KR102214108B1 - Substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

기판처리장치에 관한 발명이 개시된다. 개시된 기판처리장치는, 기판이 안착되는 기판지지부와, 기판에 약액을 분사하는 노즐부와, 약액이 수용되는 약액저장부와, 노즐부를 지지하며, 약액저장부에서 공급받은 약액을 노즐부에 전달하는 노즐지지부와, 노즐부에서 분사되는 약액의 이동을 제한하는 약액가이드를 포함하는 것을 특징으로 한다.Disclosed is a substrate processing apparatus. The disclosed substrate processing apparatus supports a substrate support unit on which a substrate is mounted, a nozzle unit for spraying a chemical solution onto the substrate, a chemical solution storage unit and a nozzle unit for receiving the chemical solution, and transfers the chemical solution supplied from the chemical solution storage unit to the nozzle unit. It characterized in that it comprises a nozzle support portion and a chemical liquid guide for limiting the movement of the chemical liquid sprayed from the nozzle portion.

Figure R1020160064335
Figure R1020160064335

Description

기판처리장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}Substrate processing equipment {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 습식(濕式) 매엽(枚葉) 공정에서, 약액의 온도 및 특성 변화를 제어할 수 있는 기판 처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus capable of controlling changes in temperature and characteristics of a chemical liquid in a wet sheet-fed process.

일반적으로, 기판처리장치는 기판을 처리하는 방식에 따라 건식 처리장치와 습식 처리장치로 나뉜다. 이 중 습식 처리장치는 복수의 처리액들, 예컨대, 식각액, 세정액, 그리고 린스액들을 사용하여 기판을 처리하는 장치에 해당한다. In general, substrate processing apparatuses are divided into dry processing apparatuses and wet processing apparatuses according to a method of processing a substrate. Among them, the wet processing apparatus corresponds to an apparatus that processes a substrate using a plurality of processing liquids, for example, an etchant, a cleaning liquid, and a rinse liquid.

이러한 기판처리장치는 기판에 형성된 박막 중 불필요한 부분을 식각하는 공정, 그리고 기판의 처리면에 잔류하는 이물질을 세정하는 공정, PR(photoresist) Strip 공정, 등을 포함한다.Such a substrate processing apparatus includes a process of etching an unnecessary portion of a thin film formed on a substrate, a process of cleaning foreign substances remaining on a processed surface of the substrate, a photoresist (PR) strip process, and the like.

상기 반도체 제조공정에서 패턴의 미세화로 상기 약액의 특징에 따라 공정 온도의 차이가 있지만, 약액의 사용온도가 증가되고 있다. 이에 약액을 가열하여 공급하거나, 기판을 가열하여 기판에 공급되는 약액을 가열하는 방식이 적용된다. In the semiconductor manufacturing process, although there is a difference in process temperature depending on the characteristics of the chemical solution due to the micronization of the pattern, the use temperature of the chemical solution is increasing. Accordingly, a method of heating and supplying a chemical liquid or heating a substrate to heat a chemical liquid supplied to the substrate is applied.

특히, 약액을 가열하여 공급하는 방식은, 고온의 약액이 배관 및 노즐부를 통하여 이동되는 동안, 약액의 열에너지가 배관 및 노즐부에 의해 손실되어, 약액의 온도가 낮아지게 되고, 그로 인해 초기 가열된 약액의 온도보다 낮은 온도의 약액이 기판에 공급되는 문제점이 있다. 또한, 고온의 약액을 기판에 공급하는 경우, 약액의 수분 등이 외부로 배출되어, 약액의 특성이 달라지는 문제점이 있다. 따라서 이를 개선할 필요성이 요청된다. In particular, in the method of heating and supplying the chemical liquid, the thermal energy of the chemical liquid is lost by the pipe and the nozzle part while the high-temperature chemical liquid is moved through the pipe and the nozzle part, so that the temperature of the chemical liquid is lowered. There is a problem in that a chemical liquid having a temperature lower than that of the chemical liquid is supplied to the substrate. In addition, when a high-temperature chemical liquid is supplied to the substrate, moisture or the like of the chemical liquid is discharged to the outside, so that the characteristics of the chemical liquid are different. Therefore, there is a need to improve this.

본 발명의 배경 기술은, 대한민국 공개특허공보 제2004-0023943호(2004.03.20 공개, 발명의 명칭: 양면 동시 세정이 가능한 매엽식 웨이퍼 세정장치)에 개시되어 있다.The background technology of the present invention is disclosed in Korean Laid-Open Patent Publication No. 2004-0023943 (published on Mar 20, 2004, title of the invention: a single wafer cleaning apparatus capable of simultaneous cleaning on both sides).

본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하기 위해 안출된 것으로, 기판에 공급되는 약액의 온도 및 특성 변화를 제어할 수 있는 기판처리장치를 제공하는데 그 목적이 있다. The present invention has been conceived to improve the above problems, and an object thereof is to provide a substrate processing apparatus capable of controlling changes in temperature and characteristics of a chemical solution supplied to a substrate.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 기판이 안착되는 기판지지부; 상기 기판에 약액을 분사하는 노즐부; 약액이 수용되는 약액저장부; 상기 노즐부를 지지하며, 상기 약액저장부에서 공급받은 약액을 상기 노즐부에 전달하는 노즐지지부; 및 상기 노즐부에서 분사되는 약액의 이동을 제한하는 약액가이드;를 포함하는 것을 특징으로 한다. A substrate processing apparatus according to the present invention includes: a substrate support on which a substrate is mounted; A nozzle unit for spraying a chemical solution onto the substrate; A chemical liquid storage unit accommodating a chemical liquid; A nozzle support part supporting the nozzle part and transferring the chemical liquid supplied from the chemical liquid storage part to the nozzle part; And a chemical liquid guide for limiting the movement of the chemical liquid sprayed from the nozzle part.

본 발명에서 상기 기판지지부는, 상기 기판이 안착되는 척부; 상기 척부를 회전시키는 기판회전부; 및 상기 척부의 일측에 위치하며, 히터부를 포함하여, 상기 기판을 가열하는 테이블부;를 포함하는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the substrate support includes: a chuck on which the substrate is mounted; A substrate rotation unit that rotates the chuck; And a table portion disposed on one side of the chuck portion and including a heater portion to heat the substrate.

본 발명에서 상기 약액가이드는, 상기 노즐부에 결합되고, 상기 기판 측으로 연장되어, 상기 노즐부에서 분사되는 약액의 이동을 안내하는 분사제한부;를 포함하는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the chemical liquid guide is coupled to the nozzle part, extends toward the substrate, and includes a spray limiting part for guiding the movement of the chemical liquid sprayed from the nozzle part.

본 발명에서 상기 분사제한부는, 상기 노즐부에 결합되며, 상기 기판 측으로 연장되어, 상기 노즐부에서 분사되는 약액의 이동을 제한하는 분사제한바디;를 포함하는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the injection limiting unit is coupled to the nozzle unit, and is extended toward the substrate, and a dispensing limiting body configured to limit the movement of the chemical liquid sprayed from the nozzle unit.

본 발명에서 상기 분사제한바디는, 상기 노즐부에서 상기 기판 측으로 진행하면서, 내측 단면의 폭이 증가하도록 형성되는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the injection limiting body is characterized in that it is formed to increase the width of the inner end surface while proceeding from the nozzle part toward the substrate.

본 발명에서 상기 분사제한바디는, 상단부가 상기 노즐부에 결합되고, 하단부가 상기 기판 측으로 향하는 원뿔 형상인 것을 특징으로 한다. In the present invention, the injection limiting body is characterized in that the upper end portion is coupled to the nozzle portion, and the lower end portion has a conical shape toward the substrate side.

본 발명에서 상기 분사제한바디는, 상기 노즐부에 탈착 가능하게 결합되는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the injection limiting body is characterized in that it is detachably coupled to the nozzle part.

본 발명에서 상기 분사제한부는, 상기 분사제한바디에 결합되어, 상기 분사제한바디를 냉각시키는 분사제한냉각부;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the injection limiting unit is coupled to the injection limiting body, and an injection limiting cooling unit cooling the injection limiting body is further included.

본 발명에서 상기 약액가이드는, 상기 기판에서 이격되게 위치하며, 상기 기판과의 사이에 진입된 약액의 이동을 제한하는 기판제한부;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the chemical liquid guide further comprises a substrate limiting unit positioned to be spaced apart from the substrate and restricting the movement of the chemical liquid introduced between the substrate and the substrate.

본 발명에서 상기 기판제한부는, 상기 기판으로부터 상기 노즐부 측으로 이격되게 위치하는 기판제한바디;를 포함하는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the substrate limiting unit includes a substrate limiting body positioned to be spaced apart from the substrate toward the nozzle unit.

본 발명에서 상기 기판제한바디는, 상기 기판에 대응하는 형상으로 형성되는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the substrate limiting body is characterized in that it is formed in a shape corresponding to the substrate.

본 발명에서 상기 기판제한바디는, 상기 기판지지부에 탈착 가능하게 결합되는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the substrate limiting body is characterized in that it is detachably coupled to the substrate support.

본 발명에서 상기 기판제한바디에는, 상기 노즐부에서 분사되는 약액이 상기 기판 측으로 전달될 수 있도록 약액유입홀부가 형성되는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the substrate limiting body is characterized in that a chemical liquid inlet hole is formed so that the chemical liquid sprayed from the nozzle part can be transferred to the substrate.

본 발명에서 상기 약액유입홀부는, 상기 노즐부의 이동 궤적에 대응하는 형상으로 형성되는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the chemical liquid inlet hole portion is characterized in that it is formed in a shape corresponding to the movement trajectory of the nozzle portion.

본 발명에서 상기 기판제한바디는, 상기 약액유입홀부를 차단하는 유입홀부커버; 및 상기 유입홀부커버를 관통하며, 상기 분사제한부에 연결되어, 상기 노즐부에서 분사되는 약액이, 상기 분사제한부를 거쳐 상기 기판에 전달되도록 안내하는 유입홀부가이드;를 포함하는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the substrate limiting body includes: an inlet hole cover for blocking the chemical solution inlet hole; And an inlet hole part guide penetrating the inlet hole part cover and connected to the injection limiting part to guide the chemical liquid sprayed from the nozzle part to be transferred to the substrate through the injection limiting part.

