KR101454818B1 - Illuminating apparatur using light emitting elements - Google Patents

Illuminating apparatur using light emitting elements Download PDF

Info

Publication number
KR101454818B1
KR101454818B1 KR1020130002530A KR20130002530A KR101454818B1 KR 101454818 B1 KR101454818 B1 KR 101454818B1 KR 1020130002530 A KR1020130002530 A KR 1020130002530A KR 20130002530 A KR20130002530 A KR 20130002530A KR 101454818 B1 KR101454818 B1 KR 101454818B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
led group
led
light emitting
group
emitting device
Prior art date
Application number
KR1020130002530A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20140090454A (en
Inventor
김선호
Original Assignee
우리조명 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 우리조명 주식회사 filed Critical 우리조명 주식회사
Priority to KR1020130002530A priority Critical patent/KR101454818B1/en
Publication of KR20140090454A publication Critical patent/KR20140090454A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101454818B1 publication Critical patent/KR101454818B1/en

Links

Images

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V23/00—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices
    • F21V23/003—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being electronics drivers or controllers for operating the light source, e.g. for a LED array
    • F21V23/004—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being electronics drivers or controllers for operating the light source, e.g. for a LED array arranged on a substrate, e.g. a printed circuit board
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
    • Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]

Abstract

본 개시는, 반도체 발광소자 조명장치에 있어서, 조도를 조절하는 조광기; 각각 교류 전압의 반주기 내에서 발광할 수 있으며, 제1 동작전압 또는 제1 동작전압보다 높은 제2 동작전압을 가지는 직렬로 연결된 n개의 엘이디 그룹(n≥2)(하나의 반주기는 (2n+1)개의 구간으로 나누어지며, 2번째 구간에서 1개의 엘이디 그룹이 발광할 수 있으며, (k+1)번째 구간(1<k≤n)에서 k개의 엘이디 그룹이 발광할 수 있고, (n+1)번째 구간에서 n개의 엘이디 그룹이 발광할 수 있고, (n+m)번째 구간(1<m≤n)에서 (n+1-m)개의 엘이디 그룹이 발광할 수 있음);으로서, 전류 흐름 상에서 첫 번째 엘이디 그룹은 제1 동작전압을 갖도록 구성되는 n개의 엘이디 그룹; 및 전류 흐름 상에서 p번째 엘이디 그룹(1≤p<n) 후방과 (p+1)번째 엘이디 그룹 사이에 위치하여 On 되었을 때 p번째 엘이디 그룹 후방으로 전류를 흘리는 하나 이상의 바이패스 스위치를 이용하여, 각각의 엘이디 그룹을 상기 반주기 내의 일부 구간에서 발광시키는 스위치 조합;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치에 관한 것이다. The present disclosure relates to a semiconductor light emitting device illumination device, comprising: a dimmer for adjusting illumination; (N &gt; = 2) connected in series with a first operation voltage or a second operation voltage higher than the first operation voltage (one half-period is (2n + 1 (K + 1) th periods (1 <k? N), k LED groups can emit light, and (n + 1) (N + 1-m) LED groups can emit light in the (n + m) th period (1 <m? N) Wherein the first LED group on the first LED group comprises n LED groups configured to have a first operating voltage; And one or more bypass switches for flowing a current behind the p-th LED group when the p-th LED group is located between the rear of the p-th LED group and the (p + 1) -th LED group in the current flow, And a switch combination for causing each LED group to emit light in a certain section of the half period.

Description

반도체 발광소자 조명장치{ILLUMINATING APPARATUR USING LIGHT EMITTING ELEMENTS}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a semiconductor light-

본 발명은 반도체 발광소자 조명장치에 관한 것으로, 특히 교류에 의해 구동되는 반도체 발광소자 조명장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor light emitting device illumination device, and more particularly to a semiconductor light emitting device illumination device driven by AC.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art). Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts.

도 1은 종래의 교류 전원을 이용한 반도체 발광소자 조명장치의 일 예를 나타내는 도면으로서, 교류 전원(100), 교류 전원(100)의 전압을 조절하는 저항(110), 그리고 극성을 반대로 하여 병렬연결된 엘이디(120) 및 엘이디(130)가 도시되어 있다. 양의 전류가 흐를 때 엘이디(120)가 발광하며, 음의 전류가 흐를 때 엘이디(130)가 발광한다.1 is a diagram showing an example of a conventional semiconductor light emitting device lighting apparatus using an AC power source, which includes an AC power source 100, a resistor 110 for adjusting the voltage of the AC power source 100, LEDs 120 and LEDs 130 are shown. The LED 120 emits light when a positive current flows, and the LED 130 emits light when a negative current flows.

도 2는 종래의 교류 전원을 이용한 반도체 발광소자 조명장치의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 발광장치(200)는 정류 회로(210; Rectifier), 평활 회로(220; Regulator), 발광부(230)를 포함한다. 교류는 정류 회로(210)를 통해 맥류로 전환되며, 평활 회로(220)를 통해 직류의 형태로 전환되어 발광부(230)에 공급된다.2 is a diagram showing another example of a conventional semiconductor light emitting device illumination device using an AC power source. The light emitting device 200 includes a rectifier circuit 210, a smoothing circuit 220, and a light emitting portion 230 . The alternating current is converted into a pulsating current through the rectifying circuit 210, converted into a direct current through the smoothing circuit 220, and supplied to the light emitting unit 230.

