KR20170117529A - 검사와 계측을 위한 방법 및 장치 - Google Patents

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에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
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Abstract

표면에 대한 컴포넌트의 위치 제어를 위한 방법 및 장치가 개시된다. 이러한 방법은, 상기 컴포넌트와 표면 사이에 작용하는 카시미르 힘(Casimir force)의 추정된 효과 또는 카시미르 힘으로부터 유도된 추정된 효과를 계산하는 단계, 및 추정된 효과를 사용하여, 상기 표면에 대한 컴포넌트의 위치설정을 보상하는 단계를 포함할 수 있다.

Description

검사와 계측을 위한 방법 및 장치
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 2015 년 2 월 25 일에 출원된 EP 출원 번호 제 15156499.4 의 우선권을 주장하며, 이것은 그 전체 내용이 원용되어 본원에 통합된다.
본 명세서는 두 개의 오브젝트들 사이의 거리를 제어하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟 영역 상에 원하는 패턴을 부여하는 장치이다. 리소그래피 장치는 예컨대 집적회로(IC)의 제조 시에 사용될 수 있다. 그 경우, 집적회로의 개개의 층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 마스크 또는 레티클(reticle)로도 지칭되는 패터닝 장치가 사용될 수 있다. 이러한 패턴은 기판(예를 들어, 실리콘 웨이퍼) 상의 타겟부(예를 들어, 다이의 일부, 하나 또는 몇몇 다이들을 포함) 상으로 전사될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속적으로 패터닝되는 인접한 타겟 영역들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한 번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각 타겟부가 조사(irradiate)되는 이른바 스테퍼, 및 주어진 방향("스캐닝" 방향)으로 방사 빔을 통해 패턴을 스캔하는 동시에 이러한 방향에 평행 또는 반-평행하게 기판을 스캔함으로써 각 타겟부가 조사되는 이른바 스캐너를 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써 패터닝 장치로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
리소그래피 프로세스를 모니터링하기 위하여, 패터닝된 기판이 검사되고 패터닝된 기판의 하나 이상의 파라미터가 측정된다. 하나 이상의 파라미터에는 예컨대 패터닝된 기판 내에 형성되거나 또는 패터닝된 기판 상에 형성된 연속층 간의 오버레이 오차 및 현상된 감광성 레지스트의 임계 선폭(critical linewidth)이 포함될 수 있다. 이러한 측정은 제품 기판 자체 및/또는 기판 상에 제공된 전용의 계측/검사 타겟 상에서 수행될 수 있다. 리소그래피 공정으로 형성된 미세 구조물의 측정을 행하기 위한 다양한 기술이 있으며, 이들 기술에는 주사 전자 현미경(scanning electron microscope) 및/또는 다양한 특수 기기를 사용하는 것이 포함된다.
신속하고 비침투식 형태의 특수 검사 기기인 산란계(scatterometer)는 방사선의 빔을 기판의 표면 상의 타겟으로 향하게 하여 산란 또는 반사된 빔의 성질을 측정한다. 빔이 기판에 의해 반사되거나 산란되기 전과 후의 하나 이상의 빔의 특성을 비교함으로써, 기판의 하나 이상의 특성을 결정할 수 있다. 두 가지 주요 유형의 산란계가 알려져 있다. 분광 산란계(spectroscopic scatterometer)는 광대역 방사선 빔을 기판 상으로 지향시키고 특정한 좁은 각도 범위로 산란된 방사선의 스펙트럼(예컨대, 파장을 함수로 하는 세기)을 측정한다. 각도 분해 산란계(angularly resolved scatterometer)는 상대적으로 협대역인 방사선 빔을 이용하고, 산란된 방사선의 세기를 각도의 함수로서 측정한다.
산란측정의 특정 적용예는 주기적 타겟 내에서의 피쳐 비대칭의 측정 분야이다. 이것은, 예를 들어 오버레이 오차의 크기로서 사용될 수 있지만, 다른 애플리케이션들도 역시 알려져 있다. 각도 분해 산란계에서, 비대칭은 회절 스펙트럼의 반대 부분들을 비교함으로써(예를 들어 주기적 격자의 회절 스펙트럼 내의 -1차 및 +1차를 비교함으로써) 측정될 수 있다. 이것은, 예를 들어 미국 특허 공개 번호 US2006-066855 에 기술된 바와 같이 각도-분해 산란측정법에서 간단하게 수행될 수 있다.
리소그래피 처리에서의 물리적 치수가 감소됨에 따라, 예를 들어 측정 정확도를 증가시키고 및/또는 계측/검사 전용인 타겟이 차지하는 공간은 감소시킬 필요가 있다. -1차 및 +1차 방사선을 차례대로 사용하여 타겟의 별개의 이미지들을 촬영함으로써 더 작은 타겟을 사용할 수 있게 하기 위해서, 이미지 기초 산란측정법이 고안되었다. 이러한 이미지 기초 기법의 예는 미국 특허 공개 번호 제 US2011-0027704, 제 US2011-0043791 및 제 US2012-0044470 에 기술되는데, 이들은 본 명세서에서 그 전부가 원용에 의해 통합된다.
그러나, 여전히 타겟 크기를 더욱 감소시키고 정확도를 개선시켜야 하는 필요가 있으며, 현존하는 기법들에는 정확도를 유지하고 및/또는 타겟의 크기를 감소시키는 것을 어렵게 하는 여러 제약들이 있다. 검사 및 측정 기법을 개선할 다른 방법은 기판 표면에 가장 가까운 광학 요소로서 고체 액침 렌즈(solid immersion lens; SIL)를 사용하는 것이다. SIL이 기판 표면(예를 들어, 타겟면)에 극히 가까우면, 1 보다 큰 매우 높은 실효 개구수(NA)를 가진 근-거리장 방사선이 생긴다. 이러한 SIL과 함께 간섭성 방사원을 사용하면 매우 작은 타겟을 검사할 수 있다.
개구수를 높이는 것을 이용하면, SIL과 기판 사이의 갭이 원하는 값으로 설정될 필요가 있다. 예를 들어, 기판과 유효 광학적 콘택을 형성하는 SIL을 얻기 위해서, 갭은 λ/40 내지 λ/8(λ는 측정 방사선의 파장)의 범위 안에 있을 수 있다. 예시적인 광학적 갭 측정 방법 및 장치는 높은 개구수 요소에서의 편광의 교차 성분을 검출하는 것을 수반할 수 있다. 그러면 교차 편광된 신호는 검출기에 의해 기록되고, 갭 제어 프로세스로의 입력 파라미터로서 사용될 수 있다. 이러한 교차 편광된 신호는 또한 여러 파장의 큰 갭에서 검출된 교차 편광된 신호에 의해 정규화될 수 있다. 다른 예에서, 갭은 반사된 레이저 방사선 세기를 참조하여 제어될 수 있다. 임의의 검출 방법을 사용하면, SIL(또는 다른 컴포넌트)과 기판(또는 다른 표면) 사이의 갭은 원하는 갭 거리 또는 거리 범위로 설립되고 유지될 필요가 있다.
이러한 작은 갭 거리와 다양한 표면 토포그래피가 가능하면(프로세스 변이에 기인하여 기대되거나 기대되지 않거나), 고체 액침 갭 거리에 있는 컴포넌트의 표면에 대한 위치를 제어하는 하나 이상의 방법 및 장치를 제공하는 것이 바람직하다. 그러므로, 특정한 응용예로서, 예를 들어 리소그래피 기법에 의해 제작된 층을 검사하여 오버레이 오차 또는 다른 하나 이상의 다른 파라미터를 측정하기 위하여, 일 실시예는 광학 요소와 반사성 또는 회절형 표면 사이의 갭을 제어하기 위해 적용될 수 있다.
일 양태에서, 표면에 대한 컴포넌트의 위치 제어 방법으로서, 상기 컴포넌트와 표면 사이에 작용하는 카시미르 힘(Casimir force)의 추정된 효과 또는 카시미르 힘으로부터 유도된 추정된 효과를 계산하는 단계; 및 추정된 효과를 사용하여, 상기 표면에 대한 컴포넌트의 위치설정을 보상하는 단계를 포함하는, 컴포넌트 위치 제어 방법이 제공된다.
일 양태에서, 표면에 대한 컴포넌트의 위치 제어 방법으로서, 상기 컴포넌트의 제어 루프에서 측정된 신호로부터, 또는 상기 제어 루프에서 측정된 신호로부터 유도된 신호로부터, 트리거 신호를 생성하는 단계; 및 상기 표면에 대한 컴포넌트의 근접도를 결정하도록, 상기 트리거 신호가 임계 기준(threshold)을 통과하는지 여부를 평가하는 단계를 포함하는, 컴포넌트 위치 제어 방법이 제공된다. 일 실시예에서, 상기 트리거 신호를 생성하는 단계는, 제어 오차 신호로부터 상기 트리거 신호를 생성하는 단계를 포함하고, 상기 제어 오차 신호는 상기 컴포넌트와 표면 사이의 측정된 갭과 상기 컴포넌트와 표면 사이의 원하는 갭의 차이의 정도(measure)이다.
일 양태에서, 표면에 대한 컴포넌트의 위치를 결정하기 위한 제어 신호를 불안정하게 하는 카시미르 힘 및/또는 정전기력 또는 스티프니스(stiffness)의 값에 대하여, 컴포넌트와 표면 사이의 카시미르(Casimir) 및/또는 정전기력 또는 스티프니스에 기초하여 컴포넌트와 표면 사이의 추정된 갭 거리를 계산하는 단계; 컴포넌트와 표면 사이의 갭 거리에 관련된 갭 신호를 평가하여 갭 신호 내의 불안정성을 식별하는 단계로서, 불안정성에서의 상기 갭 거리는 기준 갭 거리인, 단계; 및 추정된 갭 거리에 대하여 기준 갭 거리를 평가하여 표면에 대한 컴포넌트의 위치설정을 위한 정정 인자를 얻어내는 단계를 포함하는 방법이 제공된다.
일 양태에서, 표면에 대한 컴포넌트의 위치 제어 방법으로서, 상기 컴포넌트와 표면 사이의 측정된 갭 거리에 기초하여, 상기 컴포넌트와 표면 사이에 작용하는 카시미르 스티프니스의 추정된 효과를 계산하는 단계; 및 상기 카시미르 스티프니스의 추정된 효과를 사용하여 상기 표면에 대한 컴포넌트의 위치설정의 실제 카시미르 스티프니스를 보상하는 단계를 포함하는, 컴포넌트 위치 제어 방법이 제공된다.
실시예들은 첨부 도면을 참조하여 오직 예시를 통하여 이제 설명될 것이다:
도 1 은 리소그래피 장치의 일 실시예를 개략적으로 도시한다;
도 2 는 리소그래피 셀 또는 클러스터의 일 실시예를 개략적으로 도시한다;
도 3 은 예시적인 검사 장치 및 계측 기법을 개략적으로 도시한다;
도 4 는 예시적인 검사 장치를 개략적으로 도시한다;
도 5 는 검사 장치의 조명 스폿과 계측/검사 타겟 사이의 조명 스폿을 예시한다;
도 6 은 고체 액침 렌즈(SIL)를 포함하는 예시적인 검사 장치를 도시한다;
도 7 의 (A)는 타겟면에 관한, 검사 장치의 특정한 컴포넌트의 개략적인 스프링 다이어그램을 도시한다;
도 7 의 (B)는 추정된 카시미르 스티프니스를 포함하도록 변경된, 도 7 의(A)의 개략적인 스프링 다이어그램을 도시한다;
도 7 의 (C)는 도 7 의(B)에 추정된 카시미르 스티프니스를 인가한 후의, 도 7 의(A) 및(B)의 엘리먼트들의 이상적인 개략적 스프링 다이어그램을 도시한다;
도 8a 는 완전 도전성인 평행 플레이트의 가정에 기초한, SIL과 기판 사이의 거리의 함수로서의 추정된 스트러트 힘(strut force) 및 카시미르 힘의 일 예를 도시한다;
도 8b 는 완전 도전성인 평행 플레이트의 가정에 기초한, SIL과 기판 사이의 거리의 함수로서의 추정된 스트러트 스티프니스 및 카시미르 스티프니스의 일 예를 도시한다;
도 9 는 타겟면에 대해 SIL을 위치설정하기 위한 프로세스의 흐름도를 도시한다;
도 10 은 타겟면에 대해 SIL을 위치설정하기 위한 개략적인 제어 루프 및 SIL에 대한 카시미르 힘의 효과를 보상하기 위한 제어 메커니즘을 도시한다;
도 11 은 SIL과 타겟면 사이의 임계 근접도를 결정하기 위한 프로세스의 흐름도를 도시한다;
도 12 의 (A), (B) 및 (C)는 제어 불안정성을 검출하기 위하여 사용될 수 있는 갭 거리, 제어 오차 및 다양한 정규화된 트리거 신호를 나타내는 시물레이션 결과를 보여준다; 그리고
도 13 은 갭 오차 신호, 측정된 갭 거리 및/또는 세트포인트 값을 캘리브레이션하기 위한 프로세스의 흐름도를 도시한다.
본 발명의 실시예들을 상세하게 설명하기 이전에, 본 발명의 실시예들이 구현될 수 있는 예시적인 환경을 제시하는 것이 유익하다.
도 1 은 리소그래피 장치(LA)를 개략적으로 묘사한다. 이 장치는:
- 방사선 빔(B)(예를 들어 UV 방사선 또는 DUV 방사선)을 조절하도록 구성되는 조명 시스템(조명기)(IL);
- 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크; MA)를 지지하도록 구성되고 특정 파라미터에 따라서 패터닝 디바이스를 정확하게 위치설정하도록 구성되는 제 1 포지셔너(positioner; PM)에 연결되는 지지 구조체(예를 들어 마스크 테이블; MT);
- 기판(예를 들어 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 홀딩하도록 구성되고 특정 파라미터에 따라서 기판을 정확하게 포지셔닝하도록 구성되는 제 2 포지셔너(PW)에 연결되는 기판 테이블(예를 들어 웨이퍼 테이블)(WT); 및
- 방사 빔(B)에 부여된 패턴을 패터닝 디바이스(MA)에 의하여 기판(W)의 타겟부(C)(예를 들어 하나 이상의 다이를 포함함)로 투영하도록 구성되는 투영 시스템(예를 들어 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS)을 포함하며, 투영 시스템은 기준 프레임(RF) 상에 지지된다.
