JP6441613B2 - Control circuit for lighting device - Google Patents

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Description

本発明は、電源に直流電圧を用いる、直流を給電するシステムに特化した照明装置用の制御回路に関する。 The present invention relates to a control circuit for an illuminating device specialized in a system for supplying direct current using a direct current voltage as a power source.

近年のLED(=発光ダイオード)技術の進化に伴い、LED照明装置は、様々なものが販売されている。そのためLED照明装置には、小型化、高効率化、低価格化等が要求される。 With the recent evolution of LED (= light emitting diode) technology, various LED lighting devices are being sold. Therefore, LED lighting devices are required to be downsized, highly efficient, and low in price.

直流電圧を電源とするLED照明装置の電源供給元は、1つとは限らず、近年の省エネ意識の高まりにより、再生可能エネルギーである太陽光発電電力や、各種バッテリー電力等、多岐にわたる。 The number of power sources for LED lighting devices that use DC voltage as a power source is not limited to one, but due to the recent increase in energy conservation awareness, there are a wide variety of sources such as photovoltaic power generation that is renewable energy and various types of battery power.

これらの電源から出力される直流電圧の違いに対しては、電源変換ユニットを用いることで対応していた。しかし、電源変換ユニットを用いる構成では、変換によるロスが発生し、効率が低下する問題があった。 The difference in the DC voltage output from these power supplies was dealt with by using a power conversion unit. However, in the configuration using the power conversion unit, there is a problem that loss due to conversion occurs and efficiency decreases.

また、電源変換ユニットの多くは、ある周波数でスイッチングして、出力を一定に保つ構成である。このような電源変換ユニットは、スイッチング動作により、電磁ノイズが発生するという大きなデメリットがあった。 Many of the power conversion units are configured to switch at a certain frequency to keep the output constant. Such a power conversion unit has a great demerit that electromagnetic noise is generated by a switching operation.

一方、電源変換ユニットを使用しない構成では、一定の範囲の直流電圧に対しては、LEDに流れる電流を一定に保つことは可能であるが、直流電圧のわずかな変動に対して、LEDに流れる電流が大きく変動してしまう。そのため、LED照明から出力される光の質が低下したり、LEDの寿命が短縮される。また、電圧が低下するとLEDが消灯してしまうため、広範囲の電源電圧に対応させることができないという難点があった。 On the other hand, in a configuration that does not use a power conversion unit, it is possible to keep the current flowing through the LED constant for a certain range of DC voltage, but it flows through the LED against slight fluctuations in the DC voltage. The current fluctuates greatly. As a result, the quality of the light output from the LED lighting is reduced and the lifetime of the LED is shortened. Moreover, since the LED is turned off when the voltage is lowered, there is a problem that it is impossible to cope with a wide range of power supply voltages.

従って、電源変換ユニットを用いることなく、幅広い電源電圧に対応可能なLED照明装置用の制御回路が望まれている。特許文献1では、電源電圧の増減に合わせてLEDの点灯と消灯を制御することによって、幅広い電源電圧に対応しながら、LEDに流れる電流を一定に保つ構成が開示されている。 Therefore, there is a demand for a control circuit for an LED lighting device that can handle a wide range of power supply voltages without using a power supply conversion unit. Patent Document 1 discloses a configuration in which the current flowing through the LED is kept constant while supporting a wide range of power supply voltages by controlling the turning on and off of the LEDs in accordance with the increase and decrease of the power supply voltage.

特開2013−179279号公報JP 2013-179279 A

しかしながら、特許文献1の構成では、電源電圧が低下すると、電圧下位から上位へ順にLEDが消灯していくため、LED照明装置のLEDの中で電圧下位側のまとまったエリアのLEDが消灯してしまい、LED照明装置としては、明るさの偏りが生じるという外観上の不都合があった。 However, in the configuration of Patent Document 1, when the power supply voltage is lowered, the LEDs are turned off in order from the lower voltage to the higher voltage. As a result, the LED lighting device has a disadvantage in appearance that uneven brightness occurs.

そこで本発明は、上述の如き課題を解決するものとして、幅広い電源電圧に対応可能で、かつ明るさの偏りが生じない照明装置用の制御回路を提供することを目的とする。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a control circuit for a lighting device that can deal with a wide range of power supply voltages and that does not cause unevenness in brightness.

請求項1の発明は、
半導体発光素子の動作を制御する照明装置用の制御回路であって、
直流電圧を印加する直流電源と、
発光素子が直列接続された第1電流路と、
前記発光素子から出力された光を受け取る受光素子が直列接続された第2電流路と、
半導体発光素子が同一極性方向に直列接続された第3電流路と、
前記半導体発光素子より電位が低い位置で第3電流路に接続されると共に、前記発光素子に接続される半導体制御素子と、
前記半導体発光素子に対して、所定の間隔毎に、並列に接続されると共に、前記受光素子と接続される半導体素子とを備え、
前記直流電圧の変動に応じて、前記半導体素子を制御し、前記第3電流路に流れる電流を制御する、照明装置用の制御回路とした。
The invention of claim 1
A control circuit for a lighting device that controls the operation of a semiconductor light emitting element,
A DC power supply for applying a DC voltage;
A first current path in which light emitting elements are connected in series;
A second current path in which light receiving elements that receive light output from the light emitting elements are connected in series;
A third current path in which semiconductor light emitting elements are connected in series in the same polarity direction;
A semiconductor control element connected to the third current path at a lower potential than the semiconductor light emitting element and connected to the light emitting element;
With respect to the semiconductor light emitting element, a semiconductor element connected in parallel at a predetermined interval and connected to the light receiving element,
A control circuit for a lighting device that controls the semiconductor element in accordance with the fluctuation of the DC voltage and controls the current flowing through the third current path.

請求項2の発明は、
半導体発光素子の動作を制御する照明装置用の制御回路であって、
当該制御回路は、
直流電圧を印加する直流電源と、
半導体発光素子が発光する発光ブロックと、
前記発光ブロックを制御し、前記発光ブロックより電位が低い位置に設けられている制御ブロックとを有し、
前記発光ブロックは、
発光素子が直列接続された第1電流路と、
前記発光素子から出力された光を受け取る受光素子が直列接続された第2電流路と、
半導体発光素子が同一極性方向に直列接続された第3電流路と、
前記半導体発光素子に対して、所定の間隔毎に、並列に接続されると共に、前記受光素子と接続される半導体素子とを備え、
前記制御ブロックは、
前記半導体発光素子より電位が低い位置で第3電流路に接続されると共に、前記発光素子に接続される半導体制御素子を備え、
前記直流電圧の変動に応じて、前記半導体素子を制御し、前記第3電流路に流れる電流を制御する、照明装置用の制御回路とした。
The invention of claim 2
A control circuit for a lighting device that controls the operation of a semiconductor light emitting element,
The control circuit is
A DC power supply for applying a DC voltage;
A light-emitting block that emits light from the semiconductor light-emitting element;
A control block that controls the light emission block and is provided at a position where the potential is lower than the light emission block;
The light emitting block is:
A first current path in which light emitting elements are connected in series;
A second current path in which light receiving elements that receive light output from the light emitting elements are connected in series;
A third current path in which semiconductor light emitting elements are connected in series in the same polarity direction;
With respect to the semiconductor light emitting element, a semiconductor element connected in parallel at a predetermined interval and connected to the light receiving element,
The control block is
A semiconductor control element connected to the third current path at a lower potential than the semiconductor light emitting element and connected to the light emitting element;
A control circuit for a lighting device that controls the semiconductor element in accordance with the fluctuation of the DC voltage and controls the current flowing through the third current path.

