KR20170119503A - light emitting device and light emitting bulb comprising the same - Google Patents

light emitting device and light emitting bulb comprising the same Download PDF

Info

Publication number
KR20170119503A
KR20170119503A KR1020160047607A KR20160047607A KR20170119503A KR 20170119503 A KR20170119503 A KR 20170119503A KR 1020160047607 A KR1020160047607 A KR 1020160047607A KR 20160047607 A KR20160047607 A KR 20160047607A KR 20170119503 A KR20170119503 A KR 20170119503A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
conductive transparent
connection
transparent substrate
Prior art date
Application number
KR1020160047607A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
조용욱
김민표
박정혜
Original Assignee
주식회사 루멘스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 루멘스 filed Critical 주식회사 루멘스
Priority to KR1020160047607A priority Critical patent/KR20170119503A/en
Priority to US15/335,231 priority patent/US10109775B2/en
Publication of KR20170119503A publication Critical patent/KR20170119503A/en
Priority to US16/127,616 priority patent/US10234088B2/en
Priority to US16/260,657 priority patent/US10487996B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20—Light sources comprising attachment means
    • F21K9/23—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
    • F21K9/232—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings specially adapted for generating an essentially omnidirectional light distribution, e.g. with a glass bulb
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2101/00—Point-like light sources
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

발광소자가 개시된다. 이 발광소자는, 길이 방향으로 연장된 비도전성 투명기판; 상기 비도전성 투명기판 상의 일측에 배치된 입력단자; 상기 비도전성 투명기판 상의 타측에 배치된 출력단자; 상기 비도전성 투명기판 상에 어레이되고 각각이 입력단과 출력단을 갖는 n개의 발광다이오드칩들; 및 상기 비도전성 투명기판 상에서 상기 n개의 발광다이오드칩들을 직렬 연결하는 연결수단을 포함하며, 상기 연결수단은 상기 입력단자와 상기 n개의 발광다이오드칩들 중 제1 발광다이오드칩의 입력단 사이를 연결하는 제1 연결부를 포함하며, 상기 제1 연결부는 도전성 투명물질로 형성된다.A light emitting device is disclosed. The light emitting device includes: a non-conductive transparent substrate extending in the longitudinal direction; An input terminal disposed on one side of the non-conductive transparent substrate; An output terminal disposed on the other side of the non-conductive transparent substrate; N light emitting diode chips arranged on the non-conductive transparent substrate and each having an input end and an output end; And connecting means for serially connecting the n light emitting diode chips on the non-conductive transparent substrate, wherein the connecting means connects between the input terminal and an input end of the first one of the n light emitting diode chips And a first connection part, wherein the first connection part is formed of a conductive transparent material.

Description

발광소자 및 이를 포함하는 발광벌브{light emitting device and light emitting bulb comprising the same}TECHNICAL FIELD The present invention relates to a light emitting device and a light emitting bulb including the light emitting device.

본 발명은 필라멘트형 발광소자 및 이를 포함하는 발광벌브에 관한 것으로서, 더 상세하게는, 전방과 후방 모두에 대하여 광을 발하는 필라멘트형 발광소자 및 이를 이용하는 발광벌브에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION Field of the Invention [0001] The present invention relates to a filament type light emitting device and a light emitting bulb including the filament type light emitting device. More particularly, the present invention relates to a filament type light emitting device that emits light to both front and rear sides and a light emitting bulb using the same.

예컨대 발광다이오드를 이용하는 반도체 광원은 기존의 광원과 비교할 때 높은 효율, 긴 수명 및 작은 크기 등 많은 장점들을 갖는다. 반도체 광원을 이용하는 많은 조명장치가 개발되었으며, 그 중 하나가 발광벌브이다. 대부분의 발광벌브는 히트싱크와, 그 히트싱크 상에 장착된 판형 서브마운트와, 그 서브마운 상에 장착된 하나 이상의 발광소자를 포함한다. 그러나, 이러한 발광벌브는 광 지향각 범위가 좁아 전방 일정 각도 범위 내에서만 광을 발한다는 한계가 있다. 이에 대하여, 글로브 내측에 전방으로 돌출된 형태의 다면 입체를 마련하고 그 다면 입체의 여러 면에 발광소자들을 장착하여, 광 지향각을 넓힌 발광벌브가 제안되었다. 그러나, 이러한 발광벌브는 측방향으로의 발광량 증가가 있기는 하지만 후방으로 발광량 증가가 여전히 없으며, 또한, 무겁고 외관도 나쁘다는 단점이 있다.Semiconductor light sources using, for example, light emitting diodes have many advantages, such as high efficiency, long lifetime and small size compared to conventional light sources. Many lighting devices utilizing semiconductor light sources have been developed, one of which is a light bulb. Most light emitting bulbs include a heat sink, a plate-shaped submount mounted on the heat sink, and one or more light emitting elements mounted on the submount. However, such a light bulb has a narrow range of light-directing angles, and thus has a limitation in that it emits light only within a certain range of forward angles. On the other hand, a light-emitting bulb having a wide light-guiding angle by providing light-emitting elements on various surfaces of a multi-sided body provided on the inside of the globe, However, although there is an increase in the light emission amount in the lateral direction, such a light emission bulb is disadvantageous in that there is no increase in the amount of light emitted rearward, and also that it is heavy and has a bad appearance.

이에 대하여 여러 개의 발광소자를 필라멘트 타입으로 글로브 내에 설치한 발광벌브가 개발되었다.In response thereto, a light emitting bulb having a plurality of light emitting elements provided in a globe in a filament type has been developed.

이러한 종래 발광벌브에 있어서, 발광소자는 기다란 패키지와, 그 기다란 패키지에 실장되는 복수의 발광다이오드칩을 포함한다. 각 발광소자는 양 단부 측으로 리드단자들을 구비한다. 리드단자들을 이용하여 발광소자들을 직렬로 연결하되, 발광소자들을 차례로 발광 방향이 바뀌도록 배치하면, 전체적으로 볼 때 후배광 효과를 얻을 수 있다. 그러나, 이 기술은 여전히 각 발광소자에서 나오는 빛은 한 방향만을 향하고 있어서 많은 수의 발광소자를 이용하지 않는 한 원하는 광 지향각 특성을 얻기 어렵다.In such a conventional light emitting bulb, the light emitting element includes a long package and a plurality of light emitting diode chips mounted on the long package. Each light emitting element has lead terminals on both end sides. The light emitting elements are connected in series by using the lead terminals. When the light emitting elements are arranged so that the light emitting directions are changed in turn, the afterglow effect can be obtained as a whole. However, since the light emitted from each light emitting element is directed only in one direction, it is difficult to obtain a desired light directing angle characteristic unless a large number of light emitting elements are used.

US7217004(2007. 05. 15)US7217004 (May 15, 2007)

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 전방과 후방 양측 모두에 대한 배광이 요구되는 발광벌브에 유용하게 이용될 수 있도록, 전방과 후방 모두에 대하여 광을 발하는 필라멘트형 발광소자를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a filament type light emitting device that emits light toward both a front side and a rear side so as to be usefully used in a light emitting bulb requiring light distribution for both the front side and the rear side.

본 발명의 일측면에 따른 발광소자는 길이 방향으로 연장된 비도전성 투명기판; 상기 비도전성 투명기판 상의 일측에 배치된 입력단자; 상기 비도전성 투명기판 상의 타측에 배치된 출력단자; 상기 비도전성 투명기판 상에 어레이되고 각각이 입력단과 출력단을 갖는 n개의 발광다이오드칩들; 및 상기 비도전성 투명기판 상에서 상기 n개의 발광다이오드칩들을 직렬 연결하는 연결수단을 포함하며, 상기 연결수단은 상기 입력단자와 상기 n개의 발광다이오드칩들 중 제1 발광다이오드칩의 입력단 사이를 연결하는 제1 연결부를 포함하며, 상기 제1 연결부는 도전성 투명물질로 형성된다.A light emitting device according to an aspect of the present invention includes: a longitudinally extending non-conductive transparent substrate; An input terminal disposed on one side of the non-conductive transparent substrate; An output terminal disposed on the other side of the non-conductive transparent substrate; N light emitting diode chips arranged on the non-conductive transparent substrate and each having an input end and an output end; And connecting means for serially connecting the n light emitting diode chips on the non-conductive transparent substrate, wherein the connecting means connects between the input terminal and an input end of the first one of the n light emitting diode chips And a first connection part, wherein the first connection part is formed of a conductive transparent material.

일 실시예에 따라, 상기 입력단과 상기 출력단은 상기 발광다이오드칩 각각에서 상기 비도전성 투명기판을 향해 연장된 전극패드를 포함한다.According to one embodiment, the input end and the output end include electrode pads extending from the light emitting diode chips toward the non-conductive transparent substrate.