조명 시스템은 방사선을 지향시키고, 성형(shaping)하고, 또는 제어하기 위한 다양한 유형의 광 컴포넌트, 예컨대 굴절형, 반사형, 자기적, 전자기, 정전기 또는 다른 유형의 광 컴포넌트, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수도 있다.
지지 구조체는 패터닝 디바이스를, 패터닝 디바이스의 지향, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지 여부와 같은 다른 조건에 의존하는 방식으로 지지한다. 지지 구조체는 패터닝 장치를 유지하기 위해 기계식, 진공식, 정전식, 또는 기타 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체는 예컨대 필요에 따라 고정되거나 이동시킬 수 있는 프레임(frame) 또는 테이블일 수도 있다. 지지 구조체는 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대하여 원하는 위치에 있다는 것을 보장할 수도 있다. 본 명세서에서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 장치"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부 내에 패턴을 생성하는 것과 같이, 자신의 단면 내에 패턴을 가지는 방사선 빔을 부여하기 위하여 사용될 수 있는 임의의 디바이스를 지칭하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예컨대 그 패턴이 위상 천이 피처(phase shifting feature) 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)를 포함하는 경우, 기판의 타겟부에서의 요구된 패턴과 정확히 일치하지 않을 수 있다는 것에 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 타겟부, 예컨대 집적 회로 내에 생성되는 중인 디바이스 내의 특정한 기능성 층에 대응할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수도 있다. 패터닝 장치의 예는 마스크, 프로그램가능 미러 어레이, 변형가능 미러, 및 프로그램가능 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피에서 주지되며, 이진, 교번 위상-천이, 감쇄 위상-천이, 및 다양한 하이브리드 마스크 타입과 같은 마스크 타입을 포함한다. 프로그램가능 미러 어레이의 일 예는 소형 미러들의 매트릭스 정렬을 채용하는데, 이들 각각은 인입하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사하기 위하여 개별적으로 틸팅될 수 있다. 틸팅된 미러는 미러 매트릭스에 의하여 반사된 방사선 빔 내에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 이용되고 있는 노광 방사선(exposure radiation)에 대해 적합하거나 또는 액침액(immersion liquid)의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 요인들에 대해 적합한, 굴절식, 반사식, 반사 굴절식(catadioptric), 자기식, 전자기식, 및 정전식 광학계, 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 어떠한 타입의 투영 시스템도 포함하는 것으로 넓게 해석되어야 한다. 본 명세서에서 "투영 렌즈"라는 용어가 임의로 사용되면 더 일반적인 용어인 "투영 시스템"과 같은 의미인 것으로 간주될 수도 있다.
도시된 것처럼, 장치는 투과형이다(예를 들어, 투과형 마스크를 채용). 또는, 장치는 반사형 타입(예를 들어 위에서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능 미러 어레이를 채용하거나, 반사 마스크를 채용함)일 수도 있다.
리소그래피 장치는 두 개(듀얼 스테이지) 또는 더 많은 테이블(예를 들어, 측정, 및/또는 세정, 등을 용이화하기 위해서만 제공되는 기판이 없는, 투영 시스템 아래의 두 개 이상의 기판 테이블(WTa, WTb), 두 개 이상의 패터닝 디바이스 테이블, 기판 테이블(WTa) 및 테이블(WTb))의 타입일 수 있다. 그러한 "다중 스테이지" 머신에서, 부가적인 테이블은 평행하게 사용될 수 있으며, 또한 하나 이상의 다른 테이블들이 노광을 위해 사용되고 있는 동안 준비 단계들이 하나 이상의 테이블 상에 수행될 수 있다. 예를 들어 정렬 센서(AS)를 사용한 정렬 측정 및/또는 레벨 센서(LS)를 사용한 레벨(높이, 틸트, 등) 측정이 이루어질 수 있다.
리소그래피 장치는 또한, 투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위해 기판의 적어도 일부분이 상대적으로 높은 굴절률을 가진 액체, 예컨대 물에 의해 덮힐 수 있는 유형일 수 있다. 액침액은 또한 예컨대 패터닝 디바이스와 투영 시스템 사이와 같은 리소그래피 장치 내의 다른 공간에도 가해질 수 있다. 액침 기법은 투영 시스템의 애퍼쳐(numerical aperture)를 증가시키기 위하여 당업계에 알려져 있다. 본 명세서에 사용된 바와 같은 "액침(liquid immersion)"이라는 용어는, 기판과 같은 구조체가 액체에 잠겨져야 하는 것을 의미하지 않고, 그보다는 노광 동안에 투영 시스템과 기판 사이에 액체가 위치된다는 것을 의미한다.
더 나아가, 리소그래피 장치는, 적어도 하나의 광학 요소가 기판의 부분에 매우 가깝게 위치되어, 광학 요소와 기판 사이의 갭에 걸쳐지는(spanning) 근-거리장 방사선을 생성하는 타입일 수도 있다. 이것은 고체 액침 렌즈/광학 요소를 사용한 고체 액침이라고 불릴 수 있다.
도 1 을 참조하면, 조명기(IL)는 방사선 빔을 방사원(SO)으로부터 수광한다. 예를 들어, 방사원이 엑시머 레이저인 경우, 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 엔티티일 수 있다. 이러한 경우들에서, 소스는 리소그래피 장치의 일부를 형성하는 것으로 간주되지 않고, 방사선 빔은, 예를 들어 적합한 지향 미러 및/또는 빔 확장기를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 조명기(IL)로 전달된다. 다른 경우에, 예컨대 방사원이 수은 램프인 경우에, 이러한 소스는 리소그래피 장치에 통합된 부품일 수 있다. 소스(SO) 및 조명기(IL)는 필요할 경우 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고 지칭될 수도 있다.
조명기(IL)는 방사선 빔의 각 세기 분포(angular intensity distribution)를 조절하도록 구성되는 조절기(AD)를 포함할 수도 있다. 일반적으로, 조명기(IL)의 퓨필 평면(pupil plane)에서의 세기 분포의 적어도 외측 및/또는 내측 반경 범위(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)는 조절될 수 있다. 부가적으로, 조명기(IL)는 집속기(integrator)(IN) 및 집광기(condenser)(CO)와 같은 다양한 다른 컴포넌트들을 포함할 수도 있다. 조명기는 방사선 빔이 자신의 단면에서 원하는 균일성 및 세기기 분포를 가지도록 조정하기 위하여 사용될 수도 있다.
방사선 빔(B)은 지지 구조(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 홀딩되는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사하고, 그리고 패터닝 디바이스에 의하여 패터닝된다. 패터닝 디바이스(MA)를 가로지르면, 방사선 빔(B)은 기판(W)의 타겟부(C) 상에 빔을 포커싱하는 투영 시스템(PS)을 통과한다. 제 2 포지셔너(PW) 및 위치 센서(IF)(예를 들어 간섭측정 측정 디바이스, 선형 인코더, 2-D 인코더 또는 용량성 센서)의 도움을 받아, 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로에 상이한 타겟부들(C)을 위치설정하기 위하여, 기판 테이블(WT)이 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 포지셔너 및 다른 포지션 센서(도 1 에는 명확하게 묘사되지 않음)는, 예를 들어 마스크 라이브러리로부터의 기계적 탐색 이후에, 또는 스캔 동안에, 방사선 빔(B)의 경로에 대하여 패터닝 디바이스(MA)를 정확하게 위치설정하기 위하여 사용될 수 있다. 일반적으로, 지지 구조체(MT)의 이동은, 제 1 포지셔너(PM)의 일부를 형성하는 롱-스트로크 모듈(long-stroke module; 개략 위치 설정) 및 숏-스트로크 모듈(short-stroke module; 정밀 위치 설정)을 이용하여 실현될 수도 있다. 마찬가지로, 기판 테이블(WT)의 이동은 제 2 포지셔너(PW)의 일부를 형성하는 롱-스트로크 모듈 및 숏-스트로크 모듈을 이용하여 실현될 수도 있다. 스테퍼의 경우(스캐너와 반대로) 지지 구조체(MT)는 숏-스트로크 액추에이터에만 연결될 수도 있고, 또는 고정될 수도 있다. 패터닝 장치(MA) 및 기판(W)은 패터닝 장치 정렬 마크(M1, M2) 및 기판 정렬 마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수 있다. 비록 도시된 바와 같이 기판 정렬 마크들이 전용 타겟 영역을 점유하지만, 이들은 타겟 영역 사이의 공간(이들은 스크라이브 레인(scribe-lane) 정렬 마크로 알려짐)에 위치될 수도 있다. 마찬가지로, 마스크(MA)에 두 개 이상의 다이가 제공되는 경우, 마스크 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수도 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 하나 이상의 모드로 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서는, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)이 본질적으로 정지 상태로 유지되는 동안, 방사선 빔에 부여된 전체 패턴이 한 번에 타겟부(C) 상에 투영된다(즉, 단일 정적 노광). 그러면, 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 기판 테이블(WT)이 X 방향 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서는, 노광 필드의 최대 크기가 단일 정적 노광 시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 캔 모드에서는, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)이 동기되어 스캐닝되는 동안, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영된다(즉, 단일 동적 노광). 지지 구조체(MT)에 상대적인 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대율(축소율) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수도 있다. 스캔 모드에서는, 노광 필드의 최대 크기가 단일 동적 노광 시의 타겟부의 폭(스캐닝되지 않는 방향에서의)을 한정하는 한편, 스캐닝 모션의 길이는 타겟부의 높이(스캐닝 방향에서의)를 결정한다.
3. 다른 모드에서는, 프로그램가능 패터닝 디바이스를 홀딩하면서 지지 구조체(MT)는 본질적으로 정지 상태로 유지되고, 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟 영역(C) 상에 투영되는 동안에 이동되거나 스캐닝된다. 이러한 모드에서, 일반적으로 펄스화된(pulsed) 방사선 소스가 채용되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 요구될 때, 기판 테이블(WT)의 각 이동 이후에 또는 스캔 도중의 연속적인 방사선 펄스들 사이에서 업데이트된다. 동작의 이러한 모드는 위에서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 미러 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크 없는 리소그래피에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 전술한 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 전혀 다른 사용 모드들이 채용될 수도 있다.
도 2 에 도시된 것처럼, 리소그래피 장치(LA)는 리소셀 또는 클러스터라고도 지칭되는 리소그래피 셀(LC)의 일부를 형성하고, 이는 또한 기판 상에서 노광 전 그리고 노광 후 프로세스를 수행하기 위한 장치를 포함한다. 통상적으로, 이러한 장치는 하나 이상의 레지스트층을 증착하기 위한 하나 이상의 스핀 코터(spin coater; SC), 노광된 레지스트를 현상하기 위한 하나 이상의 현상기(DE), 하나 이상의 칠 플레이트(chill plate; CH), 및 하나 이상의 베이크 플레이트(bake plate; BK)를 포함한다. 기판 핸들러 또는 로봇(RO)이 입력/출력 포트(I/O1, I/O2)로부터 하나 이상의 기판을 픽업하여, 이들을 상이한 공정 장치 간에 이동시키며, 그 후 리소그래피 장치의 로딩 베이(loading bay; LB)에 전달한다. 통칭하여 트랙으로도 지칭되는 이들 장치는 감독 제어 시스템(supervisory control system; SCS)에 의해 제어되는 트랙 제어 유닛(TCU)의 제어 하에 있게 되며, 감독 제어 시스템은 또한 리소그래피 제어 유닛(LACU)을 통해 리소그래피 장치를 제어한다. 그러므로, 처리량 및 처리 효율을 최대화하기 위해 상이한 장치가 작동될 수 있다.
리소그래피 장치에 의해 노광되는 기판이 정확하고 일정하게 노광되도록 하기 위해서는, 노광된 기판을 검사하여 후속층들 사이의 오버레이 오차, 라인 두께, 임계 치수(CD) 등과 같은 하나 이상의 특성을 측정하는 것이 바람직할 수 있다. 따라서, 리소셀(LC)이 그 안에 위치되는 제조 설비는, 리소셀 내에서 처리된 기판(W)의 일부 또는 전부를 수납하는 계측/검사 시스템(MET)을 통상적으로 더 포함한다. 계측/검사 시스템(MET)은 리소셀(LC)의 일수일 수도 있고, 예를 들어 리소그래피 장치(LA)의 일부일 수도 있다.
계측/검사 결과는 감독 제어 시스템(SCS)으로 직접적으로 또는 간접적으로 제공될 수 있다. 오차가 검출되는 경우, 후속 기판의 노광에 대한(특히 배치의 하나 이상의 다른 기판이 여전히 노광될 수 있도록 검사가 충분히 일찍 그리고 빠르게 행해질 수 있는 경우) 및/또는 노광된 기판의 후속 노광에 대한 조정이 이루어질 수 있다. 또한, 이미 노광된 기판은 스트리핑되고 재작업(rework) 되어 수율을 개선하거나, 또는 폐기되어, 이를 통하여 오류가 있는 것으로 알려진 기판에 추가적인 처리가 수행되는 것을 피할 수도 있다. 기판의 일부 타겟 영역에만 오류가 있는 경우, 양호한 것으로 간주되는 타겟 영역에만 추가적 노광이 수행될 수 있다.