請求項3の発明は、
前記半導体素子は、直列接続された前記半導体発光素子について、前記直流電源から近く電位が高い順の2番目以降の前記半導体発光素子に対して、所定の間隔毎に、並列に接続される、請求項1又は2に記載の照明装置用の制御回路とした。
The invention of claim 3
The semiconductor elements are connected in parallel at predetermined intervals with respect to the semiconductor light emitting elements connected in series, with respect to the second and subsequent semiconductor light emitting elements in descending order of potential from the DC power supply. It was set as the control circuit for lighting apparatuses of claim | item 1 or 2.

請求項4の発明は、
前記半導体素子は、整流素子を介して前記受光素子と接続される、請求項1〜3のいずれかに記載の照明装置用の制御回路とした。
The invention of claim 4
The control circuit for an illumination device according to claim 1, wherein the semiconductor element is connected to the light receiving element via a rectifying element.

請求項5の発明は、
前記発光ブロックは一枚の基板であって、複数あり、基板の端部の半導体発光素子と、隣接する基板の端部の半導体発光素子の間隔が、基板上の半導体発光素子の間隔と同様である、請求項に記載の照明装置用の制御回路とした。
請求項6の発明は、
前記半導体素子は、直列接続された前記半導体発光素子について、前記直流電源から近く電位が高い順の2番目以降の前記半導体発光素子に対して、所定の間隔毎に、並列に接続される、請求項5に記載の照明装置用の制御回路とした。
請求項7の発明は、
前記半導体素子は、整流素子を介して前記受光素子と接続される、請求項5又は6に記載の照明装置用の制御回路とした。
The invention of claim 5
The light-emitting block is a single substrate, and there are a plurality of the light-emitting blocks. The distance between the semiconductor light-emitting elements at the edge of the substrate and the semiconductor light-emitting elements at the edge of the adjacent substrate is the same as the distance between the semiconductor light-emitting elements on the substrate. A control circuit for a lighting device according to claim 2 is provided.
The invention of claim 6
The semiconductor elements are connected in parallel at predetermined intervals with respect to the semiconductor light emitting elements connected in series, with respect to the second and subsequent semiconductor light emitting elements in descending order of potential from the DC power supply. The control circuit for the illumination device according to Item 5 is used.
The invention of claim 7
The control device for an illumination device according to claim 5 or 6, wherein the semiconductor element is connected to the light receiving element via a rectifying element.

本発明は、電源変換ユニットを使用しない構成である。そのため、照明装置の小型化、高効率化、低価格化が実現できる。また、電磁ノイズが発生せず、病院や精密機械室等の電磁ノイズを嫌う環境でも使用可能である。更に、照明装置の故障リスクも低減できる。 The present invention has a configuration that does not use a power conversion unit. Therefore, it is possible to reduce the size, increase the efficiency, and reduce the price of the lighting device. Further, it can be used in an environment that does not generate electromagnetic noise and hates electromagnetic noise such as hospitals and precision machine rooms. Furthermore, the failure risk of the lighting device can be reduced.

また、本発明によれば、電源電圧が変動しても、半導体素子のON/OFFによって、半導体発光素子に流れる電流を一定に保つことができるため、照明から出力される光の質が低下したり、電流の変動によって半導体発光素子が劣化し、寿命が短縮化されることがない。更に、本発明によれば、電源電圧が低下すると照明装置の半導体発光素子の一部が消灯するが、半導体発光素子がまとまったエリアで消灯することが無く、消灯する半導体発光素子が分散するため、照明装置として明るさに偏りが生じることがない。 Further, according to the present invention, even if the power supply voltage fluctuates, the current flowing through the semiconductor light emitting element can be kept constant by turning the semiconductor element on and off, so that the quality of light output from the illumination is reduced. In other words, the semiconductor light emitting element is not deteriorated due to the fluctuation of current, and the lifetime is not shortened. Furthermore, according to the present invention, when the power supply voltage decreases, some of the semiconductor light emitting elements of the lighting device are turned off. However, the semiconductor light emitting elements are not turned off in an area where the semiconductor light emitting elements are gathered, and the semiconductor light emitting elements to be turned off are dispersed. As a lighting device, there is no bias in brightness.

本発明の実施例1の主な構成を示す回路構成図である。It is a circuit block diagram which shows the main structures of Example 1 of this invention. 本発明の他の実施例の主な構成を示す回路構成図である。It is a circuit block diagram which shows the main structures of the other Example of this invention.

本発明は、半導体発光素子の動作を制御する照明装置用の制御回路であって、直流電圧を印加する直流電源と、発光素子が直列接続された第1電流路と、前記発光素子から出力された光を受け取る受光素子が直列接続された第2電流路と、半導体発光素子が同一極性方向に直列接続された第3電流路と、前記半導体発光素子より電位が低い位置で第3電流路に接続されると共に、前記発光素子に接続される半導体制御素子と、前記半導体発光素子に対して、所定の間隔毎に、並列に接続されると共に、前記受光素子と接続される半導体素子とを備え、前記直流電圧の変動に応じて、前記半導体素子を制御し、前記第3電流路に流れる電流を制御する構成としたことにより、電源電圧が低下すると照明装置の半導体発光素子の一部が消灯した場合であっても、半導体発光素子がまとまったエリアで消灯することが無く、消灯する半導体発光素子が分散するため、照明装置として明るさに偏りが生じることがない。 The present invention is a control circuit for a lighting device that controls the operation of a semiconductor light emitting device, and includes a direct current power source that applies a direct current voltage, a first current path in which the light emitting devices are connected in series, and an output from the light emitting device. A second current path in which light receiving elements for receiving the received light are connected in series, a third current path in which semiconductor light emitting elements are connected in series in the same polarity direction, and a third current path at a position where the potential is lower than that of the semiconductor light emitting elements. A semiconductor control element connected to the light emitting element; and a semiconductor element connected in parallel to the semiconductor light emitting element at a predetermined interval and connected to the light receiving element. The semiconductor device is controlled in accordance with the fluctuation of the DC voltage, and the current flowing through the third current path is controlled, so that when the power supply voltage decreases, a part of the semiconductor light emitting element of the lighting device is turned off. When Even, without being turned off in the area where the semiconductor light emitting element is sewn, for off to the semiconductor light-emitting element is dispersed, causing no deviation in brightness as a lighting device.