일 실시예에 따라, 상기 연결수단은, 상기 제1 연결부와 이격되고 상기 제1 발광다이오드칩의 출력단과 연결되는 제2 연결부를 더 포함하며, 상기 제2 연결부는 도전성 투명물질로 형성된다.According to an embodiment, the connecting means further includes a second connecting portion spaced apart from the first connecting portion and connected to an output end of the first LED chip, and the second connecting portion is formed of a conductive transparent material.

일 실시예에 따라, 상기 제2 연결부는 상기 n개의 발광다이오드칩들 중 제2 발광다이오드칩의 입력단과 연결된다.According to an embodiment, the second connection unit is connected to the input terminal of the second light emitting diode chip among the n light emitting diode chips.

일 실시예에 따라, 상기 연결수단은 상기 출력단자와 상기 n개의 발광다이오드칩들 중 제n 발광다이오드칩의 출력단 사이를 연결하는 제n+1 연결부를 포함하며, 상기 제n+1 연결부는 도전성 투명물질로 형성된다.According to an embodiment, the connecting means includes an (n + 1) -th connecting portion for connecting between the output terminal and an output terminal of the n-th light emitting diode chip among the n light emitting diode chips, And is formed of a transparent material.

일 실시예에 따라, 상기 제n+1 연결부와 이격되고 상기 제n 발광다이오드칩의 입력단과 연결되는 제n 연결부를 더 포함하며, 상기 제n 연결부는 도전성 투명물질로 형성된다.According to an embodiment of the present invention, the light emitting diode further includes an n-th connecting portion spaced apart from the (n + 1) -th connecting portion and connected to the input terminal of the n-th light emitting diode chip, and the n-th connecting portion is formed of a conductive transparent material.

일 실시예에 따라, 상기 연결수단은 상기 n개의 발광다이오드칩 중 이웃하는 발광다이오드칩들 사이를 연결하는 연결부들을 포함하며, 상기 연결부들은 도전성 투명물질로 형성된다.According to one embodiment, the connecting means includes connecting portions connecting between neighboring LED chips of the n LED chips, and the connecting portions are formed of a conductive transparent material.

일 실시예에 따라, 상기 입력단자와 상기 출력단자 각각은, Ag, Au, Cu 및 Al 중 적어도 하나를 포함하는 금속 모재와, 상기 금속 모재에 코팅된 반사물질막을 포함한다.According to an embodiment, each of the input terminal and the output terminal includes a metal base material containing at least one of Ag, Au, Cu and Al, and a reflective material film coated on the base metal material.

일 실시에에 따라, 상기 연결수단은 복수의 연결부를 포함하며, 상기 복수의 연결부는 Ni, Au, Pt, Pd 및 W 중 적어도 하나를 포함하는 금속물질이 10㎛ 이하 두께로 투명하게 상기 비도전성 투명기판 상에 형성된다.According to one embodiment, the connecting means includes a plurality of connecting portions, and the plurality of connecting portions are made of a metal material including at least one of Ni, Au, Pt, Pd and W, Is formed on the transparent substrate.

일 실시예에 따라, 상기 연결수단은 ITO로 형성된 형성된 복수의 도전성 투명 연결부를 포함할 수 있다. 이때, 상기 도전성 투명 연결부와 상기 입력단 또는 상기 출력단의 범프 사이에는 금속 전극층이 개재될 수 있다.According to one embodiment, the connecting means may comprise a plurality of conductive transparent connections formed of ITO. At this time, a metal electrode layer may be interposed between the conductive transparent connection portion and the bump of the input terminal or the output terminal.

상기 연결수단은 위에서와 같이 미세 두께의 금속막으로 형성되어 투명하거나 또는 투명한 금속산화물인 ITO로 이루어지거나 또는 ITO 상에 금속 전극층을 더 포함하는 구조 등의 다양한 구조로 형성될 수 있다. The connection means may be formed of various structures such as a structure in which ITO is formed as a transparent or transparent metal oxide formed of a metal film having a fine thickness as described above, or a structure in which a metal electrode layer is further formed on ITO.

일 실시예에 따라, 상기 n개의 발광다이오드칩들 중 하나 이상의 발광다이오드칩이 발광그룹을 형성하고, 상기 발광그릅은 620 ~ 680㎚ 파장의 발광다이오드칩을 포함한다.According to an embodiment, one or more LED chips of the n LED chips form a light emitting group, and the light emitting group includes an LED chip having a wavelength of 620 to 680 nm.

일 실시예에 따라. 상기 발광그룹은 상기 입력단자 또는 상기 출력단자와 인접하게 620 ~ 680㎚ 파장의 발광다이오드칩을 포함한다.According to one embodiment. The light emitting group includes a light emitting diode chip having a wavelength of 620 to 680 nm adjacent to the input terminal or the output terminal.

일 실시예에 따라, 상기 620 ~ 680㎚ 파장의 발광다이오드칩이 상기 발광그룹의 일측 또는 타측 끝에 위치한다.According to one embodiment, the light emitting diode chip having the wavelength of 620 to 680 nm is located at one side or the other side of the light emitting group.

일 실시예에 따라, 상기 620 ~ 680㎚ 파장의 발광다이오드칩은 입력단 또는 출력단에서 상기 연결부가 두개 이상 연결된다.According to one embodiment, the light emitting diode chip having a wavelength of 620 to 680 nm is connected to two or more of the connection portions at an input end or an output end.

본 발명의 다른 측면에 따라 발광벌브가 제공되며, 이 발광벌브는 베이스; 상기 베이스에 결합된 투광성 글로브(globe); 상기 투광성 글로브 내에서 상기 소켓 베이스와 연결된 리드들; 상기 리드들에 연결되어 상기 리드들을 통해 전원을 공급받되, 전방과 후방으로 빛을 발하는 하나 이상의 발광소자를 포함하며, 상기 발광소자는, 길이 방향으로 연장된 비도전성 투명기판과, 상기 비도전성 투명기판 상의 일측에 배치된 입력단자와, 상기 비도전성 투명기판 상의 타측에 배치된 출력단자와, 상기 비도전성 투명기판 상에 어레이되고 각각이 입력단과 출력단을 갖는 n개의 발광다이오드칩들과, 상기 비도전성 투명기판 상에서 상기 n개의 발광다이오드칩들을 직렬 연결하는 연결수단을 포함하며, 상기 연결수단은 상기 입력단자와 상기 n개의 발광다이오드칩들 중 제1 발광다이오드칩의 입력단 사이를 연결하는 제1 연결부와, 상기 제1 연결부와 이격되고 상기 제1 발광다이오드칩의 출력단 및 상기 n개의 발광다이오드칩들 중 제2 발광다이오드칩의 입력단과 연결되는 제2 연결부와, 상기 출력단자와 상기 n개의 발광다이오드칩들 중 제n 발광다이오드칩의 출력단 사이를 연결하는 제n+1 연결부와, 상기 제n+1 연결부와 이격되고 상기 제n 발광다이오드칩의 입력단과 연결되는 제n 연결부를 포함하며, 상기 제1 연결부, 상기 제2 연결부, 상기 제n 연결부 및 상기 제n+1 연결부는 도전성 투명물질로 형성된다.According to another aspect of the present invention there is provided a light bulb comprising: a base; A translucent globe coupled to the base; Leads connected to the socket base in the transparent globe; And at least one light emitting device connected to the leads and supplied with power through the leads and emitting light forward and backward, the light emitting device comprising: a non-conductive transparent substrate extending in the longitudinal direction; An output terminal disposed on the other side of the non-conductive transparent substrate; n light emitting diode chips arranged on the non-conductive transparent substrate and each having an input terminal and an output terminal; And a connection unit connecting the n light emitting diode chips in series on a transparent transparent substrate, wherein the connection unit includes a first connection unit connecting the input terminal and an input end of the first light emitting diode chip among the n light emitting diode chips, And an output terminal of the first light emitting diode chip and a second light emitting device among the n light emitting diode chips spaced apart from the first connection portion. An n + 1 connection part for connecting between the output terminal and an output terminal of the nth light emitting diode chip among the n light emitting diode chips; and an (n + 1) And an nth connection part connected to an input terminal of the nth light emitting diode chip, wherein the first connection part, the second connection part, the nth connection part and the (n + 1) th connection part are formed of a conductive transparent material.

일 실시예에 따라, 상기 제1 연결부는 상기 입력단자에 대응되고 제1폭을 갖는 부분과 상기 제1 발광다이오드칩의 입력단에 대응되는 제2 폭을 갖는 부분을 포함하고, 상기 제1 폭은 상기 제2 폭보다 크다.According to one embodiment, the first connection portion includes a portion corresponding to the input terminal and having a portion having a first width and a portion having a second width corresponding to an input end of the first LED chip, Is greater than the second width.

