KR20170129410A - Illuminating apparatus using light emitting elements - Google Patents
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Abstract
Description
본 개시는 전체적으로 반도체 발광소자 조명장치에 관한 것으로, 구체적으로는 공급되는 전원의 전압의 변화에 따라 순차로 발광하는 반도체 발광소자 조명장치에 관한 것이다. 여기서 반도체 발광소자는 엘이디, 레이저다이오드와 같은 반도체 광소자를 의미한다. 이러한 반도체 발광소자에 형광체가 결합되어 사용될 수 있음은 물론이다.BACKGROUND OF THE
도 1은 종래의 교류 전원을 이용한 반도체 발광소자 조명장치의 일 예를 나타내는 도면으로서, 조명장치는 교류 전원(100), 교류 전원(100)의 전압을 조절하는 저항(110), 그리고 극성을 반대로 하여 병렬연결된 엘이디(120) 및 엘이디(130)를 포함한다. 양의 전류가 흐를 때 엘이디(120)가 발광하며, 음의 전류가 흐를 때 엘이디(130)가 발광한다.FIG. 1 is a diagram showing an example of a conventional semiconductor light emitting device illumination device using an AC power source. The illumination device includes an
도 2는 종래의 교류 전원을 이용한 반도체 발광소자 조명장치의 다른 일 예를 나타내는 도면으로서, 조명장치는 정류 회로(310), 트랜스를 포함하는 스위칭 모드 파워 서플라이(320; SMPS), 복수 발광소자가 직렬연결된 엘이디 어레이(330)가 구비된 발광부(340) 그리고 EMI(Electromagnetic Interference) 필터(350)를 포함한다. 스위칭 모드 파워 서플라이(320)를 통해 적합한 형태로 전원을 변환하여 발광부(340)를 구동한다. 2 is a view showing another example of a conventional semiconductor light emitting device lighting apparatus using an alternating current power source, which includes a rectifying circuit 310, a switching mode power supply 320 (SMPS) including a transformer, A light emitting portion 340 having an LED array 330 connected in series, and an electromagnetic interference (EMI) filter 350. Mode power supply 320 to convert the power supply to a suitable form and drive the light emitting unit 340.
도 3 및 도 4는 미국 공개특허공보 제2010-0194298호에 제시된 교류 전원을 이용한 반도체 발광소자 조명장치의 일 예를 나타내는 도면으로서, 발광소자(600)는 정류 회로(610), 제어회로(620), 그리고 직렬연결된 복수의 엘이디 그룹(631, 632, 633, 634, 635)을 포함한다. 제어회로(620)는 각각의 엘이디 그룹(631, 632, 633, 634, 635)을 발광하도록 제어하는 스위치(Q1, Q2, Q3, Q4, Q5, Q6)를 가진다. 전압이 엘이디 그룹(631)을 On할 수 있는 시간(T1) 및 전압(20V)에 이르면, 스위치(Q1)를 On 상태로 유지시켜, 엘이디 그룹(631)을 거친 전류가 스위치(Q1)를 통해 도통함으로써, 20V부터 40V 사이의 전압에서 엘이디 그룹(631)을 발광시킨다. 엘이디 그룹(631)과 엘이디 그룹(632)을 On할 수 있는 시간(T2) 및 전압(40V)에 이르면, 스위치(Q1)를 Off시키고 스위치(Q2)를 On 상태로 유지시켜, 엘이디 그룹(631) 및 엘이디 그룹(632)를 거친 전류가 스위치(Q2)를 통해 도통함으로써, 40V부터 60V 사이의 전압에서 엘이디 그룹(631) 및 엘이디 그룹(632)을 발광시킨다. 동일한 방식으로 엘이디 그룹(635)까지를 발광시키고, 전압이 감소하면 반대로 스위치를 On/Off 함으로써 순차로 발광을 감소시킨다. 이러한 조명장치에 의하면, 정류된 전류 전체를 발광소자의 발광에 이용할 수 있는 이점을 가진다.3 and 4 are diagrams showing an example of a semiconductor light emitting device lighting apparatus using an AC power source as disclosed in U.S. Patent Application Publication No. 2010-0194298. The
도 5 내지 9는 미국 등록특허공보 제7,439,944호에 제시된 반도체 발광소자 조명장치의 다양한 예를 나타내는 도면으로서, 엘이디 그룹들 사이에 스위치를 구비하여 전압의 변화를 감지하여 이에 따라 스위치를 On/Off할 수 있는 다양한 방식들이 제시되어 있다.FIGS. 5 to 9 are diagrams showing various examples of the semiconductor light emitting device illumination device disclosed in U.S. Patent No. 7,439,944, wherein a switch is provided between the LED groups to detect a change in voltage and turn on / off the switch accordingly There are various ways to be able to do this.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).
