KR20170133601A - 무선 온도측정 시스템 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 무선 온도측정 시스템으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 무선 온도측정 시스템은, 온도를 측정하고 온도에 따른 응답신호(20)를 발생시키는 센서부(100), 및 센서부(100)에 구동신호(10)를 송신하고 응답신호(20)를 수신하는 리더부(200)를 포함하는 무선 온도측정 시스템으로서, 센서부(100)는, 구동신호(10)를 수신하는 제1 안테나(110), 발생된 표면 탄성파를 전파하는 압전 기판(120), 압전 기판(120) 상에 형성되고 구동신호(10)를 통해 표면 탄성파를 발생시키는 IDT(Inter Digital Transducer; 130), 전파되는 표면 탄성파를 반사시켜 IDT(130)로 전파하는 반사판(140), 및 IDT(130)와 반사판(140) 사이에서 표면 탄성파를 전파하는 지연선(Delay Line; 150)을 포함하며, 반사판(140)은 IDT(130)의 양측에 한쌍으로 배치되고, 무선 방식으로 리더부(200)와 센서부(100)의 구동신호(10) 및 응답신호(20)의 송수신이 수행되는 것을 특징으로 한다.

Description

무선 온도측정 시스템 {WIRELESS TEMPERATURE MEASUMENT SYSTEM}
본 발명은 무선 온도측정 시스템에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 인간의 접근이 제한되는 구조물의 구조 건전성 모니터링을 위해, 구조물의 온도를 무선, 무전원, 무인으로 계측할 수 있는 무선 온도측정 시스템에 관한 것이다.
SAW(Surface Acoustic Wave) 디바이스는 압전기판 위에 IDT(Inter Digital Transducer)를 제작하여 표면 탄성파(Surface Acoustic Wave)를 발생 시켜 출력된 표면 탄성파를 반사판(Reflector)에서 반사한 후 전기적 신호로 변환하는 신호 처리용 장치로서, White 와 Voltmer에 의해 개발된 후 지금까지 주로 신호 처리 분야에 사용되고 있다. SAW 디바이스는 주변 환경의 변화에 따라 주파수 특성이 변화하는데 이것을 이용하여 주위의 환경변화에 민감하게 반응하는 초소형, 초경량의 고성능 센서로 이용할 수 있다.
최근 인간의 접근이 제한된 구조물의 구조 건전선 모니터링(Structural Health Monitoring)에 사용되는 고성능, 소형, 초경량인 무선 센서를 개발하려는 연구가 활발히 진행되고 있으며, 그 중 SAW 디바이스를 이용한 센서가 각광 받고 있다. SAW 센서는 외부 전원 공급이 필요 없고 높은 주파수 대역을 선택할 수 있으며, 무선 적용이 가능하고, 대량 생산이 가능하며, 반응속도가 빠르고 비교적 높은 정확도와 신뢰성을 갖기 때문이다.
SAW 센서의 IDT에서 발생하는 표면 탄성파의 전파 에너지는 표면으로부터 1~1.5배 파장 이내의 깊이에 에너지의 90% 이상이 집중 되어 있기 때문에, 압전체 표면의 물리적 변화에 민감하게 반응한다. 이러한 특성을 이용하여 외부 온도변화에 압전체의 물성이 변화함에 따라 IDT를 통해 발생되는 표면 탄성파의 공진주파수의 변화를 이용하는 SAW 온도 센서의 개발이 필요한 실정이다.
이러한 SAW 온도센서를 구조 건전성 모니터링에 적용하기 위해서는 SAW 온도 센서에서 발생하는 공진주파수 변화를 획득할 수 있어야 하며, 무선통신에 적용하기 위해서는 IDT에서 발생한 표면 탄성파가 반사판에서 반사되어 돌아오는 신호를 극대화 시킬 수 있어야 한다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, SAW 온도 센서에서 발생하는 신호의 크기를 최대화 할 수 있는 무선 온도측정 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.
