봉지층(133)의 수분 침투 지연 성능이 향상되면, 배리어 필름(350)의 두께는 더 얇아질 수 있다.More specifically, the thickness of the barrier film 350 may be determined in consideration of the water permeability performance of the first sealing layer 131 and the second sealing layer 133. [ For example, if the moisture permeation delay performance of the first sealing layer 131 and the second sealing layer 133 is improved, the thickness of the barrier film 350 may be thinner.

가압접착층(352)은 투광성 및 양면 접착성을 띠는 필름 형태로 구성된다. 추가적으로, 배리어 필름이 롤-투-롤 공정에 의해 합착되는 동안 구조물(140)은 가압접착층(352)의 대응하는 부분에 추가적인 압력을 제공하도록 구성된다. 구조물의 높이가 증가됨에 따라, 추가적인 압력도 증가될 수 있다. 이러한 가압접착층(352)은 올레핀(Olefin) 계열, 아크릴(Acrylic) 계열 및 실리콘(Silicon) 계열 중 어느 하나의 절연재료로 형성될 수 있다. 가압접착층(352)은 8μm 내지 50μm의 두께로 형성된다. 특히, 가압접착층(352)은 소수성을 띠는 올레핀 계열의 수분 침투 지연 재료로 형성될 수 있다. 가압접착층(352)은 일정 압력으로 가압하면 접착력이 증가하는 특성이 있다. 그리고, 가압접착층(352)이 소수성을 띠는 올레핀 계열의 절연재료로 형성되는 경우, 가압접착층(352)은 10[g/㎡-day] 이하 범위의 수분 침투율을 갖는다. 이로써, 제 1 봉지층(131), 제 2 봉지층(133) 및 배리어 필름 바디(351)뿐만 아니라 가압접착층(352)에 의해서도, 화소 영역(110)으로의 수분 및 산소의 침투가 더 지연될 수 있어, 유기 발광 표시 장치(100)의 수명 및 신뢰도가 향상될 수 있다. The pressure-sensitive adhesive layer 352 is composed of a film having light-transmitting property and double-sided adhesive property. In addition, the structure 140 is configured to provide additional pressure to a corresponding portion of the pressure-sensitive adhesive layer 352 while the barrier film is bonded by the roll-to-roll process. As the height of the structure increases, additional pressure can also be increased. The pressure-sensitive adhesive layer 352 may be formed of any one of an olefin series, an acrylic series, and a silicon series. The pressure-sensitive adhesive layer 352 is formed to a thickness of 8 占 퐉 to 50 占 퐉. In particular, the pressure-sensitive adhesive layer 352 can be formed of an olefin-based moisture permeation retarding material having hydrophobicity. The pressure-sensitive adhesive layer 352 has a characteristic that the adhesive force increases when the pressure is applied at a constant pressure. When the pressure-sensitive adhesive layer 352 is formed of an olefin-based insulating material having hydrophobicity, the pressure-sensitive adhesive layer 352 has a moisture permeability in a range of 10 [g / m 2 -day] or less. As a result, not only the first sealing layer 131, the second sealing layer 133, and the barrier film body 351 as well as the pressure bonding layer 352 can further delay the penetration of moisture and oxygen into the pixel region 110 And the lifetime and reliability of the organic light emitting diode display 100 can be improved.

본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 본 발명의 일 실시예에서 설명한 유기 발광 표시 장치와 다른 구조의 구조물을 포함한다. The OLED display according to another embodiment of the present invention includes a structure having a structure different from that of the OLED display according to an embodiment of the present invention.

이하 도 5a 내지 도 5b를 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 이물보상층의 과도포 현상을 저감할 수 있는 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치를 간략히 설명한다. 5A to 5B, a top emission organic light emitting display capable of reducing the overspray phenomenon of the foreign material compensation layer according to another embodiment of the present invention will be briefly described.

도 5a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 확대도이다. 도 5b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구조물의 효과를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.5A is a schematic enlarged view of an OLED display according to another embodiment of the present invention. 5B is a schematic plan view illustrating an effect of a structure of an OLED display according to another embodiment of the present invention.

도 5a를 참조하면, 유기 발광 표시 장치(500)의 구조물(540)은 제 1 층(541) 및 제 2 층(542)을 포함한다. 제 1 층(541)은 단일 층으로 형성되며, 제 1 층(541) 상의 제 2 층(542)은 복수의 서브 구조물(543, 544)으로 구성된다. 즉, 구조물(540)의 복층 구조 중 최상층인 제 2 층(542)이 복수의 서브 구조물(543, 544)을 포함한다. 서로 이격되는 복수의 서브 구조물(543, 544) 사이에는 저장 공간(545)이 형성된다. 저장 공간(545)은 화소 영역(110)dml 외곽을 둘러싸도록 구성된다. 저장 공간(545)은 이물보상층(132)이 복수의 서브 구조물(543)을 범람하는 경우 이물보상층(132)을 분산시키도록 구성된 채널 또는 수로의 기능을 수행할 수 있다. 그리고 수로 형성시 제 1 층(541)의 일부 영역을 식각하여 저장 공간(545)를 더 깊게 형성할 수 있다. Referring to FIG. 5A, the structure 540 of the OLED display 500 includes a first layer 541 and a second layer 542. The first layer 541 is formed as a single layer and the second layer 542 on the first layer 541 is composed of a plurality of sub-structures 543 and 544. That is, the second layer 542, which is the uppermost layer of the multi-layer structure of the structure 540, includes a plurality of sub-structures 543 and 544. A storage space 545 is formed between a plurality of sub-structures 543 and 544 that are spaced apart from each other. The storage space 545 is configured to surround the outer periphery of the pixel region 110 dml. The storage space 545 may function as a channel or channel configured to distribute the foreign material compensation layer 132 when the foreign material compensation layer 132 overflows the plurality of sub structures 543. [ And the storage space 545 may be formed deeper by etching a portion of the first layer 541 in the formation of the channel.

제 1 층(541)의 단면의 폭은 바람직하게 30μm 내지 120μm로 형성되고, 보다 바람직하게는 40μm 내지 50μm로 형성된다. 제 2 층(542)의 저장 공간(545)의 단면의 폭은 10μm 내지 30μm로 형성되고, 보다 바람직하게는 20μm로 형성된다. 제 2 층의 복수의 서브 구조물(543, 544)의 단면의 폭은 10μm로 형성된다. 즉, 구조물(540)의 복층 구조 중 최상층인 제 2 층(542)의 단면의 폭은 최하층인 제 1 층(541)의 단면의 폭보다 더 좁도록 구성된다.The width of the cross section of the first layer 541 is preferably 30 占 퐉 to 120 占 퐉, and more preferably 40 占 퐉 to 50 占 퐉. The width of the cross section of the storage space 545 of the second layer 542 is formed to be 10 mu m to 30 mu m, more preferably 20 mu m. The widths of the cross sections of the plurality of substructures 543 and 544 of the second layer are formed to be 10 mu m. That is, the width of the cross section of the second layer 542 which is the uppermost layer of the multilayer structure of the structure 540 is configured to be narrower than the width of the cross section of the first layer 541 which is the lowermost layer.

그리고 제 2 층(542)의 복수의 서브 구조물(543, 544)의 단면의 폭은 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, 복수의 서브 구조물(543, 544) 중 화소 영역(110)의 외곽에 인접한 내측의 서브 구조물(543)은 물을 저장하는 댐(Dam)처럼 이물보상층(132)의 무게를 지탱해야 하기 때문에 외측의 서브 구조물(544)보다 단면의 폭이 넓게 형성될 수 있다.And the widths of the cross sections of the plurality of sub-structures 543 and 544 of the second layer 542 may be different from each other. For example, an inner sub-structure 543 adjacent to the outer periphery of the pixel region 110 among the plurality of sub-structures 543 and 544 supports the weight of the foreign material compensation layer 132 like a dam for storing water. The width of the cross section may be formed to be wider than the outer sub-structure 544.

