KR20170133183A - Substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

Disclosed is a substrate processing apparatus. The disclosed substrate processing apparatus comprises: a substrate supporting portion on which a substrate is seated; a nozzle portion for spraying chemical on the substrate; a chemical storage portion for accommodating chemicals; a nozzle supporting portion for supporting the nozzle portion, and transferring the chemicals supplied form the chemical storage portion to the nozzle portion; and a chemical guide for restricting movement of the chemicals sprayed from the nozzle portion, thereby capable of controlling changes in temperature and properties of the chemicals supplied to the substrate.

Description

기판처리장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}[0001] SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS [0002]

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 습식(濕式) 매엽(枚葉) 공정에서, 약액의 온도 및 특성 변화를 제어할 수 있는 기판 처리장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus capable of controlling temperature and characteristic changes of a chemical liquid in a wet sheet processing.

일반적으로, 기판처리장치는 기판을 처리하는 방식에 따라 건식 처리장치와 습식 처리장치로 나뉜다. 이 중 습식 처리장치는 복수의 처리액들, 예컨대, 식각액, 세정액, 그리고 린스액들을 사용하여 기판을 처리하는 장치에 해당한다. Generally, a substrate processing apparatus is divided into a dry processing apparatus and a wet processing apparatus according to a method of processing a substrate. Among these, the wet processing apparatus corresponds to an apparatus for processing a substrate by using a plurality of process liquids, for example, an etching liquid, a cleaning liquid, and rinse liquids.

이러한 기판처리장치는 기판에 형성된 박막 중 불필요한 부분을 식각하는 공정, 그리고 기판의 처리면에 잔류하는 이물질을 세정하는 공정, PR(photoresist) Strip 공정, 등을 포함한다.Such a substrate processing apparatus includes a step of etching an unnecessary portion of a thin film formed on a substrate, a step of cleaning foreign matters remaining on the processing surface of the substrate, a photoresist strip process, and the like.

상기 반도체 제조공정에서 패턴의 미세화로 상기 약액의 특징에 따라 공정 온도의 차이가 있지만, 약액의 사용온도가 증가되고 있다. 이에 약액을 가열하여 공급하거나, 기판을 가열하여 기판에 공급되는 약액을 가열하는 방식이 적용된다. Although the process temperature is different depending on the characteristics of the chemical liquid due to the miniaturization of the pattern in the semiconductor manufacturing process, the use temperature of the chemical liquid is increasing. A method in which the chemical liquid is heated and supplied or the chemical liquid supplied to the substrate is heated by heating the substrate is applied.

특히, 약액을 가열하여 공급하는 방식은, 고온의 약액이 배관 및 노즐부를 통하여 이동되는 동안, 약액의 열에너지가 배관 및 노즐부에 의해 손실되어, 약액의 온도가 낮아지게 되고, 그로 인해 초기 가열된 약액의 온도보다 낮은 온도의 약액이 기판에 공급되는 문제점이 있다. 또한, 고온의 약액을 기판에 공급하는 경우, 약액의 수분 등이 외부로 배출되어, 약액의 특성이 달라지는 문제점이 있다. 따라서 이를 개선할 필요성이 요청된다. Particularly, in the method of heating and supplying the chemical liquid, the heat energy of the chemical liquid is lost by the piping and the nozzle unit while the high temperature chemical liquid is moved through the piping and the nozzle unit, the temperature of the chemical liquid is lowered, There is a problem that a chemical liquid having a temperature lower than the temperature of the chemical liquid is supplied to the substrate. In addition, when a high-temperature chemical liquid is supplied to the substrate, moisture and the like of the chemical liquid are discharged to the outside, thereby changing characteristics of the chemical liquid. Therefore, there is a need for improvement.

본 발명의 배경 기술은, 대한민국 공개특허공보 제2004-0023943호(2004.03.20 공개, 발명의 명칭: 양면 동시 세정이 가능한 매엽식 웨이퍼 세정장치)에 개시되어 있다.BACKGROUND ART [0002] The background art of the present invention is disclosed in Korean Patent Laid-Open Publication No. 2004-0023943 (published on Mar. 20, 2004, entitled "Single wafer type wafer cleaning apparatus capable of double-side simultaneous cleaning").

본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하기 위해 안출된 것으로, 기판에 공급되는 약액의 온도 및 특성 변화를 제어할 수 있는 기판처리장치를 제공하는데 그 목적이 있다. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of controlling changes in temperature and characteristics of a chemical liquid supplied to a substrate.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 기판이 안착되는 기판지지부; 상기 기판에 약액을 분사하는 노즐부; 약액이 수용되는 약액저장부; 상기 노즐부를 지지하며, 상기 약액저장부에서 공급받은 약액을 상기 노즐부에 전달하는 노즐지지부; 및 상기 노즐부에서 분사되는 약액의 이동을 제한하는 약액가이드;를 포함하는 것을 특징으로 한다. A substrate processing apparatus according to the present invention includes: a substrate supporting part on which a substrate is placed; A nozzle unit for spraying the chemical liquid onto the substrate; A chemical solution storage part for storing the chemical solution; A nozzle support for supporting the nozzle unit and transmitting the chemical solution supplied from the chemical solution storage unit to the nozzle unit; And a chemical liquid guide for restricting movement of the chemical liquid ejected from the nozzle unit.

본 발명에서 상기 기판지지부는, 상기 기판이 안착되는 척부; 상기 척부를 회전시키는 기판회전부; 및 상기 척부의 일측에 위치하며, 히터부를 포함하여, 상기 기판을 가열하는 테이블부;를 포함하는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the substrate supporting part may include a chuck part on which the substrate is placed; A substrate rotating part for rotating the chuck part; And a table portion disposed at one side of the chuck portion and including a heater portion for heating the substrate.

본 발명에서 상기 약액가이드는, 상기 노즐부에 결합되고, 상기 기판 측으로 연장되어, 상기 노즐부에서 분사되는 약액의 이동을 안내하는 분사제한부;를 포함하는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the chemical liquid guide may include a spray restricting portion coupled to the nozzle portion and extending toward the substrate to guide movement of the chemical liquid sprayed from the nozzle portion.

본 발명에서 상기 분사제한부는, 상기 노즐부에 결합되며, 상기 기판 측으로 연장되어, 상기 노즐부에서 분사되는 약액의 이동을 제한하는 분사제한바디;를 포함하는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the injection restricting portion may include a spray restricting body coupled to the nozzle portion and extending toward the substrate, for restricting movement of the chemical liquid sprayed from the nozzle portion.

본 발명에서 상기 분사제한바디는, 상기 노즐부에서 상기 기판 측으로 진행하면서, 내측 단면의 폭이 증가하도록 형성되는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the injection restricting body is formed so that the width of the inner end surface increases in the nozzle portion toward the substrate.

본 발명에서 상기 분사제한바디는, 상단부가 상기 노즐부에 결합되고, 하단부가 상기 기판 측으로 향하는 원뿔 형상인 것을 특징으로 한다. In the present invention, the injection limiting body may have a conical shape with an upper end coupled to the nozzle portion and a lower end directed toward the substrate.

본 발명에서 상기 분사제한바디는, 상기 노즐부에 탈착 가능하게 결합되는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the injection limiting body is detachably coupled to the nozzle unit.

본 발명에서 상기 분사제한부는, 상기 분사제한바디에 결합되어, 상기 분사제한바디를 냉각시키는 분사제한냉각부;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the spray restricting part may further include a spray restricting part coupled to the spray restricting body to cool the spray restricting body.

본 발명에서 상기 약액가이드는, 상기 기판에서 이격되게 위치하며, 상기 기판과의 사이에 진입된 약액의 이동을 제한하는 기판제한부;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the chemical liquid guide may further include a substrate restricting portion positioned to be spaced apart from the substrate and restricting movement of the chemical liquid introduced into the substrate.

본 발명에서 상기 기판제한부는, 상기 기판으로부터 상기 노즐부 측으로 이격되게 위치하는 기판제한바디;를 포함하는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the substrate restricting portion may include a substrate restricting body spaced from the substrate toward the nozzle portion.

본 발명에서 상기 기판제한바디는, 상기 기판에 대응하는 형상으로 형성되는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the substrate confinement body is formed in a shape corresponding to the substrate.

본 발명에서 상기 기판제한바디는, 상기 기판지지부에 탈착 가능하게 결합되는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the substrate restricting body is detachably coupled to the substrate supporter.

본 발명에서 상기 기판제한바디에는, 상기 노즐부에서 분사되는 약액이 상기 기판 측으로 전달될 수 있도록 약액유입홀부가 형성되는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the chemical liquid inflow hole is formed in the substrate confinement body so that the chemical liquid injected from the nozzle unit can be transferred to the substrate side.

본 발명에서 상기 약액유입홀부는, 상기 노즐부의 이동 궤적에 대응하는 형상으로 형성되는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the chemical liquid inflow hole portion is formed in a shape corresponding to a movement locus of the nozzle portion.

본 발명에서 상기 기판제한바디는, 상기 약액유입홀부를 차단하는 유입홀부커버; 및 상기 유입홀부커버를 관통하며, 상기 분사제한부에 연결되어, 상기 노즐부에서 분사되는 약액이, 상기 분사제한부를 거쳐 상기 기판에 전달되도록 안내하는 유입홀부가이드;를 포함하는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the substrate restricting body may include: an inlet hole cover for blocking the chemical liquid inlet hole; And an inflow hole guide penetrating through the inflow hole cover and guiding the chemical solution injected from the nozzle unit to be transmitted to the substrate through the injection restriction unit, the inflow hole guide being connected to the injection restriction unit.

