KR20170121909A - Apparatus and method for bonding dies onto wafer - Google Patents

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Abstract

Disclosed are an apparatus and a method for bonding dies on a wafer which can reduce the time required for a wafer level die bonding process. The apparatus comprises: a first stage for supporting a first wafer in which first dies are formed; and a pair of bonding heads arranged in an X-axis direction on the first stage and bonding second dies on the first wafer. The first stage and the bonding heads are formed to be able to rotate to adjust a bonding angle of the second dies, thereby simultaneously performing operations by the bonding heads in a die bonding process on the first wafer.

Description

웨이퍼 상에 다이들을 본딩하기 위한 장치 및 방법{Apparatus and method for bonding dies onto wafer}[0001] Apparatus and method for bonding dies on a wafer [0002]

본 발명의 실시예들은 웨이퍼 상에 다이들을 본딩하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 제1 다이들이 형성된 웨이퍼 상에 제2 다이들을 본딩하기 위한 웨이퍼 레벨 다이 본딩 장치 및 이를 이용하는 웨이퍼 레벨 다이 본딩 방법에 관한 것이다.Embodiments of the present invention are directed to an apparatus and method for bonding dies on a wafer. More particularly, the present invention relates to a wafer level die bonding apparatus for bonding second dies on a wafer on which first dies are formed, and a wafer level die bonding method using the same.

일반적으로 반도체 소자들은 일련의 제조 공정들을 반복적으로 수행함으로써 반도체 기판으로서 사용되는 실리콘 웨이퍼 상에 형성될 수 있다. 상기 반도체 소자들이 형성된 웨이퍼는 다이싱 공정을 통해 복수의 다이들로 분할될 수 있으며, 상기 다이들은 리드 프레임 또는 인쇄회로기판 등과 같은 기판 상에 본딩된 후 몰딩 공정을 통해 반도체 패키지들로 제조될 수 있다.Generally, semiconductor devices can be formed on a silicon wafer used as a semiconductor substrate by repeatedly performing a series of manufacturing processes. The wafer on which the semiconductor devices are formed can be divided into a plurality of dies through a dicing process and the dies can be bonded onto a substrate such as a lead frame or a printed circuit board and then manufactured into semiconductor packages through a molding process have.

그러나, 최근 복수의 반도체 다이들을 적층 형태로 본딩하여 제조하는 멀티칩 패키지 소자의 경우 웨이퍼 상에 다이들을 직접 본딩하는 웨이퍼 레벨 다이 본딩 공정에 의해 제조될 수 있다. 상기와 같이 웨이퍼 상에 직접 본딩된 다이들은 후속하는 웨이퍼 레벨 몰딩 공정에 의해 패키징될 수 있으며, 이어서 다이싱 공정에 의해 개별 반도체 소자들로 분할될 수 있다.However, recently, in the case of a multi-chip package device manufactured by bonding a plurality of semiconductor dies in a laminated form, it can be manufactured by a wafer level die bonding process in which dies are directly bonded onto the wafer. The dies directly bonded onto the wafer as described above may be packaged by a subsequent wafer level molding process and then divided into discrete semiconductor devices by a dicing process.

일 예로서, 대한민국 등록특허공보 제10-1584672호에는 웨이퍼 상에 다이들을 직접 가압 본딩하는 반도체 칩 가압 본딩 장치가 개시되어 있다. 그러나, 하나의 본딩 헤드를 이용하여 상기 웨이퍼 상에 대략 수십 내지 수백 개의 다이들을 본딩하기에는 매우 긴 시간이 소요되며 이에 의해 생산성이 매우 낮은 문제점이 있다.As an example, Korean Patent Registration No. 10-1584672 discloses a semiconductor chip pressure bonding apparatus that directly press-bonds dies on a wafer. However, it takes a very long time to bond approximately several tens to several hundreds of dies on the wafer by using one bonding head, which results in a very low productivity.

본 발명의 실시예들은 웨이퍼 레벨 다이 본딩 공정에 소요되는 시간을 크게 단축시킬 수 있는 웨이퍼 레벨 다이 본딩 장치와 이를 이용하는 웨이퍼 레벨 다이 본딩 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.Embodiments of the present invention are directed to a wafer level die bonding apparatus and a wafer level die bonding method that can significantly shorten the time required for a wafer level die bonding process.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 웨이퍼 레벨 다이 본딩 장치는, 제1 다이들이 형성된 제1 웨이퍼를 지지하는 제1 스테이지와, 상기 제1 스테이지의 상부에서 X축 방향으로 배치되며 제2 다이들을 상기 제1 웨이퍼 상에 본딩하기 위한 한 쌍의 본딩 헤드들을 포함할 수 있으며, 상기 제1 스테이지와 상기 본딩 헤드들은 상기 제2 다이들의 본딩 각도를 조절하기 위하여 각각 회전 가능하게 구성될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a wafer level die bonding apparatus including a first stage for supporting a first wafer on which first dies are formed, a second stage for supporting the first wafer on the first stage, 2 dies on the first wafer, wherein the first stage and the bonding heads are each rotatable to adjust the bonding angle of the second dies have.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 X축 방향으로 상기 본딩 헤드들을 각각 이동시키기 위한 X축 구동부가 더 구비될 수 있다.According to embodiments of the present invention, an X-axis driver for moving the bonding heads in the X-axis direction may be further included.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제1 스테이지와 상기 본딩 헤드들의 동작을 제어하기 위한 제어부가 더 구비될 수 있다. 상기 제어부는, 상기 제1 웨이퍼의 중앙 부위를 상기 X축 방향으로 가로지르는 제1 본딩 영역을 설정하고, 상기 X축 방향에 대하여 직교하는 Y축 방향으로 상기 제1 본딩 영역을 제외한 나머지 영역들을 제2 본딩 영역들로 설정할 수 있다. 또한, 상기 제어부는, 상기 제1 본딩 영역에 상기 제2 다이들을 본딩하는 제1 본딩 공정을 수행한 후, 상기 제2 본딩 영역들이 상기 X축 방향으로 배치되도록 상기 제1 스테이지를 회전시키고, 상기 제2 본딩 영역들에 상기 제2 다이들을 본딩하는 제2 본딩 공정을 수행할 수 있다. 특히, 상기 제어부는 상기 제2 본딩 공정에서 상기 제2 다이들의 본딩 각도를 조절하기 위해 상기 본딩 헤드들을 상기 제1 웨이퍼의 회전 각도와 동일한 각도로 각각 회전시킬 수 있다.According to embodiments of the present invention, a controller for controlling the operations of the first stage and the bonding heads may be further included. The control section sets a first bonding region that intersects the central portion of the first wafer in the X axis direction and sets the remaining regions excluding the first bonding region in the Y axis direction orthogonal to the X axis direction, 2 bonding areas. Also, the controller may perform a first bonding process of bonding the second dies to the first bonding area, then rotate the first stage so that the second bonding areas are arranged in the X-axis direction, And a second bonding process of bonding the second dies to the second bonding areas. In particular, the controller may rotate the bonding heads at an angle equal to the rotation angle of the first wafer to adjust the bonding angle of the second dies in the second bonding process.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 본딩 헤드들을 상기 X축 방향에 대하여 직교하는 Y축 방향으로 각각 정렬하기 위한 정렬 구동부들이 더 구비될 수 있다.According to embodiments of the present invention, alignment driving units may be further provided for aligning the bonding heads in the Y-axis direction orthogonal to the X-axis direction.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제1 스테이지를 상기 X축 방향에 대하여 직교하는 Y축 방향으로 이동시키기 위한 Y축 구동부가 더 구비될 수 있다.According to embodiments of the present invention, a Y-axis driving unit may be further provided for moving the first stage in the Y-axis direction orthogonal to the X-axis direction.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 X축 방향으로 상기 제1 스테이지의 일측에 배치되며 상기 제2 다이들을 포함하는 제2 웨이퍼를 지지하기 위한 제2 스테이지가 더 구비될 수 있다.According to embodiments of the present invention, a second stage may be further provided for supporting a second wafer disposed on one side of the first stage in the X-axis direction and including the second dies.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제1 스테이지와 상기 제2 스테이지 사이에 배치되며 상기 본딩 헤드들 및 상기 본딩 헤드들에 의해 픽업된 제2 다이들의 정렬 상태를 검사하기 위한 카메라가 더 구비될 수 있다.According to embodiments of the present invention, there is further provided a camera disposed between the first stage and the second stage for inspecting alignment states of the bonding dies and the second dies picked up by the bonding heads .