일 실시예에 따라, 상기 제n+1 연결부는 상기 출력단자에 대응되고 제1 폭을 갖는 부분과 상기 제n 발광다이오드칩의 출력단에 대응되는 제2 폭을 갖는 부분을 포함하고, 상기 제1 폭은 상기 제2 폭보다 크다.According to an embodiment, the (n + 1) th connection portion includes a portion corresponding to the output terminal and having a portion having a first width and a portion having a second width corresponding to an output end of the nth light emitting diode chip, And the width is larger than the second width.

일 실시예에 따라, 상기 제1 연결부와 상기 제n+1 연결부 사이의 연결부들은 제1 폭을 가지며, 상기 제1 폭은 상기 제2 폭보다 크다.According to an embodiment, the connection portions between the first connection portion and the (n + 1) th connection portion have a first width, and the first width is larger than the second width.

본 발명에 따르면, 전방과 후방 양측 모두에 대한 배광이 요구되는 발광벌브에 유용하게 이용될 수 있는 필라멘트형 발광소자가 구현된다. 이 발광소자는 비도전 투명기판 상에 도전성 투명막의 패턴으로 형성된 연결수단이 발광다이오드칩, 특히, 플립칩 타입 발광다이오드칩들을 입력단자와 출력단자 사이에서 신뢰성 있게 전기 연결하므로, 발광다이오드칩들의 후방으로 나온 광이 도전성 투명막으로 된 연결수단과 비도전성 투명기판을 통해 방해됨 없이 방출된다. INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the present invention, a filament type light emitting element which can be usefully used in a light bulb requiring light distribution for both front and rear sides is realized. In this light emitting device, since the connecting means formed in the pattern of the conductive transparent film on the non-conductive transparent substrate reliably electrically connects the light emitting diode chip, especially the flip chip type light emitting diode chip, between the input terminal and the output terminal, Is emitted without interfering with the connecting means made of the conductive transparent film and the non-conductive transparent substrate.

도 1은 발광벌브를 전반적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 발광벌브에 적용되는 필라멘트형 발광소자를 설명하기 위한 평단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 필라멘트형 발광소자를 도시한 측단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 필라멘트형 발광소자를 확대 도시한 평단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 필라멘트형 발광소자를 확대 도시한 측단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 필라멘트형 발광소자를 부분적으로 도시한 측단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 필라멘트형 발광소자를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 필라멘트형 발광소자를 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining the light bulb as a whole.
2 is a plan sectional view for explaining a filament type light emitting device applied to a light bulb according to an embodiment of the present invention.
3 is a side cross-sectional view showing the filament type light emitting device shown in Fig.
4 is an enlarged plan sectional view of a filament type light emitting device according to an embodiment of the present invention.
5 is an enlarged side sectional view of a filament type light emitting device according to an embodiment of the present invention.
6 is a side cross-sectional view partially showing a filament type light emitting device according to another embodiment of the present invention.
7 is a view for explaining a filament-type light emitting device according to another embodiment of the present invention.
8 is a view for explaining a filament type light emitting device according to another embodiment of the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1을 참조하면, 발광벌브는 베이스(2000)와, 상기 베이스(2000)의 전단 개구부에 결합된 투광성 글로브(3000)와, 상기 베이스(3000)의 내측에 설치되어 상기 투광성 글로브(3000)가 둘러싸는 공간까지 연장된 전력공급용 리드들(4200, 4400)과, 상기 투광성 글로브(3000) 내에 배치되며 상기 전력공급용 리드들(4200, 4400)을 통해 전력을 공급받아 발광하는 복수의 발광소자(1000)들을 포함한다.1, the light emitting bulb includes a base 2000, a translucent glove 3000 coupled to a front end opening of the base 2000, and a transparent globe 3000 installed inside the base 3000, And a plurality of light emitting devices 4200 and 4400 disposed in the light transmissive globe 3000 and supplied with power through the power supply leads 4200 and 4400, (1000).

상기 베이스(2000)는, 전원공급용 소켓에 분리 가능하게 결합되는 것으로서, 소켓과 전기 접속되는 전극들을 구비한다. 또한, 소켓과 접속을 위해 예를 들면 소켓의 암나사부에 대응하는 수나사부를 포함한다.The base 2000 is detachably coupled to a power supply socket, and includes electrodes that are electrically connected to the socket. And also includes a male thread portion corresponding to the female thread portion of the socket, for example, for connection with the socket.

상기 투광성 글로브(3000)는, 이하 설명되는 바와 같이 전방은 물론이고 후방으로도 광을 발할 수 있는 발광소자(1000)들의 특성에 맞게, 발광소자(1000)들을 기준으로 전방 영역은 물론이고 후방 영역을 포함하는 전체 부분이 투명한 재료로 형성된다. 상기 투광성 글로브(3000)는 전체적으로 구 형상부(3200)과 상기 구 형상부(3200)의 후방에 일체로 형성되어 상기 베이스와 결합되는 목부(3400)를 포함한다. The light transmissive globe 3000 includes a front region and a rear region on the basis of the light emitting elements 1000 in accordance with the characteristics of the light emitting elements 1000 capable of emitting light not only forward but also backward, Is formed of a transparent material. The transparent globe 3000 includes a spherical portion 3200 as a whole and a neck portion 3400 integrally formed behind the spherical portion 3200 and coupled with the base.

상기 전력 공급용 리드들(4200, 4400)은 상기 베이스(2000) 내에 세워져 설치되어 상기 투광성 글로브(3000)가 둘러싸는 공간까지 연장된다. 상기 전력 공급용 리드들(4200, 4400)은 이하 더 자세히 설명되는 발광소자(1000)들에 전력을 공급하는 기능과 더불어 상기 발광소자(1000)들을 단단하게 지지하는 역할도 한다. 상기 복수의 발광소자(1000)들은 굴곡을 이루면서 직렬로 연결된다. 전술한 리드들(4200, 4400)들 중 하나의 리드(4200)는 상기 복수의 발광소자(1000)들 중 직렬 배열 첫번째 발광소자(1000)의 전원 입력측 리드단자와 연결되고, 나머지 하나의 리드(4400)는 복수의 발광소자(1000)들의 직렬 배열 마지막 발광소자(1000)의 전원 츨력측 리드단자와 연결된다. 복수의 발광소자(1000) 각각은 일정 강성을 가지면서 일측 및 타측으로 돌출된 외부 연장 단자들(1001, 1002; 도 2 내지 도 5 참조)에 의해 상호 그리고 상기 리드들(4200, 4400)들과 연결되어 형태를 유지함과 더불어 전력을 공급받을 수 있다. The power supply leads 4200 and 4400 are installed upright in the base 2000 and extend to a space surrounded by the transparent glove 3000. The power supply leads 4200 and 4400 serve to firmly support the light emitting devices 1000 in addition to supplying power to the light emitting devices 1000, which will be described in detail below. The plurality of light emitting devices 1000 are connected in series while being bent. One lead 4200 of the leads 4200 and 4400 is connected to the power input terminal of the first light emitting device 1000 of the plurality of light emitting devices 1000 in series, 4400 are connected to the power supply side lead terminal of the last light emitting device 1000 arranged in series of the plurality of light emitting devices 1000. Each of the plurality of light emitting devices 1000 is connected to each other and to the leads 4200 and 4400 by external extension terminals 1001 and 1002 (see Figs. 2 to 5) protruding from one side and the other side, It can be connected and maintained in shape and can be supplied with power.

도 2 내지 도 5를 참조하면, 상기 발광소자(1000)는, 길이 방향으로 연장된 비도전성 투명기판(1100)과, 상기 비도전성 투명기판(1100) 상의 일측에 배치된 입력단자(1210)와, 상기 비도전성 투명기판(1100) 상의 타측에 배치된 출력단자(1220와, 상기 비도전성 투명기판(1100) 상에 어레이되고 각각이 입력단(1320)과 출력단(1340)을 갖는 n개의 발광다이오드칩(1300)들과, 상기 비도전성 투명기판(1100) 상에서 상기 n개의 발광다이오드칩(1300)들을 직렬 연결하는 연결수단(1400)을 포함한다. 또한, 상기 발광소자(1000)는 좌우 양측으로 돌출된 외부 연장 단자들(1001, 1002)의 노출을 허용하면서 상기 발광다이오드칩(1300)들 및 그 발광다이오드칩(1300)들이 실장된 비도전성 투명기판(1100)을 덮는 기다란 투광성 봉지재(1500)를 더 포함할 수 있다. 상기 투광성 봉지재(1500)는 투명 수지를 몰딩하여 형성될 수 있으며, 상기 발광다이오드칩(1300)들 중 적어도 일부 발광다이오드칩(1300)들, 특히, 청색 발광다이오드칩들과 협력하여 백색광을 만드는 파장변환물질, 예컨대, 형광체가 포함될 수 있다.2 to 5, the light emitting device 1000 includes a non-conductive transparent substrate 1100 extending in the longitudinal direction, an input terminal 1210 disposed on one side of the non-conductive transparent substrate 1100, An output terminal 1220 disposed on the other side of the non-conductive transparent substrate 1100, and n light emitting diode chips 1230 and 1240, which are arranged on the non-conductive transparent substrate 1100 and have an input end 1320 and an output end 1340, And a connection means 1400 for connecting the n light emitting diode chips 1300 in series on the non-conductive transparent substrate 1100. The light emitting device 1000 may include a plurality of light emitting diode chips 1300 protruding from left and right sides The light emitting diode chips 1300 and the elongate translucent encapsulant 1500 covering the non-conductive transparent substrate 1100 on which the light emitting diode chips 1300 are mounted while allowing the exposed external extension terminals 1001 and 1002 to be exposed, The transparent encapsulant 1500 may be transparent And a wavelength conversion material, for example, a phosphor, which forms white light in cooperation with at least some of the light emitting diode chips 1300, particularly the blue light emitting diode chips, among the light emitting diode chips 1300 may be included. have.

상기 연결수단(1400)은 상기 비도전성 투명기판(1100) 상에 투명하게 그리고 도전성을 갖도록 형성되는 것으로서, 상기 입력단자(1210)와 상기 n개의 발광다이오드칩(1300)들 중 제1 발광다이오드칩(1301)의 입력단(1320) 사이를 연결하는 제1 연결부(1401)와, 상기 제1 연결부(1401)와 이격되고 상기 제1 발광다이오드칩(1301)의 출력단(1340) 및 상기 n개의 발광다이오드칩(1300)들 중 제2 발광다이오드칩(1302)의 입력단(1320)과 연결되는 제2 연결부(1402)와, 상기 출력단자(1220)와 상기 n개의 발광다이오드칩(1300)들 중 제n 발광다이오드칩(130n)의 출력단(1340) 사이를 연결하는 제n+1 연결부(140n+1)와, 상기 제n+1 연결부(140n+1)와 이격되고 상기 제n 발광다이오드칩(130n)의 입력단(1320)과 연결되는 제n 연결부(140n)를 포함한다. 또한, 상기 연결수단(1400)은 상기 n개의 발광다이오드칩(1300)들 중 이웃하는 두 발광다이오드칩(1300, 1300)들 사이를 연결하는 중간의 연결부(1403,…)들을 포함한다. The connection unit 1400 is formed on the non-conductive transparent substrate 1100 so as to be transparent and conductive. The connection unit 1400 includes the input terminal 1210 and the first light emitting diode chip 1300 among the n light emitting diode chips 1300. A first connection part 1401 connecting between the first connection part 1401 and the input terminal 1320 of the first light emitting diode chip 1301 and a first connection part 1401 connecting between the output terminal 1340 of the first light emitting diode chip 1301 and the n- A second connection part 1402 connected to the input terminal 1320 of the second LED chip 1302 among the chips 1300 and a second connection part 1402 connected to the output terminal 1220 and the nth light emitting diode chip 1300 An nth light emitting diode chip 130n and an nth light emitting diode chip 130n which are spaced apart from the nth light emitting diode chip 130n and connected to the output terminal 1340 of the light emitting diode chip 130n, And an n < th > connection portion 140n connected to the input terminal < RTI ID = 0.0 > 1320 < / RTI > The connection means 1400 includes intermediate connection portions 1403 connecting the adjacent two LED chips 1300 and 1300 among the n LED chips 1300.

앞에서, 언급한 바와 같이, 상기 제1 연결부, 상기 제2 연결부, 상기 제n 연결부 및 상기 제n+1 연결부를 포함하는 모든 연결부들은 모두 이격되어 있고, 투명의 도전성 박막으로 형성된다. 이에 대해서는 이후 보다 더 자세히 설명하기로 한다. As mentioned above, all the connection portions including the first connection portion, the second connection portion, the n-th connection portion and the (n + 1) -th connection portion are all spaced apart and are formed of a transparent conductive thin film. This will be described in more detail below.

상기 비도전성 투명기판(1100)은 각각 평평한 상부면과 하부면을 포함하며 길이방향으로 기다랗게 형성된다. 또한 상기 비도전성 투명기판(1100)은 투명 플라스틱, 투명 유리 또는 투명 석영과 같이 비도전성이면서 투명한 재료로 이루어진다. 상기 입력단자(1210)는 상기 비도전성 투명기판(1100)의 상면 일측, 더 구체적으로는, 상기 비도전성 투명기판(1100)의 일 단부측 상면에 도전성을 갖는 금속 재료로 형성된다. 또한, 상기 출력단자(1220)는 상기 비도전성 투명기판(1100)의 상면 타측, 더 구체적으로는, 상기 비도전성 투명기판(1100)의 타 단부측 상면에 도전성을 갖는 금속 재료로 형성된다. 상기 입력단자(1210) 및 상기 출력단자(1220) 각각은 비도전성 투명기판(1100) 외측으로 돌출된 외부 연장 단자들(1001, 1002) 각각에 연결되어 전술할 리드들(4200, 4400; 도 1 참조)과 연결된다.The non-conductive transparent substrate 1100 includes a flat upper surface and a lower surface, and is formed to be long in the longitudinal direction. The non-conductive transparent substrate 1100 is made of a non-conductive and transparent material such as transparent plastic, transparent glass, or transparent quartz. The input terminal 1210 is formed of a conductive metal material on one side of the upper surface of the non-conductive transparent substrate 1100, more specifically, on the upper surface of the non-conductive transparent substrate 1100 on one side. The output terminal 1220 is formed of a conductive metal material on the other side of the upper surface of the non-conductive transparent substrate 1100, more specifically, on the upper surface of the non-conductive transparent substrate 1100 on the other end side. Each of the input terminal 1210 and the output terminal 1220 is connected to each of the external extension terminals 1001 and 1002 protruding outside the non-conductive transparent substrate 1100 to form the leads 4200 and 4400 ).

상기 입력단자(1210)와 상기 출력단자(1220)의 형성 전, 상기 비도전성 투명기판(1100)의 상부면에는 도전성 투명막을 일정 패턴으로 형성하여 이루어진 연결수단(1400)이 제공된다. 상기 연결수단(1400)을 이루는 도전성 투명막 패턴은, 예컨대, 도전성 투명막을 비도전성 투명기판(1100) 상면에 전체적으로 형성한 후 마스크를 이용해 식각해 형성하거나, 또는 비도전성 투명기판(1100) 상에 배치된 마스크 위로 일정 패턴으로 도전성 투명막을 형성하여 이루어질 수 있다. 상기 도전성 투명막으로는 ITO(Indium Tin Oxide) 등과 같은 투명 전극으로 이용되는 금속산화물 막이 이용될 수 있지만, Ni, Au, Pt, Pd 및 W 중 적어도 하나를 포함하는 금속물질이 10㎛ 이하 두께로 투명하게 형성하여 이루어지는 것이 바람직하다.A connecting means 1400 formed by forming a conductive transparent film in a predetermined pattern on the non-conductive transparent substrate 1100 before forming the input terminal 1210 and the output terminal 1220 is provided. The conductive transparent film pattern constituting the connection means 1400 may be formed by forming a conductive transparent film entirely on the upper surface of the non-conductive transparent substrate 1100 and etching it by using a mask, or by forming the conductive transparent film on the non-conductive transparent substrate 1100 And then forming a conductive transparent film on the mask in a predetermined pattern. As the conductive transparent film, a metal oxide film used as a transparent electrode such as ITO (Indium Tin Oxide) may be used. However, a metal material including at least one of Ni, Au, Pt, It is preferable that it is formed to be transparent.

상기 n개의 발광다이오드칩(1300)들은 상기 입력단자(1210)와 상기 출력단자(1220) 사이에서 상기 비도전성 투명기판(1100)의 상면에 일열로 어레이된다. 또한, 상기 n개의 발광다이오드칩(1300) 각각은 입력단(1320)과 출력단(1340)을 갖는데, 입력단(1320)과 출력단(1340) 각각은 상기 발광다이오드칩(1300) 각각에서 상기 비도전성 투명기판(1100)을 향해 연장된 전극패드(1321, 1341) 및/또는 범프(1322, 1342)를 포함한다.The n light emitting diode chips 1300 are arrayed in a row on the top surface of the non-conductive transparent substrate 1100 between the input terminal 1210 and the output terminal 1220. Each of the n light emitting diode chips 1300 has an input terminal 1320 and an output terminal 1340. The input terminal 1320 and the output terminal 1340 are connected to the non- Or electrode pads 1321, 1341 and / or bumps 1322, 1342 extending toward the substrate 1100.

또한, 상기 n개의 발광다이오드칩(1300) 각각은 플립칩 본딩에 의해 상기 비도전상 투명기판(1100) 상에 실장되는 플립칩 타입 발광다이오드칩으로서, 상기 실장에 의해 상기 비도전성 투명기판(1100) 상에 도전성 투명막으로 미리 형성된 연결수단(1400) 내 해당 도전성 투명 연결부와 연결되어, 직렬 연결 회로의 한 요소를 이룬다. 본 실시예에서는, 도전성을 갖는 투명 연결부(1401, 1402, 1403, …, 140n 또는 140n+1)들이 첫번째 발광다이오드칩, 출력단자와 마지막 발광다이오드칩, 그리고, 이웃하는 중간의 발광다이오드칩 사이를 연결하므로 기존 래터럴 타입 발광다이오드칩의 직렬 회로 연결에 필요했던 본딩와이어들이 사용되지 않는다. 또한, 각 발광다이오드칩(1300)들이 플립칩 타입임에도 불구하고 비도전성 투명기판(1100)을 향하는 방향으로 별도의 반사막을 구비하지 않고 각 발광다이오드칩(1300)과 비도전성 투명기판(1100) 사이에는 입력단(1320) 및 출력단(1340)을 제외하면 비어 있는 광투과 영역(aa)만이 존재하므로 후방으로도 광을 내보낼 수 있다. 광투과 영역(aa)에는 공기층이 존재하거나 또는 투광성 봉지재가 투광성 수지재료인 경우 그 투광성 수지재료로 채워질 수 있다.Each of the n light emitting diode chips 1300 is mounted on the non-conductive transparent substrate 1100 by flip-chip bonding. The non-conductive transparent substrate 1100 is mounted on the flip chip type light emitting diode chip, Is connected to the corresponding conductive transparent connection portion in the connection means 1400 previously formed of a conductive transparent film on the conductive transparent film 1400 to form an element of the series connection circuit. In this embodiment, the transparent connection portions 1401, 1402, 1403, ..., 140n or 140n + 1 having conductivity are disposed between the first light emitting diode chip, the output terminal and the last light emitting diode chip, and between the adjacent intermediate light emitting diode chips The bonding wires necessary for the series circuit connection of the existing lateral type light emitting diode chip are not used. In addition, even though each LED chip 1300 is a flip-chip type, a separate reflective film is not provided in the direction toward the non-conductive transparent substrate 1100, and a gap between each LED chip 1300 and the non-conductive transparent substrate 1100 Since only the light transmitting area aa is empty except for the input end 1320 and the output end 1340, light can be emitted backward as well. An air layer may be present in the light transmitting region (aa), or the light transmitting resin material may be filled with the light transmitting resin material when the light transmitting encapsulating material is a light transmitting resin material.

본 실시예에 있어서, 상기 n개의 발광다이오드칩(1300) 각각은 위에서 아래를 향해 차례로 투광성기판(1311), 제1 도전형 반도체층(1312), 활성층(1313) 및 제2 도전형 반도체층(1314)을 포함한다. 제2 도전형 반도체층(1314)의 일부 영역이 제1 전극패드(1321)와 연결되고 메사 식각에 의해 오픈된 제1 도전형 반도체층(1312)의 일부 영역이 제2 전극 패드(1341)와 연결된 구조를 포함한다.In this embodiment, each of the n light emitting diode chips 1300 includes a light transmitting substrate 1311, a first conductivity type semiconductor layer 1312, an active layer 1313, and a second conductivity type semiconductor layer 1314). A part of the region of the second conductivity type semiconductor layer 1314 is connected to the first electrode pad 1321 and a part of the first conductivity type semiconductor layer 1312 opened by the mesa etching is connected to the second electrode pad 1341 And a connected structure.

상기 투광성기판(1311)은 갈륨나이트라이드 계열의 제1 도전형 반도체층(1312), 활성층(1313) 및 제2 도전형 반도체층(1314)의 성장에 이용된 성장 기판, 더 바람직하게는, 투명 사파이어 기판일 수 있다. 제1 도전형 반도체층(1312) 및 제2 도전형 반도체층(1314)은 n형 반도체층 및 p형 반도체층일 수 있으며, 활성층(1313)은 멀티퀀텀웰(multi quantum well)을 포함할 수 있다.The transmissive substrate 1311 is a growth substrate used for growing the first conductivity type semiconductor layer 1312, the active layer 1313 and the second conductivity type semiconductor layer 1314, more preferably a transparent Sapphire substrate. The first conductive semiconductor layer 1312 and the second conductive semiconductor layer 1314 may be an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer, and the active layer 1313 may include a multi quantum well .

또한, 제1 범프(1322) 및 제2 범프(1342)에 의해, 상기 제1 전극 패드(1321) 및/또는 제2 전극 패드(1341)가 비도전성 투명기판(1100) 상의 도전성 투명 연결부(1401, 1402, 1403, …, 140n 또는 140n+1)와 연결된다.The first electrode pad 1321 and / or the second electrode pad 1341 are electrically connected to the conductive transparent connection portion 1401 (not shown) on the non-conductive transparent substrate 1100 by the first bump 1322 and the second bump 1342. [ , 1402, 1403, ..., 140n or 140n + 1.

한편, 상기 입력단자(1210)는 Ag, Au, Cu 및 Al 중 적어도 하나를 포함하는 금속 모재(1211)와 상기 금속 모재에 코팅된 반사물질막을 포함하는 것이 바람직하다. 마찬가지로, 상기 출력단자(1220)도 Ag, Au, Cu 및 Al 중 적어도 하나를 포함하는 금속 모재와 상기 금속 모재에 코팅된 반사물질막을 포함하는 것이 바람직하다.The input terminal 1210 may include a metal base material 1211 including at least one of Ag, Au, Cu, and Al, and a reflective material layer coated on the base metal material. Similarly, the output terminal 1220 preferably includes a metal matrix including at least one of Ag, Au, Cu, and Al, and a reflective material layer coated on the metal matrix.

발광소자(1000)를 제작하기 위해, 미리 준비된 투명한 비도전성 투명기판(1100) 상에 10㎛ 이하 두께로 Ni, Au, Pt, Pd 또는 W 등을 포함하는 금속물질을 증착하거나 또는 ITO 등 투명 금속산화물을 증착하여, 도전성 투명막을 비도전성 투명기판(1100) 상에 형성하고, 상기 도전성 투명막을 식각하여 전술한 도전성 투명 연결부(1401, 1402, 1403, …, 140n 또는 140n+1)를 포함하는 연결수단(1400)을 비도전성 투명기판(1100) 상에 형성한다. 대안적으로, 비도전성 투명기판(1100) 상에 일정 패턴의 마스크를 형성하고 그 위에 투명 금속 산화물 또는 투명 금속을 미세 증착하여 상기 투명 연결부(1401, 1402, 1403, …, 140n 또는 140n+1)를 포함하는 연결수단(1400)을 형성할 수도 있다. 연결수단(1400) 형성을 위해 E-빔 또는 스퍼터링 공정이 이용될 수 있다.In order to manufacture the light emitting device 1000, a metal material including Ni, Au, Pt, Pd, or W is deposited to a thickness of 10 mu m or less on a previously prepared transparent non-conductive transparent substrate 1100, An oxide is deposited to form a conductive transparent film on the non-conductive transparent substrate 1100 and the conductive transparent film is etched to form a connection including the conductive transparent connections 1401, 1402, 1403, ..., 140n or 140n + The means 1400 is formed on the non-conductive transparent substrate 1100. Alternatively, the transparent connection portions 1401, 1402, 1403, ..., 140n or 140n + 1 may be formed by forming a mask of a predetermined pattern on the non-conductive transparent substrate 1100 and finely depositing a transparent metal oxide or a transparent metal thereon, The connecting means 1400 may be formed. An E-beam or sputtering process may be used to form the connecting means 1400.

다음, 발광다이오드칩(1300)들과 입력단자(1210) 및 출력단자(1220)를 상기 투명 연결부(1401, 1402, 1403, …, 140n 또는 140n+1)에 의해 전기적으로 직렬 연결되도록 상기 비도전성 투명기판(1100) 상에 배치 및 형성하는 공정이 수행된다. 이 공정에 의해, 상기 입력단자(1210)와 상기 n개의 발광다이오드칩(1300)들 중 제1 발광다이오드칩(1301)의 입력단(1320) 사이가 투명의 도전성 제1 연결부(1401)에 의해 연결되고, 상기 제1 발광다이오드칩(1301)의 출력단(1340) 및 상기 n개의 발광다이오드칩(1300)들 중 제2 발광다이오드칩(1302)의 입력단(1320)이 투명의 도전성 제2 연결부(1402)에 의해 연결되고, 상기 출력단자(1220)와 상기 n개의 발광다이오드칩(1300)들 중 제n 발광다이오드칩(130n)의 출력단(1340)이 투명의 도전성 제n+1 연결부(140n+1)에 의해 연결되고, 투명의 도전성 제n 연결부(140n)은 상기 제n 발광다이오드칩(130n)의 입력단(1320)과 연결된다. 그리고, 상기 공정에 의해, 상기 n개의 발광다이오드칩(1300)들 중 이웃하는 두 발광다이오드칩(1300, 1300)들 사이도 투명의 도전성 연결부들에 의해 연결된다.Next, the light emitting diode chips 1300, the input terminal 1210, and the output terminal 1220 are electrically connected in series by the transparent connection portions 1401, 1402, 1403, ..., 140n or 140n + 1, A process of arranging and forming on the transparent substrate 1100 is performed. The input terminal 1210 and the input terminal 1320 of the first light emitting diode chip 1301 among the n light emitting diode chips 1300 are connected to each other by a transparent conductive first connection portion 1401 And the output terminal 1340 of the first LED chip 1301 and the input terminal 1320 of the second LED chip 1302 of the n LED chips 1300 are connected to the transparent second connection part 1402 , And the output terminal 1220 and the output terminal 1340 of the nth light emitting diode chip 130n among the n light emitting diode chips 1300 are connected to the transparent conductive n + 1 connection 140n + 1 And the transparent conductive connection portion 140n is connected to the input terminal 1320 of the nth light emitting diode chip 130n. Also, between the adjacent two LED chips 1300 and 1300 among the n LED chips 1300 are connected by transparent conductive connecting parts.

이때, 상기 제1 연결부(1401)는 상기 입력단자(1210)에 대응되고 제1폭 w1을 갖는 부분과 상기 제1 발광다이오드칩(1301)의 입력단에 대응되는 제2 폭 w2를 갖는 부분을 포함한다. 또한, 상기 제n+1 연결부(140n+1)은 출력단자(1220)에 대응되고 제1 폭 w1을 갖는 부분과 상기 제n 발광다이오드칩(130n)의 출력단에 대응되는 제2 폭 w2을 갖는 부분을 포함한다. 또한, 상기 제1 연결부(1401)와 상기 제n+1 연결부(140n+1) 사이에 있는 연결부들은 제1 폭 w2을 갖는다. 제1 폭w1은 제2 폭 w2보다 크게 정해진다. The first connection portion 1401 includes a portion corresponding to the input terminal 1210 and having a portion having a first width w1 and a portion having a second width w2 corresponding to an input end of the first LED chip 1301 do. The n + 1 connection portion 140n + 1 has a portion corresponding to the output terminal 1220 and having a first width w1 and a second width w2 corresponding to the output terminal of the nth light emitting diode chip 130n ≪ / RTI > Also, the connection portions between the first connection portion 1401 and the (n + 1) th connection portion 140n + 1 have a first width w2. The first width w1 is determined to be larger than the second width w2.

두개의 외부 연장 단자들(1001, 1002; 도 1 참조) 각각은 입력단자(1210) 및 출력단자(1220)와 연결되어 좌우 양측으로 길게 돌출된다. 그리고, 두개의 외부 연장 단자들(1001, 1002; 도 1 참조)만이 외부로 노출된 상태로 비도전성 투명기판(1100) 및 발광다이오드칩(1300)들을 감싸는 광투과성 봉지재를 몰딩 형서하며, 이에 의해, 전술한 발광소자(1000)의 제작이 완료된다. 상기 광투광성 봉지재에는 청색 또는 자외선 파장의 광을 발하는 발광다이오드칩(1300)과 협력하여 백색광을 만드는 파장 변환 재료, 즉, 형광체가 포함될 수 있다. 백색광을 웜화이트광으로 바꾸어 내보내도록, 상기 복수개의 발광다이오드칩(1300)들 중에서 적어도 하나의 발광다이오드칩으로 620 ~ 680㎚ 파장을 발하는 것을 이용하는 것도 고려된다.Each of the two external extension terminals 1001 and 1002 (see FIG. 1) is connected to the input terminal 1210 and the output terminal 1220, and protrudes to both left and right sides. The light-transmissive encapsulant encapsulating the non-conductive transparent substrate 1100 and the LED chips 1300 is molded in a state in which only two external extension terminals 1001 and 1002 (see FIG. 1) are exposed to the outside, The fabrication of the above-described light emitting device 1000 is completed. The light-transmissive encapsulant may include a wavelength conversion material, that is, a phosphor, which cooperates with the light emitting diode chip 1300 emitting blue or ultraviolet light to form white light. It is also contemplated to use a light emitting diode chip of at least one of the plurality of light emitting diode chips 1300 emitting a wavelength of 620 to 680 nm so as to convert the white light into warm white light.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 필라멘트형 발광소자를 부분적으로 도시한 측단면도이다.6 is a side cross-sectional view partially showing a filament type light emitting device according to another embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 필라멘트형 발광소자(1000)는, 복수의 도전성 투명 연결부(1403) 각각이 ITO로 형성되며, ITO로 이루어진 각 도전성 투명 연결부(1403; 이하 'ITO 투명 연결부'라 한다)와 입력단(1320)의 범프(1322) 또는 출력단(1340)의 범프(1342) 간의 접합력을 높이기 위해, ITO 투명 연결부(1403) 상에 상기 입력단(1320) 또는 상기 출력단(1340)의 범프(1322 또는 1422)와 직접 접하는 부가적인 불투명 금속 전극층(1404)을 해당 범프(1322 또는 1422)와 ITO 투명 연결부(1403) 사이에 제한적으로 포함한다. 나머지 구성은 앞선 실시예와 같거나 유사하므로 그 구체적인 설명은 생략한다. 6, the filament type light emitting device 1000 according to the present embodiment includes a plurality of conductive transparent connection parts 1403 each formed of ITO, and each conductive transparent connection part 1403 made of ITO (hereinafter referred to as 'ITO transparent connection part' Or the output terminal 1340 on the ITO transparent connection portion 1403 in order to increase the bonding force between the bump 1322 of the input terminal 1320 and the bump 1322 of the input terminal 1320 or the bump 1342 of the output terminal 1340, An additional opaque metal electrode layer 1404 that is in direct contact with the bumps 1322 or 1422 is limitedly contained between the bump 1322 or 1422 and the ITO transparent connection 1403. [ The remaining configuration is the same as or similar to that of the previous embodiment, and a detailed description thereof will be omitted.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 필라멘트형 발광소자를 설명하기 위한 도면이다.6 is a view for explaining a filament type light emitting device according to another embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 비도전성 투명기판(1100) 상에 발광다이오드칩(1300)들이 각각 직렬로 연결되어 복수개의 발광 그룹(G1, G2)을 구성하며, 복수개의 발광 그룹(G1, G2)는 병렬로 연결된다. 발광 그룹들(G1, G2 ) 각각은 n개의 발광다이오드칩(1300)들을 포함하며, 앞에서 설명한 것과 같은 방식으로, n개의 발광다이오드칩(1300)들은 입력단자(1210)와 출력단자(1220) 사이에서 도전성 투명 연결부들(1401, 1402, 1403, …, 140n 또는 140n+1)을 포함하는 연결수단에 의해 직렬로 연결된다. 이때, n개의 발광다이오드칩(1300)들 중 입력단자(1210)와 인접하게 위치한 제1 발광다이오드칩(1301) 및/또는 출력단자(1220)에 인접하게 위치한 제n 발광다이오드칩(130n)은 620 ~ 680㎚ 파장의 광을 발하는 적색 발광다이오드칩인 것이 바람직하며, 나머지 발광다이오드칩(1300)들은 형광체와 함께 백색광을 만드는 청색 또는 자외선 파장의 발광다이오드칩인 것이 바람직하다.6, light emitting diode chips 1300 are connected in series on a non-conductive transparent substrate 1100 to form a plurality of light emitting groups G1 and G2, and a plurality of light emitting groups G1 and G2 They are connected in parallel. Each of the light emitting groups G1 and G2 includes n light emitting diode chips 1300 and the n light emitting diode chips 1300 are connected between the input terminal 1210 and the output terminal 1220 1402, 1403, ..., 140n, or 140n + 1). The conductive transparent connections 1401, 1402, 1403,. At this time, among the n light emitting diode chips 1300, the first light emitting diode chip 1301 located adjacent to the input terminal 1210 and / or the nth light emitting diode chip 130n located adjacent to the output terminal 1220 It is preferable that the LED chip 1300 is a red LED chip emitting light having a wavelength of 620 to 680 nm and the remaining LED chips 1300 are LED chips having a blue or ultraviolet wavelength for producing white light together with the phosphor.

도 7을 참조하면, 비도전성 투명기판(1100) 상에 발광다이오드칩(1300)들이 각각 직렬로 연결되어 복수개의 발광 그룹(G1, G2)을 구성하며, 복수개의 발광그룹(G1, G2)는 역병렬로 연결된다. 제1 발광 그룹(G1) 각각은 n개의 발광다이오드칩(1300)들을 포함하며, 앞에서 설명한 것과 같은 방식으로, n개의 발광다이오드칩(1300)들은 입력단자(1210)와 출력단자(1220) 사이에서 도전성 투명 연결부들(1401, 1402, 1403, …, 140n 또는 140n+1)을 포함하는 연결수단에 의해 직렬로 연결된다. 제2 발광그룹(G2)에 있어서는, 제1 발광그룹(G1)에 있어서 입력단자의 역할을 하는 구성요소 1210이 출력단자가 되고 제1 발광그룹(G1)에 있어서 출력단자 역할을 하는 구성요소 1220이 입력단자 역할을 한다. 도시하지 않았지만, 상기 620 ~ 680㎚ 파장의 발광다이오드칩은 입력단 또는 출력단에서 상기 연결부가 두개 이상 연결될 수 있다.7, light emitting diode chips 1300 are connected in series on a non-conductive transparent substrate 1100 to form a plurality of light emitting groups G1 and G2, and a plurality of light emitting groups G1 and G2 And are connected in anti-parallel. Each of the first light emitting groups G1 includes n light emitting diode chips 1300 and n light emitting diode chips 1300 are arranged between the input terminal 1210 and the output terminal 1220 Are connected in series by connection means comprising conductive transparent connections 1401, 1402, 1403, ..., 140n or 140n + 1. In the second light emitting group G2, a component 1210 serving as an input terminal in the first light emitting group G1 becomes an output terminal and a component 1220 serving as an output terminal in the first light emitting group G1 And serves as an input terminal. Although not shown, the light emitting diode chip having a wavelength of 620 to 680 nm may be connected to two or more of the connection portions at an input end or an output end.

1000: 발광소자 1100: 비도전성 투명기판
1210: 입력단자 1220: 출력단자
1300, 1301, 1302, 130n: 발광다이오드칩
1400: 연결수단 1500: 투광성 봉지재
1401, 1402, 1403, 140n, 140n+1: 연결부1000: light emitting element 1100: non-conductive transparent substrate
1210: Input terminal 1220: Output terminal
1300, 1301, 1302, 130n: light emitting diode chip
1400: connecting means 1500: translucent encapsulant
1401, 1402, 1403, 140n, 140n + 1:

Claims (19)