본 발명에서 상기 기판제한부는, 상기 기판제한바디에 결합되어, 상기 기판제한바디를 냉각시키는 기판제한냉각부;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. The substrate restricting unit may further include a substrate restricting unit coupled to the substrate restricting body to cool the substrate restricting body.

본 발명에서 상기 노즐부는, 상기 노즐지지부에 연결되어, 상기 노즐지지부로부터 약액을 공급받으며, 분사홀부를 구비하여 상기 기판에 약액을 분사하는 노즐바디; 및 상기 노즐바디에 결합되어, 상기 노즐바디를 가열하는 노즐가열부;를 포함하는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the nozzle unit may include a nozzle body connected to the nozzle support unit, receiving a chemical solution from the nozzle support unit, and having a spray hole, for spraying the chemical solution onto the substrate; And a nozzle heating unit coupled to the nozzle body and heating the nozzle body.

본 발명에서 상기 노즐지지부는, 상기 약액저장부에서 공급받은 약액을 가열하여 상기 노즐부에 전달하는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the nozzle supporter is characterized in that the chemical liquid supplied from the chemical liquid reservoir is heated and transferred to the nozzle unit.

본 발명에서 상기 노즐지지부는, 상기 노즐부가 결합되는 노즐암부; 상기 노즐암부를 이동시키는 노즐이동부; 및 상기 노즐암부에 결합되며, 상기 약액저장부에 연결되어, 상기 약액저장부로부터 전달받은 약액을 가열하여, 상기 노즐부에 전달하는 약액가열부;를 포함하는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the nozzle support portion may include: a nozzle arm portion to which the nozzle portion is coupled; A nozzle moving part for moving the nozzle arm part; And a chemical solution heating unit coupled to the nozzle arm unit and connected to the chemical solution storage unit to heat the chemical solution delivered from the chemical solution storage unit and deliver the chemical solution to the nozzle unit.

본 발명에서 상기 약액가열부는, 상기 노즐이동부에 결합되며, 내측에 가열유로가 형성되는 가열부하우징; 상기 약액저장부와 연결되어, 상기 약액저장부로부터 전달받은 약액을 상기 가열유로에 전달하는 가열부유입부; 상기 가열부하우징에 결합되며, 상기 가열유로에 유입된 약액을 가열하는 가열부; 및 상기 가열유로와 상기 노즐부를 연결하여, 상기 가열유로에서 전달받은 약액을 상기 노즐부에 전달하는 노즐연결부;를 포함하는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the chemical solution heating unit may include a heating unit housing coupled to the nozzle unit and having a heating channel formed therein; A heating unit inflow part connected to the chemical solution storage part and transferring the chemical solution transferred from the chemical solution storage part to the heating flow path; A heating unit coupled to the heating unit housing and heating the chemical solution flowing into the heating channel; And a nozzle connection unit connecting the heating channel and the nozzle unit and transmitting the chemical solution transferred from the heating channel to the nozzle unit.

본 발명에서 상기 약액가열부는, 상기 가열부하우징에 유입되는 약액의 온도를 측정하는 온도측정부; 및 상기 온도측정부에서 측정한 온도에 기초하여, 상기 가열부를 제어하여, 약액의 온도가 설정 온도 범위에 들어가도록 하는 온도제어부;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the chemical solution heating unit may include: a temperature measurement unit for measuring a temperature of the chemical solution flowing into the heating unit housing; And a temperature control unit for controlling the heating unit based on the temperature measured by the temperature measurement unit so that the temperature of the chemical solution is within the set temperature range.

본 발명에서 상기 노즐연결부는, 상기 노즐부를 회전 가능하게 지지하는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the nozzle connecting portion rotatably supports the nozzle portion.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 약액을 기판에 공급하는 과정에서 약액의 온도가 저하되는 것을 방지함으로써, 설정 온도의 약액으로 기판을 처리할 수 있다. The substrate processing apparatus according to the present invention can process the substrate with the chemical liquid at the set temperature by preventing the temperature of the chemical liquid from being lowered in the process of supplying the chemical liquid to the substrate.

또한, 본 발명은 기판의 처리과정에서 약액의 특성 변화를 제한하여, 기판을 설정 농도의 약액으로 처리할 수 있다. Further, the present invention can limit the change in the characteristic of the chemical liquid during the processing of the substrate, and treat the substrate with the chemical liquid at the set concentration.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐부와, 노즐지지부 및 약액저장부를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 약액가열부를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 약액가열부와 노즐부를 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 분사제한부를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판제한부를 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판제한부를 나타내는 평면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 분사제한부와 기판제한부가 결합된 상태를 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판제한바디에서 유입홀부커버 및 유입홀부가이드가 적용된 상태를 나타내는 평면도이다. 1 is a cross-sectional view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a view illustrating a nozzle unit, a nozzle support unit, and a chemical solution storage unit according to an embodiment of the present invention.
3 is a perspective view schematically showing a chemical solution heating unit according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view illustrating a chemical solution heating unit and a nozzle unit according to an embodiment of the present invention.
5 is a view illustrating an injection restriction unit according to an embodiment of the present invention.
6 is a view illustrating a substrate restricting portion according to an embodiment of the present invention.
7 is a plan view showing a substrate restricting portion according to an embodiment of the present invention.
8 is a view illustrating a state in which the spray restricting portion and the substrate restricting portion are combined according to an embodiment of the present invention.
9 is a plan view showing a state in which an inlet hole cover and an inlet hole guide are applied in a substrate restricting body according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 기판처리장치의 일 실시예를 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 선들의 두께나 구성요소의 크기 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시되어 있을 수 있다. Hereinafter, an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In this process, the thicknesses of the lines and the sizes of the components shown in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience of explanation.

또한, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.In addition, the terms described below are defined in consideration of the functions of the present invention, which may vary depending on the intention or custom of the user, the operator. Therefore, definitions of these terms should be made based on the contents throughout this specification.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치(1)는, 기판지지부(100), 노즐부(200), 약액저장부(300), 노즐지지부(400) 및 약액가이드(500)를 포함한다. 1 is a cross-sectional view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 1, a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention includes a substrate support 100, a nozzle unit 200, a chemical solution storage unit 300, a nozzle support unit 400, 500).

기판지지부(100)에는 기판(10)이 안착된다. 본 실시예에서 기판지지부(100)는 척부(110), 기판회전부(130) 및 테이블부(150)를 포함한다. The substrate 10 is seated on the substrate support 100. In this embodiment, the substrate support 100 includes a chuck 110, a substrate rotating part 130, and a table part 150.

척부(110)에는 기판(10)이 안착된다. 척부(110)는 테이블부(150)의 외측으로 이격되게 위치하고, 기판(10)의 외측을 지지하며, 기판회전부(130)에 결합된다. 본 실시예에서 척부(110)는 기판회전부(130)의 회전에 따라, 테이블부(150)의 주위를 회전함으로써, 기판(10)이 테이블부(150)의 상측(도 1 기준)에서 테이블부(150)의 중심(150c)을 기준으로 회전되도록 한다. The substrate 10 is seated on the chuck 110. The chuck portion 110 is spaced apart from the table portion 150 and supports the outer side of the substrate 10 and is coupled to the substrate rotating portion 130. The chuck portion 110 rotates about the table portion 150 in accordance with the rotation of the substrate rotating portion 130 so that the substrate 10 is moved upward from the table portion 150 To rotate about the center 150c.

기판회전부(130)는 척부(110)를 회전시킨다. 본 실시예에서 기판회전부(130)는 테이블커버부(131), 척베이스부(133) 및 지지회전부(135)를 포함한다. The substrate rotating part 130 rotates the chuck part 110. In this embodiment, the substrate rotating part 130 includes a table cover part 131, a chuck base part 133, and a supporting rotation part 135.

테이블커버부(131)는 테이블부(150)와 기판(10) 사이에 개재되며, 석영(quartz)과 같은 투명 재질을 포함하여 이루어져, 테이블부(150)에서 발생되는 복사 열이 기판(10)에 전달되도록 한다. The table cover part 131 is interposed between the table part 150 and the substrate 10 and includes a transparent material such as quartz so that the radiation heat generated from the table part 150 is transferred to the substrate 10, .

또한, 테이블커버부(131)는 테이블부(150)의 상측(도 1 기준)과 기판(10) 사이를 차단하여 기판(10)에 공급되는 약액(liquid chemical) 또는 퓸(fume)이 테이블부(150)에 전달되는 것을 차단한다. The table cover part 131 cuts off the space between the upper part of the table part 150 and the substrate 10 so that the liquid chemical or fume supplied to the substrate 10 is separated from the table part 150, (150).

척베이스부(133)는 상측(도 1 기준)으로 개방되어 테이블부(150)의 하부 및 측부를 둘러싸도록 형성되며, 척부(110)가 결합된 상태에서 테이블부(150)의 중심(150c)을 기준으로 회전 가능하게 구비된다. The chuck base portion 133 is opened upwardly (as shown in FIG. 1) to surround the lower portion and the side portion of the table portion 150. When the chuck portion 110 is engaged with the center portion 150c of the table portion 150, As shown in FIG.

지지회전부(135)는 모터 등을 포함하는 회전력을 발생시키며, 척베이스부(133)에 연결되어 척베이스부(133)를 회전시킨다. The support rotation unit 135 generates a rotational force including a motor and the like, and is connected to the chuck base unit 133 to rotate the chuck base unit 133.

테이블부(150)는 척부(110) 또는 기판지지부(100)의 일측에 위치하며, 히터부(153)를 포함하여 기판(10)을 가열한다. 본 실시예에서 테이블부(150)는 테이블(151), 히터부(153) 및 반사부(155)를 포함한다. The table portion 150 is located at one side of the chuck portion 110 or the substrate supporting portion 100 and includes the heater portion 153 to heat the substrate 10. [ In this embodiment, the table section 150 includes a table 151, a heater section 153, and a reflector section 155.