도 3은 종래의 교류 전원을 이용한 반도체 발광소자 조명장치의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 정류 회로(310), 트랜스를 포함하는 스위칭 모드 파워 스플라이(320; SMPS), 복수 발광소자가 직렬연결된 엘이디 어레이(330)가 구비된 발광부(340)가 도시되어 있다. 그러나 SMPS(320)를 사용하는 경우에, EMI(Electromanetic Interference) 필터(350)가 추가로 구비되어야 한다.3 is a view showing still another example of a conventional semiconductor light emitting device lighting apparatus using an alternating current power supply, which includes a rectifying circuit 310, a switching mode power splitter 320 (SMPS) including a transformer, a plurality of light emitting devices connected in series A light emitting portion 340 having an LED array 330 is illustrated. However, when the SMPS 320 is used, an EMI (Electro-Magnetic Interference) filter 350 must be additionally provided.

도 4 및 도 5는 종래의 교류 전원을 이용한 반도체 발광소자 조명장치의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 발광소자(400)는 정류 회로(410)와 전압에 맞추어 직렬연결된 복수의 엘이디(420)를 구비한다. 정류 회로(410)를 거친 전압은 도 5에 도시된 것과 같은 형태의 파형을 가진다. 복수의 엘이디(420)는 이들 모두가 도통될 수 있을 만큼 이르렀을 때(Ton)에야 발광되며, 또한 그 이하로 전압이 떨어질 때(Toff)에 소광된다. 따라서 회로부의 구성을 간단히 할 수 있는 반면에, 교류 전원 전체 주기에서 사용하지 못하는 문제점이 있다.4 and 5 show another example of a conventional semiconductor light emitting device illumination device using an AC power source. The light emitting device 400 includes a rectifying circuit 410 and a plurality of LEDs 420 connected in series in accordance with a voltage Respectively. The voltage across the rectifying circuit 410 has a waveform of the type shown in Fig. The plurality of LEDs 420 emit light only when they all reach the conduction (T on ), and are also extinguished when the voltage drops below that (T off ). Therefore, the configuration of the circuit part can be simplified, but the AC power supply can not be used in the entire cycle.

도 6 및 도 7은 미국공개특허공보 제2010-0194298호에 제시된 교류 전원을 이용한 반도체 발광소자 조명장치의 일 예를 나타내는 도면으로서, 상기한 문제점을 해소하기 위하여, 발광소자(600)는 정류 회로(610), 직렬연결된 엘이디를 복수의 그룹(631,632,633,634,635)으로 나누어 제어하는 제어부(620)를 구비한다. 제어부(620)는 각각의 그룹(631,632,633,634,635)을 발광하도록 제어하는 스위치(Q1,Q2,Q3,Q4,Q5,Q6)를 가진다. 정류된 전류의 전압이 엘이디 그룹(631)을 On할 수 있는 시간(T1) 및 전압(20V)에 이르면, 스위치(Q1)가 On 상태로 유지시켜, 엘이디 그룹(631)을 거친 전류가 스위치(Q1)를 통해 도통함으로써, 20V부터 40V 사이의 전압에서 엘이디 그룹(631)을 발광시킨다. 엘이디 그룹(631)과 엘이디 그룹(632)을 On할 수 있는 시간(T2) 및 전압(40V)에 이르면, 스위치(Q1)를 Off 시키고 스위치(Q2)를 On 상태에 유지시켜, 엘이디 그룹(631) 및 엘이디 그룹(632)를 거친 전류가 스위치(Q2)를 통해 도통함으로써, 40V부터 60V 사이의 전압에서 엘이디 그룹(631) 및 엘이디 그룹(632)을 발광시킨다. 동일한 방식으로 엘이디 그룹(635)까지를 발광시키고, 전압이 감소하면 반대로 스위치를 On/Off 함으로써 순차로 발광을 감소시킨다. 이러한 발광소자에 의하면, 정류된 전류 전체를 발광소자의 발광에 이용할 수 있는 이점을 가지지만, 엘이디 그룹(631)을 한 주기 전체에 걸쳐 발광을 하게 되며, 엘이디 그룹(635)은 가장 높은 전압의 구간에서만 발광을 하게 되므로, 시간이 지남에 따라 엘이디 특성이 변할 수 있는 문제점을 가진다.6 and 7 are views showing an example of a semiconductor light emitting device lighting apparatus using an AC power source disclosed in U.S. Patent Application Publication No. US2004 / (610), and a controller (620) for controlling the LEDs connected in series by dividing the LEDs into a plurality of groups (631, 632, 633, 634, 635). The control unit 620 has switches Q1, Q2, Q3, Q4, Q5, and Q6 for controlling the respective groups 631, 632, 633, 634, 635 to emit light. When the voltage of the rectified current reaches the time (T 1 ) and the voltage (20V) at which the LED group 631 can be turned on, the switch Q1 is kept in the ON state, (Q1), thereby causing the LED group 631 to emit light at a voltage between 20V and 40V. Reaches the LED group 631, and the LED group 632, the time (T 2) and the voltage (40V) which can On the, by Off switch (Q1) and to maintain the switch (Q2) to the On state, the LED groups ( 631 and the LED group 632 conducts through the switch Q2 so that the LED group 631 and the LED group 632 emit light at a voltage between 40V and 60V. In the same manner, light up to the LED group 635 is emitted, and when the voltage decreases, the light emission is sequentially reduced by turning the switch on / off. Although the light emitting device has the advantage that the entire rectified current can be used for the light emission of the light emitting element, the light emitting element 631 emits light over one period, and the LED group 635 emits light of the highest voltage The light emitting characteristics of the LED may be changed over time.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