그리고, 저장 공간(545)은 이물보상층(132) 분산 성능을 개선하기 위해서 다양한 요소를 변경할 수 있다.In addition, the storage space 545 can change various elements in order to improve dispersion performance of the foreign material compensation layer 132.

예를 들어, 저장 공간(545)을 결정하는 복수의 서브 구조물(543, 544)의 이격 거리를 가깝게 형성하면 모세관 현상이 잘 발생하여 저장 공간(545)을 통한 이물보상층(132)의 분산 속도를 향상시킬 수 있다. 모세관 현상이란 비좁은 관 속의 액체가 중력과 무관하게 관을 따라 빨려 올라가는 현상을 말한다. For example, if the spacing distance between the plurality of sub structures 543 and 544 for determining the storage space 545 is close to that of the foreign material compensation layer 132, Can be improved. Capillary phenomenon is a phenomenon in which a liquid in a narrow tube is sucked up along a tube regardless of gravity.

예를 들어, 이물보상층(132)의 점도를 낮게 할 수 있다. 이물보상층(132)의 점도가 낮아지면, 저장 공간(545)을 통한 이물보상층(132)의 분산 속도를 향상시킬 수 있다. For example, the viscosity of the foreign material compensation layer 132 can be lowered. When the viscosity of the foreign material compensation layer 132 is lowered, the dispersion speed of the foreign material compensation layer 132 through the storage space 545 can be improved.

예를 들어, 이물보상층(132)에 습윤제를 첨가하여 표면 장력 변화에 따른 젖음성(Wettability)을 개선하면, 저장 공간(545)을 통한 이물보상층(132)의 분산 속도를 향상시킬 수 있다. For example, when the wetting agent is added to the foreign material compensation layer 132 to improve the wettability according to the surface tension change, the dispersion speed of the foreign material compensation layer 132 through the storage space 545 can be improved.

특히 이러한 복수의 서브구조물(543, 544) 구조는, 내로우 배젤의 디자인 요구 때문에 구조물(540)과 화소 영역(110)의 이격 거리를 줄여야 할 때 더 효과적일 수 있다.In particular, the structure of the plurality of sub structures 543 and 544 may be more effective when the spacing distance between the structure 540 and the pixel area 110 needs to be reduced due to the design requirements of the narrow-bottom bellows.

도 5b를 참조하면, 이물보상층(132)이 내측의 서브 구조물(543)을 범람할 때, 이물보상층(132)이 저장 공간(545)을 따라 양 방향으로 분산된다. 따라서 이물보상층(132)은 복수의 서브 구조물(543, 544) 내부의 저장 공간(545)에 저장되어, 구조물(540)의 외측의 서브 구조물(544)의 범람 가능성을 효과적으로 낮출 수 있다. 5B, when the foreign material compensation layer 132 overflows the inner sub structure 543, the foreign substance compensation layer 132 is dispersed in both directions along the storage space 545. [ The foreign material compensation layer 132 is stored in the storage space 545 inside the plurality of substructures 543 and 544 so that the possibility of overflowing the substructure 544 outside the structure 540 can be effectively reduced.

저장 공간(545)은 유기 발광 표시 장치(500)의 표시 영역의 네 면을 둘러싸도록 형성되는 것이 바람직하다. 이러한 구성에 따르면, 이물보상층(132)은 네 면 중 어느 하나의 면에서 범람이 발생해도 네 면을 따라 형성된 저장 공간(545)에 의해서 범람된 이물보상층(132)이 효과적으로 분산될 수 있다.The storage space 545 is preferably formed to surround four sides of the display area of the OLED display 500. According to such a configuration, the foreign material compensation layer 132 can be effectively dispersed by the storage space 545 formed along four sides even if flooding occurs on any one of four surfaces .

앞서 설명한 부분을 제외하면 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(500)는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)와 동일하므로, 중복되는 내용에 대해서 설명을 생략한다.Except for the foregoing, the organic light emitting diode display 500 according to another embodiment of the present invention is the same as the organic light emitting diode display 100 according to an embodiment of the present invention, so that duplicate descriptions are omitted .

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 본 발명의 일 실시예에서 설명한 유기 발광 표시 장치와 다른 구조의 구조물을 포함한다. The organic light emitting display according to another embodiment of the present invention includes a structure different from that of the organic light emitting display described in the embodiment of the present invention.

이하 도 6a 내지 도 6b를 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 이물보상층의 과도포 현상을 저감할 수 있는 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치를 간략히 설명한다. Hereinafter, a top emission type organic light emitting diode display capable of reducing the overspray phenomenon of the foreign material compensation layer according to another embodiment of the present invention will be briefly described with reference to FIGS. 6A to 6B.

도 6a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 확대도이다. 도 6b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구조물의 효과를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.6A is a schematic enlarged view of an organic light emitting display according to another embodiment of the present invention. 6B is a schematic plan view illustrating an effect of a structure of an OLED display according to another embodiment of the present invention.

도 6a를 참조하면, 구조물(640)은 복수의 서브 벽(641, 642, 643)으로 형성된다. 복수의 서브 벽(641, 642, 643)은 댐으로서 기능할 수 있다. 제 1 서브 벽(641)은 단일층으로 형성되며, 도 2에 도시된 뱅크(244)와 동일한 재료로 형성된다. 제 2 서브 벽(642)은 이층 구조로 형성되며, 도 2에 도시된 뱅크(244) 및 스페이서(245)와 동일한 물질로 형성된다. 제 1 서브 벽(641) 및 제 2 서브 벽(642)은 서로 이격되어 형성된다. 제 3 서브 벽(643)은 삼층 구조로 형성되며, 도 2에 도시된 뱅크(244), 스페이서(245) 및 평탄화층(227)과 동일한 물질로 형성된다. 제 2 서브 벽(642) 및 제 3 서브 벽(643)은 서로 이격되어 형성된다. 따라서 벽(640)은 제 1 저장 공간(644) 및 제 2 저장 공간(645)를 포함한다. 그리고 제 1 서브 벽(641)은 제 2 서브 벽(642)보다 높이가 낮고, 제 2 서브 벽(642)은 제 3 서브 벽(643)보다 높이가 낮다. 이러한 구성에 따르면 이물보상층(132)이 1차로 범람할 때, 제 1 서브 벽(641)과 제 2 서브 벽(642) 사이에 형성된 제 1 저장 공간(644)을 통해 범람된 이물보상층(132)을 1차로 분산시킬 수 있다. 그리고 이물보상층(132)이 2차로 범람할 때, 제 2 서브 벽(642)과 제 3 서브 벽(643) 사이에 형성된 제 2 저장 공간(645)을 통해 범람된 이물보상층(132)을 2차로 분산시킬 수 있다. Referring to FIG. 6A, the structure 640 is formed of a plurality of sub-walls 641, 642, and 643. The plurality of sub walls 641, 642, 643 can function as a dam. The first sub-wall 641 is formed as a single layer and is formed of the same material as the bank 244 shown in Fig. The second sub-wall 642 is formed in a two-layer structure and is formed of the same material as the bank 244 and the spacer 245 shown in Fig. The first sub-wall 641 and the second sub-wall 642 are formed spaced apart from each other. The third sub-wall 643 is formed in a three-layer structure and is formed of the same material as the bank 244, the spacer 245, and the planarization layer 227 shown in FIG. The second sub-wall 642 and the third sub-wall 643 are formed spaced apart from each other. Thus, the wall 640 includes a first storage space 644 and a second storage space 645. The first sub-wall 641 is lower in height than the second sub-wall 642 and the second sub-wall 642 is lower in height than the third sub-wall 643. According to this configuration, when the foreign material compensation layer 132 is flooded first, the foreign matter compensating layer (or the foreign substance compensating layer) flooded through the first storage space 644 formed between the first sub wall 641 and the second sub wall 642 132 may be primarily dispersed. When the foreign material compensation layer 132 is flooded secondarily, the flooded foreign matter compensation layer 132 is formed through the second storage space 645 formed between the second sub wall 642 and the third sub wall 643 It can be dispersed in a second order.