테이블(151)은 테이블부(150)이 외관을 형성하며, 히터부(153)와 반사부(155)가 결합된다. 본 실시예에서 테이블(151)은 척베이스부(133)의 내측에 수용되며, 테이블바디(151a)와 테이블중앙부(151b)를 포함한다. In the table 151, the table portion 150 forms an outer appearance, and the heater portion 153 and the reflecting portion 155 are combined. In this embodiment, the table 151 is accommodated inside the chuck base portion 133 and includes a table body 151a and a table center portion 151b.

테이블바디(151a)는 대략 원판 형상으로 형성되며, 히터부(153)와 반사부(155)가 결합된다. 테이블중앙부(151b)는 테이블바디(151a)의 대략 중심을 관통하여 테이블바디(151a)에 결합되며, 하측노즐부(200b) 등이 구비되어 약액이 기판(10)의 하측에 분사될 수 있도록 한다. The table body 151a is formed in a substantially disc shape, and the heater unit 153 and the reflecting unit 155 are combined. The table central portion 151b is coupled to the table body 151a through the center of the table body 151a and is provided with a lower nozzle portion 200b so that the chemical liquid can be injected to the lower side of the substrate 10 .

히터부(153)는 기판(10)을 가열한다. 본 실시예에서 히터부(153)는 테이블부(150)의 중심(150c)에 위치하는 테이블중앙부(151b)를 둘러싸는 형상으로 형성되어 기판(10)을 가열한다. The heater unit 153 heats the substrate 10. The heater unit 153 is formed in a shape surrounding the table center portion 151b located at the center 150c of the table unit 150 to heat the substrate 10 in this embodiment.

본 실시예에서 히터부(153)는 복수 개의 히터(154)를 포함하며, 복수 개의 히터(154)는 테이블부(150)의 중심(150c)을 기준으로 하는 동심원 형상으로 형성되어 테이블부(150)의 반경 방향으로 배열된다. The heater unit 153 includes a plurality of heaters 154. The plurality of heaters 154 are formed concentrically with respect to the center 150c of the table unit 150, In the radial direction.

본 실시예에서 히터(154)는 테이블부(150)의 중심(150c)에서 멀어질수록 기판(10)을 가열하는 범위가 증대된다. 따라서 본 실시예에서 히터(154)는 테이블부(150)의 중심(150c)에서 멀어질수록 출력을 크게 하여 기판(10)을 균일하게 가열할 수 있도록 한다. In this embodiment, as the distance from the center 150c of the table portion 150 is increased, the range of heating the substrate 10 is increased. Therefore, in the present embodiment, the heater 154 increases the output from the center 150c of the table portion 150, thereby heating the substrate 10 uniformly.

반사부(155)는 히터부(153)에서 발생되는 열을 반사하여 기판(10)을 가열하는 효율을 증대시킨다. 본 실시예에서 반사부(155)는 외측반사부(155a)와 내측반사부(155b)를 포함한다. The reflector 155 reflects the heat generated by the heater 153 to increase the efficiency of heating the substrate 10. In this embodiment, the reflecting portion 155 includes an outer reflecting portion 155a and an inner reflecting portion 155b.

본 실시예에서 반사부(155)는, 테이블부(150)의 중심(150c)을 기준으로 내측에 위치하는 내측반사부(155b)가 기판(10)의 중심(10c)을 향하여 기울어진 각도값이, 테이블부(150)의 중심(150c)을 기준으로 외측에 위치하는 내측반사부(155b)가 기판(10)의 중심(10c)을 향하여 기울어진 각도값 이상이 되도록 형성된다.The reflecting portion 155 is formed in such a manner that the inner reflecting portion 155b located on the inner side with respect to the center 150c of the table portion 150 is inclined at an angle value toward the center 10c of the substrate 10 Is formed such that the inner reflecting portion 155b located on the outer side with respect to the center 150c of the table portion 150 is not less than an inclined angle value toward the center 10c of the substrate 10. [

이로써, 본 실시예에서 반사부(155)는, 히터부(153)에서 발생되는 열이 내측반사부(155b)에 의하여 차단되는 것을 방지함으로써, 기판(10)의 중심(10c)이 히터부(153)에 의하여 직접 가열될 수 있도록 한다. The reflection portion 155 prevents the heat generated by the heater portion 153 from being blocked by the inner reflection portion 155b so that the center 10c of the substrate 10 is separated from the heater portion 153). ≪ / RTI >

본 실시예에서 테이블부(150)의 중심(150c)에는 약액의 공급 등을 수행하는 테이블중앙부(151b)가 위치하므로, 해당 위치에 히터(154)를 장착하기 어려운 반면, 테이블부(150)에서 반사부(155)의 형상을 상술한 바와 같이 적용함으로써, 기판(10)의 중심(10c)을 히터(154)로 직접가열, 기판(10)이 균일하게 가열될 수 있도록 한다.The center portion 150c of the table portion 150 is provided with the table center portion 151b for performing the supply of the chemical solution and the like, By applying the shape of the reflecting portion 155 as described above, the center 10c of the substrate 10 is directly heated by the heater 154 so that the substrate 10 can be uniformly heated.

외측반사부(155a)는 테이블부(150)의 중심(150c)을 기준으로, 히터(154)의 외측에 위치하여 히터(154)에서 발생되는 열을 반사하여 기판(10)을 가열할 수 있도록 하고, 내측반사부(155b)는 테이블부(150)의 중심(150c)을 기준으로 히터(154)의 내측에 위치하여, 히터(154)에서 발생되는 열을 반사, 기판(10)을 가열하는 정도를 증대시킨다.The outer reflector 155a is located on the outer side of the heater 154 with respect to the center 150c of the table portion 150 and reflects the heat generated by the heater 154 to heat the substrate 10. [ And the inner reflecting portion 155b is positioned inside the heater 154 with respect to the center 150c of the table portion 150 to reflect the heat generated by the heater 154 and to heat the substrate 10 Increase.

본 실시예에서 반사부(155)는 연결반사부(155c)를 더 포함한다. 연결반사부(155c)는 내측반사부(155b)와 외측반사부(155a)를 연결하며, 히터부(153)에서 발생되는 열을 반사하여 기판(10)을 가열하는 정도를 증대시킨다.In this embodiment, the reflection portion 155 further includes a connection reflection portion 155c. The connection reflection part 155c connects the inner reflection part 155b and the outer reflection part 155a and reflects the heat generated by the heater part 153 to increase the degree of heating of the substrate 10. [

본 실시예에서 외측반사부(155a), 내측반사부(155b) 또는 연결반사부(155c)에는 금, 또는 은 도금 처리를 하여 히터(154)에서 발생되는 열을 반사하는 정도를 증대시켜, 기판(10)을 효율적으로 가열할 수 있도록 한다. 또한, 본 실시예에서 외측반사부(155a), 내측반사부(155b) 및 연결반사부(155c)는 일체로서 프레스 가공되어, 부품의 개수를 줄이고, 내구성을 향상시키며, 반사효율을 증대시킬 수 있다. In this embodiment, gold or silver plating is applied to the outside reflecting portion 155a, the inside reflecting portion 155b, or the connecting reflecting portion 155c to increase the degree of reflection of heat generated by the heater 154, (10) can be efficiently heated. In addition, in the present embodiment, the outer reflector 155a, the inner reflector 155b, and the connection reflector 155c are integrally press-worked to reduce the number of parts, improve durability, have.

본 실시예에서 테이블부(150)는 냉각부(157)를 더 포함한다. 냉각부(157)는 반사부(155)에 결합되어, 반사부(155)를 냉각시킴으로써, 반사부(155)가 히터부(153)에서 발생되는 열에 의하여 파손되는 것을 방지한다. 본 실시예에서 냉각부(157)는 냉각부바디(157a), 냉각유체공급부(157b) 및 냉각유체배출부(157c)를 포함한다.In the present embodiment, the table portion 150 further includes a cooling portion 157. [ The cooling unit 157 is coupled to the reflecting unit 155 to cool the reflecting unit 155 to prevent the reflecting unit 155 from being damaged by the heat generated in the heater unit 153. In this embodiment, the cooling section 157 includes a cooling section body 157a, a cooling fluid supply section 157b, and a cooling fluid discharge section 157c.

냉각부바디(157a)는 반사부(155)에 볼팅, 용접 등의 방식으로 결합되며, 내부에 냉각유로(158)가 형성되어 반사부(155)를 냉각시킨다. 본 실시예에서 냉각유로(158)는 메인냉각유로(158a) 및 서브냉각유로(158b)를 포함하여 냉각부바디(157a)를 냉각시킨다.The cooling part body 157a is coupled to the reflecting part 155 by a method such as bolting or welding and a cooling flow path 158 is formed therein to cool the reflecting part 155. [ In this embodiment, the cooling passage 158 includes the main cooling passage 158a and the sub-cooling passage 158b to cool the cooling section body 157a.

메인냉각유로(158a)는 냉각부바디(157a)의 내부에 형성되며, 냉각유체공급부(157b)에 연결되어, 냉각유체공급부(157b)로부터 공급받은 냉각유체가 냉각부바디(157a)의 내측에서 순환되도록 한다.The main cooling flow passage 158a is formed inside the cooling section body 157a and is connected to the cooling fluid supply section 157b so that the cooling fluid supplied from the cooling fluid supply section 157b flows inside the cooling section body 157a .

서브냉각유로(158b)는 메인냉각유로(158a)에 연통되며, 메인냉각유로(158a)에서 히터(154) 사이로 연장되어, 메인냉각유로(158a)에 공급된 냉각유체를 복수 개의 히터(154) 사이로 진입시킴으로써, 반사부(155)의 냉각효율을 증대시킨다.The sub cooling flow passage 158b communicates with the main cooling flow passage 158a and extends between the main cooling flow passage 158a and the heater 154 so that the cooling fluid supplied to the main cooling flow passage 158a flows through the plurality of heaters 154, The cooling efficiency of the reflecting portion 155 is increased.