이를 위하여, 본 개시는, 반도체 발광소자 조명장치에 있어서, 조도를 조절하는 조광기; 각각 교류 전압의 반주기 내에서 발광할 수 있으며, 제1 동작전압 또는 제1 동작전압보다 높은 제2 동작전압을 가지는 직렬로 연결된 n개의 엘이디 그룹(n≥2)(하나의 반주기는 (2n+1)개의 구간으로 나누어지며, 2번째 구간에서 1개의 엘이디 그룹이 발광할 수 있으며, (k+1)번째 구간(1<k≤n)에서 k개의 엘이디 그룹이 발광할 수 있고, (n+1)번째 구간에서 n개의 엘이디 그룹이 발광할 수 있고, (n+m)번째 구간(1<m≤n)에서 (n+1-m)개의 엘이디 그룹이 발광할 수 있음);으로서, 전류 흐름 상에서 첫 번째 엘이디 그룹은 제1 동작전압을 갖도록 구성되는 n개의 엘이디 그룹; 및 전류 흐름 상에서 p번째 엘이디 그룹(1≤p<n) 후방과 (p+1)번째 엘이디 그룹 사이에 위치하여 On 되었을 때 p번째 엘이디 그룹 후방으로 전류를 흘리는 하나 이상의 바이패스 스위치를 이용하여, 각각의 엘이디 그룹을 상기 반주기 내의 일부 구간에서 발광시키는 스위치 조합;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치를 제공한다. To this end, the present disclosure relates to a semiconductor light emitting device illumination device, comprising: a dimmer for adjusting illumination; (N &gt; = 2) connected in series with a first operation voltage or a second operation voltage higher than the first operation voltage (one half-period is (2n + 1 (K + 1) th periods (1 <k? N), k LED groups can emit light, and (n + 1) (N + 1-m) LED groups can emit light in the (n + m) th period (1 <m? N) Wherein the first LED group on the first LED group comprises n LED groups configured to have a first operating voltage; And one or more bypass switches for flowing a current behind the p-th LED group when the p-th LED group is located between the rear of the p-th LED group and the (p + 1) -th LED group in the current flow, And a switch combination for causing each LED group to emit light in a certain section of the half period.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

도 1은 종래의 교류 전원을 이용한 반도체 발광소자 조명장치의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 종래의 교류 전원을 이용한 반도체 발광소자 조명장치의 다른 예를 나타내는 도면,
도 3은 종래의 교류 전원을 이용한 반도체 발광소자 조명장치의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 4 및 도 5는 종래의 교류 전원을 이용한 반도체 발광소자 조명장치의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 6 및 도 7은 미국공개특허공보 제2010-0194298호에 제시된 교류 전원을 이용한 반도체 발광소자 조명장치의 일 예를 나타내는 도면,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 조명장치의 일 예를 나타내는 도면,
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 조명장치의 입력 전압에 따른 점등 상태를 구간별로 나타내는 그래프,
도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 조명장치의 엘이디 배치구조의 일 예를 도시한 도면,
도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 조명장치의 엘이디 배치구조의 다른 일 예를 도시한 도면,
도 12는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 조명장치의 엘이디 배치구조의 또 다른 일 예를 도시한 도면.1 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device illumination device using an AC power source,
2 is a view showing another example of a conventional semiconductor light emitting device illumination device using an AC power source,
3 is a view showing still another example of a conventional semiconductor light emitting device illumination device using an AC power source,
FIGS. 4 and 5 are views showing still another example of a conventional semiconductor light emitting device lighting device using an AC power source,
FIGS. 6 and 7 are views showing an example of a semiconductor light emitting device lighting device using an AC power source as disclosed in U.S. Patent Publication No. 2010-0194298,
8 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device illumination apparatus according to the present disclosure,
FIG. 9 is a graph showing a lighting state of the semiconductor light emitting device lighting apparatus according to an input voltage,
10 is a view showing an example of an LED arrangement structure of a semiconductor light emitting device lighting apparatus according to the present disclosure;
11 is a view showing another example of an LED arrangement structure of a semiconductor light emitting device illumination apparatus according to the present disclosure,
12 is a diagram showing another example of an LED arrangement structure of a semiconductor light emitting device illumination apparatus according to the present disclosure;

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 조명장치의 일 예를 나타내는 도면이고, 도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 조명장치의 입력 전압에 따른 점등 상태를 구간별로 나타내는 그래프이다. FIG. 8 is a diagram showing an example of a semiconductor light emitting device lighting apparatus according to the present disclosure, and FIG. 9 is a graph showing a lighting state according to an input voltage of the semiconductor light emitting device lighting apparatus according to the present disclosure, by intervals.

반도체 발광소자 조명장치는 조도를 조절하는 조광기, 복수의 엘이디 그룹(D1,D2,D3,D4), 및 하나 이상의 바이패스 스위치(S11,S12,S13)를 포함한다. The semiconductor light emitting device illumination device includes a dimmer for adjusting the illuminance, a plurality of LED groups D1, D2, D3 and D4, and at least one bypass switch S11, S12 and S13.

조광기는 예를 들어 트라이악(triac)을 이용하여 도통시간을 제어하는 방식으로 제공될 수 있고, 펄스 폭 변조방식으로 제공될 수도 있다. The dimmer may be provided in a manner to control the conduction time using, for example, a triac, or may be provided in a pulse width modulation manner.

각 엘이디 그룹(D1,D2,D3,D4)은 교류 전압의 반주기 내에서 발광할 수 있으며, 직렬로 연결된다. 엘이디 그룹(D1,D2,D3,D4)은 각각 하나 이상의 엘이디로 이루어지고, 엘이디들도 각 엘이디 그룹(D1,D2,D3,D4) 내에서 직렬로 연결된다. Each of the LED groups D1, D2, D3, and D4 can emit light in a half cycle of the alternating voltage and is connected in series. Each of the LED groups D1, D2, D3, and D4 includes one or more LEDs, and the LEDs are also connected in series within the respective LED groups D1, D2, D3, and D4.