본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자 조명장치에 있어서, 직렬로 연결되어 공급되는 전원의 전압의 변화에 따라 순차로 발광하는 n개의 반도체 발광소자 그룹(n≥3); n-2번째 반도체 발광소자 그룹으로부터 n-1번째 반도체 발광소자 그룹으로 이어지는 n-2번째 전류 경로; n-1번째 반도체 발광소자 그룹으로부터 n번째 반도체 발광소자 그룹으로 이어지는 n-1번째 전류 경로; n-2번째 전류 경로로부터 분지되어, n-1번째 반도체 발광소자 그룹을 우회(bypass)하는 우회 전류 경로; n-1번째 전류 경로 상에 위치되어, n-1번째 반도체 발광소자 그룹을 지난 전류가 n번째 반도체 발광소자 그룹을 경유하지 않고 그라운드로 흐르도록 작동할 수 있는 n-1번째 스위치; 그리고, 우회 전류 경로와 n번째 반도체 발광소자 그룹의 전기적 연결을 온-오프하며, 공급되는 전원의 전압이 n-1번째 반도체 발광소자 그룹과 n번째 반도체 발광소자 그룹을 모두를 발광시킬 수는 있는 값에 있을 때 전기적 연결을 오프하는 제어 스위치;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치가 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, in a semiconductor light emitting device lighting apparatus, n semiconductor light emitting element groups (hereinafter referred to as " n " (n? 3); an (n-2) th current path from the (n-2) th semiconductor light emitting element group to the (n-1) th semiconductor light emitting element group; an (n-1) th current path from the (n-1) th semiconductor light emitting element group to the nth semiconductor light emitting element group; a bypass current path branched from the (n-2) th current path and bypassing the (n-1) th semiconductor light emitting element group; an n-1 < th > switch located on an (n-1) -th current path and operable to flow current passing through an (n-1) -th semiconductor light emitting element group to ground without passing through an n-th semiconductor light emitting element group; Then, the electrical connection between the bypass current path and the n-th semiconductor light emitting element group is turned on and off, and the voltage of the supplied power source can emit both the n-1th semiconductor light emitting element group and the n- And a control switch for turning off an electrical connection when the current value is in a predetermined value.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.
도 1은 종래의 교류 전원을 이용한 반도체 발광소자 조명장치의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 종래의 교류 전원을 이용한 반도체 ㅇ발광소자 조명장치의 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 3 및 도 4는 미국 공개특허공보 제2010-0194298호에 제시된 교류 전원을 이용한 반도체 발광소자 조명장치의 일 예를 나타내는 도면,
도 5 내지 9는 미국 등록특허공보 제7,439,944호에 제시된 반도체 발광소자 조명장치의 다양한 예를 나타내는 도면,
도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 조명장치의 일 예를 나타내는 도면,
도 11 내지 도 13은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 조명장치의 동작의 일 예를 설명하는 도면.1 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device illumination device using an AC power source,
BACKGROUND OF THE
FIGS. 3 and 4 are views showing an example of a semiconductor light emitting device lighting device using an AC power source as disclosed in U.S. Patent Application Publication No. US2004 /
5 to 9 are diagrams showing various examples of the semiconductor light emitting device illumination device disclosed in U.S. Patent No. 7,439,944,
10 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device illumination device according to the present disclosure,
11 to 13 are diagrams for explaining an example of the operation of the semiconductor light emitting device illumination apparatus according to the present disclosure;
이하, 본 개시에 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings attached hereto. (The present disclosure will be described in detail with reference to the drawing (s)).