냉각유체공급부(157b)는 냉각유로(158)에 연결되어 냉각유로(158)에 냉각유체를 공급한다. 냉각유체배출부(157c)는 냉각유로(158)에 연결되어 냉각유로(158)의 냉각유체를 배출한다.The cooling fluid supply unit 157b is connected to the cooling channel 158 to supply the cooling fluid to the cooling channel 158. [ The cooling fluid discharge portion 157c is connected to the cooling passage 158 to discharge the cooling fluid in the cooling passage 158. [

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐부와, 노즐지지부 및 약액저장부를 나타내는 도면이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 약액가열부를 개략적으로 나타내는 사시도이며, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 약액가열부와 노즐부를 나타내는 단면도이다. 3 is a perspective view schematically showing a chemical solution heating unit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a perspective view of the chemical solution heating unit according to the present invention Sectional view illustrating a chemical solution heating unit and a nozzle unit according to an embodiment of the present invention.

도 2 내지 4를 참조하면, 노즐부(200)는 기판(10)에 약액을 분사한다. 본 실시예에서 노즐부(200)는 노즐바디(210) 및 노즐가열부(230)를 포함한다. Referring to FIGS. 2 to 4, the nozzle unit 200 ejects a chemical solution onto the substrate 10. In this embodiment, the nozzle unit 200 includes a nozzle body 210 and a nozzle heating unit 230.

노즐바디(210)는 노즐지지부(400)에 연결되어, 노즐지지부(400)로부터 약액을 공급받으며, 분사홀부(211)를 구비하여, 기판(10)에 약액을 분사한다. The nozzle body 210 is connected to the nozzle support part 400 and receives the chemical solution from the nozzle support part 400 and has the injection hole part 211 to inject the chemical solution onto the substrate 10.

노즐가열부(230)는 노즐바디(210)에 결합되어, 노즐바디(210)를 가열한다. 본 실시예에서 노즐가열부(230)는 노즐바디(210)를 둘러싸거나, 노즐바디(210)의 내측에 수용되는 유도가열 코일로 예시되어, 외부에서 인가되는 전력을 열에너지로 변환하여, 노즐바디(210) 및 약액을 가열한다. The nozzle heating unit 230 is coupled to the nozzle body 210 to heat the nozzle body 210. In the present embodiment, the nozzle heating unit 230 is exemplified by an induction heating coil enclosing the nozzle body 210 or housed inside the nozzle body 210, and converts electric power applied from the outside into heat energy, (210) and the chemical liquid.

이에 따라 본 실시예에서 기판처리장치(1)는, 약액이 기판(10)에 분사되는 단계에서도 약액을 가열함으로써, 약액의 온도를 설정 온도로 유지, 제어할 수 있으며, 특히 고온의 인산 수용액을 약액으로 적용하는 경우, 기판(10)에 미세 패턴을 구현하기 위한 온도(약 160℃ 정도)를 유지할 수 있다. Thus, in the present embodiment, the substrate processing apparatus 1 can maintain and control the temperature of the chemical liquid at the set temperature by heating the chemical liquid even in the step of spraying the chemical liquid onto the substrate 10. Especially, When applied as a chemical liquid, a temperature (about 160 캜 or so) for realizing a fine pattern on the substrate 10 can be maintained.

약액저장부(300)에는 약액이 수용된다. 약액저장부(300)는 기판(10)을 처리하는데 필요한 약액의 종류에 따라 복수 개가 구비되어 약액을 종류별로 저장할 수 있으며, 약액을 가열할 수 있는 가열수단이 추가될 수 있다.The chemical solution storage portion 300 receives the chemical solution. A plurality of the chemical solution storage part 300 may be provided according to the type of the chemical solution required for processing the substrate 10, and the chemical solution storage part 300 may store the chemical solution according to the type of the chemical solution storage part 300, and a heating device capable of heating the chemical solution may be added.

노즐지지부(400)는 노즐부(200)를 지지하며, 약액저장부(300)에서 공급받은 약액을 가열하여, 노즐부(200)에 전달한다. 본 실시예에서 노즐지지부(400)는 노즐암부(410), 노즐이동부(430) 및 약액가열부(450)를 포함한다. The nozzle support part 400 supports the nozzle part 200 and heats the chemical solution supplied from the chemical solution storage part 300 and transfers the heated chemical solution to the nozzle part 200. In this embodiment, the nozzle support part 400 includes the nozzle arm part 410, the nozzle moving part 430, and the chemical solution heating part 450.

노즐암부(410)에는 노즐부(200)가 결합된다. 본 실시예에서 노즐암부(410)는 기판(10)의 일측, 구체적으로 상측(도 1 기준)에 위치하며, 단부에 결합된 노즐부(200)와 함께 이동된다. A nozzle unit 200 is coupled to the nozzle arm unit 410. In this embodiment, the nozzle arm portion 410 is located on one side of the substrate 10, specifically, on the upper side (refer to FIG. 1), and moves together with the nozzle portion 200 coupled to the end portion.

노즐이동부(430)는 노즐암부(410)를 이동시킨다. 본 실시예에서 노즐이동부(430)는 노즐암부(410)와 결합되어, 노즐암부(410)를 승강, 전후 방향으로 이동시킨다. 노즐이동부(430)에 의하여 노즐암부(410)가 이동되면, 노즐암부(410)와 결합된 노즐부(200)가 함께 이동된다. 본 실시예에서 노즐이동부(430)는 수직이동부(431) 및 수평이동부(433)를 포함한다. The nozzle moving part 430 moves the nozzle arm part 410. In this embodiment, the nozzle moving part 430 is coupled with the nozzle arm part 410 to move the nozzle arm part 410 in the vertical direction and in the back and forth direction. When the nozzle arm portion 410 is moved by the nozzle moving portion 430, the nozzle portion 200 coupled with the nozzle arm portion 410 moves together. In this embodiment, the nozzle moving part 430 includes a vertical moving part 431 and a horizontal moving part 433. [

수직이동부(431)는 양단부가 각각 노즐암부(410)와 수평이동부(433)에 결합되며, 유압실린더 등으로 예시되어 길이가 가변됨으로써, 노즐암부(410)를 승강시킨다. The vertical moving part 431 is connected to the nozzle arm part 410 and the horizontal moving part 433 at both ends and is lifted and lowered by varying the length as exemplified by a hydraulic cylinder or the like.

수평이동부(433)는 수직이동부(431)에 결합되며, 설치면에 대략 수평하게 구비되는 리니어가이드(433a)를 따라 이동 가능하게 구비되어, 수평이동부(433)를 리니어가이드(433a)를 따라 이동시킨다. The horizontal moving part 433 is coupled to the vertical moving part 431 and is movable along the linear guide 433a provided substantially horizontally on the mounting surface so that the horizontal moving part 433 can be moved along the linear guide 433a, .

이에 따라 본 실시예에서 노즐이동부(430)는 노즐암부(410)와 함께 노즐부(200)를 이동시켜, 노즐부(200)에서 분사되는 약액이 기판(10)에 균일하게 분사될 수 있도록 함과 동시에, 노즐암부(410)에 구비되는 약액가열부(450)가 노즐부(200)에서 이격되는 것을 방지하여, 약액가열부(450)에서 노즐부(200)로 이동되는 중, 약액의 온도가 하강하는 것을 방지한다. Accordingly, in the present embodiment, the nozzle moving part 430 moves the nozzle part 200 together with the nozzle arm part 410 so that the chemical liquid ejected from the nozzle part 200 can be uniformly ejected onto the substrate 10 The chemical liquid heating unit 450 provided in the nozzle arm unit 410 is prevented from being separated from the nozzle unit 200 and the chemical liquid heating unit 450 is moved from the chemical liquid heating unit 450 to the nozzle unit 200, Thereby preventing the temperature from falling.

약액가열부(450)는 노즐암부(410)에 결합되며, 약액저장부(300)에 연결되어, 약액저장부(300)로부터 전달받은 약액을 노즐부(200)에 전달한다. 본 실시예에서 약액가열부(450)는 가열부하우징(451), 가열부유입부(453), 가열부(455) 및 노즐연결부(457)를 포함한다. The chemical solution heating unit 450 is coupled to the nozzle arm unit 410 and is connected to the chemical solution storage unit 300 to transfer the chemical solution delivered from the chemical solution storage unit 300 to the nozzle unit 200. In this embodiment, the chemical liquid heating section 450 includes a heating section housing 451, a heating section inlet 453, a heating section 455, and a nozzle connection section 457.

가열부하우징(451)은 노즐이동부(430)에 볼팅, 용접 등의 방식으로 결합되며, 내측에 가열유로(451a)가 형성된다. 본 실시예에서 가열부하우징(451)은 테프론을 포함하여 이루어져, 고온의 약액, 예를 들어 고온의 인산 수용액에 의하여 손상되는 것을 방지할 수 있다. The heating unit housing 451 is coupled to the nozzle moving part 430 by a method such as bolting or welding, and a heating channel 451a is formed inside. In this embodiment, the heating section housing 451 comprises Teflon, and can be prevented from being damaged by a high temperature chemical solution, for example, a high temperature aqueous phosphoric acid solution.

가열부하우징(451)에는 가열부(455)가 내측에 수용되어, 가열부유입부(453)를 통하여 유입되는 약액이 가열될 수 있도록 한다.The heating section housing 451 houses the heating section 455 inside so that the chemical liquid flowing through the heating section inflow section 453 can be heated.