계측/검사 시스템(MET) 내에서, 기판의 하나 이상의 특성, 및 구체적으로 상이한 기판의 하나 이상의 특성이 또는 동일 기판의 상이한 층의 특성이 층에 따라 어떻게 변화하는지를 결정하기 위해 검사 장치가 사용된다. 검사 장치는 리소그래피 장치(LA) 또는 리소셀(LC)에 통합될 수도 있고, 또는 독립형 장치일 수도 있다. 신속한 측정을 할 수 있기 위해서는, 검사 장치가 노광 직후에 노광된 레지스트 층에서 하나 이상의 특성을 측정하는 것이 바람직하다. 그러나, 레지스트 내의 잠상(latent image)이 낮은 콘트라스트를 가지며 - 이 경우 방사선에 노광된 레지스트의 부분과 방사선에 노광되지 않은 부분 간에 단지 매우 작은 굴절률차가 있음 - 모든 검사 장치가 잠상의 유용한 측정을 행하기에 충분한 감도를 갖는 것은 아니다. 따라서, 통상적으로 노광된 기판에 대해 수행되는 첫 번째 단계이고, 레지스트의 노광된 부분과 노광되지 않은 부분 간의 콘트라스트를 증가시키는 단계인, 노광 후 베이크 단계(post-exposure bake step, PEB) 후에 측정이 이루어질 수 있다. 이 스테이지에서, 레지스트 내의 이미지는 반잠상(semi-latent)으로 지칭될 수 있다. 또한, 에칭과 같은 패턴 전사 단계 후에, 현상된 레지스트 이미지의 측정을 행하는 것도 가능하며, 그 시점에서 레지스트의 노광된 부분 또는 노광되지 않은 부분 중의 하나가 제거된다. 후자의 가능성은 오류가 있는 기판의 재작업에 대한 가능성은 제한하지만, 여전히 유용한 정보를 제공할 수 있다.
도 3 은 예시적인 검사 장치(예를 들어, 산란계)를 도시한다. 이것은 방사선을 기판(W) 상에 투영하는 브로드밴드(백색 광) 방사선 프로젝터(2)를 포함한다. 반사된 방사선은 분광계 검출기(4)로 전달되고, 이것은 예를 들어 좌측 아래의 그래프에 표시된 것과 같은 경면 반사된 방사선의 스펙트럼(10)(파장의 함수로서의 세기)을 측정한다. 이러한 데이터로부터, 예를 들어 엄밀 결합 파 분석(Rigorous Coupled Wave Analysis) 및 비선형 회귀(non-linear regression)에 의해 또는 도 3 의 우측 아래에 도시한 바와 같은 시물레이션된 스펙트럼(simulated spectra)의 라이브러리와의 비교에 의해, 검출된 스펙트럼을 초래하는 구조 또는 프로파일이 프로세서(PU)에 의해 재구성될 수도 있다. 일반적으로, 재구성을 위해서는, 그 구조의 전반적인 형태가 알려져 있으며 일부 파라미터는 이 구조를 제조하는 프로세스에 대한 정보로부터 가정되어, 이 구조의 소수의 파라미터만이 측정된 데이터로부터 결정되도록 남게 된다. 이러한 검사 장치는 수직 입사(normal-incidence) 검사 장치 또는 경사 입사(oblique-incidence) 검사 장치로서 구성될 수 있다.
사용될 수 있는 다른 검사 장치가 도 4 에 도시된다. 이 장치에서, 방사선 소스(2)에 의해 방출된 방사선은 렌즈 시스템(12)을 이용하여 시준되고, 간섭 필터(13) 및 편광기(polarizer)(17)를 통하여 투과되며, 부분 반사면(16)에 의해 반사되고, 바람직하게는 적어도 약 0.9 및 더 바람직하게는 적어도 약 0.95 의 높은 개구수(NA)를 가지는 대물 렌즈(15)를 통해 기판(W) 상의 스폿(S)에 포커스된다. 고체 액침 검사 장치(장치의 대물렌즈와 타겟 사이의 근-거리장 방사선을 사용함) 및/또는 액체 액침 검사 장치(물과 같이 상대적으로 높은 굴절률의 유체를 사용함)는 심지어 1 보다 큰 개구수를 가질 수도 있다.
리소그래피 장치(LA)에서와 같이, 하나 이상의 기판 테이블이 측정 동작 중에 기판(W)을 홀딩하기 위해 제공될 수 있다. 기판 테이블은 형태상 도 1 의 기판 테이블(WTa, WTb)과 유사하거나 동일할 수 있다. 검사 장치가 리소그래피 장치와 통합되는 일 예에서, 이들은 동일한 기판 테이블일 수도 있다. 측정 광학계에 대해 기판을 정확하게 위치설정하도록 구성되는 제 2 포지셔너(PW)에 성긴 포지셔너 및 정밀 포지셔너가 제공될 수 있다. 예를 들어 관심 타겟의 위치를 얻고 대물 렌즈(15) 아래의 위치에 놓기 위해서, 다양한 센서 및 액츄에이터가 제공된다. 통상적으로, 기판(W)에 걸친 상이한 위치에서 타겟에 많은 측정이 이루어질 것이다. 기판 지지체는 X 및 Y 방향으로 이동되어 상이한 타겟들을 얻을 수 있고, Z 방향으로 이동되어 광학계의 초점에 대한 타겟의 원하는 위치를 얻을 수 있다. 예를 들어 실제로 광학계가 실질적으로 정지된 상태를 유지하고(통상적으로 X 및 Y 방향이지만 Z 방향에서도 정지될 수 있음) 기판만이 이동하는 경우, 대물 렌즈가 기판에 대해 상대적으로 상이한 위치로 이동되고 있는 것처럼 동작을 이해하고 설명하는 것이 편리하다. 기판 및 광학계의 상대적인 위치가 정확하다면, 이들 중 어느 것이 실제로 이동하고 있는지, 또는 둘 다 이동하는 중인지, 또는 광학계의 일부의 조합이 이동하며(예를 들어, Z 및/또는 틸트 방향으로) 광학계의 나머지가 정지된 상태이고 기판이 이동하는지(예를 들어, X 및 Y 방향이지만, 선택적으로 Z 및/또는 틸트 방향으로도 이동가능함)는 이론 상 중요하지 않다.
스펙트럼(spectrum)이 검출되게 하기 위하여, 기판(W)에 의해 리디렉팅된 방사선은 이제 부분 반사면(16)을 통해 검출기(18)에 진입한다. 검출기는 대물 렌즈(15)의 초점 거리(focal length)에 위치하는 후위 투영 퓨필 평면(back-projected pupil plane)(11) 내에 배치될 수 있지만, 퓨필 평면은 보조 광학 장치(도시 안 됨)에 의해 검출기에 재결상될(re-imaged) 수도 있다. 퓨필 평면은, 방사선의 방사 위치(radial position)가 입사각을 정하고, 각도 위치가 방사선의 방위각을 정하는 평면이다. 검출기는 기판 타겟(30)의 2차원 각도 산란 스펙트럼이 측정될 수 있도록 2차원 검출기일 수 있다. 검출기(18)는 예를 들어 CCD 또는 CMOS 센서의 어레이일 수도 있으며, 예컨대 프레임당 40 ms의 노출 시간(integration time)을 사용할 수도 있다.
입사 방사선의 세기를 측정하기 위해, 예를 들어 레퍼런스 빔이 사용될 수 있다. 이를 위해, 방사선 빔이 부분 반사면(16)에 입사되면, 방사선 빔의 일부는 부분 반사면(16)을 투과하여 기준 빔으로서 기준 미러(14)를 향하게 된다. 기준 빔은 그 후 동일한 검출기(18)의 상이한 부분 상에 투영되거나 또는 이와 달리 상이한 검출기(도시하지 않음) 상으로 투영된다.
예를 들면 405~790 nm 또는 그보다 낮은, 예컨대 200~300 nm와 같은 범위의 관심 파장을 선택하기 위해 하나 이상의 간섭 필터(13)의 세트가 이용될 수 있다. 간섭 필터는 상이한 필터의 세트를 포함하기보다는 튜닝가능할 수도 있다. 간섭 필터 대신 격자(grating)가 이용될 수 있다. 애퍼쳐 스톱 또는 공간 광 변조기(미도시)가 조명 경로에 제공되어 타겟 상의 방사선의 입사각의 범위를 제어할 수 있다.
검출기(18)는 단일 파장(또는 좁은 파장 범위)에서의 리디렉팅된 방사선의 세기를 측정할 수도 있고, 여러 파장에서의 세기를 별도로 측정할 수도 있으며, 또는 일정 파장 범위에 걸쳐 통합된 세기를 측정할 수도 있다. 또한, 검출기는 횡자기 편광(transverse magnetic-polarized) 및 횡전기 편광 방사선(transverse electric-polarized radiation)의 세기, 및/또는 횡자기 편광 방사선과 횡전기 편광 방사선 간의 위상차를 별도로 측정할 수도 있다.
기판(W) 상의 타겟(30)은 1-D 격자일 수도 있으며, 이 1-D 격자는 현상 후에 바(bar)가 고상의 레지스트 라인(solid resist line)으로 형성되도록 프린트된다. 타겟(30)은 2-D 격자일 수도 있으며, 이 2-D 격자는 현상 후에 바(bar)가 고상 레지스트 필라(solid resist pillar) 또는 레지스트 내의 비아(via)로 형성되도록 프린트된다. 바, 필라 또는 비아는 기판 내로 에칭될 수도 있다. 격자(예를 들어, 바, 필라, 비아)의 패턴은 리소그래피 투영 장치, 특히 투영 시스템(PS)에서의 색수차(chromatic aberration)에 민감하며, 그리고 조명 대칭성 및 이러한 수차의 존재는 프린트된 격자에서의 변동(variation)에서 명백하게 드러날 것이다. 이에 따라, 프린트된 격자의 측정된 데이터가 격자를 재구성하는데 이용된다. 인쇄 단계 및/또는 다른 검사 프로세스의 지식으로부터, 라인 폭 및 라인 형상과 같은 1-D 격자의 하나 이상의 파라미터 또는 필라 또는 비아의 폭 또는 길이 또는 형상과 같은 2-D 격자의 하나 이상의 파라미터가, 처리 유닛(PU)에 의해 수행되는 재구성 프로세스에 입력될 수 있다.
재구성을 통한 파라미터의 측정에 추가하여, 각도 분해 산란측정이 제품 및/또는 레지스트 패턴 내의 피쳐의 비대칭을 측정하는 데에 유용하다. 비대칭 측정의 특정 응용예는 오버레이의 측정을 위한 것인데, 이러한 경우 타겟(30)은 서로 중첩된 주기적 피쳐들의 하나의 세트를 포함한다. 도 3 또는 도 4 의 기구를 사용하는 비대칭 측정의 개념은, 예를 들어 미국 특허 공개 번호 US2006-066855 에 기술되는데, 이것은 그 전체로서 본 명세서에 원용된다. 간단히 말하면, 타겟의 회절 스펙트럼 내의 회절 차수의 위치가 타겟의 주기성에 의해서만 결정되는 반면에, 회절 스펙트럼 내의 비대칭은 타겟을 이루는 개개의 피쳐들에 있는 비대칭을 표시한다. 검출기(18)가 이미지 센서일 수 있는 도 4 의 기구에서, 회절 차수에 있는 이러한 비대칭은 검출기(18)에 의해 기록된 퓨필 이미지 내의 비대칭으로서 직접적으로 나타난다. 이러한 비대칭은 유닛(PU) 내에 있는 디지털 이미지 처리에 의해 측정되고, 오버레이의 공지된 값에 대하여 캘리브레이션될 수 있다.
도 5 는 도 4 의 장치에서의 통상적인 타겟(30), 및 조명 스폿(S)의 평면도를 도시한다. 주변 구조체로부터의 간섭이 없는 회절 스펙트럼을 얻기 위해서, 일 실시예에서 타겟(30)은 조명 스폿(S)의 폭(예를 들어, 직경) 보다 더 큰 주기적 구조체(예를 들어, 격자)이다. 스폿(S)의 폭은 10 또는 20 μm보다 더 클 수 있고 타겟 폭 및 길이는 30 또는 40 μm 정방형일 수 있다. 다르게 말하면, 타겟은 조명에 의해 '언더필되고(underfilled'), 회절 신호에는 타겟 자체 밖의 제품 피쳐 등에 의한 간섭이 없다. 조명 장치(2, 12, 13, 17)는 대물 렌즈(15)의 퓨필 평면에 걸쳐서 균일한 세기의 조명을 제공하도록 구성될 수 있다. 또는, 예를 들어 조명 경로에 애퍼쳐를 포함함으로써, 조명은 온 축 또는 오프 축 방향으로 제한될 수 있다.
최근에는, 계측/검사 타겟이 차지하는 공간을 감소시키고 및/또는 측정 정확도를 개선시키라는 사용자로부터의 요청이 있다. 특히, 타겟이 종래에 위치되었던 기판 상의 타겟부들(C) 사이의 '스크라이브 레인'의 폭을 줄이는 것이 필요하다. 더욱이, 타겟을 디바이스 패턴 자체 내에 포함시켜서, CD 및/또는 오버레이와 같은 파라미터에 있는 변동을 더 정확하게 모니터링하고 정정할 필요성이 있다. 이러한 목적을 위해서, 회절 기초 계측/검사의 다른 방법이 가장 최근에 고안되었다. 예를 들어 이미지-기초 계측/검사에서, 각각 회절 스펙트럼의 상이하게 선택된 차수들을 사용한, 타겟의 두 개의 이미지가 제작된다. 두 개의 이미지를 비교하면, 비대칭 정보를 얻을 수 있다. 이미지의 부분들을 선택함으로써, 타겟 신호를 그 주변으로부터 분리할 수 있다. 타겟은 더 작게 제작될 수 있고, 동일한 조명 스폿 내에 여러 개가 포함될 수 있도록 정사각형일 필요가 없다. 이러한 기법의 예들이 미국 특허 공개 번호 US2011-0027704, US2011-0043791, 및 US2012-0044470 에 기술된다.
크기 감소 및/또는 정확도에 대한 필요성이 계속되는 한, 현존 기법들은 일부 기술적 제한사항을 만족시킬 수 있다. 예를 들어, 일부 방법(예를 들어, 오버레이 측정 방법)은 적어도 ㅁ1차 회절 차수를 캡쳐할 필요가 있을 수 있다. 대물 렌즈(15)의 개구수를 고려하면, 이것은 타겟의 주기적 구조체의 피치(L)를 제약한다. 민감도를 개선하고 및/또는 타겟 크기를 줄이려면, 더 짧은 파장을 사용하는 것을 고려할 수 있다. 그러나, 오버레이 타겟에서 더 낮은 주기적 구조체는 깊게 묻힐 수 있고 하나 이상의 그 사이에 개재되는 층들이 UV 방사선(200 nm 내지 400 nm)을 흡수할 수 있기 때문에, 실무상 조명 파장은 가시 범위에 속해야 한다. 더 나아가, 타겟들은 너무 작아서는 안 되며 그렇지 않으면 주기적 구조체라고 간주되기에 충분한 피쳐를 가지지 않을 것이다(예를 들어, 이전의 제약을 고려하면 적어도 15 개의 라인이 최소치 주기적 구조체 크기를 약 5 μm x 5 μm에 고정시킬 수 있음). 결과적으로, 일 예로서 오버레이는 제품(예를 들어, 디바이스) 레이아웃의 크기보다 더 큰 치수를 가지는 주기적 구조체 피쳐(예를 들어, 라인)를 사용하여 측정되어, 오버레이 측정의 신뢰성을 낮추게 된다. 이상적으로는 피쳐 라인 및 피치는 제품 피쳐와 유사한 치수를 가져야 한다.
도 6 은 조명의 더 작은 스폿(S')이 더 작은 피치의 피쳐를 가지는 더 작은 타겟(30')에 인가될 수 있는 검사 장치를 도시한다. 유사한 참조 번호들은 도면 전체에 걸쳐 유사한 성분들을 가리킨다.
도 6 의 장치를 도 4 의 장치와 비교하면, 첫 번째 차이점은 타겟(30')에 가깝게 추가적 렌즈 엘리먼트(60)가 제공된다는 것이다. 이러한 추가적 렌즈는, 수 밀리미터 정도, 예를 들어 1 mm 내지 5 mm의 범위, 예를 들어 약 2 mm의 너비(예를 들어, 직경)를 가지는 소형 고체 액침 렌즈(SIL)이다. 일 예에서, SIL은 자신의 표면에 실질적으로 수직 입사하는 방사선 광선을 수광하는 재료의 반구 또는 초반구(super-hemisphere)를 포함한다. 일 실시예에서, SIL은 예컨대 유리, 융해된 석영, 재료들의 조합 등인, 굴절률 n의 재료로 제조된다. 수신된 광선은 반구 또는 초반구의 대략 중심에서 초점이 맞게 되고, SIL이 없는 경우와 비교할 때 n의 인자만큼 더 작은 회절-제한 스폿을 형성한다. 예를 들어, n = 2 를 가지는 통상적 유리 반구는 포커싱된 스폿의 폭을 2 의 인자만큼 감소시킬 것이다.
마이크로스코피(microscopy) 및 포토리소그래피에서의 해상도를 증가시키기 위해 광학 요소를 액체 내에 액침시키는 것이 사용되어 왔다. 고체 액침 렌즈는 액체 액침이 가지는 불편함/문제점이 없이 유사한 이득을 달성할 수 있다. 그러나, 더 작은 스폿 크기가 시스템의 해상도를 실제로 증가시키지 않는다고 보장하려면, SIL의 하단은 타겟(30)과 접촉하거나 이것에 극히 가깝게 위치되어야 한다. 그러면 그 실용적 응용예가 제한된다.
소위 마이크로-SIL도 역시 사용될 수 있다. 이러한 SIL의 폭(예를 들어, 직경)은 훨씬 더 작고, 예를 들어 폭이 약 2 밀리미터가 아니라 약 2 마이크론이다. 도 6 의 SIL(60)이 마이크로-SIL인 예에서, 이것은 10 μm 이하, 잠재적으로는 5 μm 이하의 폭(예를 들어, 직경)을 가질 수 있다.
소형 SIL(60) 또는 마이크로-SIL 렌즈가 사용되면, 이것은 가동 지지대에 부착되어 정렬과 기판까지의 근접도를 제어하는 것이 더 큰 폭을 가지는 렌즈의 경우에서보다 훨씬 쉬워지게 한다. 예를 들어 도 6 에서 SIL(60)은 프레임(62)에 탑재된다. 일 실시예에서, 프레임(62)은 이동가능하다. 프레임(62)을 이동시키기 위하여 액츄에이터가 제공될 수 있다. 일 실시예에서, 프레임(62)은 대물 렌즈(15)를 지지한다. 따라서, 일 실시예에서, 프레임(62)은 대물 렌즈(15) 및 SIL(60) 양자 모두를 함께 이동시킬 수 있다. 일 실시예에서, 프레임(62)용 액츄에이터는 프레임(62)(및 SIL(60))을 실질적으로 Z 방향으로 이동시키도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 프레임(62)용 액츄에이터는 이동 프레임(62)(및 SIL(60))을 X 축 및/또는 Y 축 중심으로 이동시키도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, SIL(60)은 프레임(62)에 대해 상대적인 고정된 위치에 있다. 이것은 단일 스테이지 배치구성이라고 지칭될 수 있는데, 여기에서 대물 렌즈(15) 및 SIL(60)은 서로에 대해 고정되고 프레임(62)의 액츄에이터에 의해 이동된다. 이러한 경우에, 이점들은 SIL이 대물렌즈의 초점에 기계적으로 위치될 수 있다는 것일 수 있다.
위에서 언급된 바와 같이, 도 6 의 SIL(60)은 프레임(62)에 탑재되고, 이것은 일 실시예에서 대물 렌즈(15)를 지지한다. 물론, SIL(60)은 대물 렌즈(15)를 지지하는 것과 별개의 프레임에 탑재될 수 있다. 일 실시예에서, SIL(60)은 암(64) 및 액츄에이터(66)를 통해 프레임(예를 들어, 프레임(62)) 연결된다. 액츄에이터(66)는, 예를 들어 동작하는 압전 소자이거나 작동된 보이스 코일일 수 있다. 대물 렌즈(15)와 SIL(60) 사이의 상대 운동을 일으키기 위해서 SIL(60)이 액츄에이터를 포함하는 구성은 듀얼 스테이지 구성이라고 불릴 수 있다. 듀얼 스테이지에서, 예를 들어 동작 범위의 분리, 진동 억제 성능, 표면에 대한 SIL 위치설정 및 포커싱과 같은 몇몇 기능들은 분리될 수 있다. 일 실시예에서, 대물렌즈 스테이지는 실질적으로 Z-방향(실질적으로 표면에 수직)으로만 이동할 수 있다. 일 실시예에서, SIL 스테이지는 1 자유도보다 많은 자유도에서, 예를 들어 적어도 3 자유도에서, 예를 들어 Z-방향으로 그리고 X-축 및/또는 Y-축 중심으로 이동하여 SIL을 표면에 실질적으로 평행하게 위치설정할 수 있다. SIL 스테이지는 원하는 전체 이동 거리를 커버하기에 충분한 기계적 범위를 가지지 않을 수 있다. 그러므로, SIL 스테이지는 SIL을 표면 위의 어느 적은 거리에 위치설정하기 위하여 사용될 수 있는 반면에, 대물렌즈 스테이지는 대물렌즈를 표면에 대해서 초점에 위치설정할 수 있다.
액츄에이터(66)는 타겟에 대해서 대물렌즈를 전체적으로 위치설정하나 하나 이상의 액츄에이터와 조합하여 동작할 수 있다. 예를 들어, 전술된 성긴 포지셔너 및 정밀 포지셔너와 관련하여, 액츄에이터(66)는 초정밀 포지셔너라고 간주될 수 있다. 이러한 상이한 포지셔너들의 서보 제어 루프들은 서로 통합될 수 있다. 컴포넌트(62, 64 및 66)는 기판 테이블 및 포지셔너(전술되지만 도 6 에는 미도시)와 함께, SIL 및 타겟(T)을 서로 가까이 위치설정하기 위한 지지 장치를 형성한다. 위에서 언급된 바와 같이, 이론 상, SIL(60)은 프레임(62)에 견고하게 탑재될 수 있고, 및/또는 더 큰 폭을 가질 수 있다. 개별 암 및 액츄에이터는 좀 더 상세하게 후술되는 바와 같이 매우 작은 갭을 더 쉽게 제어할 수 있게 한다.
SIL(60)을 포함시키면 훨씬 더 작은 스폿(S')으로의 포커싱이 가능해진다. SIL은 타겟으로부터 근-거리장 방사선을 캡쳐링하면서 작동하고, 이러한 목적을 위해서 타겟 구조체로부터 방사선의 하나의 파장(λ)보다 훨씬 더 가깝게, 일반적으로 하프 파장보다 더 가깝게, 예를 들어 약 λ/20 에 위치된다. 거리가 가까워질수록, 근-거리장 신호가 기구에 더 강하게 커플링될 것이다. 그러므로 SIL(60)과 타겟(30') 사이의 갭은 λ/4 보다 적고, 예를 들어 λ/40 내지 λ/8 사이이다. 검사 장치의 NA가 효과적으로 증가되기 때문에, 타겟 주기적 구조체의 피치는 제품 치수에 더 가깝게 감소될 수 있다.
마이크로-SIL이 사용되는 예에서, 종래에는 예를 들어 산란계에서 사용된 타입의 비간섭성 방사선은 마이크로-SIL만큼 작은 마이크론-크기의 스폿에는 포커싱될 수 없다. 따라서, 이러한 실시예에서 방사원(2)은 간섭성 소스로 변경될 수 있다. 그러므로, 레이저 소스(70)는 광섬유(72)를 통해 조명 광학기(12) 등으로 커플링된다. 기판 상의 스폿 크기에 대한 제한은 포커싱 렌즈 시스템의 개구수 및 레이저 파장에 의해 설정된다. 공간적으로 간섭성인 방사선을 사용하는 추가적인 이점으로서, 레이저 방사원(70)이 있는 기구가 상이한 타입의 산란측정 또는 측정을 수행하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 간섭성 푸리에 산란측정(coherent Fourier scatterometry; CFS)이 타겟을 측정하기 위하여 사용될 수 있다.
위에서 강조된 바와 같이, SIL과 타겟 사이에는 작은 갭이 유지되어야 한다. 역시 위에서 강조된 바와 같이, 이러한 갭을 제어하기 위한 공지된 기법은, 특히 다양한 상이한 타겟 구조체 및 재료를 검사해야 할 경우에는 한계를 가진다.
따라서, 일 실시예에서, SIL과 타겟 사이의 인력을 보상하는 데에 기초한 기법에 의해 이러한 갭을 제어하는 것이 제안된다. 이러한 기법은 산란계와 같은 광계측/검사 장치에 특히 적용될 수 있지만, SIL 또는 오브젝트가 다른 오브젝트에 매우 가깝게(예를 들어, 400 nm 미만의 범위) 위치되고 및/또는 유지되는 다른 응용예에도 적용될 수 있다. 이러한 기법은 배타적으로 적용될 필요가 없고, 인용 문헌에서 논의되는 하나 이상의 기법을 포함하여 하나 이상의 다른 기법과 조합하여 적용될 수 있다.
두 개의 고체 표면들 사이의 갭이 감소하면, 반데르 발스 힘의 일반화된 버전이 전자기 필드의 양자 요동 때문에 두 표면 사이에 발생한다. 반데르 발스 힘의 이러한 일반화된 버전은 카시미르 힘(Casimir force)이라고 알려져 있고, 두 표면들 사이의 인력이다. 반데르 발스 힘은 두 개의 중립 입자들이 양자 또는 열적 효과(thermal effect)로부터 유래하는 요동하는 쌍극자 모멘트를 가질 경우에 발생하고, 입자들 사이의 분리 거리에 기초하여 변동한다.
그러므로, 완벽하게 통전하는 평행 플레이트들의 경우, 이러한 반데르 발스 상호작용은 다음 수학식에 의해 주어지는 근사 카시미르 인력(approximate attractive Casimir force)을 초래한다:
Figure pct00001
여기에서
Figure pct00002
는 감소된 플랑크의 상수이고,
Figure pct00003
와 같으며,
Figure pct00004
는 플랑크의 상수 = 6.624
Figure pct00005
Js이며, c는 빛의 속도(3
Figure pct00006
m/s)이고, A는 타겟면에 가까운 SIL 끝면(tip surface)의 면적이며, z는 SIL 끝면을 타겟면으로부터 분리시키는 갭이다. 후술되는 바와 같이, 수학식 1 에서 얻어지는 결과는 상이한 재료, 상이한 토포그래피, 등을 설명하기 위해서 변경될 필요가 있을 수 있다는 점에 주의한다. 더욱이, 두 개의 플레이트의 분리가 매우 적으면(예를 들어, 약 수 백 나노미터까지), 힘은 1/z4 대신에 1/z3으로 스케일링될 수 있다. 예를 들어, 그 전체가 원용에 의해 본 명세서에 통합되는 A. Rodriguez 등의 "The Casimir effect in microstructured geometries", Nature Photonics, Vol. 5, pages 211-221 (2011)을 참고한다. 더 나아가, 근접도 상호작용이 복잡하기 때문에, 힘은 비-정수 멱법칙(power law)으로 스케일링되어, 이러한 힘이 거의 모든 일반적 표현식에서 1/z^n에 비례할 수 있는 것이 기대되며, 2.5 ≤ n ≤ 5.5 이다.
이러한 근사 카시미르 인력은 다음으로 주어지는 스티프니스 k cas 를 가지는 스프링의 결과로서도 추가적으로 표현될 수 있다:
Figure pct00007
위의 수학식 1 및 수학식 2 에 의해 주어진 카시미르 힘 및 스티프니스와 별개로, 이러한 작은 갭에서는 정전기 상호작용에 기인한 힘 및 스티프니스도 역시 중요해진다. 완전하게 도전하는 평행 플레이트들 사이의 정전기력에 대해서, SIL 끝면과 타겟면 사이의 정전기력은 근사적으로 다음에 의해 주어진다:
Figure pct00008
여기에서 V는 SIL 끝면과 타겟면 사이의 전압차이고, z는 SIL 끝면을 타겟면으로부터 분리시키는 갭이고, 면적 A는 타겟면에 가까운 SIL 끝면의 면적이며,
Figure pct00009
=
Figure pct00010
Farad/m이다. 그러므로 정전기 스티프니스는 다음이다:
Figure pct00011
멱법칙 때문에, z가 감소하면 카시미르 스티프니스는 정전기 스티프니스보다 커진다. z가 약 10 내지 30 nm일 수 있는 대략 λ/40- λ/20 이고 V가 작은 근-거리장 계측/검사와 같은 응용예에서, 정전기 스티프니스는 카시미르 스티프니스와 비교하여 무시할 수 있게 될 수 있다.
더 나아가, SIL 끝면과 타겟면 사이의 환경을 관장하는 물리학은 매우 복잡하다는 것이 인식되어야 한다. 예를 들어, 특정한 상황에서, SIL 끝면과 타겟면 사이의 전자기 관련된 힘이 과다한 것에 기인하여, 전자기 스티프니스는 카시미르 스티프니스보다 커질 수 있다. 더 높은 전압에서, 상기 전자기 힘의 일 예는 SIL 끝과 타겟면 사이의 용량성 힘이다. 상기 전자기 힘의 다른 예는 랜덤 패치 전하가 존재하는 것에 기인한다. 상기 전자기 힘의 또다른 예는 비-금속성 표면(예를 들어 전하-전하, 전하-쌍극자, 쌍극자-쌍극자)에 존재하는 정적 전하에 기인한다. 정적 전하에 기인한 이러한 정전기력은 예측하기가 어려운 것으로 간주되고, 타겟면의 제작 프로세스에 크게 의존할 수 있다. 전자기 상호작용의 또다른 예는 SIL 끝면 및/또는 타겟면 상에 극성 액체, 예를 들어 물이 존재하는 것에 기인한다. 극성 액체의 이러한 존재는, 유체에 관련된 표면의 타입, 예컨대 친수성 또는 소수성 표면에 의해 더욱 영향받는다. 그러므로, 가장 일반적으로는, SIL 끝면과 타겟면 사이에 작용하는 근접 힘이 생기고, 근접 힘은 예를 들어 카시미르 힘, 또는 전자기 힘을 포함한다.
더 나아가, 실제 SIL 치수에 대하여, SIL과 타겟면 사이의 정전기 및 카시미르 힘과 같은 극미세 힘은 약 10 내지 30 nm(예를 들어, λ/40- λ/20)의 갭에서는 관찰가능해진다. 이러한 힘은 통상적으로 제어 힘과 비교할 때 무시될만하다. 그러나, 상세히 후술되는 바와 같이, 스티프니스(힘-거리 구배)는 이러한 극미세 힘의 고비선형 특성 때문에 제어 스티프니스를 초과해서, 제어 루프를 불안정하게 할 수 있다.
도 7 의(A)는 검사 장치의 특정한 컴포넌트와 타겟면(예를 들어, 기판) 사이의 관련성의 개략적인 표현이다. 도 7 의(A)에서 볼 수 있는 바와 같이, 검사 장치의 대물렌즈(예를 들어, 대물렌즈(15)) 또는 다른 프레임(800)은 자신에 연결된 가동 SIL(810)을 가지는데, 대물렌즈와 SIL 사이의 스티프니스는 Kstrut로 지정된다. SIL(810)은 적어도 수직 방향으로 타겟면(예를 들어, 기판)(820)에 대해 이동가능하여 갭(Z)을 형성한다. SIL과 타겟면 사이의 카시미르 스티프니스(갭 거리(Z)의 함수로서 변함)는 Kcas(z)라고 지정된다. 여기에서, 정전기력 및 스티프니스는 무시되지만, 도 7 의(A)에서 추가적 힘 및 스티프니스 엘리먼트로 포함될 수도 있다.
타겟면에 가까운 SIL의 위치설정을 제어하고 SIL을 거의 해당 위치에서 유지시키기 위해 제어 시스템이 제공된다. 제어 시스템은 세트포인트 갭 값을 수신하고 하나 이상의 액츄에이터(예를 들어, 액츄에이터(66)를 제어하여 SIL을 세트포인트 갭 값에 또는 그 근처에 위치설정하고 SIL을 해당 위치에 또는 그 근처에 유지시킬 수 있다. 이러한 시스템에서, SIL과 타겟면 사이의 갭은 약 λ/20 으로 유지될 수 있다. 타겟면과 SIL 홀더(예를 들어, 대물렌즈) 사이의 상대적인 진동은 약 λ/4 일 수 있고, 이것은 예를 들어, 1 kHz 내지 20 kHz 사이, 예를 들어 10 kHz의 대역폭을 가진 상대적으로 고대역폭 피드백 제어를 이용하여 억제될 수 있다. 제어 시스템에 의해 제어가능하게 하기 위해서, SIL과 타겟면 사이의 갭은 갭 오차 신호(GES)라고 불리는 광신호에 의해 표현될 수 있다. GES를 측정하기 위한 다양한 기법들이 당업계에 공지되어 있다.
이제 도 8 의 그래프를 참조하면, 도 8a 는 갭 거리의 함수로서의 타겟면을 향한 스트러트(strut) 및 카시미르 힘의 예시적인 정규화된 값을 보여주고, 도 8b 는 전술된 바와 같은 평행한 완전 도전성 플레이트에 대한 공식에 기초하여 모델링된, 갭 거리의 함수로서의 스트러트 및 카시미르 스티프니스의 예시적인 정규화된 값을 보여준다. 도 8a 에서 알 수 있는 바와 같이, 실제 카시미르 힘은 제어 및 스트러트 힘에 비교할 때 상대적으로 작을 수 있다. 하지만, 도 8b 는 SIL과 타겟면 사이의 갭이 감소됨에 따라 카시미르 스티프니스가 급격하게 상승한다(즉, 음의 값을 향하거나 및/또는 음의 값을 가짐)는 것을 보여준다. 도 8 의 그래프에 도시된 바와 같이, 카시미르 효과에 의해 초래된 갭 의존적 스티프니스 k cas (z)는, SIL과 타겟면 사이의 갭이 감소함에 따라(예를 들어, 도 8b 의 예에서 80 nm 미만으로) 스트러트 스티프니스 k strut 를 상쇄함으로써 제어 시스템의 폐루프 거동을 음의 방향으로(negatively) 변경시킬 수 있다. 따라서, 카시미르 스티프니스에 의해 초래된 제어 루프 내의 교란은, 장치 내의 타겟면(예를 들어 기판) 진동과 같은 저주파수 교란의 억제를 감소시킴으로써, 제어 시스템의 성능에 부정적인 영향을 미친다.
도 8b 의 스티프니스 플롯에 도시된 바와 같이, SIL과 타겟면 사이의 갭이 더욱 감소되면, 예를 들어 도 8b 의 예에서 50 nm 미만으로 감소되면, 카시미르 스티프니스는 스트러트가 카시미르 인력을 효과적으로 상쇄할 수 없게 하도록 충분히 커진다. 그러므로, 폐루프의 안정성은 충분히 높은 대역폭을 가진(예를 들어, 1 kHz 내지 20 kHz 사이의 대역폭, 예를 들어 10 kHz의 대역폭을 가진) 제어 시스템에 의해 강제되어야 한다. 일부 실시예들에서, 충분히 높은 대역폭, 예를 들어 약 4 kHz보다 큰 대역폭에 대해서는, 약 10 내지 30 nm 이상의 갭은 안정성 문제가 없이 유지될 수 있다. 그러나, 약 10 내지 30 nm보다 적은 갭의 경우, 카시미르 스티프니스는 제어 루프를 불안정하게 할 만큼 충분히 커질 수 있다.
따라서, 일 실시예에서, 타겟면에 대한 컴포넌트의 위치 제어 방법이 제공된다. 도 9 는 타겟면에 대한 컴포넌트의 위치를 결정하는 방법의 일 실시예를 도시한다. 이러한 방법은 프로세스 1000 에서, 컴포넌트와 타겟면 사이에 작용하는 카시미르 힘의 추정된 효과 또는 카시미르 힘으로부터 유도된 추정된 효과를 계산하는 단계를 포함할 수 있다. 그리고, 프로세스 1010 에서, 이러한 방법은 추정된 효과를 사용하여 타겟면에 대한 컴포넌트의 위치설정을 보상하는 단계를 포함할 수 있다.
그러므로, 도 7 의(B)를 참조하면, 도 7 의(B)는 SIL(810)과 타겟면(820) 사이에 작용하는 카시미르 힘의 추정된 효과 또는 카시미르 힘으로부터 유도된 추정된 효과를 사용한 보상을 포함하도록 변경된 도 7 의(A)의 개략적인 스프링 다이어그램을 도시한다. 이러한 경우에, 추정된 효과는 k cas est (z)로 표시되는 추정된 카시미르 스티프니스이고, 스트러트 스티프니스 Kstrut에 더해진다. k cas est (z)로 표시되는 추정된 카시미르 스티프니스를 사용한 보상은 도 7 의(C)에 도시된 바와 같은 도 7 의(A) 및(B)의 요소들의 이상적인 개략적인 스프링 다이어그램을 나타낼 것이다. 즉, 도 7 의(B)에 추정된 카시미르 스티프니스를 적용하면 SIL(810)과 타겟면(820) 사이의 실제 카시미르 스티프니스 Kcas(z)를 효과적으로 제거하고, 따라서 SIL은 자신과 대물렌즈/프레임(800) 사이에 실질적으로 스트러트 스티프니스Kstrut만을 가질 것이다.
일 실시예에서, 컴포넌트와 타겟면 사이에 작용하는 카시미르 힘의 추정된 효과 또는 카시미르 힘으로부터 유도된 추정된 효과는 컴포넌트와 타겟면 사이의 상호작용에서 유래한 추정된 카시미르 스티프니스를 계산하는 단계를 포함할 수 있다. 이상적인 시스템에[서, 카시미르 스티프니스는 전술된 수학식 2 를 사용하여 계산된다. 이상적인 시스템은 진공에 의해 분리된 두 개의 평행한 완전 도전면들을 포함한다. 실제로는, 예를 들어 SIL과 기판 사이의 상호작용의 경우, SIL의 표면 및/또는 기판 표면은 완전 통전하지 않을 수도 있고, 두 개의 표면들은 완벽하게 평행하지 않을 수도 있다. 일부 실시예들에서, 예를 들어 기판 표면이, 예를 들어 측정 타겟의 주기적 구조체(예를 들어, 격자)를 포함하는 경우, SIL 표면과 나란한 SIL과 기판 사이의 거리는 변동할 수 있다. 그러므로, 실제 카시미르 스티프니스는 이상적인 카시미르 스티프니스와 다를 수 있다.
상이한 기하학적 구조, 재료 또는 다른 특성, 및/또는 하나 이상의 이러한 특성에서의 변화를 수용하기 위해서, 상이한 기하학적 구조, 재료, 등 및/또는 변화가 본 명세서에서 설명되는 수학식(또는 그것의 변경된 버전)을 사용한 계산에 미치는 영향을 근사화하기 위해서 상수 또는 파라미터가 본 명세서에서 설명되는 계산들 중 임의의 것에 적용될 수 있다. 이러한 상수 또는 파라미터는 특정 구성의 기하학적 구조, 재료, 등 및/또는 특정한 변화를 사용한 시물레이션에 의해서 결정될 수 있다. 따라서, 사양 상수 또는 파라미터 각 각각의 구성에 대하여 또는 복수 개의 구성에 대하여, 또는 하나 이상의 구성의 변화에 대하여 결정될 수 있다. 예를 들어, 특정 상수 또는 파라미터는 타겟면의 특정 타입(예를 들어, 계측/검사 타겟의 타입), 및/또는 특정 타입의 타겟면의 변동 범위에 대해서 결정될 수 있다.
일 실시예에서, 추정된 카시미르 스티프니스는 타겟면의 하나 이상의 공지되거나 측정된 파라미터를 사용하여 계산될 수 있다. 예를 들어, CD 재구성을 사용하는 경우, 타겟면의 기하학적 구조, 및 재료는 알려지거나 측정될 수 있다. 따라서, 카시미르 힘의 구조 의존적 효과는, 카시미르 스티프니스의 계산에 포함되는 것을 포함하는 계산에 포함되어, 카시미르 힘(
Figure pct00012
) 및/또는 스티프니스(k cas est(z )의 더 정확한 추정을 제공할 수 있다.
도 10 은 타겟 표면에 대해 SIL을 위치설정하기 위한 개략적인 제어 루프 및 SIL에 대한 카시미르 힘의 효과를 보상하기 위한 제어 메커니즘을 개략적으로 도시한다. 도 10 에서 도시되는 바와 같이, 제어 시스템(1210)은, 예를 들어 세트포인트 값(1200)에 따라서 SIL 매쓰 및 스트러트(1240)를 작동시켜, 바람직하게는 특정 갭(Z)(1220)을 획득 또는 유지한다. 이러한 갭(Z)에 대해서, 실제/실수 카시미르 효과(1230)가 SIL에 인가된다. 그러므로, 일 실시예에서, 추정된 카시미르 효과(1250)를 보상하는 것은 도 10 에 도시된 바와 같이 피드백을 선형화함으로써 적용된다. 즉, 피드백은 제어 루프를 효과적으로 선형화하는데, 그렇지 않으면 제어 루프는 비선형성에 노출된다. 일 실시예에서, 추정된 카시미르 효과(1250)는, 예를 들어 실제 재료, 기하학적 인자, 등을 고려하는 수학식 2 또는 수학식 2 의 수정된 버전을 사용하여 결정된, 계산된 추정 카시미르 스티프니스(k cas est (z))일 수 있다. 갭(Z)은 측정되거나 갭 오차 신호로부터 유도될 수 있다. 이상적인 경우에, 수학식 2(또는 수학식 2 의 수정된 버전)를 사용하여 계산된 카시미르 스티프니스는 실제 카시미르 스티프니스(즉, 실제/실수 카시미르 효과(1230))와 같고, 따라서 카시미르 힘의 영향을 상쇄한다. 그러므로, 이상적인 경우에는, 개시된 피드백 선형화, 즉, 추정된 카시미르 스티프니스를 제어 루프에 추가하는 것에 의한 선형화에 의해, 제어 시스템의 원래의 역학(예를 들어, 카시미르 스티프니스가 없는 역학)을 얻게 될 수 있다. 하지만, 실제로는, 실제 시스템의 카시미르 스티프니스를 모델링하는 데에는 오차가 있을 수 있다. 그러나, 바람직하게는, 제어 루프를 선형화하면 그 이상적인 값으로부터의 실제 카시미르 스티프니스의 편차에 대한 제어 루프의 민감도가 감소된다. 그러므로, 일 실시예에서, 본 명세서에서 설명된 기법들은 약 10 내지 50 nm의 범위에서 선택된 SIL과 타겟면 사이의 갭에서 약 10 의 인자만큼 저 주파수 교란을 억제시키는 것을 개선할 수 있다.
표면에 대한 컴포넌트의 위치설정의 효과적인 제어를 위해서, 컴포넌트와 표면 사이의 갭이 정확하게 알려지는 것이 바람직하다. 실제 시스템에서는, 측정 신호가 정확하지 않을 수 있고 시스템에 대한 가정(예를 들어, 컴포넌트 크기)이 언제나 유효하지는 않을 수 있는 등의 이유 때문에 이것은 어려울 수 있다. 예를 들어, 컴포넌트(예를 들어 SIL)와 타겟면 사이의 갭은 갭 오차 신호(GES)에 의해 표현될 수도 있다. 제어가 GES에 기초한다면, 컴포넌트와 타겟면 사이의 해당 갭이 특정한 기대된 갭(예를 들어, 충돌을 피하고 원하는 측정 조건을 얻기 위한 갭)이 되도록 보장하는 것을 돕기 위해서 캘리브레이션이 필요할 수도 있다. 예를 들어, 전술된 제어 기법에서, 카시미르 스티프니스의 추정(예를 들어, 본 명세서에서 설명되는 공식을 사용하여 계산됨)에는, 측정된 갭 거리(측정된 갭 거리는 직접적으로 측정된 갭 거리 또는 측정치로부터 유도된 갭 거리를 의미함)를 사용하여 적합한 캘리브레이션이 없이 계산될 경우에는 오차가 생길 수 있다.
또한, 갭의 측정은 타겟면 상에 있는 구조체(예를 들어, 기판 표면 상에 에칭됨)에 따라 크게 달라질 수 있다. 즉, GES는 타겟면 상의 구조체에 따라 크게 달라질 수 있다. 예를 들어, GES가, 예를 들어 주어진 구조체에 대해 20 또는 50 nm에 대응하는 값에서 제어되면, 해당 구조체는 원하는 20 또는 50 nm의 값에 가깝도록 제어될 수 있다. 그러나, 그러한 GES에서 다른 구조체는 이미 SIL에 접촉했을 수 있다. 그러므로, 예를 들어, 잘못된 사용자 입력에 기인한 구조체에 있는 편차는 GES가 기대된 값으로부터 크게 변하게 할 수 있다. 이러한 편차는, 예를 들어 SIL이 타겟면에 충돌하게 할 수 있고, 따라서 장치 및 타겟면이 손상을 입을 수락불가능한 위험에 노출되게 한다.
그러므로, GES, 측정된 갭 거리 및/또는 세트포인트 값을 캘리브레이션하는 방법이 제공된다. 또한, 컴포넌트(예를 들어, SIL)와 타겟면 사이의 임계 근접도를 결정하는 방법이 제공된다.
도 11 에는 표면에 대한 컴포넌트의 위치 제어를 위한 방법의 흐름도가 도시된다. 이러한 방법은, 블록 1400 에서 제어 루프에 있는 하나 이상의 다른 측정가능 신호, 또는 하나 이상의 측정가능 신호로부터 유도된 하나 이상의 신호(제어 오차 신호와 같은 신호이고, 제어 오차 신호는 컴포넌트와 표면 사이의 측정된 갭 거리 및 컴포넌트와 표면 사이의 원하는 갭 거리의 차이의 정도임)로부터 트리거 신호를 생성하는 단계, 및 블록 1410 에서 트리거 신호가 컴포넌트의 표면까지의 근접도를 결정하는 임계 기준을 통과하는지 여부를 평가하는 단계를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제어 오차 신호는 GES이거나 GES에 기초할 수 있고, 예를 들어 갭 거리의 세트포인트 값과 GES에 기초한 측정된 갭 거리 사이의 차이이다.
작은 갭(즉, < λ/4 nm)에서의 GES의 경사는 상이한 구조체들에 대해서 거의 일정하게 유지된다. 그러므로, GES는 컴포넌트와 표면 사이의 갭을 점진적으로 감소시키기 위해 적합한 제어 신호이다. 더 나아가, SIL과 타겟면 사이의 갭을 점진적으로 감소시킬 때, GES에 있는 오차(즉, 제어 오차)는 불안정성을 만나게 되면 갑자기 비-선형으로 증가하기 시작한다. 이러한 불안정성은 본 명세서의 다른 곳에서 논의된 바와 같이 카시미르 스티프니스 또는 카시미르 스티프니스 및 정전기 스티프니스의 조합에 기인한 것일 수 있다. 이러한 불안정성 및/또는 비선형성은 컴포넌트의 표면까지의 임계 근접도를 시기적절하게 결정하기 위해 사용될 수 있다. 그러므로, 제어 오차는 컴포넌트의 타겟면까지의 근접도를 감지하기 위해서 사용될 수 있으며, 이것은, 예를 들어 컴포넌트를 후퇴시키거나 그 이동을 중단시키는, 예를 들어 안전성 메커니즘을 트리거링할 수 있다. 일 실시예에서, 후퇴시키는 것 및/또는 이동을 중단시키는 것은 듀얼 스테이지 구조에서, 예를 들어 반응 시간 및/또는 후퇴 범위에 따라 대물렌즈 및 SIL 스테이지에 분산될 수 있다. 제어 오차와 달리 또는 추가적으로, 제어 루프 내의 하나 이상의 다른 측정가능 신호, 또는 하나 이상의 측정가능 신호로부터 유도된 하나 이상의 신호도 트리거 신호로서 사용될 수 있다.
일 실시예에서, GES 신호는 자신의 원거리장 세기(far field intensity)에 대해 정규화된 신호일 수 있다. 결과적으로, 제어를 위한 정규화된 GES 신호 값은, 조명의 특성으로부터는 실질적으로 독립적인 0 내지 1 의 값일 수 있다.
일 실시예에서, 불안정성이 접근하면 트리거 신호는 상대적으로 급격하게 증가 또는 감소한다. 급격한 변화는 각각 수학식 2 및 수학식 4 로 주어진 카시미르 스티프니스 및/또는 정전기 스티프니스의 상대적으로 매우 비선형적인 특성에 의해 초래된다. 적합한 임계가 신호에 적용되어, 불안정성이 발생하는 포인트 또는 불안정성 직전의 포인트를 결정할 수 있다.
일 실시예에서, 트리거 신호는, 특정한 이동 시간 윈도우(예를 들어, 이동 평균과 같음), 신호(예를 들어, 제어 오차)의 최대 절대 값일 수 있다. 일 실시예에서, 트리거 신호는, 신호의 이동 시간 윈도우에 대한 해당 신호(예를 들어, 제어 오차)의 최대 절대 값과 같은, 신호의 크기의 놈(norm)-기초 정량화일 수 있다. 트리거 신호의 다른 예에는, 신호의 이동 윈도우에 대한 해당 신호(예를 들어, 제어 오차)의 제곱-평균-제곱근(RMS) 값, 및/또는 신호의 이동 윈도우에 대한 제어 루프 불안정성을 나타내는 하나 이상의 특정 주파수에 대한 해당 신호(예를 들어, 제어 오차)의 에너지 콘텐츠(예를 들어, RMS)가 있다. 일 실시예에서, 이동 윈도우는 0-100 ms의 범위, 예를 들어 0-20 ms, 예를 들어 1 ms, 2 ms 또는 10 ms이다. 적용된 윈도우 크기는 표면에 대한 SIL의 접근 속도 및 SIL과 표면 사이의 상대적인 진동의 주파수 콘텐츠에 따라 달라질 수 있다. 트리거 신호는 일부 실시예들에서 정규화될 수 있다. 제어 오차에 있는 상대적인 변화에 기초하여 트리거 신호를 생성함으로써, 제어 오차에 대한 진동(예를 들어, 기판 또는 검사 장치의 진동)의 영향은 상쇄될 수 있다.
도 12 는 갭 거리(A), 제어 오차(B), 및 두 개의 정규화된 트리거 신호(C)를 나타내는 그래프화된 시물레이션 결과를 나타낸다. 이러한 예에서, 도 12 의(A)에서 볼 수 있는 바와 같이, 갭은 약 18 nm로부터 약 14 nm까지 느리게 감소된다. 도 12 의(C)에서, 트리거 신호가 약 420 ms에서 이미 1 의 트리거 신호 임계 기준을 통과한 경우 약 440 ms의 제어 불안정성을 제어 오차 신호에서 검출할 수 있다는 것을 알 수 있다. 이러한 실시예에서, 대응하는 갭 거리는 약 14 nm이다. 본 명세서의 다른 곳에서 논의된 바와 같이, 카시미르 힘, 정전기력, 또는 이들의 조합에 기인하여 제어 불안정성에 마주하게 된다. 많은 실례에서, SIL과 기판 사이의 전압차를 모르기 때문에 정전기력도 알 수 없다. 하지만, 정전기력이 존재하면, 이것은 카시미르 힘에 대한 추가적 성분이다. 그러므로, 카시미르 힘에만 기초하는 임계는, 정전기력이 있다고 하더라도 예를 들어 안전성 트리거로서 유효하다.
불안정성이 생긴다는 것은 컴포넌트(예를 들어, SIL)가 타겟면에 너무 가까워서 해당 컴포넌트가 타겟면과 충돌할 위험에 처해 있다는 것을 표시하는 것이다. 그러므로, SIL을 사용하는 광학계에서, 제어 루프의 불안정성이 생긴 경우에, SIL과 타겟면 사이의 갭을 증가시키는 것이 취해지는 동작일 수 있다. 그러나, 일부 실시예들에서, SIL의 동작을 중지시키는 것 및/또는 SIL과 상호작용하는 타겟면 상의 구조체를 분석하는 것과 같은 다른 동작이 수행될 수도 있다.
이상적으로는, 측정된 갭 거리 및 실제 갭 거리는 동일하다. 그러나, 현실적으로는, 측정된 갭 거리는 다양한 이유 때문에 실제 갭 거리와 상이할 수 있다. 이러한 경우에, 측정된 갭 거리, 갭 오차 신호 및/또는 세트포인트 값은 캘리브레이션 또는 정정 인자를 사용하여 정정될 필요가 있을 수 있다. 이와 같이, 측정된 갭 거리, 갭 오차 신호 및/또는 세트포인트 값을 캘리브레이션하는 방법이 본 명세서에 개시된다.
위에서 언급된 바와 같이, 컴포넌트가 표면에 가까이 접근할 때에 제어 루프 내의 불안정성(GES에서 명백하게 나타남)이 발생한다는 것과, 이러한 불안정성이 이러한 작은 거리에서 작용하는 극미세 힘으로부터 발생한다는 것을 인식하면, 불안정성은 갭 오차 신호, 측정된 갭 거리 및/또는 세트포인트 값을 캘리브레이션하기 위한 수단으로서 사용될 수 있다.
사실상, 이상적으로는, 구조체가 알려지면, GES가 공지된다. 그러므로, 카시미르 힘에 기초한 캘리브레이션이 필요하지 않을 수 있다. 하지만, 구조체가 완전히 알려져 있지 않으면, GES는 (큰) 오차를 가질 수 있다. 하지만, 카시미르 스티프니스는 갭에 크게 의존하고 구조체에는 상대적으로 적게 의존하기 때문에 작은 오차를 가질 것으로 기대된다. 그러므로, 카시미르 스티프니스는, 예를 들어 구조체가 완전히 알려져 있지 않은 경우에, 예를 들어 GES를 캘리브레이션하는 방법일 수 있다.
그러므로, 일 실시예에서, 공지된 표면적의 컴포넌트에 대하여, 각각 수학식 2 및 수학식 4 에 의해 제공되는 카시미르 스티프니스 및/또는 정전기 스티프니스는 컴포넌트와 표면 사이의 갭에만 의존한다. 그러므로, 컴포넌트와 표면 사이의 절대 갭의 추정된 값(즉, 추정된 갭 거리)은 컴포넌트를 위치설정하기 위한 제어 루프를 불안정하게 하는 스티프니스의 값으로부터, 수학식 2 및/또는 수학식 4 를 사용하여 계산될 수 있다. 위에서 논의된 바와 같이, 계산된 값은 상수 또는 파라미터에 의해 변경되어 컴포넌트 및/또는 표면의 하나 이상의 특성, 및/또는 하나 이상의 특성에 있는 변경을 고려할 수 있다. 상수 또는 파라미터는 시물레이션 및/또는 캘리브레이션에 의해 유도될 수 있다.
더 나아가, 컴포넌트와 표면 사이의 갭 거리를 나타내는 갭 신호는 평가되어 제어 루프에 있는 불안정성을 식별할 수 있으며, 이러한 불안정성은 갭 신호에서 명백히 나타난다. 이러한 불안정성은 극미세 힘 때문에 발생된다. 갭 신호에 있는 불안정성에서의 갭 거리는 기준 갭 거리, 예를 들어 도 12 에서 식별된 약 14 nm 갭 거리라고 불릴 수 있다. 일 실시예에서, 갭 신호는, 예를 들어 GES, 또는 표면에 대한 컴포넌트의 위치설정을 위해 사용되는 제어 루프로부터의 제어 오차 신호, 또는 위에서 논의된 바와 같이 제어 루프로부터의 다른 측정된 신호 또는 유도된 신호일 수 있다. 일부 실시예들에서, 갭 신호는 더 나아가 제어 오차 신호(예를 들어, 위에서 논의된 트리거 신호)로부터 유도될 수 있다. 예를 들어, 갭 신호는 측정된 신호 또는 유도된 신호의 이동 윈도우에 대한 해당 신호의 크기의 놈-기초 정량화, 예컨대 측정된 신호 또는 유도된 신호(예를 들어, 제어 오차)의 이동 윈도우에 대한 해당 신호의 값의 최대 절대 값, 측정된 신호 또는 유도된 신호(예를 들어, 제어 오차)의 이동 윈도우에 대한 해당 신호의 제곱-평균-제곱근 값, 및/또는 측정된 신호 또는 유도된 신호의 이동 윈도우에 대한 제어 루프 불안정성을 나타내는 특정한 주파수에 대한 해당 신호의 에너지 콘텐츠일 수 있다.
그러면 기준 갭 거리 및 추정된 갭 거리가 서로에 대해 평가된다. 이상적인 시스템에서, 기준 갭 거리는 카시미르 및/또는 정전기 스티프니스 공식에 기초하여 계산된 추정된 갭 거리와 같다. 그러므로, 이들이 같으면, 시스템은 이미 캘리브레이션된 것이다. 그러나, 시스템은 이상적인 거동에서 벗어날 수 있기 때문에, 기준 갭 거리는 추정된 갭 거리와 다를 수 있다. 따라서, 이에 상응하여, 기준 갭 거리 및 추정된 갭 거리가 다른 경우 정정 또는 캘리브레이션 인자가 결정될 수 있다. 예를 들어, 정정 또는 캘리브레이션 인자는 기준 갭 거리와 추정된 갭 거리 사이의 차로부터 결정될 수 있고, GES 신호, 측정된 갭 거리, 및/또는 제어 루프의 세트포인트 값에 적용될 수 있다. 다른 예로서, 대응하는 GES 값이 기판 상의 주어진 구조체에 대한 낮은 세트 포인트(즉, 임계)로서 설정되고, 따라서, 예를 들어 컴포넌트가 표면과 충돌하는 것을 피하기 위한 안전성 메커니즘을 트리거링하기 위해 사용될 수 있다.
정정 또는 캘리브레이션 인자는, 타겟 / 기판 / 배치(batch)들 사이의 기대된 구조체 변동에 의존하여, 계측/검사 타겟마다, 기판마다, 또는 기판의 배치마다 한 번 결정될 수 있다.
일 실시예에서, 컴포넌트의 GES에 불안정성을 일으키는 유일한 큰 힘으로서 카시미르 힘을 격리시켜서, 카시미르 효과에 대해 계산된 기준 거리만이 필요할 수 있게 하는 것이 바람직할 수 있다. 이를 위해서는, 일 실시예에서, 컴포넌트와 표면 사이의 전압차가 제거되어, 컴포넌트와 표면 사이의 전압차에 의해 생길 수 있는 정전기 스티프니스를 제거할 수 있다. 전압차는, 컴포넌트의 표면 및/또는 타겟면 상에 도전성 코팅을 제공하고 양자 모두의 표면들을 접지시키는 것과 같은 임의의 공지된 방법에 의해 제거될 수 있다.
일 실시예에서, 컴포넌트와 표면 사이의 전압차를 제거하는 대신에, 공지된 전압차가 제공될 수 있고 또는 전압차가 결정될 수 있다. 이러한 실시예에서, 타겟면과 상호작용하는 컴포넌트의 표면의 면적이 알려지면, 총 스티프니스(즉, 정전기 스티프니스 및 카시미르 스티프니스의 조합)는 여전히 컴포넌트와 표면 사이의 갭에 따라 달라진다. 따라서, 알려지거나 측정된 전압차에 대하여, 갭 신호를 불안정하게 하는 스티프니스의 값에 기초해서 기준 거리가 여전히 계산될 수 있다. 정전기 스티프니스에 대한 비선형성이 카시미르 스티프니스의 비선형성보다 낮기 때문에(-3 승 대 -5 승임), 정전기 스티프니스 및 카시미르 스티프니스의 조합을 사용하여 갭 거리를 계산하는 것은 카시미르 스티프니스만을 사용한 것만큼 견실하지 않을 수 있다. 공지된 전압차는 컴포넌트와 표면 사이의 전압 브레이크다운을 피할만큼 충분히 낮아야 한다.
도 13 은 측정된 갭 거리, 갭 오차 신호 및/또는 세트포인트 값을 캘리브레이션하기 위한 프로세스의 흐름도의 일 예를 도시한다. 이러한 방법은, 블록 1600 에서, 표면에 대해 컴포넌트를 위치설정하기 위한 제어 신호를 불안정하게 하는 스티프니스의 값에 대하여, 컴포넌트와 표면 사이의 카시미르 및/또는 정전기 스티프니스에 기초하여 컴포넌트와 표면 사이의 추정된 갭 거리를 계산하는 단계를 포함한다. 블록 1610 에서, 컴포넌트와 표면 사이의 갭 거리에 관련된 갭 신호가 평가되어 갭 신호에 있는 불안정성을 식별하는데, 불안정성이 있을 경우의 갭 거리는 기준 갭 거리이다. 블록 1620 에서, 기준 갭 거리는 추정된 갭 거리에 대해서 평가되어 표면에 대한 컴포넌트의 위치설정에 대한 정정 인자에 도달하게 된다.
본 명세서의 다양한 실시예들이 기판/타겟면에 대한 SIL의 위치 제어를 설명하고 있지만, 개시된 방법 및 장치는 임의의 표면에 대한 마이크로캔틸레버(microcantilever)와 같은 임의의 컴포넌트의 위치를 제어하기 위하여 사용될 수도 있다.
위에서 설명된 바와 같이, 일 실시예에서, 기초하여 하나 이상의 특정한 측정 신호에 기초한 기법에 의해 갭을 제어하는 다양한 기법들이 제공된다. 이러한 기법은 산란계, 정렬 센서(정렬 마크들 사이의 정렬을 결정함), 인코더 또는 간섭측정계(위치 측정을 가능하게 함), 및/또는 높이 또는 레벨 센서(표면의 위치 측정을 가능하게 함)와 같은 광계측 또는 검사 장치에 특히 적용될 수 있지만, 이것은 SIL의 다른 응용분야에도 또는 오브젝트가 다른 오브젝트에 매우 가깝게(예를 들어, 400 nm 미만의 범위) 위치되고 및/또는 유지되는 다른 응용분야에도 적용될 수 있다. 이러한 기법은 배타적으로 적용될 필요가 없고, 인용 문헌에서 논의되는 하나 이상의 기법을 포함하여 하나 이상의 다른 기법과 조합하여 적용될 수 있다.
본 명세서에서 설명되는 임의의 제어기 또는 제어 시스템은 하나 이상의 컴퓨터 프로그램이 리소그래피 장치의 적어도 하나의 컴포넌트 내에 위치된 하나 이상의 컴퓨터 프로세서에 의해 판독되는 경우 각각 또는 조합되어 동작될 수 있다. 제어기 또는 제어 시스템은 각각 또는 조합하여 신호를 수신, 처리, 및 송신하기에 적합한 임의의 구성을 가질 수 있다. 하나 이상의 프로세서는 제어기 또는 제어 시스템 중 적어도 하나와 통신하도록 구성된다. 예를 들어, 각각의 제어기 또는 제어 시스템은 전술된 방법에 대한 머신-판독가능 명령을 포함하는 컴퓨터 프로그램을 실행하기 위한 하나 이상의 프로세서를 포함할 수 있다. 제어기 또는 제어 시스템은 이러한 컴퓨터 프로그램을 저장하기 위한 데이터 저장 매체, 및/또는 이러한 매체를 수용하기 위한 하드웨어를 포함할 수 있다. 그러므로, 제어기(들) 또는 제어 시스템(들)은 하나 이상의 컴퓨터 프로그램의 머신 판독가능 명령에 따라 동작할 수 있다.
비록 본 명세서에서는, 예를 들어 광학 리소그래피와 연관된 아이템을 검사 또는 측정하기 위해 사용되는 계측 또는 검사 장치의 콘텍스트에서 본 발명의 실시예를 사용하는 것이 특정하게 언급되었지만, 본 명세서에서 설명되는 방법 및 장치가 다른 응용분야에서, 예를 들어 임프린트 리소그래피, 통합 광학계들의 사용 또는 제조, 자기 도메인 메모리를 위한 유도 및 검출 패턴의 사용 또는 제조, 평판-패널 디스플레이의 사용 또는 제조, 액정- 디스플레이(LCDs)의 사용 또는 제조, 박막 자기 헤드의 사용 또는 제조, 등에도 사용될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 본 명세서에서 기판은, 예를 들어 트랙(통상적으로 레지스트 층을 기판에 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 계측 툴 및/또는 검사 툴에서, 노광 전 또는 노광 후에 처리될 수 있다. 적용 가능한 범위에서, 본 명세서에서의 개시물은 이러한 기판 처리 툴 및 다른 기판 처리 툴에 적용될 수 있다. 또한, 예컨대 다층 집적회로를 생성하기 위하여 기판이 복수 회 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러 번 처리된 층들을 포함한 기판을 지칭할 수 있다.
추가적인 실시예들이 다음 번호를 가진 절들에 기술된다:
1. 표면에 대한 컴포넌트의 위치 제어를 위한 방법으로서:
컴포넌트와 표면 사이에 작용하는 근접 힘의, 또는 카시미르 힘으로부터 유도된 추정된 효과를 계산하는 단계; 및
추정된 효과를 사용하여, 표면에 대한 컴포넌트의 위치설정을 보상하는 단계를 포함하는, 컴포넌트 위치 제어 방법.
2. 제 1 절에 있어서,
상기 추정된 효과를 계산하는 단계는, 상기 컴포넌트와 표면 사이의 카시미르 힘 및/또는 전자기력으로부터 유도된, 추정된 효과를 계산하는 단계를 포함하는, 컴포넌트 위치 제어 방법.
3. 제 2 절에 있어서,
상기 컴포넌트와 표면 사이의 카시미르 힘 및/또는 전자기력으로부터 유도된, 추정된 효과를 계산하는 단계는, 상기 컴포넌트와 표면 사이의 근접도 스티프니스(stiffness)를 계산하는 단계를 포함하는, 컴포넌트 위치 제어 방법.
4. 제 1 절 내지 제 3 절 중 어느 한 절에 있어서,
상기 보상하는 단계는, 상기 컴포넌트와 표면 사이의 상대 운동에 대한 제어 루프를 선형화하기 위한, 갭의 측정에 기초한 피드백을 포함하는, 컴포넌트 위치 제어 방법.
5. 제 1 절 내지 제 4 절 어느 한 절에 있어서,
상기 추정된 효과를 계산하는 단계는, 상기 추정된 효과가 1/z3, 1/z4, 또는 1/z5에 비례하는 수학식을 사용하여 상기 추정된 효과를 계산하는 단계를 포함하는, 컴포넌트 위치 제어 방법.
6. 제 1 절 내지 제 5 절 중 어느 한 항에 있어서,
상기 추정된 효과를 계산하는 단계는, 상기 컴포넌트와 표면 사이의 측정된 갭 거리에 기초하여, 상기 추정된 효과를 계산하는 단계를 포함하는, 컴포넌트 위치 제어 방법.
7. 제 6 절에 있어서,
상기 측정된 갭 거리는 측정된 갭 오차 신호로부터 유도된 갭 거리인, 컴포넌트 위치 제어 방법.
8. 방법으로서,
표면에 대해 컴포넌트를 위치설정하기 위한 제어 신호를 불안정하게 하는 근접도 힘 또는 스티프니스의 값에 대하여, 상기 컴포넌트와 표면 사이의 근접도 힘 또는 스티프니스에 기초하여 상기 컴포넌트와 표면 사이의 추정된 갭 거리를 계산하는 단계;
갭 신호에 있는 불안정성을 식별하기 위해 상기 컴포넌트와 표면 사이의 갭 거리에 관련된 갭 신호를 평가하는 단계로서, 상기 불안정성이 있을 경우의 갭 거리는 기준 갭 거리인, 단계; 및
추정된 갭 거리에 대해서 기준 갭 거리를 평가하여 표면에 대한 컴포넌트의 위치설정에 대한 정정 인자에 도달하는 단계를 포함하는, 방법.
9. 제 8 절에 있어서,
상기 갭 신호는 상기 컴포넌트의 제어 루프에서 측정된 신호로부터, 또는 상기 제어 루프에서 측정된 신호로부터 유도된 신호로부터 생성된 트리거 신호를 포함하는, 방법.
10. 제 9 절에 있어서,
상기 트리거 신호는 제어 오차 신호로부터 생성되고,
상기 제어 오차 신호는 상기 컴포넌트와 표면 사이의 측정된 갭과 상기 컴포넌트와 표면 사이의 원하는 갭의 차이의 정도인, 방법.
11. 제 9 절 또는 제 10 절에 있어서,
상기 트리거 신호는 측정된 신호 또는 유도된 신호의 이동 윈도우에 대한 값을 포함하는, 방법.
12. 제 11 절에 있어서,
상기 이동 윈도우에 대한 값은, 상기 측정된 신호 또는 유도된 신호의 최대 절대 값, 상기 측정된 신호 또는 유도된 신호의 제곱- 평균- 제곱근 값, 제어 루프 불안정성을 나타내는 특정한 주파수에 대한, 상기 측정된 신호 또는 유도된 신호의 에너지 콘텐츠 및/또는 그 외의 상기 측정된 신호 또는 유도된 신호의 크기의 놈-기초 정량화를 포함하는, 방법.
13. 제 8 절 내지 제 12 절 중 어느 한 절에 있어서,
상기 정정 인자는 상기 갭 신호, 상기 갭의 측정된 거리, 및/또는 상기 컴포넌트와 표면 사이의 상대 운동에 대한 제어 루프의 세트포인트 값에 대한 정정을 포함하는, 방법.
본원에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는, 자외(UV) 방사선(예컨대, 약 400 nm 미만이고 약 20 nm를 초과하거나, 약 365, 355, 248, 193, 157, 또는 126 nm의 파장을 가짐) 및 극자외(EUV) 방사선(예컨대, 5-20 nm 범위의 파장을 가짐), 및 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔을 포함하는, 모든 타입의 전자기 방사선을 망라한다.
본 명세서에 사용된 "렌즈"라는 용어는, 문맥이 허용한다면, 굴절, 회절, 반사, 자기, 전자자기, 및 정전기 광 컴포넌트를 포함하는 다양한 타입의 광 컴포넌트 중 임의의 것 또는 조합을 가리킬 수 있다.
비록 본 발명의 특정한 실시예가 위에서 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 예컨대, 본 발명의 실시예는 본 명세서에서 개시된 바와 같은 방법을 기술하는 기계 판독 가능한 명령어들의 하나 이상의 시퀀스들을 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되는 비일시적 데이터 저장 매체(예컨대, 반도체 메모리, 자기 디스크 또는 광 디스크 등) 또는 일시적 매체의 형태를 취할 수 있다. 더 나아가, 기계 판독 가능한 명령어는 두 개 이상의 컴퓨터 프로그램에서 구현될 수 있다. 두 개 이상의 컴퓨터 프로그램은 하나 이상의 상이한 메모리 및/또는 데이터 저장 미디어에 저장될 수 있다.
위의 설명은 한정적인 것이 아니라 예시적인 의도로 제공된다. 따라서, 다음 진술되는 청구항의 범위로부터 벗어나지 않으면서, 설명된 바와 같은 본 발명에 변경이 이루어질 수 있다는 것이 당업자에게는 명백할 것이다.

Claims (27)

  1. 표면에 대한 컴포넌트의 위치 제어 방법으로서,
    상기 컴포넌트와 표면 사이에 작용하는 카시미르 힘(Casimir force)의 추정된 효과 또는 카시미르 힘으로부터 유도된 추정된 효과를 계산하는 단계; 및
    추정된 효과를 사용하여, 상기 표면에 대한 컴포넌트의 위치설정을 보상하는 단계를 포함하는, 컴포넌트 위치 제어 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 추정된 효과를 계산하는 단계는, 상기 컴포넌트와 표면 사이의 카시미르 힘으로부터 유도된, 추정된 효과를 계산하는 단계를 포함하는, 컴포넌트 위치 제어 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 컴포넌트와 표면 사이의 카시미르 힘으로부터 유도된, 추정된 효과를 계산하는 단계는, 상기 컴포넌트와 표면 사이의 카시미르 스티프니스(stiffness)를 계산하는 단계를 포함하는, 컴포넌트 위치 제어 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보상하는 단계는, 상기 컴포넌트와 표면 사이의 상대 운동에 대한 제어 루프를 선형화하기 위한, 갭의 측정에 기초한 피드백을 포함하는, 컴포넌트 위치 제어 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 추정된 효과를 계산하는 단계는, 상기 추정된 효과가 1/z3, 1/z4, 또는 1/z5에 비례하는 수학식을 사용하여 상기 추정된 효과를 계산하는 단계를 포함하는, 컴포넌트 위치 제어 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 추정된 효과를 계산하는 단계는, 상기 컴포넌트와 표면 사이의 측정된 갭 거리에 기초하여, 상기 추정된 효과를 계산하는 단계를 포함하는, 컴포넌트 위치 제어 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 측정된 갭 거리는 측정된 갭 오차 신호로부터 유도된 갭 거리인, 컴포넌트 위치 제어 방법.
  8. 표면에 대한 컴포넌트의 위치 제어 방법으로서,
    상기 컴포넌트의 제어 루프에서 측정된 신호로부터, 또는 상기 제어 루프에서 측정된 신호로부터 유도된 신호로부터, 트리거 신호를 생성하는 단계; 및
    상기 표면에 대한 컴포넌트의 근접도를 결정하도록, 상기 트리거 신호가 임계 기준(threshold)을 통과하는지 여부를 평가하는 단계를 포함하는, 컴포넌트 위치 제어 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 트리거 신호를 생성하는 단계는, 제어 오차 신호로부터 상기 트리거 신호를 유도하는 단계를 포함하고,
    상기 제어 오차 신호는 상기 컴포넌트와 표면 사이의 측정된 갭과 상기 컴포넌트와 표면 사이의 원하는 갭의 차이의 정도(measure)인, 컴포넌트 위치 제어 방법.
  10. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 트리거 신호는 상기 측정된 신호 또는 유도된 신호의 이동 윈도우에 대한 값을 포함하는, 컴포넌트 위치 제어 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 이동 윈도우에 대한 값은, 상기 측정된 신호 또는 유도된 신호의 최대 절대 값, 상기 측정된 신호 또는 유도된 신호의 제곱- 평균- 제곱근 값, 제어 루프 불안정성을 나타내는 특정한 주파수에 대한, 상기 측정된 신호 또는 유도된 신호의 에너지 콘텐츠 및/또는 그 외의 상기 측정된 신호 또는 유도된 신호의 크기의 놈(norm)-기초 정량화를 포함하는, 컴포넌트 위치 제어 방법.
  12. 제 8 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방법은, 상기 트리거 신호가 임계 기준을 넘어서는 경우, 상기 컴포넌트와 표면 사이의 갭을 증가시키기 위한 메커니즘을 활성화하는 단계를 더 포함하는, 컴포넌트 위치 제어 방법.
  13. 제 8 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 임계 기준은, 상기 측정된 신호 또는 유도된 신호에서의 불안정의 발생 또는 도래에 대응하는, 컴포넌트 위치 제어 방법.
  14. 방법으로서,
    표면에 대해 컴포넌트를 위치설정하기 위한 제어 신호를 불안정하게 하는 카시미르 및/또는 정전기력 또는 스티프니스의 값에 대하여, 상기 컴포넌트와 표면 사이의 카시미르 및/또는 정전기력 또는 스티프니스에 기초하여 상기 컴포넌트와 표면 사이의 추정된 갭 거리를 계산하는 단계;
    상기 컴포넌트와 표면 사이의 갭 거리에 관련된 갭 신호 내의 불안정성을 식별하기 위하여, 상기 갭 신호를 평가하는 단계로서, 불안정성 상태인 상기 갭 거리가 기준 갭 거리인, 갭 신호를 평가하는 단계; 및
    상기 표면에 대한 컴포넌트의 위치설정을 위한 정정 인자에 도달하기 위하여, 추정된 갭 거리에 대해 상기 기준 갭 거리를 평가하는 단계를 포함하는, 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 갭 신호는 상기 컴포넌트의 제어 루프에서 측정된 신호로부터, 또는 상기 제어 루프에서 측정된 신호로부터 유도된 신호로부터 생성된 트리거 신호를 포함하는, 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 트리거 신호는 제어 오차 신호로부터 생성되고,
    상기 제어 오차 신호는 상기 컴포넌트와 표면 사이의 측정된 갭과 상기 컴포넌트와 표면 사이의 원하는 갭의 차이의 정도인, 방법.
  17. 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,
    상기 트리거 신호는 상기 측정된 신호 또는 유도된 신호의 이동 윈도우에 대한 값을 포함하는, 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 이동 윈도우에 대한 값은, 상기 측정된 신호 또는 유도된 신호의 최대 절대 값, 상기 측정된 신호 또는 유도된 신호의 제곱- 평균- 제곱근 값, 제어 루프 불안정성을 나타내는 특정한 주파수에 대한, 상기 측정된 신호 또는 유도된 신호의 에너지 콘텐츠 및/또는 그 외의 상기 측정된 신호 또는 유도된 신호의 크기의 놈-기초 정량화를 포함하는, 방법.
  19. 제 14 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방법은, 상기 컴포넌트와 표면 사이의 카시미르 힘 또는 스티프니스에 기초하여 상기 컴포넌트와 표면 사이의 추정된 갭 거리를 계산하는 단계를 포함하는, 방법.
  20. 제 14 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 정정 인자는 상기 갭 신호, 상기 갭의 측정된 거리, 및/또는 상기 컴포넌트와 표면 사이의 상대 운동에 대한 제어 루프의 세트포인트 값에 대한 정정을 포함하는, 방법.
  21. 표면에 대한 컴포넌트의 위치 제어 방법으로서,
    상기 컴포넌트와 표면 사이의 측정된 갭 거리에 기초하여, 상기 컴포넌트와 표면 사이에 작용하는 카시미르 스티프니스의 추정된 효과를 계산하는 단계; 및
    상기 카시미르 스티프니스의 추정된 효과를 사용하여 상기 표면에 대한 컴포넌트의 위치설정의 실제 카시미르 스티프니스를 보상하는 단계를 포함하는, 컴포넌트 위치 제어 방법.
  22. 제 1 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 컴포넌트는 고체 액침 렌즈를 포함하고, 상기 표면은 측정 타겟면을 포함하는, 컴포넌트 위치 제어 방법.
  23. 제 1 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방법은, 상기 표면의 1 nm 내지 50 nm 안에 상기 컴포넌트를 위치시키는 단계를 더 포함하는, 컴포넌트 위치 제어 방법.
  24. 리소그래피 프로세스를 사용하여 디바이스 패턴이 일련의 기판들에 적용되는 디바이스 제조 방법으로서,
    제 1 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항의 방법을 사용하여, 상기 기판들 중 적어도 하나 상에서 상기 디바이스 패턴의 일부로서 또는 디바이스 패턴 이외에 형성된 적어도 하나의 타겟을 검사하는 단계, 및
    상기 방법의 결과에 따라 추후의 기판들에 대하여 상기 리소그래피 프로세스를 제어하는 단계를 포함하는, 디바이스 제조 방법.
  25. 비일시적 컴퓨터 프로그램 제품으로서,
    프로세서가 제 1 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항의 방법을 수행하도록 하기 위한 머신-판독가능 명령을 포함하는, 비일시적 컴퓨터 프로그램 제품.
  26. 시스템으로서,
    기판 상의 측정 타겟에 빔을 제공하고, 상기 타겟에 의해 리디렉팅된 방사선을 검출하여 리소그래피 프로세스의 파라미터를 결정하도록 구성되는 검사 장치; 및
    제 25 항의 비일시적 컴퓨터 프로그램 제품을 포함하는, 시스템.
  27. 제 26 항에 있어서,
    상기 시스템은, 방사선 빔을 변조하기 위한 패터닝 디바이스를 홀딩하도록 구성되는 지지 구조체 및 변조된 빔을 방사선 감응 기판 상에 투영하도록 배치되는 투영 광학계를 더 포함하는, 시스템.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2017505A (en) * 2015-10-09 2017-04-11 Asml Netherlands Bv Method and apparatus for inspection and metrology
US10996573B2 (en) 2017-01-31 2021-05-04 Asml Netherlands B.V. Method and system for increasing accuracy of pattern positioning
US11333616B2 (en) 2020-07-30 2022-05-17 Kla Corporation Adaptive focusing system for a scanning metrology tool
WO2022025953A1 (en) * 2020-07-30 2022-02-03 Kla Corporation Adaptive focusing system for a scanning metrology tool

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020029609A1 (en) * 2000-07-28 2002-03-14 Johnston Matthew M. Technique for measuring small distances between and for measuring the flatness of, electrically conductive surfaces
US20130342831A1 (en) * 2012-06-26 2013-12-26 Kla-Tencor Corporation Device-like scatterometry overlay targets
WO2014164929A1 (en) * 2013-03-11 2014-10-09 Kla-Tencor Corporation Defect detection using surface enhanced electric field

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5354985A (en) 1993-06-03 1994-10-11 Stanford University Near field scanning optical and force microscope including cantilever and optical waveguide
US5939709A (en) 1997-06-19 1999-08-17 Ghislain; Lucien P. Scanning probe optical microscope using a solid immersion lens
US6441359B1 (en) 1998-10-20 2002-08-27 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Near field optical scanning system employing microfabricated solid immersion lens
US7791727B2 (en) 2004-08-16 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization
CN101084545A (zh) 2004-12-21 2007-12-05 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于增强近场光学系统的稳定性的方法和设备
JP2008041219A (ja) 2006-08-09 2008-02-21 Sony Corp 光ディスク装置及びサーボ制御方法
WO2008120372A1 (ja) 2007-03-29 2008-10-09 Pioneer Corporation 情報記録再生装置
KR20090016306A (ko) 2007-08-10 2009-02-13 삼성전자주식회사 고체함침렌즈 근접장 시스템
JP4345859B2 (ja) 2007-09-12 2009-10-14 ソニー株式会社 光学ピックアップ装置、光記録再生装置及びギャップの制御方法
JP2009158007A (ja) 2007-12-26 2009-07-16 Sony Corp 光学ピックアップ装置、光記録再生装置及びギャップ制御方法
KR20090079703A (ko) 2008-01-18 2009-07-22 삼성전자주식회사 근접장 광디스크 구동기에서 갭 서보 제어 방법 및 장치
JP2009197438A (ja) 2008-02-20 2009-09-03 Caterpillar Japan Ltd 作業機械における干渉防止制御装置
KR101429629B1 (ko) 2009-07-31 2014-08-12 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 방법 및 장치, 리소그래피 시스템, 및 리소그래피 처리 셀
WO2011023517A1 (en) * 2009-08-24 2011-03-03 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and substrate comprising metrology targets
CN102237100A (zh) 2010-04-23 2011-11-09 建兴电子科技股份有限公司 近场光学存取系统中的透镜推入方法
NL2006458A (en) 2010-05-05 2011-11-08 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
WO2012022584A1 (en) 2010-08-18 2012-02-23 Asml Netherlands B.V. Substrate for use in metrology, metrology method and device manufacturing method
US20140158906A1 (en) * 2012-12-06 2014-06-12 Charles Hillel Rosendorf Method and equipment for quantum vacuum energy extraction
WO2016030227A1 (en) 2014-08-29 2016-03-03 Asml Netherlands B.V. Method for controlling a distance between two objects, inspection apparatus and method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020029609A1 (en) * 2000-07-28 2002-03-14 Johnston Matthew M. Technique for measuring small distances between and for measuring the flatness of, electrically conductive surfaces
US20130342831A1 (en) * 2012-06-26 2013-12-26 Kla-Tencor Corporation Device-like scatterometry overlay targets
WO2014164929A1 (en) * 2013-03-11 2014-10-09 Kla-Tencor Corporation Defect detection using surface enhanced electric field

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
논문(Sylvain Blanvillain 외 2명) *

Also Published As

Publication number Publication date
US9927722B2 (en) 2018-03-27
TW201643416A (zh) 2016-12-16
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NL2016311A (en) 2016-09-30
WO2016135166A2 (en) 2016-09-01
US20160246189A1 (en) 2016-08-25
CN107278280A (zh) 2017-10-20
CN107278280B (zh) 2019-03-01
TWI588476B (zh) 2017-06-21
KR102025215B1 (ko) 2019-09-25

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