도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 조명장치의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자 조명장치는 4개의 반도체 발광소자 그룹(11,12,13,14), 4개의 전류 경로(21,22,23,24), 우회 전류 경로(25), 4개의 스위치(31,32,33,34), 제어 스위치(35), 우회 스위치(36), 제어회로(40) 그리고, 차단 수단(50)을 포함한다.10 is a diagram showing an example of a semiconductor light emitting device illumination apparatus according to the present disclosure, in which the semiconductor light emitting device illumination apparatus includes four semiconductor light
4개의 반도체 발광소자 그룹(11,12,13,14)은 LED로 구성될 수 있으며, 각각의 반도체 발광소자 그룹(11,12,13,14)은 적어도 하나의 이상의 LED로 구성된다. 본 개시에 따른 반도체 발광소자 조명장치는 n개의 그룹(n≥3)으로 이루어질 수 있으며, n-1번째 반도체 발광소자 그룹과 n번째 반도체 발광소자 그룹은 병렬 연결시 동일한 전압으로 구동될 수 있도록 동일 수의 LED로 구성되는 것이 바람직하다.The four semiconductor light
4개의 전류 경로(21,22,23,24)에서, 1번째 전류 경로(21)가 1번째 반도체 발광소자 그룹(11)으로부터 2번째 반도체 발광소자 그룹(12)으로 이어져서, 양자를 전기적으로 연결하고 있고, 2번째 전류 경로(22)가 2번째 반도체 발광소자 그룹(12)으로부터 3번째 반도체 발광소자 그룹(13)으로 이어져서, 양자를 전기적으로 연결하고 있으며, 3번째 전류 경로(23)가 3번째 반도체 발광소자 그룹(13)으로부터 4번째 반도체 발광소자 그룹(14)으로 이어져서, 양자를 전기적으로 연결하고 있고, 4번째 전류 경로(24)가 4번째 반도체 발광소자 그룹(14)으로부터 그라운드(도시 생략)로 이어져 있다. n개(n≥3)의 반도체 발광소자 그룹이 구비될 때, 이에 대응하여 n개의 전류 경로가 구비될 수 있다.In the four
우회 전류 경로(25)는 2번째 전류 경로(22)로부터 분지되어, 3번째 반도체 발광소자 그룹(13)을 우회(bypass)하는 전류 경로이다. n개(n≥3)의 반도체 발광소자 그룹이 구비될 때, 우회 전류 경로(25)는 n-2번째 전류 경로로부터 분지되어, n-1번째 반도체 발광소자 그룹을 우회한다.The bypass
4개의 스위치(31,32,33,34)에서, 1번째 스위치(31)는 1번째 전류 경로(21) 상에 위치되어, 1번째 반도체 발광소자 그룹(11)을 지난 전류가 2번째 반도체 발광소자 그룹(12)을 경유하지 않고 그라운드(도시 생략)로 흐르도록 작동할 수 있고, 2번째 스위치(32)는 2번째 전류 경로(22) 상에 위치되어, 2번째 반도체 발광소자 그룹(12)을 지난 전류가 3번째 반도체 발광소자 그룹(13)을 경유하지 않고 그라운드(도시 생략)로 흐르도록 작동할 수 있으며, 3번째 스위치(33)는 3번째 전류 경로(23) 상에 위치되어, 3번째 반도체 발광소자 그룹(13)을 지난 전류가 4번째 반도체 발광소자 그룹(14)을 경유하지 않고 그라운드(도시 생략)로 흐르도록 작동할 수 있고, 4번째 스위치(34)는 4번째 전류 경로(24) 상에 위치되어 4번째 전류 경로(24)를 on-off하여 4번째 반도체 발광소자 그룹(14)을 지난 전류가 그라운드(도시 생략)로 흐르도록 동작할 수 있으며, 전류량 조절이 필요하지 않은 경우에 생략될 수도 있다. n개(n≥3)의 반도체 발광소자 그룹이 구비될 때, 이에 대응하여 n개의 스위치가 구비될 수 있으며, n번째 스위치는 생략될 수 있다.In the four
제어 스위치(35)는 우회 전류 경로(25)와 4번째 반도체 발광소자 그룹(14)의 전기적 연결을 온-오프하며, 공급되는 전원(1)의 전압이 3번째 반도체 발광소자 그룹(13)과 4번째 반도체 발광소자 그룹(14)을 모두를 발광시킬 수는 있는 값에 있을 때 전기적 연결을 오프할 수 있다. n개(n≥3)의 반도체 발광소자 그룹이 구비될 때, 제어 스위치(35)는 우회 전류 경로와 n번째 반도체 발광소자 그룹의 전기적 연결을 온-오프하며, 공급되는 전원(1)의 전압이 n-1번째 반도체 발광소자 그룹과 n번째 반도체 발광소자 그룹을 모두를 발광시킬 수는 있는 값에 있을 때 전기적 연결을 오프할 수 있다. 전원(1)은 브릿지 다이오드와 같은 정류 회로(도시 생략)를 통해 정류되어, 4개의 반도체 발광소자 그룹(11,12,13,14)으로 공급된다.The