가열부유입부(453)는 내측으로 약액이 흐를 수 있는 파이프, 관 등으로 예시되며, 양단부가 각각 약액저장부(300) 및 가열유로(451a)에 연결되어, 약액저장부(300)로부터 전달받은 약액을 가열유로(451a)에 전달한다. The heating section inlet 453 is exemplified by a pipe or tube through which the chemical solution can flow inward and is connected to the chemical solution storage part 300 and the heating channel 451a at both ends, And transfers the received chemical liquid to the heating flow path 451a.

본 실시예에서 가열부유입부(453)에는 유입밸브(453a)가 구비되어, 약액저장부(300)에서 가열부유입부(453)로 전달되는 약액의 유량 등을 조절할 수 있다. In the present embodiment, the heating portion inlet 453 is provided with an inlet valve 453a to control the flow rate of the chemical solution transferred from the chemical solution storage portion 300 to the heating portion inlet 453.

가열부(455)는 가열부하우징(451)에 결합되며, 가열유로(451a)에 유입된 약액을 가열한다. 본 실시예에서 가열부(455)는 할로겐 램프로 예시되며, 외부에서 인가되는 전력을 열에너지로 전환하여, 가열유로(451a) 내부의 약액을 가열한다. The heating unit 455 is coupled to the heating unit housing 451, and heats the chemical solution flowing into the heating channel 451a. In this embodiment, the heating unit 455 is exemplified by a halogen lamp, and converts external power applied thereto into heat energy to heat the chemical liquid in the heating flow path 451a.

본 실시예에서 가열부(455)는 할로겐 램프로 예시되지만, 가열유로(451a)에 유입된 약액을 가열할 수 있는 기술 사상 안에서, 유도코일, 고온의 열매체가 순환되는 파이프 등으로 구현될 수 있음은 물론이다. Although the heating unit 455 is exemplified by a halogen lamp in the present embodiment, the heating unit 455 can be realized as an induction coil, a pipe through which a high-temperature heating medium circulates, or the like within a technical idea capable of heating a chemical liquid flowing into the heating channel 451a Of course.

노즐연결부(457)는 가열유로(451a)와 노즐부(200)를 연결하여, 가열유로(451a)에서 전달받은 약액을 노즐부(200)에 전달한다. 본 실시예에서 노즐연결부(457)는 노즐부(200)를 이동 가능하게 지지한다. The nozzle connection part 457 connects the heating flow path 451a and the nozzle part 200 to transfer the chemical solution delivered from the heating flow path 451a to the nozzle part 200. [ In this embodiment, the nozzle connecting portion 457 movably supports the nozzle portion 200. [

노즐연결부(457)는 노즐부(200)와 결합되고, 가열부하우징(451)에 회전축(457a) 등에 의하여 회전 가능하게 결합되어, 노즐부(200)와 함께 회전됨으로써, 노즐부(200)에서 기판(10)에 분사되는 약액의 분사 각도, 분사 방향 등을 조절할 수 있게 한다.The nozzle connection part 457 is coupled to the nozzle part 200 and rotatably coupled to the heating part housing 451 by a rotation shaft 457a or the like so as to be rotated together with the nozzle part 200, So that it is possible to adjust the angle of spraying of the chemical liquid sprayed onto the substrate 10, the direction of spraying, and the like.

본 실시예에서 약액가열부(450)는 온도측정부(458) 및 온도제어부(459)를 더 포함하여, 가열부하우징(451) 또는 노즐부(200)에 유입되는 약액의 온도를 측정하고, 이를 기초로 온도제어부(459)에서 가열부(455) 또는 노즐가열부(230)의 작동을 제어하여, 해당 위치에서의 약액의 온도를 조절할 수 있다. The chemical solution heating unit 450 may further include a temperature measurement unit 458 and a temperature control unit 459 to measure the temperature of the chemical solution flowing into the heating unit housing 451 or the nozzle unit 200, The temperature control unit 459 controls the operation of the heating unit 455 or the nozzle heating unit 230 to adjust the temperature of the chemical liquid at the corresponding position.

이에 따라, 본 실시예에서 기판처리장치(1)는 약액의 공급 과정에서 복수의 지점에서 약액의 온도가 측정되고, 이를 기초로 조절되므로, 약액의 온도가 급격히 변하는 것을 방지하고, 기판(10) 처리 과정에서 주변 환경의 변화더라도 약액의 온도를 설정 온도로 유지할 수 있다. Accordingly, in the present embodiment, since the temperature of the chemical liquid is measured at a plurality of points in the process of supplying the chemical liquid, the temperature of the chemical liquid is prevented from being rapidly changed, The temperature of the chemical liquid can be maintained at the set temperature even when the surrounding environment changes during the process.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 분사제한부를 나타내는 도면이다. 5 is a view illustrating an injection restriction unit according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 약액가이드(500)는 노즐부(200)에서 분사되는 약액의 이동을 제한하여, 약액이 설정 방향으로 이동되도록 안내함과 더불어, 기판(10)과의 사이에 분사되는 약액의 수분이 외부로 유출되는 것을 제한하여, 약액의 특성, 예를 들어 약액의 농도가 변하는 것을 방지한다. 5, the chemical liquid guide 500 guides movement of the chemical liquid in the setting direction by restricting movement of the chemical liquid ejected from the nozzle unit 200, Thereby preventing the concentration of the chemical liquid, for example, the concentration of the chemical liquid from varying.

본 실시예에서 약액가이드(500)가 약액의 이동을 제한한다는 것의 의미는, 약액 자체가 노즐부(200)에서 분사될 때, 기판(10)에 전달되도록 약액의 이동을 방향을 제한하는 것뿐만 아니라, 약액의 특정 성분, 예를 들어 수분이 고온의 기판(10) 등에 의하여 가열되어 외부로 방출되는 것을 제한하는 것을 포함한다. In this embodiment, the liquid guide 500 restricts the movement of the liquid medicament. The liquid medicament guide 500 restricts the movement of the liquid medicament to be transferred to the substrate 10 when the liquid medicament itself is injected from the nozzle unit 200 But includes limiting the release of certain components of the chemical liquid, for example, moisture to the outside by being heated by the high-temperature substrate 10 or the like.

약액가이드(500)는 분사제한부(510)를 포함한다. 분사제한부(510)는 노즐부(200)에 결합되고, 기판(10)측으로 연장되어, 노즐부(200)에서 분사되는 약액의 이동을 안내한다. 본 실시예에서 분사제한부(510)는 분사제한바디(511) 및 분사제한냉각부(513)를 포함한다. The chemical liquid guide 500 includes an injection restricting portion 510. The spray restricting portion 510 is coupled to the nozzle portion 200 and extends toward the substrate 10 to guide the movement of the chemical liquid sprayed from the nozzle portion 200. In this embodiment, the spray restricting portion 510 includes the spray restricting body 511 and the spray restricting cooling portion 513. [

분사제한바디(511)는 노즐부(200)에 결합되며, 기판(10)측으로 연장되어, 노즐부(200)에서 분사되는 약액의 이동을 제한한다. 본 실시예에서 분사제한바디(511)는 노즐부(200)에서 기판 측으로 진행하면서 내측 단면의 폭이 증가하는 원뿔 형상으로 형성되어, 분사된 약액이 기판(10)에 균일하게 도달하도록 한다. The ejection limiting body 511 is coupled to the nozzle unit 200 and extends toward the substrate 10 to restrict the movement of the chemical liquid ejected from the nozzle unit 200. In this embodiment, the injection restricting body 511 is formed in a conical shape in which the width of the inner end face increases in the nozzle part 200 toward the substrate side, so that the injected chemical solution reaches the substrate 10 uniformly.

본 실시예에서 분사제한바디(511)는 하단부가 기판(10)과 설정 갭(G1)에 위치하도록 하여, 기판(10)의 회전시 분사제한바디(511)가 기판(10)에 닿는 것을 방지하되, 해당 갭(G1)으로 수분 등이 유출되는 것을 차단하여, 기판(10)의 손상을 방지함과 동시에, 기판(10)에 분사된 약액, 특히 수분이 배출되어 약액의 농도가 달라지는 것을 방지한다. In this embodiment, the lower end of the injection limiting body 511 is located in the set gap G1 with the substrate 10 to prevent the injection limiting body 511 from contacting the substrate 10 during rotation of the substrate 10 And prevents leakage of water or the like to the gap G1 so as to prevent the substrate 10 from being damaged and to prevent the concentration of the chemical liquid ejected onto the substrate 10, do.

또한, 본 실시예에서 분사제한바디(511)는 노즐부(200)에 탈착 가능하게 결합된다. 즉, 본 실시예에서 분사제한바디(511)는 상단부가 노즐부(200)에 끼워진 상태에서, 링 형상의 체결부재(511a)로 분사제한바디(511)의 상단부를 노즐부(200)에 가압하는 방식으로, 노즐부(200)에 탈착 가능하게 결합된다. In this embodiment, the injection limiting body 511 is detachably coupled to the nozzle unit 200. That is, in this embodiment, the upper end of the injection limiting body 511 is pressed by the ring-shaped fastening member 511a to the nozzle unit 200 in a state where the upper end portion is fitted in the nozzle unit 200 And is detachably coupled to the nozzle unit 200. [

본 실시예에서 분사제한바디(511)는 기판(10)과의 거리, 분사되는 약액의 종류 및 온도 등에 따라, 적합한 사양의 분사제한바디(511)를 선택하여 노즐부(200)에 부착할 수 있고, 또한, 분사제한바디(511)가 적용되지 않는 노즐부(200)에도 적용이 가능한 효과가 있다. In this embodiment, the injection limiting body 511 can be attached to the nozzle unit 200 by selecting an appropriate injection limiting body 511 according to the distance from the substrate 10, the type of the chemical liquid to be injected, The present invention is also applicable to the nozzle unit 200 to which the spray limiting body 511 is not applied.

