KR20170128085A - 사진 프로세스를 사용하여 만든 무칩 라디오 주파수 식별(rfid) - Google Patents

사진 프로세스를 사용하여 만든 무칩 라디오 주파수 식별(rfid) Download PDF

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Abstract

라디오 주파수 식별 디바이스를 위한 구조를 형성하기 위한 방법은 기판 상에 감광성 화합물을 토출하는 단계를 포함한다. 그 다음에, 감광성 화합물의 제1 부분은 광원으로부터의 광 패턴에 노광되는 반면, 감광성 화합물의 제2 부분은 광원에 미노광된 채로 있다. 감광성 화합물을 광에 노광시키는 것은 감광성 화합물을 금속층으로 환원시킨다. 감광성 화합물의 미노광된 제2 부분은 금속층을 남기기 위해 세정될 수 있다. 프로세싱은 계속해서 금속층으로부터의 RFID 회로, 및 RFID 회로를 포함하는 완성된 RFID 트랜스폰더를 형성할 수 있다.

Description

사진 프로세스를 사용하여 만든 무칩 라디오 주파수 식별(RFID){CHIPLESS RADIO FREQUENCY IDENTIFICATION (RFID) MADE USING PHOTOGRAPHIC PROCESS}
본 교시내용은 일반적으로 무칩(chipless) 라디오 주파수 식별(radio frequency identification: RFID) 태그에 관한 것이며, 보다 특히 RFID 태그를 만들기 위한 방법에 관한 것이다.
라디오 주파수 식별(RFID) 기술은 재고 추적, 손실 방지, 및 다른 용도에서의 사용을 위해 점점 더 흔한 일이 되어가고 있다. RFID 시스템은 오브젝트 상에 위치되는 트랜스폰더 또는 태그 및 태그에 의해 송신된 정보를 무선으로 수신하는 질의기(interrogator) 또는 판독기를 포함할 수 있다. RFID 태그는 배터리와 같은 국소적 전원을 포함하는 능동형 태그, 또는 태그 내에서의 안테나에서 전류를 유도하는 판독기에 의해 발생된 전자기파에 의해 활성화되는 수동형 태그로서 광범위하게 분류될 수 있다.
RFID 태그는 칩 또는 집적 회로(IC)의 형태에 있을 수 있는 전자 회로를 포함할 수 있다. 칩은 판독기로 전달되는 데이터를 저장할 수 있다. 반대로, 무칩 RFID 태그는 집적 회로도 별개의 활성 전자 구성요소도 갖지 않으며, 기판으로 직접 인쇄될 수 있어서 칩이 달린 RFID 태그보다 낮은 비용을 야기한다.
무칩 RFID 태그는 질의기 출력을 차단하는 수신 안테나, 질의기에 의해 수신되는 데이터를 방송하는 송신 안테나, 및 수신 안테나 및 송신 안테나 사이에서 전기적으로 결합된 복수의 또는 어레이의 공진기(즉, 다중공진기)를 포함할 수 있다. 사용 동안, 판독기는 넓은 대역 또는 스펙트럼의 라디오 주파수를 출력할 수 있다. 다중공진기의 구성에 의존하여, 라디오 주파수 중 하나 이상은 수신 안테나에 의해 차단되며 다중공진기로 하여금 공진하게 하는 주파수-의존적 안테나 로드를 포함할 수 있다. 공진은 송신 안테나에 의해 송신되며 질의기에 의해 수신될 수 있는 신호를 수정한다. 각각의 RFID 태그는 다중공진기를 형성하는 특정 세트의 패턴화된 공진 구조를 야기하기 위해 전도성 막을 에칭함으로써 인코딩될 수 있다. 태그의 세트로부터의 특정한 태그의 고유 식별을 위해, 각각의 트랜스폰더는, 값비싼 프로세스인, 고유한 다중공진기 설계를 포함하도록 만들어져야 한다.
수신 안테나, 송신 안테나, 및 공진기는 전도성 층, 예를 들면 금속층을 패턴화하기 위해 하나 이상의 패턴화 기술을 사용하여 준비될 수 있다. 다양한 패턴화 기술, 예를 들면, 스탬핑, 화학적 에칭, 기계적 에칭, 레이저 에칭, 금속층의 직접 기록, 증기 증착 등이 사용될 수 있다.