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제2 스테이지를 상기 X축 방향에 대하여 직교하는 Y축 방향으로 이동시키기 위한 제2 Y축 구동부가 더 구비될 수 있다.According to embodiments of the present invention, a second Y-axis driving unit for moving the second stage in the Y-axis direction orthogonal to the X-axis direction may be further provided.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제2 웨이퍼는 다이싱 테이프 상에 부착된 상태로 제공되고, 상기 제2 스테이지는 상기 다이싱 테이프가 장착된 링 형태의 마운트 프레임을 지지할 수 있다. 이때, 상기 제2 스테이지의 아래에는 상기 다이싱 테이프로부터 상기 제2 다이들을 선택적으로 분리시키기 위한 이젝트 유닛이 배치될 수 있다.According to the embodiments of the present invention, the second wafer is provided while being attached on the dicing tape, and the second stage can support the ring-shaped mount frame on which the dicing tape is mounted. At this time, an eject unit for selectively separating the second dies from the dicing tape may be disposed under the second stage.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 이젝트 유닛을 상기 X축 방향으로 이동시키기 위한 제2 X축 구동부가 더 구비될 수 있다.According to embodiments of the present invention, a second X-axis driving unit for moving the eject unit in the X-axis direction may be further provided.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따른 웨이퍼 상에 다이들을 본딩하는 방법은, 제1 다이들이 형성된 제1 웨이퍼의 중앙 부위를 가로지르는 X축 방향으로 제1 본딩 영역을 설정하는 단계와, 상기 X축 방향에 대하여 직교하는 Y축 방향으로 상기 제1 본딩 영역을 제외한 나머지 영역들을 제2 본딩 영역들로 설정하는 단계와, 상기 X축 방향으로 배치된 한 쌍의 본딩 헤드들을 이용하여 상기 제1 본딩 영역에 제2 다이들을 본딩하는 제1 본딩 공정을 수행하는 단계와, 상기 제2 본딩 영역들이 상기 X축 방향으로 배치되도록 상기 제1 웨이퍼를 회전시키는 단계와, 상기 본딩 헤드들을 이용하여 상기 제2 본딩 영역들에 제2 다이들을 본딩하는 제2 본딩 공정을 수행하는 단계를 포함할 수 있다. 이때, 상기 제2 본딩 공정에서 상기 본딩 헤드들은 상기 제2 다이들의 본딩 각도를 조절하기 위해 상기 제1 웨이퍼의 회전 각도와 동일한 각도로 각각 회전될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of bonding dies on a wafer, comprising: setting a first bonding area in an X-axis direction across a central portion of a first wafer on which first dies are formed; , Setting the remaining regions except for the first bonding region in the Y-axis direction orthogonal to the X-axis direction as the second bonding regions, using the pair of bonding heads arranged in the X- Performing a first bonding process for bonding second dies to a first bonding area; rotating the first wafer so that the second bonding areas are arranged in the X-axis direction; And performing a second bonding process for bonding the second dies to the second bonding areas. In this case, in the second bonding process, the bonding heads may be rotated at the same angle as the rotation angle of the first wafer to adjust the bonding angle of the second dice.

상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따른 웨이퍼 레벨 다이 본딩 장치는, 제1 다이들이 형성된 제1 웨이퍼를 지지하는 제1 스테이지와, 상기 제1 스테이지의 상부에서 X축 방향으로 배치되며 제2 다이들을 상기 제1 웨이퍼 상에 본딩하기 위한 한 쌍의 본딩 헤드들을 포함할 수 있으며, 상기 제1 스테이지와 상기 본딩 헤드들은 상기 제2 다이들의 본딩 각도를 조절하기 위해 회전 가능하게 구성될 수 있다.The wafer level die bonding apparatus according to embodiments of the present invention as described above includes a first stage that supports a first wafer on which first dies are formed, a second stage that is disposed on the upper side of the first stage in the X- And a pair of bonding heads for bonding the dies onto the first wafer, wherein the first stage and the bonding heads can be configured to be rotatable to adjust the bonding angle of the second dies.