그리고, 본 발명은 신호의 크기를 최대화하여 무선 통신이 가능한 양방향 전파구조를 가지는 무선 온도측정 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 관점에 따르면, 온도를 측정하고 온도에 따른 응답신호를 발생시키는 센서부, 및 상기 센서부에 구동신호를 송신하고 상기 응답신호를 수신하는 리더부를 포함하는 무선 온도측정 시스템으로서, 상기 센서부는, 상기 구동신호를 수신하는 제1 안테나; 발생된 표면 탄성파를 전파하는 압전 기판; 상기 압전 기판 상에 형성되고 상기 구동신호를 통해 표면 탄성파를 발생시키는 IDT(Inter Digital Transducer); 상기 전파되는 표면 탄성파를 반사시켜 상기 IDT로 전파하는 반사판; 및 상기 IDT와 상기 반사판 사이에서 상기 표면 탄성파를 전파하는 지연선(Delay Line)을 포함하며, 한쌍의 상기 반사판은 상기 IDT의 양측에 배치되고, 무선 방식으로 상기 리더부와 상기 센서부의 상기 구동신호 및 상기 응답신호의 송수신이 수행되는, 무선 온도측정 시스템이 제공된다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 IDT 및 상기 반사판은 빗살형 구조일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 IDT의 전극 폭 및 상기 반사판의 스트립 폭은 2.25㎛ 내지 2.45㎛일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 리더부는 제2 안테나를 통해 각각 다른 중심주파수를 가지는 복수의 상기 구동신호를 순차적으로 상기 센서부로 송신할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 IDT와 상기 반사판 사이를 왕복하는 상기 표면 탄성파가 서로 중첩되어 정상파를 형성할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 구동신호의 중심주파수와 상기 응답신호의 공진주파수가 일치하면 반사파가 형성되고, 상기 반사파의 최대값으로 측정 대상 온도를 결정할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 공진주파수는 425MHz로 설계될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, -20℃ 내지 80℃의 온도 범위에서, 측정 대상의 온도가 1℃ 높아질 때 상기 공진주파수가 적어도 30kHz 낮아질 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 압전 기판은 128°YX-LiNbO3일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 지연선의 길이는 상기 표면 탄성파 파장의 10배일 수 있다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, SAW 온도 센서에서 발생하는 신호의 크기를 최대화 할 수 있는 효과가 있다.
그리고, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 신호의 크기를 최대화하여 무선 통신이 가능한 양방향 전파구조를 가지는 무선 온도측정 시스템을 제공하는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 무선 온도측정 시스템의 구성을 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 구동신호와 응답신호의 공진주파수 일치 여부에 따른 반사파의 형태를 나타내는 그래프이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 제조한 빗살형 구조의 IDT를 나타내는 SEM(Scanning Electron Microscope) 사진이다.
도 4는 본 발명의 비교예에 따른 유선 온도측정 시스템의 구성을 나타내는 개략도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유선 및 무선 온도 실험 결과를 나타내는 그래프이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 유선 및 무선 온도 실험의 주파수-온도 관계를 나타내는 그래프이다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 하여 과장되어 표현될 수도 있다.
이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 무선 온도측정 시스템의 구성을 나타내는 개략도이다.
도 1을 참조하면, 무선 온도측정 시스템은 센서부(100) 및 리더부(200)를 포함할 수 있다.
센서부(100)는 온도를 측정하고 온도에 따른 응답신호(20)를 발생시킬 수 있으며, SAW(Surface Acoustic Wave) 센서가 이에 해당한다. 센서부(100)는 제1 안테나(110), 압전 기판(120), IDT(Inter Digital Transducer; 130), 반사판(140), 지연선(Delay Line; 150)을 포함할 수 있다.
리더부(200)는 센서부(100)에 구동신호(10)를 송신하고 응답신호(20)를 수신할 수 있다. 리더부(200)는 제2 안테나(210), 처리부(220)를 포함할 수 있다. 리더부(200)는 그 자체에서 구동신호(10) 및 응답신호(20)를 분석처리할 수도 있고, 리더부(200)에 연결된 컴퓨터 등의 분석 장치(미도시)를 이용하여 구동신호(10) 및 응답신호(20)를 분석처리할 수도 있다.
제1 안테나(110)는 리더부(200)에서 제2 안테나(210)를 통해 무선으로 송신한 구동신호(10)를 수신할 수 있다.
센서부(100)는 제1 안테나(110)를 통해 수신한 구동신호(10)를 IDT(130)에 전달할 수 있다. IDT(130)는 빗살형 구조의 전극 형태를 가지며, 압전 기판(120) 상에 형성될 수 있다. IDT(130)는 역 압전 효과에 따라 수신한 구동신호(10)를 표면 탄성파로 변환할 수 있다. 발생된 표면 탄성파는 압전 기판(120)의 표면에서 지연선(150)을 따라 전파될 수 있다.
IDT(130)는 센서부(100)[또는, 압전 기판(120)]의 중앙 부분에 형성되고, 센서부(100)[또는, 압전 기판(120)]의 외측에는 반사판(140)이 배치될 수 있다. 반사판(140)은 지연선(150)을 따라 전파되는 표면 탄성파를 반사시켜 IDT(130)로 다시 전파되도록 할 수 있다.