일 기술에서, 금속화된 마일러(Mylar) 층과 같은, 포일 마스터의 부분은, 예를 들면, 최종 구조를 생성하기 위해 레이저 삭마를 사용하여 에칭된다. 그러나, 금속화 층의 레이저 삭마는 비교적 느린 프로세스이며, 금속화 층의 삭마에 적합한 레이저는 값비싸다.
실질적인 문제로서, RFID 기술은 광학 신호보다 재료에 훨씬 더 양호한 침투 특성을 가진 라디오 주파수를 사용하며, 바 코드 라벨보다 더 적대적 환경 조건하에서 작동할 것이다. 그러므로, RFID 태그는 페인트, 물, 먼지, 티끌, 종이, 신체, 콘크리트를 통해, 또는 태깅된 아이템 자체를 통해 판독될 수 있다. RFID 태그는 재고, 유료 도로상에서의 자동차의 자동 식별, 보안 시스템, 전자 접근 카드, 무키 엔트리 등을 관리하는데 사용될 수 있다.
다음은 본 교시내용의 하나 이상의 실시예의 몇몇 양상의 기본적 이해를 제공하기 위해 단순화된 요약을 제공한다. 이러한 요약은 광범위한 개요가 아니며, 본 교시내용의 주요 또는 중대한 요소를 식별하기 위해서도, 본 개시의 범위를 기술하기 위해서도 의도되지 않는다. 오히려, 그것의 주 목적은 단지 나중에 제공된 상세한 설명에 대한 서곡으로서 단순화된 형태로 하나 이상의 개념을 제공하는 것이다.
라디오 주파수 식별(RFID) 디바이스를 형성하기 위한 방법의 실시예는 기판 상에 감광성 화합물을 토출하는 단계를 포함하며, 상기 기판 상에 토출된 감광성 화합물은 5.0 제곱미터당 밀리그램(㎎/㎡) 내지 150 ㎎/㎡의 은 농도를 가진다. 상기 방법은 감광성 화합물의 제2 부분이 광 패턴에 미노광된 채로 있는 동안 상기 감광성 화합물의 제1 부분을 금속층으로 변환시키기 위해 광원으로부터의 광 패턴에 상기 감광성 화합물의 제1 부분을 노광시키는 단계, 상기 감광성 화합물의 제2 부분을 제거하고 상기 기판 상에 상기 금속층을 남겨두는 단계, 및 상기 금속층으로부터 RFID 회로를 형성하는 단계를 추가로 포함한다.
라디오 주파수 식별(RFID) 디바이스를 형성하기 위한 방법의 또 다른 실시예는 기판 상에 할로겐화은을 토출하는 단계를 포함하며, 상기 기판 상에 토출된 할로겐화은은 5.0 제곱미터당 밀리그램(㎎/㎡) 내지 150 ㎎/㎡의 은 농도를 가진다. 상기 방법은 상기 할로겐화은의 제2 부분이 광 패턴에 미노광된 채로 있는 동안 상기 할로겐화은의 제1 부분을 금속층을 변환하기 위해 광원으로부터의 광 패턴에 상기 할로겐화은의 제1 부분을 노광시키는 단계, 상기 할로겐화은의 제2 부분을 제거하고 상기 기판상에 금속층을 남겨두는 단계, 및 RFID 회로를 형성하는 단계로서, 상기 RFID 회로는 상기 금속층으로부터 형성된 다중공진기 및 안테나 중 적어도 하나를 포함하는, 상기 RFID 회로 형성 단계를 추가로 포함한다.
본 명세서에 통합되며, 그것의 일부를 구성하는 첨부한 도면은 본 교시내용의 실시예를 예시하며, 설명과 함께, 개시의 원리를 설명하도록 작용한다.
도 1은 본 교시내용의 실시예를 사용하여 형성된 수신 안테나, 송신 안테나, 및 다중공진기를 포함한 트랜스폰더의 일 부분의 평면도이다.
도 2는 도 1의 다중공진기의 단면이다.
도 3은 본 교시내용의 실시예 동안 기판 위에 형성된 감광성 화합물을 가진 광원, 마스크 또는 레티클(reticle), 및 프로세스-내 기판의 단면이다.
도 4는 광원으로부터 광으로의 감광성 층의 노광 동안 프로세스-내 도 3 구조를 묘사한다.