즉 서브 벽(641, 642, 643)의 높이를 유기 발광 표시 장치(600)의 외측으로 갈수록 높게 형성하면서 각각의 서브 벽(641, 642, 643) 사이에 복수의 저장 공간(644, 645)을 형성하면, 범람하는 이물보상층(132)이 더욱 효율적으로 분산될 수 있다. A plurality of storage spaces 644 and 645 are formed between the sub walls 641 and 642 and the sub walls 643 and 643 while the height of the sub walls 641, 642 and 643 is increased toward the outside of the OLED display 600 The foreign material compensation layer 132 overflowing can be more efficiently dispersed.

특히 이러한 복수의 서브벽(641, 642, 643) 구조는, 내로우 배젤의 디자인 요구 때문에 벽(140)과 화소 영역(110)의 이격 거리를 줄여야 할 때 더 효과적일 수 있다. In particular, the plurality of sub-walls 641, 642, 643 structures may be more effective when the spacing distance between the wall 140 and the pixel region 110 needs to be reduced due to the design requirements of the narrow-bottom bellows.

앞서 설명한 부분을 제외하면 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(600)는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(500)와 동일하므로, 중복되는 내용에 대해서 설명을 생략한다.Except for the foregoing, the OLED display 600 according to another embodiment of the present invention is the same as the OLED display 500 according to another embodiment of the present invention. do.

본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 다양한 형태로 변형될 수 있다. The organic light emitting display according to still another embodiment of the present invention may be modified into various forms.

몇몇 실시예에서, 복수의 화소(111)를 구성하는 뱅크(244), 스페이서(245), 평탄화층(227), 층간 절연막(227), 및/또는 전원 공급 라인(116)을 선택적으로 선택하여 서브 벽의 개수 및 각각의 서브 벽의 층을 다양하게 설계할 수 있다.In some embodiments, the banks 244, the spacers 245, the planarization layer 227, the interlayer insulating film 227, and / or the power supply line 116 constituting the plurality of pixels 111 are selectively selected The number of sub-walls and the layer of each sub-wall can be variously designed.

몇몇 실시예에서, 화소 영역(110)의 외곽의 네 측을 기준으로, 제 1 측 방향에 형성된 구조물의 부분은 세 개의 서브 벽이 화소 영역(110)의 외곽과 평행하고, 서로 이격된 형태로 형성될 수 있으며, 제 2 측 및 제 3 측 방향에 형성된 구조물의 부분은 두 개의 서브 벽이 화소 영역(110)의 외곽과 평행하고, 서로 이격된 형태로 형성될 수 있으며, 제 4 측 방향에 형성된 구조물의 나머지 부분은 하나의 벽이 화소 영역(110)의 외곽과 평행하게 형성될 수 있다. 즉, 화소 영역(110)의 외곽에 형성되는 서브 벽의 개수는 다양하게 설계될 수 있다.In some embodiments, a portion of the structure formed in the first lateral direction on the four sides of the outer periphery of the pixel region 110 may be divided into three sub-walls parallel to the outer perimeter of the pixel region 110, And the portions of the structure formed in the second and third lateral directions may be formed in a shape in which the two sub walls are parallel to the outline of the pixel region 110 and spaced apart from each other, The remaining portion of the formed structure may be formed so that one wall is parallel to the outline of the pixel region 110. That is, the number of sub-walls formed at the outer periphery of the pixel region 110 can be designed variously.

몇몇 실시예에서, 화소 영역(110)의 외곽의 네 모서리를 기준으로, 각각의 모서리로부터 이격되어 형성된 벽 및 벽 내부에 형성된 저장 공간이 직각이 아닌 곡면 또는 대각선 형태로 형성되는 것도 가능하다. 이러한 구성에 따르면, 범람된 이물보상층(132)이 저장 공간을 통해 하나의 측에서 다른 측으로 분산될 때 이물보상층의 흐름이 모서리에서 개선될 수 있다. 그 결과, 모서리에서의 이물보상층이 억제될 수 있고, 모서리에서의 이물보상층의 분산이 개선될 수 있다.In some embodiments, it is also possible for the storage space formed inside the wall and the wall formed apart from each edge to be formed as a curved surface or a diagonal shape that is not perpendicular to the four corners of the outer periphery of the pixel region 110. According to this configuration, the flow of the foreign material compensation layer can be improved at the corners when the flooded foreign material compensation layer 132 is dispersed from one side to the other side through the storage space. As a result, the foreign material compensation layer at the edge can be suppressed, and the dispersion of the foreign material compensation layer at the edge can be improved.

몇몇 실시예에서, 화소 영역(110)은 원형, 또는 타원형일 수 있다. 화소 영역(110)의 외곽에 형성된 구조물은 화소 영역(110)에 대응되어 원형, 또는 타원 형으로 형성될 수 있다.In some embodiments, the pixel region 110 may be circular, or oval. The structure formed at the outer periphery of the pixel region 110 may be formed in a circle or an ellipse corresponding to the pixel region 110.

도 7a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 계단형 댐을 설명하기 위한 개략적인 확대도이다. 도 7b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 계단형 댐의 효과를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다. 도 7a 및 도 7b에 도시된 유기 발광 표시 장치(700)는 도 4에 도시된 유기 발광 표시 장치(100)와 비교하여 도 4에 도시된 유기 발광 표시 장치(100)의 구조물(140)이 계단형 댐(740)으로 변경된다는 것만이 상이할 뿐이므로, 중복적인 구성요소에 대한 설명은 생략한다.7A is a schematic enlarged view for explaining a stepped dam of an OLED display according to another embodiment of the present invention. 7B is a schematic plan view for explaining an effect of a stepped dam of an OLED display according to another embodiment of the present invention. The organic light emitting display device 700 shown in FIGS. 7A and 7B is different from the organic light emitting display device 100 shown in FIG. 4 in that the structure 140 of the organic light emitting display device 100 shown in FIG. Type dam 740, the description of the redundant components will be omitted.

