KR20170124539A - Manufacturing method of connection structure - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 돌기 전극(42)을 갖는 회로 부품(4)과 기판(5)을, 도전 입자(7)가 접착제층(8) 중에 분산되어 이루어지는 이방 도전성 필름(9)을 통하여 접속하는 접속 공정을 구비하는 접속 구조체의 제조 방법이며, 이방 도전성 필름(9)으로서, 도전 입자(7)가 이방 도전성 필름(9)의 일면측에 편재된 이방 도전성 필름을 사용하고, 접속 공정은, 일면측이 기판(5)측을 향하도록 이방 도전성 필름(9)을 회로 부품(4)과 기판(5) 사이에 배치하고, 돌기 전극(42)의 표면(42a)과 기판(5)의 표면(5a) 사이의 거리 d가 도전 입자(7)의 평균 입경의 150％ 이하가 되도록 돌기 전극(42)을 이방 도전성 필름(9)에 압입하는 가고정 공정을 구비하는, 접속 구조체의 제조 방법을 제공한다.The present invention relates to a connecting process for connecting a circuit component 4 having a protruding electrode 42 and a substrate 5 via an anisotropic conductive film 9 in which conductive particles 7 are dispersed in an adhesive layer 8 Wherein an anisotropic conductive film in which conductive particles (7) are distributed on one surface side of the anisotropic conductive film (9) is used as the anisotropic conductive film (9) The anisotropic conductive film 9 is disposed between the circuit component 4 and the substrate 5 with the surface 42a of the protruding electrode 42 and the surface 5a of the substrate 5 facing the substrate 5, And pressing the protruding electrode (42) into the anisotropic conductive film (9) so that the distance d between the protruding electrodes (42) and the protruding electrode (42) is not more than 150% of the average particle diameter of the conductive particles (7).
Description
본 발명은 접속 구조체의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a connection structure.
액정 표시용 유리 패널 등의 기판과 액정 구동용 IC 등의 회로 부품을 접속하여 접속 구조체를 제조할 때, 도전 입자가 접착제층 중에 분산되어 이루어지는 이방 도전성 필름이 사용되는 경우가 있다. 이 경우, 회로 부품에 설치된 복수의 돌기 전극을 일괄적으로 기판에 접속하는 것이 가능하게 된다.An anisotropic conductive film in which conductive particles are dispersed in an adhesive layer when a connection structure is manufactured by connecting a substrate such as a liquid crystal display glass panel and a circuit component such as a liquid crystal driving IC is sometimes used. In this case, it is possible to collectively connect a plurality of projecting electrodes provided on the circuit component to the substrate.
최근에는, 전자 기기의 발달에 수반하여, 배선의 고밀도화 및 회로의 고기능화가 진행되고 있다. 그 결과, 돌기 전극의 소면적화 및 소피치화가 도모되고 있다. 이러한 돌기 전극의 접속에서 안정적인 전기적 접속을 얻기 위해서는, 충분한 수의 도전 입자를 돌기 전극과 기판 사이에 개재시킬 필요가 있다.In recent years, along with the development of electronic devices, higher density of wirings and higher function of circuits have been advanced. As a result, the surface area of the projecting electrode is reduced and the pitch is reduced. In order to obtain a stable electrical connection at the connection of the projection electrodes, a sufficient number of conductive particles must be interposed between the projection electrodes and the substrate.
이와 같은 과제에 대해, 예를 들어 특허문헌 1에서는, 도전 입자가 이방 도전성 필름의 편측의 표면 부근에 존재하는 이방 도전성 필름을 사용한 접속 구조체의 제조 방법이 개시되어 있다.For example,
그러나, 상술한 종래의 이방 도전성 필름을 사용한 경우에도, 가열ㆍ가압을 하여 접속 구조체를 제조할 때에 이방 도전성 필름의 접착제 성분이 유동하고, 그것에 수반하여 도전 입자가 돌기 전극과 기판 사이에서 유출되어 버리는 경우가 있다. 이 경우, 충분한 수의 도전 입자가 돌기 전극과 기판 사이에 개재되지 못할 우려가 있다.However, even when the above-described conventional anisotropic conductive film is used, the adhesive component of the anisotropic conductive film flows when the connection structure is manufactured by heating and pressing, and the conductive particles flow out between the projection electrode and the substrate There is a case. In this case, there is a possibility that a sufficient number of conductive particles may not be interposed between the projection electrode and the substrate.
본 발명은, 상기 과제의 해결을 위하여 이루어진 것이며, 충분한 수의 도전 입자를 돌기 전극과 기판 사이에 개재시키는 것이 가능한 접속 구조체의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a connection structure capable of interposing a sufficient number of conductive particles between a projection electrode and a substrate.
상기 과제의 해결을 위하여, 본 발명에 관한 접속 구조체의 제조 방법은, 돌기 전극을 갖는 회로 부품과 기판을, 도전 입자가 접착제층 중에 분산되어 이루어지는 이방 도전성 필름을 통해 접속하는 접속 공정을 구비하는 접속 구조체의 제조 방법이며, 이방 도전성 필름으로서, 도전 입자가 이방 도전성 필름의 일면측에 편재된 이방 도전성 필름을 사용하고, 접속 공정은, 일면측이 기판측을 향하도록 이방 도전성 필름을 회로 부품과 기판 사이에 배치하고, 돌기 전극의 표면과 기판의 표면 사이의 거리가 도전 입자의 평균 입경의 150％ 이하가 되도록 돌기 전극을 이방 도전성 필름에 압입하는 가고정 공정을 구비한다.In order to solve the above problems, a manufacturing method of a connection structure according to the present invention is a manufacturing method of a connection structure including a connection step of connecting circuit components having projecting electrodes and a substrate through an anisotropic conductive film in which conductive particles are dispersed in an adhesive layer Wherein an anisotropic conductive film in which conductive particles are unevenly distributed on one surface side of the anisotropic conductive film is used as the anisotropic conductive film and the anisotropic conductive film is bonded to the circuit component and the substrate And pressing the projecting electrode into the anisotropic conductive film so that the distance between the surface of the projecting electrode and the surface of the substrate is 150% or less of the average particle diameter of the conductive particles.