도 5는 본 교시내용의 실시예를 사용한 형성 후 다중공진기를 묘사한 단면이다.
도 6은 본 교시내용의 실시예에서 레이저를 사용한 직접 기록 프로세스 동안 단면이다.
도면의 몇몇 세부사항은 단순화되었으며 엄격한 구조적 정확도, 세부사항 및 규모를 유지하기보다는 본 교시내용의 이해를 용이하게 하기 위해 작성된 것에 유의해야 한다.
참조가 이제 본 교시내용의 대표적인 실시예에 대해 상세히 이루어질 것이며, 그 예는 첨부한 도면에서 예시된다. 어디에 있든지 가능하면, 동일한 참조 부호는 동일한 또는 유사한 부분을 나타내기 위해 도면 전체에 걸쳐 사용될 것이다.
여기에서 사용된 바와 같이, 달리 특정되지 않는다면: 용어 "무칩"은 집적 회로도 트랜지스터 또는 코일과 같은 별개의 전자 구성요소도 갖지 않는 RFID 트랜스폰더를 기술하며; 용어 "공진기" 또는 "공진 구조"는 특성 주파수에 대응하는 연관된 공진을 가진 구조를 나타내고; 용어 "스펙트럼 서명"은 인가된 여기 주파수와 연관된 적어도 하나의 식별 공진을 나타내고; 용어 "태그"는 트랜스폰더 또는 트랜스폰더 및 트랜스폰더가 배치되는 캐리어 또는 트랜스폰더가 배치되는 디바이스 패키지를 포함할 수 있는 다른 구조의 조합을 나타낸다. 태그는 물품에 부착될 수 있고; 용어 "트랜스폰더"는 질의기에 의해 송신된 것과 같은, 신호를 수신하며, 수신된 신호에 응답하여 하나 이상의 응답 신호를 전송하는 태그와 같은 디바이스를 나타내고; 용어 "에칭된"은 화학적 에칭, 기계적 에칭, 레이저 에칭 또는 삭마 등과 같은, 재료의 부분이 제거되는 프로세스를 나타내고; 용어 "보안 오버레이"는 조작될 때, 보안 오버레이가 배치되는 구조를 손상시키고, 파괴하거나 또는 그 외 수정하는 층을 나타내고; 용어 "일반 RFID 트랜스폰더"는 질의기와 같은, 송신기에 의해 인가된 각각의 주파수 도메인에 대한 연관된 공진 구조를 가진 RFID 트랜스폰더를 의미한다.
도 1은 평면도이며, 도 2는 RFID 태그의 부분인 트랜스폰더(100)의 일 부분을 묘사하는, 도 1의 2-2를 따르는 확대된 단면이다. 트랜스폰더(100)는 수신 안테나(102), 복수의 공진기(104A-104D)를 포함한 다중공진기(104), 및 송신 안테나(106)를 포함할 수 있다. 도 1에 묘사된 바와 같이, 각각의 공진기(104A-104D)는 각각의 공진기가 상이한 주파수에서 공진하게 하는 고유 나선형 패턴을 가진다. RFID 태그는 단순성을 위해 묘사되지 않은 다른 구조를 포함할 수 있지만, 다양한 묘사된 구조가 제거되거나 또는 수정될 수 있다는 것이 이해될 것이다.
사용 시, 질의기는 수신 안테나(102)에 의해 수신될 수 있으며, 공진기(104A 내지 104D) 중 하나 이상이 공진하게 할 수 있는 넓은 스펙트럼의 주파수를 출력한다. 공진하는 공진기(104A 내지 104D)의 수 및 그것들이 공진하는 진폭은 송신 안테나(106)에 의한 응답 신호로서 질의기로 송신되는 아날로그 신호로 변환되는 출력 주파수를 야기한다. 예를 들면, 특정된 주파수에 대한 제한 없이, 공진기(104A)는 2.97 기가헤르츠(㎓)에서 공진할 수 있고, 공진기(104B)는 2.66㎓에서 공진할 수 있고, 공진기(104C)는 24㎓에서 공진할 수 있으며, 공진기(104D)는 24.3㎓에서 공진할 수 있다. 질의 동안 발생되고 송신 안테나(106)에 의해 송신된 아날로그 신호는 공진기(104A 내지 104D)의 고유 패턴의 결과로서 복수의 태그로부터의 특정 태그에 고유하기 때문에, 질의기는 복수의 태그로부터 특정 태그를 식별할 수 있다. 트랜스폰더(100)는 물품으로 부착하기 위해 물품 상에 바로 또는 중간 접착 뒤판 상에서와 같은 캐리어(108) 상에 배치될 수 있다. 캐리어(108)는 RFID 트랜스폰더가 처음에 제작되는 기판일 수 있거나 또는 RFID 트랜스폰더가 그것이 제작된 후 전달되는 캐리어일 수 있다. 접착 뒤판을 가진 캐리어(108)는 RFID 트랜스폰더가 물품으로 쉽게 부착(즉, 태깅)되도록 허용할 수 있다.