엘이디 그룹의 수는 변화될 수 있으며, 바이패스 스위치(S11,S12,S13)의 수 또한 엘이디 그룹(D1,D2,D3,D4)의 수에 따라 변화될 수 있다. 바이패스 스위치(S11,S12,S13)의 수는 엘이디 그룹(D1,D2,D3,D4)의 수보다 1개 적은 수로 구비되는 것이 바람직하다. The number of LED groups can be changed and the number of bypass switches S11, S12, and S13 can also be changed according to the number of LED groups D1, D2, D3, and D4. It is preferable that the number of the bypass switches S11, S12, and S13 is one less than the number of the LED groups D1, D2, D3, and D4.

바이패스 스위치(S11,S12,S13)는, 예를 들어 엘이디 그룹(D1,D2,D3,D4)의 수가 4개인 경우, 전류 흐름 상에서 첫 번째 엘이디 그룹(D1)과 2번째 엘이디 그룹(D2) 사이, 2번째 엘이디 그룹(D2)과 3번째 엘이디 그룹(D3) 사이 및 3번째 엘이디 그룹(D3)과 4번째 엘이디 그룹(D4) 사이에 각각 위치하여, 각각의 엘이디 그룹(D1,D2,D3,D4)을 상기 반주기 내의 일부 구간에서 발광시킨다. For example, when the number of the LED groups D1, D2, D3, and D4 is four, the bypass switches S11, S12, and S13 are arranged such that the first LED group D1 and the second LED group D2, D2 and D3 are located between the second LED group D2 and the third LED group D3 and between the third LED group D3 and the fourth LED group D4, , D4) in a certain section of the half period.

반도체 발광소자 조명장치를 구성하는 엘이디의 총 수는 전체 동작전압과 각 엘이디가 가지는 고유의 동작전압을 고려하여 결정된다. 예를 들어, 대략 2.6V 정도의 고유 동작전압을 가지는 황색 엘이디 사용하여 120V의 전체 동작전압을 가지는 반도체 발광소자 조명장치를 구성하기 위해, 46개의 엘이디가 사용될 수 있다. 46개의 엘이디는 예를 들어 4개의 엘이디 그룹(D1,D2,D3,D4)으로 구분될 수 있다. The total number of LEDs constituting the semiconductor light emitting device illumination device is determined in consideration of the total operating voltage and the inherent operating voltage of each LED. For example, 46 LEDs may be used to configure a semiconductor light emitting device illumination device having a total operating voltage of 120V using a yellow LED having a specific operating voltage of about 2.6V. 46 LEDs can be divided into four LED groups (D1, D2, D3, D4), for example.

복수의 엘이디 그룹(D1,D2,D3,D4)은 제1 그룹 단위 동작전압을 가지는 엘이디 그룹과 제1 그룹 단위 동작전압 높은 제2 그룹 단위 동작전압을 가지는 엘이디 그룹으로 구분될 수 있다. 그리고, 제2 그룹 단위 동작전압을 가지는 하나의 엘이디 그룹과 제1 그룹 단위 동작전압을 가지는 나머지 엘이디 그룹들로 구분될 수 있다. 전류 흐름 상에서 첫 번째 엘이디 그룹(D1)은 제1 그룹 단위 동작전압을 가지는 것이 바람직하다. 물론, 총 2개의 엘이디 그룹으로 구분되는 경우에는 전류 흐름 상에서 2번째 엘이디 그룹(D2)이 마지막 엘이디 그룹이 될 수밖에 없어 불가피하지만, 3개 이상의 엘이디 그룹으로 구분되는 경우에는, 제2 그룹 단위 동작전압을 가지는 엘이디 그룹은 첫 번째 엘이디 그룹과 마지막 엘이디 그룹을 제외한 나머지 엘이디 그룹 중 어느 하나를 이루는 것이 바람직하다. 나아가, 2번째 엘이디 그룹(D2)이 다른 엘이디 그룹들 보다 높은 제2 그룹 단위 동작전압을 가지는 것이 바람직하다. 한편, 제2 그룹 단위 동작전압은 제1 그룹 단위 동작전압의 2배 내지 3배의 범위 이내인 것이 바람직하다. The plurality of LED groups D1, D2, D3, and D4 may be divided into an LED group having a first group operation voltage and an LED group having a second group operation voltage. In addition, it can be divided into one LED group having the second group operation voltage and a remaining LED group having the first group operation voltage. In the current flow, the first LED group D1 preferably has a first group operation voltage. Of course, if the two LED groups are divided into two groups, it is inevitable that the second LED group D2 becomes the last LED group on the current flow. However, if the LED group is divided into three or more LED groups, It is preferable that the LED group having the first LED group and the last LED group includes any one of the LED groups except the first LED group and the last LED group. Furthermore, it is preferable that the second LED group D2 has a higher second group LED operating voltage than the other LED groups. On the other hand, it is preferable that the second group operation voltage is within a range of two times to three times the first group operation voltage.

예를 들어, 도 8에 나타낸 것과 같이, 총 46개의 엘이디가 4개의 엘이디 그룹(D1,D2,D3,D4)으로 구분되는 경우, 첫 번째 엘이디 그룹(D1), 3번째 엘이디 그룹(D3) 및 4번째 엘이디 그룹(D3)은 각각 8개의 엘이디로 이루어져 대략 21V의 제1 그룹 단위 동작전압을 가지고, 2번째 엘이디 그룹(D2)은 22개의 엘이디로 이루어져 대략 57V의 제2 그룹 단위 동작전압을 가지도록 구성될 수 있다. 각 엘이디 그룹(D1,D2,D3,D4)을 구성하는 엘이디의 수는 상기한 전제들을 만족하는 범위 이내에서 변화될 수 있다. 제1 그룹 단위 동작전압을 가지는 엘이디 그룹들(D1,D3,D4)을 이루는 엘이디의 수가 반드시 동일해야 하는 것은 아니며, 첫 번째 엘이디 그룹(D1)의 그룹 단위 동작전압보다 높지 않은 한도 내에서 소폭 변화될 수 있을 것이다. For example, when a total of 46 LEDs are divided into four LED groups D1, D2, D3 and D4 as shown in FIG. 8, the first LED group D1, the third LED group D3, The fourth LED group D3 is composed of eight LEDs each having a first group operation voltage of about 21 V and the second LED group D2 is composed of twenty two LEDs to have a second group operation voltage of about 57 V . The number of LEDs constituting each of the LED groups D1, D2, D3, and D4 can be changed within a range that satisfies the above-mentioned premises. The number of LEDs constituting the LED groups D1, D3, and D4 having the first group operation voltage is not necessarily the same as the number of LEDs in the first LED group D1, .