이 접속 구조체의 제조 방법에서는, 돌기 전극의 표면과 기판의 표면 사이의 거리가 도전 입자의 평균 입경의 150％ 이하가 되도록 돌기 전극을 이방 도전성 필름에 압입함으로써, 돌기 전극과 기판 사이로부터 이방 도전성 필름의 접착제 성분을 미리 배제할 수 있다. 이에 의해, 돌기 전극과 기판 사이에 존재하는 접착제 성분이 적어지기 때문에, 후속의 본고정 공정에서의 가열ㆍ가압에 의해 접착제 성분이 유동한 경우에도, 도전 입자가 돌기 전극과 기판 사이에서 유출되는 것을 억제할 수 있다. 그래서, 도전 입자를 돌기 전극과 기판 사이에 적합하게 포착할 수 있기 때문에, 얻어지는 접속 구조체에 있어서, 충분한 수의 도전 입자를 돌기 전극과 기판 사이에 개재시키는 것이 가능하게 된다.In this manufacturing method of the connection structure, the projecting electrode is pressed into the anisotropic conductive film so that the distance between the surface of the projecting electrode and the surface of the substrate is no more than 150% of the average particle diameter of the conductive particles, Can be excluded in advance. This reduces the number of adhesive components present between the protruding electrodes and the substrate, so that even when the adhesive component flows due to heating and pressing in the subsequent main fixing step, the conductive particles flow out between the protruding electrodes and the substrate . Thus, since the conductive particles can be suitably trapped between the protruding electrodes and the substrate, a sufficient number of conductive particles can be interposed between the protruding electrodes and the substrate in the obtained connecting structure.
가고정 공정에 있어서, 돌기 전극의 표면과 기판의 표면 사이의 거리가 도전 입자의 평균 입경의 100％ 이하가 되도록 돌기 전극을 이방 도전성 필름에 압입할 수 있다. 이 경우, 도전 입자가 돌기 전극 및 기판에 접촉된 상태에서 가고정되기 때문에, 도전 입자를 돌기 전극과 기판 사이에 보다 적합하게 포착할 수 있다.The projection electrode can be pressed into the anisotropic conductive film so that the distance between the surface of the projection electrode and the surface of the substrate becomes 100% or less of the average particle size of the conductive particles in the temporary fixing process. In this case, since the conductive particles are temporarily fixed in contact with the projection electrodes and the substrate, it is possible to more suitably capture the conductive particles between the projection electrodes and the substrate.
가고정 공정에 있어서, 돌기 전극의 표면과 기판의 표면 사이의 거리가 도전 입자의 평균 입경의 100％ 미만이 되도록 돌기 전극을 이방 도전성 필름에 압입할 수 있다. 이 경우, 가고정 공정에 있어서 도전 입자가 돌기 전극과 기판 사이에 맞물려서 포착되기 때문에, 이방 도전성 필름의 접착제 성분의 유동에 수반하는 도전 입자의 유출이 더 한층 억제되어, 도전 입자를 돌기 전극과 기판 사이에 적합하게 더 포착할 수 있다.The projection electrode can be pressed into the anisotropic conductive film so that the distance between the surface of the projection electrode and the surface of the substrate is less than 100% of the average particle size of the conductive particles in the temporary fixing process. In this case, since the conductive particles are trapped and caught between the projecting electrodes and the substrate in the temporary fixing step, the outflow of the conductive particles accompanying the flow of the adhesive component of the anisotropic conductive film is further suppressed, As shown in FIG.
접속 공정은, 가고정 공정 후에, 가열함과 함께 돌기 전극을 이방 도전성 필름에 더 압입함으로써, 돌기 전극과 기판을 도전 입자를 통하여 전기적으로 접속하는 본고정 공정을 더 구비할 수 있다. 이 경우, 가고정 공정에 있어서 돌기 전극과 기판 사이로부터 접착제 성분이 미리 배제되기 때문에, 본고정 공정에 있어서 가열함과 함께 돌기 전극을 이방 도전성 필름에 더 압입해도, 도전 입자가 돌기 전극과 기판 사이에서 유출되는 것을 억제할 수 있고, 도전 입자를 돌기 전극과 기판 사이에 적합하게 포착할 수 있다. 따라서, 접속 구조체에 있어서, 충분한 수의 도전 입자를 돌기 전극과 기판 사이에 개재시키는 것이 가능해진다.The connecting step may further include a main fixing step of electrically connecting the protruding electrode and the substrate via the conductive particles by further pressing the protruding electrode into the anisotropic conductive film together with the heating after the temporary fixing step. In this case, since the adhesive component is preliminarily excluded from between the projecting electrode and the substrate in the temporary fixing step, even if the projecting electrode is further pressed into the anisotropic conductive film together with the heating in the present fixing step, It is possible to appropriately trap the conductive particles between the protruding electrodes and the substrate. Therefore, in the connection structure, a sufficient number of conductive particles can be interposed between the projection electrode and the substrate.
본 발명에 따르면, 충분한 수의 도전 입자를 돌기 전극과 기판 사이에 개재시키는 것이 가능해진다.According to the present invention, it is possible to interpose a sufficient number of conductive particles between the projection electrode and the substrate.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 관한 접속 구조체가 적용된 전자 기기를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 접속 구조체를 나타내는 평면도이다.
도 3은 도 2 중의 I-I 화살표 방향으로 본 단면을 나타내는 모식 단면도이다.
도 4는 도 1의 접속 구조체의 제조 방법에서의 가고정 공정을 나타내는 모식 단면도이다.
도 5는 도 4의 (b)의 주요부 확대 모식 단면도이다.
도 6은 도 4의 후속의 본고정 공정을 나타내는 모식 단면도이다.1 is a plan view showing an electronic apparatus to which a connection structure according to an embodiment of the present invention is applied.
Fig. 2 is a plan view showing the connection structure of Fig. 1;
3 is a schematic cross-sectional view showing a cross section viewed in a direction of arrow II in Fig.
4 is a schematic cross-sectional view showing a temporary fixing step in the manufacturing method of the connection structure of Fig. 1;
5 is an enlarged schematic cross-sectional view of the main part of FIG. 4 (b).
6 is a schematic cross-sectional view showing the subsequent fixing step of FIG.