以下、本発明の実施例1を図に基づいて説明する。図1は、本実施例のLED照明装置用の制御回路Aの主な構成を示す回路構成図である。図1に示すように制御回路Aは、直流電圧を印加する直流電源10と、設けられているLEDが発光するLED発光ブロック20と、LED発光ブロック20を制御する制御ブロック40とから主として構成されている。各LED発光ブロック20と制御ブロック40はそれぞれ、1枚の基板上に回路素子が配置されたものであり、隣接するブロックは電気的に接続されている。そして、図1に示すように、直流電源10に近く電位が高い位置にLED発光ブロック20を配置し、直流電源10から遠くいずれのLED発光ブロック20よりも電位が低い位置に制御ブロック40を配置する。また、直流電源10と、LED発光ブロック20及び制御ブロック40に配置された回路素子から閉回路を構成している。なお、本実施例では、4つのLED発光ブロック20を用いる構成を示したが、この構成に限定されるものではなく、LED発光ブロック20は、単一であっても、複数であっても良い。 Embodiment 1 of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit configuration diagram showing a main configuration of a control circuit A for an LED lighting device according to the present embodiment. As shown in FIG. 1, the control circuit A mainly includes a DC power supply 10 that applies a DC voltage, an LED light emitting block 20 that emits an LED, and a control block 40 that controls the LED light emitting block 20. ing. Each LED light-emitting block 20 and control block 40 are each configured by arranging circuit elements on one substrate, and adjacent blocks are electrically connected. As shown in FIG. 1, the LED light-emitting block 20 is disposed at a position near the DC power supply 10 and at a high potential, and the control block 40 is disposed at a position far from the DC power supply 10 and lower than any LED light-emitting block 20. To do. Further, the DC power supply 10 and circuit elements arranged in the LED light emitting block 20 and the control block 40 constitute a closed circuit. In this embodiment, the configuration using four LED light emitting blocks 20 is shown. However, the present invention is not limited to this configuration, and the LED light emitting blocks 20 may be single or plural. .

<LED発光ブロック20の構成>
LED発光ブロック20は、光導電素子21の発光素子22が直列接続された電流路Hと、抵抗素子28及び光導電素子21の受光素子23が直列接続された電流路Iを有している。なお、光導電素子21は、本実施例ではフォトカプラである。従って、光導電素子21は、内部にLED等の発光素子22とフォトトランジスタ等の受光素子23が収められ、外部からの光を遮断するパッケージ24に封じ込められた構造になっている。光導電素子21は、入力された電流を発光素子22によって光に変換し、その光を受光素子23が受け取ることにより電流を伝達する。また、抵抗素子28は、直流電源10からの電流が電流路Iにはわずかしか流れず、直流電源10からの電流のほとんどが電流路K(後述)に流れるようにするためのものである。
<Configuration of LED light emission block 20>
The LED light emitting block 20 has a current path H in which the light emitting elements 22 of the photoconductive elements 21 are connected in series, and a current path I in which the resistance elements 28 and the light receiving elements 23 of the photoconductive elements 21 are connected in series. The photoconductive element 21 is a photocoupler in this embodiment. Therefore, the photoconductive element 21 has a structure in which a light emitting element 22 such as an LED and a light receiving element 23 such as a phototransistor are accommodated in a package 24 that blocks light from the outside. The photoconductive element 21 converts the input current into light by the light emitting element 22 and transmits the current when the light receiving element 23 receives the light. Further, the resistance element 28 is for causing a little current from the DC power source 10 to flow in the current path I and allowing most of the current from the DC power source 10 to flow in a current path K (described later).

また、LED発光ブロック20は、半導体発光素子26が同一極性方向に直列接続された電流路Kを有している。半導体発光素子26は、本実施例ではLEDである。そして、本実施例ではNチャネルエンハンスメント型FET(=電界効果トランジスタ)である半導体素子25が、半導体発光素子26に対し並列に接続されている。詳しくは、半導体素子25の一端のドレイン(図1では、「D」と示されている)と半導体発光素子26の一端のアノードとが接続されると共に、半導体素子25の一端のソース(図1では「S」と示されている)と半導体発光素子26の一端のカソードとが接続されることにより、半導体素子25が半導体発光素子26に対し並列に接続されている。但し、半導体素子25が半導体発光素子26に対し並列に接続されているのは、図1に示すように、各LED発光ブロック20の電流路K中の半導体発光素子26のうち、直流電源10に最も近く最高電位の半導体発光素子26(図1では、「LED1」)ではなく、当該半導体発光素子26に隣接している2番目の半導体発光素子26(図1では、「LED2」)からである。また、電流路Kに配置されている半導体発光素子26に対し、所定の間隔毎に(例えば、図1では、半導体発光素子26に対し1個おきに)半導体素子25のドレイン及びソースが並列に接続されている。従って、直流電源10に近く電位が高い方から順に、半導体発光素子26、半導体素子25及び半導体発光素子26、半導体発光素子26、半導体素子25及び半導体発光素子26と配置されている。なお、本実施例では、半導体発光素子26に対し1個おきに、半導体素子25のドレイン及びソースが並列に接続される構成を示したが、この構成に限定されるものではなく、例えば、半導体発光素子26に対し2個おきに、あるいは3個おきに半導体素子25のドレイン及びソースが並列に接続される構成としても良い。また、本実施例では、半導体素子25が、各LED発光ブロック20の電流路K中の半導体発光素子26のうち、直流電源10に近く電位が高い順の2番目の半導体発光素子26から並列に接続されている構成を示したが、この構成に限定されるものではなく、2番目以降の半導体発光素子26から並列に接続されている構成であれば良い。 The LED light emitting block 20 has a current path K in which the semiconductor light emitting elements 26 are connected in series in the same polarity direction. The semiconductor light emitting element 26 is an LED in this embodiment. In this embodiment, a semiconductor element 25 that is an N-channel enhancement type FET (= field effect transistor) is connected in parallel to the semiconductor light emitting element 26. Specifically, the drain (shown as “D” in FIG. 1) of one end of the semiconductor element 25 and the anode of one end of the semiconductor light emitting element 26 are connected, and the source (FIG. 1) of the semiconductor element 25 is connected. The semiconductor element 25 is connected in parallel to the semiconductor light emitting element 26 by connecting the cathode of one end of the semiconductor light emitting element 26 to the semiconductor light emitting element 26. However, the semiconductor element 25 is connected in parallel to the semiconductor light emitting element 26 because, as shown in FIG. 1, among the semiconductor light emitting elements 26 in the current path K of each LED light emitting block 20, the DC power supply 10 is connected. This is not from the semiconductor light emitting element 26 closest to the highest potential (“LED1” in FIG. 1) but from the second semiconductor light emitting element 26 (“LED2” in FIG. 1) adjacent to the semiconductor light emitting element 26. . Further, the drain and source of the semiconductor element 25 are arranged in parallel with the semiconductor light emitting element 26 arranged in the current path K at predetermined intervals (for example, every other one in the semiconductor light emitting element 26 in FIG. 1). It is connected. Accordingly, the semiconductor light emitting element 26, the semiconductor element 25 and the semiconductor light emitting element 26, the semiconductor light emitting element 26, the semiconductor element 25, and the semiconductor light emitting element 26 are arranged in order from the one having a higher potential near the DC power supply 10. In the present embodiment, the configuration in which the drain and the source of the semiconductor element 25 are connected in parallel every other semiconductor light emitting element 26 is shown, but the present invention is not limited to this configuration. The drain and source of the semiconductor element 25 may be connected in parallel to every two or three of the light emitting elements 26. Further, in the present embodiment, the semiconductor element 25 is arranged in parallel from the second semiconductor light emitting element 26 in order of increasing potential close to the DC power source 10 among the semiconductor light emitting elements 26 in the current path K of each LED light emitting block 20. Although the connected configuration is shown, the present invention is not limited to this configuration, and any configuration may be used as long as the second and subsequent semiconductor light emitting elements 26 are connected in parallel.

また、光導電素子21の受光素子23と、各半導体素子25のゲート(図1では「G」と示されている)とは、整流素子27を介して電気的に接続されている。整流素子27は、本実施例ではダイオードであって、アノードが受光素子23に接続され、カソードが半導体素子25のゲートに接続されている。そのため、受光素子23から半導体素子25のゲートに対しては電流が流れるが、逆方向の半導体素子25のゲートから受光素子23に対しては電流がほとんど流れない。整流素子27を介在させることによって、受光素子23に許容値以上の電流が流れてしまうという危険を防止できる。なお、整流素子27はダイオードに限定されるものではなく、受光素子23から半導体素子25のゲートに対しては電流を流すが、逆方向の半導体素子25のゲートから受光素子23に対しては電流をほとんど流さない整流機能を有する素子であれば良い。 The light receiving element 23 of the photoconductive element 21 and the gate of each semiconductor element 25 (shown as “G” in FIG. 1) are electrically connected via a rectifying element 27. The rectifying element 27 is a diode in this embodiment, and has an anode connected to the light receiving element 23 and a cathode connected to the gate of the semiconductor element 25. Therefore, a current flows from the light receiving element 23 to the gate of the semiconductor element 25, but a current hardly flows from the gate of the semiconductor element 25 in the reverse direction to the light receiving element 23. By interposing the rectifying element 27, it is possible to prevent a risk that a current exceeding an allowable value flows in the light receiving element 23. The rectifying element 27 is not limited to a diode, and a current flows from the light receiving element 23 to the gate of the semiconductor element 25, but a current flows from the gate of the semiconductor element 25 in the reverse direction to the light receiving element 23. Any element having a rectifying function that hardly flows can be used.

また、本実施例においては、各LED発光ブロック20に半導体素子25の数が2個、半導体発光素子26の数が4個配置された構成を示した。このように、電流路K中の直流電源10に最も近い最高電位の半導体発光素子26(図1では、「LED1」)と最も遠い最低電位の半導体発光素子26(図1では、「LED4」)の電位差が、半導体素子25のゲート−ソース間電圧の定格の範囲内(例えば、20(V)以内)となるように、半導体素子25及び半導体発光素子26の数を選択する必要がある。従って、半導体素子25のゲート−ソース間電圧の定格の範囲内であれば、半導体素子25及び半導体発光素子26の数に限定はなく、任意の数で良い。 Further, in the present embodiment, the configuration in which the number of the semiconductor elements 25 and the number of the semiconductor light emitting elements 26 are arranged in each LED light emitting block 20 is shown. Thus, the semiconductor light emitting element 26 having the highest potential closest to the DC power supply 10 in the current path K (“LED1” in FIG. 1) and the semiconductor light emitting element 26 having the lowest potential farthest (“LED4” in FIG. 1). It is necessary to select the number of the semiconductor elements 25 and the semiconductor light emitting elements 26 so that the potential difference of the semiconductor element 25 is within the rated range of the gate-source voltage of the semiconductor element 25 (for example, within 20 (V)). Therefore, the number of the semiconductor elements 25 and the semiconductor light emitting elements 26 is not limited as long as it is within the rated range of the gate-source voltage of the semiconductor element 25, and may be any number.

<制御ブロック40の構成>
制御ブロック40は、半導体制御素子41が直列接続された電流路Lと、抵抗素子42が直列接続された電流路Mを有している。半導体制御素子41は、本実施例ではNPNバイポーラトランジスタである。電流路Lと電流路Hとが接続されていることによって、また、電流路Kと電流路Mとが接続されていることによって、制御ブロック40は、隣接るLED発光ブロック20と電気的に接続されている。本実施例においては、半導体制御素子41のコレクタ(図1では「C」と示されている)がLED発光ブロック20の発光素子22に接続されている。半導体制御素子41のベース(図1では「B」と示されている)は、電流路Mに接続されている。なお、制御回路Aの極性を逆にし、制御回路Aに用いられている素子の極性も逆にすれば、半導体制御素子としてPNPバイポーラトランジスタを用いる構成としても良い。抵抗素子42は、シャント抵抗であって、検出回路(図示省略)が抵抗素子42の端子間の電圧(降下)と抵抗素子42の抵抗値に基づいて、制御回路Aに流れる電流値を検出する。
<Configuration of Control Block 40>
The control block 40 has a current path L in which semiconductor control elements 41 are connected in series, and a current path M in which resistance elements 42 are connected in series. The semiconductor control element 41 is an NPN bipolar transistor in this embodiment. By the current path L and the current path H is connected, also, by the current path K and the current path M is connected, the control block 40, LED light-emitting block 20 and electrically you adjacent It is connected. In the present embodiment, the collector (shown as “C” in FIG. 1) of the semiconductor control element 41 is connected to the light emitting element 22 of the LED light emitting block 20. The base (shown as “B” in FIG. 1) of the semiconductor control element 41 is connected to the current path M. If the polarity of the control circuit A is reversed and the polarity of the element used in the control circuit A is reversed, a PNP bipolar transistor may be used as the semiconductor control element. The resistance element 42 is a shunt resistor, and a detection circuit (not shown) detects a current value flowing through the control circuit A based on the voltage (drop) between the terminals of the resistance element 42 and the resistance value of the resistance element 42. .

<制御回路Aの動作>
次に、制御回路Aの動作を説明する。直流電源10から正極電位を印加し、グランド(図1では「GND」と示されている)に基準電位(0電位)である負極電位を印加する。基準電位に対し、直流電源10から印加する正極電位が、制御回路A内で同一極性方向に直列接続された半導体発光素子26の電位障壁値の合計以上であれば、全ての半導体発光素子26は発光する。なお、半導体発光素子26の電位障壁値とは、半導体発光素子26の固有の順方向電圧降下値である。
<Operation of control circuit A>
Next, the operation of the control circuit A will be described. A positive electrode potential is applied from the DC power supply 10, and a negative electrode potential that is a reference potential (0 potential) is applied to the ground (indicated as “GND” in FIG. 1). If the positive potential applied from the DC power supply 10 with respect to the reference potential is greater than or equal to the total potential barrier value of the semiconductor light emitting elements 26 connected in series in the same polarity direction in the control circuit A, all the semiconductor light emitting elements 26 are Emits light. The potential barrier value of the semiconductor light emitting element 26 is a unique forward voltage drop value of the semiconductor light emitting element 26.