도 9에 도시된 것과 같이, 정류회로를 통해 반파 정류된 정현파 형태의 교류 입력 전압이 인가되면, 4개의 엘이디 그룹(D1,D2,D3,D4)은 전류 흐름을 기준으로, 상류에 위치하는 첫 번째 엘이디 그룹(D1)으로부터 하류에 위치하는 4번째 엘이디 그룹의 순으로 순차적으로 발광이 일어난다. 교류 전압의 반주기 내에서, 첫 번째 엘이디 그룹(D1)의 그룹 단위 동작전압인 21V에 도달하면, 바이패스 스위치(S1)가 On 상태로 유지되고, 첫 번째 엘이디 그룹(D1) 만이 발광된다. 첫 번째 엘이디 그룹(D1)이 낮은 21V의 낮은 동작전압을 가짐에 따라, 반도체 발광소자 조명장치가 낮은 전압에서 점등이 시작된다. 교류 전압이 첫 번째 엘이디 그룹(D1)과 2번째 엘이디 그룹(D2)의 그룹 단위 동작전압을 합한 값인 78V에 도달하면 바이패스 스위치(S1)가 off 됨과 동시에 바이패스 스위치(S2)가 On 상태로 유지되고, 첫 번째 엘이디 그룹(D1)과 2번째 엘이디 그룹(D2)이 발광된다. 교류 전압이 첫 번째 엘이디 그룹(D1) 내지 3번째 엘이디 그룹(D3)의 그룹 단위 동작전압을 합한 값인 99V에 도달하면 바이패스 스위치(S2)가 off 됨과 동시에 바이패스 스위치(S3)가 On 상태로 유지되고, 첫 번째 엘이디 그룹(D1), 2번째 엘이디 그룹(D2) 및 3번째 엘이디 그룹(D3)이 발광된다. 이어서, 교류 전압이 첫 번째 엘이디 그룹(D1) 내지 4번째 엘이디 그룹(D4)의 그룹 단위 동작전압을 모두 합한 값인 120V에 도달하면 바이패스 스위치(S3)가 off 되면서 첫 번째 엘이디 그룹(D1), 2번째 엘이디 그룹(D2), 3번째 엘이디 그룹(D3) 및 4번째 엘이디 그룹(D4)이 모두 발광된다. As shown in FIG. 9, when a sinusoidal-shaped AC input voltage is applied through a rectifying circuit, the four LED groups D1, D2, D3, and D4 are connected to the first And the fourth LED group located downstream from the first LED group D1 sequentially emit light in this order. In the half cycle of the AC voltage, when the group operation voltage of the first LED group D1 reaches 21 V, the bypass switch S1 is kept in the ON state, and only the first LED group D1 is emitted. As the first LED group D1 has a low operating voltage of low 21V, the semiconductor light emitting device illumination device starts lighting at a low voltage. When the alternating voltage reaches 78V which is the sum of the group operation voltage of the first LED group D1 and the second LED group D2, the bypass switch S1 is turned off and the bypass switch S2 is turned on And the first LED group D1 and the second LED group D2 emit light. The bypass switch S2 is turned off and the bypass switch S3 is turned on when the AC voltage reaches 99V which is the sum of the group operation voltages of the first LED group D1 to the third LED group D3 And the first LED group D1, the second LED group D2 and the third LED group D3 emit light. Subsequently, when the AC voltage reaches 120 V, which is the sum of the group operation voltages of the first LED group D1 to the fourth LED group D4, the bypass switch S3 is turned off and the first LED group D1, The second LED group D2, the third LED group D3 and the fourth LED group D4 are all emitted.

상기한 바와 같이, 첫 번째 엘이디 그룹(D1)이 낮은 그룹 단위 동작전압을 가짐에 따라, 조광기를 사용한 조도 조절시 점등 시작 전압이 낮게 형성되므로, 넓은 조광범위를 실현할 수 있다. 이로 인해 현저한 전기 효율 및 역률 개선을 달성할 수 있다. As described above, since the first LED group D1 has a low group-basis operating voltage, the lighting start voltage is low when the illuminance is adjusted using the dimmer, so that a wide bright range can be realized. This makes it possible to achieve remarkable electric efficiency and power factor improvement.

도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 조명장치의 엘이디 배치구조의 일 예를 도시한 도면이다. 10 is a diagram showing an example of an LED arrangement structure of a semiconductor light emitting device illumination apparatus according to the present disclosure.