우회 스위치(36)는 전기적 연결이 온되었을 때(제어 스위치(35)가 온되었을 때) 4번째 반도체 발광소자 그룹(14)을 지난 전류가 흐르도록 4번째 스위치(34)와 별도로 구비될 수 있다. n개(n≥3)의 반도체 발광소자 그룹이 구비될 때, n번째 전류 경로 상에 구비된다.The
제어회로(40; 예: IC 회로)는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 조명장치의 전체 작동을 제어하며, 4개의 전류 경로(21,22,23,24) 및 우회 전류 경로(25)를 흐르는 전류를 조절하도록 동작할 수 있다. 제어회로(40)는 4개의 스위치(31,32,33,34)를 일부로서 포함할 수 있다.The control circuit 40 (e.g., an IC circuit) controls the overall operation of the semiconductor light emitting device illumination device according to the present disclosure and controls the current flowing through the four
차단 수단(50)은 3번째 전류 경로(23) 상에 구비되어, 우회 전류 경로(25)를 지난 전류가 3번째 반도체 발광소자 그룹(13)으로 흐르는 것을 차단한다. n개(n≥3)의 반도체 발광소자 그룹이 구비될 때, 우회 전류 경로(25)를 지난 전류가 n-1번째 반도체 발광소자 그룹으로 흐르는 것을 차단한다. 예를 들어, 도 5에 제시된 형태의 스위치 구조가 4개의 스위치(31,32,33,34) 및 우회 스위치(36)의 구조(트랜지스터 스위치, OP-amp, 센싱 저항)로 이용될 수 있다. 제어 스위치(35)는 BJT, JFET, MOSFET과 같은 트랜지스터로 구성될 수 있다. 차단 수단(50)는 주 전류의 흐름과 반대되는 방향으로만 차단을 해야 효율적이므로, 단방향 다이오드를 사용하여 구현할 수 있다. 예를 들어, 순방향 턴온 전압이 작은 쇼트키(schottky) 다이오드를 사용할 수 있다. 순방향 턴온 전압이 클수록 3번째 반도체 발광소자 그룹(13)과 4번째 반도체 발광소자 그룹(14) 사이의 턴온 미스매치(mismatch)가 커져 발광효율에 작게나마 부정적 영향을 주기 때문입니다.The
도 11 내지 도 13은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 조명장치의 동작의 일 예를 설명하는 도면으로서, 도 11에 도시된 바와 같이, 공급되는 전원(1)의 전압이 상승하여, 시간(T1)에 이르면, 1번째 스위치(31; ID1; 도 10 참조)가 On 상태를 유지하고, 도 12에 도시된 바와 같이, 1번째 반도체 발광소자 그룹(11)이 발광한다.11 to 13 are diagrams for explaining an example of the operation of the semiconductor light emitting device lighting apparatus according to the present disclosure. As shown in FIG. 11, when the voltage of the supplied
시간(T2)에 이르면, 2번째 스위치(32; ID2)가 On 상태에 있고, 1번째 스위치(31; ID1)가 Off 상태에 있게 되어, 1번째 반도체 발광소자 그룹(11)과 2번째 반도체 발광소자 그룹(12)이 발광한다.When the time T2 is reached, the second switch 32 (ID2) is in the ON state and the first switch 31 (ID1) is in the OFF state, so that the first semiconductor light