본 발명에서 상기 기판제한부는, 상기 기판제한바디에 결합되어, 상기 기판제한바디를 냉각시키는 기판제한냉각부;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the substrate restriction unit further comprises a substrate restriction cooling unit coupled to the substrate restriction body to cool the substrate restriction body.

본 발명에서 상기 노즐부는, 상기 노즐지지부에 연결되어, 상기 노즐지지부로부터 약액을 공급받으며, 분사홀부를 구비하여 상기 기판에 약액을 분사하는 노즐바디; 및 상기 노즐바디에 결합되어, 상기 노즐바디를 가열하는 노즐가열부;를 포함하는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the nozzle unit may include a nozzle body connected to the nozzle support unit, receiving a chemical solution from the nozzle support unit, and having a spray hole unit to spray the chemical solution onto the substrate; And a nozzle heating unit coupled to the nozzle body to heat the nozzle body.

본 발명에서 상기 노즐지지부는, 상기 약액저장부에서 공급받은 약액을 가열하여 상기 노즐부에 전달하는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the nozzle support unit is characterized in that the chemical solution supplied from the chemical solution storage unit is heated and delivered to the nozzle unit.

본 발명에서 상기 노즐지지부는, 상기 노즐부가 결합되는 노즐암부; 상기 노즐암부를 이동시키는 노즐이동부; 및 상기 노즐암부에 결합되며, 상기 약액저장부에 연결되어, 상기 약액저장부로부터 전달받은 약액을 가열하여, 상기 노즐부에 전달하는 약액가열부;를 포함하는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the nozzle support portion, a nozzle arm portion to which the nozzle portion is coupled; A nozzle moving part for moving the nozzle arm part; And a chemical solution heating unit coupled to the nozzle arm and connected to the chemical solution storage unit to heat the chemical solution received from the chemical solution storage unit and transfer the chemical solution to the nozzle unit.

본 발명에서 상기 약액가열부는, 상기 노즐이동부에 결합되며, 내측에 가열유로가 형성되는 가열부하우징; 상기 약액저장부와 연결되어, 상기 약액저장부로부터 전달받은 약액을 상기 가열유로에 전달하는 가열부유입부; 상기 가열부하우징에 결합되며, 상기 가열유로에 유입된 약액을 가열하는 가열부; 및 상기 가열유로와 상기 노즐부를 연결하여, 상기 가열유로에서 전달받은 약액을 상기 노즐부에 전달하는 노즐연결부;를 포함하는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the chemical liquid heating unit, a heating load housing coupled to the nozzle moving unit and having a heating passage formed therein; A heating unit inlet unit connected to the chemical solution storage unit to transfer the chemical solution received from the chemical solution storage unit to the heating passage; A heating unit coupled to the heating unit housing and heating the chemical liquid introduced into the heating passage; And a nozzle connection part connecting the heating flow path and the nozzle part to transfer the chemical liquid delivered from the heating flow path to the nozzle part.

본 발명에서 상기 약액가열부는, 상기 가열부하우징에 유입되는 약액의 온도를 측정하는 온도측정부; 및 상기 온도측정부에서 측정한 온도에 기초하여, 상기 가열부를 제어하여, 약액의 온도가 설정 온도 범위에 들어가도록 하는 온도제어부;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the chemical liquid heating unit includes a temperature measuring unit for measuring the temperature of the chemical liquid flowing into the heating load housing; And a temperature control unit configured to control the heating unit based on the temperature measured by the temperature measurement unit so that the temperature of the chemical solution falls within a set temperature range.

본 발명에서 상기 노즐연결부는, 상기 노즐부를 회전 가능하게 지지하는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the nozzle connection part is characterized in that it rotatably supports the nozzle part.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 약액을 기판에 공급하는 과정에서 약액의 온도가 저하되는 것을 방지함으로써, 설정 온도의 약액으로 기판을 처리할 수 있다. The substrate processing apparatus according to the present invention prevents the temperature of the chemical solution from being lowered in the process of supplying the chemical solution to the substrate, thereby treating the substrate with the chemical solution having a set temperature.

또한, 본 발명은 기판의 처리과정에서 약액의 특성 변화를 제한하여, 기판을 설정 농도의 약액으로 처리할 수 있다. In addition, according to the present invention, a change in properties of the chemical solution is limited during the processing of the substrate, so that the substrate can be treated with a chemical solution having a set concentration.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐부와, 노즐지지부 및 약액저장부를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 약액가열부를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 약액가열부와 노즐부를 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 분사제한부를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판제한부를 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판제한부를 나타내는 평면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 분사제한부와 기판제한부가 결합된 상태를 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판제한바디에서 유입홀부커버 및 유입홀부가이드가 적용된 상태를 나타내는 평면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing a nozzle unit, a nozzle support unit, and a chemical solution storage unit according to an embodiment of the present invention.
3 is a perspective view schematically showing a chemical solution heating unit according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view showing a chemical solution heating unit and a nozzle unit according to an embodiment of the present invention.
5 is a view showing an injection limiting unit according to an embodiment of the present invention.
6 is a view showing a substrate limiting unit according to an embodiment of the present invention.
7 is a plan view showing a substrate limiting unit according to an embodiment of the present invention.
8 is a view showing a state in which the injection limiting unit and the substrate limiting unit are combined according to an embodiment of the present invention.
9 is a plan view showing a state in which an inlet hole cover and an inlet hole portion guide are applied in the substrate limiting body according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 기판처리장치의 일 실시예를 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 선들의 두께나 구성요소의 크기 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시되어 있을 수 있다. Hereinafter, an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In this process, the thickness of the lines or the size of components shown in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience of description.

또한, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.In addition, terms to be described later are terms defined in consideration of functions in the present invention and may vary according to the intention or custom of users or operators. Therefore, definitions of these terms should be made based on the contents throughout the present specification.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치(1)는, 기판지지부(100), 노즐부(200), 약액저장부(300), 노즐지지부(400) 및 약액가이드(500)를 포함한다. 1 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 1, a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention includes a substrate support 100, a nozzle 200, a chemical storage 300, a nozzle support 400, and a chemical guide ( 500).

기판지지부(100)에는 기판(10)이 안착된다. 본 실시예에서 기판지지부(100)는 척부(110), 기판회전부(130) 및 테이블부(150)를 포함한다. A substrate 10 is mounted on the substrate support 100. In this embodiment, the substrate support part 100 includes a chuck part 110, a substrate rotation part 130, and a table part 150.

척부(110)에는 기판(10)이 안착된다. 척부(110)는 테이블부(150)의 외측으로 이격되게 위치하고, 기판(10)의 외측을 지지하며, 기판회전부(130)에 결합된다. 본 실시예에서 척부(110)는 기판회전부(130)의 회전에 따라, 테이블부(150)의 주위를 회전함으로써, 기판(10)이 테이블부(150)의 상측(도 1 기준)에서 테이블부(150)의 중심(150c)을 기준으로 회전되도록 한다. The substrate 10 is mounted on the chuck part 110. The chuck portion 110 is positioned to be spaced apart from the table portion 150, supports the outside of the substrate 10, and is coupled to the substrate rotating portion 130. In this embodiment, the chuck unit 110 rotates around the table unit 150 according to the rotation of the substrate rotation unit 130, so that the substrate 10 is positioned above the table unit 150 (see FIG. 1). It is rotated based on the center 150c of 150.

기판회전부(130)는 척부(110)를 회전시킨다. 본 실시예에서 기판회전부(130)는 테이블커버부(131), 척베이스부(133) 및 지지회전부(135)를 포함한다. The substrate rotation unit 130 rotates the chuck unit 110. In this embodiment, the substrate rotation unit 130 includes a table cover unit 131, a chuck base unit 133, and a support rotation unit 135.

테이블커버부(131)는 테이블부(150)와 기판(10) 사이에 개재되며, 석영(quartz)과 같은 투명 재질을 포함하여 이루어져, 테이블부(150)에서 발생되는 복사 열이 기판(10)에 전달되도록 한다. The table cover part 131 is interposed between the table part 150 and the substrate 10 and made of a transparent material such as quartz, so that radiant heat generated from the table part 150 is transmitted to the substrate 10. To be delivered to.

또한, 테이블커버부(131)는 테이블부(150)의 상측(도 1 기준)과 기판(10) 사이를 차단하여 기판(10)에 공급되는 약액(liquid chemical) 또는 퓸(fume)이 테이블부(150)에 전달되는 것을 차단한다. In addition, the table cover part 131 blocks between the upper side of the table part 150 (as shown in FIG. 1) and the substrate 10, so that a liquid chemical or fume supplied to the substrate 10 is applied to the table part. Blocks transmission to 150.

척베이스부(133)는 상측(도 1 기준)으로 개방되어 테이블부(150)의 하부 및 측부를 둘러싸도록 형성되며, 척부(110)가 결합된 상태에서 테이블부(150)의 중심(150c)을 기준으로 회전 가능하게 구비된다. The chuck base portion 133 is opened to the upper side (based on FIG. 1) and formed to surround the lower and side portions of the table portion 150, and the center 150c of the table portion 150 in a state in which the chuck portion 110 is coupled It is provided to be rotatable based on.

지지회전부(135)는 모터 등을 포함하는 회전력을 발생시키며, 척베이스부(133)에 연결되어 척베이스부(133)를 회전시킨다. The support rotation part 135 generates a rotational force including a motor, etc., and is connected to the chuck base part 133 to rotate the chuck base part 133.

테이블부(150)는 척부(110) 또는 기판지지부(100)의 일측에 위치하며, 히터부(153)를 포함하여 기판(10)을 가열한다. 본 실시예에서 테이블부(150)는 테이블(151), 히터부(153) 및 반사부(155)를 포함한다. The table unit 150 is positioned on one side of the chuck unit 110 or the substrate support unit 100 and includes a heater unit 153 to heat the substrate 10. In the present embodiment, the table unit 150 includes a table 151, a heater unit 153, and a reflecting unit 155.