특히, 무선 통신에 적합하도록, 반사파의 크기를 최대화하기 위하여, 반사판(140)은 IDT(130)의 양측[또는, 센서부(100)의 양측단]에 한쌍이 배치될 수 있으며, 지연선(150)은 가능한 짧게 설정될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 처리부(220)는 각각 다른 중심주파수(제1 주파수에서 제2 주파수까지)를 가지는 복수의 구동신호(10)를 순차적으로 발생시켜 제2 안테나(210)를 통해 제1 안테나(110)로 송신할 수 있다. IDT(130)에 입력된 구동신호(10)에 의해 압전 기판(120)이 진동하여 표면을 따라 표면 탄성파가 전파될 수 있고, 이때 표면 탄성파는 센서부(100)의 온도에 의존하여, 공진주파수, 위상, 전파속도, 지연시간 등에 영향을 받게 된다. 이후, 표면 탄성파는 반사판(140)에 의해 반사되어 지연선(150)을 거쳐, IDT(130)에서 압전 효과에 따라 다시 응답신호(20)로 변환될 수 있다. 제1 안테나(110)는 변환된 응답신호(20)를 리더부(200)에 무선으로 송신할 수 있다. 처리부(220)에서는 제2 안테나(210)를 통해 수신한 응답신호(20)와 구동신호(10) 간의 변화를 계산하여 측정 대상의 온도를 측정할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 구동신호(10)와 응답신호(20)의 공진주파수 일치 여부에 따른 반사파의 형태를 나타내는 그래프이다. 도 2의 (a)는 구동신호(10)와 응답신호(20)의 공진주파수가 일치한 경우를 나타내며, 도 2의 (b)는 구동신호(10)와 응답신호(20)의 공진주파수가 불일치한 경우를 나타낸다. 도 2의 (a) 및 (b)에서 a 구간은 구동신호(10)를 나타내며, b 구간은 반사파가 형성된 경우의 반사파를 나타낸다.
리더부(200)는 정해진 주파수 대역 안에서 일정한 간격으로 구동신호(10)를 센서부(100)로 송신할 수 있다. 리더부(200)는 f0의 구동신호(10)를 송신 후, 수신 모드로 변경한 뒤, 센서부(100)에서 발생된 응답신호(20)를 수신할 수 있다. 이러한 순서로 f0에서 fn까지 일정한 간격으로 신호(10, 20)의 송수신을 반복할 수 있다.
센서부(100)에서 IDT(130)와 반사판(140) 사이를 왕복하는 표면 탄성파는 서로 중첩되어 정상파(Stading Wave)를 형성할 수 있다. 정상파의 주파수는 센서부(100)의 온도를 반영할 수 있다. 정상파는 응답신호(20)로서 리더부(200)에 전송될 수 있다.
구동신호(10)의 중심주파수와 응답신호(20)의 공진주파수가 일치하면 반사파가 형성될 수 있고[도 2의 (a)의 b 구간], 처리부(220)는 반사파의 최대값으로 측정 대상 온도를 결정할 수 있다. 구동신호(10)의 중심주파수와 응답신호(20)의 공진주파수가 불일치하면 반사파가 형성되지 않을 것이다[도 2의 (b)의 b 구간].
(실험예)
이하에서는, 본 발명의 실험예에 따른 무선 온도측정 시스템을 온도측정 결과를 살펴보도록 한다.
무선 온도측정 시스템에서 압전 기판(120)을 선정하기 위한 주요 파라메터는, 전기에너지가 기계적 에너지로 변하는 효율을 의미하는 전기-기계결합계수(k 2 ), 온도 변화에 대한 지연시간의 변화인 TCD(Temperature Cofficient of Delay), 압전특성 등이 있다. 주로 사용되는 압전 기판은 LiNbO3, LiTaO3, Quartz 등이 있다. 이 중 전기-기계결합계수와 TCD를 고려하여 LiNbO3을 선택하였다.
또한, LiNbO3 기판 중에서도 압전 소자 성장 후 단면각과 전달 방향에 따라 특성이 다르며, 이 중 온도계수가 가장 커야 한다. 아래 표 1과 같이, 센서부(100)에 적합한 압전 기판은 128°YX-LiNbO3와 YZ-LiNbO3이며, 그 중 128°YX-LiNbO3 기판에서 표면 탄성파가 압전 기판 내부로 방사되는 SSBW(Surface Skimming Bulk Wave)가 상대적으로 적어, 최종적으로 128°YX -LiNbO3을 선택하였다.