본 교시내용의 실시예는 안테나, 다중공진기, 또는 RFID 디바이스의 또 다른 구조와 같은, RFID 디바이스의 하나 이상의 구조를 형성하기 위해 사용된다. 제작 방법은 하나 이상의 다중공진기의 형성을 참조하여 이하에서 설명되지만, 다른 RFID 구조의 형성이 고려된다.
도 3은 어셈블리(300), 예를 들면, RFID 디바이스의 일 부분을 제작하기 위한 제조 스테이션에서의 어셈블리를 묘사한다. 도 3에서, 감광성 화합물(302)이 기판(304)으로 코팅된다. 패턴화된 마스크 또는 레티클(이후, 총괄하여 "마스크")(306)은 묘사된 대로 기판(304) 및 광원(308) 사이에 배치될 수 있다.
마스크(306)는 광이 통과할 수 있는 투명 또는 반투명 제1 영역(310) 및 광의 전달을 차단하는 불투명 제2 영역(312)을 포함할 수 있다. 크롬 또는 또 다른 재료와 같은 불투명 재료로 패턴화된 유리 또는 석영과 같은, 본 교시내용의 실시예를 위해 충분한 다양한 마스크(306)가 이 기술분야에 알려져 있다.
감광성 화합물(302)은 광으로 노광될 때 화학적 구성을 변경하는 재료이다. 광에 노광되기 전에, 감광성 화합물(302)은 용매 중에 용해 가능하며 용매를 사용하여 세정될 수 있다. 광으로의 노광은 용매 중에 용해 가능하지 않도록 감광성 화합물(302)의 화학적 구성을 변화시킨다. 실시예에서, 감광성 화합물(302)은 사진 재료, 예를 들면 할로겐화은(즉, 은염)이다. 실시예에서, 할로겐화은은 형태 AgX로 은 및 할로겐을 포함할 수 있으며, 예를 들면 브롬화은(AgBr), 염화은(AgCl), 요오드화은(AgI), 및/또는 플루오르화은(AgxFly)을 포함할 수 있다. 플루오르화은은 아플루오르화은(Ag2F), 플루오르화은(I)(AgF), 및 플루오르화은(II)(AgF2)을 포함한다. 할로겐화은은 젤라틴 내에 부유된 할로겐화은 결정을 포함할 수 있다. 할로겐화은층은 예를 들면, 광 민감도를 변경하기 위해, 미량 원소를 추가로 포함할 수 있다. 사진의 기술에 알려진 바와 같이, 광으로의 노광 시, 할로겐화은 결정은 다른 것 중에서, 금속성 은을 포함하기 위해 환원시킨다. 감광성 화합물(302)은 임의의 적절한 두께로 기판(304)으로 토출될 수 있다.
실시예에서, 할로겐화은 화합물, 할로겐화은을 포함한 화합물, 또는 은을 포함한 또 다른 화합물과 같은, 감광성 화합물(302)은 기판(304)상에서의 감광성 화합물(302)이 특정 범위 내에서의 은(Ag) 농도를 갖도록 층으로서 기판(304)으로 토출된다. 실시예에서, 기판(304)으로 토출된 감광성 화합물(302)은 약 5.0 제곱미터당 밀리그램(㎎/㎡) 내지 약 150 ㎎/㎡, 또는 약 50 ㎎/㎡ 내지 약 150 ㎎/㎡, 또는 약 100 ㎎/㎡ 내지 약 150 ㎎/㎡의 농도에서 은을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 감광성 화합물은 적어도 5.0 ㎎/㎡ 내지 150 ㎎/㎡의 은 농도를 가진다.