도 7a 및 도 7b를 참조하면, 계단형 댐(740)은 제 1 봉지층(131)과 제 2 봉지층(133)이 접촉하는 접촉 영역의 연장 방향으로 갈수록 높이가 높아지도록 구성된 계단형 댐이다. 구체적으로, 계단형 댐(740)은 제 1 층 계단(741) 및 제 2 층 계단(742)을 포함하는 복층 구조로 형성된다. 제 1 층 계단(741) 및 제 2 층 계단(742) 각각은 뱅크(244) 및 스페이서(245) 각각과 동일한 공정으로 형성된다. 즉, 추가 공정 없이 마스크 설계 변경을 통해 계단형 댐(740)은 2.5μm 내지 4.5μm의 높이의 복층 구조로 형성될 수 있다. 즉, 계단형 댐(740)의 높이는 뱅크(244) 및 스페이서(245)의 설계에 따라서 가변될 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 뱅크(244) 및 스페이서(245)가 1.3μm 및 2μm의 높이로 형성되면, 복층 구조인 계단형 댐(740)의 높이는 3.3μm가 된다. 특히 이러한 높이 구성은 복수의 화소(111)에 최적화된 높이이기 때문에 복수의 화소(111)가 최적화될 수 있다. 또한 계단형 댐(740)은 평탄화층(227)을 이용하여 삼층 계단으로 구성될 수 있다. 이러한 경우 전체 두께는 최대 3.5μm 더 증가될 수 있다. 즉 삼층 계단형 댐(740)의 최대 높이는 8μm까지 형성 할 수 있다.Referring to FIGS. 7A and 7B, the stepped dam 740 is a stepped dam configured to increase in height in the extending direction of the contact region where the first sealing layer 131 and the second sealing layer 133 are in contact with each other . Specifically, the stepped dam 740 is formed in a multi-layer structure including a first layer step 741 and a second layer step 742. [ Each of the first layer step 741 and the second layer step 742 is formed in the same process as the bank 244 and the spacer 245, respectively. That is, the stepped dam 740 can be formed in a multi-layered structure having a height of 2.5 μm to 4.5 μm through modification of the mask design without any additional process. That is, the height of the stepped dam 740 may vary depending on the design of the bank 244 and the spacer 245. As described above, when the banks 244 and the spacers 245 are formed to have heights of 1.3 占 퐉 and 2 占 퐉, the height of the stepped dam 740 of the multilayer structure becomes 3.3 占 퐉. In particular, since the height of the pixel 111 is a height optimized for the plurality of pixels 111, the plurality of pixels 111 can be optimized. Also, the stepped dam 740 may be constructed as a three-stepped step using the planarization layer 227. [ In this case, the total thickness can be increased by a maximum of 3.5 μm. That is, the maximum height of the three-stepped dam 740 can be up to 8 μm.

도 7a 및 도 7b를 참조하면, 계단형 댐(740)의 제 1 층 계단(741)의 제 1 내부벽(743)은 이물보상층(132)을 제 1 내부벽(743)을 기준으로 양 방향으로 분산시킬 수 있다. 구체적으로 설명하면, 도 7b에 도시된 것처럼, 제 1 내부벽(743)에서, 이물보상층(132)은 화살표 A1처럼 제 1 내부벽(743)을 기준으로 양 방향으로 분산된다. 따라서 이물보상층(132)이 제 1 내부벽(743)을 범람하기 전까지 제 1 내부벽(743)의 양 방향을 따라 분산된다. 그리고 이물보상층(132)이 제 1 내부벽(743)을 범람하면, 제 2 층 계단(742)으로 범람하고, 화살표 A2처럼 제 2 내부벽(744)을 기준으로 양 방향으로 분산된다. 7A and 7B, the first inner wall 743 of the first layer step 741 of the stepped dam 740 is located in the first inner wall 742 in both directions with respect to the first inner wall 743 Can be dispersed. Specifically, as shown in FIG. 7B, in the first inner wall 743, the foreign material compensation layer 132 is dispersed in both directions with respect to the first inner wall 743 as indicated by an arrow A1. Therefore, the foreign material compensation layer 132 is dispersed along both directions of the first inner wall 743 until the first inner wall 743 is overflowed. When the foreign material compensation layer 132 overflows the first inner wall 743, it overflows into the second layer step 742 and is dispersed in both directions with respect to the second inner wall 744 as indicated by an arrow A2.

이러한 계단형 댐(740)의 구성에 의하면, 이물보상층(132)이 범람 시, 이물보상층(132)이 각각의 계단 층에 의해서 효과적으로 분산되는 효과가 있다.According to the configuration of the stepped dam 740, when the foreign material compensation layer 132 is overflowed, the foreign material compensation layer 132 is effectively dispersed by each step layer.

제 1 봉지층(131)은 계단형 댐(740)의 형상을 따라서 계단형 댐(740) 상에 형성된다. 계단형 댐(740) 상에 형성된 제 1 봉지층(131)의 벽면의 경사는 제 1 층 계단(741) 및 제 2 층(742)의 단면의 경사에 대응된다. 뱅크(244) 및 스페이서(245)의 단면의 경사는 기판(101)을 기준으로 30° 내지 90°로 형성될 수 있다. 뱅크(244) 및 스페이서(245)의 각각의 경사는 서로 동일하거나, 서로 상이할 수 있다. The first seal layer 131 is formed on the stepped dam 740 along the shape of the stepped dam 740. The inclination of the wall surface of the first sealing layer 131 formed on the stepped dam 740 corresponds to the inclination of the cross section of the first layer step 741 and the second layer 742. [ The inclination of the cross section of the bank 244 and the spacer 245 may be formed at 30 to 90 degrees with respect to the substrate 101. [ The slope of each of the bank 244 and the spacer 245 may be the same or different from each other.

도 8a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 계단형 댐을 설명하기 위한 개략적인 확대도이다. 도 8b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 계단형 댐의 효과를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다. 도 8a 및 도 8b에 도시된 유기 발광 표시 장치(800)는 도 7a 및 도 7b에 도시된 유기 발광 표시 장치(700)와 다른 구조의 계단형 댐(840a, 840b)을 포함한다.8A is a schematic enlarged view for explaining a stepped dam of an OLED display according to another embodiment of the present invention. 8B is a schematic plan view for explaining the effect of the stepped dam of the OLED display according to another embodiment of the present invention. The organic light emitting diode display 800 shown in FIGS. 8A and 8B includes stepped dams 840a and 840b having a structure different from that of the OLED display 700 shown in FIGS. 7A and 7B.

도 8a를 참조하면, 유기 발광 표시 장치(800)는 제 1 서브 계단형 댐(840a) 및 제 2 서브 계단형 댐(840b)을 포함한다. 각각의 계단형 댐은 각각 제 1 층 계단(841a, 541b) 및 제 2층 계단(842a, 542b)을 포함한다. 제 1 층 계단(841a, 541b)상에 제 2 층 계단(842a, 542b)이 형성된다. 제 2 층 계단(842a, 542b)은 제 1 층 계단(841a, 542b)을 형성하기 위해서 적어도 5μm 이상 화소 영역(110)의 외측 방향으로 배치되도록 형성 된다. 제 1 서브 계단형 댐(840a) 및 제 2 서브 계단형 댐(840b) 사이에는 저장 공간(843)이 형성된다. 저장 공간(843)은 이물보상층(132)이 범람하는 경우 이물보상층(132)을 분산시키도록 구성되는 수로의 기능을 수행할 수 있다. Referring to FIG. 8A, the OLED display 800 includes a first sub-stepped dam 840a and a second sub-stepped dam 840b. Each stepped dam includes a first layer step 841a, 541b and a second layer step 842a, 542b, respectively. Second layer steps 842a and 542b are formed on the first layer steps 841a and 541b. The second layer steps 842a and 542b are formed to be disposed at least 5 占 퐉 in the outer direction of the pixel region 110 to form the first layer steps 841a and 542b. A storage space 843 is formed between the first sub stepped dam 840a and the second sub stepped dam 840b. The storage space 843 may function as a channel configured to disperse the foreign material compensation layer 132 when the foreign material compensation layer 132 floods.

제 1 층 계단(841a, 541b)은 단면의 폭이 바람직하게 30μm 내지 100μm로 형성되고, 보다 바람직하게는 40μm 내지 50μm로 형성된다. 제 2 층 계단(842a, 542b)은 단면의 폭이 바람직하게 5μm 내지 20μm로 형성되고, 보다 바람직하게는 10μm 내지 12μm로 형성된다. 저장 공간(843)의 폭은 제 1 서브 계단형 댐(840a) 및 제 2 서브 계단형 댐(840b)의 이격 거리에 의해 결정된다. 이격 거리는 10μm 내지 30μm로 형성되고, 보다 바람직하게는 20μm로 형성된다.The widths of the first layer steps 841a and 541b are preferably 30 占 퐉 to 100 占 퐉, and more preferably 40 占 퐉 to 50 占 퐉. The width of the second layer steps 842a and 542b is preferably 5 占 퐉 to 20 占 퐉, and more preferably 10 占 퐉 to 12 占 퐉. The width of the storage space 843 is determined by the separation distance between the first sub stepped dam 840a and the second sub stepped dam 840b. The spacing distance is formed to 10 mu m to 30 mu m, more preferably 20 mu m.