[표 1]
Figure pat00001
IDT(130)는 전기적 에너지를 기계적 에너지로 바꾸는 핵심적인 역할을 수행한다. IDT(130)에 AC 전압 V(t)=V0exp(jwt)를 인가하면 압전 기판(120)에 역학적 변형이 발생하고, vR의 속도로 다음 전극으로 이동한다. 단일전극(Single IDT) 구조의 경우 구조가 간단하고 전극 폭이 상대적으로 넓기 때문에 전극 구현을 위한 사진공정이 단순한 이점이 있다. 또한, 단일전극 구조에서 동위상의 표면파를 유지하기 위해서는 수학식 1과 같이, IDT의 개별 빗살 전극의 폭(d)[또는, 개별 빗살 전극의 간격]이 표면 탄성파 파장의 1/4이 되어야 한다. 동위상의 주파수 f0은 수학식 2와 같다.
[수학식 1]
Figure pat00002
[수학식 2]
Figure pat00003
이 경우, 전기적 에너지(구동신호)를 역학적 에너지(표면 탄성파)로 변환시키는 효율이 극대화 된다.
IDT(130)의 개별 빗살 전극의 개수는 중첩의 원리에 의해 표면 탄성파의 세기와 비례한다. 본 실험예에서는 약 40쌍으로 설계하였고, 하였다. 공진주파수는 산업, 과학 및 의료 분야에서 사용가능한 ISM (Industrial scientific medical) 대역을 준수하는, 공진주파수는 425MHz로 설계하였다. 이에, 수학식 1 및 2에 따라, 압전 기판(120)의 전파속도(3996m/s) IDT의 개별 빗살 전극의 폭(d)은 2.35㎛로 결정되었다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 제조한 빗살형 구조의 IDT(130)를 나타내는 SEM(Scanning Electron Microscope) 사진이다. 반도체 식각 과정에서 IDT의 개별 빗살 전극의 거리, 너비(d)에 약간의 오차가 발생할 수 있으며, d는 2.25㎛ 내지 2.45㎛ 정도가 될 수 있다.
반사판(140)의 특성을 결정하기 위해서는, 반사력, 반사 대역폭 및 반사판의 형상 등을 고려하여야 한다. 반사력은 반사판의 스트립(핑거)에 비례하며, 반사계수(R)은 수학식 3과 같이 표현된다. r은 개별 스트립(핑거)의 반사력을 의미한다.
[수학식 3]
Figure pat00004
반사판(140)의 형상은 폐쇄형(Close Type), 스트립 끝단이 개방된 개방형(Open Type), 폐쇄형과 개방형의 조합 형태인 IDT-형(또는, 빗살형) 등이 있다. 이 중에서, 반사판(140)과 IDT(130)는 전압 인가 유무에 따라 달라지고, 기본적으로 표면 탄성파를 전파하는 개념은 같으므로, IDT(130)와 같은 형태인 빗살형 구조를 가지며 IDT와 같은 너비(d)인 2.35㎛를 가지도록 결정되었다. 또한 무선통신에 적합하도록, 반사파의 크기를 최대화하기 위하여 반사판을 도 1과 같이 IDT(130)의 양측에 배치하였다.
응답신호(20)[또는, 반사신호]의 손실을 줄이기 위해 지연선(150)은 가능한 짧게, 10λ로 설정하였다.
도 4는 본 발명의 비교예에 따른 유선 온도측정 시스템의 구성을 나타내는 개략도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 비교예로서, 센서부(100)를 회로망 분석기(300)의 연결 포트(310)에 유선 방식(301)으로 연결하여, 유선 온도측정 시스템을 구성하고, 온도 챔버(TEMI850, SJ Science, Korea)에 넣어 -20~80℃로 온도를 변화시켜 처리부(320)를 통해 주파수 변화 양상을 측정하였다.
그리고, 본 발명의 실험예로서, 410~480 MHz의 대역폭을 갖는 제1 안테나(110)을 센서부(100)에 부착시키고, 제1 안테나(110)와 동일한 제2 안테나(210)를 회로망 분석기(300)[리더부(200)와 동일]에 연결시켜, 무선 온도측정 시스템[도 1과 동일]을 구성하고, 상기 비교예와 똑같이 온도를 변화시켜 주파수 변화 양상을 측정하였다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유선[도 5의 (a)] 및 무선[도 5의 (b)] 온도 실험 결과를 나타내는 그래프이다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 유선 및 무선 온도 실험의 주파수-온도 관계를 나타내는 그래프이다.
계측 값은 -20~80℃의 범위에서 10 간격으로 5분동안 계측한 데이터 10번의 평균값이며, 샘플링 레이트는 온도 당 1500개이다. 유선과 무선 온도실험의 삽입 손실 평균은 각각 약 -11 dB, -17dB로 나타나 유선의 경우 6dB 이득이 있었다. 온도가 1 높아질 때 공진주파수가 두 실험 모두 약 30 kHz 낮아지는 것으로 나타났다. 유, 무선 센서부(100)의 공진주파수는 각각 상온(약 20)에서 약 425.4, 425.3 MHz가 계측되었다. 유선과 무선 모두 온도에 따른 공진주파수의 추이가 같음을 확인하였다. 온도가 변화함에 따라 공진주파수도 함께 변하기 때문에 본 발명의 무선 온도측정 시스템을 이용하여 정확한 온도 측정이 가능한 것으로 분석할 수 잇다.
위와 같이, 본 발명은 반사판(140)을 IDT(130)의 양측에 한쌍으로 배치하고, IDT(130)와 반사판(140)을 동일한 구조를 갖도록 하여 SAW 온도 센서에서 발생하는 신호의 크기를 최대화 할 수 있다. 그리고, 각각 다른 중심주파수를 가지는 복수의 구동신호를 순차적으로 인가하고, 구동신호의 중심주파수와 응답신호의 공진주파수가 일치되면 형성되는 반사파의 최대값으로 측정 대상 온도를 결정하므로, 신호의 크기를 최대화하여 무선 통신이 가능한 양방향 전파구조를 가지는 무선 온도측정 시스템을 구현할 수 있다.
본 발명의 무선 온도측정 시스템은 센서를 구동하기 위한 별도의 전원이 필요하지 않으며, 접근이 곤란하거나 또는 위험한 분야에서 비접촉으로 측정이 필요한 분야에 활용할 수 있다. 예를 들어, 인간의 접근이 제한된 구조물의 구조 건전선 모니터링, 고압용 변압기, 작업장 내 온도 분포 모니터링, 환경 분야, 식품 제조 공정 등의 온도측정이 필요한 다양한 분야에 활용할 수 있다.
본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.
10: 구동신호
20: 응답신호
100: 센서부
110: 제1 안테나
120: 압전 기판
130: IDT(Inter Digital Transducer)
140: 반사판
150: 지연선(Delay Line)
200: 리더부
210: 제2 안테나
220: 처리부

Claims (10)

  1. 온도를 측정하고 온도에 따른 응답신호를 발생시키는 센서부, 및 상기 센서부에 구동신호를 송신하고 상기 응답신호를 수신하는 리더부를 포함하는 무선 온도측정 시스템으로서,
    상기 센서부는,
    상기 구동신호를 수신하는 제1 안테나;
    발생된 표면 탄성파를 전파하는 압전 기판;
    상기 압전 기판 상에 형성되고 상기 구동신호를 통해 표면 탄성파를 발생시키는 IDT(Inter Digital Transducer);
    상기 전파되는 표면 탄성파를 반사시켜 상기 IDT로 전파하는 반사판; 및
    상기 IDT와 상기 반사판 사이에서 상기 표면 탄성파를 전파하는 지연선(Delay Line)
    을 포함하며,
    한쌍의 상기 반사판은 상기 IDT의 양측에 배치되고, 무선 방식으로 상기 리더부와 상기 센서부의 상기 구동신호 및 상기 응답신호의 송수신이 수행되는, 무선 온도측정 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 IDT 및 상기 반사판은 빗살형 구조인, 무선 온도측정 시스템.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 IDT의 전극 폭 및 상기 반사판의 스트립 폭은 2.25㎛ 내지 2.45㎛인, 무선 온도측정 시스템.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 리더부는 제2 안테나를 통해 각각 다른 중심주파수를 가지는 복수의 상기 구동신호를 순차적으로 상기 센서부로 송신하는, 무선 온도측정 시스템.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 IDT와 상기 반사판 사이를 왕복하는 상기 표면 탄성파가 서로 중첩되어 정상파를 형성하는, 무선 온도측정 시스템.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 구동신호의 중심주파수와 상기 응답신호의 공진주파수가 일치하면 반사파가 형성되고, 상기 반사파의 최대값으로 측정 대상 온도를 결정하는, 무선 온도측정 시스템.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 공진주파수는 425MHz로 설계되는, 무선 온도측정 시스템.
  8. 제6항에 있어서,
    -20℃ 내지 80℃의 온도 범위에서, 측정 대상의 온도가 1℃ 높아질 때 상기 공진주파수가 적어도 30kHz 낮아지는, 무선 온도측정 시스템.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 압전 기판은 128°YX-LiNbO3인, 무선 온도측정 시스템.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 지연선의 길이는 상기 표면 탄성파 파장의 10배인, 무선 온도측정 시스템.
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