길이 방향으로 연장된 비도전성 투명기판;
상기 비도전성 투명기판 상의 일측에 배치된 입력단자;
상기 비도전성 투명기판 상의 타측에 배치된 출력단자;
상기 비도전성 투명기판 상에 어레이되고 각각이 입력단과 출력단을 갖는 n개의 발광다이오드칩들; 및
상기 비도전성 투명기판 상에서 상기 n개의 발광다이오드칩들을 직렬 연결하는 연결수단을 포함하며,
상기 연결수단은 상기 입력단자와 상기 n개의 발광다이오드칩들 중 제1 발광다이오드칩의 입력단 사이를 연결하는 제1 연결부를 포함하며,
상기 제1 연결부는 도전성 투명물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자.A non-conductive transparent substrate extending in the longitudinal direction;
An input terminal disposed on one side of the non-conductive transparent substrate;
An output terminal disposed on the other side of the non-conductive transparent substrate;
N light emitting diode chips arranged on the non-conductive transparent substrate and each having an input end and an output end; And
And connecting means for serially connecting the n light emitting diode chips on the non-conductive transparent substrate,
Wherein the connection unit includes a first connection unit for connecting between the input terminal and an input terminal of the first light emitting diode chip among the n light emitting diode chips,
Wherein the first connection portion is formed of a conductive transparent material. 청구항 1에 있어서, 상기 입력단과 상기 출력단은 상기 발광다이오드칩 각각에서 상기 비도전성 투명기판을 향해 연장된 전극패드를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자. The light emitting device of claim 1, wherein the input terminal and the output terminal each include an electrode pad extending from the light emitting diode chip toward the non-conductive transparent substrate. 청구항 1에 있어서, 상기 연결수단은, 상기 제1 연결부와 이격되고 상기 제1 발광다이오드칩의 출력단과 연결되는 제2 연결부를 더 포함하며, 상기 제2 연결부는 도전성 투명물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자.The light emitting device of claim 1, wherein the connection unit further comprises a second connection unit spaced apart from the first connection unit and connected to an output terminal of the first LED chip, and the second connection unit is formed of a conductive transparent material . 청구항 3에 있어서, 상기 제2 연결부는 상기 n개의 발광다이오드칩들 중 제2 발광다이오드칩의 입력단과 연결되는 것을 특징으로 하는 발광소자.[4] The light emitting device of claim 3, wherein the second connection part is connected to the input end of the second light emitting diode chip among the n light emitting diode chips. 청구항 1에 있어서, 상기 연결수단은 상기 출력단자와 상기 n개의 발광다이오드칩들 중 제n 발광다이오드칩의 출력단 사이를 연결하는 제n+1 연결부를 포함하며, 상기 제n+1 연결부는 도전성 투명물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자.2. The light emitting device of claim 1, wherein the connecting means comprises an n + 1 connection for connecting between the output terminal and an output terminal of the nth light emitting diode chip among the n light emitting diode chips, Wherein the light emitting element is formed of a material. 청구항 5에 있어서, 상기 제n+1 연결부와 이격되고 상기 제n 발광다이오드칩의 입력단과 연결되는 제n 연결부를 더 포함하며, 상기 제n 연결부는 도전성 투명물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자.6. The light emitting device of claim 5, further comprising an n-th connection part spaced apart from the (n + 1) -th connection part and connected to an input terminal of the n-th light emitting diode chip, and the n-th connection part is formed of a conductive transparent material. . 청구항 1에 있어서, 상기 연결수단은 상기 n개의 발광다이오드칩 중 이웃하는 발광다이오드칩들 사이를 연결하는 연결부들을 포함하며, 상기 연결부들은 도전성 투명물질로 형성된 것을 특징으로 하는 발광소자.[3] The light emitting device of claim 1, wherein the connection unit includes connection units connecting neighboring light emitting diode chips among the n LED chips, and the connection units are formed of a conductive transparent material. 청구항 1에 있어서, 상기 입력단자와 상기 출력단자 각각은, Ag, Au, Cu 및 Al 중 적어도 하나를 포함하는 금속 모재와, 상기 금속 모재에 코팅된 반사물질막을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자.The light emitting device of claim 1, wherein each of the input terminal and the output terminal includes a metal base material including at least one of Ag, Au, Cu, and Al, and a reflective material film coated on the base metal material. 청구항 1에 있어서, 상기 연결수단은 복수의 연결부를 포함하며, 상기 복수의 연결부는 Ni, Au, Pt, Pd 및 W 중 적어도 하나를 포함하는 금속물질이 10㎛ 이하 두께로 투명하게 상기 비도전성 투명기판 상에 형성된 것을 특징으로 하는 발광소자.[3] The method of claim 1, wherein the connecting means includes a plurality of connecting portions, and the plurality of connecting portions are made of a metal material containing at least one of Ni, Au, Pt, Pd and W, And is formed on a substrate. 청구항 1에 있어서, 상기 연결수단은 ITO로 형성된 복수의 도전성 투명 연결부를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자.The light emitting device of claim 1, wherein the connecting means comprises a plurality of conductive transparent connections formed of ITO. 청구항 10에 있어서, 상기 복수의 도전성 투명 연결부 각각과 상기 입력단 또는 상기 출력단의 범프 사이에는 금속 전극층이 개재된 것을 특징으로 하는 발광소자.11. The light emitting device according to claim 10, wherein a metal electrode layer is interposed between each of the plurality of conductive transparent connecting parts and the bumps of the input end or the output end. 청구항 1에 있어서, 상기 n개의 발광다이오드칩들 중 하나 이상의 발광다이오드칩이 발광그룹을 형성하고, 상기 발광그룹은 620 ~ 680㎚ 파장의 발광다이오드칩을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자.The light emitting device of claim 1, wherein one or more of the n light emitting diode chips form a light emitting group, and the light emitting group includes a light emitting diode chip having a wavelength of 620 to 680 nm. 청구항 12에 있어서, 상기 발광그룹은 상기 입력단자 또는 상기 출력단자와 인접하게 620 ~ 680㎚ 파장의 발광다이오드칩을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자.13. The light emitting device of claim 12, wherein the light emitting group includes a light emitting diode chip having a wavelength of 620 to 680 nm adjacent to the input terminal or the output terminal. 청구항 12에 있어서, 상기 620 ~ 680㎚ 파장의 발광다이오드칩이 상기 발광그룹의 일측 또는 타측 끝에 위치하는 것을 특징으로 하는 발광소자.The light emitting device of claim 12, wherein the light emitting diode chip having a wavelength of 620 to 680 nm is located at one side or the other end of the light emitting group. 청구항 12에 있어서, 상기 620 ~ 680㎚ 파장의 발광다이오드칩은 입력단 또는 출력단에서 상기 연결부가 두개 이상 연결되는 것을 특징으로 하는 발광소자.[Claim 15] The light emitting device of claim 12, wherein the light emitting diode chip having a wavelength of 620 to 680 nm has two or more connection portions connected to each other at an input end or an output end. 베이스;
상기 베이스에 결합된 투광성 글로브(globe);
상기 투광성 글로브 내에서 상기 베이스와 연결된 리드들; 및
상기 리드들에 연결되어 상기 리드들을 통해 전원을 공급받되, 전방과 후방으로 빛을 발하는 하나 이상의 발광소자를 포함하며,
상기 발광소자는, 길이 방향으로 연장된 비도전성 투명기판과, 상기 비도전성 투명기판 상의 일측에 배치된 입력단자와, 상기 비도전성 투명기판 상의 타측에 배치된 출력단자와, 상기 비도전성 투명기판 상에 어레이되고 각각이 입력단과 출력단을 갖는 n개의 발광다이오드칩들과, 상기 비도전성 투명기판 상에서 상기 n개의 발광다이오드칩들을 직렬 연결하는 연결수단을 포함하며, 상기 연결수단은 상기 입력단자와 상기 n개의 발광다이오드칩들 중 제1 발광다이오드칩의 입력단 사이를 연결하는 제1 연결부와, 상기 제1 연결부와 이격되고 상기 제1 발광다이오드칩의 출력단 및 상기 n개의 발광다이오드칩들 중 제2 발광다이오드칩의 입력단과 연결되는 제2 연결부와, 상기 출력단자와 상기 n개의 발광다이오드칩들 중 제n 발광다이오드칩의 출력단 사이를 연결하는 제n+1 연결부와, 상기 제n+1 연결부와 이격되고 상기 제n 발광다이오드칩의 입력단과 연결되는 제n 연결부를 포함하며, 상기 제1 연결부, 상기 제2 연결부, 상기 제n 연결부 및 상기 제n+1 연결부는 도전성 투명물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광벌브.Base;
A translucent globe coupled to the base;
Leads connected to the base in the transparent globe; And
And at least one light emitting element connected to the leads and being supplied with power through the leads and emitting light forward and backward,
The non-conductive transparent substrate includes a non-conductive transparent substrate extending in the longitudinal direction, an input terminal disposed on one side of the non-conductive transparent substrate, an output terminal disposed on the other side of the non-conductive transparent substrate, N light emitting diode chips each having an input terminal and an output terminal, and connection means for connecting the n light emitting diode chips in series on the non-conductive transparent substrate, wherein the connection means connects the input terminal and the n A first connection part connecting between the input ends of the first light emitting diode chips among the light emitting diode chips of the first light emitting diode chip and a second connection part connecting the output ends of the first light emitting diode chip and the second light emitting diode among the n light emitting diode chips, A second connection part connected to the input terminal of the chip, and an output terminal of the nth light emitting diode chip among the output terminal and the n light emitting diode chips And an nth connection part connected to an input terminal of the nth light emitting diode chip and spaced apart from the (n + 1) th connection part, wherein the first connection part, the second connection part, the nth And the connection part and the (n + 1) th connection part are formed of a conductive transparent material. 청구항 16에 있어서, 상기 제1 연결부는 상기 입력단자에 대응되고 제1폭을 갖는 부분과 상기 제1 발광다이오드칩의 입력단에 대응되는 제2 폭을 갖는 부분을 포함하고, 상기 제1 폭은 상기 제2 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 발광벌브.17. The light emitting device of claim 16, wherein the first connection portion includes a portion corresponding to the input terminal and having a first width and a portion having a second width corresponding to an input end of the first LED chip, And the second width is larger than the second width. 청구항 16에 있어서, 상기 제n+1 연결부는 상기 출력단자에 대응되고 제1 폭을 갖는 부분과 상기 제n 발광다이오드칩의 출력단에 대응되는 제2 폭을 갖는 부분을 포함하고, 상기 제1 폭은 상기 제2 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 발광벌브. 17. The light emitting device of claim 16, wherein the (n + 1) th connection portion includes a portion corresponding to the output terminal and having a portion having a first width and a portion having a second width corresponding to an output end of the nth light emitting diode chip, Is larger than the second width. 청구항 17 또는 청구항 18에 있어서, 상기 제1 연결부와 상기 제n+1 연결부 사이의 연결부들은 제1 폭을 가지며, 상기 제1 폭은 상기 제2 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 발광벌브.The light emitting bulb according to claim 17 or 18, wherein the connection portions between the first connection portion and the (n + 1) th connection portion have a first width, and the first width is larger than the second width.
KR1020160047607A 2016-04-19 2016-04-19 light emitting device and light emitting bulb comprising the same KR20170119503A (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160047607A KR20170119503A (en) 2016-04-19 2016-04-19 light emitting device and light emitting bulb comprising the same
US15/335,231 US10109775B2 (en) 2016-04-19 2016-10-26 Light emitting devices and light emitting bulbs including the same
US16/127,616 US10234088B2 (en) 2016-04-19 2018-09-11 Light emitting devices and light emitting bulbs including the same
US16/260,657 US10487996B2 (en) 2016-04-19 2019-01-29 Light emitting devices and light emitting bulbs including the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160047607A KR20170119503A (en) 2016-04-19 2016-04-19 light emitting device and light emitting bulb comprising the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20170119503A true KR20170119503A (en) 2017-10-27

Family

ID=60300339

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160047607A KR20170119503A (en) 2016-04-19 2016-04-19 light emitting device and light emitting bulb comprising the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20170119503A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019093713A1 (en) * 2017-11-10 2019-05-16 서울반도체 주식회사 Light emitting diode filament
KR20190123653A (en) * 2018-04-24 2019-11-01 삼성전자주식회사 Led module and led lamp including the same

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019093713A1 (en) * 2017-11-10 2019-05-16 서울반도체 주식회사 Light emitting diode filament
KR20190053720A (en) * 2017-11-10 2019-05-20 서울반도체 주식회사 Light emitting device filament
US10957675B2 (en) 2017-11-10 2021-03-23 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Lighting-emitting device filament
EP3709354A4 (en) * 2017-11-10 2022-05-18 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode filament
US11348907B2 (en) 2017-11-10 2022-05-31 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Lighting-emitting device filament
KR20190123653A (en) * 2018-04-24 2019-11-01 삼성전자주식회사 Led module and led lamp including the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9620682B2 (en) Light emitting device
US9640583B2 (en) Light emitting device and light emitting device array
US9165977B2 (en) Light emitting device and light emitting device package including series of light emitting regions
US10177286B2 (en) Light emitting element package having three regions
KR102199991B1 (en) Light emitting device and light unit having the same
US10487996B2 (en) Light emitting devices and light emitting bulbs including the same
CN102272951B (en) Multi-chip light emitting diode modules
US9153622B2 (en) Series of light emitting regions with an intermediate pad
CN106653965B (en) Light emitting semiconductor device
JP2021523539A (en) Lighting module and lighting equipment equipped with it
US9209356B2 (en) Light-emitting element including a light-emitting stack with an uneven upper surface
CN107750318B (en) Light emitting unit and light source unit including the same
KR20170119503A (en) light emitting device and light emitting bulb comprising the same
KR20170119513A (en) light emitting device and light emitting bulb comprising the same
JP5881332B2 (en) Semiconductor light emitting device and LED lamp using the same
KR102239628B1 (en) Lens and light emitting device module including the same
KR102251225B1 (en) Light source module
TWM496847U (en) Light emitting module
KR20160002063A (en) Optoelectronic device and method for manufacturing the same
KR102087937B1 (en) Light emitting device
KR20130060638A (en) Light emitting device, package including the same, and lighting system including the same