또한, 제어부에 의해 상기 제1 웨이퍼의 중앙 부위를 X축 방향으로 가로지르는 제1 본딩 영역 및 상기 제1 본딩 영역을 제외한 나머지 제2 본딩 영역들이 설정될 수 있으며, 상기 제1 본딩 영역 및 상기 제2 본딩 영역들에 대한 다이 본딩 공정에서 상기 본딩 헤드들을 이용한 동시 작업이 이루어질 수 있다. 따라서, 상기 제1 웨이퍼에 대한 웨이퍼 레벨 다이 본딩 공정에 소요되는 시간이 크게 단축될 수 있다.In addition, a first bonding region that intersects the central portion of the first wafer in the X-axis direction and remaining second bonding regions other than the first bonding region may be set by the control unit, and the first bonding region and the second bonding region Simultaneous operation using the bonding heads can be performed in a die bonding process for two bonding regions. Therefore, the time required for the wafer level die bonding process for the first wafer can be greatly shortened.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 다이 본딩 장치를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 레벨 다이 본딩 장치를 설명하기 위한 개략적인 정면도이다.
도 3 및 도 4는 도 1에 도시된 제1 웨이퍼 상의 제1 및 제2 본딩 영역들 및 상기 제1 및 제2 본딩 영역들에 대한 다이 본딩 공정을 설명하기 위한 개략도들이다.1 is a schematic plan view illustrating a wafer level die bonding apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic front view for explaining the wafer level die bonding apparatus shown in FIG.
FIGS. 3 and 4 are schematic views for explaining the first and second bonding regions on the first wafer shown in FIG. 1 and the die bonding process for the first and second bonding regions.

이하, 본 발명의 실시예들은 첨부 도면들을 참조하여 상세하게 설명된다. 그러나, 본 발명은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다. 하기의 실시예들은 본 발명이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 발명의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 발명의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention should not be construed as limited to the embodiments described below, but may be embodied in various other forms. The following examples are provided so that those skilled in the art can fully understand the scope of the present invention, rather than being provided so as to enable the present invention to be fully completed.

본 발명의 실시예들에서 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 배치되는 또는 연결되는 것으로 설명되는 경우 상기 요소는 상기 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결될 수도 있으며, 다른 요소들이 이들 사이에 개재될 수도 있다. 이와 다르게, 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결되는 것으로 설명되는 경우 그들 사이에는 또 다른 요소가 있을 수 없다. 다양한 요소들, 조성들, 영역들, 층들 및/또는 부분들과 같은 다양한 항목들을 설명하기 위하여 제1, 제2, 제3 등의 용어들이 사용될 수 있으나, 상기 항목들은 이들 용어들에 의하여 한정되지는 않을 것이다.In the embodiments of the present invention, when one element is described as being placed on or connected to another element, the element may be disposed or connected directly to the other element, . Alternatively, if one element is described as being placed directly on another element or connected, there can be no other element between them. The terms first, second, third, etc. may be used to describe various items such as various elements, compositions, regions, layers and / or portions, but the items are not limited by these terms .

본 발명의 실시예들에서 사용된 전문 용어는 단지 특정 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 사용되는 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 또한, 달리 한정되지 않는 이상, 기술 및 과학 용어들을 포함하는 모든 용어들은 본 발명의 기술 분야에서 통상적인 지식을 갖는 당업자에게 이해될 수 있는 동일한 의미를 갖는다. 통상적인 사전들에서 한정되는 것들과 같은 상기 용어들은 관련 기술과 본 발명의 설명의 문맥에서 그들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석될 것이며, 명확히 한정되지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 외형적인 직감으로 해석되지는 않을 것이다.The terminology used in the embodiments of the present invention is used for the purpose of describing specific embodiments only, and is not intended to be limiting of the present invention. Furthermore, all terms including technical and scientific terms have the same meaning as will be understood by those skilled in the art having ordinary skill in the art, unless otherwise specified. These terms, such as those defined in conventional dictionaries, shall be construed to have meanings consistent with their meanings in the context of the related art and the description of the present invention, and are to be interpreted as being ideally or externally grossly intuitive It will not be interpreted.

본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해들을 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해들의 형상들로부터의 변화들, 예를 들면, 제조 방법들 및/또는 허용 오차들의 변화는 충분히 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것은 아니라 형상들에서의 편차를 포함하는 것이며, 도면들에 설명된 요소들은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상은 요소들의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.Embodiments of the present invention are described with reference to schematic illustrations of ideal embodiments of the present invention. Thus, changes from the shapes of the illustrations, e.g., changes in manufacturing methods and / or tolerances, are those that can be reasonably expected. Accordingly, the embodiments of the present invention should not be construed as being limited to the specific shapes of the regions described in the drawings, but include deviations in the shapes, and the elements described in the drawings are entirely schematic and their shapes Is not intended to describe the exact shape of the elements and is not intended to limit the scope of the invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 다이 본딩 장치를 설명하기 위한 개략적인 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 레벨 다이 본딩 장치를 설명하기 위한 개략적인 정면도이다.FIG. 1 is a schematic plan view for explaining a wafer level die bonding apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic front view for explaining a wafer level die bonding apparatus shown in FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 레벨 다이 본딩 장치(100)는 웨이퍼 상에 다이들을 직접 본딩하기 위해 사용될 수 있다. 보다 상세하게는, 제1 다이들(10)이 형성된 제1 웨이퍼(12) 상에 제2 다이들(20)을 직접 본딩하기 위해 사용될 수 있다.Referring to Figures 1 and 2, a wafer level die bonding apparatus 100 according to an embodiment of the present invention may be used to directly bond dies on a wafer. More specifically, the first dies 10 can be used to directly bond the second dies 20 on the first wafer 12 formed.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 웨이퍼 레벨 다이 본딩 장치(100)는, 제1 다이들(10)이 형성된 제1 웨이퍼(12)를 지지하는 제1 스테이지(110)와, 상기 제1 스테이지(110)의 상부에서 X축 방향으로 배치되며 제2 다이들(20)을 상기 제1 웨이퍼(12) 상에 본딩하기 위한 한 쌍, 예를 들면, 제1 및 제2 본딩 헤드들(120, 122)을 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the wafer level die bonding apparatus 100 includes a first stage 110 for supporting a first wafer 12 on which first dies 10 are formed, A pair of first and second bonding heads 120 and 120 for bonding the second dies 20 on the first wafer 12 are disposed in the X-axis direction at the upper portion of the first wafer 110, 122).