반도체 발광소자 조명장치를 구성하는 복수의 엘이디 그룹(D1,D2,D3,D4)은 기판(20) 위에 장착되어 모듈화된다. 복수의 엘이디 그룹(D1,D2,D3,D4)은 기판(20) 위에서 중심 측으로부터 가장자리 측으로 가면서 겹겹이 둘러싸는 구조로 배치되는 것이 바람직하다. 또한, 전류 흐름 상에서 첫 번째 엘이디 그룹(D1)부터 순차적으로 기판(20)의 중심 측에서 시작하여 가장자리 측으로 가면서 배치되는 것이 바람직하다. 이와 같이 배치함으로써, 교류전압의 반주기 내에서, 전류 흐름 상의 상류에 위치하는 첫 번째 엘이디 그룹(D1)으로부터 하류에 위치하는 4번째 엘이디 그룹(D4)의 순으로 발광이 일어나게 된다. 따라서 기판(20)의 중심 측에서부터 가장자리 측으로 가면서 점진적으로 점등이 진행되고, 가장자리 측에서부터 중심 측으로 가면서 점진적으로 소등이 진행되어 전체적으로 빛의 밝기를 균일하게 구현할 수 있다. 반대로, 또한, 전류 흐름 상에서 첫 번째 엘이디 그룹(D1)부터 순차적으로 기판(20)의 가장자리 측에서 시작하여 중심 측으로 가면서 배치되는 것 또한 가능하다. 이 경우, 기판(20)의 가장자리 측에서부터 중심 측으로 가면서 점진적으로 점등이 진행되고, 중심 측에서부터 가장자리 측으로 가면서 점진적으로 소등이 진행되어 전체적으로 빛의 밝기를 균일하게 구현할 수 있다. A plurality of LED groups D1, D2, D3, and D4 constituting the semiconductor light-emitting device illumination device are mounted on the substrate 20 and modularized. It is preferable that the plurality of LED groups D1, D2, D3, and D4 are arranged on the substrate 20 so as to surround the layers from the center side to the edge side. Further, it is preferable that the first LED group D1 is sequentially arranged on the current flow starting from the center side of the substrate 20 to the edge side. By arranging in this manner, light emission occurs in the order of the first LED group D1 located upstream in the current flow, and the fourth LED group D4 located in the downstream in the current flow within half a period of the AC voltage. Therefore, the light gradually progresses from the center side to the edge side of the substrate 20, and gradually goes out from the edge side to the center side, so that the brightness of the light can be uniformly realized as a whole. On the contrary, it is also possible that the first LED group D1 is sequentially arranged on the current flow starting from the edge side of the substrate 20 to the center side. In this case, the light gradually progresses from the edge side to the center side of the substrate 20, and the light gradually progresses from the center side to the edge side, so that the brightness of light as a whole can be uniformly realized.

도 10에 나타낸 것과 같이, 기판(20)은 원형으로 형성될 수 있으며, 엘이디 그룹들(D1,D2,D3,D4)은 기판(20) 위에 동심원 형태로 배치될 수 있다. 10, the substrate 20 may be formed in a circular shape, and the LED groups D1, D2, D3, and D4 may be disposed concentrically on the substrate 20. [

도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 조명장치의 엘이디 배치구조의 다른 일 예를 도시한 도면으로서, 도 9의 예와 마찬가지로 기판(20)이 원형으로 형성되는 가운데, 엘이디 그룹들(D1,D2,D3,D4)은 기판(20) 위에 동심원 형태가 아닌 나선형으로 배치될 수도 있다. FIG. 11 is a view showing another example of an LED arrangement structure of the semiconductor light emitting device illumination apparatus according to the present disclosure. As in the example of FIG. 9, the substrate 20 is formed in a circular shape while the LED groups D1 and D2 , D3, and D4 may be arranged on the substrate 20 in a spiral shape instead of concentric circles.

도 12는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 조명장치의 엘이디 배치구조의 또 다른 일 예를 도시한 도면으로서, 기판(20)은 사각형으로 형성될 수 있으며, 엘이디 그룹들(D1,D2,D3,D4)은 기판(20) 위에서 중심 측으로부터 가장자리 측으로 가면서 겹겹이 둘러싸는 구조로 배치될 수 있다. 12 is a diagram showing another example of the LED layout structure of the semiconductor light emitting device illumination apparatus according to the present disclosure. The substrate 20 may be formed in a rectangular shape, and the LED groups D1, D2, D3, D4 May be disposed on the substrate 20 so as to be surrounded by the layers from the center side to the edge side.

상기한 바와 같이, 본 개시에 따른 반도체 발광소자 조명장치에서, 각각 하나 이상의 엘이디를 포함하는 복수의 엘이디 그룹(D1,D2,D3,D4)은 직렬로 연결되는 가운데 기판 위에 균형적인 배치구조로 배열되고, 나아가 엘이디 그룹과 엘이디 그룹 사이사이에 위치하는 바이패스 스위치(S1,S2,S3)에 의해 그룹 단위로 순차적으로 점등될 수 있도록 제어됨에 따라, 교류전압의 반주기 중 어떤 구간에도 전체적으로 빛의 밝기를 균일하게 구현할 수 있다. 또한, 조광기를 사용한 조도 조절시에도 중심 측에서부터 가장자리 측으로 가면서 점진적인 조도 조절이 가능하여, 암역이 발생하지 않는 가운데 전체적으로 빛의 밝기를 균일하게 구현할 수 있다.
As described above, in the semiconductor light emitting device lighting apparatus according to the present disclosure, a plurality of LED groups D1, D2, D3, and D4 each including one or more LEDs are arranged in a balanced layout structure on a substrate Further, by being controlled so as to be sequentially turned on in units of groups by the bypass switches S1, S2, and S3 located between the LED groups and the LED groups, the brightness of the entirety of the half period of the AC voltage Can be uniformly implemented. Further, even when the illumination using the dimmer is adjusted, gradual illumination control can be performed from the center side to the edge side, and the brightness of the light can be uniformly realized as a whole without generating the dark areas.

이하, 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Hereinafter, various embodiments of the present disclosure will be described.

(1) n개의 엘이디 그룹 중 첫 번째 엘이디 그룹을 포함하는 (n-1)개의 엘이디 그룹은 제1 동작전압을 가지고, 나머지 한 개의 엘이디 그룹은 제2 동작전압을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.(1) the (n-1) LED groups including the first LED group among the n LED groups have a first operating voltage and the other LED group has a second operating voltage. Lighting device.