이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 접속 구조체의 제조 방법의 실시 형태에 대해 상세하게 설명한다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of a method for manufacturing a connection structure of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
도 1은, 본 발명의 실시 형태에 관한 접속 구조체가 적용된 전자 기기를 나타내는 평면도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 접속 구조체(1)는, 예를 들어 터치 패널 등의 전자 기기(2)에 적용되어 있다. 전자 기기(2)는, 예를 들어 액정 패널(3)과 회로 부품(4)으로 구성되어 있다.1 is a plan view showing an electronic apparatus to which a connection structure according to an embodiment of the present invention is applied. As shown in Fig. 1, the
액정 패널(3)은, 예를 들어 기판(5)과 액정 표시부(6)를 갖고 있다. 기판(5)은, 예를 들어 크기가 20 내지 300㎜×20 내지 400㎜, 두께가 0.1 내지 0.3㎜의 직사각형 판상을 나타내고 있다. 기판(5)으로서는, 예를 들어 무알칼리 유리 등으로 형성되는 유리 기판이 이용된다. 기판(5)의 표면(5a)에는, 액정 표시부(6) 및 회로 부품(4)의 돌기 전극(42)(후술)과 대응하도록 도시되지 않은 회로 전극이 형성되어 있다. 액정 표시부(6)는, 기판(5)의 표면(5a)에 설치되어 있고, 상술한 회로 전극에 접속되어 있다.The
회로 부품(4)은, 기판(5)보다 작은 직사각형 판상을 나타내고 있으며, 예를 들어 0.6 내지 3.0㎜×10 내지 50㎜의 크기, 예를 들어 0.1 내지 0.3㎜의 두께를 갖고 있다. 회로 부품(4)은, 액정 표시부(6)와 이격 배치되어 있고, 상술한 기판(5)의 회로 전극에 접속되어 있다(상세하게는 후술).The
도 2는, 접속 구조체를 나타내는 평면도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 회로 부품(4)은, 본체부(41)와, 본체부(41)에 설치된 돌기 전극(42)을 갖고 있다. 본체부(41)는, 실장면(41a)과, 실장면(41a)의 반대측에 비실장면(41b)을 갖고 있다. 접속 구조체(1)에 있어서, 회로 부품(4)은, 기판(5)과 실장면(41a)이 대향하도록 배치되어 있다. 본체부(41)에는, 실장면(41a)으로부터 돌출된 돌기 전극(예를 들어 범프 전극)(42)이 복수 형성되어 있다. 회로 부품(4)의 본체부(41)를 형성하는 재료로서는, 실리콘 등이 사용된다. 돌기 전극(42)은, 이방 도전성 필름에 함유되어 있는 도전 입자(상세하게는 후술)보다 부드러운 재료(Au 등)로 형성되어 있다.2 is a plan view showing a connection structure. As shown in Fig. 2, the
도 2에 도시된 바와 같이, 실장면(41a)에는, 예를 들어 실장면(41a)의 한쪽의 긴 변(41c)에 따라, 복수의 돌기 전극(42)이 대략 등간격으로 1열로 배치되어 있고, 또한, 실장면(41a)의 다른 쪽의 긴 변(41d)에 따라, 복수의 돌기 전극(42)이 대략 등간격으로 3열에 걸쳐서 지그재그 형상을 나타내도록 배치되어 있다. 한쪽의 긴 변(41c)측에 배치된 1열의 돌기 전극(42)은 예를 들어 입력측의 전극이며, 다른 쪽의 긴 변(41d)측에 배치된 3열의 돌기 전극(42)은 예를 들어 출력측의 전극이다. 돌기 전극(42)은, 예를 들어 2 내지 15㎛의 높이(실장면(41a)으로부터의 높이)를 갖고 있다. 또한, 실장면(41a)에 있어서는, 한쪽의 긴 변(41c)에 따라 복수의 돌기 전극(42)이 예를 들어 2 내지 4열에 걸쳐서 배치되어 있을 수도 있고, 다른 쪽의 긴 변(41d)에 따라 복수의 돌기 전극(42)이 예를 들어 2 또는 4열에 걸쳐서 배치되어 있을 수도 있다.As shown in Fig. 2, a plurality of protruding
도 3은, 도 2 중의 I-I 화살표 방향으로 본 단면을 나타내는 모식 단면도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 접속 구조체(1)에 있어서는, 회로 부품(4)과 기판(5)이, 도전 입자(7)가 접착제층(8) 중에 분산된 이방 도전성 필름(9)을 통하여 서로 접속되어 있다.3 is a schematic cross-sectional view showing a section taken along the direction of the arrow I-I in Fig. 3, the
이방 도전성 필름(9)의 접착제층(8)을 구성하는 접착제 성분으로서는, 열 또는 광에 의해 경화성을 나타내는 재료를 널리 적용할 수 있고, 예를 들어 에폭시계 접착제 또는 아크릴계 접착제를 사용할 수 있다. 접속 후의 내열성 및 내습성이 우수한 점에서, 가교성 재료가 바람직하게 사용된다. 그 중에서도, 열경화성 수지인 에폭시 수지를 주성분으로서 함유하는 에폭시계 접착제는, 단시간으로의 경화가 가능하여 접속 작업성이 양호하며, 접착성이 우수한 등의 관점에서 바람직하게 사용된다.As the adhesive component constituting the
에폭시계 접착제의 구체예로서는, 고분자량 에폭시 수지, 고형 에폭시 수지 혹은 액상 에폭시 수지, 또는, 이들 에폭시 수지를 우레탄, 폴리에스테르, 아크릴 고무, 니트릴 고무(NBR), 합성 선상 폴리아미드 등으로 변성한 변성 에폭시 수지를 주성분으로 하는 접착제를 들 수 있다. 에폭시계 접착제는, 일반적으로는, 주성분인 상기 에폭시 수지와, 경화제, 촉매, 커플링제, 충전제 등을 함유하고 있다.Specific examples of the epoxy adhesive include a high molecular weight epoxy resin, a solid epoxy resin or a liquid epoxy resin or a modified epoxy resin obtained by modifying these epoxy resins with urethane, polyester, acryl rubber, nitrile rubber (NBR), synthetic linear polyamide, And an adhesive containing a resin as a main component. The epoxy-based adhesive generally contains the above epoxy resin as a main component, a curing agent, a catalyst, a coupling agent, a filler and the like.
아크릴계 접착제의 구체예로서, 아크릴산, 아크릴산에스테르, 메타크릴산에스테르 및 아크릴로니트릴 중 적어도 하나를 단량체 성분으로 하는 아크릴 수지(중합체 또는 공중합체)를 주성분으로서 함유하는 접착제를 들 수 있다.Specific examples of the acrylic adhesive include an adhesive containing as a main component an acrylic resin (polymer or copolymer) having at least one of acrylic acid, acrylic acid ester, methacrylic acid ester and acrylonitrile as monomer components.