완성 구조를 형성하기 위해 사용된 감광성 화합물의 은 농도가 불충분하다면, 완성 구조의 전기 저항은 과도하게 높을 수 있거나 또는 전기 개방을 가진 구조를 야기할 수 있다. 불충분한 은 농도를 가진 감광성 화합물로 형성된 구조는 그러므로 예를 들면, 완성 구조의 전기 전도도를 증가시키기 위해 전기적 전도성 오버코트, 언더코트, 또는 예를 들면, 구리로부터 제조된 다른 전기적 전도성 층과 같은 부가적인 전도성 층을 요구할 것이다. 본 교시내용의 실시예에서, 감광성 화합물(302)을 사용하여 형성된 완성 구조는 완성 구조의 전기 전도도를 증가시키거나 또는 향상시킬 부가적인 전기적 전도성 구조를 포함하지 않는다(즉, 그것이 없다). 이 실시예에서, 안테나 또는 감광성 화합물로부터 형성된 다른 구조를 통한 전기 경로는 결과적인 은층에 의해 전부 제공된다.
완성 구조를 형성하기 위해 사용된 감광성 화합물의 은 농도가 과도하다면, 완성 구조는 과도한 두께 및/또는 과도한 제조 비용을 가질 수 있거나, 또는 제조 난관이 프로세싱 동안 발생할 수 있다.
기판(304)은 예를 들면, RFID 디바이스의 제작 동안 완성된 다중공진기가 전달되는 캐리어일 수 있다. 또 다른 실시예에서, 기판(304)은 완성된 RFID 디바이스의 일 부분을 형성할 반도체 기판일 수 있다.
광원(308)은 마스크(306)를 통해 감광성 화합물(302)을 노광시키기에 충분한 광의 강도 및 파장을 출력하는 광원일 수 있다. 예를 들면, 광원(308)은 약 400 나노미터(nm) 내지 약 750nm의 파장을 출력할 수 있다. 감광성 화합물(302)은 50 내지 3200의 국제 표준 기구(ISO) 속도를 가질 수 있으며, 이와 같이, 주어진 출력 파장에 대한 광원의 강도는 원하는 노광 지속 기간에 걸쳐 감광성 막을 노광시키기 위해 선택될 수 있다.
도 3에 묘사된 바와 같이 어셈블리(300)를 배치한 후, 광원(308)으로부터의 광(400)은 마스크(306)를 통해 투과되며, 그것에 의해 감광성 화합물(302)의 제1 부분으로 패턴화되는 반면, 감광성 화합물의 제2 부분은 광에 미노광된 채로 있는다. 마스크(306)를 통해 광(400)을 투과시키는 것은 감광성 화합물(302)의 제1 부분으로 비춰지는 광 패턴(404)을 형성한다. 광 패턴(404)으로 감광성 화합물(302)의 제1 부분을 노광시키는 것은 패턴화된 마스크(306)에 의해 적어도 부분적으로 결정되는 패턴을 가진, 금속성 은층(402)과 같은, 금속층(402)으로 감광성 화합물(302)의 제1 부분을 환원시킨다. 광 패턴에 노광되지 않은 감광성 화합물(302)의 제2 부분은 환원되지 않은 채로 있는다.
도 4는 광원(308)으로부터 감광성 화합물(302)로의 광(400)의 직접 투과를 묘사한다는 것이 이해될 것이다. 반사 및 굴절 기술은 광원(308)으로부터 감광성 화합물(302)로의 광(400)의 간접 투과를 위해 광원(308) 내지 감광성 화합물(302) 사이에서 이용될 수 있다는 것이 이해될 것이다.
금속층(402)을 형성하기 위해 도 4에 묘사된 바와 같이 광에 감광성 화합물(302)을 노광시킨 후, 남아있는 미노광된 감광성 화합물(302)은, 도 2의 구조와 유사할 수 있는, 도 5의 구조를 형성하기 위해 용액 내에서 용해될 수 있으며 세정될 수 있다. 실시예에서, 미노광된 감광성 화합물(302)은 이 기술분야에 알려진 바와 같이 사진 현상의 종래의 프로세스에 의해 제거될 수 있다.
그 다음에, 감광성 화합물의 제2 부분을 세정한 후, 프로세싱은 계속해서 금속층(402)으로부터 RFID 회로를 형성할 수 있다. 금속층(402)은 예를 들면, 송신 안테나(102)(도 1), 수신 안테나(106), 다중공진기(104), 또는 또 다른 RFID 구조로서 형성될 수 있다. 금속층(402)으로부터 RFID 회로를 형성한 다음에, 금속층(402)은 약 100nm 내지 약 800nm의 두께를 가질 수 있다.
도 6에 묘사된 바와 같이, 또 다른 실시예에서, 레이저 빔(602)을 출력하는 레이저(600)는 패턴화된 마스크가 요구되지 않도록 감광성 화합물을 노광시키기 위한 광원으로서 사용될 수 있다. 이 실시예에서, 기판(304)의 표면에 걸쳐 레이저(600) 및 그에 따라 레이저 빔(602)의 스캔 경로는 제어기(단순성을 위해 묘사되지 않음)로 프로그램될 수 있다. 레이저(600)가 기판(304)의 표면에 걸쳐 스캔함에 따라, 레이저 빔(602)은 감광성 화합물(302)로 투과되며, 그에 의해 광 패턴에 감광성 화합물(302)을 노광시키며 노광된 부분을 금속층(604)으로 환원시킨다. 이 실시예는 원하는 패턴이 마스크의 형성을 요구하기보다는 제어기로 프로그램되므로, 감소된 비용으로 다중공진기 패턴의 단순화된 맞춤화를 허용할 수 있다.
레이저(600)는, 예를 들면, 약 1.5 밀리와트(mW) 내지 약 35mW의 강도에서 약 632.8nm의 좁게 분포된 광 파장을 출력하는 헬륨-네온(HeNe) 레이저일 수 있다.
따라서, 본 교시내용은 하나 이상의 RFID 구조, 예를 들면 수신 안테나 및/또는 송신 안테나와 같은 안테나를 형성하기 위해 사진 기술의 사용을 포함할 수 있다. 상기 방법은 다중공진기, 전도성 라인 및/또는 전도성 상호연결 등과 같은 다른 RFID 구조를 형성하기 위해 추가로 사용될 수 있다. 비교적 비싼 고-전력 레이저를 요구하는, RFID 구조를 형성하기 위한 금속화된 마일러 층의 레이저 삭마와 대조적으로, 본 교시내용은 비교적 비싸지 않은 저-전력 레이저를 사용하여 패턴화된 마스크 또는 직접 기록 프로세스의 사용을 통해 패턴화되는 감광성 층의 노광을 포함할 수 있다.
본 교시내용의 넓은 범위를 제시하는 수치 범위 및 파라미터가 근사치임에도 불구하고, 특정 예에 제시된 수치 값은 가능한 한 정확하게 보고된다. 그러나, 임의의 수치 값은 본질적으로 반드시 그것들 각각의 테스팅 측정에서 발견된 표준 편차에 기인한 특정한 에러를 포함한다. 게다가, 여기에서 개시된 모든 범위는 그 안에 포함된 임의의 그리고 모든 서브-범위를 포괄하는 것으로 이해될 것이다. 예를 들면, "10 미만"의 범위는 0의 최소값 및 10의 최대값 사이에서의(및 이를 포함한) 임의의 그리고 모든 서브-범위, 즉, 0 이상의 최소값 및 10 이하의 최대값을 가진 임의의 그리고 모든 서브-범위, 예로서 1 내지 5를 포함할 수 있다. 특정한 경우에, 파라미터에 대해 서술된 바와 같이 수치 값은 음의 값을 채용할 수 있다. 이 경우에, "10 미만"으로서 서술된 범위의 예시적인 값은 음의 값, 예로서 -1, -2, -3, -10, -20, -30 등을 가정할 수 있다.
본 출원에서 사용된 바와 같이 상대적 위치의 용어는 가공부품의 배향에 관계없이, 가공부품의 작업 표면 또는 종래의 평면에 평행한 평면에 기초하여 정의된다. 본 출원에서 사용된 바와 같이 용어 "수평" 또는 "측방향"은 가공부품의 배향에 관계없이, 가공부품의 작업 표면 또는 종래의 평면에 평행한 평면으로서 정의된다. 용어 "수직"은 수평에 수직인 방향을 나타낸다. "~ 상에", "측면"("측벽"에서처럼), "상위", "하위", "~ 위에", "최상부", 및 "~ 아래에"와 같은 용어는 가공부품의 배향에 관계없이, 가공부품의 최상부 표면 상에 있는 종래의 평면 또는 작업 표면에 대하여 정의된다.