시간(T3)에 이르면, 3번째 스위치(33; ID3)가 On 상태에 있고, 1번째 스위치(31; ID1)와 2번째 스위치(32; ID2)가 Off 상태에 있게 되어, 1번째 반도체 발광소자 그룹(11), 2번째 반도체 발광소자 그룹(12) 및 3번째 반도체 발광소자 그룹(13)이 발광하고, 경로(Path 1)로 전류가 흐른다. 이와 함께, 제어 스위치(35) 와 우회 스위치(35; ID3')가 On 상태에 있게 되고(우회 스위치(35; ID3')가 별도로 구비되지 않는 경우에는 제어 스위치(35)와 4번째 스위치(34; ID4)가 On 상태에 있게 되고), 4번째 반도체 발광소자 그룹(14)도 발광하며, 경로(Path 2)로 전류가 흐른다.When the time T3 is reached, the third switch 33 (ID3) is in the ON state and the first switch 31 (ID1) and the second switch 32 (ID2) are in the OFF state, The
시간(T4)에 이르면, 4번째 스위치(34; ID4)가 On 상태에 있고, 1번째 스위치(31; ID1), 2번째 스위치(32; ID2) 및 3번째 스위치(33; ID3)가 Off 상태에 있게 되어, 1번째 반도체 발광소자 그룹(11), 2번째 반도체 발광소자 그룹(12), 3번째 반도체 발광소자 그룹(13) 및 4번째 반도체 발광소자 그룹(14)이 발광하고, 경로(Path 3)로 전류가 흐른다. 이와 함께, 제어 스위치(35)와 우회 스위치(35; ID3')가 Off 상태에 있게 된다(우회 스위치(35; ID3')가 별도로 구비되지 않는 경우에는 제어 스위치(35)가 Off 상태에 있게 된다).When the fourth switch 34 (ID4) is in the On state and the first switch 31 (ID1), the second switch 32 (ID2) and the third switch 33 (ID3) are in the Off state The first semiconductor light
전압이 하강함에 따라, 반대로 4개의 반도체 발광소자 그룹(11,12,13,14)이 발광을 중단한다.As the voltage falls, the four semiconductor light
초기에 4개의 스위치(31,32,33,34) 및 우회 스위치(36)가 On 상태에 있다면, 전압이 상승함에 따라, 1번째 스위치(31; ID1)는 2번째 스위치(32; ID2)로 흐르는 전류 또는 전압 정보(S1)를 받아 Off될 수 있고, 2번째 스위치(32; ID2)는 3번째 스위치(33; ID3)로 흐르는 전류 또는 전압 정보(S2)를 받아 Off될 수 있으며, 3번째 스위치(33; ID3)와 우회 스위치(36; ID3')는 4번째 스위치(34; ID4)로 흐르는 전류 또는 전압 정보(S3,S4)를 받아 각각 Off될 수 있다. 한편, 제어회로(40)는 3번째 반도체 발광소자 그룹(13)이 발광될 때, 3번째 전류 경로(23)의 전류 또는 전압 정보(S5)를 받아 제어 스위치(35)를 On시킬 수 있고, 4번째 전류 경로(24)를 흐르는 전류 또는 전압 정보(S6)를 받아 제어 스위치(35)를 Off시킬 수 있다. 입력되는 전원(1)의 전압 및 전류의 감지, 각 전류 경로 상의 전압 및 전류의 감지, 각 스위치의 온-오프 타이밍 제어 등은 이미 잘 알려진 기술이며, 도 3 내지에 도 9에 도시된 바와 같이, 이에 관련된 다양한 기술이 미국 공개특허공보 제2010-0194298호 및 미국 등록특허공보 제7,439,944호 등에 제시되어 있다.When the four
도 13에 도시된 바와 같이, 시간(T2)으로부터 시작하는 구간에서, 3번째 반도체 발광소자 그룹(13)을 통해 흐르는 전류의 값과 4번째 반도체 발광소자 그룹(14)을 통해 흐르는 전류의 값이, 각각 입력되는 전류의 값보다 작은 값을 가지도록 제어회로(40)에 의해 제어되며, 바람직하게는 입력되는 전류 값의 1/2이 되도록 함으로써, 3번째 반도체 발광소자 그룹(13)과 4번째 반도체 발광소자 그룹(14)이 동일 숫자의 반도체 발광소자 또는 동일한 구동 전압을 가지는 경우에 양자가 동일한 광출력을 갖게 하여 발광 편차를 감소시킬 수 있는 이점을 가진다. 또한 고전력(high power)으로 구동될 때, 시간(T2)으로부터 시작하는 구간에서, 3번째 반도체 발광소자 그룹(13) 및 4번째 반도체 발광소자 그룹(14)을 흐르는 전류량을 줄일 수 있게 되어, 반도체 발광소자의 광출력 droop을 현상을 감소시킬 수 있게 된다.13, the value of the current flowing through the third semiconductor light-emitting
이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Various embodiments of the present disclosure will be described below.
(1) 반도체 발광소자 조명장치에 있어서, 직렬로 연결되어 공급되는 전원의 전압의 변화에 따라 순차로 발광하는 n개의 반도체 발광소자 그룹(n≥3); n-2번째 반도체 발광소자 그룹으로부터 n-1번째 반도체 발광소자 그룹으로 이어지는 n-2번째 전류 경로; n-1번째 반도체 발광소자 그룹으로부터 n번째 반도체 발광소자 그룹으로 이어지는 n-1번째 전류 경로; n-2번째 전류 경로로부터 분지되어, n-1번째 반도체 발광소자 그룹을 우회(bypass)하는 우회 전류 경로; n-1번째 전류 경로 상에 위치되어, n-1번째 반도체 발광소자 그룹을 지난 전류가 n번째 반도체 발광소자 그룹을 경유하지 않고 그라운드로 흐르도록 작동할 수 있는 n-1번째 스위치; 그리고, 우회 전류 경로와 n번째 반도체 발광소자 그룹의 전기적 연결을 온-오프하며, 공급되는 전원의 전압이 n-1번째 반도체 발광소자 그룹과 n번째 반도체 발광소자 그룹을 모두를 발광시킬 수는 있는 값에 있을 때 전기적 연결을 오프하는 제어 스위치;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.(1) In a semiconductor light emitting device lighting device, n semiconductor light emitting device groups (n? 3) sequentially emitting light in accordance with a change in the voltage of a power supply connected in series; an (n-2) th current path from the (n-2) th semiconductor light emitting element group to the (n-1) th semiconductor light emitting element group; an (n-1) th current path from the (n-1) th semiconductor light emitting element group to the nth semiconductor light emitting element group; a bypass current path branched from the (n-2) th current path and bypassing the (n-1) th semiconductor light emitting element group; an n-1 < th > switch located on an (n-1) -th current path and operable to flow current passing through an (n-1) -th semiconductor light emitting element group to ground without passing through an n-th semiconductor light emitting element group; Then, the electrical connection between the bypass current path and the n-th semiconductor light emitting element group is turned on and off, and the voltage of the supplied power source can emit both the n-1th semiconductor light emitting element group and the n- And a control switch for turning off an electrical connection when the voltage is at a predetermined value.
(2) 전기적 연결이 온되었을 때, n-1번째 반도체 발광소자 그룹을 흐르는 전류의 값과 n번째 반도체 발광소자 그룹을 흐르는 전류의 값이, 각각 입력되는 전류의 값보다 작은 값을 가지도록 제어하는 제어회로;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.(2) When the electrical connection is on, the value of the current flowing through the (n-1) th semiconductor light emitting element group and the value of the current flowing through the nth semiconductor light emitting element group are controlled to be smaller than the value of the input current And a control circuit for controlling the semiconductor light emitting device.
(3) 전기적 연결이 온되었을 때, n번째 반도체 발광소자 그룹을 지난 전류가 흐르는 우회 스위치;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.(3) a detour switch through which an electric current passes through an n-th semiconductor light emitting element group when an electrical connection is turned on.
(4) 전기적 연결이 온되었을 때, n-1번째 반도체 발광소자 그룹을 흐르는 전류의 값과 n번째 반도체 발광소자 그룹을 흐르는 전류의 값이, 각각 입력되는 전류의 값의 1/2 값을 가지도록 제어하는 제어회로;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.(4) When the electrical connection is on, the value of the current flowing through the (n-1) th semiconductor light emitting element group and the value of the current flowing through the nth semiconductor light emitting element group have a value of 1/2 And a control circuit for controlling the semiconductor light emitting device.
(5) 우회 전류 경로를 지난 전류가 n-1번째 반도체 발광소자 그룹으로 흐르는 것을 차단하도록 n-1번째 전류 경로 상에 위치하는 차단 수단;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명 장치.(5) blocking means located on the (n-1) th current path so as to block the current passing through the bypass current path from flowing into the (n-1) th semiconductor light emitting element group.
(6) 전기적 연결이 온되었을 때 n번째 반도체 발광소자 그룹을 흐르는 전류의 값보다, 전기적 연결이 오프되었을 때 n번째 반도체 발광소자 그룹을 흐르는 전류의 값이 큰 값을 가지도록 제어하는 제어회로;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.(6) a control circuit for controlling the current flowing through the n-th semiconductor light-emitting element group to have a larger value when the electrical connection is off than the value of the current flowing through the n-th semiconductor light-emitting element group when the electrical connection is on; Wherein the semiconductor light emitting device is a semiconductor light emitting device.
(7) 전기적 연결이 온되었을 때 n-1번째 반도체 발광소자 그룹과 n번째 반도체 발광소자 그룹은 병렬 연결되고, 전기적 연결이 오프되었을 때 n-1번째 반도체 발광소자 그룹과 n번째 반도체 발광소자 그룹은 직렬 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.(7) When the electrical connection is on, the (n-1) th semiconductor light emitting element group and the (n) th semiconductor light emitting element group are connected in parallel, and when the electrical connection is off, Are connected in series.
(8) 우회 전류 경로는 지난 전류가 n-1번째 반도체 발광소자 그룹으로 흐르는 것을 차단하도록 n-1번째 전류 경로 상에 위치하는 차단 수단;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명 장치.(8) the bypass current path includes blocking means located on the (n-1) th current path so as to block the current flowing into the (n-1) th semiconductor light emitting element group.
본 개시에 따른 하나의 반도체 발광소자 조명장치에 의하면, 공급되는 전원의 전압의 변화에 따라 복수의 반도체 발광소자 그룹을 순차로 발광시킬 수 있게 된다.According to one semiconductor light emitting device lighting apparatus of the present disclosure, a plurality of semiconductor light emitting element groups can be sequentially emitted according to a change in the voltage of a power source to be supplied.
본 개시에 따른 또 다른 하나의 반도체 발광소자 조명장치에 의하면, 교류 전원의 전압이 일정하지 않은 경우에도, n번째 반도체 발광소자 그룹을 발광에 이용할 수 있게 된다.According to another semiconductor light emitting device lighting apparatus according to the present disclosure, even when the voltage of the AC power source is not constant, the nth semiconductor light emitting element group can be used for light emission.
본 개시에 따른 또 다른 하나의 반도체 발광소자 조명장치에 의하면, 고전력을 이용할 때에도, 반도체 발광소자의 droop 현상을 막아, 광 효율을 향상시킬 수 있게 된다.According to another semiconductor light emitting device lighting apparatus according to the present disclosure, droop phenomenon of the semiconductor light emitting device can be prevented and light efficiency can be improved even when high power is used.
본 개시에 따른 또 다른 하나의 반도체 발광소자 조명장치에 의하면, 병렬 연결된 n-1번째 반도체 발광소자 그룹과 n번째 반도체 발광소자 그룹에 공급되는 전류량을 입력되는 전류량보다 작게 조절함으로써, 역률을 유지할 수 있게 된다. 이는 n-1번째 반도체 발광소자 그룹의 전류 흐름 경로와 n번째 반도체 발광소자 그룹의 전류 흐름 경로를 독립적으로 형성함으로써, 가능한 것이다.According to another semiconductor light emitting device lighting apparatus according to the present disclosure, by controlling the amount of current supplied to the n-1 < th > semiconductor light emitting element group and the n < th > semiconductor light emitting element group to be smaller than the input current amount, . This is possible by independently forming the current flow path of the (n-1) th semiconductor light emitting element group and the current flow path of the nth semiconductor light emitting element group.
반도체 발광소자 그룹(11,12,13,14), 전류 경로(21,22,23,24), 우회 전류 경로(25), 스위치(31,32,33,34), 제어 스위치(35), 우회 스위치(36), 제어회로(40), 차단 수단(50)The
Claims (10)
직렬로 연결되어 공급되는 전원의 전압의 변화에 따라 순차로 발광하는 n개의 반도체 발광소자 그룹(n≥3);
n-2번째 반도체 발광소자 그룹으로부터 n-1번째 반도체 발광소자 그룹으로 이어지는 n-2번째 전류 경로;
n-1번째 반도체 발광소자 그룹으로부터 n번째 반도체 발광소자 그룹으로 이어지는 n-1번째 전류 경로;
n-2번째 전류 경로로부터 분지되어, n-1번째 반도체 발광소자 그룹을 우회(bypass)하는 우회 전류 경로;
n-1번째 전류 경로 상에 위치되어, n-1번째 반도체 발광소자 그룹을 지난 전류가 n번째 반도체 발광소자 그룹을 경유하지 않고 그라운드로 흐르도록 작동할 수 있는 n-1번째 스위치; 그리고,
우회 전류 경로와 n번째 반도체 발광소자 그룹의 전기적 연결을 온-오프하며, 공급되는 전원의 전압이 n-1번째 반도체 발광소자 그룹과 n번째 반도체 발광소자 그룹을 모두를 발광시킬 수는 있는 값에 있을 때 전기적 연결을 오프하는 제어 스위치;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.In a semiconductor light emitting device illumination device,
N semiconductor light emitting element groups (n > = 3) sequentially emitting light in accordance with a change in voltage of a power supply connected in series;
an (n-2) th current path from the (n-2) th semiconductor light emitting element group to the (n-1) th semiconductor light emitting element group;
an (n-1) th current path from the (n-1) th semiconductor light emitting element group to the nth semiconductor light emitting element group;
a bypass current path branched from the (n-2) th current path and bypassing the (n-1) th semiconductor light emitting element group;
an n-1 < th > switch located on an (n-1) -th current path and operable to flow current passing through an (n-1) -th semiconductor light emitting element group to ground without passing through an n-th semiconductor light emitting element group; And,
The on-off current path and the n-th semiconductor light emitting element group are turned on and off, and the voltage of the power supply is set to a value capable of emitting both the n-1th semiconductor light emitting element group and the nth semiconductor light emitting element group And a control switch for turning off an electrical connection when the semiconductor light emitting device is turned on.