이방 도전성 필름(9)에 함유되는 도전 입자(7)로서는, Au, Ag, Pt, Ni, Cu, W, Sb, Sn, 땜납 등의 금속, 도전성 카본 등으로 형성된 입자가 예시된다. 도전 입자(7)는, 비도전성 유리, 세라믹, 플라스틱 등으로 형성된 입자를 핵으로 하여 이 핵을 상기의 금속, 도전성 카본 등으로 피복한 피복 입자일 수도 있다. 접속 전의 도전 입자(7)의 형상으로서는, 대략 구상, 직경 방향으로 복수의 돌기가 돌출되어 있는 형상(별 형상) 등을 들 수 있다.As the
접속 전의 도전 입자(7)의 평균 입경은, 분산성 및 도전성의 관점에서, 1 내지 18㎛인 것이 바람직하고, 2 내지 4㎛인 것이 보다 바람직하다. 이 범위 내에서, 평균 입경이 돌기 전극(42)의 높이보다 큰 도전 입자를 사용하는 것이 바람직하지만, 평균 입경이 돌기 전극(42)의 높이의 예를 들어 80 내지 100％인 도전 입자를 사용하는 것도 가능하다. 도전 입자(7)의 평균 입경은, 임의의 도전 입자 300개에 대해, 주사형 전자 현미경(SEM)을 이용한 관찰에 의해 입경의 측정을 행하고, 그러한 평균값을 취함으로써 얻어진다. 도전 입자(7)가 돌기를 갖는 등의 구형이 아닌 경우, 도전 입자(7)의 입경은, SEM의 화상에 있어서의 도전 입자에 외접하는 원의 직경으로 할 수 있다.From the viewpoints of dispersibility and conductivity, the average particle diameter of the
계속해서, 본 실시 형태에 관한 접속 구조체의 제조 방법에 대해 설명한다. 본 실시 형태에 관한 접속 구조체의 제조 방법은, 접속 공정을 구비하고 있고, 해당 접속 공정은, 가고정 공정과 본고정 공정을 구비하고 있다. 도 4는, 접속 구조체의 제조 방법에 있어서의 가고정 공정을 나타내는 모식 단면도이다. 가고정 공정에서는, 도 4의 (a)에 도시된 바와 같이, 이방 도전성 필름(9)으로서, 도전 입자(7)가 이방 도전성 필름(9)의 일면(9a)측에 편재된 이방 도전성 필름을 사용하고, 이방 도전성 필름(9)의 일면(9a)측이 기판(5)측을 향하도록, 이방 도전성 필름(9)을 회로 부품(4)과 기판(5) 사이(기판(5)의 표면(5a) 상)에 배치한다.Next, a manufacturing method of the connection structure according to the present embodiment will be described. The manufacturing method of the connection structure according to the present embodiment includes a connecting step, and the connecting step includes a temporary fixing step and a main fixing step. 4 is a schematic cross-sectional view showing a tentative fixing step in the method for manufacturing a connection structure. 4 (a), the anisotropic
이방 도전성 필름(9)의 두께는, 예를 들어 5㎛ 내지 30㎛일 수 있다. 도전 입자(7)는, 이방 도전성 필름(9)의 일면(9a)측으로부터의 거리가, 도전 입자(7)의 평균 입경의 바람직하게는 150％ 이하의 범위, 보다 바람직하게는 130％ 이하의 범위, 더욱 바람직하게는 110％ 이하의 범위에만 위치하고 있다.The thickness of the anisotropic
이방 도전성 필름(9)에 있어서, 도전 입자(7)를 이방 도전성 필름(9)의 일면(9a)측에 편재되게 하는 방법은, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 도전 입자(7)가 이방 도전성 필름(9)의 일면(9a)측에 편재된 이방 도전성 필름은, 도전 입자(7)를 함유하지 않는 절연성 접착제층의 일면측에, 도전 입자(7)를 함유하는 도전성 접착제층을 적층함으로써 형성된다. 이 경우, 도전성 접착제층의 두께는, 예를 들어 도전 입자(7)의 평균 입경의 0.6배 이상 1.0배 미만인 것이 바람직하다.The method of causing the
이방 도전성 필름(9)에 있어서의 도전 입자(7)의 함유량은, 도전 입자(7)가 과잉으로 존재하는 것에 의한 단락을 방지하는 관점에서, 이방 도전성 필름(9) 중의 도전 입자(7) 이외의 성분 100 부피부에 대해, 바람직하게는 1 부피부 내지 100 부피부, 보다 바람직하게는 10 부피부 내지 50 부피부이다. 이방 도전성 필름(9)에 있어서의 도전 입자(7)의 입자 밀도는, 예를 들어 5000개/㎟ 이상 50000개/㎟ 이하일 수도 있다.The content of the
가고정 공정에서는, 계속해서, 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이, 가열함과 함께 회로 부품(4)과 기판(5)의 대향 방향(도 4의 (b)의 화살표 방향)에 가압함으로써, 회로 부품(4)의 돌기 전극(42)을 이방 도전성 필름(9)에 압입해 간다. 이때의 가열 온도 및 압력은, 이방 도전성 필름(9)의 접착제 성분을 유동시키는 한편, 도전 입자(7)를 돌기 전극(42)과 기판(5) 사이에서 유출시키지 않고 유지할 수 있는 가열 온도 및 압력이 바람직하고, 각각 후속의 본고정 공정에서의 가열 온도 및 압력 이하이다. 구체적으로는, 가열 온도는 예를 들어 40℃ 내지 100℃이고, 압력은 예를 들어 회로 부품(4)의 돌기 전극(42)의 총전극 면적당 2MPa 내지 10MPa이다.4 (b), in the temporary fixing step, pressing is performed in the direction opposite to the direction in which the
도 5는, 도 4의 (b)의 주요부 확대 모식 단면도이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 가고정 공정에서는, 돌기 전극(42)의 표면(42a)과 기판(5)의 표면(5a) 사이의 거리 d가, 도전 입자(7)의 평균 입경에 대해, 바람직하게는 150％ 이하, 보다 바람직하게는 120％ 이하, 더욱 바람직하게는 100％ 이하, 특히 바람직하게는 100％ 미만이 되도록, 회로 부품(4)의 돌기 전극(42)을 이방 도전성 필름(9)으로 압입해 간다. 한편, 거리 d는, 도전 입자(7)의 평균 입경에 대해, 예를 들어 0.4배(40％) 이상일 수도 있다. 거리 d를 상기한 바와 같이 설정함으로써, 후술하는 본고정 공정 후의 접속 구조체에 있어서, 양호한 접속 신뢰성을 얻을 수 있다. 돌기 전극(42)의 표면(42a)과 기판(5)의 표면(5a) 사이의 거리 d는, 예를 들어 금속 현미경을 이용하여 기판(5)측으로부터 가고정된 회로 부품(4) 및 기판(5)을 관찰하여, 돌기 전극(42)의 표면(42a)의 초점 거리와 기판(5)의 표면(5a)의 초점 거리의 차로부터 산출할 수 있다.Fig. 5 is an enlarged schematic cross-sectional view of the main part of Fig. 4 (b). 5, the distance d between the