그리고 제 1 서브 계단형 댐(840a)의 제 1 층 계단(841a)의 단면의 폭은 제 2 서브 계단형 댐(840b)의 제 1 층 계단(841b)의 단면의 폭과 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, 화소 영역(110)에 인접한 제 1 서브 계단형 댐(840a)의 제 1 층 계단(841a)은 제 2 서브 계단형 댐(840b)의 제 1 층 계단(841b) 보다 이물보상층(132)의 무게를 더 많이 지탱해야 하기 때문에 제 1 층 계단(842a)의 단면의 폭이 제 1 층 계단(842b)의 단면의 폭보다 더 넓게 형성될 수 있다.And the width of the cross section of the first layer step 841a of the first sub stepped dam 840a may be different from the width of the cross section of the first layer step 841b of the second sub stepped dam 840b . For example, the first layered step 841a of the first sub-stepped dam 840a adjacent to the pixel region 110 is closer to the first layered step 841b of the second sub-stepped dam 840b than the first layered step 841b of the second sub- The width of the cross section of the first layer step 842a may be formed to be wider than the width of the cross section of the first layer step 842b since the weight of the first layer step 842a should bear more weight.

또한 제 1 서브 계단형 댐(840a)의 제 2 층 계단(842a)의 단면의 폭은 제 2 서브 계단형 댐(840b)의 제 2 층 계단(842b)의 단면의 폭과 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, 화소 영역(110)에 인접한 제 1 서브 계단형 댐(840a)의 제 2 층 계단(842a)은 제 2 서브 계단형 댐(840b)의 제 2 층 계단(842b) 보다 이물보상층(132)의 무게를 더 많이 지탱해야 하기 때문에 제 2 층 계단(842a)의 단면의 폭이 제 2 층 계단(842b)의 단면의 폭보다 더 넓게 형성될 수 있다.The width of the cross section of the second layer step 842a of the first sub stepped dam 840a may be different from the width of the cross section of the second layer step 842b of the second sub stepped dam 840b . For example, the second layer step 842a of the first sub-stepped dam 840a adjacent to the pixel region 110 is closer to the second layer step 842b of the second sub-stepped dam 840b, The width of the cross section of the second layer stepped portion 842a can be made wider than the width of the cross section of the second layer stepped portion 842b since the weight of the second layer stepped portion 842a has to bear more weight.

그리고, 저장 공간(843)의 이물보상층(132) 분산 성능을 개선하기 위한 다양한 요소를 변경할 수 있다.Various elements for improving dispersion performance of the foreign material compensation layer 132 in the storage space 843 can be changed.

예를 들어, 서브 계단형 댐들의 이격 거리가 감소되는 경우, 서브 계단형 댐들 사이에 형성된 저장 공간(843)이 모세관 현상을 촉진시킬 수도 있고, 이에 따라 저장 공간(843)을 통한 이물보상층(132)의 분산 속도가 향상될 수 있다. 모세관 현상이란 비좁은 관 속의 액체가 중력과 무관하게 관을 따라 빨려 올라가는 현상을 말한다. For example, if the separation distance of the sub-stepped dams is reduced, the storage space 843 formed between the sub-stepped dams may promote the capillary phenomenon, and thus the foreign material compensation layer 132 can be improved. Capillary phenomenon is a phenomenon in which a liquid in a narrow tube is sucked up along a tube regardless of gravity.

예를 들어, 이물보상층(132)의 점도를 낮게 할 수 있다. 이물보상층(132)의 점도가 낮아지면, 저장 공간(843)을 통한 이물보상층(132)의 분산 속도가 향상될 수 있다. For example, the viscosity of the foreign material compensation layer 132 can be lowered. When the viscosity of the foreign material compensation layer 132 is lowered, the dispersion speed of the foreign material compensation layer 132 through the storage space 843 can be improved.

예를 들어, 이물보상층(132)에 습윤제를 첨가하여 표면 장력 변화에 따른 젖음성(Wettability)을 개선하면, 저장 공간(843)을 통한 이물보상층(132)의 분산 속도가 향상될 수 있다. For example, when the wetting agent is added to the foreign material compensation layer 132 to improve the wettability according to the surface tension change, the dispersion speed of the foreign material compensation layer 132 through the storage space 843 can be improved.

특히 이러한 복수의 서브 계단형 댐(840a, 540b) 구조는, 내로우 배젤의 디자인 요구 때문에 복수의 서브 계단형 댐(840a, 540b)과 화소 영역(110)의 이격 거리를 줄여야 할 때 더 효과적일 수 있다.In particular, the plurality of sub-stepped dams 840a and 540b structures are more effective when the spacing distance between the plurality of sub-stepped dams 840a and 540b and the pixel area 110 is to be reduced due to the design requirement of the narrow- .

도 8b를 참조하면, 이물보상층(132)이 제 1 서브 계단형 댐(840a)의 제 1 층 계단(841a) 및 제 2 층 계단(842a)을 차례대로 범람하면, 이물보상층(132)이 저장 공간(843)으로 흘러들어가 저장 공간(843)을 따라 양 방향으로 분산된다. 따라서 이물보상층(132)은 저장 공간(843)에 저장되어, 이물보상층(132)이 제 2 서브 계단형 댐(840b)을 범람할 가능성이 효과적으로 낮춰질 수 있다. 8B, when the foreign material compensation layer 132 in turn floods the first layer step 841a and the second layer step 842a of the first sub stepped dam 840a, the foreign material compensation layer 132, Flows into the storage space 843 and is dispersed in both directions along the storage space 843. The foreign material compensation layer 132 is stored in the storage space 843 so that the possibility that the foreign material compensation layer 132 floods the second sub stepped dam 840b can be effectively lowered.

저장 공간(843)은 유기 발광 표시 장치(800)의 화소 영역(110)의 네 면을 둘러싸도록 형성되는 것이 바람직하다. 이러한 구성에 따르면, 이물보상층(132)은 네 면 중 어느 하나의 면에서 범람이 발생해도 네 면을 따라 형성된 저장 공간(843)에 의해서 범람된 이물보상층(132)이 효과적으로 분산될 수 있다.The storage space 843 is preferably formed to surround four sides of the pixel region 110 of the organic light emitting diode display 800. According to such a configuration, the foreign material compensation layer 132 can be effectively dispersed by the storage space 843 formed along four sides even if flooding occurs on any one of four surfaces .

앞서 설명한 부분을 제외하면 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(800)는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(700)와 동일하므로, 중복되는 내용에 대해서 설명을 생략한다.Except for the foregoing, the organic light emitting diode display 800 according to another embodiment of the present invention is the same as the organic light emitting diode display 700 according to an embodiment of the present invention, so that duplicate descriptions are omitted .

도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 급속구조물을 설명하기 위한 개략적인 확대도이다. 도 9에 도시된 유기 발광 표시 장치(900)는 도 4에 도시된 유기 발광 표시 장치(100)와 비교하여 도 4에 도시된 유기 발광 표시 장치(100)의 구조물(140)이 금속구조물(940)으로 변경된다는 것만이 상이할 뿐이므로, 중복적인 구성요소에 대한 설명은 생략한다.9 is a schematic enlarged view for explaining a rapid structure of an organic light emitting display according to another embodiment of the present invention. The OLED display 900 shown in FIG. 9 is different from the OLED display 100 shown in FIG. 4 in that the structure 140 of the OLED display 100 shown in FIG. 4 includes a metal structure 940 ), So that the description of the redundant components will be omitted.

금속구조물(940)은 유기 발광 표시 장치(100)의 비화소 영역에 형성된다, 금속구조물(940)은 화소 영역(110)으로부터 이격되어 형성되고, 기판(101)의 최외곽부로부터 이격되어 형성된다. 도 9에 도시된 것과 같이, 이물보상층(132)은 금속구조물(940)에 막혀서 흐름을 멈추게 되다. 도 9를 참조하면, 금속구조물(940)은 스크린 프린팅 공정으로 형성될 수 있다. 구체적으로 설명하면, 금속 망으로 형성된 마스크(Mask)상에 금속 페이스트(Paste)를 도포한 다음, 스퀴지(squeegee)가 이동함에 따라, 금속구조물(940)은 이물보상층(132)의 외곽에 도포된다. 메탈 페이스트에는 열경화 또는 자외선(Ultraviolet) 파장에 의한 경화를 가능하게 하는 개시제가 포함될 수 있다. The metal structure 940 is formed in a non-pixel region of the organic light emitting display 100. The metal structure 940 is spaced apart from the pixel region 110 and is spaced apart from the outermost portion of the substrate 101 do. As shown in FIG. 9, the foreign material compensation layer 132 is blocked by the metal structure 940 and stops flowing. Referring to FIG. 9, the metal structure 940 may be formed by a screen printing process. Specifically, metal paste is coated on a mask formed of a metal mesh, and then, as the squeegee moves, the metal structure 940 is applied to the outer periphery of the foreign material compensation layer 132 do. The metal paste may include an initiator that allows curing by heat curing or ultraviolet wavelengths.

특히 스크린 프린팅 공정은 일반적인 스퍼터(Sputter)로 금속을 증착하는 공정에 비해서 저온 공정이 가능하고, 유기 발광 소자(240)를 손상시킬 수 있는 유해한 화학 공정이 없는 장점이 있다. 더욱이 스크린 프린팅 공정에 의해서 금속구조물을 형성하면, 이물보상층(132)과 유사한 높이로 두껍게 구조물을 형성할 수 있다. 즉, 금속구조물(940)은 5μm 내지 20μm의 높이로 형성될 수 있다. In particular, the screen printing process is advantageous in that it is possible to perform a low-temperature process as compared with the process of depositing metal by a general sputtering method, and there is no harmful chemical process which can damage the organic light emitting device 240. Further, when the metal structure is formed by the screen printing process, the structure can be formed thick with a height similar to that of the foreign material compensation layer 132. That is, the metal structure 940 may be formed to have a height of 5 to 20 탆.

그리고 금속구조물(940)은 금속 페이스트를 도포할 수 있는, 디스펜싱 노즐(Dispensing Nozzel) 공정으로 형성 가능하다. The metal structure 940 can be formed by a dispensing nozzle process, which can apply a metal paste.

그리고 금속구조물(940)은 금속이 포함된 잉크(Ink)를 도포할 수 있는, 잉크젯 코팅(Ink-jet coating) 공정으로 형성 가능하다.The metal structure 940 can be formed by an ink-jet coating process, which can apply ink containing ink.

그리고 금속구조물(940)은 금속 페이스트를 도포할 수 있는, 롤-프린팅 인쇄(Roll-printing) 공정으로 형성 가능하다.The metal structure 940 can be formed by a roll-printing process capable of applying a metal paste.

금속구조물(940)은 은(Ag), 주석(Sn), 알루미늄(Al), ITO(Indium Tin Oxide) 등의 금속으로 형성될 수 있다. The metal structure 940 may be formed of a metal such as silver (Ag), tin (Sn), aluminum (Al), or indium tin oxide (ITO).

금속구조물(940)은 공통 전압 라인(116) 상에 형성될 수 있다. 따라서 금속구조물(940)의 높이는 공통 전압 라인(116)의 두께만큼 증가하게 된다. 따라서 공통 전압 라인(116)과 금속구조물(940)은 전기적으로 연결될 수 있고, 이에 따라, 공통 전압 라인(116)이 두꺼워 지는 것과 같은 효과가 발생될 수 있다. 결과적으로, 공통 전압 라인(116)의 용량이 증가할 수 있다. The metal structure 940 may be formed on the common voltage line 116. Thus, the height of the metal structure 940 increases by the thickness of the common voltage line 116. [ Therefore, the common voltage line 116 and the metal structure 940 can be electrically connected to each other, so that the effect that the common voltage line 116 becomes thick can be generated. As a result, the capacity of the common voltage line 116 can increase.

제 1 봉지층(131)은 금속구조물(940)의 형상을 따라서 금속구조물(940) 상에 형성된다. 제 2 봉지층(133)은 이물보상층(132) 및 제 1 봉지층(131) 상에 형성된다. 따라서 제 1 봉지층(131)과 제 2 봉지층(133)은 금속구조물(940)의 외측부에서 서로 접촉하도록 형성된다. 이러한 구조에 따르면 이물보상층(132)은 제 1 봉지층(131) 및 제 2 봉지층(133)에 의해서 밀봉되게 되어 이물보상층(132)을 통한 직접적인 수분 침투 경로가 차단된다. The first sealing layer 131 is formed on the metal structure 940 along the shape of the metal structure 940. The second encapsulation layer 133 is formed on the foreign material compensation layer 132 and the first encapsulation layer 131. Accordingly, the first encapsulation layer 131 and the second encapsulation layer 133 are formed to contact each other at the outer side of the metal structure 940. According to this structure, the foreign material compensation layer 132 is sealed by the first sealing layer 131 and the second sealing layer 133, and the direct moisture permeation path through the foreign material compensation layer 132 is blocked.

도 10a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 금속구조물을 설명하기 위한 개략적인 확대도이다. 도 10b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 금속구조물의 효과를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다. 도 10a 및 도 10b에 도시된 유기 발광 표시 장치(1000)는 도 9에 도시된 유기 발광 표시 장치(900)와 다른 구조의 금속구조물(1040)을 포함한다.10A is a schematic enlarged view for explaining a metal structure of an OLED display according to another embodiment of the present invention. 10B is a schematic plan view for explaining the effect of the metal structure of the OLED display according to another embodiment of the present invention. The organic light emitting display 1000 shown in FIGS. 10A and 10B includes a metal structure 1040 having a structure different from that of the organic light emitting display 900 shown in FIG.

도 10a를 참조하면, 유기 발광 표시 장치(1000)의 금속구조물(1040)은 제 1 서브 금속구조물(1041) 및 제 2 서브 금속구조물(1042)을 포함한다. 제 1 서브 금속구조물(1041)과 제 2 서브 금속구조물(1042)은 서로 이격되고, 서로 이격된 사이에는 저장 공간(1045)이 형성된다. 저장 공간(1045)은 수로의 기능을 수행할 수 있다. Referring to FIG. 10A, a metal structure 1040 of the OLED display 1000 includes a first sub-metal structure 1041 and a second sub-metal structure 1042. The first sub-metal structure 1041 and the second sub-metal structure 1042 are spaced apart from each other, and a storage space 1045 is formed between the first sub-metal structure 1041 and the second sub-metal structure 1042. The storage space 1045 may function as a channel.

제 1 서브 금속구조물(1041) 및 제 2 서브 금속구조물(1042)의 단면의 폭은 바람직하게 10μm 내지 100μm로 형성되고, 보다 바람직하게는 20μm로 형성된다. 저장 공간(1045)의 단면의 폭은 10μm 내지 30μm로 형성되고, 보다 바람직하게는 20μm로 형성된다. The widths of the cross sections of the first sub-metal structure 1041 and the second sub-metal structure 1042 are preferably formed to 10 μm to 100 μm, more preferably 20 μm. The width of the cross section of the storage space 1045 is formed to be 10 mu m to 30 mu m, and more preferably 20 mu m.

그리고 제 1 서브 금속구조물(1041) 및 제 2 서브 금속구조물(1042)의 단면의 폭은 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, 화소 영역(110)의 외곽에 인접한 제 1 서브 금속구조물(1041)은 물을 저장하는 댐(Dam)처럼 이물보상층(132)의 무게를 지탱해야 하기 때문에 외측의 제 2 서브 금속구조물(1042)보다 단면의 폭이 넓게 형성될 수 있다.And the widths of the cross sections of the first sub-metal structure 1041 and the second sub-metal structure 1042 may be different from each other. For example, since the first sub-metal structure 1041 adjacent to the outline of the pixel region 110 has to bear the weight of the foreign material compensation layer 132 like a dam for storing water, The width of the cross section may be larger than that of the structure 1042. [

그리고, 저장 공간(1045)의 이물보상층(132) 분산 성능을 개선하기 위한 다양한 요소를 변경할 수 있다.In addition, various factors for improving dispersion performance of the foreign material compensation layer 132 in the storage space 1045 can be changed.

예를 들어, 저장 공간(1045)을 정의하는 제 1 서브 금속구조물(1041) 및 제 2 서브 금속구조물(1042)의 이격 거리를 가깝게 형성하면 모세관 현상이 잘 발생하여 저장 공간(1045)을 통한 이물보상층(132)의 분산 속도를 향상시킬 수 있다. 모세관 현상이란 비좁은 관 속의 액체가 중력과 무관하게 관을 따라 빨려 올라가는 현상을 말한다. 또한, 이물보상층(132)의 점도를 낮게 하거나, 이물보상층(132)에 습윤제를 첨가하는 등의 방식이 사용될 수 있다. For example, if the separation distance between the first sub-metal structure 1041 and the second sub-metal structure 1042 defining the storage space 1045 is close to that of the first sub-metal structure 1042, The dispersion rate of the compensation layer 132 can be improved. Capillary phenomenon is a phenomenon in which a liquid in a narrow tube is sucked up along a tube regardless of gravity. Alternatively, a method of lowering the viscosity of the foreign material compensation layer 132 or adding a wetting agent to the foreign material compensation layer 132 may be used.

도 10b를 참조하면, 이물보상층(132)이 내측의 제 1 서브 금속구조물(1041)을 범람할 때, 이물보상층(132)이 저장 공간(1045)을 따라 양 방향으로 분산된다. 따라서 이물보상층(132)은 복수의 서브 금속구조물(1041, 1042) 내부의 저장 공간(1045)에 저장되어, 금속구조물(1040)의 외측의 제 2 서브 금속구조물(1042)의 범람 가능성을 효과적으로 낮출 수 있다. 10B, when the foreign material compensation layer 132 overflows the inner first sub metal structure 1041, the foreign substance compensation layer 132 is dispersed in both directions along the storage space 1045. Thus, the foreign material compensation layer 132 is stored in the storage space 1045 inside the plurality of sub-metal structures 1041 and 1042 so that the possibility of flooding the second sub-metal structure 1042 outside the metal structure 1040 effectively Can be lowered.

저장 공간(1045)은 유기 발광 표시 장치(1000)의 표시 영역의 네 면을 둘러싸도록 형성되는 것이 바람직하다. 이러한 구성에 따르면, 이물보상층(132)은 네 면 중 어느 하나의 면에서 범람이 발생해도 네 면을 따라 형성된 저장 공간(1045)에 의해서 범람된 이물보상층(132)이 효과적으로 분산될 수 있다.The storage space 1045 is preferably formed so as to surround four sides of the display area of the organic light emitting display 1000. According to such a configuration, the foreign material compensation layer 132 can be effectively dispersed by the storage space 1045 formed along four sides even if flooding occurs on any one of four surfaces .

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the accompanying drawings, it is to be understood that the present invention is not limited to those embodiments and various changes and modifications may be made without departing from the scope of the present invention. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

100, 500, 600, 700, 800, 900, 1000: 유기 발광 표시 장치
101: 기판
110: 화소 영역
111: 화소
112: 게이트 라인
113: 게이트 드라이버
114: 데이터 라인
115: 데이터 드라이버
116: 공통 전압 라인
120: 패드 영역
130: 플렉서블 봉지부
131: 제 1 봉지층
132: 이물보상층
133: 제 2 봉지층
140, 540, 640: 구조물
141, 541: 제 1 층
142, 542: 제 2 층
220: 박막트랜지스터
221: 액티브층
222: 게이트전극
223: 소스전극
224: 드레인전극
225: 게이트절연막
226: 층간절연막
227: 평탄화층
228: 제 1 콘택홀
229: 제 2 콘택홀
240: 유기 발광 소자
241: 제 1 전극
242: 유기 발광층
243: 제 2 전극
244: 뱅크
245: 스페이서
350: 배리어 필름
351: 배리어 필름 바디
352: 가압접착층
543: 내측의 서브 구조물
544: 외측의 서브 구조물
545: 저장 공간
641: 제 1 서브 벽
642: 제 2 서브 벽
643: 제 3 서브 벽
644: 제 1 저장 공간
645: 제 2 저장 공간
740: 계단형 댐
741, 841a, 841b: 제 1 층 계단
742, 842a, 842b: 제 2 층 계단
743: 제 1 구조물
744: 제 2 구조물
840a: 제 1 서브 계단형 댐
840b: 제 2 서브 계단형 댐
843: 저장 공간
940, 1040: 금속구조물
1041: 제 1 서브 금속구조물
1042: 제 2 서브 금속구조물
1045: 저장 공간100, 500, 600, 700, 800, 900, 1000: organic light emitting display
101: substrate
110: pixel region
111: pixel
112: gate line
113: Gate driver
114: Data line
115: Data driver
116: common voltage line
120: pad area
130: Flexible bag
131: first sealing layer
132: foreign matter compensation layer
133: second sealing layer
140, 540, 640: Structure
141, 541: First layer
142, 542: Second layer
220: thin film transistor
221: active layer
222: gate electrode
223: source electrode
224: drain electrode
225: gate insulating film
226: Interlayer insulating film
227: Planarizing layer
228: first contact hole
229: second contact hole
240: organic light emitting element
241: first electrode
242: organic light emitting layer
243: Second electrode
244: Bank
245: Spacer
350: barrier film
351: Barrier film body
352: pressure-
543: Inner sub-structure
544: outer sub-structure
545: Storage space
641: first sub wall
642: second sub wall
643: third sub wall
644: First storage space
645: Second storage space
740: Stepped dam
741, 841a, 841b: a first floor step
742, 842a, 842b: a second floor step
743: First structure
744: Second structure
840a: First sub stepped dam
840b: second sub stepped dam
843: Storage space
940, 1040: Metal structures
1041: First sub-metallic structure
1042: second sub-metallic structure
1045: Storage space

Claims (19)

제1 전극, 발광층 및 제2 전극을 각각 포함하는 복수의 발광소자에 의해 정의되는 화소 영역이 배치된 기판;
상기 화소 영역을 둘러싸고, 상기 제2 전극이 연장되는 비 화소 영역;
상기 비 화소 영역에 배치된 게이트 드라이버;
상기 게이트 드라이버와 중첩되는 연결부;
상기 게이트 드라이버의 외곽에 위치하는 공통전압라인;
상기 비 화소영역에서 상기 화소 영역을 둘러싸도록 배치되고, 상기 공통전압라인의 적어도 일부 위에 배치되는 벽구조;
상기 화소 영역과 상기 비 화소영역의 적어도 일부를 덮는 제1 봉지층과 제2 봉지층; 및
상기 제1 봉지층과 상기 제2 봉지층의 사이에 배치된 이물보상층을 포함하는 유기발광표시장치. A substrate having a pixel region defined by a plurality of light emitting elements each including a first electrode, a light emitting layer, and a second electrode;
A non-pixel region surrounding the pixel region, the non-pixel region extending the second electrode;
A gate driver disposed in the non-pixel region;
A connection part overlapping with the gate driver;
A common voltage line located outside the gate driver;
A wall structure arranged to surround the pixel region in the non-pixel region and disposed over at least a part of the common voltage line;
A first encapsulation layer and a second encapsulation layer covering at least a part of the pixel region and the non-pixel region; And
And a foreign matter compensation layer disposed between the first encapsulation layer and the second encapsulation layer. 제1항에 있어서,
상기 벽구조는 상기 게이트 드라이버의 외곽에 배치된 제1 벽과 제2 벽을 포함하고,
상기 제1 벽은 상기 제2 벽보다 상기 게이트 드라이버에 더 가깝게 배치된 유기발광표시장치.The method according to claim 1,
The wall structure including a first wall and a second wall disposed at an outer portion of the gate driver,
Wherein the first wall is disposed closer to the gate driver than the second wall. 제2항에 있어서,
상기 제2 벽의 상부 면에서 상기 제1 봉지층과 상기 제2 봉지층이 접촉하는 것을 포함하는 유기발광표시장치.3. The method of claim 2,
Wherein the first sealing layer and the second sealing layer are in contact with each other on an upper surface of the second wall. 제2항에 있어서,
상기 이물보상층의 과도포로 인한 넘침을 방지하기 위해 상기 제2 벽은 복층구조인 유기발광표시장치.3. The method of claim 2,
Wherein the second wall is a multi-layer structure to prevent overflow of the foreign material compensation layer due to over-deposition. 제4항에 있어서,
상기 복층구조는 상기 화소영역에 배치된 뱅크, 스페이서 그리고 평탄화막 중 적어도 2개와 동일 물질로 이루어진 유기발광표시장치.5. The method of claim 4,
Wherein the multi-layer structure is formed of the same material as at least two of the banks, spacers, and planarization films disposed in the pixel region. 제1항에 있어서,
상기 연결부는 상기 제1 전극과 동일 물질로 이루어진 유기발광표시장치.The method according to claim 1,
Wherein the connection part is made of the same material as the first electrode. 제1항에 있어서,
상기 연결부는 상기 공통전압라인까지 연장되어 상기 공통전압라인과 상호 전기적으로 연결되는 유기발광표시장치.The method according to claim 1,
Wherein the connection portion extends to the common voltage line and is electrically connected to the common voltage line. 제1항에 있어서,
상기 화소영역은 박막트랜지스터와 연결된 게이트라인 및 데이터 라인을 더 포함하고,
상기 공통전압라인은 상기 게이트라인 혹은 상기 데이터 라인과 동일 물질로 이루어진 유기발광표시장치.The method according to claim 1,
Wherein the pixel region further includes a gate line and a data line connected to the thin film transistor,
Wherein the common voltage line is made of the same material as the gate line or the data line. 제1항에 있어서,
상기 제2 전극은 상기 게이트 드라이버까지 연장되고 상기 연결부와 연결되는 유기발광표시장치.The method according to claim 1,
And the second electrode extends to the gate driver and is connected to the connection portion. 복수의 픽셀이 배치된 기판;
상기 복수의 픽셀의 외곽에 배치된 게이트 드라이버;
상기 게이트 드라이버와 중첩되고, 상기 복수의 픽셀 외곽에 위치하며 상기 픽셀의 캐소드와 전기적으로 연결되는 연결부;
상기 연결부와 중첩되고, 상기 게이트 드라이버와 상기 복수의 픽셀의 외곽에 위치하는 공통전압라인;
상기 공통전압라인의 적어도 일부분과 중첩되고, 상호 이격되어 배치된 적어도 두개의 서브 벽을 포함하는 벽구조;
상기 복수의 픽셀, 상기 게이트 드라이버, 상기 연결부 및 상기 벽구조를 덮는 제1 봉지층; 및
상기 제1 봉지층 위에 배치된 이물보상층을 포함하는 유기발광표시장치.A substrate on which a plurality of pixels are arranged;
A gate driver disposed at the periphery of the plurality of pixels;
A connection portion which is overlapped with the gate driver and is located at a periphery of the plurality of pixels and is electrically connected to the cathode of the pixel;
A common voltage line overlapped with the connection portion and located at the periphery of the gate driver and the plurality of pixels;
A wall structure overlapping at least a portion of the common voltage line and including at least two sub-walls spaced apart from each other;
A first encapsulation layer covering the plurality of pixels, the gate driver, the connection portion, and the wall structure; And
And a foreign substance compensation layer disposed on the first encapsulation layer. 제10항에 있어서,
상기 이물보상층과 상기 벽구조를 덮는 제2 봉지층을 더 포함하는 유기발광표시장치.11. The method of claim 10,
And a second encapsulation layer covering the foreign material compensation layer and the wall structure. 제11항에 있어서,
상기 벽구조의 일부영역에서 상기 제1 봉지층과 접촉하는 상기 제2 봉지층을 더 포함하는 유기발광표시장치.12. The method of claim 11,
And the second encapsulation layer in contact with the first encapsulation layer in a part of the wall structure. 제1항에 있어서,
상기 벽구조는 상기 게이트 드라이버의 외곽에 배치된 제1 벽과 제2 벽을 포함하고,
상기 제1 벽은 상기 제2 벽보다 상기 게이트 드라이버에 더 가깝게 배치된 유기발광표시장치.The method according to claim 1,
The wall structure including a first wall and a second wall disposed at an outer portion of the gate driver,
Wherein the first wall is disposed closer to the gate driver than the second wall. 제13항에 있어서,
상기 이물보상층의 과도포로 인한 넘침을 방지하기 위해 상기 제2 벽은 복층구조인 것을 포함하는 유기발광표시장치.14. The method of claim 13,
Wherein the second wall is a multi-layer structure to prevent overflow of the foreign material compensation layer due to over-deposition. 제14항에 있어서,
상기 복층구조는 상기 화소영역에 배치된 뱅크, 스페이서 및 평탄화층과 적어도 두개의 동일 물질로 배치된 유기발광표시장치.15. The method of claim 14,
Wherein the multi-layer structure is disposed with at least two of the same materials as the bank, the spacer, and the planarization layer disposed in the pixel region. 제10항에 있어서,
상기 연결부는 상기 복수의 픽셀에 배치된 애노드와 동일 물질로 이루어진 유기발광표시장치.11. The method of claim 10,
Wherein the connection portion is made of the same material as the anode disposed in the plurality of pixels. 제10항에 있어서,
상기 연결부는 상기 공통전극라인까지 연장되어 상기 공통전압라인과 상호 전기적으로 연결되는 유기발광표시장치.11. The method of claim 10,
And the connection portion extends to the common electrode line and is electrically connected to the common voltage line. 제10항에 있어서,
상기 복수의 픽셀이 배치된 화소영역은 박막트랜지스터에 연결된 게이트라인과 데이터라인을 더 포함하고,
상기 공통전극라인은 상기 게이트 라인 혹은 상기 데이터 라인과 동일물질로 이루어진 유기발광표시장치.11. The method of claim 10,
Wherein the pixel region in which the plurality of pixels are arranged further includes a gate line and a data line connected to the thin film transistor,
Wherein the common electrode line is made of the same material as the gate line or the data line. 제10항에 있어서,
상기 벽구조는 상기 복수의 픽셀을 둘러싸는 유기발광표시장치.11. The method of claim 10,
Wherein the wall structure surrounds the plurality of pixels.
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