전기적 연결이 온되었을 때, n-1번째 반도체 발광소자 그룹을 흐르는 전류의 값과 n번째 반도체 발광소자 그룹을 흐르는 전류의 값이, 각각 입력되는 전류의 값보다 작은 값을 가지도록 제어하는 제어회로;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.The method according to claim 1,
A control circuit for controlling the value of the current flowing through the (n-1) th semiconductor light emitting element group and the value of the current flowing through the nth semiconductor light emitting element group to be smaller than the value of the input current when the electrical connection is on, And a light emitting diode (LED).
전기적 연결이 온되었을 때, n번째 반도체 발광소자 그룹을 지난 전류가 흐르는 우회 스위치;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.The method of claim 2,
And a detour switch through which the current passing through the n-th semiconductor light emitting element group flows when the electrical connection is turned on.
전기적 연결이 온되었을 때, n-1번째 반도체 발광소자 그룹을 흐르는 전류의 값과 n번째 반도체 발광소자 그룹을 흐르는 전류의 값이, 각각 입력되는 전류의 값의 1/2 값을 가지도록 제어하는 제어회로;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.The method according to claim 1,
When the electrical connection is on, control is performed such that the value of the current flowing through the (n-1) th semiconductor light emitting element group and the value of the current flowing through the nth semiconductor light emitting element group have 1/2 of the value of the input current And a control circuit for controlling the operation of the semiconductor light emitting device.
우회 전류 경로를 지난 전류가 n-1번째 반도체 발광소자 그룹으로 흐르는 것을 차단하도록 n-1번째 전류 경로 상에 위치하는 차단 수단;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명 장치.The method according to claim 1,
And a blocking means located on the (n-1) th current path so as to block the current passing through the bypass current path from flowing into the (n-1) th semiconductor light emitting element group.
전기적 연결이 온되었을 때 n번째 반도체 발광소자 그룹을 흐르는 전류의 값보다, 전기적 연결이 오프되었을 때 n번째 반도체 발광소자 그룹을 흐르는 전류의 값이 큰 값을 가지도록 제어하는 제어회로;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치. The method according to claim 1,
And a control circuit for controlling the value of the current flowing through the n-th semiconductor light-emitting element group when the electrical connection is off, to be larger than the value of the current flowing through the n-th semiconductor light-emitting element group when the electrical connection is on Wherein the semiconductor light emitting device is a semiconductor light emitting device.
제어회로는 전기적 연결이 온되었을 때 n-1번째 반도체 발광소자 그룹을 흐르는 전류의 값과 n번째 반도체 발광소자 그룹을 흐르는 전류의 값이, 각각 입력되는 전류의 값보다 작은 값을 가지도록 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.The method of claim 6,
The control circuit controls the value of the current flowing through the (n-1) th semiconductor light emitting element group and the value of the current flowing through the nth semiconductor light emitting element group to be smaller than the value of the input current when the electrical connection is on Wherein the semiconductor light emitting device is a semiconductor light emitting device.
전기적 연결이 온되었을 때 n-1번째 반도체 발광소자 그룹과 n번째 반도체 발광소자 그룹은 병렬 연결되고, 전기적 연결이 오프되었을 때 n-1번째 반도체 발광소자 그룹과 n번째 반도체 발광소자 그룹은 직렬 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.The method according to claim 1,
When the electrical connection is on, the (n-1) -th semiconductor light-emitting element group and the n-th semiconductor light-emitting element group are connected in parallel, and when the electrical connection is off, the n- Wherein the semiconductor light-emitting device illuminates the semiconductor light-emitting device.
전기적 연결이 온되었을 때 n-1번째 반도체 발광소자 그룹과 n번째 반도체 발광소자 그룹은 병렬 연결되고, 전기적 연결이 오프되었을 때 n-1번째 반도체 발광소자 그룹과 n번째 반도체 발광소자 그룹은 직렬 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.The method of claim 7,
When the electrical connection is on, the (n-1) -th semiconductor light-emitting element group and the n-th semiconductor light-emitting element group are connected in parallel, and when the electrical connection is off, the n- Wherein the semiconductor light-emitting device illuminates the semiconductor light-emitting device.
우회 전류 경로는 지난 전류가 n-1번째 반도체 발광소자 그룹으로 흐르는 것을 차단하도록 n-1번째 전류 경로 상에 위치하는 차단 수단;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명 장치.The method of claim 9,
And the blocking current path is located on the (n-1) th current path so as to block the current from flowing into the (n-1) th semiconductor light emitting element group.
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