본 실시 형태에 관한 접속 구조체의 제조 방법에서는, 가고정 공정에 이어 본고정 공정이 행하여진다. 도 6은, 본고정 공정을 나타내는 모식 단면도이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 본고정 공정에서는, 회로 부품(4), 기판(5) 및 이방 도전성 필름(9)을 가열함과 함께 회로 부품(4)과 기판(5)과의 대향 방향(도 6의 화살표 방향)으로 가압함으로써, 회로 부품(4)의 돌기 전극(42)을 이방 도전성 필름(9)으로 더 압입해 간다. 이때의 가열 온도 및 압력은, 각각 상술한 가고정 공정에서의 가열 온도 및 압력 이상이다. 구체적으로는, 가열 온도는 예를 들어 100℃ 내지 200℃이고, 압력은 예를 들어 회로 부품(4)의 돌기 전극(42)의 총면적당 20MPa 내지 100MPa이다.In the manufacturing method of the connection structure according to the present embodiment, the temporary fixing step is followed by the fixing step. 6 is a schematic cross-sectional view showing the fixing step. 6, the
이에 따라, 이방 도전성 필름(9)의 접착제 성분이 더 유동하여, 돌기 전극(42)의 표면(42a)과 기판(5)의 표면(5a) 사이의 거리 d가 더 줄어든다. 그 결과, 도전 입자(7)의 편평률은 예를 들어 30％ 이상이 되고, 회로 부품(4)과 기판(5)의 접속이 담보된다. 그리고, 도전 입자(7)가 돌기 전극(42)과 기판(5) 사이에 맞물린 상태에서 접착제층(8)을 경화시킴으로써, 돌기 전극(42)과 그것에 대응하는 기판(5)의 회로 전극(도시하지 않음)이 도전 입자(7)를 통하여 전기적으로 접속되고, 또한 인접하는 돌기 전극(42, 43)끼리 및 인접하는 회로 전극끼리가 전기적으로 절연된 상태에서 도 3에 도시된 접속 구조체(1)가 얻어진다. 또한, 이방 도전성 필름(9)의 접착제 성분이 광경화성 수지를 함유하고 있는 경우, 본고정 공정에 있어서 가열ㆍ가압함과 함께 예를 들어 자외광을 조사함으로써 접착제층(8)을 경화시킬 수 있다.As a result, the adhesive component of the anisotropic
이 접속 구조체의 제조 방법에서는, 가고정 공정에 있어서, 돌기 전극(42)의 표면(42a)와 기판(5)의 표면(5a)사이의 거리 d가 도전 입자의 평균 입경의 150％ 이하가 되도록 돌기 전극(42)을 이방 도전성 필름(9)에 미리 압입한 후에, 본고정 공정에 있어서 돌기 전극(42)을 이방 도전성 필름(9)에 더 압입하고 있다. 여기서, 가고정 공정을 행하지 않고 본고정 공정을 행하는 종래의 접속 구조체의 제조 방법에서는, 본고정 공정에서 한번에 이방 도전성 필름의 접착제 성분이 유동하게 된다. 이로 인해, 접착제 성분이 급격한 유동에 따라 도전 입자가 돌기 전극과 기판 사이에서 유출하고, 돌기 전극과 기판 사이에 충분한 수의 도전 입자가 개재하지 않게 될 우려가 있다.In this connection structure manufacturing method, the distance d between the
이에 대해, 이 접속 구조체의 제조 방법에서는, 가고정 공정을 행함으로써, 돌기 전극(42)과 기판(5) 사이로부터 이방 도전성 필름(9)의 접착제 성분을 미리 배제할 수 있다. 이에 의해, 돌기 전극(42)과 기판(5) 사이에 존재하는 접착제 성분이 적어지기 때문에, 후속의 본고정 공정에서의 가열ㆍ가압에 의해 접착제 성분이 유동한 경우에도, 도전 입자(7)가 돌기 전극(42)과 기판(5) 사이에서 유출하는 것을 억제할 수 있다. 그래서, 도전 입자(7)가 돌기 전극(42)과 기판(5) 사이에 적합하게 포착되기 때문에, 얻어지는 접속 구조체(1)에 있어서, 충분한 수의 도전 입자(7)를 돌기 전극(42)과 기판(5) 사이에 개재시키는 것이 가능해진다.On the other hand, in this manufacturing method of the connection structure, the adhesive component of the anisotropic
상술한 작용 효과는, 이방 도전성 필름(9)으로서, 도전 입자(7)가 이방 도전성 필름(9)의 일면(9a)측에 편재된 이방 도전성 필름을 사용한 경우에 현저하게 발휘된다. 이 이유로서는, 유체의 유동성의 관점에서, 이방 도전성 필름(9)의 기판(5)의 계면측(일면(9a)측)에 있어서의 접착제 성분의 유동성은, 이방 도전성 필름(9)의 중앙부에서의 접착제 성분의 유동성보다 저하되는 것을 들 수 있다. 이로 인해, 유동성이 낮은 일면(9a)측에 편재된 도전 입자(7)는, 이방 도전성 필름 전체에 배치된 도전 입자(7)보다 유동이 더 억제되기 때문에, 상술한 작용 효과가 현저하게 발휘된다고 생각된다.The above-described operation effect is remarkably exhibited when an anisotropic conductive film in which the
또한, 가고정 공정에 있어서, 돌기 전극(42)의 표면(42a)과 기판(5)의 표면(5a) 사이의 거리 d가 도전 입자(7)의 평균 입경의 100％ 이하가 되도록 돌기 전극(42)을 이방 도전성 필름(9)에 압입하는 경우, 도전 입자(7)가 돌기 전극(42) 및 기판(5)에 접촉한 상태에서 가고정되기 때문에, 도전 입자(7)를 돌기 전극(42)과 기판(5) 사이에 더 적합하게 포착할 수 있다.The distance d between the
또한, 가고정 공정에 있어서, 돌기 전극(42)의 표면(42a)과 기판(5)의 표면(5a) 사이의 거리 d가 도전 입자(7)의 평균 입경의 100％ 미만이 되도록 돌기 전극(42)을 이방 도전성 필름(9)에 압입하는 경우, 가고정 공정에 있어서 도전 입자(7)가 돌기 전극(42)과 기판(5) 사이에 맞물려서 포착되기 때문에, 이방 도전성 필름(9)의 접착제 성분의 유동에 수반하는 도전 입자(7)의 유출이 더 한층 억제되어, 도전 입자(7)를 돌기 전극(42)과 기판(5)의 사이에 더 적합하게 포착할 수 있다.The distance d between the
실시예Example
이하, 실시예에 기초하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은, 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples, but the present invention is not limited to these examples.