상세히 도시되지는 않았으나, 상기 제1 스테이지(110)는 상기 제1 웨이퍼(12)를 진공 흡착하기 위한 복수의 진공홀들을 가질 수 있으며, 상기 제1 웨이퍼(12)를 본딩 온도로 가열하기 위한 히터를 내장할 수 있다. 상기 제1 및 제2 본딩 헤드들(120, 122)은 상기 제2 다이들(20)을 진공 흡착하여 픽업할 수 있으며 상기 픽업된 제2 다이들(20)을 상기 제1 웨이퍼(12) 상에 가압함으로써 상기 제2 다이들(20)을 상기 제1 웨이퍼(12) 상에 본딩할 수 있다.Although not shown in detail, the first stage 110 may have a plurality of vacuum holes for vacuum-adsorbing the first wafer 12, and a heater (not shown) for heating the first wafer 12 to a bonding temperature . The first and second bonding heads 120 and 122 can pick up the second dies 20 by vacuum adsorption and the picked up second dies 20 can be mounted on the first wafer 12 So that the second dies 20 can be bonded onto the first wafer 12.

상기 X축 방향으로 상기 제1 스테이지(110)의 일측에는 제2 웨이퍼(22)를 지지하기 위한 제2 스테이지(112)가 배치될 수 있으며, 상기 제2 웨이퍼(22)는 다이싱 공정에 의해 개별화된 제2 다이들(20)을 포함할 수 있다. 상기 제2 웨이퍼(22)는 다이싱 테이프(24) 상에 부착된 상태로 제공될 수 있으며, 상기 다이싱 테이프(24)는 대략 원형 링 형태의 마운트 프레임(26)에 장착될 수 있다.A second stage 112 for supporting the second wafer 22 may be disposed on one side of the first stage 110 in the X axis direction and the second wafer 22 may be placed on the first stage 110 by a dicing process And may include individualized second dies 20. The second wafer 22 may be provided on the dicing tape 24 and the dicing tape 24 may be mounted on the mount frame 26 in the form of a substantially circular ring.

상세히 도시되지는 않았으나, 상기 제2 스테이지(112)는 중앙 개구를 가질 수 있으며, 상기 다이싱 테이프(24)를 지지하기 위한 서포트 링과, 상기 마운트 프레임(26)을 파지하고 상기 마운트 프레임(26)을 하강시킴으로써 상기 다이싱 테이프(24)를 확장시키기 위한 클램프를 포함할 수 있다.Although not shown in detail, the second stage 112 may have a central opening and may include a support ring for supporting the dicing tape 24 and a support ring for holding the mount frame 26, And a clamp for extending the dicing tape 24 by lowering the dicing tape 24.

상기 제1 및 제2 본딩 헤드들(120, 122)은 상기 제2 웨이퍼(22)로부터 상기 제2 다이들(20)을 픽업하여 상기 제1 웨이퍼(12) 상에 상기 제2 다이들(20)을 직접 본딩할 수 있다. 상기 제1 스테이지(110)와 제2 스테이지(112)의 상부에는 상기 X축 방향으로 연장하며 상기 제1 및 제2 본딩 헤드들(120, 122)을 상기 X축 방향으로 각각 이동시키기 위한 X축 구동부(130)가 배치될 수 있다. 일 예로서, 상기 X축 구동부(130)는 상기 제1 및 제2 본딩 헤드들(120, 122)을 각각 이동시키기 위한 한 쌍의 가동자들을 포함하는 리니어 모터를 이용하여 구성될 수 있다.The first and second bonding heads 120 and 122 pick up the second dies 20 from the second wafer 22 to form the second dies 20 ) Can be bonded directly. The first and second stages 110 and 112 are formed on the upper portion of the first stage 110 and the second stage 112 to extend in the X axis direction and to move the first and second bonding heads 120 and 122 in the X axis direction, The driving unit 130 may be disposed. For example, the X-axis driving unit 130 may be configured using a linear motor including a pair of mover for moving the first and second bonding heads 120 and 122, respectively.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 웨이퍼 레벨 다이 본딩 장치(100)는 상기 제1 스테이지(110)와 상기 제1 및 제2 본딩 헤드들(120, 122)을 회전시키기 위한 회전 구동부들(140, 142, 144)을 포함할 수 있다. 상세히 도시되지는 않았으나, 상기 회전 구동부들(140, 142, 144)은 상기 제2 다이들(20)의 본딩 각도를 조절하기 위해 사용될 수 있으며 모터 및 일반적인 동력 전달 장치를 이용하여 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 및 제2 본딩 헤드들(120, 122)은 각각 제1 및 제2 회전 구동부들(140, 142)에 의해 회전될 수 있으며, 상기 제1 스테이지(110)는 제3 회전 구동부(144)에 의해 회전될 수 있다.The wafer level die bonding apparatus 100 includes rotation driving units 140 for rotating the first stage 110 and the first and second bonding heads 120 and 122 according to an embodiment of the present invention. , 142, 144). Although not shown in detail, the rotation driving units 140, 142, and 144 may be used to adjust the bonding angle of the second dies 20, and may be configured using a motor and a general power transmission device. For example, the first and second bonding heads 120 and 122 may be rotated by the first and second rotation drivers 140 and 142, respectively, and the first stage 110 may be rotated by the third And can be rotated by the rotation driving unit 144. [

상기 웨이퍼 레벨 다이 본딩 장치(100)는 상기 제1 및 제2 본딩 헤드들(120, 122)을 상기 X축 방향에 대하여 직교하는 Y축 방향으로 상기 제1 및 제2 본딩 헤드들(120, 122)을 정렬하기 위한 제1 및 제2 정렬 구동부들(132, 134)을 포함할 수 있다. 상세히 도시되지는 않았으나, 일 예로서, 상기 제1 및 제2 정렬 구동부들(132, 134)은 각각 모터와 볼 스크루 및 볼 너트 등을 이용하여 구성될 수 있으며, 상기 제1 및 제2 본딩 헤드들(120, 122)은 리니어 모션 가이드 등을 이용하여 Y축 방향으로 안내될 수 있다.The wafer level die bonding apparatus 100 includes a first bonding head 120 and a second bonding head 122 in the Y axis direction orthogonal to the X axis direction, And first and second alignment drivers 132 and 134 for aligning the first and second alignment drivers. Although not shown in detail, the first and second alignment drivers 132 and 134 may be formed using a motor, a ball screw, a ball nut, or the like, 120 and 122 may be guided in the Y-axis direction using a linear motion guide or the like.