Claims (10)

  1. 라디오 주파수 식별(radio frequency identification: RFID) 디바이스를 형성하기 위한 방법으로서,
    기판 상에 감광성 화합물을 토출하는 단계로서, 상기 기판 상에 토출된 상기 감광성 화합물은 5.0 제곱미터당 밀리그램(㎎/㎡) 내지 150 ㎎/㎡의 은 농도를 갖는, 상기 감광성 화합물을 토출하는 단계;
    상기 감광성 화합물의 제2 부분이 광원으로부터의 광 패턴에 미노광된 채로 있는 동안 상기 감광성 화합물의 제1 부분을 금속층으로 변환시키기 위해 상기 광 패턴에 상기 감광성 화합물의 상기 제1 부분을 노광시키는 단계;
    상기 감광성 화합물의 상기 제2 부분을 제거하고 상기 기판 상에 상기 금속층을 남겨두는 단계; 및
    상기 금속층으로부터 RFID 회로를 형성하는 단계를 포함하는, 라디오 주파수 식별 디바이스를 형성하기 위한 방법.
  2. 제1항에 있어서, 패턴화된 마스크 또는 레티클(reticle)을 통해 상기 광원으로부터의 광을 투과시킴으로써 상기 광 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는, 라디오 주파수 식별 디바이스를 형성하기 위한 방법.
  3. 제1항에 있어서, 레이저로부터의 레이저 빔을 사용하여 상기 감광성 화합물 상에 상기 광 패턴을 직접 기록함으로써 상기 광 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는, 라디오 주파수 식별 디바이스를 형성하기 위한 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 금속층으로부터의 상기 RFID 회로의 상기 형성은 송신 안테나 및 수신 안테나 중 적어도 하나를 형성하는, 라디오 주파수 식별 디바이스를 형성하기 위한 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 금속층으로부터의 상기 RFID 회로의 상기 형성은 상기 금속층으로부터 다중공진기를 형성하는, 라디오 주파수 식별 디바이스를 형성하기 위한 방법.
  6. 라디오 주파수 식별(RFID) 디바이스를 형성하기 위한 방법으로서,
    기판 상에 할로겐화은을 토출하는 단계로서, 상기 기판 상에 토출된 상기 할로겐화은은 5.0 제곱미터당 밀리그램(㎎/㎡) 내지 150 ㎎/㎡의 은 농도를 갖는, 상기 할로겐화은을 토출하는 단계;
    상기 할로겐화은의 제2 부분이 광원으로부터의 광 패턴에 미노광된 채로 있는 동안 상기 할로겐화은의 제1 부분을 금속층으로 변환시키기 위해 상기 광 패턴에 상기 할로겐화은의 제1 부분을 노광시키는 단계;
    상기 할로겐화은의 상기 제2 부분을 제거하고 상기 기판 상에 상기 금속층을 남겨두는 단계; 및
    RFID 회로를 형성하는 단계로서, 상기 RFID 회로는 상기 금속층으로부터 형성된 안테나 및 다중공진기 중 적어도 하나를 포함하는, 상기 RFID 회로를 형성하는 단계를 포함하는, 라디오 주파수 식별 디바이스를 형성하기 위한 방법.
  7. 제6항에 있어서, 패턴화된 마스크 또는 레티클을 통해 상기 광원으로부터의 광을 투과시킴으로써 상기 광 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는, 라디오 주파수 식별 디바이스를 형성하기 위한 방법.
  8. 제6항에 있어서, 레이저로부터의 레이저 빔을 사용하여 상기 할로겐화은 상에 상기 광 패턴을 직접 기록함으로써 상기 광 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는, 라디오 주파수 식별 디바이스를 형성하기 위한 방법.
  9. 제6항에 있어서, 상기 할로겐화은의 상기 제2 부분의 상기 제거는 100 나노미터 내지 800 나노미터의 두께를 갖는 은층을 남겨두는, 라디오 주파수 식별 디바이스를 형성하기 위한 방법.
  10. 제6항에 있어서, 상기 기판 상에 토출된 상기 할로겐화은은 50 ㎎/㎡ 내지 150 ㎎/㎡의 은 농도를 갖는, 라디오 주파수 식별 디바이스를 형성하기 위한 방법.
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