直流電源10から印加する電圧が低下し、制御回路Aを流れる電流が規定の値より減少した場合、制御ブロック40の半導体制御素子41のベース電流が減少し、コレクタ電流も減少する。そして、各LED発光ブロック20の光導電素子21の発光素子22に流れる電流が減少し、受光素子23がOFFする方向に働き、コレクタ−エミッタ間の電圧が増加する。その結果、半導体素子25がONとなり(=ドレインからソースに電流が流れる)、当該半導体素子25に並列して設置されている半導体発光素子26が消灯する。消灯した半導体発光素子26の順方向降下電位は、ほぼ0(V)になる。直流電源10から印加する電圧に対して、消灯する半導体発光素子26の数が増えていくと、制御回路A内で同一極性方向に直列接続された半導体発光素子26の電位障壁値の合計が減少するため、制御ブロック40の電圧が上昇し、制御回路Aを流れる電流が増加し、規定の値に達すると、その値が維持される。 When the voltage applied from the DC power supply 10 decreases and the current flowing through the control circuit A decreases from a predetermined value, the base current of the semiconductor control element 41 of the control block 40 decreases and the collector current also decreases. Then, the current flowing through the light-emitting element 22 of the photoconductive element 21 of each LED light-emitting block 20 is reduced, and the light-receiving element 23 is turned off to increase the collector-emitter voltage. As a result, the semiconductor element 25 is turned on (= current flows from the drain to the source), and the semiconductor light emitting element 26 installed in parallel with the semiconductor element 25 is turned off. The forward drop potential of the semiconductor light emitting element 26 that has been turned off is approximately 0 (V). As the number of semiconductor light emitting elements 26 that are extinguished increases with respect to the voltage applied from the DC power supply 10, the total potential barrier value of the semiconductor light emitting elements 26 connected in series in the same polarity direction in the control circuit A decreases. Therefore, when the voltage of the control block 40 increases and the current flowing through the control circuit A increases and reaches a specified value, the value is maintained.

直流電源10から印加する電圧が上昇し、制御回路Aを流れる電流が規定の値より増加した場合、制御ブロック40の半導体制御素子41のベース電流が増加し、コレクタ電流も増加する。そして、各LED発光ブロック20の光導電素子21の発光素子22に流れる電流が増加し、受光素子23がONする方向に働き、コレクタ−エミッタ間の電圧が低下する。その結果、半導体素子25がOFFとなり(=ドレインからソースに電流が流れない)、当該半導体素子25に並列して設置されている半導体発光素子26が点灯する。点灯した半導体発光素子26の順方向降下電位は、数(V)になる。直流電源10から印加する電圧に対して、点灯する半導体発光素子26の数が増えていくと、制御回路A内で同一極性方向に直列接続された半導体発光素子26の電位障壁値の合計が増加するため、制御ブロック40の電圧が低下し、制御回路Aを流れる電流が減少し、規定の値に達すると、その値が維持される。 When the voltage applied from the DC power supply 10 rises and the current flowing through the control circuit A increases from a specified value, the base current of the semiconductor control element 41 of the control block 40 increases and the collector current also increases. Then, the current flowing through the light-emitting element 22 of the photoconductive element 21 of each LED light-emitting block 20 increases, works in the direction in which the light-receiving element 23 is turned on, and the collector-emitter voltage decreases. As a result, the semiconductor element 25 is turned off (= no current flows from the drain to the source), and the semiconductor light emitting element 26 installed in parallel with the semiconductor element 25 is turned on. The forward drop potential of the lit semiconductor light emitting element 26 is several (V). As the number of semiconductor light emitting elements 26 to be lit increases with respect to the voltage applied from the DC power supply 10, the total potential barrier value of the semiconductor light emitting elements 26 connected in series in the same polarity direction in the control circuit A increases. Therefore, when the voltage of the control block 40 decreases and the current flowing through the control circuit A decreases and reaches a specified value, that value is maintained.

このように本発明は、電源電圧が変動しても、半導体素子25及び半導体発光素子26のON/OFFによって、半導体発光素子26に流れる電流を一定に保つことができるため、照明から出力される光の質が低下したり、電流の変動によって半導体発光素子が劣化し、寿命が短縮化されることがない。また、本発明は、直列に配置されている半導体発光素子26に対し、所定の間隔毎に、半導体素子25が並列に接続される構成であるため、電源電圧が低下すると半導体発光素子26の一部が消灯するが、半導体発光素子26がまとまったエリアで消灯することが無く、消灯する半導体発光素子26が分散するため、照明装置として明るさに偏りが生じることがない。 As described above, according to the present invention, even if the power supply voltage fluctuates, the current flowing through the semiconductor light emitting element 26 can be kept constant by turning on and off the semiconductor element 25 and the semiconductor light emitting element 26, and thus is output from the illumination. The light quality is not lowered, and the semiconductor light emitting element is not deteriorated due to the fluctuation of the current, so that the lifetime is not shortened. Further, the present invention is configured such that the semiconductor elements 25 are connected in parallel at predetermined intervals with respect to the semiconductor light emitting elements 26 arranged in series. The light is not turned off in the area where the semiconductor light-emitting elements 26 are gathered, but the light-emitting semiconductor light-emitting elements 26 are dispersed, so that there is no bias in brightness as a lighting device.

本実施例に係る制御回路Aでは、複数のLED発光ブロック20が設けられている。夫々電位の異なるLED発光ブロック20を、別々に制御するのは難しい。設けられているLED発光ブロック20の数やLED発光ブロック20内に設置されている半導体発光素子26の数やLED発光ブロック20内に設置されている素子の感度に合わせて、その都度、独自に制御ブロック40の回路を構成するのは、現実的ではない。 In the control circuit A according to the present embodiment, a plurality of LED light emitting blocks 20 are provided. It is difficult to separately control the LED light emitting blocks 20 having different potentials. In each case, the number of LED light-emitting blocks 20 provided, the number of semiconductor light-emitting elements 26 installed in the LED light-emitting block 20 and the sensitivity of the elements installed in the LED light-emitting block 20 are uniquely determined each time. It is not realistic to configure the circuit of the control block 40.