또한, 상기 제1 및 제2 본딩 헤드들(120, 122)은 제1 및 제2 수직 구동부들(136, 138)에 의해 수직 방향으로 이동 가능하게 구성될 수 있으며, 상기 제1 및 제2 수직 구동부들(136, 138)은 상기 제2 다이들(20)의 픽업 및 본딩을 위해 사용될 수 있다. 일 예로서, 상기 제1 및 제2 수직 구동부들(136, 138)은 각각 모터와 볼 스크루 및 볼 너트 또는 공압 실린더 등을 이용하여 구성될 수 있으며, 상기 제1 및 제2 본딩 헤드들(120, 122)은 리니어 모션 가이드 등을 이용하여 수직 방향으로 안내될 수 있다.The first and second bonding heads 120 and 122 may be configured to be vertically movable by the first and second vertical driving units 136 and 138, Drives 136 and 138 may be used for picking up and bonding the second dies 20. For example, the first and second vertical driving units 136 and 138 may be constructed using a motor, a ball screw, a ball nut, or a pneumatic cylinder, and the first and second bonding heads 120 and 120 , 122 can be guided in a vertical direction using a linear motion guide or the like.

상기 제1 스테이지(110)는 상기 제2 다이들(20)의 본딩 위치 조절을 위해 Y축 구동부(150)에 의해 Y축 방향으로 이동 가능하게 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 Y축 구동부(150)는 모터와 볼 스크루 및 볼 너트 등을 이용하여 구성될 수 있으며, 상기 제1 스테이지(110)는 리니어 모션 가이드 등을 이용하여 Y축 방향으로 안내될 수 있다.The first stage 110 may be configured to be movable in the Y-axis direction by the Y-axis driving unit 150 to adjust the bonding position of the second dies 20. [ For example, the Y-axis driving unit 150 may be constructed using a motor, a ball screw, a ball nut, etc., and the first stage 110 may be guided in the Y-axis direction using a linear motion guide or the like have.

상기 제2 스테이지(112)는 상기 제2 다이들(20)의 선택적인 픽업을 위해 제2 Y축 구동부(152)에 의해 Y축 방향으로 이동 가능하게 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 Y축 구동부(152)는 모터와 볼 스크루 및 볼 너트 등을 이용하여 구성될 수 있으며, 상기 제2 스테이지(112)는 리니어 모션 가이드 등을 이용하여 Y축 방향으로 안내될 수 있다.The second stage 112 may be configured to be movable in the Y-axis direction by the second Y-axis driver 152 for selective pick-up of the second dies 20. For example, the second Y-axis driving unit 152 may be constructed using a motor, a ball screw, a ball nut, and the like, and the second stage 112 is guided in the Y-axis direction using a linear motion guide or the like. .

또한, 상기 제2 스테이지(112) 아래에는 상기 제2 다이들(20)을 상기 다이싱 테이프(24)로부터 선택적으로 분리시키기 위한 이젝트 유닛(160)이 배치될 수 있다. 상기 이젝트 유닛(160)은 상기 제2 다이들(20)의 선택적인 픽업을 위해 제2 X축 구동부(162)에 의해 X축 방향으로 이동 가능하게 구성될 수 있다. 일 예로서, 상기 제2 X축 구동부(162)는 모터와 볼 스크루 및 볼 너트 등을 이용하여 구성될 수 있으며, 상기 이젝트 유닛(160)은 리니어 모션 가이드 등을 이용하여 X축 방향으로 안내될 수 있다.An ejection unit 160 for selectively separating the second dies 20 from the dicing tape 24 may be disposed below the second stage 112. The eject unit 160 may be configured to be movable in the X-axis direction by the second X-axis driving unit 162 for selective pickup of the second dies 20. [ For example, the second X-axis driving unit 162 may be constructed using a motor, a ball screw, a ball nut, etc., and the eject unit 160 may be guided in the X-axis direction using a linear motion guide or the like .

상세히 도시되지는 않았으나, 상기 이젝트 유닛(160)은 수직 방향으로 이동 가능하게 구성된 이젝트 핀들을 구비할 수 있으며, 상기 이젝트 핀들을 이용하여 상기 제2 X축 구동부(162)에 의해 선택된 제2 다이(20)를 상방으로 밀어올림으로써 상기 선택된 제2 다이(20)를 상기 다이싱 테이프(24)로부터 분리시킬 수 있다. 상기 이젝트 유닛(160)에 의해 분리된 제2 다이(20)는 상기 제1 본딩 헤드(120) 또는 제2 본딩 헤드(122)에 의해 픽업될 수 있다.Although not shown in detail, the eject unit 160 may include eject pins configured to be movable in a vertical direction, and the ejection pins may be used to move the second die (not shown) selected by the second X- The second die 20 can be separated from the dicing tape 24 by pushing up the second die 20 upward. The second die 20 separated by the ejection unit 160 can be picked up by the first bonding head 120 or the second bonding head 122.

상기 제1 스테이지(110)와 제2 스테이지(112) 사이에는 상기 제1 및 제2 본딩 헤드들(120, 122)과 상기 제1 및 제2 본딩 헤드들(120, 122)에 의해 픽업된 제2 다이들(20)의 정렬 상태를 검사하기 위한 카메라(170)가 배치될 수 있다.The first and second bonding heads 120 and 122 and the first and second bonding heads 120 and 122 are disposed between the first stage 110 and the second stage 112, 2 A camera 170 for inspecting alignment of the dies 20 can be disposed.

한편, 상기 웨이퍼 레벨 다이 본딩 장치(100)의 각 구성 요소들은 제어부(미도시)에 의해 그 동작이 제어될 수 있다. 특히, 상기 제어부는 상기 제1 웨이퍼(12) 상에서 제1 및 제2 본딩 영역들(14, 16; 도 3 및 도 4 참조)을 설정하고, 또한 상기 제2 다이들(20)의 본딩 방향을 조절하기 위하여 상기 회전 구동부들(140, 142, 144)의 동작을 제어할 수 있다.The operation of each component of the wafer level die bonding apparatus 100 may be controlled by a control unit (not shown). In particular, the controller sets the first and second bonding areas 14 and 16 (see FIGS. 3 and 4) on the first wafer 12 and also sets the bonding directions of the second dies 20 The operation of the rotation driving units 140, 142, and 144 may be controlled.