테이블(151)은 테이블부(150)이 외관을 형성하며, 히터부(153)와 반사부(155)가 결합된다. 본 실시예에서 테이블(151)은 척베이스부(133)의 내측에 수용되며, 테이블바디(151a)와 테이블중앙부(151b)를 포함한다. In the table 151, the table portion 150 forms an exterior, and the heater portion 153 and the reflective portion 155 are coupled. In this embodiment, the table 151 is accommodated inside the chuck base portion 133, and includes a table body 151a and a table center portion 151b.

테이블바디(151a)는 대략 원판 형상으로 형성되며, 히터부(153)와 반사부(155)가 결합된다. 테이블중앙부(151b)는 테이블바디(151a)의 대략 중심을 관통하여 테이블바디(151a)에 결합되며, 하측노즐부(200b) 등이 구비되어 약액이 기판(10)의 하측에 분사될 수 있도록 한다. The table body 151a is formed in a substantially disk shape, and the heater unit 153 and the reflective unit 155 are coupled. The table center part 151b penetrates approximately the center of the table body 151a and is coupled to the table body 151a, and a lower nozzle part 200b is provided so that the chemical solution can be sprayed to the lower side of the substrate 10. .

히터부(153)는 기판(10)을 가열한다. 본 실시예에서 히터부(153)는 테이블부(150)의 중심(150c)에 위치하는 테이블중앙부(151b)를 둘러싸는 형상으로 형성되어 기판(10)을 가열한다. The heater unit 153 heats the substrate 10. In the present embodiment, the heater unit 153 is formed in a shape surrounding the central table 151b positioned at the center 150c of the table unit 150 to heat the substrate 10.

본 실시예에서 히터부(153)는 복수 개의 히터(154)를 포함하며, 복수 개의 히터(154)는 테이블부(150)의 중심(150c)을 기준으로 하는 동심원 형상으로 형성되어 테이블부(150)의 반경 방향으로 배열된다. In this embodiment, the heater unit 153 includes a plurality of heaters 154, and the plurality of heaters 154 are formed in a concentric circle shape based on the center 150c of the table unit 150, so that the table unit 150 ) Are arranged in the radial direction.

본 실시예에서 히터(154)는 테이블부(150)의 중심(150c)에서 멀어질수록 기판(10)을 가열하는 범위가 증대된다. 따라서 본 실시예에서 히터(154)는 테이블부(150)의 중심(150c)에서 멀어질수록 출력을 크게 하여 기판(10)을 균일하게 가열할 수 있도록 한다. In this embodiment, as the heater 154 moves away from the center 150c of the table unit 150, the range for heating the substrate 10 increases. Accordingly, in the present embodiment, the heater 154 increases its output as it moves away from the center 150c of the table unit 150 to uniformly heat the substrate 10.

반사부(155)는 히터부(153)에서 발생되는 열을 반사하여 기판(10)을 가열하는 효율을 증대시킨다. 본 실시예에서 반사부(155)는 외측반사부(155a)와 내측반사부(155b)를 포함한다. The reflecting part 155 reflects heat generated from the heater part 153 to increase the efficiency of heating the substrate 10. In this embodiment, the reflecting part 155 includes an outer reflecting part 155a and an inner reflecting part 155b.

본 실시예에서 반사부(155)는, 테이블부(150)의 중심(150c)을 기준으로 내측에 위치하는 내측반사부(155b)가 기판(10)의 중심(10c)을 향하여 기울어진 각도값이, 테이블부(150)의 중심(150c)을 기준으로 외측에 위치하는 내측반사부(155b)가 기판(10)의 중심(10c)을 향하여 기울어진 각도값 이상이 되도록 형성된다.In the present embodiment, the reflecting part 155 is an angle value in which the inner reflecting part 155b positioned inside the table part 150 is inclined toward the center 10c of the substrate 10. The inner reflective portion 155b positioned outside the center 150c of the table portion 150 is formed to be equal to or greater than an angle value inclined toward the center 10c of the substrate 10.

이로써, 본 실시예에서 반사부(155)는, 히터부(153)에서 발생되는 열이 내측반사부(155b)에 의하여 차단되는 것을 방지함으로써, 기판(10)의 중심(10c)이 히터부(153)에 의하여 직접 가열될 수 있도록 한다. Accordingly, in the present embodiment, the reflecting unit 155 prevents heat generated from the heater unit 153 from being blocked by the inner reflecting unit 155b, so that the center 10c of the substrate 10 is positioned at the heater unit ( 153) can be directly heated.

본 실시예에서 테이블부(150)의 중심(150c)에는 약액의 공급 등을 수행하는 테이블중앙부(151b)가 위치하므로, 해당 위치에 히터(154)를 장착하기 어려운 반면, 테이블부(150)에서 반사부(155)의 형상을 상술한 바와 같이 적용함으로써, 기판(10)의 중심(10c)을 히터(154)로 직접가열, 기판(10)이 균일하게 가열될 수 있도록 한다.In this embodiment, since the center portion 150c of the table portion 150 is located at the center portion 151b for supplying a chemical solution, it is difficult to mount the heater 154 at the corresponding position, whereas in the table portion 150 By applying the shape of the reflector 155 as described above, the center 10c of the substrate 10 is directly heated by the heater 154 so that the substrate 10 can be uniformly heated.

외측반사부(155a)는 테이블부(150)의 중심(150c)을 기준으로, 히터(154)의 외측에 위치하여 히터(154)에서 발생되는 열을 반사하여 기판(10)을 가열할 수 있도록 하고, 내측반사부(155b)는 테이블부(150)의 중심(150c)을 기준으로 히터(154)의 내측에 위치하여, 히터(154)에서 발생되는 열을 반사, 기판(10)을 가열하는 정도를 증대시킨다.The outer reflecting part 155a is located outside the heater 154 based on the center 150c of the table part 150 to reflect heat generated from the heater 154 to heat the substrate 10. And, the inner reflecting part 155b is located inside the heater 154 with respect to the center 150c of the table part 150, reflecting heat generated from the heater 154 and heating the substrate 10. Increase the degree.

본 실시예에서 반사부(155)는 연결반사부(155c)를 더 포함한다. 연결반사부(155c)는 내측반사부(155b)와 외측반사부(155a)를 연결하며, 히터부(153)에서 발생되는 열을 반사하여 기판(10)을 가열하는 정도를 증대시킨다.In this embodiment, the reflecting part 155 further includes a connection reflecting part 155c. The connection reflecting unit 155c connects the inner reflecting unit 155b and the outer reflecting unit 155a, and reflects heat generated from the heater unit 153 to increase the degree of heating the substrate 10.

본 실시예에서 외측반사부(155a), 내측반사부(155b) 또는 연결반사부(155c)에는 금, 또는 은 도금 처리를 하여 히터(154)에서 발생되는 열을 반사하는 정도를 증대시켜, 기판(10)을 효율적으로 가열할 수 있도록 한다. 또한, 본 실시예에서 외측반사부(155a), 내측반사부(155b) 및 연결반사부(155c)는 일체로서 프레스 가공되어, 부품의 개수를 줄이고, 내구성을 향상시키며, 반사효율을 증대시킬 수 있다. In this embodiment, the outer reflective portion 155a, the inner reflective portion 155b, or the connection reflective portion 155c is plated with gold or silver to increase the degree of reflection of heat generated from the heater 154, (10) to be able to heat efficiently. In addition, in this embodiment, the outer reflective part 155a, the inner reflective part 155b, and the connection reflective part 155c are pressed as an integral part, reducing the number of parts, improving durability, and increasing reflection efficiency. have.

본 실시예에서 테이블부(150)는 냉각부(157)를 더 포함한다. 냉각부(157)는 반사부(155)에 결합되어, 반사부(155)를 냉각시킴으로써, 반사부(155)가 히터부(153)에서 발생되는 열에 의하여 파손되는 것을 방지한다. 본 실시예에서 냉각부(157)는 냉각부바디(157a), 냉각유체공급부(157b) 및 냉각유체배출부(157c)를 포함한다.In this embodiment, the table unit 150 further includes a cooling unit 157. The cooling unit 157 is coupled to the reflecting unit 155 to cool the reflecting unit 155 to prevent the reflecting unit 155 from being damaged by heat generated from the heater unit 153. In this embodiment, the cooling unit 157 includes a cooling unit body 157a, a cooling fluid supply unit 157b, and a cooling fluid discharge unit 157c.

냉각부바디(157a)는 반사부(155)에 볼팅, 용접 등의 방식으로 결합되며, 내부에 냉각유로(158)가 형성되어 반사부(155)를 냉각시킨다. 본 실시예에서 냉각유로(158)는 메인냉각유로(158a) 및 서브냉각유로(158b)를 포함하여 냉각부바디(157a)를 냉각시킨다.The cooling unit body 157a is coupled to the reflection unit 155 by bolting, welding, or the like, and a cooling channel 158 is formed therein to cool the reflection unit 155. In this embodiment, the cooling passage 158 cools the cooling part body 157a including the main cooling passage 158a and the sub cooling passage 158b.

메인냉각유로(158a)는 냉각부바디(157a)의 내부에 형성되며, 냉각유체공급부(157b)에 연결되어, 냉각유체공급부(157b)로부터 공급받은 냉각유체가 냉각부바디(157a)의 내측에서 순환되도록 한다.The main cooling passage 158a is formed inside the cooling unit body 157a, and is connected to the cooling fluid supply unit 157b, so that the cooling fluid supplied from the cooling fluid supply unit 157b is supplied from the inside of the cooling unit body 157a. Let it cycle.

서브냉각유로(158b)는 메인냉각유로(158a)에 연통되며, 메인냉각유로(158a)에서 히터(154) 사이로 연장되어, 메인냉각유로(158a)에 공급된 냉각유체를 복수 개의 히터(154) 사이로 진입시킴으로써, 반사부(155)의 냉각효율을 증대시킨다.The sub cooling passage 158b communicates with the main cooling passage 158a and extends from the main cooling passage 158a between the heaters 154 to transfer the cooling fluid supplied to the main cooling passage 158a to a plurality of heaters 154. By entering through the space, the cooling efficiency of the reflector 155 is increased.

냉각유체공급부(157b)는 냉각유로(158)에 연결되어 냉각유로(158)에 냉각유체를 공급한다. 냉각유체배출부(157c)는 냉각유로(158)에 연결되어 냉각유로(158)의 냉각유체를 배출한다.The cooling fluid supply unit 157b is connected to the cooling flow path 158 to supply the cooling fluid to the cooling flow path 158. The cooling fluid discharge part 157c is connected to the cooling flow path 158 to discharge the cooling fluid of the cooling flow path 158.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐부와, 노즐지지부 및 약액저장부를 나타내는 도면이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 약액가열부를 개략적으로 나타내는 사시도이며, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 약액가열부와 노즐부를 나타내는 단면도이다. 2 is a view showing a nozzle unit, a nozzle support unit, and a chemical solution storage unit according to an embodiment of the present invention, Fig. 3 is a perspective view schematically showing a chemical solution heating unit according to an embodiment of the present invention, and Fig. 4 is the present invention A cross-sectional view showing a chemical solution heating unit and a nozzle unit according to an embodiment of the present invention.

도 2 내지 4를 참조하면, 노즐부(200)는 기판(10)에 약액을 분사한다. 본 실시예에서 노즐부(200)는 노즐바디(210) 및 노즐가열부(230)를 포함한다. 2 to 4, the nozzle unit 200 sprays a chemical solution onto the substrate 10. In this embodiment, the nozzle unit 200 includes a nozzle body 210 and a nozzle heating unit 230.

노즐바디(210)는 노즐지지부(400)에 연결되어, 노즐지지부(400)로부터 약액을 공급받으며, 분사홀부(211)를 구비하여, 기판(10)에 약액을 분사한다. The nozzle body 210 is connected to the nozzle support part 400 to receive a chemical solution from the nozzle support part 400, and has a spray hole part 211 to spray the chemical liquid onto the substrate 10.

노즐가열부(230)는 노즐바디(210)에 결합되어, 노즐바디(210)를 가열한다. 본 실시예에서 노즐가열부(230)는 노즐바디(210)를 둘러싸거나, 노즐바디(210)의 내측에 수용되는 유도가열 코일로 예시되어, 외부에서 인가되는 전력을 열에너지로 변환하여, 노즐바디(210) 및 약액을 가열한다. The nozzle heating unit 230 is coupled to the nozzle body 210 to heat the nozzle body 210. In this embodiment, the nozzle heating unit 230 is illustrated as an induction heating coil surrounding the nozzle body 210 or accommodated inside the nozzle body 210, and converts externally applied power into heat energy, (210) and the chemical solution are heated.

이에 따라 본 실시예에서 기판처리장치(1)는, 약액이 기판(10)에 분사되는 단계에서도 약액을 가열함으로써, 약액의 온도를 설정 온도로 유지, 제어할 수 있으며, 특히 고온의 인산 수용액을 약액으로 적용하는 경우, 기판(10)에 미세 패턴을 구현하기 위한 온도(약 160℃ 정도)를 유지할 수 있다. Accordingly, in the present embodiment, the substrate processing apparatus 1 can maintain and control the temperature of the chemical solution at a set temperature by heating the chemical solution even at the stage in which the chemical solution is sprayed onto the substrate 10. When applied as a chemical solution, a temperature (about 160°C) for implementing a fine pattern on the substrate 10 may be maintained.

약액저장부(300)에는 약액이 수용된다. 약액저장부(300)는 기판(10)을 처리하는데 필요한 약액의 종류에 따라 복수 개가 구비되어 약액을 종류별로 저장할 수 있으며, 약액을 가열할 수 있는 가열수단이 추가될 수 있다.The chemical liquid is accommodated in the chemical liquid storage unit 300. The chemical storage unit 300 may be provided with a plurality of chemicals according to the types of chemicals required to process the substrate 10 to store the chemicals for each type, and a heating means for heating the chemicals may be added.

노즐지지부(400)는 노즐부(200)를 지지하며, 약액저장부(300)에서 공급받은 약액을 가열하여, 노즐부(200)에 전달한다. 본 실시예에서 노즐지지부(400)는 노즐암부(410), 노즐이동부(430) 및 약액가열부(450)를 포함한다. The nozzle support part 400 supports the nozzle part 200, heats the chemical liquid supplied from the chemical liquid storage part 300, and delivers it to the nozzle part 200. In this embodiment, the nozzle support part 400 includes a nozzle arm part 410, a nozzle moving part 430, and a chemical liquid heating part 450.

노즐암부(410)에는 노즐부(200)가 결합된다. 본 실시예에서 노즐암부(410)는 기판(10)의 일측, 구체적으로 상측(도 1 기준)에 위치하며, 단부에 결합된 노즐부(200)와 함께 이동된다. The nozzle part 200 is coupled to the nozzle arm part 410. In this embodiment, the nozzle arm 410 is located on one side, specifically, on the upper side (based on FIG. 1) of the substrate 10, and is moved together with the nozzle 200 coupled to the end.

노즐이동부(430)는 노즐암부(410)를 이동시킨다. 본 실시예에서 노즐이동부(430)는 노즐암부(410)와 결합되어, 노즐암부(410)를 승강, 전후 방향으로 이동시킨다. 노즐이동부(430)에 의하여 노즐암부(410)가 이동되면, 노즐암부(410)와 결합된 노즐부(200)가 함께 이동된다. 본 실시예에서 노즐이동부(430)는 수직이동부(431) 및 수평이동부(433)를 포함한다. The nozzle moving part 430 moves the nozzle arm part 410. In this embodiment, the nozzle moving part 430 is combined with the nozzle arm part 410 to move the nozzle arm part 410 in the elevating and front-rear direction. When the nozzle arm part 410 is moved by the nozzle moving part 430, the nozzle part 200 coupled with the nozzle arm part 410 is moved together. In this embodiment, the nozzle moving part 430 includes a vertical moving part 431 and a horizontal moving part 433.

수직이동부(431)는 양단부가 각각 노즐암부(410)와 수평이동부(433)에 결합되며, 유압실린더 등으로 예시되어 길이가 가변됨으로써, 노즐암부(410)를 승강시킨다. Both ends of the vertical moving part 431 are coupled to the nozzle arm part 410 and the horizontal moving part 433, respectively, and are exemplified by a hydraulic cylinder and the like and the length thereof is varied, thereby raising and lowering the nozzle arm part 410.

수평이동부(433)는 수직이동부(431)에 결합되며, 설치면에 대략 수평하게 구비되는 리니어가이드(433a)를 따라 이동 가능하게 구비되어, 수평이동부(433)를 리니어가이드(433a)를 따라 이동시킨다. The horizontal moving part 433 is coupled to the vertical moving part 431 and is provided to be movable along a linear guide 433a provided approximately horizontally on the installation surface, and the horizontal moving part 433 is provided with a linear guide 433a. Move along.

이에 따라 본 실시예에서 노즐이동부(430)는 노즐암부(410)와 함께 노즐부(200)를 이동시켜, 노즐부(200)에서 분사되는 약액이 기판(10)에 균일하게 분사될 수 있도록 함과 동시에, 노즐암부(410)에 구비되는 약액가열부(450)가 노즐부(200)에서 이격되는 것을 방지하여, 약액가열부(450)에서 노즐부(200)로 이동되는 중, 약액의 온도가 하강하는 것을 방지한다. Accordingly, in this embodiment, the nozzle moving unit 430 moves the nozzle unit 200 together with the nozzle arm unit 410 so that the chemical liquid sprayed from the nozzle unit 200 can be uniformly sprayed onto the substrate 10. At the same time, by preventing the chemical solution heating unit 450 provided in the nozzle arm unit 410 from being separated from the nozzle unit 200, the chemical solution is transferred from the chemical solution heating unit 450 to the nozzle unit 200 Prevent the temperature from falling.

약액가열부(450)는 노즐암부(410)에 결합되며, 약액저장부(300)에 연결되어, 약액저장부(300)로부터 전달받은 약액을 노즐부(200)에 전달한다. 본 실시예에서 약액가열부(450)는 가열부하우징(451), 가열부유입부(453), 가열부(455) 및 노즐연결부(457)를 포함한다. The chemical solution heating unit 450 is coupled to the nozzle arm unit 410, is connected to the chemical solution storage unit 300, and delivers the chemical solution received from the chemical solution storage unit 300 to the nozzle unit 200. In this embodiment, the chemical liquid heating unit 450 includes a heating unit housing 451, a heating unit inlet 453, a heating unit 455, and a nozzle connection unit 457.

가열부하우징(451)은 노즐이동부(430)에 볼팅, 용접 등의 방식으로 결합되며, 내측에 가열유로(451a)가 형성된다. 본 실시예에서 가열부하우징(451)은 테프론을 포함하여 이루어져, 고온의 약액, 예를 들어 고온의 인산 수용액에 의하여 손상되는 것을 방지할 수 있다. The heating load housing 451 is coupled to the nozzle moving part 430 by bolting or welding, and a heating passage 451a is formed inside. In this embodiment, the heating load housing 451 includes Teflon, and thus it can be prevented from being damaged by a high-temperature chemical solution, for example, a high-temperature phosphoric acid aqueous solution.

가열부하우징(451)에는 가열부(455)가 내측에 수용되어, 가열부유입부(453)를 통하여 유입되는 약액이 가열될 수 있도록 한다.The heating unit 455 is accommodated in the heating unit housing 451 so that the chemical liquid flowing through the heating unit inlet 453 can be heated.

가열부유입부(453)는 내측으로 약액이 흐를 수 있는 파이프, 관 등으로 예시되며, 양단부가 각각 약액저장부(300) 및 가열유로(451a)에 연결되어, 약액저장부(300)로부터 전달받은 약액을 가열유로(451a)에 전달한다. The heating part inflow part 453 is illustrated as a pipe, a pipe, etc. through which a chemical liquid can flow inside, and both ends are connected to the chemical liquid storage part 300 and the heating flow path 451a, respectively, and are transferred from the chemical liquid storage part 300 The received chemical solution is delivered to the heating flow path 451a.

본 실시예에서 가열부유입부(453)에는 유입밸브(453a)가 구비되어, 약액저장부(300)에서 가열부유입부(453)로 전달되는 약액의 유량 등을 조절할 수 있다. In this embodiment, the heating part inlet 453 is provided with an inlet valve 453a to control the flow rate of the chemical liquid transferred from the chemical liquid storage unit 300 to the heating part inlet 453.

가열부(455)는 가열부하우징(451)에 결합되며, 가열유로(451a)에 유입된 약액을 가열한다. 본 실시예에서 가열부(455)는 할로겐 램프로 예시되며, 외부에서 인가되는 전력을 열에너지로 전환하여, 가열유로(451a) 내부의 약액을 가열한다. The heating unit 455 is coupled to the heating unit housing 451 and heats the chemical liquid introduced into the heating flow path 451a. In this embodiment, the heating unit 455 is exemplified as a halogen lamp, and converts power applied from the outside into thermal energy to heat the chemical liquid inside the heating passage 451a.

본 실시예에서 가열부(455)는 할로겐 램프로 예시되지만, 가열유로(451a)에 유입된 약액을 가열할 수 있는 기술 사상 안에서, 유도코일, 고온의 열매체가 순환되는 파이프 등으로 구현될 수 있음은 물론이다. In this embodiment, the heating unit 455 is illustrated as a halogen lamp, but within the technical idea of heating the chemical liquid introduced into the heating passage 451a, it may be implemented as an induction coil, a pipe through which a high-temperature heat medium is circulated. Of course.

노즐연결부(457)는 가열유로(451a)와 노즐부(200)를 연결하여, 가열유로(451a)에서 전달받은 약액을 노즐부(200)에 전달한다. 본 실시예에서 노즐연결부(457)는 노즐부(200)를 이동 가능하게 지지한다. The nozzle connection part 457 connects the heating flow path 451a and the nozzle part 200 to deliver the chemical liquid delivered from the heating flow path 451a to the nozzle part 200. In this embodiment, the nozzle connection part 457 supports the nozzle part 200 to be movable.

노즐연결부(457)는 노즐부(200)와 결합되고, 가열부하우징(451)에 회전축(457a) 등에 의하여 회전 가능하게 결합되어, 노즐부(200)와 함께 회전됨으로써, 노즐부(200)에서 기판(10)에 분사되는 약액의 분사 각도, 분사 방향 등을 조절할 수 있게 한다.The nozzle connection part 457 is coupled to the nozzle part 200, is rotatably coupled to the heating load housing 451 by a rotation shaft 457a, etc., and is rotated together with the nozzle part 200, so that the nozzle part 200 It is possible to adjust the spray angle, spray direction, etc. of the chemical liquid sprayed on the substrate 10.

본 실시예에서 약액가열부(450)는 온도측정부(458) 및 온도제어부(459)를 더 포함하여, 가열부하우징(451) 또는 노즐부(200)에 유입되는 약액의 온도를 측정하고, 이를 기초로 온도제어부(459)에서 가열부(455) 또는 노즐가열부(230)의 작동을 제어하여, 해당 위치에서의 약액의 온도를 조절할 수 있다. In this embodiment, the chemical liquid heating unit 450 further includes a temperature measuring unit 458 and a temperature control unit 459 to measure the temperature of the chemical liquid flowing into the heating load housing 451 or the nozzle unit 200, Based on this, the temperature control unit 459 may control the operation of the heating unit 455 or the nozzle heating unit 230 to control the temperature of the chemical solution at the corresponding position.

이에 따라, 본 실시예에서 기판처리장치(1)는 약액의 공급 과정에서 복수의 지점에서 약액의 온도가 측정되고, 이를 기초로 조절되므로, 약액의 온도가 급격히 변하는 것을 방지하고, 기판(10) 처리 과정에서 주변 환경의 변화더라도 약액의 온도를 설정 온도로 유지할 수 있다. Accordingly, in the present embodiment, the substrate processing apparatus 1 measures the temperature of the chemical solution at a plurality of points in the process of supplying the chemical solution and is adjusted based on this, so that the temperature of the chemical solution is prevented from rapidly changing, and the substrate 10 Even if the surrounding environment changes during the treatment, the temperature of the chemical solution can be maintained at the set temperature.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 분사제한부를 나타내는 도면이다. 5 is a view showing an injection limiting unit according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 약액가이드(500)는 노즐부(200)에서 분사되는 약액의 이동을 제한하여, 약액이 설정 방향으로 이동되도록 안내함과 더불어, 기판(10)과의 사이에 분사되는 약액의 수분이 외부로 유출되는 것을 제한하여, 약액의 특성, 예를 들어 약액의 농도가 변하는 것을 방지한다. Referring to FIG. 5, the chemical liquid guide 500 restricts the movement of the chemical liquid sprayed from the nozzle part 200 to guide the chemical liquid to be moved in the setting direction, and the chemical liquid sprayed between the substrate 10 By limiting the leakage of moisture to the outside, the properties of the chemical solution, for example, the concentration of the chemical solution is prevented from changing.

본 실시예에서 약액가이드(500)가 약액의 이동을 제한한다는 것의 의미는, 약액 자체가 노즐부(200)에서 분사될 때, 기판(10)에 전달되도록 약액의 이동을 방향을 제한하는 것뿐만 아니라, 약액의 특정 성분, 예를 들어 수분이 고온의 기판(10) 등에 의하여 가열되어 외부로 방출되는 것을 제한하는 것을 포함한다. In this embodiment, the meaning that the chemical liquid guide 500 restricts the movement of the chemical liquid means that when the chemical liquid itself is sprayed from the nozzle part 200, only restricting the direction of the movement of the chemical liquid so that it is transferred to the substrate 10 In addition, it includes restricting specific components of the chemical solution, for example, moisture from being heated by the high-temperature substrate 10 and released to the outside.

약액가이드(500)는 분사제한부(510)를 포함한다. 분사제한부(510)는 노즐부(200)에 결합되고, 기판(10)측으로 연장되어, 노즐부(200)에서 분사되는 약액의 이동을 안내한다. 본 실시예에서 분사제한부(510)는 분사제한바디(511) 및 분사제한냉각부(513)를 포함한다. The chemical liquid guide 500 includes an injection limiting part 510. The spray limiting part 510 is coupled to the nozzle part 200 and extends toward the substrate 10 to guide the movement of the chemical liquid sprayed from the nozzle part 200. In this embodiment, the injection limiting unit 510 includes an injection limiting body 511 and an injection limiting cooling unit 513.

분사제한바디(511)는 노즐부(200)에 결합되며, 기판(10)측으로 연장되어, 노즐부(200)에서 분사되는 약액의 이동을 제한한다. 본 실시예에서 분사제한바디(511)는 노즐부(200)에서 기판 측으로 진행하면서 내측 단면의 폭이 증가하는 원뿔 형상으로 형성되어, 분사된 약액이 기판(10)에 균일하게 도달하도록 한다. The spray limiting body 511 is coupled to the nozzle part 200 and extends toward the substrate 10 to limit the movement of the chemical liquid sprayed from the nozzle part 200. In this embodiment, the injection limiting body 511 is formed in a conical shape in which the width of the inner cross section increases while proceeding from the nozzle part 200 toward the substrate, so that the sprayed chemical liquid reaches the substrate 10 uniformly.

본 실시예에서 분사제한바디(511)는 하단부가 기판(10)과 설정 갭(G1)에 위치하도록 하여, 기판(10)의 회전시 분사제한바디(511)가 기판(10)에 닿는 것을 방지하되, 해당 갭(G1)으로 수분 등이 유출되는 것을 차단하여, 기판(10)의 손상을 방지함과 동시에, 기판(10)에 분사된 약액, 특히 수분이 배출되어 약액의 농도가 달라지는 것을 방지한다. In this embodiment, the injection limiting body 511 prevents the injection limiting body 511 from contacting the substrate 10 when the substrate 10 is rotated by allowing the lower end of the injection limiting body 511 to be located in the setting gap G1 with the substrate 10 However, by blocking the leakage of moisture into the gap G1, damage to the substrate 10 is prevented, and at the same time, the chemical solution sprayed on the substrate 10, especially moisture, is discharged to prevent the concentration of the chemical solution from changing. do.

또한, 본 실시예에서 분사제한바디(511)는 노즐부(200)에 탈착 가능하게 결합된다. 즉, 본 실시예에서 분사제한바디(511)는 상단부가 노즐부(200)에 끼워진 상태에서, 링 형상의 체결부재(511a)로 분사제한바디(511)의 상단부를 노즐부(200)에 가압하는 방식으로, 노즐부(200)에 탈착 가능하게 결합된다. In addition, the injection limiting body 511 in this embodiment is detachably coupled to the nozzle unit 200. That is, in the present embodiment, the upper end of the injection limiting body 511 is pressed against the nozzle part 200 with a ring-shaped fastening member 511a while the upper end of the injection limiting body 511 is fitted to the nozzle part 200. In such a way, it is detachably coupled to the nozzle unit 200.

본 실시예에서 분사제한바디(511)는 기판(10)과의 거리, 분사되는 약액의 종류 및 온도 등에 따라, 적합한 사양의 분사제한바디(511)를 선택하여 노즐부(200)에 부착할 수 있고, 또한, 분사제한바디(511)가 적용되지 않는 노즐부(200)에도 적용이 가능한 효과가 있다. In this embodiment, the injection limiting body 511 may be attached to the nozzle part 200 by selecting a spraying limiting body 511 of suitable specifications according to the distance from the substrate 10, the type and temperature of the sprayed chemical, etc. In addition, there is an effect that can be applied to the nozzle unit 200 to which the injection limiting body 511 is not applied.

분사제한냉각부(513)는 분사제한바디(511)에 결합되어, 분사제한바디(511)를 냉각시킨다. 본 실시예에서 분사제한바디(511)는 분사제한냉각핀(513a)으로 예시되어, 분사제한바디(511)의 외주면에 돌출 형성되고, 분사제한바디(511)의 외주면의 노출면적을 증대시킴으로써, 분사제한바디(511)를 공냉 방식으로 냉각시킨다. The injection restriction cooling unit 513 is coupled to the injection restriction body 511 to cool the injection restriction body 511. In this embodiment, the injection limiting body 511 is illustrated by the injection limiting cooling pin 513a, protruding from the outer circumferential surface of the injection limiting body 511, and increasing the exposed area of the outer circumferential surface of the injection limiting body 511, The injection limiting body 511 is cooled by air cooling.

또한, 본 실시예에서 분사제한냉각부(513)는 분사제한바디(511)에 냉각수를 순환시키는 분사제한냉각관(513b)으로 예시되어 외부에서 유입되는 냉각수를 분사제한바디(511) 내부에서 순환시켜, 분사제한바디(511)를 냉각시킬 수 있다. In addition, in this embodiment, the injection limiting cooling unit 513 is illustrated as an injection limiting cooling pipe 513b that circulates the cooling water in the injection limiting body 511 to circulate the cooling water introduced from the outside in the injection limiting body 511 By doing so, it is possible to cool the injection limiting body 511.

분사제한냉각부(513)가 분사제한바디(511)를 냉각시키면, 분사제한바디(511)와 기판(10) 사이에 위치하는 약액의 수분 등이 응축되어 다시 기판(10) 측으로 전달되므로, 기판(10)과 작용하는 약액의 농도, 즉 수분의 함량이 변경되는 것을 방지하여, 설정된 농도의 약액, 예를 들어 인산 수용액으로 기판(10)을 처리할 수 있도록 한다. When the injection restriction cooling unit 513 cools the injection restriction body 511, the moisture of the chemical solution located between the injection restriction body 511 and the substrate 10 is condensed and transferred back to the substrate 10, so that the substrate It is possible to treat the substrate 10 with a chemical solution having a set concentration, for example, an aqueous solution of phosphoric acid, by preventing the concentration of the chemical solution acting with (10), that is, the water content from being changed.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판제한부를 나타내는 도면이고, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판제한부를 나타내는 평면도이다. 6 is a view showing a substrate limiting unit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a plan view showing a substrate limiting unit according to an embodiment of the present invention.

도 6 및 7을 참조하면, 본 실시예에서 약액가이드(500)는 기판제한부(530)를 더 포함한다. 기판제한부(530)는 기판(10)에서 설정 간격(G2) 이격되게 위치하여, 기판(10)과의 사이에 진입된 약액, 특히, 약액에 포함된 수분 등이 외부로 배출되는 것을 제한한다. 6 and 7, the chemical liquid guide 500 further includes a substrate limiting portion 530 in this embodiment. The substrate limiting unit 530 is positioned to be spaced apart from the substrate 10 at a set interval G2 to limit the discharge of the chemical liquid, particularly, moisture contained in the chemical liquid, and the like that have entered the substrate 10 to the outside. .

예를 들어, 고온의 인산 수용액을 약액으로 적용하는 경우, 수분이 기화되어 인산의 농도가 높아지면, 피로인산(pyrophosphoric acid)으로 변하게 되는데, 이러한 경우 고온의 인산 수용액이 실리콘 질화막을 식각하던 것에서, 실리콘 산화막을 식각하는 것으로 변경될 수 있는 문제점이 있다. For example, when a high-temperature aqueous solution of phosphoric acid is applied as a chemical solution, when the concentration of phosphoric acid increases due to vaporization of moisture, it changes to pyrophosphoric acid.In this case, the high-temperature aqueous solution of phosphoric acid etched the silicon nitride film, There is a problem that can be changed by etching the silicon oxide layer.

즉, 식각 과정 등의 기판(10) 처리 시, 설정 선택비 등을 구현하려면, 탈수 정도를 줄여, 인산의 농도를 설정 범위 이내로 유지하는 것이 필요하다. That is, when processing the substrate 10 such as an etching process, in order to implement a set selectivity, it is necessary to reduce the degree of dehydration and maintain the concentration of phosphoric acid within the set range.

본 실시예에서 기판제한부(530)는 기판제한바디(531) 및 기판제한냉각부(157)를 포함하여, 고온에서 기화된 수분이 외부로 배출되는 것을 제한하고, 수분을 응축시킴으로써, 약액의 특성 변화, 특히 약액의 농도가 변하는 것을 제한한다. In this embodiment, the substrate restriction unit 530 includes a substrate restriction body 531 and a substrate restriction cooling unit 157 to limit the discharge of moisture vaporized at a high temperature to the outside, and condense the moisture, It limits changes in properties, especially changes in the concentration of the chemical.

기판제한바디(531)는 기판(10)으로부터 노즐부(200) 측으로 설정 간격(G2)만큼 이격되게 위치한다. 본 실시예에서 기판제한바디(531)는 기판(10)에 대응하는 형상, 예를 들어 기판(10)이 원판 형상인 경우, 기판제한바디(531) 역시 대략 원판 형상으로 형성되어, 기판(10)의 일측(도 1 기준 상측)에 구비된다. The substrate limiting body 531 is positioned to be spaced apart from the substrate 10 by a set distance G2 toward the nozzle part 200. In this embodiment, the substrate limiting body 531 has a shape corresponding to the substrate 10, for example, when the substrate 10 has a disk shape, the substrate limiting body 531 is also formed in a substantially disk shape, and thus the substrate 10 ) Is provided on one side (top side based on FIG. 1).

또한, 본 실시예에서 기판제한바디(531)는 기판지지부(100)에 볼팅, 끼움 결합 등의 방식으로 탈착 가능하게 결합되어, 기판(10)의 크기, 사양 등에 따라, 형상, 재질, 크기, 기판(10)과의 간격 등을 조절할 수 있게 한다. In addition, in this embodiment, the substrate limiting body 531 is detachably coupled to the substrate support portion 100 by bolting, fitting, etc., and according to the size and specifications of the substrate 10, the shape, material, size, The distance between the substrate 10 and the like can be adjusted.

기판제한바디(531)에는 약액유입홀부(531a)가 형성되어, 노즐부(200)에서 분사되는 약액이 기판(10)에 전달될 수 있도록 한다. 본 실시예에서 약액유입홀부(531a)는 노즐부(200)의 이동방향인 궤적에 대응하는 장홀로 형성되어, 노즐부(200)가 이동하면서 약액을 분사하더라도 약액유입홀부(531a)를 통하여 기판(10)과의 사이에 약액이 전달될 수 있도록 한다. A chemical liquid inflow hole 531a is formed in the substrate limiting body 531 so that the chemical liquid sprayed from the nozzle part 200 can be transferred to the substrate 10. In this embodiment, the chemical liquid inlet hole 531a is formed as a long hole corresponding to the trajectory in the moving direction of the nozzle part 200, so that even when the nozzle part 200 moves and sprays the chemical liquid, the substrate (10) Allows the chemical solution to be transferred between and.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 분사제한부와 기판제한부가 결합된 상태를 나타내는 도면이고, 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판제한바디에서 유입홀부커버 및 유입홀부가이드가 적용된 상태를 나타내는 평면도이다. 8 is a view showing a state in which the injection limiting unit and the substrate limiting unit are combined according to an embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a diagram showing an inlet hole cover and an inlet hole guide guide applied in the substrate limiting body according to an embodiment of the present invention. It is a plan view showing the state.

도 8 및 9를 참조하면, 본 실시예에서 기판제한바디(531)는 유입홀부커버(531b) 및 유입홀부가이드(531c)를 포함한다. 8 and 9, the substrate limiting body 531 in the present embodiment includes an inlet hole cover 531b and an inlet hole guide guide 531c.

유입홀부커버(531b)는 약액유입홀부(531a)에 결합되어, 약액유입홀부(531a)를 차단한다. 본 실시예에서 유입홀부커버(531b)는 자바라 등의 방식으로 형성되며, 유입홀부가이드(531c)가 관통 형성되어, 노즐부(200)의 이동에 따라 유입홀부가이드(531c)가 이동될 수 있도록 한다(도 9 (a), (b) 참조). The inlet hole cover 531b is coupled to the chemical liquid inlet hole 531a to block the chemical liquid inlet hole 531a. In this embodiment, the inlet hole portion cover 531b is formed in a manner such as a bellows, and the inlet hole portion guide 531c is formed through it, so that the inlet hole portion cover 531c can be moved according to the movement of the nozzle portion 200. (See Fig. 9 (a), (b)).

유입홀부가이드(531c)는 유입홀부커버(531b)를 관통하며, 분사제한부(510)에 연결되어, 노즐부(200)에서 분사되는 약액이 분사제한부(510)를 거쳐 기판(10)에 전달되도록 한다. The inlet hole supplement guide 531c passes through the inlet hole cover 531b and is connected to the injection limiting part 510, so that the chemical liquid sprayed from the nozzle part 200 passes through the injection limiting part 510 to the substrate 10. To be delivered.

기판제한냉각부(157)는 기판제한바디(531)에 결합되어, 기판제한바디(531)를 냉각시킨다. 본 실시예에서 기판제한냉각부(157)는 기판제한냉각핀(535a)으로 예시되어, 기판제한바디(531)의 일측면에 돌출 형성되고, 기판제한바디(531) 일측면의 노출면적을 증대시킴으로써, 기판제한바디(531)를 공냉 시킨다. The substrate restriction cooling unit 157 is coupled to the substrate restriction body 531 to cool the substrate restriction body 531. In this embodiment, the substrate limit cooling unit 157 is illustrated as a substrate limit cooling pin 535a, protruding from one side of the substrate limiting body 531, and increasing the exposed area of one side of the substrate limiting body 531 By doing so, the substrate limiting body 531 is air-cooled.

본 실시예에서 기판제한냉각부(157)는 기판제한바디(531)에 냉각수를 순환시키는 기판제한냉각관(535b)으로 예시되어, 외부에서 유입되는 냉각수를 기판제한바디(531) 내부에서 순환시켜, 기판제한바디(531)를 수냉시킨다. In this embodiment, the substrate restriction cooling unit 157 is illustrated as a substrate restriction cooling pipe 535b that circulates cooling water in the substrate restriction body 531, and circulates the cooling water introduced from the outside inside the substrate restriction body 531. , The substrate limiting body 531 is cooled with water.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치(1)의 작동원리 및 효과를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the operating principle and effect of the substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention will be described.

척부(110)가 기판(10)을 지지한 상태에서, 기판지지부(100)가 기판(10)과 함께 회전된다. 기판(10)을 처리하는 과정 중에 약액의 공급이 필요한 경우, 노즐부(200)를 통하여 약액이 공급된다. While the chuck part 110 supports the substrate 10, the substrate support part 100 is rotated together with the substrate 10. In the process of processing the substrate 10, when the supply of the chemical solution is required, the chemical solution is supplied through the nozzle unit 200.

본 실시예에서 기판처리장치(1)는 약액저장부(300)에서 약액을 1차로 가열한 후, 노즐지지부(400)에 전달하며, 노즐지지부(400)에서 2차로 약액을 설정 온도로 가열함으로써, 약액의 이동 중, 약액의 온도가 저하되는 것을 줄일 수 있다. In the present embodiment, the substrate processing apparatus 1 firstly heats the chemical solution in the chemical solution storage unit 300 and then transfers it to the nozzle support unit 400, and secondly heats the chemical solution to a set temperature by the nozzle support unit 400. , It is possible to reduce a decrease in the temperature of the chemical liquid during the movement of the chemical liquid.

또한, 노즐부(200)에 도달하는 중 열손실이 적게 발생되므로, 열손실을 반영하여 약액을 가열할 때 발생될 수 있는 과다 가열, 상변화 등에 따른 문제점이 해소된다. In addition, since less heat loss occurs while reaching the nozzle unit 200, problems due to excessive heating and phase change that may occur when heating the chemical solution reflecting the heat loss are eliminated.

노즐지지부(400)의 가열유로(451a)에 공급되는 약액은 가열부(455)에 의하여 설정 온도로 가열된 후 노즐부(200)에 전달된다. 노즐부(200)에 전달된 후에도 노즐가열부(230)에 의하여 3차 가열될 수 있으므로, 기판(10)에 분사되기 직전까지 약액의 온도를 유지 또는 상승시킴으로써, 기판(10)에 공급되는 약액의 온도를 설정 온도로 제어할 수 있게 된다. The chemical liquid supplied to the heating passage 451a of the nozzle support part 400 is heated to a set temperature by the heating part 455 and then transferred to the nozzle part 200. Since it can be thirdly heated by the nozzle heating unit 230 even after being delivered to the nozzle unit 200, the chemical solution supplied to the substrate 10 is maintained or raised until immediately before being sprayed onto the substrate 10. It becomes possible to control the temperature of the set temperature.

특히, 기판(10)에 적용되는 패턴이 미세화될수록, 기판(10)에 공급되는 약액의 온도가 증가하게 된다. 특히 약액으로 인산 수용액을 적용하는 경우, 해당 인산 수용액의 식각률은 온도에 따라 다르게 되며, 특히 기화점 부근에서 증대되는 약액의 식각률을 고려할 때, 본 실시예에서 기판처리장치(1)는 약액의 온도를 약액의 공급 단계에서, 분사단계까지 고온으로 유지하여, 높은 식각률을 구현할 수 있다. In particular, as the pattern applied to the substrate 10 becomes finer, the temperature of the chemical solution supplied to the substrate 10 increases. In particular, when a phosphoric acid aqueous solution is applied as a chemical solution, the etching rate of the phosphoric acid aqueous solution varies depending on the temperature. In particular, considering the etch rate of the chemical solution that increases near the evaporation point, the substrate processing apparatus 1 in this embodiment is the temperature of the chemical solution. By maintaining a high temperature from the supplying step of the chemical solution to the spraying step, it is possible to implement a high etching rate.

또한, 본 실시예에서 기판처리장치(1)는 노즐지지부(400)가 노즐부(200)를 회전 가능하게 지지하므로, 기판(10)에 분사되는 약액의 분사 방향, 분사 각도 등을 조절함으로써, 기판(10)의 형상, 재질 등에 따라 적절한 약액의 분사각을 설정할 수 있다. In addition, in the substrate processing apparatus 1 in this embodiment, since the nozzle support part 400 rotatably supports the nozzle part 200, by adjusting the spraying direction and the spraying angle of the chemical liquid sprayed on the substrate 10, An appropriate injection angle of the chemical solution can be set according to the shape and material of the substrate 10.

또한, 본 실시예에서 기판처리장치(1)는 약액가이드(500)를 포함한다. 약액가이드(500)는 노즐부(200)에서 분사된 약액이 기판(10)과 작용할 때, 고온의 기판(10) 또는 분위기 온도에 의하여 약액의 특성, 특히 농도가 변하는 것을 제한한다. Further, in this embodiment, the substrate processing apparatus 1 includes a chemical liquid guide 500. When the chemical liquid sprayed from the nozzle part 200 acts with the substrate 10, the chemical liquid guide 500 limits the characteristics of the chemical liquid, particularly the concentration, from changing due to the high temperature substrate 10 or ambient temperature.

본 실시예에서 약액가이드(500)는 약액의 수분이 기화되는 경우, 기화된 수분이 외부로 배출되는 것을 차단하고, 또한, 해당 수분을 응축시켜 기판(10) 측으로 전달함으로써, 기판(10)과 작용하는 약액의 수분 비율이 크게 변하는 것을 제한하여, 설정 농도의 약액으로 기판(10)을 처리할 수 있도록 한다. In this embodiment, when the moisture of the chemical solution is vaporized, the chemical guide 500 blocks the vaporized moisture from being discharged to the outside, and also condenses the moisture and transfers the moisture to the substrate 10 side. It is possible to treat the substrate 10 with a chemical liquid having a set concentration by limiting the large change in the moisture ratio of the chemical liquid acting.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 하여 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 기술적 보호범위는 아래의 청구범위에 의해서 정하여져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, this is only illustrative, and those of ordinary skill in the field to which the technology pertains, various modifications and other equivalent embodiments are possible. I will understand. Therefore, the technical protection scope of the present invention should be determined by the following claims.

1: 기판처리장치 10: 기판
10c: 기판의 중심 100: 기판지지부
110: 척부 130: 기판회전부
131: 테이블커버부 133: 척베이스부
135: 지지회전부 150: 테이블부
150c: 테이블부의 중심 151: 테이블
151a: 테이블바디 151b: 테이블중앙부
153: 히터부 154: 히터
155: 반사부 155a: 외측반사부
155b: 내측반사부 155c: 연결반사부
157: 냉각부 157a: 냉각부바디
157b: 냉각유체공급부 157c: 냉각유체배출부
158: 냉각유로 158a: 메인냉각유로
158b: 서브냉각유로 200: 노즐부
210: 노즐바디 211: 분사홀부
230: 노즐가열부 300: 약액저장부
400: 노즐지지부 410: 노즐암부
430: 노즐이동부 431: 수직이동부
433: 수평이동부 433a: 리니어가이드
450: 약액가열부 451: 가열부하우징
451a: 가열유로 453: 가열부유입부
453a: 유입밸브 455: 가열부
457: 노즐연결부 457a: 회전축
458: 온도측정부 459: 온도제어부
500: 약액가이드 510: 분사제한부
511: 분사제한바디 511a: 체결부재
513: 분사제한냉각부 513a: 분사제한냉각핀
513b: 분사제한냉각관 530: 기판제한부
531: 기판제한바디 531a: 약액유입홀부
531b: 유입홀부커버 531c: 유입홀부가이드
535: 기판제한냉각부 535a: 기판제한냉각핀
535b: 기판제한냉각관1: substrate processing apparatus 10: substrate
10c: center of the substrate 100: substrate support
110: chuck part 130: substrate rotation part
131: table cover portion 133: chuck base portion
135: support rotating part 150: table part
150c: center of the table portion 151: table
151a: table body 151b: table center
153: heater unit 154: heater
155: reflection part 155a: outer reflection part
155b: inner reflection part 155c: connection reflection part
157: cooling unit 157a: cooling unit body
157b: cooling fluid supply unit 157c: cooling fluid discharge unit
158: cooling passage 158a: main cooling passage
158b: sub cooling channel 200: nozzle part
210: nozzle body 211: spray hole
230: nozzle heating unit 300: chemical liquid storage unit
400: nozzle support portion 410: nozzle arm portion
430: nozzle moving part 431: vertical moving part
433: horizontal moving part 433a: linear guide
450: chemical liquid heating unit 451: heating load housing
451a: heating flow path 453: heating part inlet
453a: inlet valve 455: heating part
457: nozzle connection 457a: rotating shaft
458: temperature measurement unit 459: temperature control unit
500: chemical liquid guide 510: injection restriction
511: injection limiting body 511a: fastening member
513: limited injection cooling part 513a: limited injection cooling pin
513b: spray restriction cooling pipe 530: substrate restriction portion
531: board limiting body 531a: chemical liquid inflow hole
531b: inlet hole cover 531c: inlet hole guide guide
535: board limit cooling part 535a: board limit cooling pin
535b: substrate limit cooling tube

Claims (22)

기판이 안착되는 기판지지부;
상기 기판에 약액을 분사하는 노즐부;
약액이 수용되는 약액저장부;
상기 노즐부를 지지하며, 상기 약액저장부에서 공급받은 약액을 상기 노즐부에 전달하는 노즐지지부; 및
상기 노즐부에서 분사되는 약액의 이동을 제한하는 약액가이드를 포함하며,
상기 기판지지부는
상기 기판이 안착되는 척부; 및
상기 척부의 일측에 위치하고 상기 기판을 가열하기 위해 구비되는 테이블부를 포함하고,
상기 테이블부는
테이블;
상기 테이블에 결합되고 상기 기판을 가열하기 위한 열원을 제공하는 히터부; 및
상기 테이블에 결합되고 상기 히터부에서 발생되는 열을 반사하여 상기 기판을 가열하도록 마련되며, 상기 히터부의 내측에 위치하는 내측반사부와 상기 히터부의 외측에 위치하는 외측반사부와, 상기 외측반사부와 상기 내측반사부를 연결하는 연결반사부를 구비하는 반사부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
A substrate support on which a substrate is mounted;
A nozzle unit for spraying a chemical solution onto the substrate;
A chemical liquid storage unit accommodating a chemical liquid;
A nozzle support part supporting the nozzle part and transferring the chemical liquid supplied from the chemical liquid storage part to the nozzle part; And
It includes a chemical liquid guide for limiting the movement of the chemical liquid sprayed from the nozzle,
The substrate support part
A chuck on which the substrate is mounted; And
It is located on one side of the chuck and includes a table portion provided to heat the substrate,
The table part
table;
A heater unit coupled to the table and providing a heat source for heating the substrate; And
It is coupled to the table and provided to heat the substrate by reflecting heat generated from the heater unit, an inner reflecting unit positioned inside the heater unit, an outer reflecting unit positioned outside the heater unit, and the outer reflecting unit And a reflecting unit having a connection reflecting unit connecting the inner reflecting unit to the inner reflecting unit.
 제 1항에 있어서,
상기 기판지지부는, 상기 척부를 회전시키는 기판회전부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 1,
The substrate support unit further comprises a substrate rotation unit for rotating the chuck unit.
 제 1항에 있어서, 상기 약액가이드는,
상기 노즐부에 결합되고, 상기 기판 측으로 연장되어, 상기 노즐부에서 분사되는 약액의 이동을 안내하는 분사제한부;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 1, wherein the chemical liquid guide,
A spray limiting unit coupled to the nozzle unit and extending toward the substrate to guide the movement of the chemical liquid injected from the nozzle unit;
A substrate processing apparatus comprising a.
 제 3항에 있어서, 상기 분사제한부는,
상기 노즐부에 결합되며, 상기 기판 측으로 연장되어, 상기 노즐부에서 분사되는 약액의 이동을 제한하는 분사제한바디;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 3, wherein the injection limiting unit,
A spray limiting body coupled to the nozzle part and extending toward the substrate to limit the movement of the chemical liquid sprayed from the nozzle part;
A substrate processing apparatus comprising a.
 제 4항에 있어서, 상기 분사제한바디는,
상기 노즐부에서 상기 기판 측으로 진행하면서, 내측 단면의 폭이 증가하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 4, wherein the injection limiting body,
The substrate processing apparatus, characterized in that formed so as to increase the width of the inner end surface while proceeding from the nozzle part toward the substrate.
 제 4항에 있어서, 상기 분사제한바디는,
상단부가 상기 노즐부에 결합되고, 하단부가 상기 기판 측으로 향하는 원뿔 형상인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 4, wherein the injection limiting body,
A substrate processing apparatus, wherein an upper end portion is coupled to the nozzle portion, and a lower end portion has a conical shape toward the substrate side.
 제 4항에 있어서, 상기 분사제한바디는,
상기 노즐부에 탈착 가능하게 결합되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 4, wherein the injection limiting body,
A substrate processing apparatus, characterized in that it is detachably coupled to the nozzle part.
 제 4항에 있어서, 상기 분사제한부는,
상기 분사제한바디에 결합되어, 상기 분사제한바디를 냉각시키는 분사제한냉각부;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 4, wherein the injection limiting unit,
A spray limiting cooling unit coupled to the spray limiting body to cool the spray limiting body;
A substrate processing apparatus further comprising a.
 제 3항에 있어서, 상기 약액가이드는,
상기 기판에서 이격되게 위치하며, 상기 기판과의 사이에 진입된 약액의 이동을 제한하는 기판제한부;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 3, wherein the chemical liquid guide,
A substrate limiting unit positioned to be spaced apart from the substrate and restricting movement of the chemical liquid introduced therebetween;
A substrate processing apparatus further comprising a.
 제 9항에 있어서, 상기 기판제한부는,
상기 기판으로부터 상기 노즐부 측으로 이격되게 위치하는 기판제한바디;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 9, wherein the substrate limiting unit,
A substrate limiting body positioned to be spaced apart from the substrate toward the nozzle unit;
A substrate processing apparatus comprising a.
 제 10항에 있어서, 상기 기판제한바디는,
상기 기판에 대응하는 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 10, wherein the substrate limiting body,
A substrate processing apparatus, characterized in that formed in a shape corresponding to the substrate.
 제 10항에 있어서, 상기 기판제한바디는,
상기 기판지지부에 탈착 가능하게 결합되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 10, wherein the substrate limiting body,
A substrate processing apparatus, characterized in that it is detachably coupled to the substrate support.
 제 10항에 있어서, 상기 기판제한바디에는,
상기 노즐부에서 분사되는 약액이 상기 기판 측으로 전달될 수 있도록 약액유입홀부가 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 10, wherein the substrate limiting body,
A substrate processing apparatus, characterized in that a chemical liquid inlet hole is formed so that the chemical liquid sprayed from the nozzle part can be transferred to the substrate.
 제 13항에 있어서, 상기 약액유입홀부는,
상기 노즐부의 이동 궤적에 대응하는 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 13, wherein the chemical liquid inlet hole portion,
The substrate processing apparatus, characterized in that formed in a shape corresponding to a movement trajectory of the nozzle unit.
 제 13항에 있어서, 상기 기판제한바디는,
상기 약액유입홀부를 차단하는 유입홀부커버; 및
상기 유입홀부커버를 관통하며, 상기 분사제한부에 연결되어, 상기 노즐부에서 분사되는 약액이, 상기 분사제한부를 거쳐 상기 기판에 전달되도록 안내하는 유입홀부가이드;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 13, wherein the substrate limiting body,
An inlet hole cover blocking the chemical solution inlet hole; And
An inlet hole part guide passing through the inlet hole part cover and connected to the injection limiting part to guide the chemical liquid sprayed from the nozzle part to be transferred to the substrate through the injection limiting part;
A substrate processing apparatus comprising a.
 제 10항에 있어서, 상기 기판제한부는,
상기 기판제한바디에 결합되어, 상기 기판제한바디를 냉각시키는 기판제한냉각부;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 10, wherein the substrate limiting unit,
A substrate restriction cooling unit coupled to the substrate restriction body to cool the substrate restriction body;
A substrate processing apparatus further comprising a.
 제 1항 내지 제 16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 노즐부는,
상기 노즐지지부에 연결되어, 상기 노즐지지부로부터 약액을 공급받으며, 분사홀부를 구비하여 상기 기판에 약액을 분사하는 노즐바디; 및
상기 노즐바디에 결합되어, 상기 노즐바디를 가열하는 노즐가열부;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method according to any one of claims 1 to 16, wherein the nozzle part,
A nozzle body connected to the nozzle support portion, receiving a chemical solution from the nozzle support portion, and having a spray hole portion to spray the chemical solution onto the substrate; And
A nozzle heating unit coupled to the nozzle body to heat the nozzle body;
A substrate processing apparatus comprising a.
 제 1항 내지 제 16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 노즐지지부는,
상기 약액저장부에서 공급받은 약액을 가열하여 상기 노즐부에 전달하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of any one of claims 1 to 16, wherein the nozzle support part,
A substrate processing apparatus, characterized in that the chemical liquid supplied from the chemical liquid storage unit is heated and delivered to the nozzle unit.
 제 18항에 있어서, 상기 노즐지지부는,
상기 노즐부가 결합되는 노즐암부;
상기 노즐암부를 이동시키는 노즐이동부; 및
상기 노즐암부에 결합되며, 상기 약액저장부에 연결되어, 상기 약액저장부로부터 전달받은 약액을 가열하여, 상기 노즐부에 전달하는 약액가열부;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 18, wherein the nozzle support,
A nozzle arm portion to which the nozzle portion is coupled;
A nozzle moving part for moving the nozzle arm part; And
A chemical solution heating unit coupled to the nozzle arm and connected to the chemical solution storage unit to heat the chemical solution received from the chemical solution storage unit and transfer to the nozzle unit;
A substrate processing apparatus comprising a.
 제 19항에 있어서, 상기 약액가열부는,
상기 노즐이동부에 결합되며, 내측에 가열유로가 형성되는 가열부하우징;
상기 약액저장부와 연결되어, 상기 약액저장부로부터 전달받은 약액을 상기 가열유로에 전달하는 가열부유입부;
상기 가열부하우징에 결합되며, 상기 가열유로에 유입된 약액을 가열하는 가열부; 및
상기 가열유로와 상기 노즐부를 연결하여, 상기 가열유로에서 전달받은 약액을 상기 노즐부에 전달하는 노즐연결부;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 19, wherein the chemical liquid heating unit,
A heating load housing coupled to the nozzle moving part and having a heating flow path formed therein;
A heating unit inlet unit connected to the chemical solution storage unit to transfer the chemical solution received from the chemical solution storage unit to the heating passage;
A heating unit coupled to the heating unit housing and heating the chemical liquid introduced into the heating passage; And
A nozzle connection part connecting the heating passage and the nozzle part to deliver the chemical liquid delivered from the heating passage to the nozzle part;
A substrate processing apparatus comprising a.
 제 20항에 있어서, 상기 약액가열부는,
상기 가열부하우징에 유입되는 약액의 온도를 측정하는 온도측정부; 및
상기 온도측정부에서 측정한 온도에 기초하여, 상기 가열부를 제어하여, 약액의 온도가 설정 온도 범위에 들어가도록 하는 온도제어부;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 20, wherein the chemical liquid heating unit,
A temperature measuring unit for measuring the temperature of the chemical liquid introduced into the heating load housing; And
A temperature control unit configured to control the heating unit based on the temperature measured by the temperature measurement unit so that the temperature of the chemical solution falls within a set temperature range;
A substrate processing apparatus further comprising a.
 제 20항에 있어서, 상기 노즐연결부는,
상기 노즐부를 회전 가능하게 지지하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 20, wherein the nozzle connection part,
A substrate processing apparatus comprising rotatably supporting the nozzle unit.
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