[실시예 1-1 내지 1-3, 비교예 1-1][Examples 1-1 to 1-3 and Comparative Example 1-1]
(페녹시 수지 a의 합성)(Synthesis of phenoxy resin a)
4,4'-(9-플루오레닐리덴)-디페놀 45g(시그마 알드리치 재팬 가부시키가이샤 제조) 및 3,3',5,5'-테트라메틸비페놀디글리시딜에테르 50g(미쯔비시 가가꾸 가부시키가이샤제: YX-4000H)을, 딤로스 냉각관, 염화칼슘 관 및 교반 모터에 접속된 테플론(등록 상표) 교반봉을 장착한 3000mL의 삼구 플라스크 중에서 N-메틸피롤리돈 1000mL에 용해하여 반응액으로 했다. 이것에 탄산칼륨 21g을 추가하고, 맨틀 히터로 110℃에서 가열하면서 교반했다. 3시간 교반 후, 1000mL의 메탄올이 들어간 비이커에 반응액을 적하하여, 생성된 침전물을 흡인 여과함으로써 여과 취출했다. 여과 취출된 침전물을 300mL의 메탄올로 3회 더 세정하고, 페녹시 수지 a를 75g 얻었다.45 g of 4,4 '- (9-fluorenylidene) -diphenol (Sigma Aldrich Japan K.K.) and 3 g of 3,3', 5,5'-tetramethylbiphenol diglycidyl ether YX-4000H) was dissolved in 1000 mL of N-methylpyrrolidone in a 3000 mL three-necked flask equipped with a Dimros condenser, a calcium chloride tube, and a Teflon (registered trademark) stirring rod connected to a stirring motor To prepare a reaction solution. To this was added 21 g of potassium carbonate and the mixture was heated with a mantle heater at 110 占 폚 while stirring. After stirring for 3 hours, the reaction solution was dropped into a beaker containing 1000 mL of methanol, and the resulting precipitate was filtered off by suction filtration. The precipitate collected by filtration was further washed three times with 300 mL of methanol to obtain 75 g of phenoxy resin a.
그 후, 도소 가부시키가이샤제 고속 액체 크로마토그래프 GP8020을 이용하여 페녹시 수지 a의 분자량을 측정했다(측정 조건은 상술). 그 결과, 폴리스티렌 환산으로 Mn=15769, Mw=38045, Mw/Mn=2.413이었다.Thereafter, the molecular weight of the phenoxy resin (a) was measured using a high performance liquid chromatograph GP8020 manufactured by Tosoh Corporation (measurement conditions described above). As a result, Mn = 15769, Mw = 38045 and Mw / Mn = 2.413 in terms of polystyrene.
(이방 도전성 필름 A의 제작)(Preparation of anisotropic conductive film A)
도전성 접착제층용 접착제 페이스트의 형성에 있어서, 에폭시 화합물로서 비스페놀 A형 에폭시 수지(미쯔비시 가가꾸 가부시키가이샤제: jER828)를 고형분으로 50질량부, 경화제로서 4-히드록시페닐메틸벤질술포늄헥사플루오로안티모네이트를 고형분으로 5질량부 및 필름 형성재로서 페녹시 수지 a를 고형분으로 50질량부를 배합했다. 또한, 도전 입자로서, 폴리스티렌을 핵으로 하는 입자 표면에 두께 0.2㎛의 니켈층을 형성하고, 평균 입경 3.3㎛, 비중 2.5의 도전 입자를 제작하여, 이 도전 입자를 50질량부로 상기 배합물에 더 배합했다. 그리고, 이 접착제 페이스트를 두께 50㎛의 PET 필름에 코터를 이용하여 도포하고, 건조시킴으로써, PET 필름 상에 형성된 두께가 3㎛인 도전성 접착제층을 얻었다.In forming the adhesive paste for a conductive adhesive layer, 50 parts by mass of a bisphenol A type epoxy resin (jER828, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as a solid component and 4 parts by mass of 4-
이어서, 절연성 접착제층용 접착제 페이스트의 형성에서, 에폭시 화합물로서 비스페놀 F형 에폭시 수지(미쯔비시 가가꾸 가부시키가이샤제:jER807)를 고형분으로 45질량부, 경화제로서 4-히드록시페닐메틸벤질술포늄헥사플루오로안티모네이트를 고형분으로 5질량부 및 필름 형성재로서 비스페놀 Aㆍ비스페놀 F 공중합형 페녹시 수지(신닛테츠 스미낑 가가꾸 가부시키가이샤제:YP-70)를 고형분으로 55질량부를 배합했다. 그리고, 이 접착제 페이스트를 두께 50㎛의 PET 필름에 코터를 이용하여 도포하고, 건조시킴으로써, PET 필름 상에 형성된 두께가 14㎛인 절연성 접착제층을 얻었다. 그 후, 도전성 접착제층과 절연성 접착제층을 40℃에서 가열하여 핫 롤 라미네이터로 접합하고, PET 필름간에 끼워진 이방 도전성 필름 A를 얻었다.Subsequently, in the formation of the adhesive paste for an insulating adhesive layer, 45 parts by mass of bisphenol F type epoxy resin (jER807, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) was added as an epoxy compound, and 4 parts by mass of 4-hydroxyphenylmethylbenzylsulfonium hexafluoro And 5 parts by mass of lanthymonate as a solid component and 55 parts by mass of bisphenol A-bisphenol F copolymerized phenoxy resin (YP-70, manufactured by Shin-Tetsu Sumitomo Chemical Co., Ltd.) as a solid content. The adhesive paste was applied to a PET film having a thickness of 50 占 퐉 using a coater and dried to obtain an insulating adhesive layer having a thickness of 14 占 퐉 formed on the PET film. Thereafter, the conductive adhesive layer and the insulating adhesive layer were heated at 40 占 폚 and bonded with a hot roll laminator to obtain an anisotropic conductive film A interposed between the PET films.