도 3 및 도 4는 도 1에 도시된 제1 웨이퍼 상의 제1 및 제2 본딩 영역들 및 상기 제1 및 제2 본딩 영역들에 대한 다이 본딩 공정을 설명하기 위한 개략도들이다.FIGS. 3 and 4 are schematic views for explaining the first and second bonding regions on the first wafer shown in FIG. 1 and the die bonding process for the first and second bonding regions.

도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 제1 및 제2 스테이지들(110, 112) 상에 상기 제1 및 제2 웨이퍼(12, 22)가 각각 로드된 후, 상기 제어부는 상기 제1 웨이퍼(12) 상에서 제1 및 제2 본딩 영역들(14, 16)을 설정할 수 있다. 예를 들면, 상기 제어부는 상기 X축 방향으로 상기 제1 웨이퍼(12)의 중앙 부위를 가로지르는 제1 본딩 영역(14)을 설정하고, 상기 Y축 방향으로 상기 제1 본딩 영역(14)을 제외한 상기 제1 웨이퍼(12)의 나머지 영역들을 제2 본딩 영역들(16)로 설정할 수 있다.3 and 4, after the first and second wafers 12 and 22 are loaded on the first and second stages 110 and 112, respectively, The first and second bonding regions 14 and 16 can be set on the first and second bonding regions 12 and 12, respectively. For example, the control unit sets a first bonding region 14 across the central portion of the first wafer 12 in the X-axis direction and sets the first bonding region 14 in the Y- The remaining regions of the first wafer 12 may be set as the second bonding regions 16.

이어서, 상기 제어부는 상기 제1 및 제2 본딩 헤드들(120, 122)이 상기 카메라(170)의 상부에 순차적으로 위치되도록 상기 X축 구동부(130)를 동작시킬 수 있다. 상기 카메라(170)는 상기 제1 및 제2 본딩 헤드들(120, 122)에 대한 정렬용 이미지들을 획득할 수 있으며, 상기 제어부는 상기 X축 구동부(130)와 상기 정렬 구동부들(132, 134)을 이용하여 상기 제1 및 제2 본딩 헤드들(120, 122)을 각각 정렬할 수 있다.Then, the controller may operate the X-axis driver 130 such that the first and second bonding heads 120 and 122 are sequentially positioned on the camera 170. The camera 170 may obtain images for alignment with respect to the first and second bonding heads 120 and 122. The controller may control the X axis driver 130 and the alignment drivers 132 and 134 May be used to align the first and second bonding heads 120 and 122, respectively.

상기와 같이 제1 및 제2 본딩 헤드들(120, 122)에 의한 정렬 단계가 수행된 후 상기 제1 및 제2 본딩 헤드들(120, 122)은 상기 제2 웨이퍼(22)로부터 상기 제2 다이들(20)을 픽업할 수 있으며, 상기 픽업된 제2 다이들(20)을 상기 제1 본딩 영역(14) 상에 본딩할 수 있다. 이때, 상기 제1 본딩 영역(14)에 대하여 상기 제1 및 제2 본딩 헤드들(120, 122)이 동시에 작업할 수 있으므로 상기 제1 본딩 영역(14)에 대한 제1 본딩 공정이 보다 빠르게 수행될 수 있다.After the alignment step with the first and second bonding heads 120 and 122 is performed as described above, the first and second bonding heads 120 and 122 are moved from the second wafer 22 to the second It is possible to pick up the dies 20 and to bond the picked-up second dies 20 onto the first bonding area 14. At this time, since the first and second bonding heads 120 and 122 can simultaneously work on the first bonding region 14, the first bonding process for the first bonding region 14 can be performed more quickly .

상기 제1 본딩 영역(14)에 대한 상기 제1 본딩 공정이 완료된 후, 상기 제어부는 상기 제2 본딩 영역들(16)이 상기 X축 방향으로 배치되도록 상기 제3 회전 구동부(144)를 동작시킬 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 제1 스테이지(110)와 상기 제1 웨이퍼(12)는 상기 제3 회전 구동부(144)에 의해 90° 회전될 수 있으며, 이어서 상기 제2 본딩 영역들(16) 상에 상기 제2 다이들(20)을 본딩하는 제2 본딩 공정이 수행될 수 있다.After the first bonding process for the first bonding area 14 is completed, the controller operates the third rotation driver 144 so that the second bonding areas 16 are arranged in the X-axis direction . Specifically, the first first stage 110 and the first wafer 12 may be rotated by 90 ° by the third rotation driving unit 144, and then the second bonding regions 16 may be rotated A second bonding process for bonding the second dies 20 may be performed.

상기 제2 본딩 공정에서 상기 제1 및 제2 본딩 헤드들(120, 122)은 상기 제2 다이들(20)을 픽업한 후 상기 제2 다이들(20)의 본딩 각도를 조절하기 위해 상기 제1 웨이퍼(12)의 회전 각도와 동일한 각도로 즉 90° 만큼 회전될 수 있으며, 이에 의해 회전된 제2 다이들(20)을 상기 제2 본딩 영역들(16) 상에 본딩할 수 있다. 이때, 상기 제1 및 제2 회전 구동부들(140, 142)의 동작은 상기 제어부에 의해 제어될 수 있으며, 상기 제2 본딩 공정은 상기 제2 본딩 영역들(16)에서 상기 제1 및 제2 본딩 헤드들(120, 122)에 의해 동시에 수행될 수 있으므로 상기 제2 본딩 공정에 소요되는 시간이 크게 단축될 수 있다.In the second bonding process, the first and second bonding heads 120 and 122 pick up the second dies 20 and then adjust the bonding angle of the second dies 20, 1 wafer 12, that is, by an angle of 90 degrees, thereby bonding the rotated second dies 20 onto the second bonding areas 16. The second dies 20 can be bonded to the second bonding areas 16 at a predetermined angle. In this case, the operation of the first and second rotation drivers 140 and 142 may be controlled by the controller, and the second bonding process may be performed in the second bonding areas 16, Can be performed simultaneously by the bonding heads 120 and 122, so that the time required for the second bonding process can be greatly shortened.