(2) 제2 동작전압은 제1 동작전압의 2배 내지 3배의 범위 이내인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.(2) the second operating voltage is within a range of 2 to 3 times the first operating voltage.

(3) 2번째 엘이디 그룹은 제2 동작전압을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.(3) the second LED group has a second operating voltage.

(4) n이 3이상이며, 제2 동작전압을 가지는 엘이디 그룹은 첫 번째 엘이디 그룹 및 n번째 엘이디 그룹을 제외한 나머지 엘이디 그룹 중 어느 하나를 이루는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.(4) n is 3 or more, and the LED group having the second operating voltage includes any of the LED groups other than the first LED group and the nth LED group.

(5) 상기 반주기 내에서, 전류 흐름 상의 상류에 위치하는 첫 번째 엘이디 그룹으로부터 하류에 위치하는 n번째 엘이디 그룹의 순으로 발광이 일어나는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.(5) The semiconductor light-emitting device illuminating device according to any one of claims 1 to 5, wherein light is emitted in the order of an n-th LED group located downstream from the first LED group located upstream of the current flow in the half period.

(6) 기판;을 포함하며, n개의 엘이디 그룹은 중심 측에서부터 가장자리 측으로 가면서 겹겹이 둘러싸는 구조로 기판 위에 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.(6) A semiconductor light emitting device, comprising: a substrate; and n LED groups are arranged on the substrate in a structure in which the layers are surrounded from the center side to the edge side.

(7) 전류 흐름 상에서 첫 번째 엘이디 그룹부터 순차적으로 기판의 중심 측에서 시작하여 가장자리 측으로 가면서 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.(7) The semiconductor light-emitting device illuminating device according to any one of claims 1 to 7, wherein the first LED group is sequentially arranged from the center side of the substrate to the edge side.

(8) 기판은 원형으로 형성되며, n개의 엘이디 그룹은 기판 위에 동심원 형태로 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.(8) The semiconductor light emitting device illuminating device according to any one of (1) to (6), wherein the substrate is formed in a circular shape, and n LED groups are concentrically arranged on the substrate.

(9) 전류 흐름 상에서 첫 번째 엘이디 그룹부터 순차적으로 기판의 중심 측에서 시작하여 가장자리 측으로 가면서 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.(9) The semiconductor light-emitting device illuminating apparatus according to any one of the preceding claims, wherein the first LED group is sequentially disposed on the edge of the substrate, starting from the center of the substrate.

본 개시는 교류에 의해 구동되며 조광범위를 넓힐 수 있는 반도체 발광소자 조명장치를 제공하기 위한 것이다. The present disclosure is directed to a semiconductor light emitting device illumination device driven by alternating current and capable of widening the coarse range.

본 개시에 따른 하나의 반도체 발광소자 조명장치에 의하면, 첫 번째 엘이디 그룹이 낮은 그룹 단위 동작전압을 가짐에 따라, 조광기를 사용한 조도 조절시 점등 시작 전압이 낮게 형성되므로 넓은 조광범위를 실현할 수 있다. According to one semiconductor light emitting device lighting apparatus of the present disclosure, since the first LED group has a low group-basis operating voltage, the lighting start voltage is low when adjusting the illuminance using the dimmer, so that a wide bright range can be realized.

본 개시에 따른 다른 하나의 반도체 발광소자 조명장치에 의하면, 전기 효율 및 역률의 개선을 달성할 수 있다. According to another semiconductor light emitting device illumination apparatus according to the present disclosure, improvement of electric efficiency and power factor can be achieved.

본 개시에 따른 또 다른 하나의 반도체 발광소자 조명장치에 의하면, 교류전압의 반주기 중 어떤 구간에도 전체적으로 빛의 밝기를 균일하게 구현할 수 있다.According to another semiconductor light emitting device lighting apparatus according to the present disclosure, brightness of light can be uniformly realized throughout any one half period of an AC voltage.

본 개시에 따른 또 다른 하나의 반도체 발광소자 조명장치에 의하면, 조광기를 사용한 조도 조절시 중심 측에서부터 가장자리 측으로 가면서 점진적인 조도 조절이 가능하여, 암역이 발생하지 않는 가운데 전체적으로 빛의 밝기를 균일하게 구현할 수 있다. According to another semiconductor light emitting device illuminating apparatus according to the present disclosure, it is possible to gradually adjust the illuminance from the center side to the edge side in adjusting the illuminance using the dimmer, so that the brightness of the entire light can be uniformly realized have.

D1,D2,D3,D4: 엘이디 그룹
S11,S12,S13: 바이패스 스위치
20: 기판D1, D2, D3, D4: LED group
S11, S12, S13: Bypass switch
20: substrate

Claims (10)