분사제한냉각부(513)는 분사제한바디(511)에 결합되어, 분사제한바디(511)를 냉각시킨다. 본 실시예에서 분사제한바디(511)는 분사제한냉각핀(513a)으로 예시되어, 분사제한바디(511)의 외주면에 돌출 형성되고, 분사제한바디(511)의 외주면의 노출면적을 증대시킴으로써, 분사제한바디(511)를 공냉 방식으로 냉각시킨다. The injection limiting cooling section 513 is coupled to the injection limiting body 511 to cool the injection limiting body 511. In this embodiment, the injection limiting body 511 is illustrated as an injection limiting cooling fin 513a and is formed on the outer peripheral surface of the injection limiting body 511 to increase the exposed surface area of the outer peripheral surface of the injection limiting body 511, The injection restricting body 511 is cooled by an air cooling method.

또한, 본 실시예에서 분사제한냉각부(513)는 분사제한바디(511)에 냉각수를 순환시키는 분사제한냉각관(513b)으로 예시되어 외부에서 유입되는 냉각수를 분사제한바디(511) 내부에서 순환시켜, 분사제한바디(511)를 냉각시킬 수 있다. In this embodiment, the injection limitation cooling section 513 is exemplified by a spray limitation cooling tube 513b for circulating the cooling water to the spray limitation body 511, and circulates cooling water introduced from the outside into the spray limitation body 511 , Thereby cooling the spray restricting body 511.

분사제한냉각부(513)가 분사제한바디(511)를 냉각시키면, 분사제한바디(511)와 기판(10) 사이에 위치하는 약액의 수분 등이 응축되어 다시 기판(10) 측으로 전달되므로, 기판(10)과 작용하는 약액의 농도, 즉 수분의 함량이 변경되는 것을 방지하여, 설정된 농도의 약액, 예를 들어 인산 수용액으로 기판(10)을 처리할 수 있도록 한다. When the injection restricting cooling unit 513 cools the spray restricting body 511, the water or the like of the chemical liquid located between the spray restricting body 511 and the substrate 10 is condensed and transferred to the substrate 10 side, The concentration of the chemical liquid acting on the substrate 10, that is, the moisture content is prevented from being changed, and the substrate 10 can be treated with a chemical solution of a predetermined concentration, for example, an aqueous phosphoric acid solution.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판제한부를 나타내는 도면이고, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판제한부를 나타내는 평면도이다. FIG. 6 is a view showing a substrate restricting part according to an embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a plan view showing a substrate restricting part according to an embodiment of the present invention.

도 6 및 7을 참조하면, 본 실시예에서 약액가이드(500)는 기판제한부(530)를 더 포함한다. 기판제한부(530)는 기판(10)에서 설정 간격(G2) 이격되게 위치하여, 기판(10)과의 사이에 진입된 약액, 특히, 약액에 포함된 수분 등이 외부로 배출되는 것을 제한한다. Referring to FIGS. 6 and 7, in this embodiment, the chemical guide 500 further includes a substrate restricting portion 530. The substrate restricting portion 530 is positioned on the substrate 10 so as to be spaced apart from the substrate 10 by a predetermined gap G2 so that the chemical solution entering the substrate 10, particularly the moisture contained in the chemical solution, .

예를 들어, 고온의 인산 수용액을 약액으로 적용하는 경우, 수분이 기화되어 인산의 농도가 높아지면, 피로인산(pyrophosphoric acid)으로 변하게 되는데, 이러한 경우 고온의 인산 수용액이 실리콘 질화막을 식각하던 것에서, 실리콘 산화막을 식각하는 것으로 변경될 수 있는 문제점이 있다. For example, when a high-temperature aqueous solution of phosphoric acid is used as a chemical solution, when the water is vaporized and the concentration of the phosphoric acid is increased, it becomes pyrophosphoric acid. In this case, the silicon nitride film is etched by the high- There is a problem that it can be changed by etching the silicon oxide film.

즉, 식각 과정 등의 기판(10) 처리 시, 설정 선택비 등을 구현하려면, 탈수 정도를 줄여, 인산의 농도를 설정 범위 이내로 유지하는 것이 필요하다. That is, in order to realize the setting selection ratio and the like in the processing of the substrate 10 such as the etching process, it is necessary to reduce the degree of dehydration and maintain the concentration of the phosphoric acid within the setting range.

본 실시예에서 기판제한부(530)는 기판제한바디(531) 및 기판제한냉각부(157)를 포함하여, 고온에서 기화된 수분이 외부로 배출되는 것을 제한하고, 수분을 응축시킴으로써, 약액의 특성 변화, 특히 약액의 농도가 변하는 것을 제한한다. In this embodiment, the substrate restricting section 530 includes the substrate restricting body 531 and the substrate restricting cooling section 157 to restrict the discharge of vaporized water at a high temperature to the outside and condense the moisture, Thereby restricting the change of the characteristics, particularly the concentration of the chemical liquid.

기판제한바디(531)는 기판(10)으로부터 노즐부(200) 측으로 설정 간격(G2)만큼 이격되게 위치한다. 본 실시예에서 기판제한바디(531)는 기판(10)에 대응하는 형상, 예를 들어 기판(10)이 원판 형상인 경우, 기판제한바디(531) 역시 대략 원판 형상으로 형성되어, 기판(10)의 일측(도 1 기준 상측)에 구비된다. The substrate restricting body 531 is positioned away from the substrate 10 by the set gap G2 toward the nozzle unit 200 side. The substrate restricting body 531 may also be formed in a substantially disc shape so that the substrate restricting body 531 is formed in a substantially circular shape when the substrate 10 has a shape corresponding to the substrate 10, (Upper side in Fig. 1).

또한, 본 실시예에서 기판제한바디(531)는 기판지지부(100)에 볼팅, 끼움 결합 등의 방식으로 탈착 가능하게 결합되어, 기판(10)의 크기, 사양 등에 따라, 형상, 재질, 크기, 기판(10)과의 간격 등을 조절할 수 있게 한다. In this embodiment, the substrate restricting body 531 is detachably coupled to the substrate supporter 100 by a method such as bolting, fitting, or the like, so that the shape, material, size, So that it is possible to adjust the distance to the substrate 10 and the like.

기판제한바디(531)에는 약액유입홀부(531a)가 형성되어, 노즐부(200)에서 분사되는 약액이 기판(10)에 전달될 수 있도록 한다. 본 실시예에서 약액유입홀부(531a)는 노즐부(200)의 이동방향인 궤적에 대응하는 장홀로 형성되어, 노즐부(200)가 이동하면서 약액을 분사하더라도 약액유입홀부(531a)를 통하여 기판(10)과의 사이에 약액이 전달될 수 있도록 한다. The chemical liquid inflow hole portion 531a is formed in the substrate restricting body 531 so that the chemical liquid ejected from the nozzle portion 200 can be transmitted to the substrate 10. [ In this embodiment, the chemical liquid inflow hole portion 531a is formed as a long hole corresponding to the trajectory in the moving direction of the nozzle unit 200, so that even if the chemical liquid is injected while the nozzle unit 200 moves, So that the chemical solution can be transferred between the first and second electrodes 10 and 10.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 분사제한부와 기판제한부가 결합된 상태를 나타내는 도면이고, 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판제한바디에서 유입홀부커버 및 유입홀부가이드가 적용된 상태를 나타내는 평면도이다. FIG. 8 is a view illustrating a state in which a spray restricting portion and a substrate restricting portion are combined according to an embodiment of the present invention. FIG. 9 is a perspective view of a substrate restricting body according to an embodiment of the present invention, Fig.

도 8 및 9를 참조하면, 본 실시예에서 기판제한바디(531)는 유입홀부커버(531b) 및 유입홀부가이드(531c)를 포함한다. 8 and 9, in this embodiment, the substrate restricting body 531 includes an inlet hole cover 531b and an inlet hole guide 531c.

유입홀부커버(531b)는 약액유입홀부(531a)에 결합되어, 약액유입홀부(531a)를 차단한다. 본 실시예에서 유입홀부커버(531b)는 자바라 등의 방식으로 형성되며, 유입홀부가이드(531c)가 관통 형성되어, 노즐부(200)의 이동에 따라 유입홀부가이드(531c)가 이동될 수 있도록 한다(도 9 (a), (b) 참조). The inlet hole cover 531b is coupled to the chemical liquid inlet hole 531a to block the chemical liquid inlet hole 531a. In this embodiment, the inlet hole cover 531b is formed in a manner such as a bellows, and an inlet hole portion guide 531c is formed to penetrate the inlet hole portion guide 531b so that the inlet hole portion guide 531c can be moved in accordance with the movement of the nozzle portion 200 (See Figs. 9 (a) and 9 (b)).

유입홀부가이드(531c)는 유입홀부커버(531b)를 관통하며, 분사제한부(510)에 연결되어, 노즐부(200)에서 분사되는 약액이 분사제한부(510)를 거쳐 기판(10)에 전달되도록 한다. The inflow hole portion guide 531c passes through the inflow hole portion cover 531b and is connected to the injection limiting portion 510 so that the chemical solution injected from the nozzle portion 200 passes through the injection restricting portion 510 to the substrate 10 .

기판제한냉각부(157)는 기판제한바디(531)에 결합되어, 기판제한바디(531)를 냉각시킨다. 본 실시예에서 기판제한냉각부(157)는 기판제한냉각핀(535a)으로 예시되어, 기판제한바디(531)의 일측면에 돌출 형성되고, 기판제한바디(531) 일측면의 노출면적을 증대시킴으로써, 기판제한바디(531)를 공냉 시킨다. A substrate restricting cooling portion 157 is coupled to the substrate restricting body 531 to cool the substrate restricting body 531. In this embodiment, the substrate-restricting cooling portion 157 is formed on one side of the substrate restricting body 531, which is exemplified by the substrate restricting cooling fin 535a, and increases the exposed area of one side of the substrate restricting body 531 The substrate restricting body 531 is air-cooled.

본 실시예에서 기판제한냉각부(157)는 기판제한바디(531)에 냉각수를 순환시키는 기판제한냉각관(535b)으로 예시되어, 외부에서 유입되는 냉각수를 기판제한바디(531) 내부에서 순환시켜, 기판제한바디(531)를 수냉시킨다. In this embodiment, the substrate-restricting cooling section 157 is exemplified by a substrate-restricting cooling pipe 535b for circulating the cooling water to the substrate restricting body 531, and circulates the cooling water introduced from the outside inside the substrate restricting body 531 , And the substrate restricting body 531 is water-cooled.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치(1)의 작동원리 및 효과를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the operation principle and effects of the substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention will be described.

척부(110)가 기판(10)을 지지한 상태에서, 기판지지부(100)가 기판(10)과 함께 회전된다. 기판(10)을 처리하는 과정 중에 약액의 공급이 필요한 경우, 노즐부(200)를 통하여 약액이 공급된다. The substrate supporting portion 100 is rotated together with the substrate 10 in a state in which the chuck portion 110 supports the substrate 10. [ When the supply of the chemical liquid is required during the process of processing the substrate 10, the chemical liquid is supplied through the nozzle unit 200.

본 실시예에서 기판처리장치(1)는 약액저장부(300)에서 약액을 1차로 가열한 후, 노즐지지부(400)에 전달하며, 노즐지지부(400)에서 2차로 약액을 설정 온도로 가열함으로써, 약액의 이동 중, 약액의 온도가 저하되는 것을 줄일 수 있다. In the present embodiment, the substrate processing apparatus 1 firstly heats the chemical liquid in the chemical liquid storage unit 300, transfers the chemical liquid to the nozzle supporter 400, and secondly heats the chemical liquid to the set temperature in the nozzle supporter 400 , It is possible to reduce the temperature of the chemical liquid from dropping during the movement of the chemical liquid.

또한, 노즐부(200)에 도달하는 중 열손실이 적게 발생되므로, 열손실을 반영하여 약액을 가열할 때 발생될 수 있는 과다 가열, 상변화 등에 따른 문제점이 해소된다. In addition, since the heat loss is small during reaching the nozzle unit 200, problems due to excessive heating, phase change, and the like, which may be generated when heating the chemical liquid in accordance with the heat loss, are solved.

노즐지지부(400)의 가열유로(451a)에 공급되는 약액은 가열부(455)에 의하여 설정 온도로 가열된 후 노즐부(200)에 전달된다. 노즐부(200)에 전달된 후에도 노즐가열부(230)에 의하여 3차 가열될 수 있으므로, 기판(10)에 분사되기 직전까지 약액의 온도를 유지 또는 상승시킴으로써, 기판(10)에 공급되는 약액의 온도를 설정 온도로 제어할 수 있게 된다. The chemical liquid supplied to the heating channel 451a of the nozzle support unit 400 is heated to the set temperature by the heating unit 455 and then transferred to the nozzle unit 200. [ The temperature of the chemical solution is maintained or raised until just before being injected into the substrate 10 so that the chemical solution supplied to the substrate 10 can be heated by the nozzle heating unit 230, Can be controlled to the set temperature.

특히, 기판(10)에 적용되는 패턴이 미세화될수록, 기판(10)에 공급되는 약액의 온도가 증가하게 된다. 특히 약액으로 인산 수용액을 적용하는 경우, 해당 인산 수용액의 식각률은 온도에 따라 다르게 되며, 특히 기화점 부근에서 증대되는 약액의 식각률을 고려할 때, 본 실시예에서 기판처리장치(1)는 약액의 온도를 약액의 공급 단계에서, 분사단계까지 고온으로 유지하여, 높은 식각률을 구현할 수 있다. Particularly, as the pattern applied to the substrate 10 becomes finer, the temperature of the chemical liquid supplied to the substrate 10 increases. Particularly, when the aqueous solution of phosphoric acid is used as the chemical liquid, the etching rate of the aqueous solution of phosphoric acid becomes different depending on the temperature. In particular, in consideration of the etching rate of the chemical liquid increasing near the vaporization point, Can be maintained at a high temperature up to the injection step in the supply step of the chemical liquid, thereby realizing a high etching rate.

또한, 본 실시예에서 기판처리장치(1)는 노즐지지부(400)가 노즐부(200)를 회전 가능하게 지지하므로, 기판(10)에 분사되는 약액의 분사 방향, 분사 각도 등을 조절함으로써, 기판(10)의 형상, 재질 등에 따라 적절한 약액의 분사각을 설정할 수 있다. In this embodiment, since the nozzle support unit 400 rotatably supports the nozzle unit 200, the substrate processing apparatus 1 adjusts the spraying direction and the spraying angle of the chemical liquid sprayed onto the substrate 10, It is possible to set an appropriate spraying angle of the chemical liquid depending on the shape, material, etc. of the substrate 10.

또한, 본 실시예에서 기판처리장치(1)는 약액가이드(500)를 포함한다. 약액가이드(500)는 노즐부(200)에서 분사된 약액이 기판(10)과 작용할 때, 고온의 기판(10) 또는 분위기 온도에 의하여 약액의 특성, 특히 농도가 변하는 것을 제한한다. Further, in the present embodiment, the substrate processing apparatus 1 includes a chemical guide 500. The chemical liquid guide 500 restricts the change in the characteristics, particularly the concentration, of the chemical liquid by the high temperature substrate 10 or the ambient temperature when the chemical liquid injected from the nozzle unit 200 acts on the substrate 10. [

본 실시예에서 약액가이드(500)는 약액의 수분이 기화되는 경우, 기화된 수분이 외부로 배출되는 것을 차단하고, 또한, 해당 수분을 응축시켜 기판(10) 측으로 전달함으로써, 기판(10)과 작용하는 약액의 수분 비율이 크게 변하는 것을 제한하여, 설정 농도의 약액으로 기판(10)을 처리할 수 있도록 한다. In this embodiment, when the chemical liquid is vaporized, the chemical liquid guide 500 prevents the vaporized moisture from being discharged to the outside, condenses the moisture to the substrate 10 side, It is possible to restrict the change in the water content of the acting chemical liquid greatly, so that the substrate 10 can be treated with the chemical liquid of the set concentration.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 하여 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 기술적 보호범위는 아래의 청구범위에 의해서 정하여져야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. I will understand. Therefore, the technical scope of the present invention should be defined by the following claims.

1: 기판처리장치 10: 기판
10c: 기판의 중심 100: 기판지지부
110: 척부 130: 기판회전부
131: 테이블커버부 133: 척베이스부
135: 지지회전부 150: 테이블부
150c: 테이블부의 중심 151: 테이블
151a: 테이블바디 151b: 테이블중앙부
153: 히터부 154: 히터
155: 반사부 155a: 외측반사부
155b: 내측반사부 155c: 연결반사부
157: 냉각부 157a: 냉각부바디
157b: 냉각유체공급부 157c: 냉각유체배출부
158: 냉각유로 158a: 메인냉각유로
158b: 서브냉각유로 200: 노즐부
210: 노즐바디 211: 분사홀부
230: 노즐가열부 300: 약액저장부
400: 노즐지지부 410: 노즐암부
430: 노즐이동부 431: 수직이동부
433: 수평이동부 433a: 리니어가이드
450: 약액가열부 451: 가열부하우징
451a: 가열유로 453: 가열부유입부
453a: 유입밸브 455: 가열부
457: 노즐연결부 457a: 회전축
458: 온도측정부 459: 온도제어부
500: 약액가이드 510: 분사제한부
511: 분사제한바디 511a: 체결부재
513: 분사제한냉각부 513a: 분사제한냉각핀
513b: 분사제한냉각관 530: 기판제한부
531: 기판제한바디 531a: 약액유입홀부
531b: 유입홀부커버 531c: 유입홀부가이드
535: 기판제한냉각부 535a: 기판제한냉각핀
535b: 기판제한냉각관1: substrate processing apparatus 10: substrate
10c: center of the substrate 100:
110: chuck 130: substrate rotating part
131: table cover part 133: chuck base part
135: support rotating part 150: table part
150c: center of table portion 151: table
151a: table body 151b: table center portion
153: heater part 154: heater
155: reflection part 155a: outer reflection part
155b: inner reflection part 155c:
157: cooling section 157a: cooling section body
157b: cooling fluid supply part 157c: cooling fluid discharge part
158: Cooling channel 158a: Main cooling channel
158b: Sub cooling flow passage 200:
210: nozzle body 211: injection hole portion
230: nozzle heating unit 300: chemical liquid storage unit
400: nozzle support part 410: nozzle arm part
430: nozzle moving part 431: vertical moving part
433: Horizontal moving part 433a: Linear guide
450: chemical liquid heating section 451: heating section housing
451a: Heating channel 453: Heating unit inlet
453a: Inflow valve 455: Heating section
457: nozzle connecting portion 457a:
458: Temperature measurement unit 459: Temperature control unit
500: chemical liquid guide 510:
511: injection limiting body 511a: fastening member
513: jet limit cooling section 513a: jet limit cooling pin
513b: jet limiting cooling tube 530: substrate restricting portion
531: substrate restricting body 531a: chemical liquid inflow hole part
531b: Inflow hole portion cover 531c: Inflow hole portion guide
535: substrate restriction cooling section 535a: substrate restriction cooling pin
535b: Board-Restricted Cooling Tube

Claims (22)

기판이 안착되는 기판지지부;
상기 기판에 약액을 분사하는 노즐부;
약액이 수용되는 약액저장부;
상기 노즐부를 지지하며, 상기 약액저장부에서 공급받은 약액을 상기 노즐부에 전달하는 노즐지지부; 및
상기 노즐부에서 분사되는 약액의 이동을 제한하는 약액가이드;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
A substrate support on which the substrate is mounted;
A nozzle unit for spraying the chemical liquid onto the substrate;
A chemical solution storage part for storing the chemical solution;
A nozzle support for supporting the nozzle unit and transmitting the chemical solution supplied from the chemical solution storage unit to the nozzle unit; And
A chemical liquid guide for restricting movement of the chemical liquid ejected from the nozzle unit;
The substrate processing apparatus comprising:
제 1항에 있어서, 상기 기판지지부는,
상기 기판이 안착되는 척부;
상기 척부를 회전시키는 기판회전부; 및
상기 척부의 일측에 위치하며, 히터부를 포함하여, 상기 기판을 가열하는 테이블부;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The substrate processing apparatus according to claim 1,
A chuck portion on which the substrate is placed;
A substrate rotating part for rotating the chuck part; And
A table portion disposed at one side of the chuck portion and including a heater portion for heating the substrate;
The substrate processing apparatus comprising:
제 1항에 있어서, 상기 약액가이드는,
상기 노즐부에 결합되고, 상기 기판 측으로 연장되어, 상기 노즐부에서 분사되는 약액의 이동을 안내하는 분사제한부;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The apparatus according to claim 1,
A spray restricting portion coupled to the nozzle portion and extending toward the substrate to guide movement of the chemical liquid sprayed from the nozzle portion;
The substrate processing apparatus comprising:
제 3항에 있어서, 상기 분사제한부는,
상기 노즐부에 결합되며, 상기 기판 측으로 연장되어, 상기 노즐부에서 분사되는 약액의 이동을 제한하는 분사제한바디;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The fuel injection control device according to claim 3,
A spray restricting body coupled to the nozzle portion and extending toward the substrate, the spray restricting body restricting movement of the chemical liquid sprayed from the nozzle portion;
The substrate processing apparatus comprising:
제 4항에 있어서, 상기 분사제한바디는,
상기 노즐부에서 상기 기판 측으로 진행하면서, 내측 단면의 폭이 증가하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
[5] The apparatus of claim 4,
And the width of the inner end face is increased as the nozzle portion moves toward the substrate.
제 4항에 있어서, 상기 분사제한바디는,
상단부가 상기 노즐부에 결합되고, 하단부가 상기 기판 측으로 향하는 원뿔 형상인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
[5] The apparatus of claim 4,
Wherein the upper end portion is coupled to the nozzle portion and the lower end portion is conical in shape toward the substrate side.
제 4항에 있어서, 상기 분사제한바디는,
상기 노즐부에 탈착 가능하게 결합되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
[5] The apparatus of claim 4,
And the nozzle unit is detachably coupled to the nozzle unit.
제 4항에 있어서, 상기 분사제한부는,
상기 분사제한바디에 결합되어, 상기 분사제한바디를 냉각시키는 분사제한냉각부;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
5. The apparatus according to claim 4,
A spray restricting cooling unit coupled to the spray restricting body to cool the spray restricting body;
Wherein the substrate processing apparatus further comprises:
제 3항에 있어서, 상기 약액가이드는,
상기 기판에서 이격되게 위치하며, 상기 기판과의 사이에 진입된 약액의 이동을 제한하는 기판제한부;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The apparatus according to claim 3,
A substrate restricting portion positioned to be spaced apart from the substrate and restricting movement of the chemical liquid entering the substrate;
Wherein the substrate processing apparatus further comprises:
제 9항에 있어서, 상기 기판제한부는,
상기 기판으로부터 상기 노즐부 측으로 이격되게 위치하는 기판제한바디;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The substrate processing apparatus according to claim 9,
A substrate restricting body positioned away from the substrate toward the nozzle portion;
The substrate processing apparatus comprising:
제 10항에 있어서, 상기 기판제한바디는,
상기 기판에 대응하는 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
11. The apparatus of claim 10,
Wherein the first substrate is formed in a shape corresponding to the substrate.
제 10항에 있어서, 상기 기판제한바디는,
상기 기판지지부에 탈착 가능하게 결합되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
11. The apparatus of claim 10,
Wherein the substrate support is detachably coupled to the substrate support.
제 10항에 있어서, 상기 기판제한바디에는,
상기 노즐부에서 분사되는 약액이 상기 기판 측으로 전달될 수 있도록 약액유입홀부가 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
11. The apparatus of claim 10,
And a chemical liquid inflow hole is formed in the nozzle unit so that the chemical liquid ejected from the nozzle unit can be transferred to the substrate.
제 13항에 있어서, 상기 약액유입홀부는,
상기 노즐부의 이동 궤적에 대응하는 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
14. The apparatus according to claim 13, wherein the chemical liquid inflow hole portion
Wherein the nozzle portion is formed in a shape corresponding to a movement locus of the nozzle portion.
제 13항에 있어서, 상기 기판제한바디는,
상기 약액유입홀부를 차단하는 유입홀부커버; 및
상기 유입홀부커버를 관통하며, 상기 분사제한부에 연결되어, 상기 노즐부에서 분사되는 약액이, 상기 분사제한부를 거쳐 상기 기판에 전달되도록 안내하는 유입홀부가이드;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
14. The apparatus of claim 13,
An inlet hole cover for blocking the chemical liquid inlet hole; And
An inflow hole guide which passes through the inflow hole cover and is connected to the injection restriction section and guides the chemical solution injected from the nozzle section to be transmitted to the substrate through the injection restriction section;
The substrate processing apparatus comprising:
제 10항에 있어서, 상기 기판제한부는,
상기 기판제한바디에 결합되어, 상기 기판제한바디를 냉각시키는 기판제한냉각부;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The substrate processing apparatus according to claim 10,
A substrate restricting cooling unit coupled to the substrate restricting body to cool the substrate restricting body;
Wherein the substrate processing apparatus further comprises:
제 1항 내지 제 16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 노즐부는,
상기 노즐지지부에 연결되어, 상기 노즐지지부로부터 약액을 공급받으며, 분사홀부를 구비하여 상기 기판에 약액을 분사하는 노즐바디; 및
상기 노즐바디에 결합되어, 상기 노즐바디를 가열하는 노즐가열부;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
17. The ink cartridge according to any one of claims 1 to 16,
A nozzle body connected to the nozzle support part and adapted to receive a chemical solution from the nozzle support part and having a spray hole part to spray a chemical solution onto the substrate; And
A nozzle heating unit coupled to the nozzle body to heat the nozzle body;
The substrate processing apparatus comprising:
제 1항 내지 제 16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 노즐지지부는,
상기 약액저장부에서 공급받은 약액을 가열하여 상기 노즐부에 전달하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
17. The nozzle assembly according to any one of claims 1 to 16,
Wherein the chemical solution supplied from the chemical solution storage part is heated and transferred to the nozzle part.
제 18항에 있어서, 상기 노즐지지부는,
상기 노즐부가 결합되는 노즐암부;
상기 노즐암부를 이동시키는 노즐이동부; 및
상기 노즐암부에 결합되며, 상기 약액저장부에 연결되어, 상기 약액저장부로부터 전달받은 약액을 가열하여, 상기 노즐부에 전달하는 약액가열부;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
19. The apparatus of claim 18, wherein the nozzle support comprises:
A nozzle arm portion to which the nozzle portion is coupled;
A nozzle moving part for moving the nozzle arm part; And
A chemical solution heating unit coupled to the nozzle arm unit and connected to the chemical solution storage unit to heat the chemical solution delivered from the chemical solution storage unit and deliver the chemical solution to the nozzle unit;
The substrate processing apparatus comprising:
제 19항에 있어서, 상기 약액가열부는,
상기 노즐이동부에 결합되며, 내측에 가열유로가 형성되는 가열부하우징;
상기 약액저장부와 연결되어, 상기 약액저장부로부터 전달받은 약액을 상기 가열유로에 전달하는 가열부유입부;
상기 가열부하우징에 결합되며, 상기 가열유로에 유입된 약액을 가열하는 가열부; 및
상기 가열유로와 상기 노즐부를 연결하여, 상기 가열유로에서 전달받은 약액을 상기 노즐부에 전달하는 노즐연결부;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
20. The apparatus according to claim 19,
A heating housing coupled to the nozzle and having a heating channel formed therein;
A heating unit inflow part connected to the chemical solution storage part and transferring the chemical solution transferred from the chemical solution storage part to the heating flow path;
A heating unit coupled to the heating unit housing and heating the chemical solution flowing into the heating channel; And
A nozzle connection part connecting the heating flow path and the nozzle part to transmit the chemical solution transferred from the heating flow path to the nozzle part;
The substrate processing apparatus comprising:
제 20항에 있어서, 상기 약액가열부는,
상기 가열부하우징에 유입되는 약액의 온도를 측정하는 온도측정부; 및
상기 온도측정부에서 측정한 온도에 기초하여, 상기 가열부를 제어하여, 약액의 온도가 설정 온도 범위에 들어가도록 하는 온도제어부;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
21. The apparatus according to claim 20,
A temperature measuring unit for measuring a temperature of the chemical liquid flowing into the heating unit housing; And
A temperature control unit controlling the heating unit based on the temperature measured by the temperature measurement unit so that the temperature of the chemical solution is within the set temperature range;
Wherein the substrate processing apparatus further comprises:
제 20항에 있어서, 상기 노즐연결부는,
상기 노즐부를 회전 가능하게 지지하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.21. The nozzle assembly of claim 20,
And the nozzle unit is rotatably supported.
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