도시되지는 않았으나, 다른 예로서, 상기 웨이퍼 레벨 다이 본딩 장치(100)는 상기 제2 스테이지(112)를 회전시키기 위한 제4 회전 구동부(미도시)를 추가적으로 구비할 수 있다. 이 경우, 상기 제1 본딩 공정이 완료된 후 상기 제2 스테이지(112) 또한 상기 제1 스테이지(110)와 동일한 각도로 회전될 수 있으며, 이 경우 상기 제2 본딩 공정에서 상기 제1 및 제2 본딩 헤드들(120, 122)을 회전시킬 필요가 없으며, 이에 따라 상기 제2 본딩 공정에 소요되는 시간이 더욱 단축될 수 있다.Although not shown, as another example, the wafer level die bonding apparatus 100 may further include a fourth rotation driving unit (not shown) for rotating the second stage 112. In this case, after the completion of the first bonding process, the second stage 112 may be rotated at the same angle as the first stage 110. In this case, in the second bonding process, It is not necessary to rotate the heads 120 and 122, so that the time required for the second bonding process can be further shortened.

한편, 상기 제1 및 제2 본딩 헤드들(120, 122)에 의해 상기 제2 다이들(20)이 픽업된 후 상기 픽업된 제2 다이들(20)의 정렬 상태는 상기 카메라(170)에 의해 검사될 수 있다. 상기 제2 다이들(20)에 대한 정렬은 상기 정렬 구동부들(132, 134)과 상기 제1 및 제2 회전 구동부들(140, 142)에 의해 이루어질 수 있다.The alignment of the second dies 20 picked up after the second dies 20 are picked up by the first and second bonding heads 120 and 122 is performed by the camera 170 Lt; / RTI > Alignment with respect to the second dies 20 may be performed by the alignment drivers 132 and 134 and the first and second rotation drivers 140 and 142.

상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따른 웨이퍼 레벨 다이 본딩 장치(100)는, 제1 다이들(10)이 형성된 제1 웨이퍼(12)를 지지하는 제1 스테이지(110)와, 상기 제1 스테이지(110)의 상부에서 X축 방향으로 배치되며 제2 다이들(20)을 상기 제1 웨이퍼(12) 상에 본딩하기 위한 한 쌍의 본딩 헤드들(120, 122)을 포함할 수 있으며, 상기 제1 스테이지(110)와 상기 본딩 헤드들(120, 122)은 상기 제2 다이들(20)의 본딩 각도를 조절하기 위해 회전 가능하게 구성될 수 있다.The wafer level die bonding apparatus 100 according to the embodiments of the present invention includes a first stage 110 supporting a first wafer 12 having first dies 10 formed thereon, May include a pair of bonding heads 120 and 122 disposed in the X-axis direction at the top of the first stage 110 and for bonding the second dies 20 onto the first wafer 12 The first stage 110 and the bonding heads 120 and 122 may be configured to be rotatable to adjust the bonding angle of the second dies 20.

또한, 상기 제1 웨이퍼(12)의 중앙 부위를 X축 방향으로 가로지르는 제1 본딩 영역(14) 및 상기 제1 본딩 영역(14)을 제외한 제2 본딩 영역들(16)이 설정될 수 있으며, 상기 제1 본딩 영역(14) 및 제2 본딩 영역들(16)에 대한 다이 본딩 공정에서 상기 본딩 헤드들(120, 122)을 이용한 동시 작업이 이루어질 수 있다. 이에 따라 상기 제1 웨이퍼(12)에 대한 웨이퍼 레벨 다이 본딩 공정에 소요되는 시간이 크게 단축될 수 있다.The first bonding region 14 and the second bonding regions 16 except for the first bonding region 14 may be set in the X-axis direction of the first wafer 12, The simultaneous operations using the bonding heads 120 and 122 can be performed in the die bonding process for the first bonding region 14 and the second bonding regions 16. Accordingly, the time required for the wafer level die bonding process for the first wafer 12 can be significantly shortened.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the following claims. It will be understood.

10 : 제1 다이 12 : 제1 웨이퍼
14 : 제1 본딩 영역 16 : 제2 본딩 영역
20 : 제2 다이 22 : 제2 웨이퍼
24 : 다이싱 테이프 26 : 마운트 프레임
100 : 웨이퍼 레벨 다이 본딩 장치 110 : 제1 스테이지
112 : 제2 스테이지 120 : 제1 본딩 헤드
122 : 제2 본딩 헤드 130 : X축 구동부
132, 134 : 정렬 구동부 136, 138 : 수직 구동부
140, 142, 144 : 회전 구동부 150 : Y축 구동부
152 : 제2 Y축 구동부 160 : 이젝트 유닛
162 : 제2 X축 구동부 170 : 카메라10: first die 12: first wafer
14: first bonding area 16: second bonding area
20: second die 22: second wafer
24: Dicing tape 26: Mounting frame
100: wafer level die bonding device 110: first stage
112: second stage 120: first bonding head
122: second bonding head 130: X-axis driver
132, 134: alignment driver 136, 138: vertical driver
140, 142, 144: rotation drive unit 150: Y-axis drive unit
152: second Y-axis driving unit 160: ejection unit
162: second X-axis driving unit 170: camera

Claims (11)

제1 다이들이 형성된 제1 웨이퍼를 지지하는 제1 스테이지; 및
상기 제1 스테이지의 상부에서 X축 방향으로 배치되며 제2 다이들을 상기 제1 웨이퍼 상에 본딩하기 위한 한 쌍의 본딩 헤드들을 포함하되,
상기 제1 스테이지와 상기 본딩 헤드들은 상기 제2 다이들의 본딩 각도를 조절하기 위하여 각각 회전 가능하게 구성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상에 다이들을 본딩하기 위한 장치.A first stage for supporting a first wafer on which first dies are formed; And
A pair of bonding heads disposed on the first stage in the X-axis direction and for bonding the second dies onto the first wafer,
Wherein the first stage and the bonding heads are each rotatable to adjust the bonding angle of the second dies. 제1항에 있어서, 상기 X축 방향으로 상기 본딩 헤드들을 각각 이동시키기 위한 X축 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상에 다이들을 본딩하기 위한 장치.The apparatus for bonding dies on a wafer according to claim 1, further comprising an X-axis driver for moving the bonding heads in the X-axis direction. 제1항에 있어서, 상기 제1 스테이지와 상기 본딩 헤드들의 동작을 제어하기 위한 제어부를 더 포함하며,
상기 제어부는,
상기 제1 웨이퍼의 중앙 부위를 상기 X축 방향으로 가로지르는 제1 본딩 영역을 설정하고, 상기 X축 방향에 대하여 직교하는 Y축 방향으로 상기 제1 본딩 영역을 제외한 나머지 영역들을 제2 본딩 영역들로 설정하며,
상기 제1 본딩 영역에 상기 제2 다이들을 본딩하는 제1 본딩 공정을 수행한 후, 상기 제2 본딩 영역들이 상기 X축 방향으로 배치되도록 상기 제1 스테이지를 회전시키고, 상기 제2 본딩 영역들에 상기 제2 다이들을 본딩하는 제2 본딩 공정을 수행하되, 상기 제2 본딩 공정에서 상기 제2 다이들의 본딩 각도를 조절하기 위해 상기 본딩 헤드들을 상기 제1 웨이퍼의 회전 각도와 동일한 각도로 각각 회전시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상에 다이들을 본딩하기 위한 장치.2. The apparatus of claim 1, further comprising a controller for controlling operations of the first stage and the bonding heads,
Wherein,
A first bonding region which intersects the center portion of the first wafer in the X axis direction is set and the remaining regions except for the first bonding region in the Y axis direction perpendicular to the X axis direction are defined as second bonding regions Lt; / RTI >
After performing a first bonding process of bonding the second dies to the first bonding area, rotating the first stage so that the second bonding areas are arranged in the X axis direction, and rotating the first bonding areas The bonding heads are rotated at an angle equal to the rotation angle of the first wafer in order to adjust the bonding angle of the second dies in the second bonding step ≪ / RTI > wherein the die is bonded to the wafer. 제1항에 있어서, 상기 본딩 헤드들을 상기 X축 방향에 대하여 직교하는 Y축 방향으로 각각 정렬하기 위한 정렬 구동부들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상에 다이들을 본딩하기 위한 장치.The apparatus for bonding dies on a wafer according to claim 1, further comprising alignment drive portions for aligning the bonding heads in a Y-axis direction orthogonal to the X-axis direction, respectively. 제1항에 있어서, 상기 제1 스테이지를 상기 X축 방향에 대하여 직교하는 Y축 방향으로 이동시키기 위한 Y축 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상에 다이들을 본딩하기 위한 장치.The apparatus for bonding dies on a wafer according to claim 1, further comprising a Y-axis driving unit for moving the first stage in a Y-axis direction orthogonal to the X-axis direction. 제1항에 있어서, 상기 X축 방향으로 상기 제1 스테이지의 일측에 배치되며 상기 제2 다이들을 포함하는 제2 웨이퍼를 지지하기 위한 제2 스테이지를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상에 다이들을 본딩하기 위한 장치.2. The apparatus of claim 1, further comprising a second stage disposed on one side of the first stage in the X-axis direction for supporting a second wafer comprising the second dies, Apparatus for bonding. 제6항에 있어서, 상기 제1 스테이지와 상기 제2 스테이지 사이에 배치되며 상기 본딩 헤드들 및 상기 본딩 헤드들에 의해 픽업된 제2 다이들의 정렬 상태를 검사하기 위한 카메라를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상에 다이들을 본딩하기 위한 장치.7. The apparatus of claim 6, further comprising a camera disposed between the first stage and the second stage for inspecting alignment of the second dies picked up by the bonding heads and the bonding heads To bond the dies on the wafer. 제6항에 있어서, 상기 제2 스테이지를 상기 X축 방향에 대하여 직교하는 Y축 방향으로 이동시키기 위한 제2 Y축 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상에 다이들을 본딩하기 위한 장치.The apparatus for bonding dies on a wafer according to claim 6, further comprising a second Y-axis driver for moving the second stage in a Y-axis direction orthogonal to the X-axis direction. 제8항에 있어서, 상기 제2 웨이퍼는 다이싱 테이프 상에 부착된 상태로 제공되고,
상기 제2 스테이지는 상기 다이싱 테이프가 장착된 링 형태의 마운트 프레임을 지지하며,
상기 제2 스테이지의 아래에 배치되며 상기 다이싱 테이프로부터 상기 제2 다이들을 선택적으로 분리시키기 위한 이젝트 유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상에 다이들을 본딩하기 위한 장치.9. The method of claim 8, wherein the second wafer is provided in an attached state on the dicing tape,
Wherein the second stage supports a ring-shaped mount frame on which the dicing tape is mounted,
Further comprising an ejection unit disposed below said second stage for selectively separating said second dies from said dicing tape. ≪ RTI ID = 0.0 > 8. < / RTI > 제9항에 있어서, 상기 이젝트 유닛을 상기 X축 방향으로 이동시키기 위한 제2 X축 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상에 다이들을 본딩하기 위한 장치.The apparatus for bonding dies on a wafer according to claim 9, further comprising a second X-axis driving unit for moving the eject unit in the X-axis direction. 제1 다이들이 형성된 제1 웨이퍼의 중앙 부위를 가로지르는 X축 방향으로 제1 본딩 영역을 설정하는 단계;
상기 X축 방향에 대하여 직교하는 Y축 방향으로 상기 제1 본딩 영역을 제외한 나머지 영역들을 제2 본딩 영역들로 설정하는 단계;
상기 X축 방향으로 배치된 한 쌍의 본딩 헤드들을 이용하여 상기 제1 본딩 영역에 제2 다이들을 본딩하는 제1 본딩 공정을 수행하는 단계;
상기 제2 본딩 영역들이 상기 X축 방향으로 배치되도록 상기 제1 웨이퍼를 회전시키는 단계; 및
상기 본딩 헤드들을 이용하여 상기 제2 본딩 영역들에 제2 다이들을 본딩하는 제2 본딩 공정을 수행하는 단계를 포함하되,
상기 제2 본딩 공정에서 상기 본딩 헤드들은 상기 제2 다이들의 본딩 각도를 조절하기 위해 상기 제1 웨이퍼의 회전 각도와 동일한 각도로 각각 회전되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상에 다이들을 본딩하는 방법.Setting a first bonding area in an X-axis direction across a central portion of a first wafer on which first dies are formed;
Setting the regions other than the first bonding region as the second bonding regions in the Y-axis direction orthogonal to the X-axis direction;
Performing a first bonding process of bonding second dies to the first bonding area using a pair of bonding heads arranged in the X-axis direction;
Rotating the first wafer so that the second bonding areas are arranged in the X-axis direction; And
And performing a second bonding process for bonding the second dies to the second bonding areas using the bonding heads,
Wherein the bonding heads in the second bonding process are each rotated at an angle equal to a rotation angle of the first wafer to adjust a bonding angle of the second dice.
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