一方、本発明は、直流電源10から遠くいずれのLED発光ブロック20よりも電位が低い位置に配置された1か所の制御ブロック40で、各LED発光ブロック20の半導体発光素子26に流れる電流の量を一括して制御する構成である。従って、設けられているLED発光ブロック20の数に変動があっても対応できる。また、各LED発光ブロック20に設置されている半導体発光素子26の数が異なっている場合や、LED発光ブロック20内の素子の感度にバラツキがあった場合でも、制御ブロック40の半導体制御素子41の動作に反映される。また、制御回路Aにおける半導体発光素子26は、同一極性方向に直列に接続されているため、同一の量の電流が各半導体発光素子26に流れる。 On the other hand, in the present invention, the current flowing through the semiconductor light emitting element 26 of each LED light emitting block 20 is controlled by one control block 40 disposed at a position far from the DC power source 10 and lower in potential than any LED light emitting block 20. It is the structure which controls quantity collectively. Therefore, even if the number of the LED light emitting blocks 20 provided varies, it can be dealt with. Even when the number of the semiconductor light emitting elements 26 installed in each LED light emitting block 20 is different or when the sensitivity of the elements in the LED light emitting block 20 varies, the semiconductor control element 41 of the control block 40 is used. It is reflected in the operation. Further, since the semiconductor light emitting elements 26 in the control circuit A are connected in series in the same polarity direction, the same amount of current flows through each semiconductor light emitting element 26.

また本発明では、制御ブロック40の出力ともいえる半導体制御素子41のコレクタに対して、各LED発光ブロック20の入力ともいえる光導電素子21の発光素子22が直列に接続されている。従って、制御ブロック40から出力されるコレクタ電流が増加すれば、各LED発光ブロック20の発光素子22に入力される電流も増加し、受光素子23のコレクタ−エミッタ間電圧が減少する。一方、制御ブロック40から出力されるコレクタ電流が減少すれば、各LED発光ブロック20の発光素子22に入力される電流も減少し、受光素子23のコレクタ−エミッタ間電圧が増加する。このように各LED発光ブロック20の光導電素子21は、制御ブロック40の半導体制御素子41に同期して、同じ動作をする。そのため、受光素子23のコレクタ−エミッタ間電圧が減少すると半導体発光素子26が点灯し、受光素子23のコレクタ−エミッタ間電圧が増加すると半導体発光素子26が消灯する。あるLED発光ブロック20の半導体発光素子26が点灯していく最中に、別のLED発光ブロック20の半導体発光素子26が消灯していくことはない。また逆に、あるLED発光ブロック20の半導体発光素子26が消灯していく最中に、別のLED発光ブロック20の半導体発光素子26が点灯していくことはない。 In the present invention, the light emitting element 22 of the photoconductive element 21 that can be said to be the input of each LED light emitting block 20 is connected in series to the collector of the semiconductor control element 41 that can be said to be the output of the control block 40. Therefore, if the collector current output from the control block 40 increases, the current input to the light emitting element 22 of each LED light emitting block 20 also increases, and the collector-emitter voltage of the light receiving element 23 decreases. On the other hand, if the collector current output from the control block 40 decreases, the current input to the light emitting element 22 of each LED light emitting block 20 also decreases, and the collector-emitter voltage of the light receiving element 23 increases. As described above, the photoconductive element 21 of each LED light emitting block 20 performs the same operation in synchronization with the semiconductor control element 41 of the control block 40. Therefore, when the collector-emitter voltage of the light receiving element 23 decreases, the semiconductor light emitting element 26 is turned on, and when the collector-emitter voltage of the light receiving element 23 increases, the semiconductor light emitting element 26 is turned off. While the semiconductor light emitting element 26 of one LED light emitting block 20 is turned on, the semiconductor light emitting element 26 of another LED light emitting block 20 is not turned off. Conversely, the semiconductor light emitting element 26 of another LED light emitting block 20 does not light up while the semiconductor light emitting element 26 of one LED light emitting block 20 is turned off.

また本発明は、各LED発光ブロック20の半導体発光素子26のうち、直流電源10に最も近く最高電位の半導体発光素子26には、半導体素子25が接続されておらず、半導体発光素子26のみの構成とする。全ての半導体発光素子26に半導体素子25を接続し、当該半導体発光素子26を消灯可能な構成とすると、制御回路Aを正しく制御できなくなってしまう。以下、詳しく説明する。 In the present invention, among the semiconductor light emitting elements 26 of each LED light emitting block 20, the semiconductor light emitting element 26 closest to the DC power source 10 and having the highest potential is not connected to the semiconductor element 25, and only the semiconductor light emitting element 26 is used. The configuration. If the semiconductor elements 25 are connected to all the semiconductor light emitting elements 26 and the semiconductor light emitting elements 26 can be turned off, the control circuit A cannot be controlled correctly. This will be described in detail below.

直流電源10から印加する電圧が低下し、制御回路Aを流れる電流が規定の値より減少した場合、制御ブロック40の半導体制御素子41のベース電流が減少し、コレクタ電流も減少する。そして、各LED発光ブロック20の光導電素子21の発光素子22に流れる電流が減少し、受光素子23がOFFする方向に働き、コレクタ−エミッタ間の電圧が増加する。その結果、半導体素子25がONとなり、当該半導体素子25に並列して設置されている半導体発光素子26が消灯する。そして、直流電源10から印加する電圧が更に低下し、制御回路Aを流れる電流が規定の値より更に減少した場合、同じ動作により半導体素子25がONとなり、当該半導体素子25に並列して設置されている半導体発光素子26が消灯する。このように制御回路Aを流れる電流の減少に応じて、順に半導体発光素子26は消灯していく。全ての半導体発光素子26が消灯した場合、直流電源10の電圧と制御ブロック40の電圧とがほとんど同じになり、半導体素子25を駆動させる電圧が足りなくなってしまい、半導体素子25をONできなくなってしまう。したがって、半導体発光素子26が点灯をしてしまい、その瞬間再び半導体素子25がONになり、半導体発光素子26が消灯する。すると再び半導体素子25がONできなくなる。即ち、半導体発光素子26が点灯と消灯を繰り返すようになってしまう。 When the voltage applied from the DC power supply 10 decreases and the current flowing through the control circuit A decreases from a predetermined value, the base current of the semiconductor control element 41 of the control block 40 decreases and the collector current also decreases. Then, the current flowing through the light-emitting element 22 of the photoconductive element 21 of each LED light-emitting block 20 is reduced, and the light-receiving element 23 is turned off to increase the collector-emitter voltage. As a result, the semiconductor element 25 is turned on, and the semiconductor light emitting element 26 installed in parallel with the semiconductor element 25 is turned off. When the voltage applied from the DC power supply 10 further decreases and the current flowing through the control circuit A further decreases below a specified value, the semiconductor element 25 is turned on by the same operation and installed in parallel with the semiconductor element 25. The semiconductor light emitting element 26 is turned off. As described above, the semiconductor light emitting element 26 is turned off sequentially in accordance with the decrease in the current flowing through the control circuit A. When all the semiconductor light emitting elements 26 are turned off, the voltage of the DC power supply 10 and the voltage of the control block 40 are almost the same, the voltage for driving the semiconductor element 25 is insufficient, and the semiconductor element 25 cannot be turned on. End up. Therefore, the semiconductor light emitting element 26 is turned on, and at that moment, the semiconductor element 25 is turned on again and the semiconductor light emitting element 26 is turned off. Then, the semiconductor element 25 cannot be turned on again. That is, the semiconductor light emitting element 26 is repeatedly turned on and off.

そこで、本発明のように、各LED発光ブロック20の半導体発光素子26のうち、直流電源10に最も近く最高電位の半導体発光素子26には、半導体素子25が接続されておらず、半導体発光素子26のみの構成とすることによって、上記のような誤作動を回避することができる。 Therefore, as in the present invention, the semiconductor light emitting element 26 closest to the DC power source 10 among the semiconductor light emitting elements 26 of each LED light emitting block 20 is not connected to the semiconductor element 25, and the semiconductor light emitting element By using only 26, it is possible to avoid the malfunction as described above.

即ち、直流電源10から印加する電圧が低下し、制御回路Aを流れる電流が規定の値より減少した場合、半導体素子25がONとなり、当該半導体素子25に並列して設置されている半導体発光素子26が消灯する。そして、直流電源10から印加する電圧が更に低下し、制御回路Aを流れる電流が規定の値より更に減少した場合、同じ動作により半導体素子25がONとなり、当該半導体素子25に並列して設置されている半導体発光素子26が消灯する。このように制御回路Aを流れる電流の減少に応じて、順に半導体発光素子26は消灯していく。しかし、これ以上ONできる半導体素子25がなくなると、その状態を維持して安定する。そのため、半導体発光素子26が点灯と消灯を繰り返す誤作動は生じない。 That is, when the voltage applied from the DC power supply 10 decreases and the current flowing through the control circuit A decreases from a specified value, the semiconductor element 25 is turned on, and the semiconductor light emitting element installed in parallel with the semiconductor element 25 26 is turned off. When the voltage applied from the DC power supply 10 further decreases and the current flowing through the control circuit A further decreases below a specified value, the semiconductor element 25 is turned on by the same operation and installed in parallel with the semiconductor element 25. The semiconductor light emitting element 26 is turned off. As described above, the semiconductor light emitting element 26 is turned off sequentially in accordance with the decrease in the current flowing through the control circuit A. However, when there are no more semiconductor elements 25 that can be turned on, this state is maintained and stabilized. Therefore, the malfunction that the semiconductor light emitting element 26 repeats turning on and off does not occur.

<変形例>
なお、本実施例に係る制御回路Aでは、電流路Kに配置されている半導体発光素子26に対し、所定の間隔毎に半導体素子25が並列に接続されることによって、電位の高い順に半導体発光素子26、半導体素子25及び半導体発光素子26、半導体発光素子26、半導体素子25及び半導体発光素子26と配置される構成を実現した。しかし、この構成に限定されるものではなく、例えば図2に示す制御回路Fのように、電流路上は、電位の高い順に半導体発光素子26、半導体発光素子26、半導体素子25及び半導体発光素子26、半導体素子25及び半導体発光素子26と接続されているが、配線によって、半導体発光素子26、半導体素子25及び半導体発光素子26、半導体発光素子26、半導体素子25及び半導体発光素子26と配置される構成を実現する構成としても良い。このような構成にすれば、電源電圧が低下すると照明装置の半導体発光素子26の一部が消灯するが、半導体発光素子26がまとまったエリアで消灯することが無く、消灯する半導体発光素子26が分散する。即ち、照明装置の外観上は、1個おきに半導体発光素子26が消灯しているように見える。従って、照明装置として明るさに偏りが生じることがない。
<Modification>
In the control circuit A according to the present embodiment, the semiconductor light emitting devices 26 arranged in the current path K are connected in parallel to the semiconductor light emitting devices 26 at predetermined intervals, so that the semiconductor light emitting devices are arranged in descending order of potential. The device 26, the semiconductor device 25, the semiconductor light emitting device 26, the semiconductor light emitting device 26, the semiconductor device 25, and the semiconductor light emitting device 26 are arranged. However, the present invention is not limited to this configuration. For example, as in the control circuit F shown in FIG. 2, the semiconductor light emitting element 26, the semiconductor light emitting element 26, the semiconductor element 25, and the semiconductor light emitting element 26 are arranged on the current path in order of increasing potential. The semiconductor element 25 and the semiconductor light emitting element 26 are connected to each other, but are arranged with the semiconductor light emitting element 26, the semiconductor element 25 and the semiconductor light emitting element 26, the semiconductor light emitting element 26, the semiconductor element 25, and the semiconductor light emitting element 26 by wiring. It is good also as a structure which implement | achieves a structure. With this configuration, when the power supply voltage decreases, a part of the semiconductor light emitting element 26 of the lighting device is turned off. However, the semiconductor light emitting element 26 that is turned off is not turned off in the area where the semiconductor light emitting element 26 is gathered. scatter. That is, on the external appearance of the lighting device, it seems that every other semiconductor light emitting element 26 is turned off. Therefore, there is no bias in brightness as a lighting device.

また、本実施例に係る制御回路Aが複数のLED発光ブロック20を有する構成において、発光ブロック20の端部の半導体発光素子26と、隣接する発光ブロック20の端部の半導体発光素子26の間隔が、LED発光ブロック20内に配置された半導体発光素子26同士の間隔と同様である方が望ましい。ここで、「同様」とは、同一から数センチ程度の誤差を含む概念である。このような構成とすれば、LED発光ブロック20が複数の基板から構成され、電源電圧が低下し照明装置の半導体発光素子26の一部が消灯した場合、照明装置の外観上は、1個おきに半導体発光素子26が消灯しているように見える。従って、照明装置として明るさに偏りが生じることがない。 In the configuration in which the control circuit A according to the present embodiment includes the plurality of LED light emitting blocks 20, the distance between the semiconductor light emitting element 26 at the end of the light emitting block 20 and the semiconductor light emitting element 26 at the end of the adjacent light emitting block 20. However, it is desirable that the distance between the semiconductor light emitting elements 26 arranged in the LED light emitting block 20 is the same. Here, “similar” is a concept including an error from the same to several centimeters. With such a configuration, when the LED light emitting block 20 is composed of a plurality of substrates and the power supply voltage decreases and a part of the semiconductor light emitting element 26 of the lighting device is extinguished, every other lighting device has an external appearance. It seems that the semiconductor light emitting element 26 is turned off. Therefore, there is no bias in brightness as a lighting device.

また、本実施例に係る制御回路Aにおいては、複数のLED発光ブロック20と制御ブロック40といった一枚の基板毎に、半導体素子25、半導体発光素子26、半導体制御素子41等の回路素子を設ける構成を示した。しかし、この構成に限定されるものではなく、例えば、複数のLED発光ブロック20と制御ブロック40に設けられた回路素子を一枚の基板に設ける構成としても良いし、複数のLED発光ブロック20に設けられた回路素子を一枚の基板に設ける構成としても良い。 In the control circuit A according to the present embodiment, circuit elements such as the semiconductor element 25, the semiconductor light emitting element 26, and the semiconductor control element 41 are provided for each substrate such as the plurality of LED light emitting blocks 20 and the control block 40. The configuration was shown. However, the present invention is not limited to this configuration. For example, the circuit elements provided in the plurality of LED light emission blocks 20 and the control block 40 may be provided on a single substrate. The provided circuit elements may be provided on a single substrate.

以上、本発明の好ましい実施例について述べたが、本発明の制御回路は上述した実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の範囲で種々の変更実施が可能であるのは言うまでもない。 Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the control circuit of the present invention is not limited to the above-described embodiments, and it goes without saying that various modifications can be made within the scope of the present invention.

A:制御回路、F:制御回路、
H、I、K、L、M:電流路、
B:ベース、C:コレクタ、E:エミッタ、
D:ドレイン、G:ゲート、S:ソース、
10:直流電源、
20:LED発光ブロック、21:光導電素子、22:発光素子、23:受光素子、25:半導体素子、26:半導体発光素子、27:整流素子、28:抵抗素子、
40:制御ブロック、41:半導体制御素子、42:抵抗素子
A: Control circuit, F: Control circuit,
H, I, K, L, M: current path,
B: base, C: collector, E: emitter,
D: drain, G: gate, S: source,
10: DC power supply,
20: LED light emitting block, 21: photoconductive element, 22: light emitting element, 23: light receiving element, 25: semiconductor element, 26: semiconductor light emitting element, 27: rectifying element, 28: resistance element,
40: control block, 41: semiconductor control element, 42: resistance element

Claims (7)

半導体発光素子の動作を制御する照明装置用の制御回路であって、
直流電圧を印加する直流電源と、
発光素子が直列接続された第1電流路と、
前記発光素子から出力された光を受け取る受光素子が直列接続された第2電流路と、
半導体発光素子が同一極性方向に直列接続された第3電流路と、
前記半導体発光素子より電位が低い位置で第3電流路に接続されると共に、前記発光素子に接続される半導体制御素子と、
前記半導体発光素子に対して、所定の間隔毎に、並列に接続されると共に、前記受光素子と接続される半導体素子とを備え、
前記直流電圧の変動に応じて、前記半導体素子を制御し、前記第3電流路に流れる電流を制御することを特徴とする、照明装置用の制御回路。
A control circuit for a lighting device that controls the operation of a semiconductor light emitting element,
A DC power supply for applying a DC voltage;
A first current path in which light emitting elements are connected in series;
A second current path in which light receiving elements that receive light output from the light emitting elements are connected in series;
A third current path in which semiconductor light emitting elements are connected in series in the same polarity direction;
A semiconductor control element connected to the third current path at a lower potential than the semiconductor light emitting element and connected to the light emitting element;
With respect to the semiconductor light emitting element, a semiconductor element connected in parallel at a predetermined interval and connected to the light receiving element,
A control circuit for an illuminating device, wherein the semiconductor element is controlled in accordance with a change in the DC voltage to control a current flowing through the third current path.
半導体発光素子の動作を制御する照明装置用の制御回路であって、
当該制御回路は、
直流電圧を印加する直流電源と、
半導体発光素子が発光する発光ブロックと、
前記発光ブロックを制御し、前記発光ブロックより電位が低い位置に設けられている制御ブロックとを有し、
前記発光ブロックは、
発光素子が直列接続された第1電流路と、
前記発光素子から出力された光を受け取る受光素子が直列接続された第2電流路と、
半導体発光素子が同一極性方向に直列接続された第3電流路と、
前記半導体発光素子に対して、所定の間隔毎に、並列に接続されると共に、前記受光素子と接続される半導体素子とを備え、
前記制御ブロックは、
前記半導体発光素子より電位が低い位置で第3電流路に接続されると共に、前記発光素子に接続される半導体制御素子を備え、
前記直流電圧の変動に応じて、前記半導体素子を制御し、前記第3電流路に流れる電流を制御することを特徴とする、照明装置用の制御回路。
A control circuit for a lighting device that controls the operation of a semiconductor light emitting element,
The control circuit is
A DC power supply for applying a DC voltage;
A light-emitting block that emits light from the semiconductor light-emitting element;
A control block that controls the light emission block and is provided at a position where the potential is lower than the light emission block;
The light emitting block is:
A first current path in which light emitting elements are connected in series;
A second current path in which light receiving elements that receive light output from the light emitting elements are connected in series;
A third current path in which semiconductor light emitting elements are connected in series in the same polarity direction;
With respect to the semiconductor light emitting element, a semiconductor element connected in parallel at a predetermined interval and connected to the light receiving element,
The control block is
A semiconductor control element connected to the third current path at a lower potential than the semiconductor light emitting element and connected to the light emitting element;
A control circuit for an illuminating device, wherein the semiconductor element is controlled in accordance with a change in the DC voltage to control a current flowing through the third current path.
前記半導体素子は、直列接続された前記半導体発光素子について、前記直流電源から近く電位が高い順の2番目以降の前記半導体発光素子に対して、所定の間隔毎に、並列に接続されることを特徴とする、請求項1又は2に記載の照明装置用の制御回路。   The semiconductor elements are connected in parallel at predetermined intervals with respect to the semiconductor light emitting elements connected in series with respect to the second and subsequent semiconductor light emitting elements in order of increasing potential close to the DC power source. A control circuit for a lighting device according to claim 1 or 2, characterized in that 前記半導体素子は、整流素子を介して前記受光素子と接続されることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の照明装置用の制御回路。   The control circuit for a lighting device according to claim 1, wherein the semiconductor element is connected to the light receiving element via a rectifying element. 前記発光ブロックは一枚の基板であって、複数あり、基板の端部の半導体発光素子と、隣接する基板の端部の半導体発光素子の間隔が、基板上の半導体発光素子の間隔と同様であることを特徴とする、請求項に記載の照明装置用の制御回路。 The light-emitting block is a single substrate, and there are a plurality of the light-emitting blocks. The distance between the semiconductor light-emitting elements at the edge of the substrate and the semiconductor light-emitting elements at the edge of the adjacent substrate is the same as the distance between the semiconductor light-emitting elements on the substrate. The control circuit for the lighting device according to claim 2 , wherein the control circuit is provided. 前記半導体素子は、直列接続された前記半導体発光素子について、前記直流電源から近く電位が高い順の2番目以降の前記半導体発光素子に対して、所定の間隔毎に、並列に接続されることを特徴とする、請求項5に記載の照明装置用の制御回路。The semiconductor elements are connected in parallel at predetermined intervals with respect to the semiconductor light emitting elements connected in series with respect to the second and subsequent semiconductor light emitting elements in order of increasing potential close to the DC power source. A control circuit for an illumination device according to claim 5, characterized in that 前記半導体素子は、整流素子を介して前記受光素子と接続されることを特徴とする、請求項5又は6に記載の照明装置用の制御回路。The control circuit for an illumination device according to claim 5 or 6, wherein the semiconductor element is connected to the light receiving element via a rectifying element.
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