얻어진 이방 도전성 필름 A에 대해, 25000㎛2당 도전 입자수를 20개소에서 실측하고, 그의 평균값을 1㎟당 도전 입자수로 환산했다. 그 결과, 이방 도전성 필름 A 중의 도전 입자의 밀도는, 280000개/㎟였다.With respect to the obtained anisotropic conductive film A, the number of conductive particles per 2 25000 μm 2 was measured at 20 sites, and the average value thereof was converted into the number of conductive particles per 1 mm 2 . As a result, the density of the conductive particles in the anisotropic conductive film A was 280,000 /
(접속 구조체의 제작)(Fabrication of connection structure)
회로 부품으로서, 범프 전극을 배열한 IC 칩(외형 2㎜×20㎜, 두께 0.3㎜, 범프 전극의 면적 840㎛2(세로 70㎛×가로 12㎛), 범프 전극간 스페이스 12㎛, 범프 전극 높이 15㎛)을 준비하였다. 또한, 기판으로서, 유리 기판(코닝사제:#1737, 38㎜×28㎜, 두께 0.3㎜)의 표면에 ITO의 배선 패턴(패턴 폭 31㎛, 전극간 스페이스 7㎛)이 형성된 기판을 준비하였다.An IC chip (
IC 칩과 유리 기판의 접속에는, 세라믹 히터를 포함하는 스테이지(150㎜×150㎜) 및 툴(3㎜×20㎜)로 구성되는 열 압착 장치를 이용했다. 그리고, 상기의 이방 도전성 필름 A(2.5㎜×25㎜)의 도전성 접착제층측의 PET 필름을 박리하고, 80℃, 0.98MPa의 조건에서 2초간 가열 및 가압되어 도전성 접착제층측의 면을 유리 기판에 부착했다.A thermocompression bonding apparatus comprising a stage (150 mm x 150 mm) including a ceramic heater and a tool (3 mm x 20 mm) was used for connection between the IC chip and the glass substrate. Then, the PET film on the side of the conductive adhesive layer of the anisotropic conductive film A (2.5 mm x 25 mm) was peeled off and heated and pressed under the conditions of 80 DEG C and 0.98 MPa for 2 seconds to attach the side of the conductive adhesive layer to the glass substrate did.
이어서, IC 칩의 범프 전극과 유리 기판의 회로 전극의 위치 정렬을 행한 후, 표 1에 나타내는 가고정 온도 및 가고정 압력으로 1초간 가열 및 가압하고, IC 칩의 범프 전극을 이방 도전성 필름 A에 압입했다. 가고정 후의 유리 기판과 범프 전극 사이의 거리를 표 1에 나타낸다. 또한, 가고정 후의 기판과 범프 전극 사이의 거리는, 금속 현미경을 이용하여 유리 기판측에서 관찰하고, 유리 기판의 표면 초점 거리와 범프 전극의 표면 초점 거리의 차로부터 산출했다.Subsequently, the bump electrodes of the IC chip and the circuit electrodes of the glass substrate were aligned, and then heated and pressed for 1 second at the temporary fixed temperature and the temporary pressure shown in Table 1, and the bump electrodes of the IC chip were bonded to the anisotropic conductive film A And pressed. Table 1 shows the distances between the glass substrate and the bump electrodes after the temporary fixation. The distance between the substrate and the bump electrode after the temporary fixing was observed from the side of the glass substrate using a metallurgical microscope and calculated from the difference between the surface focal distance of the glass substrate and the surface focal distance of the bump electrode.
계속해서, 160℃, 70MPa의 조건에서 5초간 가열 및 가압함으로써, 유리 기판에 IC 칩을 본고정하고, 접속 구조체를 얻었다. 접속 구조체에 있어서의 도전 입자의 포착률을 이하의 식에 기초하여 산출했다.Subsequently, heating and pressing for 5 seconds at 160 DEG C and 70 MPa were carried out to fix the IC chip on the glass substrate, and a connection structure was obtained. The trapping rate of the conductive particles in the connection structure was calculated based on the following formula.
포착률(％)=(범프 전극 상의 도전 입자수/(1㎟/범프 전극 면적)/이방 도전성 필름의 1㎟당 도전 입자수)×100(%) = (Number of conductive particles on bump electrode / (1
또한, 금속 현미경을 이용하여 범프 전극 200개소에 대해 도전 입자수를 실측하고, 그의 평균값을 범프 전극 상의 도전 입자수로 했다. 결과를 표 1에 나타낸다.Further, the number of conductive particles was measured with respect to 200 bump electrodes using a metallurgical microscope, and the average value was regarded as the number of conductive particles on the bump electrodes. The results are shown in Table 1.
[실시예 2-1 내지 2-2, 비교예 2-1][Examples 2-1 to 2-2 and Comparative Example 2-1]
(이방 도전성 필름 B의 제작)(Production of anisotropic conductive film B)
페녹시 수지 a 대신에 비스페놀 A형 페녹시 수지(신닛테츠 스미낑 가가꾸 가부시키가이샤제: YP-50), 비스페놀 Aㆍ비스페놀 F 공중합형 페녹시 수지(신닛테츠 스미낑 가가꾸 가부시키가이샤제: YP-70)를 대신하여 비스페놀 F형 페녹시 수지(신닛테츠 스미낑 가가꾸 가부시키가이샤제: FX-316)를 각각 이용한 것 이외는, 이방 도전성 필름 A와 동일하게 하여 이방 도전성 필름 B를 제작했다. 얻어진 이방 도전성 필름 B에 대해, 25000㎛2당의 도전 입자수를 20개소에서 실측하고, 그의 평균값을 1㎟당 도전 입자수로 환산했다. 그 결과, 이방 도전성 필름 B 중의 도전 입자의 밀도는, 330000개/㎟였다.A phenoxy resin A (YP-50, manufactured by Shin-Tetsu Sumisho Chemical Co., Ltd.), a bisphenol A-bisphenol F copolymerized phenoxy resin (available from Shin-Tetsu Sumitomo Chemical Co., Except that an anisotropic conductive film B was used in the same manner as in the case of the anisotropic conductive film A except that bisphenol F type phenoxy resin (FX-316, manufactured by Shin-Tetsu Sumisho Chemical Co., Ltd.) was used instead of YP- . With respect to the obtained anisotropic conductive film B, the number of conductive particles per 2 25,000 μm 2 was measured at 20 sites, and the average value thereof was converted into the number of conductive particles per 1 mm 2 . As a result, the density of the conductive particles in the anisotropic conductive film B was 330,000 /
이방 도전성 필름 B를 사용한 것 이외는 실시예 1-1과 동일하게 하여, 표 2에 나타내는 조건으로 접속 구조체의 제작을 행하고, 도전 입자의 포착률을 측정했다. 결과를 표 2에 나타낸다.A connection structure was produced under the conditions shown in Table 2 in the same manner as in Example 1-1 except that the anisotropic conductive film B was used to measure the trapping rate of the conductive particles. The results are shown in Table 2.
[실시예 3-1 내지 3-2, 비교예 3-1 내지 3-2][Examples 3-1 to 3-2, Comparative Examples 3-1 to 3-2]
절연성 접착제층의 두께를 표 3에 나타낸 바와 같이 변경한 것 이외는 실시예 1-1과 동일하게 하여, 표 3에 나타내는 조건으로 접속 구조체의 제작을 행하고, 도전 입자의 포착률을 측정했다. 결과를 표 3에 나타낸다.The connection structure was manufactured under the conditions shown in Table 3 in the same manner as in Example 1-1, except that the thickness of the insulating adhesive layer was changed as shown in Table 3, and the coverage of the conductive particles was measured. The results are shown in Table 3.
[실시예 3-1 내지 3-2, 비교예 3-1 내지 3-2][Examples 3-1 to 3-2, Comparative Examples 3-1 to 3-2]
절연성 접착제층의 두께 및 범프 전극의 높이를 표 4에 나타낸 바와 같이 변경한 것 이외는 실시예 1-1과 동일하게 하여, 표 4에 나타내는 조건으로 접속 구조체의 제작을 행하고, 도전 입자의 포착률을 측정했다. 결과를 표 4에 나타낸다.The connection structure was fabricated under the conditions shown in Table 4 in the same manner as in Example 1-1 except that the thickness of the insulating adhesive layer and the height of the bump electrodes were changed as shown in Table 4, Respectively. The results are shown in Table 4.
[참고예 1-1 내지 1-3][Reference Examples 1-1 to 1-3]
절연성 접착제층 및 도전성 접착제층의 두께, 그리고 도전 입자의 입자 밀도를 표 5에 나타낸 바와 같이 변경한 것 이외는 실시예 1-1과 동일하게 하여, 표 5에 나타내는 조건으로 접속 구조체의 제작을 행하고, 도전 입자의 포착률을 측정했다. 결과를 표 5에 나타낸다. 또한, 참고예 1-1 내지 1-3에서는, 도전 입자의 평균 입경이 3.3㎛인 것에 대해, 도전성 접착제층의 두께가 5㎛이기 때문에, 도전 입자는, 이방 도전성 필름의 일면측에 편재되어 있지 않다.The connection structure was produced under the conditions shown in Table 5, in the same manner as in Example 1-1, except that the thickness of the insulating adhesive layer, the thickness of the conductive adhesive layer, and the particle density of the conductive particles were changed as shown in Table 5 , And the trapping rate of the conductive particles was measured. The results are shown in Table 5. Further, in Reference Examples 1-1 to 1-3, the average particle diameter of the conductive particles is 3.3 m, whereas the thickness of the conductive adhesive layer is 5 m, so that the conductive particles are unevenly distributed on one surface side of the anisotropic conductive film not.
1: 접속 구조체
4: 회로 부품
5: 기판
5a: 기판의 표면
7: 도전 입자
8: 접착제층
9: 이방 도전성 필름
42: 돌기 전극
42a: 돌기 전극의 표면
d: 돌기 전극의 표면과 기판의 표면과의 거리.1: connection structure
4: Circuit parts
5: substrate
5a: surface of the substrate
7: Conductive particles
8: Adhesive layer
9: Anisotropic conductive film
42: protruding electrode
42a: Surface of protruding electrode
d: Distance between the surface of the projection electrode and the surface of the substrate.
Claims (4)
상기 이방 도전성 필름으로서, 상기 도전 입자가 상기 이방 도전성 필름의 일면측에 편재된 이방 도전성 필름을 사용하고,
상기 접속 공정은,
상기 일면측이 상기 기판측을 향하도록 상기 이방 도전성 필름을 상기 회로 부품과 상기 기판 사이에 배치하고, 상기 돌기 전극의 표면과 상기 기판의 표면 사이의 거리가 상기 도전 입자의 평균 입경의 150％ 이하가 되도록 상기 돌기 전극을 상기 이방 도전성 필름에 압입하는 가고정 공정을 구비하는, 접속 구조체의 제조 방법.And a connecting step of connecting the circuit component having the projecting electrode and the substrate via an anisotropic conductive film in which conductive particles are dispersed in the adhesive layer,
As the anisotropic conductive film, an anisotropic conductive film in which the conductive particles are unevenly distributed on one surface side of the anisotropic conductive film is used,
In the connecting step,
The anisotropic conductive film is disposed between the circuit component and the substrate such that the one surface side faces the substrate side and the distance between the surface of the protruding electrode and the surface of the substrate is 150% And pressing the protruded electrode into the anisotropic conductive film so as to form the protruding electrode.
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08279371A (en) * | 1995-02-07 | 1996-10-22 | Hitachi Chem Co Ltd | Connecting member and connecting structure and connecting method of electrode by using the connecting member |
| KR20000067837A (en) * | 1998-12-25 | 2000-11-25 | 이데이 노부유끼 | Electric connecting method and apparatus |
| JP2002358825A (en) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Hitachi Chem Co Ltd | Anisotropic conductive adhesion film |
| JP2007103545A (en) | 2005-10-03 | 2007-04-19 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | Connection structure and method of manufacturing same |
Family Cites Families (5)
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|---|---|---|---|---|
| JP3800631B2 (en) * | 1997-02-27 | 2006-07-26 | セイコーエプソン株式会社 | Method for manufacturing anisotropic conductive adhesive, method for manufacturing connection structure, and method for manufacturing liquid crystal device |
| JP2000113919A (en) * | 1998-08-03 | 2000-04-21 | Sony Corp | Electrical connection device and electrically connecting method |
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Patent Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| JPH08279371A (en) * | 1995-02-07 | 1996-10-22 | Hitachi Chem Co Ltd | Connecting member and connecting structure and connecting method of electrode by using the connecting member |
| KR20000067837A (en) * | 1998-12-25 | 2000-11-25 | 이데이 노부유끼 | Electric connecting method and apparatus |
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