반도체 발광소자 조명장치에 있어서,
조도를 조절하는 조광기;
각각 교류 전압의 반주기 내에서 발광할 수 있으며, 제1 동작전압 또는 제1 동작전압보다 2배 내지 3배가 높은 제2 동작전압을 가지는 직렬로 연결된 n개의 엘이디 그룹(n≥2)(하나의 반주기는 (2n+1)개의 구간으로 나누어지며, 2번째 구간에서 1개의 엘이디 그룹이 발광할 수 있으며, (k+1)번째 구간(1<k≤n)에서 k개의 엘이디 그룹이 발광할 수 있고, (n+1)번째 구간에서 n개의 엘이디 그룹이 발광할 수 있고, (n+m)번째 구간(1<m≤n)에서 (n+1-m)개의 엘이디 그룹이 발광할 수 있음);으로서, 전류 흐름 상에서 첫 번째 엘이디 그룹은 제1 동작전압을 갖고 두 번째 엘이디 그룹은 제2 동작전압을 갖는 n개의 엘이디 그룹; 및
전류 흐름 상에서 p번째 엘이디 그룹(1≤p<n) 후방과 (p+1)번째 엘이디 그룹 사이에 위치하여 On 되었을 때 p번째 엘이디 그룹 후방으로 전류를 흘리는 하나 이상의 바이패스 스위치를 이용하여, 각각의 엘이디 그룹을 상기 반주기 내의 일부 구간에서 발광시키는 스위치 조합;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.In a semiconductor light emitting device illumination device,
A dimmer to adjust the illumination;
(N &gt; = 2) connected in series and having a second operation voltage that is two to three times higher than the first operation voltage or the first operation voltage One LED group may emit light in the second period and k LED groups may emit light in the (k + 1) th period (1 <k? N) n LED groups can emit light in the (n + 1) -th period and (n + 1-m) LED groups emit light in the (n + m) Wherein the first LED group has a first operating voltage and the second LED group has a second operating voltage on the current flow; And
By using at least one bypass switch which is disposed between the rear of the p-th LED group (1? P <n) and the (p + 1) th LED group in the current flow and flows the current to the rear of the p-th LED group when turned on, And a switch combination for causing the LED group of the light emitting unit to emit light in a certain section of the half period. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 반주기 내에서, 전류 흐름 상의 상류에 위치하는 첫 번째 엘이디 그룹으로부터 하류에 위치하는 n번째 엘이디 그룹의 순으로 발광이 일어나는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.The method according to claim 1,
And the nth LED group positioned downstream from the first LED group located upstream in the current flow in the half period. 청구항 1에 있어서,
기판;을 포함하며,
n개의 엘이디 그룹은 중심 측에서부터 가장자리 측으로 가면서 겹겹이 둘러싸는 구조로 기판 위에 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.The method according to claim 1,
And a substrate,
and the n LED groups are arranged on the substrate in a structure in which the layers are surrounded from the center side to the edge side. 청구항 7에 있어서,
전류 흐름 상에서 첫 번째 엘이디 그룹부터 순차적으로 기판의 중심 측에서 시작하여 가장자리 측으로 가면서 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.The method of claim 7,
Wherein the semiconductor light emitting device is arranged so as to sequentially start from the center side of the substrate to the edge side from the first LED group on the current flow. 청구항 7에 있어서,
기판은 원형으로 형성되며, n개의 엘이디 그룹은 기판 위에 동심원 형태로 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.The method of claim 7,
Wherein the substrate is formed in a circular shape, and the n LED groups are concentrically arranged on the substrate. 청구항 7에 있어서,
전류 흐름 상에서 첫 번째 엘이디 그룹부터 순차적으로 기판의 가장자리 측에서 시작하여 중심 측으로 가면서 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.The method of claim 7,
Wherein the first and second LED groups are sequentially arranged from the edge side of the substrate to the center side in the current flow from the first LED group.
KR1020130002530A 2013-01-09 2013-01-09 Illuminating apparatur using light emitting elements KR101454818B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130002530A KR101454818B1 (en) 2013-01-09 2013-01-09 Illuminating apparatur using light emitting elements

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130002530A KR101454818B1 (en) 2013-01-09 2013-01-09 Illuminating apparatur using light emitting elements

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140090454A KR20140090454A (en) 2014-07-17
KR101454818B1 true KR101454818B1 (en) 2014-10-28

Family

ID=51738076

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130002530A KR101454818B1 (en) 2013-01-09 2013-01-09 Illuminating apparatur using light emitting elements

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101454818B1 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100077109A (en) * 2008-12-28 2010-07-07 심현섭 Led lighting apparatus and circuit array method drived for ac power sources
US20120038284A1 (en) * 2009-06-11 2012-02-16 Tatsumi Setomoto Lighting device and lighting system
KR20120116650A (en) * 2011-04-13 2012-10-23 안상정 Illuminating apparatur using light emitting elements

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100077109A (en) * 2008-12-28 2010-07-07 심현섭 Led lighting apparatus and circuit array method drived for ac power sources
US20120038284A1 (en) * 2009-06-11 2012-02-16 Tatsumi Setomoto Lighting device and lighting system
KR20120116650A (en) * 2011-04-13 2012-10-23 안상정 Illuminating apparatur using light emitting elements

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140090454A (en) 2014-07-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101495756B1 (en) Illuminating apparatur using light emitting elements
KR101298486B1 (en) Led lighting system and control circuit thereof
JP5725736B2 (en) LED power supply device and LED lighting apparatus
JP6434700B2 (en) LIGHT EMITTING DIODE LIGHTING DEVICE AND ITS CONTROL METHOD
EP2612540B9 (en) Solid state light source driving and dimming using an ac voltage source
EP2793534A1 (en) Led driving device
JP5665382B2 (en) LED power supply device and LED lighting apparatus
KR101397953B1 (en) LED Lighting Device for dual commercial AC line supply
US9439256B2 (en) Flicker-free lamp dimming-driver circuit for sequential LED bank control
TWI741100B (en) Led-based light fixture
KR101226415B1 (en) Illuminating apparatur using light emitting elements
KR101454818B1 (en) Illuminating apparatur using light emitting elements
KR101453489B1 (en) Illuminating apparatus using light emitting elements
KR101474081B1 (en) Light emitting diode driving apparatus
KR101267957B1 (en) Apparatus for control of led lamp
KR101517977B1 (en) Illuminating apparatur using light emitting elements
KR20130104143A (en) Circuit for led lighting
KR20150002092A (en) Led lighting apparatus
KR101537990B1 (en) LED Lighting Apparatus
KR101406189B1 (en) Driving method of light emitting circuit
KR102003365B1 (en) Driving apparatus for light emitting diode
KR20160012286A (en) Lighting apparatus
KR20170129410A (en) Illuminating apparatus using light emitting elements
KR20150080829A (en) Power supplying apparatus for led lighting
KR20160075487A (en) LED driving circuit supporting different kind of power supply

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170922

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee